BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TƤO

TRƢỜNG ĐƤI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

Nguyễn Danh Trƣờng

MÔ HÌNH HÓA VÀ MÔ PHỎNG ỨNG XỬ CƠ HỌC

CỦA ỐNG VÀ TƨM MỎNG CÓ KÍCH CỠ NANO MÉT

LUẬN ÁN TIẾN SĄ CƠ HỌC

Hà Nội – 2015
 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TƤO
TRƢỜNG ĐƤI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

Nguyễn Danh Trƣờng

MÔ HÌNH HÓA VÀ MÔ PHỎNG ỨNG XỬ CƠ HỌC

CỦA ỐNG VÀ TƨM MỎNG CÓ KÍCH CỠ NANO MÉT

Chuyên ngành : Cơ kỹ thuật

Mã số : 62520101

LUẬN ÁN TIẾN SĄ CƠ HỌC

NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS. LÊ MINH QUÝ

Hà Nội – 2015
 LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan toàn bộ nội dung trình bày trong luận án này đƣợc

nghiên cứu bởi bƧn thân tôi dƣới sự hƣớng dẫn khoa học của PGS.TS Lê

Minh Quý. Các số liệu, kết quƧ nêu trong luận án là trung thực và chƣa từng

đƣợc ai công bố trong bƩt kỳ công trình nào khác.

Hà Nội, ngày 03 tháng 08 năm 2015

Ngƣời hƣớng dẫn Nghiên cứu sinh

PGS.TS. Lê Minh Quý Nguyễn Danh Trƣờng

 LỜI CƦM ƠN

Tôi xin chân thành cƧm ơn Bộ môn Cơ học vật liệu và kết cƩu,
Viện Cơ khí, Trƣờng Đƥi học Bách khoa Hà Nội đã tƥo điều kiện
thuận lợi để tôi thực hiện công trình này.
Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS. Lê Minh Quý
đã tận tình hƣớng dẫn, giúp đỡ để tôi có thể thực hiện và hoàn
thành Luận án này.
Tôi xin cƧm ơn Quỹ phát triển khoa học và Công nghệ Quốc
gia (Nafosted) đã hỗ trợ kinh phí cho đề tài mã số 107.02.2011.10
và đề tài mã số 107.02.2014.03 để tôi thực hiện nghiên cứu này.
Cuối cùng tôi xin gửi lời cƧm ơn tới gia đình, bố mẹ, vợ và con
gái Châu Anh đã luôn động viên, giúp đỡ tôi trong thời gian qua.

Hà Nội, 2015

Nguyễn Danh Trƣờng

 MỤC LỤC

Trang
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT iii
DANH MỤC CÁC BƦNG iv
DANH MỤC CÁC HÌNH ƦNH, ĐỒ THỊ v
MỞ ĐƪU 1
CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN 6
1.1 Vật liệu nano cƩu trúc dƥng lục giác 6
1.2 Một số phƣơng pháp mô phỏng vật liệu nano 10
1.2.1 Phƣơng pháp lý thuyết hàm mật độ 11
1.2.2 Mô phỏng động lực phân tử 13
1.2.3 Phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 14
1.3 Kết luận chƣơng 16
CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC 18
2.1 CƩu trúc hình học tƩm và ống vật liệu nano dƥng lục giác 18
2.2 Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử 24
2.2.1 Thế năng tƣơng tác cặp 24
2.2.2 Bán kính ngắt của thế tƣơng tác 26
2.2.3 Thế năng tƣơng tác đa nguyên tử 26
CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ 30
3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 30
3.1.1 Thiết lập và giƧi phƣơng trình trong AFEM 30
3.1.2 Phƫn tử trong AFEM 35
3.2 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế điều hòa 39
3.2.1 Thiết lập ma trận độ cứng phƫn tử 39
3.2.2 Thông số hàm thế điều hòa 43
3.2.3 Kích thƣớc tƩm nano 43
3.3 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế Tersoff 44
3.3.1 Phƫn tử và thông số hàm thế Tersoff 45
3.3.2 Loƥi bỏ hàm ngắt 46
3.3.3 Kích thƣớc tƩm nano 48
CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN 51
4.1 Giới thiệu 51
4.2 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 52
4.2.1 Kéo và trƣợt thuƫn túy tƩm graphene, BN, SiC và BSb 52
4.2.2 Kéo ống C, BN, SiC, BSb 56
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 58
4.3.1 Kéo tƩm graphene, BN, và SiC 58
4.3.2 Kéo tƩm Si 72
4.3.3 Kéo ống BN 80
4.3.4 Uốn ống BN 86
4.4 Kết luận chƣơng 96
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 97
TÀI LIỆU THAM KHƦO 99
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN 109
PHỤ LỤC 110
Phụ lục 1: Xác định hằng số lực biến dƥng dài từ hàm thế Tersoff 110
Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 110
 iii

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

AFEM Atomic-scale Finite Element Method - Phƣơng pháp phƫn tử hữu

hƥn thang nguyên tử.

CNT Carbon NanoTube - Ống cácbon nano.

DFT Density Functional Theory - Lý thuyết hàm mật độ.

E Thế năng của hệ.

EBonded Thế năng liên kết.

ENon-bonded Thế năng phi liên kết.

ET Tổng năng lƣợng của hệ.

FEM Finite Element Method - Phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn.

G Mô đun đàn hồi trƣợt (N/m2).

Gs Mô đun đàn hồi trƣợt hai chiều (N/m). Gs=G.t; t là độ dày vật liệu.

MD Molecular Dynamics - Động lực phân tử.

MM Molecular Mechanics - Cơ học phân tử.

MWCNTs Multi Walled Carbon NanoTubes - Ống cácbon nano đa lớp.

SWCNT Single Walled Carbon NanoTube - Ống cácbon nano đơn lớp.

SW Stone-Wales – khuyết tật mà một liên kết bị quay đi 90o so với vị

trí bình thƣờng của nó.

t Độ dày tƩm và ống vật liệu đơn lớp (nm).

Y Mô đun đàn hồi (N/m2).

Ys Mô đun đàn hồi hai chiều (N/m). Ys=Y.t; t là độ dày vật liệu.

σ Ứng suƩt pháp (N/m2).

σt Ứng suƩt pháp hai chiều (N/m).

τ Ứng suƩt tiếp (N/m2).

ε Biến dƥng dài.

γ Biến dƥng góc.

 iv

DANH MỤC CÁC BẢNG

Trang
BƧng 2.1 Tổng hợp các thông số của tƩm và ống vật liệu nano 22
BƧng 3.1 Các hằng số lực và chiều dài liên kết ban đƫu của các vật liệu
graphene, BN, SiC và BSb ở nhiệt độ 0K. 43
BƧng 3.2 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của graphene phụ thuộc vào
kích thƣớc tƩm vuông. 44
BƧng 3.3 BƧng thông số hàm thế Tersoff cho các vật liệu graphene, BN,
SiC, Si. 46
BƧng 3.4 Thông số kích thƣớc tƩm graphene, BN và SiC gồm 4032 nguyên
tử. 49
BƧng 3.5 Thông số kích thƣớc tƩm Si. 49
BƧng 4.1 Đặc trƣng đàn hồi của tƩm graphene, BN, SiC, BSb tính bởi luận
án và so sánh với kết quƧ của những nghiên cứu khác. 53
BƧng 4.2 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của SWCNT phụ thuộc vào tỷ
lệ chiều dài (L) trên đƣờng kính ống (D). 56
BƧng 4.3 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của ống SWCNT, BN, SiC, BSb
theo đƣờng kính ống. Tỷ lệ chiều dài trên đƣờng kính cố định
L/D=15. 56
BƧng 4.4 Đặc trƣng cơ học khi kéo của tƩm graphene, BN và SiC nguyên
tính bởi luận án và so sánh với các nghiên cứu khác. 62
BƧng 4.5 So sánh đặc trƣng cơ học khi kéo tƩm BN, SiC nguyên và bị
khuyết tật. 66
BƧng 4.6 Đặc trƣng cơ học khi chịu kéo của tƩm Si nguyên. 72
BƧng 4.7 So sánh đặc trƣng khi kéo của tƩm Si trƣờng hợp nguyên và bị
khuyết tật. 77
BƧng 4.8 Đặc trƣng khi chịu kéo của ống BN (8,8) và (14,0) phụ thuộc vào
tỷ lệ giữa chiều dài trên đƣờng kính ống. 82
BƧng 4.9 Đặc trƣng khi chịu kéo của các ống BN cùng tỷ lệ chiều dài (L)
trên đƣờng kính ống (D) là L/D=10. 84
BƧng 4.10 So sánh góc uốn tới hƥn của ống BN trƣờng hợp ống nguyên và
ống bị khuyết tật SW1. 90
 v

DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ

Trang
Hình 1.1 Ống cácbon nano đa lớp: a) ống cácbon 5 lớp với đƣờng kính 6,5
nm; b) ống cácbon 2 lớp với đƣờng kính 5,5 nm; c) ống cácbon 7
lớp với đƣờng kính 6,5 nm [43]. 6
Hình 1.2 Hình Ƨnh mô phỏng cho: a) SWCNT và b) MWCNTs. 7
Hình 2.1 Hình chiếu bằng và hình chiếu cƥnh của tƩm vật liệu nano cƩu
trúc lục giác: a) tƩm phẳng với góc liên kết luôn là θ=120o; b) tƩm
low-buckled với góc liên kết θ<120o. 19
Hình 2.2 Thông số hình học một tƩm vật liệu nano cƩu trúc hình lục giác. 20
Hình 2.3 Mô phỏng quá trình cuộn tƩm thành ống vật liệu nano. 20
Hình 2.4 Ba dƥng cƩu trúc ống vật liệu nano: (a) Zigzag (10,0); (b)
Armchair (5,5); (c) Chiral (7,3). 21
Hình 2.5 Mô hình tƩm vật liệu có cƩu trúc lƣới lục giác cƩu tƥo từ 2 loƥi
nguyên tử. (a) khuyết tật SW1 (một liên kết song song phƣơng
amchair quay 90o); b) khuyết tật SW2 (một liên kết nghiêng 60o so
với phƣơng armchair quay 90o); (c) khuyết tật mƩt đi 2 nguyên tử
liền kề. 23
Hình 3.1 Sơ đồ khối chƣơng trình giƧi lặp với điều kiện biên tùy ý. 32
Hình 3.2 Sơ đồ khối chƣơng trình giƧi không lặp với điều kiện biên là một
chuyển vị đủ nhỏ. 33
Hình 3.3 Mô phỏng quá trình tìm nghiệm: a) bằng sơ đồ lặp; b) bằng sơ đồ
không lặp với điều kiện biên nhỏ. 34
Hình 3.4 Kiểu phƫn tử thanh với khớp đàn hồi ba chiều mô phỏng liên kết
trong ống SWCNT, nguồn [105]. 36
Hình 3.5 Phƫn tử 4 nút đƣợc phát triển bởi Lutz Nasdala và Gerald Ernst,
nguồn [70]. 36
Hình 3.6 Phƫn tử 6 nút mô hình hóa thế năng thế hệ thứ hai của Brenner,
nguồn [128]. 37
Hình 3.7 Phƫn tử khi lƩy một nút làm trung tâm dùng cho mô hình: a) ống
SWCNT; b) kim cƣơng. 37
Hình 3.8 Mô hình hai kiểu phƫn tử: a) phƫn tử biến dƥng dài lij và biến
dƥng dài  lij ; b) phƫn tử biến dƥng góc ijk và biến dƥng góc ijk . 40
 vi

Hình 3.9 Mô hình hai kiểu phƫn tử mô tƧ hàm thế Tersoff: (a) Phƫn tử ba
nút; (b) Phƫn tử bốn nút. 45
Hình 3.10 Mô phỏng tƣơng tác của liên kết B-N: a) năng lƣợng tƣơng tác; b)
lực chống lƥi biến dƥng kéo khi sử dụng (nét liền) và không sử
dụng (nét đứt) hàm ngắt. 47
Hình 4.1 Điều kiện biên mô phỏng thí nghiệm: a) tƩm bị kéo; b) tƩm bị
trƣợt thuƫn túy ; c) ống bị kéo. 51
Hình 4.2 Mô đun đàn hồi hai chiều của 4 loƥi ống vật liệu theo đƣờng kính
ống. (Các đƣờng nằm ngang là mô đun đàn hồi của các tƩm zigzag
(nét liền) và tƩm armchair (nét đứt) của vật liệu tƣơng ứng). 57
Hình 4.3 So sánh đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng tính bởi AFEM và MD khi
kéo các tƩm nguyên: (a) graphene; (b) tƩm BN; (c) tƩm SiC. 60
Hình 4.4 So sánh đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng khi kéo tƩm BN trong hai
trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật: (a) phƣơng zigzag ;
(b) phƣơng armchair. 64
Hình 4.5 Hình dƥng tƩm SiC nguyên bị kéo theo phƣơng zigzag: a) tƩm
chƣa xuƩt hiện phá hủy ở biến dƥng =24,8% ứng với ứng suƩt
lớn nhƩt; b) tƩm bị phá hủy ở biến dƥng =25,0%. 67
Hình 4.6 Hình dƥng tƩm SiC khuyết mƩt hai nguyên tử ở trung tâm bị kéo
đơn trục theo phƣơng zigzag: a) tƩm ở biến dƥng =13,0% ứng với
ứng suƩt đƥt giá trị lớn nhƩt; b) tƩm ở biến dƥng =13,4% và c)
tƩm ở biến dƥng =13,7%. 69
Hình 4.7 So sánh: (a) ứng suƩt phá hủy và (b) biến dƥng phá hủy khi kéo
tƩm BN, SiC giữa trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật. 70
Hình 4.8 Đồ thị đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo của tƩm Si nguyên. 73
Hình 4.9 So sánh đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo tƩm Si trƣờng
hợp nguyên và bị khuyết tật a) theo phƣơng zigzag; b) theo
phƣơng armchair. 74
Hình 4.10 So sánh sự phụ thuộc của hệ số Poisson vào biến dƥng kéo của
tƩm Si trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật. 75
Hình 4.11 So sánh: (a) ứng suƩt phá hủy và (b) biến dƥng phá hủy khi kéo
tƩm Si giữa trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật. 76
Hình 4.12 Hình dƥng tƩm Si với khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử chịu kéo
theo phƣơng zigzag ở các biến dƥng: a) =15,0% (giá trị tới hƥn);
b) =15,1% và c) =15,2%. 79
Hình 4.13 Hình dƥng tƩm Si với khuyết tật SW1 bị phá hủy ở biến dƥng kéo
=15,2% theo phƣơng zigzag. 79
 vii

Hình 4.14 Đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo đúng tâm ống BN(8,8) và
BN(14,0) ở các chiều dài ống L=10D, 15D và 20D. 80
Hình 4.15 Sự phụ thuộc của hệ số Poisson theo biến dƥng kéo đúng tâm của
ống BN(8,8) và BN(14,0) ở các chiều dài ống L=10D, 15D và 20D. 81
Hình 4.16 Hình Ƨnh ống BN(14,0), L=20D khi chịu kéo đúng tâm ở các biến
dƥng: a) 25,1%; b) 25,4%; c) 25,5%. 82
Hình 4.17 Hình Ƨnh vị trí bị phá hủy của ống BN(8,8): a) L=10D; b) L=15D;
c) L=20D 83
Hình 4.18 Hình Ƨnh mƩt ổn định và bị phá hủy của ống BN(14,0): a)
L=10D; b) L=15D; c) L=20D. 84
Hình 4.19 Đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo các ống BN đƣờng kính
khác nhau, cùng tỷ lệ chiều dài trên đƣờng kính L/D=10: a) ống
amrchair và tƩm zigzag; b) ống zigzag và tƩm armchair. 85
Hình 4.20 Điều kiện biên uốn ống BN thành một cung tròn. 86
Hình 4.21 Đồ thị liên hệ nội lực và góc uốn của ống BN nguyên ở các chiều
dài ống L=10D, 15D và 20D: a) Mô men uốn tƥi mặt cắt giữa
ống; b) Lực dọc ống. 87
Hình 4.22 Hình dƥng ống BN(19,0) nguyên, chiều dài L=20D bị uốn ở các
góc uốn: a) 89,8o, chƣa có dƩu hiệu phá hủy; b) 90,2o đã bị phá
hủy. 88
Hình 4.23 Mô hình ống bị khuyết tật SW1: a) ống armchair; b) ống zigzag. 89
Hình 4.24 Đồ thị so sánh sự phụ thuộc của nội lực vào góc uốn của ống
BN(11,11), chiều dài L=10D trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật
SW1. 91
Hình 4.25 Đồ thị so sánh sự phụ thuộc của nội lực vào góc uốn của ống
BN(19,0), chiều dài L=10D trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật
SW1. 92
Hình 4.26 Sự phụ thuộc của góc uốn tới hƥn tới tỷ lệ L/D: a) Ống BN(11,11);
b) Ống BN(19,0). 93
Hình 4.27 Hình Ƨnh ống BN(11,11) bị khuyết tật SW1 phía thớ căng và
BN(19,0) bị SW1 phía thớ bị nén, chúng đều bị phá hủy ở phía
thớ bị nén khi chịu uốn. 94
Hình 4.28 Ống BN(11,11), chiều dài L=10D với SW1 phía thớ nén ở góc
uốn: (a) 8,9o; (b) 56,2o; (b) 56,4o. 95
 1

MỞ ĐẦU

Lý do chọn đề tài:
Nghiên cứu về vật liệu nano là một trong những ląnh vực nghiên cứu sôi

động nhƩt trong khoƧng hai thập niên trở lƥi đây. Điều này đƣợc thể hiện

bằng số lƣợng các công trình khoa học đã công bố đang ngày càng tăng, thậm

chí có nhiều tƥp chí mới ra đời để dành riêng cho việc đăng tƧi các công trình
trong ląnh vực này nhƣ: Nano; Nano Letters; Nano Research; Nano today;

Graphene; 2D Materials; Journal of Computational and Theoretical

Nanoscience; Nanoscience and Nanotechnology Letters; Journal of Nano
Education,... Sự sôi động trong ląnh vực này còn thể hiện qua việc nhiều
cƣờng quốc nhƣ Mỹ, Nhật đã rót một lƣợng tiền lớn cho nghiên cứu, thành

lập các viện, các trung tâm hoƥt động trong ląnh vực công nghệ nano.

Điểm nhƩn quan trọng đánh dƩu bƣớc ngoặt trong ląnh vực nghiên cứu

về vật liệu nano là vào năm 1991, khi tác giƧ Sumio Iijima trình bày công

trình khoa học của ông về quá trình tổng hợp tƥo ra ống cácbon nano đa lớp

(MWCNTs) đƫu tiên [43]. Đến năm 1993, Sumio Iijima và cộng sự công bố

việc tổng hợp đƣợc ống cácbon nano đơn lớp (SWCNT). Kể từ đó, hàng loƥt

các nghiên cứu về ống cácbon nano đƣợc thực hiện. Nghiên cứu về cơ học,

năm 2000 Yu và cộng sự đã thí nghiệm xác định ống MWCNTs có độ bền kéo

lên tới 63 GPa và mô đun đàn hồi lên tới 950 GPa [125]. Về mặt hình học,

MWCNTs bao gồm nhiều ống cácbon nano (CNT) đồng tâm xếp lồng vào

nhau, theo đó ống trong có thể trƣợt dọc trục và hƫu nhƣ không có ma sát

với ống bên ngoài, do đó có thể coi chúng nhƣ là một ổ quay. Đặc tính này có

thể đƣợc ứng dụng để chế tƥo động cơ nhỏ nhƩt thế giới [97]. CNT có các tính

chƩt về điện giống nhƣ kim loƥi và chƩt bán dẫn. Các đặc tính điện của CNT

phụ thuộc vào đƣờng kính của ống và cặp chỉ số (n, m) (xem mục 2.1). CNT

dƥng thành ghế (armchair nanotube, n=m) có các tính chƩt về điện giống
2 MỞ ĐƪU

nhƣ kim loƥi. Nếu hiệu (n–m) là bội số của 3 thì dƥng CNT đó có tính chƩt

điện giống với kim loƥi, các dƥng CNT còn lƥi có tính chƩt bán dẫn [65]. Theo

lý thuyết, CNT có thể mang dòng điện có mật độ 4.109 A/cm2, cao hơn các vật

liệu đồng, nhôm rƩt nhiều lƫn [41]. Nghiên cứu cho thƩy CNT có độ dẫn nhiệt

tốt theo phƣơng dọc trục, nhƣng bên cƥnh đó lƥi cách nhiệt theo phƣơng

ngang trục của ống. Cụ thể CNT đƣợc dự đoán có thể truyền nhiệt lên tới

3500 W/mK theo phƣơng dọc trục [84] (Đồng dẫn nhiệt tốt cũng chỉ khoƧng
400 W/mK) và theo phƣơng ngang trục chỉ là 1,52 W/mK [101].

Bên cƥnh ống nano, các tƩm nano cƩu trúc dƥng lục giác cũng đƣợc

chứng minh tồn tƥi trên lý thuyết và một vài vật liệu đã tổng hợp đƣợc gƫn

đây nhƣ graphene, boron nitride (BN), silicon carbide (SiC), silicene (Si).
Trong đó tƩm graphene đơn lớp có tính chƩt về điện giống nhƣ chƩt bán kim

loƥi với độ rộng vùng cƩm (band gap) bằng không. Nhƣng tính chƩt về điện

của hai tƩm graphene đặt gƫn nhau thì lƥi nhƣ chƩt bán dẫn với độ rộng vùng

cƩm có thể thay đổi đƣợc phụ thuộc vào từ trƣờng bên ngoài [18]. TƩm BN và

SiC mới đƣợc tổng hợp gƫn đây cho thƩy chúng có đặc tính về điện giống chƩt

bán dẫn với độ rộng vùng cƩm nhỏ [59, 100, 119]. Tính chƩt về điện của tƩm

Si đơn lớp cũng giống nhƣ graphene với độ rộng vùng cƩm bằng không nhƣng
do có cƩu trúc low-buckled với những nguyên tử Si nằm trên hai mặt phẳng

song song với nhau nên độ rộng vùng cƩm của Si có thể thay đổi tùy thuộc

vào từ trƣờng bên ngoài [26, 72] (tƩm graphene ghép đôi mới có tính chƩt

này).

Những điều nêu trên cho thƩy những đặc tính rƩt ƣu việt của ống và tƩm

vật liệu nano, hứa hẹn sẽ có nhiều ứng dụng quan trọng trong nhiều ląnh vực

khác nhau. Nhƣ làm chƩt gia cƣờng cho vật liệu composite, chế tƥo các linh

kiện điện tử siêu nhỏ, làm điện cực trong chế tƥo pin Lithium ion, dùng chế

tƥo siêu tụ điện, dùng trong bộ cƧm ứng để phát hiện ánh sáng, nhiệt hoặc

phát hiện những hóa chƩt độc hƥi với độ nhƥy rƩt cao. Tuy vậy, những ứng
dụng thú vị vừa nêu đa số mới chỉ dừng ở quy mô phòng thí nghiệm, để tiến
 3

tới sƧn xuƩt đƥi trà cƫn có nhiều nghiên cứu hơn nữa. Trong đó nghiên cứu

về đặc trƣng cơ học tìm hiểu độ bền, độ cứng, ứng suƩt-biến dƥng của những

vật liệu nano trên là rƩt quan trọng. Do đó, nghiên cứu sinh đã chọn hƣớng

nghiên cứu tính toán, mô phỏng ứng xử cơ học của một số vật liệu có kích cỡ

nano ở dƥng tƩm và ống cho luận án tiến są của mình với tên đề tài là: “Mô

hình hóa và mô phỏng ứng xử cơ học của ống và tƩm mỏng có kích cỡ nano
mét”.
Mục đích, đối tƣợng và phƥm vi nghiên cứu:
Mô hình hóa và mô phỏng số tìm ứng xử cơ học nhƣ mô đun đàn hồi,

mô đun đàn hồi trƣợt, hệ số Poisson, đƣờng cong liên hệ giữa nội lực, ứng

suƩt và biến dƥng, ... của các ống và tƩm vật liệu nano đơn lớp có cƩu trúc
dƥng lục giác thông qua mô phỏng các thí nghiệm kéo, trƣợt và uốn. Một số

vật liệu nano đƣợc chọn để mô phỏng là: graphene, BN, SiC, BSb, Si.

Bên cƥnh mô hình lý tƣởng, luận án cũng xét tới khuyết tật mƩt hai

nguyên tử liền kề và khuyết tật Stone-Wales xƧy ra riêng lẻ tƥi trung tâm của

tƩm hoặc ống.

Phƣơng pháp nghiên cứu:

Cho tới nay, việc tiến hành thực nghiệm trên các vật liệu nano là rƩt khó

khăn và phức tƥp. Do đó phƣơng pháp mô phỏng số trên máy tính ngày càng

đƣợc coi trọng. Mô hình hóa và mô phỏng số các loƥi vật liệu nano hiện nay

thƣờng dùng các phƣơng pháp trong cơ học lƣợng tử cho kết quƧ chính xác

cao nhƣ lý thuyết hàm mật độ (Density Functional Theory – DFT) hay mô

phỏng ở cƩp độ nguyên tử nhƣ là phƣơng pháp động lực phân tử (Molecular

Dynamics – MD). Ngoài ra, phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử

(Atomic-scale Finite Element Method – AFEM) đƣợc đề xuƩt khoƧng chục

năm trở lƥi đây cũng cho thƩy nhiều ƣu điểm đáng chú ý. Trong luận án này,

nghiên cứu sinh cùng thƫy hƣớng dẫn đã phát triển phƣơng pháp AFEM để

mô phỏng ứng xử cơ học của các vật liệu nano. Kết quƧ thu đƣợc sẽ đƣợc

kiểm chứng bằng cách so sánh với các phƣơng pháp MD, DFT và nhiều
4 MỞ ĐƪU

phƣơng pháp tin cậy khác. Quá trình xây dựng mô hình cũng nhƣ mô phỏng

đƣợc nghiên cứu sinh lập trình trên phƫn mềm Matlab.

Ý nghąa khoa học và thực tiễn của đề tài:

Ở kích thƣớc cỡ nano mét, việc tiến hành thực nghiệm trên các vật liệu

nano nêu trên là rƩt khó khăn. Thậm chí có những vật liệu mới đƣợc phát

hiện tồn tƥi trên lý thuyết, chƣa chế tƥo đƣợc trên thực tế thì việc thực

nghiệm là không thể. Do đó việc sử dụng mô hình hóa và mô phỏng trong

khoa học vật liệu giúp ta chuẩn đoán chính xác và nhanh chóng đặc tính của

các vật liệu nano trƣớc khi triển khai sƧn xuƩt và ứng dụng chúng. Nó giúp

tiết kiệm chi phí cho quá trình thiết kế, sƧn xuƩt thử và sƧn xuƩt hàng loƥt

các vật liệu mới này. Kết quƧ của luận án có ý nghąa quan trọng đối với các
nhà sƧn xuƩt và ứng dụng các vật liệu nano.

Bố cục của luận án:

Nội dung chính của luận án gồm 4 chƣơng nhƣ sau:
Chƣơng 1. Tổng quan

Tác giƧ đƣa ra và phân tích các nghiên cứu gƫn với ląnh vực của đề tài luận

án đã đƣợc công bố trƣớc đây.

Chƣơng 2. CƩu trúc nguyên tử và thế năng tƣơng tác

Trong chƣơng này, tác giƧ mô tƧ cƩu trúc hình học của các tƩm và ống vật

liệu nano, đồng thời trình bày về thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử.

Chƣơng 3. Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử

Chƣơng này trình bày cơ sở lý thuyết của phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn

nguyên tử đồng thời thiết lập các mô hình cụ thể cho các vật liệu BN, SiC,

graphene, Si, BSb... phục vụ cho quá trình mô phỏng ở chƣơng 4.

Chƣơng 4. Kết quƧ và bàn luận

Thông qua mô phỏng các thí nghiệm kéo, trƣợt, uốn, các đặc trƣng cơ học

nhƣ mô đun đàn hồi, hệ số Poisson, ứng suƩt, biến dƥng phá hủy, hình dƥng,

cơ chế phá hủy của một số vật liệu nano đã chọn sẽ đƣợc tính toán và thƧo

luận trong chƣơng này.

 5

Phƫn Kết luận và kiến nghị nêu những đóng góp chính của luận án và hƣớng

phát triển của đề tài nghiên cứu.

Các kết quƧ của luận án đã đƣợc công bố ở 05 công trình khoa học, trong

đó có 03 bài báo đăng trên tƥp chí quốc tế ISI (02 SCI+01 SCIE).
 6

CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

1.1 Vật liệu nano cấu trúc dạng lục giác

Năm 1991, Sumio Iijima phát hiện ra ống cácbon nano đa lớp (MWCNTs)

trong khi đang tiến hành khƧo sát fullerene C60. Công trình đó của ông sau

đó đã đƣợc đăng trên tƥp trí Nature [43]. Kể từ đó cho tới nay, các nghiên

cứu về ống cácbon nano (CNT) phát triển mƥnh mẽ.

0.34nm

Hình 1.1 Ống cácbon nano đa lớp: a) ống cácbon 5 lớp với đƣờng kính 6,5 nm; b)
ống cácbon 2 lớp với đƣờng kính 5,5 nm; c) ống cácbon 7 lớp với đƣờng
kính 6,5 nm [43].

Ở thí nghiệm đó, Iijima đã thực hiện phóng hồ quang giữa các điện cực

cácbon trong khí hêli ở 3000oC, ông đã phát hiện có nhiều cƩu trúc dƥng ống

graphite kín hai đƫu và lồng đồng trục với nhau, bao gồm các vòng lục giác,
đó chính là ống cácbon nano đa lớp (Multi walled carbon nanotubes-

MWCNTs) (Hình 1.1).

Đến năm 1993 Iijima và cộng sự tiếp tục báo cáo việc tổng hợp đƣợc ống

cácbon nano đơn lớp (Single walled carbon nanotube – SWCNT) với đƣờng

kính 1nm [44].

1.1 Vật liệu nano cƩu trúc dƥng lục giác 7

0.34nm

a) SWCNT b) MWCNTs

1-2 nm 2-25 nm
Hình 1.2 Hình Ƨnh mô phỏng cho: a) SWCNT và b) MWCNTs.

