Professional Documents
Culture Documents
Elkos V 01
Elkos V 01
• na sobnoj temperaturi T = 290 K je ET = 0.025 eV, što je kod poluvodiča puno manje od
širine zabranjenog pojasa EG (za germanij EG = 0.72 eV, a za silicij EG = 1.1 eV)
• kako vodljivost kristala ovisi o broju elektrona u vodljivome pojasu, kristali s manjom
širinom zabranjenoga pojasa bolje će voditi struju
POLUVODIČI N-TIPA I P-TIPA
• poluvodiči N-tipa dobivaju se dodavanjem
peterovalentnih atoma (arsen As, fosfor P i antimon Sb -
donori elektrona) čistome siliciju Si zbog povećanja
koncentracije slobodnih elektrona n tako da silicij
postaje N vodljiv (N - negativan naboj elektrona koji su
većinski nosioci naboja)
• poluvodiči P-tipa dobivaju se dodavanjem trovalentnih
atoma (bor B - akceptori elektrona) čistome siliciju Si
zbog povećanja koncentracije šupljina p pa silicij postaje
P vodljiv (P - pozitivan naboj šupljina koje su većinski
nosioci naboja)
• umnožak koncentracije elektrona n i koncentracije
šupljina p u bilo kojem poluvodiču u stanju ravnoteže
jednak je kvadratu koncentracije elektrona ni u čistome
(intrinsičnom) poluvodiču - n·p=ni2
ZADATAK (Kovačević, str. 12)