Predavanje2 - Model Energetskih Pojasa - Mehanizmi Rekombinacije

Sveučilište J.J.
Elektrotehnički fakultet
Strossmayera u Osijeku Osijek
Prof.dr.sc. Tomislav Švedek
ELEKTRONIKA 1
Predavanje 2/21 1
1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču
Kako se prema modelu energetskih

pojasa generiraju slobodni nosioci
naboja u poluvodiču?
Što je to kompenzirani poluvodič?
Predavanje 2/21 2
Model elektronskih veza
Čvrsto tijelo se sastoji od mnoštva atoma koji zbog malih

međuatomskih udaljenosti stupaju u snažnu interakciju.
diskretne razine dopuštenih

orbitale izoliranog atoma energetskih stanja
E,eV 2p
2s
1s
d
Predavanje 2/21 3
Pri stvaranju kristalne rešetke pojavljuju se kvazikontinuirani
energetski pojasi koji nastaju cijepanjem svake diskretne
energetske razine atoma.
pojasi dopuštenih energetskih stanja
E,eV 2p
2s
1s
d
pojasi zabranjenih stanja, energetski
procjepi (engl. band-gap)
Predavanje 2/21 4
U tijelu koje se sastoji od N = 10 22 do 10 23 atoma/cm3, N
blisko raspoređenih energetskih razina tvori pojas dopuštenih
energija.
pojas 10 – 22 eV
dopuštenih
energija
Razlika između susjednih energetskih razina unutar pojasa

približno je 10 – 22 eV, pa je širina dopuštenog energetskog
pojasa reda veličine nekoliko eV.
Predavanje 2/21 5
Elektroni se u kristalu mogu gibati:

a) između dopuštenih energetskih razina unutar energetskih
pojasa ili
neophodna mala energija
reda veličine 10 -22 eV
b) između energetskih pojasa

vodljivi pojas
energetski procjep neophodna velika energija
reda veličine nekoliko eV
valentni pojas
Predavanje 2/21 6
Vodič na temperaturi T = 0K
E,eV vodljivi pojas E,eV

vodljivi pojas
energetski procjep EG
valentni
valentni
pojas
pojas
energetski procjep
djelomično pun vodljivi pojas preklopljen vodljivi i valentni
pojas
Za gibanje elektrona unutar pojasa potrebno je malo

energije!
Predavanje 2/21 7
Poluvodič i izolator na temperaturi T = 0K
E,eV vodljivi pojas E,eV vodljivi pojas

Evod Evod
EG
Eval
valentni EG
pojas
prazan vodljivi pojas Eval

valentni
pojas
Moguće samo gibanje između
pojasa (uz veliku uloženu
energiju)! prazan vodljivi pojas
Predavanje 2/21 8
Razlika između poluvodiča i

izolatora je samo u širini
energetskog procjepa
EG = Evod - Eval (1.1)
Evod - energija dna vodljivog pojasa,

Eval - energija vrha valentnog pojasa.
Kako je za ponašanje poluvodiča mjerodavna samo

popunjenost vodljivog pojasa, to se energija Eval uzima
referentnom (Eval= 0), pa izraz (1.1) prelazi u EG = Evod.
Predavanje 2/21 9
Širine energetskog procjepa triju najvažnijih

poluvodičkih materijala (T=300 K)
Veća širina energetskog procjepa znači manju koncentraciju

slobodnih nosilaca naboja u čistom poluvodiču - ni!
Predavanje 2/21 10
Čisti poluvodič na temperaturi T = 0K
EG
vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca
Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

električnog polja!
Predavanje 2/21 11
Čisti poluvodič na temperaturi T > 0K
ni EG
ni = pi nosioci se stvaraju u
pi parovima
0
vodljivi pojas djelomično popunjen, valentni djelomično prazan
Unutar pojasa je moguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

električnog polja!
Predavanje 2/21 12
Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T = 0K
EG energija ionizacije
+ + + + + ED E i = E G – ED
atom donorske
+ primjese 0

električnog polja!
Predavanje 2/21 13
Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T > 0K
nn0 EG Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

+ + + + + ED (T > Ti) ionizacija primjesa ND
nn0 > pn0
pn0 0 Kod E  EG = 1,124 eV (T >> Ti)

i razbijanje valentnih veza
+ pozitivni ion donorske primjese
nn0 = ND + ni > pn0 = pi  N-tip
Predavanje 2/21 14
Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T = 0K
EG
atom akceptorske – – – – – EA energija ionizacije

