BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHỆ TP. HCM

---------------------------

H
NGUYỄN NGỌC TRUNG

C
E
TÌM ĐIỂM CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI

T
CỦA PIN MẶT TRỜI .

U
H LUẬN VĂN THẠC SĨ
Chuyên ngành : Thiết bị, mạng và nhà máy điện
Mã số ngành: 60 52 50

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 07 năm 2012

 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHỆ TP. HCM
---------------------------

NGUYỄN NGỌC TRUNG

H
C
E
TÌM ĐIỂM CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI

T
CỦA PIN MẶT TRỜI.

U
H
LUẬN VĂN THẠC SĨ
Chuyên ngành : THIẾT BỊ , MẠNG VÀ NHÀ MÁY ĐIỆN
Mã số ngành: 60 52 50

HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. TRƯƠNG VIỆT ANH

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 07 năm 2012

 CÔNG TRÌNH ĐƯỢC HOÀN THÀNH TẠI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHỆ TP. HCM

Cán bộ hướng dẫn khoa học : TS. TRƯƠNG VIỆT ANH

Luận văn Thạc sĩ được bảo vệ tại Trường Đại học Kỹ thuật Công nghệ TP.
HCM ngày 14 tháng 07 năm 2012

H
Thành phần Hội đồng đánh giá Luận văn Thạc sĩ gồm:

C
(Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị của Hội đồng chấm bảo vệ Luận văn T hạc sĩ)

E
1. TS. Huỳnh Châu Duy - Chủ tịch
2. PGS. TS. Đinh Thành Việt - Phản biện 1

T
3. TS. Ngô Cao Cường - Phản biện 2
4. . TS. Trần Vĩnh Tịnh - Uỷ viên

U
5. PGS. TS. Quy ền Huy Ánh - Uỷ viện, Thư ký

Xác nhận của Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận sau khi Luận văn đã được

H
sửa chữa (nếu có).

Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV

TRƯỜNG ĐH KỸ THUẬT CÔNG NGHỆ TP. HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
PHÒNG QLKH - ĐTSĐH Độc lập - Tự do - Hạnh phúc

TP. HCM, ngày .… tháng….. năm 2011

NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ

Họ tên học viên: NGUYỄN NGỌC TRUNG Giới tính: Nam

Ngày,
Ngày, tháng
tháng,, năm sinh: 09 - 06 - 1965 Nơi sinh:
sinh: TP HCM
Chuyên ngành: Thiết bị , mạng và Nhà máy điện . MSHV: 1081031028

I- TÊN ĐỀ T ÀI:

H
C
TÌM ĐIỂM CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA PIN MẶT TRỜI.

E
II- NHIỆM VỤ VÀ NỘI DUNG:

T
- Nội dung : Tìm điểm công suất cực đại của pin mặt trời
- Phương pháp nghiên cứu : Mô phỏng
- Kết quả đạt được : Thực hiện được mô phỏng giải thuật tìm điểm công suất cực

U
đại của pin mặt trời

H
III- NGÀY GIAO NHIỆM VỤ: 15 - 09 - 2011

IV- NGÀY HOÀN THÀNH NHIỆM VỤ: 15 - 06 -2012

V- CÁN BỘ HƯỚNG DẪN: TS . TRƯƠNG VIỆT ANH

CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH

TS. TRƯƠNG VIỆT ANH

 i

LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan đây là công tr ình nghiên cứu của riêng tôi. Các s ố liệu, kết
quả nêu trong Luận văn là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ
công trình nào khác.

Tôi xin cam đoan rằng mọi sự giúp đỡ cho việc thực hiện L uận văn này đã
được cảm ơn và các thông tin trích dẫn trong Luận văn đã được chỉ rõ nguồn gốc.

H
Học viên thực hiện L uận văn

C
T E Nguyễn Ngọc Trung

U
H
 ii

LỜI CÁM ƠN

Tôi xin chân thành cảm ơn TS.Trương Việt Anh – Phó Trưởng khoa điện –
điện tử – Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ thuật Tp.HCM, người thầy đ ã h ết l òng chỉ
bảo, hướng dẫn, truyền đạt những kiến thức chuy ên môn cũng như những kinh
nghiệm nghiên cứu trong suốt thời gian học tập v à thực hiện luận văn n ày.

Xin chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu, Ban chủ nhiệm khoa Cơ - Điện –
Điện tử, Phòng quản lý sau đại học của Trường Đại Học Kỹ thuật Công nghệ
Tp.HCM đã tạo những điều kiện tốt nhất về vật chất lẫn tinh thần để chúng tôi
hoàn thành tốt luận văn n ày.

H
Xin chân thành cám ơn đến tất cả Quí Thầy, Cô của Trường Đại Học Kỹ
thuật Công nghệ Tp.HCM đ ã giảng dạy, trang bị cho tôi những kiến kiến thức rất bổ
ích và quí báu trong suốt quá trình học tập cũng như nghiên cứu sau n ày.

C
Xin cảm ơn bạn bè, đồng nghiệp và đặc biệt l à nhóm thực nghiệm chung

E
Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ thuật Tp.HCM và Trường Đại Học Kỹ thuật Công
nghệ Tp.HCM dưới sự hướng dẫn của Thầy Trương Việt Anh những người luôn
giành những tình cảm sâu sắc nhất, giúp đỡ v à khuyến khích tôi để cùng nhau vượt

T
qua mọi khó khăn trong suốt quá tr ình thực hiện luận văn n ày.
Xin cảm ơn Gia đình đã tạo mọi điều kiện để tôi y ên tâm học tập tốt trong

U
suốt thời gian vừa qua.
Xin c ảm ơn Ban Giám
Giám Hiệu Trường Cao đẳng Giao Giao thông Vận tải TPHCM

H
và t ất cả bạn bè thân thuộc đã động viên, tạo điều kiện thuận lợi v à h ỗ trợ cho tôi
rất nhiều trong quá tr ình học tập, công tác cũng như trong suốt thời gian thực hiện
luận văn.

TP.Hồ Chí Minh, tháng 06 năm 2012

Người
Người thực
thực hiện
hiện
Nguyễn Ngọc Trung
Nguy
 iii

TÓM TẮT
Nghiên cứu n ày trình bày phương pháp tìm điểm làm việc có công suất cực đại của
pin mặt trời (MPPT) bằng giải thuật INC. Tác giả sử dụng Matlab/Simulink để xây
dựng mô hình pin mặt trời và mô phỏng giải thuật và sử dụng thực nghiệm để kiểm
tra giải thuật.

Kết quả mô phỏng và th ực nghiệm cho thấy sự cần thiết phải sử dụng MPPT trong
hệ thống pin mặt trời v à bằng việc sử dụng giải thuật INC, hệ thống đ ã nhanh
chóng đưa pin mặt trời vào làm việc tại điểm có công suất tối ưu.

H
C
T E
U
H
 iv

ABSTRACT
This study presents the Maximum Power Point Tracking (MPPT) technique of
Photovoltaic by INC Algorithm. The author uses Matlab / Simulink for modeling
and simulation of solar cells and the Algorithm.

The simulation results and experiment shows the need to use MPPT solar system
and by using the INC algorithm, the system was quickly put photovoltaic to work at
optimum power point .

