Slide BG TBHN C2

Chương II: Khuếch đại tín hiệu điện
Bùi Ngọc Hà
0963387126
buiha.kthn.bk@gmail.com
1
§2.1. Các thông số của bộ khuếch đại
1. Các thông số của bộ khuếch đại

a. Hệ số khuếch đại K
output
K
input
Ui U0
- Hệ số khuếch đại điện áp
Uo
Ku 
Ui
- Hệ số khuếch đại dòng điện
Io
Ki 
Ii
- Hệ số khuếch đại Decibel
K ( dB )  20 log  K 
2

b. Trở kháng vào ra của bộ khuếch đại
- Trở kháng vào
Ui
Zi 
Ii
- Trở kháng ra
U oht
Zo 
I oht
- Zi càng lớn càng tốt, Zo càng bé càng tốt
3

c. Dải thông của bộ khuếch đại
- Dải thông của bộ khuếch đại
là khoảng tần số hoạt động mà
hệ số khuếch đại duy trì ở mức
lớn hơn 0.707 lần giá trị
khuếch đại được cài đặt ban
đầu fl fh
f  f h  fl
- Khi tần số làm việc nhỏ hơn fl hoặc lớn hơn fh thì giá trị của K giảm
đi 0.707 lần (hoặc 3dB) so với giá trị khuếch đại ban đầu
4
§2.1. Yêu cầu đối với bộ khuếch đại
2. Những yêu cầu đối với bộ KĐ tuyến tính

- Đối với hệ số KĐ
+ Có thể thiết kế giá trị của hệ số KĐ K một cách tùy ý
+ Giá trị K không đổi trong quá trình hoạt động
- Đối với dải thông
Dải thông của bộ khuếch đại càng lớn thì càng tốt.
- Bộ khuếch đại có tạp âm càng nhỏ thì càng tốt
- Bộ KKĐ phải có khả năng chống quá tải biên độ khi tín hiệu vào
quá lớn và chống quá tải tần số khi tần số vào quá lớn
- Bộ KĐ làm việc ổn định trước những thay đổi của nhiệt độ và các
tác nhân khác của môi trường, tuổi thọ cao.
5
§2.2. Phân loại các bộ khuếch đại
1. Phân loại theo linh kiện tích cực trong bộ KĐ

- Bộ KĐ dùng Transistor: linh kiện tích cực trong bộ KĐ chỉ gồm
transistor
- Bộ KĐ dùng IC tuyến tính: KĐ thuật toán
- Bộ KĐ dùng cả transistor và KĐTT
2. Phân loại theo dạng tín hiệu vào, ra
Bộ KĐ điện áp: Bộ KĐ dòng điện: Bộ biến đổi dòng Bộ biến đổi áp

KĐ điện áp Ui lối KĐ điện áp Ii lối thành áp: điện áp thành dòng: dòng
vào thành điện áp vào thành điện áp ra tỷ lệ với dòng điện rồi ra sẽ tỷ lệ
Uo lối ra Io lối ra điện lối vào với điện áp lối vào
6
§2.2. phân loại các bộ khuếch đại
3. Phân loại theo tính chất biến đổi tín hiệu theo thời gian
a. Tín hiệu biến đổi theo thời gian
-Tín hiệu một chiều: là tín hiệu có biên độ không đổi hoặc thay đổi rất
chậm theo thời gian.
- Tín hiệu xoay chiều: là tín hiệu có biên độ thay đổi tuần hoàn theo thời
gian
- Tín hiệu xung: là tín hiệu có biên độ thay đổi liên tục theo thời gian
trong khoảng thời gian tx được gọi là độ rộng xung
U
t t
Tín hiệu tuần hoàn Tín hiệu xung
7
3. Phân loại theo tính chất biến đổi tín hiệu theo thời gian
b. Bộ KĐ một chiều
- Là bộ KĐ có tầng nối tiếp trực tiếp
- KĐ cả tín hiệu 1 chiều, xoay chiều hoặc xung, fl = 0 (lý
tưởng)
- Chế độ làm việc của các tầng bị ảnh hưởng lẫn nhau
c. Bộ KĐ xoay chiều hoặc xung
- Là bộ KĐ có nối tầng gián tiếp (ghép nối bằng tụ điện. Cuộn
cảm hoặc ghép nối quang học)
- Chỉ KĐ được tín hiệu xoay chiều hoặc xung, fl > 0
- Chế độ làm việc của các tầng độc lập với nhau, do đó dễ
dàng cho việc điều chỉnh từng tầng riêng biệt.
8
4. Bộ KĐ tín hiệu nhỏ và bộ KĐ công suất

