Chương 6 – Tính chất quang của vật liệu

Bài tập và Lời giải

 Bài 1: Chiết suất và hằng số điện môi
Sử dụng công thức 𝑛𝑛 = 𝜀𝜀𝑟𝑟 thử tính chiết suất 𝑛𝑛 của vật liệu cho trong
bảng dưới đây biết hằng số điện môi tương đối ở tần số thấp của
chúng 𝜀𝜀𝑟𝑟 (LF). Nêu lí do vì sao trong một số trường hợp, giá trị tính
được lại khác khá xa so với giá trị đo được trong thực tế. (tham khảo
Example 9.1 trong sách của Kasap)
a-Se Ge NaCl MgO
𝜀𝜀𝑟𝑟 (LF) 6.4 16.2 5.90 9.83
𝑛𝑛 (~ 1 − 5 𝜇𝜇𝜇𝜇) 2.45 4.0 1.54 1.71
𝑛𝑛𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 2.53 4.02 2.43 3.14

n được tính bằng cách sử dụng quan hệ với hằng số điện môi tương đối trong một số trường hợp nhỏ
hơn giá trị thực nghiệm vì giả thiết về độ phân cực là khác nhau. Đối với a-Se và Ge, sự phân cực là sự
phân tách của các đám mây electron và hạt nhân trong khi đối với NaCl và MgO, nó là sự phân tách của
các ion mang điện trái dấu.
 Bài 2: Công thức tán sắc Sellmeier
Sử dụng công thức Sellmeier và các hệ số trong bảng, tính chiết suất
của thủy tinh Silica (SiO2) và germania (GeO2) ở bước sóng 1550 nm.
Giá trị nào lớn hơn, tại sao?

A1 A2 A3 λ1 λ2 λ3 λ Factor1 Factor2 Factor3 n

0.696749 0.408218 0.890815 0.069066 0.115662 9.900559 1.55 0.698135 0.410504 -0.02238 1.444387902
0.806866 0.718158 0.854168 0.068973 0.153966 11.84193 1.55 0.808467 0.725315 -0.01489 1.587102209

GeO2 dễ phân cực hơn SiO2 => độ phân cực lớn hơn => n lớn hơn
Bài 3: Quan hệ tán sắc Cauchy cho Zinc Selenide
ZnSe là một chất bán dẫn thuộc nhóm II-VI và là một vật liệu quang học hữu ích được sử dụng trong
nhiều ứng dụng như cửa sổ quang học (đặc biệt là cửa sổ quang học của laser công suất cao), thấu
kính, lăng kính … Vật liệu này truyền sóng trong khoảng từ 0.5 đến 19 μm. Chiết suất 𝑛𝑛 trong khoảng
bước sóng từ 1 đến 11 μm được mô tả qua công thức Cauchy dưới dạng
0.0485 0.0061
n = 2.4365 + + − 0.0003λ 2
λ2 λ4
trong đó đơn vị của 𝜆𝜆 là μm. Xác định chiết suất 𝑛𝑛 và chiết suất nhóm 𝑁𝑁𝑔𝑔 của ZnSe ở bước sóng 5
μm.
𝑛𝑛 ≈ 2.431

2B 4C
Ng =n+ + + 2 Dλ 2 ≈ 2.450
λ2 λ4
 Bài 4: Điện trường và từ trường trong ánh sáng
Cường độ (bức xạ) trong không khí của một chùm laser đỏ từ một laser
He-Ne được đo đạc và cho giá trị 1 mW cm-2. Xác định độ lớn của điện
trường và từ trường? Các độ lớn này có giá trị là bao nhiêu nếu chùm
tia có cùng cường độ 1 mW cm-2 lan truyền trong môi trường có chiết
suất 𝑛𝑛 = 1.45.

