01.

Előadás

Kristályos anyagok elektronjainak lehetséges energia tartományai, sávdiagramok:

ENERGIA Vezetők Szigetelők Szilícium

félvezető
eV Vezetési sáv
1.1 eV
Vegyérték sáv
> 3 eV

Ohmos áramvezetés, drift (sodródási) áram, térerősség hatására

Vezető fém tömb (L hosszúságú, A keresztmetszetű), elmozdulni képes töltéshordozókkal
(szabad elektronokkal), rákapcsolt U feszültség hatására:

L A

Δx
U

Az átfolyó áram: (éppen Δx távolságot tesz meg egy töltéshordozó Δt idő alatt)
Q nq xA U
i nqvn A , az elektronok sebessége: vn n E n
t t L
1
Részecskék (elektronok) köbméterenkénti sűrűsége, koncentrációja: n
m3

m2 mm
Részecskék mozgékonysága (n: elektron): n
Vs sV
E: villamos térerősség
Részecske (elektron) töltése: [𝑞] = 𝐴𝑠
A A 1 1 L L
i nq n U GU G nq n R
L L G nq n A A

1
Fajlagos ellenállás:
nq n

mm2
Pl. réz: réz 0.017
m
 01. Előadás

Áramvezetés diffúzióval, töltéshordozó koncentráció különbség hatására

A részecskék hő mozgás következtében létrejövő, csak x irányú sebessége (a hőmérséklet
mindkét fél térben egyforma):

n1 > n 2

eredő részecskeáram

n(x) x
elektron áramlás iránya
technikai áram irány

x irányú diffúziós áram ha n(x) elektron koncentráció:

dn x
i qADn
dx
𝑚2
[𝐷𝑛 ] = , diffúziós állandó, anyagjellemző, hőmérséklet függő.
𝑠
𝑘𝑇
Einstein összefüggés: 𝐷𝑛 = 𝑞
𝜇𝑛

k: Boltzmann állandó
T: abszolút hőmérséklet (abszolút 0 fokon nincs diffúzió).
q: elektron töltése
1
Töltéshordozók (elektronok) koncentrációja: n
m3
Pld.:
n(x)
Legyen az elektron sűrűség helyfüggése az ábra szerinti: n0

𝑛0
𝑛(𝑥) = − 𝐿
𝑥 + 𝑛0
x
Az x irányú áram – elektronáram - a diffúziós képlet szerint:
L
𝑛0
𝑖 = −𝑞𝐴𝐷
𝐿

A negatív előjel a technikai áramirány miatt az x tengellyel ellentétes irányú áramra utal.
Lineáris koncentráció változás estén a kialakuló diffúziós áram konstans.
 01. Előadás

Félvezetők ohmos vezetése – Intrinsic (tiszta félvezető)

Szilícium egykristály kétdimenziós képe:

Si Si Si

vezetési sáv
Si Si Si ENERGIA ENERGIA
hő, fény hő, fény
vegyérték sáv
Si Si Si generáció rekombináció

A kristályrácsba beépülő Si atomok valamennyi elektronja a kristályrács kötésében vesz részt,

szabad töltéshordozó tipikusan nincs. Kevés kötésbeli elektron külső energia behatásra (hő,
fény) kiléphet a kötésekből, ami azt jelenti, hogy létrejött egy elmozdítható elektron ( -
töltéshordozó vezetési sávban), és a kötésből hiányzó elektron hiány, azaz lyuk (+
töltéshordozó vegyérték sávban). Ezt a töltéshordozó képződési folyamatot hívjuk
generációnak) Pl. külső térerősség hatására az elektron (-) elmozdulni képes, valamint az
elektron hiányba a szomszédos kötésekből elektronok ugorhatnak át, létrehozva így a lyukak
(+) elmozdulását, azaz a lyuk vezetést, amely az elektronok mozgásával ellentétes irányú.
Ha egy a generációval létrejött szabadon mozgó elektron beesik egy elektron hiányba
(rekombináció), akkor megszűnik mind -, mind a + elmozdulni képes töltéshordozó. Ez a
folyamat energia leadással (hő, fény) jár együtt.
A generáció és a rekombináció együttesen jelenlévő folyamatok. Egy adott hőmérsékleten
kialakul egy + és ugyanekkora – töltéshordozó koncentráció.
Tiszta, 4 vegyértékű szilícium félvezető tömb (A keresztmetszetű, L hosszúságú), rákapcsolt
U feszültséggel, tehát belső villamos térrel: A

i Si

A létrejövő sodródási (drift) áram az elektronok, illetve a lyukak által létrehozott áramok
A A
összege: i ni q n pi q p U
L L

m2 m2
n 0.13 : elektron mozgékonyság, p 0.045 : lyuk mozgékonyság
Vs Vs

ni pi : az intrinsic, tiszta félvezető elektron és lyuk koncentrációja, igen kicsi, hőmérséklet,

illetve fény besugárzás függő érték.
Igaz, hogy a lyukak mozgását is elektronok mozgása okozza, mivel azonban ezek az
elektronok a szomszédos kötésekből szabadulnak ki, a lyukmozgékonyság eltér az elektron
mozgékonyságtól, annál kisebb.
 01. Előadás

„n” típusú félvezető (donor szennyezés):

vezetési sáv
Donor nívó
Si Si Si
vegyérték sáv
+
Si P Si
kisebbségi többségi
A
i
Si Si Si n
L
U
A A
i nq n U pq p U np ni pi n ni p pi
L L
Többségi Kisebbségi Intrinsic Intrinsic lyuk
töltéshordozó töltéshordozó elektron koncentráció
drift árama drift árama koncentráció

Az 5 vegyértékű foszfor (P) szennyezés kristályrácsba juttatása (n típusú, donor szennyezés)

esetén az atommag 5 protonja tart elektromos egyensúlyt az 5 vegyérték elektronnal, amelyek
közül 4 beépül a rácsba, egy elektron pedig viszonylag könnyen – kis energiaközlés hatására –
kiszabadul az atomból, azaz a vezetési sávba jut. A kis energia igényt szemlélteti a vezetési
sávhoz közel elhelyezkedő donor nívó. A kiszabadult elektron hátrahagy egy kiegyenlítetlen
helyhez kötött pozitív töltést, amit bekarikázva jelölünk. A mellette lévő nem karikázott
negatív töltés mozgásra képes.
Mivel az n típusú félvezetőben a szabad elektron koncentráció sokkal nagyobb, mint az
intrinsicben, ezért a kisebbségi, szabadon mozgó lyukak koncentrációja jóval kisebb, mert
nagyobb valószínűséggel töltődnek be a szabad elektronok által. Ezt fejezi ki az np ni pi
egyenlet.
Az n típusú félvezető a szennyezési koncentrációtól függően jó vezető.
 01. Előadás

„p” típusú félvezető (akceptor szennyezés): vezetési sáv

Si Si Si Akceptor
nívó vegyérték sáv

Si - B Si
kisebbségi többségi
elektron A
i
hiány p
Si Si Si L
U
A A
i nq n U pq p U np ni pi n ni p pi
L L
kisebbségi többségi

A 3 vegyértékű Bór (B) szennyezés kristályrácsba juttatása (p típusú szennyezés) esetén az

atommag 3 protonja tart elektromos egyensúlyt a 3 vegyérték elektronnal, amelyek közül
valamennyien részt vesznek a szomszédos szilícium atomokkal való kötésben. A teljes
kötéshez azonban 4 vegyérték elektronra volna szükség, tehát itt egy elektron hiány (lyuk)
alakul ki. Ez az elektron hiány könnyen betöltődhet a szomszédos kötésekből átugró
elektronnal. Ekkor az elektron hiány (lyuk) az elektronját elveszítő atomra ugrott át, míg a bór
atom az elektron hiányát betöltő elektron miatt egy helyhez kötött negatív töltésként
viselkedik.
Ezt a működést modellezi az akceptor nívó megjelentetése a sávdiagramban. Hiszen ha a
valenciasávból a hozzá energiában közel lévő akceptor nívóra emelkedik egy elektron (ez már
kis hőmérsékleten kialakul), akkor a vegyértéksávban egy elektron hiányt (lyukat) hagy hátra,
és ez a lyuk pl. külső térerősség hatására elmozdulni képes, azaz szabad töltéshordozóként
viselkedik.
Mivel a p típusú félvezetőben a szabad lyukkoncentráció sokkal nagyobb, mint az intrinsic
félvezetőben, ezért a kisebbségi, szabadon mozgó elektronkoncentráció jóval kisebb, mert az
elektronok a lyukakkal nagyobb valószínűséggel egyesülnek. Ezt fejezi ki az np ni pi
egyenlet.
A p típusú félvezető a szennyezési koncentrációtól függően jó vezető.
 02. Előadás

p-n átmenet (dióda):

Illesszünk össze egy n, illetve p típusú félvezető lapkát, így egy félvezető diódát létrehozva:

Szilícium egykristály
Kiindulási állapot: n, ill. p szennyezéssel
n p

Egyensúlyi állapot:
E,UD
n p

Kiürített réteg
0.) Külső feszültséget nem kapcsolunk az np struktúrára.
1.) Az elmozdulni képes töltéshordozók koncentráció különbsége (n oldalon szabad
elektronok, p oldalon szabadon elmozduló lyukak vannak nagy koncentrációban),
az elektronok és a lyukak diffúziós áramlását indítja el.
2.) Az n p irányban elektronok, a n p irányban lyukak diffundálnak. Az
ellenkező oldalra átjutva az elektronok a p oldal elektron hiányait pótolják, míg a
túloldalra kerülő lyukak az ellentétes töltésű elektronokkal találkozva
semlegesítődnrek.
3.) Kialakul így egy szabadon mozgó töltéshordozóktól mentes kiürített réteg.
4.) A helyhez kötött ionok az n oldalon +, p oldalon – töltéssel helyben maradnak. Így
a töltésegyensúly, ami a pn rétegek összeillesztése előtt még fennállt, az
„összeillesztés” után már nem lesz igaz: a p oldalon a helyhez kötött – ionok
elvesztették a kiegyenlítő lyukjaikat a diffúzió miatt, míg az n oldalon a + helyhez
kötött ionok elvesztették a kiegyenlítő elektronjaikat.
5.) Így a helyhez kötött, nem semlegesített ionok villamos térerősséget hoznak létre,
ami a diffúziós áramot gátolja. Ez a tér fékezi a többségi töltéshordozók diffúzióját
a másik oldalra. A kialakult térerősség egy potenciálkülönbségnek felel meg, ez a
diffúziós potenciál, amelynek iránya a térerősséggel megegyező. A szemben álló,
helyhez kötött töltéseket tértöltésnek nevezzük éppen a helyhez kötöttségük miatt.
6.) A diffúziót gátló térerősség megnövekedésével, a diffúzió lecsökken, a
töltéshordozó mozgás megállni látszik.
7.) Azonban, a kiürített réteg közelébe eljutó kisebbségi töltéshordozók átsodródnak a
túloldalra, mert azokat a tértöltés térerőssége gyorsítja.
8.) Ugyanakkor az átjutott kisebbségi töltéshordozó a túloldalon már többségi
töltéshordozó, ami megnövelte a koncentrációt, így az ellentétes oldalra a diffúziós
áramlást.
9.) Létrejön egy egyensúlyi állapot: többségi töltéshordozók diffúziós árama =
kisebbségi töltéshordozók drift áramával.
 02. Előadás

„p-n” átmenet (dióda) nyitó irányú előfeszítése:

A p rétegre a feszültségforrás pozitív, míg az Katód Anód
n rétegre a negatív sarkát kapcsoljuk egy
kezdetben kicsi U feszültség generátornak. UD
Az U feszültség a diffúziós potenciállal n p
ellentétes irányú, tehát csökkenti az 𝑈𝐷
irányú térerősséget, ami a külső feszültség
nélkül kialakult áram egyensúlyt a diffúziós
áramok növekedése felé billenti. Mivel mind i
az n, mind a p rétegek szennyezett
félvezetők szabad töltéshordozókkal, jó
vezetők, kicsi feszültség esik rajtuk, kicsi p(x)
U
n(x)
bennük a térerősség az U feszültség n0
p0
majdnem teljes egészében az átmenetre esik.
Az átmenetben kialakuló eredő térerősség pn np
lecsökken, tehát a diffúziót gátló hatás -x x
Lp Ln
kisebb lesz, megindul a többségi
töltéshordozók túloldalra való áramlása, ahol ők kisebbségi töltéshordozók lesznek. Ezt a
folyamatot töltés injekciónak nevezzük. Ha a réteg, amibe az injektálás megtörténik hosszú az
L diffúziós hosszhoz (átlagos megtett töltéshordozó út rekombináció nélkül) képest, akkor
előbb utóbb rekombinációra (az ellentétes többségi töltéshordozóval való találkozásra) kerül
sor. Ilyenkor tehát az átmenet közelében diffúziós, majd attól távolodva rekombináció miatt
kialakuló sodródási áram folyik, az összáram állandó. (Ezt az esetet hívjuk hosszú (bázisú)
diódának, ezt mutatja az ábra is.) Távol az átmenettől a kisebbségi töltéshordozók a
szennyezett félvezetőknél látott egyensúlyi sűrűségben (𝑛𝑝 , 𝑝𝑛 ) vannak jelen.

A diffúziós áram az U feszültség növelésének hatására exponenciálisan növekszik, ami miatt

a pn átmenet árama:

U
i UT kT 13
i I S0 e 1 UT 26 mV I S0 10 A
q 20 C 0

Az 𝑈𝑇 a termikus potenciál, k Boltzmann állandó, q az elektron töltésének abszolút értéke.

 02. Előadás

„p-n” átmenet (dióda) záró irányú előfeszítése:

A záró irányú U feszültség diffúziós generációval: generációval:
potenciál irányú, tehát növeli az 𝑈𝐷 kisebbségi kisebbségi
UD
irányú térerősséget, tovább növeli a
kiürített réteg szélességét, illetve gátolja n p
a többségi töltéshordozók diffúzióját. A
többségi töltéshordozók árama emiatt az
U növelésével csökken, majd megszűnik,
i
csak a kisebbségi töltéshordozók árama U
folyik, ami nem marad kiegyenlített
többé, mint ahogyan volt, az U=0
esetben. Ha a kisebbségi töltéshordozók
a kiürített réteg közelébe kerülnek, a p(x) n(x)
kiürített réteg tere elragadja őket (ezért
vesszük a koncentrációjukat itt nullának), pn np
és átviszi őket a túloldalra, ahol többségi
töltéshordozóként ohmos vezetéssel -x x
Lp Ln
folyik tovább áramuk. Távol a kiürített
Iössz(x)
rétegtől, a töltéshordozó sűrűség a
irekomb(x)
generáció által meghatározott szintű, 𝑝𝑛 , injektáltn(x)
illetve 𝑛𝑝 . A kisebbségi töltéshordozók a Irecomb(x) ip(x) in(x)
injektáltp(x)
koncentráció gradiens miatt az ip(x), -x 0 0 x
illetve az in(x) áramokat hozzák létre.
Távolodva az átmenettől a rekombinációs áram (ire) (lyuk - elektron találkozása) válik egyre
nagyobbá, az összáram (iössz) állandó, tehát kiszámítható a kisebbségi áramok kiürített réteg
peremén (x=0) érvényes értékeként:
ip(x) in(x)
⏞ ⏞

dp x dn x pn np
i iz qAD p qADn qA D p Dn I S0
dx x 0 dx x 0 Lp Ln

Ez a tipikusan igen kicsi záró irányú áram a kisebbségi töltéshordozók generációjától függ,
tehát hőmérséklet és fény besugárzás függő.
 02. Előadás

A PN átmenet - dióda teljes karakterisztikája:

U i
Katód Anód U
UT
i n p i I S0 e 1
Zener letörés
IS0
U
Uny

A karakterisztikát igen gyakran közelítjük a piros egyenesek szerinti egyparaméteres

közelítéssel, az Uny nyitó feszültséggel, elhanyagolva a kicsi záró irányú áramot, illetve a
nyitó irányú feszültségfüggést.
 02. Előadás

Bipoláris tranzisztor (Bipolar Junction Transistor - BJT):

