Professional Documents
Culture Documents
Tieu Luan Mon Dien
Tieu Luan Mon Dien
1
Cảm biến khí và hóa chất............................................................................................12
Cảm biến lực...............................................................................................................12
Cảm biến dòng chảy...................................................................................................12
Cảm biến khuyết tạt....................................................................................................12
Cảm biến ngọn lửa......................................................................................................12
Cảm biến biến dạng....................................................................................................12
Cảm biến tiếp xúc.......................................................................................................12
Cảm biến không tiếp xúc............................................................................................12
Cảm biến gia tốc.........................................................................................................12
PHẦN II: CẢM BIẾN ĐO ÁP SUẤT...........................................................................13
1. Áp suất và nguyên lý đo áp suất.............................................................................13
2. Áp kế vi sai kiểu chuông........................................................................................15
3. Một số loại cảm biến...............................................................................................22
PHẦN III:CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT................................................30
1. Khái niệm điện tử công suất...................................................................................30
2. Đặc tính cơ bản của các phần tử bán dẫn công suất...............................................30
3. Diode.......................................................................................................................30
3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.......................................................................30
3.2. Đặc tính V-A (Volt-Ampe)..............................................................................31
3.3 Đặc tính đóng cắt...............................................................................................31
3.4. Các thông số cơ bản.........................................................................................32
3.5. Ứng dụng..........................................................................................................32
4. Tiristo......................................................................................................................32
4.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động SCR (Silicon Controlled Rectifier)..............32
4.2. Các thông số cơ bản.........................................................................................32
4.3. Ứng dụng..........................................................................................................33
5. Các linh kiện khác trong họ Tiristor.......................................................................33
5.1. Triac.................................................................................................................33
5.2. Tiristo khoá được bằng cực điều khiển GTO(Gate Turn-off thyrisstor)..........35
5.3. Ứng dụng..........................................................................................................37
6. Tranzito công suất BJT (Bipolar Junction Tranzito)..............................................37
2
6.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động........................................................................37
6.2. Đặc tính đóng cắt của BJT...............................................................................37
7. Tranzito trường Mosfet (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tranzitor).....38
7.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.......................................................................38
7.2. Đặc tính đóng cắt của MOSFET......................................................................39
8. Tranzito có cực điều khiển cách ly IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzitor).......39
8.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.......................................................................39
8.2. Đặc tính đóng cắt của IGBT.............................................................................40
8.3. Yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển IGBT.......................................................40
9. Bảo vệ và làm mát cho các van bán dẫn công suất.................................................40
9.1 Đặc tính nhiệt....................................................................................................40
9.2. Mạch trợ giúp van............................................................................................41
10. Tài liệu tham khảo................................................................................................41
3
PHẦN I: CẢM BIẾN
4
Điện tích, dòng điện
Điện thế, điện áp
Điện Điện Trường (biên, pha, phân cực,
phổ)
Điện dẫn, hằng số điện môi…
Từ trường (biên, pha, phân cực, phổ)
Từ Từ thông, cường độ từ trường
Độ từ thẩm
Biên, pha, phân cực, phổ
Tốc độ truyền
Quang
Hệ số phát xạ, khúc xạ
Hệ số hấp thụ, hệ số bức xạ
Vị trí
Lực, áp suất
Gia tốc, vận tốc
Cơ Ứng suất, độ cứng
Mô men
Khối lượng, tỉ trọng
Vận tốc chất lưu, độ nhớt
Nhiệt độ
Nhiệt Thông lượng
Nhiệt dung, tỉ nhiệt
Kiểu
Bức xạ Năng lượng
Cường độ
Bảng 1.3. Phân loại theo tính năng của bộ cảm biến
5
1.3 Phân loại theo phạm vi sử dụng
- Công nghiệp
- Nghiên cứu khoa học
- Môi trường, khí tượng
- Thông tin, viễn thông
- Nông nghiệp
- Dân dụng
- Giao thông
- Vũ trụ
- Quân sự
- Phân loại theo thông số của mô hình mạch thay thế :
+ Cảm biến tích cực có đầu ra là nguồn áp hoặc nguồn dòng.
+ Cảm biến thụ động được đặc trưng bằng các thông số R, L, C, M .... tuyến tính
hoặc phi tuyến.
1.4 Đường cong chuẩn của cảm biến
Khái niệm Đường cong chuẩn cảm biến là đường cong biểu diễn sự phụ thuộc
của đại lượng điện (s) ở đầu ra của cảm biến vào giá trị của đại lượng đo (m) ở đầu
vào.
Đường cong chuẩn có thể biểu diễn bằng biểu thức đại số dưới dạng s = F(m),
hoặc bằng đồ thị như hình 1.1a.
6
a) Dạng đường cong chuẩn b) Đường cong chuẩn của cảm biến tuyến tính
Hình 1.1 : Đường cong chuẩn cảm biến
Dựa vào đường cong chuẩn của cảm biến, ta có thể xác định giá trị mi chưa biết
của m thông qua giá trị đo được si của s.
Để dễ sử dụng, người ta thường chế tạo cảm biến có sự phụ thuộc tuyến tính giữa
đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào, phương trình s= F(m) có dạng s = am +b với a,
b là các hệ số, khi đó đường cong chuẩn là đường thẳng (hình 1.1b).
Chuẩn đơn giản
Trong trường hợp đại lượng đo chỉ có một đại lượng vật lý duy nhất tác động lên
một đại lượng đo xác định và cảm biến sử dụng không nhạy với tác động của các đại
lượng ảnh hưởng, người ta dùng phương pháp chuẩn đơn giản. Thực chất của chuẩn
đơn giản là đo các giá trị của đại lượng đầu ra ứng với các giá xác định không đổi của
đại lượng đo ở đầu vào. Việc chuẩn được tiến hành theo hai cách:
- Chuẩn trực tiếp: các giá trị khác nhau của đại lượng đo lấy từ các mẫu chuẩn
hoặc các phần tử so sánh có giá trị biết trước với độ chính xác cao.
- Chuẩn gián tiếp: kết hợp cảm biến cần chuẩn với một cảm biến so sánh đã có
sẵn đường cong chuẩn, cả hai được đặt trong cùng điều kiện làm việc. Khi tác động lên
hai cảm biến với cùng một giá trị của đại lượng đo ta nhận được giá trị tương ứng của
cảm biến so sánh và cảm biến cần chuẩn. Lặp lại tương tự với các giá trị khác của đại
lượng đo cho phép ta xây dựng được đường cong chuẩn của cảm biến cần chuẩn.
7
2. Các đặc trưng cơ bản của cảm biến
2.1. Độ nhạy của cảm biến
Đối với cảm biến tuyến tính, giữa biến thiên đầu ra Δs và biến thiên đầu vào Δm có sự
liên hệ tuyến tính:
Δs = S.Δm
Đại lượng S xác định bởi biểu thức được gọi là độ nhạy của cảm biến.