Graphite đƣợc biết đến và thậm chí rƩt gẫn gũi với chúng ta ở dƥng than

chì. Nhƣng tới tận năm 2004, graphene – tƩm graphite đơn lớp – đƫu tiên

mới đƣợc bóc tách bởi hai nhà khoa học Kostya Novoselov và Andre Geim

[32, 73]. Đến 2010 họ đã đƣợc trao giƧi Nobel Vật lý cho những đóng góp của

họ trong việc tƥo ra và tiến hành thực nghiệm trên tƩm graphene. Công trình

nghiên cứu của hai nhà khoa học trên đã chứng minh rằng graphene có các

tính chƩt rƩt đặc biệt, bắt nguồn từ thế giới diệu kỳ của vật lý lƣợng tử.

Ngoài graphene và CNT, cho đến nay đã có thêm nhiều vật liệu nano có

cƩu trúc dƥng lục giác tƣơng tự đã đƣợc dự đoán tồn tƥi trên lý thuyết [23,
38, 93, 110, 114, 126]. Trong đó có tƩm và ống BN đã đƣợc tổng hợp trên

thực tế [76, 100, 103, 108]. Mới đây, năm 2012 tƩm SiC với độ dày 0,5–1,5

nm cũng đƣợc tƥo ra ở quy mô phòng thí nghiệm [59]. Bên cƥnh đó Si cũng

đƣợc dự đoán tồn tƥi trên lý thuyết ở dƥng cƩu trúc low-buckled (các nguyên

tử Si nằm trên hai mặt phẳng song song với nhau) [17, 36, 93, 107]. Si ở

dƥng tƩm và dƥng dƧi hẹp đã đƣợc tổng hợp trên nền bƥc vào năm 2010 [3,

78] và năm 2012 [29, 77], trên nền Zirconium diboride (ZrB2) năm 2012

[30], trên nền Iridium (Ir) năm 2013 [67].

Sau khi đƣợc phát hiện, các vật liệu trên cƫn đƣợc tìm hiểu, dự đoán các

đặc trƣng cơ, lý, hóa để phục vụ cho sƧn xuƩt và ứng dụng chúng. Trong đó,
8 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

do đƣợc phát hiện sớm nhƩt nên CNT và graphene đã có nhiều nghiên cứu về

chúng bằng nhiều phƣơng pháp khác nhau. Ví dụ, Sahin và cộng sự [93] đã

sử dụng lý thuyết hàm mật độ (DFT) tìm ra mô đun đàn hồi hai chiều của

graphene là 335 N/m. Kudin và cộng sự [51] cũng dùng phƣơng pháp DFT

tính ra mô đun đàn hồi hai chiều của graphene là 345 N/m. Sánchez-Portal

và cộng sự [96] đã sử dụng tính toán nguyên lý ban đƫu (ab initio) để tìm đặc

trƣng đàn hồi, đặc trƣng dao động của CNT. Họ tính ra đƣợc khoƧng cách
giữa hai nguyên tử C-C liền kề trên một tƩm graphene ở trƥng thái cân bằng

là 0,1436 nm. Nghiên cứu của họ cũng cho thƩy mô đun đàn hồi của SWCNT

tăng theo đƣờng kính và tiến tới bằng graphene với giá trị xƩp xỉ 1 TPa và hệ

số Poisson từ 0,12 tới 0,16 cho ống SWCNT armchair (n,n), 0,19 cho ống
(10,0) và 0,18 cho ống (8,4).

Tu và Ou-Yang [113] sử dụng lý thuyết vỏ mỏng và xƩp xỉ mật độ địa

phƣơng tính ra mô đun đàn hồi SWCNT là 4,7 TPa với độ dày ống 0,075 nm,

hệ số Poisson là 0,34. Yakobson và cộng sự [123] đã sử dụng mô phỏng động

lực phân tử (MD) dựa trên hàm thế Tersoff-Brenner [14, 109] tính ra hệ số

Poisson 0,19, mô đun đàn hồi hai chiều 360 N/m của tƩm graphene. Họ lƩy

độ dày ống là 0,066 nm và tính ra mô đun đàn hồi của ống SWCNT là 5,5
TPa. Hai giá trị mô đun đàn hồi 4,7 TPa và 5,5 TPa mà hai nghiên cứu trên

tính đƣợc là khá bƩt thƣờng vì quá cao. Điều này cho thƩy giƧ thiết của họ về

độ dày ống (0,066 nm và 0,075 nm) là không hợp lý. Và nhiều công trình

khác cho rằng độ dày tƩm và ống nano đơn lớp bằng với khoƧng cách giữa

hai lớp ống trong MWCNTs hai lớp là 0,335-0,34nm [1, 39, 58, 64, 130].

Hai nhà khoa học Cornwell và Wille [24] cũng đã dùng phƣơng pháp MD

sử dụng hàm thế Tersoff-Brener để tính toán đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng

của SWCNT khi chịu nén. Kết quƧ của họ cho thƩy ứng suƩt phá hủy khi nén

của SWCNT tăng khi bán kính ống tăng và đƥt giá trị xƩp xỉ 45 GPa đối với

bán kính ống là 1,663 nm. Bên cƥnh đó Cornwell và Wille cũng cho rằng mô
đun đàn hồi của của SWCNT giƧm khi đƣờng kính ống tăng, điều này là
1.1 Vật liệu nano cƩu trúc dƥng lục giác 9

không phù hợp với kết quƧ nghiên cứu bằng phƣơng pháp nguyên lý ban đƫu

của Sánchez-Portal và cộng sự [96]. Guanghua Gao và cộng sự [31] đã dùng

phƣơng pháp cơ học phân tử và động lực phân tử tìm đặc trƣng dao động,

đặc trƣng cơ học, cƩu trúc, năng lƣợng của CNT. Họ đã tính ra đƣợc mô đun

đàn hồi dọc ống cácbon (10,10) là 640,3 GPa, của ống cácbon (12,6) là

673,94 GPa. Prylutskyy và cộng sự [86] sử dụng mô phỏng động lực phân tử

tính toán mô hình dao động tính ra mô đun đàn hồi của SWCNT là 1,2 TPa
cho ống (10,0) và 1,1 TPa cho ống armchair (5,5). Li và Chou [58] dựa trên

cơ học phân tử và các hằng số lực đã tính đƣợc mô đun đàn hồi hai chiều

của tƩm graphene xƩp xỉ 1 TPa. Năm 2004 Pantano và cộng sự [79] đã mô

hình hóa CNT đơn lớp nhƣ một vỏ mỏng, và sử dụng lý thuyết vỏ tính ra mô
đun đàn hồi hai chiều của graphene là 363 N/m.

TƩm và ống BN nano đã đƣợc nghiên cứu bởi lý thuyết hàm mật độ (DFT)

[2, 4, 51, 82, 93, 111], bởi tính toán tight-binding [39], bởi mô phỏng động

lực phân tử (MD) [115], bởi mô hình liên tục [74, 102] và bởi cơ học phân tử

(MM) [11, 47]. Kết quƧ nghiên cứu cho thƩy, mô đun đàn hồi của ống nano

BN đa lớp đo thực nghiệm khoƧng 1,22±0,24 TPa bằng việc quan sát biên độ

dao động nhiệt dƣới kính hiển vi điện tử truyền qua [21], và giá trị 722 GPa
đƣợc tính toán bởi sử dụng cộng hƣởng trong trƣờng điện từ [106] và bằng

0,5-0,6 TPa khi sử dụng phƣơng pháp dùng kính hiển vi lực nguyên tử [34].

Còn mô đun đàn hồi tƩm BN đƣợc xác định bằng 811 GPa khi dùng phƣơng

pháp đo tán xƥ tia X [12].

Dựa trên phƣơng pháp lý thuyết hàm mật độ, Peng và cộng sự [82] đã đề

xuƩt mô hình phi tuyến cho tƩm BN. Họ cho rằng tƩm BN có biến dƥng phi

tuyến trƣớc khi bị phá hủy bởi biến dƥng lớn. Cũng dùng tính toán DFT,

Topsakal và Ciraci [111] cho rằng biến dƥng lớn nhƩt của ống armchair BN

là 21% và sau đó nó bị phá hủy giòn. Sử dụng mô phỏng MD, Mortazavi và

Remond [69] đã tính toán đƣợc ứng suƩt phá hủy của ống BN xƩp xỉ 170
GPa, giá trị này vƣợt gƫn 80% so với tính bằng DFT. Trong khi DFT là một
10 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

phƣơng pháp chính xác hơn mô phỏng MD, điều này cho thƩy nhƣợc điểm

trong nghiên cứu của Mortazavi và Remond [69].

Các vật liệu tƩm và ống nano khác nhƣ AlN, GaN, InN và SiC ban đƫu mới

đƣợc tìm hiểu cƩu trúc, đặc tính vật lý của chúng chứ ít đƣợc quan tâm tính

toán đặc trƣng cơ học [2, 4, 93].

Các vật liệu nano sau khi tổng hợp đƣợc thƣờng ở dƥng bó, cụm. Việc bóc

tách riêng lẻ ra các tƩm và ống nano đơn lớp thƣờng tƥo ra các khuyết tật
nhƣ khuyết tật mƩt nguyên tử, khuyết tật lệch mƥng,... Ʀnh hƣởng của khuyết

tật tới đặc tính điện từ mới đƣợc nghiên cứu cho tƩm BN [20, 110, 124], tƩm

SiC [5, 35, 68], tƩm Si [66, 75, 94, 104] và mới đây năm 2014 Berdiyorov và

Peters đã nghiên cứu Ƨnh hƣởng của khuyết tật tới đặc tính nhiệt của tƩm Si
[8]. Trong khi đó, Ƨnh hƣởng của khuyết tật tới đặc tính cơ học của các vật

liệu trên vẫn chƣa có nhiều nghiên cứu.

Những phân tích nêu trên cho thƩy việc nghiên cứu về các vật liệu nano

vẫn còn rƩt mới mẻ, đặc biệt là đối với các vật liệu mới đƣợc phát hiện gƫn

đây. Do đó mục tiêu nghiên cứu của luận án sẽ đi tính toán các đặc trƣng cơ

học nhƣ mô đun đàn hồi, mô đun trƣợt, hệ số Poisson, đƣờng cong ứng suƩt-

biến dƥng có xét tới Ƨnh hƣởng của các khuyết tật cho một vài vật liệu mới
đƣợc phát hiện nhƣ: BN, SiC, Si, BSb,… Bên cƥnh bài toán kéo, trƣợt, bài

toán uốn ống BN thành một cung tròn cũng đƣợc khƧo sát do vật liệu nano

có nhiều ứng dụng trong việc chế tƥo linh kiện điện tử, trong đó có những chi

tiết cƫn có dƥng hình tròn giống nhƣ một chiếc nhẫn (nano ring).

1.2 Một số phƣơng pháp mô phỏng vật liệu nano

Những phƣơng pháp thƣờng đƣợc dùng để mô phỏng, tính toán đặc trƣng

của các vật liệu nano có thể đƣợc chia làm hai nhóm: nhóm phƣơng pháp ở

cƩp độ electron và nhóm phƣơng pháp ở cƩp độ nguyên tử. Trong đó, ở cƩp

độ electron thì có phƣơng pháp lý thuyết hàm mật độ (DFT), ở cƩp độ nguyên
1.2 Một số phƣơng pháp mô phỏng vật liệu nano 11

tử thì có phƣơng pháp mô phỏng động lực phân tử (MD) là hai phƣơng pháp

chuẩn mực đƣợc sử dụng nhiều trong các nghiên cứu lý thuyết hoá học, vật lý

và khoa học vật liệu. Nhiều nghiên cứu, phƣơng pháp ra đời sau này thƣờng

lƩy DFT và MD làm chuẩn để so sánh. Và trong luận án này, tác giƧ đã phát

triển phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử (AFEM) hay còn đƣợc gọi là

phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn-động lực phân tử để sử dụng trong nghiên

cứu. Kết quƧ thu đƣợc từ AFEM cũng đƣợc so sánh chủ yếu với kết quƧ từ
DFT, MD để đánh giá độ tin cậy của phƣơng pháp cũng nhƣ mô hình.

1.2.1 Phƣơng pháp lý thuyết hàm mật độ

Phƣơng pháp lý thuyết hàm mật độ dựa trên cơ học lƣợng tử cho lời giƧi

chính xác hơn cƧ, tuy vậy nó lƥi đòi hỏi cƩu hình, khối lƣợng tính toán rƩt lớn

[88]. Nói chung, các phƣơng pháp mô phỏng dựa trên cơ học lƣợng tử tập

trung đi tìm nghiệm của phƣơng trình Schrödinger.

Tổng quát, trƥng thái của một hệ hƥt có thể đƣợc xác định thông qua hàm

sóng  thỏa mãn phƣơng trình Schrödinger nhƣ sau:

H  E , (1.1)

trong đó H là toán tử Hamilton của hệ cơ học lƣợng tử.  là hàm đặc trƣng

năng lƣợng ứng với trị số đặc trƣng năng lƣợng E .

Trong cơ học lƣợng tử, một xƩp xỉ thƣờng đƣợc dùng là xƩp xỉ Born-

Oppenheimer, nó giƧ thiết là các electron luôn ở trƥng thái bền, chuyển động

của chúng nhanh hơn nhiều so với chuyển động của các hƥt nhân. Dựa vào

đó, chuyển động của các electron có thể đƣợc xem xét riêng, nhƣ thể coi các

hƥt nhân khi đó đang đứng yên. Khi đó với một hệ có N electron, toán tử H
cho mỗi electron đƣợc biểu diễn nhƣ sau:
N
1 1
H i   i2      ri  , (1.2)
2 j i ri  rj
12 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

1
trong đó, thành phƫn  i2 là toán tử động năng dựa trên hàm sóng
2
N
1
electron. Thành phƫn  r r
j i
là toán tử tƣơng tác giữa các electron với
i j

nhau, phƫn còn lƥi   ri  là toán tử tƣơng tác giữa electron và hƥt nhân. Tổng

toán tử của N electron khi đó là:

N
H   Hi , (1.3)
i

và trƥng thái của các electron có thể biết thông qua giƧi phƣơng trình trị

riêng:
H 1 ,2 ,...N  E1 ,2 ,...N 1 ,2 ,...N . (1.4)

Trong đó i là trƥng thái riêng tƣơng ứng với một phƣơng trình trị riêng:

Hi i  Ei i . (1.5)

Để tìm lời giƧi chính xác cho phƣơng trình (1.5) là rƩt khó, do đó có nhiều

phƣơng pháp xƩp xỉ đƣợc đƣa ra. Trong đó có hai phƣơng pháp hay dùng

hiện nay là phƣơng pháp xƩp xỉ Hartree-Fock và lý thuyết hàm mật độ

(Density Functional Theory-DFT). Phƣơng pháp Hartree-Fock có những mặt

hƥn chế nên kết quƧ thu đƣợc cũng chƣa thật sự phù hợp với thực nghiệm.

Phƣơng pháp DFT ra đời đánh dƩu một bƣớc tiến mới trong ląnh vực tính

toán mô phỏng [90].

DFT là một lý thuyết đƣợc dùng để mô tƧ các tính chƩt của hệ electron

trong nguyên tử, phân tử, vật rắn, … trong khuôn khổ của lý thuyết lƣợng tử.

Trong DFT, các tính chƩt của hệ N electron đƣợc biểu diễn qua hàm mật độ

electron của toàn bộ hệ (là hàm của 3 biến tọa độ không gian) thay vì hàm

sóng (là hàm của 3N biến tọa độ không gian). Vì vậy, lý thuyết hàm mật độ có

ƣu điểm lớn trong việc tính toán các tính chƩt vật lý cho các hệ cụ thể xuƩt

phát từ những phƣơng trình rƩt cơ bƧn của vật lý lƣợng tử. Nền tƧng cơ bƧn

của DFT là năng lƣợng ở trƥng thái cơ bƧn là một hàm của mật độ electron,

do đó về nguyên tắc có thể mô tƧ hƫu hết các tính chƩt vật lý của hệ electron
1.2 Một số phƣơng pháp mô phỏng vật liệu nano 13

qua hàm mật độ. Năm 1964, Hohenberg và Kohn [40] cho rằng trƥng thái

năng lƣợng của hệ electron đƥt cực tiểu là một hàm của mật độ electron nhƣ

sau:
   r    r '
E  T    r      drdr '   VN  r  dr  E XC    r   . (1.6)
r r'

Trong đó hàm động năng T    r   là một hàm của hàm mật độ electron.

Thành phƫn thứ hai là thế năng tąnh điện, thành phƫn thứ ba là thế năng của

hƥt nhân. Thành phƫn cuối cùng là hàm năng lƣợng tƣơng quan. Một năm

sau, Kohn và Sham nêu ra qui trình tính toán để thu đƣợc gƫn đúng mật độ

electron ở trƥng thái cơ bƧn trong khuôn khổ lý thuyết nêu trên, phƣơng

pháp của họ nói chung có liên quan tới phƣơng pháp xƩp xỉ mật độ địa

phƣơng. Sự thành công của phƣơng pháp xƩp xỉ mật độ địa phƣơng cùng với

khƧ năng tính toán ngày càng mƥnh của công nghệ máy tính hiện đƥi tƥo nên

ứng dụng phổ biến của DFT. Nó đã đƣợc sử dụng rộng rãi và hiệu quƧ trong

các ngành khoa học nhƣ: vật lý chƩt rắn, hóa học lƣợng tử, vật lý sinh học,

khoa học vật liệu ... Kohn đã đƣợc ghi nhận những đóng góp của ông cho việc

phát triển lý thuyết hàm mật độ bằng giƧi thƣởng Nobel hóa học năm 1998.

Mô phỏng trong cơ học lƣợng tử cho kết quƧ rƩt tốt khi ứng dụng nghiên

cứu các tính chƩt liên quan đến mật độ và phân bố điện tử. Tuy nhiên hƥn

chế của phƣơng pháp này là chỉ mô phỏng cho hệ có số lƣợng nguyên tử nhỏ.

1.2.2 Mô phỏng động lực phân tử

Về cơ bƧn mô phỏng động lực phân tử (Molecular Dynamics – MD) là một

phƣơng pháp hƥt bởi vì mục tiêu của MD là giƧi phƣơng trình đặc trƣng động

lƣợng hƥt dựa trên định luật 2 Newton nhƣ sau [63]:
E  r1 , r2 ,...rN 
ri  
mi  Fi , i  1, 2,...N . (1.7)
ri

Trong đó mi , ri là khối lƣợng và tọa độ không gian của nguyên tử thứ i . E

là thế năng của hệ đƣợc cho trƣớc từ thực nghiệm.

14 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

Phƣơng trình (1.7) có thể đƣợc rút ra từ hệ phƣơng trình vi phân thƣờng:

 dpi H
 dt   q

, (1.8)
i

 dqi  H

 dt pi
với qi , pi là hệ tọa độ và mô men động lƣợng, H là toán tử Halminton có

dƥng:
N
pi2
H  E. (1.9)
i 2mi

Hệ gồm N nguyên tử thì phƣơng trình trên là một hệ gồm N phƣơng trình

phi tuyến. Lời giƧi chính xác cho hệ đó là rƩt khó. Ta có thể tìm lời giƧi gƫn

đúng qua việc chia các bƣớc thời gian ∆t, sau mỗi bƣớc thời gian đó, hệ các

nguyên tử sẽ tới một trƥng thái mới. Trƥng thới mới đƣợc tính dựa trên các

trƥng thái trƣớc đó nhờ vào các thuật toán, ví dụ nhƣ thuật toán Verlet. Việc

chia bƣớc thời gian càng nhỏ sẽ cho độ chính xác càng cao, nhƣng ngƣợc lƥi

khối lƣợng tính toán tăng lên đáng kể. Do đó việc chọn bƣớc thời gian tối ƣu

cƫn đƣợc quan tâm trong mô phỏng MD.

Nhƣ vậy, nếu biết đƣợc trƥng thái ban đƫu, và hàm thế năng của hệ ta

hoàn toàn xác định đƣợc vị trí và động lƣợng của các nguyên tử ở các bƣớc

thời gian tiếp theo.

1.2.3 Phƣơng pháp phần tử hữu hạn nguyên tử

Các phƣơng pháp mô phỏng ở cƩp độ electron và nguyên tử nhƣ DFT và

MD nêu trên mặc dù cho độ chính xác cao nhƣng nó đòi hỏi nhiều thời gian

và khối lƣợng tính toán lớn. Trong khi cơ học truyền thống áp dụng cho

thang vą mô nhƣ phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn (FEM) truyền thống lƥi

không thể áp dụng cho vật liệu thang nano. Bởi vì ứng xử của những vật liệu

thang vą mô đã hoàn toàn xác định và tích hợp trong FEM thông qua các mô

hình phƫn tử đƥi diện nhƣ thanh, tƩm, vỏ… chúng là những mô hình đã đƣợc

tính toán từ các thí nghiệm thực tế nhƣ kéo, nén, uốn, xoắn. Điều này, cho
1.2 Một số phƣơng pháp mô phỏng vật liệu nano 15

tới hiện tƥi là không thể áp dụng cho những hệ có hữu hƥn các nguyên tử rời

rƥc nhƣ trong cƩu trúc vật liệu nano.

Phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử (tên trong tiếng Anh là: Atomistic

finite element method hoặc Atomic-scale finite element method (AFEM) đƣợc

đƣa ra bởi Liu và cộng sự vào năm 2004 [61]), đôi khi còn đƣợc gọi là

phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn động lực phân tử (Molecular dynamics finite

element method) đã đƣợc phát triển để phân tích các vật liệu cƩu trúc nano
một cách hiệu quƧ thời gian gƫn đây [61, 70, 71, 116, 118]. Trong AFEM,

nguyên tử đƣợc coi nhƣ là nút và các chuyển vị của nó đƣợc xem nhƣ là các

chuyển vị của nút. Mỗi phƫn tử trong AFEM đƣợc xây dựng để mô tƧ cho

hàm thế năng. Ma trận độ cứng của các phƫn tử đó đƣợc thiết lập dựa trên
hàm thế năng của chúng. Cũng giống nhƣ trong FEM, ma trận độ cứng tổng

thể trong AFEM đƣợc ghép nối từ các ma trận độ cứng phƫn tử. Mối liên hệ

giữa chuyển vị nút (chuyển vị của các nguyên tử) và ngoƥi lực tác dụng cũng

đƣợc mô tƧ bởi một hệ phƣơng trình.

AFEM cho kết quƧ chính xác tƣơng đƣơng các phƣơng pháp mô phỏng ở

cƩp độ nguyên tử khác nhƣ MD khi dùng chung một bộ thông số hàm thế.

Bên cƥnh đó AFEM lƥi cho tốc độ tính toán nhanh (hội tụ sau ít bƣớc lặp)
hơn so với phƣơng pháp MD do AFEM sử dụng cƧ đƥo hàm bậc nhƩt và đƥo

hàm bậc hai của hàm thế năng khi tính toán cực tiểu hóa năng lƣợng của hệ

để tìm vị trí cân bằng, trong khi MD chỉ sử dụng đƥo hàm bậc nhƩt của hàm

thế năng. Điều này cũng đã đƣợc khẳng định ở tài liệu tham khƧo [61]. Trong

tài liệu đó, Liu và cộng sự lƫn đƫu tiên đƣa ra phƣơng pháp AFEM. Cách

chọn phƫn tử của họ lúc này dựa trên cƩu trúc nguyên tử. Phƫn tử trong

trƣờng hợp này bao gồm một nguyên tử làm trung tâm và tƩt cƧ các nguyên

tử khác có tƣơng tác với nguyên tử trung tâm. Cách chọn này khi đó sẽ cho

ra ma trận độ cứng cồng kềnh. Tuy họ đã đƣa ra đƣợc cách để dễ dàng ghép

nối các ma trận độ cứng phƫn tử. Nhƣng việc tính toán đƣợc ma trận độ cứng
của một phƫn tử gồm nhiều nguyên tử nhƣ trong trƣờng hợp này là không
16 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN

đơn giƧn. Tƣơng tự, trong tài liệu [70, 71], Nasdala và cộng sự đã xây dựng

phƫn tử bốn nút để mô phỏng cho cƧ thế năng biến dƥng uốn, xoắn và biến

dƥng dài giữa các nguyên tử. Trong tài liệu [117, 118], Wang và cộng sự đã

đề xuƩt một phƫn tử thanh thẳng với hai nửa khớp đàn hồi ở hai đƫu, mỗi

khớp có 6 bậc tự do dẫn tới phƫn tử có 12 bậc tự do. Nghiên cứu sinh cho

rằng những cách chọn phƫn tử trên là phức tƥp.

Tác giƧ cùng ngƣời hƣớng dẫn nhận định AFEM là phƣơng pháp mới, còn
nhiều điều có thể phát triển để áp dụng mô phỏng tìm đặc trƣng cơ học của

các vật liệu nano. Cụ thể, luận án sẽ đƣa ra cách chọn phƫn tử đơn giƧn, phù

hợp với hàm thế điều hòa và hàm thế Tersoff để có thể tính toán ra ma trận

độ cứng một cách thuận lợi nhƩt. Trong đó, ma trận độ cứng sẽ đƣợc đƣa ra
dƣới dƥng hiển cho hàm điều hòa và hàm ngắt trong hàm Tersoff đƣợc loƥi

bỏ cũng là những đóng góp mới của luận án. Chi tiết hơn về phƣơng pháp

AFEM cũng nhƣ việc thiết lập các phƫn tử, mô hình của luận án sẽ đƣợc

trình bày trong chƣơng 3.

1.3 Kết luận chƣơng

Sau sự khám phá ra MWCNTS năm 1991, SWCNT năm 1993, tƩm

graphene năm 2004, cho tới nay đã có thêm nhiều vật liệu nano đƣợc dự

đoán tồn tƥi trên lý thuyết và một vài vật liệu đã tổng hợp đƣợc trong thực tế

nhƣ BN, SiC, Si,... Những đặc trƣng cơ, lý, hóa của các loƥi vật liệu nano nêu
trên bƣớc đƫu đã đƣợc tìm hiểu và kết quƧ cho thƩy chúng có rƩt nhiều

những đặc tính ƣu việt, có nhiều triển vọng ứng dụng thú vị trong các ląnh

vực nhƣ chế tƥo linh kiện điện tự, vật liệu nano composite,...

Bên cƥnh những phƣơng pháp cho độ chính xác cao nhƣ lý thuyết hàm

mật độ, mô phỏng động lực phân tử, phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn thang

nguyên tử (AFEM) có ƣu điểm là đơn giƧn và tốn ít thời gian tính toán. Do đó,

AFEM đƣợc sử dụng trong luận án này để mô phỏng tính toán ứng xử cơ học
1.3 Kết luận chƣơng 17

của các vật liệu nano. Luận án sẽ tập trung vào một số vật liệu mới đƣợc

phát hiện nhƣ: boron nitride (BN), silicon carbide (SiC), silicene (Si), boron

antimonide (BSb), ...

 18

CHƢƠNG 2 CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG

TƢƠNG TÁC

2.1 Cấu trúc hình học tấm và ống vật liệu nano dạng lục giác

TƩm graphene cũng nhƣ các tƩm vật liệu nano có cƩu trúc dƥng lục giác

khác có thể đƣợc mô tƧ là một tƩm vật liệu mà các nguyên tử trên đó sắp xếp

nằm tƥi đỉnh của các hình lục giác xếp khít với nhau tƥo nên dƥng lƣới nhƣ

hình tổ ong (hình 2.1).

Cho tới nay, ngƣời ta phát hiện tồn tƥi hai dƥng tƩm là tƩm phẳng (các

nguyên tử cùng nằm trên một mặt phẳng, hình 2.1a) và tƩm low-buckled (các
nguyên tử nằm trên hai mặt phẳng song song với nhau, hình 2.1b). Nhìn theo
phƣơng vuông góc với tƩm, tƩm low-buckled vẫn có cƩu trúc lƣới lục giác

tƣơng tự nhƣ các tƩm phẳng, còn ở hình chiếu cƥnh các nguyên tử trong tƩm

low-buckled nằm trên hai mặt phẳng song song với nhau và cách nhau một

khoƧng, khoƧng đó gọi là khoƧng low-buckled đƣợc ký hiệu là  Low buckled

(hình 2.1b).

Nhƣ vậy kích thƣớc hình học của một tƩm vật liệu nano cƩu trúc lục giác

đƣợc xác định bởi hai thông số độc lập là chiều dài liên kết ban đƫu lo và

khoƧng  Low buckled . Từ đó rút ra đƣợc các thông số góc liên kết θ và độ dài véc
 
tơ đơn vị a1 , a2 theo các biểu thức sau:
 

a  a1  a2  3 lo2   2Lowbuckled ,  (2.1)

 3 2Low buckled  lo2 

  arccos  . (2.2)
 2lo2 

Với tƩm phẳng Low buckled  0 , nên theo công thức (2.2), góc liên kết θ luôn

bằng 120o. Còn góc liên kết của tƩm low-buckled sẽ luôn nhỏ hơn 120o.
2.1 CƩu trúc hình học tƩm và ống vật liệu nano dƥng lục giác 19

Hình chiếu bằng Hình chiếu cạnh

a1 a2

120o lo

(a)

a1 a2

lo
θo
y, Armchair

∆Low-buckled
(b)
x, Zigzag

Hình 2.1 Hình chiếu bằng và hình chiếu cƥnh của tƩm vật liệu nano cƩu trúc lục
giác: a) tƩm phẳng với góc liên kết luôn là θ=120o; b) tƩm low-buckled
với góc liên kết θ<120o.

Năm 1995, Dresselhaus và cộng sự [25] đƣa ra một hệ thống các tham số

biểu diễn hình học để mô tƧ cƩu trúc tƩm graphene trƣớc khi đƣợc cuộn

thành ống cácbon nano và sau này đƣợc dùng cho các vật liệu nano cƩu trúc

dƥng lục giác khác (hình 2.2).

20 CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC

(n,0) Zigzag tube (n,n) Armchair tube

Ch

na1

υ ma2
Armchair

a1 a2

y
Zigzag
x
Hình 2.2 Thông số hình học một tƩm vật liệu nano cƩu trúc hình lục giác.

Theo nhƣ Dresselhaus và cộng sự [25], một ống nano xem nhƣ đƣợc tƥo

thành bằng cách cuộn một tƩm vật liệu theo phƣơng véc tơ Ch .

