C3 Transistor BJT

BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ, ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP.
HỒ CHÍ MINH
Mục tiêu
Học xong chương này người học có thể:
 Mô tả được cấu tạo, nguyên lý hoạt
động, đặc tuyến và ứng dụng của các
loại transistor lưỡng cực (BJT)
 Tính toán được các tham số phân cực tĩnh của BJT
 Biết tra cứu datasheets và sử dụng được loại
transistor để lắp đặt các mạch ứng dụng đơn giản.
 Nhận dạng, đo kiểm, xác định chân cực và đánh

giá được chất lượng của các loại BJT
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ, ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Nội dung chính
3.1. Phân loại, cấu tạo, ký hiệu transistor

3.2. Nguyên lí hoạt động của BJT
3.3. Phân cực và các chế độ làm việc của BJT
3.4. Các kiểu mắc cơ bản, họ đặc tuyến của BJT
3.5. Các thông số kỹ thuật của BJT
3.6. Kỹ thuật phân cực
3.7. Đo kiểm linh kiện
Hình 3.1. Hình dạng một số transistor thông dụng
• BJT là một dụng cụ bán dẫn được tạo nên từ 2 chuyển

tiếp P-N. Cấu tạo và ký hiệu quy ước:
JE JC JE JC
E C E C
P++ N P+ N++ P N+
B B
a) Transistor PNP b) Transistor NPN
Emitter Collector Emitter Collector
Base Base
Ø JE là tiếp giáp giữa miền Emiter và Base, gọi là

tiếp giáp Emiter (hay tiếp giáp EB).
Ø JC là tiếp giáp giữa miền Collector và Base, gọi là
tiếp giáp Base (hay tiếp giáp CB).
Ø Các chân cực tương ứng:
-Emitter (phát): miền pha tạp nhiều nhất, mật độ
hạt tải điện lớn nhất. (N++, P++)
-Base (gốc,đáy): Rất hẹp, pha tạp ít nhất (P,N)
-Collector (góp, thu): pha tạp vừa phải (N+, P+)
Transistor PNP
Thu
_
Gốc
Phát
+
Transistor NPN
Thu
+
Gốc
_
Phát
3.2. Nguyên lý hoạt động
Hình 3.3. Giải thích nguyên lý hoạt động của BJT
I E  IC  I B
C IC
+
IC   I E
n+  - HS truyền đạt dòng điện
+B p
VCC
+
IB
VBB IC   I B
+
n++
E -  - Hệ số KĐ dòng điện
IE
I E  IC  I B
IC IC   I E IC
IC   I B
IB IB
IE
IE
 - Hệ số truyền đạt dòng điện

 - Hệ số khuếch đại dòng điện
IC
  - Hệ số truyền đạt dòng điện
IE
  
I C   I E   ( I B  I C )  I C (1   )   I B  I C    IB   IB
 1 

IC
   - Hệ số khuếch đại dòng điện
1 IB
α = 0,95 ÷ 0,999 
 = 20 ÷ 200
Chú ý!
Tồn tại dòng nhiệt do các động tử thiểu số gây ra
I C   I E  I CB 0   ( I B  IC )  I CB 0
 1
IC  IB  I CB 0   I B  (   1) I CB0
1 1
Đặc tính vào, đặc tính truyền đạt
I B  f (VBE ) IC  f ( I B )
IC   I B
Đặc tính vào (phân cực) Đặc tính truyền đạt
Đặc tính ra của BJT I C  f VCE  I
B const
I B  f (VBE ) IC  f ( I B ) I C  f VCE  I const

