PLAZMA DESTEKL CVD (PECVD)

CVD NEDR?

Film ktrme ilemi bir inert gaz iinde buharlatrlm reaktifler ile doldurulmu bir kamara
ierisinde kimyasal bir reaksiyon balatlr

Enerji verilmesiyle ortamda dank halde bulunan reaktiflerin reaksiyonuna sebep olur ve
bylece hedeflenen yzey zerinde istenen filmin oluturulmas salanr.

CVD BASAMAKLARI
a) Gaz faz Difsyonu

a) Gaz faz Difzyonu

b) Gaz faz Reaksiyonu

b) Gaz faz Reaksiyonu

c) Absopsiyon

c) Absorpsiyon

d) Yzey Reaksiyonu

d) Yzey Reaksiyonu

e) Yzey Difzyonu

e) Yzey Difzyonu

f)

f)

Kristal kafesle birleme

Kristal kafesle birleme

g) Adsorpsiyon

g) Adsorpsiyon

h) Gaz faz Difzyonu

h) Gaz faz Difzyonu

ETL CVD TPLER

APCD (sade CVD, Atmospheric Pressure CVD): Yksek scaklkta fakat atmosferik
basn seviyesinde (105 Pa) uygulanan bir ktrme eididir.

LPCVD (Low Pressure CVD): ktrme oran ve uniform yap elde edebilmek iin vakum
altnda (<10 Pa) uygulanan bir ktrme eididir.

PECVD (Plazma Enhanced CVD Plazma Destekli CVD): Olduka dk scaklklarda

yaplan ktrme eididir.

SORU

Dier CVD tipleriyle karlatrldnda PECVD tekniinin avantaj/dezavantajlar nelerdir?

APCVD Reaktr

Avantajlar;
- Kaliteli sonu
- Uniform yap
- Uzun numunelere uygulanabilir

Dezavantajlar;
- Hzl gaz ak
- Sk temizleme

LPCVD Reaktr

Avantajlar:
- Mkemmel bir niform yap
- Ykleme boyutu byk
- Byk yzeylere uygulanabilir

Dezavantajlar:
- Dk ktrme oran
- Toksik, korozif veya yanc gazlar

PECVD Reaktr

50 KHz ~ 13,56 MHz g kayna

Vakum: 0,1 ~ 5 torr

Avantajlar;
- Dk ktrme scakl
- Dk g kayna

Dezavantajlar;
- Kstl kapasite
- Numuneler tekil yklenebilir
- Kolay temizlenebilme

Neden PECVD? (1)

Termal
kelme

Plasma- Termal CVDye gre ok daha

dk scaklk ve basn
enhanced

Film

ncler

Silikon Nitrit

SiH4
SiH2Cl2 ve
NH3

7500 C

200-5000 C

Silikon Oksit

SiH4 ve O2
[veya sk sk
N2O]

350-5500 C

200-4000 C

TEOS ve O2

700-9000 C

300-5000 C

SiH4

550-6000 C

200-4000 C

Amorf silikon

TEOS= Tetra-etil ortosilikat, Si(OC2H5)4

seviyelerinde ktrme ilemi

gerekletirilebilir bir sistemdir.

Neden PECVD? (2)

Plasma destekli ktrme kullanmnn ikinci sebebi de plazmaya maruz kalan yzeylerin
enerjik (aktif) iyon bombardmanna konu olmasdr. Bunlarn kinetik enerjisi birka eVdan
yzlerce eVa kadar eitlendirilebilir.

yon bombardmannn doal olarak ktrlen film zerine ok nemli etkileri vardr. Artan
iyon bombardman daha younlamaya ve film iinde daha fazla gerilmelere sebebiyet verir.

Bununla birlikte, oluan ar gerilmeler kaplama gvenilirliinin zarar grmesine yol aabilir.
Bu gerilme ilem koullarnda deiiklikler, kamara geometrisi veyahut sistem ikazyla
ayarlanabilir.

Neden PECVD? (3)

Plazma Destekli ktrme ileminin son nemli zellii ise reaktrn kolayca
temizlenebilmesi zelliidir. rnein, Florin ieren bir gaz (CF 4) silikon, silikon nitrit, silikon
dioksit plazmalarn tututurarak kamara duvarlar ve elektrotlardan plazma kalntlarn
temizleyebilirsiniz.

