EE2030 - Chuong 3 - Dich Chuyen Dien - Luat Gauss - Dive

LÝ THUYẾT TRƯỜNG ĐIỆN TỪ
Chương 3: Dịch chuyển điện - Luật Gauss - Dive
I. Dịch chuyển điện.
II. Luật Gauss.
III. Dive.
IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh.
V. Toán tử vector  và định lý Dive.
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 1

I. Dịch chuyển điện

➢ Thí nghiệm của M. Faraday (1837):
❖ Hai mặt cầu kim loại đặt đồng tâm, mặt cầu ngoài gồm
2 nửa bán cầu có thể gắn chặt với nhau.
❖ Lấp đầy khoảng không gian (2cm) giữa 2 mặt cầu
bằng dung dịch điện môi.
❖ Gỡ bỏ mặt cầu ngoài, nạp lượng +Q cho mặt cầu trong.
❖ Lắp mặt cầu ngoài và đổ đầy chất điện môi giữa 2 mặt cầu.
❖ Nối đất mặt cầu ngoài.

Ψ=Q
❖ Đo điện tích trên mặt cầu ngoài được kết quả -Q.
➢ Hiện tượng: Tổng điện tích mặt cầu ngoài có trị tuyệt đối bằng tổng điện tích
nạp vào mặt cầu trong, không phụ thuộc chất điện môi giữa 2 mặt cầu.
➢ Kết luận: Tồn tại một sự dịch chuyển điện (ψ) từ mặt cầu trong ra ngoài:

D
➢ Sự dịch chuyển điện ψ diễn ra trên toàn bộ diện
tích bề mặt của quả cầu: Sa = 4 a 2 (m2 ) -Q
➢ Để đặc trưng cho khả năng dịch chuyển điện của +Q
một bề mặt, người đưa ra khái niệm vector mật
độ dịch chuyển điện D [C/m2]:
Q Q Q
D r =a = a D= a D r =b = a
4 a 2 r
4 r 2 r
4 b 2 r
❖ Hướng của D tại một điểm là hướng dòng dịch chuyển điện tại điểm đó.
❖ Độ lớn của D tại một điểm cho biết giá trị dịch chuyển điện trung bình
qua mặt vuông góc với đường dịch chuyển.

➢ Trong chân không:
❖ Điện tích điểm:
Q 
D= a
2 r 
4 r 
 → D =  0E
Q
E= a 
4 0 r 2 r

❖ Với điện tích khối:
v dv v dv
E= a D= a
V
4 0 R 2 r
V
4 R 2 r

II. Luật Gauss.
III. Dive.

II. Luật Gauss

1. Phát biểu: Tổng thông lượng chảy ra khỏi mặt kín S bằng tổng
điện tích tự do bao trong mặt kín đó. ΔS
➢ Xét các điện tích điểm bao bọc bởi mặt DS, pháp tuyến
kín bất kỳ. DS θ
➢ Tại mỗi diện tích S của mặt kín, có thông P ΔS Q

lượng DS đi qua (DS thay đổi về độ lớn và
hướng tại mỗi vị trí bề mặt S).
➢ Gọi Δψ: thông lượng qua ΔS: Δψ = DS,pháp tuyến ΔS = DS ΔS cosθ = DS.ΔS
➢ Tổng thông lượng qua mặt kín là (công thức luật Gauss):
 =  d =  DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

matkin
II. Luật Gauss

1. Phát biểu
 =  d =  DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

matkin
Điện tích điểm Điện tích đường:
Q =  Qn Q =   L dL
Điện tích mặt Điện tích khối:
Q =  S dS Q =  V dv
 D .dS =   dv
S V
S V
S V
II. Luật Gauss

1. Phát biểu
➢ Xét điện tích điểm Q đặt tại tâm cầu, bán
kính a
Q Q
➢ Khi đó: E = a → D =  0E = a
4 0 r 2 r
4 r 2 r
Q
➢ Trên bề mặt cầu bán kính a: D = a
4 a 2 r
➢ Mặt cong dS trên cầu có diện tích:

dS = r 2 sin  d d = a2 sin  d d
➢ Vậy tổng thông lượng qua mặt cầu:
 = 2  =
Q 2 Q Q
 D .dS = 
S
S
S
4 a 2
a sin  d d a R .a R = 
S
4
sin  d d = =0

