Các bộ khuếch đại đơn transistor

Single-stage Transistor Amplifiers

 Nội dung
Giới thiệu về khuếch đại
Giới thiệu về khuếch đại dùng transistor
Các mô hình tín hiệu nhỏ cho khuếch đại tuyến tính
Các bộ khuếch đại đơn transistor BJT, MOS và JFET
Đặc trưng tần số của bộ khuếch đại

Chapter 7: Adel. S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microelectronic Circuits.

Oxford University Press. 2011.
1. Giới thiệu
 •
Tín hiệu khuếch đại: , A là hệ số khuếch đại.

• Đặc tính truyền của khuếch đại tuyến tính

• Độ lợi về công suất và độ lợi dòng

• Độ lợi theo đơn vị Decibels

1. Giới thiệu
• Gain in Decibels
1. Giới thiệu
• Bộ nguồn khuếch đại
 Công suất cấp cho tải lớn hơn công suất lấy ra từ nguồn tín hiệu. Nguồn của
năng lượng bổ sung này là gì?
 Bộ khuếch đại cần nguồn điện DC để hoạt động.
 Amplifier Power efficiency

Trong đó 𝑃𝐼 là Công suất của nguồn tín hiệu, 𝑃𝐿 là công suất cung cấp cho tải và 𝑃là công suất
tiêu tán trong mạch khuếch.
1 Giới thiệu
• Khuếch đại là quá trình sử dụng nguồn năng lượng nhỏ điều khiển nguồn năng lượng lớn sao cho nguồn
năng lượng lớn biến đổi theo quy luật của nguồn năng lượng nhỏ

Mô hình mạch khuếch đại:

  : Khuếch đại điện áp
 𝐴𝑉
𝑉  𝑖 𝑉
  𝑜   : Khuếch đại dòng
𝐺
  𝑚   : khuếch đại trở dẫn

  : khuếch đại điện dẫn

 𝑅𝑚
𝐼 𝑖  𝐼 𝑜
 𝐴 𝐼
1 Giới thiệu
• Khuếch đại điện áp
1 Giới thiệu
• Khuếch đại dòng
1 Giới thiệu
• Khuếch đại điện dẫn
Giới thiệu
• Khuếch đại trở dẫn
 Các thông số điển hình của một bộ khuếch đại

 Trở vào  Trở không tải

v
Rin  i vi
ii Rin 
ii RL 

 Hệ số KĐ thế  Trở không tải

Bộ KĐ + nguồn tín hiệu + Tải
v v
Av  o Gv  o
vi vsig
 Hệ số KĐ dòng  Hệ số KĐ ngắn
mạch
io
Ai  io
ii Ais 
ii RL 0
Biểu diễn mạch tương đương bộ
KĐ  Trở ra  Trở ra bộ KĐ

vx vx
Rout  Ro 
ix vsig  0
ix vi 0

Sơ đồ xác định trở ra

Overall voltage gain:
 𝐴 = 𝑣 𝑜𝑢𝑡 = 𝑣 𝑜𝑢𝑡 ∗ 𝑣 𝑖𝑛 = 𝑅𝐿
∗
𝑅 𝑖𝑛
𝑠
𝑣𝑖 𝑣 𝑖𝑛 𝑣𝑖 𝑅𝑜𝑢𝑡 + 𝑅 𝐿 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅 𝐼
5.1. Giới thiệu về khuếch đại transistor
• BJT có thể khuếch đại tín hiệu khi điểm Q nằm trong vùng tích cực.

• FET có thể khuếch đại tín hiệu khi điểm Q nằm trong vùng bào hòa

• Điểm làm việc Q quyết định các thông số của bộ khuếch đại với các phương trình phi tuyến cho
tín hiệu lớn..

v  IS v  IS v 
iC  I S exp  BE  iE  exp  BE  iB  exp  BE 
 VT  F  VT  F  VT 
5.2. Mô hình tín hiệu nhỏ và KĐ tuyến tính
 Các tham số tín hiệu nhỏ của BJT
Xét BJT hoạt động khuếch đại trong chế độ tích cực quanh điểm Q (IB, VBE) hoặc (IC, VCE).