NPN tranzisztor: B
uBE>0 uBC<0
uBE uBC
Bázis
n++ p n

E C

Emitter w<Ln Kollektor

𝐸𝐵𝐸 𝐸𝐵𝐶

n(x)
n(0)
x
uCE

Az emitter réteg jóval erősebben szennyezett (n++), mint bázis (p). A bázis hossza (w) rövid
az elektronok diffúziós hosszához (Ln) képest.
A tranzisztor működését a normál aktív tartományban vizsgáljuk: UBE>0, UBC<0.
A nyitó irányban előfeszített BE dióda árama az n++ szennyezés miatt főként elektron áram.
Mivel a bázis az injektált elektronok diffúziós hosszánál jóval rövidebb, és a záró irányban
előfeszített BC dióda 𝐸𝐵𝐶 elektromos erőtere a BC dióda kiürített rétegéhez érkező
elektronokra nyelőként szolgál, ezért a bázisbeli elektronsűrűség az n(x) elektron koncentráció
az ábra szerinti a hely függvényében. Ez konstans (minimális rekombinációjú) áramú
dn x
diffúziós elektron áramot jelent felidézve a diffúziós áram összefüggését: i qADn .A
dx
bázis áram ezért javarészt a lyukáramból áll csupán. Mivel a BC dióda erőtere az összes
kiürített réteghez érkező elektronra nyelő bármely BC záró feszültség esetén, ezért a kollektor
áram nem függ a CB dióda záró feszültségétől, csupán az elektron injekció szintjétől, ami
viszont a BE dióda nyitófeszültségétől függ. Ennek alapján belátható, hogy a dióda normál
aktív tartományú helyettesítő képe az alábbi bal oldali ábra A áramerősítési tényezővel, ahol a
közel 1:
C C
C C
uBC uBC iC
(1-A)iEC AiE (1-Ai)iCC
B B

uBE uBE AiiC

iE
E E

Normál aktív üzem Inverz aktív üzem

uBE>0, uBC<0 uBE<0, uBC>0

 02. Előadás

Ha az emitter és a kollektor szerepét felcseréljük kapjuk az inverz működési módot a jobb

oldali ábra szerint. Ez egy sokkal kisebb Ai áramerősítési tényezőjű módot jelent, amit a
gyakorlatban nem használunk.
Egyesítve az aktív és az inverz üzemmódokat kapjuk a minden módot leíró Ebers-Moll
modellt, amely minden üzemmódban leírja a tranzisztort:

C
C
iC
Ebers-Moll uBC
idC
C AidE
modell
B

AiidC
idE
uBE
iE

Ebers-Moll egyenletek: E

idE
u BE u BC
UT UT
iE IS0 e 1 Ai I Si0 e 1

idC
u BE u BC
UT UT
iC AI S 0 e 1 I Si0 e 1

Tranzisztor üzemállapotok

B-E dióda B-C dióda Üzemi állapotok:

Nyit Zár Normál aktív (uBE >0, uBC <0, uCE >Um )

Zár Zár Lezárt (Nem folyik áram) (uBE ≤ 0, uBC <0, uCE ≥ Um )

Nyit Nyit Telítés (Szaturáció) (uBE >0, uBC >0, uCE <Um )

Zár Nyit Inverz aktív (nem használt)

A tárgyban szinte kizárólag alkalmazott üzemmód a normál aktív.

Összefoglalva a normál aktív tartományú működést, azt mondhatjuk. A BE diódát nyitó

irányban feszítjük elő, így megindul az emitterből az elektronok diffúziója a bázisba az uBE
feszültségtől függően. Ezzel egyidejűleg a bázisból az emitterbe lyukak diffundálnak, de ez
sokkal kisebb mértékű az elektron diffúziónál a szennyezés különbség miatt (n++, p). A
 02. Előadás

bázisba érkező elektronok, mivel diffúziós hosszuknál a bázis rövidebb, lényegi rekombináció
nélkül eljutnak a kollektor kiürített rétegéig. Itt a lezárt BC dióda villamos tere teljes
egészében elragadja őket, függetlenül a záró feszültség értékétől. Tehát az uBE feszültség
nagyságától függően kialakult elektron áram eljut a kollektorig, ahol teljes egészében kilép,
miközben a bázis áram igen kicsi marad. Ezt szimbolizálja a helyettesítő kép:

C C
C C
C uBC uBC
C AIE C IB BIB
B B B
(1-A)IE
uBE
E uBE IE IE=(1+B)IB
E

Normál aktív üzem

uBE>0, uBC<0

Bevezetve az A, illetve a B áramerősítési tényezőket:

𝐼 𝐼
𝐴 = 𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐵 𝐵 = 𝐼 𝐶 = ℎ𝐹𝐸
𝐸 𝐵

𝐸 𝐴𝐼 𝐴 𝐵𝐼
𝐵 𝐵
𝐵 = (1−𝐴)𝐼 = (1−𝐴) 𝐴 = (1+𝐵)𝐼 = (1+𝐵)
𝐸 𝐵

Tranzisztor karakterisztikák
A tranzisztor normál aktív tartományában érvényes karakterisztikák:

Transzfer
karakterisztika Kimeneti karakterisztika

iC uCE > Um iC

IC0 UBE0 uBE

uBE uCE
Um
Telítés Normál aktív tartomány

A transzfer karakterisztika egy nyitó irányú dióda karakterisztika A áramerősítési tényezővel

(A<1) megszorozva.
A kimeneti kollektor áram a bázis emitter feszültségtől függően nő, míg a kollektor emitter
feszültségtől független, egészen az Um maradék feszültségig.
 03. Előadás

pn dióda karakterisztika: közelítő

karakterisztika
u BE Kisebbségi
13 töltéshordozók drift Nagy
i IS0 e UT
1 I S 0 10 A
árama, kisebbségi többségi
töltéshordozó [mA] i töltéshordozó
koncentrációval, a diffúziós
kT generációval áram a
UT 26 mV jellemző
q 0
arányos
T 300 K
IS0 u
600 mV
Uny
Pld.: e 26 mV
1010 , i=1mA Letörés
zéner, Többségi
vagy diffúziós Többségi diffúziós
lavina áram áram = kisebbségi
letörés megszűnik, drift áram – külső
dióda csak a összeköttetésen
i kisebbségi áram nem folyik
A u K drift marad
Záró irány Nyitó irány

Nyitó irányra jelemző:

Exponenciális áram karakterisztika, amit gyakran közelítünk egy egyszerű nyitó
feszültség (Uny) paraméteres modellel. (pl. szilícium dióda nyitófeszültsége kb. 0.6 V)
Diffúziós kapacitás, arányos a nyitó irányú árammal: 𝐶𝐷 = 𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡 ∗ 𝐼𝑛𝑦

Záró irányra jellemző:

Kicsi, záró irányú feszültségtől független záró irányú áram, amit a hő hatásra, fény
besugárzásra létrejövő generációval keletkező kisebbségi töltéshordozók tartanak
fenn.
A dióda kiürített rétegének vastagsága a zárófeszültség gyökével arányos. Így
változtatva a zárófeszültséget a p illetve n rétegban elmozdulni képes töltéshordozók
távolságát szabályozni tudjuk. Ez ahhoz hasonló, mintha egy síkkondenzátor lemezeit
mozgatnánk, tehát annak kapacitását változtatnánk. Az így létrejövőú kapacitás annál
kisebb, minél nagyobb a záró irányú u feszültség. ( U D a diffúziós potenciál):

konst
CT u 0
UD u

A záró irányú feszültséget növelve egy bizonyos – típusfüggő feszültségnél

bekövetkezik a hirtelen áram növekedés, a letörés. Ez lehet zener letörés, amit a
kiürített rétegben előálló nagy térerősség okoz. Ennek a nagy térnek a hatására
kiszakadnak elektronok a kötésekből, elektron – lyuk párokat létrehozva. Lehet lavina
letörés, amikor a kiürített rétegben nagy sebességre gyorsuló elektronok további
elektronokat bombáznak ki a rácsból. Ez a két jelenség egyidejűleg is fennállhat egy
félvezetőben.
 03. Előadás

Diódák a gyakorlatban
1.) Szilícium dióda
Tipikus nyitó feszültség a
Silícium dióda
i
kis áramú (mondjuk max. 100mA – es) [mA] i
u
diódák esetén ~0.6V. Schottky, fém- Si pn dióda
félvezető dióda Schottky dióda
Kicsi záró irányú áram jellemzi. u i

A leggyakoribb dióda típus. [nA]

u
2.) Schottky dióda
Nem PN dióda, hanem fém-félvezető dióda, pl. arany és n típusú félvezető dióda. Ebben a
diódában nincs diffúzióval létrejövő kisebbségi töltéshordozó injekció, tehát nincs diffúziós
kapacitása. Ez a tény nyitó irányból záró irányba történő üzemmód váltás esetén gyorsabb
működést eredményez, nem kell eltávolítani a diffúziós töltéseket, csak a tértöltés kapacitás
feltöltése követel időt. Lásd LTspice
Nyitó feszültsége tipikusan 0.2.. 0.3 V, jóval kisebb a tipikus szilícium diódákénál.
Hasonló áramú szilícium diódához képest nagyobb záró irányú áram jellemzi.
3.) Zener dióda
A zener diódát meghatározott
letörési feszültségre tervezik, és [mA] i
Zener dióda
záró irányban, ebben a letörési üzemmódban
használjuk. Mivel a letörési karakterisztika Uz2 Uz1 u i
nagyon meredek, alkalmas Ideális Zener diódák
karakterisztikái Uz1 és u
feszültség stabilizálásra. Ha a kapcsolási rajz Uz2 letörési
szerinti V1 feszültség, és/vagy az Rt feszültségekkel

i
[mA]
Uz2 Uz1 u

Iz1 Valódi Zener dióda

karakterisztika véges
meredekségű letörési
Iz2 szakasszal

terhelő ellenállás vagyis a terhelő áram változik, a Zener diódán lévő letörési feszültség
ideális estben állandó marad, hiszen hiába változik meg a dióda árama is, az Uz zener
feszültség állandó. (Nem ideális, valós zener dióda Uz feszültsége az áram függvényében kis
mértékben változik, azaz a karakterisztika meredeksége, azaz a belső ellenállása véges, ez azt
jelenti, hogy a kimenő feszültség kis mértékben változik.)
 03. Előadás

4.) Varicap dióda

Záró irányú u egyen feszültséggel hangolható kondenzátort valósít meg.
A záró irányú tértöltés kapacitást hasznosítjuk vele. A tértöltés kapacitás közelítése:

konst
CT u 0
UD u
u

A BB145B varicap dióda kapacitásának záró irányú feszültség függvénye:

 03. Előadás

5.) LED (Light Emitting Diode), LD (Laser Diode - Light Amplification by Stimulated
Emision of Radiation)
A nyitó irányban előfeszített diódában lezajló rekombinációkor a vezetési sávból, az
alacsonyabb energiájú vegyértéksávba kerül az elektron, miközben leadja a tiltott sávnak
megfelelő energiáját. A különböző félvezető anyagok különböző tiltott sáv szélességgel
rendelkeznek, legkisebb távolságra az infra LED, legnagyobb távolságra a kék LED sávjai
vannak. Ennek megfelelően adnak le kis energiát, kis frekvenciájú, (vörös), vagy nagy
energiát, nagy frekvenciájú, kék szín fotonját előállítva.
A lézer dióda (LD) specialitása a keskeny spektrumú fény, az egyetlen frekvenciájú fény.
Stabil, szabályozott nyitó irányú áram meghajtást, stabil, szabályozott hőmérsékletet kíván.

Színes LED: Különböző félvezető anyagok

különböző tiltott sávszélességgel
Energia
Vezetési sáv

ℏ𝜈 ℏ𝜈 ℏ𝜈 ℏ𝜈 Távozó foton
Vegyérték sáv
Infra vörös piros zöld kék

λ: 1550 nm 700 nm 500 nm 400 nm

Tipikus nyitó feszültségek: Uny: 1.1 V 1.7 V 2.1 V 3V

LED Spektrum Spektrum indukált emissziós üzemmódban

piros zöld LED LED Lézer dióda LD
i
Lézer dióda LD
Infra kék
i

u λ0 λ [nm] λ0 λ [nm]
u
Uny1 Uny3
Uny2 Uny4

Lézer dióda üzemmódjai, fényteljesítménye a nyitóirányú áram függvényében

Lézer üzemmód
LD üzemmód

LED üzemmód
LED üzemmód

425 nm-es Lézer dióda fényteljesítménye és nyitó irányú feszültsége

Lézer üzemmód
küszöbáram
 03. Előadás

6.) Fotodióda
Fotodióda:
[mA] i
Energia Beeső foton Fotodióda
ℏ𝜈 Vezetési sáv
IS0 u i
Vegyérték sáv

[nA] u
A fotodiódát záró irányban feszítjük elő, záró irányú árama (𝐼𝑆0 ) a generáció által
meghatározott kisebbségi töltéshordozó koncentrációtól függ, ami pedig függ a fény
besugárzás intenzitásától. Ha beérkezik a ℏν energiájú foton, és ez az energia nagyobb, mint a
fotodióda félvezetőjének tiltott sávja, akkor elektron szakadhat ki a félvezető kristályrácsának
kötéséből és létrejön egy elektron lyuk pár – ez a folyamat a generáció. Az így megnövekedő
kisebbségi töltéshordozó koncentráció jól érzékelhető a záró irányú áram megnövekedésével.
Az ábra a záró irányú árammal arányos feszültség előállítását mutatja:

A fotodióda fő jellemző paramétere a fény hatására létrejövő záró irányú áram a beeső
fényteljesítményhez képest - érzékenység, mértékegysége az A/W (záró irányú áram/beeső
fényteljesítméní). Egy telekommunikációs hullámsávon (1550 nm, a fényvezető szálak ezen a
hullámhosszon jól átengedik a fényt) használatos fotodióda (FGA01C) érzékenysége a
hullámhossz függvényében:
 03. Előadás

7.) Napelem: Sötét

i energia P=u(-i)
Fény besugárzás -i P Pmax
ℏν Napsütés irz Ropt
E
n p
u u
uü

i
Aktív, energia
u termelő síknegyed

síknegyed

R i

A Panasonic AM-1417 típusú négycellás napelem képe és

energiatermelő síknegyedbeli dióda karakterisztikája 50Lux és
200Lux megvilágításnál:

7.) Egyfotonos lavina fotodióda (Single Photon Avalanche Diode SPAD)

Záró irányban előfeszített dióda, ahol n+, p+ szennyezéseket alakítanak ki, így a kiürített réteg
vékony, még nagy záró feszültség esetén is. Emiatt az anyagban nagy térerősség alakul ki, és
a foton beütés hatására keletkező töltéshordozó pár nagy sebességre tesz szert ebben a térben.
A nagy sebességgel ütköző elektronok újabb elektronok kiválását idézi elő a rácsból (lavina
hatás), így egyre több töltéshordozó keletkezik egyetlen foton beütésének hatására.
 03. Előadás

Bipoláris tranzisztor (Bipolar Junction Transistor) üzemállapotok, karakterisztikák

B-E dióda B-C dióda Üzemi állapotok:

Nyit Zár Normál aktív (uBE >0, uBC <0, uCE >Um )

Zár Zár Lezárt (Nem folyik áram) (uBE ≤ 0, uBC <0, uCE ≥ Um )

Nyit Nyit Telítés (Szaturáció) (uBE >0, uBC >0, uCE <Um )

Zár Nyit Inverz aktív (nem használt)

Transzfer Kimeneti karakterisztika

karakterisztika
iC iC

uBE

uBE uCE
Um
Telítés Normál aktív tartomány

Az NPN bipoláris tranzisztor (BJT Bipolar Junction Transistor)

Múlt órán megismert kapcsolási rajz szimbóluma és nagyjelű helyettesítő képei:

C C
C C
C
uBC uBC
C
AIE C IB BIB
B B B
(1-A)IE
uBE uBE
E IE IE=(1+B)IB
E E
npn tranzisztor Normál aktív üzem

uBE>0, uBC<0
IC IC
Adatlapokban: A 1 A hFB (közel 1) B B hFE (néhány 100)
IE IB

B A
A B
1 B 1 A
 03. Előadás

Bipoláris tranzisztorok Transzfer Kimeneti karakterisztika

alkalmazása karakterisztika
iC iC
lineáris erősítő
UBE2
áramkörök
M IC0 M UBE0
o Munkapont IC0
uBE
UBE1
o Kivezérlés
kapcsoló áramkörök uBE uCE
o lezárt
UBE1 UBE2
o telítés közeli
UBE0 UCE0
egyebek

u BE u BE
UT UT
iE IS0 e 1 I S 0e
Bemeneti
karakterisztika
U BE 0
iE 1/rd iE
diE 1 UT I E0 1
I S 0e
du EB u BE U BE 0
UT UT rd
IE0
M IE0

UT
rd
I E0 uBE
UBE0 t
Pld.: I E0 1 mA, U T 26 mV uBE

rd 26
t

M: munkapont
A tranzisztor rajzjele és kisjelű helyettesítő képe, adott munkapontban érvényes:
általános áram=munkaponti áram+váltó áram: C C
C C
iE t I E0 ie t C

(1-α)ie ic=αie ic=βib

ib
iC t IC0 ic t B B B

rd rd
iB t I B0 ib t ube ube
E ie ie=(1+β)ib
E E

katalógusban: h fb h fe
1 1
 03. Előadás

Bipoláris tranzisztorok munkapont beállítása, a munkapont hőmérséklet függése

A kapcsolás: Munkapont számításhoz:
(ug=0, egyenáramú analízis) érdektelen a
kollektorkör
+Ut +Ut
Thevenin h.k.
R1 RC RC C iC RC
R1 RB iB B C
Rg (1-A)IE0 uCE Ut
uki
UCE0 Ub uBE E
C1 UBE0 iE
IE0
ug R2 R2 RE
RE RE
C2

R2
Ub Ut , RB R1 R2
R1 R2
Normál aktív tartomány: uBE > 0, uBC < 0, uCE >Um> 0 iE > 0

A munkapont meghatározása: iE
Két egyenlet, két ismeretlen: (iE, uBE)
Iy
M
Ub iB RB u BE iE RE ((1 A) RB RE )iE u BE (*) IE0 y

u BE uBE
iE IS0 e UT
1 UT=26 mV UBE0 Ub

!
U b U BE 0
Megoldás: u BE U BE 0 0.6 V → iE IE0
RE (1 A) RB

A munkapont hőmérséklet (T) függése:

(*)-ból: Ub ((1 A) RB RE )iE T u BE T /deriváljunk T szerint!

dU b diE T du BE T
0 ((1 A) RB RE )
dT dT dT

du BE iE T , T duBE uBE diE T uBE T

teljes differenciálja:
dT dT iE IE 0
dT T IE 0

u BE iE(uBE,T) T2 > T1
u BE
mivel: rd és 2 mV / C 0
iE U BE 0
T iE állandó T2 T1
IE0=állandó
Véges differenciákkal: IE0

iE T
0 ((1 A) RB RE rd ) 2mV / C 0 uBE
T
ΔUBE=(-2mV/C0)ΔT
 03. Előadás

2mV / C 0 T
amiből: iE I E0
RE rd (1 A) RB

Lehetséges hőmérséklet független munkapont?

