CMOS Book

‫ﺑﺎﺳﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪CMOS‬‬

‫از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي‬
‫ﻣﺆﻟﻒ‬
‫دﻛﺘﺮ ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده )ﻋﻀﻮ ﻫﻴﺌﺖ ﻋﻠﻤﻲ داﻧﺸﮕﺎه ﭘﻴﺎم ﻧﻮر(‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪ :CMOS‬از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ‪ /‬ﻣﺆﻟﻒ‪ :‬ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‬ ‫‪:‬‬ ‫ﻋﻨﻮان و ﻧﺎم ﭘﺪﻳﺪآور‬
‫ﻣﺸﻬﺪ‪ :‬اﻧﺘﺸﺎرات ﺧﻂ اول‪1398 ،‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻧﺸﺮ‬
‫‪ 225‬ص‪ :،‬ﻣﺼﻮر‪ ،‬ﺟﺪول‪ ،‬ﻧﻤﻮدار‬ ‫‪:‬‬ ‫ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻇﺎﻫﺮي‬
‫‪978-622-6711-01-2‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ﺷﺎﺑﻚ‬
‫ﻓﻴﭙﺎ‬ ‫‪:‬‬ ‫وﺿﻌﻴﺖ ﻓﻬﺮﺳﺖﻧﻮﻳﺴﻲ‬
‫ﻣﺆﻟﻒ‪ :‬ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‬ ‫‪:‬‬ ‫ﻳﺎدداﺷﺖ‬
‫ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﺑﺮق‬ ‫‪:‬‬ ‫ﻣﻮﺿﻮع‬
‫اﻣﻴﻦزاده‪ ،‬ﺣﺎﻣﺪ‪-1361 ،‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ﺷﻨﺎﺳﻪ اﻓﺰوده‬
‫‪5 1394‬آ‪TK145/‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ردهﺑﻨﺪي ﻛﻨﮕﺮه‬
‫‪621/3‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ردهﺑﻨﺪي دﻳﻮﻳﻲ‬
‫‪4072536‬‬ ‫‪:‬‬ ‫ﺷﻤﺎره ﻛﺘﺎﺑﺸﻨﺎﺳﻲ ﻣﻠﻲ‬
‫ﺗﻠﻔﻦ‪05137529993 :‬‬
‫‪www.khate-aval.com‬‬
‫‪info@khate-aval.com‬‬
‫ﻧﺎم ﻧﺎﺷﺮ‪ :‬اﻧﺘﺸﺎرات ﺧﻂ اول‬
‫ﻧﺎم ﻛﺘﺎب‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪ :CMOS‬از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي‬
‫ﻣﺆﻟﻒ‪ :‬ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‬
‫وﻳﺮاﺳﺘﺎر ﻋﻠﻤﻲ‪ :‬ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‬
‫ﺻﻔﺤﻪآرا‪ :‬ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‬
‫ﺷﻤﺎرﮔﺎن‪ 500 :‬ﺟﻠﺪ‬
‫ﻧﻮﺑﺖ ﭼﺎپ‪ :‬اول ‪ /‬ﭘﺎﻳﻴﺰ ‪1398‬‬
‫ﭼﺎﭘﺨﺎﻧﻪ‪ :‬ﻣﻌﻴﻦ‬
‫ﻗﻴﻤﺖ‪ 30000 :‬ﺗﻮﻣﺎن‬
‫ﺗﻌﺪاد ﺻﻔﺤﻪ‪ 225 :‬ص )وزﻳﺮي(‬
‫ﺷﺎﺑﻚ‪978-622-6711-01-2 :‬‬
‫ﻧﻤﺎﻳﻨﺪﮔﻲ ﻓﺮوش‪ :‬ﻣﺸﻬﺪ‪ -‬ﺧﻴﺎﺑﺎن ﺳﻌﺪي‪ -‬ﺑﺎزارﭼﻪ ﻛﺘﺎب‪ -‬ﺷﻤﺎره ‪ -25‬ﻛﺘﺎﺑﻔﺮوﺷﻲ درﺧﺸﺶ‬
‫ﺗﻠﻔﻦ‪05132251923 :‬‬
‫اﺻﻔﻬﺎن‪ -‬ﻣﻴﺪان ﺷﻬﺪا‪ -‬ﺧﻴﺎﺑﺎن ﻛﺎوه‪ -‬ﻛﻮي وﻟﻲ ﻋﺼﺮ‪ -‬ﭘﻼك ‪ -419‬ﻣﺆﺳﺴﻪ ﻛﺘﺎب ﻛﻴﻤﻴﺎ اﺻﻔﻬﺎن‬
‫ﺗﻠﻔﻦ‪03134484020 - 03134480285 :‬‬
‫ﺳﺎﺧﺖ اوﻟﻴﻦ ﻧﺴﻞ ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ اﻣﺮوزي ﺑﻪ اواﺧﺮ دﻫﻪ ‪ 1950‬ﻣﻴﻼدي ﺑﺎزﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫اﺧﺘﺮاع اﻳﻦ ﻗﻄﻌﺎت‪ ،‬ﻣﺒﺪأ ورود رﺷﺘﻪ ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﺑﺮق و اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ﺑﻪ ﺣﻮزه ﻓﻨﺎوريﻫﺎي‬
‫ﻧﻮﻳﻦ ﻣﺤﺴﻮب ﮔﺮدﻳﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر داﺧﻠﻲ اوﻟﻴﻦ ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻳﻜﭙﺎرﭼﻪ و ﻧﻴﺰ‬
‫اوﻟﻴﻦ رﻳﺰﭘﺮدازﻧﺪه ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﻛﺖ اﻳﻨﺘﻞ و در ﺳﺎل ‪ 1971‬ﺑﻪ ﻧﻤﺎﻳﺶ‬
‫ﮔﺬارده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺗﻘﺪﻳـﻢ ﺑـﻪ ﺣﻀـﺮت وﻟـﻲ ﻋﺼـﺮ )ﻋﺞ(‬
‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬
‫ﻫﻤﺎﻧﮕﻮﻧﻪ ﻛﻪ از ﻋﻨـﻮان آن ﭘﻴﺪاﺳـﺖ‪ ،‬ﻃﺮاﺣـﻲ ﻣـﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤـﻊ ﺑـﻪ ﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ و ﺑﺮرﺳـﻲ روشﻫـﺎي ﻃﺮاﺣـﻲ‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺑﺮ روي وﻳﻔﺮﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه از ﺑﻠﻮر ﺳﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ ﻣﻲﭘﺮدازد‪ .‬در واﻗﻊ‪ ،‬ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي‬
‫ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻳﻚ ﻫﻨﺮ اﺳﺖ و ﻣﻲﺗﻮان آن را ﺑﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻳﻚ ﻧﻘﺎﺷﻲ زﻳﺒﺎ ﺑﺮ روي ﺑﻮم ﺧﺎﻟﻲ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ‬
‫ﻳﻚ ﻧﻘﺎﺷﻲ زﻳﺒﺎ‪ ،‬ﻃﺮح ﻧﻬﺎﻳﻲ )‪ (Layout‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﭼﻪ ﻧﻘﺎﻃﻲ از وﻳﻔﺮ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ ﭼﻪ ﻧﻮع ﻣﺎدهاي‬
‫و ﺑﺎ ﭼﻪ ﻏﻠﻈﺘﻲ ﺗﻠﻔﻴﻖ ﻳﺎ ﭘﻮﺷﺎﻧﺪه ﺷﻮد‪ .‬در ﻧﻬﺎﻳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ اﺗﺼﺎل وﻟﺘـﺎژ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ ﺑـﻪ ﻧﻘـﺎط از ﭘـﻴﺶ ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﺷـﺪه‪،‬‬
‫ﭘﺮدازشﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه و ﺣﺠﻴﻢ ﻛﻪ اﻧﺴﺎن ﻗﺎدر ﺑﻪ اﻧﺠﺎم آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﻲ ﻧﻴﺴﺖ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬در‬
‫اﻳﻦ ﻛﺘﺎب‪ ،‬ﺧﻮاﻧﻨﺪه ﺑـﺎ ﺗﺤﻠﻴـﻞ و ﻃﺮاﺣـﻲ ﺑﻠـﻮكﻫـﺎي ﻣﺠﺘﻤـﻊ ﻣﺨﺘﻠـﻒ از زواﻳـﺎي دﻳـﺪ ﻣﺨﺘﻠـﻒ )از ﺳـﻄﺢ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري و ﻣﺪاري ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺗﺎ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﻣﺮﻛﺐ از ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻫﺰار ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر( آﺷﻨﺎ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻣﺒﺎﺣﺚ اﻳﻦ ﻛﺘﺎب‪ ،‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺑﻨﻴﺎدي ﻛﻠﻴﻪ ﻣـﺪارﻫﺎ‪ ،‬از ﻣـﺪارﻫﺎي آﻧـﺎﻟﻮگ )ﺗﻘﻮﻳـﺖ ﻛﻨﻨـﺪه ﻫـﺎ‪ ،‬ﻓﻴﻠﺘﺮﻫـﺎ و ﻣﻨـﺎﺑﻊ‬
‫ﺗﻐﺬﻳﻪ( ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺗﺎ ﻣﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘﺎل )دروازهﻫﺎي ﻣﻨﻄﻘﻲ‪ ،‬ﺣﺎﻓﻈﻪ ﻫﺎ و ﻏﻴﺮه(‪ ،‬ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ و روشﻫﺎي‬
‫ﺳﺎﺧﺖ را ﺷـﺎﻣﻞ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﻟـﺬا ﺷـﺎﻳﺪ ﺑﺘـﻮان درس ﻃﺮاﺣـﻲ ﻣـﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤـﻊ را ﻣﻬﻤﺘـﺮﻳﻦ درس در ﻣﻘﻄـﻊ‬
‫ﺗﺤﺼﻴﻼت ﺗﻜﻤﻴﻠﻲ ﺑﺮق و اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ﺑﺮﺷﻤﺮد‪ .‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻣﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘﺎل ﻣﺒﺘﻨـﻲ ﺑـﺮ ﺗﻨﻬـﺎ دو ﺳـﻄﺢ‬
‫ﻣﻨﻄﻘﻲ ﺻﻔﺮ و ﻳﻚ ﺑـﻪ دروﺳـﻲ از ﻗﺒﻴـﻞ ﻃﺮاﺣـﻲ ﻣـﺪارﻫﺎي ﺑﺴـﻴﺎر ﻓﺸـﺮده )‪ (VLSI‬و ﻣﻴﻜﺮوﭘﺮوﺳﺴـﻮرﻫﺎ‪ ،‬و‬
‫ﺑﺮرﺳﻲ ﺟﺰﺋﻲﺗﺮ ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎديﻫﺎ و روشﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬ﺑﻪ دروﺳﻲ از ﻗﺒﻴﻞ ﻓﻴﺰﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ و ﺗﺌﻮري و‬
‫ﻓﻦآوري ﺳﺎﺧﺖ ﻗﻄﻌﺎت ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﻣﺮﺑﻮط ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺳﻄﻮح ﻣﻨﻄﻘﻲ ﻃﺮاﺣﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮرﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪارﻫﺎ از آﻧﻬﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از )ﺷﻜﻞ م‪:(1-‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري )‪ :(Device Level‬ﺑﺮرﺳﻲ در ﺳﻄﺢ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري‪.‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﺪاري ) ‪ :(Circuit Level‬ﺟﺰﺋﻴﺎت ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري درﻧﻈﺮﮔﺮﻓﺘﻪ ﻧﻤﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﺳﺎﺧﺘﺎري)‪ :(Architecture Level‬ﺑﺮﺧﻲ ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻣﺪاري درﻧﻈﺮﮔﺮﻓﺘﻪ ﻧﻤﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ )‪ :(System Level‬ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻣﺪاري ﺑﻪ ﻃﻮر ﻛﺎﻣﻞ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻧﻤﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬ ‫) ب(‬
‫) ج(‬ ‫)د(‬
‫ﺷﻜﻞ م‪) 1-‬اﻟﻒ( ﺳﻄﺢ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري؛ )ب( ﺳﻄﺢ ﻣﺪاري؛ )ج( ﺳﻄﺢ ﺳﺎﺧﺘﺎري؛ )د( ﺳﻄﺢ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ‪.‬‬
‫*( ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻘﺎوم‬

‫ﺑﺴﻴﺎري از ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺑﺎﮔﺬﺷﺖ زﻣﺎن و ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄﻲ و ﻳـﺎ در ﻫﻨﮕـﺎم ﺳـﺎﺧﺖ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ اﻳﻦ ﺗﻐﻴﻴﺮات را ﻣﻲﺗﻮان در ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ و دﻣﺎي ﻣﺤﻴﻂ درﻧﻈﺮﮔﺮﻓـﺖ‪.‬‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺑﺎﻳﺪ ﻃﻮري ﻃﺮاﺣﻲ و ﭘﻴﺎده ﺳﺎزي ﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ در ﻣﻘﺎﺑﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ‪ /‬وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳـﻪ‪/‬‬
‫دﻣﺎ )‪ (PVT‬ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﻄﻠﻮﺑﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ﺷﺮاﻳﻂ ﻋﺎدي‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳـﻪ‬
‫ﻣﺪار ﺑﻴﻦ ‪ 1.5‬ﺗﺎ ‪ 1.8‬وﻟﺖ و ﺗﻐﻴﻴﺮات دﻣﺎ ﺑﻴﻦ ‪ 0‬ﺗﺎ ‪ 85‬درﺟﻪ ﺳـﺎﻧﺘﻲ ﮔـﺮاد ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬در اﻳـﻦ ﺷـﺮاﻳﻂ‪ ،‬ﻣـﺪار ﺑﺎﻳـﺪ‬
‫ﻫﻤﭽﻨﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﻄﻠﻮﺑﻲ را از ﺧﻮد ﻧﺸﺎن دﻫﺪ‪.‬‬
‫*( ﺑﺎزه ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫اﻟﻒ( ﺗﺠﺎري‪ :‬ﻣﺎﺑﻴﻦ ‪ 0‬ﺗﺎ ‪ 85‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﻲﮔﺮاد‪،‬‬
‫ب( ﺻﻨﻌﺘﻲ‪ :‬ﻣﺎﺑﻴﻦ ‪ –25‬ﺗﺎ ‪ 85‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﮔﺮاد‬
‫ج( ﻧﻈﺎﻣﻲ‪ :‬ﻣﺎﺑﻴﻦ ‪ –40‬ﺗﺎ ‪ 120‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﮔﺮاد‬
‫*( ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ در ﺣﻴﻦ ﻋﻤﻠﻜﺮد‬
‫ﺑﻪ ﻃﻮر اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﺑﻪ اﻧﺪازه ‪ 15‬درﺻﺪ اﻧﺪازه ﻣﺘﻮﺳﻂ وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﺑﻪ ﻣﺪار در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻣﺪلﺳﺎزي ﻋﺪم ﺗﻘﺎرن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﺎ اﻧﺠﺎم ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﻮﻧﺖ ﻛﺎرﻟﻮ )ﭘﺨﺶ ﺗﺼﺎدﻓﻲ اﺛﺮات( اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫*( ﺗﻐﻴﻴﺮات رﻓﺘﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻫﻨﮕﺎم ﺳﺎﺧﺖ‬

‫در اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﺴﻴﺎر اﻧﺪك ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ‪ ،‬رﻓﺘﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪه در ﻫﻨﮕـﺎم ﺳـﺎﺧﺖ ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﻧﻤـﻮده و‬
‫ﺑﺮﺧﻲ ﺳﺮﻳﻊ و ﺑﺮﺧﻲ ﻛﻨﺪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ در ﺟﺪول م‪ 1-‬ﻧﻤﺎﻳﺶ داده ﺷﺪهاﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺟﺪول م‪ :1-‬ﻣﺪل ﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻫﻨﮕﺎم ﺳﺎﺧﺖ‬

‫ﻧﻮع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪:‬‬ ‫‪nMOS‬‬ ‫‪pMOS‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫‪ T‬ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي‬ ‫‪F‬‬ ‫‪F‬‬
‫‪S‬‬ ‫‪S‬‬
‫‪ F‬ﺳﺮﻳﻊ‬ ‫‪F‬‬ ‫‪S‬‬
‫‪ S‬ﻛﻨﺪ‬ ‫‪S‬‬ ‫‪F‬‬
‫در ﭘﺎﻳﺎن ﺑﺮ ﺧﻮد ﻻزم ﻣﻲداﻧﻴﻢ ﺗﺎ از زﺣﻤﺎت ﻛﻠﻴﻪ ﻋﺰﻳﺰاﻧﻲ ﻛﻪ ﻣﺎ را در وﻳﺮاﻳﺶ اﻳﻦ ﻛﺘﺎب ﻳﺎري رﺳـﺎﻧﻴﺪهاﻧـﺪ‬
‫ﻗﺪرداﻧﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‪ ،‬ﭘﺎﻳﻴﺰ ‪1398‬‬

‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﻄﺎﻟﺐ‬
‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﻘﺪﻣﻪ اي ﺑﺮ ﻃﺮاﺣﻲ آﻧﺎﻟﻮگ ‪11 ................................................................................‬‬

‫ﻓﺼﻞ دوم‪ :‬ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪15 ................................................................................MOS‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﺳﻮم‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻚ ﻃﺒﻘﻪ ‪43 ..................................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﭼﻬﺎرم‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ‪67 .................................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﭘﻨﺠﻢ‪ :‬آﻳﻨﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل و ﻏﻴﺮﻓﻌﺎل ‪87 ..........................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﺷﺸﻢ‪ :‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ‪101 ..........................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻫﻔﺘﻢ‪ :‬ﻧﻮﻳﺰ ‪117 ...................................................................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻫﺸﺘﻢ‪ :‬ﻓﻴﺪﺑﻚ‪141 ..............................................................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻧﻬﻢ‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ‪161 ....................................................................................‬‬
‫ﻓﺼﻞ دﻫﻢ‪ :‬ﭘﺎﻳﺪاري و ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ‪203 ........................................................................‬‬
‫ﻛﺘﺎﺑﻨﺎﻣﻪ ‪225 ...............................................................................................................................‬‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪ :CMOS‬از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي | ‪11‬‬
‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﻘﺪﻣﻪاي ﺑﺮ ﻃﺮاﺣﻲ آﻧﺎﻟﻮگ‬

‫ﺑﺎ ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﻣﺪارﻫﺎي ﭘـﺮدازش دﻳﺠﻴﺘـﺎل در اواﻳـﻞ دﻫـﻪ ‪ ،1980‬ﺑﺴـﻴﺎري از ﭘﮋوﻫﺸـﮕﺮان ﻣـﺮگ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴـﻚ‬
‫آﻧﺎﻟﻮگ را در ﺳﺎلﻫﺎي ﭘﻴﺶروي ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﻣﻲﻛﺮدﻧﺪ؛ اﻣﺎ ﭼﺮا در ﺣﺎل ﺣﺎﺿﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ آﻧﺎﻟﻮگ ﻫﻤﭽﻨـﺎن‬
‫از ﻣﺤﺒﻮﺑﻴﺖ ﺑﺎﻻ ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ؟ ﻋﻠﺖ آن را ﻣﻲﺗـﻮان در ﻛﺎرﺑﺮدﻫـﺎﻳﻲ داﻧﺴـﺖ ﻛـﻪ ﭘـﺮدازش اﻃﻼﻋـﺎت در‬
‫ﺣﻮزه آﻧﺎﻟﻮگ ﺗﻨﻬﺎ ﮔﺰﻳﻨﻪ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -1‬ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻃﺒﻴﻌﻲ‪ :‬ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻃﺒﻴﻌﺖ ﻫﻤﮕﻲ ﺑﻪ ﻓﺮم آﻧﺎﻟﻮگ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬از اﻳﻦ‬
‫دﺳﺘﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﺻﺪاي درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻴﻜﺮوﻓﻮن‪ ،‬ﭘﻴﻜﺴﻞﻫﺎي ﺗﺼﻮﻳﺮ درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ دورﺑﻴﻦﻫﺎي‬
‫ﻋﻜﺎﺳﻲ‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺲﮔﺮ ارﺗﻌﺎﺷﺎت زﻣﻴﻦ و ﺗﺸﺨﻴﺺ زﻟﺰﻟﻪ اﺷﺎره ﻧﻤﻮد‪ .‬ﭼﻨـﻴﻦ ﺳـﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎﻳﻲ ﺑﺎﻳـﺪ ﺗﻮﺳـﻂ‬
‫ﻣﺒﺪلﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ ﺑﻪ دﻳﺠﻴﺘﺎل )ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ(‪ ،‬ﺑﻪ ﻛﻠﻤﻪاي دﻳﺠﻴﺘﺎل ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﻮﻧﺪ ﺗﺎ ﺑﺮرﺳـﻲ و ﭘـﺮدازش‪-‬‬
‫ﻫﺎي ﺑﻌﺪي ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘﺎل اﻧﺠﺎم ﺷـﻮﻧﺪ )ﺷـﻜﻞ ‪ .(1-1‬ﭘـﺲ از اﺗﻤـﺎم ﭘـﺮدازش دﻳﺠﻴﺘـﺎل‪ ،‬ﺳـﻴﮕﻨﺎل‬
‫ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﻣﺠﺪداً ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺒﺪل دﻳﺠﻴﺘﺎل ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻮگ ﺑﻪ ﻓﺮم آﻧﺎﻟﻮگ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﻮد‪ .‬ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎي آﻧـﺎﻟﻮگ ﮔـﺎﻫﻲ‬
‫ﺣﺎوي ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪاي ازﺟﻤﻠﻪ ﻧﻮﻳﺰ و اﻋﻮﺟﺎج ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﻻزم اﺳﺖ ﻗﺒﻞ از ﺗﺒﺪﻳﻞﺷﺪن ﺑﻪ دﻳﺠﻴﺘـﺎل‪،‬‬
‫ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻴﻠﺘﺮﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ ﺣﺬف ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه‬
‫ﻓﻴﻠﺘﺮ‬ ‫‪ADC‬‬ ‫‪DSP‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ :1 –1‬ﻧﺤﻮه ﭘﺮدازش ﻳﻚ ﺳﻴﮕﻨﺎل آﻧﺎﻟﻮگ در ﺣﻮزه دﻳﺠﻴﺘﺎل‪.‬‬
‫‪ -2‬ارﺗﺒﺎﻃﺎت دﻳﺠﻴﺘﺎل‪ :‬اﻃﻼﻋﺎت دﻳﺠﻴﺘﺎل ﻏﺎﻟﺒﺎً در ﻓﻮاﺻﻞ ﻃﻮﻻﻧﻲ ارﺳﺎل و درﻳﺎﻓﺖ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺳﻴﮕﻨﺎل‬
‫درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه ﺑﻪﺷﺪت ﺿﻌﻴﻒ ﺑﻮده و ﺣﺎوي ﻧﻮﻳﺰ اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪ .(2-1‬ﻟﺬا ﺑﺎﻳﺪ ﻗﺒﻞ از ﺗﺒﺪﻳﻞﺷﺪن ﺑﻪ ﺻﻔﺮ و‬
‫ﻳﻚ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺷﻮد‪ .‬ﮔﺎﻫﻲ اوﻗﺎت ﻫﺮ دو ﺑﻴﺖ ﻣﺠﺎور را ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﺮﻛﻴﺐ‬
‫ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و ﻳﻚ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﭼﻬﺎرﺳﻄﺤﻲ ﻣﻲﺳﺎزﻧﺪ‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﺳﻴﮕﻨﺎﻟﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﭘﺮدازش ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﺮاي ﻛﺪﮔﺸﺎﻳﻲ دارد‪.‬‬
‫‪ | 12‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪ :CMOS‬از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :2-1‬ﺗﻀﻌﻴﻒ و اﻋﻮﺟﺎج دادهﻫﺎ ﺑﻌﺪ از ﻋﺒﻮر از ﻣﻴﺎن ﻳﻚ ﻛﺎﺑﻞ داراي ﺗﻠﻔﺎت‪.‬‬
‫‪ -3‬ﺑﺎزﻳﺎﺑﻲ اﻃﻼﻋﺎت از دﻳﺴﻚ ﺳﺨﺖ‪ :‬اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺎزﻳـﺎﺑﻲ ﺷـﺪه از روي دﻳﺴـﻚ ﺳـﺨﺖ ﺣـﺎوي ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﺑﺎزﻳﺎﺑﻲ آﻧﻬﺎ از ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪.(3-1‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ :3-1‬دادهﻫﺎي‬
‫ذﺧﻴﺮهﺷﺪه و ﺑﺎزﻳﺎﺑﻲ‬
‫ﺷﺪه از ﻳﻚ دﻳﺴﻚ‬
‫ﺳﺨﺖ‪.‬‬
‫‪ -4‬ﮔﻴﺮﻧﺪهﻫﺎي ﺑﻲﺳﻴﻢ‪ :‬ﺳﻴﮕﻨﺎل درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ‬

‫ﻳﻚ ﮔﻴﺮﻧﺪه ‪ RF‬ﻣﺎﻧﻨﺪ ﮔﻴﺮﻧﺪه ﺟﺎﺳﺎزيﺷﺪه در ﻳﻚ ﺗﻠﻔﻦ‬
‫ﻫﻤﺮاه‪ ،‬داراي ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎﻳﻲ از ﻣﺮﺗﺒﻪ ‪ GHz‬ﺑـﻮده و داﻣﻨـﻪ‬
‫آن در ﺣﺪ ﭼﻨﺪ ﻣﻴﻜﺮووﻟﺖ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 4-1‬ﻃﻴﻒ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل و ﺗﺪاﺧﻞ درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه‬

‫ﺗﻮﺳﻂ آﻧﺘﻦ ﻳﻚ ﮔﻴﺮﻧﺪه ﺑﻲﺳﻴﻢ‪.‬‬
‫اﻳﻦ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺣﺎوي اﻃﻼﻋﺎت ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪ از ﻛﺎﻧﺎلﻫﺎي اﻃﺮاف اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪ .(4-1‬ﻣـﺪارﻫﺎي آﻧـﺎﻟﻮگ‬
‫ﻣﻮﺟﻮد در ﻗﺴﻤﺖ ﮔﻴﺮﻧﺪه‪ ،‬اﻳﻦ ﺳﻴﮕﻨﺎل را ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻧﻤﻮده و ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪ را ﺣﺬف ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫‪ -5‬ﻓﺮﺳﺘﻨﺪهﻫﺎ و ﮔﻴﺮﻧﺪهﻫﺎي ﻧﻮري‪ :‬اﻳﻦ ﮔﻴﺮﻧﺪهﻫﺎ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺴـﻴﺎر ﺑـﺎﻻ و از ﻣﺮﺗﺒـﻪ ‪ 10‬ﺗـﺎ ‪40‬‬
‫ﮔﻴﮕﺎﻫﺮﺗﺰ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(5-1‬ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜـﻲ ﻣﻮﺟـﻮد در ﻓﺮﺳـﺘﻨﺪهﻫـﺎ و ﮔﻴﺮﻧـﺪهﻫـﺎي‬
‫ﻧﻮري ﻫﻤﮕﻲ از ﻧﻮع آﻧﺎﻟﻮگ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ :5-1‬ﮔﻴﺮﻧﺪه و ﻓﺮﺳﺘﻨﺪه ﻧﻮري‪.‬‬
‫‪ -6‬ﺣﺲﮔﺮﻫﺎ‪ :‬ﺣﺲﮔﺮﻫﺎي ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ﻧﻮري ﻧﻘﺶ ﻣﻬﻤﻲ در زﻧﺪﮔﻲ ﻣﺎ دارﻧﺪ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖ و ﻓﻴﻠﺘﺮ‬
‫ﻧﻤﻮدن ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪ ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺣـﺲﮔﺮﻫـﺎ و ﺗﺒـﺪﻳﻞ آﻧـﺎﻟﻮگ ﺑـﻪ دﻳﺠﻴﺘـﺎل ﻧﻤـﻮدن آﻧﻬـﺎ ﺗﻮﺳـﻂ‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ اﻧﺠﺎمﺷﺪه و ﻫﻤﮕﻲ اﻳﻦ ﻣﺮاﺣﻞ‪ ،‬ﺣﺎﺋﺰ اﻫﻤﻴﺖ ﻓﺮاوان اﺳﺖ‪ .‬ﺷﺘﺎبﺳـﻨﺞ ﻣﻮﺟـﻮد در ﻛﻴﺴـﻪ‬
‫ﻫﻮاي اﺗﻮﻣﺒﻴﻞ‪ ،‬از ﺣﺮﻛﺖ ﻳﻚ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﺘﺤﺮك و ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻧﺪازه ﺧﺎزن ﺑﻴﻦ دو ﺻﻔﺤﻪ ﺑﺮاي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷـﺘﺎب‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪-6-1‬اﻟﻒ(‪ .‬دﻗﺖ اﻳﻦ ﺳﺎزوﻛﺎر ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از دو ﺧﺎزن ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺣﺎﺻﻞ‬
‫ﺳﺮي اﻳﻦ دو ﺧﺎزن‪ ،‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ -6-1‬ب(‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 6-1‬اﻟﻒ( ﺷﺘﺎبﺳﻨﺞ ﺳﺎده؛ )ب( ﺷﺘﺎبﺳﻨﺞ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫‪ -7‬رﻳﺰﭘﺮدازﻧﺪهﻫﺎ و ﺣﺎﻓﻈﻪﻫﺎ‪ :‬ﻃﺮاﺣﻲ رﻳﺰﭘﺮدازﻧﺪهﻫﺎ و ﺣﺎﻓﻈﻪﻫـﺎ‪ ،‬ﻧﻴﺎزﻣﻨـﺪ داﺷـﺘﻦ ﺗﺠﺮﺑـﻪ در ﻃﺮاﺣـﻲ‬

‫ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺴﻴﺎري از ﻧﻜﺎت ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﺎ زﻣﺎنﺑﻨﺪي و ﺗﻮزﻳﻊ ﺳﺮﻳﻊ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘﺎل و ﺳﻴﮕﻨﺎل‬
‫ﺳﺎﻋﺖ‪ ،‬ﻧﻴﺎز ﺑﻪ اﻳﻦ دارد ﻛﻪ ﺑﻪ اﻃﻼﻋﺎت دﻳﺠﻴﺘﺎل ﺑﺎ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﺷـﻜﻞ ﻳـﻚ ﺳـﻴﮕﻨﺎل آﻧـﺎﻟﻮگ ﻧﮕﺮﻳﺴـﺘﻪ‬
‫ﺷﻮد‪ .‬ﺣﺎﻓﻈﻪﻫﺎي ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎزﻳﺎﺑﻲ اﻃﻼﻋﺎت اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫*( ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ ﻃﺮاﺣﻲ ﻣـﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘـﺎل‪ :‬در‬
‫ﺷﺮاﻳﻄﻲ ﻛﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ ﻣﻮﺟﻮد در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘـﺎل‪ ،‬ﻣﺼـﺎﻟﺤﻪ ﻣﻴـﺎن ﺳـﺮﻋﺖ )‪ (Speed‬و ﺗـﻮان‬
‫ﻣﺼﺮﻓﻲ )‪ (Power Dissipation‬اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ داراي ﻣﺼـﺎﻟﺤﻪﻫـﺎي ﻓﺮاواﻧـﻲ ﻣﻴـﺎن ﺳـﺮﻋﺖ‪،‬‬
‫ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن )‪ ،(Linearity‬ﺣﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘـﺎژ )‪ ،(Voltage Swings‬ﺑﻬـﺮه )‪ ،(Gain‬ﻧـﻮﻳﺰ )‪،(Noise‬‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ )‪ ،(Supply Voltage‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ و ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(7-1‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :7-1‬ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ ﻣﻴﺎن ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ‪.‬‬
‫*( ﭼﺮا ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺳﺎزي؟ ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺳﺎزي ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ داراي ﻣﺰاﻳﺎي ﻓﺮاواﻧـﻲ از ﻗﺒﻴـﻞ ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ ﻓﺸـﺮده‪-‬‬
‫ﺳﺎزي ﻗﻄﻌﺎت در ﻣﻘﻴﺎس ﺑﺎﻻ‪ ،‬دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺳﻄﺢ اﺷﻐﺎلﺷﺪه ﻛﻤﺘﺮ و ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫*( ﭼــﺮا ﻓﺮاﻳﻨــﺪ ﺳــﺎﺧﺖ ‪CMOS‬؟ ﻓﺮآﻳﻨــﺪ ﻓﻌﻠــﻲ ﺳــﺎﺧﺖ ﻣــﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤــﻊ‪ ،‬ﺑــﺮ ﻣﺒﻨــﺎي اﺳــﺘﻔﺎده از‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬و ‪ pMOS‬اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻠﺖ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﻮردﻧﻈﺮ را ﻣﻲﺗـﻮان ﺗـﺎ ﺣـﺪ‬
‫زﻳﺎدي ﺑﻪﺻﻮرت ﻓﺸﺮده در ﻛﻨﺎر ﻫﻢ ﻗﺮار داد‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ دوم‪ :‬ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫اﻫﻤﻴﺖ اﻳﻦ ﻓﺼﻞ‪ ،‬در اﻣﻜﺎن ﺷﻨﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳـﻔﺖ ﻣﻮرداﺳـﺘﻔﺎده در ﻓـﻦآوري ﺳـﺎﺧﺖ ‪CMOS‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻋﺒﺎرت ‪ MOSFET‬ﻣﺨﻔﻒ ﻛﻠﻤﺎت زﻳﺮ و ﺑﻪ ﻣﻌﻨﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺛﺮ ﻣﻴﺪان ﻣﺘﺸـﻜﻞ از ﻓﻠـﺰ‪ ،‬اﻛﺴـﻴﺪ و‬
‫ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‬‬
‫ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي دوﻗﻄﺒﻲ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ داراي دو ﻧﻮع ‪ n‬و ‪ p‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻫﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‪ ،‬داراي‬
‫ﭼﻬــﺎر ﭘﺎﻳﺎﻧــﻪ )درﻳــﻦ ‪ ،D‬ﮔﻴــﺖ ‪ ،G‬ﺳــﻮرس ‪ S‬و ﺑﺎﻟــﻚ ‪ (B‬ﻧﺸــﺎن دادهﺷــﺪه در ﺷــﻜﻞ ‪ 1-2‬ﻫﺴــﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،MOS‬ﺧﻴﻠﻲ ﺑﻌﺪﺗﺮ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر دوﻗﻄﺒﻲ‪ BJT‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪ‪ .‬وﻟـﻲ ﺗـﺎ اواﺧـﺮ دﻫـﻪ ‪ 1970‬ﻛـﺎرﺑﺮد‬
‫زﻳﺎدي در ﺻﻨﻌﺖ ﭘﻴﺪا ﻧﻜﺮد‪ .‬از اواﺧﺮ دﻫﻪ ‪ ،1970‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ‪ CMOS‬ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‬
‫ﻣﻜﻤﻞ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪﻧﺪ‪ .‬ﺗﺮاﺷـﻪ )‪ (IC‬ﻫـﺎي اﺑﺘـﺪاﻳﻲ‪ ،‬ﺗﻨﻬـﺎ ﺷـﺎﻣﻞ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‪ nMOS‬ﺑﻮدﻧـﺪ‪ .‬وﻟـﻲ ﺑـﻪﺗـﺪرﻳﺞ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪ pMOS‬ﻧﻴـﺰ ﺑـﻪ آن اﺿـﺎﻓﻪ ﺷـﺪ و ﻓـﻦآوري ﺳـﻴﻤﺎس‪CMOS = nMOS + pMOS‬‬
‫ﻣﻮردﺗﻮﺟﻪ ﻃﺮاﺣﺎن ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺘﻘﺎرن اﺳـﺖ ﻛـﻪ ازﻟﺤـﺎظ ﺳـﺎﺧﺘﺎري و‬
‫ﻧﺤﻮه ﻛﺎرﺑﺮد‪ ،‬ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي درﻳﻦ و ﺳﻮرس آن ﻫﻴﭻ ﺗﻔﺎوﺗﻲ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻧﺪارﻧﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 2-2‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳـﺎزي دو‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﻮردﻧﻈﺮ را ﺑﺮ روي ﻳﻚ ﺑﺴﺘﺮ ﻣﺸﺘﺮك و در ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ‪ CMOS‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ﺑـﺎﻻ‬
‫ﻧﻤﺎي ﺳﻪﺑﻌﺪي از ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺳﺎﺧﺘﻪﺷﺪه را ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺑﺮﺧﻲ اﺳﺎﻣﻲ ﺑﺎاﻫﻤﻴﺖ ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮ روي ﺑﺴﺘﺮي از ﺟﻨﺲ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن )‪ (Si‬و ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼـﻲ ﻛـﻢ ‪ (p–) p‬ﺳـﺎﺧﺘﻪ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﭘﺎﻳﺎﻧـﻪ‬
‫ﮔﻴﺖ ﺑﻪ ﻣﺎدهاي از ﺟﻨﺲ ﭘﻠﻲﺳﻴﻠﻴﻜﻮن )‪ (Poly‬ﻣﺘﺼـﻞ ﻣـﻲﺷـﻮد ﻛـﻪ ﺗﻮﺳـﻂ ﻋـﺎﻳﻖ ﮔﻴـﺖ از ﺟـﻨﺲ اﻛﺴـﻴﺪ‬
‫ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن )‪ (SiO2‬از ﺳﻄﺢ زﻳﺮﻳﻦ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﻣﻮرداﺳﺘﻔﺎده در ﭘﻠﻲﺳﻴﻠﻴﻜﻮن‪ ،‬از ﺟﻨﺲ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎل‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-2‬ﻧﻤﺎد و ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬و ‪.p MOS‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 2-2‬ﻧﻤﺎدﻫﺎ و ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻓﺰارهﻫﺎي ‪ nMOS‬و ‪ p MOS‬ﺑﺮ روي ﻳﻚ ﺳﻄﺢ ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫ﺧﺎﻟﺺ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﻧﻴﺴﺖ و از ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺠﺰاي ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﺗﺸﻜﻴﻞﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ازﻟﺤﺎظ ﻫـﺪاﻳﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ‪ ،‬رﻓﺘـﺎر‬
‫آن ﺷﺒﻴﻪ ﻓﻠﺰات اﺳﺖ‪ .‬در ﻓﻦآوري ‪ CMOS‬ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ‪ ،2-2‬ﺑﺴﺘﺮ )وﻳﻔﺮ( اوﻟﻴـﻪ داراي ﻛﻤـﻲ‬
‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ از ﻧﻮع ‪ p‬اﺳﺖ‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﻪﻃﻮرﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺮ روي اﻳﻦ ﺑﺴـﺘﺮ ﺳـﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ ﺳـﺎﺧﺘﻪ ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫درﺣﺎﻟﻲﻛﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ pMOS‬ﻧﻴﺎزﻣﻨﺪ ﻳﻚ ﻣﺮﺣﻠﻪ اﺿﺎﻓﻲ ﺑﺮاي ﺳـﺎﺧﺖ ﺑﺴـﺘﺮ ﻣﻜﻤـﻞ )‪(n-well‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم ﺑﻤﺒﺎران ﻧﻮاﺣﻲ ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺷﺪﻳﺪ ‪ n‬ﻳﺎ ‪ ،(n+, p+) p‬ﻛﻤﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭘﺪﻳـﺪه ﻧﻔـﻮذ‬
‫ﺑﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ راه ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ )در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎ ﻃﻮل ‪ (LD‬و ﻃﻮل ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﻴﻦ درﻳﻦ و ﺳﻮرس را از‬
‫‪ L‬ﺑﻪ ‪ Leff‬ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬در ﭘﺮوﺳـﻪ ‪ ،0.18µm‬ﻣﻘـﺪار ﻣـﺆﺛﺮ ﻃـﻮل ﮔﻴـﺖ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ = ‪Leff‬‬
‫‪ 0.15µm‬اﺳﺖ‪ .‬ﺣﺪاﻗﻞ ‪ L‬ﻣﺠﺎز در ﻳﻚ ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺸﺨﺺ‪ ،‬ﺑﺎ ‪ Ldrawn‬ﻧﺸﺎن داده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻣﻘـﺪار آن‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬ﺳﻮرس ‪ VDS‬اوﻟﻴﻪ ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،nMOS‬ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﺑﺮﻗﺮار ﻧﻤﻲﺷﻮد ﭼﺮاﻛـﻪ ﻫﻨـﻮز‬
‫ﻛﺎﻧﺎﻟﻲ در زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ‪ G‬ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻧﺸﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﺠﺎد ﻛﺎﻧﺎل رﺑﻂ دﻫﻨﺪه ‪ S‬ﺑﻪ ‪ ،D‬ﺑﺎﻳﺪ وﻟﺘﺎژ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ‬
‫‪ ،‬در اﺑﺘﺪا ﺣﻔـﺮهﻫـﺎ از زﻳـﺮ ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﮔﻴـﺖ دور ﺷـﺪه و‬ ‫‪ G‬را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ S‬اﻓﺰاﻳﺶ داد‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺪرﻳﺠﻲ‬
‫ﺳﭙﺲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎ از ﻃﺮﻳﻖ ‪ S‬ﺟﺬب ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ ﮔﻴﺖ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ MOS‬ﻛﻠﻴﺪﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﺧﻮﺑﻲ‬
‫ﺑﺮاي ﻗﻄﻊ و وﺻﻞ ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺴﺘﻨﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﻛﻨﺘﺮل آﻧﻬﺎ )در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ‪ (G‬ﺑﻪ اﻛﺴﻴﺪ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﻣﺘﺼﻞ‬
‫و ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻛﺎﻧـﺎل در زﻳـﺮ ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬ ‫ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻋﺎﻳﻖ ﺑﻮدن ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻧﻤﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺪرﻳﺠﻲ‬
‫‪ ،G‬ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ ﻣﻘﺎوﻣﺖ درﻳﻦ ﺳﻮرس ‪ DS‬ﻛﻮﭼﻚ ﺷﺪه و ﻛﻠﻴﺪ از ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل ﺑـﺎز ﺑـﻪ اﺗﺼـﺎل ﻛﻮﺗـﺎه ﺗﻐﻴﻴـﺮ‬
‫وﺿﻌﻴﺖ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫دﻳﻮد ﺗﺸﻜﻴﻞﺷﺪه ﺑﻴﻦ ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﺎ ﺑﺎﻟﻚ‪ ،‬در ﻫﺮ وﺿﻌﻴﺘﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﺧﺎﻣﻮش ﺑﻤﺎﻧﻨﺪ‪ .‬ﺑـﺎ‬
‫روﺷﻦ ﺷﺪن دﻳﻮد ﻫﺮ ﭘﻴﻮﻧﺪ‪ ،‬ﻋﻤﻠﻜﺮد رﻓﺘﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺗﺤـﺖ ﺗـﺄﺛﻴﺮ ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎي ﻧﺸـﺘﻲ اﻳﺠﺎدﺷـﺪه ﺷـﻜﻞ‬
‫دﻳﮕﺮي ﺑﻪ ﺧﻮد ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﻟﺬا‪:‬‬
‫‪ -1‬در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،nMOS‬ﺑﺎﻳﺪ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺑﺎﻟﻚ را ﺑﻪ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪار )وﻟﺘﺎژ زﻣﻴﻨﻪ ﻣﺸـﺘﺮك ‪(B‬‬
‫ﻣﺘﺼﻞ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﻫﻤﻪ دﻳﻮدﻫﺎ ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻌﻜﻮس ﺷﺪه و از ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺑﺎﻟﻚ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻤﻲﻛﺸﻨﺪ )ﺑﻪﻋﻨـﻮانﻣﺜـﺎل‪،‬‬
‫در ﻣﺪاري ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ ‪ ،VDD = 0–3V‬وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻟﻚ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ VB = 0V‬ﺑﺎﺷﺪ(‪.‬‬
‫‪ -2‬در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،pMOS‬ﺑﺎﻳﺪ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺑﺎﻟﻚ را ﺑﻪ ﺑﺎﻻﺗﺮﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﻣﻮﺟـﻮد در ﻣـﺪار )وﻟﺘـﺎژ زﻣﻴﻨـﻪ ﻣﺸـﺘﺮك(‬
‫وﺻﻞ ﻧﻤﻮد )ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل در ﻣﺪاري ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ ‪ ،VDD = 0–3V‬وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻟﻚ را ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪VB = 3V‬‬
‫در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ(‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ ‪ n-well‬ﻛﻪ از وﻳﻔﺮي ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ‪ p‬ﻛﻢ )–‪ ( p‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﺑﺴﺘﺮ )‪(Well‬‬
‫ﺑﺮاي ﻫﻤﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬ﻣﺸﺘﺮك اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻪاﺟﺒﺎر ﺑﺎﻳﺪ ‪ B‬ﻫﻤـﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬را ﺑـﻪ‬
‫ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﻣﻤﻜﻦ ﺗﺎ زﻣﻴﻦ ﻣﺪار ﻣﺘﺼﻞ ﻧﻤﻮد؛ اﻣﺎ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦﻛﻪ ﻫـﺮ ‪ pMOS‬در ﻳـﻚ ‪ Well‬ﻣﺠـﺰا‬
‫ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺑﺎﻟﻚ ﻣﺠﺰا از دﻳﮕﺮي دارد‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ‪ B‬را ﺑﻪ ﺑـﺎﻻﺗﺮﻳﻦ وﻟﺘـﺎژ ﻣﻮﺟـﻮد درﻫﻤـﺎن‬
‫‪ Well‬ﻛﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺳﻮرس ‪ S‬اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺘﺼﻞ ﻧﻤﻮد‪ .‬در ﻋﻤﻞ‪ ،‬اﮔﺮ ‪ B‬ﺑﻪ وﻟﺘﺎژي ﻏﻴﺮ از ‪ S‬وﺻﻞ ﺷﻮد‪،‬‬
‫اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳﺪ ﻛـﻪ ﺑﺎﻋـﺚ ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﺟﺰﺋـﻲ در ﺑﺮﺧـﻲ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫـﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ازﺟﻤﻠـﻪ وﻟﺘـﺎژ آﺳـﺘﺎﻧﻪ‬
‫آن ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه‪ ،‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪ 3-2‬ﻧﻤﺎﻳﺶ دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ‪ .‬ﺑـﺮاي‬
‫ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از اﻳﺠﺎد اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ ،nMOS‬ﻣـﻲﺗـﻮان از ﭘﺮوﺳـﻪاي ﻣﻮﺳـﻮم ﺑـﻪ ‪Dual-Well‬‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬اﻳﻦ ﭘﺮوﺳﻪ‪ ،‬ﻫﺮﻛﺪام در ﻳﻚ ﭼﺎه ﺟﺪاﮔﺎﻧﻪ ﺳـﺎﺧﺘﻪ ﻣـﻲﺷـﻮﻧﺪ و اﺛـﺮ ﺑﺪﻧـﻪ‬
‫ﻧﺪارﻧﺪ؛ اﻣﺎ اﻳﻦ روش ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬داراي ﻳﻚ ﻣﺮﺣﻠﻪ اﺿﺎﻓﻲﺗﺮ ﺑﻮده و ﮔﺮانﻗﻴﻤﺖ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-2‬اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬و ‪ p MOS‬و ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎي ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ‪.CMOS‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪ (1-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻛﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر از دﻳﺪ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس‬

‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ‪ ،‬ﻣﺮز ﻣﻴﺎن روﺷﻦ و ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪن ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ را ﻣﺸـﺨﺺ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬ﺑـﺮاي ﺗﻌﺮﻳـﻒ‬
‫دﻗﻴﻖ آن ﻻزم اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧـﻮاﺣﻲ ﻛـﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﻣﻮﺟـﻮد در ﺷـﻜﻞ ‪ 4-2‬ﻣﺸـﺨﺺ ﺷـﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮﺣﺴـﺐ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻛﺎري ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪:‬‬
‫اﺗﻔﺎق ﻣـﻲاﻓﺘـﺪ؛‬ ‫‪ -1‬ﺗﺠﻤﻊ ﺣﻔﺮهﻫﺎ در زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ )‪(Accumulation‬؛ اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ازاي ‪0‬‬
‫در اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﺗﻌﺪاد ﺑﺎرﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﺟﻤﻊ ﺷﺪه در زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴـﺖ‪ ،‬از ﻣﻴـﺰان ﻋـﺎدي اﻳـﻦ ﺑﺎرﻫـﺎ در زﻣﻴﻨـﻪ ﺑـﺎ‬
‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ‪ (p-sub) p‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 4-2‬ﻧﺤﻮه ﺑﺪﺳﺖ آوردن وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ در ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪.nMOS‬‬

‫‪ 0‬اﺗﻔـﺎق ﻣـﻲاﻓﺘـﺪ؛‬ ‫‪ -2‬ﺗﺨﻠﻴﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ از ﺣﻔﺮه )‪(Depletion‬؛ اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺣﻔﺮهﻫﺎ از زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ دور ﺷﺪه و ﻓﻘﻂ آﻳﻨﻪ ﺑﺎر ﻣﺜﺒﺖ ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺎﻻي ﻧﺎﺣﻴﻪ ‪ G‬را ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻮن ﻣﻨﻔـﻲ‬
‫در ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﮔﻴﺖ دارﻳﻢ‪.‬‬
‫اﺗﻔﺎق ﻣﻲاﻓﺘـﺪ؛ ﺑـﺎ‬ ‫‪ -3‬واروﻧﮕﻲ ﺿﻌﻴﻒ )‪(Weak Inversion‬؛ اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ازاي‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ وﻟﺘﺎژ و ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻴﺪان‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ از ﺳﻤﺖ ﺳﻮرس ﺑﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﺟﺬب ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﺎﻫﻴﺖ داده و ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ ﻛﺎﻧﺎل ﺣﺎوي اﻟﻜﺘﺮون زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫اﺗﻔﺎق ﻣﻲاﻓﺘﺪ؛ ﺑـﺎ ﺟـﺬب و‬ ‫‪ -4‬واروﻧﮕﻲ ﻗﻮي )‪(Strong Inversion‬؛ اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ازاي‬
‫ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪن اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ از ‪ S‬ﺑﻪ ‪ ،D‬ﻛﺎﻧﺎل اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ در زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﻛﺎﻣﻞ ﻣﻲﺷﻮد )اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﻣﻌـﺎدل‬
‫ﺑﺎ روﺷﻦ ﺑﻮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺳﺖ(‪.‬‬
‫ﻣﺮز ﺑﻴﻦ واروﻧﮕـﻲ ﺿـﻌﻴﻒ و واروﻧﮕـﻲ ﻗـﻮي را ﻣﺸـﺨﺺ‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﺑﺎﻻ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﻳﺎ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺣﺪاﻗﻠﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ازاي آن‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ در زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬درواﻗﻊ‪،‬‬
‫رﺳﻴﺪه و ﻧﺎﺣﻴـﻪ زﻳـﺮ ﮔﻴـﺖ ازﻟﺤـﺎظ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ ﺧﻨﺜـﻲ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﺮاي ﻳـﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫ﺣﻔﺮهﻫﺎ در‬
‫‪ ،nMOS‬اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﻛﻤﻴﺘﻲ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﻣﺜﺒﺖ و ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،pMOS‬اﻳـﻦ وﻟﺘـﺎژ ﻛﻤﻴﺘـﻲ ﺑـﺎ ﻣﻘـﺪار ﻣﻨﻔـﻲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫ﻣﺘﻐﻴﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫ﺗﻔﺎوت وﻟﺘﺎژ )ﺗﻮاﺑﻊ وﻟﺘﺎژ( ﮔﻴﺖ ﭘﻠﻲ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن و زﻣﻴﻨﻪ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ‪:‬‬
‫‪ln‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬

‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ زﻣﻴﻨﻪ ‪:‬‬
‫ﺑﺎر اﻟﻜﺘﺮون ‪:‬‬
‫ﺑﺎر ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ‪:‬‬
‫‪⁄‬‬
‫‪1~7 fF⁄µm‬‬ ‫ﺧﺎزن واﺣﺪ ﺳﻄﺢ اﻛﺴﻴﺪ ﮔﻴﺖ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ‬
‫ﻧﻔﻮذﭘﺬﻳﺮي اﻛﺴﻴﺪ ‪:‬‬
‫ﻗﻄﺮ اﻛﺴﻴﺪ ‪:‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺗﻤﺎﻣﻲ رواﺑﻂ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ رواﺑﻂ ‪ pMOS‬ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻧﻤﻮد اﮔﺮ ﺟﺎي‬
‫ﺗﻌﻮﻳﺾ ﮔﺮدﻧﺪ‪.‬‬ ‫|‬ ‫و|‬ ‫‪،‬‬ ‫ﻣﺘﻐﻴﺮﻫﺎي‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺳﺎزوﻛﺎر ﻋﻤﻠﻜﺮد و ﻧﺤﻮه روﺷﻦ ﺷﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،pMOS‬ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻣـﻮارد ﺗﻮﺿـﻴﺢ دادهﺷـﺪه در‬
‫ﺑﺎﻻ و ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺎ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﺟﺎي اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﺣﻔﺮه ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺴـﺘﻘﻴﻢ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑـﺮ روي‬
‫ﺑﺴﺘﺮ ﺑﺎ زﻣﻴﻨﻪ ‪) n-Well‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ (5-2‬ﻣﻤﻜﻦ ﻧﻴﺴﺖ‬
‫زﻳـﺮا ﺗﻨﻬـﺎ دو ﻧﺎﺣﻴـﻪ ‪ Depletion‬و ‪Accumulation‬‬
‫وﺟﻮد ﺧﻮاﻫﻨﺪ داﺷﺖ‪ .‬ﻟـﺬا ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻋـﺪم وﺟـﻮد ﺣﻔـﺮه‪،‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻛﺎري ‪ Inversion‬ﻣﻮﺟﻮد ﻧﺨﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 5-2‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺪون ﻧﺎﺣﻴﻪ واروﻧﮕﻲ ‪.Inversion‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻋﻤﻞ ﺑﺎ ﺗﺰرﻳﻖ ﻣﺎده ﻧﻮع ‪ n‬ﺑﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴـﺖ‪ ،‬ﻳـﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑـﺎ ﻛﺎﻧـﺎل ﻣﺼـﻨﻮﻋﻲ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﺗﺎ ﺣﺪ ﺻﻔﺮ و ﻳـﺎ ﺣﺘـﻲ ﻛﻤﺘـﺮ ﻧﻴـﺰ ﻛـﺎﻫﺶ داد‪ .‬ﭼﻨـﻴﻦ‬ ‫اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﻣﻲﺗﻮان‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺘﻲ )ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺗﻬﻲ( ﻛﻤﺘﺮ ﻛﺎرﺑﺮد دارﻧﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس ﺻﻔﺮ‪ ،‬ﺑﺎز ﻫـﻢ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺎﺑﻊ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬ﺳﻮرس داﺷﺘﻪ و در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي ﺧﺎﻣﻮش ﻧﻤﻲﺷـﻮﻧﺪ‪ .‬ﻟـﺬا ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ اﺳـﺘﻔﺎده ﺑـﻪﻋﻨـﻮان‬
‫ﻛﻠﻴﺪ را ﻧﺪارﻧﺪ‪.‬‬
‫‪ (2-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻛﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر از دﻳﺪ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬ﺳﻮرس‬

‫ﺑﻴﺸـﺘﺮ ﺷـﺪه و ﻛﺎﻧـﺎﻟﻲ در زﻳـﺮ‬ ‫را ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻛﺎﻓﻲ اﻓﺰاﻳﺶ دادهاﻳﻢ ﺑﻪﻃـﻮريﻛـﻪ از‬ ‫ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ از ﻃﺮﻳﻖ ﻛﺎﻧﺎل و ﺑﺎ ﺣﺮﻛﺖ ﺣﺎﻣﻞﻫﺎ ﺑـﻴﻦ ‪ D‬و ‪ S‬اﻳﺠـﺎد‬ ‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ‪ G‬ﺷﻜﻞ ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،nMOS‬ﻛﺎﻧﺎل ﺳﺎﺧﺘﻪﺷـﺪه در زﻳـﺮ ‪ G‬از ﺟـﻨﺲ اﻟﻜﺘـﺮون اﺳـﺖ‪،‬‬
‫ﺟﻬﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪ وﺟﻮد آﻣﺪه ﻋﻜﺲ ﺟﻬﺖ ﺣﺮﻛﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ )ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ( از ﺳﻮرس ﺑﻪ درﻳـﻦ اﺳـﺖ‪ .‬ﻟـﺬا‬
‫اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن وارد ﺷﻮﻧﺪه از ﺳﻤﺖ ‪ D‬اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪.(6-2‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :6-2‬ﺷﻴﻮه اﻳﺠﺎد ﺷﺪن ﺟﺮﻳﺎن‬

‫در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪.nMOS‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﺧﻄﻲ ﺑﻮده و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺷـﺒﻴﻪ ﺑـﻪ ﻳـﻚ‬ ‫ﺑﺎ‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬راﺑﻄﻪ‬ ‫در اﺑﺘﺪاي ﻛﺎر و ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻧﻴﺰ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ آن اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ‪،‬‬ ‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﻮد‪،‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﻄﻲ رﻓﺘﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻫﺮ ﭼﻪ‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣﺎ آﻳﺎ اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺎ اﺑﺪ اداﻣﻪ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ؟ ﺧﻴﺮ‪.‬‬
‫‪ ،‬دﻳـﻮد ‪ DB‬ﺑﻴﺸـﺘﺮ ﺑﺎﻳـﺎس‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ‪ Bulk‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ زﻣﻴﻦ ﻣﺘﺼﻞ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑـﺎ اﻓـﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸـﺘﺮ‬
‫ﻣﻌﻜﻮس ﺷﺪه و ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ ،7-2‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺨﻠﻴﻪ ﺣﻮل درﻳﻦ ﺑﺰرگ و ﺑﺰرگﺗﺮ ﻣﻲﺷـﻮد‪ .‬ﻟـﺬا ﻛﺎﻧـﺎل‬
‫‪ ،‬ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺨﻠﻴﻪ ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣـﻞ ﻛﺎﻧـﺎل را ﻓـﺮا‬ ‫و ﺑﻪ ازاي‬ ‫ﺷﻴﺐ ﭘﻴﺪا ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺷﺒﺎع ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ‪ ،‬ﺳﺮﻋﺖ‬ ‫و ﺑﻪ ازاي‬ ‫ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ‬
‫اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻫﻤﺎن ﺳﺮﻋﺖ اﺷﺒﺎع اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ ﻣﻴﺪان ﺑﺰرﮔﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪاي ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﻛﻮﭼﻚ اﻳﺠﺎدﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا‬
‫ﺷﺮط اﺷﺒﺎع ﺷﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪:nMOS‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪2‬‬
‫وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﻳﺎ وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﺘﻐﻴﺮ‬
‫‪ pMOS‬دارﻳﻢ‪:‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪,‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-2‬ﺑﺎر ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺎﻧﺎل ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪ -‬ﺳﻮرس و اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪.‬‬
‫‪ (3-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪﺻﻮرت‬

‫ﮔﺮاﻓﻴﻜﻲ و از روي وﺿﻌﻴﺖ وﻟﺘﺎژﻫﺎ‬
‫ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻛﺎﻓﻲ از‬ ‫ﺗﺎ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع اﺳﺖ ﻛﻪ‬
‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ ،8-2‬اﻳﻦ اﺧﺘﻼف ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑـﻪ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 8-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺮز ﻧﺎﺣﻴﻪ‬ ‫ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬ﺑﻪﻃﻮر ﺧﻼﺻﻪ‪:‬‬ ‫ﺣﺪ ﻳﻚ‬

‫اﺷﺒﺎع ﺑﺮاي دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪.‬‬ ‫|‬ ‫|‬ ‫اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،pMOS‬ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪.‬‬ ‫اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،nMOS‬ﺑﻪ ازاي‬
‫‪ (4-2‬ﺑﺪﺳﺖ آوردن راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪ -‬وﻟﺘﺎژ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪MOS‬‬

‫را‬ ‫را ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪداﺷﺘﻪ و ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ‬ ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 9-2‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ‬
‫از ﺻﻔﺮ اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ‪ .‬ﻣﻲﺧﻮاﻫﻴﻢ ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻛﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷـﻜﻞ ‪10-2‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺣﺎﻣﻞﻫﺎي ﻗﻄﻌﻪ را ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪:‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺑﺎر در ﻫﺮ ﻣﺘﺮ ‪:‬‬
‫‪7‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻣﺘﺮﺑﺮﺛﺎﻧﻴﻪ ‪⁄ :‬‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ :9-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻛﺎري ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺪرﻳﺠﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 10-2‬ﻣﻜﺎن ﺣﺎﻣﻞﻫﺎ در ﻗﻄﻌﻪ ﭘﺲ از ﮔﺬﺷﺖ ﻳﻚ ﺛﺎﻧﻴﻪ‪.‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ‬

‫‪ 11-2‬را ﺑﺎ ﻃﻮل ‪ L‬و ﻋﺮض ‪ W‬در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬اﮔﺮ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﺎ‬ ‫ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺷﻜﻞ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ‪0‬‬
‫رﺳﻴﺪن وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪ -‬ﺳﻮرس ﻫﺮ ﻧﻘﻄﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﺑﻪ‬
‫و ﻋﺒﻮر از وﻟﺘﺎژ ﻣﺰﺑﻮر‪ ،‬واروﻧﮕﻲ رخ‬
‫‪ ،‬ﺑﺎر آﻳﻨﻪﺷﺪه در زﻳﺮ ‪ G‬ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫داده و در آن ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎﻧﺎل ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ازاي‬
‫‪8‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺧـﺎزن ﮔﻴـﺖ‬ ‫ﺧﺎزن واﺣﺪ ﺳﻄﺢ ﮔﻴـﺖ و‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪،‬‬ ‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‬
‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫در واﺣﺪ ﻃﻮل ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 12-2‬وﺿﻌﻴﺖ ﻛﺎﻧﺎل ﻣﻮﺟﻮد در زﻳﺮ ﮔﻴﺖ را ﺑﻪ ازاي ‪0‬‬
‫در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﻛﺎﻧﺎل ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪) S‬ﻛﻪ ﻫﻢاﻳﻨﻚ ﺑﻪ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ زﻣﻴﻦ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ( را‬ ‫دﻫﺪ‪ .‬ﻣﺘﻐﻴﺮ‬
‫در ﻣﺤـﻞ درﻳـﻦ‬ ‫در ﻣﺤﻞ ﺳﻮرس ﺗﺎ‬ ‫‪0‬‬ ‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻣﻜﺎن‪ ،‬اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ از ‪0‬‬
‫اﺳﺖ و راﺑﻄﻪ ﺑﺎر ﺑﺮﺣﺴﺐ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ ‪ -‬ﻛﺎﻧﺎل در ﻫﺮ ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﺑﺎرﻣﻨﻔﻲ‬
‫‪9‬‬ ‫‪2‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 11-2‬ﺑﺎر ﻛﺎﻧﺎل ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس و درﻳﻦ ﺑﺮاﺑﺮ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 12-2‬ﺑﺎر ﻛﺎﻧﺎل ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس و درﻳﻦ ﻧﺎﺑﺮاﺑﺮ‪.‬‬
‫ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ‪:‬‬
‫وﻟﺘﺎژ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ‪:‬‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ‬ ‫‪10‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺗﺤﺮك ﭘﺬﻳﺮي ‪:‬‬

