Chương 3

CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU BÉ

3.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT

Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối với bộ khuếch đại
điện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé thưòng dựa vào các loại
sơ đồ tưcmg đương.
Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tương đương:
- Loại thứ nhất gọi là sơ đồ tương đưcmg vật lý hay sơ đồ tưofng đưcfng
hình T và cũng có tên gọi là sơ đồ tương đương (The ĩg transistor model).
- Loại thứ hai được gọi là sơ đồ tương đưong tham sô' bao gồm các tham
số trở kháng, điện dẫn hoặc hỗn hợp.
Cả hai loại sơ đồ tương đương của transistor có thể coi là không phụ
thuộc vào tần số đến một phạm vi khá cao:
- Đối với các loại transistor lưỡng cực (BJT) khi tần số tín hiệu
f ,< ( 0 , l - f 0,5)f,.
- Đ ối với các loại transistor hiệu ứng trường (FET) khi tần số tín hiệu
f,< (1 0 ^ 150)MHz.
ở phạm vi tần số cao hơn những số liệu trên, khi sử dụng các loại sơ đổ
tương đưofng phải được lựa chọn một cách thích hợp và không được bỏ qua
ảnh hưởng của các tụ ký sinh (Cj(;s) bản thân transistor đến sự truyền đạt tín
hiệu qua nó.
Với mỗi kiểu mắc đối với transistor có ba họ đặc tuyến Volt-Ampe
quan trọng: họ đặc tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến truyền đạt.
Có thể xây dựng đường tải một chiều (R.) và đường tải xoay chiều (R_)
trên các họ đặc tuyến cơ bản của transistor và xác định các tham số một
chiều cũng như xoay chiều của tầng khuếch đại điện tử.

66 5-250BTKTĐIẸNTỬ.B
 Các thông số kỹ thuật cơ bản đối với tầng khuếch đại điện tử dùng
transistor bao gồm; trở kháng vào (Ry), trỏ kháng ra (R^a), các hệ số khuếch
đại điện áp ( K u ) dòng điện ( K ị ) , công suất ( K p ) .
Hệ số khuếch đại nhiều tầng ghép liên tiếp bằng tích các hệ số thành phần.

3.2. BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI

( 8^ Bài tập 3-1. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-1.
a) Xác định r^.
b) Xác định trở kháng vào của tầng Ry.
c) Xác định trở kháng ra của tầng (với fo = oo)
d) Xác định hệ số khuếch đại điện áp Ku (với ĨQ= oo)
e) Xác định hệ số khuếch đại dòng điện K¡ (với ĨQ= ũo)
ECO.J 2 V

II— u
Cj 10|iF
p=100
r„=50kQ

Hình 3-1

Bài giải
Chọn transistor T loại Si và thiên áp Uggo =0,7V
a) Dòng tĩnh IgQ sẽ là:

12V -0,7V ,
I bo = — = 24,04^iA
Rg 470kQ
Dòng tĩnh IgQ sẽ là:

1,0 =(1 + P)l30 = (l + 100)24,04.10-'A = 2,428mA

Điện trở r, được xác định:

67
 1^0 2,428.10-'
b) Trở kháng vào được tính:

Ry —Rb // TvT
trong đó Tvt - trở kháng vào của transistor
fy^ = pr,= 100.10,71 = l,071kQ
Ry = 470//1,071 = l,069kQ.
c) Trở kháng ra của tầng được tính:

R „ = Rc / / ĨQ = Rc / / °0 = Rc = 3kQ .
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng:

r, 10,71
e) Vì Rg > lOrvT = lOp.r, (470k0 > 10,71k0)
nên K ị« p = 10 0

Bài tập 3-2. Tính toán lặp lại cho bài tập trên*hình 3-1 với ĨQ= 50kQ.

Bài giải
Ta nhận thấy các thông số trong hai câu a, b sẽ không có gì thay đổi nên;
a) r,= 10,710
b) Rv= l,0 7 1 k a
c) Trở kháng ra của tầng được tính:

= R e // ro = 3 // 50 = 2,83kũ.
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tẩng.

-264,24
r. 10,71
e) Hệ số khuếch đại dòng điện Kj
Y- _ P-Re-rp : 100.4 7 0 .5 0 ^3
‘ (ro+R^XRg + r^^) (50+ 3)(470 + 1,071) ’
Có thể tính K: theo biểu thức khác:

68
 K , = - K > = 2 H É Í 3 1 ) W 9 =94,16
3

Bài tập 3-3. Cho tầng khuếch đại dùng transistor lưỡng cực (BJT) như
trên hình 3-2. Hãy xác định:

+E^22V
^3 6,8kQ
R
56kn
u
n, lO^iF c'lO jiF
X - p=90
^1 Rra
ĩT R >8,2 kfì n < r C3 20|XF
l,5kQ
R,
1
Hình 3-2

a)r,
b) Rv
c) R,, (với fo = 00)
d) Ku (với To = co)
e) Ki (với To = 00)
Bài giải
Chọn transistor T loại Si vói thiên áp Uggo = 0,7V
a) Ta có:

U = -M e e .. ^ 2.22 ^ 2,81V
® R ,+ R 2 56+8,2

U e = U b - U 3 eo = 2.8 1 -0 ,7 = 2,11V

Ig = - ^ = _ _ = l,41mA .
l,5kQ

Kết quả là; r, = — = 18,44Q

Ĩe 1.41

69
 b) Ta có: Rp = R, // Rj = 56kQ // 8,2kQ = 7 ,15kQ
Và Rv = R p// ĨVT = Rp// p.r, = 7,15kQ // 90.1 8 ,4 4 n
Rv = 7,15kQ// l, 66kQ = l,35kQ.
c) R„ = Rc // fo = Rc // co = Rc = 6 ,8kO.

d)K = - - ^ = - ^ = -368,76
r. 18,44

e )K ^ = ^ =^ = 4 | L Ị L = 73,04.
R , + r„ R ,+p.r. 7,15+1,66

Bài tập 3-4. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-2. với To = 50kQ.

Bài giải

Với hai câu a, b sẽ hoàn toàn tương tự trong bài 3-3 nghĩa là:
a )r,= 18,44Q
b) Rv= ỉ,35kQ.
c) R„ = Rc // ro = R, // ro = 6 ,8kQ // 50kQ = 5,98 kQ.

d)K = - ^ =- ^ = -324,3
r, 18,44

_________ P ' ^ p '^0_______ __ P -R p-F p_______

(ĩq+R(,)(Rp H-ry^-) (ĩq+R 3 XRP+Pr^)
90.7,15.50
(50+6,8X7,15 + 1,66)

Bài tập 3-5. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-3
Hãy xác định:
a)re
b )R v

C)R„
d)

e) Kị với mạch không có tụ Q .

70
 +E,, 20V
2 ,2 k Q
R.
470k

U, CIO ịìP
J—
c, 10^F K M 20
r =40ka
0,56kQ lỐụF

Hình 3-3

Bài giải
Chọn transistor T loại s¡ với Uggo = 0,7V
a) Điện trở được tính như sau;
J ^ 2 0 -0 ,7
=— f -------- - = 35,89|aA
R„+(1 + Ị3)R. 470.10’ + 121.0,56.10'

I eo =(P + l)lB0=121.35,89^A = 4,34mA.

í
_ U j _ 26
và r = = 5 ,9 9 0 .
EO 4,34
b) Rv = R J / rvT mà ĨVT= P(re + Re) = 120(5,99 + 560) = 67,92kQ.
Rv = 470kQ//67,92kQ.
c)R„ = R c / / r o - Rc = 2,2kQ.

r,„
‘VT 67,92
R
e) Kị= - K ^ ,^ = -(-3,89)^ ?4^ = 104,92.
R 2,2

(^8^ Bài tập 3-6. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-3 khi có tụ Q

Bài giải
Với câu a việc tính toán hoàn toàn tuofng tự trong bài 3-5, nghĩa là:
a) r, = 5,99Q

71
 b) Vì điện ứở Re sẽ bị ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều của tín
hiệu qua tụ Q nên:
Ry = Rg / / mà = p.ĩg

nên: Rv = Rb // p.ĩe = 470kQ // 120.599Q

= 4 7 0 k Q / / 7 1 8 ,8 Q = 7 1 7 J 0 Q .
c) R„ = Rc = 2,2kQ.

d) K„ = = - ^ 4 4 ^ = -367,28
5,99
PRB _ 120.470.10^
e)K ,= = 119,82.
Vr 470.10^+718,8

Bài tập 3-7. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-4
(tầng lặp emitơ). Hãy xác định:

a)r,
b) Rv

c) R .
d )K ,
e) Ki

Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V

a) Điện tì-ở được tính:

72
 Ti,: 20A2^
“ R B + ( l + ß)Rg 220k Q + 101.3,3kO

= (1 + ß)ig^ = 101.20,42^A = 2,062mA

nên: r = = - — -■= 12,610

' I eo 2 ,0 6 2

b ) R v = R b / / rv T = R b / / ß-re + ( 1 + P ) R e

= 220kQ // 100.12,610 + 101.3,3kü

= 2 2 0 k n / / 334,56k Q = 132,72k fì.
c) R,, = Re // r, = 3,3kQ // 12,61Q = 12,56Q = r,.

= = 0,996
Uv r^+Rß 3,3.10^ + 12,61

e ,K ,= - ^ = - - J 5 ^ = - 3 9 ,6 7 .
R^+Ty j 220 + 3 3 4 ,5 6

hoặc có thể xác định theo biểu thức khác:

Ki = -K „ ^ = -0 ,9 9 6 = -4 0 ,0 6
' ’ 3,3kQ

( 8^ Bài tập 3-8. Tính toán lặp lại như bài 3-7 với ĨQ= 25kQ, xem hình 3-4.

Bài giải
a) Việc tính toán đối với T(. giống như trong bài 3-7 nên: = 12,61Q.
b) Vì To « coQ hay To < lORß nên Tvt được tính như sau:

r „ = ß.r. + ^ I00.12.6in + »295,7k fì

l+ ñ e i + 3,3k£ỉ
ĨQ 25kQ
và Rv = R b // Tvt = 2 2 0 k 0 // 295,7k Q = 1 2 6 , 15 k fì.
c)R„ = RE//re=12,56Q.

