TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.

HỒ CHÍ MINH

KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

THIẾT KẾ BỘ NẠP PIN XE ĐIỆN

CÓ HỒI TIẾP ĐIỆN ÁP

NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT Ô TÔ

Sinh viên: NGUYỄN QUỐC TRƯỜNG

MSSV: 19145330

VŨ HOÀNG LONG

MSSV: 19145517

TP. HỒ CHÍ MINH – 07/2023

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH

KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

THIẾT KẾ BỘ NẠP PIN XE ĐIỆN

CÓ HỒI TIẾP ĐIỆN ÁP

NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT Ô TÔ

Sinh viên: NGUYỄN QUỐC TRƯỜNG

MSSV: 19145330

VŨ HOÀNG LONG

MSSV: 19145517

Hướng dẫn: TS. LÊ THANH PHÚC

TP. HỒ CHÍ MINH – 07/2023

 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT
NAM
Độc Lập – Tự Do – Hạnh Phúc

TP. Hồ Chí Minh, ngày ….. tháng 07 năm 2023

NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

Họ tên sinh viên: 1. Nguyễn Quốc Trường MSSV: 19145330

2. Vũ Hoàng Long MSSV: 19145517
Chuyên ngành: CNKT Ô Tô Mã ngành đào tạo:
Hệ đào tạo: CLC Tiếng việt Mã hệ đào tạo:
Khóa: 2019 Lớp: 19145CL2A
1. Tên đề tài

Thiết kế bộ nạp pin xe điện có hồi tiếp điện áp.

2. Nhiệm vụ đề tài

- Nghiên cứu tổng quan đề tài

- Cơ sở lý thuyết thiết kế mạch nạp AC - DC

- Thiết kế hệ thống mạch nạp AC - DC

- Kết luận và kiến nghị

3. Sản phẩm của đề tài

- Tập thuyết minh + mô hình + file mềm

4. Ngày giao nhiệm vụ đề tài: 04/03/2021

5. Ngày hoàn thành nhiệm vụ: 29/06/2021

TRƯỞNG BỘ MÔN CÁN BỘ HƯỚNG DẪN

 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA
VIỆT NAM
Độc Lập – Tự Do – Hạnh Phúc

TP. Hồ Chí Minh, ngày ….. tháng 07 năm 2023

NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN

Tên đề tài: Thiết kế bộ nạp pin xe điện có hồi tiếp điện áp.
Họ và tên Sinh viên: Nguyễn Quốc Trường MSSV: 19145330
Vũ Hoàng Long MSSV: 19145517
Ngành: Công nghệ Kỹ thuật ô tô

I. NHẬN XÉT

1. Về hình thức trình bày & tính hợp lý của cấu trúc đề tài:

.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
2. Về nội dung (đánh giá chất lượng đề tài, ưu/khuyết điểm và giá trị thực
tiễn)
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
II. NHỮNG NỘI DUNG CẦN ĐIỀU CHỈNH, BỔ SUNG

.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
III. ĐỀ NGHỊ VÀ ĐÁNH GIÁ

1. Đề nghị (cho phép bảo vệ hay không): . .

...................................................................
2. Điểm đánh giá (theo thang điểm 10): ....
...................................................................
Tp. Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2023
Giảng viên hướng dẫn
(Ký & ghi rõ họ tên)
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯƠNG CAO

XÁC NHẬN HOÀN THÀNH ĐỒ ÁN

Tên đề tài: Thiết kế bộ nạp pin xe điện có hồi tiếp điện áp.

Họ và tên Sinh viên: Nguyễn Quốc Trường MSSV: 19145330

Vũ Hoàng Long MSSV: 19145517

Ngành: Công nghệ Kỹ thuật ô tô

Sau khi tiếp thu và điều chỉnh theo góp ý của Giảng viên hướng dẫn, Giảng
viên phản biện và các thành viên trong Hội đồng bảo về. Đồ án tốt nghiệp đã
được hoàn chỉnh đúng theo yêu cầu về nội dung và hình thức.

Chủ tịch Hội đồng:

Giảng viên hướng dẫn:

Giảng viên phản biện:

Tp. Hồ Chí Minh, ngày tháng 07 năm 2023

 LỜI CAM ĐOAN
Chúng tôi xin cam đoan luận án tốt nghiệp “Thiết kế bộ nạp pin xe điện
có hồi tiếp điện áp” là công trình nghiên cứu của nhóm tôi, dưới sự hướng dẫn
tận tình của TS.Lê Thanh Phúc. Các số liệu cũng như kết quả được nêu ra trong
đồ án này là hoàn toàn trung thực, dựa trên sự khảo sát và thực hiện của nhóm.
Mọi tài liệu tham khảo liên quan đã được nhóm trình bày cụ thể trong phần tài
liệu tham khảo. Chúng tôi xin chịu hoàn toàn mọi trách nhiệm nếu có sai sót,
không liên quan đến thầy (cô) và Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp. Hồ Chí
Minh.

Tp. Hồ Chí Minh, tháng 07 năm 2023

Sinh viên thực hiện:

Nguyễn Quốc
Trường Vũ Hoàng
Long
 LỜI CẢM ƠN

Lời nói đầu tiên, chúng em trân trọng cảm ơn quý Thầy Cô Khoa Cơ khí
Động lực đã giảng dạy, cung cấp các kiến thức hết sức cần thiết để chúng em có
thể áp dụng vào đời sống thực tế, nói chung và đề tài này, nói riêng.

Em muốn chân thành gửi lời cảm ơn đến giảng viên hướng dẫn Tiến sĩ Lê
Thanh Phúc - Giảng viên Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật đã hỗ trợ một cách
nhiệt tình, giúp chúng em có nhiều kỹ năng và kinh nghiệm để hoàn thành đề tài
tốt nghiệp này. Đồng thời chúng em xin cám ơn gia đình và bạn bè đã hỗ trợ,
động viên chúng em trong suốt thời gian thực hiện đồ án.

Trong quá trình thực hiện đồ án tốt nghiệp, cùng với những kiến thức đã
được học và những trải nghiệm của bản thân vẫn còn chưa thật sự hoàn thiện một
cách toàn diện. Vì vậy, đề tài có thể gặp đôi chút thiếu sót, rất mong nhận được
sự góp ý và chia sẻ của Thầy, Cô. Từ đó, để bài làm của nhóm em được hoàn
thiện nhất và cải thiện được những phần thiếu sót của bản thân.

Chúng em xin chân thành cảm ơn!

 TÓM TẮT

Nhóm đã thiết kế một mạch sạc pin sử dụng nguồn điện áp 220V xoay chiều. Sau
quá trình chỉnh lưu, mạch tạo ra nguồn điện một chiều có điện áp 310V để sạc
pin lithium trên xe máy điện. Mạch này sử dụng nguồn xung flyback để xử lý
nguồn điện một chiều và tạo ra điện áp và dòng điện có thể điều chỉnh. Mục tiêu
của nhóm là tạo ra một nguồn điện ổn định và hiệu quả để sạc pin một cách hiệu
quả.

Sau quá trình nghiên cứu và thực hiện, nhóm đã tìm hiểu về cấu tạo và nguyên lý
hoạt động của các loại nguồn xung và linh kiện điện tử được sử dụng trong mạch
sạc. Dựa trên kiến thức này, nhóm đã thiết kế và mô phỏng mạch sạc trên phần
mềm Proteus. Sau đó, nhóm tiến hành thực hiện và thử nghiệm mạch trong thực
tế, bao gồm cả việc thiết kế biến áp xung.

Sau quá trình thử nghiệm và cải tiến, nhóm đã thành công trong việc tạo ra một
mạch sạc với nguồn điện đầu ra vừa đủ để sạc cho bộ pin như dự kiến. Mạch đã
được kiểm tra với các tải khác nhau và cho thấy hiệu suất hoạt động ổn định với
mức sụt áp nhỏ.

Tóm lại, nhóm đã thiết kế và thực hiện một mạch sạc pin hiệu quả sử dụng nguồn
điện 220V xoay chiều và nguồn xung flyback. Mạch này đáp ứng được yêu cầu
sạc pin lithium trên xe máy điện và đảm bảo hiệu suất hoạt động ổn định.
 MỤC LỤC
DANH MỤC HÌNH ẢNH..................................................................................xii
DANH MỤC BẢNG...........................................................................................xv
DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT............................................................................xvi
CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN...............................................................................16
1.1 LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI..............................................................................16
1.2 MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU VÀ NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU....................3
1.3 ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU..............................................3
1.3.1 Đối tượng nghiên cứu.............................................................................3
1.3.2 Phạm vi nghiên cứu................................................................................4
1.4 PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU................................................................4
1.5 MỘT SỐ ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU TƯỢNG TỰ TRONG VÀ NGOÀI
NƯỚC.................................................................................................................4
1.5.1 Trong nước.............................................................................................4
1.5.2 Ngoài nước.............................................................................................5
CHƯƠNG 2 CƠ SỞ LÝ THUYẾT.....................................................................7
2.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ MÁY BIẾN ÁP.......................................7
2.1.1 Đặc điểm và nguyên lý hoạt động của máy biến áp...............................7
2.1.2 Cấu trúc và thành phần của máy biến áp................................................8
2.1.3 Ứng dụng và vài trò của máy biến áp trong hệ thống điện ô tô.............8
2.2 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ BỘ NGUỒN CHUYỂN MẠCH CAO
TẦN....................................................................................................................9
2.2.1 Nguyên lý hoạt động của bộ nguồn chuyển mạch cao tần.....................9
2.2.2 Cấu trúc và thành phần chính của bộ nguồn chuyển mạch cao tần......10
2.2.3 Ưu điểm và hạn chế của bộ nguồn chuyển mạch cao tần....................11
2.3 MẠCH BIẾN ĐỔI FLYBACK VÀ VAI TRÒ TRONG ĐIỀU KHIỂN
MÁY BIẾN ÁP.................................................................................................11
2.3.1 Khái niệm cơ bản về bộ chuyển đổi Flyback.......................................11
2.3.2 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của mạch biến đổi Flyback...............12
2.3.2.1 Cấu tạo...........................................................................................12
2.3.2.2 Nguyên lý hoạt động mạch Flyback..............................................12
2.3.3 Các chế độ làm việc của mạch biến đổi Flyback.................................15
2.3.3.1 Chế độ dòng điện không liên tục...................................................15
2.3.3.2 Chế độ dòng điện liên tục..............................................................16
2.3.3.3 Sự khác nhau giữa hai chế độ làm việc.........................................17
 2.3.4 Ưu điểm và hạn chế của mạch biến đổi Flyback..................................18
2.4 CÁC LIỆN KIỆN ĐIỆN TỬ KHÁC SỬ DỤNG TRONG ĐỀ TÀI...........18
2.4.1 Diode....................................................................................................18
2.4.1.1 Cấu tạo của diode..........................................................................18
2.4.1.2 Nguyên lý làm việc của diode.......................................................19
2.4.1.3 Các loại diode và ký kiệu dùng trong đề tài..................................20
2.4.2 MOSFET..............................................................................................21
2.4.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOFET...............................21
2.4.2.2 Đặc tính V-A cuart MOFET..........................................................23
2.4.3 Điện trở................................................................................................24
2.4.4 IC nguồn L7805CV..............................................................................25
2.4.5 Cuộn cảm..............................................................................................26
2.4.6 IR2103..................................................................................................27
2.4.7 Tự điện.................................................................................................30
2.4.8 Board STM32F103C8..........................................................................33
2.4.9 Pin Lithium-ion 18650.........................................................................34
2.4.9.1 Khái niệm và cấu trúc....................................................................34
2.4.9.2 Nguyên lý hoạt động.....................................................................36
2.4.9.3 Ưu và nhược điểm.........................................................................38
CHƯƠNG 3 TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ HỆ THỐNG...............................39
3.1 GIỚI THIỆU...............................................................................................39
3.2 Tính toán các thành phần trong mạch.........................................................40
3.2.1 Tính toán mạch lọc nhiễu.....................................................................40
3.2.1.1 Vai trò và yêu cầu của mạch lọc nhiễu..........................................40
3.2.1.2 Tính toán các thành phần mạch lọc nhiễu.....................................41
3.2.2 Tính toán mạch chỉnh lưu.....................................................................42
3.2.2.1 Nguyên lý hoạt động và vai trò của mạch chỉnh lưu.....................42
3.2.2.2 Tính toán các thành phần của mạch chỉnh lưu..............................43
3.2.3 Tính toàn biến áp xung.........................................................................43
3.2.3.1 Vai trò của biến áp xung................................................................43
3.2.3.2 Tính toán và lựa chọn thông số biến áp xung................................45
3.2.4 Tính toán mạch dập xung gai...............................................................49
3.2.4.1 Vai trò và yêu cầu của mạch dập xung gai....................................49
3.2.4.2 Tính toán thành phần trong mạch dập xung gai............................50
 3.2.5 Tính toán mạch tạo xung......................................................................53
3.2.5.1 Nguyên lý hoạt động và vai trò của mạch tạo xung......................53
3.2.5.2 Tính toán các thông số mạch tạo xung..........................................54
3.2.5.3 Mạch nguồn nuôi...........................................................................55
3.2.5.4 Nguồn cách ly................................................................................57
3.2.6 Tính toán mạch hồi tiếp........................................................................59
3.3 QUY TRÌNH THIẾT KẾ MẠCH SẠC THỰC..........................................61
CHƯƠNG 4 THỬ NGHIỆM VÀ ĐÁNH GIÁ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH65
4.1 THỬ NGHIỆM MẠCH HÀN DÂY...........................................................65
4.1.1 Thử nghiệm mạch không tải.................................................................66
4.1.2 Thử nghiệm mạch với bóng đèn dây tóc 220V – 60W........................68
4.1.3 Thử nghiệm mạch với bộ pin lithium – ion 60 viên.............................69
4.2 THỬ NGHIỆM MẠCH IN.........................................................................71
4.3 ĐỘ RỘNG XUNG......................................................................................72
CHƯƠNG 5 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN..................................74
5.1 KẾT LUẬN.................................................................................................74
5.2 HƯỚNG PHÁT TRIỂN..............................................................................75
 DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 2.1: Cấu tạo thành phần máy biến áp............................................................6

Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý bộ nguồn chuyển mạch cao tần..................................8
Hình 2.3: Sơ đồ mạch Flyback. [15]....................................................................12
Hình 2.4: Dòng điện và điện áp trong cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp. [15]...........12
Hình 2.5: Trạng thái dẫn khi khóa Q1 đóng (bên trái) và ngắt (bên phải). [14]..13
Hình 2.6: Đồ thị điện áp VRO [15]........................................................................14
Hình 2.7: Dòng điện trong cuộn sơ cấp và thứ cấp ở chế độ dòng không liên tục
[15]........................................................................................................................15
Hình 2.8: Dòng điện trong cuộn sơ cấp và thứ cấp ở chế độ dòng liên tục. [15] 16
Hình 2.9: Cấu tạo của Diode................................................................................18
Hình 2.10: Nguyên lý hoạt động của Diode........................................................19
Hình 2.11: Sơ đồ chân của MOSFET..................................................................20
Hình 2.12: Nguyên lý hoạt động của MOSFET..................................................21
Hình 2.13: Đặc tính V-I của MOSFET. [19].......................................................22
Hình 2.15: a. Điện trở thường b. Biến trở c. Biến áp..........................................23
Hình 2.16: Qui ước đọc giá trị điện trở. [13].......................................................23
Hình 2.17: Cấu tạo của L7805CV. [13]...............................................................24
Hình 2.18: Sơ đồ kết nối L7805CV. [21]............................................................24
Hình 2.19: Cuộn cảm...........................................................................................25
Hình 2.20: Ký hiệu của cuộn cảm. [22]...............................................................25
Hình 2.21: Sơ đồ chân IR2103. [23]....................................................................27
Hình 2.22: Sơ đồ nối dây của IR2103. [23].........................................................28
Hình 2.23: Xung điều khiển đầu vào và đầu ra của IR2103. [23].......................28
Hình 2.24: Cấu tạo của tụ điện............................................................................30
Hình 2.25: Ký hiệu của tụ điện. [24]...................................................................30
Hình 2.26: Các loại tụ điện hiện nay. [13]...........................................................31
Hình 2.27: Cấu tạo của STM32F103C8. [26]......................................................32
Hình 2.28: Cấu trúc pin Lithium-ion 18650........................................................34
Hình 2.29: Trạng thái pin không hoạt động.........................................................35
Hình 2.30: Trạng thái pin hoạt động....................................................................36
Hình 2.31: Quá trình nạp – xả của pin.................................................................36

