전자 33

Transistor Special
本 記事는 日本 CQ出版社가 發行하는 「トランジスタ技術」誌와의 著作權 協定에 依據하여 提供받은 資料입니다.

스전
마지
트의
충
전지의 충방전 제어에 필수적인 잔량측정 IC 배방

제 1장 터전
리제
와어
스마트 배터리와 2차전지의 배터리 게이지 2
차필
전수
에

지적
의인
星聰 잔
배량
터측
리정
머리말 터리는 전지 팩이 충전을 제어하고 방전을 제어하도록 되 게 IC
어 있었다. 이것은 전지 팩 자체가 채택한 화학 조성의 차 이
지
2차전지의 잔량을 표시한 것은 꽤 오래전 부터이며, 일 이에 따라 달라지는 충반전 제어를 실행함으로써 이용자
본에서도 1980년대 후반부터 2차전지의 잔량을 표시한 를 충방전 제어의 설계에서 해방시킨다는 것이 목적이었
전지 팩이라든가 잔량표시를 탑재한 애플리케이션을 시장 다.
에서 볼 수 있었다.
특
최근의 잔량표시 시스템은 개발자의 생각 차이로 잔량
스마트 배터리 시스템의 구성 집
측정법이나 전지 팩과 애플리케이션 시스템의 통신방법이
나 통신 데이터, 어드레싱이 달라지기 때문에 각사의 호환 스마트 배터리를 채택한 시스템의 기본적인 구성을 그
1
성이 없고, 또 사양 자체도 밝히지 않아서 전지 팩의 성능 림 1에 나타낸다. 그러나 현재 노트북에서는 키보드 마이
을 비교한다는 것이 곤란했었다. 크로컴퓨터와 SM 버스 호스트나 SM 버스 호스트와 스마
트 배터리 차저나 스마트 배터리 차저와 스마트 실렉터 또

스마트 배터리의 등장 는 그것들 모두가 복합된 기능 디바이스가 이용되고 있어

스마트 배터리가 기존의 잔량표시 시스템에 비해 혁신
적이었던 점은 사양을 공개했다는 점이다. 이 사양은 http:/
/www.sbs-forum.org/에서 입수할 수 있다.
또한 기존의 전지 팩은 애플리케이션이나 충전기에 의
해 제어되었지만, 스마트 배터리가 애플리케이션이나 충
전기를 제어한다는 점도 혁신적이었다. 처음에 스마트 배
다양한 배리에이션이 존재한다.
이러한 하드웨어의 차이는 모두 APM 또는 ACPI 의
BIOS로 흡수되어 호환성이 확보되고 있다.
SM 버스에 관하여
스마트 배터리 시스템에 있어서 각각 기기간의 커뮤니

방전전력

충전
SM 버스 호스트
스마트 배터리 차저 전력
(키보드 컨트롤러)
메인 디바이스 어드레스
디바이스 어드레스
시스템 0x12
0x10

스마트 배터리 스마트 배터리

LCD 휘도 디바이스 디바이스
컨트롤러 어드레스 어드레스
디바이스 어드레스 0x16 0x16
0x58
SM 버스 SM 버스
SM 버스
LCD 백라이트
컨트롤러
그림 1. 스마트 배터리 시스템의 디바이스 어드레스 스마트 배터리 실렉터
기본 구성 0x5A 디바이스 어드레스0x14

