m

BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KINH TẾ - KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP
KHOA ĐIỆN - ĐIỆN TỬ

BÀI GIẢNG
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

Đối tượng: HSSV trình độ Đại học, Cao đẳng, TCCN

Ngành đào tạo: Dùng cho Khối ngành Công nghệ Kỹ thuật

Lưu hành nội bộ

1
 MỤC LỤC

LỜI GIỚI THIỆU ...............................................................................................4

Chương 1-CÁC KHÁI NIỆM CHUNG ............................................................7
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG ...............................................................................7
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT..............................................................7
1.1. Tin tức và tín hiệu. ........................................................................................7
1.1.1. Các định nghĩa. ...........................................................................................7
1.1.2. Các tính chất cơ bản của tín hiệu. ...............................................................9
1.2. Các hệ thống điện tử điển hình. ...................................................................10
1.2.1. Khái niệm..................................................................................................10
1.2.2. Các dạng hệ thống điện tử điển hình. .......................................................10
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN.....................................................................14
TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI .....................................................................14
BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ ...................................................15
HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ.......................................................................15
Chương 2-KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ ..............................................................16
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG .............................................................................16
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT............................................................16
2.1. Các linh kiện điện tử. ...................................................................................16
2.1.1. Các linh kiện thụ động. .............................................................................16
2.1.2. Các linh kiện tích cực. ..............................................................................27
2.2. Phần tử ghép một mặt pn – Điốt bán dẫn. ..................................................32
2.2.1.Nguyên lý cấu tạo và làm việc của điôt bán dẫn .......................................32
2.2.2. Các ứng dụng điển hình của điôt bán dẫn................................................36
2.3. Phần tử ghép hai mặt pn – Tranzito.............................................................40
2.3.1. Tranzito lưỡng cực BJT. ...........................................................................40
2.3.2. Tranzito trường (FET) ..............................................................................55
2.4. Phần tử nhiều mặt ghép pn...........................................................................64
2.4.1. Thiristo......................................................................................................64
2.4.2.Triac. ..........................................................................................................66
2.4.3. Diac. ..........................................................................................................67
2.5. Khuếch đại...................................................................................................67

2
2.5.1. Những vấn đề chung ................................................................................67
2.5.2. Khuếch đại dùng tranzito lưỡng cực (BJT)..............................................72
2.5.3. Khuếch đại dùng tranzito trường (FET) ..................................................78
2.5.4. Ghép giữa các tầng khuếch đại ................................................................81
2.5.5. Khuếch đại công suất ...............................................................................84
2.5.6. Khuếch đại tín hiệu biến thiên chậm .......................................................87
2.5.7. Khuếch đại dùng vi mạch thuật toán ........................................................91
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN...................................................................100
TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI ...................................................................102
BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ .................................................102
HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ.....................................................................105
Chương 3-KỸ THUẬT XUNG - SỐ .............................................................106
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG ...........................................................................106
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT..........................................................106
3.1. Xung và các mạch tạo xung.......................................................................106
3.1.1. Khái niệm chung.....................................................................................106
3.1.2. Chế độ khóa của tranzito........................................................................108
3.1.3. Các mạch tạo xung..................................................................................109
3.2. Mạch số (mạch logic) ................................................................................111
3.2.1.Cơ sở đại số logic ....................................................................................111
3.2.2. Các phần tử logic cơ bản. .......................................................................115
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN...................................................................120
TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI ...................................................................121
BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ .................................................121
HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ.....................................................................123
TÀI LIỆU THAM KHẢO ..............................................................................124
DANH MỤC TỪ KHÓA ................................................................................124

3
 LỜI GIỚI THIỆU

Để đáp ứng với yêu cầu giảng dạy và học tập của giáo viên và sinh viên chuyên
ngành Kỹ thuật, Trường Đại học Kinh tế - Kỹ thuật Công nghiệp tổ chức biên soạn
bài giảng điện tử “Kỹ thuật điện tử”. Đây là một học phần cơ sở của sinh viên chuyên
ngành khối Kỹ thuật. Học phần cung cấp những kiến thức cơ bản về Kỹ thuật điện tử,
giúp cho sinh viên có khái niệm về tin tức và tín hiệu là các khái niệm cơ bản trong kỹ
thuật điện tử, những hệ thống điện tử điển hình là các hệ thống điện tử xử lý thông tin
thông dụng trong đời sống, các linh kiện điện tử và ứng dụng của chúng trong các
mạch, các hệ thống điện tử để xử lý thông tin dạng analog (dạng tương tự) và digital
(dạng số) đang phát triển hiện nay.
Bài giảng được biên soạn theo đúng chương trình đào tạo và các quy định về
cách trình bày của Nhà trường. Nội dung của bài giảng bao gồm 3 chương, trong mỗi
chương bao gồm các phần nội dung chủ yếu như sau:
- Mục tiêu của chương.
- Nội dung phần thảo luận.
- Tóm tắt nội dung cốt lõi.
- Bài tập ứng dụng và liên hệ thực tế.
- Hướng dẫn tự học ở nhà.
Đây là lần đầu biên soạn nên bài giảng khó có thể tránh khỏi những thiếu sót
nhất định. Chúng tôi luôn mong nhận được sự góp ý của bạn đọc để bài giảng được tái
bản hoàn thiện hơn trong những lần sau.
Xin chân thành cám ơn!

Nhóm biên soạn Nhóm sửa chữa

Đỗ Thị Thu Dung

4
 Nội dung đề cương chi tiết học phần
(Lấy bản đề cương chi tiết của Nhà trường đã duyệt)

Tài liệu
Tuần Hình thức
Nội dung tham
thứ học
khảo
Chương 1: Các khái niệm chung.
1.1. Tin tức và tín hiệu.
1.1.1. Các định nghĩa.
1 1.1.2. Tính chất cơ bản của tín hiệu. 1,2,3 Giảng
1.2. Các hệ thống điện tử điển hình.
1.2.1. Khái niệm.
1.2.2. Các dạng hệ thống điện tử điển hình.
Chương 2: Kỹ thuật tương tự.
2.1. Các linh kiện điện tử.
2 1,2,3 Giảng
2.1.1. Các linh kiện thụ động.
2.1.2. Các linh kiện tích cực.
2.2. Phần tử 1 mặt ghép pn – Điôt bán dẫn
2.2.1. Nguyên lý cấu tạo và làm việc của điôt bán
3 1,2,3 Giảng
dẫn
2.2.2. Các ứng dụng điển hình của điôt.
4 Bài tập phần 1, 2, 3. 1,2,3 Thảo luận
2.3. Phần tử 2 mặt ghép pn – Tranzito
2.3.1. Tranzito lưỡng cực BJT.
2.2.2. Tranzito trường FET.
5 2.4. Phần tử nhiều mặt ghép pn 1,2,3 Giảng
2.4.1. Thiristo.
2.4.2. Triac.
2.4.3. Diac.

5
 2.5. Khuếch đại.
6 1,2,3 Giảng
2.5.1. Những vấn đề chung.
2.5.2. Khuếch đại dùng tranzito BJT.
2.5.3. Khuếch đại dùng tranzito FET.
7 1,2,3 Giảng
2.5.4. Ghép giữa các tầng khuếch đại.
8 Bài tập phần 4, 5, 6. 1,2,3 Thảo luận
2.5.5. Khuếch đại công suất.
9 2.5.6. Khuếch đại tín hiệu biến thiên chậm. 1,2,3 Giảng
2.5.7. Khuếch đại dùng vi mạch thuật toán.
Chương 3: Kỹ thuật xung số

3.1. Xung và các mạch tạo xung

10 3.1.1. Khái niệm chung 1,2,3 Giảng

3.1.2. Chế độ khóa của tranzito

3.1.3. Các mạch tạo xung
3.2. Mạch số (mạch logic)
11 3.2.1. Cơ sở đại số logic. 1,2,3 Giảng
3.2.2. Các phần tử logic cơ bản.
12 Bài tập phần 9,10,11. 1,2,3 Thảo luận

6
 Chương 1
CÁC KHÁI NIỆM CHUNG

MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG

- Hiểu rõ khái niệm cơ bản của kỹ thuật điện tử là tin tức và tín hiệu và các tính
chất của nó. Nắm được các khái niệm chung, sơ đồ khối, chức năng nhiệm vụ và đặc
điểm của một vài hệ thống điện tử điển hình.
- Về thái độ:
Học sinh nắm được mục tiêu của chương, trình bày lại rõ ràng nội dung chính
của chương.

NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT

1.1. Tin tức và tín hiệu.

- Tin tức và tín hiệu là hai khái niệm cơ bản của kỹ thuật điện tử tin học.
- Nó được các hệ thống mạch điện tử có chức năng như một công cụ vật chất kỹ
thuật tạo ra, gia công xử lý hay chuyển đổi giữa các dạng năng lượng để giải quyết
một mục tiêu kỹ thuật nào đó.
1.1.1. Các định nghĩa.
1.1.1.1. Tin tức.
- Tin tức là nội dung chứa đựng bên trong một sự kiện, một biến cố hay một quá
trình nào đó (gọi là nguồn tin).
- Nó được thỏa mãn và phát triển dưới nhiều hình thức và phương tiện (ký
hiệu, tiếng nói, chữ viết hay bằng các phương tiện tải tin khác nhau). Ngày nay bùng
nổ thông tin nhờ sự phát triển và tiến bộ nhanh chóng của kỹ thuật điện tử.
- Tính chất quan trọng nhất của tin tức là nó mang ý nghĩa xác suất thống kê:
+ Lượng tin tỷ lệ nghịch với xác suất xuất hiện của tin tức.
+ Có tính chất trung bình thống kê phụ thuộc vào mức độ hỗn loạn
của nguồn tin, của môi trường (kênh) truyền tin và cả vào nơi nhận tin.
+ Tin tức không tự nhiên sinh ra hoặc mất đi mà chỉ là một biểu hiện
của các quá trình chuyển hóa hay trao đổi năng lượng giữa hai dạng vật chất và
trường.
1.1.1.2. Tín hiệu.
- Tín hiệu là biểu hiện vật lý của tin tức.
- Các biểu hiện này đa dạng và thường được chia thành hai nhóm: có bản chất
7
điện từ và không có bản chất điện từ. Tuy nhiên, dạng cuối cùng thường gặp trong
các hệ thống điện tử, thể hiện qua thông số trạng thái điện áp hay dòng điện, là có
bản chất điện từ.
Ví dụ: + Mirco biến đổi tiếng nói thành dòng điện gọi là tín hiệu âm tần.
+ Đèn đỏ báo tín hiệu dừng lại.
+ Chuông báo thức, báo hết giờ.
Tín hiệu điện từ sơ khai vừa nói trên ta gọi chung là tín hiệu sơ cấp.
- Độ lớn của tín hiệu:
Có nhiều cách biểu diễn nhưng là một đại lượng vật lý biến thiên theo thời gian
nên thường được biểu diễn bằng hàm số hay đồ thị theo thời gian s(t) là thuận lợi và
thông dụng hơn cả, trong đó t là biến thời gian thì tín hiệu có thể là tuần hoàn hoặc
không tuần hoàn: s(t) = s(t + nT); n=0,1,2 ... (1.1)
Khi s(t) thoả mãn điều kiện (1.1) ở mọi thời điểm t thì s(t) là một tín hiệu tuần
hoàn với chu kỳ T (ở đây T nhận giá trị nhỏ nhất).
Nếu không tìm được một giá trị hữu hạn của T thoả mãn (1.1) tức là T tiến tới vô
cùng (T) thì s(t) sẽ là tín hiệu không tuần hoàn.
Trong các tín hiệu tuần hoàn thông dụng nhất là tín hiệu có dạng hình sin (dao
động điều hoà ) như ở hình 1.1. Dao động này được biểu diễn bằng hàm điều hoà:
s(t) = Asin(t + ) (1.2)
u a) u b)
s(t)

A t t
0 t u c) u
T d)
H×nh 1.1 §iÖn ¸p h×nh sin
t t

H×nh 1.2.C¸c d¹ng xung th«ng dông

Ở đây A, [rad/s] = 2πf và [rad, độ] tương ứng là biên độ, tần số góc và pha
ban đầu, f[Hz] =1/T là tần số, T[s] là chu kỳ của tín hiệu.
Với cách biểu diễn tín hiệu là một hàm của thời gian, tín hiệu được chia thành 2
dạng cơ bản là:
+ Dạng liên tục theo thời gian (hay tương tự - analog): tín hiệu hình sin.
+ Dạng rời rạc theo thời gian (hay tín hiệu xung - digital): các xung có chu kỳ
hay chỉ xuất hiện một lần, cực tính dương, âm hay thay đổi.
Trong thực tế thường sử dụng các dạng xung như ở hình 1.2: a) xung vuông (chữ
nhật), b) xung răng cưa (tam giác), c) xung nhọn đầu (kim), d) xung hình thang .

8
 1.1.2. Các tính chất cơ bản của tín hiệu.
Ta xét các tính chất của tín hiệu với cách biểu diễn theo thời gian.
1.1.2.1. Độ dài và trị số trung bình của tín hiệu.
- Độ dài τ của tín hiệu: Là khoảng thời gian tồn tại của nó (từ lúc bắt đầu xuất
hiện t0 đến lúc mất đi t0+τ). Độ dài mang ý nghĩa là khoảng thời gian mắc bận với
tín hiệu của một mạch hay hệ thống điện tử.
- Trị số trung bình của tín hiệu:
t0 

s t  
1
  s ( t ) dt
t0
(1.3)

1.1.2.2. Năng lượng, công suất và trị hiệu dụng của tín hiệu.
- Năng lượng Es của tín hiệu s(t) tồn tại trong khoảng thời gian τ:
t0  
  s ( t ) dt  
2
E s
s 2 ( t ) dt (1.4)
t0  

- Công suất trung bình :

t 0  

s 2
t  
1
 s 2
( t ) dt 
E S (1.5)
 t 0


- Trị số hiệu dụng Shd :

t0 

s 2 t  
1 Es
S hd  s ( t ) dt 
2
(1.6)
 t0


1.1.2.3. Dải động của tín hiệu.

Dải động của tín hiệu đặc trưng cho mức của cường độ tín hiệu tác động lên thiết
bị. Nó là tỷ số giữa trị số cực đại và cực tiểu của công suất tức thời của tín hiệu tính
bằng dexibel (đề-xi-ben - dB):
s 2 (t ) max st max
DdB  10 lg  20 lg [dB] (1.7)
s 2 (t ) min st min
1.1.2.4. Thành phần một chiều và xoay chiều của tín hiệu.
Một tín hiệu s(t) luôn có thể phân tích thành hai thành phần một chiều và xoay
chiều: s(t) = s~+ s= (1.8)
với s~ là thành phần biến thiên theo thời gian (thành phần xoay chiều) của s(t)
và có giá trị trung bình theo thời gian bằng 0.
s= là thành phần cố định theo thời gian (thành phần 1 chiều) của s(t) và có giá
trị bằng trị trung bình của s(t).
1.1.2.5. Các thành phần chẵn và lẻ của tín hiệu.
Một tín hiệu s(t) cũng luôn có thể phân tích cách khác thành hai thành phần
9
chẵn và lẻ được xác định như sau:
sch(t) = sch(-t) = [s(t) + s(-t)] (1.9)

sle(t) = -sle(-t) = [s(t) – s(-t)] (1.10)

s(t) = sch(t) + sle(t) (1.11)

sch(t) có giá trị trung bình bằng giá trị trung bình của s(t).
sle(t) có giá trị trung bình bằng 0.
1.1.2.6. Thành phần thực và ảo hay biểu diễn phức của một tín hiệu.
Một tín hiệu s(t) bất kỳ có thể biểu diễn tổng quát dưới dạng một số phức:
s(t) = Res(t) + jIms(t) (1.12)
trong đó Res(t) là thành phần thực và Ims(t) là thành phần ảo của s(t).

1.2. Các hệ thống điện tử điển hình.

1.2.1. Khái niệm.
Hệ thống điện tử là một tập hợp các thiết bị điện tử nhằm thực hiện một nhiệm
vụ kỹ thuật nhất định như gia công xử lý tin tức, truyền thông tin dữ liệu, đo
lường thông số điều khiển tự chỉnh...
Về cấu trúc hệ thống điện tử có hai dạng cơ bản: dạng hệ kín (thông tin được
gia công xử lý theo cả hai chiều nhằm đạt tới một điều kiện tối ưu định trước) và hệ
hở (thông tin được truyền chỉ theo một hướng từ nguồn tin tới nơi nhận tin).
1.2.2. Các dạng hệ thống điện tử điển hình.
1.2.2.1. Hệ thống thông tin thu-phát.
Có nhiệm vụ truyền một tin tức dữ liệu theo không gian (trên một khoảng
cách nhất định) từ nguồn tin tới nơi nhận tin, còn gọi là hệ thống phát thanh truyền
hình hay hệ thống thông tin quảng bá, hệ thống thông tin dân dụng.
1.Cấu trúc sơ đồ khối:

Hình 1.3. Sơ đồ khối hệ thống thông tin dân dụng.

10
 2. Các đặc điểm chủ yếu:
- Là dạng hệ thống hở.
- Bao gồm 2 quá trình cơ bản.
+ Quá trình gắn tin tức cần gửi đi vào một tải tin tần số cao bằng cách bắt
dao động tải tin có một thông số biến thiên theo quy luật của tin tức gọi là quá
trình điều chế tại thiết bị phát.
+ Quá trình tách tin tức khỏi tải tin để lấy lại nội dung tin tức tần số thấp tại
thiết bị thu gọi là quá trình giải điều chế.
- Chất lượng và hiệu quả cũng như các đặc điểm của hệ do 3 yếu tố quy định:
Đặc điểm của thiết bị phát, đặc điểm của thiết bị thu và môi trường thực hiện
quá trình truyền tin (địa hình, thời tiết, nhiễu...).
Ba yếu tố này được đảm bảo nâng cao chất lượng một cách riêng rẽ để đạt hiệu
quả thông tin cao, trong đó tại nguồn tin là các điều kiện chủ động, hai yếu tố còn lại
là yếu tố bị động.
- Các chỉ tiêu quan trọng nhất của hệ:
Dạng điều chế (AM, FM, analog, digital), công suất bức xạ của thiết bị phát,
khoảng cách và điều kiện môi trường truyền, độ nhạy và độ chọn lọc của thiết bị thu.
1.2.2.2. Hệ đo lường điện tử.
Hệ loại này có nhiệm vụ thu thập tin tức dữ liệu về một đối tượng hay quá trình
nào đó để đánh giá thông số hoặc trạng thái của chúng.
1. Cấu trúc khối:

Hình 1.4. Hệ thống đo lường.

2. Các đặc điểm cơ bản:

- Là hệ cấu trúc dạng hở.
- Có hai phương pháp cơ bản thực hiện quá trình đo: phương pháp tiếp xúc
(thiết bị đầu vào tiếp xúc trực tiếp với đối tượng đo là nguồn tin) và phương pháp
không tiếp xúc.
Bộ biến đổi đầu vào là quan trọng nhất, có nhiệm vụ biến đổi thông số đại lượng
cần đo (thường ở dạng một đại lượng vật lý) về dạng tín hiệu điện tử có tham số tỷ
lệ với đại lượng cần đo (Ví dụ: áp suất biến đổi thành điện áp, nhiệt độ hoặc độ ẩm
hay vận tốc biến đổi thành điện áp hoặc dòng điện...).

11
 - Sự can thiệp của bất kỳ thiết bị đo nào vào đối tượng đo dẫn tới hệ quả
là đối tượng đo không còn đứng độc lập và do đó xảy ra quá trình mất thông tin
tự nhiên dẫn đến sai số đo.
- Mọi cố gắng nhằm nâng cao độ chính xác của phép đo đều làm tăng tính
phức tạp, tăng chi phí kỹ thuật và làm xuất hiện các nguyên nhân gây sai số mới và
đôi khi làm giảm độ tin cậy của phép đo.
- Về nguyên tắc có thể thực hiện gia công tin tức liên tục theo thời gian
(phương pháp analog) hay gia công rời rạc theo thời gian (phương pháp digital).
Yếu tố này quy định các đặc điểm kỹ thuật và cấu trúc của hệ. Cụ thể ở phương
pháp analog đại lượng đo được theo dõi liên tục theo thời gian, còn ở phương pháp
digital đại lượng đo được lấy mẫu giá trị ở những thời điểm xác định và so với các
mức cường độ chuẩn. Phương pháp digital cho phép tiết kiệm năng lượng, nâng
cao độ chính xác và khả năng phối ghép với các thiết bị xử lý tin tự động.
- Có khả năng đo nhiều thông số (nhiều kênh) hay đo xa nhờ kết hợp thiết bị
đo với một hệ thống thông tin truyền dữ liệu, đo tự động nhờ một chương trình
vạch sẵn (đo điều khiển bằng µp)...
1.2.2.3. Hệ tự điều chỉnh.
Hệ có nhiệm vụ theo dõi khống chế một hoặc vài thông số của một quá trình
sao cho thông số này phải có giá trị nằm trong (hoặc ngoài) một giới hạn đã định
trước tức là có nhiệm vụ ổn định thông số (tự động) ở một trị số hay một dải trị số
cho trước.
1. Sơ đồ cấu trúc
ΔU = 0

T ox Ux
Uch

ΔU=Ux -Uch 0

Hình 1.5. Hệ tự động điều chỉnh.

2. Các đặc điểm chủ yếu

- Là hệ dạng cấu trúc kín: thông tin truyền theo hai hướng nhờ các mạch phản
hồi.
- Thông số cần đo và khống chế được theo dõi liên tục và duy trì ở mức hoặc
giới hạn định sẵn.
12
 Ví dụ: Nhiệt độ Tox (cần theo dõi khống chế) được biến đổi trước tiên thành
Ux, sau đó so sánh Ux với Uch để phát hiện ra dấu và độ lớn của sai lệch (Uch tương
ứng với mức chuẩn Toch được định sẵn mà đối tượng cần được khống chế ở đó). Sau
khi khuếch đại, lượng sai lệch ΔU=Ux -Uch được đưa tới khối chấp hành để điều
khiển tăng hoặc giảm Tox theo yêu cầu tùy dấu và độ lớn của ΔU. Sẽ có ba khả năng:
+ Khi ΔU = 0, ta có Tox = Toch (Ux = Uch) đối tượng đang ở trạng thái mong
muốn, nhánh thông tin ngược không hoạt động.
+ Khi ΔU > 0 (Ux > Uch), Tox > Toch hệ điều chỉnh làm giảm Tox .
+ Khi ΔU < 0, Tox < Toch hệ điều chỉnh làm tăng Tox, quá trình điều chỉnh Tox chỉ
ngừng khi ΔU = 0.
- Độ mịn (chính xác) khi điều chỉnh phụ thuộc vào:
+ Độ chính xác của quá trình biến đổi từ Toch thành Uch
+ Độ chính xác của quá trình biến đổi Tox thành Ux
+ Độ phân dải của phần tử so sánh (độ nhỏ của ΔU)
+ Tính chất quán tính của hệ.
- Có thể điều chỉnh liên tục theo thời gian (analog) hay gián đoạn theo thời
gian (digital) miễn sao đạt được giá trị trung bình mong đợi.
Phương pháp digital cho phép tiết kiệm năng lượng và ghép nối với hệ thống
tự động tính toán.
- Chú ý là thông thường nếu chọn một ngưỡng Uch ta nhận được kết quả là hệ
điều khiển có hành động hay không tùy theo Ux đang lớn hơn hay nhỏ hơn Uch (do
đó tham số vật lý cần theo dõi đang lớn hơn hay nhỏ hơn giá trị ngưỡng định sẵn từ
trước). Khi chọn được hai mức ngưỡng Uchl và Uch2 hệ sẽ hành động mỗi khi Ux
nằm lọt vào trong khoảng hai giá trị ngưỡng hoặc ngược lại, điều này mang ý
nghĩa thực tế hơn của một hệ tự động điều chỉnh. Trường hợp với một mức
ngưỡng, hệ mang ý nghĩa dùng để điều khiển trạng thái (hành vi) của đối tượng.
1.2.2.4. Hệ thống vi xử lý.
Là hệ thống thiết bị kỹ thuật số dùng để tính toán điều khiển, tự động điều khiển
các thiết bị máy móc, các quá trình công nghệ sản xuất… với mục đích đạt năng suất
cao, giá thành hạ nhưng chất lượng sản phẩm lại tốt.
Hệ thống được chế tạo dựa trên kỹ thuật công nghệ MOS, CMOS với quy mô lớn
và cực lớn. Tốc độ điều khiển của hệ thống rất cao, có thể xử lý hàng trăm triệu phép
tính trong một giây, hàng chục triệu các xử lý kỹ thuật công nghệ thông qua kỹ thuật số
đã mã hóa toàn bộ quá trình điều khiển đã được thiết lập từ trước theo yêu cầu.
1. Sơ đồ cấu trúc

13
 Bộ xử lý trung tâm
Hình 1.6. Hệ thống vi xử lý.
(CPU)

ROM Bộ ghép nối

nối tiếp
Bộ ghép Thiết bị
BUS
nối vào ra ngoài
Bộ ghép nối
RAM song song

2. Các đặc điểm chủ yếu

- Là hệ thống đồng bộ, kế tiếp, logic, đa năng.
- Có lập trình bên ngoài vạn năng, tuân thủ theo một nguyên tắc chặt chẽ, chính
xác, được chế tạo dưới dạng vi mạch, trên công nghệ đặc biệt.
- Bộ vi xử lý (CPU) là bộ phận cấu thành quan trọng nhất của máy tính điện tử
và bao giờ cũng phải nối ghép với các bộ phận khác mới có thể làm việc được.

NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN

1.1. Tin tức và tín hiệu là gì? Trình bày các đặc tính và thông số của tín hiệu?
1.2. Hãy nêu các hệ thống điện tử điển hình? Qua đó anh (chị) mô tả đặc điểm
dòng thông tin trong hệ thống thông tin quảng bá?
1.3. Hãy nêu các hệ thống điện tử điển hình? Qua đó anh (chị) mô tả đặc điểm
dòng thông tin trong hệ thống đo lường điện tử?
1.4. Hãy nêu các hệ thống điện tử điển hình? Qua đó anh (chị) mô tả đặc điểm
dòng thông tin trong hệ thống tự điều chỉnh?
1.5. Hãy nêu các hệ thống điện tử điển hình? Qua đó anh (chị) mô tả đặc điểm
dòng thông tin trong hệ thống vi xử lý?

TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI

1. Tóm tắt nội dung cốt lõi 1: Tin tức và tín hiệu.
- Tin tức là nội dung chứa đựng bên trong một sự kiện, một biến cố hay một quá
trình nào đó (gọi là nguồn tin). Tính chất quan trọng nhất của tin tức là nó mang ý
nghĩa xác suất thống kê.
- Tín hiệu: là biểu hiện vật lý của tin tức, chia thành hai nhóm: có bản chất điện
từ và không có bản chất điện từ, trong các hệ thống điện tử, thể hiện qua thông số
trạng thái điện áp hay dòng điện, có bản chất điện từ.
2. Tóm tắt nội dung cốt lõi 2: Các hệ thống điện tử điển hình.
14
 - Hệ thống thông tin thu-phát.
- Hệ thống đo lường.
- Hệ tự điều chỉnh.
- Hệ thống vi xử lý

BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ

1. Bài tập ứng dụng, liên hệ thực tế 1:
Hãy tính các giá trị trung bình, hiệu dụng của tín hiệu hình sin và tính công suất
trung bình của nó.
2. Bài tập ứng dụng, liên hệ thực tế 2:
Hãy tính giá trị trung bình và công suất trung bình của tín hiệu xung chữ nhật và
xung tam giác.

HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ

1. Hướng dẫn tự học ở nhà 1: Đọc và tìm hiểu nguyên lý cấu tạo và làm việc của
các linh kiện điện tử (R, L, C, mặt ghép pn, điốt, tranzito…)
2. Hướng dẫn tự học ở nhà 2: Đọc và tìm hiểu một số mạch điện tử cơ bản (mạch
khuếch đại, khuếch đại công suất, khuếch đại vi sai, khuếch đại thuật toán.....)

15
 Chương 2
KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ

MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG

- Hiểu rõ chức năng nhiệm vụ, cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc điểm và ứng
dụng của các loại linh kiện điện tử và các mạch điện tử cơ bản dùng trong kỹ thuật
tương tự.
- Về thái độ:
Học sinh nắm được mục tiêu của chương, trình bày lại rõ ràng nội dung chính
của chương.

NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT

2.1. Các linh kiện điện tử.
Tất cả các phần tử điều khiển, tiêu thụ, trao đổi năng lượng điện trong hệ thống
điện tử gọi là các linh kiện điện tử.
Có hai loại:
- Linh kiện thụ động: Tiêu thụ (R), trao đổi (L, C) năng lượng.
- Linh kiện tích cực: Điều khiển quá trình năng lượng (đèn điện tử chân không,
đèn điện tử bán dẫn (D, T, Ti...))
2.1.1. Các linh kiện thụ động.
Thường là các linh kiện tuyến tính (quan hệ giữa điện áp và dòng điện qua phần
tử là tuyến tính), tiêu thụ hay trao đổi năng lượng điện trong hệ thống.
2.1.1.1. Điện trở.
1. Khái niệm: Điện trở là phần tử tiêu thụ công suất điện “thuần túy”, làm nhiệm
vụ chủ yếu là phân cấp điện áp (hay dòng điện) trong hệ thống.
- Mạch phân áp: i

R1 u1
(2.1)
u
(2.2)
R2 u2
- Mạch phân dòng:
i
i1 i2 Hình 2.1.Mạch phân áp
(2.3)
R1 u R2
(2.4)

Hình 2.2.Mạch phân dòng 16

 2. Ký hiệu: R [Ohm - Ω, mΩ, kΩ, MΩ, GΩ]
a) b) c) d)

H×nh2.3.
Hình 2.3Ký
Kýhiệu
hiÖuđiện
®iÖntrở.
trëa)a)Điện
§iÖntrởtrëkhông
kh«ng ®æib)b)Điện
đổi;
trở phi tuyến®Þªn trë phi
c) Chiết áp; tuyÕn
d) Điệnc)triÕt
trở có¸pkích thước nhỏ.

3. Cấu tạo: Có một số loại điện trở có cấu tạo khác nhau như sau:
a. Điện trở không đổi.
- Điện trở dây cuốn không đổi: Được cuốn bằng dây hợp kim crôm - niken trên
lõi sứ , lõi nhựa hoặc lõi thuỷ tinh. Lớp dây cuốn có phủ sơn bảo vệ. Cấu tạo của điện
trở dây cuốn trình bày trên hình 2.4.

D©y ®iÖn trë b»ng hîp kim.

Líp men c¸ch ®iÖn

Ch©n nèi Ch©n nèi
H×nh2.6 CÊu t¹o cña ®iÖn trë d©y cuèn
Hình 2.4. Cấu tạo của điện trở dây cuốn

Điện trở dây cuốn có trị số không lớn lắm ( 50k) nhưng có công suất tỏa nhiệt
lớn (có thể tới vài trăm W), cấp chính xác khá cao (0,1%, 1%), độ ổn định cao, chịu
nhiệt tốt. Điện trở dây cuốn thường dùng ở các mạch cần có công suất danh định lớn,
độ chính xác cao nhưng tần số làm việc không lớn lắm.
- Điện trở màng than: Được chế tạo bằng cách cho khí than ngưng đọng thành
màng dày 0,04  10mm theo rãnh xoắn trên lõi sứ trong môi trường chân không (hình
2.5). Muốn có trị số lớn lớp màng than phải mỏng, dài và tiết diện ngưng phải nhỏ.
Điện trở màng than có thể chế tạo với trị số danh định từ 10 đến 10M, công suất
danh định từ 0,05W đến 5W, cá biệt có thể chế tạo đến 25W, 50W hoặc 100W, trị số
Lo và Co nhỏ, độ ổn định nhiệt khá tốt nên có thể sử dụng ở vùng tần số cao.
- Điện trở màng kim loại: Có cấu trúc gần giống như điện trở màng than. Nó
được chế tạo bằng cách cho hợp kim hoặc ôxit kim loại bốc hơi ngưng đọng trong môi
trường chân không hoặc bằng phương pháp phân hủy catôt để tạo một lớp màng mỏng
bao quanh lõi (sứ, thuỷ tinh hoặc chất dẻo) hình trụ (hình 2.6).

2 1 3
2 1 3 4
H×nh2.5. CÊu t¹o cña ®iÖn trë mµng than H×nh 2.6. §iÖn trë mµng kim lo¹i
1.Mµng than 2.R·nh xo¾n 3.Lâi sø
1.? ng sø 2.ĐiÖn trë 3.S¬n c¸ch ®iÖn
4.Thuû tinh c¸ch ®iÖn
17
 Người ta thay đổi thành phần hợp kim và độ dày của màng kim loại để thay đổi
trị số danh định từ 20 đến 1000. Muốn có trị số lớn hơn phải dùng màng rãnh xoắn
như ở điện trở màng than. Lúc đó có thể tạo điện trở cỡ M. Thường chế tạo với công
suất 0,125W2W. Có hình dáng bề ngoài giống như điện trở màng than nhưng thường
phủ lớp sơn màu đỏ, có loại được bọc kín bằng ống thuỷ tinh hoặc ống sứ .
- Điện trở hỗn hợp:
Vật liệu chế tạo điện trở hỗn hợp gồm ba thành phần ở dạng bột và keo :
Thành phần dẫn điện là bồ hóng hoặc than chì (graphit) ở dạng bột. Chất độn là
bột mica, bột sứ hoặc bột thạch anh dùng để tạo cho điện trở có thể tích nhất định,
tăng khả năng dẫn nhiệt, nâng cao điện trở suất của vật liệu hỗn hợp và tăng độ bền cơ
học. Chất keo để liên kết các thành phần vật liệu thành một khối. Vật liệu hỗn hợp
được nén trong ống sứ, ống thuỷ tinh tạo nên điện trở. Bên ngoài điện trở bọc một lớp
vật liệu có độ bền cơ học cao. Điện trở hỗn hợp thường được chế tạo dưới dạng hình
trụ và dùng vạch màu để chỉ trị số danh định của nó. Hiện nay điện trở hỗn hợp đang
được sử dụng rộng rãi vì giá thành rẻ, quy trình sản xuất đơn giản.
b. Điện trở biến đổi và chiết áp.
- Điện trở biến đổi: Chế tạo như điện trở dây cuốn không đổi nhưng có thêm
con chạy trượt trên các vòng dây để thay đổi trị số của điện trở (hình 2.7).
Điện trở biến đổi có trị số đến 10k, kích thước lớn, chủ yếu dùng trong các
phòng thí nghiệm .
- Chiết áp: Vật liệu, phương pháp chế tạo, đặc tính kỹ thuật của chiết áp cũng
giống như điện trở tương ứng, nhưng ở chiết áp con trượt luôn chạy trên bộ phận dẫn
điện nên độ bền thấp và tạp âm lớn .
Chiết áp dây cuốn: Cấu tạo chiết áp dây cuốn trình bày trên hình 2.8. Ở đây con
chạy kim loại trượt trên dây cuốn để thay đổi điện trở ra. Chiết áp dây cuốn chế tạo có
điện trở không quá 20k, công suất danh định 35W.
Chiết áp hỗn hợp: Trên bề mặt của đế cách điện người ta phủ một lớp vật liệu
chế tạo phần dẫn của điện trở từ hỗn hợp bột than (hình 2.9).

1 2
3 1

3 5 4
H×nh2.11 CÊu t¹o
Hình 2.7. Cấu tạo của điện 2
Hình 2.9.
triÕt ¸p Cấu tạo
bét than
Hình 2.8. Cấu tạo của chiết của chiết áp bột
trở dây cuốn có trị số biến đổi
áp dây cuốn. than
1.Ống sứ 2.Sơn cách điện
1.Dây cuốn 2.Điện cực
3.Con chạy 4.Dây cuốn 5.
3.Tiếp điểm
Tiếp điểm

18
 Tuỳ theo dạng của vùng dẫn điện mà sự biến thiên của điện trở sẽ tuân theo quy
luật hàm mũ hoặc hàm lôgarit. Chiết áp than hỗn hợp có điện trở danh định Rmax=
1010M với công suất danh định 0,1W2W, được sử dụng rất rộng rãi trong các
mạch điện tử. Chiết áp dùng lâu thì trên mặt dẫn thường có bụi than làm chất lượng
giảm. Trong thực tế có thể lau sạch vết bụi than để khôi phục lại chất liệu trên.

