หน่ วยที่ 1

วงจรทรานซิสเตอร์ เบือ้ งต้ น

สาระการเรียนรู้
1. โครงสร้างและชนิดของทรานซิสเตอร์
2. การจ่ายไบอัสให้ทรานซิ สเตอร์
3. การจัดวงจรพื้นฐานของทรานซิ สเตอร์
4. วงจรขยายเบสร่ วม (Common Base Amplifier)
5. วงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วม (Common Collector Amplifier)
6. วงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วม (Common Emitter Amplifier)
7. กราฟแสดงคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์

จุดประสงค์ เชิ งพฤติกรรม

1. บอกชนิดและโครงสร้างของทรานซิสเตอร์ ได้
2. เขียนสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ ได้
3. อธิ บายการจ่ายไบอัสให้แก่ตวั ทรานซิ สเตอร์ ได้
4. อธิบายคุณสมบัติของวงจรคอมมอนเบสของทรานซิสเตอร์ ได้
5. อธิบายคุณสมบัติของวงจรคอมมอนคอลเล็คเตอร์ ของทรานซิสเตอร์ ได้
6. อธิบายคุณสมบัติของวงจรคอมมอนอิมิ ตเตอร์ของทรานซิสเตอร์ ได้
7. คานวณหาค่าพารามิเตอร์ ของทรานซิสเตอร์ ได้
8. อธิบายวิธีหาเส้นโหลดในกราฟคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ได้
9. อธิบายจุดทางานในกราฟคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ได้
 2

แบบทดสอบก่อนเรียนหน่ วยที่ 1

คาชี้แจง - เลือกคาตอบที่ถูกที่สุดทาเครื่ องหมาย X ลงในกระดาษคาตอบ

- แบบทดสอบมี 15 ข้อ คะแนนเต็ม 15 คะแนน ใช้เวลา 15 นาที
.............................................................................................................................................................

1. รู ปโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN คือข้อใด

ก. ข.

ค. ง.

2. รู ปโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP คือข้อใด

ก. ข.

ค. ง.
 3

3. หัวลูกศรในสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ มีความหมายอย่างไร
ก. บอกทิศทางการไหลของกระแส
ข. บอกชื่อขาอิมิตเตอร์
ค. บอกชื่อขาคอลเล็คเตอร์
ง. บอกทิศทางของสัญญาณเข้าออก
4. การกาหนดศักดิ์ไฟฟ้ าให้ทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN ข้อใดถูกต้อง

ก. ข.

ค. ง.

5. การกาหนดศักดิ์ไฟฟ้ าให้ทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP ข้อใดถูกต้อง

ก. ข.

ค. ง.

6. อัตราขยายกระแสของวงจรเบสร่ วมมีค่าเท่าไร
ก. 20 – 50 เท่า
ข. 15 – 30 เท่า
ค. 5 – 10 เท่า
ง. 0.95 – 0.98 เท่า
 4

7. ข้อใด ไม่ใช่ คุณสมบัติของวงจรคอมมอนคอลเล็คเตอร์

ก. มีอิมพีแดนซ์ทางอินพุตต่า
ข. มีอตั ราขยายกระแสมากกว่า 1
ค. มีอตั ราขยายแรงดันน้อยกว่า 1
ง. สัญญาณอินพุตกับสัญญาณเอาต์พุตมีเฟสเหมือนกัน
8. ข้อดีของวงจรอิมิตเตอร์ ร่วม คื อข้อใด
ก. มีอิมพีแดนซ์ทางอินพุตสู ง
ข. มีอิมทางเอาต์พุตต่า
ค. มีอตั ราขยายกระแสและแรงดันสู ง
ง. สัญญาณอินพุตกับสัญญาณเอาต์พุตมีเฟสเหมีอนกัน
9. อัตราขยายกระแสของทรานซิสเตอร์ ขอ้ ใดถูกต้อง
ก. β = IC × IE

ข. β = IC /IB

ค. β = IC IE

ง. β = IC × IB

10. กาหนดให้ IB = 20 µA IC = 10 mA จงหาค่า β

ก. β = 500

ข. β = 100

ค. β = 200

ง. β = 50

11. กาหนดให้ IE = 200μA α = 0.98 จงหาค่า IC

ก. 96 μA

ข. 98 μA

ค. 192 μA

ง. 196 μA
 5

12. ทรานซิสเตอร์ ทาหน้าที่ขยายสัญญาณได้ดีในบริ เวณใดของกราฟ

ก. บริ เวณคัตออฟ
ข. บริ เวณแอคทีป
ค. บริ เวณอิ่มตัว
ง. บริ เวณคัตออฟและบริ เวณอิ่มตัว
13. เมื่อทรานซิสเตอร์ อยูบ่ ริ เวณคัตออฟตรงกับคุณสมบัติในข้อใด
ก. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าสู ง
ข. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าต่า
ค. VCE มีค่าต่า IC มีค่าสู ง
ง. VCE มีค่าสู ง IC มีค่าต่า
14. เมื่อทรานซิสเตอร์ อยูบ่ ริ เวณอิ่มตัวตรงกับคุณสมบัติในข้อใด
ก. VCE มีค่าต่า IC มีค่าสู ง
ข. VCE มีค่าต่า IC มีค่าต่า
ค. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าสู ง
ง. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าต่า
15. การกาหนดจุดเพื่อสร้างเส้นโหลดจะต้องประกอบด้วยค่าใด
ก. IC ต่าสุ ด และ VCE ต่าสุ ด
ข. IC ต่าสุ ด และ VCE สู งสุ ด
ค. IC สู งสุ ด และ VCE ต่าสุ ด
ง. IC สู งสุ ด และ VCE สู งสุ ด
 6