1 mW.cm −2 = 10 W.m −2
V n
Eo = 86.7 Bo = Eo ≈ 2.89 × 10−7 T
m c
V n
Trong môi trường 𝑛𝑛 = 1.45 Eo ≈ 72.0 Bo = Eo ≈ 3.48 × 10−7 T
m c
Bài 5: Phản xạ nội và phản xạ ngoại với phương
tới vuông góc
Xem xét sự phản xạ ánh sáng trong trường hợp phương ánh sáng tới
vuông góc với mặt phân cách giữa không khí và tinh thể GaAs có chiết
suất 3.6. Xác định hệ số phản xạ và tương quan giữa cường độ ánh
sáng phản xạ và ánh sáng tới trong các trường hợp:
a. Ánh sáng đi từ không khí tới tinh thể GaAs
b. Ánh sáng đi từ tinh thể GaAs tới không khí

n1 − n2 1 − 3.6 n1 − n2 3.6 − 1
r = r⊥ = = = −0.565 r=
 r⊥= = = 0.565
a. n1 + n2 1 + 3.6 b. n1 + n2 3.6 + 1
=
R r ≈ 0.32 =
R r ≈ 0.32
2 2
 Bài 6: Lớp phủ chống phản xạ
a. Xem xét 3 môi trường điện môi có chiết suất lần lượt là 𝑛𝑛1 , 𝑛𝑛2 và 𝑛𝑛3 với mặt phân cách giữa
chúng là phẳng và song song với nhau. Chứng minh rằng trong trường hợp ánh sáng tới vuông
góc, hệ số phản xạ giữa lớp 1 và lớp 2 và giữa lớp 2 và lớp 3 là như nhau nếu 𝑛𝑛2 = 𝑛𝑛1 𝑛𝑛3 . Ý
nghĩa của điều này là gì?
b. Xem xét một đi-ốt quang trên cơ sở Si được thiết kế để hoạt động ở bước sóng 900 nm. Có 2
loại vật liệu được lựa chọn để chế tạo lớp phủ chống phản xạ trên bề mặt của đi-ốt quang: SiO2
với chiết suất là 1.5 và TiO2 với chiết suất là 2.3. Theo bạn nên dùng vật liệu nào trong 2 loại vật
liệu kể trên và độ dày của lớp phủ chống phản xạ là bao nhiêu? Biết chiết suất của Si là 3.5
a. với phương tới = r12 r=23
(r⊥12 r⊥ 23 )
vuông góc với mặt
n −n n −n
phân cách ⇒ 1 2 = 2 3 ⇒ (n1 − n2 )(n2 + n3 ) = (n2 − n3 )(n1 + n2 )
n1 + n2 n2 + n3
⇒ n2 2 = n1n3 ⇒ n2 = n1n3
Khi điều kiện này được thỏa mãn, biên độ của sóng phản xạ tại biên 1-2 có thể so sánh với biên độ của sóng phản
xạ tại biên 2-3. Với độ dày thích hợp của môi trường 2, hai sóng này do đó có thể bị giao thoa triệt tiêu một cách
hiệu quả. Do đó, môi trường 2 có thể đóng vai trò như một lớp phủ chống phản xạ.
b. Mục đích của photodiode là chuyển đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện. Do đó, một trong những điểm
quan trọng nhất đối với hiệu suất của nó là hấp thụ càng nhiều ánh sáng càng tốt, tức là truyền ánh sáng vào lớp Si càng
nhiều càng tốt. SiO2 hoặc TiO2 có thể được lắng đọng trên cửa sổ của photodiode và đóng vai trò như các lớp chống phản
xạ.
Các hệ số phản xạ khi phương tới vuông góc với mặt phân cách:
• Đối với cấu hình Không khí(1)/SiO2(2)/Si(3):
𝑛𝑛1 − 𝑛𝑛2 1 − 1.5
𝑟𝑟12 = = = −0.2 ⇒ 𝑅𝑅12 = 0.04 ⇒ 𝑇𝑇12 = 1 − 𝑅𝑅12 = 0.96
𝑛𝑛1 + 𝑛𝑛2 1 + 1.5
𝑛𝑛2 − 𝑛𝑛3 1.5 − 3.5
𝑟𝑟23 = = = −0.4 ⇒ 𝑅𝑅23 = 0.16 ⇒ 𝑇𝑇23 = 1 − 𝑅𝑅23 = 0.84 ⇒ 𝑇𝑇𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 = 0.96 × 0.84 = 0.8064
𝑛𝑛2 + 𝑛𝑛3 1.5 + 3.5
• Đối với cấu hình Không khí(1)/TiO2(2)/Si(3):
𝑛𝑛1 − 𝑛𝑛2 1 − 2.3
𝑟𝑟12 = = = −0.39 ⇒ 𝑅𝑅12 = 0.155 ⇒ 𝑇𝑇12 = 1 − 𝑅𝑅12 = 0.845
𝑛𝑛1 + 𝑛𝑛2 1 + 2.3
𝑛𝑛2 − 𝑛𝑛3 2.3 − 3.5
𝑟𝑟23 = = = −0.21 ⇒ 𝑅𝑅23 = 0.043 ⇒ 𝑇𝑇23 = 1 − 𝑅𝑅23 = 0.957 ⇒ 𝑇𝑇𝑇𝑇𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 = 0.957 × 0.845
𝑛𝑛2 + 𝑛𝑛3 2.3 + 3.5
= 0.808
Sự xấp xỉ độ truyền qua rất đơn giản như vậy có thể xác định rằng TiO2 tốt hơn SiO2 cho lớp phủ chống phản xạ, nhưng
không nhiều. Tính toán hoặc mô phỏng thêm có thể đưa ra câu trả lời chắc chắn hơn.

