Universiteti pr Biznes dhe Teknologji

Menaxhim dhe Mekatrronik

Detyra pr ushtrime nga Bazat e elektriks dhe elektroniks pr studentt e UBT

2012 Dardan Husi

Gjakov 2014
1.1Gjeni rrezistencen totale ndrmjet piks A dhe B t qarqeve t mposhtme

fig1.1

1.2 Gjeni rrezistencen equivalente t qarqeve t mposhtme

Fig 1.2

1.3 Paraqitni grafikisht varshmerin V-I (burim-tension) t qarqeve t mposhtme

 2.Ndaresit e tensionit dhe ndarsit e burimit

2.1 Gjeni rrjedhjet prgjat 1 dhe 2

Fig 2.1

2.2 N qarkun e mposhtm rrjedhja totale I=2A.Nse R1=10K dhe R2=30K,Gjeni I1dhe I2

Fig 2.2

2.3 N fig 2.2 nse I=5A,R2=10 dhe I=12A gjeni vlern e R1?

2.4 Gjeni R1 ne fig.2.3

 Fig 2.3

2.5 Gjeni rrjedhjet I1,I2 dhe I3 si shihet n fig 2.4

fig2.4

2.6 Nse rrezistenca totale e qarkut t mposhtem sht 1

(i)Gjeni vlern totale t R
(ii)Gjeni rrjedhjet I1 dhe I2 dhe rrjedhjen totale q vie nga burimi,I
 Fig2.5

2.7 Nje rezisotr R sht lidhur n nj burim tensioni prej 100 V.Voltmetri me rrezistenc prej 1500
sht lidhur ndrmjet rrezisotrit dhe njrs an t tensionit.Gjeni R nse vlotmetri trregon 150V.

2.8 Logaritni se sa sht tensioni V prgjat rezistorit 5?

Fig 2.6

2.9 Gjeni vlern e V duke u bazuar n:

(i)Ndarsin e tesnsionve
(ii)Ndarsin e burimeve
 Fig 2.7

2.10 Nga ushtrimet paraprake dijim se qarku n vijim ka rezistence totale prej 2.5.
(i)Nse voltmetri tregon n pikn A dhe B: Gjeni(a)Rrjedhjen totale I1
(b) Rrjedhjen I2
(c) Rrjedhjen I3

Fig 2.8
 3 Ligjet e Kirkofit

3.1 Gjeni tensionin dhe (duke e

shprehur si ) pr qarkun n fig 3.1

Fig 3.1

3.2 Duke prdorur ligjet e kirkofit llogaritni (a)rrymm prgjat degve (Konturave) te qarkut t
mposhtm
(b)Potencialin e diferencs 1(p.d) ndrmjet pikave A dhe E.
(c)Pas llogaritjes trregoni se cila pik ka potencial m t madh.

Fig3.2

3.3 Duke prdorur ligjet e kirkofit fitoni vlerat e rryms n fig 3.3

1 Diferenca e potencialit elektrik ndrmjet dy pikave

 Fig 3.3

3.4 Duke u bazuar n ligjet e kirkofit gjeni rrymn n seciln deg (kontur) t qarkut t mposhtm

fig 3.4

3.5 Gjeni:

(a)Rrymat n t gjitha degt(konturat)

e mundshme
(b) p.d ndrmjet piks P dhe Q
(c)p.d ndrmjet X dhe Y

fig 3.5
3.6 Gjeni dhe n qarkun e dhne

fig 3.6

3.7 Bazuar n qarkun e dhn :

(a)Trregoni numrin e sakt t nyjave
(b)Supozojm se rryma rrjedh sikur n fig. e mposhtme duke prdorur ligjin e par t Kirkofit
(KCL)shkruani formulat pr njren nga pikat
(c)Trregoni dhe etiketoni numrin e konturave q ekzistojn n qark.Duke prdorur ligjin e dyt t
kirkofit (KVL),shkruani ekuacinoet pr konturat q prfshijn vetm dhe

fig 3.7
3.8 Bashkangjiteni variablat e degve t rryms dhe tensionit t secilit element n qarkun e dhn
duke marr si referenc ne

fig 3.8
(b)Sa KCL (ligji i par ) mund t shkruhen pr kt qark
(c)Sa KVL (Ligji i dyt) mund t shkruhen pr kt qark
(d)Shkruani ekuacionet pr c dhe b

3.9 Nj pjes e qarkut t madh sht trreguar m posht

Vrtetoni se shuma algebrike e rrymave pr kt pjes t qarkut duhet t jet zero.

fig 3.9
 4 Teoremat e Qarqeve
4.1 Bazuar n figuren 4.1 shkruaj ekuacionin pr nyjat.Gjeni tensioniet n nyja dhe prdorni ato
tensione pt ta gjetur rrymn .Pr t minimizuar gabimet dhe lehtsuar prgjigjet sht mir t
prdoren shprehje literale2 para se t bhen zvendsimet e nevojshme.

Fig 4.1

4.2 Gjeni ekuivalentin e Norton n drretjim t tensioneve t trreguar n qarkun e dhn.

Fig 4.2
4.3 Gjeni ekuivalntn e Thvenin pr secilin qark t dhn.

2 Shprehje literale (Literal expression)Shprehje apo ekuacion matematikor ku konstantat shkruhen me shkronja
 Fig 4.3

4.4 Gjeni n (a) dhe (b) duke prdorur rregullat e mbivndosjes(eng.superposition) n fig 4.4

Fig 4.4

4.5 Gjeni n qarkun e dhn duke prdorur rregullat e mbivendosjes(superposition).

Fig 4.5
4.6 Duke prdorur rregulat e mbivendosjes gjeni n fig 4.6

fig 4.6

4.7 Logaritni dhe etiketoni me kujdes ekuivalentin e Thvenin pr qarkun n vijim

fig 4.7

4.8 Logaritni (etiketoni me kujdes) ekuivalentin Norton pr qarkun n figuren 4.8

fig 4.8
4.9 (a)Referohemi tek qarku 4.9.Prpara se rryma prej 10mA I bashkangjitet terminalit rryma
sht 1.5mA.Duke prdorur parimet e superpozits gjeni pasiq burimi sht lidhur.
(b) Verifikoni zgjidhjen duke gjetur , kur t trre burimet punojn njhersh.

fig 4.9

4.10.Gjeni ekuivalentin e Nortonit n terminalet e shnuara si n qarkun 4.10

fig 4.10

4.11 Gjeje ekuivalentin e Thvenin pr qarkuin e dhn n terminalet

 fig 4.11

4.12 Shkruani shprehjen matematikore pr

Fig 4.12

4.13 Qarqet n figur jan ekuivalente (d.m.th kan relacionet t njejta)n terminalet
.Gjeni .

fig 4.13

4.14 Pr qarkun n 4.14 duke prdorur rreguallt e qarqeve (mbivendosjes) gjeni duke prdorur
edhe dhe amplitudat e burimit
 fig 4.14

4.15 Gjeni ekuivalentin e Thvenin pr qarqet e mposhtme n terminalet e shnuara

fig 4.15

4.16 Gjeni n fig 4.16 duke prdorur:

(a)Metodn e nyjeve (Node Method)
(b)Metodn e mbivendosjes
 fig 4.16

4.17 Pr qarkun n vijim caktoni:

(a)Varshmrin e
(b)Vaizatoni qarkun q i prgjigjet ekuivalentit t Thvenin
(c)Vizatoni qarkun q i prgjigjet ekuivalentit t Norton

fig 4.17

4.18 Prdorni t tre metodat e mparshme pr t gjetur n fig 4.18

(a)Metondn e nyjave

fig 4.18
(b)Mbivendosjes
(c)Njrin nga ekuivalencn Norton apo Thvenin
 5.0 Kapacitort dhe fusha elektrike

5.1 Kapacitori(Kondensatori) me kapacitet prej 150F me burim prej 150 V d.c.Gjeni:

(a)Ngarkesn

(b)Energjin e ruajtur

5.2 100 V d.c jan lidhur prgjat kapacitorit(Kondensatorit) me dy pllaka paralele (paralel plate) me kapacitet
prej 0.01F.Siprfaqja efektive e secils pllak sht 100mm2 dhe permitiviteti3 absolut i dielektrikut sht
150pF/m.Gjeni
(a)Densitetin e fluksit elektrik
(b)Intenzitetin e fushs elektrike
(c)Permitivitetin relativ

5.3 Nj burim prej 100V shte lidhur prgjat Kapacitorit me pllaka paralele me siprfaqe efektive prej 75mm2
dhe dielektriku i ajrit sht 7.5 mm.Kalkulaoni:
(a)Potencialin gradient n dielektrik
(b)Kapacitetin
(c)Fluksin elektrik
(d)Densitetin e fluksit elektrik

5.4 Kapacitori I ndrtuar nga dy pllaka paralele t metalit me siprfaqe prej 1000mm2 secila t ndara nga

dielektriku me trashsi prej 0.5mm.I tr kapacitori ka kapacitet prej 500pF dhe burimi prej 200V esht I lidhur

prgjat tij.

>Kalkuloni:(a)Ngarkesn n pllaka

(b)Permitivitetin relativ t dielektrikut

(c)densitetin e fushs elektrike

(d) Energjin e ruajtur

5.5Kapacitori I ndrtuar prej pllakave paralele me kapacitet prej 100pF.Nse siperfaqja e tij efektive do

reduktohet pr 50% dhe diektrikun e dyfishojm sa do t jet vlera e tij e re.

5.6 Distanca e pllakave paralele t Kapacitorit sht 2.5mm me kapacitet prej 5 pF.Caktoni kapacitein kur

hapsira ndrmjet pllakave rritet prej 3.5mm.

5.7NJ kapacitor me ngarkes prej 100 C,nse ruan energji prej 1J gjeni:

3 Aftsia e substancs pr t ruajtur energji elektrike n fushn elektrike

(a)V=?

(b)Vlern e kapacitetit

5.8Burimi prej 15KV I lidhur prgjat terminaleve t kapacitorit q sht i prbr nga pllakt rrethore ku seicila ka

siprfqe prej 150cm2 t ndara nga dielektriku me trashsi prej 2.5mm.Nse kapaciteti i tij sht 1.5pF llogaritni:

(a)Fluksin elektrik

(b)Densitetin e fluksit elektrik

(c)Permitivitetin relativ t dielektrikut(0=8.85x10-12F/m)

5.9Duke br krkime ne internet krijoni nj tabel me t gjtha llojet e dielektrikut dhe qndrruehsmris s tij.

5.1.1 Kapacitort n Seri dhe paralel

5.1.1. Nse I kemi dy kapacitor prej 0.40 mF dhe 0.60 mF.

a) Cila sht vlera e tyre nse I lidhim t dy paralel?
b) Cial sht vlera e tyre nse I lidhim n seri?

