Elektronika tételek I - 2006

1.tétel
Tiszta (szerkezeti) félvezetők: A leggyakrabban felhasznált félvezető anyag a germánium és a
szilícium, de ezeken kívül más félvezető alapú (Gallium-Arzén, Gallium-Foszfid) elektronikai
eszközöket is gyártanak. A tiszta szilícium kristályrácsának minden egyes rácspontjában Si
atom van. Mindegyik atom külső elektronhéját 4 vegyérték-elektron alkotja. 1-1 vegyérték-
elektron a szomszédos atom egyik vegyérték-elektronjával közösen hozza létre a kristályt
összetartó kovalens kötést. A vegyérték-elektronok energiája nem elegendő ahhoz, h
leszakadjanak az atomról, nem tudják „átugrani” azt a „tiltott”-nak nevezett
energiatartományt, amely vegyérték energiaszintről a vezetési energiaszintre kerüléshez
szükséges. Ily módon a tiszta szilícium nem vezeti az áramot, mert nincs szabad
töltéshordozója.
A tiszta félvezetőkben hőközlés, termikus gerjesztés hatására az elektronok és lyukak
egyszerre, párosával keletkeznek. Ahol egy elektron elhagyja az atomot, ott egy lyuk
képződik. Adott pillanatban tehát az elektronok és a lyukak száma megegyezik: ni = pi
ni: tiszta félvezető térfogategységében jelen lévő negatív töltéshordozók, szabad elektronok
száma
pi: pozitív töltéshordozó sűrűség, lyuksűrűség.
Szennyezett (adalékolt, doped) félvezetők: alapanyaguk a nagymértékben tiszta félvezető,
melybe jól irányított technológiai folyamattal előre meghat mennyiségű és anyagi minőségű
szennyezőt juttatunk, ezzel érjük el a kívánt villamos tulajdonságokat.
 n-tipusú (negatív) félvezetőket úgy hozzuk létre, h a 4 vegyértékű atomok kristályrácsában
egyes atomokat 5 vegyértékű, ún donor (átadó, adakozó) atomokkal helyettesítünk. A
szennyező anyag legtöbbször foszfor P, arzén As, antimon Sb. A szennyezés ált kismértékű.
Összegezve: az n-tipusú félvezetőben a többségi töltéshordozók az elektronok, kisebbségiek a
lyukak, ezenkívül egységnyi pozitív töltéssel donor ionok is jelen vannak, ezek nem
változtathatják helyüket, áramvezetésre nem alkalmasak.
 p-tipusú (pozitív) félvezetőket a tiszta félvezető 3 vegyértékű anyaggal való szennyezése
útján hozzák létre. A szennyező anyag bór B, indium In, aluminium Al…stb lehet.
Drift (sodródási) áram: a félvezetőkben a villamos tér hatására létrjövő áram. Villamos
térben a töltéshordozókra erő hat, ennek hatására „sodródnak” vmelyik pólus felé. A pozitív
lyukak mozgásiránya megegyezik a villamos tér irányával, a negatív elektronok ellenkező
irányban áramlanak. A töltéshordozók sebessége egy bizonyos határig egyenesen arányos a
térerősséggel, arányossági tényező az ún mozgékonyság.
Diffúziós áram: amennyiben a félvezetőben töltéshordozó koncentráció különbség van, külső
erőtér nélkül is folyik áram. A töltéshordozók a semleges villamos állapotra törekednek. Az
így létrejövő diffúziós áramsűrűség annál nagyobb, minél nagyobb a töltéshordozó sűrűség
hosszegységre jutó változása az illető x0 helyen.
2.tétel
A pn átmeneten külső feszültség nélkül a diffúziós és drift áram algebrai összege zérus.
Tehát a két ellenkező irányú áram éppen kiegyenlíti egymást.
Diffúziós áram, mely azoknak a többségi töltéshordozóknak az árama, amelyek elegendően
nagy energiájuk folytán átjutnak a potenciálfalon, és mely a p-rétegből az n-réteg felé irányul.