 = 0 4
sin  d d

II. Luật Gauss

1. Phát biểu
 = 2  = 2  2
Q Q Q
 D .dS = 
S
S
=0

 = 0 4
sin  d d = 
0
4
(− cos  ) d = 
0
2
d = Q
0
➢ Kết luận:
❖ Tổng thông lượng qua mặt cầu kín bằng
tổng điện tích bên trong của mặt cầu đó.
❖ Thí nghiệm của M. Faraday đã được
kiểm chứng bằng luật Gauss..
❖ Đóng góp của Gauss không phải phát

biểu luật mà tìm ra công thức toán học
cho luật.
II. Luật Gauss

1. Phát biểu
Ví dụ 3.1: Tính tổng thông lượng qua hình lập phương giới hạn bởi 6 mặt
phẳng x, y, z = ± 5, biết sự phân bố điện tích trong hình lập phương là:
➢ Điện tích điểm Q1 = 0,1μC tại A(1, -2, 3), Q2 = 0,14μC tại B(-1, 2, -2).
❖ Áp dụng công thức:  =  d =  D .dS = Q

S
S
❖ Tổng thông lượng qua hình lập phương: ψ = Q = 0,1 + 0,14 = 0,24 μC
➢ Điện tích đường ρL = π μC/m tại x = -2 và y = 3

5
 = Q =   L dz =  L z −5 = 10 = 31, 4C
5
−5

II. Luật Gauss

2. Ứng dụng luật Gauss Q =  DS .dS
S
➢ Luật Gauss được sử dụng để tính D (E) khi biết Q

➢ Việc tính D (E) sẽ đơn giản hơn nếu chọn được mặt kín thỏa mãn 2 điều
kiện (mặt Gauss):
❖ DS vuông góc hoặc tiếp tuyến với mặt kín tại mọi điểm của mặt kín
 DS dS
DS .dS = 
 0
❖ DS = const tại những vị trí trên mặt kín mà DS.dS ≠ 0
→Q =  D dS = D  dS
S
S S
S
II. Luật Gauss

2. Ứng dụng của luật Gauss
Ví dụ 3.2: Xét điện tích điểm Q đặt tại gốc tọa độ của hệ tọa độ cầu. Tính
vector cường độ điện trường E.
➢ Mặt Gauss bao quanh điện tích điểm Q là các mặt cầu với mọi bán kính
r, có tâm trùng với vị trí của điện tích điểm
 = 2  =
Q= 
cau
DS .dS = DS 
cau
dS = DS

 
=0
 =0
r 2 sin  d d = DS 4 r 2
➢ Với mọi giá trị của r, DS luôn chảy qua theo phương pháp tuyến, ta có
Q Q
D= a →E= a
4 r 2 R
4 0 r 2 r

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.3: Xét một dây dẫn thẳng, dài vô hạn đặt trên trục ρ
L
z của hệ tọa độ trụ. Tính vector cường độ điện trường E.
➢ Nhận xét: D = Dρaρ và Dρ = f(ρ) ρL
➢ Mặt Gauss đối với hệ tọa độ trụ sẽ là mặt trụ bao kín lấy đường dây tích
điện Q= 
tru tron
DS .dS = DS 
xungquanh
dS + 0  dS + 0
tren

duoi
dS
z = L  = 2
L L L Q
Q = DS  
z =0 =0
 d dz = DS 2 L → DS = = =
2 L 2 L 2
L L
➢ Vậy ta có: D = → E =
2 2 0 
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.4: Xét hai mặt trụ tròn đồng trục dẫn điện, dài vô tận
(cáp đồng trục). Bán kính mặt trụ trong là a, bán kính mặt trụ
ngoài là b. Mật độ điện tích mặt của mặt trụ trong là ρS.
➢ Mặt Gauss: Mặt trụ tròn độ dài L, bán kính a < ρ < b
Q = DS 2 L b a
➢ Tổng điện tích vật dẫn trụ tròn ρ = a, độ dài z = L là:
z = L  = 2
aS aS
Q=  
z =0 =0
 S ad dz = 2 aL  S → DS =

D=

a  (a    b)

➢ Mặt khác: L = Q L =1m =  S S L =1m =  S 2 a →  S = L
2 a
L
➢ Vậy ta có: D = a
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 2 14
II. Luật Gauss