Hình 2.10. Các dạng điện trở, biến trở

4. Các tham số điện trở.

a. Trị số danh định:
Mỗi điện trở không đổi được sản xuất với một trị số danh định. Ví dụ như 1,5k;
2,2 k; 100...
Khi ký hiệu bằng các vạch màu (hoặc các chấm màu): có hai loại
- Có 4 vạch: hai vạch đầu chỉ 2 số có trị số của linh kiện ứng với bảng 2.1, vạch
thứ III chỉ số số 0 đứng sau hai số trên (vạch số nhân), vạch thứ IV chỉ cấp chính xác.
- Có 5 vạch: ba vạch đầu chỉ 3 số có trị số của linh kiện, vạch thứ IV chỉ số số 0
đứng sau ba số trên (vạch số nhân), vạch thứ V chỉ cấp chính xác.
Ba (hoặc bốn) vạch màu đầu có trị số ứng với các màu như sau :

Đen - Black 0

I II III IV Nâu - Brown 1

Đỏ - Red 2
Cam - Orange 3
Vàng - Yellow 4
Hình 2.11. Các vạch hoặc chấm mầu ghi trị số
của điện trở Lục - Green 5
Lam - Blue 6
Vạch thứ IV (hay thứ V) chỉ cấp chính xác: màu
nhũ vàng 5%, màu nhũ bạc 10%, không màu 20%. Tím - Violet 7

Ví dụ: Xét 2 điện trở như sau: Xám - Gray 8

Đỏ-đỏ-cam-nhũ bạc: 22000  = 22k  10% Trắng - White 9

Vàng-đỏ-nâu-nhũ vàng: 420  5%

19
 b. Công suất danh định: Tính chịu nhiệt và diện tích toả nhiệt của điện trở quyết
định công suất danh định của điện trở. Khi làm việc công suất làm việc P = RI2 phải
nhỏ hơn công suất danh định của nó. Người ta chế tạo các điện trở với các công suất
0,05W; 0,12W ; 0,25W; 0,5W; 1W; 2W; 5W; 10W; 15W; 20W; 30W; 50W; 100W....
c. Tính chất tần số của điện trở:
Khi làm việc ở tần số cao cần chú ý đến điện dung ký sinh và điện cảm ký sinh
của điện trở. Lúc đó sơ đồ tương đương của một điện trở có dạng như hình 2.12.
Trị số Lo phụ thuộc vào cấu trúc của điện trở, còn điện dung Co phụ thuộc vào
hằng số điện môi của vật liệu làm đế (lõi), hình dáng vị trí dây dẫn, cấu trúc và lớp
sơn phủ ngoài của điện trở. Như vậy ở tần số cao hàng trăm MHz điện trở tương
đương với một khung cộng hưởng song song với Co< 1pF và Lo< 1H. Ngoài ra khi
cần còn phải tính đến độ ổn định nhiệt và tạp âm của điện trở.
R L0

Hình 2.12. Sơ đồ tương đương

của điện trở ở vùng tần số cao C0

5. Phân loại:
Thường được phân loại theo cấu tạo, nguyên lý làm việc và công suất.
- Theo cấu tạo: Điện trở bột than, dây cuốn hoặc kim loại.
- Theo nguyên lý làm việc: Tuyến tính (ký hiệu hình 2.3a), phi tuyến (ký hiệu
hình 2.3b) tuỳ theo đặc tuyến V-A là tuyến tính hay phi tuyến; điện trở không đổi,
điện trở biến đổi tức chiết áp (ký hiệu hình 2.3c).
- Theo công suất: Điện trở công suất nhỏ (mWW), trung bình (Whàng trăm
W) và lớn (kWMW).
6. Đặc điểm:
- Phụ thuộc nhiệt độ R = f(To), khi làm việc cần chú ý To cho phép của điện trở.
- Quan hệ giữa u và i qua R: u = Ri , U = RI (2.5)
hay i = u/R , I = U/R (2.6)
và p = ui= Ri2 = u2/R, P = UI= RI2 = U2/R (2.7)
- Tổng trở trong các mạch thuần trở:
+ nối tiếp: R∑ = ∑Ri với i = 1n (2.8)
+ song song: 1/R∑ = ∑1/Ri (2.9)
2.1.1.2. Điện cảm
1. Khái niệm:

20
 Là phần tử cảm kháng có khả năng tích lũy và trao đổi năng lượng điện từ trường
với các phần tử khác trong hệ thống.
2. Ký hiệu: L [Henry - H, mH]

Hình 2.13. Cuộn cảm, biến áp trong mạch điện tử

3. Cấu tạo:
Cuộn cảm được cấu tạo từ các vòng dây điện (bằng đồng) cuốn một lớp hay
nhiều lớp, có lõi sắt từ (hoặc đồng, nhôm) để điều khiển điện kháng của cuộn dây
hoặc không lõi, có thể bọc kim (bằng nhôm) để bảo vệ hoặc không bọc kim.
4. Các tham số của cuộn cảm
a. Trị số điện cảm L: Điện cảm L của một cuộn cảm cuốn một lớp trên lõi cách
điện tròn tính theo công thức :
π.D 2 .w 2
Lμ [H] (2.10)
4
 - Độ từ thẩm của lõi từ
D - Đường kính lõi cách điện [cm]
l - Chiều dài của cuộn cảm [cm]
w - Số vòng dây
Cuộn cảm nhiều lớp không lõi từ tính theo công thức gần đúng sau đây:
0,8.Dtb2 w 2
L [H] (2.11)
3Dtb  9l  10t
Trong đó Dtb -đường kính trung bình lớp dây cuốn [cm];
t -bề dầy lớp dây cuốn [cm].
Trong kỹ thuật vô tuyến điện tử người ta sử dụng các cuộn cảm có trị số nằm
trong khoảng từ vài phần ngàn microhenri (H) đến vài henri. Người ta dùng các cuộn
cảm có lõi (lõi có thể là sắt từ hoặc đồng, nhôm...) để thay đổi trị số điện cảm L.
b. Điện dung riêng Co :
Sơ đồ tương đương đầy đủ của một cuộn cảm có dạng như ở hình 2.14. Ở đây rd
- điện trở tổn hao của dây cuốn, rC - điện trở tổn hao trong chất cách điện, Co - điện
dung riêng của cuộn cảm. Chính điện dung riêng hạn chế tần số làm việc ở dải cao của

21
cuộn cảm. Điện dung riêng Co bao gồm điện dung giữa các vòng dây, điện dung giữa
các vòng dây với vỏ bọc cuộn cảm và đế máy. Nó có thể lên tới vài chục pF.
Cuộn cảm phải làm việc ở tần số f 
1
f 0 trong đó f0  1 (2.12)
3 2  LC 0

a) b)

Hình 2.15. Hình dạng các

cuộn dây thường gặp trong
Hình 2.14. Sơ đồ tương
c) kỹ thuật.
đương của cuộn cảm

c. Hệ số phẩm chất:
L
Xác định theo công thức: Q  (2.13)
R
Trong đó R =rf +rđ + rbk + rt
rf - Điện trở tổn hao của cuộn dây đối với dòng cao tần.
rđ - Điện trở tổn hao điện môi trong khung của cuộn cảm và bọc cách điện của
dây dẫn cuộn cảm .
rbk - Điện trở tổn hao tính đến năng lượng tổn hao điện từ trường trong hộp bọc
kim .
rt - Điện trở tổn hao tính đến tổn hao trong lõi của cuộn cảm .
Hệ số phẩm chất của một cuộn cảm không chỉ phụ thuộc vào tần số mà còn phụ
thuộc vào cấu tạo (vật liệu dẫn điện, cách điện, kết cấu), kích thước hình học của cuộn
cảm. Để tăng hệ số phẩm chất của cuộn cảm người ta chập dây thành nhiều sợi để
cuốn cuộn cảm .
Cuộn cảm được cuốn trên đế hình ống bằng giấy hoặc bằng nhựa thành từng
ngăn (hình 2.15a), hoặc cuốn trơn (hình 2.15b) hoặc nhiều lớp "tổ ong" (hình 2.15c).
5. Phân loại:
Thường được phân loại theo tần số làm việc: tần số lớn, trung bình và nhỏ.
6. Đặc điểm:
- Điện cảm là đại lượng đặc trưng cho sự biến thiên của từ thông theo cường độ
dòng điện: L = /i trong đó  = w [Webe – Wb] (từ thông móc vòng) (2.14)
w là số vòng dây,  là từ thông qua một vòng dây
- Quan hệ giữa điện áp và dòng điện qua cuộn cảm:
u = Ldi/dt (2.15)
22
 và (2.16)
Q = UI = XLI2 = U2/XL công suất phản kháng (2.17)
Trong đó XL = ωL là điện kháng của cuộn cảm (2.18)
- Điện cảm và cảm kháng trong mạch thuần cảm:
+ nối tiếp: L∑ = ∑Li và XL∑ = ∑XLi (2.19)
+ song song: 1/L∑ = ∑1/Li và 1/XL∑ = ∑1/XLi (2.20)
2.1.1.3. Điện dung
1. Khái niệm: Là phần tử dung kháng, có khả năng tích lũy và trao đổi năng
lượng điện trường với các phần tử khác trong hệ thống.
2. Ký hiệu: C [Fara - F, µF, nF, pF]

+ -

Hình 2.16. Tụ điện trong thực tế

3. Cấu tạo:
Một tụ điện gồm có hai điện cực (hai má tụ) bằng kim loại và lớp điện môi đặt
giữa hai cực. Để giảm nhỏ thể tích của tụ người ta thường dùng kim loại là các lá đặt
cách nhau một lớp điện môi cũng là dạng lá, sau đó định hình các lá thành dạng ống
hay hình chữ nhật. Toàn bộ được đặt trong lớp vỏ bảo vệ cách điện (như nhựa). Tụ có
cấu trúc dạng phẳng, dạng ống hoặc cuốn tròn như ở hình 2.19.
3
a. Tụ giấy 2

Hình 2.17 cho thấy cấu tạo của tụ giấy :

1- Điện cực bằng giấy kim loại
2- Điện cực bằng giấy cách điện
1
( thường gọi là giấy tụ ) H×nh2.19. CÊu tạo
t¹o tô
Hình 2.17.Cấu tụgiÊy
giấy.
3- Đầu dây dẫn nối ra ngoài. 1.§iÖn cùc kim lo¹i
2.§iÖn cùc b»ng giÊy tô
b. Tụ màng mỏng: Để khắc phục phần nào nhược điểm3.§Çu d©ygiấy
của tụ dÉn nèi ngoµita
người
thay
giấy cách điện bằng màng chất dẻo, do vậy tăng được độ cách điện, khả năng chịu
nhiệt, giảm được tổn hao.

23
 c. Tụ mica, tụ thủy tinh, tụ sứ (gốm). Nhóm tụ này sử dụng lớp điện môi vô cơ
nên có đặc tính cứng, ròn, có khả năng chịu nhiệt cao.
Cấu tạo của một tụ mica có lớp điện môi là những tấm mica có  = 6,58,5 . Tụ
mica là loại tụ có chất lượng tốt, trị số trong khoảng 51pF30000pF, điện áp danh
định 250V2500V.
Tụ thủy tinh chỉ khác tụ mica là lớp điện môi là thủy tinh, nó có đặc điểm là có
thể làm việc ở nhiệt độ cao (125oC).
Tụ sứ làm bằng gốm sứ có độ bền khá cao. Có thể tạo được tụ sứ chịu được điện
áp hàng chục kV.
3
d. Tụ hoá: Tụ hoá có hình dạng như ở hình 2.18b. 4
+
1
Cấu tạo bên trong mô phỏng đơn giản như ở hình 2.18a
a) 2 b)
1- Dung dịch điện phân 2- Lớp ôxit nhôm H×nh2.15
Hình 2.18.
a)CÊu tao cña tô ho¸
3- Điện cực bằng nhôm. Lớp ôxit nhôm Al203 1-Dung dÞch ®iÖn ph©n
bám trên bề mặt cực dương có  = 710 và 2-Líp oxyt nh«m
3-§iÖn cùc
chịu được điện trường cao. b)H×nh d¹ng tô ho¸
Tụ hoá có trị số điện dung từ vài F đến hàng ngàn F. Tính dẫn điện của chất
điện phân không đối xứng nên tụ hoá có cực dương và cực âm. Tụ hoá có điện cực là
nhôm hoặc tantal, còn chất điện phân có thể là ôxit nhôm như trên hoặc các chất khác
ở thể lỏng hoặc thể khô.
Khi sử dụng tụ hoá phải mắc đúng điện cực và điện áp đặt lên tụ phải nhỏ hơn
điện áp danh định, mặt khác cần lưu ý là tụ hoá tích năng lượng lớn có thể gây nguy
hiểm ngay cả sau khi tắt máy.
4. Các tham số cơ bản của tụ.
a. Giá trị điện dung.
Điện dung của tụ điện là lượng điện tích mà tụ điện tích trữ được khi đặt vào hai
má của tụ điện một hiệu điện thế 1V. Trị số điện dung của tụ điện tỷ lệ với diện tích S
của điện cực và hằng số điện môi , tỷ lệ nghịch với khoảng cách d giữa hai cực.
S
C   (2.21)
d

a) b) c)

Hình 2.19. a)Tụ phẳng; b)Tụ phẳng nhiều tấm; c)Tụ hình ống.
24
 Đối với tụ phẳng hình 2.19a thì trị số điện dung xác định theo công thức:

C 
ε .S [pF] (2.22)
3,6 π d .
 - hằng số điện môi.
S- Diện tích hiệu dụng của một má tụ [cm2].
d - Khoảng cách giữa hai má tụ [cm].
S (n  1)
Nếu tụ được nhiều má như hình 2.19b thì: C  [pF] (2.23)
2,6 d
n - Tổng số má tụ của hai nhóm.
2,41l
Nếu tụ hình ống như hình 2.19c thì : C  [pF] (2.24)
D
ln 2
D1
D1, D2 - Đường kính ống trong và ống ngoài [cm].
l - Độ dài ống kim loại [cm].
b. Trị số danh định: Trị số điện dung danh định được ghi rõ trên tụ với cả sai số.
Trong thực tế thường dùng đơn vị F(microphara), nF (nanophara) và pF (picophara).
1pF = 10-12F = 10-6F = 10-3nF.
1F = 1012pF = 109nF = 106F.
Người ta sản xuất tụ điện với các cấp chính xác:
Cấp 00 sai số  1%
Cấp 0 sai số 2%
Cấp I sai số 5%
Cấp II sai số 10%
Cấp III sai số 20%
Cấp IV sai số +20%  -10%
Cấp V sai số +30%  -20%
Cấp VI sai số +50%  -20%
Cấp IV, V,và VI là cấp chính xác của tụ hoá. Ngoài ra còn có các tụ với cấp
chính xác rất cao dùng trong các thiết bị đặc biệt:
Cấp 001 sai số  0,1%
Cấp 002 sai số  0,2%
Cấp 005 sai số  0,5%

25
 Các tụ có kích thước nhỏ phải dùng vạch màu hoặc chấm màu để ghi trị số .
Cách đọc cũng tương tự như ở điện trở .
c. Độ bền điện: Khi đặt lên tụ điện áp lớn tụ sẽ bị đánh thủng. Điện áp đánh
thủng phụ thuộc vào phẩm chất và bề dày lớp điện môi. Trên tụ điện có ghi trị số điện
áp danh định một chiều. Khi sử dụng tụ trong mạch xoay chiều hoặc mạch xung phải
đảm bảo thành phần một chiều cộng với biên độ xoay chiều hoặc biên độ xung không
được vượt quá trị số điện áp danh định.
d. Tổn hao trong tụ điện: Trong tụ điện có tổn hao năng lượng trong chất điện
môi, do điện trở dây dẫn, tổn hao do vỏ bọc, tổn hao do chất tẩm phủ...Năng lượng tổn
hao làm tụ nóng lên ảnh hưởng đến các tham số của tụ. Tổn hao được đánh giá bằng
tg ( - góc tổn hao) hoặc hệ số phẩm chất Q:
1
Q (2.25)
tg
Tụ mica, tụ thuỷ tinh có chất lượng cao, tổn hao nhỏ: tg  0,001. Tụ có phẩm
chất trung bình thì tg cỡ khoảng 0,01. Tụ hoá có tổn hao lớn tg  0,1.
e. Tính chất tần số của tụ điện
Ở tần số cao sơ đồ tương đương của
một tụ có dạng đầy đủ như ở hình 2.20.
Hình 2.20. Sơ đồ tương đương
Lo- điện cảm riêng của tụ bao gồm
của tụ ở tần số cao
điện cảm tạp tán của các má tụ và hai
dây dẫn nối với má tụ.
ro- điện trở tổn hao trong kim loại má tụ.
R- điện trở tổn hao (điện trở rò) chất điện môi .
Như vậy tụ có tần số cộng hưởng nối tiếp riêng.
5. Phân loại của tụ điện.
- Theo cấu trúc:
+ Tụ không đổi: Có trị số điện dung C không đổi.
+ Tụ bán chuẩn (Primơ): Trị số C biến thiên được trong một khoảng hẹp.
+ Tụ xoay: Trị số C biến thiên trong một khoảng tương đối rộng .
+ Tụ phi tuyến: Trị số C phụ thuộc vào điện áp đặt trên hai má tụ .
- Theo chất điện môi :
+ Tụ không khí: Giữa hai má tụ là không khí hoặc chân không .
+ Tụ dầu: Chất điện môi là một loại dầu tổng hợp không dẫn điện .
+ Tụ vô cơ: Chất điện môi là chất rắn vô cơ như mica, sứ (gốm), thuỷ tinh.
+ Tụ hữu cơ: Chất điện môi là giấy, chất dẻo tổng hợp .
26
 + Tụ hoá: Chất điện môi là ôxit kim loại được hình thành trong quá trình điện
phân. Loại tụ này có trị số điện dung lớn nhưng có phân cực dương và âm nên chỉ
dùng trong các mạch một chiều (lọc nguồn) hoặc truyền các tín hiệu âm tần.
- Theo tần số: Tụ làm việc với tần số cao, trung bình, thấp.
6. Đặc điểm:
- Điện dung là đại lượng đặc trưng cho khả năng tích điện của tụ điện.
C = q/u q là lượng điện tích [Culong – C] (2.26)
- Quan hệ giữa điện áp và dòng điện qua tụ:
i = Cdu/dt (2.27)

(2.28)
Q = -UI = -XCI2 = -U2/XC (2.29)
với XC = 1/ωC là điện kháng của tụ điện
- Điện dung và dung kháng trong mạch thuần dung:
+ nối tiếp: 1/C∑ = ∑1/Ci và 1/XC∑ = ∑1/XCi (2.30)
+ song song: C∑ = ∑Ci và XC∑ = ∑XCi (2.31)

2.1.2. Các linh kiện tích cực.

Thường là các linh kiện phi tuyến (quan hệ giữa điện áp và dòng điện qua phần
tử là phi tuyến), điều khiển quá trình năng lượng điện trong hệ thống. Ví dụ như đèn
điện tử chân không, đèn điện tử bán dẫn. Ở đây ta chỉ xét đèn điện tử bán dẫn.
2.1.2.1. Chất bán dẫn.
Là chất ở “giữa” các chất dẫn điện và không dẫn điện. Trong kỹ thuật điện tử
người ta phân loại theo cấu trúc vùng năng lượng như sau: Tùy theo tình trạng các
mức năng lượng trong một vùng có bị điện tử chiếm chỗ hay không, người ta phân
biệt 3 loại vùng năng lượng khác nhau:
- Vùng hóa trị (hay còn gọi là vùng đầy), trong đó tất cả các mức năng lượng
đều đã bị chiếm chỗ, không còn trạng thái (mức) năng lượng tự do.
- Vùng dẫn (vùng trống), trong đó các mức năng lượng đều còn bỏ trống hay
chỉ bị chiếm chỗ một phần.
- Vùng cấm, trong đó không tồn tại các mức năng lượng nào để điện tử có thể
chiếm chỗ hay xác suất tìm hạt tại đây bằng 0.
Tùy theo vị trí tương đối giữa ba loại vùng kể trên, xét theo tính chất dẫn
điện, các chất rắn cấu trúc tinh thể được chia thành ba loại (xét ở 0K) thể hiện
trên hình 2.21.
27
 Vùng dẫn Vùng dẫn Vùng dẫn

Vùng cấm Eg  2eV 0 Eg  2eV Vùng hóa

Vùng hóa trị
Vùng hóa
trị
trị a) b) c)

Hình 2.21: Phân loại vật rắn theo cấu trúc vùng năng lượng.
a)Chất cách điện Eg > 2eV; b)Chất bán dẫn điện 0 < Eg ≤ 2eV;
c) Chất dẫn điện

2.1.2.2. Chất bán dẫn thuần

Hai chất bán dẫn thuần điển hình là Germanium (Ge) và Silicium (Si) có cấu
trúc vùng năng lượng dạng hình 2.21b với Eg = 0,72eV và Eg = 1,12eV, thuộc
nhóm bốn bảng tuần hoàn Menđêlêep.

Vùng dẫn
Si Si Si ni

1,12eV
Si Si Si
Vùng hóa trị
Si Si Si pi
a) b)

Hình 2.22. a) Mạng tinh thể một chiều của Si. b) Cấu trúc vùng năng lượng
Mô hình cấu trúc mạng tinh thể (một chiều) của chúng có dạng hình 2.22a
với bản chất là các liên kết ghép đôi điện tử hóa trị vành ngoài. Ở 0K chúng là các
chất cách điện. Khi được một nguồn năng lượng ngoài kích thích, xảy ra hiện tượng
ion hóa các nguyên tử nút mạng và sinh từng cặp hạt dẫn tự do: điện tử bứt khỏi
liên kết ghép đôi trở thành hạt tự do và để lại một liên kết bị khuyết (lỗ trống).
Trên đồ thị vùng năng lượng hình 2.22b, điều này tương ứng với sự chuyển điện tử
từ một mức năng lượng trong vùng hóa trị lên một mức trong vùng dẫn để lại một
mức tự do (trống) trong vùng hóa trị. Các cặp hạt dẫn tự do này, dưới tác dụng
của một đ i ệ n trường ngoài hay một gradien nồng độ có khả năng dịch chuyển có
hướng trong lòng tinh thể tạo nên dòng điện trong chất bán dẫn thuần.
Kết quả là trong chất bán dẫn thuần:
1) Muốn tạo hạt dẫn tự do cần có năng lượng kích thích đủ lớn Ekt  Eg
2) Dòng điện gồm hai thành phần tương đương nhau do quá trình phát sinh
từng cặp hạt dẫn tạo ra (ni = pi).
28
 2.1.2.3. Chất bán dẫn tạp
Để tăng nồng độ hạt dẫn trong chất bán dẫn, người ta pha tạp thêm vào chất bán
dẫn thuần các nguyên tố nhóm khác tạo nên chất bán dẫn tạp, có 2 loại như sau:
1. Chất bán dẫn tạp chất loại n
Người ta tiến hành pha thêm các nguyên tử thuộc nhóm 5 bảng Menđêlêep
vào mạng tinh thể chất bán dẫn nguyên chất nhờ các công nghệ đặc biệt, với
nồng độ khoảng 10 10 đến 1018 nguyên tử/cm3. Khi đó các nguyên tử tạp chất thừa
một điện tử vành ngoài, liên kết yếu với hạt nhân, dễ dàng bị ion hóa nhờ một
nguồn năng lượng yếu tạo nên một cặp ion dương tạp chất – điện tử tự do. Ngoài
ra, hiện tượng phát sinh hạt dẫn giống như cơ chế của chất bán dẫn thuần vẫn xảy
ra nhưng với mức độ yếu hơn. Trên đồ thị vùng năng lượng, các mức năng lượng
tạp chất loại này (gọi là tạp chất loại n hay loại cho điện tử - donor) phân bố bên
trong vùng cấm, nằm sát đáy vùng dẫn ( khoảng cách vài % eV) (hình 2.23a).

Vùng dẫn Vùng dẫn

nn np
Mức tạp chất Mức tạp chất
+ + + _ _ _
loại n loại p
= = =
_ _ _
pn pp
Vùng hóa trị Vùng hóa trị
a) b)
Hình 2.23: Đồ thị vùng năng lượng: a)Bán dẫn loại n; b)Bán dẫn loại p
Kết quả là trong mạng tinh thể tồn tại nhiều ion dương của tạp chất và dòng
điện trong chất bán dẫn loại n gồm hai thành phần không bằng nhau tạo ra: điện tử
được gọi là loại hạt dẫn đa số có nồng độ là nn, lỗ trống - loại thiểu số có nồng độ
pn (chênh nhau nhiều cấp: nn >>pn).
2. Chất bán dẫn tạp chất loại p
Nếu tiến hành pha tạp chất thuộc nhóm 3 bảng tuần hoàn Menđêlêep vào
tinh thể chất bán dẫn thuần ta được chất bán dẫn tạp chất loại p với đặc điểm chủ
yếu là nguyên tử tạp chất thiếu một điện tử vành ngoài nên liên kết hóa trị (ghép
đôi) bị khuyết, ta gọi đó là lỗ trống liên kết, có khả năng nhận điện tử, khi nguyên
tử tạp chất bị ion hóa sẽ sinh ra đồng thời m ộ t cặp: ion âm tạp chất - lỗ trống tự
do. Mức năng lượng tạp chất loại p nằm trong vùng cấm sát đỉnh vùng hóa trị (hình
2.23b) cho phép giải thích cách sinh hạt dẫn của chất bán dẫn loại này. Trong mạng
tinh thể chất bán dẫn tạp chất loại p tồn tại nhiều ion âm tạp chất có tính chất
định xứ từng vùng và dòng điện trong chất bán dẫn loại p gồm hai thành phần
không tương đương nhau: lỗ trống được gọi là các hạt dẫn đa số, điện tử hạt thiểu

29
số, với các nồng độ tương ứng là pp và np (pp >>np).
2.1.2.4.Các hiện tượng vật lý thường gặp trong chất bán dẫn
Cách sinh hạt dẫn và tạo thành dòng điện trong chất bán dẫn thường liên
quan trực tiếp tới các hiện tượng vật lý sau:
1. Hiện tượng ion hóa nguyên tử (của chất tạp chất) là hiện tượng gắn liền
với quá trình t ạ o hạt dẫn tự do h a y c h u y ể n d ờ i m ứ c năng lượng của các hạt.
Khi nguyên tử bị ion hoá sẽ phát sinh các hạt dẫn tự do. Kết quả nghiên cứu cho thấy
tích số của hai nồng độ hạt dẫn chính và phụ trong bất cứ một bán dẫn tạp nào ở điều
kiện cân bằng là một hằng số: nP.pP = nn.pn = const (2.32)
Từ (2.32) ta thấy nếu tăng nồng độ của hạt dẫn loại này lên bao nhiêu thì nồng
độ của hạt dẫn loại kia sẽ giảm đi bấy nhiêu lần. Như vậy muốn thay đổi nồng độ của
động tử (hạt dẫn) trong bán dẫn tạp cần thay đổi nồng độ động tử trong bán dẫn thuần.
Trong bán dẫn loại n số điện tử tự do luôn bằng số ion dương ND+; còn trong bán
dẫn loại p số “lỗ trống ” luôn luôn bằng số ion âm NA- của tạp chất.
2. Hiện tượng tái hợp của các hạt dẫn
Hiện tượng tái hợp là quá trình ngược lại, liên quan tới việc chuyển dời điện tử
từ mức năng lượng cao trong vùng dẫn về mức thấp hơn trong vùng hóa trị, làm
mất đi đồng thời một cặp hạt dẫn và đưa hệ hạt về lại một trạng thái cân bằng mới.
Như vậy cứ một lần tái hợp và trở thành nguyên tử trung tính thì trong bán dẫn
lại mất đi một cặp điện tích và chuyển sang một trạng thái mới. Khi đó cần quan tâm
đến sự gia tăng nồng độ của các hạt dẫn phụ vì chúng có vai trò quyết định trong cơ
chế phát sinh dòng điện trong các dụng cụ bán dẫn mà ta sẽ nghiên cứu sau này.
3. Chuyển động gia tốc (trôi) của các hạt dẫn trong điện trường
Dưới tác dụng của điện trường, hạt dẫn tự do chuyển động định hướng có
gia tốc tạo nên một dòng điện (gọi là dòng trôi Itr) với vận tốc trung bình tỷ lệ với
cường độ E của trường.
4. Chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
Do có sự chênh lệch về nồng độ theo không gian, các hạt dẫn thực hiện
chuyển động khuếch tán từ lớp có nồng độ cao tới lớp có nồng độ thấp tạo nên
dòng điện gọi là dòng khuếch tán Ikt.
2.1.2.5. Mặt ghép pn.
Khi cho hai đơn tinh thể bán dẫn tạp chất loại n và loại p tiếp giáp công nghệ
với nhau, các hiện tượng vật lý xảy ra tại nơi tiếp xúc là cơ sở cho hầu hết các dụng
cụ bán dẫn điện tử hiện đại.
1. Mặt ghép pn khi chưa có điện trường ngoài.

30
 Etx Eng

p _ + n
=
Itr Ikt
_
pp
nn

np pn

Hình 2.24. Mặt ghép p-n khi chưa có điện trường ngoài

Do có sự chênh lệch lớn về nồng độ (nn >>np và pp >>pn) tại vùng tiếp xúc
có hiện tượng khuếch tán các hạt đa số qua nơi tiếp giáp, xuất hiện một dòng điện
khuếch tán Ikt hướng từ p sang n. Tại vùng lân cận hai bên mặt tiếp xúc, xuất hiện
một lớp điện tích khối do ion tạp chất tạo ra, trong đó nghèo hạt dẫn đa số và có điện
trở lớn (hơn nhiều cấp so với các vùng còn lại), do đó đồng thời xuất hiện một điện
trường nội bộ hướng từ vùng n (lớp ion dương ND) sang vùng p (lớp ion âm NA)
gọi là điện trường tiếp xúc Etx. Điện trường Etx cản trở chuyển động của dòng
khuếch tán và gây ra chuyển động gia tốc (trôi) của các hạt thiểu số qua miền tiếp
xúc, có chiều ngược lại với dòng khuếch tán. Quá trình này tiếp diễn sẽ dẫn tới một
trạng thái cân bằng động Ikt = Itr và không có dòng điện qua tiếp xúc pn. Hiệu thế
tiếp xúc có giá trị xác lập, được xác định bởi công thức:

(2.33)
Trong đó k = 1,38.10-23 J/K (hằng số Boltzman)
T = 300K; q = 1,6.10-19 C
UT = kT/q  25,5mV (thế nhiệt – hiệu điện thế sinh ra do nhiệt độ).
Với những điều kiện tiêu chuẩn, ở nhiệt độ phòng, Utx có giá trị khoảng 0,3V
với tiếp xúc pn làm từ Ge và 0,6V với loại làm từ Si, phụ thuộc vào tỷ số nồng độ
hạt dẫn cùng loại, vào nhiệt độ với hệ số nhiệt âm (-2mV/K).
2. Mặt ghép pn khi có điện trường ngoài
Trạng thái cân bằng động nêu trên sẽ bị phá vỡ khi đặt tới tiếp xúc pn một
điện trường ngoài. Có hai trường hợp xảy ra (hình 2.25a và b).

Etx Eng Etx Eng

+ p _ _ +
n p n
= =
Itr Ikt _ _ Itr Ikt
a) b)
31
Hình 2.25. Mặt ghép p-n khi có điện áp phân cực
 - Khi điện trường ngoài (Eng) ngược chiều với Etx (tức là có cực tính dương
đặt vào p, âm đặt vào n), khi đó Eng chủ yếu đặt lên vùng nghèo và xếp chồng
với Etx nên cường độ trường tổng cộng tại vùng nghèo giảm đi do đó làm tăng
chuyển động khuếch tán Ikt. Người ta gọi đó là hiện tượng phun hạt đa số qua
miền tiếp xúc pn khi nó được mở. Dòng điện trôi do Etx gây ra gần như không
đáng kể do nồng độ hạt thiểu số nhỏ. Trường hợp này ứng với hình 2.25a gọi là
phân cực thuận cho tiếp xúc pn. Khi đó bề rộng vùng nghèo giảm đi so với trạng
thái cân bằng.
- Khi Eng cùng chiều với Etx (nguồn ngoài có cực dương đặt vào n và âm đặt
vào p - hình 2.25b), tác dụng xếp chồng điện trường tại vùng nghèo, dòng Ikt giảm
tới không, dòng Itr có tăng chút ít và nhanh đến một giá trị bão hòa gọi là dòng
điện ngược bão hòa của tiếp xúc pn. Bề rộng vùng nghèo tăng lên so với trạng thái
cân bằng. Người ta gọi đó là sự phân cực ngược cho tiếp xúc pn.
Vậy mặt ghép pn khi đặt trong một điện trường ngoài có tính chất van: dẫn
điện không đối xứng theo hai chiều. Người ta gọi đó là hiệu ứng chỉnh lưu của tiếp
xúc pn: khi phân cực thuận dòng có giá trị lớn tạo bởi dòng hạt đa số phun qua
tiếp giáp, khi phân cực ngược dòng có giá trị nhỏ hơn vài cấp do hạt thiểu số trôi
qua tiếp giáp pn. Đây là kết quả của hiệu ứng điều biến điện trở của lớp nghèo
của mặt ghép pn dưới tác động của trường ngoài.