Drift áram a kisebbségi töltéshordozók árama, melyet a diffúziós potenciál hoz létre és amely
az n-rétegből a p-réteg felé folyik.
Kiürített réteg: Elöször a PN átmenet közvetlen közelében lévő többségi töltéshordozók
áramlanak a másik oldalra és rekombinálódnak. Ebből viszont az következik, h a PN átmenet
2 oldalán olyan réteg keletkezik, amelyből elfogytak a töltéshordozók. Ezt a réteget nevezzük
kiürített rétegnek.
Diffúziós potenciál: A tértöltés a PN átmenet mentén a p-oldalon negatív, az n-oldalon
pozitív potenciált hoz létre. A 2 oldal közti teljes potenciálkülönbséget nevezzük diffúziós
potenciálnak.
3.tétel
Külső feszültség rákapcsolásakor mi történik: A külső fesz. pozitív mérőiránya a p-réteg
felől az n-réteg felé mutat. Akkor pozitív tehát a fesz, ha a p-rétegre a pozitív és az n-rétegre a
negatív pólus kapcsolódik. A fesz hatására folyó I áram szintén p-n mérőirányú.
 Záróirányú előfeszítés (U<0): a p-rétegre negatív, az n-rétegre pozitív fesz kapcsolódik,
vagyis a külső fesz a valóságban a mérőiránnyal ellentétes polaritású.
 Nyitóirányú elpfeszítés: a nyitóirányú, pozitív értelmű külső feszültség (p-pozitív, n réteg
negatív polaritású) éppen ellentétes az ionréteg által létrehozott zátóirányú diffúziós
potenciállal, és a külső hatás csökkenti annak az ionrétegnek a vastagságát, mely a többségi
töltéshordozók áramlását fékezi.
A nyitó és záróirányú működést összevetve megállapíthatjuk a PN átmenet alapvető villamos
tul-át: az egyenirányítást. negatív feszültség hatására a PN átmeneten gyakorlatilag nem
folyik áram , a negatív áram útját PN átmenet „elzárja”, mintha egy kikapcsolt kapcsoló
lenne. Nyitóirányban viszont az gyakorlatilag akadálytalanul folyhat rajta, hiszen bármekkora
is az áram, a PN átment által „felemésztett” feszültség csak néhány tized volt nagyságrendű.
A kapcsoló ilyenkor bekapcsolt állapotban van.
I = 1/R*U A fesz és az áram között egyenes arány van.

Dióda egyenlet: I = Io*(eU/Ut – 1)

4.tétel
A dióda két kivezetéssel ellátott, egy p-n átmenetet tartalmazó félvezető eszköz, amely
egyenirányításra, rádióvevő készülékekben demodulálásra alkalmas. A félvezető diódákban a
p-n átmenet tulajdonságait használjuk ki. A félvezető kristályban donor és akceptor
atomokkal egy p és egy n típusú réteget alakítanak ki. A két szennyezés határán egy p-n
átmenet jön létre. Ez az átmenet ideális esetben az egyik irányban az áramot átengedi, másik
irányban nem – emiatt az elzárószelep elektronikus hasonmásának szokták nevezni. A
valóságos dióda ezt a feladatot kissé eltérően valósítja meg.
Statikus (v egyenáramú) ellenállás: egy olyan ellenállás értékével egyenlő, mely
egyenáramúlag helyettesíti a nemlineáris kétpólust, vagyis amely uakkora munkaponti fesz
hatására uakkora munkaponti áramot hoz létre. A munkaponti fesz és áram hányadosával
egyenlő.
R = UM / IM
Dinamikus (v váltakozóáramú) ellenállás: a nemlineáris elemeket a munkapont körüli, a
karakterisztika mentén történő fesz- és áramváltozás esetére jell. Ha az eredeti munkaponti
fesz-et kis mértékben megváltoztatjuk, akkor a munkapont a karakterisztika mentén eltolódik
és a karakterisztika által meghatározott áramváltozás jön létre. A munkapontban a dinamikus
ell az egészen kis elemi feszváltozás és a hozzá tartozó elemi áramváltozás hányadosa, vagyis
a feszültségnek az áram szerinti deriváltja.
dU
r = ---
dI UM, IM
A valóságos PN átmenet úgy tekinthető, mint egy ideális PN átmenet és egy vele sorosan
beiktatott első közelítésben lineáris „ohmos” ellenállás. A valóságban mindig van egy, a PN
átmenettel párhuzamosan kapcsolódó „sönt” ellenállás is, ami a P és N réteg közötti „ohmos”
átvezetést jelképezi.