Thế vào tín hiệu nhỏ vbe mắc nối tiếp với thế định thiên VBE gây ra biến thiên nhỏ về dòng base ib và
biến thiên dòng collector ic quanh điểm Q. Các giá trị tổng cộng các dòng base và collector được biểu
diễn với các thành phần một chiều dc và xoay chiều ac là :

iB  I B  ib iC  IC  ic
vBE  VBE  vbe vCE  VCE  vce
 Tuyến tính hóa trong chế độ tín hiệu nhỏ

ib  y11vbe  y12vce
ic  y21vbe  y 22vce

iB ib 1 với r là trở

y11   
vBE Q
vbe vce 0
r vào.

iB ib
y12   là hỗ dẫn
vCE Q
vce vbe  0 ngược.
iC iC
y 21    gm là hỗ dẫn
vBE Q
vbe vce  0

iC iC 1 với r0 là trở

y22   
vCE Q
vce vbe 0
r0 ra.
 Tính giá trị các tham số tín hiệu nhỏ

 Sơ đồ tương đương Hybrid-pi

 Sơ đồ tương đương chữ T

Sơ đồ tương đương hình chữ T cũng được dùng, trong đó re là trở ac tín hiệu nhỏ, nhìn từ emitter.
 Mô hình tín hiệu nhỏ cho MOSFET

MOSFET được biểu diễn như một mạng 2 cổng tuyến tính trong chế độ tín hiệu nhỏ.
 Mô hình tín hiệu nhỏ cho JFET
Sơ đồ tương đương hybrid-pi của JFET cũng giống như MOSFET.

hoặc
 5.3. Các bộ khuếch đại đơn transistor

 Các bước phân tích mạch khuếch đại

• Phân tích dc :
– Vẽ mạch tương đương dc bằng việc thay thế tất cả các tụ điện bằng các mạch hở và ngắn
mạch các cuộn cảm.
– Tính điểm làm việc Q từ sơ đồ tương đương này bằng việc sử dụng các mô hình transistor tín
hiệu lớn thích hợp.

• Phân tích ac :
– Vẽ mạch tương đương ac bằng việc nối tắt các tụ điện, hở mạch các cuộn cảm, đoản mạch
các nguồn nuôi một chiều dc xuống đất và hở mạch các nguồn dòng điện dc.
– Thay thế transistor bằng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ.
– Phân tích các đặc tính xoay chiều ac của bộ khuếch đại..
– Kết hợp các kết quả phân tích dc và ac cho thế và dòng tổng cộng trong mạng.
 Khuếch đại BJT kiểu emitter chung CE, không có RE

Rout

Rin

- Các trở R1, R2 và RC thuộc mạch thiên áp tạo điểm làm việc Q cho BJT.
- vI là thế nguồn tín hiệu vào, RI là trở nội nguồn tín hiệu.
- RL là trở tải.
- C1 và C2 là các tụ ghép tầng (coi là có trở kháng bằng 0, điện dung bằng ∞).
- Tín hiệu ra ngược pha 180 với tín hiệu vào.
 Phân tích dc :  vẽ sơ đồ dc  tính điểm Q

Cho R1, R2, RC, , VA, VT . Tính Q(Ic,VCE)

 Phân tích ac :  Sơ đồ tương đương ac

 Sơ đồ tín hiệu nhỏ Hybrid-pi

RB = R1||R2
R’L=RC||RL||r0
 Tính hệ số khuếch đại toàn phần Av

do
 Tính trở vào Rin của bộ khuếch đại là
điện trở tương đương Thenevin nhìn từ lối
vào bộ khuếch đại

 Tính trở ra Rout bộ khuếch đại là trở tương đương Thenevin nhìn từ lối ra bộ khuếch đại khi ngắn
mạch nguồn tín hiệu vào..

 
 Ví dụ 1, tính các thông số KĐ CE với tín hiệu nhỏ

Bài toán : Tính hệ số KĐ thế tín hiệu nhỏ, trở kháng vào và trở kháng ra của mạch.
Cho các tham số của BJT là : β = 100, VBE (on) = 0.7 V, và VA =100 V.

Phân tích dc : Giá trị điểm Q với đáp số ICQ = 0.95 mA và VCE Q = 6.31 V.
Chứng tỏ BJT hoạt động trong vùng tích cực và có thể khuếch đại
tín hiệu.
Phân tích ac : Từ giá trị Q, tính các tham số tín hiệu nhỏ trong sơ đồ Hybrid-pi :

Thế ra tín hiệu nhỏ :

Dòng phụ thuộc gmVπ chảy qua cụm ro||RC , nhưng theo chiều tạo nên thế lối ra âm.
Tính thế Vπ nhận được từ thế nguồn Vs qua bộ chia thế :

Điện trở vào bộ khuếch đại Rin bằng :

Điện trở ra Ro được tính bằng việc đặt nguồn V s bằng 0. Khi đó, Vπ = 0, tức là gmVπ =
0 (mạch hở). Trở lối ra nhìn ngược vào đầu ra sẽ bằng :
 Khuếch đại BJT kiểu emitter chung CE, có trở RE

 Trở RE tham gia vào mạch

thiên áp cho BJT. Là trở
phản hồi âm về dòng một
chiều nên nó có tác dụng ổn
định điểm làm việc Q của bộ
khuếch đại.

 Khi cần vô hiệu ảnh hưởng

Rout của RE với tín hiệu ac (ví
dụ, ảnh hưởng đến hệ số
Rin khuếch đại), mắc song song
một tụ ngắn mạch CE
(bypass) nối tắt 2 đầu RE về
tín hiệu xoay chiều.