B
IC   I B
Đặc tính vào (phân cực) Đặc tính truyền đạt Đặc tính ra
3.3. PHÂN CỰC VÀ CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA BJT
ON bão hòa
Khuếch đại
OFF
Đặc tính truyền đạt
ON Khuếch đại ON Bão hòa
Chế độ khóa
Chế độ khuếch đại OFF (Switch)
(Active)
BJT
ON bão hòa
Khuếch đại
OFF
Hình 3.5. Chế độ khóa của transistor
3.3.1. Chế độ khóa (OFF): Không phân cực: IB = 0; VBE = 0, IC = 0
OFF
T tắt (Off) Khóa OFF
3.3.1. Chế độ khóa (ON): Phân cực mạnh: IB > IBS; VCE = 0,2V; IC =ICS
ON
ON bão hòa
Khuếch đại
OFF
Phân cực đủ mạnh IB > IBS Transistor thông bão hòa
3.3.1. Chế độ khuếch đại: Phân cực: 0 < IB< IBS ; IC = βIB
KHUẾCH ĐẠI
BIT làm việc trong miền tác động (Active)
3.4. CÁC KIỂU MẮC CƠ BẢN CỦA BJT
3.4.1.Khái niệm chung

Transistor có 3 kiểu mắc cơ bản như hình 3.6 là E chung
(Common Emitter), B chung (Common Base) và C chung
(Common Collector).
Hình 3.6. Các kiểu mắc cơ bản của BJT
3.4. CÁC KIỂU MẮC CƠ BẢN VÀ HỌ ĐẶC TUYẾN CỦA BJT
3.4.2. Các đặc tuyến cơ bản của BJT
- Đặc tuyến vào I B  f VBE  V const

CE 
- Đặc tuyến truyền đạt: I C  f  I B  V const

CE 
IC  f  I B  V const
CE 
I B  f VBE  V const
CE 
- Họ đặc tuyến ra: I C  f VCE  I const

B
3.4.2. Mạch khuếch đại mắc Emitter chung (CE)
Đặc tính của mạch CE:

 Tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào (đảo pha)
 Trở kháng vào và ra trung bình
Được dùng trong các mạch khuếch đại điện áp
3.4.3.Mạch khuếch đại mắc Base chung (CB)
Đặc tính của mạch CB:

 Tín hiệu ra cùng pha tín hiệu vào
 Trở kháng vào nhỏ, trở kháng ra lớn,
 Có độ lợi dòng Ai  1 vì IE  IC
3.4.4. Mạch khuếch đại Collector chung (CC)
Đặc tính của mạch CC:

 Tín hiệu ra cùng pha tín hiệu vào (mạch lặp áp)
 Trở kháng vào lớn, trở kháng ra nhỏ, thường dùng để phối hợp trở kháng.
Có độ lợi dòng lớn, dùng trong tầng lối ra mạch khuếch đại công suất.
3.5. CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CỦA BJT
Các thông số kỹ thuật quan trọng bao gồm:
 Loại cấu trúc BJT: NPN hay PNP

 Độ lợi dòng một chiều hFE (hay DC)
 Tần số giới hạn (tần số cắt) f  (mạch CE);
f(CB)
 Dòng rò ngược ICB0; IEB0
 Thế bão hòa VCE (sat); VBE (sat)
 Tạp âm NF (Nose Figure)
Các thông số giới hạn (Maximum ratings):
 Điện áp làm việc tối đa: (VCE0 ; VCB0 ; VEB0)max

 Dòng tải tối đa: (IC)-max
 Dòng phân cực: (IB)max
 Công suất tiêu tán cực đại PC max
 Dải nhiệt độ làm việc cho phép (Tj; Tstg)max
Hình 3.14. Miền làm việc và các thông số giới hạn của BJT
Trích datasheets của transistor đa dụng 2SC1815 của hãng TOSHIBA
(www.datasheetcatalog.com)
Trích datasheets của transistor đa dụng 2SC1815 của hãng
TOSHIBA (www.datasheetcatalog.com)
3.6. KỸ THUẬT PHÂN CỰC
3.6.1. Khái niệm
ØChế độ khuếch đại. Khuếch đại tín hiệu