5.1.2. Trre kapacitor: 0.20 mF, 0.08 mF and 0.40 mF, jan t lidhur n seri dhe kan t bashkangjitur nj
bateri 12 V., kalkuloni:.
a) Kapacitetin total ?
b) Sa ngarkes akumulohet n secilin kapacitor?
c) Sa sht burimi n secilin kapacitor?
d) Sa ngarkes rrjedh nga batteria?

5.1.3 Ne qarqet e mposhtme gjeni kapacitetin ekuivalent dhe burimin n secilin kapacitor.
 C3 0.30 F

12 V
C1 C2 C3

0.15 F C1 C2 0.25 F 6V 0.20 F

0.30 F

C3 0.30 F

12 V C1 12.0 F

0.15 F C1 C2 0.25 F 1.2 F C2 C3 1.8 F

18 V
C1 C2
C3 3.0 F
1F 1F
C5

C3 C4
2.2 F
C4 4.5 F
1F 1F
C3

2F

C1 C2

C4
2F 2F

2F

C5

3F
 6.0 Induktort,Magnetizmi dhe elktromagnetizimi

6.1 Nj toroid i trreguar n figuren e mposhtme ka rreth 100 dredha preth trrupit t tij n t cilat rryma
qarkullon prej diametrri i mesm i tij (mean diameter) sht 30 cm.Prcaktoni forcn e fluksit magnetik

fig 6.1

6.2 Nj bobin/dredhje (eng coil) me 500 dredhje n nj unaz me material magnetike bart rrym prej 1A.Gjatsia
dhe diametri i hapsirs se fluksit n unaz sht 500mm rrespektivisht 100mm2.Permeabiliteti4 relativ
(deprtueshmria) r=3500 dhe .Gjeni
(a)Densitetin e fluksit magnetic
(b)Reluktancn

6.3 NJ cop e hekurit e gjat prej 150mm dhe me diametr prej 500mm2 dhe permeabilitet relativ prej 550.Gjeni
reluctancn e hekurit .

6.4Nj unaz e ndrtuar nga eliku me diamtr t mesm prej 50cm dhe me siprfaqe trthore(eng cross
sectional area) prej 10cm2.Nse unaza sht mbshtjell me 300 dredhje rreth saj llogaritni rrymn q nevoitet
n kto dredha pr t prodhuar fluks magnetic prej 750Wb.

6.5NJ toroid Perspex5 e ka diametrrin e mesm prej 75 cm dhe siprfaqen terthore 10cm2.Bobina ka rreth
500 dredhje dhe bart rrym prej 5 A. Kalkuloni :
(a) Forcn magnetomotive
(b)Intenzitetin e fluksit magnetic
(c)Densitetin e fluksit
(d)Fluksin total magnetic

6.6 Nj bobin me 1000 dredha t mbeshtjllura pr nj unaz t hekurit me dimaetr t mesm prej 100 cm dhe
siprfaqe trthore prej 7.5cm2.Gjeni rrymn q nevoitet pr t prodhuar densitetin e fluksit prej 1.5T ne unaz.
ka do t ndodh me densitetin e fluksit nse n unazen e hekurit krijojm nj hendek prej 1mm dhe rryma
mbet e njejt.

6.7
(a)Unaza e prbr nga aliazhet e qelikut me diametrin e mesm prej 20 cm dhe siprfaqen trthore prej 6 cm2
n disa teste magnetike sht vrtetuar se reluktanca e unazs sht diku rreth 400.000 A/Wb.Kalkuloni
permeabilitietin (deprtueshmrin) e aliazhit t qelikut n kt rast.
(b)Nj hendek radial sht krijuar n unazn prej aliazhi e cila sht mbshtjell me bobin prej 250
dredjeve.Kur rryma prej 1A kalon npr bobin sht gjetur se reluktanca e ajrit dhe e unazs sht e njet si
nn (a).Kalkuloni fluksin magnetic q sht formuar n unaz.

6.8Vizatoni nj diagram t qart lidhur me konturn e Histerie (Hysteries loop) duke prfshir;
(a)mbetjet densitetit t fluksit Br

4 Deprtueshmria
5 Material I ngjashm me plexigas
(b)Forcat koersive
(c)Fillimin e magnetizimit
(d)Ngopjen e magnetizimit

6.9
(a) Shkruani ekuacinonet pr rrezistencn e telit t bakrit duke prfshir gjatsin dhe siprfaqen trthore duke
shkruar njsit pr seciln madhsi. Jepni vlerat analoge n nj rrjet magnetic dhe shpjegoni termet e secils
madhsi dhe njsive rrespektive
(b)Shkruani ekuacionin pr forcat magnetomotive me njsit e fluksit magnetic,forcs magnetike,permeabiliteit
dhe siprfaqs trthore.Jepni shpjegime analoge me qarqe elektrike.

6.10 Nj prques i gjat 45 cm mabn rrym prej 0.3 A vendoset n fushn magnetike me desnitet prej
1.0T.Kalkuloni forcn n prues

6.11Nj perues lviz me shpejtsi prej 15m/s prgjat fushs magnetike me desitet prej 1T.Kalkuloni
(a)Forcn elektromagnetike pr metr q induktohet n prues
(b)Forcn q vepron n drrejtim t kundrt me forcn nn a) Nse pruesi sht I lihdur n nj qark me
rezistencn totale prej 1.

6.12 NJ bobin prej 1000 dredhave vendoset n fushn magnetike q ndryshon n 15 mWb/s.Prcaktoni sasin
e induksionit elektromagnetik

6.13 NJ bobin me 1000 dredha me lidhje qendrore (center tapped) si n fig e 6.2 sht montuar n nj
brtham magnetike me vet induksion prej 50 mH.Kalkuloni

1000 dredhje

500 dredhje 500 dredhje

fig 6.2

(a)Forcn elektromagnetike (eng e.m.f) t indoktuar kur fluksi ndryshon n 40 mWB/s.

(b)Vet induksionin pr seciln pjes t bobins
(c)vlern e ndryshimit t rryms n bobbin

6.14 Nj rrym e ndryshueshme siq shihet n fig e mposhtme kalon prgjat bobbins q ka induksion prej
500mH
Kalkuloni e.m.f e indoktuar n bobin gjat periudhave

i(A)
A B
10
5

0D C fig 6.3
1 2 3 4 s(ms)
6.15 Fluksi i lidhur n bobinn ndryshon n mnyr t qndrrueshme prej 5mWb n 75 mWb pr 7 ms.Vlera
mesatare e rryms s indokuar (e.m.f) sht 150V.Sa sht numri i dredhave.

6.16 Kalkuloni e.m.f e indoktuar n inductor prej 50mH kur rryma buron prej 200A/s.,pastaj llogaritni energjin
e ruajtur n inductor kurr rryma sht 5A

6.16 Gjeni energjin e ruajtur n induktorin 5H n t cilen rrjedh tensioni prej 1A.

6.17 Duke prdorur rregullat pr lidhje n seri dhe parallel gjeni ekuivalencn e inductorve nse secili indukor
sht 1H.

6.18 Kalkuloni energjin e e ruajtur ne prues 5H n t cilin rrjedh rrym prej 1A

6.19 Nj transformator ideal me shkall zvoglimi prej ka ngarkes t rryms dhe tensionit prej 0.1A dhe 5V
rrespektivisht.Gjeni rrymn dhe tensionin primar
6.20 Transformatori me 5:1 shkall zvoglimi me 240 V furnizim n tensionin primar,dhe me nj ngarkes
sekondare prej 1000.Kalkuloni:

(a)rezistencn n terminalet primare

(b)Tensionin sekondar dhe
(c) Rrymn primare dhe sekondare
 7.0 Analiza e qarqeve jo lineare
7.1 Konsideroni komponentn jo linear me dy terminale n fig 7.1 e cila relacionet I ka t dhna si:
(7.1)

fig 7.1

Tregoni se rritja e ndryshueshme(incrementale) n rrym pr nj rrijte t ndryshueshme

(inkrimentale)t tenisonit ( ) n pikn operative DC VA,IA sht e dhn nga

(Hint:Zvendsoni n ekuacionin 7.1 zgjerohu duke prdorur serit Taylor;injoroni

termet e larta dhe t urdhrit t dyt n ; barzoni DC korresponduese dhe termet e sinjaleve t vogla)

7.2 Supuzojme se komponenti 2 terminal nga shembulli I kaluar (Fig 7.1) ka kto karakteristika vijuese:

a)Gjeni pikn operuese t rryms pr pikn operuese t tensionit ,ku

b)Gjeni ndryshimin inkremental t rryms pr ndryshimin incremental t tensionit n pikn operuese

.

c)N qfar fraksioni ndryshohet nse ka ndryshime n

d)Supozojm se komponenti jolinear sht i anshm (baised) n n vend t ku sht m e madhe

se .Gjeni ndryshimin inkremental n rrym ) pr ndryshimin inkremental ) n pikn e anshme (bias
point).N far fraksioni ) sht e ndryshme nga e llogaritur m heret nn b

e)Gjeni ndryshimin inkremental n rrymn pr nj ndrryshim n parametrat (e prcaktuar nga

)nga vlera nominale e ,duke sopuzuar se vlerat e piks s operimit t

Hint:Vreni se nse sht e mvarur nga parametrat me fjal tjera

ather ndryshimi inkremental pr ndryshimin inkremental n prcaktohet nga

|
7.3 Komponenti jo linear (NLD) n qarkun e dhn ne fig. 7.2 ka relacionet si tregohet m posht.Gjeni
pikn operuese dhe pr

fig 7.2

7.4
(a)Duke pretenduar se dioda sht ideale,paraqit grafikisht karaketeristikat pr n qarkun jolinear n
fig 7.3

fig 7.3

b) Qarku jo linear nga shembulli (a) sht lidhur si n fig.7.4. N grafikun nga shembulli (a) paraqitni grafikisht
(load line6)pr relacionet t komponentit jo inear dhe gjeni

6 Load line n elektronik prdoret pr analiza grafike t qarqeve me komponenete jo lineare duke paraqitur
lidhjen e tyre me komponente tjera,zakonisht prdoret n dioda dhe transistor
 fig 7.4

7.5 Konsiderojm dy gjysm prues apo dioda identike t cilat kan relacionet

a)Gjeni relacionet e pr diodat e lidhura n paralele si n figuren 7.5a

fig 7.5
b) )Gjeni relacionet e pr diodat e lidhura n seri si n figuren 7.5b

7.6Pr qarkun e dhn n fig 7.6 dhe pr vlerat e treguara m posht,skiconi formen valore apo
sinjalin (waveform)7 e .Gjat skicimit tregoni se kur dioda sht e ndezur (diode on) dhe kur dioda
sht e ndalur (diode off)

