You are on page 1of 137

Digital Electronics

Chapter 4: Basic digital


electronic circuits
2
General characteristics of logic circuits

1. Input and output of logic circuits have only 2 voltage levels, VL and VH, corresponding to logic levels 0 and 1.

2. Logic circuits must be powered by a standard voltage source.

3. The same logic function but electronic engineering can be implemented according to different principle diagrams.

4. Circuits built with the same type of schematic are grouped into a logic family.

1. Supply current, ICC. The supply current when the output is HIGH, LOW and in the high-impedance state is respectively designated as ICCH, ICCL and ICCZ.
2. Rise time, tr. This is the time that elapses between 10 and 90 % of the final signal level when the signal is making a transition from logic LOW to logic HIGH.

3. Fall time, tf . This is the time that elapses between 90 and 10 % of the signal level when it is making HIGH to LOW transition.

4. Maximum clock frequency, fmax. This is the maximum frequency at which the clock input of a flip-flop can be driven through its required sequence while maintaining stable transitions of logic level at the output in accordance with
5. the input conditions and the product specification. It is also referred to as the maximum toggle rate for a flip-flop or counter device.

3. HIGH-level output current, IOH. This is the maximum current flowing out of an output when the input conditions are such that the output is in the logic HIGH state. It is normally shown as a negative number. It tells about the current sourcing
capability of the output. The magnitude of IOH determines the number of inputs the logic function can drive when its output is in the logic HIGH state.

4. Example: for the standard TTL family, the minimum guaranteed IOH is
−400 μA, which can drive 10 standard TTL inputs with each requiring 40 μA in the HIGH state

5. LOW-level output current, IOL. This is the maximum current flowing into the output pin of a logic function when the input conditions are such that the output is in the logic LOW state. It tells about the current sinking capability of the
output. The magnitude of IOL determines the number of inputs the logic function can drive when its output is in the logic LOW state.

Example: For example, for the standard TTL family, the minimum guaranteed IOL is 16 mA, which can drive 10 standard TTL inputs with each requiring 1.6 mA in the LOW state.

6. HIGH-level input voltage, VIH. This is the minimum voltage level that needs to be applied at the input to be recognized as a legal HIGH level for the specified
family.For the standard TTL family, a 2 V input voltage is a legal HIGH logic state.
3
General characteristics of logic circuits
7. LOW-level input voltage, VIL. This is the maximum voltage level applied at the input that is recognized as a legal LOW level for the specified family. For the
standard TTL family, an input voltage of 0.8 V is a legal LOW logic state.

8. HIGH-level output voltage, VOH. This is the minimum voltage on the output pin of a logic function when the input conditions establish logic HIGH at the output for the specified
family. In the case of the standard TTL family of devices, the HIGH level output voltage can be as low as 2.4 V and still be treated as a legal HIGH logic state. It may be mentioned
here that, for a given logic family, the VOH specification is always greater than the VIH specification to ensure output-to-input compatibility when the output of one device feeds the
input of another.

9. LOW-level output voltage, VOL. This is the maximum voltage on the output pin of a logic function when the input conditions establish logic LOW at the output for the
specified family. In the case of the standard TTL family of devices, the LOW-level output voltage can be as high as
0.4 V and still be treated as a legal LOW logic state. It may be mentioned here that, for a given logic family, the VOL specification is always smaller than the VIL specification to ensure
output-to-input compatibility when the output of one device feeds the input of another.

Output current at HIGH state - IOH Output current at LOW state IOL

4
Basic parameters of logic circuits

1. Output impedance.

2. Fan-out. The fan-out is the number of inputs of a logic function that can be driven from a single output without causing any false output. It is a characteristic of the logic family to which the device belongs.

3. Fan-in. Fan-in is the number of output of a logic function that can be driven from a single output without causing any false input.

4. Propagation delay per gate.

5. Noise margin. This is a quantitative measure of

noise immunity offered by the logic family.

4
Basic parameters of logic circuits

Ngưỡng nhiễu

How many NAND gate inputs can be driven from the output of a NAND gate of this type

Ví dụ:

Datasheet của 1 IC 4 NAND 2 đầu vào có các tham số sau: IOH (max.) = 0,4mA, VOH (min) = 2,7 V, VIH (min) = 2V, VIL (max) = 0,8 V, VOL (min) = 0,4 V, IOL (max) = 8 mA, IIL (max) = 0,4 mA, IIH (max) = 20 μA, ICCH
(max) =1,6mA, ICCL (max)=4,4mA, tpLH= tpHL =15ns và dải điện áp cung cấp là 5 V. Xác định: Công suất tiêu tán trung bình của một cổng NAND, Độ trễ lan truyền trung bình tối đa của một cổng duy nhất, Biên độ nhiễu
trạng thái CAO Biên độ nhiễu trạng thái THẤP

Giải: Dòng cung cấp trung bình cho IC là: (ICCH +ICCL/2) = (1.6
+ 4.4)/2 = 3 mA. Hiệu điện thế của nguồn là VCC = 5 V. Công suất tiêu tán của IC NAND gồm 4 cổng 2 lối vào là:
5 × 3 = 15 mW. Công suất tiêu tán của mỗi cổng là: 15/4
5
Basic parameters of logic circuits
= 3.75 mW.
(a) Trễ lan truyền của IC là: 15 ns.