2.2. Phần tử ghép một mặt pn – Điôt bán dẫn.

2.2.1.Nguyên lý cấu tạo và làm việc của điôt bán dẫn
2.2.1.1.Cấu tạo

Hình 2.26.
a) Ký hiệu điôt thông thường Hình 2.27.
b) Ký hiệu điôt ổn áp Ký hiệu và dạng đóng gói thực tế của điôt

Điôt bán dẫn được cấu tạo từ một mặt ghép pn để sử dụng như một van điện.
Tuỳ theo diện tích của phần tiếp xúc giữa hai lớp n và p mà ta có điôt tiếp điểm hay
điôt tiếp mặt. Ở điôt tiếp điểm, mặt tiếp xúc giữa hai lớp bán dẫn thu nhỏ lại hầu như
chỉ còn ở một điểm để giảm điện dung ký sinh của mặt ghép và điôt có thể làm việc
32
được ở tần số cao, sử dụng ở các mạch để xử lý tín hiệu vô tuyến điện như tách sóng,
điều chế, biến tần ...Còn điôt tiếp mặt thì mặt tiếp xúc của hai lớp n và p có diện tích
đủ lớn nhằm chịu được dòng điện lớn để sử dụng chúng vào mục đích chỉnh lưu.
Sơ đồ nguyên lý điôt ở hình 2.26: A(anot)-cực dương ứng với lớp p, K(catot) -
cực âm ứng với bán dẫn loại n.
2.2.1.2. Nguyên lý làm việc
Để điôt có thể làm việc cần đưa điện áp một chiều (điện áp phân cực) vào các
điện cực của nó tức là phân cực cho điôt.
Nếu cực A nối với cực dương, cực K nối với cực âm của nguồn ta nói điôt được
phân cực thuận, khi này có dòng đi qua điôt. Nếu ngược lại ta nói điôt được phân cực
ngược và không có dòng đi qua điôt.
Khi làm việc cần xét mối quan hệ giữa điện áp và dòng qua điôt, ta có được đặc
tuyến Von-Ampe của điốt có dạng hình 2.28.
IA[mA]
Ge
Si
Imởmax
(1)
Ungmax

IS UAK[V]
(2)
Hình 2.28: Đặc tuyến Von–Ampe
của điôt bán dẫn (3)

Đây là một đường cong có dạng phức tạp, chia làm 3 vùng rõ rệt:
(1) Vùng mở: Vùng phân cực thuận (UAK<0), có dòng đi qua điôt và được tính
như sau:

(2.34)
Trong đó m = 12 là hệ số hiệu chỉnh giữa lý thuyết và thực tế
UT  25,5mV là thế nhiệt (hiệu điện thế sinh ra do nhiệt độ)
IS = f(To) là dòng ngược bão hòa, phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ.
Khi làm việc ở miền mở cần lưu ý các giá trị giới hạn của dòng điện IA, công
suất cực đại và tần số cực đại cho phép.
UT và IS phụ thuộc vào nhiệt độ nên dạng đường cong phụ thuộc vào nhiệt
độ với hệ số nhiệt được xác định bởi đạo hàm riêng UAK theo nhiệt độ, nghĩa là
khi giữ cho dòng điện thuận qua van không đổi, điện áp thuận giảm tỷ lệ theo nhiệt
độ với tốc độ -2mV/K.
33
 (2) Vùng khóa: là vùng phân cực ngược (UAK<0), không có dòng đi qua điôt
- Khi này giá trị dòng bão hòa I nhỏ (10-12A/cm2 với Si và 10-6A/cm2 với
S
Ge) và phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ với mức độ +10% giá trị/K: ΔIS (ΔT = 10K) =
IS tức là dòng điện ngược tăng gấp đôi khi gia số nhiệt độ tăng 10K hay 10oC.
- Các kết luận vừa nêu đối với IS và UAK chỉ rõ hoạt động của điôt bán dẫn
phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ và trong thực tế người ta cần có nhiều biện pháp
nghiêm ngặt để duy trì sự ổn định của điôt nói riêng và các linh kiện bán dẫn nói
chung khi làm việc, chống (bù) lại các nguyên nhân kể trên do nhiệt độ gây ra.
(3) Vùng đánh thủng (khi UAK< 0 và có trị số đủ lớn tức là UAK < Ungmax): dòng
điện ngược tăng đột ngột trong khi điện áp giữa anốt và katốt không tăng. Tính chất
van của điốt bị phá hoại, ta nói rằng điôt bị đánh thủng mặt tiếp giáp, nguyên nhân
là do các hiệu ứng về điện và nhiệt. Tồn tại hai dạng đánh thủng chính:
- Đánh thủng vì nhiệt do tiếp xúc pn bị nung nóng cục bộ, vì va chạm của hạt
thiểu số được gia tốc trong trường mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt
(ion hóa nguyên tử chất bán dẫn thuần, có tính chất thác lũ) làm nhiệt độ nơi tiếp
xúc tiếp tục tăng. Dòng điện ngược tăng đột biến và mặt ghép pn bị phá hỏng.
- Đánh thủng vì điện do hai hiệu ứng: ion hóa do va chạm giữa hạt thiểu số
được gia tốc trong trường mạnh cỡ 105V/cm với nguyên tử của bán dẫn thuần xảy
ra ở các mặt ghép pn rộng (hiệu ứng Zener) và hiệu ứng xuyên hầm (Tuner) xảy ra
ở các tiếp xúc pn hẹp do pha tạp chất với nồng độ cao liên quan tới hiện tượng
nhảy mức trực tiếp của điện tử hóa trị bên p xuyên qua rào thế tiếp xúc sang vùng n.
2.2.1.3. Các tham số của điôt
Khi phân tích hoạt động của điốt trong các mạch điện cụ thể, người ta thường
sử dụng các đại lượng (tham số) đặc trưng cho nó. Có hai nhóm tham số chính là
nhóm các tham số giới hạn đặc trưng cho chế độ làm việc giới hạn của điốt và nhóm
các tham số định mức đặc trưng cho chế độ làm việc thông thường.
- Các tham số giới hạn là:
+ Điện áp ngược cực đại Ungmax để điốt còn thể hiện tính chất van (chưa bị đánh
thủng): (thường giá trị Ungmax chọn khoảng 80% điện áp đánh thủng Uđt)
+ Dòng cho phép cực đại qua van lúc mở IAcf(Imởmax)
+ Công suất tiêu hao cực đại cho phép để van chưa bị hỏng vì nhiệt PAcf(Pmax)
+ T ần số giới hạn của tín hiệu đặt lên van để nó còn tính chất van (fmax).
- Các tham số định mức chủ yếu là:
+ Điện trở một chiều của điốt: RD = UAK/IA (2.35)
+Điện trở vi phân (xoay chiều) của điốt: càng chênh lệch nhiều thì tính chất van
càng thể hiện rõ.
34
 rD = dUAK/dIA = UT/(IA + IS) → rDth  UT/IA (2.36)
→ rDng  UT/IS (2.37)
+ Điện dung tiếp giáp p-n: lớp điện tích khối tương đương như một tụ điện
gọi là điện dung của mặt ghép p-n: Cpn = Ckt + Crào. (2.38)
Trong đó Crào là thành phần điện dung chỉ phụ thuộc vào điện áp ngược (vài
phần chục pF) và Ckt chỉ phụ thuộc vào điện áp thuận (vài pF).
Ở tần số làm việc cao, phải xét ảnh hưởng của Cpn tới tính chất của mạch
điện. Đặc biệt khi sử dụng điốt ở chế độ khóa đóng mở với nhịp cao, điốt cần một
thời gian quá độ để hồi phục lại tính chất van lúc chuyển từ mở sang khóa. Điện áp
mở UD là điện áp thuận đặt lên van tương ứng để dòng thuận đạt được giá trị 0,1Imax.
Khi xét điôt trong mạch thực tế, người ta thường sử dụng sơ đồ tương đương
của điốt tương ứng với 2 trường hợp mở và khóa của nó (xem hình 2.29).

Hình 2.29. Sơ đồ tương đương của

điốt bán dẫn lúc mở (a) và lúc khóa (b)

Với rDth = rB điện trở phần đế bazơ của điôt hay độ dốc trung bình của vùng (1)
và rDng là độ dốc trung bình của nhánh ngược (2) của đặc tuyến Von-Ampe.
2.2.1.4.Phân loại
Người ta phân loại các điốt bán dẫn theo nhiều quan điểm khác nhau:
-Theo đặc điểm cấu tạo: điốt tiếp điểm, điốt tiếp mặt, vật liệu sử dụng (Ge, Si).
-Theo tần số giới hạn fmax: điốt tần số cao, điốt tần số thấp.
-Theo công suất PAcf: điốt công suất lớn, trung bình hoặc nhỏ (IAcf < 300mA).
-Theo nguyên lý hoạt động hay phạm vi ứng dụng: điôt chỉnh lưu, điôt ổn áp
(điôt Zener), điôt biến dung (Varicap), điôt sử dụng hiệu ứng xuyên hầm (điôt
Tunen), dùng để chỉ thị (LED)….
Có thể xem thêm trong các tài liệu chuyên ngành về dụng cụ bán dẫn điện.

Hình 2.30. Điôt phát quang

( light emitting diode: LED)

35
 2.2.2. Các ứng dụng điển hình của điôt bán dẫn
Điôt được dùng nhiều trong kỹ thuật điện tử. Ta xét một số ứng dụng điển
hình trong các mạch chỉnh lưu, hạn chế biên độ, ổn định điện áp hay để chỉ thị….
2.2.2.1. Mạch chỉnh lưu
Trong thực tế nhiều nơi cần nguồn một chiều, ví dụ như ngay các mạch điện tử
cần nguồn cung cấp (nguồn nuôi) là nguồn một chiều. Ta có thể dùng pin hay ăcqui
nhưng không được thuận tiện, mạch điện cồng kềnh, hết lại phải thay, cho công suất
nhỏ. Nếu dùng mạch chỉnh lưu thì ta chỉ cần chuyển dòng xoay chiều lấy từ lưới điện
thành dòng một chiều thuận lợi hơn nhiều. Sau đây ta xét nguyên lý của phương pháp
sử dụng tính chất van của điôt bán dẫn để chỉnh lưu qua một số mạch chỉnh lưu nửa
chu kỳ, cả hai nửa chu kỳ và mạch chỉnh lưu cầu ở các bộ chỉnh lưu công suất nhỏ.
1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
Để đơn giản cho việc phân tích hoạt động và rút ra các kết luận chính với
các mạch trên, chúng ta xét với trường hợp tải của mạch chỉnh lưu là điện trở
thuần, với giả thiết các van điôt là lý tưởng, điện áp vào có dạng hình sin phù
hợp với thực tế điện áp mạng 110V/220V xoay chiều, 50Hz.
Trong mạch sử dụng máy biến áp MBA để lấy ra điện áp theo yêu cầu, thường
là hạ áp vì điện áp cấp cho mạch chỉnh lưu thường không lớn. Mạch gồm một điôt D
mắc nối tiếp với điện trở tải R t (hình 2.31).
- Xét nửa chu kỳ đầu (0 t  T/2): Ta có U2>0 nên D được phân cực thuận, mở,
có dòng đi qua Rt. Vậy trên hai đầu của Rt có một điện áp có dạng gần giống của
điện áp U2 tức cũng là hình sin.
- Xét nửa chu kỳ sau (T/2  t  T): Ta có U2<0 nên D được phân cực ngược,
khóa lại và không cho dòng qua Rt. Trên hai đầu Rt khi này không có điện áp như
được biểu diễn trên đồ thị. D
U2 MBA It

U1 U2 Ut Rt
t
Ut

Hình 2.31. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ và

t
T/2 T đồ thị điện áp trên tải sau chỉnh lưu

- Vậy trên đồ thị ta thấy chỉ có một nửa chu kỳ của tín hiệu được cho ra tải, trên
tải chỉ có áp và dòng một chiều đi qua với giá trị không ổn định và được tính trung
bình như sau:
36
 (2.39)
Trong đó U2 và U2m là các giá trị hiệu dụng và cực đại của điện áp thứ cấp MBA
hay là điện áp đầu vào cấp cho mạch chỉnh lưu.
Khi sử dụng điôt cần lưu ý điện áp ngược cực đại đặt lên điôt là bao nhiêu để
điôt không bị đánh thủng, không bị hỏng tính chất van và có thể chỉnh lưu. Ta có thể
xác định giá trị này theo công thức sau:
(2.40)
2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì.
Ta thấy rằng chỉnh lưu nửa chu kỳ cho dòng ra không ổn định và giá trị nhỏ. Để
khắc phục ta có thể chỉnh lưu cả hai nửa chu kỳ. Có hai phương pháp để chỉnh lưu hai
nửa chu kỳ: dùng hai điôt và điểm trung tính của MBA và dùng mạch cầu.
a. Mạch chỉnh lưu dùng hai điôt và điểm trung tính (hình 2.32)
Nhờ biến áp nguồn và lấy ra điểm trung tính – điểm giữa của cuộn thứ cấp của
MBA (hoặc thứ cấp có hai cuộn dây có số vòng dây như nhau), điện áp mạng đưa
tới sơ cấp được biến đổi thành hai điện áp hình sin U21 và U22 ngược pha nhau
trên thứ cấp. Tương ứng với nửa chu kì dương (U21 > 0, U22 <0) D1 mở D2 khóa.
Trên Rt dòng nhận được có dạng một chiều là điện áp nửa hình sin do U21 qua D1
mở tạo ra. Khi điện áp vào đổi dấu (nửa chu kì âm) (U21< 0, U22 > 0) D1 khóa D2
mở và trên Rt nhận được dòng do D2 tạo ra.
Giá trị trung bình của điện áp trên tải được xác định theo hệ thức sau: Với U21=
U22 = U2/2 là giá trị hiệu dụng của điện áp trên nửa cuộn (hoặc trên 1 cuộn nếu thứ
cấp có 2 cuộn) của thứ cấp biến áp.

D1 (2.41)
MBA M It
U2
U21
U21 U22 U1 O Ut Rt
U22 D2
t
O
Ut
D1
MBA
t
T/2 T U21
O
Rt It
M
U1
Hình 2.32. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ
U22 Ut
dùng 2 điôt và điểm trung tính và đồ thị
điện áp trên tải sau chỉnh lưu
D2
37
Giá trị trung bình của dòng trên tải đối với trường hợp tải thuần trở: It = Utb/Rt

Giá trị điện áp cực đại đặt lên điôt sẽ là: (2.42)
b. Mạch chỉnh lưu cầu.
Một loại mạch thông dụng hiện nay để chỉnh lưu hai nửa chu kỳ là mạch cầu: dùng
4 điôt mắc thành mạch cầu để chỉnh lưu. Mạch này có nhiều ưu điểm hơn mạch trên. Sơ
đồ mạch điện như hình 2.33.
MBA It
~ A
D4 D1
_
+ U2 N M Ut Rt
U1
D3 D2
~ a) B b)
U2 MBA
A

D4 D1
t Rt It
U1 U2 N M
Ut
Ut
D3 D2
t B
T/2 T
d) c)
Hình2.33. a)Ký hiệu của mạch chỉnh lưu cầu; b) Mạch chỉnh lưu cầu; c)
Một cách vẽ khác của mạch cầu; d) Đồ thị điện áp sau chỉnh lưu

Ở nửa chu kỳ đầu, D1 và D3 mở, D2 và D4 khóa, có dòng qua Rt theo chiều trên
hình vẽ. Ở nửa chu kỳ sau, D1 và D3 khóa, D2 và D4 mở, vẫn có dòng qua Rt theo cùng
chiều như trên. Vậy qua Rt luôn có dòng có chiều không đổi nhưng giá trị thay đổi
nên ta có công thức tính giá trị trung bình sau:

(2.43)
Trong đó U2 và U2max là trị hiệu dụng và cực đại của điện áp ra trên hai đầu cuộn
thứ cấp của MBA, vậy có giá trị lớn hơn so với hai loại mạch chỉnh lưu trên.
Điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi điôt là
(2.44)
Vậy giá trị này nhỏ hơn so với hai mạch trên, mạch làm việc sẽ an toàn hơn. Đây
là ưu điểm quan trọng nhất của mạch chỉnh lưu cầu và nó được thông dụng hơn.

38
 Hình 2.34. Giản đồ điện áp của
mạch chỉnh lưu trên ôxilô.

2.2.2.2. Mạch hạn chế biên độ

Mạch có đầu vào là tín hiệu hình sin nhưng đầu ra sẽ là hình sin không đầy đủ:
có thể bị hạn chế trên hay hạn chế dưới. Mạch đơn giản gồm một điôt van bán dẫn và
nguồn điện một chiều. Điều kiện của mạch là biên độ điện áp vào phải lớn hơn giá trị
điện áp một chiều. Ở đây ta không đi sâu phân tích mạch vì nó tương tự như phân tích
mạch chỉnh lưu mà chỉ giới thiệu sơ đồ khối cùng tín hiệu vào và ra như hình sau.

Mạch hạn chế biên độ

Hạn chế
vào ra trên mức

Hạn chế
Hình 2.35. dưới mức

2.2.2.3. Mạch ổn áp.

Trên đặc tuyến vôn-ampe của điôt ta thấy rằng ở miền đánh thủng mặt tiếp giáp,
dòng điện tăng đột biến nhưng áp hầu như không tăng. Ở miền này ta không thể sử
dụng cho mạch chỉnh lưu nhưng lại có thể dùng trong mạch ổn định điện áp. Vì một lý
do nào đó mà dòng điện trong mạch tăng đột biến, nếu dùng một điôt cho làm việc ở
chế độ phân cực ngược thì giữa hai đầu của điôt vẫn có một điện áp không đổi. Vậy
có thể dùng nó để giữ ổn định điện áp. Các điôt loại này thường mang tên các hiệu
ứng đánh thủng như điôt Zener, điôt Tunen…. , có ký hiệu như hình dưới đây
IA[mA]
DZ
Ungmax
UAK[V]

(3)
Hình 2.36. Miền đánh thủng ở đặc39
tuyến Von–Ampe của điôt bán dẫn
 2.2.2.4. Chỉ thị.
Có loại chất bán dẫn khi dòng điện đi qua thì phát sáng. Người ta dùng để chế
tạo điôt phát quang dùng trong việc chỉ thị, chiếu sáng báo có tín hiệu, gọi tắt là đèn
LED (light effect diode – light emitting diode). Có LED màu đỏ, vàng và xanh lá cây
(xem hình 2.30)
2.3. Phần tử ghép hai mặt pn – Tranzito
2.3.1. Tranzito lưỡng cực BJT.
Nếu trên một đế bán dẫn ta tạo ra hai mặt ghép pn liên tiếp nhau thì ta có một
tranzito lưỡng cực (bipolar) hay đơn giản quen gọi là tranzito .
Tranzito có khả năng khuếch đại tín hiệu giống như đèn điện tử ba cực, tranzito
đóng vai trò rất quan trọng trong các mạch điện tử nên ta cần nghiên cứu tỉ mỉ nguyên
lý làm việc và các thông số của nó .
2.3.1.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc: E p p C E n n C
n p
Tranzito có hai mặt ghép pn
cấu tạo từ ba lớp bán dẫn tạp khác a) B B b)
E C E C
tính nên nó có thể là p-n-p hoặc n-p-n
(hình 2.37). Loại tranzito pnp có cấu B B
trúc và ký hiệu như ở hình 2.37a gọi là H×nh
Hình 3.8 Cấu
2.37. CÊutạo
t¹ovà
vµ ký
ký hiệu
hiÖu của
tranzito thuận, loại npn hình 2.37b a) Cña tranzisto
a) Tranzito thuận thuËn
b) Cña tranzisto ng­îc
gọi là tranzito ngược. b) Tranzito ngược

Hai loại tranzito này có cấu tạo khác nhau nhưng nguyên lý làm việc tương tự
nhau. Sự khác nhau ở đây là phân cực nguồn cho hai loại tranzito này ngược tính
nhau. Vì vậy chỉ cần xét nguyên lý làm việc của một loại là có thể suy ra loại kia. Ví
dụ ta xét cấu tạo và nguyên lý làm việc của tranzito thuận pnp.
Cấu tạo của một tranzito trình bày trên hình 2.38a. Miền bán dẫn p thứ nhất gọi
là miền cực phát - cực emitơ E, đó là miền có nồng độ tạp chất lớn, tức là nồng độ lỗ
trống lớn để phát ra lỗ trống. Miền thứ hai là miền n gọi là miền cực gốc hay cực bazơ
B. Miền này vừa mỏng (cỡ vài m) lại vừa nghèo điện tử (nồng độ tạp chất nhỏ).
Miền thứ ba là miền cực góp hay cực colectơ C có nồng độ tạp chất trung bình.
C
IC
E C E DE r DC C
p n
p IC
B _ EC B _
B C
IB + + EC
a) B b) _ IB E
H×nh
Hình 3.9
2.38.a)CÊu t¹otạo
a) Cấu b)b)
vµCác
c¸cmặt
mÆtghép
ghÐpcủa
ña tranzisto
tranzito _ + E
+ E IE B IE 40
B
E
H×nh 3.10 CÊpnguồn
Hình 2.39. Cấp nguån(ph©n
(phâncùc)
cực)
cho tranzisto thuËn
cho tranzito thuận
 Cả ba miền cực đều có chân nối ra ngoài để hàn vào mạch. Mặt ghép p-n giữa E
và B gọi là mặt ghép emitơ, giữa C và B là mặt ghép colectơ. Vậy về mặt cấu trúc có
thể coi tranzito lưỡng cực như hai điôt mắc nối tiếp nhau qua điện trở khối rB của
miền cực B. Tuy nhiên không thể dùng 2 điôt mắc nối tiếp nhau để được một tranzito
vì trong tranzito hai điôt (hai mặt ghép) có tác dụng tương hỗ với nhau qua miền bazơ.
Hiệu ứng “tranzit” chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa hai mặt ghép nhỏ hơn nhiều so với
độ dài khuếch tán của hạt dẫn.
Để cho tranzito thuận làm việc ta phân cực (cấp nguồn) nó như ở hình 2.39. Với
cách đấu nguồn như vậy mặt ghép emitơ được phân cực thuận (thông), mặt ghép
colectơ phân cực ngược (khóa). Vì mặt ghép emitơ phân cực thuận nên lỗ trống từ
miền E phun vào miền bazơ. Các lỗ trống này tạo nên dòng cực phát IE. Các hạt này
vào miền bazơ trở thành hạt thiểu số (hạt dẫn phụ của bazơ) và đi sâu vào miền bazơ
hướng tới mặt ghép colectơ. Trên đường đi một số tái hợp với điện tử (hạt đa số) tạo
nên dòng bazơ IB còn lại đa số đạt tới mặt ghép colectơ vì miền bazơ rất mỏng (tức là
đã xảy ra hiệu ứng "tranzit"). Tới đây nó bị trường gia tốc của cực colectơ (do mặt
ghép colectơ phân cực ngược) cuốn sang miền cực góp tạo thành dòng cực góp IC.
Như vậy : IE = IB +IC (2.45)
Tuy nhiên trong thành phần dòng colectơ còn có dòng ngược của mặt ghép
colectơ. Vì vậy : I C =  I E + IC 0 (2.46)
 IE là phần dòng do lỗ trống “tranzit” sang cực C
IC 0 - dòng ngược của mặt ghép colectơ (xem hình 2.28).
IC
Thường thì IC 0 rất nhỏ nên có thể coi IC   IE và  = (2.47)
I
 gọi là hệ số truyền dòng điện (cực phát), nó đánh giá độ hao hụt dòng điện
khuếch tán trong vùng bazơ ( = 0,90,999).
Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng bazơ đối với dòng colectơ người ta
thường dùng hệ số truyền (khuếch đại) dòng bazơ  :
IC
= (2.48)
IΒ
Vậy IE = IC + IB = (1+)IB
I βI β β
= C =  (2.49)
I  1  β I β 1  β

41
 β 1
 = và  =
1 β 1 
Tất cả các kết luận trên đều đúng cho tranzito ngược.
Phân cực cho tranzito ngược npn có chiều ngược với hình 2.39.
2.3.1.2. Họ đặc tuyến tĩnh của tranzito.
Các quan hệ dòng-áp trong tranzito ở chế độ không có tín hiệu gọi là các đặc
tuyến tĩnh của nó. Các họ đặc tuyến tĩnh được xác định tuỳ theo cách mắc tranzito.
Tranzito có ba cách mắc gọi theo cực chung giữa đầu vào và đầu ra gọi là mắc emitơ
chung EC, bazơ chung BC và colectơ chung CC như trên hình 2.40a. I
I2 I1 I2
2

a) I1
I1 U2 U1 U2 U1 U2
U1
M¾c EC M¾c BC M¾c CC
I1 I2
U1 Tranzistor U2
b)
H×nh 3.11.a)c¸c c¸ch m¾c tranzisto.b)Tranzistor nh­ mét m¹ng
Hình 2.40. a) Các cách mắc tranzito b) Tranzito như một
bèn cùc
mạng 4 cực

Hình 2.41. Sơ đồ mođun khảo

sát 3 cách mắc tranzito

Để tiện cho việc xác định các tham số của tranzito người ta coi tranzito là một
mạng 4 cực (một đoạn mạch có 4 cực) tuyến tính như hình 2.40b để đặc trưng quan hệ
giữa đầu vào và đầu ra. Lúc đó ta có các hệ phương trình đặc trưng:
Hệ phương trình trở kháng (hay hệ phương trình tham số R (hay Z)):
U1 = f1 (I1,I2) = r11I1 + r12I2
U2 = f2 (I1,I2) = r21I1 + r22I2 (2.50)
Hệ phương trình điện dẫn (hay hệ phương trình tham số G (hay Y)):
I1 = g1 (U1, U2) = g11U1 + g12 U2
I2 = g2 (U1, U2) = g21U1 + g22 U2 (2.51)
Hệ phương trình hỗn hợp (hay hệ phương trình tham số H):
U1 = h1 (I1, U2) = h11I1 + h12U2
I2 = h2 (I1, U2) = h21I1 + h22U2 (2.52)
Trong đó rij, gij, hij, là điện trở, điện dẫn và tham số hỗn hợp của tranzito:
42
 U 1
r11  = h11 - Điện trở vi phân đầu vào của tranzito (2.53)
I1 I 2  const
U 2
r22  =1/h22 - Điện trở vi phân đầu ra của tranzito. (2.54)
I 2 I1  const
I 2
h 21  =β - Hệ số khuếch đại dòng điện vi phân (2.55)
I1 U 2  const
I 2
g 21  = 1/r12 = S - Hỗ dẫn thuận (Hệ số truyền đạt) (2.56)
U 1 U 2  const

Để xác định các tham số trên người ta dựng họ đặc tuyến tĩnh của tranzito (bằng
thực nghiệm). Họ đặc tuyến tĩnh của tranzito thiết lập các quan hệ giữa các dòng điện
và điện áp của tranzito trong chế độ không có tín hiệu (chế độ tĩnh). Họ này xác định
theo hệ (2.52) là tiện hơn cả.
Họ đặc tuyến vào U1 = f(I1) khi U2= const; họ đặc tuyến hồi tiếp U1 = f(U2) khi I1
= const; họ đặc tuyến truyền đạt I2 = f(I1) khi U2 = const; họ đặc tuyến ra I2 = f(U2)
khi I1 = const.
- mA -

R2
EB R1 A EC

V2
V1
+ +

Vậy cách mắc khác H×nh

nhau3.12 S¬ ®å lÊy ®Æc tuyªn cña tranzisto thuËn
Hình 2.42. Sơ đồ lấy đặc tuyến của tranzito thuận
thì họ đặc tuyến của tranzito sẽ khác nhau. Cách mắc
thông dụng nhất là mắc emitơ chung, nên ta chỉ xét họ đặc tuyến của cách mắc này.
Đối với cách mắc Emitơ chung có thể lấy họ đặc tuyến theo sơ đồ được thực
hiện bằng các phép đo trong phòng thí nghiệm hình 2.42 (tranzito công suất nhỏ).
Trong sơ đồ này A - microampe kế dùng để đo dòng bazơ IB, mA - miliampe kế
dùng để đo dòng colectơ IC, V1 - vôn kế thứ nhất để đo điện áp UBE, V2 - vôn kế thứ
hai dùng để đo điện áp UCE ; R1, R2 - hai chiết áp chỉnh UBE và UCE.
1. Đặc tuyến vào: IB = f(UBE) = f(UB) khi UCE = UC = const
Để lấy họ đặc tuyến vào ta giữ cho điện áp UCE (để đơn giản gọi là UC) không
thay đổi, ghi các giá trị IB và UB tương ứng vào bảng. Thay đổi giá trị UC rồi lặp lại
phép đo ta được đường cong thứ hai (hình 2.43a). Đặc tuyến này giống như đặc tuyến
của điôt khi phân cực thuận. Thật vậy IB là một phần của dòng IE chảy qua mặt ghép
emitơ phân cực thuận. Ứng với một UB nhất định dòng IB càng nhỏ khi UC càng lớn vì
điện áp UC càng lớn thì số hạt bị cuốn sang miền cực C càng lớn, số hạt dẫn bị tái hợp
trong miền bazơ và đến được cực B càng ít nên dòng IB nhỏ đi. Vì vậy khi tăng UC (trị
tuyệt đối) họ đặc tuyến dịch sang phải.
43
 2. Đặc tuyến ra : Là đặc tuyến IC = f(UC ) khi IB =const.
Để lấy đặc tuyến này giữ cho IB ở giá trị cố định nào đó, thay đổi UC và lập bảng
ghi lại dòng IC tương ứng. Phép đo được lặp lại với các giá trị khác nhau của I B. Kết
quả sẽ có họ đặc tuyến như ở hình 2.43b. Khi UCE = UC = 0 thì dòng IC=0 vì lỗ trống
từ miền E qua mặt ghép emitơ có một phần nhỏ tạo thành dòng IB còn phần lớn đọng
lại ở miền bazơ vì chưa có trường gia tốc kéo lỗ trống sang miền colectơ. Khi UC tăng
ban đầu dù nhỏ nhưng tác động trực tiếp lên lỗ trống đọng ở miền bazơ nên dòng IC
tăng rất nhanh. Ở đây UCE= UEB+UBC .
IC (mA) IB=100A

IB=80A IB (A)
5
UCE = 2V
4 IB=60A
150
3 IB=40A UCE = 6V
UCE = 6V
100
2 IB=20A
UCE = 2V
50
1 IB=0A

IB (A) 80 60 40 20 1 2 3 4 5 6 7 8 UCE(V) 0,5 1,0 1,5 UBE (V)

a)
c) b)

Hình2.43. a) Đặc tuyến vào; b) Đặc tuyến ra; c) Đặc tuyến truyền đạt.

Điểm uốn của đường đặc tuyến ứng với UBC = 0. Lúc này dù UCE đủ nhỏ vẫn
mau chóng làm dòng thuận (UCE< UEB) gọi là chế độ bão hoà. Khi UCE > UEB tranzito
chuyển sang chế độ khuếch đại. Ở chế độ này các đường đặc tuyến ra gần như song
song nhau. Nếu tiếp tục tăng UCE thì dòng IC càng lớn, tranzito sẽ bị đánh thủng.
3. Đặc tuyến truyền đạt : IC = f(IB) khi UC = const được lấy bằng cách giữ cho
giá trị của UC không đổi, thay đổi IB và ghi lại giá trị tương ứng của IC. Đặc tuyến
truyền đạt cũng có thể dựng từ đặc tuyến ra, ta làm như sau:
Tại một vị trí UC cho trước trên đặc tuyến ra ta kẻ đường song song với trục
tung, đường này cắt họ đặc tuyến ở các điểm khác nhau ta tìm được IB và IC tương
ứng. Trên trục IB, IC ta tìm các điểm thoả mãn IB, IC vừa tìm được. Nối các điểm này
ta được đặc tuyến truyền đạt (xem hình 2.43c).
2.3.1.3. Sự ảnh hưởng của nhiệt độ đến các tham số của tranzito.
Nói chung các tham số của tranzito đều phụ thuộc vào nhiệt độ. Ở chế độ khuếch
đại cần xét sự phụ thuộc của các dòng dư (dòng ngược) vào nhiệt độ. Dòng colectơ
theo (2.46) có thành phần dòng dư ICO. Ở nhiệt độ thường đối với tranzito Silic dòng
này cỡ vài nanoampe, đối với tranzito Gecmani cỡ vài microampe. Khi nhiệt độ tăng
khoảng (810)oC dòng này tăng gấp đôi. Thực tế nếu dòng tĩnh IC chọn > 0,1 mA thì
44
có thể bỏ qua ICO. Khi ngược lại phải tính đến sự phụ thuộc của dòng IC theo nhiệt độ.
Do vậy trong các mạch cần có biện pháp ổn định nhiệt độ cho tranzito.
2. 3.1.4. Phân cực và ổn định nhiệt điểm công tác của tranzito
1. Nguyên tắc chung phân cực tranzito
Muốn tranzito làm việc như một phần tử tích cực thì các tham số của tranzito
phải thoả mãn điều kiện thích hợp. N hững tham số này của tranzito như ở mục
trước đã biết, phụ thuộc rất nhiều vào điện áp phân cực các chuyển tiếp colectơ và
emitơ. Nói một cách khác các giá trị tham số phụ thuộc vào điểm công tác của
tranzito. Một cách tổng quát, dù tranzito được mắc mạch theo kiểu nào, muốn nó
làm việc ở chế độ khuyếch đại cần có các điều kiện sau:
- Chuyển tiếp emitơ – bazơ luôn phân cực thuận.
- Chuyển tiếp bazơ – colectơ luôn phân cực ngược.
Có thể minh họa điều này qua ví dụ xét tranzito loại pnp (hình 2.39). Nếu
gọi UE, UB, UC lần lượt là điện thế của emitơ, bazơ, colectơ, căn cứ vào các điều
kiện phân cực kể trên thì giữa các điện thế này phải thỏa mãn điều kiện:
UE > UB >UC (2.57)
- Từ mạch chung B có thể xác định điện áp và dòng điện các cực như sau:
UEB = UE – UB > 0 IE > 0
UCB = UC – UB < 0 IC < 0 (2.58)
- Từ mạch chung emitơ có thể xác định được cực tính của điện áp và dòng
điện các cực như sau:
UBE = UB – UE < 0 IB < 0
UCE = UC – UE < 0 IC < 0 (2.59)
- Với mạch chung colectơ có thể viết:
UBC = UB – UC > 0 IB > 0
UEC = UE – UC > 0 IE > 0 (2.60)
Đối với T npn điều kiện phân cực để nó làm việc ở chế độ khuếch đại là:
UE < UB < UC (2.61)
Từ bất đẳnh thức (2.61) có thể thấy rằng hướng dòng điện và điện áp thực tế
sẽ ngược lại so với trong tranzito pnp.
2. Đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh
Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến ra tĩnh của tranzito để nghiên cứu
dòng điện và điện áp khi nó mắc trong mạch cụ thể nào đó (khi có tải). Điểm công
tác (hay còn gọi là điểm tĩnh, điểm phân cực, điểm làm việc) là điểm nằm trên
đường tải tĩnh xác định dòng điện và điện áp trên tranzito khi không có tín hiệu đặt
45
vào, nghĩa là xác định điều kiện phân cực của tranzito.

IC(mA) b)
2
E D IB =30A
a) 1,5
IB=20A
Rt
URt C
RB 1

B IB =10A
0,5
UC

UB
I B=0 A
0 5 10 15 20 UCE (V)
Hình 2.44. a) Mạch khuếch đại EC tĩnh
b) Họ đặc tuyến ra và đường tải tĩnh

Để hiểu rõ về đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh, ta hãy xét trường hợp
tranzito loại npn mắc chung emitơ như hình 2.44. Phương trình quan hệ dòng và áp
ở mạch có dạng: UCE = ECC -ICRt (2.62)
IC = -UCE/Rt + ECC/Rt (Phương trình đường tải) (2.63)
Nếu như điện áp phân cực UBE làm cho T khóa, khi ấy IC = 0
và UCE = ECC – (0.Rt) = ECC = 20V.
Như vậy điểm có tọa độ (IC = 0, UCE= 20V) là điểm A trên đặc tuyến ra. Giả
thiết rằng UBE tăng làm cho tranzito mở và IC= 0,5mA khi ấy
UCE = 20V – 0,5mA.10kΩ = 20V – 5V = 15V
trên đặc tuyến ra đó là điểm B có tọa độ (0,5mA ; 15V).
Bằng cách tăng UBE, làm tương tự như trên có thể vẽ được ví dụ ứng với các
tọa độ sau :
Điểm C ứng với IC = 1mA ; UCE = 10V
Điểm D ứng với IC = 1,5mA ; UCE =5V
Điểm E ứng với IC = 2 mA ; UCE = 0V
Nối các điểm trên đây với nhau ta sẽ được một đường thẳng đó là đường tải
tĩnh với Rt =10 kΩ.
Có thể vẽ bằng cách chọn 2 điểm đặc biệt, điểm cắt trục tung E (UCE = 0; IC=
ECC/Rt =2mA) và điểm cắt trục hoành A (UCE= ECC =20V; IC=0A). Qua phân tích
trên thấy rằng đường tải chính là đường biến thiên của dòng IC theo điện áp UCE ứng
với điện trở tải Rt và điện áp nguồn ECC nhất định. Trong ba giá trị IB, IC và UCE
chỉ cần biết một rồi căn cứ vào từng giá trị tải xác định hai giá trị còn lại. Cần nhấn
mạnh là đường tải vẽ ở hai trường hợp trên chỉ đúng trong trường hợp ECC =20V
và Rt = 10kΩ. Khi thay đổi các điều kiện này phải vẽ các đường tải khác.

