ĐIỆN TỬ HẠT NHÂN

MỤC LỤC
MỞ ĐẦU ..................................................................................................................................... 3
SƠ ĐỒ KHỐI CHUNG CỦA CÁC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ GHI NHÂN BỨC XẠ HẠT
NHÂN .................................................................................................................................... 5
CHƯƠNG 1: CÁC ĐẦU GHI BỨC XẠ VÀ SƠ ĐỒ TIỀN KHUẾCH ĐẠI ........................ 6
§1.1. BUỒNG ION HÓA ...................................................................................................... 10
§1.2 ỐNG ĐẾM TỶ LỆ ........................................................................................................ 14
§1.3. ỐNG ĐẾM GEIGER MULLER ................................................................................ 16
§1.4. ĐẦU GHI BÁN DẪN................................................................................................... 20
§1.5 ĐẦU GHI NHẤP NHÁY.............................................................................................. 32
CHƯƠNG 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐIỆN ................................................................... 39
§2.1. CÁC THÔNG SỐ CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI VÀ YÊU CẦU ĐỐI VỚI BỘ
KHUẾCH ĐẠI TUYẾN TÍNH ...................................................................................... 39
§2.2. Phân loại các bộ khuếch đại ....................................................................................... 40
§2.3. Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại ................................................................................ 41
§2.4. Sơ đồ khuếch đại dùng Transistor ............................................................................. 43
§2.5. SƠ ĐỒ KĐ DÙNG KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN ................................................ 47
§2.6. TẠP ÂM TRONG MÁY ĐIỆN TỬ ........................................................................... 54
§2.7. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI XUNG TÁC ĐỘNG NHANH ............................................ 56
CHƯƠNG 3: XỬ LÝ CÁC TÍN HIỆU TỪ ĐẦU GHI BỨC XẠ ........................................ 58
§3.1. NHỮNG VẤN ĐỀ TRONG VIỆC XỬ LÝ TƯƠNG TỰ TÍN HIỆU TỪ ĐẦU GHI
BỨC XẠ ........................................................................................................................... 58
§3.2. LÀM NGẮN XUNG .................................................................................................... 59
§3.3. KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU TỪ ĐẦU GHI BỨC XẠ ................................................ 62
§3.4. MẠCH TẠO DẠNG XUNG ....................................................................................... 67
§3.5. QUÁ TẢI TRONG BỘ KĐ VÀ MẠCH XÁC LẬP MỨC 1 CHIỀU ..................... 68
§3.6. SƠ ĐỒ CHO QUA TUYẾN TÍNH ............................................................................ 72
§3.7. PHƯƠNG PHÁP LOẠI TRỪ XUNG CHỒNG CHẤT ........................................... 74
§3.8. SƠ ĐỒ KÉO DÃN XUNG .......................................................................................... 75

1
 §3.9. SƠ ĐỒ PHÂN BIỆT DẠNG XUNG .......................................................................... 76
CHƯƠNG 4: BIẾN ĐỔI TƯƠNG TỰ SỐ VÀ GHI NHÂN TIN TỨC SỐ ........................ 78
§4.1. ĐẾM XUNG ................................................................................................................. 78
3. Các bộ đếm đồng bộ ........................................................................................................ 83
§4.2. ĐO TẦN SỐ TRUNG BÌNH....................................................................................... 84
§4.3. BIẾN ĐỔI TƯƠNG TỰ SỐ VÀ SỐ TƯƠNG TỰ.................................................... 86
§4.4. GHI VÀ NHỚ TIN TỨC SỐ .................................................................................... 100
CHƯƠNG 5: CÁC PHÉP ĐO PHÂN BỐ THỜI GIAN .................................................... 104
§5.1. CÁC LOẠI PHÉP ĐO THỜI GIAN........................................................................ 104
§5.2. PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ XUNG THEO THỜI ĐIỂM XUẤT HIỆN ................. 107
§5.3. ĐO VÀ MÃ HÓA KHOẢNG THỜI GIAN NHỎ .................................................. 112
§5.4. ĐO VÀ MÃ HÓA KHOẢNG THỜI GIAN KHÔNG NHỎ .................................. 115
CHƯƠNG 6: PHÉP ĐO PHÂN BỐ BIÊN ĐỘ XUNG ...................................................... 118
§6.1. CÁC PHÉP ĐO BIÊN ĐỘ XUNG ........................................................................... 118
§6.2. SƠ ĐỒ PHÂN BIỆT BIÊN ĐỘ ................................................................................ 119
§6.3. PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ VI PHÂN ........................................................................... 123
4. Đánh giá chất lượng của MCA ...................................................................................... 128
5. Một số kiểu MCA............................................................................................................ 130
CHƯƠNG 7. CÁC HỆ ĐO ĐẠC ĐIỀU KHIỂN VẬT LÝ HẠT NHÂN THỰC NGHIỆM
............................................................................................................................................ 134
§7.1.Chuẩn NIM, EUROCARD và VISNIA .................................................................... 134
§7.2.Chuẩn on-line CAMMAC, VECTOR, FAST BUS, VME, PC BUS ...................... 137

2
 MỞ ĐẦU

Tên gọi điện tử và thiết bị hạt nhân mới bao hàm đầy đủ nội dung của giáo
trình này. Tuy tia phóng xạ phát hiên vào cuối thế kỷ 19 nhưng điện tử hạt nhân
manh nha từ những năm bốn mươi, năm mươi thế kỷ 20 khi các thiết bị điện tử ra
đời và phát triển. Khác với các lĩnh vực khoa học như cơ, quang, nhiệt giác quan
con người có thể trực tiếp cảm nhận được; khoa học hạt nhân nghiên cứu đa số các
hiện tượng của hạt nhân, nguyên tử mà các giác quan con người không trực tiếp cảm
nhận được mà thông qua công cụ (phần cứng) và tư duy trí tuệ ( phần mềm) của con
người. Vào những năm bốn mươi, năm mươi thế kỷ hai mươi, trong giai đoạn cuối
của chiến tranh thế giới lần thứ hai và giai đoạn đầu của chiến tranh lạnh, do chay
đua vũ trang, khoa học nói chung, điện tử học phát triển xuất hiện đèn điện tử một
yếu tố cơ bản để xây dựng các mạch khuếch đại, các mạch logic. Đèn điện tử có
nhiều loạị, (đèn hai cực để chỉnh lưu, đèn ba cực để khuếch đại tín hiệu, đèn 4 cực
làm khuếch đại có điều khiển, đèn 5 cực để làm các chức năng trùng phùng…). Các
thành tựu của điện tử học đã được sử dụng trong quân sự, trong khoa học, trong đời
sống. Công nghệ thông tin vô tuyến truyền thanh, truyền hình, rađa, ngành khoa học
tin học và máy tín cũng ra đời. Vật lý hạt nhân là ngành mũi nhọn vì vai trò của nó
trong chiến tranh nên mọi khả năng về nhân vật lực cũng như các thành quả mới
nhất của khoa học công nghệ đều được đưa vào cho các nghiên cứu vật lý hạt nhân
thực nghiệm. Các thành tựu của điện tử học được đưa vào áp dụng để nghiên cứu
vật lý hạt nhân thành một chuyên ngành riêng là điện tử hạt nhân. So với nhiều
ngành khoa học khác, các ngành công nghiệp cũng như đòi sống vật lý hạt nhân thực
nghiệm bao giờ cũng sử dụng các thành quả tinh hoa của các ngành khoa học công
nghệ khác đặc biệt là điện tử và công nghệ thông tin.
Từ những năm năm mươi thế kỷ 20 đã áp dụng đèn điện tử để xây dựng các
mạch đếm phóng xạ, các máy đơn kênh, đa kênh đo phổ các tia bức xạ (đó là các
khối cao áp, tiền khuếch đại, khuếch đại, trùng phùng, đếm, biến đổi biên độ thành
số ADC, máy tính số …), các thiết bị điều khiển máy gia tốc, lò phản ứng. Sang
những năm sáu mươi thế kỷ 20 đèn bán dẫn thay thế đèn điện tử, kích thước và công
suất tiêu thụ của thiết bị thu nhỏ đáng kể, xuất hiện các khối điện tử chức năng (đó
là các khối cao áp, tiền khuếch đại, khuếch đại, trùng phùng, đếm, biến đổi biên độ
thành số ADC), các hệ chuẩn như NIM, BИШΗЯ, máy tính nhỏ. Những năm sáu
mươi xuất hiện các mạch vi điện tử, hệ chuẩn các khối chức năng xử lý online
CAMAC (đó cũng là các khối cao áp, tiền khuếch đại, khuếch đại, trùng phùng,
đếm, biến đổi biên độ thành số ADC nhưng có BUS ghép nối online DATAWAY
3
vào máy tính qua khối điều khiển khung ). Vào những năm bảy và tám mươi sự xuất
hiện mạch vi xử lý, mạch siêu tích hợp, mạch in nhiều lớp, các vi mạch có khả năng
lập trình PAL, GAL, FPGA ngoài hệ chuẩn CAMAC, xuất hiện hệ các khối chức
năng chuẩn xử lý online trên hệ thống nhiều trung tâm xử lý song song đó là chuẩn
VME. Trong lĩnh vực đầu dò hạt nhân cũng không ngừng phát triển từ đầu dò chứa
khí đến đầu dò nhấp nháy, đầu đò bán dẫn, ma trận đầu dò.
Ngay từ những năm 1960 đã xuất hiện nhiều giáo trình điện tử hạt nhân ở các
trường đại học ở ÂU, Mỹ và không ngừng được cập nhật theo sự tiến bộ của khoa
hoc, công nghệ.
Môn học điện tử hạt nhân đã được giảng dạy trong các trường đại học ở Việt
nam đã hơn 50 năm nay. Ngay trong thời gian chiến tranh sơ tán ở núi rừng sinh
viên đã được làm các bài thực tập về điện tử hạt nhân, đã có các luận văn tốt nghiệp
thiết kế, lắp ráp máy phân tích vi phân đơn kênh trên các bóng đèn điện tử; cuối
những năm sáu mươi tại một số viện nghiên cứu đã thiết kế lắp ráp các máy đo hoạt
độ phóng xạ bằng ống đếm GM và các linh kiện bán dẫn; hiện nay trong các viện
nghiên cứu, các trường đại học đã sử dụng cũng như nghiên cứu và chế tạo nhiều
thiết bị hạt nhân hiện đại.
Giáo trình điện tử hạt nhân đầu tiên đã được soạn thảo bởi thầy giáo, giáo sư
Nguyễn Hữu Xý cũng đã gần 50 năm; giáo trình này được Giáo sư cùng các cộng sự
chính thức biên soạn lại với nhiều bổ sung vào năm 1974. Từ đó đến nay giáo trình
này đã được nhiều thầy giáo sử dụng và bổ sung; tuy nhiên không chính thức được
biên soạn, in ấn, nên không được lưu truyền.
Từ đó đến nay ngành điện tử tin học nói chung, điện tử hạt nhân nói riêng có
những bước tiến vượt bậc. Ở các nước tiên tiến đã liên tục cho xuất bản các giáo
trình rất hiện đại, cập nhật. Nằm trong khung cảnh chung, do nhu cầu đào tạo các
cán bộ, các chuyên gia công nghệ hạt nhân, việc biên soạn các bộ giáo trình hạt nhân
nói chung, giáo trình điện tử hạt nhân nói riêng cho cấp đại học và sau đại học trở
nên cấp thiết.
Môn học cung cấp cho sinh viên những kiến thức về đầu dò bức xạ, đặc điểm
của tín hiệu từ đầu ghi, các sơ đồ tiền khuếch đại ghép với nó, các phương pháp
riêng để xử lý tín hiệu cũng như tạo lập các hệ đo và ghép nối máy tính.
Tập bài giảng này được dung làm tài liệu dành riêng cho sinh viên thuộc Viện
Kỹ thuật Hạt nhân và Vật lý Môi trường, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. sinh
viên học môn này sau khi đã được học một số môn cơ sở như: Kỹ thuật điện tử, Kỹ
thuật xung số, Cơ sở vật lý hạt nhân…cho nên môn học chú trọng trình bày những
phần và khối đặc trưng của điện tử hạt nhân.
4
SƠ ĐỒ KHỐI CHUNG CỦA CÁC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ GHI NHÂN BỨC XẠ
HẠT NHÂN

Đối tượng Đối tượng

N/C N/C

Biến Xử Biến
đổi Tiền lý tín đổi
KĐ
vào KĐ hiệu ra

Khối điều Nguồn

khiển nuôi

1) Khối biến đổi vào: biến đổi đại lượng không điện thành điện – là đầu ghi bức xạ.
khi bức xạ hạt nhân rơi vào vùng làm việc (vùng nhạy) của đầu dò thì ở lối rat a
ghi nhận được một tín hiệu điện. Đánh giá các thông số của tín hiệu điện thu
được này ta sẽ ghi nhận được các thông tin về bức xạ hạt nhân.
2) Khối khuếch đại: vì tín hiệu tại lối ra của đầu ghi rất nhỏ nên cần có khối khuếch
đại (KĐ) để KĐ các tín hiệu này trước khi xử lý. Tuy nhiên khối khuếch đại cần
phối hợp trở kháng tốt với đầu ghi bức xạ để ghi nhận bức xạ một cách tốt nhất
cho nên khối KĐ được tách thành hai tầng: tầng tiền KĐ (TKĐ) và tầng KĐ
chính. TKĐ có chức năng khuếch đại sơ bộ và phối hợp trở kháng với tầng KĐ
chính.
3) Khối xử lý tín hiệu: Tín hiệu ra từ khối KĐ sẽ đi vào khối xử lý tín hiệu. Tùy
theo mục đích thiết kế mà sơ đồ khối xử lý sẽ là gì. Ví dụ như: đếm xung,
ADC… Thông thường khối xử lý tín hiệu thể hiện công dụng, tính năng của máy.
4) Khối biến đổi ra: Biến đổi đại lượng điện thành đại lượng không điện, khối này
có chức năng biến đổi để hiện thị kết quả ghi đo.
5) Khối điều khiển: Khối này có chức năng điều khiển toàn bộ hoạt động của máy.
6) Khối nguồn nuôi: Khối này có chức năng cung cấp nguồn điện cho máy hoạt
động.

5
 CHƯƠNG 1: CÁC ĐẦU GHI BỨC XẠ VÀ SƠ ĐỒ TIỀN KHUẾCH ĐẠI

Tương tác của bức xạ với vật chất sẽ dẫn đến sự ion hóa hoặc kích thích các
nguyên tử hoặc phân tử trong vật chất. Về mặt tổng quát ta có thể phân chia các cơ
chế tương tác của bức xạ với vật chất ứng dụng trong ghi đo như sau:
+ Các hạt mang điện như proton (p), alpha (α), beta (β), ion nặng…gây ion
hóa trực tiếp tạo ra các hạt dẫn điện,
+ Các tia γ và tia X thông qua cơ chế tương tác quang điện hoặc tương tác
Compton nó sẽ truyền toàn bộ hoặc một phần năng lượng cho các electron (thường ở
vành điện tử bên trong) là các electron này nhận năng lượng thoát khỏi phân tử tạo
thành điện tử tự do.
+ Đối với neutron (n) để ghi nhận bức xạ này thì ta phải dự vào phản ứng hạt
nhân của n với hạt nhân như 10B, 3He, 6Li, 235U… có trong vật liệu làm đầu dò để tại
ra các hạt mang điện như p hoặc α từ đó mới có thể ghi nhận.
Do hiện tượng ion hóa mà trong môi trường đầu dò xuất hiện các cặp điện tử
và ion dương (hoặc lỗ trống). Các loại đầu ghi bức xạ dựa trên cơ chế ion hóa là:
Buồng ion hóa, ống đến tỷ lệ, ống đếm Geiger Muller, đầu ghi nhấp nháy và đầu ghi
bán dẫn.
Đó là những đầu ghi bức xạ được xử dụng phổ biến nhất hiện nay mà sẽ được
nghiên cứu ở trong chương này.
1. TỔNG QUAN VỀ ĐẦU DÒ CHỨA KHÍ
1.1. Nguyên lý đầu dò chứa khí
Các đầu dò này dùng khí làm môi trường làm việc của đầu dò, môi trường khí
này có hai tính chất cần thoả mãn: tính cách ly (khi hai điện cực được tích điện có
một hiệu điện thế dược đặt trong môi trường khí này thì chất khí bảo vệ để không
xảy ra hiện tượng phóng điện giữa hai điện cực); tính dẫn điện (nếu có những hạt
mang điện tự do điện tử hoặc ion thì các hạt mang điện này chuyển động tự do trong
chất khí, nếu giữa hai điện cực có hiệu điện thế thì dưới tác dụng của lực điện
trường các điện tử chuyển động đến điện cực dương còn các ion dương chuyển động
đến điện cực âm). Có ba loại đầu dò chứa khí: buồng ion hoá, ống đếm tỷ lệ và ống
đếm Geiger-Muller (G-M).
Có bốn khái niệm chi phối hoạt động của đầu dò chứa khí: Sự ion hoá chất
khí, chuyển động của điện tích và sự tụ tập các điện tích trong chất khí, sự nhân điện
tích và cuối cùng là hiệu ứng tắt.
Sự ion hoá chất khí: Hạt mang điện (như , ) hoặc điện tử, từ tương tác của
các photon khi đi qua lớp khí sẽ tương tác với các điện tử của nguyên tử và đẩy điện
6
tử ra ngoài nguyên tử tạo ra điện tử tự do và ion dương. Năng lượng gần đúng trung
bình để tạo ra một cặp điện tử ion khoảng 326 ev. Nếu áp lên hai điện cực một điện
thế, điện tử có xu thế chuyển động đến điện cực dương và ion đến điện cực âm.
Trong đầu dò ion hóa đơn giản hai điện cực xem như hai má của tụ điện được tích
với một điện lượng Q, điện tử và ion tạo ra một dòng điện, phóng điện tích của tụ
điện này. ∆Q là lượng điện tích tích lũy sẽ bằng nXe ở đây n là số điện tích và ion
tạo ra do phóng xạ; e là điện tích của điện tử bằng 1,6X 10-19Culong. Nếu ta gắn hai
đầu tụ đến hai đầu đo của điện kế và chiếu một bức xạ ion hóa thì điện kế sẽ phóng
điện và mức độ phóng điện này tỷ lệ với cường độ bức xạ chiếu, liều kế cá nhân đầu
tiên cho công chúng sử dụng nguyên tắc này. Còn có nhiều thiết bị khác như duy trì
một điện thế không đổi trên hai điện cực và đo dòng điên hoặc số xung điện tạo ra.
Ví dụ nếu như hạt  có năng lượng 5 MeV mất hết năng lượng trong ống đếm ion
hóa nó sẽ tạo ra 1,6X 105 cặp điện tử và ion (giả sử năng lượng trung bình để tạo cặp
là 32ev) nó sẽ tạo ra một điện lượng là ∆Q =2,56X 10-14 C nếu dòng hạt  có cường
độ 40 hạt/gy thì có dòng điện 1,02X 10-12 Amp. Khi nói về năng lượng bức xạ mất
mát trong đầu dò cần lưu ý kích thước đầu dò và quảng chạy của tia bức xạ. Ví dụ
nếu hạt  có năng lượng 5 Mev có quảng chạy 3,5 cm trong không khí, khoảng cách
này lớn hơn kích thước của đầu dò khí vì thế năng lượng hat  bị mất một phần
trong chất khí và phần còn lại mất trên thành đầu dò. Tình trạng này càng tồi tệ hơn
đối với hạt  vì hạt này với năng lượng 1 Mev sẽ đi được 3 mét trong không khí nên
chỉ một phần nhỏ năng lượng hạt  mất trong chất khí 3,33 Kev/1cm, còn phần lớn
năng lượng mất trên thành đầu dò.
Nhân điện tích (khuếch đại điện tích): Các điên tử chuyển động trong điên
trường thì năng lượng nó tăng dần, tuy nhiên đường đi của nó không phải là một
đường thẳng. Trong quá trình chuyển động chúng sẽ tương tác và va chạm với các
điện tử của nguyên tử chất khí làm thay đổi hướng đi và mất mát năng lượng của nó.
Như vậy chúng liên tục tăng và mất mát năng lượng trong quá trình đi đến điện cực
dương. Tuy nhiên nếu điện trường đủ lớn, điện tử có thể thu được một động năng đủ
lớn giữa hai va chạm để ion hóa nguyên tử chúng gặp phải tiếp sau, để xảy ra điều
này cần một năng lượng lớn hơn 1eV. Điều quan trọng cần lưu ý ở đây là chỉ có điện
tử mới có khả năng nhân điện tích. Các ion dương cũng tăng năng lượng trong điện
trường giữa hai va chạm tuy nhiên do khối lượng của ion lớn nên năng lượng thu
được giữa hai va chạm rất nhỏ không đủ lớn để nhân điện tích chất khí. Ở áp suất
không khí (1 at) nhân điện tích chỉ xảy ra khi điện trường lớn hơn 3x104 von/cm.
Khi đặt một điện trường giữa hai điện cực, điện trường này gây ra một lực tác
dụng lên điện tử làm cho nó chuyển động đến điện cực dương. Khi đi qua điện
7
trường, động năng của điện tử tăng lên, khi động năng này lớn hơn 1eV nó có khả
năng ion hóa nguyên tử mà nó bắt gặp và như vậy có hai điện tử tự do chuyển động
đến điện cực dương, hai điện tử này lại lặp lại quá trình nhân điện tích như vậy kết
quả làm tăng lượng điện tử và ion tự do làm tăng lựợng điện tích và dòng đi qua đầu
dò. Quá trình nhân điện tích chỉ xảy ra khi khi điện trường khoảng 30.000V/cm. Đối
với hai bản điện cực phẳng cường độ điện trường được tính theo công thức V/d ở
đây d là khoảng cách hai bản điện cực. Ở áp suất khí quyển cần đặt một điện thế
30.000 von trên khoảng cách 1cm, điều này khó thực hiện được trong đa số các
trường hợp. Do đó để có hiện tượng nhân điện tích cần thay đổi cấu hình hình học
của đầu dò chẳng hạn như hình trụ hoặc hình cầu. Đối với đầu dò dạng hình trụ
cường độ điện trường được tính như sau: E = V/[r2Ln(a/b)], ở đây r là vị trí trong
hình trụ, a là bán kính của dây cực ở tâm, b là bán kính điện cực hình trụ vỏ ngoài,
thường nếu a khoảng 0,03mm, b khoảng 1cm thì có thể thu được điện trường rất lớn
khi giá trị V khoảng 1.000 vôn.

V
Trong vùng tâm sát điện cực
dương, điện trường E đủ lớn
cho việc nhân điện tích
nhân điện tích xảy ra.

Hình 1.1. Sơ đồ khối đầu dò chứa khí

Giản đồ đầu dò hình trụ ở hình vẽ trên, ở đây điện cực dương là một sợi dây
nhỏ ở tâm, điện cực âm là vỏ dẫn điện bên ngoài. Nếu điện trường đặt vào hai điện
cực, có sự ion hóa xảy ra trong đầu dò, điện tử sẽ chuyển động về dây ở tâm (điện
cực dương) nó sẽ đi qua vùng điện trường vô cùng lớn, đối với đầu dò hình trụ
cường độ điện trường tại các vị trí thay đổi theo quy luật 1/ r2 vì vậy vùng càng gần
tâm cường độ điện trường càng lớn, tại đây cường độ điện trường đủ xảy ra hiện

8
tượng nhân điện tích, tín hiệu ra cuối cùng tỷ lệ với điện tích ban đầu tạo ra do bức
xạ ion hóa vật chất trong vùng hoạt của đầu dò.
Nếu như điện thế V đặt vào hai điện cực tăng lên thì vùng nhân điện tích rộng
ra, tuy nhiên do một số lớn ion và điện tử tạo ra tập trung xung quanh điện cực
dương tạo ra ở đây một vùng plasma dẫn điện, điều này làm tăng đường kính hiệu
dụng của điện cực dương, dẫn đến làm giảm cường độ điện trường, giảm hiệu ứng
nhân điện tích, khi plasma bao phủ hết điện cực dương.
Trên giản đồ sau chúng ta lưu ý mức tín hiệu ra của một đầu dò chứa khí điển
hình. Sẽ vẽ lại sự tương quan biên độ xung và thế áp lên điện cực. Bắt đầu từ bên
trái cùng ở vùng này ta thấy biên độ xung ra thay đổi rất nhanh khi tăng điện áp,
trong vùng này tất cả các hạt mang điện sinh ra do tia bức xạ không tập trung hết
đến các điện cực, ở đây một số ion dương và điện tử có thể bị tái hợp làm giảm tổng
số điện tích tích tụ đến các điện cực; tiếp tục tăng điện áp dòng điện tích lũy liên tục
tăng lên, khi đi đến vùng I ở đây 100% điện tích được tích tụ hết đến các điện cực;
nếu tiếp tục tăng điên áp trong vùng I chúng ta thấy biên độ xung ra tăng lên rất ít.
Tuy nhiên nếu chúng ta tiếp tục tăng điện áp quá trình nhân điên tích bắt đầu xuất
hiện, bắt đầu đi vào vùng II gọi là vùng tỷ lệ, tại đây mức tín hiệu ra sẽ tăng liên tục
khi tăng điên áp nhưng biên độ tín hiệu vẫn tỷ lệ với năng lượng tia bức xạ mất mát
trong đầu dò. Nếu tiếp tục tăng thế chúng ta đi vào vùng III, ở đây plasma điện tử và
ion bắt đầu bao phủ điện cực dương ở tâm đầu dò nó hạn chế hiện tượng nhân điện
tích. Mặc dù biên độ tín hiệu ra vẫn tăng theo thế tuy nhiên không còn tỷ lệ với năng
lượng bức xạ mất mát trong đầu dò đặc biệt đối với hạt năng lượng cao.
Và cuối cùng ta đi vào vùng IV ở đây biên độ xung không tăng, bị chặn lại
một giá trị peak cố định đó là vùng G-M. Nếu chúng ta tiếp tục tăng điện áp vượt ra
ngoài vùng IV sẽ đi đến điểm ở đây có sự đánh thũng chất khí, phóng điện tự lập
trong đầu dò, nếu vận hành duy trì trong vùng này đầu dò sẽ bị cháy hỏng.
Khái niệm tắt, có hai cơ chế giải thoát điện tử bổ sung trong đầu dò, trước tiên
quan tâm đến vùng plasma gần với dây tâm của đầu dò, ở đây mật độ điện tử và ion
cao nên một số điện tử và ion dương có thể tái hợp thành nguyên tử trung hòa và
phát ra tia x năng lượng thấp, cơ chế thứ hai khi các ion dương chuyển động ra
ngoài đến điện cực âm và bắt điện tử trở nên nguyên tử trung hòa quá trình này cũng
giải phóng năng lượng làm giải phóng điện tử khỏi điện cực âm. Điện tử giải phóng
của hai quá trình này chuyển động đến điện cực dương tại vùng nhân điện tích. Các
điên tử thứ cấp này có thể sinh ra các xung bổ sung có thể nhầm với xung thứ nhất.
Khí tắt thường là khí nặng, phân tử hữu cơ hoặc phân tử của nguyên tử kép nó sẽ

9
hấp thụ tia x hoặc trong quá trình va chạm chúng bắt điện tích dương từ các ion mà
không giải thoát hoặc bổ sung điện tử.

Hình 1.2. Giản đồ vùng làm việc của các đầu dò chứa khí

§1.1. BUỒNG ION HÓA

Để dễ hiểu trước hết ta hãy nghiên cứu loại buồng ion hóa phẳng.
1. Cấu tạo và hoạt động

Hình 1.3: Buồng ion hóa phẳng

Buồng ion hóa phẳng được mô tả như trên hình 1.1. Buồng là một thể tích kín
hoặc hở có vỏ làm bằng thủy tinh hoặc kim loại, bên trong chứa khí ở áp suất thấp
hơn hoặc bằng áp suất khí quyển. Bên trong có hai điện cực kim loại là Anode và
Cathode (A và K).
Khi bức xạ rơi vào buồng nó bị mất năng lượng và gây ra ion hóa khí tạo ra N
cặp hạt dẫn (e- và ion+). Điện tích tổng cộng được sinh ra trong buồng là Q = ± Ne.
10
Do có điện áp UAK đặt giữa hai điện cực A và K sinh ra điện trường kéo các hạt điện
tích về A và K tạo ra tín hiệu ở lối ra của đầu dò.
Nguồn nuôi của buồng ion hóa phải được chọn sao cho nó tạo ra điện trường
đủ lớn để ngăn sự tái hợp của điện tử và ion dương đồng thời điện trường này cũng
không được quá lớn để ngăn ngừa hiện tượng tạo hạt mang điện thứ cấp (do ion hóa
thứ cấp giữa ion dương và điện tử khi nó được gia tốc trong điện trường mạnh và
tương tác với môi trường khí trong đầu dò).
2. Năng lượng để tạo ra một cặp hạt dẫn và độ linh động của e- và ion+
a. Năng lượng cần để tạo ra môt cặp hạt dẫn
Gọi ω là năng lượng trung bình cần để tạo ra một cặp hạt dẫn, N là số số cặp
điện tích được tạo thành trong buồng ion hóa khi môi trường vật chất trong buồng
nhận được một năng lượng là E từ bức xạ truyền tới thì ta có:
E
N

Đại lượng ω là đại lượng không đổi và nó không phụ thuộc vào năng lượng
tới cũng như điều kiện làm việc của buồng. Đối với không khí ω = 35eV.
b. Độ linh động của hạt dẫn
Tác dụng của lực tĩnh điện trong buồng ion hóa tác dụng lên các hạt điện tích
được sinh ra trong buồng khiến cho chúng chuyển dời khỏi vị trí ban đầu đi về các
điện cực. Sự chuyển động của các hạt điện tích bao gồm sự chồng lấn của 2 loại
chuyển động: chuyển động nhiệt và sự trôi của hạt điện tích theo một hướng xác
định
Đối với các hạt điện tích trong môi trường không khí vận tốc trôi của chúng
có thể được tính toán gần đúng theo công thức sau:
e
v
p
trong đó: v là vận tốc trôi của các hạt điện tích
E là cường độ điện trường trong buồng
p là áp suất của khí trong buồng
Đại lượng µ là đại lượng có giá trị gần như không đổi trong một giải rộng giá
trị của cường độ điện trường và áp suất đối với cùng một loai khí. Thông thường
điện tử có độ linh động lớn hơn ion dương 1000 lần do đó vận tốc của nó cũng
nhanh hơn vận tốc của ion dương 1000 lần.
3. Dạng xung
Giả sử một hat bức xạ rơi vào buồng gây Ion hóa và tạo ra N cặp hạt dẫn: e-
và ion+ . Khi đó I là dòng đóng góp của 2 loại hạt dẫn thì ta có:
11
 I = IIon+ Ie
Với Ie = Nevion (E/u); Ie = Neve(E/U)
Các e chuyển động về Anode và Ion âm chạy về Kathode, thời gian thu hết
các e là Te ~1us trong khi đó thời gian để thu thập hết các Ion dương là ~ 103 us. Độ
lớn của I phụ thuộc vào độ lớn của Ie và Iion. Do đó I phụ thuộc vào khả năng thu
thập e và Ion trong buồng hay nói cách khác là phụ thuộc vào vị trí tương tác x và
thời gian bay t.
Mạch ở lối ra của buồng Ion hóa gồn R và C (điện dung tổng cộng ở lối ra) là
một mạch tích phân. Mạch RC này tích phân xung dòng I do buồng phát ra để tạo
nên tín hiệu ra. Hằng số thời gian của mạch tích phân sẽ quyết định biên độ và dạng
tín hiệu ra.
 Khái niệm buồng ion hóa dòng và buồng Ion hóa xung
Khi giá trị R rất lớn (cỡ 1012 Ω) thì τ = RC cực đại cỡ 10s: Buồng ion hoạt
động ở chế dộ dòng. Buồng thu thập hết các hạt mạng điện do bức xạ tạo ra ở trong
buồng nên đảm bảo độ nhạy cao. Buồng được dùng để đo liều bức xạ.
Khi giá trị của R được chọn nhỏ hơn để sao cho τ = RC cực đại cỡ ms: thì
buồng ion hóa hoạt động ở chế độ xung, ta nhận được các xung tín hiệu ở lối ra của
buồng.
Đối với buồng ion hóa xung
- Nếu τ = RC >> Tion>>Te thì mạch tích phân xác lập khi tất cả điện tích sinh
ra trong buồng đã được thu thập hết, cho nên biên độ xung ra là cực đại:
Uomax = Q/c và không phụ thuộc vào vị trí tương tác ban đầu nhưng xung ra
có độ rộng lớn.
- Nếu τ <<Te<<Tion thì mạch tích phân xác lập rất nhanh và chưa kịp thu nạp
hết các điện tích nên độ rộng xung bé. Do đó thông thường người ta hay
chọn Te<τ<Tion để mạch tích phân xác lập khi thu hết các e- và chưa thu
thập hết các ion để thu được xung ra có biên độ lớn hơn nhưng vẫn đảm
bảo độ rộng xung ra đủ nhỏ.
Trong thực tế giá trị điện dung kí sinh của đầu dò cỡ khoảng 20pF. Nếu ta
muốn thu được xung có biên độ lớn thì chọn RC = 10Tion. Ta tính được
R~106Ω và độ rộng xung tx~0.02s. Còn nếu ta muốn thu được xung có
biên độ nhỏ thì nên chọn RC = 10Te. Ta tính được R~106Ω và tx~10us
4. Buồng Ion hóa xung có lưới
Về mặt cấu tạo: ta đưa them một điện cực thứ 3 là lưới vào giữa A và K.
Buồng ion hóa bị chia thành 2 vùng: vùng ion hóa được nuôi bới điện áp U1 và vùng
phát tín hiệu được nuôi bởi U2.
12
 Các electron được sinh ra trong vùng ion hóa chỉ khi chúng vượt qua lưới
sang vùng phát tín hiệu thì mới xuất hiện dòng I dù cho e được sinh ra trước đó ở bất
kì thời điểm nào trong vùng ion hóa. Vì vậy bương ion hóa có lưới có tín hiệu ra
không phụ thuộc vào vị trí tương tác x của bức xạ như của bường ion hóa thong
thường. Dòng I chỉ do các e tạo nên, mạch tích phân ở lối ra chỉ tích phân xung dòng
chảy trong mạch lưới Anode. Dạng xung dòng và xung áp như hình 1.2 với T là thời
gian các e bay từ lưới đến Anode.
Q/C

out

K A C R

U2 U1

Q/C

Hình 1.4. Sơ đồ thu tín hiệu và giản đồ xung của buồng ion hó
5. Buồng ion hóa trong thực tế
Các buồng ion hóa được sản xuất trong thực tế thường có dạng hình trụ,
buồng ghi bức xạ anpha, beta cần có cửa sổ mỏng. Buồng để ghi alpha, beta, gamma
có lớp vỏ (Kathode) đượch làm bằng nhôm và Anode là dây kim loại nhưng buồng
ghể ghi neutron chậm có vỏ hay được làm bằng thép không gỉ.
Chất khí ở trong buồng: người ta hay dùng Ar hoặc hợp chất của nó ví dụ
90% khí Ar và 10% khí mê tan.
Buồng ion hóa xung hay được dung để đo thông lượng và năng lượng bức xạ.
Buồng tích phân chỉ đo được các dòng ion hóa hay là điện tích tổng cộng do chum
hạt tạo ra nên nó được dùng trong các máy đo liều hay suất liều.
Với buồng ion hóa hình trụ thì cường độ điện trường trong buồng được tính
theo công thức:
E(x) =

Với a, b, x là các khoảng cách như trong hình vẽ 1.5

13
 Hình 1.5. Hình ảnh mặt cắt của buồng ion hóa dạng trụ

§1.2 ỐNG ĐẾM TỶ LỆ

1. Quá trình ghi bức xạ và dạng xung
a. Quá trình ghi hạt bức xạ
Ống đếm tỷ lệ thường có dạng hình trụ: Anode là dây kim loại căng ở tâm và
vỏ hình trụ là Cathode. Điện trường trong ống không đều, càng gần Anode thì có
điện trường càng mạnh.
Khi hạt bức xạ rơi vào vùng làm việc của ống sẽ tại ra electron và ion dương
sơ cấp trong buồng ion hóa. Đó là quá trình ion hóa sơ cấp. Do trong ống đếm tỷ lệ
điên áp giữ A và K cao hơn so với trong buồng ion hóa nên cung cấp điện trường đủ
lớn để gia tốc các hạt sơ cấp có năng lượng đủ lớn để tiếp tục ion hóa các phân tử
khí trên đường đi của nó. Kết quả làm cho số hạt dẫn điện sau mỗi lần va chạm tăng
lên, cứ như vậy số hạt dẫn trong ống tăng dần rất nhanh quanh Cathode. Ta nói ống
có sự khuếch đại điện tích (KĐ khí).
Gọi n là số va chạm trung bình gây bởi mỗi e sơ cấp khi đó chuyển động từ vị
trí sinh ra đến Anide thì hệ số khuếch đại là 2n.
Điện tích toàn phần trong ống là:
∆
Q=M
M là giá trị không đổi và Q tỷ lệ với năng lượng bức xạ tới. tính tỷ lệ càn
được đảm bảo nếu Q<106e.
b. Dạng xung
Ống đếm tỷ lệ có dạng hình trụ nên điện trường trong ống không đồng nhất,
cường độ điện trường lớn ở quanh Anode nên hình thành sự khuếch đại điện tích

14
xảy ra ở vùng quanh Anode. Sau khi kết thúc quá trình thì điện tích ±Q ở quanh
Anode.
Khi a>>b thì xung áp trên mạch tích phân là:
uo(t) = lg (1 + )
( )
uo(t) là hàm của t và còn phụ thuộc vào tỷ số b/a
Giá trị cực đại của uo(t) là:
Uomax = Q/C
Rõ ràng ta thấy Uomax của ống đếm tỷ lệ lớn hơn rất nhiếu so với buồng ion
hóa. Mối qua hệ giữa u(t) và tỷ số của thời gian lấy xung (hằng số tích phân) và thời
gian bai của ion t/Tion được mô tả như hình 1.4

Uomax

0.5Uomax

0.002 t/Tion
Hình 1.6. Giản đồ xung của ống đếm tỷ lệ
Từ hình vẽ ta thấy uo(t) đạt giá trị 0.5Uomax ở giá trị t = 0.002Tion như vậy đối
với các ống đếm tỷ lệ có hình trụ thông thường thì t cỡ 1us. Vì thế nên chọn hằng số
thời gian của mạch tích phân τ = RC = 1us. Như vậy thời gian phân giải của ống
đếm tỷ lệ cũng sẽ tương tự như thời gian phân giải của buồng ion hóa.
2. Hệ số khuếch đại điện tích
Để đảm bảo tính tỷ lệ (tức là M không đổi) thì trong thực tế chế tạo ống người
ta làm đầy ống bởi các chất khí có xác suất bắt điện tử tạo ion âm như CO2, methan
và bổ xung vào ống một lượng nhỏ các chất khí đa nguyên tử để hấp thụ hiệu quả
các photon song ngắn.
15
 Điện áp nuôi ống đếm lớn hơn 1000V. Khi Un thay đổi 1V thì ∆M/M = 1% và
∆Uo/Uo = 25∆Un/Un. Vì thế điện áp nguồn nuôi ống đếm phải rất ổn định.
Giá trị M trong miền tỷ lệ vào khoảng 103. Khi năng lượng bức xạ thấp tức là
số điện tử sơ cấp ít thì M~106.
3. Sơ đồ tiền khuếch đại
Để M = hằng số thì Q<106 e = 1.6 10-13C. Nếu C = 10pf thì Uomax<100mV.
Mức biên độ xung rất nhỏ nên cần phải khuếch đại nhưng TKĐ không cần có hệ số
KĐ lớn đồng thời không có yêu cầu đặc biệt gì đối với TKĐ vì biên độ xung ra lớn
đáng kể so với mức tạp âm.
Nếu muốn có TKĐ chất lượng cao thì thiết kế như đối với buồng ion hóa
Thông thường sơ đồ TKĐ là sơ đồ lặp lại Emitter với chức năng cơ bản là
phối hợp trở kháng giữa điện trở cao của ống đếm với điện trở nhỏ của cáp tín hiệu.
Sơ đồ TKĐ như hình 1.5 trong đó các diode D1 và D2 là cac diode silic làm
nhiệm vụ hạn chế xung vào TKĐ và bảo vệ TKĐ khi đóng nguồn nuôi Un.

Hình 1.7. Sơ đồ tiền khuếch đại dùng cho ống đếm tỷ lệ

§1.3. ỐNG ĐẾM GEIGER MULLER

1. Quá trình ghi bức xạ và dạng xung
a. Quá trình ghi bức xạ
Trên thực tế trong quá trình thác lũ ở ống đếm tỷ lệ vẫn sản sinh ra các photon
sóng ngắn, tuy nhiên, các photon này có năng lượng thấp nên không gây ra ảnh
hưởng gì tới hoạt động của ống đếm tỷ lệ. Nếu ta tiếp tục tăng điện áp của ống đếm
khí lên thì xác suất phát xạ tăng lên tiếp đó các photon sẽ bắn phá cathode làm bứt
phá ra các điện tử và các điện tử này lại tiếp tục sinh thác lũ (thác lũ thứ cấp).