– Ei = E A – 0
primjese 0

električnog polja!
Predavanje 2/21 15
Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T > 0K
np0 EG Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

(T > Ti) ionizacija primjesa NA
pp0 > np0
– – – – – EA
pp0 0 Kod E  EG = 1,124 eV (T >> Ti)
i razbijanje valentnih veza
– negativni ion akceptorske primjese
pp0 = NA + pi > np0 = ni  P-tip
Predavanje 2/21 16
Kompenzacija - pretvaranje materijala jednog tipa vodljivosti u materijal
drugog tipa vodljivosti (npr. P-tipa u N-tip za ND > NA) ili u čisti poluvodič
za ND = NA
nn0 EG
+ + + ED
nn0 > pp0 ND > NA
– EA
pp0 0
Efektivna neto koncentracija: ND - NA
nn0 = ND - NA + ni > pp0  N-tip dobiven kompenzacijom (veći

ukupan broj atoma primjesa, manja pokretljivost nosilaca naboja!)
Predavanje 2/21 17
1.2. Mehanizmi generiranja i rekombinacije
nosilaca naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža
Proces generiranja G nosilaca naboja je termičke naravi,
ako je poluvodič izvan domašaja jakog električnog polja ili
svjetlosti!
Radi očuvanja energije i impulsa -

postizanja dinamičke ravnoteže, G
R
dio elektrona se mora vratiti iz
vodljivog pojasa u valentni pojas i
"poništiti”sa šupljinama - proces
rekombinacije R.
Predavanje 2/21 18
nosilaca naboja.
Procesi generiranja i rekombinacije, iako suprotni,

nerazdvojno su povezani.
Rekombinacija se može dogoditi
a) u volumenu poluvodiča, preko mehanizama:
- izravne rekombinacije (emisijom fotona)
- neizravne rekombinacije preko rekombinacijskih
centara (zamki)
- zbog Augerova efekta, ili
b) na površini poluvodiča.
Predavanje 2/21 19
nosilaca naboja.
Augerov efekt
Foton se apsorbira u sustavu pobuđivanjem unutarnjih

elektrona u neko pobuđeno stanje. Sustav se relaksira
emisijom drugog elektrona koji ima manju energiju
vezanja (valentnog elektrona). Augerov efekt se
razlikuje od ionizacije jer emitirani elektroni imaju
točno određene kinetičke energije.
Predavanje 2/21 20
nosilaca naboja.
Izravna rekombinacija ili rekombinacija pojas-pojas:
EG emisija fotona (radijacijska
rekombinacija) ili
R 0 emisija fonona (neradijacijska
rekombinacija)
Vjerojatnost emisije fotona mnogo manja od vjerojatnosti emisije fonona.
Predavanje 2/21 21
nosilaca naboja.
E, eV
GaAs Izravna rekombinacija moguća
samo ako minimum energije
vodljivi pojas
vodljivog pojasa leži iznad
maksimuma energije valentnog
pojasa (GaAs), pa je tada impuls
EG =1,43 eV emitiranog fotona zanemarivo
malen.
k
valentni pojas
[111] [100]
k - valni vektor
oznaka reza kristala
Predavanje 2/21 22
nosilaca naboja.
Neizravna rekombinacija preko rekombinacijskih
centara (R-centri) - glavni proces rekombinacije:
1 EG
Rekombinacija u dva koraka
ER
2
0
R-centri su poremećaji u kristalnoj rešetki (primjese Au, ili

defekti rešetke). Aktivacijska energija im je visoka pa ostaju
praktički neionizirani - ne mijenjaju koncentraciju slobodnih
nosilaca.
Predavanje 2/21 23
nosilaca naboja.
E, eV
Si
vodljivi pojas Neizravna rekombinacija - u
svakom se koraku predaje  0,5 EG,
pa je vjerojatnost emisije fonona
EG =1,124 eV znatno veća no u prethodnom
slučaju.
valentni pojas
[111] [100]
Predavanje 2/21 24
nosilaca naboja.
U jako dopiranim poluvodičima javlja se rekombinacija u

pojasu zbog Augerova efekta - odvija se u jednom koraku.
Površinska rekombinacija dominantniji je mehanizam od

rekombinacije u volumenu (bez obzira na tip rekombinacije),
jer je gustoća rekombinacijskih centara na površini mnogo
veća no u volumenu poluvodiča.
Predavanje 2/21 25
nosilaca naboja.
1.2.1. Izravna rekombinacija (GaAs)
Vrijedi pretpostavka da je učestalost generiranja para