46
 IC (mA)

ECC/(RC//Rt)
IBmax
M

IC0 Q IB0

N IB=0µA

UC0 ECC UCE

(V)

Hình 2.45. Chọn điểm công tác tĩnh

Khi thiết kế mạch, điểm công tác tĩnh là điểm được chọn trên đường tải tĩnh.
Như trên đã nói, điểm này xác định giá trị dòng IC và điện áp UCE khi không có
tín hiệu đặt vào. Khi có tín hiệu đặt vào, dòng IB biến đổi theo sự biển đối của biên
độ tín hiệu, dẫn tới dòng IC biến đổi, kết quả là điện áp ra trên tải biến đổi giống
như quy luật biến đổi của tín hiệu đầu vào.
Để có biên độ điện áp ra cực đại, không làm méo dạng tín hiệu, điểm công tác
tĩnh phải chọn ở giữa đường tải tĩnh. Khi điện áp ra không yêu cầu nghiêm ngặt về
độ méo thì điểm công tác tĩnh có thể chọn ở những điểm thích hợp trên đường tải.
3. Ổn định điểm công tác tĩnh khi nhiệt độ thay đổi
Tranzito là linh kiện rất nhạy cảm với nhiệt độ vì vậy trong sổ tay hướng
dẫn sử dụng người ta thường cho dải nhiệt độ làm việc cực đại của tranzito. Ngoài
giới hạn nhiệt độ kể trên tranzito sẽ bị hỏng hoặc không làm việc. Ngay cả trong
khoảng nhiệt độ cho phép thì sự biến thiên nhiệt độ cũng ảnh hưởng đến tham số
của tranzito. Hai đại lượng nhạy cảm với nhiệt độ nhất là điện áp emitơ-bazơ UBE
và dòng ngược ICBO (Xem phần 2.2.1). Ví dụ đối với tranzito silic, hệ số nhiệt của
U (ΔU /ΔT) là -2,2mV/oC, còn đối với tranzito gecmani là -l,8mV/oC. Đối với
BE BE

ICBO nói chung khi nhiệt độ tăng lên 10oC giá trị dòng ngược này tăng lên hai lần.
Khi tranzito làm việc, dòng ngược ICBO như đã biết rất nhạy cảm với nhiệt độ,
khi nhiệt độ tăng sự phát xạ cặp điện tử-lỗ trống tăng, dòng ICBO tăng, từ quan hệ
giữa ICBO và IC đã nêu ở phần trước: IC = IB + (1+α)ICBO (2.64)
Có thể thấy rằng ICBO tăng làm cho IC tăng (dù giả thiết rằng IB và α không

47
đổi). Dòng IC tăng nghĩa là mật độ các hạt dẫn qua chuyển tiếp colectơ tăng lên
làm cho sự va chạm giữa các hạt với mạng tinh thể tăng. Nhiệt độ tăng làm cho
ICBO tăng chu kì lại lặp lại như trên làm dòng IC và nhiệt độ của tranzito tăng mãi.
Hiện tượng này gọi là hiệu ứng quá nhiệt. Nó làm thay đổi điểm công tác tĩnh và
nếu không có biện pháp hạn chế thì sự tăng nhiệt độ có thể làm hỏng tranzito.
Sự thay đổi nhiệt độ cũng làm cho UBE thay đổi và làm thay đổi dòng IC dẫn tới
thay đổi điểm công tác tĩnh. Trong những điều kiện thông thường ảnh hưởng của
dòng ICBO đến IC nhiều hơn so với UBE. Khi nói ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm
công tác thường chỉ quan tâm đến dòng ICBO và sự ổn định nhiệt hàm ý chỉ sự thay
đổi IC khi ICBO thay đổi, có thể định nghĩa hệ số ổn định nhiệt của tranzito như sau :
S = ΔIC/ ΔICBO (2.65)
trong đó: IC = h21e IB + (1 + h21e) ICBO (2.66)
Từ định nghĩa này thấy rằng S càng nhỏ thì tính ổn định nhiệt càng cao,
trong trường hợp lý tưởng S = 0, (trong thực tế không có sự ổn định nhiệt độ tuyệt đối).
Để xác định hệ số ổn định nhiệt S với một sơ đồ tranzito cho trước, giả thiết
do nhiệt độ thay đổi, dòng ICBO biến đổi một lượng là ∆ICBO, IB biến đổi một lượng
là ∆IB và IC biến đổi một lượng là ∆IC.
Qua một số biến đổi từ biểu thức (2.66) ta có :
S = ΔIC/ ΔICBO = (1+h21e)/[ 1 + h21e (ΔIB /ΔIC)] (2.67)
Khi biết các gia số dòng điện căn cứ vào (2.67) có thể tính được hệ số ổn
định nhiệt. Biểu thức (2.67) là biểu thức tổng quát để tính hệ số ổn định nhiệt độ
chung cho các loại mắc mạch.
4. Phân cực tranzito bằng dòng cố định
Nếu tranzito được mắc như hình 2.46, dòng IB từ nguồn một chiều cung cấp
cho tranzito sẽ không đổi, bởi vậy người ta gọi điều kiện phân cực này là phân cực
bằng dòng không đổi. Có thể có hai cách tạo ra dòng cố định, trường hợp thứ
nhất như hình 2.46a dùng một nguồn một chiều ECC. Dòng IB được cố định bằng
ECC và RB. Từ hình 2.46a tính được: IB = (ECC-UBE)/RB (2.68)

Hình 2.46: Mạch phân cực

dòng không đổi a)Mạch
một nguồn; b)Mạch hai
nguồn

Trường hợp thứ hai như hình 2.46b. Người ta dùng hai nguồn một chiều.
Hai mạch này hoàn toàn tương đương nhau: Nếu ECC = UBB có thể thay bằng 2.46a.
Căn cứ vào sơ đồ nguyên lý hình 2.46a, có thể suy ra những biểu thức cho
48
việc tính toán thiết kế mạch phân cực dòng cố định áp dụng định luật Kiếckhôp
(Kirchhoff chovòng mạch bazơ) và chú ý rằng ở đây UBB = ECC có thể viết:
IB = (ECC-UBE)/RB (2.69)
Khi làm việc chuyển tiếp emitơ luôn phân cực thuận cho nên UBE thường rất
nhỏ (từ 0,2V đến 0,7V) và trong biểu thức 2.69 cóthể bỏ qua, như vậy có thể viết:
ECC =IB.RB (2.70)
Và IB ≈ ECC/RB (2.71)
Trong mạch colectơ có thể viết: ECC = ICRt + UCE (2.72)
Biểu thức (2.72) thường gọi là phương trình đường tải, giá trị ECC và Rt cố
định, từ (2.72) ta thấy rằng IC tăng thì UCE giảm và ngược lại IC giảm thì UCE tăng.
Từ các biểu thức trên có thể tính được điều kiện phân cực tĩnh khi biết hệ
số khuếch đại dòng tĩnh h21e và giá trị các phần tử của mạch.
Bây giờ xét tới tính ổn định nhiệt của loại sơ đồ phân cực hình 2.46. Như đã
biết theo kiểu mắc mạch này thì IB luôn luôn không đổi cho nên:
ΔIB/ΔIC = 0 (2.73)
Từ đẳng thức (2.73) tính được hệ số ổn định nhiệt bằng: S = h21e + 1 (2.74)
Từ biểu thức (2.74), rút ra kết luận sau: Sơ đồ phần cực tranzito bằng dòng cố
định có hệ số ổn định nhiệt S phụ thuộc vào hệ số khuếch đại dòng tĩnh h21e, khi
dùng loại mạch này muốn thay đổi độ ổn định nhiệt phải thay đổi tranzito, hệ số
h21e thường lớn nên hệ số S lớn và do đó ổn định nhiệt kém. Trong thực tế cách
phân cực cho tranzito như hình 2.46 chỉ dùng khi yêu cầu ổn định nhiệt không cao.
5. Phân cực cho tranzito bằng điện áp phản hồi (phân cực colectơ - bazơ)
Ở trên đã biết mạch phân cực tranzito bằng dòng ổn định có độ ổn định
nhiệt không cao, ngoài ra khi dòng IC tăng làm điện áp UCE giảm. Có thể lợi dụng
hiện tượng này làm cho dòng IB giảm do đó ổn định được dòng IC. Thật vậy dòng IC
phụ thuộc vào hai yếu tố ICBO và IB do ảnh hưởng của nhiệt độ dòng ICBO tăng lên
khiến IC cũng tăng. Nhưng nếu lợi dụng sự tăng của dòng IC ta làm giảm dòng IB thì
dòng IC giảm bớt và kết quả là dòng IC trở lại giá trị ban đầu.

Hình 2.47. Phân cực bằng điện áp

phản hồi điện áp colectơ-bazơ

Việc mắc tranzito như hình 2.47 sẽ thỏa mãn điều kiện trên. Cách phân
cực tranzito như vậy gọi là phân cực colectơ. Điện trở RB được nối trực tiếp giữa

49
cực colectơ và cực bazơ. Sự khác nhau cơ bản giữa mạch phân cực bằng điện áp
phản hồi và phân cực cố định là: trong mạch phân cực bằng điện áp phản hồi thì
dòng IB cảm biến theo điện áp (hoặc dòng điện) ở mạch ra, còn trong mạch phân
cực dòng cố định thì không có điều này. Điểm công tác tĩnh được xác định như sau:
Từ hình 2.47, quan hệ điện áp trong mạch ra có dạng.
ECC = (IC + IB) Rt + UCE (2.75)
Còn quan hệ điện áp trong mạch bazơ có thể viết ở dạng:
ECC = (IC + IB)Rt + IBRB + UBE (2.76)
Nếu coi UBE nhỏ, có thể bỏ qua thì
ECC = (IC + IB)Rt + IBRB (2.77)
Từ 2.75 và 2.77 có thể suy ra: UCE ≈ IBRB (2.78)
Thay IC = h21eIB vào biểu thức (2.78) ta tìm được
ECC = (h21e + 1)IBRt + IBRB (2.79)
rút ra: IBQ = ECC/[(h21e +1)Rt +RB (2.80)
Sau đó tính dòng colectơ ứng với điểm công tác tĩnh Q: ICQ = h21eIBQ (2.81)
Và điện áp giữa colectơ và emitơ ứng với điểm công tác tĩnh Q căn cứ vào
(2.78) tính được: UCEQ = IBQRB (2.82)
Nếu biết h21e của tranzito có thể áp dụng biểu thức (2.81) và (2.82) tính
được điều kiện phân cực tĩnh tranzito.
Bây giờ hãy xác định đặc tính ổn định nhiệt độ của mạch phân cực dùng điện
áp phản hồi.
Từ biểu thức (2.77), tìm được
IB = ECC/(RB + RC) – ICRt/(RB + Rt) (2.83)
Lấy vi phân biểu thức (2.83) theo IC được:
dIB/dIC = -Rt/(RB + Rt) (2.84)
Thay biểu thức (2.84) vào (2.67), được:
S = (h21e+1)/[1 + h21eRt(RB + Rt)] (2.85)
Có thể biến đổi (2.85) về dạng thuận lợi cho việc tính toán hơn:
S = (h21e+1)(RB + Rt)/ [(h21e+1)RB + Rt] (2.86)
Từ biểu thức (2.86) có nhận xét rằng hệ số ổn định S trong mạch phân cực
bằng điện áp phản hồi không cố định mà phụ thuộc vào giá trị các điện trở RB và Rt.
Trong trường hợp RB << Rt thì S gần tới một đơn vị, điều này nói lên rằng dù có
mạch RB thì hệ số ổn định nhiệt S không giảm xuống nhỏ hơn 1.
Điện áp phản hồi âm qua điện trở RB trong mạch phân cực làm tăng tốc độ
ổn định nhiệt đồng thời lại làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều (xem mục
50
2.4). Như trên đã nói để tăng tính ổn định nhiệt độ, phải làm giảm điện trở RB
nhưng khi đó hệ số khuếch đại của mạch cũng giảm đi, ở đây có mâu thuẫn giữa
độ ổn định nhiệt của mạch và hệ số khuếch đại.
Có một cách cho phép đạt được độ ổn định nhiệt cao mà không phải trả giá về
hệ số khuếch đại đó là cách mắc mạch như ở hình 2.48. Điện trở RB trong trường
hợp này được chia làm hai thành phần R1 và R2, điểm nối 2 điện trở này được nối
đất qua tụ C. Đối với điện áp và dòng một chiều thì tụ C coi như hở mạch do đó
không ảnh hưởng gì đến chế độ một chiều. Ngược lại với tín hiệu xoay chiều thì tụ
C coi như ngắn mạch xuống đất không cho phản hồi ngược lại đầu vào.

Hình 2.48. Phương pháp loại

trừ phản hồi tín hiệu xoay
chiều

Qua phân tích trên thấy rằng mạch phân cực điện áp phản hồi có độ ổn định
tốt hơn mạch phân cực dòng cố định, tuy nhiên hai phân cực này không thể tăng
độ ổn định nhiệt độ cao vì điểm công tác tĩnh và độ ổn định nhiệt của mạch phụ
thuộc lẫn nhau, đó chính là một nhược điểm lớn là khó khăn thiết kế loại mạch này.
6. Phân cực tranzito bằng dòng emitơ (tự phân cực)và mạch phân áp
Mạch phân cực tranzito bằng dòng emitơ có dạng như hình 2.49. Điện trở R1,
R2 tạo thành một bộ phân áp cố định tạo UB đặt vào bazơ tranzito từ điện áp nguồn
ECC. Điện trở RE mắc nối tiếp với cực emitơ của tranzito có điện áp rơi trên nó là UE
= IERE. Vậy: IE = (UB – UBE)/RE (2.87)
Nếu thỏa mãn điều kiện UB >>UBE thì IE ≈ UB/RE (2.88)
và rất ổn định. Để tiện cho việc phân tích tiếp theo có thể vẽ sơ đồ tương đương của
hình 2.49 như hình 2.50 bằng cách áp dụng định lý Thevenin trong đó:
RB = R1R2/(R1+R2) (2.89)
UB = R2ECC/(R1+R2) (2.90)
Vấn đề ở đây là phải chọn R1 và R2 thế nào để đảm bảo cho UB ổn định. Từ
hình 2.49 thấy rõ phải chọn R1và R2 sao cho RB không lớn hơn nhiều so với RE, nếu
không sự phân cực của mạch lại tương tự như trường hợp phân cực dòng cố định.
Để có UB ổn định cần chọn R1 và R2 càng nhỏ càng tốt, nhưng để đảm bảo cho điện
trở vào của mạch đủ lớn thì R1 và R2 càng lớn càng tốt. Để dung hòa hai yêu cầu
mâu thuẫn này trong thực tế thường chọn RB = RE.
Căn cứ vào sơ đồ tương đương (hình 2.50) để phân tích mạch phân cực
dòng emitơ. Tổng điện áp rơi trong mạch bazơ bằng:
UB = IBRB + UBE + (IC + IB)RE (2.91)

51
 Hình 2.49. Phân cực bằng dòng IE Hình 2.50. Sơ đồ tương đương tĩnh

Trong đó đã thay IE = IC + IB nếu như biết h21e có thể biến đổi (2.91) thành
UB = IB[ RB+(h21e + 1)RE] + UBE + ICO(h21e + 1)RE (2.92)
Trước khi phân tích hãy chú ý là điện áp UBE trong trường hợp phân cực
này không thể bỏ qua như những trường hợp khác. Trong quá trình làm việc
chuyển tiếp emitơ luôn phân cực thuận cho nên tổng điện áp một chiều ở đầu vào
của mạch này là UB. Trong hầu hết các trường hợp UB nhỏ hơn ECC nhiều lần.
Trước đây có thể bỏ qua UBE vì nó quá nhỏ so với ECC, nhưng trong trường hợp này
UBE độ lớn vào cỡ UB cho nên không thể bỏ qua được. Số hạng cuối cùng trong
(2.92) chứa ICO thường được bỏ qua vì trong thực tế dòng ngược rất nhỏ (với
tranzito silic dòng này chỉ có vài nanoampe).
Cũng từ sơ đồ tương đương hình 2.50 có điện áp giữa emitơ và đất UE=IE RE.
Dòng emitơ IE = IC+ IB = (h21e +1)IB (bỏ qua được dòng ngược ICO). Như vậy điện
áp giữa emitơ và đất có thể viết UE = (h21e +1)IBRE. Đại lượng (h21e +1) là đại
lượng không thứ nguyên nên có thể liên hệ với IB tạo thành dòng (h21e + 1)IB hoặc
liên hợp với RE tạo thành điện trở (h21e +1)RE. Nếu quan niệm như vậy thì có thể
nói rằng điện áp giữa emitơ và đất là điện áp do dòng (h21e +1)IB rơi trên điện trở RE
hay do dòng IB rơi trên điện trở (h21e+1)RE.
Nếu thành phần điện áp gây ra bởi ICO trong biểu thức (2.92) có thể bỏ qua
thì biểu thức này có thể minh họa bằng sơ đồ tương đương hình 2.51. Ở đây điện trở
RE - trong nhánh emitơ biến thành điện trở (h21e +1)RE trong mạch bazơ. Một cách
tổng quát, bất kỳ một điện kháng nào trong mạch emitơ đều có thể biến đổi sang
mạch bazơ bằng cách nhân nó với (h21e +1).
Từ hình 2.51 và biểu thức (2.92) có thể tìm thấy dòng bazơ tại điểm phân cực.
IBQ = (UB – UBE)/[RB + (h21e+1)RE] (2.93)
Từ đó tính ra được ICQ = h21eIBQ (2.94)
Từ sơ đồ tương đương hình 2.51 trong mạch colectơ có thể viết :
ECC = ICRt + UCE + IERE (2.95)
Biết rằng IC thường lớn hơn IB rất nhiều lần cho nên ở đây có thể bỏ qua
thành phần điện áp do IB gây ra trên RE. Như vậy (2.95) được viết thành :
52
 ECC = (Rt + RE)IC + UCE (2.96)

Hình 2.51. Sơ đồ
tương đương mạch BC

Biểu thức (2.96) chính là biểu thức đường tải tĩnh của mạch phân cực bằng
dòng emitơ. Nếu dòng ICQ và UCEQ là dòng điện và điện áp ứng với điểm công tác
tĩnh thì có thể viết (2.96) thành dạng : UECQ = ECC - (Rt + RE)ICQ (2.97)
Căn cứ vào biểu thức (2.97) có thể tính được điều kiện phân cực tĩnh của
tranzito khi biết hệ số khuếch đại h21e và loại tranzito.
Sau đây xét độ ổn định nhiệt của mạch phân cực bằng dòng emitơ, có thể viết
lại (2.91) ở dạng : IC = [UB – UBE – IB(RB + RE)]/RE (2.98)
Do đó IB = (UB – UBE)/(RB + RE) – ICRE/(RB + RE) (2.99)
Lấy đạo hàm riêng biểu thức này theo IC và một lần nữa chú ý rằng UBE
không đổi sẽ được: IB/IE = RE/(RB + RE) = 1/k2 (2.100)
Theo định nghĩa của hệ số ổn định nhiệt thì trong trường hợp này:
S = (h21e+1)/[1 + (h21e /k2)] (2.101)
Từ (2.101) thấy rằng hệ số ổn định nhiệt tiến tới cực tiểu (độ ổn định cao nhất)
khi k2 có giá trị nhỏ nhất. Điều ấy có nghĩa là để cho mạch ổn định, phải thiết kế
sao cho RE có giá trị càng lớn càng tốt, và giá trị RB càng nhỏ càng tốt. Hệ số k2
không bao giờ nhỏ hơn 1, giá trị này chỉ dẫn tới 1 (ứng với trường hợp RE rất lớn và
RB rất nhỏ) từ đó suy ra rằng hệ số ổn định S chỉ có thể giảm nhỏ tới giới hạn là
1. Một nhận xét quan trọng nữa là hệ số ổn định S không phụ thuộc vào Rt nghĩa
là không phụ thuộc vào điểm công tác.
Ở trên đã nói vấn đề nâng cao độ ổn định nhiệt của loại mạch này bằng
cách tăng RE và giảm RB. Bản chất của sự ổn định nhiệt trong loại mạch này chính
là dòng phản hồi âm qua điện trở RE. Tăng RE có nghĩa là tăng phản hồi âm do đó
làm giảm tín hiệu khuếch đại xoay chiều của mạch. Để khắc phục mâu thuẫn này
trong thực tế có thể dùng hai mạch như hình 2.52a,b. Dùng kiểu mạch này có thể
loại trừ hoặc nhỏ tác dụng phản hồi âm đối với tín hiệu xoay chiều (xem phần 2.4),
do đó không làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều của mạch. Giá trị CE
phân mạch ở đây phải chọn đủ lớn sao cho đối với tín hiệu xoay chiều thì trở
kháng của nó gần như bằng 0, ngược lại với dòng một chiều thì coi như hở mạch.

53
 Hình 2.52.Dùng tụ ngăn hồi tiếp âm trên Re Hình 2.53. Dùng điôt bù nhiệt
a) Ngắn mạch hoàn toàn b) Ngắn mạch một phần

Thực tế thường gặp trường hợp phải thiết kế mạch phân cực khi biết các
điều kiện phân cực cũng như hệ số khuếch đại của tranzito.
Ta đã xét ảnh hưởng của nhiệt độ đến dòng ICO. Sau đây sẽ xét ảnh hưởng
của nhiệt độ đến điện áp UBE và hệ số khuếch đại h21e. Đối với cả hai loại tranzito
làm từ silic và gecmani, khi nhiệt độ tăng UBE giảm, h21e tăng. Ảnh hưởng của
nhiệt độ đến các tham số của tranzito silic trong khoảng - 61˚C đến +175˚C còn
gecmani thì từ -63˚C đến +75˚C. Sự khác nhau nữa là trị số ICO và UBE của hai loại
biến thiên ngược nhau khi nhiệt độ thay đổi. Bảng 2.2 liệt kê những giá trị điển
hình của ICO, UBE và h21e của tranzito silic và gecmani ở những nhiệt độ khác nhau.
Bảng 2.2. Giá trị điển hình của một tham số chịu ảnh hưởng của nhiệt độ
Vật liệu làm
ICO(A) UBE(V) h21e t,˚C
tranzito
Si 10-6 0,8 20 -6,5
Ge 10-3 0,4 15 -6,5
Si 10-2 0,6 50 25
Ge 1 0,2 50 25
Si 30 0.25 100 175
Ge 30 0,51 95 75

Từ bảng 2.2 có nhận xét: Ở nhiệt độ phòng đối với tranzito silic ICO chỉ cỡ
nanoampe, cho nên nếu có thay đổi thì cũng không ảnh hưởng đáng kể đến IC
và ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm công tác tĩnh của tranzito chủ yếu thông qua
UBE. Để khắc phục ảnh hưởng này trên thực tế thường mắc nối tiếp emitơ một điôt
silic phân cực thuận có chiều ngược với chuyển tiếp emitơ như hình 2.53. Bằng
cách mắc như vậy có thể thấy rằng sự thay đổi điện áp thuận trên 2 cực điôt có thể
54
bù trừ sự biến đổi UBE của tranzito do nhiệt độ gây ra. Điôt bù nhiệt ở sơ đồ này
luôn được phân cực thuận bởi nguồn EDD cho nên điện trở thuận của nó rất nhỏ.
Sơ đồ này hoàn toàn tương đương với sơ đồ phân cực bằng dòng emitơ đã xét
ở phần trên. Đối với tranzito gecmani thì ngược lại, tại nhiệt độ phòng ICO khá lớn
cho nên khi nhiệt độ thay đổi ảnh hưởng của dòng ICO đến tham số của tranzito
chiếm ưu thế. Để ổn định nhiệt độ cho sơ đồ, người thiết kế phải chú ý chủ yếu đến
việc giảm hệ số ổn định nhiệt độ S.
Qua bảng 2.2 trên đây có thể thấy rằng hệ số khuếch đại dòng h21e phụ thuộc
rất nhiều vào nhiệt độ. Ngay ở cùng một nhiệt độ, tranzito có cùng loại ký hiệu
(được chế tạo như nhau) nhưng hệ số h21e của từng chiếc có thể hơn kém nhau vài
ba lần. Như đã biết hệ số h21e ảnh hưởng nhiều đến điểm công tác tĩnh của tranzito.
Bởi vậy để ổn định điểm công tác tĩnh, người thiết kế phải chú ý đến sự thay đổi hệ
số h21e có thể có của loại tranzito dùng trong mạch điện. Để định lượng sự phụ thuộc
của IC vào h21e, giả thiết rằng các giá trị của ECC và Rt đã biết, hệ số khuếch đại
dòng của tranzito biến thiên từ h21e1 đến h21e2, bỏ qua ICO (gọi IC1 là dòng ứng
với trường hợp hệ số khuếch đại h21e1 và IC2 ứng với h21e2) tính được
IC1 = h21e1(UB – UBE)/[RB + (h21e1+1)RE] (2.102)
IC2 = h21e2(UB – UBE)/[RB + (h21e2+1)RE] (2.103)
Lấy hiệu số của (2.102) và (2.103), được:
IC = (UB – UBE)(h21e2 - h21e1)(RB+RE)/ [RB + (h21e1+1)RE] [RB + (h21e2+1)RE] (2.104)
Đem chia biểu thức (2.104) cho (2.102) sẽ được biểu thức cho sự biến thiên
tương đối của dòng IC.
IC /IC1 = (h21e1- h21e2)/ [h21e1(1+h21e1RE/(RB+RE))] (2.105)
Nhận xét biểu thức (2.105) thấy nó có chứa số hạng gần giống như biểu thức
định nghĩa về sự ổn định nhiệt S; có thể biến đổi vế phải của (2.105) thành:
IC /IC1 = [(h21e2 - h21e1)/ h21e1(h21e2+1)][(h21e2+1)/(h21e2+1)K] (2.106)
Nếu gọi S2 là độ ổn định nhiệt độ khi h21e = h21e1, thì (2.105) có thể viết thành:
IC /IC1 = (Δh21eS2)/ [h21e1(1+h21e1)] (2.107)
Trong đó ∆h21e = (h21e2 – h21e1) thường gọi là độ sai lệch của h21e.
Biểu thức (2.107) cho thấy sự biến đổi dòng colectơ phụ thuộc trực tiếp vào độ
sai lệch hệ số khuếch đại h21e kể trên. Ngoài ra biểu thức này còn cho phép người
thiết kế tính được giá trị của điện trở cần thiết giữ cho dòng IC biến đổi trong một
phạm vi nhất định khi h21e thay đổi.
2.3.2. Tranzito trường (FET)
Khác với tranzito lưỡng cực đã xét ở phần trên mà đặc điểm chủ yếu là
dòng điện trong chúng do cả hai loại hạt dẫn (điện tử và lỗ trống tự do) tạo nên, qua
55
một hệ thống gồm hai mặt ghép pn rất gần nhau điều khiển thích hợp, tranzito
trường (còn gọi là tranzito đơn cực FET) hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng
trường, điều khiển độ dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện
trường ngoài. Dòng điện trong FET chỉ do một loại hạt dẫn tạo ra. Công nghệ bán
dẫn, vi điện tử càng tiến bộ, FET càng tỏ rõ nhiều ưu điểm quan trọng trên hai mặt
xử lý gia công tín hiệu với độ tin cậy cao và mức tiêu hao năng lượng cực bé. Phần
này sẽ trình bày tóm tắt những đặc điểm quan trọng nhất của FET về cấu tạo,
nguyên lý hoạt động và các tham số đặc trưng đối với hai nhóm chủng loại: FET có
cực cửa là tiếp giáp pn (JFET) và FET có cực cửa cách ly (MOSFET hay IGFET).
2.3.2.1. Tranzito trường có cực cửa tiếp giáp (JFET)
1. Cấu tạo và ký hiệu quy ước:
Hình 2.54a đưa ra một cấu trúc JFET kiểu kênh n: trên đế tinh thể bán dẫn Si-
n người ta tạo xung quanh nó một lớp bán dẫn p (có tạp chất nồng độ cao hơn so
với đế) và đưa ra ba điện cực là cực nguồn S (Source), cực máng D (Drain) và
cực cửa G (Gate). Như vậy hình thành một kênh dẫn điện loại n nối giữa hai cực D
và S, cách ly cực cửa G (dùng làm điện cực điều khiển) bởi một lớp tiếp xúc pn
bao quanh kênh dẫn. Hoàn toàn tương tự, nếu xuất phát từ đế bán dẫn loại p, ta có
loại JFET kênh p với các ký hiệu quy ước phân biệt cho trên hình 2.54b.
Drain D
D D
Gate G G- G+
S S
Kênh n Kênh p

Source S a) b)

Hình 2.54. Cấu tạo JFET và ký hiệu quy ước

2. Nguyên lý hoạt động:

Để phân cực JFET, người ta dùng hai nguồn điện áp ngoài là UDS >0 và UGS<0
như hình vẽ (với kênh p, các chiều điện áp phân cực sẽ ngược lại), sao cho tiếp
giáp p-n bao quanh kênh dẫn luôn được phân cực ngược. Do tác dụng của các
điện trường này, trên kênh dẫn xuất hiện một dòng điện (là dòng điện tử với kênh
n) hướng từ cực D tới cực S gọi là dòng điện cực máng ID. Dòng ID có độ lớn tùy
thuộc vào các giá trị UDS và UGS vì độ dẫn điện của kênh phụ thuộc mạnh vào cả
hai điện trường này. Nếu xét riêng sự phụ thuộc của ID vào từng điện áp khi giữ
cho điện áp còn lại không đổi (coi là một tham số) ta nhận được hai hệ hàm quan

56
trọng nhất của JFET:
ID = f1(UDS)│UGS=const
ID = f2(UGS)│UDS=const
Biểu diễn f1 ứng với vài giá trị không đổi của UGS ta thu được họ đặc tuyến ra
của JFET. Đường biểu diễn f2 ứng với một giá trị không đổi của UDS cho ta họ
đặc tuyến truyền đạt của JFET. Dạng điển hình của các họ đặc tuyến này được
cho trên hình 2.55 a và b.
Đặc tuyến ra của JFET chia làm 3 vùng rõ rệt:
- Vùng gần gốc, khi UDS nhỏ, ID tăng mạnh tuyến tính theo UDS và ít phụ
thuộc vào UGS. JFET làm việc giống như một điện trở thuần cho tới lúc đường
cong bị uốn mạnh (điểm A trên hình 2.55a ứng với đường UGS = 0V).
- Vùng ngoài điểm A gọi là vùng thắt (vùng bão hoà) khi UDS đủ lớn, ID phụ
thuộc rất yếu vào UDS mà mạnh vào UGS. Đây là vùng JFET làm việc như một
phần tử khuếch đại, dòng ID được điều khiển bằng UGS. Quan hệ này đúng cho tới
điểm B.
- Vùng ngoài điểm B gọi là vùng đánh thủng, khi UDS có giá trị khá lớn, ID tăng
đột biến do tiếp giáp p-n bị đánh thủng, thác lũ xảy ra tại khu vực gần cực D do
điện áp ngược đặt lên tiếp giáp p-n tại vùng này là lớn nhất.

ID( mA) a) b)
ID( mA)
UDS= 10V
UGS= 0V B
10 A
8
UGS=-1V Tăng UDS

5 UGS=-2V 4

5 10 UDS(V) -4 UGSO -2 UGS(V)

Hình 2.55. Họ đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của JFET
Qua đồ thị đặc tuyến ra, ta rút ra mấy nhận xét sau:
- Khi đặt trị số UGS âm dần, điểm uốn A xác định ranh giới hai vùng tuyến tính
và bão hoà dịch gần về phía gốc toạ độ. Hoành độ điểm A (ứng với một trị số nhất
định của UGS) cho xác định một giá trị điện áp gọi là điện áp bão hoà cực máng
UDS0 (còn gọi là điện áp thắt kênh). Khi │UGS│ tăng, UDS0 giảm.
- Tương tự với điểm B: ứng với các giá trị UGS âm hơn, việc đánh thủng tiếp

57
giáp pn xảy ra sớm hơn, với những giá trị UDS nhỏ hơn.
Đặc tuyến truyền đạt của JFET (hình 2.55b) giống các đặc tuyến anot-lưới
của đèn 5 cực chân không, xuất phát từ một giá trị UGS0, tại đó ID = 0, gọi là điện
áp khoá (còn ký hiệu là UP). Độ lớn UGS0 bằng UDS0 ứng với đường UGS = 0 trên họ
đặc tuyến ra. Khi tăng UGS, ID tăng hầu như tỷ lệ do độ dẫn điện của kênh tăng theo
mức độ giảm phân cực ngược của tiếp giáp pn. Lúc UGS = 0, ID = ID0. Giá trị ID0
(còn có ký hiệu là IDSS) là dòng tĩnh cực máng khi không có điện áp UGS. Khi có UGS
< 0, ID < ID0 và được xác định bởi ID = ID0 (1- UGS / UGS0)2 (2.108)
Có thể giải thích tóm tắt các đặc tuyến của JFET bằng giản đồ cấu tạo hình
2.57 trong ba trường hợp khác nhau ứng với các giá trị của UGS và UDS.

Hình 2.56. Giải thích vật lý đặc

tuyến của JFET trên cấu trúc 3D

Khi UGS có giá trị âm tăng dần và UDS = 0, bề rộng vùng nghèo của chuyển
tiếp p-n rộng dần ra, chủ yếu về phía kênh dẫn n vì tạp chất pha yếu hơn nhiều so với
vùng p, làm kênh dẫn bị thắt lại đều dọc theo phương DS (hình 2.57a). Ngược lại
khi cho UGS= 0 và tăng dần giá trị của điện áp máng nguồn UDS, kênh bị co lại
không đều và có hình phễu, phía cực D thắt mạnh hơn do phân bố trường dọc theo
kênh từ D tới S (hình 2.57b), cho tới lúc UDS = UDS0 kênh bị thắt lại tại điểm A
(hình 2.57c). Sau đó, tăng UDS làm điểm thắt A dịch dần về phía cực S (hình
2.57d). Quá trình trên sẽ xảy ra sớm hơn khi có thêm UGS < 0 như hình 2.57a làm
giá trị điện áp thắt kênh giảm nhỏ. Rõ ràng độ dẫn điện của kênh dẫn phụ thuộc
cả hai điện áp UGS và UDS, còn sau khi có hiện tượng thắt kênh, dòng cực máng do
các hạt dẫn (điện tử) phun từ kênh qua tiếp giáp p-n tới cực máng phụ thuộc yếu
vào UDS và phụ thuộc chủ yếu vào tác dụng điều khiển của UGS tới chuyển tiếp
p-n phân cực ngược, qua đó tới dòng điện cực máng ID.
3. Các tham số chủ yếu của JFET: gồm hai nhóm.
a. Tham số giới hạn. Gồm có:
- Dòng cực máng cực đại cho phép IDmax là dòng điện ứng với điểm B
trên đặc tuyến ra (đường ứng với giá trị UGS = 0) ; Giá trị IDmax khoảng  50mA.
- Điện áp máng-nguồn cực đại cho phép UDSmax= UB/(1,2 ÷ l,5) (cỡ vài chục

58
Vôn) (UB là điện áp máng nguồn ứng với điểm uốn thứ hai B).
- Điện áp khóa UGSO (hay Up) (bằng giá trị UDSO ứng với đường UGS = 0).

b)

c)

d)

a)

Hình 2.57. Giải thích vật lý đặc tuyến của

JFET trên cấu trúc 2D

b. Tham số làm việc. Gồm có:

- Điện trở trong hay điện trở vi phần đầu ra ri = ∂UDS/∂ID |UGS=const (cỡ 0,5
MΩ), ri thể hiện độ dốc của đặc tuyến ra trong vùng bão hòa.
- Hỗ dẫn của đặc tuyến truyền đạt: S = ∂ID/∂UGS |UDS= const (S còn có ký hiệu là
gm) cho biết tác dụng điều khiển của điện áp cực cửa tới dòng cực máng, giá trị điển
hình với JFET hiện nay là S = 710mA/V.
Cần chú ý giá trị hỗ dẫn S đạt cực đại S = SO lúc giá trị điện áp UGS lân cận
điểm 0 (xem dạng đặc tuyến truyền đạt của JFET hình 2.55b) và được tính
bởi SO = 2IDO/UGSO.
- Điện trở vi phân đầu vào: rvào =∂UGS/∂IG , rvào do tiếp giáp p-n quyết định, có
giá trị khoảng 109Ω.
- Ở tần số làm việc cao, người ta còn quan tâm tới điện dung giữa các cực
CDS và CGD (cỡ pF).
2.3.2.2. Tranzito trường có cực cửa cách ly (MOSFET)
1. Cấu tạo và ký hiệu quy ước:
Đặc điểm cấu tạo của MOSFET có hai loại cơ bản được thể hiện trên hình
2.58a và 2.58b.
Ký hiệu quy ước của MOSFET trong các mạch điện tử được cho trên hình
2.59a, b, c và d.

59
 a) b)
Hình 2.58. Cấu tạo MOSFET kênh n:a) kênh đặt sẵn; b) kênh cảm ứng

Kênh n

Kênh p
Kênh đặt sẵn Kênh cảm ứng

Hình 2.59: Ký hiệu quy ước của MOSFET

Trên nền đế là đơn tinh thể bán dẫn tạp chất loại p (Si-p), người ta pha tạp
chất bằng phương pháp công nghệ đặc biệt (plana, epitaxi hay khuếch tán ion) để
tạo ra hai vùng bán dẫn loại n+ (nồng độ pha tạp cao hơn so với đế) và lấy ra hai
điện cực là D và S. Hai vùng này được nối thông với nhau nhờ một kênh dẫn điện
loại n có thể hình thành ngay trong quá trình chế tạo (loại kênh đặt sẵn hình 2.50a)
hay chỉ hình thành sau khi đã có một điện trường ngoài (lúc làm việc trong mạch
điện) tác động (loại kênh cảm ứng - hình 2.50b). Tại phần đối diện với kênh dẫn,
người ta tạo ra điện cực thứ ba là cực cửa G sau khi đã phủ lên bề mặt kênh một
lớp cách điện mỏng SiO2. Từ đó MOSFET còn có tên là loại FET có cực cửa cách
ly (IGFET). Kênh dẫn được cách ly với đế nhờ tiếp giáp pn thường được phân cực
ngược nhờ một điện áp phụ đưa tới cực thứ tư là cực đế.
2. Nguyên lý hoạt động và đặc tuyến Von-Ampe
Để phân cực MOSFET người ta đặt một điện áp UDS > 0. Cần phân biệt hai
trường hợp:
- Với loại kênh đặt sẵn, xuất hiện dòng điện tử trên kênh dẫn nối giữa S và D
và trong mạch ngoài có dòng cực máng ID (chiều đi vào cực D) ngay cả khi chưa có
điện áp đặt vào cực cửa (UGS = 0).
Nếu đặt lên cực cửa điện áp UGS >0, điện tử tự do có trong vùng đế (là hạt
thiểu số) được hút vào vùng kênh dẫn đối diện với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho
kênh, tức là làm giảm điện trở của kênh, do đó làm tăng dòng cực máng ID. Chế độ
làm việc này được gọi là chế độ giàu của MOSFET.

