Điện tử công suất

Mã số: EE3140
PGS.TS. Trần Trọng Minh
Bộ môn Tự động hóa Công nghiệp,
Viện Điện, ĐHBK Hà nội
Hà nội, 8 - 2018
Mục tiêu và yêu cầu (2 tuần)
 Mục tiêu:
 Nắm được các kiến thức cơ bản về quá trình biển đổi năng lượng điện dùng các bộ
biến đổi bán dẫn công suất cũng như những lĩnh vực ứng dụng tiêu biểu của biến đổi
điện năng.
 Có hiểu biết về những đặc tính của các phần tử bán dẫn công suất lớn.
 Có các khái niệm vững chắc về các quá trình biến đổi xoay chiều – một chiều (AC –
DC), xoay chiều – xoay chiều (AC – AC), một chiều – một chiều (DC – DC), một
chiều – xoay chiều (DC – AC) và các bộ biến tần.
 Biết sử dụng một số phần mềm mô phỏng như MATLAB, PLEC,… để nghiên cứu các
chế độ làm việc của các bộ biến đổi.
 Sau môn học này người học có khả năng tính toán, thiết kế những bộ biến đổi bán dẫn
trong những ứng dụng đơn giản.
 Yêu cầu:
 Nghe giảng và đọc thêm các tài liệu tham khảo,
 Sử dụng Matlab-Simulink để mô phỏng, kiểm chứng lại các quá trình xảy ra trong các
bộ biến đổi,
 Củng cố kiến thức bằng cách tự làm các bài tập trong sách bài tập.
01/13/2024 2
Thi và kiểm tra
Đánh giá kết quả:
 Điểm quá trình: trọng số 0,25
 Kiểm tra giữa kỳ: 0,25
 Thi cuối kỳ: 0,75
 Tất cả các lần thi và kiểm tra đều được
tham khảo tất cả các loại tài liệu (Open
book examination).

01/13/2024 3
Tài liệu tham khảo
Slides (Được cung cấp theo từng chương).
1. Giáo trình Điện tử công suất; Trần Trọng Minh; NXB Giáo
dục Việt nam, 2012 (new).
2. Điện tử công suất; Võ Minh Chính, Phạm Quốc Hải, Trần
Trọng Minh; NXB KH&KT Hà nội, 2009.
3. Phân tích và giải mạch Điện tử công suất; Phạm Quốc Hải,
Dương Văn Nghi; NXB KH&KT, 1999.
4. Hướng dẫn thiết kế Điện tử công suất; Phạm Quốc Hải;
NXB KH&KT 2009.

01/13/2024 4
Các môn học liên quan đến ĐTCS

EE 3410 Điện tử công suất 3(3-0-1-6)

EE 4331 Thiết kế hệ thống điều khiển Điện tử công suất

3(2-1-0-4)

EE 6032 Điều khiển Điện tử công suất 3(3-0-0-6)

EE 6232 Điện tử công suất nâng cao 2(2-0-0-4)

EE 7xxx Những thành tựu mới của Điện tử công suất

01/13/2024 2(2-0-0-4) 5
Điện tử công suất là gì?
Bộ biến đổi bán dẫn
 BBĐ bán dẫn sử dụng các phần
tử bán dẫn như những khóa
điện tử, nối phụ tải vào nguồn
theo những quy luật nhất định,
theo những khoảng thời gian
nhất định, tạo nên nguồn điện
theo yêu cầu của phụ tải.
Hiệu suất cao: vấn đề trung
tâm của ĐTCS.
01/13/2024
Vấn đề trung tâm của ĐTCS
 Đảm bảo BBĐ có hiệu suất cao
nhất có thể.
 Điều này đạt được nhờ cách sử
dụng các phần tử bán dẫn như
các khóa điện tử:
 Thông mạch: uV=0, rV=0;
 Không thông: iV=0, rV=.
 Phần tử bán dẫn: khóa điện tử
không tiếp điểm, không hạn chế
về tần số đóng cắt.
 Điều khiển bởi mạch công suất
nhỏ.
6
Điện tử công suất là gì?

Yêu cầu về các bộ biến đổi

Tuy nhiên …
điện – điện
 Điện năng sản xuất tập trung tại  Nhiều phụ tải điện yêu cầu
các nhà máy điện. nguồn điện có các thông số thay
 Truyền tải đi xa nhờ hệ thống đổi được:
đường dây.  U=var; f=var; …
 Tại nơi tiêu thụ các thiết bị điện  AC hay DC.

được chế tạo phù hợp với các

thông số của nguồn điện: điện
áp (V), tần số (Hz), số pha, …
Ưu điểm cơ bản của năng
lượng điện
01/13/2024
Vì vậy cần có bộ biến đổi điện
– điện, với hiệu suất cao, phục
vụ nhu cầu của các phụ tải
điện.
7
ĐTCS: Xu hướng phát triển và phạm vi ứng
dụng
Xu hướng
 Xu hướng phát triển: dải công
suất trải rộng, từ nhỏ, …
 … Đến lớn và rất lớn.
 Ứng dụng: rộng khắp, từ các
thiết bị cầm tay, dân dụng đến
các hệ thống thiết bị công
nghiệp.
 Đặc biệt: tham gia vào điều
khiển trong hệ thống năng
lượng.
01/13/2024
Ví dụ
 Vài W đến vài trăm W, thành
phần chính trong các hệ thống
Power management của các
thiết bị nhỏ.
 Vài trăm kW đến vài chục MW.
 FACTS: hệ truyền tải,
 DG – Distributed Generation,
Custom Grid, Renewable Energy
System, …
8
ĐTCS: Xu hướng phát triển và phạm vi ứng
dụng
Những ứng dụng
có thể chỉ ra cụ
thể:
Datacenter and
telecom SMPS,
Industrial SMPS,
solar inverters,
energy storage,
UPS, battery
formation, EV-
charging plus
automotive
applications like
OBC (on-board
charger)

01/13/2024 9
ĐTCS: Xu hướng phát triển và phạm vi ứng
dụng
Nguyên nhân phát triển
 Sự phát triển của ĐTCS liên
quan đến:
 Công nghệ chế tạo các phần tử
bán dẫn công suất đạt được
những bước tiến lớn.
 Wide Bandgap – WBG công
nghệ khóa bán dẫn mang đến
cuộc cách mạng trong ĐTCS.
 Các tiến bộ vượt bậc trong công
nghệ các phần tử điều khiển và
lý thuyết điều khiển.
01/13/2024
Các dữ liệu thực tế
 MOSFET, IGBT: tần số đóng cắt
cao, chịu được điện áp cao, dòng
điện lớn.
 CoolGaN, CoolSiC, CoolMOS sản
phẩm thương mại mới của
Infineon,
 Các chip vi xử lý, vi điều khiển,
DSP 16 bit, 32 bit, nhanh, mạnh
về điều khiển:
 Tích hợp ADC, đầu vào counter,
PWM built-in;
 Truyền thông: I2C, CAN, UART,
…
10
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

 Điện tử công suất trong hệ thống năng lượng từ trước đến nay và từ
nay về sau.
01/13/2024 11
 Mở đầu Những vấn đề chung của ĐTCS
Các loại BBĐ bán dẫn công suất
Chỉnh lưu

Các BBĐ xung áp

Công tắc tơ tĩnh

BBĐ xung áp AC
Biến tần,

DC
Nghịch lưu

01/13/2024 12
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

 Các lĩnh vực liên quan đến Điện tử công suất.

