Professional Documents
Culture Documents
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.1. Định nghĩa mạch khuếch đại
Trong đó: Un là nguồn tín hiệu vào, Rn là điện trở trong của nguồn tín
hiệu, Rt tải nơi nhận tín hiệu ra.
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.1. Định nghĩa mạch khuếch đại
Hinh 1.2. Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đại và biểu đồ thời gian
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Hệ số khuếch đại.
vì tầng khuếch đại có chứa các phần tử điện kháng nên K là một số phức:
Có thể tính |K| theo đơn vị logarit, gọi là đơn vị đề xi ben (dB)
|K| (dB) = 20lg |K|
Khi ghép liên tiếp n tầng khuếch đại với các hệ số khuếch đại tương ứng là
K1, K2,...Kn thì hệ số khuếch đại chung của bộ khuếch đại xác định:
KTP = K1.K2...Kn
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Hệ số khuếch đại.
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Trở kháng lối vào và lối ra
Trở kháng vào, ra của tầng khuếch đại được định nghĩa:
𝑈𝑉 𝑈𝑟 (2-2)
𝑍𝑉 = ; 𝑍𝑟 =
𝐼𝑉 𝐼𝑟
Nói chung chúng là dạng phức nên ta có thể viết:
Z = R + jX
c. Méo tần số:
𝐾0 𝐾0
𝑀𝑡 = ; 𝑀𝑐 =
𝐾𝑡 𝐾𝑐
2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
d. Méo phi tuyến:
(2-4)
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Nguyên tắc chung phân cực transistor lưỡng cực
Hình 1-4. a. Biểu diễn điện áp và dòng điện phân cực transistor n-p-n.
b. Transistor p-n-p.
UBE=UB-UE>0
UCE= UC- UE>0
Learning Opportunity for All UE< UB< UC
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Mạch cấp điện áp phân cực:
Hình 1.5. Phương pháp cấp thiên áp cho transistor lưỡng cực.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Mạch cấp điện áp phân cực:
𝑈𝑐𝑐 − 𝑈𝐵𝐸0 𝑈𝑐𝑐
𝐼𝐵0 = ≈
𝑅𝐵 𝑅𝐵
Dòng điện một chiều ở đầu ra (dòng cực góp) IC0 và điện áp một chiều ở
đầu ra UCE0:
Mạch này đơn giản nhưng độ ổn định điểm làm việc kém
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Điểm làm việc tĩnh của transistor lưỡng cực:
Hình 1-6.
Hình 1-7. Điểm làm việc tĩnh của transistor.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Điểm làm việc tĩnh của transistor lưỡng cực:
Hình 1-6. Hình 1-7. Điểm làm việc tĩnh của transistor.
UCC = UCE + ICRC + IERE
Vì IE ≈ IC nên:
UCE = UCC –IC(RC+ RE) (1-6)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:
(1-6)
Hình 1-8. Sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm viêc cho JFET.
Điều kiện để JFET làm việc:
• 0 < |ID| < |IDSS|
• Điện áp cực cửa – cực nguồn: UP < UGS với kênh N
Learning Opportunity for All
UP > UGS với kênh P
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:
Hình 1-9. Đặc tuyến truyền đạt và điểm làm việc tĩnh của JFET kênh N.
𝑼𝑮𝑺 𝟐
Biểu thức PT đặc tuyến: 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − ) (1-7)
𝑼𝑷
Vì dòng qua RG gần như bằng 0 nên: UGS = - IDRS (1-8)
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:
Hình 1-8. Đặc tuyến truyền đạt và điểm làm việc tĩnh của JFET kênh
N.
Từ hình 1-8 ta có PT đường tải một chiều:
(1-10)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
➢ Hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng trở kháng vào của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.
➢ Hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.
➢ Hồi tiếp âm dòng điện làm tăng trở kháng ra của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.