Hình 3.1: Sơ đồ khối hệ thống xử lý trung tâm...................................................40

Hình 3.2: Sơ đồ mạch lọc nhiễu điện xoay chiều trước khi được đưa vào mạch
chỉnh lưu...............................................................................................................41
Hình 3.3: Sơ đồ khối bộ điều khiển qua LoRa....................................................42
Hình 3.4: Sơ đồ mạch chỉnh lưu có sử dụng một tụ điện để lọc nhiễu................42
Hình 3.5: Sơ đồ nguyên lý của biến áp xung.......................................................43
Hình 3.6: Đồ thị dạng sóng của điện áp một chiều sau tụ lọc đầu vào................44
Hình 3.7: Mạch dập xung kiểu RCD..................................................................48
Hình 3.8: Trở và tụ mắc song song......................................................................50
Hình 3.9: Diode UF4007.....................................................................................51
Hình 3.10: Sơ đồ mạch dập xung gai...................................................................51
Hình 3.11: Driver IR2103....................................................................................53
Hình 3.12: IC LM7805........................................................................................55
Hình 3.13: Tụ hóa 10 μF – 50V............................................................................55
Hình 3.14: Mạch nguồn nuôi VĐK.....................................................................56
Hình 3.15: Mạch nguồn cách ly VDK với đầu ra của hệ thống..........................57
Hình 3.16: Mạch nguồn cách ly vi điều khiển và driver.....................................58
Hình 3.17: Mạch cầu phân áp..............................................................................59
Hình 3.18: Sơ đồ nguyên lý.................................................................................60
Hình 3.19: Mạch hàn dây.....................................................................................61
Hình 3.20: Bộ biến áo xung.................................................................................62
Hình 3.21: Mạch sạc hoàn chỉnh.........................................................................63

Hình 4.1: Thử nghiệm với duty cycle 5%, không tải...........................................61
Hình 4.2: Thử nghiệm với duty cycle 22%, không tải.........................................61
Hình 4.3: Thử nghiệm với bóng đèn dây tóc 220V - 60W..................................61
Hình 4.4: Sơ đồ nguyên lý nối với bộ pin............................................................64
Hình 4.5: Thử nghiệm với bộ pin 240V-72W có hồi tiếp...................................66
Hình 4.6: Thử nghiệm với mạch in......................................................................67
Hình 4.7: Độ rộng xung PWM 16%....................................................................61
 DANH MỤC BẢNG

Bảng 4.1: Kết quả thử nghiệm ở điện áp 220V, không tải...................................67
Bảng 4.2: Kết quả thử nghiệm với bóng đèn dây tóc 220V.................................68
Bảng 4.4: Kết quả thử nghiệm với bộ pin 240V – 72W không có hồi tiếp điện áp.
..............................................................................................................................70
 DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT

Các từ viết tắt Chữ viết đầy đủ

CCM Continuous Conduction Mode
DCM Discontinuous Conduction Mode
HO Đầu ra mức cao
LO Đầu ra mức thấp
LC Indctor Capacitor
PWM Xung điều chế
RCD Registor Capacitor Dio
CHƯƠNG 1

TỔNG QUAN

1.1 LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI

Vấn đề môi trường: Trong bối cảnh ô nhiễm môi trường ngày càng trầm
trọng, sự phát triển của xe điện là một giải pháp quan trọng để giảm thiểu khí thải
gây hại. Đề tài này tập trung vào cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của pin xe điện,
giúp tăng cường khả năng vận hành và sử dụng các nguồn năng lượng sạch.

Sự phù hợp với thị trường xe máy Việt Nam: Việt Nam là một trong những
quốc gia có lượng tiêu thụ xe máy lớn nhất thế giới. Đề tài tập trung vào việc
nâng cao hiệu suất và giảm khí thải của xe máy điện, đáp ứng nhu cầu di chuyển
trong môi trường đô thị phức tạp và đồng thời giảm tác động tiêu cực đến môi
trường.

Thách thức kỹ thuật: Thiết kế và chế tạo mạch cho pin xe điện yêu cầu kiến
thức sâu về nguyên lý hoạt động và kỹ thuật điện tử. Đề tài này đòi hỏi sự sáng
tạo và nghiên cứu để tối ưu hóa hiệu suất và tiết kiệm năng lượng, từ đó tạo ra
những giải pháp tiên tiến trong công nghệ pin và xe điện.

Tiềm năng ứng dụng và phát triển: Công nghệ xe điện và pin đang phát triển
mạnh mẽ và có triển vọng trong tương lai. Hoàn thành đề tài này sẽ cung cấp cho
bạn kiến thức và kỹ năng cần thiết để tham gia vào ngành công nghiệp xe điện và
công nghệ pin, nơi có nhu cầu cao về chuyên gia có kiến thức về mạch chuyển
đổi và pin điện tử.

Đóng góp cho cộng đồng: Nghiên cứu và phát triển công nghệ pin xe điện
có thể đóng góp vào việc giảm ô nhiễm môi trường, tăng tính bền vững và khả
năng di chuyển, đồng thời thúc đẩy sự phát triển của ngành công nghiệp ô tô và
công nghiệp điện tử
 Tóm lại, việc nghiên cứu và phát triển mạch Flyback cho pin xe điện đóng
góp vào các khía cạnh quan trọng như sau:

Giảm ô nhiễm môi trường: Sử dụng pin xe điện giúp giảm ô nhiễm không
khí do khí thải xe gây ra. Bằng cách nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của pin
thông qua mạch Flyback, ta có thể tăng hiệu quả sử dụng năng lượng và giảm sự
phụ thuộc vào nguồn nhiên liệu hóa thạch. Điều này đóng góp vào việc giảm ô
nhiễm môi trường và bảo vệ sức khỏe của cộng đồng.

Tính bền vững và khả năng di chuyển: Xe điện được coi là một phương tiện
di chuyển bền vững và tiết kiệm năng lượng. Bằng cách tối ưu hóa mạch Flyback
và cải thiện hiệu suất sạc pin, ta có thể tăng thời gian hoạt động của xe điện trước
khi cần sạc lại, từ đó nâng cao khả năng di chuyển và tiện ích của xe điện.

Thúc đẩy sự phát triển ngành công nghiệp ô tô và công nghiệp điện tử: Xe
điện đang trở thành một xu hướng phát triển toàn cầu và có tiềm năng lớn trong
tương lai. Việc nghiên cứu và phát triển mạch Flyback cho pin xe điện sẽ tạo ra
những giải pháp công nghệ mới và tiên tiến, đồng thời cung cấp kiến thức và kỹ
năng cho các chuyên gia tham gia vào ngành công nghiệp ô tô và công nghiệp
điện tử. Điều này có thể thúc đẩy sự phát triển của ngành này và tạo ra những cơ
hội việc làm mới.

Với những lý do trên, việc nghiên cứu và phát triển mạch Flyback cho pin
xe điện là một đề tài đáng quan tâm và có ý nghĩa trong việc ứng phó với thách
thức ô nhiễm môi trường và thúc đẩy sự phát triển bền vững trong ngành công
nghiệp xe điện và công nghiệp điện tử.

1.2 MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU VÀ NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU

Mục tiêu nghiên cứu: Nghiên cứu, thiết kế mạch nạp pin cho pin lithium
sử dụng bộ nguồn xung, có điều khiển đóng/ngắt thông qua tín hiệu hồi tiếp điện
áp.

Nhiệm vụ nghiên cứu:

 - Tìm hiểu lý thuyết của pin Lithium-ion 18650
- Tìm hiểu lý thuyết và cách hoạt động của nguồn xung Flyback, linh kiện
điện tử và phần mềm mô phỏng.
- Tính toán và thiết kế mạch nạp cho pin xe điện.
- Thực nghiệm, đánh giá sự ổn định của mạch điện.

1.3 ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU

1.3.1 Đối tượng nghiên cứu
Đề tài nghiên cứu một số đối tượng như sau:

 Pin Lithium-ion 18650.

- Điện tử cơ bản.
- Vi điều khiển STM32F103C8T6.
- Opto cách ly quang.
- Biến áp xung và nguồn xung Flyback.
- MOSFET 20N60 và MOSFET Driver IR2103.
- Phần mềm STM32CubeMX, Keli uVision, Proteus.

1.3.2 Phạm vi nghiên cứu

Đề tài tập trung nghiên cứu về cấu tạo, nguyên lý hoạt động cơ bản, cách
ứng dụng các đối tượng trên vào việc thiết kế mạch nạp cho pin và sẽ không
nghiên cứu sâu vào thuật toán hay các kiến thức chuyên sâu trong lĩnh vực điện –
điện tử.

1.4 PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

Tìm hiểu lý thuyết: tham khảo tài liệu, đề tài từ các nhóm đi trước, đọc tài
liệu trên Internet (các đề tài liên quan), chọn lọc và kết hợp với kiến thức đã học
để áp dụng vào mạch nạp.

Mô phỏng và điều khiển: sử dụng phần mềm Proteus vẽ mạch nguyên lý

và thiết kế mạch PCB, dùng phần mềm STMCubeMX để cấu hình các chân cho
vi điều khiển và Keli uVision để lập trình cho vi điều khiển.
 Thực nghiệm và đánh giá kết quả: tiến hành thử nghiệm mạch điện với bộ
pin thực tế, dựa trên các thông số tính toán và kết quả thực nghiệm đưa ra đánh
giá hoạt động.

1.5 MỘT SỐ ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU TƯỢNG TỰ TRONG VÀ

NGOÀI NƯỚC
1.5.1 Trong nước

Bài báo mang tựa đề "Nghiên cứu ảnh hưởng của chế độ làm việc dòng điện
liên tục và gián đoạn máy biến áp đối với bộ nguồn chuyển mạch cao tần" của
nhóm tác giả Cao Xuân Tuyển và Nguyễn Anh Tuấn đã được xuất bản trên tạp
chí Khoa học và Công nghệ [10]. Trong nghiên cứu này, nhóm tác giả đã sử dụng
mạch chuyển đổi flyback để điều khiển máy biến áp và tiến hành tính toán, thử
nghiệm và mô phỏng hoạt động của máy biến áp đối với bộ nguồn chuyển mạch
cao tần trong hai chế độ hoạt động: chế độ dòng điện liên tục và chế độ dòng
điện gián đoạn. Với cùng một nguồn điện đầu vào Vin = 9-15 (VDC), nhóm đã
nghiên cứu các thông số đầu ra như Vout = +5 (VDC), Iout = 1,1 (A); Vout =
+15 (VDC), Iout = 0,6 (A); Vout = -15 (VDC), Iout = 0,6 (A). Quá trình mô
phỏng bộ nguồn đã được thực hiện bằng phần mềm PSIM. Dựa trên kết quả mô
phỏng ở hai chế độ hoạt động, cả hai chế độ của máy biến áp đều cho thấy sự ổn
định. Bên cạnh đó, bộ nguồn hoạt động ở chế độ dòng điện gián đoạn có chất
lượng điện áp tốt hơn so với chế độ khác. Tuy nhiên, kích thước mạch hoạt động
ở chế độ dòng điện gián đoạn nhỏ hơn, yêu cầu nhiều vòng dây hơn, trong khi
chế độ dòng điện liên tục có kích thước lớn hơn và yêu cầu ít vòng dây hơn.

1.5.2 Ngoài nước

Đề tài “A Modified Flyback Converter Applied in Capacitive Power
Transfer For Electric Vehicle Battery Charger” được nghiên cứu bởi Glauber de
Freitas Lima. Mạch nạp này có hiệu suất tổng thể là 86%, nó được chuyển đổi ở
tần số 300 kHz và gồm 2 giai đoạn: giai đoạn chính ngoài mạng điện nguồn
(220V); và giai đoạn thứ cấp trên bình pin nội bộ. Hai giai đoạn này được kết nối
thông qua hai cặp tấm kim loại đồng (500 mm x 500 mm) được cách ly bằng lớp
sợi thủy tinh dày 1.5 mm, tạo thành tụ nối giữa hai giai đoạn với giá trị tính bằng
nanofarads (nF). Giá trị tĩnh tìm thấy không bỏ qua nhiễu điện áp hay dòng điện,
cùng với đặc tính tải, đóng vai trò quan trọng để giới hạn chính xác và hiểu các
vùng hoạt động không phổ biến trong tài liệu, do sự kết nối dung tích thấp dẫn
đến biến đổi điện áp lớn và tần số cộng hưởng cao trong mạch.

Đề tài “Design of a 3.3 kW/100 kHz EV Charger Based on Flyback

Converter With Active Snubber” Để giảm sự quá tải điện áp của thiết bị bằng
cách phục hồi năng lượng được lưu trữ trong tụ điện từ rò rỉ của biến áp, mạch
kẹp và mạch chống sốc hoạt động được áp dụng ở cả hai bên của biến áp. Ngoài
ra, mạch kẹp hoạt động giúp giảm tổn thất chuyển mạch bằng cách tạo điều kiện
chuyển mạch áp suất không (ZVS). Bằng cách dẫn xuất các phương trình tổn thất
của các thiết bị chuyển mạch và biến áp dưới dạng hàm số của tần số chuyển
mạch và biến đổi dòng từ, tối ưu hóa thiết kế xem xét tổn thất và khối lượng
được thực hiện. Khả năng chịu tải của mạch chống sốc hoạt động được đề xuất
một cách định lượng thông qua phân tích công suất hấp thụ bởi mạch chống sốc
hoạt động. Dựa trên phân tích, một nguyên mẫu 3,3 kW/100 kHz được thiết kế
và thực nghiệm để chứng minh khả thi. Kết quả thử nghiệm cho thấy hiệu suất
cực đại là 96,7% và hiệu suất tải đầy là 96,4% với điện áp đầu ra 330V.
CHƯƠNG 2

CƠ SỞ LÝ THUYẾT

2.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ MÁY BIẾN ÁP

2.1.1 Đặc điểm và nguyên lý hoạt động của máy biến áp
Máy biến áp là một thiết bị điện được sử dụng để chuyển đổi điện áp và dòng
điện từ một mức vào thành một mức ra khác, thông qua nguyên tắc cơ bản của
nguyên lý elektromagnet. Máy biến áp có nhiều ứng dụng khác nhau trong các hệ
thống điện, từ hạ thế cho đến trung thế và cao thế.

