Sveučilište J.J.

Elektrotehnički fakultet
Strossmayera u Osijeku Osijek

Prof.dr.sc. Tomislav Švedek

ELEKTRONIKA 1

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja

koncentracija nosilaca
jednaka koncentraciji
primjesa
- dobro vodljiva područja

osiromašeno
kvazineutralno područje kvazineutralno područje
područje db
–– + +
P-tip –– + + N-tip
–– + +

nekompenzirani naboj ioniziranih atoma

donora i akceptora
- slabo vodljivo područje
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja

Svojstva osiromašenog područja:

• u prvoj aproskimaciji u njemu nema slobodnih nosilaca naboja

(osiromašeno područje!) samo nekompenzirani naboj ioniziranih
atoma donora i akceptora
• zbog prostornog naboja u njemu se javlja ugrađeno električno polje
• zbog ugrađenog električnog polja unutar njega se mijenja električki
potencijal od n do p (potencijali kvazineutralne N- i P-strane)
• širina osiromašenog područja ovisi o koncentraciji primjesa N- i P-
strane

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
Asimetričan skokoviti PN-spoj (jednodimenzionalan slučaj):
P N
(ND– NA) Koncentracija primjesa (i slobodnih
nn0 = ND
nosilaca naboja “prije “doticanja P- i N-
0 x strane!)

pp0 = NA Prema van PN-spoj mora biti električki neutralan

 gustoća negativnog prostornog naboja P-strane
Q(x), Ascm–3 mora biti jednaka gustoći pozitivnog prostornog
naboja N-strane.
–xp +
xn  QN   QP  0
x
– 0

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja

U osiromašenom području gustoća prostornog

P N naboja je konstantna i jednaka:
Q(x)
 qN A za  x p  x  0
+qND
–xp + Q  x 
0 xn x
–  qN D za 0  x  xn
–qNA
a izvan osiromašenog područja Q (x) = 0
(xn i –xp su koordinate rubova N-strane i P-
strane osiromašenog područja).
Ukupan naboj P- i N-strane osiromašenog područja jednak je:
qN A x p  qN D xn

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
Prostorni naboj osiromašenog područja uzrokuje pojavu unutarnjeg
električnog polja čija se jakost može odrediti Poissonovom
jednadžbom (za jednodimenzionalni slučaj - x koordinatu):
P N
Q(x)
d2  x  dF  x  Q  x
 
+qND dx 2 dx 
–xp +
xn x
– 0 prva integracija daje jakost električnog
–qNA polja.
Gustoća prostornog naboja nije jedinstvena analitička funkcija - integraciju
potrebno provesti posebno za P- i za N-stranu PN-spoja. P-strana:
Q  x  qN A  qN A
Fup  x    dFup  x      dx   x  C1
    
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja P N
Q(x)
Konstanta integracije C1 dobiva se iz
uvjeta da je izvan osiromašenog +qND
područja polje jednako ništici, –xp +
tj. Fp(–xp) =0 0 xn x
–
–qNA
 
Fup  x p  
qN A

x  C1  0
Fu(x)
qN A
 C1   xp
 –xp
0 xn x
Jakost polja P-strane mijenja se linearno:
FuM
x  xp
Fup  x    qN A Fun  x    qN D
xn  x
 
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja P N
Q(x)
Funkcija raspodjele električnog polja
mora biti kontinuirana, stoga za x = 0 +qND
električna polja s obje strane moraju –xp +
biti jednaka i imati najveći iznos FuM : 0 xn x
–
–qNA
qN A qN D
FuM  0    xp   xn
  Fu(x)

Iz gornjeg izraza dobiva se:

–xp
N A x p  N D xn xn x
0
koji povezuje koncentracije primjesa
s širinom osiromašenog područja db FuM
db
d b  x p  xn

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja P N
Q(x)
Dubina prodiranja osiromašenog
područja u kvazineutralna područja P- +qND
strane i N-strane određena je –xp +
koncentracijom primjesa: 0 xn x
–
–qNA
db db
xp  i xn 
NA ND Fu(x)
1 1
ND NA
–xp
a prodiranje je dublje u područje s 0 xn x
manje primjesa, tj. u čišći poluvodič.
FuM
db

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja P N
Q(x)

+qND
+
0 xn x
Ako je količina primjesa na jednoj –xp 0 –
strani mnogo veća dobiva se
jednostrani PN-spoj
–qNA
(npr. za NA >> ND je db  xn , odnosno
osiromašeno područje se širi gotovo
Fu(x)
isključivo na manje dopiranu stranu!)