Hình 2.3 Mô phỏng quá trình cuộn tƩm thành ống vật liệu nano.

Trong đó, véc tơ C h đƣợc định nghąa nhƣ sau [25]:
   
C h  OA  na1  ma2 . (2.3)
2.1 CƩu trúc hình học tƩm và ống vật liệu nano dƥng lục giác 21

Trong đó cặp chỉ số  n, m  là số bƣớc dọc theo liên kết dích dắc của lƣới
  
hình lục giác và a1 , a2 là các véc tơ đơn vị. Véctơ Ch xác định độ xoắn của
 
ống. Khi Ch trùng với phƣơng zigzag ta có ống dƥng zigzag  n,0  , Ch trùng với

phƣơng armchair ta có ống dƥng armchair  n, n  , còn lƥi là các ống dƥng

chiral (hình 2.4).

O
O Ch=10a1 A Ch=5a1+5a2 O Ch=7a1+3a2
a1 a1 a1
a2 a2 A a2 A

(a) (b) (c)

Hình 2.4 Ba dƥng cƩu trúc ống vật liệu nano: (a) Zigzag (10,0); (b) Armchair
(5,5); (c) Chiral (7,3).

Xét về phƣơng diện toán học, một tƩm vật liệu nano gồm N nguyên tử có

(xi, yi, zi) là tọa độ trong không gian của nguyên tử thứ i . Trong đó phƣơng

trục z vuông góc với mặt phẳng tƩm. Tọa độ của nguyên tử thứ i sau khi

cuộn tƩm thành ống là  X i , Yi , Zi  sẽ đƣợc xác định qua biểu thức sau:

Khi Ch trùng với phƣơng zigzag (phƣơng x):
 X i  R sin  xi / R 


Yi  yi (2.4)

 Z i  R cos  xi / R   1

22 CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC


Khi Ch trùng với phƣơng armchair (phƣơng y):
X  x
 i i

Yi  R sin  yi / R  (2.5)


 Z i  R cos  yi / R   1

Trong đó, R là bán kính ống đƣợc xác định nhƣ sau:

Ch a
R  n2  mn  m2 . (2.6)
2 2
Nhƣ vậy, một ống nano đƣợc xác định về kích thƣớc khi biết các thông

số là cặp chỉ số  n, m  và chiều dài ống L, các thông số khác đƣợc tính phụ

thuộc vào  n, m  nhƣ trong bƧng 2.1.

BƧng 2.1 Tổng hợp các thông số của tƩm và ống vật liệu nano

Ký hiệu Tên gọi, mô tƧ Công thức xác định

KhoƧng cách giữa 2 nguyên tử
lo Chiều dài liên kết ban đƫu
gƫn nhƩt.
 3 2Low buckled  lo2 
 Góc liên kết   arccos  
 2lo2 
 
a Chiều dài véc tơ đơn vị 
a  a1  a2  3 lo2   2Low buckled 
  Véc tơ đơn vị trong hệ tọa  1 3    3 1 
a1 , a2 a1   a, a  , a2  a, a 
độ  x, y   2 2   2 2 
   
 C h  OA  na1  ma2
Ch Véc tơ xoắn
n, m là các số nguyên.

Ch a
D Đƣờng kính ống D  n2  mn  m2
 
Bên cƥnh cƩu trúc lục giác lý tƣởng nhƣ trên, tƩm và ống vật liệu sau khi

tổng hợp đƣợc cũng thƣờng xuƩt hiện các khuyết tật. Trong đó khuyết tật hay

gặp đối với các vật liệu nano dƥng lục giác là khuyết tật Stone-Wales (SW) (có

hai loƥi: SW1 hình 2.5.a và SW2 hình 2.5.b) và khuyết tật mƩt đi hai nguyên

tử liền kề (hình 2.5.c). Những khuyết tật này Ƨnh hƣởng đáng kể tới các đặc

trƣng cơ học, ứng xử phá hủy của các vật liệu nano.
2.1 CƩu trúc hình học tƩm và ống vật liệu nano dƥng lục giác 23

a)

b)

c)
y, Armchair

x, Zigzag
Hình 2.5 Mô hình tƩm vật liệu có cƩu trúc lƣới lục giác cƩu tƥo từ 2 loƥi nguyên
tử. (a) khuyết tật SW1 (một liên kết song song phƣơng amchair quay
90o); b) khuyết tật SW2 (một liên kết nghiêng 60o so với phƣơng
armchair quay 90o); (c) khuyết tật mƩt đi 2 nguyên tử liền kề.
24 CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC

2.2 Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử

Thế năng E của hệ các nguyên tử có thể đƣợc biểu diễn bằng tổng của thế

năng tƣơng tác liên kết ( EBonded ) và thế năng tƣơng tác phi liên kết ( ENonbonded )

nhƣ sau [16, 55]:

E  EBonded  ENonbonded . (2.7)

Trong đó, thế năng tƣơng tác liên kết EBonded còn gọi là thế năng tƣơng tác

tƫm gƫn tồn tƥi giữa những nguyên tử lân cận nhau nhƣ thế năng biến dƥng

dài, thế năng biến dƥng góc, ... Những dƥng hàm thế thƣờng đƣợc dùng trong

trƣờng hợp này là hàm thế điều hòa, hàm thế Tersoff,...

Thế năng tƣơng tác phi liên kết ENonbonded ví dụ nhƣ tƣơng tác van der

Waals đƣợc mô tƧ bởi hàm thế Lennard-Jones, tƣơng tác tąnh điện theo định

luật Coulomb,...

Dƣới đây là một số dƥng hàm thế hay gặp thƣờng đƣợc dùng để mô tƧ thế

năng tƣơng tác nêu trên.

2.2.1 Thế năng tƣơng tác cặp

2.2.1.1 Hàm thế điều hòa

Dựa trên cách tiếp cận tuyến tính, thế năng biến dƥng dài giữa hai

nguyên tử có thể đƣợc biểu diễn nhƣ sau:

kr  lij  lo  . (2.8)
1 2
Eij 
2

Trong đó lij là khoƧng cách giữa hai nguyên tử i, j . lij  lo là khoƧng cách

giữa hai nguyên tử i, j khi hệ ở trƥng thái cân bằng. kr là tham số lực biến

dƥng dài. Hàm thế điều hòa dƥng (2.8) chỉ phù hợp cho biến dƥng bé của hệ.

2.2.1.2 Hàm thế Morse

Hàm thế Morse là hàm thế tƣơng tác cặp thƣờng đƣợc dùng cho tƣơng tác

giữa hai nguyên tử không có liên kết trực tiếp với nhau. Nó có dƥng nhƣ sau:
2.2 Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử 25

    ro  rij 
Eij  V2  rij   De e . (2.9)
2  ro  rij
 2e
 

Trong đó De là năng lƣợng ở vị trí cân bằng, rij là khoƧng cách giữa hai

nguyên tử i và j , ở vị trí cân bằng rij  ro .  là hệ số tỷ lệ.

2.2.1.3 Hàm thế Lennard-Jones

Hàm thế Lennard-Jones [57] đƣợc nhà khoa học cùng tên đề xuƩt, có

dƥng nhƣ biểu thức (2.10). Do đó, nó còn có tên thƣờng gọi khác là hàm thế

“12-6“ hay hàm thế “6-12“.

 r 12  rm  
6

Eij  V2  rij   12  6  e    2    .
A B m
(2.10)
rij rij  rij  r  
 ij  


Trong đó A và B tƣơng ứng là hằng số đẩy và hút trong hàm thế.

1
 2A  6
rm    là khoƧng cách giữa hai nguyên tử i, j ở vị trí cân bằng, khi đó
 B 

B2
thế năng đƥt giá trị cực tiểu Eij min . e  là chiều sâu thế năng ( e   Eij min ).
4A
Nhìn vào biểu thức (2.10) dễ thƩy giá trị Eij giƧm rƩt nhanh về 0 khi

khoƧng cách rij tăng. Nói cách khác, giá trị Eij gƫn nhƣ không đáng kể ở

khoƧng cách rij lớn (khoƧng >3 lƫn rm ). Do đó hàm thế Lennard-Jones thuộc

nhóm hàm thế tƣơng tác gƫn. Ngƣợc lƥi hàm thế tƣơng tác xa là những hàm

thế mô tƧ năng lƣợng tƣơng tác giữa hai nguyên tử có xu hƣớng giƧm khá

chậm khi khoƧng cách giữa hai nguyên tử tăng lên. Khi đó năng lƣợng tƣơng

tác giữa hai nguyên tử cách xa nhau vẫn rƩt đáng kể, không thể bỏ qua, ví dụ

nhƣ hàm thế tƣơng tác điện Coulomb.

Hàm thế Lennard-Jones là một hàm thế đơn giƧn với hai tham số. Nghiên

cứu của Qian và cộng sự [87] cho vật liệu graphite chỉ ra rằng ở bán kính

tƣơng tác <3,4 Å hàm thế Lennard-Jones cho kết quƧ mô phỏng không tốt.

Do đó hàm thế này thƣờng chỉ dùng mô phỏng thế năng tƣơng tác giữa các
26 CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC

nguyên tử không có liên kết trực tiếp với nhau nhƣ là mô phỏng lực van der

Waals [33].

Một nhƣợc điểm của hàm thế Lennard-Jones nói riêng và các hàm thế

tƣơng tác cặp nói chung là chỉ phụ thuộc vào khoƧng cách giữa hai nguyên

tử. Nghąa là độ bền liên kết giữa nguyên tử i và j sẽ không bị Ƨnh hƣởng khi

xuƩt hiện thêm nguyên tử k tƣơng tác với chúng. Điều này là không hợp lý.

Và nhƣợc điểm này đã đƣợc khắc phục ở các hàm thế tƣơng tác đa nguyên tử

nhƣ hàm thế Tersoff, Brenner.

2.2.2 Bán kính ngắt của thế tƣơng tác

Trong hệ N nguyên tử, nguyên tử i có thể sẽ tƣơng tác với N  1 nguyên tử

j khác i . Điều này dẫn tới khối lƣợng tính toán rƩt lớn. Trong khi thế năng

tƣơng tác giữa các nguyên tử ở xa nhau không còn đáng kể, đặc biệt với

những hàm thế tƣơng tác gƫn. Do đó một bán kính ngắt đƣợc đề xuƩt để một

nguyên tử chỉ còn tƣơng tác với n nguyên tử lân cận nằm trong bán kính ngắt

đó, với n khi đó sẽ nhỏ hơn nhiều so với toàn bộ N nguyên tử của hệ. Dƥng

tổng quát hàm thế sử dụng bán kính ngắt sẽ nhƣ sau:

V *  r   f C  r V  r  . (2.11)

Trong đó fC  r  đƣợc gọi là hàm ngắt sẽ có giá trị giƧm từ 1 tới 0 khi

khoƧng cách r giữa các nguyên tử tăng lên. Khi khoƧng cách r lớn hơn hoặc

bằng bán kính ngắt, hàm ngắt fC  r   0 .

2.2.3 Thế năng tƣơng tác đa nguyên tử

2.2.3.1 Hàm thế điều hòa

Một dƥng đơn giƧn, thế năng biến dƥng góc giữa ba nguyên tử có thể

đƣợc biểu diễn nhƣ sau:

k ijk  o  .
1
(2.12)
2
Eijk 
2
2.2 Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử 27

Trong đó ijk là góc có đỉnh là nguyên tử j tƥo bởi hai liên kết thẳng ji và

jk . ijk  o khi hệ ở vị trí cân bằng. Hàm thế điều hòa dƥng (2.12) chỉ phù

hợp cho biến dƥng bé của hệ. Để tính toán các ứng xử phi tuyến ở biến dƥng

lớn, ta cƫn tới các hàm thế dƥng phi tuyến. Ví dụ nhƣ dƥng cƧi tiến của (2.12)

nhƣ sau [71]:

1
 2 C  cos ijk  cos o  , cho o  180
2 o

Eijk   (2.13)
 k  cos ijk  1 , cho o  180o


Trong đó C , k là các tham số lực biến dƥng góc của hàm thế.

2.2.3.2 Hàm thế Tersoff

Hàm thế này đƣợc đề xuƩt lƫn đƫu tiên bởi Tersoff [109] năm 1989 để

mô tƧ năng lƣợng tƣơng tác giữa các nguyên tố Si,Ge và C. Và sau này đƣợc

đề xuƩt cho các nguyên tố khác nhƣ: Al, B, N, Ga,... Khi đó, thế năng tƣơng

tác của hệ các nguyên tử là một hàm của tọa độ các nguyên tử nhƣ sau:
1
E Vij  
2 i j j i
Vij , (2.14a)

trong đó:

Vij  fC  rij   f R  rij   bij f A  rij  , (2.14b)

1, rij  Rij ;


1 1  rij  Rij 
fC  rij     cos   .  , Rij  rij  Sij ; (2.14c)
 S R
2 2  ij ij 
0, rij  Sij


f R  rij   Aij exp  ijI rij  ; f A  rij    Bij exp  ijII rij  , (2.14d)

ci2 ci2
  fC  rik  ik g ijk ; g ijk   1  2 
1 2 ni
bij  ij 1    i
ni ni
ij ;  ij  
k i , j di d 2   h  cos  2
i i ijk

ijI   iI   jI  / 2; ijII   iII   jII  / 2; Aij  Ai Aj ; Bij  Bi B j ; Rij  Ri R j ; Sij  Si S j

Bằng việc đặt:

28 CHƢƠNG 2 CƨU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ THẾ NĂNG TƢƠNG TÁC

Rij0   Sij  Rij  2 và Dij   Sij  Rij  2 , (2.15)

một số tài liệu viết lƥi hàm ngắt ở phƣơng trình (2.14c) ở dƥng sau:

1, rij  Rij0  Dij ;


1 1  rij  Rij0 
fC  rij     sin   .  , Rij  Dij  rij  Rij  Dij ;
0 0
(2.16)
2 2  2 D
  ij 

0, rij  Rij  Dij
0

Trong biểu thức 2.14b, f A  rij  , f R  rij  tƣơng ứng là các thành phƫn tƣơng

tác cặp hút và đẩy giữa 2 nguyên tử i và j , bij là thành phƫn xét tới Ƨnh

hƣởng của các nguyên tử liền kề với nguyên tử i ngoài j . Trong đó các thành
  rij
phƫn tƣơng tác đẩy và hút đƣợc định nghąa nhƣ 2.14d với dƥng hàm số e ,
do đó hàm Tersoff là hàm thế năng tƣơng tác gƫn và lúc này hàm ngắt đƣợc

đề xuƩt nhƣ 2.14c để giới hƥn số lƣợng nguyên tử liền kề có tƣơng tác với

nhau, việc này giúp giƧm thiểu đáng kể khối lƣợng tính toán khi mô phỏng.

Chi tiết hơn về hàm thế Tersoff đƣợc đƣa ra trong tài liệu tham khƧo [109].

Sau khi đƣợc đề xuƩt, hàm thế Tersoff đã cho thƩy nhiều ƣu điểm và mô

phỏng tốt tƣơng tác của các liên kết cộng hóa trị giữa các nguyên tử C, Si, Ge

[27, 60, 109]; liên kết B-N [50, 98]; liên kết Si-C [27, 80]; liên kết Zn-O, Zn-

Zn, O-O [28]; liên kết Al-N, Ga-N, In-N [7]. Những dẫn chứng trên cho thƩy

hàm thế Tersoff hoặc dƥng nhƣ Tersoff đã và đang đƣợc sử dụng nhiều trong

việc mô phỏng mô hình vật liệu nano. Do vậy, nghiên cứu sinh và ngƣời

hƣớng dẫn cũng đã chọn hàm thế Tersoff để mô phỏng tƣơng tác giữa các

nguyên tử trong luận án này.

2.2.3.3 Hàm thế Brenner

Hàm thế Brenner đƣợc phát triển dựa trên hàm thế Tersoff bởi tác giƧ

Brenner [14] nhƣ sau:

Eijkl  VR  rij   bijVA  rij  . (2.17)

Trong đó:
2.2 Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử 29

VR  rij  
De
S 1
 
exp  2S   rij  ro  f c  rij  ,

 
VA  rij     rij  ro   f c  rij  ,
De S 2
exp  
S 1  S 
  
  c02 c02
bij  1   G ijk  f c  rik   ; G ijk   ao 1  2 
 ,
 d0  1  cos ijk  
2
  d 2

k 0

1, rij  R1


 1 1  rij  R    1
1

fC  rij     cos   .  2  , R  rij  R   .

2
 R R  1
2 2  
  2
0, rij  R

Hàm thế này có dƥng gƫn nhƣ hàm Tersoff nên bên cƥnh hàm Tersoff,

hàm thế Brenner cũng đƣợc sử dụng nhiều trong mô phỏng tƣơng tác giữa

các nguyên tử [6, 27, 60].

 30

CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHẦN TỬ HỮU HẠN

NGUYÊN TỬ

Chƣơng này trình bày cơ sở lý thuyết của phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn

nguyên tử (AFEM). Bên cƥnh đó, các mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử

của các vật liệu graphene, BN, SiC, BSb, Si sử dụng hàm thế điều hòa và

hàm thế Tersoff sẽ đƣợc xây dựng để phục vụ cho việc mô phỏng tìm ứng xử

cơ học của chúng ở chƣơng 4.

3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phần tử hữu hạn nguyên tử

3.1.1 Thiết lập và giải phƣơng trình trong AFEM

o
Xét một hệ N nguyên tử. Gọi ri , ri tƣơng ứng là véc tơ vị trí của nguyên tử

i ban đƫu và sau khi chuyển vị trong không gian, ui  ri  ri o là chuyển vị của

nguyên tử i , rij  rj  ri là véc tơ nối giữa hai nguyên tử i, j . ui , fi tƣơng ứng là

điều kiện biên chuyển vị và ngoƥi lực tác dụng lên nguyên tử i .

Khi đó tổng năng lƣợng ET của hệ sẽ bằng nội năng của hệ trừ đi lƣợng

cân bằng với công của ngoƥi lực nhƣ sau [116]:
N
ET  r   E  r    fi .ri . (3.1)
i 1

Trong đó: r   r1 , r2 ,..., rN  là véc tơ vị trí của hệ và E  E  r  là nội năng

T

hay thế năng tƣơng tác của hệ N nguyên tử.

Khi hệ ở trƥng thái cân bằng, năng lƣợng đƥt giá trị cực tiểu nên đƥo hàm

bậc nhƩt của tổng năng lƣợng của hệ khi đó phƧi bằng không. Ta có:
ET
0 (3.2)
r
3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 31

Khai triển chuỗi Taylor hàm năng lƣợng ET quanh vị trí cân bằng ban

 
T
đƫu r  o  r1 o , r2 o  ,..., rN o ta có [61]:

ET 1  2 ET
 
ET  r   ET r  o  
r r r  
.u  uT
2 rr
.u  , (3.3)
r r  
o o

Trong đó u  r  r 
o
là chuyển vị đủ nhỏ quanh vị trí cân bằng r  o  . u
càng nhỏ khai triển gƫn đúng (3.3) sẽ càng chính xác.

Thế phƣơng trình (3.3) vào (3.2) chú ý bỏ qua vô cùng bé bậc cao ta có:

ET ET  2 ET
  .u  0 . (3.4)
r r r r  
o rr r r  
o

Biến đổi phƣơng trình (3.4) ta đƣợc:

Ku  P , (3.5)

trong đó:

ET E
P f  (3.6)
r r r  
o r r r  
o

là lực của hệ ở trƥng thái chƣa cân bằng. Thành phƫn này sẽ tiến tới 0 khi hệ

tiến tới vị trí cân bằng mới.

 2 ET 2 E
K  (3.7)
rr r r  
o rr r r  
o

là ma trận độ cứng của hệ ở trƥng thái cân bằng ban đƫu.

Trƣờng hợp hệ tuyến tính, dƩu bằng ở biểu thức (3.3) và (3.4) sẽ xƧy ra,

dẫn tới phƣơng trình (3.5) chỉ cƫn giƧi một lƫn là thu đƣợc nghiệm chính xác.

Trƣờng hợp hệ phi tuyến, phƣơng trình (3.5) thƣờng đƣợc giƧi bằng các

phƣơng pháp lặp để thu đƣợc nghiệm gƫn đúng. Vòng lặp sẽ dừng khi lực

của hệ ở trƥng thái chƣa cân bằng hoặc chuyển vị của hệ ở bƣớc lặp sau đó

tiến tới không. Trong thực hành ngƣời ta thƣờng tính lặp cho tới khi chúng

nhỏ thua một số dƣơng δ đủ bé cho trƣớc (   0 ), tức là:

u k    , (3.8)

hoặc:
P k    . (3.9)
32 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Vào thông số mô hình vật liệu, hàm thế,

vị trí cân bằng ban đƫu, Điều kiện biên.
Điều kiện dừng vòng lặp.

Xác định các đƥi lƣợng đƫu vào E, r o , u, f ,  , k max

Tính ma trận K, P theo biểu thức (3.6), (3.7)

Bƣớc lặp k  0 ,
GiƧi hệ phƣơng trình Ku=P, xác định véc tơ chuyển vị u

Xác định vị trí mới của hệ:

r k 1  r k   u k 

u k   

hoặc P
k Sai
 Bƣớc lặp k  k  1
hoặc k  k max

Đúng

Kết luận vị trí cân bằng mới của hệ: r

k 1
 r  k   u k 

Tính và in các kết quƧ mong muốn.

Hình 3.1 Sơ đồ khối chƣơng trình giƧi lặp với điều kiện biên tùy ý.

Ở bƣớc lặp thứ k sẽ tính ra đƣợc u  . Sau đó véc tơ vị trí của hệ ở bƣớc
k

k  1 sẽ đƣợc tính từ bƣớc thứ k trƣớc đó nhƣ sau:

r k 1  r k   u k  , (3.10)

r  k 1 sẽ đƣợc dùng để tính P k 1 , K  k 1 thông qua biểu thức (3.6) và (3.7).

Sau đó P k 1 , K  k 1 sẽ đƣợc thế vào (3.5) để giƧi ra u

k 1
. Vòng lặp cứ thế lặp
3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 33

lƥi cho đến khi một trong hai điều kiện (3.8) hoặc (3.9) thỏa mãn (xem sơ đồ

hình 3.1, giống với thuật giƧi Newton).

Mặt khác, nếu ở phƣơng trình (3.5) ta đặt vào một điều kiện biên chuyển

vị u đủ nhỏ (càng nhỏ càng chính xác) để thỏa mãn ngay hoặc chỉ sau một

bƣớc lặp là thỏa mãn điều kiện (3.8) thì ta sẽ thu đƣợc kết quƧ gƫn đúng đủ

chính xác từ phƣơng trình (3.5) ngay sau một bƣớc lặp đƫu tiên. Điều này tiết

kiệm đƣợc thời gian tính toán rƩt nhiều vì không phƧi tính lặp lƥi nhiều lƫn
(xem sơ đồ khối hình 3.2, giống với thuật giƧi Euler).

Vào thông số mô hình vật liệu, hàm thế,

vị trí cân bằng ban đƫu.

Xác định các đƥi lƣợng đƫu vào E , r  o 

Vào điều kiện biên u đủ nhỏ và f  0

Tính ma trận K, P theo biểu thức (3.6), (3.7)

GiƧi hệ phƣơng trình Ku=P, xác định véc tơ chuyển vị u

Kết luận vị trí cân bằng mới của hệ: r  r   u

o

Tính và in các kết quƧ mong muốn.

Hình 3.2 Sơ đồ khối chƣơng trình giƧi không lặp với điều kiện biên là một
chuyển vị đủ nhỏ.
34 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Tóm lƥi, nếu ta có một hệ nguyên tử đang cân bằng ở vị trí ban đƫu, ta

cƫn tìm vị trí cân bằng mới dƣới tác dụng điều kiện biên bƩt kỳ thì sơ đồ

khối giƧi lặp hình 3.1 cƫn đƣợc sử dụng để cho kết quƧ nhanh với độ chính

xác cƫn thiết. Còn nếu ta cƫn xác định một vị trí cân bằng mới của hệ ngay

sát vị trí cân bằng trƣớc đó thì chỉ cƫn áp dụng một bƣớc lặp với sơ đồ khối

giƧi không lặp nhƣ hình 3.2. Sơ đồ hình 3.2 này rƩt phù hợp cho việc tìm

đƣờng cong quan hệ ứng suƩt biến dƥng của hệ các nguyên tử.
Để giƧi thích rõ hơn sự khác nhau của hai sơ đồ thuật giƧi trên, giƧ sử có

một hệ F=f(x) đang cân bằng ở vị trí x o  0 (hình 3.3). Nếu cƫn xác định vị trí

cân bằng tƥi điểm A, ta áp dụng sơ đồ khối hình 3.1 chỉ sau m=4 bƣớc lặp

cho ta kết quƧ tốt nhƣ hình 3.3a. Mặt khác nếu sử dụng sơ đồ khối hình 3.2,
ta sẽ chia khƧng từ x  A tới x  o  làm n khoƧng, lúc này điều kiện biên sẽ là:

x  A  x  o 
u (3.11)
n
và lặp sau n bƣớc tính sẽ tới đƣợc điểm cân bằng A. Rõ ràng là n càng lớn

cho kết quƧ càng chính xác. Nhƣ trong hình 3.3b là sau 6 bƣớc tính. Trong

trƣờng hợp này số bƣớc tính theo sơ đồ khối hình 3.1 nhỏ hơn so với số bƣớc

tính sử dụng sơ đồ giƧi không lặp hình 3.2. Nghąa là trong trƣờng hợp này sơ

đồ khối hình 3.1 có lợi hơn vì ít bƣớc lặp hơn.

F F Nghiệm gƫn đúng.

Nghiệm chính xác.
B F6' A B C
A C
F1 F 5
'

u3  x 4  x3   F4'

F3'
F2'

F1
F1'
x x
1
O x 1 x1 2 x13 x14 O x1 x2 x3 x4 x5 x6
x1(a) (b)
Hình 3.3 Mô phỏng quá trình tìm nghiệm: a) bằng sơ đồ lặp; b) bằng sơ đồ
không lặp với điều kiện biên nhỏ.
3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 35

Ngƣợc lƥi để thiết lập đƣợc cƧ đƣờng cong f(x) tới điểm cân bằng A thì sử

dụng sơ đồ hình 3.1 cƫn phƧi chia từ điểm cân bằng x  A tới x  o  làm n

khoƧng, với mỗi giá trị n ta cƫn có m bƣớc lặp, nghąa là ta cƫn giƧi m.n lƫn để

xây dựng đƣợc đƣờng cong f(x) gƫn đúng cƫn thiết trong khi sử dụng sơ đồ

giƧi hình 3.2 ta vẫn chỉ cƫn lặp n=6 lƫn nhƣ trên. Trong trƣờng hợp này rõ

ràng sử dụng sơ đồ hình 3.2 lƥi có lợi hơn. Một điểm lợi thế khác của sơ đồ

không lặp với điều kiện biên chuyển vị nhỏ (hình 3.2) nữa là nó có khƧ năng
xác định đƣợc các vị trí cân bằng tƥi điểm B và C nhƣ trong hình 3.3, cái mà

sơ đồ tính hình 3.1 lƥi không thể tính do quá trình lặp không hội tụ.

Với những phân tích trên, trong nghiên cứu của luận án này, tác giƧ đã sử

dụng sơ đồ khối giƧi không lặp hình 3.2 để đi tìm đƣờng cong ứng suƩt biến
dƥng và các ứng xử cơ học khác theo biến dƥng của mô hình tƩm và ống vật

liệu. Bên cƥnh đó, sơ đồ khối hình 3.1 cũng đƣợc sử dụng ở một vài trƣờng

hợp để so sánh. Quá trình tính toán thiết lập và giƧi phƣơng trình AFEM nêu

trên đƣợc tác giƧ lập trình trên phƫn mềm Matlab.

3.1.2 Phần tử trong AFEM

Trong hệ nguyên tử, một nguyên tử chỉ tác động qua lƥi chủ yếu với những

nguyên tử lân cận với chúng, hình thành nên nhóm nguyên tử tƣơng tác lân

cận. Nhƣ vậy ta có thể xem một cƩu trúc nguyên tử là bao gồm rƩt nhiều
nhóm nguyên tử tƣơng tác lân cận. Trong AFEM mỗi nguyên tử đƣợc coi là

một nút và mỗi nhóm nguyên tử tƣơng tác lân cận lúc này đƣợc coi là các

phƫn tử hữu hƥn. Những cách xây dựng phƫn tử đang đƣợc sử dụng trong

AFEM có thể đƣợc phân chia làm hai nhóm là: xây dựng phƫn tử dựa trên

hàm thế và xây dựng phƫn tử dựa trên cƩu trúc nguyên tử.

3.1.2.1 Xây dựng phần tử dựa trên hàm thế

Theo cách xây dựng phƫn tử dựa trên hàm thế, ngƣời ta sử dụng một phƫn

tử m nút để mô tƧ cho các thành phƫn của hàm thế.

36 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Liên kết thẳng, r Liên kết góc phẳng, θ Liên kết góc nhị diện, 
Thanh đàn hồi Khớp đàn hồi

Phƫn tử thanh với khớp đàn hồi

Hình 3.4 Kiểu phƫn tử thanh với khớp đàn hồi ba chiều mô phỏng liên kết
trong ống SWCNT, nguồn [105].

Ví dụ nhƣ Wang cùng cộng sự [117, 118] đã dùng một phƫn tử hữu hƥn là

một thanh có hai nút, mỗi nút là một nửa khớp đàn hồi có bậc tự do tịnh
tiến và góc xoay nhƣ hình 3.4 để mô phỏng: liên kết thẳng, liên kết góc phẳng

và liên kết góc nhị diện. Sun và Zhao [105] đã sử dụng kiểu phƫn tử này mô

tƧ thế năng biến dƥng dài, thế năng biến dƥng góc và thế năng biến dƥng xoắn

để tính toán đặc trƣng cơ học của SWCNT.

Lutz Nasdala và Gerald Ernst [70] đã phát triển phƫn tử hữu hƥn gồm bốn
nút để mô hình hóa cho thế năng xoắn DREIDING (hình 3.5).

Hình 3.5 Phƫn tử 4 nút đƣợc phát triển bởi Lutz Nasdala và Gerald Ernst,
nguồn [70].

Zhang [128] đã đƣa ra phƫn tử hữu hƥn 6 nút để mô hình hóa thế năng

thế hệ thứ hai của Brenner (hình 3.6).

