BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN, ĐHQG – HCM

KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG
--------

BÀI TẬP
MÔN HỌC: TRUYỀN THÔNG QUANG

GVHD: TS. Nguyễn Anh Vinh

Nhóm thực hiện:

Nguyễn Thị Xuân Uyên 1620294

Võ Thị Hồng Nhung 1620171
Nguyễn Thị Minh Hạnh 1620302
Lê Thế Khôi 1620112

TP. Hồ Chí Minh, tháng 12/2019

BẢNG PHÂN CÔNG

 Tên Bài làm
Nguyễn Thị Xuân Uyên 2.1 2.5 2.9 2.13 2.17 2.21 2.25 4.8 4.12 4.16 8.5 8.6 8.7
8.8
Võ Thị Hồng Nhung 2.2 2.6 2.10 2.14 2.18 2.22 4.1 4.5 4.9 4.13 8.9 8.10 8.11
8.12
Nguyễn Thị Minh Hạnh 2.3 2.7 2.11 2.15 2.19 2.23 4.2 4.6 4.10 4.14 8.1 8.2 8.3
8.4
Lê Thế Khôi 2.4 2.8 2.12 2.16 2.20 2.24 4.3 4.7 4.11 4.15 4.18 8.13
8.14 8.15

BẢNG ĐÁNH GIÁ ĐIỂM

Tên Điểm
Nguyễn Thị Xuân Uyên 10
Võ Thị Hồng Nhung 10
Nguyễn Thị Minh Hạnh 10
Lê Thế Khôi 10

BÀI LÀM
Bài Đề bài Tóm tắt Giải
2.1 Cho sợi quang có chiết n1=1,5 a) Góc tới hạn tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc:
n2= 1,47 n2
suất lõi là n1=1,5 và sin θc =
chiết suất lớp bọc là n1
n2 1,47
n2= 1.47. Xác định: a) c = ? ⇒ θ c =arcsin =arcsin =78,520
n1 1,5
a) Góc tới hạn c tại b) NA = ? b) Khẩu độ số của sợi quang:
giao tiếp lớp lõi và c) a = ? NA =√ n21−n22= √ 1 , 52−1 , 472 =0,298
lớp bọc. c) Ta có:
b) Khẩu độ số NA của NA =sin θmax =0,298
sợi quang. ⇒ θ max=17,37 0
c) Góc tiếp nhận từ Vậy góc tiếp nhận ánh sáng 2θmax = 34,730
không khí vào sợi
quang a.

2.2 Độ chênh lệch chiết

Δ=1 % = 0,01 a) Khẩu độ số của sợi quang:
n =1,46 NA =n1 √2 Δ=1,46 √ 2.0,01=0,206
suất của sợi quang là Δ 1
=1%. Chiết suất lớp b) Chiết xuất lớp bọc sợi quang:
lõi là n1= 1.46. Xác a) NA = ? Ta có:
định: NA =√ n21−n22
b) θ c = ?
⇒ n 2=√ n21−NA 2 =√1,46 2−0,2062=1,445
a) Khẩu độ số NA của
Góc tới hạn tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc:
sợi quang. n2
sin θc =
b) Góc tới hạn tại giao n1
tiếp lớp lõi và lớp n2 1,445
bọc θ c. ⇒ θ c =arcsin =arcsin =81,780
n1 1,46
2.3 Cho sợi quang đa Sợi SI a) Giả sử: n1 =1,46
2a = 80 μm Khẩu độ số của sợi quang:
mode chiết suất bậc Δ = 1,5% = NA =n1 √ 2 Δ=1,46 √ 2.0,015=0,253
có đường kính lõi là 2a 0,015 Tần số được chuẩn hóa của sợi quang:
= 80 μm và độ chênh λ = 0,85 μm 2π 2π 80. 10−6
V= . a . NA = . .0,253=37,4
lệch chiết suất tương λ 0,85.10−6 2
a) V = ? b) Số mode sóng truyền được trong sợi SI:
đối là Δ=1.5% hoạt
b) N = ? V 2 37,42
động ở bước sóng λ = N≈ = =699
2 2
0.85 μm. Xác định:

a) Tần số được chuẩn

 hóa V của sợi
quang.
b) Số mode sóng
truyền được trong
sợi quang N.