+ Tiếp giáp BE phân cực thuận,
+ Tiếp giáp CB phân cực nghịch.
ØChế độ khóa: (on/off). Điều khiển xung, số
+ On - Thông bão hòa: Cả hai tiếp giáp phân cực thuận
+ Off - Cả hai tiếp giáp phân cực nghịch.
3.6. KỸ THUẬT PHÂN CỰC
3.6.1. Khái niệm
 Phân cực từ hai nguồn riêng rẽ VBB và VCC
 Phân cực từ một nguồn VCC
 Dùng điện trở RB tạo nguồn dòng cố định
 Dùng điện trở RB tạo hồi tiếp điện áp
 Dùng cầu phân áp RB1-RB2
 Phân cực bằng dòng Emitter
3.6.2. Phân cực từ hai nguồn riêng rẽ VBB và VCC
RC RC
IC VCC IC
RB RB
VCC
IB VBE IB VBE
VBB VBB
RE
Không có RE Có RE
3.6.2. Phân cực từ hai nguồn riêng rẽ VBB và VCC
Mạch phân cực Mạch tải

Nguồn VBB Nguồn VCC
ICQ   I BQ
VBB VBE  I BQ RB  0
VCEQ  VCC - ICQ RC
VBB  VBE
I BQ  IC  
1 V
VCE  CC
RB RC RC
Đường tải tĩnh và điểm phân cực Q
I C  f VCE  I const
B
Đường tải DC
VCE  VCC - I C RC
1 VCC
IC   VCE 
RC RC
Điểm phân cực tĩnh
Q(VCEQ , ICQ )
ICQ   I BQ ; VCEQ  VCC - ICQ RC
Ví dụ 1
Cho sơ đồ mạch phân cực dùng hai nguồn như hình 3.19.
Trong đó transistor Si có V= VBE= 0,7V; =80; RC = 2k; RB =
50 k; VBB = 3,7V; VCC =18V.
Hãy xác định tọa độ điểm phân cực tĩnh Q và vẽ đồ thị đường
tải tĩnh một chiều (DCLL).
Bài giải
1. Tọa độ điểm phân cực tĩnh:
VBB  VBE 3, 7V  0, 7V
I BQ    60  A
RB 50k
I CQ   I BQ  80.60  4800  A  4, 8 mA
VCEQ  VCC – I C RC  18  4, 8  2  8, 4V
2. Đường tải DC
1 VCC
I C ( mA)   VCE   0,5VCE  9
RC RC
Bài giải
I C ( mA)  0,5VCE  9
VCC
9mA Đường tải DCLL
RC
Q
ICQ 4, 8mA
8, 4V 18V
VCEQ VCC
Ổn định nhiệt độ điểm phân cực
RE
Mắc RE để ổn định nhiệt
Ổn định nhiệt độ điểm phân cực
Phương trình hàm truyền đạt

I C   I B  (   1) I CB 0
   I CB 0  I   V 
C CE Q xê dịch
   I CB 0   I C   VCE 
Mắc RE để ổn định nhiệt
VBE  VB  VE  VB  I E RE
   I CB 0   I C   I 
E
 V BE   I   I 
B C
Ngược lại
3.6.3. Phân cực dùng điện trở RB
Nguồn phân cực VBB  VCC ; RBB  RB
3.6.3. Phân cực dùng điện trở RB
Toạ độ điểm phân cực Phương trình đường tải tĩnh

VCC  VBE
I BQ  VCE  VCC - I C RC
RB
I CQ   I BQ 1 VCC
I C   VCE 
RC RC
VCEQ  VCC - I CQ RC
Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp
Thế các chân:
VC  VCC - (I C  I B ) RC
VE  0
VB  VBE
Các dòng:
VC  VB VCC  VBE
IB  
RB RB  (  1) RC
I C   I B  (   1) I CB0
I E = IC  I B  IC
3.6.4. Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp
Dòng phân cực
Đường thẳng tải

VCE  VCC - (I C  I B ) RC
I C   I B  (   1) I CB0
Ổn định nhiệt
   I CB 0   I C  VCE   I B   I C 
   I CB 0   I C  VCE   I B   I C 
Như vậy mạch tự động điều chỉnh để ổn định
3.6.5. Phân cực bằng cầu phân áp
Thevenin
RB1
VBB  VCC
RB1  RB 2
RB1 RB 2
RBB  ( RB1 || RB 2 ) 
RB1  RB 2
3.6.5. Phân cực bằng cầu phân áp
Thevenin
Dòng phân cực