3.1 Cở sở lý thuyết phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử 37

Hình 3.6 Phƫn tử 6 nút mô hình hóa thế năng thế hệ thứ hai của Brenner,
nguồn [128].

Tóm lƥi, việc xây dựng phƫn tử dựa trên hàm thế trong trƣờng hợp này

phụ thuộc trực tiếp vào hàm thế đƣợc chọn. Do đó, các vật liệu khác nhau

nhƣng sử dụng chung một dƥng hàm thế thì ta cũng chỉ cƫn dùng một kiểu
phƫn tử chung để mô phỏng chúng.

3.1.2.2 Xây dựng phần tử dựa trên cấu trúc nguyên tử

Phƫn tử hữu hƥn trong trƣờng hợp này bao gồm một nguyên tử trung tâm

cùng với tƩt cƧ các nguyên tử khác nằm trong phƥm vi tƣơng tác với nguyên

tử trung tâm đó. Cách xây dựng phƫn tử này năm 2004 đã đƣợc Liu cùng các

đồng nghiệp đề xuƩt [61]. Khi đó các vật liệu khác nhau sẽ phƧi dùng các

phƫn tử khác nhau để mô phỏng.

16
5 17 15
10
2
5 14

6 1 4
6 1 13
9 2
3
3 4 9 12
11
7 8
7 8 10

(a) (b)

Hình 3.7 Phƫn tử khi lƩy một nút làm trung tâm dùng cho mô hình: a) ống
SWCNT; b) kim cƣơng.
38 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Ví dụ xét trong cùng một bán kính tƣơng tác, mỗi phƫn tử trong ống

cácbon nano đơn lớp có 10 nguyên tử (1 nguyên tử trung tâm có 3 nguyên tử

gƫn nhƩt và 6 nguyên tử gƫn thứ hai), trong khi kim cƣơng là 17 nguyên tử (1

nguyên tử trung tâm có 4 nguyên tử gƫn nhƩt và 12 nguyên tử gƫn thứ hai)

nhƣ hình 3.7.

Trong cách xây dựng phƫn tử này ta thƩy không liên quan tới một dƥng

hàm thế cụ thể nào. Hay nói cách khác với cùng một cƩu trúc của một vật
liệu, ta vẫn chỉ chọn một kiểu phƫn tử duy nhƩt để mô phỏng cho một hàm

thế bƩt kỳ. Dễ thƩy phƫn tử trong trƣờng hợp này sẽ có khá nhiều nguyên tử

(nút). Các phƫn tử trùng lặp nhau rƩt nhiều nút, dẫn tới việc tính toán ma

trận phƫn tử và ghép nối ma trận tổng sẽ khó khăn. Để tránh điều này, ma
trận độ cứng của mỗi phƫn tử lúc này khác FEM truyền thống ở chỗ tiêu

điểm là nút trung tâm, thể hiện qua việc tƩt cƧ các đƥo hàm bậc hai đều ít

nhƩt một lƫn đƥo hàm theo biến của tọa độ nút trung tâm, các thành phƫn

khác bằng không. Điều này đƧm bƧo, các phƫn trùng nhau, lặp lƥi giữa các

phƫn tử vẫn chỉ đƣợc tính một lƫn tới ma trận tổng thể. Một lợi thế khác là

việc ghép nối ma trận tổng thể rƩt dễ dàng vì hàng thứ i trong ma trận tổng

đƣợc xác định duy nhƩt từ ma trận phƫn tử có nút i là trung tâm. Tuy vậy
việc xác định thế năng tƣơng tác của phƫn tử trƣớc khi tính ra ma trận độ

cứng phƫn tử trong trƣờng hợp này là không hề đơn giƧn.

Tuy có nhiều cách xây dựng phƫn tử khác nhau trong AFEM, nhƣng tƩt

cƧ đều cho ra chính xác ma trận độ cứng tổng thể từ đƥo hàm bậc hai của

hàm thế năng vì cƧ hai đều không sử dụng hàm dƥng. Chúng chỉ khác nhau ở

kiểu phƫn tử sử dụng. Do đó, nếu cùng sử dụng cùng một dƥng hàm thế

năng, cƧ hai cách xây dựng phƫn tử nêu trên đều cho ra kết quƧ tƣơng tự.

Nói cách khác, với một hệ xác định, khi ta chọn các kiểu phƫn tử khác nhau

sẽ dẫn tới ma trận độ cứng phƫn tử khác nhau nhƣng khi ghép nối lƥi sẽ cho

ra một ma trận độ cứng tổng thể của hệ không đổi. Có nghąa là trong AFEM
không còn khái niệm chia lƣới mịn hay không mịn. Điều này có thể giƧi thích
3.2 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế điều hòa 39

là do trong AFEM vị trí các nút không thay đổi, vì nó chính là vị trí các

nguyên tử trong hệ, chỉ phụ thuộc vào cƩu trúc nguyên tử đang xét. Trong khi

đó, việc chia lƣới, chọn phƫn tử trong FEM truyền thống lƥi rƩt linh hoƥt, và

vị trí các nút trong hệ khi dùng FEM sẽ thay đổi theo sự chia lƣới phƫn tử.

Kết quƧ thu đƣợc trong FEM cũng ít nhiều bị Ƨnh hƣởng bởi sự chia lƣới thô

hay mịn đó. Thêm một sự khác biệt nữa giữa AFEM và FEM là các phƫn tử

trong FEM truyền thống chỉ có nút và biên chung. Trong khi AFEM, các phƫn
tử gối lên nhau, trùng nhau một phƫn trong không gian.

3.1.2.3 Cách xây dựng phần tử sử dụng trong luận án

Trong luận án này, tác giƧ đã sử dụng cách xây dựng phƫn tử dựa trên

hàm thế. Do cách xây dựng này có ƣu điểm là thuận tiện tính thế năng và

thiết lập ma trận độ cứng cho các phƫn tử. Đặc biệt nữa là khi ta cùng một

lúc mô phỏng cho nhiều mô hình vật liệu khác nhau nhƣng lƥi sử dụng

chung một dƥng hàm thế thì lúc này ta chỉ cƫn xây dựng mô hình phƫn tử

hữu hƥn một lƫn duy nhƩt.

3.2 Mô hình phần tử hữu hạn nguyên tử với hàm thế điều hòa

3.2.1 Thiết lập ma trận độ cứng phần tử

Thế năng tƣơng tác giữa các nguyên tử gồm thế năng tƣơng tác liên kết (

EBonded ) và thế năng tƣơng tác phi liên kết ( ENonbonded ) có thể đƣợc biểu diễn

nhƣ sau [16, 55]:

EBonded  Er  E  E  E , (3.12a)
ENonbonded  Evdw  Eel . (3.12b)
Trong đó E , E , Evdw và Eel tƣơng ứng là thế năng đến từ biến dƥng xoắn, đƧo

liên kết, lực van der Waals và tƣơng tác điện từ đƣợc bỏ qua trong nghiên

cứu của luận án này. Do đó thế năng của hệ còn lƥi là:

E  Er  E . (3.12c)
40 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Trong đó Er là thế năng biến dƥng dài và E là thế năng biến dƥng góc. Ở

biến dƥng nhỏ chúng thƣờng đƣợc mô tƧ bởi dƥng hàm điều hòa nhƣ sau:

Er 
1 M e e2
2 e 1
 
 Cr lij , (3.13)

E 
1 N e

2 e 1

Cijk  ijke 
2
. (3.14)

Trong đó:

lije là biến dƥng dài của liên kết thẳng thứ e giữa hai nguyên tử i và

nguyên tử j ,  ijk là biến dƥng góc giữa hai liên kết thẳng ji và jk (hình
e

3.8).
M và N tƣơng ứng là tổng số biến dƥng dài và biến dƥng góc của hệ.

Cre và Cijke là hằng số lực tƣơng ứng cho biến dƥng dài và biến dƥng góc.

Với những tƩm vật liệu cƩu tƥo bởi hai loƥi nguyên tử sẽ có hai giá trị Cijk
e

tƣơng ứng phụ thuộc vào kiểu nguyên tử ở đỉnh của góc có biến dƥng. Trong

hình 3.8b, nguyên tử i và k là cùng loƥi.

i j i j
ijk
lij  lij
ijk

a) (b) k
Hình 3.8 Mô hình hai kiểu phƫn tử: a) phƫn tử biến dƥng dài lij và biến dƥng
dài  lij ; b) phƫn tử biến dƥng góc ijk và biến dƥng góc ijk .

Khi đó thế năng biến dƥng của một phƫn tử hai nút sẽ là (hình 3.8a):

Ere  Cre  l eji  .

1 2
(3.15)
2

Xét tƣơng tác giữa hai nguyên tử i và j . KhoƧng cách giữa chúng là l ji có
e

thể đƣợc biểu diễn thông qua tọa độ  xi , yi , zi  của nguyên tử i và tọa độ

 x , y , z  của nguyên tử
j j j j nhƣ sau:
3.2 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế điều hòa 41

l    x  x    y  y    z  z  .
e 2 2 2 2
ji i j i j i j (3.16)

Vi phân hai vế phƣơng trình (3.16), ta có:

l eji l eji   xi  x j  xi   x j    yi  y j  yi   y j    zi  z j  zi   z j  . (3.17)

Đặt  xi  q1 ,  yi  q2 ,  zi  q3 và  x j  q4 ,  y j  q5 ,  z j  q6 là các chuyển vị của

nguyên tử i và j theo các trục x, y và z tƣơng ứng. Phƣơng trình (3.17) trở

thành:
1
 l eji   xij  q1  q4   yij  q2  q5   zij  q3  q6   , (3.18)
l eji 

trong đó:

xij  xi  x j , yij  yi  y j , zij  zi  z j . (3.19)

Ở trƥng thái cân bằng ban đƫu chƣa biến dƥng, ta có l ji  l0 , với l0 là chiều
e

dài của liên kết thẳng ở trƥng thái cân bằng ban đƫu.

Thay phƣơng trình (3.18) vào phƣơng trình (3.15) ta có:

Cre
 xij  q1  q4   yij  q2  q5   zij  q3  q6   . (3.20)
2
Ere 
2  l0 
2

Đƥo hàm bậc hai hàm thế năng đƣợc xác định từ phƣơng trình (3.20) theo

chuyển vị nút ta thu đƣợc ma trận độ cứng của phƫn tử hai nút [133]:

 2 Ere
r
kmp  , m, p  1, 2...6. (3.21)
qm q p

Lập luận tƣơng tự, thế năng của một phƫn tử ba nút mô tƧ biến dƥng góc
(hình 3.8b) có dƥng nhƣ sau:
1 e
 
2
Ee  Cijk ijke (3.22)
2

Trong đó góc  ijke giữa hai véc tơ l ji (véc tơ nối nguyên tử j tới i ) và l jk
(véc tơ nối nguyên tử j tới k ) có thể đƣợc tính từ biểu thức sau:

l ji .l jk cosijke  xij xkj  yij ykj  zij zkj , (3.23)

với xij , yij , zij và xkj , ykj , zkj có ký hiệu tƣơng tự nhƣ (3.19).
 42 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Vi phân hai vế của phƣơng trình (3.23) và biến đổi ta có:

  l ji  l jk    xij xkj  yij ykj  zij zkj   xij  xkj yij  ykj zij  zkj 
ijke sin ijke     cos ijk  
e
     
 l l jk l ji l jk   l ji l jk
 ji   l ji l jk l ji l jk l ji l jk l ji l jk 
(3.24)

Chú ý rằng:

 xij  q1  q4 ;  yij  q2  q5 ;  zij  q3  q6 ;  xkj  q7  q4 ;  ykj  q8  q5 ;  zkj  q9  q6 . (3.25)

Trong đó q7 , q8 và q9 là chuyển vị của nguyên tử k theo các phƣơng x, y và

z tƣơng ứng.
Đối với tƩm phẳng cƩu trúc hình lục giác ở điều kiện cân bằng ban đƫu,

chƣa có biến dƥng, ta có l ji  l jk  lo và ijk  0  120 .

e 0

Thay (3.25) vào phƣơng trình (3.24) và chú ý đến phƣơng trình (3.18) ta

có:

1  xij cos 0  x jk   q1  q4    yij cos 0  y jk   q2  q5    zij cos 0  z jk   q3  q6  

ijke   
l0 sin 0    x jk cos 0  xij   q4  q7    y jk cos 0  yij   q5  q8    z jk cos 0  zij   q6  q9  
2
 
(3.26)

Thay phƣơng trình (3.26) vào phƣơng trình (3.22) ta có:

 xij cos 0  x jk   q1  q4    yij cos 0  y jk   q2  q5    zij cos 0  z jk   q3  q6  

2
Cijke
Ee   
2  l02 sin 0     x jk cos 0  xij   q4  q7    y jk cos 0  yij   q5  q8    z jk cos 0  zij   q6  q9  
2
 
(3.27)

Ma trận độ cứng k  của phƫn tử ba nút biến dƥng góc đƣợc xác định nhƣ
sau [133]:

  2 Ee
kmp  , m, p  1, 2...9. (3.28)
qm q p

Nhƣ vậy, ma trận độ cứng của phƫn tử hai nút và ba nút là k r và k  đã

hoàn toàn xác định qua các biểu thức (3.21) và (3.28). Chúng chỉ phụ thuộc

vào tọa độ của các nguyên tử ở vị trí cân bằng ban đƫu. Các ma trận k r và k 
đƣợc đƣa ra chi tiết trong phƫn phụ lục ở cuối luận án này.
3.2 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế điều hòa 43

3.2.2 Thông số hàm thế điều hòa

Trong mục này, graphene, BN, SiC, BSb là các vật liệu đƣợc chọn để mô

phỏng. Chúng là các tƩm vật liệu nano có cƩu trúc dƥng lục giác phẳng đơn

lớp nên thông số kích thƣớc duy nhƩt cƫn đƣợc xác định là chiều dài liên kết

lo ở vị trí cân bằng ban đƫu (hình 2.1a). Các thông số hằng số lực trong hàm

thế và chiều dài liên kết lo của các vật liệu đƣợc nêu chi tiết trong bƧng 3.1.

BƧng 3.1 Các hằng số lực và chiều dài liên kết ban đƫu của các vật liệu graphene,
BN, SiC và BSb ở nhiệt độ 0K.

e
Vật liệu
Nguyên Nguyên Cre e
C121 C212 l0
tử 1 tử 2 kcal/(mol.Å )
2
kcal/(mol.rad )
2
kcal/(mol.rad )
2
Å

Graphene C C 1051 195 195 1,42

BN B N 856 95 191 1,45
SiC Si C 447 155 105 1,77
BSb B Sb 331 52 123 2,12

Trong đó chiều dài liên kết ban đƫu đƣợc lƩy từ tài liệu tham khƧo [93];

các hằng số lực của mô hình vật liệu graphene đƣợc tham khƧo từ tài liệu [9],

của vật liệu BN tham khƧo từ tài liệu [47], và của vật liệu BSb tham khƧo từ

tài liệu [91]; hằng số lực biến dƥng góc trong mô hình vật liệu SiC đƣợc tham

khƧo từ tài liệu [91] còn hằng số lực biến dƥng dài của SiC đƣợc triển khai
(xem phụ lục 1) từ hàm thế năng Tersoff [27].

3.2.3 Kích thƣớc tấm nano

BƧng 3.2 cho thƩy sự phụ thuộc của mô đun đàn hồi vào kích thƣớc tƩm

vuông (số lƣợng nguyên tử ít hay nhiều). Cụ thể, khi tƩm có kích thƣớc nhỏ,

mô đun đàn hồi theo hai phƣơng rƩt khác nhau, giá trị theo phƣơng

armchair nhỏ hơn so với phƣơng zigzag, khi kích thƣớc tƩm tăng, mô đun

đàn hồi tƩm theo phƣơng armchair tăng trong khi mô đun đàn hồi tính theo

phƣơng zigzag lƥi giƧm và chúng xu hƣớng tiến tới bằng nhau khi kích thƣớc

tƩm đủ lớn.
44 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

BƧng 3.2 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của graphene phụ thuộc vào kích thƣớc
tƩm vuông.

Kích thƣớc (nm) ≈3x3 ≈5x5 ≈8x8 ≈ 10x10 ≈12x12 ≈14x14

(Số nguyên tử) (364) (1008) (2584) (4032) (5800) (7656)
Ys (N/m)
335,5 342,7 346,0 347,0 347,6 348,0
phƣơng armchair
Ys (N/m)
358,6 355,0 353,3 352,6 352,2 352,0
phƣơng zigzag

Qua kết quƧ tính toán ở bƧng 3.2, tác giƧ nhận thƩy với vật liệu graphene

từ kích thƣớc xƩp xỉ 10x10 nm gồm 4032 nguyên tử trở đi giá trị mô đun đàn

hồi theo hai phƣơng không còn thay đổi nhiều trong khi khối lƣợng, thời gian

tính toán tăng đáng kể. Kết quƧ này gƫn với nghiên cứu của Zhao và cộng sự

[130]. Ở nghiên cứu đó, Zhao và cộng sự chỉ ra rằng mô hình tƩm vuông với

3936 nguyên tử cho phép mô phỏng tốt đặc trƣng cơ học của graphene. Do

vậy, trong luận án này, graphene cũng nhƣ các tƩm vật liệu khác đƣợc xây

dựng ở dƥng các tƩm hình vuông gồm 4032 nguyên tử.

Mô hình ống sau đó đƣợc tƥo thành bằng cách cuộn tƩm nhƣ đã trình bày

trong mục 2.1. Chiều dài ống sẽ đƣợc thiết lập ở các trƣờng hợp cụ thể khi
mô phỏng ở chƣơng 4.

3.3 Mô hình phần tử hữu hạn nguyên tử với hàm thế Tersoff

Ở mục 3.2, tác giƧ đã sử dụng hàm thế dƥng hàm điều hòa để tính toán
tƣơng tác giữa các nguyên tử. Nó chỉ thích hợp tính toán các đặc trƣng đàn
hồi nhƣ mô đun, hệ số Poisson ở giai đoƥn biến dƥng tuyến tính rƩt nhỏ ban

đƫu. Với biến dƥng lớn, ta cƫn phƧi sử dụng mô hình phi tuyến. Khi đó, ứng

xử phi tuyến thể hiện qua đƣờng cong quan hệ ứng suƩt-biến dƥng, là một

thông số rƩt quan trọng và ý nghąa cƫn đƣợc xác định đối với mỗi loƥi vật

liệu.

Trong mục này, mô hình vật liệu BN, SiC, graphene và Si sẽ đƣợc xây

dựng sử dụng hàm thế Tersoff.

3.3 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế Tersoff 45

3.3.1 Phần tử và thông số hàm thế Tersoff

Hàm thế Tersoff [109] là hàm thế thuộc nhóm thế tƣơng tác đa nguyên tử

nhƣ đã nêu trong mục 2.2.3.2. Cụ thể ở đây, với mô hình cƩu trúc vật liệu

hình lục giác, hàm thế Tersoff biểu diễn cho ta tƣơng tác của một nguyên tử

i với ba nguyên tử liền kề gƫn nhƩt xung quanh i là j , k và l (hình 3.9).

Trong đó phƫn tử ba nút (hình 3.9a) thực chƩt là trƣờng hợp riêng của phƫn
tử bốn nút đƣợc tƥo ra để tính cho các phƫn tử ở biên của mô hình.

k k

i i
j j l
a) b)
Hình 3.9 Mô hình hai kiểu phƫn tử mô tƧ hàm thế Tersoff: (a) Phƫn tử ba nút;
(b) Phƫn tử bốn nút.

Bộ thông số của hàm thế Tersoff mô phỏng cho graphene đƣợc tham

khƧo từ nghiên cứu của Lindsay và Broido năm 2010 [60], thông số thế

tƣơng tác của vật liệu BN đƣợc tham khƧo từ nghiên cứu năm 2011 của

Sevik và cộng sự [98], thông số thế tƣơng tác của Si đƣợc tham khƧo từ tài

liệu tham khƧo [109] và thông số thế tƣơng tác của SiC đƣợc tham khƧo từ

nghiên cứu của Erhart và Albe năm 2005 [27]. Trong đó thế năng tƣơng tác

giữa Si-C đƣợc đƣa ra dƣới dƥng sau [27]:

Vij  fC  rij  VijR  bijVijA  ; (3.29a)

exp  2S  rij  r0  ; VijA  exp   2 S  rij  r0 

De SDe
VijR  (3.29b)
S 1 S 1
Chú ý rằng, phƣơng trình (3.29) tƣơng đƣơng dƥng hàm thế Tersoff với:

ni  i  ij  1 , (3.30a)

ik  0, 011877 , (3.30b)

46 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

ijI   2S , ijII   2 S , Aij 

De
S 1
 
exp r0 2S , Bij 
SDe
S 1
 
exp r0 2 S . (3.30c)

Bộ thông số hàm thế Tersoff cho bốn loƥi vật liệu nêu trên đƣợc liệt kê

trong bƧng 3.3.

BƧng 3.3 BƧng thông số hàm thế Tersoff cho các vật liệu graphene, BN, SiC, Si.

Vật liệu Graphene BN SiC Si

Thông số Tham khƧo[60] Tham khƧo[98] Tham khƧo[27] Tham khƧo[109]

A (eV) 1393,6 1380 1779 1830

 I (Å-1) 3,4879 3,568 3,2656 2,4799
B (eV) 430 340 225,1895 471,18
 II (Å-1) 2,2119 2,199 1,7681 1,7322
 1,0 1,0 1,0 1,0
β 1,0 1,0 1,0 1,0
n 0,72751 0,72751 1,0 0,78734
 1,25724.10-7 1,25724.10-7 0,011877 1,1.10-6
c 38049 25000 273987 1,0039.105
d 4,3484 4,3484 180,314 16,217
h -0,93 -0,89 -0,68 -0,59825

3.3.2 Loại bỏ hàm ngắt

Để giƧm tƧi khối lƣợng tính toán, hàm ngắt có dƥng nhƣ phƣơng trình

(2.14c) đƣợc sử dụng nhiều trong mô phỏng MD với mục đích hƥn chế số cặp

liên kết. Khi đó chỉ những nguyên tử lân cận nhau mới có liên kết, tƣơng tác

với nhau. Nó biểu diễn giá trị lực lớn nhƩt liên kết chịu đƣợc trƣớc khi bị phá

hủy [6]. Bên cƥnh đó, hàm ngắt cũng đƣợc đƣa ra để mô tƧ điểm ứng suƩt và

biến dƥng phá hủy của cƩu trúc nguyên tử mô phỏng bởi hàm thế Tersoff-

Brenner [6, 95, 99] và hàm thế REBO [46]. Chúng đều có dƥng giống nhƣ

phƣơng trình (2.14c) trong hàm thế Tersoff [109]. Hình 3.10 biểu diễn năng

lƣợng tƣơng tác và lực chống lƥi biến dƥng của liên kết B-N cho thƩy rõ sự

khác biệt khi ta sử dụng và không sử dụng hàm ngắt.

3.3 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế Tersoff 47

-1

Năng lƣợng, eV -2

-3 Tƣơng tác liên kết B-N

mô phỏng bởi hàm thế Tersoff

-4 Sự dụng hàm ngắt

Gỡ bỏ hàm ngắt
-5

-6
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
Biến dƥng

(a)
50

40
Lực kéo, eV/Å

30 Tƣơng tác liên kết B-N

mô phỏng bởi hàm thế Tersoff

20 Sử dụng hàm ngắt

Gỡ bỏ hàm ngắt
10

0
-0.2 0 0.2 0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
Biến dƥng
(b)
Hình 3.10 Mô phỏng tƣơng tác của liên kết B-N: a) năng lƣợng tƣơng tác; b) lực
chống lƥi biến dƥng kéo khi sử dụng (nét liền) và không sử dụng (nét
đứt) hàm ngắt.
48 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

Quan sát hình 3.10 ta thƩy, trƣờng hợp sử dụng hàm ngắt khi biến dƥng

dài của liên kết giữa hai nguyên tử B và N đƥt ~32% so với ban đƫu thì lực

liên kết có xu hƣớng tăng đột ngột và đƥt đỉnh lớn nhƩt ở ~35%. Sự thay đổi

lƥ này của lực liên kết cũng đƣợc nhắc tới trong nghiên cứu của Belytschko

và cộng sự [6] ở liên kết C-C. Vì hiện tƣợng này mà một số nghiên cứu sử

dụng mô phỏng MD với hàm thế Tersoff sử dụng hàm ngắt đã tính toán giá

trị ứng suƩt, biến dƥng phá hủy của BN khá lớn và không hợp lý [37, 69,
132]. Để tránh điều này, một số nghiên cứu đã coi Rij=Sij trong phƣơng trình

(2.14c), nhƣ các nghiên cứu [42, 45, 46, 95]. Khi đó giá trị hàm ngắt thay đổi

khi liên kết đƥt tới biến dƥng vẫn nhỏ hơn 50%, cụ thể khoƧng 39% đối với

liên kết B-N dùng hàm thế năng Tersoff bởi Sevik và cộng sự [98], 45% đối
với liên kết Si-C dùng hàm thế năng Tersoff bởi Erhart và Albe [27], 46% và

44% đối với liên kết C-C tƣơng ứng với hàm thế Tersoff [109] và hàm thế

REBO [15], 33% đối với liên kết Si-Si dùng hàm thế Tersoff [109]. Tuy nhiên,

nghiên cứu của Belytschko [6] cho thƩy việc dùng hàm ngắt vẫn Ƨnh hƣởng

tới ứng xử phá hủy của vật liệu cho dù giá trị hàm ngắt đã lƩy thay đổi ở biến

dƥng 100%.

Để loƥi bỏ hoàn toàn Ƨnh hƣởng của hàm ngắt tới ứng xử phá hủy của vật

liệu, luận án này đã gỡ bỏ hàm ngắt fC rij   khi sử dụng hàm thế Tersoff. Tức
là coi fC  rij   1 với mọi giá trị của rij . Thay vào đó là một danh sách các liên

kết, chính là nhóm các nguyên tử trong cùng một phƫn tử hữu hƥn và chúng

không đổi trong suốt quá trình mô phỏng. Cách này cũng đã đƣợc dùng

trong nghiên cứu của Shenderova và cộng sự năm 2000 [99] và nhiều nghiên

cứu khác sau này [49, 112, 129].

3.3.3 Kích thƣớc tấm nano

Nhƣ đã phân tích trong mục 3.2.3, các tƩm vật liệu trong mục này cũng

sẽ có kích thƣớc xƩp xỉ một hình vuông chứa 4032 nguyên tử mỗi tƩm.
3.3 Mô hình phƫn tử hữu hƥn nguyên tử với hàm thế Tersoff 49

Thông số chiều dài liên kết ban đƫu lo trong tƩm graphene, BN, SiC đƣợc

tham khƧo từ nghiên cứu của tác giƧ Le Minh Quy [53] bằng cách cân bằng

hệ 4032 nguyên tử ở 0K sử dụng mô phỏng MD (bƧng 3.4).

BƧng 3.4 Thông số kích thƣớc tƩm graphene, BN và SiC gồm 4032 nguyên tử.

TƩm vật Chiều dài Chiều dài Chiều dài liên kết ban đƫu
liệu nano theo phƣơng theo phƣơng
zigzag armchair Luận án Tài liệu [93]

Graphene 103,38 101,79 1,441 1,42

BN 103,60 102,17 1,444 1,45
SiC 130,46 128,79 1,816 1,77

Thông số tƩm low-buckled Si đƣợc liệt kê trong bƧng 3.5. Trong đó góc

liên kết 0=116,4o đƣợc tham khƧo từ tài liệu [93]. Sau đó sử dụng cực tiểu

hóa năng lƣợng liên kết của một liên kết bằng cách giữ góc 0=116,4o không

đổi ta thu đƣợc chiều dài liên kết lo=2,313 Å theo hàm thế Tersoff. Từ đó ta

rút ra đƣợc độ dài véc tơ đơn vị a và khoƧng low-buckled 0 nhƣ trong bƧng

3.5. Kích thƣớc hai cƥnh tƩm Si vuông gồm 4032 nguyên tử khi đó là 161,16

Å và 163,16 Å.
BƧng 3.5 Thông số kích thƣớc tƩm Si.

Nguồn trích dẫn 0, (o) a, Å l0, Å 0, Å

Luận án 116,4 3,932 2,313 0,4444
DFT bởi Sahin và cộng sự 116,4 3,83 2,25 0,44
(2009)[93]
DFT bởi Qin và cộng sự (2012) [89] - 3,83 2,25 0,42
DFT bởi Zhao (2012) [131] 116,25 - 2,28 0,45
DFT bởi Peng và cộng sự (2013)[83] 116,134 3,865 2,277 0,454
MD với hàm thế MEAM bởi Pei và - 4,05 2,5 0,85
cộng sự (2014) [81]
MD với hàm thế Reax bởi Roman - 3,76 2,11 0,69
và Cranford (2014) [92]

BƧng 3.4 và 3.5 cho thƩy, thông số hình học của mô hình các vật liệu sử

dụng trong luận án này rƩt gƫn với các nghiên cứu bằng DFT cũng nhƣ MD
50 CHƢƠNG 3 MÔ HÌNH PHƪN TỬ HỮU HƤN NGUYÊN TỬ

của các tác giƧ khác. Các ống vật liệu khi cƫn cũng đƣợc xây dựng bằng cách

cuộn các tƩm vật liệu nhƣ thuật toán đã trình bày trong mục 2.1. Chiều dài

ống sẽ đƣợc chọn cụ thể cho mỗi trƣờng hợp khi mô phỏng ở chƣơng 4.

Mô hình các tƩm và ống vật liệu BN, SiC, Si chứa các khuyết tật hay gặp

trong vật liệu nano dƥng lục giác nhƣ khuyết tật Stone-Wales (SW) và khuyết

tật mƩt đi hai nguyên tử liền kề cũng đƣợc xây dựng khi cƫn, để khƧo sát Ƨnh

hƣởng của chúng tới các đặc trƣng cơ học, ứng xử phá hủy của các vật liệu.
 51

CHƢƠNG 4 KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN

4.1 Giới thiệu

Trong chƣơng này ứng xử cơ học của các vật liệu graphene, BN, SiC, BSb
và Si đƣợc tính toán thông qua mô phỏng các thí nghiệm kéo, thí nghiệm

trƣợt thuƫn túy và thí nghiệm uốn. Kết quƧ tính ra đƣợc bàn luận và so sánh

với các kết quƧ đến từ các công trình đáng tin cậy trƣớc đây.