➢ Hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
Trở kháng vào, trở kháng ra, hệ số khuếch đại dòng Ki, hệ số khuếch đại áp KU
và hệ số khuếch đại công suất KP.
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:
Suy ra:
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:
Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:
Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung
(1-22)
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:
Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung
(1-23)
(1-24)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Source chung:
(1-25)
(1-26)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Source chung:
2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:
2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:
2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:
(1-29)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
(1-29)
(1-33)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
Ud = UV1 – UV2
Hệ số khuếch đại hiệu:
➢ Ưu điểm: Mạch đơn giản, gọn nhẹ, dễ định thiên vì thiên áp một chiều của các tầng
không ảnh hưởng lẫn nhau.
➢ Nhược điểm: Thành phần tần số thấp khó qua do tụ cản trở thành phần này.
➢ Ưu điểm: điện áp nguồn cung cấp cho cực góp của transistor lớn vì điện áp một chiều
sụt trên cuộn dây bé, do đó cho phép nguồn có điện áp thấp.
➢ Nhược điểm: đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong giải tần, kết cấu mạch nặng nề,
cồng kềnh, hư hỏng sửa chữa thay thế phức tạp.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
Hình 1-38. Điểm làm việc của các chế độ khuếch đại.
➢ Chế độ A: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm giữa đường tải một chiều
➢ Chế độ B: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm chuyển tiếp giữa vùng
tắt và vùng khuếch đại của nó.
➢ Chế độ AB: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm giữa chế độ A và chế độ B.
➢ Chế độ C: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm trong vùng tắt.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
Hình 1-39. Dạng dòng điện ra ứng với các chế độ công tác của transistor.
➢ Chế độ A: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm giữa đường tải một chiều
➢ Chế độ B: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm chuyển tiếp giữa vùng
tắt và vùng khuếch đại của nó.
➢ Chế độ AB: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm giữa chế độ A và chế độ B.
➢ Chế độ C: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm trong vùng tắt.
Hình 1-40. Chế độ A mắc EC. Hình 1-41. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Nếu bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của Công suất ra lớn nhất:
transistor từ đồ thị hình 1-41 ta thấy:
Hình 1-40. Chế độ A mắc EC. Hình 1-41. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất nguồn cấp cho mạch: Ta có hiệu suất cực đại của mạch là:
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 1
𝐻= . 100% = . 100% = 25% (1-36)
𝑃0 4
Hình 1-42. Tầng công suất ghép biến áp Hình 1-43. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra: Bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của transistor từ
đồ thị hình 1-43 ta thấy:
Hình 1-42. Tầng công suất ghép biến áp Hình 1-43. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra lớn nhất: Công suất nguồn cấp cho mạch:
Hình 1-44. Tầng công suất CC. Hình 1-45. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra: Nếu bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của transistor:
(1-37)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University
Hình 1-44. Tầng công suất CC. Hình 1-45. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra lớn nhất:
Hiệu suất cực đại cho mạch:
𝑈𝑐𝑐 . 𝐼𝐸0
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 1
4 𝐻= . 100% = . 100% = 25% (1-38)
𝑃0 4
𝑈𝐶𝐶
𝐼መ𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝑡,
Công suất cực đại của mạch là:
2
𝑈𝐶𝐶
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 =
2𝑅𝑡,
Công suất nguồn cung cấp:
𝑃0 = 𝑖 𝑇𝐵 . 𝑈𝐶𝐶
1 𝜋
𝑖 𝑇𝐵 = න 𝐼.መ 𝐶𝑚𝑎𝑥 . sin(𝜔 𝑡). 𝑑 𝜔𝑡
𝜋 0
2𝐼መ𝐶𝑚𝑎𝑥
= 𝑖 𝑇𝐵 . 𝑈𝐶𝐶 Hình 1-49. Đường tải 1 chiều, xoay chiều và
𝜋
Learning Opportunity for All dạng tín hiệu ra.