S= Δs/Δm
Trường hợp tổng quát, biểu thức xác định độ nhạy S của cảm biến xung quanh giá trị
mi của đại lượng đo xác định bởi tỷ số giữa biến thiên Δs của đại lượng đầu ra và biến
thiên Δm tương ứng của đại lượng đo ở đầu vào quanh giá trị đó:
S= (Δs/Δm)m=mi
Để phép đo đạt độ chính xác cao, khi thiết kế và sử dụng cảm biến cần làm sao cho độ
nhạy S của nó không đổi, nghĩa là ít phụ thuộc nhất vào các yếu tố sau:
- Giá trị của đại lượng cần đo m và tần số thay đổi của nó.
- Thời gian sử dụng.
- Ảnh hưởng của các đại lượng vật lý khác (không phải là đại lượng đo) của môi
trường xung quanh. Thông thường nhà sản xuất cung cấp giá trị của độ nhạy S tương
ứng với những điều kiện làm việc nhất định của cảm biến.
8
Độ tuyến tính
Một cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu trong dải chế độ đó,
độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo.
Trong chế độ tĩnh, độ tuyến tính chính là sự không phụ thuộc của độ nhạy của cảm
biến vào giá trị của đại lượng đo, thể hiện bởi các đoạn thẳng trên đặc trưng tĩnh của
cảm biến và hoạt động của cảm biến là tuyến tính chừng nào đại lượng đo còn nằm
trong vùng này.
Trong chế độ động, độ tuyến tính bao gồm sự không phụ thuộc của độ nhạy ở chế độ
tĩnh S(0) vào đại lượng đo, đồng thời các thông số quyết định sự hồi đáp như tần số
riêng f0 của dao động không tắt, hệ số tắt dần? cũng không phụ thuộc vào đại lượng
đo.
Nếu cảm biến không tuyến tính, người ta đưa vào mạch đo các thiết bị hiệu chỉnh sao
cho tín hiệu điện nhận được ở đầu ra tỉ lệ với sự thay đổi của đại lượng đo ở đầu vào.
Sự hiệu chỉnh đó được gọi là sự tuyến tính hoá.
2.3. Sai số và độ chính xác
Các bộ cảm biến cũng như các dụng cụ đo lường khác, ngoài đại lượng cần đo (cảm
nhận) còn chịu tác động của nhiều đại lượng vật lý khác gây nên sai số giữa giá trị đo
được và giá trị thực của đại lượng cần đo. Gọi Δx là độ lệch tuyệt đối giữa giá trị đo và
giá trị thực x (sai số tuyệt đối), sai số tương đối của bộ cảm biến được tính bằng:
Sai số của bộ cảm biến mang tính chất ước tính bởi vì không thể biết chính xác giá trị
thực của đại lượng cần đo. Khi đánh giá sai số của cảm biến, người ta thường phân
chúng thành hai loại: sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên.
- Sai số hệ thống: là sai số không phụ thuộc vào số lần đo, có giá trị không đổi hoặc
thay đổi chậm theo thời gian đo và thêm vào một độ lệch không đổi giữa giá trị thực và
giá trị đo được. Sai số hệ thống thường do sự thiếu hiểu biết về hệ đo, do điều kiện sử
dụng không tốt gây ra. Các nguyên nhân gây ra sai số hệ thống có thể là:
Do nguyên lý của cảm biến.
+ Do giá trị của đại lượng chuẩn không đúng.
+ Do đặc tính của bộ cảm biến.
+ Do điều kiện và chế độ sử dụng.
9
+Do xử lý kết quả đo.
- Sai số ngẫu nhiên: là sai số xuất hiện có độ lớn và chiều không xác định. Ta có thể dự
đoán được một số nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên nhưng không thể dự đoán
được độ lớn và dấu của nó. Những nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên có thể là:
+ Do sự thay đổi đặc tính của thiết bị.
+ Do tín hiệu nhiễu ngẫu nhiên.
+ Do các đại lượng ảnh hưởng không được tính đến khi chuẩn cảm biến.
Chúng ta có thể giảm thiểu sai số ngẫu nhiên bằng một số biện pháp thực nghiệm thích
hợp như bảo vệ các mạch đo tránh ảnh hưởng của nhiễu, tự động điều chỉnh điện áp
nguồn nuôi, bù các ảnh hưởng nhiệt độ, tần số, vận hành đúng chế độ hoặc thực hiện
phép đo lường thống kê.
2.4. Độ nhanh và thời gian hồi đáp
Độ nhanh là đặc trưng của cảm biến cho phép đánh giá khả năng theo kịp về thời gian
của đại lượng đầu ra khi đại lượng đầu vào biến thiên. Thời gian hồi đáp là đại lượng
được sử dụng để xác định giá trị số của độ nhanh.
Độ nhanh tr là khoảng thời gian từ khi đại lượng đo thay đổi đột ngột đến khi biến
thiên của đại lượng đầu ra chỉ còn khác giá trị cuối cùng một lượng giới hạn ε tính
bằng %. Thời gian hồi đáp tương ứng với ε% xác định khoảng thời gian cần thiết phải
chờ đợi sau khi có sự biến thiên của đại lượng đo để lấy giá trị của đầu ra với độ chính
xác định trước. Thời gian hồi đáp đặc trưng cho chế độ quá độ của cảm biến và là hàm
của các thông số thời gian xác định chế độ này.
Trong trường hợp sự thay đổi của đại lượng đo có dạng bậc thang, các thông số thời
gian gồm thời gian trễ khi tăng (tdm) và thời gian tăng (tm) ứng với sự tăng đột ngột
của đại lượng đo hoặc thời gian trễ khi giảm (tdc) và thời gian giảm (tc) ứng với sự
giảm đột ngột của đại lượng đo. Khoảng thời gian trễ khi tăng tdm là thời gian cần thiết
để đại lượng đầu ra tăng từ giá trị ban đầu của nó đến 10% của biến thiên tổng cộng
của đại lượng này và khoảng thời gian tăng tm là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra
tăng từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên tổng cộng của nó.
10
Hình 1.2: Xác định các khoảng thời gian đặc trưng cho chế độ quá độ
Tương tự, khi đại lượng đo giảm, thời gian trể khi giảm tdc là thời gian cần thiết để đại
lượng đầu ra giảm từ giá trị ban đầu của nó đến 10% biến thiên tổng cộng của đại
lượng này và khoảng thời gian giảm tc là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra giảm
từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên tổng cổng của nó.
Các thông số về thời gian tr, tdm, tm, tdc, tc của cảm biến cho phép ta đánh giá về thời
gian hồi đáp của nó.