2.4 Cho sợi quang chiết Sợi GI Tần số được chuẩn hóa của sợi quang:
suất biến đổi theo dạng 2a = 50 μm 2π 2 π 50.10−6
V= . a . NA = . .0,2=31.4
parabol có đường kính NA = 0,2 λ 1. 10−6 2
lõi 2a = 50 μm. Sợi λ = 1 μm Số mode sóng truyền được trong sợi GI:
quang có khẩu độ số V 2 31,42
NA = 0.2. Xác định số N=? N≈ = =246
4 4
mode sóng N có thể
truyền được trong sợi
khi nó hoạt động ở
bước sóng λ = 1 μm
2.5 Xác định bước sóng cắt Sợi SI Khẩu độ số của sợi quang:
λ C để sợi quang chiết n1 = 1,46 NA =n1 √2 Δ=1,46 √ 2.0,0025=0,1
suất bậc họat động ở a = 4,5 μm Do sợi quang chiết suất bậc (sợi SI) ⇒ V c =2,405
chế độ đơn mode nếu Δ= 0.25% = Bước sóng cắt để sợi quang chiết suất bậc họat
sợi có chiết suất lõi n1 = 0,0025 động ở chế độ đơn mode:
1.46, bán kính lõi a = 2π 2π
λ C= a . NA= .4,5 . 10−6 .0,1=1,18 μ m
4.5 μm, và độ chênh λC = ? Vc 2,405
lệch chiết suất tương
đối là Δ= 0.25%.
2.6 Tính bán kính lõi a của p = 11,6 μ m Ta có:
sợi quang đơn mode SI V = 2,2 p
−3
2
≈ 0,65+1,619. V + 2,879.V −6
có đường kính trường a
mode (MFD) bằng 11.6 a=? p 11,6. 10−6
μ m khi tần số được ⇒ a= −3
= −3
2 −6 2
chuẩn hóa V = 2.2. 0,65+1,619.V + 2,879.V 0,65+1,619. 2,2 +2,879
Vậy bán kính lõi của sợi quang đơn mode SI là
9,91 μ m
2.7 Cho sợi quang đa mode Δ = 1% = 0,01 Trường hợp 1: Sợi SI
có độ lệch chiết chuất n1 = 1.5 V2
⇒N≈ (1)
tương đối Δ = 1%, chiết λ = 1.3 μ m 2
suất lõi n1 = 1.5. số N = 1100 Tần số được chuẩn hóa:
mode sóng truyền được V = √ 2 N= √ 2.1100=46,9
trong sợi quang tại 2a = ? Khẩu độ số của sợi quang:
bước sóng λ = 1.3 μ m NA =n1 √2 Δ=1,5 √ 2.0,01=0,212
là N = 1100. Tính Đường kính lõi sợi:
đường kính lõi sợi 2a. Ta có:
 2π
V= . a . NA
λ
V . λ 46,9.1,3 .10−6
⇒ 2 a= = =91,5 μ m
π . NA π .0,212
2.8 Cho tỉ số bằng số giữa P¿ Hệ số suy hao tại 1 km là:
(1 km)=2,5
công suất ngõ vào và P out 10 P¿ 10
ngõ ra trên 1 km là 2.5. Pin (5 km) =
α=
L
log
( )
Pout
= log 2,5=3,98
1
Tính công suất quang 1mW Công suất quang trung bình thu được trên tuyến
trung bình thu được trên quang dài 5 km:
tuyến quang dài 5 km Pout (5 km) = ? Ta có:
nếu công suất quang 10 P¿
trung bình phát vào sợi
quang là 1mW (giả sử
α=
L
log
( )
Pout
10 1. 10−3
tuyến không có bộ kết ⇔ 3,98= log
5 P out
nối hoặc connector).
⇒ Pout =10 μ m
2.9 Cho sợi quang dài L= 8 L = 8 km a) Suy hao toàn trình của sợi quang:
km. Công suất đưa vào Pin=120 μW Pout 3.10−6
A=10 log 10 =¿ 10 log 10 =¿−16 dB ¿¿
sợi quang là Pin=120 μ Pout=3 μW P¿ 120.10−6
W, công suất quang ở b) Hệ số suy hao của sợi quang:
ngõ ra là Pout=3 μW. a) A = ? dB A −16
α= = =−2 dB/km
Tính: b)  = ? dB/km L 8
a) Suy hao toàn trình c) L = 10 km c) Suy hao mối nối (10 km ⇒ 9 mối nối) = 9.1 =
α mối nối =1 dB /km 9
A (dB) của sợi
A=? ⇒ Suy hao−9 dB
quang. Giả sử
P¿ Suy hao toàn trình:
không có connector d) P =? ở A' =(−2 ) 10+ (−9 )=−29 dB
hoặc mối nối nào. 0 ut
câu c) d) Ta có:
b) Hệ số suy hao của Pout
sợi quang A=10 log 10 =−29
P¿
(dB/km). Pout
⇒ =0,00126
c) Cũng dùng sợi P¿
quang tương tự như Vậy Pin / Pout = 1/0,00126 = 794
trên nhưng chiều dài
là L=10km và có
mối nối trên mỗi km
với suy hao mối nối
là 1 dB. Tính suy
hao toàn trình trong
trường hợp này.
d) Tỉ số Pin / Pout bằng
số của câu (c ).
2.10 Cho công suất quang Pin = 1,5 mW Chiều dài tối đa của tuyến:
 trung bình phát vào α = 0,5 dB/km Ta có:
tuyến cáp sợi quang là Pout = 2 μW 10 P¿
1.5 mW và sợi quang
α=
L
log
( )
Pout
có suy hao 0.5 dB/km. L=? 10 1,5.10−3
Tính chiều dài tối đa ⇔ 0,5= log
L 2.10−6
của tuyến mà không cần 66,2007
phải sử dụng trạm lặp ⇔ 0,5=
L
(giải sử các connector ⇔ L=132,4 km
không có suy hao) khi
mức công suất trung
bình tối thiểu cần có tại
bộ tách quang là 2 μW.
2.11 Cho một tuyến cáp sợi L = 15 km Suy hao mối nối (15 km ⇒ 14 mối nối) = 14.0,8
quang dài 15 km có suy α = 1,5 dB/km = 11,2
hao 1.5 dB/km. Sợi α mối nối =0,8 dB/con ⇒ Suy hao−11,2 dB
quang được kết nối trên Pout = 0,3 μW Suy hao toàn trình:
từng kilometre bằng các A=−1,5.15+ (−11,2 ) =−33,7 dB
connector có suy hao Pin = ? d) Ta có:
0.8 dB/connector. Tính Pout
A=10 log 10 =−33,7
công suất trung bình tối P¿
thiểu cần phải phát vào 0,3.10−6
⇔ 10 log 10 =−33,7
sợi quang để duy trì P¿
mức công suất quang ⇔ P¿ =703 μ W
trung bình tại bộ tách Vậy công suất trung bình tối thiểu cần phải phát
quang là 0.3 μW. vào sợi quang là 703 μW
2.12 Cho sợi quang silica, có TF = 1400K  Tại λ = 0,65 μm:
hệ số nén đẳng nhiệt tại β c= 7x10-
Hệ số tán xạ Rayleigh:
nhiệt độ TF=1400K là 11 2
m /N 8π3 8 2 8 π3
β c=7x10-11m2/N. Chiết n = 1,46 γ R= 4
n p β c K . T F = −6 4
1,468 0,2862 .7 .10−11 .1,
3λ 3(0,65.10 )
suất n=1.46, hệ số p = 0,286
Ta có:
quang đàn hồi p=0.286. K = 1.381.10-23
l=exp ( −γ R L )=exp (−0,0010586.1000 )=0,347
Xác định hệ số suy hao J/K.
α (dB/km) tại các bước Hệ số suy hao:
1 1
sóng λ =0.65 μm, 1 μm, α = ? tại λ = α =10 log 10 =10 log 10 =4,6 dB /km
l 0,347
1.3 μm. Hằng số 0,65 μm, 1 μm,
Boltzman K=1.381.10-23 1,3 μm  Tại λ = 1 μm:
J/K. Hệ số tán xạ Rayleigh:
8π3 8 2 8 π3
γ R= 4
n p β c K . T F = −6 4
1,468 0,2862 .7 . 10−11 .1,381
3λ 3(1.10 )
Ta có:
l=exp ( −γ R L )=exp (−0.00018897.1000 )=0,828
Hệ số suy hao:
 1 1
α =10 log 10 =10 log 10 =0,8 dB/km
l 0,828
 Tại λ = 1,3 μm:
Hệ số tán xạ Rayleigh:
8π3 8 2 8 π3
γ R= 4 n p βc K . T F= −6 4
1,468 0,2862 .7 . 10−11 .1,3
3λ 3(1,3.10 )
Ta có:
l=exp ( −γ R L )=exp ( −66,16.10−6 .1000 ) =0,936
Hệ số suy hao:
1 1
α =10 log 10 =10 log 10 =0,29 dB/km
l 0,936
2.13 Cho sợi quang lõi thủy Tán xạ * Tìm l:
tinh K2O-SiO2 có suy Rayleigh 1
α =10 log 10 =0,46
hao do tán xạ Rayleigh α = 0.46 l
α = 0.46 dB/km tại dB/km ⇒ l=0,8995
bước sóng λ = 1 μm. λ = 1 μm * Tìm γ R :
Thủy tinh có hệ số nén β c = 8.4x10-11 l=exp ( −γ R L ) ⇒γ R =1,06.10−4
đẳng nhiệt β c=8.4x10- m2/N * Tìm n:
11 2
m /N tại nhiệt độ TF = TF = 758 K 8π3 8 2
γ R= n p βc K . T F
758 K, và hệ số quang p = 0.245 3 λ4
đàn hồi p = 0.245. Tính γ R .3 λ 4 1,06.10−4 .3(10−6 )4
chiết suất của lõi sợi n1.
2.14 Cho sợi quang đơn
n1 = ?
n1=1,49
⇒ n=
√
8

8 π3 p2 βc K . T F
=
8

√
8 π 3 0,2452 .8,4 . 10−11 .1,381. 10−23 .7
Bán kính uốn cong tới hạn của sợi đa mode:
mode SI có chiết suất a=2 mm
lõi là n1=1,49 có bán λ=1,30 μm 20 λ λ −3

kính uốn cong tới hạn λc=1,15 μm Rcs= 2

(n1 −n2 )2 3/2 (
2.748−0.996
λc )
bằng 2 mm khi được
phát quang bằng ánh ∆=? 3 /2
→ ( C−n22 ) =
sáng có bước sóng
λ=1,30 μm.Tính độ lệch 20.1,3. 10−6 1,3. 10−6 −3
(2.748−0.996 )
chiết suất tương đối ∆ 2. 10−3 1,15. 10−6
nếu bước sóng cắt của
sợi quang là λc=1,15 μm →(n12−n22)3 /2=3,046.10−3 →(n12−n22)=0.021

Độ lệch chiết suất tương đối:

n12−n22 0.021
∆= 2 = 2 =4,73.10 =0.473%
−3
2.n 1 2.1.49

2.15 Cho hai sợi quang có a) n12−n22 2 2

a. Ta có: ∆= →(n1 −n2 )=¿ ∆.2. n12
các tham số sau: Sợi đa mode 2.n 12
 a) Sợi đa mode có chiết n1=1,5 =0,03.2.1,52=0,135
suất lõi n1=1,5 và độ
∆=3% Bán kính uốn cong cho phép đối với sợi đa mode:
lệch chiết suất tương
λ =0,82 μm 3 n 12 λ
đối ∆=3% , hoạt động ở 3.1,5 2 .0,82 .10−6
b) Rc = 2 3/2 =
bước sóng λ=0,82 μm. 4 π ( n 12−n2 ) 4 π ( 0.135 )3 / 2
Sợi đơn mode
b) Sợi đơn mode có
2a=8 μm =8,88. 10−6m=8,88 (μm)
đường kính lõi 2a=8
→ a=4 μm
μm, chiết suất lõi
n1=1,5 và độ lệch chiết n1=1,5 n12−n22
suất tương đối ∆=0.3% , ∆=0.3% b. Ta có: ∆= 2
→(n12−n22)=¿ ∆.2. n12
2.n 1
hoạt động ở bước sóng λ=1,55 μm
λ=1,55 μm. =0,003.2.1,52=0,0135
Tính bán kính uốn cong Rc=? Khẩu độ số:
Rc cho phép trong hai
NA=n1√ 2 ∆=1,5 √ 2.0,003=¿0,116
trường hợp này

Bước sóng cắt:

2π 2π
λc= V .α.NA= .4.10−6 .0,116=1,212.10−6 m
c 2.405
=1,121 (μm)
Bán kính uốn cong tới hạn của sợi đa mode:
20 λ λ −3
Rc = 2 (2.748−0.996 )
(n1 −n22)
3/2
λc =
20.0,82. 10−6 1,55. 10−6 −3
(2.748−0.996 )
0,01353 / 2 1,212. 10−6
c. =5,73.10−3 m=5,73 (mm)
2.16 Cho sợi quang đa mode, Sợi đa mode a) Dải thông tối đa có thể trên tuyến quang để
chiết suất nhảy bậc có L=15km không có sự giao thoa giữa các kí tự:
độ dãn xung tổng cộng Dt=0,1 μm 1 1
trên L=15km là Dt=0,1 BT(max)= 2. D = 6
−6 =5.10 (bps) =5 (Mbps)
t 2.0,1. 10
μm. Tính: a)BT(max)=?
a) Dải thông tối đa có b) dt=?
thể trên tuyến quang c) BoptL=? b) Độ tán sắc:
này để không có giao (BT(max)= Bopt) Dt 0,1.10−6
thoa giữa các ký tự. dt= = =6,67 (ps/m)
L 15. 103
b) Độ tán sắc dt (ns/km)
c) Tích dải thông- chiều
dài BoptL c) Tích dải thông- chiều dài BoptL:
BoptL=5.15=75 (MHz.km)
2.17 Một sợi thủy tinh có tán
sắc chất liệu được cho d2n1 Hệ số tán sắc vật liệu:

| |
bởi: λ 2
2
d n1
=0,025.
| |
λ 2

d λ2
=0,025
M=
2

| | | |
2 =
λ
2
λ d n1 1 2 d n 1
2 =
0,0025
=98,1
dλ
2
λ=0,85 μm c dλ cλ dλ 3.105 .850
Hãy xác định hệ số tán σ λ =20nm (ps/nm.km)
sắc vật liệu M ở bước
sóng λ=0,85 μm và tính M=? Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi km:
độ trải rộng xung hiệu σ λ .L.M=? σ λ .L.M=20.1.98,1=1,96 (ns/Km)
dụng trên mỗi Km
σ m khinguồn quang LED phát ra bước sóng 850 nm
có độ rộng phổ hiệu
dụng σ λ=20nm
2.18 Tính độ trải rộng xung M=98.1
hiệu dụng trên mỗi km ps/nm.km
σ m trong bài tập 2.17 khi σ λ /¿λ=0,0012 Độ rộng phổ hiệu dụng:
nguồn quang được sử λ =0,85 μm σλ
=0,0012→ σ λ=0,0012. λ =0,0012.0,85.10−6
dụng là nguồn laser có λ
độ rộng phổ tương đối σ λ .L.M=? =1,02.10−9=1,02 (nm)
σ λ /¿λ=0,0012 tại bước
sóng 0,85 μm Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi km:
σ m=σ λ .L.M=1,02..1.98,1=0,1 (ns/Km)
2.19 Một tuyến quang 6Km Sợi đa mode SI a. Thời gian chênh lệch giữa mode nhanh nhất và
dùng sợi đa mode SI, L=6Km mode chậm nhất:
lõi có chiết suất n1 bằng n1=1,5
1,5 và độ chênh lệch ∆=1%
Ln 1 6 .103 .1,5 .0,01
∆Tmode(SI)= .∆= =300.10−9 (m)
chiết suất tương đối c 3. 108
∆=1% . Hãy xác định: a)∆Tmode(SI)=? =300 (nm)
a) Thời gian chênh lệch
giữa mode nhanh nhất b)σ mode (SI )=? b. Độ trải rộng xung hiệu dụng do tán sắc mode:
và mode chậm nhất L n1 ∆ 6 . 103 .1,5.0,01
∆Tmode(SI). c) Bt(max)=? σ mode(SI ) = = 8 =86,7.10−9( s)=86,
2 √3 c 2 √ 3.3 . 10
b) Độ trải rộng xung
7 (ns)
hiệu dụng do tán sắc d) Bopt.L=?
mode trên tuyến σ mode(SI ) c. Tốc độ bit cực đại có thể đạt được:
.
c)Tốc độ bit cực đại có 0,2 0,2 6
Bt(max)= σ = −9 =2,3.10 (bps)=2,3 (Mps)
thể đạt được, giả sử chỉ mode (SI ) 86,7.10
có tán sắc mode Bt(max).
d) Tích dải thông với d. Tích dải thông với chiều dài:
chiều dài ở câu (c)
Bopt.L=2,3.6=13,8 (MHz.km)
Bopt.L
2.20 Hãy so sánh độ trải L=6Km Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi Km do tán
 rộng xung hiệu dụng σ mode (SI )=¿ sắc mode của sợi đa mode chiết suất nhảy bậc:
trên mỗi Km do tán sắc 86,7 ns σ 86,7
σ mode (SI ) [ L=1 Km ]= mode ( SI ) = =14,4 (ns/Km)
mode của sợi đa mode n1=1,5 L 6
chiết suất nhảy bậc ∆=1% Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi Km do tán
trong bài tập 2.19 với So sánh sắc mode của sợi đa mode chiết suất giảm dần:
sợi đa mode chiết suất σ mode (SI ) [ L=1 Km ] với Ln ∆ 2 3 2
σ mode (GI ) [ L=1 Km ]= 1 = 10 .1,5 . 0,01 8 =14,4
giảm dần có phân bố σ mode(GI) [ L=1 Km] 2 √3 c 2 √ 3.3 . 10
chiết suất tối ưu có (ps/Km)
cùng chiết suất lõi n1 và Nhận xét: Tán sắc mode của sợi GI được cải tiến
∆. đến 1000 lần so với sợi SI có cùng chiết suất lõi
n1 và ∆.

2.21 Cho sợi quang đa mode Sợi đa mode a) Ta có: NA=n1√ 2 ∆ →0,3=1,45√ 2 ∆ → ∆=0,0214
chiết suất bậc có khẩu NA=0,3
Độ trải rộng xung hiệu dụng tổng cộng:
độ số NA=0,3 và chiết n1=1,45
suất lõi n1=1,45. Hệ số M=250 L n1 ∆ 103 .1,45 .0,0214
σ t= = =2,986.10−8( s / Km) =2
tán sắc vật liệu M=250 ps.nm/km 2 √3 c 2 √ 3.3 . 108

ps.nm/km . Bỏ qua tán 9,86 (ns/Km)

sắc ống dẫn sóng. Tính: a ¿ σ λ =50 nm b) Tốc độ bit cực đại có thể đạt được:
a) Độ trải rộng xung σ t=?
0,2 0,2
hiệu dụng tổng cộng σ t b)Bopt.L=? Bt(max)= σ = =6,7.106 (bps)=6,7 (Mps)
nếu sử dụng nguồn t 29,86.10−9
LED có độ rộng phổ Tích dải thông với chiều dài:
hiệu dụng σ λ=50 nm. Bopt.L=6,7.1=6,7 (MHz.km)
b) Tích dải thông tương
ứng với độ dài Bopt.L
2.22 Cho sợi quang đa mode ∆ T mode = 95 ns 1 1
Ta có Bt = 2. ∆ T = = 5,263(MHz)
chiết suất bậc có độ trải L = 5 km mode 2.95.10−9
rộng xung tổng cộng là 1 1
Đối với mã NRZ thì B = .Bt => B = . 5,2
95 ns trên chiều dài 5 B.L=? 2 2
km. Tính tích dải thông = 2,632 (MHz)
– chiều dài nếu mã Tích dải thông-chiều dài là:
NRZ được sử dụng B.L = 2,632.5 = 13,2 (MHz.km)
2.23 Cho sợi đơn mode có Sợi đơn mode 10.109
B= = 250 (Mbps)
tích dải thông – chiều B.L=10 40
dài bằng 10 GHz.km. GHz.km Đối với mã RZ thì B = Bt = 250 (Mbps)
Tính độ trải rộng xung L = 40 km Độ trải rộng xung hiệu dụng trên tuyến quang dài
hiệu dụng trên tuyến 40 km không có trạm lặp:
quang dài 40 km không 0,2
Ta có Bt(max) = = 250 (Mbps)
có các trạm lặp, và sử σ
dụng mã RZ. 0,2
=> σ= = 0,8 (ns)
250.106
2.24 Cho sợi đơn mode chiết Sợi đơn mode NA =√ (n 12−n2 2) = n1√ 2 ∆
suất bậc với chiết suất n1 = 1.49 Mặt khác, ta lại có:
lõi n1 = 1.49 có bán Rc = 2mm
kính uốn cong cho phép λ = 1.30 µm 20. λ λ −3
Rc = 2mm khi được λc = 1.15µm .(2,748 – 0,996. )
Rcs = 3
λc
phát sáng ở bước sóng λ (n12−n22) 2

= 1.30 µm. Tính độ ∆=?

chênh lệch chiết suất 20.1,3 . 10−6
tương đối ∆ nếu bước  2 x 10 =−3
2 3 /2 . (2,748 – 0,996.
(n 1 .2 . ∆)
sóng cắt λc = 1.15µm
1,3.10−6 -3
¿
1,15.10−6

20.1,3 . 10−6
2. 10−3= x (2,748 –0,996.
(1,492 .2. ∆)3 /2
1,3.10−6 -3
¿
1,15.10−6

Giải phương trình trên ta được ∆ = 0,47%.