Fig 7.6

7 Waveform ndryshe njihet si prezantimi I forms s sinjaleve., sinjali sinosuidal,katror,trekndsh,dhmbt e sharrs

7.7Konsideroni qarkun q prmban elemente jolineare N si shihet n fig 7.7.Relacionet pr N
jan t dhna n form t: :

fig 7.7
a)Gjeni pr duke prdorur metodn analitike

b)Gjeni vlerat e piks operuese t tensionit dhe burimit t elementit jolinear pr ku sht pozitive

c)Gjeni ndryshimin inkremental n (t dhn nga pr nj ndryshim incremental n (t dhn nga )

d)Prcaktoni ndryshimin inkremental n tension prgjat resistorit pr nj ndryshim incremenal n hyrje

e)Gjeni ndryshimin inkrmenal nse ne e rrisim pr 2% vlern e

7.8 Qarku n fig 7.8 prmban dy komponente jolineare dhe nj burim rryme.Karakteristikat e dy komponenteve
jan t dhna.Prcaktoni tensionin pr vlerat

fig 7.8

7.9
a)Supozojm se dioda mund t modelohet si nj diode ideale,dhe ,paraqit diagramin e sinjalit valor
pr qarkun n digurn 7.9 duke supozuar se sinjali hyrs sht i forms s trekndshit.Shkruani shprehjen
matematikore pr n termat e

b)Nse sinjali trekndsh ka amplituden maksimale vetm prej dhe nj diode m e sakt duhet
t prdoret.Paraqite diagramin dhe shkruaj shprehejn matematikore pr duke pretenduar se dioda sht
modeluar duke prdorur nj diod ideale n seri me .Vizatoni lakoren e funksionit (transfer curve8)
kundrejt

8 N inxhinieri, nj funksion transferimi (i njohur edhe si funksion i sistemit ose t funksionit t rrjetit dhe, kur paraqitet
ne diagramin grafik lakorja e funksionit (transfer curve) sht nj shprehje matematikore, sa i prket shpeshtsis dhe
frekuencs t prkohshme, e ndrlidhur me hyrjet dhe daljet e sitemit linear invariant me kushte fillestare dhe sitem zero
t ekuilibrimit
Bernd Girod, Rudolf Rabenstein, Alexander Stenger, Signals and systems, 2nd ed., Wiley, 2001, p. 50
 fig 7.9

7.10 Figura 7.10 ilustron nj rregulator t papastr Zener-diode (crude Zener diode)

a)Duke prdorur analizat inkrementale,llogaritni nga grafiku i trreguar shprehjen analitike pr n termat e

b)Duek prdorur karakteristikat e diodes s Zenerit Llogaritni vlern e DC dhe vlern e AC n tensionet dalse

c) Sa sht Thvenin rrezistenca dalse e furnizuesit (power supply) q shihet n terminalet e

Fig 7.10

7.11 Transistori JFET9 me lidhje specifike t trreguar n figuren 7.11a (gate dhe source me lidhje t shkurt s
bashku) vepron sikur paisje dy-terminalshe.Karakteristikat e t paisjes dy-terminalshe t trreguar n fig

The Oxford Dictionary of English, 3rd ed., "Transfer function"

9 JFET(Junction Field Effect Transistor) sht tipi m I thjesht I tranzistorve me ndikim t fushs (Field effect
transistor)Jan gjysm perues 3 terminal q mund t prdoren si siguresa te kontrrolluara n mnyr
elektronike(Electronically controlled switches) amplifikues,apo si resistor pr t kontrrolluar tensionin.Ndryshe nga
tranzistort bipolar q kan Basn Kollektorin dhe emiterin (Base collector emitter)JFET kane Gate Drain
SourceElectronics (fundamentals And Applications) D. Chattopadhyay
7.11b ngopen (saturate)10 n rrymn pr m e madhe se tensioni qe njihet si tensioni kputes
(pinch-off volltage11).N konfigurimin e trreguar Karakteristikat e JFET jan

[ ]

fig 7.11

Si ilustrohet n fig 7.11 c kjo paisje prdoret pr krijuar nj rrym shum t mir dc edhe pse ka prmbajtje
valzore,luhatje(ripple-containing12) nga kutia furnizuese (power supply) e prshkruar si qe vie nga qarqet e

10 Saturate region-kufijt e ngopjes

11 Pinch-off voltage Definohet si tensioni ne gate-to-source n t ciln rryma drain-to-source sht e barabart me zero
IDS = IDSS,
[1- (VGS/VP)]2 n rastin kur IDS = O ,VGS = VP.
12 Ripple containing(luhatje) -Kuptimi m i zakonshm pr ripple containing n fushen elektrike sht variacioni i vogl i

padshiruar I mbetur periodik q prodhon rryma dc nga kutia furnizuese(power supply) qe sht e lidhur me rrymn
alternative (ac) .
zakonshme t rektrifikimit.Supozojm se burimi I tensionit ka nj vler mesatare dhe 60HZ luhatje(ripple
component) siq shihet ne figuren 7.11 d

a)S pari duke pretenduar se nuk ka luhatje ( ).Gjeni rrymen prgjat resistorit si funksion i pr vlerat
e .N far vlere t rryma stabilizohet ne .Si do te ndryshon kjo vler nese dyfishohet.Shpjego.

b)Supozojm se dhe . Pr te gjetur sinjalin e rryms kur dhe =15V jepni

vlera t prafrta t arsyeshme.Prcaktoni n secilin rast vlerat mesatare t rryms madhsin dhe frekuencn
e komponentit m t madh sinosuidal t rryms

7.12 Karakteristikat rym-tension t konvertuesit fotovoltatik t energjis (solar cell) prafrsisht mund t
shprehen si

( )

Ku termet e para karakterizojn didon n errsir,dhe sht termi q prdoret pr intenzitetin e rryms

Fig 7.12

Supuzojme se dhe rreflektimi I drrits

a)Paraqit grafikisht karakterisikta t qelis diellore.Vreni vlerat e tensionit pr qark t hapur dhe vlerat e
rryms pr qark t shkurt.(Sidoqoft kto karakteristika jan jolineare.Sodoqoft,ekuivalentt e Thvenin dhe
Norton nuk aplikohen)

b)Nse kemi dshir ta rrisim fuqin e qelise diellore q qelija ta prcjell tek rezisotri ngarkues,gjeni vleren
optimale t rezistorit.Sa fuqi kjo qeli mund t furnizoj.

7.13

a)Nj paisje jolineare ka karakteristikat e trreguara n fig.7.13.Supozojm se sht nj burim ideal i

tensionit,cila lidhje (i),(ii),(iii) konsumon m shum energji.ka nse S sht burim ideal I rryms

b)Nj paisje tjetr e rndsishme me karakteristika t trreguar n fig 7.14.Nse komponenti A dhe
komponenti C lidhen n seri me burim idela t tensionit ,sa do t jet rryma q rrjedh n kt qark.

Ryder, JD, Bazat elektronike dhe Aplikacionet, Pitman Botime, 1970.

Millman-Halkias, Integruar Electronics, McGraw-Hill Kogakusha, 1972.
Fig 7.13

fig 7.14
7.14N qarkun 7.15,supozojm se ku .Pr m tepr supuzojm se

fig 7.15
a)Gjeni rrymn nse vetm burimi sht i lidhur(d.m.th tensioni sht jasht funksionit )
b)Gjeni rrymn nse vetm burimi sht I lidhur
c)Gjeni rrymn nse t dy burimet jan t lidhura.

7.15 N qarkun 7.16 pr vlerat e dhna

pr ( )

fig 7.16
a)Gjeni ekuivalentin e Thvenin pr qarkun e lidhur n diod

b)Supozojm se percaktimi per bias piken (bias point13)e didoes mund te modelohet nga nje didoe idelae me
.Sa sht kur
c) Gjeni nj model linear t njjt pr kt diod t vlefshme per sinjalin e vogel inkremental qe vepron ne bias
piken (bias point)e percaktuar ne b

d)Perdore modelin nga pjesa c)pr ta gjetur nse

13Bias point-Biasing n elektronik sht metoda e krijimitt tensione t paracaktuara apo rrymave n pikat t ndryshme
t nj qarku elektronik, me qllim t krijimit t kushteve t prshtatshme operative n komponentet elektronike.
Sedra, Adel; Smith, Kenneth (2004). Microelectronic Circuits. Oxford University Press. ISBN 0-19-514251-9.
P.K. Patil;M.M. Chitnis (2005). Basic Electricity and Semiconductor Devices. Phadke Prakashan.
Robert L. Boylestad;Louis Nashelsky (2005). Electronic Devices and Circuit Theory. Prentice-Hall Career & Technology.
7.16 Konsideroni qarkun 7.17.Burimi i tensionit dhe burimi i rrymes jane shuma e dc-level dhe ac-perturbation

fig 7.17

Rezistort kan kto vlera .Elementi jo linear ka karakteristikat

Gjeni,nga analiza inkrementale te komponenteve DC dhe AC per tensionin dales

Vrejtje:Gjat analizes mund te supuzoni se elementi jolinear reagon si element pasiv d.m.th konsumon energji

7.17Konsideroni qarkun e diodave te treguar me posht :

Pr arsye te zhgjidhjes se ksaj detyre karakteristikat e t gjitha diodave saktesisht mund te shprehen si

a)Se pari supozoni se Cilat jane vlerat e piks operuese per tensionet
b) Tani supozojm se nuk sht zero por aq e vogel saq analiza inkrementale mund te prdoret pr ta
prcaktuar .Cili sht raporti ?

fig7.18
 8.0 Abstraktet digjitale14

8.1 Shkruani shprehjen e Bulit(Boolean expresion)pr interpretimin e mposhtm

Shkruani
tabeln e vertesis (truth table)

8.2 Shkruani shprehjen e Bulit pr interpretimin e mposhtm

Shkruani
tabeln e vertesis (truth table)

8.3 Shkruani shprehjen e Bulit pr interpretimin e mposhtm

8.4 Konsideroni shprehjen

a)Shkruani shprehejen e Bulit pr interepretimin e lart

b)Shkruani tabeln e vrtetsis pr funksioin e Z

c)Implementoni duke prdorur daljet logjikie DHE (AND) OSE(OR) dhe NEGACION(NOT).Hyrjet W,X dhe Y
jan t vlefshme.Secila dalje duhet te ket numr arbitrar t hyrjeve.(Hint:Shuma e produkteve q prfaqsojn
shprehjen e Bulit d t lehtsojn kt implementim)

d)Implementoni Z duke prdorur daljet DHE,OSE dhe NEGACION.Secila dalje NUK mund t ket m shum se
dy hyrje.Si u cek m lart vetm hyrjet W,X,dhe Y jan t vlefshme.

e)Implemnetoni Z duke prdorur daljet JODHE(NAND) dhe JOOSE(NOR).(Hint: Dalja JODHE ose JOOSE t
cilat hyrjet i kan t lihdura shrbejn sikur inverter)

f)Implementoni Z duke prdorur vetm daljet JODHE (Hint:Prdorni rregullat e De Morgans)

g)Implementoni Z duke prdorur vetm daljet JOOSE(Prdorni rregullat e De Morgans)

h)Prserite pjesn nn (d) duke provuar t minimizoni numrin e pjesve t prdorura.