01/13/2024 13
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

Sơ đồ khối chức năng của bộ biến đổi.

01/13/2024 14
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

Sơ đồ các lớp mạch của bộ biến đổi.

01/13/2024 15
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

Các phần tử trong mạch của bộ biến đổi.

01/13/2024 16
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

Tỷ lệ khối lượng và thể tích các phần tử trong bộ biến đổi.

01/13/2024 17
 Mở đầu
Những vấn đề chung của ĐTCS

 Chuyển mạch: vấn đề cực kỳ quan trọng đối với công suất lớn.
 Ba loại chuyển mạch: Cứng (Hard switching), Snubbered, Soft-switching.

01/13/2024 18
 Chương I
Những phần tử bán dẫn công suất
 I.1 Những vấn đề chung
 I.2 Điôt
 I.3 Thyristor
 I.4 Triac
 I.5 GTO (Gate-Turn-off Thyristor)
 I.6 BJT (Bipolar Junction Transistor)
 I.7 MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
 I.8 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
 I.9 So sánh tương đối giữa các phần tử bán dẫn công suất

 Trong chương này cần nắm được:

 Nguyên lý hoạt động của các phần tử bán dẫn, ký hiệu trên sơ đồ.
 Các thông số cơ bản (Đặc tính kỹ thuật), cần thiết để lựa chọn phần tử cho một ứng dụng
cụ thể.
 Các yêu cầu và các mạch phát xung mở van tiêu biểu.

01/13/2024 19
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.1 Những vấn đề chung
 Các van bán dẫn chỉ làm việc trong chế  Đặc tính vôn-ampe của
độ khóa
 Mở dẫn dòng: iV > 0, uV = 0;
van lý tưởng: dẫn dòng
 Khóa: iV = 0, uV > 0; theo cả hai chiều; chịu
 Tổn hao pV = iV*uV ~ 0; được điện áp theo cả hai
 Phần tử bán dẫn nói chung chỉ dẫn chiều.
dòng theo một chiều.
 Muốn tạo ra các van bán dẫn hai chiều
hai chiều phải kết hợp các phần tử lại.
 Phân loại:
 Van không điều khiển, như ĐIÔT,
 Van có điều khiển, trong đó lại phân
ra:
 Điều khiển không hoàn toàn, như
TIRISTOR, TRIAC,
 Điều khiển hoàn toàn, như BIPOLAR
TRANSISTOR, MOSFET, IGBT, GTO.
01/13/2024 20
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Cấu tạo, ký hiệu
Điôt: phần tử bán dẫn cơ bản  Ký hiệu trên sơ đồ
nhất, có mặt trong hầu hết tất cả
các loại sơ đồ BBĐ.
Cấu trúc bán dẫn: cấu tạo từ
một lớp tiếp giáp p-n  Đặc tính vôn-ampe lý tưởng
Tính chất cơ bản:
 Chỉ dẫn dòng theo một chiều từ anot
đến catot
 uAK >0 iD >0; Phân cực thuận.
 uAK < 0 iD = 0; Phân cực ngược

01/13/2024 21
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc tính vôn-ămpe
 Đặc tính vôn-ampe của điôt thực tế
 Giúp giải thích chế độ làm việc thực tế của điôt
 Tính toán chế độ phát nhiệt (tổn hao trên điôt) trong quá trình làm việc.

Đặc tính Vôn-ampe thực tế của điôt Đặc tính tuyến tính hóa:
uD = UD,0 + rD*iD; rD = ΔUD/ΔID

01/13/2024 22
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc điểm của điôt công suất
 Đặc điểm cấu tạo của điôt công
suất (Power diode)
 Phải cho dòng điện lớn chạy
qua (cỡ vài nghìn ampe), phải
chịu được điện áp ngược lớn
(cỡ vài nghìn vôn);
 Vì vậy cấu tạo đặc biệt hơn là
một tiếp giáp bán dẫn p-n
thông thường. Trong lớp bán
dẫn n có thêm lớp nghèo điện
tích n-

Vùng nghèo n-, làm tăng khả năng chịu điện áp

ngược, nhưng cũng làm tăng sụt áp khi dẫn dòng
theo chiều thuận
01/13/2024 23
Điôt: Các dạng đóng vỏ điôt
• Axial leaded through-hole packages
 (low power).

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

Packages for diodes (I)

01/13/2024 24
Điôt: Các dạng đóng vỏ điôt để gắn lên tản nhiệt
 Packages to be used with heat sinks.

01/13/2024 25
Điôt: Các dạng đóng vỏ để gắn lên tản nhiệt, công suất lớn và rất lớn

• Packages to be used with heat sinks

(higher power levels).

DO 5

B 44
Điôt: 2 điôt trong một vỏ
2 trong 1 vỏ:

Common cathode Doubler

(Dual center tap Diodes) (2 diodes in series)
Điôt: Các 2 điôt trong một vỏ
.
Dạng một vỏ 3 điôt độc lập, vỏ cách ly
Vỏ dạng cách ly
Điôt: Các nhà sản xuất thường đưa ra nhiều loại đóng vỏ cho cùng một
loại điôt.
Cùng cặp điôt STTH2003 trong 4 loại vỏ khác nhau.