2.5. Giới hạn sử dụng của cảm biến
Trong quá trình sử dụng, các cảm biến luôn chịu tác động của ứng lực cơ học, tác động
nhiệt... Khi các tác động này vượt quá ngưỡng cho phép, chúng sẽ làm thay đổi đặc
trưng làm việc của cảm biến. Bởi vậy khi sử dụng cảm biến, người sử dụng cần phải
biết rõ các giới hạn này.
Vùng làm việc danh định
Vùng làm việc danh định tương ứng với những điều kiện sử dụng bình thường của cảm
biến. Giới hạn của vùng là các giá trị ngưỡng mà các đại lượng đo, các đại lượng vật lý
có liên quan đến đại lượng đo hoặc các đại lượng ảnh hưởng có thể thường xuyên đạt
tới mà không làm thay đổi các đặc trưng làm việc danh định của cảm biến.
Vùng không gây nên hư hỏng
Vùng không gây nên hư hỏng là vùng mà khi mà các đại lượng đo hoặc các đại lượng
vật lý có liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng của vùng làm việc
danh định nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi không gây nên hư hỏng, các đặc trưng
của cảm biến có thể bị thay đổi nhưng những thay đổi này mang tính thuận nghịch, tức
11
là khi trở về vùng làm việc danh định các đặc trưng của cảm biến lấy lại giá trị ban đầu
của chúng.
Vùng không phá huỷ
Vùng không phá hủy là vùng mà khi mà các đại lượng đo hoặc các đại lượng vật lý có
liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng của vùng không gây nên hư
hỏng nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi không bị phá hủy, các đặc trưng của cảm biến
bị thay đổi và những thay đổi này mang tính không thuận nghịch, tức là khi trở về vùng
làm việc danh định các đặc trưng của cảm biến không thể lấy lại giá trị ban đầu của
chúng. Trong trường hợp này cảm biến vẫn còn sử dụng được, nhưng phải tiến hành
chuẩn lại cảm biến.
3. Nguyên lý chung chế tạo cảm biến
Các cảm biến được chế tạo dựa trên cơ sở các hiện tượng vật lý và được phân làm hai
loại:
- Cảm biến tích cực: là các cảm biến hoạt động như một máy phát, đáp ứng (s) là điện
tích, điện áp hay dòng.
- Cảm biến thụ động: là các cảm biến hoạt động như một trở kháng trong đó đáp ứng
(s) là điện trở, độ tự cảm hoặc điện dung.
4. Các thông số cần lưu ý khi chọn mua cảm biến
Mặc dù mỗi loại cảm biến sẽ có những thông số đặc trung riêng, nhưng bạn cũng cần
nắm được các thông số chung của cảm biến để linh động hơn khi mua thiết bị điện tử
này.
Mức tuyến tính: Khoảng giá trị được biến đổi có hệ số biến đổi cố định.
Dải biến đổi: khoảng giá trị mà cảm biến có thể chuyển đổi thành tín hiệu điện
(hay còn gọi là dải đo của cảm biến).
Độ nhiễu tín hiệu: độ nhiễu ảnh hướng khá lớn đến chất lượng và giá trị của cảm
biến. Cảm biến có độ nhiễu càng thấp càng chất lượng.
Sai số kỹ thuật: mức sai số tín hiệu mà cảm biến nhận được, phụ thuộc vào độ
nhiễu và độ nhạy.
Độ trôi: Sự thay đổi tham số theo thời gian phục vụ hoặc thời gian tồn tại.
12
Độ trễ: tốc độ thu thập dữ liệu của cảm biến khi môi trường biến đổi.
Độ tin cậy: Khả năng làm việc ổn định, chịu những biến động lớn của môi
trường như sốc các loại.
Điều kiện môi trường: Dải nhiệt độ, độ ẩm, áp suất,… làm việc được.
13
PHẦN II: CẢM BIẾN ĐO ÁP SUẤT
Đối với các chất lỏng, khí hoặc hơi (gọi chung là chất lưu), áp suất là một thông số
quan trọng xác định trạng thái nhiệt động học của chúng. Trong công nghiệp, việc đo
áp suất chất lưu có ý nghĩa rất lớn trong việc đảm bảo an toàn cho thiết bị cũng như
giúp cho việc kiểm tra và điều khiển hoạt động của máy móc thiết bị có sử dụng chất
lưu.
Trong hệ đơn vị quốc tế (SI) đơn vị áp suất là pascal (Pa): 1 Pa là áp suất tạo bởi một
lực có độ lớn bằng 1N phân bố đồng đều trên một diện tích 1m2 theo hướng pháp
tuyến.
Đơn vị Pa tương đối nhỏ nên trong công nghiệp người ta còn dùng đơn vị áp suất là bar
(1 bar = 105 Pa) và một số đơn vị khác.
Nguyên lý đo áp suất Đối với chất lưu không chuyển động, áp suất chất lưu là áp suất
tĩnh (pt):
P=Pt
Do vậy đo áp suất chất lưu thực chất là xác định lực tác dụng lên một diện tích thành
bình. Đối với chất lưu không chuyển động chứa trong một ống hở đặt thẳng đứng, áp
suất tĩnh tại một điểm M cách bề mặt tự do một khoảng (h) xác định theo công thức
sau:
P=P0+pgh
Trong đó:
p0 - áp suất khí quyển.
ρ - khối lượng riêng chất lưu.
g - gia tốc trọng trường.
Để đo áp suất tĩnh có thể tiến hành bằng các phương pháp sau:
14
- Đo áp suất chất lưu lấy qua một lỗ được khoan trên thành bình nhờ cảm biến thích
hợp.
- Đo trực tiếp biến dạng của thành bình do áp suất gây nên.
Trong cách đo thứ nhất, phải sử dụng một cảm biến đặt sát thành bình. Trong trường
hợp này, áp suất cần đo được cân bằng với áp suất thuỷ tỉnh do cột chất lỏng mẫu tạo
nên hoặc tác động lên một vật trung gian có phần tử nhạy cảm với lực do áp suất gây
ra. Khi sử dụng vật trung gian để đo áp suất, cảm biến thường trang bị thêm bộ phận
chuyển đổi điện. Để sai số đo nhỏ, thể tích chết của kênh dẫn và cảm biến phải không
đáng kể so với thể tích tổng cộng của chất lưu cần đo áp suất.
Trong cách đo thứ hai, người ta gắn lên thành bình các cảm biến đo ứng suất để đo
biến dạng của thành bình. Biến dạng này là hàm của áp suất.
Đối với chất lưu chuyển động, áp suất chất lưu (p) là tổng áp suất tĩnh (pt) và áp suất
động (pđ) :
P=Pt+Pd
Áp suất tĩnh tương ứng với áp suất gây nên khi chất lỏng không chuyển động, được đo
bằng một trong các phương pháp trình bày ở trên. áp suất động do chất lưu chuyển
động gây nên và có giá trị tỉ lệ với bình phương vận tốc chất lưu:
Pd=pv2/2
Trong đó ρ là khối lượng riêng chất lưu.