(1 + ß ) ^ ( 10 0 + 1 )
d) ^ = -------- - 1 M I = 0,996.
1 + —^ l+n i
ro 25

73
 126,15kQ
e) K¡= - K ^ ^ = -0,996 = -38,07.
3,3kQ

Bài tập 3-9. Cho

tầng khuếch đại c,
dùng transistor mắc t—1^— •
1 0 ^F 1 ' ^ V l J t,- lO^iF
BC như trên hình
MkQ K Ỉ ^ 5 kQ ư
3-5. Hãy xác định:
a)r, "Eee fEcc
b)Rv
C)R„ a = 0,98;ro= IMQ
d) K, Hình 3-5
e) Ki

Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V

IkQ

nên r , = Ì ỉ i = ^ = 20 Q .
EO
b) Trở kháng vào khi mắc BC sẽ là:

Rv = R e / / Te = IkQ/ / 20Q = 19,61Q.

c) R,, = R e // ro = Rc // IMQ = Rg = 5kQ.

d) K
K, - _ 5.10^ = 250
20

e) Ki= i i - = - ^ = - ^ = - a = -0,98 = - l
L, L, L

0 Bài tập 3-10. Qio tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3 -6 . Hãy
xác định:
a)r.

74
 b) Rv
c) R„ + E „ 9V
2 ,7 k Q
d) K ,
R ,1 8 0 k Q
e) K¡ U
I,
QIO^F
Bài giải
c, lO^iF p=200
Chọn transistor loại Si R., r„=ooQ
v ớ ì U3,o = 0,7V . Rra
a) Từ: Hình 3-6

9 V -0 ,7 V
^BO ~ — — = ------ ----------------- = 1l,53|.iA
Rg+ịỉRc 180kQ + 200 .2 ,7kQ

Lo = (1 + P)Ibo = (1 + 2 0 0)11 ,53|aA = 2,32m A

và
EO 2,32
11,21
b) = 560,5Q
1 , 2,7

p Rb 200 180

c) R,, = Rc // ro // Rb với ĩo > lORc thì

R„ = Rc // R b và với Rg » Rc ta có;
K = Rc-
ở đây ta tính được;
R „ = R c // R b = 2 , 7 k Q // 1 8 0 k Q = 2 , 6 6 k Q .

d) Ky = = -240,86
11,21

PR, 200.180
e) K.= = 50.
Rg+pRc 180 + 200.2,7

090 ) Bài tập 3-11. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-7. Hãy
xác định:
a) Rv
b) R„

75
 c) • +E
d) K;

Bài giải u ra

a) Trở kháng vào của tầng

được
♦ xác định
• theo biểu thức:
h,,= 1 2 0
Rv = R B / / h „ e = 330kQ// h,^=l,!75krì
l,175kQ = l,171kQ. h22e=20jiAA^
b) Trở kháng ra của tầng Hình 3-7
được xác định theo biểu thức:
1
R .= 7/R^ = r„ //R^= 50kQ // 2,7kQ = 2,56kQ =: R,
'22e

ở đây: = 50kQ
'22e 20
V
c) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng sẽ là:

K „, . J ! L Z ^ , -262,34
‘l i e
1,171
d) Hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là;

K ,= Ị* -= I> j,.= 1 2 0 .

Bài tập 3-12. Cho 20V

tầng khuếch đại dùng
transistor trường như 2kn 5R ,
trên hình 3-8. Hãy D
G
xác định: Up=-8V
Rv c, U. ưgso=-2V
a)gm ư. Ij^=5,625mA
b)r, Ì2 V gd=40fiS
c) Ry

Hình 3-8

76
 d) R .
e )K ,

Bài giải
a) Từ phương trình Shockley đối với transistor trường loại J-FET ta có:
2ĩ_ 2.10mA
Sm„ = 2,5mS
U 8V

U GS„ _ -2
êm Bm„ ) = 2,5m S(l— ^) = l, 88mS
U -8
_Ị^ 1
b) ''d= — = = 25kQ
ểd 40.10"*
c) Ry = R(3 / / Tyj = Rq / / co — R-G— I M O

d) R„ = Ro // Td = 2 kQ // 25kQ = 1 ,85kO
e) Ku = -gl(Ro // r j = -l,88mS.l,85kO = -3,48.

(^92^ Bài tập 3-13. Cho tầng i

khuếch đại lặp dùng J-FET 'E dd^V
0,05^F
như trên hình 3-9 và biết n ....-..-
• i f ----^
thêm: ư o s o = - 2 , 86 V; aOSMF
Uv , ^ Iivm
Up = -4V; =4,56mA;
> R,< > ^2
Idss = 16mA; = 2 5 |^s. 2 ,2kQ 3
K
Hãy xác định: ra

a)gm
b)r, Hình 3-9
c) Rv
d) R™
Bài giải
21 2.16mA
a) g = = 8mS
' Om« -ỊJ 4V

ểtn êmo^^ = 8mS(l — = 2,28raS

U -4

77
 1
b) 1;,= — = = 40kQ
gd 25^iS
c) Rv = Ro // Tvt = R g / / 00 = R g = IM Q

1
d) R„ = r, // R, // — = 40kQ // 2,2kQ // = 362 ,5 2 0
gm 2,28mS

@ Bài tập 3-14. Cho tầng

khuếch đại dùng D-MOSPET
(MOSPET loại nghèo) như
ừên hình 3-10 và cho biết
thêm: Uoso=0,35V;
Iqo = 7,6m A ; Idss = 6 mA;
ủp = -3V; g, = ỈOịiS. Hãy
xác định;
a)gm
Hình 3-10
b)r,
c) Vẽ sơ đồ tưcfng đương của tầng
d)Rv

e) R.
f)Ku.