Vậy độ lệch chiết suất tương đối là 0,47%.

2.25 Một tuyến cáp sợi Sợi quang đa a) Độ trải rộng xung tổng cộng trên toàn tuyến:
quang dài 8 km không mode
1
có trạm lặp sử dụng sợi B.L=400 Bt = 2. ∆ T
quang đa mode chiết MHz.km mode
1 1
suất bậc có tích dải L = 8 km  ∆ T mode = 2. B = = 10 (ns)
thông – chiều dài bằng t 2.50 .106
400 MHz.km. Tính : Suy ra
a) Độ trải rộng 40. 106
B= = 50 b) Độ trải xung tổng cộng hiệu dụng trên toàn
xung tổng cộng trên 8
toàn tuyến. (Mbps) tuyến:
b) Độ trải rộng
0,2
xung tổng cộng hiệu Ta có Bt(max) = = 50 (Mbps)
σ
dụng trên tòan tuyến . 0,2
 σ= = 4 (ns)
50.106

4.1 Photodiode PIN trung λ = 0,8 μm a) Hiệu suất lượng tử của linh kiện là :
bình tạo ra 1 cặp lỗ
ne 1
trống – electron trên 3 a)  =?   .100%  33%
photon tới ở bước sóng n ph 3
0,8μm. Giả sử tất cả các b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể
 electron này đều nhu Eg của PIN là:
nhận được. Tính: b) =?
hc0
(a) Hiệu suất lượng tử I ph c 
của linh kiện; c) =? Eg
Ta có:
(b) Năng lượng vùng 
cấm cực đại có thể của hc0 6, 625.1034.3.108
PIN; Eg    24,8.1020 J
c 0,8.10 8
(c) Dòng photon trung
bình ở ngõ ra khi thu c) Dòng photon trung bình pử ngõ ra khi
được công suất quang thu được công suất quang là 10-7 w
10-7W.
Ta có đáp ứng :
 0.8
R   0.33  0, 2129( A / W )
1, 24 1, 24
Dòng photon trung bình ở ngõ ra là:
I ph
R  I ph  R.P0  0, 2129.107  2.129.108 ( A)
P0

4.2 Một photodiode p-n có  =0,5

a) Đáp ứng của linh kiện ở bước sóng 0,9 μm
hiệu suất lượng tử 50% λ = 0,9 μm
là :
ở bước sóng 0,9μm. I ph -6
=10
Tính:  0.9
a) R =? R   0.5  0,363( A / W )
(a) Đáp ứng của linh 1, 24 1, 24
kiện ở bước sóng b) P0=? b) Công suất phát quang nếu dòng photon
0,9μm; trung ình là 10-6A
(b) Công suất quang đã  ph
c) =?
thu được nếu I ph I ph 106
R  P0    2, 755.106 (W )
dòngphoton trung bình P0 R 0.363
là 10-6A c) Số photon thu được tương ứng với bước
(c) Số photon thu được
sóng là:
tương ứng với bước
sóng này. P0   ph
hc0 P  2, 755.10 6.0,9.10 6
  ph  0   1, 25.1013 ( photon)
 hc0 6, 625.1034.3.108

4.3 Khi 800 photon/s tới  ph Đáp ứng của linh kiện là:
=800photon
photodiode PIN đang  n  550 1,3
/s R   e .  .  0, 721( A / W )
hoạt động ở bước λ = 1,3 μm 1, 24 n ph 1, 24 800 1, 24
1,3μm, chúng tạo ra ne =550e/s
trung bình 550
electron/s. Tính đáp
ứng của linh kiện. R=?
4.4 Một APD có hệ số nhân λ = 1,5 μm Hiệu suất lượng tử với M=1
thác lũ là 20 hoạt động R= 0,6A/W M e
R
ở bước sóng 1,5μm.  ph hc0
=10 photon
10
Ta có:
Tính hiệu suất lượng tử
/s Rhc0 0, 6.6.625.10 34.3.108
và dòng photon ngõ ra     0.5
của APD nếu đáp ứng Me 1.1, 6.1019.1,5.106
 =?
của linh kiện ở bước Dòng photon ngõ ra của APD nếu có đáp
I ph ứng như trên đề là :
sóng này là 0,6A/W và =?
1010 photon/s ở bước hc 6,625.1034.3.108
P0  n photon  1010  1,325.109 (W )
sóng này tới linh kiện.  1,5.10 6

M e P0 20.0.5.1,6.1019.1,5.106.1,325.10 9
I ph   34 8
 1,6.108 ( A)
hc 6,625.10 .3,10
4.5 Cho trước các thông số λ = 1,35 μm M e P0
I ph 
của APD. Tính hệ số P0=0,2 μW Ta có: hc
nhân thác lũ. I ph Hệ số nhân thác lũ là:
=4,9 μA
Công suất quang thu  =0,4
được ở bước sóng I p hc 4,9.106.6, 625.1034.3.108
M=? M   56, 29
1,35μm = 0,2 μW  e P0 0, 4.1,6.1019.1,35.106.0, 2.10 6
Dòng photon ngõ ra
(sau khi có độ lợi của
cơ chế nhân thác lũ) =
4,9 μA
Hiệu suất lượng tử ở
bước sóng 1,35μm =
40%
4.6 Một APD có hiệu suất  =0,45 Công suất quang thu được của linh kiện là:
lượng tử 45% ở λ = 0,85 μm M e P0
I ph 
0,85μW. Khi thử I ph Ta có: hc
=10 μA
nghiệm phát xạ ở bước I hc 10.106.6, 625.1034.3.108
M=250  P0  p 
sóng này, nó tạo ra
P0=? M e 250.0, 45.1, 6.1019.0,85.10 6
dòng photon 10μA (sau
 ph  0,1297.106 (W )  0,1297( W )
độ lới thác lũ) với hệ số =?
nhân 250. Tính công Số photon đến trong 1s là:
suất quang thu được của hc
P0  n photon
linh kiện. Có bao nhiêu 
photon đến trong một P0  0,1297.106.0,85.10 6
 n photon    5,55.1011 ( photon / s)
giây? hc 6, 625.1034.3.108

4.7 Một photodiode silicon R=0,45 A/W  SNR  7

có đáp ứng 0,5 A/W ở λ = 0,85 μm BER  Q    10
bước sóng 850nm. Xác BER=10-7 Ta có:  2 
định công suất quang BT=35Mbit/s Tra bảng 4.1, ta được:
 tối thiểu cần thiết tới P0=? SNR
photodidoe ở bước sóng  5, 2  SNR  108,16  20,34dB
2
này để duy trì BER = Hiệu suất lượng tử của linh kiện là:
10-7, giả sử tín hiệu nhị  R.1, 24 0,5.1, 24
phân là lý tưởng và có R      0, 7294
1, 24  0,85
tốc độ 35Mbit/s.
Số photon trung bình:

2 B 2.0, 6
Zm  SNR  .108,16  177,94( photon)
 0, 7294
Công suất quang tối thiểu cần thiết tới
photondiode ở điều kiện này:

Z m hcBT 177,94.6,625.1034.3.108.35.106
P0    7,282.1010 (W )
2 2.0,85.10 6

4.8 Một photodiode PIN  =0,65 a) Dòng photon trung bình là:
silicon có hiệu suất λ = 0,8 μm
lượng tử 65% ở bước a) P0=5μW  e P0 0, 65.1,9.1019.0,8.106.5.106
I ph  
sóng 800nm. Xác định: I ph hc 6, 625.1034.3.108
=?
(a) Dòng photon trung  2, 093.107 ( A)
b) B=20MHz
bình khi công suất
Iq2 b) Dòng nhiễu lượng tử:
quang 5μW có bước =?
sóng 800nm tới bộ tách c) SNR=? I q 2  2eBI p  2.1, 6.1019.20.106.2, 093.106
sóng;
(b) Dòng nhiễu lượng  1,34.1017 ( A2 )
tử hiệu dụng rms với
băng thông sau bộ tách Giá trị hiệu dụng rms của dòng nhiễu
sóng là 20MHz; lượng tử là:
(c) SNR theo dB khi I q 2  1,34.1017  3, 66.109 ( A)
dòng photon trung bình
là dòng tín hiệu. c) SNR khi dòng photon trung bình là dòng
tín hiệu:
Ip 2, 093.106
SNR  
2eB 2.1, 6.1019.20.106
 327031, 25(W )  55,15dB