Name Package
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Đặc tính đóng cắt
 Đặc tính đóng cắt của điôt
 Đặc tính động uD(t), iD(t), Điện tích phục
hồi Qrr

Thời gian
phục hồi trr

Khi khóa: dòng về đến 0, sau đó tiếp tục tăng

theo chiều ngược với tốc độ dir/dt đến giá trị Irr
rồi về bằng 0.
Khi mở: điện áp uFr lớn lên đến vài V trước
khi trở về giá trị điện áp thuận cỡ 1 – 1,5V do
vùng n- còn thiếu điện tích
01/13/2024 31
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.2 Điôt. Các thông số cơ bản
 Các thông số cơ bản của điôt:
 1. Giá trị dòng trung bình cho
phép chạy qua điôt theo chiều
thuận: ID (A)
 2. Giá trị điện áp ngược lớn
nhất mà điôt có thể chịu đựng
được, Ung,max (V)
 3. Tần số, f (Hz)
 4. Thời gian phục hồi, trr (μs)
và điện tích phục hồi, Qrr (C)
 5. Nhiệt độ cho phép lớn nhất
của tiếp giáp bán dẫn, Tjmax
(C)
 6. Điện trở nhiệt từ tiếp giáp ra
đến vỏ, Rthjc (C/W).
01/13/2024
 Tại sao lại là dòng trung bình?
 Liên quan đến quá trình phát nhiệt. Phải luôn đảm bảo Tj <Tjmax
trong mọi thời điểm hoạt động.
 Cho ví dụ:
t T
1 0
iD t  dt
ID 
T 
t0
 Khả năng chịu điện áp: 3 giá trị,
 Repetitive peak reverse voltages, URRM
 Non repetitive peak reverse voltages , URSM
 Direct reverse voltages, UR
 Khi tần số tăng lên tổn thất do quá trình đóng cắt sẽ
đóng vai trò chính chứ không phải là tổn thất khi dẫn.
 Ba loại điôt công suất chính:
 1. Loại thường, dùng ở tần số 50, 60 Hz. Không cần quan tâm đến
trr.
 2. Loại nhanh: fast diode, ultrafast diode.
 3. Schottky Diode: không phải là loại có tiếp giáp p-n. Sụt áp khi
dẫn rất nhỏ, cỡ 0,4 – 0,5 V, có thể đến 0,1 V. Dùng cho các ứng
dụng tần số cao, cần dòng lớn, điện áp nhỏ, tổn thất rất nhỏ. Chỉ
chịu được điện áp thấp, dưới 100 V.
32
 Ví dụ về sử dụng tài liệu kỹ thuật đưa ra bởi nhà sản xuất.
 Ví dụ Diode điện áp cao, cực nhanh: STTA506D,F,B của ST
 Ví dụ về sử dụng tài liệu kỹ thuật đưa ra bởi nhà sản xuất.
 Dạng sóng dòng điện, điện áp trên điôt trong chế độ động cắt với tải trở cảm.

Switch-on

Switch-off

IF(AV) = 2x8A,
VRRM = 200V
Ví dụ phân tích, tính toán tổn hao trên điôt theo các thông số cho trong
tài liệu kỹ thuật.

Sơ đồ điôt trong mạch điện bộ

chopper.

Quá trình transistor mở ra

t0 t1 t2

Quá trình điôt khóa lại.

Ví dụ về sử dụng tài liệu kỹ thuật đưa ra bởi nhà sản xuất.
Ví dụ phân tích, tính toán tổn hao trên điôt theo các thông số trong tài
liệu kỹ thuật.
 Dùng sơ đồ buck converter để giải thích chế độ đóng cắt  Buck converter
của điôt, free-wheeling diode (cũng như của MOSFET): D Q S iL L io
 Giả thiết dòng qua cuộn cảm iL là không đổi ngay cả
iC
trong thời gian chuyển mạch của khóa bán dẫn (chế độ
G
dòng liên tục – CCM) Vg D C vo R
 Tại t0 khóa Q có tín hiệu mở, dòng iDS bắt đầu tăng lên,
do đó dòng qua điôt iD bắt đầu giảm xuống
(iDS+iD=iL=const). Điôt vẫn ở trạng thái dẫn với sụt áp vDS(t)
trên nó không đáng kể nên toàn bộ điện áp nguồn Vg rơi
trên khóa Q, vDS=Vg. Vg iDS(t) P51 P52 IL
 Đến t1 dòng qua điôt bằng 0 và tiếp tục tăng theo chiều
ngược đến IRM tại t2. Từ t2 điôt bắt đầu bị phân cực 0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t
Ton Toff
ngược, điện áp trên điôt vD tăng lên theo chiều ngược
đến Vg (trong sơ đồ này), tương ứng điện áp vDS trên trr
transistor giảm xuống đến 0. ta tb
IL P4
 Quá trình transistor khóa lại và điôt mở ra từ t6 đến t7 iD(t)
P3
được đơn giản hóa như hình vẽ. 0
t
IRM
 Theo đồ thị tính được tổn hao trên điôt khi khóa lại như
Qrr Vg
P3, khi mở ra như P4 và tổn hao do dòng phục hồi gây ra
vD(t)
trên transistor như P51 , P52

37
Ví dụ phân tích, tính toán tổn hao trên điôt theo các thông số cho trong
tài liệu kỹ thuật.
 Liên hệ giữa các thông số:  Trong khoảng thời gian tb dòng phục hồi
IL I I của điôt gây nên tổn hao trên transistor
a  dI F / dt ; t1  ; ta  RM ; tb  ta S  RM S
a a a p52, và p3 trên điôt.
t  t 
 Công suất tổn hao trong hai khoảng p3  Vg I RM 1   ;0  t  tb
thời gian, 0-ta và 0-tb: tb  tb 
tb
p51  Vg at ; 0  t  ta S
E3   p3dt  Vg I RM
2
; P3  f s E3
6a
 t   t  0
p52  Vg 1   I RM 1   ;0  t  tb
 tb   tb 
 Tổn hao khi mở ra (turn-on) có thể được
 Tích phân công suất ra năng lượng:
tính theo
P 4 P0.4
4. V
FP  VF   I F max  t fr  F
t t
a b
Vg I RM
2
Vg I RM
2
E5   p51dt   p52 dt   S
0 0
2 a 3 a
 Theo đặc tính kỹ thuật thông thường ta
2
Vg I RM 3  2 S  có:

6a  trr, IRM và S-factor;
P5  f s E5  VFP, tfr
 Công suất tổn hao:
 Như vậy có thể tính được các thành phần
tổn hao trên điôt và trên transistor
38
 Ví dụ tài liệu kỹ thuật của điôt cực nhanh STTA506 (ST
Microelectronics)
Turn-off characteristics

P1  Vt 0  I F ( AV )  Rd  I F2  RMS 

P 2  VR  I R  1   
 duty cycle

P 4  0.4 VFP  VF   I F max  t fr  F

Tổn hao khi dẫn P1, khi khóa P2.