(a) (b)

(c)
Hình 4.1 Điều kiện biên mô phỏng thí nghiệm: a) tƩm bị kéo; b) tƩm bị trƣợt
thuƫn túy ; c) ống bị kéo.

Mô đun đàn hồi Y và mô đun đàn hồi trƣợt G đƣợc tính nhƣ sau:

Y (4.1)


G (4.2)

Trong đó  và  là ứng suƩt pháp và biến dƥng dài trong thí nghiệm kéo
đúng tâm (hình 4.1a,c);  và  là ứng suƩt tiếp và biến dƥng góc trong thí
nghiệm trƣợt thuƫn túy (hình 4.1b). Chúng là các đƥi lƣợng ứng suƩt và biến
52 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

dƥng kỹ thuật (engineering strain and stress), đƣợc tính dựa vào kích thƣớc

ban đƫu của mẫu không giống nhƣ ứng suƩt và biến dƥng Cauchy hay còn gọi

là ứng suƩt và biến dƥng thật (true strain and stress), cái mà đƣợc tính dựa

trên kích thƣớc mẫu tƥi vị trí biến dƥng đang tính.

Gọi t là độ dày của một lớp vật liệu, cho tới nay đây là đƥi lƣợng chƣa

đƣợc xác định rõ ràng. Do đó mô đun đàn hồi hai chiều Ys (2D Young's

modulus hay Surface Young’s modulus có đơn vị là N/m) lƫn đƫu tiên đƣợc

đề xuƩt bởi Hernández và cộng sự [39]. Khái niệm này sau đó đƣợc dùng phổ

biến khi mô tƧ cơ tính của graphene cũng nhƣ các vật liệu nano có cƩu trúc

tƣơng tự graphene, ví dụ nhƣ trong tài liệu [4, 51, 93]. Không ngoƥi lệ, trong

luận án này mô đun đàn hồi hai chiều Ys , mô đun đàn hồi trƣợt hai chiều Gs

và ứng suƩt hai chiều  t đƣợc tính toán và sử dụng chủ yếu. Chúng là các

đƥi lƣợng không phụ thuộc vào độ dày t và đƣợc xác định nhƣ sau:
F F
t  t (4.3)
bt b
t F
Ys  Y .t   (4.4)
 b
 .t F
Gs  G.t   (4.5)
 b
với b là độ dài của cƥnh đặt lực F . Nhƣng khi cƫn thiết tính mô đun và ứng

suƩt thông thƣờng để so sánh với các tài liệu tham khƧo khác, giá trị độ dày
t đƣợc lƩy bằng 3,35 Å (tham khƧo ở các tài liệu [1, 39, 58, 64, 130]).

4.2 Kết quả và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa

4.2.1 Kéo và trƣợt thuần túy tấm graphene, BN, SiC và BSb

Trong mục này, bài toán kéo đơn trục theo hai phƣơng armchair, zigzag và

bài toán trƣợt thuƫn túy đƣợc mô phỏng tìm đặc trƣng đàn hồi của bốn tƩm

vật liệu graphene, BN, SiC, BSb.

4.2 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 53

Kết quƧ đƣợc đƣa ra trong bƧng 4.1 cho thƩy rằng, sử dụng cùng một hàm

thế, mô đun đàn hồi và mô đun đàn hồi trƣợt tính bởi phƣơng pháp AFEM

sai lệch nhỏ hơn 5% so với kết quƧ tính bởi phƣơng pháp MD lƩy từ nghiên

cứu của tác giƧ Lê Minh Quý và cộng sự [54]. Điều này cho thƩy tính đúng

đắn của mô hình và phƣơng pháp AFEM đƣợc đề xuƩt trong nghiên cứu này.

Bên cƥnh đó, các kết quƧ tính toán đặc trƣng đàn hồi của bốn loƥi vật liệu

sử dụng AFEM cũng đƣợc so sánh với các kết quƧ tính toán bằng các phƣơng
pháp khác đƣợc liệt kê trong bƧng 4.1. Chú ý rằng, ở một số kết quƧ trích

dẫn trong bƧng 4.1, ví dụ nhƣ trong tài liệu [82, 120], các tác giƧ đó đã sử

dụng mô hình liên tục để xác định các hằng số đàn hồi C11 và C12. Từ hai

hằng số này có thể tính ra mô đun đàn hồi Y, mô đun trƣợt G và hệ số

Poisson  nhƣ sau:

C112  C122 C  C12 C

Y , G  11 ,   12 (4.6)
C11 2 C11
BƧng 4.1 Đặc trƣng đàn hồi của tƩm graphene, BN, SiC, BSb tính bởi luận án và so
sánh với kết quƧ của những nghiên cứu khác.

Phƣơng pháp nghiên Mô đun đàn Mô đun đàn hồi Hệ số

Vật liệu
cứu, tác giƧ hồi Ys, N/m trƣợt Gs, N/m Poisson
353 (zig) 152 0,179 (zig)
Graphene AFEM, luận án
347 (arm) 0,175 (arm)
MD, Le và cộng sự 364 (zig) 158 0,15-0,17
2014 [54] 352 (arm)
DFT & mô hình vỏ, 345 150 0,149
Kudin và cộng sự [51]
Mô hình Hyperelastic 350 143 0,221
& DFT, Xu và cộng sự
[122]
DFT, Liu và cộng sự 351 0,186
(2007)[62]
DFT, Sahin và cộng sự 335 0,16
(2009)[93]
Mô hình phi tuyến liên 348 149 0,169
tục & DFT, Wei và
cộng sự 2009) [120]
Mô hình vỏ với hàm thế 360 0,19
Tersoff-Brenner,
Yakobson và cộng sự
(1996) [123]
54 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

Mô hình động lực tinh 1002 GPa (mô 414 GPa (mô 0,21
thể, Popov và cộng sự đun đàn hồi Y) đun trƣợt G)
(2000) [85]
Thí nghiệm tąnh và 1029 GPa (mô 440 GPa (mô 0,17
cộng hƣởng âm, siêu đun đàn hồi Y) đun trƣợt G)
âm, Blakslee và cộng
sự (1970) [10]
Tán xƥ tia X, Bosak và 1092 GPa (mô 485 GPa (mô
cộng sự (2007) [13] đun đàn hồi Y) đun trƣợt G)
Thực nghiệm, Lee và 340 ± 50
cộng sự (2008) [56]
271 (zig) 114 0,226 (zig)
BN AFEM, luận án
266 (arm) 0,222 (arm)
MD, Le và cộng sự 280 (zig) 117 0,19-0,22
2014 [54] 271 (arm)
DFT & mô hình vỏ, 271 112 0,211
Kudin và cộng sự
(2001) [51]
DFT, Sahin và cộng sự 267 0,21
(2009) [93]
Mô hình phi tuyến liên 278 114 0,225
tục & DFT, Peng và
cộng sự (2012) [82]
DFT & phƣơng trình 275,8
cân bằng, Andrew và
cộng sự (2012) [2]
MD, Zhang và cộng sự 267 116 0.15
(2011) [127]
Tán xƥ tia X, Bosak và 776 GPa (mô 321 GPa (mô 0,21
cộng sự (2006) [12] đun đàn hồi Y) đun trƣợt G)
151 (zig) 65 0,176 (zig)
SiC AFEM, luận án
148 (arm) 0,172 (arm)
MD, Le và cộng sự 156 (zig) 68 0,16-0,17
2014 [54] 150 (arm)
DFT, Sahin và cộng sự 166 0,29
(2009) [93]
DFT & phƣơng trình 163,5
cân bằng, Andrew và
cộng sự (2012) [2]
92 (zig) 36 0,327 (zig)
BSb AFEM, luận án
90 (arm) 0,320 (arm)
MD, Le và cộng sự 95 (zig) 37 0,18-0,27
2014 [54] 92 (arm)
DFT, Sahin và cộng sự 91 0,34
(2009) [93]
4.2 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 55

BƧng 4.1 cho thƩy, bằng việc sử dụng phƣơng pháp AFEM, luận án đã tính

ra mô đun đàn hồi hai chiều của graphene là 353 N/m theo phƣơng zigzag và

347 N/m theo phƣơng armchair; mô đun đàn hồi trƣợt hai chiều là 152 N/m

và hệ số Poisson xƩp xỉ 0,18. Các kết quƧ đó rƩt gƫn với các kết quƧ của các

tác giƧ khác nhƣ: Yakobson và cộng sự [123] sử dụng mô hình vỏ mỏng dựa

trên hàm thế Tersoff-Brenner, Popov và cộng sự [85] sử dụng mô hình động

lực tinh thể, Kudin và cộng sự [51] sử dụng mô hình vỏ dựa trên tính toán
DFT, cũng nhƣ các tác giƧ khác trong các tài liệu [62, 93, 120, 122] sử dụng

tính toán DFT. Và kết quƧ thu đƣợc từ AFEM cũng rƩt tƣơng đồng với kết

quƧ đo từ thực nghiệm [10, 13, 56], khi độ dày tƩm đƣợc giƧ thiết t=3,35 Å.

Đặc trƣng đàn hồi của vật liệu BN tính bởi AFEM: mô đun đàn hồi hai
chiều là 271 N/m theo phƣơng zigzag và 266 N/m theo phƣơng armchair; mô

đun đàn hồi trƣợt hai chiều là 114 N/m và hệ số Poisson xƩp xỉ 0,22. Những

giá trị đặc trƣng đàn hồi của BN nêu trên rƩt phù hợp với các giá trị tƣơng

ứng của các nghiên cứu trƣớc đây bởi các phƣơng pháp khác nhƣ sử dụng

tính toán DFT [2, 51, 82, 93], mô phỏng MD bởi Zhang và cộng sự [127]. Với

giƧ thiết độ dày tƩm t=3,35 Å, mô đun đàn hồi và mô đun đàn hồi trƣợt của

BN tính bằng AFEM rƩt gƫn với giá trị thực nghiệm đƣợc đo bởi Bosak và
cộng sự [12]. Tƣơng tự, kết quƧ đặc trƣng đàn hồi của tƩm BSb tính bằng

AFEM cũng rƩt sát với nghiên cứu của Sahin và cộng sự [93] khi sử dụng

DFT. Mô đun đàn hồi của tƩm SiC tính bằng AFEM thƩp hơn khoƧng 7-11%

so với giá trị tính đƣợc bởi các nghiên cứu [2, 93] sử dụng tính toán DFT.

Sự phù hợp giữa những kết quƧ tính đƣợc từ luận án này sử dụng phƣơng

pháp AFEM so với các kết quƧ của các công trình khác sử dụng MD, DFT

cho thƩy rằng mô hình phƫn tử hữu hƥn, ma trận độ cứng luận án đã xây

dựng đƣợc là hoàn toàn đáng tin cậy. Kết quƧ này đóng góp thêm một

phƣơng pháp tính đặc trƣng đàn hồi của các vật liệu nano một cách nhanh

chóng mà vẫn đƧm bƧo độ chính xác nhƣ những phƣơng pháp chuẩn mực
khác nhƣ DFT và MD.
56 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.2.2 Kéo ống C, BN, SiC, BSb

Với mô hình đáng tin cậy đã xây dựng đƣợc cho mô hình tƩm nêu ở mục

trên, bài toán kéo đúng tâm mô hình ống đƣợc thực hiện để tính toán mô

đun đàn hồi.

Đƫu tiên, để thƩy đƣợc sự phụ thuộc của giá trị mô đun đàn hồi ống vào

chiều dài ống, hai ống SWCNT (10,0) và (10,10) với các chiều dài thay đổi

đƣợc chọn để khƧo sát. Kết quƧ đƣợc liệt kê ở bƧng 4.2.
BƧng 4.2 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của SWCNT phụ thuộc vào tỷ lệ chiều
dài (L) trên đƣờng kính ống (D).

Kích thƣớc (nm) L = 5D L = 10D L = 15D L = 20D L = 22D

(10,0), D=0,783 337,7 339,5 340,1 340,4 340,5
(10,10), D=1,356 347,6 348,2 348,4 348,5 348,5

Từ bƧng 4.2 ta thƩy mô đun đàn hồi của cƧ ống armchair (10,10) và ống

zigzag (10,0) đều tăng nhẹ khi chiều dài của ống tăng. Tuy nhiên, khi chiều

dài ống tăng đủ lớn thì giá trị mô đun đàn hồi của ống dƫn ổn định. Cụ thể

từ giá trị L=15D trở đi, mô đun đàn hồi không còn thay đổi nhiều. Do đó tỷ lệ

L=15D đƣợc chọn cố định, sau đó thay đổi đƣờng kính ống khác nhau để tìm

sự Ƨnh hƣởng của đƣờng kính ống tới giá trị mô đun đàn hồi của ống. Kết
quƧ đƣợc liệt kê ở bƧng 4.3.
BƧng 4.3 Mô đun đàn hồi hai chiều Ys (N/m) của ống SWCNT, BN, SiC, BSb theo
đƣờng kính ống. Tỷ lệ chiều dài trên đƣờng kính cố định L/D=15.

Chỉ số SWCNT Ống BN Ống SiC Ống BSb

(n, m) D Ys D Ys D Ys D Ys
(Å) (N/m) (Å) (N/m) (Å) (N/m) (Å) (N/m)
(4,0) 3,13 300,8 3,20 227,1 3,90 128,3 4,68 74,6
(5,0) 3,91 315,7 4,00 238,5 4,88 134,5 5,84 78,7
(6,0) 4,70 324,9 4,80 245,5 5,86 138,3 7,01 81,2
(7,0) 5,48 330,9 5,60 250,2 6,83 140,8 8,18 82,9
(8,0) 6,26 335,0 6,40 253,3 7,81 142,5 9,35 84,1
(9,0) 7,05 337,9 7,20 255,6 8,78 143,7 10,52 84,9
(10,0) 7,83 340,1 7,99 257,3 9,76 144,6 11,69 85,6
(15,0) 11,74 345,4 11,99 261,4 14,64 146,9 17,53 87,1
(20,0) 15,66 347,4 15,99 263,0 19,52 147,7 23,38 87,7
4.2 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 57

(3,3) 4,07 333,3 4,15 252,2 5,07 141,8 6,07 83,8

(4,4) 5,42 340,1 5,54 257,4 6,76 144,7 8,10 85,7
(5,5) 6,78 343,5 6,92 260,0 8,45 146,1 10,12 86,6
(6,6) 8,14 345,4 8,31 261,5 10,14 146,9 12,15 87,2
(7,7) 9,49 346,6 9,69 262,4 11,83 147,4 14,17 87,5
(8,8) 10,85 347,4 11,08 263,1 13,52 147,7 16,20 87,7
(9,9) 12,20 348,0 12,46 263,5 15,21 147,9 18,22 87,9
(10,10) 13,56 348,4 13,85 263,8 16,90 148,1 20,24 88,0
(12,12) 16,27 348,9 16,62 264,2 20,28 148,3 24,29 88,2

BƧng 4.3 và hình 4.2 cho thƩy, ở cùng một giá trị đƣờng kính, mô đun đàn

hồi của ống armchair lớn hơn so với ống zigzag. Tuy vậy cƧ hai giá trị đều

tăng khi đƣờng kính ống tăng, và tiến sát giá trị của vật liệu dƥng tƩm tƣơng

ứng khi đƣờng kính ống đủ lớn. Hiện tƣợng này cũng đã đƣợc khẳng định ở

nghiên cứu của Baumeier và cộng sự [4] khi khƧo sát ống SiC, BN và BeO
bằng phƣơng pháp DFT và nghiên cứu của Chang và cộng sự [19] khi tính

toán mô đun đàn hồi của SWCNT bằng phƣơng pháp MM.

400
CNT(n,n)
CNT(n,0)
350 BN(n,n)
Mô đun đàn hồi hai chiều Ys, N/m

BN(n,0)
SWCNT
SiC(n,n)
300 SiC(n,0)
BSb(n,n)
250 BSb(n,0)
Ống BN

200

150
Ống SiC
100
Ống BSb
50
0 5 10 15 20 25
Đƣờng kính ống, Å

Hình 4.2 Mô đun đàn hồi hai chiều của 4 loƥi ống vật liệu theo đƣờng kính ống.
(Các đƣờng nằm ngang là mô đun đàn hồi của các tƩm zigzag (nét liền)
và tƩm armchair (nét đứt) của vật liệu tƣơng ứng).
58 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.3 Kết quả và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff

Trong mục này, bằng việc sử dụng hàm thế Tersoff, ứng xử phi tuyến của

các mô hình vật liệu đƣợc tính toán. Các tƩm, ống vật liệu nano sẽ bị kéo,

uốn từ biến dƥng nhỏ để tính toán mô đun đàn hồi cho tới biến dƥng lớn để

khƧo sát ứng xử phá hủy của chúng. Các đƣờng cong liên hệ nội lực, ứng suƩt
và biến dƥng sẽ đƣợc thiết lập và đƣa ra bàn luận. Trong luận án này quy ƣớc

giá trị tới hƥn là giá trị mà tƥi đó nội lực, ứng suƩt của vật liệu bắt đƫu giƧm,

hoặc dao động mƩt ổn định trong khi biến dƥng tăng.

Bên cƥnh mô hình tƩm và ống nguyên (mô hình lý tƣởng không chứa

khuyết tật), những mô hình tƩm và ống chứa khuyết tật mƩt hai nguyên tử

liền kề, khuyết tật SW cũng đƣợc khƧo sát trong mục này.

4.3.1 Kéo tấm graphene, BN, và SiC

BN và SiC là hai tƩm vật liệu đƣợc chọn cho bài toán mô phỏng kéo đơn

trục. Bên cƥnh đó, do đã có nhiều kết quƧ nghiên cứu [22, 49, 62, 121, 122,

129], nên graphene cũng đƣợc tính toán trong nghiên cứu này để so sánh

nhằm khẳng định tính đúng đắn của mô hình và phƣơng pháp AFEM sử

dụng trong luận án. Kết quƧ thu đƣợc trong mục này đƣợc so sánh với các

kết quƧ thu đƣợc bằng mô phỏng MD sử dụng cùng một thông số hàm thế

bởi tác giƧ Lê Minh Quý. Cụ thể, kết quƧ nghiên cứu về tƩm BN, SiC sử dụng

mô phỏng MD đƣợc lƩy từ nghiên cứu [53], kết quƧ nghiên cứu về tƩm

graphene đƣợc lƩy từ nghiên cứu [52] của Lê Minh Quý và cộng sự.
 và  tƣơng ứng là ứng suƩt pháp kỹ thuật và biến dƥng dài kỹ thuật
(engineering stress and strain), đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng     sẽ đƣợc

xây dựng và đƣa ra trong mục này. Mô đun đàn hồi khi đó đƣợc xác định

bằng cách lƩy đƥo hàm bậc nhƩt của đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng (chỉ lƩy

những giá trị ở biến dƥng   5% ) tƥi   0 .

4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 59

45
AFEM,
MDFEM,zigzig.
40
MDFEM,
AFEM, arm.
arm
35 MD,[52],
MD zig. zig
Ứng suƩt hai chều σt, N/m MD [52], arm
MD,arm.
30

25

20

15
Graphene
10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
Biến dƥng kéo

a)
40
AFEM,
MDFEM,zigzig.
35 AFEM,
MDFEM,armarm.
MD
MD[53],
[21], zig
zig.
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

30 MD[53],
MD [21],arm
arm.

25

20

15
BN
10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
Biến dƥng kéo

b)
60 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

25
MDFEM,
AFEM, zigzig.
MDFEM,
AFEM, armarm.
20 MD [53],
[21], zig
zig.
Ứng suƩt hai chiều t, N/m MD
MD [53],
[21], arm
arm.

15

10
SiC
5

0
0
0.150.050.2 0.1 0.25 0.3
Biến dƥng kéo
c)
Hình 4.3 So sánh đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng tính bởi AFEM và MD khi kéo
các tƩm nguyên: (a) graphene; (b) tƩm BN; (c) tƩm SiC.

Quan sát kết quƧ đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng của các tƩm vật liệu

nguyên khi chịu kéo đơn trục trên hình 4.3 ta thƩy, kết quƧ khi tính bằng

MD và AFEM gƫn nhƣ trùng khít nhau trƣớc khi tới điểm phá hủy. Bên cƥnh

đó, mô đun đàn hồi thu đƣợc giữa hai phƣơng pháp MD và AFEM sai khác

không quá 5% (xem bƧng 4.4). Sự sai khác này có thể xuƩt phát từ việc xây

dựng mô hình trong AFEM. Do để đơn giƧn, mô hình trong AFEM đƣợc tƥo
nên với thông số chiều dài liên kết đƣợc tính từ MD [53] sau khi để hệ tự cân
bằng ở 0K. Sau đó tọa độ các nguyên tử đƣợc tính toán từ cƩu trúc lƣới lục

giác của các vật liệu chứ không phƧi lƩy từ MD.

Với cùng bộ thông số hàm thế mô phỏng, AFEM và MD cho ra kết quƧ

đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng gƫn nhƣ trùng khớp nhau trƣớc khi tới điểm

phá hủy. Trong đó, năm 2014 tác giƧ Lê Minh Quý [53] đã sử dụng mô

phỏng MD với bán kính ngắt trong hàm ngắt đã điều chỉnh Rij=Sij (xem mục

3.3.2). Ngƣợc lƥi, phƣơng pháp AFEM sử dụng trong luận án này đã loƥi bỏ
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 61

hoàn toàn bằng việc không dùng hàm ngắt. Điều này dẫn tới ứng suƩt và biến

dƥng phá hủy thu đƣợc từ mô phỏng MD [53] và AFEM đều tránh đƣợc điểm

kỳ dị (đồ thị lực nhƧy vọt đột ngột) nhƣ đã nêu trong mục 3.3.2. Nhƣng do

mô phỏng MD [53] vẫn sử dụng hàm ngắt nên tƣơng tác giữa các nguyên tử

sẽ bị mƩt đi khi khoƧng cách giữa chúng vƣợt qua giá trị Sij trong hàm ngắt.

Trong khi thực tế tƣơng tác giữa chúng có thể nhỏ nhƣng vẫn còn. Điều này

cho thƩy tính hợp lý của AFEM bằng việc không dùng hàm ngắt sẽ cho ra ứng
suƩt và biến dƥng phá hủy cao hơn so với khi tính bằng MD.

BƧng 4.4 liệt kê chi tiết các kết quƧ có đƣợc của luận án cùng với các kết

quƧ của các nghiên cứu trƣớc đây để so sánh. Trong đó, ứng suƩt và biến

dƥng sử dụng trong bƧng là ứng suƩt và biến dƥng kỹ thuật, ngoƥi trừ kết quƧ
trích dẫn từ tài liệu [62, 122] cho graphene là ứng suƩt Cauchy. Và trong

nghiên cứu này, hệ số Poisson của tƩm graphene nguyên khá thƩp (giƧm dƫn

từ giá trị ~0,07 khi biến dƥng tăng). Điều này có thể giƧi thích là do bộ thông

số hàm thế của graphene [60]. Bởi vì hệ số Poisson của graphene tính ra

thƩp nên ứng suƩt kỹ thuật có đƣợc từ nghiên cứu của luận án gƫn nhƣ tƣơng

đƣơng với ứng suƩt Cauchy do đó ta có thể so sánh kết quƧ từ phƣơng pháp

DFT trong tài liệu tham khƧo [62, 122] với kết quƧ tính ra từ nghiên cứu của
luận án này. Và kết quƧ so sánh cho thƩy rằng, mô đun đàn hồi và ứng suƩt

phá hủy tính bằng AFEM của luận án là rƩt gƫn với các kết quƧ tính bằng

phƣơng pháp DFT [62, 122], và thực nghiệm [56] (xem bƧng 4.4). Điều này

khẳng định tính chính xác của phƣơng pháp AFEM sử dụng trong luận án

này. Bên cƥnh đó, do không sử dụng đến hàm ngắt, phƣơng pháp AFEM đã

tính đƣợc ứng suƩt (hai chiều) phá hủy của tƩm graphene nguyên theo

phƣơng armchair là 37,0 N/m, giá trị này rƩt gƫn với giá trị 36,7 N/m [62] và

36,4 N/m [122] tính bằng DFT với sai khác chƣa tới 2%, trong khi phƣơng

pháp MD [52] cho ra giá trị khá thƩp là 28,5 N/m. Về giá trị biến dƥng phá

hủy, kết quƧ của luận án cũng tiến gƫn tới giá trị khi tính bằng DFT [62, 122]
hơn khi so sánh với kết quƧ tính bởi MD [52].
62 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

BƧng 4.4 Đặc trƣng cơ học khi kéo của tƩm graphene, BN và SiC nguyên tính bởi
luận án và so sánh với các nghiên cứu khác.

Mô đun đàn Ứng suƩt Biến dƥng

Phƣơng pháp nghiên
Vật liệu hồi Ys, phá hủy σt, phá hủy,
cứu, tác giƧ
N/m N/m %
358 (zig) 40,3 (zig) 20,0 % (zig)
Graphene AFEM, luận án
350 (arm) 37,0 (arm) 18,1% (arm)
MD, Le và cộng sự [52] 373 (zig) 41,1 (zig) 19,6% (zig)
với hàm thế Tersoff lƩy 350 (arm) 28,5 (arm) 11,4% (arm)
từ [60]
DFT, Liu và cộng sự 351 40,4 (zig) 26,6% (zig)
(2007) [62] 36,7 (arm) 19,4% (arm)
Mô hình Hyperelastic 350 40,0 (zig) 24% (zig)
và DFT, Xu và cộng sự 36,4 (arm) 19% (arm)
[122]
Thực nghiệm, Lee và 340 ± 50 42 ± 4 25%
cộng sự (2008) [56]
258 (zig) 37,7 (zig) 25,7 % (zig)
BN AFEM, luận án
251 (arm) 35,5 (arm) 26,4% (arm)
MD, Le [53] với hàm 263,4 (zig) 36,1 (zig) 22,7% (zig)
thế Tersoff lƩy từ [98] 253,3 (arm) 29,7 (arm) 17,7% (arm)
DFT, Kudin và cộng sự 271
[51]
Tán xƥ tia X, Bosak và 776 GPa (mô
cộng sự [12] đun đàn hồi Y)
DFT, Sahin và cộng sự 267
[93]
DFT, Topsakal và 258 (dƧi
Ciraci [111] armchair)
MD, Zhang và cộng sự 267
[127]
DFT, Peng và cộng sự 278
[82]
DFT và phƣơng trình 275,8
trƥng thái, Andrew và
cộng sự [2]
174 (zig) 20,7 (zig) 24,8 % (zig)
SiC AFEM, luận án
171 (arm) 17,9 (arm) 18,5% (arm)
MD, Le [53] với hàm 179,6 (zig) 20,5 (zig) 22,8% (zig)
thế Tersoff lƩy từ [27] 173,4 (arm) 17,6 (arm) 17,4% (arm)
DFT, Sahin và cộng sự 166
[93]
DFT và phƣơng trình 163,5
trƥng thái, Andrew và
cộng sự [2]
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 63

Trƣờng hợp tƩm BN và SiC nguyên, mô đun đàn hồi hai chiều của tƩm BN

tính đƣợc trong luận án này là 258 N/m theo phƣơng zigzag và 251 N/m theo

phƣơng armchair. Những giá trị này rƩt phù hợp với kết quƧ khi tính bởi

phƣơng pháp DFT [2, 51, 82, 93, 111], cũng nhƣ phƣơng pháp MD bởi tác

giƧ Zhang và cộng sự năm 2011 [127]. Nếu coi độ dày tƩm là t=3,35 Å, kết

quƧ mô đun đàn hồi của BN tính bởi AFEM là 770 GPa (theo phƣơng zigzag)

và 749 GPa (theo phƣơng armchair), những giá trị này rƩt gƫn với giá trị 776
GPa đƣợc đo thực nghiệm bởi tác giƧ Bosak và cộng sự năm 2006 [12] sử

dụng phƣơng pháp đo tán xƥ tia X. Mô đun đàn hồi hai chiều của tƩm SiC

tính bởi AFEM là 174 N/m theo phƣơng zigzag và 171 N/m theo phƣơng

armchair, cao hơn 3-7% so với kết quƧ tính bởi DFT [2, 93]. Kết quƧ ứng
suƩt phá hủy hai chiều của tƩm BN tính bởi AFEM là 37,7 N/m theo phƣơng

zigzag và 35,5 N/m theo phƣơng armchair. Tƣơng tự, ứng suƩt phá hủy hai

chiều của tƩm SiC là 20,7 N/m theo phƣơng zigzag và 17,9 N/m theo phƣơng

armchair.

So sánh với đặc trƣng đàn hồi của tƩm graphene nguyên tính từ thực

nghiệm [56], mô đun đàn hồi của tƩm BN và tƩm SiC nguyên tính ra ở luận

án này tƣơng ứng bằng 76% và 51%. Ứng suƩt phá hủy của tƩm BN nguyên
bằng khoƧng 90% và tƩm SiC nguyên bằng khoƧng 49% so với tƩm graphene

nguyên theo phƣơng zigzag.

Với trƣờng hợp tƩm bị khuyết tật, luận án này chỉ xét tới từng khuyết tật

riêng lẻ xƧy ra ở trung tâm của tƩm. Cụ thể có ba trƣờng hợp đƣợc nghiên

cứu là: tƩm bị khuyết tật kiểu SW1, tƩm bị khuyết tật kiểu SW2 và tƩm bị

khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử liền kề (xem hình 2.5). Ta thƩy tỷ lệ khuyết

tật đƣợc nghiên cứu ở đây là rƩt nhỏ (khoƧng 0,05% trong tƣờng hợp khuyết

tật mƩt hai nguyên tử so với tƩm 4032 nguyên tử). Kết quƧ đƣờng cong ứng

suƩt-biến dƥng của tƩm BN bị các loƥi khuyết tật nêu trên khi so sánh với

tƩm BN nguyên (tƩm không có khuyết tật) đƣợc đƣa ra trên hình 4.4.
64 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

40
Pristine
TƩm nguyên
35 TƩm
2-atommƩt 2 nguyên tử
vacancy
TƩm bị SW1
SW1
30
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m SW2
TƩm bị SW2

25

20

15

10 Kéo tƩm BN
phƣơng zigzag
5

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
Biến dƥng kéo
a)
40
TƩm nguyên
Pristine
35
TƩm mƩt
2-atom 2 nguyên tử
vacancy
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

30 SW1 bị SW1
TƩm
SW2 bị SW2
TƩm
25

20

15
Kéo tƩm BN
10
phƣơng armchair
5

0
0
0.15 0.05
0.2 0.1
0.25 0.3
Biến dƥng kéo
b)
Hình 4.4 So sánh đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng khi kéo tƩm BN trong hai
trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật: (a) phƣơng zigzag ; (b)
phƣơng armchair.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 65

Quan sát hình 4.4 ta thƩy đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng của tƩm BN

nguyên và tƩm BN bị khuyết tật rƩt khớp nhau trƣớc khi tới điểm phá hủy.