H
C
T E
U
H
 v

MỤC LỤC

TRANG

Lời cam đoan i

Lời cám ơn ii
Tóm tắt iii
Mục lục v
Danh sách các ch ữ viết tắt vii

H
Danh sách các b ảng vii
Danh mục các biểu đồ, đồ thị, sơ đồ, h ình ảnh viii

C
N ội dung luận văn

Chương 1 .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
................1
.....1

E
TỔNG QUAN .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................
........................
.....................1
........1
1.1 Tổng quan chung về lĩnh vực nghiên cứu, các kết quả nghi ên cứu trong và

T
ngoài nước đã công bố .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................
.................1
......1
1.2. Mục đích của đề t ài .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................
...............1
....1

U
1.3. Nhiệm vụ của đề t ài và giới hạn đề tài............................
ài........................................
.......................
......................
.............4
..4
1.4. Phương pháp nghiên cứu ....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
..................4
.......4

H
1.5. Nộidung luận văn ......................
..................................
.......................
.....................
.......................
........................
.....................
................5
......5
Chương 2 .....................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
................6
.....6
CƠ SỞ LÝ THUYẾT ......................
..................................
.......................
......................
.......................
.......................
.....................
..................6
........6
2.1 Mô hình pin mặt trời .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................
.............6
..6
2.2. Bộ chuyển đổi DC/DC boost converter ..................... ...............................
.......................
........................
................13
.....13
2.3. Điểm l àm việc cực đại của Pin mặt trời ..................... ...............................
.......................
........................
................16
.....16
2.4. Các phương pháp t ìm điểm cực đại của pin mặt trời phổ biến ..........................21
2.4.1. Phương pháp điện áp hằng số ..................... .................................
.......................
......................
..............
... 21
2.4.2. Phương pháp P&O (Perturb and Observe) .......................................22
Chương 3.....................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
..............
...25
25
CHỌN GIẢI THUẬT BỘ D Ò ĐIỂM CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA PIN MẶT
TRỜI ......................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
.....................
........................
.......................
...................25
.........25
3.1. Phương pháp INC (Incremental Conductance) ..................... ..................................
.......................
...............25
.....25
 vi

3.2. Mô hình mô ph ỏng giải thuật .....................

...............................
.......................
.......................
.......................
.....................27
........27
3.2.1. Mô hình Pin mặt trời .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.................
.... 28
3.2.2. Giải thuật INC .....................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
..............
... 31
Chương 4 .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
..............
...33
33
KẾT QUẢ MÔ PHỎNG .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................
...............33
33
4.1. Mô hình pin mặt trời ....................
...............................
........................
.......................
.......................
.......................
.....................33
...........33
4.2. Giải thuật MPPT .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.......................
.....................
................35
......35
Chương 5 .....................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
..............
...42
42
KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM ..................... ..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
................42
.....42
5.1. Mô hình thực nghiệm .....................
..................................
.......................
.....................
........................
.......................
...................42
.........42

H
5.2. Kết quả thực nghiệm .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.......................
.....................50
...........50
Chương 6.....................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
......................
.......................
.......................
..............
...54
54

C
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ T ÀI ..................... ..................................
...................54
......54
6.1. Kết luận ......................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................
.....................
........................
.................54
....54

E
6.2. Hướng phát triển của đề t ài ......................
..................................
.......................
......................
.......................
......................54
..........54
TÀI LIỆU THAM KHẢO .................... ...............................
.......................
.......................
........................
.......................
.................56
.......56

T
PHỤ LỤC

U
H
 vii

DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT

PV : PhotoVotaic : Pin quang điện ( pin mặt trời )

Tracking : Dò tìm điểm cực đại
MPPT : Maximum Power Point Tracking
P&O : Perturb and Observe : Phương pháp nhiễu loạn và quan sát
INC : Incremental
Incremental Conductance : Phương pháp INC
INC
NOCT : Normal Control Ttemperature : Niệt độ vận hành bình thường

H
DANH MỤC CÁC BẢNG

C
TRANG
Bảng 3.1. Thông số của pin mặt trời thương mại MSX 60 tại 1 kW/m 2 , 25 oC .......29

E
Bảng 3.2 Thông số của pin mặt trời thương mại WN -15 tại 1 kW/m2 , 25 oC ........
..........43
..43

T
U
H
 viii

DANH MỤC CÁC BIỂU ĐỒ, ĐỒ THỊ, SƠ ĐỒ , HÌNH ẢNH

TRANG
Hình 1.1. Phân bố tổng số giờ nắng 3 tháng 1,2,3 năm 2011 .....................................2
Hình 1.2. Bức xạ mặt trời tại ba th ành phố tiêu biểu năm 2010 ................................2
Hình 2.1. Mạch điện tương đương của pin mặt trời ......................
..................................
.......................
................8
.....8
Hình 2.2. Mô hình pin mặt trời lý tưởng.....................
.................................
.......................
......................
.......................
.............9
.9
Hình 2.3. Mô đun pin mặt trời .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.......................
..............
...10
10
Hình 2.4. Đặc tuyến I-V với các bức xạ khác nhau ......................
..................................
.......................
................12
.....12
Hình 2.5. Đặc tuyến P-V với các bức xạ khác nhau .....................
.................................
.......................
................12
.....12

H
Hình 2.6. Sơ đồ nguyên lý mạch boost .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.............. 13
Hình 2.7. Mạch điện khi S đóng ......................
..................................
.......................
.....................
.......................
.......................14
..........14

C
Hình 2.8. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên cuộn dây L khi S đóng ...................14

E
Hình 2.9. Mạch điện khi S mở ......................
..................................
.......................
......................
.......................
.......................
............. 15
Hình 2.10. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên L khi S mở ...................................15

T
Hình 2.11. Đặc tuyến I-V, P-V của pin mặt trời với điểm công suất cực đại ............17
Hình 2.12. Các điểm MPP dưới các điều
đ iều kiện môi trường thay đổi .........................17

U
Hình 2.13 Sơ đồ khối của hệ thống MPPT tiêu biểu. .....................
.................................
.......................
..............
...18
18

H
Hình 2.14. Bộ DC/DC giúp hút công suất cực đại từ pin mặt trời ............................19
Hình 2.15. Giải thuật MPPT dựa trên các điện áp hằng số ....................
...............................
...................22
........22
Hình 2.16. Đặc tính của pin mặt trời ....................
...............................
........................
.......................
.......................
.................23
....23
Hình 2.17. Đồ thị PV khi bức xạ thay đổi và sự làm việc tìm điểm cực đại của
phương pháp P&O .....................
.................................
.......................
......................
.......................
.......................
......................
....................23
.........23
Hình 2.18 Giải thuật P&O .....................
..................................
.......................
.....................
........................
.......................
...................24
.........24
Hình 3.1. Độ dốc (dP/dV) của PV .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.....................26
........26
Hình 3.2. Giải thuật InC .....................
...............................
.......................
.......................
.......................
........................
.....................
..............27
27
Hình 3.3. Mô hình pin mặt trời được xây dựng trong Matlab/Simulink
Matlab/Simulink ...................28
...................28
Hình 3.4. Mô hình pin mặt trời thu gọn ....................
...............................
.......................
.......................
.......................
.............. 28
Hình 3.5. Bảng thông số đầu vào của pin mặt trời .....................
..................................
.......................
.................29
.......29
Hình 3.6. Đặc tuyến I-V, P-V với các bức xạ khác nhau (Nhiệt độ pin 25 oC)..........30
 ix