VBB  VBE VBB  VBE
IB  IC   I B 
RBB   RE  RBB 
   RE 
PT tải DC  
1 VCC
VCE  VCC  I C ( RC  R E ) IC   VCE 
RC  RE RC  RE
Ví dụ:
Cho sơ đồ mạch phân cực dùng cầu phân áp hình 3.25, a.
Trong đó transistor Si có =100; V= VBE=0,7V; VCC =18V.
1. Xác định tọa độ điểm phân cực tĩnh Q
2. Vẽ đồ thị đường tải tĩnh DCLL
Hình 3.25, a.
Bài giải
1. Xác định tọa độ điểm phân cực tĩnh Q
Mạch tương đương Thevenin như hình 3.25, b. Trong đó:
RB1 5
VBB  VCC  18  6V
RB1  RB 2 10  5
R BB  ( R B1 || R B 2 )  (5 k  || 10 k  )  3, 33k 
VBB  VBE 6  0, 7
I BQ    0, 051mA  51 A
RBB   RE 3,33  100 1
I CQ   I BQ  100  0, 051  5,1mA
VCEQ  VCC - I C ( RC  R E )  18  5,1(1  1)  7, 8V
Q (VCEQ ; I CQ )  Q (7, 8V ; 5,1mA )

2.Vẽ đồ thị đường tải tĩnh DCLL
VCE  18  2 I C
Hay:
I C ( mA )   0, 5VCE  9
3.6.6. Phân cực bằng dòng Emitter
VEE  VBE IC   I B
IB 
RB   RE
VCE  (VCC  VEE )  ( I C RC  I E R E )
VCE  (VCC  VEE )  I C ( RC  R E )

3.6.7. Mạch tương đương xoay chiều của BJT
3.6.7.1.Mô hình hóa BJT
• Khi làm việc với tín hiệu nhỏ có thể xem transistor như một phần tử
tuyến tính. Mô hình hóa transistor như một mạng 4 cực tuyến tính:
I1 I2
V1 BJT V2
Giữa các đại lượng vào V1,I1 và các đại lượng ra V2,I2 có thể viết
được 6 cặp phương trình quan hệ:
Biến I1, I2 V1, V2 I1, V2 V1, I2 V2, I2 V1, I1
Hàm V1, V2 I1, I2 V1, I2 I1, V2 V1, I1 V2, I2
• Trong thực tế chỉ 3 quan hệ đầu hay sử dụng ứng với 3 hệ tham số đặc
trưng: tham số z, y và h trong đó hệ tham số h được sử dụng nhiều
nhất. Từ hệ phương trình:
V1  f1 ( I1 ,V2 )
I 2  f 2 ( I1 ,V2 )
Lấy vi phân toàn phần của các hàm V1, I2 ta có:
V1 V1
dV1  dI1  dV2  h11dI1  h12dV 2
I1 V2
I 2 I 2
dI 2  dI1  dV2  h21 dI1  h22 dV2
I1 V2
Hay ta viết: v1  h11i1  h12 v2 (a)
i2  h21i1  h22 v2 (b)
v
Trong đó: h  1 Điện trở (trở kháng) vào của BJT khi ngõ ra ngắn mạch
11  hi
i1 v2  0
với tín hiệu xoay chiều
i2 Hệ số khuếch đại dòng khi ngõ ra ngắn mạch với tín

h21   hf
i1 v2  0
hiệu xoay chiều
v1
h12   hr Hệ số hồi tiếp điện áp khi hở mạch ngõ vào với tín
v2 i1  0
hiệu xoay chiều
i2 Điện dẫn (dẫn nạp) ra khi hở mạch ngõ vào với tín
h22   h0 hiệu xoay chiều
v2 i1  0
• Nếu chia PT (b) cho (a):

i2 h21i1  h22 v2
gm  
v1 h11i1  h12 v2
Khi v2 = 0 – ngắn mạch ngõ ra với tín hiệu xoay chiều ta có:
i2 h21 h f
gm   
v1 h11 hi
gm gọi là hỗ dẫn cho ảnh hưởng của điện áp vào đối với dòng điện ra.
Với mạch CE ta có:
h fe
gm  ; hay h fe  g m hie
hie
Từ hệ PT:
v1  h11i1  h12 v2 (a)
i2  h21i1  h22 v2 (b)