Khi dòng chảy va đập vuông góc với một mặt phẳng, áp suất động chuyển thành áp
suất tĩnh, áp suất tác dụng lên mặt phẳng là áp suất tổng. Do vậy, áp suất động được đo
thông qua đo chênh lệch giữa áp suất tổng và áp suất tĩnh. Thông thường việc đo hiệu
(p - pt) thực hiện nhờ hai cảm biến nối với hai đầu ra của một ống Pitot, trong đó cảm
biến (1) đo áp suất tổng còn cảm biến (2) đo áp suất tĩnh
15
Có thể đo áp suất động bằng cách đặt áp suất tổng lên mặt trước và áp suất tĩnh lên mặt
sau của một màng đo (hình 1.3), như vậy tín hiệu do cảm biến cung cấp chính là chênh
lệch giữa áp suất tổng và áp suất tĩnh.
p1-p2=g(pm-p)(h1+h2)
Trong đó:
g - gia tốc trọng trường.
ρm - trọng lượng riêng của chất lỏng làm việc.
ρ - trọng lượng riêng của chất lỏng hoặc khí cần đo.
Mặt khác từ cân bằng thể tích ta có:
F.h1=f.h2
Suy ra:
16
Khi mức chất lỏng trong bình lớn thay đổi (h1 thay đổi), phao của áp kế dịch chuyển
và qua cơ cấu liên kết làm quay kim chỉ thị trên đồng hồ đo. Biểu thức là phương trình
đặc tính tĩnh của áp kế vi sai kiểu phao.
Áp kế vi sai kiểu phao dùng để đo áp suất tĩnh không lớn hơn 25MPa. Khi thay đổi tỉ
số F/f (bằng cách thay ống nhỏ) ta có thể thay đổi được phạm vi đo. Cấp chính xác của
áp suất kế loại này cao (1; 1,5) nhưng chứa chất lỏng độc hại mà khi áp suất thay đổi
đột ngột có thể ảnh hưởng đến đối tượng đo và môi trường.
17
Hình 1.5: áp kế vi sai kiểu chuông
1) Chuông 2) Bình chứa 3) Chỉ thị
Khi áp suất trong buồng (A) và (B) bằng nhau thì nắp chuông (1) ở vị trí cân bằng
(hình1.5a), khi có biến thiên độ chênh áp d(p1-p2) >0 thì chuông được nâng lên (hình
1.5b). Khi đạt cân bằng ta có:
d(p1-p2).F=(dH+dy)Δf.g(pm-p)
Trong đó:
F - tiết diện ngoài của chuông.
dH - độ di chuyển của chuông.
dy - độ dịch chuyển của mức chất lỏng trong chuông.
dx - độ dịch chuyển của mức chất lỏng ngoài chuông.
Δf - diện tích tiết diện thành chuông.
Φ - diện tích tiết diện trong của bình lớn.
dh - chênh lệch mức chất lỏng ở ngoài và trong chuông.
f - diện tích tiết diện trong của chuông.
Giải các phương trình trên ta có:
Áp kế vi sai có độ chính xác cao có thể đo được áp suất thấp và áp suất chân không.
18
Cảm biến áp suất dựa trên phép đo biến dạng
Nguyên lý chung của cảm biến áp suất loại này dựa trên cơ sở sự biến dạng đàn hồi của
phần tử nhạy cảm với tác dụng của áp suất. Các phần tử dạng thường dùng là ống trụ,
lò xo ống, xi phông và màng mỏng.
Phần tử biến dạng
Ống trụ
Sơ đồ cấu tạo của phần tử biến dạng hình ống trụ trình bày trên (hình 1.6) ống có dạng
hình trụ, thành mỏng, một đầu bịt kín, được chế tạo bằng kim loại.
Trong đó:
p - áp suất.
Y - mô đun Young.
ν - hệ số poisson.
r- bán kính trong của ống.
e - chiều dày thành ống.
Để chuyển tín hiệu cơ (biến dạng) thành tín hiệu điện người ta dùng bộ chuyển đổi điện
(thí dụ cảm biến lực).
19
Lò xo ống
Cấu tạo của các lò xo ống dùng trong cảm biến áp suất trình bày trên (hình 1.7).
Lò xo là một ống kim loại uốn cong, một đầu giữ cố định còn một đầu để tự do. Khi
đưa chất lưu vào trong ống, áp suất tác dụng lên thành ống làm cho ống bị biến dạng và
đầu tự do dịch chuyển.
Trên hình (1.7a) là sơ đồ lò xo ống một vòng, tiết diện ngang của ống hình trái xoan.
Dưới tác dụng của áp suất dư trong ống, lò xo sẽ giãn ra, còn dưới tác dụng của áp suất
thấp nó sẽ co lại.
Trong đó:
ν - hệ số poisson.
Y - mô đun Young.
R - bán kính cong.
h - bề dày thành ống.
a, b - các bán trục của tiết diện ôvan.
α, β - các hệ số phụ thuộc vào hình dáng tiết diện ngang của ống.
x = Rh/a2 - tham số chính của ống.
Lực thành phần theo hướng tiếp tuyến với trục ống (ống thành mỏng h/b = 0,6 - 0,7) ở
đầu tự do xác định theo theo biểu thức:
20
Lực hướng kính:
Lò xo ống một vòng có góc quay nhỏ, để tăng góc quay người ta dùng lò xo ống nhiều
vòng có cấu tạo như hình (1.7b). Đối với lò xo ống dạng vòng thường phải sử dụng
thêm các cơ cấu truyền động để tăng góc quay.
Để tạo ra góc quay lớn người ta dùng lò xo xoắn có tiết diện ô van hoặc hình răng khía
như hình 20.6c, góc quay thường từ 40 - 60o , do đó kim chỉ thị có thể gắn trực tiếp
trên đầu tự do của lò xo.
Lò xo ống chế tạo bằng đồng thau có thể đo áp suất dưới 5 MPa, hợp kim nhẹ hoặc
thép dưới 1.000 MPa, còn trên 1.000 MPa phải dùng thép gió.
Màng
Màng dùng để đo áp suất được chia ra màng đàn hồi và màng dẻo.
Màng đàn hồi có dạng tròn phẳng hoặc có uốn nếp được chế tạo bằng thép.
21
Khi áp suất tác dụng lên hai mặt của màng khác nhau gây ra lực tác động lên màng làm
cho nó biến dạng. Biến dạng của màng là hàm phi tuyến của áp suất và khác nhau tuỳ
thuộc điểm khảo sát. Với màng phẳng, độ phi tuyến khá lớn khi độ võng lớn, do đó
thường chỉ sử dụng trong một phạm vi hẹp của độ dịch chuyển của màng.
