2024/1/3 上午11:40 確認平均功耗在額定功率範圍內 | 實際工作中的電晶體適用性確認 —前言— | TechWeb

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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

確認平均功耗在額定功率範 可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
圍內 2018.06.21
例
這是Rohm研討會的公開
講義。
協助機器節能、提昇效率與
重點 時俱進的矽功率元件。二極
體、MOSFET的基礎到選擇
・在連續脈衝（開關工作）的情況下，求平均功耗，並確 方法、最先進的元件特性及
認額定損耗在額定值範圍內。 應用範例。
・最終的大原則還是判斷Tj是否超過了絕對最大額定值。 下載
在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法
和步驟。
Si功率元件

本文將介紹右側流程圖的
基礎篇
“⑥確認平均功耗在額定功 ・ 前言
率範圍內”。由於這一系列 ・ 所謂電晶體－分類與
是以開關工作為前提介紹
特徵
・ 什麼是Si二極體? —
的，因此在第⑤步選擇的是 前言—
“連續脈衝”。 ・ 實際工作中的電晶體
適用性確認 —前言—
①測量實際的電流/電壓波 實際工作中的適用性
確認和準備
形 確認在絕對最大額定
②確認在絕對最大額定值範 值 範圍內
確認在SOA（安全工作
圍內 區）範圍內
③確認在SOA（安全工作 確認在實際使用溫度
降額後的SOA範圍內
區）範圍內
確認平均功耗在額定
④確認在使用環境溫度下降 功率範圍內
確認晶片溫度
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額的 SOA範圍內 總結
⑤連續脈衝（開關工作） ・ 發揮其特性的應用案
例 —前言—
⑥確認平均功耗在額定功率
・ 總結
範圍內
⑦確認晶片溫度 評估篇
⑥確認平均功耗在額定功率範圍內
產品介紹
上一篇文章介紹了在實際使用溫度條件下進行必要的降額後也
FAQ
要在SOA範圍內的確認方法。本文將介紹在開關動作（連續脈
衝）條件下求平均功耗、且判斷該平均功耗是否在額定功率範
圍內的方法。這是因為如③中所述，SOA的條件為“單
（single）脈衝”，因此像開關動作這樣的連續脈衝的情況下並
不能簡單地應用。所以作為額外增加的確認，需要確認功耗是
否在額定範圍內。在開關動作的情況下，由於反復重複電流流
動且消耗功率的電晶體導通狀態和不消耗功率的關斷狀態，故
需要求平均功耗。

開關動作時的平均功耗的求法

平均功耗是通過電晶體從關斷轉為導通（t1－t2）、導通期間
（t2－t3）、從導通轉為關斷（t3－t4）、關斷期間（t4－t5）
的各電壓與電流的積、即將功率按時間積分後的值相加並除以
週期（T）來計算的。請參考下圖和公式。

這裡使用①測量實際的電流/電壓波形中測量並記錄的開關的電
壓/電流波形。

R6020ENZ的開關波形

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根據這個波形，並按照上述
積分公式來計算。這是
MOSFET的例子，如果是雙
載子電晶體，則可以用集極
極電流IC、集極極－射極極

間電壓VCE以相同的方式來
計算。

通過計算求出的平均功耗如果在技術規格書中額定損耗的最大
額定值以內，則可以判斷沒有問題。當然，需要在使用溫度條
件下來確認是否則額定值範圍內。

下表是R6020ENZ的絕對最大額定值。表中的額定損耗PD為

120W，條件為Tc＝25℃，因此在其他條件下並不能單純地應用
這個值。基於以上原因，我們來使用曲線圖。這是在“④確認在
使用環境溫度下降額的SOA範圍內”中也用過的PD降額曲線圖。

原則上是使用該曲線圖，通過將功耗換算為Tj的方式來判斷是否
可以使用。

總之都是需要求出Tj的，因此最終按“在使用溫度條件下，確認
Tj未超過Tj的絕對最大額定值150℃”的思路來考慮可能更清晰明

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瞭。功耗已經知道了，接下來只要知道封裝的熱阻即可輕鬆地
計算出結果來。下表也是從技術規格書中摘錄的。

這個計算也就是求基本的Tj的計算，即Tj＝功耗×熱阻＋使用溫
度（最大）。至於使用溫度是指定為Ta還是Tc，則哪個方便用
哪個，都沒有問題。

確認功耗是否在額定範圍內的方法有幾種，不過最終還是判斷Tj
是否在絕對最大額定值範圍內。關於Tj的計算，下次會更詳細地
進行說明。

【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

下載

「確認平均功耗在額定功率範圍內」相關文一覽
・實際工作中的電晶體適用性確認 —前言—
・實際工作中的適用性確認和準備
・確認在絕對最大額定值範圍內
・確認在SOA（安全工作區）範圍內
・確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內
・確認晶片溫度

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・總結

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平均功耗 結溫 連續脈衝 開關工作 降額

超接合面mosfet 安全工作區 晶片溫度 soa ta
sj-mosfet r6020en tj mosfet SiC MOSFET IGBT

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