Bài giải

a ) g „ „ = ^ = - ^ ^ = 4mS
3V

u, 0,35
g . = g . o a - ^ ) = 4(l ) = 4,046mS
ư -3

b)fd= — = . - ^ = 100 kO.

gd
c) Sơ đồ tưofng đương của tầng được vẽ như trên hình 3 -1 1 dưới đây.
d) Rv = R, // R, // rvT = R, // R2 //
= Rj // R, = lOMQ // 1lOMQ = 9,17MQ.

78
 e) R„ = r, // Rd = (100 // l, 8 )kQ = 1,77kQ
f) Ku = -g„.RD = -4,046mS.l,8 = -7,28.
G D
m
»------

Uv
llO M fi
1
RẬ
lOMQ
^ c D
Sm ^GS lOOkQ
D^
l,8kn "

Hinh 3-11

( 9^ Bài tập 3-15. Qio mạch khu&h đại dùng transistor E-MOSFET như trên
hình 3-12.
+Edd12 V
R 2kQ

i; = 6 mA
R.^IOMO u;=8V
Rra
Ut=3V
U, c, 1 ^F gd = 20ịiS
(0,24.10-'AA^')
R, k = 0,24.10'’AA^-
Ucso = 6,4V
Hình 3-12 Itx) = 2,75mA
Hãy xác định:
a) gm
b)r,
c) Ry
d) R.,
e) Ku-
Bài giải
a) g,„ = 2k(U.so-UT) = 2.0,24.10"^(6,4-3) = l,63mS.
1
b) r,. = — = = 50kQ
gd 20|aS

79
 R c+ r,//R p _ 10Mfì + 50kQ//2kQ
= 2,42MQ
~ 1+ L ( Í ./ / R d) ~ l + l,63mS(50kQ//2kQ)
Nếu không tính đến ảnh hưởng của thì:

;g______ 10
= 2,53MQ
l + g„R^ 1+ 1,63.2
d) R,, = Rc // r, H Rd = lOMQ // 50kQ // 2kQ = 1,92kQ.
Khi r^i > lORp thì trở kháng ra có thể được tính:
R„ = R o //R o = RD = 2kQ
e) Ku = -g^.Ro = -1,63mS.2 = -3,26.
Khi bỏ qua ảnh hưởng của với r<j > lORp.
Khi tính đến r¿ thì:
Ku = -g„,(Rc // ra // Rd) = -1,6 ms( 1OMQ // 50kQ // 2kQ) = -3,21.

( 9^ Bài tập 3-16. Qìo tầng UoD 30V

khuếch đại dùng J-FET như
R
trên hình 3-13. Hãy xác
định điện trở tải một chiều
Rp của tầng vód hệ số II T
khuếch đại điện áp Ku = 10. Rg > lOMn Ip55 = 1OlĩlA
Up = -4V
Bài giải g, = 20tiS
Với Rs = Oíì trên sơ đồ
hình 3-13 của đầu bài ta có Hình 3-13
u Q5 = o v và điều đó có nghĩa là:

Ku = -gn,Rn. = -gm„ Rra = -gmCRo // r<i) = -gm„ (Rd // Td)

Từ đó ta tính được:
»

2 I 0SS _ 2.10mA
-gm„ = = 5mS
Up 4V

và ta có; Ky = -10 = -SmSíRp // r^)

10
nên; Rp // = = 2kQ
5mS

80
 Mặt khác ta có:
1 1
rd= — = = 50kfì
g. 20 . 10 -^
Khi đó: Rd // r, = Rd // 50kQ = 2kQ
RoSOkQ
R^+SOkQ

RoSOkQ = 2(Rd + 50)kQ

Vậy Rj) = 2,08kQ và chọn điện trở Rß theo tiêu chuẩn sẽ là Rjj = 2kQ.

(% ) Bài tập 3-17. Cho mạch khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14.
Hãy xác định điện trở Rj) và Rs với Ku = 8 và Uqs_ = —Up = - I V . Biết

thêm: Idss = lOmA; Up = -4V; gj = 20|J,S.