Hình 3.7. Đặc tuyến I-V, P-V với nhiệt độ vận hành khác nhau (bức xạ 1kW/m2)...30
Hình 3.8. Bộ phận đo điện áp v à dòng điện ......................
..................................
.......................
.....................
................31
......31
Hình 3.9. Giải thuật INC được xây dựng trong
tron g Matlab & Simulink .........................31
Hình 3.10. Mô hình mô phỏng đặc tuyến pin mặt trời .....................
...............................
.......................
............... 32
Hình 3.11. Mô hình mô phỏng giải thuật ......................
..................................
.......................
......................
....................32
.........32
Hình 4.1. Bức xạ mặt trời ....................
...............................
........................
.......................
.......................
.......................
.....................33
...........33
Hình 4.2. Đặc tuyến PV của pin mặt trời ......................
..................................
.......................
......................
....................34
.........34
Hình 4.3. Đặc tuyến IV của pin mặt trời .....................
.................................
.......................
......................
......................35
...........35
Hình 4.4. Điện áp làm việc của pin mặt trời .....................
...............................
.......................
.......................
................36
......36

H
Hình 4.5. Dòng điện làm việc của pin mặt trời ....................
...............................
........................
.......................
..............36
36
Hình 4.6. Công suất làm việc của pin mặt trời .....................
..................................
.......................
.....................
...............37
37

C
Hinh 4.7. Điện áp l àm việc của pin mặt trời tương ứng với công suất thu được .......37

E
Hình 4.8. Bức xạ mặt trời thay đổi nhanh .....................
.................................
.......................
......................
....................39
.........39
Hình 4.9. Điện áp làm việc của pin mặt trời .....................
...............................
.......................
.......................
................39
......39

T
Hình 4.10. Dòng điện làm việc của pin mặt trời ....................
...............................
.......................
.......................40
...........40
Hình 4.11. Công suất làm việc của pin mặt trời .....................
..................................
.......................
.....................40
...........40

U
Hinh 4.12. Điện áp làm việc của pin mặt trời tương ứng với công suất thu được .....41
Hình 5.1. Mô hình thực nghiệm ......................
..................................
.......................
......................
.......................
......................42
..........42

H
Hình 5.2. Pin mặt trời và thông số của nhà sản xuất ....................
...............................
.......................
.................43
.....43
Hình 5.3. Sơ đồ mạch công suất v à bộ phận đo lường dòng điện .............................44
Hình 5.4.Sơ đồ nguyên lý mạch điều khiển ......................
..................................
.......................
......................
................45
.....45
Hình 5.5. Sơ đồ mạch in mạch điều khiển .....................
.................................
.......................
......................
..................46
.......46
Hình 5.7. Mạch điều khiển và mạch công suất thi công .....................
...............................
......................47
............47
Hình 5.8. Lưu đồ chương trình chính .....................
..................................
.......................
.....................
........................
.................48
48
Hình 5.9 Lưu đồ chương trình MPPT.....................
MPPT..................................
.......................
.....................
........................
.................49
49
Hình 5.10. Điện áp và công suất và dòng điện pin mặt trời .....................................52
Hình 5.11. Độ rộng xung kích Mosfet ....................
...............................
........................
.......................
.......................
.................52
52
Hình 5.12. Cường độ sáng của tải là bóng đèn 20W ....................
...............................
.......................
.................52
.....52
 x

Hình 5.13. Điện áp trên tải và dòng điện chạy qua tải .....................
...............................
.......................
............... 52
Hình 5.14. Điện áp pin mặt trời .....................
...............................
.......................
........................
.......................
.......................
............. 53
Hình 5.15. Điện áp pin mặt trời .....................
...............................
.......................
........................
.......................
.......................
............. 53

H
C
T E
U
H
 1

Chương 1

TỔNG QUAN
1.1. Tổng quan chung về lĩnh vực nghi ên cứu, các kết quả nghi ên cứu trong
và ngoài nước đ ã công bố
Ngày nay, nhu cầu sử dụng các nguồn năng lượng tái tạo đang tăng l ên m ạnh
mẽ do bởi các nguồn năng lượng hóa thạch đang dần cạn kiệt v à chúng gây ra
những hậu quả về môi trường như hiệu ứng nh à kính, lũ lụt… Trong các nguồn

H
năng lượng tái tạo như năng lượng sinh khối, năng lượng địa nhiệt, gió, thủy điện
nhỏ, năng lượng mặt trời đang dần trở n ên rất phổ biến bởi vì chúng có nhiều ưu

C
điểm trong phương pháp phát điện, ch i phí bảo dưỡng thấp, an toàn cho người sử
dụng, không gây ô nhi ễm môi trường và đặc biệt nguồn tài nguyên này cực kỳ lớn.

E
Tổng tiêu thụ năng lượng của con người tr ên thế giới hiện tại (tính tổng cộng

T
tất cả các loại năng lượng như dầu hỏa, than đá, thủy điện, v.v.) k hoảng 15 nghìn tỷ
watt, tức là ch ỉ bằng khoảng 1/5000 công suất dự trữ của năng lượng mặt trời cho

U
trái đất. Trong số 15 ngh ìn t ỷ watt công suất năng lượng mà con người đang d ùng,
thì có đến 37% là t ừ dầu hỏa, 25% là than đá, và 23% là khí đốt (tổng cộng b a th ứ

H
này đã đến 85%), là những nguồn năng lượng cạn kiệt nhanh ch óng và không phục
hồi lại được .
Với tốc độ khai thác hiện tại, th ì các nguồn năng lượng hóa thạch sẽ gần như
hết đi trong thế kỷ 21. Tương lai năng lượng của thế giới không thể nằm ở những
nguồn n ày, mà phải nằm ở những nguồn năng lượng tái tạo (renewable energy), ví
dụ như năng lượng gió và thủy năng. Nhưng tổng cộng dự trữ của tất cả các nguồn
khác này (trong đó chủ yếu l à gió) chỉ bằng khoảng 1 phần trăm nguồn dự trữ năng
lượng mặt trời. Bởi vậy có thể nói tương lai năng lượng của thế giới chính là năng
lượng mặt trời.
Ở Việt Nam, vị trí địa lý đã ưu ái cho chúng ta một nguồn năng lượng tái tạo
vô cùng lớn, đặc biệt là năng lượng mặt trời. Nằm gần đường xích đạo, Việt Nam
 2

nằm trong khu vực có cường độ bức xạ mặt trời tương đối cao, năng lượng bức xạ
mặt trời trung bình đạt 4 đến 5kWh/m2 mỗi ngày[1].

