GİRİŞ

Bu bölümde çok katlı sistemler başlığı altında hem kaskat (art arda bağlı) hem de bi-
leşik düzenlemeler ele alınacaktır. Kitabın amaçları açısından kaskat bağlı bir sis-
tem, katların çok iyi tanımlandığı ve katlar arasındaki bağlantıların birbirine çok
benzediği veya aynı olduğu bir sistem olarak anlaşılacaktır. Bileşik sistem ise çeşitli
ara bağlantılara sahip olan diğer aktif eleman düzenlemelerinin tamamı için ortak bir
terim olarak kullanılacaktır.
Bu bölümün ilk birkaç konusu, önceki bölümlerde geliştirilen analiz tekniğinin
kullanıldığı çok katlı sistemlerin incelenmesini kapsamaktadır. Bu bölümlerin ar-
dından, desibel (dB) ve frekansın tek ve çok katlı sistemlerin tepkisi üzerindeki et-
kilerinin ayrıntılı bir şekilde incelendiği diğer bölümler gelmektedir.

ENEL KASKAT BAĞLI SİSTEMLER

Kaskatlı sistemlerin tartışmasına başlamanın en iyi yolu, Şekil 11.1'deki gibi bir
blok şemasını ele almaktır. Söz konusu nicelikler şekilde gösterilmiştir. Her bir katın
gösterilen A, (gerilim kazancı) ve A; (akım kazancı), her bir kat Şekil 11.1'deki gibi
bağlıyken belirlenmiştir. Başka bir deyişle, her bir kata ilişkin A, ve A; değerleri, her
bir katın bağımsız (tek başına ele alındığındaki) kazancını göstermez. Bu nicelikler
belirlenirken bir katın diğerine olan yük etkisi dikkate alınır. Bütün kazanç, gerilim,
akım ve empedans seviyeleri sadece birer büyüklük olup karmaşık değerler değildir.

482
 Lr 7 #5 İy Gi
e — — sem am ER |
$ * * * *

A ii A,
ye Vi, iğ Miği ağam Va Vi |, — A n -— Vo,
z öy, ' iz
Aş ri z ü5
z İn
i Z. Li
>: X m — pe

Sekil i31 Kaskat bağlı genel bir sistem.

Sistemin toplam (gerilim ya da akım) kazancını ifade etmek yerine basit bir sa
yısal örnek üzerinde çalışmak, çözümü daha açık bir biçimde ortaya koyacaktır.
Aç, 0 ve A,, -—50 ve Vi, <1 mV ise,
Voj SAçş, X Vi, —40 (1 mV) >—-40 mV olacaktır.
Vo, Vi, olduğu için ;
Voz Aş, Vi; 5-50 (-40 mV) > 2000 mV -2V

Böylece toplam kazanç Aş. x 2000 mV/1 mV > 2000

Buradan, iki katın toplam kazancının her bir katın kazançlarının (A,, ve A,.,) ça
pımına eşit olduğu açıktır. Genel olarak n sayıda kat için

Ayp SAyAghı ** Ay, Çek

Aynı ilişki net akım kazancı için de geçerlidir :

Ap s LAŞ,AçAş, * < Aş, çı.

Şekil 111'de gösterildiği gibi her bir katın giriş ve çıkış empedansı, sistemde!
her bir katın etkisi göz önüne alınarak bulunan değerlerdir. Her bir katın değerle
cinsinden sistemin giriş ve çıkış empedansları için genel olarak uygulanan, (11.
denklemi gibi, genel bir denklem yoktur. Bununla birlikte bazı durumlarda (BJ
transistörü, FET veya Vakumlu lamba) giriş (ya da çıkış) empedansı normal olara
sistemin sadece bir bir veya iki katını göz önüne alarak kabul edilebilir bir doğrulu
derecesiyle belirlenebilir.
Şekil 11.1'deki temsili sistemin toplam gerilim kazancının büyüklüğü aşağıda!
gibi yazılabilir;
| Ayr | — | Von, — ozi
Vi, AYAN

Böylece | Avr) | A) Ze (La

li

Bölüm 11.2 Genel Kaskat Bağlı Sistemler 483

 AŞAN) MUA (1) dealerie çarı aldığı anlaşılacaktır. Bir adım
daha ileri gitmek için, akım ve gerilim kazançları rezistif yükler için düzenlenirse ;
| Avr Air || lere). Şen) İleri) Po
2

Ti Ri, li, İRK, Pi

ve ApyllAvl- lâl elde edilir. (114)

bu da tüm sistemin güç kazancıdır.

Şekil 11.1'deki gibi bir sistemin katları arasında, ele alınması gereken üç kuplaj
(bağlantı) vardır. Bunlardan ilki, üçü arasında en çok uygulanan RC-kuplajlı yük-
selteç sistemidir. Daha sonra transformatör ve doğrudan-kuplajlı yükselteç devreleri
incelenecektir.

RC KUPLAJLI YÜKSELTEÇLER

Tipik değerleri ve öngerilim tekniklerini gösteren RC-kuplajlı transistörlü bir yük-

selteç (iki katlı) Şekil 11.2'de görülmektedir. "RC kuplajlı" terimi, iki katın birbirine
bağlanmasında kuplaj kondansatörleri ve öngerilim dirençleri kullanılmasından kay-
naklanmaktadır.
Yaklaşık değer tekniğinin temel amacı minimum zaman ve çaba harcayarak basit
bir çözüm elde etmektir. Zamandan tasarruf, devreyi tekrar tekrar çizme sayısının
minimum olmasını gerektirir. Aslında, iyimser olarak, Şekil 11.2'deki devrede ancak
iyi bir orjinal çalışma sonucunda çözüm bulunabileceğimizi söylemeliyiz.

0,.03: h, 6-50
Vee # 20V hi, “Br, & 0.5 k9
eli a e -
I

Re, $ 2X9
<6 0.S4F Joz
16
C

Rg, ŞIK ln e

0112 İki katlı RC kuplajlı yükselteç.

484 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Zi

Tek katlı yükselteçlere ilişkin geçmiş deneyimlerimize ve az önce tamamlanan ana-

lizlere dayanarak, ac tepkisi için devre yeniden çizildiği taktirde 4 k£2 ve 20 k©O'luk di-
rençlerin her ikisinin de birbirine paralel görüneceği açıktır. Bunlar aynı zamanda, eme-
tör direnci Cg ile köprülendiği için yaklaşık /;. < Br. < 0,5 kO değerindeki O, giriş
empedansıyla da paraleldir.
Paralel düzenleme sonunda:
Zi, 20k91İ| 4k9ll 0.5 k00.435k0
değerini buluruz.