a. Bộ KĐ tín hiệu nhỏ (Tiền KĐ)
- KĐ tín hiệu vào có biên độ nhỏ thành tín hiệu ra có biên độ
lớn nhưng công suất thấp.
- Làm việc tốt với tín hiệu hai cực tính.
- Thường ở tầng đầu và tầng trung gian của bộ KĐ.
b. Bộ KĐ công suất
- KĐ công suất của tín hiệu, KĐ dòng giữa nguyên biên độ
hoặc KĐ cả dòng điện và biên độ của tín hiệu.
- KĐ tốt tín hiệu một cực tính.
- Thường ở tầng cuối của bộ KĐ.
9
5. Bộ KĐ dải rộng và chọn lọc

a. Bộ KĐ dải rộng
- Là bộ KĐ có dải thông Δf lớn
bộ KĐ có khả năng KĐ tín hiệu
vào có dải tần số rộng.
b. Bộ KĐ chọn lọc
- Là bộ KĐ có dải thông Δf hẹp, fl fh
bộ KĐ chỉ KĐ tín hiệu quanh
tàn số cộng hưởng fch
10
§2.3. Hồi tiếp âm trong bộ KĐ
1. Khái niệm hồi tiếp và phân loại

- Hồi tiếp là đưa một phần (hoặc toàn bộ) tín hiệu từ lối ra của hệ
thống quay trở lại lối vào của nó. Hồi tiếp sinh ra có thể do tự phát
hoặc do thiết kế có chủ đích nhằm mục đích nào đó.
- Có hai loại hồi tiếp là hồi tiếp âm và hồi tiếp dương
+ Hồi tiếp dương: pha của tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào
vì vậy hồi tiếp dương thúc đẩy quá trình hoạt động của hệ, được ứng
dụng trong mạch phát xung.
+ Hồi tiếp âm: pha của tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào, do
đó hồi tiếp âm làm giảm quá trình hoạt động của hệ (ổn định hoạt
động), ứng dụng trong mạch khuếch đại.
11
2. Cách mắc mạch hồi tiếp
- -
βht βht
a. Sơ đồ hồi tiếp điện áp nối tiếp b. Sơ đồ hồi tiếp dòng điện nối tiếp
- -
βht βht
c. Sơ đồ hồi tiếp điện áp song song d. Sơ đồ hồi tiếp dòng điện song song
12
3. Hồi tiếp âm cải thiện thông số bộ KĐ

a. Hệ số KĐ
- Hệ số KĐ của mạch khi có hồi tiếp
K
K ht 
1   ht K
- Sự thăng giáng của hệ số KĐ
K ht K 1

K ht K 1   ht K
- Đối với hồi tiếp âm ta có 1+βht K>1 do đó hệ số KĐ khi có
hồi tiếp âm nhỏ hơn hệ số KĐ khi không có hồi tiếp âm. Theo
công thức về sự thăng giáng của hệ số KĐ ta cũng thấy khi có
hồi tiếp âm sự thăng giáng của hệ số KD cũng giảm đi 1+βht
lần đo đó làm tăng sự ổn định của hệ số KĐ
13

b. Hồi tiếp âm có tác dụng làm giảm biến dạng
- Biến dạng gồm có biến dạng phi tuyến do sự KĐ không
đồng đều ở các tần số và biến dạng phi tuyến sinh ra do đặc
tính của bộ KĐ.
- Giả sử gọi biến dạng là B khi đó tín hiệu ra sẽ được tính bởi
U o  KU i  B
- Khi có hồi tiếp âm thì độ biến dạng cũng giảm đi 1+βhtK lần
B
Bf 
1   ht K
14

c. Hồi tiếp âm, có tác dụng làm tăng dải thông của mạch
- Hồi tiếp âm có tác dụng làm
tăng dải thông của mạch lên
1+βhtK lần
f
f ht 
1   ht K fl fh
flht fhht
15

d. Trở kháng lối vào
- Hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng trở kháng vào của bộ KĐ lên
1+βhtK lần.
- Hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng của bộ KĐ đi
1+βhtK lần.
e. Trở kháng lối ra
- Kiểu hồi tiếp âm về dòng điện làm tăng trở kháng ra của bộ
KĐ lên 1+βhtK lần.
- Kiểu hồi tiếp âm về điện áp làm giảm trở kháng lối ra của bộ
KĐ đi 1+βhtK lần.
16
§2.4. Sơ đồ KĐ dùng transistor
1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor

a. Emitter chung (CE)
- Hệ số KĐ điện áp
RC / / R t
Ku  
Rn  RV
- Hệ số KĐ dòng điện
RC / / R t
Ki  
Rt
Sơ đồ KĐ CE
17

b. Collector chung (CC)
RE / / Rt
K u  (1   )
Rn  RV
RV RE / / Rt
K i  (1   )
rV Rt
Sơ đồ KĐ CC
18

c. Base chung (CB)
RC / / Rt
K u  (1   )
Rn  RV
RC / / Rt
K i  (1   )
Rt
Sơ đồ KĐ CB
19
2. So sánh cách kiểu tầng KĐ và ứng dụng

Tham số Các kiểu tầng KĐ
CE CB CC
Hệ số KĐ điện áp Ku Lớn Lớn ~1
Hệ số KĐ dòng điện Ki Lớn Nhỏ Lớn
Trở kháng vào Zi Trung bình Nhỏ Lớn
Trở kháng ra Zo Trung bình đến lớn Lớn Nhỏ
Góc lệch pha giữa tín hiệu vào và tín hiệu ra φ 180o 0o 0o
-Tầng CE có hệ số khuếch đại công suất KP=KuKi lớn.

-Tầng CB có hệ số KD công suất thấp hơn tầng CE nhưng có thể làm
việc ở tần số cao hơn.
-Tầng CC có hệ số KĐ công suất kém nhất, biên độ tín hiệu ra bằng
biên độ tín hiện vào, tầng này có ưu điểm là Zi lớn và Zo nhỏ, nên
thuận lợi để phối hợp trở kháng.
20
3. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor

-Chế độ KĐ của Transistor sẽ được
xác định bằng cách chọn điểm làm
việc tĩnh cho Transistor (UCEO,ICO)
-Dựa vào đồ thị của đặc tuyến ra ta C
thấy Transistor sẽ hoạt động ở chế độ Vùng bão hòa
KĐ nếu điểm làm việc được chọn ở vị

trí A, AB, B hoặc C
-Chế độ A là chế độ KĐ tín hiệu biên Vùng khóa
độ nhỏ có 2 cực tính, công suất thấp.

-Chế độ B hoặc AB chỉ KĐ được với Đặc tuyến ra của Transistor
nửa chu kỳ dương của tín hiệu, công suất KĐ lớn.
-Chế độ C chỉ KĐ được nửa chu kỳ của tín hiệu vào có biên độ nhỏ,
méo lớn, mạch này không được sử dụng cho các ứng dụng KĐ đòi hỏi
tính tuyến tính. Ứng dụng của chế độ KĐ C là trong các mạch cộng
hưởng chọn lọc tần số và bộ nhân tần.
21

a. Mạch định áp kiểu phân áp
- Phương trình đặc tuyến
EC  U CE  I C RC  I E RE
EC R2
U BE   RE I E
R1  R2
- Để xác định điểm làm
việc (UCEO, ICO) ta chỉ
cần xác định giá trị của
điện trở phân áp R1 R2.
-Ưu điểm: dễ dàng tính toán xác định điểm làm việc tĩnh của
Transistor.
-Nhược điểm: hệ số KĐ β của Transistor rất nhạy với sự thay đổi của
nhiệt độ, do đó làm thay đổi điểm làm việc tĩnh.
22

b. Phân cực với hồi tiếp điện thế
- Phương trình đường tải tĩnh
U EC  U EB  R f I b  RE I E RC
U EB  EC  R f I b  ( RE  RC )( I b   I b )
-Thay đổi điểm làm việc tĩnh bằng
cách thay đổi giá trị Rf . Rf
-Nhược điểm: điều chỉnh điểm làm

việc tĩnh khó hơn một chút so với
mạch phân áp.
-Ưu điểm: Hồi tiếp âm có tác dụng RE
bù lại thay đổi nhiệt nhằm ổn định