^DSS*” ỉômA
U p = -4 V

Ga = 20^lS

Hình 3-14

Bài giải

T- có;
Ta ' _ 2I dss _ 2.10mA
- = 5mS
U,

và g„ = g „ „ ( l - ^ ^ ) = 5 m s ( l - ^ ) = 3,75mS

mặt khác: Ku = -g„(RD // r<j)

-8 = -3,75mS(Ro// r,)

6- 250BTKTĐÍỆNTỬ. A 81
nên

R d // ra = Rd // — = Ri, / / - ^ = R d //50kQ = 2,13kQ

gd 20|aS
Từ đó ta xác định được Ro = 2,2kQ (đúng theo tiêu chuẩn).
Để xác định điện trở Rs có thể xuất phát từ biểu thức;

'^GSO “ ~^DO^S

u GSO \ 2 _
ý = lOmA = 5,625mA
^DO —^Dss(^
Up -4

Vậy Rs = ^ = 177,80
IDO 5,625.10

Chọn theo bảng điện trở tiêu chuẩn Rs = 180Q.

{^9^ Bài tập 3-18. Qio tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14 (xem
số liệu bài tập 3-17). Hãy xác định giá trị R|5, Rs khi không có tụ Q .

Bài giải

Khi không có tụ Cs trên mạch, các đại lượng tính toán cho chế độ một
chiều của tầng không có gì thay đổi nghĩa là: ƯQSO = - I V ; Ij3ò = 5,625iĩiA;
Rs = 180fì! (như trong bài 3-17).
Biểu thức tính hệ số khuếch đại điện áp Kjj sẽ là:

— §m^D
" l + Sn,Rs
- 3, 75 mS.Rj3 _ 3,75mS.Rp
8 =
l + 3,75.10"^180 1+0,675

từ đó tính được Rq sẽ là:

13 4
R ^ = - — —- = 3,573kQ
° 3,75mS

Chọn điện trở Rp theo tiêu chuẩn là Rp = 3,6kQ.

6- 250BTKTĐIỆNTL
82
(^98^ Bài tập 3-19. Cho bộ khuếch đại điện tử như trên hình 3-15. Hãy xác định
K^; Ry; Rn.; u^; u ’ với U gso= -1 ,9 V ; Ioo=2,8m A và R, = lOkQ.
Ipss = lOmA; Up = -4V; Tị và T2 cùng loại và có cùng các tham số.

ra

Hình 3-15

Bài giải

_ _ 2.10mA
= 5mS
êm o
u 4V

U -1>9
êm Sm o^^ ) = 5mS 1 = 2,6mS
Up 4 J

Ku. = Ku, = = -ê„Ri = -g„Rs = -2,6mS.2,4kQ = 6,2 -

Hệ số khuếch đại Ku sẽ là:

K ,= K ,,.K ^ ,^ = (-6 ,2 )(-6 ,2 ) = 38,4

Điện áp ra sẽ là:

u„ = Ky.Uv = 38,4. lOmV = 384mV

Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:

Ry = Rg = R2 3,3MQ
Trở kháng ra của bộ khuếch đại là;

83
 R , = R5 = = 2,4kD.
Khi mắc tải R, = lOkQ, điện áp ra trên tải sẽ là:

u, =— —u =—i^384mV =310mV
‘ R„+R, ” 2,4+10
( 9^ Bài tập 3-20. Cho bộ khuếch đại điện tử dùng BJT như trên hình 3-16
i
với Ub = 4,7V; Ue = 4V; Uc = 1V; Ie = 4mA. Hãy xác định: K^; u„;
Rv; rI và u, khi mắc tải R, = 1OkO.

• +E,, 20V

R :R,2,2ka *^5 R7 > 2 ,2 kO

15kQ
10)iF q 10nF C , 1 0 |iF
h- P=20Ó p=200
Uv c,
25^iV R < 4 J Ị^
4,7kn ^6
1 20mF

Hình 3-16

Bài giải
Trước tiên ta xác định điện trở Tg
26mV = ^26 = 6,5Q

Hệ số khuếch đại đỉện áp tầng 1:

r. _ R _R c(//R 4//R 5//P -r.)

*^u, ~ “
Te Te
2,2kQ //(15kQ//4 ,7kQ//200.6,5Q
= -102,3
6,5Q
ở đây R ,, = R 3 //(R ,//R ,//p .r J

84
Hệ số khuếch đại sẽ là:

. = _ ^ =_ ^ =_ ^ = _ 2 : ^ ._ 3 3 8 ,4 6
6,5

Ku = Ku, = (-102,3){-338,46) = 34624

u „ = Kij.Uv = 34624.25^iV = 0,866V

Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:
Rv = R, // R, // pr, = 4,7kQ // 15kQ // 200.6,50 = 953.6Q
Trở kháng ra:
—Rc ” ^6 ~ 2 ,2 kQ.
Khi mắc R, = lOkQ điện áp ra trên tải sẽ là:

u = — ^ — U = — 1 ^ 0 .8 6 6 V = 0.71V

> 2 ,4 k n ^3

0 ,0 5 ^ F

4,7kQ 4=.
1 '5 100fxF

Hình 3-17

Bài giải
Hệ số khuếch đại của tầng thứ nhất:

85
 Ku. = //R v ,) = -2,6m S(2,4kQ //953,6D) = -1,77

Hệ số khuếch đại K„ sẽ là:

K^^=K„K„ = (-l,7 7 )(-3 3 8 ,46) = 599,1

Điện áp ra u„ = K^.Uv = 5 9 9 ,l.lm V = 0,6V

Trở kháng vào Rv = Rq = 3,3MQ
Trở kháng ra R,, = Rc = 2,2kQ = R5.