5.tétel
Munkapont szerkesztés:
 Lineáris hálózatok munkapontjának, azaz adott egyenfesz-ekhez tartozó egyenáramainak v
adott egyenáramokhoz tartozó egyenfesz-einek meghatározása az ismert hálózatszámítási
módszerekkel egyszerű.
 Nemlineáris elemeket is tartalmazó hálózat esetén már bonyolultabb: vegyük példának az
egy diódából és egy soros ellenállásból álló kétpólust. A nemlineáris elem, a dióda fesz-áram
karakterisztikája ismert, az ellenállás egyenes egyenes karakterisztikája szintén és ábrázolható
az Ohm tv alapján. Kapcsoljuk ezt az elrendezést egy adott U o tápfesz-re, és legyen az a
kérdés, h mekkora a kialakuló áram, vmint h mekkora lesz a fesz a diódán és az ellenálláson.
Rajz: 31.o. 2.16.ábra

Egyenirányítók: elektronikus berendezések hálózati tápegységének alapvető feladata, h a

szinuszos, 50 Hz-es váltakozó fesz-ből egyenfesz-et állítson elő. A diódák PN átmenetének
egyenirányító tul-át használjuk fel legtöbbször erre a célra.
Graetz egyenirányító híd 2.31.ábra és füzet. Hátránya: a váltakozó áramú bemenet és az
egyenáramú kimenet egyik pontja sem közösíthető, nem földelhető össze. Ezenkívül a
Graetzet alkotó diódák nem szerelhetők közös hűtőlemezre, csak legfeljebb páronként, abban
az esetben, ha kettőnek az anódja, a másik kettőnek a katódja van a fémházhoz kötve.
Közepes teljesítményekig kaphatók egyetlen tokban lévő Graetz egyenirányítók is.

6.tétel
Zener dióda: tudjuk, h a diódák záróirányú feszültségének növelésekor elérünk egy olyan
határt, melynél az eddig elhanyagolhatóan kicsi záróirányú áram hirtelen növekedni kezd, a
karakterisztika majdnem függőleges szakaszba megy át. Ezt nevezzük ZENER tartománynak.
Mivel itt a fesz gyakorlatilag független az áramtól, állandó, stabil fesz előállítására
használhatjuk ezt a tartományt. A Zener diódák kifejezetten erre a célra készülnek,
típusonként különböző ZENER fesz-gel (1,5…120V), melyet egy adott I Z áramnál adnak
meg.
Varicap (v változtatható kapacitású) dióda: olyan kondenzátorként használhatjuk fel,
melynek kapacitását elektronikus úton a rákapcsolt zárófesz-gel vezérelni tudjuk. Ha pl egy
rezgőkör rezonancia frekvenciáját kívánjuk vezérlő egyenfesz-gel befolyásolni, akkor
hangolókapacitását, ill annak egy részét Varicap diódával helyettesíthetjük.
Fotódióda: tokozása olyan, h lehetővé teszi h a fény a PN átmenetbe jusson. Fény
érzékelésére jó. Észleli, h kis- v nagyáram folyik.
Fényérzékeny dióda. Ha a fotodiódára záróirányú feszültséget kapcsolunk, és a fotodiódát
megvilágítjuk, a fény hatására a lezárt dióda vezetővé válik.
Napenergia: olyan PN átmenet, melyet meg tudunk világítani, s abban a síknegyedben van
(3.)
Sötétáram: A diódán átfolyó áram megvilágítás nélkül. A sötétáram magában foglalja a
háttérsugárzás által generált áramot, valamint a félvezető átmenet telítési áramát. A
sötétáramot kalibrációval kell kiegyenlíteni, amennyiben a fotódiódát pontos fényerősség
mérésére akarjuk felhasználni.
