Professional Documents
Culture Documents
Ljubomir Majdandžić: Fotonaponski Sustavi
Ljubomir Majdandžić: Fotonaponski Sustavi
financira
Europska unija
Ova publikacija izraena je uz pomo Europske unije.
Za sadraj ove publikacije odgovorna je Srednja kola
Oroslavje i ne odraava stavove Europske unije.
Ljubomir Majdandi
FOTONAPONSKI
SUSTAVI
Prirunik
Vie o projektu na www.ipa-oie.com
Autor:
Doc. dr. sc. Ljubomir Majdandi, dipl. ing.
HSUSE Hrvatska struna udruga za sunevu energiju
Izdava:
Tehnika kola Ruera Bokovia u Zagrebu
Srednja kola Oroslavje
Tehniki urednik:
Mario Lesar, graf. ing.
Dizajn i promocija:
Culmena d.o.o.
Web adresa:
www.ipa-oie.com
Sadraj
1. UVOD
.............................................................................................
2. FIZIKALNE OSNOVE
2.1. Kristali i podjela
.........................................................................
............................................................................
.......................................................................
.............................................................
..............................................................
.............................................................................
10
.................................................................
11
........................
11
.....................................................................
13
10
.....................................................
...................................................
17
......................................................
18
..........
22
............................................
25
................................
26
.......................................
28
..........................................
..............................
28
28
.......
30
................................................
32
...........................................................
32
...............................................................
...................................................
35
..................................................
35
....
38
........
38
..........................
40
.........................................................................................
43
34
1. Uvod
Sunce je glavni izvor elektromagnetskog zraenja koje prolazi atmosferom i neiscrpan je obnovljivi izvor energije. Ono daje energiju koja odrava ivot, pokree atmosferu i razliitim sustavima gibanja oblikuje vrijeme i klimu.
Danas se smatra da je Sunce nastalo od nakupine meuzvjezdanog plina koja se poela saimati zbog gravitacijskog privlaenja. To je prouzroilo rast temperature te se prvotni izvor energije naziva gravitacijsko saimanje. Zbog zagrijavanja je plin poeo zraiti i nastalo je "prasnue".
Potvrdu takve hipoteze moemo nai u zvijezdama koje tek nastaju u oblacima meuzvjezdanog
plina (tzv. protozvijezde). Kako se "prasnue" saimalo, u jezgri je rasla gustoa i temperatura, pa
su u odreenoj fazi saimanja nastali uvjeti za poetak termonuklearne fuzije vodika u helij. Tako
je stvoren nov izvor energije, Sunce.
Plin koji se u nuklearnim reakcijama poeo jo vie zagrijavati, dostigao je dovoljan pritisak
da izbalansira gravitacijsko privlaenje i tako zaustavi daljnje saimanje. Tim procesom nastalo je
Sunce. Procjene starosti Sunca pokazuju da se to zbilo prije oko 5 milijardi godina, a ostaje mu
jo toliko dok ne potroi sav raspoloivi vodik za fuziju, to je oko 10 % ukupne koliine vodika
na Suncu.
O tome kako su jo uvijek burne reakcije na Suncu najbolje govori podatak da svake sekunde
sa suneve povrine u obliku solarnog vjetra odlazi 3 000 tona. Ako bi na taj nain sa Sunca otila
cjelokupna tvar, bilo bi potrebno 200 000 milijardi godina. Tako dobivena ogromna koliina
energije, termonuklearnim reakcijama u unutranjosti Sunca, ne samo da je stvorila nune uvjete
za nastanak i razvoj ivotnog ciklusa na Zemlji, nego nam je podarila i zalihe energije kojima se
svakodnevno koristimo kao to su ugljen, nafta i prirodni plin.
Uzmemo li u obzir da Sunce samo u jednoj sekundi oslobodi vie energije nego to je naa civilizacija tijekom svojeg razvoja iskoristila, vanost istraivanja energije Sunca i pretvorbe energije suneva zraenja u korisne oblike energije poprima sasvim novu dimenziju s velikom
mogunou rjeavanja problema energetske krize, koja je u svijetu sve prisutnija.
Na slici 1.1. prikazano je godinje sunevo zraenje na povrini Zemlje u usporedbi s godinjom
potronjom energije u svijetu, te zalihama fosilnih (ugljen, nafta, plin) i nuklearnih goriva (uran).
zalihe ugljena
zalihe nafte
godinje sunevo
zraenje
zalihe urana
zalihe plina
godinja potronja energije u svijetu
godinje Sunevo zraenje
Snaga sunevog zraenja iznosi oko 3,81023 kW, odnosno 3,31027 kWh/god., od ega samo
mali dio stigne na zemlju pod prostornim kutom od 32', odnosno 0,53. Do vrha Zemljine atmosfere dolazi samo pola milijarditog dijela emitirane energije, tj. oko 1,751014 kW ili 1,531018
kWh/god. Ta snaga prelazi vie od 100 000 puta snagu svih elektrana na zemlji kad rade punim
kapacitetom. Ogromna je koliina energije od suneva zraenja. Manje od jednog sunanog sata
dovoljno je da pokrije cjelokupnu potrebu za energijom gotovo 6,5 milijardi ljudi koji ive na
ovom planetu. (Prikazano malom plavom kockicom na slici 1.1.)
Slika 1.1. zorno pokazuje prirodni potencijal energije suneva zraenja. To je velika uta kocka, koja je 50 puta vea od zbroja svih zaliha fosilnih i nuklearnih goriva. Trenutano je tehniki
potencijal energije suneva zraenja jo uvijek vei od svjetske potronje energije, koja je prikazana malom plavom kockicom.
Unato tome da se oko 30 % energije suneva zraenja reflektira natrag u svemir, jo uvijek
Zemlja od Sunca godinje dobiva oko 1,071018 kWh energije, to je nekoliko tisua puta vie nego to iznosi ukupna godinja potronja energije iz svih primarnih izvora.
Energija koju su apsorbirale atmosfera ili povrina Zemlje, pretvara se u toplinsku energiju.
Oko 23 % potroi se za isparavanje i nastajanje oborina u atmosferi, a ostatak, oko 47 %, primi
Zemlja u obliku ogromne koliine energije. Zagrijavanje prouzrokuje isparavanje vodenih povrina, stvara vjetrove i morske struje i, to je najvanije, omoguuje ivot.
Zanimljivo je da se tek tisuitim dijelom energije, koja dolazi do tla, koriste biljke u procesu
fotosinteze za nastajanje biomase, a ovjeanstvo se uglavnom koristi energijom koju su biljke
skupljale milijunima godina i to kroz eksploataciju nafte, ugljena ili prirodnog plina. Neznatan dio
energije suneva zraenja uzrokuje nastajanje valova i vodenih strujanja u morima i oceanima te
stvaranje vjetra i zranih strujanja u atmosferi, a takoer i zanemariv dio slui u fotosintezi za proizvodnju biomase. Udio suneve energije na kopnenoj povrini iznosi samo jednu petinu, a ostatak suneve energije apsorbiraju mora i oceani.
Zbog toga kaemo da su svi izvori energije, osobito obnovljivi, samo razliite pretvorbe i oblici energije suneva zraenja. (Slika 1.2.)
injenica je da su konvencionalni izvori energije (ugljen, nafta, plin, nuklearna goriva) ogranieni i iscrpljivi, a energetski sektor veim je dijelom uzrok emisije SO2, NOx, te osobito staklenikog plina ugljikova dioksida CO2, koji najveim dijelom doprinosi globalnom zatopljenju i
klimatskim promjenama. Stoga je prijeko potrebno osigurati sklad suvremenog naina ovjekova
ivota i stupnja tehnolokog napretka, tehnocivilizacije 21. stoljea, s prirodom i odrivim razvojem, za dobrobit sadanjih i buduih narataja.
Upravo zbog gore navedenih spoznaja energija se mora dobivati iz novih izvora energije, kao
to su suneva energija, energija vjetra, energija malih vodotoka, geotermalna energija, energija
biomase i otpada, energija plime i oseke, energija morskih struja i morskih valova, vodika i sl., to
je vano za gospodarski i energetski sustav svake zemlje. Prijeko je potrebno da ti novi izvori
energije budu u skladu sa zatitom okolia i odrivim razvojem bez emisije tetnih tvari.
Kako sa stajalita odrivog razvoja u energetici moraju biti usklaeni ekonomski i ekoloki ciljevi drutva, ovom se knjigom eli ukazati na to kako se upravo koritenjem sunevom energije
moe dobiti dovoljna koliina prijeko potrebne energije. Tako e se ostvariti gospodarski rast bez
naruavanja ekolokog sustava, kao prirodne zajednice svih ivih bia ovog planeta, a prije svih
ovjeka. To emo i praktino pokazati.
Suneva energija bi, kao izrazito prihvatljiv obnovljivi izvor energije, u bliskoj budunosti
mogla postati glavni nositelj ekoloki odrivoga energetskog razvoja. Zbog toga se intezivno istrauju novi postupci i procesi pretvorbe suneve energije u elektrinu, toplinsku ili energiju hlaenja, to e biti objanjeno u sljedeim poglavljima ove knjige.