Ut

RC
R1 R1
(1-A)IE0 B C
Ut RB iB B C
C
UD
D1 UBE0 IE0 Ub uBE
D2 UD E

R2 RE R2 RE

R2 R1
Ub Ut 2U D U t L2 2U BE 0 L1
R1 R2 R1 R2

R2 R1
Ahol: RB R1 R2 L2 L1
R1 R2 1 R1 R2 1

Ub u BE RE 1 A RB iE

U b U BE 0 U t L2 2U BE 0 L1 U BE 0
iE IE0
RE 1 A RB RE 1 A RB

Ut / 2
Ha R1 R2 akkor L1 L2 1 / 2 és iE IE0
RE 1 A RB

már független U BE 0 -tól, és így a hőmérséklettől.

 03. Előadás

Az áramtükör:
Egy hőmérséklet stabil bemeneti munkaponti áram, illetve erre rászuperponálódó váltó áram
(I1) átmásolása egy emitter ellenállás nélkül is stabil munkapontú (I2) T2 tranzisztorba:

p-n-p
+Ut
IE01 UEB0 IE02
≈ T1 = T2
T1 T2
I1 ≈ UBE01= UBE02= UBE0
I2
I2
IE02= IE01
I1
≈
T1 T2
≈
IE01 UBE0 IE02

I B 01 I B 02 1 A I E 01 I1 I C 01 I B 01 I B 02 AI E 01 2 1 A I E 01

I2 AI E 02 A
K 1 K 1 (Pld.: A=0.99, K=0.98 )
I1 2 A I E 01 2 A

Jó hőmérséklet stabilitású egyenáramú npn és pnp tranzisztorokkal.

n-p-n p-n-p
+Ut +Ut
IE01 UEB0 IE02
R T1 = T2
T1 T2
I1 ≈ UBE01= UBE02= UBE0
I2
I2
T1 T2
IE02= IE01
I1
≈
R
IE01 UBE0 IE02
-Ut -Ut

2U t U BE 0 2U t U BE 0
2U t I1R1 U BE 0 I1 és I2 K
R R
Jó hőmérséklet stabilitás: (Stabil áramgenerátor)

U BE 0 T0 T U BE 0 T0 2mV / C 0 T

2U t U BE 0 T0 T 2mV / C 0 T
I 2 T0 T K I 2 T0 K
R R
 03. Előadás

Kivezérelhetőség:
A kivezérelhetőség témaköre azzal foglalkozik, hogy egy tranzisztoros kapcsolás kimenetén a
nyugalmi munkaponti állapothoz képest mekkora kimenőfeszültség változása a tranzisztor
nyitása (nagyobb kollektoráram), illetve zárása (kisebb kollektoráram) esetén.
Egyszerűsítő feltevés: A=1 → iC iE +Ut
RC RC
A kapcsolásból kivesszük a tranzisztort!
iE uki iE
A C-E kapu: lineáris hálózat. Ut
C C
≈ uCE uCE
=
E E
iE
Egyenáramon:
Telep + R-ek →Thevenin h.k. Egyenáramú h.k. Váltóáramú h.k.
C: szakadás, L: rövidzár IE0 Re ie Rv
C C
Váltóáramon: UCE0 uce
Telep: rövidzár E E
IE0 ie
L: szakadás, C: rövidzár eredő: Rv

1 Ut
Ut uCE ReiE → iE uCE Egyenáramú munka egyenes egyenlete.
Re Re

U t jelölésben a redukált (leosztott) tápfeszültségre utalunk, ami abban az esetben áll fenn, ha
ellenállás hálózaton a tápfeszültség leosztódik. Itt U t Ut

Egyenáramon:
iE
U CE 0 U t Re I E 0 -1/Rv
ie
Váltóáramon: uce
IE0
uce uCE U CE 0 -1/Re

ie iE IE0 Um Um uCE
Um UCE0
(koordináta transzformáció)
1
Váltóáramú munkaegyenes egyenlete: ie uce
Rv

A kivezérelhetőség:
A növekvő emitter áramhoz tartozó uce feszültség maximuma:
U ce U CE 0 U m U t U m I E 0 Re
 03. Előadás

A csökkenő emitter áramhoz tartozó uce feszültség maximuma: U ce Rv I E 0

Esetünkben, mivel a kimeneti feszültség a kollektor-emitter feszültséggel megegyezik:

U ki U ce

Optimális munkapont (szimmetrikus kivezérelhetőség): U ce U ce z ehhez tartozó optimális

Ut U m
MP-i áram: I E 0opt
Re Rv

Induktív csatolású terhelés esete

+Ut
Egyenáramú h.k.
L
iE L
Ut U t Re 0 uki
iE
C C
U CE 0 Ut ≈ uCE uCE Rt Ut
= Rt
E E
iE iE

Váltóáramú h.k
Egyenáramú h.k. Váltóáramú h.k.
Rv Rt
IE0 ie Rv
C C

UCE0 Rt Ut uce
E E
IE0 ie

iE -1/Re=-∞ iE iEmax
-1/Rv
ie
-1/Rv uCEmax
uce IE0 PDmax
IE0

Um Um uCE Um Um uCE
Um UCE0=Ut Um UCE0=Ut
 03. Előadás

Az órán tanult áramköröket tartalmazó erősítő kapcsolás hőmérséklet stabil munkapontú Q3

tranzisztorral, ennek kollektor áramát a a Q1-be másoló áramtükörrel, amelynek induktív csatolású R1
terhelő ellenállása van, amelyen extrém nagy kimenőjel amplitúdó (19V csúcstól-csúcsig) érhető el
(Lásd 3. Előadás LTspice szimuláció Kiv_L_C_full.asc).
 4. előadás

MOS FET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Növekményes (Enhancement) MOSFET vizsgálata
uDS

Csatorna: szabadon
uGS
Source mozgó inverziós
Gate Drain
iD elektronok
SiO2
Helyhez kötött
n+ n+ tértöltés
L

x p W
vastagság

Bulk
1.) u DS pozitív, kicsi érték, uGS 0 , → iD 0 (npn struktúra, záró irányú Bulk (p) és
Drain (n+) PN átmenet, záró irányú dióda, áram nem folyik
2.) továbbra is u DS pozitív, kicsi érték, uGS nő, ennek hatására tértöltés, kiürített réteg
alakul ki
3.) továbbra is u DS pozitív, kicsi érték, uGS tovább nő és eléri az a küszöb feszültséget,
amikor a Source n+ szigetből MOS kondenzátor p félvezető oldalához diffundálódó
elektronok már nem a p títusú félvezető elektron hiányait pótólják a felület közelében,
hanem a bediffundálódó elektronok szabad, elmozdulni képes negatív
töltéshordozókként állnak szemben a MOS kondenzátor másik fegyverzetén lévő
pozitív töltésekkel. Ez az uGS U P U th Gate - Source feszültség esetén áll fenn,
kialakul egy inverziós réteg, ami szabadon mozgó elektronokból áll. Létrejön a
csatorna, megindulhat a drain áram, ha a Gate-Source feszültség ezt megindítja.

Számítsuk ki ezt a Drain áramot:

Legyen tehát u DS kicsi, pozitív érték, uGS UP .

C A1
A felületegységre eső kapacitás: C
A d A d
A felület egységre eső inverziós, elmozdulni képes töltés, ahol azt az U feszültséget
vesszük figyelembe, ami az inverziós töltés létrehozásához szükséges, tehát a Gate
Source feszültség Up-nél nagyobb részét vesszük:
𝑄 ∗ = 𝐶 ∗ (𝑢𝐺𝑆 − 𝑈𝑃 )
A delta t idő alatt delta x távolságot tesznek meg az elektronok az Uds feszültség
hatására:

Q C uGS U P w x x
iD C uGS U P wvn vn
t t t
 4. előadás

u DS
vn n E n
L

w iD
iD C uGS U P u
n DS GuDS uGS UP
L
uGS
A Gate Source feszültséggel beállítható vezetés: G2
w w
G C uGS U P n n uGS U P G1 uDS
L Ld
A FET uGS függő ( ezzel szabályozható) ellenállása, ami felfogható úgy is, mint egy
1 1 Ld 1
bekapcsolt elektronikus kapcsoló ellenállása: Ron , Ron milliohm,
G n w uGS UP
tehát nagyon kicsi is lehet nagy Gate Source feszültség esetén!!! Igen jó kapcsolóként tud a
MOSFET működni.

4.) Növeljük u DS -t, az eddigi kicsi értékéről. Ekkor a Drain oldalon az inverziós réteg
vékonyodik, hiszen a Gate Drain feszültség csökkenni fog a drain potenciáljának
emelése miatt, és a drain oldali inverziós réteg amiatt vékonyabb lesz. Tehát egy
szűkebb vezető alakul ki a drain oldalon az ábra szerint, aminek nagyobb az
ellenállása, mintha nem szűkítettük volna le.

uDS

uGS uGD
Source Gate Drain
iD

n+ n+

Bulk
A Drain Source feszültség növelésének hatására tehát nő a csatorna ellenállása, tehát az áram
növekedési üteme elmarad a lineáristól, amit ez az egyenlet jól leír:
1 w 2
iD C n 2 uGS U P uDS u DS
2 L
 4. előadás

Tovább növelve a Gate -Source feszültséget, a csatorna egyszer csak teljesen elvékonyodik.
Ez az az eset, amikor a Gate-Drain feszültség Up lesz:

uDS

Source uGS Gate uGD

Drain
iD Elzáródás - iD
saturation

n+ n+

uGS UP
p
uDS

Bulk

Ez az elzáródás, pintch off (saturation) jelensége, ekkor viszont nem lesz nulla a drain áram,
hiszen ez az elzáródás infenitezimálisan kicsi, hanem csak nem nő tovább a Drain - Source
feszültség további növelésével. Az elzáródásnál kialakuló nagy térerősség elragadja az
odaérkező elektronokat.

Elzáródás: uGD U P
uDS

Source uGS Gate uGD Drain

iD
iD
iD állandó
UGS n+ n+
Elzáródás (saturation)
határa Térerősség
uGS
p

uGS-UP uDS
Bulk

Az elzáródás határa a Drain áram függvényének maximuma:

diD 1 w
C n 2 uGS U P 2u DS 0
du DS 2 L

uGS U P uDS uGS uDS uGD U P

A Drain Source feszültség helyére beírva az elzáródásra jellemző uGS U P uDS feszültséget,
2 2
1 w 2 1 w 2 uGS U P uGS U P
kapjuk: iD C n uGS U P C U
n P I D 00
2 L 2 L U P2 UP
 4. előadás

1 w
ahol: I D 00 I DSS C U P2
n
2 L
Az elzáródás felett az áram tovább nem nő a Drain Source feszültség további növelésekor.
Növekményes (Enhancement) NMOS FET karakterisztikái:

Elzáródás
iD alatt felett D

uGS3 iD
uGS2 uGD
uGS2 G
uGS1 uDS
uGS

Linear uGS2-UP uDS

triode Saturation S
mode mode

Az elzáródás határa: uGS uDS uGD U P → uGS uDS U P

2 2 2
uGS U P u DS U P U P u DS
iD I D 00 I D 00 I D 00
UP UP UP

iD Elzáródás
iD alatt felett uGD < UP
ID00

uGS > UP uGS uGS

UP 2UP uGS
uGS-UP uDS

Rajz jelei:

D NMOS D
D PMOS D
G G G G

S S S S
 4. előadás

Kiürítéses (Depletion) NMOS FET

Az ID00 paramétert kiürítéses MOSFET esetén gyakran IDSS-el jelölik. A kiürítéses MOSFET UP
feszültsége negatív, uGS feszültsége lehet negatív – kiürítéses szakasz, vagy pozitív –
növekményes szakasz.
2
2 u DS
u GS U P iD I D 00
iD iD I D 00 iD UP
UP
uGS > 0

uGS > UP ID00 uGS = 0

ID00
uGS < 0

UP < 0
UP uGS uDS

Rajz jelei:

D NMOS D
D PMOS D
G G G G

S S S S
 4. előadás

JFET: (Junction FET) NJFET

Záró irányú p-n átmenet a Gate elektróda.

G
uGS<0 uGD<0
p-n átmenet
p

S D
n+ n n+

Csatorna szabad elektronokkal Kiürített réteg – nincsenek

az n szennyezésű tömbben mozgékony tötéshordozók

UP < 0
iD iD
ID00 ID00
uGS=0

uDS>-UP UP < uGS <0 uGS

uGS1
uGS
UP uGS1-UP
Az ID00 paramétert JFET esetén gyakran IDSS-el jelölik. A JFET UP feszültsége negatív, uGS
feszültsége csak negatív lehet, mivel pozitív uGS esetén a pn átmenet kinyitna.

D D
NJFET Rajz jele: PJFET Rajz jele:

G G

S S
 4. előadás

Helyettesítő képek: (elzáródás feletti, (saturation) tartományban)

Nagyjelű helyettesítő kép Kisjelű helyettesítő kép (egy

(MP meghatározására) adott MP-ban érvényes)
D D
G iD G id

iS is
0 ig =0
G G
G iD G
1/S
uGS ugs
uGS
is
iS
S
S
Együtt a három FET:
iD Kiürítéses Növekményes
MOS FET
ID00
2
u GS U P
JFET iD I D 00
UP
ID00 ID00
uGS
UP UP UP 2UP

2
diD d u UP 2 I D 00 uGS U P
S I D 00 GS
duGS duGS UP UP UP
2
U GS 0 U P
A munkapontban: uGS U GS 0 iD I D0 I D 00
UP

diD 2 I D 00 uGS U P I D0
S 2
duGS U GS 0
UP UP U GS 0
U GS 0 U P

A meredekség függése a munkaponti áramtól:

2 I D 00 U GS 0 U P 2 I D 00 I D0 2 I D 00
S I D0 I D0
UP UP UP I D 00 UP S(ID0)

mivel:

U GS 0 U P I D0
ID0
UP I D 00
 4. előadás

Növekményes MOS FET munkapont beállítás:

+Ut
iD
Növekményes MOS FET R1 RD
uki Rb
0 0

uGS iD uGS iD
M -1/RS
ID0 R2
RS RS
uGS

UP UGS0

Két egyenlet, két ismeretlen (másodfokú egyenletre jutunk!!!)

1 Ut R2
1.) U t uGS RS iD → iD uGS ahol: U t Ut Rb R1 R2
RS RS R1 R2
2
uGS U P
2.) iD I D 00
UP

A megoldás: iD I D0 uGS U GS 0 U P (Az egyik gyök hamis !!!)