16
 Gọi ε là xác suất phát xạ photon gây ra quá trình thác lũ thứ cấp tính trên 1
ion của quá trình thác lũ sơ cấp. Điện áp làm việc của ống Geiger Muller cao hơn
nhiều so với ống đếm tỷ lệ và nếu nó đủ lớn làm cho tỷ số Mε≥1 thì trong ống xảy ra
cả quá trình thác lũ sơ cấp và thứ cấp. Kết quả là từ 1e sơ cấp cũng làm xuất hiện 1
số lớn quá trình thác lũ, điều này tạo ra một đám mây ion dương bao quanh Anode.
Sau đó, đó quá trình thác lũ sẽ ngừng điện tích toàn phần tạo ra trong ống không
tăng nữa. Các ion dương chuyển động về cathode và sinh tín hiệu, biên độ tín hiệu ra
không phụ thuộc vào quá trình ion hóa thứ cấp.
Ống đếm làm việc trong vùng điện áp thỏa mãn điều kiện Mε≥1 gọi là ống
đếm Geiger Muller. Có hai loại ống đếm Geiger Muller là ống đếm tự tắt và ống
đếm không tự tắt.
Ống đếm Geiger Muller không tự tắt: với loại này thì quá trình phóng điện cứ
tiếp diễn cho đến khi bị ngừng lại bởi tác động bên ngoài vi dụ như tác động làm
giảm điện áp sao cho Mε≤1. Do đó với loại ống đếm này cần có sơ đồ dập tắt kèm
theo.
Ống đếm Geiger Muller tự tắt: với loại ống đếm này thì bên trong ống có
chứa một lượng nhỏkhí halogen (cơ 1%) như Cl, Br, I nhờ đó mà quá trình thác lũ sẽ
tự ngừng lại mà không cần đến mạch dập thác lũ gắn ngoài.
b. Dạng xung
Cũng giống với ống đếm tỷ lệ độ lớn của xung chủ yếu gây ra bởi ion dương.
Xung dòng từ ống đếm là cộng chồng của nhiều xung dòng thành phần mà những
xung dòng thành phần được tạo nên bởi từng thác lũ riêng biệt.
Xung dòng thành phần có dạng như xung dòng Iion của buồng ion hóa dạng
hình trụ. Để đơn giản ta giả thiết rằng ion hóa sơ cấp xảu ra ở 1 đầu của ống hình trụ
có chiều dài l. Trên trục oz là trục của ống đếm thì tọa độ của 2 đầu ống là z = 0 và z
= l. khi đó:
I(t) = ∫ − = ∫ ( − )
Với T1 = 1/vz là thời gian lan truyền đám mây ion dọc theo suốt chiều dài của
ống đếm
Nếu l = 10cm, v = 10cm/us thì T = 1us

17
 I

T1 t
Hình 1.8. Xung dòng của ống đếm
2. Sơ đồ mắc ống đếm
Như ta đã nói ở trên có 2 loại ống đếm Geiger Muller là loại tự tắt và loại
không tự tắt do đó sẽ có hai sơ đồ mắc ống đếm tương ứng
a. Sơ đồ mắc ống đếm không tự tắt:
Biên độ xung điện áp của ống đếm G-M có thể đại đến 100V nên thực tế
không cần khuếch đại. Hằng số thời gian RC của mạch phải lớn hơn thoài gian thu
nạp ion nên cần chọn R lớn, với C = 10 đến 100pF thì R cớ 108 tới 109 Ω và cần có
sơ đồ dập tắt kèm theo.
b. Sơ đồ mắc ống đếm tự tắt:
Vì ống đếm Halogen rất nhạy với tải điện dung nên điểm khác biệt của sơ đồ
là điện trowe tải Anode có trị số lớn 2 đến 20Ω.
3. Sơ đồ làm tắt
Nguyên lý: trong thời gian phát triển quá trình phóng điện ở trong ống đếm,
nếu ta có biện pháp gì đó để giảm điện áp UAK đến mức làm ngừng quá trình phóng
điện thì sẽ làm tắt được ống đếm.
Đặc trưng Vôn-Ampe của ống đếm được nên như trên hình 1.8

Imin U

Umin

Hình 1.9. Đặc trưng Vôn – Ampe của ống đếm G-M
a. Sơ đồ làm tắt bằng mạch vào
Sơ đồ mắc ống đếm như hình 1.10 với C1 là tụ nối tầng và R1 là tổng trở lối
vào sơ đồ tiếp theo. Khi xảy ra phóng điện thì tụ C nạp và điện áp của tụ C sẽ tăng
18
dần tới giá trị UAK có mô tả như trong hình 1.10. Sườn trước sẽ thay đổi với hằng số
thời gian
Rp
 p  CR  CR p
R  Rp
D

C R R1

+Un
Hình 1.10: Sơ đồ làm tắt bằng mạch vào
Trong khoảng thời gian t1t2 điện áp UAK<Umin nên quá trình phóng điện sẽ
ngừng lại. Sườn sau của điện áp UAK thay đổi theo hằng số thời gian tn = CR như
hình 1.11.
U
Un

Umin

t1 t2
Hình 1.11 Điện áp tích trên tụ C theo thời gian
Ví dụ với R = 109Ω và C = 10pF thì τn = 0.01s và t1t2 = 10-4s. ta cũng nên
chọn R1>>R và C<<C1 để sơ đồ điện tử tiếp sau không ảnh hưởng đến quá trình làm
tắt.
b. Làm tắt bằng sơ đồ điện tử
Sơ đồ làm tắt hình 1.12 với 1 là khối khuếch đại, 2 là mạch trễ, 3 là sơ đồ phát
xung.
Sơ đồ điện tử hạ thấp cưỡng bức UAK ngay sau khi xảy ra phóng điện. việc hạ
thấp tới mức nào và trong thời gian bao lâu được chọn làm điều kiện làm việc của
ống đếm.
Yêu cầu:
- Biên độ xung ra từ máy phát phái lớn hớn hiệu Un – Umin.

19
 - Độ rộng xung phải đủ lớn để đảm bảo thu nạp hết ion dương nghĩa là
tx>10-4s. dạng xung làm tắt như trên hình 1.13.
UAK

R1 Un
D C Umin

111 222 333

R
t1 t2

Hình 1.12. Sơ đồ làm tắt Hình 1.13. Dạng xung làm tắt

§1.4. ĐẦU GHI BÁN DẪN

Đầu dò bán dẫn có cấu trúc tương tự đầu dò chứa khí ion hóa. Trong đầu dò
chứa khí ion hóa, chất khí có khả năng dẫn các điện tử tự do, tính cách ly có thể đặt
điện áp cao thế vào hai điện cực có dòng dò thấp. Nhược điểm của đầu dò chứa khí
ion hóa là: Năng lượng dừng thấp (năng lượng mất mát, để lại trong đầu dò bé);
năng lượng tạo cặp điện tử, ion tương đối lớn (phân giải năng lượng kém); Thời gian
tích tụ điện tử và ion quá khác biệt (dạng xung có đuôi dài).
Vật chất rắn nào có thể thay thế chất khí? Chất dẫn điện, điện tử tự do có thể
chuyển động tự do, ion dương không chuyển động tự do, tuy nhiên không thể duy trì
điện thế cao với dòng dò bé; chất cách điện có thể duy trì điện thế cao với dòng dò
bé nhưng các điện tích tự do không chuyển động được vì vậy chỉ có chất bán dẫn
mới sử dụng để làm đầu dò bức xạ.
Dưới đây là giản đồ mức năng lượng của điện tử trong chất rắn của Fermi.
Trục tung là các mức năng lượng của điện tử, băng thấp là băng hoá trị, vùng này
chứa điện tử vành ngoài của nguyên tử. Các băng thấp hơn băng hoá trị đều bị lấp
đầy. Trên băng hoá trị là các băng dẫn, nếu điện tử ở trong vùng dẫn nói chung là
chúng tự do chuyển động nếu có điện trường áp vào lớp vật chất. Phân biệt giữa hai
băng là một khe cấm hoặc vùng cấm. Trong tinh thể không có các mức năng lượng
và điện tử không tồn tại trong vùng này.

20
 lương
Giản đồ mức năng lượng điện tử Fermi

năng
Vùng dẫn
Vùng cấm

Mức
Vùng hoá
trị

Hình 1.14. Giản đồ mức lăng lượng điện tử Ferrmi

Xem giản đồ chất dẫn điện, tại vùng dẫn có một số điện tử tự do. Điện tử tự
do này sẽ chuyển động định hướng khi có một điện trường áp đặt lên vật liệu.

M Vùng Dẫn
ứ
c Vùng cấm

n Vùng hóa trị

Hình 1.15. Giải đồ mức năng lương của chất dẫn điên
Trong chất cách điện không có điện tử tự do trong vùng dẫn và có khe cấm
lớn, nó giữ điện tử ở vùng hóa trị không cho nhảy lên vùng dẫn

Vùng dẫn

Mức năng
lượng điện Vùng cấm
tử

Vùng hóa trị

Hình 1.16. Giản đồ mức năng lượng của chất cách điện
Chất bán dẫn được xem như chất cách điện có khe cấm hẹp, ở nhiệt độ rất
thấp hầu như không có điện tử tự do trong vùng dẫn. Ở nhiệt độ phòng một số điện
tử có thể nhảy từ vùng hóa trị lên vùng dẫn thành điện tử có thể chuyển động tự do.
Dưới tác dụng của điện trường áp đặt vào vật liệu có thể tạo ra dòng điện.
Đầu dò bán đẫn sử dụng các vật liệu bán dẫn loại n hoặc loại p. Để tạo ra vật
liệu bán dẫn loại n cần dùng các vật liệu siêu tinh khiết như silíc hoặc Germani, sau
đó tiêm vào nó các nguyên tử cho (dono), một nguyên tử của chất cho có từ 1 đến 2

21
điện tử vành điện tử ngoài (ví dụ như Liti có 1 điện tử vành L phía ngoài vành K)
các nguyên tử này cho vùng dẫn một điện tử, tạo ra chất bán dẫn loại n.

Vùng dẫn
Mức
năng Vùng cấm
lượng
điện tử Vùng hóa trị

Hình 1.17. Giản đồ mức năng lượng của chất bán dẫn

Hình 1.18. Chất bán dẫn loại N và chất bán dẫn loại P
Bán dẫn thứ hai là loại bán dẫn loại p, để tạo ra chất bán dẫn loại p ta cũng
chọn chất bán dẫn siêu tinh khiết như Silic hoặc Germani nhưng vật liệu tiêm vào là
nguyên tử chất thu (acceptor). Những nguyên tử chất này còn thiếu một hoặc hai
điện tử để lấp đầy vành điện tử, vật liệu này có thể như Arsen hay Boric. Trong
trường hợp này nguyên tử thu lấy hoặc liên kết với điện tử chất bán dẫn, kết quả nó
để lại chổ khuyết hay lỗ trống trong vùng hoá trị của chất bán đẫn đó là bán dẫn loại
p. Nếu áp một điện trường lên chất bán dẫn này thì điện tử của nguyên tử bên cạnh
lỗ sẽ chiếm chổ lỗ trống và lỗ trống như là chuyển vị trí, hướng chuyển của lỗ trống
theo chiều điện cực âm.
Hai vật liệu bán dẫn phổ biến nhất là Si và Ge, các tính chất cơ bản của nó
cho ở bảng 1.1 dưới đây.

22
 Bảng 1.1. Thông số cơ bản của Silic và Germanium
Chất bán dẫn Si Ge
Số nguyên tử 14 32
Độ rộng khe cấm 1,115 ev 0,665 ev
Độ linh động của điện tử 2,1E+04 3,5E+04
Độ linh động của lỗ trống 1,1E+04 4,2E+04
Năng lượng tạo cặp điện tử-lỗ trống 3,76ev 2,97ev
Khi chế tạo đầu dò bán dẫn vật liệu ban đầu có thể là bán dẫn loại n hoặc loai
p. Trên hình sau vật liệu bán dẫn nền loại n.
Tiếp giáp p-n Diode phân cực ngược

Thiên áp âm Thiên áp dương

Hình 1.19. Tiếp giáp P-N và phân cực ngược cho tiếp giáp P-N
Nếu áp một điện áp ngược lên đầu dò này cụ thể là thế âm lên phía trái, thế
dương lên phía phải. Các lỗ trống dương sẽ chuyển động về phía điện cực âm còn
các điện tử trong chất bán dẫn n sẽ chuyển động về điện cực dương. Kết quả sẽ có
một vùng giữa hai vùng nghèo các phần tử mang điện.
Nếu như bây giờ có một bức xạ đi vào vùng nghèo và tương tác tạo ra trong
vùng nghèo một cặp điện tử và lỗ trống. Lỗ trống dương sẽ bị hút đến điện cực âm
còn điện tử sẽ chạy đến điện cực dương. Kết quả tạo một xung dòng điện.

Bức xạ tới

23
 Hình 1.20. Bức xạ tương tác với vùng nghèo tạo ra điện tử và lỗ trống
Đầu dò loại này gọi là đầu dò tiếp giáp P-N, có hai loại phổ biến nhất loại đầu
dò P-N là đầu dò hàng rào mặt và đầu dò diode cấy ion. Đầu dò cấy ion là mới và
nhanh chóng thay thế đầu dò hàng rào mặt. Cả hai loại đầu dò đều dùng Silic làm
chất nền. Ứng dụng đầu tiên các đầu dò này là phát hiện các hạt mang điện như hạt
Alpha. Tuy nhiên khi chiều dày và diện tích vùng nghèo tăng lên có thể ứng dụng
đầu dò này để phát hiện điện tử và hạt Beta. Các đầu dò này có thể hoạt động ở nhiệt
độ phòng và có độ phân giải rất cao. Tuy nhiên như tất cả các loại đầu dò chất rắn
khác nó yêu cầu có tiền khuếch đại rất tốt, bởi vì trong các đầu dò này không có
khuếch đại ngay tại đầu dò như ở các loại đầu dò tỷ lệ và đầu dò nhầp nháy.
Diện tích của đầu dò cỡ từ 25 đến 7000mm2, độ dày lớp nghèo thay đổi từ
100 đến 1000m. Vùng nghèo mỏng thuận lợi cho các phép đo hạt mang điện nặng
như hạt Alpha, trong khi đó vùng nghèo dày thuận lợi đo hạt Beta.
Độ dày vùng chết tùy thuộc phương pháp tạo ra nó. Sử dung phương pháp
cấy Bo có độ dày khoảng 0,02m; sử dụng phương pháp khuếch tán Li có được độ
dày đến 300m.
Một điều cần quan tâm nữa là lớp tiếp giáp dẫn điện bổ sung, nếu dùng vàng
có độ dày 40g/cm2 vật liệu có Z lớn có năng lượng dừng lớn, trong khi đó dùng
nhôm cũng có độ dày 40g/cm2 nhưng có Z bé. Sau đây là một vài cấu hình của đầu
dò

Hình 1.21. Một số loại đầu dò bán dẫn

Bảng 1.2 trình bày một số thông số của các các loại đầu dò bán dẫn từ Catalog
hãng EG&G. Một số tính chất về độ phân giải và diện tích đầu dò.
Cột bên trái cùng là diện tích đầu dò, cột thứ hai là độ phân giải của đầu dò.
Độ phân giải của đầu dò như là một hàm của diện tích đầu dò, cho thấy rằng nếu
diện tích tăng thì độ phân giải xấu đi, điều này được giải thích như sau khi diện tích
tăng, tụ điện của đầu dò tăng, tăng tạp âm vào tiền khuếch đại, làm xấu độ phân giải.
24
Tăng độ dày của đầu dò cũng ảnh hưởng đến độ phân giải vì rằng làm thay đổi
(tăng) thời gian tích tụ các điện tích trong đầu dò, tuy nhiên ảnh hưởng này rất nhỏ
so với khi tăng diên tích.
Bảng 1.2. Thông số của đầu dò bán dẫn

1. Đầu dò photon ( Đầu dò Si(Li), Đầu dò bán dẫn Ge)

Các đầu dò kiểu tiếp xúc diode P-N đo được các hạt Alpha, Beta mà không
thể phát hiện và đo năng lượng hạt photon vì bề dày quá mỏng. Để đo photon cần
đàu dò lớn trên Silic siêu tinh khiết hoặc Ge. Cần vật liệu siêu tinh khiết để giảm
thiểu phần tử mang điện đóng góp vào dòng dò làm xấu độ phân giải. Trong trường
hợp Silíc không thể có Silic siêu tinh khiết đủ tối thiểu phần tử mang điện, trong
trường hợp này người ta thường Drift Liti vào đầu dò để bù trừ.
Chế tạo đầu dò này như sau, lấy miếng Ge siêu tinh khiết hoặc Si-Li, tạo điot
bằng cách bổ sung các lớp tiếp xúc ở hai phía đối diện của đầu dò. Ngay cả như vậy
ở nhiệt độ phòng dòng dò của đầu dò Ge siêu tinh khiết hoặc Si-Li khá lớn làm xấu
độ phân giải. Để giảm dòng dò cần làm lạnh đầu dò đến nhiệt độ Nitơ lỏng khoảng –
196oC.
Có ba loại đầu dò photon điển hình là đầu dò Silic Drift Liti, đầu dò Ge
phẳng và đầu dò Ge đồng trục. Hai loại đầu thường sử dụng đo photon mềm, loại
sau cùng để đo photon cứng đến năng lượng 10 MeV.

25
 Ưu điểm của đàu dò Si(Li) là độ phân giải tốt, trên hình ở trang sau cho ta kết
quả lấy phổ năng lượng của K trong bạc (Ag) vùng 25 KeV lấy bằng đầu dò nhấp
nháy, đầu dò tỷ lệ và đầu dò bán dẫn Si(Li).
Đối với đầu dò nhấp nháy ta chỉ thấy một đỉnh đó là đỉnh K , đối với đầu dò
tỷ lệ ngoài đỉnh K còn thấy một bướu tại K, còn đối với đầu dò bán dẫn Si(Li) ta
thấy hai đỉnh K và K phân biệt rõ ràng. Điều này được giải thích như sau, vì để tạo
ra một cặp mang điện tự do các loại đầu dò này rất khác nhau. Cho đầu dò nhấp
nháy cần khoảng 300eV, đối ống đếm tỷ lệ khoảng 32 eV còn đối đầu dò Si(Li) là
3,7ev.

Hình 1.22. Phổ kế thu được từ đầu dò bán dẫn

Kết quả tương tự cũng thu được khi sử dụng đầu dò Ge siêu tinh khiết ở vùng
năng lượng cao; đây là so sánh hai phổ thu được từ đầu dò nhấp nháy và Ge siêu
tinh khiết.
Đầu dò bán dẫn Ge thể tích lớn điển hình được chế tạo từ thanh bán dẫn Ge
hình trụ loại P. Bước đầu tiên khoan một lỗ tại tâm tạo ra tiếp giáp loại p, khuếch tán
Li vào Ge trên lớp vỏ ngoài của đầu dò tạo ra tiếp giáp n, lớp tiếp giáp này có độ
dày khoảng 300m. Cấu trúc như vậy làm giảm hiệu suất của đầu dò vùng năng
lượng thấp, vì các photon năng lượng thấp không đi qua được lớp tiếp giáp này.
Trong loại đầu dò hở có một bề mặt giữa hai lớp tiếp xúc p và n do đó có thể đo
được photon năng lượng thấp.
Dòng dò trong các loại đầu dò loại này có hai thành phần, thành phần thứ nhất
là dòng dò khối, dòng này chạy qua khối vật liệu đầu dò độ lớn tuỳ thuộc độ tinh
khiết của Ge. Thành phần thứ hai là dòng dò do rạn nứt cấu trúc gần bề mặt đầu dò,
thánh phần này là lớn nhất và gây khó khăn rất nhiều cho công việc nâng cao độ
phân giải của đầu dò. Một trở ngại nữa, ở loại đầu dò này là vùng cuối đầu dò khá
lớn tại đây điện trường không đồng nhất, do đó thời gian tập hợp các phần tử mang
26
điện trong đầu dò đến các điện cực thay đổi phụ thuộc vào vị trí của bức xạ đi vào
đầu dò làm cho mặt tăng tín hiệu thay đổi. Tại các vị trí cuối đầu dò điện trường
thường yếu nên mặt tăng xung lớn điều này làm xấu cả phân giải biên độ và cả phân
giải thời gian.

γ γ γ

Ge loại p Tiếp giáp n Ge Ge Tiếp giáp n Ge loại n Tiếp giáp p

(300m) loại p loại p (0,3m)

Tiếp giáp p Tiếp giáp p Tiếp giáp n

Đầu dò Ge-p đồng trục kín Đầu dò Ge-p đồng trục hở Đầu dò Ge-n đồng trục kín

Hình 1.23. Một số cấu hình đầu dò bán dẫn

Để tránh tính không đồng nhất các đầu cuối đầu dò loại Ge-p kín dùng loại
Ge-p hở tuy nhiên ta bị mất phần thể tích nhạy của đầu dò. Để cải thiện vùng phổ
photon năng lượng thấp ta dùng đầu dò loại Ge-n kín, sử dụng đơn tinh thể Ge loại n
lúc này tại lỗ ở tâm tạo ra tiếp giáp loại n bằng cách khuếch tán Li còn vành ngoài
tạo ra tiếp giáp loại p bằng cách bắn ion Bo lớp tiếp giáp loại p này chỉ dày 0,3m,
do đó các photon năng lượng thấp có thể đi qua khoảng 10 KeV.
Vì các đầu dò bán dẫn loại này cần phải làm việc trong nhiệt độ nitơ lỏng, hệ
đầu dò đặt trong buồng lạnh gọi là dewar như ở hình dưới.
Thông thường dùng một thanh đồng tròn đường kính từ 2-3 cm để dẫn lạnh
từ phần chứa nitơ lỏng đến đầu dò; trên chóp thanh đồng gắn với đầu dò qua bộ
chống rung để bảo vệ đầu dò. Thanh dẫn lạnh được bao một lớp thép không rỉ hoặc
một ống thép không rỉ để tạo ra buồng chân không tách khỏi môi trường. Trên chóp
của ống thép không rỉ có gờ để gắn mũ của đầu dò với các phần khác của bộ làm
lạnh.
Mũ đầu dò thường được chế tạo bởi nguyên tố có Z nhỏ như nhôm Al để tối
thiểu khả năng hấp thụ photon, và nếu để đo các photon mềm có năng lượng  100
KeV cần có cửa sổ mỏng ở mũ đầu dò. Thông thường dùng cửa sổ Berili, trong
nhiều trường hợp dùng chất dẻo. Để tạo chân không trong hệ đầu dò cần hệ thống
bơm ở ngoài, trong quá trình khai thác cắt hệ bơm chân không, để tiếp tục duy trì

27
chân không cần dùng màng lọc phân tử( thường dùng than hoạt tính). Nếu hệ đầu dò
được chế tạo cẩn thận (các mối hàn tốt, gắn kết tốt các chi tiết) màng lọc phân tử có
thể duy trì chân không trong thời gian dài, trong thực tế trên hàng chục năm.
Tiền khuếch đại thường gắn trực tiếp với (cryostat), tầng đầu nằm trong
cryostat tại vùng nhiệt độ trung gian nitơ lỏng và môi trường. Làm lạnh tầng đầu
tiên của tiền khuếch đại nhằm giảm tạp âm và giảm giá trị tụ nối giữa đầu dò và tầng
đầu hai yếu tố này cải thiện độ phân giải của đầu dò.

Hình 1.24. Cấu tạo của đầu dò nhấp nháy và hệ làm lạnh
2. Các đặc trưng của đầu dò bán dẫn
Có nhiều nhân tố sử dụng để đánh giá chất lượng đầu dò và lựa chọn cho các
ứng dụng cụ thể.
Độ phân giải: Độ phân giải được định nghĩa là độ rộng trên nửa chiều cao của
đỉnh, đối với đầu dò nhấp nháy thường tính theo năng lượng (KeV), đỉnh lựa chọn
tùy theo loại đầu dò. Độ phân giải của một số đầu dò được thể hiện trong bảng 1.3.

28
 Bảng 1.3. Độ phân giải năng lượng của một số đầu dò bán dẫn
Loại đầu Độ phân giải năng lượng (keV)
Kích thước
dò Đỉnh 5.9 keV Đỉnh 122 keV Đỉnh 1332 keV
Si(Li) Diện tích (cm2)
0.12 0.16-0.17
0.28 0.17-0.18
0.80 0.18-0.19
2.0 0.22-0.25
Ge bản Chiều dày (cm) Đường kính (cm)
phẳng (a) 0.5 0.6 0.145 0.55-0.48
0.5-1.0 1.0 0.24-0.18 0.57-0.49
0.5-1.0 1.6 0.29-0.20 0.59-0.50
0.5-1.3 2.5 0.46-0.30 0.72-0.54
1.0-1.5 5.1 0.62-0.54 0.77-0.72
Ge đồng Hiệu suất(b) (%)
trục loại 10 0.66-0.74 0.8-1.0 1.8-2.0
N 20 0.69-0.79 0.85-1.0 1.8-2.0
30 0.72-0.84 0.9-1.0 1.9-2.2
Ge đồng
trục loại 10 0.82-1.0 1.7-2.0
P 20 0.85-1.1 1.8-2.0
40 0.88-1.2 1.9-2.2
50 0.95-1.2 2.1-2.5
(a)
Độ phân giải của đầu dò bản phẳng tăng lên khi đầu dò có bề dày lớn hơn
(b)
Giá trị hiệu suất tương đối được so sánh với đầu dò NaI(Tl) kích thước 7.6×7.6 cm đo với nguồn
được đặt tại vị trí cách đầu dò 25 cm.
Trên hình 1.25 là phổ của 60Co vùng đỉnh 1332 keV và hai giá trị FWHM =
7,3 keV và FWTM=13,8 keV. So sánh với phân bố lý tưởng ta có các kết quả sau
Đối phân bố Gauss tỷ số FWTM/ FWHM là 1,82; FWFM/ FWHM là 2,38;
đối với đỉnh thực thu được ta có FWTM/ FWHM là 1,85 rất gần với phân bố lý
tưởng.
Hiệu suất đo: Là đặc tính thứ ba của đầu dò, có hai cách đánh giá hiệu suất
của đầu dò: cách tương đối và cách tuyệt đối.
Cách tương đối so sánh hiệu suất ghi (tỷ số hai số đếm) của đầu dò bán dẫn
với đầu dò nhấp nháy Na(Tl) kích thước 7,6 cm X 7,6 Cm trên cùng một đỉnh phổ.
Cách đo tuyệt đối lấy tỷ số số đếm được trên số tia bức xạ đi vào đầu dò (tính
toán theo cấu trúc hình học).
Tỷ số thu được tính ra phần trăm. Hiệu suất cao nhất của các đầu dò loại này
cỡ 15% ở vùng năng lượng 100 keV, và suy giảm về cả hai chiều năng lượng.
Nguyên nhân giảm hiệu suất đột ngột khi năng lượng photon thấp hơn 100keV vì
chiều dày lớp khuyếch tán của đầu dò Ge kín loại p khoảng 300m ngăn cản các tia

29
mềm; vùng năng lượng cao giảm hiệu suất do thể tích đầu dò chưa đủ để hứng hết
các photon năng lượng cao có quảng chạy lớn.

Hình 1.25 Đặc trưng đỉnh phổ năng lượng 1332 keV của nguồn 60Co
Có nhiều giải pháp kỹ thuật để khắc phục vùng năng lượng thấp và vùng năng
lượng cao. Đối vùng năng lượng thấp dùng đầu dò loại Ge kín loại n có lớp tiếp giáp
p vành ngoài đầu dò mỏng khoảng 0,3 m cải thiện được rất nhiều về hiệu suất đo
vùng năng lượng thấp; để cải thiện vùng năng lượng cao thường cải thiện cấu hình
đo thường dùng cấu hình 2 hoặc 4 mẫu đo bao bọc đầu dò hoặc đầu dò bao bọc
mẫu đo.
Sau đây đưa ra hiệu suất ghi của một số loại đầu dò trên bán dẫn Ge.
Vùng năng lượng thấp sử dụng hai loại đầu dò loại Silic Liti và loại planar
Ge, với các cửa sổ khác nhau Berili hoặc polymer, đường cong hiệu suất như hình
sau.
Vùng năng lượng thấp có thể đạt tới 2 keV đối cửa sổ Berili, cửa sổ bằng
polymer đạt đến 1keV; vùng năng lượng cao đầu dò Si(Li) đến 50 keV còn đầu dò
planar đến 100keV.
Các loại đầu dò này thường sử dụng trong thiết bị phân tích huỳnh quang tia
X.
Các đầu dò này cần làm việc ở nhiệt độ nitơ lỏng, tuy nhiên không phải ở đâu
cũng có thể cấp thường xuyên Nitơ lỏng, do đó người ta đã chế tạo ra thiết bị làm
lạnh cơ, gần nhiệt độ nitơ lỏng.
30
 Hình 1.26. Một số đầu dò bán dẫn ghi đo bức xạ năng lượng thấp
3. Đầu dò Gamma bán dẫn nhiệt độ phòng
Không phải tất các đầu dò bán dẫn khi vận hành đều phải ở nhiệt độ nitơ
lỏng, có một vài loại có khả năng vận hành ở nhiệt độ phòng.
Hiện nay đã có các loại đầu dò như: Cadmium Telluride (CdTl), Cadmium
Zinc Telluride (CZT), Mercuric Iodide (HgI2) hoặc một vài loại đầu dò silic nhỏ, trừ
đầu dò iôt thuỷ ngân các đầu dò trên làm việc thấp hơn nhiệt độ phòng khoảng 200C
thường dùng pin Peltier để đạt được nhiệt độ này.
Kích thước các đầu dò bị hạn chế bởi độ linh động kém của các phần tử mang
điện, độ rộng tín hiệu cỡ 20 s, trong khi các đầu dò khác có độ rộng xung từ 2 đến
5 s.
Kích thước Đầu dò CaTl 3mm x 3mm x 1mm
Đầu dò CZT 5mm x 5mm x 5 mm
Ở hình 1.27 là đầu dò của hãng Amptek có đầu dò, bộ làm lạnh, tầng đầu tiền
khuếch đại trên FET và các mạch phản hồi.
Đầu dò HgI2 có nhiều ưu điểm như thể tích lớn (25mmx25mmx3mm cho hệ
phổ kế; 25mmx25mmx5mm cho hệ đếm); có Z lớn và mật độ cao làm tăng hiệu
suất; làm việc tại nhiệt độ phòng, ngay cả khi cao. Nhược điểm là độ linh động phần
tử mang điện kém, cần có hệ tiền khuếch đại phức tạp.

31
 Hình 1.27. Đầu dò bán dẫn có bộ làm lạnh điện, nên có thể hoạt động tại nhiệt độ
phòng
Kết luận: Đầu dò bán dẫn có độ phân giải tốt nhất; một số đầu dò đo hạt mang
điện cần buồng chân không; đa số các đầu dò làm việc tại vùng nhiệt độ nitơ lỏng;
một vài đầu dò làm việc ở nhiệt độ phòng; một số đầu dò photon kích thước nhỏ sử
dụng để đo các photon năng lượng thấp.

§1.5 ĐẦU GHI NHẤP NHÁY

Đầu dò nhấp nháy gồm tinh thể nhấp nháy, tại đây khi bức xạ đi vào gây ra
nháy sáng; ánh sáng này được truyền sang ống nhân quang điện, bề mặt phẳng nối
ghép với tinh thể nhấp nháy gọi là photocathode tại đây ánh sáng kích thích phát
điện tử; chùm điện tử này được hội tụ và khuếch đại trong ống nhân điện tích; tiếp
theo là bộ phận tạo ra một xung điện. Độ lớn của xung điện tỷ lệ với cường độ phát
sáng và cũng chính là tỷ lệ với năng lượng của bức xạ mất trong tinh thể nhấp nháy.

Hình 1.28. Sơ đồ cấu tạo đầu ghi nhấp nháy

32
1. Ống dẫn sáng
Thông thường giữa tinh thể nhấp nháy và ống nhân quang điện có gắn một
ống dẫn sáng trung gian.
Tác dụng của ống dẫn sáng:
1. Làm phù hợp kích thước hình học, vì thông thường ống nhân quang điện
làmột ống hình trụ bán kính từ 4 đến 5 cm có một đầu phẳng (photocathode), còn
tinh thể nhấp nháy có cấu hình khác nhau đôi khi là tấm mỏng do đó cần có lớp
đệm.

Hình 1.29. Ống dẫn sáng dùng để đưa ánh sáng từ tinh thể tới phần tử ghi nhận
ánh sáng
2. Để tách ống nhân điện tích khỏi môi trường phóng xạ (Ống nhân điện tích rất
nhạy với điện, từ trường và không bền với phóng xạ).
3. Làm tốt khả năng phân giải của đầu dò (tăng tính đồng nhất của độ nhạy
củaphotocathode)
Cũng như các đầu dò khác đầu dò nhấp nháy cũng cần có hệ cao áp để nuôi ống
nhân điện tích, tùy theo yêu cầu của bài toán và ống nhân điện tích, giá trị này có thể
từ 1000 đến 3000 V. (Ống nhân điện tích cần nhiều giá trị điện áp khác nhau để
cung cấp cho anod, các đinod, hội tụ, cathod do đó cần có bộ chia thế) và cần tiền
khuếch đại để khuếch đại, tạo xung và gửi đi xa đến hệ xử lý trung tâm.
2 Tinh thể nhấp nháy (Nhấp nháy vô cơ, nhấp nháy hữu cơ, chất nhấp nháy từ chất
dẻo (plastic), tinh thể nhấp nháy lỏng;
2.1. Các tính chất của tinh thể nhấp nháy

33
 a. Biến đổi năng lượng của tia bức xạ để lại trong tinh thể thành ánh sáng; ống
nhân quang điện có độ nhạy tốt nhất đối với ánh sáng có bước sóng vùng 440 nm;
b. Tinh thể nhấp nháy cần trong suốt với ánh sáng.
2.2. Bốn loại chất nhấp nháy nhấp nháy vô cơ, nhấp nháy hữu cơ, nhấp nháy
bằng chất dẻo và nhấp nháy lỏng.
a. Nhấp nháy vô cơ, có năm loại điển hình: NaI(Tl)-Thallium activated
sodiumiodide, CsI(Tl)- Thallium activated cesium iodide, LiI(Tl)-Thallium activated
lithium iodide, BGO-bismuth germinate và ZnS(Ag)- zinc sulfide activated with
silver. Ba loại đầu là đơn tinh thể nên kích thước hạn chế và giá thành cao, rất háo
nước cần bọc bịt cẩn thận nếu hấp thụ nước sẽ giảm chất lượng hoặc mất tính chất
nhấp nháy và đổi màu.
b. Nhấp nháy hữu cơ: Điển hình nhất là Anthracene và stilbene các nhấp
nháynày có nguyên tử số Z bé nên thích hợp dùng làm đầu dò các hạt mang điện.
Phần nhấp nháy không phải đơn tinh thể mà là tổ hợp các miếng đơn tinh thể nhỏ,
ánh sáng bị phản xạ trên bề mặt các tinh thể hạn chế sự truyền qua của ánh sáng, do
đó đầu dò có kích thước bé từ 1 đến 2 cm. Mặt khác Anthracene là chất gây ung thư.
c. Chất nhấp nháy từ chất dẻo (plastic): Có thể là polystyrene bổ sung
tetraphenylbutadene hoặc các chất khác có được các tính chất nhấp nháy khác
nhau, kích thước đầu dò có thể từ vài cm3 đến vài m 3.
d. Tinh thể nhấp nháy lỏng: Trước đây thường dùngtoluene bổ sung một vàichất
kích hoạt như PBO hoặc PBD hoặc POPOP.Nhưng vìtoluene là một chất độc trong
những năm gần đây người ta thay thế bằng dầu khoáng. Ngoài ra nước cũng là chất
nhấp nháy lỏng sử dụng trong vật lý năng lượng cao. Trong phòng thí nghiệm
thường dùng lọ nhấp nháy kích thước 10 hoặc 20 ml đến hàng lít.
Như một ví dụ xét quá trình nhấp nháy xảy ra trong tinh thể nhấp nháy vô cơ
NaI. Trong giản đồ mức năng lượng Fermi ở đơn tinh thể các điện tử nằm ở các mức
năng lượng rất xác định (hình dưới). Các điện tử ngoài cùng nhất cũng nằm trong
lớp hóa trị. Trong vùng cấm không có mức năng lượng. Vùng trên cùng là vùng dẫn.
Nếu điện tử đi lên được vùng dẫn nó sẽ chuyển động tự do trong tinh thể. Nếu bức
xạ đi vào trong tinh thể sẽ kích thích điện tử và nâng nó lên từ vùng hóa trị sang
vùng dẫn. Tuy nhiên bản chất tự nhiên các điện tử không thích ở vùng kích thích nó
sẽ chuyển động loanh quanh trong vùng dẫn, cho đến khi nó đến đáy vùng dẫn và
khi đó thoát khỏi trạng thái kích thích bằng cách rơi xuống vùng hóa trị.

34
 Hình 1.30. Quá trình tương tác của bức xạ với tinh thể tinh khiết
Khi điện tử rơi xuống vùng hóa trị nó sẽ phát ra một photon ánh sáng. Tuy
nhiên đa số các tinh thể các photon ánh sáng này năng lượng cao có bước sóng rất
ngắn. Do đó để tăng bước sóng của photon cần bổ sung cho tinh thể một chất nào đó
để tạo ra trong vùng cấm những mức năng lượng phụ, trong trường hợp NaI bổ
sung Thallium. Khi này điện tử khi quay về vùng hóa trị đi qua mức trung gian trong
vùng cấm, điều này có nghĩa rằng các photon giảm năng lượng, bước sóng dài hơn
vào vùng bước sóng mong muốn khoảng 440 nm

Hình 1.31. Quá trình tương tác của bức xạ với tinh thể pha tạp
35
 Các tính chất khác của tinh thể nhấp nháy cần quan tâm khi lựa chọn đầu dò
nhấp nháy là hiệu suất biến đổi, là một lượng bao nhiêu năng lượng của bức xạ để
lại trong đầu dò để tạo ra photon sáng có lợi. Cho NaI(Tl) là 13%, khoảng 26 eV tạo
ra một photon sáng. Anthracene là5%, chất nhấp nháy dẻo khoảng 2%, nhấp nháy
lỏng khoảng 2% và BGO khoảng 3%. Một đặc trưng khác là mật độ, mật độ lớn hay
nguyên tử số Z lớn thuận lợi để đo tia gamma hoặc photon năng lượng cao, ngược
lại muốn đo các hạt mang điện hoặc điện tử cần mật độ thấp tức Z thấp. Dặc trưng
cuối cùng là thời gian sống của quá trình biến đổi, thông thường cỡ s hoặc ít hơn.
2.3. Ống nhân quang điện
Ống nhân quang điện gồm một ống hình trụ chân không và photocathode ở
lối vào. Ánh sáng đi vào tác động lên photocathode tạo ra một xung điện tích. Một
đầu của ống nhân quang phẳng để gắn tốt với chất nhấp nháy hoặc ống dẫn quang,
mặt phía trong là photocathode khi ánh sáng đập vào photocathode thì các điện tử
được bật ra.
Photocathode từ các vật liệu dễ giải phóng điện tử như là Antimon, Kali,
Xezi và Natri. Có độ nhạy cao trong vùng ánh sáng khoảng 440nm40nm, ví dụ cho
loại S11 có hiệu suất 10% có nghĩa rằng có 10 photon đập vào Photocathode thì bật
ra được một điện tử.