‫ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺗﺤﺮﻳﻚﭘﺬﻳﺮي اﻟﻜﺘﺮون ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫و ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬
‫‪11‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪12‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪13‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫و ﺑﺮاﺑــﺮ ﺑــﺎ ﺻــﻔﺮ ﻗــﺮار دادن آن‪ ،‬ﻣﺘﻮﺟــﻪ ﻣــﻲﺷــﻮﻳﻢ ﻛــﻪ راﺑﻄــﻪ ﺑــﻪازاي‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺑــﺎ ﻣﺤﺎﺳــﺒﻪ ﻣﺸــﺘﻖ‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪ .(13-2‬اﻳﻦ ﻣﻘﺪار ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺷﺒﺎع ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن درﻳـﻦ ﺑـﻪ ﺻـﻮرت ﻧﺸـﺎن‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫داده ﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ‪ 14-2‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪ :CMOS‬ااز ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي | ‪25‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪13-2‬ﺟ‬
‫ﺳﻮرس در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد‪.‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪MO‬‬
‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ‪OS‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪MO‬‬
‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ‪OS‬‬
‫‪0.3‬‬ ‫‪0.3‬‬
‫‪16‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 14‬اﺷﺒﺎع ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ در‬

‫ﺷﻜﻞ‪4-2‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪.nMOS‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺣﺎﻛﻢ ﺑﺮ ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ‬

‫زﻳﺮ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪:‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد‬
‫‪MOS‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ‪.‬‬
‫‪,‬‬
‫‪17‬‬ ‫‪2‬‬
‫وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪ -‬ﺳﻮرس اﺷﺒﺎع ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺑﺎﻻ‬
‫ﺗﻌﺮﻳﻒ ژ‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪18‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑـﺎ اﺛﺒـﺎت ﺑـﺎﻻ‬ ‫ﻣﺴﺘﻘﻞ از وﻟﺘﺎژ‬ ‫ﺑﺎ اﺷﺒﺎع ﺷﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪه آل‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ رواﺑﻂ ﻣﺸﺎﺑﻬﻲ ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ pMOS‬و ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺎ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﺎدﻫﺎي ﻣﻌﺎدل وﺟﻮد دارد‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪2‬‬
‫‪19‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ‪،‬‬ ‫در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد و ﺑﻪ ازاي‬
‫‪2‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪-15-2‬اﻟﻒ دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳـﺎن درﻳـﻦ ﺑـﺎ وﻟﺘـﺎژ‬
‫در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓـﺖ‬ ‫ﺧﻄﻲ اﺳﺖ و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻛﻨﺘﺮل ﺷﻮﻧﺪه ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ‬
‫)ﺷﻜﻞ ‪-15-2‬ب(‪ .‬ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﻮردﻧﻈﺮ‪ ،‬ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪)15-2‬اﻟﻒ( ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺧﻄﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ؛ )ب( ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﻄﻲ ﻛﻨﺘﺮلﺷﺪه‪.‬‬
‫در ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬ ‫‪ (5-2‬ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‪ :‬رواﺑﻂ ﺟﺮﻳـﺎﻧﻲ ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه در ﺑـﺎﻻ‪ ،‬ارﺗﺒـﺎط‬
‫ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﺪ ﻛﻪ ﻣﻴﺰان ﺑﺎر اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ در ﻣﻜـﺎن ‪x‬‬ ‫اﺷﺒﺎع را ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﺎﻻ ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ‪ .‬از راﺑﻄﻪ‬
‫ﺷﻮد ﺑﻪ ﺻﻔﺮ ﻣﻲرﺳﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪن ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﺗﻬـﻲ ﺑـﻪ روي ﻛﺎﻧـﺎل در‬ ‫اي ﻛﻪ‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع‪ ،‬ﻣﻴﺰان ﺑﺎر ﻛﺎﻧﺎل در ﻣﻜﺎن ﻃﻮل ﻣﺆﺛﺮ ﻛﺎﻧﺎل ) ﺑﻪﺟﺎي ( ﺑﻪ ﺻﻔﺮ ﺧﻮاﻫﺪ رﺳﻴﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(16-2‬‬
‫( و ﻧﻴﺰ ﺑﻪ‬ ‫‪0,‬‬ ‫)و ﻧﻪ‬ ‫‪0,‬‬ ‫ازاﻳﻦروي‪ ،‬در ﻳﻚ ﺗﺤﻠﻴﻞ دﻗﻴﻖ ﺑﺎﻳﺪ اﻧﺘﮕﺮالﮔﻴﺮي را ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺷﻜﻞ‪16-2‬رﻓﺘﺎر اﻧﺴﺪاد ﻛﺎﻧﺎل‪.‬‬
‫اﻧﺠﺎم داد‪:‬‬ ‫‪0,‬‬ ‫ازاي‬

‫‪1‬‬
‫‪21‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪:‬‬ ‫ﺑﻮده و ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ آن‪،‬‬ ‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﻮل ﻣﺆﺛﺮ ﻛﺎﻧﺎل‪ ،‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ‬
‫~ ∆‬ ‫‪22‬‬ ‫‪2‬‬
‫∆‬
‫‪23‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﻟﺬا‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪∆ ⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪2‬‬
‫∆‬ ‫‪1‬‬ ‫‪∆ ⁄‬‬
‫درﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ‪MOS‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪1‬‬ ‫در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ‪MOS‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫اﺳﺖ و ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺿﺮﻳﺐ ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ‬
‫‪ nMOS‬اﺛﺮ ﻛﻤﺘﺮي از ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬ﺳﻮرس ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 17-2‬اﺛﺮ دو ﺑﺮاﺑـﺮ ﺷـﺪن ﻃـﻮل را ﺑـﺮ‬
‫روي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠـﻲ‪ ،‬ﻫﺮﭼـﻪ ﻛﻮﭼـﻚﺗـﺮ ﺑﺎﺷـﺪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺑـﻪ‬
‫ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﻧﺰدﻳﻚﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد و اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ‪ L‬ﺑﺰرگﺗﺮ‪ ،‬ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 17-2‬اﺛﺮ دو ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‪.‬‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ‬

‫آن ﻧﻴﺴﺖ و ﻣﻲﺗﻮان آن را ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫اﻳــﺪهآل ﻓــﺮض ﻛــﺮد )ﺷــﻜﻞ ‪ .(18-2‬ﻫــﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘــﺎﻟﻲ‬
‫ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﺘﻐﻴـﺮ در‬ ‫در ﻳﻚ‬ ‫ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺑﺰرگ‬ ‫∆‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ‬ ‫∆‬ ‫ﺑﺰرگ‬

‫‪2‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 19-2‬راﺑﻄﻪ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ را ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ و ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ و ﺑـﺎ ﺛﺎﺑـﺖ ﻧﮕـﺎهداﺷـﺘﻦ ﻫـﺮ ﻳـﻚ از‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺪاري ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-2‬ﻣﻌﺎدل ﺑﻮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺪون ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن اﻳﺪه آل‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 19-2‬ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ MOS‬ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ و ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ‪.‬‬

‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ‪ ،‬ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ را ﻧﻤﻲﺗﻮان از رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻳـﺪ از‬
‫راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪ -‬وﻟﺘﺎژ در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ )راﺑﻄﻪ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﻗﺒﻞ از ﺷﻜﻞ ‪ (15-2‬ﻣﺸﺘﻖﮔﻴﺮي ﻛﺮد‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ (6-2‬اﺛﺮات ﻣﺮﺗﺒﻪ دوم در ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫‪ -1‬اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ در ﻏﻴﺮ اﻳﻦ ﺻﻮرت اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﺸﺨﺼﻪ‬ ‫ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫وﻟﺘﺎژ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻌﻜﻮس ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﭼﺮاﻛـﻪ ﺣﻔـﺮهﻫـﺎي ﺑﻴﺸـﺘﺮي ﺟـﺬب‬ ‫درﻋﻤﻞ وﻗﺘﻲ‬
‫ﺧﻮاﻫـﺪ‬ ‫و درﻧﺘﻴﺠـﻪ اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻟﻚ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(20-2‬اﻳﻦ ﻣﻮرد ﺑﺎﻋـﺚ اﻓـﺰاﻳﺶ‬
‫ﺷﺪ‪ ،‬ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻫﻤﭽﻨﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﺧﻮد را ﺣﻔﻆ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد‪:‬‬
‫‪|2‬‬ ‫|‬ ‫|‪2‬‬ ‫|‬ ‫‪30‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ ،‬ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ اوﻟﻴﻪ ﻳﺎ‬
‫‪ 0.3‬اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻣﺘﻐﻴﺮ ﺿﺮﻳﺐ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ‪0.4√V‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 20-2‬اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺑﺎر ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ وﻟﺘﺎژ ﺑﺪﻧﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪.nMOS‬‬
‫را در ﺷـﺮاﻳﻄﻲ رﺳـﻢ‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-2‬در ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ ،21-2‬ﺟﺮﻳـﺎن‬

‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﺎﺑﻴﻦ ‪∞, 0‬‬ ‫ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 21 -2‬ﻣﺪار ﻣﺜﺎل ‪.1-2‬‬
‫‪0.6V,‬‬ ‫‪0.4√V, 2‬‬ ‫‪0.7V‬‬
‫از آن ﻛﻮﭼـﻚﺗـﺮ ﺷـﺪه و‬ ‫ﺑـﻪ ﺣـﺪي زﻳـﺎد ﺷـﻮد ﻛـﻪ‬ ‫ﺧﻴﻠـﻲ ﻣﻨﻔـﻲ‪،‬‬ ‫ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑـﻪ ازاي‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺧﺎﻣﻮش ﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ازاي ﺷﺮاﻳﻂ زﻳﺮ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪1.2V‬‬ ‫‪0.6V‬‬ ‫‪0.4‬‬ ‫‪0.7‬‬ ‫‪√0.7‬‬
‫‪ ،‬ﺟﺮﻳــﺎن‬ ‫ﺧﻮاﻫــﺪ ﺑــﻮد‪ .‬ﺑــﻪ ازاي ‪0‬‬ ‫‪ ،‬ﺟﺮﻳــﺎن ‪0‬‬ ‫ﺗــﺎ وﻟﺘــﺎژ ‪4.76V‬‬
‫ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ زﻳﺎد ﻣﻲﺷﻮد و دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :22-2‬ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ وﻟﺘﺎژ‪.‬‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر در اﺷـﺒﺎع‬ ‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ ﻣﻘـﺪار‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 22-2‬ﻧﻤﻮدار ﺣﺎﺻﻞ را ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫اﺳﺖ و ﺑﺮاي ﻫﻤﻴﻦ از راﺑﻄﻪ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮدﻳﻢ‪ .‬اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻧﺎﺧﻮﺷﺎﻳﻨﺪ اﺳﺖ‪.‬‬
‫و درﻧﺘﻴﺠـﻪ‬ ‫ﺗﻮﻗـﻊ دارﻳـﻢ ﻛـﻪ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪-23-2‬اﻟﻒ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﺑـﻮدن‬
‫ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ -23-2‬ب(؛ اﻣﺎ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ وﺟﻮد اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ و ﺗﻐﻴﻴـﺮات وﻟﺘـﺎژ آﺳـﺘﺎﻧﻪ‪،‬‬ ‫و‬ ‫اﺧﺘﻼف‬
‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻋﻤﻠﻲ ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه ﺷﻜﻞ ‪ -23-2‬ج ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪) 23-2‬اﻟﻒ( ﻣﺪاري ﻛﻪ در آن وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس‪ -‬ﺑﺪﻧﻪ ﺑﺎ ورودي ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ؛ )ب(وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺪون اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ؛‬
‫)ج( وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ورودي ﺑﺎ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ‪.‬‬
‫‪ -2‬ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‬

‫ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺧﻮﺷﺎﻳﻨﺪ ﻧﻴﺴﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻗﺒﻼً اﺷﺎره ﺷﺪ‪ ،‬اﻳﻦ اﺛﺮ ﺑﺎﻋﺚ واﺑﺴﺘﮕﻲ اﻧﺪك‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪31‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪ -3‬ﻫﺪاﻳﺖ در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ آﺳﺘﺎﻧﻪ )واروﻧﮕﻲ ﺿﻌﻴﻒ(‬

‫‪ ،‬ﻛﺎﻣﻼً ﺧﺎﻣﻮش ﺧﻮاﻫﺪ‬ ‫ﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از‬ ‫در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻗﺒﻞ ﭼﻨﻴﻦ ﻓﺮض ﺷﺪ ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻣﺤﺪودي وﺟﻮد دارد ﻛـﻪ ﻣﺒﻨـﺎي اﻳﺠـﺎد‬ ‫و ﺣﺘﻲ ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از آن‪،‬‬ ‫ﺑﻮد‪ .‬در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ ازاي‬
‫دارﻳﻢ‪:‬‬ ‫ﻫﺪاﻳﺖ زﻳﺮآﺳﺘﺎﻧﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺑﻪ ازاي ‪200mV‬‬
‫ﺿﺮﻳﺐ ﻏﻴﺮ اﻳﺪه آل ‪1‬‬
‫‪exp‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪2‬‬
‫در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي دوﻗﻄﺒﻲ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ‪ ،‬راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن ﻛﻮﭼﻚ اﻧﺘﺨﺎب ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺮاي ﻛﺎر در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ‪ -‬آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺑﺎﻳﺪ‬
‫ﺑﺰرگ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪ ،‬اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﺑﻪ ازاي ‪ I‬ﻛﻮﭼﻚ و ﻳﺎ ﻧﺴﺒﺖ ‪⁄‬‬ ‫‪2 ⁄‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮآﺳﺘﺎﻧﻪ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي دوﻗﻄﺒﻲ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪33‬‬ ‫‪2‬‬
‫و ﻧـﻪ‬ ‫(‪ ،‬راﺑﻄـﻪ ﺑـﺎﻻ ﻣﺘﻨﺎﺳـﺐ ﺑـﺎ‬ ‫‪2‬‬ ‫ﺑﺮﺧﻼف راﺑﻄﻪ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع )‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺗﺮﻏﻴﺐ ﺷﻮﻳﻢ ﻛﻪ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘـﺎﻟﻲ ﺑـﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر را در ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬
‫ﺑﺴـﻴﺎر ﺑـﺰرگ‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ و ﻳـﺎ ﻧﺴـﺒﺖ ‪⁄‬‬ ‫زﻳﺮآﺳﺘﺎﻧﻪ ﻗﺮار دﻫﻴﻢ‪ .‬اﻣﺎ ﭼﻮن دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻫﺪف ﻣﺴﺘﻠﺰم‬
‫اﺳﺖ‪ ،‬ﺧﺎزنﻫﺎي ﭘﺎرازﻳﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگﺗﺮ ﺷﺪه و ﺳﺮﻋﺖ ﺑﻪﺷﺪت ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫‪ -4‬ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎي ﺷﻜﺴﺖ وﻟﺘﺎژي‬
‫ﻧﻮاﺣﻲ ﺗﻬﻲ آن‬ ‫ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻛﺴﻴﺪ ﮔﻴﺖ ﻣﻲﺷﻜﻨﺪ‪ .‬در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ‪ L‬ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﻗﺪر اﻃﺮاف ‪ D‬ﮔﺴﺘﺮش ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﻛﻪ ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﺑﻪ ‪ S‬رﺳﻴﺪه و ﺑﺎﻋﺚ اﻳﺠﺎد ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻻ و ﻏﻴﺮﻗﺎﺑﻞﻛﻨﺘﺮل‬
‫ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﺑﻪ اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﺷﻜﺴﺖ ﺑﻬﻤﻨﻲ‬
‫‪ -5‬ﺳﺎﻳﺮ اﺛﺮات ﻣﺮﺗﺒﻪ دوم‬

‫ﻣﺠﺎز ﻛﻢ ﻧﻤـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﻳـﻚ راه ﻣﻤﻜـﻦ‬ ‫ﺑﻪ ﻫﻤﺎن ﺳﺮﻋﺖ ﻛﺎﻫﺶ‬ ‫ﻣﺘﺄﺳﻔﺎﻧﻪ در ﻓﻦآوريﻫﺎي ﻓﻌﻠﻲ‪،‬‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪي ﻛﻪ ﭘﻴﻮﻧـﺪﻫﺎي ﻣﻌﻜـﻮس ﻫﻤﭽﻨـﺎن ﺧـﺎﻣﻮش‬ ‫آن اﺳﺖ ﻛﻪ‬ ‫وﻟﻲ ﺧﻄﺮﻧﺎك ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ‬
‫ﺑﻤﺎﻧﻨﺪ اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻨﺪ‪ .‬ﻣﺸﻜﻞ دﻳﮕﺮ در ﻓﻦآوريﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮ‪ ،‬واﺑﺴﺘﮕﻲ اﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫـﺎ و ﺣﻔـﺮهﻫـﺎ ﺑـﻪ‬
‫ﺗﻨﻬـﺎ‬ ‫ﻣﻴﺪان ﻋﻤﻮدي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﻮد ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻋﺎدي‪،‬‬
‫ﺑﻪوﺟﻮد ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫در اﺛﺮ ﻣﻴﺪان اﻓﻘﻲ ﻧﺎﺷﻲ از وﻟﺘﺎژ‬
‫‪.‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ (7-2‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪MOS‬‬

‫در ﺑﺴﻴﺎري از ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﺎﻳـﺎس ﻣـﻲﺷـﻮﻧﺪ و ﻣـﺪل اراﺋـﻪﺷـﺪه در اﻳـﻦ‬
‫ﻗﺴﻤﺖ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻛﺎري ﻣﻮردﻧﻈﺮ اﺧﺘﺼﺎص دارد‪ .‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻮﭼﻚ در‬
‫ﻳﻜﻲ از ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎ ﻳﺎ وﻟﺘﺎژﻫﺎ و ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﺄﺛﻴﺮ آن ﺑﺮ روي ﭘﺎراﻣﺘﺮ دﻳﮕﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﻨﺪ‪.‬‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻧﺴﺒﺖ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻮﭼﻚ‬
‫‪2‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪2‬‬
‫را ﺑﺎ ﻫﻢ اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ‪.‬‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ‬ ‫اﻳﻦ ﺑﺪان ﻣﻌﻨﺎﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ در اﺛﺮ ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳـﺪ‪ .‬ﺑـﺮاي ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ آن ﺑﺎﻳـﺪ‬ ‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ دﻳﮕﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ i‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺰﺋﻲ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪. 36 2‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺗﺄﺛﻴﺮ زﻳﺎدي ﺑﺮ ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ دارد‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫ﺑﻬﺮه و ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ را ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻗﺮار داده و آﻧﻬﺎ را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در ﻋﻤﻞ‬
‫‪1⁄‬‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳﺎس ﻛﻤﺘﺮ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ درﻳـﻦ‪ -‬ﺳـﻮرس‬

‫‪37‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺮ و ﻃﻮل ﮔﻴﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎﻻﺗﺮي دارﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎﻋـﺚ‬ ‫ﺑـﻪ وﺟـﻮد ﻣـﻲآﻳـﺪ‪ .‬ﺗﻐﻴﻴـﺮات‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫اﺳﺖ ﻛﻪ در اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ دﻳﮕﺮ‪،‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و ﻣﺘﻌﺎﻗﺐ آن در ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫اﻳﺠﺎد ﺗﻐﻴﻴﺮ در‬
‫‪,‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪η‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪39‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪|2‬‬ ‫|‬
‫ﻟﺬا‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪η‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪|2‬‬ ‫|‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ‪ η‬در ﺣﺪود ‪ 0.2‬اﺳﺖ و در ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﺪارﻫﺎ )ﺑﻪاﺳﺘﺜﻨﺎي ﻣﺪار ﮔﻴـﺖ‪ -‬ﻣﺸـﺘﺮك( ﻣﻀـﺮ اﺳـﺖ‪.‬‬
‫ﺧﺎزنﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪل ﭘﻴﭽﻴﺪهﺗـﺮ ﺷـﻜﻞ‪ ،24-2‬از ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻓﻴﺰﻳﻜـﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﻧﺸـﺎت ﻣـﻲﮔﻴﺮﻧـﺪ‪ .‬اﮔـﺮ‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﺳﻪﺑﻌﺪي ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﻧﮕﺎه ﻛﻨﻴﻢ‪ ،‬ﺷﻜﻞ ‪ 25-2‬را ﺧﻮاﻫﻴﻢ دﻳﺪ‪ .‬در ﻣﻮﻗﻊ ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬ﻧﻮاﺣﻲ ‪S‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫)ب(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪) :24-2‬اﻟﻒ(‪ :‬ﻣﺪل ﺳﺎدهﺗﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ )ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﭘﺎﻳﻴﻦ(‪) ،‬ب( ﻣﺪل ﭘﻴﭽﻴﺪهﺗﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :25-2‬ﻧﻤﺎي ﺳﻪﺑﻌﺪي و ﻋﻤﻮدي اﻓﺰاره ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫و ‪ D‬ﺗﻮﺳﻂ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﻤﺒﺎران )‪ (Dope‬ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﭘﺲازآن‪ ،‬ﺑﺮاي آﻧﻜﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﻛﻤﻲ ﺗﺮﻣﻴﻢ ﺷـﻮد‬
‫ﻣﻘﺪاري ﺣﺮارت ﺑﻪ آن اﻋﻤﺎل ﮔﺮدﻳﺪه و درﻧﺘﻴﺠﻪ آن ﻛﻤﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﻧﻔـﻮذ ﭘﻴـﺪا ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪.‬‬
‫‪ ،‬و ﻣﺤــﻴﻂ درﻳــﻦ و ﺳــﻮرس‬ ‫و‬ ‫ﺑــﺮاي ﻧــﻮاﺣﻲ درﻳــﻦ و ﺳــﻮرس ﺑــﺎ ﺳــﻄﺢ ﻣﻘﻄــﻊ ﺑــﻪ ﺗﺮﺗﻴــﺐ‬
‫‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان راﺑﻄﻪ ﺧﺎزنﻫﺎ را ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫و‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪F‬‬ ‫‪F‬‬
‫‪µm‬‬ ‫‪µm‬‬ ‫‪41‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪42‬‬ ‫‪2‬‬
‫از‬ ‫ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺧﺎزنﻫﺎي ﭘﻴﻮﻧﺪي دﻳﺪهﺷﺪه از دﻳﻮارهﻫﺎ و از ﻛﻒ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺧـﺎزن‬ ‫و‬ ‫در رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ‬
‫ﻧﻮع اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ اﺳﺖ و ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪µm‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪ ،‬ﻣﺘﻔﺎوت از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﻨﺪ‪:‬‬ ‫و‬ ‫رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺑﺮاي دو ﺧﺎزن‬
‫ﺑﻪﺗﺴﺎوي ﺑﻴﻦ درﻳﻦ و ﺳﻮرس ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬ ‫‪ -1‬در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻛﻪ ﻛﺎﻧﺎل در ﺣﺎل ﺷﻜﻞﮔﻴﺮي اﺳﺖ‪،‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪ -2‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﻄﻊ ﻛﺎﻧﺎل در ﻧﺎﺣﻴﻪ درﻳﻦ‪ ،‬ﺧﺎزن‬
‫‪2‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ (8-2‬ﻣﺪلﻫﺎي ‪ Spice‬ﺑﺮاي ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي رﻓﺘﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫از ﭼﻨﻴﻦ ﻣﺪلﻫﺎﻳﻲ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي راﻳﺎﻧﻪاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ CMOS‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﻛﺘﺎب‪ ،‬از‬
‫ﻧﺮماﻓﺰار ‪ Hspice‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي ﻣﺪارﻫﺎ اﺳﺘﻔﺎدهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬درﺣﺎل ﺣﺎﺿﺮ اﻳـﻦ ﻣـﺪلﻫـﺎ ﺑﺴـﻴﺎر ﭘﻴﭽﻴـﺪه‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺷﺎﻣﻞ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎدي ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﻳﻚ ﻣﺜﺎل ﺳﺎده از ﻧﺤﻮه ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻳـﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺑـﺎ ﻣـﺪل‬
‫‪ Level 1‬را در اﻳﻨﺠﺎ ﻣﻲآورﻳﻢ‪:‬‬
‫ﻧﺤﻮه ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺧﻮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪:‬‬
‫‪D‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪B‬‬ ‫‪nch‬‬ ‫ﭼﻨﺪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﻮازي ?=‪m‬‬
‫اﮔﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگ ﺑﺎﺷﺪ ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ ‪ m‬آن را ﺑﻪ ﭼﻨﺪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ W‬ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﻣﻲﺷﻜﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻧﺤﻮه ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﺪل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪:‬‬
‫‪.model nch LEVEL=1‬‬

‫‪VTO‬‬ ‫|‬ ‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺑﻪ ازاي ‪0‬‬
‫…=‪Gamma‬‬
‫…=‪PHI‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪TOX‬‬
‫… = ‪NSUB‬‬ ‫ﻣﻴﺰان ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ زﻣﻴﻨﻪ‬
‫اﻧﺘﺸﺎر ﺟﺎﻧﺒﻲ ﺳﻮرس و درﻳﻦ‬ ‫)‬
‫اﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ‬
‫… = ‪LAMBDA‬‬
‫… = ‪CJ‬‬ ‫‪F‬‬
‫‪m‬‬
‫‪F‬‬
‫… = ‪CJSW‬‬ ‫‪m‬‬
‫… = ‪MJ‬‬ ‫ﺗﻮان رادﻳﻜﺎل در ﺗﻮاﺑﻊ‬
‫… = ‪MJSW‬‬ ‫ﺗﻮان رادﻳﻜﺎل در ﺗﻮاﺑﻊ‬
‫‪F‬‬
‫… = ‪CGDO‬‬ ‫ﺑﺮاي ﭘﻴﻮﻧﺪ ﮔﻴﺖ‪-‬درﻳﻦ‬ ‫‪m‬‬
‫‪F‬‬
‫… = ‪CGSO‬‬ ‫ﺑﺮاي ﭘﻴﻮﻧﺪ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس‬ ‫‪m‬‬
‫… = ‪JS‬‬ ‫‪ A m‬ﺟﺮﻳﺎن ﻧﺸﺘﻲ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي درﻳﻦ درﻳﻦ ﺳﻮرس ﺑﺮ ﺳﻄﺢ‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺮ آن‪ ،‬در ﻫﻤﻪ ﺣﺎﻻت اﺳﺘﻔﺎده از‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪاﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ ﺑﺎﻻﺗﺮ اﻟﻜﺘﺮون در ﻣﻘﺎﺑﻞ ﺣﻔﺮه و‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﺎزدﻫﻲ و ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻﺗﺮ ﺗﺮﺟﻴﺢ داده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺗﻤﺎﻣﻲ رواﺑﻂ ﺑﻪدﺳﺖآﻣﺪه در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺎ ﻛﺎﻧﺎل ﺑﻠﻨﺪ )‪ (> 4 µm‬ﺻﺤﻴﺢ ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﻛﺎﻧﺎل ﻛﻮﺗﺎه رواﺑﻂ ﺗﻘﺮﻳﺒـﻲ ﻣـﻲﺷـﻮﻧﺪ و ﺑﺎﻳـﺪ ﻣـﺪلﺳـﺎزي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺑـﻪدﻗـﺖ و ﺑـﺎ‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺑﻴﺸﺘﺮ اﻧﺠﺎم ﺷﻮد‪ .‬ﻧﺮماﻓﺰارﻫﺎي ﺷﺒﻴﻪﺳﺎز‪ ،‬اﻳﻦ ﻛﺎر را ﺑﻪدرﺳﺘﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪.‬‬
‫‪ (9-2‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺧﺎزن‬

‫‪،‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 26-2‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ را ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺧﺎزن ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻨﻔﻲ‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺠﻤﻌﻲ دارﻳﻢ و ﺣﻔﺮهﻫﺎ ﺑﻪ زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﻛﺸﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺧﺎزن دﻳﺪهﺷﺪه ﺑﻴﻦ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي ﮔﻴﺖ و‬
‫‪ ،‬واروﻧﮕﻲ ﻗﻮي دارﻳـﻢ و ﺑـﺎ ﺷـﻜﻞﮔﻴـﺮي‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬ ‫ﺑﺎﻟﻚ‪ ،‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻨﻬﺎ ﻣﺸﻜﻞ ﺧﺎزن ﻣﻮردﻧﻈﺮ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﺨﻠﻴﻪ ﺣﺎﻣـﻞﻫـﺎ از‬ ‫ﻛﺎﻧﺎل‪ ،‬ﻣﺠﺪداً ﺧﺎزن‬
‫ﺑـﺎ‬ ‫‪) 0‬ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮآﺳﺘﺎﻧﻪ(‪ ،‬ﺧـﺎزن دﻳـﺪهﺷـﺪه ﺗﺮﻛﻴـﺐ ﺳـﺮي‬ ‫زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻘﺪار ﺧﺎزن در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻛﻮﭼﻚﺗـﺮ اﺳـﺖ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪ 27-2‬ﺷـﺒﻴﻪﺳـﺎزي رﻓﺘـﺎر ﺧـﺎزن‬
‫‪ ،‬اﻳﻦ ﺧﺎزن داراي ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺑﺎﻻ ﺑﻮده و از‬ ‫ﻣﺎﺳﻜﭗ را در ﻳﻚ ﭘﺮوﺳﻪ ﻧﺎﻧﻮ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻋﺮض ﻛﻢ‬
‫‪ 5‬اﺳﺖ‪ .‬ﺧﺎزن ﻣﺠﺘﻤﻊ دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺧﺎزنﻫﺎي ‪ MIM‬ﻳﺎ ‪ MOM‬ﻣﻮﺟﻮد در ﭘﺮوﺳـﻪﻫـﺎي‬ ‫ﻣﺮﺗﺒﻪ ‪7 fF⁄µm‬‬
‫‪ 0.4‬دارﻧﺪ‪.‬‬ ‫ﺳﺎﺧﺖ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﻛﺎﻣﻼً ﺧﻄﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬اﻣﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺑﻪﻣﺮاﺗﺐ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ‪1 fF⁄µm‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 26-2‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺧﺎزن‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 27-2‬رﻓﺘﺎر ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫‪ (10-2‬ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫ﺳﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺑﺮ روي وﻳﻔﺮ ﺧﺎﻟﺺ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ‪ ،‬اﻛﺴﻴﺪ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن‬
‫و ﻣﺎﺳﻚﻫﺎي ﻃﺮاﺣﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴـﺮد‪ .‬ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﺳـﺎﺧﺖ ﮔﻴـﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‪ ،‬ﺑـﺮ روي ﻛـﻞ وﻳﻔـﺮ اﻛﺴـﻴﺪ‬
‫ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﻗﺮار داده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ اﻛﺴﻴﺪ ﻧﻤﻮدن ﺧﻮد ﺳﻄﺢ ﻧﻴﺰ اﻧﺠﺎم داد‪ .‬ﺳﭙﺲ از ﻳﻚ ﻣﺎده‬
‫ﺣﺴﺎس ﺑﻪ ﻧﻮر )‪ (PR‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺎﺳﻚﻫﺎي ﻃﺮاﺣﻲ‪ ،‬ﻧﻮردﻫﻲ در ﺳﻄﻮح ﻣﺸﺨﺼﻲ از روي‬
‫ﺳﻄﺢ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ در آن ﻧﻘﺎط‪ ،‬ﻣﺎده ﺣﺴﺎس ﺑﻪ ﻧﻮر ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﺎﻫﻴﺖ داده و در ﻣﺤﻠـﻮل ﻏﻴﺮﻗﺎﺑـﻞﺣـﻞ ﺷـﻮد‪.‬‬
‫ﺳﺎﻳﺮ ﻧﻮاﺣﻲ را در ﺣﻼل ﺣﻞ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و اﻛﺴﻴﺪ را در آن ﻧﻘﺎط ﻣﻲﺗﺮاﺷﻨﺪ‪ .‬درﻧﻬﺎﻳﺖ ﻛﻞ ﺳﻄﺢ را ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ‬
‫ﺑﻤﺒﺎران ﻳﺎ ‪ doping‬ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﺗﺎ در ﻧﻘﺎﻃﻲ ﻛﻪ اﻛﺴﻴﺪ ﺗﺮاﺷﻴﺪه ﺷﺪه اﺳـﺖ‪ ،‬ﺑـﻪ داﺧـﻞ ﺑﺴـﺘﺮ راه ﻳﺎﺑﻨـﺪ‪ .‬ﺣﻀـﻮر‬
‫اﻛﺴﻴﺪ‪ ،‬ﺧﻮد ﻧﻘﺶ ﻣﺎﺳﻚ را ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ درﻳﻦ و ﺳﻮرس و ﺟﺪا ﻛﺮدن آﻧﻬﺎ از ﮔﻴﺖ دارد‪ .‬ﺑﻪﻃﻮر ﺧﻼﺻﻪ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 28-2‬ﻧﺤﻮه ﺳﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﭘﺮوﺳﻪ ‪.CMOS‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻣﺮاﺣﻞ ﺳﺎﺧﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ را ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي زﻳﺮ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪:(28-2‬‬
‫‪Mask1: Well‬‬
‫ﻣﺸﺨﺺ ﻧﻤﻮدن ﺑﺴﺘﺮ ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪pMOS‬‬
‫‪Mask2: Gate Oxide‬‬
‫ﺗﺮاﺷﻴﺪن اﻛﺴﻴﺪ ﮔﻴﺖ‬
‫)‪Mask3: Gate (Poly-Silicon‬‬
‫از ﭘﻠﻲ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ ﮔﻴﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨـﺪ ﭼﺮاﻛـﻪ اﮔـﺮ ﻓﻠـﺰ ﺑﺎﺷـﺪ در ﻣﺮاﺣـﻞ ﺑﻌـﺪي و ﺑـﺎ اﻋﻤـﺎل‬
‫ﺣﺮارت ذوب ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪Mask4:‬‬
‫ﻣﺎﺳﻚ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ درﻳﻦ و ﺳﻮرس؛ در اﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺧﻮد ﮔﻴﺖ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺤﺎﻓﻆ در ﻣﺤﻞ ﺧـﻮد ﻋﻤـﻞ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬در‬
‫ﻏﻴﺮاﻳﻦﺻﻮرت ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻣﺎﺳﻚ ﺟﺪﻳﺪ ﻛﻤﻲ ﺟﺎﺑﺠﺎ ﺷﺪه و ﮔﻴﺖ اﻳﺠﺎدﺷﺪه ﺑﺎ درﻳﻦ و ﺳﻮرس ﻫﻤﭙﻮﺷـﺎﻧﻲ‬
‫ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺑﺴﺘﺮﻫﺎ ﻧﻴﺰ رﻳﺨﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫و‬ ‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ‪ ،‬ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ‬
‫‪Mask5:‬‬
‫ﻣﺎﺳﻚ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻧﻮاﺣﻲ ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ‪ p‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪Mask6:‬‬
‫ﻣﺎﺳﻚ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ اﺗﺼﺎﻻت ﻓﻠﺰي ﺑﻮده و ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻻﻳﻪ‪ ،‬ﻳـﻚ ﻣﺎﺳـﻚ ﻣﺠـﺰا ﻻزم ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬در اﻳـﻦ‬
‫‪ 0.13‬از ﻳﻚ ﻻﻳﻪ ﭘﻠﻲ‬ ‫ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺗﺎ ‪ 10‬ﻻﻳﻪ ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬در ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ‬
‫‪0.13‬‬ ‫‪1p-8m‬‬ ‫ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن و ﻫﺸﺖ ﻻﻳﻪ ﻓﻠﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪﺻﻮرت ﻧﻤﺎدﻳﻦ‪:‬‬
‫‪ (11-2‬ﻧﺤﻮه ﻛﺸﻴﺪن ﻧﻘﺸﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار ﻳﺎ ‪Layout‬‬

‫ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻻزم اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻘﺸﻪ ﻣﺪار ﺑﻪ ﻛﺎرﺧﺎﻧﻪ ﺳﺎزﻧﺪه ارﺳﺎل ﺷﻮد اﻳﻦ ﻧﻘﺸﻪ ﻣﺸـﺨﺺ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﻛﻨﺪ ﻛﻪ در ﻛﺪام ﻧﻮاﺣﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ رﻳﺨﺘﻪ ﺷﻮد و ﭼﻪ ﻣﻨﺎﻃﻘﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ اﻛﺴﻴﺪ و ﻓﻠﺰ ﭘﻮﺷﺎﻧﺪه ﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ -1‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 29-2‬ﻧﺤﻮه ﻛﺸﻴﺪن ﻳﻚ ﮔﻴﺖ ﻣﻨﻄﻘﻲ را ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺑـﺰرگ و از ﻣﺮﺗﺒـﻪ ‪ 200-300‬ﺳـﺮوﻛﺎر دارﻳـﻢ‪ .‬اوﻻً‬ ‫‪⁄‬‬ ‫در ﻋﻤﻞ زﻳﺎد اﺗﻔﺎق ﻣﻲاﻓﺘﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ ﻧﺴﺒﺖﻫﺎي‬
‫ﺑﺰرگ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ را ﻧﻤﻲدﻫـﺪ و ﺛﺎﻧﻴـﺎً ﺑـﺎ ﻓـﺮض‬ ‫ﻛﺎرﺧﺎﻧﻪ ﺳﺎزﻧﺪه اﺟﺎزه ﺗﻌﺮﻳﻒ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ‬
‫ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺣﺎﺻﻞ ﺧﻴﻠﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﻳﺰرگ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬راهﺣﻞ ﺷﻜﺴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگﺗـﺮ‬
‫ﺑﻪ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻛﻮﭼﻚ ﻣﻮازي اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﻣﻮرد در ﻛﺸﻴﺪن ﻧﻘﺸﻪ ﻧﻬﺎﻳﻲ ﺑﺴﻴﺎر راﻳﺞ اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-2‬‬
‫‪ 30‬ﻧﺤﻮه ﺷﻜﺴﺘﻦ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگ ﺑﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻛﻮﭼﻚ را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 31-2‬ﻧﺤﻮه‬
‫ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي در ﺳﻄﺢ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 29-2‬ﻣﺪار اﺻﻠﻲ و ﻧﺤﻮه ﻛﺸﻴﺪن ‪ Layout‬آن‪.‬‬
‫‪2‬‬
‫‪46‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 30-2‬ﻧﺤﻮه ﺷﻜﺴﺘﻦ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگ ﺑﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻛﻮﭼﻚ ﻣﻮازي‪.‬‬
‫‪Finger‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 31-2‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺰرگﺗﺮ ﺑﺎ ﺷﻜﺴﺘﻦ آن ﺑﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ‪.‬‬
‫ازﻟﺤﺎظ ﺗﻘـﺎرن )‪ ،(Matching‬زوج ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ورودي در ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ از اﻫﻤﻴـﺖ وﻳـﮋهاي‬

‫‪،‬‬ ‫ﺑﺮﺧـﻮردار اﺳــﺖ‪ .‬اﻣــﺎ در ﻫﻨﮕـﺎم ﺳــﺎﺧﺖ ﻣﻤﻜــﻦ اﺳـﺖ ﻛــﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر ازﻟﺤـﺎظ ﺿــﺨﺎﻣﺖ ﮔﻴــﺖ‬
‫ﻟﻴﺘﻮﮔﺮاﻓﻲ و ﺣﺘﻲ ﻛﻴﻔﻴﺖ و ﺟﻨﺲ اﻛﺴﻴﺪ ﺑـﺎ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﺗﻔـﺎوت داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ .‬ﺑـﻪ ﻫﻤـﻴﻦ دﻟﻴـﻞ‪ ،‬راﻫﻜﺎرﻫـﺎي‬
‫اراﺋﻪﺷﺪه در ‪ Layout‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ از اﻫﻤﻴﺖ وﻳـﮋهاي در اﻓـﺰاﻳﺶ ﺗﻘـﺎرن ﺑﺮﺧـﻮردار ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪32-2‬‬
‫ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ راﻫﻜﺎرﻫﺎ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ ‪ Fingering‬را ﺑﺮاي ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﭼﻨﺪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﮔﻴـﺖ‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺳﺮي ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﺸﺘﺮك ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﻘﺎرن ﺑﺎ‬

‫‪Fingering‬‬
‫‪Gate‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪32-2‬ﻣﺮاﺣﻞ اوﻟﻴﻪ ‪.Layout‬‬
‫‪ -2‬ﺧﺎزن‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺳﺎﺧﺖ ﺧﺎزن در ﭘﺮوﺳﻪ ‪ ،CMOS‬ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﺧﺎزﻧﻲ از ﻧﻮع ‪ MIM‬ﻳﺎ ‪ PIP‬و ﺑﺎ ﻇﺮﻓﻴﺖ ‪⁄‬‬
‫در دﺳﺘﺮس ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺧﺎزنﻫﺎ داراي ﻣﻘﺪاري ﺧﺎزن ﭘﺎرازﻳـﺖ ﺗـﺎ زﻣﻴﻨـﻪ ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬دﻗـﺖ ﺑﺴـﻴﺎري از ﻣـﺪارﻫﺎ‬
‫ﺑﻪدﻗﺖ و ﻣﻴﺰان ﺗﻘﺎرن دو ﺧﺎزن واﺑﺴﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ ،33-2‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺧـﺎزنﻫـﺎ ﺑـﻪﺻـﻮرت ﻣﺮﺑﻌـﻲ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 33-2‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي و ﻛﺎﻫﺶ ﻋﺪم ﺗﻘﺎرن دو ﺧﺎزن ﺑﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺘﻘﺎرن‪.‬‬
‫‪ -3‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ‪ ،‬ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﺟﻨﺲ ﭘﻠﻲ )‪ (poly‬ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻣﻘﺎوﻣـﺖ اﻫﻤـﻲ آﻧﻬـﺎ ﺑـﻪراﺣﺘـﻲ ﺑـﺎ ﺑﻤﺒـﺎران ﻳـﺎ‬
‫‪ Doping‬ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(34-2‬روي ﻋﻤﻖ اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ ) ( ﻛﻨﺘﺮل ﻧـﺪارﻳﻢ و ﻓﻘـﻂ ﻃـﻮل و‬
‫آﻧﻬﺎ در دﺳﺖ ﻃﺮاح اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻋﺮض‬
‫‪1‬‬
‫‪47‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 34-2‬ﭘﻴﺎده ﺳﺎزي ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬

‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ زﻣﻴﻨﻪ درﺣﺪ اﻫﻢ‬
‫‪ ⁄‬ﺛﺎﺑﺖ‪ ،‬ﻫﺮ ﭼﻪ اﺑﻌﺎد ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺰرگﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آن دﻗﻴﻖﺗﺮ اﺳﺖ و ﺗﻘـﺎرن ﺑـﻴﻦ‬ ‫ﺑﻪ ازاي ﻧﺴﺒﺖ‬
‫دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﻬﺘﺮ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫‪ -4‬ﺳﻠﻒ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 35-2‬ﻧﻤﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﺳﻠﻒ ﻣﺠﺘﻤﻊ و ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آن را ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺎرﭘﻴﭽﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺳـﻠﻒ‪-‬‬
‫ﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﻳﺎ ‪ Q‬ﭘﺎﻳﻴﻨﻲ دارﻧﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﺮي آﻧﻬﺎ ﺑﺰرگ اﺳـﺖ‪ .‬ﻟـﺬا ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻋـﺪم‬
‫وﺟﻮد ﺳﻠﻒ ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻣﻄﻠﻮب‪ ،‬ﺧﻴﻠﻲ وﻗﺖﻫﺎ در ﻣﺪارﻫﺎ آن را ﺑﺎ ﺧﺎزن ﻣﻌﺎدل ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 35-2‬ﻧﻤﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﺳﻠﻒ ﻣﺠﺘﻤﻊ‪.‬‬
‫‪ -5‬ﺗﺮاﺷﻪ ﻣﺮﻛﺰي‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻻً اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﺷﻪ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از ﺑﺪﻧﻪ ﭘﻼﺳﺘﻴﻜﻲ ﺳﻴﺎهرﻧﮓ اﻃﺮاف آن اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪.(36-2‬‬
‫‪pin‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 36-2‬ﻧﻤﺎي داﺧﻠﻲ از ﺑﺎﻻ و از ﻛﻨﺎر ﻳﻚ آي ﺳﻲ‪.‬‬

‫ﻓﺼﻞ ﺳﻮم‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻚ ﻃﺒﻘﻪ‬

‫در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ رﻓﺘﺎر ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ و ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﺑﺰرگ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫـﺎي ﻳـﻚ ﻃﺒﻘـﻪ را ﻣﻮردﺑﺮرﺳـﻲ ﻗـﺮار‬
‫ﻣﻲدﻫﻴﻢ‪ .‬ﺑﻪﻃﻮر ﺧﺎص رﻓﺘﺎر ﭼﻬﺎر ﻧﻮع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﻌـﺮوف ﻳﻌﻨـﻲ ﺳـﻮرس‪ -‬ﻣﺸـﺘﺮك‪ ،‬ﮔﻴـﺖ‪ -‬ﻣﺸـﺘﺮك‪،‬‬
‫دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس و ﻛﺴﻜﻮد ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬رﻓﺘﺎر ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼـﻚ اﻳـﻦ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎ‪ ،‬ﺑـﺎ در ﻧﻈـﺮ‬
‫ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻣﺪلﻫﺎي ﺳﺎده ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﺗﺎ ﻣﺪلﻫـﺎي ﭘﻴﭽﻴـﺪه )ﺑـﺎ در‬
‫ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ و ﻣﺪوﻻﺳـﻴﻮن ﻃـﻮل ﻛﺎﻧـﺎل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ(‬
‫ﻣﻮردﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-3‬رﻓﺘﺎر ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ‬
‫‪ (1-3‬ﻣﻔﺎﻫﻴﻢ اوﻟﻴﻪ‬
‫*( ﻣﺪلﺳﺎزي رﻓﺘﺎر ﺧﻄﻲ‪ :‬رﻓﺘﺎر ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮﺧﻲ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ازﺟﻤﻠـﻪ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﺑﻪﺻﻮرت ﺷﻜﻞ ‪ 1-3‬اﺳﺖ‪ .‬راﺑﻄﻪ ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺳﺎﻣﺎﻧﻪﻫﺎ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪3‬‬
‫در ﺑﺎزه ﺑﺎرﻳﻜﻲ از ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ورودي )ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺧﻄﻲ(‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان از ﺟﻤﻼت ﻣﺮﺗﺒﻪ ﺑﺎﻻ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻧﻤﻮد و راﺑﻄﻪ‬
‫ﺑﺎﻻ را ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺗﺨﻤﻴﻦ زد‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺑﺪون ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪.‬‬
‫در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﻲﺗﻮان از ﺟﻤﻼت‬
‫ﺑﻬﺮه ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻛﻮﭼﻚ‬
‫ﻣﺮﺗﺒــﻪ ﺑــﺎﻻ ﺻــﺮفﻧﻈــﺮ ﻧﻤــﻮد و‬
‫ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر‬
‫∆ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬ ‫∆‬
‫*( ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ در ﻃﺮاﺣﻲ آﻧﺎﻟﻮگ‪ :‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛـﻪ ﺗﻨﻬـﺎ ﻣﺼـﺎﻟﺤﻪ ﻣﻮﺟـﻮد در ﻣـﺪارﻫﺎي دﻳﺠﻴﺘـﺎل ﻣﻴـﺎن ﺳـﺮﻋﺖ‬
‫)‪ (Speed‬و ﺗﻮان )‪ (Power‬اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ داراي ﻣﺼﺎﻟﺤﻪﻫﺎي ﻓﺮاوان ﺑﻴﻦ ﺳﺮﻋﺖ‪ ،‬ﺧﻄﻲ ﺑـﻮدن‬
‫)‪ ،(Linearity‬ﺣﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ )‪ ،(Voltage Swings‬ﺑﻬﺮه )‪ ،(Gain‬ﻧـﻮﻳﺰ )‪ ،(Noise‬وﻟﺘـﺎژ ﺗﻐﺬﻳـﻪ‬
‫)‪ ،(Supply Voltage‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ و ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(2-3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :2-3‬ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ ﻣﻴﺎن ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ‪.‬‬
‫‪ (2-3‬اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ‬
‫در اﻳﻦ ﻗﺴﻤﺖ رﻓﺘﺎر ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﺑﺰرگ و ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺑﺮﺧﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻣﻬﻢ را ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫اﻟﻒ( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك )‪(Common Source = CS‬‬
‫‪ -1‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-3‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑـﺎر ﻣﻘـﺎوﻣﺘﻲ را ﺑـﻪ ﺗﺼـﻮﻳﺮ ﻣـﻲﻛﺸـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ اﻓـﺰاﻳﺶ‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﻧـﻮاﺣﻲ ﻛـﺎر ﻣﺘﻌـﺪدي از ﺧـﺎﻣﻮش”‪ ”off‬ﺗـﺎ اﺷـﺒﺎع ”‪ “Sat‬و‬ ‫ﺗﺪرﻳﺠﻲ وﻟﺘﺎژ ورودي‬
‫ﺗﺮﻳﻮد ”‪ “Triode‬را ﺗﺠﺮﺑﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ‪ Vout‬ﻧﻴﺰ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ‬
‫ﻧﻪﭼﻨﺪان ﭘﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع اﺳﺖ و دارﻳﻢ‪:‬‬ ‫را ﺗﺠﺮﺑﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬در ﺷﺮاﻳﻂ ﻋﺎدي و ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺷﻜﻞ‪ :3-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‬
‫ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ‪.‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻧﻪ ﺧﻴﻠﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦ ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ وﺿﻌﻴﺖ ﻣﺮزي ﺑﻴﻦ اﺷﺒﺎع و ﺗﺮﻳﻮد )ﻓﺼﻞ ‪ ،(2‬ﺑﺮاي وﻟﺘﺎژ ورودي ﻣﺮزي‬
‫‪ Sat. Triode:‬در ﻧﻘﻄﻪ ﻣﺮزي‬

‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﺑﺰرگﺗﺮ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪. 5‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﻗﺮار ﻣـﻲﮔﻴـﺮد و ﺷـﺒﻴﻪ ﺑـﻪ ﻳـﻚ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫رﻓﺘﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮن ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻛﻨﺘﺮلﺷﺪه ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ و ﺑﺎ اﻧﺪازه‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫∂‬
‫∂‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ روشﻫﺎي زﻳﺮ ﺑﻬﺮه را اﻓﺰاﻳﺶ داد ﻛﻪ ﻣﺘﺄﺳﻔﺎﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺪازه ﺧﺎزنﻫﺎ‬
‫(‪ ،‬اﻓـﺰاﻳﺶ ﻧـﻮﻳﺰ و ﻛـﺎﻫﺶ وﻟﺘـﺎژ ﻣـﺆﺛﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫)‪ ،(C‬ﻛﺎﻫﺶ ﺣـﺪ ﺗﻐﻴﻴـﺮات وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ )‬
‫) ﻛﺸﻴﺪه ﺷﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ آﺳﺘﺎﻧﻪ( ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪2 ⁄‬‬
‫≡↑‬ ‫‪8‬‬ ‫‪3‬‬

‫‪,‬‬
‫ﺑﺎ رﺳﻢ ﻣﺪل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ و ﺗﺤﻠﻴﻞ آن ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻬﺮه را ﺑﻪ ﻃﺮز ﺳﺎدهﺗﺮي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪.(4-3‬‬
‫||‬ ‫‪.‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-3‬ﻣﺪل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺪار‬

‫ﺷﻜﻞ ‪.3-3‬‬
‫‪ -2‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر دﻳﻮدي‬

‫درﺻﻮرﺗﻲﻛﻪ درﻳﻦ و ﮔﻴﺖ ﺑﻪ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ وﺻﻞ ﺷﻮﻧﺪ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪ .(5-3‬رﻓﺘﺎر ﭼﻨـﻴﻦ‬
‫اﺗﺼﺎﻟﻲ ﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﺎده اﺳﺖ‪ .‬درواﻗﻊ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮدن وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﮔﻴﺖ و ﺳـﻮرس‪،‬‬
‫ﭼﻨﻴﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﻫﻤﻮاره اﺷﺒﺎع اﺳﺖ‪ .‬ازﻧﻘﻄﻪﻧﻈﺮ ‪ ،ac‬اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﺎده رﻓﺘﺎر ﻣﻲ‪-‬‬
‫ﻛﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(6-3‬اﻧﺪازه اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﻪ ﺷﺮح زﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 5-3‬ﻧﺤﻮه اﺗﺼﺎل ﮔﻴﺖ و درﻳﻦ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺳﺎﺧﺖ‬

‫اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-3‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺳﻤﺖ ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﺑﺎ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي‪.‬‬

‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 7-3‬ﻣـﻲﺗـﻮان ﻧﻮﺷـﺖ‬

‫)ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل(‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪η‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪η‬‬
‫‪η‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 7-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر دﻳﻮدي از ﻧﻮع ‪.nMOS‬‬
‫از ﻓﺼﻞ ﻗﺒﻞ ﺑﻪ ﻳﺎد دارﻳﻢ ﻛﻪ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ زﻣﺎﻧﻲ ﺑـﻪ وﺟـﻮد ﻣـﻲآﻳـﺪ ﻛـﻪ وﻟﺘﺎژﻫـﺎي ﺳـﻮرس و ﺑﺎﻟـﻚ ﻣﺘﻔـﺎوت از‬
‫ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ pMOS‬ﻛﻪ ﺑﺎﻟﻚ ﺑﻪ ﺳﻮرس آن ﻣﺘﺼﻞ اﺳﺖ‪ ،‬ﭼﻨﻴﻦ اﺛﺮي وﺟـﻮد ﻧـﺪارد‪.‬‬
‫ﻟﺬا اﮔﺮ در ﺷﻜﻞ ‪ 7-3‬از ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي ‪ pMOS‬ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 5-3‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ وﺟﻮد‬
‫ﻧﺨﻮاﻫﺪ داﺷﺖ و ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪار ﺑﺎﻻ ازﻧﻘﻄﻪﻧﻈﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﺑﺰرگ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ‬
‫و ﺳﭙﺲ ﺻﻔﺮ ﻧﻤﻮدن اﻳﻦ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑﺮرﺳـﻲ ﻧﻤـﻮد‪ .‬ﺑـﺎ در ﻧﻈـﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻦ ﺧـﺎزن ﭘﺎرازﻳـﺖ‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ اﻧﺪازه‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ و اﻋﻤﺎل ﭘﺎﻟﺲ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪ ﻣﺪار دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑـﻪ ﺳـﻤﺖ‬ ‫‪ ،‬ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮآﺳﺘﺎﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷـﻮد ﻛـﻪ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ ازاي ‪0‬‬
‫ﻣﻴﻞ ﻛﻨﺪ و ﺷﺎرژ ﺷﺪن ﺧﺎزن ﺑﻪﺻﻮرت ﻛﻨﺪﺗﺮي اداﻣﻪ ﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 8-3‬ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 7-3‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﭘﺎﻟﺲ ﺑﻪ ورودي‪.‬‬
‫ﻣﻌﺎدلﺳﺎزي ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪ .(7-3‬اﻧﺪازه‬ ‫و ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ‬ ‫را ﺑﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫در ﻋﻤﻞ ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﭼﻨﻴﻦ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪16‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻟﺬا درﻣﺠﻤﻮع راﺑﻄﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ درﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪7-3‬‬

‫را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ‪ 9-3‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-3‬راﺑﻄﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪.7-3‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-3‬ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ را در ﻣﺪار‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 10-3‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻮﺷـﺘﻦ راﺑﻄـﻪ ﻧﻘﻄـﻪ ﻛـﺎر ﺑﺪﺳـﺖ‬

‫ﻣﻲآﻳﺪ درﺣﺎﻟﻲﻛﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘـﺎژ‪ ،‬از ﺗﺤﻠﻴـﻞ ‪ ac‬وﺑـﺮ ﻣﺒﻨـﺎي ﻣـﺪار‬
‫ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 10-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﺜﺎل ‪.1-3‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬ ‫‪4μ‬‬

‫‪.‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪μ‬‬
‫‪18‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﺎ ﻟﺤﺎظ ﻧﻤﻮدن ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﺎ ﻓﺮض آﻧﻜﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﺎﺷﻨﺪ ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﺪﺳﺖ آورد‪:‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪μ‬‬ ‫‪4μ‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ -3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬

‫ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺎﻻ در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ ،11-3‬ﺑﻪﺟﺎي آﻧﻜﻪ ﺑﻪ درﻳﻦ وﺻﻞ ﺷﻮد‬
‫ﺑﻪ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺘﺼﻞ ﻣﻲﮔـﺮدد‪ .‬ﻟـﺬا رﻓﺘـﺎر آن ﺷـﺒﻴﻪ ﺑـﻪ ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻧﻴﺰ ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺛﺎﺑﺖ رﻓﺘﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻟﺬا درﻣﺠﻤﻮع ﻣـﺪار ﻣـﻮردﻧﻈﺮ ﺷـﺒﻴﻪ ﺑـﻪ دو ﻣﻨﺒـﻊ ﺛﺎﺑـﺖ و‬
‫ﺳﺮي رﻓﺘﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا اﮔﺮ ﻳﻜﻲ از دو ﻣﻨﺒـﻊ ﺗﻨﻬـﺎ اﻧـﺪﻛﻲ از دﻳﮕـﺮي ﺑﻴﺸـﺘﺮ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن اﺿﺎﻓﻲ ﺧﺎزن ﺑﺎر را ﺷﺎرژ و ﻳﺎ دﺷﺎرژ ﻧﻤﻮده و ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ و ﻳﺎ زﻣﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 11-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻳﻦ ﻣﺪار ﺑﺎ ﻓﺮض اﺷﺒﺎع ﺑﻮدن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑـﺎ‬
‫ﺷﺪه و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬
‫‪.‬‬ ‫‪21‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬
‫ازآﻧﺠﺎﻛﻪ‬
‫‪1‬‬
‫‪2µ‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪~ .‬‬ ‫‪22‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻗﻴﻤﺖ اﻓﺰاﻳﺶ ﺳﻄﺢ و ﻳﺎ ﻛﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬ﺑﻬﺮه را اﻓﺰاﻳﺶ داد‪:‬‬
‫وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ زﻳﺎد ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻧﻴﺰ ﻛﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي اﺷـﺒﺎع ﺧﻴﻠـﻲ ﭘـﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫وارد ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺷﺪه و رﻓﺘﺎر آن ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺑﺰرگ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ‪Swing‬‬
‫زﻳـﺎد ﺷـﺪه و‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ﺗﻮأم ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻫﻢزﻣﺎن‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻜﻨﺪ‪ .‬وﻟﻲ اﻳﻦ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ اﺑﻌﺎد و ﺑﺰرگ ﺷﺪن ﺧﺎزنﻫﺎي ﭘﻴﻮﻧـﺪي ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫درﻋﻴﻦﺣﺎل‬
‫ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﺮاﺑﺮ ﻧﺒﻮدن دو ﺟﺮﻳﺎن در ﻫﻨﮕﺎم ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي اﻳﻦ ﻣﺪار‪ ،‬ﻫﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺷﺒﺎع ﻧﺨﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪ .‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ‬
‫ﺑﺎﻻي ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻳﻜﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد وارد ﺷﻮد و ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ‬
‫زﻣﻴﻦ ﻳﺎ وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎﻳﺪ آنﻗﺪر دو ﺟﺮﻳﺎن را ﺗﻐﻴﻴﺮ داد ﻛﻪ ﻫﺮدو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺷﺒﺎع ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫اﺳﺖ و ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛـﻪ ﺑﻬـﺮه ﻗﺎﺑـﻞدﺳـﺘﻴﺎﺑﻲ‬ ‫*( ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺑﻬﺮه ذاﺗﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ :‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻪ ﭼﻪ ﻣﻘﺪاري ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﻣﺮﺑﻮط ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2μ‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪2μ‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﻪ ‪ ،‬ﺑﻴﺸـﺘﺮ از واﺑﺴـﺘﮕﻲ آن ﺑـﻪ‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ ﭼﺮاﻛﻪ واﺑﺴﺘﮕﻲ‬ ‫در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬ ‫اﺳﺖ و ﻟﺬا‬ ‫و √‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬درﻣﺠﻤﻮع ‪1⁄‬‬
‫‪ -4‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري در وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺮﻳﻮد‬

‫ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪﺟﺎي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑـﺎ ﺑـﺎر دﻳـﻮدي از ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺷـﻜﻞ ‪ 12-3‬اﺳـﺘﻔﺎده ﻛـﺮد‪ .‬وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺑﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري در وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ‪،‬‬