월간 전자기술/ 2000년 7월호 33

 전자 34

Transistor Special

케이션에는 SM 버스(SMBus ; System Management 어, 5V 또는 3V의 시스템 전원에 대해 풀업되고 있다(그

Bus)가 이용되고 있다. SM 버스의 사양은 I C 버스를
기본으로 했기 때문에 전기적 특성이나 타이밍 사양에 약
2
간의 차이가 있지만 I C 버스와 호환성이 있다.
따라서 I 2C 버스를 가지는 원칩 마이크로컴퓨터 등을
사용하여 평가 시스템을 구축할 수 있다. 사진 1은 SM 버
스를 퍼스널컴퓨터의 9핀 시리얼 포트(EIA-574)에 접속
하는 어댑터(EV2200)이다. 원칩 마이크로컴퓨터
PIC16C66을 사용하고 있다.
2
림 2). 그리고 어떤 디바이스가 L 레벨을 출력할 때 버스
에 L 레벨이 출력되고, 어느 것이든 하이 임피던스일 때
버스에 H 레벨이 출력된다. I2C 버스인 경우, TTL 과 같
은 고정 스레숄드 레벨이나 CMOS 로직과 같은 전원 상
대 스레숄드 레벨 어떤 것이라도 이용되지만, SM 버스는
L 레벨이 0.6V, H 레벨이 1.4V 로 고정된 스레숄드를 채
택하고 있다는 것이 I 2C 버스와의 다른 점이다.
I2C 버스는 와이어드 OR의 클록 라인을 사용한 완전
한 핸드셰이크에 의해서 스피드의 차이를 조정하지만, 다

SM 버스의 물리 구조 시 SM 버스에서는 타임아웃이 규정되어 있다. 따라서

I2C 버스 디바이스를 SM 버스에 이용하는 경우, 타임아
2
SM 버스는 I C 버스와 마찬가지로 클록 라인과 데이 웃을 제어할 필요가 있다.
터 라인이 오픈 드레인의 와이어드 OR에 의해서 접속되

SM 버스에서의 커뮤니케이션
SM 버스는 스마트 배터리가 애플리케이션이나 충전
기를 제어하기 위해 I 2C 버스의 멀티마스터 프로토콜을
채택하고 있어 그림 3과 같은 커뮤니케이션이 존재한다.
● 버스 아비트레이션(arbitration)과 타이밍
SM 버스는 단순한 시리얼 인터페이스나 I/O 인터페
이스가 아니라 복수의 마스터 디바이스가 혼재하는 버스

사진 1. SM 버스를 퍼스널컴퓨터의 9핀 시리얼 포트에

5V 또는 3.3V
접속하는 어댑터 EV2200 [사진제공 : (株)마크니카]
특
보호저항 보호저항
집

1
ON 저항 ON 저항
스마트 배터리 실렉터
(슬레이브 디바이스)

전지 팩측 시스템측
전
지 그림 2. SM 버스의 클록 신호와 데이터 신호의
를 등가회로
스마트 배터리 SM 버스 호스트
(슬레이브/마스터 디 (슬레이브/마스터 디
활 바이스) 바이스)
스타트 컨디션 스톱 컨디션
용
하
는 SM 버스의 Clock

시 스마트 배터리 충전
(슬레이브/마스터 디
SM 버스의 Data

스 바이스)

템
0을 1을 1을 0을
과 주▶ (1) 색칠한 글자는 실제로 존재가 확인되고 있는 액세스 페이즈
(2) 기타는 사양서 상에서 존재할 수 있는 액세스 페이즈 래치 래치 래치 래치