Kết quƧ của SiC cũng tƣơng tự. Điều này cho thƩy đặc trƣng đàn hồi nhƣ mô

đun đàn hồi của tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật gƫn nhƣ tƣơng đƣơng nhau,

ngoƥi trừ việc tƩm có khuyết tật bị phá hủy sớm hơn so với tƩm nguyên. Hiện

tƣợng này cũng xƧy ra tƣơng tự với graphene và CNT trong nghiên cứu [49,

129] tính bằng cơ học phân tử (MM) và các nghiên cứu [22, 121] tính bằng
động lực phân tử (MD).

Vị trí xƧy ra phá hủy đƣợc tổng hợp chi tiết trong bƧng 4.5. Ở đó ta thƩy

rằng trong trƣờng hợp tƩm nguyên, vị trí phá hủy xƧy ra ở biên kéo (hình

4.5). Trong khi trƣờng hợp tƩm bị khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử liền kề thì
vị trí phá hủy luôn xƧy ra tƥi vị trí khuyết tật với hiện tƣợng lỗ trống do mƩt

nguyên tử ngày một rộng ra khi biến dƥng kéo tăng (hình 4.6). Điều này có

thể dễ dàng giƧi thích bởi việc mƩt đi nguyên tử làm tƩm bị yếu đi cục bộ tƥi

vị trí khuyết tật. Trong khi đó, trƣờng hợp khuyết tật SW1 và SW2 số lƣợng

nguyên tử và liên kết vẫn giữ nguyên (chỉ có một liên kết bị xoay đi 90o chứ

không mƩt đi) nên khuyết tật SW1 và SW2 không làm tƩm yếu đi nhiều nhƣ

trƣờng hợp khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử. Bên cƥnh đó, liên kết sau khi bị
khuyết tật SW1 trở nên song song với phƣơng zigzag còn đóng góp vào việc

chống lƥi lực kéo và khƧ năng bị phá hủy xƧy ra tƥi vị trí khuyết tật theo

phƣơng zigzag. Ngƣợc lƥi, liên kết sau khi bị khuyết tật SW2 tƥo góc 30o so

với phƣơng armchair thì đóng góp vào việc chống lƥi lực kéo và khƧ năng bị

phá hủy xƧy ra tƥi vị trí khuyết tật theo phƣơng armchair. Mặt khác, ở biến

dƥng nhỏ hệ số Poisson tính đƣợc trong nghiên cứu này cho tƩm BN là ~0,29

trong khi của SiC là ~0,18, tức là khi chịu kéo thì phƣơng vuông góc trong

tƩm BN sẽ bị co lƥi nhiều hơn trong tƩm SiC. Điều này dẫn tới, tƩm BN

khuyết tật SW1 khi kéo theo phƣơng zigzag và tƩm BN khuyết tật SW2 khi

kéo theo phƣơng armchair vẫn bị phá hủy ở biên kéo trong khi tƩm SiC thì
không.
66 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

BƧng 4.5 So sánh đặc trƣng cơ học khi kéo tƩm BN, SiC nguyên và bị khuyết tật.

Phƣơng kéo, Dƥng Mô đun đàn Ứng suƩt Biến dƥng Vị trí bị
vật liệu khuyết tật hồi Ys , phá hủy σt, phá hủy, phá hủy
N/m N/m %
Zigzag TƩm nguyên 257,9 37,7 25,7 Biên kéo
BN MƩt hai 256,6 31,0 16,9 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 257,2 35,1 21,1 Biên kéo
SW2 257,9 31,4 17,0 Vị trí
khuyết tật
Armchair TƩm nguyên 251,1 35,5 26,4 Biên kéo
BN MƩt hai 248,4 30,1 17,9 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 250,9 31,8 19,9 Vị trí
khuyết tật
SW2 250,6 33,2 22 Biên kéo
Zigzag TƩm nguyên 174,1 20,7 24,8 Biên kéo
SiC MƩt hai 173,3 15,6 13,0 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 173,5 18,6 17,8 Vị trí
khuyết tật
SW2 174,0 14,9 12,0 Vị trí
khuyết tật
Armchair TƩm nguyên 171,3 17,9 18,5 Biên kéo
SiC MƩt hai 171,0 15,1 12,5 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 171,0 14,3 11,3 Vị trí
khuyết tật
SW2 171,0 17,0 15,9 Vị trí
khuyết tật

Hình Ƨnh tƩm bị phá hủy đƣợc minh họa bởi các hình 4.5 và 4.6, ở đó ta

quy ƣớc một liên kết sẽ đƣợc vẽ bằng đƣờng màu đỏ nếu khoƧng cách liên

kết lớn hơn giá trị Sij trong hàm ngắt ở phƣơng trình 2.14c và liên kết sẽ

không đƣợc vẽ khi khoƧng cách liên kết đó lớn hơn hai lƫn chiều dài liên kết

ban đƫu.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 67

a)=24,8%;

b)=25,0%;
Hình 4.5 Hình dƥng tƩm SiC nguyên bị kéo theo phƣơng zigzag: a) tƩm chƣa xuƩt
hiện phá hủy ở biến dƥng =24,8% ứng với ứng suƩt lớn nhƩt; b) tƩm bị
phá hủy ở biến dƥng =25,0%.
68 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

a)=13,0%;

b)=13,4%;
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 69

c) =13,7%
Hình 4.6 Hình dƥng tƩm SiC khuyết mƩt hai nguyên tử ở trung tâm bị kéo đơn
trục theo phƣơng zigzag: a) tƩm ở biến dƥng =13,0% ứng với ứng suƩt
đƥt giá trị lớn nhƩt; b) tƩm ở biến dƥng =13,4% và c) tƩm ở biến dƥng
=13,7%.

Cụ thể, hình 4.5 cho thƩy tƩm SiC nguyên chƣa thƩy có hiện tƣợng phá

hủy trƣớc biến dƥng =24,8% (biến dƥng ứng với ứng suƩt lớn nhƩt), nhƣng

tới biến dƥng =25,0% tƩm SiC nguyên đã bị phá hủy rõ dàng. Hiện tƣợng

tƣơng tự cũng xƧy ra ở các trƣờng hợp khác. Qua đây ta thƩy, tƩm BN và SiC

có cơ chế phá hủy giòn, việc phá hủy xƧy ra rƩt nhanh và đƣờng cong ứng

suƩt biến dƥng cũng rơi đột ngột trên đồ thị. Chú ý rằng, với vật liệu dẻo biến
dƥng tới hƥn (biến dƥng ứng với ứng suƩt lớn nhƩt) sẽ thƩp hơn so với biến

dƥng phá hủy. Tức là sau khi đƥt ứng suƩt lớn nhƩt, vật liệu dẻo còn biến

dƥng khá lớn trƣớc khi bị phá hủy hoàn toàn. Trong nghiên cứu này cho

thƩy, graphene, BN và SiC đều có cơ chế phá hủy dƥng vật liệu giòn vì biến

dƥng tới hƥn của chúng xƩp xỉ biến dƥng phá hủy. Ví dụ với tƩm SiC nguyên

khi bị kéo theo phƣơng zigzag, biến dƥng tới hƥn là 24,8% và nó bị phá hủy

ngay sau đó ở biến dƥng phá hủy là 25,0%. Do đó biến dƥng tới hƥn có thể

đƣợc coi là biến dƥng phá hủy trong trƣờng hợp này.
70 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

40
TƩm nguyên
Pristine
35 TƩm
2-atommƩt 2 nguyên tử
vacancy
TƩm
SW1 bị SW1

Ứng suất phá hủy σt, N/m

30 TƩm
SW2 bị SW2

25

20

15

10

0
Zigzag BN Armchair BN Zigzag SiC Armchair SiC
(a)
0.3
TƩm nguyên
Pristine
TƩm
2-atommƩt 2 nguyên tử
vacancy
0.25 TƩm
SW1 bị SW1
TƩm bị SW2
SW2
Biến dạng phá hủy

0.2

0.15

0.1

0.05

0
Zigzag BN Armchair BN Zigzag SiC Armchair SiC

(b)
Hình 4.7 So sánh: (a) ứng suƩt phá hủy và (b) biến dƥng phá hủy khi kéo tƩm
BN, SiC giữa trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật.

BƧng 4.5 và hình 4.7 so sánh đặc trƣng cơ học của tƩm BN, SiC ở hai

trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật. Qua đó ta thƩy, mô đun đàn hồi
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 71

của tƩm bị khuyết tật chỉ giƧm chƣa tới 1,5% so với tƩm nguyên. Trong khi

đó ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của tƩm bị khuyết tật lƥi giƧm đáng kể. Cụ

thể, ứng suƩt phá hủy của tƩm BN bị mƩt hai nguyên tử giƧm từ 15-18% và

biến dƥng phá hủy giƧm 32-34%. Với tƩm SiC, khuyết tật mƩt đi hai nguyên

tử làm giƧm 16-25% ứng suƩt phá hủy và 32-48% biến dƥng phá hủy. Còn với

khuyết tật SW, nhƣ đã phân tích ở trên, số lƣợng nguyên tử trong tƩm bị SW

không thay đổi (do chỉ là một liên kết bị xoay đi 90o) nên SW cũng làm tƩm
bị yếu đi bằng việc ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của tƩm lúc này cũng bị

giƧm nhƣng độ giƧm vẫn ít hơn so với trƣờng hợp tƩm bị khuyết tật mƩt hai

nguyên tử liền kề. Bên cƥnh đó, do SW1 làm một liên kết trở nên song song

với phƣơng zigzag nên tƩm có SW1 có khƧ năng chịu kéo theo phƣơng zigzag
tốt hơn theo phƣơng armchair. Ngƣợc lƥi tƩm bị SW2 lƥi có khƧ năng chịu

kéo theo phƣơng armchair tốt hơn theo phƣơng zigzag. Nhƣng nhìn chung

SW1 và SW2 vẫn làm cho tƩm bị yếu đi, cụ thể khuyết tật SW làm giƧm từ 7-

17% ứng suƩt phá hủy trong tƩm BN và từ 5-28% trong tƩm SiC.

Việc ứng suƩt và biến dƥng phá hủy giƧm mƥnh trong khi mô đun đàn hồi

giƧm ít với tƩm có khuyết tật nhỏ cũng từng đƣợc trình bày trong các nghiên

cứu [49, 129] tính bằng cơ học phân tử (MM) và các nghiên cứu [22, 121]
tính bằng động lực phân tử (MD) cho vật liệu graphene và CNT. Ví dụ, sử

dụng phƣơng pháp mô phỏng MM, Zhang và cộng sự (2005) [129] và Khare

và cộng sự (2007) [49] cho rằng ứng suƩt phá hủy của CNT bị khuyết tật nhẹ

(mƩt 1-2 nguyên tử) giƧm từ 20-30%, biến dƥng phá hủy giƧm 52-61% với

CNT (5, 5) và (10, 0). Chú ý rằng hàm thế REBO sử dụng trong phƣơng pháp

mô phỏng MM cũng không dùng tới hàm ngắt nhƣ trong nghiên cứu của luận

án này. Thêm nữa, Chowdhury và cộng sự (2012) [22] đã sử dụng mô phỏng

MD với hàm thế Tersoff-Brenner ở 300K cho rằng với SWCNT (10,10) với

500 nguyên tử khi bị mƩt đi 1 nguyên tử thì ứng suƩt phá hủy giƧm 15% và

biến dƥng phá hủy giƧm 31% so với ống nguyên. Do đó, có thể nói trong
trƣờng hợp này, tƩm BN và SiC có nét tƣơng đồng với graphene.
72 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.3.2 Kéo tấm Si

Kết quƧ kéo tƩm Si nguyên đƣợc đƣa ra trên hình 4.8 và bƧng 4.6. Trong

đó bƧng 4.6 liệt kê kết quƧ mô đun đàn hồi, hệ số Poisson, ứng suƩt phá hủy

và biến dƥng phá hủy của tƩm Si nguyên tính bởi luận án và bởi một số tác

giƧ khác để so sánh.

BƧng 4.6 Đặc trƣng cơ học khi chịu kéo của tƩm Si nguyên.

Phƣơng pháp nghiên Mô đun đàn Hệ số Ứng suƩt Biến dƥng phá
cứu, tác giƧ hồi Ys, Poisson phá hủy σt, hủy,
N/m N/m %
AFEM, luận án 60,0 (zig) 0,28 (zig) 8,2 (zig) 23,2% (zig)
59,7 (arm) 0,25 (arm) 7,9 (arm) 21,2% (arm)
DFT, Sahin và cộng 62 0,30 - -
sự (2009) [93]
DFT, Qin và cộng sự 63 0,31 - ~ 20%
(2012) [89]
DFT, Peng và cộng 63,8 0,325 - -
sự (2014) [81]
DFT, Topsakal và 62 - - ~23%, dƧi
Ciraci (2010) [111] armchair
DFT, Zhao (2012) 63,5 (zig) 0,37 (zig) 7,07 (zig) 18% (zig)
[131] 60,1 (arm) 0,41 (arm) 5,66 (arm) 14% (arm)
DFT, Jing và cộng 62,4 (zig) - - -
sự (2013) [48] 59,1 (arm)
MD, Jing và cộng sự 65,0 (zig) - 7,6 (zig) 19,5% (zig)
(2013) sử dụng hàm 64,6 (arm) 6,5 (arm) 15,5% (arm)
thế EDIP [48]
TƩm vuông
21nm x 21nm.
MD, Roman & 50,4 (zig) - 5,85 (zig) ~18% (zig)
Cranford (2014) sử 62,3 (arm) 4,78 (arm) 8,86% (arm)
dụng tham số lực
TƩm vuông
Reax [92]
10nm x 10nm.

Quan sát hình 4.8 ta thƩy ở cùng một biến dƥng nhỏ ban đƫu, ứng suƩt khi

kéo theo phƣơng armchair nhỏ hơn không đáng kể so với ứng suƩt khi kéo

theo phƣơng zigzag. Do đó mô đun đàn hồi hai chiều của tƩm Si tính ở biến
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 73

dƥng nhỏ theo hai phƣơng khá gƫn nhau là 60,0 N/m và 59,7 N/m, chúng rƩt

gƫn với giá trị tính đƣợc bằng phƣơng pháp DFT ở các tài liệu [48, 81, 89, 93,

111, 131]. Hệ số Poisson của tƩm Si ở biến dƥng nhỏ là 0,28 theo phƣơng

zigzag và 0,25 theo phƣơng armchair, giá trị này rƩt gƫn với giá trị 0,3 tính

bởi Sahin và cộng sự (2009) [93] và 0,31 tính bởi Qin và cộng sự (2012) [89]

tính bằng phƣơng pháp DFT. Ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của tƩm Si theo

phƣơng zigzag tƣơng ứng là 8,2 N/m và 23,2% cao hơn một chút so với giá trị
tƣơng ứng trong phƣơng armchair là 7,9 N/m và 21,2%. Biến dƥng phá hủy

của tƩm Si nguyên tính đƣợc từ luận án này tƣơng đồng với giá trị tính bằng

DFT bởi Qin và cộng sự (2012) [89] , bởi Topsakal và Ciraci (2010) [111].

Ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của Si tính bởi luận án cao hơn so với giá trị
tƣơng ứng tính bằng mô phỏng MD sử dụng hàm thế EDIP [48], Reax [92] và

DFT bởi Zhao [131]. Sự cao hơn này có thể giƧi thích là do giá trị tính bằng

phƣơng pháp MD liệt kê trong bƧng 4.6 đã sử dụng hàm thế và kích thƣớc

tƩm khác so với luận án.

9
Zigzag
8
Armchair
7
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

3 Si, tƩm nguyên

2

0
0 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24
Biến dƥng kéo

Hình 4.8 Đồ thị đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo của tƩm Si nguyên.
74 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

9
Pristine
TƩm nguyên
8
2-atom
TƩm mƩtvacancy
2 nguyên tử
7 SW1
TƩm bị SW1
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m
6 TƩm bị SW2
SW2

3
Kéo tƩm Si
2 phƣơng zigzag
1

0
0 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24
Biến dƥng kéo
a)
9
Pristine
TƩm nguyên
8
2-atom
TƩm mƩtvacancy
2 nguyên tử
7 TƩm bị SW1
SW1
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

6 TƩm bị SW2
SW2

2 Kéo tƩm Si
phƣơng armchair
1

0
0 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24
Biến dƥng kéo
b)
Hình 4.9 So sánh đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo tƩm Si trƣờng hợp
nguyên và bị khuyết tật a) theo phƣơng zigzag; b) theo phƣơng
armchair.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 75

Hai kiểu khuyết tật là khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử liền kề và khuyết tật

Stone-Wales (SW) cũng đƣợc nghiên cứu trên tƩm Si. Hình 4.9 cho thƩy

đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng của tƩm Si khi bị khuyết tật so với tƩm Si

nguyên gƫn nhƣ giống hệt nhau trƣớc khi tới điểm phá hủy. Tuy nhiên, cũng

giống nhƣ BN và SiC, giá trị ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của tƩm Si có

khuyết tật giƧm đi đáng kể so với tƩm Si nguyên. Hình 4.10 cho thƩy hệ số

Poisson ở biến dƥng nhỏ gƫn nhƣ không bị Ƨnh hƣởng bởi khuyết tật mƩt đi
hai nguyên tử hay khuyết tật SW trên tƩm Si.

0.40
TƩm nguyên
TƩm mƩt hai nguyên tử
TƩm bị SW1

0.35 TƩm bị SW2

Hệ số Poisson

Si, zigzag
0.30

Si, armchair
0.25
0 0.03 0.06
0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24
Biến dƥng kéo
Hình 4.10 So sánh sự phụ thuộc của hệ số Poisson vào biến dƥng kéo của tƩm Si
trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật.

Quan sát hình 4.11 ta thƩy khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử vẫn làm tƩm Si

bị yếu đi nhiều hơn là khuyết tật SW do SW chỉ làm cho một liên kết bị quay

đi 90o và vẫn giữ nguyên số nguyên tử của tƩm. Mặt khác, nhƣ đã giƧi thích

trên tƩm BN và SiC, kiểu SW1 làm tƩm Si bị yếu đi theo phƣơng armchair

nhiều hơn là theo phƣơng zigzag trong khi SW2 làm tƩm Si bị yếu đi theo

phƣơng zigzag nhiều hơn là theo phƣơng armchair. Do đó, khi kéo theo

phƣơng zigzag tƩm Si bị khuyết tật SW1 có ứng suƩt và biến dƥng phá hủy
76 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

cao hơn so với tƩm Si bị khuyết tật SW2. Ngƣợc lƥi, khi kéo theo phƣơng

armchair, ứng suƩt và biến dƥng phá hủy của tƩm Si bị SW2 lƥi cao hơn so

với tƩm Si bị SW1 (xem hình 4.11).

TƩm nguyên
Pristine
8.5
Si TƩm mƩt
2-atom 2 nguyên tử
vacancy
TƩm bị SW1
SW1
Ứng suất phá hủy t, N/m

8.0 TƩm bị SW2

SW2

7.5

7.0

6.5

6.0
Zigzag Armchair
(a)
0.26
TƩm nguyên
Pristine
0.24 TƩm
2-atommƩt 2 nguyên tử
vacancy
Si TƩm
SW1 bị SW1
0.22 TƩm
SW2 bị SW2
Biến dạng phá hủy

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12
Zigzag Armchair
(b)
Hình 4.11 So sánh: (a) ứng suƩt phá hủy và (b) biến dƥng phá hủy khi kéo tƩm Si
giữa trƣờng hợp tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 77

Nói chung, tƩm bị khuyết tật mƩt hai nguyên tử liền kề ở trung tâm tƩm

làm cho ứng suƩt phá hủy của tƩm giƧm 18-20%, biến dƥng phá hủy giƧm

33-35% và tƩm bị khuyết tật SW làm ứng suƩt phá hủy của tƩm giƧm 5-20%

và biến dƥng phá hủy giƧm 11-38% so với tƩm nguyên. Trong khi mô đun

đàn hồi của tƩm Si khi bị khuyết tật chỉ giƧm khoƧng 0,5% so với tƩm Si

nguyên (xem bƧng 4.7).

BƧng 4.7 So sánh đặc trƣng khi kéo của tƩm Si trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật.

Phƣơng Dƥng Mô đun đàn Ứng suƩt Biến dƥng Vị trí bị

kéo khuyết tật hồi Ys , phá hủy σt, phá hủy, phá hủy
N/m N/m %
Zigzag TƩm 60,0 8,23 23,2 Biên kéo
nguyên
MƩt hai 59,7 6,74 15,0 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 59,7 6,85 15,2 Biên kéo
SW2 59,9 6,61 14,3 Biên kéo
Armchair TƩm 59,7 7,95 21,2 Biên kéo
nguyên
MƩt hai 59,6 6,35 14,1 Vị trí
nguyên tử khuyết tật
SW1 59,6 6,79 15,8 Vị trí
khuyết tật
SW2 59,5 7,51 18,9 Vị trí
khuyết tật

Về vị trí bắt đƫu xƧy ra phá hủy trên tƩm Si khi chịu kéo, nhìn vào sự liệt

kê trong bƧng 4.7 cho ta thƩy, tƩm Si nguyên khi kéo đều bị phá hủy ở biên

kéo còn tƩm Si bị khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử liền kề thì đều bị phá hủy

ở vị trí khuyết tật ở cƧ hai phƣơng kéo zigzag và armchair. Khi đó lỗ trống

xuƩt hiện bởi khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử ngày càng rộng ra khi biến

dƥng kéo tăng và tiến tới bị phá hủy (hình 4.12). Với khuyết tật SW thì khi

kéo theo phƣơng zigzag tƩm vẫn vị phá hủy tƥi biên kéo (hình 4.13) trong khi

kéo theo phƣơng armchair thì tƩm lƥi bị phá hủy tƥi vị trí khuyết tật. Điều
78 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

này có thể giƧi thích là do hệ số Poisson theo phƣơng zigzag lớn hơn theo

phƣơng armchair (xem hình 4.10) nên khi kéo theo phƣơng zigzag, phƣơng

vuông góc với phƣơng kéo bị co lƥi nhiều hơn là khi kéo theo phƣơng

armchair.

a) =15,0%

b)=15,1%
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 79

c)=15,2%
Hình 4.12 Hình dƥng tƩm Si với khuyết tật mƩt đi hai nguyên tử chịu kéo theo
phƣơng zigzag ở các biến dƥng: a) =15,0% (giá trị tới hƥn); b) =15,1%
và c) =15,2%.

Hình 4.13 Hình dƥng tƩm Si với khuyết tật SW1 bị phá hủy ở biến dƥng kéo
=15,2% theo phƣơng zigzag.
80 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.3.3 Kéo ống BN

Qua bài toán kéo mô hình tƩm thu đƣợc kết quƧ đáng tin cậy nêu trên, tác

giƧ đã xây dựng mô hình ống BN bằng cách cuộn tƩm BN tƣơng ứng và thực

hiện bài toán kéo đúng tâm để tính đặc trƣng cơ học của ống BN khi chịu

kéo.

Trƣớc hết, để khƧo sát sự phụ thuộc của chiều dài ống tới ứng xử khi chịu

kéo của ống, ống BN (8,8) và (14,0) đã đƣợc chọn để tính toán. Kết quƧ đƣợc

đƣa ra ở hình 4.14 và bƧng 4.8, với các đƣờng cong ứng suƩt biến dƥng ở các

chiều dài ống L=10D, 15D và 20D.

40
L=10D
35 L=15D BN(8,8)
L=20D
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

30

25

20
BN(14,0)
15

10

0
0
0.15 0.05
0.2 0.1
0.25 0.3 0.35
Biến dƥng kéo
Hình 4.14 Đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo đúng tâm ống BN(8,8) và
BN(14,0) ở các chiều dài ống L=10D, 15D và 20D.

Nhận xét đƫu tiên nhìn trên hình 4.14 là đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng

ống zigzag (14,0) ở các chiều dài ống L=10D, 15D, 20D gƫn nhƣ trùng khớp

nhau từ đƫu cho tới khi ống bị mƩt ổn định (điểm tới hƥn) và phá hủy, điều

này cũng xƧy ra tƣơng tự với ống (8,8). Cụ thể ống BN(14,0) với các chiều dài

khác nhau đều có biến dƥng tới hƥn 25,0-25,1% và ứng suƩt hai chiều tới hƥn
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 81

tƣơng ứng là 31,8 N/m; các ống BN(8,8) có biến dƥng tới hƥn là 29,2% và ứng

suƩt hai chiều tới hƥn là 37,2 N/m. Bên cƥnh đó ta thƩy đƣờng cong ứng suƩt

biến dƥng của ống armchair (8,8) luôn nằm phía trên so với ống zigzag

(14,0), đồng thời biến dƥng tới hƥn của ống (8,8) cũng lớn hơn so với ống

(14,0), điều này cho thƩy ống (8,8) có khƧ năng chịu kéo tốt hơn ống (14,0).
0.50
L=10D
0.45 L=15D

0.40
L=20D BN(14,0)
Hệ số Poisson

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15
BN(8,8
0.10
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
Biến dƥng kéo

Hình 4.15 Sự phụ thuộc của hệ số Poisson theo biến dƥng kéo đúng tâm của ống
BN(8,8) và BN(14,0) ở các chiều dài ống L=10D, 15D và 20D.

Hình 4.15 cho thƩy hệ số Poisson của ống BN khi bị kéo theo phƣơng trục

ở biến dƥng bé là khoƧng 0,3 ở cƧ hai ống armchair và ống zigzag, giá trị này
tƣơng đƣơng giá trị 0,29 của tƩm BN. Bên cƥnh đó khi biến dƥng kéo tăng, hệ

số Poisson của ống armchair BN(8,8) giƧm trong khi hệ số Poisson của ống

zigzag BN(14,0) lƥi tăng. Tức là khi chịu kéo theo phƣơng trục, phƣơng

hƣớng kính của ống zigzag bị co lƥi nhiều hơn so với ống armchair. Điều này

có thể giƧi thích là do ống armchair có các liên kết thẳng chƥy xung quanh

chu tuyến của các mặt cắt ngang ống, những liên kết này chống lƥi sự co thắt

của đƣờng kính do đó hệ số Poisson của ống armchair nhỏ.

82 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

BƧng 4.8 cho thƩy mô đun đàn hồi của cƧ hai ống BN(14,0) và BN(8,8) đều

không đổi khi chiều dài ống tăng lên, cụ thể mô đun đàn hồi của ống

BN(14,0) là 241 N/m và của ống BN(8,8) là 246 N/m.

BƧng 4.8 Đặc trƣng khi chịu kéo của ống BN (8,8) và (14,0) phụ thuộc vào tỷ lệ giữa
chiều dài trên đƣờng kính ống.

Ống L/D Mô đun Ứng suƩt Biến dƥng Biến dƥng Vị trí ống bị
BN đàn hồi Ys, tới hƥn σt, tới hƥn, phá hủy, phá hủy
N/m N/m % %
(14,0) 10 241 31,8 25,0 25,5
15 241 31,8 25,0 25,3 Vị trí bị co thắt
20 241 31,8 25,1 25,5
(8,8) 10 246 37,2 29,2 30,3
15 246 37,2 29,2 30,0 Biên kéo
20 246 37,2 29,2 29,5

BƧng 4.8 và hình 4.14 cũng cho thƩy rằng các ống BN(8,8) và BN(14,0) có

cơ chế phá hủy giòn vì ứng suƩt của chúng sụt giƧm rƩt nhanh sau khi qua

điểm tới hƥn. Ví dụ nhƣ trên hình 4.16a là ống BN(14,0) với chiều dài

L=20D ở biến dƥng 25,1% chƣa cho thƩy dƩu hiệu bị phá hủy nào, sang tới

biến dƥng 25.2% là ống đã có dƩu hiệu co thắt đƣờng kính, và hiện tƣợng này

thƩy rõ khi tới biến dƥng 25,4% (hình 4.16b) và tới 25,5% thì ống đã bị phá

hủy hoàn toàn (hình 4.16c).

(a) 25,1%

(b) 25.4%

(c) 25,5%
Hình 4.16 Hình Ƨnh ống BN(14,0), L=20D khi chịu kéo đúng tâm ở các biến dƥng:
a) 25,1%; b) 25,4%; c) 25,5%.

Về vị trí phá hủy của ống khi chịu kéo. Hình 4.17 cho thƩy ở tƩt cƧ các

chiều dài L=10D, 15D và 20D, ống armchair BN(8,8) đều bị phá hủy ở biên
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 83

kéo, đƣờng kính ống không có hiện tƣợng co thắt đƣờng kính. Điều này có

thể đƣợc giƧi thích nhƣ đã nêu là do ống armchair có các liên kết thẳng trùng

với phƣơng tiếp tuyến nằm dƧi theo chu tuyến ở các mặt cắt ngang. Các liên

kết thẳng này chống lƥi sự co thắt của đƣờng kính.

(a) L=10D

(b) L=15D

(c) L=20D
Hình 4.17 Hình Ƨnh vị trí bị phá hủy của ống BN(8,8): a) L=10D; b) L=15D; c)
L=20D

Ống zigzag (14,0) thì ngƣợc lƥi, do không có đƣợc các liên kết thẳng nằm

theo chu tuyến nhƣ ống armchair nên ống (14,0) sau điểm tới hƥn, ống bị

mƩt ổn định và dƥng mƩt ổn định ở đây là hiện tƣợng co thắt đƣờng kính

ống, hiện tƣợng này lƥi phụ thuộc vào chiều dài ống. Ống càng dài, điểm co
thắt càng nhiều và thay đổi nhƣ các mode trong dao động (hình 4.18) và

điểm phá hủy xƧy ra ở các vị trí co thắt đó. Do đó vị trí phá hủy của ống

zigzag tùy thuộc vào chiều dài ống. Cụ thể ống (14,0) với L=10D bị đứt ở giữa

(hình 4.18a), L=15D và L=20D lƥi bị đứt phía hai đƫu ống (hình 4.18b,c).