‫ﻣﻌﺎدلﺳﺎزي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M 2‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻫﻤﻲ‪.‬‬
‫ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M2‬را در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﻗﺮار دﻫﺪ‪ .‬ﻟﺬا وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﺑﺎﻳﺎس‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﺑﺪ‪ .‬درﺻﻮرﺗﻲﻛﻪ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑـﺎ ﺑـﺎر‬ ‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎ‬
‫دﻳـــﻮدي‪ ،‬ﺑـــﻪﻣﻨﻈـــﻮر روﺷـــﻦ ﻧﮕـــﺎهداﺷـــﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـــﺘﻮر ‪ ، M2‬ﺧﺮوﺟـــﻲ ﻣـــﻲﺗﻮاﻧﺴـــﺖ ﺣـــﺪاﻛﺜﺮ ﺗـــﺎ‬
‫ﺑﺎﻻ رود‪ .‬ﺗﻨﻬﺎ ﻣﺸﻜﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،12-3‬واﺑﺴﺘﮕﻲ زﻳﺎد ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫|‬ ‫|‬
‫ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﻬﺮه واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ ﺷﻮد‪:‬‬ ‫‪ M2‬ﻳﻌﻨﻲ‬
‫‪1‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ درﻳﻦ‬
‫‪μ‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس‬
‫‪.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ -5‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 13-3‬آراﻳﺶ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاي را ﺑـﻪ ﻫﻤـﺮاه ﻣـﺪار ﻣﻌـﺎدل ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﻛﻮﭼـﻚ آن ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫ﻧﻘﺶ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ و اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺎﻳﺪاري ﺣﺮارﺗﻲ را در اﻳﻦ ﻣﺪار دارد ﭼﺮاﻛـﻪ ﺑـﺎ ﻛـﺎﻫﺶ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس‬
‫وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ و اﻓﺰاﻳﺶ ﺟﺮﻳﺎن در اﺛﺮ اﻓﺰاﻳﺶ دﻣﺎ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرسﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس‪.‬‬
‫‪ ،‬ﺟﺮﻳــﺎن ﻫــﻢ ﻣﺠــﺪداً ﻛــﻢ ﻣــﻲﺷــﻮد‪ .‬در ﻧﺰدﻳﻜــﻲ‬ ‫ﻣﺠــﺪداً ﻛــﺎﻫﺶ ﻣــﻲﻳﺎﺑــﺪ‪ .‬ﺑــﺎ ﻛــﺎﻫﺶ‬ ‫ﻟــﺬا ﺟﺮﻳــﺎن‬
‫‪ 1⁄‬ﺑﺰرگ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه اﻳﻦ ﻣﺪار ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﺻﻔﺮ و ‪0‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬
‫‪.‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪26‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺷﺒﻴﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺪون ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس اﺳﺖ‪ .‬وﻟﻲ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻣﻴﻞ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺑﻪ ﺳﻤﺖ‬ ‫زﻳﺎد ﺷﺪه و ﺑﻪ ازاي ∞‬ ‫‪ ،1⁄‬اﺛﺮ‬ ‫و ﻛﺎﻫﺶ‬
‫و ﺑﺪون وﺟﻮد آن ﻧﺸﺎن ﻣﻲ‪-‬‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 14-3‬اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن و ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ را ﺑﺎ وﺟﻮد ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫‪ 1⁄‬ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬درﺻﻮرﺗﻲﻛﻪ ﺑﺪون وﺟﻮد اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪،‬‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫‪ ،‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻘﺪار‬ ‫دﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ وﺟﻮد‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﻧﺎﻣﺤﺪود اﺳﺖ‪.‬‬
‫)ب( ﺑﺪون ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫)اﻟﻒ( ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬

‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 14-3‬اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن و ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﻛﻠﻲ ﻣﺪار در ﺣﻀﻮر و ﻳﺎ ﻋﺪم ﺣﻀﻮر ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :2-3‬ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ‪ 15-3‬را ﺑﺎ ﻓﺮض ‪0‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M2‬در آراﻳـﺶ دﻳـﻮدي ﻣﻌـﺎدل ﺑـﺎ ﻳـﻚ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺑـﺎ ﻣﻘـﺪار‬
‫‪ 1⁄‬اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻬﺮه ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ ﻳﺎ ﺑﺎر‬
‫‪.‬‬
‫را در ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :3-3‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ دﻳﺪهﺷﺪه از ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ‬

‫‪ 15-3‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 16-3‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷـﻜﻞ ‪ 15-3‬را از ﭘﺎﻳﺎﻧـﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻧﺴﺒﺖ ‪⁄‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪27‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 16-3‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪.15-3‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ :4-3‬ﺑﻬﺮه را در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 17-3‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺜﺎل ﻗﺒﻞ‪:‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﺎﻋـﺚ‬ ‫ﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﺪارد‪ .‬وﺟﻮد ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ﺛﺎﺑـﺖ‬ ‫ﺑﻬﺮه ﺑﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬

‫ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺷﺪه و اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻛﻮﭼﻚ ﺑﺮ روي آن را ﺻﻔﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬
‫ب(ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه درﻳﻦﻣﺸﺘﺮك ﻳﺎ دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس )‪(Source Follower = SF‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮد ﻋﻤﺪه آن ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺑﺎﻓﺮ وﻟﺘﺎژ و ﺷﻴﻔﺖ دﻫﻨﺪه ﺳﻄﺢ وﻟﺘﺎژ ‪ dc‬اﺳﺖ و از آن‪ ،‬ﻫﻨﮕﺎﻣﻲﻛﻪ ﻧﻴﺎز ﺑـﻪ ﺗﻐﺬﻳـﻪ‬
‫ﻳﻚ ﺑﺎر ﺳﻨﮕﻴﻦ وﺟﻮد دارد‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-18-3‬اﻟﻒ ﻧﻤﻮﻧﻪاي از اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲ‪-‬‬
‫دﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﺧﺎﻣﻮش اﺳﺖ و ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺪرﻳﺠﻲ وﻟﺘﺎژ ورودي‬
‫ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر روﺷﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬درﻣﺠﻤﻮع ﻣﻲﺗﻮان ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺰرگ اﻳﻦ‬ ‫و ﻋﺒﻮر آن از‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺑﻪﺻﻮرت ﺷﻜﻞ ‪-18-3‬ب در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪:‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه درﻳﻦ ﻣﺸﺘﺮك ﻳﺎ دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﻣﺸﺨﺼﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ آن‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫‪|| 1⁄‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه در ﺳﻮرس ﻋﺒﺎرت از‬
‫‪1‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺑﺎر‬
‫‪.‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪30‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي ﻣﺨﺘﻠﻒ‪ ،‬راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0,‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫∞‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪η‬‬
‫‪31‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 19-3‬راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﻣﻴﺰان ﺑﻬﺮه اﻳـﻦ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار واﺣﺪ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد و ﻟﺬا ﻧﻤﻲﺗﻮان از آن ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﻘﻮﻳﺖ ورودي اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪.‬‬
‫در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 18-3‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ اﺳﺖ و اﻳﻦ ﺑﺎﻋﺚ اﻳﺠﺎد ﺷﺪن ﺧﻄﺎي ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺧﻮد ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ واﺑﺴﺘﻪ اﺳـﺖ(‪ .‬ﺑـﺮاي‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد )ﭼﺮاﻛﻪ‬
‫ﺣﻞ اﻳﻦ ﻣﺸﻜﻞ ﻣﻲﺗﻮان از ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻪﺟﺎي ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬
‫ﺛﺎﺑﺖ ﺷﻮد‪:‬‬ ‫اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد ﺗﺎ‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬
‫‪32‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 19-3‬راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‪.‬‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺷﻜﻞ ‪ ،20-3‬ﺑﻪ ﻗﻄﻊ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬و ﺣﺪاﻗﻞ آن ﺑﻪ اﺷﺒﺎع ‪ M2‬ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪3‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 20-3‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪﺟﺎي ﻣﻘﺎوﻣﺖ و ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻧﻮﺳﺎن )‪ (Swing‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :5-3‬ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 21-3‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪. 35‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫*( ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‪ :‬ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ ‪ -‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺑﺎﻻ ‪ -‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺘﻮﺳﻂ‬
‫*( ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه درﻳﻦ ﻣﺸـﺘﺮك‪ :‬ﺑﻬـﺮه ﻧﺰدﻳـﻚ ﺑـﻪ ﻳـﻚ – اﻣﭙـﺪاﻧﺲ ورودي ﺑـﺎﻻ – اﻣﭙـﺪاﻧﺲ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﻢ‬
‫ﺑـﻪ وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫*( اﺷﻜﺎﻻت ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه درﻳﻦ ﻣﺸﺘﺮك ﻋﺎدي‪ :‬ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﺑﻪ دﻟﻴﻞ واﺑﺴﺘﮕﻲ‬
‫را ﺑﺎ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑﺎﻳـﺎس ﻛـﻢ‬ ‫)ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ دﻟﻴﻞ وﺟﻮد اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ؛ ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ اﻳﻦ اﺛﺮ ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫ﻛﺮد(‪ ،‬ﻣﺤﺪود ﺑﻮدن داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫ﺑﺪون اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ‬ ‫‪SF‬‬ ‫*( دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‬

‫در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ در ﻓﻦآوري‬
‫‪ CMOS‬اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪاي وﺟﻮد ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(22-3‬‬
‫از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از آن ﺑﻪﻋﻨـﻮان ﺑـﺎﻓﺮ وﻟﺘـﺎژ در‬
‫ﺧﺮوﺟــﻲ ﻳــﻚ ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه ﺳــﻮرس ﻣﺸــﺘﺮك اﺳــﺖ )ﺷــﻜﻞ ‪.(23-3‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﺎﺻﻞ ﺑﻪ ﺣﺪاﻗﻞ ﻣﻲرﺳﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺪون اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 22-3‬آراﻳﺶ‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز در ﮔـﺮه ‪ ،‬ﺑـﻪ وﻟﺘـﺎژ ﻣﻮردﻧﻴـﺎز ﺑـﺮاي‬

‫روﺷـــﻦ ﻣﺎﻧـــﺪن ‪ M2‬و در اﺷـــﺒﺎع ﻣﺎﻧـــﺪن ‪ M3‬ﻣﺤـــﺪود‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 23-3‬اﺳﺘﻔﺎده از دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺑﺎﻓﺮ وﻟﺘﺎژ در ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ را ﻣﺤﺪود ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ آن ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫ﻟﺬا آراﻳﺶ دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‪،‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪37‬‬ ‫‪3‬‬
‫درﻣﺠﻤﻮع ﻣﻌﺎﻳﺐ ﺳﺎﺧﺘﺎر دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪ -1‬ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﻧﺎﺷﻲ از اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ‪،‬‬
‫‪ -2‬ﻛﻢ ﺷﺪن ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‪،‬‬
‫‪ -3‬ﻋﺪم ﻛﺎراﻳﻲ ﺑﺎﻻ در ﺗﺄﻣﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎر‪.‬‬
‫ج( آراﻳﺶ ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك )‪(Common-Gate, CG‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 24-3‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آراﻳﺶ ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﮔﻴـﺖ ﺑـﻴﻦ ﭘﺎﻳﺎﻧـﻪ ورودي‬
‫ﺳﻮرس و ﺧﺮوﺟﻲ درﻳﻦ ﻣﺸﺘﺮك اﺳﺖ‪ .‬در ﺷﻜﻞ ‪-24-3‬اﻟﻒ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﺑـﺎ ﻣﻨﺒـﻊ‬
‫ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻣﻲﺷﻮد درﺣﺎﻟﻲﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳـﺎس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر در ﺷـﻜﻞ ‪ -24-3‬ب واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﻫﺮ دو ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺑﺎ ﻓﺮض در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﻮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر و‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎﻳﺎس‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺰرگ ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪38‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪. 39 3‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 25-3‬ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ وﻟﺘﺎژ ورودي ﺑﺮاي ﺷﻜﻞ ‪ -24-3‬ب ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑـﻪ‬
‫ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ ﺑـﻮده و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﺗﺮﻳـﻮد ﻗـﺮار دارد‪ .‬اﻳـﻦ‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﺗﻔﺎوت‬ ‫ازاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬
‫ﺷﺪه و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴـﻪ اﺷـﺒﺎع وارد ﺷـﻮد‪.‬‬ ‫‪،‬‬ ‫وﺿﻌﻴﺖ اداﻣﻪ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﺗﺎ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫ﺷــﺪه و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر ﺧــﺎﻣﻮش ﻣــﻲﺷــﻮد‪ .‬ﻟــﺬا‬ ‫‪ ،‬وﻟﺘــﺎژ‬ ‫از‬ ‫درﻧﻬﺎﻳــﺖ ﺑــﺎ ﻋﺒــﻮر‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪3‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 24-3‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك؛ )اﻟﻒ( ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن؛ )ب( ﺑﺪون ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫‪،‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ اراﺋﻪﺷﺪه در ﻓﺼـﻞ ﻗﺒﻠـﻲ ﺑـﻴﻦ‬

‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪η‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪η .‬‬
‫‪41‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 25-3‬راﺑﻄﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ -24-3‬ب‪.‬‬
‫راﺑﻄﻪاي ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻧﻴﺰ از ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻗﺎﺑﻞدﺳﺘﻴﺎﺑﻲ اﺳﺖ‪:‬‬

‫‪42‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪0.2‬‬ ‫وﺟﻮد اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﺎ اﻧﺪازه ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ‬
‫‪ 1⁄‬و ﻧﺴـﺒﺘﺎً ﭘـﺎﻳﻴﻦ اﺳـﺖ‪ .‬اﻳـﻦ‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺳﺎﺧﺘﺎر ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﭘﺎﻳﻴﻦ اﻟﺒﺘﻪ در ﺑﺮﺧﻲ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺳﻮدﻣﻨﺪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫و ﺣﺪاﻗﻞ ﺑـﻪ ﻣـﺮز اﺷـﺒﺎع‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻣﺪارﻫﺎي ﺷﻜﻞ ‪ ،24-3‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻪ‬
‫ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻳﻌﻨﻲ‬
‫‪.‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪3‬‬
‫*( ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك‪:‬‬

‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ ‪ -‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﻛﻢ ‪ -‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺑﻪ ﺑﺎﻻ‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :6-3‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ را در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪-26-3‬اﻟﻒ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻲﺗﻮان ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺗﻮﻧﻦ از ﺳﻤﺖ ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪ M2‬را‪ ،‬ﻫﻤـﺎنﮔﻮﻧـﻪ ﻛـﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪-26-3‬ب ﻧﺸـﺎن‬
‫دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬رﺳﻢ ﻧﻤﻮد و ﺑﻪ ﻣﺪار ﺷـﻜﻞ ‪-26-3‬ج دﺳـﺖ ﻳﺎﻓـﺖ‪ .‬اﻧـﺪازه وﻟﺘـﺎژ و ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺗـﻮﻧﻦ ﺣﺎﺻـﻞ‬
‫ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺪار ﻧﻬﺎﻳﻲ ﺷﻜﻞ ‪-26-3‬ج ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪ :‬ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺳـﻮرس )ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ورودي( آراﻳـﺶ ﮔﻴـﺖﻣﺸـﺘﺮك در ﺣﻀـﻮر‬
‫ﺧﻮاﻫﻴﻢ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﺷـﻜﻞ ‪-27-3‬اﻟـﻒ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ دﻳـﺪهﺷـﺪه از ﺳـﻤﺖ ﺳـﻮرس را در‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-27-3‬ب ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺑﻪ‬ ‫ﺣﻀﻮر ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮن ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس ﺑﺎﻳﺪ ﻧﺴﺒﺖ‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 27-3‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺳﻮرس در ﺣﻀﻮر‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪. 46‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﻣﺘﻔـﺎوت از‬ ‫ﺑﺰرگ و ﻳﺎ‬ ‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎﻻ ﻣﻬﻢ اﺳﺖ و ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ازاي‬
‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﻧﺎﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪ 1⁄‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ازاي ∞‬ ‫ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻌﺎرف‬
‫‪:‬‬ ‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از درﻳﻦ )ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ( آراﻳﺶ ﮔﻴﺖﻣﺸﺘﺮك در ﺣﻀﻮر‬
‫ﻗﺒﻼً ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷـﺪه از درﻳـﻦ ﺑـﻪ ﺳـﻤﺖ ﭘـﺎﻳﻴﻦ را ﺑـﺮاي ﻳـﻚ‬
‫ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ ﻛـﺮدﻳﻢ‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑـﺎ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫دﻳﺪه ﺷﺪه از ﺳﻤﺖ ﺑﺎر آراﻳﺶ ﮔﻴﺖﻣﺸﺘﺮك‪ ،‬ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻮازي اﻳـﻦ‬
‫اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪.(28-3‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫||‬ ‫‪1‬‬
‫‪47‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 28-3‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از درﻳﻦ )ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ(‬

‫‪.‬‬ ‫آراﻳﺶ ﮔﻴﺖﻣﺸﺘﺮك در ﺣﻀﻮر‬
‫د( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد‬

‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﺑﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ از ﺟﻨﺲ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﺷﺪ اﻳﻦ اﺗﻔـﺎق در ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﻛﺴـﻜﻮد ﺷـﻜﻞ ‪29-3‬‬
‫ﻧﻘﺶ ﻣﺒﺪل وﻟﺘﺎژ ورودي ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن را دارد‪ .‬در اﻳﻦ‬ ‫ﻣﻲاﻓﺘﺪ و‬
‫ﻧﻘﺶ ﺑـﺎﻓﺮ ﺟﺮﻳـﺎن را ﺑـﺎزي ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬ﺣـﺪاﻗﻞ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫ﺣﺎﻟﺖ‬
‫در ﺷﻜﻞ ‪-3‬‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر در اﺷﺒﺎع ﻣﺎﻧﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﺎﻳﺎس‬
‫‪ 29‬ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫اﺷﺒﺎع ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪48‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 29-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر در اﺷﺒﺎع ﻣﺎﻧﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫اﺷﺒﺎع ‪:‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪49‬‬ ‫‪3‬‬

‫در ﻣﺮز ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ و وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪ -‬ﺳﻮرس‬ ‫ﻃﻮري ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺷﻮد ﻛﻪ‬ ‫در ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ‬
‫‪ 2‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫ﮔﺮدد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ‬ ‫‪,‬‬ ‫آن ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻮرس‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك‪ ،‬ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻪ ﻳﻚ‬
‫ﺧﺎﻣﻮش ﺑﻮده‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫*( ﺑﺮرﺳﻲ وﺿﻌﻴﺖ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد‪ :‬ﺑﻪ ازاي‬
‫وارد ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫از‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣﺎ ﺑﺎ ﻋﺒﻮر‬ ‫و‬ ‫و‬
‫دو اﺗﻔـﺎق‬ ‫اﺷﺒﺎع ﻣﻲﮔﺮدد و ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ آن اﻓـﺰاﻳﺶ ﻣـﻲﻳﺎﺑـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ اﻓـﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸـﺘﺮ‬
‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ رخ دﻫﺪ‪:‬‬
‫ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﺑﺮود ﭼﺮاﻛﻪ‬ ‫ﺑﻪاﻧﺪازهاي ﻛﻢ ﺷﻮد ﻛﻪ‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫‪2‬‬
‫‪50‬‬ ‫‪3‬‬
‫را ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫آنﻗﺪر ﻛﻢ ﺷﻮد ﻛﻪ‬ ‫)ب(‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 30-3‬راﺑﻄﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ‬

‫ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت ﺑﺎﻻ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻣﺰﻳﺖ اﺻﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
‫ﻛﺴﻜﻮد اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺧﺮوﺟﻲ و ﺑﻪﺗﺒﻊ‬
‫آن اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد )ﺷﻜﻞ ‪(31-3‬؛‬
‫ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 30-3‬راﺑﻄﻪ ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ در ﺷﻜﻞ ‪.29-3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 31-3‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫‪51‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪52‬‬ ‫‪3‬‬
‫را ﺑﻪ ﻣﻴﺰان زﻳﺎدي اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﻴﺰان ﺑﻬﺮه ذاﺗﻲ ﻳﻌﻨﻲ‬
‫داده اﺳﺖ‪ .‬در ﻋﻤﻞ ﺑﻪﺟﺎي دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺗﻌﺪاد ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻧﻴﺰ ﺑﺮ روي ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻗﺮار داد‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :7-3‬در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ‪ 32-3‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬
‫‪53‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 32-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن اﻳﺪهآل‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 33-3‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻻ را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﻗﺴﻤﺖ ﭘـﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﺑـﺎز ﻫـﻢ از ﻳـﻚ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻳﻦ ﻗﺴﻤﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬از ﭼﻨﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎﻳﻲ ﺑﻪﻃﻮر ﮔﺴـﺘﺮده در‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه اﺳﺘﻔﺎده ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬درﻣﺠﻤـﻮع ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻣـﻮازي ﺑـﻮدن دو‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺰرگ ﺑﺎ اﻧﺪازه ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه در ﻣﺜـﺎل ﺷـﻜﻞ ‪32-3‬‬
‫ﺑﻬﺮه ﻛﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪54‬‬ ‫‪3‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در اﻓـﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ‪ ،‬ﻛﺴـﻜﻮد ﻛـﺮدن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻣﺆﺛﺮﺗﺮ از اﻓﺰاﻳﺶ ‪ L‬ﺗﻨﻬﺎ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺳﺖ‬
‫ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨـﻮانﻣﺜـﺎل ﺑـﺎ ﭼﻬـﺎر ﺑﺮاﺑـﺮ ﻛـﺮدن ‪ L‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫ﻣﻘﺎوﻣــﺖ ﺧﺮوﺟــﻲ ﺗﻘﺮﻳﺒ ـﺎً ‪ 4‬ﺑﺮاﺑــﺮ ﻣــﻲﺷــﻮد؛ اﻣــﺎ ﺑــﺎ ﺛﺎﺑــﺖ‬
‫ﻧﮕــﻪداﺷــﺘﻦ ‪ L‬و ﻛﺴــﻜﻮد ﻛــﺮدن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣــﺖ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪﻣﺮاﺗـﺐ ﺑـﺎﻻﺗﺮ‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 33-3‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺑﺎ ﺑﺎر ﻓﻌﺎل‪.‬‬
‫ه( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه )‪(Folded-Cascode‬‬

‫در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻛﺴﻜﻮد ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺷﻜﻞ ‪ ،29-3‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ از ﻳﻚ ﻧﻮع ﺑﻮدﻧﺪ‪ .‬در ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴـﻜﻮد ﺗﺎﺷـﺪه‬
‫)ﺷﻜﻞ ‪-34-3‬اﻟﻒ( دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣـﻲﺗﻮاﻧﻨـﺪ از اﻧـﻮاع ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ .‬در ﻣـﺪار ﻋﻤﻠـﻲ از ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﺑــﻪﻣﻨﻈــﻮر ﺑﺎﻳــﺎس )ﺗﻐﺬﻳــﻪ( ﻛــﺮدن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر اﺳــﺘﻔﺎده ﻣــﻲﺷــﻮد )ﺷــﻜﻞ ‪-34-3‬ب(‪ .‬ﻣﺰﻳــﺖ ﻣﻬــﻢ اﻳــﻦ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻘـﺪار ‪ dc‬وﻟﺘـﺎژ ورودي را ﺗـﺎ ﺣـﺪ ﺻـﻔﺮ ﻛـﺎﻫﺶ داد‪ .‬ﻣﺰﻳـﺖ دﻳﮕـﺮ‬
‫ﻣﺴﺘﻘﻞ ﺷﺪن ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر و ﺟﺮﻳﺎن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬و ‪ M‬از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان آﻧﻬـﺎ را راﺣـﺖﺗـﺮ‬
‫ﺑﺎﻳﺎس ﻧﻤﻮد‪ .‬از ﻣﺸﻜﻼت ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺼﺮف ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻛﺴﻜﻮد ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺳـﺖ‬
‫ﭼﺮاﻛﻪ ﺗﻌﺪاد ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺪهاﻧﺪ‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 34-3‬آراﻳﺶ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه و ﻧﺤﻮه اﻧﺘﻘﺎل ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻛﻮﭼﻚ ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ آن‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :8-3‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺷﻜﻞ ‪ 35-3‬را ﺑﺪﺳﺖ‬

‫آورﻳﺪ‪.‬‬

‫در ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪:M‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻮازي ﺑﻮدن‬
‫‪1‬‬
‫‪55‬‬ ‫‪3‬‬
‫در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﻛﻤﻲ ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻮﺟﻮد در آراﻳﺶ ﻛﺴﻜﻮد ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﭼﻬﺎرم‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬
‫ﺗﺎرﻳﺨﭽﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ زﻣﺎن ﭘﻴﺪاﻳﺶ ﻻﻣﭗﻫﺎي ﺧﻸ )اﺑﺘﺪاي ﻗﺮن ﺑﻴﺴﺘﻢ ﻣﻴﻼدي( ﺑﺎزﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻣﺰاﻳﺎي ﮔﺴﺘﺮده آن‪ ،‬اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﺑﻪﻃﻮر ﮔﺴﺘﺮده در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺑﻪ ﻛـﺎر ﻣـﻲرود‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-4‬ﻧﺤﻮه ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺗﻚﺳﺮ را ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﻘﺎﻳﺴـﻪ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺧﺮوﺟﻲ ‪ VO‬در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺘﻘﺎرن ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﺑﻴﻦ دو ﮔﺮه و ﺑـﺎ داﻣﻨـﻪ وﻟﺘـﺎژ ﻳﻜﺴـﺎن و ﺑـﺎ ‪180‬‬
‫درﺟﻪ اﺧﺘﻼفﻓﺎز ﺣﻮل ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﻋﻨﻮان ‪ CM‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻋﻤﻞ‪ ،‬ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﺣﻔـﻆ‬
‫( ﻧﻴﺰ ﻛﺎﻣﻼً ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﺑﺎﻳﺪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ دﻳﺪهﺷﺪه از ورودي ﺗﺎ دو ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ )‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-4‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﺤﻮه ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺗﻚﺳﺮ‪.‬‬
‫‪ (1-4‬ﻣﺰﻳﺖﻫﺎي اﻧﺘﻘﺎل ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬

‫‪ -1‬اﻳﻤﻨﻲ ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ‬
‫ﺑﺎوﺟﻮدآﻧﻜﻪ ﻫﺮﻛﺪام از ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺑﻪﺗﻨﻬﺎﻳﻲ ﻧﻮﻳﺰﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻﻳﻲ از ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﺸﺨﺺ دارﻧﺪ‪ ،‬اﺧـﺘﻼف دو‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻫﻤﭽﻨﺎن ﺑﺪون ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺗـﺄﺛﻴﺮي از ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻧﻤﻲﭘـﺬﻳﺮد‪ .‬ﻓـﺮض ﻛﻨﻴـﺪ ﻛـﻪ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺳـﺎﻋﺖ ﻋﺒـﻮري از ﺧـﻂ ‪ L1‬در ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺷـﻜﻞ ‪،2-4‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪ ﻫﻤﻪ ﻗﺴﻤﺖﻫـﺎ ﻣﻨﺘﻘـﻞ ﺷـﻮد‪ .‬اﮔـﺮ ﺗﻔﺎﺿـﻞ ﺳـﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎي ﺧﻄـﻮط ‪ L2‬و ‪ L3‬را در ﻧﻈـﺮ‬
‫ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪ ،‬ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دﺳـﺖﻧﺨـﻮرده ﺑـﺎﻗﻲ ﻣـﻲﻣﺎﻧـﺪ‪ .‬دﻗﻴﻘـﺎً ﺑـﻪ ﻫﻤـﻴﻦ دﻟﻴـﻞ اﺳـﺖ ﻛـﻪ در‬
‫( ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد‪.‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻛﻤﻲ از ﻧﻮﻳﺰ ﻣﺪﻣﺸﺘﺮك ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ )‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-4‬ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك در اﻧﺘﻘﺎل ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 3-4‬ﻋﺪم ﺗﺄﺛﻴﺮﭘﺬﻳﺮي ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ از ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ‪.‬‬
‫( وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪ -2‬اﻓﺰاﻳﺶ ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات )‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎ را دو ﺑﺮاﺑـﺮ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪.‬در‬
‫ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷـﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫و از ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻪ‬ ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،3-4‬ﺑﺮاي ﻫﺮ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ وﻟﺘﺎژ از ﺑﺎﻻ ﺑﻪ‬
‫( ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺮاي ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎمﺗﻔﺎﺿﻠﻲ )‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪ -3‬ﺑﺎﻳﺎس آﺳﺎنﺗﺮ و ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﺑﻴﺸﺘﺮ‬

‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﺼﻮر ﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﻄﺢ و ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮي را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﺪار ﺗﻚﺳـﺮ‬
‫اﺷﻐﺎل ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﻣﺎ اﮔﺮ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖﻫﺎي اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻚﺳﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮد ﻣﺸﺨﺺ ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫ﻛﻪ اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر از ﻛﺎرآﻣـﺪي ﺑـﺎﻻﺗﺮي ازﻧﻘﻄـﻪﻧﻈﺮﻫـﺎي ﺳـﻄﺢ اﺷـﻐﺎﻟﻲ و ﺗـﻮان ﻣﺼـﺮﻓﻲ ﺑﺮﺧـﻮردار اﺳـﺖ‪.‬‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬اﺛﺮات ﻏﻴﺮ اﻳﺪهآل در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪاﻧﺪازهاي ﺗﻀﻌﻴﻒ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ آن‬
‫در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻚ ﺳﺮ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮي ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (2-4‬زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎده‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-4‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻤﺎمﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎده را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻦ آراﻳﺶ اﮔﺮ وﻟﺘـﺎژ ﺣﺎﻟـﺖ‬
‫ﻣﺸﺘﺮك دو ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ‪ Vin1‬و ‪ Vin2‬ﺑﻪدرﺳﺘﻲ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻧﺸﻮد ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ وﻟﺘﺎژ ﻣﺪﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎي‬
‫ﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا در ﻣﻮﻗﻊ ﻧﻮﺳﺎن‬ ‫‪,‬‬ ‫و ﻳﺎ ﺑﺴﻴﺎر ﭘﺎﻳﻴﻦ و ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ‬ ‫‪ VO1‬و ‪ VO2‬ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ و ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬دو ﺧﺮوﺟﻲ ﺧﻴﻠﻲ زود از ﺑﺎﻻ ﻳﺎ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﺮﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﭘﺲ اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك‬
‫در‬ ‫ﻳﺎ ‪ CM‬ورودي ﺑﺴﻴﺎر ﺣﺴﺎس اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ ،4-4‬از ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﺳﻮرس دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺷﻜﻞ ‪ 5-4‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﺟﺮﻳـﺎن ﻫـﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺑﺮاﺑـﺮ ‪⁄2‬‬
‫و ‪ 0‬ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﻛﻨـﺪ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺑـﺮﺧﻼف ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻗﺒـﻞ‪،‬‬ ‫ﮔﺮدﻳﺪه و ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ و ﺣـﺪاﻗﻞ ﺗـﺎ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ از ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ CM‬ورودي ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻧﻤﻲﭘﺬﻳﺮﻧﺪ و ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﺟﺮﻳﺎن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ‪CM‬‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-4‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻤﺎمﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬

‫در ﺳﻮرس دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻏﻴﺮ ﺣﺴﺎس ﻧﻤﻮدن ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 5-4‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪ CM‬ورودي‪.‬‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪ :5-4‬ورودي ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻫﺮ ﻣﻘﺪاري داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪:‬‬
‫∞ ‪∞,‬‬
‫از ‪ M‬ﻣﻲﮔﺬرد‪:‬‬ ‫اﺳﺖ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬ﻛﺎﻣﻞ ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪه و ﻛﻞ‬ ‫در وﺿﻌﻴﺘﻲ ﻛﻪ‬
‫‪:‬‬ ‫‪: OFF,‬‬ ‫‪: ON‬‬

‫در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﺎ ﻫﻢ ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷـﻮﻧﺪ‪.‬‬ ‫و‬ ‫روﺷﻦ ﺷﺪه و‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬ ‫ﺑﻪﺗﺪرﻳﺞ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫از‬ ‫ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣﻞ ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪه و ﻛﻞ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫اﺳﺖ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫در ﺣﺎﻟﺘﻲ ﻛﻪ‬
‫ﻣﻲﮔﺬرد‪:‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪: ON,‬‬ ‫‪: OFF‬‬

‫ﻟﺬا‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻌﺎدل و ﺑﻪ ازاي‬
‫‪:‬‬ ‫‪: ON,‬‬ ‫‪: ON‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 6-4‬وﺿﻌﻴﺖ وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ و ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي از ﻣﻘﺪارﻫﺎي‬
‫ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ ﺗﺎ ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎد ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬از اﻳﻦ ﺷﻜﻞﻫﺎ ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ‪:‬‬
‫ﻣﺴﺘﻘﻞ از وﻟﺘﺎژ ‪ CM‬ورودي اﺳﺖ‪.‬‬ ‫و‬ ‫‪ -1‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ و ﺣﺪاﻗﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﺷـﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨـﻲ در اﻃـﺮاف ﺻـﻔﺮ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ‬ ‫‪ -2‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻬﺮه ﺑﻪ ازاي‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻛﻪ در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻌﺎدل‪ CM ،‬ورودي ﻧﻘﺸﻲ در ﺗﻌﻴﻴﻦ ‪ CM‬ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺪارد‪ ،‬اﻣﺎ ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﺗﻐﺬﻳـﻪ ﺻـﺤﻴﺢ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‪ CM ،‬ورودي داراي ﻳﻚ ﺣﺪاﻗﻞ ﻣﻘﺪار ﻣﺸﺨﺺ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ روﺷﻦ ﻣﺎﻧﺪه و‬
‫در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(7-4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 6-4‬وﺿﻌﻴﺖ وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ و ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي از ﻛﻢ ﺗﺎ زﻳﺎد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-4‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻐﻴﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻧﺪازه وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي‪.‬‬
‫از وﻟﺘـﺎژ درﻳـﻦ ‪⁄2‬‬ ‫ﺑﻪ اﻧـﺪازه ﻳـﻚ‬ ‫‪ ،‬ﺑﻪ ﺗﺪرﻳﺞ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ زﻳﺎد‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد و دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد وارد ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد اﻣﺎ‬ ‫‪,‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،5-4‬ﺣﺪ ﺑﺎﻻي وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ از ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻪ‬
‫ﺑﺎﻻ ﺑﺮود )ﺷﻜﻞ ‪ .(8-4‬ﻟﺬا ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﻧﻮﺳﺎن در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎ‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪4‬‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن ﻛﻮﭼﻚ اﻧﺘﺨﺎب ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬اﻣﺎ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪﺷﺮط روﺷﻦ ﻣﺎﻧـﺪن‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاي ﻫﻤﻴﻦ ﺑﻬﺘﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺧﻴﻠﻲ اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ :8-4‬ﻧﺤﻮه ﻣﺤﺪود ﺷﺪن ﻫﺮ ﻳﻚ از وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ ﺑﻪ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﺣﺪاﻛﺜﺮ و ﺣﺪاﻗﻞ‪.‬‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺰرگ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ :5-4‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪7‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪4‬‬
‫( از‬ ‫ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﻳﻦ ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ و ﺑﺎ در ﺗﺮﻛﻴﺐ دو راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﺧﺘﻼف ﺑـﻴﻦ دو ﺟﺮﻳـﺎن )‬
‫راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪9‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪2‬‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳـﻢ‪.‬‬ ‫∆ ‪∆ ⁄‬‬ ‫از روي اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ‬
‫اﺳــﺖ‪ .‬ﺑــﻪ ازاي‬ ‫∆ ﺗــﺎﺑﻊ ﻓــﺮدي از‬ ‫ﻫﻤــﺎنﮔﻮﻧــﻪ ﻛــﻪ دﻳــﺪه ﻣــﻲﺷــﻮد‬
‫ﻫﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﻮده و ﺑﻬﺮه )ﺷﻴﺐ ﻧﻤﻮدار ‪ (6-4‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-4‬ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ را ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴـﺮ اﺧـﺘﻼف دو ورودي و‬
‫اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر‬ ‫‪ ،‬ﻣـﺮز ﺻـﻔﺮ ﺷـﺪن‬ ‫ﺑﺮ اﺳﺎس راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ راﺑﻄـﻪ‬
‫∆( ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬ ‫)‬
‫‪2‬‬
‫∆‬ ‫‪11‬‬ ‫‪4‬‬
‫در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻌﺎدل‪ ،‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮده و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫∆‬

‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪√2‬‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را اﻓﺰاﻳﺶ داد‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫∆ ﻣﻲﺗﻮان‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫‪,‬‬
‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر )درﻳﻦ( ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫∆‬ ‫∆‬ ‫∆‬

‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪4‬‬
‫∆‬ ‫∆‬ ‫∆‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-4‬ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ اﺧﺘﻼف دو ورودي‪.‬‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪:5-4‬‬

‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 10-4‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳـﺪ‪ .‬ﺑـﺮاي‬
‫ﺗﺤﻠﻴـﻞ اﻳــﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر و ﺑﺪﺳــﺖ آوردن راﺑﻄـﻪ ﺑﻬــﺮه‬
‫دو روش‬ ‫∆‬ ‫∆‪⁄‬‬ ‫ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ‬
‫وﺟﻮد دارد‪:‬‬
‫‪ -1‬روش اول‪ :‬ﺗﺤﺮﻳﻚ ﻣﺪار ﺑﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از دو ﻣﻨﺒـﻊ‬

‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﻫﻢ‪ :‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎﻳﺪ اﺛﺮ‬
‫ﺑـﻪ ﻃـﻮر ﺟﺪاﮔﺎﻧـﻪ ﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ‬ ‫و‬ ‫را ﺑﺮ روي‬
‫اﻧﺠﺎم دﻫﻴﻢ و‬ ‫ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺳﭙﺲ ﻫﻤﻴﻦ ﻛﺎر را ﺑﺮاي‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 10-4‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫درﻧﻬﺎﻳﺖ از ﻗﺎﻋﺪه ﺟﻤﻊ آﺛﺎر اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﺎﻳﻴﻢ‪.‬‬
‫ﺑـﻮده و ﻳـﺎ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﻳﻜﺴـﺎن ﻧﺒﺎﺷـﻨﺪ‬ ‫اﻳﻦ روش ﺑﻪﺧﺼﻮص ﺑـﺮاي ﺣـﺎﻟﺘﻲ ﻛـﻪ‬
‫در ﻣـﺪار ﻣﻮﺟـﻮد ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﻓﺮض ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﻓﻘﻂ‬
‫‪ 1⁄‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫دﻳﺪهﺷﺪه در ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪.‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪4‬‬
‫را ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ‬ ‫در ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫‪ ،‬ﻣﻌﺎدل ﺗﻮﻧﻦ ﻣﻨﺒﻊ‬ ‫ﺑﺮ روي‬ ‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن اﺛﺮ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 11-4‬ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪ .(11-4‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آورد‪:‬‬ ‫را ﺑﺮ روي‬ ‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﻣﻲﺗﻮان اﺛﺮ‬

‫ﺑﺎ ﻣﻌﺎدلﺳﺎزي‪.‬‬ ‫ﺑﺮ روي‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 11-4‬ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن اﺛﺮ‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬

‫‪.‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺎرن‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﭘﺲ ﻃﺒﻖ ﻗﺎﻋﺪه ﺟﻤﻊ آﺛﺎر ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫∆‬ ‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪20 4‬‬
‫∆‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-4‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 12-4‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬

‫و‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺘﻔﺎوت ﺑﻮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪﺗﺴﺎوي ﺑﻴﻦ آﻧﻬﺎ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑـﻪ ازاي‬
‫‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪21 4‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻫﻢاﻛﻨﻮن‬ ‫‪2‬‬ ‫ﻟﺬا ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻣﺘﻔﺎوت از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ و ﺑﻪﺻﻮرت‬
‫ﻣﻲﺗﻮان راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 12-4‬را ﺑﺮﺣﺴﺐ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي‬

‫ﻣﺪاري ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬در ﻣﺪارﻫﺎي ﺗﻤﺎمﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑﻬـﺮه ﺗﻤـﺎم‬
‫ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻫﻤﻮاره ﺑﺮاﺑﺮ ﺑـﺎ ﻣﺠﻤـﻮع ﻣﻘﺎوﻣـﺖﻫـﺎي ﻣﻮﺟـﻮد در‬
‫درﻳﻦ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﺑﺮ ﻣﺠﻤﻮع ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻮﺟﻮد در ﺳﻮرس اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫| |‬ ‫‪22 4‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-4‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﺜﺎل ‪.1-4‬‬
‫‪ -2‬روش دوم‪ :‬اﺳﺘﻔﺎده از روش ﻧﻴﻢ ﻣﺪار و زﻣﻴﻦ ﻓﺮض ﻧﻤﻮدن ﮔﺮه ﻣﺸﺘﺮك ﺳﻮرس‪ :‬در ﻣﺜﺎل ﺑﺎﻻ اﮔـﺮ اﺑﻌـﺎد‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮدﻧﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش ﻧﻴﻢ ﻣﺪار و زﻣـﻴﻦ ﻓـﺮض ﻛـﺮدن ﮔـﺮه ﻣﺸـﺘﺮك‪ ،‬ﺑﻬـﺮه ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ‬
‫ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﺳﺎده و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻣﺪ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺗﺎﻛﻨﻮن ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻬﺮه ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ )‪ (DM‬را در ﻣﺜﺎلﻫﺎي اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﺑﺪﺳﺖ آوردﻳﻢ‪ .‬ورودي اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﻪ ﻫﺮ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺠﻤﻮع ﻳﻚ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑـﺎ ﻳـﻚ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك‬
‫)‪ (CM‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ )ﺷﻜﻞ ‪:(13-4‬‬
‫‪24‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫را در ورودي در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪.‬‬ ‫و ﺑﺎر دﻳﮕﺮ اﺛﺮ‬ ‫ﻟﺬا ﻃﺒﻖ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺟﻤﻊ آﺛﺎر ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ ﻳﻚﺑﺎر اﺛﺮ‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك‪ :‬ﻳﻜﻲ از ﻣﺰاﻳﺎي ﻣﻬﻢ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺗﻀﻌﻴﻒ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﺣﺎﻟﺖ‬
‫ﻣﺸﺘﺮك اﺳﺖ‪ .‬در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 10-4‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﻣﺪار ﻣﺘﻘﺎرن ﺑﺎﺷﺪ اﻣﺎ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫را ﻣﻲﺗﻮان ﺣﺎﺻﻞ‬ ‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(13-4‬در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺤﺪود و ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-4‬وروديﻫﺎي ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ‪.‬‬
‫‪ 2‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ و ﻣﺪار را ﺑﻪﺻﻮرت ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺘﻘﺎرن ﻓﺮض ﻛﺮد‪ .‬ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ ﺗﻘـﺎرن‬ ‫ﻣﻮازي دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﻛﺎﻣﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﻣﻲﺗﻮان دو ﺳﻤﺖ راﺳﺖ و ﭼﭗ را از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﻧﻤﻮد و ﻫﺮ ﻃﺮف را ﺑـﻪﺻـﻮرت‬
‫ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه در ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﺷﻜﻞ ‪ 14-4‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻣﺪار ﺣﺎﺻﻞ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪1‬‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ‪ CM‬ﻣﻨﺘﻘﻞﺷﺪه ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻫﺮ دو ورودي را ﺑﺎ ﻫﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮ داده و ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر‬
‫(‪ .‬در‬ ‫‪,‬‬ ‫و ﻣﺤﺪود ﻛﺮدن ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﻲﺷﻮد )‬
‫ﻳﻚ ﻣﺪار ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺘﻘﺎرن‪ ،‬اﻳﻦ ﻣﻮﺿﻮع ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻤﻲ اﻋﻮﺟﺎج ﺑﺮ روي ﺳﻴﮕﻨﺎل ‪ DM‬اﻳﺠﺎد ﻛﻨﺪ ﻫﺮﭼﻨﺪ‬
‫ﻛﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ‪ CM‬و ‪ DM‬در ﻫﻢ ﻧﻔﻮذ ﻧﻤﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در وﺿﻌﻴﺘﻲ ﻛﻪ ﻣﺪار ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺘﻘﺎرن ﻧﺒﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﺸﻜﻞ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 14-4‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ ورودي ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 15-4‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر ﻣﺘﻔﺎوت‪.‬‬
‫ﺑﺰرگﺗﺮ اﺳﺖ و ﺗﻐﻴﻴﺮ در ‪ CM‬ورودي ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ‪ DM‬ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ 15-4‬ﻓـﺮض‬
‫ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ ﻣﺘﻔﺎوت از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ ﺗﻘـﺎرن ﻣـﺪار در ﻗﺴـﻤﺖ ﭘـﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﮔـﺮه ﻣﺸـﺘﺮك‬
‫ﻫﻤﭽﻨﺎن زﻣﻴﻦ اﺳﺖ و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك از ﻧﺴﺒﺖ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر ﻣﻮﺟﻮد در ﻫـﺮ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﻪ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬
‫ﻣﻮﺟﻮد در ﺳﻮرس ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫∆‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬
‫رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ ﻛﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ CM‬ورودي در ﻳﻚ ﻣﺪار ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺑﺎﻋﺚ ﺑـﻪ وﺟـﻮد آﻣـﺪن ﺗﻐﻴﻴـﺮات‬
‫(‪ .‬در ﺣﺎﻟـﺖ ﻛﻠـﻲ‪ ،‬اﺛـﺮ ‪ CM‬ورودي ﺑـﻪ دو‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ DM‬در وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣـﻲﺷـﻮد )‬
‫ﺷﻜﻞ در ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫اﻟﻒ‪ -‬ﻣﺤﺪود ﺑﻮدن ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن؛ ب‪ -‬ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺑﻮدن ﻣﺪار‪.‬‬
‫ﻣﻮرد اول ﺧﻮد را ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك دو ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺸﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ درﺣـﺎﻟﻲﻛـﻪ ﻣـﻮرد‬
‫دوم ﺑﺎﻋﺚ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل ‪ CM‬ﺑﻪ ‪ DM‬ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﭘﺲ ﻣﻮرد دوم )ﻧﺎﺷـﻲ از ﻧﺎﻣﺘﻘـﺎرن ﺑـﻮدن ﻣـﺪار( ﺟـﺪيﺗـﺮ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬در ﺧﺼﻮص ﺗﺒﺪﻳﻞ ‪ CM‬ﺑﻪ ‪ ،DM‬دو ﻧﻜﺘﻪ ﻣﻬﻢ وﺟﻮد دارﻧﺪ‪:‬‬
‫ﻣﻨﺒــﻊ ﺟﺮﻳــﺎن اﻣﭙــﺪاﻧﺲ‬ ‫‪ -1‬ﺑــﺎ اﻓــﺰاﻳﺶ ﻓﺮﻛــﺎﻧﺲ ﺳــﻴﮕﻨﺎل ‪ CM‬ورودي‪ ،‬ﺧــﺎزن ﻣــﻮازي ﺑــﺎ ﻣﻘﺎوﻣــﺖ‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺷـﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠـﻪ ﻧﻘﻄـﻪ ﻛـﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮي ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ و ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫آﻧﻬﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﻬﺮه ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك و ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ‪CM‬‬ ‫ورودي و‬
‫ﺑﻪ ‪ DM‬در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ ﺟﺪيﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫‪ -2‬ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺑﻮدن ﻣﺪار‪ ،‬ﻫﻢ از ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺑﺎر و ﻫﻢ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﻧﺸـﺎت ﻣـﻲﮔﻴـﺮد ﻛـﻪ ﻣـﻮرد‬
‫دوم ﺟﺪيﺗﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ دﻗﻴﻘﺎً ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮده و ﻋﺪم ﺗﻘـﺎرن ﻣﻮﺟـﻮد در ﻣـﺪار ﺗﻨﻬـﺎ ﻧﺎﺷـﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ورودي ﺑﺎﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪-16-4‬اﻟﻒ(‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮدن دو ورودي‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان آﻧﻬﺎ را ﺑﻪ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ و ﺑـﻪ وﻟﺘـﺎژ‬
‫و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﺘﺼﻞ ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪-16-4‬ب(‪ .‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك وروديﻫـﺎ‬ ‫‪,‬‬ ‫ورودي‬
‫‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪4‬‬

‫از ﻃﺮﻓﻲ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪4‬‬

‫ﻟﺬا ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪1‬‬
‫ﭘﺲ ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬

‫‪1‬‬
‫‪31‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪32‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫∆‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬

‫‪1‬‬
‫∆‬
‫‪.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪1‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 16-4‬ﻋﺪم ﺗﻘﺎرن ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي‪.‬‬
‫( ﻣﺪلﺳﺎزي ﻛﻨـﻴﻢ ﺑـﺮاي‬ ‫)ﺑﺪون ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫اﮔﺮ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن را ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺎ ﻳﻚ ﺧﺎزن‬
‫‪ 1⁄‬ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ‬ ‫را ﺑﺎ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺎزن‬ ‫ﺑﺎﻳﺪ در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫‪ 1⁄‬در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬ﻣﻴﺰان ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻧﻮﻳﺰ و اﻋﻮﺟـﺎج ‪ CM‬در ‪ DM‬در‬ ‫ﺑﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﻳـﺎ‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻫﻤﻴﺖ ﻓﻮقاﻟﻌﺎده ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ‪ ،‬ﺗﻌﺮﻳـﻒ دﻗﻴـﻖ ﭘـﺎراﻣﺘﺮ‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺣﺬف ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪34‬‬ ‫‪4‬‬
‫|‬ ‫|‬
‫را ﺑﺮاي ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫ﺑﻪ ﻛﻤﻚ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻣﻲﺗﻮان‬
‫‪ (3-4‬زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﺎر ﻓﻌﺎل ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫در ﺷـﻜﻞ ‪16-4‬را ﻣـﻲﺗـﻮان ﺑـﺎ دو ﺑــﺎر ﻓﻌـﺎل ﺟـﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻧﻤـﻮد‪ .‬ﺑﺎرﻫـﺎي ﻓﻌـﺎل ﻣـﻲﺗﻮاﻧﻨـﺪ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣـﺖﻫـﺎي‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎﻳﻲ در آراﻳﺶ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي و ﻳﺎ ﺑﺎ ﺑﺎﻳﺎس ﺛﺎﺑﺖ و ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﺷﻨﺪ )ﺷـﻜﻞﻫـﺎي ‪-4‬‬
‫‪-17‬اﻟﻒ و ‪ -17-4‬ب(‪ .‬ﺑﺎ رﺳﻢ ﻧﻴﻢ ﻣﺪار ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﺷﻜﻞ ‪ -17-4‬اﻟﻒ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 17-4‬آراﻳﺶ زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﺎر ﻓﻌﺎل ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﺎ رﺳﻢ ﻧﻴﻢ ﻣﺪار ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي )ﺷﻜﻞ ‪-17-4‬ب(‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﻟﺬا ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه در ﻣﺪار ﺑﺎ اﺗﺼﺎل دﻳﻮدي ﺑﺎﻳﺪ اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬را ﻛﺎﻫﺶ داد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫و ﻫـﻢ ﺑـﺎزه‬ ‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬ﻫﻢ ﺣﺪ ﺑﺎﻻ ﻧﻮﺳﺎن وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻳﺎ ‪ CM‬ورودي ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪4‬‬

‫ﺑــﺮاي اﻓــﺰاﻳﺶ ﺑﻬــﺮه ﺑــﺪون ﺗﻐﻴﻴــﺮ در‬

‫و‬ ‫ﺑﺎﻳـــﺪ ﺑـــﺎ ﻛـــﺎﻫﺶ‬ ‫‪,‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎن اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر را ﻧﻴـﺰ ﺑـﻪ ﻫﻤـﺎن‬

‫ﻧﺴﺒﺖ ﻛﺎﻫﺶ دﻫﻴﻢ ﭼﺮا ﻛﻪ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪2 ⁄‬‬ ‫‪⁄ .‬‬
‫ﺷـــﻜﻞ ‪ 18-4‬اﻳـــﺪه ﻛـــﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳـــﺎن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬را ﺑــﺎ ﻣــﻮازي‬
‫ﻧﻤﻮدن ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ آﻧﻬﺎ ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫دﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-4‬اﻳﺪه ﻛﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬ﺑﺎ ﻣﻮازي ﻧﻤﻮدن ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ آﻧﻬﺎ‪.‬‬
‫ﻣـﻮازي‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي در آراﻳـﺶ دﻳـﻮدي‬ ‫و‬ ‫در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 18-4‬دو ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺛﺎﺑـﺖ ﺑـﺮاي‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ 0.8‬ﺑﺎﺷـﺪ‪ ،‬ﺑـﻪ ازاي ﻳـﻚ‬ ‫ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ اﮔـﺮ ﻣـﺜﻼً ﺟﺮﻳـﺎن ﻣﻨـﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ‪⁄2‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي دﻳﻮدي‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن آﻧﻬﺎ ‪ 0.2‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺑﻪ ﻫﻤﺎن ﻧﺴﺒﺖ ﻣﻲﺗﻮان اﺑﻌﺎد آﻧﻬﺎ را ﻧﻴﺰ ‪ 0.2‬ﺑﺮاﺑﺮ‬
‫اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ‪ 0.2‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷﻮد و ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻬﺮه آﻧﻬﺎ را ﭘﻨﺞ ﺑﺮاﺑﺮ ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫ﻧﻤﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 19-4‬ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ در ﻓﺼﻞ ﻗﺒﻞ دﻳﺪﻳﻢ ﺑﺎ ﻛﺴﻜﻮد ﻛﺮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‪ ،‬ﺑﻬﺮه اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ اﻣـﺎ ﺑـﻪ ﻫﻤـﺎن ﻧﺴـﺒﺖ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﻧﻴﺰ ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎﻳﻲ ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺷﻜﻞ ‪ ،19-4‬وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻌﺮﻳﻒﺷﺪه از ﻗﺒﻞ ﻧﺪارﻧﺪ و ﺑﺎﻳـﺪ اﻳـﻦ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻜﻲ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك )‪ (CMFB‬از ﻗﺒﻞ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺷـﻮد‪ .‬ﺗﻮﺿـﻴﺢ در ﻣـﻮرد‬
‫اﻳﻦ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ ﻓﺼﻞﻫﺎي آﻳﻨﺪه ﻣﻮﻛﻮل ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 19-4‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﺎر ﻓﻌﺎل ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫‪ (4-4‬ﺳﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒﺮت‬
‫دو ﻣﻮرد در ﺳﺎزوﻛﺎر ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﻬﻢ اﺳﺖ‪:‬‬
‫( ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪ -1‬ﺑﻬﺮه ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن )ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫را‬ ‫‪ -2‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻳﻜﻲ از دو ﺧﺮوﺟﻲ ﻫﺪاﻳﺖ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪ 20-4‬ﺑﺎ ورودي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬

‫را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ‬ ‫و وﻟﺘﺎژ ﻛﻨﺘﺮل‬
‫وﻟﺘﺎژ و‬ ‫از ﺻﻔﺮ ﺗﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺪار ﺣﺪاﻛﺜﺮ )ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ‬
‫اﺑﻌــﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر ﺗﻌﻴــﻴﻦ ﻣــﻲﺷــﻮد( ﺟﺮﻳــﺎن اﻳــﻦ ﻣــﺪار از‬
‫ﺗﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺪار ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪﺗﺒﻊ آﻧﻬـﺎ‬ ‫‪0‬‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ﻧﻴﺰ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ و واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 20-4‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﻣﺘﻐﻴﺮ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 21-4‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﻣﺜﺒﺖ ﻳﺎ ﻣﻨﻔﻲ‬
‫را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﺑﺨﻮاﻫﻴﻢ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪهاي‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 20-4‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﻣﺘﻐﻴﺮ‬
‫ﻃﺮاﺣﻲ ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ﺑﻬﺮه آن از ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﻨﻔﻲ ﺗﺎ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﺜﺒﺖ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻛﻨﺪ ﺑﺎﻳﺪ دو ﺗﺎ از زوجﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷـﻜﻞ ‪-4‬‬
‫‪ 20‬را )ﺑﺎ ﺧﺮوﺟـﻲﻫـﺎي ﺑـﺮﻋﻜﺲ( ﺗﺮﻛﻴـﺐ ﻛﻨـﻴﻢ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪ 21-4‬ﺑﻠـﻮك دﻳـﺎﮔﺮام ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺣﺎﺻـﻞ را‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺼﻮر ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪39‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪∞, ∞ .‬‬
‫ﺑﺮاي ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،21-4‬ﻣﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ 22-4‬ﭘﻴﺸـﻨﻬﺎد ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬راﺑﻄـﻪ وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬
‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪4‬‬

‫در اﻳﻦ ﻣﺪار و در ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ راﺑﻄﻪ‬

‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪41‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 22-4‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪.21-4‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 23-4‬آراﻳﺶ ﻗﺎﺑﻞ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺳﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒﺮت را ﺑﺎ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻨﻲ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻛﻨﺘﺮل ﺷﻮﻧﺪه ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺑــﺎ اﺳــﺘﻔﺎده از دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر اﻧﺠــﺎم ﻣــﻲﺷــﻮد‪ .‬ﺑــﺎ ﺗﻐﻴﻴــﺮ‬ ‫و‬ ‫دﻫــﺪ‪ .‬ﻛﻨﺘــﺮل ﺑــﺮ روي ﺟﺮﻳــﺎنﻫــﺎي‬
‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﺳﻬﻢ ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ از ﻛﻞ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 23-4‬آراﻳﺶ ﺳﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒﺮت‪.‬‬

‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪:‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪42‬‬ ‫‪4‬‬
‫اﺳﺖ و ﻣﻲ‪-‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺳﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒﺮت در اﺻﻞ ﻳﻚ ﺿﺮبﻛﻨﻨﺪه آﻧﺎﻟﻮگ اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺗﺎﺑﻌﻲ از‬
‫ﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪α‬‬ ‫ﺑﻪﺻﻮرت ﺳﺮي ﺗﻴﻠﻮر و ﺻـﺮفﻧﻈـﺮ از ﺟﻤـﻼت ﻣﺮﺗﺒـﻪ ﺑـﺎﻻ‪،‬‬ ‫ﺑﺎ ﺑﺴﻂ‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪﻗﺮاردادن ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮ رويﻫﻢ‪ ،‬ﺳﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒﺮت ‪ Swing‬وﻟﺘﺎژ ﻛﻤﺘﺮي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫در ﺑﺎﻻ و ﭘﺎﻳﻴﻦ را ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﻌـﻮﻳﺾ ﻧﻤـﻮد و‬ ‫و‬ ‫زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎده دارد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻜﺎن اﺗﺼﺎل‬
‫ﺑﺎز ﻫﻢ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﻣﺘﻐﻴﺮ رﺳﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺑـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ آن در ﺳـﻠﻮل ﮔﻴﻠﺒـﺮت‪ ،‬ﻣـﻲﺗـﻮان از‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻬﺘﺮ وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﻧﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ در ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﻓﺼﻞ ﭘﻨﺠﻢ‪ :‬آﻳﻨﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل و ﻏﻴﺮﻓﻌﺎل‬

‫ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻛﺎرﺑﺮد ﮔﺴﺘﺮدهاي در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ آﻧﺎﻟﻮگ ﺟﻬﺖ ﺗﻐﺬﻳﻪ و ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎ دارﻧـﺪ‪.‬‬
‫از اﻳﻦ ﻣﻨﺎﺑﻊ در ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﺒﺪلﻫﺎي داده )دﻳﺠﻴﺘﺎل ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻮگ و آﻧﺎﻟﻮگ ﺑﻪ دﻳﺠﻴﺘﺎل( و ﺗﻐﺬﻳﻪ ﺳﺎﻳﺮ ﺑﻠﻮكﻫﺎ‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻋﻤﺪه ﻛﺎرﺑﺮد آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن در ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫـﺎي ﻋﻤﻠﻴـﺎﺗﻲ ﻳـﺎ آپاﻣـﭗﻫـﺎ اﺳـﺖ‪ .‬ﺑـﺎ‬
‫اﺳﺘﻔﺎده از آﻳﻨﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎر ﻓﻌﺎل ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺑﺰرﮔﻲ در ﺣﺎﻟـﺖ ‪ ac‬ﺳـﺎﺧﺖ ﻛـﻪ ﺑـﻪ اﻓـﺖ وﻟﺘـﺎژ‬
‫زﻳﺎدي ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﻋﺎدي ﻧﻴﺎز ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 1-5‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴـﺎدهﺳـﺎزي اﻧـﻮاع ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن را در‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﭘﻤﭙﺎژ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑـﻪ ﻣـﺪار‪ ،‬اﻳـﻦ ﻣﻨـﺎﺑﻊ ﺑـﻪ اﻧـﻮاع »دﻫﻨـﺪه« و‬
‫»ﻛﺸﻨﺪه« ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪-‬وﻟﺘﺎژ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺳﺎده در آراﻳـﺶ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫‪ ،‬ﺷﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺑﻪ ﺗﺪرﻳﺞ ﻛﻢ ﻣﻲﺷﻮد ﭼﺮاﻛﻪ‬ ‫ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﮔﺬارده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫زﻳﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي زﻳﺮ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪:‬‬ ‫ﺑﻮده و ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪λ‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪λ‬‬
‫ﻧﻤـﻲﺗـﻮان ﺑـﻪ ﺑـﻴﺶ از ‪ 20‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫‪100‬‬ ‫‪ 0.18‬و ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫در ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ‬
‫دﺳﺖ ﻳﺎﻓﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-5‬اﻧﻮاع ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ و ﻣﺸﺨﺼﻪ‬

