BÁO CÁO ĐỊNH KỲ

TÌNH HÌNH THỰC HIỆN ĐỀ TÀI

Tìm hiểu và thiết kế mạch driver cho Mosfet(Si,Sic,GaN)

Thời gian thực hiện: Tháng 4/2022

Giáo viên hướng dẫn:PGS.TS Vũ Hoàng Phương
Sinh viên thực hiện: Mai Đức Cảnh-20191700
Lê Tiến Tâm - 20192066
12/15/2023
Power ElectronicsPower Electronics
Laboratory Laboratory
- Hanoi University of Science and Technology 1
 I
NỘI DUNG BÁO CÁO

Giới thiệu

II Quá trình chuyển mạch

IV
III Thiết kế và tính toán cho SI Mosfet

V Mô phỏng trên LT spice

VI Thiết kế và tính toán cho SIC Mosfet

VII
So sánh giữa SiC Mosfet và Si Mosfet
VIII
Mạch Driver điều khiển cho Mosfet

Tổng kết và kế hoạch sắp tới

12/15/2023 PELAB - HUST 2

 I- Mosfet
GIỚI THIỆU
là transistor hiệu ứng trường, được tạo nên bởi
oxit
kim loại và bán dẫn.Mosfet được sử dụng cho các mạch điện
tử số và mạch tương tự, mạch điện tử công suất.
- Các van bán dẫn công suất lớn như Mosfet sẽ không thể
mở trực tiếp bằng các xung điều khiển thông thường mà
phải
thông qua các driver
- Driver có nhiệm vụ là khuếch đại tín hiệu xung điều khiển
với biên độ mong muốn và cách ly mạch điều khiển với
mạch
lực
- Có nhiều loại driver khác nhau phù hợp với từng yêu cầu
thiết kế
- Thiết kế mạch driver là một yêu cầu quan trọng trong
việc 3
PELAB - HUST
I GIỚI THIỆU

* Các bước khi thiết kế Driver:

1. Các thông số thể hiện khả năng đóng cắt của Mosfet
2. Xác định điện áp điều khiển Vgs
3. Tính toán dòng điện peak cực G, tổn hao chuyển mạch
4. Chọn điện trở cổng
5. Các cấu hình driver thông dụng
6. Thiết kế mạch Snubber

* Các thông số quan trọng

1. Gate to source voltage:
2. Total gate charge :
3. Internal resistance :

4
PELAB - HUST
II QUÁ TRÌNH CHUYỂN MẠCH

1. Quá trình mở mosfet

1. Tụ , của MOSFET được nạp đến điện áp ngưỡng và chưa thay đổi.
2. Tụ , tiếp tục được nạp, tăng đến . Dòng điện tăng đến giá trị dòng tải, điện
áp bắt đầu giảm tại
3. Vùng Miller, gần như không đổi, giảm dần về 0 1. Quá trình mở van Mosfet

4. Mosfet mở hoàn toàn, tăng đến giá trị

https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf?fbclid=IwAR3dFGxNbr-CmWUvwzM-ydsKl4Rd3UThOY5WSG0r7LEEm7UbXSLJyJALgEM 5
PELAB - HUST
II QUÁ TRÌNH CHUYỂN MẠCH

2. Quá trình đóng mosfet

1. giảm dần đến điện áp , và chưa thay đổi

2. Vùng Miller, Tụ xả, điện áp bắt đầu tăng trong khi dòng vẫn giữ
nguyên.
3. Xả tụ , tiếp tục giảm từ đến mức . Dòng giảm về 0
4. Mosfet khóa hoàn toàn

https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf?fbclid=IwAR3dFGxNbr-CmWUvwzM-ydsKl4Rd3UThOY5WSG0r7LEEm7UbXSLJyJALgEM6
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán
1. Các thông số thể hiện khả năng đóng cắt của Mosfet
- Giá trị các tụ kí sinh :
=
=-
=-
Lưu ý :
: càng lớn thì thời gian trễ trong quá trình đóng mở càng lớn.
: càng lớn thì sẽ không có lợi cho tổn hao mosfet .
: ảnh hưởng đến đặc tính đóng van, khi càng lớn thì Dv/Dt sẽ giảm tuy nhiên
tổn hao với tải nhẹ sẽ tăng.

https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf?fbclid=IwAR3hVEZH1SAe4twNQPnx8VoeMo1J3PtKllOAg09SbEY5N0vf3j6VhlVyzwA

12/15/2023 7
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán
1. Các thông số thể hiện khả năng đóng cắt của Mosfet
- Xác định công suất mạch Driver :
Năng lượng E cần thiết để nạp điện cho các tụ ký sinh và :
E=(–)
Giá trị điện tích được xác định từ đồ thị do nhà xản suất, như thể hiện trên hình.
Công suất cần thiết mạch Driver phải đảm bảo:
= ( – ).
Trong đó fsw là tần số đóng cắt của van.