(b) Biên độ nhiễu trạng thái CAO: VOH(min.) − VIH(min.) =2.7 − 2 = 0.7 V.

(c) Biên độ nhiễu trạng thái THẤP: VIL(max.) − VOL(max.) = 0.8 − 0.4 = 0.4 V
Trạng thái CAO fan-out: IOH (max)/IIH (min)= 400/20 = 20. Trạng thái THẤP: IOL/IIL = 8/0.4 = 20. Như vậy tổng s

The components that make up a logic circuit can use one of


the following two types of components:

- Linh kiện lưỡng cực (bipolar: Bipolar transistor, diode)

- Linh kiện MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)

6
Basic parameters of logic circuits

Bipolar MOS

Bipolar family include: - Diode logic (DL) - Resistor transistor logic (RTL) - Diode transistor logic (DTL) - Transistor transistor logic (TTL) - Emitter coupled logic (ECL) - Current mode logic (CML) -
Integrated injection logic (I2L)

7
Basic parameters of logic circuits

MOS family includes: - PMOS family (using P-channel MOSFETs) - NMOS family (using N-channel MOSFETs) - CMOS family (using both N- and P-channel devices). - Bi-MOS logic family uses both
bipolar and MOS devices
Họ logic RTL (Resistor Transistor Logic)
Mạch đảo: NOT
Bit 0 – Low – <1.5v
Bit 1 – High – >1.5v

8
Basic parameters of logic circuits
RTL family

Nor

And

9
Basic parameters of logic circuits

10
Basic parameters of logic circuits
The TTL family has several subfamilies including:
- Standard TTL
- Low power TTL
- High power TTL
- Low power Schottky TTL
- Schottky TTL
- Advanced low power Schottky TTL

Advanced Schottky TTL and fast TTL .


To sum up, the characteristic parameters and features of
the standard TTL family of devices include the following:
VIL = 0.8 V;
VIH = 2 V;
IIH = 40 μA;
VCC = 4.75–5.25 V (74-series)
IIL = 1.6 mA;

VOH = 2.4 V;

✓ VOL = 0.4 V;

✓ IOH = 400 μ A;
✓ IOL = 16 mA;

✓ Noise margin = 0.4 V;


✓ Fan-out = 10;

✓ ICCH = 8 mA;

✓ ICCL = 22 mA; and 4.5–5.5 V (54-series);


✓ Propagation delay: 15ns-22 ns (max.)
✓ Operating temperature range = 0–70 °C (74- series) and −55 to +125 °C (54-series);
11
Basic parameters of logic circuits
✓ Maximum Flip-flop toggle frequency = 35 MHz

NOT gate NAND gate

NOR Gate Xor

12
Basic parameters of logic circuits
Mạch 3 trạng thái - Tristate

The Schottky TTL offers a speed that is about twice that offered by the high-power
TTL for the same power consumption.

13
Basic parameters of logic circuits

Advanced Low-Power Schottky TTL (74ALS/54ALS)

NAND gate in the low-power Schottky TTL

14
Basic parameters of logic circuits

Đưa ra 2 trạng thái logic cùng lúc

Định nghĩa mức logic


cao là 4.4 V và 3.6 V

Vin = 4.4V => Cực emiiter của Q1 sẽ là 4.4-0.6=3.8 V => Hiệu điện thế base-
emitter của Q2 sẽ là Vbb -3.8 =0.2V => Q2 cấm => Vc2 = 5V

Để tính toán Vc1 ta làm như sau:

Ve1 = 3.8V, R3 =1.3kΩ => Ie1 =(3.8/1.3)= 2.92mA

Để đơn giản ta coi Ie1 = Ic1=> Vc1 = 5V - 300 Ωx2.92mA = 4.12

Giả sử mức điện áp mở của Q3 và Q4 tương đương với Vbe = 0.6v


=> Vout+ = 4.12 – 0.6 = 3.52v and Vout-=5-0.6 = 4.4v

An ECL inverter/buffer

15
Basic parameters of logic circuits

ECL input/output characteristics.