8.5 Konsideroni funksionet dhe t specifikuara me tablen e vrtetsis

14Abstraktet digjitale dallojna nga qarqet digjitale.,ngase n qarqet abstrakte numrat 1 dhe zero reprezejnto vlera t
tensionit.
http://www.eng.tau.ac.il/~guy/Computer_Structure03/lecture_notes/chapter1.ps.
 8.1 Tablea e vrtetsis

a)Shkruani shprehjet llogjike q jan prjgegjse pr funksionet dhe

b)Implementoni me dalje llogjike

c)Implementoni duke prdorur vetm dalje me dy hyrje

d)Implementoni duke prdorur JODHE daljen me dy hyrje.(Prdorni rregullat e De Morgans)

e)Prserite pjesn nn b) deri nn d) pr funksionin

8.6 Konsideroni katr shprehjet llogjike t mposhtme

1( )( )

a) Implementoni shprehejt m lart duke prdorur dalje llogike pr seciln prej tyre

b) Shkruani tabeln e vrtetsis pr seciln nga shprehjet

c) Supozojm se .Thjeshtoni shprehjet duke u nisur nga ky detyrim

d)Thjeshtoni shprehjet e msiprme duke supozuar se jan

8.7 Nj dalje llogjike i bindet disiplins statike15 me tensionet e mposhtme:

15Static discipline-N qarqet digjitale disiplina statike (static discipline)definon llogjikn e lart (high logic)dhe Logjikn
e ult(low logic) VOH (output high), VOL (output low), VIH (input high) t tensioneve dhe diferencat e zhurms(noise margin).
Vlerat zakonisht caktohen sipas principit te Rubstenit (Robustness principle)q njihen ndryshe si rregullat e
Postel(Postel\s Law)
a)N cilat kufij tensionet do t trajtohen si t pavlera (invalid) brenda ksaj discipline

b)Sa sht diferenca e zhurms16 (Noise margins)

8.8 Konsideroni nj familje me dalje llogjike e cila operon n disiplinn statike n kufijt e tensionit (threshold
voltage):

a)Paraqit grafikisht trasnfer funksionin e tesnionit hyres-dales t buffer-it17 me pragun e prafert t vlerave t
msiprme.
b)Paraqit grafikisht transfer funksionin e inverterit me pragun e perafert t vlerave t msiprme.

c)Sa sht tensioni me i lart q mund t prodhohet nga inverteri ku ka dalje llogjike prej 0.

d)Sa sht tensioi m i vogl q mund t prodhohet nga inverteri pr nj dalje llogjike 1

e)Sa sht tensioni me i lart qe duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjike 0

f)Sa sht tensioni m i vogl q duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjke 1

g)A jan kto vlera t tensionit imune ndaj zhurmave?Nse po gjeni kufijt e zhurms

8.9 Duke u bazuar si n shembullin paraprak 8.8 kryeni t gjitha veprimet nga a deri n g per kto parametra

8.10 Formoni tabeln e vrtetsis dhe shprehjet e Bulit q prshkruan operacionet e secilit qark digjital te
trreguarne fig 8.2

16Noise margin-sht vlera n t ciln sinjalet kalojn vlern minimale pr operim t duhur.
Buffer-Buffer amplifier shpesh njihet vetem si buffer sht nj paisje qe sigorun transformimin e impendances elektrike
17

nga nje qark n tjetrin. http://www.facstaff.bucknell.edu/mastascu/elessonshtml/OpAmps/OpAmp3Note1Buffer.html

 fig 8.2

8.11 Tabela e vertesisi pr aret me numrat 1sht e dhn n tabeln 8.3.Ky ark ka 4 inpute :A,B,C dhe D
dhe 3 outpute:OUT0,OUT1,dhe OUT2,.S bashku sinjalet OUT0,OUT1,dhe OUT2 paraqesin integjer 3-bit positiv
OUT2 OUT1 OUT0,.Outuput integjert OUT2 OUT1 OUT0 reflektojn numrat e njshave n hyrje.Duke prdorur
vetm nj NAND,NOR dhe NOT porta logjike,dizajno implementimin pr kt qark.Secila port llogjike mund t
ket nj numr arbitrar t hyrjeve.
 Tabela 8.2

8.12 Nj modul multiplexer18 me 4 hyrje I trreguar ne fig 8.3.Multiplexer ka dy sinjale t selektuara S1 dhe
S2.Vlera e selektuar n sinjal prcakton se cila nga inputet A,B,C,dhe D paraqitet n output.Si sht ilustrruar
n figure,A sht selektuar nse S1S0 sht 00,B nse S1S0 sht 01,C nse S1S0 sht 10,dhe D nse S1S0
sht 11.Shkruani shprehjen e Bulit pr Z me shprehjet S1S0,A,B,C,dhe D.Zbatoni multiplexerin duke prdorur
vetm NAND gates.

18N elektronik, nj multiplexer (ose mux) sht nj pajisje q zgjedh nj nga disa sinjale analoge ose dixhitale t
inputeve dhe ia prcjell inputin e zgjedhur n nj linj t vetme
Dean, Tamara (2010). Network+ Guide to Networks. Delmar. pp. 8285.
 fig 8.3 Nj modul multiplexer me 4 inpute. 2
q korrespondon pran telit t sinjalit selektiv paraqet nj stenografi t shkurt duke trreguar se aty gjenden dy
tela

8.13 Nj demultiplexer me katr hyrje i trreguar n fig.8,4.Demultiplexer19 ka dy sinjale t zhgjedhura

.Sinjalet e zhgjedhura percaktojn se n cilat dalje (OUT0,OUT1,OUT2,ose OUT3)inputi IN
paraqitet.Si sht paraqitur n figur IN paraqitet tek daljet OUT0 nese jan 01,n OUT2 nse
jan10,dhe nOUT3 nse 11.Dalja sht 0 nse nuk zgjedhen asnjri.Shkruani shprehjen Booleane
pr seciln dalje n termat e dhe IN.Implementoni demuxin duke prdorur vet portat NAND.

Fig 8,4

8.14Figura 8.5 ilustron konverterin grey-code20 2-bit.Daljet e tij OUT0,OUT1,jan t barabart me hyrjet kur
IN0,IN1,jan 00 ose 01.Sidooft kur hyrjet IN0,IN1jan 10 dhe 11 ather dajlet e tij OUT0, OUT1 jan 11 dhe
10 rrespektivisht.Implementoni konvertusin grey-code duke prdorur vetm porta 2-hyrse NAND.

19 Demultiplexer(Demux)-E kundrta me Multiplexer-nga nj sinjal input zgjedh sia outpute. Dean, Tamara (2010).
Network+ Guide to Networks. Delmar. pp. 8285.
20 Grey code-reflected binary code-sistem i numrave binar ku dy numra t njpasnjshm ndryshojn vetm pr nj bit
 Fig 8.5

8.15 Figura 8.6 ilustron input-output transfer fuknsionin e tensionit pr disa paisje nj-hyrse nj-dalse (one-
input one-output).Pr kufirt e tensionit si trregohet n figure, cilat paisje mund t
shrbejn si inverter valid?

Fig 8.6

8.16. Konsideroni nj familje me porta logjike te cilatalt operojn n disiplinn statike me kufijt e tenisonit

a)Paraqit grafikisht trasnfer funksionin e tesnionit hyres-dales t buffer-it me pragun e perafert t vlerave t
msiprme.
b)Paraqit grafikisht transfer funksionin e inverterit me pragun e perafert t vlerave t msiprme.

c)Sa sht tensioni me i lart q mund t prodhohet nga inverteri ku ka dalje llogjike prej 0.

d)Sa sht tensioi m i vogl q mund t prodhohet nga inverteri pr nj djlaje llogjike 1
e)Sa sht tensioni me i lart qe duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjike 0

f)Sa sht tensioni m i vogl q duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjke 1

g)Kur trasnmeton informata prgjat telit me zhurm,buffer mund t prdoren pr t minimizuar gabimet e
trasnmetimit duke e rikthyer sinjalin e humbur.Konsideroni nj transmetim t t dhnave prgjat telit t
zhurmshm i cili mund t kap deri n 80 mV n simetri nga minimumi n maksimum(peak-to-peak) zhurm
pr centimetr.Sa buffer nevoiten pr trasnmetim t sinjalit prgjat distancs prej 2 m n ambentin e
zhurmshm.
 9.0 MOSFET SWITCH
9.1 Paraqitni me resistor implementimin e MOSFET pr funksionet llogjike te mposhtme.Duke prdrur
modeilin S pr MOSFET pr kt ushtrim (me fjlal tjera mund ta supuzoni se on-state resistance 21e MOSFET
sht 0)

Fig 9.1

9.2 Shkruani shprehjen algjebrike q prshkruajn funksionin e secilit qark n fig.9.2

fig 9.2

21On-state resistance-Kur MOSFET sht n on-state (ku MOSFET ka mnyra t ndryshme t operimit)shfaq nj sjellje
resistive ndrmjet terminaleve drain dhe source.Ndryshe njihet siRDSon q sht si kontribut I shum elementeve
 fig 9.3

a)Vizatoni lakoren e inputit prball outputit pr kt inverter.

b) A I prket inverteri disciplines statike per kufirin e tenisionit
.Nese po shpjego.
c)Nse ndryshohet n a i prket prssi inverteri disciplines statike.Nse po shpjego?
d)Sa sht vlera maksimale e pr t ciln inverterin do ti prkas disiplins statike.
e)Sa sht vlera minimlae e pr t ciln inverteri do ti prkas disiplins statike.

9.4 Prsri konsideroni inverterin ne fig 9.3.MOSFET ka kufijt e tensionit .Supuzojm se

.
Pr kt shemubll modeli I MOSFET i prdorur st switch-resistor.Supuzoni se on-state resistance

a) A i prket inverteri disiplines statike i cili ka kufijt e tensinon Shpjego?

b) A i prket inverteri disiplines statike i cili ka kufijt e tensinon Shpjego?
c)Vizato lakoren e inputit perball outputit pr kt inverter.
e) Tani pretendoni dhe perserit pjeset (a),(b) dhe (c).