4.9 Photodiode ở bài 4.8 có C=8pF a) Điện trở tải tối thiểu tương ứng là:
điện dung 8pF. Tính: a) B=20MHz
1
(a) điện trở tải tối thiểu RL=? B
tương ứng với băng b) t=250oC 2 RL C
thông sau bộ tách sóng It 2
là 20MHz; =?
 (b) dòng nhiễu nhiệt c) Id=1nA 1 1
hiệu dụng rms trong SNR=?  RL    994, 7()
B 2 C 20.10 .2 .8.1012
6
điện trở trên ở nhiệt độ b) Ta có:
250C;
4 KT 4.(25  273).1,38.10  23
(c) SNR (theo dB) khi It 2  B .20.106
RL 994, 7
dòng tối của photodiode
là 1 nA.  3,3074.1016 ( A2 )

Dòng nhiễu nhiệt hiệu dụng rms trong điện

trở là:
I t 2  3,3075.1016  1,8186.108 ( A)
c) Dòng nhiễu tối là:
I d 2  2eI d B  2.1, 6.10 19.109.20.106
 6, 4.1021 ( A2 )

I p2 I p2
SNR  
IN 2 I q 2  I d 2  It 2

(2, 093.10 6 )2
  12726,396  41,5dB
1,34.1017  6, 4.1021  3, 307.1016
4.10 Photodiode ở bài tập C=7pF a) Điện trở ngõ vào là:
4.8 và 4.9 được sử dụng a) B=20MHz
1 1
ở bộ thu với bộ khuếch RL=? RL    1136,821()
đại có hệ số nhiễu 2dB b) SNR=50dB B 2 C 20.10 .2 .7.1012
6

và điện dung ngõ vào là Ip=? b) Dòng nhiễu nhiệt là:

7pF. Xác định: 4 KTBFn
(a) Điện trở ngõ vào It 2 
RL
cực đại của bộ khuếch
đại để duy trì băng 4.1,381.1023.(25  273).2.10 6.1,519
  4,5867.1016 ( A2 )
thông sau bộ tách sóng 1136,821
là 20MHz (không có
Dòng nhiễu tối:
cân bằng).
(b) Công suất quang tối I d 2  2eI d B  2.1, 6.1019.109.20.106
thiểu cần thiết tới bộ
thu để được SNR =  6, 4.1021 ( A2 )
50dB. Dòng nhiễu lượng tử:
I q 2  2eI p B  2.1, 6.1019.I p .20.106

 6, 4.1012.I p

Công suất quang tối thiểu cần thiết tới bộ

 thu để được SNR=50dB là
I p2 I p2
SNR  
IN 2 I q 2  I d 2  It 2
I p2
 50 
6, 4.1012 I p  6, 4.1021  4,5867.10 16
 I p 2  6, 4.107 I p  4,5867.1011  0
 I p  7,1.106 ( A)

4.11 Photodiode germanium λ = 1550 nm Dòng photon trung bình là:

được sử dụng ở bô ̣ thu Id = 500 nA ηeλ P0
quang làm viê ̣c ở bước P0 = 10-6 W I p= =R × P0 = 0,6 .10-6 (A)
hc
sóng 1550nm có dong R = 0,6 A/W Nhiễu nổ là:
tối 500nA. Khi công B = 100MHz
suất quang đến ở bước SNR = ? dB ⟨ I 2TS ⟩ =⟨ I2q ⟩+ ⟨ I 2d ⟩=2 eB ( I d + I p )
sóng làm viê ̣c là 10-6W =2e.100.106(500.10-9 + 0,6.10-6) = 3,52.10-17(A2)
và đáp ứng của linh SNR ở bô ̣ thu là:
kiê ̣n là 0,6 A/W, nhiễu I 2p (0, 6.106 ) 2
nổ chiếm ưu thế. Xác SNR    10213,38  40, 09dB
ITS2 3,52.1017
định SNR (theo dB) ở
bô ̣ thu khi bang thông
sau tách sóng là
100MHz.
4.12 Mô ̣t APD silicon có  = 0,95 Điê ̣n trở ngõ vào:
hiê ̣u suất lượng tử 95%  = 0,9  m 1 1
RL    3183()
ở bước sóng 0,9  m, có Hê ̣ số nhiễu 2 Cd B 2 2.10 .25.106
12

hê ̣ số nhiễu thác lũ M0,3 thác lũ M0,3 Dòng nhiễu nhiê ̣t:
và điê ̣n dung 2pF. Giả Cp= 2pF 4 KTB 4.1,38.1023.25.106
sử băng thông sau khi T = 290° K I t2    1, 258.1016 ( A2 )
RL 3183
tách sóng (chưa cân B= 25MHz
bằng) là 25MHz. Dòng I q2  2eI p BM 2 F ( M )  2eI p BM 2  x
SNR = 23dB Ta có:
tối không đáng kể ở P0 = ? 4 KT
nhiê ̣t đô ̣ 290° K . Xác M 2 x 
xeRL I p
định công suất quang Mà:
tối thiểu tới APD để đạt 4 KT
 Ip 
SNR = 23dB xeRL M 2 x
4 KT 8KTB
2
 Iq
2 x
= 2e. xeRL M .BM2+x = xRL
= 8,3878.10-16 (A2)
 I 2p
SNR   102,3
I 2
q  I t
2

 I p   I q2  I t2  .102,3  4,387.107 ( A)
Hê ̣ số nhân thác lũ:
4 KT 4.1,38.1023.290
M 2,3  2,3  10,816
xe.RL I p 0,3e.318.4,387.107
Đáp ứng R:
Mηλ 10,816.0,95.0,9 . 10−6
R= = =7,458 (A/W)
1,24 1,24
Công suất quang cần tìm:
Ip 4,387.107
P0    5, 44.106 mW  52, 64dBm
RM 7, 458.10,816

4.13 Với linh kiê ̣n và các M

a)M’= a) Dòng photon trung bình là:
điều kiê ̣n ở bài tâ ̣p 4.12, 2
10,816 I p  RM ' P0  7, 458.5, 4085, 44.106  2,194.107 ( A)
tính: =
2 Dòng nhiễu lượng tử:
a) SNR đạt được =5,408 8KTB 8.1,381.1023.290.25.106
khi hê ̣ số nhân I q2    8,388.1016 ( A2 )
SNR = ? xRL 0,3.3183
thác lũ của APD b)SNR =23dB
chỉ còn 1 nửa giá P =? I p2 (2,194.107 ) 2
0  SNR    49,9
ttị tối ưu đã tính I q2  I t2 8,388.1016  1, 258.1016
được. =16,98dB
b) Công suất quang b) Công suất quang cần thiết:
cần thiết để khôi
Ip I p .1,24 −7
phục SNR=23dB Po = = 2 = 4,3861.2 10 .1,24
với M=0,5Mopt R. M M .η.λ 5,407 .0,95 .0,9
-8
= 2,176.10 (W) = -46,62 dBm
4.14 Mô ̣t APD Germanium  = 1,35  m R.1, 24 0, 45.1, 24
   0, 413
(có x=1) hoạt đô ̣ng ở R=0,45A/W Ta có:  1,35
bước sóng 1,35  m với Id=200nA Mă ̣t khác:
đáp ứng 0,45A/W. T=250° K Ip
Dòng tối 200nA ở nhiê ̣t C=3pF R  I p  R.P0  0, 45.8.107  3, 6.107 ( A)
P0
đô ̣ hoạt đô ̣ng 250° K và P0=8.10-7W
điê ̣n dung của linh kiê ̣n B=560MHz Ta lại có:
3pF. Xác định SNR mã SNRmax=? 1 1
RL    94, 735()
có thể khi công suất 2 CB 2 3.10 .560.106
12