60
 UGS>0

UGS=0

UGS<0 UGS>0

Hình 2.60a. Đặc tuyến ra của Hình 2.60b. Đặc tuyến ra của
MOSFET kênh n đặt sẵn MOSFET kênh n cảm ứng

Nếu đặt tới cực cửa điện áp UGS < 0, quá trình trên sẽ ngược lại, làm kênh dẫn
bị nghèo đi do các hạt dẫn (là điện tử) bị đẩy xa khỏi kênh. Điện trở kênh dẫn tăng
tùy theo mức độ tăng của UGS theo chiều âm sẽ làm giảm dòng ID. Đây là chế độ
nghèo của MOSFET.
Nếu xác định quan hệ hàm số ID= f1(UDS) lấy với những giá trị khác nhau
của UGS bằng lý thuyết thay thực nghiệm, ta thu được họ đặc tuyến ra của
MOSFET loại kênh n đặt sẵn như trên hình vẽ 2.60a.
Với loại kênh cảm ứng, khi đặt tới cực cửa điện áp UGS < 0, không có dòng
cực máng (ID = 0) do tồn tại hai tiếp giáp pn mắc đối nhau tại vùng máng - đế và
nguồn - đế, do đó không tồn tại kênh dẫn nối giữa máng - nguồn. Khi đặt UGS > 0,
tại vùng đế đối diện cực cửa xuất hiện các điện tử tự do (do cảm ứng tĩnh điện) và
hình thành một kênh dẫn điện nối liền hai cực máng và nguồn. Độ dẫn của kênh
tăng theo giá trị của UGS do đó dòng điện cực máng ID tăng. Như vậy MOSFET loại
kênh cảm ứng chỉ làm việc với một loại cực tính của UGS và chỉ ở chế độ làm giàu
kênh. Biểu diễn quan hệ hàm ID= f1(UDS), lấy với các giá trị UGS khác nhau, ta có
họ đặc tuyến ra của MOSFET kênh n cảm ứng như trên hình 2.60b.
Từ họ đặc tuyến ra của MOSFET với cả hai loại kênh đặt sẵn và cảm ứng
giống như đặc tuyến ra của JFET đã xét, thấy rõ có 3 vùng phân biệt: vùng gần gốc
ở đó ID tăng tuyến tính theo UDS và ít phụ thuộc vào UGS, vùng bão hòa (vùng
thắt) lúc đó ID chỉ phụ thuộc mạnh vào UGS, phụ thuộc yếu vào UDS và vùng đánh
thủng lúc UDS có giá trị khá lớn.
Giải thích vật lý chi tiết các quá trình điều chế kênh dẫn điện bằng các điện
áp UGS và UDS cho phép dẫn tới các kết luận tương tự như đối với JFET. Bên
cạnh hiện tượng điều chế độ dẫn điện của kênh còn hiện tượng mở rộng vùng
nghèo của tiếp giáp pn giữa cực máng-đế khi tăng dần điện áp UDS. Điều này làm

61
kênh dẫn có tiết diện hẹp dần khi đi từ cực nguồn tới cực máng và bị thắt lại tại
một điểm ứng với điểm uốn tại ranh giới hai vùng tuyến tính và bão hòa trên đặc
tuyến ra. Điện áp tương ứng với điểm này gọi là điện áp bão hòa UDSO (hay điện áp
thắt kênh).
Hình 2.61a và b là đường biểu diễn quan hệ ID = f2(UGS) ứng với một giá trị
cố định của UDS với hai loại kênh đặt sẵn và kênh cảm ứng, được gọi là đặc tuyến
truyền đạt của MOSFET.

Hình 2.61. Đặc tuyến

truyền đạt của MOSFET

3. Các tham số của MOSFET

Được định nghĩa và xác định giống như đối với JFET gồm có: hỗ dẫn S của
đặc tính truyền đạt, điện trở trong ri ,điện trở vào rv và nhóm các tham số giới hạn:
điện áp khóa UGSO (ứng với một giá trị UDS xác định), điện áp thắt kênh hay điện áp
máng - nguồn bão hòa UDSO (ứng với UGS = 0), dòng IDmaxCf, UDSmaxCf.
2.3.2.3. Đặc điểm chung của FET: Khi sử dụng FET trong các mạch điện tử,
cần lưu ý tới một số đặc điểm chung nhất sau đây.
- Việc điều khiển điện trở kênh dẫn bằng điện áp UGS gần như không làm tổn
hao công suất của tín hiệu, đó là do cực điều khiển hầu như cách ly về điện với kênh
dẫn hay điện trở lối vào cực lớn (109÷1013Ω) so với loại tranzito bipolar, dòng điện
rò đầu vào gần như bằng không, với công nghệ CMOS điều này gần đạt tới lý
tưởng. Nhận xét này đặc biệt quan trọng với các mạch điện tử analog phải làm việc
với những tín hiệu yếu và với mạch điện tử digital khi đòi hỏi cao về mật độ tích
hợp các phần tử cùng với tính phản ứng nhanh và chi phí năng lượng đòi hỏi thấp.
- Đa số các FET có cấu trúc đối xứng giữa hai cực máng (D) và nguồn (S).
Do đó các tính chất của FET hầu như không thay đổi khi đổi lẫn vai trò hai cực này.
- Với JFET và MOSFET chế độ nghèo, dòng cực máng đạt cực đại ID= IDmax,
lúc điện áp đặt vào cực cửa bằng không UGS = 0. Do vậy chúng được gọi chung
62
là họ FET thường mở. Ngược lại, với MOSFET chế độ giàu, dòng ID =0 lúc UGS =
0 nên nó được gọi là họ FET thường khóa. Nhận xét này có ý nghĩa khi xây dựng
các sơ đồ khóa (mạch logic số) dựa trên công nghệ MOS.
- Trong vùng gần gốc của họ đặc tuyến ra khi UDS ≤ 1,5V, dòng cực máng ID
tỷ lệ với UGS. Lúc đó, FET giống như một điện trở thuần có giá trị thay đổi theo
UGS. Dòng ID càng nhỏ khi UGS càng âm với kênh n và ID càng nhỏ khi UGS >0
càng nhỏ với kênh p. Hình 2.62 mô tả họ đặc tuyến ra của FET trong vùng gần gốc.

ID
UGS

UDS

Hình 2.62. Đặc tuyến

Hình 2.63. Dạng đóng vỏ
ra vùng gần gốc
MOSFET trong thực tế

Sử dụng tính chất này của FET, có thể xây dựng các bộ phân áp có điều
khiển đơn giản như hình 2.64.
Khi đó hệ số chia áp là: η = Ura/Uvào = rDSUđk/(R+rDSUđk) (2.109)
phụ thuộc vào điện áp điều khiển Uđk, thường chọn R>> rDS0 để dải η đủ rộng. Lưu
ý là khi UDS > 1V tính chất tuyến tính giữa ID và UDS (với các UGS khác nhau )
không còn đúng nữa. Nếu sử dụng cả vùng xa gốc hơn 1V, cần tuyến tính hoá
theo mạch hình 2.64b. Điện trở R2 đưa một phần điện áp UDS tới cực cửa bổ sung
cho UGS bù lại phần cong của rDS.
Khi chọn R2= R3 >> rDS thì UGS =1/2(Uđk + UDS) (2.110)
và họ đặc tuyến ra được tuyến tính hoá trong một đoạn UDS từ 1V tới 1,5V.

a) b)

Hình 2.64. Nguyên lý bộ phân áp có điều khiển dùng JFET

63
 -Tương tự như với tranzito lưỡng cực, tồn tại 3 kiểu mắc FET trong các
mạch khuếch đại là máng chung MC (DC), nguồn chung NC (SC) và cửa chung
(GC). Tuy nhiên mạch cửa chung rất ít gặp trong thực tế. Hai dạng MC và NC cho
trên hình 2.65 với các tham số tóm tắt của từng loại ở bảng 2.3 trong ý nghĩa là
một tầng khuếch đại điện áp (xem thêm ở mục 2.4).
Bảng 2 .3
Mạch nguồn chung Mạch máng chung
Hệ số khuếch đại điện áp KU = 1/[1+S(RS//rDS)] KU = -S(RD//rDS) = -SRD
Điện trở vào Rvào= rGS → ∞ Rvào= rGS → ∞
Điện trở ra Rra = (RD//rDS) Rra = RS//(1/S)
(2.111) (2.112)

- Khi thay thế các FET kênh n bằng loại FET kênh p trong các mạch điện,
cần thay đổi cực tính các điện áp nguồn cũng như cực tính các điôt và tụ hóa
được sử dụng trong đó. Lúc đó các chức năng chủ yếu của mạch không thay đổi,
cũng giống như với hai loại tranzito lưỡng cực npn và pnp tương ứng đã xét.

Hình 2.65: Nguyên lý mạch SC và DC

2.4. Phần tử nhiều mặt ghép pn.

2.4.1. Thiristo.
Thiristo chế tạo từ bốn lớp bán dẫn tạp tạo thành hai mặt ghép pn liên tiếp như ở
hình 2.66a. Lớp p ngoài cùng là cực Anốt- p1, lớp n ngoài cùng là katốt- n2, lớp p2 là
cực khống chế (cửa điều khiển) G. Trong thiristo hình thành ba mặt ghép pn xen kẽ
nhau J1,J2,J3. Như vậy thiristo tương đương với hai tranzito: một thuận một ngược
mắc như ở hình 2.66b; còn ký hiệu của nó có dạng như ở hình 2.66c. Như vậy Thiristo
là một điôt có thêm cực cửa để điều khiển.

64
 Đặc tuyến Von-Ampe của thiristo có dạng hình 2.66d. Khi thiristo phân cực
ngược thì mặt ghép J2 phân cực thuận (là một điôt thông) còn J1 và J3 coi như hai điôt
mắc nối tiếp được phân cực ngược nên đặc tuyến giống như một điôt.
a) b)
A ID
A c)
A
IA IHC UG =0
A UG 2
p1 p1 I B1 UG1
Q1
n1 n1 IRX
n1
p2 I C1
p2 p2
G I B2
n2 n2 Q2
G G
K G Ik
K
K K
H×nh 2.66. Thiristo: a) Ký hiÖub, c) CÊu tróc , d) Hä ®Æc tuyÕn

Khi phân cực thuận cho thiristo: A đấu với +, K đấu với – của nguồn thì khi UG
= 0, J1 và J2 phân cực thuận, J3 phân cực ngược. Khi UAK còn nhỏ thì dòng này là
dòng ngược của J2 (cỡ 100A) gọi là dòng rò ngược IRX . Đến một giá trị nào đó của
UAK thì mặt ghép J2 bị đánh thủng (gọi là điện áp đánh thủng thuận UBE), dòng đủ lớn
để mở cả hai tranzisto T1 và T2 (hình 3.24b) và chúng nhanh chóng đạt trạng thái bão
hòa, thiristo thông, nội trở của nó giảm nên sụt áp trên nó giảm đến giá trị UE gọi là
điện áp dẫn thuận. Như vậy bằng cách tăng điện áp UAK ta kích mở thiristo, gọi đó là
phương pháp kích mở thuận.
Nếu IG  0 (UG  0) thì IG cùng với dòng ngược của J2 làm thiristo mở sớm hơn.
IG càng lớn thì thiristo mở cứng với giá trị của UAK càng nhỏ. Phương pháp kích mở
bằng dòng IG gọi là kích mở bằng dòng điều khiển. Phần đặc tuyến thiristo khi nó
chưa mở gọi là miền chắn thuận, miền mà thiristo đã mở gọi là miền dẫn thuận.
Khi thiristo đã mở, muốn duy trì trạng thái mở của nó phải đảm bảo dòng thuận
luôn lớn hơn giá trị định mức gọi là dòng ghim (giá trị cực tiểu của dòng thuận). Nếu
khi thiristo mở mà dòng IG vẫn duy trì thì dòng ghim càng nhỏ khi IG tăng. Trong các
sổ tay dòng ghim ký hiệu IHC khi IG = 0 và IHX khi IG  0.

Hình 2.67. Cấu trúc 4 lớp p-n của thiristo (a, b); Sơ đồ tương đương (c)65
và ký hiệu quy ước của thiristo (d) Đặc tuyến von-ampe của thiristo(e)
 Các tham số quan trọng của thiristo: dòng điện cực đại, điện áp thuận và ngược
cực đại mà thiristo chưa bị đánh thủng, công suất tiêu hao cực đại cho phép, điện áp
cực đại khống chế cực G và điện áp kích mở khi UAK = 6V. Nếu làm việc ở tần số cao
cần phải quan tâm đến thời gian đóng mở: t m thời gian chuyển từ trạng thái đóng sang
trạng thái mở, tđ - thời gian chuyển từ trạng thái mở sang trạng thái đóng.
2.4.2. Triac.
Triac có cấu tạo tương tự như hai thiristo đấu song song ngược nhau (hình
2.68a,b; chung một cực điều khiển G, có ký hiệu như ở hình 2.68c.
Thiristo thứ nhất có A1 là anôt, A2 là katôt, thiristo thứ hai có A2 là Anôt, A1 là
katôt, chúng chung nhau cực điều khiển G. Hai thiristo này đấu song song, ta coi A1 là
Anôt, A2 là katôt. Khi A1 và G phân cực dương so với A2 thì T1 và T2 được kích
thông, ứng với đặc tính nửa phải trục toạ độ của hình 2.68d, trong khi đó T1’ và T2’
ngắt ứng với nửa trái của trục toạ độ hình 2.68d. Nếu A2 và G phân cực dương so với
A1 thì T1’ và T2’ được kích thông, T1 và T2 ngắt. Như vậy Triac dẫn điện theo cả hai
chiều và có đặc tính của hai thiristo ghép song song ngược nhau như hình 2.68d.
A2 A2

P1 P1
N1 N1
N2 N2
G
P2 P2
N3 N3
N4 N4
P3 P3
A1 A1 b)
a)

c)
Hình 2.68. TRIAC
a) Cấu trúc
b) Sơ đồ tương đương
c) Đặc tuyến Vôn-Ampe

66
 2.4.3. Diac.
Diac hoàn toàn giống Triac nhưng không có cực điều khiển G. Diac được kích
mở bằng cách nâng cao điện áp thuận đặt vào hai cực. Ký hiệu và đặc tuyến có dạng
như trên hình 2.69.

Hình 2.69. Ký hiệu của DIAC Hình 2.70. Ký hiệu và dạng đóng vỏ của DIAC, TRIAC.

2.5. Khuếch đại

2.5.1. Những vấn đề chung
2.5.1.1. Nguyên lý xây dựng một tầng khuếch đại
Một ứng dụng quan trọng nhất của tranzito là sử dụng nó trong các mạng để
làm tăng cường độ điện áp hay dòng điện của tín hiệu (mà thường gọi là mạch
khuếch đại). Thực chất khuếch đại là một quá trình biến đổi năng lượng của nguồn
cung cấp một chiều (không chứa đựng thông tin) thành dạng năng lượng xoay
chiều (có quy luật biến đổi mang thông tin cần thiết). Nói cách khác, đây là một
quá trình gia công xử lý thông tin dạng analog.
Hình 2.71 đưa ra cấu trúc nguyên lý để xây dựng một tầng khuếch đại. Phần
tử cơ bản là phần tử điều khiển (tranzito) có điện trở thay đổi theo sự điều khiển của
điện áp hay dòng điện đặt tới cực điều khiển bazơ của nó, qua đó điều khiển quy
luật biến đổi dòng điện của mạch ra bao gồm tranzito và điện trở Rc và tại lối ra,
ví dụ lấy giữa 2 cực colectơ và emitơ, người ta nhận được một điện áp biến thiên
cùng quy luật với tín hiệu vào nhưng độ lớn được tăng lên nhiều lần. Để đơn giản,
giả thiết điện áp vào cực điều khiển có dạng hình sin. Phải đảm bảo sao cho biên
độ thành phần xoay chiều không vượt quá thành phần một chiều, nghĩa là I0 ≥ Im
và U0 ≥ Um. Nếu điều kiện đó không được thoả mãn thì dòng điện ở mạch ra trong
từng khoảng thời gian nhất định sẽ bằng không và sẽ làm méo dạng tín hiệu ra.

67

Hình 2.71: Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đại

 Để đảm bảo công tác cho tầng khuếch đại, mạch ra của nó phải có thành
phần dòng và điện áp một chiều Ir0, Ur0. Tương tự, ở mạch vào, ngoài nguồn tín
hiệu cần khuếch đại, người ta đặt thêm điện áp một chiều Uv0 (hay là dòng điện
một chiều Iv0). Thành phần dòng điện và điện áp một chiều xác định chế độ tĩnh
của tầng khuếch đại. Tham số của chế độ tĩnh theo mạch vào (Iv0, Uv0) và mạch ra
(Ir0, Ur0) đặc trưng cho trạng thái ban đầu của sơ đồ khi không có tín hiệu vào.
2.5.1.2. Các chỉ tiêu và tham số cơ bản của một tầng khuếch đại
Để đánh giá chất lượng của một tầng khuyếch đại, người ta định nghĩa các
chỉ tiêu và tham số cơ bản sau:
Hệ số khuếch đại: K= Đại lượng đầu ra / Đại lượng đầu vào tương ứng
Nói chung vì tầng khuếch đại có c h ứ a các phần tử điện kháng nên K là một
số phức: K= │K│exp(jϕ k )
Phần môđun│K│ thể hiện quan hệ về cường độ (biên độ) giữa các đại lượng
đầu ra và đầu vào, phần góc pha ϕ k thể hiện độ dịch pha giữa chúng và nhìn
chung độ lớn của K và ϕ k phụ thuộc vào tần số f của tín hiệu vào. Nếu biểu diễn
K = f1(ω) ta nhận được đường cong gọi là đặc tính biên độ - tần số của tầng khuếch
đại. Đường biểu diễn ϕ k =f2(ω) được gọi là đặc tính pha - tần số của nó.
Thường người ta tính K theo đơn vị logarit gọi là đơn vị đexiben (dB)
K (dB) = 20lg │K│ (2.113)
Khi ghép liên tiếp n tầng khuếch đại với các hệ số khuếch đại tương ứng
là K1, K2,…,Kn thì hệ số khuếch đại tổng cộng của bộ khuếch đại xác định bởi:
K = K1. K2.….Kn
Hay K(dB) = K1(dB) + K2(dB) +… + Kn(dB) (2.114)
Đặc tính biên độ của tầng khuếch đại là đường biểu diễn quan hệ Ura=f (Uvào)
lấy ở một tần số cố định của dải tần số tín hiệu Uvào.
Trở kháng lối vào và lối ra của tầng khuếch đại được định nghĩa:
Zvào = Uvào/Ivào và Zra = Ura/Ira (2.115)
Nói chung chúng là các đại lượng phức: Z = R + jX
Méo không đường thẳng do tính chất phi tuyến các phần tử như tranzito gây
ra thể hiện trong thành phần tần số đầu ra là tần số lạ (không có mặt ở đầu vào). Khi
Uvào chỉ có thành phần tần số ω, Ura nói chung có các thành phần nω (n = 0,1,2…)

68
với các biên độ tương ứng là Unm lúc đó hệ số méo không đường thẳng do tầng
khuếch đại gây ra được đánh giá là:

(2.116)
Trên đây nêu một số chỉ tiêu quan trọng nhất của một tầng (hay một bộ
khuếch đại gồm nhiều tầng). Căn cứ vào các chỉ tiêu này, người ta có thể phân
loại các bộ khuếch đại với các tên gọi và đặc điểm khác nhau. Ví dụ theo hệ số K
có bộ khuếch đại điện áp (với yêu cầu cơ bản là có Kumax, Zvào >> Znguồn và Zra<<
Ztải), bộ khuếch đại công suất (KPmax, Zvào≈ Znguồn, Zra ≈ Ztải) hay bộ khuếch đại dòng
điện (với Kimax, Zvào<< Znguồn, Zra >> Ztải ).
Cũng có thể phân loại theo dạng đặc tính │K│= f( ω ), từ đó có các bộ khuếch
đại một chiều, bộ khuếch đại tần số thấp, bộ khuếch đại tần số cao, bộ khuếch đại
chọn lọc tần số… hoặc theo các phương pháp ghép tầng…
2.5.1.3. Các chế độ làm việc cơ bản của một tầng khuếch đại
Để phần tử khuếch đại (tranzito) làm việc bình thường, tin cậy ở một chế độ
xác định cần hai điều kiện cơ bản:
- Xác lập cho các điện cực bazơ, colectơ và emitơ của nó những điện áp một
chiều cố định, gọi là phân cực tính cho phần tử khuếch đại. Điều này đạt được
nhờ các phương pháp phân cực kiểu định dòng hay kiểu định áp như đã trình bày ở
phần 2.3.1.4. khi nói tới tranzito.
- Ổn định chế độ tĩnh đã được xác lập để trong quá trình làm việc, chế độ
của phần tử khuếch đại chỉ hoàn toàn phụ thuộc vào điện áp điều khiển đưa tới
lối vào. Điều này thường được thực hiện nhờ các phương pháp hồi tiếp âm thích
hợp (sẽ nói tới ở phần tiếp sau).
Khi thoả mãn hai điều kiện trên, điểm làm việc tĩnh của tranzito sẽ cố định ở
một vị trí trên họ đặc tuyến ra xác định được bằng cách sau :
Từ hình vẽ 2.71 có phương trình điện áp cho mạch ra
Khi Uvào = 0 UCE0 = ECC - IC0(RC+RE) (2.117)
Khi Uvào ≠ 0 uCE = ECC - iC (RC+RE) (2.118)
Phương trình (2.117) cho ta xác định một đường thẳng trên họ đặc tuyến ra
của tranzito gọi là đường tải một chiều của tầng khuếch đại. Phương trình (2.118)
cho xác định đường thẳng thứ hai gọi là đường tải xoay chiều hay đặc tuyến ra động
của tầng khuyếch đại (hình 2.72).
Điểm làm việc tĩnh P xác định bởi các tọa độ (IC0, UCEO) hay (UCEO, UBEO) và
tùy theo vị trí của P trên đường tải, người ta phân biệt các chế độ làm việc khác
nhau của một tầng khuếch đại như sau:
69
 Nếu P nằm ở khoảng giữa hai điểm M và N, trong đó M và N là giao điểm của
đường tải với các đường đặc tuyến ra tĩnh ứng với các chế độ tới hạn của tranzito
UBEmax (hay IBmax) và UBE = 0 (hay IB = 0) trên hình 2.72, ta nói tầng khuếch đại làm
việc ở chế độ A. Chế độ này có hai đặc điểm cơ bản là: vùng làm việc gây ra méo γ
nhỏ nhất và hiệu quả biến đổi năng lượng của tầng khuếch đại là thấp nhất.
IC (mA)

ECC/( RC//Rt)
IBmax
M 

P IB0
IC0 

N IB =0μA


UC0 ECC UCE(V)

Hình 2.72: Đặc tuyến ra động (đường tải xoay chiều) của
tầng khuếch đại (EC) và cách xác định điểm làm việc tĩnh P

Khi P dịch dần về phía điểm N, tầng khuếch đại chuyển dần sang chế độ AB
và lúc P trùng với N, tầng làm việc ở chế độ B. Đặc điểm chủ yếu của chế độ B
là có méo lớn (do một phần tín hiệu ở mạch ra bị cắt lúc ở mạch vào dòng IB ≈
0) và hiệu suất biến đổi năng lượng của tầng tương đối cao (vì dòng tĩnh nhỏ).
Khi P nằm ngoài M và lân cận dưới N, ta nói tầng khuếch đại làm việc ở chế
độ khóa với hai trạng thái tới hạn phân biệt của tranzito: mở bão hòa (lúc P nằm
gần M) hay khóa dòng (lúc P nằm dưới N). Chế độ này sử dụng ở các mạch xung.
2.5.1.4. Hồi tiếp trong các tầng khuếch đại
Hồi tiếp là thực hiện việc truyền tín hiệu từ đầu ra về đầu vào bộ khuếch
đại. Thực hiện hồi tiếp trong bộ khuếch đại sẽ cải thiện hầu hết các chỉ tiêu chất
lượng của nó và làm cho bộ khuếch đại có một số tính chất đặc biệt. Dưới đây ta
sẽ phân tích những quy luật chung thực hiện hồi tiếp trong bộ khuếch đại. Điều
này cũng đặc biệt cần thiết khi thiết kế bộ khuếch đại bằng IC tuyến tính.
Hình 2.73 là sơ đồ cấu trúc bộ khuếch đại có hồi tiếp. Mạch hồi tiếp có hệ
số truyền đạt β, chỉ rõ mối quan hệ giữa tham số (điện áp, dòng điện) của tín
hiệu ra mạch đó với tham số (điện áp, dòng điện) lối vào của nó (trong trường hợp

70
hình 2.74 chính là lối ra của bộ khuếch đại). 
K


β

Hình 2.73. Sơ đồ khi bộ khuếch đại có hồi tiếp

Hệ số khuếch đại K và hệ số truyền đạt β của mạch hồi tiếp nói chung là những
số phức. Nghĩa là phải chú ý đến khả năng di pha ở miền tần cao và tần thấp do
tồn tại các phần tử điện kháng trong mạch khuếch đại cũng như trong mạch hồi tiếp
nếu bộ khuếch đại làm việc ở tần số trung bình, còn trong mạch hồi tiếp không có
thành phần điện kháng, thì hệ số K và β là những số thực.
Nếu điện áp ra của bộ khuếch đại là tham số thực hiện hồi tiếp thì ta có hồi
tiếp điện áp, nếu là dòng điện mạch ra thì ta có hồi tiếp dòng điện. Có thể hồi tiếp
hỗn hợp cả dòng điện và điện áp.
Khi điện áp đưa về hồi tiếp nối tiếp với nguồn tín hiệu vào thì ta có hồi tiếp
nối tiếp. Khi điện áp hồi tiếp đặt tới đầu vào bộ khuếch đại song song với điện áp
nguồn tín hiệu thì có hồi tiếp song song.
Hai đặc điểm trên xác định một loại mạch hồi tiếp cụ thể: hồi tiếp điện áp nối
tiếp hoặc song song, hồi tiếp dòng điện nối tiếp hoặc song song, hồi tiếp hỗn hợp
nối tiếp hoặc song song. Hình 2.74 minh họa một số thí dụ về những mạch hồi tiếp
phổ biến nhất trong khuếch đại. Tác dụng của hồi tiếp có thể làm tăng hoặc giảm tín
hiệu tổng hợp ở đầu vào bộ khuếch đại và tương ứng được gọi là hồi tiếp dương và
hồi tiếp âm. Hồi tiếp âm cho phép cải thiện một số chỉ tiêu của bộ khuếch đại, vì thế
nó được dùng rất rộng rãi.
  
K K K
  
β β β
a) b) c)

Hình 2.74. Một số mạch hồi tiếp thông dụng a) Hồi tiếp nối tiếp
điện áp, b) Hồi tiếp dòng diện, c) Hồi tiếp song song điện áp
- Hồi tiếp điện áp nối tiếp (h.2.74a) làm ổn định điện áp ra, giảm điện trở ra.
Còn hồi tiếp dòng điện nối tiếp (h.2.74b) làm ổn định đòng điện ra, tăng điện trở ra.
- Hồi tiếp âm song song (h.2.74c) làm tăng dòng điện vào và làm giảm điện
trở vào cũng như điện trở ra.
Cần nói thêm là hồi tiếp dương thường không dùng trong bộ khuếch đại
nhưng nó có thể xuất hiện ngoài ý muốn do ghép về điện ở bên trong hay bên
71
ngoài gọi là hồi tiếp ký sinh qua nguồn cung cấp chung, qua điện cảm hoặc điện
dung ký sinh giữa mạch ra và vào của bộ khuếch đại.
Hồi tiếp ký sinh làm thay đổi đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đại do
đó làm tăng hệ số khuếch đại ở các đoạn riêng biệt của dải tần hoặc thậm chí có thể
làm cho bộ khuếch đại bị tự kích, nghĩa là xuất hiện dao động ở một tần số xác định.
Để loại bỏ hiện tượng trên có thể dùng các bộ lọc thoát (mạch RC) dùng dây
dẫn bọc kim, và bố trí các linh kiện hợp lý. Dưới đây là thí dụ vế những mạch hồi
tiếp âm thường gặp (h.2.75).

Hình 2.75.Sơ đồ các mạch hồi tiếp âm: a) Hồi tiếp dòng
điện trên RE; b) Hồi tiếp điện áp nhờ thêm khâu RC.

Trong mạch hình 2.75b, ta thấy nếu xét riêng biệt từng tầng thì điện trở RE1,
RE2 đều thực hiện hồi tiếp âm dòng nối tiếp, giống như trường hợp hình 2.75a.
Ta xét thêm trường hợp mạch hồi tiếp từ colectơ của tranzito T2 về emitơ của
tranzito T1 qua C và R. Theo định nghĩa thì đây là mạch hồi tiếp điện áp nối tiếp.
Xét về pha của tín hiệu thì đó là mạch hồi tiếp âm. Vậy trên điện trở RC1 có cả hai
loại hồi tiếp âm dòng điện và điện áp. Kết quả là hệ số khuếch đại của toàn mạch sẽ
bị giảm.

2.5.2. Khuếch đại dùng tranzito lưỡng cực (BJT)

Dưới đây sẽ trình bày phương pháp phân tích tầng khuếch đại dùng tranzito
lưỡng cực theo ba cách mắc mạch: emitơ chung (EC), cơlectơ chung (CC) và bazơ
chung (BC). Giả thiết tín hiệu vào là hình sin tần số trung bình vì vậy trở kháng của
tụ coi như bằng không, ảnh hưởng điện dung ký sinh cũng như sự phụ thuộc hệ số α
của tranzito vào tần số coi như không đáng kể.
2.5.2.1. Tầng khuếch đại emitơ chung EC.
Mạch điện nguyên lý tầng khuếch đại EC cho trên hình 2.76a. Trong sơ đồ
Cp1, Cp2 là các tụ phân đường (nối tầng). Tụ Cp1 loại trừ tác dụng ảnh hưởng lẫn
nhau của nguồn tín hiệu và mạch vào về dòng một chiều. Và nó đảm bảo cho điện
áp UB0 trong chế độ tĩnh không phụ thuộc vào điện trở trong của nguồn tín hiệu
Rn. Tụ Cp2 ngăn không cho thành phần một chiều và chỉ cho thành phần xoay chiều
72
ra tải. Điện trở R1, R2 để xác định chế độ tĩnh của tầng. Bởi vì BJT điều khiển bằng
dòng, nên dòng điện tĩnh (khi này là dòng IC0) được tạo thành do dòng tĩnh emitơ
IE thông qua sự điều khiển của dòng bazơ IB trên điện trở RE.

Hình 2.76a. Tầng khuếch đại E chung và kết quả mô phỏng để

xác định các tham số tín hiệu và pha

Hình 2.76b. Sơ đồ thay thế tầng EC bằng tham số vật lý

Nguyên lý làm việc của tầng EC như sau: Khi đưa điện áp xoay chiều tới
đầu vào, xuất hiện dòng xoay chiều bazơ của tranzito ở mạch ra của tầng. Hạ áp trên
điện trở RC tạo nên điện áp xoay chiều trên colectơ. Điện áp này qua tụ Cp2 được
được đưa đến đầu ra của tầng tức là tới mạch tải. Có thể thực hiện bằng hai phương
pháp cơ bản là phương pháp đồ thị và phương pháp giải tích (sơ đồ tương đương)
đối với chế độ xoay chiều tín hiệu nhỏ.
Phương pháp đồ thị dựa vào các đặc tuyến vào và ra của tranzito, có ưu điểm
là dễ dàng tìm được mối quan hệ giữa các giá trị biên độ của thành phần xoay
c hiều (điện áp ra và dòng điện ra ICm) và là số liệu ban đầu để tính toán. Trên đặc
tuyến hình 2.77, vẽ đường tải một chiều (a-b). Sự phụ thuộc UCEO = f(ICO) có thể tìm
được từ phương trình cân bằng điện áp ở mạch ra của của tầng:
UCEO = EC – ICORC – IEORE = EC – ICORC – ICORE/α (2.118)
73
 Vì hệ số α gần bằng 1, nên có thể viết
UCEO = EC - ICO(RC + RE) (2.119)
IC (mA) PCCP

ECC/( RC//Rt)
IBmax
M 

P IB0
IC0 

I =0μA
 B
N

UC0 ECC UCE(V)

Hình 2.77: Xác định chế độ tĩnh của

tầng EC trên họ đặc tuyến ra

Biểu thức là phương trình đường tải một chiều của tầng. Dựa vào đặc tuyến IB
= f(UBE) ta chọn được dòng bazơ tĩnh cần thiết IBO chính là xác định được tọa độ
điểm P là giao điểm của đường IB=IBO với đường tải một chiều trên đặc tuyến ra
hình 2.77.
Để xác định thành phần xoay chiều của điện áp ra và dòng colectơ của
tranzito phải dùng đường tải xoay chiều của tầng. Chú ý rằng điện trở xoay chiều
trong mạch emitơ bằng không (vì có tụ CE mắc song song với điện trở RE) còn
tải được mắc vào mạch colectơ vì điện trở xoay chiều của tụ Cp2 rất nhỏ.
Điện trở vào của tầng :
Rv = R1// R2//rv (2.120)
rV = rB + (1 + β)rE
R1//R2 ≥ (2 ÷ 3)rv ta sẽ có Rv của tầng EC không vượt quá 1 ÷ 3 kΩ.
Xác định hệ số khuếch đại dòng điện của tầng KI = Ir/Iv= β(RC//Rt)/Rt (2.121)
Hệ số khuếch đại dòng KI tỷ lệ với β của tranzito và phụ thuộc vào tác dụng
mắc rẽ của bộ phân áp và điện trở RC, Rt.
Như vậy, tầng EC sẽ có hệ số khuếch đại dòng tương đối lớn, và nếu RC >> Rt
thì hệ số khuếch đại dòng điện KI→β.

74
 Xác định hệ số khuếch đại điện áp của tầng. KU = Ur/En
KU = - β(RC//Rt)/(Rv+Rn) (2.122)
Từ (2.122) ta thấy nếu β càng lớn và điện trở mạch ra của tầng càng lớn so
với điện trở mạch vào thì hệ số khuếch đại càng lớn. Đặc biệt, hệ số khuếch đại
điện áp sẽ tăng khi điện trở trong nguồn tín hiệu giảm. Hệ số khuếch đại điện áp
trong sơ đồ EC khoảng từ 20÷100. Tầng khuếch đại EC thực hiện đảo pha đối với
điện áp vào. Việc tăng điện áp vào (chiều dương) sẽ làm tăng dòng bazơ và dòng
colectơ của tranzito, hạ áp trên RC tăng, sẽ làm giảm điện áp trên colectơ (hay là
xuất hiện ở đầu ra của tầng nửa chu kỳ âm điện áp). Việc đảo pha của điện áp ra
trong tầng EC đôi khi được biểu thị bằng dấu "-" trong biểu thức KU.
Hệ số khuếch đại công suất KP = Pr/Pv = KUKI trong sơ đồ EC khoảng
(0,25)103 lần.
Điện trở ra của tầng Rr = RC // rC(E)
Vì rC(E) >> RC nên Rr = RC
2.5.2.2. Tầng khuếch đại colectơ chung CC (lặp emitơ)
Hình 2.78 là sơ đồ một tầng khuếch đại CC, còn gọi là tầng lặp E vì điện áp
ra của nó lấy ở E của tranzito, về trị số gần bằng điện áp vào (Ur = Uv +UBE ≈ Uv)
và trùng pha với Uv. Điện trở RE trong sơ đồ đóng vai trò như RC trong sơ đồ EC.
Tụ Cp2 có nhiệm vụ truyền ra tải thành phần xoay chiều của tín hiệu ra.