Ta vẽ được sơ đồ tương đương tham số h với tín hiệu nhỏ, tần số thấp:
Ø Giá trị h12 thường rất bé ~(10-3 – 10-4) nên ở mạch vào nguồn áp
này có thể bỏ qua.
Ø Ở ngõ ra, nguồn dòng h21i1 phản ánh khả năng KĐ dòng
của BJT. Nguồn dòng này có nội trở vô cùng lớn. Điện
dẫn ra h22 chính là độ dốc của đặc tuyến BJT có giá trị
rất bé (tức điện trở ra 1/h22 rất lớn) có thể bỏ qua.
Ø Như vậy sơ đồ tương đương đơn giản hóa có dạng:
3.6.7.2. Áp dụng cho mạch mắc CE
vi 25mV
hie  
ii v0  0
I EQ (mA)
i2 iC
h fe   
i1 v2  0
iB
3.6.7.2. Áp dụng cho mạch mắc CB
vi 25 (mV )
hib  
ii V0  0
I EQ (mA)
i0 iC
h fb   
ii V0  0
iE
3.6.7.3. Áp dụng cho mạch mắc CC
vi 25mV 25mV
hiC   (   1) 
ii V0  0
I EQ I EQ
i0 iE
h fC    (   1)  
ii V0  0
iB
BT chương 3 (Trang 155 – 158)
3.1 – 3.5: Lý thuyết
3.6 – 3.10: Mạch phân cực
3.11 – 3.14: Mạch tương đương AC
Đo kiểm Transistor
Thao tác 1. Xác định chân B (Base )
Đo thuận – kim không lên

Ôm kế đặt ở X1K, đo thuận - nghịch từng cặp chân. Nếu đo cặp
nào mà cả thuận và nghịch kim đều không lên (điện trở lớn bằng vô
cùng) thì chân còn lại là chân B.
Thao tác 1. Xác định chân B (Base )
Đo nghịch – kim không lên, chân còn lại là B
66
Thao tác 2. Xác định transistor thuộc PNP hay NPN
Đặt que đen ôm kế vào chân B, que đỏ vào một trong hai chân
còn lại.
Nếu kim lên, PN phân cực thuận, transistor thuộc loại NPN
67
Thao tác 2. Xác định transistor thuộc PNP hay NPN
Kim không lên, PN phân cực nghịch, transistor là PNP
68
Thao tác 3. Xác định các chân E và C.
69
Thao tác 3. Xác định các chân E và C.
70
Bước 1. Xác định chân B (Base )
- Chọn thang đo Ôm X1K;

- Chập hai que đo, chỉnh zero;
- Cặp que đo lần lượt đo thuận, đo nghịch từng cặp chân. Nếu đo cặp chân
nào mà cả đo thuận và nghịch kim không lên thì chân còn lại là chân B.
Bước 2. Xác định transistor thuộc PNP hay NPN
Đặt que đen vào chân B, que đỏ vào một trong hai chân
- Nếu kim lên, PN phân cực thuận, BJT thuộc loại NPN
- Nếu kim không lên, PN phân cực nghịch, BJT loại PNP
72
Bước 3. Xác định các chân E và C
Đặt ôm kế ở thang đo lớn nhất (X10K). Cặp 2 dây đo vào 2 chân EC của
transistor. Dùng một điện trở 50 k nối chân B với chân đang kẹp que đen sao
cho thấy kim đồng hồ lên, nếu kim không lên đảo chiều dây đo.
 Với transistor NPN, khi kim lên, que đen nối với chân C, chân còn lại là E
 Với transistor PNP, khi kim lên, que đen nối với chân E, chân còn lại là C

C3 Transistor BJT

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C3 Transistor BJT

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ, ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP.