điểm làm việc tĩnh.
23
4. Tầng KĐ công suất

- Tầng KĐ công suất là tầng cuối cùng của bộ KĐ có biên độ của tín hiệu
lối vào khá lớn, Tầng KĐ công suất có tác dụng khuếch đại công suất của
tín hiệu với độ méo trong giới hạn cho phép và hiệu suất cao.
- Hệ số KĐ công suất
Po
KP 
Pi Pi : Công suất tín hiệu lối vào
- Hiệu suất của bộ KĐ Po : Công suất tín hiệu lối ra
Po PCC : Công suất nguồn nuôi
P 
Pcc
- Tầng KĐ công suất có thể làm việc ở chế độ A, B, AB hoặc C tùy thuộc
vào cách chọn điểm làm việc tĩnh cho Transistor.
24

- Tầng KĐ công suất đơn:
+ Là tầng KĐ chỉ sử dụng một Transistor làm việc ở chế độ A có thể
mắc theo sơ đồ CE hoặc CC.
+ KĐ được cả hai nửa chu kỳ của tín hiệu
+ Biên độ dòng tĩnh luôn lớn hơn dòng ra nên độ méo tín hiệu nhỏ nên
cho hiệu suất thấp (chỉ cỡ 25%) => Ít được sử dụng.
- Tầng KĐ đẩy kéo
+ Sử dụng hai Transistor làm việc ở chế độ A hoặc AB luân phiên nhau
KĐ hai nửa chu kỳ của tín hiệu. Việc ghép hai Transistor thành bộ KĐ
đẩy kéo có tác dụng giảm méo nếu chỉ dùng một Transistor hoạt động ở
chế độ A hoặc AB.
+ Hiệu suất của tấng KĐ kéo đẩy lớn (cỡ 78.5%) nên loại tầng KĐ này
hay được sử dụng trong thực tế.
25

- Tầng KĐ đẩy kéo (tiếp)
+ Có hai loại tấng KĐ đẩy kéo là KĐ đẩy kéo sử dụng biến áp (KĐ đẩy
kéo song song) và KĐ đẩy kéo nối tiếp (không dùng biến áp).
Biến áp Wv ghép nối bộ KĐ với
tín hiệu vào, biến áp Wr để ghép nối
với tải.
Mạch khuếch đại bao gồm hai
Transistor T1 và T2 chỉ làm việc vơi
hai nửa chu kỳ dương âm tương ứng
của tín hiệu vào.
Cuộn thứ cấp của biến áp Wv được
chia làm hai cuộn W11 và W12 có
cùng số vòng dây sử dụng để đưa tín KĐ công suất đẩy kéo sử dụng biến áp
hiệu vào hai cực B của Transistor.
Đây là kiểu sơ đồ cồng kềnh nên ít
được sử dụng.
26

- Tầng KĐ đẩy kéo (tiếp)
+Sơ đồ KĐ đẩy kéo không dùng biến áp có thể sử dụng Transistor cùng
loại hoặc khác loại, nguồn nuôi thường là nguồn “+-” đối xứng.
-T1 làm nhiệm vụ tạo +Ec +Ec
tín hiệu cho T2 và
T3. RC RC0
-T2, T3 chung tải và
có thể mắc theo sơ đồ
CE hoặc CC.
-Ưu điểm của bộ KĐ
không dùng biến áp Rt
là gọn nhẹ nên có thể RE
chế tạo dưới dang IC,
-Ec -Ec
vi mạch KĐ. Đặc tính
tần số tốt Sơ đồ a Sơ đồ b
27
§2.5. Sơ đồ KĐ dùng khuếch đại thuật toán (KĐTT)
1. Khuếch đại thuật toán

- Những mạch KĐTT đầu tiên được chế tạo bằng cách sử dụng transistor lưỡng
cực do Bob Widlar thiết kế năm 1963 sau đó được thay thế bởi sơ đồ 741.
Hiện nay các bộ KĐTT đóng vai trò quan trọng và được ứng dụng rộng rãi
trong kỹ thuật khuếch đại, tạo tín hiệu hình sin và xung trong bộ ổn áp và bộ
lọc tích cực.
a. Định nghĩa: KĐTT là sơ đồ khuếch đại ghép nối trực tiếp có hệ số khuếch đại
rất lớn, có hai lối vào một lối ra với điện trở vào rất lớn và điện trở ra rất nhỏ.
b. Ký hiệu:
- Nguồn nuôi cho KĐTT là nguồn cộng trừ có điểm chung +EC
với +EC là điện áp nguồn dương, -EC là điện áp nguồn âm.
- Lối vào V+ được gọi là lối vào không đảo, khi tín hiệu
vào lối này thì gia số tín hiệu ra cùng pha với gia số tín
hiệu vào
- Lối vào V- được gọi là lối vào đảo, khi tín hiệu vào lối -EC
này thì gia số tín hiệu ra ngược pha với gia số tín hiệu vào.
- Vout là đầu ra của bộ KĐTT
28

c. Các thông số của KĐTT
Các thông số KĐTT lý tưởng KĐTT thực tế
Hệ số KĐ (Ko) ∞ ~105
Trở kháng lối vào ∞ ~2MΩ
(Ri)
Trở kháng lối ra (R0) 0 ~100Ω
Dải thông (∆f) ∞ ~1MHz