elektron-šupljina G funkcija:
- energije potrebne da se stvori par nosilaca (E  EG) i
- ukupne raspoložive energije (kod termičkog generiranja
opisane s T):
G  G( EG ,T ) (1.2)
Predavanje 2/21 26
nosilaca naboja.
Učestalost rekombinacije R funkcija je:
- temperature T,
- broja elektrona n u vodljivom i šupljina p u valentnom
pojasu, raspoloživih za rekombinaciju
R  R  T, n, p   r  T  np (1.3)
Predavanje 2/21 27
nosilaca naboja.
U termodinamičkoj ravnoteži učestalost oba procesa je
jednaka:
G( EG ,T )  R(T , n0 , p0 )  r (T )n0 p0
G( EG , T )
n0 p 0  , (1.4)
r (T )
gdje su n0 i p0 ravnotežne koncentracije elektrona i šupljina.
Predavanje 2/21 28
nosilaca naboja.
Kod čistog poluvodiča je n0 = ni ; p0 = pi, pa vrijedi :
n0 p0 = ni pi = ni2 . (1.5)
Kod primjesnog poluvodiča (npr. N-tipa) umnožak
slobodnih elektrona i šupljina (n0 = nn0 , a p0 = pn0) je
također konstantan, pa vrijedi:
n0 p0= nn 0 pn0 = ni2 .
što znači da porast koncentracije jednog tipa nosioca (npr.
dopiranjem) značiti smanjenje drugog tipa u istom omjeru!
Predavanje 2/21 29
nosilaca naboja.
Poluvodič se nalazi u stanju termodinamičke neravnoteže ako na njega djeluje:
- vanjsko električno polje Fv0, i/ili
- T  konst, i/ili
- gustoća naboja Q  0, i/ili
- kroz poluvodič teče struja I  0,
U neravnoteži procesi generiranja G i rekombinacije R nisu jednako česti:
G - R = r(T) (ni2 - pn) . (1.6)

neravnotežne
ravnotežne koncentracije koncentracije
Predavanje 2/21 30
nosilaca naboja.
U termodinamičkoj ravnoteži (zbog električne neutralnosti)

ukupno gibanje nosilaca naboja mora biti jednako nuli, pa
učestalosti generiranja i rekombinacije nosilaca moraju biti
jednake (G = R). Uvrštenje n = n0 i p = p0 u (1.6) daje
G - R = r(T)(ni2 - pn) = r(T)(ni2 - p0n0) = 0
Predavanje 2/21 31
nosilaca naboja.
U termodinamičkoj neravnoteži (postojanje vanjske pobude),
koncentracije elektrona n i šupljina p razlikuju se od
ravnotežnih koncentracija za iznos ekscesne koncentracije
naboja n i p (pozitivna ili negativna veličina!):
p = p0 + p ; n = n0 + n . (1.7)
povećanje ravnotežne
koncentracije
+n
smanjenje ravnotežne –n n0
koncentracije
Predavanje 2/21 32
nosilaca naboja.
Niska razine injekcije p << p0 ; n << n0 - bitno se mijenja
samo koncentracija manjinskih nosilaca.
Primjer: P-tip poluvodič, ni(Si) = 1,45 ·1010 cm-3
pp0 = (1,45)2 · 1015 cm-3 većinski nosioci naboja
iz np0 pp0 = ni2 slijedi np0 = 105 cm-3 manjinski nosioci naboja
Kod niske razine injekcije npr. p = n = 105 cm-3

p = pp0 + p = (1,45)2 · 1015 + 105  (1,45)2 · 1015  pp0
n = np0 + n = 105 + 105 = 2 · 105 dvostruko veća koncentracija
Predavanje 2/21 33
nosilaca naboja.
Poluvodič mora ostati električki neutralan u statičkim (n =
p) i dinamičkim uvjetima (n/t = p/t)  dovoljno je
promatrati promjenu samo jednog tipa nosioca, npr. elektrona!
Kod niske razine injekcije promjena koncentracije elektrona

se može aproksimirati diferencijalnom jednadžbom (iz (1.6)):
n
 G  R  r  T  p0 n0  r  T   p0  p  n0  n   r  T  p0  n0  n (1.8)
t
Predavanje 2/21 34
nosilaca naboja.
Drugi način pisanja izraza (1.8) - pomoću efektivnog vremena
života nosioca naboja ef (srednje vrijeme između generiranja
i rekombinacije nosioca naboja):
n  1 
 G  R  r(T )( p0  n0 )n   n 
1    n (1.9)
t n  p   ef
 
vremena života 1 1
  ; p 
elektrona i šupljina n r  T  p0 r  T  n0
r(T) [cm3/s] - učestalost rekombinacije u prostoru i vremenu