Zo

Bir transistörün yaklaşık kollektör emetör eşdeğer devresinin sadece /i/./,, akım
kaynağı olduğunu hatırlayalım. Bu durumda V; < O olduğu zaman /,, < 0 ve /p55 <0
ve sonuçta İp < O olur, dolayısıyla Z,, kontrollü akım kaynağının açık devre eş-
değeri ile paralel olan Aç,'dir. Yani,
Zİ yo Roş s2k9
A Are
Akım bölücü kuralını uygularsak (Şekil 11.3) ;
me
ebe

yn İle sl
, d . hre

R' 4 hic <<——

- 3.333k07;,
3.333 k0 40.55 kO
ve
Ip, E 0.87 1,

Birinci katın kollektör akımı 7. , £ ///,,'dir. Bununla beraber 7,,, 4 k&'luk direnç
ve ikinci katın yüklemesi arasında bölünecektir. (Şekil 11.3) R“ ve bir sonraki katın
yüklenmesini temsil eden 0,5 k© dirençlerin paralel eşdeğeri, 0.385 k&€'luk bir di-
renç gösterecektir. T

3.333 k07

nh, SUS kO! eni | Şekil 11.3 İğy VE İp arasındaki ilişkinin

m katın -— belirlenmesi.
vüklemesi
Bölüm 11.3 RC Kuplajlı Yükselteçler 485
 Akım-bölücü kuralını uygularsak
İp, < —Kcı (cı) z -4 kO (e)
Rc, *0.385k0 4k040.385 k0

A9 (yelpi) <4 kO (50) (0.87 75)

4.385 kO 4.385 kO

ve Ai < İı - 39.68
hi,

İkinci kat için:

ii - R"liş — 1.667 ko diz) > 0.769 ip

R" $ hie | 1.667 kl) $ 0.5 k©

ve Te > yely < 50(0.769 15) - 38.45 1;,

Çıkış devresine akım bölücü kuralını uygularsak (Şekil 11.2 ye bakın):

İş — Role si 2 kO (help) — 2 kO (38.45 lis) vii 25.63 li

RotkkRı 2k041k0 3 kO

ve Ap 12 -25.63
a

ile Air Aj,Ajp > (39.68) (25.63) & -1017.0

Av

AC koşulları altında Şekil 11.2'de açıkça görülen doğrudan bağlantı, V;nin, bi-
rinci kat transistörünün girişine doğrudan uygulandığını gösterir. Transistörün eme-
tör bacağı topraklanmış bir emitör olduğundan, ac gerilim kazancı (yaklaşık değer
kullanılarak) aşağıdaki gibi hesaplanır:

A, Beki —Rı
Mi ye

Birinci katın yük direnci olan R,; Rcş.Raz , Rpş ve hi. (& Br) < 0.3509 kO ile pa-
ralelidir. Böylece A,, gerilim yükseltmesi (— (50) (0.3509)1/0.5 kO - —35.09'a eşit
olur. İkinci kat için:

A, GORİL RL) 4502 KOİ 1 kO) 450X0.667 k9) . 4gp

0.5 kO 0.5 kO 0.5 kO
Böylece net kazanç

486 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Ayp > AyAy (-35.09) (-66.70)
Ay — 2340.50

(11.3) denklemini kullanarak

| Avril Arl.) Z& ç 40170)

0.435 kO
Zi
ke) — 2337.93

Elde edilen Ay değerleri arasındaki küçük fark, Ayr ve Ajr için yapılan ayrı ayrı
hesaplardaki ondalık kesir eldesinden kaynaklanmaktadır. Bu nedenle ilerki ko-
nularda ilk önce Ayy'nin bulunması Aj;r'den daha basittir. Bu nedenle ileride öncelikle
Ayr bulunması, daha sonra (11.3) denklemi kullanılarak A;,'nin aşağıdaki şekilde bu-
lunması zaman tasarrufu sağlayabilir:

Ayri
sl Arl Zı
|

ÖRNEK IL.I

Şekil 11.4'deki iki katlı yükselteç devresinin giriş ve çıkış empedansını, gerilim
kazancını ve akım kazancını hesaplayın. İkinci kalın bir emetör-izleyici dü-
zenlemesi olduğuna dikkat edin.

Vce -18V

J
Rcg2k1
4
; N
Ra, $82k9 4 rü Ra 3 20049
LE G Cc
—e N- rr o, C 0,

5
uh
0>E
Lİ
—
Si

k$
N
Nİ

Ayrıntılı olarak incelenecek iki katlı transistörlü devre.

f

Çözüm:

Z; ac koşulları için ilk katın R,'si Cg tarafından köprülenecek ve O'in giriş

Bölüm 11.3 RC Kuplajlı Yükselteçler 487

 empedansı £ Br, — (100) (10.74) — 1.074 k© olacaktır.
Böylece

Zi Raj İl Razll
Br. 82 k01| 20k01İ 1.074 k9 - Br, - 1.074 k9

Z,: ac koşulları için devre Şekil 11.5'teki gibi yeniden çizilebilir. Z. < (R,/B) *
rs'dir; burada R, transistörün bazına bağlı kaynak direncidir. Bu durumda R,x7
kO|İ 200k0 2k0 ve
Ze
2k9 -4.551-2044.551-24510
100
Z0-Z, Re, -24.51 140224519

Rcg2kR O Rp ye

“ 0;

#— 754) lk e
Ze Zo
ŞE Re,g 1k9
I Şekil 11.5 Şekil 11.4'deki
devre için Zg'ın bulunması,
Aç: UV

Aş --Ri -AReİİ Rp İİ BReş İZ) . 42 k911200 ko || 1001 k© | 1 koi

Tel Tej Tel

.2k91İ1200 k9İİSOk.. 240. jg693

10.74 10.74
Vo E 0 V ve VE Yö

Buradan ; Ay z(VVi Zİ.

Aç is

harika. |
172,27 (7
1 k9
"

185
MN

488 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Yukarıdaki oldukça karmaşık düzenlemelere, 9. Bölümde geliştirilen yaklaşık
denklemler kullanılarak ne kadar hızlı çözümler elde edildiğine dikkat edin. Aşa-
ğıdaki örnekte r, değerlerinin hesaplanması gerekecektir.

ÖRNEK 11.2

Şekil 11.6'daki devrede Z;.Z,.. A,.. A; ve Ap'yi bulun.

sekil 11.6

Çözüm:

rs değerlerinin hesaplanması gerekir.

Oj için:
R'S Rp, İl BRg, 4 Reş) tanımı gereği,
-22k01| 80(3k0)-22k01İ 240k02R,,
VE
Ve, Bı —< R'Vcc pim- Re Vcc . 22 k<X22)
R'4 Re, Re,sRe; 22k0482k0
| — 484 -465V
| 104
| ve Ve, Vgş -Vgp 4.65 -0.7-3.95V
Bölüm 11.3 RC Kuplajlı Yükselteçler 489
 Buradan ; VE
TE; — 395 -132mA
Re,tRe, 3k

vE
TE, 1.32
Oy için:
Vcc-(B* YgRc, — Rels — Vgg <0
22 —(101)/p 10 k9 — 109 7p—0.7-0
21.3 -201Xx1097;
ve Ig -10.67A
Buradan Tez Iç Bip (100) (10.6 A) — 1.06 mA

ve ro, -26mV
- 26 -24530
Je 1.06

Z;
Zi,
— Ray İl Razİl BRz,
82 kO1İ| 22k91İ1 80 kO 14.26k9
Zo:
Z,| sg
E Ro, 10k9

Aç: VW ve Ay -Ri ARcıl|Zi)

RE, * Fej Re, # re;

Bölüm 9'dan (9.59. denklem): (o Z5 X£-İl8r.,

a
A, RL RalliZi. SK. 3038
Te Te 24.53
ve
6
Zi, A0. 100(24.53) - 4.906 KOİ 2.453 kO > 1.6353 kO
203.83 |
Böylece ;
Aç, < LT K21İ116353 0)... 1213...
1 kO $ 0.0197 kO 1.0197

Ve Ar Anı, Lİ) (203.85) 5 747306

| Airlsl Avı). | Zir | 22.561426 KO) 345 gg

Ap: Zı 10 k©

LApl <İA;l “lAy,l & (345.89) (242.56) - 83.9 x 109

490 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 ÖRNEK 11.3 FET RC- Kuplajlı Yükselteç

RC-kuplajı, Şekil 11.7'deki iki katlı FET'li yükselteçte de gösterildiği gibi, sadece
BJT transistör katları ile sınırlı değildir. Toplam gerilim kazancını bulun.