(10 ^ Bài tập 3-22. Cho tầng khuếch đại cascode như trên hình 3-18. Hãy
xác định Ku của tầng với = 4 ,9 V ; U 3 = 10,8V ;

!(, = Ic = 3,8mA = 1^ = Ig; P| = p2 = 200; Tị = T2 = T (giống nhau).

p, = p, = 200
T, = T, = T
(giống nhau)

Hình 3-18

Bài giải

26mV 26
= 6,8Q
3,8

86
 Vậy K'Ü
„=K ., .K„ = -2 6 5 .

( 1 ^ Bài tập 3-23. Cho tầng khuếch đại dùng transistor Darlington như ưên
hình 3-19. Hãy xác định hệ số khuếch đại dòng điện K|.

Bài giải
Ta có thể vẽ lại sơ đồ tương
đương mạch điện như trên hình
3-20 dưói đây:

_ Pd^b

8000.3,3.10®
= 4112
3,3.10^+8000.390
Hình 3-20
( 1 ^ Bài tập 3-24. Oio tầng
khuếch đại dùng transistor Darlington như trên hình 3-21. Hãy xác
định Rv; R„; K|; Ku với = 3kQ .

87
 Bài giải

Ry = Rg // (r^ + p,p2.Rc) = 2MQ // (3kQ + 140.180.75Q) = 974kQ.

R 9 1a6
K;=p.p2 = 140.180( - — t) = 3,7.10^
Rg +Rv 2.10"+974.10^

R = -!h _ = i i ^ = 0,12Q
™ p,p2 140.180

và K„ = - J M ^ = _ 1 Ị ^ 1 * ^ = 0,9984,
p,p2Rc+r„ 140.180.75+3000

( í ^ Bài tập 3-25. Cho mạch điện dùng J-FET

Edd18V
như trên hình 3-22 (mạch tạo nguồn dòng).
Hãy xác định dòng Id và u„ khi: R,
a)R D =l,2kQ .
u_
b) Rd = 3,3kQ.
Vód Idss = 4mA và Up = -3,5V.

Bài giải Hỉnh 3-22

Từmạch điện đãcho khi Uqs = ov.
Ij3 = I0SS 4m A.
—

a) ư„ = E dd - IdRd = 18V - 4mA.l,2kQ = 13,2V.

88
 b) u ,, = E do - I dR d = 18- 4.3 ,3 = 4,8V .

Bài tập 3-26. Cho mạch điện dùng BJT

như trên hình 3-23 (mạch tạo nguồn
dòng). Hãy xác định dòng điện I.

Bài giải S.lkQ-

Chọn transistor loại Si với Ugg = 0,7V.

+E^
cC -20V
R,
Ta có: ưg =
R, 4-R 2
Hình 3-23
5,1
(_20) = -10V
(5,1 + 5,1)

U e = U 3 - U bh = -1 0 -0 ,7 = -10,7V

I= I , = l ^ = d Ọ ì Z z m = 4,65mA.
^ R. 2

(1 ^ Bài tập 3-27. Cho nguồn dòng

dùng transistor và zener như trên
hình 3-24. Hãy xác định dòng
điện I với u , = 6,2V.
2.2kn'
l,8kQ
Bài giải

Chọn transistor loại Si với +E„. -18V

U be = 0,7V.
Hinh 3-24
Ta có:

R 1,8

(1 ^ Bài tập 3-28. Cho mạch điện đùng transistor như trên hình 3-25 (mạch
gưomg dòng). Hãy xác định dòng điện I.

89
 Bài giải
Chọn transistor T| và T2 cùng loại Si.
E -ư
Tacó: 1 = 1
R
(1 2 -0 ,7 )
= 10,27mA.
1,1

108) Bài tập 3-29. Cho tầng khuếch đại vi

sai dùng BJT như trên hình 3-26. Hãy
xác định điện áp ra u„. Với= 20kQ ; Pi = P2 = ^5.

Bài giải

Chọn transistor T| và T, loại

Si với Ube = 0,7V.
Ta có:
E. - U BE
h =
R
9 - 0 ,7
j = 193^iA
43.10
Dòng colectỏ;
lẹ 193|aA
= 96,5nA.
^ 2 2
Từ đó ta có Uc được tính: Hình 3-26

Uc = Ecc - lẹRc = 9 - 96,5.10 ■^47.10' = 4,5V.

Điện trở được tính;
1-3

96,5.10

Hệ số khuếch đại điện áp Ku sẽ là;

K „ = ^ =í ^ = 87,4
2r^ 2.269

90
 Vậy u„ sẽ là:

u„ = Ku-Uv = 2.10187,4 = 1,I75V.

(1^ Bài tập 3-30. Hãy xác định hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha của
tầng khuếch đại vi sai dùng transistor trên hình 3-26.

