Generacija i rekombinacija

• slobodni nosioci u poluvodiču mogu se stvarati razbijanjem valentnh

veza.
• u ekstrinsičnom poluvodiču dominantan je proces ionizacije nečistoća

• u n-tipu poluvodiča ionizacijom donora dobivamo slobodne

elektrone u vodljivom pojasu
• u p-tipu poluvodiča ionizacijom akceptora dobivamo šupljine u
valentnom pojasu
• proces stvaranja slobodnih elektrona i šupljina zove se generacija
• budući da su u svakom poluvodiču na stalnoj temperaturi
koncentracije slobodnih nosilaca su konstantne znači da u poluvodiču
uz mehanizme koji generiraju slobodne nosioce, mora postojati
mehanizam koji slobodne nosioce jednako odstranjuje ili rekombinira
Generacija i rekombinacija

• u poluvodiču postoji dinamička ravnoteža između generacije i

rekombinacije nosilaca
• prosječno vrijeme između generacije i rekombinacije jest prosječno
vrijeme postojanja slobodnog para nosilaca i zove se vrijeme života
nosilaca
• kod silicija vrijeme života za slobodne elektrone i šupljine se kreće u
granicama od 10-3s do 10-9s.
Konentracije elektrona i šupljina

• toplinska energija uzrokuje generiranje parova slobodnih nosilaca

elektron-šupljina tako da intrinzična koncentracija ovisi samo o
temperaturi
• za svaki poluvodič vrijedi da umnožak koncentracija slobodnih
elektrona u vodljivom pojasu i šupljina u valentnom pojasu ovisi samo o
temperaturi te je na konstantnoj temperaturi konstantan
• za intrinsični poluvodič vrijedi: n=p=ni=pi

ni  pi  ni2  f (T )
Koncentracije elektrona i šupljina

• zakon o termodinamičkoj ravnoteži: produkt ravnotežnih koncentracija

elektrona u vodljivom pojasu i šupljina u valentnom pojasu u nekom
poluvodiču na danoj temperaturi konstantan je i jednak kvadratu
intrinzične koncentracije:

n  p  ni2
• dodavanjem donora rast koncentracije slobodnih elektrona
automatski dovodi do pada koncentracije šupljina da bi umnožak np
ostao konstantan
• dodavanjem akceptora rast koncentracije šupljina automatski dovodi
do pada koncentracije slobodnih elektrona da bi umnožak np
ostao konstantan
Koncentracije elektrona i šupljina

• intrinzična koncentracija ni ovisi o vrsti poluvodiča, temperaturi i širini

zabranjenog pojasa i može se izračunati pomoću izraza:

 ( EG 0 / 2 ET )
ni (T )  C  T 3/ 2
e
• gdje je
• C – konstanta ovisna o materijalu
• EG0 - ekstrapolirana vrijednost širine zabranjenog pojasa na T=0K
(širina zabranjenog pojasa ovisi o temperaturi, pa se EG0 dobiva
linearnom aproksimacijom temperaturne ovisnosti širine
zabranjenog pojasa)
Koncentracije elektrona i šupljina

• svaki poluvodič ako nije pod utjecajem vanjskog napona je električki

neutralan - ukupna suma pozitivnih naboja jednaka je ukupnoj sumi
negativnih naboja
• pozitivni naboj u poluvodiču čini zbroj naboja pokretnih šupljina i
nepokretnih donorskih iona
• negativni naboj čini zbroj naboja pokretnih elektrona i nepokretnih
akceptorskih iona
• u električki neutralnom poluvodiču ukupni prostorni naboj mora biti
jednak nuli:

q( p  N D )  q(n  N A )  0
• ovaj izraz zove se zakon ravnoteže prostornog naboja ili zakon
neutralnosti prostornog naboja ili zakon električke neutralnosti.
• odnosno
p  ND  n  NA
Koncentracije elektrona i šupljina

• u uvjetima termodinamičke ravnoteže vrijedi zakon termodinamičke

ravnoteže i zakon ravnoteže prostornog naboja

n  p  ni2

p  ND  n  NA
Koncentracije elektrona i šupljina

• kombiniranjem ovih izraza dobije se kvadratna jednadžba

• za koncentraciju slobodnih elektrona se dobije:

N D  N A  ( N D  N A ) 2  4  ni2
n
2

• za koncentraciju šupljina se dobije

N A  N D  ( N A  N D ) 2  4  ni2
p
2
Koncentracije elektrona i šupljina

• pojednostavljeno računanje koncentracije slobodnih nosilaca za

slučaj poluvodiča p-tipa:

• ako je neto koncentracija primjesa NA-ND puno veća od intrinsične

koncentracije u poluvodiču, pod korjenom izraza bit će NA-ND >>4 ni
pa se pojednostavljuje u:
p= NA-ND
• koncentracija većinskih nosilaca određena je isključivo neto-
koncentracijom primjesa; koncentracija manjinskih nosilaca može
se izračunati pomoću zakona termodinamičke ravnoteže

ni2 ni2
n 
p NA  ND
Koncentracije elektrona i šupljina

• ako je poluvodič p-tipa, princip električke neutralnosti glasi

n  NA  p
n  p  ni2

• u ekstrinsičnom temperaturnom području vrijedi:

p  NA
ni2
n
NA
Koncentracije elektrona i šupljina

• ako temperatura raste prema intrinsičnom području, intrinsična

koncentracija postaje usporediva s koncentracijom primjesa; više nije
NA >>ni, pa koncentraciju većinskih šupljina moramo računati pomoću

općenitog izraza:
2
N A  N A  4  ni2
p
2
• koncentracija manjinskih elektrona:

ni2
n
p
Koncentracije elektrona i šupljina

• porastom temperature povećava se intrinsična koncentracija

• dolazi do porasta termički generiranih parova elektron-šupljina
• koncentracija elektrona i šupljina povećavaju se za isti iznos
• u intrinsičnom temperaturnom području, prema visokim
temperaturama koncentracije i većinskih i manjinskih nosilaca teže k
intrinsičnoj koncentraciji
• to je bitno zbog toga jer su praktički svi poluvodički elementi bazirani
na kontaktu između poluvodiča p-tipa i poluvodiča n-tipa
• porastom temperature postepeno nestaju razlika između p-tipa i n-
tipa poluvodiča, a time i efekti bazirani na njihovoj razlici
Koncentracije elektrona i šupljina

• pojednostavljeno računanje koncentracije slobodnih nosilaca za

slučaj poluvodiča n-tipa:

• ako je neto koncentracija primjesa ND-NA puno veća od intrinsične

koncentracije u poluvodiču
N D  N A  4ni

• izraz pod korjenom se pojednostavljuje u ND-NA

gdje je koncentracija većinskih elektrona određena isključivo neto-

koncentracijom primjesa; koncentracija manjinskih nosilaca može

ni2 pomoću
se izračunati ni2 zakona termodinamičke ravnoteže
p 
n ND  NA
Koncentracije elektrona i šupljina

• za n-tip poluvodiča, princip električke neutralnosti glasi

p  ND  n

• u ekstrinsičnom temperaturnom području vrijedi:

n  ND
2
n
p i

ND
Koncentracije elektrona i šupljina

• ako temperatura raste prema intrinsičnom području, intrinsična

koncentracija postaje usporediva s koncentracijom primjesa; više nije
NA >>ni, pa koncentraciju većinskih elektrona moramo računati
pomoću
općenitog izraza:

2
N D  N D  4  ni2
n
2

• koncentracija manjinskih šupljina

ni2
p
n
Fermijeva funkcija vjerojatnosti
• f(E) funkcija koja izražava vjerojatnost da je neko dozvoljeno
energetsko stanje (stanje na energiji E) zaposjednuto elektronom
• Fermijeva funkcija vjerojatnosti ima oblik: f(E)

1
f  E 
T1=0K
1

E  EF 0.5
T2˃T1

1 e ET
0
EF
T3˃T2

• za temperaturu T=0K vrijedi: f(E)=1 za E<=EF

f(E)=0 za E>= EF
• EF je Fermijeva energija ili Fermijev energetski nivo
• do Fermijevog nivoa su svi dozvoljeni energetski nivoi stvarno
zaposjednuti elektronima, a iznad Fermijevog nivoa elektrona nema
Raspodjela elektrona po energijama
• za određivanje koncentracije slobodnih elektrona u vodljivom
pojasu koristi se Fermi-Diracova raspodjela koja općenito
govori o broju čestica čija energija leži u intervalu energija
između E i E+dE:
dn( E )  S ( E )  f  E   dE
• gdje je:
• dn(E) koncentracija čestica (broj elektrona) u jedinici volumena s
energijom u intervalu energija dE
• S(E) broj dozvoljenih energija elektrona u jediničnom intervalu
energija u jedinici volumena ili gustoća mogućih ili dozvoljenih
kvantnih stanja
• relacija je općenita, ovisno o konkretnom slučaju, mijenja se
matematički oblik funkcija S(E) i f(E). S(E)