Độ võng của tâm màng phẳng dưới tác dụng của áp suất tác dụng lên màng xác định
theo công thức sau:
22
Hình 1.9a trình bày cấu tạo một bộ biến đổi kiểu điện dung gồm bản cực động là màng
kim loại (1), và bản cực tĩnh (2) gắn với đế bằng cách điện thạch anh (4). Sự phụ thuộc
của điện dung C vào độ dịch chuyển của màng có dạng:
Trong đó:
ε - hằng số điện môi của cách điện giữa hai bản cực.
δ0 - khoảng cách giữa các điện cực khi áp suất bằng 0.
δ - độ dịch chuyển của màng.
Hình 1.9b là một bộ biến đổi điện dung kiểu vi sai gồm hai bản cực tĩnh (2) và (3) gắn
với chất điện môi cứng (4), kết hợp với màng (1) nằm giữa hai bản cực để tạo thành hai
tụ điện C12 và C13. Khoảng trống giữa các bản cực và màng điền đầy bởi dầu silicon
(5).
Các áp suất p1 và p2 của hai môi trường đo tác động lên màng, làm màng dịch chuyển
giữa hai bản cực tĩnh và tạo ra tín hiệu im (cung cấp bởi nguồn nuôi) tỉ lệ với áp suất
giữa hai môi trường:
Để biến đổi biến thiên điện dung C thành tín hiệu đo lường, thường dùng mạch cầu
xoay chiều hoặc mạch vòng cộng hưởng LC.
Bộ cảm biến kiểu điện dung đo được áp suất đến 120 MPa, sai số ± (0,2 - 5)%.
3. Một số loại cảm biến
Cảm biến hình ảnh và tầm nhìn
Cảm biến hình ảnh hay cảm biến thị giác là thiết bị điện tử giúp bạn phát hiện sự hiện
diện của các đối tượng hoặc màu sắc trong phạm vi tầm nhìn của chúng và chuyển đổi
thông tin này thành hình ảnh hiển thị để người dùng có thể quan sát. Các thông số kỹ
thuật chính của loại này bao gồm loại cảm biến hình ảnh, ứng dụng cần quan sát, một
số tính năng cụ thể của bộ chuyển đổi.
23
Cảm biến nhiệt độ
Loại này thường được thiết kế dưới dạng đầu dò nhiệt độ, nó giúp phát hiện các thông
số nhiệt và truyền tín hiệu đến đầu vào của thiết bị đo nhiệt độ. Cảm biến nhiệt độ
thường dựa vào RTD hoặc điện trở nhiệt để thu nhận nhiệt độ và đi qua thiết bị đo để
chuyển nó thành giá trị nhiệt mà bạn có thể theo dõi trên màn hình.
Các thông số kỹ thuật của loại này bao gồm, dải đo nhiệt độ tối đa và tối thiểu, đường
kính, chiều dài của cảm biến. Cảm biến nhiệt độ thường được sử dụng để đo các đặc
tính nhiệt của khí, chất lỏng và chất rắn trong nhiều ngành công nghiệp chế biến, thông
số môi trường.
24
Cảm biến gia tốc hay còn gọi là accelerometer loại này biến các tín hiệu gia tốc vật lý
hoặc độ rung của các vật thể và chuyển đổi thành tín hiệu điện. Bạn có thể bắt gặp loại
gia tốc kế này trong các máy đo độ rung, bộ thu thập dữ liệu độ rung. Các thông số cần
quan tâm của cảm biến gia tốc là giá trị đo, hệ số, trục đo…
25
Cảm biến vị trí
Cảm biến vị trí/đầu dò vị trí là thiết bị điện tử được sử dụng để cảm nhận vị trí của van,
cửa, van tiết lưu, v.v. Loại cảm biến này thường được sử dụng ở bất cứ nơi nào cần
thông tin vị trí trong vô số các ứng dụng điều khiển. Một bộ chuyển đổi vị trí phổ biến
là cái gọi là dây-nồi, hoặc dây chiết áp.
Các thông số kỹ thuật chính bao gồm loại cảm biến, chức năng cảm biến, phạm vi đo
và các tính năng dành riêng cho loại cảm biến.
26
Cảm biến chuyển động
Cảm biến chuyển động là thiết bị điện tử có thể cảm nhận chuyển động hoặc dừng lại
của các bộ phận cơ khí, máy móc, thậm chí con người, v.v. và truyền tín hiệu về cho
thiết bị điều khiển.
Các ứng dụng điển hình của cảm biến này là phát hiện sự ngừng trệ của băng tải, quá
trình làm viêc của các ổ trục, cảm nhận chuyển động và tự mở cửa như ở các siêu thị,
trung tâm thương mại. Thông số kỹ thuật cần lưu ý bao gồm ứng dụng dự kiến, loại
cảm biến, chức năng cảm biến, tốc độ tối thiểu và tối đa có thể cảm nhận.
27
Cảm biến rò rỉ
Cảm biến rò rỉ (thường xuất hiện dưới dạng máy phát hiện rò rỉ) là thiết bị điện tử được
sử dụng để xác định hoặc theo dõi sự phóng điện không mong muốn của chất lỏng
hoặc khí, một số dựa vào siêu âm để phát hiện rò rỉ không khí.
Một dạng thiết bị phát hiện rò rỉ khác dựa vào các chất tạo bọt đơn giản để đo độ bền
của các mối nối đường ống và thường được dùng để kiểm tra sự rò rỉ từ các vết nứt, các
khớp nối, hàn gắn, sự không chặt chẽ của các lớp vỏ đảm bảo tiêu chuẩn chống nước.
Cảm biến độ ẩm
Cảm biến/đầu dò độ ẩm là công cụ sử dụng để đo lượng nước trong không khí, sau đó
chúng sẽ chuyển các tín hiệu này đến máy đo độ ẩm và hiển thị dữ liệu cho người
dùng.
Các thông số kỹ thuật chính bao gồm thời gian đáp ứng, nhiệt độ hoạt động tối thiểu và
tối đa.
28
Cảm biến khí và hóa chất
Cảm biến khí (thiết bị cảnh báo khí và hóa chất) là các thiết bị điện tử thường được gắn
cố định để giám sát độ an toàn trong nhà xưởng, gia đình…. được sử dụng để cảm nhận
sự hiện diện của các loại khí hoặc hóa chất khác nhau. Đôi khi được thiết kế di động để
kiểm tra ở từng khu vực cụ thể
Nó thường được sử dụng để phát hiện và cảnh báo sớm các loại khí độc hại, dễ cháy
đảm bảo an toàn cho con người như: khí gas, chất làm lạnh, các loại khí dễ cháy, hóa
chất độc hại….