0 xn x
–xp 0
d b  xn

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
P N
Ukupna širina osiromašenog područja Fu(x)
ovisi o jakosti ugrađenog polja Fu(x),
odnosno o padu napona Uk na
osiromašenom području! Druga –xp xn x
0
integracija Poissonove jednadžbe daje
ovisnost električnog potencijala o
jakosti električnog polja:
(x)
d2  x  dF  x  Q  x
  n
dx 2 dx  Uk
–xp 0 xn x
p

  x    d  x     Fu  x dx  C 2

Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
P N
Za N-stranu (0 < x  xn) vrijedi: Fu(x)
xn  x
  x     qN D dx  C 2 

qN D –xp 0 xn x
  xn  x  2  C 2
2
pri čemu se C2 određuje iz uvjeta
(xn) = n: (x)

qN D
n   xn  xn  2  C 2 U n
2 k –xp xn
0 x
odakle slijedi: p
qN D
  x    x n  x  2  Φn
2
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
Ako se koncentracija elektrona izrazi u E
ovisnosti o potencijalu:
EG
 E F  E Fi 
n x   ni exp   EF q
 kT  EFi
 q  x     x  0
 ni exp   ni exp   N-tip
 kT  U
 T  poluvodiča
tada se može se izračunati potencijal N-strane (xn) = n ako se za
koncentraciju elektrona na mjestu xn uvrsti n(xn) = nn0  ND:
 ND 
Φn  U T ln 

 ni 
Potencijal kvazineutralne N-strane raste s koncentracijom primjesa!
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja
P N
(x)
Za P-stranu (– xp  x < 0)
vrijedi: n
Uk
–xp 0 xn x
p

  x 
qN A
2

x  xp 2  Φp

gdje je:
 NA 
Φ p  U T ln 

n
 i 
potencijal kvazineutralnog P-područja
Predavanje 9/45
 2.1.2. Svojstva osiromašenog područja skokovitog
PN-spoja

Kontaktni potencijal skokovitog PN-spoja: P N

(x)

n
Uk
–xp 0 xn x
p

 N AND 
U k  Φn  Φ p  U T ln 
 n2 
 i 

Predavanje 9/45
 Svojstva osiromašenog područja linearno-
postupnog PN-spoja
P N
(ND–NA)
ND(db/2)
Simetričan linearno-postupan PN-spoj
–db/2
0 db/2 x
NA(–db/2)
Q(x)
qND(db/2)
Raspodjela prostornog naboja
–db/2 + - nije konstantna već linearno
promjenjiva
– 0 db/2 x
–qNA(–db/2)
Predavanje 9/45
 Svojstva osiromašenog područja linearno-
postupnog PN-spoja
Q(x)
qND(db/2)
Raspodjela prostornog naboja
–db/2 + - krivulja prvog reda
– 0 db/2 x
–qNA(–db/2)

Fu(x) Unutarnje električno polje

–db/2 - krivulja drugog reda
db/2
0 x

FuM

Predavanje 9/45
 Svojstva osiromašenog područja linearno-
postupnog PN-spoja

Fu(x)
–db/2 db/2 Unutarnje električno polje
- krivulja drugog reda
0 x

FuM

(x)
Potencijal -
–db/2 n krivulja trećeg reda
Uk
0 db/2 x
p

Predavanje 9/45
 Svojstva osiromašenog područja linearno-
postupnog PN-spoja
Kontaktni potencijal linearno-postupnog P N
PN-spoja:
(x)

–db/2 n
Uk
0 db/2 x
p

  db   db 
 N A N D  
  2   2 
U k  U T ln NA(–db/2) i ND(db/2) su koncentracije
 ni
2 
  dopiranja na db/2 udaljenosti od
  metalurškog spoja!

Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
Ako se na kristal poluvodiča spoji vanjski izvor napona U, PN-spoj
više nije u ravnoteži i kroz zatvoreni strujni krug teče struja - smjer i
jakost ovise o polaritetu i iznosu vanjskog napona U.
Ograničenja pri kvalitativnoj analizi PN-spoja pod djelovanjem
vanjskog napona (idealizirani PN-spoj)
1. Osiromašeno područje (područje prostornog naboja) ima vrlo malo
slobodnih nosilaca naboja: područje najvećeg otpora u strukturi PN-
spoja  ukupan pad napona javlja se samo na osiromašenom području
PN-spoja (tj. nema pada napona na električni neutralnim dijelovima
PN-spoja!).
0V U 0V
–– + +
P-tip –– + + N-tip
–– + +
U

Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
2. Energetski pojasi poluvodiča P-tipa i N-tipa izvan osiromašenog
područja su horizontalni. Vrijedi za sve napone nepropusne
polarizacije i samo za vrlo niske napone propusne polarizacije.