Hình 2.1: Cấu tạo thành phần máy biến áp

Máy biến áp được sử dụng để tăng hoặc giảm điện áp từ mức vào thành mức
ra khác nhau. Điều này cho phép điều chỉnh điện áp cho phù hợp với các thiết bị
và hệ thống điện khác nhau, đồng thời truyền tải điện năng qua các khoảng cách
xa.
Máy biến áp hoạt động dựa trên nguyên tắc cảm ứng điện từ, trong đó khi áp
dụng điện áp xoay chiều vào cuộn dây sơ cấp, xảy ra hiện tượng biến thiên từ
trong các cuộn dây. Các biến thiên từ này truyền qua cuộn dây sơ cấp và thứ cấp,

22
tạo ra một suất điện động cảm ứng trong cuộn dây thứ cấp và biến đổi điện áp
ban đầu.
2.1.2 Cấu trúc và thành phần của máy biến áp
Cấu trúc và thành phần chính của máy biến áp thường bao gồm:
 Cuộn dây vào (Primary coil): Đây là cuộn dây nằm ở phía đầu vào của
máy biến áp và có nhiệm vụ nhận và chuyển đổi điện áp và dòng điện
đầu vào.
 Cuộn dây ra (Secondary coil): Cuộn dây này nằm ở phía đầu ra của máy
biến áp và tạo ra điện áp và dòng điện ở mức đầu ra mong muốn.
 Lõi biến áp (Core): Là thành phần chính của máy biến áp, thường được
làm từ vật liệu từ tính cao như thép-silic hoặc ferrite. Lõi giúp tập trung
và tăng cường từ trường từ trong quá trình chuyển đổi điện áp và dòng
điện.

2.1.3 Ứng dụng và vài trò của máy biến áp trong hệ thống điện ô tô
Hệ thống điện ô tô: Máy biến áp chịu trách nhiệm chuyển đổi điện áp từ
nguồn điện ô tô (thường là điện áp DC từ pin hoặc bộ điều khiển) thành điện áp
AC hoặc điện áp DC khác phù hợp với yêu cầu của các thiết bị điện trong ô tô.
Điều này bao gồm cung cấp điện cho hệ thống đèn chiếu sáng, hệ thống âm
thanh, hệ thống điều hòa không khí, hệ thống điện tử và nhiều thiết bị khác trong
ô tô.

Hệ thống sạc pin: Máy biến áp cần có trong hệ thống sạc pin của ô tô để
chuyển đổi điện áp từ đầu sạc (như đầu sạc xe) thành điện áp phù hợp để sạc pin
ô tô. Nó giúp điều chỉnh và kiểm soát quá trình sạc pin, đảm bảo an toàn và tối
ưu hóa hiệu suất sạc.

Hệ thống điện tử động cơ: Máy biến áp được sử dụng trong hệ thống điện tử
động cơ ô tô, bao gồm hệ thống đánh lửa, hệ thống nhiên liệu, hệ thống khởi
động và hệ thống điều khiển động cơ khác. Nó giúp cung cấp điện áp và điện
năng chính xác để kiểm soát và điều chỉnh các thành phần và quá trình trong hệ
thống động cơ, đảm bảo hiệu suất và hiệu quả của động cơ ô tô.

23
2.2 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ BỘ NGUỒN CHUYỂN MẠCH
CAO TẦN
2.2.1 Nguyên lý hoạt động của bộ nguồn chuyển mạch cao tần
Nguyên tắc hoạt động của bộ nguồn chuyển mạch cao tần dựa trên việc
chuyển đổi và điều chỉnh tần số của dòng điện đầu vào để tạo ra dòng điện đầu ra
với các thông số khác nhau. Bộ nguồn chuyển mạch cao tần sử dụng các thành
phần như transistor công suất, biến trở, tụ điện và cuộn cảm để thực hiện quá
trình chuyển đổi này.

Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý bộ nguồn chuyển mạch cao tần

Nguyên tắc hoạt động cơ bản của bộ nguồn chuyển mạch cao tần là:

1. Điều khiển chuyển mạch: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần sử dụng một
bộ điều khiển chuyển mạch (switching controller) để điều chỉnh quá
trình chuyển đổi. Bộ điều khiển này thường sử dụng nguyên tắc phản hồi
để đảm bảo đầu ra đạt được các thông số mong muốn.
2. Chuyển đổi tín hiệu: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần sử dụng các thành
phần chuyển đổi, thường là transistor công suất, để chuyển đổi tín hiệu
đầu vào giữa trạng thái ON và OFF. Trong trạng thái ON, dòng điện
được cho phép chảy qua đường dẫn đầu ra, trong khi trong trạng thái
OFF, dòng điện bị cắt ngắn.

24
 3. Biến đổi tần số: Bằng cách chuyển đổi tín hiệu đầu vào giữa trạng thái
ON và OFF với tần số cao, bộ nguồn chuyển mạch cao tần tạo ra dòng
điện đầu ra với tần số khác nhau. Tần số này có thể được điều chỉnh
thông qua việc thay đổi chu kỳ hoạt động của bộ điều khiển.
4. Điều chỉnh đầu ra: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần cung cấp dòng điện
đầu ra với các thông số như điện áp, dòng điện và công suất khác nhau.
Điều này cho phép nó cung cấp nguồn điện phù hợp cho các thiết bị và
hệ thống khác nhau trong ứng dụng của nó.

2.2.2 Cấu trúc và thành phần chính của bộ nguồn chuyển mạch cao tần
Cấu trúc và thành phần chính của bộ nguồn chuyển mạch cao tần bao gồm
Transistor công suất:

 Transistor công suất, thường là transistor MOSFET hoặc IGBT, được sử

dụng để thực hiện quá trình chuyển đổi tín hiệu và điều chỉnh đầu ra của
bộ nguồn chuyển mạch cao tần.
 Biến trở và tụ điện: Biến trở và tụ điện được sử dụng để điều chỉnh và
lọc các thông số điện áp và dòng điện trong bộ nguồn chuyển mạch.
Chúng đóng vai trò quan trọng trong việc duy trì ổn định và đáng tin cậy
của đầu ra.
 Cuộn cảm và biến áp: Cuộn cảm và biến áp được sử dụng để cách ly và
biến đổi điện áp và dòng điện trong bộ nguồn chuyển mạch. Chúng giúp
tạo ra các mức điện áp phù hợp và đảm bảo hiệu suất chuyển đổi cao.
 Bộ điều khiển chuyển mạch: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần đi kèm với
một bộ điều khiển chuyển mạch (switching controller) để điều chỉnh và
kiểm soát quá trình chuyển đổi. Bộ điều khiển này thông thường là mạch
điện tử hoặc vi điều khiển, giúp đảm bảo ổn định và hiệu quả hoạt động
của bộ nguồn.
 Mạch bảo vệ và điều khiển: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần có thể đi
kèm với các mạch bảo vệ và điều khiển bổ sung như mạch bảo vệ quá
tải, mạch bảo vệ ngắn mạch và mạch điều khiển quạt làm mát. Các mạch
này giúp bảo vệ và duy trì hoạt động an toàn của bộ nguồn.

25
  Bộ chỉnh điện áp: Một bộ chỉnh điện áp (voltage regulator) có thể được
sử dụng để đảm bảo đầu ra của bộ nguồn chuyển mạch cao tần duy trì ổn
định và phù hợp với yêu cầu của các thiết bị và hệ thống được nạp.

2.2.3 Ưu điểm và hạn chế của bộ nguồn chuyển mạch cao tần
 Ưu điểm của bộ nguồn chuyển mạch cao tần cho mạch nạp:
- Hiệu suất cao: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần có hiệu suất chuyển đổi
điện năng cao, giúp tiết kiệm năng lượng và giảm thiểu tổn thất nhiệt.
- Kích thước nhỏ gọn: Thiết kế nhỏ gọn của bộ nguồn chuyển mạch cao
tần giúp tiết kiệm không gian và thuận tiện cho việc lắp đặt trong mạch
nạp.
- Điều chỉnh được: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần thường có khả năng
điều chỉnh đầu ra, cho phép tùy chỉnh dòng và điện áp nạp phù hợp với
yêu cầu của mạch nạp.
- Bảo vệ thiết bị: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần có các tính năng bảo vệ
như bảo vệ quá dòng, quá áp, ngắn mạch, giúp bảo vệ thiết bị khỏi các
sự cố điện.
 Hạn chế của bộ nguồn chuyển mạch cao tần cho mạch nạp:
- Tiếng ồn: Bộ nguồn chuyển mạch cao tần có thể tạo ra tiếng ồn trong
quá trình hoạt động, ảnh hưởng đến môi trường làm việc và các thiết bị
khác xung quanh.
- Đòn bẩy điện áp: Trong một số trường hợp, bộ nguồn chuyển mạch cao
tần có thể tạo ra đòn bẩy điện áp cao, đòi hỏi sự chú ý đặc biệt để đảm
bảo an toàn khi làm việc với mạch nạp.

2.3 MẠCH BIẾN ĐỔI FLYBACK VÀ VAI TRÒ TRONG ĐIỀU

KHIỂN MÁY BIẾN ÁP
2.3.1 Khái niệm cơ bản về bộ chuyển đổi Flyback
Bộ chuyển đổi Flyback được sử dụng để chuyển đổi nguồn điện xoay chiều
(AC) thành dòng điện một chiều (DC) bằng cách sử dụng IC chuyển mạch và
cách ly dòng điện giữa đầu ra và đầu vào. Trong quá trình hoạt động, bộ chuyển

26
đổi Flyback lưu trữ năng lượng khi dòng điện chạy qua mạch và giải phóng năng
lượng khi ngắt nguồn. Bên cạnh đó, bộ chuyển đổi ngược cũng thực hiện chức
năng tương tự khi được kết hợp với máy biến áp tăng áp hoặc giảm áp. Với các
giá trị điện áp đầu vào khác nhau, bộ chuyển đổi Flyback có khả năng cung cấp
các giá trị điện áp đầu ra đa dạng.

2.3.2 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của mạch biến đổi Flyback.
2.3.2.1 Cấu tạo

Cấu trúc của bộ chuyển đổi flyback rất đơn giản và bao gồm các thành phần
điện tử cơ bản như máy biến áp flyback, công tắc, bộ chỉnh lưu, bộ lọc và thiết bị
điều khiển để điều khiển công tắc và đáp ứng yêu cầu.

Công tắc được sử dụng để mở và đóng mạch chính, có thể được từ hóa hoặc
khử từ máy biến áp. Tín hiệu PWM (Pulse Width Modulation) từ thiết bị điều
khiển được sử dụng để điều khiển hoạt động của công tắc. Trong hầu hết các
thiết kế máy biến áp flyback, FET (Field-Effect Transistor) hoặc MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) hoặc một transistor cơ bản
khác được sử dụng làm công tắc để mở và đóng, tạo ra tín hiệu xung.

Bộ chỉnh lưu điều chỉnh điện áp trên cuộn cảm thứ cấp để tạo ra đầu ra DC
có dạng xung và ngắt tải khỏi cuộn cảm thứ cấp của máy biến áp. Tụ điện được
sử dụng để lọc điện áp đầu ra từ bộ chỉnh lưu và tăng mức điện áp DC theo yêu
cầu của ứng dụng.

2.3.2.2 Nguyên lý hoạt động mạch Flyback

Mạch biến áp xung sử dụng mạch Flyback hoạt động như một thiết bị lưu
giữ năng lượng từ trường, nó tương tự như cuộn cảm.

27
 Hình 2.3: Sơ đồ mạch Flyback. [15]

Hình 2.4: Dòng điện và điện áp trong cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp. [15]

Nguyên lý hoạt động của mạch Flyback: khi khóa Q1 được đóng, dòng điện
lúc này sẽ chạy qua cuộn sơ cấp và làm cho cuộn sơ cấp tích trữ năng lượng.
Dòng điện IP trong cuộn sơ cấp sẽ tăng tuyến tính lên mức cao nhất. Mặt khác,
trong cuộn thứ cấp sẽ không có dòng điện đi qua, lúc này tụ C1 sẽ cung cấp dòng
điện ra tải và diode D1 sẽ ngăn không cho dòng điện chạy ngược về cuộn thứ
cấp.

28
 Hình 2.5: Trạng thái dẫn khi khóa Q1 đóng (bên trái) và ngắt (bên phải). [14]

Sau đó, khóa Q1 ngắt làm cho dòng điện ngừng đi qua cuộn sơ cấp, lúc này
cuộn thứ cấp sẽ nhận năng lượng tích trữ trong biến áp xung sau khi dòng điện
được đảo ngược. Dòng điện này không chỉ cung cấp cho tải mà còn sạc lại cho tụ
C1.

Một điều lưu ý khi áp dụng mạch Flyback là khi khoá Q1 ngắt, điện áp đầu
vào VDC kết hợp với điện áp ngược do cuộn thứ cấp tác dụng ngược trở lại. Do
đó, khóa Q1 yêu cầu phải chịu đựng được độ lớn của hai điện áp này. Điện áp
VRO được tính theo công thức sau:

Dmax
V RO= .V (2.1)
1−Dmax DCmin

29
 Hình 2.6: Đồ thị điện áp VRO [15]

Và tổng điện áp cực đại lên khóa Q1 là:

V ms = V RO+ V DCmin (2.2)

2.3.3 Các chế độ làm việc của mạch biến đổi Flyback

Mạch Flyback có hai chế độ hoạt động, đó là chế độ dòng điện không liên
tục (Discontinuous Conduction Mode – DCM) và chế độ dòng điện liên tục
(Continuous Conduction Mode – CCM).

2.3.3.1 Chế độ dòng điện không liên tục

Hình bên dưới mô tả sự thay đổi của dòng điện trong chế độ dòng điện
không liên tục (DCM).

30
Hình 2.7: Dòng điện trong cuộn sơ cấp và thứ cấp ở chế độ dòng không liên tục
[15]

Một điểm khác biệt giữa 2 chế độ DCM và CCM là ở DCM, dòng điện ở
cuộn thứ cấp sẽ giảm về 0A (điểm I) trước khi dòng ở cuộn sơ cấp bắt đầu chu kỳ
dẫn tiếp theo (điểm F). Khoảng thời gian này được gọi là thời gian chết T dt.
Trung bình dòng điện đầu ra ở cuộn thứ cấp là trung bình của tam giác GHI nhân
với tỉ lệ ngắt của khóa Q1, Toff / T.

Chế độ DCM sẽ tạo cho diode đầu ra D1 ở cuộn thứ cấp sự chuyển mạch tốt
hơn bởi vì dòng điện đi qua diode sẽ về 0A trước khi nó phân cực ngược, và năng
lượng tích trữ trong máy biến áp cũng ít hơn giúp giảm kích thước của máy biển
áp. Tuy nhiên, dòng điện đầu ra của nó sẽ thấp hơn so với chế độ CCM. Vì thế,
chế độ dòng điện không liên tục thường được ứng dụng trong các mạch có đầu ra
điện áp cao và dòng thấp.

2.3.3.2 Chế độ dòng điện liên tục

Dòng điện của chế độ dòng điện liên tục, CCM sẽ được thể hiện qua hình
sau:

31
Hình 2.8: Dòng điện trong cuộn sơ cấp và thứ cấp ở chế độ dòng liên tục. [15]
Có thể thấy, hình dạng dòng điện ở cả hai chế làm việc CCM và DCM có sự
tương đồng với nhau và chế độ hoạt động được quyết định bởi dòng tải đầu ra và
độ cản từ hóa. Điểm khác biệt giữa chúng là sự lưu trữ dòng điện trong 2 cuộn
dây vì không có thời gian chết Tdt. Với chế độ CCM, dòng điện trong cuộn sơ
cấp trước khi tăng đến đỉnh sẽ có một bước đệm, sau đó độ dốc của dòng điện sẽ
bắt đầu tăng từ bước đệm đó. Trong khoảng thời gian khóa Q1 ngắt, dòng điện
trong cuộn thứ cấp sẽ giảm từ mức cực đại đến một bước đệm bắt đầu từ điểm V
và sau đó giảm về điểm thấp nhất (W). Và tương tự khi khóa Q1 bắt đầu giai
đoạn đóng, dòng điện trong cuộn sơ cấp cũng có một dòng điện đệm với độ lớn
từ điểm M đến N.