U+=U-=0 Uo = 0 Uo ≠ 0
 Trên thực tế KĐTT có hệ số KĐ cỡ 105 lần ở vùng tần só thấp, lên vùng tần số
cao hệ số KĐ giảm dần do sự ảnh hưởng của tụ kí sinh và các tham số của
transistor trong sơ đồ.
 Trở kháng lối vào của KĐTT thông thường cỡ MΩ nhưng cũng có một vài
KĐTT được chế tạo với trở kháng lối vào cực cao lên tới vài trăm MΩ thậm chí
hàng TΩ.
 Giá trị Uo ≠ 0 được gọi là điện thế offset của KĐTT xuất hiện do sự trôi điện áp
29

d. Sơ đồ khối của KĐTT
Vi KĐ Dịch Tầng
sai điện mức ra
áp
 Tầng vào của KĐTT được thết kế theo kiểu KĐ vi sai nó có hai lối vào nên
KĐTT cũng có hai lối vào đảo và không đảo. Khối KĐ vi sai được thiết kế với
mức dòng vào rất nhỏ nên trở kháng lối vào rất lớn. Hệ số KĐ của sơ đồ vi sai
khá lớn, và nó không KĐ tín hiệu đồng pha tới hai lối vào, giảm nhiễu đầu vào.
 Tầng KĐ điện áp: KĐ tín hiệu ra từ tầng vi sai tạo nên hệ số KĐ rất lớn cho
KĐTT.
 Tầng dịch mức: dịch mức 1 chiều sao cho U+ = U- = 0 thì Uo = 0.
 Tầng ra được thiết kế theo sơ đồ kéo đẩy loại nối tiếp các Transistor mắc theo
sơ đồ CC nên điện trở ra nhỏ.
30

e. Phương pháp tính toán cho KĐTT
- Khi tính toán cho KĐTT người ta thường sử dụng các tham số của KĐTT lý
tưởng để dễ dàng cho việc lý luận và thiết kế.
- Những kết quả dẫn ra đối với KĐTT lý tưởng
+ Ko = ∞ nên U+- = Uo/Ko = 0 => U+ = U-
+ Ri = ∞ nên I+- = Uv/Ri = 0 => I+ = I- = 0
- Phương pháp tính toán
+Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào +
+Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào –
+Cho U+ = U- để tìm Ura và K
31
2. Sơ đồ KĐ dùng KĐTT
a. Sơ đồ KĐ đảo pha
- Phương trình Kirchhoff cho lối
vào “–“
I- = If + I1=0 (1)
U r  U  UV  U 
 0
Rf R1
- Phương trình Kirchhoff cho(2) lối
vào “+”
Ta có: U+=0
Từ phương trình (1) và (2) ta có:
U r UV Rf
 0 U r   UV
R f R1 R1
- Vậy hệ số KĐ của mạch K=-Rf/R1
32
a. Sơ đồ KĐ đảo pha
Rf
Ur   UV
R1
•Tính chất của mạch KĐ đảo
•Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ
thuộc vào Rf và R1 mặc cho hệ số KĐ
của KĐTT là rất lớn.
•Hệ số KĐ của mạch mang dấu âm
chứng tỏ tín hiệu ra ngược pha với tín
hiệu vào
•Điểm U- = 0 được gọi là điểm đất ảo.
•Trở kháng lối vào của mạch Rv = R1.
•Trở kháng lối ra của mạch Rr =
RoKĐTT
Đường tải làm việc của sơ đồ