Kamara temizlii byk pratik neme sahiptir; kaln filmler kamarann zerinde partiller
oluturabilir ki bu yzeylerden derler ve yar iletken devre desenlerinde bozukluklara
sebebiyet verebilirler.

PECVD Dezavantajlar

Snrl Kapasite;
PECVD sistemlerinde numune tayc altlk zerinde yass bir ekildeyken kaplama yaplr.
LPCVDnin (numuneler dikey yklenir) aksine yalnzca numunenin tek bir yzeyi kaplanabilir.
PECVD tek seferde 1-4 aras numune kaplarken LPCVD 25 numuneye kadar kaplayabilir.

Organik Film ktrme

Plazma Polimerizasyonu

norganik Film ktrme

Amorf Hidrojenize Silikon (a-Si:H)

Silikon Dioksit (SiO2)

Silikon Nitrit (SiN)

Silikon Karbr (SiC)

Poli Silikon (poly-Si)

Diamond Like Karbon (DLC)

Plazma Polimerizasyonu

Atomik proses

Polimerler ou durumda yksek lde

dallanm ve yksek dzeyde
aprazlanmtr

iddetle sistem-baml bir prosestir

Basn, plazma, gaz ak, uygulanan

elektrik k gibi parametreler kontrol
altndadr.

Plazma Polimerizasyonu

Karakterizasyon;
- Mkemmel kaplama, neredeyse tm yzeylerde yapma
- Kimyasal, mekanik ve termal stabilite
- Yksek kimyasal bariyer etkisi

Uygulamalar;
- Kaznmaya direnli kaplamalar
- Korozyondan koruyucu kaplamalar
- Yapmaz, kirlenmez kaplamalar
- Bariyer grevi grecek tabakalar eklinde kaplamalar

norganik Film ktrme

Diamond Like Carbon (DLC)

Radyasyon etkisi ile sertleen zellikte radyasyon nleyici kapak malzemesi retimi. Askeriye
iin cihaz gelitirilebilir.

Amorf Silicon (A-Si)

Gne pillerinin retimi.

Poli Silicon (Poly-Si) Silicon Nitrit (SiN)

A-Silikon ve Poli-Silikon iletkendir ve bunlarn miktarna bal olarak iletkenlik zellii
deiebilir.

Dielektrik ve Poli-Silikon Filmler

En yaygn olarak kullanlan filmler

- Poli-Si, SiO2, Si3N4ve SiNx

En yaygn ktrme yntemleri

- APCVD, LPCVD, PECVD

En yaygn uygulamalar
- Poli-Silikon katkl MOS (Metal Oksit Yariletkenler) Gates
- SiO2 seviyeler aras dielektrik olarak
- Si3N4 difzyon ve sodyum bariyeri olarak
- SiNx ip pasivasyon tabakas olarak

KTRME PROSESLER
rn

Reaktanlar

ktrme Scakl

Silisyum Dioksit

SiH4+ CO2+ H2O

SiCl2H2+ N2O
SiH4+ N2O
SiH4+ NO
Si(OC2H5)4
SiH4+ O2

850-9500 C
850-9000 C
750-8500 C
650-7500 C
650-7500 C
400-4500 C

Silisyum Nitrit

SiH4+ NH3
SiCl2H2 + NH3

700-9000 C
650-7500 C

Plazma Silisyum Nitrit

SiH4+ NH3
SiH4+ N2

200-3500 C
200-3500 C

Plazma Silisyum Dioksit

SiH4+ N2O

200-2500 C

Polisilikon

SiH4

575-6500 C

Poli-Silikon ktrme

Reaktr basnc
- Pompalama hz
- Nitrojen ak
- Sabit bir oran ile toplam gaz akna
baldr

ktrme yeniden retilebilirliinin en iyi

olduu zaman pompalama hz ile
basn kontrol edilebildii zamandr.

Poli-Silikon ktrme

Poli-Silikon filmler 5800 C altnda amorf

kelir.

6250 C stnde Poli-Silikon filmler ok

kristalli ve lamelli yapda kmtr.