IC 그림 3. SM 버스의 커뮤니케이션 그림 4. SM 버스의 버스 아비트레이션과 타이밍

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스전
구도를 가진다. 즉, PCI 버스 등과 마찬가지로 버스 아비 스톱 컨디션을 발생시켜 버스의 점유권을 포기하고 다른 마지
트레이션 제어가 있다. 그림 4를 보기 바란다. 마스터 디바이스에 제어를 양도할 필요가 있다. 트의
충
▶ 마스터 디바이스는 버스의 점유권을 획득하기 전에 ▶ 스톱 컨디션은 클록 라인이 H 레벨일 때에 데이터 배방
터전
스톱 컨디션을 수신할 것인가 또는 50㎲ 이상의 버스 아이 라인을 H 레벨로 상승시킴으로써 발생한다. 리제
와어
들 상태를 확인하여 다른 마스터 디바이스가 점유되고 있 ▶ 버스 점유권 획득의 우선순위는 개개의 마스터 디바 2 에
지 않다는 것을 확인해야 한다. 이스가 버스 아이들을 확인하기 위한 시간차에 의해서 결 차필
전수
▶ 다음에 마스터 디바이스는 스타트 컨디션을 발생시 정된다. 따라서 개개의 마스터 디바이스의 버스 아이들 지적
의인
켜 버스의 점유권을 획득할 필요가 있다. 확인시간은 각각 다른 시간에 설정될 필요가 있다. 잔
배량
▶ 스타트 컨디션은 클록 라인이 H 레벨일 때에 데이터 ● SM 버스의 통신 포맷 터측
리정
라인을 L 레벨로 강하시킴으로써 발생한다. 사양서(System Management Bus Specification)
게 IC
▶ 클록 라인을 L 레벨로 강하시키는 것은 언제나 마스 을 참조하면 8개의 통신 포맷이 정해지고 있지만, 실제로 이
지
터 디바이스의 역할이다. 는 다음과 같은 라이트 워드, 리드 워드, 블록 리드의 3종
▶ 클록 라인은 어떤 것인가의 지연 디바이스에 의해서 류가 사용되고 있다.
H 레벨로 상승된다. 백색 프레임으로 제시되는 부분은 마스터 디바이스에
▶ 마스터 디바이스 및 슬레이브 디바이스는 클록 라인 서의 송신 신호이고, 흑색 프레임으로 제시되는 부분은
특
을 35ms 이상의 L 레벨로 고정시켜서는 안된다. 슬레이브 디바이스에서의 응답신호이다. S 는 스타트 컨 집

1
▶ 데이터의 상태는 클록 라인의 상승으로 래치된다. 디션 신호, A 는 애크놀리지 신호, P 는 스톱 컨디션이다.
▶ 스타트/스톱 컨디션을 제외하고 데이터 라인의 상태 ▶ 라이트워드 프로토콜
는 클록 라인이 L 레벨에 있을 때에만 변화될 필요가 있다. 그림 5와 같은 포맷이다.
▶ 마스터 디바이스는 클록 라인이 50㎲ 이상 H 레벨에 ▶ 리드 워드 프로토콜
있으면 버스 아이들로서 점유권을 상실한다. 그림 6과 같은 포맷이다.
▶ 데이터 통신의 섹션이 종료되면 마스터 디바이스는 ▶ 블록 리드 프로토콜