‫ﺟﺮﻳﺎن‪ -‬وﻟﺘﺎژ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﺳﺎده‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﺑﺘﻮاﻧﺪ ﺟﺮﻳـﺎن ﺛـﺎﺑﺘﻲ در ﻣﻘﺎﺑـﻞ ﺗﻐﻴﻴـﺮات‬
‫‪ ،‬دﻣﺎ و ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ )‪ (PVT‬اﻳﺠـﺎد ﻛﻨـﺪ ﭘﻴﭽﻴـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬ﻳـﻚ راه‬
‫ﺑﺴﻴﺎر ﺳﺎده ﺑـﺮاي ﺗﻮﻟﻴـﺪ ﺟﺮﻳـﺎن و ﭘﻴـﺎدهﺳـﺎزي ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ﻛﺸـﻨﺪه‪،‬‬
‫اﺳﺘﻔﺎده از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 2-5‬اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-5‬ﻳﻚ راﻫﻜﺎر آﺳﺎن ﺑﺮاي ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬واﺑﺴﺘﮕﻲ زﻳﺎدي را ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ PVT‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﻋﺒﺎرت داﺧـﻞ ﭘﺮاﻧﺘـﺰ‬
‫‪ ،‬ﺗﺎ ‪ 100 mV‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﻴﻦ وﻳﻔﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬وﻟﺘﺎژ‬ ‫و ﻫﻢ وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ‬ ‫ﻫﻢ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ دﻣﺎ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑـﺮاي ﭘﻴـﺎده‪-‬‬ ‫و‬ ‫دارد و ﻋﻼوه ﺑﺮ آن ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي‬
‫اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر داراي‬ ‫ﻧﺒﺎﺷـﺪ ﺑـﺎز ﻫـﻢ‬ ‫ﺳﺎزي ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن دﻗﻴﻖ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﺣﺘﻲ اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮات زﻳﺎدي در اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ دﻣﺎ و ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬روش ﻣﺮﺳﻮم در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺖ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن دﻗﻴﻖ و ﻛﭙﻲ ﻛﺮدن ﺟﺮﻳﺎن آن ﺑـﺎ‬
‫آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﺳﺖ‪ .‬در ﻫﻨﮕﺎم ﻃﺮاﺣﻲ‪ ،‬ﻫﻤﻮاره ﻓﺮض ﺑﺮ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن دﻗﻴـﻖ در ﻣـﺪاروﺟﻮد‬
‫دارد و از ﻃﺮﻳﻖ آن ﻣﻲﺗﻮان ﺟﺮﻳﺎن دﻗﻴﻘﻲ را آﻳﻨﻪ ﻧﻤﻮد‪ .‬آﻳﻨﻪ‬
‫را از‬ ‫ﺟﺮﻳــﺎن ﺷــﻜﻞ ‪ ،3-5‬ﺟﺮﻳــﺎن ﺗﻮﻟﻴﺪﺷــﺪه ﺗﻮﺳــﻂ‬
‫ﺷﺎﺧﻪ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﺑﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﻓـﺮض آﻧﻜـﻪ ﻫـﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴـﻪ اﺷـﺒﺎع ﺑـﻮده و‬
‫‪ ،(λ‬ﻣــﻲﺗــﻮان‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣــﺖ ﺧﺮوﺟــﻲ ﻧﺎﻣﺤــﺪود اﺳــﺖ ‪0‬‬
‫ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 3-5‬آراﻳﺶ ﻣﺪاري آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺳﺎده‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪2‬‬
‫را ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ زﻳﺮ آﻳﻨﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮدن‬
‫‪⁄‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬
‫ﻧﻜﺘﻪ ﻣﻬﻢ در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎ واﺑﺴﺘﻪ ﺑـﻪ ﭘﺮوﺳـﻪ ﺳـﺎﺧﺖ و دﻣـﺎ ﻧﻴﺴـﺖ و ﻟـﺬا ﺑـﻪدﻗـﺖ‬
‫دو‬ ‫‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺟﺎي ﻣﻤﻜـﻦ‬ ‫ﻗﺎﺑﻞﻛﻨﺘﺮل ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ واﺑﺴﺘﮕﻲ ﻛﻢ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﺑﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﻳﻜﺴﺎن در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫و وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي ﻣﻬﻢ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﺎرت از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫( ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬درﻣﺠﻤﻮع ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ﺷـﻜﻞ ‪ 3-5‬داراي ﻣﺤـﺪودﻳﺖﻫـﺎي زﻳـﺮ ازﻧﻘﻄـﻪﻧﻈﺮﻫـﺎي‬ ‫ﺣﺪاﻗﻞ )‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ و وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺪاﻗﻞ اﺳﺖ‪:‬‬
‫∆‬
‫∆‬ ‫‪6 5‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪5‬‬

‫را در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 4-5‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-5‬ﺟﺮﻳﺎن‬
‫دو دﻓﻌﻪ آﻳﻨﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﺟﺪﻳﺪ در ﻫﺮ ﺑﺎر در ﻧﺴﺒﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺿﺮب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا‪:‬‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪8‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 4-5‬آراﻳﺶ ﻣﺪاري ﻣﺜﺎل ‪.1-5‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﻘﺎرن ﺑﻴﺸﺘﺮ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻓﺮآﻳﻨﺪﻫﺎي ﺳـﺎﺧﺖ ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮي و ﻧﻴـﺰ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ آﻧﻜـﻪ وﻟﺘـﺎژ‬
‫(‪ ،‬دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﻣﻮﺟـﻮد در ﻳـﻚ آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن را‬ ‫آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﻃـﻮل ﮔﻴـﺖ اﺳـﺖ )‬
‫ﻳﻜﺴﺎن در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪:‬‬
‫‪9‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ازاي ﻳـﻚ‬ ‫‪,‬‬ ‫‪2 ⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻧﺴﺒﺖ ﻃﻮل ﺑﻪ ﻋﺮض ﻣﻌﻤﻮﻻً از روي‬
‫و را ﺑـﺎﻫﻢ اﻓـﺰاﻳﺶ داد ﺗـﺎ دو‬ ‫ﺑﺎﻳﺪ ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﺎه داﺷﺘﻪ ﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﻣـﻲﺗـﻮان‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻣﺸﺨﺺ‪،‬‬ ‫‪,‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﻪ ﻫﻢ ﺷﺒﻴﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزنﻫﺎ و ﺧﺮاب ﺷﺪن ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻧﺴﺒﺖ ﻃﻮل ﺑﻪ ﻋﺮض دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن را از ده ﺑـﺰرگﺗـﺮ در ﻧﻈـﺮ ﻧﻤـﻲﮔﻴﺮﻧـﺪ‬
‫ﭼﺮاﻛﻪ ﻧﺴﺒﺖ اﺑﻌﺎد ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ زﻳﺎدي ﻫﻤﺮاه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟـﺬا ﺑـﺮاي دﺳـﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑـﻪ ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎي ﺑـﺎﻻ از روي ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ورودي ﻣﻲﺗﻮان در ﭼﻨﺪ ﻣﺮﺣﻠﻪ و ﺗﻮﺳﻂ ﭼﻨﺪ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﻳﻦ ﻛﺎر را اﻧﺠﺎم داد‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :2-5‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺳـﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼـﻚ را در ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ‬

‫‪ 5-5‬ﺣﺴﺎب ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
‫‪10‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬
‫‪11‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 5-5‬آراﻳﺶ ﻣﺪاري ﻣﺜﺎل ‪.2-5‬‬

‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫‪12‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻧﺴﺒﺖ اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﺑﺎﻻ رﺳﻴﺪ‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬اﮔﺮ اﺛﺮ ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل را ﻧﻴﺰ در آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺷﻜﻞ ‪ 3-5‬ﻟﺤﺎظ ﻛﻨﻴﻢ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1 λ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1 λ‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪13 5‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪1 λ‬‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻧﻴﺰ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن‬ ‫ﻋﻼوه ﺑﺮ‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﻣﻲﺗـﻮان از آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن ﻛﺴـﻜﻮد ﺷـﻜﻞ ‪ 6-5‬اﺳـﺘﻔﺎده‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ﻧﻤﻮدن‬
‫‪ ،‬ﺑﺎﻳـــﺪ‬ ‫و‬ ‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـــﺘﻮر‬ ‫ﻛــﺮد‪ .‬ﺑـــﺮاي ﻳﻜﺴـــﺎن ﻧﻤــﻮدن‬
‫ﮔﺮدد‪ .‬از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮن وﻟﺘﺎژ دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪14‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﭘﺲ ﺑﻪ ازاي‬
‫‪⁄‬‬
‫‪⁄‬‬
‫و ﺑﺎ ﻓﺮض‬
‫‪⁄‬‬
‫‪15‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-5‬آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫ﺑﺎﻳﺪ‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫‪16‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﮔﺮدد‪ .‬اﻳﻦ ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﺘﻲ ﺑـﺎ وﺟـﻮد اﺛـﺮ ﺑﺪﻧـﻪ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪه و‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ وﻟﺘﺎژ‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪواﺳﻄﻪ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻳﻚ اﻧﺪازه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫و‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ ،6-5‬آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻛﺴﻜﻮد »دﻫﻨﺪه« و ﺑﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬ﻧﻴﺰ ﻣﻮﺟﻮد اﺳﺖ‪.‬‬
‫را ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺗﺎﺑﻌﻲ از‬ ‫و‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :3-5‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪،6-5‬‬
‫رﺳﻢ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 7-5‬راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻮردﻧﻈﺮ را ﺑﺮﺣﺴﺐ‬
‫‪.‬‬ ‫ﺑﺮﺣﺴﺐ‬ ‫و‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 7-5‬وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬

‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻄﻠﻮب‬ ‫‪,‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻣﺸﻜﻞ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻛﺴﻜﻮد‪ ،‬ﻧﻴﺎز آن ﺑﻪ ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺳﺎده ﺷﻜﻞ ‪4-5‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑـﻮد‪ .‬اﻳـﻦ ﻣﺸـﻜﻞ در آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫‪ ،(2‬ﺑﻪاﻧﺪازه ﻳﻚ‬ ‫‪,‬‬ ‫)ﺑﺎ ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﻣﻮردﻧﻴﺎز‬
‫و ﺑــﻪ ﻃــﻮر ﻣﻌــﺎدل‬ ‫‪,‬‬ ‫اﺻــﻼحﺷــﺪه ﺷــﻜﻞ ‪ 8-5‬وﺟــﻮد ﻧــﺪارد ﭼــﺮا ﻛــﻪ ﺑــﻪ ازاي‬
‫در‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــــﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫‪,‬‬
‫ﻣﺮز ﺣﺪاﻗﻞ اﺷﺒﺎع ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد‪ .‬از ﻃﺮﻓﻲ ﺑـﺮاي در اﺷـﺒﺎع ﻣﺎﻧـﺪن‬
‫ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﺮاي در‬ ‫‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻟﺬا‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺎﻳﺪ‬ ‫اﺷﺒﺎع ﻣﺎﻧﺪن‬
‫‪,‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺑﺎﻻ وﻗﺘﻲ داراي ﺟﻮاب اﺳﺖ ﻛﻪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪5‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 8-5‬آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﺻﻼحﺷﺪه ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫درﻧﺘﻴﺠﻪ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﻧﺎﻣﺴﺎوي ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎﻳﺎس ﺻﺤﻴﺢ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن و در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻧﮕﺎهداﺷﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‪،‬‬
‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫ﺑﺎﻳﺪ از‬ ‫‪,‬‬
‫را ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻛﻨﻴﻢ؟‬ ‫در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭼﮕﻮﻧﻪ‬

‫از ﺷﺮاﻳﻂ ﻳﻚ ﺑﺎﻳﺎس ﺧﻮب‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻢ آن ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ PVT‬اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 9-5‬ﺳـﻪ اﺗﺼـﺎل ﻣﻤﻜـﻦ ﺑـﺮاي‬
‫را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬دو ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺳـﺎدهﺗـﺮ ﺑـﻮدن و ﻋـﺪم ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ ﺗﻨﻈـﻴﻢ‪ ،‬از‬ ‫ﺗﺤﻘﻖ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﻣﺤﺒﻮﺑﻴﺖ ﻛﻤﺘﺮي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﺑﺮﺧﻮردار ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻤﺖ راﺳﺖ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫در ﺷــﻜﻞ ‪ 8-5‬اﻳﻔــﺎ ﻣــﻲﻛﻨــﺪ‪ .‬ﻋــﻼوه ﺑــﺮ اﻳــﻦ‪،‬‬ ‫را ﺑــﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮر‬ ‫ﻧﻘــﺶ ﺗــﺄﻣﻴﻦﻛﻨﻨــﺪه‬
‫)ﺑﺎ ﻣﻘﺪار‬ ‫ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪدﻗﺖ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻧﻤﻮد ﺗﺎ‬
‫در ﺷﻜﻞ ‪.8-5‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 9-5‬ﺳﻪ اﺗﺼﺎل ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺮاي ﺗﺄﻣﻴﻦ وﻟﺘﺎژ‬
‫اﺛـﺮ ﺑﺪﻧـﻪ‬ ‫( ﺗﺄﻣﻴﻦ ﮔﺮدد‪ .‬اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر اﻟﺒﺘﻪ ﻛﻤﻲ ﻋﺪم ﺗﻘـﺎرن دارد ﭼﺮاﻛـﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺣﺪاﻗﻞ‬
‫اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ دارد‪.‬‬ ‫ﻧﺪارد درﺣﺎﻟﻲﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪ ،‬در ﻋﻤﻞ ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻤﺘﺮي ﺑﺮ روي اﻧﺪازه‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻠﻮراﻧﺲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﺷــﻜﻞ ‪ 9-5‬وﺟــﻮد دارد )در ﻣــﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤــﻊ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣــﺖ‬ ‫وﻟﺘــﺎژ‬
‫اﻫﻤﻲ دﻗﻴﻖ و ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻢ وﺟﻮد ﻧﺪارد(‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪-5‬‬
‫‪ 10‬ﻣﻲﺑﻴﻨﻴﺪ‪ ،‬ﻳﻚ راهﺣﻞ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻧﻤﻮدن اﻳـﻦ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺑـﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫در آراﻳﺶ دﻳﻮدي اﺳﺖ‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣـﻮردﻧﻈﺮ ﺑﺎﻳـﺪ ﻃـﻮري ﺑﺎﻳـﺎس‬
‫ﺷﻮد ﻛﻪ در ﻣﺮز روﺷﻦ ﺷـﺪن ﻗـﺮار ﮔﺮﻓﺘـﻪ و درﻧﺘﻴﺠـﻪ‬
‫ﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا‬
‫‪21‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 10-5‬ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺻﻼحﺷﺪه ﻣﺪار ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 9-5‬ﺑﺎ ﺣﺬف‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑـﻮد‪ .‬اﻟﺒﺘـﻪ ﻫﻤـﻮاره ﺑﺎﻳـﺪ ﻛﻤـﻲ ﺣﺎﺷـﻴﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﺎ ﻫﻤﺎن وﻟﺘﺎژ ﻣﺮزي‬ ‫ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬وﻟﺘﺎژ‬
‫اﻃﻤﻴﻨﺎن ﺑﺮاي ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺻﺤﻴﺢ در ﮔﻮﺷﻪﻫﺎي ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫در ﺷﻜﻞ ‪ ،9-5‬ﻳﻚ راه دﻳﮕﺮ اﺳﺘﻔﺎده از ﺳﺎﺧﺘﺎر دﻧﺒـﺎل ﻛﻨﻨـﺪه ﺳـﻮرس ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ ﺷـﻜﻞ ‪11-5‬‬ ‫ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺧﻴﻠﻲ ﻛﻮﭼﻚ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪ -‬ﺳﻮرس‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﻣﻘـﺪار وﻟﺘـﺎژ ﺑﺎﻳـﺎس‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺎ ﻓﺮض ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﻮدن‬

‫ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪22‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻛﻪ ﺑﺎزﻫﻢ از ﻣﺮﺗﺒﻪ‬
‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 11-5‬ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺻﻼحﺷﺪه دﻳﮕﺮ ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ‬
‫*( آﻳﻨﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل‪ :‬ﺑﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از آﻳﻨـﻪﻫـﺎي ﺟﺮﻳـﺎن ﻓﻌـﺎل‬

‫ﻣﻲﺗﻮان ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ‪ ac‬را ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻧﻤـﻮد و ﻣﻨﺘﻘـﻞ ﻛـﺮد‪ .‬در ﺳـﺎﺧﺘﺎر‬
‫)ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ(‪،‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ ،12-5‬ﺑﺎ ﻓﺮض‬
‫ﻫﻢ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫در‬ ‫ﻫﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮي در‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-5‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل ﺑﺎ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎل ‪.ac‬‬
‫ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷـﻜﻞ ‪ 13-5‬ﺑـﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن اﻧﺠـﺎم ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬ﻣـﻲﺧـﻮاﻫﻴﻢ ﺑﻬـﺮه وﻟﺘـﺎژ‬
‫اﻳـــﻦ ﺗﻘﻮﻳـــﺖﻛﻨﻨـــﺪه را ﻣﺤﺎﺳـــﺒﻪ ﻛﻨـــﻴﻢ‪ .‬در ﺣﺎﻟـــﺖ ﻛﻠـــﻲ راﺑﻄـــﻪ ﺑﻬـــﺮه ﺑـــﻪﺻـــﻮرت‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ و ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ وﻟﺘـﺎژ ورودي و‬ ‫اﺳﺖ ﻛﻪ در آن‬
‫اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺑﺎﺷﺪ‪.‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪،‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ‬
‫‪23‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-5‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 13-5‬ﻣﻼﺣﻈـﻪ‬ ‫ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 14-5‬را ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬

‫و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻛﻨﻴﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﻪ ﺳـﻤﺖ ﭘـﺎﻳﻴﻦ‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺳﻤﺖ ﺑﺎﻻ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 14-5‬ﻧﺤﻮه ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪.13-5‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪5‬‬

‫‪2‬‬
‫آن اﺳﺖ ﻛﻪ اﺑﺘـﺪا‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﺜﺎل ﻧﺸﺎن دادﻳﻢ‪ ،‬ﻳﻚ روش دﻳﮕﺮ ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﻢ‪.‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﺮده و ﭘﺲازآن‪،‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﺑـﻪ ﻫﺪررﻓﺘـﻪ و ﺗـﺄﺛﻴﺮي در‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ ،13-5‬ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻬﺎﻳﻲ ﻧﺪارد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان از ﻳﻚ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل در ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺎﻻ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤـﻮد و ﺟﺮﻳـﺎن آن را ﻧﻴـﺰ ﺑـﻪ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ آﻳﻨﻪ ﻛﺮد )ﺷﻜﻞ ‪.(15-5‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 15-5‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻼحﺷﺪه ﺑﺎ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻌﺎل‪.‬‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺰرگ ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪15-5‬‬

‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻞ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‪0 ،‬‬ ‫‪ -1‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 15-5‬اﮔﺮ‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻧﻤﻲﮔﺬرد‪ .‬ﻟﺬا وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬ ‫ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ و از‬ ‫از‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪:‬‬

‫ﺑﺮﻗﺮار ﻣـﻲﺷـﻮد‪ ،‬ﺟﺮﻳـﺎن ﻣﻮردﻧﻴـﺎز از‬ ‫‪ ،‬در ﻟﺤﻈﻪ اوﻟﻲ ﻛﻪ راﺑﻄﻪ‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺧﺎﻣﻮش ﺑﻮدن‬
‫ﺗﺄﻣﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا اﻳـﻦ ﺧـﺎزن ﺗﺨﻠﻴـﻪ ﺷـﺪه و وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﻪ‬ ‫ﻃﺮﻳﻖ ﺧﺎزن ﭘﺎرازﻳﺖ ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺮه‬
‫ﺳﻤﺖ ﺻﻔﺮ ﻣﻴﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬
‫اﺳﺖ و وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑـﻪ‬ ‫ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪⁄2‬‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي‬ ‫‪ -2‬ﺑﻪ ازاي ﻣﻘﺎدﻳﺮ‬
‫و‬ ‫( ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ‬ ‫)ﺟﺮﻳﺎن آﻳﻨﻪﺷﺪه‬ ‫و‬ ‫اﺧﺘﻼف اﻧﺪك ﺑﻴﻦ اﻳﻦ دو ﺟﺮﻳﺎن و‬
‫اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﺰرﮔﻲ در ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﻫﺮ دو در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻮﭼﻚ‬
‫ﻋﺒـﻮر‬ ‫از‬ ‫‪ ،‬وﺿﻌﻴﺖ ﺑﺮﻋﻜﺲ ﺣﺎﻟﺖ ‪ 1‬اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟـﺖ ﻛـﻞ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫‪ -3‬ﺑﻪ ازاي‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ وﺿﻌﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ ﺑـﻪ‬ ‫ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻧﻤﻲﮔﺬرد‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ و از‬
‫ﺷﺮح زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪0 ,‬‬ ‫‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪:‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪:‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 16-5‬وﺿﻌﻴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار را ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ وﻟﺘﺎژﻫـﺎي‬

‫ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪.‬‬ ‫و‬
‫‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 16-5‬وﺿﻌﻴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار ‪ 15-5‬ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬
‫‪،‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬اﮔﺮ در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪ 15-5‬ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﺑﺮﻗﺮار ﮔﺮدد‪ ،‬ﺑﻪ ازاي وروديﻫﺎي ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬‬

‫ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪15-5‬‬
‫ﻣــﺪار ﺷــﻜﻞ ‪ 15-5‬را ﻣﺠــﺪداً در ﺷــﻜﻞ ‪ 17-5‬در ﻧﻈــﺮ‬
‫و ﻋـﺪم‬ ‫ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﺗﺼـﺎل دﻳـﻮدي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫ﺗﻘﺎرﻧﻲ ﻛﻪ در ﻣﺪار وﺟﻮد دارد‪ ،‬ﻧﻮﺳﺎن ﮔـﺮهﻫـﺎي ‪ X‬و ‪Y‬‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﮔﺮه ‪ X‬ﻃﻮري ﻧﻮﺳﺎن ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 17-5‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪.15-5‬‬

‫ﺑﺮ روي‬ ‫و‬ ‫را ﺗﺄﻣﻴﻦ ﻛﻨﺪ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺄﺛﻴﺮ وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬ ‫‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫وﻟﺘﺎژ‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﻧﺒﻮده و اﻳﻦ ﮔﺮه ازﻟﺤﺎظ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪﻃﻮر دﻗﻴﻖ زﻣـﻴﻦ ﻧﻴﺴـﺖ‬ ‫و‬ ‫ﮔﺮه ﻣﺸﺘﺮك ‪) P‬از ﻃﺮﻳﻖ‬
‫)ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻣﻲ ﺗﻮان در ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﻣـﻲﺗـﻮان آن‬
‫را زﻣﻴﻦ در ﻧﻈـﺮ ﮔﺮﻓـﺖ(‪ .‬ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ ﮔﺬﺷـﺘﻪ‪ ،‬ﺑﻬـﺮه از‬
‫ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﺮاي‬ ‫راﺑﻄﻪ‬
‫ﺑــﻪﻃــﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒــﻲ ﮔــﺮه ﻣﺸــﺘﺮك ‪ P‬را‬ ‫ﻣﺤﺎﺳــﺒﻪ‬
‫‪,‬‬ ‫زﻣﻴﻦ ﻓﺮض ﻣﻲﻛﻨـﻴﻢ و ﺑـﻪ راﺑﻄـﻪ‬
‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫ﻣﻲرﺳﻴﻢ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ‬
‫دﻳﺪهﺷﺪه از ﮔـﺮه ﺧﺮوﺟـﻲ را ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ ﺷـﻜﻞ ‪18-5‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-5‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺣﺴﺎب ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻗﻮاﻧﻴﻦ وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪5‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬
‫ﻧﻴﺰ آﻳﻨﻪ ﺷﺪه و‬ ‫ﺑﺮ روي‬ ‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ‪ 2‬ﺑﻪ آن ﺧﺎﻃﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﻋﻤﻼً دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪5‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﮔﺬﺷﺘﻪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﺜﺎل ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪ‪ ،‬راه دﻳﮕﺮ ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺑﻬﺮه وﻟﺘـﺎژ‪ ،‬ﺑﺪﺳـﺖ‬
‫و ﺳﭙﺲ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺧﺮوﺟﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻲﺗـﻮان ﻧﺸـﺎن داد ﻛـﻪ ﺑﻬـﺮه ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه‬ ‫و‬ ‫آوردن ﻣﻌﺎدل ﺗﻮﻧﻦ‬
‫ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪار ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ ﺷـﻜﻞ ‪ 19-5‬ﻧﻴـﺰ ﻣﺸـﺎﺑﻪ ﺑـﺎ‬

‫ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪ 15-5‬اﺳﺖ اﻣﺎ ﻣﺰاﻳﺎي ﭘﺮدازش ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺑﻪ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ و ﭘﻴﭽﻴﺪﮔﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ﻣﻲﭼﺮﺑﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 19-5‬ﻣﻌﺎدل ﺗﻚ ﺳﺮ ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪.15-5‬‬

‫*( ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪15-5‬‬

‫ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪ 20-5‬ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎﻳﺪ ورودي دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را‬
‫ﻣﺘﺼﻞ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﻬﺮه ﺣﺎﻟـﺖ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﻣﺸﺘﺮك‬
‫ﻣﺸﺘﺮك در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪31‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪,‬‬
‫را‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺎرن ﻣﺪار ﻣﻲﺗﻮان ﮔـﺮهﻫـﺎي ‪ F‬و‬

‫اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﻓﺮض ﻛﺮد‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه از اﻳﻦ ﮔﺮه ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﺑﺎﻻ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪ǁ‬‬ ‫‪,‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪,‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 20-5‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪.15-5‬‬
‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﻣﻲﺗﻮان دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬و ‪ M2‬را ﻧﻴـﺰ ﺑـﺎﻫﻢ‬

‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻛﺮد و ﻫـﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘـﺎﻟﻲ ﻣﻌـﺎدل آﻧﻬـﺎ را‬
‫ﺑﺪﺳــﺖ آورد‪ .‬ﻣــﺪار ﺣﺎﺻــﻞ در ﺷــﻜﻞ ‪ 21-5‬ﻧﻤـــﺎﻳﺶ‬
‫دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﺑﻪﻃﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 21-5‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‬

‫ﺷﻜﻞ ‪.15-5‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪,‬‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪه ﺷﺪه در درﻳﻦ‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪,‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬
‫ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن و آﻳﻨﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎن دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺰ ﻣﻮﺟﻮد ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ﻫـﺎي ‪ 22-5‬و ‪ 23-5‬و ‪ 24-5‬ﺑـﻪ ﻧـﺎم و‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺮﺧﻲ از آﻧﻬﺎ ﺗﻨﻬﺎ اﺷﺎره ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 23-5‬آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﻮرس‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 22-5‬آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن وﻳﻠﺴﻮن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﭘﺎﻳﻴﻦ‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 24-5‬ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮاي ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪداﺷﺘﻦ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 24-5‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ دار راﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫـﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ دﻳـﺪهﺷـﺪه از درﻳـﻦ‬
‫( ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ‪ A‬و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪) M2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪5‬‬

‫ﻓﺼﻞ ﺷﺸﻢ‪ :‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ‬

‫در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ و ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را در ﺣﻮزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﻮردﺑﺮرﺳـﻲ ﻗـﺮار‬
‫ﻣﻲدﻫﻴﻢ‪ .‬ﻗﺒﻞ از ﻫﺮ ﭼﻴﺰ ﻻزم اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻜﺎﺗﻲ را در ﺧﺼﻮص ﺗﺌﻮري ﻣﻴﻠﺮ ﻣﻄﺮح ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫‪ (1-6‬ﺗﺌﻮري ﻣﻴﻠﺮ‬
‫و در ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺸﺨﺺ‪ ،‬دو ﻣﺪار ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 1-6‬ﺑﺎ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﻣﻌـﺎدل ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪-1-6‬اﻟﻒ را ﺑﻪ ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪-1-6‬ب ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻧﻤﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺷـﺮاﻳﻂ‪ ،‬ﻣﻌـﺎدل ﺑـﻮدن ﻗـﻮاﻧﻴﻦ‬
‫را در ﮔﺮهﻫﺎي دو ﻣﺪار ﻣﻲﻃﻠﺒﺪ‪.‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ‬
‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1⁄‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻛﺎرﺑﺮد ﻋﻤﺪه ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ‪ ،‬ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺷﻜﻞ ‪-1-6‬اﻟﻒ ﺑـﻪ ﻣـﺪار ﻣﻌـﺎدل ﺷـﻜﻞ ‪ -1-6‬ب اﺳـﺖ‪.‬‬
‫اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ‬ ‫‪1‬‬ ‫ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺧﺎزن ورودي در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 2-6‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-6‬ﺑﻴﺎن ﺗﺼﻮﻳﺮي ﺗﺌﻮري ﻣﻴﻠﺮ‪.‬‬
‫ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﻨﻬﺎ در ﺻﻮرﺗﻲ ﻣـﻲﺗـﻮان از‬

‫ﺗﻨﻬﺎ ﻣﺴـﻴﺮ ﻣـﺮﺗﺒﻂ ﻛﻨﻨـﺪه‬ ‫ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد ﻛﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ‬
‫ﮔﺮهﻫﺎي ‪ X‬و ‪ Y‬ﻧﺒﻮده و ﻣﺴـﻴﺮي ﻣـﻮازي ﺑـﺎ ﻣﺴـﻴﺮ اﺻـﻠﻲ اﻧﺘﻘـﺎل‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻴﻦ آن دو ﮔﺮه ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-6‬ﻣﺜﺎﻟﻲ از ﻛﺎرﺑﺮد ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-6‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي را در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ -3-6‬اﻟﻒ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-6‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﺜﺎل ‪.1-6‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-3-6‬ب ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻌﺎدل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را در دو ﮔﺮه ‪ X‬و ‪ Y‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑـﻴﻦ اﻳـﻦ‬
‫دو ﮔﺮه و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪∞.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺑـﻪ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ اﺳـﺖ‪ .‬ﻟـﺬا ﺗﻨﻬـﺎ در‬ ‫ﻧﻜﺘﻪاي ﻛﻪ ﻛﺎرﺑﺮد ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ را ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻣـﻲﻛﻨـﺪ واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻮدن ﺧـﻮد‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ ﻣﻲﺗﻮان از اﻳـﻦ ﻗﻀـﻴﻪ اﺳـﺘﻔﺎده ﻧﻤـﻮد‪ .‬در ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ‬
‫ﺗﻮاﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺎﻋﺚ از ﺑﻴﻦ رﻓﺘﻦ ﺻﻔﺮﻫﺎ ﻣﻲﺷﻮد ﭼﺮاﻛﻪ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻴﻦ ورودي‬
‫و ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ دو اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﻣﻌﺎدل ﺗﺎ زﻣﻴﻦ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (2-6‬ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-6‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﻠـﻲ ﻳـﻚ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه وﻟﺘـﺎژ واﻗﻌـﻲ را ﺑـﻪ ﺗﺼـﻮﻳﺮ ﻣـﻲﻛﺸـﺪ‪ .‬ﻫـﺮ ﻃﺒﻘـﻪ ﺷـﺎﻣﻞ ﻳـﻚ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وﻟﺘﺎژ اﻳﺪهآل )اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ و اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺻﻔﺮ(‪ ،‬ﺧـﺎزن ورودي و ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ اﻳﻦ ﻣﺪار را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 4-6‬ﺑﻴﺎن ﺗﺼﻮﻳﺮي ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ‪.‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ ﺑﻪ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ اﺿﺎﻓﻪ ﻣﻲﻛﻨـﺪ ﻛـﻪ اﻧـﺪازه آن ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ ﻋﻜـﺲ‬
‫ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه در ﻫﺮ ﮔﺮه در ﺧـﺎزن آن ﮔـﺮه‬
‫اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ‪ ،‬ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ ﺑـﺮاي‬
‫ﻫﺮ ﻧﻮع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاي ﺻﺤﻴﺢ ﻧﻴﺴﺖ و ﺑﺎ ﺑﺮﻗﺮار ﺷـﺪن ارﺗﺒـﺎط‬
‫ﻣﻴﺎن ﮔﺮهﻫﺎ از ﭼﻨﺪ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻮازي ﻧﻤﻲﺗﻮان از آن اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :2-6‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﺪار را در ﺷﻜﻞ ‪ 5-6‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‪ ،‬ﺑﻬـﺮه ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ ﻣﻴـﺎﻧﻲ و ﻗﻄـﺐ‬
‫ﻣﻮﺟﻮد در ﻫﺮ ﮔﺮه را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫـﺎ ﺑـﻪ‬
‫ﮔﺮهﻫﺎ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 5-6‬ﻣﺪار ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك ﻣﺜﺎل ‪.2-6‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪8‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺎﻻ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ را در ﺣﻮزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻧﻜﻨﻴﻢ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ارﺗﺒﺎط ﭘﻴﺪا ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و از ﻗﻀﻴﻪ ﻧﻤﻲﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬ﺣﺎل ﺑﻪ‬ ‫اﮔﺮ از‬
‫ﺗﺤﻠﻴﻞ ﭼﻨﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ ﻣﻲﭘﺮدازﻳﻢ‪:‬‬
‫اﻟﻒ( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك‬
‫ﺑـﻴﻦ ﮔـﺮهﻫـﺎي ﮔﻴـﺖ و‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ ﺑﻬـﺮه‬
‫درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﺷﻜﻞ ‪ ،6-6‬اﺛﺮ ﻣﻴﻠﺮ ﺧﺎزن‬
‫‪1‬‬ ‫را ﻣــﻲﺗــﻮان ﺑــﻪﺻــﻮرت ﻳــﻚ ﺧــﺎزن‬
‫در ﮔــﺮه ورودي ﮔﻴــﺖ و ﻳــﻚ ﺧــﺎزن ﺑــﺎ‬
‫در‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫اﻧـــــــﺪازه‬
‫درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر درﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-6‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻗﻀﺎﻳﺎي ﻣﺪاري ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ دﻗﻴﻖ را ﺑﺪﺳﺖ آورد و ﺑﺎ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﺮاي ﺑﺪﺳـﺖ‬
‫آوردن ﻗﻄﺐﻫﺎ از ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ دﻗﻴﻖ‪ ،‬ﻣﺨﺮج ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﺎﻻ را ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1.‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪6‬‬
‫(‪ ،‬ﺿـﺮﻳﺐ ‪ s‬را ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬ ‫ﺣﺎل ﺑﺎ ﻓﺮض آﻧﻜﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ ﺧﻴﻠﻲ ﻛﻮﭼﻚﺗـﺮ از دﻳﮕـﺮي ﺑﺎﺷـﺪ )‬
‫از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬ ‫‪ 1⁄‬در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‪ .‬ﺳﭙﺲ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن‬
‫‪1‬‬
‫ﺿﺮﻳﺐ‬
‫ﻳﻜﻲ از ﻣﺸﻜﻼت ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي ﺗﺌﻮري ﻣﻴﻠﺮ‪ ،‬ﺣﺬف ﺻﻔﺮﻫﺎ ﺑﻪواﺳﻄﻪ از ﺑﻴﻦ رﻓـﺘﻦ ﻣﺴـﻴﺮ روﺑـﻪﺟﻠـﻮي ﺳـﻴﮕﻨﺎل‬
‫اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪-7-6‬اﻟﻒ(‪ .‬اﻳﻦ ﺻﻔﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ‬ ‫ﺧﺎزن‬
‫‪ -7-6‬ب(‪ .‬اﻧﺪازه ﺻﻔﺮ ﻣﻮردﻧﻈﺮ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪﺳﺎدﮔﻲ و ﻗﺒﻞ از اﻋﻤﺎل ﻗﻀـﻴﻪ ﻣﻴﻠـﺮ ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ ﻧﻤـﻮد‪ .‬ﺑـﺎ اﺗﺼـﺎل‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ زﻣﻴﻦ )و ﺻﻔﺮ ﻓﺮض ﻧﻤﻮدن ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از اﺗﺼﺎل( ﻣﻲﺗـﻮان ﺻـﻔﺮ ﺳـﻤﺖ راﺳـﺖ را ﺑـﺎ اﻋﻤـﺎل‬
‫و‬ ‫ﻗﺎﻧﻮن ﺟﺮﻳﺎن در ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد )ﺷﻜﻞ ‪ -7-6‬ج(‪ .‬ﺟﺮﻳـﺎن درﻳـﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫اﺳﺖ )ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ(‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از ﺧﺎزن ﺑﺮاﺑﺮ‬
‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪6‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲﻫﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 6-6‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪16 6‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪17 6‬‬
‫ﺧـﺎزن‬ ‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ دﻗﻴﻖﺗﺮ دو راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺑﺎﻳﺪ از ﻗﻮاﻧﻴﻦ وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل اﮔـﺮ‬
‫در‬ ‫ﺧﻴﻠــﻲ ﺑﺰرﮔـﻲ ﺑﺎﺷــﺪ‪ ،‬ﻣﻘــﺪار اﻣﭙــﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟــﻲ ﻣﺘﻔــﺎوت از راﺑﻄــﻪ ﺑــﺎﻻ ﺑﺪﺳــﺖ ﻣــﻲآﻳــﺪ‪ .‬ﺧــﺎزن‬
‫اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ و درﻳﻦ و ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﺑﻪ ﻫﻢ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه‬ ‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺣﻮلوﺣﻮش‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫) ج(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-6‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك و ﭼﮕﻮﻧﮕﻲ اﺳﺘﺨﺮاج ﺻﻔﺮ آن‪.‬‬
‫از رواﺑﻂ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﻨﺪ‪:‬‬ ‫و‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺷﺪن درﻳﻦ و ﮔﻴﺖ )آراﻳﺶ دﻳﻮدي(‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬
‫ب( دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‬

‫از ﺳﺎﺧﺘﺎر دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﺷﻜﻞ ‪-8-6‬اﻟﻒ‪ ،‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺳﻄﺢ وﻟﺘﺎژ ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي و ﻳﺎ ﺑـﺎﻓﺮ ﻧﻤـﻮدن‬
‫آن ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺟﺮﻳﺎن دﻫﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪6‬‬
‫اﺧﺘﻼف ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ‬ ‫ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‬ ‫ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪاﻧﺪازه ﻳﻚ‬ ‫ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪه و وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﺣﺪس زد ﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ اﻳﻦ ﻣﺪار از ﻣﺮﺗﺒﻪ واﺣﺪ و ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ آن ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-8-6‬ب ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪-8-6‬اﻟﻒ را ﺑﻪﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ‬
‫ﺑﻬﺮه ﭘﺎﻳﻴﻦ و ارﺗﺒﺎط زﻳﺎد ﻣﻴﺎن ﮔﺮهﻫﺎي ‪ x‬و ‪ y‬اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ زﻳﺎد ﻣﻲﺗﻮان از ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴـﺒﺖدﻫـﻲ‬
‫ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬ﻟﺬا از ﺗﻌﺮﻳﻒ دﻗﻴﻖ و اﻋﻤـﺎل ﻗـﻮاﻧﻴﻦ وﻟﺘـﺎژ و‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 8-6‬آراﻳﺶ دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس و ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ آن‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪21‬‬ ‫‪6‬‬
‫از راﺑﻄﻪ اول در راﺑﻄﻪ دوم‪ ،‬ﺑﺮاي ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﺑﺎ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻧﻤﻮدن‬
‫‪.‬‬
‫‪22‬‬ ‫‪6‬‬
‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﭼﻨﺪ ﻧﻜﺘﻪ ﻣﻬﻢ وﺟﻮد دارد ﻛﻪ در زﻳﺮ ﺑـﻪ آﻧﻬـﺎ‬
‫اﺷﺎره ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫اﻟﻒ(‬
‫‪0‬‬ ‫‪1.‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﻟﺬا ﺑﻬﺮه دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار واﺣﺪ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ب(‬
‫∞‬ ‫‪0.‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﻟﺬا ﺑﻬﺮه دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﺻﻔﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬
‫ج( ﻣﻘﺪار ﺻﻔﺮ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‪ ،‬ﺑﺎ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﻧﻤﻮدن ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ زﻣﻴﻦ )ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﮔﺬﺷﺘﻪ( ﻧﻴﺰ ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺪار ﺑﺪﺳﺖ‬
‫آﻣﺪه از ﺻﻮرت ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪6‬‬
‫د( ﺑﺎ ﻓﺮض آﻧﻜﻪ ﻓﺎﺻﻠﻪ دو ﻗﻄﺐ )رﻳﺸﻪﻫﺎي ﻣﺨﺮج( ﻓﺎﺻـﻠﻪ زﻳـﺎدي از ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ ،‬ﻣـﻲﺗـﻮان ﺑـﺎ‬
‫‪ ،‬از ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻧﻤﻮد و ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﺐ دﻳﮕﺮ را ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ‬ ‫ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻧﻤﻮدن از ﻋﺒﺎرت‬
‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪:‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪26‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺮ ﻣﻴﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬ ‫اﻧﺪازه اﻳﻦ ﻗﻄﺐ ﺑﻪ ازاي ‪0‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪ 1⁄‬در ﺧﺎزن ﻣﻮﺟﻮد‬ ‫ﻣﻘﺪار ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه دﻗﻴﻘﺎً ﺑﺎ ﻋﻜﺲ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫در اﻳﻦ ﮔﺮه‬
‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 9-6‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ اﻣﭙـﺪاﻧﺲ‬
‫ﻣـﻮازي ﺑـﺎ ﻣﺴـﻴﺮ‬ ‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺧﺎزن‬ ‫ورودي‬
‫اﺻﻠﻲ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا آن را ﻓﻌﻼً در ﻧﻈﺮ ﻧﻤﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‬
‫و ﺑﻪ ﻫﺮ ﻧﺘﻴﺠﻪاي ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻣﭙـﺪاﻧﺲ دﻳـﺪهﺷـﺪه رﺳـﻴﺪﻳﻢ‪،‬‬
‫را ﺑﺎ آن ﻣﻮازي ﻣﻲﻛﻨـﻴﻢ‪ .‬اﻣﭙـﺪاﻧﺲ‬ ‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺎزن‬
‫و ﺑﺪﺳـﺖ‬ ‫ﻣﺎﺑﻘﻲ ﻋﻨﺎﺻـﺮ را ﺑـﺎ ﻗـﺮار دادن ﻣﻨﺒـﻊ وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬ ‫آوردن راﺑﻄﻪ آن ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-6‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻻزم ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺧﺎزن‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪6‬‬
‫اﺳﺖ و اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻣﻘﺪار زﻳﺮ ﻣﻴﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬ ‫|‬ ‫در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ‪| ،‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪6‬‬
‫اﺳﺖ و اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺮ ﻣﻴﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬ ‫|‬ ‫در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ‪| ،‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫∞‬ ‫‪.‬‬ ‫‪31‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 10-6‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ راﺑﻄـﻪ‬

‫)‪ (29-6‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 10-6‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ )‪ ،(29-6‬اﻧﺪازه ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﻦ ﻣﺪار ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪6‬‬
‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ‬

‫ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬از اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و ﺧﺎزنﻫﺎي‬
‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن دﻫﻴﺪ‪:‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ -11-6‬اﻟﻒ ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺣﺎﺻﻞ را ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪6‬‬
‫و‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﻛﻢ و زﻳـﺎد ﺑـﻪ ﺗﺮﺗﻴـﺐ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫) ج(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 11-6‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﻣﻴﺎﻧﻲ دو وﺿﻌﻴﺖ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ رخ دﻫﺪ‪:‬‬

‫را‬ ‫‪ :‬اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﻣﻌﻤﻮلﺗﺮ اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﻣﻌﻤـﻮﻻ‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫اﻟﻒ(‬
‫ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن زﻳﺎد ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ب(‬
‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-11-6‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ﺷﻜﻞﻫﺎي ‪ -11-6‬ب ﺗﻐﻴﻴﺮات اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﻪ ازاي‬
‫ج‪ ،‬ﻣﺪل اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي راﺑﻄﻪ )‪ (33-6‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻧﺸﺎن دﻫﻴﺪ ﻛﻪ اﻣﭙـﺪاﻧﺲ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺑﻪ ازاي ﻣﻘﺎدﻳﺮ زﻳﺮ دﻗﻴﻘﺎ ﻫﻤﺎن راﺑﻄﻪ )‪ (33-6‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺳﻠﻒ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل اﻣﭙﺪاﻧﺲ‪ ،‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﺎ ﺧﺎزن ﺑﺎر آراﻳﺶ دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨـﺪه ﺳـﻮرس رزوﻧـﺎﻧﺲ ﻛـﺮده و‬
‫ﺑﺎﻋـــﺚ ﻧﻮﺳـــﺎﻧﻲ ﺷـــﺪن‬
‫ﭘﺎﺳـــﺦ ﭘﻠـــﻪ ﻣـــﻲﺷـــﻮد‬
‫)اﻳﺠـــﺎد ﻗﻄـــﺐﻫـــﺎي‬
‫ﻣﺰدوج ﻣﺨﺘﻠﻂ(‪ .‬ﺷـﻜﻞ‬
‫‪ 12-6‬ﺧﺮوﺟﻲ ﻣـﺪار را‬
‫ﺑﺎ ﺑﺎر ﺧﺎزﻧﻲ ﻧﺸﺎن ﻣـﻲ‪-‬‬
‫دﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-6‬ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس در ﺣﺎﻟﺖ وﺟﻮد ﺑﺎر ﺧﺎزﻧﻲ‪.‬‬
‫ج( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 13-6‬آراﻳﺶ ﻣﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك را ﺑـﻪ ﺗﺼـﻮﻳﺮ ﻣـﻲﻛﺸـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ اﻳﻨﻜـﻪ ﮔﻴـﺖ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ )زﻣﻴﻦ ‪ (ac‬ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬اﺛﺮ ﺧﺎزن ﻣﻴﻠﺮ در اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﺬف ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻣﺴﻴﺮ اﺻﻠﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ ،‬از ﻃﺮﻳﻖ ﺳﻮرس ﺑﻪ درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺳﺖ ﻛﻪ داراي ﻫﻴﭻﮔﻮﻧﻪ ﺧﺎزن ﭘﻴﻮﻧﺪي ﺑـﻴﻦ اﻳـﻦ‬
‫دو اﺗﺼﺎل ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪-‬ﻣﺸﺘﺮك ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﺎﻳﺪ ﻣﻬﻢ ﺗﺮﻳﻦ ﻋﻴﺐ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸـﺘﺮك اﻣﭙـﺪاﻧﺲ ورودي‬

‫ﭘﺎﻳﻴﻦ آن ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷـﻮد ﻛـﻪ ﺑـﺮ روي ﻃﺒﻘـﻪ ﻗﺒـﻞ از آن اﺛـﺮ‬
‫ﺑﺎرﮔﺬاري زﻳﺎدي داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-6‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪-‬ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫ﺷــــﻜﻞ ‪ 14-6‬آراﻳــــﺶ ﻣــــﺪاري ﻳــــﻚ‬

‫ﺗﻘﻮﻳـــﺖﻛﻨﻨـــﺪه ﻛﺴـــﻜﻮد را ﺑـــﻪ ﻫﻤـــﺮاه‬
‫ﺧﺎزن ﻫـﺎي ﭘﻴﻮﻧـﺪي آن ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫ﻛﺴــــﻜﻮد ﻛــــﺮدن )ﺳــــﺮي ﻧﻤــــﻮدن(‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـــﺘﻮرﻫﺎ ﺑﺎﻋـــﺚ اﻓـــﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣـــﺖ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 14-6‬آراﻳﺶ ﻣﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‬

‫ﻛﺴﻜﻮد ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺧﺎزنﻫﺎي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻣﻮﺟﻮد‬
‫در آن‪.‬‬
‫ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻬﺮه اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫـﺎ ﺑـﻪ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻋﻜـﺲ ﺣﺎﺻـﻞﺿـﺮب ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﻣﻮﺟـﻮد در اﻳـﻦ ﮔـﺮه‬ ‫ﮔﺮهﻫﺎ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬ﻗﻄﺐ ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺮه‬
‫در ﺧﺎزن ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﻦ ﮔﺮه اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪. 35‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻮدن ﺑﻬﺮه از ﮔﻴﺖ ﺑﻪ درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪) M1‬درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M1‬ﺑﻪ ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪M2‬‬
‫( ﺑــﻪﻣﺮاﺗــﺐ‬ ‫‪1‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫‪2‬‬ ‫ﻣﺘﺼــﻞ اﺳــﺖ(‪ ،‬ﺧــﺎزن ﻣﻴﻠــﺮ دﻳــﺪهﺷــﺪه در ﮔﻴــﺖ )‬
‫‪1‬‬ ‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺮرﺳﻲﺷﺪه در ﺑﺨـﺶ ‪ 7-6‬ﺑـﺎ راﺑﻄـﻪ‬
‫در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮي از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺲ ﻗﻄﺐ‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪2‬‬
‫ﻗﻄﺐ ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ‪ Y‬ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬

‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪6‬‬
‫*( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد‬

‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ دﻳﺪهﺷﺪه از ﮔﺮه ‪ Y‬ﺗﺎ زﻣﻴﻦ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻮازي اﻣﭙﺪاﻧﺲ دﻳﺪهﺷﺪه از ﺑﺎﻻ ﺗﺎ زﻣﻴﻦ و از ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺗﺎ‬
‫زﻣﻴﻦ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪6‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ دﻳﺪهﺷﺪه از ﮔﺮه ‪ X‬ﺗﺎ زﻣﻴﻦ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪39 6‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر دﻳﮕﺮ ﻛﻪ در اﻳﻨﺠﺎ ﺑﺤﺚ ﻧﻤﻲﺷﻮد‪ ،‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 34-3‬اﺳﺖ‪ .‬ﭘﻬﻨﺎي‬
‫ﺑﺎﻧﺪ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﻋﺎدي اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ در ﻧﻘﻄﻪ ﺗﺎﺷﺪﮔﻲ ﻳـﻚ ﻗﻄـﺐ‬
‫(‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﭘﺎﻳﻴﻦ وﺟﻮد دارد‪ .‬وﻟﻲ از ﻣﺰاﻳﺎي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬ﺣـﺪاﻗﻞ وﻟﺘـﺎژ ﻻزم ﺑـﺮاي ﺗﻐﺬﻳـﻪ )‬
‫ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ و وﻟﺘﺎژ ورودي ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك‬
‫ه( زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬

‫زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻴﻦ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺗﻔـﺎوت ﻗﺎﺋـﻞ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪-15-6‬اﻟـﻒ‬
‫آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎده و ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞﻫﺎي ‪-15-6‬ب و‪-15-6‬ج‬
‫ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك و ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﻓﺮض ﻛﻨـﻴﻢ ﻛـﻪ‬
‫از ﻧﻈﺮ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﻛﻤﻲ ﺗﻔﺎوت داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺑﺮاي ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي‬ ‫و‬ ‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻧﺸﺎن دادﻳﻢ‪:‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ج(‬ ‫)ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 15-6‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك و ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ آن‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫∆‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺪه‪،‬‬ ‫در اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﻧﻤﻮدن ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‪ ،‬اﺛﺮ ﺧﺎزن‬
‫‪ CMRR‬ﻛﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ازﻟﺤﺎظ اﻧﺘﻘﺎل ﻧﻮﻳﺰ ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻄﻠﻮب ﻧﻴﺴﺖ‪.‬‬
‫در‬ ‫رﻓﺘﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬دﻗﻴﻘﺎً ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس – ﻣﺸﺘﺮك اﺳﺖ اﺛﺮ ﻣﻴﻠﺮ‬
‫ورودي ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺗﻚ ﺳﺮ ﺷﻜﻞ ‪ -16-6‬ج داراي ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ و ﺑﺎ اﻧﺪازه‬
‫‪1‬‬
‫‪41‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺑﺎ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ pMOS‬ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫در ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 16-6‬ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪.‬در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ‬
‫‪ ،16-6‬اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر داراي ﻗﻄﺒﻲ ﻣﺮﺳﻮم ﺑﻪ ﻗﻄﺐ آﻳﻨﻪاي ﺑﻪ دﻟﻴﻞ آﻳﻨﻪ ﺷﺪن ﺧﺮوﺟﻲ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر داراي دو ﻗﻄﺐ و ﻳـﻚ‬

‫ﺻﻔﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪42‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪16-6‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚﺳﺮ‪.‬‬

‫در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﺣﺎﻟﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪ ،15-6‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 16-6‬داراي ﻳﻚ ﻗﻄﺐ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺻﻔﺮﻫﺎ و ﻗﻄﺐﻫﺎ ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬ ‫‪2‬‬ ‫و ﻳﻚ ﺻﻔﺮ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪2‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪6‬‬
‫دﻟﻴﻞ وﺟﻮد ﺻﻔﺮ و ﻗﻄﺐ اﺿﺎﻓﻲ در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬وﺟﻮد ﻳﻚ ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺳﺮﻋﺖ از ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻃﺮﻳـﻖ‬
‫اﺳﺖ‪.‬اﻳﻦ ﻣﻮرد ﻳﻚ ﻣﺰﻳـﺖ‬ ‫و ﻳﻚ ﻣﺴﻴﺮ ﻛﻨﺪﺗﺮ از ﻃﺮﻳﻖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫و‬
‫دﻳﮕﺮ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻚ ﺳﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﺑﺮﺧﻲ ﻣﻮاﻗﻊ ﺳﻴﮕﻨﺎل اﺻﻠﻲ از ﻃﺮﻳﻖ آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻗﻄﺐ آﻳﻨـﻪاي در ﺷـﻜﻞ ‪17-6‬‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪46‬‬ ‫‪6‬‬

‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 17-6‬اﺳﺘﻔﺎده از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻧﺘﻘﺎل ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺳﻴﮕﻨﺎل از ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻫﻔﺘﻢ‪ :‬ﻧﻮﻳﺰ‬

‫ﻳﻜﻲ از ﭼﺎﻟﺶﻫﺎي اﺳﺎﺳﻲ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ﻧﻮﻳﺰ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺣﺪ ﭘـﺎﻳﻴﻦ ﺗـﻮان ﺳـﻴﮕﻨﺎل‬
‫ورودي را ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﭘﺮدازش ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻧﻮﻳﺰ ﭘﺪﻳﺪهاي ﺗﺼﺎدﻓﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ‬
‫ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ‪ ،‬ﺳﺮﻋﺖ و ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ دارد‪.‬‬
‫ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺑﺮ دو ﻧﻮع ﻫﺴﺘﻨﺪ‪) :‬اﻟﻒ( ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻫﻢﺑﺴﺘﻪ ﻛﻪ رﻓﺘﺎر آﻧﻬﺎ ﺗﺎ ﺣـﺪ‬
‫زﻳﺎدي ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺳﺖ‪) .‬ب( ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻧﺎ ﻫﻤﺒﺴﺘﻪ ﻛﻪ رﻓﺘﺎر آﻧﻬﺎ ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫‪ (1-7‬ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت آﻣﺎري ﻧﻮﻳﺰ‬

‫ﻧﻮﻳﺰ ﭘﺪﻳﺪهاي ﺗﺼﺎدﻓﻲ اﺳﺖ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻌﻨﺎ ﻛﻪ اﮔﺮ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻧﻮﻳﺰ از ﮔﺬﺷﺘﻪ ﺗﺎ ﺣﺎل ﻣﺸﺨﺺ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﻧﻤﻲﺗﻮان ﻣﻘﺪار‬
‫ﻛﻨﻮﻧﻲ آن را ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﻛﺮد )ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل ﺻﺪاي درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه از رودﺧﺎﻧﻪ داراي ﭼﻨﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻـﻴﺘﻲ اﺳـﺖ(‪.‬‬
‫ﻋﻠﻲرﻏﻢ اﻳﻨﻜﻪ ﻧﻤﻲﺗﻮان ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي ﻟﺤﻈﻪاي ﻧﻮﻳﺰ را ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﻛﺮد اﻣﺎ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺪلﻫﺎي آﻣـﺎري ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺗﻮان ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻬﻤﻲ ﻫﻤﭽﻮن ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻮﺳﻂ و اﻧﺤﺮاف ﻣﻌﻴﺎر آن را ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬ﺗﻨﻬﺎ اﻳـﻦ ﻣـﻮارد ﻫﺴـﺘﻨﺪ‬
‫ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪار اﻫﻤﻴﺖ دارﻧﺪ و ﺗﺤﻠﻴﻞ آﻧﻬﺎ ﻛﺎﻓﻲ ﺑﻪ ﻧﻈﺮ ﻣﻲرﺳﺪ‪.‬‬
‫ﻳﻜﻲ از ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي آﻣﺎري ﻧﻮﻳﺰ ﻛﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﻧﻴـﺰ اﺳـﺖ ﻣﻘـﺪار ﻣﺘﻮﺳـﻂ آن ﻣـﻲﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﻪﻋﻨـﻮانﻣﺜـﺎل‬
‫ﻧﺰدﻳﻚ ﻛﺮدن ﻣﻴﻜﺮوﻓﻦ ﺑﻪ رودﺧﺎﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺷﻨﻴﺪهﺷﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻮان ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺳﻴﮕﻨﺎل وﻟﺘـﺎژ‬
‫را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫ﺑﺮ روي ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر‬ ‫ﻣﺘﻨﺎوب‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺗﺼﺎدﻓﻲ ﺑﻲﻧﻬﺎﻳﺖ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻮﺳﻂ آن از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬ ‫دوره ﺗﻨﺎوب‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪7‬‬
‫اﻳﻦ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﺎي ﺟﻤﻊﻛﺮدن ﻣﺆﻟﻔﻪﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻮان ﻟﺤﻈﻪاي و ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻫﺮ ﻳﻚ ﺑﺮ دوره ﺗﻨﺎوب اﺳﺖ‪.‬‬
‫در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺳﺎده ﺷﺪن ﺗﺤﻠﻴﻞ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر را ﻧﻴﺰ ﻧﺮﻣﺎﻟﻴﺰه ﻧﻤﻮد و ‪1Ω‬‬
‫را ﺑﻪﺟﺎي وات )‪ (W‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻣﺠﺬور وﻟﺖ ) ‪ (V‬در ﻧﻈﺮ‬ ‫دﻟﻴﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻮﻳﺰ‪ ،‬اﻏﻠﺐ واﺣﺪ‬
‫ﻧﻴﺰ ﺑﺪﺳﺖ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﻃﺒﻌﺎً ﺑﻪﺳﺎدﮔﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﺗﻮان ﻣﺘﻮﺳﻂ را ﺑﻪ ازاي ﺳﺎﻳﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ و ﺑﺎ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫آورد‪.‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﺎ ﻣﻘﺪار ﻣﺆﺛﺮ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺗﻮان ﻣﺠﺬور وﻟﺘﺎژ اﺳﺖ‪ ،‬ﻟﺬا در ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت‪،‬‬
‫( ‪ .‬ﺑﻪﻣﻨﻈـﻮر‬ ‫ﺑﻮده و از آن ﺑﺮاي ﻧﺸﺎن دادن ﻣﻌﻴﺎري از وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺗﻮان ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺎ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ‪ ،‬ﺑﺮﺧﻲ ﺗﻌﺎرﻳﻒ راﻳﺞ ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ در اﻳﻨﺠﺎ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ آﻧﻬـﺎ اﺷـﺎره ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺷﻮد؛ ازﺟﻤﻠﻪ‪:‬‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ‬ ‫‪10log‬‬ ‫‪20log‬‬ ‫‪, 3‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ و اﻋﻮﺟﺎج‬

‫ﺗﻮان ﻣﺆﺛﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل‬
‫‪, 4‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺗﻮان ﻣﺆﺛﺮ اﻋﻮﺟﺎج و ﻧﻮﻳﺰ‬
‫ﺗﻮان ﻣﺆﺛﺮ ﻫﺎرﻣﻮﻧﻴﻚﻫﺎ‬
‫اﻋﻮﺟﺎج ﻫﺎرﻣﻮﻧﻴﻜﻲ ﻛﻠﻲ‬ ‫‪.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺗﻮان ﻣﺆﺛﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل اﺻﻠﻲ‬
‫‪ (2-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ‬
‫ﺑﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎري از ﺧﺼﻮﺻـﻴﺎت ﻣﺨﻔـﻲ آن آﺷـﻜﺎر ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬اﻳـﻦ ﻣـﻮرد ﺑـﻪ‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان )‪ (PSD‬ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ و ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ در ﻫﺮ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺑـﻪ ﭼـﻪ ﻣﻴـﺰان ﺗـﻮان از ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﻣﻮردﻧﻈﺮ وﺟﻮد دارد‪.‬‬
‫ﻗﺮار داد‪ .‬ﺑﺎ ﮔﺬر ﻧﻮﻳﺰ‬ ‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ‪ PSD‬ﺑﺎﻳﺪ ﻓﻴﻠﺘﺮي ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ‪ 1Hz‬ﺣﻮلوﺣﻮش ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﺸﺨﺺ‬
‫ورودي از اﻳﻦ ﻓﻴﻠﺘﺮ و ﺑﻪ ﺗﻮان دو رﺳﺎﻧﻴﺪن ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺎﺻﻞ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﻳﻌﻨـﻲ‬
‫در ﻛـﻞ ﺑـﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ‬ ‫ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ اداﻣﻪ اﻳﻦ ﻛﺎر در ﻫﻤﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎ‪ ،‬درﻧﻬﺎﻳـﺖ‬
‫ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ اﻳﻦ ﻛﺎر را ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ و در زﻣﺎن ﻃـﻮﻻﻧﻲ‬
‫اﻧﺠﺎم داد ﺗﺎ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺪﺳﺖ آﻳﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(1-7‬‬
‫را ﺑـﻪﺟـﺎي ‪ W⁄Hz‬ﺑﺮﺣﺴـﺐ ‪V ⁄Hz‬‬ ‫در ﻧﻈﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻴﻢ‪،‬‬ ‫ﭼﻮن ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻧﺮﻣﺎﻟﻴﺰه را ‪1Ω‬‬
‫ﻣﻲﺳﻨﺠﻴﻢ‪ .‬ﻃﺒﻴﻌﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺮﺣﺴﺐ ‪ V⁄√Hz‬ﺳﻨﺠﻴﺪه ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‬
‫دو ﺗﻌﺮﻳﻒ زﻳﺮ ﺑﺮاي ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ورودي ﺑﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ‪ 100MHz‬ﻳﻜﺴﺎن ﻫﺴﺘﻨﺪ‪:‬‬
‫‪nV‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪100MHz‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪√Hz‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪100MHz‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪V .‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-7‬ﭼﮕﻮﻧﮕﻲ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ‪.‬‬
‫‪ (3-7‬ﻧﻮﻳﺰ ﺳﻔﻴﺪ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 2-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺳـﻔﻴﺪ را ﺑﺮﺣﺴـﺐ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ ﻧﺸـﺎن‬
‫ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﻫﻤـﺎنﮔﻮﻧـﻪ ﻛـﻪ دﻳـﺪه ﻣـﻲﺷـﻮد‪ PSD ،‬اﻳـﻦ ﻧـﻮﻳﺰ در ﻛﻠﻴــﻪ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎ ﻳﻜﺴﺎن اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺳﻔﻴﺪ‪.‬‬
‫اﻋﻤﺎل ﺷﻮد‪،‬‬ ‫ﺑﻪ ورودي دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬اﮔﺮ ﻧﻮﻳﺰي ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان‬
‫آﻧﮕﺎه ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان در ﺧﺮوﺟﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪7‬‬
‫|‬ ‫‪| .‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪7‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ را ﺑﺎ ﻋﺒﻮر دادن ﻧﻮﻳﺰ از آن ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ‬
‫دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ ﺷـﻜﻞ ﺗـﺎﺑﻊ ﺗﺒـﺪﻳﻞ ﺳﻴﺴـﺘﻢ را ﺑـﻪ ﺧـﻮد ﮔﺮﻓﺘـﻪ اﺳـﺖ‪ .‬ﺑـﻪﻋﻨـﻮانﻣﺜـﺎل‪،‬‬
‫ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺳﻴﺴﺘﻢ اﻧﺘﻘﺎل ﺻﻮت در ﺗﻠﻔﻦﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 4 kHz‬اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺆﻟﻔﻪﻫﺎي ﻧﻮﻳﺰ و ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻻي‬
‫ﺻﺪا ﺑﺎ ﻋﺒﻮر از ﺧﻄﻮط ﺗﻠﻔﻦ ﺣﺬف ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻣﻲﺗﻮان ﻃﻴﻒ ﻧﻮﻳﺰ ﻳﻚ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻣﺸﺨﺺ را ﻳﻚﻃﺮﻓﻪ ﻳﺎ دوﻃﺮﻓﻪ ﻓـﺮض ﻛـﺮد ﻫﺮﭼﻨـﺪ ﻛـﻪ ﻃﻴـﻒ‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺗﻮان دوﻃﺮﻓﻪ راﻳﺞﺗﺮ اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪ .(4-7‬از اﻳﻦ ﻣﻨﻈﺮ ﺗﻔﺎوﺗﻲ در ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت وﺟﻮد ﻧﺪارد ﭼﺮاﻛﻪ ﺗـﻮان‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﺒﺎرتدﻳﮕﺮ ﻣﻲﺗﻮان ﻗﺴﻤﺖ‬ ‫‪,‬‬ ‫در ﺑﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻧﻮﻳﺰ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪﺷﺪه‬
‫ﻣﻨﻔﻲ ﻃﻴﻒ دوﻃﺮﻓﻪ را ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖ ﻣﺜﺒﺖ آن ﻣﻨﻌﻜﺲ ﻧﻤﻮد و ﺑﻪ ﻃﻴﻒ ﻳﻚﻃﺮﻓﻪ رﺳﻴﺪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 3-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﺸﺨﺺ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 4-7‬اﻟﻒ( ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻳﻚﻃﺮﻓﻪ؛ )ب( ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان دوﻃﺮﻓﻪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺗﺼﺎدﻓﻲ ﻧﻮﻳﺰ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ﻟﺤﻈﻪاي آن ﻗﺎﺑﻞ ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬اﻣﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺤـﻮه ﺗﻮزﻳـﻊ داﻣﻨـﻪ را‬
‫ﺑﺮاي ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺪﺳﺖ آورد و ﺗﺎﺑﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺣﺘﻤﺎل را رﺳﻢ ﻛـﺮد‪ .‬ﺗـﺎﺑﻊ ﭼﮕـﺎﻟﻲ اﺣﺘﻤـﺎل )‪ (PDF‬ﺑﺮاﺑـﺮ‬
‫اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫اﺣﺘﻤﺎل‬
‫‪ :‬ﻣﻘﺪار اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه‬
‫ﺑﺮاي رﺳﻢ ﺗﺎﺑﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺣﺘﻤﺎل‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ از ﻧﻮﻳﺰ در ﺣﻮزه زﻣﺎن ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻛﺮد )ﺷﻜﻞ ‪ -5-7‬اﻟـﻒ( و ﻧﻤـﻮدار‬
‫ﺳﺘﻮﻧﻲ را ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ -5-7‬ب رﺳﻢ ﻧﻤﻮد‪ .‬درﻧﻬﺎﻳﺖ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻣﻘﺪار ﻛﻠﻲ آﻧﻬﺎ ﻧﺮﻣﺎﻟﻴﺰه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺗﺎﺑﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺣﺘﻤﺎل ﮔﻮﺳﻲ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺎﺑﻊ ‪ PDF‬راﻳﺞ اﺳﺖ‪ .‬ﺿﺎﺑﻄﻪ آن ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪σ√2‬‬ ‫‪2σ‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 5-7‬ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از ﻧﻮﻳﺰ در ﺣﻮزه زﻣﺎن و ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﺎﺑﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺣﺘﻤﺎل‪.‬‬
‫‪ (4-7‬ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻫﻤﺒﺴﺘﻪ و ﻧﺎﻫﻤﺒﺴﺘﻪ‬