Tổn hao do động cắt: P3+P4+P5, trong đó P4 là
tổn hao khi điôt mở ra, P3 là tổn hao do dòng
phục hồi trên điôt, P5 là tổn hao do dòng phục
hồi nhưng trên transistor.
Ví dụ tài liệu kỹ thuật của điôt cực nhanh STTA506 (ST
Microelectronics)
Ví dụ tài liệu kỹ thuật của điôt cực nhanh STTA506 (ST
Microelectronics)
Datasheet STTA506 Absolute ratings
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.3 Thyristor. Cấu tạo, ký hiệu
 Cấu tạo: cấu trúc bán dẫn gồm 4 lớp, p-
n-p-n, tạo nên 3 tiếp giáp p-n, J1, J2, J3. Ký hiệu
thyristor
 Có 3 cực:
 Anode: nối với lớp p ngoài cùng,
 Cathode: nới với lớp n ngoài cùng,
 Gate: cực điều khiển, nối với lớp p ở giữa.
 Là phần tử có điều khiển. Có thể khóa cả
điện áp ngược lẫn điện áp thuận.
 Chỉ dẫn dòng theo một chiều từ anot đến
catot
 uAK >0 ; Phân cực thuận.
 uAK < 0 ; Phân cực ngược

Đặc tính vôn-ampe lý tưởng của

thyristor.
01/13/2024 42
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.3 Thyristor. Đặc điểm cấu tạo

Lớp n- làm tăng khả

năng chịu điện áp

Thyristor: Cấu trúc bán dẫn và mạch điện tương đương.

01/13/2024 43
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.3 Thyristor. Đặc tính vôn-ămpe
 Đặc tính vôn-ampe của thyristor
 1. Đặc tính ngược: UAK < 0.
 Rất giống đặc tính ngược của điôt.

 2. Đặc tính thuận: UAK > 0.

 2.1. Khi UGK = 0,
 Cho đến khi UAK < Uf,max thyristor cản trở dòng
điện.
 Cho đến khi UAK = Uf,max trở kháng giảm đột
ngột. Đặc tính chuyển lên đoạn điện trở nhỏ
như điôt khi dẫn dòng theo chiều thuận.
 2.2 Khi UGK > 0,
 Đặc tính chuyển lên đoạn điện trở nhỏ tại U AK
<< Uf,max.
 Điện áp chuyển càng nhỏ nếu U GK càng lớn.

 Trong mọi trường hợp thyristor chỉ dẫn

Ur: reverse voltage dòng được nếu IV > Ih, gọi là dòng duy
Uf: forward voltage trì (Holding current).

01/13/2024 44
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.3 Thyristor. Các thông số cơ bản.
1. Giá trị dòng trung bình cho phép chạy qua tiristor, IV (A)
 Làm mát tự nhiên: một phần ba dòng IV.
 Làm mát cưỡng bức bằng quạt gió: hai phần ba dòng IV.
 Làm cưỡng bức bằng nước: có thể sử dụng 100% dòng IV.

2. Điện áp ngược cho phép lớn nhất, Ung,max (V)

3. Thời gian phục hồi tính chất khóa của thyristor, trr (μs)
 Thời gian tối thiểu phải đặt điện áp âm lên anôt-catôt của tiristor sau khi dòng i V đã về
bằng 0 trước khi có thể có điện áp UAK dương mà tiristor vẫn khóa.
 Trong nghịch lưu phụ thuộc hoặc nghịch lưu độc lập, phải luôn đảm bảo thời gian khóa
của van cỡ 1,5 - 2 lần trr.
 trr phân biệt thyristor về tần số:
 Tần số thấp: trr > 50 μs;
trr càng nhỏ, càng đắt
 Loại nhanh: trr = 5 – 20 μs

01/13/2024 45
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.3 Thyristor. Các thông số cơ bản.
4. Tốc độ tăng dòng cho phép, dI/dt  Minh họa hiệu ứng dU/dt tác dụng như
(A/μs) dòng mở van
 Thyristor tần số thấp: dI/dt cỡ 50 – 100 A/μs.
 Thyristor tần số cao: dI/dt cỡ 200 – 500
A/μs.
5. Tốc độ tăng điện áp cho phép,
dU/dt (V/μs)
 Thyristor tần số thấp: dU/dt cỡ 50 – 100
V/μs.
 Thyristor tần số cao: dU/dt cỡ 200 –
500 V/μs.
6. Thông số yêu cầu đối với tín hiệu
 7. Nhiệt độ cho phép lớn nhất của
điều khiển, (UGK, IG)
 Ngoài biên độ điện áp, dòng điện, độ rộng tiếp giáp bán dẫn, Tjmax (C).
xung là một yêu cầu quan trọng.  8. Trở kháng nhiệt từ tiếp giáp ra
 Độ rộng xung tối thiểu phải đảm bảo dòng IV
đến vỏ, Rthjc (C/W).
vượt qua giá trị dòng duy trì Ih
01/13/2024 46
  Q1: Mạch khuyếch đại xung;
 IT: biến áp xung, có tác dụng cách ly giữa
mạch lực và mạch điều khiển.
Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
 R3: hạn chế dòng collector của Q1.
 D1, DZ1: giải thoát năng lượng trên cuộn
I.3 Thyristor. Sơ đồ ứng dụng tiêu biểu.
sơ cấp biến áp xung.
 D2: chỉ đưa xung dương ra cực điều khiển
của thyristor.
 R4: hạn chế dòng vào cực điều khiển.
 D3: chống điện áp ngược đặt lên G-K vì
tiếp giáp G-K không được chế tạo để chịu
điện áp ngược lớn.
 C1: tăng khả năng chống nhiễu của mạch
điều khiển.
 R1, R2: lựa chọn tùy theo biên độ xung
điều khiển. Giá trị tiêu biểu: R1=5,6k,
R2=2,3k.
01/13/2024 47
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.4 Triac, van bán dẫn hai chiều.

Triac, tương đương cặp van song song

ngược. Đặc tính vôn-ampe của triac.

Sơ đồ và đồ thị dạng dòng điện, điện áp cho thấy triac tương đương với hai thyristor song
song ngược, chứ không phải là một khóa hai chiều đúng nghĩa.
01/13/2024 48
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.4 Triac, điều khiển triac.
uA1A2 > 0 uA1A2 <0
I IG > 0 IG < 0
II IG > 0 IG < 0
III IG < 0 IG < 0

Do đặc điểm cấu tạo độ nhạy

Phương án
đối với tín hiệu điều khiển của
tốt hơn cả
triac không giống nhau đối với
hai chiều điện áp.

Mạch khuyếch đại xung tiêu biểu cho

triac (chưa tính tới việc cách ly giữa
mạch động lực và mạch điều khiển). Có
thể sử dụng optocoupler để cách ly tín
hiệu điều khiển.
01/13/2024 49
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO (Gate Turn Off Thyristor).

GTO - Cấu trúc bán dẫn . Mạch điện tương đương hai
tranzitor.

Để có công suất lớn GTO có cấu tạo

gồm các phần tử song song trên
cùng một phiến silicon.
Ký hiệu (a) và (b).
01/13/2024 50
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO, Hai loại GTO.