슬레이브 어드레스 커맨드 코드 하위 바이트 데이터 상위 바이트 데이터

그림 5. SM 버스의 라이트 워드 애크놀리지 스톱 컨디션

스톱 컨디션 라이트
프로토콜

슬레이브 어드레스 커맨드 코드 슬레이브 어드레스

연속된 스타트 컨디션

그림 6. SM 버스의 리드 워드 하위 바이트 데이터 상위 바이트 데이터

프로토콜

슬레이브 어드레스 커맨드 코드 슬레이브 어드레스

그림 7. SM 버스의 블록 리드
프로토콜 바이트 카운트 데이터 바이트 1 데이터 바이트 2 데이터 바이트 N

월간 전자기술/ 2000년 7월호 35

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Transistor Special

그림 7과 같은 포맷이다. 블록 리드 프로토콜은 스마트 터 디바이스가 버스가 개방된 것이라고 간주하여 스타트

배터리 데이터인 ManufacturerName( ), DeviceName
( ), DeviceChemistry( ), ManufacturerData( ) 등의
스트링스 데이터를 리드할 때에 사용한다.
● SM 버스의 통신파형
benchmarq 社(현 텍사스 인스트루먼트社)의 스마트
배터리 IC bq2040의 통신파형을 예로 나타낸다.
스마트 배터리 커맨드 0x00의 ManufactureAcess( )
에 SBData0x00을 라이트 워드했을 때의 파형을 그림 8
에 나타낸다.
또 스마트 배터리 커맨드 0x00의 ManiufactureAcess
( )에서 SBData 0x00을 리드 워드로 했을 때의 파형을
그림 9에 나타낸다.
● SM 버스 프로그래밍의 주의점
I2C 버스를 가지는 원칩 마이크로컴퓨터 등을 사용하여
스마트 배터리나 스마트 배터리 차저 및 SM 버스 호스트
와 같은 마스터 디바이스를 프로그래밍하는 경우, 리드 워
드 및 블록 리드 프로토콜에 존재하는 리피트 스타트에 주
의할 필요가 있다. SM 버스 사양상 허가되는 설계로써 일
부 스마트 배터리에는 마스터 디바이스에 애크놀리지 신
호를 전송한 후에, 버스를 L 레벨에 홀드하여 마스터 디바
이스에 웨이트를 요구하는 설계로 되어 있는 것이 있다.
때문에 마스터 디바이스는 버스가 홀드되어 있지 않다는
것을 확인한 4.7㎲ 뒤에 리피트 스타트를 송신할 필요가
있다.
특 또 마스터 디바이스는 버스가 홀드되어 있지 않다는 것
집 있다. 그 구성을 그림 12에 나타낸다. 이것은 전지의 물리
을 확인했다면 리피트 스타트를 50㎲ 이내로 송신할 필요
1 가 있다. 그 이상 지연되면 SM 버스상에 있는 다른 마스
신호를 발생시켜 버스의 점유권을 상실할 수가 있다.
● SM 버스의 과전압 보호회로
클록과 데이터의 단자에는 다음과 같은 보호회로가 사
용되고 있다. 일반적인 과전압 보호회로로서 다이오드를
역바이어스로 2개를 직렬로 접속한 그림 10과 같은 다이
오드 클램프 회로가 있다. 그러나 이는 아래와 같은 이유
로 사용해서는 안된다.
그림 11(a)와 같이 방전중에 전지 팩의 음극이 벗어나
게 되면 클록 신호선과 데이터 신호선을 통하여 잔량 측정
회로에 과전압이 인가되어 잔량 측정회로가 파괴된다.
또, 그림 11(b)와 같이 충전중에 전지 팩의 음극이 벗어
나게 되면 마찬가지로 클록 신호선과 데이터 신호선을 통
하여 애플리케이션 시스템에 과전압이 인가되어 파괴된다.
2차전지의 잔량 예측방법
잔량 측정방법에는 크게 나누어 전지전압에서 잔량을
예측하는 방법과 전류 적분기에서 잔량을 예측하는 방법
2가지가 있다. 각 잔량 예측수법에 관해서 단순동작 모델
을 사용하여 해설한다.
■ 전지 전압방식과 전류 적분방식
● 전지 전압방식 잔량 예측법
현재는 일반적으로 전압, 전류, 온도의 측정 데이터와
그 3차원 테이블에서 잔량을 예측하는 방법이 사용되고
적인 변화에 잘 적응하여 트러블이 적은 방법이지만, 전지

전
지
를
활
용
하
는
시
스
템
과 그림 8. 스마트 배터리 커맨드 0x00의 Manufacture 그림 9. 스마트 배터리 커맨드 0x00의 Manufacture
IC Acess()에 SBData0x00을 라이트 워드했을 때의 파형 Acess()에서 SBData0x00을 리드 워드했을 때의 파형