Hình 1.32. Hình ảnh cấu tạo của ống nhân quang điện
Khi điện tử bắn ra khỏi photocathode gặp ngay lưới hội tụ, điện thế của lưới
hội tụ khoảng 100V dương so với photocathode nên điện tử được gia tốc và hướng
đến điện cực đặc biệt gọi là dynode điện thế dương hơn lưới hội tụ khoảng 100V,
như vậy mỗi một điện tử bắn vào dynode đã được bổ sung năng lượng khoảng
200eV. Dynode làm bằng vật liệu đặc biệt có công thoát điện tử thấp, nên cứ một
điện tử sơ cấp đập vào thì làm thoát 3 hay 4 điện tử thứ cấp. Điện tử thứ cấp này lại

36
được hội tụ và gia tốc hướng đến dynode thứ hai, và quá trình nhân điện tử này tiếp
tục. Thường có từ 10 dynode trở lên.
Như vậy hệ số khuếch đại rất lớn, nếu có 10 dynode và mỗi dynode tăng 4
lần thì hệ số khuếch đại toàn bộ là 410 hay tương đương 106 tức khoảng 1 triệu lần,
lưu ý rất nhạy với sự thay đổi cao thế bậc lũy thừa bảy. Khi các điện tử này tụ tập
đến Anode tạo ra một xung điện ở lối ra.
Như vậy để nuôi ống nhân quang có nhiều giá trị điện thế khác nhau, thường
cần các bộ chia, đơn giản nhất là bộ chia điện trở, gắn dưới chân đế ống nhân quang.
Xung ra từ ống nhân quang là xung điện tích, mặt tăng của xung điện tích xác
định bởi quá trình kích hoạt trong tinh thể khoảng ns, mặt giảm xác định bởi thời
gian sống ở mức kích thích khoảng s cho chất vô cơ đến ns cho các chất dẻo hoặc
nhấp nháy lỏng. Thường xung điện tích này biến thành xung thế trong tiền khuếch
đại và thời gian giảm của xung điện tích biến thành mặt tăng xung thế.
2.4. Các đặc trưng của đầu dò nhấp nháy
a. Độ phân giải
Độ phân giải được định nghĩa như là số phần trăm độ rộng toàn phần của
đỉnh tại một nửa chiều cao cực đại cho đỉnh phổ năng lượng
Độ phân giải =
%
Độ phân giải có thể tính theo công thức sau
Độ phân giải = 1/ ( Lượng điện tử đến được dynod thứ nhất)1/2
Các yếu tố ảnh hưởng đến độ phân giải đầu dò nhấp nháy: Năng lượng của
bức xạ, hệ số biến đổi, hiệu suất tụ hội photon của hệ, độ trong suốt của tinh thể, độ
nhạy của photocathod và lưới hội tụ.
Các yếu tố như năng lượng và các tính chất của chất nhấp nháy thường không
điều chỉnh được, tuy nhiên hai yếu tố có thể điều chỉnh để có được thông số tối ưu
đó là lưới hội tụ và cao thể.
b. Hiệu suất ghi, phân giải thời gian: Các tham số này có thể được tra trong
bảng 1.4.
Trong nhiều hệ thay ống nhân quang điện bằng các photodiode
2.4.5. Các ứng dụng của đầu dò nhấp nháy
Ứng dụng phổ biến nhất của đầu dò nhấp nháy là dò tia gamma và đo năng
lượng của nó
Các ứng dụng khác: Gamma Camera, PET, hệ nhấp nháy lỏng, hệ đo alpha,
đầu cảnh báo phóng xạ.

37
 Kết luận : Đầu dò nhấp nháy sử dụng trong nhiệt độ phòng, kích thước lớn,
mật độ cao nên hiệu suất cao đối với tia gamma năng lượng cao, sử dụng rất phổ
biến ở nhiều lĩnh vực.
Bảng 1.4. Thông số của một số tinh thể nhấp nháy

38
 CHƯƠNG 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐIỆN

§2.1. CÁC THÔNG SỐ CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI VÀ YÊU CẦU ĐỐI VỚI BỘ
KHUẾCH ĐẠI TUYẾN TÍNH

1. Các thông số của bộ khuếch đại (KĐ)

a. Hệ số KĐ
Ký hiệu hệ số KĐ là K
Công thức tính K:
- Hệ số KĐ điện áp: Ku = Uo/Ui
- Hệ số khuếch đại dòng điện Ki = Io/Ii
- Hệ số khuếch đại là một giá trị dương ví dụ K = 100. Nhưng trong kỹ thuật
có thể dùng hệ số KĐ tính theo đề xi ben (dB) được tính như sau: K(dB) =
20lg(|K|).
b. Trở kháng lối vào
Ký hiệu: Zi
Công thức tính Zi = Ui/Ii
c. Trở kháng ra
Ký hiệu Zo
Công thức tính: Zo = Uoht/Ioht
Với Uohtlà điện áp ra khi hở mạch tải còn Ioht là dòng ngắn mạch tải
d. Dải thông của bộ KĐ
Ký hiệu ∆f
Công thức tính: ∆f = fh - fl
Với fh là tần số giới hạn trên và fl là tần số giới hạn dưới. ứng với các tần số là
fh và fl giá trị của K giảm √2 lần hoặc 3dB so với ở tần số trung bình.
2. Những yêu cầu với bộ KĐ tuyến tính
- Với K:
Phải đảm bảo được giá trị của K theo ý định thiết kế.
Giá trị của K không thay đổi trong suốt thời gian bộ khuếch đại hoạt động để
đảm bảo tín hiệu ra tỷ lệ tuyến tính với tín hiệu vào.
- Dải thông: Bộ khuếch đại có giải thông càng lớn càng tốt. Khi dó giá trị fh
rất lớn và giá trị fl vô cùng nhỏ, dẫn tới méo ở vùng tần số cao và thấp
giảm.
- Bộ khuếch đại có mức tạp âm càng nhỏ càng tốt.
- Bộ khuếch đại có khả năng chống quá tải biên độ và quá tải tần số.

39
 - Bộ khuếch đại hoạt động ổn định trước tác động của nhiệt độ và các tác
nhân khác của môi trường, tuổi thọ cao.

§2.2. Phân loại các bộ khuếch đại

1. Phân loại theo linh kiện tích cực trong bộ khuếch đại
Bộ KĐ dùng Transistor: linh kiện tích cực trong mạch là Transistor lưỡng cực
hoặc Transistor trường.
Bộ KĐ dùng IC tuyến tính (KĐ thuật toán).
Bộ KĐ dùng IC và Transistor.
2. Phân loại theo dạng tín hiệu vào ra
Bộ khuếch đại điện áp
Bộ khuếch đại dòng điện
Bộ biến đổi dòng thành áp: Tín hiệu vào là dòng điện và ra là điện áp
Bộ biến đổi áp thành dòng: Tín hiệu vào là áp và ra là dùng điện

ui K
uo ii K
io ii K
uo ui K
io

Hình 2.1. Ký hiệu của sơ đồ khuếch đại

3. Phân loại theo tính chất biến đổi của tín hiệu vào ra theo thời gian
a. Sự biến đổi của tín hiệu theo thời gian
Tín hiệu 1 chiều là tín hiệu có biên đô không thay đổi hoặc thay đổi rất chậm
theo thời gian.
Tín hiệu xoay chiều: Là tín hiệu có giá trị thay đổi tuần hoàn theo thoài gian.
Tín hiệu xung: Là tín hiệu có giá trị biên độ thay đổi liên tục theo thời gian
trong 1 khoảng thời gian.
b. Bộ KĐ 1 chiều
Bộ khuếch đại 1 chiều có khả năng khuếch đại tín hiệu 1 chiều, tín hiệu xoay
chiều và cả tín hiệu xung.
Nối tầng trong bộ khuếch đại này là nối tầng trực tiếp bằng dây dẫn hoặc bằng
điện trở. Vì vậy các tầng trong bộ KĐ có mối liên hộ với nhau về dòng 1 chiều. Việc
điều chỉnh chế độ của tầng này sẽ ảnh hưởng đến chế độ của tầng khác.
Bộ khuếch đại 1 chiều lý tưởng sẽ có fl = 0.
c. Bộ KĐ xoay chiều hoặc xung
Bộ KĐ xoay chiều hoặc xung không thể KĐ tín hiệu 1 chiều.
40
 Nối tầng trong bộ khuếch đại này là nối tần gián tiếp dùng tụ điện hoặc biến
áp hoặc ghép quang học. Vì vậy việc điều chỉnh chế độ của tầng này sẽ không ảnh
hưởng đến chế độ của tầng khác.
Bộ KĐ có fl>0.
4. Bộ KĐ tín hiệu nhỏ và KĐ công suất
a. Bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ
Bộ KĐ làm việc với tín hiệu đầu vào có công suất nhỏ và phát ra tín hiệu có
công suất cũng nhỏ. Bộ KĐ tốt tín hiệu đầu vào 2 cực tính và thường là các tầng đầu
và trong gian của máy khuếch đại.
b. Bộ KĐ công suất
Bộ KĐ làm việc với tín hiệu đầu vào có biên độ lớn và phát ra công suất lớn.
Bộ KĐ tốt tín h iệu vào 1 cực tính và thường là các tầng cuối cảu máy khuếch đại.
5. Bộ KĐ dải rộng và KĐ chọn lọc.
a. Bộ KĐ dải rộng
Là bộ KĐ có dải thông lớn, tần số cắt trên rất lớn và tần số cắt dưới rất nhỏ.
b. Bộ KĐ chọn lọc
Là bộ khuếch đại có dải thông rất hẹp khi đó tần số cắt trên và tần số cắt dưới
rất gần nhau.

§2.3. Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại

1. Khái niệm hồi tiếp và phân loại

Hồi tiếp là đưa một phần hoặc toàn bộ tín hiệu ra trời lại lối vào của bộ KĐ.
Hồi tiếp có thể do ký sinh hoặc do người thiết kế rạo ra nhằm đạt được mực đích gì
đó.
Hồi tiếp có 2 loại là hồi tiếp âm và hồi tiếp dương.
- Hồi tiếp là hồi tiếp dương nếu pha của tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín
hiệu vào. Vì vậy hồi tiếp dương thức đẩy quá trình quá độ trong mạch xảy
ra nhanh hơn. Hồi tiếp dương hay được ứng dụng trong các sơ đồ tạo dao
động phát xung.
- Hồi tiếp là hồi tiếp âm nếu pha của tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu
vào.

41
2. Các cách mắc hồi tiếp

Hình 2.2:

3. Hồi tiếp âm cải thiện các thông số của bộ khuếch đại

a. Hệ số KĐ
Hồi tiếp âm làm giảm hệ số của bộ KĐ. Khi mắc hồi tiếp âm thì hệ số KĐ
giảm đi (1+βhtK) lần.
Mặc dù hồi tiếp âm làm giảm hệ số KĐ của bộ KĐ nhưng hồi tiếp âm lại rất
hay được sử dụng trong ứng dụng các mạch KĐ. Hiện nay các mạch KĐTT (Khuếch
Đại Thuật Toán) có hệ số KĐ rất lớn, nhờ có hồi tiếp âm mà ta có thể làm giảm hệ
số KĐ của KĐTT từ đó tạo ra các bộ KĐ có hệ số KĐ mong muốn.
b. Độ ổn định của hệ số KĐ
∆
Từ công thức Kht = ta có dKht = => ∆Kht = Do đó:
( ) ( )
∆ 1 ∆
=
(1 + )
Đại lượng ∆Kht/Kht là độ không ổn định tương đối của hệ số LĐ của bộ KĐ có
hồi tiếp vaà so với đại lượng ∆K/K nó nhỏ hơn (1+βhtK) lần.
c. Dải thông của bộ KĐ
Đặc tuyến biên độ tần số của bộ KĐ có hồi tiếp âm như trên hình (H2-4). Hệ
số KĐ là Kht, tần số giới hạn lag flht và tần số giới hạn trên là fhht.
42
 Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại làm giảm ngưỡng cắt dưới của tần số và làm
tăng ngưỡng cắt trên của tần số hay nói cách khác nó mở rộng dải thông của bộ
khuếch đại.
d. Trở kháng vào
Hồi tiếp âm làm tăng trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm nói tiếp.
Hồi tiếp âm làm giảm trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với
hồi tiếp âm song song.
e. Trở kháng ra
Hồi tiếp âm làm tăng trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm về dòng điện
Hồi tiếp âm làm giảm trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với
hồi tiếp âm về điện áp.

§2.4. Sơ đồ khuếch đại dùng Transistor

1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor

Trong bộ khuếch đại Transistor thường được mắc theo 3 sơ đồ là Emitter
chung, Base chung và Colector chung như hình sau:

Hình 2.3a: Sơ đồ C chung (CC)

43
 Hình 2.3b: Sơ đồ E chung (EC)

Hình 2.3c: Sơ đồ B chung (CB)

2. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor
Trước hết phải lựa chịn kiểu sơ đồ mắc Transistor trong 3 kiểu sơ đồ CC, CB,
CE.
Điểm làm việc ban đầu của Transistor có thể được chọn ở điểm A (chế độ A),
điểm B (chế độ B) hoặc điểm AB (chế độ AB). Nếu tầng KĐ được chọn để KĐ tín
hiệu nhỏ thì chọn điểm làm việc A, còn nếu tầng khuếch đại công suất thì thường
chọn điểm B hoặc AB hoặc có thể sát với điểm C như hình vẽ.

44
 C

Ico
A AB
B
C
UCEO

Hình 2.4. Đặc tuyến Vôn – Ampe của transistor

Khi điểm làm việc đã được chọn thì ta có thể xác định được các đại lượng
UCEO và ICO và các thông số khác của mạch.
Có hai kiểu mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor bao gồm:
- Kiểu mạch định áp như hình 2.3 ở đây ta tạo thiên áp cho cực base nhờ
điện trở phân áp. Khi đó UBE = − và UCE = EC – RCIC – REIE.
thay đổiR1 hoặc R2 dẫn tới thau đổi UBE thay đổi IB thay đổi IC, thay đổi
UCE . Kết quả là định được giá trị UCEO và ICO.
- Kiểu mạch định dòng: tạo thiên áp cho base nhờ điện trở R1 như hình vẽ

Hình 2.5. Sơ đồ định điểm làm việc bằng hồi tiếp Collector
Khi đó UEC = UEB+R1IB+R3IE suy ra UEB = UEC-R1IB- R3IE
UBE = Ec- R1IB - R3IE-R2IB-R2IC
UBE = Ec- R1IB – (RE+RC)(IB+βIB)

45
 Do đó việc thay đổi R1 sẽ làm thay đổi IC và UEC.
Khi nhiệt độ của môi trường thay đổi cũng như trong quá trình Transistor hoạt
động thì UEB, β, ICBO thay đổi theo nhiệt độ dẫn tới hiện tượng dịch điểm làm việc
tĩnh. Vì vậy cần lưu ý đến việc ông định điểm làm việc ban đầu cho tần KĐ.
Để ồn định điểm làm việc người ta thường áp dụng mạch định áp có hồi tiếp
âm về dòng điện. Thông thường thì mạch định dòng ổn định hơn mạch định áp. Một
biện pháp nữa là lắp cánh tản nhiệt cho Transistor.
3. So sánh các kiểu mắc CC, CE và CB
Cùng một Transitor nhưng được mắc theo 3 kiểu khác nhau ta sẽ thu được các
tầng khuếch đại có thông số khác nhau như trong bảng:
Bảng 2.1. Tham số của các sơ đồ khuếch đại dùng transistor
Sơ đồ CE CB CC
Tham số
Ku Lớn Lớn ~1
Ki Lớn Nhỏ Lớn
Zi Trung bình Nhỏ Lớn
Zo Từ tb đến lớn Lớn Nhỏ
o
φ 180 0 0
Với φ là góc lệch giữa điện áp ra và điện áp vào
Từ số liệu trong bảng ta có:
- Kiểu CE có Ku và Ki lớn nên hệ số KĐ công suất lớn và tín hiệu ra ngược
pha với tín hiệu vào.
- Kiểu CB có hệ số KĐ công suất kém hơn so với kiểu CE nhưng tín hiệu ra
cùng pha tín hiệu vào. Ưu thế của kiểu CB là khả năng làm việc ở tần số
cao.
- Kiểu CC có hệ số KĐ công suất kém hơn CE, tín hiệu ra giống hệ tín hiệu
vào về mặt biên độ. Nhưng ưu thế của tầng CC là trở kháng lối vào lớn trở
kháng lối ra nhỏ nên nó thường được sử dụng để ghép nối giữa nguồn có
nội trở lớn và tải ra có trở kháng nhỏ.
4. Tần khuếch đại công suất
Tâng cuối của bộ KĐ thường KĐ tín hiệu có biên độ khá lớn để phát lên tải
nên nó hay được thiết kế theo kiểu CC.
Các thông số của tầng KĐ công suất
- Hệ số KĐ công suất: Kp =

- Hiệu suất: η =

46
 Pi là công suất nguồn tín hiệu vào, Po là công suất nguồn tín hiệu ra và Pcc là
công suất nguồn.
Có hai kiểu tầng KĐ công suất:
- Tầng KĐ công suất đơn: Tầng KĐ này chỉ sử dụng 1 transistor làm việc ở
chế độ A và có thể mắc theo kiểu CE hoặc CC. Hiệu suất của tầng KĐ
kiểu này cỡ 25% nên ít được ứng dụng trong thực tế.
- Tầng KĐ công suất kéo đầy push-pull: Tầng dùng 2 transistor làm việc ở
chế độ B hặc AB cho nên 2 transistor luân phiên làm việc. Hiệu suất cỡ
78.5% và hay được ứng dụng trong thực tế.
Tầng KĐ công suất kéo đẩy gồm 2 loại: Tầng KĐ công suất đẩy kéo dung
biến áp (KĐ công suất song song) và tầng KĐ công suất không dung biến áp (KĐ
công suất nối tiếp). Trong thực tế tầng KĐ công suất không có biến áp hay được sử
dụng vì ưu điểm kích thước nhỏ do không có biến áp, dễ chế tạo thành IC, đặc tính
tần số tốt.
§2.5. SƠ ĐỒ KĐ DÙNG KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

1. Khuếch đại thuật toán (KĐTT)

a. Định nghĩa
KĐTT là sơ đồ khuếch đại ghép nối trực tiếp có hệ số khuếch đại rất lớn, có
hai lối vào 1 lối ra với điện trở vào rất lớn và điện trở ra rất nhỏ.
b. Ký hiệu
- Nguồn nuôi cho KĐTT là nguồn cộng trừ có điểm
chung với Vs+ là điện áp nguồn dương, Vs- là điện áp
nguồn âm.
- Lối vào V+ được gọi là lối vào không đảo, khi tín
hiệu vào lối này thì gia số tín hiệu ra cùng pha với
gia số tín hiệu vào

- Lối vào V- được gọi là lối vào đảo, khi tín hiệu vào lối này thì gia số tín hiệu
ra ngược pha với gia số tín hiệu vào.
- Vout là đầu ra của bộ KĐTT

47
c. Các thông số của KĐTT
Bảng 2.2. Các thông số của KĐTT
Các thông số KĐTT lý tưởng KĐTT thực tế
Hệ số KĐ (Ko) ∞ ~105
Trở kháng lối vào ∞ ~2MΩ
(Ri)
Trở kháng lối ra 0 ~100Ω
(R0)
Dải thông (∆f) ∞ ~1MHz
U+=U-=0 Uo = 0 Uo ≠ 0
5
- Trên thực tế KĐTT có hệ số KĐ cỡ 10 lần ở vùng tần só thấp, lên vùng tần
số cao hệ số KĐ giam dần do sự ảnh hưởng của tụ kí sinh và các tham số của
transistor trong sơ đồ.
- Trở kháng lối vào của KĐTT thông thường cỡ MΩ nhưng cũng có một vài
KĐTT được chế tạo với trở kháng lối vào cực cao lên tới vài trăm MΩ thậm
chí hàng TΩ.
- Giá trị Uo ≠ 0 được gọi là điện thế offset của KĐTT xuất hiện do sự trôi điện
áp
d. Sơ đồ khối của KĐTT

Vi KĐ Dịch Tầng
sai điện mức ra
áp

Hình 2.6. Sơ đồ khối của KĐTT

- Tầng vào của KĐTT được thết kế theo kiểu KĐ vi sai nó có hai lối vào nên
KĐTT cũng có hai lối vào đảo và không đảo. Khối KĐ vi sai được thiết kế
với mức dòng vào rất nhỏ nên trở kháng lối vào rất lớn. Hệ số KĐ của sơ đồ
vi sai khá lớn, và nó không KĐ tín hiệu đồng pha tới hai lối vào, giảm nhiễu
đầu vào.
- Tầng KĐ điện áp: KĐ tín hiệu ra từ tần vi sai tạo nên hệ số KĐ rất lớn cho
KĐTT.
- Tầng dịch mức: dịch mức 1 chiều sao cho U+ = U- = 0 thì Ura = 0.
- Tầng ra được thiết kế theo sơ đồ kéo đẩy loại nối tiếp các Transistor mắc theo
sơ đồ CC nên điện trở ra nhỏ.

48
 e. Phương pháp tính toán cho KĐTT
Khi tính toán cho KĐTT người ta thường sử dụng các tham số của KĐTT lý
tưởng để dễ dàng cho việc lý luận và thiết kế.
 Những kết quả dẫn ra đối với KĐTT lý tưởng
- Ko = ∞ nên U+- = Uo/Ko = 0 => U+ = U-
- Ri = ∞ nên I+- = Uv/Ri = 0 => I+ = I- = 0
 Phương pháp tính toán
- Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào +
- Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào –
- Cho U+ = U- để tìm Uo và K
2. Sơ đồ KĐ sử dụng KĐTT
a. Sơ đồ KĐ đảo pha

Hình 2.7. Sơ đồ KĐ đảo pha

Mạch khuếch đại đảo thực hiện hồi tiếp âm điện áp qua điện trở Rf, lối vào
thuận được nối đất.
- Phương trình Kirchhoff cho lối vào “–“
I- = If + I1
 + =0 (1)
- Phương trình Kirchhoff cho lối vào “+”
U+ = 0 (2)
Từ phương trình (1) và (2) ta có:
+ =0

 Uo = − Ui
- Vậy hệ số khuếch đại của mạch là K = -Rf/R1
49
 Tính chất của mạch
- Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ thuộc vào Rf và R1 mặc cho hệ số KĐ của
KĐTT là rất lớn.
- Hệ số KĐ của mạch mang dấu âm chứng tỏ tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu
vào
- Điểm U- = 0 được gọi là điểm đất ảo.
- Trở kháng lối vào của mạch Rv = R1.
- Trở kháng lối ra của mạch Ro = RoKĐTT
- Đường tải làm việc của mạch:
Uo
+E

E/K Ui
-E/K

-E

b. Sơ đồ KĐ không đảo pha

Rf
-

+
R1
Uo
Ui
Hình 2.8. Sơ đồ KĐ không đảo pha
 Tính toán hệ số khếch đại
- Tính toán tương tự như đối với mạch KĐ đảo pha ta thu được phương trình
đặc tuyến của mạch như sau:
Uo = (1+ )Ui
- Hệ số khuếch đại của mạch K = 1+Rf/R1
 Tính chất của mạch
- Hệ số KĐ của mạch chỉ phụ thuộc vào R1 và Rf
- Hệ số KĐ của mạch mang dấu “+” chứng tỏ tín hiệu lối ra cùng pha với tín
hiệu lối vào.
- Trở kháng lối vào Ri = RiKĐTT
- Trở kháng lối ra Ro = RoKĐTT

50
 - Đường đặc tuyến ra
Uo

+E

-E/K

E/K
Ui
-E

c. Sơ đồ lặp điện áp
Từ hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại không đảo pha ta thấy nếu tăng giá
trị R1 lên vô cùng lớn hoặc giảm giá trị Rf tới 0 thì hệ số KĐ của mạch sẽ bằng 1 tức
là tín hiệu ra có cùng biên độ và cùng pha với tín hiệu vào. Từ đây ta có thể có 3
dạng mạch lặp điện áp như sau:
 Trường hợp Rf = 0

Hình 2.9a.
 Trường hợp R1 = ∞

Hình 2.9b.
 Trường hợp Rf = 0 và R1 = ∞

51
 Hình 2.9c.
 Đặc điểm của mạch
- Hệ số khuếch đại K = 1
- Tín hiệu ra giống hệt tín hiệu vào
- Trở kháng lối vào Ri = RiKĐTT
- Trở kháng lối ra Ro = RoKĐTT
Đường đặc tuyến có dạng giống hệt đường đặc tuyến của mạch khuếch đại
không đảo pha nhưng luôn có Uo = Ui.
d. Sơ đò khuếch đại vi sai

Hình 2.10. Sơ đồ khuếch đại vi sai

 Hệ số KĐ của mạch
Uo = +1 −
 Đặc điểm của mạch
- Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ thuộc thuộc vào Rf và R1.
- Tín hiệu ra là tổng hai tín hiệu thành phần khi lần lượt cho U1 và U2 lần
lượt bằng 0.
e. Sơ đồ tích phân

Hình 2.11. Sơ đồ tích phân

 Phương trình truyền tải của mạch
Uo = − ∫

52
 Ở đây = được gọi là hằng số tích phân của mạch
Đối với tín hiệu hình sin mạch tích phân quay pha tín hiệu đi 90o và hệ số
khuếch đại tỷ lệ nghịch với tần số xung vào.
Mạch tích phân cũng được sử dụng làm bộ lọc thông thấp ứng dụng trong
mạch lọc tín hiệu.
f. Sơ đồ vi phân

Hình 2.12. Sơ đồ vi phân

 Phương trình truyền tải của mạch
Uo = -CR
ở đây = được gọi là hằng số vi phân của mạch.
Khi tín hiệu vào là hình sin thì sơ đồ vi phân quay pha tín hiệu đi một góc 90o
Sơ đồ vi phân có chức năng như một mạch lọc thông cao.
3. Các biện pháp bảo vệ KĐTT
a. Bảo vệ lối vào
Đối với U+- lối vào cỡ vài trăm mV thì KĐTT đã đạt bão hòa. Nếu điện áp
vào quá lớn thì có thể làm hỏng KĐTT, vì vậy cần phải bảo vệ lối vào.
Sơ đồ bảo vệ như hình vẽ. Trên sơ đồ có mắc thêm 2 diode có tác dụng bảo
vệ. Khi U+-< điện áp mở của diode (cỡ vài trăm mV) thì cả hai diode đều khóa và
KĐTT làm việc bình thường. Còn khi U+-> điện áp mở của diode thì cả 2 diode sẽ
mở nhờ vậy mà điện áp lối vào KĐTT không vượt quá vài trăm mV.

D1 -

D2 + Uo

Hình 2.13. Sơ đồ bảo vệ lối vào cho KĐTT

b. Bảo vệ lối ra

53
 Khi tải lối ra xảy ra ngắn mạch làm cho dòng ra của KĐTT tăng đột ngột và
có thể làm hỏng mạch KĐTT.
Biện pháp bảo vệ: Mắc thêm điện trở lối ra của KĐTT như hình sau. Trị số
của điện trở cỡ vài trăm Ω với KĐTT loại LM709. Điện trở này có tác dụng giảm
dòng ngắn mạch sao cho các linh kiện trong KĐTT có thể chịu được dòng này.

Hình 2.14. Sơ đồ bảo vệ lối ra cho KĐTT

§2.6. TẠP ÂM TRONG MÁY ĐIỆN TỬ

1. Tạp âm trong máy điện tử

1.1. Hiện tượng tạp âm trong máy điện tử
Với máy điện tử khi chưa đo đạc vẫn quan sát thấy có tín hiệu lối ra, đó chính
là tạp âm mà ta quen gọi là nhiễu. tạp âm này có đặc điểm là biên độ nhỏ và có tần
số luôn thay đổi.
Luôn luôn có tạp âm trong máy điện tử vì:
- Các linh kiện điện tử sinh ra tạp âm.
- Máy điện tử luôn chịu sự tác động của môi trường ngoài như sóng phát
thanh, sóng phát hình, các động cơ đang hoạt động, tia vũ trụ, tia phóng
xạ…
Tạp âm xuất hiện ở mọi điểm trong máy điện tử nhưng tạp âm ở lối vào bộ
khuếch đại cần được quan tâm nhất vì tạp âm này cũng được KĐ như tín hiệu. Khi
tạp âm lớn sẽ dẫn tới kết quả kém chính xác.
1.2. Các nguồn tạp âm
a. Tạp âm do cấu tạo
Đây là loại tạp âm được sinh ra trong máy điện tử do tác động của môi trường
xung quanh như sóng phát thanh, sóng phát hình…
b. Tạp âm của mạch điện
+ Tạp âm nhiệt:
- Các điện tử tự do trong vật dẫn điện luôn chuyển động tự do luôn luôn
chuyển động nhiệt theo mọi hướng sẽ tạo ra dòng điện cục bộ ở trong lòng
vật dẫn. Nhưng xét toàn bộ vật dẫn thì sẽ không có dòng điện chạy qua.
54
 - Sự thay đổi rất nhanh của các dòng điện cục bộ gây nên sự thăng giáng
điện áp trên vật dẫn gọi là tạp âm nhiệt.
- Tạp âm nhiệt có dải tần số từ 0 đến ∞. Vì vậy người ta dung đại lượng một
độ phổ để biểu thị phổ tạp âm. Mật độ phổ là phân bố năng lượng của tạp
âm theo tần số.
- Với tạp âm nhiệt: mật độ phổ là =4 . Trong đó k là hằng số
Boltsman. T là nhiệt độ tính theo thang Kevin, R là điện trở của vật dẫn. ta
thấy R càng cao hoặc nhiệt độ của vật dẫn càng lớn thì tạp âm nhiệt càng
lớn.
+ Tạp âm gây bởi dòng vào của Transistor
- Sự thăng giáng dòng của transistor ví dụ dòng Ib hoặc Ig gây ra loại tạp âm
này.
- Mật độ phổ của tạp âm =2 với e = 1.6*10-19 C
+ Tạp âm gây bởi dòng ra của Transistor
- Sự thăng giáng dòng ra của Transistor ví dụ Ic hoặc Id gây ra loại tập âm
này
- Mật độ phổ tạp âm =2 với F là hệ số mà có trị số phụ thuộc vào
loại linh kiện và vào Io.
+ Tạp âm 1/f (Pink Noise)
- Là loại tạp âm có mật độ phổ tỷ lệ với 1/f. Loại tạp âm này rất nhỏ so với
các loại trên nên có thể bỏ qua
1.3. So sánh mức tạp âm của Transistor lưỡng cực (BJT) và transistor trường
(FET)
Dòng Ig của FET cỡ 10-9Ado đó Ig<<Ib cuả BJT, vì thế tạp âm của bộ khuếch
đại dung FET sẽ nhỏ hơn rất nhiều so với dung BJT.
Đặc biệt nếu FET được làm lạnh thì tạp âm nhiệt giảm mạnh đến mức gần
như có thể bỏ qua được. Như vậy để bộ KĐ có mức tập âm nhỏ thì tầng vào nên
dung FET được làm lạnh bằng Nitơ lỏng hơn là dung BJT.
2. Biện pháp khắc phục tạp âm
2.1. Với loại tạp âm do cấu tạo
Một biện pháp rất phổ biến là bọc kim nhũng bộ phân trong máy mà ở đó tạp
âm có ảnh hưởng mạnh ví dụ như tầng vào của khối KĐ. Bọc kim để tránh ảnh
hưởng của sóng điện từ, sóng gây nhiễu.

55
 Một biện pháp khác là dùng chì hoặc bê tong để che chắn đầu ghi bức xạ
2.2. Với loại tạp âm của mạch điện
Nên chọn những linh kiện gây ra mức tạp âm nhỏ làm tầng đầu vào, dung
điện trở chính xác, dây dẫn bọc kim.
Tuy nhiên không thể loại trừ hết tạp âm của mạch điện mà vẫn tồn tại tạp âm
ở mức độ nhất định. Khi đó ta phải sử dụng các mạch KĐ có mức tạp âm nhỏ, các
mạch KĐ chọn lọc, các mạch lọc để nâng cao tỷ số tín hiệu trên tạp âm (S/N).

§2.7. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI XUNG TÁC ĐỘNG NHANH

1. Tính tác động nhanh của tầng KĐ

Ta đã biết rằng một tầng KĐ tác động nhanh là tầng KĐ có khả năng KĐ tốt
tín hiệu tới tần số cao. Khi xét đặc tuyến biên độ tần số (K = φ(f)) như hình dưới ta
thấy nếu f>fH thì K giảm rất mạnh.

fh

Hình 2.15. Băng thông của sơ đồ KĐ

Như vậy thì một tầng KĐ có fH càng lớn thì càng có khả năng khuếch đại tín
hiệu tần số cao tức là tầng KĐ hoạt động càng nhanh. Vì thế mà fH là đại lượng phản
ánh tính tác động nhanh của tầng khuếch đại.
Từ lập luận trên ta suy ra rằng nâng cao tính tác động nhanh của tầng KĐ thực
chất là thực hiện những biện pháp kỹ thuật nhằm tăng hệ số KĐ ở vùng tần số cao.
2. Các biện pháp để tạo và nâng cao tính tác động nhanh của tầng KĐ
Hãy chọn các linh kiện tích cực (BJT, FET, IC, diode…) có khả năng làm
việc tốt ở vùng tần số cao.
Áp dụng hồi tiếp âm ở trong tầng và bộ KĐ, hồi tiếp âm sẽ cải thieenjdair
thông của tầng KĐ làm cho fH tăng lên.

56
 Với transistor hãy lựa chọn kiểu sơ đồ có đặc tính tốt ở vùng tần số cao như
kiểu sơ đồ B chung hoặc C chung.
Trường hợp cần phải KĐ công suất hoặc đảo pha tín hiệu thì chọn kiểu sơ đồ
E chung nhưng khi đó không có khả năng hoạt động nhanh vì vậy cần tăng tính hoạt
động nhanh cho sơ đồ E chung.
Một biện pháp hay dùng để nâng cao tính tác động nhanh cho sơ đồ EC là
mắc thêm cuộn cảm L1 vào cực góp của Transistor như hình vẽ. Lúc này trở kháng
của cực gớp là Zc = R1+jLω, khi tần số tăng thì trở kháng này sẽ tăng do đó làm
giảm dòng cực góp hạn chế được sự tăng của điện áp ra do đó giảm méo sơ với
trường hợp không mắc cuộn cảm.

Hình 2.16. Sơ đồ tăng tính tác động nhanh cho bộ KĐ

57
 CHƯƠNG 3: XỬ LÝ CÁC TÍN HIỆU TỪ ĐẦU GHI BỨC XẠ

§3.1. NHỮNG VẤN ĐỀ TRONG VIỆC XỬ LÝ TƯƠNG TỰ TÍN HIỆU TỪ

ĐẦU GHI BỨC XẠ

1. Đặc điểm của tín hiệu ra từ đầu ghi

Các tín hiệu ra từ đầu hgi bức xạ mang các thông tin khác nhau về bức xạ ví
dụ như:
- Số tín hiệu trong một giây biểu thị cường độ bức xạ.
- Phân bố biên độ xung thể hiện phổ năng lượng bức xạ.
- Dạng xung có thể giúp ta phân biệt hạt bức xạ…
Nhưng người ta không thể xử dụng ngy các tín hiệu này vì biên độ của chúng
rất nhỏ và lẫn tạp âm và bị cộng chồng lên nhau. Vì vậy các xung này phải được gia
công trước khi xử dụng.
Tín hiệu ra từ đầu ghi có những đặc điểm sau:
- Biên độ xung ra bé.
- Có lẫn tạp âm.
- Sườn xung trước dốc nhưng sườn sau thoải kéo dài.
- Các bức xạ rơi vào đầu ghi một cách ngẫu nhiên nên xung ra cũng hoàn
toàn ngẫu nhiên.
2. Những vấn đề trong việc xử lý tín hiệu từ đầu ghi bức xạ
Vấn đề đầu tiên là phải khắc phục được xự cộng chồng xung để tìm lại giá trị
thực của biên độ tín hiệu. Đặc biệt là trong khối phổ kế thì không cho phép chồng
chất xung. Do vậy ta phải làm ngắn để tách biệt các xung.
Khuếch đại xung: tùy theo loại đầu ghi và loại bức xạ cũng như biên độ cần
đạt tới mà ấn định hệ số khuếch đại phù hợp. Ví dụ với buồng ion hóa do biên độ
xung ra còn nhỏ nên cần có K~104-105- trong dải tần của bộ KĐ từ 103-105Hz. Còn
đối với đầu ghi nhấp nháy biên đô xung ra lớn hơn nên cần có bộ KĐ dải rộng với
tần số giới hạn lên tới 107Hz và chỉ cần K = 103.
Trường hợp khuếch đại các tín hiệu bé của bức xạ có năng lượng thấp thì việc
KĐ sẽ rất khó khăn vì biên độ tín hiệu chỉ cớ như biên độ của tạp âm. Khi đó ta phải
sử dụng bộ tạo dạng xung đặc biệt để năng cao tỷ số S/N nhằm tách biệt tín hiệu với
tạp âm.
Trong những tín hiệu vào đôi khi có tín hiệu với biên độ lớn la,f cho bộ KĐ bị
quá tải. Vì vậy cần phải có biện pháp chống quá tải biên độ.

58
 Khi tần số xung vào bộ KĐ quá lớn thì xảy ra hiệ tượng quá tải tần số dẫn đến
sự dịch đường cơ sở làm sai lệch kết quả đobiên độ tín hiệu cho nên cần phải khôi
phục đường cơ sở.
Tạo cổng tuyến tính để lựa chọn nhngwx tín hiệu theo ý muốn.
Tao sơ đồ phân biệt dạng xung khi muốn phân tách các xung của các loại bức
xạ khác nhau.
Cần phải kéo dãn xung để lưu lại biên độ cực đại của xung trong một khoảng
thời gian nhất định trước khi biến đổi tương tự số ADC.

§3.2. LÀM NGẮN XUNG

Sơ đồ làm ngắn xung là sơ đồ có khả năng biến đổi xung vào thành xung ra có
dạng như hình vẽ. Sơ đồ truyền tố sườn trước của xung và làm ngắn sườn sau của
xung.

Làm
ngắn
xung

Hình 3.1. Chức năng của sơ đồ làm ngắn xung

1. Làm ngắn bằng mạch vi phân C-R
a. Làm ngắn bằng mạch vi phân thường
Thông thường sau mạch TKĐ người ta dung một mạch vi phân C-R để làm
ngắn xung, Vì thế mạch tích phân ở đầu ra của đầu ghi được làm tách biệt với mạch
làm ngắn và biên độ tín hiệu của mạch làm ngắn đã đủ lớn.
Giả sử Ui(t) có dạng Ui(t) = Uo{1-exp(-t/τ1)} trong đó τ1 là hằng số thời gian
tăng của xung vào. Biến đổi Lapace đối với xung vào ta thu được:
Ui(p) =
(
)

Trở kháng của mạch vi phân Z = Rvp+(1/jωCvp) do đó Z(p) = Rvp + (1/pCvp).

Điện áp lối ra của mạch vi phân: Uo(p) = RvpI(p) = Rvp[Ui(p)/Z(p)]
Biến đổi Laplace ngược ta có:
Uo(t) = [exp(− ) − exp(− )]

Trong đó τvp = RvpCvp

Dạng xung ra như trên hình vẽ

59
 - Nhận xét
o Xung được làm ngắn đáng kể
o Khi τvp = τi thì xung ra chỉ cỡ 37% xung vào
o Nếu chọn giá trị τvp nhỏ thì biên độ xung ra càng nhỏ

Ui Cvp Uo

R C Rvp

Hình 3.2. Sơ đồ làm ngắn xung CR-RC

b. Mạch vi phân bù
Xét tín hiệu vào có dạng như hình dưới đây, tức là có dạng gần giống với
dạng xung từ đầu ghi bức xạ:

Ui

Uo

Hình 3.3. Hiện tượng xuất hiện phần âm khi hằng số vi phân rất nhỏ
Sườn trước của xung có độ rộng là tt sườn sau thoai thoải và thay đổi với hằng
số thời gian τ.
Ta có Uo(t) = τvp[dUi(t)/dt] với tt<<τvp<<τ thì ta thấy xung ra đã được làm
ngắn, độ rộng bé nhưng lại xuất hiện bướu âm. Để loại trừ bướu âm ta dùng mạch vi
phân bù như hình vẽ

60
 Hình 3.4. Sơ đồ vi phân bù
Chọn R và C để RC = τ thì xung ra sẽ có dạng Uo(t) = Uo và được mô tả
như hình dưới đây. Xung đã được làm ngắn và không có bướu âm.

Ui Uo

Hình 3.5.
2. Làm ngắn xung bằng cáp trễ ngắn mạch
Cáp trễ hay còn được gọi là đường trễ là một cáp dẫn đồng trục có các tham
số như sau:
- Điện trở sóng của cáp trễ Rs = (L/C)1/2 với L là điện cảm còn C là điện
dung của cáp
- Tín hiệu bị trễ đi 1 khoảng thời gian Ttr khi đi qua cáp trễ
Sơ đồ làm ngắn xung bằng cáp trễ
R2
Ui Uo

R1 C Ttr

Hình 3.6.
61
 Bộ KĐ cần có điện trở ra cỡ như điện trở sóng của cáp
Cáp trễ được nối như hình vẽ là nối ngắn mạch
Tín hiệu điện áp xuất hiện tại lối ra của bộ KĐ sẽ lan truyền theo cáp trễ và
đến điểm ngắn mạch thì bị phản xạ trở lại và tín hiệu phản xạ này có pha ngược với
tín hiệu tới. Tại lố ra của sơ đồ ta nhận được tín hiệu tổng cộng của tín hiệu tới và tín
hiệu phản hồi
Giả sử không có tổn hao khi truyền thì biên độ của tín hiệu tới và tín hiệu
phản hồi có giá trị bằng nhau, Tín hiệu ra có độ rộng bằng 2Ttr và tín hiệu phản hồi
sẽ lan đến lối ra sau thời gian 2Ttr.