12/15/2023 8
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán

2. Xác định điện áp điều khiển Vgs

Lưu ý khi chọn điện áp điều khiển :

- Điện áp điều khiển cao -> lượng dòng điện để sạc điện tích cho cổng tăng -> tăng
tổn thất trên van -> cần cân nhắc khi chọn

3. Tính toán dòng điện peak cực G, tổn hao chuyển mạch
- Rise time (): khoảng thời gian giảm từ 90% - 10% trong quá trình mở van
- Fall time (): khoảng thời gian tăng từ 10% - 90% trong quá trình đóng van
- Dòng điện Peak cực G :
=
=

https://www.facebook.com/groups/vpec.ac.vn/posts/368147157449122/ 9
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán
3. Tính toán dòng điện peak cực G, tổn hao chuyển mạch
- Tính toán tổn hao đóng cắt :

+ Xét quá trình mở mosfet :

Do trong tăng tuyến tính =>
giảm tuyến tính =>
Þ ..
Þ ..
Þ .).
Hay .

https://www.facebook.com/groups/vpec.ac.vn/posts/368147157449122/ 10
PELAB - HUST
 III Thiết Kế Và Tính Toán

3. Tính toán dòng điện peak cực G, tổn hao chuyển mạch
- Tính toán tổn hao đóng cắt :

+ Xét quá trình đóng mosfet :

Do trong giảm tuyến tính =>
tăng tuyến tính =>
Þ ..
Þ ..
Þ .).
Hay .
Tổng tổn hao trong quá trình đóng mở :
• = .).
Hay =(+).
- Tổn hao đóng cắt phụ thuộc vào thời gian
đóng mở và tần số đóng cắt.

11
12/15/2023 PELAB - HUST
 III Thiết Kế Và Tính Toán

4. Chọn điện trở cổng

- Điện trở ảnh hưởng đến thời gian chuyển mạch , và tốc độ tăng áp
Dv/dt. Nếu nhỏ thì Dv/dt sẽ tăng, còn lớn thì thời gian chuyển mạch sẽ tăng
làm cho tăng tổn hao đóng cắt => cần chọn hợp lý.
- Để tối ưu hiệu suất driver, đề xuất cấu hình on-off (Rg_on và Rg_off).
= -
= -
- Công suất tiêu tán trên cực G
=
=

https://www.facebook.com/groups/vpec.ac.vn/posts/368147157449122/

12
12/15/2023 PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán

5. Các cấu hình driver thông dụng

a) Boostrap
- Đơn giản, ứng dụng cao
- Không có quá độ
- Không cách ly
- Tần số chuyển mạch không
cao
- Thích hợp cho các ứng dụng
công suất nhỏ

12/15/2023 13
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán

b) Biến áp xung
- Giá thành rẻ, dễ sử
dụng
- Trễ lan truyền nhỏ
- Có cách ly
- Cồng kềnh
- Giới hạn duty cycle
- Phụ thuộc vào chất lượng biến áp

12/15/2023 14
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán

c) Cách ly quang
- Có cách ly
- Tần số hoạt động
cao
- Nhỏ gọn
- Giá thành tương
đối cao
- Thích hợp cho các ứng dụng công suất cao

12/15/2023 15
PELAB - HUST
III Thiết Kế Và Tính Toán
Các mạch cổng thường được sử dụng
6.1.Mạch sử dụng một điện trở duy nhất

-Điện trở R có tác dụng làm chậm giảm tốc dộ tăng áp d

6.2.Mạch sử dụng 2 điện trở và 2 diode

Thời gian đóng mở là khác nhau , cấu hình tối ưu ,

có sụt áp trên diode gây ra tổn hao nhỏ

12/15/2023 PELAB - HUST 16

III Thiết Kế Và Tính Toán
6.3.Mạch sử dụng kẹp điện áp với 2 diode zener

Thường được sử dụng khi điện áp điều

khiển âm

6.4,Mạch sử dụng tụ để giảm quá độ

6.5.Mạch sử dụng điện trở mắc song song với van

Với việc sử dụng điện trở mắch song song làm

hạn chế dòng trong quá trình mở van

12/15/2023 PELAB - HUST 17

III Thiết Kế Và Tính Toán

* Ví dụ thiết kế cho SI Mosfet IRLH5030PBF hoạt động ở tần số 100KHZ

- Giá trị các tụ kí sinh
= = 150 pF
= - = 5035 pF
=- = 150 pF
-Công suất mạch Driver :
= 0/12 V
=115 nC
= 12.115. .100. = 0.138 W
-Tính toán dòng điện peak cực G
Chọn = 140 ns, = 60 ns
=