quang tới là 8.10-7W và SNR max khi M=Mop

băng thông sau khi tách 4 KTFn
M op2 x 
sóng khi chưa cân bằng xeRL ( I p  I d )
 là 560MHz. Với x=1, Fn=1
4.250.1,38.1023
3
M op   1623,567
e.94, 735(3, 6.10 7  200.10 9 )
 M op  11, 753
F ( M )  M x  40, 2935
M 2 I p2 M 2 I p2
SNR  
I q2  I t2 4 KTFnB
2eB ( I p  I d ) M 2 F  M  
RL
 94, 735  19, 765dB
4.15 Photodiode ở bài tập x=1 4 KTFn
4.14 có sử dụng bộ λ = 1.35μm M op2 x 
xeRL ( I p  I d )
khuếch đại với hệ số R = 0.45 A/W
nhiễu 3dB và điện dung Id = 200nA 4.250.1,38.1023.3
  4877,31
vào 3pF. Xác định giá P0 = 8.10-7 W e.94, 735(3, 6.107  200.109 )
trị mới SNR khi hoạt Cd = 3pF  Mop = √3 4877,31 = 16,96
động dưới cùng điều T = 2500K
kiện. B = 560MHz Vậy SNR là:
Fn=3dB M 2 I p2 M 2 I p2
SNR  
=1.9953 I q2  I t2 4 KTFnB
2eB( I p  I d ) M 2 F  M  
SNR = ? RL
 50, 772  17, 056dB
4.16 Mô ̣t bô ̣ tách sóng quang  = 70% a) Theo đề:
APD silicon được sử k=0,05
dụng trong bô ̣ thu PCM M=65  SNR  10
BER  Q    10
nhị phân dải nền có a)BER=10-10  2 
ngưỡng quyết định nằm b)B=34Mbit/s Tra bảng 4.1 ta được kết quả:
giữa mức 0 và 1. Linh
SNR
kiê ̣n có hiê ̣u suất lượng √ SNR=12,72
tử 70% và tỉ số tốc đô ̣ 2 = 6,36 
ion hoá 0,005 và hê ̣ số I2
SNRElectrical  12  SNR  161,8  22,1dB
nhân thác lũ khi hoạt 
đô ̣ng là 65. Giả sử phổ  1 
tín hiê ̣u có dạng cosin F ( M )  kM   2    1  k 
 M
và tỉ lê ̣ bit 1 và 0 bằng
 1 
nhau.  0, 05.65   2    1  0, 05   5,135
 65 
a) Xác định số photon
cần thiết ở thu để Ta có: B  0,6
nhâ ̣n dạng bit 1 với Số photon trung bình cần thiết:
BER=10-10 2 B F ( M ) 2.0, 6.5,135
zm  SNR  .161,8  1424( photon)
 0, 7
b) Tính công suất
 quang cần thiết tới b) Công suất quang cần thiết tới APD:
APD khi hê ̣ thống
zm hcBT 1424.6, 625.1034.3.108.34.106
hoạt đô ̣ng ở bước P0   (W)
sóng có tốc đô ̣ 2 2
truyền dẫn 34Mbit/s
4.18 Mô ̣t hê ̣ thống quang sử Pi =300  W a) Công suất quang cần thiết:
dụng LED ở bô ̣ phát có  = 800nm
công suất quang trung  = 4dB/km zm hcBT 1200.6, 625.1034.3.108.106
P0  
bình 300  W ở bước zm=1200photon 2 2.800.109
sóng 800nm được ghép BER=10-10  1, 49.1010 (W)
vào sợi quang. Sợi L=? P
quang có suy hao trung 10 log i
a) B=1Mbit/s P0
bình 4dB/km (bao gồm  (dB / km) 
cả mối nối). Bô ̣ thu b) B=1Gbit/s L
APD yêu cầu 1200 Pi
10 log
photon tới để nhâ ̣n dạng P0 300.106
10 log
bit 1 với BER=10-10. L 1, 49.1010
L   15, 76( km)
Hãy xác định khoảng  (dB / km) 4
cách truyền dẫn lớn b) Công suất quang cần thiết:
nhất (không sử dụng
trạm lă ̣p) của hê ̣ thống zm hcBT 1200.6, 625.1034.3.108.109
P0  
trong các trường hợp 2 2.800.109
tốc đô ̣ hoạt đô ̣ng sau:  1, 49.107 (W)
a) 1Mbit/s Khoảng cách truyền dẫn lớn nhất:
b) 1Gbit/s Pi
Nhâ ̣n xét kết quả 10 log
P0 300.106
10 log
L 1, 49.10 7
L   8, 26( km)
 (dB / km) 4
8-1 Make a graphical Data rate = 500  Tính toán:
comparison, as in Fig 8- Mb/s
4, and a speadsheet  Hệ thống 1:
calculation of the Tổng suy hao:
o Hệ thống 1: LT =α f L+ 2(l c )+l sp=3,5 L+2 ( 1dB )=3,5 L+ 2
maximun attenuation-
Source Laser Mà Pt −Pr=LT +SM
limited transmission
@ 850 nm ⇔ 0−(−50 )=3,5 L+ 2+ 6
distance of the
Pt = 1 mW (0 ⇔ L=12 km
following two systems
dBm)
operating at 100 Mb/s:  Hệ thống 2:
Pr = -50 dBm
αf = 3,5 dB/km Tổng suy hao:
System 1 operating at l c =¿1 LT =α f L+ 2(l c )+l sp=1,5 L+2 ( 1dB )=1,5 L+ 2
850 nm Mà Pt −Pr=LT +SM
dB/connector
(a) GaAlAs laser diode: ⇔−13−(−38)=1,5 L+2+6
 ⇔ L=11,33 km
0-dBm (1-mW) o Hệ thống 2:
fiber-coupled Source Laser  Đồ thị:
power. @ 1300 nm  Hệ thống 1:
(b) Silicon avalanche Pt = -13 dBm
photodiode: -50- Pr = -38 dBm
dBm sensitivity. αf = 1,5 dB/km
l c =¿1
(c) Grade-index fiber: dB/connector
3.5-dB/km
attenuation at 850 SM = 6 dB
nm. Vẽ đồ thị Link
(d) Connector loss: 1 Power Budget
dB/connector. cho cả 2 hệ
thống.
System 2 operating at
1300 nm
(a) InGaAsP LED: -13-  Hệ thống 2:
dBm fiber-coupled
power.
(b) InGaAs pin
photodiode: -38-
dBm sensitivity.
(c) Grade-index fiber:
1.5-dB/km
attenuation at 1300
nm.
(d) Connector loss: 1
dB/connector.
 Bảng tính:
Allow a 6-dB system
 Hệ thống 1:
operating margin in
each case.

 Hệ thống 2:
8.2 An engineer has the Gọi L1 và L2 lần lượt là khoảng cách truyền tối đa
 Pt = 1 mW (0
following components đến pin và APD.
dBm)
available: (a) pin:
 10 đoạn, 500 Tổng suy hao:
(a) GaAlAs laser diode
m/đoạn, có LT =α f L+ 11(l c )+l sp =4 L1 +11 ( 2 dB )=4 L1 +22
operating at 850 nm
connector ở Khoảng cách L1 :
and capable of
cả 2 đầu ⇒ 11 Pt −Pr=LT +SM
coupling 1 mW (0
connector ⇔ 0−(−45)=4 L1 +22+6
dBm) into fiber.
 αf = 4 dB/km L1=4,25 km
(b) Ten sections of Do 4.25 < 5 nên không thể sử dụng pin ở phía thu
cable each of which 2 được.
is 500 m long, as a dB/connector (a) APD:
4-dB/km Tổng suy hao:
 L = 5 km
attenuation, and has LT =α f L+ 11(l c )+l sp =4 L2 +11 ( 2 dB )=4 L2 +22
connectors on both  Pr pin = -45
Khoảng cách L2 :
ends. dBm Pt −Pr=LT +SM
(c) Connector loss of 2  Pr APD = -56 ⇔ 0−(−56)=4 L2+ 22+ 6
dB/connector dBm L2=7 km
(d) A pin photodiode  SM = 6 dB Do 7 > 5 nên có thể sử dụng APD ở phía thu.
receiver.
(e) An avalanche Hỏi nên sử
photodiode receiver. dụng pin hay
Using these APD cho hệ
components, the thống này?
engineer wishes to
construct a 5-km link
operating at 20 Mb/s. If
the sensitivities of pin
and APD receivers are
-45 and -56 dBm,
respectively, which
receiver should be used
if a 6-dB system
operating margin is
 required?
8.3 Using the step response Với g(t) = 0.1 Ta có công thức:
g(t), show that the 10- và g(t) = 0.9. g ( t ) =( 1−e−2 π B t ) u(t) rx

to 90-percent receiver CMR: Với g(t) = 0.1 và g(t) = 0.9 ta được:

rise time is given by Eq. 350
t rx=  ( 1−e−2 π B t )=0,1 rx 10

(8-4). Brx
⇒ e−2 π B t
rx 10
=0,9
 ( 1−e−2 π B t ) =0,9 rx 90

⇒ e−2 π B t
rx 90
=0,1
Mà:
e−2 π B t
2 π Brx t rx −2 π Brx t (90−10)
rx 10
0,9
e =e = −2 π B t
= =9
e rx 90
0,1
⇒ 2 π Brx t rx =ln 9
ln 9
⇒ t rx =
2 π Brx
0,35
⇒ t rx =
B rx

8.4 (a) Verify Eq. (8-12). (a) Chứng (a) Ta có:

Show that Eq. (8-14) minh công thức g  t1/2   0,5.g  0 
(8.11)
t1/2   2 ln 2  .
1/2
follows from Eqs. (8- 1  t /2 1 2 2

10) and (8-13). (b) Chứng minh  e  0,5. 1/2

2 2
công thức 2
t
0.44   1/22  ln  0,5 
f3dB  B3 dB  2
t FWHM
 t1/ 2   2 ln 2 
1/ 2
được tạo ra từ .
(đpcm)
1 −w σ / 2(b) Tại f3dB thì G ( w 3 dB )=0,5 G(0)
2 2

G(w)= ⅇ
√2 π 1
−w σ
1
3 dB
2 2

t FWHM  2t1/2 ⇒ ⅇ 2 =0,5.