9.5 Llogaritni rastin me te keq te konsumimit te fuqis nga inverteri t trreguar ne fig 9.4.MOSFET ka kufijt e
tensionit Supuzoni se MOSFET sht switch-resistor model dhe pretendoni se
on-state resistance sht

9.6 Duke prdorur modelin switch-resistor t MOSFET pr figuren 9.2 zgjidhni vlerat minimale pr resistort e
ndryshm t figurs n fjal q secili qark i prket disiplins statike me kufijt e tensonit t dhn
dhe .Supozoni se on-state rezistanca e MOSFET sht dhe s kufiri i aktivizimit
t tensionit sht
9.7 Konsideroni nj familje me porta logjike qe operon n disciplinn statike me kta kufij t tensionit:

a)Paraqit grafikisht transfer funksionin e inverterit me pragun e prafrt t vlerave t msiprme.

b)Sa sht tensioni me i lart q mund t prodhohet nga inverteri ku ka dalje llogjike prej 0.

c)Sa sht tensioi m i vogl q mund t prodhohet nga inverteri pr nj dalje llogjike 1

d)Sa sht tensioni me i lart q duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjike 0

e)Sa sht tensioni m i vogl q duhet t interpretohet nga marrsi (reciever) si dalje llogjke 1

f)Sa sht tensioni minimal q duhet rritur nga buffer pr t cilin duhet ta kaloj regjionin e ndaluar(forbidden
zone)22

9.8
a)Krijoni tabeln e vrtetsis dhe shprehjet e Bolit n lidhje me daljet Z n nse kto jan hyrje
pr qarkun e trreguar n fig 9.4

fig 9,4

b)Supozojm qarkun n fig 9.4 ndodh nj gabim gjat prodhimit i cili rrezullton me kontakt t shkurt n lidhjet e
tij si paraqitet n fig 9.5.Krijoni tabeln e vrtetsis dhe shprehjet algjebrike pr daljet pr
qrkun e krijuar.

22Forbidden zone-elektronet s pari kalojn nga n shtresen e ndaluar para se t arrijn n shiritin e valences,pra distance
ndrmjet prueshmris dhe insulimit. John Allison. Electronic Engineering Semiconductors and devices. McGraw-Hill
Book Company, Shoppenhangers Rd Maidenhead Berkshire England, 1971.
Jump up S. M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. Wiley-Interscience, New York, 1969.
 fig 9.5

9.9Nj tip specifik i MOSFET ka MOSFET sht n gjendjen aktive (ON state) qark i shkurt ekziston
ndrmjet drain dhe source kur .MOSFET sht n gjendje pasive (OFF state) qark i hapur ekziston
ndrmjet drain dhe source kur .
a)Paraqitni grafikisht karakteristikat e MOSFET pr
b)Paraqitini grafikisht karakteristikat e MOSFET kur dhe

9.10 Konsideroni familjen me porta logjike e cila operon n disiplinn statike n kufijt e tensionit prej
Konsideroni N-inpute t ports NAND nda dizajni n fig 9.6.N kt
dizajn e MOSFET sht . e MOSFET sht .Sa sht maksimumi i vlers s N pr
t ciln porta NAND do ti prkas disiplins statike.Sa sht fuqia maksimale q shprndahet nga porta NAND
pr kt vler t N.

fig9.6

9.11Konsideroni N-inpute t ports NOR e trreguar n figurn 9.7.Supuzoni se on-state rezistenca e secilit
MOSFET sht Pr ciln gjendje t inputeve kjo port n fjal konsumon m shum energji.Llogaritni pr
rastin m t keq.
 fig9.7

9.12 Konsideroni qarkun n fig 9.8.Nse ne dshirojm t dizajnojm qarkun q operon n disiplinn statike n
kufijt e tensionit Supozoni se rrezistenca on-state pr secilin MOSFET sth dhe se
kufijt e tensionit t MOSFET jan .Supozojm se t dhnat i prgjigjen kufizimeve dhe .Pr
far vlera t dhe ky qark do t operon n disiplinn statike?Cili sht rasti m i keq i konsumimit t
energjis.

fig9.8
9.13 Konsideroni nj familje me porta logjike q operon n disiplinn statike me kufijt e tensionit:

a)Paraqit grafikisht trasnfer funksionin pr tensionin hyrje-dalje(input-output) pr kufijt e msiprm.

b)Duke prdorur modelin e switch-resistor MOSFET,dizajno nj inverter duke u referuar n kufijt e tensionit t
dhn m lart duke prdorur n-kanalin MOSFET (n-channel) dhe nj rrezistor.MOSFET ka
Duke u referuar n
c)Duke vazhduar m tutje supuzojme se dhe R pr rezistort sht 500 .Tutje supuzoni se
siprfaqja e inverterit sht shuma e siprfaqes s MOSFET dhe rezistorit.Ather .Inverteri duhet t ket
hapsirn minimlae pr L ose W q sht 0,5m.Sa sht siprfaqja totale e inverterit?Sa sht fuqia statike
maksimale e shprndarjes (static power dissipation)23.

9.14Duke u bazuar si n shembullin 9.13 llogaritni nn a) dhe nn b) pr vlerat

Static power dissipation-Fuqia q transistori e shpenzon gjet procesit q nuk sht duke operuar
23 ku
sht rrzma totale q rrjedh n paisje dhe tesnioni furnizues.
C.-T. Sah, Fundamentals of Solid-state Electronics (World Scientific, 1991).
 10 Amplifikuesi MOS

10.1 Rrezistenca R n qarkun e trreguar n figurn 10.1 varet nga tensioni prgjat rrezistorit .Prcaktoni
nse

fig 10.1

10.2 Nj MOSFET karakterizohet nga ekuacioni i mposhtm n kufirin e tij t ngopjes

(saturate region)24.
MOSFET operon n kufirin e ngopjes
Shprehni kushtin pr termat

10.3 MOSFET-i n figurn 10.2 karakterizohet nga ekuacioni n kufirin e tij t

25
ngopjes(saturation region) sipas modelit SCS . MOSFET operon n kufirin e ngopjes

Pr m tepr MOSFET operon n kufijt(regjionin) e trriods26 pr

Supuzojm se MOSFET karakterizohet me SR modelin n regjionin e triods,me fjal tjera

Supuzojm se sht konstante me ,pr vlerat e tij jan disa funksione t .Pr m tepr
supuzoni se kur

a) Pr ,far vlere e bjn q karakteristikat e MOSFET t vazdhojn operimin

ndrmjet regjionit t trriods dhe kufirit t ngopjes.
b) Paraqit grafikisht n qarkun e trreguar n fig 10.2.Ky qark sht i nevojshm pr paraqitjen
grafike t karakteristikave t MOSFET.Supuzojm se dhe Prdorni vlerat e t
gjetura n a).Prdorni volt pr t kalkuluar dhe millivolt pr

24 Saturation region-Kur aktiviyohet MOSFET(switch on)dhe nj kanal sht krijuar,e cila mundeson q rryma t rrjedh
ndrmjet drain dhe source.
PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer. 1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-32168-0.
Jump Up ^ A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (Fifth Edition ed.). New York: Oxford. p. 552.
ISBN 0-19-514251-9.
25 Modeli SCS-model i konfigurimit t MOSFET (SCS switch-current-source)fig 10,3

GS > Vth and VDS < ( VGS VTH )

26 Triode mode ose regjioni linear ndryshe njihet si (ohmic mode) V
 fig 10.2

fig 10.3 LLojet e konfigurimit t MOSFET.

10.4 Konsideroni amplifikuesin MOSFET t trreguar n figiren 10.4.Supozoni se amlifikuesi MOSFET operon
n disiplinen e ngopjes(saturation discipline27).Kur gjendet n ngopje MOSFET karakterizohet me kt
ekuacion:

Ku sht rryma drain-to-source kur kalon tensioni prgjat terminaleve gate-to-source

a)Vizato qarkun equivalent pr amplifikuesin bazuar n konfigurimin SCS
b)Shkruani shprehjen q i prgjigjet
c)Shkruani shprehjen q i prgjigjet
d)Shkruani shprehjen q i prgjigjet
e)Supuzoni se tensioni n hyrje jep nj tension n dalje .Me qfar vlere duhet t ulet apo t ngrihet q
tensioni n dalje t dyfishohet

27 Saturation discipline-Kufijt n t ciln MOSFET operon vetm n kufijt en ngopjes (saturation region)
 Fig 10.4

10.5 Prsri pr qarkun 10.4 konsideroni se MOSFET-i sht duke operuar n disiplinn e ngopjes (saturation
discipline).MOSFET-it i sht ndryshar gjendja apo si njhet si doctored28 q d.m.th se kufijt e tenisonit jan
0.Me fjal tjera regjioni i ngopjes s MOSFET tani karakterizohet nga ekuacioni

Ku sht rryma drain-to-source kur tensioni rrjedh prgjat terminaleve gate-to-source.Pyetjet e

mposhtme i prkasin analizave t sinjaleve t mdhenj (large-sinjal) pr amplifikuesin.

a)Gjeni shprehjen ndrmje tensionit dales dhe tensionit hyrs

b)Gjeni ndryshimet e vlefshme pr tensionet hyrse.N disiplinn e ngopjes (saturation discipline) tensionet e
vlefshme hyrse jan tensionet q operojn vetn ne kufirin e ngopjes (saturate region).Prcaktoni ndryshimet
korrensponduese me tensionet dalse ( ) dhe rrymat dalse ( )

10.6 Paisja me trre terminale e trreguar n figurn 10.5 a) njihet dnryshe si BJT (bipolar junction
trasnistor).Figura 10.5b prshkruan t gjitha pjest lineare t paisjes n fjal,n t ciln parametri sht
konstant.Kur

dhe

Dioda n emiter shrben si qark i shkurt,dioda e kollektorit shrben si qark i hapur,ndrsa rryma n kollektor
sht

N lidhje m t gjihta kto prmbajtje BJT operon n regjionin aktiv (active region)29 .Pr pjesn tjetr t
ushtrimit supuzoni se

28Doctored-Silikonit t pastr mund ti ndryshohet gjendja(hollohet)doctored corrupted

29Active region-Regjioni activ sht kur nj ndryshim i vogl n rrymn e bazs shkakton ndyshime n rrymn e
nd
kollektorit..The art of electronics 2 edition Paul Horowitz and Winfield Hill
 fig 10.5 a)
Transistori BJT B-Baza,C-kollektori,E-Emiteri. Fig 10.5b) Pjest lineare t trasnistorit

a)Prcaktoni rrymn e kollektorit pr rrymn e bazs dhe duke prdorur modelin n fig
10.5b)
b)Paraqitni grafikisht pr .duke prdorur modelin n 10.5b).Gjat vizatimit t
grafikut,supuzoni se burimi i rryms ndalet kur

10.7 Konsideroni BJT transistorin sin figurn 10.6.Supuzojm se

a)Shkruani shprehjen pr relacionin
b)Shkruani shprehjen pr relacionin n
c)Shkruani shprehjen pr relacionin
d)Shkruani shprehjen pr relacionin
e)Sa sht vlera e nse tensionin n hyrje Sa jan vlerat e

fig 10.6
10.8 N kt uhstrim do t kryeni analizat pr sinjale t mdha t amplifikuesit BJT t trreguar n figurn
10.6.Supuzoni se BJT karakterizohet me modelin e sinjalit t madh t prshkruar nga ushtrrimi 7.8.Pr t qen
m t sakt supuzojm

a)Shkruani shprehjen pr relacionin .

b)Cila sht vlera m e ult e tensionit hyrs pr t ciln BJT operon n regjionin aktiv.Cilat jan vlerat
korresponduese t
c)Cila sht vlera m e madhe e tensionit hyrs pr t ciln BJT operon n regjionin aktiv. Cilat jan vlerat
korresponduese t
d)Paraqit grafikisht pr parametreat e dhna m lart.