‫را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﻢ‪ .‬ﺑـﺮاي اﻳـﻦ ﻛـﺎر از‬ ‫ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﺨﻮاﻫﻴﻢ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻣﺠﻤﻮع‬
‫ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺗﻮان ﻣﺘﻮﺳﻂ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪/‬‬
‫‪1‬‬
‫‪lim‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪/‬‬
‫‪/‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪/‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪lim‬‬ ‫‪lim‬‬ ‫‪lim‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪/‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪/‬‬
‫‪/‬‬
‫‪1‬‬
‫‪lim‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪/‬‬
‫ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬ﺟﻤﻠـﻪ ﺳـﻮم‬ ‫و‬ ‫ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺗـﻮان ﻣﺘﻮﺳـﻂ ﺳـﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎي‬ ‫و‬ ‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‬
‫ﻫﻤﺒﺴﺘﮕﻲ ﻧﺎم دارد و ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﭼﻘﺪر دو ﺷﻜﻞ ﻣـﻮج ﺷـﺒﻴﻪ ﺑـﻪ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬اﮔـﺮ دو ﻣﻨﺒـﻊ ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﺗﻮﺳﻂ دو ﻣﻨﺒﻊ ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﻫﻢ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺷـﻮﻧﺪ‪ ،‬ﻧﺎﻫﻤﺒﺴـﺘﻪ ﺑـﻮده و اﻧﺘﮕـﺮال ﻫﻤﺒﺴـﺘﮕﻲ ﺣـﺬف ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫)ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻣﺪار ﻧﺎﻫﻤﺒﺴﺘﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ(‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‬
‫‪11‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ (5-7‬اﻧﻮاع ﻧﻮﻳﺰ‬
‫دو ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻬﻢ در ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺑﻪ ﭼﺸﻢ ﻣﻲﺧـﻮرد‪ .‬اﻳـﻦ دو ﻣﻨﺒـﻊ ﻋﺒـﺎرت از ﻧـﻮﻳﺰ دﺳـﺘﮕﺎهﻫـﺎ و ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺑﺨﺶ اﻧﻮاع ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ را ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫اﻟﻒ( ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬
‫ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺣﺮﻛﺖ ﺗﺼﺎدﻓﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻋﺒﻮري از ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪ ،‬ﻫﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻫﻤﻲ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﻧﺪازه‬
‫اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺎ دﻣﺎ در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ و ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ آن ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ ﻧـﺎم دارد و ﺑـﻪﺻـﻮرت ﻳـﻚ‬
‫ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﺗﺼﺎدﻓﻲ ﺳﺮي ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﺪلﺳﺎزي ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪-6-7‬اﻟﻒ(‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗـﻮان اﻳـﻦ ﻧـﻮﻳﺰ از‬
‫ﻧﻮع ﺳﻔﻴﺪ اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪-6-7‬ب( و راﺑﻄﻪ آن ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪7‬‬
‫درﺟـــﻪ ﺣـــﺮارت ﺑﺮﺣﺴـــﺐ درﺟـــﻪ ﻛﻠـــﻮﻳﻦ و ﺛﺎﺑـــﺖ ﺑـــﻮﻟﺘﺰﻣﻦ ﺑـــﺎ ﻣﻘـــﺪار‬ ‫در راﺑﻄـــﻪ ﺑـــﺎﻻ‪،‬‬
‫دارﻳﻢ‪:‬‬ ‫در دﻣﺎي اﺗﺎق ‪300°‬‬ ‫‪ 1.38‬اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪50Ω‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪J⁄ k‬‬
‫‪8.28‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪V /Hz‬‬ ‫‪0.91 nV/√Hz.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-7‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ‪.‬‬
‫‪ ،BW‬ﺑﺎﻳـﺪ‬ ‫( ﻣﻮﺟـﻮد در ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاي ﺑﻪ دﺳﺖ آوردن وﻟﺘـﺎژ ﻣـﺆﺛﺮ ﻧـﻮﻳﺰ ﻛﻠـﻲ )‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان را در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺿﺮب ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪BW.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪7‬‬

‫در ﻣﺪلﺳﺎزي ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ در ﺷﻜﻞ ‪-6-7‬ب‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ﺣﺮارﺗﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎ ﺛﺎﺑـﺖ‬
‫در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ ازاي ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ ،100 THz‬ﺗـﻮان ﻧـﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ ﺑـﻪﺷـﺪت‬
‫اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬وﻟﻲ ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻫﺎي ﻛﺎري ﻣﺘﺪاول در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴـﻚ ﺑـﻪﻣﺮاﺗـﺐ از اﻳـﻦ ﻣﻘـﺪار‬
‫ﻛﻤﺘﺮ اﺳﺖ‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ را در ﻛﻞ ﺑﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﺛﺎﺑﺖ ﺗﺼﻮر ﻛﺮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-7-7‬اﻟﻒ‪ ،‬ﻧﺎﺷـﻲ‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-7‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان و ﺗﻮان ﻛﻠﻲ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه در ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬ ‫از ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-7‬ﺑﺪﺳﺖ آوردن راﺑﻄﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺪار ‪.RC‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ -7-7‬ب ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻘﺎوﻣﺖ را ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﺳﺮي ﺑﺎ آن ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒـﺪﻳﻞ‬
‫اﻳﻦ ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬
‫‪1⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪1⁄‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻟﺬا ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄـﻪ ﭼﮕـﺎﻟﻲ ﻃﻴـﻒ ﺗـﻮان ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺎ ورودي و ﺗـﺎﺑﻊ‬
‫ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺗﻮان ﻛﻠﻲ ﻧﻮﻳﺰ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺣﻮزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ اﻧﺘﮕﺮالﮔﻴﺮي ﻛﺮد‪.‬‬
‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه در ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪاﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﺪارد و ﺗﻨﻬﺎ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﺧـﺎزن اﺳـﺖ‪ .‬واﺿـﺢ‬
‫‪ 4‬ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣـﺎ دﻟﻴـﻞ آﻧﻜـﻪ‬ ‫ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻳﻌﻨﻲ‬ ‫اﺳﺖ ﻛﻪ اﻓﺰاﻳﺶ‬
‫ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻓﻴﻠﺘﺮ‬ ‫ﻧﻴﺴﺖ آن اﺳﺖ ﻛﻪ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫ﭼﺮا ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺷﻮد‪ .‬درﻧﻬﺎﻳﺖ اﻳﻦ دو اﺛﺮ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ را ﺧﻨﺜﻲ ﻧﻤﻮده و ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ را ﻣﺴﺘﻘﻞ از ‪ R‬ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻣﻨﺒـﻊ ﺗﻮﻟﻴـﺪ‬ ‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺪازه ﺧﺎزن‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻌﺎدل در ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺑﺪان دﻟﻴﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﺎزن‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ﻧﻴﺴﺖ و ﺗﻨﻬﺎ از ﺑﻴﻦ ﺑﺮﻧﺪه ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺎ اﺗﺼـﺎل ﻛﻮﺗـﺎه ﻛـﺮدن آن ﺑـﻪ زﻣـﻴﻦ ﻣـﻲﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﻣـﺪار ﻣﻌـﺎدل‬
‫‪⁄‬‬ ‫دﻳﺪهﺷﺪه از ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎي ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‪ ،‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﻪﺻﻮرت ﺷﻜﻞ ‪ 7-7‬اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻨﻜـﻪ ﻧﺴـﺒﺖ‬
‫واﺑﺴﺘﻪ اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺸﻜﻼت زﻳﺎدي را از ﻧﻈﺮ ﺳﻄﺢ اﺷﻐﺎﻟﻲ ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ‪1⁄4‬‬ ‫ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ‬
‫ﻧﻤﻮدن ﺗﻮان ﻧﻴﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ اﻧﺪازه ﺧﺎزن ﻣﻌﺎدل را ‪ 4‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ﻫﻤﻮاره وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ ﺟﺬر ﺗﻮان در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه از راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ ‪/‬‬
‫‪ 64.3µV‬اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻳﻚ ﺧﺎزن ‪ ،1pF‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬اﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ و ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪-7-7‬اﻟﻒ را ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺗﻮﻧﻦ در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪،‬‬
‫ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻧﻮرﺗﻦ آن ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ اﻧﺪازه زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬
‫‪4‬‬
‫‪A /Hz‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل ﺟﺮﻳﺎن ﻛﻠﻲ ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴـﻒ ﺗـﻮان در ﺧﺮوﺟـﻲ ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ 8-7‬ﺑﺮاﺑـﺮ‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪19‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 8-7‬ﺑﺪﺳﺖ آوردن وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن ﻛﻠﻲ ﻧﻮﻳﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار ﺷﺎﻣﻞ دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻮازي‪.‬‬
‫ب( ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ ،9-7‬ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻛﺎﻧﺎل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪ ،‬ﺑـﻪﺻـﻮرت‬
‫ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮازي ﺑﺎ ﻛﺎﻧﺎل و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪γ‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-7‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻛﺎﻧﺎل در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ‪ γ‬ﻳﻚ ﻋﺪد ﺛﺎﺑﺖ و ﻣﻘﺪار دﻗﻴﻖ آن واﺑﺴﺘﻪ ﺑـﻪ ﻓـﻦآوري ﺳـﺎﺧﺖ اﺳـﺖ‪ .‬ﻣﺘﺄﺳـﻔﺎﻧﻪ در ﻓـﻦآوريﻫـﺎي‬
‫‪ γ‬ﺑﻮد ﻛـﻪ‬ ‫ﺟﺪﻳﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ‪ γ‬ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﺑﺰرگ‪ ،‬اﻳﻦ ﻋﺪد در ﺣﺪود ‪2⁄3‬‬
‫‪ ،0.25‬ﺑﻪ ﺣﺪود ‪ 2.5‬رﺳﻴﺪه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫در ﻓﻦآوري‬
‫ﻣﺜـﺎل ‪ :2-7‬ﭼﮕـﺎﻟﻲ ﻃﻴـﻒ ﺗـﻮان وﻟﺘـﺎژ ﻧـﻮﻳﺰ را در ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 10-7‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﺤﻮه ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻛﺎﻧﺎل ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ ،10-7‬ﻣﺠﺬور وﻟﺘﺎژ ﻣـﺆﺛﺮ ﻧـﻮﻳﺰ در ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪γ‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪21‬‬ ‫‪7‬‬

‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺨﺶﻫﺎي اﻫﻤﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ ﻧﻴﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻧﻮﻳﺰ‬
‫‪ 4‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪11-7‬‬ ‫ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬
‫ﻧﺸــﺎن دادهﺷــﺪه اﺳــﺖ‪ ،‬ﭘﺎﻳﺎﻧــﻪﻫــﺎي ‪ G‬و ‪ D‬و ‪ S‬ﻫﻤﮕــﻲ ﺷــﺎﻣﻞ‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻫﻤﻲ ﺑﺎ اﻣﻜﺎن ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻧﻮﻳﺰ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﮔﻴﺖ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫‪/3.‬‬ ‫‪22‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 11-7‬ﻣﻨﺎﺑﻊ اﻫﻤﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از روش اﻧﮕﺸﺘﻲ ﻛﺮدن )‪ (Fingering‬ﺑﺮاي ﮔﻴﺖ و ﻧﻴﺰ اﺗﺼﺎل ﮔﻴﺖ ﺑﻪ ﻓﻠﺰ از دو ﻳﺎ ﭼﻨﺪ ﻧﻘﻄﻪ ﻫﻤﮕﻲ‬
‫ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﮔﻴﺖ‬
‫‪1⁄‬‬ ‫ج( ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﻳﺎ ﻧﻮﻳﺰ‬

‫ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﻣﺨﺘﺺ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ در اﺛﺮ ﺑﻪ دام اﻓﺘـﺎدن ﺗﺼـﺎدﻓﻲ ﺣﺎﻣـﻞﻫـﺎ در ﭘﻴﻮﻧـﺪﻫﺎي‬
‫در ﺑﺎﻻي ﮔﻴﺖ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ واﺑﺴﺘﮕﻲ ﻋﻜﺲ اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ‬ ‫زﻳﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﮔﻴﺖ و‬ ‫ﺗﺸﻜﻴﻞﺷﺪه ﺑﻴﻦ‬
‫ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ و ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻮدن اﺛﺮ آن در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ‪ ،‬ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﻧﻮﻳﺰ ‪ 1⁄‬ﻧﻴﺰ اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﻓﻠﻴﻜﺮ ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﺗﺼﺎدﻓﻲ در ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﮔﻴﺖ و ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان زﻳﺮ ﻣﺪلﺳﺎزي ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪7‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ‪ .‬ﻟﺬا در ﻛﺎرﺑﺮدﻫـﺎي‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ﭘﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷـﻮد‪ .‬ﻋـﻼوه ﺑـﺮ اﻳـﻦ ﺑﺎﻳـﺪ ﺗﻮﺟـﻪ داﺷـﺖ ﻛـﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ ،pMOS‬ﻧﻮﻳﺰ ‪ 1/‬ﻛﻤﺘﺮي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :3-7‬ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ و ‪ 1/‬ﺗﻮﻟﻴﺪﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ﺳـﺎﺧﺘﻪﺷـﺪه از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫‪ nMOS‬را در ﺑﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ‪ 1 Hz‬ﺗﺎ ‪ 1MHz‬ﺣﺴﺎب ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪γ‬‬ ‫اﻧﺪازه ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ در اﻳﻦ ﺑﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ از راﺑﻄﻪ‬
‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪3‬‬
‫اﺳﺖ‪:‬‬ ‫‪, ⁄‬‬ ‫‪, ⁄‬‬ ‫از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ در اﻳﻦ ﺑﺎزه ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب‬
‫‪1‬‬ ‫‪6.91‬‬
‫‪, ⁄‬‬ ‫‪, ⁄‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ (6-7‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﮔﻮﺷﻪ )‪ (Corner Frequency‬و ﻧﺤﻮه ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ آن‬

‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در آن‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗـﻮان ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ‬ ‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﮔﻮﺷﻪ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪه و ازآﻧﺠﺎ ﺑﻪ ﺑﻌﺪ ﻣﻲﺗﻮان اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ را ﻏﺎﻟﺐ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ )ﺷﻜﻞ ‪.(12-7‬‬
‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻳﻦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﻳﺪ ﭼﮕـﺎﻟﻲ ﻃﻴـﻒ ﺗـﻮان ﺟﺮﻳـﺎن‬

‫ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ را ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﺑﺮاﺑﺮ در ﻧﻈﺮ‬
‫ﮔﺮﻓﺖ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪4‬‬
‫‪3‬‬
‫‪3‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪8‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-7‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﮔﻮﺷﻪ در ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬
‫‪ (7-7‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ در ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ‬

‫ﻣﻲﺗﻮان اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﻛﻞ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻳﻚ ﻣﺪار را ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن در ورودي ﻳﺎ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه‬
‫راﺑﻄﻪ‪13-7‬‬
‫ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-13-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وﻟﺘﺎژ را ﺑﺎ ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺸﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-13-7‬ب ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻬﻢ ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬اﻳـﻦ ﻣﻨـﺎﺑﻊ ﺷـﺎﻣﻞ ﻣﻨﺒـﻊ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻛﺎﻧﺎل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از ﺣﺎﺻﻞﺿـﺮب ﺟﺮﻳـﺎن ﻧـﻮﻳﺰ‬ ‫ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺠﺬور ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-7‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ را ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه )‪ (input-referred‬ارﺟﺎع ﻣﻲدﻫﻨـﺪ ﺗـﺎ ﺑـﻪﻃـﻮر ﻣﻨﺼـﻔﺎﻧﻪ در‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آﻳﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﻮﺿـﻮع‬ ‫ﻛﻨﺎر ﺗﻮان ﺳﻴﮕﻨﺎل اﻋﻤﺎﻟﻲ ﺑﻪ ورودي ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﻳﺎ‬
‫در ﺑﺴﻴﺎري از ﺑﻠﻮكﻫﺎي ﻣﺪاري از ﻣﺒﺪلﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ ﺑﻪ دﻳﺠﻴﺘﺎل ﻳﺎ ‪ ADC‬اﻣﺮي ﺑﺴـﻴﺎر راﻳـﺞ اﺳـﺖ‪ .‬ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻧﻤﻲﺗﻮان ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﭘﺲ از ﺑﺪﺳﺖ‬
‫آوردن ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ )راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ(‪ ،‬آن را ﺑﺮ ﻣﺠﺬور ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺑﻪ روش ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻌﺮﻳﻒ دﻗﻴﻘﻲ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ‬
‫ورودي ﺑﻪﺻﻮرت ﺷﻜﻞ ‪-14-7‬اﻟﻒ ﺑﻮده و اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻨﺒﻊ ورودي از ﻧﻮع ﺳﻠﻔﻲ ﺑﺎﺷـﺪ‪ ،‬ﺑـﺎ ﺑﻴﻨﻬﺎﻳـﺖ‬
‫ﺷﺪن اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺳﻠﻒ )ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ(‪ ،‬ﻋﻤﻼً ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ از ﻳﻚ ﺳﻤﺖ اﺗﺼﺎل ﺑﺎز ﺷـﺪه و ﻧـﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع داده‬
‫ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺎﺷﻲ از اﻳﻦ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﺻﻔﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﻣﻮﺿـﻮع ﺻـﺤﻴﺢ ﻧﻴﺴـﺖ ﭼﺮاﻛـﻪ ﻣـﻲداﻧـﻴﻢ ﻛـﻪ ﭼﻨـﻴﻦ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاي در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻧﻴﺰ داراي ﻧﻮﻳﺰ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﺣﻞ اﻳﻦ ﻣﺸﻜﻞ ﻧـﻮﻳﺰ ورودي را ﺑـﻪﺻـﻮرت‬
‫ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن و ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ در ورودي ﻣﺪلﺳﺎزي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪-14-7‬ب(‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) :14-7‬اﻟﻒ( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ ورودي ﺑﺎ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺳﻠﻔﻲ ﻛﻮﭘﻞ ﺷﺪه ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر؛ )ب( ﻧﺤﻮه ﺗﻌﺮﻳﻒ‬
‫دﻗﻴﻖ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺎﺑﻊ وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬
‫را در ﺷﻜﻞ ‪-14-7‬ب ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤـﻮد؟ ازآﻧﺠﺎﻛـﻪ ﻣـﺪل ‪-14-7‬ب ﺑـﺮاي ﻫـﺮ‬ ‫‪,‬‬ ‫و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﭼﮕﻮﻧﻪ ﻣﻲﺗﻮان‬
‫ﻧﻴﺰ ﺑﺮﻗـﺮار‬ ‫و∞‬ ‫ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪ ،‬ﭘﺲ ﺑﺮاي دو ﺣﺎﻟﺖ ﺣﺪي ﻳﻌﻨﻲ ‪0‬‬ ‫ﺣﺎﻟﺘﻲ از اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﻣﻨﺒﻊ‬
‫ﺑـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑـﺎﻗﻲ ﻣـﻲﻣﺎﻧـﺪ و دو ﺳـﺮ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ ،‬ﻓﻘـﻂ ﻣﻨﺒـﻊ‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﺣﺪي ‪0‬‬
‫‪ ،‬ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ اﺗﺼـﺎل ﺑـﺎز و ﺣـﺬف ﻣـﻲﺷـﻮد و‬ ‫ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ دوم ﻳﻌﻨﻲ ∞‬
‫در ﻣﺪار ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻴـﺰان ﻧـﻮﻳﺰ ورودي در اﻳـﻦ دو ﺣﺎﻟـﺖ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻓﻘﻂ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫اﻧﺪازه دو ﻣﻨﺒﻊ را ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :4-7‬ﻧﻮﻳﺰ ورودي در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ ‪-14-7‬اﻟﻒ )ﻫﻤﺎن ﻣﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ (13-7‬را ﺑـﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از ﻣـﺪل ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ورودي در ﺷﻜﻞ ‪-14-7‬ب ﻣﺪلﺳﺎزي ﻛﻨﻴﺪ و اﻧﺪازه ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن و ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﺻﻞ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪ .‬ﺑﺮاي‬
‫ﺳﺎدﮔﻲ ﻛﺎر‪ ،‬از اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ‪ 1/‬ﻛﻪ ﻓﻘﻂ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ اﻫﻤﻴﺖ دارد ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ‪ ،‬ﻗﺒﻼً ﻧﺸﺎن دادﻳﻢ ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﺪار دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ ،‬اﻣﭙـﺪاﻧﺲ ورودي را ﺻـﻔﺮ ﻓـﺮض ﻣـﻲﻛﻨـﻴﻢ )ﺳـﻠﻒ اﺗﺼـﺎل ﻛﻮﺗـﺎه(‪ .‬ﻟـﺬا‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن اﺛﺮ‬
‫ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي را ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ ﻓﺮض ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ )ﻣﻨﺒﻊ ورودي اﺗﺼﺎل ﺑﺎز(‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﻣـﻲﮔﻴـﺮﻳﻢ‪ .‬ﺟﺮﻳـﺎن ﻧـﻮﻳﺰ ورودي ﺑـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫را ﺗﻨﻬﺎ ﻧﺎﺷـﻲ از‬ ‫‪,‬‬ ‫اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﺎ‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺎزﻧﻲ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وارد ﻣﻲﺷﻮد و وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ورودي را در ﺣﺎﻟﺖ ﺟﺪﻳﺪ ﻣـﻲﺳـﺎزد‪ .‬اﻳـﻦ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺳﭙﺲ در ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺿﺮب ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ را اﻳﺠﺎد ﻛﻨﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪31‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ (8-7‬ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ‬

‫در اﻳﻦ ﻗﺴﻤﺖ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ را ﺑﺪﺳﺖ آورده و ﭘﺲ از ﺗﺤﻠﻴـﻞ‪،‬‬
‫آﻧﻬﺎ را ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﻗﺒﻞ از ﻫﺮ ﭼﻴﺰ ﻻزم اﺳﺖ ﺑﻪ ﻧﻜﺘﻪ ﻣﻬﻤﻲ در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﺑﺪﺳـﺖ آوردن ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﻣـﻮازي ﺑـﺎ ﻛﺎﻧـﺎل‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ اﺷﺎره ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-15-7‬اﻟﻒ را ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ ﺣﺮﻳـﺎن ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫درﻳﻦ‪ -‬ﺳﻮرس در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﻣـﻲﺗـﻮان آن را ﺑـﻪﺻـﻮرت ﻳـﻚ ﻣﻨﺒـﻊ وﻟﺘـﺎژ در ورودي ﮔﻴـﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫ﻣﺪلﺳﺎزي ﻛﺮد )ﺷﻜﻞ ‪ -15-7‬ب(‪ .‬اﻧﺪازه ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﺎدل در ورودي ﮔﻴﺖ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪7‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 15-7‬ﻣﺪلﺳﺎزي اﺛﺮ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻮازي ﺑﺎ ﻛﺎﻧﺎل ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﻴﺖ‪.‬‬
‫اﻟﻒ( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‬

‫را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻗﺒﻼً ﻧﺸﺎن‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ -13-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎر‬ ‫راﺑﻄﻪ‪1615--77‬‬
‫راﺑﻄﻪ‬
‫دادﻳﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪7‬‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن اﻓﺰاﻳﺶ و‬ ‫ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻮﻳﺰ ورودي در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن ﻛﺎﻫﺶ داد‪.‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻛﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺎﻳﺪ‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :5-7‬وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 16-7‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪34‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪35‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜـﺎن‬
‫را ﻛﺎﻫﺶ داد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬
‫ب( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-17-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﻣﻨـﺎﺑﻊ ﻧـﻮﻳﺰ ﻣﻮﺟـﻮد در اﻳـﻦ‬
‫راﺑﻄﻪ‪17-7‬‬
‫آراﻳﺶ‪ ،‬در ﺷﻜﻞ ‪-17-7‬ب ﻧﻤﺎﻳﺶ دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑـﺎ در ﻧﻈـﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻦ اﺛـﺮات ﻧـﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر و‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪ ،‬راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪7‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 17-7‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ‪ -‬ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫ﻟﺬا راﺑﻄﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع داده ﺑﻪ ورودي‬
‫‪4‬‬ ‫‪1/‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪7‬‬
‫اﮔﺮ ﻧﻮﻳﺰ در ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ‪-13-7‬اﻟﻒ ﻣﺪلﺳﺎزي ﻛﻨﻴﻢ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗـﻮان ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫را اﺗﺼﺎل ﺑﺎز ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻧﻮﻳﺰ ورودي را ﻧﻴﺰ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﻢ‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻛﺎر ورودي‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮده و راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ورودي ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬ ‫ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪0‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻧﺪاﺷـﺘﻪ و‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ ،‬ﺗﺄﺛﻴﺮي در ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ورودي ﻳﻌﻨـﻲ‬ ‫ﻟﺬا ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬ ‫ﻫﻤﺎن ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫‪,‬‬
‫‪4‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪39‬‬ ‫‪7‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻳﻜﻲ از ﻣﺸﻜﻼت ﺳﺎﺧﺘﺎر ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﻬﺮه ﺟﺮﻳﺎن واﺣـﺪ‪ ،‬ﻧـﻮﻳﺰ ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ ورودي راه ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ج( ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-18-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ دﻧﺒـﺎلﻛﻨﻨـﺪه ﺳـﻮرس )ورودي ﮔﻴـﺖ – ﺧﺮوﺟـﻲ ﺳـﻮرس( را ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﻧﺸﺎن دادﻳﻢ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬
‫‪40‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ‪-18-7‬اﻟﻒ‪ ،‬در ﺷﻜﻞ ‪-18-7‬ب ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫را ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫را ﺑﻪﺻﻮرت ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ در ﮔﻴﺖ و اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫از ﻫﻤـﺎن اﺑﺘـﺪاي ﻛـﺎر در ﭘﺎﻳﺎﻧـﻪ ورودي‬ ‫در ﺑﻴﻦ درﻳﻦ و ﺳﻮرس آن در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬اﻣﺎ راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪41‬‬ ‫‪7‬‬
‫وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي‪ ،‬از ﺣﺎﺻﻞ ﺟﻤﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ‬
‫)ﺑﺎ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻮدن آن ﺑﺮ ﺑﻬﺮه( ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫ورودي ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-7‬آراﻳﺶ دﻧﺒﺎلﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس و ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻬﻢ در آن‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪42‬‬ ‫‪7‬‬
‫* ( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﺑﺎ وﺟﻮد ﺑﻬﺮه ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از واﺣﺪ‪ ،‬دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪهﻫـﺎي ﺳـﻮرس ﺑـﻪ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ورودي ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫اﺿﺎﻓﻪ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻧﻮﻳﺰ ﭘﺎﻳﻴﻦ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬ ‫رواﺑﻂ‪17-7‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-19-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد را ﻧﺸﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ورودي ﺑـﻪ ﮔﻴـﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪M‬‬
‫اﻋﻤﺎلﺷﺪه و ﺧﺮوﺟﻲ از درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬ﮔﺮﻓﺘﻪﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ و‬
‫ﻫﻤﺎن ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬اﺳـﺖ‪ .‬ﻟـﺬا‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻋﺒﻮري از ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬ ‫ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﻧﺎﺷﻲ از ‪ M‬و‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M ,‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻴﺰان ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر ‪) M‬ﺷـﻜﻞ ‪-19-7‬ب( در ورودي ﻣـﺪار‪ ،‬ﺑﺎﻳـﺪ اﺑﺘـﺪا‬
‫ﻣﻘﺪار ﻣﻌﺎدل اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ را در ﮔﻴﺖ ‪ M‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﻢ )ﺷﻜﻞ ‪ -19-7‬ج(‪.‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪7‬‬
‫)ج(‬ ‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 19-7‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬
‫ﻣﻘﺪار ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ را ﺑﺎ ﺿﺮب ﻧﻤﻮدن آن در ﻣﺠﺬور ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳـﻢ‪ .‬ﺑـﺮاي ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ‬
‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از ورودي ﮔﻴﺖ ‪ M‬ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ درﻳﻦ ‪ ،M‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪار را ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺳـﻮرس‬
‫ﻣﺸﺘﺮك اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﻴﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪7‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ دﻳﺪه ﺷﺪه در ﺳﻮرس‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻘﺪار ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﻧﺎﺷﻲ از ‪ ،M‬از ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻮدن ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺮ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﺠﺬور ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻣﺪار ﻳﻌﻨﻲ‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪46‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي را ﺑﺎ ﺟﻤﻊ ﻧﻤﻮدن ﻧﻮﻳﺰ ﻧﺎﺷﻲ از دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳﻢ‪.‬‬
‫ه( زوج ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-20-7‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑـﺎ دو ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺑـﺎر ﺑﺮاﺑـﺮ )‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﻓﺮم ﻣﺪل ﻧﺸﺎن دادهﺷـﺪه در ﺷـﻜﻞ ‪13-7‬‬
‫ﻛﻮﭼﻚ و ﻗﺎﺑﻞ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻛﺮدن اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺗﻨﻬﺎ وﻟﺘﺎژ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﺪل ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳﻢ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﻧﺎﺷﻲ از ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻮﻳﺰ ﻫﺮ ﻳـﻚ از‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﻳﻌﻨﻲ‬
‫دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ M‬و ‪ M‬ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪47‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪48‬‬ ‫‪7‬‬

‫ﭼﻮن دو ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﻏﻴﺮ ﻫﻤﺒﺴﺘﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﻤﻊ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪|M , M‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪49‬‬ ‫‪7‬‬

‫ﺷﻜﻞ‬
‫اﮔﺮ اﺛﺮ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ را ﻧﻴﺰ در ﺧﺮوﺟﻲ ﻟﺤﺎظ ﻛﻨﻴﻢ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﻧﻬﺎﻳﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﺑﺎ‪:‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 20-7‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻮﻳﺰ در اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2 4‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪50‬‬ ‫‪7‬‬

‫ﻣﻘﺪار ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه از راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻧﻮﻳﺰ آراﻳﺶ ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﻏﻴﺮﺗﻔﺎﺿﻠﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار ﻣﻌـﺎدل‬
‫اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ در ورودي‪ ،‬از ﺑﺨﺶ ﻧﻤﻮدن وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ در ﻣﺠﺬور ﺑﻬﺮه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪51‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺑﺎ ﻟﺤﺎظ ﻧﻤﻮدن اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ‪ 1/‬در ورودي ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ )و ﻧﻴﺰ ورودي ﻛﻠـﻲ ﻣـﺪار(‪ ،‬وﻟﺘـﺎژ ﻛﻠـﻲ ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪52‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ ﻧﻘﺶ را در ﻧﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ورودي ﻳـﻚ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه‬
‫دارﻧﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-20-7‬ب‪ ،‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺑﺎر ﻓﻌـﺎل را ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬در اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر‪،‬‬
‫‪ 2‬و ﻣﻘﺪار ﻧـﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ورودي ﻧﺎﺷـﻲ از دو‬ ‫)ﺷﺎﻣﻞ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ و ﻓﻠﻴﻜﺮ( از ﻣﺠﻤﻮع‬ ‫‪,‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺎﻻ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪53‬‬ ‫‪7‬‬
‫اﮔﺮ ﻓﻘﻂ اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪54‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪» ،‬ﻓــﺎﻛﺘﻮر ﻧــﻮﻳﺰ اﺿــﺎﻓﻲ« ﮔﻔﺘــﻪ ﻣــﻲﺷــﻮد‪ .‬ﺑــﺎ ﺻــﺮفﻧﻈــﺮ از اﺛــﺮ ﻧــﻮﻳﺰ‬ ‫‪1‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺑــﻪ ﭘــﺎراﻣﺘﺮ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻧﺪازه اﻳﻦ ﻓﺎﻛﺘﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﻚ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 21-7‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ )ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن( را ﻧﺸﺎن ﻣـﻲ‪-‬‬
‫دﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﮔﻴﺖ ﻫﺮ ﻳﻚ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪،‬‬ ‫‪،‬‬ ‫ﺑﺎ ﻓﺮض ﺻﻔﺮ ﺑﻮدن ورودي و ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘـﺎژ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ از ﻣﻨـﺎﺑﻊ ﻧـﻮﻳﺰ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫و‬
‫‪,‬‬ ‫‪55‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪56‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺗـﺎ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺷﻴﻮه ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺑﻬﺮه ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك در ﻣﺪارﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﺑﻬـﺮه وﻟﺘـﺎژ از ﻣﻨﺒـﻊ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 21-7‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ‪.‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪57‬‬ ‫‪7‬‬

‫‪2‬‬
‫ﺧﻮاﻫـﺪ‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎ ﻓﺮض ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﻮدن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ و ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﻣﺪار در دو ﻃﺮف‪،‬‬
‫ﺑﻮد‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﻌﺎدل در دو ﻃﺮف ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻜﺴﺎن اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ از‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ ،M5‬ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﻣﺪار ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪58‬‬ ‫‪7‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ از ﻧﻮع ﻛﺴﻜﻮد ﺷﻜﻞ ‪ ،22-7‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ M1‬و ‪ M7‬ﻧﻘﺶ ﻣﺆﺛﺮﺗﺮي‬
‫در ﻧﻮﻳﺰ ورودي دارﻧﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﻛﻢ ﻧﻮﻳﺰ ﺑﻘﻴﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ و ﺑﺎ ارﺟﺎع دادن ﻧﻮﻳﺰ ﺑﻪ‬
‫ورودي‪ ،‬ﻗﺎﺑﻞ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻛﺮدن ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪2 4‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2 4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪59‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 22-7‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ از ﻧﻮع ﻛﺴﻜﻮد‪.‬‬

‫ﻛﻤﺘــﺮ ﺑــﻪ ﻣﻌﻨــﺎي ﻧــﻮﻳﺰ ﻛﻤﺘــﺮ اﺳــﺖ‪ .‬اﻣــﺎ ﺑــﺎ ﺗﻮﺟــﻪ ﺑــﻪ راﺑﻄــﻪ وﻟﺘــﺎژ اﺷــﺒﺎع ﻳﻌﻨــﻲ‬ ‫واﺿــﺢ اﺳــﺖ ﻛــﻪ‬
‫و ﺑﺎﻋﺚ ﭘـﺎﻳﻴﻦ آﻣـﺪن ﺳـﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫‪ ،‬ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ‬ ‫‪2 ⁄‬‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ (9-7‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ ﻳﺎ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-23-7‬اﻟﻒ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻃﻴﻒ ﺗﻮان ﻧﻮﻳﺰ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺼﻮر ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪-7‬‬
‫‪ -23‬ب ﺗﻌﺮﻳﻒ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ را از روي اﻳﻦ ﺷﻜﻞ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه را‬
‫ﺑﻪ ﻣﺎ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ﭼﻪ ﻣﻴﺰان ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧـﺪ ﻻزم اﺳـﺖ‬ ‫در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪،‬‬ ‫از اﺑﺘﺪا ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺪار اوﻟﻴﻪ‬
‫ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ازﻟﺤﺎظ رﻳﺎﺿﻲ‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻮﻳﺰ ﻛﻠﻲ‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪60‬‬ ‫‪7‬‬
‫اﻳﻦ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‪ ،‬اﻣﻜﺎن ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻋﺎدﻻﻧـﻪ ﻣـﺪارﻫﺎﻳﻲ را ﻓـﺮاﻫﻢ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ ﻛـﻪ ﺗـﺎﺑﻊ ﺗﺒـﺪﻳﻞ آﻧﻬـﺎ ﻳﻜﺴـﺎن ﻧﻴﺴـﺖ‪.‬‬
‫اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ‪:‬‬ ‫‪⁄2‬‬ ‫ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪1‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪61‬‬ ‫‪7‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 23-7‬ﻣﻔﻬﻮم ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﻌﺎدل ﻧﻮﻳﺰ‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻫﺸﺘﻢ‪ :‬ﻓﻴﺪﺑﻚ‬

‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﺎي ﺑﺎزﮔﺮداﻧﺪن ﺑﺨﺸﻲ از ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ورودي ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﻣﻘﺎﻳﺴـﻪ و ﺗﻘﻮﻳـﺖ و ﺗﻀـﻌﻴﻒ‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﻪ ورودي اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖ در ﺳﺎل ‪ 1921‬ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻼك ﻛﺸﻒ ﺷﺪ و ﻛﺎرﺑﺮد ﮔﺴﺘﺮده‪-‬‬
‫اي در ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ دارد‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ‪ ،‬دﻗﺖ‪ ،‬ﺑـﺎزه ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ و ﭘﺎﻳـﺪاري‬
‫ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﻬﺒﻮد ﺑﺨﺸﻴﺪ‪ .‬ﻛـﺎﻫﺶ اﺛـﺮات ﻏﻴﺮﺧﻄـﻲ‪ ،‬ﺣﺴﺎﺳـﻴﺖ ﺑـﻪ ﻣﺸﺨﺼـﻪﻫـﺎي ﻋﻨﺎﺻـﺮ ﻓﻌـﺎل و‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻪ در اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬از دﻳﮕﺮ ﻣﺸﺨﺼﻪﻫـﺎي ﻣﻨﺤﺼـﺮﺑﻪﻓـﺮد‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ ﺧﺼﻮﺻـﻴﺎت در ﻣـﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜـﻲ‪ ،‬ﻏﺎﻟﺒـﺎً ﻳـﺎ‬
‫ﺑﺪون ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻧﺒﻮده و ﻳﺎ ﺑﻪ ﻣﺼﺮف ﺗﻮان ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ و راﻫﻜﺎرﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻃﺮاﺣـﻲ ﻣـﻲاﻧﺠﺎﻣـﺪ‪ .‬در‬
‫اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﺑﻪ ﺑﺮﺧﻲ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺳﻮدﻣﻨﺪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ در ﻃﺮاﺣـﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜـﻲ ﻛﺎرآﻣـﺪ‬
‫اﺷﺎره ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 1-8‬ﺑﻠﻮك دﻳﺎﮔﺮام ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺑﺎ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔـﻲ را ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺗـﺎﺑﻊ‬
‫ﺿﺎﺑﻄﻪ ﺑﻠﻮك ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻋﻤﺎلﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑـﺎ‬ ‫ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﺿﺎﺑﻄﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ اﺻﻠﻲ و‬
‫ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻳﻦ ﺑﻠﻮك دﻳﺎﮔﺮام‪ ،‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﺑﻪاﻧﺪازه ﻛﺎﻓﻲ ﺑﺰرگ اﺳـﺖ‪ ،‬ﺗـﺎﺑﻊ ﺗﺒـﺪﻳﻞ ورودي‪-‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﻠﻮك دﻳﺎﮔﺮام اﺻﻠﻲ‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪:‬‬ ‫ﮔﺮدﻳﺪه و ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺴﺘﻘﻞ از‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪8‬‬
‫راﺑﻄﻪ‪1-8‬‬
‫را ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ و ﺟﻤﻠﻪ‬ ‫ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻳﻌﻨﻲ ‪s‬‬
‫‪ 1‬را ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ از ﻋﻨﺎﺻﺮ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﺜﻞ‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻣﺎ ﻣﻌﻤﻮﻻً در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ اﻳﻦ ﺷﺒﻜﻪ‬ ‫ﺧﺎزن و ﺳﻠﻒ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﻮد و‬
‫اﺳﺖ و‬ ‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ و ﻏﻴﺮﻓﻌﺎل ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ و واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻧﻤﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻟﺬا‬
‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﺗﻨﻬﺎ ﺗﻮﺳﻂ‬ ‫رﻓﺘﺎر‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 1-8‬ﺑﻠﻮك دﻳﺎﮔﺮام ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ‪.‬‬
‫‪ (1-8‬ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ‬

‫‪ -1‬ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺎﻋﺚ ﻏﻴﺮ ﺣﺴﺎس ﺷﺪن ﺑﻬﺮه ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ از ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺑﻬـﺮه ﺳﻴﺴـﺘﻢ ﺣﻠﻘـﻪ ﺑـﺎز ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬
‫ﺑﺨﺸـﻲ از ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟـﻲ را ﺑـﻪ ورودي ﺑـﺎزﻣﻲ‪-‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 2-8‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳـﺪ‪ .‬ﺧـﺎزن‬
‫ﮔﺮداﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮن ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬راﺑﻄﻪ ورودي‪ -‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪﻗـﺮار‬
‫زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪:‬‬
‫‪. 3‬‬ ‫‪8‬‬

‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از ﮔﺮه‬
‫‪.‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪8‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 2-8‬ﻃﺒﻘﻪ ﺳﺎده ﺳﻮرس ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‪.‬‬
‫از ﺗﺮﻛﻴﺐ دو راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ورودي را از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳﻢ‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪-8‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺧﻮاﻫﺪ‬ ‫و‬ ‫ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ورودي ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ‬ ‫ﺑﻪ ازاي ﻳﻚ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﭘﺮوﺳﻪ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺷﺪ‪ .‬ﻟﺬا اﮔﺮ در ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ‪ ،‬اﻳﻦ دو ﺧﺎزن از ﻳﻚ ﻣﺎده ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ‬
‫ﺳﺎﺧﺖ و دﻣﺎ ﻧﻤﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان »ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز« ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در‬ ‫راﺑﻄﻪ‪4-8‬‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ اﮔﺮ ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ را ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺗﻘﺮﻳﺐ ﺑﺰﻧﻴﻢ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺷـﺪه و ﺗﻨﻬـﺎ ﺑـﻪ‬ ‫(‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘـﻪ ﺑﺴـﺘﻪ ﻣﺴـﺘﻘﻞ از‬ ‫ﺑﻪ ازاي ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ )‪1‬‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬ ‫ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻧﺨﻮاﻫﺪ ﮔﺬاﺷﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ‬ ‫ﺗﺄﺛﻴﺮي ﺑﺮ ﻧﺴﺒﺖ ‪⁄‬‬ ‫ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات‬ ‫ﻟﺬا اﮔﺮ‬
‫ﻧﺎﺷﻲ از دﻣﺎ ‪ ،‬ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺑﺎر ﺧﺮوﺟﻲ و ﻣﻮارد ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-2‬ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎ‬

‫از دﻳﮕﺮ ﺧﻮاص ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮ در اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي ﻣﺪار اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك ﺷـﻜﻞ‬ ‫رواﺑﻂ ‪5-8‬‬
‫را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﻣﻲﺧﻮاﻫﻴﻢ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي اﻳﻦ ﻣﺪار را‬ ‫و‬ ‫‪ 3-8‬ﺑﺎ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺧﺎزﻧﻲ ﻣﺮﻛﺐ از‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﻢ‪ .‬در ﺷﺮاﻳﻂ ﻋـﺪم وﺟـﻮد ﻣـﺪار‬ ‫و ﺑﺪﺳﺖ آوردن راﺑﻄﻪ آن ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﻧﻘﺶ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺴﺘﻘﻞ را داﺷﺘﻪ و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ‪،‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪8‬‬
‫در ﻣﺪار ﻓﻌﻠﻲ‪ ،‬راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺎ وﻟﺘـﺎژ اﻋﻤـﺎلﺷـﺪه‬

‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬
‫‪.‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮن ﺗﻘﺴﻴﻢ‬ ‫از ﻃﺮﻓﻲ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﮔﺮه ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻳﺎ‬
‫ﻣﺮﺗﺒﻂ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-8‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚدار‪.‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪8‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا درﻣﺠﻤـﻮع‬ ‫‪ ،‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻋﺒﻮري از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬از ﻣﺠﻤﻮع ﺟﺮﻳﺎن دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪11‬‬ ‫‪8‬‬
‫از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﻳﺎ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪1‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫ﻫﻤﺎن ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﻳﺎ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ آراﻳﺶ ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﻣﺘﻐﻴﺮ‬
‫ﻟﺬا ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪13 8‬‬
‫‪1‬‬
‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،3-8‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ورودي را ﻛـﺎﻫﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟـﺖ‬
‫ﻛﻠﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎ ﻛﺎﻫﺶ ﺷﺪﻳﺪ اﻣﭙﺪاﻧﺲ دﻳﺪهﺷﺪه از ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪار ﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ -3‬ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‬

‫‪ 1‬اﻓـﺰاﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﺑﺎﻻ و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ را ﺑﺎ ﺿﺮﻳﺐ‬
‫را ﭘـﺲ از‬ ‫ﺑﺎ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄـﻊ ﺑـﺎﻻي‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪-4-8‬اﻟﻒ ﺑﻠﻮك دﻳﺎﮔﺮام ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬ ‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ‬ ‫اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺛﺎﺑﺖ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪14‬‬ ‫‪8‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 4-8‬ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﭘﺲ از اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ‪.‬‬
‫‪ 1‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬در اﻏﻠﺐ‬ ‫ﭘﺲ از اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﺑﺎﻻي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﺿﺮﻳﺐ‬
‫ﻋﺪدي ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑـﺰرگ اﺳـﺖ‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛـﻪ ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ ﺑـﻪﻃـﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒـﻲ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﺑﺎﻻ اﺳﺖ ﻣﻲﺗﻮان ﮔﻔﺖ ﻛﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻣﺮﺗﺒﻪ اول را ﻧﻴـﺰ ﺑـﻪ ﻧﺴـﺒﺖ‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫‪ /‬در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻋﺪدي ﺑﺰرگ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان از ﻳﻚ ﻧﻴﺰ در ﻣﻘﺎﺑﻞ آن ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻧﻤﻮد‬ ‫اﻧﺪازه‬
‫ﻧﻮﺷﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ ‪ GBW‬ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺣﺎﺻـﻞﺿـﺮب‬ ‫و راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز را ﺑﻪﺻﻮرت ‪⁄‬‬
‫ﺑﻬﺮه در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ )ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ(‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫|‬ ‫| ‪GBW‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪GBW‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬در ﻣﻘﺎﺑﻞ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻗﻄـﻊ‬ ‫ﺑﻪ ‪1⁄‬‬ ‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﭘﺎﻳﻴﻦ از‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺑﺪﻳﻦ ﻣﻌﻨﺎﺳﺖ ﻛﻪ‬ ‫ﺑﻪ ‪GBW‬‬ ‫ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﻫﻤﺎن ﻧﺴﺒﺖ از‬
‫‪GBW.‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻟﺬا ﻗﺒﻞ و ﺑﻌﺪ از اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻋﺪد ﺛﺎﺑﺖ ‪ GBW‬ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ‬
‫در‬ ‫از ﻳﻚ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ‪ ،‬رواﺑﻂ ﺑﻬﺮه در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑـﺎﻻ ﺑـﻪ ﺷـﻜﻞ ‪GBW⁄s‬‬
‫ﻣﻲآﻳﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﻮﺿﻮع ﻧﺸﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ ﻛـﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي ﺑـﺎﻻ ﺑـﻲﺗـﺄﺛﻴﺮ ﺷـﺪه و ﭘﺎﺳـﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ و ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار ﻳﻜﺴﺎن ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-4-8‬ب دﻳـﺎﮔﺮام ﺗﻘﺮﻳﺒـﻲ اﻧـﺪازه‬
‫ﺑﻮد را ﻗﺒﻞ و ﺑﻌﺪ از اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻳﻜﺴﺎن ﺑـﻮدن ﭘﺎﺳـﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي‬
‫ﺑﺎﻻ‪ ،‬در ﻫﺮ دو ﻣﻮرد ‪ GBW‬ﻳﻚ ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺖ )ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﻲ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺑﺎ ﻣﺤﻮر اﻓﻘﻲ( اﺳﺖ‪ .‬اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧـﺪ‪،‬‬
‫ﺑﻪاﻧﺪازه ﻛﺎﻓﻲ ﺑﺰرگ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴـﺘﻪ‬ ‫از ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖزداﻳﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻧﺸﺎت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬اﮔﺮ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪﻳﺪي را ﺗﺠﺮﺑﻪ ﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﺑﻪﻃﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 1⁄‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﺣﺘﻲ اﮔﺮ‬
‫ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﺨـﻮاﻫﻴﻢ ﻳـﻚ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ‪ 20MHz‬را ﺑـﺎ ﺑﻬـﺮه ‪ 100‬و ﺣـﺪاﻛﺜﺮ ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ ﺗﻘﻮﻳـﺖ ﻛﻨـﻴﻢ‪.‬‬
‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﺎ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ ﻗﻄـﻊ ‪ 10MHz‬دﺳﺘﺮﺳـﻲ‬
‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-5-8‬اﻟﻒ ﭘﺎﺳﺦ زﻣﺎﻧﻲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه و ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ آن را ﭘﺲ از اﻋﻤﺎل ﺳﻴﮕﻨﺎل‬
‫ورودي ‪ 20MHz‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻫﻢاﻳﻨﻚ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻋﻤـﺎل ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺑـﻪ دور اﻳـﻦ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه‪،‬‬
‫ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ را ﺑﻪ ‪ 100MHz‬اﻓﺰاﻳﺶ داده و ﺑﻬﺮه را ﺗﺎ ﺣﺪ ‪ 10‬ﻛﺎﻫﺶ دادهاﻳﻢ )ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه در ﭘﻬﻨﺎي‬
‫ﺑﺎﻧﺪ ﺛﺎﺑﺖ(‪ .‬ﺑﺎ ﺳﺮي ﻧﻤﻮدن دو ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از اﻳﻦ ﻧﻮع )ﺷﻜﻞ ‪ -5-8‬ب(‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ ﺑﺴـﻴﺎر‬
‫ﺳﺮﻳﻊﺗﺮ و ﺑﺎ ﻫﻤﺎن ﺑﻬﺮه ﻗﺒﻠﻲ دﺳﺖ ﻳﺎﻓﺖ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎ ﻗﺮار دادن دو ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﺳﺮي‪ ،‬ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻧﻴـﺰ‬
‫دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷﻮد اﻣﺎ ﺑﺴﻴﺎر ﻣﺸﻜﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺪون اﺳﺘﻔﺎده از ﻓﻴﺪﺑﻚ در ﺳﺎﺧﺘﺎر اول‪ ،‬ﺑﻪ ﭼﻨﻴﻦ ﻛـﺎراﻳﻲ دﺳـﺖ‬
‫ﻳﺎﻓﺖ‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 5-8‬ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻳﻚ ﺳﻴﮕﻨﺎل ‪) 20MHz‬اﻟﻒ( ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ‪10MHz‬؛ )ب( ﺑﺎ ﺳﺮي ﻧﻤﻮدن دو‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار ‪.100MHz‬‬
‫‪-4‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻴﺰان ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‬

‫از دﻳﮕﺮ ﺧﻮاص ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ‪ ،‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻴﺰان ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه اﺳـﺖ ﻛـﻪ ﺑـﺎز ﻫـﻢ از ﻛﺎﺳـﺘﻪ ﺷـﺪن‬
‫ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﺸﺎت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻓﻴﺪﺑﻚ در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﻣﻌﻤﻮﻻً در ﺣﺎﻟﺖ ‪ ac‬اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ‪ dc‬ﻫﺮﭼﻨﺪ‬
‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﺜﺒﻴﺖ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺷﻮد وﻟﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻗـﻮاﻧﻴﻦ وﻟﺘـﺎژ و ﺟﺮﻳـﺎن و ﻧﻮﺷـﺘﻦ‬
‫ﻣﻌﺎدﻻت آﻧﻬﺎ ﻣﺪار را ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫‪ (2-8‬ﺳﺎﺧﺘﺎر اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ‬

‫ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ﺑﻪ ﭼﻬﺎر ﻧـﻮع ﺟﺮﻳـﺎن‪ ،‬ﻫـﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘـﺎﻟﻲ‪ ،‬اﻣﭙـﺪاﻧﺲ و‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(6-8‬ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﻄﻠﻮب‪ ،‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاﻳﺪهآل از ﻫـﺮ ﻧـﻮع‬
‫ﺑﺎﻳﺪ داراي ﺧﺼﻠﺖﻫﺎي زﻳﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪:‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﭘﺎﻳﻴﻦ‪.‬‬ ‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎﻻ‪ ،‬ورودي ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ورودي وﻟﺘﺎژ‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦ‪.‬‬ ‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲ وﻟﺘﺎژ‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 7-8‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ ﻫﺮ ﻳﻚ از اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-8‬اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 7-8‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ در ﺷﻜﻞ ‪.6-8‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-8‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﺧﺮوﺟﻲ ﻓﺘﻮدﻳﻮدﻫﺎ‪ ،‬از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه اﻣﭙـﺪاﻧﺲ ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر درﻳﺎﻓـﺖ و‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖ اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن و ﺗﺒﺪﻳﻞ آن ﺑﻪ ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﺎﺳﺐ در ﮔﻴﺮﻧﺪهﻫﺎي ﻧﻮري اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ (3-8‬ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از وﻟﺘﺎژ ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ ورودي‬