Các thông số kỹ thuật chính bao gồm ứng dụng dự kiến, loại cảm biến / máy dò, dải đo
và các tính năng bổ sung khác.
Thiết bị phát hiện ngọn lửa cũng tìm thấy trong các ứng dụng kiểm tra an toàn, chẳng
hạn như trong hệ thống dập lửa dưới mui xe
29
Cảm biến điện
Cảm biến điện/Que đo điện là loại phụ kiện dùng để cảm nhận dòng điện, điện áp, v.v.
và cung cấp tín hiệu đến đầu vào của thiết bị cơ bản nhất là các đồng hồ vạn năng, đến
các bị đo lường điện nâng cao, thiết bị giám sát chất lượng điện.
Loại này được sử dụng ở bất cứ nơi nào cần thông tin về trạng thái của hệ thống điện
và được sử dụng trong mọi thứ từ hệ thống đường sắt đến giám sát quạt, máy bơm và
lò sưởi…
30
PHẦN III:CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
a.Cấu tạo b.Ký hiệu c.Hình dạng d.Phân cực thuận e.Phân cực ngược
31
Nối điện thế một điện trường ngoài (U), trạng thái cân bằng bị phá vỡ, nếu nối điện thế
ngoài theo chiều dương (+) với Anod và âm (–) với Katod của Diode (hình 1.1d) , điện
trường ngoài sẽ ngược chiều với điện trường của điện áp tiếp xúc, các phần tử tải điện
dịch chuyển qua vùng tiếp xúc và tạo ra dòng điện thuận qua Diode. Nếu nối điện thế
ngoài theo chiều dương (+) với Katod và chiều âm (–) nối với Anod của Diode hình
1.1e, sẽ tạo ra điện trường ngoài cùng chiều với điện thế tiếp xúc, làm vùng nghèo
được mở rộng. Vùng nghèo của lớp tiếp xúc không cho phép các phần tử tải điện
chuyển qua phần truyền và dòng qua phần truyền chỉ là dòng điện rò.
3.2. Đặc tính V-A (Volt-Ampe)
Trên hình 1.2 mô tả đặc tuyến Volt-Ampe của Diode, ứng với nhánh phân cực ngược
dòng rò là không đáng kể, nó phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ.
Diode công suất làm việc với dòng thuận lớn vì vậy đòi hỏi chế độ giảm nhiệt thích
hợp.
Thông thường sẽ có 1 cực tính được chế tạo thuận lợi cho việc ghép với tản nhiệt.
a) Đặc tính thưc tế b) Đặc tính tuyến tính hóa c)Đặc tính lý tưởng
3.3 Đặc tính đóng cắt
Khác với đặc tính Volt-Ampe là đặc tính tĩnh, đặc tính u(t), i(t) cho thấy dạng của địên
áp và dòng điện trên Diode theo thời gian, gọi là đặc tính động hay đặc tính đóng-cắt
của Diode. Đặc tính đóng-cắt của Diode tiêu biểu của một Diode được thể hiện trên
hình 1.3.
32
3.4. Các thông số cơ bản.
3.4.1. Giá trị trung bình của dòng điện cho phép chạy qua Diode theo chiều thuận (ID).
3.4.2. Giá trị điện áp ngược lớn nhất mà Diode có thể chịu đựng được (Ung.max).
3.4.3. Tần số
3.4.4. Thời gian phục hồi tr và điện tích phục hồi Qr
3.5. Ứng dụng
- Chỉnh lưu không điều khiển.
- Bảo vệ các van bán dẫn.
4. Tiristo
4.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động SCR (Silicon Controlled Rectifier)
SCR là phần tử bán dẫn trong họ Trisistor có cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn p-n-p-n, tạo ra
ba tiếp giáp J1, J2, J3, Tiristo có ba cực: Anod (A), Katod (K), cực điều khiển (G) biểu
diễn trên hình 1.4.
33
4.2. Các thông số cơ bản.
4.2.1. Giá trị dòng cho phép chạy qua tiristo (Iv )
Đây là giá trị dòng trung bình cho phép chạy qua tiristo với điều kiện nhiệt độ của cấu
trúc tinh thể bán dẫn của tiristo không vượt quá một giá trị cho phép. Trong thực tế
dòng điện cho phép chạy qua tiristo còn phụ thuộc vào các điều kiện làm mát và nhiệt
độ môi trường.
4.2.2. Điện áp ngược cho phép lớn nhất (Ung.max )
Đây là giá trị điện áp ngược lớn nhất cho phép đặt lên tiristo. Trong các ứng dụng phải
đảm bảo rằng, tại bất kì thời điểm nào điện áp U AK luôn nhỏ hơn hoặc bằng Ung.max .
Ngoài ra phải đảm bảo một độ dự trữ nhất định về điện áp, nghĩa là phải được chọn ít
nhất bằng 1,2 đến 1,5 lần giá trị biên độ lớn nhất của điện áp trên sơ đồ đó.
4.2.3. Thời gian phục hồi tính chất khoá của tiristo (tr ( s ))
Đây là thời gian tối thiểu phải đặt lên điện áp âm lên giữa A-K của tiristo sau khi dòng
A-K đã về bằng không trước khi lại có thể có điện áp dương mà tiristo vẫn khóa. Thời
gian phục hồi tr là một thông số rất quan trọng của tiristo, nhất là trong các bộ nghịch
lưu phụ thuộc hoặc nghịch lưu độc lập, trong đó phải luôn đảm bảo rằng thời gian dành
cho quá trình khóa phải bằng 1,5 đến 2 lần tr.
34
5. Các linh kiện khác trong họ Tiristor
5.1. Triac
Triac là phần tử bán dẫn có cấu trúc bán dẫn bao gồm năm lớp, tạo nên cấu trúc p-np-n
như ở tiristo theo cả hai chiều giữa các cực T1 và T2 như được thể hiện trên hình 1.6a.
Triac có kí hiệu trên sơ đồ như trên hình 1.6b, có thể dẫn dòng theo cả 2 chiều T1 và
T2. Về nguyên tắc triac hoàn toàn có thể coi tương đương với hai tiristo đấu song song
ngược như trên hình 1.6a.
35
Triac có thể điều khiển mở dòng bằng cả xung dòng dương (dòng đi vào cực điều
khiển) hoặc bằng xung dòng âm (dòng đi ra khỏi cực điều khiển). Xung dòng điều
khiển âm có độ nhạy kém hơn, nghĩa là dòng chỉ có thể chạy qua triac khi điện áp giữa
T1 và T2 phải lớn hơn một giá trị xác định, lớn hơn khi dùng dòng điều khiển dương. Vì
vậy trong thực tế để đảm bảo tính đối xứng của dòng điện qua triac, sử dụng dòng điều
khiển âm là tốt hơn cả. Triac đặc biệt hữu ích trong các ứng dụng điều chỉnh điện áp
xoay chiều hoặc các côngtắctơ tĩnh ở dải công suất vừa và nhỏ.