➢ Sự dịch chuyển điện từ bề mặt của lõi hình trụ tròn
bên trong sẽ hướng ra ngoài và gặp mặt tích điện
âm của mặt trong của hình trụ tròn ngoài. Do đó
tổng điện tích của bề mặt trụ tròn ngoài là:
b a
Qmat tru ngoai = −Qmat tru trong
Mặt trụ trong Mặt trụ ngoài
Qmat tru trong = 2 aL  S ,mat tru trong Qmat tru ngoai = 2 bL  S ,mat tru ngoai
a
 S ,mat tru ngoai = −  S ,mat tru trong
b
II. Luật Gauss

➢ Chọn mặt Gauss là hình trụ tròn đồng trục với cáp
đồng trục, có bán kính ρ > b (ρ < a), ta có:
 b r  a = DS 2 L = Qmat tru ngoai + Qmat tru trong = 0
→ DS = 0 (b    a) b a
➢ Nhận xét:
❖ Cáp đồng trục: Không tồn tại điện trường bên ngoài & bên trong
cáp.
❖ Một cáp đồng trục với độ dài L hữu hạn, hở 2 đầu, có L >> b → tụ
đồng trục

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.5: Xét cáp đồng trục: L = 0,5m, bán kính lõi 1mm, bán kính vỏ 4mm.
Giữa lõi & vỏ là không khí. Tổng điện tích của lõi: 30nC. Tính mật độ điện
tích trên lõi, vỏ ; Tính E, D. Qloi 30(10−9 )
 S ,loi = = = 9,55  C / m 2
2 aL 2 (10−3 )(0,5)
➢ Mật độ điện tích mặt:
Qvo −30 10−9
 S ,vo = = = −2,39  C / m 2
2 bL 2 (4 10−3 )(0,5)
➢ Tính vector cường độ trường E và vector dịch chuyển điện D:
a  S ,loi 10−3 (9,55 10−6 ) 9,55
D 10−3    4.10−3 = = = nC / m 2
  
D 9,55 10−9 1079
E 10−3   4.10−3 = = = V /m
 0 8,854 10 
−12

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.6: Hệ tọa độ cầu có: Điện tích điểm Q = 0,25μC tại tâm cầu; 2 mặt
cầu tích điện: (r1 = 1cm, ρS = 2mC/m2) & (r2 = 1,8cm, ρS = -0,6mC/m2). Tính
D tại: r3 = 0,5cm ; r4 = 1,5cm ; r5 = 2,5cm. Tính mật độ điện tích mặt tại vị trí
r6 = 3cm để có D = 0 tại vị trí r7 = 3,5cm.
Giải:
➢ r3 = 0,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r3 = 0,5cm bao điện tích điểm Q
Q 0.25
D(r3 = 0,5cm) = a = a = 796a  C / m 2
4 a 2 4 0, 0052
r r r
➢ r4 = 1,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r4 = 1,5cm bao điện tích điểm Q và
mặt cầu tích điện r1 = 1cm, ρS = 2mC/m2
D(r4 = 1,5cm) =
 Q
a =
0, 25.10−6 + 4 .0, 012.2.10−3
a = 977,3a  C / m 2
2015 - Lý thuyết trường điện từ - 4 a 2 Việt Sơn

Nguyễn
r
4 .0, 0152
r r
18
II. Luật Gauss

Giải:
➢ r5 = 2,5cm: Mặt cầu Gauss bán kính r5 = 2,5cm bao điện tích điểm Q và
cả 2 mặt cầu tích điện
D(r5 = 2,5cm) =
 Q
a
4 a 2
r
0, 25.10−6 + 4 .0, 012.2.10−3 + 4 .0, 0182.(−0, 6.10−3 )

→D= a = 40, 79a  C / m 2
4 .0, 0252
r r

II. Luật Gauss

Giải:
➢ Để có D = 0 tại r7 = 3,5cm thì mặt Gauss tại vị trí r6 phải có điện tích
bằng tổng điện tích bao bên trong, và trái dấu.
→ Q = − 0, 25.10−6 + 4 .0, 012.2.10−3 + 4 .0, 0182.(−0, 6.10−3 )  = −320,37 nC
➢ Vậy mật độ điện tích mặt của mặt cầu bán kính r6 = 3cm là
Q −320,37
S = = = −28,33 C / m 2
4 r 2 4 0, 032
II. Luật Gauss

