Professional Documents
Culture Documents
სენსორები
ბოჭკოვანი
ბრეგის
მესერის
სტრუქტურა
გარდატეხის
მაჩვენებლის
პროფილით და
სპექტრული
რეაქციით.
შესავალი
სიგნალი იყოფა
გადაცემულ და
არეკლილ
მდგენელებად.
ოპტიკური ბოჭკო - ოპტიკურ ბოჭკოვანი სენსორის ძირითადი ელემენტი
ბოჭკოს მასალა-ლეგირებული კვარცის მინა -ის მყარი სტრუქტურით
ბოჭკოს დიამეტრი 7-10-ჯერ მეტია მასში გამავალი სხივის ტალღის სიგრძეზე
ესაა გარსაცმით დაფარული მინის ან სხვა მასალისაგან დამზადებული ცილინდრული ძაფი/გულარი Fiber core - ოპტიკური ბოჭკოს გულარი
Fiber cladding - ბოჭკოს გარეგანი ფენა
coating გამა
- ზედაპირი
ოპტიკური დიაპაზონი
გამოსხივება
საფეხურებრივი
მრავალმოდიანი ხილული
ულტრაიისფერი ინფრაწითელ
ერთმოდიანი
გამოსხივების ტალღის სიგრძე, რომელსაც მრავალმოდიანი ბოჭკო ატარებს მინიმალური დანაკარგებით 850÷1310
ოპტიკური ბოჭკოვანი კაბელის შესახებ
მოდის გავრცელების სიჩქარე ბოჭკოს ღერძის გასწვრივ
с
д cos
т
სადაც ψ - არის მოდის გავრცელების კუთხე - რომელიც იზრდება მოდის რიგის მატებით. ამ დროს მისი
გავრცელების სიჩქარე მცირდება.
სიგნალის სიხშირული ზოლი B - რომელიც შესაძლოა გადაცემულ იქნას საფეხურებრივი, მრავალმოდური
ოპტიკური ბოჭკოთი, განისაზღვრება გამოსახულებით:
L с
B
n1
სადაც -არის სხვაობა ყველაზე მაღალი და ყველაზე დაბალი რიგის მოდების გავრცელების დროებს შორის .
თუ Δ=1%, n1=1.47, მაშინ B=4,1გგჰც*კმ.
გრადიენტული ბოჭკოებისათვის ნაკლებია საფეხურებრივთან შედარებით:
2с
B
n1 2
ერთმოდიან ბოჭკოში მოდების გავრცელების დროთა სხვაობის არარსებობა, მათ გამოარჩევს სიხშირის
ფართოზოლით (რამოდენიმე ასეულჯერ მეტი გრადიენტულ მრავალმოდურთან შედარებით ).
სენსორებში იყენებენ ერთმოდიან ოპტიკურ ბოჭკოს. მრავალმოდიან ობ-ს იყენებენ გადაცემის ხაზებში.
ობ-ს უპირატესობა პირველად გარდამქმნელად გამოყენებისას არის მასში სინათლის გავრცელების ფაზის
განსხვავებული ცვლილება: წნევის, ტემპერატურის, მაგნიტური და ელექტრული ველების გავლენით
ტემპერატურის, წნევის ან მექანიკური დაძაბულობის გავლენით
ბოჭკოში აღძრული განსხვავებული შიდამოლეკულურ
ვიბრაციები, როგორც ობ-ს ამ პარამეტრთა სენსორად
ტემპერატურა
გამოყენების
, წნევა ან მექანიკური დაძაბულობა საფუძველი
ბოჭკოში იწვევენ შიდამოლეკულურ ვიბრაციებს და
განსხვავებულად ცვლიან სინათლის გატარების ლოკალურ მახასიათებლებს.
ანუ, ბოჭკოს კრისტალურ მესერში გარეგანი ფაქტორების (ტემპერატურა, წნევა , მექ. დაძაბულობა )
გავლენით რხევაში მყოფი ატომების ელექტრონებთან ფოტონების შეჯახების შედეგად ბოჭკოში
ფოტონების ნაწილი განსხვავებულად გაიბნევა (გაბნეული სინათლის განსხვავებული სპექტრული
კომპონენტები).