5.2. Tiristo khoá được bằng cực điều khiển GTO(Gate Turn-off thyrisstor)
Tiristo thường, như được giới thiệu ở trên được sử dụng rộng rãi trong các sơ đồ chỉnh
lưu, từ công suất nhỏ vài Kw đến công suất cực lớn vài trăm MW. Đó là vì tiristo có
thể khoá lại một cách tự nhiên dưới điện áp lưới. Tuy nhiên với các ứng dụng trong các
bộ biến đổi xung áp một chiều hoặc các bộ nghịch lưu, các van bán dẫn luôn bị đặt
dưới điện áp một chiều thì điều kiện để khoá tự nhiên sẽ không còn nữa. Khi đó việc
dùng các tiristo thường sẽ cần đến các mạch chuyển mạch cưỡng bức rất phức tạp, gây
tổn hao lớn về công suất, giảm hiệu suất của các bộ biến đổi.
Khi chưa có dòng điều khiển, nếu anod có điện áp dương hơn so với Katod thì toàn bộ
điện áp sẽ rơi trên tiếp giáp J2 ở giữa, giống như trong cấu trúc của tiristo. Tuy nhiên
nếu Katod có điện áp dương hơn so với Anod thì tiếp giáp p+ -n ở anod sẽ bị đánh
thủng ở điện áp rất thấp, nghĩa là GTO không thể chịu điện áp ngược.
GTO được điều khiển mở bằng cách cho dòng vào cực điều khiển, giống như ở tiristo
thường. Tuy nhiên do cấu trúc bán dẫn khác nhau nên dòng duy trì và biên độ ở GTO
cao hơn ở tiristo thường. Sau khi GTO đã dẫn thì dòng điều khiển không còn tác dụng.
Như vậy có thể mở GTO bằng các xung ngắn, với công suất không đáng kể.
Để khoá GTO, một xung dòng phải được lấy ra từ cực điều khiển. Khi van đang dẫn
dòng, tiếp giáp J2 chứa một số lượng lớn các điện tích sinh ra do tác dụng của hiệu ứng
36
bắn phá tạo nên vùng dẫn điện, cho phép các điện tử di chuyển từ Katod vùng n+ đến
Anod vùng p+ tạo nên dòng Anod. Bằng cách lấy đi một số lượng lớn các điện tích qua
cực điều khiển. Kết quả là dòng Anod sẽ bị giảm cho đến khi về không. Dòng điều
khiển được duy trì một thời gian ngắn để GTO phục hồi tính chất khoá. Yêu cầu về
xung điều khiển thể hiện trên hình 1.10, xung dòng khoá GTO phải có biên độ rất lớn,
vào khoảng 20 – 25% biên độ dòng Anod -Katod. Một yêu cầu quan trọng nữa là xung
dòng điều khiển phải có độ dốc sườn xung rất lớn khoảng 0,5 đến 1 s.
Sơ đồ hình 1.11 mô tả việc thực hiện nguyên lý điều khiển trên. Mạch điện dùng hai
khoá transito T1 , T2. Khi tín hiệu điều khiển là 15V, T1 mở, dòng chạy từ nguồn 15V
qua điện trở R1 nạp điện cho tụ C1 tạo nên dòng chạy vào cực điều khiển của GTO.
37
Khi tụ C1 nạp đầy đến điện áp của Diode ổn áp Dz(12 V), dòng điều khiển kết thúc.
Khi tín hiệu điều khiển rơi xuống mức 0 V thì T 1 bị khoá, T2 sẽ mở do có điện áp trên
tụ C1, tụ C1 bị ngắn mạch qua cực điều khiển và Katod, transito T2 tạo nên dòng đi ra
khỏi cực điều khiển, khoá GTO lại. Diode Dz ngăn không cho tụ C1 nạp ngược lại.
5.3. Ứng dụng
- Nghịch lưu.
- Bộ biến đổi điện áp xoay chiều
6. Tranzito công suất BJT (Bipolar Junction Tranzito)
6.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Tranzito BJT là phần tử bán dẫn có cấu trúc bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn p-n-p (TZT
thuận) hoặc n-p-n (TZT ngược), tạo nên hai tiếp giáp p-n. BJT có ba cực: Bazơ (B),
colectơ (C) và emito (E). BJT công suất thường là loại bóng ngược. Cấu trúc tiêu biểu
và ký hiệu trên sơ đồ của một BJT công suất được biểu diễn trên hình 1.11.
Trong đó lớp bán dẫn n xác định điện áp đánh thủng của tiếp giáp B-C và do đó của C-
E. Trong điện tử công suất, BJT chỉ được sử dụng như một phần tử khoá. Khi mở dòng
điều khiển phải thoả mãn điều kiện IB > IC/ hay IB = kbh . IC/
Trong đó kbh = 1,2 1,5 gọi là hệ số bão hoà. Khi đó BJT sẽ ở trong chế độ bão hoà
với điện áp giữa C và E rất nhỏ, cỡ 1 – 1,5V, gọi là điện áp bão hoà, UCebh .
Khi khoá dòng điều khiển IB bằng không, lúc đó dòng colectơ gần bằng không, điện áp
UCE sẽ lớn đến giá trị điện áp nguồn cung cấp cho mạch tải nối tiếp với BJT. Tổn hao
công suất trên BJT bằng tích của dòng điện Ic với điện áp rơi trên C-E, sẽ có giá trị rất
nhỏ trong chế độ khoá.
Ở chế độ khoá, cả hai tiếp giáp B-E và B-C đều bị phân cực ngược. Điện áp đặt giữa
C-E sẽ rơi chủ yếu trên vùng trở kháng cao của tiếp giáp p-n. BJT ở chế độ tuyến tính
nếu tiếp giáp B-E phân cực thuận và tiếp giáp B-C phân cực ngược. BJT ở trong chế độ
bão hoà nếu cả hai tiếp giáp B-E và B-C đều phân cực thuận.
38
6.2. Đặc tính đóng cắt của BJT
Chế độ đóng cắt của BJT phụ thuộc chủ yếu vào các tụ kí sinh C BE và CBC giữa các tiếp
giáp BE và BC. Quá trình đóng cắt một BJT qua sơ đồ khóa trên hình 1.12a. Trong đó
BJT đóng cắt một tải thuân trở R t dưới điện áp +Un điều khiển bởi tín hiệu điện áp từ -
UB2 đến +UB1 và ngược lại. Dạng sóng điện áp, điện áp cho trên hình 1.12b
39
Nếu kênh dẫn là n thì các hạt mang điện sẽ là các điện tử (electron), do đó cực tích điện
áp của cực máng sẽ là dương so với cực gốc. Cấu trúc bán dẫn của Mosfet kênh dẫn
kiểu p cũng tương tự như các lớp bán dẫn sẽ có kiểu dẫn điện ngược lại. Tuy nhiên đa
số các Mosfet công suất là loại có kênh dẫn kiểu n.