H
C
T E
Hình 1.1. Phân bố tổng số giờ nắng 3 tháng 1,2,3 năm 2011[1]

U
H
Hình 1.2. Bức xạ mặt trời tại ba th ành phố tiêu biểu năm 2010[3]
Tuy nhiên, với tiềm năng lớn song năng lượng mặt trời lại đang gặp những
rào cản lớn về kỹ thuật và các rào c ản khác. Rào cản kỹ thuật là một trong những
 3

thách thức lớn cho việc

việc sử dụng pin mặt trời hiện nay do bởi giá thành cao và hiệu
suất chuyển đổi năng lượng c òn thấp. Giá của một mô đun pin mặt trời khoảng
3.5$/Wp và nếu tính cả chi phí lắp đặt hệ thống th ì khoảng 7$/Wp dẫn đến giá
thành điện năng phát ra c òn rất cao khoảng 0.25 – 0.65 $/kWh gấp gần 5 lần điện
năng phát ra dùng nguồn năng lượng hóa thạch [2]. Ngoài ra còn các rào c ản khác
như thiếu sự hỗ trợ về chính sách của chính phủ, nhận thức của mọi người về năng
lượng, sự tham gia của các tổ chức cá nhân v ào các dự án phát triển nguồn năng
lượng tái tạo.
Để khắc phục những rào cản đó, đặc biệt là liên quan đế n giá thành và hiệu

H
suất của pin mặt trời rất nhiều giải pháp đ ã được thực hiện. Ví dụ như liên quan đến

C
giá thành của pin mặt trời, các nh à nghiên cứu và s ản xuất đã phát triển công nghệ
sản xuất pin theo hướng hiện đại, liên quan đến việc cải thiện hiệu suất chuyển đổi

E
năng lượng có hai phương pháp chủ yếu đó là cải thiện hiệu suất của pin dựa tr ên
công nghệ sản xuất pin và cải thiện phương pháp sử dụng pin mặt trời.

T
Phương pháp thứ nhất, các nh à nghiên cứu đã và đang tìm ra rất nhiều các

U
phương pháp nhằm nâng cao hiệu suất của pin mặt trời như dùng vật liệu mới, thậm
chí là phương pháp phát điện mới. Phương pháp thứ hai có thể được thực hiện bằng

H
cách sử d ụng bộ thu năng lượng tập trung để hút được bức xạ cực đại hoặc sử dụng
bộ dò điểm công suất cực đại để đảm bảo pin mặt trời luôn vận h ành ở điều kiện tối
ưu và công suất pin sẽ đạt được cực đại.
Trên thế giới và trong nước đ ã có nhiều nghiên cứu về hệ thống pin mặt trời.
Chủ yếu về các lĩnh vực như:
Ổn định và nâng cao điện áp phát ra của hệ thố ng pin mặt trời [5,6]
Các phương pháp điều khiển nhằm đưa hệ thống pin mặt trời l àm việc tại
điểm công suất cực đại [ 16-26].
Các phương pháp nghịch lưu nhằm cải thiện chất lượng điện trong hệ thống
năng lượng mặt trời [4-15].
 4

Các phương pháp ngăn ngừa hiện tượng I slanding cho hệ thống pin năng
lượng mặt trời [12,13].
Các phương pháp điều khiển công suất tác dụng, công suất phản kháng v à
dòng điện bơm vào lưới của hệ thống pin mặt trời nối lưới [12,13].

1.2. Mục đích của đề t ài

Đề tài tập trung nghiên c ứu các phương pháp tìm điểm làm việc cực đại của
pin mặt trời. Trên các đặc tuyến của pin mặt trời, tồn tại một điểm vận h ành tối ưu
nơi mà công suất nhận được từ pin mặt trời l à c ực đại. Tuy nhiên, điểm vận h ành

H
tối ưu này không cố định mà nó thay đổi theo các điều kiện môi trường đặc biệt l à
bức xạ mặt trời và nhiệt độ pin. V ì vậy t ìm điểm làm việc cực đại (MPP T) c ủa pin

C
mặt trời là một phần không thể thiếu của hệ thống pin mặt trời để đảm bảo rằng các

E
mô đun pin mặt trời luôn vận hành trong điều kiện tối ưu.
Có rất nhiều phương pháp MPPT đ ã được nghiên cứu và công bố. Các

T
phương pháp khác nhau ở nhiều khía cạnh như mức độ phức tạp, thông số đo

U
lường, số lượng cảm biến y êu cầu, tốc độ chuyển đổi và giá thành. Đề t ài sẽ nghiên
cứu các phương pháp MPPT. Mục đích của nghi ên cứu của đề tài là đề xuất

H
phương pháp MPPT tối ưu với khả năng đáp ứng dưới các điều kiện môi trường
bức xạ thay đổi và có th ể thực hiện mô h ình vật lý với chi phí thấp .

1.3. Nhiệm vụ của đề t ài và giới hạn đề t ài

- Nghiên cứu phân tích mô hình pin mặt trời, phân tích các đặc tuyến I -V, P-
V của pin mặt trời, sự phụ thuộc các đặc tính của pin mặt trời dưới các điều kiện
môi trường.
- Phân tích tính cần thiết của điểm l àm việc cực đại của pin mặt trời .
- Nghiên cứu các giải thuật MPPT của pin mặt trời, đề xuất phương ph áp
MPPT khả dụng.

- Dùng phần mềm Matlab/Simulink nghi ên cứu mô hình mô dò tìm điểm

làm việc cực đại của phỏng pin mặt trời.
 5

- Thiết kế thi công bộ MPPT kiểm tra giải thuật .

1.4. Phương pháp nghiên cứu

- Thu thập tài liệu liên quan đến đề t ài nghiên cứu.
- Nghiên cứu các mô hình toán h ọc của pin mặt trời. Đề nghị mô h ình tính
toán cụ thể.
- Nghiên cứu bộ tăng áp DC - DC
- Thực hiện mô hình mô phỏng pin mặt trời và các giải thuật MPPT.

H
- Thiết kế thi công bộ MPPT kiểm tra giải thuật đề xuất.
- Phân tích các kết quả nhận được và các ki ến nghị.

C
- Đánh giá tổng quát toàn bộ bản luận văn.

E
- Đề nghị hướng phát triển của đề t ài.

T
1.5. Nội dung luận văn:
Chương 1: Tổng quan

U
Chương 2: Cơ sở lý thuyết
Chương 3: Chọn giải thuật bộ dò tìm điểm công suất cực đại

H
Chương 4 : Kết quả mô phỏng
phỏn g
Chương 5: Kết quả thực nghiệm
Chương 6: Kết luận và hướng phát triển của đề t ài
 6

Chương 2

CƠ SỞ LÝ THUYẾT

2.1. Mô hình pin mặt trời

Từ khi hiệu ứng quang điện được phát hiện bởi nh à vật lí Edmund Becquere
năm 1838 và pin mặt trời đầu tiên được phát minh bởi Charles Fritts vào năm
1883, kỹ thuật pin mặt trời (PV) đã phát triển đáng kể. Sự phát triển đó l à: cải

H
thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, thúc đẩy quá tr ình sản xuất, giảm chi
phí sản xuất và thậm chí cũng giới thiệu của một số thế hệ mới của PV. Quá

C
trình phát triển kỹ thuật PV đượ c mô tả trong hình 1.4. Hiện nay, hiệu suất cao
nhất của PV (khoảng 40%) đ ã đạt được trong phòng thí nghiệm. Tuy nhiên,