(a) L=10D

(b) L=15D
84 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

(c) L=20D
Hình 4.18 Hình Ƨnh mƩt ổn định và bị phá hủy của ống BN(14,0): a) L=10D; b)
L=15D; c) L=20D.

Tiếp theo để khƧo sát Ƨnh hƣởng của đƣờng kính ống tới ứng xử khi chịu

kéo, tác giƧ cố định tỷ lệ chiều dài trên đƣờng kính ống là L=10D sau đó

thực hiện kéo các cặp ống armchair-zigzag có đƣờng kính xƩp xỉ nhau là:

(8,8) và (14,0); (10,10) và (17,0); (12,12) và (21,0); (15,15) và (25,0). Kết quƧ

đƣợc đƣa ra trên hình 4.19 và bƧng 4.9.

BƧng 4.9 Đặc trƣng khi chịu kéo của các ống BN cùng tỷ lệ chiều dài (L) trên đƣờng
kính ống (D) là L/D=10.

Chỉ số tƩm và Đƣờng Mô đun Ứng suƩt Biến dƥng Biến dƥng
ống (n,m) kính, đàn hồi Ys, tới hƥn σt, tới hƥn, phá hủy,
Å N/m N/m % %
TƩm zigzag ∞ 258 37,7 25,7 -
Ống (15,15) 20,7 248 37,2 28,9 29,2
Ống (12,12) 16,5 247 37,2 29,0 29,4
Ống (10,10) 13,8 247 37,3 29,1 29,9
Ống (8,8) 11,0 246 37,2 29,2 30,3
TƩm armchair ∞ 251 35,5 26,4 -
Ống (25,0) 19,9 246 33,3 26,1 26,6
Ống (21,0) 16,7 245 33,0 25,9 26,8
Ống (17,0) 13,5 243 32,5 25,5 25,9
Ống (14,0) 11,1 241 31,8 25,0 25,5

Quan sát hình 4.19 và bƧng 4.9 ta thƩy khi đƣờng kính ống tăng lên thì

biến dƥng tới hƥn và biến dƥng phá hủy của ống zigzag tăng nhẹ, trong khi

các giá trị đó của ống armchair lƥi giƧm, nhƣng cƧ hai đều có xu hƣớng tiến

về giá trị biến dƥng tới hƥn của tƩm tƣơng ứng khi đƣờng kính ống tăng.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 85

40

35

Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

30

25

20

15 TƩm BN, zigzag

BN(15,15), L=10D
10
BN(12,12), L=10D
5 BN(10,10), L=10D
BN(8,8), L=10D
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
Biến dƥng kéo
(a)
40

35
Ứng suƩt hai chiều σt, N/m

30

25

20

15 TƩm BN, armchair

BN(25,0), L=10D
10
BN(21,0), L=10D
5 BN(17,0), L=10D
BN(14,0), L=10D
0
0.15 0
0.2 0.05 0.1
0.25 0.3 0.35
Biến dƥng kéo
(b)
Hình 4.19 Đƣờng cong ứng suƩt-biến dƥng khi kéo các ống BN đƣờng kính khác
nhau, cùng tỷ lệ chiều dài trên đƣờng kính L/D=10: a) ống amrchair và
tƩm zigzag; b) ống zigzag và tƩm armchair.
86 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.3.4 Uốn ống BN

Đặc trƣng về điện của các vật liệu nano hứa hẹn mang lƥi nhiều ứng dụng

thú vị trong chế tƥo các linh kiện điện tử siêu nhỏ. Trong đó có các linh kiện

ở dƥng hình tròn nhƣ một chiếc nhẫn (nano ring) hoặc một cung tròn (một

phƫn hình tròn). Vậy một ống vật liệu nano có thể uốn thành dƥng một vòng

tròn đƣợc hay không? Hay một ống vật liệu nano với chiều dài L cho trƣớc thì

uốn đƣợc một cung tròn với góc uốn tối đa là bao nhiêu trƣớc khi ống bị mƩt

ổn định. Trong mục này, quá trình uốn ống BN thành một cung tròn sẽ đƣợc

nghiên cứu. Vì mục đích ta muốn uốn ống thành một cung tròn nên trƣờng

hợp uốn đề cập trong mục này không phƧi là uốn thuƩn túy mà là uốn ngang

phẳng cộng kéo nén đồng thời. Điều kiện biên đƣợc đề xuƩt nhƣ hình 4.20,

với ống chiều dài L bị uốn trong mặt phẳng Oxz với Oz trùng với trục ống.

Trong quá trình uốn, tâm của hai mặt cắt ở hai đƫu ống luôn nằm trên trục

Oz. Mặt cắt hai đƫu ống sẽ vừa xoay quanh tâm của chính nó và vừa tịnh tiến
lƥi gƫn nhau.

z
O
θ

x L

Hình 4.20 Điều kiện biên uốn ống BN thành một cung tròn.

Với điều kiện biên nhƣ trên, mặt cắt ngang của ống sẽ xuƩt hiện các nội

lực: lực dọc, lực cắt và mô men uốn. Trong đó, ngoƥi lực đặt tƥi hai đƫu ống

có lực theo phƣơng x, y là Fx , Fy nhỏ không đáng kể, có thể bỏ qua, chỉ còn

ngoƥi lực phƣơng z là Fz và mô men uốn M y . Do đó, trong mục này, hai giá

trị nội lực của ống đƣợc tính toán và đƣa ra bàn luận là mô men uốn tƥi mặt
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 87

cắt giữa ống và lực dọc ống. Hai ống BN zigzag và armchair với đƣờng kính

tƣơng đƣơng nhau (D≈1,5nm) đƣợc chọn để mô phỏng là (19,0) và (11,11).

30
Ống BN nguyên (a)

25 (11,11), L=10D
(19,0), L=10D
(11,11), L=15D
Mô men uốn, nN.nm

20 (19,0), L=15D
(11,11), L=20D
(19,0), L=20D
15

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Góc uốn (o)
2
Ống BN nguyên (b)
(11,11), L=10D
(19,0), L=10D
1 (11,11), L=15D
(19,0), L=15D
(11,11), L=20D
Lực dọc, nN

(19,0), L=20D
0

-1

-2
0 10 20 30
40 50 60 70 80 90 100
Góc uốn (o)
Hình 4.21 Đồ thị liên hệ nội lực và góc uốn của ống BN nguyên ở các chiều dài ống
L=10D, 15D và 20D: a) Mô men uốn tƥi mặt cắt giữa ống; b) Lực dọc
ống.
88 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

Hình 4.21 biểu diễn đƣờng cong liên hệ giữa nội lực và biến dƥng góc uốn

của hai ống BN(11,11) và BN(19,0) ở các chiều dài L=10D, 15D, 20D. Kết

quƧ cho thƩy khi chiều dài ống tăng lên thì góc uốn tới hƥn cũng tăng lên và

tỷ lệ này gƫn nhƣ là tỷ lệ bậc nhƩt (xem hình 4.26). Bên cƥnh đó, ta thƩy ở

cùng một độ dài, góc uốn tới hƥn của ống armchair BN(11,11) có giá trị

nhỉnh hơn so với ống BN(19,0) từ 2-6% tùy chiều dài ống. Cụ thể góc uốn tới

hƥn của ống BN(11,11) là 47,3o, 68,1o và 92,0o tƣơng ứng với các chiều dài
ống L=10D, 15D và 20D. Góc uốn tới hƥn của ống BN(19,0) là 44,6o, 66,5o

và 89,8o ở các chiều dài ống L=10D, 15D và 20D tƣơng ứng.

(a) 89,8o

(b) 90,2o
Hình 4.22 Hình dƥng ống BN(19,0) nguyên, chiều dài L=20D bị uốn ở các góc
uốn: a) 89,8o, chƣa có dƩu hiệu phá hủy; b) 90,2o đã bị phá hủy.

Hình Ƨnh ống BN(19,0) nguyên, chiều dài L=20D bị phá hủy đƣợc vẽ trên

hình 4.22. Trong đó, ở góc uốn 89,8o ống chƣa có dƩu hiệu phá hủy nào,

nhƣng khi tới góc uốn 90,2o thì ống gƫn nhƣ đã bị phá hủy hoàn toàn. Điều

này cho thƩy cơ chế phá hủy của ống BN nguyên khi chịu uốn giống nhƣ vật

liệu giòn, nội lực giƧm nhanh và đột ngột sau khi qua điểm tới hƥn. Hình

4.22 cũng cho thƩy vị trí xuƩt hiện phá hủy ở ống BN(19,0), L=20D nguyên

nằm ở phía thớ chịu nén và ở gƫn về hai đƫu ống. Các ống nguyên khác cho

hiện tƣợng tƣơng tự.

Với trƣờng hợp bị khuyết tật, trong mục này chỉ xét tới Ƨnh hƣởng của

khuyết tật SW1 với một liên kết song song với phƣơng armchair ở giữa ống bị

quay đi 90 độ (hình 4.23).

4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 89

Ống armchair nguyên Ống armchair bị SW1

a)

Ống zigzag nguyên Ống zigzag bị SW1

b)
Hình 4.23 Mô hình ống bị khuyết tật SW1: a) ống armchair; b) ống zigzag.

Hình 4.24, 4.25 và 4.26 và bƧng 4.10 cho ta thƩy Ƨnh hƣởng của khuyết

tật SW1 tới ứng xử khi uốn của ống BN(11,11) và BN(19,0).
90 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

BƧng 4.10 So sánh góc uốn tới hƥn của ống BN trƣờng hợp ống nguyên và ống bị
khuyết tật SW1.

Góc uốn tới hƥn (o)

BN(11,11) BN(19,0)
L/D
Ống SW1 phía SW1 phía Ống SW1 phía SW1 phía
nguyên thớ nén thớ căng nguyên thớ nén thớ căng
10 47,3 8,5 48,0 44,6 44,2 30,4
15 68,1 12,7 68,8 66,5 67,5 48,7
20 92,0 16,8 93,0 89,8 89,3 65,4

Kết quƧ cho thƩy ống armchair (11,11) với SW1 nằm ở phía thớ căng, nó

không làm yếu đi khƧ năng chịu uốn của ống thậm chí SW1 trong trƣờng hợp

này còn có góc uốn tới hƥn tăng nhẹ (~1%) so với trƣờng hợp tƩm nguyên,

trong khi nếu SW1 nằm ở phía thớ chịu nén thì ống lƥi bị mƩt ổn định sớm

hơn nhiều. Với ống zigzag (19,0) thì hiện tƣợng lƥi xƧy ra ngƣợc lƥi là khi
khuyết tật SW1 nằm ở phía thớ chịu nén mới cho kết quƧ góc uốn tới hƥn

tƣơng đƣơng nhƣ khi ống còn nguyên, còn SW1 nằm phía thớ căng lƥi gây

cho ống (19,0) sớm bị mƩt ổn định. Điều này có thể giƧi thích nhƣ sau: với

ống armchair (11,11) khuyết tật SW1 làm cho một liên kết đang vuông góc

trở thành song song với phƣơng trục ống (hình 4.23a), do đó khuyết tật SW1

làm tăng khƧ năng chịu uốn khi nó nằm ở thớ căng và tăng khƧ năng mƩt ổn

định của ống khi nó nằm ở thớ chịu nén dẫn tới ống bị mƩt ổn định sớm hơn

nhiều so với ống nguyên. Ngƣợc lƥi, với ống (19,0) khuyết tật SW1 làm cho

một liên kết đang song song trở nên vuông góc với phƣơng trục ống (hình

4.23b), do đó khi khuyết tật SW1 nằm ở thớ căng của ống (19,0) thì nó làm

giƧm khƧ năng chịu kéo của thớ đó nên nó làm ống bị phá hủy sớm hơn so

với ống nguyên.

4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 91

30
Ống BN(11,11)
25 L=10D
Ống nguyên
Mô men uốn, nN.nm 20 Ống bị SW1 phía nén
Ống bị SW1 phía căng

15

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Góc uốn ( )
o

1
Lực dọc, nN

0
Ống BN(11,11)
L=10D
-1 Ống nguyên
Ống bị SW1 phía nén
Ống bị SW1 phía căng
-2
030 1040 20
50 60 70
Góc uốn (o)
Hình 4.24 Đồ thị so sánh sự phụ thuộc của nội lực vào góc uốn của ống
BN(11,11), chiều dài L=10D trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật SW1.
92 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

25
Ống BN(19,0)
L=10D
20 Ống nguyên
Ống bị SW1 phía nén
Mô men uốn, nN.nm

15 Ống bị SW1 phía căng

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70
Góc uốn, (o)
2
Ống BN(19,0)
L=10D
1 Ống nguyên
Ống bị SW1 phía nén
Ống bị SW1 phía căng
Lực dọc, nN

-1

-2
0 10 20 30 40 50 60 70
Góc uốn, (o)
Hình 4.25 Đồ thị so sánh sự phụ thuộc của nội lực vào góc uốn của ống BN(19,0),
chiều dài L=10D trƣờng hợp nguyên và bị khuyết tật SW1.
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 93

100
Ống nguyên
90
Ống bị SW1 phía nén
80
Ống bị SW1 phía căng
Góc uốn tới hạn, (o) 70

60

50

40

30

20

10
Ống BN(11,11)
0
5 10 15 20 25
Tỷ lệ chiều dài trên đường kính ống, L/D
(a)
100
Ống nguyên
90
Ống bị SW1 phía nén
80
Ống bị SW1 phía căng
70
Góc uốn tới hạn, (o)

60

50

40

30

20

10
Ống BN(19,0)
0
10 5 15 20 25
Tỷ lệ chiều dài trên đường kính ống, L/D
(b)
Hình 4.26 Sự phụ thuộc của góc uốn tới hƥn tới tỷ lệ L/D: a) Ống BN(11,11); b)
Ống BN(19,0).
94 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

Nói tóm lƥi, ống (11,11) bị SW1 ở phía thớ căng và ống (19,0) bị SW1 phía

thớ chịu nén khi uốn cho ra ứng xử gƫn nhƣ tƣơng đƣơng với trƣờng hợp ống

nguyên tƣơng ứng với góc uốn phá hủy ngay sau góc uốn tới hƥn và vị trí phá

hủy cũng tƣơng tự là nằm ở phía thớ nén nhƣng không rơi vào vị trí của liên

kết bị khuyết tật SW1 (hình 4.27).

BN(11,11)
L=10D

BN(19,0)
L=10D

Hình 4.27 Hình Ƨnh ống BN(11,11) bị khuyết tật SW1 phía thớ căng và BN(19,0)
bị SW1 phía thớ bị nén, chúng đều bị phá hủy ở phía thớ bị nén khi
chịu uốn.

Trong khi đó, ống (11,11) bị SW1 phía thớ chịu nén có góc uốn tới hƥn

giƧm mƥnh từ 77%-82% và ống (19,0) bị SW1 phía thớ căng có góc uốn tới

hƥn cũng giƧm từ 14%-33% so với ống nguyên.

Mặt khác, ống (11,11) với SW1 ở phía thớ nén sau khi bị mƩt ổn định sớm

ở góc uốn 8,5o ống bị gập lƥi ở chính liên kết bị SW1, đánh dƩu bằng sự giƧm

đột ngột của đồ thị nội lực nhƣ trên hình 4.24, hiện tƣợng này thƩy rõ ở góc

uốn 8,9o (hình 4.28a). Tuy nhiên lúc này ống vẫn chƣa bị phá hủy ngay sau

đó mà còn tiếp tục bị uốn tiếp cho tới tận góc uốn 56,4o mới bị phá hủy hoàn

toàn (hình 4.28c). Ống (19,0), L=10D với SW1 ở phía thớ căng cũng có hiện

tƣợng tƣơng tự với góc uốn phá hủy lớn hơn khá nhiều so với góc uốn tới hƥn

(hình 4.25).
4.3 Kết quƧ và bàn luận của mô hình sử dụng hàm thế Tersoff 95

(a) 8,9o, phóng to tƥi giữa ống

(b) 56,2o

(c) 56,4o
Hình 4.28 Ống BN(11,11), chiều dài L=10D với SW1 phía thớ nén ở góc uốn: (a)
8,9o; (b) 56,2o; (b) 56,4o.

Nói chung trong bài toán uốn ống BN thành cung tròn này ta thƩy, cƧ
trƣờng hợp ống nguyên hay ống bị khuyết tật SW1 khi ta cho chiều dài ống

tăng lên thì góc uốn tới hƥn cũng tăng theo tỷ lệ gƫn nhƣ là đƣờng bậc nhƩt

(hình 4.26), và khuyết tật SW1 tùy vị trí mà hoặc nó làm giƧm mƥnh hoặc nó

không Ƨnh hƣởng gì nhiều tới góc uốn tới hƥn của ống. Kết luận này có ý
nghąa quan trọng đối với các nhà sƧn xuƩt có ý định tƥo nên các vòng tròn

nano từ ống BN.

96 CHƢƠNG 4 KẾT QUƦ VÀ BÀN LUẬN

4.4 Kết luận chƣơng

Trong chƣơng này, ứng xử cơ học của các ống và tƩm vật liệu nano nhƣ

graphene, BN, SiC, BSb, Si đã đƣợc đƣa ra. Kết quƧ đã đƣợc so sánh và

kiểm chứng cho thƩy rƩt phù hợp với các phƣơng pháp chuẩn mực khác nhƣ

DFT và MD. Điều này khẳng định tính đúng đắn của phƣơng pháp và mô
hình luận án đã thiết lập và sử dụng.

Mặc dù chỉ tập trung tính toán cho các tƩm cƩu trúc dƥng lục giác,

phƣơng pháp AFEM đƣa ra trong luận án này hoàn toàn có thể áp dụng cho

các cƩu trúc vật liệu khác. Bên cƥnh đó, do ma trận đƣợc tính ra dƣới dƥng

hiển ở trƣờng hợp hàm thế điều hòa nên các phƫn tử của AFEM đề xuƩt

trong luận án này có thể đƣợc đƣa vào các phƫn mềm phƫn tử hữu hƥn

thƣơng mƥi. So với các phƣơng pháp mô phỏng chuẩn mực khác nhƣ DFT và

MD, ƣu điểm của AFEM là một phƣơng pháp đơn giƧn, nhanh chóng tìm ra

ứng xử cơ học của các vật liệu nano.

 97

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

Các kết quƧ, đóng góp mới của luận án

1) Luận án đã phát triển phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn cho thang nguyên

tử sử dụng hai dƥng hàm thế là hàm thế điều hòa và hàm thế Tersoff để

tính toán ứng xử cơ học cho các vật liệu nano. Đặc biệt là các vật liệu mới

đƣợc phát hiện gƫn đây nhƣ: BN, SiC, BSb, Si.

2) Sử dụng hàm thế dƥng hàm điều hòa, hai kiểu phƫn tử đã đƣợc tác giƧ đề

xuƩt là phƫn tử hai nút mô phỏng biến dƥng dài và phƫn tử ba nút mô

phỏng biến dƥng góc. Ma trận độ cứng của hai kiểu phƫn tử trên đƣợc

thiết lập và đƣa ra dƣới dƥng hiển, điều chƣa từng có ở các công trình

trƣớc đây. Qua đó, luận án đã tính ra mô đun đàn hồi, mô đun đàn hồi

trƣợt và hệ số Poisson của các tƩm và ống vật liệu graphene, BN, SiC,

BSb. Kết quƧ thu đƣợc rƩt gƫn với các nghiên cứu khác sử dụng các
phƣơng pháp mô phỏng chuẩn mực nhƣ DFT, MD.

3) Luận án đã xây dựng hai kiểu phƫn tử để mô tƧ các thành phƫn của hàm

thế Tersoff. Áp dụng phƣơng pháp phƫn tử hữu hƥn nguyên tử, các ứng

xử phi tuyến của các tƩm graphene, BN, SiC, Si và ống BN đã đƣợc tính

toán. Bên cƥnh những mô hình vật liệu lý tƣởng (nguyên), luận án cũng

đã nghiên cứu Ƨnh hƣởng của khuyết tật mƩt hai nguyên tử liền kề và

khuyết tật một liên kết bị Stone–Wales (SW) tới ứng xử cơ học của tƩm và

ống nano. Kết quƧ cho thƩy tƩm nguyên và tƩm bị khuyết tật đều có ứng

xử cơ học khi chịu kéo, uốn gƫn nhƣ giống hệt nhau cho tới trƣớc điểm

phá hủy. Trong khi mô đun đàn hồi giƧm không đáng kể (<1,5%) thì với

khuyết tật mƩt hai nguyên tử ở trung tâm, tƩm BN, SiC, Si có ứng suƩt

phá hủy kéo bị giƧm tƣơng ứng là 15-18%; 16-25%; 18-20% và biến dƥng

phá hủy kéo giƧm tƣơng ứng là 32-34%; 32-48%; 33-35%. Còn khuyết tật

SW không những làm cho vật liệu sớm bị phá hủy mà còn tùy theo

phƣơng tƩm (zigzag hay armchair) và kiểu SW1 hay SW2 mà độ giƧm ứng
98 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

suƩt, biến dƥng phá hủy cũng nhƣ hình dƥng phá hủy của vật liệu cũng

khác nhau. Đặc biệt trong trƣờng hợp uốn ống BN, nếu SW1 nằm ở phía

thớ căng của ống armchair hoặc SW1 nằm ở phía thớ nén của ống zigzag

thì góc uốn tới hƥn của ống lúc này tƣơng đƣơng với ống nguyên trong khi

các trƣờng hợp còn lƥi tức là SW1 nằm ở phía thớ nén của ống armchair

hoặc SW1 nằm ở phía thớ căng của ống zigzag thì ống lƥi bị mƩt ổn định

rƩt sớm. Kết luận này có ý nghąa quan trọng đối với các nhà sƧn xuƩt có ý
định tƥo nên các vòng tròn nano từ ống BN.

4) Mặc dù các vật liệu trình bày trong luận án đều có cƩu trúc dƥng lục giác,

nhƣng mô hình và phƣơng pháp nghiên cứu của luận án đã xây dựng

hoàn toàn có thể áp dụng cho những mô hình vật liệu cƩu trúc dƥng
khác. Bên cƥnh đó, với việc thiết lập đƣợc ma trận độ cứng phƫn tử ở

dƥng hiển với hàm thế điều hòa, mô hình AFEM đề xuƩt trong luận án

này có thể đƣợc tích hợp vào các phƫn mềm phƫn tử hữu hƥn thƣơng mƥi

để tính toán cho các vật liệu nano trong tƣơng lai.

Các kết quƧ trên đã đƣợc công bố ở 05 bài báo. Trong đó có 03 bài đăng
trên tƥp chí khoa học quốc tế ISI, 01 bài đăng trên tƥp chí khoa học quốc gia
và 01 bài báo đăng trên tuyển tập hội nghị khoa học cƩp quốc gia.

Kiến nghị hƣớng nghiên cứu phát triển đề tài

Dựa trên cơ sở lập luận, tính toán của luận án này, các hƣớng nghiên cứu

tiếp theo có thể nhƣ sau:

1) Tính toán bài toán dao động của các tƩm, ống vật liệu nano.

2) Tính toán cho các mô hình vật liệu lai nhƣ tƩm và ống C-BN.

3) Nghiên cứu Ƨnh hƣởng của tỷ lệ và phân bố nhiều loƥi khuyết tật cùng

một lúc.
 99

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Alzebdeh K.I. (2014). An atomistic-based continuum approach for

calculation of elastic properties of single-layered graphene sheet. Solid
State Communications, 177: pp. 25-28.
[2] Andrew R.C., Mapasha R.E., Ukpong A.M., and Chetty N. (2012).
Mechanical properties of graphene and boronitrene. Physical Review
B, 85(12), 125428.
[3] Aufray B., Kara A., Vizzini S., Oughaddou H., Léandri C., Ealet B., and
Lay G.L. (2010). Graphene-like silicon nanoribbons on Ag (110): A
possible formation of silicene. Applied Physics Letters, 96, 183102.
[4] Baumeier B., Krüger P., and Pollmann J. (2007). Structural, elastic,
and electronic properties of SiC, BN, and BeO nanotubes. Physical
Review B, 76(8), 085407.
[5] Bekaroglu E., Topsakal M., Cahangirov S., and Ciraci S. (2010). First-
principles study of defects and adatoms in silicon carbide honeycomb
structures. Physical Review B, 81, 075433.
[6] Belytschko T., Xiao S.P., Schatz G.C., and Ruoff R.S. (2002).
Atomistic simulations of nanotube fracture. Physical Review B, 65(23),
235430.
[7] Benkabou F., Certier M., and Aourag H. (2003). Elastic Properties of
Zinc-blende GaN, AlN and InN from Molecular Dynamics. Molecular
Simulation, 29(3): pp. 201-209.
[8] Berdiyorov G. and Peters F. (2014). Influence of vacancy defects on the
thermal stability of silicene: a reactive molecular dynamics study. RSC
Advances, 4: pp. 1133-1137.
[9] Berinskii I.E. and Borodich F.M. (2013). Elastic in-plane properties of
2D linearized models of graphene. Mechanics of Materials, 62: pp. 60-
68.
[10] Blakslee O.L., Proctor D.G., Seldin E.J., Spence G.B., and Weng T.
(1970). Elastic constants of compression-annealed pyrolytic graphite.
Journal of Applied Physics, 41: pp. 3373-3382.
[11] Boldrin L., Scarpa F., Chowdhury R., and Adhikari S. (2011). Effective
mechanical properties of hexagonal boron nitride nanosheets.
Nanotechnology, 22(50), 505702.
[12] Bosak A., Serrano J., and Krisch M. (2006). Elasticity of hexagonal
boron nitride: Inelastic x-ray scattering measurements. Physical
Review B, 73(04), 041402.
[13] Bosak A., Krisch M., Mohr M., Maultzsch J., and Thomsen C. (2007).
Elasticity of single-crystalline graphite: inelastic x-ray scattering study.
Physical Review B, 75(15), 153408.
100 TÀI LIỆU THAM KHƦO

[14] Brenner D.W. (1990). Empirical potential for hydrocarbons for use in
simulating the chemical vapor deposition of diamond films. Physical
Review B, 42(15): pp. 9458-9471.
[15] Brenner D.W., Shenderova O.A., Harrison J.A., Stuart S.J., Ni B., and
Sinnott S.B. (2002). A second-generation reactive empirical bond
order (REBO) potential energy expression for hydrocarbons. Journal
of Physics: Condensed Matter, 14: pp. 783-802.
[16] Burkert U. and Allinger N.L. (1982). Molecular Mechanics. American
Chemical Society Publication.
[17] Cahangirov S., Topsakal M., Akturk E., Sahin H., and Ciraci S.
(2009). Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon
and Germanium. Physical Review Letters, 102, 236804.
[18] Castro E.V., Novoselov K.S., Morozov S.V., Peres N.M.R., Santos
J.M.B.L.d., Nilsson J., Guinea F., Geim A.K., and Neto A.H.C. (2007).
Biased Bilayer Graphene: Semiconductor with a Gap Tunable by the
Electric Field Effect. PHYSICAL REVIEW LETTERS, 99, 216802.
[19] Chang T. and Gao H. (2003). Size-dependent elastic properties of a
single-walled carbon nanotube via a molecular mechanics model.
Journal of the Mechanics and Physics of Solids, 51: pp. 1059-1074.
[20] Chen W., Li Y., Yu G., Zhou Z., and Chen Z. (2009). Electronic
Structure and Reactivity of Boron Nitride Nanoribbons with Stone-
Wales Defects. Journal of Chemical Theory and Computation, 5: pp.
3088-3095.
[21] Chopra N.G. and Zettl A. (1998). Measurement of the elastic modulus
of a multi-wall boron nitride nanotube. Solid State Communications,
105(5): pp. 297-300.
[22] Chowdhury S.C., Haque B.Z., Gillespie J.W., and Hartman D.R.
(2012). Molecular simulations of pristine and defective carbon
nanotubes under monotonic and combined loading. Computational
Materials Science, 65: pp. 133-143.
[23] Claeyssens F., Freeman C.L., Allan N.L., Sun Y., Ashfold M.N.R., and
Harding J.H. (2005). Growth of ZnO thin films-Experiment and
theory. Journal of Materials Chemistry, 15(1): pp. 139-148.
[24] Cornwell C.F. and Wille L.T. (1997). Elastic properties of single-walled
carbon nanotubes in compression. Solid State Communications,
101(8): pp. 555-558.
[25] Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., and Saito R. (1995). Physics of
carbon nanotubes. Carbon, 33(7): pp. 883-891.
[26] Drummond N.D., Zolyomi V., and Falko V.I. (2012). Electrically
tunable band gap in silicene. Phys. Rev. B, 85, 075423.
[27] Erhart P. and Albe K. (2005). Analytical potential for atomistic
simulations of silicon, carbon, and silicon carbide. Physical Review B,
71, 035211.
TÀI LIỆU THAM KHƦO 101