33
b. Sơ đồ KĐ không đảo pha
- Đặc tuyến ra
 Rf 
U r  1   UV
 R1 
- Hệ số KĐ
Rf
K  1
R1
- Tính chất của mạch
+ Hệ số KĐ chỉ phụ thuộc vào Rf và R1
+ Dấu “+” của hệ số KĐ chứng tỏ tín
hiệu vào và tín hiệu ra có cùng pha
+ Trở kháng vào RV =RiKĐTT trở kháng
ra Rr =RoKĐTT
+ Khuếch đại khá tốt tải có trở kháng
cao và ghép nối với tải có trả kháng nhỏ Đặc tuyến ra của mạch
34
c. Mạch lặp điện áp
Sơ đồ mạch lặp Rf =0 Sơ đồ mạch lặp R1 =∞
Sơ đồ mạch lặp R1 =∞ và Rf =0
35
c. Mạch lặp điện áp
- Tính chất của mạch lặp
+ Hệ số KĐ K=1
+ Tín hiệu ra giống hệ tín hiệu vào
+ Trở kháng vào RV =RiKĐTT
Sơ đồ mạch lặp R1 =∞ và Rf =0
+ Trở kháng ra Rr =RoKĐTT
- Ứng dụng của mạch lặp điện áp dùng để ghép tầng (bộ đệm) giữa tầng
đầu vào có trở kháng cao với tải có trở kháng thấp sử dụng trở kháng lối
vào rất lớn và trở kháng lối ra rất nhỏ của KĐTT.
36
d. Mạch KĐ tín hiệu cả hai lối vào
37
e. Sơ đồ tích phân
38
f. Sơ đồ vi phân
39
3. Các phương pháp bảo vệ KĐTT

a. Bảo vệ lối vào
 Đối với U+- lối vào cỡ vài trăm mV thì KĐTT đã đạt bão hòa. Nếu điện
áp vào quá lớn thì có thể làm hỏng KĐTT, vì vậy cần phải bảo vệ lối
vào.
 Sơ đồ bảo vệ như hình vẽ. Trên sơ đồ có mắc thêm 2 diode có tác dụng
bảo vệ. Khi U+- < điện áp mở của diode (cỡ vài trăm mV) thì cả hai
diode đều khóa và KĐTT làm việc bình thường. Còn khi U+- > điện áp
mở của diode thì cả 2 diode sẽ mở nhờ vậy mà điện áp lối vào KĐTT
không vượt quá vài trăm mV.
40
b. Bảo vệ lối ra
 Khi tải lối ra xảy ra ngắn mạch làm cho dòng ra của KĐTT tăng đột
ngột và có thể làm hỏng mạch KĐTT.
 Biện pháp bảo vệ: Mắc thêm điện trở lối ra của KĐTT như hình sau. Trị
số của điện trở cỡ vài trăm Ω với KĐTT loại LM709. Điện trở này có
tác dụng giảm dòng ngắn mạch sao cho các linh kiện trong KĐTT có
thể chịu được dòng này.
Rt
41
§2.6. Tạp âm trong máy điện tử
1. Tạp âm trong máy điện tử

a. Hiện tượng tạp âm trong máy điện tử
- Tạp âm (ồn điện tử - noise): là một dao động (tín hiệu) có tính chất ngẫu nhiên
xuất hiện trong mọi thiết bị điện tử sinh ra do sự chuyển động ngẫu nhiên của
điện tử trong vật dẫn.
- Tạp âm có biên độ nhỏ và tần số không xác định, nó luôn luôn tồn tại trong
mạch điện tử kể cả khi chưa có tín hiệu vào mạch.
- Can nhiễu: là những ảnh hưởng không mong muốn đến tín hiệu trong mạch của
thiết bị điện tử gây bởi các thiết bị có khả năng phát tín hiệu bên ngoài.
- Tùy thuộc vào loại can nhiễu mà nó có biện độ tín hiệu nhỏ hay lớn, can nhiễu
có tần số xác định.
- Cần quan tâm đặc biệt tới tạp âm ở lối vào của bộ KĐ vì tạp âm này sẽ được KĐ
đồng thời cùng với tín hiệu.
- Sự ảnh hưởng của tạp âm được đánh giá bằng tỷ số tín hiệu trên tạp âm (S/N),
tín hiệu trên can nhiễu (S/F)
42

b. Các loại tạp âm
- Tạp âm do cấu tạo: được sinh ra do tác động của môi trường bên ngoài tác động
lên thiết bị điện tử.
- Tạp âm nhiệt: là loại tạp âm phổ biến và không có cách nào loại bỏ ở nhiệt độ
thường.
+ Tạp âm nhiệt sinh ra do chuyển động nhiệt (chuyển động ngẫu nhiên) của các
hạt dẫn bên trong vật dẫn. Chuyển động nhiệt của các hạt dẫn gây nên sự thăng
giáng điện áp có biên độ tuân theo phân bố Gauss.
+ Tạp âm nhiệt có dải tần số từ 0 đến ∞, phổ mật độ công suất của nó được tính
như sau: d U 2t 
 4 KTR
df
Với K là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ Kelvin, R là điện trở vật

dẫn và df là khoảng tần số quan tâm.
=> Ta thấy độ thăng giáng của điện áp tỷ lệ thuận với giá trị của điện trở và
nhiệt độ của vật dẫn => giảm điện trở, nhiệt độ=> giảm tạp âm.
43