E
hiệu suất module PV thương mại c òn thấp, khoảng 15%. Việc giảm chi phí sản

T
xuất lớn cũng đạt được.
Hiệu suất pin là tỉ số của năng lượng điện từ ánh sáng mặt trời. V ào buổi

U
trưa một ngày trời trong, ánh mặt trời tỏa nhiệt khoảng 1000 W/m². Trong đó,
10% hiệu suất của 1 module 1 m² cung cấp năng lượng khoảng 100 W. Hiệu

H
suất của pin mặt trời thay đổi từ 6% từ pin mặt trời l àm từ silic không thù hình,
và có thể lên đến 30% hay cao hơn nữa, sử dụng pin có nhiều mối nối ngh iên
cứu trong phòng thí nghiệm.
Có một số loại pin mặt trời như: đơn tinh thể, đa tinh thể, vô định h ình,
nhiều mối nối, tế bào năng lượng mặt trời hữu cơ và pin mặt trời m àng mỏng,
và một số loại khác.
Tuy nhiên, nhìn chung pin thương mại được phân thành 3 thế hệ:
a) Thế hệ đầu tiên: lát silic (đơn và đa tinh thể).
b) Thế hệ thứ hai: màng mỏng (cadmium telluride [CdTe], copper indium
gallium diselenide [CIGS], và amorphous silicon [a-Si]).
c) Thế hệ thứ ba: polyme/hữu cơ, quang điện hóa.
 7

Pin mặt trời sản xuất trực tiếp điện một chiều (DC) khi hấp thụ photon từ
ánh sáng mặt trời. Có nhiều ứng dụng sử dụng điện DC từ các mô -đun này. Tuy
nhiên, hiện nay việc điện DC chuyển thành điện AC v à hòa đồng bộ vào lưới
điện đang rất phát triển v ì lợi ích và nhu cầu năng lượng. Nhìn chung, các ứng
dụng của pin mặt trời có thể được phân loại thành hai nhóm: nhóm độc lập v à
hệ thống kết nối lưới điện.
Hệ thống độc lập thường được sử dụng trong khu vực v ùng sâu, vùng xa, h ải
đảo. Hệ thống này thường bao gồm một số th ành phần: năng lượng mặt trời, ắc
quy dự trữ và b ộ điều khiển. Biến tần cũng có thể được sử dụng để chuyển đổi

H
điện DC thành AC. Bộ điều khiển là thành phần quan trọng, đặc biệt là điều
khiển quá trình nạp, xả ắc quy dự trữ và ngăn chặn việc sạc quá mức hay xả quá

C
mức. Ban ngày, pin mặt trời cung cấp điện cho tải v à s ạc cho ắc quy dự trữ và

E
ban đêm chỉ có ắc quy cung cấp điện cho tải.
Về cấu tạo pin mặt trời bao gồm một lớp tiếp xúc bán dẫn p -n có khả năng

T
biến đổi trực tiếp năng lượng bức xạ mặt trời thành điện nhờ hiệu ứng quang
điện được gọi là pin mặt trời. Khi ánh sáng chi ếu tới pin mặt trời, năng lượng từ

U
ánh sáng (các photon) t ạo ra các hạt mang điện tự do, được tách ra bởi điện

H
trường. Điện áp được tạo ra và đo được tại các điểm tiếp xúc b ên ngoài, vì vậy
ta đo được giá trị d òng quang điện khi có tải kết nối vào. Dòng quang điện được
tạo ra trong pin mặt trời và tỷ lệ thuận với cường độ bức xạ.
Pin quang điện (pin mặt trời) ti êu biểu cho thiết bị chuyển đổi cơ bản năng
lượng mặt trời thành năng lượng điện. Cường độ nắng, nhiệt độ của tế b ào
quang điện và điện áp vận h ành ảnh hưởng lớn đến đặc tính công suất v à dòng
điện ngõ ra của pin mặt trời.
Ngày nay, quang điện vẫn là nguồn năng lượng tương đối đắt tiền. Vì vậy,
điều quan trọng là phải sử dụng pin mặt trời đúng cách để đạt được công suất
tối đa. Để đạt được điều n ày, các tấm pin mặt trời thường được bố trí ở một vị
trí cố định và nghiêng về phía Nam để tối ưu hóa việc sản xuất năng lượng h àng
ngày và buổi trưa. Sự định hướng tấm pin cố định cần được chọn cẩn thận để
 8

nhận được năng lượng cực đại theo mùa trong năm. Khi cần, có thể điều chỉnh
hướng đặt pin theo định kỳ. Cơ bản, các tấm pin có một điểm hoạt động tối ưu
gọi là điểm công suất cực đại (MPP) . Đó l à một điểm mà các tấm pin có thể
phát công suất tối đa từ ánh sáng mặt trời.
Mạch điện tương đương của pin mặt trời được cho như h ình 2.1.

H
C
Hình 2.1. Mạch điện tương đương của pin mặt trời

E
Mạch điện gồm có d òng quang điện IPH, điốt, điện trở d òng rò RSH và điện trở
nối tiếp RS, đặc tuyến I-V của pin được mô tả bằng biểu thức 2.1 [3, 27 ]:

T 
I  Iph  Is  exp(
q
 V  IR )  1 
V  IR S 
R SH 
(2.1)

U
 kTC A

H
Trong đó:
IPH: dòng quang điện (A)
IS: dòng bão hòa (A)

q: điện tích của electron, q = 1,6x10 -19 C

k: hằng số Boltzmann’s, k =1,38x10 -23 J/K

TC: nhiệt độ vận hành của pin (K)

A: hệ số lý tưởng phụ thuộc vào công nghệ chế tạo pin, ví dụ công nghệ Si -
mono A=1.2, Si-Poly A = 1.3…
Dòng quang điện IPH phụ thuộc trực tiếp vào b ức xạ mặt trời và nhiệt độ của
pin [3, 27]:
 9

I PH  ISC  K I  TC  TRe f   (2.2)

Trong đó:
ISC: dòng ngắn mạch tại nhiệt độ ti êu chuẩn 25OC (A) và b ức xạ 1kW/m2
KI: hệ số dòng điện phụ thuộc vào nhiệt độ (A/ OC)

TC: Nhiệt độ vận hành của pin mặt trời ( 0K)

TREF : Nhiệt độ tiêu chuẩn của pin mặt trời ( 0K)

λ: Bức xạ mặt trời (kW/m 2)

H
Mặt khác, dòng bão hòa IS là dòng các h ạt tải điện không cơ bản được tạo ra
do kích thích nhiệt. Khi nhiệt độ của pin mặt trời tăng d òng bão hòa cũng tăng theo

C
hàm mũ [3, 27]:

E
3
 T   qE  1 1 
IS  I RS  C  exp  G    
 TRe f   kA  TRef TC   (2.3)

Trong đó:

T
U
IRS: Dòng điện ngược bão hòa tại nhiệt độ tiêu chuẩn (A)

H
EG: Năng lượng lỗ trống của chất bán dẫn
Đối với pin mặt trời lý tưởng, điện trở d òng rò RSH = ∞, R S = 0. Khi đó mạch
điện tương đương của pin mặt trời được cho bởi h ình 2.2:

Hình 2.2. Mô hình pin mặt trời lý tưởng

Khi đó, biểu thức (2.1) có thể được mô tả như biểu thức 2.4.
 10

  qV 
I  IPH  IS  exp   1  (2.4)
  KTC A  

Và dòng bão hòa ngược tiêu chuẩn có thể được biểu diễn như biểu thức 2.5.