SO2 STEP COVERAGE

(a) TEOS 7000 Cde

(b) Silisyum eridi-O2 4500 C ve dk basn
(c) Silisyum eridi-O2 4800 C ve Atmosferik
basn

ktrlm Oksitleri zellikleri

Silikon Dioksitin zellikleri;

kelme

Plazma

SiH4+ O2

TEOS

SiCl2H2+ N2O

Termal

Scaklk

2000 C

4500 C

7000 C

9000 C

10000 C

Kompozisyon

SiO1.9(H)

SiO2 (H)

SiO2

SiO2 (Cl)

SiO2

Termal Stabilite

H Kayplar

Younlama

Stabil

Cl Kayplar

Stabil

Younluk (g/cm3)

2,3

2,1

2,2

2,2

2,2

Refraktif index

1,47

1,44

1,46

1,46

1,46

Gerilme (109
dyne/cm2)

3C-3T

3T

1C

3C

3C

Dielektrik dayanm
(106 V/cm)

3-6

10

10

11

Kaznma Oran,
nm/min (100:1 H2O:
HF)

40

2,5

Dielektrik Sabiti

4,9

4,3

4,0

3,9

ktrlm Nitritlerin zellikleri

LPCVD Nitritleme sitokiyometrik ve

sodyum difzyonu ve oksidasyonuna
kar iyi bir bariyer oluturur.

PECVD nitrit byk miktarda hidrojen

ierir ve HF ile kaznabilir.

Farkl ktrme tekniklerinin karlatrlmas;

Atmospheric
pressure APCVD

Low
temperature
LPCVD

Medium
temperature
LPCVD

Plasma
Enhanced
PECVD

Scaklk (0 C)

300-500

300-500

500-900

100-350

Malzemeler

SiO2

SiO2

Poli-Si

SiNH

Kullanm

Pasivizasyon,
zolasyon

Pasivizasyon,
zolasyon

Gei metal,
zolasyon

Pasivizasyon,
zolasyon

ktlar

Yksek

Yksek

Yksek

Dk

Partikller

Olduka fazla

ok az

ok az

Olduka fazla

Film zellikleri

yi

yi

Mkemmel

Zayf

Dk scaklk

Evet

Evet

Hayr

Evet

zetle
CVD Prosesi

Avantajlar

Dezavantajlar

Uygulamalar

Tipik aralk
(Basn/Scaklk)

PECVD

Dk altlk scakl,
Daha hzl ktrme
oran, yi yapma,
Dk pinhole
younluu

Kimyasal ve partikl
kontaminasyonu,
Snrl kapasite

Metaller zerinde
dk scaklk
izolatrleri, pasivasyon

2-5 Torr/300-4000 C

APCVD

Basn, Dk
scaklkta yksek
ktrme oran.

Partikl
Kontaminasyonu,
Kitlesel tama
kontrolldr

Katkl ve katksz
dk scaklk oksitleri

100-10 KPa/350-4000
C

LPCVD

Mkemmel saflk ve
niform yap, Byk
kamara kapasitesi

Yksek scaklk ve
dk ktrme oran,
Kontroll yzey
reaksiyonu

Katkl ve katksz
yksek scaklk
oksitleri, Silikon
Nitritler, Poli-Silikon

100 Pa/550-6000 C

VLPCVD

Tipik LPCVD zellikleri

Kontroll yzey
reaksiyonu

Tek Kristal Silikon

1,3 Pa

Cevap

Avantajlar:
Daha dk alt yzey scakl, daha hzl kelme oran, iyi yapma, Dk
pinhole younluu.

Dezavantajlar:
Kimyasal ve partikl kontaminasyonu, snrl kapasite.

KAYNAKLAR
http://cape.uwaterloo.ca/che100projets/vapourdep/sld001.htm
http://www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/Fundamentals_of_CVD.html
http://www.batnet.com/anigmatics/semiconductor_processing/CVD_Fundametals/plasmas/plasma_deposition.html
http://www.eurobonding.org/Englisch/Oberflaechen/Plasma_polymerization.htm
http://www.vergason.com/pdfDocs/VTI%20papers,%20Plasma%20Polymerization,%20Theo%20Prac_.pdf
http://www.plasmaequip.com/WHAT%20IS%20PECVD.pdf
http://www.engr.sjsu.edu/lhe/lectures/lecture%205(chap%2011-20II).pdf