სინათლის λ ტალღის სიგრძესა და გამბნევი ნაწილაკების ხაზოვან ზომებს შორის თანაფარდობისაგან
დამოკიდებულებით განასხვავებენ გაბნევის რამდენიმე მექანიზმს :
რელეის გაბნევა - გაბნევა ნაწილაკების მცირე ზომისას≤ λ/15
რამანის (კომბინაციური) გაბნევა - ოპტიკური გამოსხივების სპეციფიური, არადრეკადი გაბნევა აირებში,
სითხეებსა და კრისტალებში, რომელსაც (რელეის გაბნევისგან განსხვავებით) თან ახლავს გაბნეული სინათლის
სპექტრში ისეთი სიხშირის სპექტრალური ხაზების გაჩენა, რომლებიც სინათლის პირველად {ამგზნებ} სპექტრში
არ არსებობდნენ. გაჩენილი ხაზების რაოდენობა და სპექტრული მდებარეობა {კომბინაციები} დამოკიდებულია
ნივთიერების მოლეკულურ აღნაგობაზე. რამანის სპექტროსკოპია ქიმიური ანალიზის, ნივთიერების
შემადგენლობის და აღნაგობის შესწავლის ეფექტური მეთოდოლოგიაა;
მანდელშტამ ბრილლიუენის გაბნევა - კონდენსირებული მდგომარეობისთვის {მყარი სხეული, სითხე}
დამახასიათებელი გაბნევა. მას ნივთიერების მოლეკულების დრეკად რხევასთან ოპტიკური გამოსხივების
ოპტ. ბოჭკოში წნევის, ტემპერატურის, მაგნ. და ელველების გავლენით
სინათლის გავრცელების ფაზის განსხვავებული ცვლილება, როგორც
ობ-ს ამ სიდიდეების პირველად გარდამქმნელად გამოყენების
საფუძველი
ოპტიკურ ბოჭკოში სინათლის სხივის ფაზის დამოკიდებულება გარდატეხისა და იზოთერმული შეკუმშვის
β კოეფიციენტებისაგან
(1)
ფაზის ფარდობითი ცვლილება (2)
n 1 n n
T პირველი შესაკრები ითვალისწინებს მინის სიმკვრივის ცვლილებას;
მინისათვის n n T p n
მეორე ტემპერატურით ან წნევით განპირობებულ ფოტოდეფორმაციის
ეფექტს
1 n n3
5 1
0,68 * 10 c n p12 p11 p12 z
კვარცისათვის n T p 2
1
სადაც Pij – პოკელსის კოეფიციენტი (ფოტოდრეკადობა); ν – პუასონის ფარდობა;
z
εz – გრძივი დეფორმაცია ბოჭკოს ღერძის გასწვრივ; ε1 – განივი დეფორმაცია
n 2
როცა λ=0,546 n=1,46 p11=0,121 p12=0,270 ν=0,164. ფორმულა (2)-ში 1 p12 p11 p12 z 1 n T
შეტანით გვექნება: 2 n T p
მაღალი სიზუსტით
ოპტიკური ბოჭკო
გარე სიგნალი
ოპტიკურ ბოჭკოვანი სენსორის სტრუქტურული სქემა
დემოდულატორი
სინათლი მოდულატორი
ს წყარო
დეტექტორი
ბოჭკოში უშვებენ სინათლის სხივს, რომელსაც ღებულობს დეტექტორი (ფოტორეზისტორი, ფოტოდიოდი ,..).
ნებისმიერი გასაზომი სიდიდის (ელექტრული ან არაელექტრული) გავლენით ბოჭკოში გამავალი სხივი იცვლის რაიმე
მახასიათებელს და ინფორმაციის მატარებლად უკვე გვევლინება გამოსული სხივის ამპლიტუდა (ინტენსივობა), სიხშირე ,
ფაზა, პოლარიზაცია ან ხანგრძლივობა (დროითი ინტერვალები, ან იმპუსების გამოჩენის ხანგრძლივობა).
გათვლების თანახმად სილიციუმის ფირფიტის სისქემ უნდა შეადგინოს10-100 მკმ, ხოლო მართობული
ზომების შერჩევა ხდება ბოჭკოს მართობული ზომების მიხედვით და შეადგენს 150*150 და 250*250 .
ნ/გ ფირფიტის შერწყმა იპტიკურ ბოჭკოსთან ხორციელდება გაზური განმუხტვით შედუღებით.
მგრძნობიარე ელემენტის სურათი კვარცის მინის შუქმდენი სილიციუმის 90 მკმ სისქით, მოთავსებული 125
მკმ დიამეტრის შუქმდენის ორ ბოლოს შორის.
ელექტრო გადამცემი ხაზების მონიტორინგი
მონიტორინგი ხორციელდება
სადენში ჩაშენებული, ან მასზედ
მიმაგრებული ობ
სენსორებისაგან
უპირატესობანი:
• ტემპერატურის გარდა
შესაძლოა გაიზომოს
დატვირთვა, ჩამოგრძელება
• ტემპერატურული მაქსიმუმის
ზონის გამოვლენა
ტემპერატურის გაზომვა-ნავთობის ჭაბურღილების მონიტორინგი
• რეაგირებს სინათლეზე
• ბოჭკოს გადაღუნვა იწვევს
ინფორმაციის დანაკარგებს