VEE = -5v, VCC=0

16
Basic parameters of logic circuits

17
Basic parameters of logic circuits

18
Basic parameters of logic circuits

19
Basic parameters of logic circuits

This is the typical arrangement followed by various manufacturers, as the inverters at the input enhance noise immunity

Comparison of various performance characteristics of important logic families

Transitor trường - Field-effect transistor


20
Basic parameters of logic circuits
FET có trước tuy nhiên không được sử dụng cho đến khi transistor lưỡng cực thông thường gặp những hạn chế của vật liệu bán dẫn và do cả sản
xuất BJT tương đối dễ so với FET vào thời điểm đó. Ngày nay FET có sáu loại chính tùy theo cấu trúc và kênh dẫn là p hay n, là hai loại JFET và
bốn loại MOSFET

Ưu điểm của transitor trường:


- Điện trở lố vào rất lớn (1014ohm)
- Được điều khiển bằng điện áp chứ không phải dòng điện như transitor lưỡng cực
- Tạp nhiễu nội tại rất nhỏ. Nhỏ hơn nhiều lần transitor lưỡng cực
- Công suất tiêu tán rất nhỏ

FET là thiết bị có 3 đầu cuối (three terminals) tương ứng 3 chân:

Chân nguồn (S - Source): các hạt mang điện truyền vào kênh. Thông thường, dòng vào tại kênh S được đặt là IS.

Chân máng (D - Drain): Thông qua đó các hạt mang điện rời khỏi kênh. Dòng vào kênh D được gọi là ID. Điện áp từ D tới S gọi là VDS.

Chân cổng (G - Gate): Điều chỉnh độ dẫn kênh, nghĩa là cho phép các electron chảy qua hoặc chặn dòng của chúng bằng cách tạo ra hoặc loại bỏ một kênh giữa nguồn và máng. Khi cấp điện áp cho G,

người ta có thể kiểm soát được dòng ID.

kí hiệu
21
Basic parameters of logic circuits

22
Basic parameters of logic circuits
Sơ đồ

23
Basic parameters of logic circuits

Mối quan hệ giữa dòng và điện áp

24
Basic parameters of logic circuits
Giao tiếp tải

Digital integrated circuits

◼ Logic elements are made up of electronic components

◼ These electronic components when combined together are usually in the form of integrated circuits, also known as ICs (Integrated Circuits).
◼ Integrated circuits have the following characteristics:
o Advantages: component density, reduced volume, reduced weight and circuit size.
o Disadvantages: If one component fails, the whole circuit is damaged.

◼ There are two types of integrated circuits:


o Analog integrated circuits: work with analog signals
o Digital integrated circuits: working with digital signals
◼ Theo mật độ linh kiện:
o Có các loại sau:
▪ SSI - Small Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích hợp cỡ nhỏ: < 10 cổng/chip
▪ MSI - Medium Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích hợp cỡ trung bình: 10  100 cổng/chip
▪ LSI - Large Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích hợpcỡ lớn: 100  1000 cổng/chip
▪ VLSI - Very Large Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích hợp cỡ rất lớn: 103106 cổng/chip

25
Basic parameters of logic circuits
▪ ULSI - Ultra Large Scale Integration: các vi mạch có mật độ

tích hợp cỡ cực kỳ lớn:> 106 cổng/chip

◼ Tính theo số lượng cổng (gate).

o Một cổng có khoảng 210 transistor

o VD: cổng NAND 2 đầu vào có cấu tạo từ 4 transistor

◼ Theo bản chất linh kiện được sử dụng:


o IC sử dụng Transistor lưỡng cực:
▪ RTL Resistor Transistor Logic (đầu vào mắc điện trở, đầu ra là Transistor)
▪ DTL Diode Transistor Logic (đầu vào mắc Diode, đầu ra là Transistor)
▪ TTL Transistor Transistor Logic (đầu vào mắc Transistor, đầu ra là Transistor)
▪ ECL Emitter Coupled Logic (Transistor ghép nhiều cực emitter)
o IC sử dụng Transistor trường - FET (Field Effect Transistor)
▪ MOS Metal Oxide Semiconductor
▪ CMOS Complementary MOS

26
Basic parameters of logic circuits
Thời gian truyền: tín hiệu truyền từ đầu vào tới đầu ra của mạch tích hợp phải mất một khoảng thời gian nào đó. Thời gian đó được đánh giá qua 2 thông số:
 Thời gian trễ: là thời gian trễ thông tin của đầu ra so với đầu vào
 Thời gian chuyển biến: là thời gian cần thiết để chuyển biến từ mức 0 lên mức 1 và ngược lại.
▪ Thời gian chuyển biến từ 0 đến 1 còn gọi là thời gian thiết lập sườn
dương
▪ Thời gian chuyển biến từ 1 đến 0 còn gọi là thời gian thiết lập sườn âm
▪ Trong lý thuyết: thời gian chuyển biến bằng 0
▪ Trong thực tế, thời gian chuyển biến được đo bằng thời gian chuyển biến từ 10% đến 90% giá trị biên độ cực đại.

Công suất tiêu thụ ở chế độ động:

 Chế độ động là chế độ làm việc có tín hiệu

 Là công suất tổn hao trên các phần tử trong vi mạch, nên cần càng nhỏ càng tốt.