20V
İl &£m > 2mA
Vv
Pİ p Td — 100k
Rp, &30k1 Rp, g2 12k2
2ıŞ 2Ş O.SUF
1 ;
C;

| Rı ğ5k92V
| IM
| Rs. 3
24709Cs 2 1004F

Şekil 11.7 İki katlı FET'li yükselteç.

Çözüm:

FET küçük-sinyal eşdeğer devresini yerine koyarak Şekil 11.8'deki düzenleme

elde edilir.

100 kA3OKNNiMaS23k17 I2kS1115

kO 3.53 k$

Şekil 1L8 Şekil 11.7'deki devrenin, ac küçük-sinyal eşdeğer devresi yerine konduktan sonraki hali koyarak elde edilen biçimi.

Paralel elemanları birleştirerek ve toplam gelir kazancına etkisi olmayan ele-

manları çıkartarak Şekil 11.9'daki devreyi elde ederiz.

Bölüm 11.3 RG Kuplajlı Yükselteçler Şi 491

 Sekil 11.9 Şekil 11.8'deki devrenin, paralel elemanların birleştirilmesiyle elde edilen yeni biçiii.

Vaz — V;

olduğu açıktır.
ve Va, A2 Xx 10 Ve,,) (23 k£2)
Böylece Ve 2 46 Ve;

Eksi işareti, 23 k() direnci üzerinde akım kaynağından dolayı düşen gerilimin pa-
laritesinin V,,, için tanımlanan polaritelere ters olduğunu göstermektedir.
Sonuç olarak

V,5-42Xx103V,,,) (3.53 kO) -—7.06V,,

Böylece || V,--7.06V,,,--7.06(-46V,,)-324.8V,,, 324.8 V;
ve A,sVe-324.8

olur.

11.4 TRANSFORMATÖR KUPLAJLI TRANSİSTÖRLÜ

YÜKSELTEÇLER
İki katlı transformatör kuplajlı transistörlü bir yükselteç Şekil 11.10'da gö-
rülsemektedir. Katlar arasında düşürücü transformatör kullanılırken V; kaynağına
yükseltici bir transformatör bağlandığına dikkat edin. Yükseltici transformatör sinyal
seviyesini yükseltirken, indirici transformatör, her bir katın yüklemesini bir önceki
katın çıkış empedansına mümkün olduğu kadar yakın bir şekilde uydurur. Bu, mak-
simum güç transferi koşuluna olabildiğince yaklaşmak için yapılır. Transformatör kup-
lajıyla yapılan bu uydurma tekniğinin etkisi aşağıdaki analizde açıkça gösterilecektir.

492 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 ye 8-50
hi, “Br, 2k
hye > 20HAJV

(yükseltici)
EÇ

3 51
ld :
K
ia >
w5:l
(indirici) | S0yE (yükseltici)
imi li 1k

Sekil (1.10 İki katlı transformatör kuplajlı transistörlü yükselteç.

Bir katın dc seviyelerinin diğer bir katın öngerilim koşullarını etkilemesini önlemek
için araya, bir kuplaj kondansatörünün koyulduğunu hatırlayın. Transformatör. bu
de izolasyonu çok iyi bir şekilde gerçekleştirir.
Bu devrenin temel çalışması, transformatör kuplajlı sistemin, kollektör devresinin
düşük de direncinden dolayı RC-kuplajlı devreden daha verimlidir. Bir trans-
formatörün primer sargı direnci RC-kuplajlı sistemin büyük kolektör direnci £, ile
karşılaştırıldığında nadiren bir kaç ohmdan büyüktür. Bu düşük de direnci çalışma
koşullarında daha az dc güç kaybına neden olur. Dolayısıyla çıkıştaki ac gücünün
girişteki de gücüne oranı olan verimlilik bir ölçüde artacaktır.
Bununla birlikte transformatör kuplajlı sistemin bazı dezavantajları vardır. En
büyük dezavantajı, RC kuplajlı sistemlere kıyasla, (transformatörler nedeniyle) sis-
temin boyutlarının büyümesidir. İkincisi ise yeni tanıtılan reaktif elemanlardan do-
layı (bobinlerin endüktansı, sarımlar arasındaki kapasitans) zayıf frekans tepkisidir.
Sık sık önemli olan üçüncü bir faktör de transformatör kuplajlı sistemin (RC kup-
lajlıya göre) artan maliyetidir.
Sistemin ac tepkisini incelemeye başlamadan önce, transformatöre ilişkin temel
denklemlerin gözden geçirilmesi gerekir. Şekil 11.11'de görülen düzenleme için:
Sarım sayıları

Şekil IL.İT Temel trans-

formatör düzenlemesi.

Bölüm 11.4 Transformatör Kuplajlı Transistörlü Yükselteçler 493

 VE Nİ (dönüşüm oranı)
W N> (11.5)

(116)

ve Z;ı-az, (11.7)

ya da kelimelerle ifade edilecek olursak bir transformatörün giriş empedansı, yük

empedansı ile sarım oranının karesinin çarpımına eşittir.
AC tepkisinde Şekil 11.10'daki devre şekil 11.12'deki gibi olacaktır. Maksimum
güç transferi için Z; ve Z4 empedansları'nın, her bir transistörün çıkış empedansı :
Z, e Wh,, < 1/20pS 50 k©'a eşit olması gerekir. Bu sistemde 1/4, 'nin etkisi
gözönüne alınmalıdır. Bu nedenle çözümde karma parametreler kullanılacaktır.
Z;ı za” Z, uygularsak, Za a” Rı — (5)2k0 - 50k©, Z>de, herbir kalın giriş

Sekil 11.12 Küçük-sinyal ac tepkisini belirlemek için Şekil 11.10'daki kaskat transformatör kuplajlı yükselteç
e in yeniden çiz lmiş hali.