• za elektrone u metalu ili poluvodiču funkcija

dozvoljenih energetskih stanja S(E) može
se prikazati zakonom drugog korijena

0
E
Raspodjela elektrona po energijama
S(E)

• grafički postupak:
0
E

T=0K
1

0.5
T=2000K

0
EF
E

dn(E)/dE

T=0K

T=2000K

E
Raspodjela elektrona po energijama

• ravnotežne koncentracije elektrona i šupljina ovise o položaju

Fermijevog nivoa

• izraz za vjerojatnost nalaženja šupljine na nekom energetskom nivou:

fP(E)=1-f(E)

• vjerojatnost nalaženja šupljine na nekom energetskom nivou jednaka

je vjerojatnosti da na tom nivou nema elektrona

• Fermijeva vjerojatnost je antisimetrična u odnosu na Fermijev nivo

• vjerojatnost nalaženja elektrona na nivou koji je za dE viši od EF

jednaka je vjerojatnosti da elektrona nema na nivou koji je za dE niži
od EF, odnosno jednaka je vjerojatnosti da se na tom nivou nalazi
šupljina.
Raspodjela elektrona i šupljina po energijama:
• grafički postupak za određivanje koncentracija slobodnih nosilaca i
položaja Fermijevog nivoa u intrinsičnom poluvodiču
• koncentracije nosilaca su jednake n = p
• Fermijeva energija EF nalazi se na sredini zabranjenog pojasa
(vrijedi i za kompenzirani poluvodič-poluvodič s jednakom
koncentracijom donora i akceptora)

E
koncentracija
elektrona po
elektroni energijama
vodljivi pojas
n
EC
EG dn/dE
zabranjeni pojas
EF

dp/dE
EV
p
valentni pojas
koncentracija
šupljine šupljina po
energijama
Raspodjela elektrona i šupljina po energijama

• grafički postupak za određivanje koncentracija slobodnih nosilaca i

položaja Fermijevog nivoa u poluvodiču n-tipa
• porastom neto koncentracija donora ND –NA energija EF sve se
više udaljava od sredine zabranjenog pojasa (EFi) prema
vodljivom pojasu
• ako energija EF prijeđe u vodljivi pojas – degeneriran poluvodič
(po svojstvima se približava svojstvima metala)
E
koncentracija
elektrona po
ED=0.01-0.1eV energijama
elektroni vodljivi pojas

EC
+ EG + + + ED dn/dE
EF
donorski ioni
EFi
zabranjeni pojas
dp/dE
EV
koncentracija
valentni pojas šupljina po
šupljine energijama
Raspodjela elektrona i šupljina po energijama
• grafički postupak za određivanje koncentracija slobodnih nosilaca i
položaja Fermijevog nivoa u poluvodiču p-tipa
• porastom neto koncentracije akceptora NA – ND energija EF
sve se više udaljava od sredine zabranjenog pojasa (EFi) prema
valentnom pojasu
• ako energija EF prijeđe u valentni pojas – degeneriran
poluvodič (po svojstvima se približava svojstvima metala)
E

elektroni koncentracija
elektrona po
vodljivi pojas energijama

EC n
EG dn/dE
zabranjeni pojas
EFi akceptorski ioni
EF
- - - - EA dp/dE
EV
p
šupljine valentni pojas
koncentracija
EA=0.01-0.1eV šupljina po
energijama
Fermijeva energija
• položaj Fermijeve energije EF mijenja:
• koncetracija nosilaca
• temperatura
• porastom temperature Fermijeva energija EF se približava sredini
zabranjenog pojasa (porast intrinzične koncentracije)
• porastom temperature se smanjuje širina zabranjenog pojasa
T1 vodljivi pojas T2 ˃ T1 vodljivi pojas
EG EG
EF1 ND=1018cm-3 ND=1018cm-3
EF1
EF2 ND=1016cm-3 EF2
EFi ND=1016cm-3
EFi
zabranjeni pojas zabranjeni pojas
EV EV

valentni pojas valentni pojas

T1 vodljivi pojas T2 ˃ T1 vodljivi pojas

EG EG
zabranjeni pojas zabranjeni pojas
EFi EFi
EF1 NA =1016cm-3 EF1 NA=1016cm-3
EF2 EF2 NA=1018cm-3
NA =1018cm-3
EV EV
valentni pojas valentni pojas
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• vođenje struje kroz materijal posljedica je usmjerenog kretanja naboja