 Công suất tiêu thụ ở chế độ động phụ thuộc

◼ Tần số làm việc.

◼ Công nghệ chế tạo: công nghệ CMOS có công


suất tiêu thụ thấp nhất.

And IC And ic

27
And ic
Basic parameters of logic circuits
And

VD: Phần tử OR dùng IC Example: NAND IC

28
Basic parameters of logic circuits

Example: XOR and XNOR IC

Remember:

29
Basic parameters of logic circuits
AND: 74LS08

O R: 74LS32

NOT: 74LS04/05

NAND: 74LS00

NOR: 74LS02

XOR: 74LS136

NXOR: 74LS266

◼ Biểu diễn các phần tử logic hai đầu vào AND, OR và phần tử logic một đầu vào NOT chỉ dùng phần tử NAND.

◼ Data sheet của cổng IC bao gồm 4 cổng AND hai đầu vào (kiểu 74S08) có các thông số về độ trễ truyền và cấp nguồn là VCC = 5,0 V, ICCH (cho cả bốn
cổng) = 18 mA, ICCL (cho cả bốn cổngcửa) = 32 mA, tpLH = 4,5 ns và tpHL = 5,0 ns.
◼ A) Tính công suất tiêu tán trung bình cho cả IC và cho mỗi đầu vào.
◼ B) Tính năng lượng trễ cho mỗi đầu vào của IC logic (speed–power
product).
Lưu ý: speed–power product = thời gian trễ x công suất trung bình
◼ Cho mạch như hình vẽ. Hãy tính dòng điều khiển lối ra từ cổng NAND để điều khiển được cổng AND và OR. Thông số của 2 cổng AND và OR lần lượt là: IIH (AND
gate) = 0.02 mA, IIL (AND gate) = 0.4 mA, IIH (OR gate)

= 0.04 mA, IIL (OR gate) = 1.6 mA, IOH(NAND gate) = 1.0 mA, IOL(NAND

gate) = 20.0 mA.

30
Basic parameters of logic circuits

◼ Viết công thức thể hiện mối quan hệ giữa đầu


vào và đầu ra của mạch sau

31
Basic parameters of logic circuits

32
Basic parameters of logic circuits

33
Basic parameters of logic circuits

34
Basic parameters of logic circuits

35
Basic parameters of logic circuits
Ngưỡng nhiễu

36
Basic parameters of logic circuits

37
Basic parameters of logic circuits

How many NAND gate inputs can be driven from the


output of a NAND gate of this type

38
Basic parameters of logic circuits
Ví dụ:
Datasheet của 1 IC 4 NAND 2 đầu vào có các tham số
sau: IOH (max.) = 0,4mA, VOH (min) = 2,7 V, VIH (min) =
2V, VIL (max) = 0,8 V, VOL (min) = 0,4 V, IOL (max) = 8
mA, IIL (max) = 0,4 mA, IIH (max) = 20 μA, ICCH (max) =
1,6 mA, ICCL (max) = 4,4 mA, tpLH = tpHL = 15 ns và dải
điện áp cung cấp là 5 V. Xác định:
(a) Công suất tiêu tán trung bình của một cổng NAND,
(b) Độ trễ lan truyền trung bình tối đa của một cổng duy
nhất,
(c) Biên độ nhiễu trạng thái CAO
(d) Biên độ nhiễu trạng thái THẤP
39
Các thông số cơ bản của mạch logic
Giải:
(a) Dòng cung cấp trung bình cho IC là: (ICCH +ICCL/2) = (1.6
+ 4.4)/2 = 3 mA. Hiệu điện thế của nguồn là VCC = 5 V.
Công suất tiêu tán của IC NAND gồm 4 cổng 2 lối vào là:
5 × 3 = 15 mW. Công suất tiêu tán của mỗi cổng là: 15/4
= 3.75 mW.
(b) Trễ lan truyền của IC là: 15 ns.
(c) Biên độ nhiễu trạng thái CAO: VOH(min.) − VIH(min.) =
2.7 − 2 = 0.7 V.
(d) Biên độ nhiễu trạng thái THẤP: VIL(max.) − VOL(max.) =
0.8 − 0.4 = 0.4 V
(e) Trạng thái CAO fan-out: IOH (max)/IIH (min)= 400/20 = 20.
Trạng thái THẤP: IOL/IIL = 8/0.4 = 20. Như vậy tổng số
cổng NAND mà 1 cổng NAND của IC có thể điều khiển
được là 20.
18
Example:
Example:
Problem:
Problem:
Bipolar and MOS
The components that make up a logic circuit can use one of
the following two types of components:
- Linh kiện lưỡng cực (bipolar: Bipolar transistor, diode)
- Linh kiện MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)

Bipolar MOS
23
Bipolar

Bipolar family include:


- Diode logic (DL)
- Resistor transistor logic (RTL)
- Diode transistor logic (DTL)
- Transistor transistor logic (TTL)
- Emitter coupled logic (ECL)
- Current mode logic (CML)
- Integrated injection logic (I2L).