√2 π √2 π
 2  2ln 2 
1/2 2 2
w 3 dB σ
và ⇒ =ln 2
2
2 ln2
⇒ f 3 dB= √ (*)
2π σ
Ta có:
t FWHM  2t1/2  2  2ln 2 
1/ 2

t FWHM
⇒σ= 1 /2
2(2 ln 2)
Thế σ vào (*) ta được:
2.2 ln 2 0,44
⇒ f 3 dB= =
2 π t FWHM t FWHM
8.5 Show that, if τ e is the Chứng minh Từ phương trình (8-9), đáp ứng ở đầu ra sợi
full width of the rằng, nếu τ e là quang là:
Gaussian pulse in E.q toàn bộ chiều 1 −t 2
g(t )= exp ⁡( 2 )
(8-9) at the 1/e point, rộng của xung √2 π σ 2σ
then the relationship Gaussian trong Nếu τ e là thời gian cần thiết cho g(t) để giảm
between the 3-dB phương trình xuống g(0)/2, sau đó:
optical bandwidth and t e (8-9) tại điểm 1 −τ e2 g ( 0 ) 1
is given by 1/e, thì mối liên
hệ giữa băng
g ( τ e) =
√2 π σ
exp
2σ( )
2
=
e
=
√ 2 π σe
f 3 dB=0.53 /t e thông và sợi Từ đây ta có τ e =√ 2 σ . Từ τ e là toàn bộ chiều rộng
quang 3-dB và xung tại điểm 1/e, sau đó
t e được cho bởi t e =2 τ e =2 √ 2 σ
f 3 dB=0.53 /t e Từ phương trình (8-10) tần số 3-dB là điểm mà
1
tại đó G ( f 3 dB ) = G(0)
2
te
Do đó với σ = thì
2√ 2
2
1 1 1
G ( f 3 dB ) =
√2 π
exp [−1
2 ]
( 2 π f 3 dB σ ) = ×
2 √2 π
Giải cho f 3 dBta được:
2 ln 2 √ 2 ln2 2 √ 2 0.53
f 3 dB = √ = × =
2 πσ 2π te te

8.6 Một hệ thống truyền Brx = 90 MHz a) Thời gian lên risetime của hê ̣ thống là:
dữ liệu mã hóa NRZ với
tốc độ 90-Mb/s qua 2 -Nguồn phát 1/2
Laser Diode   440 Lq   350 
2

kênh truyền sử dụng tsys  ttx2  D 2 2 L2     
GaAlAs  B0   Brx 
Laser Diode GaAlAs có  
spectral width là 1-nm. -Data rate =  2
1/2
 440  7  0,7   350  2 
  2    0, 07   1  7   
2 2 2
Thời gian lên (the rise 90 Mb/s 
 800   90  
time) của máy phát laser    
ở ngõ ra là 2ns. Khoảng -ttx = 2 ns  4, 63ns
cách truyền là 7km over Đô ̣ rô ̣ng xung dữ liê ̣u:
-Spectral
a graded-index fiber có 1 1
width = 1nm Tb    11,1ns
Bandwidth–distance B 90Mb / s
product Bo = 800 – -L = 7 km Vì 0,7Tb =7,8 ns > Tsys, vì thế thỏa điều kiện để
MHz.km. sử dụng nguồn phát led với tốc độ 90Mb/s
(a) Nếu bằng thông máy -Bo = 800
thu là 90 MHz và hệ MHz.km,q= b) Trường hợp q=1,0
0.7
số mode – mixing q
 = 0.7, thời gian lên 1/2
  440 Lq   350 
2

của hệ thống Tsys là  ttx2  D 2 2 L2  
tsys   
bao nhiêu? Có phải   B0   Brx  
thời gian lên (the rise 1/2
 2  440  7  1   350 2 
time) thỏa điều kiên   2    0, 07   1  7   
2 2 2

dữ liệu mã hóa NRZ  800   90  
   
thu được ít hơn 70  4,818ns
phần trăm của độ
rộng xung?
(b) Thời gian lên của hệ
thống Tsys là bao
nhiêu nếu không có
mode – mixing trên
đường truyền 7km,
q=1.
8.7 Xác minh đồ thị trong Đầu phát: Vẽ đồ thị tương quan giữa L và B
Fig.8-5 về khoảng cách -GaAlAs laser a) Giới hạn suy hao:
truyền dẫn với tốc độ diode ở  = Pt  Pr  2  lc    f L  SM
dữ liệu của hệ thống. 850nm với Pr  9 log B  68,5
Máy phát là một diode -Pt = 0 dBm = L
 0  9 log B  68,5  2.1  6 
laser GaAlAs hoạt động 1mW f
ở bước sóng 850nm.
Công suất ghép quang -   = 1nm  9 log B  60,5 
L
là 0 dBm (1 mW), và Sợi quang: 3,5
độ rộng phổ nguồn là 1 - αf =3,5dB/km (2 connector ở 2 đầu phát và thu ;hệ thống trong
nm. Sợi quang suy hao bài không có slice nên không tính suy hao của
-B0 =
3.5 dB / km ở bước slice)
800MHz.km
sóng 850nm và tích b) Giới hạn tán sắc mode
băng thông với khoảng -Suy hao
cách truyền là connector : 1- 0, 44 Lq 0, 7
dB/connector tmod  
800MHz.km. Máy thu B0 B với B = 800 MHz/km
sử dụng một photodiode -SM= 6 dB 0

silicon thác dổ có độ Đầu thu: 1

nhạy với tốc độ dữ liệu Đô ̣ nhạy xấp xỉ  800  0,7  q

 L    
được biểu diễn ở Fig. 8- công thức:  0, 44  B 
3. Để đơn giản, độ nhạy Pr  9 log B  68,5 2
 1273 
máy thu (dBm) có thể a) Vẽ đồ thị  L  , q  0,5
xấp xỉ với công thức:  B 
biểu diễn
Pr = 9 log B – 68.5 giới hạn suy c) Với q= 1:
Với B Mb/s là tốc độ dữ hao khoảng
liệu. Dãy tốc độ dữ liệu cách truyền.
 từ 1-1000 Mb/s, vẽ dồ b) Vẽ dồ thị 1273
thị biểu diễn giới hạn giới hạn tán L
Giới hạn tán sắc mode: B
suy hao với khoảng sắc mode với
cách truyền (bao gồm q = 0.5. d) Giới hạn tán sắc vật liệu
suy hao connector là 1- c) Vẽ dồ thị tmat  Dmat   0,7Tb
dB/connector và lề hệ giới hạn tán 0, 7Tb 0,7 104
thống là 6 dB), giới hạn  L   
sắc mode với Dmat  Be6.0,07e  9.1 B
tán sắc mode với đầy đủ q = 1.
các mode trộn với nhau
d) Vẽ đồ thị với   = 1nm; bước sóng trong khoảng 800-900
(q = 0.5), giới hạn tán thì Dmat = 0,07ns/(nm.km)
giới hạn tán
sắc mode không có trộn
sắc vật liệu.  Hình 1: Giới hạn tsuy hao khoảng cách truyền
mode (q = 1), và giới
và giới hạn tán sắc khi q=1
hạn tán sắc vật liệu.

 Hình 2: Giới hạn tán sắc khi q=0,5

 Hình 3: Giới hạn tán sắc vâ ̣t liê ̣u

8.8 Vẽ đồ thị tương tự - PR = a) Giới hạn suy hao:

như hình 8-5 biểu diễn 11.5 log
sự tương quan giữa B – 60.5 
Ta có: PT = PS – PR = 2(lc) + f L + SM (do
khoảng cách truyền và - Khoảng bỏ qua suy hao mối hàn)
tốc độ dữ liệu của hệ tốc độ
P  PR  2lc  SM 39,5  11,5log B
thống sau. Bộ phát dữ liệu L S 
dùng LED InGaAsP từ 100 – f 1,5
hoạt động ở 1300 nm. 1000 b) Tán sắc mode:
Công suất phối hợp ở Mb/s
nguồn là -13dBm và độ - Suy hao 0, 44 Lq 0, 7
rộng phổ nguồn là 40 tmod  
tại mối B0 B
nm. Suy hao sợi quang nối:lc= 1
 là 1.5dB/km và băng dB 1

thông 800 MHz-km. Bộ - SM= 6  800  0, 7  q

 L    
thu sử dụng PIN dB  0, 44  B 
InGaAs có độ nhạy so
- αf: 1.5 2
với tốc độ dữ liệu được  1273 
Db/km L 
cho trong hình 8-3. Để + Với q=0,5: ta có  B 
đơn giản, độ nhạy bộ - Ps
thu có thể được tính =13dBm 1273
L
theo công thức: + Với q=1: ta có B

PR = 11.5 log B – 60.5  Hình 1: Tương quan giữa khoảng cách truyền
và tốc đô ̣ dữ liê ̣u
B là tốc độ dữ liệu
Mb/s. Khi tốc độ dữ
liệu nằm trong khoảng
10-1000 Mb/s, vẽ
khoảng cách truyền suy
hao giới hạn (gồm suy
hao bộ ghép nối 1 dB
và hệ thống lề 6 dB),
giới hạn tán sắc cho sợi
không có mode (q=1.0),
giới hạn tán sắc cho sợi
full mode (q=0.5). Chú
ý rằng, tán sắc vật liệu
có thể bỏ qua trong
trường hợp này, có thể
được xem như hình 3-
13.

