BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

STT Họ và tên MSSV Chấm Chấm Chấm Ký tên

KHẢO SÁT ĐÁPđiểm
ỨNG TẦN
của điểm của SỐ
điểm của
MẠCH KHUẾCH ĐẠIthànhBJT GHÉP
thành E
thành

CHUNGviên 1 viên 2 viên 3

1 Nguyễn Trọng Khang 2010319

2 Thực hiện bởi:

Trương Anh Khánh

Nguyễn Trọng Khang_ MSSV: 2010319

3 Trương Anh Khánh_ MSSV:
Đinh Gia Khiêm
Đinh Gia Khiêm_ MSSV:

Nhóm thí nghiệm: Tổ 3 _ Lớp L20

Ngày hoàn thành báo cáo: 2/5/2022

 MỤC LỤC

I) Giới thiệu chung:..........................................................................................................1

1) Mục đích thí nghiệm:...............................................................................................1

2) Module thí nghiệm:..................................................................................................1

II) Cách thí nghiệm kiểm chứng:....................................................................................2

A) Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp:.....................................................2

1) Phân cực DC:.........................................................................................................2

2) Lý thuyết:................................................................................................................ 2

3) Thí nghiệm mô phỏng:...........................................................................................7

4) Kết luận:...............................................................................................................11

B) Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp:..........................................................12

1) Phân cực DC:..........................................................................................................12

2) Lý thuyết:................................................................................................................. 12

3) Thí nghiệm mô phỏng:.........................................................................................18

4) Kết luận................................................................................................................ 20

III) Kết luận chung:.......................................................................................................21

I) Giới thiệu chung:

1) Mục đích thí nghiệm:

Sinh viên xem lại lý thuyết để hiểu rõ ảnh hưởng của tụ điện lên đáp ứng tần số của mạch
khuếch đại E chung.

Sinh viên đọc tài liệu hướng dẫn sử dụng các thiết bị đo trong phòng thí nghiệm, và tài
liệu kỹ thuật của các linh kiện điện tử , sơ đồ Module thí nghiệm và danh sách linh kiện.

Từ đó, sinh viên tự đưa ra quy trình thí nghiệm bao gồm việc lựa chọn các thông số còn
thiếu, các đại lượng cần phải đo đạc (kèm theo mạch đo – Vẽ các kết nối còn thiếu trên
Module thí nghiệm) để đo và vẽ đáp ứng tần số của các mạch khuếch đại ghép E chung
với các thông số tụ Cobext theo yêu cầu.

Với những thông tin có được, sinh viên phải viết một bài báo cáo thí nghiệm mô tả
cơ sở nào để đưa ra quy trình thí nghiệm và các hiệu chỉnh cần thiết, thao tác thực hiện
thí nghiệm và số liệu ghi nhận được, cuối cùng là dùng số liệu đó để kiểm chứng đáp ứng
tần số của mạch khuếch đại ghép E chung.

2) Module thí nghiệm:

1
II) Cách thí nghiệm kiểm chứng:

A) Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp:

Ghi chú: do mạch thực tế điện trở R L rất lớn nên không kết nối trong mạch.
1) Phân cực DC:

Hở mạch các tụ ta đo được các số liệu sau:

V BEQ V CEQ I BQ I CQ β
0.6124 4.635 V 0.0173m 5.3669m 310
V

VT 25 m
; r π =hie= = ≈ 1445
I BQ 0.0173 m

2) Lý thuyết:

a) Độ lợi dãy giữa:

* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( ngắn mạch các tụ C i , C E , C o và hở mạch tụC obext
):
(phản ánh trở kháng nhìn từ cực B)

2
 Vi
Với : I(in)= , R(in)= Ri; r π =hie=1445Ω; h fe=β=310
Ri
vo v o ib Ri ∨¿ R b 1
Độ lợi dãy giữa: A vM = = =−h fe RC × ×
v i ib v i Ri∨¿ R b+ hie Ri
0.81 k 1
¿−310× 1 k × × ≈−111
0.81k + 1.445 k 1 k

b) Đáp ứng tần số thấp:

* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( giữ nguyên các tụ C i , C E , C o và hở mạch tụC obext
):

(phản ánh trở kháng nhìn từ cực B, do không kết nối R L vào mạch nên tụ Co
không ảnh hưởng đến đáp ứng tần số)

3
 Vi
Với : I(in)= , R(in)= Ri; r π =hie=1445Ω; h fe=β=310;
Ri

R¿E 1=R E 1 × ( β+1 )=22× 311=6842 Ω;