‫ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ‪ ،7-8‬راﻫﻜﺎرﻫـﺎي ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﻣﺘﻔـﺎوﺗﻲ ﺑـﺮاي ﺗﻘﻮﻳـﺖ‪-‬‬
‫ﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ وﺟﻮد دارد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 8-8‬ﺑﺮﺧـﻲ از اﻧـﻮاع ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي ﻓﻴـﺪﺑﻚ دار و ﻧﺤـﻮه ﻧﻤﻮﻧـﻪﺑـﺮداري از‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن را ﺑﺎ ورودي ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺗﻤﺎﻣﻲ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎ ﺷـﺎﻣﻞ ﻳـﻚ ﺣﻠﻘـﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ ورودي و ﺳﭙﺲ اﺻﻼح ﺧﺮوﺟﻲ ﻫﺴـﺘﻨﺪ )دﻗـﺖ ﻛﻨﻴـﺪ(‪ .‬ﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ ﻧـﻮع ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫)وﻟﺘﺎژ ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن(‪ ،‬ﻗﺴﻤﺘﻲ از ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﺷﺪه و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ در ﻛﻨـﺎر وﻟﺘـﺎژ ﻳـﺎ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ورودي ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴـﺮد‪ .‬راﻫﻜﺎرﻫـﺎي ﻣﻮﺟـﻮد در ﺷـﻜﻞﻫـﺎي ‪-8-8‬اﻟـﻒ‪ ،‬ب و ج‪ ،‬ﺑـﻪﻃـﻮر ﻣﺴـﺘﻘﻴﻢ از وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﺷﺪه ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪.‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺷﺪه و ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺗﻔﺎوت آﻧﻬﺎ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎ ﺻﺎدر ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﻧﺤـﻮه‬ ‫اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﺳﭙﺲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‬
‫ﺑﺎﺷﺪ )ﺷـﻜﻞ ‪-8-8‬اﻟـﻒ(‪ .‬ﺑـﺎ‬ ‫ﺑﻪ ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺑﻪ ﮔﻴﺖ و اﻋﻤﺎل‬ ‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل‬
‫ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﻪ آن اﺳـﺖ‪ ،‬ﻫﺮﮔﻮﻧـﻪ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ و ﻛﻢ ﻳﺎ زﻳﺎد ﺷﺪن ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎﻋﺚ ﺻﺪور ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎي ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ آن ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﺎ اﺳـﺘﺪﻻﻟﻲ‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫)ه(‬ ‫)د(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 8-8‬راﻫﻜﺎرﻫﺎي ﻋﻤﻠﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ )ﻣﻮارد )اﻟﻒ(‪) ،‬ب( و )ج(( ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ‬
‫وﻟﺘﺎژ ورودي )ﻣﻮارد )اﻟﻒ(‪) ،‬ب( و )ج(( ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن ورودي )ﻣﻮارد )د( و )ه((‪.‬‬
‫ﺑﻪ ﮔﻴﺖ )ﺷﻜﻞ ‪-8‬‬ ‫ﺑﻪ ﺳﻮرس و اﻋﻤﺎل‬ ‫ﻣﺸﺎﺑﻪ‪ ،‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺧﺮوﺟﻲ و ورودي ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪﺻﻮرت اﻋﻤﺎل‬
‫ﺑﻪ ﮔﻴﺖ ﻳـﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر دﻳﮕـﺮ در‬ ‫ﺑﻪ ﮔﻴﺖ و اﻋﻤﺎل ورودي‬ ‫‪-8‬ب( و ﻳﺎ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ اﻋﻤﺎل ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﻏﺎﻟﺐ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎﺷﺪ )ﺷﻜﻞ ‪-8-8‬ج(‪ .‬اﮔﺮ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه از ﺟـﻨﺲ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑﺎﺷـﺪ‪،‬‬
‫ﺑـﺎ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫ﻣﻲﺗﻮان از وﻟﺘﺎژ ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺰ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﮔﺮﻓـﺖ و آن را ﺑـﻪ ﺷـﻜﻞ ﺟﺮﻳـﺎن ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺷـﺪه‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺗﺤﻘﻖ ﻋﻤﻠﻲ اﻳﻦ اﻳﺪه‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﻛﻢ ﻧﻤﻮدن ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه از ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ورودي‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻳﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ و ﺑـﺎ اﺗﺼـﺎل ﻫـﺮ دو ﺟﺮﻳـﺎن ﺑـﻪ ﻳـﻚ ﮔـﺮه ﻣﺸـﺨﺺ ﺑﺎﺷـﺪ‬
‫)ﺷﻜﻞﻫﺎي ‪-8-8‬د و ‪-8-8‬ه(‪ .‬ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ‪ ،‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺗﻔﺎﺿﻞ دو ﺟﺮﻳـﺎن و در ﻏﺎﻟـﺐ ﻳـﻚ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄـﺎي‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﻛﻪ ﺟﻬﺖ ﭘﺮدازشﻫﺎي ﺑﻌﺪي ﺑﻪ درون ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺗﺰرﻳﻖ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫در دﻫﺎﻧﻪ ورودي‪ ،‬ﺟﻨﺲ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه و ورودي و ﻧﻴﺰ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ روش زﻳﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲ‪-‬‬
‫ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫اﻟﻒ( ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه و ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﺑﻪ دو ﮔﺮه ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪار اﻋﻤﺎل ﺷﻮﻧﺪ )ﺷﻜﻞﻫـﺎي ‪-8-8‬اﻟـﻒ‪،‬‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ وﻟﺘﺎژﻫﺎ؛ ﻓﻴﺪﺑﻚ در دﻫﺎﻧﻪ ورودي از ﻧﻮع ﺳﺮي اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ب و ج(‬
‫ب( ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه و ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﺑﻪ ﻳﻚ ﮔﺮه ﻣﺸﺨﺺ ﻣﺪار اﻋﻤﺎل ﺷﻮﻧﺪ )ﺷﻜﻞﻫﺎي ‪-8-8‬د و ‪-8‬‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎ؛ ﻓﻴﺪﺑﻚ در دﻫﺎﻧﻪ ورودي از ﻧﻮع ﻣﻮازي اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪-8‬ه(‬
‫در دﻫﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺟﻨﺲ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه و ورودي و ﻧﻴﺰ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ روش زﻳﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪:‬‬
‫اﻟﻒ( در دﻫﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از وﻟﺘﺎژ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد )ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﻳﺎ‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ در دﻫﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻮازي اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻏﻴﺮﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ ﮔﺮه وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ(‬
‫ب( در دﻫﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از ﺟﺮﻳﺎن اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد )وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﮔﺮه درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﺳﺖ‪،‬‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ در دﻫﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺳﺮي اﺳﺖ‪.‬‬ ‫اﻣﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺳﻮرس اﻧﺠﺎم ﺷﺪه اﺳﺖ(‬
‫ﺑﺎ اﺳﺘﺪﻻل ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻧﻮاع ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺑﻪ ﭼﻬﺎر دﺳﺘﻪ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪:‬‬
‫‪ (4-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﻣﻮازي‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 9-8‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﻣﻮازي را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷـﺒﻜﻪ‬ ‫رواﺑﻂ‪7-8‬‬
‫( را ﭘـﺲ‬ ‫ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻧﻤﻮده و ﺣﺎﺻﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري )‬ ‫‪ ،‬از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫از ﺳـﻴﮕﻨﺎل‬ ‫از ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻳﺎ ﺗﻀﻌﻴﻒ‪ ،‬ﺑﺎ ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ )اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎ ﻛﻢ ﻛﺮدن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷـﺪه‬
‫ﺣﺎﺻﻞ از اﻳﻦ ﺗﻔﺎﺿﻞ‪ ،‬ﭘﺲازآن ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي ﺳﻄﺢ‬ ‫اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد(‪ .‬ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎي‬ ‫ورودي‬
‫و‬ ‫اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺮي ﺑـﻮدن وﻟﺘﺎژﻫـﺎي‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ‬
‫ﺑﺎﻻ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ ،‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در ﻗﺴﻤﺖ ورودي از ﻧﻮع ﺳﺮي ﺑﻮده و ﺑﺎﻳﺪ داراي اﻣﭙﺪاﻧﺲ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-8‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪-‬ﻣﻮازي‪.‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻓﻴﺪﺑﻚ در درﮔـﺎه ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺑﺎﻻ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫از ﻧﻮع ﻣﻮازي ﺑﻮده و ﺑﺎﻳﺪ داراي اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي‬
‫ﺑﺮ اﺳﺎس ﺳﺮي ﻳﺎ ﻣﻮازي ﺑﻮدن ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در درﮔﺎه ورودي ﻳﺎ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑـﻪ اﻓـﺰاﻳﺶ ﻳـﺎ ﻛـﺎﻫﺶ‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ دﻳﺪهﺷﺪه ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚدار از اﻳﻦ درﮔﺎه ﭘﻲ ﺑﺮد‪ .‬ﺑﻪاﻳﻦﺗﺮﺗﻴﺐ ﻛﻪ اﮔـﺮ ﻧـﻮع ﻓﻴـﺪﺑﻚ از آن درﮔـﺎه‪،‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪ 1‬ﺿــﺮب ﺷــﺪه و اﮔــﺮ ﻣــﻮازي ﺑﺎﺷــﺪ ﺑــﺮ‬ ‫ﺳــﺮي ﺑﺎﺷــﺪ ﻣﻘﺎوﻣــﺖ ﺷــﺒﻜﻪ اوﻟﻴــﻪ در‬
‫ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاي ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﻣﻮازي‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪,‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﻣﻮازي ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي و ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬
‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ورودي ﻫﻤﭽﻨﺎن ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪1‬‬
‫ﺑﺪون واﺣﺪ ﺑﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧـﺪ‪ .‬در‬ ‫ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ‬ ‫و‬ ‫ﻫﻤﻮاره ﻧﺴﺒﺖﻫﺎي‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪-‬ﻣﻮازي ﻫﺮ دو ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻧﺴﺒﺖ دو وﻟﺘﺎژ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻟﺬا ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺪون واﺣﺪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫‪ (5-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﺳﺮي‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 10-8‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺑـﺎ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﻣـﻮازي‪ -‬ﺳـﺮي را ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﺒﻜﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ‬
‫ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻧﻤﻮده و ﺣﺎﺻﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ) ( را ﭘﺲ از ﺗﻘﻮﻳﺖ‬ ‫‪ ،‬از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪⁄‬‬
‫از ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫ﻳﺎ ﺗﻀﻌﻴﻒ ﺑﺎ ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ )اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎ ﻛﻢ ﻛﺮدن ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷـﺪه‬
‫ﺣﺎﺻﻞ از اﻳﻦ ﺗﻔﺎﺿﻞ‪ ،‬ﺳﭙﺲ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي ﺳﻄﺢ ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ‬ ‫اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد(‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﺧﻄﺎي‬
‫و‬ ‫اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻮازي ﺑﻮدن ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ‪⁄‬‬
‫در درﮔﺎه ورودي‪ ،‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در اﻳﻦ درﮔﺎه از ﻧﻮع ﻣﻮازي ﺑﻮده و ﻟﺬا اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻓﻴﺪﺑﻚ در درﮔﺎه ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 10-8‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﺳﺮي‪.‬‬
‫ﭘـﺎﻳﻴﻦ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫از ﻧﻮع ﺳﺮي اﺳﺖ و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﺻﺤﻴﺢ ﺑﺎﻳﺪ اﻣﭙـﺪاﻧﺲ ورودي‬
‫ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت ﻗﺒﻠﻲ‪ ،‬در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﺳﺮي ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻟﺬا ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﺳﺮي ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي و اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫از ﺟﻨﺲ ﻧﺴﺒﺖ دو ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻟﺬا ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺪون واﺣﺪ‬ ‫و‬ ‫در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺗﻮاﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 11-8‬ﻣﺜﺎﻟﻲ ﻋﻤﻠﻲ از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪-‬‬
‫ﺳﺮي را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪-‬‬
‫ﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﺪ )ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري در ﺳﻮرس اﻧﺠﺎم ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺗﻨﻬﺎ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ ﺑﻴﻦ درﻳﻦ و ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﺸﺘﺮك اﺳﺖ(‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﺳﻴﮕﻨﺎل‬
‫ﺧﻄﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺻﺎدر ﮔﺮدد )ﺷﺎﺧﻪ ﺟﺮﻳﺎن ورودي و ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫ﻫﺮ دو ﺑﻪ ﻳﻚ ﮔﺮه ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪهاﻧﺪ(‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 11-8‬ﻣﺜﺎﻟﻲ از ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﺳﺮي‪.‬‬

‫‪ (6-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﻣﻮازي‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-12-8‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﻣﻮازي را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﺒﻜﻪ‬
‫ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻧﻤﻮده و اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ را ﭘﺲ از‬ ‫‪ ،‬از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﻣﻮازي‬
‫ﺣﺎﺻـﻞ از اﻳـﻦ‬ ‫ﻛﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﺧﻄـﺎي‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺑﻪﺻﻮرت ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ ) ( از ﺟﺮﻳﺎن ورودي‬
‫ﺗﻔﺎﺿــﻞ‪ ،‬ﺳــﭙﺲ ﺑــﻪﻣﻨﻈــﻮر ﭘﺎﻳﺪارﺳــﺎزي ﺳــﻄﺢ وﻟﺘــﺎژ ﺧﺮوﺟــﻲ ﺑــﻪ ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه اﺻــﻠﻲ ﺑــﺎ ﺗــﺎﺑﻊ ﺗﺒــﺪﻳﻞ‬
‫در درﮔﺎه ورودي‪،‬‬ ‫و‬ ‫اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻮازي ﺑﻮدن ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﺑﺎﻻ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ اﻳﻨﻜـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در اﻳﻦ درﮔﺎه از ﻧﻮع ﻣﻮازي و داراي اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻓﻴﺪﺑﻚ در درﮔﺎه ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻮع ﻣﻮازي اﺳﺖ‪ .‬ﻟـﺬا‬
‫ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎﻻ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﺻﺤﻴﺢ‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫ﻣﻮازي‪-‬ﻣﻮازي‪ ،‬در اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪1‬‬
‫‪21‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 12-8‬ﻧﻤﺎﻳﻲ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪-‬ﻣﻮازي و ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ آن‪.‬‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﻣﻮازي ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺗﻮاﺑﻊ‬
‫‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺪون واﺣﺪ ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ -12-8‬ب ﻣﺜﺎﻟﻲ ﻋﻤﻠﻲ از ﻳﻚ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺒﺪﻳﻞ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه داراي ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮازي‪ -‬ﻣﻮازي را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري‬
‫اﻧﺠﺎم ﺷﺪه اﺳﺖ(‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ )ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري از ﻫﻤﺎن وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ )ﻛﻢ( ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺻﺎدر ﮔﺮدد )ﺷﺎﺧﻪ ﺟﺮﻳﺎن ورودي و ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫ﻫﺮ دو ﺑﻪ ﻳﻚ ﮔﺮه ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪهاﻧﺪ(‪.‬‬
‫‪ (7-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﺳﺮي‬

‫ﺷﻜﻞ‪-19-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪-13-8‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺳـﺮي‪ -‬ﺳـﺮي را ﻧﻤـﺎﻳﺶ ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﺒﻜﻪ‬
‫ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻛﺮده و اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن را ﭘـﺲ از‬ ‫‪ ،‬از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬
‫ﺣﺎﺻـﻞ از اﻳـﻦ‬ ‫ﻛـﻢ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬وﻟﺘـﺎژ ﺧﻄـﺎي‬ ‫( از وﻟﺘﺎژ ورودي‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺑﻪﺻﻮرت وﻟﺘﺎژ ﻓﻴﺪﺑﻚ )‬
‫اﺧــﺘﻼف‪ ،‬ﺳــﭙﺲ ﺑــﻪﻣﻨﻈــﻮر ﭘﺎﻳﺪارﺳــﺎزي ﺳــﻄﺢ ﺟﺮﻳــﺎن ﺧﺮوﺟــﻲ ﺑــﻪ ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه اﺻــﻠﻲ ﺑــﺎ ﺗــﺎﺑﻊ ﺗﺒــﺪﻳﻞ‬
‫در درﮔـﺎه ورودي‪ ،‬ﺷـﺒﻜﻪ‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎزﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺮي ﺑﻮدن دو ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﭘﺎﻳﻴﻦ اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﻦ درﮔﺎه از ﻧﻮع ﺳﺮي ﺑﻮده و داراي اﻣﭙﺪاﻧﺲ‬
‫اﻳﻨﻜﻪ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨـﺪ‪ ،‬ﻓﻴـﺪﺑﻚ در درﮔـﺎه ﺧﺮوﺟـﻲ از ﻧـﻮع ﺳـﺮي‬
‫ﺑﺎﻳـﺪ ﭘـﺎﻳﻴﻦ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ‬ ‫‪,‬‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﺻﺤﻴﺢ‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ورودي ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻳﻌﻨـﻲ‬
‫ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﺳﺮي در اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪,‬‬

‫‪22‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﺳﺮي ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺗﻮاﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬
‫‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺪون واﺣﺪ اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ -13-8‬ب ﻣﺜﺎﻟﻲ ﻋﻤﻠﻲ از ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬ ‫و‬
‫ﺳﺮي‪ -‬ﺳﺮي را ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﺻﻞ‬
‫از اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬ﺳﭙﺲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﺷﻮد )وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻓﻴﺪﺑﻚ و ورودي‪ ،‬ﺑﻪ دو ﮔﻴﺖ ورودي ﻳﻚ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪهاﻧﺪ(‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﻄﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺻﺎدر ﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-8‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي‪ -‬ﺳﺮي و ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻲ آن‪.‬‬
‫‪ (8-8‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚدار‬

‫ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ دار‪ ،‬ﺑﺎ ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ و ﻋﻼﻣﺖ آن آﻏـﺎز ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬در‬
‫ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺑﻌﺪ‪ ،‬ﭘﺲ از ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ و ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ از ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﺗﻔﻜﻴـﻚ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬درﻧﻬﺎﻳﺖ ﻧﻴﺰ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺮي ﻳﺎ ﻣﻮازي ﺑـﻮدن ﻓﻴـﺪﺑﻚ در درﮔـﺎهﻫـﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟـﻲ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬
‫ورودي‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ و ﺑﻬﺮه ﻣﺪار ﻣﺸﺨﺺ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﻜﺴﺘﻪ ﺷﻮد و اﺛﺮ ﺑﺎرﮔﺬاري ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺑـﺮ‬
‫ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﻣﺸﺨﺺ ﮔﺮدد‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ ﻳﻜﻲ از ﺻﻮرتﻫﺎي زﻳﺮ اﻧﺠﺎم‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫اﻟﻒ( اﮔﺮ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ در ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻮع ﻣﻮازي ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در اﻳﻦ درﮔﺎه اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ب( اﮔﺮ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ در ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻮع ﺳﺮي ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در اﻳﻦ درﮔﺎه اﺗﺼﺎل ﺑﺎزﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﺛﺮ ﺑﺎرﮔﺬاري ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ در درﮔﺎه ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ‪ ،‬ﻣﺮاﺣﻞ زﻳﺮ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫ج( اﮔﺮ ﻧـﻮع ﻓﻴـﺪﺑﻚ در ورودي‪ ،‬ﺳـﺮي ﺑﺎﺷـﺪ‪ ،‬ﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ اﺛـﺮ ﺑﺎرﮔـﺬاري آن در ﻗﺴـﻤﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺎ اﺗﺼـﺎل‬
‫ﺑﺎزﻧﻤﻮدن ﺷﺒﻜﻪ در درﮔﺎه ورودي اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫د( اﮔﺮ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ در ورودي‪ ،‬ﻣﻮازي ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ ﺑﺎرﮔﺬاري آن در ﻗﺴﻤﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ اﺗﺼـﺎل ﻛﻮﺗـﺎه‬
‫ﻧﻤﻮدن ﺷﺒﻜﻪ در درﮔﺎه ورودي اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :2-8‬ﭘـﺲ از ﻣﺸـﺨﺺ ﻧﻤـﻮدن ﻧـﻮع و ﻋﻼﻣـﺖ‬
‫ﻓﻴــﺪﺑﻚ در ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه ﺷــﻜﻞ ‪ ،14-8‬ﺑﻬــﺮه وﻟﺘــﺎژ‬
‫و ﻣﻘﺎوﻣـــــﺖ‬ ‫‪,‬‬ ‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣـــــﺖ ورودي‬ ‫‪⁄‬‬
‫را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫اﻟﻒ( ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 14-8‬از ﻧﻮع ﺳـﺮي‪-‬‬

‫ﻣﻮازي اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري و در‬
‫ﻗﺎﻟﺐ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﺧﺘﻼفﻓﺎز ‪ 180‬درﺟﻪ ﻧﻴﺰ در ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﺸﻬﻮد اﺳـﺖ )اﺧـﺘﻼفﻓـﺎز ‪ 180‬درﺟـﻪ در ﺑـﻴﻦ‬
‫ﮔﻴﺖ و درﻳﻦ ‪ M‬و اﺧﺘﻼفﻓﺎز ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﻴﻦ ﺳﻮرس و درﻳﻦ ‪ (M‬و ﻟﺬا ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﻧﻮع ﻣﻨﻔﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻧﻤﻮده و آن را ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬ ‫ب( ﺷﺒﻜﻪ‬
‫ﺑﻪﻗﺮار ﺷﻜﻞ ‪ 15-8‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 15-8‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ‪.‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪،‬‬ ‫‪،‬‬ ‫ج( ﭘﺲ از ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر در اﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ‪ ،‬ﻣﺘﻐﻴﺮﻫﺎي ﻣﺪاري ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﻨﺪ‪.‬‬ ‫و‬
‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻗﻮاﻧﻴﻦ زﻳﺮ‪:‬‬ ‫د( ﺷﻜﺴﺘﻦ ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ‬
‫اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻮازي‬
‫اﺗﺼﺎل ﺑﺎز‬ ‫ورودي ﺳﺮي‬
‫ﺷﻜﻞ‪-22-8‬ﺣﻠﻘ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 16-8‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ را ﭘـﺲ از اﻋﻤـﺎل دو ﻧﻜﺘـﻪ ﺑـﺎﻻ ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺑﻬـﺮه ﺣﻠﻘـﻪ ﺑـﺎز و‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪1⁄‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪8‬‬
‫ه( ﺗﺨﻤﻴﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ از روي ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 16-8‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪1‬‬
‫را در ﻣـﺪار‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :3-8‬ﺑﻬـﺮه اﻣﭙـﺪاﻧﺲ اﻧﺘﻘـﺎﻟﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 17-8‬ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ‪ ،17-8‬ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﻧـﻮع ﻣﻨﻔـﻲ ﺑـﻮده و ﻧـﻮع‬

‫ﺷﻜﻞ‪23-8‬‬
‫را‬ ‫آن ﺳــﺮي‪ -‬ﺳــﺮي اﺳــﺖ‪ .‬ﺷــﻜﻞ ‪-18-8‬اﻟــﻒ‪ ،‬ﺷــﺒﻜﻪ‬
‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﻧﺪازه ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬
‫‪30‬‬ ‫‪8‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 18-8‬ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ و ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﺑﺮاي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪.17-8‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ )ﺳﺮي‪-‬ﺳﺮي(‪ ،‬اﺛﺮ ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮ ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ را ﺑـﺎ اﺗﺼـﺎل ﺑـﺎز ﻧﻤـﻮدن دو درﮔـﺎه‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﺷﻜﻞ ‪-18-8‬ب ﻣﻲرﺳﻴﻢ‪.‬‬ ‫ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﺷﺒﻜﻪ‬
‫ﺑﻪ ﻧﺘﺎﻳﺞ زﻳﺮ ﻣﻲرﺳﻴﻢ‪.‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪31‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪1⁄‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪1⁄‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴـﺘﻪ‬ ‫‪⁄‬‬ ‫از روي ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺷﺒﻜﻪ اﺻﻠﻲ‪ ،‬ﺑﻬﺮه‬
‫ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪39‬‬ ‫‪8‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺑﺮﺧﻼف ﺗﺼﻮر ﻋﻤﻮم‪ ،‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻫﻴﭻ ﺗﺄﺛﻴﺮي ﺑﺮ ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻮﻳﺰ داﺧﻠﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﻧﺪارد‪.‬‬
‫و ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺷﻜﻞ ‪-19-8‬اﻟﻒ ﺑﺎ ﺑﻠﻮك ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ‬
‫ﺑﻪ دور اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﻋﻤﺎلﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺎ ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬ ‫ورودي‬
‫ﺑﻪﻗﺮار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫و وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ‬ ‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‬
‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻟﺬا ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪41‬‬ ‫‪8‬‬

‫‪1‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﺳـﺮي در ﻧﻈـﺮ ﺑﮕﻴـﺮﻳﻢ‪ .‬ﻟـﺬا‬ ‫را ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي‬ ‫اﻳﻦ دﻗﻴﻘﺎً ﻣﻌﺎدل ﺑﺎ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﻳﺰ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-19-8‬ب ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪-19-8‬اﻟﻒ ﻣﻌﺎدل ﺑﻮده و ﻧﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه اﺻـﻠﻲ‬
‫ﻫﻤﺎن ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 19-8‬ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪.‬‬
‫رواﺑﻂ‪14-8‬‬
‫ﻓﺼﻞ ﻧﻬﻢ‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ‬

‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ )آپاﻣﭗﻫﺎ( ﻣﺠﺘﻤﻊ‪ ،‬در ﺑﺴﻴﺎري از ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎل آﻧﺎﻟﻮگ ﻣﺠﺘﻤـﻊ‬
‫ﻛﺎرﺑﺮد دارﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ﻗﺎدرﻧﺪ ﻛﻪ ﺗﻔﺎﺿﻞ ﻣﻴﺎن دو ورودي را ﺑـﺎ ﺑﻬـﺮه زﻳـﺎد در ﺧﺮوﺟـﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖ‬
‫ﻛﻨﻨﺪ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ آپاﻣﭗﻫﺎ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑـﻪﺻـﻮرت ﺗـﻚ ﺳـﺮ ﻳـﺎ ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ .‬اﻧـﺪازه اﻳـﻦ وﻟﺘـﺎژ‪،‬‬
‫ﺑﻪﻃﻮرﻣﻌﻤﻮل در ﺣﺪ ﭼﻨﺪ ده ﻫﺰار ﺑﺮاﺑﺮ وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ورودي اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺑﻠﻮكﻫﺎ ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر اﻧﺠـﺎم ﻛﺎرﻫـﺎي‬
‫ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ازﺟﻤﻠﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ وﻟﺘﺎژ و ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳﺎس ‪ ،dc‬ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ و ﻓﻴﻠﺘﺮ ﻛـﺮدن ﺑـﺎ ﺳـﺮﻋﺖ ﺑـﺎﻻ‬
‫ﻣﻮرداﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي ﻋﻤﻠﻴـﺎﺗﻲ داراي ﺑﻬـﺮه ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑـﺎﻻ ﻫﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬اﻳـﻦ ﺧﺎﺻـﻴﺖ‪،‬‬
‫ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در اداﻣﻪ ﺧﻮاﻫﻴﻢ دﻳﺪ‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ اﻳﺠﺎد زﻣﻴﻦ ﻣﺠﺎزي ﺷﺪه و از آن ﻣﻲﺗﻮان ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﻫـﻢﭘﺘﺎﻧﺴـﻴﻞ‬
‫ﻛﺮدن ﮔﺮهﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻚ ﻣﺪار ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﻣﻬﻢﺗـﺮﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫـﺎي آپاﻣـﭗ‬
‫واﻗﻌﻲ ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫اﻟﻒ( ﺑﻬﺮه ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ )‪ :(DC gain‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ب( ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ورودي )‪ :(Speed‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ج( ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ )‪ :(Output Swing‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫د( ﺑﺎزه ﻣﺠﺎز ﺗﻐﻴﻴﺮات ورودي )‪ :(Input Range‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ه( ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﻳﺎ ﺧﺮوﺟﻲ )‪ :(Noise‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺻﻔﺮ‪.‬‬
‫و( ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ )‪ :(Power Consumption‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺻﻔﺮ‪.‬‬
‫ز( ﻣﻴﺰان ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎ ﻓﺎﻛﺘﻮر ﻓﻴﺪﺑﻚ )‪(Feedback Factor‬‬
‫ح( ﻧﺴﺒﺖ ﺣـﺬف ﻧـﻮﻳﺰ ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك )‪ :(CMRR = Common-Mode Rejection Ratio‬در‬
‫ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ط( ﻧﺴﺒﺖ ﺣﺬف ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ )‪ :(PSRR = Power Supply Rejection Ratio‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪه‪-‬‬
‫آل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ي( ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك و ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ورودي‪ :‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ‪.‬‬
‫ك( ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‪ :‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺻﻔﺮ‪.‬‬
‫‪ (1-9‬ﻣﻼﺣﻈﺎت ﻛﻠﻲ‬
‫در ﺳﺎلﻫﺎي اﺧﻴﺮ‪ ،‬ﻫﺪف اﺻـﻠﻲ ﻃـﺮاحﻫـﺎي ﻣـﺪار ﻣﺠﺘﻤـﻊ‬
‫ﻃﺮاﺣﻲ آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ ﺑﻮده اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪ آﻧﻬـﺎ ﺗـﺎ ﺣـﺪ‬
‫اﻣﻜﺎن ﺑﻪ آپاﻣﭗ اﻳﺪهآل ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑﻬـﺮه و ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬
‫ورودي ﭼﻨﻴﻦ آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫آﻧﻬﺎ ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ‪ .‬دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪﻫـﺎي اﻳـﺪه‪-‬‬
‫آﻟ ـﻲ ازﺟﻤﻠــﻪ ﺳــﺮﻋﺖ‪ ،‬ﺗــﻮان ﻣﺼــﺮﻓﻲ و ﺳــﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘــﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ در درﺟﻪ ﺑﻌﺪي اﻫﻤﻴﺖ ﻗﺮار دارﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮاي دﺳـﺘﻴﺎﺑﻲ‬
‫ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﭼﻨـﺪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر را ﺑـﺎ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﺳـﺮي‬
‫)ﻛﺴﻜﻮد( ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ .(1-9‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر اﻣﺎ ﺣـﺪ ﺑـﺎﻻي‬
‫ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﺎﻫﺶ ﺧﻮاﻫﺪ ﻳﺎﻓﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 1-9‬آراﻳﺶ ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ‪.‬‬
‫‪ (2-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ ﺑﻬﺮه ﻣﺤﺪود در رﻓﺘﺎر آپاﻣﭗ‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-9‬در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻏﻴﺮﻣﻌﻜﻮسﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪،2-9‬‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ ﭼﻘﺪر ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ ﺑﻬﺮه‬ ‫ﺑﻬﺮه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ آپاﻣﭗ ﻳﺎ‬
‫ورودي‪-‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 10‬و ﺧﻄﺎي ﺑﻬﺮه‬
‫( ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از ‪ 1%‬ﺑﺎﺷﺪ؟‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-9‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻏﻴﺮﻣﻌﻜﻮسﻛﻨﻨﺪه ﻣﺜﺎل ‪.1-9‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪﺻﻮرت ﺳﺆال‪ ،‬در ﺣﺎﻟﺖ اﻳﺪهآل ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪9‬‬
‫اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻧﻤﻮده و وﻟﺘﺎژ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه را ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي ﻣﻘﺎﻳﺴـﻪ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﻓﺼـﻞ ﻗﺒـﻞ‪ ،‬ﻓﻴـﺪﺑﻚ از ﻧـﻮع ﺳـﺮي – ﻣـﻮازي ﺧﻮاﻫـﺪ ﺑـﻮد‪ .‬ﻃﺒـﻖ ﻗﺎﻋـﺪه ﺗﻘﺴـﻴﻢ‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ‪ ،‬ﻓﺎﻛﺘﻮر ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪9‬‬
‫اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪. 3‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻣﺤﺪود ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬واﺿـﺢ‬ ‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺑﻬﺮه واﻗﻌﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار را ﺑﻪ ازاي ﺑﻬﺮه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ راﺑﻄﻪ ﺧﻄﺎي ﺑﻬﺮه ﺑﻪﺻﻮرت‬
‫‪1‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪0.01.‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺧﻄﺎي ‪ 1%‬ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬
‫‪1%‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1000.‬‬

‫در ﻓﺮآﻳﻨﺪﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻓﻌﻠﻲ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎر ﻣﺸﻜﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﺳـﺎده و ﺣﻠﻘـﻪ ﺑـﺎز‬
‫)ﻫﻤﭽﻮن ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ ،(3-9‬ﺑﻪ ﺑﻬﺮه دﻗﻴﻖ ‪) 10‬ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑـﺎﻻﺗﺮ از‬
‫‪ (1%‬دﺳﺖ ﻳﺎﺑﻴﻢ‪ .‬دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﻬـﺮه ﭘﺎﻳـﺪار و ﺑـﺎ ﺧﻄـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬از‬
‫ﻣﺰﻳﺖﻫﺎي ﻣﻬﻢ اﺳﺘﻔﺎده از آپاﻣﭗ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ در آراﻳﺶ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔـﻲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺑـﺎﻻ‪ ،‬ﺑﻬـﺮه ﺣﻠﻘـﻪ ﺑﺴـﺘﻪ را ﺗﻨﻬـﺎ واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ ﺿـﺮﻳﺐ‬
‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑـﺎ در ﻧﻈـﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻦ ﻋـﻮاﻣﻠﻲ ﻫﻤﭽـﻮن ﺗﻐﻴﻴـﺮات دﻣـﺎ‪،‬‬ ‫ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫ﭘﺮوﺳــﻪ ﺳــﺎﺧﺖ و وﻟﺘــﺎژ ﺗﻐﺬﻳــﻪ‪ ،‬دﻗــﺖ ﺑﻬــﺮه آپاﻣــﭗ ﺷــﻜﻞ ‪ 3-9‬ﺑــﻪ‬
‫ﺣﻮلوﺣﻮش ‪ 20%‬ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-9‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺳﺎده‪.‬‬

‫‪ (3-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﺤﺪود در رﻓﺘﺎر آپاﻣﭗ‬

‫و ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪-4-9‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه اوﻟﻴﻪ‬
‫را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ و ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫اﺳـﺖ‪.‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫راﺑﻄﻪ زﻣﺎﻧﻲ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ اﻳﻦ آراﻳﺶ‪ ،‬ﺷﻜﻞ ‪ -4-9‬ب آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻫﻤﻴﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﻪﺻـﻮرت ﺣﻠﻘـﻪ ﺑﺴـﺘﻪ‪ ،‬ﺑـﺎ‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪-5-9‬اﻟـﻒ‬ ‫‪⁄ 1‬‬ ‫و ﺑﻬﺮه اوﻟﻴﻪ ‪1⁄‬‬ ‫ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ‬
‫ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز را ﺑﺎ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺗـﺎﺑﻊ ﺗﺒـﺪﻳﻞ ﺣﻠﻘـﻪ ﺑﺴـﺘﻪ‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺑﺎ ﻓﺮض آﻧﻜﻪ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﻣﻴﺰان ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه اوﻟﻴﻪ‬
‫ﺑـــﻪ‬ ‫‪ GBW‬ﻫﻤـــﻮاره ﺛﺎﺑـــﺖ ﻣـــﻲﻣﺎﻧـــﺪ‪ .‬ﻟـــﺬا ﺑـــﺎ ﻛـــﺎﻫﺶ ﺑﻬـــﺮه از‬ ‫در ﭘﻬﻨـــﺎي ﺑﺎﻧـــﺪ ﻳـــﺎ‬
‫اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ ،‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه ﻧﻴـﺰ ﺗـﺎ ‪GBW‬‬ ‫‪⁄ 1‬‬ ‫‪1⁄‬‬
‫ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﺗﺎ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻤﺎﻧﺪ‪ .‬ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-9‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺑﺎ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 5-9‬ﻃﻴﻒ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ و ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬ ‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪،‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪GBW‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ -5-9‬ب ﭘﺎﺳﺦ زﻣﺎﻧﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ را ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺼﻮر ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺧﻄـﺎي ﻧﺸﺴـﺖ ﻳـﺎ‬ ‫رواﺑﻂ ‪2-9‬‬
‫در ﻫﺮﻟﺤﻈﻪ از زﻣﺎن ﺑﺎ ﻣﻘﺪار اﻳﺪهآل و ﻧﻬﺎﻳﻲ‬ ‫ﻣﺸﺨﺺﻛﻨﻨﺪه ﻣﻴﺰان ﺗﻔﺎوت وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫‪ ،‬ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺑﺮاي‬ ‫ﺷﻜﻞ‪3-9‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪9‬‬

‫اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻴﺰان ﺧﻄﺎي وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﺎ ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲﻫﺎي‬ ‫زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ‬ ‫ﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا اﮔﺮ‬ ‫از ﻣﻘﺪار ﻧﻬﺎﻳﻲ آن ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪ln‬‬ ‫‪GBW‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪GBW‬‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬ ‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ‪ GBW‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺑﺎ زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻛﻮﭼﻚ ﻳﺎ‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :2-9‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ ‪ 6-9‬از ﻧﻮع ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ورودي‬
‫ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از ﻧﻮع ﺷﻜﻞ ‪ 6-9‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﻻزم ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺧﻄـﺎي ﻧﺸﺴـﺖ ‪ 1%‬ﻣﻘـﺪار‬
‫ﻣﺤﺎﺳــﺒﻪ ﻛﻨﻴــﺪ‪ .‬ﺣﺎﺻــﻞﺿــﺮب ﺑﻬــﺮه در ﭘﻬﻨــﺎي ﺑﺎﻧــﺪ ﻳــﺎ ‪ GBW‬ﻣﻮردﻧﻴــﺎز‬ ‫ﻧﻬــﺎﻳﻲ را ﺑــﻪ ازاي ﺧﺮوﺟــﻲ‬
‫‪ 5‬را ﻧﻴـﺰ‬ ‫‪1‬و زﻣـﺎن ﻧﺸﺴـﺖ ﻛﻤﺘـﺮ از‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑـﻪ ﺑﻬـﺮه ‪10‬‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه آپاﻣﭗ را ﻧﺎﻣﺤﺪود ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-9‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار ﻣﺜﺎل ‪.2-9‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﻬﺮه‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪0.1‬‬
‫ﻟﺬا ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲﻫﺎي ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﺧﻄﺎي ‪ 0.01‬ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪ln‬‬ ‫‪ln 100‬‬ ‫‪4.6‬‬ ‫‪4.6‬‬
‫ﭘﺲ ﻣﻘﺪار ‪ 4.6‬ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲ ﻣﻮردﻧﻴﺎز اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﺧﻄﺎي زﻳﺮ ‪ 1%‬ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬درﻧﻬﺎﻳﺖ ﻧﻴﺰ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‬
‫‪ 5‬از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫ﻻزم ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﻛﻤﺘﺮ از‬
‫‪4.6 1‬‬
‫‪GBW‬‬ ‫‪9.21 Grad‬‬ ‫‪1.47 GHz.‬‬
‫‪0.1 5‬‬
‫‪ (4-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ رﻓﺘﺎر ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ آپاﻣﭗ واﻗﻌﻲ‬

‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ داﻣﻨﻪ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ آپاﻣﭗ واﻗﻌﻲ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺑﻪ ﺣـﺪي ﻣـﻲرﺳـﺪ ﻛـﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ وارد ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬
‫ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺷﺪه و در ﺧﺮوﺟﻲ ﻫﺎرﻣﻮﻧﻴﻚ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷـﻮد‪ .‬ﺧﻮﺷـﺒﺨﺘﺎﻧﻪ ﺑـﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از آپاﻣـﭗ ﺗﻤـﺎم‬
‫ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﻫﺎرﻣﻮﻧﻴﻚﻫﺎي زوج ﺣﺬف ﺷﺪه و ﻓﻘﻂ ﻫﺎرﻣﻮﻧﻴﻚﻫﺎي ﻓﺮد ﺑـﺎﻗﻲ ﻣـﻲﻣﺎﻧﻨـﺪ‪ .‬ﻟـﺬا ﻳﻜـﻲ از ﻣﺰاﻳـﺎي‬
‫آپاﻣﭗ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻧﻮع ﺗﻚ ﺳﺮ‪ ،‬ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﺑﻴﺸﺘﺮ آن اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (5-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻣﺤﺪود آپاﻣﭗ در رﻓﺘﺎر آن‬

‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ ﭘﻠﻪ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ داﻣﻨﻪ زﻳﺎد ﺑﻪ ورودي آپاﻣﭗ ﺷﻜﻞ ‪ ،1-9‬رﻓﺘﺎر ﺧﺮوﺟﻲ آپاﻣﭗ از ﻫﻤﺎن‬
‫اﺑﺘﺪاي ﻛﺎر ﺧﻄﻲ ﺑﺎﻗﻲ ﻧﻤﻲﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﻳﻜﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣﻞ ﺧﺎﻣﻮش ﺷـﺪه و ﻛـﻞ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫از ﺳﻤﺖ دﻳﮕﺮ ﻣﻲﮔﺬرد‪ .‬در ﻋﻤﻞ‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي از ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺘﻌﺎدل و ﺧﻄﻲ )ﺑﺎ ﺟﺮﻳـﺎن ‪⁄2‬‬
‫در ﻫﺮ ﻛﺪام از دو ﺳﻤﺖ( ﺧﺎرج ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ‪ ،‬ﻣﺪتزﻣﺎﻧﻲ ﻃﻮل ﺧﻮاﻫﺪ ﻛﺸﻴﺪ ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺰ ﺑـﻪ‬
‫ﻣﻘﺪار ﻧﻬﺎﻳﻲ ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺗﺄﺧﻴﺮ‪ ،‬ﻧﺎﺷﻲ از ﻣﺤﺪودﻳﺖ در ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ اﺳـﺖ و ﺑﺎﻋـﺚ ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺘﻮاﻧﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﺎﮔﻬﺎﻧﻲ ورودي را ﺑﺎ ﻫﻤﺎن ﺳـﺮﻋﺖ دﻧﺒـﺎل ﻛﻨـﺪ‪ .‬ﭘـﺲ از اﻋﻤـﺎل ورودي‪ ،‬زﻣـﺎن‬
‫ﻧﺸﺴﺖ ) ( ﺑﻪ ﻣﺪتزﻣﺎن ﻻزﻣﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺎ ﺧﻄﺎي ﻣﺸﺨﺼـﻲ ﺑـﺎ ﻣﻘـﺪار ﻧﻬـﺎﻳﻲ ﺧـﻮد‬
‫اﺧﺘﻼف داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺎ ﻛﺎراﻳﻲ ﻣﺪارﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪﺷﺪه از آپاﻣﭗ در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺑﻪ‬ ‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ و ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ ﭼﺮاﻛﻪ در آپاﻣﭗ اﻳﺪهال‪،‬‬
‫ازاي ﻫﺮ ﺧﻄﺎﻳﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﭘﻴﺶ از آﻧﻜﻪ ارﺗﺒﺎط ﻣﻴﺎن زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ و ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ را ﺑﺪﺳـﺖ آورﻳـﻢ‬
‫ﻻزم اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻲ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺗﺄﺛﻴﺮﮔﺬار در اﻧﺪازهﮔﻴﺮي آن را ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 7-9‬ﻧﺤﻮه ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار را ﭘﺲ از اﻋﻤﺎل ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﭘﻠﻪ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻓـﺮض ﻛﻨﻴـﺪ ﻛـﻪ‬
‫( ﺑـﻪ‬ ‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﭘﻠﻪ ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي اﻋﻤﺎل ﺷﻮد ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ از ﺣـﺪاﻗﻞ وﻟﺘـﺎژ ﻣﻤﻜـﻦ )در اﻳﻨﺠـﺎ ‪0.2 V‬‬
‫( ﻧﺸﺴــﺖ ﻛﻨــﺪ‪ .‬ﻟــﺬا ﺣــﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨــﻪ ﺗﻐﻴﻴــﺮات وﻟﺘــﺎژ ﺧﺮوﺟــﻲ‪،‬‬ ‫ﺳــﻤﺖ ﺣــﺪاﻛﺜﺮ )‪0.7 V‬‬
‫( ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ ﺑـﺎزه ﺧﻄـﺎي ﻧﺸﺴـﺖ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺧﻄﺎي ﻛﻠـﻲ ﻧﺸﺴـﺖ )‬ ‫‪0.5 V‬‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ ﻣﻘـﺪار اﻳـﺪهال ﺧـﻮد ﻓﺎﺻـﻠﻪ دارد‪ .‬اﻳـﻦ ﺧﻄـﺎ‪،‬‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ و اﺧﺘﻼف ﻣﻘﺪاري در ﻟﺤﻈﻪ‬
‫(و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪ 7-9‬ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳـﺖ‪ ،‬از دو ﺟـﺰء ﻧﺎﺷـﻲ از ﺑﻬـﺮه ﺣﻠﻘـﻪ ﺑـﺎز ﻣﺤـﺪود )‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-9‬ﭘﺎﺳﺦ ﻧﺸﺴﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻣﺤﺪود‪.‬‬
‫( ﺗﺸﻜﻴﻞﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﺤﺪود )‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺧﻄﺎي ﻧﺎﺷﻲ از ﺑﻬﺮه ﻣﺤﺪود ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻣﺪارﺑﺎز ﻣﺤﺪود آپاﻣﭗ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳـﺪ و ﺑﺎﻋـﺚ اﺧـﺘﻼف‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺎﻟﺖ داﺋﻤﻲ و ﻣﻘﺪار اﻳﺪهال ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺧﻄﺎي ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ در ﺣﺎﻟـﺖ ‪ dc‬اﺳـﺖ‪ .‬زﻣـﺎن ﻧﺸﺴـﺖ‪ ،‬ﺧـﻮد از دو‬ ‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ β ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ و‬
‫)ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﻬﻨـﺎي‬ ‫)ﻧﺎﺷﻲ از ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻣﺤﺪود( و ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ ﻳﺎ‬ ‫ﻣﺆﻟﻔﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺰرگ ﻳﺎ‬
‫در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺑﺎ‬ ‫ﺑﺎﻧﺪ ﻣﺤﺪود( ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺧﻄﺎي‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪exp‬‬ ‫‪GBW‬‬ ‫‪ln‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪12 9‬‬
‫‪GBW‬‬
‫در راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ n ،‬ﺗﻌﺪاد ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﻲﻫﺎﻳﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﻄﺎي ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻣﺤﺪود از ‪ eSS‬ﻛﻤﺘـﺮ ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻳﻦ ﻣﺘﻐﻴﺮ ﺗﺎﺑﻌﻲ از‬
‫‪1‬‬
‫‪ln‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1/ GBW‬‬
‫ارﺗﺒﺎط ﻛﻠﻲ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن داﺧﻠـﻲ آپاﻣـﭗ ﺑﺴـﺘﮕﻲ دارد‪ .‬اﮔـﺮ ﻓـﺮض‬
‫ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ آپاﻣﭗ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ و از ﻧﻮع ‪ CMOS‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ را ﺑﺎ راﺑﻄﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬـﺮه واﺣـﺪ و‬
‫ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ارﺗﺒﺎط ﻣﻴﺎن ﺣﺪاﻛﺜﺮ زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ )ﺑﻪ ازاي ﺣﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨـﻪ ﺗﻐﻴﻴـﺮات‬
‫( ﺑﺎ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪GBW‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪9‬‬
‫|‬ ‫|‬
‫| وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ – ﺳﻮرس اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي اﺳـﺖ‪ .‬راﺑﻄـﻪ ﺑـﺎﻻ را ﺑـﺎ‬ ‫در ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺑﺎﻻ‪| ،‬‬
‫ﻓﺮض ﺗﻚﻗﻄﺒﻲﺑﻮدن آپاﻣﭗ ﺑﻪ دﺳﺖ آوردﻳﻢ‪ .‬اﻣﺎ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺰﺋﻲ ﻣﻲﺗﻮان از آن ﺑﺮاي ﺗﺤﻠﻴﻞ زﻣﺎن ﻧﺸﺄت‬
‫و ‪ GBW‬ﺑـﺎ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ‬ ‫آپاﻣﭗﻫﺎي ﭼﻨﺪﻗﻄﺒﻲ ﻧﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﺑﻪوﺿﻮح ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ ﻛـﻪ‬
‫ارﺗﺒﺎط ﻣﻌﻜﻮس داﺷﺘﻪ و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻛﺎﻫﺶ زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ را اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻓـﺰاﻳﺶ‬
‫(‪،‬‬ ‫ﺧﻄﺎي ﻧﺸﺴﺖ ﻣﻮرد اﻧﺘﻈﺎر )ﻛﺎﻫﺶ ( و ﻛﺎﻫﺶ ﻧـﺮخ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺧﺮوﺟـﻲ )ﻛـﺎﻫﺶ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﻳﻚ ﺣﺪاﻛﺜﺮ زﻣﺎن ﻧﺸﺴﺖ ﻣﻌﻴﻦ ﻛﻤﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪،‬‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :3-9‬در ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ‪ CMOS‬ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ واﺣﺪ و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ‪66 dB‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬ورودي ﭘﺎﻳﻪﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ و ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ ‪ 0.25 mA‬اﺳـﺖ‪ .‬اﮔـﺮ‬
‫ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ ﻻزم را ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ زﻣﺎن ﻧﺸﺴـﺖ‬ ‫‪5 mA⁄V‬‬
‫‪ 1 μs‬ﺑﺎ ﺧﻄﺎي ﻧﺸﺴﺖ ﻛﻠﻲ ‪ 0.1 %‬ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻴـﺪ‪ .‬ﺣـﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨـﻪ ﺗﻐﻴﻴـﺮات وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ را ‪ 1 V‬در ﻧﻈـﺮ‬
‫ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪.‬‬
‫وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪0.25 mA‬‬

‫‪0.3 V.‬‬
‫‪5 mA⁄V‬‬
‫اﺳــﺖ ﻟــﺬا‬ ‫ﺑﻬــﺮه وﻟﺘــﺎژ ﺣﻠﻘــﻪ ﺑــﺎز ﺑﺮاﺑــﺮ ﺑــﺎ ‪ 2000‬اﺳــﺖ‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛــﻪ ﺿــﺮﻳﺐ ﻓﻴــﺪﺑﻚ ﻧﻴــﺰ ‪1‬‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬از ﺧﻄﺎي ﻛﻠﻲ ‪ 0.001‬ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ زﻣﺎن ﻧﺸﺴـﺖ ‪ 0.0005 ،1 μs‬آن‬ ‫‪,‬‬ ‫‪0.0005‬‬
‫ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬ ‫ﺧﻮاﻫـﺪ ﺑـﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠـﻪ ‪7.6‬‬ ‫و ‪ 0.0005‬ﺑﺎﻗﻴﻤﺎﻧﺪه ﻣﺮﺑﻮط ﺑـﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ‬
‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﻣﻲﺗﻮان ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از راﺑﻄﻪ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬
‫‪7.6 1‬‬ ‫‪1V‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪GBW‬‬ ‫‪ 1.58 MHz.‬ﻳﺎ ‪9.93 Mrad⁄s‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪0.3 V 1 μs‬‬
‫‪ (6-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﺛﺮ ﻧﻮﻳﺰ و اﻓﺴﺖ ﻏﻴﺮ ﺻﻔﺮ آپاﻣﭗ واﻗﻌﻲ‬

‫ﻧﻮﻳﺰ و اﻓﺴﺖ ورودي آپاﻣﭗ دو ﭘﺎراﻣﺘﺮي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺣﺪاﻗﻞ ﺳﻄﺢ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ورودي را ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﭘـﺮدازش‬
‫ﺻﺤﻴﺢ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬از ﻃﺮف دﻳﮕـﺮ‪ ،‬ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه در ﺣـﺬف ﻧـﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒـﻊ ﺗﻐﺬﻳـﻪ‪ ،‬ﺣـﺪاﻗﻞ ‪PSR‬‬
‫ﻣﻮردﻧﻴﺎز آپاﻣﭗ را ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬در اﻳﻨﺠﺎ اﻳﻦ ﻣﻮارد را ﺑﻪﺻﻮرت ﺟﺰﺋﻲﺗﺮ ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫‪ (7-9‬آپاﻣﭗﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ‬
‫ﺗﻤﺎﻣﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﺑﻪ آنﻫﺎ اﺷﺎره ﺷﺪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﺎده ﺑﺮاي آپاﻣﭗ در‬ ‫راﺑﻄﻪ ‪4-9‬‬
‫ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮانﻣﺜﺎل‪ ،‬ﺷﻜﻞ ‪ 8-9‬دو ﻧﻤﻮﻧﻪ آپاﻣـﭗ ﺗـﻚ ﻃﺒﻘـﻪ ﺳـﺎده را ﺑـﺮاي ﺗﻐﺬﻳـﻪ ﺑـﺎر ﺧـﺎزﻧﻲ‬
‫اﺳـﺖ و ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ آﻧﻬـﺎ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬ ‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫(‪ .‬اﻣﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ داراي اﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖ اﺳـﺖ ﻛـﻪ‬ ‫‪ GBW‬اﺳﺖ )واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺧﺎزن ﺑﺎر‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﻗﻄــﺐ آﻳﻨــﻪاي ﻣﻮﺟــﻮد در ﺳــﺎﺧﺘﺎر ﺗــﻚﺳــﺮ ﻧــﺪارد‪ .‬از ﻧﻘﻄــﻪﻧﻈــﺮ ﻧــﻮﻳﺰ ارﺟــﺎع دادهﺷــﺪه ﺑــﻪ ورودي‪ ،‬ﻫﻤــﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻫﺮ دو ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻪ ﻳﻚ اﻧﺪازه در اﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺄﺛﻴﺮﮔﺬار ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :4-9‬آپاﻣﭗ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ و ﻓﻴﺪﺑﻚ واﺣﺪ ﺷﻜﻞ ‪-9-9‬اﻟﻒ ﻣﻔﺮوض اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎزه ﺗﻐﻴﻴﺮات‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 8-9‬آراﻳﺶ ﺳﺎده ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﺗﻚ ﺳﺮ و ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 9-9‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﺗﻚ ﺳﺮ ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ واﺣﺪ‪.‬‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ورودي ﺳﺎﺧﺘﺎر را در ﺣﺎﻟﺖ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫ﭘﺎﺳﺦ‪ :‬ﻧﻮع ﻓﻴﺪﺑﻚ در آپاﻣﭗ ﺷﻜﻞ ‪ 9-9‬از ﻧﻮع ﺳﺮي‪ -‬ﻣﻮازي اﺳﺖ )ﻧﻤﻮﻧـﻪﺑـﺮداري از وﻟﺘـﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ و‬
‫ﺑﺎ ورودي ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻗﻄﻊ ﺷﻮد‪،‬‬ ‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ورودي(‪ .‬اﮔﺮ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑـﻪ ﻧـﻮع ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺳـﺮي‪ -‬ﻣـﻮازي‪ ،‬اﻳـﻦ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪ 1‬ﻛﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫‪1‬‬ ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﻪاﻧﺪازه‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺴﺘﻘﻞ از اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﻣﺎ را ﻗﺎدر ﻣﻲﺳﺎزد ﻛﻪ آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ‬
‫ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﻛﻢ ﻃﺮاﺣﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺑﺮاي اﻋﻤﺎل ﺑﻪ دو ورودي ﺑﺮاﺑﺮ ﺑـﺎ وﻟﺘـﺎژ ﮔﻴـﺖ‪-‬ﺳـﻮرس ﻻزم ﺑـﺮاي روﺷـﻦ ﻧﮕـﺎهداﺷـﺘﻦ‬
‫ﺑﻪﻋﻼوه وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ )وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪ -‬ﺳﻮرس اﺷﺒﺎع( ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻳﻌﻨﻲ ﻳﻚ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫اﺳـﺖ‪ ،‬اﻳــﻦ ﻣﻘــﺪار‬ ‫اﺳــﺖ‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛــﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳــﺎن ﻳﻌﻨـﻲ‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪9‬‬

‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﻗﺎﺑﻞاﻋﻤﺎل ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﻧﻴﺰ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﺒـﻊ ﺗﻐﺬﻳـﻪ ﻣﻨﻬـﺎي ﺣـﺪاﻗﻞ وﻟﺘـﺎژ‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻻزم ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻧﮕﺎهداﺷﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪17‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻪاﻧﺪازه ﻛﺎﻓﻲ ﻧﺒﻮده و ﺗﻘﺮﻳﺐ راﺑﻄـﻪ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ ،9-9‬ﺑﻬﺮه‬
‫ﺧﺮوﺟــﻲ ﺣﻠﻘــﻪ ﺑﺴــﺘﻪ را ﺑــﺎ ﻣﺸــﻜﻞ ﻣﻮاﺟــﻪ ﻛﻨــﺪ‪ .‬ﺷــﻜﻞ ‪ ،10-9‬ﺳــﺎﺧﺘﺎر آپاﻣــﭗ ﻛﺴــﻜﻮد ﺗﻠﺴــﻜﻮﭘﻲ‬
‫)‪ (Telescopic Cascode‬ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ را ﺑﺮاي ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻬـﺮه وﻟﺘـﺎژ در اﻳـﻦ‬ ‫راﺑﻄﻪ‪7-9‬‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-10-9‬اﻟﻒ آراﻳﺶ آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ را در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻚ ﺳﺮ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫـﺪ‪ .‬از آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن ﻛﺴـﻜﻮد‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻧﺘﻘﺎل ﺑﺨﺸﻲ از ﺳﻴﮕﻨﺎل از ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻳﻜﻲ از ﻣﺸﻜﻼت اﺻﻠﻲ آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﻣﻮﺟـﻮد در ﺷـﻜﻞ ‪-10-9‬اﻟـﻒ‪ ،‬ﻧﻴـﺎز ﺑـﻪ اﺗﺼـﺎل ﻛﻮﺗـﺎه ﻧﻤـﻮدن‬
‫ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺷﻜﻞ ‪ 9-9‬اﺳﺖ ﺗﺎ ﺑﺘﻮان آپاﻣﭙـﻲ ﺑـﺎ ﻓﻴـﺪﺑﻚ واﺣـﺪ ﺳـﺎﺧﺖ‪ .‬در اﻳـﻦ‬ ‫ﺑﻪ ورودي‬ ‫ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬ ‫ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻧﮕﺎهداﺷﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪.‬‬ ‫‪19‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬ ‫از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺮاي در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع ﻧﮕﺎهداﺷﺘﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪.‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪9‬‬
‫اﺧﺘﻼف ﺑﻴﻦ اﻳﻦ دو وﻟﺘﺎژ ﺑﺮاﺑﺮاﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪21‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻛﻤﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻛﻪ ﻫﻤﻮاره از‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﺣﺎﻟﺖ اﺗﺼﺎل ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺧﺮوﺟﻲ و ورودي ﺑﻪ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑـﺎ‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ورودي ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪:‬‬
‫‪Input Swing = Output Swing.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪8-9‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 10-9‬اﺳﺘﻔﺎده از آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ‪.‬‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ :5-9‬ﻃﺮاﺣﻲ آپاﻣﭗ‪ :‬ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي زﻳﺮ ﻃﺮاﺣﻲ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫اﻟﻒ( ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﻮرداﺳﺘﻔﺎده ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‬
‫‪0.5 µm:‬‬ ‫‪0.1 V‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪0.2 V‬‬ ‫‪,‬‬

‫‪0‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪0.7 V‬‬
‫‪60 µA/V ,‬‬ ‫‪30 µA/V ,‬‬
‫ب( وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ‪:‬‬
‫‪3V‬‬
‫ج( ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﻧﻮﺳﺎن وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪:‬‬
‫‪3V,‬‬ ‫‪2000‬‬
‫د( ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻣﺠﺎز ﺑﺮاي اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر‪:‬‬
‫‪10 mW‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 11-9‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آپاﻣﭗ ﻣﻮرداﺳﺘﻔﺎده در ﻃﺮاﺣﻲ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 11-9‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آپاﻣﭗ ﻣﻮرداﺳﺘﻔﺎده را ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻي ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﺗﻐﺬﻳـﻪ‬
‫‪،‬‬ ‫و‬ ‫و ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺘﺸﻜﻞ از‬ ‫از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺷﺎﻣﻞ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫از آﻳﻨﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺷﺎﻣﻞ‬
‫اﺳـﺖ‪ ،‬ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎي زﻳـﺮ را ﺑـﺮاي‬ ‫ﺳـﺎﺧﺘﺎر و اﻳﻨﻜـﻪ ‪3V‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﻮدﺟﻪ ﻛﻞ ‪10 mW‬‬
‫ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪار در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‪:‬‬
‫‪165 µA,‬‬ ‫‪3 mA.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪﺷﺪه ﺑﺮاي ‪ ،‬ﺳﻬﻢ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﻫﺮ ﻳـﻚ از دو ﺷـﺎﺧﻪ در ﺣﺎﻟـﺖ ﺗﻌـﺎدل ﺑﺮاﺑـﺮ‬
‫‪1.5 mA.‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎن وﻟﺘﺎژ در‬ ‫ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﻧﻮﺳﺎن وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪3V‬‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬ ‫و‬ ‫ﻫﺮ ﻳﻚ از ﮔﺮهﻫﺎي‬
‫‪1.5 V.‬‬
‫ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎن ﻣﺸﺨﺺﺷﺪه در ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﻻزم ﺑﺮاي در اﺷﺒﺎع ﻣﺎﻧﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‬
‫در ﻧﻈـﺮ‬ ‫)ﻣﺠﻤﻮع وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ( از وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻛﺴﺮ ﮔﺮدﻳﺪه و وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻗﻴﻤﺎﻧﺪه ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪1.5 V.‬‬
‫ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﻓﺼﻞ دوم اﺷﺎره ﮔﺮدﻳﺪ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪22‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪⁄‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﻣﻴﺰان ﺟﺮﻳﺎن اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎ ﻛﺎﻫﺶ داد ﺗﺎ ﺑـﻪ ﻳـﻚ‬
‫ﺛﺎﺑﺖ و ﻣﺸﺨﺺ و ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﺣﺪاﻗﻞ ﻻزم ﺑﺮاي ورود ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ آﺳـﺘﺎﻧﻪ ﺷـﻮﻳﻢ )ﻣﻘـﺪارﻫﺎي‬
‫ﻧﻴـﺰ از ﺗﺤـﺮك ﭘـﺬﻳﺮي‬ ‫ﺑﻴﻦ ‪ 150 mV‬ﺗﺎ ‪ 500 mV‬ﻣﻌﻤﻮل اﺳﺖ(‪ .‬ﻣﻴﺰان ﺗﺤـﺮك ﭘـﺬﻳﺮي ﺣﻔـﺮه ﻳـﺎ‬
‫ﻧﻴﺰ ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﺳـﺎﻳﺮ‬ ‫ﻛﻤﺘﺮ ﺑﻮده و در ﺣﺪود ﻧﺼﻒ ﺗﺎ ﻳﻚﺳﻮم آن اﺳﺖ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫اﻟﻜﺘﺮون ﻳﺎ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﻳﻦ ﻧﻜﺎت‪ ،‬اﮔﺮ ﺑﺨﻮاﻫﻴﻢ ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﻧﺴﺒﺘﺎً ﻳﻜﺴﺎن داﺷـﺘﻪ‬
‫ﺑﺎﺷﻴﻢ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ را ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻣﻘﺎدﻳﺮ زﻳﺮ در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ‪:‬‬
‫‪500 mV ,‬‬ ‫‪300 mV,‬‬ ‫‪200 mV.‬‬

‫ﺑﺎ داﺷﺘﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و راﺑﻄﻪ وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع‪ ،‬اﺑﻌﺎد آﻧﻬﺎ را ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآورﻳﻢ‪:‬‬
‫‪/‬‬ ‫‪1250/‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪1111,‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪400.‬‬

‫ﺑﺎ داﺷﺘﻦ اﺑﻌﺎد ﻫﺮ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و ﺟﺮﻳﺎن آن‪ ،‬ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪23‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1416.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪9‬‬