direnci (Z, ve 23), /;, - 2 k© olduğundan 50'k€) dur. Frekansla ilişkili faktörler Z;
ya da Z,'ün her zaman 1I/h,,ye eşit olmasına izin vermeyebilir. Bu tip durumlarda 7;
ve Z, genellikle 1/h,.'ye mümkün olduğu kadar yakın seçilir.
Şekil 11.2'deki devrenin ayrıntılı analizi aşağıdaki değerleri verir ;

ve

Ay, V2. Arzı hel slhoe İİZ2) . —50(S0k©1150k9). g5

Vı hic hiz 7 kO

böylece ; V, 625 V, -—625 (4 V) -—2500 V,

494 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Ancak, V>N2W,)>1 WI (2500 V) --500 V;
Nı 5 5

ve Ay, sf - —heZ, 450) (25 k€3) — 625

V; hi 2 kO

Böylece V45—625 V, —625 (-500 Vi)

-312.50Xx 10 V;
Vr. 1 V4-1(312.50x 109 V)
ve 5 5
Ay vi - 62.50Xx 10”

11.5 DOĞRUDAN KUPLAJLI TRANSİSTÖRLÜ

YÜKSELTEÇLER
Katlar arasındaki kuplaja, bu ilişkin bölümde tanıtılacak üçüncü kuplaj türü, doğ-
rudan kuplajdır. Şekil 11.13'de görülen devre iki katı doğrudan kuplajlı transistörlü
bir sisteme örnek teşkil eder. Bu tip kuplaj, çok düşük frekanslı uygulamalar için ge-
reklidir. Bu tür bir düzenleme için, bir katın de seviyelerinin diğer bir katınde se-
viyeleriyle ilişkili olacağı açıktır. Bu nedenle öngerilim düzenlemesi, her bir kat için
bağımsız olarak değil, tüm devre için yapılmalıdır. 12 V'luk üç ayrı kâynak kul-
lanılmasına rağmen, her bir kaynak için yüksek (pozitif) potansiyelli üç ucun eği
yapılması halinde sadece birisi gerekli olacaktır.

14:18, 40 03 :B,
- 100
r,, 713479 1,7529

Şekil 11.13 Doğrudan-kuplajlı transistör

Katları.

Doğrudan-kuplajlı devrelerde karşımıza çıkan en büyük problemlerden birisi ka-

rarlılıktır. Bir katın de seviseyindeki herhangi bir değişim diğer katlarda yükseltilerek ak-
tarılır. Emetör direncinin eklenmesi, her bir katta kararlılık elemanı olarak işler gö-
recektir.

Bölüm 11.5 Doğrudan Kuplajlı Transistörlü Yükselteçler 495

 (DC) Öngerilim Koşulları

Şekil 11.13 te gösterildiği gibi Ve, < 8 V'luk bir çıkış gerilimi için:

0:
0.8 kO

Bu nedenle ; | » İcasle,s5mA
ve Ve, z(5mA)(L.I kO) 5.5
için Vege, 0.7 V
Vps Ve, 25.55 40.7-6.2V

Ic & Bip, yi kullanarak

sonucunu buluruz. e

Or:
Ig 12-02
58 -193mA
3k0 3k

Yer © i İka >> İp; olduğundan

Ic,El3x44-193mA olarak kabul edelim.

ve Tg, 2193mA

Böylece Ve, > (1.93 mA) (1.2 kO) -2.32 V

ve Va, Ve, # Ve, >2.3240.7-3.02V

olur.

Şekil 11.13'te görülen potansiyel seviyelerinin kontrolü açıkça gösterir ki, doğrudan-
kuplajlı bir yükselticin öngerilim seviyeleri arasında yakın bir bağlantı vardır.
Şimdide ac tepkisini ele alalım. İncelemede, bu bölümde daha önce tanıtılmış olan
yaklaşık değer tekniği kullanılır. Her bir emetör izleyici devrenin giriş empedansı
& BRg'dir. Bu nedenle,

2, B,Re, > 40(1.2 kO) > 48 kO

496 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 ve Zi) BR, > 100(1.1 kO) 110k9
pe - TRLi TRa İl BzRe; - 3K91İNOKN.. —3 kO
Rg RE, 1.2 kO 1.2.9
Ay, TAL RO 08 KO 207273
Re, Re 1.1 kO

ve Ay SAA < (2.5) 0.7273) > 1.818

Alla, |. İZ) < 1-818) (48 9) pg
Zı 0.8 kO

Buradan, | Apr! - A, - Al > (1.818) (109.08) 198.3

olarak bulunur.

KASKOD YÜKSELTEÇ
Yüksek frekans uygulamalarında CB düzenlemesi, üç tipdüzenleme arasında en
uygun karakteristiklere sahiptir. Bununla birlikte, çok düşük bir giriş empedansına
sahip olmak gibi bir kusuru vardır (Z; £ h;, —r.). Şekil 11.14'de görülen kaskod dü-
zenleme, CB düzenlemesinin giriş empedans seviyesini tipik bir CE devresi kul-
lanarak iyileştirmek için tasarlanmıştır, CE düzenlemesinde kazanç, yüksek frekans
uygulamalarında, giriş Miller kapasitansının etkilerini minimumda tutmaya yetecek
kadar düşüktür (10. Bölümde FET'le ilgili olarak Miller kapasitansı konusunu ha-
tırlayın).

ze 2

kd
Şekil 11.14 Kaskod düzenleme.

Bölüm 11.6 Kaskod Yükselteç 497

 Şekil 11.13'te kaskod yükseltecin pratik bir uygulaması görülmektedir. CE dev-
resindeki kolektörün, yine CB devresinin emetörüne doğrudan bağlı olduğuna dikkat
edin.
DC:
İp,
E İp, veya İc,
& İc,

veya PB,-B5-B olduğundan her bir tarafı 8,' ye bölerek

İc
Vcc -18vV B
El Ici veya İmE İp,

Cs > SuF

Ra,Ş$ 41k9

Sekil 11.15 Pratik kaskod

— düzenlemesi.

Ig, akımı, Ra, ve Bp, paralel birleşimindeki Bp, üzerinden geçecektir.

BR. — (100) (1 k©) — 100 k© ve Rg, — 4.7k0) olduğundan, etkisinin ihmal edi-
lebilmesi için, 7/2, 14.7 k©'dan çok küçük olmalıdır. Bu yaklaşım 74,'© uy-
gulandığından /,,'ye de uygulanabilir (74, & 74, olduğundan) ve

Üye Rp, (Vcc) 2 4.7 k© (18) - 84.6

Rp, * Rp, * Rp, 4.7k05.6k6046.8k0 17.
-4.95 V

ve Ie, - VEL .Vsı- VBE 495-007. 425 mA

Re Re 1 kO
Buradan ; Fe — 26mV - 26 -6170
Te; 4.25
ve Te, ETe, olduğundan
Tr, 26.120

498 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Vi, Tej

Buradan bu bağlı katın giriş empedansı Rı —r,, - O,nin iy ve

Ays Zi (Miller etkisi nedeniyle istenen düzeyde düşük)

€l

Buradan ; Ro Re 6.12

ve Ayp V02 — Ay, Ay < (<1) (294.1) — 294.1

—
11.7 DARLİNGTON BİLEŞİK DÜZENLEMESİ

Darlington devresi, iyileştirilmiş yükselteç karakteristikleri veren bir bileşik dü-

zenlemedir. Şekil 11.16'da görülen düzenleme; yüksek giriş empedansı, düşük çıkış
empedansı, yüksek akım kazancı gibi bir akım yükselteci için arzu edilen bütün iyi
özelliklere sahiptir. Ancak, çıkışın emetör bacağından alınması halinde gerilim ka-
zancının birden küçük olduğunu göreceğiz. Düzenlemedeki bir değişiklik, çıkış em-
pedansı ile gerilim kazancının iyileştirilmesi arasında bir seçim ile sonuçlanır.
Öngerilim düzenlemesinin açıklaması, akım geri beslemeli tek katlı bir emetör iz-
leyicinin açıklamasına benzer. Darlington düzenlemesinde ilk transistörün emetör

Vec > 20V

9

Pd
Rp 3 2M9
4
€, —X

9 H iğ
e
fi
- Darlington
Z devresi

pe”
Ik9KV,

Şekil 11.16 Darlington bağlantı.

akımının, ikinci transistörün baz akımı olduğuna dikkat edin. Devre, küçük-sinya ac
formunda Şekil 11.17'deki gibi gözükecektir.