หน่ วยที่ 1
วงจรทรานซิสเตอร์ เบือ้ งต้ น
ทรานซิสเตอร์ เป็ นอุปกรณ์ประเภทไบโพล่าร์ (Bipolar) กล่าวคือ ทรานซิ สเตอร์ สามารถ
ทางานได้ท้ งั กับประจุบวก (Hole) และประจุลบ (Electron) จึงใช้คาว่า Bi ซึ่ งแปลว่า 2 และ polar ซึ่ง
ย่อมาจาก polarity ซึ่ งแปลว่า ขั้ว การแบ่งชนิดของทรานซิ สเตอร์ แบ่งตามวัสดุที่ใช้สร้าง คือ
เยอรมาเนียมทรานซิสเตอร์ และซิลิกอนทรานซิสเตอร์
1.1 โครงสร้ างและชนิดของทรานซิสเตอร์
โครงสร้างของทรานซิสเตอร์ ประกอบด้วย สารกึ่งตัวนาชนิด P และชนิด N วางเรี ยงติดกัน
3 ชั้น โดยชั้นกลางจะเป็ นเนื้อสารต่างชนิดกับที่ปลายทั้ง 2 ทาให้สามารถแบ่งทรานซิ สเตอร์ ตาม
โครงสร้างออกเป็ น 2 ชนิด คือ ชนิด NPN และชนิด PNP โดยมีขาต่อออกมาใช้งาน 3 ขา คือ
ขา Emitter (E) ขา Base (B) และขา Collector (C) ทรานซิ สเตอร์ ที่ถูกสร้างมาใช้งานนี้ มักถูกเรี ยกว่า
ทรานซิ สเตอร์ ชนิดสองรอยต่อ (Bipolar Junction Transistor) หรื อ BJT ซึ่งมีโครงสร้างและ
สัญลักษณ์ดงั รู ปที่ 1.1

(ก) โครงสร้าง (ข) สัญลักษณ์

ทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP

(ก) โครงสร้าง (ข) สัญลักษณ์

ทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN
รู ปที่ 1.1 แสดงโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ชนิด PNP และ ชนิด NPN
 7

1.2 การจ่ ายไบอัสให้ ทรานซิสเตอร์

ทรานซิ สเตอร์ ไม่วา่ จะเป็ นชนิด NPN หรื อชนิด PNP จะสามารถทางานได้ข้ ึนอยูก่ บั การจ่าย
ไบอัสเป็ นสาคัญ การจ่ายไบอัสให้ทรานซิ สเตอร์ ทางานได้น้ นั มีวิ ธี การจ่ายไบอัสเพียงวิธีเดียว คือ
จ่ายแรงดันไบอัสตรง (Forward Bias) ให้ขา E และขา B คือ ทั้งขา E และขา B ต้องได้รับไบอัสตรง
ทั้งคู่ และจ่ายแรงดัน ไบอัสกลับ (Reverse Bias) ให้ขา C เทียบกับขา E หรื อเทียบกับขา B ก็ได้
เมื่อต้องการให้ทรานซิสเตอร์ทางาน จะต้องจ่ายไบอัสพร้อมกัน ทั้งไบอัสตรงและไบอัสกลับ ดังรู ป
ที่ 1.2

การจ่ ายไบอัสให้ ทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP

การจ่ ายไบอัสให้ ทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN

รู ปที่ 1.2 แสดงการจ่ายไบอัสให้ทรานซิ สเตอร์ ชนิด PNP และชนิด NPN

 8

จากการจ่ายแรงดันไบอัสดังกล่าว ค่าแรงดันที่จ่ายไบอัสตรงให้ขา E และขา B คือ แรงดัน

VEE และแรงดันที่จ่ายไบอัสกลับให้กบั ขา B และขา C คือแรงดัน VCC ซึ่งจะมีค่ามากกว่าแรงดัน
VEE (VCC > VEE ) ส่ งผลให้เกิดกระแสไหลในตัวทรานซิ สเตอร์ ได้ดงั นี้
กระแสที่ไหลที่ขา E คือ IE เป็ นกระแสทั้งหมดที่ไหลผ่านทรานซิ สเตอร์
กระแสที่ไหลที่ขา C คือ IC มีค่าประมาณ 95 – 98 % ของกระแส IE
กระแสที่ไหลที่ขา B คือ IB มีค่าประมาณ 2 – 5 % ของกระแส IE
ดังนั้น เขียนเป็ นสมการความสัมพันธ์ของกระแสได้วา่ IE = IB + IC

แรงดันระหว่างขา B และขา E คือ VBE

แรงดันระหว่างขา B และขา C คือ VBC
แรงดันระหว่างขา C และขา E คือ VCE (เป็ นแรงดันตกคร่ อมที่ตวั ทรานซิ สเตอร์ ท้ งั หมด)
จะได้ความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันทั้ง 3 ของทรานซิ สเตอร์ เป็ นดังนี้ VCE = VBC + VBE

โดยที่แรงดัน VBE เป็ นแรงดันตกคร่ อม ขา B และขา Eโดยมีค่าประมาณ 0.6 – 0.7 V

เมื่อเป็ นทรานซิสเตอร์ชนิดซิลิกอน และ ค่าประมาณ 0.2– 0.3 V เมื่อเป็ นทรานซิสเตอร์ชนิด
เยอรมันเนียม

1.3 การจัดวงจรพืน้ ฐานของทรานซิสเตอร์

เมื่อนาทรานซิ สเตอร์ มาใช้งานจะต้องจ่ายไบอัส ให้แก่ทรานซิ สเตอร์ อย่าง ถูกต้อง เพื่อ ให้
เกิดกระแสไหลผ่านตัวทรานซิ สเตอร์ ได้นนั่ เอง ทางด้าน Input ของทรานซิสเตอร์ จะ ต้องจ่ายไบอัส
ตรงทาให้ความต้านทาน ตรงบริ เวณรอยต่อของสาร P และสาร N มีค่าน้อย เมื่อจ่ายไบอัสเพียง
เล็กน้อยก็จะทาให้มีกระแสไหล และเมื่อปรับเปลี่ยนระดับแรงดัน Input เพียงเล็กน้อยก็จะทาใ ห้
กระแสเปลี่ยนแปลงได้ ส่ วนทาง ด้าน Output จะถูกจ่ายไบอัสกลับค่าความต้านทาน ตรงรอยต่อ
ระหว่างสาร P และสาร N จะมีค่ามาก จึงจะต้องจ่ายไบอัสกลับให้มีค่าสู ง เมื่อมีการเปลี่ยนแปลง
ของกระแสทาง Input เพียงเล็กน้อยก็จะทาให้กระแสทาง Output เปลี่ยนแปลงตามไปด้วย เนื่องจาก
ค่าแรงดัน ไบอัสกลับทางด้าน Output มีค่าสู ง ส่ งผลให้กระแสที่ไหลในวงจรทางด้าน Output มีค่า
มาก จึงเกิดแรงดันตกคร่ อมที่โหลดมาก นัน่ คือสัญญาณถูกขยายออกทาง Output มีค่าสู ง
การจัดวงจรใช้งานของทรานซิ สเตอร์ น้ นั จะต้องมีทางเข้า 2 ขั้ว และทางออก 2 ขั้วเช่นกัน
เนื่องจากทรานซิสเตอร์มี 3 ขา เมื่อต้องการจัดเป็ นทางเข้า 2 ขั้ว ทางออก 2 ขั้ว จึงจะต้องจัดขาใด
 9