Bài giải
Từ biểu thức cơ bản tính toán cho hộ số khuếch đại tín hiệu đồng pha
đối với tầng vi sai ta xác định được Kc như dưới đây:

K PRc , 75.47
^ Uv r^ + 2(p + l)Rg 20 + (l + 75)2.43 ’

(1^ Bài tập 3-31. Hãy xác định Kc của tầng vi sai cho ừên hình3-27 dưới đây:

T, &Tọ
p, = p2 = 75
^VTl “ “ ^VT IcCầ
Ta
p3 = 75

r „3= Re = 2 0 0 k íì

Bài giải
Transistor Tj kết hợp với các linh kiện mắc trên mạch tạo thành một
nguồn dòng nhằm nâng cao trở kháng một chiều. Rg và vì thế khi thay các
giá trị vào biểu thức tính Kc ta được:

K , = ------- = 24,7. 1 0-'

^ ry^+2(l + p)RE 11 + 2.76.200

91
3.3. ĐỀ BÀI TẬP
«

0 Bài tập 3-32. Cho tầng khuếch đại dùng BJT mắc EC như trên hình 3
28. Hãy xác định Rv; R„; Ku’, Kj
a) với ĨQ= 40kQ
b) với Tq= 20kQ.

:60

Hinh 3-28

( 1 ^ Bài tập 3-33. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-29. Hãy
xác định E c c sao cho Ku = -200.

( í ^ Bài tập 3-34. Cho tầng khuếch đại đùng transistor như trên hình 3-30.
Hãy xác định r^; Ry; R„; K^; K| với:

a) Tq= 50kQ
b) ro = 25kQ.

92
 + E ^16V

R| :3,9kn
I, II-- - *u,
q I^ F
ra
P=100

Hinh 3-30

( 1 ^ Bài tập 3-35, Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-31. Hãy
?CâCcỉĩĩỉỉ) Ku; K,

+Ecc20V

—H í
p=80
r.=40kQ

Hình 3-31

Bài tập 3-36. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-32. Hãy
xác định R v ; R„; K^; K, và u,, khi Uy = ImV.

93
( l ^ Bài tập 3-37. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-33. Hãy
xác định Ib; Ic; r^; R v’, K^; Kị.

(1 ^ Bài tập 3-38. Cho mạch khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-34. Hãy
xác định r^; Rv’, Rraỉ K|.

+6V
T
R ^6,8k Q
Ị-IOV
R„ ^ 4 ,7k n
a = 0,998

^l---- *ura
ưv Iv \ /
R

Hình 3-34

94
(ÍĨ b) Bài tập 3-39. Cho mạch khuếch đại đùng BJT như trên hình 3-35. Hãy
^ xác đmh Ku; K,.
+8V

ra

-5V

Hình 3-35
Bài tập 3-40. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên.hình 3-36. Hãy
xác định r,; Rv; R,,; K„; K;.
t E.. 12V

R ,3.9kQ
R. 220kíí
ịl. p=120

ư,
-II-
r„=40kíì
R,

Hinh3-36
Bài tập 3-41. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-37. Với
r, = loõ; p = 200; =-160; Kị = 19; To= ã)kn. Hãy xác định Rỏ K Ecc.

R.

— VSAr
u.
-lí-
u. <

Hình 3-37

95
(121^ Bài tập 3-42. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-38 với
h,|^ = 180; hị, = 2 ,75kQ ; h22^ = 25|ẲS. Hãy xác định Rv; Ky; K|; ĩg.

^+Ecc 18V

Di 1^ 3
i > 68kQ > 2 ,2 kfì

Hình 3-38

Bài tập 3-43. Qio tầng khu&h

đại dùng BJT như tì-ên hình 3-39 H l-
vói h2| = -0 ,9 9 2 ; 10ÍiF V / lO^iP
y- R ^l,2kQ 2,7kQ ^
R
h„•íh =9,45Q
’ ;’ h,,
22,, = 1 ^Y^ . T 4V 12V
R.
Hãy xác định Rv; R„; K^; K^;
a; p; r^; Tq.
Hình 3-39
Bài tập 3-44. Cho tầng
khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-40. Hãy xác định Rv; R„; Kjj
với Idss - lOmA; Up = -4V; = 40kQ.
Edd18V

Rol.SkQ

Hình 3-40

96
( í ^ Bài tập 3>45. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-41
Hãy xác định Ry; R„; Ku với = 3000|iS và gd = 50|aS.

(í^ Bài tập 3-46. Hãy xác định Rv; R„; Ku của tầng khuech đại dùng J-
FET như trên hình 3-41 (xem bài 3-45) khi ngắt tụ Cj ra khỏi mạch.

( l ^ Bài tập 3-47. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-42. Hãy
xác định Rv; Rn,; u„ với Uy = 20mV; loss = 12mA; Up = -3V; T¿= lOOkQ.

ra

Bài tập 3-48. Hãy xác định Rv; R„; u„ của tầng khuếch đại dùng J
FET như trên hình 3-42 (xem bài' 3-47) khi ngắt tụ C3 ra khỏi mạch.

@ Bài tập 3-49. Tính toán lặp lại cho bài 3-47 khi thay r., = 20kQ.

(1 ^ Bài tập 3-50. Tính toán lặp lại cho bài 3-48 khi thay = 20kQ.