7.2. Đặc tính đóng cắt của MOSFET
Do là một phần tử với các hạt mang điện cơ bản, MOSFET có thể đóng cắt với tần số
rất cao. Tuy nhiên để có thể đạt được thời gian đóng cắt rất ngắn thì vẫn đề điều khiển
là rất quan trọng. Cơ chế ảnh hưởng tới thời gian đóng cắt của MOSFET là các tụ điện
kí sinh giữa các cực.
Hình 1.15a thể hiện các thành phần tụ điện ký sinh tạo ra giữa các phần trong cấu trúc
bán dẫn của MOSFET. Tụ điện gữa cực điều khiển và cực gốc CGS phải được nạp đến
điện áp UGS (th) trước khi dòng cực máng có thể xuất hiện. Tụ giữa cực điều khiển và
cực máng CGD có thể ảnh hưởng mạnh đến giơi hạn tốc độ đóng cắt của MOSFET.
Hình 1.15b chỉ ra sơ đồ tương đương của một MOSFET và các tụ kí sinh tương ứng.
8. Tranzito có cực điều khiển cách ly IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzitor)
8.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
IGBT là phần tử kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải
lớn của Tranzitor thường. Về mặt điều khiển, IGBT gần giống như hoàn toàn
MOSFET, nghĩa là được điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu
cực nhỏ. Hình 1.17 giới thiệu cấu trúc bán dẫn của một IGBT.
40
Cấu trúc bán dẫn IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp p nối
với colector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p. Có thể coi IGBT tương đương với 1
Tranzitor NPN với dòng bazo được điều khiển bởi 1 MOSFET. Dưới tác dụng của điện
áp điều khiển UGE>0, kênh dẫn với các hạt mang điện mà các điện tử được hình thành,
giống như ở cấu trúc MOSFET. Các điện tử dichuyển về phía colector ở tranzitor
thường, tạo nên dòng colector.
8.2. Đặc tính đóng cắt của IGBT
Do có cấu trúc p – n – p mà điện áp thuận giữa C và E trong chế độ dẫn dòng ở IGBT
thấp hơn so với ở MOSFET. Tuy nhiên cũng do cấu trúc này mà thời gian đóng cắt của
IGBT chậm hơn so với MOSFET, đặc biệt là khi khoá lại. Trên hình 1.17 thể hiện cấu
trúc tương đương của IGBT với 1 MOSFET và một p-n-p tranzitor.
8.3. Yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển IGBT
IGBT là phần tử điều khiển điện áp, giống như MOSFET, nên yêu cầu điện áp có mặt
liên tục trên cực điều khiển và emitơ đẻ xác định chế độ khoá, mở. Tín hiệu điều khiển
thường được chọn là + 5V và - 5V. Mức điện áp âm khi khoá góp phần giảm tổn thất
công suất trên mạch điều khiển.
9. Bảo vệ và làm mát cho các van bán dẫn công suất
9.1 Đặc tính nhiệt
Các linh kiện công suất khi làm việc đều tiêu tán năng lượng và phát nóng, sẽ hư hỏng
khi nhiệt độ lớn hơn giá trị cho phép. Mục đích của tính toán nhiệt là kiểm tra nhiệt độ
mối nối của miếng tinh thể bán dẫn phải bé hơn giá trị cho phép, có trị số từ 150 đến
2000 C. Để giải quyết đặc tính nhiệt cần xem xét 2 vấn đề:
+ Tính công suất tiêu tán trung bình trong chu kỳ T đóng cắt của linh kiện:
+ Tính toán truyền nhiệt từ tinh thể bán dẫn ra môi trưòng xung quanh: Mối nối -> Vỏ
S -> Tản nhiệt -> Môi trường.
41
Mối nối -> Vỏ S -> Tản nhiệt -> Môi trường.
Tuy nhiên tỏa nhiệt van bán dẫn có thể lựa chọn dòng điện theo các điều kiện làm mát
theo kinh nghiệm sau:
+ Làm mát tự nhiên: dòng sử dụng cho phép đến một phần ba dòng Iv
+ Làm mát cưỡng bức bằng quạt gió:dòng sử dụng bằng hai phần ba dòng Iv
+ Làm cưỡng bức bằng nước: có thể sử dụng 100% dòng Iv
Khi không sử dụng tản nhiệt, điện trở nhiệt từ vỏ linh kiện công suất ra môi trường rất
lớn, vì diện tích tiếp xúc với không khí của linh kiện rất bé, dẫn đến khả năng tiêu tán
công suất lúc này rất bé so với giá trị định mức.
9.2. Mạch trợ giúp van
Các van bán dẫn công suất được sử dụng trong các mạch nghịch lưu hoặc các bộ biến
đổi xung áp một chiều và thường yêu cầu van đóng cắt với tần số cao, từ 2 đến hàng
chục kHz. ở tần số đóng cắt cao những sự cố xảy ra có thể phá huỷ phần tử dẫn đến
phá huỷ toàn bộ thiết bị. Sự cố thường xảy ra nhất là ngắn dòng do ngắn mạch từ phía
tải hoặc từ các phần tử có lỗi do chế tạo hoặc do lắp ráp. Vì vậy vấn đề bảo vệ cho
phần tử rất quan trọng đặt ra. Có thể ngăn chặn hậu quả bằng cách sử dụng các mạch
trợ giúp cho van được nối thêm vào cạnh van, giúp bảo vệ van và tăng hiệu quả làm
việc của van. Mạch trợ giúp có thể đem lại nhiều khả năng cho van như:
- Giảm hoặc triệt tiêu các xung quá áp hoặc quá dòng . Hạn chế dU/dt,dI/dt - Đưa điểm
làm việc của van về vùng làm việc an toàn(SOA)
- Truyền năng lượng phát nhiệt của van ra vỏ ngoài hoặc sang hướng khác có lợi -
Giảm tổn hao công suất trong quá trình đóng cắt
- Giảm phát sóng vô tuyến ra xung quanh do dập tăt nhanh các dao động điện từ
10. Tài liệu tham khảo
https://khoadien.uneti.edu.vn/wp-content/uploads/2019/12/K%E1%BB
%B9-thu%E1%BA%ADt-c%E1%BA%A3m-bi%E1%BA%BFn.pdf#page15
file:///C:/Users/ADMIN/Downloads/[123doc]%20-%20giao-trinh-dien-tu-
cong-suat-dh-su-pham-ky-thuat-nam-dinh.pd
42