ขาหนึ่งของทรานซิ สเตอร์ เป็ นขาร่ วม หรื อ Common โดยใช้ ขาร่ วมกันเป็ น ทั้ง Input และ Output
ดังรู ปที่ 1.3

รู ปที่ 1.3 แสดงการต่อวงจรโดยใช้จุดร่ วม (Common)

ดังนั้น การต่อจุดร่ วม (Common) จึงจัดได้ 3 รู ปแบบ คือ

1. วงจรเบสร่ วม หรื อ Common Base
2. วงจรคอลเล็คเตอร์ ร่วม หรื อ Common Collector
3. วงจรอิมิตเตอร์ ร่วม หรื อ Common Emitter

1.4 วงจรขยายเบสร่ วม (Common Base Amplifier)

เป็ นวงจรที่เอาขาเบส (B) เป็ นจุดร่ วมระหว่าง Input และ Output โดยการป้ อนสัญญาณ
Input เข้าที่ขา Emitter (E) และ Output ออกที่ขา Collector (C) วงจรเป็ นดังรู ปที่ 1.4

รู ปที่ 1.4 แสดงวงจรขยาย Common Base โดยใช้ทรานซิสเตอร์ชนิด PNP

จากวงจร Common Base โดยใช้ทรานซิสเตอร์ชนิด PNP ทาการจัดไบอัส ทาง Input โดยใช้

แหล่งจ่าย VEE ไบอัสตรงระหว่างขา B และ E ซึ่ งค่าความต้านทาน RE เป็ นตัวกาหนดค่ากระแส
 10

ทาง Input (IE ) ตามกฎของโอห์ม กล่าวคือ IE = VEE R E และผลของกระแส IE จะทาให้เกิด

กระแส Output (IC ) ดังสมการ IE = IB + IC ส่ วนแหล่งจ่าย VCC เป็ นแหล่งจ่ายที่ป้อนไบอัสกลับ
ระหว่างขา C และขา B ในวงจรจะเห็นว่ามี C1 และ C2 ต่ออยูท่ ี่ดา้ น Input และด้าน Output ทา
หน้าที่ Coupling Capacitor โดย C1 จะยอมให้สัญญาณ Input ผ่านเข้าไปที่ตวั ทรานซิ สเตอร์ และ
C2 จะเป็ นทางผ่านของสัญญาณ Output ออกไปใช้งาน ทั้ง C1 และ C2 ยังเป็ นตัวกั้น (Block)
ไม่ให้ไฟ DC จาก VEE ไหลย้อนกลับไปที่แหล่งจ่าย Input ซึ่ งอาจเป็ นไมโครโฟน หรื อส่ วนอื่น ๆ
และยัง ไม่ให้ไฟ DC จาก VCC ไหลออกขา Output ซึ่ งเป็ นลาโพงจะทาให้เกิดความเสี ยหายได้
1.4.1 การทางานของวงจรขยายเบสร่ วม (Common Base Amplifier)
เมื่อมีสัญญาณ Input เข้ามา ทาให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของกระแส IE เนื่องจากการ
เปลี่ยนแปลงระดับแรงดันของสัญญาณในครึ่ งบวกของสัญญาณ Input จึง ทาให้ข้ วั บนของ RE

เป็ นบวก ขั้วล่างเป็ นลบ ซึ่ งศักย์ไฟฟ้ าที่เกิดขึ้น จะไปอนุกรมเสริ มกับ แรงดัน VEE ทาให้กระแส IE
มีค่าสู งขึ้น กระแส IC จึงมีค่าสู งขึ้นตาม ส่ งผลให้แรงดันที่ตกคร่ อม ความต้านทาน RC มีค่ามากขึ้น
โดย ขั้วบนของ RC เป็ นบวกมากขึ้น ดังนั้นขณะนี้แรงดัน Output ครึ่ งบวก จึงมีค่ามากกว่าแรงดัน
ครึ่ งบวกของค่า Input
ส่ วนในครึ่ งลบของสัญญาณ Input จะทาให้ศกั ย์ไฟฟ้ าที่ข้ วั บนของ ความต้านทาน RE

เป็ นลบ ขั้วล่างเป็ นบวก ไปหักล้างกับ แรงดัน VEE ทาให้ กระแส IE มีค่าน้อยลง กระแส IC ก็จะ
น้อยลงตามศักย์ไฟฟ้ าที่ข้ วั บน ของความต้านทาน RC จึงเป็ นบวกน้อยลง แรงดัน Output ครึ่ งลบจึง
มีค่าสู งกว่าระดับแรงดันครึ่ งลบทางด้าน Input จึงถือ ได้วา่ สัญญาณ Input และสัญญาณ Output
มีเฟสเดียวกัน
1.4.2 คุณสมบัติของวงจรขยายเบสร่ วม พอสรุ ปได้ดงั นี้
1. มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Input (Zi) ต่ามากประมาณ 30 – 150  เพราะขา E และขา B ของ
ทรานซิสเตอร์ได้รับไบอัสตรง
2. มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Output (Zo) สู งมาก ประมาณ 300 – 1 M เพราะขา C และขา B
ของทรานซิสเตอร์ได้รับไบอัสกลับ
3. สัญญาณ Input และสัญญาณ Output มีเฟสเดียวกัน
 11

4. อัตราขยายกระแสหรื อ Current Gain ให้สัญลักษณ์ α (อัลฟา) เป็ นอัตราส่ วนระหว่าง

กระแส Output (IC ) กับกระแส Input (IE ) เขียนเป็ นสมการได้วา่ α = IC IE ซึ่งถ้า
แทนค่ากระแส IE = 100% และกระแส IC = 95% จะได้วา่ α =
95 100 = 0.95 เท่า ซึ่ งจะเห็นได้วา่ มีค่าน้อยกว่า 1 แสดงว่าวงจรขยายเบสร่ วม

จะไม่ขยายกระแส
5. อัตราขยายแรงดัน หรื อ Voltage Gain ใช้สัญลักษณ์ VG หรื อบางครั้งเรี ยกว่า
Voltage Amplifier (AV ) คือ อัตราส่ วนระหว่างแรงดัน Output (VO ) ต่อแรงดัน Input
(Vi ) จะมีค่าสู งเนื่องจากมีค่า มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Output (Zo) สู งมาก และมีค่า
อิมพีแดนซ์ทาง Input (Zi) ต่า
6. อัตราขยายกาลัง หรื อ Power Gain ใช้สัญลักษณ์ PG เป็ นอัตราขยายที่เกิดจากผลคูณ
ของอัตราขยายกระแส (𝛼) กับอัตราขยายแรงดัน (VG )