7. 250BTKTĐIỆNTỬ.A
97
^ 3^ Bài tập 3-51. Cho tầng khuếch đại mắc GC dùng J-FET như trên hình 3-43.
^ Hãy xac định Rv, R„; u^; vói Uv = 0,lmV; Icss= 8mA; Up = -2,8V; = 40ka.

ra

Hinh 3-43
® Bài tập 3-52. Cho tầng khuếch đại dùng DMOSPET như ừên hình 3-44.
Hãy xác định biết gj = 20pS; Uy = 2mV; I^ss = 8mA; Up = -3V.

41— *u
Hh

RG>10Mfì

Hỉnh 3-44
(132 ) Bài tập 3-53. Ơ I O tầng khu&h đại dùng D-MOSFET như trên Kình 3-45. Hãy
xác định Rv, R„; Ky. Biết = 6ỒkQ; Icss = 12mA; ưp= -3,5V; Edd = 22V.
Eoo 22 V

^ o ịi.s k n
'ưni

u.
Rq!
lOMQ' R
100 Ị.
Hình 3-45

98 7-250BTKTĐIỆNTỬ-B
( 1 ^ Bài tập 3-54. Tính toán lặp lại cho bài tập như hình 3-45 với = 25kQ.

( 1 ^ Bài tập 3-55. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET như trên hình 3-46.
Hãy xác định với Uv = 4mV; gj = 35|0,S; g„ = 6000|J,S.

_________ t ‘Eoo
'DD

91NKÌ >
[ n 3 <6,8kn
c 1
u."— li------- ' B ’
R2> I
15MQ f Rs > i
3.3kn> T ^

Hình 3-46

Bài tập 3-56. Tính toán lặp lại như bài tập 3-54 trên hình 3-46 với
g, = 50ụS; = 3000^8.

( l ^ Bài tập 3-57. Cho tầng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-47.
Hãy xác định Rv; R„; Ku với k = 0,3.10 ^ Ut = 3V; Td= lOOkQ.

Epo 16V
Rd L
Rp 10MÍ2 <2,2kíì
r-MAr— í ------- ịị u

U v-

Hình 3-47

( í ^ Bài tập 3.58. Tính toán lặp lại cho bài 3-57 (xem hình 3-47) với
k = 0,2.10'^ và so sánh các kết quả.

Bài tập 3-59. Hãy xác định với tầng khuếch đại dùng E-MOSFET
cho trên hình 3-48. Với Uv = 20mV; Uj = 3,5V; k = 0,3.10 ^ gd = 30^iS.

99
 . E^d 20V
R,
R„ 22MD \QkQ
r-AAAr- ------- i H ra
¿2

Hinh 3-48

(íã ặ Bài tập 3-60. Hãy xác định u„ của tầng khuếch đại dùng E-MOSPET
cho trên hình 3-48. Biết: Uv = 4mV; Ut = 4V; 1^^^^ = i ; = 4m A ;
- U , 3 _ = U ; s = 7 V ; g , = 2 0 ^ is .

Bài tập 3-61. Oio tẩng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-49.
Hãy xác định u„ với Uv = 0,8mV; = 40kQ; ƯT = 3V; k = 0,4.10 \

Bài tập 3-62. Cho mạch khuếch đại dùng JFET như trên hình 3-50.
Hãy xác định Rjj với: Iqss = 8mA; Up = -2,5V; gd = 25fiS; Ku = 8.

100
 ra

Bài tập 3-63. Cho tầng khuếch

đại dùng JFET như trên hình 3-
51. Hãy xác định Rß và Rs- Với
ra
Ku = lữ,

Icœ = 12mA; Up= -3V; = 40kQ.

Bài tập 3-64. Cho bộ

khuếch đại gổm hai tầng
như trên hình 3-52. Hãy
xác định điện áp ra u„. Với
I dss = 8mA; ưp = -4,5V.

101
 Bài tập 3-65. Cho bộ khuếch đại gồm hai tầng như trên hình 3-53. Hãy
xác định hệ số khuếch đại K„. VỚI Ißss = 6mA, Up = -3V, ß = 150.

( í ^ Bài tập 3-66. Hãy xác định Rv và R„ của bộ khuếch đại cho ứên hình 3-53.

( l ^ Bài tập 3-67. Cho tầng khuếch đại Cascode như trên hình 3-54. Hãy
xác định hệ số khuếch đại K„ và điện áp ra u„. Với Uy = lOmV,
ß, = ß, = ß = 200

102
( l ^ Bài tập 3-68. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-55. Hãy
xác định K„.

( í ^ Bài tập 3-69. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-56. Hãy
xác định điện áp ra ư„. Với Pi = 160; P2 = 200.

ra

(1 ^ Bài tập 3-70. Cho mạch điện đùng JFET như

trên hình 3-57. Hãy xác định dòng điện I với
R
Ioss = 6mA;Up = -3V. 2kà
i

Hình 3-57

103
 Bài tập 3-71. Hãy xác định dòng điện I cho mạch điện trên hình 3-58
với p = 100.

ị-
< T

4,3kư
R,
ì l,8kQ

+E..
ee
-18V

Hình 3-58

104