24
Logic Families

Diode logic
Resistor transistor logic

25 Diode transistor logic


MOS

MOS family includes:


- PMOS family (using P-channel MOSFETs)
- NMOS family (using N-channel MOSFETs)
- CMOS family (using both N- and P-channel devices).
- Bi-MOS logic family uses both bipolar and MOS devices

26
Resistor Transistor Logic family

NOT gate

Bit 0 – Low – Điện


áp nhỏ hơn 1.5v

Bit 1 – High – Điện


áp lớn hơn 1.5v

27
Họ logic RTL (Resistor Transistor Logic)

Mạch đảo: NOT

Bit 0 – Low – <1.5v

Bit 1 – High – >1.5v

28
RTL family

NOR

AND
29
Họ logic DTL (Diode Transistor Logic)

Mạch đảo: NOT Mạch AND

30
TTL (Transistor Transistor Logic) family

The TTL family has several subfamilies including:


- Standard TTL
- Low power TTL
- High power TTL
- Low power Schottky TTL
- Schottky TTL
- Advanced low power Schottky TTL
- Advanced Schottky TTL and fast TTL.

31
TTL (Transistor Transistor Logic) family
To sum up, the characteristic parameters and features of
the standard TTL family of devices include the following:
✓ VIL = 0.8 V;
✓ VIH = 2 V;
✓ IIH = 40 μA; ✓ VCC = 4.75–5.25 V (74-series)
and 4.5–5.5 V (54-series);
✓ IIL = 1.6 mA; ✓ Propagation delay: 15ns-22 ns
✓ VOH = 2.4 V; (max.)
✓ VOL = 0.4 V; ✓ Operating temperature range =
✓ IOH = 400 μ A; 0–70 °C (74- series) and −55 to
✓ IOL = 16 mA; +125 °C (54-series);
✓ Noise margin = 0.4 V; ✓ Maximum Flip-flop toggle
✓ Fan-out = 10; frequency = 35 MHz.
✓ ICCH = 8 mA;
✓ ICCL = 22 mA;

32
TTL (Transistor Transistor Logic) family

33
TTL (Transistor Transistor Logic)

NOT gate NAND gate

34
TTL (Transistor Transistor Logic)

35
TTL (Transistor Transistor Logic)

36
TTL (Transistor Transistor Logic)
NOR Gate

37
TTL (Transistor Transistor Logic)
XOR gate

38
TTL (Transistor Transistor Logic)
Mạch 3 trạng thái - Tristate

39
TTL (Transistor Transistor Logic)

40
TTL (Transistor Transistor Logic)

41
TTL (Transistor Transistor Logic)

The Schottky TTL offers a speed that is


about twice that offered by the high-power
TTL for the same power consumption.
42
TTL (Transistor Transistor Logic)

NAND gate in the low-power Schottky TTL


43
TTL (Transistor Transistor Logic)

Advanced Low-Power Schottky TTL (74ALS/54ALS)


44
ECL (Emitter Coupled Logic) farmily

The first monolithic emitter coupled logic family was


introduced by ON Semiconductor, formerly a division of
Motorola, with the MECL-I series of devices in 1962, with
the MECL-II series following it up in 1966. Both these
logic families have become obsolete.

Currently, popular subfamilies of ECL logic include MECL-


III (also called the MC 1600 series), the MECL-10K
series, the MECL-10H series and the MECL-10E series
(ECLinPS and ECLinPSLite). The MECL-10K series
further divided into the 10 100-series and 10 200-series
devices.

45
ECL (Emitter Coupled Logic) family

46
ECL (Emitter Coupled Logic) family
◼Emitter-Coupled Logic
Đưa ra 2 trạng thái logic cùng lúc

An ECL inverter/buffer
47
ECL (Emitter Coupled Logic) family
◼Emitter-Coupled Logic

Định nghĩa mức logic


cao là 4.4 V và 3.6 V

Vin = 4.4V => Cực emiiter của Q1 sẽ


là 4.4-0.6=3.8 V => Hiệu điện thế
base-emitter của Q2 sẽ là Vbb -3.8 =
0.2 V => Q2 cấm => Vc2 = 5V

Để tính toán Vc1 ta làm như sau:


Ve1 = 3.8V, R3 =1.3kΩ => Ie1 = (3.8/1.3)
= 2.92mA
Để đơn giản ta coi Ie1 = Ic1=> Vc1 = 5V -
300 Ωx2.92mA = 4.12V

Giả sử mức điện áp mở của Q3 và Q4 tương đương với Vbe = 0.6v


=> Vout+ = 4.12 – 0.6 = 3.52v and Vout-=5-0.6 = 4.4v

48
ECL (Emitter Coupled Logic) family
◼Emitter-Coupled Logic

49
ECL (Emitter Coupled Logic) family
◼Emitter-Coupled Logic

50
ECL (Emitter Coupled Logic) family

Different subfamilies of ECL logic


include:
- MECL-I, MECL-II, MECL-III
- MECL 10K
- MECL 10H
- MECL 10E (ECLinPSTMand
ECLinPS LiteTM

51
ECL (Emitter Coupled Logic) family

52
ECL (Emitter Coupled Logic) family

ECL input/output characteristics.