10.9 Konsideroni MOSFET si ndars t tensionit t trreguar n figurn 10.7.Duke marrur parasysh se t dy
MOSFET-at operojn n regjionin e ngopjes (saturation region).Prcaktoni tensionin dales si funksion t
tensionit furnizues ,t tensioneve dhe parametrave gjeometrike t MOSFET
Supuzojm se kufiri i tensionit sht ,kujtojm se .

fig 10.7
10.10 Nj MOSFET invertues i trregar n figurn 10.8 prmban edhe karakteristikat Karakteristikat
jan m t thjeshta se modeli SCS i prshkruar m lart n kt kapitull.Kto karakteristika jan karakteristiakt
stadnarde t MOSFET (MOSFET standard i thjesht) me nj regjion t trriods t kompresuar n boshtin Y
Prndryshe kjo karakteristik mund t shikohet ndryshe si prshkrimi ideal q prdoret pr t ngopur rrymn
drain-source.Me fjal t tjera ,pr MOSFET operon si qark i hapur (open switch) me Pr
MOSFET operon si qark i mbyllur me n qoftse Sidooft kur ,
arrin ,q sht rryma maksimale e MOSFET q mund t bart pr ndonj vler t ,
MOSFET hyn n regjionin e ngopjes ku n at rast MOSFET shrben si burim rryms pr vlerat
Operimi i ngopjes n kt shembull sht i prshkruar si modeli i ngopjes i dhn n figurn 10.8
Fig 10.8

a)Prcaktoni si funksion i .
b)Sa sht vlera m e ult e pr t ciln
c)Supozojm se paraqitni grafikisht pr pr kushtin

d)N lakoren e grafikut identifikoni regjionet ku MOSFET shrben si qark i hupur,shrben si qark i mbyllur,dhe
trreguni kur e shfaq regjionin e ngopjes.

10.11 N problemin n vijim n figurn 10.9 kemi t bjm me nj CASCODE30 i cili sht ndrtuar duke i
lidhur nga lart posht(kaskaduar) dy amplifikator me dy faza(two-stage)31sikur t llojit n detyrn 10.10.Pr t
analizuar kt amplifikator prdorni modelin e MOSFET t prshkruar n problemin paraprk 10.10 dhe t
ilustraur n figurn 10.8

fig 10.9

30 CASCODE-Cascode sht nj amplifikator dy faza i prbr nga nj prforcues transconductance i shoqruar nga nje
buffer.
"Cathode Ray", "The Cascode and its Advantages for Band III Reception", Wireless World, vol. 61, p. 397 (August 1955).
31 Two-stage amplifiers Amplifikatori me dy faza,faza e par e inverton sinjalin dhe e amplifikon,faza e dyt e ri-invertoon

sinjalin n fazn origjinlae dhe prsri e amplifikon at. http://www.yenka.com/activities/Two-Stage_Amplifier_-

_Activity/
a)Gjeni relacionin ndrmjet ,dhe relacionin ndrmjet
b)Gjeni relacionet ndrmjet

10.12 Prsri konisderojm amplifikues me dy faza t trreguar n figurn 10.9.Supozojm se MOSFET n

regjionin e ngopjes karakterizohet nga ekuacioni n vijim

Me fjal tjera kufijt e tensionit Pr specifika tjera MOSFET operon n regjionin e ngopjes kur

Trregoni se ekziston vetm nj tension hyrs pr t ciln t dy fazat n mnyr t njpasnjshme operojn n
disiplinn e ngopjes.Cil sht ai tension?

10.13 Konsideroni qark prcjells t rryms Source-follower32 ose Buffer t trreguar n figurn 10.10.Duke
prdorur modelin SCS MOSFET (me parametrat analizoni sinjalet e larta (large sinjal)t ktij qarku
duke u bazuar n kto hapat n vazhdim.

fig 10.10
a)Duke sopuzuar se MOSFET operon n regjionin e ngopjes,tregoni se sht I prafrt me sipas
ekuacionit :

[ ]

b)Prcakto vlern e pr t ciln supzohet se MOSFET operon.Cila sht vlera korrensponduese e

32Source follower- Nj transzistor amplifikues lidhje t prbashkt n drain n t ciln input sinjali sht i dhn ndrmjet
gate dhe drain ndrsa sinjali dals (output signal) merret ndrmjet source dhe drain.Mund t quhet edhe common drain
amplifier.
10.14 N kt problem studiohet prdorimi i imagjinuar i MOSFET si nj paisje q njihet ZFET pr ta ndrtuar
nj amplifikues t trreguar n fig 10.11.ZFET operon n regjionin e ngopjes kur .N kt regjion
termiali drain-source ka relacionet ku K sht konstant dhe ka njsi ,ZFET krijon qark t shkurt
ndrmjet terminaleve drain dhe source,dhe thuhet se operon jasht regjionit t ngopjes.Poashtu,ZFET krijon
qark t hapur pr q poashtu operon jasht tensonit t ngopjes.N fund terminalet dalse krijojn qark
t hapur.Kto karakteristika jan t prmbledhura n figur nn simbolin e ZFET.

a)Duke supozuar se ZFET operon n ngopje,prcakto si funksion t

b)Pr far vlere t ZFET do t operon n regjionin e ngopjes
c)Supuzojm se Parqit grafikisht dhe emerto qart si funksion t
pr .

Fig 10.11

10.15 Konsideroni qarkun e amplifikuesit t trreguar n figurn 10.12.Amplifikuesi furnizohet nga kutia
furnizuese n

a) Duke supozuar se parametrat e MOSFET jan t dhna

Prcaktoni si funksion t n disiplinn e ngopjes
b) Prcaktoni vlerat valide t tensioneve hyrsa pr regjionin e ngopjes.Caktoni vlerat valide pr
c) Caktoni tensionet dalse kur inputi sht i toktuar;me fjal tjera pr

d) Gjeni vlerat e pr rastin kur n termat e dhe gjeni parametrat e MOSFET .

 Fig 10.12

10.16 Qarku n figurn 10.13 i cili njihet ndryshe si qarku pasqyr(current mirror33)

fig 10.13

a)Duke iu referuar figurs 10.13a caktoni si funksion t duke supozuar se t dy MOSFET-at operojn n
disiplinn statike.T dy MOSFET-at kan vlerat e njejta pr .Nse ndryshon a do t ndyshon edhe
.Cilat jan parametrat q vlejn pr .

b)Tani e shqyrtojm figurm 10.13b.Rryma mund t rritet duke rritur apo duke e zvogluar .Duke
supozuar se njra nga mund t ndryshohet dhe ather ,caktoni vlerat e
parametrti pr t cilin rast t dy MOSFET-at operojn n disiplinn statike .Duke mos harruar se t gjith
MOSFET-at vlerat e i kan t barabarta.

10.17 N qarkun e trreguar n figurn 10.14 gjeni vlerat e pr t gjihta shprehjet e qarkut.Duke pretenduar
se MOSFET sht n ngopje dhe karakterizohet nga parametrat .

33Qarku pasqyr sht nj qark q dizajnohet t bart rrymn prgjat nj paisje active duke e kontrrolluar rrymn n nj
paisje tjetr active duke e mbajtur daljen e rryms konstante R. Jacob Baker (2010). CMOS Circuit Design, Layout and
Simulation (Third ed.). New York:
10.18 N qarkun e trreguar n figurn 10.15 gjeni vlerat e pr t gjihta shprehjet e qarkut.Duke pretenduar
se MOSFET sht n ngopje dhe karakterizohet nga parametrat

fig,10.14 fig 10.15

10.19 Figura 10.16 trregon MOSFET amplifikuesin duke e aktivizuar nj rezistor t ngarkuar MOSFET
operon n ngopje dhe karakterizohet me parametrat .Gjeni pr qarkun e dhn.

fig.10.16
10.20 Gjeni pr qarkun e dhn n figurn 10.17. MOSFET operon n ngopje dhe
karakterizohet me parametrat .Sa sht vlera e

10.21 Gjeni pr qarkun e trreguar n figurn 10.18.Duke supozuar se MOSFET operon n

ngopje dhe karakterizohet me parametrat .Sa sht vlera e

fig10.17 fig 10.18

10.22 Detyra n vazhdim shqyrton qarkun e BJT q njihet ndryshe si amplifikuesi i prbashkt n
collector(commom-collector amplifier34).Ndryshe ky qark njihet si qarku (source follower) shih figurn 10.19.
Pr kt problem prdorni parametrat e t gjitha pjesve lineare t paisjes n fjal,t prshkruar n shembullin
10.6.Duke supozuar se paisja BJT operon n regjionin aktiv.

a)Duke marr parasysh operimin n regjionin aktiv,gjeni pr termat dhe pr parametrat t BJT
b)Sa sht vlera e
c)Llogaritni vlern pr
d)Prcaktoni vargun e vlerave t pr t ciln BJT operon n regjionin aktiv pr parametrat e dhn nn c

34Commom-collector amplifier-Njri nga tre llojet bazike to konfigurimit t tranzistorve,ku baza shrben si hyrje,emiteri si
dalje,ndrsa collektori sht I prbashkt pr t dyt.
 fig 10.19

10.23 N figurn 10.20 sht krijuar nj qark duke i lidhur dy komponente tre-terminalshe BJT.
T tre terminalet jan t etiketuara si .Q t dy komponentet jan identike me Duke supozuar
se BJT operojn n regjionin aktiv.

a)Gjeni vlern e pr komponimin n fjal.

b)Kur rryma prcaktoni tensionet ndrmjet terminaleve

fig 10.20
 11.Operation Amplifiers (op amp)

11.1 N figurn 11.1 gjeni pr termat ,.OP amp-i ka karekteristika ideale.

fig 11.1

11.2 Qarku n figurn 11.2 njihet si Differential amplifier

a)Duke prdorur modelin ideal t Op amp,njehsoni shprehjen pr tensionin dals pr shprehjet

b)Le t jet Gjeni

c)Le t jet Duke prdorur vlerat e rezistorve nn b(duke prfshir edhe q sht
llogaritur),gjeni

fig 11.2

11.3 Pr qarkun e trreguar n fig 11.3,D sht nj diode nga silikoni,ku dhe
Ndrmjet 1 dhe 2. Gjeni pr termat

fig 11.3
11.14 Pr Problemin n vazhdim referohuni te figura 11.4
Nse sht dhn vizatoni nj grafik pr prgjat nj cikli komplet.Identifikoni t
gjitha karakteristikat dhe vlerat e tensionit n grafik.

fig 11.4

11.5Pr kt shebull referohuni te figura 11.5

T dhnat: Dioda ., ku dhe
Pr n distancn | | sa duhet t jet vlera e n mnyr q ta mbajm Op Amp-in n regjionin
linear35.Bni prshkrime t prafrta t arsyeshme.

fig 11.5

11.6 N qarkun (a) dhe (b)t trreguar n figurn 11.6 op-amp sht ideal dhe ka rritje pa limit(infinite gain36)
Nse hyrja (input)pr secilin op amp sa sht tensioni dals (output voltage) .