A fotódiódát tömegesen alkalmazzák a távirányítóval ellátott kereskedelmi elektronikai
eszközökben, mint pl.: CD,DVD lejátszó, televízió, videómagnó stb.
Fényemittáló diódák (LED): vörös foton  …  kék foton, így nő az energia. Fényt bocsát
ki, sugároz ki. Vegyület félvezetőből készítik.
Fénykibocsátó dióda: Az elnevezése az angol megnevezés rövidítésén alapul: Light Emitting
Diode. A LED által kibocsátott fény színe a félvezető anyag összetételétől, ötvözőitől függ. A
LED inkoherens keskeny spektrumú fényt bocsát ki. A fény spektruma az infravöröstől, az
ultraibolyáig terjedhet.
A fénykibocsátás úgy keletkezik, hogy a diódára adott áramforrás a dióda anyagában levő
atomok szabad elektronjainak töltést ad, amitől azok nagyobb töltésű elektronpályára lépnek.
Az elektron eme állapota nem stabil, hanem egy kis idő elteltével visszaugrik az eredeti
elektronpályájára. A többletenergia, amivel előzőleg képes volt feljebb lépni, sugárzás
formájában hagyja el az atomot. Ez a sugárzás a hullámhossztól függő (lásd a táblázatot) fény
formájában jelentkezik.
7-8.tétel
A szigetelt vezérlőelektródás FET-ek legnagyobb hányada MOS (Metall-Oxid-
Semiconductor) szerkezetű. Az elnevezés a rétegsorrendre utal: fém a vezérlő elektród, oxid a
szigetelés, és félvezetőből van az áramvezető csatorna. MOSFET-eket legnagyobb számban
LSI (= nagymértékben integrált) áramkörökben hoznak létre. 1-1 integrált lapka 1000…10000
tranzisztort, v ennél többet is tartalmazhat. A digitális áramkörökben a MOS tranzisztorok
kapcsoló üzemben működnek. Lineáris, erősítő áramkörökbe diszkrét elemként, „egyenként”
ritkán építenek be MOS-tranzisztort, lineáris integrált áramkörökben (erősítő, analóg-
jelkapcsoló) már gyakrabban megtalálhatjuk.
4 kivezetéses eszköz: Drain, Gate, Source, Bulk (Substrat). 2féle MOS-tranzisztor van:
 Kiürítéses (depletion): a gyengén P-szennyezett alapkristályba (SUBSTRATE-ba) N-
típusú csatornát hoznak létre. A csatorna 2 végéhez a csatlakozást erősen szennyezett (n +),
tehát áramot jól vezető zónákkal valósítják meg. Az n + zónákhoz készített fémbevonat
segítségével jön létre SOURCE (E) és DRAIN (C) kivezetés. A GATE (B) az n-csatorna
feletti fémréteg, amely szigetelővel van elválasztva a csatornától, és ezzel ugyanúgy létre
tudjuk hozni a csatorna belsejében a kiürített réteget, mint egy PN átmenettel a JFET
esetében. Karakterisztikiái zérus GATE fesz-től a negatív lezáró GATE fesz-ig terjedő
tartományban egyeznek a JFET-ek karakterisztikáival. Lényeges különbség viszont: az n-
csatornás MOS-tranzisztorok GATE fesz-ét UGS = 0V-on túl, pozitív irányba is növelhetjük,
hiszen a GATE a csatornától el van szigetelve, nem nyithat ki a vezérlő PN átmenet, mint a
JFET-eknél. Pozitív UGS (UBE) hatására a csatornaáram a négyzetes tv-t „folytatva” tovább
növekszik. A tranzisztor átvált az ún „növekményes” üzemmódba.
 Növekményes (enhancement): abban különbözik előzőtől, h nincs a belsejében külön
csatorna, és ezért csak növekményes üzemmódban vezethet áramot. Az N-csatornás MOS-
FET gyengén szennyezett P-alapkristályban létrehozott S és D elekrtódjaként szolgáló, erősen
N-szennyezett zónából és a szigetelővel elválasztott GATE fémelektródból áll.