Konano, uzmemo li u obzir visoku cijenu klasine energije, a i cijena barela nafte uestalo
raste, stoljetno crpljenje tradicionalnih fosilnih izvora energije, te sve stroe ekoloke zakone i
propise, moemo zakljuiti kako e koritenje suneve energije, uz zatitu okolia, postati posao
budunosti.
Tehniki potencijal energije suneva zraenja koji padne na neku graevinu (zgradu), slika
1.3., nekoliko je puta vei od potreba takve zgrade za energijom. Na tritu ve postoje tehniki
ureaji i oprema kvalitetne tehnike razine, s prihvatljivom cijenom, za pretvorbu energije suneva zraenja u elektrinu, toplinsku ili u energiju hlaenja. Time je postignuta udobnost boravka u
takvoj zgradi, smanjen je uvoz energenata, osigurana je sigurna opskrba i znatno je smanjen negativan utjecaj na okoli iz energetskog sektora.
Slika 1.3. Ogroman potencijal energije suneva zraenja pada na svaku graevinu
djelatvornija njihova primjena, to u konanici vodi otvaranju novih radnih mjesta u malim i srednjim poduzeima. Mnoge su zemlje izradile, i prihvatile, ostvarenje takvih rjeenja i ulaganja kao
opu korist i gospodarski isplativo ulaganje, posebno nakon ubrzanoga tehnolokog razvoja i njihove masovne primjene.
Naalost, trenutano se Republika Hrvatska, iako ima izrazito povoljne uvjete za uporabu suneve energije, i to neusporedivo povoljnije od mnogih drugih zemalja, nalazi na samom dnu Europe po ugraenom broju takvih sustava, te se moe rei da u Hrvatskoj nije iskoritena komparativna prednost u pogledu pretvorbe energije suneva zraenja u elektrinu, toplinsku ili energiju
hlaenja.
Teoretski potencijal energije suneva zraenja daleko je vei od ostalih obnovljivih izvora
energije, kao na primjer biomase, vodenih snaga i snage vjetra, koji su takoer samo posljedica ili
neki oblik pretvorbe suneve energije.
Tehniki iskoristiv potencijal suneve energije, dakle onaj koji se danas tehniki i tehnoloki
moe iskoristiti za pretvorbu energije suneva zraenja u elektrinu, toplinsku ili energiju hlaenja, jo je uvijek vei od ukupne svjetske potronje energije. (Slika 1.4.)
teoretski
potencijal, EJ/god.
2 500 000
100 000
158
100
100
100
30
600
tehniki
iskoristiv
potencijal,
EJ/god.
500
600
400
300
200
100
0
Sunevo zraenje
1
biomasa
vodena snaga
snaga vjetra
Hrvatska je zemlja raznolikog prirodnog bogatstva i ljepote, jo uvijek istog okolia, iste
vode i zraka te istog mora, s 1185 velikih i malih otoka. Stoga opskrba elektrinom energijom
pomou fotonaponskih modula i toplinske energije za grijanje i pripremu potrone tople vode pomou solarnih toplinskih sustava, nema alternative, poglavito za male i velike otoke, priobalje,
zaobalje, a i cijelu Hrvatsku.
700
600
potronja energije, EJ
620
500
570
565
565
435
380
400
310
300
200
135
100
100
0
0
1960
30
1980
50
2000
2020
2040
2060
Slika 1.5. Rast obnovljivih izvora energije i udio u ukupnoj potronji energije do 2060.godine
EJ/go
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
nafta
hidroelektrane
vjetroelektrane
ostali obnovljivi izvori
ugljen
biomasa (tradicionalno)
sol. termoelek. i fotonapon
geotermalna
plin
biomasa (suvremeno)
solarni kolektori
2. Fizikalne osnove
2.1. Kristali i podjela
Kristali su vrsta tijela sastavljena od atoma, iona ili molekula u kojima se ponavlja njihov trodimenzionalni raspored s pravilnom meusobnom udaljenou tvorei tzv. kristalnu reetku. Kristali
sa savreno pravilnom reetkom idealizacija su dok je u realnoj kristalnoj reetki geometrijska
pravilnost naruena raznim utjecajima (npr. toplinskim, klizanjem i sl.). Promjena strukture utjee
na mehanika, toplinska, elektrina i magnetska svojstva kristala.
Materijali vani za izradu fotonaponskih solarnih elija mogu doi u obliku monokristala, polikristala (multikristala) ili kao amorfne tvari. Ako se itav aktivni obujam elija sastoji od samo
jednog kristala, onda je takva elija monokristalna. Ako se u procesu rasta kristala veih dimenzija formira vie kristala (obino zajedniki orijentiranih), i iz takva kristalnog bloka izree ploica
za izradu solarne elije, onda takve elije nazivamo polikristalnim ili multikristalnim.
Amorfne tvari ne posjeduju pravilan raspored atoma duljeg dosega kao kristali. Obino nastaju ako se rastaljeni materijal vrlo brzo hladi, tako da se molekule ne stignu organizirati u termodinamiki stabilnija kristalna stanja. Drugi je nain da se pravilna kristalna reetka nekog materijala
oteti vanjskim utjecajem, npr. usaivanjem (implantacijom) ubrzanih iona koji ih, zbog sudara s
atomima mete, izbacuju iz vorova reetke. Pritom e povrinski slojevi mete postati amorfni samo ako je temperatura mete previe niska da bi izbaeni atomi kasnije mogli difundirati natrag na
svoje poetne poloaje.
Industrijski su vanije tehnologije dobivanja tankih amorfnih filmova putem depozicije raspraivanjem ("sputtering") ili depozicijom iz pare kemijskih reaktanata (CVD) na neke povrinu
podloge. Ako se temperatura podloge dri dovoljno niskom, deponirani atomi na povrini nee
imati dovoljno energije da difundiraju uzdu povrine i nau na njoj mjesto s ureenom kristalnom strukturom. Svaka od ovih tehnika depozicije ima specifinu temperaturu podloge, ispod
koje se dobiva amorfni film, a naprotiv, zagrijavanjem na vie temperature, amorfne tvari prelaze u polikristalne.
Ako je veliina kristalia vrlo mala (ispod 2 nm), teko je razlikovati kristalnu od amorfne faze, jer i amorfne tvari imaju neki pravilan raspored atoma na malu udaljenost (ispod 5 nm). U
graninom podruju, izmeu ove dvije faze, nalazi se, posebno kod tankih slojeva silicija, tzv.
nanokristalna faza (nc-Si) ili mikromorfni materijal. Ona takoer ima amorfnu fazu, ali se unutar
amorfne faze nalaze i sitna kristalna zrnca.
Nanokristalni silicij je jedan od materijala budunosti za izradu solarnih elija. Ima povoljnija svojstva od amorfnog silicija (a-Si) zbog vee pokretljivosti elektrona, poveane apsorpcije
fotona u crvenom i infracrvenom podruju suneva spektra i, to je jo vanije, zbog znatno vee otpornosti prema degradaciji svojih fotoelektronikih svojstava. Vrlo je povoljno da se takav
materijal moe proizvesti samo mijenjamjem proizvodnin parametara u postojeim pogonima za
depoziciju a-Si, metodom CVD, stimuliranom plazmom (PECVD), pri razmjerno niskim temperaturama.
Prema sposobnosti provoenja elektrine struje materijale moemo podijeliti na vodie (metale), poluvodie i izolatore. Ovdje specifina elektrina vodljivost moe poprimiti veoma velik raspon te za dobre vodie kao to su metali ona iznosi od 106 do 108 -1m-1, kod izolatora od 10-20 do
10-8 -1m-1, a za poluvodie je izmeu ovih vrijednosti, tj. od 10-7 do 105 -1m-1.
irina zabranjenog pojasa energija, odnosno energijska irina zabranjene vrpce (Eg) kod poluvodia iznosi oko 1 eV, kod metala ispod ove vrijednosti, a kod izolatora je vea od 6-10 eV. Kod
izolatora je valentni pojas ispunjen elektronima, vodljivi je pojas prazan i ne postoji gibanje elektrinog naboja primjenom elektrinog polja. Najvii pojas energija kod metala samo je djelomino
ispunjen, ili puni pojasevi prekrivaju jedan prazni, a postoji barem jedan valentni elektron po atomu u tim pojasevima. Ti se elektroni mogu slobodno gibati u elektrinom polju, a kako postoje u
velikom broju, elektrina vodljivost je velika.
Stanje kod poluvodia slino je onome kod izolatora, osim to su tamo u znaajnijem broju
uvedeni dodatni elektroni i upljine u kristalu, ali jo uvijek manjem od broja prisutnih atoma, pa
je tako i njihova vodljivost manja nego kod metala (vodia).
Elektrini vodi je materijal koji obiluje slobodnim elektronima pa stoga dobro provodi elektrinu struju. Elektrini vodii mogu biti metali (zlato, srebro, bakar, aluminij i dr.), ugljen za etkice elektromotora i elektroliti (otopine soli, kiselina i luina).