Predavanje 2/21 35
nosilaca naboja.
1 1 Koncentracija većinskih nosilaca
n  ; p 
r  T  p0 r  T  n0 naboja određuje vrijeme života
manjinskih nosilaca naboja!
Vremena života manjinskih nosilaca naboja su kraća, i
određuju ef  manjinsko!
Primjer: P-tip poluvodič, pp0 = (1,45)2 · 1015 cm-3 , np0 = 105 cm-3, a
r(T) = 10-9/(1,45)2 cm3/s :
vrijeme života manjinskih nosilaca n = 10-6 s = 1 s
vrijeme života većinskih nosilaca p  2 · 105 s
odakle slijedi da je ef  n !!
Predavanje 2/21 36
nosilaca naboja.
Jednadžba rekombinacije (1.9) opisuje razgradnju ekscesnog
naboja n:
n n
GR
t  eff
Opće rješenje za P-tip poluvodiča (ef  n)
t 
n t   n 0  exp 
 n 
Predavanje 2/21 37
nosilaca naboja.
n(t) t 
n(t )  n p 0  n 0  exp 
 n 
n(0)
n(0)
n(t)
ekscesna n   n  
koncentracija e
neravnotežna
koncentracija np0
ravnotežna
koncentracija
n t
Predavanje 2/21 38
nosilaca naboja.
1.2.2. Rekombinacija preko R-centara (Si, Ge)
Odvija se u dva koraka:
 R-centri zahvaćaju elektrone/šupljine iz
vodljivog/valentnog pojasa, i zatim ih
 emitiraju u valentni/vodljivi pojas
n
EG
NR - gustoća R-centara
NR E R
(donorskog ili akceptorkog
p 0
tipa!)
Predavanje 2/21 39
nosilaca naboja.
Schockley-Read-Hallova formula
2
ni  pn
GR (1.19)
 p  p1    n   n  n1    p
vremena života označena su sa: 1 1
n  ; p 
Cn  N R Cp  NR
p1 i n1 su ravnotežne koncentracije nosilaca na razini R-centara
(nekoliko redova niže od većinskih, a i do deset puta više od intrinsičnih!)
Cp i Cn su koeficijenti zaposjedanja i emisije R-centara
Predavanje 2/21 40
nosilaca naboja.
Ako je umnožak neravnotežnih koncentracija pn < ni2:
G – R je pozitivan  prevladava generacija nosilaca.
Ako je pn > ni2:
G – R je negativan  rekombinacija nadjačava generaciju.
1 1
vremena života se skraćuju s n  ; p 
porastom koncentracije R-centara! Cn  N R Cp  NR
Predavanje 2/21 41
nosilaca naboja.
Opće pravilo: ako se istodobno javlja nekoliko mehanizama
rekombinacije, učestalosti odgovarajućih procesa se zbrajaju
vrijedi: 1 1 1
 
 ef  n1  n2
Tablica 1.6. Raspon vrijednosti vremena života manjinskih nosilaca
naboja triju najvažnijih poluvodičkih materijala
Si 10-10 .... 10-3 s
Ge 10-6 ..... 10-3 s
GaAs 10-10 .... 10-8 s
Predavanje 2/21 42
1.3. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja
Iz zahtjeva za neutralnost prostornog naboja (ako su na

sobnoj temperaturi sve primjese ionizirane!) vrijedi:
p + ND = n + NA
1.3.1. Čisti poluvodič

Primjesa nema (ND  0 i NA  0), pa je:
p = n = pi = ni = f(EG,T)
Predavanje 2/21 43
naboja
1.3.2. Poluvodič N-tipa
Koncentracije primjesa na temperaturi T su ND > NA  0:
p + (ND - NA) = n
manjinski nosioci pn0 većinski nosioci nn0
Ravnotežna koncentracija manjinskih nosilaca (pn0) može se

izraziti pomoću intrinsične koncentracije ni i ravnotežne
koncentracije većinskih nosilaca (pn0): ni
2
pn0 
nn 0
Predavanje 2/21 44
naboja