Karakterisztikája csak pozitív vezérlő fesz-gel paraméterezett karakterisztikavonalakból áll.

CMOS áramkörei:
 A CMOS inverter egy N és egy P csatornás MOS tranzisztorból áll. Az alsó NMOS
tranzisztor kinyit, ha Uin > VTN (>1V). A felső PMOS tranzisztor kinyit, ha U in < Vdd + VTP
(<5V-1V = 4V). Ha a bemeneti fesz logikai L v H (0 v 5V), akkor csak az egyik tranzisztor
vezet, tehát nem folyik tápáram az inverterbe. Van egy olyan bemeneti feszsáv (1V:4V), ahol
mind a 2 tranzisztor vezet, ilyenkor tápáram folyik az inverterbe. Az inverter kimenetén
található kondenzátor 2 invertnyi terhelést modellez, ami a tranziens késleltetési időket
befolyásolja.
 CMOS analóg kapcsoló: az NMOS és a PMOS tranzisztor Gate-jén ellentétes a vezérlés.
Ha az NMOS-on +10V, akkor a PMOS-on -10V a fesz, és mind a 2 tranzisztor vezet.
Ellenkező esetben mind a 2 lezás.
9-10.tétel
FET (térvezérlésű tranzisztor) 2féle lehet:
 JFET (záróréteges FET)
 MOS (szigetelt vezérlőelektródás FET)
JFET (záróréteges FET): lényegében egy közepesen és egyenletesen szennyezett félvezető
hasáb, melynek 2 végére fémes csatlakozást készítettek. Az egyik kivezetés a SOURCE
(forrás), v EMITTER, a másik a DRAIN (nyelő), v COLLECTOR. A félvezető hasáb 2
oldalán erős p+ szennyezettségű tartományokat hoztak létre, amiket szintén fémes
csatlakozásokkal láttak el és elektromosan összekapcsolták, így jött létre a GATE (kapu),
BÁZIS, v VEZÉRLŐ ELEKTRÓD kivezetés. A SOURCE (E) és DRAIN (C) közötti kristály,
a csatorna, áramvezetésre képes, ellenállása néhányszor 10… néhány 100 ohm körüli. A
csatorna 2 oldalán lévő, erősen szennyezett GATE azonban nagymértékben befolyásolhatja a
S (E) és D (C) közötti áramvezetést, ellenállást.
Munkapontbeállítás: 242.o.

11.tétel
Földelt Source-ú (emitterű) alapkapcsolások: A Drainre pozitív fesz-et kell adnunk a
Source-hoz képest. Ehhez egy +UT fesz-ű tápforrás szükséges, amelyet az R D
munkaellenálláson keresztül kötünk a Drain-hez. A Gate-et viszont negatív (záró) előfesz-gel
kell ellátnunk, ehhez egy, a földhöz képest negatív, -UGO fesz-et adó tápforrás szükséges.
12.tétel
Földelt Gate-ű (bázisú) alapkapcsolások: A munkapont beállítás ugyanúgy ön-előfeszítéssel
történik, mint a földelt emitterű változatnál. A Gate-nek 0V-on kell lennie, ebben az esetben
közvetlenül földelhető. A földelt vezérlőelektródos kapcsolást ritkán használják, akkor is
nagyfrekvenciás erősítőként hangolt kivitelben. Nem teljesülhet ebben a alapkapcsolásban a
FET-ek 2 előnye: a nagy teljesítményerősítés, és h földelt bázisú kapcsolásban nagyobb a
tranzisztor határfrekvenciája.
13.tétel
Földelt Drain-ű (kollektorú) v emitter követő alapkapcsolás: ez a FET-ek egyik fő
felhasználási területe. Sokszor van szükség olyan illesztő fokozatra, amely a jelet „nem
változtatja meg”, és igen nagy a bemeneti impedanciája, nem terheli a jelet adó generátort.