Elektrini su izolatori materijali koji gotovo nemaju slobodnih elektrona pa stoga ne provode
elektrinu struju. Elektrini izolatori mogu biti neorganskog (porculan, staklo, mramor, azbest i
dr.) ili organskog podrijetla (guma, papir, prepan, fiber, pamuk, PVC masa i dr.).
2.1.1. isti poluvodii
isti su poluvodii oni koji se sastoje od atoma samo jednog elementa, bez ikakvih primjesa, ili
koji sadre tako malo primjesa (neistoa) da one ne utjeu na njihove karakteristike. Atomi u kristalnoj reetki poluvodia povezani su meusobno kovalentnom vezom.
Na slici 2.1. prikazan je energijski dijagram istog poluvodia. Na termodinamikoj nuli valentna je vrpca popunjena elektronima, a vodljiva vrpca je prazna. Izmeu valentne i vodljive vrpce nalazi se energijska irina zabranjene vrpce poluvodia Eg. O irini te vrpce ovise razliita
svojstva poluvodia.
T= 0 K
T>0K
vodljiva vrpca
Eg
valentna
elektron
upljina
E E
e( f )
kT
+1
gdje je:
E energija doputenog stanja, J
Ef Fermijeva energija, J
k Boltzmannova konstanta, (1,380610-23 J/K)
T termodinamika temperatura, K
2.1.2. Poluvodii s primjesama
Ako se istom poluvodiu (npr. Si) dodaju primjese, onda se od istog silicija dobije p-tip odnosno n-tip poluvodia. Atomi primjesa imaju 3, odnosno 5 valentnih elektrona.
Ako se atom silicija (Si) u kristalnoj reetki zamijeni peterovalentnim atomom fosfora (P),
njegova etiri valentna elektrona popune kovalentne veze s ostalim atomima silicija. Peti elektron
u suviku nee biti zadran u kemijskoj vezi, jer za njega na raspolaganju nema praznih stanja, pa
ga jedino atom fosfora jo privlai slabom kulonskom vezom koja se lako prekida, npr. termikom
pobudom (agitacijom). Taj elektron udaljen od atoma fosfora ima na raspolaganju samo slobodna
stanja u pojasu vodljivosti, a ostavlja primjesu fosfora jednostruko pozitivno nabijenom. Potrebna
energija za odvajanje elektrona zove se energija za ionizaciju primjese, a atom fosfora je donor,
jer "donira" vodljivi elektron reetki, a silicij je tada N-tipa.
Kod kristalne reetke s trovalentnim primjesama, primjerice s atomom bora (B), dolazi do
manjka u valentnim elektronima. Tri elektrona popunjavaju kovalentne veze s trima od etiriju
susjednih atoma silicija, no etvrti atom ima samo jednoelektronsku vezu, tj. nastala je upljina.
Na slian nain kao kod primjese fosfora, upljina je vezana slabom kulonskom silom na atom
bora. Ako se od njega udalji, etvrta se kovalentna veza oko indija popuni, i indij ostane s jednostrukim negativnim nabojem. Tako su elementi 3. skupine, kao primjese u siliciju akceptori jer
mogu primiti elektrone i tako uvesti upljine u valentni pojas, odnosno silicij postaje P-tipa.
Donori i akceptori uvode lokalizirane energijske nivoe u zabranjeni pojas energije, i to donori
blizu dna vodljivog pojasa, a akceptori iznad vrha valentnog pojasa koji se lako ionizira pa tako
znatno poraste elektrina vodljivost N-odnosno P-tipa, a N-tip sadri mnogo vie negativnih nosilaca naboja (elektrona) nego pozitivnih (upljina). Elektroni su veinski, a upljine manjinski nosioci naboja. Kod P-tipa stanje je obrnuto i upljine su veinski nosioci naboja.
Neke primjese iz drugih skupina periodnog sustava elemenata (kao npr. litij), ulaze u reetku
silicija ili germanija u meuprostorni poloaj, djelujui tako kao donori. Pored tih elementarnih
poluvodia postoje i poluvodiki spojevi III. i V. skupine ili II. i VI. skupine, kao to su npr. GaAs ili InP, odnosno CdTe ili CdS. Ako elementi iz VI. skupine supstitucijski zamijene As u GaAs,
djeluju kao donori, a elementi iz II. skupine zauzmu mjesta galija djeluju kao akceptori. Slina
razmatranja vrijede i za II.-VI. poluvodike spojeve.
Uinci nestehiometrije
Razlog za uvoenje donora i akceptora u elementarne poluvodie i poluvodike spojeve, mogu
biti i defekti u kristalnoj reetki kao to su praznine i meuprostorni atomi. Kod spojeva moe doi do nestehiometrije, zbog praznog mjesta u reetki jedne od komponenti spoja ili zbog vika jedne komponente u meuprostornom poloaju. Na primjer, u pomalo ionskoj reetki CdS, donorski
centar moe nastati uhvatom jednog ili vie elektrona na mjestu anionske praznine sumpora. Kako
je ovdje u suviku kadmij, da bi se sauvala elektrika neutralnost kristala, dva se elektrona moraju
dodati za svaki ion sumpora u manjku. Blizu te praznine postoji isti pozitivni naboj koji ponovno
privlai dodatne elektrone oko tog centra. Oslobaanjem uhvaenih elektrona, oni iz praznine ulaze
u vodljivi pojas i doprinose elektrinoj vodljivosti (dvostruki donori). Kako je za to potrebna neto
veae energija ionizacije, donorski nivoi navedenih centara nalaze se zbog atoma primjesa neto
dublje u zabranjenom pojasu.
Temperaturna ovisnost elektrine vodljivosti
Jedna od posebnih karakteristika poluvodia je promjena elektrine vodljivosti s promjenom temperature. Kod metala elektrina vodljivost normalno opada s porastom temperature zbog sve vee
frekvencije sudara elektrona s titrajima reetke. Naprotiv, kod poluvodia u odreenom temperaturnom podruju vodljivost s temperaturom naglo raste. Pri niskim su temperaturama elektroni
(upljine) uhvaeni u primjesnim i defektnim centrima i vodljivost je mala. S porastom temperature sve se vei broj tih centara ionizira, a osloboeni nosioci sve vie sudjeluju u procesu voenja
elektrine struje. Kada su svi ionizirani, vodljivost ponovno poinje pomalo opadati, kao kod metala. Kod jo viih temperatura dolazi do drugog naglog porasta vodljivosti zbog pobude intrinsikih nosilaca naboja, izravno preko zabranjenog pojasa (vrpce).
Opa jednadba za broj elektrona u vodljivoj vrpci priblino je dana sljedeim izrazom:
E E /k T
n = N c e( f c )
gdje je:
Nc gustoa stanja elektrona u vodljivoj vrpci, 1/m3
Ec energija dna vodljive vrpce, J, eV
Ef Fermijeva energija, J
k Boltzmannova konstanta, (1,380610-23 J/K)
T termodinamika temperatura, K
(Fermijeva energija)
---------------------------------------------------- Ef (F
valentna
elektron
elekt
upljina
Bitno je svojstvo PN-spoja njegovo ispravljako djelovanje, tj. lake vodi struju kad je ppodruje pozitivno, a n-negativno. Tada je napon u propusnom smjeru, a suprotno tome je napon
u zapornom smjeru. Dakle, PN-spoj radi kao dioda, i proputa struju samo u jednom smjeru. Ako
se na PN-spoj prikljui izvor vanjskog napona u propusnom smjeru, tako da je pozitivan pol na
10
p-strani a negativan na n-strani, protekne struja elektrona iz n-podruja prema p-podruju i upljina iz p-podruja prema n-podruju.
Koncentracija upljina na p-strani ne mora biti jednaka koncentraciji elektrona na n-strani.
Ako je, na primjer, n-strana znatno jae dopirana primjesama od p-strane, bit e znatno jaa struja
elektrona preko p-n spoja nego struja upljina kad je dioda vezana u propusnom smjeru, tako da
dolazi do injekcije elektrona u p-podruje.
Veza izmeu vanjskog napona U i jakosti struje Id kroz PN-spoj, tzv. I,U-karakteristika diode,
moe se prikazati jednadbom:
I d = I z eeU / k T 1
gdje je:
Id struja diode (jakosti struje kroz PN-spoj), A
Iz struja zasienja, A
e elementarni naboj, (1,602176462 10-19 C)
U elektrini napon, V
k Boltzmannova konstanta, (1,3806 10-23 J/K)
T termodinamika temperatura, K
Unato znatnijim ulaganjima u istraivanje i razvoj solarne fotonaponske tehnologije u posljednjih desetak godina, danas je cijena solarnih elija, odnosno fotonaponskih sustava, i dalje visoka
i oni su komercijalno konkurentni drugim uobiajenim izvorima elektrine struje samo u odreenim podujima primjene, tj. tamo gdje nema u blizini elektrine mree. Meutim, vodei svjetski
energetiari, a i najvee naftne tvrtke, procijenili su da e upravo fotonaponska tehnologija u 21.
stoljeu dominirati u zadovoljavanju potreba za elektrinom energijom, zbog opadanja raspoloivih zaliha konvencionalnih goriva.