VEE = -5v, VCC=0

53
ECL (Emitter Coupled Logic) family

54
ECL (Emitter Coupled Logic) family

55
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family
The popular CMOS subfamilies include the 4000A,
4000B, 4000UB, 54/74C, 54/74HC, 54/74HCT, 54/74AC
and 54/74ACT families.

The 4000A CMOS family has been replaced by its high-


voltage versions in the 4000B and 4000UB CMOS
families, with the former having buffered and the latter
having unbuffered outputs.

54/74C, 54/74HC, 54/74HCT, 54/74AC and 54/74ACT


are CMOS logic families with pin-compatible 54/74 TTL
series logic functions.

56
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

57
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

58
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

59
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

60
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

61
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

62
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

63
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

64
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

65
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

66
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

67
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

68
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

69
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

What is this logic gate?


70
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

71
CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor) family

This is the typical arrangement followed by


various manufacturers, as the inverters at
72 the input enhance noise immunity.
Comparison of various performance
characteristics of important logic families

73
Transitor trường - Field-effect transistor
FET có trước tuy nhiên không được sử dụng cho đến khi transistor
lưỡng cực thông thường gặp những hạn chế của vật liệu bán dẫn và
do cả sản xuất BJT tương đối dễ so với FET vào thời điểm đó. Ngày
nay FET có sáu loại chính tùy theo cấu trúc và kênh dẫn là p hay n, là
hai loại JFET và bốn loại MOSFET

FET lần đầu tiên được cấp bằng sáng chế


cho Julius Edgar Lilienfeld vào năm 1926
và cho Oskar Heil vào năm 1934, Trong khi
đó JFET được William Shockley phát triển
tại Bell Labs vào năm 1947.
SIT –JFET do Nishizawa và Y. Watanabe
phát minh ra vào năm 1950

74
Transitor trường - Field-effect transistor

Ưu điểm của transitor trường:


- Điện trở lố vào rất lớn (1014ohm)
- Được điều khiển bằng điện áp chứ không phải
dòng điện như transitor lưỡng cực
- Tạp nhiễu nội tại rất nhỏ. Nhỏ hơn nhiều lần
transitor lưỡng cực
- Công suất tiêu tán rất nhỏ

75
Transitor trường - Field-effect transistor
FET là thiết bị có 3 đầu cuối (three terminals) tương ứng 3 chân:
✓ Chân nguồn (S - Source): các hạt mang điện truyền vào kênh. Thông thường,
dòng vào tại kênh S được đặt là IS.
✓ Chân máng (D - Drain): Thông qua đó các hạt mang điện rời khỏi kênh. Dòng
vào kênh D được gọi là ID. Điện áp từ D tới S gọi là VDS.
✓ Chân cổng (G - Gate): Điều chỉnh độ dẫn kênh, nghĩa là cho phép các electron
chảy qua hoặc chặn dòng của chúng bằng cách tạo ra hoặc loại bỏ một kênh
giữa nguồn và máng. Khi cấp điện áp cho G, người ta có thể kiểm soát được
dòng ID.

76
Transitor trường - Field-effect transistor

Ký hiệu

77
Transitor trường - Field-effect transistor
Sơ đồ

78
Transitor trường - Field-effect transistor
Mối quan hệ giữa dòng và điện áp

79
Transitor trường - Field-effect transistor
Mối quan hệ giữa dòng và điện áp

80
Giao tiếp tải

81
Giao tiếp tải

82
Giao tiếp tải

83
Giao tiếp tải

84
Digital integrated circuits
◼ Logic elements are made up of electronic components
◼ These electronic components when combined together
are usually in the form of integrated circuits, also known
as ICs (Integrated Circuits).
◼ Integrated circuits have the following characteristics:
 Advantages: component density, reduced volume, reduced weight and
circuit size.
 Disadvantages: If one component fails, the whole circuit is damaged.

◼ There are two types of integrated circuits:


 Analog integrated circuits: work with analog signals
 Digital integrated circuits: working with digital signals

85
Classification of digital integrated circuits
◼ Theo mật độ linh kiện:
 Có các loại sau:
◼ SSI - Small Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích
hợp cỡ nhỏ: < 10 cổng/chip
◼ MSI - Medium Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích
hợp cỡ trung bình: 10  100 cổng/chip
◼ LSI - Large Scale Integration: các vi mạch có mật độ tích
hợpcỡ lớn: 100  1000 cổng/chip
◼ VLSI - Very Large Scale Integration: các vi mạch có mật đ ộ
tích hợp cỡ rất lớn: 103106 cổng/chip
◼ ULSI - Ultra Large Scale Integration: các vi mạch có mật độ
tích hợp cỡ cực kỳ lớn: > 106 cổng/chip

◼ Tính theo số lượng cổng (gate).