➢ Việc áp dụng luật Gauss (tính D, E) cần tìm mặt Gauss (thỏa mãn 2 điều
kiện: DS vuông góc hoặc DS = const trên mặt kín)
➢ Nếu khó tìm mặt Gauss: Chọn mặt kín rất nhỏ sao cho DS ≈ const trên
mặt kín đó.
➢ Xét P(x, y, z): z P ( x, y , z )

D = D0 = Dx 0a x + Dy 0a y + Dz 0a z
D = D0 = Dx 0a x + Dy 0a y + Dz 0a z
➢ Chọn mặt kín hình lập phương (Δx, Δy, Δz)
z
có tâm là điểm P: D ≈ const trên từng mặt. x
y
Q=  D.dS =  +  +  +  +  + 
S truoc sau trai phai tren duoi
y
x
II. Luật Gauss z P ( x, y , z )

2. Ứng dụng của luật Gauss D = D0 = Dx 0a x + Dy 0a y + Dz 0a z
Q=  D.dS =  +  +  +  +  + 
S truoc sau trai phai tren duoi z
➢ Xét mặt trước: x
y

truoc
Dtruoc .S truoc =Dtruoc .yza x = Dx ,truoc yz y
x
➢ Do P là tâm hình lập phương → khoảng cách từ mặt trước đến P là Δx/2
x x Dx
Dx ,truoc Dx 0 + (toc do thay doi cua Dx theo x) = Dx 0 +
2 2 x
trong đó Dx0 là giá trị của Dx tại P
 x Dx 
➢ Vậy ta có: 
truoc
 Dx 0 +
 2 x
yz

II. Luật Gauss

➢ Tương tự, mặt sau có: 
sau
Dsau .S sau =Dsau .(−yza x ) = − Dx , sau yz
x x Dx
Dx , sau Dx 0 −  (toc do thay doi cua Dx theo x) = Dx 0 −
2 2 x
 x Dx 
→   − Dx 0 + yz
sau  2 x 
Dx
➢ Khi đó ta có: 
truoc
+
sau
x
xyz
➢ Tương tự xét cặp mặt (phải - trái), (trên - dưới):

Dy Dz

phai
+
trai
y
xyz  
tren
+
duoi
z
xyz

II. Luật Gauss

➢ Tóm lại:
 Dx Dy Dz 

Q=  D.dS =  +  +  +  +  + 

 x
+
y
+ xyz
z 

Qv  + +  v
 x y z 

II. Luật Gauss

Ví dụ 3.7: Xác định tổng điện tích của khối thể tích 10-9m3 đặt tại gốc tọa
−x
độ biết vector dịch chuyển điện: D = e sin ya x − e − x cos ya y + 2 za z (C / m 2 )
➢ Độ biến thiên của D theo các trục x, y, z là:
Dx Dy −x Dz
= −e− x sin y = e sin y =2
x y z
➢ Tại gốc tọa độ ta có
Dx Dy −x Dz
= −e− x sin y = 0 = e sin y = 0 =2
x y z
➢ Vậy tổng điện tích của 10-9m3 đặt tại gốc tọa độ là:
 Dx Dy Dz  −9
Qv  + +  v = 2 v = 2.10 = 2nC
 x y z 
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.8: Trong chân không: D = 8 xyz a x + 4 x z a y + 16 x yz a z ( pC / m )
4 2 4 2 3 2
a. Tìm thông lượng qua hộp chữ nhật: z=2, 0<x<2, 1<y<3 theo hướng az.
b. Tính E tại P(2, -1, 3)
c. Tính tổng điện tích quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
Giải:
a. Thông lượng qua hộp chữ nhật z = 2, 0 < x < 2, 1 < y < 3 theo hướng az
2 3 2 3
1 321 23
 =   Dz dxdy =  16 x y(2) dxdy = 16 x
2 3
y = 1365,33 pC
0 1 0 1
3 0 2 1
8.2(−1)34 a x + 4.22.34 a y + 16.22 (−1)33 a z  .10−12
D
b. E tại P(2, -1, 3) E= =
0 8,85.10−12
→ E = −146, 44a x + 146, 4a y − 195, 2a zV / m
II. Luật Gauss

Ví dụ 3.8: Trong chân không: D = 8 xyz a x + 4 x z a y + 16 x yz a z ( pC / m )
4 2 4 2 3 2
a. Tìm thông lượng qua hộp chữ nhật: z=2, 0<x<2, 1<y<3 theo hướng az.
b. Tính E tại P(2, -1, 3)
c. Tính tổng điện tích của quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
Giải:
c. Tổng điện tích của quả cầu có thể tích 10-12m3 đặt tại P(2, -1, 3).
 Dx Dy Dz  −12 −12
Qcau  + +   10 = 10 .(8 yz 4
+ 48 x 2
yz 2
)
 x y z  P (2,−1,3) P (2, −1,3)
→ Qcau −2,376.10−21 C
II. Luật Gauss.
III. Dive.