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스전
셀이 개량되어 전지의 충방전 전압의 변화가 플랫으로 되 의하지 않고 가급적 최종 방전 전압까지 방전하도록 사용 마지
면 고분해능으로 잔량을 예측하기가 어렵게 된다. 하는 것이 바람직하다. 트의
충
● 전류 적분방식 잔량 예측법 배방
터전
전지의 충방전 전류를 적분하고 충방전 전류량에서 잔 ■ 전류 적분의 실현방식 리제
와어
량을 예측하는 방법이다. 그 구성을 그림 13에 나타낸다. ● A-D 컨버터에 의한 전류 적분 2 에
전지 팩이 최종 방전전압 또는 만충전에 도달했을 때에 전류 검출저항의 전압을 A-D 컨버터로 정기적으로 측정 차필
전수
전류량계를 전지의 물리적인 잔량과 동기시킴으로써 잔 하고 측정할 때마다 전류값을 가산에 의해 디지털 적분하여 지적
의인
량을 예측한다. 전류량을 측정하는 방법이다. A-D 컨버터에는 높은 분해능 잔
배량
때문에 전지 팩이 최종 방전전압이나 만충전 전압에도 과 부하전류 펄스보다도 빠른 샘플링 레이트가 요구된다. 터측
리정
도달하지 않는 사용방법을 이용하면, 전류 검출부의 오프 ● V-F 컨버터에 의한 전류 적분
게 IC
셋 전압에 의해 전지의 물리적인 잔량과 예측된 잔량의 동 전류 검출저항의 전압을 V-F 컨버터(전압 주파수 변환 이
지
기가 엇갈리게 되는 문제가 생긴다. 기)를 사용하여, 전류 검출저항 전압에 비례한 주파수 펄스
일반적으로 전류 적분방식의 전지 팩은 전지의 종류에 로 변환하고, V-F 컨버터가 출력하는 펄스를 카운터로 디

과전압이 가해져 잔량측정회로가 파괴된다

특
집

잔량
측정
레귤레이터 레귤레이터
1
회로 잔량측정 애플리케이션
회로 시스템

(a) 부적절한 보호회로

전지 팩의 부(-)극이 벗겨지면...

(a) 방전중이라면...
과전압이 걸려 애플리케이션
시스템이 파괴된다

충전회로

잔량
레귤레이터 레귤레이터
측정
회로
잔량측정 애플리케이션
회로 시스템

(b) 적절한 보호회로

전지 팩의 부(-)극이 벗겨지면...
그림 10. SM 버스의 클록 단자와 (b) 충전중이라면...
데이터 단자의 보호회로
그림 11. SM 버스의 과전압 보호회로에 의해 회로가 파괴된다

온도
데이터
래치 3차원
데이터
테이블
온도검출 전류
데이터
전압검출 래치

잔량
전류검출 전압 데이터
A-D 로(low)
데이터 어드레스
컨버터 버스 필터
래치

그림 12. 전지 전압방식의
잔량 예측법의 구성 하드 웨어부 소프트 웨어부
서미스터

월간 전자기술/ 2000년 7월호 37

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Transistor Special

지털 적분한다. 그 구성을 그림 14에 나타낸다. 를 사용하고 있다. 전지 팩 제조시에 OP 앰프의 오프셋 전

V-F 컨버터는 아날로그 적분회로이기 때문에 분해능이
아닌 높은 다이내믹 레인지를 얻을 수 있다. 또 샘플링 주기
가 없기 때문에 간헐적인 펄스상의 방전전류도 적분할 수 있
다. benchmarq 의 잔량측정/표시 IC는 모두 이 타입이다.
■ 오프셋 전압의 경감방법
● 오프셋 전압의 영향을 어떻게 해서 배제할 것인가
전류 적분방식에 의한 잔량 측정방법에서는 A-D 컨버
터 또는 V-F 컨버터중 어느 방법으로도 전류 검출부의 오
프셋 전압이 전류량 오차의 요인으로 되기 때문에 오프셋
전압의 영향을 어떻게 배제할 것인가라는 문제가 생긴다.
대부분의 경우에는 반도체 프로세스 기술에 의존하여
단순히 오프셋 전압이 작은 그리고 매우 고가인 OP 앰프
압을 제로로 조정하는 방법도 있다. 또 미리 OP 앰프의 오
프셋 전압을 측정해 놓고, A-D 컨버터 또는 V-F 컨버터
의 측정 결과에서 오프셋 전압분을 차감하는 방법도 있다.
● 동적 평형 완전 차동방식
benchmarq 는 오프셋 전압을 경감하는 방법으로 동적
평형 완전 차동을 채택하고 있다. 그림 15를 보기 바란다.
먼저 처음에 스위치가 a접점에 접속되어 있는 상태에서
불분명한 오프셋 전압 V os를 포함하여 전압을 측정한다.
이것을 V a로 한다. 다음에 스위치를 b접점으로 전환하여
불분명한 오프셋 전압 V os를 포함하여 전압을 측정한다.
이것을 Vb로 한다.
V a와 V b의 평균을 구하면 V os는 상쇄되어 올바른 V sns
의 값을 측정하게 된다.