ตัวอย่างที่ 1.1
วงจรตามรู ป ที่ 1.5 มีกระแส IE ไหล 10 mA และกระแส IC ไหล 9.5 mA มีค่า R E = 200 

R C = 30k จงคานวณหาอัตรา การขยายกระแส (𝛼) อัตราการขยายแรงดัน (VG ) และอัตรา

การขยายกาลัง (PG )

รู ปที่ 1.5 แสดงวงจรขยาย Common Base โดยใช้ทรานซิสเตอร์ชนิด NPN

 12

วิธีทา
1. คานวณหาอัตราขยายของกระแส (α)
กระแส Output IC
α= =
กระแส Input IE

9.5 × 10−3
α=
10 × 10−3

𝛼 = 0.95 เท่า

2. คานวณหาอัตราขยายทางแรงดัน (VG )
แรงดัน Output VBC
VG = =
แรงดัน Input VBE

IC × R C RC
VG = =α×
IE × R E RE

30 × 103
VG = 0.95×
0.2 × 103

VG = 142.5 เท่า

3. คานวณหาอัตราการขยายกาลัง (PG )

PG = α × VG

PG = 0.95 × 142.5

PG = 135.375 เท่า
 13

1.5 วงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วม (Common Collector Amplifier)

วงจรนี้จะเอาขา Collector (C) เป็ นขาร่ วม โดยป้ อนสัญญาณ Input ที่ขา Base (B) และ
Output ที่ขา Emitter (E) ลักษณะวงจรเป็ นดังรู ปที่ 1.6

รู ปที่ 1.6 แสดงวงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วมโดยใช้ทรานซิ สเตอร์ ชนิด NPN

1.5.1 การทางานของวงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วม (Common Collector Amplifier)

โดยการป้ อนสัญญาณ Input เข้าที่ขา Base (B) ทาให้กระแส IB ไหลเปลี่ยนแปลงตาม
สัญญาณที่ป้อนเข้ามา จึงมีผลทาให้ กระแส IE ไหลเปลี่ยนแปลงตามไปด้วย จากผลของการป้ อน
สัญญาณเข้าทาง Input ทาให้ระดับแรงดัน Input เปลี่ยนแปลง ส่ งผลให้ระดับแรงดัน Output
เปลี่ยนแปลงตาม จึงทาให้เกิดการขยายสัญญาณขึ้น จากวงจรจะเห็นได้วา่ ความต้านทาน RB และ
ความต้านทาน RE อยูใ่ นวง Loop เดียวกัน เหมือนกับเป็ นวงจรแบ่งแรงดัน สัญญาณที่ป้อนที่
ขา Base (B) และออกที่ขา Emitter (E) จึงแบ่งกัน ตกคร่ อม เราจึงเรี ยกวงจรนี้อีกอย่างหนึ่งว่า
Emitter Follower ซึ่งสัญญาณที่ Input และสัญญาณที่ Output มีเฟสเดียวกัน
 14

1.5.2 คุณสมบัติของวงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วม พอสรุ ปได้ ดังนี้

1. มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Input (𝑍i ) สู งมาก ประมาณ 100 k – 500 k เพราะขา Base
(B)ได้รับไบอัสกลับเมื่อเทียบกับขา Collector (C) (ขา Base ตามการจ่ายที่ถูกต้องจะได้รับ
ไบอัสตรงเมื่อเทียบกับขา Emitter จะเป็ นไบอัส ตรง) และขา Base เป็ นชั้นสารที่แคบ
ต้องการกระแสเพียงเล็กน้อย ทาให้ตอ้ งใช้ความต้านทานในการจัดไบอัสมาก จึงมีผลทาให้
ค่าอิมพีแดนซ์ 𝑍i สู งมาก
2. มีค่าอิมพีแดนซ์ทางด้าน Output (ZO ) ต่าประมาณ 100 – 1k เพราะขา Emitter เมื่อ
เทียบกับขา Collector นั้นจะมีกระแส IE ไหลผ่านสู งจึงมีผลทาให้ค่าอิมพีแดนซ์ ZO ต่า
3. สัญญาณ Input และ Output มีเฟสเดียวกัน
4. อัตราขยายกระแส หรื อ Current Gain ใช้สัญลักษณ์ γ (แกมม่ า) เป็ นค่าอัตราส่ วนระหว่าง
กระแส Output (IO หรื อ IE ) กับกระแส Input (Ii หรื อ IB ) จะได้สมการ γ = IIOi ถ้าแทนค่า
100
IE = 100% , IB = 2% จะได้วา่ γ = = 50 เท่า ดังนั้น อัตราการขยายกระแสจึงมี
2

ค่ามากกว่า 1 แสดงว่าวงจรมีการขยายกระแส
5. อัตราการขยายแรงดัน หรื อ Voltage Gain ใช้สัญลักษณ์ VG หรื อเรี ยกว่า Voltage Amplifier
(AV ) คือ ค่าอัตราส่ วนระหว่างแรงดัน Output (VO ) ต่อแรงดัน Input (Vi ) เขียนเป็ นสมการ
VO IE R E
ได้วา่ VG = Vi
= IB R B
ค่าอัตราการขยายแรงดัน VG ของวงจรคอลเล็คเตอร์ ร่วม มีค่า
น้อยกว่า 1 คือ ไม่เกิดการขยายแรงดัน เพราะอิมพิแดนซ์ ZO มีค่าต่า ทาให้แรงดันตกคร่ อม
ต่า ส่ ว นอิมพีแดนซ์ 𝑍i มีค่าสู ง ทาให้แรงดันตกคร่ อมสู ง เมื่อนามาหารกันทาให้ได้ค่าน้อย
กว่า 1
6. อัตราขยายกาลัง หรื อ Power Gain ใช้สัญลักษณ์ PG เป็ นอัตราการขยายที่เกิดจากผลคูณของ
อัตราขยายกระแส (𝛾) กับอัตราขยายแรงดัน (VG ) เขียนเป็ นสมการได้วา่ PG = 𝛾 × VG

ค่า PG ของวงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วม มีค่าประมาณ 15 – 30 เท่า