- Tạp âm gây bởi dòng vào của transistor
+ Sự thăng giáng dòng của transistor ví dụ dòng Ib hoặc Ig gây ra loại tạp
âm này.
+ Mật độ phổ của tạp âm
d  I 2it 
 2eI i e  1.6  10 19
C
df với
- Tạp âm gây bởi dòng ra của transistor
+ Sự thăng giáng dòng ra của Transistor ví dụ Ic hoặc Id gây ra loại tập âm
này
+ Mật độ phổ của tạp âm
   2eF
d I 2ot 2
Io
44
df

- Tạp âm trắng (white noise)
+ Tạp âm trắng là loại tạp âm được tổng hợp lại từ tất cả các loại tạp âm
+ Phổ của tạp âm trắng tuân theo phân bố Gauss tương tự với tạp âm
nhiệt.
Ảnh tạp âm trắng
45

- Tạp âm 1/f (pink noise)
+ Là loại tạp âm có mật độ phổ tỷ lệ nghịch với tần số.
1
S( f )
f
46
Phổ tạp âm 1/f Tạp âm 1/f và tạp âm trắng

- Tạp âm đỏ (red noise) và tạp âm xám (grey noise)
+ Tạp âm đỏ hay còn gọi là tạp âm Brown là loại tạp âm gây ra chuyển
động của hạt Brown. Nó có phổ tỷ lệ nghịch với bình phương tần số.
+ Tạp âm xám là loại tạp âm có phổ dạng parabol với biên độ tạp âm tăng
dần cả ở vùng tần số thấp và tần số cao.
Phổ tạp âm đỏ Phổ tạp âm xám

47

c. So sánh tạp âm của transistor lưỡng cực (BJT) và transistor trường
(FET)
- Dòng điều khiển IG của FET cỡ 10-9 A trong khi dòng cực gốc Ib của
BJT cỡ μA. Do đó tạp âm gây bởi thăng giáng đầu vào của FET nhỏ hơn
rất nhiều lần so với BJT.
- Nếu FET và BJT được làm lạnh tới nhiệt độ rất thấp thì thành phần tạp
âm nhiệt giảm mạnh và có thể bỏ qua được tác dụng của thành phần này.
- Như vậy để bộ KĐ có mức tạp âm nhỏ thì tầng vào nên dùng FET được
làm lạnh bằng nitơ lỏng thì tốt hơn là sử dụng với BJT.
48
2. Biện pháp khắc phục tạp âm

a. Với loại tạp âm do cấu tạo
- Bọc kim đối với các thiết bị điện tử có ảnh hưởng mạnh như tầng vào,
khối cao tần, thu phát… . Bọc kim để tránh ảnh hưởng gây nhiễu bởi sóng
điện từ.
- Che chắn đầu dò bằng bê tông hoặc chì có bề dày thích hợp để làm giảm
phông nhiễu từ những nguồn bức xạ không phải là nguồn cần quan tâm.
b. Với loại tạp âm của mạch điện
- Chọn những loại linh kiện có mức tạp âm nhỏ làm tầng đầu vào.
- Tuy nhiên không thể loại trừ hết tạp âm của mạch điện mà vẫn tồn tại ở
mức nhất định. Do đó cần phải áp dụng các sơ đồ KĐ có mức tạp âm nhỏ,
các mạch KĐ chọn lọc, các sơ đồ mạch lọc, tạo dạng nhằm nâng cao tỷ số
tín hiệu trên tạp âm (S/N) để dễ dàng phân tách tín hiệu với tạp âm.
49
§2.7. Sơ đồ KĐ xung tác động nhanh
1. Tính tác động nhanh của tầng KĐ