Rt

Hình 2.78. Sơ đồ tầng khuếch

đại CC và kết quả mô phỏng

Điện trở R1, R2 dùng để xác định chế độ tĩnh của tầng. Để tăng điện trở vào, có
thề không mắc điện trở R2. Việc tính toán chế độ một chiều tương tự như đã làm
với tầng EC. Để khảo sát các tham số của tầng theo dòng xoay chiều, cần chuyển
sang sơ đồ thay thế.
Điện trở vào của tầng Rv = R1//R2//rv
rv = rB + (1 + β)(rE + RE // Rt) (2.123)

75
 Từ biểu thức (2.123) nhận thấy rv của tranzito trong sơ đồ CC lớn hơn trong
sơ đồ EC. Vì rE thường rất nhỏ hơn RE//Rt, còn rB nhỏ hơn số hạng thứ hai vế phải
của biểu thức (2.123), nên điện trở của tầng lặp lại E bằng:
Rv ≈ R1//R2 //(1 + β)( RE // Rt) (2.124)
Điện trở vào lớn là một trong những ưu điểm quan trọng của tầng CC, dùng để
làm tầng phối hợp với nguồn tín hiệu có điện trở trong lớn. Việc xác định hệ số
khuếch đại dòng KI cũng theo phương pháp giống như sơ đồ EC.
Hệ số khuếch đại dòng trong sơ đồ CC: KI = (1+β)(RE//Rt)/Rt (2.125)
Khi RE = RC và điện trở Rt giống nhau, thì hệ số khuếch đại dòng điện trong
sơ đồ CC và EC gần bằng nhau.
Hệ số khuếch đại điện áp KU: KU = (1+ β)(RE//Rt)/(Rv +Rn) (2.126)
Để tính hệ số KU, ta coi Rv>>Rn và Rv tính gần đúng theo (2.124), khi đó
KU≈1.Tầng CC dùng để khuếch đại công suất mà vẫn giữ trị số điện áp của tín hiệu.
Vì KU = 1 nên hệ số khuếch đại công suất KP xấp xỉ bằng KI về trị số.
Điện trở ra của tầng CC có giá trị nhỏ (cỡ Ω), được tính bởi Rr = RE//rE
Tầng CC được dùng để biến đổi trở kháng phối hợp mạch ra của tầng khuếch
đại với tải có điện trở nhỏ, có vai trò như một tầng khuếch đại công suất đơn chế độ
A không có biến áp ra.
2.5.2.3. Tầng khuếch đại bazơ chung (BC)
Hình 2.79 là sơ đồ tầng khuếch đại BC. Các phần tử EE, RE để xác định dòng
tĩnh IE. Các phần tử còn lại cũng có chức năng giống sơ đồ EC. Về nguyên lý để
thực hiện sơ đồ BC ta có thể chỉ dùng một nguồn EC.
Để khảo sát các tham số của tầng khuếch đại BC theo dòng xoay chiều ta sử
dụng sơ đồ tương đương hình 2.79b.
Rv = RE // [ rE + ( 1 - α )rB] (2.127)
Từ (2.127) ta thấy điện trở vào của tầng được xác định chủ yếu bằng điện trở
rE và vào khoảng (10÷50)Ω. Điện trở vào nhỏ là nhược điểm cơ bản của tầng BC
vì tầng đó sẽ là tải lớn đối với nguồn tín hiệu vào.
Đối với thành phần xoay chiều thì hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là α = IC/ IE và
α < l. Hệ số khuếch đại dòng điện KI tính theo sơ đồ hình 2.79b sẽ là
KI = α(RC//Rt)/Rt (2.128)

a) b)
76
Hình 2.79. a) Sơ đồ khuếch đại BC và kết quả mô phỏng b) Sơ đồ thay thế
 Hệ số khuếch đại điện áp
KU = α(RC//Rt)/(Rv + Rn) (2.129)
Từ (2.129) ta thấy khi giảm điện trở trong của nguồn tín hiệu vào sẽ làm tăng hệ
số khuếch đại điện áp.
Điện trở ra của tầng BC: Rr = RC // rC(B) ≈ RC (2.130)
Cần chú ý rằng đặc tuyến tĩnh của tranzito mắc BC có vùng tuyến tính rộng
nhất nên tranzito có thể dùng với điện áp colectơ lớn hơn sơ đồ EC (khi cần có
điện áp ở đầu ra lớn). Trên thực tế tầng khuếch đại BC có thể dùng làm tầng ra của
bộ khuếch đại, còn tầng CC dùng làm tầng trước cuối. Khi đó tầng CC sẽ là nguồn
tín hiệu và có điện trở trong nhỏ (điện trở ra) của tầng BC.
2.5.2.4. Tầng khuếch đại đảo pha
Tầng đảo pha (tầng phân tải) dùng để nhận được hai tín hiệu ra lệch pha
nhau 180o. Sơ đồ tầng đảo pha vẽ trên hình 2.80a. Nó có thể nhận được từ sơ đồ
EC hình 2.76 khi bỏ tụ CE và mắc tải thứ hai Rt2 vào RE qua Cp3. Tín hiệu ra lấy
từ colectơ và emitơ của tranzito. Tín hiệu ra Ur2 lấy từ emitơ đồng pha với tín hiệu
vào Uv (hình 2.80b,c) còn tín hiệu ra Url lấy từ colectơ (hình 2.80c) ngược pha với tín
hiệu vào. Dạng tín hiệu vẽ trên hình 2.80b, c, d.
Điện trở vào của tầng đảo pha tính tương tự như tầng CC:
Rv = R1 // R2 // [ rB + ( 1 + β)(rE + RE// Rt2)] (2.131)
hoặc tính gần đúng
Rv ≈ ( 1 + β) ( rE + RE // Rt2) (2.132)
Hệ số khuếch đại điện áp ở đầu ra 1 xác định tương tự như sơ đồ EC, còn ở đầu
ra 2 xác định tương tự như sơ đồ CC.
KU = - β(RC//Rt)/(Rv+Rn) (2.133)
KU = (1+ β)(RE//Rt)/(Rv +Rn) (2.134)
Nếu (1 +β)(RE// Rt2)= β(RC//Rt1) thì hai hệ số khuếch đại này sẽ giống nhau.
Tầng đảo pha cũng có thể dùng biến áp, sơ đồ nguyên lý như hình 2.81.

77

Hình 2.80. Sơ đồ tầng đảo pha và biểu đồ Hình 2.81. Sơ đồ tầng đảo pha dùng
thời gian biến áp
 Hai tín hiệu ra lấy từ hai nửa cuộn thứ cấp có pha lệch nhau 180o so với điểm
O. Nếu hai nửa cuộn thứ cấp có số vòng bằng nhau thì hai điện áp ra sẽ bằng
nhau. Mạch đảo pha biến áp được dùng vì dễ dàng thay đổi cực tính của điện áp ra
và còn có tác dụng để phối hợp trở kháng.

2.5.3. Khuếch đại dùng tranzito trường (FET)

Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đại dùng tranzito trường cũng giống như
tầng dùng tranzito lưỡng cực, điểm khác nhau là tranzito trường điều khiển bằng
điện áp. Khi chọn chế độ tĩnh của tầng dùng tranzito trường cần đưa tới đầu vào
(cực cửa) một điện áp một chiều có trị số và cực tính cần thiết.
2.5.3.1. Khuếch đại cực nguồn chung (SC)
Sơ đồ khuếch đại SC dùng MOSFET có kênh n đặt sẵn cho trên hình 2.82.
Tải RD được mắc vào cực máng, các điện trở R1, RG, RS dùng để xác lập UGSO ở chế
độ tĩnh. Điện trở RS sẽ tạo nên hồi tiếp âm dòng một chiều để ổn định chế độ tĩnh
khi thay đổi nhiệt độ và do tính tản mạn của tham số tranzito. Tụ CS để khử hồi tiếp
âm dòng xoay chiều. Tụ Cp1 để ghép tầng với nguồn tín hiệu vào. Nguyên tắc chọn
chế độ tĩnh cũng giống như sơ đồ dùng tranzito lưỡng cực (hình 2.76).

Hình 2.82a: Sơ đồ tầng khuếch đại cực nguồn chung (SC)

78
 ID(mA)
IDmax
d PDmax
D

UGS
ID0 P

UPmax

UDS0 C UDS(V)

Hình 2.82b: Đồ thị xác định chế độ tĩnh

của tầng khuếch đại cực nguồn chung
(SC)

Đường tải xoay chiều xác định theo điện trở Rt~ = RD//Rt. Trong bộ khuếch
đại nhiều tầng thì tải của tầng trước chính là mạch vào của tầng sau có điện trở vào
Rv đủ lớn. Trong những trường hợp như vậy thì tải xoay chiều của tầng xác định
chủ yếu bằng điện trở RD (được chọn tối thiểu cũng nhỏ hơn Rv một bậc nữa).
Chính vì vậy đối với tầng tiền khuếch đại thì độ dốc của đường tải xoay chiều
(đường c-d) không khác lắm so với đường tải một chiều và trong nhiều trường hợp
người ta coi chúng là ở chế độ tĩnh có :
UDSO = ED – IDO(RD + RS) (2.135)
trong đó IDO là dòng máng tĩnh, UDSO là điện áp cực máng-nguồn tĩnh.
Điện áp UDSO chính là tham số của đặc tuyến ra tĩnh (máng) đi qua điểm
tĩnh P (hình 2.82b).
Dựa vào đặc tuyến của FET ta thấy ở chế độ tĩnh, điện áp phân cực có thể có
cực tính dương hoặc âm đối với cực nguồn và thậm chí có thề bằng không.
Điện áp nguồn cung cấp ED = UDSO + USO + IDO.RD (2.136)
Cần chọn các tham số trong công thức phù hợp với mạch và FET sử dụng.
Chọn loại FET phải chú ý đến các tham số tương tự như trong tầng EC. Phải tính
đến dòng máng cực đại IDmax, điện áp cực đại UDSmax, công suất tiêu tán cực đại
trong tranzito PDmax (hình 2.82) và UDPmax.
Giống như sơ đồ EC dùng tranzito lưỡng cực, tầng nguồn chung cũng làm đảo
79
pha tín hiệu khuếch đại. Ví dụ đặt vào đầu vào nửa chu kỳ điện áp dương (hình
2.82) sẽ làm tăng dòng máng và giảm điện áp máng; ở đầu ra sẽ nhận được nửa
chu kỳ điện áp cực tính âm.
Dưới đây ta sẽ phân tích tầng khuếch đại về mặt xoay chiều.
Sơ đồ thay thế tầng SC vẽ trên hình 2.83a có tính đến điện dung giữa các điện
cực của tranzito [6,8].

a) b)
Hình 2.83. Sơ đồ thay thế tầng SC: a) Nguồn dòng ; b) Nguồn áp
Sơ đồ thay thế dựa trên cơ sở sử dụng nguồn dòng ở mạch ra. Điện trở RD, Rt
mắc song song ở mạch ra xác định tải Rt~ = RD // Rt. Điện trở R1 và RG cũng được
mắc song song. Vì điện trở vào thường lớn hơn điện trở Rn nhiều, nên điện áp
vào của tầng coi như bằng En. Tụ Cp1, Cp2 và tụ CS khá lớn nên điện trở xoay
chiều coi như bằng 0. Vì thế trong sơ đồ thay thế không vẽ những tụ đó.
Hệ số khuếch đại điện áp ở tần số trung bình
KU = Ur / Uv = S(ri // Rt~) = SriRt/(ri +Rt) (2.137)
Trong đó ri là điện trở trong, S là hỗ dẫn của FET, tích số Sri gọi là hệ số
khuếch đại tĩnh  của FET. Thay  = Sri vào (2.137) ta có :
KU = Rt/(ri +Rt) (2.138)
Dựa vào (2.138) có thể vẽ sơ đồ thay thế của tầng SC với nguồn điện áp
Uv (hình 2.83b).
Trong trường hợp nếu tầng SC là tầng tiền khuếch đại trong bộ khuếch đại
nhiều tầng thì Rt~ =RD//Rv = RD. Nếu như tính đến RD << ri thì hệ số khuếch đại điện
áp của tầng được tính gọn là :
KU = SRD (2.139)
Điện trở vào của tầng SC là: Rv = R1 // RG (2.140)
Điện trở ra của tầng SC là: Rr = RD // ri ≈ RD (2-141)
Khi chuyển sang miền tấn số cao thì phải chú ý đến điện dung vào và ra của
tầng, nghĩa là cần chú ý đến điện dung giữa các điện cực CGS, CGD của tranzito
(h.2.83a), cũng như điện dung lắp ráp mạch vào CL (điện dung của linh kiện và
dây dẫn mạch vào đối với cực âm của nguồn cung cấp).
2.5.3.2. Khuếch đại cực máng chung DC (lặp lại cực nguồn)

80
 Hình 2.84a là sơ đồ DC dùng FET có kênh đặt sẵn. Điện trở R1, RG cùng với
RS dùng để xác định chế độ làm việc tĩnh của tranzito.

Hình 2.84 : Sơ đồ DC dùng

FET có kênh đặt sẵn

Việc chọn và đảm bảo chế độ tĩnh được tiến hành tương tự như tầng SC.
Tải một chiều của tầng là RS còn tải xoay chiều là Rt~ = RS//Rt
Đối với tầng DC thì Ut trùng pha với điện áp vào Ut = Uv – UGS (2.142)
Theo sơ đồ thay thế thì Ut lại là hàm số của UGS tác dụng lên đầu vào của
tranzito: Ut = SUGS(ri//Rt~)
hay UGS = Ut/[S(ri//Rt~)] (2.143)
Hệ số khuếch đại điện áp của tầng tính theo
KU = Ut/Uv = S(ri//Rt~)/[1 +S(ri//Rt~)] (2.144)
Vì ri >> Rt~ nên KU ≈ SRt~/(1 +SRt~) (2.145)
Hệ số khuếch đại KU phụ thuộc vào độ hỗ dẫn S của tranzito và tải xoay
chiều của tầng. Hệ số khuếch đại sẽ tiến tới 1 khi tăng S và Rt~. Vì vậy đối với
tầng DC nên dùng tranzito có độ hỗ dẫn lớn.
Dựa vào sơ đồ hình 2.84b xác định được điện trở ra của tầng DC.
Rr = RS//[1/(1+)] với  = Sri (2.146)
Điện trở ra của tầng DC nhỏ hơn tầng SC, và vào khoảng 100 3000Ω.
Vì điện áp giữa cực cửa và cực nguồn của tranzito trong sơ đồ lặp lại cực nguồn
bằng hiệu Uv–Ur, nên dòng điện vào bản thân của tranzito sẽ nhỏ hơn trong sơ đồ
SC, và độ không ổn định nhiệt của điện trở khoảng giữa cửa và nguồn nhỏ, cho
phép ta dùng R1, RG lớn. Vì vậy tầng DC có Rv lớn (tới vài MΩ) hơn tầng SC.
Điện dung vào của tầng DC sẽ nhỏ hơn của tầng SC.
Đối với tầng lặp lại cực nguồn thì cần thiết phải tính đến thành phần dòng
điện dung vào mạch cửa-máng và cửa-nguồn của tranzito, cũng như thành phần
dòng điện dung lắp ráp ở mạch vào của tầng.
2.5.4. Ghép giữa các tầng khuếch đại
2.5.4.1.Khái niệm chung

81
 Một bộ khuếch đại thường gồm nhiều tầng mắc nối tiếp nhau như hình 2.85 (vì
thực tế một tầng khuếch đại không đảm bảo đủ hệ số khuếch đại cần thiết), ở đây
tín hiệu ra của tầng đầu hay tầng trung gian bất kỳ sẽ là tín hiệu vào cho tầng sau
nó và tải của một tầng là điện trở vào của tầng sau nó. Điện trở vào và ra của bộ
khuếch đại sẽ được tính theo tầng đầu và tầng cuối.

Hình 2.85. Sơ đồ khối bộ khuếch đại nhiều tầng

Theo hệ thức (2.114), hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại nhiều tầng bằng tích
hệ số khuếch đại của mỗi tầng (tính theo đơn vị số lần) hay bằng tổng của chúng
(tính theo đơn vị dB)
KU = Ut/En = (Ur1/En)(Ur2/UV2)………(Urn/UVn) = KU1KU2….KUn.
Hay KU(dB) = KU1(dB)+…+KUn(dB) (2.147)
Việc ghép giữa các tầng có thể dùng tụ điện, biến áp hay ghép trực tiếp, không
nối qua điện trở vì nó làm tổn hao công suất nhất là đối với các tín hiệu điện tử
thường là các tín hiệu nhỏ.
2.5.4.2. Ghép tầng bằng điện dung (tụ điện)

Hình 2.86. Sơ đồ bộ
khuếch đại nhiều tầng
ghép điện dung

Bộ khuếch đại nhiều tầng ghép điện dung vẽ trên hình 2.86: Tín hiệu của

82
tầng này được đưa sang tầng kia nhờ tụ điện, các tụ này được gọi là tụ ghép tầng
trong khuếch đại. Nguyên lý cấu tạo và làm việc của một tầng tương tự như đã xét ở
các phần trước. Bộ khuếch đại ghép điện dung có các đặc điểm sau:
- Mạch dễ thực hiện (nối giữa hai tầng bằng một tụ điện), đơn giản, rẻ tiền.
- Do tụ được mắc vào mạch nên dòng điện vượt pha điện áp.
- Tụ điện là một phần tử điện kháng, nó phụ thuộc vào tần số của tín hiệu nên
khi tần số thay đổi thì nó làm cho điện áp ra thay đổi, có nghĩa là làm tăng độ méo
của hệ thống. Ở tần số thấp hệ số méo là Mt, ở tần số cao hệ số méo là Mc và ta có:
Mt = K0/Kt = Mt1Mt2…Mtn (2.148)
Mc = K0/Kc = Mc1Mc2…Mcn (2.149)

và (2.150)
τ: là hằng số thời gian tương đương của tầng ở tần số tương ứng
- Tụ điện ghép ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại ở tần số thấp vì nó có một điện
kháng nào đó và sẽ gây nên điện áp rơi trên các tụ nối tầng vì các tụ đều mắc nối tiếp
trong bộ khuếch đại.
2.5.4.3. Ghép tầng bằng điện cảm (biến áp)
Ở phần trên ta đã trình bày bộ khuếch đại ghép tầng bằng điện dung một cách
chi tiết và đó là trường hợp chung nhất được sử dụng rộng rãi nhất. Ở phần này
chúng ta chỉ nêu lên những đặc điểm khác biệt của tầng ghép biến áp so với tầng
ghép điện dung. Hơn nữa vấn đề ghép biến áp còn được đề cặp tới ở phần khuếch
đại công suất. Hình 2.87 là sơ đồ bộ khuếch đại ghép biến áp (linh kiện ghép tầng là
biến áp). Cuộn sơ cấp của nó (w1) được mắc vào bazơ tranzito T2 qua tụ Cp2. Vậy
MBA có thể đưa tín hiệu từ tầng nọ sang tầng kia.

Hình 2.87. Tầng khuếch đại ghép biến áp:

Sơ đồ nguyên lý, sơ đồ tương đương và
đặc tuyến tần số

Ghép tầng bằng biến áp có những đặc điểm sau:

- Giữa các tầng được cách ly hoàn toàn thành phần một chiều, do vậy dễ dàng
83
xác định chế độ làm việc cho mỗi tầng.
- Làm tăng hệ số khuếch đại chung cho toàn mạch.
- Có thể khuếch đại điện áp hay dòng điện tùy thuộc vào tỷ số biến áp của máy
biến áp.
- Nhược điểm cơ bản là cồng kềnh, chiếm thể tích, khối lượng lớn, làm cho các
bộ khuếch đại không gọn nhẹ và cũng có một điện kháng nào đó nên khi tần số thay
đổi làm thay đổi điện áp ra tức là gây méo tín hiệu (tần số cao, tần số thấp…).
- Do các ưu điểm và tính thuận tiện nên nó vẫn được sử dụng phổ biến không
chỉ trong Kỹ thuật điện tử mà cả trong Kỹ thuật điện nói chung.

2.5.5. Khuếch đại công suất

Khuếch đại công suất là khuếch đại phải đảm bảo đưa ra tải công suất danh định
với tải thường có trị số nhỏ (vài chục ôm đến vài ôm). Thường trong khuếch đại công
suất biên độ của dòng và áp ra thường xấp xỉ với dòng và áp cho phép của tranzito,
tức là công suất ra gần ở mức công suất cho phép của tranzito (công suất tiêu tán đốt
nóng tranzito) và cùng xấp xỉ với công suất tiêu thụ nguồn một chiều.
Các tham số quan trọng đặc trưng cho khuếch đại công suất là hiệu suất %,
công suất (đưa ra tải), hệ số méo phi tuyến của tín hiệu ra, méo tuyến tính.
2.5.5.1. Tầng khuếch đại công suất đơn ở chế độ A.
1. Không dùng biến áp
Tất cả các tầng khuếch đại cơ bản đã xét ở trên đều là các tầng khuếch đại làm
việc ở chế độ A, vậy ta sẽ không nói lại ở đây.
2. Dùng biến áp làm việc
Sơ đồ nguyên lý ở hình 2.88 và tín hiệu ra được biểu diễn trên đồ thị hình 2.89.

Q
Ic
Rt Ur I o
R
1 1 m
Cn c
_
Ic H
m
R2 Ucc
Uv CL
RE CE + Uc Ucma
0 x
H×nh 4.41 khuÕch ®¹i c«ng suÊt Uc
HìnhbiÕn
2.88. Khuếch Uc
¸p lµm viÖc ë đại công
chÕ ®é A suất m
biến áp làm việc ở chế độ A Hình 2.89. m

Trong sơ đồ này thực tế nguồn UCC đặt toàn bộ lên colectơ của tranzito vì điện
trở thuần r đối với dòng một chiều IC 0 là khá nhỏ. Điện trở tải Rt phản ánh sang cuộn

84
 R w
sơ cấp của biến áp ra thành R ,t  2t , n là hệ số biến áp n = 1 ; w1, w2 - số vòng của
n w2
cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp. Khi làm việc ở chế độ A biên độ dòng ra ICm nhỏ hơn
dòng một chiều IC0, biên độ điện áp ra UCm nhỏ hơn UC0 nên  ,  nhỏ hơn 1, tức là
I
hiệu suất  < 50% (theo lý thuyết). Trong đó  - hệ số sử dụng dòng điện,   Cm ,
I Co
U
ICo - thành phần một chiều của dòng colectơ,  - hệ số sử dụng điện áp,   Cm ,
E0
E0 - điện áp nguồn một chiều.
Tín hiệu ra coi là hình sin thì:
U I 2 2 2
P  Cm Cm  U C  U Cm  U Cm  S (2.151)
ΔOHQ
~ 2 R 2R 2n 2 R
t~ t~ t
2 2
U Cm U Cm .η ba
Từ đó: η  (2.152)
2P~ R t 2Pt .R t

Ở chế độ A khi không có tín hiệu P~ = 0 thì PC = P0 (PC là công suất đốt nóng
colectơ, là hiệu giữa công suất tiêu thụ nguồn P0 và công suất xoay chiều P~, là diện
tích tam giác OHQ) nên cần chọn chế độ nhiệt của tranzito theo P0 để bảo đảm
tranzito không bị hư.
2.5.5.2. Khuếch đại công suất ở chế độ B
1. Khuếch đại đẩy kéo có dùng biến áp
Để tăng hiệu suất của tầng thì không thể để tranzito làm việc ở chế độ A mà làm
việc ở chế độ B. Khi làm việc ở chế độ B thì nếu tín hiệu đầu vào bằng không thì dòng
colectơ sẽ bằng không, nên lúc này công suất P0 tiêu hao nguồn sẽ bằng không, hiệu
suất tăng. Tuy nhiên làm việc ở chế độ B tín hiệu ra chỉ tồn tại trong một phần của chu
kỳ nên méo phi tuyến lớn. Để giảm méo dùng hai tranzisto mắc đẩy kéo. Xét sơ đồ
nguyên lý hình 2.90a.
Khi không có tín hiệu vào thì điện áp trên bazơ của cả hai tranzito so với emitơ
đều bằng không. Nếu ta bỏ qua dòng ngược colectơ thì có thể coi dòng điện trong tầng
bằng không, điện áp trên tải cũng bằng không. Trên colectơ của mỗi tranzito có điện
áp xấp xỉ bằng E0.
Khi có tín hiệu vào, giả sử nửa chu kỳ đầu là dương thì T1 sẽ thông và khuếch
đại, T2 tiếp tục khóa. Trên cuộn w1 sẽ tạo nên điện áp Uw1 = iC1.Rt~ = iC1.n22.Rt =
.iB1.n22.Rt. Trên tải Rt sẽ có điện áp ra Ur = Uw1/n2. Khi tín hiệu chuyển sang nửa chu
kỳ âm thì T1 khóa lại, T2 thông và khuếch đại, iC2 = iB2. Điện áp trên w1' cùng trị số
với Uw1 nếu hai tranzito giống hệt nhau, ngược pha nên tạo nên tải điện áp ở bán chu

85
kỳ âm. Hình 4.43b mô tả một nửa chu kỳ của một tranzito. Đường tải xoay chiều với
Rt~ = n22.Rt được dựng tại điểm UCE0 = E0 và IC 0 = I0  0. Từ đó ta có:
P~ = 1/2UCm.ICm
η U .I
P η P  ba2 Cm Cm (2.153)
t ba2 ~ 2
2I Cm .E 0
Công suất nguồn tiêu thụ P0 là: Po  I 0 .E 0  (2.154)
π
P U .I I E π U
Hiệu suất của mạch colectơ là: η c  ~  Cm Cm /2 Cm o  . Cm (2.155)
Po 2 π 4 E0
π U Cm
Hiệu suất của cả tầng khuếch đại là: η  η c .η ba2  η ba2 . . (2.156)
4 Eo
Nếu chọn điện áp dư UCE càng nhỏ thì hiệu suất càng lớn.

Nếu coi ba2  1, UC  EO thì  =  0,785 .
4
Thực tế  đạt 0,6 – 0,7, lớn gấp 1,5 lần so với tầng khuếch đại đơn.
Đặc điểm của bộ khuếch đại:
- Dòng điện qua mỗi T chỉ có một nửa chu kỳ, hai T thay nhau làm việc.
- Hiệu suất lớn, công suất cao hơn so với tầng khuếch đại đơn.
- Hệ số méo lớn hơn tầng khuếch đại đơn, vậy cần chú ý là để tín hiệu ra không
bị méo thì cần chọn hai transito càng giống nhau về thông số càng tốt.

Hình 2.90. a) Sơ đồ nguyên lý khuếch đại đẩy

kéo biến áp b) Đồ thị ½ chu kỳ điện áp

2. Khuếch đại đẩy kéo không dùng biến áp.

Trong các sơ đồ khuếch đại công suất đã xét dùng biến áp để phối hợp trở kháng
tải với tranzito để có công suất ra lớn, hiệu suất cao. Nếu tranzito có hỗ dẫn S lớn thì
có thể mắc tải trực tiếp vào colecto của tranzito (trở kháng tải có thể nhỏ tới mức chỉ
vài ôm), nghĩa là không cần biến áp. Mạch khuếch đại không biến áp đơn thường

86
mắc theo sơ đồ lặp emitơ để dễ phối hợp trở kháng. Trở kháng ra của mạch lặp emitơ
cỡ 1/S; khi S đủ lớn có thể mắc tải khá nhỏ. Tuy nhiên nếu công suất ra cỡ vài chục
đến vài trăm mW trở lên thì không nên mắc lặp emitơ vì mạch này có hiệu suất nhỏ.
Các mạch khuếch đại không biến áp thường mắc theo sơ đồ đẩy kéo, làm việc ở chế
độ B hoặc AB. Mạch có thể dùng tranzito khác loại hoặc cùng loại.

Sơ đồ nguyên lý của mạch được cho trong hình 2.91. Ví dụ ta xét trường hợp
mạch 2.91a: Mạch dùng T trong mạch đảo pha và ở đầu ra không dùng biến áp mà
dùng T có công suất lớn.
Nguyên lý làm việc của mạch như sau: Khi Uv1 >0, Uv2 <0 thì T1 khóa T2 mở và
có dòng IC2 qua Rt. Còn khi Uv1 <0, Uv2 >0 thì T1 mở T2 khóa vẫn có dòng IC1 qua Rt.
Vậy qua Rt có cả 2 nửa chu kỳ của tín hiệu nhưng với biên độ lớn hơn nhiều.
Đặc điểm của tầng khuếch đại:
- Hai T phải giống nhau, đặc biệt là hệ số β, để tín hiệu ra không bị méo.
- Tầng khuếch đại thường mắc ở tầng cuối cùng trong hệ thống.
- Tầng làm việc có công suất lớn nên cần có bộ phận làm mát.
- Không nên để hở mạch tầng này vì nó luôn làm việc với tải lớn và rất lớn, có
thể coi như nó luôn làm việc ở chế độ ngắn mạch vì vậy phải quan tâm tới trở kháng
cực đại của tải trước khi sử dụng tầng này.
2.5.6. Khuếch đại tín hiệu biến thiên chậm
2.5.6.1. Khái niệm.
Tín hiệu có tần số nhỏ (coi như bằng 0) gọi là tín hiệu biến thiên chậm.
87
Tín hiệu này coi như tín hiệu một chiều có hệ số khuếch đại không phụ
thuộc vào tần số như hình 2.92.
Tín hiệu này có đặc điểm là để muốn có KU
hệ số khuếch đại lớn không thể ghép tầng bằng
K0
tụ điện hay biến áp vì khi này tần số gần bằng 0 f
và tín hiệu cũng bằng 0. Nối tầng phải nối trực Hình 2.92: Đặc tuyến
tiếp hoặc qua điện trở, chủ yếu là nối trực tiếp để biên độ tần số của bộ
tránh làm suy giảm tín hiệu do điện trở gây nên. khuếch đại một chiều

Như vậy phân cực cho các T lại khó khăn. Tín hiệu ra có nhiều nhiễu vì phải nối
trực tiếp giữa các tầng. Tầng đầu có vị trí quan trọng vì các ưu nhược điểm của nó
đều phản ánh tới tầng cuối.
Để giải quyết nhược điểm là muốn đạt hệ số khuếch đại cao lại gặp khó khăn,
ta dùng tầng khuếch đại vi sai.
2.5.6.2. Tầng khuếch đại vi sai
Hình 2.93a là cấu trúc điển hình của một tầng khuếch đại vi sai làm việc
theo nguyên lý cầu cân bằng song song. Hai nhánh cầu là hai điện trở RCl vả RC2
Còn hai nhánh kia là các tranzito T1 và T2 được chế tạo trong cùng một điều kiện
sao cho RC1 = RC2 và T1 và T2 có các thông số giống hệt nhau. Điện áp lấy ra giữa
hai colectơ (kiểu ra đối xứng) hay trên mỗi colectơ đối với đất (kiểu ra không đối
xứng). Tranzito T3 làm nguồn ổn dòng giữ ổn định dòng IE (là tổng dòng emitơ IE1
và IE2 của tranzito T1 và T2). Trong sơ đồ nguồn ổn dòng còn có các điện trở R1, R2,
R3 và nguồn cung cấp EC2, T4 mắc thành điôt làm phần tử bù nhiệt ổn định nhiệt
cho T3. Muốn xác định dòng IE cần xác định điện áp giữa điểm 1-2 trong sơ đồ.
Nếu bỏ qua dòng IB3 rất nhỏ hơn dòng IE và coi IE3 ≈ IC3 = IE thì có thể viết :
UBE3 + IER3 = I1R2 + UBE4 (2.157)
ở đây I1 = (EC2 – UBE4)/(R1 + R2) ≈ EC2/(R1 + R2)
Từ phương trình 2.157 tìm được IE = [I1R2 + (UBE4 – UBE3)]/R3 (2.158)
Trị số I1R2 trong tử số của (2.158) rất lớn hơn hiệu điện áp UBE của các
tranzito T4 và T3. Vì thế dòng IE được xác định chủ yếu bằng điện trở R1 R2 R3 và
dòng I1. Vì UBE4 và UBE3 trong công thức (2.158) phụ thuộc vào nhiệt độ ở dạng
hiệu số nên phụ thuộc nhiệt độ của dòng IE là rất nhỏ. Trong sơ đồ rút gọn (hình
2.94b) phần nguồn ổn dòng dùng T3 được thay bằng nguồn dòng IE.

88
 Tín hiệu vào tầng vi sai có thể từ hai nguồn riêng biệt (Uv1 và Uv2) hoặc từ
một nguồn (hình 2.93c,d). Trong trường hợp sau tín hiệu vào đặt lên bazơ của một
trong hai tranzito hay giữa hai bazơ của chúng. Các đầu vào Uv1 và Uv2 nối theo sơ
đồ như hình 2.93c,d được gọi là đầu vào vi sai. Điện áp một chiều cung cấp cho
tầng vi sai là hai nguồn EC1 và EC2 có thể khác nhau hay bằng nhau về trị số. Vì
hai nguồn nối tiếp nên điện áp cung cấp tổng là EC = EC1 + EC2. Do có EC2 nên điện
thế emitơ của tranzito T1, T2 giảm nhiều so với trong sơ đồ hình 2.93a và điều này
cho phép đưa tín hiệu tới đầu vào bộ khuếch đại vi sai mà không cần thêm mạch
bù điện áp ở đầu vào.
Hãy xét cụ thể trong một số trường hợp điển hình sau:
Sơ đồ tầng vi sai yêu cầu dùng tranzito T1, T2 có tham số giống nhau và
RC1= RC2 (hình 2.93b), nên khi tín hiệu vào bằng không (hình 2.94a), cầu cân bằng,
điện áp trên colectơ của hai tranzito bằng nhau và điện áp ra lấy trên đường chéo
cầu Ur = Ur1-Ur2 = 0. Sơ đồ có độ ổn định cao đối với sự thay đổi điện áp cấp, nhiệt
độ và các yếu tố khác vì độ trôi theo hai nhánh giống nhau, điện áp trên các colectơ
thay đổi cùng một gia số và độ trôi ở đầu ra gần như bị triệt tiêu. Trong thực tế, do
tính tản mạn của các tham số tranzito hay sự thay đổi của chúng không giống nhau
theo thời gian nên ở đầu ra vẫn có một độ trôi nào đó, nhưng nhỏ hơn khá nhiều so
với những sơ đồ trước vì ở đây được xác định bằng hiệu độ trôi của hai nhánh có
tham số gần giống nhau.

Hình 2.94:a) Sơ đồ khuếch đại vi sai khi tín hiệu vào

bằng 0; b) Biểu đồ của tín hiệu ra
89
 Dòng emitơ IE chia đều giữa hai tranzito nghĩa là IE1= IE2 = IE/2 và được xác
định bởi dòng bazơ tĩnh: IBO1 = IBO2 = IE/ 2(1+β) = IvO
Dòng bazơ là một phần dòng emitơ chạy trong mạch có nguồn ổn dòng IE
và điện áp EC2. Các dòng colectơ bằng nhau vì các dòng emitơ bằng nhau: IC1 = IC2 =
αIE/2 ≈ IE/2 và điện áp trên colectơ là UC1 = UC2= EC1- IERC /2, ở đây RC1= RC2 = RC.
Trạng thái này đặc trưng cho chế độ cân bằng của tầng và gọi là chế độ cân
bằng tĩnh.
Khi có tín hiệu đưa tới một trong các đầu vào, (giả sử Uv1 > 0; Uv2 = 0) (hình
2.95a). Do tác dụng của tín hiệu vào, xuất hiện dòng điện vào của hai tranzito. Với
giả thiết Uv1 > 0, Uv2 = 0, dòng vào này làm tăng dòng bazơ của tranzito T1 và làm
giảm dòng bazơ của tranzito T2. Khi đó dòng IE1và IC1 tăng, còn dòng IE2 và IC2 giảm.
Sự thay đổi dòng điện của các tranzito xảy ra ngược chiều nhau và với cùng
một gia số, vì thế tổng dòng điện IE1 + IE2 = IE giữ nguyên không đổi. Điện áp trên
colectơ của tranzito T1 là UC1 = EC1 - IC1RC1 giảm một lượng - ΔUC1 ngược dấu (đảo
pha) với điện áp vào. Điện áp UC2 tăng và tạo ra gia số điện áp +ΔUC2 cùng dấu
(không đảo pha) với điện áp tín hiệu vào.