Cả hai loại
GTO đều được
dùng trong các
mạch inverter
nguồn áp
(VSI), trong đó
GTO không
phải chịu điện
áp ngược lớn.

GTO - Loại có anot ngắn mạch. Giữa tiếp giáp GTO – Loại có điôt ngược. Phần GTO
p-n J1 được ngắn mạch bởi các lớp+ n+. Vì vậy giống hệt như hình bên. Tuy nhiên trên
điện áp ngược khi K+, A- chỉ còn là điện áp nhỏ tinh thể silicon tích hợp luôn một điôt
trên tiếp giáp J3, cỡ 15 V ngược.

01/13/2024 51
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO, dạng điện áp, dòng điện khi điều khiển GTO.

IG dòng điều
khiển, có biên độ
lớn đến IGM, sau
đó duy trì trong
suốt giai đoạn mở.
Khi khóa lại dòng
âm đạt đến biên
độ IGQM.
tw độ rộng xung
mở, tAV độ rộng
xung áp âm khi
khóa, tGM trễ khi
khóa là những
thông số quan
trọng

01/13/2024 52
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO, khuyếch đại xung điều khiển GTO.

Mạch khuyếch đại

xung khá phức
tạp, đòi hỏi công
suất (dòng điện)
khá lớn.
Dòng điều khiển
khi khóa lại phụ
thuộc nhiều vào
điều kiện khi
khóa (dòng anot
về không như thế
nào).

01/13/2024 53
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO, Ứng dụng và những thông số cơ bản
Thông số Giá trị Ghi chú
Bảng các thông số cơ bản
VDRM 4500V Điện áp đỉnh lặp lại (Repetitive peak off của GTO FG1000BV-90DA
voltage) (Mitsubishi) .
IT(AV) 400 A Dòng trung bình (f=60Hz, dạng sin, góc dẫn Tài liệu tham khảo:
180) www.mitsubishichips.com/
di/dt max 1000A/ µs Tốc độ tăng dòng cho phép
Global/files/manuals/
ITQRM 1000A Giá trị dòng thuận cực đại mà GTO có thể ngắt gtothyristors.pdf .
được (mạch bảo vệ Cs=0,7 µF, Ls=0,3 µH). FEATURE AND
Thiết bị có thể hỏng nếu nó phải ngắt dòng APPLICATION OF GATE
điện lớn hơn. TURN-OFF THYRISTORS.
VRRM 17V Điện áp ngược cực đại cho phép.
Aug.1998
VTM 4V Max. Điện áp rơi thuận cực đại.
IRRM 100mA Max. Dòng dò ngược cực đại
IDRM 100mA Max. Dòng dò thuận cực đại khi khóa.
tgt 10 µs Max. Thời gian trễ khi mở.
tgq 20 µs Max. Thời gian trễ khi ngắt.
IGQM 300A Dòng khóa qua cực điều khiển.
VGT 1,5V Max. Điện áp trên cực điều khiển G-K tương ứng I GT
max.
IGT 2500mA Max. Dòng điều khiển khi mở
01/13/2024 54
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.5 GTO, Ứng dụng và những thông số cơ bản

 Các loại thyristor khóa lại được bằng cực điều khiển:
 IGCT (INTEGRATED GATE COMMUTATED THYRISTOR)
 MCT (MOS CONTROLLED THYRISTOR)
 MTO (MOS TURN OFF THYRISTOR)
 ETO (EMITTER TURN-OFF THYRISTOR)
 Các loại GTO đều được ứng dụng trong dải công suất lớn, điện áp cao, đặc biệt là trong các
hệ thống Điện tử công suất điều khiển trong hệ thống điện (FACTS) hoặc trong các biến tần
công suất lớn.
 Ví dụ biến tần 2000 kW tại nhà máy xi măng But sơn.

01/13/2024 55
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.6 BJT (Bipolar Junction Transistor)

 Thể hiện cấu trúc n-p-n (bóng

ngược). Các tranzito công suất
đều là loại ngược vì tốc độ đóng
cắt nhanh hơn.
 Dòng điện trong cấu trúc là dòng
các điện tử, chạy từ E đến C.
Theo quy ước chiều dòng điện,
dòng chạy từ C đến E. Điện áp C
dương hơn so với E.
 Trong chế độ khóa uBE < 0, do đó
cả hai tiếp giáp B-E và B-C đều
phân cực ngược.
 Trong chế độ mở uBE > 0, do đó
cả hai tiếp giáp B-E Và B-C đều
phân cực thuận, dòng có thể chạy
qua cấu trúc bán dẫn.
01/13/2024 56
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.6 BJT Đặc tính đóng cắt
• Mạch điện để xét chế độ đóng
cắt của BJT.
• Các tụ ký sinh CBC, CBE thể
hiện ảnh hưởng mạnh đến quá
trình đóng cắt.
• Gọi là tụ ký sinh vì không có
thực, nhưng xuất hiện khi một
tiếp giáp p-n bị phân cực ngược
(giống như ở điôt).
01/13/2024
 1: uB< 0, van khóa
 2: uB=uB2 > 0, tiếp giáp B-E trở nên
phân cực thuận. Dòng bắt đầu chảy
qua van khi uBE = 0.
 3: thời gian trễ khi mở, iC tăng đến
Un/Rt, uCE giảm gần về 0.
 4: điện tích lấp đầy hai tiếp giáp,
cấu trúc C-E chỉ còn là điện trở
thuần Ron.
 5: van mở bão hòa.
 6: uB < 0, bắt đầu khóa van. Tiếp
giáp B-E phân cực ngược, dòng
ngược của điôt B-E di tản các điện
tích ra khỏi tiếp giáp.
 7: dòng iC bắt đầu giảm, uCE bắt
đầu tăng.
 8: tiếp giáp B-E thực sự đã phân
cực ngược, dòng không còn chạy
qua được nữa. uBE tiến tới uB1.
57
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.6 BJT Đặc tính tĩnh

 Đặc tính ra IC(VCE) với dòng IB=const. Đặc tính tải VCE=VCC-IC*R, đường PQ.
 BJT là phần tử điều khiển bằng dòng điện. Hệ số khuyếch đại dòng b=IC/IB;
 Chỉ sử dụng như một khóa điện tử:
 Mở bão hòa:IB=kbh*IC/ b, trong đó kbh =1,5 – 2 lần, gọi là hệ số bão hòa.
 Khóa: IB=0.