= = 1.92A

-Tính toán
Theo datasheet = 1.2 Ω , =12 V
= Ω => Chọn =13Ω
= = 5.05 Ω =.> Chọn =5Ω
= 0.16 W
= 0.173W
12/15/2023 18
PELAB - HUST
III Thiết kế và tính toán
7. Thiết kế mạch Snubber
- Mạch trợ giúp van ( Snubber circuit ) là những mạch được nối thêm vào cạnh van
để giúp bảo vệ và tăng hiệu quả làm việc trên van. Mạch trợ giúp có thể đem lại
nhiều khả năng cho van:
+ Giảm hoặc triệu tiêu các xung quá áp hoặc quá dòng
+ Hạn chế DU/dt, DI/dt
+ Đưa điểm làm việc của van về vùng làm việc an toàn (SOA)
+ Truyền năng lượng phát nhiệt của van sang điện trở ngoài hoặc sang hướng khác
có lợi
+Giảm phát sóng vô tuyến ra xung quanh do dập tắt nhanh các dao động điện từ.
- Tất cả các hiệu quả trên không thể đạt được đồng thời. Mục đích trước tiên là
đảm bảo an toàn cho các van bán dẫn trong mọi chế độ làm việc, những tác dụng
khác có thể được tính đến và thỏa hiệp trong những điều kiện cụ thể.

12/15/2023 19
PELAB - HUST
III Thiết kế và tính toán
6. Thiết kế mạch Snubber
- Mạch snubber RC
: tụ kí sinh bản thân van ( )
được chọn sao cho . Như vậy khi khóa van
dòng có thể chuyển sang mạch snubber mà điện áp trên
van không vượt quá mức .
Tụ điện được chọn phải lớn hơn hoặc bằng 2 lần tụ kí sinh
hay 2.
Năng lượng tiêu tán trên :
=
ÞCông suất tiêu tán trên :
=

https://www.facebook.com/groups/vpec.ac.vn/permalink/406631026934068

Giáo trình điện tử công suất-Trần Trọng Minh- 2012

12/15/2023 20
PELAB - HUST
III Thiết kế và tính toán
6. Thiết kế mạch Snubber
- Mạch snubber RC
Để giảm được xung điện áp trên van ta cần tối ưu hóa
Mạch RC theo phương pháp McMurray :
B1: Xác định ,,
B2: Lựa chọn giá trị điện áp đỉnh tương đối theo mong
muốn ()
B3: Tính
B4: Từ đồ thị xác định
B5: Tính và theo công thức:
=
=2
Áp dụng tính toán với =100; =130; =5A,=1uF

=5nF; =22Ω
https://www.facebook.com/groups/vpec.ac.vn/permalink/406631026934068

Giáo trình điện tử công suất-Trần Trọng Minh- 2012

12/15/2023 21
PELAB - HUST
III Thiết kế và tính toán
6. Thiết kế mạch Snubber
- Mạch snubber RCD
Từ đồ thị thể hiện mối quan hệ giữa tổn hao công suất
trên van và tổn hao trên mạc snubber ta chọn tỉ số
/=0.5 để đạt giá trị tối ưu về tổng tổn hao.
Trong đó =
Chọn để tụ phóng hết điện trong khoảng thời gian
mở của van( ).
=
Áp dụng tính toán :
= = 1.26* F . Chọn =1.5* F
==53.6 Ω . Chọn = 53 Ω

Giáo trình điện tử công suất-Trần Trọng Minh- 2012

22
12/15/2023 PELAB - HUST
III Thiết kế và tính toán
6. Thiết kế mạch Snubber
- Mạch snubber RCD
Ưu điểm so với mạch RC:
+ Giảm các xung điện áp đỉnh và làm giảm tổn thất
đóng cắt của van cũng như tổn thất trên mạch
Snubber tốt hơn
+ Cho phép van làm việc trong vùng an toàn
tốt hơn
Nhược điểm :
+ Điện áp đỉnh sẽ lớn hơn so với dùng mạch RC