ISC
IRS  1 (2.5)
 qvOC 
exp  
 kATRef 

H
Thông thường, công suất của pin mặt trời k hoảng 2W và điện áp khoảng
0.5V. Vì vậy, các pin mặt trời được ghép nối với nhau theo dạng nối tiếp - song

C
song để sinh ra lượng công suất và điện áp đủ lớn. Mạch điện tương đương của mô
đun pin mặt trời gồm có N P nhánh song song và N S pin nối tiếp được mô tả như

E
hình 2.3.

T
U
H
Hình 2.3. Mô đun pin mặt trời
 11

Mạch điện hình 2.3 được miêu tả bởi biểu thức:

  Qv 
I  N P I P H  N P I S  e xp   1  (2.6)
  NSkTC A  

Pin mặt trời chuyển một phần bức xạ mặt trời trực tiếp thành năng lượng điện,
nhưng một phần đó chuyển thành nhiệt cộng với pin mặt trời có m àu dễ hấp thụ
nhiệt nên nhiệt độ vận hành của pin có thể cao hơn nhiệt độ môi trường. Nhiệt độ
của pin dưới các điều kiện khác nhau có thể được đánh giá qua nhiệt độ vận h ành
bình th ường (NOCT). Nhiệt độ vận hành bình thường được định nghĩa l à nhiệt độ

H
của pin dưới điều kiện môi trường 20 oC, b ức xạ mặt trời 0.8 kW/m 2, tốc độ gió < 1
m/s.

C
Công thức sau được sử dụng để tính toán sự khác nhau giữa nhiệt độ môi

E
trường (TAmb) và nhiệt độ vận h ành của pin mặt trời (T C):

T
 TNOCT  20 
TC  TAmb    (2.7)
 0,8 

U
Đặc tuyến I-V tương ứng với từng b ức xạ nhất định được mô tả như h ình 2.4
và hình 2.5.

H
 12

H
C
Hình 2.4. Đặc tuyến I-V với các bức xạ khác nhau

T E
U
H
Hình 2.5. Đặc tuyến P-V với các bức xạ khác nhau
 13

2.2. Bộ chuyển đổi DC/DC boost converter

Bộ biến đổi DC/DC được sử dụng rộng r ãi trong nguồn điện một chiều với
mục đích chuyển đổi nguồn một chiều khôn g ổn định thành nguồn điện một chiều
có thể điều khiển được. Trong hệ thống pin mặt trời, bộ biến đổi DC/DC được kết
hợp chặt chẽ với MPPT. MPPT sử dụng bộ biến đổi DC/DC để điều chỉnh nguồn
điện áp vào lấy từ nguồn pin mặt trời, chuyển đổi v à cung cấp điện áp lớn nhất phù
hợp với tải.
Chúng ta cần điều khiển cả điện áp v à dòng điện ngõ ra của pin mặt trời để đạt
công suất cực đại bất kể điều kiện nhiệt độ v à bức xạ mặt trời. Muốn làm được điều

H
đó, ta sử dụng bộ d ò tìm điểm công suất cực đại, bộ d ò tìm phải đáp ứng một số

C
điều kiện sau:
 Vận hành hệ thống PV càng gần càng tốt để đạt được MPP bất kể thay đổi

E
khí quyển.
Chi phí thấp, hiệu suất chuyển đổi cao.

T


 Giao điện ngõ ra tương thích với yêu cầu của tải

U
Mạch boost converter hay còn được gọi là mạch tăng áp. Bộ biến đổi n ày
phù h ợp với các ứng dụng có điện áp y êu cầu lớn hơn điện áp đầu v ào. Nguyên lý

H
hoạt động của bộ biến đổi n ày d ựa vào đặc tính lưu trữ và tích phóng năng lượng
của cuộn dây.

Hình 2.6. Sơ đồ nguyên lý mạch boost

 14

Khi S đóng cho dòng qua (T ON) , dòng điện từ nguồn chạy qua cuộn dây,
năng lượng từ trường được tích lũy trong cuộn dây. Không có d òng điện chạy qua
điốt D và dòng tải được cung cấp bởi tụ điện C

HHình 2.7. Mạch điện khi S đóng

C
T E
U
H
Hình 2.8. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên cuộn dây L khi S đóng
Khi đó:
di L
v L  Vd  L (2.8)
dt
 15

Suy ra:
di L Vd
 (2.9)
dt L
Mặt khác:
di L i L i L
  (2.10)
dt t DT
Vd DT
 i L closed  (2.11)
L

H
C
T E Hình 2.9. Mạch điện khi S mở

U
H

Hình 2.10. Dạng sóng điện áp và dòng điện trên L khi S mở

 16

Khi S đóng (TOFF), dòng điện cảm ứng chạy v ào tải qua điốt cũng như nạp lại
cho tụ điện C.
di L
v L  Vd  Vo  L (2.12)
dt
Suy ra:
di L Vd  Vo
 (2.13)
dt L
di L iL i L
  (2.14)
dt t (1  D)T

H
Vd  Vo (1  DT)
(i L )opened  (2.15)
L

C
Năng lượng lưu trữ trong cuộn dây bằng 0 khi kết thúc chu kỳ.
(i L )closed  ( i L ) opened  0 (2.16)

E
Vd DT Vd  Vo (1  DT )
 0 (2.17)

T
L L
Từ 2.17, ta có:

U
Vd
Vo  (2.18)
1 D

H
2.3. Điểm làm việc cực đại của Pin mặt trời
Hiện tại, pin mặt trời vẫn được xem l à nguồn năng lượng đắt đỏ. V ì vậy, cần
phải khai thác công suất lớn nhất có thể từ pin mặt trời. Để đạt được điều đó, pin
mặt trời cần được lắp đặt tại các vị trí thuận lợi ví dụ như hướng nam, thậm chí
được điều khiển xoay theo hướng mặt trời để thu được nguồn năng lượng cực đại.
Về cơ bản, trên đường đặc tuyến PV của pin mặt trời tồn tại một điểm công suất
cực đại ứng với dòng điện và điện áp tương ứng.
 17

Hình 2.11. Đặc tuyến I-V, P-V của pin mặt trời với điểm công suất cực đại

H
Tuy nhiên, điểm cực đại n ày l ại không cố định, chúng luôn thay đổi theo các
điều kiện môi trường (Hình 2.12). Vì vậy, chúng ta cần điều khiển để điện áp hoặc

C
dòng điện để thu được công suất cực đại từ pin mặt trời khi nhiệt độ v à bức xạ thay

E
đổi sử dụng bộ tìm điểm công suất cực đại .