Hình 2.95: a) Sơ đồ tầng vi sai khi có tín hiệu vào

với Uv1 > 0; Uv2 = 0; b) Biểu đồ điện thế

Như vậy với cách đưa tín hiệu vào như sơ đồ đang khảo sát đầu ra của tầng lấy
trên colectơ T1 (Ur1) gọi là đầu ra đảo, còn đầu kia lấy trên colectơ T2 (Ur2) gọi là
đầu ra không đảo. Tín hiệu lấy giữa hai colectơ gọi là tín hiệu vi sai.
Ur = UC2 – UC1= +ΔUC2 – (-ΔUC1) = 2ΔUC = 2|ΔIC|RC
Ta sẽ xác định hệ số khuếch đại điện áp của tầng vi sai. Khi hai tranzito có
tham số giống nhau thì dòng điện vào của tầng là.
Iv = en/(Rn+ rv1+ rv2) = en/(Rn+2rv) = en/[Rn+2(rB+(1+β)rE)] (2.159)

90
 ở đây rv là điện trở vào của tranzito.
Dòng điện vào tạo gia số dòng điện colectơ ±ΔIC = ± βIv và gia số điện áp
trên colectơ: ±ΔU r12 = ±ΔIC.RC = ±βIvRC (2.160)
Sau khi thay Iv từ (2.159) vào (2.160) và chia cho en ta sẽ xác định được hệ
số khuếch đại điện áp của tầng (theo hai đầu ra Ur1 và Ur2 riêng rẽ).
KU1.2 = ΔUr1,2/en = βRC/(Rn +2rV) = βRC/[Rn+2(rB+(1+β)rE)] (2.161)
Khi Rn= 0 thì KU1.2 = ΔUr1,2/en = βRC/(Rn +2rv) = βRC/[2(rB+(1+β)rE)] (2.162)
Hệ số khuếch đại của tầng theo đầu ra vi sai (Ur) khi Rt →∞ là
KVS = 2ΔUr1,2/en = 2βRC/(Rn +2rv) = 2βRC/[2(rB+(1+β)rE)] (2.163)
Nếu tính đến Rt thì KVS = 2β(RC//Rt)/(Rn +2rv) (2.164)
Khi Rt→∞, Rn→0 thì KVS = βRC/rv = βRC/[rB+(1+β)rE] (2.165)
Công thức (2.163), (2.165) dùng để tính hệ số khuếch đại của tầng vi sai. Hệ
số khuếch đại theo đầu ra Ur1 và Ur2 khi Rn= 0 và Rt = ∞ sẽ gần bằng KVS /2 và
hệ số khuếch đại điện áp theo đầu ra vi sai KVS gần bằng trị số hệ số khuếch đại K
của tầng đơn mắc EC.
Tín hiệu cung cấp cho tầng khuếch đại vi sai có thể thực hiện đồng thời trên
hai đầu vào (hình 2.93b). Khi tín hiệu vào Uv1 và Uv2 có cực tính khác nhau thì
điện áp vào vi sai sẽ là Uv =Uv1 + Uv2 còn điện áp ra vi sai là: Ur = KVS(Uv1 – Uv2)
Đặc điểm của tầng khuếch đại vi sai:
- Có khả năng chống nhiễu cao vì nhiễu là tín hiệu tác động vào cả hai đầu vào
nên tầng khuếch đại không cho tín hiệu ra, hay nói cách khác là nhiễu không ảnh
hưởng tới đầu ra của tầng khuếch đại vi sai. Nhưng trong thực tế không có sự giống
nhau hoàn toàn của các T và các phần tử khác trong mạch nên vẫn có ảnh hưởng ít
nhiều của nhiễu.
- Hệ số khuếch đại của tầng có thể lớn và rất lớn nếu ta ghép các tầng khuếch đại
vi sai với nhau.
2.5.7. Khuếch đại dùng vi mạch thuật toán
2.5.7.1. Khái niệm
Khuếch đại thuật toán (KĐTT - OA) ngày nay được sản xuất dưới dạng các IC
tương tự (analog). Có từ "thuật toán" vì lần đầu tiên chế tạo ra chúng người ta sử dụng
chúng trong các máy điện toán. Do sự ra đời của khuếch đại thuật toán mà các mạch
tổ hợp analog đã chiếm một vai trò quan trọng trong kỹ thuật mạch điện tử. Trước đây
chưa có khuếch đại thuật toán thì đã tồn tại vô số các mạch chức năng khác nhau.
Ngày nay, nhờ sự ra đời của khuếch đại thuật toán số lượng đó đã giảm xuống một
cách đáng kể vì có thể dùng khuếch đại thuật toán để thực hiện các chức năng khác
nhau nhờ mạch hồi tiếp ngoài thích hợp. Trong nhiều trường hợp dùng khuếch đại
91
thuật toán có thể tạo hàm đơn giản hơn, chính xác hơn và giá thành rẻ hơn các mạch
khuếch đại rời rạc (được lắp bằng các linh kiện rời) .
Ta hiểu khuếch đại thuật toán như một bộ khuếch đại lý tưởng: có hệ số khuếch
đại điện áp vô cùng lớn K  , dải tần số làm việc từ 0 , trở kháng vào cực lớn
Zv  , trở kháng ra cực nhỏ Zr  0, có hai đầu vào và một đầu ra. Thực tế người ta
chế tạo ra OA có các tham số gần được lý tưởng.
Hình 2.96 là ký hiệu của OA :
Đầu vào (+) gọi là đầu vào không đảo
P (positive), đầu vào (-) gọi là đầu vào đảo N
(negative) và một đầu ra .
OA ngày nay có thể được chế tạo như một Hình 2.96. Ký hiệu
IC hoặc nằm trong một phần của IC đa chức năng . của KĐTT (OA)

2.5.7.2 Cấu tạo và đặc tuyến của OA.

Để đạt được các chỉ tiêu kỹ thuật gần với dạng lý tưởng các hãng điện tử trên thế
giới chế tạo các IC KĐTT khá đa dạng nhưng nhìn chung đều tuân thủ sơ đồ khối như
ỏ hình 2.97

Hình 2.97. Cấu trúc bên trong của OA

Để có đầu vào đối xứng tầng đầu tiên bao giờ cũng là tầng khuếch đại vi sai đối
xứng có dòng tĩnh nhỏ, trở kháng vào lớn, cho phép mắc thêm mạch bù trôi .
Tầng thứ hai là tầng khuếch đại vi sai cho phép chuyển từ đầu vào đối xứng sang
đầu ra không đối xứng.
Các tầng trung gian nhằm khuếch đại tín hiệu lên đủ lớn để có thể kích thích cho
tầng cuối.
Tầng cuối tức tầng ra phải đảm bảo có dòng ra lớn, điện áp ra lớn và điện trở ra
nhỏ. Mạch này thường là khuếch đại đẩy kéo có bù kèm theo mạch chống qua tải.
Trong OA ghép giữa các tầng thực hiện trực tiếp (colectơ của tầng trước nối trực
tiếp với bazơ của tầng sau) vì vậy các tranzito n-p-n càng về sau càng có điểm công
tác tĩnh đẩy dần về phía các giá trị dương nguồn. Vì vậy phải có một mạch dịch mức
đẩy lùi điểm tĩnh về phía âm nằm trong một mạch nào đó của OA.
C1 +Ecc
R1 R2 R6 R7 R8
T7
T9

T1 T2 T5 T6
V1 R8 92
R5 T8 T10
V2
T3 C2
R4
T4 ND
 Ví dụ ta xét OA hình 2.98. OA ở đây có thể phân thành 4 tầng như sau:
Tầng thứ nhất là tầng KĐVS đối xứng trên T1 và T2. Để tăng trở kháng vào chọn
dòng colectơ và emitơ của chúng nhỏ, sao cho hỗ dẫn truyền đạt nhỏ. Có thể thay T1
và T2 bằng tranzito trường để tăng trở kháng vào T3, T4, R3, R4, và R5 tạo thành nguồn
dòng (ở đây T4 mắc thành điôt để bù nhiệt).
Tầng thứ hai là KĐVS đầu vào đối xứng, đầu ra không đối xứng: emitơ của
chúng cũng đấu vào nguồn dòng T3. Tầng này có hệ số khuếch đại điện áp lớn.
Tầng thứ ba là tầng ra khuếch đại đẩy kéo T9 – T10 mắc colectơ chung, cho hệ số
khuếch đại công suất lớn, trở kháng ra nhỏ.
Giữa tầng thứ hai và tầng ra là tầng đệm T7,T8 nhằm phối hợp trở kháng giữa
chúng và đảm bảo dịch mức điện áp. Ở đây T7 là mạch lặp emitơ, tín hiệu lấy ra trên
một phần của tải là R9 và trở kháng vào của T8. Tầng T8 mắc emitơ chung. Chọn R9
và dòng qua nó thích hợp sẽ tạo được một nguồn dòng đưa vào bazơ của T8 sẽ cho
mức điện áp một chiều thích hợp ở bazơ của T9 và T10 để đảm bảo có điện áp ra bằng
0 khi không có tín hiệu vào. Mạch ngoài mắc thêm R10, C1, C2 để chống tự kích.
- Đặc tuyến của OA:
Đặc tuyến quan trọng nhất của OA là đặc tuyến truyền đạt điện áp (hình
2.99), gồm hai đường cong tương ứng với các đầu vào đảo và không đảo. Mỗi
đường cong gồm một đoạn nằm ngang và một đoạn dốc. Đoạn nằm ngang tương
ứng với chế độ tranzito tầng ra (tầng CC) thông bão hoà hoặc cắt dòng. Trên những
đoạn đó khi thay đổi điện áp tín hiệu đặt vào, điện áp ra của bộ khuếch đại không
đổi và được xác định bằng các giá trị U + rmax, gọi là điện áp ra cực đại, (điện áp bão
hoà) gần bằng EC của nguồn cung cấp (trong các IC thuật toán mức điện áp bão
hoà này thường thấp hơn giá trị nguồn EC từ 1 đến 3V về giá trị). Đoạn dốc biểu thị
phụ thuộc tỷ lệ của điện áp ra với điện áp vào, với góc nghiêng xác định hệ số
khuếch đại của OA (khi không có hồi tiếp ngoài).
K = ∆Ur/∆Uv
Trị số K tuỳ thuộc vào từng loại OA, có thể từ vài trăm đến hàng trăm nghìn
lần lớn hơn. Giá trị K lớn cho phép thực hiện hồi tiếp âm sâu nhằm cải thiện
93
nhiều tính chất của OA.
Đường cong lý tưởng (hình 2.99) đi qua gốc toạ độ. Trạng thái Ur = 0 khi Uv =
0 gọi là trạng thái cân bằng của OA, tuy nhiên đối với những OA thực tế thường
khó đạt được cân bằng hoàn toàn, nghĩa là khi Uv = 0 thì Ur có thể lớn hơn hoặc
nhỏ hơn 0. Nguyên nhân mất cân bằng là do sự tản mạn các tham số của những linh
kiện trong khuếch đại vi sai (đặc biệt là tranzito).
Ur
Uvđảo

Uv
Uvkhôngđảo

Hình 2. 99. Đặc tuyến truyền đạt của OA (IC thuật toán)

2.5.7.3. Các tham số của OA

-Hệ số khuếch đại hiệu Kd được xác định theo biểu thức:
 Ur
 U khiU N  0
Ur Ur
Kd    P
(2.166)
Ud UP U N U
  r khiU P  0
 U N

Theo lý thuyết Kd =  , thực tế Kd = 103  106

- Đặc tính biên độ tần số: Theo lý thuyết thì đặc tính biên độ tần số sẽ là Kd
trong suốt dải tần số từ 0  . Thực tế đặc tính tần số sẽ gục xuống ở tần số f C do tồn
tại các điện dung ký sinh tạo thành những khâu lọc RC thông thấp mắc giữa các tầng.
Tuỳ theo từng loại OA mà dải thông có thể từ 0 tới vài MHz hoặc cao hơn.
- Hệ số khuếch đại đồng pha Kcm
Nếu đặt đầu vào thuận P và đầu đảo N các điện áp bằng nhau:
UP = UN = Ucm  0 thì Ud = 0. Theo định nghĩa:
Ur = Kd (UP - UN)=0 (2.167) Ura
Tuy nhiên thực tế không như vậy mà quan hệ
U cm
giữa Kcm và Ucm có dạng như hình 2.100. Ucm mim Ucm max
Hệ số khuếch đại đồng pha được định nghĩa là :
U r
Kcm = (2.168)
U cm Hình 2.100

94
 Kcm nói chung phụ thuộc vào mức điện áp vào đồng pha. Giá trị cực đại của điện
áp vào đồng pha cho trong các sổ tay của IC cho biết giới hạn của điện áp vào đồng
pha cực đại để hệ số khuếch đại đồng pha không vượt quá phạm vi cho phép. Lý
tưởng Kcm= 0, thực tế Kcm luôn nhỏ hơn K0
- Điện trở vào hiệu, điện trở vào đồng pha:
Điện trở vào hiệu rd và điện trở vào đồng pha rcm được định nghĩa theo (2.169) và
(2.170):
 ΔU P
 ΔI khi U N  0
rd   P (2.169)
ΔU N
 khi U P  0
 ΔI N
ΔU P ΔU N
rcm=  khi UN = UP = Ucm (2.170)
ΔI P ΔI N
Điện trở ra của OA đánh giá sự biến thiên của điện áp ra theo tải :
U r
rr = (2.171)
I r
- Dòng vào tĩnh, điện áp vào lệch không :
Dòng vào tĩnh trung bình It là:
IP  IN
It = với UN = UP = 0 (2.172)
2
Dòng vào lệch không I0 là:
I0 = IP - IN khi UN = UP = 0 (2.173)
Thông thường I0 = 0,1 It .
Dòng vào lệch không là dòng phụ thuộc vào nhiệt độ. Nhiệt độ thay đổi làm trôi
dòng lệch không.
Trong OA thực tế thì khi UN = UP = 0 vẫn có Ur  0. Lúc này Ur  0 là do điện
áp lệch không ở đầu vào gây nên. Vì vậy người ta định nghĩa điện áp lệch không U0 là
hiệu điện áp cần phải đặt giữa hai đầu vào để có điện áp ra bằng 0.
U0 = UP - UN khi Ur = 0 (2.174)
2.5.7.4. Các sơ đồ mắc cơ bản của OA
Khi sử dụng OA trong các mạch điện người ta thường sử dụng hồi tiếp âm mà
không dùng hồi tiếp dương vì hồi tiếp dương làm cho khuếch đại làm việc ở chế độ
bão hoà. Trong một số trường hợp có thể dùng cả hồi tiếp âm và hồi tiếp dương với
hồi tiếp dương luôn nhỏ hơn hồi tiếp âm. Về đầu vào, có thể sử dụng một hoặc cả hai
đầu vào .
1. Các sơ đồ khuếch đại đảo
95
 a. Sơ đồ biến đổi điện áp - điện áp
Mạch mắc như hình 2.101a. Vì K0 
nên điện áp ở đầu vào N là UN  Ud  0 , điểm
N có thể coi là điểm đất giả Ur  URN ,Uv  UR1.
Định luật Kiếchốp 1 viết cho nút N là :
U v U ra
  0 vì dòng IN = 0 (do trở
R1 R N
kháng vào rất lớn rd). Từ đó ta có :
RN RN
Ur = - UV hay K (2.175)
R1 R1
RN
Từ (2.175) ta thấy điện áp Uv được biến đổi thành Ur = - U V ; hệ số khuếch
R1
RN
đại K   ; điện áp ra ngược pha so với điện áp vào. Điện trở RN gây hồi tiếp âm
R1
R
song song theo điện áp làm cho hệ số khuếch đại từ K0 giảm xuống còn là N
R1
UV UV
Trở kháng vào : Zv =  = R1 (2.176)
IV U V /R 1
UV
Nhược điểm của sơ đồ hình 2.101a là có Z V   R  nhỏ. Để khắc phục
IV
nhược điểm này ta mắc mạch như hình 2.101b.
UV U
Với nút N có phương trình:   . (2.177)
R RN
Ur
Nếu chọn RN >> R3 thì U3  .R 3 nên:
R 2  R3
RN R2  R3 RN R
U r  U V . hay U r   U V (1  2 ) (2.178)
R1 R3 R1 R3
RN R
Vậy K (1  2 ) (2.179)
R1 R3
Theo (2.179) muốn có hệ số khuếch đại K lớn thì phải chọn R1 nhỏ. Nếu chọn R1
R R
= R2 thì: K( N  N) ( 2.180)
R R 
Để tăng trở kháng Zv = R1 có thể chọn R1 lớn tuỳ ý, khi đó hệ số khuếch đại sẽ
R
được xác định bởi N .
R
b. Sơ đồ biến đổi dòng điện - điện áp (hình 2.102)
96
 Sơ đồ này biến đổi dòng điện đầu vào thành
điện áp đầu ra tỷ lệ với nó. Tương tự như trên vì
K0 = ; UN  UP  0, rd   nên dòng IN = 0 nên
định luật Kiêc-khốp 1 viết cho nút N sẽ là:
Ur
IV   hay U r   R N I V (2.181) Hình 2.102. Sơ đồ biến
RN đổi dòng điện – điện áp
2. Các sơ đồ khuếch đại không đảo.
Xét sơ đồ mạch thông dụng điện áp - điện áp hình 2.103a.
Với K 0   , rd   nên Ud = 0 nghĩa là UN = UV và dòng vào bằng 0.
Ur
Do vậy: U N  .R 1  U V và Zv = rd = .
R1  R N

U r R1  R N R
Từ đó có: K  1 N (2.182)
UV R1 R1

RN N
RN RN
N N
P P P
Ura Urara Ura
UV UV
UV R1 R1 R1

a) b) c)
Các mạch hình 2.103b,c là các Các
Hình 2.103. mạchsơkhuếch đạiđảo
đồ không lặp (điện áp): vì Ud = 0 nên UN
Ur
= UP, vì IN = 0, dòng qua RN bằng 0 và thế điểm ra bằng thế điểm N nên: K  1
Uv
2.5.7.5. Một số mạch ứng dụng của OA.
OA được sử dụng như một mạch đa chức năng. Thay đổi các linh kiện trong
mạch hồi tiếp có thể thực hiện được nhiều phép tính toán và điều khiển nhờ OA. Xét
một số mạch đơn giản.
1. Mạch cộng và mạch trừ.
a. Mạch cộng đảo
Mạch hình 2.104 được thực hiện cộng
và đảo pha các điện áp đầu vào.
Vì K0   nên điểm N là đất ảo và
UN U U U
IN   ( V1  V 2  .... Vn ) Hình 2.104. Mạch cộng đảo
RN R1 R2 Rn
R N U V1 R N U V2 R U
Từ đó ta có: U r  (   .... N Vn )  (α1 U V1  α 2 U V2  ....α n U Vn )
R1 R2 Rn

97
 n RN
Hay U r     i U Vi trong đó  i  (2.183)
i  Ri
b. Mạch cộng không đảo RN
Mạch hình 2.105 được thực hiện cộng
và không đảo pha các điện áp đầu vào.
Với K 0   , rd   nên Ud = 0 nghĩa
là UN = UP và dòng vào bằng 0. Do vậy:
Ra
Ur
UN  .R a  U P .
Ra  RN
Định luật Kiếchốp 1 viết cho nút P là : Hình 2.105. Mạch cộng không đảo
U V1  U P U V2  U P U  UP
  ...  Vn  0 vì dòng IP ≈ 0 (do trở kháng vào rất lớn
R1 R2 Rn
n n
Ui Ui
 R  R 
R
rd). Từ đó ta có : U P  i n1 i và U r  1  N  i 1
n
i
(2.184)
1   1
 
Ra
i 1 R i i 1 R i

Trong trường hợp đặc biệt khi tất cả các điện trở đầu vào đều bằng nhau thì công
1 R  n
thức 2.184 trở thành U r  1  N  U i (2.185)
n R a  i 1

c. Mạch trừ
Xét mạch trừ hai điện áp vào trên hình 2.106. Cũng lý luận gần đúng tương tự
U V2 U  Ur
như trên ta có: U P  .R p ; U N  U R N  U ra  v1 .R N  U r
R2  Rp R1  R N

Nhưng Up  UN (Vì Ud = 0) nên :

Uv 2 U V1  U r U V1 UR
.R p  .R N  U r  .R N  U r  r N 
R2  Rp R1  R N R1  R N R1  R N
U V1 RN U V1 R1
.R N  U r (1  ) .R N  U r ;
R1  R N R1  R N R1  R N R1  R N
Uv 2 U V1 R  RN
Hay U r  ( .R p  .R N ) 1
R2  Rp R1  R N R1
RN R
Đặt  N  ;P  P
R1 R2 Hình 2.106. Mạch trừ
α P U V2 α N U V1 1 αN
Thì U ra  (  )(1  α N )  α P U V2  α N U V1 (2.186)
1 αP 1 αN 1 αP
Chọn N=P= thì Ur = (Uv2 - Uv1) (2.187)
2. Mạch cho phép chọn điện áp ra có cực tính thay đổi .
98
 Xét mạch hình 2.107. Mạch chọn R1=RN
Uv
Up = .R p  U v ;
Rp
Ur  Uv U  Uv
UN = Uv+ = r
2 2 
U  Uv
Vì UP = UN nên UV = r
2 Hình 2.107. Mạch cho điện
áp ra có cực tính thay đổi
Ur = (2 - 1)Uv (2. 188)
Theo 2.188 thì khi  = 0,5 thì Ur = 0; khi  > 0,5 thì Ur cùng dấu với Uv; khi 
< 0,5 thì Ur khác dấu với Uv. Hệ số  có giá trị là 0    1.
3. Mạch vi phân và mạch tích phân.
a. Mạch tích phân .
Mạch điện hình 2.108 là một mạch tích phân thông thường vì:
1 1
Ur  UC   i C dt    U V dt
C RC
Chuyển sang tích phân xác định:
t
1
RC 0
Ur   U V dt  U r (0) (2.189) Hình 2.108.
Mạch tích phân

Hình 2.109. a)Mạch tích phân tổng b)Mạch tích phân hiệu.
- Mạch tích phân tổng: Mạch điện hình 2.109a thực hiện tích phân tổng:
1 U1 U 2 U
Ur    (   ... n )dt ( 2.190)
C R1 R 2 Rn
- Mạch tích phân hiệu: Hình 2.109b.
Phương trình dòng điện viết cho điểm nút N và nút P là:
U1  U N d( U r  U N )
 CN 0
R1 dt
UV  UP dU P
 CP 0
R2 dt

99
 
Cho UN = UP , CNR1 = CPR2 = RC sẽ được: U r   ( U   U )dt (2.191)
RC
b. Mạch vi phân
Mạch hình 2.110a là một mạch vi phân thông thường cho:
dU v
U r  U RN  R N I N   R N C (2.192)
dt
Nếu Uv = Uvmsint thì Ur = - RNCUvmcost
Urm
Như vậy hệ số khuếch đại K   ω R N C phụ thuộc vào tần số. Vì vậy tạp âm
U vm

ở tần số cao lớn, trở kháng Zv sẽ giảm đi khi tần số tăng.
jC
Để có mạch vi phân tốt hơn dùng
mạch hình 2.111b. Mắc thêm mạch R1C1
thì tác dụng vi phân chỉ thực hiện ở tần
1
số <<0 = , lúc này có thể coi CN    
R1C1
 
hở mạch vì ở tần số thấp trở kháng của nó
dU V
nhỏ, điện áp ra là U r  R N C1 , ở tần Hình 2.110.
dt
số cao thì hồi tiếp âm trên CN càng lớn. Nếu chọn R1C1 = RNCN thì khi  > 0 hệ số
khuếch đại sẽ giảm khi tần số tăng (hình 2.110c).
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
1. Trình bày nguyên lý cấu tạo của chất bán dẫn tạp (loại n và p), từ đó nêu sự
giống nhau và khác nhau giữa 2 loại bán dẫn đó? Các hiện tượng vật lý xảy ra trong
chất bán dẫn?
2. Mặt ghép pn và ứng dụng của nó?
3. Trình bày nguyên lý cấu tạo và làm việc của điốt. Các tham số của điốt?
4. Khái niệm về điốt. Đặc tính Vôn-Ampe của điốt? Các ứng dụng của điốt?
5. Mặt ghép 2 tiếp giáp pn và ứng dụng của nó? Trình bày nguyên lý làm việc
của tranzito?
6. Các cách mắc tranzito thông dụng? Các họ đặc tuyến cơ bản của tranzito? Cho
một ví dụ minh hoạ cụ thể.
7. Tại sao phải phân cực cho tranzito? Có bao nhiêu cách phân cực? Cho một ví
dụ minh họa.
8. Trình bày các cách phân cực cho tranzito. Trong quá trình làm việc ta phải chú
ý những điểm gì và biện pháp khắc phục như thế nào?
100
 9. Tại sao lại nói phân cực bằng dòng emitơ là “tự phân cực”? Ưu nhược điểm
của nó và cách khắc phục của cách phân cực này?
10. Khái niệm về điểm công tác và đường tải tĩnh của tranzito? Dựa vào đâu để
chọn điểm công tác tĩnh? Cho một ví dụ minh họa.
11. Nêu nguyên lý cấu tạo và làm việc của JFET. Qua đó vẽ họ đặc tuyến ra và
họ đặc tuyến truyền đạt của nó?
12. Nêu nguyên lý cấu tạo và làm việc của MOSFET?
13. Trình bày nguyên lý cấu tạo và làm việc của thiristo? Ký hiệu và các tham số
cơ bản của nó?
14. Ứng dụng của thiristo trong các bộ chỉnh lưu 1 pha và 3 pha có điều khiển.
15. Khái niệm về khuếch đại? Chế độ khuếch đại? Các chỉ tiêu của bộ khuếch
đại là gì?
16. Khái niệm về hồi tiếp trong khuếch đại? Cách phân loại hồi tiếp, minh hoạ cụ
thể? Cho một ví dụ về hồi tiếp?
17. Đặc điểm của hồi tiếp âm là gì? Cho một ví dụ minh hoạ cụ thể?
18. Trình bày các chế độ khuếch đại của tranzito? Đặc điểm của từng chế độ
khuếch đại?
19. Khái niệm về khuếch đại đảo pha? Trình bày các cách đảo pha tín hiệu có và
không có biến áp?
20. Khái niệm về khuếch đại công suất? Trình bày khuếch đại công suất không
ghép biến áp?
21. Khái niệm về khuếch đại công suất? Trình bày khuếch đại công suất có ghép
biến áp?
22. Hãy nêu sự giống nhau và khác nhau về ứng dụng của tranzito lưỡng cực
BJT và tranzito trường FET trong các mạch khuếch đại? Cho một ví dụ minh họa.
23. Tại sao ta phải nối tầng khuếch đại? Điều kiện để nối tầng trong mạch
khuếch đại là gì? Các cách nối tầng thông dụng trong khuếch đại?
24. Thế nào là tín hiệu biến thiên chậm? Có thể khuếch đại tín hiệu này theo ý
muốn được không? Trình bày tầng khuếch đại vi sai?
25. Khái niệm về khuếch đại thuật toán? Trình bày bộ khuếch đại đảo và không
đảo?
26. Trình bày ứng dụng của khuếch đại thuật toán trong mạch trừ và mạch cộng?
27. Trình bày ứng dụng của khuếch đại thuật toán trong mạch tích phân và mạch
vi phân?

101
 TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI
1. Tóm tắt nội dung cốt lõi 1: Kỹ thuật tương tự - Các linh kiện điện tử
(Nguyên lý cấu tạo và làm việc, ứng dụng của chúng):
- Các linh kiện thụ động: Điện trở, cuộn cảm (điện cảm), tụ điện (điện dung)
- Các linh kiện tích cực: Các đèn bán dẫn:
+ Mặt ghép pn
+ Phần tử ghép một mặt pn (Điôt bán dẫn)
+ Phần tử ghép hai mặt pn (BJT, FET)
+ Phần tử ghép nhiều mặt pn (Thiristo, Triac, Diac)
2. Tóm tắt nội dung cốt lõi 2: Kỹ thuật tương tự - Các mạch điện tử cơ bản
(Mạch khuếch đại) (Sơ đồ, nguyên lý hoạt động và ứng dụng của mạch):
- Mạch khuếch đại EC, CC, BC.
- Mạch khuếch đại đảo pha dùng BJT.
- Mạch khuếch đại công suất (Chế độ A, B, dùng và không dùng MBA)
- Mạch khuếch đại tín hiệu biến thiên chậm (Tín hiệu một chiều)
- Mạch khuếch đại thuật toán.

BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ

1. Bài tập ứng dụng, liên hệ thực tế 1: Linh kiện điện tử
BT01- Một điốt có dòng ngược bão hòa IS = 30A. Hãy xác định điện trở động
của điốt với điện áp phân cực là 0,2V theo cả hai chiều thuận và nghịch biết  = a/kT
= 1/mUT = 1/UT = 39.
BT02- Bộ chỉnh lưu hai nửa chu kỳ mắc theo sơ đồ cầu có Ura = 12V, Ira =
100mA. Yêu cầu:
a/ Chọn các thông số của điốt trong mạch chỉnh lưu.
b/ Tính số vòng dây w2 biết U1 = 380V, w1 = 4000vòng.
c/ Tính công suất của MBA biết hiệu suất của mạch chỉnh lưu là % = 80%.
BT03- Cho bộ chỉnh lưu nửa chu kỳ có rđ = 25, Rt = 400, U2 = 300V. Hãy
UCC
xác định: a/ Itb qua Rt. Biểu diễn đồ thị điện áp Utb trên tải. 

b/ I2 hiệu dụng. R2 RC

BT04- Cho biết tranzito làm việc trong sơ đồ mạch điện sau.
Cho UBEO = 0,7V UV   T

 = 100
R1 RE
UCC = 25V

102
 UCEbh = 1V (bão hoà)
RC = 1,5k
RE = 0,5k UCC

Hãy xác định R1, R2 để dòng colectơ đạt giá trị cực đại ICmax.
RB
BT05- Cho mạch điện dưới đây biết
UB  T
Điốt có Umở = 0,6V UBE

RC = 1,5k RE

RE = 0,5k 
0 0
Hãy xác định dòng IEO(20 C) và IE(100 C)?
BT06- Cho bộ khuếch đại mắc EC có UCC = 16V, RC = 1,5k.
a/ Vẽ sơ đồ bộ khuếch đại.
b/ Điểm làm việc được chọn có tọa độ UCE = 8V, IC = 4mA. Hãy tính RE?
UCC
BT07- Cho bộ khuếch đại mắc theo sơ đồ sau. 
Cho UCC = 10V RC
R2
UBEO = 0,7V
RC = 0,15k UV    = 99

RE = 0,1k
R1 RE
Hãy xác định: a/ R1, R2 sao cho ICO = 10mA.
b/ Dòng ICmax. 

c/ Đặc tuyến tải tĩnh và suy ra đặc tính tải động.

2. Bài tập ứng dụng, liên hệ thực tế 2: Các mạch điện tử tương tự
BT08- Cho bộ khuếch đại làm việc ở chế độ A.
Sơ đồ mạch như hình vẽ. Biết: UCC

UCC = 10V
R2 RC
UCEbh = 0V; UBE =0,7V
R1 = 1,2k C
UV  
R2 = 6,4k Rt

RC = 0,15k R1 RE CE

RE = 100 

 = 100
Yêu cầu xác định: - Đặc tuyến tải tĩnh.
- Công suất tiêu thụ trên tải.
- Hiệu suất của bộ khuếch đại %.

103
 BT09- Cho bộ khuếch đại làm việc ở chế độ A. UCC

Sơ đồ mạch như hình vẽ. Biết: RC
R2
UCC = 10V
C
Pt = 2W UV  
C
RC = 8k Rt

 = 40 R1 RE CE

Tính: - Công suất nguồn PCC. 

- Hiệu suất của bộ khuếch đại %.

- R2 nếu chọn R1 = 5k; RE = 1k
BT10- Cho tầng khuếch đại điện áp mắc theo sơ đồ sau. Biết:
UCC = 12V UCC

R1 = 20k
R2 R3
R2 = 4k
R3 = 4k C2
UV  
C1
R4 = 1k Rt

 = 99 R1 R4 C3

a/ Xác định chế độ dòng điện và điện áp một 

chiều trên các cực của tranzito.

b/ Biết Rt = 8k. Xác định tải xoay chiều và 10R
tải một chiều của tầng khuếch đại. Vẽ đường
R
tải một chiều và vị trí điểm làm việc Q. _
UR
c/ Tính hệ số khuếch đại của tầng khi Rt = 12k. 4R 
Ua +

BT11- Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ sau. R
Ub

Hãy xác định UR theo Ua và Ub?
BT12- Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ sau. Hãy xác định UR theo U1, U2, U3?
2,7k
1,5k
U1
 + 10k
_
1,5k _ UR
U2
 3k 
+
U3
2k
4k

BT13- Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ sau. Hãy xác định UR theo U1, U2, U3
và U4?

104
 4,7k
8,2k
4,7k _
U1
 8,2k
_
1k UR
U2  + 4,1k 
U3  +
1k
U4 

BT14- Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ sau. Hãy xác định UR theo U1, U2, U3?
8,3k
4,7k
3,3k _
U1
 4,7k
_
+ UR
2k 
U2  +
1k
U3 

BT15- Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ sau. Hãy xác định UR theo U1, U2, U3
và U4?
6k
3k
6k _
U1
 3k
_
3k UR
U2  + 0,75k 
U4  +
2k
U3 

HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ

1. Hướng dẫn tự học ở nhà 1: Đọc và tìm hiểu khái niêm về tín hiệu xung số.
2. Hướng dẫn tự học ở nhà 2: Đọc và tìm hiểu về cơ sở đại số logic.
3. Hướng dẫn tự học ở nhà 3: Đọc và tìm hiểu về các phần tử logic (các linh kiện
điện tử số) và các mạch điện tử xung số (mạch xung, mạch logic số).

105
 Chương 3

KỸ THUẬT XUNG - SỐ

MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG

- Hiểu rõ chức năng nhiệm vụ, cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc điểm và ứng
dụng của các loại linh kiện và mạch điện tử số dùng trong kỹ thuật xung số.
- Về thái độ:
Học sinh nắm được mục tiêu của chương, trình bày lại rõ ràng nội dung chính
của chương.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
"Kỹ thuật xung-số'' là thuật ngữ bao gồm một lĩnh vực khá rộng và quan trọng
của ngành kỹ thuật điện tử-tin học. Ngày nay, trong bước phát triển nhảy vọt của kỹ
thuật tự động hóa, nó mang ý nghĩa là khâu then chốt, là công cụ không thể thiếu để
giải quyết các nhiệm vụ kỹ thuật cụ thể hướng tới mục đích giảm các chi phí về
năng lượng và thời gian cho một quá trình công nghệ hay kỹ thuật, nâng cao độ tin
cậy hay hiệu quả của chúng. Trong chương này, do thời gian hạn chế, chúng ta chỉ
đề cập tới một số vấn đề có tính chất cơ bản, mở đầu của kỹ thuật xung-số.
3.1. Xung và các mạch tạo xung.
3.1.1. Khái niệm chung
Tín hiệu điện áp hay dòng điện biến đổi theo thời gian (mang nội dung của
một quá trình thông tin nào đó) có hai dạng cơ bản: liên tục hay rời rạc (gián
đoạn). Tương ứng với chúng, tồn tại hai loại hệ thống gia công, xử lý tín hiệu có
những đặc điểm kỹ thuật khác nhau mang những ưu, nhược điểm khác nhau là hệ
thống liên tục (analog) và hệ thống rời rạc (digital). Nhiều khi, do đặc điểm lịch sử
phát triển và để phát huy đầy đủ ưu thế của từng loại ta gặp trong thực tế hệ thống
lai ghép kết hợp cả việc gia công xử lý hai loại tín hiệu trên.
Đối tượng của chương này chỉ đề cập tới loại tín hiệu rời rạc theo thời gian
gọi là tín hiệu xung. Dạng các tín hiệu xung thường gặp cho trên hình 3.1. Chúng
có thể là một dãy xung tuần hoàn theo thời gian với chu kì lặp lại T, hay chỉ là một
xung đơn xuất hiện một lần, có cực tính dương, âm hoặc cực tính thay đổi.

Hình 3.1: Các dạng tín hiệu xung: a) Dãy xung vuông; b) Dãy
xung tam giác (răng cưa); c) Dãy xung hàm mũ (xung kim)
106
 Hình 3.2 chỉ ra một xung vuông thực tế với các đoạn đặc trưng: sườn
trước, đỉnh và sườn sau. Các tham số cơ bản là biên độ, độ rộng xung, độ rộng sườn
trước và sau, độ sụt đỉnh.