Nếu chúng ta muốn giảm thiểu sự phản xạ, sóng ánh sáng phản xạ ở ranh giới Không khí-TiO2 và ở ranh giới TiO2-Si phải
giao thoa triệt tiêu. Vì cả hai ánh sáng đều lệch pha π nên chúng giao thoa triệt tiêu khi sự khác biệt về đường đi của ánh
2𝜋𝜋𝑛𝑛2 𝜆𝜆
sáng tạo ra lệch pha π hoặc bội số lẻ của π. Độ lệch pha là : 2𝑑𝑑 = 𝑚𝑚𝜋𝜋 hoặc 𝑑𝑑 = 𝑚𝑚 = 𝑚𝑚 × 97.8 (nm) với 𝑚𝑚 =
𝜆𝜆 4𝑛𝑛2
1,3,5,7, …
Bài 7: Sợi quang trong truyền thông
Xem xét một sợi quang có chiết suất lõi là 𝑛𝑛1 = 1.455 và chiết suất lớp phủ
(cladding) là 𝑛𝑛2 = 1.440 ở bước sóng 870 nm. Giả sử rằng mặt phân cách lõi-phủ
có thể coi như một mặt phân cách phẳng. Một tia sáng đi trong lõi và tới mặt phân
cách lõi-phủ với góc tới 85 °. Tia sáng này có được phản xạ toàn phần hay không?
Độ sâu thâm nhập của tia vào lớp phủ là bao nhiêu?
𝑛𝑛2 1.440
Góc tới tới hạn cho hiện tượng phản xạ toàn phần: sin 𝜃𝜃𝑐𝑐 = ⇒ 𝜃𝜃𝑐𝑐 = arcsin = 81.76°
𝑛𝑛1 1.455
Vì vậy xảy ra hiện tượng phản xạ toàn phần với tia sáng với góc tới 85° ở bề mặt phân cách lõi-phủ
1
Độ sâu thâm nhập của tia sáng vào lớp phủ là: 𝛿𝛿 =
𝛼𝛼2
1/2
2𝜋𝜋𝑛𝑛2 𝑛𝑛1 2
Trong đó 𝛼𝛼2 là hệ số tắt dần của sóng tiêu biến: 𝛼𝛼2 = sin2 𝜃𝜃𝑖𝑖 −1 = 1.19 × 10−3 nm−1
𝜆𝜆 𝑛𝑛2

⇒ 𝛿𝛿 = 8.37 × 102 nm
Bài 8: Chiết suất phức
Phép đo ellipsometry tiến hành trên 1 tinh thể germanium (Ge) với photon có năng
lượng 1.5 eV cho thấy phần thực và phần ảo của hằng số điện môi tương đối
(phức) lần lượt là 21.56 và 2.772. Xác định chiết suất phức của Ge. Hệ số phản xạ và
hấp thụ là bao nhiêu ở bước sóng này? Kết quả tính toán của bạn khi so sánh với
các giá trị thực nghiệm n = 4.653, K = 0.298, R = 0.419 và α = 4.53 x 106 m-1?

