실험제목 : Sputter 코팅 실험

1. 실험목적

이온 플라즈마를 이용하여 시료표면에 금속(Au/Pt) 박막을 입혀 전도성을 부여

2. 이론

sputtering 법은 증착을 위한 챔버 내부를 진공에 가깝게 만든 후 sputtering 가스를

진공분위기로 이루어진 camber 내로 주입한다. sputter 장치의 시스템은 target 쪽을
음극(cathod)으로 하고 기판쪽을 양극(anode)로 한다. 전원을 인가하면 주입된 sputtering
가스(Ar)는 음극쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite)되어 Ar+로 되고 이 여기된
가스는 음극인 target 쪽으로 끌려서 target 과 충돌한다(음극에 -전압을 가하면
음극사이에 전기장이 형성, 이 전기장에 노출된 Ar 가스는 Ar+로 이온화되면서 기판과
음극 간에 플라즈마가 발생). 이렇게 target 물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후
이를 대상물질(substrate)에 코팅시키는 방법이다. 이때 여기된 가스 하나하나는
hυ만큼의 에너지를 지고 있으며 충돌시 에너지는 target 쪽으로 전이 되며 이때 target 을
이루고 있는 원소의 결합력과 전자의 일함수(work function)를 극복할 수 있을 때
플라즈마는 방출된다. 발생한 플라즈마는 전자의 자유행정거리만큼 부상하고 target 과
기판과의 거리가 자유행정거리 이하일 때 플라즈마는 성막된다. 따라서 sputtering 시
기판과 target 과의 거리는 중요한 인자(factor)가 된다. 스퍼터링 공정의 수율은 충돌
이온의 입사각, 타겟 물질의 조성과 결합구조, 충돌 이온의 종류, 충돌 이온의 에너지
등으로 결정지어진다.

*참고

https://m.blog.naver.com/PostView.naver?isHttpsRedirect=true&blogId=youngdisplay&log
No=60204629611
3. 실험 장비

1) 기계 : G20 SEM Coater sputter, Rotary pump(vacuum)

2) Target : Au,

대상물질(substrate) : 전도성이 없는 시료 및 전도성이 약한 시료 (3개 준비)

4. 실험 방법

<프로그램 셋팅 후 시료 장착>

1. Current를 10mA로 설정

*current 값이 높을수록 Plasma의 강도가 우수, 코팅 두께 증가

2. Time을 180sec로 설정

*10mA 기준 분당 8nm 코팅
3. 샘플 장착 (전도성이 없거나 약한 물질 선택_본인 도금하고 싶은 물질 가능)

Ex>

*도금 전/후를 확실히 비교 할 수 있는 색깔 선택

4. 챔버 뚜껑을 닫은 후 Start 버튼 눌러 coating 시작

*챔버 내의 진공형성이 최대 1~2분 정도 소요, 이후 자동으로 플라즈마가 방출

*설정된 시간이 종료되면 플라즈마가 멈추며 진공이 해제(Vent)

*진공 잡을시 딸깍 딸깍 소리가 나는데 이것은 밸브가 on/off하는 소음