 15

ตัวอย่างที่ 1.2
จากรู ปวงจรที่ 1.7 มีกระแส IB ไหล 0.5 mA และกระแส IE ไหล 20 mA มีค่า RE = 100 ,
R B = 10k จงคานวณหาอัตราขยายกระแส () อัตราขยายแรงดัน (VG ) และอัตราขยายกาลัง

(PG )

รู ปที่ 1.7 แสดงวงจรขยายคอลเล็คเตอร์ ร่วมโดยใช้ทรานซิ สเตอร์ ชนิด NPN

วิธีทา
1. คานวณหาอัตราขยายทางกระแส ()
กระแส Output IE
γ= =
กระแส Input IB

20 × 10−3
γ=
0.5 × 10−3

γ = 40 เท่า

2. คานวณหาอัตราขยายทางแรงดัน (VG )
แรงดัน Output IE R E
VG = =
แรงดัน Input IB R B
−3
20 × 10 × 100
VG =
0.5 × 10−3 × 10 × 103

20 × 100
VG =
0.5 × 10 × 103
 16

VG = 0.4 เท่า

3. คานวณหาอัตราขยายทางกาลัง (PG )

PG = γ × VO

PG = 40 × 0.4

PG = 16 เท่า

1.6 วงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วม (Common Emitter Amplifier)

เป็ นวงจรที่เอาขา Emitter (E) เป็ นขาร่ วมระหว่าง Input กับ Output โดยป้ อนสัญญาณ
Input เข้าที่ขา Base (B) และ Output ออกที่ขา Collector (C) ลักษณะวงจรเป็ นดังรู ปที่ 1.8

รู ปที่ 1.8 แสดงวงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วมโดยใช้ทรานซิ สเตอร์ ชนิด PNP

1.6.1 การทางานของวงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วม (Common Emitter Amplifier)

โดยการป้ อนสัญญาณ Input เข้าที่ขา Base (B) ทาให้กระแส IB เปลี่ยนแปลงไปตาม
สัญญาณ Input ในขณะที่สัญญาณ Input ครึ่ งบวกเข้ามา ทาให้ข้ วั บนของ ความต้านทาน RB มีศกั ย์
เป็ นบวก และขั้วล่างมีศกั ย์เป็ นลบ ไปอนุกรมต้านกับ แรงดัน VBB ทาให้ กระแส IB ไหลน้อยลง
เป็ นผลให้กระแส IC ไหลน้อยลงตาม แรงดันตกคร่ อมที่ ความต้านทาน RC จึงเป็ นบวกน้อยลงหรื อ
เป็ นลบมากขึ้น ในขณะที่สัญญาณ Input ครึ่ งลบเข้ามา จะทาให้ข้ วั บนของ RB มีศกั ย์เป็ นลบและ
 17

ขั้วล่างมีศกั ย์เป็ นบวกไปอนุกรมเสริ มกับ แรงดัน VBB ทาให้กระแส IB ไหลมากขึ้น กระแส IC จึง
ไหลมากขึ้นตาม จึงทาให้แรงดันตกคร่ อมที่ RC เป็ นบวกมากขึ้น ดังนั้นเราจะเห็นได้วา่ สัญญาณ
Input กับ Outpu มีเฟสตรงกันข้ามกันอยู่ 1800 หรื อ Out off Phase
1.6.2 คุณสมบัติของวงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วม พอสรุ ปได้ ดังนี้
1. มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Input (𝑍i ) ต่าประมาณ 500 – 1500 เพราะขา Base ได้รับไบอัส-
ตรงเมื่อเทียบกับขา Emitter
2. มีค่าอิมพีแดนซ์ทาง Output (𝑍O ) สู งประมาณ 50k เพราะขา Collector ได้รับไบอัสกลับ
เมื่อเทียบกับขา Emitter
3. สัญญาณ Input และ Output มีเฟสต่างกัน 1800
4. อัตราขยายกระแส หรื อ Current Gain ใช้สัญลักษณ์ เบต้า (β) หรื อ hfe เป็ นค่าอัตราส่ วน
ระหว่างกระแส Output (IC หรื อ IO ) กับกระแส Input (IB หรื อ Ii ) เขียนเป็ นสมการได้วา่
IO I
Ii
= IC
B
ถ้าแทนค่ากระแส IC = 98% ,กระแส IB = 2% ดังนั้น β = 982 = 49 เท่า
5. อัตราการขยายแรงดัน หรื อ Voltage Gain ใช้สัญลักษณ์ (VG ) หรื อเรี ยกว่า Voltage
Amplifier (AV ) คือ ค่าอัตราส่ วนระหว่างแรงดัน Output (VO ) ต่อแรงดัน Input (Vi )
VO I R
เขียนเป็ นสมการได้วา่ VG = Vi
= IC RC
B B
ค่า VG ของวงจร ขยายอิมิตเตอร์ ร่วม
มีค่าประมาณ 250 – 300 เท่า เกิดการขยายแรงดัน เพราะ 𝑍O มีค่าสู งทาให้แรงดัน
ตกคร่ อมสู ง ส่ วน 𝑍i มีค่าต่า ทาให้แรง ดันตกคร่ อมต่า เมื่อนามาหารกัน จึง ทาให้ได้ค่า
ออกมาสู ง
6. อัตราขยายกาลัง หรื อ Power Gain ใช้สัญลักษณ์ (PG ) เป็ นอัตราการขยายที่เกิดจาก
ผลคูณของอัตราขยายกระแส ( β ) กับอัตราขยายแรงดัน ( VG ) เขียนเป็ นสมการได้วา่
PG = 𝛽 × VG ค่า PG ของวงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วม มีค่าประมาณ 40 dB การที่วงจร
ขยายอิมิตเตอร์ ร่วม มีอตั ราการขยายทุกอย่างสู ง ดังนั้นค่า อัตราขยายกาลัง PG จึงสู งกว่า
วงจรอื่น
 18

ตัวอย่างที่ 1.3
จากรู ปวงจรที่ 1.9 เป็ นวงจรขยายแบบ Common Emitter มีค่ากระแส IB = 0.2mA, กระแส
IC = 10mA แรงดันระหว่างขา Base และขา Emitter = 0.2 V ความต้านทาน RC = 500Ω
และแหล่งจ่ายแรงดันมีค่า 15 V จงคานวณหาอัตราขยายทางกระแส อัตราขยายทางแรงดัน และ
อัตราขยายทางกาลัง