01/13/2024 58
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.6 BJT Vùng làm việc an toàn (SOA)

 QR: đặc tính bão hòa;

 RS: đường giới hạn
dòng ICmax.
 QP: đặc tính cắt;
 PU: đường giới hạn
UCEmax; Điện áp lớn
nhất có thể đặt lên C-E.
 UT: giới hạn hiệu ứng
đánh thủng “thứ hai”;
 TS: giới hạn công suất
tức thời lớn nhất trên
BJT.
 P=VCE*IC < Pmax

01/13/2024 59
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.6 BJT Các đặc điểm quan trọng

 BJT là phần tử điều khiển bằng dòng điện, yêu cầu công suất điều khiển lớn.
 Nhược điểm này có thể khắc phục nhờ cách nối “Darlington”. Tuy vậy cách
nối Darlington lại làm tăng sụt áp V CE dẫn đến tăng tổn hao công suất.
 BJT có ưu điểm sụt áp VCE nhỏ nên được chế tạo để đóng cắt dòng điện lớn,
đến vài trăm A, điện áp cao đến 1000V.
 BJT dần được thay thế bởi IGBT, một phần tử có khả năng đóng cắt như BJT
và điều khiển bằng điện áp, giống MOSFET.

01/13/2024 60
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.1 MOSFET Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
 Cấu trúc bán dẫn:
 Cực gốc: S;
 Cực máng: D;
 Cực điều khiển: G;
 Cực gốc nối với lớp p, cực máng nối
với lớp n, vì vậy bình thường không có
kênh dẫn giữa D và S.
 Cực G nằm cách ly trong một lớp oxit
kim loại, có điện trở suất rất lớn, cách
ly hoàn toàn với cực gốc và cực máng.
 Khi VGS dương đến một giá trị nào đó,
gọi là ngưỡng, các lỗ p bị đẩy ra, các
điện tử được thu hút đến, tạo nên một
kênh dẫn giữa D và S. Dòng điện có thể
Ký hiệu đi qua cấu trúc bán dẫn này.
 Dòng điện là dòng các điện tử, các hạt
mang điện cơ bản.
01/13/2024 61
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.2 MOSFET Đặc tính tĩnh

• Đặc tính ra ID(UDS) với UGS=const,
• Khi mở dẫn dòng MOSFET như một điện
trở thuần Ron, giá trị bằng độ nghiêng của
đường đặc tính ra ở vùng tuyến tính.
• Ron có tính chất tăng lên khi nhiệt độ tăng,
nghĩa là có hệ số nhiệt dương. Vì vậy rất dễ
ghép song song nhiều MOSFET.
01/13/2024
• Đặc tính điều khiển ID(UGS) với UDS=const.
• Ngưỡng điện áp cỡ Ung~4-5V MOSFET mới
mở ra.
• Nói chung điện áp điều khiển cỡ 0 – 10V.
62
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.2 MOSFET Đặc tính tĩnh

• Đặc tính điều khiển ID(UGS) với UDS=const.

• Ngưỡng điện áp cỡ Ung~4-5V MOSFET mới
mở ra.
• Nói chung điện áp điều khiển cỡ 0 – 10V.

01/13/2024 63
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.2 MOSFET Đặc tính tĩnh
• The Power MOSFET has a vertically oriented four layer structure of alternating P
and N type(n+pn–n+) layers.
• The P type middle layer is called as body of MOSFET. In this region , the channel
is formed between source and drain.
• The n- layer is called as drift region,which determines the breakdown voltage of
the device. This n- region is present only in Power MOSFETs not in signal level
MOSFET.
• The gate terminal is isolated from body by silicon dioxide layer.
• When the positive gate voltage is applied with respect to source, the n-type
channel is formed between source to drain.
• As shown in the figure, there is a parasitic npn BJT between source and drain.
• To avoid this BJT turns on, the p-type body region is shorted to source region by
overlapping the source metallization on to the p type body.
• The result is a parasitic diode which is formed between drain to source terminals.
This integral diode plays an important role in half and full bridge converter
circuits.
01/13/2024 64
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.2 MOSFET Đặc tính tĩnh

• To select a MOSFET for a particular application, following

parameters have to be considered from the device datasheet
• Maximum Drain to Source voltage (VDSS)
• On-state drain to source resistance RDS(ON)
• Drain Current ID
• Gate to source Voltage VGS
• Reverse recovery time Trr
• Gate charge QG
• Power Dissipation PD

01/13/2024 65
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.3 MOSFET Đặc tính đóng cắt

• Mạch điện tương đương để xét chế độ

đóng cắt của MOSFET.
• Các tụ ký sinh CGD, CGS, CDS xác định các
quá trình đóng, cắt.
• Mặc dù là phần tử điều khiển bằng điện
áp nhưng các tụ ký sinh yêu cầu dòng
phóng, nạp khi thay đổi mức điện áp. Dòng
điện này phải do mạch khuyếch đại xung
(Driver) đảm bảo. Đặc tính khi mở ra (a); khóa lại (b).
01/13/2024 66
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.4 MOSFET Tính toán mạch Driver
 Tính toán mạch Driver và lựa chọn IC
Driver?
 Bước 1: Tính dòng điện đỉnh IG yêu cầu
và lựa chọn IC Driver;
 Bước 2: Hiệu chỉnh điện trở đưa vào
cực điều khiển Rgext;
 Bước 3: Xác định công suất tổn hao
trên Rgext và trên IC;
 Bước 4: Kiểm chứng thiết kế trên mạch
thực nghiệm.

01/13/2024 67
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.4 MOSFET Tính toán mạch Driver
 Bước 1: Tính dòng điện đỉnh IG yêu cầu
và lựa chọn IC Driver;

01/13/2024 68
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.4 MOSFET Tính toán mạch Driver
 Tính toán mạch Driver thế nào?
 Bước 1: Xác định công suất mạch Driver Hình H.1
(theo H.1)
 Năng lượng E cần thiết để nạp điện cho
các tụ ký sinh CGS và CGD
 E = QG(UGS,max – UGS,min) (Đối với
MOSFET UGS,min = 0 V; UGS,max = 10 V; QG
điện tích cần thiết).
Mức Miller
 Công suất: PD=E*fsw .
 Bước 2: Xác định dòng đầu ra yêu cầu
Đồ thị cho
của mạch Driver phép xác
 Dòng đầu ra trung bình IG = IGS + IGD = định điện
QG*fsw tích nạp QG
 Dòng đầu ra lớn nhất IG,max = (UG,max – (đặc tính do
nhà sản xuất
UG,min)/(RG + Rin).
cung cấp)
 Điện trở RG có tác dụng làm chậm ton,
toff, giảm tốc độ tăng áp dUDS/dt (Cần lựa
chọn theo yêu cầu)
01/13/2024 69
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.4 MOSFET Tính toán mạch Driver
 Ví dụ:
 Tính toán công suất và dòng đầu ra yêu cầu mạch Driver cho MOSFET IRFPS40N60K (đặc
tính kỹ thuật đính kèm) với fsw = 50 kHz, UGS,min = 0 V, UGS,max = 10 V.
 Từ đồ thị đặc tính, để đưa điện áp UGS từ 0 lên 10 V, cần QG = 210 nC. Năng lượng cần thiết E
= (10 – 0)*210*10-9 = 2,1*10-6 J=2,1μJ. Công suất PD = E*fsw = 2,1*10-6*50*103 = 0,11 W. Dòng đầu ra
trung bình: IG = 210*10-9*50*103 = 0,011 A = 11 mA. Giả sử RG = 1 Ω, Rgint=0,85 Ω (Từ tài liệu kỹ
thuật). Dòng đầu ra lớn nhất bằng: IG,max = 10/1,85 ==5,4 1 A.

