OUTLINE CEA201

Semiconductor memory overview

Bộ nhớ bán dẫn nội bộ : là loại thiết bị lưu trữ dữ liệu điện tử
trong các thiết bị điện tử như máy tính, điện thoại, và máy ảnh số. Nó
bao gồm các loại sau:
RAM (Bộ Nhớ Truy Cập Ngẫu Nhiên): Lưu trữ tạm thời dữ liệu có thể
truy cập và sửa đổi nhanh chóng. Mất dữ liệu khi nguồn điện tắt.
ROM (Bộ Nhớ Chỉ Đọc): Lưu trữ không bay hơi chứa firmware hoặc
phần mềm quan trọng, giữ nguyên dữ liệu khi nguồn điện tắt.
Bộ Nhớ Cache: Bộ nhớ nhỏ, bay hơi, cung cấp truy cập nhanh đến dữ
liệu thường xuyên sử dụng.
Bộ Nhớ Flash: Lưu trữ dữ liệu lâu dài, không bay hơi, sử dụng trong
điện thoại, máy ảnh, và ổ đĩa USB.
Registers (Bộ Đăng Ký): Bộ nhớ nhỏ và nhanh nhất, nằm trong CPU, lưu
trữ tạm thời dữ liệu trong quá trình thực hiện hướng dẫn.
Đặc Điểm:
Tốc Độ: Nhanh chóng cho việc đọc và ghi dữ liệu.
Bay Hơi (Volatility): RAM bay hơi, ROM và Flash không bay hơi.
Dung Lượng: Registers nhỏ, RAM và Flash cung cấp dung lượng lớn
hơn.
Ứng Dụng:
RAM: Truy cập nhanh đến dữ liệu thường xuyên sử dụng.
ROM: Lưu trữ firmware và phần mềm quan trọng.
Bộ Nhớ Flash: Lưu trữ dữ liệu dài hạn cho người dùng và hệ điều hành.
Tóm Lược:
Bộ nhớ bán dẫn nội bộ là yếu tố quan trọng trong hoạt động của thiết
bị điện tử, cung cấp không gian lưu trữ cho dữ liệu tạm thời và vĩnh
viễn. Các loại bộ nhớ phục vụ mục đích khác nhau, tạo ra sự cân bằng
giữa tốc độ, bay hơi, và dung lượng.

What is error correction

-Chỉnh sửa lỗi là quá trình xác định và khắc phục lỗi trong dữ liệu hoặc
truyền thông.
-Mục tiêu là đảm bảo tính chính xác của thông tin. Trong truyền
thông, sử dụng các phương pháp như mã kiểm tra lỗi và chuyển
giao lỗi chủ động.

-Trong lưu trữ dữ liệu, công nghệ như ECC giúp phát hiện và sửa lỗi.

-Chỉnh sửa lỗi đóng vai trò quan trọng trong việc bảo vệ thông tin
và đảm bảo tin cậy của dữ liệu truyền tải và lưu trữ.

What is Advanced Dram Organization

Advanced DRAM Organization (ADRO) là một tập hợp các kỹ thuật và tính năng
được sử dụng để tăng cường hiệu suất và hiệu quả của bộ nhớ trong máy tính.

Đây chỉ là một số ví dụ về các kỹ thuật và tính năng có thể được á Tổ chức DRAM
tiên tiến (Advanced DRAM Organization - ADRO) là một tập hợp các kỹ thuật và tính
năng được sử dụng để cải thiện hiệu suất và hiệu quả của bộ nhớ trong máy tính. ADRO
thường bao gồm các tính năng như kiến trúc ngân hàng, xen kẽ ngân hàng, chế độ trang,
chế độ nổ, bộ nhớ cache, tiền định và ánh xạ địa chỉ. Các kỹ thuật này giúp tăng tốc độ
truy cập và băng thông bộ nhớ, ẩn độ trễ và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
 Kiến trúc ngân hàng: ADRO thường sử dụng kiến trúc đa ngân hàng, trong đó bộ
nhớ được chia thành nhiều ngân hàng độc lập. Mỗi ngân hàng có thể được truy cập đồng
thời, cho phép song song hóa và tăng băng thông bộ nhớ.

Xen kẽ ngân hàng: Trong các hệ thống có nhiều kênh bộ nhớ, ADRO có thể sử
dụng xen kẽ ngân hàng. Kỹ thuật này phân phối các truy cập bộ nhớ qua các ngân hàng
khác nhau theo cách xoay vòng, giảm xung đột bộ nhớ và cải thiện hiệu suất tổng thể
của bộ nhớ.

Chế độ trang: ADRO có thể sử dụng chế độ trang, trong đó một hàng của các ô
nhớ (một trang) có thể được truy cập nhiều lần với độ trễ giảm đi. Sau khi một hàng
được kích hoạt, các truy cập sau vào hàng đó có thể được thực hiện nhanh hơn mà không
cần phải kích hoạt hàng lặp lại.