2.3.3.3 Sự khác nhau giữa hai chế độ làm việc

Ở chế độ DCM, dòng điện giảm về 0 trong mọi chu kì khi chuyển mạch do
đó không có sự tổn hao phục hồi ngược trong bộ chỉnh lưu đầu ra. Giá trị điện
cảm ở cuộn sơ cấp chỉ cần thấp do đó có thể sử dụng loại biến áp nhỏ. Có thể
thấy, thiết kế DCM ổn định hơn CCM vì không có số zero trong nửa mặt phẳng
bên phải hàm truyền của nó. Tuy vậy, DCM sinh ra dòng gợn rất lớn và cần bộ
lọc lớn hơn để giải quyết vấn đề này.

32
 Ở chế độ CCM, dòng gợn và RMS nhỏ, do đó giúp làm giảm tổn thất khi
đóng và ngắt, đồng thời do đỉnh của dòng điện nhỏ nên cho phép các linh kiện bộ
lọc nhỏ hơn. Nhược điểm của CCM là có số zero trong nửa mặt phẳng bên phải
của hàm truyền, do đó băng thông của vòng điều khiển bị hạn chế. Ngoài ra, linh
kiện từ tính phải lớn do CCM yêu cầu độ tự cảm lớn hớn DCM.

Mặc dù giả sử dòng điện đầu ra ở hai chế độ là bằng nhau, nhưng dòng điện
ở chế độ DCM cho đỉnh dòng điện Ipeak cao hơn so với ở chế độ CCM. Do đó,
mạch hoạt động ở chế độ DCM cần có bộ lọc LC lớn để loại bỏ đi gợn sóng dòng
điện này. Chế độ dòng điện liên tục, CCM, được áp dụng trong các mạch đòi hỏi
đầu ra điện áp thấp và dòng cao.

2.3.4 Ưu điểm và hạn chế của mạch biến đổi Flyback

Các ưu điểm quan trọng của bộ chuyển đổi Flyback bao gồm việc giảm số
lượng phần tử chuyển đổi/thụ động và cung cấp mức tăng điện áp cao hơn.

Dưới đây là các vấn đề cần lưu ý khi áp dụng bộ chuyển đổi Flyback để tránh
việc sao chép nội dung:

 Đối với bộ chuyển đổi Flyback, cần sử dụng mạch snubber bổ sung để giải
quyết vấn đề dòng rò của cuộn cảm.

 Trong bộ chuyển đổi Flyback, cần chú ý đến định mức dòng điện RMS
của tụ điện đầu ra, vì nó có thể cao.

 Bộ chuyển đổi Flyback có hiệu suất kém và dòng nguồn có thể dao động.

2.4 CÁC LIỆN KIỆN ĐIỆN TỬ KHÁC SỬ DỤNG TRONG ĐỀ TÀI

2.4.1 Diode
2.4.1.1 Cấu tạo của diode
Điốt bán dẫn (diode) là một loại linh kiện bán dẫn được sử dụng để chỉ
cho phép dòng điện đi qua nó theo một chiều nhất định mà không cho phép dòng
điện đi theo chiều ngược lại. Nó bao gồm hai lớp bán dẫn, lớp p (điện cực
Anode) và lớp n (điện cực Cathode), kết hợp với nhau để tạo thành cấu trúc PN.

33
 Hình 2.9: Cấu tạo của Diode.
2.4.1.2 Nguyên lý làm việc của diode
Trong khối bán dẫn loại P, tồn tại nhiều lỗ trống tự do mang điện tích
dương. Khi khối P được ghép nối với khối bán dẫn loại N (chứa các điện tử tự
do), các lỗ trống trong khối P sẽ chuyển sang khối N, đồng thời khối P sẽ nhận
thêm các điện tử từ khối N. Kết quả là khối P tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống và
có dư thừa điện tử), trong khi khối N tích điện dương (thiếu hụt điện tử và có dư
thừa lỗ trống).
Sự tích điện âm trong khối P và điện dương trong khối N tạo thành một điện áp
được gọi là điện áp tiếp xúc (UTX). Điện trường tạo ra bởi điện áp này hướng từ
khối N đến khối P và ngăn chặn sự chuyển động khuếch tán. Sau một thời gian từ
khi hai khối bán dẫn được ghép nối, quá trình chuyển động khuếch tán chấm dứt
và điện áp tiếp xúc duy trì ở trạng thái cân bằng. Giá trị của điện áp tiếp xúc
khoảng 0.6V đối với diode bán dẫn Silic và khoảng 0.3V đối với diode bán dẫn
Germani.

Tại vùng biên giới giữa hai mặt tiếp giáp, một số điện tử bị lỗ trống thu hút
và khi chúng gần nhau, chúng có xu hướng kết hợp và tạo thành các nguyên tử
trung hòa. Vùng này được gọi là vùng nghèo vì có rất ít hạt dẫn điện tự do tồn
tại. Vùng biên giới này không dẫn điện tốt, trừ khi điện áp tiếp xúc được cân
bằng bằng điện áp từ bên ngoài. Quá trình này có thể giải phóng năng lượng dưới
dạng ánh sáng (hoặc các bức xạ điện từ với bước sóng gần đó).

Khi áp dụng điện áp từ bên ngoài ngược chiều so với điện áp tiếp xúc, sự
khuếch tán của các điện tử và lỗ trống không bị ngăn chặn bởi điện áp tiếp xúc và

34
vùng tiếp giáp trở thành vùng dẫn điện tốt. Ngược lại, nếu áp dụng điện áp từ bên
ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc, sự khuếch tán của các điện tử và lỗ trống
bị ngăn chặn và vùng nghèo trở nên nghèo hơn về hạt dẫn điện tự do. Nói cách
khác, diode chỉ cho phép dòng điện chạy qua khi điện áp bên ngoài được áp dụng
theo một hướng nhất định.

Do đó, điện áp bên ngoài ngược chiều so với điện áp tiếp xúc sẽ tạo ra dòng
điện, trong khi điện áp bên ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc sẽ ngăn chặn
dòng điện. Đây chính là nguyên lý hoạt động cơ bản của một diode.

Hình 2.10: Nguyên lý hoạt động của Diode

2.4.1.3 Các loại diode và ký kiệu dùng trong đề tài
Small signal diode: được sử dụng nhiều nhất cho các ứng dụng chung như
bộ chỉnh lưu, mạch ngưỡng, mạch tụ điện hay mạch tạo sóng.

Diode xung: là diode hoạt động như diode thông thường nhưng có thể hoạt
động với tần số cao từ vài chục KHz lên đến MHz.

Silicon rectifier diode: sử dụng để chỉnh lưu AC thành DC bằng ứng dụng
cầu chỉnh lưu. Diode loại này có khả năng dẫn dòng lên đến vài trăm ampere với
điện trở thuận nhỏ và điện trở ngược lên đến M Ω . Và thường được dùng trong
các bộ nguồn, bộ lưu điện, bộ biến tần. Khi phân cực thuận dòng điện lớn hơn
dòng định mức thì nhiệt độ của diode loại này sẽ tăng.

35
 Diode Schottky: khi phân cực thuận độ sụt áp của diode schottky thấp
khoảng 0,15-0,45V cho phép ngắt nhanh, tốc độ chuyển mạch cao, và giúp giảm
tổn hao công suất.

2.4.2 MOSFET
2.4.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOFET

Hình 2.11: Sơ đồ chân của MOSFET

Mosfet (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) là một loại

transistor dựa trên hiệu ứng trường MOS. Trong cấu trúc Mosfet, có ba chân
quan trọng là Gate (G), Source (S) và Drain (D).

- Cực G (Gate) là cực cổng: Đây là cực điều khiển của Mosfet. Khi áp dụng
một điện áp đến cực G, một điện trường sẽ được tạo ra trong kênh dẫn của
Mosfet, ảnh hưởng đến dòng điện chảy giữa cực S và cực D.

- Cực S (Source) là cực nguồn: Đây là điểm đầu ra của dòng điện trong
Mosfet.

36
 - Cực D (Drain) là cực máng: Đây là điểm cuối cùng của dòng điện trong
Mosfet.

Mosfet kênh N có hai miếng bán dẫn P được đặt trên một nền bán dẫn.
Trong giữa hai miếng bán dẫn P, có một lớp cách điện được gọi là SiO2. Miếng
bán dẫn P được kết nối với cực giữa D và S, trong khi nền bán dẫn N được kết
nối với một lớp màng mỏng phía trên. Tất cả những này được đấu ra thành cực
G.

Mosfet có điện trở rất lớn giữa cực G và cực S, và giữa cực G và cực D.
Điện trở này gọi là RDS (Drain-Source Resistance). Tuy nhiên, điện trở giữa cực
D và cực S phụ thuộc nhiều vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S (UGS).

Khi UGS = 0, điện trở RDS rất lớn, tức là Mosfet không dẫn điện tốt. Khi
UGS > 0, hiệu ứng từ trường trong Mosfet làm cho điện trở RDS giảm. Điện trở
RDS sẽ trở nên nhỏ hơn khi UGS càng lớn.

Hình 2.12: Nguyên lý hoạt động của MOSFET

Mosfet hoạt động ở hai chế độ là chế độ đóng và chế độ mở. Vì là một
thành phần của hạt mang điện, Mosfet có khả năng thực hiện việc đóng cắt với
tần số rất cao. Tuy nhiên, để đạt hiệu quả đóng cắt, vấn đề quan trọng là điều
khiển Mosfet.

37
 Mạch điện tương đương của Mosfet cho thấy cơ chế đóng cắt phụ thuộc vào
các tụ điện ký sinh trên nó.

Với kênh P: Điện áp điều khiển mở Mosfet là Ugs0. Dòng điện sẽ chảy từ
cực Source (S) đến cực Drain (D).

Với kênh N: Điện áp điều khiển mở Mosfet là Ugs > 0. Điện áp điều khiển
đóng là Ugs <= 0. Dòng điện sẽ chảy từ cực Drain (D) xuống cực Source (S).

Để đảm bảo thời gian đóng cắt ngắn nhất, Mosfet kênh N có điện áp khóa
Ugs = 0V, trong khi kênh P có Ugs xấp xỉ 0V.

2.4.2.2 Đặc tính V-A cuart MOFET

Hoạt động của mosfet có thể chia thành ba chế độ khác nhau tùy thuộc vào
điện áp trên các đầu cuối. Với N-Mosfet là:

- Chế độ cut-off (chế độ dưới ngưỡng tới hạn): Mosfet đóng, VGS < VTH
(điện áp đóng của mosfet.
- Chế độ Triode (Zone linear) hay vùng tuyến tính: Mosfet dẫn, VGS tăng
dẫn đến IDS tăng, VGS > VTH và Vgs> Vds.
- Chế độ bão hòa (Zone saturation): VGS < VDS, VGS > VTH. Lúc này
Mosfet dẫn, VGS tăng nhưng giá trị IDS không tăng do đạt giá trị ngưỡng.

38
 Hình 2.13: Đặc tính V-I của MOSFET. [19]
2.4.3 Điện trở

Điện trở là linh kiện điện tử thông dụng hiện này có chức năng hạn chế, cản
trở dòng điện trong mạch, ngoài ra còn có chức năng điều chỉnh mức độ tín hiệu,
chia điện áp, kích hoạt các linh kiện chủ động như transistor, mosfet … Đặc tính
của một điện trở lý tưởng được biểu diễn dựa trên định luật Ohm:

U
I= R

Với: I là cường độ dòng điện (A)

U là điện áp (V)

R là điện trở (Ω)

Ký hiệu của điện trở:

Hình 2.14: a. Điện trở thường b. Biến trở c. Biến áp

39
 Giá trị của mỗi điện trở được thể hiện ở trên mỗi điện trở bằng các vạch
màu và ta có thể đọc được giá trị của nó bằng một qui ước chung. Giá trị được
tính ra thành đơn vị Ohm.

Hình 2.15: Qui ước đọc giá trị điện trở. [13]
2.4.4 IC nguồn L7805CV

IC nguồn (Integrated Circuit nguồn) là một linh kiện điện tử được sử dụng
để điều chỉnh và duy trì điện áp đầu ra ở một mức điện áp cố định. Trong đề tài
này, IC nguồn được sử dụng là L7805CV, có chức năng duy trì điện áp đầu ra ở
mức cố định là 5V. Nó được sử dụng như một nguồn cấp cho vi điều khiển, đảm
bảo rằng vi điều khiển nhận được nguồn điện ổn định và đáng tin cậy để hoạt
động.

Hình 2.16: Cấu tạo của L7805CV. [13]

Các thông số cơ bản của L7805CV:

40
 - VI: điện áp nguồn thường sử dụng từ 8V - 20V

- VO: điện áp xuất ra là 5V

Để điện áp đầu ra cố định không bị nhiễu, L7805CV được kết hợp với tụ
như sau:

Hình 2.17: Sơ đồ kết nối L7805CV. [21]

2.4.5 Cuộn cảm

Cuộn cảm là một linh kiện điện tử thụ động, được cấu tạo từ một sợi dây
đồng cách điện quấn thành nhiều vòng xung quanh lõi, sinh ra từ trường khi có
dòng điện chạy qua.

Phân loại dựa trên chất liệu làm lõi của cuộn cảm

41
 Hình 2.18: Cuộn cảm

Hình 2.19: Ký hiệu của cuộn cảm. [22]

Khi có dòng điện đi qua cuộn dây thì cuộn dây sẽ sinh ra một từ trường.
Nếu đặt một dòng điện một chiều đi qua cuộn cảm thì nó cũng sẽ sinh ra một từ
trường có cường độ và chiều không đổi. Còn nếu đặt một dòng điện xoay chiều
vào cuộn cảm thì sẽ sinh ra từ trường biến thiên.

Dựa vào định luật Faraday: Khi có từ trường biến thiên theo thời gian
trong một mạch kín thì sẽ xuất một suất điện động cảm ứng, tỉ lệ với tốc độ biến
thiên của từ trường.

42
 −dΦ B
ε=
dt

Trong đó:

ε : là suất điện động cảm ứng (V)

ΦB: là độ biến thiên từ thông (Wb)

T: thời gian biến thiên từ thông (s)

Theo định luật cảm ứng, dòng điện cảm ứng có chiều sao cho từ trường do
nó sinh ra có tác dụng chống lại nguyên nhân sinh ra nó nên cuộn cảm được sử
dụng để làm cuộn lọc, chống lọc nhiễu trong các mạch chỉnh lưu, các mạch
nguồn DC. Ngoài ra, đặc trưng của cuộn cảm chính là độ cảm kháng (phụ thuộc
vào tần số của dòng điện xoay chiều) nên cuộn cảm còn được ứng dụng trong các
mạch lọc tần số, giúp ổn định dòng.

2.4.6 IR2103

IC (Integrated Circuit) là một loại mạch tích hợp gồm nhiều linh kiện bán
dẫn và linh kiện thụ động được kết hợp lại để thực hiện một chức năng hoặc
nhiệm vụ cụ thể. Mỗi IC có thiết kế và cấu trúc riêng biệt phù hợp với mục đích
sử dụng.

IR2103 là một loại IC được sử dụng để điều khiển MOSFET hoặc IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) có điện áp cao và tốc độ xử lí nhanh. Nó có
các kênh đầu ra bên thấp và bên cao phụ thuộc vào tín hiệu đầu vào logic. Đầu
vào logic của IR2103 tương ứng với các tiêu chuẩn CMOS hoặc LSTTL, với
mức điện áp logic là 3,3V.