Bölüm 11.7 Darlington Bileşik Düzenlemesi 499

 sekil İLE

İkinci kat için: Z;,-AhwRe ve Ap b la İyez

h Im

İyi bir yaklaşık değer için, bu denklemler birinci kata uygulanamaz. Neşemizi ka-
çıran bir olay da Z;,'nin 1/h,. değerine yakınlığıdır. Hatırlanacağı gibi, pek çok du-
rumda 1/h,. >> Z, olduğundan 1/h,. ihmal edilebiliyordu. Darlington düzenlemesi
için giriş empedansı Zi, inin 1/h,, değerine yakın olması 1/h,.'nin de göz önünde tu-
tulmasını gerektirmektedir. Bölüm 9'da tek katlı emetörü topraklanmış bir tran-
sistörlü yükselteç için 1/#,e'nin incelendiği bir durum vardı. (9.71. denkleme bakın.)

As —e
1 AgeZi

Yukarıdaki denklemi bu duruma uygularsak, Z, - Z,, pp; ve

Âz Iv» - Je, z 2 lake bedele
hh İp, 14 hoeş (ha Re)

Buradan ; Az İş
h Aç, İh
1 —4 hoeş hzRe) (11.8)

hfey S hyez S hye VE hey S ae Shoe İçin,

e A,
Lip hoehfeRE (11.9)

hoehşeRe << 0.1 için iyi bir yaklaşım (9410'luk bir yaklaşıklık içinde) ;

AE MB olacaktır. (11.10)

Şekil 11.17 de tanımlanan A; /,//; akım kazancı akım bölücü kuralı uygulanarak be-
lirlenebilir :
Iı —Reli
Rg *t Zi

Zi, E hp, Re, ilk katın emetör direnci olduğundan (Şekil 11.17'ye bakın), birinci
katın giriş empedansı Z;, £ A, (Zi; İİ 1/4420) olacaktır. Çünkü Zi, — hye, Re ve I/hye,
küçük sinyal eşdeğer devresinde birbirine paralel görünecektir. Sonuç aşağıdaki
500 . Bölüm 11. Çok Katlı Sistemler ve Frekans
gibi olacaktır:
Zi, E hfeş (sake rm Di hyehyeşRehoe)
eşRel(hocı)
hoe,) | hyeşRe * Nhoe,

7; — hieşhfez RE

heh * 1 |, | (ALIN)
v5
het, — İfez — hye ve hoej> En Moe — Moe için i

&R

1 $ hoehçeRe (11.12)

hoe he Re sO.1 için, 3:

Zi, she Re BRE i (11.13)
Aşağıdaki parametre değerleri için :
fer > rez > he 50
hey, < 1kS2, hi 05k0
hoep, 5 hoez- hoc S 20 AV
Ai öle Mw (50)
İh 14 hoeheRe 14(20Xx109) (50) (1 kO)
ve — 2500 - 1959
1 #1
5 2
Zi, —heRe 6) AKD. 125040-125M9
1 *# hoehfeRE pi 5

Böylece R, <2 MG) için,

İlme RR. e.. EM e 2 065
ii RptZ, 2M94125M9 325
pall ax
5 hh İ;
”. - (1250)0.615) - 769

Buradan ; Z;<2M91İ Z;,

2 M91İ 1.25 M0769k9
Sık sık, Darlington devresinin akım kazancı, 1/h,, dikkate alınmaksızın, sadece
A7 sh” olarak düşünülür. Bu durumda A? h7, > 2500 olacaktır. Kuşkusuz 2500'e
karşılık 1250 kesinlikle iyi bir yaklaşım değildir. Bu nedenle 1/4,.'nin etkisi ilk
katın akım kazancı belirlenirken göz önüne alınmalıdır.
Çıkış empedansı Z,, doğrudan doğruya emetör eşdeğer devresinden aşağıdaki

Bölüm 11.7 Darlington Bileşik Düzenlemesi 501

 gibi bulunabilir. İlk kat için:
Tai Mer, (11.14)

ve Zi
- (Zoyİl hee) $ hic (11.15)
Mfez

- (2001150k0)40.55k0 20940.5k0 5209

ü 50 ie 50 50
10400

Girişteki tartışmada da belirtildiği gibi, giriş empedansının yüksek, çıkış li

pedansının çok düşük ve akım kazancının ise yüksek olduğuna dikkat edin. Şimdi de
sistemin gerilim kazancını inceleyeceğiz. Kirchoff gerilim yasasını Şekil 11.16'daki
devreye uygularsak:
Wg 5 V;— Vbez — Vbez
Çıkış potansiyelinin, giriş gerilimi eksi her bir transistörün baz emitör potansiyeli
kadar olması, V, < V; olduğunu açıkça gösterir. Bu da büyüklük olarak sıfırdan çok
bire yakındır. Yaklaşık değer temelinde emetör eşdeğer devresinden elde edildiği
gibi, şu formülle ifade edilir :

aye. İr, .
1* hie(heo RE (1 |: 16)

Bu genel örneğin sayısal değerlerini yerine koyarsak:

A,s 1 z I — 0.99
140.55 kO/SOkO© 140.01
10 A'lik bir RCA npn Darlington güç transistörünün karakteristikleri ve nominal
değerleri Şekil 11.18'de verilmiştir. 11.19-24. numaralar arası şekillerde bazı ka-
rakteristikler görülmektedir. Verilen bilgiler devrenin tamamı içindir; B değerleri tek
tek verilmemiştir.! Karakteristiklerde, iki transistöre ilişkin düşüşü içermesi ne-
deniyle Vgg'nin artmış olduğuna dikkat edin. Ayrıca hşe'nin IkHiz de 3000, 2 MHz
de ise yalnızca 20 olduğuna dikkat edin. Frekansın, transistör performansı üzerinde
belirgin bir etkiye sahip olacağı açıktır. Şekil 11.19'da kolektör akımının amper cin-
sinden verildiğine ve darbeli çalışmanın akımın yükselmesini sağladığına dikkat
edin (darbe ne kadar uzunsa izin verilen akım da o kadar düşüktür).

İ Yani, Ay.e —/eCP'b; , böylece transistör birleşimi tek bir el g ibi düşünül!