§3.3. KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU TỪ ĐẦU GHI BỨC XẠ

Hạt Alpha hoặc Beta hoặc lượng tử Photon khi đập vào đầu dò bán dẫn và bị
hấp thụ. Trong thể tích nhạy của đầu dò có điện tích, đầu dò được nối đến một điện
thế. Điện tích dương sẽ chuyển động đến điện cực cực âm, điện tích âm sẽ chuyển
động đến điện cực dương. Những điện tích sinh ra này sẽ nạp vào tụ điện trong các
tiền khuếch đại (giá trị tụ này khoảng vài pF) kết quả điện thế trên tụ điện tăng lên.
Để tạo ra một cặp điện tử-lỗ trống trong đầu dò bán dẫn thường khoảng 2 eV,
hạt với năng lượng 100.000 eV tạo ra 50.000 điện tử và 50.000 lỗ trống, có thể làm
thay đổi điện thế trên tụ 2 pF khoảng 4 mV.
Đặc tính của tín hiệu từ các đầu dò hạt nhân nói chung công suất rất thấp,
thời gian tăng rất ngắn khoảng ns đuôi xung khá dài hàng trăm s, điện trở nội rất
lớn, tín hiệu ngẫu nhiên, có tốc độ có những trường hợp rất lớn, trộn lẫn nhiều tạp
âm, hay có hiện tượng chồng chập xung.
Việc xử lý các tín hiệu này cần được quan tâm hết sức cẩn thận mới có những
kết quả tin cậy. Để truyền tín hiệu đi xa không bị biến dạng từ nơi đặt đầu dò đến
trung tâm xử lý từ vài mét đến hàng trăm mét, ngay sau đầu dò cần bộ khuếch đại sơ
bộ gọi là tiền khuếch đại (nhằm tăng công suất và phối hợp trở kháng).
Khi đo đạc phóng xạ năng lượng từ 1 keV đến 1 MeV có thế ra từ 0,05mV
đến 500mV, để có tín hiệu khoảng 5V thích hợp với các phép phân tích cần khuếch
đại bổ sung. Hệ số khuếch đại cao nhất khoảng 1000 lần, thấp nhất là 10. Tín hiệu
được khuếch đại một phần trong tiền khuếch đại; còn phần khuếch đại chính thực
hiện trong khuếch đại phổ. Tuy nhiên ngoài việc khuếch đại phần này còn có nhiều
nhiệm vụ khác. Tín hiệu từ tiền khuếch đại nhạy điện tích có dạng bậc thang cao đến
10 von sẽ làm khuếch đại chính quá tải. Thông tin khác nhau về năng lượng thực
chất là độ cao khác nhau của các nhảy bậc, chúng ta có thể tách các tín hiệu này
62
bằng mạch vi phân, tuy nhiên việc làm này làm tăng tạp âm, kết quả kém tin cậy. Để
cải thiện tỷ số tín hiệu trên tạp âm cần sử dụng các mạch lọc. Thứ tự sắp xếp các
mạch như hình sau: Mạch vi sai ở lối vào, hai tầng khuếch đại, hai tầng lọc, tầng
đệm lối ra để phối hợp trở kháng với cáp đồng trục thông thường điện trở 50 ôm.
Vào Vi sai Khuêch Khuếch Mạch Mạch Tầng đệm
đại 1 đại 2 lọc 1 lọc 2

Hình 3.7.
Hệ số khuếch đại trong một tầng khuếch đại không thể đạt tới một hai nghìn
lần vì bị giới hạn tần số phản ứng của mạch khuếch đại thuật toán.
Tất cả các tầng này được ghép nối trực tiếp DC, một thay đổi nhỏ thế tựa trên
lối vào tạo ra sự dịch lớn đường cơ sở trên lối ra, ngay khi có bù trừ chính xác, trôi
nhiệt cũng gây ra dịch đường cơ sở, một cách khắc phục đơn giản nhất là bổ sung
một mạch vi phân thứ hai ở cuối, biến xung đơn cực thành lưỡng cực tuy nhiên việc
vi phân làm tăng tạp âm và làm xấu độ phân giải năng lượng của hệ. Điều này có thể
chấp nhận được khi làm việc với đầu dò nhấp nháy có độ phân giải không tốt hơn 6
đến 7 phần trăm. Đối với đầu dò bán đẫn đương thời độ phân giải có thể bé hơn 0,2
phần trăm thì không thể sử dụng mạch vi phân thứ hai. Chúng ta phải dùng hệ phức
tạp hơn để phục hồi đường cơ sở (BLR- Base Line Restorer), phục hồi đường cơ sở
cổng là loại phức tạp nhất.
Hình 3.8 mô tả sơ đồ nguyên lý của một khối khuếch đại phổ điển hình

63
Hình 3.8. Sơ đồ khuếch đại phổ đơn giản

64
1. Tiền khuếch đại
Phần này có liên quan đến kỹ thuật ghép nối để lấy tín hiệu từ đầu dò bức xạ,
tăng công suất của nó và truyền đến nơi xử lý. Các thông tin cho từ đầu dò là giá trị
điện thế, giá trị dòng, dạng tín hiệu theo thời gian, vị trí xuất hiện của nó. Yêu cầu
của phần này là đảm bảo tính tuyến tính, ổn định theo thời gian các thông số của nó,
không bổ sung nhiễu cho hệ đo. Để tránh sự suy giảm biên độ tín hiệu trên đường
dây truyền tin hiệu từ đầu dò đến khuếch đại chính cần có tiền khuếch đại để tăng
công suất và phối hợp trở kháng với cáp truyền tín hiệu.
Có thể chia các tiền khuếch đại làm ba loại chính: Tiền khuếch đại nhạy thế,
tiền khuếch đại nhạy điện tích, tiền khuếch đại nhạy dòng (trên hình sau).
1.1. Tiền khuếch đại nhạy thế
Tiền khuếch đại nhạy thế được sử dụng rộng rãi ở các hệ đo với đầu dò nhấp
nháy. Mạch anốt của ống nhân quang điện tạo ra bởi điện trở Rl và tụ C, điện tích
được tích phân trên tụ C và tụ ký sinh, thế tích phân này được tăng công suất (giảm
điện trở nội nguồn tín hiệu) bởi tầng khuếch đại lặp lại Darlington.

Hình 3.9. Các loại tiền khuếch đại

65
 Khi làm việc với tốc độ đếm cao tụ C chỉ là tụ ký sinh và tụ vào của transistor.
Dạng xung có mặt tăng bằng thời gian tích tụ các điện tích, mặt giảm bằng hằng số
thời gian mạch RC của điện trở anốt và tụ tích phân.
1.2. Tiền khuếch đại nhạy điện tích
Loại tiền khuếch đại nhạy điện tích được sử dụng trong các hệ phổ kế có độ
phân giải cao, đặc biệt là đối với các đầu dò bán dẫn, tiền khuếch đại loại này có tỷ
số tín hiệu trên tạp âm cao nhất, sự tuyến tính giữa điện tích và thế ra duy trì tốt.
1.3. Tiền khuếch đại nhạy dòng
Tiền khuếch đại nhạy dòng thường dùng cho các loại mạch tạo dạng nhanh
sơ bộ cho các mạch trùng phùng và đối trùng phùng, các buồng ion hóa đo tốc độ
đếm.
1.4. Khuếch đại phổ
Biên độ tín hiệu tại lối ra của các tiền khuếch đại nói chung là bé (từ mV đến
hàng von), vùng xử lý tốt nhất từ von đến chục von, vì vậy cần khuếch đại thêm tín
hiệu ra từ tiền khuếch đại. Tín hiệu ra của các tiền khuếch đại thường trộn tạp âm do
đó cần bổ sung các mạch lọc tạp âm làm tăng tỷ số tín hiệu trên tạp âm. Tín hiệu ra
của các tiền khuếch có đuôi khá dài cần cắt ngắn đuôi làm tăng tốc độ xử lý của hệ
thống. Như vậy khuếch đại phổ cần hoàn thành chức năng sau: Vi phân tín hiệu vào,
khử bướu vi phân, khuếch đại biên độ, tạo dạng xung, phục hồi đường cơ sở, khử
chồng chập, tăng công suất lối ra, trên hình sau là sơ đồ khối của bộ khuếch đại phổ.

Vi sai& Khuếch đại 2 Khuếch đại 3

Lối vào khuếch đại 1

Lối ra vòng phản hồi 1 Tầng Tích phân cổng Đệm suy giảm
đệm

Tầng Cổng Logic

đệm

Tầng đệm Tích phân cổng Tầng hạn chế

Tầng tạo dạng 1 Tầng tạo dạng 2 Khuếch đại ra

Lối ra

Hình 3.10. Sơ đồ khối bộ khuếch đại phổ

66
 §3.4. MẠCH TẠO DẠNG XUNG

Tạo dạng bằng mạch vi phân và tích phân CR-RC đơn giản hoặc tạo dạng
bằng mạch lọc động kết hợp mạch CR-RC và khuếch đại thuật toán, mạch vi phân
cho phép cắt đuôi xung, mạch tích phân cho phép tăng thời gian tăng của xung. Để
có hệ số tín hiệu trên tạp âm tốt thông thường người ta sử dụng một mạch vi phân
kết hợp với hai hoặc ba mạch tích phân. Hằng số thời gian mạch tích phân và vi
phân thường chọn như nhau.
Trong các bộ khuếch đại phổ hiện đại việc tạo dạng xung là một quá trình
tinh tế, gồm cả quá trình lọc và tạo dạng như phần sau của khuếch đại, nhiều bộ lọc
(complex pole filter) liên tiếp. Các xung bậc thang từ tiền khuếch đại được vi phân ở
tầng vào để tránh quá tải, kết quả có một xung có mặt tăng nhọn và mặt giảm là một
hàm mũ, tiếp theo nó được khuếch đại từ vài mv lên vài von. Để làm tốt tỷ số tin
hiệu trên tạp âm S/N các xung này được lọc qua các tầng F1, F2, tỷ số này càng gần
với tối ưu nếu các xung ở lối ra gần với dạng gaussian.

Hình 3.11
Các bộ lọc này là các bộ giả tích phân có hàm truyền
F(s) = F1(s) * F2(s) = 1/ (1+s)n
Hình dưới là sơ đô bộ giả tích phân

Hình 3.12.
Dạng xung ra càng gần dạng Gaus nếu số tầng n càng lớn

67
 Hình 3.13.

§3.5. QUÁ TẢI TRONG BỘ KĐ VÀ MẠCH XÁC LẬP MỨC 1 CHIỀU

1. Quá tải biên độ

a. Hiện tượng quá tải biên độ
Giả sử các xung ra từ tầng khuếch đại thứ nhất qua tụ nối tầng vào tầng
khuếch đại thứ 2 đôi khi xấy hiện những xung có biên độ quá lớn . ta chú ý đến ảnh
hường của xung này đối với tầng KĐ.
Đặc tuyến biên độ của tầng khuếch đại được mô tả như hình vẽ:

Hình 3.14
Khi ui tăng đến mỗi giá trị max thì áp ra sẽ không đối do đó tầng KĐ mất khả
năng KĐ với các xung có biên độ lớn hơn uimax , đồng thời các tín hiệu vào có biên
độ quá lớn này làm quá tải biên độ tầng KĐ. Hâu quả làm bô KĐ làm việc sai chế
độ, nó sẽ bị đẩy lên chế độ bão hòa và sau đó khóa lại trong một khoảng thời gian.
b. Biện pháp khắc phục
 Ta có sơ đồ chống quá tải biên độ như hình vẽ

68
 Sử dụng diode để làm mạch hạn chế lối vào để không cho biên độ xung vào
vượt quá mức ngưỡng gây quá tải biên độ. Khi xung vào lớn hơn giá trị umax diode
sẽ mở làm cho biên độ của xung được hạn chế ở mức umax. sử dụng nguồn 1 chiều
mắc dưới diode để thay đổi giá trị umax.

Hình 3.15. Mạch hạn chế áp vào

 Mạch hạn chế dòng điện

Ii
b đ2 Io
a

Ich đ1

Hình 3.16 Mạch hạn chế dòng

Khi Ii<Ich thì Ii = Ich+Iba cho nên dòng Iba chỉ có thể là dòng chày qua đ2. Như
vậy có tín hiệu vào KĐ dòng nên có Io.
Khi Ii>Ich thì Ii = Ich+Iab cho nên dùng Iab chỉ có thể là dòng chảy qua đ1 nên
không có tín hiệu qus KĐ.
Tầng vào của khối KĐ thuật toán được thiết kế theo sơ đồ vi sai vì đặc điểm
của sơ đồ vi sai chống quá tải biên độ tốt.
 Mạch quá tải dùng diode hồi phục

69
 Hình 3.17. Sơ đồ phục hồi điện áp dùng diode
Mắc thêm một diode như sơ đồ. Giả xử mạch khuếch đại xung dương có biên
độ xung vào lối vào in không quá lớn để gây quá tải thì xung dương được truyền qua
tụ và gây khóa diode tiếp tục đi vào tầng khuếch đại thứ 2.
Khi xảy ra hiện tượng quá tải áp đầu ra của tầng khuếch đại thứ nhất bị bão
hòa C1 nhanh chóng tích điện làm cho xung tiếp theo không thể truyền đến tầng
khuếch đại thứ 2. Nhờ có diode có điện trở bé mà ngay sau khi kết thức xung gây
quá độ điện tích trên tụ được phóng rất nhanh qua diode do đó khôi phục lại chế độ
làm việc cho bộ khuếch đại.
2. Quá tải tần số
a. Hiện tượng thay đổi mức 1 chiều
Sau khi đi qua mạch làm ngắn xung thì hiệu tượng cộng chồng xung đã giảm
đi rõ rệt. Vì các xung tín hiệu từ đầu ghi bức xạ xuất hiện ở những thời điểm ngẫu
nhiên nên có những xung xuất hiện rất gần nhau. Điều đó tương đương với việc tần
số xung trở nên rất lớn làm cho bộ KĐ bị quá tải tần số. Kết quả làm đường cơ sợ
của tín hiệu bị thay đổi dẫn đến phép đo biên độ không chính xác.
Xét trường hợp nối tầng bằng tụ điện và với tín hiệu vào là một chuỗi xung
như hình vẽ:

Hình 3.18. Hiện tượng quá tải tần số

70
 Ta thấy khi có xung vào bộ KĐ thì tại phía đầu ra của bộ KĐ sẽ có tín hiệu và
tu nối tầng sẽ được nạp điện, khi kết thúc xung vào hay nói cách khác là tại đầu ra
của bộ KĐ không có tín hiệu thì tụ bắt đầu phóng điện. Nếu thời gian phóng điện
nhở hơn khoảng thoài gian giữa hai xung liên tiếp thì khi có xung tiếp theo tụ đã
phóng hết điện tích đo đó ko còn điện áp trên tụ đồng nghĩa với việc không xảy ra
xự dịch đường không.
Khi tần số xung vào quá lớn thì tụ sẽ chưa kịp phóng hết điện khi có xung vào
tiếp theo và nó sẽ tiếp tục được nạp dẫn đến điện tích trên tụ nối tầng tăng dần (điện
áp tĩnh phía bản cực gắn với tầng khuếch đại tiếp theo của tụ điện mang dấu âm) đo
đó làm giảm điện áp lỗi vào tầng tiếp theo dẫn đến xung bị méo như trên hình vẽ.
Tóm lại do tần số vào quá lớn và do nối tầng bằng tụ điện mà tín hiệu vào
tầng tiếp theo từ xung dương 1 cực tính trở thành xung 2 cực tính như hình vẽ, một
lượng điện áp ∆U đã bị dịch xuống dưới đường cơ sở. Đây gọi là hiện tượng dịch
mức do quá tải tần số. Nó làm sai lệch điện độ xung cho nên ta cần phải hạn chế sự
dịch mức và khôi phục lại mức 1 chiều.
b. Mạch khôi phụ mức một chiều
Mạch khôi phục mức 1 chiều có thể đặt ở lối ra của bộ KĐ hoặc ở lối vào của
sơ đồ tiếp theo nối với bộ KĐ.
Ta có thế mắc them diode phục hồi như trong phần chống quá tải biên độ
nhưng chỉ nên dùng với bộ KĐ có hệ số KĐ nhỏ vì khi đó mức tạp âm nhỏ.
Ngoài ra người ta còn hay dùng sơ đồ như hình sau sử dụng 2 nguồn dùng I
và 2I:

2I

Đ1 Đ2

Ui C Uo

Hình 3.19. Mạch khôi phục mức một chiều

71
 Khi không có xung vào thì cả đ1 và đ2 đều mở dòng chảy qua mỗi diode đều
bằng I. Ta có u0 = -ud1+ud2 mà 2 diode giống nhau nên uo = 0.
Khi có xung vào (xung dương với biên độ lớn hơn vài trăm mV) thì đ1 khóa
lại tụ C được nạp với nguồn dòng I còn dòng 2I chảy qua đ2. Hết xung vào thì cả 2
diode lại mở, tụ C nhanh chóng phóng điện và mức ra uo giảm nhanh về 0. Độ dịch
mức rất bé ví dụ: I = 100uA, rđ = 250Ω, (tx/T) = 10% thì độ dịch mức = 5mV.
c. Phương pháp dùng xung cân bằng
Xung cân bằng là xung hai cực tính mà có diện tích phần xung dương và diện
tích phần cung âm là bằng nhau.
Nếu xung vào là xung cân bằng thì sau kho phần xung dương nạp cho tụ nối
tần C bao nhiêu thì phần xung âm sẽ làm tiêu hao bấy nhiêu điện tích đã nạp cho C
kết quả ko xảy ra hiện tượng dịch mức 1 chiều.

§3.6. SƠ ĐỒ CHO QUA TUYẾN TÍNH

1. Sơ đồ cho qua tuyến tính là gì

Sơ đồ cho qua tuyến tính hay còn gọi là cổng tuyến tính là sơ đồ mà nó cho
tín hiệu qua một cách tuyến tính hoặc không cho qua tùy theo tín hiệu điều khiển.
Cổng tuyến tính thường đươc sử dụng ở lối vào của ADC dùng để lựa chọn
hoặc loại bỏ những tín hiệu theo ý muốn với mục đích để phân luồn tín hiệu cho
ADC (cổng tuyến tính sẽ cho phép tín hiệu vào ADC khi ADC rảnh và ngăn không
cho tín hiệu vào ADC khi nó đang bận).
Có một số phương pháp tạo sơ đồ tuyến tính ví dụ: Sơ đồ cho qua tuyến tính
dựa trên bộ KĐ có ngưỡng, Sơ đồ cho qua tuyến tính kiểu khóa. Trong bài này sẽ
trình bày về sơ đồ cho qua tuyến tính kiểu khóa.
2. Khóa điện tử được dùng trong sơ đồ cho qua tuyến tính

Hình 3.20.
Trên hình vẽ thể hiện khóa điện tử được sử dụng trong sơ đồ cho qua tuyến
tính. Thông thường khóa điện tử thường có hai loại: loại thường đóng là loại khi ở
trạng thái bình thường (không có xung điều khiển) thì khóa ở trạng thái đóng mạch
72
(nội trở của khóa rất nhỏ), loại thứ 2 là loại thường mở là loại khóa điện tử khi ở
trạng thái bình thường thì khóa ở trạng thái ngắt mạch (nội trở lớn).
Ví dụ transistor là một loại khóa điện tử với hai chân E và C được sử dụng
làm chân tín hiệu vào ra còn chân B là chân để cấp xung điều khiển. Xung điều
khiển cấp vào châ B sẽ làm transistor ở trạng thái khóa hoặc mở thông bão hòa
tương ứng với trạng thái đóng hoặc mở của cổng tuyến tính.
3. Sơ đồ cho qua tuyến tính thực tế

Hình 3.21. Sơ đồ cổng tuyến tính kết hợp với mạch lưu biên độ xung cho
ADC
Nhìn vào sơ đồ ta thấy T1 làm nhiệm vụ như một khóa điện tử, KĐTT AP1 và
OP2 mắc theo sơ đồ lặp lại điện áp, KĐTT OP3 là mạch so sánh.
Khi có xung tại lối vào của sơ đồ, tín hiệu sẽ được truyền qua diode D1 sau
đó, nếu tín hiệu điều khiển cấp vào T1 là cho qua (tương đương với mức 0) làm cho
T1 bị khóa lại và tín hiệu sẽ được nạp cho tụ C1, vai trò của diode D1 là ngăn không
cho điện tích trên tụ C1 chạy qua KĐTT OP3. Giá trị biên độ xung sẽ được lưu trên
tụ C1 (được nhớ) sau đó qua mạch lặp OP2 và đưa vào lối vào của ADC.
Tín hiệu lối ra của OP1 được nối vào chân “+” của mạch so sánh OP3 còn tín
hiệu lối ra của mạch lặp OP2 được nối vào chân “-“ của mạch so sánh OP3. Ở phân
sườn trước của xung thì điện áp tại lối ra của OP1 tăng dần, điện áp này truyền qua
D1 nạp cho tụ C1 đồng thời điện áp này cũng đi tới mạch lặp OP2 và cấp vào chân
trừ của OP3. Giả sử khi tín hiệu truyền qua diode D1 nó không bị suy giảm thì điện
áp tới hai lối vào của KĐTT OP3 luôn bằng nhau do đó tín hiệu lối ra của OP3 bằng
0. Ở nửa sau của xung thì tín hiệu tới lối “+” cùa OP3 giảm dần (do biên độ xung
giảm dần) trong khi tín hiệu tới chân “-“ không đổi do đó ngay lúc này điện áp trên
lối vào “-“ lớn hơn lối vào “+” làm cho lối ra của OP3 nhảy về mức âm, đây là tín

73
hiệu xác nhận tụ C1 đã nạp giá trị cực đại của xung và dùng để điều khiển ADC bắt
đầu hoạt động.
Sau khi ADC chuyển đổi xong sẽ có một tín hiệu cấp vào lối điều khiển của
khóa T1 làm T1 mở làm cho điện tích trên tụ C1 phóng nhanh qua T1 trở về mức 0,
lúc này điện áp ở hai lối vào của OP3 lại bằng nhau làm cho lối ra của OP3 chuyển
mức từ âm lại về 0.

§3.7. PHƯƠNG PHÁP LOẠI TRỪ XUNG CHỒNG CHẤT

1. Mục đích
Các xung ra từ đầu ghi bức xạ thường cộng chồng lên nhau do sườn sau của
xung quá dài và các xung xuất hiện tại các thời điểm rất gần nhau. Đẻ phân tách các
xung chồng chất người ta đã áp dụng biện pháp làm ngắn xung. Tuy nhiên xung
chồng chất vẫn còn.
Quan sát dạng xung ra từ sơ đồ tạo dạng xung ta nhận thấy sườn sau của xung
còn dài vì ở đây mục tiêu là đảm bảo tốt tỷ số S/N. nhưng khi tạo dạng xung để tăng
tỷ số S/N thì độ rộng xung cũng tăng. Vì thế dù có tạo dạng thì hiện tượng chồng
chất vẫn còn.
2. Phương pháp
Việc loại trừ xung chồng chất thường được thực hiện bằng công tuyến tính.
Nếu phát hiện xung chồng chất thì cổng tuyến tính sẽ đóng lại và không có xung
truyền qua còn khi không có xung chồng chất thì cổng sẽ cho tín hiệu đi qua bình
thường.
3. Sơ đồ loại xung chồng chất
Sơ đồ khối

Ui 1
4
Uo
U3
2

Hình 3.22. Sơ đồ loại bỏ xung chồng chất

74
 1 là sơ đồ khuếch đại
2 là sơ đồ phát hiện chồng xung ở sườn trước
3 là sơ đồ phát hiện chồng xung ở sườn sau
4 cổng tuyến tính

§3.8. SƠ ĐỒ KÉO DÃN XUNG

1. Lý do phải kéo dãn xung

Các xung thường có đỉnh nhọn hoặc độ rộng bé nên việc đo chính xacsbieen
độ thường rất khó khăn.
Để đo chính xác biên độ thì cân phải lưu giữ biên độ xung trong một khoảng
thời gian tối thiểu để thực hiện pháp đo.
2. Nguyên lý kéo dãn xung
Nguyên lý chung: Biên độ xung thông thường được tụ lưu giữa lại, sau khi tụ
C được nạp thì nó được cách ly để đảm bảo không phóng điện hoặc phóng điện rất
chậm trong một khoảng thời gian ấn định sau đó mới cho nó phóng điện
3. Sơ đồ thực tế

Hình 3.23. Sơ đồ kéo giãn xung

Khi không có xung vào: T2 mở cổng T1 khóa, các điện trở R1, R2, R3 xác định
chế độ làm việc của T2 sao cho điện áp trên tụ Uc = 0V

75
 Khi có xung vào: xung vào qua tầng khuếch đại điện áp tới T1 và sơ đồ đơn
hài đợi. Từ lối ra của đơn hài đợi xung âm có độ rộng và sơ đồ đơn hài đợi. Từ lối
ra của đơn hài đợi xung âm có độ rộng ∆t tới bazo của T2 làm cho nó khóa lại, đồng
thời T1 mở nên tụ C nạp tới giá trị Umax.
Thời điểm xung vào giảm dần biên độ, T1 bắt đầu khóa vì T2 vẫn khóa nên
điệm áp trên tụ được lưu giữ. Sau đó T2 mở nên tụ phóng điện qua T2 và điện áp
giảm nhanh về 0.
§3.9. SƠ ĐỒ PHÂN BIỆT DẠNG XUNG

Sơ đồ phân biệt dạng xung là sơ đồ có thể phân biệt được các xung dựa vào
sự khác nhau của chúng. Dạng của tín hiệu xung đặc trưng bởi: sườn tăng, sườn
giảm và độ rộng xung. Sơ đồ phân biệt dạng xung sẽ hoạt động dựa trên việc xác
định mối quan hệ giữa các đại lượng này và đo chúng.
Trong thực tế với một số đầu ghi bức xạ tín hiệu ra từ đâu ghi không chỉ phụ
thuộc vào năng lượng mà bức xạ tiêu tán trong vùng hoặt của đầu dò mà còn phụ
thuộc vào khả năng ion hóa của bức xạ. Do đó dạng tín hiệu ra từ đầu ghi phụ thuộc
vào loại bức xạ. Sự phụ thuộc này được thấy rõ nhất ở đầu ghi nhấp nháy.
Như chúng ta đã biết một số đồng vị phóng xạ phát ra đồng thời vài loại bức
xạ đầu ghi bức xạ sẽ ghi nhận tất cả các loại bức xạ này.
Nhưng trong một phép đo thực nghiệm người ta chỉ muốn thu nhận một loại
bức xạ tức là cần ghi nhận các bức xạ một cách riêng rẽ. Một biện pháp hay được sử
dụng đó là che chắn và bọc chì để sao cho loại bức xạ có năng lượng thích hợp mới
có thể đi được vào đầu dò kết hợp với các bộ phân biệt xung điện tử.
2. Phân tách các tín hiệu có sườn giảm khác nhau
Xung dòng ra từ ống nhân quangcuar đầu ghi nhấp nháy do các bức xạ khác
nhau tạo ra có sườn giảm khác nhau. Vì vậy đây là sơ đồ phân biệt dạng xung dựa
vào sườn giảm.
Phượng pháp:
- Xung dòng được tích phân bởi một mạch tích phân có hằng số thời gian
τtp>>τch trong đó τchlà hằng số thời gian tạo sườn giảm của xung.
- Xác định và ghi nhận thời điểm mà biên độ tín hiệu ra từ mạch tích phân
đựt tới một giá trị nào đó
3. Phân tách các tín hiệu có sườn tăng khác nhau
Phương pháp:
Làm ngắn xung bằng các sơ đồ làm ngắn khác nhau
Xác định và xử lý các xung có sườn tăng khác nhau
76
 Nhưng trong sơ đồ gồm bộ kKĐ K1 và K2 bộ tạo dạng xung (TDX), bộ phản
trùng phùng (PTP), hai dây trễ Ttr1 và Ttr2 . Ttr2 được chọn sao cho 2 Ttr2 = 0.01us
khi ghi hạt mang điện.
Xung ra từ dinode cuối của ống nhân quang được KĐ lên và làm ngắn bằng
cáp trễ ngắn mạch Ttr2 sau đó được tạo dạng để làm tín hiệu lối vào cấm PTP.
Khi hạt điện tích rơi vào chất nhấp nháy 2 lớp sẽ có xung dòng từ anode và
dinode cuối của ống nhân quang lớn. Xung từ dinode được làm ngắn có biên độ đủ
nhỏ. Mức biên độ này không đủ kích thích bộ tạo dạng xung. Do đó không có xung
cấm bộ PTP. Kết quả là xung từ anode tới được lối ra PTP.

77
 CHƯƠNG 4: BIẾN ĐỔI TƯƠNG TỰ SỐ VÀ GHI NHÂN TIN TỨC SỐ
§4.1. ĐẾM XUNG
1. Triger (Flip-Flop)
1.1. Định nghĩa và phân loại
Trigger (Flip-Flop) là phần tử có hai trạng thái bền (0 và 1) thường được sử
dụng để lưu trữ (nhớ) trạng thái. Trigger thường có ký hiệu như hình sau:
Đặc điểm
- Có hai rối ra Q và Q Pr
- Có 1 hoặc 2 lối vào điều khiển
- Có lối vào Set (Preset) để xác lập Q=1 J Q
- Có lối vào Reset (Clear) để xác lập Q=0 K JK-FF
- Có lối vào xung đồng bộ Clock
Ck
Tín hiệu điều khiển có thể là theo mức Q
hoặc theo sườn xung như sau:
- Theo mức thấp Clr
- Theo mức cao
- Theo sườn tăng Hình 4.1.
- Theo sườn giảm
Phân loại
- Phân loại theo chức năng hoạt động: T-Trigger, D-Trigger, JK-Trigger và
RS-Trigger.
- Phân loại theo cách thức hoạt động:
o Trigger hoạt động không đồng bộ: Các tín hiệu ĐK làm chi Trigger
hoạt động đúng mà không cần tín hiệu đồng bộ.
o Trigger hoạt động đồng bộ: Trigger hoạt động đúng khi và chỉ khi có
tín hiệu đồng bộ đúng theo yêu cầu. Cách phân loại này có hai kiểu:
đồng bộ thường và đồng bộ chủ tớ (Master-Slave).
1.2. RS-Trigger
RS-Trigger có cấu như hình vẽ
Trong đó R là lối vào Reset
S là lối vào Set
Q là lối ra
là lối ra đảo

Hình 4.2.

78
 Bảng chân lý của RS-Trigger giải thích rõ quá trình hoạt động của RS-
Trigger.
Bảng 4.1.
R S Q Q
0 0 x x
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 0 0
Từ sơ đồ cấu tạo ta thấy RS-Trigger được tạo từ các cổng NOR (có thể thay
thế cổng NOR bằng cổng NAND và bảng chân lý sẽ có giá trị ngược lại), muốn để
Trigger lật trạng thái thì ta cần phải đưa lần lượt mức 1 vào lối vào R và S. Vì vậy
RS-Trigger thường được dùng để tạo tín hiệu điều khiển.
Ví dụ: tín hiệu Start vào S thì tín hiệu Stop được đưa vào lối R, tín hiệu ra từ
Q được dùng để điều khiển các sơ đồ khác.
1.3. D-Trigger
Ký hiệu
Trong đó: S là lối Set
R là lối Reset
D là lối vào Data
CLK là lối xung vào
Q là lối ra
là lối ra đảo

Hình 4.3. Ký hiệu D-Trigger

Sơ đồ cấu tạo của D-Trigger
Nhìn vào sơ đồ cấu tạo ta thấy
D-Trigger gồm một số cổng
logic mắc vào sơ đồ RS-Trigger
như hình vẽ. Với D là lối vào
điều khiển còn E là lối cấp xung
Clock.

79
 Bảng 4.2. Bảng chân lý của D-Trigger
R S D Clk Q Q
x x x x 0 1
0 1 x x 1 0
1 0 x x 0 1
1 1 1 1 0

1 1 0 0 1

1 1 x 1 0

1 1 x x 0 1

Dựa vào bảng chân lý ta thấy nếu lối vào R bằng 0 thì D-trigger trở về trạng
thái ban đầu của nó (lối ra Q = 0) được gọi là trạng thái xác lập hay xóa Trigger.
Nếu lối vào S và R có giá trị bằng 1 thì tín hiệu tại lối vào D và lối ra Q có
cùng giá trị nhưng giá trị của Q xuất hiện trễ hơn giá trị tại D một khoảng thời gian
chuyển mạch, nên D-Trigger còn được gọi là Trigger trễ.
1.4. JK-Trigger
Ký hiệu
Trong đó: S là lối Set
R là lối Reset
J, K là lối vào điều khiển
CLK là lối xung vào
Q là lối ra
là lối ra đảo

Hình 4.4. Ký hiệu JK-Trigger

80
 Sơ đồ cấu tạo của JK-Trigger
Nhìn vào sơ đồ cấu tạo ta thấy
JK- Trigger bao gồm RS-
Trigger có hai cổng NAND (3
lối vào) được mắc ở lối vào như
hình vẽ. Trong đó một lối vào
của hai cổng NAND được nối
chung đề cấp xung clock vào.
Hình 4.5.
Bảng 4.3. Bảng chân lý của JK-Trigger

Nhìn vào bảng chân lý ta thấy khi các lối vào J, K, S đều ở mức cao thì khi có
xung cấp vào lối vào CLK ứng với mỗi sường tăng (hoặc giảm) của xung vào thì lối
ra của Trigger nhay mức.
Phần tử đếm được tạo từ JK-Trigger bằng cách cho J, K, S lên mức cao sau đó
cấp xung đếm vào lối vào CLK.
2. Mạch đếm không đồng bộ
 Bộ đếm nhị phân không đồng bộ
Trigger và mạch chốt là yếu tố nhớ cơ bản của logic số. Trên cơ sở các yếu tố
này có thể xây dựng các bộ đếm, bộ nhân và bộ nhớ.
Mạch đếm đơn giản nhất bằng cách nối nối tiếp các D Trigger, mỗi một
trigger có đường phản hồi từ lối ra Q đảo trở về lối vào D. Bộ đếm như vậy trên
hình sau

81
 Hình 4.6. Bộ đếm không đồng bộ 4 bit
Biểu đồ thời gian như sau

Hình 4.7.
Trạng thái xuất phát nhờ tín hiệu xoá đưa bộ đếm về 0000. Mặt tăng đầu tiên
của tín hiệu CLK đưa lối ra Q của trigger đầu tiên lên 1, đưa bộ đếm lên trạng thái
0001; mặt tăng xung CLK thứ hai chuyển trigger đầu tiên về không, Q đảo của
trigger thứ nhất lên cao, vì nó được nối trực tiếp với lối vào CLK của trigger thứ hai
làm cho trigger này chuyển lên 1 kết quả trạng thái bộ đếm 0010, quá trình cứ tiếp
tục như vậy đến xung thứ 16 bộ đếm quay về trạng thái 0000. Mạch đếm nhị phân 4
bit này thực tế gặp như 74HC93, bộ đếm dài hơn CD4020.
 Bộ đếm thập phân không đồng bộ
Các bộ đếm nhị phân sử dụng rất nhiều trong nhiều lĩnh vực, tuy nhiên mã nhị
phân có rất nhiều hạn chế khi giao tiếp với con người. Cần có những bộ đếm trong
mã thập phân, thông thường vẫn dùng trigger để xây dựng, dùng 4 trigger cho một
số thập phân gọi là bộ đếm hai mười hay bộ đếm BCD. Nếu dùng 4bit trong đếm nhị
phân thì có thể đếm 16 xung, trong trường hợp này chỉ cần đếm 10 xung là bộ đếm
quay về không và cho tín hiệu đầy sang số thập phân cao hơn. Như vậy cần bổ sung
mạch phản hồi trong nội bộ 4 bit ứng với trạng thái số 9 (1001) cho phép xung đếm
tiếp theo tạo thành xung xóa để đưa bộ 4 bit đếm về không.
Bộ đếm mười hay được sử dụng là mạch 74xx90, xem sơ đồ hình sau

82
 Hình 4.8.
Bộ thập phân gồm hai phần modul 2 và modul 5, bổ sung hai lối vào xác lập
trạng thái ban đầu R và S.
3. Các bộ đếm đồng bộ
Trong bộ đếm đồng bộ xung nhịp CLK chung cho tất cả các trigger, bộ đếm
như vậy khắc phục hiện tượng xác lập lối ra không đồng thời, tuy nhiên làm chậm
tốc độ đếm. Trạng thái tiếp theo cần được xác định bởi trạng thái hiện tại, giản đồ
khối bộ đếm đồng bộ ở hình sau

Cổng logic Trigger

Hình 4.9.
Khối logic tổ hợp sử dụng để xác định trạng thái tiếp theo từ các trạng thái
hiện tại của bộ đếm. Trạng thái tiếp theo được ghi vào bộ đếm bằng xung nhịp CLK.
Ví dụ vi mạch 74HC161 là mạch đếm nối tiếp đồng bộ, có bổ sung thêm mạch xác
lập và hai lối vào cho phép đếm

Hình 4.10.
Bộ đếm đồng bộ cơ số khác và bộ đếm thuận nghịch
Trên hình sau là bộ đếm đồng bộ cơ số 9 trên bộ đếm cơ số 16 74HC163.

83
 Hình 4.11. Sơ đồ đếm thuận nghịch sử dụng 74HC163
Một vài bộ đếm có khả năng đếm thuận nghịch, sử dụng hai tín hiệu điều
khiển đếm thuận và đếm nghịch, như các mạch 74LS 193, 74LS168.

§4.2. ĐO TẦN SỐ TRUNG BÌNH

1. Khái niệm chung

Đo tần số trung bình là xác định số xung trung bình trong một đơn vị thời
gian. Kết quả thu được có thể biểu thị ở dạng tương tự hoặc dạng số. Theo định
nghĩa thì dòng điện I chảy vào máy đếm bằng I = Q = nqo như vậy nếu ta đo được I
biết qo ta sẽ tính được n.
Khi qo không đổi thì I tỷ lệ tuyến tính với n thì ta có máy đo trung bình tuyến
tính còn khi I với n không tuyến tính thì ta có máy đo tần số trung bình không tuyến
tính.
Cấu trúc của máy đếm xung trung bình gồm 2 phần (có sơ đồ khối như hình
vẽ): bộ chuẩn điện tích và bộ tích lũy điện tích.
- Bộ chuẩn diện tích qo: có chức năng tạo ra một điện tích chuẩn qo(có cùng
biên độ và độ rộng xung) mỗi khi có 1 xung vào lối vào của bộ chuẩn điện
tích.
- Bộ tích lũy điện tích và chỉ tị kết quả: điện tích qo từ bộ chuẩn xung có thể
được tũy lũy nhờ một bộ tích phân (tạo ra điện tích Q trên tụ tích phân sau
thời gian t) và dùng đồ hồ đo điện áp trên tụ tích phân để hiển thị kết quả

Hình 4.12. Sơ đồ chuẩn xung

84
 Độ sai lệch lớn nhất là:
.
ε=
√
Khi tần số nhỏ để phép đo càng chính xác thì cần phải chọn RtpCtp càng lớn
càng tốt. Đầu tiên ta sẽ xác định giá trị của Rtp trước sau đó mới tính giá trị của Ctp.
Một số vấn đề:
- Độ ổn định của qo, vì giá trị của qo phụ thuộc vào cường độ dòng điện và
độ rộng tx của xung và rất khó để ổn định độ rộng xung txcủa tín hiệu do
đó điện tích qo sẽ thay đổi.
- I không tuyến tính với n do khi điện áp trên tụ tăng dần thì tụ sẽ nạp điện
tích không còn như cũ nữa.
2. Sơ đồ đo tần số trung bình dùng tụ định liều
Nguyên lý: để khắc phục 2 vấn đề trên việc chuẩn điện tích được thực hiện
bởi tụ định kiều. Với mỗi xung vào thì tụ định liều nạp 1 lượng điện tích ko đổi rồi
sau đó chuyển hết vào mạch tích phân
Sơ đồ như hình vẽ

Hình 4.13. Sơ đồ đo tần số dùng tụ định liều

Khi không có xung thì Uc2 = 0 và Uc3 = 0 với C2 là tụ định liều C3 là tụ tích
phân. Còn khi có xung vào thì tụ C2 được nạp qua diode D1. Nếu ta chọn
tx>C2(R3+rd) thì điện tích mà tụ C2 tích lũy được là qo = UmC2
Hết xung vào thì D1 bị khóa còn D2 mở. Điện tích trên tụ sẽ được phân chia
cho tụ C3 khi đó điện tích trên C3 sẽ là Qtp = qoC3/(C2+C3). Do C3>>C2 nên Q~qo
toàn bộ điện tích trên C2 sẽ chuyền sang C3. Nếu có n xung vào thì tương tự ta sẽ
thu được điện tích tổng trên C3 = nC2 với C2 đã chuẩn ta sẽ tính được n.
Trên thực tế I không tỷ lệ tuyến tính với n do đó phương pháp này gặp nhiều
khó khăn khi ứng dụng trong thực tế. Do đó phương pháp hay được dùng là cấp

85
xung vuông vào các sơ đồ đếm như đã học ở phần trước, đây là phương pháp đơn
giản có độ chính xác cao và rất dễ dàng cho việc lưu trữ cũng như hiển thị kết quả.