IR2103 cung cấp các trình điều khiển đầu ra với giai đoạn đệm dòng xung
bên cao, được thiết kế để giảm tối đa hiện tượng dẫn truyền chéo trong quá trình
điều khiển. Kênh đầu ra của IC này có thể được sử dụng để điều khiển MOSFET
hoặc IGBT công suất kênh N ở cấu hình bên cao, với khả năng hoạt động ở điện
áp lên đến 600 volt.

43
 Hình 2.20: Sơ đồ chân IR2103. [23]

Các thông số cơ bản của IR2103:

- Điện áp nguồn VCC: Cung cấp điện áp nguồn từ 10V đến 20V cho IC
IR2103. Điện áp này cần đáp ứng yêu cầu và được duy trì ổn định trong
khoảng này để đảm bảo hoạt động chính xác của IC.

- Điện áp bù kênh cao VS: Điện áp bù kênh cao phải nằm trong khoảng từ -
5V đến 600V. Điện áp này sẽ tùy thuộc vào MOSFET hoặc IGBT mà bạn
sử dụng với IC IR2103.

- Điện áp nguồn kênh cao VB: Điện áp nguồn kênh cao phải nằm trong
khoảng từ VS + 10V đến VS + 20V. Điện áp này cung cấp nguồn cho
kênh cao của IC IR2103 và phụ thuộc vào điện áp bù kênh cao VS.

- Điện áp ra kênh cao VHO: Điện áp ra kênh cao phải nằm trong khoảng từ
VS đến VB. Điện áp này được sử dụng để điều khiển MOSFET hoặc
IGBT.

- Điện áp ra kênh thấp VLO: Điện áp ra kênh thấp phải nằm trong khoảng
từ 0 đến VCC. Điện áp này cũng được sử dụng để điều khiển MOSFET
hoặc IGBT.

- Điện áp vào kênh LIN và HIN VIN: Điện áp vào kênh LIN và HIN phải
nằm trong khoảng từ 0 đến VCC. Điện áp này sẽ điều khiển chế độ hoạt
động của IC IR2103 và có thể được cung cấp từ nguồn tín hiệu logic hoặc
các linh kiện điều khiển khác.

44
 Để IR2103 hoạt động một cách ổn định, xung tại chân HO và LO không bị
nhiễu khi điều khiển MOSFET hay IGBT thì IR2103 phải kết hợp với các linh
kiện khác theo như mạch sau:

Hình 2.21: Sơ đồ nối dây của IR2103. [23]

Cách điều khiển xung đầu vào và đầu ra của IR2103:

Hình 2.22: Xung điều khiển đầu vào và đầu ra của IR2103. [23]

Tại chân HO của IC IR2103, khi điện áp tại chân HIN và LIN ở mức HIGH,
điện áp tại chân HO sẽ ổn định ở mức HIGH. Trong khi đó, khi điện áp tại chân
HIN và LIN ở mức LOW hoặc có sự khác biệt, điện áp tại chân HO sẽ ổn định ở
mức LOW. Chức năng này giúp điều khiển MOSFET hoặc IGBT được kết nối
với kênh cao của mạch.

45
 Tương tự, tại chân LO của IC IR2103, khi điện áp tại chân HIN và LIN ở
mức LOW, điện áp tại chân LO sẽ ổn định ở mức HIGH. Ngược lại, khi điện áp
tại chân HIN và LIN ở mức HIGH hoặc có sự khác biệt, điện áp tại chân LO sẽ
ổn định ở mức LOW. Chức năng này hỗ trợ điều khiển MOSFET hoặc IGBT kết
nối với kênh thấp của mạch.

Bên cạnh đó, IC IR2103 còn tích hợp bộ deadtime, một tính năng quan
trọng để ngăn chặn dẫn truyền chéo giữa các kênh điều khiển. Chức năng này
đảm bảo rằng MOSFET hoặc IGBT trên mạch Full-Bridge không được kích hoạt
cùng một lúc, giúp tránh xung đột và bảo vệ linh kiện.

Như vậy, IC IR2103 cung cấp các chức năng điều khiển kênh cao và kênh
thấp, cùng với bộ deadtime tích hợp, để điều khiển MOSFET hoặc IGBT trong
mạch Full-Bridge một cách ổn định và an toàn.

2.4.7 Tự điện

Tụ điện là linh kiện điện tử thụ động, cấu tạo từ 2 vật liệu dẫn liệu ngăn
cách nhau bởi một lớp cách điện (chất điện môi), người ta thường phân loại tụ
điện dựa chất liệu làm chất điện môi như tụ giấy, tụ mica, tụ gốm, tụ hóa …

46
 Hình 2.23: Cấu tạo của tụ điện.

Hình 2.24: Ký hiệu của tụ điện. [24]

Khi có đặt một điện áp vào 2 cực của tụ điện, tại mỗi cực sẽ xuất hiện các
điện tích cùng điện lượng nhưng trái dấu với nhau, sự tích điện này đặc trung cho
khả năng tích trữ điện tích của tụ điện, gọi là điện dung và được biểu diễn dưới
dạng công thức sau:

Q
C= U

47
Trong đó: C là điện dung (F, Farad)

Q là điện lượng (C, Coulomb)

U là hiệu điện thế (V, Volt)

Tụ điện thường được chia làm 2 loại chính:

- Tụ phân cực (thường là tụ hóa): tức là có xác cực dương và cực âm, trị
số của tụ phân cực khoảng 0,47µF- 4,7k µF và thường được dùng trong
các mạch tần số làm việc thấp, lọc nguồn.

- Tụ không phân cực (tụ giấy, tụ gốm, tụ mica …): tức là không xác định
âm và dương. Các tụ có trị số điện dung nhỏ hơn 1µF thường được sử
dụng trong các mạch tần số cao hoặc mạch lọc nhiễu.

Hình 2.25: Các loại tụ điện hiện nay. [13]

48
2.4.8 Board STM32F103C8
Board STM32F103C8 là board vi điều khiển có chip là STM32F103 thuộc
họ F1 với lõi ARM COTEX M3 do hãng ST sản xuất.

Với board STM32F103C8, hiện nay có nhiều phần mềm lập trình được sử
dụng như IAR, Keil C, .... Thư viện để lập trình cũng rất đa dạng như:
STM32snippets, STM32Cube LL, STM32Cube HAL, Standard Peripheral
Libraries, Mbed core. Để nạo được chương trình cho board cần phải có mạch
nạp, một số loại mạch nạp phổ biến: ULINK, J-LINK, CMSIS-DAP, STLINK.

Hình 2.26: Cấu tạo của STM32F103C8. [26]

Sơ lược về thông số của board STM32F103C8:

- Tốc độ xử lí tối đa 72Mhz.

- Bộ nhớ: bộ nhớ Flash 64 kbytes và 20 kbytes SRAM

Quản lý nguồn, clock và reset:

49
 - Điện áp nguồn cho board 5V, điện áp nguồn cho chip STM32F1 là 2-
3,6V

- Bộ dao động thạch anh ngoài từ 4Mhz đến 16 Mhz.

- Thạch anh nội dùng dao động RC ở mode 8Mhz hoặc 32KHz.

2 bộ ADC 12-bit với tổng là 10 kênh:

- Khoảng giá trị chuyển đổi từ 0 – 3,6 V

- Có chế độ lấy mẫu một kênh hoặc nhiều kênh.

- Có thể đồng bộ hóa với timer điều khiển nâng cao

7 bộ Timer:

- 3 Timer 16-bit hỗ trợ các mode Input Capture/ Output Compare/ PWM.

- 1 Timer 16-bit điều khiển nâng cao có khả năng bảo vệ ngắt Input, dead-
time.

- 2 Watchdog Timer để bảo vệ và kiểm tra lỗi.

- 1 Systick Timer 24-bit đếm xuống cho hàm Delay…

DMA: 7 kênh DMA hỗ trợ DMA cho timers, ADC, USART, I2C, SPI.

Vi điều khiển có 9 giao diện giao tiếp gồm: 2 giao diện giao tiếp I2C, 3
USART, 2 SPI, 1 giao diện giao tiếp CAN, 1 giao diện tốc độ đầy đủ USB 2.0.

2.4.9 Pin Lithium-ion 18650

2.4.9.1 Khái niệm và cấu trúc
Pin Lithium-ion 18650 là một loại pin Lithium-ion có kích thước và hình
dạng đặc biệt. "18650" chỉ định kích thước của pin theo tiêu chuẩn công nghiệp,
với đường kính khoảng 18mm và chiều cao khoảng 65mm.

50
 Hình 2.27: Cấu trúc pin Lithium-ion 18650.

Pin Lithium-ion 18650 cũng có cấu trúc tương tự như các pin Lithium-ion
khác. Cấu trúc chính của pin Lithium-ion 18650 bao gồm:

Anode (cực âm): Là phần dương của pin, thường được làm bằng graphite.
Nó là nơi xảy ra quá trình oxi hóa khi pin hoạt động.

Cathode (cực dương): Là phần âm của pin, thường được làm bằng hợp chất
lithium như Lithium Cobalt Oxide (LiCoO2), Lithium Iron Phosphate
(LiFePO4), hoặc Lithium Manganese Oxide (LiMn2O4). Cực dương là nơi xảy
ra quá trình khử khi pin hoạt động.

Màng điện giữa (Separator): Là lớp màng mỏng được đặt giữa anode và
cathode để tránh tiếp xúc trực tiếp và ngắn mạch. Thông qua màng điện, các ion
lithium có thể di chuyển giữa hai cực.

Chất điện giữa (Electrolyte): Là chất dẫn điện trong pin, thường là dung
dịch chứa muối lithium trong dung môi hữu cơ. Electrolyte cung cấp dòng điện
thông qua pin khi ion lithium di chuyển qua màng điện giữa giữa hai cực.

Bao bọc (Casing): Là vỏ bảo vệ bên ngoài của pin, thường được làm từ vật
liệu nhựa cứng hoặc kim loại để bảo vệ các thành phần bên trong pin và tránh rủi
ro gây cháy nổ.

51
2.4.9.2 Nguyên lý hoạt động

Nguyên lý hoạt động của pin Lithium-ion 18650 dựa trên quá trình di
chuyển ion lithium giữa cực âm (anode) và cực dương (cathode) thông qua màng
điện giữa.

Hình 2.28: Trạng thái pin không hoạt động.

Khi pin đang không hoạt động, các ion lithium trong cathode được giữ trong
mạch thông qua quá trình hấp thụ và phản ứng hóa học. Trong khi đó, các
electron tự do di chuyển từ cathode qua mạch ngoài tạo ra dòng điện. Trạng thái
này được gọi là sự sạc của pin.

52
 Hình 2.29: Trạng thái pin hoạt động.

Khi pin được kết nối vào một thiết bị và sử dụng, quá trình ngược lại xảy ra.
Các ion lithium di chuyển từ cathode qua màng điện giữa đến anode trong quá
trình oxi hóa và khử. Đồng thời, các electron từ mạch ngoài di chuyển qua anode
và cathode để cung cấp dòng điện cho thiết bị. Trạng thái này được gọi là sự xả
của pin.

Quá trình sạc và xả của pin Lithium-ion 18650 có thể lặp đi lặp lại nhiều
lần, cho phép pin được sạc lại và sử dụng tái lần đến khi hiệu suất hoạt động
giảm đáng kể.

Hình 2.30: Quá trình nạp – xả của pin.

Điều quan trọng trong hoạt động của pin Lithium-ion 18650 là việc duy trì
an toàn và tránh các tình huống gây cháy nổ. Việc sử dụng vật liệu cathode phù

53
hợp, quản lý điện áp và nhiệt độ, và cung cấp hệ thống bảo vệ như quạt lành, hệ
thống quản lý pin (Battery Management System - BMS) đảm bảo hoạt động ổn
định và an toàn của pin Lithium-ion 18650 trong ứng dụng.

2.4.9.3 Ưu và nhược điểm

 Ưu điểm của pin Lithium-ion 18650:
- Dung lượng lớn: Pin Lithium-ion 18650 có dung lượng cao, cho phép
lưu trữ năng lượng lớn và cung cấp điện liên tục trong thời gian dài.
- Tuổi thọ tương đối dài: Pin Lithium-ion 18650 có tuổi thọ tương đối dài
so với các loại pin khác, cho phép sử dụng và sạc lại nhiều lần.
- Trọng lượng nhẹ: Với cấu trúc và chất liệu nhẹ, pin Lithium-ion 18650
rất nhẹ và thuận tiện để mang theo di chuyển.
- Tỷ lệ tự xả thấp: Pin Lithium-ion 18650 có tỷ lệ tự xả thấp, điều này
giúp giữ cho năng lượng bên trong pin được giữ lâu mà không mất đi
quá nhanh.
- Tốc độ sạc nhanh: Pin Lithium-ion 18650 có khả năng sạc nhanh, giúp
tiết kiệm thời gian sạc và tăng tính sẵn sàng sử dụng.
 Nhược điểm của pin Lithium-ion 18650:
- Nguy cơ cháy nổ: Trong một số trường hợp, pin Lithium-ion 18650 có
nguy cơ cháy nổ khi bị sử dụng không đúng cách hoặc bị hỏng. Việc
quản lý nhiệt độ và an toàn là rất quan trọng để tránh nguy cơ này.
- Độ mất điện dung: Pin Lithium-ion 18650 có độ mất điện dung dần theo
thời gian và số lần sạc/xả. Điều này có nghĩa là dung lượng pin giảm dần
và hiệu suất hoạt động giảm đi.
- Giá thành cao: So với một số loại pin khác, pin Lithium-ion 18650 có
giá thành cao hơn, đặc biệt khi cần mua các pin chất lượng cao hoặc từ
nhà sản xuất đáng tin cậy.
- Quản lý và bảo trì phức tạp: Pin Lithium-ion 18650 cần quản lý nhiệt độ,
điện áp và hệ thống bảo vệ để đảm bảo an toàn và tăng tuổi thọ. Điều
này yêu cầu sự quan tâm và bảo trì kỹ lưỡng.

54
CHƯƠNG 3

TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ HỆ THỐNG

3.1 GIỚI THIỆU

Hiện nay, trong các thiết bị điện tử tiêu dùng và phương tiện chạy bằng
điện, mạch sạc sử dụng nguồn xung đã trở nên phổ biến. Trên ô tô điện, nguồn
điện được cung cấp bởi bộ pin Lithium-ion. Để quản lý và sử dụng năng lượng từ
pin một cách hiệu quả, cần có hệ thống quản lý pin (BMS - Battery Management
System) và hệ thống sạc pin.

Hệ thống quản lý pin (BMS) đảm bảo giám sát và điều khiển từng pin đơn
trên ô tô. Nó đảm bảo tình trạng sạc và phóng của pin, theo dõi thông số pin,
nhiệt độ, chống cháy nổ, và giao tiếp với các hệ thống khác thông qua mạng
CAN. Trên ô tô trang bị ECU để quản lý pin, đặc biệt là trên những xe sử dụng
pin đắt tiền.

Bên cạnh hệ thống quản lý pin, hệ thống sạc pin cũng rất quan trọng để
cung cấp năng lượng lại cho pin sau khi sử dụng. Để đạt hiệu quả tối đa trong
quá trình sạc, cần kết hợp cả hệ thống quản lý pin và hệ thống sạc pin để cân
bằng năng lượng của pin và tránh gây hư hỏng.