502 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 UXSA Güç Transistörleri
Katı Hal
Bölümü
2N6383 2N6834 2N6385

10 Amper N-P-N -Darlington

Güç Transistörleri
40 - 60 - 80 Volt , 100 Watt UÇ BAĞLANTILARI
5 Amperde 1000 değerinde kazanç
1. bacak - Baz
2.bacak - Emelör
Kılıf - Kollektör
Gövde -Kollektör

Özellikleri: Uygulamaları:
M Ön sürücü olmadan C'den çalışabilme M Güç anahtarlama (Ses yükselt
JEDEC TO-3 M Yüksek sıcaklıkta düşük kaçak akım M Çekiç sürücüleri
özelliği M Seri ve paralel regülatörler
M Yüksek ters yönde ikinci-kırılma yeteneği
#

2N6383, 2N6384 ve 2N6385* düşük ve orta frekanslı güç uygu- Çe

lamaları için dizayn edilmiş tek n-p-n silisyum Darlington tran-
sistörlerdir. Bu elemanların çift epitaksiyel yapısı, iyi bir ileri ve Oy ime ERE eri in
ters yönlü kırılma yeteneği sağlar. Yüksek kazançları, doğru-dan
entegre devrelerden sürülmelerini sağlar. a l

* Daha önceki adları RCA Dev.Nos.TAS349,TAB486 ve TAB348 | |

AMA, AAA —İ |

3208- 10691 Ör

Şekil 1 » Han tipler içte şerik, divagrenni,

MAKSİMUM ANMA DEĞERLERİ, Mutlak Maksimum Değ

2N6385 2N6384 2N6383
* KOLLEKTÖR-BAZ GERİLİMİ VGBO 80 60 40 N
KOLLEKTÖR-EMETÖR GERİLİMİ
Harici baz-emetör direnci (gg) 10043 ile, sürekli
Baz açık devre,sürekli VCERİSür) 80 60 40
“Baz ters yönde Vpe - -1.5V'la öngerilimlenmiş, RBB — 100 €3 VWceolsür) 80 60 40
* EMETÖR-BAZ GERİLİMİ 80 60 40
" KOLLEKTÖR AKIMI VCEX
Sürekli VEBO 5 5 5
Tepe Iç
* SÜREKLİ BAZ AKIMI
* TRANSİSTÖR GÜÇ HARCAMASI A
25”C'ye kadar tüm kılıf sıcalıklarında 15 15 15 pi
25"C'nin üzerinde tüm kılıf sıcaklıklarında
* SICAKLIK ARALIĞI IB 025 025 0.25 w
Saklama ve çalişma (Jonksiyon) Pr
* BACAK SICAKLIĞI (Lehimleme sırasında) 100 100 100
Oturma düzleminden 1/32 inç (0.8 mm) veya daha uzak —— Biz. Şek, 2.20 —»
mesafede 10 5. süreyle
—— -65 ilâ 4200——>
“ JEDEC kayıtlı veri formatı JS-6 RDF-2'ye uygun olarak
a 20 ———> »

Şekil 11.18 RCA NPN Darlington gü: iç Iransistörleri (RCA Solid State Division'un izniyle)

Bölüm 11.7 “Darlington Bileşik Düzenlemesi 503

 TE
4

2 Darbeli çalışma *

| TeTT
öm dereli? —
| Ic (maks.) sürekli | NIN NN V
10 ri z a " j
8 ih. il
: EMA NN k N "
Kollektör akımı (/ç)-A

İLAN
4 N Xİ | Hs
NALA
VW YÇ
3. —* Tek N | M
| © tekrarlanmayan NA 5048
darbe için Nİ N
1 Isp, - Sınırlanmış aya
8 A ms
6 A
4 N TE

Ven mak)
A ED GG
40 V (N6383)
DM GL KY e
Süme
2 Vceo (maks.) - 60 V (2N6384) -| ,
Lİ li İlle
Vcao (maks.) - 80 V (2N6385) |
oi lr GiO 2 A TAŞ İZ
1 Z 4 6 810 2 4 6 8100 2 4 6 8
Kollektör-emetör gerilimi (Yo )—V -

Bütün tipler için maksimum çalışma alani,

Not: Sabit gerilimde orantılı akım

yalnızca
güç harcamasının
sınırlandırılmış bölgesine ve
maksimum çalışma alanının /,,, ile
sınırlı bölgesine uygulanır. /ç maks.
için belirlenmiş değeri oranlamayın.

a
m7 Z
“#5
m

0 25 50 715 100 125 150 175 200

Kılıf sıcaklığı (7Tç)-*C
Tüm tipler için güç düşürme eğrisi.

504 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 ie,
Tipik de ileri akım transfer! >

ze
oranı (İpe)

ET N
mid Y
1 2 4681 2 4 6810 2? 46
Kollektör
akımı (İçi-A

Şekil (1.21 Tüm tipler için tipik de beta

karakteristikleri.
A©
GÜN
Küçük-sinyal akımı kazancı (4)
ö—..

İ
> ONA w NA

OL 2 4 6801 2 4681 2? 46810

©

Frekans
(/) - MHz

Şekil 11.22. Tüm tipler için tipik küçük-

sinyal kazanç eğrisi,

Şekil 11.20'de oda sıcaklığı ile başlayarak, nominal güç değerinde görülen düşüş
dikkatimizi çeker; Şekil 11.21 de ise de 8 değerinin kolektör akımına karşı çok has-
sas olduğunu görürüz. Frekansın âc kazancı üzerindeki etkisi, Şekil 11.12'de daha
dikkatli tanımlanmıştır. 0.1 MHz ya da 100 kHz'de belirgin bir düşüşle başlar. Şekil
11.23'te iki transistör nedeniyle Vr'nin (kesim gerilimi) ve 11.24 te mA cinsinden
verilen baz akımın seviyesindeki artışa dikkat edin. .

Bölüm 11.7 Darlington Bileşik Düzenlemesi 505

 Bu durumda, karma parametreler ve admitans parame
treleri verimiştir. Metinde su-
nulmayan admitans parametreleri, sadece,
transistör için başka bir eşdeğer devrenin
parametrelerini temsil eder. Transistör çifti için
giriş empedansının yüksekliğine ve
eşdeğer 1/h,, — 9.3 kO değerinin düşüklüğüne dikkat
edin. dB cinsinden kazanç,
aşağıdaki kısımda türetilecek olan denklemler
le tanımlanacaktır. i

Kollektör-emetör gerilimi (Vçg)-5V

(14

2.5 Kılıf sıcaklı,

| (T0-25C
o 1 2 3 Li
di v
Baz-cmetör gerilimi (Vgg)-
Şekil 11.23 Tüm tipler için tipik giriş
sinyal karakteristikleri,

20 | | Bej
. 18 Kılıf sıcaklığı (7,- 259C
) “j
r 16 ———
3 14 “Baz akımı (/g)-20'0A mf
E 12 > 10mA
ğ 8
—“d4mA
6
z ImA— 2mA
0.8
M 4
N 0.6
0.5
0 2 pi 6 8 10 12 14 Şekil 11.24 Tüm tipler için tipik çıkış
Kollektö ö ilimi (Vçg)- V sinyal Karakteristikleri.