 Hình 2: Giới hạn tán sắc của sợi no mode

và full mode

8.9 Một mối nối quang có λ = 0,155 μm Công suất dự trữ với tốc độ 622Mb/s và độ nhạy
bước sóng 1550nm ở Transmitter -39dBm.
chế độ đơn mode hoạt PS  PR  LT  SM
Tốc độ truyền:
động ở tốc độ 622Mb/s 622 Mb/s  13  (39)  1,5  0.35  80  0,1 79  SM
trên 80km mà không có  SM  14, 6dB
bộ khuếch đại. Nguồn Source laser =
phát laser đơn mode 1550 nm
Công suất dự trữ với tốc độ 2,0Gb/s và độ nhạy
InGaAsP có công suất Công suất nguồn -31dBm.
là 13dBm. Hệ số suy
 hao 0.35dB/km, mối Ps = 13dBm PS  PR  LT  SM
hàn suy hao 0.1dB mỗi Channel  13  ( 31)  1,5  0.35  80  0,1 79  SM
km. Mối hàn ở đầu thu  SM  6, 6dB
suy hao 0.5dB, đầu thu Hệ số suy hao
dùng InGaAs APD có 0.35dB/km
độ nhạy là -39dBm. Suy hao qua mối
Noise penalties ước hàn
lượng là 1.5dB. Tìm 0.1dB/splice/km
công suất dữ trữ của hệ
Receiver
thống (system margin).
Tìm công suất dự trữ APD 1550nm
với tốc độ 2.5 Gb/s với
Pr = -39dBm
APD có độ nhạy
-31dBm. Noise penalties
= 1.5dB
Công suất dự trữ
(SM) = ?
Công suất dự trữ
với tốc độ truyền
2.5 Gb/s và Pr =
-31dBm.

8.10 Một mã RZ phổ biến

được sử dụng trong các
hệ thống cáp quang là
mã Manchester quang.
điều này được hình
thành bằng cách bổ
sung modulo 2 trực tiếp
vào tín hiệu dải cơ sở
(NRZ-L) và tín hiệu
đồng hồ tần số kép như
thể hiện trong hình. 8,9.
sử dụng sơ đồ này, vẽ
chuỗi xung cho chuỗi
dữ liệu 001101111001.
8.11 Thiết kế logic bộ mã Sử dụng cổng EXOR, có thể được thực hiện bằng
hóa cho bộ phủ một mạch tích hợp duy nhất. Hoạt động như sau:
Manchester từ NRZ đến + Trong khoảng thời gian đồng hồ được so sánh
quang. với ô bit và các đầu vào không giống nhau, thì
 EXOR có đầu ra cao.
+ Khi hai đầu vào giống hệt nhau, đầu ra EXOR
sẽ chậm.
 Đối với binary 0, EXOR tạo ra mức cao trong
nửa cuối của ô quỹ đạo
 Đối với binary 1, đầu ra cao trong nửa đầu của
ô bit.
A B C
L L L
L H H
H L H
H H L
8.12 Xem xét bộ mã hóa
hiển thị trong hình. P8-
12 thay đổi dữ liệu
NRZ thành dạng sóng
PSK (khóa dịch pha).
Sử dụng bộ mã hóa này,
vẽ các dạng sóng NRZ
và PSK cho chuỗi dữ
liệu
0001011101001101

8.13 Mã 3B4B chuyển đổi a.Cho dữ liệu a. Dữ liệu

các khối của ba ký hiệu 010 001 111 010 001 111 111 101 000 000 001 111 110
nhị phân thành các khối 111 101 000 Luồng bit được mã hóa bằng mã 3B4B là:
gồm bốn chữ số nhị 000 001 111
phân theo quy tắc dịch 110. 0101 0011 1011 0100 1010 0010 1101 0011
được hiển thị trong Tìm mã chuyển 1011 1100
Bảng P8-13. Khi có hai đổi theo mã
khối liên tiếp gồm ba 3B4B. b. Số bit giống hệt nhau liên tiếp trong mã
vùng, các khối nhị phân b. Số bit giống chuyển đổi nhiều nhất là 4 bit
được mã hóa 0010 và hệt nhau liên
1101 được sử dụng luân tiếp trong mã
phiên. tương tự, các được mã hóa là
khối được mã hóa 1011 bao nhiêu?
 và 0100 được sử dụng
luân phiên cho các khối
liên tiếp gồm ba khối
8.14 Công thức 8.19 biểu a. Với x=0.7=>Q=6 ta có
diễn công suất gây ra b.Với x=0.7 và
bởi nhiễu (tính bằng k=0.3 cho mức
dB) dưới dạng hàm theo công suất
biến BLDσ λ (dao động 0.5dB
từ 0 đến 0,2) ở mức 10- Ta có 0.7+2 k 2 .6 2 4
10 Pmpn = −5 log (1− (πBLDσ λ) )
BER cho hệ số nhiễu L=100km., 0.7+1 2
âm thanh chế độ k = Pmpn= 0.5 dB =-7.94 log (1 - 18k 2 π 4 h4 ) với h = BLDσ λ
0,4, 0,6, 0,8 và 1 khi sử B1 = 155 Mb/s
dụng APD InGaAs với = 1.55x10-4
x = 0,7. b/ps
a. Vẽ đồ thị công suất B2 = 622 Mb/s
theo thông số BLDσ λ = 6.22x10-4
b. Cho rằng một laser b/ps
Ta có với
đa chế độ có độ rộng
x=0.7 , k=3 .
phổ 2.0nm, độ phân tán
Tìm Q cho mỗi
tối thiểu cần thiết cho trường hợp B
100km để hoạt động ở
mức 155Mb / s và
622Mb / giây với mức
phạt công suất 0,5dB Đồ thị Pmnp theo BLDσ λ
(4 đường tương ứng với k = 0,4, 0,6, 0,8 và 1)
b
Ta có với x=0.7 , k=3 . Tìm Q cho mỗi trường
hợp B
Pmpn=-7.94 log (1 - 18k 2 π 4 L4 B 4 Q4) = 0.5
Với B1 =1.55x10-4 b/ps => Q1 = 5,52
ps/(nm.km)
Với B1 =6.22x10-4 b/ps => Q2 = 1.37 ps/(nm.km)

8.15 a. Vẽ đồ thị năng lượng a. Vẽ đồ thi a. tchirp =0.1ns . B= 2.5GB/s

theo thông số DLδ λ với với tchirp và B
các trường hợp tchirp và cho trước
B: b.B= 2.5GB/s,
(a) . tchirp =0.1ns . B= ∆=¿0.5dB,
2.5GB/s với D=
(a) . tchirp =0.1ns . B=
1.0ps/(nm-
B= 622MB/s km) và δ λ
(c) . tchirp =0.05 ns. B= =0.5nm.
2.5GB/s Tìm khoảng
giới hạn L?s tc hirp
(d) . tchirp =0.05ns . B=
622MB /s
b. Tìm giới hạn L biết
B= 2.5GB/s, ∆=¿
0.5dB, với D=
1.0ps/(nm-km) và
δ λ=0.5nm

=0.1ns . B= 622MB/s = 0.67GB/s

tchirp =0.05 ns . B= 2.5GB/s

tc hirp

=0.05 ns . B= 622MB/s = 0.67GB/s

b.
Tìm L biết B= 2.5GB/s, ∆=¿0.5dB, với D=
1.0ps/(nm-km) và δ λ=0.5nm
Chọn tchirp =0.05 ns ta có
4 2 2
∆ = ( π −8) tchirpDL B2 δ λ[1+ DL δ λ−¿ tchirp]
3 3

4 2
=>0.5 =( 3 π −8) *0.05*1.0L.¿[1+
2
1.0∗L∗0.5−¿0.05]
3
=> L1= 0.54km và L2= 1.02km
Vây giới hạn khoảng cách tại 2.5Gb/s để
∆=¿0.5dB là
∆ L=[ 0.54 , 1.02 ] (km)