T
U
H
Hình 2.12. Các điểm MPP dưới các điều kiện môi trường
trườn g thay đổi

Hình 2.13 giới thiệu sơ đồ khối của hệ thống MPPT ti êu biểu. Hầu hết các bộ
MPPT hiện nay gồm có ba phần cơ
c ơ bản: bộ chuyển đổi DC -DC, bộ phận đo lường
và bộ phận điều khiển
Khi pin mặt trời được nối trực tiếp với tải, điểm vận h ành của pin mặt trời
được điều khiển bởi tải.
t ải. Tổng trở của tải được mi êu tả như sau:
 18

Vo
R LOAD  (2.19)
Io

Trong đó, Vo, Io là điện áp và dòng điện phát ra của pin mặt trời.
Tổng trở tối ưu của tải cho pin mặ t trời được miêu tả như sau:

VMPP
R OPT  (2.20)
I MPP

Trong đó, VMPP, IMPP là điện áp và dòng điện phát ra của pin mặt trời tại điểm
tối ưu.

H
Khi giá trị RLOAD bằng với ROPT, công suất cực đại sẽ được truyền từ pin mặt

C
trời đến tải. Tuy nhi ên, trong thực tế hai tổng trở n ày lại không bằng nhau. Mục
đích của bộ MPPT là điều chỉnh tổng trở tải nh ìn từ phía nguồn bằng với tổng trở

E
tối ưu của pin mặt trời.

T
Thông thường bộ biến đổi DC/DC (tăng áp, giảm áp) được phục vụ cho việc
truyền công suất từ pin mặ t tr ời tới tải. Bộ DC/DC hoạt động như thiết bị giao tiếp

U
giữa tải và pin mặt trời. Bằng việc thay đổi độ rộng xung, tổng trở tải nh ìn t ừ phía
nguồn sẽ được thay đổi bằng với tổng trở nguồn tại điểm cực đại, v ì vậy công suất

H
cực đại được cung cấp cho tải.

Hình 2.13. Sơ đồ khối của hệ thống MPPT ti êu biểu

Giả sử, đối với mạch giảm áp DC/DC (Buck converter),
c onverter), ta có:
VOUT = D.VIN (2.21)
 19

Trong đó, VOUT là điện áp đầu ra, V IN điện áp đầu vào, khi đó:
ROUT = D2.RIN (2.22)
(ROUT là tổng trở đầu ra, R IN tổng trở đầu vào nhìn từ phía nguồn)

RIN = ROUT/D2 (2.23)

Vì vậy, tổng trở ROUT được duy trì hằng số bằng việc thay đổi độ rộng xung,
khi đó RIN nhìn từ phía nguồn sẽ được thay đổi.

H
C
T E
U
H
Hình 2.14. Bộ DC/DC giúp hút côn g suất cực đại từ pin mặt trời
Hay đối với mạch tăng áp (Boost converter), mối quan hệ giữa điện áp đầu
vào và đầu ra được mi êu tả như sau:
VIN = ( 1- D) V OUT (2.24)

Giả sử, không có công suất tổn hao, ta có:

I IN VOUT
 (2.25)
IOUT VIN
 20

1
I IN  IOUT (2.26)
1  D 

Tổng trở đầu vào của bộ biến đổi DC -DC là:

RIN = (1 - D)2ROUT (2.27)

Vì vậy, tổng trở ROUT được duy trì hằng số bằng việc thay đổi độ rộng xung,
khi đó RIN nhìn từ phía nguồn sẽ được thay đổi.

H
C
T E
U
H
 21

2.4. Các phương pháp t ìm điểm cực đại của pin mặt trời phổ biến
2.4.1. Phương pháp điện áp hằng số
Phương pháp này sử quan hệ gần đúng giữa điện áp tại điểm MPP (V MPP) và
điện áp hở mạch V OC vốn thay đổi theo nhiệt độ và bức xạ:
VMPP ≈ k.VOC (2.28)
Trong đó k là hằng số phụ thuộc vào đặc tuyến của PV, được xác định bằng
cách xác định V MPP và V OC t ại các bức xạ và nhiệt độ khác nhau. Có nhiều nghi ên
cứu đã xác định rằng k sẽ nằm trong khoảng 0.71 và 0.85
Với một hằng số k đ ã bi
b iết, điện áp V MPP có thể được xác định bằng cách đo

H
VOC. Để đo VOC, PV phải được ngắt tải để thực hiện phép đo điều n ày d ẫn đến tổn

C
hao công suất. Ngoài ra khi bức xạ mặt trời thay đổi dẫn đến sai số lớn vì việc xác
định VMPP không liên tục. Hơn nữa đây cũng chỉ là phương pháp gần đúng n ên k ết

E
quả sẽ không có độ chính xác cao.
Để khắc phục điều n ày, có nhiều giải pháp đ ã được đề xuất, chẳng hạn như

T
dùng PV mẫu để đo V OC, PV này không dùng để phát điện m à chỉ dùng để xác định

U
các thông số của PV như V OC. PV mẫu phải được chọn lọc kỹ c àng và lắp đặt
chung với mô đun PV để đảm bảo có cùng điều kiện môi trường. Tuy nhi ên việc

H
dùng thêm PV mẫu có thể sẽ làm cho giá thành c ủa hệ thống tăng cao. Mặc d ù vậy,
đây vẫn là m ột phương pháp đơn giản bởi v ì nó không yêu cầu một phần cứng quá
phức tạp.
 22

Start

Set V ref
re f

Sense Vpv

H
NO
NO Y ES
Vpv > Vref

C
NO
NO
Vpv < Vref

T E Y ES

Increase Vref Decrease Vref

U
H
Return

Hình 2.15. Giải thuật MPPT dựa trên các điện

đ iện áp hằng số

2.4.2. Phương pháp P&O (Perturb and Observe)

Bộ MPPT được xâ y dựng dựa trên giải thuật P&O là một giải thuật rất phổ
biến bởi tính đơn giản trong giải thuật cũng như các thiết bị để thực hiện phương
pháp này trong việc dò tìm điểm làm việc cực đại của pin mặt trời .
 23

H
Hình 2.16. Đặc tính của pin mặt trời
Từ hình 2.16 ta thấy bên trái điểm MPP gia số công suất và đ iện áp cũng tăng

C
trong khi đó bên phải đường cong gia số công suất giảm và điện áp tăng. Nếu tồn
tại một gia số công
công suất, và hướng của gia
gia số không đổi (dương), khi đó nếu
nếu công

E
suất giảm, hướng của gia số sẽ đổi chiều (âm). Cứ như vậy cho đến khi đạt đượ c

T
MPP, và điểm vận h ành sẽ luôn luôn dao động xung quanh điểm MPP.
Tuy nhiên phương pháp này không tính toán chính xác được khi có sự thay

U
đổi nhanh chóng của bức xạ mặt trời và coi nó như là một sự nhiễu loạn v à dẫn đến
kết quả tính toán không chính xác tại điểm cực đại.

Hình 2.17. Đồ thị PV khi bức xạ thay đổi và sự làm việc tìm điểm cực đại của
phương pháp P&O
 24

Trong hình 2.17 thể hiện một tình huống mà bức xạ mặt trời thay đổi nhanh
chóng, điểm công suất cực đại MPP cũng di chuyển ở phía bên tay phải của đường
cong đồ thị PV. Thuật toán coi đó như là một sự thay đổi do nhiễu loạn và l ặp đi
lặp lại ti ếp theo thay đổi hướng c ủa nhi ễu loạn và do đó r ời xa hơn các điểm công
suất cực đại( điểm E,F v à G rời xa các điểm cực đại B, C và D) như được hiển thị
trong hình. Vì thế , hiện nay khi sử dụng phương pháp này phải t ìm kiếm thêm các
giải thuật thực hiện khắc phục nhược điểm tr ên.