CE
R¿E 2=R E 2 × ( β+ 1 )=390 ×311=121290 Ω; C ¿E = =0.3212 μF
β +1
vo s +ω zi s+ ω ze
Ta có : A v (s)= =A vM × ×
vi s+ω pi s +ω pe

Với ω zi ; ω pi ; ω ze ; ω ze là các điểm zero và cực tạo bởi tụ C i : và Ce*

Xét tụ C i :
+ ω zi =0
1 1
ω pi = = =4.8085 (rad /s)
+ C i ×( Ri + R B∨¿ h ie)
100 μ ×(1 k +
4.27 k × 1.445 k
)
4.27 k +1.445 k
¿
Xét tụ C E :
1 1 rad
+ω ze = C ¿ ×(R¿ + R¿ ) = 0.3212 μ ×(6842+121290) =24.3( s )
E E1 E2

1
+ω pe= C ¿ ׿ ¿
E

¿ ¿
( R E 1+ RE 2= 6842+121290=128132Ω
¿)

√
2 2 2
ωL ω L +ω ze 1
Tại tần số cắt thấp ta có A v ( ω L )= A vM × × =
2
ω +ω pi
L
2 2
ωL + ω pe
2
√2
ω L2 ω L2 +24.32 rad
=> × =0.5 => ω L =1404.592( )
2
ω +4.0805
L
2 2
ω +1405
L
2
s

ωL
=> f L = =223.55(Hz)
2π

4
 ( hình ảnh minh hoa lý thuyết)
c) Đáp ứng tần số cao:
* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( ngắn mạch các tụ C i , C E , C ovà giữ nguyên tụ
C obext ):

Dựa vào datasheet của bjt SD468 ta có C bc=Cob=22 pF , C be=0.

=> Với C 'bc=Cbc + Cobext , ta được:

5
Dùng định lý Miller : tụ quy về bên phía trái là C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' )
(Tụ quy về bên phía phải rất nhỏ nên ta bỏ qua). Ta được mạch sau:

1 β 310
R B=Ri||R B||hie =
'
=0.52 kΩ ; gm= = =0.2145
Trong đó : 1
+
1
+
1 hie 1445
1 k 4.27 k 1.445 k
vo 1
A v ( s )= =A vM ×
Vậy ta có vi
1+
s
ωp
1 ω
Với ω p=ω H = R ' × C => Tần số cắt cao f H = H
B M 2π

TH1:C obext =0 :C M =( 1+ gm × R C )( C bc ' )=( 1+0.2145 ×1 k ) × ( 22 p )=4.74 nF

1 1 rad
=>ω p=ω H = R ' × C = 520 × 4.74 n =405712.431( s )
B M

ωH
=> Tần số cắt cao f H = =64571 Hz
2π

6
 TH2:C obext =15 pF :
C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' ) =( 1+ 0.2145× 1 k ) × ( 22 p+15 p )=7.9735 nF

1 1 rad
=>ω p=ω H = R ' × C = 520 ×7.9735 n =241183.5358( s )
B M

ωH
=> Tần số cắt cao f H = =38385.552 Hz
2π
TH3:C obext =30 pF :
C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' ) =( 1+ 0.2145× 1 k ) × ( 22 p+30 p )=11.206 nF

1 1 rad
=>ω p=ω H = R ' × C = 520 ×11.206 n =171611.362( s )
B M

ωH
=> Tần số cắt cao f H = =27312.8 Hz
2π

(Hình ảnh minh họa lý thuyết)

3) Thí nghiệm mô phỏng:

Cho điện áp đầu vào V i− pp=40 mV

*** Với C obext =0 :
a) Đo tần số và độ lợi dãy giữa:
V o− pp 2.8
f M =3.5576 kHz , V o− pp =2.8 V ; A vM = = =70
V i− pp 40 m

7
b) Đo tần số cắt thấp và cắt cao:
f L =240.851 Hz ; f H =∞

c) Đo độ lợi theo tần số và vẽ biểu đồ Bode:

Đo V o− pp theo tần số từ 100Hz – 100kHz ta có bảng số liệu sau
f (Hz) 100 250 500 1k 5k
V o− pp (V) 1.14 2.02 2.5 2.72 2.82
Av 28.5 50.5 62.5 68 70.5

f (Hz) 10k 25k 50k 75k 79.7193k

V o− pp (V) 2.8 2.74 2.6 2.4 2.36
Av 70 68.5 65 60 59

Từ đó ta vẽ được biểu đồ bode như sau:

f (Hz) 100 240.851 250 500 1000 3557.758 5000
Log(ω) 2.8 3.18 3.2 3.5 3.8 4.35 4.5
2Log( A v) 29.1 33.89 34.07 35.92 36.65 36.9 36.96

f (Hz) 10000 25000 50000 75000 79719

Log(ω) 4.8 5.2 5.5 5.67 5.7
2Log( A v) 36.9 36.71 36.26 35.56 35.42

8
*** Với C obext =15 pF :
a) Đo tần số và độ lợi dãy giữa:
V o− pp 2.88
f M =2.50273 kHz , V o− pp=2.88 V ; A vM = = =72
V i− pp 40m

b) Đo tần số cắt thấp và cắt cao:

f L =236.493 Hz ; f H =53.3895 kHz

c) Đo độ lợi theo tần số và vẽ biểu đồ Bode:

Đo V o− pp theo tần số từ 100Hz – 100kHz ta có bảng số liệu sau
f (Hz) 100 250 500 1k 5k
V o− pp (V) 1.14 2.04 2.04 2.52 2.72
Av 28.5 51 63 68 72

f (Hz) 7.5k 10k 25k 50k 79.7515k

V o− pp (V) 2.88 2.76 2.54 2.04 1.62
Av 72 69 63.5 51 40.5

Từ đó ta vẽ được biểu đồ bode như sau:

9
 f (Hz) 100 236.493 250 500 1000 2502.73 5000
Log(ω) 2.8 3.17 3.2 3.5 3.8 4.2 4.5
2Log( A v) 29.1 34.15 34.15 35.99 36.65 37.15 37.15

f (Hz) 7500 10000 25000 50000 53389.5 79751.5

Log(ω) 4.67 4.8 5.2 5.5 5.53 5.7
2Log( A v) 37.15 36.78 36.06 34.15 34.15 32.15

*** Với C obext =30 pF :

a) Đo tần số và độ lợi dãy giữa:
V o− pp 2.86
f M =2.85982kHz ,V o− pp=2.86 V ; A vM = = =71.5
V i −pp 40 m

b) Đo tần số cắt thấp và cắt cao:

f L =220.8 Hz ; f H =28.3348 kHz

c) Đo độ lợi theo tần số và vẽ biểu đồ Bode:

Đo V o− pp theo tần số từ 100Hz – 100kHz ta có bảng số liệu sau
f (Hz) 100 250 500 1k 5k
V o− pp (V) 1.26 2.02 2.14 2.62 2.86
Av 31.5 53.5 65.5 70 71.5

f (Hz) 7.5k 10k 25k 50k 79.7515k

V o− pp (V) 2.86 2.72 2.14 2.02 1.46
10
 Av 71.5 68 53.5 36.5 28

Từ đó ta vẽ được biểu đồ bode như sau:

f (Hz) 100 220.8 250 500 1000 2859.82 5000
Log(ω) 2.8 3.14 3.2 3.5 3.8 4.25 4.5
2Log( A v) 29.966 34.07 34.57 36.32 36.9 37.09 37.09

f (Hz) 7500 10000 25000 28334.8 50000 75000

Log(ω) 4.67 4.8 5.2 5.25 5.5 5.67
2Log( A v) 37.09 36.65 34.57 34.07 31.25 28.94

4) Kết luận:

+ Giá trị tính toán độ lợi dãy giữa và tần số cắt thấp đo được từng trường hợp tụ
Cobext gần bằng nhau ( chênh lệch không nhiều), cho thấy tụ Cobext không hoặc ít ảnh
hưởng đến mạch khi xét ở tần số thấp và dãy giữa .
+ khi đo tần số dãy giữa, điện áp ngõ ra ngược pha với điện áp ngõ vào => đúng lý
thuyết.
+ Khi tụ Cobext càng tăng thì độ rộng bằng thông càng giảm do tần số cắt cao
giảm.
+ Độ lợi dãy giữa và tần số cắt cao tính thoán lý thuyết sai lệch rất nhiều. Tần số
cắt thấp cũng có sai lệch nhưng không nhiều.

11
+ Biểu đồ bode phù hợp với lý thuyết.