11.8 DESİBEL

Desibel (dB) kavramı ve ilgili hesaplamal

ar, bu bölümün geri kalan kısımlarında
artan bir öneme sahip olacaktır. Desibel
terminin temeli köken olarak, eski bir ger-
çekten, ses ve güç seviyeleri U arasında logaritmik bir ilişki olması gerçeğinden
506
Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans
gelmektedir. Yani güç seviyesindeki, örneğin 4 W'tan 16 W'a olan bir artış, ses se-
viyesinin de 16/4 — 4 kat arması anlamına gelmez. (4) - 16 eşitliğinden de an-
laşılacağı gibi dB, 4'ün kuvveti kadar, yani 2 kat artacaktır. 4 W'tan 64 W'a yük-
selmesi durumunda ses seviyesi, (4) — 64 olduğundan 3 kat artacaktır. Logaritmik
ilişki aşağıdaki gibi yazılabilir:
log, 64-3

Kelimelerle ifade edilecek olursak denklem, 64'ün 4 tabanındaki lolgaritmasının 3

olduğunu söyler. Genelde: log, a — x, ifadesindeki değişkenler arasında, b“ — a'ya
benzer bir ilişki kurar.
Standartlaştırmaya yönelik çalışmaların getirdiği zorunluluk nedeniyle bel (B), P,
ve P, güç seviyeleri arasında ilişki kurmak için aşağıdaki denklemle tanımlanmıştır:

Ğz logıo 22 bel
Pı (11:17)

Ortak yada 10 tabanlı sistemin, değişkenliği ortadan kaldırmak için seçildiğine

dikkat edin. Tabanın artık orijinal güç seviyesi olmamasına rağmen denklem, güç
seviyelerindeki değişiklikler nedeniyle ses seviyelerinde ortaya çıkan değişmeleri
karşılaştırmak için bir temel oluşturur. Bel terimi Alexander Graham Bell'in so-
yadından gelmektedir.
Ne var ki bel biriminin pratik açıdan çok büyük bir birim olduğu anlaşıldığı için,
bel'in 10'da biri olan desibel (dB) tanımlanmıştır. Bu nedenle ;

Gy 10 logo 2 (11.18)

Elektronik iletişim cihazlarının (yükselteçler mikrofonlar, vs.) nominal uç de-

gerleri, ortak dB cinsinden oranlanır. Ancak (11.18). denklem, desibel oranının, iki
güç seviyesi arasındaki büyüklük farkının bir ölçüsü olduğunu olduğunu açıkça gös-
terir. Belli bir uç (çıkış) gücü (P,) için bir referans güç seviyesi (P,) olması ge-
reklidir. Referans seviyesi, bazen eski 6 mW standardının kullanılmasına rağmen,
genellikle | mW olarak kabul edilir. | mW'lık güç seviyesiyle ilgili direnç, ses ile-
şitişim hatlarının karakteristik empedansı nedeniyle 600 © olarak seçilmiştir. Re-
ferans seviyesi olarak I mW uygulandığı zaman desbel sembolü çoğunlukla dBm
olarak kullanılır. Denklem formunda şöyle ifade edilir:

Göbm > 10 logo —> öğ (11.19)

I mW | won

Sık sık uygulanan ikinci bir desibel denklemi daha vardır. Bunu anlatmanın en iyi

Bölüm 11.8 Desibel 507

yolu Şekil 11.25'deki devreyi göz önüne almaktır. V;, V, gibi bir değere eşit ise, P, —
VR; olur; burada £,, Şek. 11.2Sa'daki sistemin giriş direncidir. V;nin,V, gibi bir
değere yükseltilmesi veya düşürülmesi halinde P., — VER; olur. Güç seviyeleri ara-
sındaki farkı desibel cinsinden bulabilmek için (11.18) denkleminde değerleri yerine
koyacak olursak :
2
Gap — 10 logo 22 10 log,ıo—<—
V3/Ri — 10log (2)
Pı VUR;

V;

(a) (b)

Şekil 11.25 (11.18). denklemin incelenmesinde kullanılan düzenlemeler,

Ga — 20 logıo V3
V— dB
ve ? (11.20)

Bununla birlikte bu denklemin sadece uygulanan her bir gerilim için ilgili direncin
aynı olması halinde doğru olduğunu unutmayın. Giriş ve çıkış seviyeleri kar-
şılaştırılan Şekil 11.25b'deki sistem için Z; # Z; olacak ve (11.20). denklem doğru
sonuç vermeyecektir. Bu nedenle (11.18). denklemin kullanılması gerekecektir.
(11.18). denklemde, P, — v2. cos 0), vb. olacak şekilde Z; Z; cos dı ve Zız 7,
cos A, değerleri yerine konursa, aşağıdaki genel denklem elde edilir:

Gap
< 20 logo VE * 10 log Zi 4 10 1og <9S& (1121)
Vi Zı cos O,
En çok karşılaşılan rezistif elemanlar için c0s6; - cos8, 'dir ve son terim log;g (1) — 0 olur.
Buna ek olarak 7; — Z, ise ikinci terim de atılacak, bu da (11.20). denklemi verecektir.
Sık sık, empedansların farklı olmasının (Z; # Z,) etkisi ihmal edilir ve (11.20)
denklem sadece gerilim veya akım seviyeleri arasında karşılaştırma temeli oluş-
turmak için kullanılır. Bu tip durumlar için desibel kazancının, güç seviyelerine uy-
gulanan yaygın desibel: kullanımından ayırmak için, desibel cinsinden gerilim ve
akım kazancı olarak ifade edilmesi daha doğru olacaktır.
Logaritmik ilişkinin avantajlarından birisi, kaskat bağlı sistemlere uygulan-
masıdır. Örneğin kaskat bağlı bir sistemin toplam gerilim kazancı aşağıdaki şekilde
verilir;

508 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

 Ayr SAYAyAyı Aş,
uygun logaritmik bağıntıyı uygularsak:

#20l0gyAv*...4 20 log, Av, (dB) (11.22)

Başka bir deyişle denklem, kaskat bağlı bir sistemin desibel cinsinden kazancının,
her bir katın desibel kazancının toplamı olduğunu söylemektedir. Yani,

İ G,-G,,*Gyy*Gyt...*G,, (dB) (11.23)

|

Yukarıdaki denklemler akım hesaplarında da kullanılabilir. P, 75 R, ve P, > If

R, için,

Gap
-< 20 logıo h
hb dB (11.24)

ve | GisGG Giza. (11.25)

Örneklere geçmeden önce logaritmik fonksiyonlarla ilgili temel işlemleri ele ala-
cağız. Birçoğunuz için bu sadece bir özet olacaktır. Bazılarınız içinse aşağıdaki bil-
gileri tam olarak anlamak için biraz zaman gerekebilecektir.
Bu kısımda verilen her bir denklemde ortak veya 10 tabanlı logaritmik sistem kul-
lanılacaktır. Giriş tartışmasında da belirtildiği gibi, Seçilen tabanın kuvvetleri olan
sayıların logaritmaları kolayca belirlenir. Örneğin
a
e AŞ

<8 10,000 —x

b
ve b'—a
ya da (10) 10000
xs 4 sonucunu verecektir.
aynı şekilde,
logjg 1000 — log;g (10) <3
logıg 100 — log; (107 -2
logıg 10 -1ogjp (10)! 1
logıo 1 log, (10)9 <0

24.8 gibi bir sayının logaritması

logıg 24.8 —x

Bölüm 11.8 Desibel 509

veya 10* 24.8
Bilinmeyen x değerinin 1 ile 2 arasında olduğu açıktır; ancak logaritmik fonk-
siyon olmaması halinde değerin bulunabilmesi tam anlamıyla bir deneme yanılma
süreci olacaktır. Bir sayının logaritmasını bulma işlemi, ayrı ayrı belirlenecek iki
eleman gerektirir. Bu iki elemana karakteristik ve manlis denilmektedir. Ka-
rakteristik, logaritması bulunucak sayı ile ilgili 10'un kuvvetidir.