III. Dive
➢ Xuất phát từ công thức:
 D.dS =Q
S
v 
 x
+
y
+  v
z 
 Dx Dy Dz  Q  D.dS
→ + +  = S
 x y z  v v
 Dx Dy Dz   D.dS

Q
→ + +  = lim
S
= lim = v
 x y z  v → 0 v  v → 0 v
 Ax Ay Az   A.dS

→ + + =
 v →0lim S
 x  y z  v
➢ Công thức định nghĩa Đive:

 A.dS
Dive cua A = divA = lim S
2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn

v →0 v 29
III. Dive
 A.dS
v →0 v
Dx Dy Dz

Hệ tọa độ Descartes: divD = + +
x y z
1  1 D Dz
Hệ tọa độ trụ tròn: divD = (  D ) + +
    z
1  2 1  1 D
Hệ tọa độ cầu: divD = 2 (r Dr ) + (sin  D ) +
r r r sin   r sin  

III. Dive
 A.dS
v →0 v
➢ divA (dive của hàm mật độ thông lượng A) là thông lượng chảy ra
từ mặt kín của mỗi đơn vị thể tích có thể tích tiến đến zero.
➢ Div là phép toán có đối số là vector, nhưng cho kết quả là giá
trị vô hướng.
➢ Div cho biết số lượng thông lượng (trên mỗi đơn vị thể tích) chảy
ra khỏi một mặt kín (không cho thông tin về hướng của thông
lượng).

III. Dive
Ví dụ 3.9: Tìm divD tại gốc tọa độ: D = e-xsinyax – e-xcosyay + 2zaz
Giải:
➢ Áp dụng công thức tính div:
Dx Dy Dz

divD = + + = −e− x sin y + e− x sin y + 2 = 2
x y z
➢ Giá trị divD = 2 = const mà không phụ thuộc vào vị trí cần tính.
➢ Nếu đơn vị của D là C/m2, khi đó đơn vị của divD sẽ là C/m3

(mật độ điện tích khối).

III. Dive
Ví dụ 3.10: Tìm divD tại:
a ) D = (2 xyz − y 2 )a x + ( x 2 z − 2 xy )a y + x 2 ya z C / m 2 tai PA (2,3, −1)
➢ Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa Descartes:
Dx Dy Dz
divD = + + = 2 yz − 2 x + 0 = −10
x y z
b) D = 2  z 2 sin 2  aρ +  z 2 sin 2 aφ + 2  2 z sin 2  a z C / m 2
tai PB (  = 2,  = 1100 , z = −1)
➢ Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa độ trụ tròn:
1  1 D Dz
divD = (  D ) + +
    z
divD = 4z 2 sin 2  + 2z 2 cos 2 + 2 2 sin 2  = 9
III. Dive
Ví dụ 3.10: Tìm divD tại:
c) D = 2r sin  cos  ar + r cos  cos  aθ − r sin  aφC / m 2
tai PC (r = 1.5,  = 300 ,  = 500 )
➢ Áp dụng công thức tính div trong hệ tọa độ cầu:
1  2 1  1 D
divD = 2 (r Dr ) + (sin  D ) +
r r r sin   r sin  
cos  cos 2 cos 
divD = 6sin  cos  − + = 2,57
sin  sin 

II. Luật Gauss.
III. Dive.

IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh
 D.dS
➢ Từ công thức định nghĩa div có: divD = lim S
v →0 v
 D.dS Q
➢ Mặt khác, theo luật Gauss:  D.dS = Q
S
Xét cho một
vi khối Δv
S
v
=
v
 D.dS Q
➢ Xét vi khối có thể tích tiến đến zero: lim S
= lim = v
v →0 v v →0 v
divD = v (Phương trinh Maxwell 1)

divD = v
➢ Công thức Maxwell 1 áp dụng cho điện trường tĩnh và từ trường dừng
➢ Phát biểu: Thông lượng trên một đơn vị thể tích chảy ra khỏi một vi
khối rất nhỏ đúng bằng giá trị mật độ điện tích khối tại đó
➢ Phương trình Maxwell 1 là dạng vi phân của luật Gauss vì:

❖ Luật Gauss liên hệ giá trị thông lượng của một điện tích (vật mang
điện) đi ra khỏi một mặt kín bao quanh.
❖ Phương trình Maxwell 1 phát biểu về thông lượng trên mỗi đơn vị
thể tích chảy ra khỏi một vi khối rất nhỏ (coi như 1 điện tích điểm).
➢ Luật Gauss là dạng tích phân của phương trình Maxwell 1

Ví dụ 3.11: Tính mật độ điện tích khối ρv trong không gian xung quanh của
một điện tích điểm Q đặt tại gốc tọa độ.
Giải:
Q
➢ Vector thông lượng D của điện tích điểm Q tại gốc tọa độ: D = a
4 r 2 r
➢ Áp dụng công thức tính divD trong hệ tọa độ cầu:
1  2 1  1 D
divD = 2 (r Dr ) + (sin  D ) +
r r r sin   r sin  
1 d 2 Q
→ divD = 2 (r ) = 0 (r  0) → v = 0
r dr 4 r 2
Vậy mật độ điện tích khối ρv của điện tích điểm Q bằng zero tại mọi điểm
trong không gian và không xác định tại gốc tọa độ
II. Luật Gauss.
III. Dive.

V. Toán tử vector  và định lý Dive

1. Toán tử vector 
Định nghĩa một toán tử vector nabla (gọi là toán tử del)
  
 = ax + ay + az
x y z
    
➢ Xét: .D =  a x + a y + a z  . ( Dxa x + Dy a y + Dz a z )
 x y z 
Dx Dy Dz

→ .D = + + = divD
x y z

2. Định lý Dive
➢ Xuất phát từ luật Gauss, có:

 D.dS = Q
S
➢ Mặt khác: Q= 
khoi
v dv trong đó .D = 
v
➢ Vậy ta có:
 D.dS =  .Ddv
S khoi
➢ Phát biểu: Tổng thành phần pháp tuyến của một trường vector bất kỳ có
đạo hàm riêng trên một mặt kín đúng bằng tổng dive của trường vector
đó trong không gian nằm trong mặt kín.
 và định lý Dive.
 D.dS =  .Ddv
V. Toán tử vector
2. Định lý Dive S khoi
Ví dụ 3.12: Kiểm nghiệm định lý Dive biết D = 2xyax + x2ay C/m2 và hình
hộp chữ nhật giới hạn bởi mặt phẳng 0 < x < 1 ; 0 < y < 2 , 0 < z < 3
Giải:
➢ Vế trái:  D.dS =  +  +  +  +  + 
z =3 y = 2 z =3 y = 2 z =3 y = 2

truoc
=   (D)
z =0 y =0
x =1 .(dydza x ) =  
z =0 y =0
Dx x =1
.(dydz ) =   2 ydydz
z =0 y =0
z =3

truoc
=  4dz = 12C
z =0
 D.dS =  .Ddv
Giải:
➢ Vế trái:  D.dS =  +  +  +  +  + 
z =3 y = 2 z =3 y = 2

sau
=   (D)
z =0 y =0
x =0 .(−dydza x ) =  
z =0 y =0
Dx x =0
.(−dydz ) = 0
z =3 x =1 z =3 x =1 z =3 x =1

phai
=  
z =0 x =0
(D) y = 2 .(dxdza y ) =  
z =0 x =0
Dy
y =2
.(dxdz ) =  
z =0 x =0
x 2 (dxdz )

 D.dS =  .Ddv
Giải:
➢ Vế trái:  D.dS =  +  +  +  +  + 
z =3 x =1 z =3 x =1

trai
=   (D)
z =0 x =0
y =0 .(−dxdza y ) = −  
z =0 x =0
Dy
y =0
.(dxdz )
z =3 x =1
→ 
trai
=− 
z =0 x =0
x 2 (dxdz )

 D.dS =  .Ddv
Giải:
➢ Vế trái:  D.dS =  +  +  +  +  + 
Vì D = 2xyax + x2ay , không phụ thuộc vào z → D song song với mặt trên và
mặt dưới → D.dS = 0
→ 
tren
= 
duoi
=0

