Poluprovodniki materijali

Katedra za elektroniku

Poluprovodnici
Savremene elektronske komponente preteno se
izrauju od poluprovodnikih materijala. Kao to
sam naziv sugerie, njihova elektrina provodnost je
vea nego kod izolatora, a manja nego kod
provodnih materijala.
Materijali koji poseduju eljene osobine su
elementi IV grupe periodnog sistema (Si, Ge), ili
legure koje sainjavaju elementi razliitih grupa.
Poluprovodniki element

Poluprovodnika legura

Si

Silicijum

GaAs

Galijum-arsenid

Ge

Germanijum

GaP

Galijum-fosfid

AlP

Aluminijum-fosfid

AlAs

Aluminijum-arsenid

InP

Indijum-fosfid

Kristalna reetka silicijuma

Elementarni silicijum, koji je najrasprostranjeniji i
najvie korien poluprovodniki materijal kristalie
inei dijamantsku kristalnu reetku u kojoj je svaki
atom silicijuma okruen sa po 4 neposredna suseda
na jednakim udaljenostima.
Susedni atomi silicijuma meusobno su povezani
kovalentnim vezama

3D prikaz

2D prikaz

Generacija i rekombinacija
Kovalentne veze formiraju parovi elektrona koji pripadaju
valentnim zonama susednih atoma silicijuma u reetki. Da bi
elektron preao iz valentne u provodnu zonu, potrebno mu je
saoptiti energiju kojom se savladava energetski procep.

Prilikom prelaska elekrona iz valentne u provodnu zonu, na

valentnom nivou ostaje upljina koja se tretira kao nosilac
elementarnog pozitivnog naelektrisanja i koja pored slobodnog
elektrona takoe moe uestvovati u provoenju struje.
Proces formiranja para elektron-upljina izazvan prelaskom
elektrona iz valentne u provodnu zonu naziva se generacija, a
suprotan proces rekombinacija.

Sopstveni poluprovodnik
ist kristal silicijuma u kojem je zanemarljiva koncentracija
primesa drugih elemenata predstavlja tzv. sopstveni
poluprovodnik (engl. intrinsic semiconductor).
U sopstvenom poluprovodniku procesi generacije i
rekombinacije se spontano odvijaju usled dejstva toplotne
energije. Koncentracije slobodnih elektrona i upljina su jednake
i date su izrazom:

ni pi A T 3 e

Eg
k T

o ni je koncentracija slobodnih elektrona, odnosno broj slobodnih elektrona po

jedinici zapremine u sopstvenom poluprovodniku
o pi je koncentracija upljina u sopstvenom poluprovodniku
o A je konstanta koja zavisi od tipa poluprovodnikog materijala, za Si iznosi
1.08 1031 3 6
o T je apsolutna temperatura (u stepenima Kelvina)
o Eg je veliina energetskog procepa, za Si iznosi = 1.12
o k je Bolcmanova konstanta, = 8.62 105

Primer: za silicijum na sobnoj temperaturi (T=300K)

= = 6.72 109

( )
3

Primesni poluprovodnik
Na elektrinu provodljivost silicijuma mogue je uticati
unoenjem primesa drugih elemenata u kristalnu reetku. Proces
unoenja primesa naziva se dopiranje, a atomi primesa
dopanti. Kao koriste se elementi III i V grupe periodnog sistema:
III
B (bor)
Al (aluminijum)
Ga (galijum)
In (indijum)

V
N (azot)
P (fosfor)
As (arsenik)
Sb (antimon)

Atomi elemenata V grupe imaju 5 valentnih elektrona. Od toga,

4 elektrona uestvuju u formiranju kovalentnih veza sa susednim
atomima silicijuma, a peti elektron postaje slobodan i prelazi u
provodnu zonu. Zbog doniranja elektrona, ovakve primese se
nazivaju donorima.
Sa druge strane, atomi elemenata III grupe imaju 3 valentna
elektrona. Njihovim unoenjem u kristalnu reetku se uvode
nove upljine, usled ega se ovakve primese nazivaju
akceptorima.

Koncentracija nosilaca naelektrisanja

U poluprovodniku koji je dopiran donorima, akceptorima, ili ak
primesama oba tipa (tzv. kompenzovani poluprovodnik), kao
nosioci naelektrisanja istovremeno su prisutni termiki generisani
elektroni i upljine, elektroni koji potiu od donorskih primesa i
upljine koje potiu od akceptorskih primesa. Prilikom izraavanja
koncentracija nosilaca koriste se sledee oznake:
o
o
o
o
o
o

- koncentracija elektrona u sopstvenom poluprovodniku

- koncentracija upljina u sopstvenom poluprovodniku
ukupna koncentracija elektrona u primesnom poluprovodniku
ukupna koncentracija upljina u primesnom poluprovodniku
- koncentracija donorskih primesa
- koncentracija akceptorskih primesa

U uslovima termike ravnotee, vai zakon dejstva masa:

= 2

Poto je kristalna reetka poluprovodnika u celini elektrino

neutralna (tj. + = ), vai i zakon odranja naelektrisanja:
+ = +

Tipovi poluprovodnika
Primenom zakona dejstva masa i zakona odranja naelektrisanja
dobijaju se izrazi za koncentracije elektrona, odnosno upljina:
n p ni p
2

ni2
n

ni2
ND n N A
n
2
n 2 ( N A N D ) n ni 0
n1/ 2

( N D N A ) ( N D N A ) 2 4ni
2

(N N A )
N NA
2
n D
D
ni
2
2

(N A ND )
N ND
2
A
ni
2
2

Mogui sluajevi:

a) Sopstveni poluprovodnik:

N D N A 0 n p ni

b) Poluprovodnik n-tipa:

n ND

n2
N D N A N D N D ni
p i

ND

c) Poluprovodnik p-tipa:

p NA

n2
N A N D N A N A ni
n i

NA

d) Dopirani poluprovodnik gde je

ni N A N D n p ni

Temperaturna zavisnost koncentracije elektrona u

poluprovodniku n-tipa

Na niskim temperaturama, donorski atomi su nepotpuno jonizovani, poto deo

elektrona ostaje zamrznut (nepobuen). Koncentracija elektrona je manja od
koncentracije donora, pa se ovaj temperaturni opseg naziva opsegom nepobuenih
nosilaca.
Sa poveanjem temperature, donori se potpuno jonizuju. Koncentracija elektrona
priblino je jednaka koncentraciji donora. Ovo je tzv. primesni opseg, odnosno radni
opseg u kojem uobiajeno rade elektronske komponente.
Na visokim temperaturama, koncentracija termiki generisanih parova elektronupljina poinje da dominira nad koncentracijom donora, pa poluprovodnik ulazi u
sopstveni opseg, gde se ponaa priblino kao sopstveni poluprovodnik.