‫ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه‪ ،‬ﻣﻴﺰان ﺑﻬﺮه ﻣﻮردﻧﻴﺎز در ﺻﻮرتﻣﺴﺌﻠﻪ را ارﺿﺎ ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ دﻧﺒـﺎل راﻫـﻲ‬
‫ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎﺷﻴﻢ‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ ﻣﻲداﻧﻴﻢ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه ذاﺗﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ‬
‫در ارﺗﺒﺎط اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻟﺬا ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه ذاﺗﻲ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻃﻮل و ﻋﺮض آن را اﻓﺰاﻳﺶ داد و ﻳﺎ اﻳﻨﻜﻪ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫آن را ﻛﺎﻫﺶ داد‪ .‬در ﻋﻤﻞ‪ ،‬اﻳﻦ ﺳﺮﻋﺖ و ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑﺎﻳـﺎس آن را ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲﻛﻨﻨـﺪ‪.‬‬
‫ﺛﺎﺑـﺖ ﻣﺎﻧـﺪه و وﻟﺘـﺎژ‬ ‫آن اﺳـﺖ ﺗـﺎ ‪⁄‬‬ ‫درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﻨﻬﺎ راه اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر و درﻋﻴﻦﺣﺎل اﻓـﺰاﻳﺶ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻜﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫اﺷﺒﺎع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻳﺎ‬
‫در ﻣﺴﻴﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل از ورودي ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﻗﺮارﮔﺮﻓﺘـﻪاﻧـﺪ‪ ،‬اﻓـﺰاﻳﺶ اﺑﻌـﺎد‬ ‫ﺗﺎ‬ ‫ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫آﻧﻬﺎ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن اﻳﻦ ﻗﻄﻌﺎت و درﻧﻬﺎﻳﺖ ﺧﺮاب ﺷﺪن ﭘﺎﻳﺪاري و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺧﻮاﻫـﺪ ﺷـﺪ‪ .‬ﻟـﺬا اﺑﻌـﺎد‬
‫را ﺑﺰرگ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻛﺮدن‬ ‫ﺗﺎ‬ ‫آنﻫﺎ را دﺳﺖ ﻧﻤﻲزﻧﻴﻢ و ﺗﻨﻬﺎ اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎﻻ از‬
‫ﺛﺎﺑـﺖ ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫‪ λ‬ﻧﺼﻒ ﻣﻲﺷﻮد )‬ ‫آن را دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﭼﺮاﻛﻪ ‪1⁄‬‬ ‫و ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪،‬‬
‫دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲﺷﻮد(‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻛﺮدن اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻣﺎﻧﺪ و‬
‫‪W/L‬‬ ‫‪1111‬‬ ‫‪/1‬‬ ‫‪λ‬‬ ‫‪0.1V‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪4000.‬‬
‫ﺑﻬﺮه ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﻣﻘﺪار ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻛﺎﻫﺶ اﻧﺪازه ﺧﺎزنﻫﺎي ﭘﺎرازﻳـﺖ‪ ،‬ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺗﻮان اﺑﻌﺎد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬را ﻛﻤـﻲ ﻛﻮﭼـﻚﺗـﺮ در ﻧﻈـﺮ ﮔﺮﻓـﺖ‪ .‬ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر ﻛـﺎﻫﺶ ﺑﻴﺸـﺘﺮ اﺑﻌـﺎد‬
‫در ﻧﻈـﺮ ﮔﺮﻓـﺖ و وﻟﺘـﺎژ اﺣﻴﺎﺷـﺪه را ﺑـﻪ اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ ، pMOS‬ﻣﻲﺗﻮان ‪150 mV‬‬
‫وﻟﺘﺎژ اﺷﺒﺎع اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ اﺧﺘﺼﺎص داد‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﻃﺮاﺣﻲ آپاﻣﭗ ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﺑـﺮ روي ﻛﺎﻏـﺬ ﺑـﻪ ﭘﺎﻳـﺎن‬
‫ﻣﻲرﺳﺪ و ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺑﻌﺪ‪ ،‬ﻃﺮاﺣﻲ و ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﻧﺮماﻓﺰار ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي اﺳﺖ‪.‬‬
‫در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻃﺮاﺣﻲﺷﺪه‪ ،‬ﺣﺪ ﭘﺎﻳﻴﻦ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر روﺷـﻦ ﺷـﺪن و در اﺷـﺒﺎع ﻣﺎﻧـﺪن‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1.4 V.‬‬
‫ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر در ﻧﺎﺣﻴـﻪ اﺷـﺒﺎع ﻣﺎﻧـﺪن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ‬ ‫و ﺣﺪ ﺑﺎﻻي وﻟﺘـﺎژ ﺑﺎﻳـﺎس‬ ‫ﺣﺪ ﭘﺎﻳﻴﻦ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻳﺎس‬
‫ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬
‫‪,‬‬ ‫‪1.6 V,‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1.7 V.‬‬
‫در اﺛـﺮ ﺗﻐﻴﻴـﺮات‬ ‫و‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻃﺮاﺣﻲﺷﺪه‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﭘﺎﻳﺪاري و ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﻻزم را ﻫﻨﮕـﺎم ﺗﻐﻴﻴـﺮ‬
‫ﭘﺮوﺳﻪ ﺳﺎﺧﺖ و دﻣﺎ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﻳﺪ اﺛﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ را ﺑـﻪ ﺧـﺎﻃﺮ اﺛـﺮ ﺑﺪﻧـﻪ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻟﺤﺎظ ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫از ﻣﺸﻜﻼت ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻃﺮاﺣﻲﺷﺪه در ﻣﺜﺎل ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻛﻤﺘﺮ ﺷﺪن ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻗﺮار‬
‫دادن ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺮ روي ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺳﺖ‪ .‬اﻣﻜﺎن اﺗﺼﺎل ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ورودي ﻣﻨﻔﻲ‬
‫ﻧﻴﺰ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻔﺎوت در ﺳﻄﺢ ‪ dc‬اﻳﻦ دو وﻟﺘﺎژ وﺟﻮد ﻧﺪارد‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي ﻧﻴﺰ ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ از ﺣﺪ‬
‫ﺧﺎﺻﻲ ﻛﻤﺘﺮ ﺷﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 12-9‬آراﻳﺶ آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه )‪ (Folded Cascode‬را ﺑﺮاي ﺣﻞ اﻳﻦ‬
‫ﻣﺸﻜﻞ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺣﻔﻆ ﺗﻌﺎدل ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬
‫‪2,‬‬ ‫‪27‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪2.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 12-9‬آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه‪.‬‬
‫رواﺑﻂ‪9-9‬‬
‫در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ آپاﻣﭗ ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫اﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪9‬‬
‫در ﻧﻈـﺮ ﺑﮕﻴـﺮﻳﻢ‪،‬‬ ‫‪,‬‬ ‫را‬ ‫و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻨﺒـﻊ‬ ‫‪,‬‬ ‫را‬ ‫اﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ 12-9‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪9‬‬
‫واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻧﺪازه اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴـﻜﻮﭘﻲ ﻛﻤﺘـﺮ اﺳـﺖ‪.‬‬
‫درﻧﺘﻴﺠﻪ در ﺷﺮاﻳﻂ ﻳﻜﺴﺎن‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه از اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻛﻤـﻲ ﻛﻤﺘـﺮ از آپاﻣـﭗ ﻛﺴـﻜﻮد ﺗﻠﺴـﻜﻮﭘﻲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻗﺎﺑﻞاﻋﻤﺎل ﺑﻪ دو ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ورودي ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪31‬‬ ‫‪9‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك را ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺎ ﺣﺪ ﺻﻔﺮ ﻛـﺎﻫﺶ‬
‫داد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺰ ﭼﻨـﺪان ﻣﺤـﺪود ﻧﻤـﻲﺷـﻮد ﭼﺮاﻛـﻪ ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر‬
‫ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ‪ ،‬ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ ﺑﺮ روي ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻗﺮار ﻧﻤﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪.‬‬
‫از ﻣﻌﺎﻳـﺐ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴـﻜﻮد ﺗﺎﺷـﺪه‪ ،‬اﻳﺠـﺎد ﻳـﻚ ﻗﻄــﺐ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ ﭘـﺎﻳﻴﻦ ﺑﻴﺸـﺘﺮ ﻣﻮﺳـﻮم ﺑـﻪ ﻗﻄـﺐ ﺗﺎﺷــﺪﮔﻲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﻗﻄﺒﻲ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺟﻮد ﻧﺪارد و ﺑﺎﻋـﺚ‬ ‫)‪ (Folding Pole‬در ﻣﺤﻞ ﺗﺎﺷﺪﮔﻲ ﮔﺮه‬
‫ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﭘﺎﻳﺪاري و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ از آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷـﺪه ﺑﺎﺷـﺪ‪.‬‬
‫ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷـﺪه در‬ ‫اﻳﻦ ﻣﺸﻜﻞ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﺰرگﺗﺮ ﺷﺪن ﺧﺎزن دﻳﺪهﺷﺪه در ﮔﺮه‬
‫اﻳﻦ ﮔﺮه ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪9‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻫﺮ دو ﺣﺎﻟﺖ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ و ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗـﻚ ﺳـﺮ‬
‫ﻃﺮاﺣﻲ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-13-9‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ را ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫دﻫﺪ‪ .‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚﺳﺮ ﻳﺎ‬
‫راﺑﻄﻪ‪9-9‬‬
‫‪,‬‬ ‫|‬ ‫‪|.‬‬ ‫‪33‬‬ ‫‪9‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-9‬آپاﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ‪.‬‬
‫ﻧﺰدﻳـﻚﺗـﺮ ﻧﻤـﻮد‪ .‬ﺑـﺮاي ﺣـﻞ اﻳـﻦ‬ ‫ﻟﺬا ﺣﺪاﻛﺜﺮ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ را ﻧﻤﻲﺗﻮان از ﺣﺪ ﻣﺸﺨﺼﻲ ﺑﻪ‬
‫ﻣﺸﻜﻞ ﻣﻲﺗﻮان از آراﻳﺶ اﺻﻼحﺷﺪه ﺷﻜﻞ ‪-13-9‬ب اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻣـﻲﺗـﻮان دو‬
‫را در ﻣﺮز ﻧﻮاﺣﻲ اﺷﺒﺎع و ﺗﺮﻳـﻮد ﻧﮕـﺎه داﺷـﺖ‪ .‬از اﻳـﺪهاي ﻣﺸـﺎﺑﻪ ﻧﻴـﺰ ﺑـﺮاي اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در آراﻳﺶ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬درﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬ﻣﺸﻜﻼت ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺗـﻚ ﺳـﺮ‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ از ﻗﺮار ﻣﻮارد زﻳﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪:‬‬
‫‪ -1‬ﻛﺎﻫﺶ ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﻧﺼﻒ ﺗﻐﻴﻴﺮات در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ؛‬
‫‪ -2‬وﺟﻮد ﻗﻄﺐ آﻳﻨﻪاي در ﮔﺮه ‪.‬‬
‫دﻗﻴﻘﺎً ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻫﻤﻴﻦ ﻣﻮارد اﺳﺖ ﻛﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑـﻪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺗـﻚﺳـﺮ ﺗـﺮﺟﻴﺢ داده ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬
‫ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻛﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻳﺎ ‪ CMFB‬ﺑﻪﺻـﻮرت اﺷـﺎرهﺷـﺪه در اداﻣـﻪ‬
‫ﺑﺤﺚ دارد‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﻫﺮ دو ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻚ ﺳﺮ و ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺗﻌﺪاد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻴﺸﺘﺮي را ﺑﺮ روي ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ ﻗـﺮار‬
‫داد و ﺑﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻﺗﺮ دﺳﺖ ﻳﺎﻓﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ (8-9‬آپاﻣﭗﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ‬
‫آپاﻣﭗﻫﺎي ﺑﺮرﺳﻲﺷﺪه ﺗﺎﻛﻨﻮن‪ ،‬ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي را ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻫﺪاﻳﺖ ﻣﻲ‪-‬‬
‫ﻛﺮدﻧﺪ‪ .‬در ﻓﻦآوريﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮي ﻓﻌﻠﻲ‪ ،‬ﺑﻬﺮه و ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ آپاﻣﭗﻫﺎ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﭘـﺎﻳﻴﻦ‬
‫ﺑﻮده و ﺑﻪ ﻣﻴﺰان ﻣﻄﻠﻮﺑﻲ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪ .‬در ﭼﻨﻴﻦ ﺷﺮاﻳﻄﻲ از آپاﻣﭗﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﺑﻬﺮه و ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﺣﺪ ﻣﻌﻘﻮل ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 14-9‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ ﻳﻚ آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘـﻪ را ﺑـﻪ ﺗﺼـﻮﻳﺮ ﻣـﻲ‪-‬‬
‫ﻛﺸﺪ‪ .‬ﻃﺒﻘﻪ اول داراي ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺎﻻ اﺳﺖ ﺗﺎ ﺳﻄﺢ ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي را ﺑﻪ ﺣﺪ ﻣﻌﻘﻮل ﺑﺮﺳـﺎﻧﺪ‪ .‬از ﻃـﺮف‬
‫دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺗﻤﺮﻛﺰ اﺻﻠﻲ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻃﺒﻘﻪ دوم ﺑﺎ ﺑﻬﺮه وﻟﺘـﺎژ ﻣﺘﻮﺳـﻂ ﺑـﺮ روي ﺳـﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘـﺎژ اﻳـﻦ ﻃﺒﻘـﻪ اﺳـﺖ‪.‬‬
‫درﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻛﻠﻲ اﻳﻦ آراﻳﺶ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪.‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 14-9‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫ﻟﺬا ﻫﻢ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﻪ ﺣﺪ ﻣﻌﻘـﻮﻟﻲ‬

‫ﻣــﻲرﺳــﺪ و ﻫــﻢ ﺳــﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘــﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﺑـﻪ ﺣـﺪ ﻛـﺎﻓﻲ اﻓـﺰاﻳﺶ‬
‫ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 15-9‬ﻳـﻚ روش‬
‫ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺳـﺎده ﺑـﺮاي آپاﻣـﭗ‬
‫دوﻃﺒﻘﻪ ﺷﻜﻞ ‪ 14-9‬را ﻧﺸﺎن ﻣﻲ‪-‬‬
‫دﻫﺪ‪ .‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺮاﺑـﺮ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 15-9‬ﻳﻚ روش ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺮاي آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﻬﺮه‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان از آپاﻣﭗﻫﺎي ﺳﻪﻃﺒﻘﻪ و ﺑﺎﻻﺗﺮ اﺳـﺘﻔﺎده ﻧﻤـﻮد‪ .‬اﻣـﺎ ﻣﺸـﻜﻼت اﺻـﻠﻲ‪،‬‬
‫ﻧﺤﻮه ﺗﺄﻣﻴﻦ ﭘﺎﻳﺪاري و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺑﺴﻴﺎر ﻣﺤﺪود ﭼﻨﻴﻦ آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 16-9‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ ﺷﻜﻞ ‪ 15-9‬را ﺑﻪﺻﻮرت ﺗـﻚﺳـﺮ ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬از آﻳﻨـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻧﺘﻘﺎل ﺑﺨﺸﻲ از ﺳﻴﮕﻨﺎل از ﺳﻤﺖ ﭼـﭗ ﺑـﻪ ﺳـﻤﺖ راﺳـﺖ اﺳـﺘﻔﺎده ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟــﻲ در دو ﺧﺮوﺟـــﻲ ﻃﺒﻘـــﻪ اول‪،‬‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــــــــﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫ﺗﻮﺳــــــــﻂ‬
‫از ﻃﺒﻘــﻪ دوم ﺗﺜﺒﻴــﺖ ﻣــﻲ‪-‬‬
‫ﺷـﻮد‪ .‬درواﻗـﻊ اﮔــﺮ آپاﻣـﭗ ﺗـﻚ ﺳــﺮ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ ﺑﺎ ﺗﺜﺒﻴﺖ ﺷـﺪن ﺟﺮﻳـﺎن ﻧﻘﻄـﻪ ﻛـﺎر‬
‫ﻃﺒﻘﺎت ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﮕﺮ ﻧﻴـﺎزي‬
‫ﺑﻪ ﺧﺎزن ﺗﺰوﻳﺞ و ﻛﻨﺎرﮔﺬر ﻧﻴﺴﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 16-9‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‬

‫ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﻚﺳﺮ‪.‬‬
‫‪ (9-9‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻪ ﺑﻬﺮه ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮي )‪(Gain Boosting‬‬

‫را ﺑﺎ ﻫﺪف اﻓـﺰاﻳﺶ‬ ‫و‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪-17-9‬اﻟﻒ آراﻳﺶ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺷﺎﻣﻞ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺳﺮي‬
‫و درﻧﻬﺎﻳـﺖ اﻓـﺰاﻳﺶ ﺑﻬـﺮه ﻛﻠـﻲ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﻳﻌﻨـﻲ‬ ‫ﻫﺮ ﭼﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫در‬ ‫‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬
‫ﺿﺮب ﻣﻲﺷﻮد )ﺷﻜﻞ ‪-17-9‬ب(‪:‬‬ ‫ﻳﻌﻨﻲ‬ ‫ﺑﻬﺮه ذاﺗﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪.‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪9‬‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 17-9‬اﻓﺰاﻳﺶ اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻓﻴﺪﺑﻚ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ -17-9‬ج ﻳﻚ روش ﻣﺤﺒﻮب ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ و اﻓﺰاﻳﺶ ﻫﺮ ﭼـﻪ ﺑﻴﺸـﺘﺮ ﺑﻬـﺮه را ﻧﺸـﺎن‬
‫و در آراﻳﺶ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ از ﺟﺮﻳﺎن ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﺑﺮداري ﻛﺮده و‬ ‫ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺿﺎﻓﻲ ﺑﺎ ﺑﻬﺮه‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﻧﻮع ﺳﺮي – ﺳﺮي اﺳﺖ و ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ‬ ‫را ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺷﺪه‬
‫و ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﺑﻬﺮه ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫اﺳﺖ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺿﺮب ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪9‬‬

‫ﺑﻪ ﻃﺮز ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻬﻲ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﻳﻚ روش ﺑـﺮاي‬ ‫ﻟﺬا ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﻛﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﻌﻨﻲ‬
‫ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي اﻳﺪه ﺷﻜﻞ ‪ ،17-9‬در ﺷﻜﻞ ‪ 18-9‬ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺼﻮر ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺑـﺎ ﺑﻬـﺮه‬
‫و‬ ‫و‬ ‫در ﺷﻜﻞ ‪ -18-9‬اﻟﻒ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آراﻳﺶ ﺳﻮرس‪ -‬ﻣﺸﺘﺮﻛﻲ ﻣﺮﻛـﺐ از دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫اﺳﺖ و ﺑﻬﺮه ﻛﻠﻲ در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪.‬‬ ‫‪39‬‬ ‫‪9‬‬
‫در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ -17-9‬ب‪ ،‬ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻗـﺮار ﮔـﺮﻓﺘﻦ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ داﻣﻨـﻪ ﻧﻮﺳـﺎن ﻣﻤﻜـﻦ ﺑـﺮاي وﻟﺘـﺎژ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﻣﺸﻜﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ -18-9‬ج اﺳﺖ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺪاﻗﻞ در ﺷﻜﻞ ‪ -17-9‬ب ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪9‬‬
‫درﺣﺎﻟﻲﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺪاﻗﻞ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ -18-9‬ج ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‬
‫‪.‬‬ ‫‪41‬‬ ‫‪9‬‬
‫)ج(‬ ‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 18-9‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻳﺪه اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﺣﺎﻟﺖ ﻋـﺎدي اﺳـﺖ‪ .‬ﺷـﻜﻞ‬ ‫ﻟﺬا ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻤﻜﻦ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺟﺪﻳﺪ‪ ،‬ﺑﻪاﻧﺪازه ﻳﻚ‬
‫‪ 19-9‬ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻳﻦ اﻳﺪه را در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻨﺠﺎ ﻣﻲﺗﻮان دو ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه‬
‫ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻚﺳﺮ ﺷﻜﻞ ‪-19-9‬اﻟﻒ را ﺣﺬف ﻧﻤﻮد و ﺑﻪﺟـﺎي آن از ﻳـﻚ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﻫﻤﺎﻧﻨـﺪ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ -19-9‬ب را ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ -19-9‬ج ﻧﺤﻮه ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻳﻦ اﻳﺪه را ﺑـﻪ ﺷـﻜﻞ‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮان وﻟﺘﺎژ ﻣﻮردﻧﻴﺎز ﺣﺪاﻗﻞ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺻﺤﻴﺢ ﻣﻨﺒـﻊ‬ ‫ﻣﺪاري ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺗﺎ ﺳﻄﺢ‬ ‫و‬ ‫‪ ،‬وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫)ج(‬ ‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 19-9‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي اﻳﺪه اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه در ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫‪42‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﺑﻨﺪ‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژي ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ﺑﺮﺧﻲ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ﻗﺎﺑﻞﻗﺒﻮل ﻧﺒﺎﺷﺪ و در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﻲﺗﻮان‬
‫از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺎﺷﺪه )‪ (Folded‬ﺑﺎ ورودي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪.(12-9‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 20-9‬ﻧﺤﻮه ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي اﻳﺪه اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه )‪ (Gain Boosting‬را در آراﻳﺶ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ )‪) (Telescopic Cascode‬ﺷﻜﻞ ‪ -20-9‬اﻟـﻒ(و ﻛﺴـﻜﻮد ﺗﺎﺷـﺪه ‪(Folded‬‬
‫)‪) Cascode‬ﺷﻜﻞ ‪-20-9‬ب( ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺑﻬﺮه در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷـﻜﻞ‬
‫‪-20-9‬اﻟﻒ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪43‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﻬﺮه در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪-20-9‬ب ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪9‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 20-9‬ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي اﻳﺪه اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻬﺮه در آراﻳﺶ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪.‬‬
‫‪ (10-9‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك )‪(Common-Mode Feedback = CMFB‬‬

‫در ﻗﺴﻤﺖ ﻗﺒﻞ‪ ،‬ﻣﺰاﻳﺎي ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻪ ﻣﺪارﻫﺎي ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را در ﻣﻘﺎﺑﻞ ﻣﺪارﻫﺎي ﺑﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗـﻚ‪-‬‬
‫ﺳﺮ ﺑﺮﺷﻤﺮدﻳﻢ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﺰاﻳﺎ ﺷﺎﻣﻞ ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺑﻴﺸـﺘﺮ‪ ،‬ﻋـﺪم وﺟـﻮد ﻗﻄـﺐ آﻳﻨـﻪ )ﭘﺎﻳـﺪاري ﺑﻬﺘـﺮ( و‬
‫درﻧﻬﺎﻳﺖ ﺳﺮﻋﺖ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﺎﻻﺗﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎاﻳﻦوﺟﻮد‪ ،‬آپاﻣﭗﻫﺎي ﺑـﺎ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﻧﻴﺎزﻣﻨـﺪ ﻳـﻚ‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ اﺿﺎﻓﻲ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻳﺎ ‪ CMFB‬ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺗﺎ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺗﺜﺒﻴﺖﺷﺪه و ﺳـﻴﮕﻨﺎلﻫـﺎي‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﻳﺪار ﺑﺮﺳﻨﺪ‪ .‬درواﻗﻊ‪ ،‬ﻓﻴـﺪﺑﻚ اﻋﻤـﺎلﺷـﺪه در ﺣﺎﻟـﺖ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﭼﻴـﺰي از ﺳـﻴﮕﻨﺎل‬
‫ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲ را ﺑﻪ ورودي ﺑﺎزﻧﻤﻲﮔﺮداﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺧﺮوﺟﻲ در وﺿﻌﻴﺖ اﺷﺒﺎع ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-25-9‬اﻟﻒ را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ در ﻣﺪل ﻣﺪاري ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ ورودي آن وﺻﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪-21-9‬ب ﻣﺪل ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه‬
‫اﺳﺖ‪ ،‬اﮔـﺮ ﺑـﻪ‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬ ‫را ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫)ﻛﻪ ﻓﺮض ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺑﺮاﺑﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ( ﺗﻨﻬﺎ ﻛﻤﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ از‬ ‫و‬ ‫دﻟﻴﻞ ﻋﺪم ﺗﻘﺎرن‪ ،‬ﻣﺠﻤﻮع ﺟﺮﻳﺎن‬
‫)ب(‬
‫)ج(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 21-9‬اﺷﺒﺎع وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺎ وﺟﻮد اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‬
‫ﺑـﺎﻻ رﻓﺘـﻪ و‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎﻻي ﮔﺮهﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬وﻟﺘـﺎژ ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك ﮔـﺮهﻫـﺎي‬
‫ﺷﻜﻞ‪-20-9‬ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻓ‬ ‫را ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻣﻲﻛﺸﺎﻧﺪ )ﺷـﻜﻞ ‪ -21-9‬ج(‪ .‬ﻣـﺜﻼً ﺑـﺎ ﻓـﺮض اﻳﻨﻜـﻪ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﺑﺮاﺑــﺮ ﺑــﺎ ‪ 2.97 mA‬و ﺟﺮﻳــﺎن ﻫﺮﻛــﺪام از‬ ‫ﺧﺮوﺟــﻲ در دو ﻃــﺮف ﺑﺮاﺑــﺮ ﺑــﺎ ‪ ،266 Ω‬ﺟﺮﻳــﺎن‬
‫‪ 15‬در ﻫـﺮ ﻃـﺮف ﺑـﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑـﺎ ‪ 1.5 mA‬ﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺮﻳـﺎن اﺿـﺎﻓﻲ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫راهﻳﺎﻓﺘﻪ و وﻟﺘﺎژ‬
‫‪266 Ω‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪3.99V‬‬ ‫راﺑﻄﻪ‪15-9‬‬
‫را ﺑـﻪ‬ ‫و‬ ‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﻨﺪ ﺗـﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫و‬ ‫در ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬
‫ﺑﺮﺳﺎﻧﺪ‪.‬‬ ‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻛﺸﺎﻧﺪه و وﻟﺘﺎژ اﻳﻦ ﮔﺮهﻫﺎ را ﺑﻪ‬
‫درﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎي ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻗﺎﺑﻞ ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﻴﺴـﺘﻨﺪ‪ .‬ﻟـﺬا در‬
‫اﺛﺮ ﻋﻮاﻣﻠﻲ ﻫﻤﭽﻮن ﻋﺪم ﺗﻘﺎرن و دﻣﺎ‪ ،‬ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎ ﺑﻪ اﺷـﺒﺎع ﻣـﻲروﻧـﺪ‪ .‬در ﭼﻨـﻴﻦ ﺷـﺮاﻳﻄﻲ ﻧﻴـﺎز ﺑـﻪ‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك دارﻳﻢ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-22-9‬اﻟﻒ ﻧﺤﻮه اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك در ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸـﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺑﻠﻮك ﻣﺪاري اﺿﺎﻓﻲ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ ﺣﺲﮔﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴـﻪ‬ ‫اﺳﺘﺨﺮاج ﺷﺪه و ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺟﺎﻧﺒﻲ ﺑـﺎ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﻣﺮﺟـﻊ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻳﺎ‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 22-9‬ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺣﺲﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ‪.‬‬
‫ﺣﺎﺻﻞ اﻳﻦ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﻪ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮﺟﻮد در ﻗﺴﻤﺖ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻳﺎ ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﺑﻪ ﻛﻤﻚ‬
‫ﺗﺜﺒﻴﺖ ﮔﺮدد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ -22-9‬ب ﻳـﻚ‬ ‫ﺣﻠﻘﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻳﺠﺎدﺷﺪه‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮ روي‬
‫روش ﺳﺎده ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهاي را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﺒﻜﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ ﻣﺘﺸﻜﻞ از ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫـﺎي‬ ‫راﺑﻄﻪ‪16-9‬‬
‫ﺑﺮاي ﺣﺲ ﻧﻤﻮدن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﮔﺮهﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ در ﻣﺪار ﻗﺮار دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬ ‫و‬
‫ﻗﺎﻋﺪه ﺟﻤﻊ آﺛﺎر ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪9‬‬
‫اﺳﺘﺨﺮاج ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻣﺘﻮﺳﻂ وﻟﺘﺎژ دو ﮔﺮه ﻳﺎ ﻫﻤﺎن‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬
‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪46‬‬ ‫‪9‬‬

‫‪2‬‬
‫اﺛـﺮي ﺑـﺮ‬ ‫و‬ ‫ﺑﺮاي آﻧﻜﻪ ﻣﻘﺎوﻣـﺖﻫـﺎي‬
‫روي ﻣﻘﺎوﻣـﺖﻫــﺎي دو ﮔــﺮه ﺧﺮوﺟـﻲ ﻧﺪاﺷــﺘﻪ‬
‫ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﻻزم اﺳﺖ ﻛﻪ اﻧﺪازه اﻳﻦ دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ را‬
‫دو‬ ‫ﺧﻴﻠﻲ ﺑﺰرگﺗﺮ از ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳـﺎ‬
‫ﮔﺮه اﻧﺘﺨﺎب ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺑﺰرگ‪ ،‬ﺳـﻄﺢ‬
‫زﻳــﺎدي ﺑــﺮ روي ﺗﺮاﺷــﻪ اﺷــﻐﺎل ﻣــﻲﻛﻨﻨــﺪ و‬
‫ﻫﻤﭽﻨــﻴﻦ ﺑﺎﻋــﺚ اﻳﺠــﺎد ﺧــﺎزنﻫــﺎي ﭘﺎرازﻳــﺖ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 23-9‬اﺳﺘﻔﺎده از ﺑﺎﻓﺮ وﻟﺘﺎژ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻛﺎﻫﺶ اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺣﺲﮔﺮ‪.‬‬
‫ﺑﺰرگ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮاي ﻫﻤﻴﻦ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از دو ﺑﺎﻓﺮ وﻟﺘﺎژ ﻗﺒﻞ از ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎ )ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ (23-9‬راﻳﺞﺗﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ‬
‫را ﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﻛﺎﻫﺶ داد‪.‬‬ ‫و‬ ‫اﻳﻦ ﻛﺎر ﻣﻲﺗﻮان اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي‬
‫اﺳـﺖ ﻛـﻪ‬ ‫و‬ ‫ﻣﺸﻜﻞ اﺻﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 23-9‬ﺣﺪاﻗﻞ وﻟﺘﺎژ ﻣﻤﻜﻦ ﻗﺎﺑﻞدﺳﺘﺮس در دو ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪار ‪ CMFB‬ﻣﺤﺪود ﺷﺪه و‬ ‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن ﺑﻪاﻧﺪازه‬
‫ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﺑﻪاﻧﺪازه ﻳﻚ‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم اﻓﺰاﻳﺶ داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳـﺎﻧﺎت ﺣﺎﻟـﺖ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ‬ ‫ﻣﺸﻜﻞ دﻳﮕﺮ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺬﻛﻮر‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻘﺎﺷﺪه‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻘﺪاري ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬درواﻗﻊ‪ ،‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻚ ﺑﻮدن اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪-‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻴﺶازﺣﺪ ﺑﺰرگ ﺷﺪه و ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻗﺎﺑﻞﺗﻮﺟﻪ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﺳـﺎﺧﺘﺎر‬ ‫‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن‬ ‫و‬ ‫ﻫﺎي‬
‫ﮔﺮدد‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪47‬‬ ‫‪9‬‬ ‫راﺑﻄﻪ‪16-9‬‬
‫ﺑــﻪاﻧــﺪازه ﻛــﺎﻓﻲ ﺑــﺰرگ اﻧﺘﺨــﺎب ﻧﺸــﻮﻧﺪ‪،‬‬ ‫و‬ ‫ﮔﺬﺷــﺘﻪ از ﻣﺸــﻜﻞ ﺑــﺎﻻ‪ ،‬اﮔــﺮ اﻧــﺪازه ﺟﺮﻳــﺎنﻫــﺎي‬
‫را ﺑـﺰرگ اﻧﺘﺨـﺎب‬ ‫و‬ ‫ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣﻞ ﺧﺎﻣﻮش ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‪ ،‬ﻳﺎ ﺑﺎﻳﺪ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﺷﻜ‬ ‫را ﺑﺰرگ ﻛﺮد‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﻧﻤﻮد و ﻳﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﻗﺎﺑﻞﺣـﻞ اﺳـﺖ‪ .‬اﻳـﻦ‬ ‫و‬ ‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﺸﻜﻼت ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از دو ﺧﺎزن ﺑﻪﺟﺎي ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺣﺲﻛﻨﻨﺪه‬
‫ﻛﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮ در ﻣﺪارﻫﺎي ﻛﻠﻴﺪ‪-‬ﺧﺎزﻧﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻳﻚ راﻫﻜﺎر دﻳﮕـﺮ اﺳـﺘﻔﺎده از دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬
‫ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﺑﻪﺟﺎي ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪ .(24-9‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻌﺎدل در ﮔﺮه ﻣﺸﺘﺮك ﺑﻴﻦ دو‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر )ﮔﺮه ( از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪. 48‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 24-9‬اﺳﺘﻔﺎده از دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﺑﻪﺟﺎي ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪.‬‬

‫داراي ﻧﺴﺒﺖ ﻋﻜﺲ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲﻫﺎ اﺳـﺖ‪ .‬ﻣﺸـﻜﻞ اﺻـﻠﻲ اﻳـﻦ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻌﺎدل ﺗﺎ ﮔﺮه‬
‫‪,‬‬ ‫در ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﺗﺮﻳـﻮد ﻋﻤﻴـﻖ اﺳـﺖ ﭼﺮاﻛـﻪ ﺑـﻪ ازاي‬ ‫و‬ ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﺗﻀﻤﻴﻦ اﺑﻘـﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎي‬
‫در ﺣﺪ ﺻﻔﺮ وﻟﺖ ﻧﮕﺎه داﺷﺘﻪ ﺷﻮد ﺗﺎ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ در ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﺗﺮﻳـﻮد ﻋﻤﻴـﻖ ﻗـﺮار ﮔﻴﺮﻧـﺪ‪.‬‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 25-9‬ﻧﺤﻮه ﺑـﻪﻛـﺎرﮔﻴﺮي ﻣـﺪار ‪ CMFB‬ﻣـﻮردﻧﻈﺮ را در‬
‫ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻨﺠﺎ ﮔﻴـﺖ‬
‫ﺑﻪ وروديﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪهاﻧـﺪ و‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻟﺬا ﺑﺮاي ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳـﺎن ﭘـﺎﻳﻴﻨﻲ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي ﺷﺪه‬
‫ﻗﺮار‬ ‫و‬ ‫و ﺟﺮﻳﺎن ﺧﻮد را ﺑﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫دﻫﺪ‪ .‬راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ ﻣﻨﺒـﻊ ﺟﺮﻳـﺎن واﺑﺴـﺘﻪ ﭘـﺎﻳﻴﻨﻲ ﺑﺮاﺑـﺮ‬
‫اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 25-9‬ﻧﺤﻮه ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي اﻳﺪه ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺗﺮﻳﻮد در ﺷﻜﻞ‬

‫‪ 24-9‬ﺑﺮاي ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪49‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري )ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻋﺪم وﺟـﻮد‬ ‫‪,‬‬ ‫از ﻣﺸﻜﻼت ﻣﻬﻢ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ واﺑﺴﺘﮕﻲ‬
‫ﺷﻜﻞ‪٢٥—9‬ﺣﺎﻟﺖ‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﻣﺮﺟﻊ ﺑﺮاي ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ( و ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ ﻣﺤﺪود وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ )ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﺳـﺘﻔﺎده از ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺗﻠﺴـﻜﻮﭘﻲ( اﺷـﺎره‬
‫ﻣﺎﺳﻔﺖ در‬ ‫ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﺮاي ﺣﻞ اﻳﻦ ﻣﺸﻜﻼت‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 26-9‬اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 26-9‬ﺑﻪﻛﺎرﮔﻴﺮي اﻳﺪه ﻣﻘﺎوﻣﺖﻫﺎي ﺗﺮﻳﻮد؛ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺗﻌﺪاد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻛﻤﺘﺮي ﺑﺮ روي ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ از ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﺗﺎ زﻣﻴﻦ ﻗﺮارﮔﺮﻓﺘﻪاﻧﺪ‪ ،‬ﺣﺪ ﺑﺎﻻي‬
‫و‬ ‫ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬ ‫ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ وﺿﻌﻴﺖ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﺮ ﺳﻪ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﻋﻤﻴﻖ ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﺑﺎ ارﺿﺎي ﻣﻌﺎدﻟﻪ‬
‫‪50‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻧﻴﺰ ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ و ﺑﻪﻃﻮر ﺧﺎص‪:‬‬ ‫و‬ ‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫‪51‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪26-9‬‬
‫ﻃـﻮري‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸـﺘﺮك‪ ،‬در اﻳـﻦ ﺻـﻮرت ﺟﺮﻳـﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮر‬
‫ﮔﺮدد و وﻟﺘـﺎژ ﺣﺎﻟـﺖ ﻣﺸـﺘﺮك ﺧﺮوﺟـﻲ و اﻋﻤـﺎلﺷـﺪه ﺑـﻪ ﮔﻴـﺖ‬ ‫اﺻﻼح ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ درﻧﻬﺎﻳﺖ‬
‫(‪.‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺎﺷﺪ )‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‬ ‫و‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﻳﻚ روش دﻳﮕﺮ ﺑﺮاي ﺗﻘﻮﻳﺖ وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي در آراﻳﺶ دﻳـﻮدي‬
‫ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺷﻜﻞ ‪-27-9‬اﻟﻒ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ و وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﻣــﻲﺷــﻮد‪ .‬اﻳــﻦ ﻛــﺎر ﺑﺎﻋــﺚ ﻛــﺎﻫﺶ ﺑﻬــﺮه وﻟﺘــﺎژ ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه از ﻣﻘــﺪار اوﻟﻴــﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺮاﺑــﺮ ﺑــﺎ‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 27-9‬اﺳﺘﻔﺎده از ﺑﺎر دﻳﻮدي ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﻌﺮﻳﻒ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫ﺧﻮاﻫــﺪ ﺷــﺪ‪ .‬ﻟـﺬا ﺑــﻪﻣﻨﻈــﻮر اﻓــﺰاﻳﺶ ﺑﻬــﺮه و‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﺑـﻪ ﻣﻘــﺪار‬

‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻧﺸﺎن دادهﺷـﺪه در ﺷـﻜﻞ ‪ -27-9‬ب اﺳـﺘﻔﺎده‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺗﻮان از دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﺮي‬
‫ﻧﻤﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ‪ ،ac‬ﮔﺮه ‪ P‬زﻣﻴﻦ ﻣﺠﺎزي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد و ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪52‬‬ ‫‪9‬‬

‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ دو ‪ CMFB‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸـﺘﺮك ﻃﺒﻘـﺎت‬
‫اول و دوم دارﻧﺪ‪ .‬ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮان ﻛﻞ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﭘﺎﻳﺪار ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫‪ (11-9‬ﻣﺤﺪودﻳﺖ وﻟﺘﺎژ ورودي‬

‫آپاﻣﭗﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻗﺒﻠﻲ ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤـﻮدﻳﻢ‪ ،‬ﻧﻴﺎزﻣﻨـﺪ ﺳـﻮﻳﻴﻨﮓ ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑـﺎﻻﻳﻲ در درﮔـﺎه‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ وﻟﺘﺎژ ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﺑﺮ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ آپاﻣﭗ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﺷﺪه و ﻣﻴﺰان‬
‫ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ورودي را ﻣﺸﺨﺺ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬ﻟـﺬا ﺳـﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘـﺎژ ورودي ﻧﺴـﺒﺘﺎً ﭘـﺎﻳﻴﻦ اﺳـﺖ‪.‬‬
‫ﺑﺎاﻳﻦوﺟﻮد‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ dc‬ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸـﺘﺮك ورودي ﻣـﻲﺗﻮاﻧـﺪ ﻧﺴـﺒﺘﺎً ﺑـﺎﻻ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺷـﻜﻞ‪ 28-9‬را‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪﻃﻮر ﻣﺴـﺘﻘﻴﻢ ﺑـﻪ ورودي ﭘﺎﻳـﻪ ﻣﻨﻔـﻲ ﻣﺘﺼـﻞ ﺷـﺪه‬
‫ﺑـﻪ ﺣـﺪ ﺑـﺎﻻي‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﺣﺪ ﺑﺎﻻي ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﺎ‬ ‫اﺳﺖ‪،‬‬
‫ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺣﺪ ﭘﺎﻳﻴﻦ وﻟﺘﺎژ ورودي ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬ ‫ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت در ورودي ﻳﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪53‬‬ ‫‪9‬‬
‫و ﺣﺪ ﭘﺎﻳﻴﻦ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ )در ﺻﻮرت ﻋﺪم اﺗﺼﺎل ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ( ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪54‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ از ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫اﺳﺖ‪ ،‬اﻳﻦ ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﻪاﻧﺪازه ﻳﻚ‬
‫ﻳﻚ راهﺣﻞ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر اﻓﺰاﻳﺶ داﻣﻨﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻜﻤـﻞ ‪ nMOS‬و ‪ pMOS‬در‬
‫ﻗﺴﻤﺖ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ ‪ .(29-9‬در وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻛﻢ ورودي‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬روﺷﻦ‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺳﻴﮕﻨﺎل را ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در ﻋﻮض در وﻟﺘﺎژﻫﺎي زﻳﺎد‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ nMOS‬ورودي‬
‫روﺷﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺑﺎﻋﺚ اﻧﺘﻘﺎل ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻣﺎ ﻣﺸﻜﻠﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳﺪ آن اﺳﺖ‬
‫ﻛﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‬ ‫ﻛﻪ در وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﺘﻮﺳﻂ ورودي‪ ،‬ﻫﺮ دو ﻧﻮع ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر روﺷﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ و‬
‫)ﺷﻜﻞ ‪ .(29-9‬ﻟﺬا ﻛﻠﻴﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺳﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ازﺟﻤﻠﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‪ ،‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 28-9‬ﺗﺄﺛﻴﺮ اﺗﺼﺎل ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ورودي ﺑﺮ ﻣﻴﺰان ﺳﻮﻳﻴﻨﮓ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 29-9‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﺤﺪوده ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺸﺘﺮك ورودي ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﻜﻤﻞ‪.‬‬
‫‪ (12-9‬ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ )‪(Slew-Rate‬‬

‫در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان رﻓﺘﺎر ﭘﺎﻳﺎﻧﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ آپاﻣﭗ در ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺎر را ﺑﻪﺻـﻮرت ﺣﺎﺻـﻞ ﺳـﺮي ﻳـﻚ‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮان وﻟﺘﺎژ ﻧﻬﺎﻳﻲ‪،‬‬ ‫ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻤﻮد )ﺷﻜﻞ ‪ .(30-9‬ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬ ‫ﺑﺎ ﻳﻚ ﺧﺎزن‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫( اﻳﻦ ﻣﺪار ﺧﻄﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ )‬
‫‪/‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪55‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 30-9‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﺤﻮه ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪.‬‬

‫ﻟﺬا ﻣﺸﺘﻖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬

‫‪/‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪56‬‬ ‫‪9‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ داﻣﻨﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ‪ ،‬ﺷﻴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺰ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﻫﺮﭼـﻪ‬
‫داﻣﻨﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﻴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻟﺤﻈﻪ اﺑﺘﺪاﻳﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﭼﻨﻴﻦ وﺿﻌﻴﺘﻲ‪ ،‬ﻧﺸﺴﺖ ﺧﻄﻲ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه از ﺧﺮوﺟﻲ آپاﻣﭗﻫﺎي واﻗﻌﻲ ﻧﺸـﺎن‬
‫ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ اﻳﻦ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﻫﻤﻮاره از ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﻄﻲ ﺗﺒﻌﻴﺖ ﻧﻤـﻲﻛﻨﻨـﺪ‪ .‬ﻣﻌﺎدﻟـﻪ ﻣـﺬﻛﻮر ﺑـﺎ ﻓـﺮض ﺧﻄـﻲ ﺑـﻮدن‬
‫ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻪدﺳﺖآﻣﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ورودي ﭘﻠﻪ ﺑﺎ داﻣﻨﻪ زﻳﺎد ﺑـﻪ ورودي آپاﻣـﭗ واﻗﻌـﻲ‪ ،‬در ﻟﺤﻈـﺎت اوﻟﻴـﻪ‬
‫اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ وروديﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ و ﻣﻨﻔﻲ ﺑﻪﻗﺪري زﻳﺎد ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻓـﺮض ﺧﻄـﻲﺑـﻮدن ﺻـﺎدق ﻧﻴﺴـﺖ‪ .‬ﻣﻨﺸـﺄ‬
‫اﺻﻠﻲ ﺗﻔﺎوت در ﺳﻴﮕﻨﺎل اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺎ راﺑﻄﻪ ﺗﺌﻮري ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻣﺤﺪودﻳﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﻋﻨﻮان ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ‬
‫ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ )‪ (SR‬در ﻳﻚ آپاﻣﭗ واﻗﻌﻲ‪ ،‬ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻧـﺮخ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﻣﻤﻜـﻦ‬
‫ﺑﺮاي وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ اﺳﺖ ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪﻳﺪﺗﺮي از آن داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ‬
‫ﻧﺎﻣﺤﺪود ﻧﻴﺴﺖ و ﺑﻪﺻﻮرت زﻳﺮ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫‪SR‬‬ ‫‪|max.‬‬ ‫‪57‬‬ ‫‪9‬‬
‫در آﻏﺎز‪ ،‬اﮔﺮ ﺷﻴﺐ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺧﺮوﺟـﻲ از ‪ SR‬ﺑﻴﺸـﺘﺮ ﺑﺎﺷـﺪ‪ ،‬ﺑـﻪ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻘـﺪار ﻳﻌﻨـﻲ ‪ SR‬ﻣﺤـﺪود ﺷـﺪه و‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﭘﻴﺮوي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬
‫‪SR‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪58‬‬ ‫‪9‬‬
‫اﻳﻦ وﺿﻊ ﺗﺎ زﻣﺎﻧﻲ اداﻣﻪ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﻛﻪ ﺷﻴﺐ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲﺷﺪه از ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﻄﻲ ﻛﻤﺘﺮ از ‪ SR‬ﺷﻮد‪ .‬ﭘﺲازآن‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺠﺪداً از راﺑﻄﻪ ﺧﻄﻲ ﺗﺒﻌﻴﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ ﻧـﺮخ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺧﺮوﺟـﻲ ﻫﻤـﻮاره ﻛﻤﺘـﺮ از ‪SR‬‬
‫آپاﻣﭗ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻣﺤﺪودﻳﺘﻲ در ﭘﺎﺳﺦ ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﺠﺎد ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ و ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ از ﻫﻤـﺎن اﺑﺘـﺪاي‬
‫ﻛﺎر ﺧﻄﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺑﺮاي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ اﻳﺪهال ﺑﻲﻧﻬﺎﻳﺖ اﺳﺖ‪ .‬ﻳﻚ روش ﺧﻮب‬
‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ‪ SR‬آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ‪ ،‬ﻳﻚ ﭘﺎﻟﺲ وﻟﺘـﺎژ اﻋﻤـﺎل ﻛﻨـﻴﻢ و ﻧﺴـﺒﺖ‬
‫∆‪ ∆ ⁄‬را اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻧﻤﺎﻳﻴﻢ‪.‬‬
‫ﺑﺎ داﻣﻨـﻪ ﺑـﺰرگ ﺑـﻪ ورودي‪ ،‬ﻳﻜـﻲ از‬ ‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪ 31-9‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﺳﻴﮕﻨﺎل ﭘﻠﻪ‬
‫از دﻳﮕﺮي ﻣﻲﮔﺬرد‪ .‬در اﻳـﻦ ﺷـﺮاﻳﻂ‪ ،‬ﺟﺮﻳـﺎن ﻣﻨﺒـﻊ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﺧﺎﻣﻮش ﺷﺪه و ﻛﻞ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺗﻮﺳﻂ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر روﺷﻦ ﺑﻪ ﺑﺎر اﻧﺘﻘﺎل ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣـﺪاﻛﺜﺮ ﻧـﺮخ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺧﺮوﺟـﻲ )ﻫﻤـﺎن‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ( از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪SR‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪59‬‬ ‫‪9‬‬
‫( اﻳﺠـﺎد ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻳﺎ ‪ SR‬ﻣﺤﺪود‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻣﺤﺪود ﺑﻮدن ﺟﺮﻳﺎن ﻗﺎﺑﻞ ﺗﺄﻣﻴﻦ در ﺑﺎر )در اﻳﻨﺠـﺎ‬
‫ﺷﻮد‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻣﺤﺪودي ﻫﻢ ﺑﻪ ازاي ورودي ﻣﺜﺒﺖ و ﻫﻢ ﺑﻪ ازاي ورودي ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺮﻗﺮار ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﻧﺰدﻳﻚ ﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫اﻳﻦ وﺿﻌﻴﺖ ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺗﺎ زﻣﺎﻧﻲ اداﻣﻪ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﻛﻪ ﺷﺎرژ ﺧﺎزن ﺑﻪ ﺣﺪي ﺑﺮﺳﺪ ﻛﻪ‬
‫ﻣﺠﺪداً روﺷﻦ ﻣﻲﺷﻮد و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺠﺪداً ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﺧﻄﻲ و ﺗﻌﺎدل ﻛﺎﻣﻞ ﺑﺮﻣـﻲﮔـﺮدد‪ .‬در اﻳـﻦ‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺑـﻪ‬ ‫ﺷﺮاﻳﻂ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﻄﻲ ﭘﻴﺮوي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴـﺪ ﻛـﻪ ﺳـﻴﮕﻨﺎل ورودي ﻳـﺎ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ‬
‫ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار اﻋﻤﺎل ﮔﺮدد‪:‬‬
‫‪sin‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪60‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﺎ ﻣﺸﺘﻖﮔﻴﺮي از راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪cos‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪61‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 31-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ رﻓﺘﺎر ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﻳﻚ آپاﻣﭗ واﻗﻌﻲ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻣﺤﺪود‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 32-9‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ رﻓﺘﺎر ﻧﺸﺴﺖ آپاﻣﭗ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ در اﺛﺮ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻣﺤﺪود‪.‬‬
‫‪ cos‬ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬ﻟﺬا‬ ‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺑﻪازاي ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻘﺪار‬
‫‪|max‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪62‬‬ ‫‪9‬‬

‫ﺑﺮاي آﻧﻜﻪ ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻮﺳﻂ ‪ SR‬ﻣﺤﺪود ﻧﺸﻮد ﺑﺎﻳﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪:‬‬
‫‪SR‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪63‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻧﺮخ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺑﺎ ﻣﺤﺪودﻳﺖ ‪ SR‬آپاﻣﭗ ﺑﺮاﺑﺮ ﺷـﻮد‪ .‬اﻳـﻦ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ‬ ‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪SR‬‬
‫‪SR‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪64‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪2‬‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪاي دﻳﮕﺮ از ﻣﺤﺪود ﺷﺪن ﺧﺮوﺟﻲ آپاﻣﭗ ﺑﺎ ‪ ،SR‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه ﺑـﺎ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺗﻤـﺎم ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-32-9‬اﻟـﻒ را در ﻧﻈـﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳـﺪ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪ -32-9‬ب ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﻣـﻮردﻧﻈﺮ را ﺑـﺎ اﻋﻤـﺎل ورودي ﭘﻠـﻪ‬
‫ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺎ داﻣﻨﻪ ﺑﺰرگ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﻳﻜـﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴـﺘﻮرﻫﺎ ﻛـﺎﻣﻼً روﺷـﻦ ﺷـﺪه و دﻳﮕـﺮي‬
‫ﺷﺎرژ ﻣﻲﺷﻮد و دﻳﮕﺮي ﺑـﺎ ﻫﻤـﻴﻦ‬ ‫ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣﻞ ﺧﺎﻣﻮش ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﻳﻜﻲ از ﺧﺎزنﻫﺎ ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ‪⁄2‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎن دﺷﺎرژ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪65‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻟﺤﻈﻪاي ﻛﻪ آپاﻣﭗ از ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ )ﺑﺎ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻏﺎﻟﺐ ‪ (SR‬وارد ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺧﻄﻲ )ﺑـﺎ راﺑﻄـﻪ ﺧﻄـﻲ( ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫ﭼﻨﺪان روﺷﻦ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﻳﻚ روش ﻣﻌﻘﻮل ﺑﺮاي ﭘﻴـﺪا ﻛـﺮدن اﻳـﻦ ﻟﺤﻈـﻪ آن اﺳـﺖ ﻛـﻪ ﺷـﻴﺐ راﺑﻄـﻪ ﺧﻄـﻲ را‬
‫ﻣﺸﺨﺺ ﻧﻤﻮده و داﻣﻨﻪاي ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ را ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ﺷﻴﺐ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﻄﻲ ﺑﺎ ‪ SR‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﻮد‪.‬‬
‫آپاﻣﭗﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ داراي ‪ SR‬ﻫﺎي ﻣﺘﻔﺎوت در ﻃﺒﻘﺎت اول و دوم ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪﻣﻨﻈـﻮر ﻣﺤﺎﺳـﺒﻪ ‪ SR‬ﻛﻠـﻲ در‬
‫اﻳﻦ آپاﻣﭗﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺣﺪاﻗﻞ را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪SR‬‬ ‫‪min SR , SR .‬‬ ‫‪66‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪ (13-9‬ﺿﺮﻳﺐ ﺣﺬف ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ )‪:(PSRR‬‬

‫ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎ ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺟـﺎي ﻣﻤﻜـﻦ ﺑﻬـﺮه‬
‫ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻧﻮﻳﺰ را از ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ و زﻣﻴﻦ ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﺎﻫﺶ داد‪ .‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-33-9‬اﻟﻒ را ﺑـﺎ‬
‫در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻌﺎدل ﻣﺪار و ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻮدن ﺳﻄﺢ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در‬ ‫ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻫﻤﺮاه ﺑﺎ ﻧﻮﻳﺰ‬
‫دو ﻃﺮف‪ ،‬وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ در دو ﺷﺎﺧﻪ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 33-9‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﻛﻮﭼﻚ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺳﺎده در اﺛﺮ وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻐﺬﻳﻪ‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪67‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻬﺮه وﻟﺘـﺎژ از‬ ‫و‬ ‫ﺑﺎ آراﻳﺶ دﻳﻮدي‪ ،‬ﻧﻘﺶ واﺳﻂ را ﺑﻴﻦ وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﻧﻴﺰ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﻳﻜﺴـﺎﻧﻲ را‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻳﻚ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻘﺎرن ﻛﺎﻣﻞ ﻣﺪار‬ ‫ﺗﺎ‬
‫ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ واﺣﺪ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﺗﺎ‬ ‫ﺗﺠﺮﺑﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺑﻬﺮه ﻧﻮﻳﺰ از‬ ‫ﺑﺎ‬
‫*( ﺗﻌﺮﻳﻒ‪ :‬ﺿﺮﻳﺐ ﺣﺬف ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ )‪ (PSRR‬ﺑﻪﺻﻮرت ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺪار از‬
‫ﺗـﺎ ﺧﺮوﺟـﻲ‬ ‫ﺑﻪ ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﺪار از ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ‬ ‫ﺗﺎ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ورودي‬
‫ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪/‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪68‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪/‬‬
‫و ﺑﻬﺮه‬ ‫در ﻣﻮرد ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-33-9‬اﻟﻒ‪ ،‬ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ورودي – ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﻧﻮﻳﺰ از ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻳﻚ اﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻪﻃﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪69‬‬ ‫‪9‬‬
‫)ﺷﻜﻞ‬ ‫و‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :6-9‬ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-33-9‬اﻟﻒ را در وﺿﻌﻴﺖ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺧﺎزﻧﻲ ﺷﺎﻣﻞ دو ﺧﺎزن‬
‫‪ -33-9‬ب( در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺿﺮﻳﺐ ‪ PSRR‬را در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬
‫در ﻣﻮرد اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚدار‪ ،‬ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‬
‫‪1⁄‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪70‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1⁄‬‬ ‫‪1⁄‬‬
‫ﻟﺬا ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪71‬‬ ‫‪9‬‬
‫از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺑﺎ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺷﻜﻞ ‪-33-9‬ب ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪72‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫ﻟﺬا ﺿﺮﻳﺐ ﺣﺬف ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪73‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪ (14-9‬ﻧﻮﻳﺰ در آپاﻣﭗﻫﺎ‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي آپاﻣﭗ از اﻫﻤﻴﺖ ﺧﺎﺻﻲ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺑﺎ ﻧﻮﻳﺰ ﻛﻢ ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ‪ .‬آپ‪-‬‬
‫اﻣﭗ ﻛﺴﻜﻮد ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺷﻜﻞ ‪-34-9‬اﻟﻒ را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﺤﻠﻴـﻞ اﻧﺠـﺎم ﺷـﺪه در ﻓﺼـﻞ ﻗﺒـﻞ‪،‬‬
‫ﻧﻘﺶ اﺻﻠﻲ را در ﻧﻮﻳﺰ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬ ‫‪,‬‬ ‫و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ﻛﺎﻧﺎل و ﻧﻮﻳﺰ ﻓﻠﻴﻜﺮ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2 4‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪. 74‬‬ ‫‪9‬‬

‫‪⁄‬‬ ‫‪⁄‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-34-9‬ب آراﻳﺶ ﻳﻚ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷـﺪه را ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ در ﻧﻈـﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻦ‬
‫راﺑﻄﻪ‪23-9‬‬
‫ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﺧﺮوﺟـﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه‪ ،‬ﻧـﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣـﺎﻳﻲ ﻛﺎﻧـﺎل ارﺟـﺎع دادهﺷـﺪه ﺑـﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ و ﻧﺎﺷـﻲ از‬
‫رواﺑﻂ‪24-9‬‬
‫از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬ ‫‪,‬‬ ‫و‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 34-9‬ﺑﺮرﺳﻲ رﻓﺘﺎر آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ و ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه در ﺣﻀﻮر ﻧﻮﻳﺰ ﻗﻄﻌﺎت‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪75‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪76‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي‪ ،‬ﺑﺎﻳـﺪ ﺣﺎﺻـﻞﺟﻤـﻊ اﻳـﻦ ﻧـﻮﻳﺰ را در ﻣﺠـﺬور ﺑﻬـﺮه‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻮده و ﺑﺎ ﻧﻮﻳﺰ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ورودي ﺟﻤﻊ ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪-35-9‬ﻧﻮ‬ ‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪77 9‬‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺴﻜﻮد ﺗﺎﺷﺪه از ﻧﻮﻳﺰ ﻛﺎﻧﺎل ﺑﻴﺸﺘﺮي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ آراﻳﺶ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ رﻧﺞ ﻣﻲ‪-‬‬
‫ﺑﺮد‪.‬‬
‫‪ (1-14-9‬ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻘﻮﻳﺖ‪-‬‬
‫ﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘـﻪ ﺷـﻜﻞ ‪ 35-9‬را در‬
‫ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳـﺪ‪ .‬ﺑـﺮاي ﺑﺮرﺳـﻲ ﻧـﻮﻳﺰ ارﺟـﺎع‬
‫دادهﺷﺪه ﺑـﻪ ورودي اﻳـﻦ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه‪،‬‬
‫ﺳــﻬﻢ ﻫﺮﻛــﺪام از ﻃﺒﻘــﺎت را ﺟﺪاﮔﺎﻧــﻪ‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﺑﻪ وﺿﻮح‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬
‫ﻛﺎﻧــﺎل ﻧﺎﺷــﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴــﺘﻮرﻫﺎي ﻃﺒﻘــﻪ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 35-9‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻮﻳﺰ در آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪78‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻧﻮﻳﺰ ﺑﺎﻻ ﺑﺮ ﻣﺠﺬور ﺑﻬﺮه ﻛﻠﻲ آپاﻣﭗ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﺑﻪ ورودي راه ﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪79‬‬ ‫‪9‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﺰرگ ﺑﻮدن ﺑﻬﺮه ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه از راﺑﻄـﻪ ﺑـﺎﻻ‪ ،‬ﻧـﻮﻳﺰ ﻃﺒﻘـﻪ دوم ﺗـﺄﺛﻴﺮ ﻛﻤﺘـﺮي ﺑـﺮ ورودي ﺧﻮاﻫـﺪ‬
‫داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪80‬‬ ‫‪9‬‬
‫از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي و ﻧﺎﺷﻲ از ﻃﺒﻘﻪ اول ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪2 4‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪81 9‬‬
‫درﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬ﻧﻮﻳﺰ ﻛﻠﻲ ارﺟﺎع دادهﺷﺪه ﺑﻪ ورودي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫|‬ ‫‪,‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪82‬‬ ‫‪9‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺣﺬف آﻓﺴﺖ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘـﻪ‪ :‬آﻓﺴـﺖ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻋـﺪم ﺗﻘـﺎرن در ﺳـﺎﺧﺘﺎر آپ اﻣـﭗ‬
‫ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺑﺎﻋﺚ اﻳﺠﺎد ﺗﻔﺎوت ‪ dc‬ﺑﻴﻦ وروديﻫﺎي ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ آپاﻣﭗ در ﻫﻨﮕـﺎﻣﻲ‬
‫ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ دو ورودي ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺣﺪ اﻣﻜﺎن ﻛﻢ ﺷـﻮد‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪ 36-9‬آراﻳـﺶ ﻳـﻚ آپاﻣـﭗ‬
‫دوﻃﺒﻘﻪ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺷﺮط ﻧﺪاﺷﺘﻦ آﻓﺴﺖ ﺳﻴﺴﺘﻤﺎﺗﻴﻚ آن اﺳﺖ ﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫ورودي ﻃﺒﻘﺎت ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﻨﺪ‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪83‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻟﺬا ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪84‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 36-9‬ﺷﺮط ﺣﺬف آﻓﺴﺖ در آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬

‫ﻓﺼﻞ دﻫﻢ‪ :‬ﭘﺎﻳﺪاري و ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ‬

‫ﻣﺰاﻳﺎي ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﺑﺎﻋﺚ اﺳﺘﻔﺎده ﮔﺴﺘﺮده از اﻳﻦ روش در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬ﺑﺎ اﻳـﻦ وﺟـﻮد‪،‬‬
‫ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﻓﻴﺪﺑﻚدار ﻣﺴﺘﻌﺪ ﻧﺎﭘﺎﻳﺪاري ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ﻳﻚ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﺸـﺨﺺ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔـﻲ ﺑـﻪ‬
‫ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﺜﺒﺖ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﺪه و ﺑﺎﻋﺚ ﻧﺎﭘﺎﻳﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻮد‪.‬‬
‫در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ‪ ،‬ﭘـﺲ از ﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ ﭘﺎﻳـﺪاري ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي ﻓﻴـﺪﺑﻚدار‪ ،‬راﻫﻜﺎرﻫـﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔـﻲ را ﺑـﻪﻣﻨﻈـﻮر‬
‫ﭘﺎﻳﺪارﺳﺎزي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﭼﻨﺪﻃﺒﻘﻪ اراﺋﻪ ﻣﻲدﻫﻴﻢ‪.‬‬
‫‪ (1-10‬ﻣﻼﺣﻈﺎت ﻛﻠﻲ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 1-10‬آراﻳﺶ ﻛﻠﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻓﻴﺪﺑﻚ دار را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ آن ﻋﺒـﺎرت اﺳـﺖ‬
‫از‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪1‬‬
‫ﻣﺨﺮج ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺻﻔﺮ ﺷﺪه و ﺑﻬﺮه ﻧﺎﻣﺤﺪود ﻣﻲﮔـﺮدد‪.‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺖ داﺋﻤﻲ و ﺑﻪ ازاي ‪1‬‬
‫ﻟﺬا ﺳﻴﺴﺘﻢ‪ ،‬ﻛﻤﺘﺮﻳﻦ ﻧﻮﻳﺰ ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﻦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ را ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻧﻤﻮده و ﺷﺮوع ﺑﻪ ﻧﻮﺳﺎن در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ ﻣـﻮردﻧﻈﺮ‬
‫ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲ‪-‬‬ ‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﺳﺎده‪ ،‬دو ﺷﺮط زﻳﺮ ﺑﻪﻋﻨﻮان ﺷﺮطﻫﺎي اﺻﻠﻲ ﻧﻮﺳﺎن در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﺸﺨﺺ‬
‫ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺷﺮوط ﺑﻪ ﻣﻌﻴﺎرﻫﺎي ﺑﺎرﺧﻮزن ﻣﺸﻬﻮرﻧﺪ‪.‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪1‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪180‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ :1-10‬ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﻪ ﻓﻴﺪﺑﻚدار‪.‬‬

