Sistemes

electrònics
analògics
Índex

L'electrònica

El díode

El transistor

Circuits electrònics (practica i/o moodle)

Amplificadors operacionals (practica i/o moodle)

Els tiristors (practica i/o moodle)

Els dispositius de potència més utilitzats (practica i/o moodle)

FETXDPB 2
 L'electrònica

Senyals analògics:
presenten una gran quantitat
de valors al llarg del temps.

Senyals digitals:
Sistema electrònic presenten dos únics valors
extrems.

FETXDPB 3
 L'electrònica

•Semiconductors

Germani (Ge), Silici (Si), Arseniur de Gal·li → TETRAVALENTS

A Tª ambient, alguns enllaços es trenquen. Queda un e- lliure i un

forat (positiu). ← GENERACIÓ

Si connectem a ddp els forats i els electrons es mouen i

RECOMBINEN.

SEMICONDUCTORS INTRÍNSECS :Purs. En general, hi ha molt

pocs electrons.
SEMICONDUCTORS EXTRÍNSECS: Dopats amb impureses.
Augmenta el nombre d'electrons o forats.
FETXDPB 4
 Semiconductor tipus n

Impuresa 5 e- (P, As, Sb)→ Un e- lliure

Àtoms donadors.
Els e- són els portadors majoritaris
Els forats + són els portadors minoritaris

Semiconductor tipus p
Impuresa 3 e- (B, Al, Ga, In)→ Un e- capturat → Un forat +
Àtoms acceptors.
Els forats + són els portadors majoritaris
Els e- són els portadors minoritaris

FETXDPB 5
 El díode
Anomenem díode a l'element
electrònic forma per la unió de un
material tipus p i un tipus n
→ Junció p-n

Els electrons majoritaris de la zona n

es recombinen amb els forats de la
zona p → Apareixen ions negatius a
la zona p i positius a la zona n

Es forma una barrera de potencial que

impedeix la circulació del corrent

Si apliquem una ddp als extrems podem disminuir o augmentar la

barrera de potencial
FETXDPB 6
 El díode

•La junció pn En polarització directa el

camp creat per la font de tensió
es resta al de la barrera de
potencial (menys ddp al diode)
→ Es facilita la circulació dels
portadors majoritaris.
La font d'alimentació
subministra “forats” pel costat
positiu cap el negatiu, com el
diode.

En polarització inversa el
camp creat per la font de tensió
es suma al de la barrera de
potencial (augmenta ddp al
Directa
díode) → Es dificulta la
circulació dels portadors
majoritaris (però facilita la dels
Inversa minoritaris)
FETXDPB 7
 El díode

•La corba característica del díode

Polarització directa (V > VD)
el díode es comporta com una r
Tensió de ruptura (-50V) molt petita

Tensió Polarització inversa (V < VD)

Llindar (~0.3 a 0.7 V) el díode es comporta com una r
molt gran

IDEAL (VD = 0)
Polarització directa V > 0
el díode es comporta com
un conductor

Polarització inversa V < 0

el díode es comporta com
un interruptor obert
FETXDPB 8
 El díode

•Rectificadors

Anomenem rectificació a l'obtenció d'un senyal continu a partir d'un

senyal sinusoïdal

Rectificador de mitja ona Vi max −V D

Tensió eficaç sortida: V o ef =
2
Vi max −V D
Tensió mitjana sortida: Vo mitj = π
V o mitj
Corrent mitja directe pel díode: IF ( AV ) =I o mitj =
RL
IF
Corrent de pic pel díode: IF =π · I o mitj ⇒ I o mitj = π max

max

Io max
Corrent eficaç directe: IF (RMS ) = I o ef =
2

Tensió inversa del díode:

V r =V i max

FETXDPB 9
 El díode

Rectificadors de doble ona

Amb pont de díodes
(pont de Graetz)
Tensió eficaç sortida:
Vi max −2V D
V o ef =
√2
2(V i max −2VD )
Tensió mitjana sortida: Vo mitj = π

Io mitj V o mitj
Corrent mitja directe pel díode: IF ( AV ) = =
2 2 · RL

π· Io mitj
2· I F
Corrent de pic pel díode: IF = ⇒ I o mitj = π max

max
2
Animació Pont díodes
Amb presa intermèdia Io
Corrent eficaç directe: max
IF (RMS ) = I o ef =
√2

Tensió inversa del díode: V r =V i max

FETXDPB 10
 Factor de forma i factor d'arrissament

Anomenem factor de forma FF d'una magnitud ondulada V ef

FF=
la relació entre el seu valor eficaç total i el seu valor V mitj
mitjà.

Anomenem factor d'arrissament FR de qualsevol V ef. ond.

F R=
magnitud ondulada la relació existent entre el valor V mitj
eficaç de l'ondulació i el seu valor mitjà.
F R =√ F F 2−1
Exemple resolt: Amb un transformador de 20 V i una resistència de càrrega de 1,5 kΩ
calcula per a un rectificador de mitja ona i per un de ona completa
a) el corrent mitja en un díode
b) el corrent eficaç de sortida.
c) el factor d'arrissament i el de forma
d) la tensió màxima que suporta el díode

FETXDPB 11
 El transistor
El transistor està format per la junció de tres cristalls semiconductors
dopats n-p-n o p-n-p

Per a que el transistor treballi com a tal,

la junció E-B ha de tenir polarització DIRECTA
la junció B-C ha de tenir polarització INVERSA
FETXDPB 12
 El transistor

•Polarització i funcionament del transistor

IEC
I E =I EC + I EB

IC0
IEB
I C =I EC − I C0

I B= I EB +I C0

I E =I B + I C
IEC
IC0

IEB
I E =I EC + I EB
I C =I EC + I C0

I B= I EB −I C0 FETXDPB 13
 El transistor

•Paràmetres característics del transistor

I EC I C − I C0
El paràmetre α indica la relació entre el corrent que α=
IE
=
IE
⇒
arriba al col·lector des de l'emissor i el corrent de
l'emissor IC
α≈
IE
Generalment pren valors entre 0.95 i 0.99
I EC I C − I C0
β= = ⇒
El paràmetre β indica la relació entre el corrent de I EB I B+ I C0
l'emissor que arriba al col·lector i el que va a la base.
També s'anomena hFE o factor d'amplificació IC
β≈
IB
Generalment pren valors entre 50 i 500

Combinant,
β I E =I B (β+1)
α=
β+1
FETXDPB 14
 El transistor

•Muntatges bàsics amb transistors

Tres tipus de configuracions segons el terminal
connectat comú

Emissor comú Base comuna Col·lector comú

EC BC CC

NPN

PNP

FETXDPB 15
 El transistor

•Corba característica i Recta de càrrega

Zona de Tall

Zona Activa o Lineal

Zona de Saturació

Punt de treball Q, sobre la

recta de càrrega.

Valors extrems determinats

pel circuit de polarització.

FETXDPB 16
 El transistor

•Circuits típics de polarització

•Transistor en commutació

Estat de tall Estat de saturació

B-E inversa (VBE< 0,7V) B-E directa (VBE > 0,7V) i VCE ~ 0

Interruptor obert Interruptor tancat

(IC= 0, IB= 0, VCE= VCC, VBE< 0.7 V) (IC ≤ β IB , VCE ~0.2 V, VBE ≥ 0.7 V)

FETXDPB 17