12/15/2023 23
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

mô hình mạch driver mô hình mạch driver có snubber RC,

RCD

12/15/2023 24
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Không có Snubber

Có Snubber
12/15/2023 25
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Không có Snubber

Có Snubber
12/15/2023 26
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Không có Snubber

Có Snubber
12/15/2023 27
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Không có snubber
,

Có snubber

12/15/2023 28
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Giá trị được đo là khoảng thời gian giảm từ 90% đến 10%
= (1.048-1.018)*ns

Giá trị được tính là khoảng thời gian từ 10% đến 90%
= (6.192-6.133)*
12/15/2023 29
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice
So sánh kết quả lý thuyết và mô phỏng

Lý thuyết Mô phỏng

12 11.4V

100V 100V

0.82A 0.79A

1.92A 1.63A

140ns 30ns

60ns 59ns

12/15/2023 30
PELAB - HUST
IV Mô phỏng trên LT spice

Nhận xét khi có sử dụng snubber :

- Sau khi lắp subber, điện áp và dòng điện peak trên van đã giảm được đáng
kể
- Giảm tổn hao công suất trong quá trình đóng cắt
- Chất lượng điện áp dòng điện tốt hơn

12/15/2023 31
PELAB - HUST
V Thiết kế và tính toán cho SIC Mosfet
1. Thiết kế Driver cho Sic Mosfet
Ví dụ: thiết kế Driver cho C3M0065090D hoạt động ở =100khz
So với Si Mosfet thì SIC mosfet cần điện áp điều khiển lớn hơn để có thể có được
thấp.
- Chọn Vgs = -4/15 V
Þ = 35 nC
Þ = 35*19*100*= 0.0665 W
-Tính toán dòng điện peak cực G
Chọn = 80 ns, = 50 ns
=.

= = 0.7 A

12/15/2023 32
PELAB - HUST
V Thiết kế và tính toán cho SIC Mosfet
1. Thiết kế Driver cho Sic Mosfet
Theo datasheet = 3.5 Ω , =15 V
= Ω => Chọn = 30Ω
= = 17.9 Ω =.> Chọn = 18Ω
= 0.063 W
= 0.066 W
Tính toán mạch Snubber :
Mạch Snubber RCD :
= = 3.88. F . Chọn =4. F
.
==156.25 Ω . Chọn = 156 Ω
Mạch Snubber RC :
= 1nC
= 48 Ω

12/15/2023 33
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet
2.Mô Phỏng Trên LT SPICE

mô hình mạch driver không có snubber

mô hình mạch driver có snubber RC, RCD

12/15/2023 34
PELAB - HUST
 V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Không có Snubber
𝑉 𝑔𝑠

Có Snubber
12/15/2023 35
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Không có Snubber

Có Snubber
12/15/2023 36
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Không có Snubber

Có Snubber
12/15/2023 37
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Không có Snubber
,

Có Snubber

12/15/2023 38
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Giá trị được đo là khoảng thời gian giảm từ 90% đến 10%
= (1.053-1.01)*ns

Giá trị được tính là khoảng thời gian từ 10% đến 90%
= (6.063-6.03)*
12/15/2023 39
PELAB - HUST
V Thiết kế Driver SIC Mosfet

Lý thuyết Mô phỏng

15 14.5V

900V 900V

0.4375A 0.45A

0.7A 0.63A

80ns 24ns

50ns 33ns

12/15/2023 40
PELAB - HUST
V So sánh giữa SiC Mosfet và Si Mosfet

1.So sánh về thông số giữa SIC Mosfet và SI Mosfet

Thông số van SI và SIC Mosfet Đặc tính chuyển mạch của van SI và SIC

- Do điện tích mở cổng gate Qg của van SiC nhỏ hơn van Si, nên với cùng điện áp mở cổng
Vgs_on, và điện trở đóng/mở cực G, thời gian đóng và mở cực gate van SiC nhanh hơn van Si.
Vì vậy, tổn thất năng lượng trong thời gian van không dẫn của van SiC sẽ nhỏ hơn so với van Si
thông thường.