• u poluvodičima pokretni naboji su
• slobodni elektroni u vodljivom energetskom području
• šupljine u valentnom energetskom području

• ionizirane primjese su nepokrente i ne doprinose struji

• na T > 0 K slobodni elektroni se uslijed termičke energije gibaju
unutar kristalne strukture
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• u uvjetima termodinamičke ravnoteže, bez djelovanja vanjskog

napona, slobodni nosioci se gibaju kaotično tj. svi smjerovi gibanja su
jednako mogući

-
-

B
-

A
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

-
B
-

-
CV C
Δl
-

• ako dovedemo električno polje na poluvodič, elektroni će se i dalje

nastaviti gibati kaotično, ali će dobiti pomak suprotan od smjera polja
• brzina kojom elektron prijeđe put Δl zbog djelovanja polja E u intervalu
vremena zove se driftna brzina
.
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• ovisnost driftne brzine o jakosti električnog polja:

Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• pri manjim iznosima električnog polja driftna brzina proporcionalna je

polju: l
vdn   n E
t
• konstanta proporcionalnosti µn se zove pokretljivost elektrona i
izražava se u cm2/Vs
• predznak (–) je oznaka da je driftna brzina elektrona usmjerena
suprotno od smjera električnog polja

• driftna brzina šupljina:

vdp   p E
• konstanta proporcionalnosti µp se zove pokretljivost šupljina
• driftna brzina šupljina usmjerena je u smjeru električnog polja
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• pokretljivost ovisi o svojstvima čvrstog tijela i o temperaturi

• pokretljivost je manja što je
• temperatura viša
• koncentracija nečistoća viša
• na višim temperaturama su vibracije kristalne rešetke intenzivnije i
doprinose jačem raspršenju elektrona, odnosno umanjuju pokretljivost.
• pokretljivosti šupljina su manje, od pokretljivosti elektrona
• na određenoj temperaturi pokretljivost nosilaca najveća je u čistom
poluvodiču
• dodavanjem primjesa pokretljivost nosilaca se smanjuje
Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima

• pokretljivost nosilaca ovisno o koncentraciji atoma primjesa

Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima
• iako se porastom temperature
povećava termička brzina
nosilaca, njihove pokretljivosti
se smanjuju
• intenzivnije vibracije kristalne
rešetke – raste vjerojatnost
sudara elektrona s atomima –
smanjuje se driftna brzina
• ukupna brzina nosilaca
ograničena je termičkim
brzinama (driftna brzina ulazi u
zasićenje) – temeljno fizikalno
ograničenje u brzini rada
poluvodičkih elemenata
Driftna struja poluvodiča

• struja uzrokovana električnim poljem odnosno driftnim gibanjem

nosilaca – driftna struja J   E
• ukupna driftna struja poluvodiča posljedica je kretanja i elektrona i
šupljina
J f  J fn  J fp  q(nn  p p )E
• specifična vodljivost poluvodiča   q(nn  p p )
• za intrinzični poluvodič n=p=ni

  q(n   p )ni
.
Vodljivost poluvodiča

• za n-tip:  n  q( N D  N A )  n
• za p-tip:  p  q( N A  N D )  p

• specifične vodljivosti
ekstrinzičnog poluvodiča
podešavaju se koncentracijama
primjesa
• zbog veće pokretljivosti
elektrona, za iste koncentracije
primjesa n-tip je vodljiviji

.
Vodljivost poluvodiča

• specifična vodljivost p i n-tipa poluvodiča ovisno o temperaturi

pada u ekstrinzičnom, raste u intrinzičnom području
Difuzijska struja u poluvodičima