[28] Erhart P., Juslin N., Goy O., Nordlund K., Muller R., and Albe K.
(2006). Analytic bond-order potential for atomistic simulations of zinc
oxide. Journal of Physics: Condensed Matter, 18(29): pp. 6585-6605.
[29] Feng B., Ding Z., Meng S., Yao Y., He X., Cheng P., Chen L., and Wu K.
(2012). Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on
Ag(111). Nano Letters, 12: pp. 3507−3511.
[30] Fleurence A., Friedlein R., Ozaki T., Kawai H., Wang Y., and Yamada-
Takamura Y. (2012). Experimental Evidence for Epitaxial Silicene on
Diboride Thin Films. Physical Review Letters, 108, 245501.
[31] Gao G., Cagin T., and Goddard W. (1998). Energetics, structure,
mechanical and vibrational properties of single-walled carbon
nanotubes. Nanotechnology, 9(3): pp. 184 -191.
[32] Geim A.K. and Novoselov K.S. (2007). The rise of graphene. Nature
Materials, 6(3): pp. 183-191.
[33] Girifalco L.A., Hodak M., and Lee R.S. (2000). Carbon nanotubes,
buckyballs, ropes, and a universal graphitic potential. Physical Review
B, 62(19): pp. 13104-13110.
[34] Golberg D., Costa P., Lourie O., Mitome M., Bai X., Kurashima K., Zhi
C., Tang C., and Bando Y. (2007). Direct Force Measurements and
Kinking under Elastic Deformation of Individual Multiwalled Boron
Nitride Nanotubes. Nano Letters, 7, 2146.
[35] Guan J., Yu G., Ding X., Chen W., Shi Z., Huang X., and Sun C.
(2013). The effects of the formation of Stone-Wales defects on the
electronic and magnetic properties of silicon carbide nanoribbons: a
first-principles investigation. Chem. Phys. Chem., 14(12): pp. 2841-
2852.
[36] Guzman-Verri G.G. and Lew Yan Voon L.C. (2007). Electronic
structure of silicon-based nanostructures. Physical Review B, 76,
075131.
[37] Han T., Luo Y., and Wang C. (2014). Effects of temperature and strain
rate on the mechanical properties of hexagonalboron nitride
nanosheets. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 025303.
[38] Hansson A., Mota F.B., and Rivelino R. (2012). Metallic behavior in
low-dimensional honeycomb SiB crystals: A first-principles prediction
of atomic structure and electronic properties. Physical Review B,
86(19), 195416.
[39] Hernández E., Goze C., Bernier P., and Rubio A. (1998). Elastic
Properties of C and BxCyNz Composite Nanotubes. Physical Review
Letters, 80(20): pp. 4502-4505.
[40] Hohenberg P. and Kohn W. (1964). Inhomogeneous electron gas.
Physical Review, 136(3): pp. B864-B871.
[41] Hong S. and Myung S. (2007). Nanotube Electronics: A flexible
approach to mobility. Nature Nanotechnology, 2(4): pp. 207-208.
102 TÀI LIỆU THAM KHƦO

[42] Huhtala M., Krasheninnikov A.V., Aittoniemi J., Stuart S.J., Nordlund
K., and Kaski K. (2004). Improved mechanical load transfer between
shells of multiwalled carbon nanotubes. Physical Review B, 70,
045404.
[43] Iijima S. (1991). Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,
354: pp. 56-58.
[44] Iijima S. and Ichihashi T. (1993). Single-shell carbon nanotubes of 1-
nm diameter. Nature, 363: pp. 603 - 605.
[45] Jäger H.U. and Albe K. (2000). Molecular-dynamics simulations of
steady-state growth of ion-deposited tetrahedral amorphous carbon
films. Journal of Applied Physics, 88, 1129.
[46] Jeong B.W., Lim J.K., and Sinnotta S.B. (2007). Tensile mechanical
behavior of hollow and filled carbon nanotubes under tension or
combined tension-torsion. Applied Physics Letters, 90, 023102.
[47] Jiang L. and Guo W. (2011). A molecular mechanics study on size-
dependent elastic properties of single-walled boron nitride nanotubes.
Journal of the Mechanics and Physics of Solids 59(6): pp. 1204-1213.
[48] Jing Y., Sun Y., Niu H., and Shen J. (2013). Atomistic simulations on
the mechanical properties of silicene nanoribbons under uniaxial
tension. Phys. Status Solidi B, 250(8), 1505.
[49] Khare R., Mielke S.L., Paci J.T., Zhang S., Ballarini R., Schatz G.C.,
and Belytschko T. (2007). Coupled quantum mechanical/molecular
mechanical modeling of the fracture of defective carbon nanotubes and
graphene sheets. Physical Review B, 75, 075412.
[50] Kınacı A., Haskins J.B., Sevik C., and gın T.C.a. (2012). Thermal
conductivity of BN-C nanostructures. Physical Review B, 86, 115410.
[51] Kudin K.N., Scuseria G.E., and Yakobson B.I. (2001). C2F, BN, and C
nanoshell elasticity from ab initio computations. Physical Review B,
64(23), 235406.
[52] Le Minh-Quy and Nguyen Danh-Truong (2014). Atomistic simulations
of pristine and defective hexagonal BN and SiC sheets under uniaxial
tension. Materials Science & Engineering A, 615(2014): pp. 481-488.
[53] Le Minh Quy (2014). Atomistic Study on the Tensile Properties of
Hexagonal AlN, BN, GaN, InN and SiC Sheets. Journal of
Computational and Theoretical Nanoscience, 11(6): pp. 1458-1464.
[54] Le Minh Quy and Nguyen Danh Truong (2015). Determination of
elastic properties of hexagonal sheets by atomistic finite element
analysis. J. Comput. Theor. Nanosci., 12(4): pp. 566-574.
[55] Leach A.R. (2001). Molecular Modelling Principles and Applications. 2
ed., Great Britain by Henry Ling Ltd: Prentice Hall.
[56] Lee C., Wei X., Kysar J.W., and Hone J. (2008). Measurement of the
Elastic Properties and Intrinsic Strength of Monolayer Graphene.
Science, 321: pp. 385-388.
TÀI LIỆU THAM KHƦO 103

[57] Lennard-Jones J.E. (1931). Cohesion. in Proceedings of the Physical

Society. pp. 461–482.
[58] Li C. and Chou T.W. (2003). A structural mechanics approach for the
analysis of carbon nanotubes. International Journal of Solids and
Structures, 40: pp. 2487-2499.
[59] Lin S.S. (2012). Light-Emitting Two-Dimensional Ultrathin Silicon
Carbide. The Journal of Physical Chemistry C, 116(6): pp. 3951-3955.
[60] Lindsay L. and Broido D.A. (2010). Optimized Tersoff and Brenner
empirical potential parameters for lattice dynamics and phonon
thermal transport in carbon nanotubes and graphene. Physical Review
B, 81, 205441.
[61] Liu B., Huang Y., Jiang H., Qu S., and Hwang K.C. (2004). The atomic-
scale finite element method. Computer Methods in Applied Mechanics
and Engineering, 193: pp. 1849-1864.
[62] Liu F., Ming P., and Li J. (2007). Ab initio calculation of ideal strength
and phonon instability of graphene under tension. Physical Review B,
76, 064120.
[63] Liu W.K., Karpov E.G., Zhang S., and Park H.S. (2004). An
introduction to computational nanomechanics and materials.
Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering, 193(17-
20): pp. 1529-1578.
[64] Lu J.P. (2008). Elastic properties of Carbon Nanotubes and
Nanoropes. Phys. Rev. Lett, 79, 1297.
[65] Lu X. and Chen Z. (2005). Curved Pi-Conjugation, Aromaticity, and
the Related Chemistry of Small Fullerenes (<C60) and Single-Walled
Carbon Nanotubes. Chemical Reviews, 105(10): pp. 3643–3696.
[66] Manjanath A. and Singh A. (2014). Low formation energy and kinetic
barrier of Stone-Wales defect in infinite and finite silicene. Chemical
Physics Letters, 592: pp. 52-55.
[67] Meng L., Wang Y., Zhang L., Du S., Wu R., Li L., Zhang Y., Li G., Zhou
H., Hofer W., and Gao H. (2013). Buckled Silicene Formation on
Ir(111). Nano Letters, 2: pp. 685-690.
[68] Morbec J.M. and Rahman G. (2013). Role of vacancies in the magnetic
and electronic properties of SiC nanoribbons: An ab initio study.
Physical Review B, 87, 115428.
[69] Mortazavi B. and Remond Y. (2012). Investigation of tensile response
and thermal conductivity of boron-nitride nanosheets using molecular
dynamics simulations. Physica E, 44(9): pp. 1846-1852.
[70] Nasdala L. and Ernst G. (2005). Development of a 4-node finite
element for the computation of nano-structured materials.
Computational Materials Science, 33: pp. 443-458.
[71] Nasdala L., Kempe A., and Rolfes R. (2010). The Molecular Dynamic
Finite Element Method. CMC 19(1): pp. 57-104.
104 TÀI LIỆU THAM KHƦO

[72] Ni Z., Liu Q., Tang K., Zheng J., Zhou J., Qin R., Gao Z., D. Yu, and
Lu J. (2012). Tunable band gap in silicene and germanene. Nano Lett,
12, 113.
[73] Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Zhang Y.,
Dubonos S.V., Grigorieva I.V., and Firsov A. (2004). Electric Field
Effect in Atomically Thin Carbon Films. Science, 306(5696): pp. 666-
669
[74] Oh E.S. (2011). Elastic Properties of Various Boron-Nitride
Structures. Metals and Materials International, 17(1): pp. 21-27.
[75] Ozcelik V., Gure H., and Ciraci S. (2013). Self-healing of vacancy
defects in single-layer graphene and silicene. Physical Review B, 88,
045440.
[76] Pacilé D., Meyer J.C., Girit Ç.Ö., and Zettl A. (2008). The two-
dimensional phase of boron nitride: Few-atomic-layer sheets and
suspended membranes. Applied Physics Letters, 92(13), 133107
[77] Padova P., Kubo O., Olivieri B., Quaresima C., Nakayama T., Aono M.,
and Lay G. (2012). Multilayer Silicene Nanoribbons. Nano Letters,
12(11): pp. 5500-5503.
[78] Padova P.D., Quaresima C., Ottaviani C., Sheverdyaeva P.M., Moras P.,
Carbone C., Topwal D., Olivieri B., Kara A., Oughaddou H., Aufray B.,
and Lay G.L. (2010). Evidence of graphene-like electronic signature in
silicene nanoribbons. Applied Physics Letters, 96, 261905.
[79] Pantano A., Parks D.M., and Boyce M.C. (2004). Mechanics of
deformation of single- and multi-wall carbon nanotubes. Journal of
the Mechanics and Physics of Solids, 52(4): pp. 789-821.
[80] Pastewka L., Klemenz A., Peter Gumbsch, and Moseler a.M. (2013).
Screened empirical bond-order potentials for Si-C. Physical Review B,
87, 205410.
[81] Pei Q.X., Sha Z.D., Zhang Y.Y., and Zhang Y.W. (2014). Effects of
temperature and strain rate on the mechanical properties of silicene.
J. Appl. Phys., 115, 023519.
[82] Peng Q., Ji W., and De S. (2012). Mechanical properties of the
hexagonal boron nitride monolayer: Ab initio study. Computational
Materials Science, 56: pp. 11-17.
[83] Peng Q., Wen X., and De S. (2013). Mechanical stabilities of silicene.
RSC Advances, 3, 13772.
[84] Pop E., Mann D., Wang Q., Goodson K., and Dai H. (2005). Thermal
conductance of an individual single-wall carbon nanotube above room
temperature. Nano Letters, 6(1): pp. 96-100.
[85] Popov V.N., Van Doren V.E., and Balkanski M. (2000). Elastic
properties of single-walled carbon nanotubes. Physical Review B, 61:
pp. 3078-3084.
TÀI LIỆU THAM KHƦO 105

[86] Prylutskyy Y.I., Durov S.S., Ogloblya O.V., Buzaneva E.V., and Schar
P. (2000). Molecular dynamics simulation of mechanical, vibrational
and electronic properties of carbon nanotubes. Computational
Materials Science, 17: pp. 352-355.
[87] Qian D., Liu W.K., and Ruoff R.S. (2001). Mechanics of c60 in
nanotubes. The Journal of Physical Chemistry B, 105: pp. 10753-
10758.
[88] Qian D., Wagner G.J., Liu W.K., Yu M.F., and Ruoff R.S. (2002).
Mechanics of carbon nanotubes. Applied Mechanics Reviews, 55(6):
pp. 495-533.
[89] Qin R., Wang C.H., Zhu W., and Zhang Y. (2012). First-principles
calculations of mechanical and electronic properties of silicene under
strain. AIP Adv., 2, 022159.
[90] Ramachandran K.I., Deepa G., and Namboori K. (2008).
Computational Chemistry and Molecular Modeling Principles and
Applications. Springer.
[91] Rappe A.K., Casewit C.J., Colwell K.S., Goddard III W.A., and Skid
W.M. (1992). UFF, a Full Periodic Table Force Field for Molecular
Mechanics and Molecular Dynamics Simulations. Journal of the
American Chemical Society, 114(25), 10024.
[92] Roman R.E. and Cranford S.W. (2014). Mechanical properties of
silicene. Comput. Mater. Sci., 82, 50.
[93] Sahin H., Cahangirov S., Topsakal M., Bekaroglu E., Akturk E.,
Senger R.T., and Ciraci S. (2009). Monolayer honeycomb structures of
group-IV elements and III-V binary compounds: First-principles
calculations. Physical Review B, 80(15), 155453.
[94] Sahin H., Sivek J., Li S., Partoens B., and Peeters F. (2013). Stone-
Wales defects in silicene: Formation, stability, and reactivity of defect
sites. Physical Review B, 88, 045434.
[95] Sammalkorpi M., Krasheninnikov A., Kuronen A., Nordlund K., and
Kaski K. (2004). Mechanical properties of carbon nanotubes with
vacancies and related defects. Physical Review B, 70, 245416.
[96] Sánchez-Portal D., Artacho E., Soler J.M., Rubio A., and Ordejón P.
(1999). Ab initio structural, elastic, and vibrational properties of
carbon nanotubes. Physical Review B, 59(19): pp. 12678-12688.
[97] Sanders R. (2003). Physicists build world's smallest motor using
nanotubes and etched silicon. University of California, Berkeley News.
[98] Sevik C., Kinaci A., Haskins J.B., and Cagın T. (2011).
Characterization of thermal transport in low-dimensional boron
nitride nanostructures. Physical Review B, 84, 085409.
[99] Shenderova O.A., Brenner D.W., Omeltchenko A., Su X., and Yang
L.H. (2000). Atomistic modeling of the fracture of polycrystalline
diamond. Physical Review B, 61, 3877.
106 TÀI LIỆU THAM KHƦO

[100] Shi Y., Hamsen C., Jia X., Kim K.K., Reina A., Hofmann M., Hsu A.L.,
Zhang K., Li H., Juang Z.Y., Dresselhaus M.S., Li L.J., and Kong J.
(2010). Synthesis of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Thin Film by
Chemical Vapor Deposition. Nano Letters, 10(10): pp. 4134-4139.
[101] Sinha S., Barjami S., Iannacchione G., Schwab A., and Muench G.
(2005). Off-axis thermal properties of carbon nanotube films. Journal
of Nanoparticle Research, 7(6): pp. 651-657.
[102] Song J., Wu J., Huang Y., and Hwang K.C. (2008). Continuum
modeling of boron nitride nanotubes. Nanotechnology, 19(44),
445705.
[103] Song L., Ci L., Lu H., Sorokin P.B., Jin C., Ni J., Kvashnin A.G.,
Kvashnin D.G., Lou J., Yakobson B.I., and Ajayan P.M. (2010). Large
Scale Growth and Characterization of Atomic Hexagonal Boron Nitride
Layers. Nano Letters, 10(8): pp. 3209-3215.
[104] Song Y., Zhang Y., Zhang J., Lu D., and Xu K. (2011). First-principles
study of the structural and electronic properties of armchair silicene
nanoribbons with vacancies. Journal of Molecular Structure, 990: pp.
75-78.
[105] Sun C. and Zhao W. (2005). Prediction of stiffness and strength of
single-walled carbon nanotubes by molecular-mechanics based finite
element approach. Materials Science and Engineering A, 390: pp. 366-
371.
[106] Suryavanshi A.P., Yu M.F., Wen J., Tang C., and Bando Y. (2004).
Elastic modulus and resonance behavior of boron nitride nanotubes.
Applied Physics Letters, 84, 2527.
[107] Takeda K. and Shiraishi K. (1994). Theoretical possibility of stage
corrugation in Si and Ge analogs of graphite. Physical Review B, 50,
14916.
[108] Terrones M., Homo-Herrera J.M., Cruz-Silvia E., López-Urías F.,
Muñoz-Sandoval E., Velázquez-Salazar J.J., Terrones H., Bando Y.,
and Golberg D. (2007). Pure and doped boron nitride nanotubes.
Materials today, 10(5): pp. 30-38.
[109] Tersoff J. (1989). Modeling solid state chemistry: Interatomic
potentials for multicomponent systems. Physical Review B, 39(8): pp.
5566-5568.
[110] Topsakal M., Aktürk E., and Ciraci S. (2009). First-principles study of
two- and one-dimensional honeycomb structures of boron nitride.
Physical Review B, 79(11), 115442
[111] Topsakal M. and Ciraci S. (2010). Elastic and plastic deformation of
graphene, silicene, and boron nitride honeycomb nanoribbons under
uniaxial tension: A first-principles density-functional theory study.
Physical Review B, 81(2), 024107.
TÀI LIỆU THAM KHƦO 107

[112] Troya D., Mielke S.L., and Schatz G.C. (2003). Carbon nanotube
fracture - differences between quantum mechanical mechanisms and
those of empirical potentials. Chemical Physics Letters, 382: pp. 133-
141.
[113] Tu Z.C. and Ou-Yang Z.-c. (2002). Single-walled and multiwalled
carbon nanotubes viewed as elastic tubes with the effective Young
moduli dependent on layer number. Physical Review B, 65(23),
233407.
[114] Tu Z.C. and Hu X. (2006). Elasticity and piezoelectricity of zinc oxide
crystals, single layers, and possible single-walled nanotubes. Physical
Review B, 74(3), 035434
[115] Verma V., Jindal V.K., and Dharamvir K. (2007). Elastic moduli of a
boron nitride nanotube. Nanotechnology, 18(43), 435711.
[116] Wackerfuß J. (2009). Molecular mechanics in the context of the finite
element method. International Journal for Numerical Methods in
Engineering, 77: pp. 969-997.
[117] Wang Y., Sun C., Sun X., Hinkley J., Odegard G., and Gates T. (2003).
2-D nano-scale finite element analysis of a polymer field. Composites
Science and Technology, 63: pp. 1581-1590.
[118] Wang Y., Zhang C., Zhou E., Sun C., Hinkley J., Gates T.S., and Su J.
(2006). Atomistic finite elements applicable to solid polymers.
Computational Materials Science, 36: pp. 292-302.
[119] Watanabe K., Taniguchi T., and Kanda H. (2004). Direct-bandgap
properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron
nitride single crystal. 3: pp. 404-409.
[120] Wei X., Fragneaud B., Marianetti C.A., and Kysar J.W. (2009).
Nonlinear elastic behavior of graphene: Ab initio calculations to
continuum description. Physical Review B, 80, 205407.
[121] Xu L., Wei N., and Zheng Y. (2013). Mechanical properties of highly
defective graphene: from brittle rupture to ductile fracture.
Nanotechnology, 24, 505703.
[122] Xu M., Paci J.T., Oswald J., and Belytschko T. (2012). A constitutive
equation for graphene based on density functional theory.
International Journal of Solids and Structures, 49(18): pp. 2582-
2589.
[123] Yakobson B.I., Brabec C.J., and Bernholc J. (1996). Nanomechanics
of Carbon Tubes: Instabilities beyond Linear Response. Physical
Review Letters, 76(14): pp. 2511-2514.
[124] Yamijala S. and Pati S.K. (2013). Electronic and Magnetic Properties
of Zigzag Boron-Nitride Nanoribbons with Even and Odd-Line Stone-
Wales (5−7 Pair) Defects. The Journal of Physical Chemistry C, 117:
pp. 3580−3594.
108 TÀI LIỆU THAM KHƦO

[125] Yu M.F., Lourie O., Dyer M.J., Moloni K., Kelly T.F., and Ruoff R.S.
(2000). Strength and Breaking Mechanism of Multiwalled Carbon
Nanotubes Under Tensile Load. Science, 287(5453): pp. 637-640.
[126] Zhang C.W. (2012). First-principles study on electronic structures and
magnetic properties of AlN nanosheets and nanoribbons. Journal of
Applied Physics, 111(04), 043702.
[127] Zhang D.B., Akatyeva E., and Dumitrica T. (2011). Helical BN and
ZnO nanotubes with intrinsic twisting: An objective molecular
dynamics study. Physical Review B, 84(11), 115431.
[128] Zhang L. (2006). Stability analysis of atomic structures. Dissertation,
University of Iowa.
[129] Zhang S., Mielke S.L., Khare R., Troya D., Ruoff R.S., Schatz G.C.,
and Belytschko. T. (2005). Mechanics of defects in carbon nanotubes:
Atomistic and multiscale simulations. Physical Review B, 71, 115403.
[130] Zhao H., Min K., and Aluru N.R. (2009). Size and Chirality Dependent
Elastic Properties of Graphene Nanoribbons under Uniaxial Tension.
Nano Letters, 9(8): pp. 3012-3015.
[131] Zhao H. (2012). Strain and chirality effects on the mechanical and
electronic properties of silicene and silicane under uniaxial tension.
Phys. Lett. A, 376: pp. 3546-3550.
[132] Zhao S. and Xue J. (2013). Mechanical properties of hybrid graphene
and hexagonal boron nitride sheets as revealed by molecular dynamic
simulations. Journal of Physics D: Applied Physics, 46, 135303.
[133] Zienkiewicz O.C., Taylor R.L., and Zhu J.Z. (2005). The Finite
Element Method: Its Basis and Fundamentals. 6 ed., Butterworth
Heinemann, Oxford, UK: Elsevier. 756.
 109

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN

Nghiên cứu sinh đã công bố đƣợc 05 công trình gồm:

 01 bài báo đăng trên Tuyển tập hội nghị khoa học cƩp quốc gia.

[1] Le Minh Quy, Nguyen Danh Truong (2014). A comparative study of

different finite element methods in determining of elastic properties of

single layer graphene sheet. Tuyển tập công trình Hội nghị Cơ học kỹ
thuật toàn quốc, Hà Nội, 09/04/2014. Tập 2: Cơ học vật rắn biến dƥng,

pp. 361-366.

 03 bài báo trên Tƥp chí khoa học quốc tế ISI (02 SCI, 01 SCIE).

[2] Minh-Quy Le, Danh-Truong Nguyen (2014). Atomistic simulations of

pristine and defective hexagonal BN and SiC sheets under uniaxial

tension. Materials Science & Engineering A. Vol. 615: pp. 481 - 488.
ISSN 0921–5093 (SCI).

[3] Minh-Quy Le, Danh-Truong Nguyen (2015). The role of defects in the

tensile properties of silicene. Applied Physics A: Materials Science &

Processing. Vol. 118(4): pp. 1437-1445. ISSN 0947-8396 (SCI).

[4] Minh-Quy Le, Danh-Truong Nguyen (2015). Determination of elastic

properties of hexagonal sheets by atomistic finite element analysis.

Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. Vol. 12(4): pp.

566-574. ISSN 1546-1955 (SCIE).

 01 bài báo trên Tƥp chí khoa học cƩp quốc gia.

[5] Nguyễn Danh Trƣờng, Lê Minh Quý (2015). Xác định đặc trƣng đàn hồi

của tƩm và ống vật liệu cƩu trúc nano bằng phƣơng pháp phƫn tử hữu
hƥn nguyên tử. Tƥp chí Khoa học và Công nghệ, Viện Hàn Lâm Khoa
học và Công nghệ Việt Nam. Tập 53(2): pp. 254-264.
 110

PHỤ LỤC

Phụ lục 1: Xác định hằng số lực biến dƥng dài từ hàm thế Tersoff

Năng lƣợng E của một liên kết có thể đƣợc khai triển theo chuỗi Taylor

cho biến dƥng nhỏ r  r  r0 nhƣ sau:

E 1 2 E
E  r   E  r0    r  . (P.1)
2
r 
r r  ro 2 r 2 r  ro

Trong đó:

E  r0   0 , do hệ cân bằng tƥi trƥng thái ban đƫu chƣa biến dƥng, r  ro .

E
 0 , do E  r  đƥt cực tiểu tƥi điểm cân bằng r  ro .
r r  ro

Vậy phƣơng trình (P.1) trở thành:

1 2 E
E r    r  . (P.2)
2

2 r 2 r  ro

Phƣơng trình (P.2) có dƥng của hàm thế năng biến dƥng dài của phƫn tử

gồm hai nguyên tử. Trong đó, hằng số lực biến dƥng dài là:

2 E
Cre  . (P.3)
r 2 r  ro

Vậy, hằng số lực Cre có thể đƣợc tính từ hàm thế năng Tersoff E  r  .

Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa

Ma trận độ cứng k r của phƫn tử biến dƥng kéo 2 nút:

 xij2 xij yij xij zij  xij2  xij yij  xij zij 
 
 yij2 yij zij  xij yij  yij2  yij zij 
e 
C zij2  xij zij  yij zij  zij2 
kr  r2  .
l0   xij2 xij yij xij zij 
 Sym yij2 yij zij 
 
 zij2 
Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 111

Gọi k :,i  là cột thứ i của ma trận độ cứng k  của phƫn tử biến dƥng góc

3 nút. Ta có các cột của ma trận k  nhƣ sau:

  x jk  xij cos 0  
2

 
  y  y cos  x  x cos  
 jk ij 0 jk ij 0

  z  z cos  x  x cos  
 jk ij 0 jk ij 0

  x  x  1  cos   x  x cos  
Cijke  ij kj 0 jk ij 0

 
 yij  ykj  1  cos 0   x jk  xij cos 0   ,

k (:,1) 
l sin  0 
2
 
2

  zij  zkj  1  cos 0   x jk  xij cos 0  

0

 
   xij  x jk cos 0  x jk  xij cos 0  
 
   yij  y jk cos 0   x jk  xij cos 0  
 
   zij  z jk cos 0  x jk  xij cos 0  


 k21 
 e 
 
2  jk
y  yij cos 0 
Cijk 2

 
  l0 sin 0 
2

 e 
2  jk 0  jk 0
 Cijk 
z  z c os  y  y c os 
 0
 l sin  0  
ij ij
2

 e 
 xij  xkj  1  cos0   y jk  yij cos0  
Cijk

  l02 sin  0 2
 
 e 
   
Cijk
 y  y  1  cos   y  y cos  
k  :, 2     l0 sin  0 
 2 2 ij kj 0 jk ij 0


 e 
 l 2 sin  2  ij
z  zkj  1  cos 0   y jk  yij cos 0  
 Cijk

 0 0


 e 
  
Cijk
  x  x cos  y  y c os  
  l0 sin 0  
2 ij jk 0 jk ij 0
2
 
 e 
2  ij 0  jk 0 ,
Cijk
  y  y c os  y  y c os 
 l02 sin  0 
jk ij
 
 
 e

2  ij
z  z jk cos 0  y jk  yij cos 0  
Cijk
  2

  l0 sin 0  

112 Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa


 k31 
  
 k32 
 e 
2  jk 0
Cijk 2
 z  z cos  
  0 0 
ij
l 2
sin 
 
 e

 xij  xkj  1  cos 0   z jk  zij cos 0  
Cijk

  l02 sin  0 
2

 
 
e

2  ij
y  ykj  1  cos 0   z jk  zij cos 0  
Cijk
 2
  l sin 0 
 0 

k :, 3  

e 
 z  zkj  1  cos0   z jk  zij cos0  
Cijk

  l 2 sin  2 ij
 0 0

 e 
  
Cijk
  x  x c os  z  z cos  
 l02 sin  0 
ij jk 0 jk ij 0
 
2

 
 e

2  ij
y  y jk cos 0  z jk  zij cos 0  
Cijk
  2
  l0 sin 0  
 
 
e

2  ij
z  z jk cos 0  z jk  zij cos 0  
Cijk
  2

  l0 sin 0  
,


 k41 
  
 k42 
 
k43 
 
 Cijke 
2  ij
x  xkj  1  cos 0 
2 2
 
  l0 sin 0 
2

 e 
 
2  ij
x  xkj  yij  ykj  1  cos 0 
Cijk 2
 
  l0 sin  0 
2


 e 
k  :, 4   
2  ij
x  xkj  zij  zkj  1  cos 0 
Cijk 2

  l02 sin  0  
 
 Cijke 
  x  x   1  c os    x  x cos   
  l02 sin  0 
2 ij kj 0 ij jk 0

 
 Cijke 
 2  x  x  1  cos    y  y c os   
  l0 sin  0 
2 ij kj 0 ij jk 0

 
 Cijke 
2  ij
 2 x  xkj  1  cos 0   zij  z jk cos 0  
  l0 sin  0   ,
Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa 113


 k51 
  
 k52 
 
k53 
  
 k54 
 e 
2  ij
y  ykj  1  cos 0 
Cijk
 
2 2



 l0 sin 0 
2 

 Cijke 


k  :,5   
 y  y  z  z  1  cos  
2

 l0 sin 0 
2 ij kj ij kj 0
2

 
 Cijke 
2  ij
 2 y  ykj  1  cos 0   xij  x jk cos  0  
  l0 sin  0  
 
 Cijke 
2  ij
 2 y  ykj  1  cos 0   yij  y jk cos  0  
  l0 sin  0  
 
Cijke
2  ij
 y  ykj  1  cos 0   zij  z jk cos  0  
 
  l0 sin  0 
2
 ,

 k61 
  
 k62 
 
k63 
  
 k64 
 
k65 
 
 Cijke 
 zij  zkj  1  cos 0 
2 2
 
 
2
 l 2
sin  
k  :, 6   
0 0

 Cijke 
2  ij
 2 z  zkj  1  cos 0   xij  x jk cos  0  
  l0 sin  0  
 
 Cijke
 2 z  zkj  1  cos 0   yij  y jk cos  0  
2  ij
  l0 sin  0  
 e 
 z  z  1  cos0   zij  z jk cos 0  
 Cijk

 0 0
 l 2 sin  2 ij kj
,
114 Phụ lục 2: Ma trận độ cứng phƫn tử của mô hình sử dụng hàm thế điều hòa


 k71 
  
 k72 
 
k73 
  
 k74 
 
k75 
 

 k76 
 
k :, 7   
 e

 xij  x jk cos  0 
Cijk 2
 
 l02 sin 0 
2
 
 e 
2  ij
x  x jk cos  0  yij  y jk cos  0  
 Cijk
 2 
  l0 sin  0  
 e 
 x  x jk cos 0  zij  z jk cos 0  
Cijk

  l 2 sin  2 ij
 0 0  ,

 k81 
 
 k82 
 
k83 
 
 k84 
 
k85 
 
 k86 
k :,8   


 k87 
 
Cijke
2  ij
 y  y jk cos  0  
2


  l0 sin 0 
2 

 Ce 
2  ij 0  ij 0
 ijk
y  y cos  z  z cos  
  l02 sin  0  
jk jk

 ,

 k91 
  
 k92 
 
k93 
  
 k94 
 
k95 
 
k :,9   

 
k96
 

 k97 
  
 k98 
 Cijke 2
2  ij
 z  z jk cos  0  
  l02 sin  0  
 .