U posljednjih nekoliko godina svjedoci smo dosad nezapamenog godinjeg porasta u proizvodnji solarnih elija i modula od preko 60 %, a jedinini kapaciteti pojedinih novosagraenih
proizvodnih pogona ve prelaze 50 MW. U prijelaznom razdoblju od desetak godina otvara se
novo trite za fotonaponske sustave u graevinarstvu, gdje oni, kao graevni elementi, mogu nadomjestiti klasine krovove i fasade u novim zgradama (tzv. BIPV) ili poboljati toplinsku izolaciju na postojeim objektima, generirajui pritom elektrinu energiju za potronju na licu mjesta
ili za isporuku elektrinoj mrei.
U pojedinim zemljama, a i u naoj, ozakonjene su stimulativne financijske mjere za otkup u
mreu tako prozvedene elektrine energije, to omoguuje snaan poticaj za sve vee koritenje i
primjenu novih obnovljivih izvora energije.
2.3.2. Fotonaponski efekt
Godine 1839. Edmond Becquerel (1820.-1891.) otkriva fotonaponski efekt. On je to opisao kao
proizvodnju elektrine struje kada se dvije ploe platine ili zlata urone u kiselu, neutralnu ili lunatu otopinu te izloe na nejednolik nain sunevu zraenju. Bilo mu je 19 godina kada je to mogao uiniti u laboratoriju svojega oca Antoine-Cesara, uglednog znanstvenika koji je radio na
podruju elektrokemije, fiziologije, meteorologije i poljoprivrede. Edmond Becquerel je 1868.
godine objavio vaan rad pod naslovom "Svjetlost, njezino porijeklo i njezini efekti".
Njegovo otkrie u to doba nije pobudilo preveliki interes, ali nije bilo zaboravljeno sve do dananjih dana, kada je na 150. godinjicu Europska unija ustanovila nagradu koja nosi njegovo ime
i dodjeljuje se jedanput godinje za najistaknutiji doprinos razvoju fotonaponske pretvorbe suneve energije. Edmondov sin Henry, nuklearni fiziar, prvi je francuski nobelovac i njemu u ast
nazvana je SI-izvedena jedinica aktivnosti radioaktivne tvari becquerel (Bq).
Nakon Becquerelova otkria prolo je vie od 40 godina da bi tek 1883. godine Charles Fritts
nainio prvu pravu solarnu eliju deponirajui na poluvodiki selen tanki sloj zlata. Tako je ostvario potencijalnu barijeru na kontaktu metal-poluvodi.
2.3.3. Izravna pretvorba suneva zraenja u elektrinu energiju
Kada se solarna (sunana) elija osvijetli, odnosno kada apsorbira sunevo zraenje, fotonaponskim se efektom na njezinim krajevima pojavljuje elektromotorna sila (napon) i tako solarna elija
postaje izvorom elektrine energije.
Pri praenju emisije i apsorpcije suneva zraenja (elektromagnetskih valova) zraenje se
moe promatrati kao snop estica, tzv. fotona. Tako je, na primjer, za proraun fotostruje solarne elije potrebno poznavati tok fotona koji upadaju na eliju. Svaki foton nosi odreenu koliinu energije. Cjelokupni raspon zraenja koje nastaje u svemiru nazivamo elektromagnetskim
spektrom.
Elektromagnetska zraenja uzajamno se razlikuju jedino po frekvenciji. Svjetlost nastaje kada
se elektrini naboji kreu u elektromagnetskom polju. Atom odailje svjetlost kada je neki od njegovih elektrona potaknut dodatnom energijom izvana. Zraenje pobuenih elektrona predoavamo valom. Svjetlost manje energije ima manju frekvenciju ili uestalost, no veu valnu duljinu, a
ona s vie energije ima veu frekvenciju ali manju valnu duljinu.
11
12
Dakle, fotoni su estice bez naboja koje se gibaju brzinom svjetlosti co. Energija fotona prikazana je Einsteinovom relacijom:
E=hv=h
co
gdje je:
h Planckova konstanta, (6,625 10-34 Js)
v frekvencija promatranoga elektromagnetskog zraenja, 1/s
co brzina svijetlosti, (3 108 m/s)
valna duljina, m
svjetlost, hv
antirefleksijski sloj
0,15 mm
2-5 mm
0,2 m
N- podruje
300 m
P- podruje
- prednji kontakt u
obliku reetke
+ stranji metalni
kontakt
U silicijevoj su solarnoj eliji, prikazanoj na slici 2.4., na povrini ploice P-tipa silicija difundirane primjese, npr. fosfor, tako da na tankom povrinskom sloju nastane podruje N-tipa poluvodia. Da bi se skupili naboji nastali apsorpcijom fotona iz sunava zraenja, na prednjoj
povrini elije nalazi se metalna reetka koja ne pokriva vie od 5 % povrine, tako da gotovo ne
utjee na apsorpciju suneva zraenja. Stranja strana elije prekrivena je metalnim kontaktom.
Da bi se poveala djelotvornost elije, prednja povrina elije moe biti prekrivena prozirnim proturefleksnim slojem koji smanjuje refleksiju suneve svjetlosti.
Kada se solarna elija osvijetli, na njezinim se krajevima pojavljuje elektromotorna sila, tj.
napon. Tako solarna elija postaje poluvodika dioda, tj. PN-spoj, i ponaa se kao ispravljaki
ureaj koji proputa struju samo u jednom smjeru.
13
Kada se solarna elija, odnosno PN-spoj osvijetli, apsorbirani fotoni proizvode parove elektron-upljina. Ako apsorpcija nastane daleko od PN-spoja, nastali par ubrzo se rekombinira. Meutim, nastane li apsorpcija unutar, ili blizu PN-spoja, unutranje elektrino polje, koje postoji u
osiromaenom podruju, odvaja nastali elektron i upljinu. Elektron se giba prema N-strani, a upljina prema P-starni. Zbog skupljanja elektrona i upljina na odgovarajuim suprotnim stranama
PN-spoja dolazi do pojave elektromotorne sile na krajevima solarne elije, (slika 2.5.).
Kada se solarna elija osvijetli, kontakt na P-dijelu postaje pozitivan, a na N-dijelu negativan.
Ako su kontakti elije spojeni s vanjskim troilom, kao to je prikazano na slici 2.6., protei e
elektrina struja, a solarna elija postaje izvorom elektrine energije.
struja
PN-spoj
U tablici 2.1. dani su temeljni parametri solarnih elija, kao napon otvorenog kruga Uok, gustoa struje kratkog spoja Jks i stupanj djelovanja elije. Izraeni su uglavnom od materijala koji se
danas koriste za izradu elija.
Tablica 2.1. Temeljni parametri solarnih elija
Vrsta elije
monokristalna-Si elija
polikristalna-Si elija
amorfna-Si elija
CdS / Cu2S
CdS / CdTe
GaAlAs / GaAs
GaAs
Uok, V
Jks, mA/cm2
0,65
0,60
0,85
0,5
0,7
1
1
30
26
15
20
15
30
20
0,17
0,15
0,09
0,10
0,12
0,24
0,27
14
Nova tehnologija, koja ukljuuje primjenu trakastog silicija, ima prednost to je u procesu proizvodnje izbjegnuta potreba rezanja vafera, ime se gubi i do 50 % materijala. Meutim, kvaliteta
i mogunost proizvodnje nije takva da bi primjena te tehnologije prevladala u bliskoj budunosti.
U novoj tehnologiji tankog filma primjenjuju se poluvodii s tzv. izravnim zabranjenim pojasom i njihove debljine mogu biti znatno manje, uz bitno manji utroak materijala, to obeava
nisku cijenu i mogunost proizvodnje velikih koliina elija.
Solarne elije tankog filma pripadaju treoj generaciji solarnih elija, a postoji nekoliko eksperimantalnih poluvodikih materijala poput bakar-indij-galij-selenida (CIGSS), bakar-indij-diselenida
(CIS) ili kadmijeva telurida (CdTe) te organskih materijala, no u masovnu su proizvodnju ule
solarne elije izraene od tankog filma silicija (TFSi). Izvode se postavljanjem tankih slojeva (filmova) poluvodikih materijala na podlogu (tzv. supstrat). Takva izvedba solarnih elija je vrlo
zahvalna, jer omoguava njihovu fleksibilnost u odnosu na klasine, krute, solarne elije, a to
omoguava njihovu iru primjenu. Meutim, njihova je dosadanja uinkovitost 7 do 10 %, to je
znatno manje od klasinih silicijevih solarnih elija.
Danas se na tritu mogu nai razliite silicijeve solarne elije, razliitih boja i dimenzija. Uobiajene su dimenzije 10 cm 10 cm, 12,5 cm 12,5 cm, 15 cm 15 cm, 21 cm 21 cm, (slika 2.7.).
Udio tehnologije tankog filma (amorfni silicij, CdTe, CIS, CIGSS), unato znatnim naporima
uloenim u istraivanja, ostao je vrlo skroman, svega oko 6 %. Meutim, snaan rast proizvodnje
solarnih elija s kristalnim silicijem moe prouzroiti porast cijene i nestaicu sirovog silicija, pa
je mogu i vei proboj tehnologije tankog filma u budunosti.