 Nhận dạng, đo kiểm, xác định chân cực và đánh

3.1. Phân loại, cấu tạo, ký hiệu transistor

Hình 3.1. Hình dạng một số transistor thông dụng

• BJT là một dụng cụ bán dẫn được tạo nên từ 2 chuyển

Ø JE là tiếp giáp giữa miền Emiter và Base, gọi là

Hình 3.3. Giải thích nguyên lý hoạt động của BJT

 - Hệ số truyền đạt dòng điện

Tồn tại dòng nhiệt do các động tử thiểu số gây ra

Đặc tính vào (phân cực) Đặc tính truyền đạt

I B  f (VBE ) IC  f ( I B ) I C  f VCE  I const

Đặc tính truyền đạt

ON Khuếch đại ON Bão hòa

Hình 3.5. Chế độ khóa của transistor

3.3.1. Chế độ khóa (OFF): Không phân cực: IB = 0; VBE = 0, IC = 0

T tắt (Off) Khóa OFF

Phân cực đủ mạnh IB > IBS Transistor thông bão hòa

BIT làm việc trong miền tác động (Active)

3.4.1.Khái niệm chung

Hình 3.6. Các kiểu mắc cơ bản của BJT

3.4.2. Các đặc tuyến cơ bản của BJT

- Đặc tuyến vào I B  f VBE  V const

- Đặc tuyến truyền đạt: I C  f  I B  V const

- Họ đặc tuyến ra: I C  f VCE  I const

3.4.2. Mạch khuếch đại mắc Emitter chung (CE)

Đặc tính của mạch CE:

3.4.3.Mạch khuếch đại mắc Base chung (CB)

Đặc tính của mạch CB:

3.4.4. Mạch khuếch đại Collector chung (CC)

Đặc tính của mạch CC:

Các thông số kỹ thuật quan trọng bao gồm:

 Loại cấu trúc BJT: NPN hay PNP

Các thông số giới hạn (Maximum ratings):

 Điện áp làm việc tối đa: (VCE0 ; V­CB0 ; VEB0)max

ØChế độ khuếch đại. Khuếch đại tín hiệu

 Phân cực từ hai nguồn riêng rẽ VBB và VCC

 Phân cực từ một nguồn VCC

 Dùng điện trở RB tạo nguồn dòng cố định

 Dùng điện trở RB tạo hồi tiếp điện áp

 Dùng cầu phân áp RB1-RB2

 Phân cực bằng dòng Emitter

Không có RE Có RE

Mạch phân cực Mạch tải

Mắc RE để ổn định nhiệt

Phương trình hàm truyền đạt

Nguồn phân cực VBB  VCC ; RBB  RB

Toạ độ điểm phân cực Phương trình đường tải tĩnh

Đường thẳng tải

Dòng phân cực

VCEQ  VCC - I C ( RC  R E )  18  5,1(1  1)  7, 8V

Q (VCEQ ; I CQ )  Q (7, 8V ; 5,1mA )

VCE  (VCC  VEE )  I C ( RC  R E )

Biến I1, I2 V1, V2 I1, V2 V1, I2 V2, I2 V1, I1

Hàm V1, V2 I1, I2 V1, I2 I1, V2 V1, I1 V2, I2

Lấy vi phân toàn phần của các hàm V1, I2 ta có:

Hay ta viết: v1  h11i1  h12 v2 (a)

i2  h21i1  h22 v2 (b)

i2 Hệ số khuếch đại dòng khi ngõ ra ngắn mạch với tín

• Nếu chia PT (b) cho (a):

i2  h21i1  h22 v2 (b)

Thao tác 1. Xác định chân B (Base )

Đo thuận – kim không lên

Thao tác 1. Xác định chân B (Base )

Đo nghịch – kim không lên, chân còn lại là B

 Điện áp làm việc tối đa: (VCE0 ; VCB0 ; VEB0)max