온도
데이터 만충전 만충전 용량 세트
래치 검출

온도검출 전압
최종방전 잔량 클리어
데이터
전압검출 래치 전압검출

전류검출 전류 잔량
A-D
데이터 데이터
컨버터 디지털 적분
래치
(가산기)
그림 13. 전류 적분방식의
잔량 예측법의 구성 서미스터
하드 웨어부 소프트 웨어부

특
집
온도

1
만충전
데이터
만충전 용량 세트
래치
온도검출 검출

전압검출 전압
전 A-D 컨버터 데이터
최종방전 잔량 클리어
전압검출
지 래치

를 전류 데이터
V-F 컨버터(전압주파수변환)
활 아날로그 적분
용 미분

하 측정
불명확한 오프셋 전압
대상
는 DOWN
Vos를 포함하는 측정
잔량 전압결과 Va와 Vb
시 전류적분
카운터
데이터

스 UP
템 서미스터

과 하드 웨어부 소프트 웨어부

그림 15. 동적 평형 완전 차동
IC 그림 14. V-F 컨버터에 의한 전류 적분방식의 구성 방식의 동작

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 전자 39

스전
니켈수소전지용 스마트 배터리 benchmarq.com/prod/bq2040. htm1에서 입수된다. 마지
핀 배치도를 그림 17에, 핀의 기능을 표 1에 나타낸다. 트의
충
R sns는 전류 검출저항이다. 전류 검출저항은 25m～ 배방
●니켈수소전지의 등장 터전
니켈수소전지에서는 세트 전지의 토털 전압에 의해 최 100mΩ 범위가 추천되고 있고, 큰 전류 검출저항값을 사 리제
와어
종 방전전압을 검출하였다. 최종 방전전압은 1.0V/ 셀, 최 용하면 전류 적분 정도가 향상한다. 일반적으로 50mΩ의 2 에
대 충전전압은 1.6～2.0V/셀로서, 충전 레이트에 의해서 전류 검출저항이 사용되고 있다. RB1과 RB2는 전지 전압 차필
전수
달라진다. 또 만충전은 충전시의 전지전압의 저하(-ΔV ) 을 측정하기 위한 분압 저항이다. RB2는 전지 팩의 최대 충 지적
의인
나 전지온도의 상승률(ΔT/Δt)에 의해서 검출되었다. 전전압 V pack(max) , 전지전압을 감시하는 SB 단자(핀 11) 잔
배량
● 니켈수소전지를 위한 회로 예 의 A-D 컨버터의 최대 측정전압 범위 V scale(max) 와 RB1의 터측
리정
benchmarq 의 bq2040을 사용한 스마트 배터리의 애 저항값에 의해 결정된다. SB 단자의 임피던스는 최저 10
게 IC
플리케이션 회로를 그림 16에, 내장용 기판의 외관을 사 ㏁이므로 분압비의 오차에 대한 영향도를 1%로 하면 RB1 이
지
진 2에 나타낸다. bq2040의 데이터 시트는 http://www. 에는 100KΩ 정도의 저항값을 이용할 수 있다.