Na slici 2.8. prikazana je solarna elija od bakar-indij-diselenida (CIS), na slici 2.9. prikazana
je solarna elija od amorfnog silicija, a na slici 2.10. solarna elija od kadmijeva telurida (CdTe).
15
Iako su neki znanstvenici zabrinuti zbog mogueg negativnog utjecaja proizvodnje solarnih
elija na okoli, ta se tehnologija svrstava u tehnologije 21. stoljea za dobivanje elektrine energije. Zabrinutost je prisutna zbog toga to proces proizvodnje nekih fotonaponskih elija zahtijeva
otrovne metale poput ive, olova i kadmija, a uz to proces proizvodnje rezultira i stvaranjem ugljikova dioksida koji je stakleniki plin i uglavnom je odgovoran za uinak globalnog zatopljenja.
Prema jednoj studiji pod naslovom "Emisije iz fotonaponskog ivotnog ciklusa" (engl. Emissions from Photovoltaic Life Cycles) postupak proizvodnje i ivotni ciklus fotonaponskih elija
proizvode mnogo manje oneienja zraka od tradicionalnih tehnologija s fosilnim gorivima.
To je istraivanje bilo dosta opseno i istraivai su prikupili podatke o isputanju tetnih plinova od 13 proizvoaa solarnih elija iz Europe i SAD-a u razdoblju od 2004. do 2006. godine.
Istraivanje je ukljuilo etiri glavna komercijalna tipa solarnih elija: polikristalni silicij, monokristalni silicij, trakasti silicij i tanki film kadmijeva telurida (CdTe). Rezultati su tih istraivanja
ak i optimistiniji nego to su se znanstvenici nadali i pokazali su da proizvodnja elektrine
energije iz solarnih elija smanjuje koliinu oneienja zraka za oko 90 % u odnosu na proizvodnju iste koliine elektrine energije koritenjem fosilnih goriva. Zakljuak je studije, ukupno gledajui, da sve fotonaponske tehnologije pridonose znatno manjim tetnim isputanjima po kWh
od tradicionalnog naina proizvodnje elektrine energije pomou fosilnih goriva.
Studija je takoer pokazala da tehnologija tankog filma kadmijeva telurida (engl. thin-film cadmium telluride) ima najmanju emisiju tetnih plinova u ivotnom ciklusu, veinom zbog toga to
je utroak energije za proizvodnju takvog modula najmanji od svih fotonaponskih modula.
Izrada solarnih elija je dosta sloen tehnoloki proces, pa je stoga cijena solarnih elija jo
uvijek dosta visoka. Meutim, posljednjih godina cijena solarnih elija pada, a poboljavaju im se
16
i karakteristike u laboratorijskim istraivanjima. Da bi se cijena solarnih elija bitno smanjila, potrebno je pojednostaviti s jedne strane izradu, a s druge strane koristiti druge, jeftinije materijale.
U novije vrijeme tehniki su se usavrile visoko uinkovite solarne elije, tzv. koncentrirajue
solarne elije. Obino se ugrauju na fotonaponske sustave koji prate kretanje Sunca (engl. Tracking System). Stupanj je djelovanja tih elija oko 35 %, a modula oko 25 %. Biljei se znatan porast ugradnje fotonaponskih sustava koji prate kretanje Sunca (engl. Tracking) i koji imaju module
od optikih koncentrirajuih sustava CPV, (slika 2.11.).
Takoer sustavi koji prate kretanje Sunca, tracking sustavi, mogu imati module od standardnih
monokristalnih ili polukristalnih silicijevih solarnih elija ili tankog filma.
Na slici 2.12. prikazan je u vanijim fazama postupak proizvodnje solarnih elija. Takoer je
dan postupak montae solarnih elija u solarni modul i na kraju primjena solarnih modula, npr.
postavljanjem na krov graevine, kao dio fotonaponskog sustava za dobivanje elektrine energije.
kristalni silicij
(kvarcni pijesak)
proizvodnja
kristalnog silicija
Tiegelziehovim ili
Czochralskijevim
procesom
gotova
solarna elija
spajanje
solarnih elija
laminiranje
(laminat)
oblikovanje
ingota
rezanje ingota
na vafere
difuzija fosfora
(dobivanje
PN-spoja)
sitotisak
(stranji i prednji
kontakt)
Slika 2.12. Postupak proizvodnje solarnih elija i solarnog modula
postavljanje
solarnih elija
u okvir
gotov
solarni modul
solarni moduli
u primjeni
17
samostalni sustavi
bez pohrane
sa pohranom
hibridni sustavi
obini
ureaji
pomo u
vjetroagregata
male
primjene
pomo u
kogeneracije
AC samostalni
sustavi
pomo u dizel
generatora
DC samostalni
sustavi
pomo u
gorivnih lan.
izravno
priklju eni
na javnu mreu
priklju eni na
javnu mreu preko
kune instalacije
Fotonaponski sustavi koji nisu prikljueni na mreu, odnosno samostalni sustavi, mogu biti sa
ili bez pohrane energije, to e ovisiti o vrsti primjene i nainu potronje energije, i hibridni sustavi koji mogu biti s vjetroagregatom, kogeneracijom, dizelskim generatorom ili gorivnim lancima.
Fotonaponski sustavi prikljueni na javnu elektroenergetsku mreu mogu biti izravno prikljueni na javnu elektroenergetsku mreu ili prikljueni na javnu elektroenergetsku mreu preko kune instalacije.
fotonaponski moduli
regulator punjenja
troila
akumulator
DC troila
DC sabirnica
18
generator
AC troila
ispravlja ac/dc
izmjenjiva dc/ac
regulatori punjenja
akumulatori
Slika 3.3. Shema samostalnoga hibridnog fotonaponskog sustava s generatorom
Kod tih sustava se elektrinom energijom proizvedenom solarnim modulima ili vjetroagregatom, prvotno napajaju troila, a viak energije se pohranjuje u tzv. solarne akumulatore. U sluaju
Slika 3.4. Fotonaponski sustav prikljuen na javnu mreu preko kune instalacije
Fotonaponski moduli (1), spojeni serijski ili serijski-paralelno, proizvode istosmjernu struju i
meusobno su povezani kabelima u nizove, tzv. viekontaktnim (engl. multi contact) konektorskim sustavom. Svi kabeli koji dolaze od nizova fotonaponskih modula uvode se u razdijelni or-
19
20
mari modula (2) odnosno spojnu kutiju nizova modula sa svom zatitnom opremom, ponajprije
odvodnicima prenapona i istosmjernim prekidaima. Iz razdijelnog ormaria se dovodi od svake
grupe fotonaponskih modula, razvode kabelima istosmjernog razvoda (3) preko glavne sklopke za
odvajanje (4) prema solarnim izmjenjivaima (5). Solarni izmjenjivai pretvaraju istosmjernu
struju solarnih modula u izmjenini napon reguliranog iznosa i frekvencije, sinkroniziran s naponom i frekvencijom mree, te se nastala izmjenina struja prenosi kabelima izmjeninog razvoda
(6) do kunog prikljuka na elektroenergetsku mreu, odnosno elektrinog ormaria, gdje su
smjetena brojila elektrine energije. Brojila elektrine energije (7), smjetena u ormariu brojila,
registriraju proizvedenu energiju predanu u mreu i potroenu energiju preuzetu iz mree.
Fotonaponski sustav prikljuen na javnu mreu preko kune instalacije je u paralelnom pogonu s distribucijskom mreom, a namijenjen je za napajanje troila u obiteljskoj kui, a viak elektrine energije odlazi u elektrodistribucijsku mreu.
Kad solarni moduli ne proizvode dovoljno elektrine energije, napajanje troila u kuanstvu
nadopunjuje se preuzimanjem energije iz mree, slika 3.5. S obzirom na to da instalirani fotonaponski sustavi prikljueni na javnu mreu preko kune instalacije proizvode najvie elektrine
energije sredinom dana, oni podmiruju vlastite potrebe i dobrim dijelom rastereuju elektroenergetski sustav, to moe biti od velike vanosti u podrujima gdje je slaba elektroenergetska mrea.
brojilo predane
el. energije
izmjenjiva
dc/ac
fotonaponski
moduli
javna
mrea
brojilo preuzete
el. energije
prikljuak
na mreu
troila
Slika 3.5. Brojila predane i preuzete elektrine energije
21
U veini se zemalja Europske unije, s obzirom na instaliranu snagu, fotonaponski sustavi prikljueni na javnu elektroenergetsku mreu preko kune instalacije mogu podijeliti na one do 30 kW,
od 30 kW do 100 kW i preko 100 kW. U Republici Hrvatskoj za sada vrijedi podjela prema instaliranoj snazi do 10 kW, od 10 kW do 30 kW i preko 30 kW.
3.2.1. Fotonaponski sustavi prikljueni na javnu elektroenergetsku mreu preko
kune instalacije snage do 30 kW
Prva znaajnija primjena fotonaponskih sustava poela je ugradnjom FN sustava na krovove graevina (kose ili ravne) ili ugradnjom u fasade graevina. To su u poetku bili sustavi manjih snaga do
30 kWp, spojeni na javnu mreu preko kune instalacije, (slike 3.7. i 3.8.). Zemlje predvodnice u
ugradnji fotonaponskih sustava, koje su omoguile slobodan pristup otvorenoj javnoj mrei i predaju elektrine energije po povlatenoj cijeni, bile su Njemaka, Austrija, vicarska, Danska i SAD.