◼ Một cổng có khoảng 210 transistor
◼ VD: cổng NAND 2 đầu vào có cấu tạo từ 4 transistor
86
Classification of digital integrated circuits
◼ Theo bản chất linh kiện được sử dụng:
 IC sử dụng Transistor lưỡng cực:
◼ RTL Resistor Transistor Logic (đầu vào mắc điện trở, đầu ra
là Transistor)
◼ DTL Diode Transistor Logic (đầu vào mắc Diode, đầu ra là
Transistor)
◼ TTL Transistor Transistor Logic (đầu vào mắc Transistor,
đầu ra là Transistor)
◼ ECL Emitter Coupled Logic (Transistor ghép nhiều cực
emitter)
 IC sử dụng Transistor trường - FET (Field Effect Transistor)
◼ MOS Metal Oxide Semiconductor
◼ CMOS Complementary MOS

87
Đặc tính điện của IC
◼ Dải điện áp quy định mức logic
◼ VD: với chuẩn TTL ta có:

5V 5V

2V 3,5V
Dải điện áp Dải điện áp
không xác định không xác định

0.8V 0,5V

0V
0V
Vào Ra

88
Đặc tính điện của IC (tiếp)

◼ Thời gian truyền: tín hiệu truyền từ đầu vào tới đầu ra
của mạch tích hợp phải mất một khoảng thời gian nào
đó. Thời gian đó được đánh giá qua 2 thông số:
 Thời gian trễ: là thời gian trễ thông tin của đầu ra so với đầu vào
 Thời gian chuyển biến: là thời gian cần thiết để chuyển biến từ
mức 0 lên mức 1 và ngược lại.
 Thời gian chuyển biến từ 0 đến 1 còn gọi là thời gian thiết lập sườn
dương
 Thời gian chuyển biến từ 1 đến 0 còn gọi là thời gian thiết lập sườn âm
 Trong lý thuyết: thời gian chuyển biến bằng 0
 Trong thực tế, thời gian chuyển biến được đo bằng thời gian chuyển
biến từ 10% đến 90% giá trị biên độ cực đại.

89
Đặc tính điện của IC (tiếp)

◼ Công suất tiêu thụ ở chế độ động:


 Chế độ động là chế độ làm việc có tín hiệu
 Là công suất tổn hao trên các phần tử trong vi
mạch, nên cần càng nhỏ càng tốt.
 Công suất tiêu thụ ở chế độ động phụ thuộc
◼ Tần số làm việc.
◼ Công nghệ chế tạo: công nghệ CMOS có công
suất tiêu thụ thấp nhất.

90
Basic characteristics of IC

Là đặc tính của kết cấu vỏ bọc bên ngoài.


◼ Có 2 loại thông dụng:
 Vỏ tròn bằng kim loại, số chân < 10
 Vỏ dẹt bằng gốm, chất dẻo, có 3 loại
◼ IC một hàng chân SIP (Single Inline Package) hay
SIPP (Single In-line Pin Package)
◼ IC có 2 hàng chân DIP (Dual Inline Package)

◼ IC chân dạng lưới PGA (Pin Grid Array): vỏ vuông,


chân xung quanh

91
Đặc tính cơ của IC (tiếp)

◼ Một số dạng IC:

92
Đặc tính nhiệt của IC

◼ Mỗi một loại IC được chế tạo để sử dụngở


một điều kiện môi trường khác nhau tùy
theo mục đích sử dụng nó.
 IC dùng trong công nghiệp: 0°C70°C
 IC dùng trong quân sự: -55°C 125°C

93
Example: AND IC

94
Example: AND IC

95
VD: Phần tử OR dùng IC

96
Example: NAND IC

97
VD: Phần tử NOR dùng IC

98
Example: XOR and XNOR IC

99
Summary

 Logic signals and symbol conventions in


digital electronics
 Basic logic families (RTL, DTL, TTL, CMOS)
and characteristic
 Field Transistor
 Logic ICs and characteristics

100
Remember:

◼ AND: 74LS08
◼ OR: 74LS32
◼ NOT: 74LS04/05
◼ NAND: 74LS00
◼ NOR: 74LS02
◼ XOR: 74LS136
◼ NXOR: 74LS266

101
Problems

diễn các phần tử logic hai đầu vào


◼ Biểu
AND, OR và phần tử logic một đầu vào
NOT chỉ dùng phần tử NAND.