Inputs: V(t), I(t), V(t-t), P(t) &P(t-t)


calculated from the inputs

H V(t) = V(t) - V(t-t)

C
P = P(t) - P(t- t)

E
P = 0

T
NO

U
NO YES
PP>
 P>
=00

YES
H
V
P =>
0 0

NO
YES

NO
VP =>0 0

YES

Decrease Increase Decrease Increase

Vref Vref Vref Vref

Return

Hình 2.18. Giải thuật P&O

 25

Chương 3

CHỌN GIẢI THUẬT BỘ DÒ TÌM ĐIỂM CÔNG SUẤT

CỰC ĐẠI CỦA PIN MẶT TRỜI
3.1 Phương pháp INC (Incremental Conductance)
C onductance)
Qua trình bày nghiên cứu các giải thuật tìm điểm công suất cực đại của pin
mặt trời (MPPT) đang được ứng dụng rộng r ãi hiện , bao gồm giải thuật điện áp
hằng số, P&O ở trên. Tuy nhiên các
các phương pháp này có
có những khuyết điểm là với

H
một hằng số k đã biết, điện áp V MPP có thể được xác định bằng cách đo V OC. Để đo
VOC, PV phải được ngắt tải để thực hiện phép đo điều n ày dẫn đến tổn hao công

C
suất. Ngoài ra khi b ức xạ mặt trời thay đổi dẫn đến sai số lớn vì việc xác định V MPP
không liên tục. Hơn nữa đây cũng chỉ là phương pháp gần đúng n ên kết quả sẽ

E
không có độ chính xác cao ( phương pháp điện áp hằng số ) hay không tính toán

T
chính xác được khi có sự thay đổi nhanh chóng của bức xạ mặt trời và coi nó như là
một sự nhiễu loạn và dẫn đến kết quả tính toán không chính xác tại điểm cực đại

U
(phương pháp P&O)
Ta có một trong những phương pháp có thể khắc phục các khuyết điểm tr ên,

H
đồng thời tính đơn giản của giải thuật và hiệu quả trong việc t ìm điểm MPP của pin
mặt trời, chi phí thấp dễ áp dụng đã được đưa ra , đó là Phương pháp InC
(Incremental Conductance) dựa trên các bài báo khoa h ọc như : Jae Ho Lee ,
HyunSu Bae and Bo Hyung Cho “Advanced Incremental Conductance MPPT
Algorithm with a Variable Step Size” - Seoul National University School of
Electrical Engineering and Computer Science, Seoul, Korea và “ An investigation
of new control method for MPPT in PV array using DC – DC buck – boost
converter”-Dimosthenis Peftitsis, Georgios Adamidis and Anastasios Balouktsis-
ectrical & Computer Engineering Department Democritus University of
Thrace,GREECE và một số bài báo tại mục tài liệu tham khảo . Phương pháp InC
 26

(Incremental Conductance) dựa trên đạo h àm P-V c ủa đường cong PV có thể được
miêu tả như sau:

H
C
Hình 3.1. Độ dốc (dP/dV) của PV

E
Ta có:
dP/dV = 0, tại điểm cực đại MPP của PV

T
dP/dV > 0, bên trái điểm MPP

U
dP/dV < 0, bên phải điểm MPP
Từ:

H
d P d ( IV ) dI I
  IV  IV (2.29)
dV dV dV V

Ta có thể biểu diễn như sau:

dI/dV = - I/V, t ại điểm MPP
dI/dV > -I/V, bên trái điểm MPP
dI/dV < -I/V, bên ph ải điểm MPP
Điểm cực đại được t ìm bằng cách so sánh giá trị tức thời I/V với sai số dI/dV,
theo giải thuật sau trên hình 3.2
 27

3.2 Mô hình mô phỏng giải thuật

H
C
T E
U
H
Hình 3.2. Giải thuật InC

Do đó đề tài này chọn phương pháp này để t ìm hiểu xây dựng giải thuật bộ dò điểm
cực đại của pin quang điện , từ đó có thể mô phỏng thực nghiệm để kiểm chứng kết
quả.
 28

3.2.1 Mô hình Pin mặt trời

Mô hình pin mặt trời được xây dựng trong Matlab/Simulink, trong đó các
biểu thức f(u) được xây dựng dựa tr ên các biểu thức I-V của pin mặt trời, cụ thể
dòng quang điện IPH được xây dựng từ biểu thức ( 2.2), dòng bão hòa ngược IRS
được xây dựng từ biểu thức ( 2.5), dòng bão hòa IS được xây dựng dựa theo biểu
thức (2.3), dòng I được xây dựng trên cơ sở biểu thức ( 2.6).

H
C
T E
U
Tải bản FULL (84 trang): https://bit.ly/35mggqD
Dự phòng: fb.com/TaiHo123doc.net
Hình 3.3. Mô hình pin mặt trời được xây dựng trong Matlab/Simulink

Hình 3.4. Mô hình pin mặt trời thu gọn

 29

Để thực hiện mô phỏng, tác giả sử dụng pin mặt trời thương mại MSX 60, có
thông số như sau:
Bảng 3.1. Thông số của pin mặt trời thương mại MSX 60 tại 1 kW/m 2 , 25 oC

Đặc tính Thông số Đặc tính Thông số

Công suất đỉnh (PP) 60 W Hệ số nhiệt độ của V OC 80-90 mV/oC

Hệ số nhiệt độ của I SC
Điện áp đỉnh (V PP) 17.1 V 3 mA/oC
(KI)
Ảnh hưởng nhiệt độ l ên
Dòng điện đỉnh (IPP) 3.5 A -0.38 W/oC

H
công suất
Nhiệt độ vận h ành bình
Dòng ngắn mạch (ISC ) 3.8 A 49 oC

C
thường (NOCT)
Điện áp hở mạch (V OC) 21.1 V

E
Tải bản FULL (84 trang): https://bit.ly/35mggqD
Dự phòng: fb.com/TaiHo123doc.net

T
U
H
Hình 3.5. Bảng thông số đầu vào của pin mặt trời
 30

Đặc tuyến I-V của pin mặt trời không tuyến tính và nó phụ thuộc vào nhiệt độ
vận hành của pin và bức xạ môi trường. Khi bức xạ mặt trời tăng, d òng ngắn mạch
và công suất tăng theo, và điện áp hở mạch cũng tăng tương ứng (h ình 3.6)

H
C
Hình 3.6. Đặc tuyến I-V, P-V với các bức xạ khác nhau (Nhiệt độ pin 25 oC)

E
Khi nhiệt độ vận h ành của pin mặt trời tăng cao, d òng ngắn mạch cũng tăng
theo nhưng không đáng kể so với khi bức xạ mặt trời tăng, nhưng khi đó điện áp hở

T
mạch của pin mặt trời giảm mạnh, kéo theo công suất của pin mặt trời giảm mạnh

U
(hình 3.7).

H
Hình 3.7. Đặc tuyến I-V, P-V với nhiệt độ vận hành khác nhau (bức xạ 1kW/m2)

6167795