§4.3. BIẾN ĐỔI TƯƠNG TỰ SỐ VÀ SỐ TƯƠNG TỰ

Ngày nay khi kỹ thuật số hóa, tin học trở nên rất phát triển thì xu thế chung
của các hệ điều khiển là các hệ kỹ thuật số. Do đó vấn đề quan trọng là phải biến đổi
được tí hiệu tương tự từ cảm biến sang dạng tín hiệu số.
Thiết bị dùng để biến đổi tín hiệu tương tự sang dạng tín hiệu số được gọi là
ADC (Analog-to-Digital Converter). Ngược lại thiết bị sử dụng để biến đổi tín hiệu
số sang tín hiệu tương tự được gọi là DAC (Digital-to-Analog Converter).
Sơ đồ điển hình của một giao diện điển hình của một hệ thống bao gồm: cảm
biến, thiết bị điều khiển và thiết bị được điều khiển được mô tả như hình sau:

Cảm
biến

Hình 4.14. Giao tiếp giữa cảm biến và thiết bị điều khiển
Thông thường lối vào tương tự của các ADC khoảng từ giá trị min vài trăm
mV đến giá trị max hàng chục von; lối ra số N từ 1K đến 8K; độ rộng kênh (đơn vị
số hóa- lượng tử hóa) được tính như sau:
U = (Umax – Umin)/N
Độ phi tuyến tích phân: Trong thực tế đường biến đổi không tuyến tính (Hàm
số tương quan giữa thế vào và số kênh ra không tuyến tính) N = f (U) không phải là
hàm bậc nhất đơn giản. Sự sai khác này gây ra độ phi tuyến tích phân, độ phi tuyến
tích phân cho phép biến đổi từng kênh được tính theo công thức sau:
ηtp = (Ui – U’i)/Ui
Ở đây Ui = KMi là giá trị biên độ lý tưởng, biến đổi tuyệt đối tuyến tính; còn
U’i = K’Mi là giá trị biên độ biến đổi thực. Độ phi tuyến tích phân của toàn phổ
được lấy giá trị max của gía trị lệch từng kênh, và được tính theo công thức sau:
tp max = (Ui – U’i)max/Ui .
86
 Tham số này rất quan trọng trong các bài toán nhận diện các đồng vị phóng
xạ qua bài toán phân tích phổ năng lượng.
Độ phi tuyến tích phân của ADC tp thông thường có giá trị từ 0,5% đến
0,05%.
Độ phi tuyến vi phân: Độ phi tuyến vi phân đánh giá độ đồng nhất của độ
rộng các cửa sổ năng lượng (độ rộng kênh), được tính theo công thức sau:
vpmax = (Uimax - Uo)/Uo
Ởđây Uimax là độ rộng kênh lớn nhất tìm thấy, Uo là độ rộng kênh trung
bình của phép biến đổi.
Tham số này rất quan trọng trong các bài toán xác định hoạt độ các đồng vị
phóng xạ qua bài toán phân tích phổ năng lượng.
Độ phi tuyến vi phân của các ADC ηvpthông thường có giá trị từ 2% đến
0,2%.
Thời gian biến đổi: Tham số này rất quan trọng khi lựa chon loại ADC cho
các bài toán khác nhau, nó có giá trị từ vài chục ns đến vài trăm s tùy theo loại
ADC.
Đối với Wilkinson ADC thời gian biến đổi tính theo công thức sau:
tbđ = N.T ở đây N là số kênh biến đổi, T là chu kỳ máy phát nhịp;
Đối với ADC gần đúng liên tiếp tùy theo số bit của ADC ví dụ như ADC 4K
là 12 bit có thời gian biến đổi theo công thức sau:
tbđ = P.T ở đây P là số bit, T là chu kỳ máy phát nhịp
Đối với ADC biến đổi trực tiếp (Flash ADC) thời gian biến đổi không phụ
thuộc số kênh, số bit biến đổi mà tùy thuộc độ phản ứng của vi mạch cấu tạo ADC.
1. DAC
1.1. DAC R/2nR
Sơ đồ nguyên lý của DAC R/2nR có dạng như hình vẽ:

Tín
hiệu số

Hình 4.15. DAC R/2nR

87
 Sơ đồ là mạch cộng với điện trở hồi tiếp là R và các điện trở đầu vào lần lượt
là R, 2R, 4R… Các giá trị điện trở của R được chọn bằng 2n×R với n là số thứ tự của
kênh nối tới các bit tương ứng (kênh nối với bit có trọng số cao nhất (MSB) có n =
0). Ví dụ như trên hình vẽ là bộ biến đổi DAC 3 bit điện áp ra sẽ được tính như sau:
 1 1 
Vout    V1  V2  V3 
 2 4 
Với Vi (i = 1,2,3) = 0V nếu mức vào là mức 0,
Vi = 5V nếu mức vào là mức 1
Thay đổi giái trị của điện trở hồi tiếp R trong khi giữa nguyên giá trị của điện
trở đầu vào ta sẽ thay đổi được điện áp ra của DAC như bảng sau:
Bảng 4.4.
Tín hiệu số Tín hiệu tương tự
R = 1k R = 800
000 0.00V 0.00V
001 -1.25V -1.00V
010 -2.50V -2.00V
011 -3.75V -3.00V
100 -5.00V -4.00V
101 -6.25V -5.00V
110 -7.50V -6.00V
111 -8.57V -7.00V
Một vấn đề của DAC này như sau: tín hiệu số vào thường nằm trong một giải,
ví dụ các giá trị mức 1 có điện áp dao động trong khoảng 4.8 đến 5.2V. Rõ ràng sự
thay đổi này sẽ làm thay đổi tín hiệu ra với cùng một giá trị đầu vào của tín hiệu số.
Do đó tầng đầu vào của bộ DAC bắt buộc phải trang bị các phần tử CMOS đứng
trước điện trở như hình vẽ nhằm ổn định điện áp của mức logic cho đầu vào DAC.
Muốn nâng cao độ phân giải của DAC (8bit, 12bit) ta thêm tăng tương ứng số
kênh đầu vào bộ cộng (8 kênh, 12 kênh).
Một nhược điểm của phương pháp này là giá trị các điện trở tăng dần (theo
n
2 ) do đó độ chính xác của giá trị điện trở cũng phải tăng tương ứng. Do đó rất khó
để đảm bảo độ chính xác của tín hiệu ra giữa các phép biến đổi. Một phương pháp
để xử lý đó là sử dụng các điện trở mắc nối tiếp như hình vẽ.

88
 Tín
hiệu số

Hình 4.16. Sơ đồ thay giá trị điện trở bậc cao bằng một số điện trở nối tiếp
Sơ đồ này dễ dàng đảm bảo sự chính xác của phép biến đổi nhưng khá cồng
kềnh và đặc biệt không thể áp dụng cho các DAC có độ phân giải cao.
1.2. DAC R/2R
Sơ đồ của kiểu DAC này có dạng như sau:

Hình 4.17. DAC R/2R (bậc thang)

Về mặt toán học thì kiểu DAC này phức tạp hơn so với DAC R/2nR (cần sử
dụng định lý Thevenin để tính toán) nhưng nó có ưu điểm hơn là nó không cần sử
dụng điện trở có giá trị cao đo đó số lượng điện trở cần thiết giảm đi rất nhiều, đặc
biệt hữu dụng đối với các DAC có độ phân giải cao.
Điện áp lối ra
 1 1 
Vout    V1  V2  V3 
 2 4 
Để nâng cao độ phân giải của DAC ta chỉ cần thêm kênh đầu vào với điện trở
vào là 2R và điện trở phân áp là R vào trước điện trở nối đất 2R.
Với điện trở hồi tiếp có giá trị bằng 2R thì điện áp ra nằm trong khoảng từ 0
đến -8.75V với các giá trị của tín hiệu số 3 bit đi vào lối vào DAC. Nếu giảm giá trị
điện trở hồi tiếp xuống 1.6R thì điện áp ra sẽ nằm trong khoảng từ 0 đến -7V.
2. ADC
89
2.1. ADC biến đổi trực tiếp (Flash ADC)

Bộ
giải
mã 8 Tín hiệu ra
dây/3
dây

Hình 4.18. Sơ đồ Flash ADC (3 bit)

Sơ đồ Flash ADC (3 bit) có cấu tạo gồm 7 bộ so sánh như hình vẽ, tín hiệu
tương tự lối vào sẽ được so sánh bởi 7 bộ so sánh này. Điện áp tham chiếu của 7 bộ
so sánh được cấp bởi điện áp tham chiếu tổng Vref phân chia cho mỗi bộ so sánh sử
dụng 7 điện trở phân áp có giá trị bằng nhau nhằm mục đích tạo điện áp so sánh tăng
dần (U, 2U, 3U…) cho mỗi bộ so sánh. Đầu ra của bộ so sánh được nối với đầu vào
của cồng OR loại trừ, tín hiệu ra khỏi cổng OR là mức 1 khi và chỉ khi một trong
đầu vào của cổng là mức 1 (đầu còn lại là mức 0).
Khi có tín hiệu được cấp vào lối vào của ADC, giá trị điện áp của tín hiệu này
sẽ được so sánh với điện áp so sánh trên từng cổng so sánh nếu giá trị điện áp này
lớn hơn điện áp so sánh trên cổng so sánh nào thì cổng so sánh đó sẽ cho ra mức cao
(mức 1). Với mục đích chỉ để cổng so sánh với tín hiệu vào nằm trong khoảng biên
độUn đến Un+1 xuất ra mức cao cổng OR loại trừ sẽ được sử dụng để chọn lọc tín
hiệu lối ra của hai cổng so sánh liên tiếp nào mà có mức ra là 1 và 0 và xuất tín hiệu
mức cao vào bộ giải mã sau đó xuất tín hiệu ra lối ra.
Sơ đồ tín hiệu vào ra của Flash ADC được thể hiện như hình vẽ:

90
Hình 4.19. Tín hiệu vào (trên) và tín hiệu ra (dưới) của Flash ADC

Tín hiệu ra

Điện trở
kéo

Hình 4.20. Sơ đồ giải mã của ADC

91
 Sơ đồ của bộ giải mã sử dụng các diode để xuất tín hiệu sang dạng mã nhị
phân như hình vẽ. Diode ngăn cản điện áp cao chạy ngược về chân ra của cổng OR.
Sơ đồ Flash ADC có ưu điểm là rất đơn giản, và tốc độ chuyển đổi rất cao, tốc
độ chuyển đổi cỡ vài chục ns. Tuy nhiên loại ADC này có nhược điểm trước hết là
rất cồng kềnh và khó đạt được độ phân giải cao (nếu ADC 8-bit thì cần tới 256 bộ so
sánh). Ngoài ra Flash ADC có độ tuyến tính không cao do sai số của điện trở phân
áp.
2.2. Ramp ADC
Ramp ADC hay còn gọi là ADC cầu thang dốc hoặc đơn giản là ADC dạng
đếm. Sơ đồ nguyên lý của Ramp ADC được thể hiện qua sơ đồ sau:

ĐK

Thanh
ghi Tín hiệu
ra

Hình 4.21. Ramp ADC

 Cấu tạo
- Bộ ĐK dùng để cấp xung nhịp cho DAC.
- DAC là bộ biến đổi tín hiệu sô-tương tự, nhó nhận xung nhịp từ bộ ĐK
biết đổi sang tín hiệu tương tự rồi đưa vào bộ so sánh để so sanh với tín
hiệu vào.

92
 - Bộ so sánh để so sánh tín hiệu vào với tín hiệu ra từ DAC, tín hiệu ra từ
bộ so sánh được dùng để điều khiển khối ĐK và thanh ghi.
- Thanh ghi sử dụng để xuất tín hiệu ra lối ra của ADC khi có lệnh từ bộ
so sánh.
 Hoạt động:
Khi tín hiệu cần biến đổi được cấp vào đầu vào của bộ so sánh thì bộ điều
khiển bắt đầu cấp tín hiệu dạng nhị phân (tín hiệu số 2-bit, 4-bit hoặc 8-bit…),
tín hiệu này được biến đổi thành tín hiệu tương tự và đưa vào một đầu của bộ
so sánh (giá trị điện áp tăng dần). Giá trị số đếm nhị phân này cũng được ghi
đè vào bộ nhớ của khối thanh ghi nhưng chưa xuất ra lối ra ADC. Khi tín hiệu
lối ra của ADC có biên độ bằng với tín hiệu lối vào còn lại của bộ so sánh thì
đầu ra của bộ so sánh nhảy mức (từ 1 về 0), xung này được cấp vào bộ ĐK để
dừng việc cấp tín hiệu vào DAC (và reset giá trị số đếm nhị phân này về 0)
đồng thời cấp cho thanh ghi để xuất tín hiệu lối ra của bộ ĐK. Giá trị của tín
hiệu số này chính là giá trị được chuyển đổi thành tín hiều số của tín hiệu
tương tự đầu vào.
Để ADC có thể hoạt động thì một xung nhịp phải được cấp vào bộ điều
khiển (để cấp giá trị nhị phân cho ADC). Tốc độ chuyển đôi của ADC phụ
thuộc vào tốc độ của xung nhịp cấp cho khối điều khiển.

Hình 4.22. Tín hiệu vào (trên) và tín hiệu lối ra (dưới) của ADC
Ramp ADC là loại ADC đơn giản, có độ tuyến tính tốt hơn so với Flash ADC
nhưng nó có nhược điểm là sau khi kết thúc quá trình chuyển đổi bộ ĐK phải bắt
đầu đếm lại từ đầu do đó thời gian lấy mẫu (sampling time) tương đối chậm và
không đều (thời gian lấy mẫu phụ thuộc vào biên độ của tín hiệu cần lấy mẫu).
93
2.3. ADC xấp xỉ liên tiếp (Successive Approximation ADC)
ADC xấp xỉ liên tiếp có cấu tạo như hình vẽ, đây là sơ đồ cải tiến của Ramp
ADC trong đó một thanh ghi đặc biệt gọi là thanh ghi xấp xỉ liên tiếp (Successive
Approximation Register – SAR) được thêm vào bộ điều khiển của Ramp ADC.
Thay vì việc đếm tuần tự như trong Ramp ADC, ADC xấp xỉ thay đổi giá trị từng bit
một bắt đầu từ bit có trọng số cao nhất sao đó so sánh với tín hiệu vào. Ví dụ khi có
tín hiệu vào bit có trọng số lớn nhất của SAR nhảy lên 1 tạo ra một diện áp lối ra
DAC (giá trị này bằng ½ giá trị điện áp toàn thang của DAC), điện áp DAC này sau
đó được đưa vào bộ so sánh để so sánh với tín hiệu vào. Nếu giá trị điện áp này lớn
hơn biên độ tín hiệu lối vào thì giá trị của bit cao nhất vẫn giữ ở mức 1 tiếp theo
tăng bit có trọng số cao thứ 2 lên 1. Nếu tín hiệu vào lớn hơn giá trị phải hồi từ DAC
thì giá trị của bit cao nhất nhảy về 0 và bít có trọng số cao thứ 2 sẽ được kéo lên 1,
sau đó giá trị mới xuất ra từ DAC lại được đưa về so sánh với tín hiệu vào. Quá trình
này được lặp lại tới khi ghi xong giá trị của bit có trọng số thấp nhất. Giá trị từng bit
lần lượt được nạp vào thanh ghi SRG, kết thúc quá trình thanh ghi SRG sẽ xuất tín
hiệu ra lối ra của ADC.

Tín hiệu
ra

Hình 4.23. Sơ đồ khối của ADC xấp xỉ liên tục

94
 Mặc dù ADC xấp xỉ liên tục có độ tuyến tính và độ chính xác không cao bằng
Ramp ADC nhưng nó có ưu điểm là thời gian biến đổi nhanh (thời gian biến đổi chỉ
là thời gian biến đổi số bit của bộ đếm thay vì đếm liên tục), thời gian lấy mẫu tín
hiệu đồng đều do đó ADC xấp xỉ liên tiếp hay được sử dụng trong thực tế.

Hình 4.24. Tín hiệu vào (trên) và tín hiệu ra (dưới) của ADC xấp xỉ
2.4. ADC theo dõi (Tracking ADC)
Đây cũng là một biến thể của Ramp ADC, trong đó loại bỏ thanh ghi và thêm
vào bộ kiểm soát đếm xuôi/ngược (U/D) vào bộ điều khiển của Ramp ADC.
Vì không có thanh ghi ở lối ra nên số đếm từ bộ điều khiển sẽ được xuất trực
tiếp ra lối ra của ADC.

Tín hiệu
ra

Hình 4.25. Tracking ADC

95
 Lối ra của bộ so sánh được nối vào bộ điểu khiển đếm xuôi/ngược. Khi tín
hiệu hiệu cần biến đổi được cấp vào lối vào ADC, bộ đếm bắt đầu hoạt động làm
cho giá trị lối ra của DAC tăng dần đi vào bộ so sánh. Khi tín hiệu từ DAC vượt quá
giá trị của tín hiệu vào thì bộ đếm sẽ đếm ngược lại làm cho tín hiệu từ DAC lại nhỏ
hơn tín hiệu vào do đó đầu ra của của bộ so sánh lại đảo mức làm đảo chiều đếm của
bộ đếm. Giá trị lối ra luôn bám theo mức biên đô của tín hiệu lối vào do đó nó được
gọi là ADC theo dõi. Đặc điểm tín hiệu vào ra của ADC có dạng như sau:

Hình 4.26. Tín hiệu vào (trên) và tín hiệu ra (dưới)

Đặc điểm của ADC này số đếm cho điểm lấy mẫu tiếp theo bắt đầu ngay từ số
đếm của điểm lấy mẫu trước đó (do tác dụng của bộ điều khiển đếm xuôi ngược)
nên loại ADC này có một đặc điểm là tốc độ lấy mẫu cực nhanh, giá trị của tín hiệu
lấy mẫu được cập nhật liên tục rất phù hợp cho việc lấy mẫu các tín hiệu nhanh. Tuy
nhiên cần phải lưu ý khi ADC bắt đầu hoạt động thì tín hiệu ban đầu (trước khi điện
áp ra của ADC bắt kịp tín hiệu vào) là vô nghĩa, do đó ADC cần một khoảng thời
gian trễ trước khi có thể lấy được tín hiệu ra.
2.5. ADC độ dốc hoặc ADC tích phân (Slope ADC)
Loại ADC này còn có tên là ADC độ dốc đơn hoặc ADC Wilkinson sử dụng
nguyên lý khác hoàn toàn so với Ramp ADC. Thay vì sử dụng DAC để tạo ra tín
hiệu so sánh với tín hiệu vào người ta sử dụng một bộ tích phân như hình vẽ để tạo
ra tín hiệu răng cưa. Độ dốc (sườn tăng) của tín hiệu răng cưa phụ thuộc vào giá trị
điện áp tham khảo Vref cấp cho sơ đồ tích phân.
Tín hiệu được cấp vào một chân của bộ so sánh và lúc này bộ tích phân sẽ
phát xung răng cưa và xung này được đưa về đàu còn lại của bộ so sánh. Thời gian
cần thiết để biên độ xung răng cưa đạt tới giá trị của tín hiệu vào được đo bằng bộ
96
đếm nằm trong khối điều khiển (CTR). Khi biên độ xung răng cưa đạt tới giá trị cua
tín hiệu vào mạch so sánh sẽ xuất tín hiệu dừng bộ đếm đồng thời xuất tín hiệu điều
khiển thanh ghi SRG xuất tín hiệu của bộ đếm ra lối ra ADC, đây chính là tín hiệu
số đã biến đổi từ tín hiệu tương tự lối vào.

Tín hiệu
ra

Hình 4.27. ADC tích phân

Tín hiệu ra từ bộ so sánh đồng thời cũng có tác dụng xóa điện tích trên tụ C
(biên độ xung răng cưa) và xóa số đếm của bộ đếm chuẩn bị cho phép đo tiếp theo.
Đồ thị tín hiệu vào ra của ADC được mô tả như hình vẽ:

Hình 4.28. Tín hiệu vào ra

ADC tích phân cho độ tuyến tính và độ chính xác cao hơn nhiều Ramp ADC,
nên nó có thể sử dụng rất tốt cho các tín hiệu có giá trị biên độ thay đổi liên tục. Tuy
nhiên tốc độ lấy mẫu của ADC này không cao nên gặp rất nhiều hạn chế khi làm
việc với tốc độ đếm cao.

97
2.6. ADC Wilkinson

Hình 4.29. Sơ đồ khối ADC Wilkinson

ADC Wilkinson có cấu tạo như hình vẽ, tín hiệu sẽ được đưa vào mạch thông
qua cổng tuyến tính và nạp cho tụ C. OP1 là mạch so sánh với mục đích so sánh
điện áp trên tụ điện với điện áp 0V. Bộ điều khiển sẽ điều khiển đồng thời hai khóa
điện tử K1 và K2.
Nguyên tắc hoạt động:
- Ở vị trí ban đầu khóa K1 đóng mạch và khóa K2 ngắt mạch. Xung clock từ
khối phát xung được cấp vào bộ điều khiển nhưng bộ điều khiển không cấp
xung ch bộ đếm nên bộ đếm chưa hoạt động.
- Khi có tín hiệu vào tụ C được nạp điện, do điện trở tầng vào của OP1 rất lớn
và lúc này khóa điện tử phía nguồn dòng đang ngắt nên tụ C nhanh chóng
được nạp điện. Khi qia vị trí đỉnh nhờ có mạch phát hiện đỉnh báo cho bộ ĐK
để điểu khiển khóa K1 ngắt và K2 đóng mạch đó đó điện tích trên tụ C bắt
đầu phóng với dòng không đổi các định bằng giá trị của nguồn dòng. Khi tụ C
bắt đầu phóng thì bộ đếm bắt đầu hoạt động (đếm xung clock), đến khi điện
áp trên tụ trở về 0 thì mạch so sánh OP1 sẽ báo tín hiệu cho ĐK dừng bộ đếm
và ghi (lưu) lại số đếm của bộ đếm).
- Thời gian phóng điện tích của tụ tùy thuộc và độ lớn của điện áp được tích
trên tụ (biên độ xung tới) do đó giá trị số đếm từ bộ đếm (phụ thuộc thời gian)

98
sẽ tỷ lệ với điện áp trên tụ điện hay nói cách khác là tỷ lệ với biên độ đỉnh
xung.

Lưu đồ hoạt động của Wilkinson ADC được mô tả như trong hình sau:

Ngưỡng dưới
Xung vào của bộ phân
biệt ngưỡng

Xung ra bộ
phân biệt
ngưỡng

Tín hiệu
trên tụ điện

Xung đếm

Chu kỳ bộ nhớ

Tín hiệu ĐK
cổng TT

Thời gian ADC

bận

Hình 4.30. Đáp ứng thời gian của ADC Wilkinson

99
 §4.4. GHI VÀ NHỚ TIN TỨC SỐ

1. Thanh ghi dịch

Thanh ghi dịch là bộ có khả năng ghi nhớ và dịch bit dữ liệu (dịch trái hoặc
dịch phải). Thanh ghi dịch thường hoạt động với xung nhịp đồng bộ và nó có cấu tạo
bởi n Flip-Flop (n trạng thái hoặc n state) mắc nối tiếp hoặc song song.
Sơ đồ cấu tạo tổng quát của thanh ghi dịch có 4 trạng thái được trình bày như
hình vẽ:

Hình 4.31. Cấu trúc thanh ghi dịch

Từ hình vẽ ta thấy thanh ghi dịch có thể được xây dụng theo các kiểu sau:
- Vào nối tiếp, ra nối tiếp.
- Vào song song, ra nối tiếp.
- Vào song song, ra song song.
- Vào nối tiếp, ra song song
Thanh ghi dịch được sử dụng để làm bộ nhớ kỹ số, truyền dữ liệu, biến đổi từ
giao tiếp song song sang nối tiếp và ngược lại.
 Cách ghi và dịch tin sử dụng thanh ghi dịch
- Giả sử ta có một thanh ghi dịch 4 bit như hình vẽ, xung clock được cấp
cho cả 4 Flip-Flop (xung đồng bộ). Dữ liệu sẽ được cấp vào lối data in
của thanh ghi dịch hoặc từ các lối vào DA, DB, DB, DD tùy theo loại
thanh ghi dịch là nối tiếp hay song song. Tương tự lối ra cũng được lấy
trên lối data out hoặc các lối ra Q tùy theo loại thanh ghi dịch.
- Khi tín hiệu có sẵn ở lối vào data in (đối với loại vào nối tiếp), hết xung
clock đầu tiên tín hiệu sẽ xuất hiện ở lối ra của F-F thứ nhất, lối ra của
F-F này chính là lối vào của F-F thứ 2, hết xung clock thứ 2 thì tín dữ
liệu vào sẽ xuất hiện trên lối ra của F-F 2. Cứ như vậy sau 4 chu kỳ của
xung nhịp tín hiệu sẽ xuất hiện tại lối data out (tại lối ra cuối cùng đối
với đầu ra song song).

100
 Hình 4.32. Thanh ghi dịch vào nối tiếp ra nối tiếp sử dụng D-Trigger
Ứng dụng của thanh ghi dịch:
- Mở rộng đường điều khiển ngoại vi.
- Chuyển đổi tín hiệu từ nối tiếp thành song song và ngược lại.
- Truyền, ghi nhớ tạm thời dữ liệu trước khi lưu trữ giúp tăng tốc thiết bị.
Các thanh ghi dịch thực tế:
- Loại vào ra nối tiếp: CD4006b (16 bit), CD4031 (64 bit).
- Loại vào song song ra nối tiếp: SN74ALS165, SN74ALS165 (8bit),
74LS674 (16 bit).
- Loại vào nối tiếp ra song song: SN74ALS164A, CD4094B (8 bit).
- Loại vào ra song song: SN74LS395A (4 bit).
2. RAM
a. Định ngĩa
RAM (viết tắt từ Random Access Memory trong tiếng Anh) là bộ nhớ cho
phép truy nhập ngẫu nhiên vào phân vùng bộ nhớ (truy cập dữ liệu bất kể dữ liệu
đang nằm ở phân vùng nào của bộ nhớ). Một đặc điểm của RAM là nó có tốc độ
truy cập dũ liệu rất cao nhưng nó không có khả năng lưu trữ dữ liệu vĩnh viễn như
các loại bộ nhớ trực tiếp (bộ nhớ flash, ổ cứng…) có nghĩa là khi ngừng cấp nguồn
nuôi thì dữ liệu lưu trên RAM sẽ bị mất.
Cấu trúc của RAM bao gồm:
- Khối ma trận nhớ: đây là khối ghi nhớ dữ liệu nó gồm nhiều phần tử nhớ
và được sắp xếp dưới dạng ma trận. Mỗi phần tử nhớ sẽ ghi nhớ 1 bit dữ
liệu và vị trí của nó được xác định thông qua địa chỉ hàng cột. khi đọc-ghi
dữ liệu trong RAM trước tiên phải truy cập vào địa chỉ của nó trước.
- Khối giải mã địa chỉ: truy cập đến địa chỉ của ô nhớ theo số hàng và cột
theo địa chỉ được đưa vào.
- Khối vào ra: có chức năng đọc hoặc ghi dữ liệu.
- Khối điều khiển: điều khiển chế độ đọc hoặc ghi dữ liệu.
b. Phân loại RAM
 SRAM
SRAM (Static RAM) còn được gọi là RAM tĩnh nó có cấu tạo bởi một ma
trận các khóa điện tử có khả năng thiết lập trạng thái nhớ và giữ trạng thái nhớ.
101
Trong SRAM thì khi khó điện tử hở mạch tương ứng với mức 1 tương tự đóng mạch
sẽ là mức 0.
Đặc điểm của SRAM:
- Kích thước lớn.
- Chế tạo phức tạp, đắt tiền.
- Tốc độ nhanh.
- Dung lượng thấp.
 DRAM
DRAM (Dynamic RAM) còn được gọi là RAM động, nó có cấu tạo bởi ma
trận các tụ tích điện. Khi tụ được nạp điện tích nhất định sẽ tương ứng với mức logic
1 còn khi tụ không tích điện thì mức logic là 0. Một đặc điểm của DRAM là vì tụ
không hoàn toàn được cô lập do đó điện tích lưu trữ trên ma trận tụ điện không thể
tồn tại được lâu (cỡ vài ms) nên phải thường xuyên nạp lại điện tích chi ma trận tụ
điện quá trình này được gọi là làm tươi (Refesh) RAM.
Mặc dù DRAM cần phải Refesh lại liên tục và tốc độ cũng không được cao
như SRAM nhưng nó có ưu điểm là giá thành thấp, có thể dễ dàng chế tạo với dung
lượng lớn.
3. ROM
a. Định nghĩa
Bộ nhớ chỉ đọc hay ROM (tiếng Anh: Read Only Memory) là loại bộ
nhớ không khả biến dùng trong các máy tính hay hệ thống điều khiển, mà trong vận
hành bình thường của hệ thống thì dữ liệu chỉ được đọc ra mà không được phép ghi
vào.
Không giống như RAM, thông tin trên ROM vẫn được duy trì dù nguồn điện
cấp không còn. Nó dùng cho lưu giữ mã chương trình điều hành và dữ liệu mặc định
của hệ thống.
ROM, theo đúng nghĩa cũng như đối với các chip ROM thế hệ đầu, cho
phép chỉ đọc dữ liệu từ chúng, và chỉ cho phép ghi dữ liệu một lần, gọi là nạp ROM.
Do công nghệ phát triển và nhu cầu thực tế, các thế hệ ROM sau được chế tạo
với khả năng xoá được và nạp nhiều lần, mà việc thực hiện nạp ROM phải tuân
theo quy trình đặc biệt đặc trưng. Nó cho ra khả năng mềm dẻo trong việc sửa đổi
tính năng vận hành của hệ thống điều khiển.

b. Phân loại ROM

 PROM (Programmable Read-Only Memory) hay Mask ROM: Được chế tạo
bằng các mối nối (cầu chì - có thể làm đứt bằng mạch điện). Nó thuộc dạng WORM
(Write-Once-Read-Many). Chương trình nằm trong PROM có thể lập trình được
bằng những thiết bị đặc biệt. Loại ROM này chỉ có thể lập trình được một lần, và
là rẻ nhất.

102
 Hình 4.33. D23128C PROM trên bo mạch ZX Spectrum
 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): Được chế tạo bằng
nguyên tắc phân cực tĩnh điện. Loại ROM này có thể bị xóa bằng tia cực tím và ghi
lại thông qua thiết bị ghi EPROM.

Hình 4.34. EPROM được chế tạo bằng nguyên tắc phân cực tĩnh điện. Cửa sổ
nhỏ dùng để xóa bằng tia cực tím.
 EAROM (Electrically Alterable Read-Only Memory): Loại ROM này có thể
thay đổi từng bit một lần. Tuy nhiên quá trình viết khá chậm và sử dụng điện thế
không chuẩn. Việc viết lại EAROM không được thực hiện thường xuyên.

Hình 4.35. EAROM M58653

 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory): Được
tạo bằng công nghệ bán dẫn. Nội dung của ROM này có thể viết vào và xóa bằng
phương pháp lập trình (bằng điện).

Hình 4.36. EEPROM M24C02

103
 CHƯƠNG 5: CÁC PHÉP ĐO PHÂN BỐ THỜI GIAN

§5.1. CÁC LOẠI PHÉP ĐO THỜI GIAN

Bài toán về thời gian trong vật lý hạt nhân thực nghiệm rất quan trọng, nó liên
quan đến các quá trình phân rã hạt nhân, thời gian sống, thời gian lưu lại ở các trạng
thái kích thích, liên quan đến các bài toán năng lượng thông qua đo thời gian bay,
các bài toán tìm nguồn gốc tia tới qua các phép đo trùng phùng. Thời gian trong vật
lý hạt nhân có dải rất rộng từ từng phần ns đến hàng nghìn giây. Muốn có phép đo
chính xác đặc biệt là các khoảng thời gian ngắn vùng s và ns, việc xác định chính
xác thời điểm sinh ra tia (hay thời điểm tia đi vào đầu dò) chính xác là rất quan
trọng. Tuy nhiên điều này gặp nhiều trở ngại do tốc độ phản ứng của hệ đầu dò, hệ
điện tử, cáp truyền thông tin (ví dụ đối đầu dò nhấp nháy- biến đổi ánh sáng thành
điện tử trong photocathod, các tầng nhân quang trong ống nhân quang điện, quá
trình tích phân dòng điện trên tụ C thành thế VT và sự xuất hiện tín hiệu ra trên bộ so
sánh).
1. Ví dụ 1
Bài toán xác định số bức xạ theo một hướng chiếu nhất định. Sơ đồ hệ đo
được bố trí như hình vẽ:
Đ1 I1
I1
I2
TP Đ

Đ2 I2 O

Hình 5.1. Sơ đồ khối và giản đồ thời gian của hệ trùng phùng

Trong đó Đ1, Đ2 là đầu ghi bức xạ; TP là sơ đồ trùng phùng; Đ là bộ đếm
xung.
Sơ đồ trùng phùng hoạt động theo nguyên tắc sau: sơ đồ chỉ cho xung ra ở lối
ra O khi đồng thời có xung ở hai lối vào I1 và I2.
Theo như sơ đồ nguyên lý; nếu bức xạ đi đúng hướng (hướng đi qua cả hai
đầu dò) thì ở 2 đầu dò đồng thời xuất hiện hai tín hiệu đi vào sơ đồ trùng phùng, kết
quả là sẽ có một xung đi ra từ lối ra của sơ đồ trùng phùng vào bộ đếm.

104
 Nếu bức xạ không đi đúng hướng (bức xạ chỉ đi qua một trong hai đầu dò) lúc
đó chỉ một trong hai đầu dò có tín hiệu ra đi vào sơ đồ trùng phùng và do đó ở lối ra
của sơ đồ trùng phùng sẽ không có tín hiệu ra.
Trong sơ đồ này sơ đò trùng phùng đảm nhiệm chức năng xử lý xung theo
thời điểm xuất hiện.
2. Ví dụ 2
Xác định hoạt độ phóng xạ của một nguồn có hoạt độ rất nhỏ.
Nguồn phóng xạ có hoạt độ nhỏ là nguồn phóng xạ mà có số hạt bức xạ phát
ra theo thời gian là nhỏ so với các nguồn phóng xạ khác mà được gọi là phông như
tia vũ trụ, bức xạ phát ra từ đồng vị phóng xạ có trong vật liệu che chắn, từ môi
trường ngoài… do đó nếu đếm trực tiếp thì số đếm thu được sẽ phạm phải sai số rất
lớn.
Trong trường hợp này người ta sẽ sử dụng hệ đo như sau:
Đ1
I1
PTP Đ
I1
t
I2
Đ2 I2
t
2 O
1 t
Hình 5.2.
Với Đ1 là hàng rào đầu ghi bức xạ.
Đ2 là đâug ghi bức xạ được bọc trong buồng chì.
1 là nguồn bức xạ có hoạt độ thấp cần đo.
2 là buồng chì che chắn.
PTP là sơ đồ phản trùng phùng: nó chỉ cho tín hiệu ra khi chỉ khi có một
tín hiệu xuất hiện ở lối vào không cấm của sơ đồ.
Đ là sơ đồ đếm
Sơ đồ phản trùng phùng có hai lối vào I1 và I2 với lối vào I2 là lối vào tín hiệu,
lối vào I1 là lối vào cấm. Khi có tín hiệu vào lối vào cấm của sơ đồ phản trùng phùng
thì sẽ không có tín hiệu ra tại lối ra của sơ đồ.
Trường hợp tia bức xạ từ môi trường (như tia vũ trụ) hoặc đồng vị bức xạ
trong vật liệu che chắn phát bức xạ mà đi qua cả rào đầu dò Đ1 và đầu dò Đ2 thì tín
hiệu ra từ Đ1 đi vào lối cấm của sơ đồ PTP làm cho không có tín hiệu ra tại lối ra.

105
 Khi chỉ có bức xạ phát ra từ mẫu, bức xạ này đi vào đầu dò Đ2 và do có lớp
che chắn nó không thể đi đến đầu dò Đ1 nên chỉ có một tín hiệu đi vào lối vào I2 của
sơ đồ PTP do đó tín hiệu này sẽ xuất hiện tại lối ra của sơ đồ và đi vào bộ đếm.
Sơ đồ phản trùng phùng này được gọi là sơ đồ PTP xử lý xung theo thời điểm
xuất hiện.
3. Ví dụ 3
Bài toán đo thời gian sống của hạt nhân ở trạng thái kích thích.

Hình 5.3. Sơ đồ phân rã của Mg-27

Nhìn vào sơ đồ phân rã ta thấy, khi hạt nhân Mg-27 phân rã về hạt nhân Al-27
thông qua phân rã beta, nhân Al-27 tồn tại ở trạng thái kích thích một thời gian (thời
gian sống) trước khi phát gamma để trở về trạng thái cơ bản.
Như vậy ta thấy, thời gian sống của nhân Al-27 ở trạng thái kích thích chính
là khoảng thời gian giữa hai thời điểm xuất hiện bức xạ beta và gamma.
Do đó, ta có thể đo thời gian sống của hạt nhân ở trạng thái kích thích thông
qua việc đo khoảng thời gian xung tương ứng với bức xạ beta và gamma.
Kết luận
Trong thực tế ta cần xác định khoảng thời gian giữa hai biến cố gọi là phép đo
một khoảng thời gian. Khi có một loạt biến cố xảy ra liên tiếp nhau và ta cần xác
định phân bố thời gian giữa chúng thì ta thực hiện phép đo nhiều khoảng thời gian.
Việc đo nhiều khoảng thời gian trong cùng một kênh đo thì ta gọi là phân tích thời
gian một kênh còn nếu đo đồng thời ở trong một số kênh (tới 100 kênh hoặc hơn) thì
gọi là phân tích thời gian đa kênh.
106
 Hiện có một số phương pháp đo thời gian nhưng áp dụng phương pháp nào là
tùy thuộc vào: vùng thời gian đo, số biến cố nhiều hay ít, độ chính xác mà phép đo
cần đạt được…
Ví dụ: đo khoảng thời gian ở vùng ns, số biến cố ít thì ta dùng phương pháp
trùng phùng trễ hoặc phương pháp đo gián tiếp. Nhưng nếu đo khoảng thời gian ở
vùng μs hoặc vùng ms thì ta hay dùng phương pháp mã hóa trực tiếp khoảng thời
gian.

§5.2. PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ XUNG THEO THỜI ĐIỂM XUẤT HIỆN

4. Phương pháp trùng phùng

1.1. Định nghĩa và phân loại
a. Ký hiệu:
X Z
Y
b. Định nghĩa: sơ đồ trùng phùng là sơ đồ mà chỉ cho tín hiệu ra khi tín hiệu tới
tất cả lối vào của sơ đồ.
c. Phân loại: có nhiều cách để phân loại sơ đồ trùng phùng như phân loại theo
linh kiện dùng để tạo sơ đồ, phân loại theo nguyên tắc hoạt động… Nhưng
trong vật lý hạt nhân ta hay phân loại các sơ đồ trùng phùng dựa theo đáp ứng
lối ra đối với lối vào:
 Z = f(X1+X2): Sơ đồ trùng phùng dựa trên phép cộng.
 Z = f(X1.X2): Sơ đồ trùng phùng dựa trên phép nhân.
 Z = min(X1,X2): Sơ đồ trùng phùng dựa trên phép chọn chọn nhỏ hơn.
 Sơ đồ trùng phùng pha.
1.2. Những đặc trưng cơ bản của sơ đồ trùng phùng
a. Thời gian phân giải
Thời gian phân giải của sơ đồ trùng phùng là khoảng thời gian lớn nhất xung
vào sơ đồ mà được ghi nhận như là đồng thời.
Ta phân biệt 2 loại thời gian phân giải
- Thời gian phân dải điện chỉ đặc trưng riêng cho sơ đồ trùng phùng
- Thời gian phân giải vật lý đặc trưng cho cả hệ trùng phùng.
Cách xác định thời gian phân giải

107
 - Ta có sơ đồ khối như hình vẽ
I1
D1

TP PB Đ
O
I2
D2
Ttr
Hình 5.4. Sơ đồ đo trùng phùng
- Với dây trễ có thời gian trễ có thể thay đổi, PB là bộ phân biệt biên độ để
tách xung trùng phùng ra khỏi xung không trùng phùng.
- Ta thay đổi Ttr và ghi số xung ra tương ứng nhờ bộ đếm xung sau đó vẽ đồ
thị N = f(Ttr).
- Đối với các xung trùng phùng ở vùng µs vì các xung này được tạo dễ dàng
thành các xung dạng chuẩn nên mọi xung trùng phùng đều được ghi nhận
- Đối với các xung trùng phùng ở vùng ns vì muốn tạo các xung này thành
dạng chuẩn rất khó, dạng xung là nửa Gauss nên đồ thị N = F(Ttr) có dạng
không vuông khi đó thời gian phân giải điện khác thời gian phân giải vật
lý và khác chu kỳ của xung chuẩn.
b. Hệ số lựa chọn
Gọi U là biên độ tín hiệu lối ra sơ đồ trùng phùng khi có trùng phùng ở lối vào
và Un-1 gọi là hệ số lựa chọn của sơ đồ trùng phùng khi có trùng phùng ở (n-1) đầu
vào. Tỷ số ρn = (Un/Un-1) gọi là hệ số lựa chọn của sơ đồ TP. Sơ đồ trùng phùng lý
tưởng có hệ số chọn lựa bằng vô cùng.
c. Độ nhạy
Độ nhạy của sơ đồ trùng phùng được xác định bởi giá trị biên độ nhỏ nhất của
xung trùng phùng và vẫn được ghi nhận.
d. Hiệu suất
Hiệu xuất của xung trùng phùng là đại lượng cho biết tỷ lệ xung trùng phùng
được ghi nhận là bao nhiêu so với tổng số xung trùng phùng.
Với trùng phùng ở vùng µs hiệu suất đạt gần 100% nhưng đối với trùng
phùng ở vùng ns thì hiệu suất thấp hơn.