‫ﺑﺎ ﻣﺤﺮز ﺷﺪن اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ‪ ،‬اﺧﺘﻼفﻓﺎز ﻣﻮﺟﻮد در ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻣﻨﻔﻲ ﺑﻪ ‪ 360‬درﺟﻪ رﺳـﻴﺪه و اﮔـﺮ در اﻳـﻦ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺰرگﺗﺮ ﻣﺴﺎوي ﻳﻚ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت آﻏﺎز ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و داﻣﻨﻪ آﻧﻬﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ‬
‫‪ 2-10‬ﻣﻜﺎن ﻗﻄﺐﻫﺎ در ﺻﻔﺤﻪ اﻋﺪاد ﻣﺨﺘﻠﻂ را در ﺳﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار‪ ،‬ﻧﻮﺳﺎﻧﻲ و ﭘﺎﻳﺪار ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻣـﺮز‬
‫ﺑﻴﻦ ﭘﺎﻳﺪاري‪ ،‬ﻧﺎﭘﺎﻳﺪاري و ﻧﻮﺳﺎﻧﻲ ﺑﻮدن ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ‪ ،‬ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﺮ روي ﻣﺤﻮر اﻋﺪاد ﻣﺨﺘﻠﻂ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 3-10‬ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد دو ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪار و ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار را ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬دو ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‬
‫اﻫﻤﻴﺘﻲ وﻳﮋه دارﻧﺪ‪:‬‬
‫ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪ -1‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻛﻪ درآن ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ – 180‬درﺟﻪ ﻣﻲﮔﺮدد و ﺑﻪ‬
‫ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪ -2‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻛﻪ درآن اﻧﺪازه ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ واﺣﺪ ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﻪ‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬ ‫و در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار‪ ،‬ﻫﻤﻮاره‬ ‫درﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪار‪ ،‬ﻫﻤﻮاره‬
‫ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮي ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫| از ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻤﺘﺮي ﺷﺮوع ﺷﺪه و‬ ‫ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ اﻧﺪازه ﻓﻴﺪﺑﻚ‪| ،‬‬
‫ﺷﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺪﺗﺮﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ ازﻟﺤـﺎظ ﭘﺎﻳـﺪاري در ﺿـﺮﻳﺐ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ‪1‬‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬اﮔـﺮ ﭘﺎﻳـﺪاري ﺑـﻪ ازاي اﻳـﻦ ﺿـﺮﻳﺐ ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺗﻀـﻤﻴﻦ ﺷـﻮد‪ ،‬ﺑـﻪ ازاي ﺗﻤـﺎﻣﻲ ﺿـﺮاﻳﺐ ﻓﻴـﺪﺑﻚ‬
‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﻧﻴﺰ ﺗﺄﻣﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اداﻣﻪ وﺿﻌﻴﺖ ﭘﺎﻳﺪاري ﭼﻨﺪ ﻧﻮع ﺳﻴﺴﺘﻢ را از ﻧﻘﻄﻪﻧﻈﺮ ﭘﺎﻳﺪاري ﺑـﺎ ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫) ج(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 2-10‬ﻣﻜﺎن ﻗﻄﺐﻫﺎ در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ )اﻟﻒ( ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار؛ )ب( ﻧﻮﺳﺎﻧﻲ و )ج( ﭘﺎﻳﺪار‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 3-10‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ دو ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪار و ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫؛‬ ‫ﺷﻜﻞ‪) 4-10‬اﻟﻒ( ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ‬

‫)ب( ﻣﻜﺎن ﻫﻨﺪﺳﻲ رﻳﺸﻪﻫﺎي ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ‪.‬‬
‫‪ (2-10‬ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻣﺮﺗﺒﻪ اول‬

‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺎز ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﻣﺮﺗﺒﻪ اول‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ‬
‫را ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪s‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 4-10‬ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ و ﻣﻜﺎن ﻫﻨﺪﺳﻲ رﻳﺸﻪﻫـﺎ را در اﻳـﻦ ﺳﻴﺴـﺘﻢ ﺗـﻚﻗﻄﺒـﻲ‬
‫‪90 ،‬‬ ‫ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در ﻣﻮﻗﻊ رﺳﻢ ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد‪ ،‬ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﻤﻮاره ﻫـﺮ ﻗﻄـﺐ‬
‫‪ 10‬اداﻣﻪ ﻣﻲﻳﺎﺑـﺪ‪ .‬ﻗﻄـﺐﻫـﺎ ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ‬ ‫‪ 0.1‬آﻏﺎز و ﺗﺎ‬ ‫از ﻓﺎز ﻛﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ اﻳﻦ ﻛﺎﻫﺶ ﻓﺎز از ﻣﺤﻞ‬
‫ﺷﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨﻲ اﻧﺪازه را ﺑﻪاﻧﺪازه ‪ 20 dB⁄dec‬ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ آﻏﺎز ﻛﺎﻫﺶ ﺷﻴﺐ در ﻣﺤـﻞ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻫﺮ ﺻﻔﺮ ‪ 90‬ﺑﻪ ﻓﺎز اﺿﺎﻓﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺷﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨﻲ اﻧـﺪازه را ﺑـﻪ ﻣﻴـﺰان ‪20 dB⁄dec‬‬ ‫ﻗﻄﺐ‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺷﻜﻞ ‪-4-10‬اﻟﻒ ﺑﺎ ﻣﻔﺎﻫﻴﻢ ﺗﻌﺮﻳﻒﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ‪ ،3-10‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﻣـﻲرﺳـﻴﻢ‬
‫اﺳﺖ و ﻟﺬا ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚ ﻗﻄﺒﻲ ﻫﻤﻮاره ﭘﺎﻳﺪار ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬از روي ﻣﻜﺎن ﻫﻨﺪﺳﻲ رﻳﺸـﻪﻫـﺎ در‬ ‫ﻛﻪ ∞‬
‫ﺷﻜﻞ ‪-4-10‬ب‪ ،‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﻲرﺳﻴﻢ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺿﺮﻳﺐ ﻓﻴﺪﺑﻚ‪ ،‬ﺗﻨﻬﺎ ﻗﻄـﺐ ﺳﻴﺴـﺘﻢ از ﻣﺤـﻮر ﻋﻤـﻮدي‬
‫دورﺗﺮ ﺷﺪه و ﭘﺎﻳﺪاري ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻣﻨﺤﻨـﻲ ﻓـﺎز‪،‬‬
‫‪ 0.1‬آﻏﺎز ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا اﻳﻦ اﺛﺮ در ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻓﺎز ﻣﺸﻬﻮدﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫اﺛﺮ ﺻﻔﺮ و ﻗﻄﺐﻫﺎ از‬
‫‪ (3-10‬ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻣﺮﺗﺒﻪ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 5-10‬ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ و ﻣﻜﺎن رﻳﺸﻪﻫﺎ را در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ‪ ،‬اﮔﺮ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ ‪ 10‬ﺑﺮاﺑﺮ از دﻳﮕﺮي ﻓﺎﺻﻠﻪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪،‬ﻛﺎﻫﺶ ﻓـﺎز در ﻣﺤـﻞ ﻗﻄـﺐ‬
‫دوم ‪ 135‬درﺟﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ‪ ،‬ﻛﺎﻫﺶ ﻓﺎز درﻧﻬﺎﻳﺖ ﺑﻪ ‪ 180‬ﺧﻮاﻫـﺪ رﺳـﻴﺪ‪ .‬درﻧﺘﻴﺠـﻪ‬
‫اﺳﺖ و اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﻤﻮاره ﭘﺎﻳﺪار ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫ﻧﻘﻄﻪﮔﺬار ﻓﺎز در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ ﻧﻴﺰ ∞‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻫﻤﻮاره ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ ‪ ،‬ﭘﺎﻳﺪاري ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻬﺘﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي از ﺳﻪ ﻗﻄﺐ ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻣﺴﺘﻌﺪ ﭘﺎﻳﺪاري ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪدﻗﺖ وﺿﻌﻴﺖ ﭘﺎﻳﺪاري آﻧﻬﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﺷﻮد‪.‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 5-10‬اﻟﻒ( ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ؛ )ب( ﻣﻜﺎن ﻫﻨﺪﺳﻲ رﻳﺸﻪﻫﺎ در ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ دوﻗﻄﺒﻲ‪.‬‬
‫‪ (4-10‬ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز‬
‫ﻧﻤﻮدا‪-‬‬‫ﺷﻜﻞ‪-5-10‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪10‬‬ ‫ﻻزم اﺳﺖ ﺗﺎ ﺑﻪ ﭘﺎﻳﺪاري ﻣﻄﻠﻮب دﺳﺖﻳﺎﺑﻴﻢ؟ اﮔﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺑﻴﻦ اﻳﻦ دو ﻣﺘﻐﻴـﺮ‬ ‫و‬ ‫ﭼﻪ ﻣﻴﺰان ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﻴﺎن‬
‫در ﻓﺎز ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ‪ 175‬اﺗﻔﺎق اﻓﺘﺪ‪ ،‬آﻧﮕﺎه ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬ ‫ﻛﻢ ﺑﺎﺷﺪ و ﻣﺜﻼً‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪1‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪175‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪exp‬‬ ‫‪175‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪0.9962‬‬ ‫‪0.0872‬‬
‫‪.‬‬
‫‪1 exp‬‬ ‫‪175‬‬ ‫‪0.0038‬‬ ‫‪0.0872‬‬
‫‪6 10‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪11.5‬‬
‫|‬ ‫|‬ ‫‪.‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪0.0872‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 6-10‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ و ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ ﺑﻪ ازاي ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻛﻢ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ﮔﺬار ﺑﻬﺮه و ﻓﺎز‪.‬‬
‫ﺑـﻪ ‪11.5⁄‬‬ ‫ﻟﺬا ﺑﻬﺮه ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﻛﻪ در اﺑﺘﺪا ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 1⁄‬ﺑﻮده اﺳﺖ‪ ،‬در ﻧﻘـﺎط ﺣـﻮلوﺣـﻮش‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ رﺳﻴﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ‪ 6-10‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﭼﻨﻴﻦ ﺳﺎﻣﺎﻧﻪاي را ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ آن )ﺑﻪ ازاي ﻓﺎﺻﻠﻪ‬
‫ﻛﻢ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ﮔﺬار ﺑﻬﺮه و ﻓﺎز( ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻧﻤﻮدارﻫﺎ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛـﻪ ﺳﻴﺴـﺘﻢ در ﺣـﺎل ﺗﻘﻮﻳـﺖ زﻳـﺎد‬
‫اﺳﺖ و ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻫﻤﻮار و ﺗﺨﺖ ﻧﺨﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪ .‬ﭘﺎﺳﺦ ﭘﻠﻪ در ﻧﻤﻮدار‬ ‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺣﻮلوﺣﻮش‬
‫ﺳﻤﺖ راﺳﺖ‪ ،‬ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﻧﻮﺳﺎن و ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺧﺎﺻﻲ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﺣﺪ ﻛﺎﻓﻲ از ﻫـﻢ ﻓﺎﺻـﻠﻪ داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﻨﺪ ﺗـﺎ ﭘﺎﻳـﺪاري ﻧﺴـﺒﻲ‬ ‫و‬ ‫ﻣﻮارد ﺑﺎﻻ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ‬
‫راﺑﻄﻪ‪3-10‬‬
‫در ﻧﻤﻮدار ﻓﺎز‪ ،‬ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز ﺑـﻪﺻـﻮرت راﺑﻄـﻪ‬ ‫و‬ ‫ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺪﺳﺖ آﻳﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﻌﻴﺎري از ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﻴﺎن‬ ‫راﺑﻄﻪ‪4-10‬‬
‫زﻳﺮ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪180‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬
‫ﺑﻪﻃﻮر ﻣﻌﺎدل‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺣﺎﺷﻴﻪ ﺑﻬﺮه را از روي ﻧﻤﻮدار ﺑﻬﺮه و ﺑﻪ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫| ‪20 log‬‬ ‫‪| .‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪10‬‬
‫ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲ‪-‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ 7-10‬ﺣﺎﺷﻴﻪ ﺑﻬﺮه و ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز را ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﮔﺮاﻓﻴﻜﻲ و از روي ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ‬
‫ﻓﺎﺻـﻠﻪ ﺑﻴﺸـﺘﺮي از ﻳﻜـﺪﻳﮕﺮ‬ ‫و‬ ‫دﻫﺪ‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﺮ ﭼﻪ ﺣﺎﺷﻴﻪ ﺑﻬﺮه و ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫داﺷﺘﻪ و ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫|و‬ ‫|‬ ‫ﻣﺜــﺎل ‪ :7-9‬ﻳــﻚ ﺳﻴﺴــﺘﻢ ﻓﻴــﺪﺑﻚ دار ﺑــﻪﮔﻮﻧــﻪاي ﻃﺮاﺣــﻲ ﺷــﺪه اﺳــﺖ ﻛــﻪ ‪1‬‬
‫ﭘﺎﺳﺦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﭼﻪ‬ ‫| ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬ ‫|‬ ‫|‬ ‫|‬
‫ﻣﻴﺰان ﺑﺮآﻣﺪﮔﻲ ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ؟‬
‫ﺷﻜﻞ‪ -9-10‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ و ﭘﺎﺳ‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 7-10‬ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺣﺎﺷﻴﻪ ﺑﻬﺮه و ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز‪.‬‬
‫ﻣﻲداﻧﻴﻢ ﻛﻪ ﻫﺮ ﻗﻄﺐ ﺑﻪاﻧﺪازه ‪ 90‬از ﻓﺎز ﻛﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﻣﻴﺰان اﻓﺖ ﻓﺎز در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺧﻮد ﻗﻄﺐ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ‬
‫‪ 45‬اﺳﺖ‪ .‬ﭼﻮن دو ﻗﻄﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻳﺎدي از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ دارﻧﺪ‪ ،‬ﻗﻄﺐ اول ﺑﻪاﻧﺪازه ‪ 90‬از ﻓﺎز ﻛﻢ ﻧﻤﻮده و‬
‫ﺷﻜﻞ‬ ‫راﺑﻄﻪ‪7-10‬‬
‫| اﺳﺖ ﻟﺬا‬ ‫|‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ازآﻧﺠﺎﻛﻪ ‪1‬‬ ‫ﻣﻴﺰان اﻓﺖ در ﻣﺤﻞ ﻗﻄﺐ دوم ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪135‬‬
‫ﻣﻲرﺳﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ‬ ‫ﺑﻪ ‪135‬‬ ‫‪،‬‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﭘﺲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 45‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪:‬‬ ‫ﻓﺎﺻﻠﻪ آن از ‪، 180‬‬
‫‪1,‬‬ ‫‪135‬‬ ‫‪45 .‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪10‬‬
‫ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬ ‫ﻫﻢاﻛﻨﻮن وﺿﻌﻴﺖ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ را ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﺎ ﺿﺮﻳﺐ‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1.3‬‬

‫|‬ ‫|‬ ‫‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪|0.29‬‬ ‫|‪0.71‬‬
‫‪11‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪ 1⁄‬اﺳـﺖ‪ ،‬ﭘﺎﺳـﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ از‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ﺑﻬﺮه ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫رﻧﺞ ﻣﻲﺑﺮد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺑﻪ ازاي‬ ‫‪ 30%‬ﺑﺮآﻣﺪﮔﻲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫‪1‬‬
‫‪60‬‬ ‫|‬ ‫|‬ ‫‪.‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪10‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻓﺎﻗﺪ ﺑﺮآﻣﺪﮔﻲ و ﭘﺎﺳﺦ زﻣﺎﻧﻲ ﻧﻴﺰ ﻓﺎﻗﺪ ﻧﻮﺳﺎن در ﻳﻚ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣﺸـﺨﺺ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎزي در ﻫﻤﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎ ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ و ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑـﺎ ﺳـﺮﻋﺖ ﺑـﺎﻻ‬
‫ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻧﻬﺎﻳﻲ ﻣﻴﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 8-10‬ﭘﺎﺳﺦ زﻣﺎﻧﻲ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ را ﺑﻪ ازاي ﺣﺎﺷـﻴﻪ ﻓـﺎز ‪ 60 ،45‬و‪90‬‬
‫درﺟﻪ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز ﺧﺮوﺟﻲ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬وﻟﻲ ﺳﺮﻋﺖ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻫﻤـﺎن‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 8-10‬ﭘﺎﺳﺦ زﻣﺎﻧﻲ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ازاي ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز ‪ 60 ،45‬و‪ 90‬درﺟﻪ‪.‬‬
‫در ﻋﻤﻞ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺧﻮاص ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ و ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺻﻔﺮ و ﻗﻄﺐﻫﺎ‪ ،‬ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﺣﻠﻘﻪ‬
‫ﺑﺴﺘﻪ دﻗﻴﻘﺎً ﺑﻪ اﻳﻦ ﺷﻜﻞﻫﺎ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪ (5-10‬ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬

‫آپاﻣﭗ ﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪﺷﺪه از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‪ ،‬ﺷﺎﻣﻞ ﺗﻌﺪاد زﻳﺎدي ﻗﻄﺐ در ﺗﺎﺑﻊ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا رﻓﺘـﺎر ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ‬
‫آﻧﻬﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺷﻮد ﺗﺎ در آراﻳﺶ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﺴـﺘﻪ‪ ،‬ﻧﺎﭘﺎﻳـﺪار ﻧﺸـﻮد‪ .‬ﺟﺒـﺮانﺳـﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ ﺑـﻪ‬
‫ﺷﺪه و ﻳﺎ‬ ‫‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ رﻋﺎﻳﺖ ﺷﺮط‬ ‫و‬ ‫راﻫﻜﺎري اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺎ اﻧﺘﻘﺎل ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي‬
‫ﺳﻴﺴﺘﻢ را ﻣﻄﻠﻘﺎً ﭘﺎﻳﺪار ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و ﻳﺎ ﭘﺎﻳﺪاري ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪار را ﺑﻪاﻧﺪازه ﻣﻄﻠﻮب ﺑﺎﻻ ﻣﻲﺑﺮﻧـﺪ‪ .‬ﻫﻤـﺎنﮔﻮﻧـﻪ‬
‫ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ ‪ 9-10‬ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺑﻪ دو ﻃﺮﻳﻖ ﭘﺎﻳﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪:‬‬
‫‪ :‬در اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛـﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪-9-10‬اﻟـﻒ ﻣﺸـﻬﻮد اﺳـﺖ‪ ،‬ﻗﻄـﺐ‬ ‫اﻟﻒ( ﻛﺎﻫﺶ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫ﺑـﻪ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦﺗـﺮ ﻣﻨﺘﻘـﻞ ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬اﻳـﻦ ﻛـﺎر‬ ‫ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﺷﺪه و ﻟﺬا‬
‫و دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﭘﺎﻳﺪار ﺧﺘﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫درﻧﻬﺎﻳﺖ ﺑﻪ‬
‫‪ :‬ﻫﻤـﺎن ﮔﻮﻧـﻪ ﻛـﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪-9-10‬ب ﻧﺸـﺎن دادهﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ ،‬در اﻳـﻦ روش‬ ‫ب( اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬
‫ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑـﺎﻻﺗـﺮ ﻣﻨﺘﻘـﻞ‬ ‫ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا درﻧﻬﺎﻳﺖ‬
‫و دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ ﺧﺘﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر درﻧﻬﺎﻳﺖ ﺑﻪ‬
‫در ﻋﻤﻞ‪ ،‬اﺑﺘﺪا آپاﻣﭗ ﺑﺎ ﺣﺪاﻗﻞ ﺗﻌﺪاد ﻗﻄﺐ )ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ‪ ،‬ﺗﻌﺪاد ﻃﺒﻘﺎت ﺑﻪ‬
‫ﺣﺪاﻗﻞ ﻣﻲرﺳﺪ( ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻫﻤﮕـﻲ ﻣﻌﻴﺎرﻫـﺎ )ﺗـﻮان ﻣﺼـﺮﻓﻲ‪ ،‬ﺳـﻄﺢ اﺷـﻐﺎﻟﻲ‪ ،‬ﺳـﺮﻋﺖ و‬
‫دﻗﺖ( ارﺿﺎ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﭘﺲازآن ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد و ﻃﺮاﺣﻲ ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي اﺻﻼح ﻣﻲﮔﺮدد ﻛـﻪ‬
‫ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻣﺒﺪأ ﻛﺸﻴﺪه ﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 9-10‬اﻟﻒ( ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺑﺎ ‪GX‬؛ )ب(ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺑﺎ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ‪PX‬‬
‫‪ (1-5-10‬ﺟﺒﺮانﺳﺎزي در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 10-10‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ و ﻣﻜﺎن ﻫﻨﺪﺳﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎي آن را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫـﺪ‪.‬‬
‫دو ﻣﺴﻴﺮ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﺮاي ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ورودي وﺟﻮد دارد ﺗﺎ ﺑﺎ ﮔﺬر از اﻳﻦ دو ﻣﺴﻴﺮ ﺑﻪ ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﺮﺳـﺪ‪.‬‬
‫ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ در اﻳﻦ ﻣﺴﻴﺮﻫﺎ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ در ﻫﺮ ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪاﻧﺪازه ﻣﺸﺨﺺﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺗﺎ زﻣﻴﻦ اﺳﺖ‪ ،‬ﻟﺬا ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ‬ ‫و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻌﺎدل‬ ‫اﻳﻨﻜﻪ ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ داراي ﺑﺰرگﺗﺮﻳﻦ ﺧﺎزن ﺑﺎر‬
‫)ﻛﻮﭼﻚﺗﺮﻳﻦ ﻗﻄﺐ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ( در اﻳﻦ ﮔﺮه ﻗﺮار دارد‪ .‬اﻧﺪازه ﺳﺎﻳﺮ ﻗﻄـﺐﻫـﺎ ﺑـﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ ﺗﺤﻠﻴـﻞ‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫) ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 10-10‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺗﻚ ﻃﺒﻘﻪ و ﻣﺤﻞ ﻗﺮارﮔﻴﺮي ﻗﻄﺐﻫﺎ در آن‪.‬‬
‫ﻣﺪاري و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ اﻧﺪازه آﻧﻬﺎ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪاﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﺣﻔﺮه ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫اﻟﻜﺘﺮون‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ pMOS‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺰرگﺗﺮ از ‪ nMOS‬اﻧﺘﺨﺎب ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﺗﺎ ﺑﻪ ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ‬
‫ﺑﺰرگﺗﺮ از‬ ‫ﻳﻜﺴﺎن دﺳﺖ ﻳﺎﺑﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺧﺎزنﻫﺎي ﻧﺎﺷﻲ از اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻧﻴﺰ ﺑﺰرگﺗﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ و درﻧﻬﺎﻳﺖ‬
‫ﺑﻪ ﻳﻚ اﻧﺪازه ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻟﺬا ﻗﻄﺐﻫﺎي اﻳﻦ دو ﮔﺮه ﺑﺎ‬ ‫و‬ ‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺎرن ﻣﺪاري‪،‬‬
‫ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﺪه و ﺗﻨﻬﺎ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ را در ﻣﻜﺎن ﺻﻔﺮ و ﻗﻄﺐﻫﺎ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻮدن ﻗﻄﺐ ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ ﻗﻄـﺐﻫـﺎ‪ ،‬ﻣـﻲﺗـﻮان ﺟﺒـﺮانﺳـﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ را ﺑـﺎ‬
‫اﻧﺠـﺎم داد )ﻣﻄـﺎﺑﻖ ﺑـﺎ روش‬ ‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﻧﻤﻮدن اﻧﺪازه ﻗﻄﺐ اﻳﻦ ﮔﺮه و از ﻃﺮﻳﻖ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺪازه ﺧﺎزن ﺑـﺎر‬
‫)اﻟﻒ( ﺗﻮﺿﻴﺢ دادهﺷﺪه در ﺑﺨﺶ ﻗﺒﻞ(‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 11-10‬ﻧﺤﻮه ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺷﻜﻞ ‪-10-10‬اﻟﻒ و‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺎﻳﺪاري آن را ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي روش )اﻟﻒ( ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺧﻂ ﭘﺮرﻧﮓ رﻓﺘﺎر ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه را‬
‫اﺳﺖ و ﻟﺬا ﺳﻴﺴـﺘﻢ‬ ‫ﻗﺒﻞ از ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻗﺒﻞ از ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ‪،‬‬
‫ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ‬ ‫ﻧﺎﭘﺎﻳﺪار اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن ﺑﺎر ﭘﺲ از ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ‪ ،‬ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ‬
‫‪ ،‬ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻳﻚ راه ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﭘﺎﻳﺪاري ﻣﻄﻠﻮب آن اﺳـﺖ‬ ‫ﻣﻨﺘﻘﻞ ﺷﺪه و ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ‬
‫ﺷﺪه و ﺣﺎﺷﻴﻪ‬ ‫در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﭘﺲ از ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ‪135‬‬ ‫ﻛﻪ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ )ﻫﺮ ﻗﻄﺐ ﺑﻪاﻧﺪازه ‪ 90‬از ﻓﺎز ﻛﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﻛﺎﻫﺶ ﻓﺎز در ﻣﺤﻞ ﺧﻮد ﻗﻄﺐ‬ ‫ﻓﺎز ‪45‬‬
‫را از راﺑﻄـﻪ زﻳـﺮ ﺣﺴـﺎب‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ‪ 45‬اﺳﺖ(‪ .‬ﺑﺮاي دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻫﺪف‪ ،‬ﻣﺤﻞ ﺟﺪﻳﺪ ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ‬
‫ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪10‬‬
‫ﮔﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺰ اﻣﻜـﺎنﭘـﺬﻳﺮ اﺳـﺖ‪.‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﻧﻤﻮدن اﻧﺪازه ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺪازه‬
‫اﻳﻦ ﻛﺎر اﻣﺎ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺎﻳﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻧﻤﻲﺷﻮد ﭼﺮاﻛﻪ ﻫﻢ ﺑﻬﺮه زﻳﺎد ﺷﺪه و ﻫﻢ ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟـﺐ ﺑـﻪ‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﭘﺲ درﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬رﻓﺘﺎر ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺣﻠﻘـﻪ ﻓﻴـﺪﺑﻚ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي ﺑـﺎﻻ‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﻗﻲ ﻣﻲﻣﺎﻧﺪ‪.‬‬
‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‪ ،‬ﻣﺸﻜﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻚ ﺳﺮ ﺷﻜﻞ ‪-10-10‬اﻟﻒ ازﻟﺤﺎظ آﻳﻨﻪ ﻧﻤﻮدن ﺳـﻴﮕﻨﺎل از‬
‫را ﻧﺪارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻤﺎم‬ ‫ﻳﻚ ﺳﻤﺖ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ دﻳﮕﺮ و اﻳﺠﺎد ﺷﺪن ﻗﻄﺐ اﺿﺎﻓﻲ آﻳﻨﻪاي در ﻣﺤﻞ ﮔﺮه‬
‫ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ ﺗﻌﺪاد ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ ﻛﻤﺘﺮ داﺷﺘﻪ و ﭘﺎﻳﺪاري آن ﺑﻬﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 11-10‬ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ در ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد آپاﻣﭗ ﺗﻠﺴﻜﻮﭘﻲ ﺗﻚ ﺳﺮ‪.‬‬
‫‪،‬‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬ﺻﻔﺮ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺎز ﺑﻪاﻧﺪازه ‪ 90‬در ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺷﺪه و ﺑﺎ اﻓـﺰاﻳﺶ ﻓـﺎز در ﻣﺤـﻞ‬
‫ﺣﺎﺷﻴﻪ ﻓﺎز را اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺟﺎﺳﺎزي ﻣﺴﻴﺮﻫﺎي ﭘﺮﺳﺮﻋﺖ در داﺧﻞ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨـﺪه اﺻـﻠﻲ‪ ،‬ﺻـﻔﺮ‬
‫اﺿﺎﻓﻲ اﻳﺠﺎد ﻛﺮد و اﺛﺮ ﻣﻨﻔﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺻﻔﺮﻫﺎ ﺧﻨﺜﻲ ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫‪ (2-5-10‬ﺟﺒﺮانﺳﺎزي در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 12-10‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ را ﺑﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬ﺑﺮﺧﻼف ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه ﻳـﻚ ﻃﺒﻘـﻪ‪،‬‬
‫ﻣﺰﻳﺖﻫﺎي اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻬﺮه وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻو ﻧﻴﺰ ﺑﺎﻻ ﺑﻮدن ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪﺻﻮرت ﻫـﻢزﻣـﺎن اﺳـﺖ‪ .‬ﻃﺒـﻖ‬
‫)ﺧﺮوﺟـﻲ ﻃﺒﻘـﻪ اول( و‬ ‫‪،‬‬ ‫ﻗﻀﻴﻪ ﻧﺴﺒﺖدﻫﻲ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺑﻪ ﮔﺮهﻫﺎ‪ ،‬در اﻳﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺳـﻪ ﻗﻄـﺐ اﺻـﻠﻲ‬
‫)ﺧﺮوﺟﻲ ﻃﺒﻘﻪ دوم( در ﻣﺴﻴﺮ اﺻﻠﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل از ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ وﺟﻮد دارﻧـﺪ‪ .‬اﻧـﺪازه ﻫـﺮ ﻗﻄـﺐ ﺑﺮاﺑـﺮ ﺑـﺎ‬
‫ﻋﻜﺲ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﺪهﺷﺪه در ﻫﺮ ﮔﺮه در ﺧﺎزن آن اﺳـﺖ‪ .‬اﻧـﺪازه ﻣﻘﺎوﻣـﺖ و ﺧـﺎزن ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫دﻳﺪهﺷﺪه در اﻳﻦ ﮔﺮهﻫﺎ ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪10‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 12-10‬آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪17‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪19‬‬ ‫‪10‬‬
‫در اﻳـﻦ ﮔـﺮه‪ ،‬ﻗﻄـﺐ‬ ‫در ﺧﺮوﺟﻲ ﻃﺒﻘﻪ اول و وﺟﻮد اﺛﺮ ﻣﻴﻠﺮ ﺧـﺎزن‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺑﺎﻻي‬
‫ﻗﻄـﺐﻫـﺎي‬ ‫و‬ ‫ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻮده و از ﻫﻤﻪ ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺲازاﻳﻦ ﻗﻄﺐ‪ ،‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻗﻄﺐﻫﺎي‬
‫ﻏﺎﻟﺐ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 13-10‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻃﺒﻖ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﻣﺤﺪود ﻛﻨﻴﻢ و ﻗﻄـﺐ ﻏﺎﻟـﺐ‬ ‫را ﺑﻪ‬ ‫ﻳﻚ راهﺣﻞ ﺑﺮاي ﺟﺒﺮانﺳﺎزي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه آن اﺳﺖ ﻛﻪ‬
‫ﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﻪ اﻳـﻦ روش‬ ‫را آنﻗﺪر ﻛﻮﭼﻚ ﻛﻨﻴﻢ ﻛـﻪ‬ ‫|‬ ‫|‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫‪,‬‬ ‫ﻳﻌﻨﻲ‬
‫اﻧﺠـﺎمﭘـﺬﻳﺮ‬ ‫‪,‬‬ ‫ﺑـﻪ‬ ‫ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻣﻮازي ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺎ اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮدن ﺧﺎزن ﺟﺒﺮانﺳﺎز اﺿـﺎﻓﻲ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎاﻳﻦوﺟﻮد‪ ،‬روش ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻣﻮردﻧﻈﺮ داراي دو ﻣﺸﻜﻞ اﺻﻠﻲ اﺳﺖ‪:‬‬
‫در ﮔﺮه ؛‬ ‫‪ -1‬ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺧﺎزن ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي‬
‫| ﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ‪.‬‬ ‫؛ ﺑﻪﺧﺼﻮص ﺑﺮاي |‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫‪ GBW‬و ﻳﺎ‬ ‫‪ -2‬ﻣﺤﺪود ﺷﺪن‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 13-10‬ﻧﻤﻮدار ﺑﻮد ﺑﻬﺮه ﺣﻠﻘﻪ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 14-10‬ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮ در آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 15-10‬ﺟﺪاﺳﺎزي ﻗﻄﺐﻫﺎ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﭘﺲ از اﻋﻤﺎل روش ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮي‪.‬‬
‫روش ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ دوم‪ ،‬ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ روش ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮي اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 14-10‬ﻧﺤﻮه اﻋﻤﺎل‬
‫در ﺷـﻜﻞ ‪ 12-10‬ﻧﺸـﺎن ﻣـﻲدﻫـﺪ‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﻣﺎﺑﻴﻦ ﮔﺮهﻫﺎي‬ ‫اﻳﻦ روش ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي را ﺑﺎ ﻗﺮار دادن ﺧﺎزن‬
‫اﺛـﺮ‬ ‫ﺑﻴﻦ ورودي و ﺧﺮوﺟﻲ ﻃﺒﻘﻪ دوم ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد ﺗﺎ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﻬﺮه ﻃﺒﻘﻪ دوم‬ ‫ﺧﺎزن ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬ ‫در ﮔﺮه‬ ‫ﭼﻨﺪ ده ﺑﺮاﺑﺮ ﮔﺮدد‪ .‬ﻃﺒﻖ ﻗﻀﻴﻪ ﻣﻴﻠﺮ‪ ،‬ﺧﺎزن ﻣﻌﺎدل‬ ‫ﻣﻌﺎدل آن در ﮔﺮه‬
‫‪1‬‬ ‫در ﮔﺮه‬ ‫ﺧﺎزن ﻣﻌﺎدل‬
‫ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻚﺗﺮ ﺷﺪه و ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫و ﺑﻬﺮهﻣﻨﺪي از اﺛﺮ ﻣﻴﻠﺮي آن ﺑﻪﻣﻨﻈـﻮر ﺳـﺎﺧﺖ‬ ‫ﻣﺰﻳﺖ اﻳﻦ روش اﺳﺘﻔﺎده از ﺧﺎزن ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻛﻮﭼﻚ‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛـﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪ 15-10‬ﻧﺸـﺎن دادهﺷـﺪه اﺳـﺖ‪،‬‬ ‫‪1‬‬ ‫ﻳﻚ ﺧﺎزن ﻣﻌﺎدل ﺑﺰرگ‬
‫ﻣﺰﻳﺖ دﻳﮕﺮ اﻳﻦ روش دور ﻧﻤﻮدن ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ از ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ و اﻧﺘﻘﺎل آﻧﻬـﺎ ﺑـﻪ ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي‬
‫ﺑﺎﻻ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮ‪ ،‬ﺑﺎ ﻋﻨﻮان »ﺟﺪاﺳﺎزي ﻗﻄﺐﻫﺎ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ« ﻳﺎ ”‪“Pole Splitting‬‬
‫ﺷــــﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣــــﻲﺷــــﻮد‪ .‬ﺷــــﻜﻞ ‪-16-10‬اﻟــــﻒ ﻧﺤــــﻮه اﻋﻤــــﺎل ﺟﺒــــﺮان ﺳــــﺎزي ﻣﻴﻠــــﺮي ﺑــــﺎ ﺧــــﺎزن‬
‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫) ج(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 16-10‬اﻟﻒ( ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮي؛‬
‫)ب( رﻓﺘﺎر ﺧﺎزن ﺟﺒﺮانﺳﺎزي در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ؛ )ج( ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮي ﺑﺎ ﺧﺎزن و ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ ‪ 17-10‬ﺗﺄﺛﻴﺮ ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ در رﻓﺘﺎر ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه‪.‬‬
‫را در ﻃﺒﻘﻪ دوم ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﺷﻜﻞ ‪ 12-10‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬دﻟﻴﻞ اﻧﺘﻘـﺎل ﻗﻄـﺐ ﻏﻴـﺮ‬ ‫ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ اﺳﺖ )ﺷﻜﻞ‬ ‫ﻏﺎﻟﺐ اول ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه ﺷﺪن ﺧﺎزن ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫‪,‬‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫ﺑﻪ‬ ‫‪,‬‬ ‫‪-16-10‬ب(‪ .‬ﻟﺬا ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻌﺎدل ﺧﺮوﺟﻲ ﻃﺒﻘﻪ دوم از‬
‫‪ 1⁄‬ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ و اﻧﺪازه ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ‬ ‫ﻳﺎ ﺑﻪﻃﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﺑﻪ‬
‫‪1‬‬ ‫‪9‬‬
‫‪21‬‬ ‫‪10‬‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ اﺗﺼﺎل ﺧﺮوﺟﻲ ﺷﻜﻞ ‪-16-10‬اﻟﻒ ﺑﻪ زﻣﻴﻦ ﻣﺠﺎزي‪ ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺧﻮاﻫﻴﻢ ﻛﺮد ﻛـﻪ اﻳـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺷـﺎﻣﻞ ﻳـﻚ‬
‫ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﺑﺎ اﻧﺪازه ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ‬
‫‪22‬‬ ‫‪10‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪاﻧﺪازه ﺧﺎزن ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي‪ ،‬ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﻣﻮردﻧﻈﺮ ﻣﻤﻜـﻦ اﺳـﺖ در ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲﻫـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦ‬
‫واﻗـﻊ ﮔﺮدﻳـﺪه و ﺑــﺮاي ﭘﺎﻳــﺪاري ﺗﻘﻮﻳــﺖﻛﻨﻨــﺪه ﻣﺸــﻜﻞ اﻳﺠـﺎد ﻛﻨــﺪ‪ .‬اﺛــﺮ ﺻــﻔﺮ ﺳــﻤﺖ راﺳــﺖ در ﭘﺎﻳــﺪاري‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺣﺘﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﺨﺮبﺗﺮ از اﺛﺮ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 17-10‬رﻓﺘـﺎر ﻓﺮﻛﺎﻧﺴـﻲ ﺑﻬـﺮه‬
‫ﺣﻠﻘــﻪ را در ﺣﻀــﻮر ﺻــﻔﺮ ﺳــﻤﺖ راﺳــﺖ ﻧﺸــﺎن ﻣــﻲدﻫــﺪ‪ .‬ﭼﻨــﻴﻦ ﺻــﻔﺮي در ﺻــﻮرت ﺗــﺎﺑﻊ ﺗﺒــﺪﻳﻞ ﺟﻤﻠــﻪ‬
‫‪ 1‬اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻛﺎﻫﺶ ﻓﺎز ‪ 90‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻗﻄﺐ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣﺎ اﺛـﺮ‬ ‫‪⁄‬‬
‫آن در ﻧﻤــﻮدار اﻧــﺪازه ﻫﻤﭽﻨــﺎن ﻣﺸــﺎﺑﻪ ﺑــﺎ ﻳــﻚ ﺻــﻔﺮ ﺳــﻤﺖ ﭼــﭗ و ﺑــﺎ اﻓــﺰاﻳﺶ ﺷــﻴﺐ ﻧﻤــﻮدار ﺑــﻪاﻧــﺪازه‬
‫‪ 20 dB⁄dec‬اﺳﺖ‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﺻﻔﺮي ﺧﻄﺮ ﺟﺪي ﺑﺮاي ﭘﺎﻳـﺪاري ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه دوﻃﺒﻘـﻪ ﺑـﺎ ﺟﺒـﺮان ﺳـﺎزي‬
‫ﻣﻴﻠﺮي اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺑﺎﻳﺪ آن را ﺑﻪ ﻃﺮﻳﻘﻲ ﺣﺬف ﻧﻤﻮد‪ .‬ﻳﻚ راهﺣﻞ ﺑﺮاي ﺣﺬف اﻳﻦ ﺻﻔﺮ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ‬
‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﻜﻞ ‪ -16-10‬ج اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮدن اﻳﻦ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‪ ،‬ﻣﻘـﺪار ﺻـﻔﺮ‬ ‫ﺑﺎ ﺧﺎزن‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﺮي‬
‫ﻣﻮردﻧﻈﺮ اﺻﻼحﺷﺪه و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪. 23‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪1⁄‬‬
‫‪ ،‬ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ در ﺑﻴﻨﻬﺎﻳﺖ ﻗﺮار ﺧﻮاﻫﺪ ﮔﺮﻓﺖ و ﺑﻪﻃـﻮر ﻛﺎﻣـﻞ ﺣـﺬف ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫‪1/‬‬ ‫ﺑﻪ ازاي‬
‫ﻣﻲ‪-‬‬ ‫‪ ،‬ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﺷﺪه و ﻣﻘﺪار آن ‪0‬‬ ‫‪1/‬‬ ‫ﮔﺮدد‪ .‬ﺑﻪ ازاي‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫ﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا در ﻋﻤﻞ ﻣﻲﺗﻮان از اﻳﻦ ﺻﻔﺮ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺣﺬف ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮﻏﺎﻟﺐ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در ﮔﺮه‬
‫اﻧﺪازه ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻻزم ﺑﺮاي ﺣﺬف ﺻﻔﺮ و ﻗﻄﺐ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪24‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪1⁄‬‬
‫روﻳﻪ ﺑﺎﻻ دو ﻣﺸﻜﻞ دارد‪:‬‬
‫در ﺑﺴﻴﺎري از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ازﺟﻤﻠﻪ ﻣﺪارﻫﺎي ﻛﻠﻴﺪ ﺧﺎزﻧﻲ؛ اﻳﻦ‬ ‫‪ -1‬ﻋﺪم ﻣﺸﺨﺺ ﺑﻮدن ﻣﻘﺪار دﻗﻴﻖ ﺧﺎزن ﺑﺎر‬
‫ﻣﺘﻐﻴﺮ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﺧﺎزن ﺑﺎر ﺑﺎﺷﻴﻢ‪.‬‬ ‫ﻣﺸﻜﻞ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻧﻴﺎزﻣﻨﺪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻲﺷـﻮد )ﺷـﻜﻞ ‪-18-10‬اﻟـﻒ(‪.‬‬ ‫‪ -2‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬
‫رﻓﺘﺎر ﻣﻘﺎوﻣﺖ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﺮﻳﻮد‪ ،‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﻓﺼﻞﻫﺎي اول ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪ‪ ،‬ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺑﻮده و واﺑﺴﺘﻪ ﺑـﻪ‬
‫وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ آن اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﻮﺿﻮع ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ وﻗﺘﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه زﻳﺎد ﺑﺎﺷـﺪ‪،‬‬
‫در ﻫﺮﻟﺤﻈـﻪ ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﻧﻤـﻮده و ﻣﻜـﺎن ﺻـﻔﺮ و درﻧﺘﻴﺠـﻪ ﭘﺎﻳـﺪاري و ﭘﺎﺳـﺦ ﺳـﻴﮕﻨﺎل‪ -‬ﺑـﺰرگ‬ ‫ﻣﻘﺪار ﻣﻄﻠـﻖ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻗﺮار دﻫﺪ‪.‬‬
‫ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺮوﺳﻪ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ و دﻣﺎ‪ ،‬ﺑﺘﻮاﻧﺪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ‬ ‫*( ﻧﻜﺘﻪ‪ :‬در ﺷﻜﻞ ‪-18-10‬اﻟﻒ‪ ،‬ﺗﻮﻟﻴﺪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻳﺎس‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 18-10‬ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺒﺮانﺳﺎزي و ﻧﺤﻮه ﺗﻮﻟﻴﺪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻳﺎس ﺑﺮاي ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻮردﻧﻈﺮ‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪10‬‬
‫را ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﺎه دارد ﻛﺎر ﺳﺎدهاي ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﻳﻚ روش ﺳﺎده ﺑﺮاي ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻮردﻧﻈﺮ در ﺷﻜﻞ ‪-10‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪-21-10‬ﺑﺎ ﺳﻮﺋﻴﻨﮓ‬ ‫‪-18‬ب ﻧﻤﺎﻳﺶ دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺲ از ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ و اﻧﺘﻘﺎل ﻗﻄـﺐﻫـﺎي ﻏﻴـﺮ‬
‫ﻏﺎﻟﺐ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬ﺗﻨﻬﺎ ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ ﺑﺎﻗﻲﻣﺎﻧﺪه و اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﻚﻗﻄﺒـﻲ‬ ‫ﺷﻜﻞ‪19-10‬‬
‫ﭘﺎﻳﺪار ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ ﺷﻜﻞ ‪ 12-10‬ﺧﻮاﻫﻴﻢ داﺷﺖ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪/‬‬
‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ‪ GBW‬ﺟﺎﻳﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻬﺮه در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺳﻴﺴﺘﻢﻫـﺎي ﺗـﻚﻗﻄﺒـﻲ‪،‬‬
‫اﺳﺖ‪:‬‬ ‫اﻳﻦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻪﻃﻮر ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﺣﺎﺻﻞﺿﺮب ﺑﻬﺮه در ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻳﺎ‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬
‫‪1‬‬
‫|‬ ‫∞‬ ‫‪1‬‬ ‫‪GBW‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪27‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪ GBW‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫ﻟﺬا در ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ دوﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ ﺟﺒﺮانﺳﺎزي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ‪،‬‬

‫ﻳﻚ ﻣﺸﻜﻞ دﻳﮕﺮ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ زﻳﺎد ﭘﺎﻳﺪاري آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﺧﺎزن ﺑـﺎر اﺳـﺖ‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪19-10‬‬
‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﻧﺤﻮه ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ و دوﻃﺒﻘﻪ را ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن ﺑﺎر‬
‫ﺑﺮﺧﻼف ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ ﻛﻪ ﻗﻄﺐ ﻏﺎﻟﺐ آﻧﻬﺎ در ﺧﺮوﺟﻲ ﻛﻠﻲ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳـﺖ‪ ،‬ﻗﻄـﺐ ﻏﺎﻟـﺐ‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ در ﺧﺮوﺟﻲ ﻃﺒﻘـﻪ اول ﻗـﺮار دارد‪ .‬ﻟـﺬا ﺑـﺮﺧﻼف ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪهﻫـﺎي ﻳـﻚ ﻃﺒﻘـﻪ‪،‬‬
‫ﭘﺎﻳﺪاري ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن ﺑﺎر ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ﻳﻚ راهﺣﻞ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻛﺎﻫﺶ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ آپاﻣﭗ ﺑﻪ ﺧﺎزن ﺑﺎر آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﻗﻄﺐ ﻏﻴﺮ ﻏﺎﻟﺐ و واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺧﺎزن‬
‫ﺑﺎر ﺧﺮوﺟﻲ را ﺗﺎ ﺣﺪ ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺰرگﺗﺮ از ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻬﺮه واﺣﺪ اﻧﺘﺨﺎب ﻛﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪.‬‬ ‫‪28‬‬ ‫‪10‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 19-10‬ﺗﺄﺛﻴﺮ اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن ﺑﺎر در ﻧﺤﻮه ﻧﺸﺴﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻳﻚ ﻃﺒﻘﻪ و دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫ﺗﻮﺳﻂ ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻌﺪ از ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد و اﻧﺪازه آن دﺳﺖ ﻣﺎ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﻟﺬا ﺗﻨﻬـﺎ راه‬ ‫اﻧﺪازه ﺧﺎزن ﺑﺎر‬
‫را ﺑﺎ زﻳﺎد‬ ‫اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻً‬ ‫را ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ اﺑﻌﺎد و ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﻣﻤﻜﻦ آن اﺳﺖ ﻛﻪ‬
‫ﻛﺮدن ﺟﺮﻳﺎن اﻳﻦ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﻨﺪ ﭼﺮاﻛﻪ اﺑﻌﺎد ﺑﺰرگ‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧـﺎزن ﺑـﺎر ﺧﺮوﺟـﻲ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻓﺰاﻳﺶ اﺑﻌﺎد ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﺤﺪود ﺷﺪن ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻳﺎ‬
‫‪ GBW ،‬ﺗﻘﻮﻳـﺖﻛﻨﻨـﺪه را ﻛـﺎﻫﺶ‬ ‫راهﺣﻞ دﻳﮕﺮ آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺑﺰرگ ﻧﻤﻮدن اﻧﺪازه ﺧﺎزن ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬ ‫دﻫﻴﻢ‪ .‬اﻓﺰاﻳﺶ ﺧﺎزن ﻧﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﺑﻴﺸﺘﺮي را اﺷﻐﺎل ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺳﺮﻋﺖ و‬
‫‪ (6-10‬ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ‬

‫‪ ،‬ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺷﻴﺐ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺧﺮوﺟﻲ را در ﺧﺮوﺟﻲ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﻳﺎ‬
‫ﺧﻮاﻫـﺪ ﺑـﻮد‪ .‬ﺷـﻜﻞ ‪-20-10‬‬ ‫‪⁄‬‬ ‫|‬ ‫در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴـﺮﻳﻢ‪،‬‬ ‫ﻟﺬا اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ را‬
‫اﻟﻒ آراﻳﺶ ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه دوﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ ﺧﺎزن ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺳﺎدهﺗﺮﻳﻦ ﻧﺤـﻮه ﭘﻴـﺎدهﺳـﺎزي‬
‫اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه در ﺷﻜﻞ ‪-20-10‬ب ﻧﺸﺎن دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻳﻚ وﻟﺘـﺎژ ﺗﻔﺎﺿـﻠﻲ ﺑـﺎ داﻣﻨـﻪ زﻳـﺎد ﺑـﻪ‬ ‫ﺷﻜﻞ‪21-10‬‬
‫ورودي اﻳﻦ ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ‪ ،‬ﻳﻜﻲ از ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪ M‬ﻳﺎ ‪ M‬ﺑﻪﻃﻮر ﻛﺎﻣـﻞ ﺧـﺎﻣﻮش ﺷـﺪه و ﻛـﻞ‬
‫از دﻳﮕﺮي ﻣﻲﮔﺬرد‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧـﻪ ﻛـﻪ در ﺷـﻜﻞ ‪ -20-10‬ج ﻧﺸـﺎن دادهﺷـﺪه اﺳـﺖ‪،‬‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺗﻘﺮﻳﺒـﺎً ﺛﺎﺑـﺖ‬ ‫ﻛﺸﻴﺪه ﺷﺪه و ﻳﺎ ﺑﻪ آن ﺗﺰرﻳﻖ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻟﺬا ﺑﺎ ﻓﺮض آﻧﻜـﻪ وﻟﺘـﺎژ ﮔـﺮه‬ ‫ﻳﺎ از‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺳﺮﻋﺖ واﻛﻨﺶ ﺧﺮوﺟﻲ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬
‫|‬ ‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪ (7-10‬ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي‬

‫ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻣﻴﻠﺮ ﺣـﺬف ﺷـﺪه و ﻳـﺎ اﻣﭙـﺪاﻧﺲ آن‬ ‫اﮔﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻃﺮﻳﻖ ﺧﺎزن‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﺑﺪ‪ ،‬ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ از ﺑﻴﻦ ﺧﻮاﻫﺪ رﻓﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪ‪ ،‬ﻳﻚ راهﺣﻞ اﻓـﺰودن‬
‫اﺳﺖ‪ .‬راهﺣﻞ دﻳﮕﺮ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻳـﻚ ﺑـﺎﻓﺮ وﻟﺘـﺎژ‬ ‫ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﺳﺮي ﺑﺎ ﺧﺎزن‬ ‫ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺒﺮانﺳﺎزي‬
‫)دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس( ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﺳـﺮي و ﻗﺒـﻞ از ﺧـﺎزن ﺟﺒـﺮانﺳـﺎزي اﺳـﺖ ﺗـﺎ ﻣﺴـﻴﺮ ﻣﺴـﺘﻘﻴﻢ از ورودي ﺑـﻪ‬
‫ﺧﺮوﺟﻲ از ﺑﻴﻦ رﻓﺘﻪ و ﺗﻨﻬﺎ ﻣﺴﻴﺮ ﻓﻴﺪﺑﻚ از ﺧﺮوﺟﻲ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ورودي ﺑﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧﺪ )ﺷﻜﻞ ‪.(21-10‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫)ج(‬ ‫)ب(‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 20-10‬آﻫﻨﮓ ﭼﺮﺧﺶ وﻟﺘﺎژ ﺧﺮوﺟﻲ در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪهﻫﺎي دوﻃﺒﻘﻪ‪.‬‬
‫اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺣﺪاﻗﻞ‬ ‫ﻗﺒﻞ از ﺧﺎزن‬ ‫ﻣﺸﻜﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻜﻞ ‪ 21-10‬وﺟﻮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫وﻟﺘﺎژ ﻣﺠﺎز ﺧﺮوﺟﻲ ﺗﻮﺳﻂ اﻳﻦ ﻗﻄﻌﻪ ﻣﺤﺪود ﺷﻮد‪ .‬ﻟﺬا ﺑﻬﺘﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺟﺎي ﺧﺎزن و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر را ﻋﻮض‬
‫‪ ،‬ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﻃﺒﻘﻪ ﺧﺮوﺟﻲ‬ ‫ﻛﻨﻴﻢ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬
‫را از ﻃﺒﻘﻪ ﻗﺒﻠﻲ اﻳﺰوﻟﻪ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﻣﻌﺎدل ﺗﻚ ﺳﺮ اﻳﻦ‬
‫اﻳﺪه در ﺷﻜﻞ ‪ 22-10‬و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺑﺎﻓﺮ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن )ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك( ﻧﺸﺎن‬
‫دادهﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 23-10‬ﻣﻌﺎدل ﺗﻤﺎم ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬
‫اﻳﻦ اﻳﺪه را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از دو ﺑﺎﻓﺮ ﻗﺮار داده ﺷﺪه در‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 21-10‬آپاﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮدن دﻧﺒﺎل ﻛﻨﻨﺪه ﺳﻮرس ﺑﺮاي ﺣﺬف ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ‪.‬‬
‫( ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬روش ﻣﺬﻛﻮر ﺟﺒﺮان ﺳـﺎزي ﻛﺴـﻜﻮد‬ ‫و‬ ‫درون ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه اﺻﻠﻲ )ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي‬
‫‪ 1⁄‬ﺑﺎﻋـﺚ ﻣـﻲﺷـﻮد ﻛـﻪ ﻛـﻞ ﺟﺮﻳـﺎن‬ ‫‪ 1⁄‬ﺑﻪﻃـﻮر ﻣـﻮازي ﺑـﺎ‬ ‫ﻧﺎم دارد‪ .‬وﺟﻮد اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﻛﻮﭼﻚ‬
‫ﺑـﻪ ﺧﺮوﺟـﻲ ﻧـﺮود‪ .‬در‬ ‫راه ﻳﺎﻓﺘﻪ و از ﻃﺮﻳﻖ ﺧﺎزن‬ ‫‪ ،‬ﺑﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬ ‫ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫( ﺑﺮﻗـﺮار ﻣـﻲ‪-‬‬ ‫)و ﻧﻪ ﺧﺎزن‬ ‫اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ‪ ،‬ﻣﺴﻴﺮ اﺻﻠﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل ورودي ﺑﻪ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻃﺮﻳﻖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر‬
‫ﺷﻮد‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر‪ ،‬ﺻﻔﺮ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﺑﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ 22-10‬راﻫﻜﺎر ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آراﻳﺶ ﮔﻴﺖ ﻣﺸﺘﺮك‪.‬‬
‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﺷﻜﻞ‪) 23-10‬اﻟﻒ( ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي ﻛﺴﻜﻮد در ﺗﻘﻮﻳﺖﻛﻨﻨﺪه ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ دوﻃﺒﻘﻪ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ؛ )ب( ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺗﻚ ﺳﺮ‪.‬‬
225 | ‫ از ﻃﺮاﺣﻲ ﺗﺎ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي‬:CMOS ‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ‬
‫ﻛﺘﺎبﻧﺎﻣﻪ‬
1- Design of analog CMOS integerated circuits, Behzad Razavi, McGraw

Hill, 2000.
2- Analog integrated circuit design, D. Johns, K. Martin, Wiley 2011.
Journals:
1- IEEE J. Solid-State Circuits (JSSC)
2- IEEE Trans. Circuits and Systems (Fundamental, Express Briefs)
3- Springer (ALOG, CSSP)
4- Elsevier (MEJ, AEU, Integation, the VLSI)
5- Wiley (CTA)
6- IET (Electronics Letters,Circuits, Devices, and Systems)
7- Taylor and Francis (IJE)
8- World Scientific (JCSC)
9- IEICE
Conferences:
1- IEEE Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
2- IEEE Custum Integrated Circuts (CICC)
3- EssCirc
4- ISCAS
5- DATE and DAC
‫روش ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﺟﺒﺮان ﺳﺎزي آپ اﻣﭗ دوﻃﺒﻘﻪ‬-26-10‫ﺷﻜﻞ‬

CMOS Book

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

CMOS Book

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

‫ﺑﺎﺳﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ‬

‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺧﻄﻲ ‪CMOS‬‬

‫*( ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻘﺎوم‬

‫*( ﺑﺎزه ﻋﻤﻠﻜﺮد ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫*( ﺗﻐﻴﻴﺮات رﻓﺘﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻫﻨﮕﺎم ﺳﺎﺧﺖ‬

‫ﺟﺪول م‪ :1-‬ﻣﺪل ﺳﺎزي ﻋﻤﻠﻜﺮد ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ در ﻫﻨﮕﺎم ﺳﺎﺧﺖ‬

‫ﺣﺎﻣﺪ اﻣﻴﻦزاده‪ ،‬ﭘﺎﻳﻴﺰ ‪1398‬‬

‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﻘﺪﻣﻪ اي ﺑﺮ ﻃﺮاﺣﻲ آﻧﺎﻟﻮگ ‪11 ................................................................................‬‬

‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﻘﺪﻣﻪاي ﺑﺮ ﻃﺮاﺣﻲ آﻧﺎﻟﻮگ‬

‫‪ -4‬ﮔﻴﺮﻧﺪهﻫﺎي ﺑﻲﺳﻴﻢ‪ :‬ﺳﻴﮕﻨﺎل درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 4-1‬ﻃﻴﻒ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎل و ﺗﺪاﺧﻞ درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ :5-1‬ﮔﻴﺮﻧﺪه و ﻓﺮﺳﺘﻨﺪه ﻧﻮري‪.‬‬

‫‪ -7‬رﻳﺰﭘﺮدازﻧﺪهﻫﺎ و ﺣﺎﻓﻈﻪﻫﺎ‪ :‬ﻃﺮاﺣﻲ رﻳﺰﭘﺮدازﻧﺪهﻫﺎ و ﺣﺎﻓﻈﻪﻫـﺎ‪ ،‬ﻧﻴﺎزﻣﻨـﺪ داﺷـﺘﻦ ﺗﺠﺮﺑـﻪ در ﻃﺮاﺣـﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ :7-1‬ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ ﻣﻴﺎن ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ در ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪارﻫﺎي آﻧﺎﻟﻮگ‪.‬‬

‫ﻓﺼﻞ دوم‪ :‬ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 1-2‬ﻧﻤﺎد و ﭘﺎﻳﺎﻧﻪﻫﺎي دو ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬و ‪.p MOS‬‬

‫‪:‬‬ ‫‪ (1-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻛﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر از دﻳﺪ وﻟﺘﺎژ ﮔﻴﺖ‪-‬ﺳﻮرس‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 4-2‬ﻧﺤﻮه ﺑﺪﺳﺖ آوردن وﻟﺘﺎژ آﺳﺘﺎﻧﻪ در ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪.nMOS‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ln‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬

‫ﻗﻄﺮ اﻛﺴﻴﺪ ‪:‬‬

‫‪ (2-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻛﺎري ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر از دﻳﺪ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬ﺳﻮرس‬

‫ﺷﻜﻞ‪ :6-2‬ﺷﻴﻮه اﻳﺠﺎد ﺷﺪن ﺟﺮﻳﺎن‬

‫‪,‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ (3-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﻪﺻﻮرت‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 8-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺮز ﻧﺎﺣﻴﻪ‬ ‫ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬ﺑﻪﻃﻮر ﺧﻼﺻﻪ‪:‬‬ ‫ﺣﺪ ﻳﻚ‬

‫‪ (4-2‬ﺑﺪﺳﺖ آوردن راﺑﻄﻪ ﺟﺮﻳﺎن‪ -‬وﻟﺘﺎژ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪MOS‬‬

‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ :9-2‬ﻧﻮاﺣﻲ ﻛﺎري ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﺪرﻳﺠﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 10-2‬ﻣﻜﺎن ﺣﺎﻣﻞﻫﺎ در ﻗﻄﻌﻪ ﭘﺲ از ﮔﺬﺷﺖ ﻳﻚ ﺛﺎﻧﻴﻪ‪.‬‬

‫ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ ﮔﻴﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﻣﻮﺟﻮد در ﺷﻜﻞ‬

‫‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ 11-2‬ﺑﺎر ﻛﺎﻧﺎل ﺑﻪ ازاي وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس و درﻳﻦ ﺑﺮاﺑﺮ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 12-2‬ﺑﺎر ﻛﺎﻧﺎل ﻳﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ nMOS‬ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺳﻮرس و درﻳﻦ ﻧﺎﺑﺮاﺑﺮ‪.‬‬

‫ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ‪:‬‬

‫وﻟﺘﺎژ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ‪:‬‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ‬ ‫‪10‬‬ ‫‪2‬‬

‫ﺗﺤﺮك ﭘﺬﻳﺮي ‪:‬‬

‫ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ درﻳﻦ‪-‬‬

‫‪ 14‬اﺷﺒﺎع ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ در‬

‫راﺑﻄﻪ ﺣﺎﻛﻢ ﺑﺮ ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ‬

‫‪.‬‬ ‫) ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﻜﻞ‪16-2‬رﻓﺘﺎر اﻧﺴﺪاد ﻛﺎﻧﺎل‪.‬‬

‫اﻧﺠﺎم داد‪:‬‬ ‫‪0,‬‬ ‫ازاي‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 17-2‬اﺛﺮ دو ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‪.‬‬

‫‪ ،‬ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر در ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع واﺑﺴـﺘﻪ ﺑـﻪ‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ‬

‫ﺑﺰرگ‬ ‫∆‬ ‫ﻛﻮﭼﻚ‬ ‫∆‬ ‫ﺑﺰرگ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 19-2‬ﻫﺪاﻳﺖ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ‪ MOS‬ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﻣﺆﺛﺮ و ﺟﺮﻳﺎن درﻳﻦ‪.‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪29‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ (6-2‬اﺛﺮات ﻣﺮﺗﺒﻪ دوم در ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬

‫‪ 0.3‬اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻣﺘﻐﻴﺮ ﺿﺮﻳﺐ اﺛﺮ ﺑﺪﻧﻪ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ ‪0.4√V‬‬

‫را در ﺷـﺮاﻳﻄﻲ رﺳـﻢ‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :1-2‬در ﻣـﺪار ﺷـﻜﻞ ‪ ،21-2‬ﺟﺮﻳـﺎن‬

‫ﺷﻜﻞ‪ :22-2‬ﻧﺤﻮه ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ وﻟﺘﺎژ‪.‬‬

‫)ج(‬ ‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫‪ -2‬ﻣﺪوﻻﺳﻴﻮن ﻃﻮل ﻛﺎﻧﺎل‬

‫‪ -3‬ﻫﺪاﻳﺖ در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ آﺳﺘﺎﻧﻪ )واروﻧﮕﻲ ﺿﻌﻴﻒ(‬

‫‪ -5‬ﺳﺎﻳﺮ اﺛﺮات ﻣﺮﺗﺒﻪ دوم‬

‫‪.‬‬ ‫‪34‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ (7-2‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺳﻴﮕﻨﺎل‪-‬ﻛﻮﭼﻚ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ‪MOS‬‬

‫‪1⁄‬‬ ‫ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳﺎس ﻛﻤﺘﺮ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ درﻳـﻦ‪ -‬ﺳـﻮرس‬

‫‪,‬‬ ‫‪38‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪η‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪39‬‬ ‫‪2‬‬

‫|‬ ‫|‬ ‫‪η‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪2‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ :25-2‬ﻧﻤﺎي ﺳﻪﺑﻌﺪي و ﻋﻤﻮدي اﻓﺰاره ﻣﺎﺳﻔﺖ‪.‬‬

‫‪,‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪ (8-2‬ﻣﺪلﻫﺎي ‪ Spice‬ﺑﺮاي ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي رﻓﺘﺎر ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي ﻣﺎﺳﻔﺖ‬