You are on page 1of 77

E-Learning Programs of Hanoi Open University

BÀI II : MẠCH KHUẾCH ĐẠI


ĐIỆN ÁP DÙNG BJT

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

NỘI DUNG BÀI HỌC


2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại
2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng transistor lưỡng cực (BJT )
2.5. Các sơ đồ cơ bản dùng transistor trường (FET)
2.6. Một số mạch khuếch đại khác
2.7. Các phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại
2.8. Tầng khuếch đại công suất

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.1. Định nghĩa mạch khuếch đại

Hinh 1.1. Sơ đồ tổng quát mạch khuếch đại

Trong đó: Un là nguồn tín hiệu vào, Rn là điện trở trong của nguồn tín
hiệu, Rt tải nơi nhận tín hiệu ra.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.1. Định nghĩa mạch khuếch đại

Hinh 1.2. Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đại và biểu đồ thời gian

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Hệ số khuếch đại.

Đạ𝑖 𝑙ượ𝑛𝑔 đầ𝑢 𝑟𝑎


𝐾= (2-1)
Đạ𝑖 𝑙ượ𝑛𝑔 𝑡ươ𝑛𝑔 ứ𝑛𝑔 đầ𝑢 𝑣à𝑜

vì tầng khuếch đại có chứa các phần tử điện kháng nên K là một số phức:

Có thể tính |K| theo đơn vị logarit, gọi là đơn vị đề xi ben (dB)
|K| (dB) = 20lg |K|
Khi ghép liên tiếp n tầng khuếch đại với các hệ số khuếch đại tương ứng là
K1, K2,...Kn thì hệ số khuếch đại chung của bộ khuếch đại xác định:
KTP = K1.K2...Kn

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Hệ số khuếch đại.

Nếu tính theo đơn vị dB ta có:

KTP(dB) = K1(dB) + K2(dB) +... + Kn(dB)

Hình 1.3. Đặc tuyến biên độ - tần số

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Trở kháng lối vào và lối ra
Trở kháng vào, ra của tầng khuếch đại được định nghĩa:

𝑈𝑉 𝑈𝑟 (2-2)
𝑍𝑉 = ; 𝑍𝑟 =
𝐼𝑉 𝐼𝑟
Nói chung chúng là dạng phức nên ta có thể viết:

Z = R + jX
c. Méo tần số:

𝐾0 𝐾0
𝑀𝑡 = ; 𝑀𝑐 =
𝐾𝑡 𝐾𝑐

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.1. Định nghĩa, các chỉ tiêu và tham số cơ bản của mạch khuếch đại
2.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
d. Méo phi tuyến:

(2-4)

e. Hiệu suất của tầng khuếch đại:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
a. Nguyên tắc chung phân cực transistor lưỡng cực

Hình 1-4. a. Biểu diễn điện áp và dòng điện phân cực transistor n-p-n.
b. Transistor p-n-p.
UBE=UB-UE>0
UCE= UC- UE>0
Learning Opportunity for All UE< UB< UC
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Mạch cấp điện áp phân cực:

Hình 1.5. Phương pháp cấp thiên áp cho transistor lưỡng cực.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Mạch cấp điện áp phân cực:
𝑈𝑐𝑐 − 𝑈𝐵𝐸0 𝑈𝑐𝑐
𝐼𝐵0 = ≈
𝑅𝐵 𝑅𝐵
Dòng điện một chiều ở đầu ra (dòng cực góp) IC0 và điện áp một chiều ở
đầu ra UCE0:

Mạch này đơn giản nhưng độ ổn định điểm làm việc kém

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và
transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
b. Mạch cung cấp điện áp phân cực cho Transistor lưỡng cực:
➢ Điểm làm việc tĩnh của transistor lưỡng cực:

Hình 1-6.
Hình 1-7. Điểm làm việc tĩnh của transistor.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Điểm làm việc tĩnh của transistor lưỡng cực:

Hình 1-6. Hình 1-7. Điểm làm việc tĩnh của transistor.
UCC = UCE + ICRC + IERE
Vì IE ≈ IC nên:
UCE = UCC –IC(RC+ RE) (1-6)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:

(1-6)

Hình 1-8. Sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm viêc cho JFET.
Điều kiện để JFET làm việc:
• 0 < |ID| < |IDSS|
• Điện áp cực cửa – cực nguồn: UP < UGS với kênh N
Learning Opportunity for All
UP > UGS với kênh P
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:

Hình 1-9. Đặc tuyến truyền đạt và điểm làm việc tĩnh của JFET kênh N.
𝑼𝑮𝑺 𝟐
Biểu thức PT đặc tuyến: 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − ) (1-7)
𝑼𝑷
Vì dòng qua RG gần như bằng 0 nên: UGS = - IDRS (1-8)

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.2. Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường và transistor lưỡng cực
2.2.1. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
➢ Phân cực và chế độ làm việc một chiều của transistor trường:

Hình 1-8. Đặc tuyến truyền đạt và điểm làm việc tĩnh của JFET kênh
N.
Từ hình 1-8 ta có PT đường tải một chiều:

UDS = UD - ID( RS + RD) (1-9)

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.1. Định nghĩa:

Trong đó: K là hệ số khuếch đại.


Kht là hệ số hồi tiếp

Hình 1-10. Sơ đồ khối của bộ khếch đại có hồi tiếp.


❖ Phân loại hồi tiếp.
➢ Hồi tiếp dương.
➢ Hồi tiếp âm.
➢ Hồi tiếp nối tiếp điện áp.
➢ Hồi tiếp nối tiếp dòng điện.
➢ Hồi tiếp song song điện áp.
➢ Hồi tiếp song song dòng điện.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.1. Định nghĩa:
❖ Phân loại hồi tiếp.
➢ Hồi tiếp nối tiếp điện áp.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.1. Định nghĩa:
❖ Phân loại hồi tiếp.
➢ Hồi tiếp nối tiếp dòng điện.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.1. Định nghĩa:
❖ Phân loại hồi tiếp.
➢ Hồi tiếp song song điện áp.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.1. Định nghĩa:
❖ Phân loại hồi tiếp.
➢ Hồi tiếp song song dòng điện.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.2. Các phương trình của mạng 4 cực khuếch đại có hồi tiếp:

Hình 1-11. Sơ đồ khối bộ khuếch đại có hồi tiếp


Từ sơ đồ hình ta có:
Xr = K.Xh
Xht = Kht.Xr
Xh = Xv – Xht
Từ 3 phương trình trên ta rút ra được:

(1-10)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.3. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại:


2.3.2. Các phương trình của mạng 4 cực khuếch đại có hồi tiếp:

Hình 1-11. Sơ đồ khối bộ khuếch đại có hồi tiếp


Trong đó:
K’ là hệ số khuếch đại của mạng 4 cực khuếch đại có hồi tiếp âm.
K là hệ số khuếch đại của mạng 4 cực không có hồi tiếp.
Kht là hệ số hồi tiếp.
Kv = K.Kht gọi là hệ số khuếch đại vòng.
g = 1 + K.Kht gọi là độ sâu hồi tiếp.
Khi K.Kht >> 1 từ (1-10) ta có: (1-11)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Ảnh hưởng hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại:


2.4.1. Hồi tiếp âm làm giảm hệ số khuếch đại:

Hình 1-12. bộ khuếch đại có hồi tiếp


Làm giảm g lần:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Ảnh hưởng hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại:


2.4.2. Hồi tiếp âm làm ổn định hệ số khuếch đại:

Hình 1-12. bộ khuếch đại có hồi tiếp


Từ biểu thức (1-10) ta có: 1 𝐾2
𝑑 𝐾′ = 2 𝑑𝐾 − 1 + 𝐾. 𝐾 2 . 𝑑𝐾ℎ𝑡
1 + 𝐾. 𝐾ℎ𝑡 ℎ𝑡
(1-12)
∆𝐾 ′ 1 ∆𝐾 𝐾. 𝐾ℎ𝑡 ∆𝐾ℎ𝑡
= 2 . 𝐾 − 1 + 𝐾. 𝐾 .
𝐾′ 1 + 𝐾. 𝐾ℎ𝑡 ℎ𝑡 𝐾ℎ𝑡
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Ảnh hưởng hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại:


2.4.3. Hồi tiếp âm làm làm thay đổi trở kháng vào ra của bộ khuếch đại:

➢ Hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng trở kháng vào của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.

➢ Hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.

➢ Hồi tiếp âm dòng điện làm tăng trở kháng ra của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.