 4. előadás

JFET munkapont beállítás:

+Ut

JFET iD RD

0 uki
-1/RS

M ug uGS iD
ID0
RS
uGS

UP UGS0

Két egyenlet, két ismeretlen

1
1.) 0 uGS RS iD → iD uGS
RS
2
uGS U P
2.) iD I D 00
UP

A megoldás: iD I D0 uGS U GS 0 U P (Az egyik gyök hamis !!!)

Kiürítéses MOS FET lehetséges munkapont beállításai:

iD

M3
M1 M2
uGS

UP

M3
M1 M2
+Ut +Ut +Ut
RD RD R1 RD
uki uki uki

ug ug R2
RS RS

Kiürítéses MOS FET Kiürítéses MOS FET Kiürítéses MOS FET

 4. előadás

MOS FET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Növekményes (Enhancement) MOSFET vizsgálata
uDS

Csatorna: szabadon
uGS
Source mozgó inverziós
Gate Drain
iD elektronok
SiO2
Helyhez kötött
n+ n+ tértöltés
L

x p W
vastagság

Bulk
1.) u DS pozitív, kicsi érték, uGS 0 , → iD 0 (npn struktúra, záró irányú Bulk (p) és
Drain (n+) PN átmenet, záró irányú dióda, áram nem folyik
2.) továbbra is u DS pozitív, kicsi érték, uGS nő, ennek hatására tértöltés, kiürített réteg
alakul ki
3.) továbbra is u DS pozitív, kicsi érték, uGS tovább nő és eléri az a küszöb feszültséget,
amikor a Source n+ szigetből MOS kondenzátor p félvezető oldalához diffundálódó
elektronok már nem a p títusú félvezető elektron hiányait pótólják a felület közelében,
hanem a bediffundálódó elektronok szabad, elmozdulni képes negatív
töltéshordozókként állnak szemben a MOS kondenzátor másik fegyverzetén lévő
pozitív töltésekkel. Ez az uGS U P U th Gate - Source feszültség esetén áll fenn,
kialakul egy inverziós réteg, ami szabadon mozgó elektronokból áll. Létrejön a
csatorna, megindulhat a drain áram, ha a Gate-Source feszültség ezt megindítja.

Számítsuk ki ezt a Drain áramot:

Legyen tehát u DS kicsi, pozitív érték, uGS UP .

C A1
A felületegységre eső kapacitás: C
A d A d
A felület egységre eső inverziós, elmozdulni képes töltés, ahol azt az U feszültséget
vesszük figyelembe, ami az inverziós töltés létrehozásához szükséges, tehát a Gate
Source feszültség Up-nél nagyobb részét vesszük:
𝑄 ∗ = 𝐶 ∗ (𝑢𝐺𝑆 − 𝑈𝑃 )
A delta t idő alatt delta x távolságot tesznek meg az elektronok az Uds feszültség
hatására:

Q C uGS U P w x x
iD C uGS U P wvn vn
t t t
 4. előadás

u DS
vn n E n
L

w iD
iD C uGS U P u
n DS GuDS uGS UP
L
uGS
A Gate Source feszültséggel beállítható vezetés: G2
w w
G C uGS U P n n uGS U P G1 uDS
L Ld
A FET uGS függő ( ezzel szabályozható) ellenállása, ami felfogható úgy is, mint egy
1 1 Ld 1
bekapcsolt elektronikus kapcsoló ellenállása: Ron , Ron milliohm,
G n w uGS UP
tehát nagyon kicsi is lehet nagy Gate Source feszültség esetén!!! Igen jó kapcsolóként tud a
MOSFET működni.

4.) Növeljük u DS -t, az eddigi kicsi értékéről. Ekkor a Drain oldalon az inverziós réteg
vékonyodik, hiszen a Gate Drain feszültség csökkenni fog a drain potenciáljának
emelése miatt, és a drain oldali inverziós réteg amiatt vékonyabb lesz. Tehát egy
szűkebb vezető alakul ki a drain oldalon az ábra szerint, aminek nagyobb az
ellenállása, mintha nem szűkítettük volna le.

uDS

uGS uGD
Source Gate Drain
iD

n+ n+

Bulk
A Drain Source feszültség növelésének hatására tehát nő a csatorna ellenállása, tehát az áram
növekedési üteme elmarad a lineáristól, amit ez az egyenlet jól leír:
1 w 2
iD C n 2 uGS U P uDS u DS
2 L
 4. előadás

Tovább növelve a Gate -Source feszültséget, a csatorna egyszer csak teljesen elvékonyodik.
Ez az az eset, amikor a Gate-Drain feszültség Up lesz:

uDS

Source uGS Gate uGD

Drain
iD Elzáródás - iD
saturation

n+ n+

uGS UP
p
uDS

Bulk

Ez az elzáródás, pintch off (saturation) jelensége, ekkor viszont nem lesz nulla a drain áram,
hiszen ez az elzáródás infenitezimálisan kicsi, hanem csak nem nő tovább a Drain - Source
feszültség további növelésével. Az elzáródásnál kialakuló nagy térerősség elragadja az
odaérkező elektronokat.

Elzáródás: uGD U P
uDS

Source uGS Gate uGD Drain

iD
iD
iD állandó
UGS n+ n+
Elzáródás (saturation)
határa Térerősség
uGS
p

uGS-UP uDS
Bulk

Az elzáródás határa a Drain áram függvényének maximuma:

diD 1 w
C n 2 uGS U P 2u DS 0
du DS 2 L

uGS U P uDS uGS uDS uGD U P

A Drain Source feszültség helyére beírva az elzáródásra jellemző uGS U P uDS feszültséget,
2 2
1 w 2 1 w 2 uGS U P uGS U P
kapjuk: iD C n uGS U P C U
n P I D 00
2 L 2 L U P2 UP
 4. előadás

1 w
ahol: I D 00 I DSS C U P2
n
2 L
Az elzáródás felett az áram tovább nem nő a Drain Source feszültség további növelésekor.
Növekményes (Enhancement) NMOS FET karakterisztikái:

Elzáródás
iD alatt felett D

uGS3 iD
uGS2 uGD
uGS2 G
uGS1 uDS
uGS

Linear uGS2-UP uDS

triode Saturation S
mode mode

Az elzáródás határa: uGS uDS uGD U P → uGS uDS U P

2 2 2
uGS U P u DS U P U P u DS
iD I D 00 I D 00 I D 00
UP UP UP

iD Elzáródás
iD alatt felett uGD < UP
ID00

uGS > UP uGS uGS

UP 2UP uGS
uGS-UP uDS

Rajz jelei:

D NMOS D
D PMOS D
G G G G

S S S S
 4. előadás

Kiürítéses (Depletion) NMOS FET

Az ID00 paramétert kiürítéses MOSFET esetén gyakran IDSS-el jelölik. A kiürítéses MOSFET UP
feszültsége negatív, uGS feszültsége lehet negatív – kiürítéses szakasz, vagy pozitív –
növekményes szakasz.
2
2 u DS
u GS U P iD I D 00
iD iD I D 00 iD UP
UP
uGS > 0

uGS > UP ID00 uGS = 0

ID00
uGS < 0

UP < 0
UP uGS uDS

Rajz jelei:

D NMOS D
D PMOS D
G G G G

S S S S
 4. előadás

JFET: (Junction FET) NJFET

Záró irányú p-n átmenet a Gate elektróda.

G
uGS<0 uGD<0
p-n átmenet
p

S D
n+ n n+

Csatorna szabad elektronokkal Kiürített réteg – nincsenek

az n szennyezésű tömbben mozgékony tötéshordozók

UP < 0
iD iD
ID00 ID00
uGS=0

uDS>-UP UP < uGS <0 uGS

uGS1
uGS
UP uGS1-UP
Az ID00 paramétert JFET esetén gyakran IDSS-el jelölik. A JFET UP feszültsége negatív, uGS
feszültsége csak negatív lehet, mivel pozitív uGS esetén a pn átmenet kinyitna.

D D
NJFET Rajz jele: PJFET Rajz jele:

G G

S S
 4. előadás

Helyettesítő képek: (elzáródás feletti, (saturation) tartományban)

Nagyjelű helyettesítő kép Kisjelű helyettesítő kép (egy

(MP meghatározására) adott MP-ban érvényes)
D D
G iD G id

iS is
0 ig =0
G G
G iD G
1/S
uGS ugs
uGS
is
iS
S
S
Együtt a három FET:
iD Kiürítéses Növekményes
MOS FET
ID00
2
u GS U P
JFET iD I D 00
UP
ID00 ID00
uGS
UP UP UP 2UP

2
diD d u UP 2 I D 00 uGS U P
S I D 00 GS
duGS duGS UP UP UP
2
U GS 0 U P
A munkapontban: uGS U GS 0 iD I D0 I D 00
UP

diD 2 I D 00 uGS U P I D0
S 2
duGS U GS 0
UP UP U GS 0
U GS 0 U P

A meredekség függése a munkaponti áramtól:

2 I D 00 U GS 0 U P 2 I D 00 I D0 2 I D 00
S I D0 I D0
UP UP UP I D 00 UP S(ID0)

mivel:

U GS 0 U P I D0
ID0
UP I D 00
 4. előadás

Növekményes MOS FET munkapont beállítás:

+Ut
iD
Növekményes MOS FET R1 RD
uki Rb
0 0

uGS iD uGS iD
M -1/RS
ID0 R2
RS RS
uGS

UP UGS0

Két egyenlet, két ismeretlen (másodfokú egyenletre jutunk!!!)

1 Ut R2
1.) U t uGS RS iD → iD uGS ahol: U t Ut Rb R1 R2
RS RS R1 R2
2
uGS U P
2.) iD I D 00
UP

A megoldás: iD I D0 uGS U GS 0 U P (Az egyik gyök hamis !!!)

 4. előadás

JFET munkapont beállítás:

+Ut

JFET iD RD

0 uki
-1/RS

M ug uGS iD
ID0
RS
uGS

UP UGS0

Két egyenlet, két ismeretlen

1
1.) 0 uGS RS iD → iD uGS
RS
2
uGS U P
2.) iD I D 00
UP

A megoldás: iD I D0 uGS U GS 0 U P (Az egyik gyök hamis !!!)

Kiürítéses MOS FET lehetséges munkapont beállításai:

iD

M3
M1 M2
uGS

UP

M3
M1 M2
+Ut +Ut +Ut
RD RD R1 RD
uki uki uki

ug ug R2
RS RS

Kiürítéses MOS FET Kiürítéses MOS FET Kiürítéses MOS FET

 5. előadás

Végfokozatok: a fogyasztót (Rf) (terhelést) táplálják.

Vizsgálni fogjuk: kivezérelhetőség, hatásfok, teljesítmény

Legyen:
bipoláris kimenet +- polaritású feszültség a terhelésen (fogyasztón)
vezérlés nélkül uki=0,
szimmetrikus kivezérelhetőség - egyforma mértékben lehessen a pozitív és a negatív
tartományban kivezérelni (ugyanakkora – és + kimenő feszültség léphessen föl)
jó hatásfok

Első analizálandó áramkörünk: +Ut

Aszimmetrikus, terhelés függő

kivezérelhetőség.

Rossz hatásfok
RE Rf
(Részleteiben nem vizsgáljuk)
-Ut

Ellenütemű végfokozat: +Ut

T1
Szimmetrikus, terhelés független
kivezérelhetőség. Jobb hatásfok. i1 i1-i2
i2
T1 nyit, T2 zár: uki nő Rf
T1 zár, T2 nyit: uki csökken T2

-Ut

Ellenütemű végfokozat fajtái:

+Ut +Ut +Ut

T1 T1 T1
n-p-n n-p-n p-n-p

p-n-p n-p-n n-p-n

Rf Rf Rf
T2 T2 T2

-Ut -Ut -Ut

szimmetrikus aszimmetrikus szimmetrikus
FC-FC FC-FE FE-FE

+Ut +Ut

T1 T1

CMOS CMOS

Rf Rf
T2 T2

-Ut -Ut
szimmetrikus szimmetrikus
FD-FD FS-FS
 5. előadás

Bipoláris tranzisztoros (BJT) végfokozat: „A” osztályú működés

(FET-es végfokozatok hasonlóan tárgyalhatók, a maradék feszültség kivételével)

T1-T2 n-p-n, p-n-p komplementer pár.

+Ut
„A” osztályú működés: A=1
T1 A osztályú:
I E 01 I E 02 I E 0 0
A tranzisztorok vezérlése: iE1=IE0+ie
Komplementer iE1 2ie
pár iE2 iE2=IE0-ie
iE1 t IE0 ie t Rf
iE 2 t I E 0 ie t T2

-Ut
Vezérlés nélkül ( ie(t)=0) a terhelésen
nem folyik áram → uki=0. iE1
Ie
ie
A terhelés árama: IE0

if iE1 iE 2 IE0 ie IE0 ie 2ie t

iE2
Az A osztályú működés feltétele:

Ie I E 0 ( A kimenő áram korlátja) IE0

ie Ie
t
U ki Ut Um U ki 2 I e max R f 2I E 0 R f
if
U ki max min U ki ,U ki (Fesz. korlát)
2Ie
2ie
t
0

uf if
Ut-Um 2I0

t t

-(Ut-Um) -2I0

Optimális munkaponti áram: Ut Um 2I 0 R f U ki max

Ut Um
I E 0opt I ki max 2 I 0 opt
2R f
A telepből felvett teljesítmény:
 5. előadás

P2telep Pt1 Pt 2 U t i E1 U t i E 2 Ut I E0 Ut I E0 2U t I E 0 : állandó, független a jeltől

A kimenő teljesítmény: (szinuszos kimenő jel esetén)

1 U ki2 max 1 2
Pki max Pf max I ki max R f
2 Rf 2
A telep hatásfok:
1 2 1 2
I ki max R f 2I 0 R f
Pf max 2 2 I0R f 1 Um
t 1 50% Um 0
Pt max 2U t I 0 2U t I 0 Ut 2 Ut

Egy tranzisztor disszipációs teljesítménye:

U t U m 1 U t2 Um
PD1tr U t I E 0 U t 1
2R f 2 Rf Ut

Disszipációs „hatásfok” , viszony:

2
1 U t2 Um
1
Pf max 2 Rf Ut Um
D 2
1 100% Um 0
PD1tr 1U Um Ut
1 t

2 Rf Ut
 5. előadás

Bipoláris, komplementer végfokozat: „B” osztályú működés

A működést két fél periódusra bontjuk:

az egyik fél periódusban: T1 nyit, T2 zár
a másik fél periódusban: T1 zár, T2 nyit

iE1
B osztály Ie t +Ut
ie A=1
IE0=0
T1 B osztályú:
IE01= IE02=0
iE2 IE01=0
Komplementer iE1 2ie
ie t pár iE2 IE02=0
IE0=0 e
Rf
if T2

Ie -Ut
ie t
0

A kimenő teljesítmény: (szinuszos kimenő jel esetén)

U ki max Ut Um
1 U ki2 max 1 2
Pki max Pf max I ki max R f
2 Rf 2
2
1 U t2 Um
Pf max 1
2 Rf Ut

2
A telepből felvett teljesítmény: i f t I f sin t esetén
T
T /2
2
T /2 cos
1 2 If T If If
Pt1 U t i E1 i E1 I f sin t dt 1 1
T 0
T T 2 /T 2
0

2
Pt Pt1 Pt 2 2 Pt1 Ut I f

2 2 U t2 Um
P2telep max U t I f max 1
Rf Ut
A telep hatásfok:
Pf max Um
t max 1 78% Um 0
P2telep max 4 Ut
 5. előadás

Egy tranzisztor disszipációs teljesítménye:

1 1 2 1 2
PD1tr I f Pt I f Pf I f Ut I f I f Rf
2 2 2
Szélső értéke van az I f I M értéknél:

dPD1tr I f 1 2 2 Ut
Ut I f Rf 0 → If IM
dI f 2 Rf

2
1 2 2 Ut 1 2 Ut 1 U t2
PD1tr max PD1tr I M Ut 2
2 Rf 2 Rf Rf
Disszipációs (hatásfok) viszony:

2
1 U t2 Um
1 2
Pf max 2 Rf Ut 2
Um
D 1 500% Um 0
PD1tr max 1 U t2 2 Ut
2
Rf

Munkaegyenes B osztályban: Um : maradék feszültség

iC

Ut-Um
Rf
uBE

-1/Rf
uCE

Um Ut 2Ut-Um
 5. előadás

Hűtés

Hőmérsékleti – villamos analógia

hőmérséklet – feszültség
dissuipáció teljesítmény – áram
hőellenállás – ellenállás

Tranzisztor és a környezet hőtechnikai kapcsolata:

Disszipációs
RthJC RthCA Ambient
Junction teljesítmény Case

Szilícium Hőellenállás a Tokozás Hőellenállás a Környezet

lapka lapka és a tokozás hőmérséklete tokozás és a hőmérséklete
hőmérséklete között környezet között
hűtőborda

TJ TA PD RthCA PD RthJC

TJ TA PD RthJC
RthCA Ez a hőellenállás jellemzi a választandó hűtőbordát.
PD

Példa a munkapont beállításra:

T1, T2 komplementer tranzisztorok (minden paraméterben +Ut
egyező transzitorok, csak polarizációban ellentétesek – npn R4
pnp). Az UBE0, UEB0 egyforma munkapont beállító T1
feszültséget a T3 tranzisztor, mint feszültségforrás állítja elő. T3
R1 ellenálláson UEB0 feszültség esik, rajta UEB0/R1 áram ∞ R2
UBB
folyik. T3 bázisáramát elhanyagolva ugyanez az áram folyik
R1 UBE0
R3 ellenálláson. Az UBB feszültség tehát R2(UEB0/R1). Rf
Ezzel a feszültséggel a két tranzisztor munkaponti árama T2
beállítható. A kondenzátor váltóáramúlag a T3 kollektor- R3
emitterét rövidre zárja, azon feszültség változás nincs. A -Ut
továbbiakban a megfelelő munkapontot beállítottnak vesszük.
 6. előadás

Kisjelű analízis, alapkapcsolások

- A munkapont környezetében vizsgálódunk
- Taylor-sor lineáris tagjával közelítünk: kisjelű helyettesítő kép
- Bipoláris réteg tranzisztor (BJT), MOSFET, JFET hasonlóan kezelhető
BJT FET
MP kisjelű h.k. MP kijelű h.k.