Mạch sạc pin Lithium-ion dùng biến áp xung là một trong những phương
pháp sạc pin được sử dụng phổ biến. Nguồn điện dân dụng xoay chiều 220V -
50Hz được chuyển đổi thành dòng điện một chiều 311V và sau đó đi qua mạch
điều khiển và biến áp xung. Qua quá trình này, mạch tạo ra dòng điện 320V -
0,32A để sạc bộ pin Lithium-ion.

Mạch sạc này thường được xây dựng theo nguyên tắc cách ly kiểu Flyback,
trong đó mạch điện được cách ly bởi biến áp xung. Điều này đảm bảo rằng sự cố
xảy ra ở nguồn điện vào sẽ không ảnh hưởng đến bộ pin, đảm bảo an toàn trong
quá trình sạc.

55
 Đối với bộ pin Lithium-ion trên xe máy điện, nguồn điện được tạo ra là một
nguồn điện một chiều 240V. Bộ pin này được tạo thành từ 60 viên pin mắc nối
liên tiếp nhau, mỗi viên pin có điện áp tối đa là 4,2V. Do đó, để sạc cho bộ pin
này, cần đáp ứng hai yêu cầu về điện áp và cường độ dòng điện. Điện áp đầu vào
từ bộ sạc phải lớn hơn 252V và cường độ dòng điện trong khoảng 0,32A.

Mạch sạc pin Lithium-ion dùng biến áp xung được thiết kế để chuyển đổi
nguồn điện 220V - 50Hz từ lưới điện thành dòng điện một chiều 311V. Qua quá
trình điều khiển của mạch điều khiển và biến áp xung, mạch sạc tạo ra dòng điện
320V - 0,32A để sạc cho bộ pin Lithium-ion trên xe máy điện.

Phương pháp sạc pin này, với nguyên tắc cách ly kiểu Flyback, đảm bảo
rằng mạch điện được cách ly bởi biến áp xung. Điều này đảm bảo an toàn trong
quá trình sạc, vì nếu có sự cố xảy ra ở nguồn điện vào, nó sẽ không ảnh hưởng
đến bộ pin và đảm bảo an toàn cho người sử dụng. Với bộ pin Lithium-ion trên
xe máy điện, việc sạc pin đúng cách là rất quan trọng. Bằng việc tuân thủ các yêu
cầu về điện áp và dòng điện, mạch sạc pin sẽ đảm bảo hiệu quả và an toàn trong
quá trình sạc, giúp bộ pin hoạt động tối ưu và kéo dài tuổi thọ của nó.

3.2 Tính toán các thành phần trong mạch

3.2.1 Tính toán mạch lọc nhiễu
3.2.1.1 Vai trò và yêu cầu của mạch lọc nhiễu
Mạch lọc nhiễu (EMI filter) đóng vai trò quan trọng trong hệ thống điện tử
để giảm thiểu nhiễu điện từ (EMI) và nhiễu từ (RFI) gây ra bởi các thiết bị điện
tử và tín hiệu điện trong mạch. Mạch lọc nhiễu được sử dụng để loại bỏ hoặc
giảm thiểu các tín hiệu nhiễu và tạp âm, nhằm đảm bảo hoạt động ổn định và
chất lượng tín hiệu của hệ thống.
Vai trò chính của mạch lọc nhiễu bao gồm:
Loại bỏ nhiễu nội tại: Các thành phần điện tử trong hệ thống có thể tạo ra
nhiễu nội tại, bao gồm các tín hiệu dao động, dao động hài, và các nhiễu cao tần
khác. Mạch lọc nhiễu được thiết kế để chặn và loại bỏ các tín hiệu này, giữ cho
nguồn điện và tín hiệu trong hệ thống được sạch và không bị nhiễu.

56
 Chặn nhiễu ngoại tại: Hệ thống điện tử có thể bị nhiễu bởi các tín hiệu ngoại
vi, như từ các thiết bị khác, sóng radio, sóng điện thoại di động, hoặc từ môi
trường xung quanh. Mạch lọc nhiễu giúp chặn và loại bỏ các tín hiệu nhiễu này,
giữ cho hệ thống hoạt động ổn định và đảm bảo chất lượng tín hiệu.
Bảo vệ các thiết bị và linh kiện: Nhiễu điện từ và nhiễu từ có thể gây hại
cho các linh kiện điện tử và thiết bị trong hệ thống. Mạch lọc nhiễu giúp bảo vệ
các linh kiện quan trọng khỏi những tác động tiêu cực của nhiễu, giúp tăng tuổi
thọ và độ tin cậy của hệ thống.

Hình 3.1: Sơ đồ khối hệ thống xử lý trung tâm.

Trước khi chuyển đổi nguồn điện từ AC 220V - 50Hz lấy từ lưới điện sang
nguồn điện DC, cần thiết lập một mạch lọc nhiễu để loại bỏ các nhiễu và biến đổi
tín hiệu AC không mong muốn.

3.2.1.2 Tính toán các thành phần mạch lọc nhiễu

Sau khi nhận dòng điện 220V – 50Hz lấy từ lưới điện, dòng điện sẽ được
qua mạch lọc nhiễu trước khi được đưa vào chỉnh lưu thành điện một chiều.

57
 Hình 3.2: Sơ đồ mạch lọc nhiễu điện xoay chiều trước khi được đưa vào mạch
chỉnh lưu
Nhóm đã sử dụng các thành phần mạch có sẵn như tụ Tenta 275VAC 100nF
và cuộn 15MH để xây dựng mạch lọc nhiễu.
3.2.2 Tính toán mạch chỉnh lưu
3.2.2.1 Nguyên lý hoạt động và vai trò của mạch chỉnh lưu
Mạch chỉnh lưu có vai trò chuyển đổi nguồn điện xoay chiều (AC) thành
nguồn điện một chiều (DC). Nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu dựa trên
sự sử dụng các thành phần điện tử như diode và tụ điện để làm việc.

Khi nguồn điện xoay chiều đầu vào được kết nối với mạch chỉnh lưu, diode
trong mạch sẽ cho phép dòng điện chỉ đi theo một hướng, loại bỏ thành phần âm
của nguồn điện và chỉ để lại thành phần dương. Điều này gây ra sự biến đổi từ
nguồn điện xoay chiều thành nguồn điện một chiều không đổi.

Sau đó, tụ điện trong mạch chỉnh lưu sẽ chứa và lưu trữ năng lượng từ
nguồn điện một chiều, tạo thành một nguồn điện DC có thể sử dụng được cho các
thiết bị điện tử.

58
 Hình 3.3: Sơ đồ khối bộ điều khiển qua LoRa.
Vai trò của mạch chỉnh lưu là cung cấp nguồn điện một chiều ổn định và
không gây nhiễu cho các thiết bị hoạt động trong hệ thống. Nó giúp đảm bảo
rằng các thiết bị như bộ sạc, mạch điều khiển và các linh kiện điện tử khác được
cung cấp nguồn điện phù hợp và ổn định, đảm bảo hoạt động hiệu quả và bảo vệ
chúng khỏi các tác động tiềm năng từ nguồn điện xoay chiều.

3.2.2.2 Tính toán các thành phần của mạch chỉnh lưu
Mạch chỉnh lưu sử dụng mạch cầu chỉnh lưu toàn sóng với diode cầu 25A
dẹt 1000V KBJ2510 để chuyển đổi nguồn điện xoay chiều 220V - 50Hz thành
dòng điện một chiều.

Hình 3.4: Sơ đồ mạch chỉnh lưu có sử dụng một tụ điện để lọc nhiễu
Tuy nhiên, đầu ra của mạch chỉnh lưu có điện áp một chiều không ổn định
và có biên dạng sóng nhấp nhô. Để giải quyết vấn đề này, một tụ điện 100uF
400V được kết nối ở ngõ ra của mạch chỉnh lưu để làm san phẳng và ổn định
điện áp.

3.2.3 Tính toàn biến áp xung

3.2.3.1 Vai trò của biến áp xung
Biến áp xung, còn được gọi là transformer, đóng vai trò quan trọng trong
các mạch điện. Vai trò chính của biến áp xung là chuyển đổi điện áp và dòng
điện từ nguồn vào thành điện áp và dòng điện phù hợp cho các thiết bị và mạch
điện khác nhau.

59
 Hình 3.5: Sơ đồ nguyên lý của biến áp xung.
Cụ thể, biến áp xung thực hiện các công việc sau:

- Chuyển đổi điện áp: Biến áp xung có khả năng tăng hoặc giảm điện áp
đầu vào để tạo ra điện áp đầu ra khác nhau. Điều này rất hữu ích trong
việc cung cấp nguồn điện ổn định và phù hợp cho các thiết bị và mạch
điện.
- Chuyển đổi dòng điện: Biến áp xung cũng có khả năng tăng hoặc giảm
dòng điện đầu vào theo yêu cầu. Điều này cho phép điều chỉnh dòng
điện đầu ra để đáp ứng yêu cầu của các thiết bị và mạch điện khác nhau.
- Cách ly điện: Biến áp xung cung cấp cách ly điện giữa đầu vào và đầu
ra. Điều này đảm bảo an toàn cho các thiết bị và người sử dụng bằng
cách ngăn chặn sự truyền tải ngược của điện áp và dòng điện.
- Điều chỉnh tỷ số biến áp: Biến áp xung có thể có nhiều cuộn dây ở đầu
vào và đầu ra, cho phép điều chỉnh tỷ số biến áp. Điều này rất hữu ích
trong việc đáp ứng các yêu cầu cụ thể về điện áp và dòng điện của các
thiết bị và mạch điện

60
3.2.3.2 Tính toán và lựa chọn thông số biến áp xung
Sau khi thực hiện quá trình chỉnh lưu, dòng điện sẽ được tính theo công
thức sau:
VDC = √ 2 .V AC = √ 2 .220  311 (V)
Yêu cầu đầu ra là 240V - 0,3A, do đó công suất cần thiết để nạp vào pin là:
P = V.I = 280.0,6 = 168 (W)
Giả sử hiệu suất của mạch là 70%, ta tính toán dựa trên công suất thực tế
của mạch trong quá trình hoạt động:
P 168
Pout = = 240 (W)
E ff 0 , 7

Đồng thời, để làm phẳng điện áp của dòng điện xoay chiều, chúng ta sử
dụng tụ điện với hai yếu tố CDC và Dch. Giá trị của tụ điện đầu vào Cin tính trên
một công suất đầu vào là CDC. Dựa trên dải điện áp xoay chiều đã xác định,
chúng ta chọn CDC = 3uF.
CDC là giá trị của tụ điện đầu vào Cin, được tính trên một Wattage công
suất đầu vào. Với dải điện áp xoay chiều đã được xác định trước đó, giá trị CDC
nằm trong khoảng từ 2 đến 3 uF. Trong trường hợp này, chúng tôi sẽ lựa chọn
CDC = 3uF.
Dch đại diện cho tỉ số nạp điện của tụ điện đầu vào Cin

Hình 3.6: Đồ thị dạng sóng của điện áp một chiều sau tụ lọc đầu vào

61
Bảng 3.2.1: Thông số kỹ thuật mong muốn

Vin 311 V

Tần số chuyển mạch 100 KHz

Vout 240 V

IOutMin 0,425 A

POutMin 102 W

IOutMax 0,5 A

POutMax 120 W

IOutMax là dòng điện tối đa có thể sạc cho pin Lithium – ion.

Do yêu cầu đầu ra cần điện áp cao và dòng điện thấp, nên ta sẽ chọn chế độ
dòng điện không liên tục cho việc tính toán biến áp xung này.

Đầu tiên, ta sẽ chọn tỉ lệ điện áp cũng như tỉ lệ vòng dây của biến áp xung.

N P U ¿ 311
n= = = =1,296
N S U Out 240

Sau đó, xác định thời gian dẫn của MOSFET để đạt được yêu cầu đẩu ra
mong muốn, với công thức sau:

(V o+ 1)( N p /N s)(0.8T )
T ON =
( V DC −1 ) +(V o +1)(N p / N s )

1
(240+ 1)(1,296)(0 ,8. )
100000 = 4 (µs)
T ON =
( 311−1 )+(240+1)(1,296)

Tiếp theo, tính độ tự cảm của cuộn sơ cấp Lp:

62
 −6 2
Ro (240.4 . 10 )
L p= ¿= 1 = 361 (µH)
2.5 T 2 ,5. .102
100000

Từ đó, xác định được dòng điện đi qua cuộn sơ cấp:

V DC T ON 311.4 . 10−6
I p= = −6 = 3,44 (A)
Lp 361.10

Và dòng điện hiệu dụng đi qua cuộn sơ cấp là:

−6
I p T ON 3 , 44 4.10
.
I rms( primary)= . = 2 1 = 0,688 (A)
2 T
100000

Đường kính dây quấn sẽ là:

D pri =
√ I rms( primary) = √ 0,688 =0 , 41(mm)
2 2

Và dòng điện hiệu dụng qua cuộn thứ cấp được xác định như sau:
−6
I p ( N p / N s ) T r 3 , 44.1,296 . 4. 10
I rms ( secondary )= . = 2 1 = 0,89 (A)
2 T
100000

Với Tr là thời gian khởi động lại,

1 −6
Tr = (0.8T – TON) = (0 , 8. −4. 10 ) = 4 (µs)
100000

Từ đây, đường kính dây cuộn thứ cấp được xác định là:

Dsec =
√ I rms (seconday) = √0 ,89 =0 , 47(mm)
2 2

Do đường kính dây của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp không có sẵn trên thị
trường. Vì thế, thay vì dùng một dây có đường kính 0,41 mm và 0,47 mm. Nhóm
dùng một dây có đường kính 0,5 mm để quấn cuộn dây sơ cấp và thứ cấp.

Tiếp đến, xác định số vòng dây cuộn sơ cấp của biến áp xung để ngăn sự
bão hòa lõi, Np sẽ được tính bằng công thức:

63
 8 8
10 10
N pmin =V DC =311. = 29,43 (vòng)
4 , 44. S . F . B 4 , 44.(1 , 19.2).100000 .1000

Trong đó:

V DC: điện áp một chiều đầu vào qua dây sơ cấp (V)

S: diện tích lõi quấn (cm2)

F: tần số đóng ngắt mosfet (Hezt)

B: là Gausse chọn 1000

Với N pmin = 29,43 vòng, chọn lớn hơn số này để đảm bảo biến áp xung hoạt
động tốt và để lại phần còn lại để quấn cuộn thứ cấp. Chọn Np = 30 vòng.

Từ đây, tính được số vòng dây của cuộn thứ cấp dựa theo tỉ lệ điện áp:

NP 30
Ns = = = 23,148 (vòng)
n 1,296

Từ đây, chọn được số vòng dây cho cuộn thứ cấp là 24 vòng.

Lõi ferrite của biến áp xung phải có khe hở để ngăn sự bão hòa lõi sớm.
Chiều dài khe hở được tính theo công thức sau đây:

( )
2
N 1
G=40 . π . A e . P −
Lm A L

Với:

AL: là hệ số điện cảm của lõi. Theo thông số của nhà sản xuất thì đối với lõi
ferrite loại EE42 thì giá trị AL sẽ bằng 1029 nH/N2.

Lm: là độ tự cảm của cuộn sơ cấp (nH)

Np: là số vòng của cuộn sơ cấp (vòng)

Ae: diện tích mặt cắt ngang của lõi ferrite (m2)

Có được chiều dài khe hở G của lõi là:

64
 ( ) ( )
2
N 1 30
2
1
G=40 . π . A e . P − = 40. π .49 .10−6 . −
Lm A L 409000 1029

= 7,56.10-6 (m) = 0,007 (mm)

Theo thông số của nhà sản xuất, thông số khe hở G của biến áp xung EE42
là 0,25 mm > 0,007 mm. Nên biến áp xung này đáp ứng được yêu cầu của mạch.