➢ Hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của tầng khuếch đại có hồi tiếp g lần.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Ảnh hưởng hồi tiếp âm đến mạch khuếch đại:


2.4.3. Hồi tiếp âm làm làm tang độ rộng dải thông của bộ khuếch đại:

Hình 1-13. Đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đại

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
Trở kháng vào, trở kháng ra, hệ số khuếch đại dòng Ki, hệ số khuếch đại áp KU
và hệ số khuếch đại công suất KP.
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Trở kháng vào:


ZV = R1//R2//rbe
Hệ số khuếch đại dòng điện: 𝑈𝑟 1
𝐼𝑅𝑡 Τ
𝛽𝐼𝐵. (𝑅𝐶 / 𝑅𝑡 )
𝑅𝑡 𝑅𝑡
𝐾𝑡 = = =
𝐼𝑉 𝑈𝑉 1
𝐼𝐵 𝑅𝐵𝐸
Learning Opportunity for All 𝑍𝑉 𝑍𝑉
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.1. Các tham số cơ bản:
2.4.2. Tầng khếch đại Emitor chung:

Trở kháng ra:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:

Hệ số khuếch đại điện áp:


𝑈𝑟 (𝛽 + 1)𝐼 𝐵. (𝑅𝐸 Τ/ 𝑅𝑡 ൯ 𝛽 + 1 . (𝑅𝐸 Τ/ 𝑅𝑡 )
𝐾𝑈 = = = ≈1
𝑈𝑣 𝐼𝐵 𝑅𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (𝑅𝐸 Τ/ 𝑅𝑡 ) 𝑟𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)(𝑅𝐸 Τ/ 𝑅𝑡 )

Learning Opportunity for All (1-17)


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:

Trở kháng vào:


ZV = R1 // R2 // [rBE + (𝛽+1)(RE // Rt)] (1-18)
Hệ số khuếch đại dòng điện:
𝐼𝑟 𝑈𝑟 Τ𝑅𝑡 𝑍𝑣 𝑅1 Τ/ 𝑅2 Τ/ 𝑟𝑏𝑒 + (𝛽 + 1)(𝑅𝐸 Τ/ 𝑅𝑡 )
𝐾𝑡 = = = 𝐾𝑈 ≈
𝐼𝑉 𝑈𝑣 Τ𝑍𝑣 𝑅𝑡 𝑅𝑡
Learning Opportunity for All (1-19)
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:

Trở kháng ra: 𝑈𝑟ℎ𝑚


𝑍𝑟 =
𝐼𝑟𝑛𝑔𝑚

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.3. Tầng khếch đại Collector chung:

Suy ra:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:

Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung

Hệ số khuếch đại điện áp:


𝑈𝑟 −𝛽𝐼𝐵. (𝑅𝐶 Τ/ 𝑅𝑡 ) 𝛽
𝐾𝑈 = = = (𝑅𝐶 Τ/ 𝑅𝑡 )
𝑟𝐵𝐸
𝑈𝑣 −𝐼𝐵. 𝑟𝐵𝐸
(1-21)
= S (𝑅𝐶 Τ/ 𝑅𝑡 )
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:

Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung

(1-22)

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.4. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor lưỡng cực
2.4.4. Tầng khếch đại Bazơ chung:

Hình 1-21. Sơ đồ Bazơ chung Hình 1-22. Sơ đồ tương đương Bazơ chung

(1-23)

(1-24)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Source chung:

(1-25)

(1-26)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Source chung:

Learning Opportunity for All (1-27)


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:

Hình 1-25. Sơ đồ Drain chung Hình 1-26. Sơ đồ tương đương DC


Hệ số khuếch đại điện áp:
𝑈𝑟 𝑈𝑟 𝑔𝑚 𝑈𝐺𝑆. (𝑅𝑆 Τ/ 𝑅𝑡 ) 𝑔𝑚 . (𝑅𝑆 Τ/𝑅𝑡 ൯
𝐾𝑈 = = = = Τ
≈1
𝑈𝑣 𝑈𝐺𝑆 +𝑈𝑟 Τ
𝑈𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 𝑈𝐺𝑆 (𝑅𝑆 / 𝑅𝑡 ) 1+𝑔𝑚 𝑆 (𝑅 /𝑅 𝑡 )
(1-28)
Trở kháng vào của mạch:
ZV = Zr (1-29)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:

Hình 1-25. Sơ đồ Drain chung Hình 1-26. Sơ đồ tương đương DC

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.5. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dung transistor đơn cực (FET)
2.5.1. Tầng khếch đại Drain chung:

Hình 1-25. Sơ đồ Drain chung Hình 1-26. Sơ đồ tương đương DC

(1-29)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.1. Mạch khuếch đại Darlington:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.1. Mạch khuếch đại Darlington:

(1-29)

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.1. Mạch khuếch đại Darlington:

Ube = Ib1.rbe1+ Ib2.rbe2 = Ib1.rbe1 + (𝛽+1) IB1.rbe2


𝑈𝑏𝑒 (1-32)
𝑟𝑉 = = 𝑟𝑏𝑒1 + (𝛽 + 1)𝑟𝑏𝑒2
Learning Opportunity for All 𝐼𝑏1
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch Kaskode:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch Kaskode:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch Kaskode:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch Kaskode:

(1-33)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch khếch đại dải rộng:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.2. Mạch khếch đại dải rộng:

tải của tầng là R1 và R2. Như vậy nhờ các


phần tử hiệu chỉnh làm tăng tải xoay chiều
ở hai đầu của giải tần nhờ vậy điện áp ra
tang lên ở hai đầu vùng đó.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.3. Mạch khếch đại cộng hưởng:

Khi tần số tín hiệu vào thay đổi

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.4. Mạch khếch đại đảo pha:

Trở kháng vào của mạch: Hệ số khuếch đại điện áp:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.6. Một số mạch khuếch đại khác:


2.6.4. Mạch khếch đại đảo pha:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.7. Mạch khuếch đại vi sai:


2.6.1. Khái niệm:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.7. Mạch khuếch đại vi sai:


2.6.1. Các tham số cơ bản:
Điện áp hiệu:

Ud = UV1 – UV2
Hệ số khuếch đại hiệu:

𝑈𝑟1 − 𝑈𝑟2 𝑈𝑟𝑑


𝐾𝑈𝑑 = =
𝑈𝑑 𝑈𝑑
Nếu lấy một tín hiệu trên một đầu ra thì:
𝑈𝑟1 𝑈𝑟𝑑 𝐾𝑈𝑑
𝐾𝑈1 = 𝐾𝑈2 = = =
𝑈𝑑 2𝑈𝑑 2

UV1 = UV2 = Uđp

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.7. Mạch khuếch đại vi sai:


2.6.1. Các tham số cơ bản:
Khi điện áp đầu vào hai cửa của bộ khuếch đại
vi sai bằng nhau:
UV1 = UV2 = Uđp

Lúc này Uđp gọi là điện áp đồng pha và


theo lý thuyết thì lúc đó Ur = 0V

nhưng thực tế thì không như vậy mà Ur = Kđp.


Uđp ≠ 0.

KCM gọi là hệ số khuếch đại đồng pha và Kđp << KUd.

Để đánh giá bộ khuếch đại vi sai người ta đưa ra


khái niệm hệ số nén tín hiệu đồng pha:
𝐾𝑈𝑑
𝐺=
𝐾𝑑𝑝
Hệ số G này càng lớn tác dụng giảm trôi càng tốt (103  G 105).

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.8. Các phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại:


2.8.1. Ghép tầng bằng tụ điện:

Hình 1-35. Sơ đồ bộ khuếch đại nhiều tầng ghép điện dung.

➢ Ưu điểm: Mạch đơn giản, gọn nhẹ, dễ định thiên vì thiên áp một chiều của các tầng
không ảnh hưởng lẫn nhau.

➢ Nhược điểm: Thành phần tần số thấp khó qua do tụ cản trở thành phần này.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.8. Các phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại:


2.8.2. Ghép tầng bằng biến áp:

Hình 1-36. Sơ đồ bộ khuếch đại nhiều tầng ghép biến áp.

➢ Ưu điểm: điện áp nguồn cung cấp cho cực góp của transistor lớn vì điện áp một chiều
sụt trên cuộn dây bé, do đó cho phép nguồn có điện áp thấp.
➢ Nhược điểm: đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong giải tần, kết cấu mạch nặng nề,
cồng kềnh, hư hỏng sửa chữa thay thế phức tạp.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.8. Các phương pháp ghép tầng trong bộ khuếch đại:


2.8.3. Ghép tầng trực tiếp:

Hình 1-37. Sơ đồ bộ khuếch đại nhiều tầng ghép trực tiếp.


➢ Ưu điểm: làm giảm méo tần số thấp trong bộ khuếch đại, mạch được dùng trong bộ
khuếch đại tín hiệu có thành phần một chiều (tín hiệu biến thiên chậm).
➢ Nhược điểm: không tận dụng được độ khuếch đại của transistor do chế độ cấp điện một
chiều và khó định thiên.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.1. Chế độ công tác và điểm làm việc:

Hình 1-38. Điểm làm việc của các chế độ khuếch đại.