특
집

1
리
튬
이
온
전
지 시리얼 잔량
EEPROM 표시
LED
제너
제너
그림 16. 니켈수소전지용
스마트 배터리의
회로 예 제너
SW1을 ON으로 하면 LED 표시 ON

표 1. bq2040의 핀 기능
핀명 설명

전원(3.0～6.5V)
EEPROM 클록

그림 17. SM 버스붙이 배터리 EEPROM 데이터

게이지 bq2040 LED 세그먼트 1～4

시스템 그라운드
센스 저항 입력
디스플레이 컨트롤 입력
배터리 센스 입력
프로텍터 스테이터스 입력
SM 버스 데이터 입출력
SM 버스 클록

사진 2. bq2040에 의한 니켈수소전지 스마트 배터리에 기준 전압 출력

내장하는 기판의 표리 [사진제공 : (주)마쿠니카] EEPROM 전원출력

월간 전자기술/ 2000년 7월호 39

 전자 40
Transistor Special
여기서, 3.0V< VCC <6.5V
bq2040의 전원(핀 1)은 REF( 핀 16)의 전압을 N 채
널 MOSFET(Tr1) 에서 소스 폴로어함으로써 공급되고
있다. Tr1 의 N 채널 MOSFET 는 V GS(off) =2.0～3.0V의
특성이 요구된다. 시리얼 EEPROM 은 전지용량, 최종
방전전압, 최대 충전전압, 충전전류, 충방전 효율 및 ΔT/
Δt 검출값 등을 설정하기 위해 사용된다.
리튬이온전지용 스마트 배터리
● 충・방전제어는 문외불출의 기술 ?
이 전지는 대용량인데도, 불구하고 가볍다는 점에서 현
재 휴대용 전자기기에 주로 사용되고 있다. 그러나 리튬이
온전지의 충・방전제어는 문외불출의 기술로 되어 있는
듯 하며 해설기사도 거의 찾아 볼 수가 없다.
가장 좋은 공부방법은 보호 IC의 데이터 시트를 읽는
것일 것이다.
특 ● 충・방전제어의 노하우
집
리튬이온전지에서는 개개의 셀 전압이 문제로 되어 세
1 트 전지의 토털 전압에서는 충・방전제어를 관리할 수 없
다. 1셀의 최대 충전전압은 4.2V ～4.25V로서, 1셀의 방
전 전 금지전압은 2.4V ～3.0V이다. 세트 전지로 사용할 때
지
를 는 전체 온도범위에서 하나라도 셀 전압 최대 충전전압보
다 커지면 충전을 금지해야 한다.
활
용 전지 팩에 따라서는 보호회로가 2개 이상이 탑재되어
하 있거나 보호회로의 보호회로가 탑재되고 있다. 또한 하나
는 라도 셀 전압이 방전 금지전압보다 작으면 방전을 금지해
시 야 한다.
스
템 때문에 모든 리튬이온전지 팩에는 개개의 셀 전압을 관
과 리하는 보호회로와 충방전을 금지하기 위한 충방전제어
IC FET가 들어 있다.
40
또한 과전류나 단락에 의해 보호회로가 파괴됐을 경우
는 매우 위험한 상태로 되기 때문에 보호회로는 과전류(단
락)에서 보호하는 기능도 가지고 있다.
또 보호 IC의 데이터 시트를 입수했다 할 지라도 대부
분의 경우, IC 명칭이 숨겨져 있거나 전지 메이커의 고유
의 커스텀 사양이 추가되고 있어 실제 전지 팩에 사용되고
있는 보호 IC가 입수한 데이터 시트라고는 볼 수가 없다.
● 전지 팩의 문제점
앞에서 기술한 바와 같이 리튬이온전지 팩에서는 보호회
로가 1셀마다 충방전전압을 관리하고 있다. 셀 전압의 밸
런스가 붕괴되는 원인으로 다음과 같은 예를 들 수 있다.
・시스템에 탑재되어 있을 때의 셀 온도의 분산
・셀의 열화율의 분산
・셀에서 보호회로에 입력되는 전류의 분산
・셀 용량의 분산
・셀 임피던스의 분산
・셀의 자기 방전전류의 분산
처음 2개 항목은 이용자의 사용환경과 관계되기 때문에
사용해 보지 않으면 알 수 없다. 뒤의 4개 항목은 전지 팩
의 제조시에 결정되지만 사양 범위내에서 분산은 당연히
있을 수 있다.
셀 밸런스가 붕괴되면 전압이 가장 높은 셀 전압에서 보
호회로가 충전을 금지해 버린다. 다른 셀이 만충전 될때까
지 충전되지 않는다. 그리고 완전히 충전되지 않았던 셀은
다음 회에 방전되었을 때에 가장 빨리 방전 금지전압에 도
달한다. 전압이 가장 낮은 셀 전압에서 보호회로가 방전을
금지해 버리면 다른 셀이 완전히 방전되지 않게 된다. 그
리고 완전히 방전되지 않았던 셀은 다음 회에 충전되었을
때에도 가장 빨리 만충전에 도달한다.
이 사이클이 반복됨으로써 셀 밸런스가 붕괴되면 전지
셀 자체의 수명보다 빠르게 전지 팩의 용량이 저하된다.
보호 IC는 개개의 셀 전압에 따라 잔량 측정회로와 관계없
이 충・방전제어 FET를 OFF하므로 잔량을 정확하게 표
시할 수 없게 될 가능성이 있다.
이 문제를 해결하기 위해 다음의 예와 같이 셀의 전압을
밸런스시키는 기능이 있는 보호 IC도 사용하고 있다.
● 리튬이온전지를 위한 회로 예
회로를 그림 18에 나타낸다. RB2나 Rref 는 그림 17과
같이하여 산출한다. 이 애플리케이션 회로에 사용되고 있
 전자 41