 D.dS =  .Ddv
Giải:
➢ Vế trái:  D.dS =  +  +  +  +  + 
z =3 x =1 z =3 x =1
 D.dS = 12 + 0 +
S
 
z =0 x =0
x 2 (dxdz ) −  
z =0 x =0
x 2 (dxdz) + 0 + 0
 D.dS = 12C
S

 D.dS =  .Ddv
Giải:
➢ Vế phải:  .DdV
V
Dx Dy Dz   2 

.D = + + = 2 xy + x + 0 = 2 y
x y z x y z
z =3 y = 2 x =1 z =3 y = 2 z =3
 .DdV =  2 ydV =    2 ydxdydz =  

V V z =0 y =0 x =0 z =0 y =0
2 ydydz =  4dz = 12C
z =0

 D.dS =  .Ddv
Giải:
→ VT =  D.dS =  .DdV = VP =12C = Q
Nhận xét: S V
➢ Có thể dụng định lý dive để tính thông lượng chảy ra khỏi một mặt kín
hoặc tính điện tích bên trong (được bao bởi) một mặt kín.
➢ Có 2 cách tính:
➢ Luật Gauss
➢ Luật Dive

2. Định lý Dive
Ví dụ 3.13: Kiểm nghiệm định lý Dive biết D = 6ρsin0,5φaρ +
1,5ρcos0,5φaφ C/m2 và phần mặt cong giới hạn bởi ρ=2, φ=0 ; φ=π , và
z=0, z=5
Giải:
 D.dS =  .Ddv
S V
Đ/S: 225

EE2030 - Chuong 3 - Dich Chuyen Dien - Luat Gauss - Dive

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

EE2030 - Chuong 3 - Dich Chuyen Dien - Luat Gauss - Dive

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

LÝ THUYẾT TRƯỜNG ĐIỆN TỪ

Chương 3: Dịch chuyển điện - Luật Gauss - Dive

I. Dịch chuyển điện.

II. Luật Gauss.

IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh.

V. Toán tử vector  và định lý Dive.

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 1

I. Dịch chuyển điện

❖ Nối đất mặt cầu ngoài.

I. Dịch chuyển điện

I. Dịch chuyển điện

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 4

Chương 3: Dịch chuyển điện - Luật Gauss - Dive

I. Dịch chuyển điện.

II. Luật Gauss.

IV. Phương trình Maxwell 1 trong trường tĩnh.

V. Toán tử vector  và định lý Dive.

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 5

II. Luật Gauss

kín bất kỳ. DS θ

➢ Tại mỗi diện tích S của mặt kín, có thông P ΔS Q

 =  d =  DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

II. Luật Gauss

 =  d =  DS .dS = Điện tích trong mặt kín = Q

Điện tích điểm Điện tích đường:

Điện tích mặt Điện tích khối:

II. Luật Gauss

➢ Mặt cong dS trên cầu có diện tích:

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 8

II. Luật Gauss

❖ Đóng góp của Gauss không phải phát

II. Luật Gauss

❖ Áp dụng công thức:  =  d =  D .dS = Q

➢ Điện tích đường ρL = π μC/m tại x = -2 và y = 3

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 10

II. Luật Gauss

➢ Luật Gauss được sử dụng để tính D (E) khi biết Q

II. Luật Gauss

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 12

II. Luật Gauss

➢ Nhận xét: D = Dρaρ và Dρ = f(ρ) ρL

II. Luật Gauss

II. Luật Gauss

II. Luật Gauss

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 16

II. Luật Gauss

II. Luật Gauss

2015 - Lý thuyết trường điện từ - 4 a 2 Việt Sơn

II. Luật Gauss

0, 25.10−6 + 4 .0, 012.2.10−3 + 4 .0, 0182.(−0, 6.10−3 )

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 19

II. Luật Gauss

II. Luật Gauss

➢ Xét P(x, y, z): z P ( x, y , z )

II. Luật Gauss z P ( x, y , z )

II. Luật Gauss

➢ Tương tự xét cặp mặt (phải - trái), (trên - dưới):

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 23

II. Luật Gauss

 Dx Dy Dz 

 Dx Dy Dz 

2015 - Lý thuyết trường điện từ - Nguyễn Việt Sơn 24

II. Luật Gauss

II. Luật Gauss