22
Za ugradnju veih fotonaponskih sustava na raspolaganju su velike kose ili ravne povrine
stambenih graevina, proizvodnih hala, sportskih dvorana, ugostiteljskih objekata i sl. Na slici
10.12. prikazani su fotonaponski moduli na proizvodnoj hali u Memmingenu, u SR Njemakoj,
instalirane snage 950 kWp, a na slici 3.13. prikazan je jedan fotonaponski solarni krov u mjestu
Rivesaltes u Francuskoj instalirane snage 850 kWp. Ovdje treba istaknuti i dvoranu za audijencije
pape Pavla VI. u Vatikanu, snage 220 kWp, slika 3.14.
23
30 do 40 m2 povrine za jedan kW snage, to je oko tri do etiri puta vie u odnosu na kristalne
module, ili est puta vie u odnosu na module od tankog filma, instalirane na kosim krovovima.
fotonaponski moduli
izmjenjiva dc/ac
brojilo predane
elektrine energije
javna
elektroenergetska
mrea
24
Jedan vei solarni park izravno prikljuen na javnu elektroenergetsku mreu prikazan je na
slici 3.18. Taj solarni park, nazvan "Zeithain", nalazi se u mjestu Zeithain u saveznoj dravi Sachsen u Njemakoj i ima instaliranu snagu 12 MWp. Na slici 3.19. prikazan je solarni park "Almeria"
koji se nalazi u istoimenom mjestu u panjolskoj, a nazivne je snage 15 MWp.
3.3.3. Fotonaponski sustavi izravno prikljueni na javnu elektroenergetsku
mreu snage vee od 30 MW
Na slici 3.20. prikazan je jedan veliki solarni park snage 40 MWp, nazvan "Waldpolenz", a instaliran je u mjestu Brandis, na mjestu nekadanje vojne zrane luke, u saveznoj dravi Sachsen u Njemakoj. Instalirani su moduli od tankog filma tvrtke First Solar na povrini 110 hektara, to odgovara veliini oko 200 nogometnih terena. Oekuje se godinja proizvodnja od 40 milijuna kWh
elektrine energije i pri tome e se utedjeti oko 25 000 tona staklenikog plina ugljikova dioksida.
Cijena investicije iznosila je 130 milijuna eura.
Na slici 3.21. prikazana je fotonaponska elektrana snage 53 MWp, nazvana Solarni park Lieberoser Heide, do sada najvea u Njemakoj. Nalazi se u mjestu Turnow-Preilack, na nekadanjem vojnom poligonu u Brandenburgu. Oekuje se godinja proizvodnja od 52 milijuna kWh
elektrine energije i pri tome e se utedjeti preko 30 000 tona ugljikova dioksida. Cijena investicije iznosila je 160 milijuna eura.
Slika 3.22. Primjeri ugradnje fotonaponskih modula od tankog filma kadmijeva telurida (CdTe)
25
Oekuje se da e cijena fotonaponskih modula od tankog filma, zbog znatno manjeg utroka materijala za izradu elija i mogunosti proizvodnje velikih koliina elija, daleko bre padati u odnosu
na fotonaponske module od monokristalnog i polikristalnog silicija. To e prema prognozi Europskog udruenja industrije fotonapona (EPIA), zacijelo u budunosti poveati udio ugraenih fotonaponskih modula tankog filma sa skromnih 10 % na predvienih 25 % do 2013. godine
Na slici 3.23. prikazana je graevina koja na svome proelju ima ugraene fotonaponske module od polikristalnog silicija, a na slici 3.24. prikazana je zgrada koja na svome proelju ima ugraene solarne module od solarnih elija tankog filma bakar-indij-diselenida (CIS).
26
Na slici 3.25. prikazan je toranj dizala Kulturnog centara Constance u vicarskoj, koji na junom proelju tornja ima ugraene providne (transparentne) module od solarnih elija bez protureflektirajueg zatitnog sloja, a na slici 3.26. prikazana je zgrada Njemakog udruenja za
gradnju drvetom sa sjeditem u Mnchenu u Njemakoj, s proeljem od ugraenih solarnih modula u tehnologiji staklo-staklo i izolacijsko staklo.
Na slici 3.27. prikazana je jedna zgrada ije je proelje obloeno solarnim modulima u gradu
Kobe u Japanu, a na slici 3.28. prikazano je stubite tornja zgrade Ceramique u Maastrichtu u Nizozemskoj na kojemu su ugraeni providni moduli s izolacijskim staklom.
27
Znamo da na proelja zgrada kao i na krovove (ravne ili kose), tijekom cijele godine dolazi
velika koliina suneva zraenja koja se moe iskoristiti za dobivanje elektrine energije. Dakle,
proelja i krovovi u budunosti nee samo tititi od vjetra i padalina, nego e postati i sustavi za
proizvodnju toplinske i elektrine energije.
Na slici 3.29. prikazan je krov krstionice Epiphanias u Hannoveru u Njemakoj, koji se sastoji
od modula s izolacijskim staklom, a na slici 3.30. prikazan je jedan zimski vrt s poluprovidnim
(engl. semi-transparent) modulima od tankog filma amorfnog silicija [120].
Na slici 3.31. prikazan je krov starakog doma u Strassenu u Luksemburgu, koji se sastoji od
modula s izolacijskim staklom, a na slici 3.32. prikazan je krov Sveuilita za primijenjenu znanost u Bonnu u Njemakoj, izveden od modula s izolacijskim staklom.
Na slici 3.33. prikazan je krov koji se sastoji od modula izraenih u tehnologiji staklo-staklo,
Akademije za usavravanje Ministarstva unutarnjih poslova Njemake u saveznoj dravi RhineWestphalia, a na slici 3.34. prikazan je krov Informacijskog centra za ekoloku gradnju u gradu
Boxtelu u Nizozemskoj, koji se takoer sastoji od izvedenih modula u tehnologiji staklo-staklo.
28
Na slici 3.38. je prikazan je dio autoceste u vicarskoj, s ugraenih 100 kW fotonaponskih modula za proizvodnju elektrine energije i predaju u elektroenergetsku mreu.
29
jedna od vanih zatienih graevina i dvorana za audijencije Pavla VI. u Vatikanu, no ona, unato tome, na svome krovu ima fotonaponske module snage 220 kWp. (Sliku 3.14.)
30
7 m2 9 m2
6 m2 7 m2
7,5 m2 10 m2
9 m2 11 m2
12 m2 17 m2
amorfni silicij
14 m2 20 m2
31
km2
120000
105218
110000
100000
90000
80000
70000
60000
50000
36422
40000
28328
30000
20000
10000
0
8094
2832
Solar
Vjetar
1
Biomasa
Nafta
Plin
Slika 3.48. Usporedba potrebne povrine za proizvodnju elektrine energije iz razliitih izvora
Bez obzira na to je li rije o fotonaponskom sustavu izravno spojenom na javnu mreu ili spojenom na javnu mreu preko kune mree, najvanija i trenutano najskuplja komponenta cijelog
sustava su fotonaponski moduli.
Ostale komponente fotonaponskog sustava (spojna kutija sa zatitnom opremom, kabeli istosmjernog razvoda, glavna sklopka za odvajanje, izmjenjiva dc/ac, kabeli izmjeninog razvoda,
brojila predane i preuzete elektrine energije) jo su uvijek ispod 50 % od ukupne investicije.
Na slici 3.49. prikazan je udio cijene modula u ukupnoj cijeni fotonaponskog sustava iz 2004.
godine, kao i realna predvianja od 2010. godine do 2050. godine. U 2004. godini cijena modula
iznosila je oko 3 eura po vatu vrne snage (/Wp), dok je ostatak sustava, odnosno ostale komponente fotonaponskog sustava, iznosio oko 2 /Wp.
Tijekom idueg razdoblja jasno se vidi da e cijena fotonaponskih modula, kao i ostalih komponenti sustava padati. Tako e 2020. godine cijena modula iznositi oko 1 /Wp dok e isto toliko
iznositi i ostale komponente fotonaponskog sustava. Ve 2030. godine cijene e pasti za 50 % u
odnosu na 2020. godinu, tako da e cijena modula iznositi oko 0,5 /Wp, koliko i ostale komponente fotonaponskog sustava.
Dugorono se predvia da e ukupna cijena fotonaponskog sustava (moduli i ostala oprema
sustava) iznositi oko 0,5 /Wp, to e dati daleko najpovoljniju proizvodnu cijenu elektrine energije u odnosu na bili kojo izvor energije, bio on obnovljiv ili neobnovljiv.