รู ปที่ 1.9 แสดงวงจรขยายอิมิตเตอร์ ร่วมโดยใช้ทรานซิ สเตอร์ ชนิด NPN

วิธีทา
1. คานวณหาอัตราขยายทางกระแส (β)
กระแส Output IC
β= =
กระแส Input IB

10 × 10−3
β=
0.2 × 10−3

β = 50 เท่า

2. คานวณหาอัตราขยายทางแรงดัน (VG )
แรงดัน Output VO
VG = =
แรงดัน Input Vi
 19

VCC − IC R C
VG =
Vi

15 − (10 × 10−3 × 0.5 × 103 )

VG =
0.2

10
VG =
0.2

VG = 50 เท่า

3. คานวณหาอัตราขยายทางกาลัง (PG )

PG = β × VG

PG = 50 × 50

PG = 2500 เท่า

ตารางที่ 1.1 แสดงการเปรียบเทียบคุณสมบัติของวงจรขยายทั้ง 3 แบบ

คุณสมบัติ Common Common Common

Base Collector Emitter
1. สัญญาณ Input เข้าที่ Base กับ
Emitter กับ Base Base กับ Emitter
Collector
2. สัญญาณ Output ออกที่ Collector กับ Emitter กับ Emitter กับ
Base Collector Collector
3. ค่าความต้านทานทาง Input 30 – 150 100k – 500k 500 – 1500
4. ค่าความต้านทานทาง Output 300k – 1M 100 – 1k 50K
5. สัญลักษณ์ของอัตราการขยายทางกระแส α  β
IC IE IC
6. อัตราส่ วนของอัตราการขยายทางกระแส
IE IB IB
7. ขนาดของอัตราขยายทางกระแส น้อยกว่า 1 20 – 50 เท่า 19 – 49 เท่า
8. ขนาดของอัตราขยายทางแรงดัน 300 – 1000 เท่า น้อยกว่า 1 250 – 300 เท่า
 20

ความสัมพันธ์ ระหว่างอัตราขยายทางกระแสของทั้ง 3 วงจร คือ Common Base หรื อ

อัลฟา (α) Common Emitter หรื อเบ ต้า (β) Common Collector หรื อ แกมม่ า (γ) การจะหา
ความสัมพันธ์ได้สะดวก ต้องอ้างถึงสมการ IE = IB + IC ถ้าต้องการหาค่า β ในรู ปของ γ สามารถ
ทาได้โดย
IC IC
β= =
IB IE − IC

IC
IE
β=
IE IC
IE − IE

α
β=
1−α

ดังนั้น ถ้ารู ้ค่า α ก็หาค่า βได้เช่นกัน ถ้าต้องการหาค่า γ ในรู ปของ β ทาได้โดย

IE IC + IB
γ= =
IB IB

IC
γ= +1
IB

γ=β+1

ถ้าต้องการหาค่า β ในรู ปของ α ทาได้โดย

IC IC
α= =
IE IC + IB

IC
IB
α=
IC IB
IB + IB

β
α=
β+1
 21

ตัวอย่างที่ 1.4
จงหาค่า α และหาค่ากระแส IC ของทรานซิสเตอร์ เมื่อมีกระแส IE = 30 mA และมีอตั ราการ
ขยายกระแส (β) = 100
วิธีทา
จากสู ตร

β
α=
β+1
100
α=
100 + 1

100
α=
101

α = 0.99

I
จาก α = IC
E

เพราะฉะนั้น

IC = α × IE

IC = 0.99 × 30 × 10−3

IC = 29.7 mA

1.7 กราฟแสดงคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ (Transistor Characteristic Curve)

เป็ นกราฟที่ใช้แสดงคุณสมบัติของทรานซิ สเตอร์ โดยเขียนความสัมพันธ์ระหว่างแรงดัน
ทางด้าน Output ที่ตวั ทรานซิสเตอร์ เมื่อกระแส Input เปลี่ยนไป โดยให้แกน X เป็ นค่าแรงดัน
ทาง Output และให้แกน Y เป็ นค่ากระแส Output โดยรู ปกราฟเป็ นค่ากระแส Input ดังแสดง
ในรู ปที่ 1.10
 22

รู ปที่ 1.10 แสดงกราฟลักษณะของทรานซิสเตอร์

1.7.1 รายละเอียดของกราฟ อธิ บายได้ดงั นี้

บริเวณที่ 1 เป็ นบริ เวณที่ทรานซิสเตอร์ทางานใ นสภาวะอิ่มตัว เรี ยกบริ เวณนี้วา่ “บริ เวณ
อิ่มตัว ” (Saturation Region) เมื่อทรานซิ สเตอร์ ทางานในบริ เวณนี้ มีกระแสไหลผ่านตัวมาก
ค่าความต้านทาน Output ต่าสุ ด และค่าแรงดัน Output ต่าสุ ดเช่นกัน หรื อ กล่าวว่าทรานซิ สเตอร์
ทางานเหมือนสวิทช์ปิดวงจร
บริเวณที่ 2 เป็ นบริ เวณที่ทรานซิสเตอร์ทางานตามปกติ ทรานซิสเตอร์จะทาหน้าที่ขยาย
สัญญาณได้เต็มที่เรี ยกบริ เวณนี้วา่ “Active Region” ดังนั้นการจ่ายไบอัสเพื่อ ทรานซิสเตอร์ทางาน
ในการขยายสัญญาณต้องให้ทางานในบริ เวณนี้
บริเวณที่ 3 เป็ นบริ เวณที่ทรานซิ สเตอร์ หยุดทางาน เรี ยกบริ เวณนี้วา่ “บริ เวณหยุดทางาน ”
(Cut Off Region) เมื่อทรานซิ สเตอร์ ทางานในบริ เวณนี้จะมีกระแส Output ไหลน้อยที่สุดค่าความ
ต้านทานทางด้าน Output มีค่าสู งมากและแรงดันทางด้าน Output มีค่าสู งเท่ากับแหล่งจ่าย หรื อ
กล่าวได้วา่ ทรานซิ สเตอร์ ทางานเหมือนสวิตซ์เปิ ดวงจร
1.7.2 เส้ นโหลดไฟกระแสตรงและจุดทางาน
การทางานของทรานซิ สเตอร์ น้ นั มีจุดที่ทรานซิ สเตอร์ สามารถทางานได้หลายจุดขึ้นอยูก่ บั
การจัดไบอัสให้วงจร ส่ งผลต่อการทางานในวงจร ให้ เปลี่ยนแปลงไปสามารถนามาเขียนกราฟ
คุณสมบัติของวงจรออกมาได้ กราฟคุณสมบัติทาง Output ของทรานซิ สเตอร์ น้ ีสามารถหาจุด
 23

ทางาน (Operating point) หรื อเรี ยกสั้น ๆ ว่า จุดคิว (Q-point) โดยการทาการหาเส้นโหลดไฟ
กระแสตรง (DC Load Line) บนกราฟของคุณสมบัติทรานซิ สเตอร์ และกาหนดค่ากระแสที่ไหลเข้า
มาทาง Input สามารถหาจุดทางานออกมาได้ตามต้องการ การหาเส้นโหลดและจุด ทางานหาได้โดย
การคานวณจากสมการทางด้าน Input และ Output ของทรานซิสเตอร์ดงั แสดงในรู ปที่ 1.11

รู ป ก. รู ป ข.