35 Kur op-map operon n regjionin linear d.m.th nuk sht n ngopje diferenca ndrmjet pin-it(+) jo kthyes(non-inverting

pin ) dhe pin-it kthyes (-) inverting (-) sht e paprfillshme.

Op-Amps and Linear Integrated Circuits; 4th Ed; Ram Gayakwad; Prentice Hall; 543 pages
36 Infinte gain:OP amp ideal ka infinite gain
 fug11.6

11.7 Gjeni pr termin e pr qarkun linear n figurn 11.7.Supuzoni se op amp sht ideal.

fig 11.7

11.8Pr figurn 11.8 shkruani ekuacionet e nyjave pr nyjat ,pastaj shkruani ekuacionet e pavarura
q specifikojn n termat e

fig 11.8

11.9Pr qarkun n figurn 11.9 gjeni si funksion t n limitin e lart t prforcimit t op

amp-it( Duke supozuar se rezistenca hyrse (input resistance)
rezistenca dalse (output resistance) ,dhe op-amp operon n regjionin e pangopur(non-saturated
operation)
 fig 11.9

11.10 N figurn 11.10 gjeni si funksion t dhe prfocimin e op amp-it A.(op amp gain).Supuzojm
se rezistenca hyrse rezistenca dalse operon n regjionin e pa ngopur.

Fig 11.10

11.11 Duke analizuar qarkun e ilustruar n figurn 11.11, sht ideal me rezistencn hyrse
shum t madhe, dhe rezistencn dalse t paprfillshme,ather ku
sht shum e madhe. operon n regjionin linear.

a)Gjeni shprehjen pr si funkson t dhe rezistorve n qark.

fig 11.11
11.12 N figurn e mposhtme 11.12 gjeni tensionin e rritjes kur
a) terminali sht i lidhur pr terminalin
b) terminlai sht i lidhur pr terminalin Supozoni se sht ideal.

fig 11.12

11.13 Pr e trreguar n figurn e mposhtme, gjeni raportin e duhur t rryms

37 . sht ideal.

fig 11.13

11.14 Pr qarkun e trreguar n figurn 11.14 gjeni pr termet e

37Current transfer ratio (CTR)-sht parametr I ngjajshm me DC current amplification ratio of transsisotr ( dhe
shprehet n prqindje duke trreguar ndryshimin ndrmjet rryms dalse (output current) pr rrymn hyrse CTR(%)
=
 fig 11.14

11.15 Zener didodat shpesh prdoren q t krijojn tensione t qendrueshme,pavarsisht variteteve t kutive
furnizuese (power supply),dhe ndonj sinjali t AC q mund t jet present n kutin furnizuese.

Pr karakteristikat e trreguara n figurn 11.15 gjeni duke supozuar se sht nj tension DC i pastr prej

fig 11.15

11.16 Konsideroni qarkun n figurn 11.16.Gjeni duke marr parasysh se t gjith jan ideal dhe
operojn n regjionin linear
 fig 11.16

11.17 Gjeni ekuivalentin e Norton-it pr qarkun e trreguar n figurn 11.17 duke u bazuar n terminalet

fig 11.17

11.18 Ju krkohet t dizejnoni nj qark t trreguar n figurn 11.18, kshtu q tensioni dales sht I
barabrt me shumn specifikisht
..(1)

Duhet t keni parasysh se tensionet e nuk jan m t mdha se

a)Caktoni vlerat pr pr t cilat vlera qarku do to funksionoj pr shumn nn (1)

b)Si do ta ndryshonit dizajnin q t funksionoj pr shumn nn (2)

.(2)
 fig 11.18

11.19Pr qarkun n figurn e mposhtme, sht ideal d.m.th koeficientin e rritjes (gain) e ka t lart.
a)Gjeni pr termat e dhe vlerat e rezistorve
b)Gjeni pr termat e dhe vlerat e rezistorve

fig 11.19

11.20 Zgjedhni vlerat e n figurn 11.20 pr barazimin ( ka karakteristika ideale)

 fig 11.20

11.21Pr qarkun n fidurn 11.21 gjeni pr termat e .Analizoni me vlerat literale t rezisorve,pastaj
zvendsoni numrat

fig 11.21

11.22 Ky shembull shtjellon prolbemin pr qarkun 11.22. ka koeficientin e rritjes (gain coefficient)
me rezistenc t lart hyrse dhe rezistencn dalse t neglizhuar(pothuajse zero) . -i
operon n regjionin linear.T dhnat :

a)Sa sht .(me saktsi 1%)

b)Sa sht fuqia e shprndar nga burimi .Sa sht fuqia e shpenzuar n rrezistorin me ngarkes .
 fig 11.22

11.23 Pr qarkun e dhn n figurn 11.23 gjeni pr termat e Mund t prdorni modelin ideal t
-it

fig 11.23

11.24 Duke kombinuar me nj qark ,ne mund t krijojm qarqe q kryejn operacione
matematikore themelore,si sht integrimi dhe dervimi.Qarku n figurn 11.24 pr disa qshtje sht
integrator.

a)Duke prdorur modelin ideal t prcaktoni funksionin ideal pr kt qark.

b)Pr arsye praktike nuk duhet t jet m e madhe se 1 megaohm.Llogaritni vlern e q i prgjigjet vlers
s lartprmendur pr operim n
 fig 11.24

11.25Qarku n figurn 11.25 funksionon n t njejtn mnyr si qarqet (kapitulli 12 ka shembuj pr qarqet
)
a)SHkruani ekuacionet e nyjeve
b)Duke supozyar se ,gjeni karakteristikat e ekuacionit
c)Gjeni pr termat e

fig 11.25
 12 Shembuj t Rndsishm

12.1 -12.17

12.18 -12.25

12.26 -12.44

12.45-12.83

12.1 Duke prdorur metodn e superpozits gjeni rrymn n pr qarkun e trreguar n figurn 12.1.qarku
sht n qetsi pr

fig 12.1

12.2 Gjeni dhe skiconi gjendjen zero t responsit pr n figurn 12.2.

fig 12.2

12.3N qarkun e dhn n figurn 12.3 ,prndryshe zero.N kohn

tesnisoni .Sa sht n kohn prej

fig 12.3
12.4 N qarkun n figurn 12.4 siguresa mbyllet n dhe hapet .Skico pr t gjitha koht

fig 12.4

12.5 Gjeni dhe skiconi zero-input respopnsin pr pr secilin qark n figurn 12.5 pr kushtet e dhna.

fig 12.5

12.6 Gjeni dhe skiconi responsin pr n secilin qark n figurn 12.6.Supozoni se inputet jan siq
trregohet pr ,dhe supuzoni se gjendja fillestare sht zero(me fjal tjera trregon kohn e responsit zero)

fig 12.6
12.7 Identifikoni varialbat e gjendjes n secilin qark n figurn 12.7.Shkruani ekuacionet korresponduese t
gjendjes dhe gjeni konstantat e kohs (time constants)

12.8N qarkun n figurn 12.8, N kohn prej .Sa

sht

fig 12.7

fig 12.8
12.9 Identifikoni varialbat e prshtatshme n figurn e mposhtme dhe shkruani ekuacionet e gjendjes.

fig 10.25

12.10 N figurn 12.10 .Tensioni iniciues Nse sht

Skico pr Identifikoni qart dimesionet e tensioneve n akset e kohve dhe
identifikoni qart karakteristikat e sinjaleve.

fig 12.10

12.11 Identifikoni gjendjen e variablave dhe shkruani ekuacionet e prafrta t gjendjes s qarkut pr figurn e
mposhtme

fig 12.11

12.12 Duke iu referuar figures 12.12,prpara se siguresa t mbyllet,kapacitori sht ngarkuar me tension prej
Siguresa mbyllet n Gjeni shprehjen pr
 fig 12.12

12.13 Gjeni kohn konstante pr qarkun e mposhtm

fig 12.13

12.14 Pr dy qarqet t trreguar n figurn 12.14 (Pjesa a,b, jan pyetje t pavarura)

fig 12.14

a)Duhet t keni parasysh se ura e formuar nga kapacitort mund t zvendsohet nga nj kapacitor I vetm pr
kt problem.Sa sht vlera e atij kapacitori.

b)Konsidroni operimin prej Tensioni sht i I barabart prej

Gjeni pr t gjitha

12.15 N qarkun e trreguar m posht, Duke supozuar se koha iniciuse sht

n qetsi(zero initial state),dhe supozoni se sht Gjeni Skico dhe etiketo.
 fig 12.15

12.16 Pr qarkun e dhn fig 12.16,gjeni ekuacionet karakteristike dhe responsin prej zero n hyrje(zero-input
response)duke marr parasysh se kapacitori ngarkohet filimisht me Etiketoni grafikun tuaj

fig 12.16

12.17 Nj memorie digjitale ndrtohet siq sht ilustruar n figurn e moposhtme 12.17.Skiconi llojin e sinjalit
(waveform)n dalje t memories nga hyrja e sinjalit t trreguar n figuren 12.18.Keni parasysh se memoria ka
t ruajtur si element vetm si fillim.

fig 12,17
 fig 12.18

12.18 A sht zero hyrja e responsit (zero input response ) pr qarkun n figurn 12.19
.

fig 12.19

12.19.Pr seciln qark n figurn 12.20 gjeni dhe skiconi gjendjen korresponduese t responsit (zero-input
response)pr kushte fillestare t specifikuara

a)N figurn 12.20 gjeni supuzojm se

b)N figurn 12.21 gjeni supuzojm se
c)Prseritni ,por duke ndryshuar rezistorin n
 fig 12.20

fig 12.21

12.20 Shkruani ekuacionet diferenciale pr qarkun n figurn 12,22 n formn e variablave t ndryshueshem
(state-variable)38

fig 12.22

12.21 Gjeni rrnjt e polinomit karakteristik shpesh njihet si frekuencat natyrale t qarqeve(network natural
frequencies) pr secilin qark n figurn 12.23

38State variable-sht njra prej llojit t varialbave q prdorn pr t prshkruar gjendjen matematikore e sistemit
dinamik
 fig 12.23