32
Ostatak sustava
/Wp
Moduli
2004
2010
2020
2030
2050
u dvama osnovnim oblicima: kao ipka ili kao ue. Drugi je zadatak gromobranske instalacije da
prihvaenu struju groma sigurno odvede od hvataljke u zemlju. Za to se postavlja jedan ili vie
odvoda. Oni moraju izdrati zagrijavanje uzrokovano prolaskom struje groma kroz njih. Trea im
je zadaa da se struja groma to bolje odvede u zemlju. Za to slue uzemljivai koji se ukapaju u
zemlju i spajaju na odvod. Njihov otpor mora biti to manji kako bi i pad napona na njima zbog
prolaska struje groma bio to manji. Odvod gromobrana ima upravo taj napon i ako on nije dovoljno malen, mogu nastati preskoci s odvoda prema drugim predmetima u blizini, pogotovo onima koji su uzemljeni na drugaiji nain, kao npr. vodovodne ili plinske instalacije.
Da se ne bi dogodili takvi povratni preskoci, nastoji se otpor uzemljenja, a time i pad napona na
njemu, izvesti to manjim. esto se i provodi mjera izjednaavanja potencijala. To znai da se
elektriki poveu uzemljiva i metalni dijelovi koji dolaze iz okoline. Na taj su nain sprijeeni
preskoci koji bi mogli nastati zbog razlike napona na gromobranu i drugim uzemljenim dijelovima.
Kod postavljanja fotonaponskih modula na krov kue s postojeom gromobranskom instalacijom, oteenje se fotonaponskog sustava minimizira doputenom udaljenou izmeu fotonaponskih modula i gromobranske instalacije, kao to prikazuje slika 3.50. Udaljenost izmeu
fotonaponskih modula i gromobranske instalacije na krovu treba biti vea od 0,5 m. Ako nije mogue ostvariti udaljenost veu od 0,5 m, potrebno je fotonaponske module vodljivo spojiti s gromobranskom instalacijom koja je spojena s uzemljenjem, da struja udara groma ne bi tekla konstrukcijskim okvirom fotonaponskih modula.
3.12.2. Izjednaenje potencijala
Izjednaenje potencijala je galvansko povezivanje svih metalnih masa. Vodi za izjednaenje potencijala prikljuuje sve metalne vodove objekta na sabirnicu za izjednaenje potencijala. Pri tome
postoji mogunost da se meusobno spaja vie vodova koji se onda prikljuuju preko glavnog vodia za izjednaenje potencijala na sabirnicu izjednaenja potencijala. Vodi za izjednaenje potencijala oznaava se kao zatitni vodi zelenoutom bojom.
33
34
Glavno izjednaenje potencijala obuhvaa cijeli objekt, a izvodi se zbog sprjeavanja unoenja
opasnih vanjskih potencijala u objekt, zbog sprjeavanja pojave razlike potencijala u objektu u
kojem uvijek postoji velik broj instalacija s vodljivim dijelovima koje nije mogue meusobno
izolirati. Kada se u zgradi izvede glavno izjednaenje potencijala, cijela zgrada ini jedan siguran
sustav u kojemu je mala vjerojatnost pojave opasnih napona dodira. U svakom objektu mora postojati sabirnica za izjednaenje potencijala i na nju se spajaju svi vodljivi dijelovi: zatitni vodii
PE, PEN vodii i glavni zemljovod, uzemljenja, cijevi i metalni dijelovi drugih instalacija u zgradi
kao i metalni dijelovi konstrukcije zgrade. Glavno se izjednaenje potencijala izvodi vodiima iji
presjek ne smije biti manji od polovice presjeka najveega zatitnog vodia u objektu, ni manji od
6 mm2 za Cu, a ne mora biti ni vei od 25 mm2 za Cu.
3.12.3. Odvodnici prenapona
Prenapon se javlja u sluaju izravnog udara groma u objekt, udara groma u fazni ili dozemni vodi
dalekovoda, atmosferskog izbijanja oblak-oblak ili induciranog napona u sekciji niskog napona.
Odvodnici prenapona predstavljaju zatitu od atmosferskih izboja za mreno vezani izmjeniva,
kao i za ostalu opremu koja se nalazi u objektu.
Mreno vezani izmjenjiva titi se od atmosferskih pranjenja, koja se mogu pojaviti na
okvirima fotonaponskih modula koji su postavljeni na krovu graevine, odvodnikom prenapona
na istosmjernoj DC strani, to je na slici 3.50. oznaeno brojem 1. Odvodnici prenapona na
izmjeninoj strani AC tite mreno vezani izmjenjiva i ostala troila u graevini od prenapona
koji dolaze iz elektrine mree, to je na slici 3.50. oznaeno brojem 5 ili 3. Odvodnici prenapona
na istosmjernoj DC strani odabiru se prema naponu praznog hoda fotonaponskog izvora (ukupnog
broja spojenih modula). Odvodnici prenapona na istosmjernoj i na izmjeninoj strani, kao i okviri
fotonaponskih modula, spajaju se na sabirnicu za izjednaenje potencijala.
Ako je udaljenost izmeu prikljuno sabirnikog polja fotonaponskih modula i izmjenjivaa
DC/AC manja od 25 m, preporuuje se da se samo na jednom mjestu ugradi odvodnik prenapona.
Na slici 3.51. prikazan je fotonaponski sustav s ugraenim odvodnicima prenapona u neposrednoj
blizini izmjenjivaa i prikljunog sabirnikog polja fotonaponskih modula. Dakle, zatita mora biti
osigurana ne samo na izlaznoj strani izmjenjivaa, nego i na izlaznoj strani fotonaponskih modula.
Na primjeru TN-S sustava, kako prikazuje slika 3.51., vod faze L i neutralnog vodia N preko
AC odvodnika prenapona spojeni su sa zatitnim vodiem PE. PE vodi je spojen na sabirnicu za
izjednaenje potencijala, a ona je spojena na gromobransku instalaciju koja vodi na uzemljiva
graevine. Na slici su prikazane dvije grupe DC odvodnika prenapona. Prva se grupa postavlja
neposredno u spojnoj kutiji fotonaponskih modula i odvodi atmosferski prenapon s fotonaponskih
modula u uzemljiva. Druga se grupa postavlja na kraju istosmjernog kabela prije spajanja na
mreno vezani izmjenjiva. Ona titi mreno vezani izmjenjiva od induciranog napona u sekciji
niskog napona.
3.12.4. Uzemljivai i sustavi uzemljenja
Bitan dio gromobranske instalacije je i uzemljiva. On mora dobro provesti struju groma u zemlju, drugim rijeima njegov otpor mora biti to manji. Taj otpor ovisi o karakteristikama zemljita
u koje se ukopava uzemljiva i o geometriji samog uzemljivaa. Karakteristika zemljita bitna za
izvedbu dobrog uzemljivaa jest specifini otpor tla, a on se definira kao otpor koji struji prua
kocka od homogenog zemljita s veliinom stranica od 1 m. Ako je specifini otpor vei, onda se
mora ii na izvedbu uzemljivaa veih dimenzija, kako bi se ukupni otpor smanjio.
Ako konstrukcija fotonaponskih modula nije vodljivo spojena s gromobranskom instalacijom
ili sama kua nema gromobransku instalaciju, potrebno je konstrukciju fotonaponskih modula izravno spojiti s uzemljenjem.
Uzemljivai najee dolaze u sljedeim izvedbama: trakasti (u obliku metalne trake koja se
zakapa u zemlju, a traka je najee od pocinanog elika, rjee od bakra), tapni (u obliku metalne ipke ili cijevi koja se ukopa okomito u zemlju) i temeljni (metalni vodii koji se postavljaju u
temelje objekta i preko velike povrine betona dolaze u kontakt s okolnom zemljom).
Prilikom prolaska struje kroz uzemljiva i njezina daljnjeg rasprostiranja kroz zemlju, stvara
se na zemlji raspodjela potencijala najee u obliku tzv. potencijalnog lijevka. To znai da je potencijal najvii uz sam uzemljiva, a s poveanjem udaljenosti od uzemljivaa naglo opada. To je
logino, jer struja pravi najvei pad napona dok se rasprostire na malom podruju oko uzemljivaa. Kad od njega malo odmakne, ima pred sobom mnogo veu povrinu i stoga manji otpor pa su i
padovi napona manji.
35
36
snaga, MW
26000
24000
22893
22000
20000
18000
15677
16000
14000
12000
9360
10000
8000
6929
5323
6000
4000
2000
1166
1428
1761
2229
1999
2000
2001
2002
2823
3924
0
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Ostatak svijeta; 6%
Juna Koreja; 2%
USA; 7%
Japan; 7%
Europa; 78%
Slika 3.53. Trini udjeli fotonaponskih sustava u svijetu 2009. godine
U svijetu je 2009. godine instalirano 7,2 GW fotonaponskih sustava. Ovome je znatan doprinos
dalo snano razvijeno europsko trite fotonaponske tehnologije. U Europskoj uniji instalirano je
2009. godine 5,6 GW, to je 78 % ukupno instaliranih fotonaponskih sustava te godine u svijetu.
U Europi dominira Njemaka, koja je 2009. godine instalirala novih 3800 MW, to je 53 %
fotonaponskih sustava instaliranih u svijetu, odnosno 68 % instaliranih fotonaponskih sustava u
Europi te godine. Njemaka, s ukupno 10 000 MW fotonaponskih sustava, uvjerljivo je na prvom
mjestu, ne samo u Europi nego i u svijetu.