스전
마지
트의
충
배방
터전
리제
와어
2 에
차필
전수
지적
의인
잔
배량

잔량표시 LED
시리얼 터측
EEPROM
리정
제너
게 IC
이
제너
지

SW1을 ON으로 하면
LED 표시 ON

그림 18. 리튬이온전지용 스마트 배터리의 회로 예

특
집

는 보호 IC는 셀 밸런싱 기능을 갖춘 세이코 인스트루먼트
社의 S-8233A이다.
데이터 시트는 http://www.sii.co.jp/compo/compo.
htm에서 입수할 수 있다.
Tr2, Tr3, Tr4 의 4개의 MOSFET 는 셀 전압을 밸런
싱하기 위해 모든 셀이 만충전이 되도록 최대 충전전압에
도달한 셀에서 개별적으로 방전한다. Tr5 는 전지 팩의 방
전제어 FET이고, Tr6 은 전지 팩의 충전제어 FET 이다.
bq2040의 PSTAT 단자(핀 12)와 S-8233A의 COP 단
자(핀 2)를 접속하고 있는 신호선에 의해 S-8233A가 최
대 충전전압을 검출했을 때에 bq2040의 SM 버스를 경유
하여 스마트 배터리 차저의 충전을 정지시킬 수 있다.
C4 [㎌]는 과전류 검출 1의 지연시간 tIOV1[초]를 다음
과 같은 식에 의해 설정한다.
C6 [㎌]는 과충전 검출의 지연시간 tCU [초]를 다음과 1
같은 식에 의해 설정한다.
C6=t CU /0.2
남겨진 과제
현재, benchmarq 社(현 택사스 인스트루먼트社)에
서는 리튬이온전지 팩을 위해 SM 버스에서 개개의 셀
전압을 알 수 있으므로, 개개의 셀 전압을 기초로 잔량을
예측하는 기능을 추가한 잔량측정 IC bq2060을 개발중
이다. http://www.benchmarq.com/GGIC/htm1에
서 bq2060의 잠정판의 데이터 시트를 입수할 수 있다.

C4=t IOV1 /2.13

C5 [㎌]는 과방전검출의 지연시간 tDD[초]를 다음과 같

은 식에 의해 설정한다.

C5 =t DD/0.4

월간 전자기술/ 2000년 7월호 41