Tính tụ lọc đầu ra C1 của mạch theo dòng điện đầu ra cao nhất của mạch là
0,5A và điện áp rơi trên tụ là 0,05V. Điện dung của tụ điện C 1 được tính theo
công thức:

I O . T r 0 ,5.4 .10−6
C= = = 40 (µF)
V drop 0 , 05

Để mạch hoạt động tốt nhất ta chọn tụ lọc đầu ra là tụ hóa 100µF-400V

Bảng 3.2.2: Thông số tính toán biến áp xung

Số vòng dây cuộn sơ cấp Np 30 vòng

Số vòng dây cuộn thứ cấp Ns 24 vòng

Đường kính dây cuộn sơ cấp 0,5 mm

Đường kính dây cuộn thứ cấp 0,5mm

khe hở của biến áp xung 0,25 mm

Tụ lọc đầu ra 100µF-400V

3.2.4 Tính toán mạch dập xung gai

3.2.4.1 Vai trò và yêu cầu của mạch dập xung gai
Mạch dập xung gai, còn được gọi là Snubber Circuit, là một mạch điện tử
được sử dụng để giảm hiện tượng dòng điện quá dư và điện áp chập chờn trong
các ứng dụng điện tử công suất. Mạch dập xung gai thường được kết hợp với các

65
thiết bị như transistor công suất, thyristor, hoặc IGBT để giảm tác động của dòng
điện chập chờn và điện áp chập chờn đối với hệ thống điện.

Đối với mạch điện sử dụng trong đề tài này là kiểu Flyback nên sử dụng
mạch dập xung kiểu Registor Capacitor Diode (RCD) bao gồm điện trở, diode và
tụ được mắc vào mạch như hình sau:

Hình 3.7: Mạch dập xung kiểu RCD.

Vai trò chính của mạch dập xung gai là:

- Giảm điện áp chập chờn (Voltage Spikes): Trong các thiết bị công suất,
khi các cường độ dòng điện lớn tắt hoặc chuyển đổi đột ngột, có thể tạo ra
các hiện tượng điện áp chập chờn không mong muốn. Mạch dập xung gai
được thiết kế để giảm và kiểm soát các hiện tượng này, đảm bảo điện áp
đầu ra ổn định và bảo vệ các thiết bị khác trong hệ thống.
- Giảm dòng điện chập chờn (Current Spikes): Trên cùng nguyên lý, mạch
dập xung gai cũng giúp giảm dòng điện chập chờn trong hệ thống. Khi các
thiết bị công suất chuyển đổi hoặc tắt, dòng điện có thể tăng đột ngột và
tạo ra các dòng chập chờn không mong muốn. Mạch dập xung gai được sử
dụng để kiểm soát và giảm các dòng này, đảm bảo hoạt động ổn định và
bảo vệ hệ thống.
- Bảo vệ thiết bị điện tử: Mạch dập xung gai cũng có vai trò bảo vệ các thiết
bị điện tử khác trong hệ thống. Bằng cách giảm các hiện tượng chập chờn,

66
 mạch này giúp giảm tác động và bảo vệ các linh kiện quan trọng khỏi các
điện áp và dòng điện không mong muốn. Điều này giúp tăng tuổi thọ và
độ tin cậy của các thiết bị trong hệ thống.

3.2.4.2 Tính toán thành phần trong mạch dập xung gai
Các thành phần trong mạch dập xung gai được tính toán như sau:

Độ tự cảm rò trên cuộn sơ cấp là:

LLeak = 0,1. Lp = 0 , 1. 475. 10−6 = 47 ,5. 10−6 (H) (3.19)

Cường độ dòng điện tại đỉnh trên cuộn sơ cấp:

V DC T ON 311.4. 10−6
I p= = −6 = 2,62 (A)
Lp 475.10

Điện áp kẹp VClamp là điện áp an toàn cho linh kiện khi hoạt động. Điện áp
kẹp càng nhỏ khi hoạt động thì linh kiện càng được bảo vệ. Điện áp kẹp V Clamp
được tính dựa theo điện VDS của MOSFET 20N60 với một mức độ an toàn là
90%.

V Clamp =0 , 9. V DS= 0,9.600 = 540 (V) (3.20)

Chọn tần số nhiễu là fswmax = 100 (kHz).

Từ đó, tính được giá điện trở cần thiết cho mạch dập xung bằng công thức:

( V Clamp−V RO )
R Snubber <2 .V Clamp 2 (3.21)
L Leak . I p . f swmax

( 540−207 )
¿ 2.540 . −6 2
=11029 (Ω)
47 ,5. 10 . 2 , 62 .100000

Chọn RSnubber = 12kΩ. Để RSnubber hoạt động tốt nhất ta chọn loại có công suất
lớn hơn hoặc bằng 2W.

Trong mạch Snubber, tụ được tính theo công thức dưới đây:

67
 V Clamp 540
C Snubber > = =9(ηF ¿ (3.22)
V ripple . RSnubber . f swmax 50.12000 .100000

Chọn tụ 103J có CSnubber = 10 ηF và mức điện áp là 630V.

Hình 3.8: Trở và tụ mắc song song.

Và diode cần cho mạch dập xung gai sẽ là một diode phục hồi nhanh (fast
recover diode). Do đó, diode UF4007 sẽ được sử dụng.

Hình 3.9: Diode UF4007.

68
 Hình 3.10: Sơ đồ mạch dập xung gai.
3.2.5 Tính toán mạch tạo xung
3.2.5.1 Nguyên lý hoạt động và vai trò của mạch tạo xung

Mạch tạo xung là một mạch điện tử được thiết kế để tạo ra các xung điện
với tần số và độ rộng có thể điều chỉnh. Mạch này có vai trò quan trọng trong
nhiều ứng dụng, bao gồm mạch đồng hồ điện tử, mạch chớp đèn, mạch điều
khiển motor, mạch thu phát sóng và nhiều ứng dụng khác.

Nguyên lý hoạt động của mạch tạo xung thường dựa trên các phản hồi tích
cực hoặc phản hồi tiêu cực để duy trì sự dao động và tạo ra xung điện. Một số
nguyên lý hoạt động phổ biến bao gồm:

- Mạch RC (Resistor-Capacitor): Trong mạch RC, một tụ điện và một điện

trở được kết nối thành một mạch phản hồi. Tụ điện sẽ được sạc và xả
qua điện trở, tạo ra các xung điện. Thời gian sạc và xả của tụ điện được

69
 xác định bởi giá trị của tụ và điện trở. Bằng cách điều chỉnh các giá trị
này, ta có thể điều chỉnh tần số và độ rộng của xung điện.
- Mạch LC (Inductor-Capacitor): Trong mạch LC, một tụ điện và một cuộn
cảm được kết nối với nhau. Sự tương tác giữa tụ điện và cuộn cảm tạo ra
một dao động tự động, tạo ra các xung điện. Tần số dao động được xác
định bởi giá trị của tụ và cuộn cảm.
- Mạch tụ kép (Flip-Flop): Mạch tụ kép sử dụng hai tụ điện để lưu trữ thông
tin và tạo ra xung điện. Sự chuyển đổi giữa hai trạng thái của mạch
(thường được gọi là "bistable") tạo ra các xung điện có tần số xác định.

Vai trò của mạch tạo xung là tạo ra các xung điện có tần số và độ rộng được
kiểm soát. Các xung điện này có thể được sử dụng để đồng bộ, điều khiển và xử
lý tín hiệu trong nhiều ứng dụng điện tử. Ví dụ, trong mạch đồng hồ điện tử,
mạch tạo xung tạo ra các xung điện để đồng bộ và đo thời gian. Trong mạch điều
khiển motor, mạch tạo xung tạo ra các xung điện để điều khiển tốc độ và hướng
quay của motor. Vai trò của mạch tạo xung là tạo ra xung điện theo yêu cầu của
ứng dụng cụ thể và đảm bảo hoạt động ổn định của hệ thống điện tử.

3.2.5.2 Tính toán các thông số mạch tạo xung

Để MOSFET có thể đóng ngắt ta cần cung cấp xung điện áp vào chân VG
và để cung cấp xung điện áp với tần số là 100kHezt thì ta có thể dùng IC hoặc vi
điều khiển. Ở bài này ta sẽ dùng vi điều khiển thay vì dùng IC để có thể điều
chỉnh các thông số theo mong muốn.

Ở đây ta chọn vi điều khiển STM32F103C8. Bởi giá thành rẽ, tính ổn định
cao. Để có thể lập trình vi điều khiển ta dùng phần mềm STM32CubeMx và keil
uVision.

Đầu tiên ta cài đặt trên phần mềm STM32CubeMx, để tạo được xung có tần
số 100k ta sử dụng chức năng TIMER trên vi điều khiển.

Chọn các thông số Prescaler (PSC), Counter Period (ARR) giá trị lớn nhất
của bộ đếm sao cho tần số của xung PWM đạt mong muốn. Trong đề tài này, tần
số của xung PWM là 100KHz và tính tần số theo công thức sau:

70
 F CLK
F PWM =
( ARR +1 )∗(PSC + 1)
(3.23)

Trong đó: FCLK: là xung đồng hồ, ta chọn là 72MHz

Để FPWM = 100kHezt , ta chọn PSC = 9 và ARR = 71.

Tiếp theo ta viết code trên keil uVision, rồi build ra để nạp vào vi điều
khiển.

Vi điều khiển sẽ cấp xung cho Driver IR2103 để điều khiển MOSFET, xung
sau khi qua IR2103 sẽ được làm nhuyễn lại rồi cung cấp cho mosfet.

Hình 3.11: Driver IR2103

3.2.5.3 Mạch nguồn nuôi

Để tạo ra mạch nuôi có khả năng biến đổi nguồn một chiều 16V thành
nguồn một chiều 5V để nuôi vi điều khiển, bạn có thể sử dụng IC LM7805. Dưới
đây là cách kết nối và hoạt động của mạch:

- Kết nối nguồn vào (VDC): Chân thứ 1 của LM7805 được kết nối với
nguồn điện một chiều 16V.
- Kết nối đất (GND): Chân thứ 2 của LM7805 được kết nối với mặt đất
(mass).
- Kết nối ngõ ra (VOUT): Chân thứ 3 của LM7805 là ngõ ra cung cấp điện
áp ổn định 5V. Đây là nguồn điện mà bạn sẽ sử dụng để nuôi vi điều
khiển.

71
 - Tạo tụ lọc: Để làm phẳng dòng điện và tránh nhiễu, bạn có thể thêm một
tụ lọc trước ngõ ra của LM7805. Tụ lọc được kết nối song song với ngõ ra
và có giá trị thích hợp để lọc và ổn định dòng điện.
- Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của IC LM7805 cho phép nó nhận vào
nguồn điện không ổn định từ nguồn vào và tạo ra một nguồn điện ổn định
và không thay đổi tại ngõ ra. Điện áp đầu ra sẽ được giữ ở mức 5V, bất kể
điện áp đầu vào là cao hơn hay thấp hơn. Điều này giúp vi điều khiển hoạt
động ổn định và bảo vệ nó khỏi những dao động không mong muốn của
nguồn điện.

Hình 3.12: IC LM7805.

Những thông số chính của IC LM7805:

- Giá trị điện áp đầu vào: từ 7 – 20 (V).

- Nhiệt độ hoạt động: từ 0 – 125 (°C).
- Dòng đầu ra: 1,5 (A).
- Điện áp đầu ra ổn định: 5 (V).

Tụ hóa 10 μF – 50V: Là một loại tụ điện có phân cực, chức năng dùng để
lọc nguồn, trong đó 10 (µF) là điện dung, 50 (V) là giá trị điện áp cực đại mà tụ

72
có thể chịu được.

Hình 3.13: Tụ hóa 10 μF – 50V.

Sơ đồ thiết kế:

Hình 3.14: Mạch nguồn nuôi VĐK.

3.2.5.4 Nguồn cách ly

Trong đồ án này do mosfet sẽ trực tiếp điều khiển dòng cao, nên khi xảy ra
sự cố rất dể gây ra hư hỏng cho vi điều khiển. Để khắc phục điều này ta sử dụng
nguồn cách ly để cách ly hai nguồn điện của vi điều khiển và của Driver điều
khiển Mosfet.

Do ta thiết kế theo kiểu cách ly nên phải dùng hai nguồn nguôi khác nhau,
một nguồn dành cho led của Opto quang và vi điều khiển, một nguồn cho cho
trasistor của Opto quang và IR2103.

Trong bài này nhóm dùng Opto quang PC817 để cách ly hai nguồn.

73
 Hình 3.15: Mạch nguồn cách ly VDK với đầu ra của hệ thống.

Ngoài ra, nhóm còn dùng opto HCPL-2631 để cách ly nguồn cho vi điều
khiển và ứng dụng opto này để tạo xung và gửi tín hiệu xung cho Driver IR2103
của mosfet.

74
 Hình 3.16: Mạch nguồn cách ly vi điều khiển và driver.
3.2.6 Tính toán mạch hồi tiếp

Mạch hồi tiếp lấy mẫu điện áp đầu ra để tính toán và gửi lại thông tin vào vi
điều khiển để điều chỉnh lại độ rộng xung. Mục tiêu là để giữ điện áp đầu ra ổn
định ở mức 310V.

Khi không có tải thì duty cycle là 10%, khi có tải điện áp lúc này sẽ giảm
xuống dưới 310V, lúc đó sẽ có tín hiệu gửi về vi điều khiển và sẽ điều chỉnh lại
duty cycle lên 30% để tăng điện áp lên và với tần số là 100kHezt thì điều đó giữ
cho điện áp gần như ổn định ở mức 310V.

Để thực hiện điều đó ta, ta sẽ sử dụng diode zener với mức điện áp đánh
thủng là 310V.

75
 Đầu tiên lấy mẩu điện áp đầu ra và cho qua mạch cầu phân áp, sau đó đi qua
diode zener, ta tính toán mạch cầu phân áp sau cho khi có điện áp cao hơn hoặc
bằng 310V thì diode zener sẽ bị đánh thủng còn khi nhỏ hơn 310V thì diode sẽ
không còn bị đánh thủng và lúc này sẽ có một tín hiệu điện gửi vào chân A4 của
vi điều khiển.

Bên trong vi điều khiển ta sẽ viết code để khi nhận tín hiệu sẽ điều chỉnh
mức duty cycle lên 30%.

Mạch cầu phân áp:

Hình 3.17: Mạch cầu phân áp

Điện trở R1 và R2 khi điện áp đầu ra là 10V và đầu vào là 310V.

V ¿ . R2 310. R 2 (3.24)
V out =V ADC = = =10
R 1+ R 2 R1 + R 2

310R2 = 10R1 + 10R2

R1
=30
R2

Vậy tỷ lệ của R1 và R2 là 30.

Để điện trở hoạt động tốt ta chọn R1 = 100k và R2 = 3,3k.

Để đảm bảo an toàn cho vi điều khiển nên ta sẽ dùng nguồn cách ly và sử
dụng thêm một con mosfet để điều khiển opto quang.

76
 Nguyên lý hoạt động:
- Khi có điện áp đầu ra lớn hơn hoặc bằng 310V: diode sẽ bị đánh thủng và
có dòng đi vào mosfet và opto quang dẫn, làm cho tín hiệu điện vào vi
điều khiển lấy từ nguồn 5V sẽ về mass (PA4 nhận tín hiệu mức 0), vi điều
khiển vẫn giữ duty cycle ở mức 10%.
- Khi có tải vào và điện áp giảm xuống dưới 310V: diode không bị đánh
thủng và không có dòng đi vào mosfet và opto quang sẽ không không dẫn,
lúc này có tín hiệu điện lấy từ nguồn 5V qua trở 1k vào vi điều khiển
(PA4 nhận tín hiệu mức 1), vi điều khiển sẽ điều chỉnh duty cycle lên
30%.