Iza Njemake s 3800 MW u 2009. godini dolazi Italija sa 730 MW, eka Republika s 411 MW,
Belgija s 292 MW, Francuska s 185 MW itd. (Tablica 3.1.)
Tablica 3.1. Godinji pregled i udjeli pojedinih zemalja u tritu fotonaponskih sustava do 2014. godine
Oznaka
2007. 2008.
2009. 2010.P 2011. P 2012. P 2013. P 2014. P
EPIA*
18
50
292
140
160
200
220
240
EPIA**
200
220
240
260
280
Bugarska
EPIA*
0
2
7
15
40
60
80
100
EPIA**
20
100
150
200
250
eka
EPIA*
3
51
411
900
100
130
150
175
EPIA**
1000
425
450
475
500
Francuska
EPIA*
11
46
185
500
540
580
620
660
EPIA**
700
860
1100
1200
1300
Njemaka
EPIA*
1107
2002
3800
3000
3000
3000
4000
4000
EPIA**
4500
4000
4000
5000
5500
Grka
EPIA*
2
11
36
100
125
145
165
190
EPIA**
115
250
400
450
585
Italija
EPIA*
70
338
730
900
950
1000
1100
1200
EPIA**
1200
1250
1500
1750
2000
Portugal
EPIA*
14
50
32
70
75
80
85
90
EPIA**
100
150
180
220
250
panjolska
EPIA*
560
2605
69
600
500
550
605
675
EPIA**
650
750
820
940
1060
UK
EPIA*
4
6
10
20
80
150
200
250
EPIA**
40
100
200
350
500
Ostatak
EPIA*
16
92
46
45
100
200
300
400
Europe
EPIA**
190
300
650
950
1250
Ukupno
EPIA*
1806
5252
5618
6290
5670
6095
7525
7980
EU
EPIA**
8715
8405
9690 11795 13475
Kina
EPIA*
20
45
160
160
250
300
400
600
EPIA**
600
1000
1250
1800
2500
Indija
EPIA*
20
40
30
50
100
150
200
250
EPIA**
300
500
700
900
1500
Japan
EPIA*
210
230
484
700
900
1000
1100
1200
EPIA**
1200
1800
2000
2200
2400
SAD
EPIA*
207
342
477
600
1200
1500
2000
3000
EPIA**
1000
2000
3000
4500
6000
Ostatak
EPIA*
168
373
447
380
400
480
590
700
svijeta
EPIA**
900
1700
2450
3400
4100
Ukupno
EPIA*
625
1030
1598
1890
2850
3430
4290
5750
bez EU
EPIA**
4000
7000
9400 12800 16500
UKUPNO
EPIA*
2430
6283
7216
8180
8520
9515 11825 13810
EPIA**
12715 15405 19090 24595 29975
EPIA European Photovoltaic Industry Association (Europsko udruenje industrije fotonapona)
EPIA* umjereni rast
EPIA** politika potpora
2010.P do 2014.P procijenjene vrijednosti
Zemlja
Belgija
U tablici 3.1. ujedno je dana i projekcija razvoja fotonaponske tehnologije Europskog udruenja industrije fotonapona (EPIA) od 2010. do 2014. godine sa umjerenim i ubrzanim rastom, uz
politiku potporu parlamenata. Vidljivo je da se uz politiku potporu, koja i sada postoji u veini
zemalja, moe oekivati 2014. godine novih 30 GW fotonaponskih sustava, dok bi to uz umjereni
rast iznosilo svega 14 GW.
U sluaju vee politike odgovornosti prema globalnom zatopljenju i klimatskim promjenama
te uz politiku potporu fotonaponskim tehnologijama, europsko bi trite fotonapona zabiljeilo
rast sa 5,6 GW u 2009. godini na 13,5 GW u 2014. godini.
37
38
Baza podataka za mediteranske zemlje, Afriku i jugozapadnu Aziju sadri prve dvije grupe razina kao i za Europu (geografski podaci i klimatski podaci) ali rezolucije 2 2 km.
Slika 4.3. prikazuje izbornik odabira vrste i broja modula za odreenu lokaciju na kojoj je instaliran fotonaponski sustav, kao i kut nagiba i azimut modula simulacijskog programa Sunny Design; V1.31 tvrtke SMA iz Njemake. Bitno je napomenuti da se za lokaciju mogu odabrati razne
zemlje i gradovi diljem Europe i svijeta. Takoer se mogu uzeti razliite vrste modula od razliitih
proizvoaa te s odreenim brojem fotonaponskih modula dobiti eljenu snagu FN sustava.
Navedeni programi uglavnom provode simulaciju, tj. dimenzioniranje fotonaponskog sustava
za odreenu lokaciju, na temelju ulaznih parametara sustava, kao to su snaga FN generatora, vrsta modula i kut nagiba modula, vrsta i snaga izmjenjivaa. Nakon provedene simulacije dobiva se
zavrno izvjee s rezultatima simulacije.
39
40
Slika 4.3. Odabir modula simulacijskim programom Sunny Design; V1.31, SMA
PR =
Est
EFN
gdje je:
Est stvarno dobivena energija iz fotonaponskog sustava, kWh
EFN dobivena energija iz fotonaponskih modula, kWh
e
gdje je:
EZ upadna energija suneva zraenja na module, kWh/m2
m stupanj djelovanja modula
Am povrina modula, m2
41
Primjer:
Fotonaponski moduli povrine 80 m2 postavljeni su na krov graevine pod kutom 30 i azimutom
0. Stupanj je djelovanja modula m = 0,13. Omjer uinkovitosti PR iznosi 80 %. Koliko e godinje elektrine energije dati fotonaponski sustav nazivne snage 10 kWp ako je instaliran u Zagrebu, Zadru, Varadinu, Splitu, Sisku, Rijeci, Puli, Osijeku, Hvaru i Dubrovniku te koliko iznosi
specifina godinja proizvedena elektrina energija za navedene gradove?
Rjeenje:
Za navedene gradove uzet emo srednju dnevnu ozraenost prema jugu nagnute plohe pod kutom
od 30 i azimutom 0 (vidi Majdandi; Solarni sustavi Teorijske osnove, projektiranje, ugradnja i primjeri izvedenih projekata pretvorbe energije sunevog zraenja u elektrinu, toplinsku i
energiju hlaenja, Nakladnik Graphis d.o.o., Zagreb). Grubo moemo uzeti upadnu energiju suneva zraenja za navedene gradove sa karte srednje godinje ozraenosti vodoravne plohe ukupnim sunevim zraenjem u Republici Hrvatskoj (vidi: Dodatak).
Temeljem zadanih parametara, a pomou gore navedenih jednadbi, moemo izraunati elektrinu energiju koju e godinje dati fotonaponski sustav nazivne snage 10 kWp instaliran u nekoliko gradova u Republici Hrvatskoj. Ti su rezultati, kao i specifina godinja proizvedena elektrina energija za navedene gradove, prikazani u tablici 4.1.
Tablica 4.1. Dobivena elektrina energija iz fotonaponskog sustava nazivne snage 10 kWp
instaliranoga u nekoliko gradova u Republici Hrvatskoj
upadna energija
suneva zraenja na
nagnute module,
EZ, kWh/m2
dobivena energija
iz fotonaponskih
modula,
EFN, kWh
Zagreb
1 370
14 248
11 398
1 140
Zadar
1 660
17 264
13 811
1 381
Varadin
1 330
13 832
11 066
1 107
Split
1 720
17 888
14 310
1 431
Sisak
1 350
14 040
11 232
1 123
Rijeka
1 470
15 288
12 230
1 223
Pula
1 580
16 432
13 146
1 315
Osijek
1 370
14 248
11 398
1 140
Hvar
1 780
18 512
14 810
1 481
Dubrovnik
1 710
17 784
14 227
1 423
grad
42
Napomena:
Ovo vrijeme otplate vrijedi u sluaju da su uloena vlastita financijska sredstva, a ako su sredstva
dobivena od banke, vrijeme otplate fotonaponskog sustava u tom sluaju kree se izmeu 8 i 12
godina, ovisno o dogovorenim kamatama.
Dodatak
Karte ozraenosti vodoravne plohe ukupnim sunevim zraenjem u Republici Hrvatskoj
43
44
45
46
47
48
49
Autor:
Doc. dr. sc. Ljubomir Majdandi, dipl. ing.
HSUSE Hrvatska struna udruga za sunevu energiju
Izdava:
Tehnika kola Ruera Bokovia u Zagrebu
Srednja kola Oroslavje
Tehniki urednik:
Mario Lesar, graf. ing.
Dizajn i promocija:
Culmena d.o.o.
Web adresa:
www.ipa-oie.com
Ovaj projekt
financiran je od
Europske unije
Ova publikacija izraena je uz pomo Europske unije.
Za sadraj ove publikacije odgovorna je Srednja kola
Oroslavje i ne odraava stavove Europske unije.
Ljubomir Majdandi
FOTONAPONSKI
SUSTAVI
Prirunik
Vie o projektu na www.ipa-oie.com