-
-
-

-
-

-
• difuzija je pojava koja dolazi do

-
-

-
-

-
-

-
izražaja kada koncentracija čestica

-
-
-

-
-

-
nije konstantna, već se u prostoru

-
-

-
-
mijenja; to se odnosi i na čestice
poput plina i na nosioce smjer gibanja elektrona
smjer struje elektrona

elektriciteta: elektrone i šupljine

• difuzijsko kretanje čestica se obavlja n [cm-3]
s mjesta više koncentracije prema
mjestu niže koncentracije, a smjer gibanja elektrona
smjer struje elektrona
tendencija je da se koncentracije Δn

izjednače
• difuzijska struja je izazvana
0
promjenjivim iznosom koncentracije Δx
x [cm]

nosilaca u volumenu poluvodiča

Difuzijska struja u poluvodičima

• ako promatramo šupljine kojima se koncentracija mijenja samo kao

funkcija koordinate x, a u smjeru koordinata y i z je konstantna, difuzijska
struja će biti proporcionalna gradijentu koncentracije šupljina u smjeru
osi x
dp
• za taj slučaj gradijent je jednak
dx
i treba ga uzeti s negativnim predznakom, jer se neto gibanje šupljina
obavlja s mjesta više koncentracije prema mjestu niže koncentracije
• za različite čestice istog gradijenta koncentracije, difuzijske struje će se
razlikovati zbog različitih sposobnosti čestica da difundiraju
• sposobnosti čestica da difundiraju se definira preko difuzijske konstante
• difuzijska konstanta šupljina se označava sa DP.
Difuzijska struja u poluvodičima

• za gustoću difuzijske struje šupljina vrijedi relacija:

n [cm-3]
dp
J dp  q  D p ( )
dx smjer gibanja elektrona
smjer struje elektrona
dp
 
Δn
J dp  q  D p A / cm 2
dx
0 x [cm]
• gradijent koncentracije ima dimenziju cm-4, Δx

• difuzijska konstanta ima dimenziju cm2/s.

• gustoća struje za difuziju elektrona: p [cm-3]

dn
J dn  q  Dn ( ) smjer gibanja šupljina
smjer struje šupljina
dx Δp

J dn  q  Dn
dn
dx

A / cm 2  0 x [cm]
Δx
Difuzijska struja u poluvodičima

• pomoću difuzijske struje objašnjavaju se

osnovna svojstva pn dioda i tranzistora
Ukupna struja u poluvodiču

• ako u poluvodiču postoji električko polje i razlika koncentracije

nosilaca, ukupna struja za jednodimenzionalni slučaj jednaka je sumi
struje uslijed električkog polja Jf i difuzijske struje Jd:
• gustoća struje šupljina je:
dp dU
J p  J dp  J fp   qD p  q  p  P
dx dx
• gustoća struje elektrona je:

dn dU
J n  J dn  J fn   qDn  q  p  n
dx dx
dU
• umjesto jakosti električkog polja E uzet je gradijent potenijala dx
Difuzijska konstanta i pokretljivost

• između difuzijske konstante i pokretljivosti za nedegenerirane

poluvodiče postoji veza poznata kao Einsteinove relacije:

Dn   n  U T
Dp   p U T

• naponski ekvivalent temperature u voltima:

ET k  T T
UT    V 
q q 11605
Nehomogeni poluvodič

• koncentracija slobodnih nosilaca se mijenja u prostoru

• postoji ugrađeno električno polje takvo da je driftni tok
slobodnih nosilaca jednak difuzijskom
• suma difuzijske i driftne struje jednaka je nuli, poluvodič
je bez vanjskih utjecaja u ravnotežnom stanju

n [cm-3] ε p [cm-3]
driftno gibanje elektrona
driftna struja elektrona
difuzijsko gibanje elektrona
difuzijska struja elektrona
ε
driftno gibanje šupljina
driftna struja šupljina
difuzijsko gibanje šupljina
difuzijska struja šupljina

0 x [cm] 0 x [cm]
Literatura

[1] Ž. Butković, J. Divković-Pukšec, A. Barić: Elektronika 1,Fakutet

elektrotehnike i računarstva, Zagreb - interna skripta; 2010
[2] Petar Biljanović: Poluvodički elektronički elementi, Školska knjiga,
Zagreb 1996.
[3] J.Šribar,J.Divković-Pukšec:Elektronički elementi, zbirka riješenih
zadataka i izvoda, I i II dio, Element, Zagreb, 1996.
[4] B.Juzbašić:Elektronički elementi, Školska knjiga,
Zagreb, 1980.