➢ Chế độ A: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm giữa đường tải một chiều
➢ Chế độ B: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm chuyển tiếp giữa vùng
tắt và vùng khuếch đại của nó.
➢ Chế độ AB: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm giữa chế độ A và chế độ B.
➢ Chế độ C: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm trong vùng tắt.
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.1. Chế độ công tác và điểm làm việc:

Hình 1-39. Dạng dòng điện ra ứng với các chế độ công tác của transistor.

➢ Chế độ A: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm giữa đường tải một chiều
➢ Chế độ B: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm chuyển tiếp giữa vùng
tắt và vùng khuếch đại của nó.
➢ Chế độ AB: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor là điểm giữa chế độ A và chế độ B.
➢ Chế độ C: là chế độ mà điểm làm việc tĩnh của transistor nằm trong vùng tắt.

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.1. Chế độ A sơ đồ EC:

Hình 1-40. Chế độ A mắc EC. Hình 1-41. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra

Nếu bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của Công suất ra lớn nhất:
transistor từ đồ thị hình 1-41 ta thấy:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.1. Chế độ A sơ đồ EC:

Hình 1-40. Chế độ A mắc EC. Hình 1-41. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra

Công suất nguồn cấp cho mạch: Ta có hiệu suất cực đại của mạch là:
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 1
𝐻= . 100% = . 100% = 25% (1-36)
𝑃0 4

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.2. Tầng công suất EC ghép biến áp với tải:

Hình 1-42. Tầng công suất ghép biến áp Hình 1-43. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra: Bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của transistor từ
đồ thị hình 1-43 ta thấy:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.2. Tầng công suất EC ghép biến áp với tải:

Hình 1-42. Tầng công suất ghép biến áp Hình 1-43. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra lớn nhất: Công suất nguồn cấp cho mạch:

Hiệu suất cực đại cho mạch:


𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 1
𝐻= . 100% = . 100% = 50% (1-37)
𝑃0 2
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.3. Tầng công suất CC:

Hình 1-44. Tầng công suất CC. Hình 1-45. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra: Nếu bỏ qua vùng tắt và vùng bão hòa của transistor:

(1-37)
Learning Opportunity for All
E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.3. Tầng công suất CC:

Hình 1-44. Tầng công suất CC. Hình 1-45. Dạng tín hiệu trên đặc tuyến ra
Công suất ra lớn nhất:
Hiệu suất cực đại cho mạch:
𝑈𝑐𝑐 . 𝐼𝐸0
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 1
4 𝐻= . 100% = . 100% = 25% (1-38)
𝑃0 4

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.2. Tầng công suất làm việc chế độ A:
2.9.2.3. Tầng công suất CC:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.3. Tầng khuếch đại công suất làm việc đẩy kéo:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.3. Tầng khuếch đại công suất làm việc đẩy kéo:
2.9.3. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo song song:

Khi có tín hiệu trên Colectơ của T1


và T2 sẽ có điện trở tải R' do Rt
phản ánh qua BA2 thì:

Learning Opportunity for All


E-Learning Programs of Hanoi Open University

2.9. Tầng khuếch đại công suất


2.9.3. Tầng khuếch đại công suất làm việc đẩy kéo:
2.9.3. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo song song:

෡𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑈𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐶𝐸𝑚𝑖𝑛 ≈ 𝑈𝐶𝐶


𝑈

𝑈𝐶𝐶
𝐼መ𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝑡,
Công suất cực đại của mạch là:
2
𝑈𝐶𝐶
𝑃𝑟~𝑚𝑎𝑥 =
2𝑅𝑡,
Công suất nguồn cung cấp:

𝑃0 = 𝑖 𝑇𝐵 . 𝑈𝐶𝐶
1 𝜋
𝑖 𝑇𝐵 = න 𝐼.መ 𝐶𝑚𝑎𝑥 . sin(𝜔 𝑡). 𝑑 𝜔𝑡
𝜋 0
2𝐼መ𝐶𝑚𝑎𝑥
= 𝑖 𝑇𝐵 . 𝑈𝐶𝐶 Hình 1-49. Đường tải 1 chiều, xoay chiều và
𝜋
Learning Opportunity for All dạng tín hiệu ra.

You might also like