EG
Kod viših napona
EFi propusne
EF polarizacije dio napona se
troši na svladavanje otpora
0 kvazineutralnog dijela
P-tip poluvodiča P-tipa i N-tipa radi
N-tip podržavanja struje kroz PN-
spoj, pa energetski pojasi
izvan osiromašenog područja
više nisu horizontalni
Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
Iako je vanjskom pobudom poremećena ravnotežna raspodjela
nosilaca naboja, unutar N-strane i P-strane može se pretpostaviti
ravnotežna raspodjela tako da se elektronima i šupljinama pridijele
različite kvazi-Fermijeve razine EFn i EFp.

Ukupna struja elektrona i šupljina u PN-spoju pod naponom više nije

jednaka nuli, a pojedine komponente te struje mogu se pisati u obliku:

J n  n   n  gradE Fn

J p  p   p  gradE Fp

Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
EG

qU EFp=EFn
EFp
0
P-tip N-tip
–xp xn x
U odnosu na rubove osiromašenog pojasa položaj kvazi-Fermijevih
razina je konstantan, a u području prostornog naboja kvazi-Fermijeve
razine su razmaknute za EFn – EFp = q U!
U uvjetima niske injekcije neravnotežne promjene koncentracija naboja su
male:
• na x = xn koncentracija većinskih nosilaca je gotovo nepromijenjena
nn(xn) = nn0+n  nn0.
Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
• koncentracija manjinskih šupljina pn(xn)- rub N-strane osiromašenog
područja i kvazineutralnog područja - dobiva se uvrštavanjem pn0 = ni2/nn0:

 E Fn  E Fp 
  ni 2 exp
2 qU 
nn ( xn ) pn ( xn )  nn 0 pn ( xn )  ni exp  
 kT   kT 

 qU   qU 
nn 0 p n ( xn )  nn 0 p n 0 exp   pn  xn   p n 0 exp 
 kT   kT 

Slično vrijedi i za koncentraciju

manjinskih elektrona P-strane

np  xp   qU 
 n p 0 exp 
 kT 

Predavanje 9/45
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA
RAZINA
 qU 
n p   x p   n p 0 exp
 qU    
 p n x n p n0 exp 
 kT   kT 
EG

qU EFp=EFn
EFp
0
P-tip N-tip
–xp xn x

Budući da je neravnoteža PN-spoja inducirana vanjskim

izvorom napona, razmak kvazi-Fermijevih razina je
izravna mjera vanjskog napona U. Za U > 0 ili U< 0
neravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca naboja su
veće ili manje od ravnotežnih!
Predavanje 9/45
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja

I U
+

– +
P- – + N-tip
tip – +
Ako se N-strana uzemlji
Fu potencijal P-strane se diže za
isnos privedenog napona
Fv U > 0, pa je pad napona na
osiromašenom sloju:
Fuk
Uuk= n – (p + U) = Uk – U
Ukupna struja
–JFn +JDn – JFp +JDp  0!!!!! manji od napona u ravnoteži!!

Predavanje 9/45
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja
Dijagram energetskih pojasa
– +
P-tip – + N-tip
– +
JFn Fuk JDn
EG

EFp=EFn
EFp qU
0 –qUuk = –q(Uk – U)

JDp JFp

Gustoća struje propusne polarizacije J = –JFn +JDn – JFp +JDp > 0!

Predavanje 9/45
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja
Raspodjela potencijala u propusno polariziranom PN-spoju

– +
P-tip – + N-tip
– +

(x)
n Uk Uuk=Uk – U
–x’p x’n x
p

U
db(U > 0)
db(U = 0)
Predavanje 9/45
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja

I U
+

–––– + + + +
P-tip –––– + + + + N-tip
–––– + + + +
Ako se N-strana uzemlji
Fu potencijal P-strane se spušta
za isnos privedenog napona
Fv U < 0, pa je pad napona na
osiromašenom sloju:
Fuk
Uuk= n – (p + U) = Uk– U
Ukupna struja
–JFn +JDn – JFp +JDp  0!!!!! viši od napona u ravnoteži!!