2
ni
 ( N D  N A )  nn 0
nn 0
Rješenje kvadratne jednadžbe:

ravnotežna ( N D - N A) + ( N D - N A)2  4ni 2
koncentracija nn 0 =
večinskih nosilaca 2
ravnotežna ni 2
koncentracija p n0 
manjinskih nosilaca nn0
Predavanje 2/21 45
naboja
Rješenja vrijede unutar ekstrinsičnog ili radnog temperaturnog
područja poluvodiča (Tintr - Ti)!
nn0, pn0, cm-3 Silicij, ND = 1016 cm-3
intrinsično
2·1016 područje
područje ekstrinsično područje
nepotpune
ionizacije nn0  ND
1· 10 16
pi pn0
100 200 300 400 500 600 700 T, K

Ti Tintr
Predavanje 2/21 46
naboja
U ekstrinsičnom području vrijedi
nn 0  N D  N A
2
ni
pn0 
ND  N A
Predavanje 2/21 47
naboja
1.3.3. Poluvodič P-tipa
Koncentracije primjesa pri temperaturi T su NA > ND  0:
p = (NA - ND) + n .
većinski nosioci pn0 manjinski nosioci nn0
Rješenje kvadratne jednadžbe:

ravnotežna ( N A - N D ) + ( N A - N D )2  4ni 2
koncentracija p p0 =
većinskih nosilaca 2
ravnotežna ni 2
koncentracija n p0 
manjinskih nosilaca p p0
Predavanje 2/21 48
naboja
1.3.3. Poluvodič P-tipa
U ekstrinsičnom području vrijedi

p p0  N A  N D
2
ni
n p0 
N A  ND
Predavanje 2/21 49
Predavanje 2/21 50

Predavanje2 - Model Energetskih Pojasa - Mehanizmi Rekombinacije

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Predavanje2 - Model Energetskih Pojasa - Mehanizmi Rekombinacije

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Sveučilište J.J.

Prof.dr.sc. Tomislav Švedek

Kako se prema modelu energetskih

Što je to kompenzirani poluvodič?

Čvrsto tijelo se sastoji od mnoštva atoma koji zbog malih

diskretne razine dopuštenih

Razlika između susjednih energetskih razina unutar pojasa

Elektroni se u kristalu mogu gibati:

b) između energetskih pojasa

E,eV vodljivi pojas E,eV

Za gibanje elektrona unutar pojasa potrebno je malo

Poluvodič i izolator na temperaturi T = 0K

E,eV vodljivi pojas E,eV vodljivi pojas

prazan vodljivi pojas Eval

Razlika između poluvodiča i

EG = Evod - Eval (1.1)

Evod - energija dna vodljivog pojasa,

Kako je za ponašanje poluvodiča mjerodavna samo

Širine energetskog procjepa triju najvažnijih

Veća širina energetskog procjepa znači manju koncentraciju

Čisti poluvodič na temperaturi T = 0K

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

Čisti poluvodič na temperaturi T > 0K

vodljivi pojas djelomično popunjen, valentni djelomično prazan

Unutar pojasa je moguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T = 0K

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T > 0K

nn0 EG Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

pn0 0 Kod E  EG = 1,124 eV (T >> Ti)

+ pozitivni ion donorske primjese

nn0 = ND + ni > pn0 = pi  N-tip

Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T = 0K

atom akceptorske – – – – – EA energija ionizacije

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T > 0K

np0 EG Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

– negativni ion akceptorske primjese

pp0 = NA + pi > np0 = ni  P-tip

Efektivna neto koncentracija: ND - NA

nn0 = ND - NA + ni > pp0  N-tip dobiven kompenzacijom (veći

Radi očuvanja energije i impulsa -

Procesi generiranja i rekombinacije, iako suprotni,

Foton se apsorbira u sustavu pobuđivanjem unutarnjih

Vjerojatnost emisije fotona mnogo manja od vjerojatnosti emisije fonona.

R-centri su poremećaji u kristalnoj rešetki (primjese Au, ili

U jako dopiranim poluvodičima javlja se rekombinacija u

Površinska rekombinacija dominantniji je mehanizam od

Vrijedi pretpostavka da je učestalost generiranja para

G - R = r(T) (ni2 - pn) . (1.6)

U termodinamičkoj ravnoteži (zbog električne neutralnosti)

G - R = r(T)(ni2 - pn) = r(T)(ni2 - p0n0) = 0

Kod niske razine injekcije npr. p = n = 105 cm-3

Kod niske razine injekcije promjena koncentracije elektrona

r(T) [cm3/s] - učestalost rekombinacije u prostoru i vremenu

Iz zahtjeva za neutralnost prostornog naboja (ako su na

1.3.1. Čisti poluvodič

manjinski nosioci pn0 većinski nosioci nn0

Ravnotežna koncentracija manjinskih nosilaca (pn0) može se

1.3.2. Poluvodič N-tipa