Đặc tính kỹ thuật

chủ yếu của một
power MOSFET
(có thể tra trên
trang
www.vishay.com)

01/13/2024 70
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao
Vdd Vdr
Q2 D2 VGS(plateau)
VGS(t)

VD

VL
IG(on) Mức Miller
VGS(th)
IG(off)
iF
0 t
IL
iD
D
VDS(t)
CGD Q1 Vdd
Driver
RGext G

VDS
CDS IDS(t) IL
RGint
Vdr

VGS

CGS S
0 t
tr tfu tru tf

(a) (b)
Sơ đồ mạch khóa MOSFET đóng Dạng sóng tuyến tính hóa gần đúng quá trình
cắt một tải điện cảm. đóng cắt một tải điện cảm.
 Tổn hao trên bất kỳ phần tử đóng cắt nào gổm 3 thành phần:
 1. Tổn hao khi dẫn, Pc
Tổn hao khi khóa, P , có thể bỏ qua. b
 2. Tổn hao đóng cắt, Psw Vậy: Ploss=Pc+Psw .
 3. Tổn hao do dòng rò khi khóa, Pb

01/13/2024 71
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao
 Tổn hao khi dẫn xác định bởi dòng qua  Tính bằng:
khóa IDS và điện trở khi dẫn, RDS(on), 1 s
T
1 s
T

Pc   vDS t  iD t  d   RDS on iD2 t  d

có thể xác định từ đặc tính kỹ thuật Ts 0 Ts 0
Datasheet.
 Tổn hao khi đóng cắt phức tạp hơn. Ở
 RDS on  I Drms
2

đây xét phương pháp gần đúng các quá
trình đóng cắt được tuyến tính hóa, đối
với một tải thuần cảm (tiêu biểu).
 Dựa trên đặc tính đóng cắt tuyến hóa
gần đúng như hình vẽ. Thời gian dòng
iDS(t) tăng từ 0 đến IL, tr, và giảm từ IL
về 0, tf, tìm thấy trong tài liệu kỹ thuật.
 Trong khi thời gian điện áp giảm
xuống, tfu, và tăng lên, tru, phụ thuộc
vào quá trình điều khiển VGS(t) ở mức
Miller (VGS(plateau)) bao lâu.
 Thời gian ở mức Miller lại phụ thuộc
vào giá trị tụ CGD, phụ thuộc phi tuyến
vào điện áp trên VDS , CGD=CRSS(VSD).
Một cách gần đúng, có thể tìm giá trị tụ
ở hai mức điện áp Cgd1(VSD1); Cgd2(VSD2)
(Xem hình vẽ từ đồ thị CRSS(USD).
 VDS1 ở mức thấp, ~RDS(on)*ID, tụ CGD lớn,
 VDS2 ở mức cao, gần bằng ~Vdd, tụ CGD
nhỏ

01/13/2024 72
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao


CGD1

CGD2

VDS1 VDS2

Những thông số cần thiết tô trong ô chữ nhật đỏ từ Đặc

tính kỹ thuật chủ yếu của power MOSFET.
01/13/2024 73
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao
 Ở quá trình mở ra, tính toán thời gian  Với hai giá trị của tụ CGD1, CGD2 tính ra
điện áp VDS giảm từ Vdd xuống 0, tfu: các giá trị thời gian tfu1, tfu2, tru1, tru2, rồi
V  VGS ( plateau ) lấy trung bình cộng:
I Gon  dr
RG
; t fu  t fu1  t fu 2  / 2;

U DS U DS tru  tru1  tru 2  / 2

CGD  I Gon  t fu  t  CGD  Tính toán tổn hao khi mở, khi khóa:
t I Gon
tr  t fu
Eon  I LVg
2
 Ở quá trình khóa lại, tính toán thời t t
Eoff  I LVg f ru
gian VDS tăng từ 0 lên Vdd, tru: 2
 Công suất tổn hao do đóng cắt bằng:

Psw  Esw f sw   Eon  Eoff  f sw

U DS Qua tính toán có thể thấy rằng tổn hao do đóng cắt Psw phụ thuộc vào tfu,
t  CGD
I Goff tru, các thời gian này lại phụ thuộc CGD (phụ thuộc loại MOSFET), Igon,
Igoff, phụ thuộc vào Rgext, tức là người thiết kế.
01/13/2024 74
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao
 Tổn hao tính tới quá trình phục hồi của điôt.
VDS(t)
Quá trình này chỉ ảnh hưởng khi MOSFET Vdd
mở ra. iD(t)
 Theo đồ thị, tổn hao trên MOSFET do quá IL
IDS(t)
trình phục hồi của điôt bằng:
Eon ,rr  QrrVdd
0 Qrr t
 Có thể thấy điôt nội trong cấu trúc bán dẫn tr
tfu
MOSFET tạo bởi tiếp giáp p-n thông Irr
trr1 trr2
thường nên tác động chậm, trr lớn, Qrr lớn,
Khi cần thiết, nhất là ở tần số cao, phải
dẫn đến tổn hao do phục hồi có thể đáng kể.
dùng điôt không có Qrr (Shottky diode)
Các thông số của
quá trình phục
hồi của điôt nội
lấy trên datasheet

01/13/2024 75
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.5 MOSFET Tính toán tổn hao
 Ví dụ: Tính toán tổn hao công suất cho MOSFET IRFPS40N60K với fsw = 50 kHz,
UGS,min = 0 V, UGS,max = 10 V. Vdd=400 V, Id=20 A, tải điện cảm.
 tr=170 ns; VGS=10 V; tf=69 ns. VGS(plateau)= 6 V; Vdr=10 V; RG=Rgint+Rgext=0,85+1=1,85 (ohm);
Qrr=25 uC;
 IGon=(10-6)/1,85=2,16 (A); IGoff=-6/1,85=3,24(A)
 CGD1=3000 pF; CGD2=40 pF
 Tính ra tfu=(tfu1+tfu2)/2; tru=(tru1+tru2)/2
 tfu1=0,278 us; tfu2=3,7 ns; tfu=0,14 us
 tru1=0,37 us; tru2=4,92 ns; tru=0,187 us
ErrM  QrrVdd  25.106.400  0,01Ws 
 Tổn hao công suất do đóng cắt bằng:

EonM  20.400.170  141.109 / 2  0,563.10 3 Ws 

Eon  EonM  ErrM
Eoff  20.400. 69  187 .10 / 2  0,75.10
9 3
W .s 
Esw  Eon  Eoff   0,563  0,75 .103  1,313.103 Ws 
Psw  Esw f sw  1,313.103.50.103  65,7 W 

01/13/2024 76
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.7.6 MOSFET Nhận xét chung
 MOSFET là phần tử bán dẫn công suất ngày càng trở nên quan trọng, vì:
 Là phần tử tác động nhanh nhất, tần số đóng cắt lên đến 1MHz.
 Có thể nối song song nhiều van một cách dễ dàng để tăng công suất.

 MOSFET cực kỳ quan trọng trong các bộ biến đổi cần tần số đóng cắt cao để giảm nhỏ kích
thước các phần tử phản kháng như tụ điện và điện cảm. Đặc biệt là trong các bộ nguồn
xung, các bộ biến đổi cộng hưởng, các thiết bị mà kích thước nhỏ gọn là một yêu cầu sống
còn.
 Mặc dù là phần tử điều khiển bằng điện áp nên dòng điều khiển hầu như không đáng kể, tuy
nhiên khi đóng cắt cần những mạch khuyếch đại xung chuyên dụng, gọi là các MOSFET
Drivers để đảm bảo cung cấp dòng điện cho các tụ ký sinh thay đổi mức điện áp.
 MOSFET hiện đại trên chất bán dẫn Si gồm các loại DMOS, UMOS và SJ-MOSFET.
 Bắt đầu xuất hiện những MOSFET có tính năng vượt trội trên cơ sở chất bán dẫn SiC và
GAN, tạo nên cuộc cách mạng trong Điện tử công suất trong 5 năm trở lại đây.
 Ví dụ về tính toán công suất và dòng điện yêu cầu của mạch Driver là giống nhau đối với
MOSFET và IGBT.

01/13/2024 77
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.8 IGBT
 IGBT là phần tử kết hợp được ưu điểm của BJT và MOSFET:
 Giống BJT nên có thể đóng cắt được dòng điện lớn, chịu được điện áp cao.
 Giống MOSFET về điều khiển bằng điện áp nên công suất điều khiển nhỏ, tần số đóng cắt cao.

 IGBT là cuộc cách mạng quan trọng nhất đối với Điện tử công suất nói chung. Từ khi ra đời
và đưa vào ứng dụng IGBT đã làm cho các bộ biến đổi trở nên gọn nhẹ, tính năng cao và
được đưa vào những ứng dụng hết sức rộng rãi.

Ký hiệu IGBT và
mạch điện tương
đương như sự
kết hợp giữa BJT
và MOSFET.

01/13/2024 78
01/13/2024 79
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.8 IGBT Đặc tính đóng cắt

• Mạch điện tương

đương để khảo sát chế độ
• Quá trình mở của IGBT.
đóng cắt.
• Cgc, Cge là những tụ ký • Quá trình khóa của IGBT.
sinh, ảnh hưởng mạnh • Thời gian khóa ti1, ti2 , trong đó i2
nhất đến đặc tính đóng gọi là đuôi dòng điện, làm tăng đáng
cắt của IGBT. kể thời gian khóa của IGBT.

01/13/2024 80
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.8 IGBT Mạch bảo vệ chống bão hòa

- Phát hiện quá tải bằng cách theo dõi điện áp U CE qua diode, qua
phân áp đưa vào chân DESAT.
- Mạch logic phát hiện trong thời gian có xung mở nếu có quá tải thì
UCE sẽ tăng lên, đến khoảng 5 – 8V.
- Nếu khóa van lại ngay có thể làm tốc độ thay đổi dòng quá lớn Hình ảnh van khóa lại từ từ
(di/dt lớn), gây nên quá điện áp trên các điện cảm trong mạch, dẫn qua vùng tuyến tính, hạn chế
đến phá hủy van.
- Giải pháp là cho van khóa lại dần dần bằng cách tăng điện trở được tốc độ thay đổi dòng
trong mạch G lên cớ 10 lần bình thường. Van sẽ khóa lại qua chế độ điện di/dt.
tuyến tính, dòng giảm từ từ, không gây nên quá điện áp.
01/13/2024 81
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
I.8 IGBT Nhận xét chung
IGBT có những ưu điểm của BJT và MOSFET.
Thời gian đóng cắt của IGBT dài hơn so với MOSFET. Đặc biệt khi
khóa lại, do có hiệu ứng đuôi dòng điện i2, giống như dòng bão hòa
của BJT nên thời gian khóa bị kéo dài.
Khác với MOSFET, tín hiệu điều khiển IGBT thường là +15V để
mở, -5V để khóa.
IGBT cũng cần các mạch Driver chuyên dụng để tạo tín hiệu điều
khiển.
Mạch phát xung điều khiển cũng cần có mạch bảo vệ chống bão hòa
(desaturation protection).

01/13/2024 82
 I.9 So sánh tương đối giữa các phần tử bán dẫn công suất cơ
bản.

01/13/2024 83
 I.9 So sánh tương đối giữa các phần tử bán dẫn công suất cơ
bản.

01/13/2024 84
 Chương I Những phần tử bán dẫn công suất
Cần nắm được:
 Điện tử công suất là gì? Phạm vi ứng dụng và tầm quan trọng của Điện tử công
suất trong lĩnh vực biến đổi điện năng.
 Vấn đề trung tâm của Điện tử công suất là gì?
 Phân biệt giữa các phần tử bán dẫn không điều khiển, điều khiển không hoàn
toàn và điều khiển hoàn toàn.
 Nguyên lý làm việc và các thông số cơ bản của van bán dẫn.
 Tính toán tổn hao công suất trên van bán dẫn qua đặc tính tuyến tính hóa.
 Đặc điểm của các mạch phát xung cho MOSFET và IGBT.
 Tính toán công suất và dòng điện cho mạch MOSFET/IGBT Drivers.
 Một số trang WEB của các nhà sản xuất linh kiện bán dẫn công suất:
 http://proton-electrotex.com PROTON Nga,
 www.powxn.com Powerrex,
 www.irf.com International Rectifier
Hết chương I !!!

01/13/2024 85