24.82.48 Xx 10' > 1 — karakteristik

4860.0 — 4.860 x 10” > 3 — karakteristik

Mantis yada logaritmanın ondalık kısmının, bir tablodan veya bir hesap ma-
kinesiyle belirlenmesi gerekir.

102p 4860-0 - 3.6866

Kuşkusuz, hesap makinelerinin çoğu karakteristiği ve mantisi doğrudan doğruya ver-
mektedir.
Bir sayının ters logaritmasının belirlenmesini gerektiren pek çok durum olacaktır.
Yani, yukarıda örnekte 24.8 ve 4860'ı bu sayıların logaritmalarından bulun. İşlem,
logaritmayı belirlemek için yapılanın tersidir. Örneğin 2.140'ın ters logaritmasını bu-
lalım:

karakteristik > 107

2140 1.38x 107 - 138
mantis > 138

Hesap makinesinde

log, x 2.140

değerinin
102-140 -ç

eşdeğer olduğunu unutmayın; 10”, standart hesap makinesi fonsiyonudur.

Birden küçük oranların logaritması, oranın tersini alıp önüne bir eksi konarak he-
saplanabilir.
logio 8 — ogıg Zİ — ogio 15 < —1.1761
24 1.6
logıo 0.788 — —logıo | - —ogio 1.269 x -0.1035
0.788
510 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans
 Güç oranları için, negatif bir desibel oranı, başlangıç veya giriş gücüne göre güç
seviyesindeki azalmayı gösterir.

ÖRNEK 11.4

100 dB'e karşılık gelen kazancının genlik değerini bulun.

Çözüm:
(1.18). denklemnden ;

Gas > 10 logıo

22 — 100 dB > logio 22 > 10
Pı Pı

Böylece, Ey. 10,000,000,000

Pı
Bu örnek, pratik cihazlardan beklenebilecek desibel değerleri aralığını açıkça
göstermektedir. İleride yapılacak hesaplarda elde edilecek 100 civarında bir dB
değeri kesinlikle gözden geçirilmelidir. Gerçekte 50 dB'lik bir kazanç,
100,000'lik bir kazanç büyüklüğüne karşılık gelir ki bu da çok büyük bir değerdir.

ÖRNEK 11.5

Bir cihazda giriş gücü, 100 V'da 10.000 W'tur. Çıkış gücü ise, çıkış empedansı 20
© iken 500 W'tir.
(a) dB cinsinden güç kazancını bulun.
(b) dB cinsinden gerilim kazancını bulun.
(c) (a) ve (b) şıkkındaki sonuçların neden uyuştuğunu veya uyuşmadığını açık-
layın.

Çözüm:
3
(a) Gap - 10 logioPı22 > 10 log, 29X19.
10 x 10”
— 10logıo İ- -10 logıo 20
20
--10(1.301)-—13.01 dB

(b) G, -720 logo Vo. -720 logıo YPR. - 20 logıo VS500X20.

V i 1000 1000

— 20 logio
90 — 20 logio L- - -2010gi6 10 —20d
1000 10

5 10

Bölüm 11.8 Desibel 511

ÖRNEK 11.6

40 W çıkışlı bir yükselteç 10 ©'luk bir hoparlöre bağlanmıştır.

(a) Güç kazancı 25 dB ise tam güç sağlamak için gereken giriş gücünü bulun.
(b) Yükseltecin gerilim kazancı 40 dB ise nominal çıkış için giriş gerilimini he-
saplayın. |

Çözüm:

(a) (11.18) denkleminden

25-1010g40;j- 40 . 40
P; ters log (2.5) 3.16 x 10”
- im 126.55 mW
(b)
Gy - 20 ogi Ve > 40 20 logio Ve
i i

Vo.— ters log2-100

Vi
Vu -—YPR—-YV40x10-20V

100 100

Bir grafik üzerinde logaritmik ölçeklerin kullanılması, belli bir değişkenin değişim
aralığını belirgin ölçüde genişletebilir. Bu etki aşağıdaki kısımda daha iyi an-
laşılacaktır. Grafiklerin veya milimetrik çizimlerin çoğunluğu, yarı-logaritmik veya
çift logaritmik: (log-log) türündendir. Yarı terimi, iki ölçekten sadece birinin lo-
garitmik olduğunu gösterirken, çift-log, her iki ölçeğin de logaritmik olduğunu gös-
terir. Yarı logaritmik bir ölçek Şekil 11.26'da görülmektedir. Düşey ölçeğin, eşit ara-
lıklı doğrusal bir ölçek olduğuna dikkat edin. Logaritmik grafiğin çizgileri arasındaki
boşluğun kaynağı, grafikte gösterilmiştir. 2'nin 10 tabanına göre logaritması yaklaşık
olarak 0.3'tür. Bu nedenle 1(log,, 1 — 0)'dan 2'ye olan mesafe, aralığın 4630'u kadardır.
log;g 5 & 0.7 olduğundan, mesafenin 9670'indeki bir nokta olarak işaretlenir. Soldan
sağa giderken, herhangi iki basamak arasındaki çizgilerde aynı sıkıştırmanın olduğuna
dikkat edin. Yer darlığı nedeniyle grafikte Şek.11.17'de gösterildiği gibi tipik olarak
sadece tik işaretleri olacağı için, sonuçta elde edilen sayısal değere ve boşluğa dikkat
etmek önemlidir. Geçmiş deneyimlerinizden, bu şekildeki uzun çubukların ilgili de-
gerlerinin 0.3, 3 ve 30 olduğunu, buna karşılık sonraki kısa çubukların ilgili des
gerlerinin 0.5, 5 ve 50, en kısa çubukların değerlerinin ise 0.7, 7 ve 70 olduğunu gör-
meniz gerekir,

512 Bölüm 11 Çok Katlı Sistemler ve Frekans

8'LL Lunlog
ısalseg

2
30 «Si 108499 > 0.9543
0810? - 0,3010
b 10808 0.9031

— 484 10gıg7 - 0.8451

10803 > 0.4771 108,46 0.7781

108,04 * 0.6021 (6096) 08,95 < 0.6999

EgLŞ

Şekil 11.26 Yarı logairimik kağıl