รู ปที่ 1.11 แสดงวงจรและกราฟการหาเส้นโหลดและจุดทางานของวงจร Common Emitter

จากรู ปที่ 1.11 ก. จะหาค่าสมการแรงดันในส่ วน Output ของวงจรโดยใช้กฎแรงดันของเคอร์ชอฟ

ใน loop การไหลของกระแส IC ได้ดงั นี้

VCC = IC R C + VCE … … … … … … … . (1)

การหาเส้นโหลด DC ทาได้โดยกาหนดการทางานของตัวทรานซิ สเตอร์ ใน 2 สภาวะ คือ สภาวะที่

จุดอิ่มตัวและสภาวะที่จุด Cut off

ที่จุดอิ่มตัวให้ VCE = 0 V จะได้ VCC = IC R C + 0

VCC
IC = … … … … … … … . (2)
RC

ที่จุด Cut off ให้ IC = 0 mA จะได้

VCC = 0 + VCE

VCC = VCE … … … … … … … . (3)

 24

นาค่าในสมการที่ 2 และ 3 ไปกาหนด ที่รูป ข . กราฟที่ ตาแหน่งแกน IC (แกน y) และ

แกน VCE (แกน x) บนกราฟคุณสมบัติทาการลากเส้นตรงต่อจุดทั้ง 2 จะได้เส้นตรงที่เรี ยกว่า
เส้นโหลด DC ออกมาส่ วนการหาจุดทางาน (จุด Q) ของวงจรทาได้โดยหาค่ากระแส Input ที่ไหล
เข้ามา หาได้จากสมการแรงดันในส่ วน Input ของวงจรโดยใช้กฎของเคอร์ชอฟใน loop การไหล
ของ IB ดังนี้

VCC = IB R B + VBE

IB R B = VCC − VBE

VCC − VBE
IB =
RB

นาค่ากระแส IB ที่ได้ไปหาตาแหน่งเส้นกราฟของ IB ในกราฟคุณสมบัติเกิดจุดตัด

ระหว่างเส้นกราฟ IB กับ เส้นโหลด DC จุดตัดนี้ คือ จุดทางานของวงจรทรานซิ สเตอร์ ลกั ษณะ
กราฟที่ได้ดงั แสดงในรู ปที่ 1.12

รู ปที่ 1.12 แสดงกราฟเส้นโหลดและจุดทางาน (Q - Point)

เมื่อแรงดัน ค่า VBE ของทรานซิ สเตอร์ ในขณะที่ทรานซิ สเตอร์ ทางานแรงดันนี้เป็ นไบอัส-
ตรงเสมือนเป็ นแรงดันไบอัสตรงให้ตวั ไดโอด คือแรงดันตกคร่ อมโดยประมาณดังนี้
ทรานซิสเตอร์ชนิดซิลิกอน VBE = 0.7 V

ทรานซิสเตอร์ชนิดเยอรมาเนียม VBE = 0.3 V

 25

ดังนั้นจากสมการ IB เมื่อเปลี่ยนค่าความต้านทาน RB ทาให้จุดทา งานเลื่อนขึ้นหรื อเลื่อนลงได้

ดังรู ปที่ 1.13

รู ปที่ 1.13 แสดงกราฟผลของการเปลี่ยนแปลงค่า RB ส่ งผลให้จุด Q เปลี่ยน

ในทาง Output เมื่อเปลี่ยนค่าความต้านทาน RC มีผลต่อการทาให้เส้นโหลด DC ชันขึ้นหรื อลาดลง

ได้ดงั รู ปที่ 1.14

รู ปที่ 1.14 แสดงกราฟของการเปลี่ยนแปลงค่า RC ส่ งผลให้เส้นโหลด DC เปลี่ยน

 26

ตัวอย่างที่ 1.5 วงจรตามรู ป ที่ 1.15 กาหนดให้ RB = 820 k R C = 1k VCC = 25V จงหา
จุดทางานของทรานซิสเตอร์ในวงจรเมื่อเป็ นทรานซิสเตอร์ชนิดซิลิกอน

ก. รู ปวงจร

ข. กราฟคุณสมบัติทาง O/P

รู ปที่ 1.15 แสดงรู ปวงจรและกราฟคุณสมบัติทาง Output

 27

วิธีทา
กาหนดจุด IC เมื่อทรานซิ สเตอร์ อยูใ่ นสภาวะอิ่มตัวจะได้

VCC = IC R C + VCE

VCC = IC R C + 0

VCC
IC =
RC
แทนค่า
25V
IC =
1 × 103

IC = 25mA

กาหนดจุด VCE อยูใ่ นสภาวะ Cut off จะได้

VCC = IC R C + VCE

VCC = VCE + 0

VCC = VCE = 25V

เมื่อได้ IC และ VCE แล้วลากเส้นจากจุดทั้ง 2 จะได้เส้น DC โหลด ดังรู ปที่ 1.16

รู ปที่ 1.16 แสดงกราฟคุณสมบัติทาง Output ที่มีเส้น DC โหลด

 28

การกาหนดจุด Q โดยหาค่ากระแส IB ทาง Input จะได้จาก

VCC = IB R B + VBE

VCC − VBE
IB =
RB

25 − 0.7
IB =
820 × 103

IB = 29.63μA ≈ 30μA

นาค่า IB ไปกาหนดจุดบนเส้นกราฟที่จุดตัดระหว่าง IB กับเส้นโหลด DC เกิดจุด Q ของ

วงจรดังรู ปที่ 1.17 ที่จุด Q จะได้

VCEQ = 10V

ICQ = 15mA

รู ปที่ 1.17 แสดงกราฟคุณสมบัติทาง Output ที่มีเส้น DC โหลดพร้อมจุดทางาน

 29

สรุ ป
ทรานซิ สเตอร์ เป็ นอุปกรณ์ประเภทไบโพล่าร์ (Bipolar) โครงสร้างของทรานซิสเตอร์
ประกอบด้วย สารกึ่งตัวนาชนิด P และชนิด N วางเรี ยงติดกัน 3 ชั้น มีขาต่อออกมาใช้งาน 3 ขา คือ
ขา Emitter (E) ขา Base (B) และขา Collector(C) ดังนั้น การต่อจุดร่ วม (Common) จึงจัดได้
3 รู ปแบบ คือ
1. วงจรเบสร่ วม หรื อ Common Base
2. วงจรคอลเล็คเตอร์ ร่วม หรื อ Common Collector
3. วงจรอิมิตเตอร์ ร่วม หรื อ Common Emitter
การเลือกใช้วงจรแบบใดจะต้องทราบคุณสมบัติของวงจรนั้นๆ
 30