Predavanje 9/45
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja
Dijagram energetskih pojasa
–––– + + + +
P-tip –––– + + + +
N-tip
–––– + + + +
JFn Fuk JDn = 0
EG

EFp
qU EFp=EFn
0
–qUuk = –q(Uk – U)
JDp = 0
JFp
Gustoća struje nepropusne polarizacije (reverzna struja) J = –JFn– JFp < 0!
Predavanje 9/45
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja
Raspodjela potencijala u nepropusno polariziranom PN-spoju

–––– + + + +
P-tip –––– + + + +
N-tip
–––– + + + +

(x)
–x’’p x’’n n Uk Uuk = Uk– U
p x
U

db(U = 0)
db(U < 0)

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Ukupna širina osiromašenog područja skokovitog PN-spoja db može se

dobiti izjednačujući izraze za potencijale P-strane i N-strane kod x = 0:

qN D 2 qN A 2
Φn  xn  Φ p  xp
2 2

ili uz Uk = n – p :

2 2 2U k
N D xn  N A x p 
q

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet
Q(x) +Q = qANDxn(U)
A - površina PN-spoja!
–xp +
xn x
–Q = – qANAxp (U) – 0

db

Ako u se uvrsti db = xn+ |xp|, tada se širina osiromašenog područja db

može izraziti kao:
• funkcija koncentracije primjesa N- i P-strane i
• pada napona na barijeri
2εU k  1 1 
db    
q  N A ND 

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

2εU k 2εU k
xn  xp 
 N   N 
qN D 1  D  qN A 1  A 
 NA   ND 

Kod PN-spoja u neravnoteži širina osiromašenog područja ovisi o

ukupnom padu napona na osiromašenom području Uuk, i njegova širina db
postaje funkcija napona vanjskog izvora U:

2 U uk  1 1 
d b U     
q  N A ND 

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Q(x)

–x’’p –xp –x’p +

x’n xn x’’n x
– 0

db(U > 0)
db(U = 0)
db(U < 0)

Širina osiromašenog područja db je funkcija napona vanjskog

izvora U!

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

kvazineutralno
N-područje

kvazineutralno
P-područje

osiromašeno
A - površina PN- područje
spoja (dielektrik !)

Kondenzator čiji kapacitet je nelinearan - barijerni kapacitet Cb

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet
Apsolutna vrijednost prostornog naboja osiromašenog područja:

NDN A
Q  qAN D xn U   qAN A x p U   qAd b U 
N A  ND

nelinearna funkcija napona!

Q Kapacitet osiromašenog područja treba

Q računati kao omjer diferencijalne
promjene naboja i diferencijalne
promjene napona:
dQ dQ d d b  A
Cb   
U |U | dU d d b  dU d b U 

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Uz dovoljno male promjene naboja kapacitet Cb ovisi o širini osiromašenog

područja db, koja je funkcija napona U - to je naponski promjenljivi
kapacitet skokovitog PN-spoja (vidi Kapacitivna dioda):

C0 A
Cb  C0 
Cb, pF  1
U 2 1 
1    U k
Uk C0 q  NA ND 
200
100
C0 - barijerni kapacitet kod U = 0
–U, V –3 –2 –1 (engl. zero-bias junction
capacitance)

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet
U nesimetričnom PN-spoju osiromašeno područje se širi na slabije
dopiranu stranu - kapacitet je određen uglavnom jednim tipom
primjesa (npr. za P+N spoj NA >> ND pa je db  xn).

Ako se na takav "jednostrani" spoj dovede vanjski negativni napon

U, čiji je apsolutni iznos znatno viši od napona Uk, tada se uz
poznati presjek PN-spoja A iz izmjerenog kapaciteta Cb može
odrediti koncentracija atoma akceptora NA.
2
 
2 2
 
2  A   A   A  qN D A 2
Cb           
 d b U    x n U  
   2 U k  U   2(U k  U )

 qN D 
 
Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

1/C2b
1 2
2
 2
U k U 
Cb qN D A

–U Uk
koncentracija atoma akceptora NA
iz nagiba pravca
kontaktni potencijal Uk iz
ekstrapolacije presjecišta
pravca i osi x.

Predavanje 9/45
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet
Naponski promjenljivi kapacitet linearno-postupnog PN-spoja:

C0 A
Cb  C0 
U  
3 1 12  db 
Uk 3  3 Uk
q  db db 
N ( )  N A ( )
 D 2 2 
(ND–NA)
ND(db/2)

–db/2 ND(db/2)+NA(–db/2)/ db je
0 db/2 x gradijent dopiranja.
NA(–db/2)

Predavanje 9/45
Predavanje 9/45