C C D D
iC ic iD id
AiE αie iS id

B B G G
(1-α )ie
rd 1/S
uBE ube uGS ugs
iE ie iS id

E E S S

A kisjelű lineáris helyettesítő kép rd , S paramétere csak az adott munkapontra érvényes!

iS , iD
iE
1/rd
ie S id

IE0 MP t ID0 MP t

UBE0 uBE UP UGS0 uGS

ube ugs

t t

Az érintők meredeksége a MP-ban:

1 diE IE0 26mV diD 2I D0 2

rd S I D 0 I D 00
rd duBE MP
UT IE0 duGS MP
US0 UP UP

u BE 2
UT uGS U P
Ahol iE I S 0e UT = 26 mV és iD I D 00
UP
 6. előadás

Alapkapcsolások: (BJT) C

B CE : Common Emitter
kimenet
vezérlés FE : Földelt Emitter
E
FE CE FB CB FC CC

C E C E
B B

B C
E

A tranzisztorokkal olyan áramköri blokkokat építünk, amelyeknek bemenetük és kimenetük

van, a bemeneteket meghajtjuk a forrásokat szimbolizáló generátorokkal (feszültség, v. áram
generátor, véges, vagy extrém belső impedancia). A kimenetüket alapesetben terheletlenül
vizsgáljuk – szakadással való lezárás, de vizsgálhatók bármely terhelés, akár rövidzár esete is,
ha az áramkör ezt lehetővé teszi – nem lépjük túl a maximális kimenő áram értékét. Az
áramköri blokkjainkat ezzel az általános háromparaméteres helyettesítőképpel jellemezzük
Au, Rbe, Rki:

A tranzisztoros fokozatok
háromparaméteres
helyettesítő képe

Rki
ube Rbe Auube uki
 6. előadás

Földelt Emitteres (FE), Common Emitter (CE) alapkapcsolás

Legegyszerűbb realizációja (számos változata ismert):
+Ut

A kapcsolás: RC
uki

ube ∞

RE CE

-Ut

Egyenáramú (DC) analízis:

Egyenáramú +Ut
helyettesítőkép R
C
(DC) U t U BE 0 UT 26mV
IE0 rd : munkapont függő!
RE IE0 IE0
UBE0 IE0
RE

-Ut

Váltóáramú (AC) analízis

- A tápfeszültségeken nincs váltó feszültség:→ váltóáramú föld (a tápok eltűnnek)
- Kapacitások rövidzárak (induktivitások szakadások)
Váltóáramú (AC) helyettesítőkép Lineáris, kisjelű helyettesítőkép
αie
C (1-α)ie C

B
B
ie αie
RC uki ube rd RC uki
ube
E E

Au=?, Rbe=?, Rki=?

ube RC uki RC
ie uki ie RC ube Au
rd rd ube rd

Nagy feszültség erősítés, invertáló - fázisfordító

ube ie rd rd
Rbe 1 rd Rbe 1 rd
ibe 1 ie 1

Közepes bemenő ellenállás

 6. előadás

A kimenő ellenállás meghatározása:

u ki
Az Rki mérési eljárása: Rki
A fokozat háromparaméteres iki ube 0

helyettesítő képe
iki

Rki Rki
ube Rbe Auube uki ube=0 Rbe 0 uki

Alkalmazva az adott kapcsolásra:

0
iki iki
0 C
B
0 Rki=RC
ube=0 rd RC uki RC uki

Rki=RC közepes, vagy nagy.

Ha CE=0, a kapcsolásból kivesszük az emitter kondenzátort:

A kapcsolás: +Ut CE → ∞ CE = 0
RC αie αie
uki (1-α)ie C (1-α)ie C
B ie αie B ie αie
ube CE u
be rd RC uki ube r d RC uki
RE E E
RE
-Ut

A MP azonos: rd nem változik. Ami változik: rd rd RE

uki RC
Au : jelentősen lecsökken, akár egynél kisebb is lehet
ube rd RE

Rbe 1 rd RE : megnövekszik

Rki RC :azonos marad

 6. előadás

Földelt Bázisú kapcsolás (FB ) Common Base (CB ) alapkapcsolás:

A FB alapkapcsolás:
+Ut

RC
uki

ube ∞ RE

-Ut

Egyenáramú DC analízis
A MP az FE alapkapcsoláséval azonos: rd nem változik.
Váltóáramú AC analízis

A FB AC helyettesítőkép: A lineáris kisjelű hely. kép:

αie
uki E i e rd C
ube RE RC αie
(1-α)ie
ube uki
RE RC
B

ube rd ie uki RC ie

uki RC
Au : nagy, FE – hez hasonló, de nem invertáló
ube rd

Rbe rd RE : nagyon kicsi !

Rki RC : azonos FE-vel

 6. előadás

Földelt kollektorú kapcsolás ( FC ) :

A kapcsolás: A váltóáramú helyettesítőkép A lineáris kisjelű helyettesítőkép:
+Ut
FC αie
RC→0 E
(1-α)ie C

B B
RE uki rd
ube E
ube C ube ie
uki
RE uki
RE
-Ut
RE u ki RE
u ki ube Au 1 :közel egy
RE rd ube RE rd

ube ie rd RE 1
Rbe rd RE 1 rd RE : nagy, az előző fokozatot
ibe 1 ie 1
kevéssé terheli

Az Rki meghatározásához:

u ki ie rd
(1-α)ie ie iki Rki rd
ie ie
B rd E

αie Rki RE Rki

RE uki
ube=0
C Rki RE rd
 6. előadás

Ha a generátor ellenállás nem nulla, illetve a kimenetet nem szakadással zárjuk le az ára
szerint,

Rg
Rki
ug ube Rbe Auube uki Rt

akkor az előzőekben kiszámított bemenő, illetve kimenő ellenállások megváltoznak. Ezt úgy
mondjuk, hogy a földelt kollektorú alapkapcsolás nem visszahatásmentes.

A lineáris kisjelű helyettesítőkép generátor és

terhelő ellenállással:

Rbe αie
(1-α)ie C

B
Rg rd
ube
E
ug ie
uki Rt
RE

Az üresjárási feszültség erősítést ( Au ), a terhelő ellenállás nélkül számítjuk ki:

RE u ki RE
u ki ube Au 1
RE rd ube RE r

A bemenő ellenállás véges terhelés esetére:

ube ie rd RE Rt 1
Rbe rd RE Rt 1 rd RE Rt
ibe 1 ie 1

Rbe 1 rd RE Rt : nagy értékű

Az Rki meghatározásához:

(1-α)ie ie iki
uki ie rd 1 ie Rg
B rd E Rki rd 1 Rg
Rg iki ie
αie
RE uki Rki RE Rki
ube=0
C
Rki RE rd 1 Rg

Minél nagyobb a beta, annál kisebb lesz a generátor ellenállás hatása a kimenő impedanciára.
Az FC fokozat tehát nem visszahatás mentes, mert: Rbe függ Rt-től és Rki függ Rg-től
 6. előadás

Összefoglalva:
FE / CE FB / CB FC / CC
 6. előadás

Kisjelű analízis, alapkapcsolások JFET, MOS FET

alkalmazásával
Az elzáródás feletti, szaturációs ( u DS u GS U P ) tartományban működő FET-ek bemeneti
karakterisztikái:

iS , iD Kiürítéses Növekményes
IDSS MOS FET

JFET

IDSS ID00
uGS
UP UP UP 2UP

A karakterisztika munkapontbeli meredeksége:

iD
S id

ID0 M
t

UGS0 uGS
UP
ugs

S(ID0)
diD 2 I D 00 uGS 0 U P I D0
S 2
duGS U GS 0
UP UP U GS 0
U GS 0 U P

2 I D 00 U GS 0 U P 2 I D 00 I D0 2 I D 00 ID0
S I D0 I D0
UP UP UP I D 00 UP

1
S S ( Siemens)

Amerikai katalógusokban a Siemens helyett gyakran használják az Ohm visszafele leírt

1
verzióját: mho, néha többes számban is: mho. Pld: 1 S 1 mhos
106
Az S helyett USA katalógusokban gyakran látjuk a vele egyenértékű: S y21 y fs
paramétereket
 6. előadás

Helyettesítő képek:

Nagyjelű helyettesítő kép Kisjelű helyettesítő kép

D D
G iD =iS G
iS id =is
iG =0 ig =0
G G
G iD G
1/S
uGS ugs
uGS
is
iS
S S
 6. előadás

Alapkapcsolások (JFET alkalmazásával, kettős tápfeszültség esetére)

Földelt Source-u kapcsolás FS, CS
Megoldani:
+Ut +Ut
A kapcsolás: DC analízis 0 U GS 0 RS I D 0
RD RD
uki 2
U GS 0 U P
ube ∞ I D0 I D 00
UGS0 ID0 UP
RS RS
2I D0
-Ut -Ut S
U GS 0 U P

Váltóáramú helyettesítőkép Lineáris, kisjelű helyettesítőkép

id
D 0 D
D G id
G id
RD uki ube uki
ube 1/S
S
RD
S

ube u ki
uki id RD RD Au SRD Rbe
1/ S ube

A fokozat három paraméteres Az Rki mérési eljárása:

helyettesítőképe
iki

Rki Rki
ube Rbe Auube uki ube=0 Rbe 0 uki

Az adott kapcsolásra alkalmazva:

0 iki
0 D iki
G C
0
ube=0 uki RD uki Rki=RD
1/S RD
S

ube SRD
Ha Cs = 0 uki id RD RD Au Rki=RD Rbe
RS 1 / S 1 SRS
 6. előadás

Földelt Gate-ű kapcsolás (FG, CG):

A kapcsolás: A kisjelű hely. kép:

+Ut
RD id
S id 1/S
uki D
id
ube 0
uki
ube RS RD
∞ RS G

-Ut

ube uki
uki id RD RD Au SRD
1/ S ube

RS Rki=RD
Rbe RS 1/ S
1 SRS

Földelt Drain-ü kapcsolás (FD , CD) :

A kapcsolás: Váltóáramú helyettesítőkép A kisjelű lineáris hely. kép:
+Ut
FD is
RD→0 0 D
S G
G
RE uki ube 1/S
ube S
ube D iSs
uki
RS uki
RS
-Ut

uki RS SRS
Au 1
ube RS 1 / S 1 SRS

RS
Rki RS 1/ S Rbe
1 SRS

FET esetén nem függ a bemenő impedancia a terheléstől, és nem függ a kimenő impedancia a
generátor ellenállástól. Viszont mivel az 1/S általában nagyobb, mint a bipoláris tranzisztor
dinamikus ellenállása, a kimenő ellenállás bipolárishoz hasonlítva nagyobb.

Összefoglalva:

FS / CS FG / CG FD / CD
FD / CD
 6. előadás

Egy tápfeszültséges MOSFET kapcsolások:

FS +Ut +Ut

RD RD
R1 R1
A MP
Rg uki
számításhoz
C1
ug R2 R2 RS
RS
C2

+Ut +Ut
FG FD
RD R1
R1
uki Rg
Rg C1 uki
C1
ug R2
R2 C2 RS
RS ug

Rbe Rbe R1 R2

FET-kétparaméteres helyettesítő képe: (S, ro)

A helyettesítőkép figyelembe veszi a szaturációs tartomány nem vízszintes menetét. Ez azt
jelenti. hogy a Drain áram a Drain Source feszültségtől is függ.
Kimeneti karakterisztika:

G id D iD 2id
ID0 UGS0
ro 𝑖𝑑
1/S 2uds
uds 𝑟𝑜 =
ugs 𝑢𝑑𝑠
is
UDS0 uDS
S

Szokásos egyéb jelölések:

1
ro yos y22 g os g 22
yos
 6. előadás

Nagy erősítés elérése JFET alkalmazásával: RD helyett → egy másik JFET

Kis egyenáramú ellenállás (kis tápfesz. elég)

+Ut
R1 Nagy váltóáramú ellenállás (Rv)
Rv ro2
R1
uki G1 D1 1/S2
∞ D2
S2
ube 1/S1 ro1 G2
R1 X R2
ube S1
RS
∞
uki
Rv ro1 ro 2 R1 R2 Au S1 Rv
ube
 7. Előadás

Kaszkád kapcsolású fokozatok eredő átvitelének számítása:

1. fokozat 2. fokozat

Rg Rki1 Rki2

ug ube1 Rbe1 Au1ube1 ube2 Rbe2 Au2ube2 Rt uki

uki ube1 Au1ube1 ube 2 Au 2ube 2 uki

Lbe Au1 L12 Au 2 Lki
ug u g ube1 Au1ube1 ube 2 Au 2ube 2

Ahol:

ube1 Rbe1 Au1ube1 ube 2 Rbe 2

Lbe1 , Au1 , L12
ug Rg Rbe1 ube1 Au1ube1 Rki1 Rbe 2

Au 2ube 2 uki Rt
Au 2 , Lki
ube 2 Au 2ube 2 Rki2 Rt

uki
Lbe Au1 L12 Au 2 Lki
ug

A fokozatok közötti leosztás speciális esetekben elmarad:

Lbe 1 ha Rg= 0 és/vagy Rbe1 = ∞

L12 1 ha Rki1= 0 és/vagy Rbe2 = ∞

Lki 1 ha Rki2= 0 és/vagy Rt = ∞

 7. Előadás

Kisjelű frekvencia függő vizsgálat

Frekvencia függést okozó áramköri elemek:
Beépített:
- Csatoló kondenzátor
- Emitter kondenzátor
- Csatoló tekercs
- Csatoló transzformátor
Parazita elemek
- Kábel kapacitás
- Félvezetők belső kapacitásai
- Szórt kapacitás/induktivitás ( szerelési hatások)
Áramköri elemek:
Idő tartomány - t Operátor tartomány: s

Laplace transzformáció
iR
R uR

iL

L uL

iC
uC

Bode diagram: jω
s

R,L,C,n σ
u1 u2
hálózat -ωpi -ωzi

s
1
U2 s i zi
A transzfer függvény Bode gyöktényezős alakban: H s ks n
U1 s s
1
i pi

H j H s s j
A ej A(ω): amplitúdó karakterisztika

φ(ω): fázis karakterisztika

 7. Előadás

A1 A2
Pld.: H j A ej ej 1 2 3

A3

Kétszer logaritmikus koordináta rendszert használunk, mivel:

- Ebben a rendszerben a hatványfüggvények egyenesek
AA
- lg 1 2 lg A1 lg A2 lg A3 (grafikusan összeadni/kivonni tudunk)
A3

Logaritmikus „x” tengely (frekvencia) (abszcissza)

Oktáv rendszer:

-1 0 1 2 3 o [ oktáv]

ω=2o [ rad/sec]
1/2 1 2 4 8

Dekadikus rendszer:

-1 0 1 2 3 D = lg(ω) [ dekád]