-Tầng KĐ nhanh là tầng KĐ có
khả năng KĐ ở vùng tần số cao.
-Một tầng KĐ có trị số fh càng
lớn thì càng có khả năng KĐ tín
hiệu ở vùng tần số cao, ta gọi
tầng KĐ đó có tính KĐ nhanh
cao. Đại lượng fh là đại lượng fl fh
phản ánh tính tác động nhanh
của 1 tầng KĐ
-Nâng cao tính tác động nhanh
của tầng KĐ là những biện pháp
kỹ thuật để duy trì hệ số KĐ ở
vùng tần số cao.
=> Giảm méo tín hiệu.
50
§2.7. Sơ đồ KĐ xung tác động nhanh
2. Các biện pháp để tạo ra và nâng cao tính tác động nhanh của tầng
KĐ
- Sử dụng các linh kiện tích cực (transistor, IC khuếch đại, diode…)
có khả năng làm việc ở vùng tần số càng cao càng tốt.
- Áp dụng hồi tiếp âm ở trong bộ KĐ, hồi tiếp âm sẽ cải thiện dải
thông của bộ KĐ và làm tăng tính tác động nhanh của bộ KĐ.
- Với transistor: chọn kiểu sơ đồ có đặc tính tần số tốt ở vùng có tần
số cao như sơ đồ CB hoặc CC. +E
- Đối với sơ đồ CE thì một biện pháp là mắc L1

thêm cuộn cảm như hình bên. Ở đây ta có Zc = ZC / / R t
R1 + jωC như khi tần số tăng lên (ω tăng) thì Ku   R  R R1
n V
làm cho Zc tăng do đó hệ số KĐ K cũng tăng C1
theo, điều này hạn chế sự suy giảm của hệ số Q1

NPN
KĐ ở miền tần số cao lại.

51

Slide BG TBHN C2

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Slide BG TBHN C2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương II: Khuếch đại tín hiệu điện

1. Các thông số của bộ khuếch đại

1. Các thông số của bộ khuếch đại

- Zi càng lớn càng tốt, Zo càng bé càng tốt

1. Các thông số của bộ khuếch đại

2. Những yêu cầu đối với bộ KĐ tuyến tính

1. Phân loại theo linh kiện tích cực trong bộ KĐ

Bộ KĐ điện áp: Bộ KĐ dòng điện: Bộ biến đổi dòng Bộ biến đổi áp

4. Bộ KĐ tín hiệu nhỏ và bộ KĐ công suất

5. Bộ KĐ dải rộng và chọn lọc

1. Khái niệm hồi tiếp và phân loại

2. Cách mắc mạch hồi tiếp

3. Hồi tiếp âm cải thiện thông số bộ KĐ

3. Hồi tiếp âm cải thiện thông số bộ KĐ

3. Hồi tiếp âm cải thiện thông số bộ KĐ

3. Hồi tiếp âm cải thiện thông số bộ KĐ

1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor

1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor

1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor

2. So sánh cách kiểu tầng KĐ và ứng dụng

-Tầng CE có hệ số khuếch đại công suất KP=KuKi lớn.

3. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor

KĐ nếu điểm làm việc được chọn ở vị

độ nhỏ có 2 cực tính, công suất thấp.

3. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor

3. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor

-Nhược điểm: điều chỉnh điểm làm

bù lại thay đổi nhiệt nhằm ổn định

4. Tầng KĐ công suất

4. Tầng KĐ công suất

4. Tầng KĐ công suất

4. Tầng KĐ công suất

1. Khuếch đại thuật toán

1. Khuếch đại thuật toán

Dải thông (∆f) ∞ ~1MHz

1. Khuếch đại thuật toán

1. Khuếch đại thuật toán

Đường tải làm việc của sơ đồ

Sơ đồ mạch lặp Rf =0 Sơ đồ mạch lặp R1 =∞

3. Các phương pháp bảo vệ KĐTT

1. Tạp âm trong máy điện tử

1. Tạp âm trong máy điện tử

Với K là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ Kelvin, R là điện trở vật

1. Tạp âm trong máy điện tử

1. Tạp âm trong máy điện tử

Ảnh tạp âm trắng

1. Tạp âm trong máy điện tử

1. Tạp âm trong máy điện tử

Phổ tạp âm đỏ Phổ tạp âm xám

1. Tạp âm trong máy điện tử

2. Biện pháp khắc phục tạp âm

1. Tính tác động nhanh của tầng KĐ

- Đối với sơ đồ CE thì một biện pháp là mắc L1

theo, điều này hạn chế sự suy giảm của hệ số Q1

KĐ ở miền tần số cao lại.

You might also like