12/15/2023 41
PELAB - HUST
V So sánh giữa SiC Mosfet và Si Mosfet

2. Ưu điểm của SIC Mosfet so với SI Mosfet

Ưu điểm khi sử dụng SiC Mosfet so với Si Mosfet :

- So với những van bán dẫn sản xuất bằng Silicon
(SI) thì những van được làm bằng Silicon Carbide (SiC)
có thể đạt được tổn hao công suất thấp hơn do
thấp và tần số chuyển mạch lớn.
- Hoạt động được ở vùng điện áp cao
- Tần số chuyển mạch lớn
- Do cấu tạo, Sic Mosfet có vùng Breakdown cao hơn so với Si Mosfet, khoảng gấp 10
lần.
- Ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt => cần ít hơn nhu cầu về làm mát

12/15/2023 42
PELAB - HUST
VI Mạch Driver điều khiển cho Mosfet
1. Mạch Driver điều khiển cho Mosfet
- Các van bán dẫn công suất lớn như Mosfet sẽ không thể mở trực tiếp bằng các
xung điều khiển thông thường mà phải thông qua các driver.
- Driver có nhiệm vụ là khuếch đại tín hiệu xung điều khiển với biên độ mong muốn
và cách ly mạch điều khiển với mạch lực.
-Ví dụ để điều khiển cho C3M0065090D sử dụng Cree’s CGD15SG00D2 gate driver
board

12/15/2023 43
PELAB - HUST
VI Mạch Driver điều khiển cho Mosfet
4. Mạch Driver điều khiển cho Mosfet
* Cấu tạo của Cree’s CGD15SG00D2 gate driver board:
- Bao gồm Opto-coupler Si82618BAC, gate driver IC IXDN609SI, nguồn cấp điện áp
cách li.
- Opto-coupler là là một phần tử bán dẫn thực hiện truyền tín hiệu giữa hai phần
mạch bị cách li với nhau về điện bằng cách sử dụng ánh sáng. Opto-coupler
Si82618CD có nhiệm vụ là cách ly mạch lực với mạch điều khiển . Cả opto-couple và
gate driver IC được cấp điện áp từ nguồn converter DC/DC.

Tín hiệu PWM từ Kết nối với cực gate

bộ điều khiển và source của Mosfet
Opto-coupler Gate Driver IC
SI8261BAC IXDN609SI

Bộ cấp nguồn
converter DC/DC

12/15/2023 44
PELAB - HUST
VI Thiết kế Driver cho SIC Mosfet

4. Driver điều khiển cho Sic Mosfet

a. Tổng quan SI8261BAC
Chân 1&4: Không có kết nối. Những chân này không được kết nối nội bộ. Để tối đa hóa hiệu
suất, các chân này nên được kết nối với mặt phẳng mặt đất.
Chân 2&3: hai cực của led được kết nối với bộ phát xung PWM
Chân 6&7: hai chân tín hiệu đầu ra tuân thủ dòng điện đầu ra tối đa 4A
Chân GND: Nối đất
Chân 8: Đầu vào cung cấp điện (tối đa 30 V).

Điều kiện hoạt động được đề xuất:

Thông số Kí hiệu Min Max Đơn vị

Điện áp cung 5 30 V
cấp
Dòng điện vào 6 30 A

Nhiệt độ hoạt -40 125

động

12/15/2023 45
PELAB - HUST
VI Thiết kế Driver cho SIC Mosfet

4. Driver điều khiển cho Sic Mosfet

b. Tổng quan IXDN609SI
Chân 1,8 (): Cung cấp điện áp vào mạch
Chân 2 (IN):Thông
Đầu vào số
Logic Kí hiệu Phạm vi Đơn vị
Chân 3 (NC) : Không kết nối

Điện áp cung
Chân 4,5 (GND) : Nối đất
Chân 6,7 (OUT) : Đầu ra , để turn-on, turn-off mosfet 4.5 đến 35 V
cấp
Điều kiện hoạt động được đề xuất:

Nhiệt độ hoạt -40 đến +125

động

12/15/2023 46
PELAB - HUST
VI Thiết kế Driver cho SIC Mosfet
Minh họa trong mạch nguyên lý khuếch đại xung cho bộ IBFB :

12/15/2023 47
PELAB - HUST
VII Tổng kết và kế hoạch sắp tới

Tổng kết :
-Đã tìm hiểu các bước cơ bản để tính toán thiết kế cho driver cho van SI và SIC Mosfet
-Tìm hiểu được driver đang sử dụng trong lab
-So sánh được sự khác nhau giữa SI và SIC mosfet
Kế hoạch sắp tới :
-Tìm hiểu và thiết kế driver cho GaN Mosfet
-Liên hệ các anh K63 để quan sát và đo trên mạch thực

12/15/2023 48
PELAB - HUST
 Trân trọng cảm ơn!

Power ElectronicsPower Electronics

Laboratory Laboratory
- Hanoi University of Science and Technology