ω [ rad/sec]
0.1 1 10 100 1000

Logaritmikus „y” tengely (ordináta)

2
U
a dB
10 lg 2 20 lg A
U1

A 1 10 100 1000 0.1 2 2 5 1/ 2

a [dB] 0 20 40 60 -20 6 3 14 -3
 7. Előadás

Bode alaptagok: a0(ω)

1.) Konstans: H 0 k
a0

0 ha k 0
a0 20 lg k 0 lg(ω)
ha k 0
φ0(ω)

lg(ω)

s
2.) H1 s a1ω)
1

H1 j j
1 20dB/D jω s sík

A1
0 dB
1
ω1 lg(ω)
σ

2 π/2

lg(ω)

s a2(ω)
3.) H2 s 1
2 20dB/D

H2 j 1 j jω s sík
2 3dB
2
0 dB
ω2 lg(ω)
A2 1 σ
2 φ2(ω) -ω2
π/2
2 arctg π/4
2
0.1ω2 ω2 10ω2 lg(ω)

a3(ω)
1 0 dB ω3
4.) H3 s
1 s/ 3
-3dB lg(ω)
1 jω
H3 j
1 j / 3 -20dB/D s sík
2 1/ 2
A3 1 / 3 σ
φ3(ω) -ω3
3 arctg ω3
3
-π/4 0.1ω3 10ω3 lg(ω)
-π/2
 7. Előadás

A csatoló kondenzátor hatása (Cc):

Rg Cc Rki
Rbe
ug ube Auube uki

ube Rbe u ki
Lbe 0 A Lbe 0 Au
ug Rg Rbe ug
Cc Cc

Rbe sCc Rbe Rbe sCc Rg Rbe s/ 1

Lbe s Lbe0
1 1 sCc Rg Rbe Rg Rbe 1 sCc Rg Rbe 1 s/ 1
Rg Rbe
sCc

1
Ahol: 1 alsó
Cc Rg Rbe

uki s/ 1 s/ 1
s Lbe s Au Lbe0 Au A
ug 1 s/ 1 1 s/ 1

a (ω) 3dB

20dB/D s sík
jω
ω1 lg(ω)

σ
φ (ω)
-ω1
π/2

lg(ω)
ω1 10ω1
0.1ω1
 7. Előadás

Párhuzamos kondenzátor hatása (Cp):

Rg Rki
Rbe
ug ube Auube uki
Cp

ube Rbe u ki
Lbe 0 A0 Lbe 0 Au
ug Rg Rbe ug
Cc Cp 0

Rbe
Rbe 1 / sC p 1 sC p Rbe
Lbe s
Rg Rbe 1 / sC p Rg
Rbe
1 sC p Rbe
Rbe Rbe 1 1
Lbe0
Rg Rbe sC p Rg Rbe Rg Rbe 1 sC p Rg Rbe 1 s/ p

1
Ahol: p felső
C p Rg Rbe

uki 1 1
Ezzel: s Lbe s Au Lbe0 Au A0
ug 1 s/ p 1 s/ p

a (ω) 3dB

jω s sík
20dB/D lg(ω)
ωp
σ
φ (ω)
ωp -ωp
lg(ω)
p
0.1ωp 10ωp
-π/2

Csatoló- + párhuzamos kondenzátor együttes hatása:

Rg Cc Rki
Rbe
ug ube Auube uki
Cp

a (ω) 3dB

20dB/D
-20dB/D

ωalsó ωfelső lg(ω)

 08. Előadás

Induktív csatolású fogyasztó

+Ut

Rbe
L αie
Bias Tee (1-α)ie
∞
ube ie rd Rt uki
uki L
Rt
ube
RE ∞

-Ut

𝑠𝐿 𝑅𝑡 𝐿 𝑠
𝑢𝑘𝑖 𝑖𝑒 (𝑠𝐿 𝑥 𝑅𝑡 ) 𝑠𝐿 + 𝑅𝑡 𝑅 𝑠𝐿 𝑅 𝑠 𝑅𝑡 𝜔𝑎
𝑡 𝑡
= −𝛼 = −𝛼 = −𝛼 = −𝛼 =𝑘 𝑠
𝑢𝑏𝑒 𝑖𝑒 𝑟𝑑 𝑟𝑑 𝑟𝑑 𝑠𝐿 + 𝑅𝑡 𝑟𝑑 1 + 𝑠 𝐿 1+𝜔
𝑅𝑡 𝑎

𝑅𝑡 𝑅
𝜔𝑎 = 𝑘 = −𝛼 𝑟 𝑡
𝐿 𝑑

a (ω) 3dB
20lg(k)

20dB/D s sík
jω
lg(ω)
ωa
σ
φ (ω) -ωa
π/2
lg(ω)
0.1ω1 ωa 10ω1
 08. Előadás

A véges emitter kondenzátorral (CE) szerelt földelt emitteres (FE CE)

erősítő fokozat frekvenciafüggésének vizsgálata

+Ut Rbe
αie
RC Rg (1-α)ie
Rg uki
ug ube ie rd RC uki
ug ube
RE CE RE CE

-Ut

Frekvencia független vizsgálat:

uki 1 rd RC RC
A
ug Rg 1 rd rd 1 Rg rd
CE

u ki 1 rd RE RC RC
A0
u ge Rg 1 rd RE rd RE 1 Rg rd RE
CE 0

Frekvencia függő vizsgálat:

1 RE
ug 1 ie Rg ie rd ie RE ie 1 Rg rd
sC E 1 sC E RE
1 Rg rd RE sC E RE 1 Rg rd 1 s/ p
ug ie ie 1 Rg rd RE
1 sC E RE 1 s/ z
1 1
Ahol: z p R rd 1 Rg
RE CE RE R C E
uki ie RC RC 1 s/ z 1 s/ z
s A0
ug ug 1 Rg rd RE 1 s / p 1 s/ p

uki 1 j / p A
lim j lim A0 z
A0 A → p z
ug 1 j / p z A0
Az alsó -3dB-es határfrekvencia: alsó p

a (ω)
20dB/D
jω s sík
lg(ω)
ωz ωp
φ (ω) σ
0.1ωz ωz 10ωz -ωp -ωz
0.1ωp ωp 10ωp lg(ω)
-π/2 p

-π
 08. Előadás

Az erősítő be és kimenetét áthidaló kapacitás hatásának vizsgálata

Rbe
ube ug u g Lbe
Rg C Rg Rbe
Rt
Rki uki Au ube Au Lkiube Aube
ug ube Rki Rt
Rbe Auube uki Rt
A Au Lki

Thevenin átalakításokkal:

Rg C Rg x Rbe=R1 C Rki x Rt=R2

Rki i
ug ube uki Auube Lbeug ube uki Aube
Rbe Rt

Csomóponti potenciálok módszerével:

Lbeu g ube ube uki uki Aube

1.) i 2.) i ube uki sC
R1 1 / sC R2
Lbe u g u be sCR1 u ki sCR1 u be ube sCR 2 u ki sCR 2 u ki Au be
1 sCR2
ube uki
A sCR2
1 sCR2
Lbeu g uki 1 sCR1 uki sCR1u ki
A sCR2
1 sCR2 sCR1 s 2C 2 R1 R2 AsCR1 s 2C 2 R1 R2
Lbeu g uki
A sCR2
CR2
1 s
u ki A sCR2 A 1 s/ z
s Lbe Lbe A Lbe Au Lki
ug 1 sC 1 A R1 R2 1 sC 1 A R1 R2 1 s/ p

Ahol:
Rbe Rt
A0 Lbe A Lbe Au Lki , A Au Lki , Lbe , Lki
Rg Rbe Rki Rt

A Au Lki 1 1
z , p
R2C R2C 1 A R1 R2 C Rg xRbe 1 A Rki xRt C
 08. Előadás

Itt 3 esetet különböztetünk meg:

1.) A leggyakoribb eset: 𝐶[(𝑅𝑔 𝑥 𝑅𝑏𝑒 )(1 − 𝐴)] ≫ 𝐶(𝑅𝑘𝑖 𝑥 𝑅𝑡 )

Ekkor jó közelítéssel:
1
𝜔𝑝 ≅
(𝑅𝑔 𝑥 𝑅𝑏𝑒 )(1 − 𝐴)𝐶

ahol az (1 − 𝐴)𝐶 kapacitást Miller kapacitásnak hívjuk.

2.) 𝐶[𝑅𝑔 𝑥 𝑅𝑏𝑒 (1 − 𝐴)] ≪ 𝐶(𝑅𝑘𝑖 𝑥 𝑅𝑡 ), mert pl. 𝑅𝑔 = 0

Ekkor jó közelítéssel:
1
𝜔𝑝 ≅
𝐶(𝑅𝑘𝑖 𝑥 𝑅𝑡 )

3.) 𝐶[𝑅𝑔 𝑥 𝑅𝑏𝑒 (1 − 𝐴)] ≈ 𝐶(𝑅𝑘𝑖 𝑥 𝑅𝑡 )

Ekkor nem lehet közelítéssel élni, hanem a pontos pólus frekvenciát kell kiszámítani:

1
𝜔𝑝 =
𝐶[𝑅𝑔 𝑥 𝑅𝑏𝑒 (1 − 𝐴) + 𝑅𝑘𝑖 𝑥 𝑅𝑡 ]

Pólus-zérus kép:
jω
„s” sík

σ
-ωp ωz

Bode diagram:

a(ω)
[dB]
-20dB/D

ωp ωz
lg(ω)

φ(ω) +π/2

ωf
ωz lg(ω)
- π/2
 08. Előadás

Az áthidaló kapacitásos fokozat és a közelítő hálózata:

Rg C Rg
Rki Rbe Rki
ug ube Rbe uki Rt ug ube uki Rt
Auube Auube

Cp1 =(1-A)C Cp2 =C

A könnyen kezelhető párhuzamos kapacitásokat tartalmazó közelítő hálózat az átviteli zérust
nem modellezi, a felső határfrekvenciát meghatározó pólus kiszámításához is korlátozottan
érvényes.

Parazita kapacitások az alapkapcsolásokban

A tranzisztorokban a bázis és az emitter (gate és a source), illetve a bázis és a kollektor (gate
és a drain) között különböző fizikai okok miatt parazita kapacitások mérhetők. Ezek a
kapacitások frekvenciafüggő viselkedést eredményeznek.

Az előző pontban vizsgált áthidaló kapacitás a földelt emitteres alapkapcsolásban a Cbc

kapacitás. A
Cbc FE R g Rc
Rg
uki ug ube Rt uki
ug C RC R t R be Au ube
be
(1-A)Cbc Cbe Cbc

A földelt bázisú alapkapcsolásban nincs a bemenet illetve a kimenet között áthidaló kapacitás:

FB Rg Rc

ug uki ug ube Rt uki

Rg RE Cbe Rbe Auube
Cbc RC Rt
Cbe Cbc

A földelt kollektoros alapkapcsolásban van a bemenet illetve a kimenet között áthidaló

kapacitás (Cbe), de hatása elhanyagolható, mivel a fokozat erősítése 1 körüli:

αie
Cbc Rg Cbe
FC
Rg
∞ ug rd
Cbc
ug RE Rt uki
Cbe RE Rt uki
 9. előadás

Differenciál erősítők
Az alapkapcsolásoktól a differenciál erősítőig

u ki
Specifikáció: Rbe : k , 100 , f alsó 0 Hz
ug

Áramköri megoldás: (FC+FB) Differenciál erősítő: T1=T2 (integrált á.k.)

M.P.: ube=0
+Ut
U t U BE 0 RC1 RC2
I0 I E 01 I E 02 mert: uBE1 uBE 2
RA uki1 uki2
Rbe
rd 1 rd 2 rd , 1 B1 2 B2 , RA rd T1 T2
ube
1.) kimenet: FE (CE)
I0 RA
uki1 RC1 RC1
Rbe 1 rd 1 rd 2 -Ut
ube rd 1 RA rd 2 2rd

2.) kimenet: FC+FB ( CC+CB) 1 2

uki2 u uki2 RA rd 2 RC 2 rd 2 RC 2 RC 2
ube ube u RA rd 2 rd 1 rd 2 rd 2 rd 1 rd 2 2rd

uki1 RC uki2 RC
Ha: RC1 = RC2 = RC:
ube 2rd ube 2rd
uki=uki1 – uki2
Differenciális kimenet etén: ube uki1
DE
u ki u ki1 u ki2 RC < uki2
ube ube rd
Single Ended Differential
input output
 9. előadás

Legyen most a második bemenet is gerjesztve, a kimenő jeleink legyenek a

kollektor áramok
≈ ≈
iC1 iC2
T1=T2 , RE1=RE2=RE
T1 T2
rd1+RE1=R1 , rd2+RE2=R2 R1=R2=R
u1 RE1 RE2 u2
Bontsuk fel a bemenő jeleket:
-közös módusú: (uk) és I0 RA

-differenciális módusú (ud) összetevőkre: -Ut

u1 u 2 ud = u1 – u2
uk ud u1 u 2
2
u1
Megfordítva: u1 + u2
uk = u2
2
ud ud
u1 uk u2 uk
2 2

1.) Tisztán differenciális modusú gerjesztés: uk 0

ud ud ic1 ic2
u1 u2 ≈ ≈
2 2
αie1 αie2
ud ud rd1 RE1 0V RE2 rd2
ie1 ie 2
2R 2R ie1 ie2
R1 R2
ud
ic1 ic 2 RA u2
S d1 Sd 2 0
2
ud 2R ud 2R

2.) Tisztán közös modusú gerjesztés: u d 0

ic1 ic2

u1 uk u2 uk ≈ ≈
αie1 αie2
uk rd1 RE1 RE2 rd2
ie1 ie 2 ie
R 2RA ie1 ie2
uk R1 RA R2 uk
ic1 ic 2 2ie
S k1 SK 2
uk R 2 RA uk R 2RA

Közös modusú elnyomás (KME): (Common Mode Rejection Ratio, CMRR)

S d1 2R 2RA R RA 1 RA 1
KME1
S k1 2R R 2 rd RE 2
R 2RA
 9. előadás

Ha a kimeneti jelünk nem a kollektor áramok, hanem a kollektor áramok különbsége: ic1-ic2:
1.) differenciális vezérléskor:
ud ud ud
ikid ic1 ic 2 ud
2R 2R R rd RE
2.) Közös modusú vezérléskor:
ikid
ic1 ic 2 iki k 0 KMEi1 i 2
ikik

Miért kell a nagy KME ? +Ut

Pld: mikrofon Differenciális bemenet RC RC Differenciális kimenet

uki1
uki= uki1- uki2
ud ≈1mV uki2

Rb Rb
uk ≈1V
Nagy zavaró (zaj) jel uk: RA

-Ut
Transzformátorral is megoldható:

Transzformátor: +Ut
Szimmetrikus/aszimmetrikus RC
uki
ud ≈1mV
CE

uk ≈1V RE
-Ut

Áramtükrös kimenet: u ki ic1 ic 2 Rt , nagy közös modusú elnyomás.

Szimmetrikus bemenet, Aszimmetrikus kimenet DIFF > SE

+Ut
T3 T4

ic1 ic1 - ic2

ic1
ic2
Rt uki
T1 T2
u1 u2
I0 RA

-Ut
 9. előadás

Differenciál erősítő nagyjelű vizsgálata: T1=T2

≈ ≈ 1
iC1 iC2

T1 T2
1/2
u1 iE1 iE2 u2
uBE1
uBE2
I0

-Ut -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
u BE 1 u BE 2
UT UT
i E1 I S 01e iE 2 I S 02 e

I S 01 I S 02 IS0

u1 u BE1 u BE 2 u2

u u1 u 2 u BE1 u BE 2
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
I0 iE 2 I0
iC 2 u
i E1 i E 2 I0 → 1
i E1 i E1
1 e UT
i E1 1 1 1 I0
u Be 2 u BE 1 u
iC1 u
I0 i
1 E2 1 e UT
1 e UT
1 e UT
i E1

iE 2 1 I0 I0
u
iC 2 u
I E 01 I E 02
I0 UT UT
2
1 e 1 e
u

iC1 I0 e UT
I0 1 I E 01 1
S u S max S 0)
u UT u 2
UT 1 1 2 UT 2 2rd
UT
1 e

1 e x
1 1 e x
1 ex e x 1
Megjegyz.: 2x
1 1 th x
1 e e x
e x
2 2 e x
e x
2 2 ex e x 2

Az emitterben elhelyezett ellenállások szélesebb bemeneti tartományt tesznek közel

lineárissá.
RE1, RE1 : linearizál
≈ ≈
iC1 iC2
T1 T2

u1 RE1 RE2 u2

Δu= u1 - u2
-Ut
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
 9. előadás

Aszimmetria kiegyenlítése UH hiba kiegyenlítő feszültséggel

Vizsgáljuk meg, ha:
1.) A1 A2 (a nagyjelű alfa különböző)

2.) Ttr1 Ttr 2 (a hőmérséklet különböző)

3.) I S 01 I S 02 (a tranzisztorok visszáramai különbözőek)

IDEÁLIS : Tr1 = Tr2 NEM IDEÁLIS : Tr1 ≠ Tr2

≈ ≈ ≈ ≈
iC1 iC2 iC1 iC2

Tr1 Tr2 Tr1 Tr2

iE1 iE2 UH iE1 iE2
uBE1 uBE1
uBE2 uBE2
I0 I0

-Ut -Ut
!
uBE1= uBE2 → iC1 = iC2 UH = ? → iC1 = iC2

Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC ( Uki0 = 0) legyen?

iC1 iC 2 iC iC A2 A1 A1 A
i E1 i E 2 I0 → iC I0 iC I0
A1 A2 A1 A2 A1 A2 A2 A1

iC A2 iC A1
i E1 I0 iE 2 I0
A1 A1 A2 A2 A1 A2
u BE 1 u BE 2
UT UT
i E1 I S 01e iE 2 I S 02 e

A2 1 A1 1
UH u B E1 u BE 2 U T 1 ln I 0 U T 2 ln I 0
A1 A2 I s 01 A1 A2 I s 02

Vizsgáljunk két egyszerű esetet:

1.) I S 01 I S 02 , A1 A2 A , Ttr1 Ttr 2 T
Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC (Uki0 = 0) legyen?