108
 e. Thời gian chết
Thời gian chết là khoảng thời gian nhỏ nhất giữa hai tín hiệu trùng phùng liên
tiếp mà sơ đồ có thể ghi nhận được.
1.3. Tạo dạng xung cho sơ đồ trùng phùng
a. Sơ đồ trùng phùng nhanh và chậm
Sơ đồ trùng phùng nhanh là sơ đồ có khả năng làm việc đối với các xung TP ở
vùng ns.
Sơ đồ trùng phùng nhanh là sơ đồ chỉ có khả năng làm việc đối với các xung
TP ở vùng µs trở lên.
Xung tín hiệu lấy từ đầu ghi bức xạ phải qua sơ đồ tạo dạng mới đưa tới lối
vào của sơ đồ TP.
b. Cách lấy tín hiệu nhanh và chậm
Từ đầu ghi bức xạ ta có thể lấy ta tín hiệu nhanh và chậm. Tín hiệu nhanh
được hiểu là xung có độ rộng rất bé nên nó là xung dòng hoặc là xung áp có độ rộng
rất bé. Tín hiệu chậm là tín hiệu hình thành từ việc tích phân xung dòng.
Tín hiệu nhanh là tín hiệu mà ta chỉ thu electron từ đầu dò, tín hiệu chậm là
tín hiệu mà ta thu cả electron và ion dương (hoặc chỉ ion dương) từ đầu dò.
c. Tạo dạng xung
Sơ đồ tạo dạng xung cho TP thường là sơ đồ phân biệt biên độ hoặc đơn hài
Đối với sơ đồ TP nhanh cần phải có sơ đồ tạo dạng đặc biệt hoặc bộ khuếch
đại xung nhanh
1.4. Sơ đồ trùng phùng dựa trên phép cộng
a. Sơ đồ TP dựa trên phép công tuyến tính
Hệ số truyền dẫn của sơ đồ TP đối với xung TP và xung không TP là như
nhau.
Sơ đồ khối

Hình 5.5.
Hai lối vào trùng phùng là U1 và U2.
PB là bộ phân biệt biên độ với mức Ung sao cho Um<Ung<2Um: với Um là biên
độ của xung (giá trị lớn nhất) vào sơ đồ TP.
Phần tử cộng tuyến tính là điện trở hoặc cáp đồng trục

109
 Ui1

U1 Uo
Ui2
Ung

U1

Uo

Hình 5.6a. Sơ đồ trùng phùng tuyến tính Hình 5.6b. Giản đồ xung
Với L1 là cáp trễ sử dụng để làm ngắn xung, RV1 là biến trở dùng để điều
chỉnh giá trị ngưỡng của sơ đồ trùng phùng.
Trong sơ đồ đầu ra của tụ C1 và C2 được nối lại với nhau, tại đây tin hiệu sẽ
được cộng một cách tuyến tính, sau đó được đưa vào Q1. RV1 đóng vai trò là phần
tử tạo ngưỡng cho sơ đồ trùng phùng.
Thời điểm ban đầu Q1 khóa và Q2 mở bão hòa, điểm làm việc của Q2 được
thiết lập bởi điện trở R3 và biến trở VR1, giá trị của biến trở được chọn sao cho khi
chỉ có một xung vào một lối vào của sơ đồ thì biên độ tín hiệu gây bởi xung đơn lẻ
không đủ để làm khóa Q2 do đó Uo không đổi. Khi có tín hiệu tới cả hai lối vào của
sơ đồ lúc này biên độ tín hiệu tổng cộng đủ lớn để làm khóa Q2 do đó Uo chuyển
mức (xuất hiện tín hiệu ra tại Uo)
b. Sơ đồ TP dựa trên phép cộng phi tuyến
Hệ số truyền dẫn của sơ đồ TP đối với xung trùng phùng là lớn nhưng đối với
xung không TP là bé.
Ví dụ sơ đồ TP kiểu Rossi
Sơ đồ gồ 3 tầng khóa bằng transistor nên có 3 lối vào, 3 tầng có chung tải
collector, C3 là điện dung kí sinh tổng cộng ở lối ra và R4 là trở kháng lối ra.
Định chế độ làm việc cho 3 tầng khóa nhở R1, R2, R3, giá trị của các điện trở
được chọn sao cho khi không có xung vào thì đồng thời cả 3 transistor đều mở.
Điện áp ra được lấy ra trên chân collector của transistor (sụt áp trên CE).
Gọi Rm là nội trở của transistor và Rk là nội trở của transistor khi khóa. Thông
thường thì giá trị Rm rất nhỏ còn Rk rất lớn do đó giá trị của R4 sẽ được chọn sao
cho Rm<<R4<<Rk.

110
 Hình 5.7. Sơ đồ trùng phùng đầu tiên của Rossi sử dụng 2 triode (trái) và sơ
đồ trùng phùng Rossi 3 lối vào (phải)
Khi không có tín hiệu vào cả 3 transistor đều mở nên ta có điện áp ra Uoo
được tính:
1
Rm
U oo  E 3 0
1
Rm  R4
3
Khi có 1 hay 2 tín hiệu vào (không TP): giả sử chỉ có U1, U2 làm cho Q1 và
Q2 khóa mỗi Q3 mở nên điện áp ra cũng rất nhỏ.
1 
 Rk  / / Rm
U o1  E 2 
 1  
 2 Rk  / / Rm   R4
  
Khi xảy ra TP: có đồng thời cả 3 tín hiệu tới lối vào là cho 3 trans khóa lại,
điện trở tiếp giáp CE rất lớn lúc này sụt áp lớn xuất hiện trên CE gây ra tín hiệu ra,
biên độ tín hiệu ra rất lớn Uo ~ E.
Sơ đồ trùng phùng kiểu rossi có hệ số lựa chọn lớn hơn nhiều so với sơ đồ
trùng phùng dựa trên phép cộng tuyến tính (đối với sơ đồ Rossi hai lối vào hệ số lựa
chọn ρ=5). Yêu cầu đối với xung vào là phải có độ rộng xung lớn hơn txnim = 3RmC.
Khi lối vào tăng lên thì độ phân giải sẽ kém đi.
2. Phương pháp phản trùng phùng
a. Kí hiệu:
- X1, X2 là các lối vào tín hiệu
- X3 là lối vào cấm.
- X4 là lối tín hiệu ra của sơ đồ.

Hình 5.8. Sơ đồ phản trùng phùng

b. Định nghĩa
111
 Sơ đồ PTP là sơ đồ chỉ cho tín hiệu khi lối vào cấm không có tín hiệu và các
lối vào khác đồng thời. Khi lối vào cấm có tín hiệu thì không có tín hiệu ở lối ra.
c. Nguyên tắc tạo sơ đồ PTP
Ta có thể tạo sơ đồ PTP từ sơ đồ TP theo cách sau:
- Lấy 1 lối vào trong sơ đồ TP làm lỗi cấm
- Đưa xung cấm tới lối vào thỏa mãn hai đk sau
o Xung cấm ngươc pha với xung TP
o Đô rộng của xung cấm lớn hơn xung TP

§5.3. ĐO VÀ MÃ HÓA KHOẢNG THỜI GIAN NHỎ

Khoảng thời gian nhỏ được hiểu là khoảng thời gian cỡ ns hoặc nhỏ hơn. Như
vậy đo thời gian số của hạt nhân ở trạng thái kích thích được coi là phép đo thời gian
nhỏ.
Để đo khoảng thời gian nhỏ ta sử dụng các phương pháp sau:
- Đo trực tiếp gọi là phương pháp trùng phùng trễ.
- Đo gián tiếp
o Biến đổi td (nhỏ) thành T(lớn) sau đó đo T suy ra td
o Biến đổi td thành biên độ A, đo A.
1. Đo trực tiếp khoảng thời gian nhỏ
Sơ đồ:

Hình 5.9. Sơ đồ đo trực tiếp khoảng thời gian nhỏ

Trong đó D1 là đầu ghi β, D2 là đầy ghi γ, Đ là bộ đếm xung; Ttr1, Ttr2, Ttr34…
là thời gian trễ tương ứng của các cuộn trễ. TP là sơ đồ trùng phùng nhanh có thời
gian phân giải điện τd<1/2 td. Như vậy khoảng thời gian giữa hai xung đo được do
bức xạ gamma và beta tạo ra chính là thời gian hạt nhân tồn tại ở trạng thái kích
thích.
112
 Ta thay đổi thời gian trễ bằng cách thay đổi các cuộn dây trễ và ghi nhận số
xung tương ứng sao đó vẽ đường cong số xung N = f(Ttr).
Khi Ttr = td thì hai xung do bức xạ beta và gamma tạo thành xuất hiện đồng
thời ở lối ra vì thế mà số đếm được ghi nhận là cực đại từ đây ta sẽ có giá trị Ttr ứng
với số xung cực đại sẽ là thời gian tđ cần đo.
2. Đo trực tiếp nhiều khoảng thời gian nhỏ
Sơ đồ như phần 1 chỉ cho phép ta đo khoảng thời gian giữa 2 biến cố. Trong
trường hợp có một số lớn biến cố xuất hiện và ta muốn xác định phân bố thời gian
giữa các biến cố này thì cần phải dùng sơ đồ đo nhiều kênh như sau.

Hình 5.10.
Sơ đồ này có nhiều kênh, mỗi kênh gầm q sơ đồ TP và 1 bộ đếm. Bộ đếm của
kênh nào thì sẽ đếm số biến cố ở kênh đó.
Ttr là thời gian trễ của mỗi dây trễ và là độ rộng kênh. Ta chọn Ttr=TA+TB là
tối ưu vì mỗi cặp biến cố trùng phùng sẽ được ghi bởi một sơ đồ trùng phùng.
3. Đo gián tiếp: biến khoảng thời gian nhỏ td thành T
Sơ đồ đo như trên hình 5.11:
Đ là bộ đếm xung
Ttr1 và Ttr2 là thời gian trễ tương ứng với 2 dây trễ
P1 và P2 là sơ đồ phát xung có mạch phản hồi trễ. Tín hiệu X3 là tín hiệu cấm
đối với các sơ đồ P1 và P2.

113
 Hình 5.11
Khi có xung srart thì sẽ có 1 chuỗi xung phát ra từ lối ra X1nếu không có tín
hiệu ở lối vào X3. Chuỗi xung này có chu kỳ bằng Ttr1. Bộ đếm thực hiện việc đếm
các xung này.
Khi có xung stop, đánh dấu điểm cuối của khoảng thời gian đo thì sẽ có chuỗi
xung phát ra từ lỗi ra X2 với chu kỳ bằng Ttr2 .
Tới xung thứ n mà xảy ra điều kiện nTtr1 = nTtr2 + td thì xung ra 2 lối X1 và
X2 xuất hiện đồng thời ở sơ đồ AND, lập tức có tín hiệu vào lối cấm X3 nên việc đo
dừng lại. Ta có thể tính được tđ=n(Ttr1-Ttr2), với giá trị Ttr1 và Ttr2 nhỏ, chinh xác và
ổn định nên phương pháp này có thể đo được khoảng thời gian chính xác tới cỡ vài
ns.
4. Đo gián tiếp: Biến khoảng thời gian nhỏ tđ thành biên độ A
Trong sơ đồ ta có PI là nguồn dòng, PBBĐ là sơ đồ phân tích biên độ, RS
Trigger dùng để điều khiển sự đóng ngắt của khóa điện tử.
Khi có tín hiệu Start (thời điểm bắt đầu của quá trình đo) lối ra của RS Trigger sẽ
ở mức cao làm khóa điện tử đóng mạch, một dòng điện không đổi từ nguồn dòng PI
qua khóa điện tử và nạp cho tụ C làm giá trị điện áp trên tụ C tăng dần.
Đến khi kết thúc quá trình đo (khi có xung Stop vào lối vào S của Trigger) lối
ra Q sẽ nhảy về mức 0 làm khóa điện tử ngắt mạch và tụ C ngừng nạp điện. Giá trị
điện áp trên tụ C lúc này sẽ tỷ lệ với thời gian từ lúc bắt đầu đến lúc kết thúc phép
đo. Xác định biên độ điện áp trên tụ X ta sẽ tính được thời gian đo tđ. Biểu đồ thời
gian của mạch được miêu tả như hình 5.13:

114
 Hình 5.12. Sơ đồ TAC

Hình 5.13. Giản đồ thời gian của sơ đồ TAC

§5.4. ĐO VÀ MÃ HÓA KHOẢNG THỜI GIAN KHÔNG NHỎ

1. Đo một khoảng thời gian trong một chu trình

Sơ đồ như trên hình 5.14:
Đ là sơ đồ đếm xung
PX là sơ đồ phát xung

115
 Hình 5.14. Sơ đồ đo một khoảng thời gian trong một chu trình
Khi có tín hiệu start, ở lối ra Q chuyển từ 0 lên 1. Mức Q = 1 làm cho cổng
AND ngừng hoạt động nên không cho phép xung từ sơ đồ phát xung nhịp đi tới bộ
đếm. như vậy xung mà bộ đếm thu được là n ta có td = nT.
Đến khi có xung Stop, lối ra Q chuyển từ 1 về 0. Mức Q=0 làm cho cổng
AND ngừng hoạt động nên không cho phép xung từ sơ đồ phát xung nhịp vào bộ
đếm. Số xung mà bộ đếm đã đếm được là n ta có tđ = nT. Trong đó T là chu kỳ xung
nhịp. Từ lối ra của bộ đếm ta nhận được tín hiệu biểu thị số xung n cũng chính là
thời gian đo tđ. Nếu xung nhịp phát ra từ máy phát xung có tần số càng lớn tức là T
càng nhỏ thì phép đo càng chính xác.
2. Đo một số khoảng thời gian trong một chu trình
Sơ đồ đo như trên hình 5.15.
Với PX là sơ đồ phát xung, A1, A2, A3, A4, A là các sơ đồ AND, bộ đếm 4 bit
20, 21, 22, 33, D là đầu ghi bức xạ, D/Ph là sơ đồ dịch pha.
Ban đầu xung xóa làm cho Q của trigger RS có mức 0 nên khóa cổng A đồng
thời xóa bộ đếm 4 bit, do đó trạng thái của bộ đếm là 0000.
Sơ đồ PX luôn phát xung ổn định.
Khi có xung start mức ở lối ra Q từ 0 chuyển lên 1 cổng A được mở nên xung
từ sơ đồ phát PX đi sang bộ đếm và được đếm. Trạng thái của bộ đếm sẽ thay đổi
theo xung đếm.
116
 Hình 5.15. Sơ đồ đo nhiều khoảng thời gian trong một chu trình
Khi có bức xạ thứ nhất rơi vào đầu ghi thì có xung X1 đi vào sơ đồ dịch pha
sau một khoảng thời gian thì xung X1 này sẽ dịch thành X2 (thời gian quyết định bởi
tần số xung cấp cho sơ đồ dịch pha). Xung X2 này đi vào các cổng A1, A2, A3, A4 tại
cùng một thời điểm và cho phép truyền trạng thái của bộ đếm ra lối ra
Kể từ sau xung start thì sơ đồ hoạt động liên tục và tương ứng mới mỗi xung
stop là một mã ra mà nó biểu thị một khoảng thời gian được tính từ thời điểm xung
start.

117
 CHƯƠNG 6: PHÉP ĐO PHÂN BỐ BIÊN ĐỘ XUNG

§6.1. CÁC PHÉP ĐO BIÊN ĐỘ XUNG

Trong vật lý hạt nhân thực nghiệm, phép đo biên độ xung được ứng dụng rất
phổ biến bởi vì đối với một số đầu ghi bức xạ biên độ xung ra tỷ lệ với năng lượng
của bức xạ hoặc lượng tử, cho nên nghiên cứu phân bố biên độ xung có thể cho ta
thu nhận được thông tin về phổ năng lượng của bức xạ.

N
1

2
Ung(E)

Hình 6.1. Đường 1 phổ tích phân, đường 2 phổ vi phân

1. Một phép đo đơn giản nhất là tách biệt các tín hiệu xung của bức xạ cần nhiên
cứu ra khỏi các tín hiệu biên độ nhỏ hơn (ví dụ như xung tạp âm hoặc xung do
bức xạ có năng lượng nhỏ hơn tạo ra). Sơ đồ thực hiện chức năng này gọi là sơ
đồ phân biệt biên độ. Gọi Ung là ngưỡng của bộ phân biệt biên độ thì chỉ với
những xung có biên độ U>Ung thì mới làm hoạt động bộ phân biệt biên độ và có
xung ở lối ra
2. Đo và vẽ phổ tích phân: ta dung 1 bộ phân biệt biên độ mà có thể thay đổi được
Ung. Việc đo và vẽ phổ tích phân sẽ được tiến hành như sau:
- Đặt các mức Ung khác nhau từ thấp lên cao và ghi nhận số xung tương ứng
ở lối ra của bộ phân biệt trong cùng một khoảng thời gian như nhau
- Vẽ đường cong số xung N = f(Ung). đó chính là phổ biên độ tích phân. Khi
Ung tăng thì N sẽ giảm, số Ni sẽ tương ứng với tổng số xung có biên độ lớn
hơn Ung

118
3. Đo và vẽ phổ biên độ vi phân: Phổ biên độ vi phân là đường cong N’ = f(A) trong
đó N’ là số xung có biên độ bằng A được ghi nhận trong khoảng thời gian đo.
Như vậy ta có thể viết N’ = (∆N/∆A) = (∆N/∆Ung) do đó vi phân phổ tích phân ta
sẽ thu được phổ vi phân. Trong thực tế hiện nay để thu được phổ vi phân người
ta hay dùng máy phân tích biên độ 1 kênh hoặc đa kênh để xác định số đếm N’
trong kênh có độ rộng biên độ là ∆A.
Ví dụ về phổ vi phân và phổ tích phân được mô tả trong hình vẽ dưới:

§6.2. SƠ ĐỒ PHÂN BIỆT BIÊN ĐỘ

1. Sơ đồ phân biệt xung điện áp

1.1. Trigger Schmitt
a. Trigger Schmitt
Trigger Schmitt là sơ đồ điện tử hai trạng thái: một trạng thái bền và một
trạng thái giả bền. Khi không có xung vào thì Trigger ở trạng thái bền tương ứng với
mức ra U01. Khi xung vào có biên độ vượt quá mức ngưỡng trên thì trigger chuyển
sang trạng thái giả bền tương ứng với mức ra U02. Khi biên độ vào giảm vượt qua
mức ngưỡng dưới Und thì sơ đồ lại chuyển về trạng thái bền.
Như vậy mỗi khi xung vào có biên độ lớn hơn ngưỡng trên thì mạch phát ra
một xung vuông chuẩn về biên độ nhưng độ rộng xung phụ thuộc xung vào.
b. Sơ đồ Trigger Schmitt dùng transistor

Hình 6.2. Sơ đồ Trigger Schmitt dùng transistor

119
 Trong sơ đồ này Q1 và Q2 mắc chung R3 và mạch liên kết cực góp của Q1 và
Q2 bao gồm C, R5, R4. Q1 tác động tới Q2 qua mạch (C, R5, R4) và Q2 tác động
trở lại Q1 qua R3 làm cho sơ đồ chuyển nhanh trạng thái bền sang giả bền và ngược
lại. Q1 và Q2 làm việc ở chế độ khóa.
- Trạng thái bền Q1 khóa và Q2 mở bão hòa.
- Trạng thái giả bền Q1 mở và Q2 khóa.
Khi không có xung vào Q1 khóa và Q2 mở bão hòa. Kho biên độ xung vào
bằng mức Unt thì Q1 bắt đầu mở, thông qua mạch tác động làm cho Q2 bắt đầu khóa
lại, Q2 bắt đầu khóa lại nên dòng qua R3 giảm dần làm điện áp trên R3 giảm tác
động này làm cho Q1 mở nhiều hơn. Quá trình tác động này thúc đẩy sự chuyển
trạng thái của Q1 và Q2.
Khi biên độ xung vào nhỏ hơn mức Und (phụ thuộc vào R3) thì Q1 bắt đầu
khóa thông qua mạch liên kết (C, R5, R4) làm cho Q2 bắt đầu mở dẫn tới dòng qua
R3 tăng (tăng điện áp R3) và do đó càng làm Q1 khóa lại. Mạch nhanh chóng trở về
trạng thái bền.
c. Sơ đồi Trigger Schmitt dùng IC

Hình 6.3. Sơ đồ Trigger Schmitt dùng KĐTT

KĐTT được mắc với hồi tiếp dương như trên hình hồi tiếp dương có tác dụng
thúc đẩy quá trình chuyển trạng thái của mạch, đối với mạch này thì các mức Unt và
Und được tính như sau:
Unt = V

Und = - V
1.2. Đơn hài đợi
a. Định nghĩa
Đơn hài đợi là sơ đồ điện tử có hai trạng thái: một trngj thái bề và một trạng
thái giả bền. Khi không có xung vào thì mạch ở trạng thái bền ứng với mức ra U01
khi có xung vào có biên độ vượt qua ngưỡng thì mạch chuyển sang trạng thái giả
bền ứng với mức ra U02. Sau một khoảng thoài gian tx thì mạch tự động chuyển từ

120
trạng thái giả bền về trạng thái bền làm phát ra một xung vuông ở lối ra có độ rộng
xung tx. Biểu đồ mô tả xung ra của sơ đồ đơn hài như sau:

Uo2
tx
Uo1

Hình 6.4. giản đồ xung của sơ đồ đơn hài đợi

b. Đơn hài đợi dùng transistor

Hình 6.5. Sơ đồ đơn hài đợi dùng transistor

Trong sơ đồ này Q1 và Q2 mắc chung R3 và mạch liên kết colector của Q1 và
base của Q2 gồm C, R4, Q1 sẽ tác động tới Q2 qua mạch này. Q2 tác động trở lại
Q1 qua R3 là cho sơ đồ chuyển nhanh từ trạng thái bền sang giả bền và ngược lại.
- Trạng thái bền: Q1 khóa, Q2 mở bão hòa.
- Trạng thái giả bền: Q1 mở và Q2 khóa.
Khi không có xung vào thì Q1 khóa và Q2 mở bão hòa. Khi biên độ xung vào
bằng mức Ung thì Q1 bắt đầu mở tác động qua C và R4 làm cho Q2 bắt đầu khóa lại,

121
khi Q2 khóa thì dòng qua R3 giảm làm điện áp R3 giảm theo dẫn tới Q1 càng mở
thêm do đó thúc đẩy Q1 và Q2 chuyển sang trạng thái mới.
Khi Q2 khóa hoàn toàn và Q1 mở lức này trên tụ C có điện áp Uc điện áp này
bắt đầu được phóng qua R6 và R4 đồng thời với đường phóng qua đường RCE (Q1)
R3 R4 trong đó con đường phóng điện qua đường thứ 2 là chủ yếu do điện trở trên
đường này nhỏ hơn. Do C phóng điện nên điện áp trên C giảm dần dẫn đến điện áp
trên cực base của Q2 tăng dần (do điện áp của cực tụ nối với Q2 là điện áp âm) do
đó Q2 bắt đầu mở, Q2 mở làm cho điện áp R3 tăng làm cho Q1 khóa lại qua tụ C tác
động vào base của Q2 làm cho Q2 mở hơn. Trong quá trình này tụ C được nạp điện
theo mạch +Ec -> R6 -> +C -> -C -> Reb Q2 -> R3 -> -Ec và hằng số nạp =
C(R6+R3). Thời gian phóng điện trên tu C = C(R4+R3) ~ CR4.
Vì các transistor làm việc ở chế độ khóa nên biên độ xung ra được chuẩn hoá,
độ rộng xung ra phụ thuộc vào sự phóng điện trên tụ C nên độ rộng xung ra cũng
chuẩn hóa.
Chu kỳ xung: Tox = t0x + thp trong đó thp ~ 3CR6. Yêu cầu đối với xung vào là
Ti(chu kỳ xung vào)≥Tx và ti(độ rộng xung vào)<tx.
c. Sơ đồ đơn hài dùng KĐTT

Hình 6.7. Sơ đồ đơn hài đợi dùng KĐTT

Ban đầu do ui = 0 và u- = Ung, u+ = 0 nên U0 = -E. khi có xung vào mang cực
tính âm với biên độ lớn hơn Ung thì tại lối ra sẽ có Uo = +E. Tại lối vào + có đột biến
điện áp từ 0 lên +2E vì có thể xem C2 và R như một mạch tích phân. Sau đó C2 nạp
làm cho u+ giảm dần tới khi u+<Ung thì uo = -E.

122
 Tại lối ra xuất hiện xung vuông với biên độ 2E và độ rộng xung tx ~
RCln(2E/Ung). Trong sơ đồ có mắc thêm diode để tăng tính hồi phục nhanh về trạng
thái ban đầu.
2. Sơ đồ phân biệt xung dòng

Hình 6.8. Sơ đồ phân biệt xung dòng

Trong sơ đồ này Q1 tác động tới Q2 thông qua R4 còn Q2 tác động trở lại Q1
thông qua R2 và R3. Nhờ biến trở VR1 và D1 mà ta có thể định mức được dòng IBO
của Q1.
Khi không có tín hiệu vào thì dòng IBO chảy qua D1. Do mạch phân áp R2 và
R3 mà làm cho Q1 mở và Q2 khóa.
Khi có tín hiệu vào thì Iv>IBO làm cho D1 bị khóa lại Q1 cũng bị khóa và Q2
mở. Khi tín hiệu vào giảm tới mức Iv<IBO thì D1 mở Q1 mở còn Q2 khóa làm xuất
hiện xung tại lối ra. Sơ đồ có độ nhạy rất cao đạt tới 10uA.

§6.3. PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ VI PHÂN

Mục đích của phương pháp phân tích biên độ vi phân là xác định phổ biên độ
vi phân. Thiết bị thực hiện là máy phân tích biên độ 1 kênh (SCA) và máy phân tích
biên độ đa kênh (MCA) trong khuôn khổ tài liệu này ta sẽ tập trung phân tích máy
phân tích biên độ đa kênh.
1. Các kiểu MCA

123
 MCA có hai kiểu làm việc: Kiểu PHA(The pulse height analysis) được sử
dụng rộng rãi trong năng phổ hạt nhân (Trục Y là số đếm, trục X là năng lượng);
kiểu thứ hai là đếm đa kênh (Multichannel scaling-MCS)
1.1. MCA phân tích biên độ

Tín hiệu Ra số Tín hiệu lệch

Y

vào n-bit
Bộ nhớ
ADC Đệm địa Giải mã Chỉ thị

Điều khiển hiển thị

Hình 6.9. Sơ đồ khối bộ phân tích biên độ đa kênh

Phân tích biên độ xung (PHA) được sử dụng rộng rãi trong năng phổ hạt
nhân(Trục Y là số đếm, trục X là năng lượng), khối nhớ chứa n từ (n là số kênh
ADC), w là độ dài từ, sốđếm có thể của mỗi một kênh trong biểu diễn nhị phân là
(2w-1) và w/4 số thập phân trong biểu diễn BCD thông thường đến triệu số đếm.
Sau khi biến đổi, lối ra số của ADC như là đia chỉ của bộ nhớ, nội dung của ô
nhớ này được gọi ra thanh ghi số học, nội dung thanh ghi tăng thêm một (+1) và
được ghi ngay vào ô nhớ vừa được đọc ra, kết thúc chu trình tích lũy; trong chu trình
biểu diễn thanh ghi địa chỉ ô nhớ được quét tăng dần (+1) bắt đầu từ không, nội
dung thanh ghi địa chỉ đồng thời chỉ địa chỉ ô nhớ và đưa đến bộ DAC điều khiển
làm lệch trục X của màn hình chỉ thị, nội dung ô nhớ được đọc ra thanh ghi số học
và DAC tạo tín hiệu làm lệch trục Y của màn hình chỉ thị.
1.2. MCA phân tích đa thang
Kiểu đếm đa kênh (Multichannel scaling-MCS) được sử dụng để xác định
thời gian sống của các đồng vị phóng xạ có thời gian sống ngắn, khi đó sử dụng lối
ra SCA của ADC, mỗi kênh dành cho một đoạn thời gian; trong các khe thời gian
này ô nhớ như một bộ đếm tích lũy các xung từ SCA. Các kênh nhớ được cho phép
đếm liên tục bắt đầu từ kênh thấp lên kênh cao. Khi chỉ thị số đếm trong ô nhớ đến
bản lệchY qua DAC (trục Y), trục X tương ứng với thời gian. Sơ đồ khối trình bày
trên hình sau
124
 Lối vào Lối ra SCA
Tín hiệu lệch Y

ADC Giải mã Bộ nhớ Chỉ thị

n-bit địa chỉ X-Y
bộ nhớ Tín hiệu
Ra lệch X
ADC
Điều khiển Logic Ghi
tích lũy cộng 1 Chỉ thị Y
Chỉ thị X DAC

Tăng Thời gian Độ sáng

địa chỉ chỉ thị
Khối điều khiển trung tâm của thiết bị phân tích đa kênh

Hình 6.10. Thiết bị phân tích đa kênh trong chế độ MCS

MCA bao gồm phần cứng và phần điều khiển đo đạc và sử lý số liệu là phần
mềm và phần sụn của MCA.
2. Các đặc trưng cơ bản của MCA
2.1. Số kênh mã hoá (độ rộng kênh)
Thông thường lối vào tương tự của các ADC khoảng từ giá trị min vài trăm
mv đến giá trị max hàng chục vôn; lối ra số N từ 1K đến 8K; độ rộng kênh (đơn vị
số hóa- lượng tử hóa) được tính như sau:
 U = (U max - U min)/ N
2.2. Độ phi tuyến tích phân
Trong thực tế đường biến đổi không tuyến tính ( Hàm số tương quan giữa thế
vào và số kênh ra không tuyến tính) N = f (U) không phải là hàm bậc nhất đơn giản.
Sự sai khác này gây ra độ phi tuyến tích phân, độ phi tuyến tích phân cho phép biến
đổi từng kênh được tính theo công thức sau:
tp = (Ui – U’i )/ Ui
ở đây Ui= KMi là giá trị biên độ lý tưởng, biến đổi tuyệt đối tuyến tính; còn
U’i = K’Mi là giá trị biên độ biến đổi thực. Độ phi tuyến tích phân của toàn phổ
được lấy giá trị max của giá trị lệch từng kênh, và được tính theo công thức sau:
tp max = (Ui – U’i ) max/ Ui .
Tham số này rất quan trọng trong các bài toán nhận diện các đồng vị phóng
xạ qua bài toán phân tích phổ năng lượng.
Độ phi tuyến tích phân của các ADC tp thông thường có giá trị từ 0,5% đến
0,05%.
125
2.3. Độ phi tuyến vi phân
Độ phi tuyến vi phân đánh giá độ đồng nhất của độ rộng các cửa sổ năng
lượng (độ rộng kênh), được tính theo công thức sau:
vp max = ( Ui max -  Uo)/  Uo
ở đây  Ui max là độ rộng kênh lớn nhất tìm thấy,  Uo là độ rộng kênh
trung bình của phép biến đổi.
Tham số này rất quan trọng trong các bài toán xác định hoạt độ các đồng vị
phóng xạ qua bài toán phân tích phổ năng lượng.
Độ phi tuyến vi phân của các ADC vp thông thường có giá trị từ 2% đến
0,2%.
2.4. Thời gian biến đổi
Tham số này rất quan trọng khi lựa chọn loại ADC cho các bài toán khác
nhau, nó có giá trị từ vài chục ns đến vài trăm s tùy theo loại ADC.
Đối với Ramp ADC(Wilkinson ADC thời gian biến đổi tính theo công thức
sau
tbđ = N.T ở đây N là số kênh biến đổi, T là chu kỳ máy phát nhịp;
Đối với ADC gần đúng liên tiếp tùy theo số bit của ADC ví dụ như ADC 4K
là 12 bit có thời gian biến đổi theo công thức sau:
tbđ = P.T ở đây P là số Bít, T là chu kỳ máy phát nhịp
Đối với ADC biến đổi trực tiếp (Flash ADC) thời gian biến đổi không phụ
thuộc số kênh, số Bit biến đổi mà tùy thuộc độ phản ứng của vi mạch cấu tạo ADC.
3. Các chức năng đặc biệt của MCA
3.1. Chức năng biểu diễn phổ
Chức năng biểu diễn phổ nhằm đưa kết quả phân tích lên màn hình trục X số
kênh, trục Y là nội dung kênh. Vì độ phân giải của màn hình có hạn và khả năng
phân giải của thị giác không cao nên nhiều khi ta cần co giãn các tỷ lệ của trục tọa
độ, theo tỷ lệ nhị phân hoặc thập phân;
3.2. Các chức năng tích lũy +1 hoặc –1;
Các chức năng tích lũy +1, sau một sự cố nội dung của kênh tương ứng với
năng lượng của bức xạ được tăng lên 1, chức năng này rất phổ biến trong các phép
đo phổ hạt nhân.
Chức năng  1, sau một sự cố nội dung của kênh tương ứng với năng lượng
của bức xạ được giảm đi 1, chức năng này sử dụng trong các phép đo loại trừ phong
hoặc loại trừ thành phần bức xạ không cần thiết.
3.3. Xác định thời gian sống của MCA

126
 Xác định thời gian sống của MCA (thời gian có khả năng nhận tín hiệu vào).
Để tính hoạt độ chính xác cho từng đồng vị trên phổ năng lượng thu được, sau khi
tính diện tích đỉnh năng lượng đồng vị cần bổ chính thời gian hệ MCA đóng cửa
(busy) thời gian chết của thiết bị. Thông thường trong một phép đo bao giờ cũng có
thông số thời gian đo, đó là thời gian tuyệt đối trôi qua, còn thời gian hệ thiết bị có
thể nhận thông tin bé hơn thời gian này hiệu số là thời gian chết của thiết bị; Thời
gian chết là tổng số các đoạn thiết bị bận (busy). Để đo thời gian chết của thiết bị
trong hệ thống đưa vào một bộ đếm, số đếm tạo ra từ một mạch trùng phùng lấy tín
hiệu trùng phùng của tín hiệu Busy và máy phát xung tần số không đổi;
3.4. Thay đổi thang biến đổi cho ADC
Thay đổi thang biến đổi cho ADC (1K, 2K, 4K, 8K). Thông thường các hãng
chế tạo các ADC có số kênh biến đổi không đổi 4 K và 8 K, tuy nhiên trong thực tế
không phải bao giờ cũng sử dụng hết 4 K hoặc 8 K, tùy theo loại đầu dò và yêu cầu
bài toán, có trường hợp chỉ dùng 512 kênh.
3.5. Chuẩn năng lượng
Phổ của MCA thu được là phân bố số sự cố theo biên độ tín hiệu vào, nhưng
trong thực tế chúng ta cần phổ phân bố theo năng lượng vì vậy cần chuẩn hóa theo
năng lượng. để làm công việc này cần đo phổ của các nguyên tố đã biết năng lượng
các đỉnh peak của nó, thông thường cần ba đỉnh. Sau khi làm chuẩn năng lượng trục
X từ số kênh chỉ biên độ tính hiệu vào thành số kênh chỉ năng lượng (mỗi kênh có
giá trị năng lượng xác định, độ rộng kênh ứng với của sổ năng lượng).
3.6. Bài toán làm mịn phổ
Vì các sự cố bức xạ mang tính thống kê, nên phổ phân bố năng lượng cũng
mang tính thống kê không thể tránh khỏi sai số thống kê; hệ thống điện tử mang
những sai số hệ thống, tính chẵn lẻ của các hệ đếm tốc độ cao... dẫn đến đường phổ
không được trơn tru. Để khắc phục các nhược điểm này dùng thuật toán làm nhẵn
phổ. Nội dung thuật toán làm min phổ như sau: giá trị kênh i được lấy trung bình
của 3 hoặc 5 giá trị số đếm xung quanh kênh i. Sau thuật toán như vậy ta được phổ
phân bố khá đẹp;
3.7. Tự động tìm đỉnh phổ
Phổ bức xạ Gamma thu được ở các thí nghiệm trên lò phản ứng hoặc trên
máy gia tốc rất phức tạp do nhiều mức năng lượng, do tán xạ, do chồng chập... Để
bài toán phân tích chính xác cần có các thuật toán tự động tìm peak theo các tiêu
chuẩn toán học định trước để loại trừ các peak không đúng tiêu chuẩn;
3.8. Tính diện tích

127
 Vị trí peak nói lên năng lương của tia bức xạ, nội dung số đếm nói lên hoạt
độ của bức xạ, bài toán tính diện tích peak tức là lấy tổng các số đếm của các kênh
nằm trong peak;
3.9. Tính độ phân giải
Đây là một thông số quan trọng của hệ MCA đặc biệt phụ thuộc loại đầu dò,
nói lên khả năng phân giải năng lượng của hệ thống. Nếu độ phân giải càng tốt có
khả năng phân biệt các nguyên tố càng tinh tế. Độ phân giải tính theo công thức sau:
Độ phân giải = ( FWHM/ E).100%,
ở đây FWHM là độ rộng trên nửa chiều cao của peak
4.7.3.10. Nhận diện đồng vị
Sau khi đã chuẩn hoá năng lượng, đánh dấu các peak, có thể tiến hành nhận
diện các đồng vị qua bản các đồng vị và qua diện tích các peak có thể tính hàm
lượng các đồng vị có trong mẫu phân tích.

Hình 6.11.
4. Đánh giá chất lượng của MCA
4.1. Độ phân giải
Lưu ý đây không phải là độ phân giải của phổ năng lượng của toàn hệ gồm cả
đầu dò mà ở đây chỉ riêng hệ điện tử MCA, nên ở đây độ phân giải chính là số kênh
của MCA, ví dụ hệ có 4 k có nghĩa là có thể phân biệt biên độ
tín hiệu vào thành 4000 kênh khác nhau; trong trường hợp dải tín hiệu vào từ
0V
đến 10 V độ phân giải là 10 V/ 4.000 = 2,5 mV. Để đánh giá nó sử dụng tín
hiệu từ máy phát xung biên độ chính xác, trên phổ biên độ chỉ có một kênh được
ghi, cùng lắm là hai kênh (trong trường hợp biên độ máy phát xung chính xác nằm ở
đường ranh giới hai kênh), nếu có 3 kênh trở lên thì MCA có độ phân giải 2K, ta
tiếp tục giảm hệ số biến đổi để nhận được phổ chỉ nhỏ hơn hai kênh đó chính là độ
phân giải của MCA;
4.2. Thời gian biến đổi
Thời gian biến đổi của MCA là thời gian xử lý tín hiệu bao gồm thời gian
biến đổi của ADC (đối với ADC xấp xỉ liên tiếp là cố định, đối với ADC Wilkinson
phụ thuộc biên độ xung vào) và thời gian chuyển số liệu vào bộ nhớ phổ. Thông
thường giá trị bé hơn 100 s. Để đo thời gian này sử dụng cấu hình sau
128
 phát xung Phát xung Khuếch đại
kép phổ và MCA
tạo dạng

hạt nhân
Ra Vào Ra Vào Ra Vào

Hình 6.12.
Máy phát xung kép TTL khoảng cách 2 xung có thể thay đổi từ khoảng 200
s, tần số lặp lại xung kép 1.000 Hz. Xung kép này khởi phát máy phát xung hạt
nhân, tín hiệu này tiếp tục được khuếch đại và tạo dạng qua khối khuếch đại phổ độ
rộng xung tạo dạng khoảng 1s, biên độ bằng tín hiệu Max của ADC. Trong quá
trình kiểm tra từng bước giảm khoảng cách hai xung kép chừng nào MCA coi xung
kép như một xung thì dừng lại, khoảng cách hai xung kép chính là thời gian xử lý
của MCA.
4.3. Độ phi tuyến tích phân
Độ phi tuyến tích phân biểu hiện sự thay đổi tương đối giữa giá trị biên độ đo
được và giá trị biến đổi lý tưởng, biểu diễn bởi công thức sau:
tp = ( Ui-U’i )/ Ui ở đây Ui là biên độ lý tưởng còn U’i là giá trị đo đươc.
Thông thường giá trị này nhỏ hơn 0,1 %.