 Các tụ ghép tầng (coupling) C1, C2 và tụ ngắn mạch CE được coi là có dung kháng bằng 0 ở dải
tần tín hiệu (điện dung bằng ∞).
 Tín hiệu ra ngược pha 180 với tín hiệu vào.
 Phân tích dc :  vẽ sơ đồ dc  tính điểm Q

Cho R1, R2, RE, RC, , VA, VT . Tính Q (IC,VCE)

 Phân tích ac :  Sơ đồ tương đương ac

 Sơ đồ tín hiệu nhỏ Hybrid-pi

 ‒ R’L = RC || RL
‒ Bỏ qua r0 vì r0
>>R’L

𝑣  𝑐 =β 0 𝑖 𝑏 𝑅 𝐿 ′

 
 Tính điện trở ra Rout
Mạch tương đương nối tắt nguồn tín hiệu với trở tương đương Thenevin là Rth = RB||RI và cấp
nguồn test vx để xác đinh (Rout = vx / ix )

   
 

 
 Tính hệ số kđ dòng

 Tác dụng của điện trở RE

- Nếu RE = 0, ta có kết quả trở về mạch khuếch đại CE không có trở ở emitter.
 Tóm lược về bộ KĐ emitter chung CE
 Khuếch đại collector chung CC (bộ lặp lại emitter)
 Phân tích dc

 Phân tích ac

 Tụ C3 ngắn mạch tín hiệu ac

từ collector xuống đất.
 Bộ khuếch đại collector chung
CC (hay còn gọi là bộ lặp lại
emitter) do điện áp tín hiệu ra
emitter gần bằng điện áp vào
base.
RB = R1||R2
36
 Tính hệ số khuếch đại riêng Avt

 Tính trở vào

So sánh với trường hợp mạch CE, giá trị RiB cao hơn
nhiều.
 Tính hệ số KĐ thế toàn bộ

 Tính trở ra

Rất thấp !!

 Tính hệ số KĐ dòng

Nhận xét :
Bộ khuếch đại collector chung CC (hay được gọi là bộ lặp lại emitter) có hệ số khuếch đại thế
gần bằng 1 nhưng có trở kháng vào rất cao, trở kháng ra rất nhỏ và hệ số khuếch đại dòng lớn.
Thường được sử dụng làm mạch đệm nối các tầng khuếch đại với nhau, khi tầng trước có trở
kháng ra lớn, tầng sau có trở kháng vào nhỏ.
 Tóm lược về bộ KĐ collector chung CC (bộ lặp lại emitter)

′
 (𝑟 𝜋 + ( 𝛽 𝑜 +1 ) 𝑅 𝐿 )∥ 𝑅 𝐵
 Khuếch đại base chung CB

 Phân tích dc

 Phân tích ac
  Hệ số KĐ thế riêng của BJT

 
 

 Điện trở vào

 
 Điện trở ra

(a) (b)
(c)

Mạch tính trở ra tại collector (a) và (b) giống như trường hợp (c) của bộ khuếch đại CE có trở
RE , với điều kiện Rth = 0 và thay Rth = RE. Vậy chỉ cần áp dụng công thức đã có:

do 0 = gmr nên
 Hệ số KĐ toàn bộ Av

 Hệ số khuếch đại dòng

 Tóm lược về bộ KĐ base chung CB
 So sánh các loại mạch khuếch đại CE, CC và CB
 Khuếch đại MOSFET kiểu cực nguồn chung (CS-MOS)

 0
R1 || R2  RD
Av  
RI  R1 || R2 1  R
S
gm
Rin  R1 || R2
Rout  RD

0

Rout  RD  rd  g m rd RS 
 Khuếch đại JFET kiểu cực nguồn chung (CS-JFET)

Hệ số KĐ riêng

Điện trở vào

Điện trở ra
 Khuếch đại MOSFET kiểu cực máng chung (CD-MOS)
 0
RS
Av 
1
 RS
gm
Rin  RG  R1 || R2
1
Rout  || RS
gm

0
rd || RS
Av 
1
 rd || RS
gm
Rin  R G  R1 || R2
1
Rout  || rd || RS
gm
 Khuếch đại JFET kiểu cực máng chung (CD-JFET)
 Khuếch đại MOSFET kiểu cực cửa chung (CG–MOS)

 0

1 Rout  RD
Rin  RS
gm

0

Rout  RD  rd  g m rd RS 

 
 Khuếch đại JFET kiểu cực cửa chung (CG-JFET)
5.4. Đáp ứng tần số của bộ khuếch đại
 Ảnh hưởng của các điện dung nội trong BJT
 Frequency Response

Ảnh hưởng của các tụ ghép