102
Problems

◼ Data sheet của cổng IC bao gồm 4 cổng AND hai đầu vào (kiểu
74S08) có các thông số về độ trễ truyền và cấp nguồn là VCC = 5,0
V, ICCH (cho cả bốn cổng) = 18 mA, ICCL (cho cả bốn cổngcửa) = 32
mA, tpLH = 4,5 ns và tpHL = 5,0 ns.
◼ A) Tính công suất tiêu tán trung bình cho cả IC và cho mỗi đầu vào.
◼ B) Tính năng lượng trễ cho mỗi đầu vào của IC logic (speed–power
product).
Lưu ý: speed–power product = thời gian trễ x công suất trung bình

103
Problems

◼ Từ một đầu ra duy nhất của Shottky TTL NAND có thể điều khiển ổn định
bao nhiêu đầu vào của Schottky TTL NAND công suất thấp?
Với Shottky TTL NAND và TTL NAND công suất thấp có các thông số kỹ
thuật như sau:
- Schottky TTL NAND : IOH = 1.0 mA; IIH= 0.05 mA; IOL = 20.0 mA; IIL = 2.0
mA
- Schottky TTL NAND công suất thấp : IOH = 0.4 mA; IIH= 0.02 mA; IOL = 8.0
mA; IIL = 0.4 mA

104
Problems

◼ Cho mạch như hình vẽ. Hãy tính dòng điều khiển lối ra từ cổng NAND để
điều khiển được cổng AND và OR. Thông số của 2 cổng AND và OR lần
lượt là: IIH (AND gate) = 0.02 mA, IIL (AND gate) = 0.4 mA, IIH (OR gate)
= 0.04 mA, IIL (OR gate) = 1.6 mA, IOH(NAND gate) = 1.0 mA, IOL(NAND
gate) = 20.0 mA.

105
Problems
◼ Viết công thức thể hiện mối quan hệ giữa đầu vào và đầu ra của mạch
sau

106
Bài tập áp dụng
◼ Viết công thức thể hiện mối quan hệ giữa đầu vào và đầu ra của mạch
sau và giải thích.

107
Problems
◼ Cho data sheet của các dòng IC 4000B CMOS, 74LS-TTL và 74HCT
CMOS. Hã xác đinh:
◼ A) Số lượng đầu vào của IC 74LS-TTL có thể được điều khiển ổn định
bởi 1 output của IC 4000B;
◼ B) Số lượng input của IC 74LS-TTL có thể điều khiển ổn định bởi 1
ouput của IC 74HCT.

4000B: IOH = 0.4 mA; IIH = 1.0 μA; IOL= 0.4 μA; IIL = 1.0 μA
74HCT: IOH= 4.0 mA; IIH = 1.0 μA; IOL= 4.0 μA; IIL = 1.0 μA
74LS-TTL: IOH= 0.4 mA; IIH = 20.0 μA; IOL= 8.0 μA; IIL = 0.4 μA

108
Bâl 5.1 Met c6ng TTL cd cfc gif nj ciip dipn âp thee té sau: Ver , >i» = 2.25 V, Ve., › = 0,65 V. Giâ sli rib dang dir‹;c dieu khien b0i
met cfing cd V ,p », = 2,4 V vâ VOL u - 0,4 V, rim bién dg ohieu cao via thap?

Vim = Voe -Vwe ›=2.4-2.25=0.NV


= Vn.‹ x› — i x›= 0.65 — 0.4 = 3-15
Bâl 5.2 Thdng sñ ky thujt dii;n âp cho ba low cfing logic dupe dtra ra trong Bâng. ChQn cong mil fin sé sit dpng trong mñi trtrdng ning
rightSep c6 d éin cao.

Cate A 2.4 V 0.4 V 2V 0.8 V


Gaic 8 3.5 V 0.2 V 2.J V 0.6 V
GATE A: Gate6 4.2 Y 0.2 V 3.2 V 0.8 V
V =V — V/ = 2.4 -2 = 0.4V
Ve = Vamu — Vwmuxxm= 0.8 — 0.4 = 0.4V

GATi2 C:
Vxu = Voumo/ - Viuc/= 4.2 - 3.2 = 1 V
v+ =+’x.+ux,— vx,+ux,=o.8 — o.2=o .sv
Ch?n r6og Gate C
Bâl 5.6 Meg cong CMOS trong hinh vé khong day du. Chi ra nhung thay dfii nén dupc thvc his.

”: Chgn kb6ng s* d\zng


U5

Bñl5.7 Xéc dtnh frying thai din ra cña moi c6ng TTL trong hinli vfi sau:

HIGH
HIGH
LOW

(a) (b)
+5 V

HIGH HIGH
HIGH HIGH
HIGH
Ic) (d)
BAl 5.8 Xâc dinh mdc dau ru cña mdi céing TTL trong cac hinh sau.

+5 V
LOW
+S v OV
+5 Y
Open

(c)
BH 5.9 Viet biéu thñc logic ngo ra Y cho timg notch irong hinh on.

(*) ‹b›
(o)
Tìm điện trở Rb

You might also like