Phát xung Khuếch đại

phổ và MCA
tạo dạng
hạt nhân
Vào Ra Vào Ra Vào

Hình 6.13.
Để xác định độ phi tuyến tích phân sử dung hệ thiết bị như hình trên gồm máy
phát biên độ chính xác, khuếch đại phổ và hệ MCA. Quá trình đánh giá như sau: đặt
chuyển mạch thô của máy phát vị trí số 9, tần số phát 1000 HZ, xác lập MCA chế độ
4 K, tạo dạng xung 10s, thay đổi hệ số khuếch đại để peak rơi vào kênh khoảng
90% toàn thang, đo trong 10s, chuyển chuyển mạch xuống vị trí số 8 đo trong 10s,
cứ tiếp tục như vậy đến vị trí 0 ta thu được 10 peak. ta thấy rằng khoảng cách các
peak sẽ không đồng đều vì độ phi tuyến tích phân. Đánh giá phi tuyến tích phân theo
công thức sau:

129
 tp = (d max/dtb). 100%
d max Độ lệch cực đại khoảng cách các peak, dtb khoảng cách trung bình các
peak.
4.4. Độ phi tuyến vi phân
Độ phi tuyến vi phân chỉ ra độ lệch tương đối của độ rộng kênh xác định theo
biểu thức sau:
vp = (Ui-U0)max/(U0). 100%
ở đây Ui là độ rộng kênh thứ i, U0 là độ rộng kênh trung bình. Giá trị vp
thông thường từ 0,5 đến 1%.
Để xác định độ phi tuyến vi phân sử dụng hệ thiết bị như sau

phát xung Phát xung Khuếch đại

tam giác phổ và MCA
tạo dang
hạt nhân
Ra Vào Ra Vào Ra Vào

Hình 6.14.
Máy phát xung RAMP đưa vào lối REF của máy phát biên độ chính xác, máy
phát biên độ chính xác phát tần số 10.000 Hz, khuếch đại tạo dạng cho xung ra độ
rộng 3s, biên độ lựa chon để có thể quét từ 10% phổ đến 90% phổ, tích lũy số liệu
để cho nội dung mỗi một kênh khoảng 50.000 số đếm để bảo đảm sai số thống kê
bé, độ phi tuyến vi phân được tính theo công thức sau:
vp = ((Nm-Na)/Na) .100%
ở đây Nm số đếm cực đại hay cực tiểu trong một kênh, Na là số đếm trung
bình trong các kênh.
5. Một số kiểu MCA
5.1. Máy phân tích biên độ TRACOR TN-1700
Máy phân tích này chế tạo tại Northern khoảng năm 1976 trên bóng bán dẫn
và vi mạch tích hợp thấp và trung bình. Gồm các mạch lối vào và ADC Wilkinson
12 bit, bộ điều khiển logic số học, bộ nhớ trên mạch nhớ bán dẫn có 4096 ô nhớ (địa
chỉ) mổi ô có 20 bít, chỉ thị trên màn hình ống phóng huỳnh quang. Bộ điều khiển
logic số học điều khiển hoạt động nhịp nhàng từ cổng tín hiệu vào tương tự, biến đổi
ADC, chọn địa chỉ ô nhớ, đọc ra thanh ghi số học, thay đổi nội dung thanh ghi số
học (1), ghi lại vào ô nhớ (tích luỹ phổ) và biểu diễn phổ trên màn hình (thiết bị tự
động quét nội dung các ô nhớ đưa ra các DAC - địa chỉ cho DAC trục X còn nội
130
dung ô nhớ cho DAC trục Y). Thiết bị còn được bổ sung một số chức năng đánh dấu
đỉnh peak, tính diện tích peak và in kết quả
5.2. Máy phân tích biên độ IN-90
Máy phân tích này chế tạo tại Pháp khoảng năm 1980 trên trên mini
computer 4 bit trên vi mạch tích hợp thấp và trung bình, hệ tương tự trên khung
NIM có cao áp, khuếch đại, ADC và hệ các chức năng đặc biệt đo đạc, xử lý phổ
trên ngôn ngử LEM 2. Gồm ADC Wilkinson 12 bit, bộ nhớ trên ma trận ferit có
4096 ô nhớ (địa chỉ) mổi ô có 20 bít, chỉ thị trên màn hình máy tính. Nhờ cấu trúc
thông minh (máy tính), thiết bị có thể bổ sung không hạn chế các chương trình con
là các chức năng đặc biệt: Chức năng đo đạc, tích luỹ phổ (xác lập cao áp, hệ số
khuếch đại, thời gian đo, giá trị ngưỡng, số kênh phân tích); các chức năng phân tích
phổ (chức năng tự động tìm đỉnh, đánh dấu đỉnh, tìm diện tích đỉnh, chuẩn hoá năng
lượng, lập bản đồng vị, nhận diện đồng vị) và các chức năng giao tiếp với thiết bị
ngoại vi ( bàn phím, con trỏ, đựa ra màn hình, in kết quả).
5.3. MCA trên máy tính PC
Máy phân tích này chế tạo tại SILENA khoảng năm 1993. Gồm phần cứng
là add-on card có ADC 2k và 8k, khuếch đại phổ, cao áp cho đầu dò nhấp nháy hoặc
đầu dò bán dẫn kiểu 9302, 9308, 8300, 7300; phần mềm EMCA PLUS. Có các
chương trình con là các chức năng đặc biệt: Chức năng đo đạc, tích luỹ phổ (xác lập
cao áp, hệ số khuếch đại, thời gian đo, giá trị ngưỡng, số kênh phân tích); các chức
năng phân tích phổ (chức năng tự động tìm đỉnh, đánh dấu đỉnh, tìm diện tích đỉnh,
chuẩn hoá năng lượng, lập bản đồng vị, nhận diện đồng vị) và các chức năng giao
tiếp với thiết bị ngoại vi (bàn phím, con trỏ, đưa ra màn hình, in kết quả).
5.4. MCA trên chuẩn CAMMAC
CAMMAC là một chuẩn on-line cho các hệ tự động đo đạc, điều khiển hạt
nhânthực nghiệm. Các khối điện tử nằm trong chuẩn này đều có thể điều chỉnh tự
động các tham số của mình, trao đổi thông tin, số liệu tự động qua máy tính
Trong bộ nhớ máy tính chứa các chương trình CAMMAC phân tích phổ 1K,
2K và 4K. Ví dụ khi gọi chương trình MCA CAMMAC 1K trên màn hình xuất hiện
menu chọn chế độ: Tích luỹ phổ, biểu diễn phổ, phân tích phổ (tự động tìm đỉnh,
chuẩn năng lượng, tính diện tích, nhận diện đồng vị..); nếu chọn tích luỹ phổ trên
màn hình thủ tục đặt chế độ phân tích (số kênh ADC, giá trị khuếch đại, giá trị cao
áp, độ rộng xung, các ngưỡng phân tích, thời gian phân tích...); khởi động chế độ
tích luỹ phổ; hệ thống đi vào chu trình kiểm tra tín hiệu L; khi có tín hiệu L chương
trình kiểm tra nguồn gốc tín hiệu L để đi vào chương trình con phục vụ, trong
trường hợp này L từ ADC (ADC kết thúc chu trình biến đổi) máy tính đọc nội dung
131
của ADC theo lệnh đọc CAMMAC NiAJFk, số liệu của ADC chính là địa chỉ kênh
phổ cần bổ sung +1 hoặc -1 tuỳ theo chế độ tích luỹ; tiếp theo máy tính kiểm tra tiếp
tục phân tích hay dừng nếu tiếp tục phân tích chương trình quay về khởi động lại
ADC, còn nếu dừng phân tích chương trình quay về chương trình chính của máy
tính.
5.5. MCA trên máy tính PC
Trong nhiều năm gần đây và cho đến thời điểm này Viện Khoa học và Kỹ
thuật Hạt nhân tiếp tục thiết kế chế tạo các MCA trên máy vi tính PC để có thể ứng
dung các phần mềm phát triển trên thị trường và dễ dàng mở rộng và phát triển phần
mềm của riêng mình.
Có hai phương án xây dựng MCA trên PC
Ghép nối song song (các khối cao áp, khuếch đại, ADC, bộ nhớ đệm cắm
trực tiếp lên khe cắm của máy tính; cũng có thể chỉ có ADC cắm trực tiếp lên khe
cắm máy tính, các khối khác là khối độc lập ở ngoài, bộ nhớ phổ sử dụng bộ nhớ
máy tính.
Ghép nối nối tiếp MCA với máy tính PC qua cổng nối tiếp RS 232 hoặc
USB. MCA được xây dựng độc lập trên vi xử lý và bộ nhớ hoặc các mạch lớn
FPGA.
a. MCA ghép nối song song trên khe cắm PC
Sơ đồ khối tổng thể của một MCA ghép nối trên khe cắm PC biểu diễn trên
hình sau bao gồm các bộ phận
Khối ghép nối với PC bộ phận nhận diện địa chỉ và giải mã lệnh, nhận các tín
hiệu địa chỉ AD 00 đến AD 09, tín hiệu lựa chọn chế độ truyền tin ALE, tín hiệu ghi
số liệu ra ngoài IOW, tín hiệu đoc số liệu từ ngoài IOR, và tín hiệu xác lập ban đầu
Reset; tạo ra các tín hiệu sau: Nạp số liệu cho thanh ghi điều khiển thứ nhất 300
IOW để điều khiển chế độ làm việc của khối cao áp và khuếch đại; nạp số liệu cho
thanh ghi điều khiển thứ hai 301 IOW để điều khiển chế độ làm việc của ADC; tín
hiệu C và 302 IOW để phục hồi chế độ ban đầu của ADC, cao áp, khuếch đại; đọc
số liệu từ thanh ghi kết quả của ADC bằng hai lệnh 300 IOR cho 8 bit nhỏ và lệnh
301 IOR cho 8 bit lớn, ngoài ra ADC còn gửi tín hiệu yêu cầu ngắt IRQ3.
Bộ điều khiển và phát cao áp: Qua số liệu từ thanh ghi điều khiển 1, tín hiệu
Reset và tín hiệu khôi phục trạng thái 302 IOW khối cao áp biến đổi thế DC  12
von thành cao thế cực đại khoảng 2 kV và dòng 2mA tùy theo loại đầu dò.
Bộ điều khiển và khuếch đại tín hiệu phổ: Qua số liệu từ thanh ghi điều khiển
1, tín hiệu Reset và tín hiệu khôi phục trạng thái 302 IOW đưa bộ khuếch đại về
trạng thái thông số chuẩn, muốn đưa thông số mới cho khuếch đại máy tính có thể
nạp thông số mới vào thanh ghi điều khiển, khối khuếch đại nhận biết thông số về
132
giá trị hệ số khuếch đại, mạch tạo dạng, về độ rộng xung để xử lý các tín hiệu tương
tự từ các đầu dò theo yêu cầu của các bài toán

133
 CHƯƠNG 7. CÁC HỆ ĐO ĐẠC ĐIỀU KHIỂN VẬT LÝ HẠT NHÂN THỰC
NGHIỆM
Các hệ thống đo đạc, điều khiển trong vật lý hạt nhân thực nghiệm thường là
rất lớn đặc biệt trên các lò phản ứng, các máy gia tốc, các hệ thống đo mưa rào bức
xạ của các tia vũ trụ năng lượng cao. Các hệ thống này có từ hàng trăm đến hàng
nghìn đầu vào/ ra kết hợp với các trung tâm xử lý lớn và nhanh.
Đã từ lâu đã có xu thế thiết kế các hệ thống đo đạc, điều khiển này trên các
modul chức năng và chuẩn hóa (các chức năng như khuếch đại, SCA, STCA, ADC,
TAC, TDC, trùng phùng, đếm, MCA, cao thế, chỉ thị, CPU, ghép nối với PC...
Chuẩn hóa về cơ khí, chuẩn hóa về nguồn nuôi, chuẩn hóa về đường thông tin liên
kết). Modul chuẩn hóa cho phép nhanh chóng xây dựng các hệ thống thực nghiệm
lớn, không phải xây dựng hệ thống chuyên dụng tốn kém thời gian thiết kế chế tạo
riêng biệt, đắt tiền và độ tin cậy không cao, ngoài ra còn cho phép người sử dụng lựa
chọn các chức năng chất lượng cao thích hợp. Tạo cơ hôi cho các hãng chế tạo nổi
tiếng tham gia thiết kế các modul chất lượng cao, đồng loạt giá thành hạ.
Từ những năm 1960 đến nay đã có nhiều chuẩn modul xuất hiện, chia làm
hai loại, tạm gọi là chuẩn of line như NIM, EUROCARD,VISNIA và chuẩn online
như CAMMAC, VECTOR, FAST BUS, VME, PC BUS, USB...
Hệ các modul chuẩn đầu tiên là các modul không có khả năng lập trình ghép
nối trực tiếp với CPU qua BUS chung để xử lý on-line đó là các chuẩn NIM,
VISNIA.
Để xây dựng các hệ thống đo đạc và xử lý tự động thì phải sử dụng hệ các
modul chuẩn có khả năng lập trình ghép nối trực tiếp với CPU qua BUS chung để
xử lý on-line đó là các chuẩn CAMAC, VECTOR, FAST BUS, VME, PC BUS,
USB...
Mặc dù hai hệ chuẩn NIM và CAMAC ra đời cách đây hơn ba mươi năm
nhưng do tính hợp lý của nó cho đến nay các modul chuẩn của nó vẫn là thành phần
cơ bản trong các hệ thống thực nghiệm của các trung tâm nghiên cứu ở Âu, Mỹ,
Nhật.

§7.1.Chuẩn NIM, EUROCARD và VISNIA

Các chuẩn offline này là bước đầu tiên modul hóa các hệ thống thực nghiệm
chuẩn hóa về cơ khí và nguồn nuôi, chưa có thể ghép nối chuẩn on line với máy
tính. Các chuẩn này có từ những thập kỷ năm mươi, sáu mươi thế kỷ trước. Các
phòng thí nghiệm ở Mỹ có hệ chuẩn NIM, Tây Âu có EUROCARD, Liên Xô có
VISNIA. Hiện nay các chuẩn offline này vẫn được sử dụng, tuy nhiên phổ biến nhất
là chuẩn NIM.
Sau đây ta trình bày đại diên cho các chuẩn này là chuẩn NIM (Nuclear
Instrument Measurement).
134
 Hầu hết các khối chức năng chất lượng cao, đặc biệt là các khối tương tự
được chế tạo trên chuẩn NIM. Chuẩn NIM chuẩn về kích thước khối, chân cắm khối
vào khung để cung cấp nguồn nuôi cho khối chức năng, chuẩn về kích thước khung.
1.1. Chuẩn cơ khí của chuẩn NIM
Hệ NIM tuân theo chuẩn mực về cơ khí theo cấu trúc khung và khối.

Hình 7.1. Hình ảnh khung NIM

Khung NIM được đóng trong một hộp có kích thước dài 25 đơn vị U
(U=17,2mm), chiều cao 5 U, hệ các connector cái có các đường dây nguồn nuôi nối
đến các tiếp điểm theo qui định chuẩn. Phía sau khung là bộ tạo nguồn nuôi thấp áp
chuẩn.
Chiều cao khung 5 đơn vị, trong khung NIM có gắn quạt thông gió làm mát
bộ nguồn và các khối chức năng.
Mỗi modul chuẩn có độ rộng 2U hoặc 3U hoặc 4U; chiều cao cố định 5U.
Mặt sau có connector đực cắm vào khung NIM để lấy nguồn nuôi cho modul. Mặt
trước modul có thể bổ sung các linh kiện không chuẩn như connector BNC, LEMO,
chiết áp, phím bấm, chuyển mach, chỉ thị...Các modul NIM không liên kết BUS
chuẩn với nhau thông qua giắc cắm chung và khung NIM không ghép nối với máy
tính. Khung NIM và khung CAMAC có kích thước như nhau.
1.2. Chuẩn nguồn nuôi
Các modul điện tử thường sử dụng các linh kiện thông dụng có các mức điện
áp nuôi khá thông dụng, trừ các linh kiện đặc biệt còn đa số sử dụng các mức thông
thường sau  6V, 12V và  24V cho các mạch số cũng như tương tự; khung NIM
thường dùng các nguồn  6V và  24V, đôi khi bổ sung nguồn 12V
Sau đây là bảng các bộ nguồn nuôi cho khung NIM gồm giá trị thế và công
suất cực đại.

135
 Bảng 7.1. Thông số nguồn nuôi của chuẩn NIM

1.3. Một vài module điển hình

Vì nguồn nuôi cho khung NIM chất lượng cao (ổn định, dòng lớn, tạp âm
thấp), về cơ khí các khối điện tử trong NIM có hệ thống đất tốt, che chắn tôt, các
khối qua khung NIM chỉ liên hệ DC (nguồn nuôi), không có phần số, phần cao tần
cho nên các khối điện tử chức năng chất lượng cao thường chế tạo trong chuẩn NIM.
Từ tiền khuếch đại, khuếch đại phổ, trùng phùng nhanh, ADC, SCA đến các khối
cao áp cho đầu dò bán dẫn. Sau đây là một vài ví dụ
1.3.1. Khối khuếch đại nhanh
Khối8 CH PM AMP, model N-SE 217, có hệ số khuếch đại 10 lần, đáp ứng
được với tín hiệu đầu dò cỡ ns, trên khối này có bốn bộ khuếch đại, mỗi bộ có một
lối vào, hai lối ra. Tín hiệu lối ra cỡ vài V.
1.3.2. Khối phân biệt nhanh
Khối 8CH Discriminator Model405 làm việc với xung lối vào cỡ ns, biên độ
thay đổi từ vài trăm mV đến vài vôn. Lối ra xung biên độ chuẩn NIM có hai phân
cực và độ rộng có thể thay đổi được từ vài ns đến vài trăm ns tuỳ theo yêu cầu của
bài toán cụ thể. Trên một khối có tám bộ phân biệt ngưỡng độc lập.
1.3.3. Khối xử lý trùng phùng nhanh
Khối COIN-PROC type N6239 có hai hoặc bốn lối vào tín hiệu NIM độ rộng
từ vài ns, có hai lối ra xung NIM phân cực khác nhau độ rộng phụ thuộc vào khoảng
thời gian trùng phùng, trên một khối có tám bộ trùng phùng. Kết hợp bộ xử lý trùng
phùng và khối phân biệt nhanh xây dựng hệ mạch lôgic lọc lựa thời gian và biên độ
tạo thành tín hiệu Start và Stop cho hệ phổ kế thời gian đo thời gian sống của
Positron trong các môi trường khác nhau.

136
 §7.2.Chuẩn on-line CAMMAC, VECTOR, FAST BUS, VME, PC BUS

Tự động hoá đo đạc, xử lý và điều khiển không chỉ là nhu cầu cần thiết cho
các hệ thực nghiệm lớn trên các máy gia tốc, các lò phản ứng... mà còn là nhu cầu
cần thiết cho các hệ đo đơn giản.
Ngay từ khi ra đời các máy tính Mini đầu tiên các nhà nghiên cứu Vật lý hạt
nhân thực nghiệm đã sử dụng nó cho các trung tâm đo lường xử lý và điều khiển.
Ngày nay khi kỹ thuật tin học, vi xử lý phát triển một cách mạnh mẽ người ta đã đưa
vi tính vào khắp nơi từ các thiết bị nhỏ đến các hệ đo đạc, điều khiển lớn.
Một thực tế là tồn tại nhiều hãng, nhiều trung tâm nghiên cứu chế tạo nhiều
chủng loại máy tính, nhiều thiết bị hạt nhân (phần cứng, phần mềm) rất đa dạng
khác nhau về hình thức và chất lượng. Do đó, để đễ dàng phổ biến, áp dụng, lựa
chọn các thiết bị cần phải có xu thế khối hoá và tiêu chuẩn hoá các phần của thiết bị,
các khối này được chế tạo bởi nhiều hãng khác nhau. Đã tồn tại nhiều hệ chuẩn:
CAMAC, VECTOR, FAST BUS, VME... Cùng với các tiêu chuẩn cứng dùng để
chuẩn hoá này là các hệ chương trình mềm tương thích.
Đối với các hệ thực nghiệm lớn trên các máy gia tốc, lò phản ứng... số các
chủng loại thiết bị là hữu hạn, đó là các khối cao áp, khuyếch đại, phân tích đơn
kênh, trùng phùng, đếm, biến đổi biên độ số, biến đổi số thành biên độ, biến đổi thời
gian số...trong khi đó số các khối này trong hệ thống có thể rất lớn. Ngay trong một
hệ đo đơn giản ta cũng không nên thiết kế đặc biệt mà nên sử dụng các khối chuẩn
có sẵn để xây dựng cấu hình thí nghiệm cụ thể của mình. Từ lý do đó, các nhà
nghiên cứu đã phát triển xu hướng khối hoá các khối chức năng. Các hãng chế tạo
thiết bịhạt nhân chỉ biết chế tạo các khối chức năng và không ngừng nâng cao chất
lượng cho các khối, không phải quan tâm nhiều vào cấu hình cụ thể của một hệ thí
nghiệm.
Hệ các modul chuẩn đầu tiên là các modul không có khả năng lập trình ghép
nối trực tiếp với CPU qua BUS chung để xử lý on-line đó là các chuẩn NIM,
VISNIA.
Để xây dựng các hệ thống đo đạc và xử lý tự động thì phải sử dụng hệ các
modul chuẩn có khả năng lập trình ghép nối trực tiếp với CPU qua BUS chung để
xử lý on-line đó là các chuẩn CAMAC, VECTOR, FAST BUS, VME, PC BUS,
USB...
Chuẩn CAMAC (Computer Automated Measurement And Control) [53] là
thiết bị điện tử chuẩn quốc tế được giới thiệu bởi ESONE, bao gồm khung CAMAC
chứa đến 25 các mô đun điện tử CAMAC trạm. Điểm khác cơ bản giữa khung
CAMAC và NIM là các mô đun CAMAC được nối với nhau qua DATAWAY và
nối với máy tính. Ưu điểm của CAMAC là đã sử dụng các mạch vi xử lý, các vi
mạch tổ hợp cỡ lớn, các ô nhớ thế hệ mới dung lượng lớn, mạch in nhiều lớp.
Nhược điểm cơ bản của CAMAC là tốc độ truyền số liệu thấp (Chu trình CAMAC

137
luôn cố định là 1sec) và nhiễu lớn phát ra từ các mạch logic. Chi tiết hơn về các
đặc trưng của CAMAC được trình bày trong phần sau.
Chuẩn FASTCAMAC ra đời với khả năng truyền khối (Block transfer) đã
khắc phục được nhược điểm về tốc độ truyền số liệu của CAMAC thông thường.
FASTCAMAC được thiết kế theo ba mức độ khác nhau. Mức 1: Các đường điều
khiển loại open collector, tốc độ truyền số liệu tối đa đạt tới 7,5 MByte/s. Mức 2:
Các đường điều khiển loại 3 trạng thái và tốc độ truyền đạt tới 30 MByte/s. Loại 3:
Độ dài số liệu tới 48 bit và tốc độ truyền tới 60 Mbyte/s. FASTCAMAC và
CAMAC có thể cùng hoạt động trên khung CAMAC chuẩn.
FASTBUS xuất hiện do nhu cầu của các nghiên cứu trong lĩnh vực vật lý
năng lượng cao với nhiều dải băng tần và kích thước các bản mạch lớn hơn. Nó
được phát triển trên cơ sở hợp tác giữa NIM và ESONE với mục tiêu tăng tốc độ xử
lý của các vi mạch vi xử lý và tăng dung lượng các ô nhớ. Một vài đặc tính nổi bật
của FASTBUS có thể nêu ra: Các khối điện tử được mô đun hoá, độ dài địa chỉ và
số liệu 32 bit, tốc độ truyền tín hiệu không đồng bộ loại ECL đạt tới 100 MB/s, sử
dụng kỹ thuật xử lý song song, truyền số liệu không đồng bộ theo kiểu bắt tay
(handshaking), sử dụng các lệnh broadcast cho khởi phát, xoá một vài mô đun,..
FASTBUS cho phép nhiều mô đun chủ truy nhập các đường BUS theo sự
điều khiển của khối điều phối. Khung cơ khí có kích thước chuẩn chứa tới 26 slot.
Chuẩn VME (Versa Module Europa) là hệ thu thập số liệu mở, được giới
thiệu bởi Motorola, Phillips, Thompson và Mostek vào năm 1981 [54], [55]. VME
đã nhanh chóng phát triển trong ngành công nghiệp máy tính theo chuẩn IEEE
1014-1987.
Cấu trúc của VME bus được xây dựng trên cơ sở các mô đun chức năng
(Master module và Slave module). Khác với CAMAC, trên khung CAMAC chỉ có
một Master module – Controller cố định trên trạm 24, 25; trên khung VME một lúc
có nhiều trạm Master module và Slave module thậm chí nó có thể thay đổi vai trò
lúc thì Slave module lúc thì Master module. Tại một thời điểm chỉ có một
Mastermodule kiểm soát BUS; quản lý việc kiểm soát BUS nhờ khối Arbiter. Chuẩn
VME cho phép thực hiện đa xử lý.
- Master module: Modul chủ chiếm VME BUS, chức năng khởi phát quá
trình truyền số liệu.
- Slave module: Tạo các tín hiệu trả lời tới modul chủ, thực hiện các chức
năng mà modul chủ yêu cầu.
- Mô đun điều khiển ngắt (Interrupter): Tạo tín hiệu ngắt
- Interrupt handler: Nhận tín hiệu ngắt
- Arbiter: Điều phối sự truy cập VMEbus từ các mô đun chủ, mô đun này
thường được lắp đặt tại slot 1 của khung VME

138
 Hình 7.2. Khung VME loại 6U và 9U
Việc truyền số liệu được thực hiện qua 3 kiểu chính:
- Chu kỳ đơn (Single cycles): Số liệu được truyền dưới sự điều khiển của
CPU của modul chủ
- Truyền theo khối (DMA): Một khối các ô nhớ được truyền dưới sự điều
khiển của khối điều khiển DMA ( CPU bị treo lên trong trường hợp này)
- Truyền số liệu bằng phương pháp ngắt: Tương tự như trong máy tính
thông thường.
Trong VME có một khối điều phối sự truy cập các đường BUS từ các modul
chủ khác nhau có tên là Arbiter. Trước khi modul chủ truyền số liệu, nó khởi phát 1
trong 4 tín hiệu yêu cầu sử dụng BUS: BR0, BR1, BR2, BR3. Khối điều phối arbiter
kiểm tra đường tín hiệu BBSY. Nếu đường dây này không bận (không có modul chủ
nào sử dụng BUS), arbiter phát tín hiệu BGOUT tương ứng với BR trên cho phép
modul chủ sử dụng BUS và sau đó quá trình truyền số liệu sẽ xảy ra. Trong trường
hợp hai modul chủ cùng phát tín hiệu yêu cầu sử dụng BUS, modul chủ nào có vị trí
gần slot 1 hơn sẽ được ưu tiên.
Tốc độ truyền số liệu khoảng 40 Mbytes mỗi giây (với những model đầu
tiên). Khung cơ khí của VME và các khối điện tử chức năng tuân theo chuẩn
Eurocard. Khung có thể chứa tới 21 modul, vị trí đầu của khung dành cho khối điều
khiển.
VME bus đã phát triển không ngừng theo nhiều model khác nhau. Đầu tiên là
VMEbus (IEEE-1014-1987), tiếp đó là VME64, VME64 Extensions (VME64x),
VME320. Phần mềm được phát triển trên rất nhiều loại máy tính và hệ điều hành
khác nhau như: Unix Solaris, SunOS, Window95/98/NT, LynxOS,..Tốc độ truyền số
liệu tăng dần theo sự phát triển của các model mới và có thể đạt tới 500 Mbyte mỗi
giây.
Sau đây là một cấu hình thực nghiệm sử dụng trong thực nghiệm vật lý hạt
nhân năng lượng cao kết hợp các chuẩn NIM, CAMAC, VME, FASTBUS.
139
 Hình 7.3.
Mặc dù hai hệ chuẩn NIM và CAMAC ra đời cách đây hơn ba mươi năm
nhưng do tính hợp lý của nó cho đến nay các modul chuẩn của nó vẫn là thành phần
cơ bản trong các hệ thống thực nghiệm của các trung tâm nghiên cứu ở Âu, Mỹ,
Nhật.
Các ưu điểm chính việc tổ chức hệ thống trên cơ sở các modul chuẩn
+ Xây dựng một hệ thực nghiệm từ các modul chuẩn có sẳn thật dễ dàng khi
xây dựng và khi tháo bỏ, dễ dàng được sử dụng bởi người khác.
+ Dễ dàng trao đổi các modul trong nội bộ phòng thí nghiệm và với các phòng
thí nghiệm khác.
+ Tiết kiệm nhiều thời gian, công sức và tiền bạc.
+ Tiết kiệm việc kiểm tra, sửa chữa và bảo dưỡng.
+ Nâng cao hiệu quả của kỹ sư điện tử
Trong khuôn khổ giáo trình này tôi sẽ trình bày về hệ chuẩn CAMAC làm đại
diện.
Lịch sử phát triển của hệ chuẩn CAMAC
CAMAC là tên viết tắt của “Computer Application Measurement And
Control” hoặc “ Communication Applied to Man And Computer”. Nó xuất hiện từ
năm 1970 bởi các nhà khoa học thành viên của nhóm ESONE ( European Standards
Of Nuclear Electronics) hợp tác với một số thành viên của nhóm US-AEC NIM và
rất nhiều phòng thí nghiệm trên thế giới. Khi đó các máy tính mini đã phát triển
mạnh và hoàn thiện. Các máy tính này đã được sử dụng nhiều có hiệu quả trong các
hệ thống thực nghiệm on-line. Tuy nhiên khi đó các máy tính có giá thành còn đắt
nhiều chủng loại chưa chuẩn hoá, số thiết bị ngoại vi có thể ghép nối với máy tính
còn hạn chế về khả năng địa chỉ của BUS I/O và cấu trúc BUS I/O của các máy tính
140
mini còn quá khác nhau không theo một tiêu chuẩn nào. Hệ chuẩn CAMAC ra đời
đáp ứng được nhu cầu chuẩn hoá BUS I/O thông qua khối chuyển tiếp trung gian-
Controller, mở rộng khả năng địa chỉ hoá. Chuẩn CAMAC là chuẩn về cơ khí và các
tin hiệu điện.
Chuẩn CAMAC cơ sở là hệ chuẩn một khung EUR 4100e, chuẩn một nhánh
(7 khung- Branch) EUR 4600e, trên cơ sở này có thể xây dựng hệ thống lớn hệ
nhiều nhánh, nhiều CPU...
Ngày nay chuẩn CAMAC đã được ứng dụng rộng rãi trong các phòng thí
nghiệm trên toàn thế giới; ở nước ta do điều kiện kinh tế và khoa học chưa phát triển
các hệ thống thực nghiệm lớn trên chuẩn CAMAC chưa được áp dụng. Trong những
năm gần đây nhờ sự hợp tác của chương trình nghiên cứu tia vũ trụ và chương trình
hợp tác Việt –Nhật tại phòng thí nghiệm VATLY của Viện Khoa học và Kỹ thuật
Hạt nhân đã xây dựng được hệ thống đo đạc, xử lý số liệu tia vũ trụ bằng hệ đầu dò
cherencop trên chuẩn CAMAC và NIM.
2.1.Chuẩn CAMAC một khung
Trước những năm 1960, khi công nghệ điện tử, tin học chưa phát triển để
xây dựng một hệ thống đo đạc, xử lý số liệu, điều khiển nhiều thông số người ta đã
sử dụng nhiều thiết bị độc lập đối với từng thông số một. Một hệ thống như vậy rất
cồng kềnh và không có độ tin cậy cao. Vào những năm 1970 nhờ sự phát triển công
nghệ điện tử, tin học cho phép ra đời chuẩn CAMACmodul hoá các khối chức năng
với kích thước chuẩn gọn nhẹ mức độ tích hợp cao và các khối chức năng này được
ghép nối với trung tâm sử lý (CPU) theo BUS on-line chuẩn.
Các đặc trưng cơ bản của hệ chuẩn CAMAC có thể tóm tắt như sau
(a) Nó là một hệ modul hoá, trên cơ sở các modul chức năng có thể kết hợp
xây dựng một thiết bị hoàn chỉnh;
(b) Các modul chức năng được cấu trúc như các khối cắm, cắm vào trong một
khung chuẩn “crate”;
(c) Cấu trúc cơ khí của CAMACđã đáp ứng để có thể sắp xếp tối đa độ tập
trung các vi mạch và các linh kiện có kích thước tương tự;
(d) Mỗi một khối cắm được nối trực tiếp với xa lộ thông tin “Dataway”, xa lộ thông
tin này là một bộ phận hợp thành khung chuẩn nó có nhiệm vụ truyền dữ liệu số, các
tín hiệu điều khiển, nguồn nuôi, xa lộ thông tin chuẩn không phụ thuộc vào chức
năng khối cắm và loại máy tính điều khiển;
(e) Hệ thống đã được thiết kế nhằm nối on-line khung và các khối chức năng
vào máy tính số, tuy nhiên cấu trúc khung và các khối chức năng hoàn toàn không
thay đổi theo cấu trúc máy tính số được sử dụng;
(f) Các ghép nối ngoài của khối cắm (mặt trước, mặt sau khối) các tín hiệu số,
tương tự cần tuân theo một số chuẩn của các bộ chuyển đổi hoặc máy tính ghép vào;
(g) Có thể nối kết hợp đến 7 khung chuẩn thành hệ nhánh CAMAC.
Hệ chuẩn CAMAC qui định chuẩn theo cơ khí và chuẩn theo tín hiệu. Nó qui
định về độ cao, độ rộng và độ sâu của khối, qui định nối với bus thông tin qua
141
connector 86 tiếp điểm. Trên mạch in hai lớp cần ăn mòn thành connector 86 tiếp
điểm (trên mỗi bên bảng mạch in chứa 43 tiếp điểm) của Bus truyền thông tin
khung.

Hình 7.4.
Một khung CAMAC gồm 25 trạm trong đó 23 trạm bên trái là trạm sử dụng
cho các khối chức năng, hai trạm còn lại dùng cho khối điều khiển (khối Controller).
Các trạm này đều có kích thước bằng đơn vị và được địa chỉ hoá theo thứ tự từ trái
sang phải từ N1 đến N25, trạm N24, N25 dùng cho khối Controller.
Khối Controller được ghép nối với máy tính (nó là khối trung gian để trao đổi
và chuyển đổi Bus thông tin từ máy tính sang CAMAC và ngược lại). Khi công
nghệ vi xử lý phát triển đến mức độ cao, người ta đã chế tạo ra các khối Controller
“tự trị” mà không cần ghép nối với máy tính, tự nó như máy tính và Bus I/O của nó
chính là Bus CAMAC và gọi là CAMAC- Computer. Hai mươi ba trạm còn lại dành
cho các khối chức năng sử dụng nó có thể là bộ đếm, khuếch đại phổ, cao áp, ADC,
DAC, TAC, thanh ghi ra, thanh ghi vào, chỉ thị, tự ghi, ghép nối máy in...Các khối
chức năng này có thể có kích thước khác nhau: một, hai, ba, bốn đơn vị. Nuôi cho hệ
CAMAC này là một nguồn nuôi đặc biệt có chất lượng cao, giống như nguồn nuôi
cho khung NIM nó có thể cung cấp cho các khối số và tương tự, nó cung cấp các
nguồn nuôi sau:+6 V với dòng 25Amp, -6 V với dòng 5Amp, 12V với dòng 5Amp,
24V với dòng 3Amp, ngoài ra nó còn cấp nguồn xoay chiều đặc biệt, nguồn +200V
để cung cấp cho các thiết bị có chức năng đặc biệt.
2.1.1 Chuẩn cơ khí của hệ CAMAC.
Hệ CAMAC tuân theo các chuẩn mực về cơ khí theo cấu trúc khung và
nhánh.

142
 Khung CAMAC được đóng trong một giá có kích thước 19 inch, mỗi khung
có tối đa chứa tới 25 trạm cho khối cắm. Kích thước đơn vị của khối cắm có bề rộng
17,2mm. Mỗi một trạm qui định nối với Bus thông tin 86 tiếp điểm, do đó trên bảng
mạch in hai lớp cần ăn mòn thành connector có 43 cặp tiếp điểm (kích thước, vị trí,
khỏang cách các tiếp theo qui định chuẩn) về hai phía mạch in để cắm vào connector
86 tiếp điểm trên Bus truyền thông tin. Panel trước và panel sau của khối cắm có thể
đặt các linh kiện không tiêu chuẩn. Khung có chiều cao là 5U ; Khung CAMAC và
khung NIM có kích thước như nhau và được trang bị các quạt thông gió.
2.1.2. Chuẩn nguồn nuôi, tín hiệu điều khiển và số liệu
Đường các tín hiệu điều khiển và số liệu
Các đường ghép nối của xa lộ thông tin (dataway) được xác định rõ ràng vị
trí, chức năng, mức logic, mức điện áp và logic ghép nối.
Trên dataway có các đường thông tin sau
Đường địa chỉ trạm Ni mức TTL logic âm kéo dài một cycle CAMAC
(Khoảng 1 microsec), gồm 24 đường riêng biệt phát ra từ trạm điều khiển N25 (từ
N1 đến N24) đến 24 trạm để chọn địa chỉ của khối chức năng);
Đường phát tín hiệu yêu cầu Li (Look at me) mức TTL logic âm, 24 tin hiệu
yêu cầu này phát ra độc lập từ 24 trạm chức năng đi theo đường riêng biệt đến khối
điều khiển trên trạm N25. Tín hiệu Li phát ngẫu nhiên từ các khối chức năng và bị
cấm gửi khi có tín hiệu B (Busy) nhằm yêu cầu hệ thống phục vụ.
Đường phát địa chỉ con 4bit mã hoá nhị phân trên bốn đường A1, A2, A4, A8
mức TTL logic âm kéo dài một cycle CAMAC (Khoảng 1microsec) phát ra từ trạm
N25 của khối điều khiển khung đồng thời đến các chân A1, A2, A4, A8 của 24 khối
khe cắm chức năng. Trên cơ sở 4 bit mã nhị phân các khối khe cắm có thể giải mã ra
16 địa chỉ con cho các thanh ghi trong mỗi khối khe cắm chức năng.
Đường phát mã lệnh (hàm chức năng) gồm 5bit mã hoá nhị phân trên năm
đường F1, F2, F4, F8, F16 mức TTL logic âm kéo dài một cycle CAMAC (Khoảng
1 microsec) phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển khung đồng thời đến các chân
F1, F2, F4, F8, F16 của 24 khối khe cắm chức năng. Trên cơ sở 5 bit mã nhị phân
các khối khe cắm có thể giải mã ra 32 địa lệnh (chức năng) làm việc trong mỗi khối
khe cắm chức năng.
Đường phát số liệu ghi Wi mức TTL logic âm kéo dài một cycle CAMAC
(Khoảng 1 microsec), một từ 24 bit số liệu phát ra từ trạm N24 của khối điều khiển
khung đồng thời đến 24 chân từ W1 đến W24 của 24 khối khe cắm chức năng. Đây
là từ số liệu ghi đi ra từ máy vi tính đến các khối chức năng.
Đường phát số liệu đọc Ri mức TTL logic âm kéo dài một cycle CAMAC
(Khoảng 1 microsec), một từ 24 bit số liệu phát ra từ một trong 23 khối khe cắm

143
(trạm chức năng) đưa đến trạm N24 của khối điều khiển khung, đặc biệt loại tín hiệu
này là tổ hợp từ các nguồn từ các khối chức năng nên trên bản thân đường
truyền tạo ra mạch hoặc (OR) bằng các mạch hở collector (open collector).
Đây là từ số liệu đọc đi ra từ các khối chức năng vào máy vi tính.
Đường phát tín hiệu B (Busy) mức TTL logic âm kéo dài một cycle
CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển khung đồng
thời đến 24 khối khe cắm chức năng. Tin hiệu này báo cho các khối khe cắm biết là
hệ thống đang bận làm việc không được gửi yêu cầu L.
Đường phát tín hiệu khởi phát Z (Initiatialise) mức TTL logic âm kéo dài một
cycle CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển khung
đồng thời đến 24 khối khe cắm chức năng. Tin hiệu này thường phát khi khởi động
lại toàn hệ thống giúp cho các khối khe cắm đưa trạng thái của khối về trạng thái bắt
đầu ví dụ xoá bộ đếm, xoá trigger tạo tín hiệu yêu cầu L...
Đường phát tín hiệu xoá C (Clear) mức TTL logic âm kéo dài một cycle
CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển khung đồng
thời đến 24 khối khe cắm chức năng. Tin hiệu này giúp cho các khối khe cắm chức
năng đưa trạng thái của khối về trạng thái thích hợp ví dụ xoá bộ đếm, xoá trigger
tạo tín hiệu yêu cầu L...
Đường phát tín hiệu cấm I (Inhibit) mức TTL logic âm kéo dài một cycle
CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển khung đồng
thời đến 24 khối khe cắm chức năng. Tin hiệu này hỗ trợ cho các khối khe cắm cấm
hoạt động của một số chức năng khi thấy cần thiết.
Đường phát tín hiệu nhịp S1 (Strobe 1) mức TTL logic âm bắt đầu sau cycle
CAMAC khoảng 400 nanosec, kéo dài khoảng 200 nanosec, phát ra từ trạm N25 của
khối điều khiển khung đồng thời đến 24 khối khe cắm. Tin hiệu này kết hợp các
lệnh đọc hoặc ghi để chốt số liệu có trên Bus dataway vào các thanh ghi: các lệnh
ghi nhờ xung nhịp này Ni( F16=1)*(F8=0)*S1 chốt các số liệu ghi Wi trên Bus
dataway vào các thanh ghi trên các khối chức năng; các lệnh đọc nhờ xung nhịp:
(F16=0)*(F8=0)*S1 chốt các số liệu đọc Ri trên Bus dataway vào thanh ghi số liệu
trên khối điều khiển.
Đường phát tín hiệu nhịp S2 (Strobe 2) mức TTL logic âm bắt đầu sau nhịp
S1 khoảng 100 ns, kéo dài khoảng 200 ns, phát ra từ trạm N25 của khối điều khiển
khung đồng thời đến 24 khối khe cắm chức năng. Tín hiệu này kết hợp các lệnh đọc
hoặc xoá để xoá số liệu các thanh ghi, nhờ xung nhịp: Ni(F16=0)*(F8=0)*S2 và Ni
F(9)S2 để xoá các thanh ghi và các trigger trên các khối chức năng.