แบบฝึ กหัดหน่ วยที่ 1

คาชี้แจง จงตอบคาถามต่อไปนี้ให้สมบูรณ์

1. ทรานซิ สเตอร์ แบ่งได้กี่ชนิด อะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)

…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
2. การจ่ายไบอัสให้แก่ทรานซิ สเตอร์ มีวธิ ี การอย่างไร (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
3. แรงดันตกคร่ อมขา B และขา E ของทรานซิ สเตอร์ มีค่าประมาณเท่าไร (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
4. จงเขียนสมการแรงดันและกระแสของทรานซิสเตอร์ (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
5. การจัดวงจรขาร่ วมของทรานซิ สเตอร์ แบ่งออกได้กี่แบบ อะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
 31

6. คุณสมบัติของวงจร Common Base มีอะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)

…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
7. คุณสมบัติของวงจร Common Collector มีอะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
8. คุณสมบัติของวงจร Common Emitter มีอะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
9. กราฟคุณสมบัติของทรานซิ สเตอร์ มีกี่บริ เวณ อะไรบ้าง (คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
10. การหาเส้นโหลด มีการกาหนดการทางานของทรานซิ สเตอร์ ในสภาวะใด
(คะแนนเต็ม 1 คะแนน)
…………………………………………………………………………...…………..………………
.……....………………………………………………………………………...………..…………..
……………………………………………………………………………………………………….
 32

แบบทดสอบหลังเรียนหน่ วยที่ 1

คาชี้แจง - เลือกคาตอบที่ถูกที่สุดทาเครื่ องหมาย X ลงในกระดาษคาตอบ

- แบบทดสอบมี 15 ข้อ คะแนนเต็ม 15 คะแนน ใช้เวลา 15 นาที
.............................................................................................................................................................

1. รู ปโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN คือข้อใด

ก. ข.

ค. ง.

2. รู ปโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP คือข้อใด

ก. ข.

ค. ง.
 33

3. อัตราขยายกระแสของวงจรเบสร่ วมมีค่าเท่าไร
ก. 0.95 – 0.98 เท่า
ข. 5 – 10 เท่า
ค. 15 – 30 เท่า
ง. 20 – 50 เท่า

4. การกาหนดศักดิ์ไฟฟ้ าให้ทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN ข้อใดถูกต้อง

ก. ข.

ค. ง.

5. การกาหนดศักดิ์ไฟฟ้ าให้ทรานซิสเตอร์ ชนิด PNP ข้อใดถูกต้อง

ก. ข.

ค. ง.

6. หัวลูกศรในสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ มีความหมายอย่างไร
ก. บอกชื่อขาคอลเล็คเตอร์
ข. บอกชื่อขาอิมิตเตอร์
ค. บอกทิศทางการไหลของกระแส
ง. บอกทิศทางของสัญญาณเข้าออก
 34

7. ข้อดีของวงจรอิมิตเตอร์ ร่วม คือข้อใด

ก. มีอิมพีแดนซ์ทางอินพุตสู ง
ข. มีอตั ราขยายกระแสและแรงดันสู ง
ค. สัญญาณอินพุตกับสัญญาณเอาต์พุตมีเฟสเหมีอนกัน
ง. มีอิมพีแดนซ์ทางเอาต์พุตต่า
8. ข้อใด ไม่ใช่ คุณสมบัติของวงจรคอมมอนคอลเล็คเตอร์
ก. มีอิมพีแดนซ์ทางอินพุตต่า
ข. สัญญาณอินพุตกับสัญญาณเอาต์พุตมีเฟสเหมือนกัน
ค. มีอตั ราขยายกระแสมากกว่า 1
ง. มีอตั ราขยายแรงดันน้อยกว่า 1
9. กาหนดให้ IB = 20 µA IC = 10 mA จงหาค่า β
ก. β = 50

ข. β = 100

ค. β = 200

ง. β = 500

10. อัตราขยายกระแสของทรานซิสเตอร์ ขอ้ ใดถูกต้อง

ก. β = IC × IB

ข. β = IC × IE

ค. β = IC IB

ง. β = IB IC

11. กาหนดให้ IE = 200μA α = 0.98 จงหาค่า IC

ก. 96 μA

ข. 98 μA

ค. 192 μA

ง. 196 μA
 35

12. เมื่อทรานซิสเตอร์ อยูบ่ ริ เวณคัตออฟตรงกับคุณสมบัติในข้อใด

ก. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าสู ง
ข. VCE มีค่าต่า IC มีค่าสู ง
ค. VCE มีค่าสู ง IC มีค่าต่า
ง. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าต่า
13. ทรานซิสเตอร์ ทาหน้าที่ขยายสัญญาณได้ดีในบริ เวณใดของกราฟ
ก. บริ เวณคัตออฟ
ข. บริ เวณอิ่มตัว
ค. บริ เวณแอคทีป
ง. บริ เวณคัตออฟและบริ เวณอิ่มตัว
14. การกาหนดจุดเพื่อสร้างเส้นโหลดจะต้องประกอบด้วยค่าใด
ก. IC สู งสุ ด และ VCE ต่าสุ ด
ข. IC ต่าสุ ด และ VCE สู งสุ ด
ค. IC สู งสุ ด และ VCE สู งสุ ด
ง. IC ต่าสุ ด และ VCE ต่าสุ ด
15. เมื่อทรานซิสเตอร์ อยูบ่ ริ เวณอิ่มตัวตรงกับคุณสมบัติในข้อใด
ก. VCE มีค่าต่า IC มีค่าต่า
ข. VCE มีค่าต่า IC มีค่าสู ง
ค. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าสู ง
ง. VCE เท่ากับแหล่งจ่าย IC มีค่าต่า