N=n − jK = ε r = ε 'r − ε "r  n = 4.653

⇒
⇒ n − K = ε 'r = 21.56 và 2nK = ε "r = 2.772  K = 0.297
2 2

2
n − jK − 1 (n − 1) 2 + K 2
R = = 0.419
n − jK + 1 (n + 1) + K
2 2

Photon năng lượng 1.5 eV tương ứng với bước sóng 826.6 nm
 2π  Kết quả tính toán rất khớp với
α =2k " =2ko K =2  −9 
× 0.297 =4.52 × 10 6
m −1
các giá trị đo đạc thực nghiệm
 826.6 × 10 
Bài 9: Tắt dần trong sợi quang học
Xem xét một sợi quang hoạt động ở bước sóng 1310 nm. Giả sử rằng chúng ta đưa vào 1 đầu của
sợi quang ánh sáng có công suất 1 mW. Xác định công suất ánh sáng ở đầu ra của sợi quang có chiều
dài 150km. Nếu ánh sáng đưa vào có bước sóng 1550 nm thì chiều dài sợi quang là bao nhiêu để
đảm bảo rằng công suất ánh sáng đầu ra là như nhau trong cả 2 trường hợp?
Vì sợi quang hoạt động ở bước sóng 1310 nm, là một trong hai cửa sổ trong đó sự suy giảm chủ yếu
là do tán xạ Rayleigh. Từ đồ thị, sự suy giảm ở bước sóng này là
≈ 0.3 dB km −1
Silica glass based optical fibers 𝛼𝛼𝑑𝑑𝑑𝑑
1 𝑃𝑃𝑖𝑖𝑖𝑖
𝛼𝛼𝑑𝑑𝑑𝑑 = 10 log
𝐿𝐿 𝑃𝑃𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝑃𝑃𝑖𝑖𝑖𝑖
𝑃𝑃𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝛼𝛼𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐿𝐿 ≈ 0.32 × 10−5 mW
10 10
Ở bước sóng 1550 nm, 𝛼𝛼𝑑𝑑𝑑𝑑 ≈ 0.2 dB km−1
Để công suất đầu ra như trường hợp 1310 nm =>
0.3
𝛼𝛼𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐿𝐿 = constant ⇒ 𝐿𝐿 = 150 × = 225 km
0.2
Như vậy, sợi quang có thể hoạt động ở độ dài dài hơn khi sử dụng bước sóng 1550 nm
Bài 10: Hấp thụ quang học của hạt tải tự do
trong chất bán dẫn
Từ Chương về độ dẫn nhiệt và độ dẫn điện của chất rắn, chúng ta biết
σo
σ ac =
1 + jωτ
Trong đó, σo là độ dẫn điện một chiều (DC), τ là thời gian tán xạ tự do trung bình của hạt tải (điện tử
trong trường hợp bán dẫn pha tạp loại n). Xem xét một mẫu bán dẫn có độ dẫn điện hữu hạn, thiết
lập quan hệ giữa hệ số hấp thụ quang học α và độ dẫn điện một chiều σo. Chứng minh rằng, α tỉ lệ
thuận với 1/ω2.
Một bán dẫn Ge pha tạp loại n có điện trở suất 1x10-3 Ωm và thời gian tán xạ tự do trung bình của
điện tử là 0.25 ps. Xác định phần ảo của hằng số điện môi tương đối 𝜀𝜀′′𝑟𝑟 tại bước sóng 10 μm –
chiết suất khi đó là 4.0. Xác định hệ số hấp thụ quang học của hạt tải tự do của bán dẫn trên.
σo σo σ oωτ
Lời giải: σ= ⇔ σ= − j
1 + jωτ 1 + (ωτ ) 2 1 + (ωτ ) 2
ac ac

Re(σ ac ) σo
⇒ ε= "r =
ε oω ε oω 1 + (ωτ ) 2 
σo
Với 𝜔𝜔 ≫ 1/𝜏𝜏, công thức trên trở thành ε " =
r
ε oω (ωτ ) 2
Hệ số hấp thụ:
 2π   ε "r 
α 2=
= k " 2ko=
K 2  
 λ  2 n 
ω ε" σo
⇒α   r =
= ⇒α
c n cnε o (ωτ ) 2
Với mẫu Ge loại n, tần số góc tương ứng với bước sóng 10 μm là
2π c
ω= = 1.88 × 1014 rad ⋅ s −1
λ
Phần ảo 𝜀𝜀′′𝑟𝑟 của hằng số điện môi tương đối
σo
ε=
"r = 2.72 × 10 −4

ε oω (ωτ ) 2
Hệ số hấp thụ:

σ
=α = o
42.6 m −1

cnε o (ωτ ) 2