144
 Wi

Z, C, I

S1, S2

F, A

N1

N2
Wi Z,C,I S1,S2 B F,A N1 Wi Z,C,I S1,S2 B F,A N2 Wi Z,C,I
S1,S2 B F,A N3 N3
Trạm số 1 Trạm số 2 Trạm số 3

L1
L2
L3

Hình 7.5.
Đường phát tín hiệu trả lời Qi (Response) mức TTL logic âm kéo dài một
cycle CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ 23 trạm chức năng gửi đến trạm điều
khiển. Đặc biệt loại tín hiệu này là tổ hợp từ các nguồn từ các khối chức năng nên
trên bản thân đường truyền tạo ra mạch hoặc (OR) bằng các mạch hở collector (open
collector). Tín hiệu này giúp cho các khối chức năng gửi trả lời các câu hỏi về trạng
thái cũng như sự hiện diện các thanh ghi, đọc trong các khối chức năng trước các
lệnh kiểm tra cũng như các lệnh ghi đọc của khối điều khiển.
Đường phát tín hiệu trả lời Xi (Command Acepted) mức TTL logic âm kéo
dài một cycle CAMAC (Khoảng 1 microsec) phát ra từ 23 trạm chức năng gửi đến
trạm điều khiển. Đặc biệt loại tín hiệu này là tổ hợp từ các nguồn từ các khối chức
năng nên trên bản thân đường truyền tạo ra mạch hoặc (OR) bằng các mạch hở

145
collector (open collector). Tín hiệu này giúp cho các khối chức năng gửi trả lời về sự
hiện diện các khối chức năng và sự tiếp nhận các lệnh mà khối điều khiển gửi đến.
Các tiếp điểm dành cho các chức năng dự trữ, không chuẩn P1, P2, P3, P4,
P5.
Các tham số điện của các đường thông tin trên dataway: Mức logic TTL như
sau:
Mức thấp là mức logic 1 ( Đầu vào từ 0V đến 0,8V; Đầu ra từ 0V đến 0,5V)
Mức cao là mức logic 0 ( Đầu vào từ 2V đến 2,5V; Đầu ra từ 3V đến 3,5V).
Tín hiệu từ các modul chức năng đến khối điều khiển phải có khả năng tải
được 10 lối vào TTL (10 tải) 16mA trong đó 6 tải cho pull-up và 4 cho các lối vào
logic; Tín hiệu từ khối điều khiển đến các modul chức năng phải có khả năng tải
được 25 lối vào TTL(25 tải) và 6 tải cho pull-up tổng số xấp xỉ 100mA;
Nguồn nuôi của hệ CAMAC
Cũng như hệ NIM, hệ CAMAC là một hệ thống sử dụng các khối chức năng
số và tương tự chất lượng cao có tạp âm rất thấp, nuôi cho hệ thống này không thể
sử dụng các nguồn nuôi Switching như trong các máy vi tính mà cần sử dung các
khối nguồn tuyến tính chất lượng cao. Số nguồn nuôi, các giá trị điện áp, khả năng
dòng cung cấp đáp ứng với mọi cấu hình có thể có trên khung.
Nguồn nuôi cho CAMAC được lắp phía sau của khung. Gồm các nguồn nuôi
sau:
Bảng 7.2.
Nguồn nuôi Độ ổn định Dòng cho phép
+24V 0.5% 3A
+6V 2.5% 25A
-6V 2.5% 5A
-24V 0.5% 3A
+12V 0.5% -
-12V 0.5% -
+200V
AC 117V

Ghi chú: Nguồn +12V,-12V Có thể có hoặc không có trong mỗi khung
CAMAC.
5.2.1.3. Các lệnh của CAMAC và chu trình lệnh (Camac cycle).
+ Các lệnh của CAMAC.

146
 Như phần trên đã trình bày, Bus CAMAC Dataway bao gồm đường số liệu,
đường địa chỉ, đường lệnh và các tín hiệu điều khiển, đồng bộ.
Có 5 đường lệnh mã hoá nhị phân cho 32 chức năng:
Họ chức năng đọc số liệu khi F16=0, F8=0, F4=0, F2=X, F1=X
Họ chức năng ghi số liệu khi F16=1, F8=0, F4=0, F2=X, F1=X
Còn lại là các chức năng điều khiển. 32 lệnh (chức năng) được thống kê trong
bảng sau:
Bảng 7.3.
Chức năng Sử dụng R và F1 F2 F4 F8 F16 Mã chức
W năng
Đọc thanh ghi nhóm 1 Sử dụng đường 0 0 0 0 0 F(0)
Đọc thanh ghi nhóm 2 R 0 0 0 0 1 F(1)
Đọc và xoá thanh ghi 0 0 0 1 0 F(2)
nhóm 1 0 0 0 1 1 F(3)
Đọc phần bù thanh ghi
nhóm 1
Không chuẩn Sử dụng đường 0 0 1 0 0 F(4)
Dự phòng R 0 0 1 0 1 F(5)
Không chuẩn 0 0 1 1 0 F(6)
Dự phòng 0 0 1 1 1 F(7)
Kiểm tra Look-at-me (L) Không sử dụng 0 1 0 0 0 F(8)
Xoá thanh ghi nhóm1 đường R và W 0 1 0 0 1 F(9)
Xoá Look-at-me (L) 0 1 0 1 0 F(10)
Xoá thanh ghi nhóm2 0 1 0 1 1 F(11)
Không chuẩn Không sử dụng 0 1 1 0 0 F(12)
Dự phòng đường R và W 0 1 1 0 1 F(13)
Không chuẩn 0 1 1 1 0 F(14)
Dự phòng 0 1 1 1 1 F(15)
Ghi lên thanh ghi nhóm1 Sử dụng đường 1 0 0 0 0 F(16)
Ghi lên thanh ghi nhóm2 W 1 0 0 0 1 F(17)
Đặt có lựa chọn lên thanh 1 0 0 1 0 F(18)
ghi nhóm 1
Đặt có lựa chọn lên thanh 1 0 0 1 1 F(19)
ghi nhóm 2
Không chuẩn Sử dụng đường 1 0 1 0 0 F(20)
Xoá có lựa chọn lên thanh W 1 0 1 0 1 F(21)
147
ghi nhóm 1
Không chuẩn 1 0 1 1 0 F(22)
Xoá có lựa chọn lên thanh 1 0 1 1 1 F(23)
ghi nhóm 1
Lệnh xác lập cấm Không sử dụng 1 1 0 0 0 F(24)
Lệnh thực thi đường R và W 1 1 0 0 1 F(25)
Lệnh xác lập cho phép 1 1 0 1 0 F(26)
Lệnh kiểm tra trạng thái 1 1 0 1 1 F(27)
cấm hay cho phép
Không chuẩn Không sử dụng 1 1 1 0 0 F(28)
Dự phòng đường R và W 1 1 1 0 1 F(29)
Không chuẩn 1 1 1 1 0 F(30)
Dự phòng 1 1 1 1 1 F(31)
Tuỳ thuộc vào cấu trúc của các module trạm mà sử dụng các lệnh đọc, ghi
hoặc xoá cho phù hợp. Thông thường các khối module trạm có các hướng dẫn về
các lệnh CAMAC có thể sử dụng cho khối này.
+ Chu trình của CAMAC (CAMAC cycle).
Vì hạn chế trong cấu trúc kích thước khung, khoảng cách giữa các khối chức
năng và khối điều khiển thay đổi không lớn và phù hợp với các vi mạch TTL nên
chu trình cycle CAMAC trong khung là cố định và khoảng 1 microsec.
Chu trình thời gian cho hoạt động của CAMAC được phân chia làm hai loại:
a. Cycle CAMAC liên quan đến địa chỉ NAF
Chu trình này có liên quan đến ghi, đọc số liệu qua các đường Ri và Wi được
trình bày trên hình 7.6:
Giải thích: t0 là thời điểm bắt đầu cho hoạt động của chu trình này. Các tín
hiệu của cycle CAMAC: Ni, A1, A2, A4, A8, F1, F2, F4, F8, F16 và B được đồng
thời phát ra từ khối điều khiển khung (lưu ý active mức âm) và truyền đến các khối
chức năng. Vì thời gian trễ để tín hiệu đi về giữa khối điều khiển và khối chức năng
cũng như độ trễ do các vi mạch khối giải mã lệnh trong các khối chức năngnên tín
hiệu trả lời Q, X cũng như số liệu Ri và Wi bị trễ một thời gian, tuy nhiên không
được chậm hơn thời điểm t2 mà cycle CAMAC cho phép.
Trong thời gian cycle CAMAC cấm gửi tín hiệu L. Tại t3 các tín hiệu trên và
tín hiệu R và W đạt mức điện áp cần thiết. Tín hiệu S1 được khởi phát tại t3 và ổn
định tại t4. Tại thời điểm này các tín hiệu lệnh và các đường địa chỉ, số liệu phải ổn
định. S1 có thể được sử dụng để tạo tín hiệu chốt cho các thanh ghi. Tại thời điểm t6
tín hiệu S2 được khởi phát, tín hiệu trạng thái và số liệu có thể thay đổi tại thời điểm
148
này (có thể xoá các thanh ghi, các triger). Tín hiệu LAM có thể xuất hiện hoặc
không xuất hiện trong chu trình này. Toàn bộ chu trình này kéo dài 1 microsec.
Ni

A
D Ri
A
T W
A
S1
W
S2
A Q
Y Q = 1 cho R/W

Giải mã A Gải mã F
Aj Ak Fđ §đọc F w Ghi
Ni

+1 Bộ đếm

Thanh ghi lối ra

Gate xung đếm

Điều khiển ngoài hoặc chỉ thị

hoat động lệnh W/R
Hình 7.6
Quá trình xảy ra trong một chu trình đọc số liệu từ khối chức năng (khối đếm)
đến máy tính PC như sau: Ví dụ khối đếm nhị phân 24 bit ở trạm số N 5, khối chức
năng có hàm đọc F(0); Khi trigger đầy lên 1, khối đếm gửi tín hiệu yêu cầu L5 đến
khối điều khiển khung ghép nối với máy tính PC, tại đây khối điều khiển tạo thành
tín hiệu LD (Lam demand) gửi vào PC trên đường yêu cầu ngắt IRQ, máy tính đọc
nội dung thanh ghi Lam qua các lệnh IOR, phân tích nội dung này máy tính tìm
được chương trình con phục vụ đọc bộ đếm, qua các lệnh IOW máy tính nạp thanh
ghi N5(5 bit 00101), A0( 4 bit 0000) F0(5 bit 00000) và lệnh phát cycle CAMAC,
các tin hiệu NAF, B và S1,S2 gửi lên dataway đi đến khối chức năng N5, bộ giải mã
lệnh trong N5 chọn được tín hiệu N(5) A(0) F(0), từ tín hiệu này khối N5 gửi tín
hiệu trả lời Q, X và mở cho nội dung bộ đếm đưa lên 24 đường Ri của dataway, sau
khi nhận tín hiệu Q, X tại thời điểm S1 khối điều khiển ghi số liệu Ri vào thanh ghi

149
số liệu đọc, khi cycle CAMAC kết thúc máy tính chuyển số liệu trên thanh ghi số
liệu đọc vào bộ nhớ của máy tính qua các lệnh IOR và kết thúc chu trình.
Quá trình xảy ra trong một chu trình ghi số liệu từ khối điều khiển (từ máy
tính PC) đến khối chức năng ( máy in) như sau: Ví dụ khối chức năng (máy in) ở
trạm số N 10, khối chức năng có hàm ghi F(16); Khi trigger ready lên 1 (máy in sẳn
sàng nhận số liệu, khối chức năng ( máy in) gửi tín hiệu yêu cầu L10 đến khối điều
khiển khung ghép nối với máy tính PC, tại đây khối điều khiển tạo thành tín hiệu LD
(Lam demand) gửi vào PC trên đường yêu cầu ngắt IRQ, máy tính đọc nội dung
thanh ghi Lam qua các lệnh IOR, phân tích nội dung này máy tính tìm được chương
trình con phục vụ máy in, qua các lệnh IOW máy tính đưa số liệu cần in từ máy tính
ra thanh ghi số liệu W của khối điều khiển, nạp thanh ghi NAF: N10 (5 bit 01010),
A0( 4 bit 0000) F16(5 bit 10000) và lệnh phát cycle CAMAC thứ nhất, các tin hiệu
NAF, B, Wi và S1, S2 gửi lên dataway đi đến khối chức năng N10, bộ giải mã lệnh
trong N10 chọn được tín hiệu N(10) A(0) F(16), từ tín hiệu này khối N10 gửi tín
hiệu trả lời Q, X và tại thời điểm S1 khối chức năng (máy in) ghi số liệu từ Wi vào
thanh ghi số liệu cho máy in. Sau khi kết thúc cycle CAMAC thứ nhất máy tính lại
nạp thanh ghi NAF: N10 (5 bit 01010), A0( 4 bit 0000) F25 (5 bit 10000) và lệnh
phát cycle CAMAC thứ hai (chú ý trong cycle CAMAC này không có số liệu). Khi
khối chức năng (máy in) nhận lệnh N(10) A(0) F(25)S1 sẽ khởi động máy in để in
số liệu vừa được nạp từ máy tính và chu trình kết thúc.
b. Cycle CAMAC kh¸c (unaddressed operation).
Giải thích: Chu trình hoạt động của unaddressed operation đơn giản hơn và
ngắn hơn chu trình trên, ở thời điểm t0 tất cả các tín hiệu B, C, Z, I đều được khởi
phát và ổn định tại thời điểm t1. Từ t1 đến t6 các tín hiệu được xử lý tại module
(Tuỳ theo thiết kế mỗi module). Tại t6 tín hiệu S2 được khởi phát. Thời gian cho cả
chu trình này là 750 nsec.
Ngoài cách hoạt động theo từng lệnh, từng từ số liệu như trên, hầu hết các
thiết bị CAMAC đều được nối với máy tính, và truyền số liệu với máy tính theo các
khối thông tin (block transfers), hầu hết các hệ CAMAC đều được thiết kế có chế độ
DMA để chuyển số liệu theo kiểu cả khối. Trong chế độ DMA, địa chỉ đầu và độ dài
của vùng ô nhớ cần chuyển được xác định trước. DMA điều khiển các đường số
liệu, chuyển ô nhớ đầu tiên của vùng nhớ sau đó tăng nội dung thanh ghi địa chỉ lên
1, chuyển ô nhớ thứ hai của vùng,.... Quá trình chuyển cứ thế đến ô nhớ cuối cùng
của vùng nhớ cần chuyển.
Việc chuyển cả khối trên CAMAC được thực hiện dựa theo tín hiệu trả lời Q,
có ba dạng sau:
Quét địa chỉ ( Address scan ): Địa chỉ CAMAC sẽ được quét từ thấp đến cao,
từ địa chỉ thanh ghi đầu tiên A(i), khối đầu tiên N (j) xác định từ khởi phát bởi
CPU thông qua khối điều khiển. Quá trình quét như sau: Sau mỗi cycle
CAMAC nếu Q=1 và A(x<15) thì A= A(i+1) và A tăng từ thấp tới cao; nếu Q=0
150
hoặc Q=1 và A(x=15) thì xoá A về không và địa chỉ N= N(j+1) và quá trình được
tiếp tục cho đến địa chỉ kết thúc chủ động bằng máy tính hoặc địa chỉ cực đại
N(23)A(15).
Kiểu lặp lại (Repeat mode): Kiểu lặp lại được sử dụng để trao đổi số liệu với
thiết bị ngoại vi có tốc độ chậm. Sau khi chuẩn bị xong lệnh NAF, khồi điều khiển
phát cycle CAMAC nếu Q=0 cycle CAMAC lặp lại với NAF như trước cho đến khi
Q=1 cycle CAMAC kết thúc.
Khi máy tính nhận tin hiệu ngắt LD (ngắt từ hệ CAMAC), nếu không phải
phục vụ ngắt ưu tiên cao hơn, máy tinh chuyển sang chương trình phục vụ CAMAC
đọc từ ngắt từ mạch phân loại LG. Qua số liệu này máy tính nhận biết được nguồn L
từ các khối đếm. Để nhận biết được cụ thể từ bộ đếm (thanh ghi) nào gửi yêu cầu,
máy tính thông qua khối điều khiển lần lượt gửi lệnh kiểm tra Lam N(i)A(j)F(8)
theo kiểu quét địa chỉ, ở đây chỉ có chỉ số j chạy từ 0 đến 15, tại địa chỉ nào có trả
lời Q=1 chính thanh ghi đó gửi yêu cầu. Sau khi xác định được nguồn gốc Lam,
CPU xử lý xong thì phát lệnh N(i)A(j)F(10) để xoá yêu cầu này, quá trình xử lý yêu
cầu kết thúc.
2.1.3. Một vài modul điển hình
Để hiểu rõ hơn về bên trong hệ chuẩn CAMAC và giúp ích cho các tìm hiểu
và thiết kế các modul CAMAC chúng tôi đưa rasơ đồ khối của các Modul CAMAC
điển hình. Đại điện cho các khối chức năng đó là các khối đếm, ADC và chỉ thị; đại
diện cho khối điều khiển cho hệ một khung là Crate Controller với PC, Manual
Crate Controller.
a. Modul đếm nhị phân trên chuẩn CAMAC
Bộ đếm là một khối chức năng được sử dụng rất phổ biến trong vật lý thực
nghiệm nói chung và đặc biệt trong vật lý hạt nhân thực nghiệm. Khó có thể tìm
thấy một hệ vật lý hạt nhân thực nghiệm nào mà không có bộ đếm; thậm chí ngay
trong một hệ có đến hàng trăm bộ đếm, chính vì thế việc chuẩn hoá các bộ đếm là
rất cần thiết và có ý nghĩa khoa học và kinh tế. Trong chuẩn CAMAC trên mỗi trạm
có thể xây dựng tối đa 16 bộ đếm 24 bit. Có một số loại bộ đếm khác nhau (đếm nhị
phân, đếm thập phân, đếm thuận nghịch, đếm xác lập trước).
Sơ đồ khối của một bộ đếm trong hệ chuẩn CAMAC có ba phần chính sau:
Phần lối vào đếm; phần các thanh ghi đếm và phần ghép nối với chuẩn CAMAC.
+ Phần lối vào đếm
Các tín hiệu đếm đi vào khối đếm thông thường qua các connector (BNC
hoặc Lemo) đặt ở panel phía trước hoặc phía sau của modul để truyền tín hiệu đếm
thông thường theo chuẩn NIM, đôi khi theo chuẩn TTL; Các bộ đếm nhị phân thông
151
thường sử dụng các mạch TTL hoặc ECL đo đó cần có các mạch chuyển mức tín
hiệu từ NIM sang ECL hoặc NIM sang TTL; các mạch cổng cho phép của các tín
hiệu Gate, Inhibit; các mạch lựa chọn chế độ đếm: tín hiệu nội-F(25), tín hiệu ngoại,
tín hiệu đếm nối tiếp.
+ Các thanh ghi đếm nhị phân
Mỗi modul có thể chứa từ 1 đến 16 bộ đếm nhị phân 16 hoặc 24 bit, tốc độ
đếm có thể từ 25 Mhz đến 250 Mhz tuỳ nhu cầu sử dụng; Trong các bộ đếm nhanh
các trigger lối vào cần sử dụng các vi mạch nhanh ECL; Các bộ đếm có khả năng
ghép nối nối tiếp để có bộ đếm có dung lượng lớn hơn.
+Phần ghép nối với chuẩn CAMAC
Để bộ đếm có thể ghép nối on-line với máy tính qua Bus Dataway của
CAMAC đây là phần cốt lõi nhất, nó bao gồm ba mạch chính sau: mạch giải mã
lệnh, mạch ghép nối với đường đọc số liệu Ri; mạch tạo tín hiệu yêu cầu Look at
me.
Mạch giải mã lệnh: Trong cycle CAMAC mạch này tiếp nhận các tín hiệu
cycle CAMAC B; tín hiệu địa chỉ modul Ni; tín hiệu mã địa chỉ con A1, A2, A4,
A8; tín hiệu mã chức năng F1, F2, F4, F8, F16; tín hiệu S1; tín hiệu S2; hoặc các tín
hiệu lệnh không địa chỉ Z, C. Mạch giải mã lệnh sẽ giải mã tạo ra các lệnh cần thiết
để điều khiển bộ đếm, tuỳ theo các cấu hình thực nghiệm, các hãng chế tạo dựa trên
các nhu cầu đó mà thiết kế các khối đếm với tổ hợp các hàm chức năng cần thiết.
Trong bộ đếm trên chuẩn CAMAC thường sử dụng các chức năng sau: NiAj F(0)-
đọc nội dung bộ đếm, NiAj F(2)- đọc nội dung bộ đếm và xoá nội dung bộ đếm,
NiAj F(9)- xoá nội dung bộ đếm và tín hiệu Look at me, NiAjF(8)-Kiểm tra trạng
thái Look at me, NiAj F(9)- xoá tín hiệu Look at me, NiAj F(25)- tăng nội dung bộ
đếm thêm 1, NiAj F(24)- cho phép đếm, NiAjF(26)- cấm đếm và (Z+C)S2 phục hồi
tất cả các bộ đếm đến trạng thái xuất phát. Mạch giải mã lệnh phát tín hiệu X khi
nhận được tất cả các lệnh trên chứng tỏ có sự tồn tại của modul trên trạm và modul
này đã sử dụng chức năng mà CPU quan tâm. Mạch giải mã lệnh phát tín hiệu Q
trong các trường hợp sau: có các chức NiAj F(0) hoặc NiAj F(2), hoặc NiAj F(8) khi
trigger Look at me lên 1. Các nguồn tín hiệu X và Q từ lối ra của vi mạch hở
Collector được nối trực tiếp lên các đường X và Q tương ứng của Bus Dataway như
các mạch OR
Mạch ghép nối với đường đọc số liệu Ri: Để đưa số liệu từ bộ đếm lên Bus
đọc Ri sử dụng mạch AND hai lối vào, lối ra hở Collector; tín hiệu NiAj F(0) hoặc
NiAj F(2) là lối vào cho phép để các bít số liệu của bộ đếm đi qua; các lối ra tương

152
ứng với các bit số liệu cùng bậc nối chung với nhau như một mạch OR cho tất cả
các bộ đếm trong cùng một modul cũng như tất cả các modul đọc số liệu khác nhau.
Mạch tạo tín hiệu yêu cầu Look at me: Nguồn phát tín hiệu yêu cầu là các
trigger đầy bộ đếm nối nối tiếp sau các bộ đếm; trạng thái trigger đầy có được gửi
lên đường L hay không tuỳ theo sự cho phép của thanh ghi điều khiển (thanh ghi
nhóm hai). Thanh ghi điều khiển có thể là các trigger RS đặt và xoá bởi hai tín hiệu
Enable NiAj F(24) và Disable NiAj F(26) hoặc lệnh ghi NiA(0)F(17) và các số liệu
trên đường Wi. Các nguồn tín hiệu Look at me từ lối ra của vi mạch hở Collector
nối trực tiếp lên đường L của Bus Dataway như một mạch OR
b. Modul ADC Wilkinson trên chuẩn CAMAC
Bộ biến đổi biên độ thành số (Analogous to Digital Converter ADC) là một
khối chức năng được sử dụng rất phổ biến trong vật lý thực nghiệm nói chung và
đặc biệt trong vật lý hạt nhân thực nghiệm trong các bài toán đo các đại lượng tương
tự. Việc chuẩn hoá các bộ biến đổi biên độ thành số ( ADC) là rất cần thiết và có ý
nghĩa khoa học và kinh tế. Trong chuẩn CAMAC trên mỗi trạm có thể xây dựng tối
đa 16 bộ biến đổi biên độ thành số từ 8 bit đến 14 bit. Có ba phương pháp biến đổi
biên độ thành số khác nhau (biến đổi trực tiếp, biến đổi Wilkinson, biến đổi xấp xỉ
gần đúng liên tiếp).
Sơ đồ khối của một bộ biến đổi biên độ thành số trong hệ chuẩn CAMAC có
ba phần chính sau: Phần lối vào; phần các biến đổi biên độ thành số và phần ghép
nối với chuẩn CAMAC.
+Phần lối vào
Các tín hiệu tương tự đi vào khối ADC thông thường qua các connector
(BNC hoặc Lemo) đặt ở panel phía trước hoặc phía sau của modul để truyền tín
hiệutương tự thông thường nằm trong vùng từ 0 V đến 10 Von trong phần lối vào
cần có các mạch cổng cho phép của các tín hiệu Gate, Inhibit; mạch khuếch đại phụ.
+Phần các biến đổi biên độ thành số
Mổi modul có thể chứa từ 1 đến 16 bộ biến đổi biên độ thành số từ 8 bit đến
14 bit, tốc độ biến đổi có thể từ chục Khz đếm một vài Mhz tuỳ nhu cầu sử dụng.
Phần biến đổi biên độ thành số Wilkinson chứa các mạch cơ bản sau: Mạch
nhận đỉnh xung, mạch nhớ đỉnh xung, mạch phóng điện tuyến tính; các mạch so
sánh để nhận biết các mức (mức tín hiệu, mức không, mức ngưỡng dưới, mức
ngưỡng trên), mạch phóng điện tuyến tính, mạch phát xung nhịp, mạch đếm...
+ Phần ghép nối với chuẩn CAMAC
Để bộ biến đổi ADC có thể ghép nối on-line với máy tính qua Bus Dataway
của CAMAC đây là phần cốt lõi nhất, nó bao gồm ba mạch chính sau: mạch giải mã
153
lệnh, mạch ghép nối với đường đọc số liệu Ri; mạch tạo tín hiệu yêu cầu Look at
me.
Mạch giải mã lệnh: Trong cycle CAMAC mạch này tiếp nhận các tín hiệu
cycle CAMAC B; tín hiệu địa chỉ modul Ni; tín hiệu mã địa chỉ con A1, A2, A4,
A8; tín hiệu mã chức năng F1, F2, F4, F8, F16; tín hiệu S1; tín hiệu S2; hoặc các tín
hiệu lệnh không địa chỉ Z, C. Mạch giải mã lệnh sẽ giải mã tạo ra các lệnh cần thiết
để điều khiển bộ đếm, tuỳ theo các cấu hình thực nghiệm, các hãng chế tạo dựa trên
các nhu cầu đó mà thiết kế các khối biến đổi ADC với tổ hợp các hàm chức năng
cần thiết. Trong bộ biến đổi ADC trên chuẩn CAMAC thường sử dụng các chức
năng sau: NiAj F(0)- đọc nội dung thanh ghi ADC, NiAj F(2)- đọc nội dung bộ đếm
và xoá nội dung bộ đếm, NiAj F(9)- xoá nội dung bộ đếm và tín hiệu Look at me,
NiAjF(8)-Kiểm tra trạng thái Look at me, NiAj F(9)- xoá tín hiệu Look at me, NiAj
F(25), NiAj F(24)- cho phép biến đổi ADC, NiAjF(26)- cấm biến đổi ADC và
(Z+C)S2 phục hồi tất cả các bộ biến đổi ADC đến trạng thái xuất phát. Mạch giải
mã lệnh phát tín hiệu X khi nhận được tất cả các lệnh trên chứng tỏ có sự tồn tại của
modul trên trạm và modul này đã sử dụng chức năng mà CPU quan tâm. Mạch giải
mã lệnh phát tín hiệu Q trong các trường hợp sau: có các chức NiAj F(0) hoặc NiAj
F(2), hoặc NiAj F(8) khi trigger Look at me lên 1. Các nguồn tín hiệu X và Q từ lối
ra của vi mạch hở Collector được nối trực tiếp lên các đường X và Q tương ứng của
Bus Dataway như các mạch OR
Mạch ghép nối với đường đọc số liệu Ri: Để đưa số liệu từ bộ biến đổi ADC
lên Bus đọc Ri sử dụng mạch AND hai lối vào, lối ra hở Collector; tín hiệu NiAj
F(0) hoặc NiAj F(2) là lối vào cho phép để các bít số liệu của bộ biến đổi ADC đi
qua; các lối ra tương ứng với các bit số liệu cùng bậc nối chung với nhau như một
mạch OR cho tất cả các bộ biến đổi ADC trong cùng một modul cũng như tất cả các
modul đọc số liệu khác nhau.
Mạch tạo tín hiệu yêu cầu Look at me: Nguồn phát tín hiệu yêu cầu là trạng
thái stop của trigger điều khiển quá trình phóng điện tuyến tính; trạng thái trigger
này có được gửi lên đường L hay không tuỳ theo sự cho phép của thanh ghi điều
khiển (thanh ghi nhóm hai). Thanh ghi điều khiển có thể là các trigger RS đặt và xoá
bởi hai tín hiệu Enable NiAj F(24) và Disable NiAj F(26) hoặc lệnh ghi
NiA(0)F(17) và các số liệu trên đường Wi. Các nguồn tín hiệu Look at me từ lối ra
của vi mạch hở Collector nối trực tiếp lên đường L của Bus Dataway như một mạch
OR.

154
 c. Modul chỉ thị số trên chuẩn CAMAC
Mặc dù trong các hệ đo đạc điều khiển tự động các số liệu, các kết quả xử lý
đều được lưu giữ lâu dài và máy tính luôn luôn có thể theo dõi, tuy nhiên để có mối
liên hệ thường xuyên và trực tiếp một cách tiện lợi giữa người và hệ thống cần có
những thiết bị monitor như màn hình, máy tự ghi hoặc chỉ thị số tại những vị trí cần
thiết. Bộ chỉ thị số trên chuẩn CAMAC là một khối chức năng được sử dụng khá
phổ biến trong vật lý thực nghiệm nói chung và đặc biệt trong vật lý hạt nhân thực
nghiệm. Có một số loại chỉ thị số trên chuẩn CAMAC khác nhau (chỉ thị số nhị
phân, chỉ thị số thập phân, chỉ thị trên màn tinh thể lỏng..).
Sơ đồ khối của một bộ chỉ thị số trên chuẩn CAMAC có ba phần chính sau:
Phần thanh ghi đệm và giải mã chỉ thị; phần chỉ thị trên mặt máy và phần ghép nối
với chuẩn CAMAC.
+ Các thanh ghi đệm và giải mã chỉ thị
Mỗi modul có thể chứa từ 1 đến 16 thanh ghi đệm và giải mã chỉ thị 16 hoặc
24 bit, tích luỹ số liệu dưới dạng nhị phân, thập phân hoặc các chử cái ; Thông tin
cần chỉ thị từ CPU quaModul Crate Controller nạp vào ghi đệm. Mạch giải mã chỉ
thị biến đổi thông tin này vào dạng thích hợp để đưa lên các linh kiện chỉ thị trên
mặt modul chỉ thị hoặc truyền đến nơi chỉ thị thích hợp.
+ Phần chỉ thị trên mặt máy
Phụ thuộc vào nhu cầu bài toán mà sử dụng các linh kiện chỉ thị khác nhau
(Chỉ thị nhị phân, thập phân, chử cái trên vi mạch chỉ thị bảy thanh hoặc trên vi
mạch tinh thể lỏng với các kích thước khác nhau.
+ Phần ghép nối với chuẩn CAMAC
Để bộ chỉ thị số có thể ghép nối on-line với máy tính qua Bus Dataway của
CAMAC đây là phần cốt lõi nhất, nó bao gồm hai mạch chính sau: mạch giải mã
lệnh, mạch ghép nối với đường ghi số liệu Wi.
Mạch giải mã lệnh: Trong cycle CAMAC mạch này tiếp nhận các tín hiệu
cycle CAMAC B; tín hiệu địa chỉ modul Ni; tín hiệu mã địa chỉ con A1, A2, A4,
A8; tín hiệu mã chức năng F1, F2, F4, F8, F16; tín hiệu S1; tín hiệu S2; hoặc các tín
hiệu lệnh không địa chỉ Z, C. Mạch giải mã lệnh sẽ giải mã tạo ra các lệnh cần thiết
để điều khiển bộ chỉ thị số, tuỳ theo các cấu hình thực nghiệm, các hãng chế tạo dựa
trên các nhu cầu đó mà thiết kế các khối chỉ thị số với tổ hợp các hàm chức năng cần
thiết. Trong bộ chỉ thị số trên chuẩn CAMAC thường sử dụng các chức năng sau:
NiAj F(16)- ghi nội dung bộ chỉ thị số, NiAj F(9)- xoá nội dung bộ chỉ thị số và
(Z+C)S2 phục hồi tất cả các bộ chỉ thị số đến trạng thái xuất phát. Mạch giải mã
lệnh phát tín hiệu X khi nhận được tất cả các lệnh trên chứng tỏ có sự tồn tại của
155
modul trên trạm và modul này đã sử dụng chức năng mà CPU quan tâm. Mạch giải
mã lệnh phát tín hiệu Q trong trường hợp sau: có chức năng NiAj F(16). Các nguồn
tín hiệu X và Q từ lối ra của vi mạch hở Collector được nối trực tiếp lên các đường
X và Q tương ứng của Bus Dataway như các mạch OR
d. Modul Crate Controller với PC trên chuẩn CAMAC
Modul Crate Controller là modul trung gian giữa máy tính và CAMAC có
chức năng chính là chuyển đổi Bus I/O không chuẩn của một máy tính cụ thể thành
Bus CAMAC chuẩn DataWay. Vì trong thực tế tồn tại nhiều loại máy tính khác
nhau nên cho mỗi loại máy tính cần thiết kế một loại Crate Controller riêng. Ngày
nay do phát triển của công nghệ điện tử và tin học có thể chế tạo Crate Controller
trên vi xử lý không cần ghép nối với máy tính.
Để tường minh cho cấu tạo của khối Crate Controller nói chung, xin trình bày
cấu trúc khối của Crate Controller ghép nối với vi tính PC bao gồm các mạch chức
năng sau: Mạch giải mã lệnh từ máy tính PC, mạch tạo lệnh NAF, thanh ghi số liệu
vào/ra trên CAMAC, mạch phát cycle CAMAC, mạch xử lý LAM.
+ Mạch giải mã lệnh từ máy tính PC
Mạch này nhận các tín hiệu từ PC ( Reset, ALE, IOR, IOW, AD00...AD09)
tạo ra các lệnh xoá, lệnh đọc số liệu vào máy tính, lệnh ghi số liệu vào thanh ghi số
liệu cho thiết bị ngoại vi, lệnh nạp thanh ghi NAF, lệnh phát cycle CAMAC.
+Mạch tạo lệnh NAF
Thanh ghi trạm N có 5 bít, PC nạp cho thanh ghi qua lệnh IOW306 và đường
số liệu D00...D04; lối ra của thanh ghi được giải mã trực tiếp cho địa chỉ 24 trạm
của CAMAC, tín hiệu B cho phép tín hiệu chọn trạm có hiệu lực. Thanh ghi địa chỉ
con A có 4 bít, PC nạp cho thanh ghi qua lệnh IOW305 và đường số liệu D00...D03,
tín hiệu B cho phép mã nhị phân địa chỉ trạm con A1, A2, A4, A8 gửi đến tất cả các
trạm trên khung CAMAC.
Thanh ghi hàm chức năng F có 5 bít, PC nạp cho thanh ghi qua lệnh IOW304
và đường số liệu D00...D04, tín hiệu B cho phép mã nhị phân chức năng F1, F2, F4,
F8, F16 gửi đến tất cả các trạm trên khung CAMAC.
+Thanh ghi số liệu vào/ra trên CAMAC
Vì BUS số liệu của PC có 8 bit và hai chiều cho cả đọc và ghi, còn BUS số
liệu của CAMAC có 24 bit và tách riêng cho chiều đọc và chiều ghi, do đó cần hai
thanh ghi đệm 24 bit. Thanh ghi đệm đọc số liệu R có 24 bit nạp số liệu từ 24 đường
Ri qua lệnh đọc CAMAC (F16=0, F8=0); PC đọc số liệu này qua 4 lệnh IOR300,
IOR301, IOR302, IOR303. Thanh ghi đệm ghi số liệu W có 24 bit, PC nạp cho
thanh ghi này qua 4 lệnh IOW300, IOW301, IOW302, IOW303. Lệnh ghi CAMAC
156
(F16=1, F8=0) đưa số liệu của thanh ghi lên 24 đường Wi đến tất cả các trạm
CAMAC.
+ Mạch phát cycle CAMAC
Đây là trái tim của khung, tạo nhịp đập cho hệ thống, mạch nhận các lệnh từ
PC (Reset, IOR305, IOR306, IOR307) để khởi phát chu trình phát lênh CAMAC
NAF bình thường hoặc phát các lệnh Z, C, I Chu trình CAMAC kéo dài 1 Microsec
các tín hiệu B, N, A, F, Wi, Ri, Q, X kéo dài trong suốt chu trình, quan trọng nhất là
hai tín hiệu nhịp S1,S2 phải phát đúng yêu cầu của Cycle chuẩn CAMAC một
khung.
+ Mạch xử lý LAM
Tín hiệu Look at me từ 24 trạm theo 24 đường riêng biệt đến thanh ghi LAM,
qua mạch xử lý (LamGrader sắp sếp theo cấu hình ưu tiên của hệ thống cụ thể, tạo ra
tính hiệu IRQ gây ngắt PC và mã hoá LAM thành từ 8bit, máy tính đọc từ này qua
lệnh đọc IOR304 để xử lý ngắt.
e. Modul Manual Crate Controller trên chuẩn CAMAC
Trong khi làm việc on-line với CPU khó mà kiểm tra, đánh giá sự làm việc
đúng chức năng và đảm bảo chất lượng của các khối chức năng. Tiện lợi nhất cho
công việc này là sử dụngManual Crate Controller, modul này có chức năng phát ra
cycle CAMAC tuỳ ý điều khiển bằng tay trong chế độ từng bước, lệnh đơn, lệnh
kép, từng lệnh một hoặc lặp lại nhiều lần. Manual Crate Controller bao gồm các
mạch chức năng sau: Mặt điều khiển gồm các chuyển mạch, phím bấm, đèn chỉ thị
để điều khiển, quan sát, mạch tạo lệnh NAF, thanh ghi số liệu vào/ra trên CAMAC,
mạch phát cycle CAMAC, mạch chỉ thị LAM.
+ Mạch chỉ thị LAM
Tín hiệu Look at me từ 24 trạm theo 24 đường riêng biệt đến mạch hoặc
(OR) để chỉ thị sự tồn tại của LAM qua đèn chỉ thị.
+Mặt điều khiển
Mặt điều khiển gồm các chuyển mạch, phím bấm, đèn chỉ thị để điều khiển.
Các phím điều khiển: phím khởi động chu trình, phím dừng chu trình, phím hoạt
động theo từng bước, phím khởi động chu trình C, phím khởi động chu trình Z,
phím phát tín hiệu I, chuyển mạch lựa chọn trạm N (có 24 tiếp điểm tương ứng 24
trạm của khung CAMAC, điểm chung của tiếp điểm nối trực tiếp vào tín hiệu B),
chuyển mạch lựa chọn chế độ từng bước, một chu trình, hai chu trình liên tiếp,
chuyển mạch lựa chọn chế độ một lượt hoặc lặp lại. Các chuyển mạch số liệu: có 48
chuyển mạch hai trạng thái “0” và “1” để cung cấp số liệu cho hai từ 24 bit ghi Wi
cho hai chu trình liên tiếp, có 8 chuyển mạch hai trạng thái “0” và “1” để cung cấp
157
hai nhóm 4 bit địa chỉ con Ai cho hai chu trình liên tiếp, có 10 chuyển mạch hai
trạng thái “0” và “1” để cung cấp hai nhóm 5 bit địa chỉ con Fi cho hai chu trình liên
tiếp. Nhóm các đèn chỉ thi hai trạng thái “có” hoặc “không” của các tín hiệu trên
BUS DATAWAY: Ai, Fi, Wi, Ri, S1, S2, I, B, C, Z, Q, X, Run.
p+ Mạch tạo lệnh NAF và thanh ghi số liệu ra trên CAMAC
Tín hiệu B trực tiếp cho địa chỉ trạm đến các trạm tương ứng của khung
CAMAC đia chỉ trạm không thay đổi trong chu trình kép, tín hiệu B cũng cho phép
gửi mã nhị phân địa chỉ trạm con A1, A2, A4, A8; hàm chức năng F1, F2, F4, F8,
F16 và các số liệu ghi Wi đến tất cả các trạm trên khung CAMAC tuỳ thuộc từng
chu trình.
+ Mạch phát cycle CAMAC
Đây là trái tim của khung, tạo nhịp đập cho hệ thống, mạch nhận các lệnh từ
các phím và chuyển mạch điều khiển để khởi phát chu trình phát lệnh CAMAC
NAF bình thường (theo từng bước, chu trình đơn, chu trình kép) hoặc phát các lệnh
Z, C, I
Chu trình CAMAC kéo dài 1 Microsec các tín hiệu B, N, A, F, Wi, Ri, Q, X
kéo dài trong suốt chu trình, quan trọng nhất là hai tín hiệu nhịp S1, S2 phải phát
đúng yêu cầu của Cycle chuẩn CAMAC một khung.

158