Um

Hình 3.2: Các tham số của một tín hiệu xung

- Biên độ xung Um xác định bằng giá trị lớn nhất của điện áp tín hiệu xung
có được trong thời gian tồn tại của nó.
- Độ rộng sườn trước và sườn sau (ttr và ts) xác định bởi khoảng thời gian tăng
và thời gian giảm của biên độ xung trong khoảng giá trị 0,l Um đến 0,9Um
- Độ rộng xung tx xác định bằng khoảng thời gian có xung với biên độ trên
mức 0,1Um (hay mức 0,5Um tùy theo chuẩn quy ước).
- Độ sụt đỉnh xung ΔUm thể hiện mức giảm biên độ xung ở đoạn đỉnh xung.
Với dãy xung tuần hoàn, còn có các tham số đặc trưng sau (cụ thể xét với dãy
xung vuông).
- Chu kì lặp lại xung T (hay tần số xung f = 1/T) là khoảng thời gian giữa các
điểm tương ứng của hai xung kế tiếp nhau.
- Thời gian nghỉ tng (h3.1a) là khoảng thời gian trống giữa hai xung liên tiếp.
- Hệ số lấp đầy γ là tỷ số giữa độ rộng tx và chu kì T: γ = tx/T, từ đó có hệ thức:
T = tx + tng và γ < 1
Trong kỹ thuật xung-số, người ta thường sử dụng phương pháp số đối với dạng
tín hiệu xung với quy ước chỉ có hai trạng thái phân biệt:
- Trạng thái có xung (khoảng tx) với biên độ lớn hơn một mức ngưỡng UH gọi là
mức cao hay mức "1', mức UH thường được chọn cỡ 1/2 điện áp nguồn cung cấp.
- Trạng thái không có xung (khoảng tng với biên độ nhỏ hơn một mức ngưỡng
UL) gọi là mức thấp hay mức "O". Mức UL được chọn tùy theo phần tử khóa
(tranzito, IC).
107
 - Các mức điện áp ra trong dải UL < Ura < UH là các trạng thái cấm. Vấn đề
này sẽ được đề cập kỹ hơn ở phần tiếp theo.
3.1.2. Chế độ khóa của tranzito
Tranzito làm việc ở chế độ khóa hoạt động như một khóa điện tử đóng mở
mạch với tốc độ nhanh (l0-9÷ l0-6s), do đó có nhiều đặc điểm khác với chế độ
khuếch đại đã xét ở chương 2.
- Yêu cầu cơ bản với một tranzito ở chế độ khóa là điện áp đầu ra có hai trạng
thái khác biệt: - Ura ≥ UH khi Uvào ≤ UL (3.1)
- Ura ≤ UL khi Uvào ≥ UH
Chế độ khóa của tranzito được xác định bởi chế độ điện áp hay dòng điện
một chiều cung cấp từ ngoài qua một mạch phụ trợ (khóa thường đóng hay
thường mở). Việc chuyển trạng thái của khóa thường được thực hiện nhờ một tín
hiệu xung có cực tính thích hợp tác động tới đầu vào. Cũng có trường hợp khóa tự
động chuyển đổi trạng thái một cách tuần hoàn nhờ mạch hồi tiếp dương nội bộ, khi
đó không cần xung điều khiển (xem các phần mạch tạo xung tiếp sau).
Để đưa ra những đặc điểm chủ yếu của chế độ khóa, xét mạch cụ thể hình 3.3.
Sơ đồ thực hiện được điều kiện (3.1) khi lựa chọn các mức UH, UL cũng
như các giá trị RC và RB thích hợp.

Hình 3.3: Mạch khóa (đảo) dùng tranzito Hình 3.4: Đặc tuyến truyền đạt
của tranzito khóa
- Đặc tính truyền đạt của sơ đồ với những tham số trên cho ở hình 3.4. Để
đánh giá mức tin cậy của khóa, người ta định nghĩa các tham số độ dự trữ chống
nhiễu ở mức cao SH và ở mức thấp SL: SH = Urakhóa – UH (3.2)
SL = UL - Uramở
Ở đây, Urakhóa và Uramở là các điện áp thực tế tại lối ra của tranzito lúc khóa
hay mở. Từ đó có nhận xét sau:
- Có thề dễ dàng đạt được mức SH lớn bằng cách chọn ECC và các tham số
RC, RB thích hợp.
108
 - Do SL thường nhỏ, cần phải quan tâm đặc biệt tới việc nâng cao tính chống
nhiễu với mức thấp. Vì trị số điện áp ra Urabh = UCEbh thực tế không thể giảm
được, muốn SL tăng, cần tăng mức UL (xem biểu thức 3.2).
3.1.3. Các mạch tạo xung
3.1.3.1. Mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định
Các mạch có hai trạng thái ổn định ở đầu ra (còn gọi là mạch trigơ) được
đặc trưng bởi hai trạng thái ổn định bền theo thời gian và việc chuyển nó từ trạng
thái này sang trạng thái kia (xảy ra tức thời nhờ các vòng hồi tiếp dương nội bộ) chỉ
xảy ra khi đặt tới đầu vào thích hợp của nó các xung điện áp có biên độ và cực
tính thích hợp. Đây là phần tử cơ bản cấu tạo nên một ô nhớ (ghi, đọc) thông tin
dưới dạng số nhị phân.
 Trigơ đối xứng (RS-trigơ)

Hình 3.5: Trigơ đối xứng

kiểu RS dùng tranzito

Hình 3.5 đưa ra dạng mạch nguyên lý của một trigơ RS đối xứng. Thực chất
đây là hai mạch đảo hình 3.3 dùng T1 và T2 ghép liên tiếp nhau qua các vòng hồi
tiếp dương bằng các cặp điện trở R1R3 và R2R4.
Nguyên lý hoạt động : Mạch 3.5 chỉ có hai trạng thái ổn định bền là: T1 mở,
T2 khóa ứng với mức điện áp ra Q = 1, = 0 hay T1 khóa T2 mở ứng với trạng thái
ra Q = 0, =1. Các trạng thái còn lại là không thể xảy ra (T1 và T2 cùng khóa) hay
là không ổn định (T1 và T2 cùng mở). T1 và T2 không thể cùng khóa do nguồn
+ECC khi đóng mạch sẽ đưa một điện áp dương nhất định tới các cực bazơ. T1
và T2 có thể cùng mở nhưng do tính chất đối xứng không lý tưởng của mạch, chỉ
cần một sự chênh lệch vô cùng bé giữa dòng điện trên 2 nhánh (IB1 ≠ IB2 hay IC1 ≠
IC2) thông qua các mạch hồi tiếp dương, độ chênh lệch này sẽ bị khoét sâu nhanh
chóng tới mức sơ đồ chuyển về một trong hai trạng thái ổn định bền đã nêu (chẳng
hạn thoạt đầu IB1 > IB2 từ đó ICl > IC2, các giảm áp âm trên colectơ của T1 và dương
trên colectơ của T2 thông qua phân áp R2R4 hay R1R3 đưa về làm IB1 > IB2 dẫn tới
T1 mở T2 khóa. Nếu ngược lại lúc đầu IB1 < IB2 thì sẽ dẫn tới T1 khóa T2 mở). Tuy
nhiên, không nói chắc được mạch sẽ ở trạng thái nào trong hai trạng thái ổn định đã

109
nêu. Để đầu ra đơn trị, trạng thái vào ứng với lúc R=S=1 (cùng có xung
dương) là bị cấm. Nói khác đi điều kiện cấm là RS=0. (3.3)
Từ việc phân tích trên rút ra bảng trạng thái của trigơ RS cho phép xác
định trạng thái ở đầu ra của nó ứng với tất cả các khả năng có thể của các xung đầu
vào ở bảng 3.1. Ở đây chỉ số n thể hiện trạng thái hiện tại, chỉ số (n+l) thể hiện
trạng thái tương lai của đầu ra, dấu chéo thể hiện trạng thái cấm. Đầu vào R gọi là
đầu vào xóa (Reset). Đầu vào S gọi là đầu vào thiết lập (Set).
Đầu vào Đầu ra
R S Qn+1
0 0 Qn Bảng 3.1. Bảng trạng
0 1 1 0 thái của trigơ RS

1 0 0 1
1 1 x x
3.1.3.2. Mạch tạo xung tam giác (xung răng cưa)
1. Các vấn đề chung
Xung tam giác được sử dụng phố biến trong các hệ thống điện tử (Thông tin,
Đo lường hay Tự động điều khiển) làm tín hiệu chuẩn hai chiều biên độ (mức) và
thời gian có vai trò quan trọng không thể thiếu được hầu như trong mọi hệ thống
điện tử hiện đại. Hình 3.6 đưa ra dạng xung tam giác lý tưởng với các tham số chủ
yếu sau:
Biên độ Umax, mức một chiều ban đầu Uq(t = 0) = U0, chu kỳ lặp lại T (so
với xung tuần hoàn), thời gian quét thuận tq và thời gian quét ngược tng (thông
thường tng << tq), tốc độ quét thuận hay độ nghiêng vi phân của đường quét.
K = dUq(t)/dt
Nguyên lý tạo xung tam giác dựa trên việc sử dụng quá trình nạp hay phóng
điện của một tụ điện qua một mạch nào đó. Khi đó quan hệ dòng và áp trên tụ biến
đổi theo thời gian có dạng u
Um

U0

t
tq tng
T
Hình 3.6. Xung tam giác lý tưởng
110
 iC(t) = CduC(t)/dt (3.4)
trong điều kiện C là một hằng số, muốn quan hệ uC(t) tuyến tính cần thỏa mãn
điều kiện iC(t) = hằng số. Nói cách khác sự phụ thuộc của điện áp trên tụ điện theo
thời gian càng tuyến tính khi dòng điện phóng hay nạp cho tụ càng ổn định.
Có hai dạng xung tam giác cơ bản là: trong thời gian quét thuận tq, Uq tăng
đường thẳng nhờ quá trình nạp cho tụ từ nguồn một chiều nào đó và trong thời
gian quét ngược tng, Uq giảm đường thẳng nhờ quá trình phóng của tụ điện qua
một mạch tải. Với mỗi dạng kể trên có các yêu cầu khác nhau, để đảm bảo tng
<<tq, với dạng tăng đường thẳng cần nạp chậm phóng nhanh và ngược lại với
dạng giảm đường thẳng cần nạp nhanh phóng chậm.
Để điều khiển tức thời các mạnh phóng nạp, thường sử dụng các khóa điện tử
tranzito hay IC đóng mở theo nhịp điều khiển từ ngoài.
2. Mạch tạo xung tam giác (tích phân) đơn giản (hình 3.7) gồm một khâu
RC để nạp điện cho tụ từ nguồn E. Quá trình phóng, nạp được một khóa K điều
khiển. Khi K đóng tụ được nạp nhờ nguồn E, ta có UCmax  E. Khi K mở, tụ phóng
điện qua R. Vậy trên hai đầu của R có một điện áp có dạng “phóng và nạp” của tụ và
đưa ra tải Rt (hình 3.8)
Trên thực tế khóa K thường là các khóa điện tử như tranzito T hay các OA có
thời gian đóng mở nhanh (10-9÷10-6s) gần như tức thời.
Ut = UC

Um≈E

Hình 3.7. Mạch tạo xung

t tam giác đơn giản
tnạp tphóng
T

Hình 3.8. Điện áp có dạng

“phóng và nạp” của tụ điện
3.2. Mạch số (mạch logic)
3.2.1.Cơ sở đại số logic (đại số Boole)
3.2.1.1. Hệ tiên đề và định lý
Đại số logic là phương tiện toán học để phân tích và tổng hợp các hệ thống
thiết bị và mạch số. Nó nghiên cứu các mối liên hệ, (các phép tính cơ bản) giữa
các biến số trạng thái (biến logic) chỉ nhận một trong hai giá trị "1" (có) hoặc ''0"
(không có). Kết quả nghiên cứu này thể hiện là một hàm trạng thái cũng chỉ nhận
các trị số "0" hoặc "1”. Người ta xây dựng ba phép toán cơ bản giữa các biến logic:
111
 - Phép phủ định logic (đảo), là ký hiệu bằng dấu "-" phía trên ký hiệu của biến
- Phép cộng logic (tuyển, hoặc), ký hiệu bằng dấu "+"
- Phép nhân logic (hội, và), ký hiệu bằng dấu "."
- Kết hợp với hai hằng số "0" và "1" có nhóm các quy tắc sau:
+ Phép cộng logic: x + 0 = x, x+x=x
x + 1 = 1, x+ x=1 (3.5)
+ Phép nhân logic: x . 0 = 0, x.x =x
x . 1 = x, x. x=0 (3.6)
+ Phép phủ định logic: ( x) = x (x) = x (3.7)
Có thể minh họa tính hiển nhiên của các quy tắc trên qua ví dụ các khóa mạch
điện nối song song (với phép cộng) và nối tiếp (với phép nhân) và hằng số “1” ứng
với khóa thường đóng nối mạch, "0" khóa thường mở ngắt mạch.
- Tồn tại các luật hoán vị, kết hợp và phân phối trong đại số logic với các
phép cộng và nhân.
Luật hoán vị: x + y = y + x; xy = yx (3.8)
Luật kết hợp: x + y + z = (x + y) + z = x + (y + z)
xyz = (xy)z = x(yz) (3.9)
Luật phân phối: x(y + z) = xy + xz
x+yz = (x+y)(x+z) (3.10)
- Xuất phát từ các quy tắc và luật trên có thể đưa ra một số định lý thông dụng
sau: x . y + x y = x; x( x+ y) = xy
x + xy = x; (x + y)(x + z) = x + yz
x(x + y) = x; xy + y = x + y (3.11)
Định lý Demorgan: F(x, y, z,+,..,)= F(x,y,z,.,+)
Ví dụ: x+y+z = xyz ; xyz = x+y+z ; x(y+z) = x+yz (3.12)
3.2.1.2. Hàm logic và cách biểu diễn chúng
1. Khái niệm hàm logic:
Trong thực tế có các đại lượng chỉ nhận một trong hai giá trị là không (0)
hoặc có (1) mà không nhận một giá trị thứ ba nào khác, ta gọi là các biến logic. Mối
quan hệ giữa chúng cho ta hàm logic cũng chỉ nhận một trong hai giá trị là không
hay có.
Ví dụ: Công tắc (x): Tắt (0) Bật (1)
Đèn (y): Tối (0) Sáng (1)
Vậy ta có: y=x

112
 2. Các cách biểu diễn hàm logic
a. Biểu diễn bằng giải tích: Dùng công thức toán với các ký hiệu hàm, biến
và các phép tính giữa chúng. Có hai dạng giải tích được sử dụng là dạng tuyển và
dạng hội.
- Dạng tuyển: H àm được cho dưới dạng tổng của các tích các biến, mỗi một
số hạng là một minterm (số hạng nhỏ nhất - ký hiệu là m). Nếu mỗi số hạng chứa
đủ mặt các biến ta gọi đó là hàm tuyển chuẩn toàn phần.
Ví dụ: F1 = xyz + xyz + xy z = Ftctp
= m6 + m3 + m5 = (3, 5, 6) (3.13)
F2 = xyz + xyz + xy  Ftctp
= xyz + xyz + x y(z +z) = xyz + xyz + x yz + x y z = Ftctp
Số chỉ của mi là giá trị thập phân của minterm đó được tính bằng công thức
chuyển đổi từ hệ nhị phân sang hệ thập phân như sau:
(N)10 = an-12n-1 + an-22n-2 +……+ a121 + a020 = (an-1an-2 ……a1a0)2 (3.14)
Trong đó ai = 0, 1 và i = 0÷(n-1)
2 1 0
Ví dụ: x.y. z = 110 = 1 . 2 + 1 . 2 + 0 . 2 = 6 → x.y. z = m 6
- Dạng hội: H àm được cho dưới dạng tích của tổng các biến, mỗi một thừa số
là một maxterm (số hạng lớn nhất - ký hiệu là M). Nếu mỗi số hạng chứa đủ mặt
các biến ta gọi đó là hàm hội chuẩn toàn phần.
Ví dụ: F1 = (x+y+z)( x+y+z)(x+ y+z) = Fhctp
= M1 . M4 . M2 = (1, 2, 4) với Mi = mi (3.15)
Ví dụ: x+y+z = xyz → M1 = m1
F2 = (x+y+z)( x+y+z)(x+ y)  Fhctp
= (x+y+z)( x+y+z)(x+ y+zz) = (x+y+z)( x+y+z)(x+ y+z)(x+ y+z)
b. Biểu diễn bằng bảng trạng thái
Liệt kê tất cả các trạng thái có thể có của tổ hợp các biến rồi ghi giá trị là 1 vào
các trạng thái có mặt trong hàm. Từ bảng trạng thái có thể biết được các trạng thái của
hàm. Tổng số trạng thái của các biến được tính như sau: Nếu có n biến thì sẽ có N=2n
tổ hợp trạng thái của chúng. Số trạng
thái
Giá trị
thập phân
x y z F
Ví dụ: F1 = xyz + xyz + x y z + xyz + xyz
1 0 0 0 0 1
n=3 biến → N=8 trạng thái 2 1 0 0 1 0
3 2 0 1 0 1
4 3 0 1 1 1
5 4 1 0 0 0
Bảng 3.2. Bảng 6 5 1 0 1 1

trạng thái của 7 6 1 1 0 1

8 7 1 1 1 0
hàm ba biến
113
 c. Biểu diễn bằng giản đồ điện áp
Dùng đồ thị theo thời gian của điện áp để biểu diễn các biến số và hàm số. Mỗi
biến số và hàm số là một điện áp. a = u1
Ví dụ: F = ab + ab
1 0 0 1 0 1 1 0
b = u2 t
0 0 1 1 1 1 0 0

F = u3 t
0 1 0 1 0 1 0 1
t
Hình 3.9. Giản đồ điện áp
d. Biểu diễn bằng bảng Karnaugh (Cácnô)
Dùng đồ hình các ô vuông để biểu diễn, mỗi ô là một minterm, giá trị của
minterm được ghi trong ô, các ô cạnh nhau gọi là các ô kề nhau chỉ được phép khác
nhau một giá trị của biến, số ô là số trạng thái của n biến. Theo nguyên tắc này, ta
thường có các bảng dùng cho hàm có ba, bốn, năm biến. Nếu hàm có nhiều biến hơn
thì phương pháp này không còn thông dụng vì khó biểu diễn. Ta ví dụ cho hàm ba và
bốn biến dưới đây.
- Hàm ba biến (8 ô): Ví dụ F = abc + abc + abc

bc
00 01 11 10
a
0 0 1 1 3 2 Hình 3.10
1 1 4 5 1 7 6

- Hàm bốn biến (16 ô): Ví dụ F = abcd + abcd + abcd + abcd + abcd

cd
00 01 11 10
ab
00 1 Hình 3.11
0 1 3 2

01 1
4 5 7 6

11 1
12 13 15 14

10 1 1
8 9 11 10

3. Tối giản hàm logic.

Cũng như trong đại số thông thường, mỗi hàm logic có thể có nhiều cách biểu
diễn giải tích khác nhau. Nhưng chỉ tồn tại một cách biểu diễn gọn nhất, tối ưu về

114
số biến và số số hạng hay thừa số và được gọi là hàm tối thiểu Ftt. Việc tối thiểu hóa
hàm logic mang một ý nghĩa kinh tế kỹ thuật đặc biệt khi xây dựng các mạch số:
giúp cho ta giảm thiểu số linh kiện và các nguồn điện mà vẫn cho kết quả theo yêu
cấu đề ra. Ở đây ta chỉ nghiên cứu tìm Ftt trên bảng Cácnô.
Qui tắc tìm:
- Tìm các ô cạnh nhau chỉ khác nhau 1 biến gọi là các ô kề nhau.
- Hai minterm kề nhau có giá trị là 1 được thay bằng một minterm mới có số
biến giảm đi một.
- Tổng quát: Nếu có 2n ô kề nhau có giá trị là 1 thì được thay bằng một
minterm mới có số biến giảm đi n biến.
Các bước tìm:
- Chuyển hàm về dạng tuyển chuẩn toàn phần.
- Lập bảng Cácnô biểu diễn hàm
- Có thể đổi vị trí cả hàng hoặc cả cột để tìm các ô kề nhau.
- Thực hiện dán các ô có giá trị là 1 và kề nhau trên nguyên tắc là dán được tối
đa các ô đủ điều kiện.
Ví dụ: Tìm hàm Ftt bằng bảng Cácnô của hàm sau:
F = xyz + xyz + xyz + xyz + xyz + xyz

yz
00 01 11 10
x
0 Hình 3.12
1 0 1 1 1 3 2

1 1 1 1
4 5 7 6

Nhóm các ô (0, 1, 4, 5) kề nhau – vòng đỏ - ta được y

Nhóm các ô (1, 3, 5, 7) kề nhau – vòng xanh – ta được z
Vậy Ftt = y + z
Ta thấy rằng khi nhìn vào bảng các ô 1 và 5 được sử dụng 2 lần cho cả vòng
đỏ và vòng xanh. Nếu nhìn vào công thức ta sẽ khó biết ngay được phải sử dụng
thêm số hạng nào. Đây chính là sự thuận lợi của việc dùng bảng Cácnô.
3.2.2. Các phần tử logic cơ bản.
Các phép toán cơ bản của đại số logic có thể được thực hiện bằng các mạch
khóa điện tử (tranzito hoặc IC) đã nêu ở phần 3.1. Nét đặc trưng nhất ở đây là
hai mức điện thế cao hoặc thấp của mạch khóa hoàn toàn cho một sự tương ứng
đơn trị với hai trạng thái của biến hay hàm logic. Nếu sự tương ứng được quy ước là
điện thế thấp - trị ''0'' và điện thế cao - trị ''1" ta gọi đó là logic dương. Trong trường
115
hợp ngược lại, với quy ước mức thế thấp trị ''1" và mức thế cao - trị ''0'', ta có
logic âm. Để đơn giản, trong chương này, chúng ta chỉ xét với các logic dương.
3.2.2.1. Phần tử logic phủ định (phần tử đảo - NO)
Khái niệm: Là phần tử có 1 đầu vào biến và 1 đầu ra thực hiện hàm phủ định
logic: FNO = x (3.16)
tức là FNO = 1 khi x = 0 và ngược lại FNO = 0 khi x = 1.
Bảng trạng thái, ký hiệu quy ước và giản đồ thời gian minh họa được cho trên
hình 3.13a, b và c tương ứng.
x FNO x
t
0 1
1 0
b) FNO
a) t
c)
Hình 3.13. Bảng trạng thái (a), ký hiệu (b), giản đồ của phần tử NO (c)

Hình 3.14. Bộ đảo TTL có đầu ra hai trạng thái kết cấu dưới dạng
một vi mạch số (a). Kiểu mắc chung hai đầu ra cho hai phần tử NO b)

Để thực hiện hàm FNO, có thể dùng một trong các sơ đồ mạch khóa (tranzito
hay IC) đã nêu ở 3.1.2 dựa trên tính chất đảo pha của một tầng EC đối với tranzito
hay đầu vào N của IC thuật toán. Mạch điện thực tế có phức tạp hơn để nâng cao
khả năng làm việc tin cậy và khả năng chính xác. Hình 3.14 đưa ra một sơ đồ
đảo kiểu TTL (Tranzito-Tranzito-Logic) hoàn thiện trong một vỏ IC số. Mạch ra
của sơ đồ gồm hai tranzito T3 và T4 làm việc ngược pha nhau (ở chế độ khóa) nhờ
tín hiệu lấy trên các lối ra phân tải của T2. Mạch vào của sơ đồ dùng tranzito T1 mắc
kiểu BC và tín hiệu vào (x) được đưa tới cực emitơ của T1 thể hiện là các xung
điện áp cực tính dương (lúc x=1) có biên độ lớn hơn mức UH hoặc không có xung
(lúc x = 0) điều khiển T1 khóa (lúc x = 1) hay mở (lúc x = 0). Nghĩa là khi x = 0, T1
mở, điện thế UC1 = UB2 ở mức thấp là T2 khóa, điều này làm T3 khóa (vì UE2 ở
mức thấp) và T4 mở (vì UC2 ở mức cao), kết quả là tại đầu ra, điện thế tại điểm A ở

116
mức cao hay FNO = l. Nhờ T4 mở mức thế tại A được nâng lên xấp xỉ nguồn +E (ưu
điểm hơn so với việc dùng một điện trở RC3) nên T4 được gọi là tranzito ''kéo lên",
điều này còn làm tăng khả năng chịu tải nhỏ hay dòng lớn cho tầng ra. Khi x = 1,
tình hình sẽ ngược lại T1 khóa, T2 mở làm T4 khóa và T3 mở dẫn tới FNO = 0.
3.2.2.2. Phần tử logic VÀ (AND)
Khái niệm: Là phần tử có nhiều đầu vào biến và một đẩu ra thực hiện hàm
nhân logic, tức là hàm FAND = x1x2x3….xn (3.17)
FAND = 1 khi và chỉ khi tất cả các biến xi nhận trị 1
FAND = 0 khi ít nhất 1 trong các biến xi có trị 0
Bảng trạng thái, ký hiệu quy ước và giản đồ thời gian, minh họa của FAND
cho hình 3.15 (với n = 2).
x1
x1 x2 FAND
t
0 0 0
0 1 0 x2
t
1 0 0
FAND
1 1 1

a) c) t

Hình 3.15. Bảng trạng thái (a), ký hiệu (b), giản đồ của phần tử AND (c)

Hình 3.16. Sơ đồ nguyên lý

A
mạch AND dựa trên điôt

Mạch điện thực hiện FAND loại đơn giản nhất dựa trên các khóa điôt cho trên
hình 3.16, bình thường khi x1 = x2 = 0 nhờ E qua phân áp R1 R2 có UA > 0 các điôt
D1D2 đều mở, điện áp ra ở mức thấp (cỡ bằng sụt áp thuận của điôt) FAND = 0. Tình
hình trên không thay đổi khi chỉ x1 = 0 hoặc x2 = 0.
Khi x1= x2=1 (ứng với trạng thái các đầu vào có xung vuông biên độ lớn hơn
UA) các điôt đều khóa các nhánh đầu vào, lúc đó UA=ER2/(R1+R2) ở thế cao FAND =1
(khi R2 >> R1)
Lưu ý khi số lượng đầu vào nhiều hơn số biến, các đầu vào không dùng cần
nối với +E để nhánh tương ứng tách khỏi mạch (điôt khóa) tránh được nhiễu với
các đầu khác đang làm việc.
117
 3.2.2.3. Phần tử logic HOẶC (OR)
Khái niệm: Là phần tử có nhiều đầu vào biến, một đầu ra thực hiện hàm cộng
logic: FOR = x1 +x2+x3+...+xn (3.18)
FOR = 1 khi ít nhất một trong các biến xi nhận trị 1.
FOR = 0 khi tất cả các biến nhận trị 0: x1 = ... =xn = 0
Bảng trạng thái ký hiệu quy ước và đồ thị thời gian minh họa của FOR cho
trên hình 3.17 (cho với n = 2).

x1 x2 FOR
x1
0 0 0
0
t
1 1 x2
1 0 1
x1 F t
1 1 1 FOR
x2
c) t
a) b)

Hình 3.17. Bảng trạng thái (a), ký hiệu (b), giản đồ của phần tử OR (c)
Có thể dùng khóa điôt thực hiện hàm FOR (hình 3.18). Bình thường khi x1 =
x2 = 0 các điôt đều khóa trên R không có dòng điện Ur = 0, FOR = 0. Khi ít nhất một
đầu vào có xung dương điôt tương ứng mở tạo dòng trên R do đó UA ở mức cao
hay FOR=1. Khi số đầu vào nhiều hơn số biến, đầu vào không dùng được nối đất để
chống nhiễu.

Hình 3.18: Sơ đồ
A nguyên lý mạch OR
dùng điôt

3.2.2.4. Phần tử logic VÀ P H Ủ Đ ỊN H (NAND)

Khái niệm: Là phần tử nhiều đầu vào biến một đầu ra thực hiện hàm logic và -
phủ định: FNAND = x1.x2.x3 ...xn (3.19)
FNAND = 0 khi tất cả các đầu vào các biến có trị 1
FNAND = 1 khi một trong các đầu vào có giá trị là 0.
Hình 3.19 đưa ra bảng trạng thái, ký hiệu quy ước và đồ thị thời gian minh
họa trong trường hợp n = 2.

118
 x1 x2 FNAND
x1
0 0 1
0
t
1 1 x2
1 0 1
t
1 1 0 FNAND
b) c) t
a)

Hình 3.19. Bảng trạng thái (a), ký hiệu (b), giản đồ của phần tử NAND (c)

Hình 3.20. Nguyên lý xây dựng

phần tử NAND loại TTL

Cũng như các phần tử NO, OR, AND, có thể thực hiện phần tử NAND bằng
nhiều cách khác nhau dựa trên các công nghệ chế tạo bán dẫn: loại điện trở-tranzito
– logic (RTL) loại điôt-tranzito - logic (DTL), loại tranzito-tranzito - logic (TTL)
hay công nghệ CMOS. Để minh họa, hình 3.20 đưa ra một phần tử NAND dựa trên
công nghệ TTL, sử dụng loại tranzito nhiều cực emitơ, có ưu điểm là bảo đảm mức
logic, tác động nhanh và khả năng tải lớn.
Với mạch 3.20 khi tất cả các lối vào có điện áp cao (x1= x2 = x3 = 1) T1 khóa
UC1 = UB2 ở mức cao làm T2 mở FNAND = 0. Nếu chỉ một trong các lối vào có mức
điện áp thấp tiếp giáp emitơ-bazơ tương ứng của T1 mở làm mất dòng IB2 nên T2
khóa: FNAND= 1.

3.2.2.5. Phần tử logic HOẶC PHỦ ĐỊNH (NOR)

Khái niệm: Là phần tử gồm nhiều đầu vào biến, một đầu ra thực hiện hàm logic
hoặc - phủ định FNOR = x1 + x2 + x3 + ...+ xn
(3.20)
FNOR = 1 khi mọi biến vào có trị số "0".
FNOR = 0 trong các trường hợp còn lại.
Bảng trạng thái, ký hiệu quy ước và giản đồ thời gian minh họa của FNOR
119
(với n = 2) cho trên hình 3.21.

x1 x2 FNOR
x1
0 0 1
0
t
1 0 x2
1 0 0 F
x1 t
1 1 0 x2 FNOR
b) c) t
a)

Hình 3.21. Bảng trạng thái (a), ký hiệu (b), giản đồ của phần tử NOR (c)
Hình 3.22 cho kết cấu thực hiện FNOR trên công nghệ RTL. Khi ít nhất một
trong các cửa vào có xung dương mở, điện áp ra ở mức thấp FNOR = 0, còn khi x1 =
x2 = ...= xn = 0, do các tranzito được thiết kế ở chế độ thường khóa. Tất cả các
tranzito khóa FNOR = 1 (Lưu ý: nếu thiết kế các tranzito thường mở thì mạch hoạt
động như một phần tử NAND với các xung vào cực tính âm điều khiển khóa các
tranzito).

Hình 3.22. Phần tử NOR với

cực colectơ hở

NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN

1. Khái niệm về chế độ khóa của tranzito? Các yêu cầu của một transitor làm
việc ở chế độ khóa? Nêu đặc tính truyền đạt của khóa tranzito?
2. Mạch dao động đa hài (mạch không đồng bộ 2 trạng thái ổn định): Sơ đồ mạch
điện và nguyên lý làm việc?
3. Khái niệm về xung tam giác? Trình bày mạch tạo xung tam giác không và có
sử dụng tranzito?

120
 4. Khái niệm về đại số logic? Hàm và biến logic trong mạch điện tử? Các cách
biểu diễn hàm logic trong kỹ thuật điện tử? Cho một ví dụ minh họa.
5. Khái niệm về hàm tuyển chuẩn toàn phần? Hàm hội chuẩn toàn phần? Khái
niệm về hàm tối thiểu? Các bước tìm hàm tối thiểu bằng bảng Karnaugh? Cho một ví
dụ minh họa.
6. Trình bày phần tử logic phủ định: Khái niệm, hàm số, ký hiệu, bảng trạng thái,
giản đồ điện áp và sơ đồ mạch điện thực hiện hàm?
7. Trình bày phần tử logic AND: Khái niệm, hàm số, ký hiệu, bảng trạng thái,
giản đồ điện áp và sơ đồ mạch điện thực hiện hàm?
8. Trình bày phần tử logic OR: Khái niệm, hàm số, ký hiệu, bảng trạng thái, giản
đồ điện áp và sơ đồ mạch điện thực hiện hàm?
9. Trình bày phần tử logic NAND: Khái niệm, hàm số, ký hiệu, bảng trạng thái,
giản đồ điện áp và sơ đồ mạch điện thực hiện hàm?
10. Trình bày phần tử logic NOR: Khái niệm, hàm số, ký hiệu, bảng trạng thái,
giản đồ điện áp và sơ đồ mạch điện thực hiện hàm?

TÓM TẮT NỘI DUNG CỐT LÕI

1. Tóm tắt nội dung cốt lõi 1: Xung và các mạch tạo xung
- Khái niệm về tín hiệu xung
- Các mạch tạo xung
+ Mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định (Trigơ RS)
+ Mạch tạo xung tam giác
2. Tóm tắt nội dung cốt lõi 2: Mạch logic số
- Cơ sở đại số logic
- Hàm logic và các cách biểu diễn
- Các phần tử logic cơ bản

BÀI TẬP ỨNG DỤNG, LIÊN HỆ THỰC TẾ

BT01- Cho hàm logic mô tả bằng bảng Cacnau như sau:
- Tìm hàm F(x1, x2, x3). x2x
00 01 11 10
- Xây dựng hàm từ các phần tử NOR hai x31
đầu vào. 0 1 1
- Vẽ giản đồ điện áp của hàm.
1 1 1

121
 BT02- Cho hàm logic được mô tả bằng giản đồ a
điện áp ra:
- Tìm hàm F(a, b). t
b
- Xây dựng hàm từ các phần tử NAND
t
hai đầu vào. F
t
BT03- Cho hàm logic F = (1, 3, 5, 7, 8, 9, 12, 13).
- Hãy biểu diễn hàm lên bảng Cacnau.
- Tìm hàm tối thiểu.
- Dùng NAND ba đầu vào để xây dựng hàm.

BT04- Cho hàm logic: F  ABC D  ABC D  ABCD  AB C D  A BC D  A B C D  ABCD .

- Hãy biểu diễn hàm lên bảng Cacnau và tìm Ftt.
- Thực hiện hàm bằng các NAND hai đầu vào.

BT05- Cho hàm logic: F  x yz  x yz  xyz  x yz  xyz  xyz .

- Hãy tìm Ftt trên bảng Cacnau .
- Thực hiện hàm bằng các NAND hai đầu vào.

BT06- Cho hàm logic:

F  A B C D  A B CD  A BC D  AB C D  AB C D  AB CD  AB CD  A BCD .
- Hãy tìm Ftt trên bảng Cacnau .
- Xây dựng hàm bằng các NAND ba đầu vào.
BT07- Cho mạch logic, hãy tìm F(x, y), Ftt và giản đồ điện áp.
x 

y 
  F(x,y)



BT08- Cho mạch logic, hãy tìm F(x, y), Ftt , vẽ giản đồ điện áp và cho một ví dụ
sơ đồ mạch điện thực hiện hàm.
x
 
F(x, y)
x +y 


122
 BT09- Cho mạch logic sau. Hãy tìm hàm Ftt và xây dựng lại mạch.

a 

b

a
b
 cd

a 
 F(x,y)
b
 
b
a
 c

d
a
b 
c
d

BT10- Cho mạch logic có 2 đầu vào x1 và x2..

a/ Tìm biểu thức F1 và F2 ở dạng đầy đủ.
b/ Biến đổi F1 và F2 về dạng tối giản (Ftt) theo hai cách: tổng của các tích và tích
của các tổng qua đó chứng minh rằng F1 = F2.
c/ Tìm cấu trúc tương đương chỉ dùng một loại phần tử NAND (hoặc NOR).

x1 x1
x2

 x2



 F1

F2
 


HƯỚNG DẪN TỰ HỌC Ở NHÀ

1. Hướng dẫn tự học ở nhà 1: Ôn tập chương 1 và 2.
2. Hướng dẫn tự học ở nhà 2: Ôn tập chương 3.

123
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Đỗ Xuân Thụ, Kỹ thuật điện tử, NXB KHKT, Hà nội.

2. 250 bài tập kỹ thuật điện tử, NXB GD, Hà nội .

DANH MỤC TỪ KHÓA

1. Kỹ thuật điện tử
2. Tín hiệu điện tử
3. Tính chất của tín hiệu
4. Hệ thống điện tử
5. Hệ thu-phát
6. Hệ đo lường
7. Hệ tự điều chỉnh
8. Hệ vi xử lý
9. Điện trở
10. Điện cảm
11. Điện dung
12. Chất bán dẫn thuần
13. Chất bán dẫn tạp loại n
14. Chất bán dẫn tạp loại p
15. Mặt ghép pn
16. Điôt bán dẫn
17. Transistor lưỡng cực BJT
18. Ổn định nhiệt
19. Transistor trường FET
20. Thiristo
21. Triac
22. Diac
23. Khuếch đại tín hiệu
24. Hồi tiếp
25. Khuếch đại EC
26. Khuếch đại CC
27. Khuếch đại BC
28. Khuếch đại đảo pha
29. Khuếch đại công suất
30. Tín hiệu biến thiên chậm
31. OA
32. Ứng dụng của OA
124
33. Tín hiệu xung
34. Mạch trigơ RS
35. Xung tam giác
36. Đại số logic
37. Hàm tuyển chuẩn
38. Hàm hội chuẩn
39. Bảng trạng thái
40. Giản đồ điện áp
41. Bảng Cácnô
42. Hàm tối thiểu
43. Phần tử NO
44. Phần tử AND
45. Phần tử OR
46. Phần tử NAND
47. Phần tử NOR

125