3.3 QUY TRÌNH THIẾT KẾ MẠCH SẠC THỰC

Sau khi đã tính toán các thông số và chọn được các linh kiện phù hợp, mạch
nguyên lý sẽ được mô phỏng trên phần mềm proteus.

Hình 3.18: Sơ đồ nguyên lý.

Sau đó, mạch hàn dây sẽ được thiết kế dựa theo mạch nguyên lý đã được
mô phỏng để tiến hành thực nghiệm.

77
Hình 3.19: Mạch hàn dây.

78
 Hình 3.20: Bộ biến áo xung.
Sau quá trình thực nghiệm, để đưa ra sản phẩm hoàn chỉnh nhất, nhóm tiến
hành làm hàn mạch in.

79
Hình 3.21: Mạch sạc hoàn chỉnh

80
CHƯƠNG 4

THỬ NGHIỆM VÀ ĐÁNH GIÁ HOẠT ĐỘNG CỦA

MẠCH

Nhóm thử nghiệm theo 2 giai đoạn sau:

- Giai đoạn 1: Thử nghiệm trên mạch hàn dây với điện áp xoay chiều 220V.
Mục tiêu của giai đoạn này là tìm ra mức duty cycle phù hợp để đạt được
điện áp đầu ra 320V.

- Giai đoạn 2: Thử nghiệm trên mạch in. Sau khi hoàn thành mạch in nhóm
sẽ khảo sát khi cho mạch sạc hoạt động trong thời gian dài để đánh giá
mức ổn định của mạch sạc.

4.1 THỬ NGHIỆM MẠCH HÀN DÂY

Với biến áp tự quấn theo số vòng tính toán, và các thông số linh kiện đã
được tính toán, nhóm tiến hành khảo sát mạch nạp trong 3 trường hợp:

 Không tải.

 Bóng đèn dây tóc 220V – 60W.

 Bộ pin lithium – ion 72 viên, 300V – 72W.

81
4.1.1 Thử nghiệm mạch không tải

Hình 4.1: Thử nghiệm với duty cycle 5%, không tải.

Hình 4.2: Thử nghiệm với duty cycle 22%, không tải.

Khi thử nghiệm không tải, để đảm bảo an toàn, ban đầu nhóm thận trọng
chọn duty cycle là 5%, điện áp đầu ra của biến áp là 204,9V. Nhóm đã tăng dần

82
các mức duty cycle với tần số đóng ngắt là 100KHz.

Bảng 4.1: Kết quả thử nghiệm ở điện áp 220V, không tải.

Duty cycle (%) Điện áp (V)

5 204,9

10 245,6

12 284,1

16 334,2

20 357,6

22 370,5

Nhóm nhận thấy rằng ở mức duty cycle trong khoảng 16% – 22% sẽ cho ra
điện áp đầu ra ở mức mong muốn. Khi đưa mức duty cycle lên mức 25% thì
mosfet dễ bị cháy, nên nhóm sẽ chọn duty cycle là 16% để thực nghiệm trong các
trường hợp tiếp theo.

83
4.1.2 Thử nghiệm mạch với bóng đèn dây tóc 220V – 60W

Hình 4.3 Thử nghiệm với bóng đèn dây tóc 220V - 60W

Khi khảo sát mô hình với bóng đèn dây tóc 220V – 60W. Nhóm tiến hành thay
đổi các khoảng duty cycle với tần số đóng ngắt cố định là 100kHz.

Bảng 4.2: Kết quả thử nghiệm với bóng đèn dây tóc 220V.

Duty cycle (%) Điện áp (V) Cường độ (A) Công suất (W)
5 _ _ _
10 55,5 0,23 12,8
12 172,4 0,42 73,4
16 277,7 0,45 126,0
20 285,2 0,47 134,3
22 323,2 0,51 168,0

84
 Với tần số 100KHz, khi nhóm nghiên cứu tiến hành tăng dần dần mức duty
cycle lên thì các giá trị của mạch như điện áp, cường độ và cả công suất đều tăng
theo.

4.1.3 Thử nghiệm mạch với bộ pin lithium – ion 72 viên

Mạch nguyên lý:

85
 Hình 4.4: Sơ đồ nguyên lý nối với bộ pin.

Từ thử nghiệm với các mức duty cycle ở trên, nhóm tiếp tục thử nghiệm với
tải lớn hơn, là bộ pin liithium – ion 72 viên mắc nối tiếp, điện áp của bộ pin
khoảng 300V. Kết quả thử nghiệm như sau:

Bảng 4.3: Kết quả thử nghiệm với bộ pin 240V – 72W không có hồi tiếp điện áp.

Duty cycle (%) Điện áp (V) Cường độ (A) Công suất (W)

5 _ _ _

86
 10 114,5 0 0

12 173,1 0 0

16 288,6 0,04 12,3

20 357,1 0,07 25,2

22 382,3 0,07 27,5

Do sự chệnh lệch của điện áp mà mạch nạp tạo ra được (357V) và điện áp
của bộ pin 60 cells (300V) nên khi có tín hiệu hồi tiếp trả về vi điều khiển, với
code xử lý ngắt khi điện áp vượt quá 300V đã được nhóm lập trình sẵn trước đó,
nhóm đã thu được xung điều khiển như hình 4.4 bên dưới và nhận thấy vi điều
khiển có sự bỏ xung ở một số chỗ. Nhóm đã cho ra xuất ra được mức điện áp đầu
ra đủ để sạc cho bộ pin, tuy nhiên dòng sạc quá nhỏ dẫn đến công suất nạp thấp.

Hình 4.5: Thử nghiệm với bộ pin 300V-72W có hồi tiếp.

4.2 THỬ NGHIỆM MẠCH IN
Nhóm đã thiết kế, gia công xong mạch in và đưa vào khảo sát, tuy nhiên đã
xảy ra vấn đề kỹ thuật và không có đủ thời gian để khắc phục, do đó mục tiêu

87
khảo sát sự ổn định của mạch sạc trong thời gian dài đã không thể hoàn thành.
Đối với mạch in, nhóm chỉ đạt được một số kết quả sau: nhận được điện áp một
chiều 320V để đưa vào cuộn biến áp, xuất được tín hiệu điện áp 12V từ IR2103
để đưa vào MOSFET.

Hình 4.6: Thử nghiệm với mạch in.

4.3 ĐỘ RỘNG XUNG

Từ các kết quả thử nghiệm trên cho thấy, khi độ rộng xung càng lớn thì điện
áp và cường độ dòng điện càng tăng. Đồng thời nhiệt độ trên các linh kiện cũng
tăng cao đòi hỏi phải tản nhiệt tốt để mạch có thể hoạt động ổn định.

88
Hình 4.7: Độ rộng xung PWM 16%.

89
CHƯƠNG 5

KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

5.1 KẾT LUẬN

Trong khoảng thời gian thực hiện đề tài thiết kế mạch nạp cho xe điện dùng
biến áp xung có tín hiệu hồi tiếp, nhóm đã thực hiện và hoàn thành được các nội
dung như sau:

- Tìm hiều về các thông số của pin Lithium-ion và bộ sạc NEMO14-30 cho
xe điện Tesla. Từ đó xác định mục tiêu, đối tượng nghiên cứu và khoanh vùng
phạm vi nghiên cứu và hướng phát triển của đề tài.

- Tra cứu tài liệu để nắm được công dụng, thông số của các linh kiện điện
tử như MOSFET 20N60 và Driver IR2103, IC A2631,… Từ đó ứng dụng hiệu
quả và dễ dàng xử lý khi xảy ra hư hỏng.

- Tìm hiểu nguyên lý hoạt động của các loại nguồn xung, từ đó so sánh
công suất, hiệu quả sử dụng và đi đến quyết định sử dụng nguồn xung Flyback.

- Tra cứu các công thức, học được cách tính toán các thông số cần thiết của
các linh kiện điện tử và sử ảnh hưởng lên nhau của các linh kiện.

- Làm quen với việc lập trình và môi trường biên dịch của phần mềm Keil
uVision và STM32CubeMX, lập trình một số chức năng cơ bản trên vi điều
khiển STM32, từ đó ứng dụng vi điều khiển để lập trình tín hiệu ngõ vào và độ
rộng xung, tần số PWM để điều khiển biến áp xung.

- Thử nghiệm với mạch hàn dây, khắc phục những sai sót, thay thế linh kiện
phù hợp để đạt được kết quả đáp ứng gần đúng với mục đích ban đầu.

- Thiết kế và gia công mạch in, đồng thời thử nghiệm trên mạch in dựa trên
các đánh giá đã rút ra từ giai đoạn thử nghiệm mạch hàn dây.

90
 Mô hình mà nhóm đã thiết kế về cơ bản đạt được mức điện áp sạc như
mong muốn, hoạt động ổn định trên mạch hàn dây, tuy nhiên dòng điện nhỏ dẫn
đến công suất sạc thấp. Đồng thời, mô hình này không có tính chất thương mại,
nó cần tiếp tục nghiên cứu và cải tiến để có được những bước tiến xa hơn. Thông
qua đề tài cũng giúp nhóm đánh giá được các khó khăn khi thực hiện mô hình
cũng như khả năng hoạt động và hạn chế của đề tài này trong thực tế và từ đó có
thể đưa ra hướng phát triển cho đề tài trong tương lai.

5.2 HƯỚNG PHÁT TRIỂN

Đây là vẫn một trong những đề tài có tính ứng dụng cao và đang đang được
nghiên cứu nhiều hơn. Cần có sự đầu tư thêm về thời gian và chi phí để đề tài có
thể cải tiến. Nhóm đưa ra một số đề xuất cải tiến trong các đề tài mạch nạp pin xe
điện sắp tới cũng như xu hướng phát triển trong tương lai như sau:

- Thay thế các linh kiện để đạt được mức công suất nạp lớn hơn.

- Thiết kế bộ nạp pin với mục đích giúp cân bằng điện áp trong mỗi viên
pin, điều này không chỉ giúp sạc nhanh mà còn giúp tăng tuổi thọ cho
pin.

- Lập trình bộ điều khiển sao cho bộ sạc có thể xử lý nhiều mức điện áp
khác nhau, điều này giúp bộ sạc hoạt động ổn định, tránh được các hư
hỏng, cháy nổ khi điện áp hồi tiếp lớn.

- Kết nối và giao tiếp thông qua IoT: Sử dụng công nghệ Internet of
Things (IoT), mạch nạp pin có thể được kết nối và giao tiếp với hệ thống
quản lý thông qua mạng internet. Điều này cho phép người dùng từ xa
kiểm soát và giám sát quá trình sạc pin, theo dõi tình trạng pin và nhận
thông báo khi cần thiết.
- Sử dụng nguồn năng lượng tái tạo: Để giảm tác động đến môi trường,
việc sử dụng nguồn năng lượng tái tạo để nạp pin là một hướng phát
triển quan trọng. Các nguồn năng lượng như năng lượng mặt trời, gió,
thủy điện có thể được sử dụng để cung cấp điện cho quá trình nạp pin.

91
92
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Tổng Cục Thống Kê, “Toàn cảnh kinh tế xã hội Việt Nam 2021”, Hà Nội,
06/01/2022.

[2] Trần Quốc Tiến, Nguyễn Thanh Phong, “Thiết kế và thi công hệ thống IoT
phục vụ cho nông nghiệp ứng dụng Gateway”, đồ án tốt nghiệp, Trường Đại học
Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM, 05/2019.

[3] FAO/WHO. “Fruit and Vegetables for Health”. Report of a joint FAO/WHO
workshop 1 – 3 September 2004, Kobe, Japan.

[4] Steven T. Yen, Andrew K.G.tan and Rodolfo M. Nayga Jr. Determinants of
fruit and vegetable consumption in Malaysia: an ordinal system approach. “The
Australian Journal of Agricultural and Resource Economics”, 2011.

[5] Tạ Thu Cúc, Nguyễn Thị Trường, Vương Thị Tuyết. “Giáo trình kỹ thuật
trồng rau”, Nhà xuất bản Hà Nội, 2005.

[6] Võ Văn Chi. “Cây rau làm thuốc”. Nhà xuất bản tổng hợp Đồng Tháp, 1998.

[7] Trần Khắc Thi, Nguyễn Công Hoan. “Kỹ thuật trồng rau sạch an toàn và chế
biến rau xuất khẩu”. Nhà xuất bản Hà Nội 2007.

[8] Lại Nguyễn Duy, Lưu Văn Đại, Huỳnh Thanh Hòa. “Giáo trình Công Nghệ
Internet of Things”. Bộ Công Thương, Trường Cao Đẳng Kỹ Thuật Cao Thắng,
TP. Hồ Chí Minh, 2019.

[9] Nguyễn Hoàng Dũng, Dương Thế Anh. “Ứng dụng công nghệ LoRa để xây
dựng hệ thống giám sát trên các toa tàu đường sắt Việt Nam”. Tạp chí Khoa học
và Công nghệ 141 015-021, 2020.

[10] Nguyễn Chí Nhân, Phạm Ngọc Tuấn, Nguyễn Huy Hoàng. “Mạng cảm biến
không dây ứng dụng cho nông nghiệp công nghệ cao”. Tạp chí phát triển Khoa
học và Công nghệ - Khoa học Tự nhiên, 3(4):259-270, 31/12/2019.

93
[11] Smart Industry VN, “Lora là gì? Ứng dụng của mạng Lora là gì”,
smartfactoryvn.com, 16/08/2019.

[12] Nguyễn Đình Phú, “Giáo trình Vi điều khiển PIC”, Đại học Sư phạm Kỹ
thuật Tp. Hồ Chí Minh, 8/2016.

[13] Nguyễn Hữu Phước, “Kiến thức cơ bản về giao tiếp UART”,
dientuviet.com, 25/4/2021.

[14] Texas Instruments, “1-Wire Enumeration”, Application Report, January

2018.

[15] Nguyễn Đình Phú, Trương Ngọc Anh, Phan Vân Hoàn. “Giáo trình Thực
hành Vi Điều Khiển Pic 18F6722”, Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp. Hồ Chí Minh,
2/2021.

[16] Vũ Tiến Trình, Lê Vũ Khánh. “Hệ thống bãi giữ xe ứng dụng công nghệ
RFID kết hợp nhận diện biển số”, Đồ án tốt nghiệp, Đại học Sư phạm Kỹ thuật
TP. HCM, 2018.

[17] “Thegioiic”, ngày truy cập 29/05/2022. Website:

thegioiic.com

[18] Arduino Mega2560 Datasheet, RobotShop, https://datasheetspdf.com/pdf-

file/1401943/Arduino/Mega-2560/1

[19] “Electronic Components Datasheet Search”, ngày truy cập 03/06/2022.

Website:

alldatasheet.com

[20] ESP8266 Datasheet, ESPRESSIF SYSTEMS CO., LTD,

https://espressif.com/sites/default/files/documentation/0a-
esp8266ex_datasheet_en.pdf

[21] SX1276/77/78/79 Datasheet, SEMTECH CORPORATION,

https://datasheetspdf.com/pdf-file/923298/SemtechCorporation/SX1278/1

94
[22] Dual Full-Bridge Driver, STMicroelectronics Group of Companies,
https://www.sparkfun.com/datasheets/Robotics/L298_H_Bridge.pdf

95