1 1 1 1 I s 02
UH u B E1 u BE 2 U T ln I 0 U T ln I 0 U T ln
2 I s 01 2 I s 02 I s 01
I S 01 F1
a tranzisztorok felületeinek aránya
I S 02 F2

F2 F1 F F
UH u B E1 u BE 2 U T ln U T ln UT
F1 F1 F1
 9. előadás

mert: ln 1 x x ha x 1

például 5% felületi eltárás gyártási gyártási szórásból adódóan:

F
U H u B E1 u BE 2 U T 26mV * 0.05 1.3mV
F1

2.) Ha a tranzisztorok hőmérséklete nem egyforma, de más tekintetben egyformák:

Ttr1 Ttr 2 I S 01 I S 02 I S 0
A1 A2 A
Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC ( Uki0 = 0) legyen?

iE T2 >T1

ΔuBE=(-2mV/C0)ΔT
IE0
UH u B E1 u BE 2 u BE 2mV / C 0 T ΔT =T1-T2

uBE
Például:
ΔuBE
T2 hőmérséklete legyen 30C T1 hőmérséklete pedig 20C.
Mekkora UH?

UH u B E1 u BE 2 2mV / C 0 T 2mV / C 0 T1 T2 2mV / C 0 20C 0 30C 0 20 mV

 10. előadás

Differenciál erősítőtől a műveleti erősítőig

Aszimmetria kiegyenlítése UH hiba kiegyenlítő feszültséggel

Vizsgáljuk meg, ha a két tranzisztor nem egyforma:
1.) A1 A2 (a nagyjelű alfa különböző)

2.) Ttr1 Ttr 2 (a hőmérséklet különböző)

3.) I S 01 I S 02 (a visszáram különböző)

IDEÁLIS : Tr1 = Tr2 NEM IDEÁLIS : Tr1 ≠ Tr2

≈ ≈ ≈ ≈
iC1 iC2 iC1 iC2

Tr1 Tr2 Tr1 Tr2

iE1 iE2 UH iE1 iE2
uBE1 uBE1
uBE2 uBE2
I0 I0

-Ut -Ut
!
uBE1= uBE2 → iC1 = iC2 UH = ? → iC1 = iC2

Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC ( Uki0 = 0) legyen?

iC1 iC 2 iC iC A2 A1
i E1 i E 2 I0 → iC I0
A1 A2 A1 A2 A1 A2

iC A2 iC A1
i E1 I0 iE 2 I0
A1 A1 A2 A2 A1 A2
u BE 1 u BE 2
UT UT
i E1 I S 0e iE 2 I S 0e
i E1 u BE1 u BE 2 A2 A2
e u BE1 u BE 2 U T ln
iE 2 UT A1 A1

A2
UH u B E1 u BE 2 U T ln
A1

2.) I S 01 I S 02 A1 A2 A Ttr1 Ttr 2 T

Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC ( Uki0 = 0) legyen?
iC I0 iC I0
i E1 iE 2
A 2 A 2
 10. előadás

u BE 1 u BE 2
UT UT
i E1 I S 01e iE 2 I S 02 e

i E1 I S 01 u BE1 u BE 2 I S 01 F1
e 1 a tr.-ok felületeinek aránya
iE 2 I S 02 UT I S 02 F2

F2 F1 F F
UH u B E1 u BE 2 U T ln U T ln UT
F1 F1 F1

mert: ln 1 x x ha x 1

3.) Ttr1 Ttr 2 I S 01 I S 02 I S 0 A1 A2 A

Mekkora UH feszültséget kell alkalmazni, hogy iC1=iC2=iC ( Uki0 = 0) legyen?

iE T2 >T1

ΔuBE=(-2mV/C0)ΔT
IE0
UH u B E1 u BE 2 u BE 2mV / C 0 T ΔT =T2-T1

uBE

ΔuBE

A NEM IDEÁLIS (valóságos) diff. erősítő = Uoff + IDEÁLIS diff. erősítő:

ha : Uoff =UH

≈ ≈ Ekkor: u1=u2=0
iC1 iC2
és ekkor iC1 = iC2
Tr1 Tr2
UH iE1 iE2 az IDEÁLIS diff.er.-ben
Uoff
I0
-Ut
IDEÁLIS
NEM IDEÁLIS
 10. előadás

Erősítőlánc ofszet feszültsége:

valóságos valóságos
!
Ad1 Ad2 Uki = 0
UH = ?

Uoff1 ideális Uoff2 ideális

!
Ad1 Ad2 Uki = 0
UH = ?

U ki0 Ad 1 Ad 2U H Ad 1 Ad 2U off 1 Ad 2U off 2 0

1
UH U offer U off 1 U off 2
Ad 1

Láncba kapcsolt erősítők offset feszültségét az első erősítő offset-e határozza meg elsősorban.

Az offset feszültség hőmérséklet függése (drift):

F kT
PLd.: U off UH U T ln 1 ahol: U T
F q

U off k F 1 kT F U off
D ln 1 ln 1
T q F T q F T

1.3mV V
Pld.: D 4.3
300K 0 K0
(Az ofszet feszültséget áramköri megoldással ki lehet egyenlíteni, de a hőmérséklet változás
hatására a drift miatt ez a kiegyenlít
 10. előadás

A bemenetre redukált offset feszültség mérése

Leföldeljük a bemenetet,
≈ ≈ mérjük a nem ideális erősítő
+Ut
iC1 iC2 kimenetén létrejövő
RC1 RC2
Tr1 T2 uki hibafeszültséget. Ezt
Uoff
iE1 iE2 ≈ ≈ elosztva a differenciális
uki=UkiH erősítéssel kapjuk a
u1=0 I0 u2=0
bemenetre redukált offset
-Ut
feszültséget.
Paraméterek:
Differenciális módusú erősítés: Ad
Közös módusú erősítés: Ak
Közös módusú elnyomás: KME CMRR
A bemenetre redukált offset fesz. mérése: u2= u1=0. Mérjük: uki = UkiH -t →
U kiH
U off
Ad
 10. előadás

Differenciál erősítő véges generátor ellenállásokkal

≈ ≈ ≈ ≈
iC1 iC2 Munkapont Uoff IC1 IC2
Rg1 β1 β 2 Rg2 Beállítás Rg1 0 Rg2
T1 T2
u1 β12 → ∞ 0 u2
ug1 UHiba kiegy.
iE1 iE2 ug2 IB2
IB1
I0 I0

-Ut -Ut
A bázis áramok kiemelve az IB1, IB2 áramgenerátorokkal, (β1, β2 különböző)
A bemeneti váltó feszültségek (ug2, ug2) nullák,
Az Uoff a tranzisztorok különböző iE(uBE) függvénye miatt van jelen
Az UHiba kiegy generátor hozza létre az egyforma IC1, IC2 áramokat.

u1 U H U off Rg1 I B1 u2 Rg 2 I B 2 u1 u2 0 (ez már ideális)

Ezekből: UH U off Rg1 I B1 Rg 2 I B 2 0

UH U off Rg1 I B1 Rg 2 I B 2

Vezessük be az offset és a BIAS áramok fogalmát:

Ioff

IB1 IBIAS IB2

I off I off
UH U off Rg1 I BIAS Rg 2 I BIAS
2 2

I off
UH U off I BIAS Rg1 Rg 2 Rg1 Rg 2
2
Rg 1 Rg 2
UH U off I BIAS Rg I off Rg Rg Rg 1 Rg 2 , Rg
2
Ha Rg1 Rg 2 Rg , akkor: U H U off I off Rg
 10. előadás

Tipikus értékek: MOS JFET BJT

Uoff 5 mV 1 mV 0.1 - 1 mV

IBIAS 1 pA 1 pA 0.1-1 μA

Ioff 0.5 pA 0.5 pA 50 nA

IBiasDrift IBIAS 1000 szeresére nő IBIAS 1000 szeresére nő IBIAS 3 szorosára nő

UoffDrift Nagyobb mint BJT-é Nagyobb mint BJT-é kicsi

Drift: 25 C0→125 C0

Differenciál erősítő Munkaponti DC generátorai a BIAS és offset áramokkal:

≈ ≈
IC1 IC2
Uoff
Rg1 0 0 Rg2
β→∞
UHiba kiegyenlítő IE1 IE2

IBIAS IBIAS
Ioff I0
2
≈
 10. előadás

Ideális műveleti erősítő:

- I B1 I B2 0 Rbe
IB1
u1 - u 0 ha uki véges
Δu Rki - Ad
uki
- Ak = 0
u2
IB2 AdΔu - Rki = 0
Differenciális bemenetű, aszimmetrikus kimenetű
Differenciális bemenetű, ÉS differenciális kimenetű is Fully differential amplifier
létezik:
u1

u2

Hogyan lehet ezeket a paramétereket megközelíteni

valódi kapcsolással?

Egy egyszerű műveleti erősítő belső felépítése

A műveleti erősítők integrált áramkörök formájában érhetők el. Ezek belső felépítése az
alábbi egyszerű erősítőhöz hasonló.
Bemeneti fokozat: diff. erősítő, középső: szintáttevő (FE, az u4 értéke kivezérlés nélkül 0 –
Rc-n a tápfeszültség fele esik), végfok: komplementer, ellenütemű
𝑢𝐷 𝑢
− 𝐷 𝑢𝐷
𝑖1 = 𝛼 𝑟 2
; 𝑖2 = 𝛼 𝑟 2
; 𝑟𝑑1 = 𝑟𝑑2 = 𝑟𝑑𝑇12 ; 𝑖1 − 𝑖2 = 𝑟
𝑑𝑇1 𝑑𝑇2 𝑑𝑇12

𝑢𝐷
𝑢3 = −(𝑖1 − 𝑖2 )𝑅1 𝑥𝑅2 = −𝛼 𝑅 𝑥𝑅
𝑟𝑑𝑇12 1 2

𝑅𝐶 𝑢𝐷 𝑅𝐶
𝑢𝑘𝑖 = 𝑢4 = 𝑢3 (−𝛼 ) = −𝛼 𝑅1 𝑥𝑅2 (−𝛼 )
𝑅𝐸 + 𝑟𝑑 𝑟𝑑𝑇12 𝑅𝐸 + 𝑟𝑑𝑇7
𝑢𝑘𝑖 𝑅1 𝑥𝑅2 𝑅𝐶
=𝛼 𝛼
𝑢𝐷 𝑟𝑑𝑇12 𝑅𝐸 + 𝑟𝑑𝑇7

+Ut
T3 T4 RI0 R1 RE R3

i2
Rbe >∞ T7
i1 -(i1-i2) i2 T8
u3 Rbe >∞
u1
T1 T2
ud u4
u2 uki
T9
Rt
2
I0

T6 T5 R2 R4
RC
-Ut
 10. előadás

ME alapkapcsolások ideális műveleti erősítővel:

1.) Invertáló
R2 ube 0 0 u ki
i
ube R1 R1 R2
0
∞ 0: virtuális föld
uki

2.) Nem invertáló

R2
R1
ube 0 u ki ubei
ube uki i
∞ R1 R2
ube

3.) Nem invertáló speciális esete: követő

uki R1=∞ R2=0

∞
ube
Alkalmazás: optikai 𝑖𝐷 = 𝑃𝑓é𝑛𝑦 É𝑓𝑜𝑡𝑜𝑑𝑖ó𝑑𝑎
4.) Áram-fesz. konverter kommunikációs vevő
𝑢𝑘𝑖 = 𝑖𝐷 𝑅
R
fotodiódával
+Ut
ibe Az üveg fényvezető R
0 kábelen érkező fény iD
ibe ∞ teljesítményével arányos
uki 0
i ~P ∞
záró irányú áramot (A/W D fény uki
a dióda érzékenységének
mértékegysége) alakítja
feszültséggé
5.) Kivonó
R2
R1
u2
uki
∞
u1
R3
R4

6.) Összeadó
R1 R3
u1
R2 i1+i2
u2 uki
0V ∞
 10. előadás

7.) Integráló

ube R C
0
∞
uki

-20 dB/D ube(t)

0 dB lg(ω) t

ω1

φ(ω)
π uki(t)
π/2 t
lg(ω)
-π/2

8.) Differenciáló
R
C
ube
0
∞
uki

20 dB/D ube(t)

0 dB lg(ω) t
ω1

φ(ω)
π/2 uki(t)
lg(ω) t
-π/2
-π
 10. előadás

ME munkapont beállítása:
Ideális ME Valóságos ME
R2 R2
IB2
R1 R1
Uki0=0 Uoff UkiH
id R3 id
R3
UH IB1

R2 R2 R2
U kiH UH 1 U off 1 I B1R3 1 I B 2 R2
R1 R1 R1

R2 R2 I off R2 I off
U kiH UH 1 U off 1 I BIAS R3 1 I BIAS R2
R1 R1 2 R1 2

R2 R2 R2 I off R2
U kiH UH 1 U off 1 I BIAS R2 R3 1 R2 R3 1
R1 R1 R1 2 R1

R2 R1 R2 R1 R2
Ha: R2 R3 1 → R2 R3 → R3 R1 R2
R1 R1 R1 R2

R2 R2
U kiH UH 1 U off 1 I off R2
R1 R1

A maradék UkiH is megszüntethető UH „hangolásával”, pl. egy invertáló erősítőben:

R2
R1
+Ut Ube=0
Uki0=0

R3
UH

-Ut
 11. előadás

A műveleti erősítők negatív visszacsatolása

Műveleti erőstők ME (OPAMP) tulajdonságai

ibe
Ideális ME: A u 0
ibe 0 Rbe Δu A uki

Rki 0 ibe
Nem ideális ME: A s véges u 0
ibe 0 de ibe kicsi , Rbe : nagy
Rki 0 de kicsi

ME visszacsatolt áramkörökben
Negatív visszacsatolás jelfolyam hálózatban:
x α A y
y x y A Ax Ay
β
y A A H
H: hurok erősítés
x 1 A 1 A 1 H

A hurokerősítés mérése: x=0 b a Aa

α A
Felvágjuk a hurkot.
b (Aβ)a
Definíció: H β
a
b
b 0 A a A a H A
a
y H
Ha: H 1 Avid
x 1 H

y H 99
Pld.: A=99 α=1 β=1 H=99 0.99 1 Avid
x 1 H 100
 11. előadás

Negatív visszacsatolás ME-ben:

Nem invertáló alapkapcsolás:

R2
R1
uki
A
ube
R3
R4

Invertáló alapkapcsolás:
R2
R1
ube
uki
Δu A
 11. előadás

Stabilitás vizsgálata

Ha A=A(s) frekvencia függő felmerül a stabilitás kérdése.