12.22 N qarkun 12.24 siguresa ka qen n pozitn ,siguresa gjendet n pozitn (dhe
qndrron aty pr .Geni dhe skiconi pr dhe

fig 12.24

12.23 Kapacitori ka tensionin inicues Kapacitori n fillim sht i pangarkuar. Tensioni

prgjar elementit tentojn n zero kur koha tenton n infinit.N kohn prej siguresa sht e
mbyllur.Referohuni n figurn 12.25
a)Llogaritni ngarkesn fillestare t sistemit

b)Gjeni tensionet prgjat gjith kapacitorve pr sa koh q siguresa ka qen e mbyllur.Duke mos harruar se
ngarkesat totale e sistemit duhet t konservohet (ruhet)

c)Supozojme se A sht nj rezistor .Gjeni tensionin apo rrymn dhe pastaj llogaritni energjin e humbur n
t.

fig 12.25

12.24 Si sht trreguar n figurn 12.26 sht nj model I mundshm pr qarkun etransforamtorit,ku pr
prdorim mund t jet nj tekozim I prbashkt ndrmjet dredhave primare dhe sekondare.Ather:

fig 12.26
Transformatori

Shkruani ekuacionet e gjendjes pr kt qark duke prdorur si varialba t gjendjes,dhe prdorni kt

qark pr ta reprezenstuar kt transforamtor.
12.25 Duke supozuar se pr secilin ekuacion diferencial gjeni zgjidhjet e posame dhe format
gjenerale t zgjidhjeve homogjene.grafikoni frekuencat natyrale n rrafshin kompleks.
Supozojm se jan konstanta.Nuk ka rndsi dimesionet e dors-se djath (right-hand
side39).Parametri I ka dimesinonet e prshtatme.

1)

2)

3)

4)

5)

6)

12.26 Gjeni magnitudn dhe fazn(phase) pr seciln shprehje:

a)

b)

c)

12.27 GJeni pjesn reale dhe imagjinare t shprehjeve :

a)

b) (10

39Right-hand side-Term q prdoret pr ta prshkruar drejtimin e fushs ku rryma rrjedh n drejti t gishtit t madh
Fleming, John Ambrose (1902). Magnets and Electric Currents, 2nd Edition. London: E.& F. N. Spon. pp. 173174.
c)(10

12.28 Gjeni funksionin e sistemir pr qarkun e dhn n figurn 12.27. Pastaj gjeni responsin
nn kushtet e gjendjes s qndrrueshme (stedy-state condition40)

fig 12.27

12.29 Duke iu referuar figures 12.28,pr t edhnat

gjeni .Supozojm se

fig 12.28

12.30 Pr secilin qark t dhen n figurn 12.29 nga zgjedhni se cila figure I prgjigjet lakorja
nga e frekuencs s responsit pr sistemet e funksionit (impedance,admitancn,ose transfer
funksionin)

40Steady state condition-N elektronik steay state sht gjendja e ekuilibrit pr nj qark apo rrjet kur sinjalet e qastit nuk
kan rndsi.
Nilsson, James W, & Riedel, S. Electric Circuits, 9th Ed. Prentice Hall, 2010, p. 271
 Fig 12.29

12.31 Nj qark linear ekzitohet me tension sinosuidal Siq trregohet

n figurn 12.30.Rryma e observuar nn kushtet e qndrrueshmris sinosuidale sht
Sa sht impedanca e qarkut n ekcitimin n frekuenc prej nj radiani n sekond.

fig 12.30
12.32 Gjeni n gjndjen e qndrueshme sinosuidale (sinosuidal steady state) n figurn 12.31.Nse kemi

fig 12.31

12.33 Nj test sinosuidal provohet n qarkun linear q sht ndrtuar saktsisht nga dy elemente t trreguar
n figurn 12,32.Madhsia e pjess se diagramit t pr impedancn sht
trreguar n figurn 12,33.Vizatoni qarkun dhe gjeni vlerat e elementeve.

12.34 Qarku I trreguar n figurn 12.34 sht nj modelim I thjeshtsuar I sistemit t transmetimit t energjis
jan tensionet nga gjeneratort e fuqis:
| Gjeni ekuivalentine e qarkut n terminalet 1-2 n termat e
amplituds komplekse (complex amplitude) dhe impedancn komplekse t
fig 12.32

fig 12.33

fig 12.34

fig12.35
12.35 Shkruani shprehjet pr me magnitude prej | | me kndin fazor (phase angle)
Si funksion t pr t gjitha rastet n figurn 12.35

12.36 Paraqit grafikisht log magnitudn(log magnitude) dhe kndin fazor(phase angle),q t dyja si funksion t
frekuencave(n shkalln logaritmike kuptohet),e madhsis komplekse:

Etiketo t gjitha asimptodat e rndsishme,pjerrtsit (slopes)dhe pika shkputse.

12.37N qarkun 12.36

a)Gjeni magnitudn dhe fazn e ,transfer funksioni referohet si

b)sht dhn prcaktoni tensionin dals t gjendjen s qndrueshme

sinosuidale .

fig 12.36

12.38 Gjeni t gjendjes s qendrrueshme sinosuidale pr qarkun n figurn 12.37

fig 12,37
12.39
a) Shkruani transfer funksionin pr qarkun n figurn 12.38

b)Shkruani transfer funksionin

fig 12.38

12.40 Shruani transfer funksionin pr pr qarkun n figurn e mposhtme

fig 12.39

12.41 Shkruani transfer funksionin pr qarkun e dhn n figurn 12.40

fig 12.40

12.42. Gjeni pr qarun n figurn 12.41

fig 12.41
12.43 Nj system elektrik ka kt transfer funksionin:

a) Paraqitni grafikisht magnitudn e n decibl kundrejt frekuencs

logaritmike( ), duke etiketuar t gjitha pikat.

b)Skiconi fazn e kundrejt frekuencs logaritmike ( )

c)Pr qfar vlere t magnituda e sht e barabart me Cili sht relacioni ndrmjet magnituds
s n ato frekuenca.

12.44 Duke iu referuar figurs 12.42.Pr vlerat si

a)Gjeje transfer funksionin

b)Gjeni ns koeficienti I rrijtes DC (DC gain) sht

c)Gjeni kshtu q responsi n frekuenca t mdha sht I barabrt me responsin n

d) Paraqti grafikisht (magnitudn dhe fazn) kundrejt pr vlerat e t gjetura paraprakisht.

fig 12.42
12.45
a) Pr qarkun n figurn 12.43,supuzoni se gjendja e qetsis sinusuidale(sinosuidal steady state) m
frekuenc fikse sht .Prcaktoni nj qark eukuivalent paralele me pr termet e resistorit n
seri me nj induktanc t prshtatshme.

fig 12.43

b) Prcakoni impedancn q duhet t shtohet n seri me q impedanca totale t jete ekuivalente me

resistencn e pastr (pure resistance) n frekuencn .Sa sht vlera e ksaj rezistence.

12.46 Pr nj qark paralel me gjeni

jan frekuenca gjysm fuqi (half-power frequencies).

12.47 Nj qark resonant parallel siq shihet n figurn 12.44,aktivizohet nga burimi I rryms prej
(njsi t amperit) trregon respons maksimum t tensionit n amplitude prej
dhe .Gjeni

fig 12.44

12.48 Pr fardo vlere t tensionit n figurn 12.45gjeni shprehjen pr vlern e q do ta balansoj

qarkun pr ta br
 fig 12.45

12.49 Konsideroni qarkun n figurn 12.46.

a)Trregoni se si impedance e mund t bhet e pavarur nga pr qfardo vlere t

prshtatshme t .

b)Me t llogaritur nn a),sa sht vlera e .

fig 12.46

12.50 Ndryshimi ndrmjet trasnferimit t tensionit pr qfardo qarku sht trreguar n figurn 12.47 n form t
lakores t (Bode-plot form).
Raporti I trasnferimit (trasnfer ratio) mund t shprehet si :

Gejni parametrat
 fig 12.47

12.51 Pr qarkun n figurn 12.48 gjeni n frekuencn prej

fig 12.48

12.52 Impedanca e qarkut t mposhtm sht gjetur t jet dikund rreth ,dhe sht krejtsisht e njejt pr
t gjitha frekuencat.Vlera e induktorit si shihet sht .Sa jan vlerat e

fig 12,49
12.53 Konsideroni qarkun n figurn 12.50

fig 12.50

a)Vizatoni lakoren e (Bode plot) pr | | nse .Sa sht resonant frekuenca:

b) Vizatoni lakoren e pr | | nse .Sa sht resonant frekuenca

12.54 Qarku I trreguar n figurn 12.51 ka tensionin hyrs

a)Llogarit trasnfer funksionin

b)Nse Sa sht impedanca komplekse ekuivalente pr qarkun e vlersuar nga

c) Nga pjesa a) dhe b) mund t kuptohet se teorema e poashtu mund t aplikohet edhe n
impedancn komplekse.Nse sht kshtu,ather ne mund ta zvendsojm qarkun ndrmjet dhe
tokzimit me impedancn komplekse t ,dhe tensionin t qarkut kompleks
Duke parashtruar llogaritni

fig12.51
12.55

a) b) fig 12.52

a)Pr secilin qark n figurn 12.52 gjeni ,ku

b)Supuzojm se .Gjeni vlerat e q jep Sa sht raporti ndrmjet

c)Duke prdorur vlerar e t llogaritura nn b),vizatoni lakoret e| | | | kundrrejt frekuencave dhe

kundrejt frekuencs.Identifikoni karakteristikat e mposhtme t lakores:

i)Impedancn maksimale,frekuencn ku paraqitet,dhe kndin e fazs (phase angle) n

ii)Frekuencat dhe n t ciln | | sht 1/ m e vogl se maksimumi,dhe kndet fazore

n dhe .Klakuloni quantitetin

12.56 Pr qarkun n figurn 12.53

a) Shkruani ekuacionet diferenciale .,
b) Shkruani transfer funksionin
c) Zgjidhni pr duke supozuar se
d)Paraqitni n lakore rrnjt karakteristike t polinomit t pjess nn b) n rrafshin kompleks (s-plane41)duke
supozuar se (

fig 12.53

41 S-plane-Rrafshi s ose eng.s-plane,q njihet ndryshe si rrafshi kompleks ku paraqiten trasnformimet e Laplasit....
12.57 Para qit grafikisht responsin e frekuencs (magnitude dhe fazn) t filterit aktiv t trreguar n figurn
12,54 Supuzoni se sht ideal.

fig12.54

12.58 Qaku I trreguar n figurn 12,55 ka resonance shum t ngjajshme me nj qark .

a) Shkruani ekuacinet e gjendjes sinosuidale t qetsis pr

b)Zgjidh pr duke prdorur rrezulltatet n (a),duke pasur parasysh se ,duke supozuasr se

koeficienti I rritjes I sht I madh

fig 12.55