12
B) Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp:

Ghi chú: do mạch thực tế điện trở R L rất lớn nên không kết nối trong mạch.
1) Phân cực DC:

Hở mạch các tụ ta đo được các số liệu sau:

V BEQ V CEQ I BQ I CQ β
0.60763V 4.6442 0.017mA 5.3946mA 317
V

VT 25 m
; r π =hie= = ≈ 1471Ω
I BQ 0.017 m

2) Lý thuyết:

a) Độ lợi dãy giữa:

* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( ngắn mạch các tụ C i , C E , C o và hở mạch tụC obext ):
Phản ánh trở kháng nhìn từ cực B

13
 Vi
Với : I(in)= , R(in)= Ri; r π =hie=1471Ω; h fe=β=317
Ri
¿
R E 1=( β +1 ) × RE =318 ×22=6996 Ω

ov v o ib R i∨¿ Rb 1
Độ lợi dãy giữa: A vM = = =−h fe RC × ¿ ×
vi ib v i Ri∨¿ R b+ hie + R E 1 Ri

0.81 k 1
¿−317 ×1 k × × ≈−27.68
0.81 k +1.471 k +6.996 k 1 k

b) Đáp ứng tần số thấp:

* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( giữ nguyên các tụ C i , C E , C o và hở mạch tụC obext
):

14
(phản ánh trở kháng nhìn từ cực B, do không kết nối R L vào mạch nên tụ Co
không ảnh hưởng đến đáp ứng tần số)
Vi
Với : I(in)= , R(in)= Ri; r π =hie=1471Ω; h fe=β=317;
Ri

R¿E 1=R E 1 × ( β+1 )=22× 318=6996 Ω;

¿ CE
R E 2=R E 2 × ( β+ 1 )=390 ×318=124020Ω; C ¿E = =0.3145 μF
β +1
vo s +ω zi s+ ω ze
Ta có : A v (s)= =A vM × ×
vi s+ω pi s +ω pe

Với ω zi ; ω pi ; ω ze ; ω ze là các điểm zero và cực tạo bởi tụ C i : và Ce*

Xét tụ C i :
+ ω zi =0
1
+ω pi = C × ¿ ¿
i

¿
Xét tụ C E :
1 1 rad
+ω ze = C ¿ × R¿ ¿ ¿= 0.3145 μ× 124020 =25.6382( s )
E E2

1
+ω pe= C ¿ ׿ ¿
E

(¿ )

√
2 2 2
ωL ω L +ω ze 1
Tại tần số cắt thấp ta có A v ( ω L )= A vM × × =
2
ω +ω pi
L
2 2
ωL + ω pe
2
√2
2 2 2
ωL ω L +25.6382 rad
=> × =0.5 => ω L =366.6136( )
2
ω +2.6052
L
2 2
ω +368.3837
L
2
s

ωL
=> f L = =58.3484 ( Hz)
2π

15
 ( hình ảnh minh hoa lý thuyết)

c) Đáp ứng tần số cao:

* Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ( ngắn mạch các tụ C i , C E , C ovà giữ nguyên tụ
C obext ):

Dựa vào datasheet của bjt SD468 ta có C bc=Cob=22 pF , C be=0

=> Với C 'bc=Cbc + Cobext , ta được:

16
 Dùng định lý Miller : tụ quy về bên phía trái là C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' )
(Tụ quy về bên phía phải rất nhỏ nên ta bỏ qua). Ta được mạch sau:

( Ta có cách tính khác của nguồn dòng: hie × I b =g m × v be ;

β 317
với gm = h = 1471 =0.2155 ¿
ie

17
Tương đương trở kháng:

hie
Với Z BE=h ie∨¿ C M = ; Z =R E 1 (1+ g m × Z BE )
1+ s ×h ie C M E

vo 1
A v ( s )= =A vM
Ta chứng minh được: vi
1+
s
ωp
1
Trong đó: ω p=ω H = C × Z ;
M

hie ×( Ri ∨¿ R b + RE 1) 1471 ×(810+22)

Z= = =230.18Ω
hie + Ri∨¿ R b+(β +1) R E 1 1471+810+138 × 22

TH1: C obext =0 :
C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' ) =( 1+ 0.2155× 1000 ) × 22 p=4.763 nF

( )
1 1 rad ω
=>ω H = = =912120 =¿ f H = H =145168 Hz
C M × Z 4.763n × 230.18 s 2π

TH2: C obext =1nF :

C M = ( 1+ g m × RC ) ( C bc ' ) =( 1+ 0.2155× 1000 ) ×(22 p+1 n)=0.2213 μF

( )
1 1 rad ωH
=>ω H = = =19631.39 =¿ f H = =3124 Hz
C M × Z 0.2213 μ ×230.18 s 2π

18
(Hình ảnh minh họa lý thuyết)
3) Thí nghiệm mô phỏng:

Cho điện áp đầu vào V i− pp=40 mV

*** Với C obext =0 :
a) Đo tần số và độ lợi dãy giữa:
V o− pp 808 m
f M =828.735 Hz ,V o− pp=808 m V ; AvM = = =20.2
V i− pp 40 m

b) Đo tần số cắt thấp và cắt cao:

f L =67.7712 Hz ; f H > 79.682kHz

c) Đo độ lợi theo tần số và vẽ biểu đồ Bode:

Đo V o− pp theo tần số từ 100Hz – 100kHz ta có bảng số liệu sau
f (Hz) 100 250 500 1k 5k
V o− pp (V) 0.632 0.752 0.784 0.808 0.794
Av 15.8 18.8 19.6 20.2 19.85

f (Hz) 7.5k 10k 25k 50k 79.682k

V o− pp (V) 0.792 0.784 0.792 0.784 0.792
Av 19.8 19.6 19.8 19.6 19.8

Từ đó ta vẽ được biểu đồ bode như sau:

f (Hz) 67.7712 100 250 500 828.735 1000 5000
Log(ω) 2.63 2.8 3.2 3.5 3.72 3.78 4.5
2Log( A v) 23.09 23.97 25.48 25.85 26.11 25.96 25.93

19
 f (Hz) 7500 10000 25000 50000 79682
Log(ω) 4.67 4.8 5.2 5.5 5.7
2Log( A v) 25.93 25.85 25.93 25.85 25.93

*** Với C obext =1nF :

a) Đo tần số và độ lợi dãy giữa:
V o− pp 872 m
f M =754.902 Hz , V o− pp=872 mV ; A vM = = =21.8
V i− pp 40 m

b) Đo tần số cắt thấp và cắt cao:

f L =85.7751 Hz ; f H =6.23742 kHz

c) Đo độ lợi theo tần số và vẽ biểu đồ Bode:

Đo V o− pp theo tần số từ 100Hz – 100kHz ta có bảng số liệu sau
f (Hz) 100 250 500 1k 2.5k
V o− pp (V) 0.704 0.84 0.864 0.872 0.864
Av 17.6 21 21.6 21.8 21.6

f (Hz) 5k 6.2374k 10k 25k 50k 79.727k

V o− pp (V) 0.672 0.617 0.48 0.232 0.128 0.096
Av 16.8 15.425 12 5.8 3.2 2.4

20
Từ đó ta vẽ được biểu đồ bode như sau:
f (Hz) 85.7751 100 250 500 754.902 1000 2500
Log(ω) 2.73 2.8 3.2 3.5 3.68 3.8 4.2
2Log( A v) 23.76 24.91 26.44 26.69 26.77 26.69 26.11

f (Hz) 5000 6237.42 10000 25000 50000 79727

Log(ω) 4.5 4.59 4.8 5.2 5.5 5.7
2Log( A v) 24.51 23.76 21.58 15.27 10.103 7.60

4) Kết luận

+ Giá trị tính toán độ lợi dãy giữa và tần số cắt thấp đo được từng trường hợp tụ
Cobext gần bằng nhau ( chênh lệch không nhiều), cho thấy tụ Cobext không hoặc ít ảnh
hưởng đến mạch khi xét ở tần số thấp và dãy giữa .
+ khi đo tần số dãy giữa, điện áp ngõ ra ngược pha với điện áp ngõ vào => đúng lý
thuyết.
+ Khi tụ Cobext càng tăng thì độ rộng bằng thông càng giảm do tần số cắt cao
giảm.
+ Độ lợi dãy giữa và tần số cắt cao tính thoán lý thuyết sai lệch rất nhiều. Tần số
cắt thấp cũng có sai lệch nhưng không nhiều.
+ Biểu đồ bode phù hợp với lý thuyết.

21
III) Kết luận chung:

+ Giá trị tính toán của độ lợi dãy giữa, tần số cắt thấp, cắt cao có sự sai lệch nhiều
với kết quả đo được. Sai số có thể do sai số thiết bị, sự nhiễu tín hiệu, điều kiện môi
trường, phòng thí nghiệm hoặc do sai sót chủ quan của người tiến hành thí nghiệm và báo
cáo.
+ Điện áp ngõ ra ngược pha với tín hiệu ngõ vào => phù hợp với lý thuyết.
+ Khi Cobext =0 , tần số cắt cao rất lớn nên không thể xác định. Khi xét các
trường hợp Cobext khác thì có thể xác định tần số cắt cao và thể hiện rõ nét thông qua
tính toán lý thuyết và biểu đồ bode.
+ Vẽ được biểu đồ Bode phù hợp thể hiện được băng thông của các mạch khuếch
đại dùng BJT ghép E chung.

22