A korábbi tanulmányokból:
A rendszer akkor stabil, ha a kimenet/bemenet típusú transzfer függvény pólusai
szigorúan a bal félsíkon vannak.
uk i As
s
ube 1 As

- Algebrai stabilitás vizsgálati módszer:

Megkeressük az: 1 A s 0 egyenlet gyökeit (a pólusokat) és eldöntjük, hogy a
gyökök valós részei negatívak-e? (Matlab)

Frekvencia tartománybeli módszerek:

Nyquist módszer:
1.) Kiszámítjuk és ábrázoljuk a komplex síkon a H j hurokerősítés komplex
értékét a valós ω paraméter 0 tartományában. (Ez a helygörbe)
2.) Megállapítjuk az 1 H j vektor fázisának változását a 0
tartományában: 0

ahol: Arc 1 H j és 0 Arc 1 H j

0

3.) A k n összefüggésből meghatározzuk n-et a zárt rendszer jobb

félsíkra eső pólusainak számát. Ha n = 0, akkor a zárt rendszer stabil, ellenkező
esetben instabil. (k: a nyílt rendszer jobb félsíkra eső pólusainak száma, ez általában
ismert, tipikusan zérus)
Im{H(jω)}
Arc{1+ H (jω)}
ω=∞ Re{H(jω)}
-1 Stabil - a -1 1
pontot nem ω=0
öleli körül 3 2
ω Instabil - a -1 pontot
1+ H(jω) körül öleli
H (jω)

Stabilitás határhelyzete

1. Pld (zöld) 0 0, 0, 0 k n → n = 0 (k=0)

A jobb félsíkra eső pólusok száma: n = 0 → a rendszer stabil

2. Pld (piros) 0 0, 2 , 2 k n → n = 2 (k=0)

A jobb félsíkra eső pólusok száma: n = 2 → a rendszer instabil
 11. előadás

Bode stabilitás vizsgálati módszere:

[dB] A(ω)
-20 dB/D ω2 atdB : erősítés tartalék
-40 dB/D
βA(ω) β<1
ω3

ω1 0 dB -60 dB/D
lg(ω)
0 dB at

φ(ω)
ω1 ω2 ω3 lg(ω)
0
0
-900
φt -1800
-1800
φt: fázis tartalék
-2700

Kétféle lehetőség:
1.) Ahol A j x 1 (0 dB) ott a fázis: x t

2.) Ahol y ott A j y 1 at 20 lg A j y 0

 11. előadás

Visszacsatolt műveleti erősítők frekvencia függése:

Több fokozat: → több párhuzamos kapacitás → több pólus
A legkisebb frekvenciájú pólus a domináns pólus.

1 1 1
As A0
1 s/ 0 1 s/ 1 1 s/ 2

Azok a pólusok elhagyhatóak számításainkból, amelyeknél az erősítés már nagyon kicsi.

1.) Az egy pólust tartalmazó modell:

1
A s A0
1 s/ 0
2.) A két pólust tartalmazó modell:
1 1
A s A0
1 s/ 1 1 s/ 2
 11. előadás

1.) Az egy pólust tartalmazó modell:

1
Ekkor: As A0
1 s/ 0
A0
u ki As 1 s/ 0 A0 1
Av s s
ube 1 As A0 1 A0 s
1 1
1 s/ 0 1 A0 0
A0 1 1
Av s Aid
1 A0 1 s / p 1 s/ p
Ahol:
A0
1 Aid p 1 A0 0 A0 0
1 A0

ME katalógus adat: az erősítés (A0) és sávszélesség (ω0) szorzat: GBW=A0 ω0

GBW: (Gain BandWidth) az a frekvencia, ahol az erősítés=1.

[dB] A0 Nem invertáló

│A(jω)│
Invertáló

-20 dB/D
Av
Av GBW
lg(ω)
0 dB
ω0 ωpi ωp

A visszacsatolt erősítőre erősítés (Avid) és sávszélesség (ωp) szorzat:

Avid p A0 0 GBW p GBW

Avid

Azonos abszolút értékű erősítést beállítva egy invertáló és egy nem invertáló
alapkapcsolásban, az invertáló alapkapcsolás sávszélessége kisebb lesz azonos ME esetén:

GBW
Nem invertáló: 1 p
Aid
R2 GBW
Invertáló: i 1 pi i p
R1 R2 Aid

Ha egy kompenzált ME-t kapacitíven terhelünk (pld. egy mérőkábel kapacitásával), be

fog jönni egy második pólus is, ami kellemetlen következményekkel járhat: lásd a
következőkben.

Kellemetlen következmény:
- rossz impulzus átvitel (túllövés),
- rossz frekvencia menet (kiemelés/vágás)
 11. előadás

2.) A két pólust tartalmazó modell:

1 1
A ME nyílt hurkú erősítés fgv-e.: As A0
1 s/ 1 1 s/ 2
│A(jω)│
A0 [dB]

-20 dB/D

ω1 ω2 lg(ω)
0 dB
-40 dB/D

φ(ω)
ω1 ω2 lg(ω)
00
-900

-1800

A visszacsatolt á.k. átvitele:

A0
uki As 1 s/ 1 s/ 2 1
s Av s Avid Avid
ube 1 As 1
A0
1 s/ 1 1 s/ 2
A0 A0
Avid Avid
A0 1 s/ 1 1 s/ 2 1 A0 s 1/ 1 1/ 2 s2 / 1 2

A0 1 A0
Aid 2
1
1 A0 s s 1 A0
1 2 2
p p

1
Av s Aid 2
1 2 s/ p s/ p

2
s 1/ 1 1/ 2 s s2 s
Ahol: 2
1 A0 p 1 2 1 A0 p

Amiből:
p 1 2 1 A0 1 2 A0

1 2

p 1/ 1 1/ 2 1 2 1 1 2 / 1

2 1 A0 2 1 A0 2 A0
Ha: A0 >> 1 és ω2 >> ω1
 11. előadás

A transzfer függvény alakja különböző zeta értékekre:

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45
-1 0 1
10 10 10

Az egységugrás bemenetre adott válasz függése zetától:

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1 / 2 : 450-os fázistartalék, 2 / 2 : maximális lapos, 1 kritikus csillapítású

1 / 1
Ha A0 2 / 1 akkor: 2 1
→ 450-os fázistartalék
2 A0 2
Bode diagramban:

[dB]
βA0

βA(ω)

-20 dB/D

0 dB lg(ω)
0 dB ω1 ω2
-40 dB/D
φ(ω)
ω1 ω2 lg(ω)
00

-900
φt
φt: fázis tartalék = 450
0
-180
 11. előadás

Maximális jelváltozási sebesség: (Slew Rate, SR) +Ut

T3 T4
R1
1 ic1 ic1 - ic2 i 0
Domináns pólus: 0 Rp R1 R2 ic1
uki
C p Rp ic2 uC
A2
u2
Nagy Cp (Miller kapacitás) u1 T1 T2 R 2
Cp

uc(t) változási sebessége:

I0
uc t 1 Qc 1 -Ut
ic1 ic 2
t Cp t Cp
Nagy kivezérlés u1 u2 4U T 100 mV esetén: ic1 I0 ic 2 0

uc t 1 I0
A maximális jelváltozási érték (SR): ic1 ic 2
t Cp Cp
u ki t 1 I
SR A2 ic1 ic 2 A2 0
t Cp Cp
csak a ME belső paramétereitől függ.
Ennél nagyobb sebesség nem érhető el.

duki
Pld.: uki (t ) Uˆ sin 0 t → 0Uˆ cos 0 t Uˆ
0 SR
dt max
max

Pld.: Cp=10nF, I0=2 mA, Uˆ 2V

I0 10 3 V mV
SR 2 8 2 105 200
Cp 10 sec sec
SR
105 rad / sec 15.9 kHz !!!
0
Uˆ
Ennél nagyobb frekvenciájú jelek csak 2 V-nál kisebb amplitúdójúak lehetnek.
 11. előadás

Kompenzálatlan ME kompenzálása: (Lead-Lag)

R2 A ME domináns pólusát - 1 - kompenzáljuk a

R1
visszacsatoló hálózat zérusával. A visszacsatoló
ube
uki
hálózat pólusa kisebb frekvenciára kerül, 1 -
R A ről, p frekvenciára.
C Ezzel más, kedvezőbb zeta érték, és ezen
keresztül kedvezőbb tranziens válasz állítható
be.

[dB]
R2 1 s/ z A(jω)
Avid s 0
R1 1 s/ p

R1 -20 dB/D
0
βA(jω)
R1 R2
1 1 -40 dB/D
p
lg(ω)
z
RC R R1 R2 C 0 dB ω1 ω2
β(jω)
ωp
!
z 1 ωz
 12. Előadás

Komparátorok, multivibrátorok, kapcsolók

ME → komparátor: alkalmas feszültségek összehasonlítására (komparálás)
Null komparátor:
+Ut uki
u1 UM
UM ≈ +Ut
uki
Δu ME
Δu
u2 Um ≈ -Ut
-Ut Um
Fázist nem fordító komparátor: uki
UM
ube
uki
ME uref ube
uref
Um

Fázist fordító komparátor: UM uki

uref
uki
ME uref ube
ube
Um

A ME is használható komparátorként, de: az analóg komparátor külön típus család, melynek

jellemzői:
- nagy differenciális feszültséget elvisel (általában a teljes tápfeszültség tartományt)
- nincs kompenzálva (nincs a nyílt hurkú átviteli függvényének sávszélessége
csökkentve), nincs igen kicsi frekvenciára méretezett domináns pólus
- nagy Slew Rate (feszültség változási sebesség)
- lehetséges digitális standard kimenet
- kicsi offset feszültség, kicsi bias áram

Rajzjele a ME-vel megegyezik.

Feszültség különbség képző komparátor:
uki
R1 UM
ube
*
u
R2 uki
uref
ube
Um

Billenés: Um → UM feltétele:
R2 R1
u ube u ref 0
R1 R 2 R1 R 2
R1
ube u ref
R2
 12. Előadás

Hiszterézises komparátorok: (bistabil multivibrátorok)

- Fázist nem fordító, hiszterézises komparátor:

R2 uki
R1 UM
ube
uki
Δu ube
Um

Az Um → UM billenés feltétele: UH

R2 R1 R1
u ube Um 0 ube Um
R1 R 2 R1 R 2 R2
Az UM → Um billenés feltétele:

R2 R1 R1
u ube UM 0 ube UM
R1 R 2 R1 R 2 R2
R1
UH UM Um
R2
- Fázist fordító hiszterézises komparátor:
R2 uki
R1 UM

uki
Δu ube
ube
Um

Az Um → UM billenés feltétele: UH

R1 R1
u Um ube 0 ube Um
R1 R 2 R1 R2

Az UM → Um billenés feltétele:

R1 R1
u UM ube 0 ube U M
R1 R 2 R1 R2
R1
UH UM Um
R1 R2
 12. Előadás

Ablak komparátor: (alkalmazási példa: hűtőszekrény hőmérséklet ellenőrző)

+Ut uki
R1
ur2
R0 LED zöld
2 UM
R2 uki
Current LED
ube source
pullup piros piros
Um
Rth ur1 ur2 ube
ur1
1 T
5C 0C
NTC R3 uki2 = Um ha ube > ur2
uki1 = Um ha ube < ur1

Az Rth alktrész hőmérséklet függő ellenállás, termisztor. A termisztor hőmérséklet függése

jóval erősebb a közönséges ellenállásokénál. A hőmérséklet függés nem lineáris.
Rth(T) Termisztor
Kétféle termisztor van: PTC
Negatív (NTK) és pozitív (PTK) NTC
hőmérsékleti együtthatójú.
(Angol irodalomban: NTC, PTC)
T [C0]
Az ábrán egy hűtőszekrény hőmérséklet indikáló kapcsolás látható, ahol az R0.. R3
ellenállásokat úgy állították be, hogy a küszöb feszültségek a 0 és az 5 C foknak legyenek
megfelelők.
A kapcsolásban össze van kötve két komparátor kimenete. Ez általában nem tehető meg,
hiszen a műveleti erősítő kimenetek kis kimeneti impedanciájú feszültség generátorok.
Speciális digitális kimenetek, mint amilyen ebben az alkalmazásban is szerepel,
összeköthetők. Az áramgenerátoros felhúzással rendelkező digitális kimenetek felhúzó
ellenállás nélkül összeköthetők, bármelyik low-ba húzhatja a kimenetet.
Digitális kimeneti standardok:
+Ut +Ut +Ut +Ut
Pull up
(felhúzó) I0
FET ell.áll.

EN
Enable

Totem pole Tristate Open drain Current

source
+Ut +Ut pull up
I0 I0

Current source pull up Open drain

 12. Előadás

Astabil multivibrátor: uki

UM
R2

R1 t
uki Um

R uc
uc UM
C L1UM

t
L1Um
Um
Emlékeztető:
RC-tag kisütése: U0 uc(t)
τ=RC U0=uc(0)

t
τ
U0-ra töltött kondenzátorra kapcsolt U∞ feszültség hatására a kondenzátor feszültségének
időfüggése:

uc(t)
U∞ t= 0 R

U∞ uc(t)
U0 C
t
τ
uc(t)
U0 τ=RC U0=uc(0)

U∞
t
τ
Ennek használatával:
R1
Ha uki= UM : akkor: U∞=UM, és U0=UmL1, ahol: L1
R1 R2
t/
uC t UM U m L1 U M e

Ha t1 az Um → UM billenés és az UM → Um visszabillenés közötti idő:

t1 /
uC t1 UM U m L1 U M e U M L1
Ha Um = - UM akkor:
t1 / 1 L1 R2 R1
U M 1 L1 U M 1 L1 e e t1 /
t1 RC ln 1 2
1 L1 2 R1 R2 R2
 12. Előadás

Analóg kapcsolók:
Kapcsoló: Elektronikus kapcsoló:
SPST IN
elektronikusan
Relék vezérelhető

Relé Reed relé

I0
I0
vasmag
ferrománeses B üveg cső
lemezek (vákuum)

A MEMS kapcsoló
elektrosztatikus
vonzóerő Micro
Electro Analog Devices: 0-14 GHz
S D
Mechanical
System
buffer
IN ≈ 80 V

Integrált áramköri technológiával szilícium lapka felületén alakíthatók ki mechanikai elemek,

pl. kapcsoló. Ha az IN bemenet aktív, akkor a buffer erősítő kb. 80V egyenfeszültséget állít
elő a csipen, ami már elegendő sztatikus vonzóerőt kelt a fix csip rész és a rugalmasan
elmozdulni képes érintkező között, ami szintén jól vezető szilíciumból van kiképezve.
 12. Előadás

A MOSFET mint egyenáramú fogyasztó kapcsolója:

- low side switch (kapcsoló eszköz a földön, fogyasztó a tápon)

Megoldás NMOS FET-tel (ha uGS=+Ut a kapcsoló zárva (MOSFET teljesen
kinyitva), Ron minimális):

+Ut iD
Rf UGS
ID0
iD
uDS -1/Rf
uGS uDS
UDS0 +Ut

- high side switch (kapcsoló eszköz a tápnál, fogyasztó a földön):

A leggyakrabban kívánatos a fogyasztót föld potenciálra kötni.
Megoldás PMOS FET-tel (ha uG=0 a kapcsoló zárva)

+Ut Mivel tipikusan: +Ut

uSG
(P ) uG > Ut !!!
P csat. RONN RON N csat.
Ezért itt is NMOS Gate driver IC-k
uGS
tranzisztort uG
képesek ezt a nagy
uG Rf Rf
használunk gyakran Gate feszültséget
csipen belül előállítani)

Induktív terhelés (relé) esetén: diódás védelem a túlfeszültség ellen, ami tönkre teheti a
MOSFET-et: (feszültség tüske kioltás)

+Ut uDS Dióda nélkül

+Ut
Ut +UD0
Ut
t
uGS
uDS uDS
uGS uGS t
 12. Előadás

Jelút kapcsolása diódákkal:

∞ Kisjelű helyettesítő kép
u1 (Uk1>>0, Uk2<<0V)
R1 ∞ uki rd
Uk1 u1 uki
R1 R
∞ R
u2 u2
R2 R2
Uk2

A zárt kapcsoló Ron értéke pl.:

U k1 0.6V
ID 1 mA rd 26
R R1

Jelút kapcsoló analóg kapcsoló IC-vel (pl. ADG441 moodle)

SPST (Single Pole Single Throw):

Mindkét tranzisztor nyitva – kapcsoló zárva,

+Ut -Ut: kapcsoló zárva (PMOS Gate:-Ut, NMOS Gate:+Ut)
+Ut: kapcsoló nyitva Elvi kapcs. rajz: Ron a nyitott tranzisztor SD ellenállása
ULHthreshold -Ut Ron
IN P P N
(digitális) S +Ut D S D
H: zárva -Ut
L: nyitva IN
N
US, (UD)
+Ut: kapcsoló zárva -Ut -Ut +Ut
ULHthreshold +Ut
-Ut: kapcsoló nyitva 6 lábú SOT 23 tokban (nagyon Párhuzamos
-Ut eredő ellenállás
pici) elhelyezhető