Erre a célra a FET-ek kimondottan alkalmasak. Munkapontbeállításuk a földelt Source-ú
alapkapcsoláséval egyező, csak most nincs szükség az RD munkaellenállásra. Ez előnyös, mert
nagyobb lehet az UDS(M) fesz, így biztosabb, h a tranzisztor elzárodásos üzemben van. A
negatív Gate előfesz-et az RS-en létrejövő fesz hozza létre.
14-16.tétel
Bipoláris tranzisztor: köznapi nyelven egyszerűen „tranzisztor”, melyben 2 előfeszített PN
átmenet működik (bázis-emitter, kollektor-bázis).
Az UEB nyitófesz hatására IE emitteráram indul meg. Ennek egy része a bázisban
rekombinálódik, legnagyobb része: AIE a kollektorba sodródik. A bázis rekombináció miatt:
A<1. mivel a kollektorba AIE jut el, a bázisba elágazó emitteráram-rész nyilván a fennmaradó:
(1-A)* IE.
IC = AIE + ICBO
IB = (1-A)* IE - ICBO. Kollektoros és bázis egyenáram.

IE = (IB + ICBO)/(1-A)
= {A/(1-A)}*(IB + ICBO) + ICBO =
IC = BIB + (B + 1)* ICBO, ahol B = A/(1-A).
20.tétel
A műveleti erősítők olyan, integrált áramkörként gyártott erősítők, amelyekkel a hozzácsatolt
alkatrészek jellegétől függően a bemenetre kapcsolt U be feszültség és a kimeneten megjelenő
Uki feszültségszintek között különböző matematikai műveletek állíthatók elő, pl. Uki = -k*Ube,
vagy Uki = ∫Ubedt függvénykapcsolatok valósíthatók meg.
A műveleti erősítők kivezetései:(A ábra):
 Tápfeszültség bemenetek (piros, kék)
 A + jelű nem invertáló, és a - jelű invertáló bemenetek.
 Kimenet
A műveleti erősítők szokásos rajzjele a B ábra szerinti (a tápfeszültségeket és a 0 vonalat nem
tüntetjük fel).
A műveleti erősítők kivezetései a következő tulajdonságuak:
 Tápfeszültség bemenetek: a műveleti erősítők ún. kettős tápfeszültséggel működnek,
melyet két, sorba kapcsolt feszültségforrás (tápegység) állít elő. Ezek közös pontja a lesz
készülék 0 potenciálú pontja (e pontot ill. feszültséget "közös" potenciálnak nevezik; a
készülékek e pontját szokás földelni). A tápegységek másik két pontja a +U t ill. -Ut . Ut
típustól függően 3..22 V; tipikus érték 15 V.
 Bemenetek: a + jelű nem invertáló, és a - jelű invertáló bemenetek. Ezek nagyon nagy
ellenállásúak (a bemenő áram típustól függően 10-13..10-7A)
 A kimeneten Uki = A * [U+ - U-] feszültség jelenik meg, ahol A az ún. nyílthurkú erősítés
(A>>1, tipikus érték 106). A kimenet kis ellenállású, 1 mA (teljesítményfokozattal épített
műveleti erősítő akár 100 mA..10 A) áramot képes kiadni.
A műveleti erősítők alkalmazásakor (általában negatív) visszacsatolást, azaz a kimenet és a
bemenet közötti összeköttetést alkalmazunk.
 Negatív visszacsatolás: kapcsolat a kimenet és az invertáló bemenet között. Ilyen kell a
"normális" üzemmódokhoz.
 Pozitív visszacsatolás: kapcsolat a kimenet és a neminvertáló bemenet között. Hatására a
kimenet "kiül" vagy az erősítő oszcillál (a kimeneten periodikusan változó feszültség jelenik
meg).
Az ideális műveleti erősítő úgy működik, hogy:
1. szabály: A bemeneteken át be az erősítőbe áram nem folyik;
2. szabály: A kimeneten Uki = A * [ U+ - U- ] feszültség (A) jelenik meg, mely
értelemszerűen nem lehet nagyobb a tápfeszültségnél. Emiatt, hacsak a kimenet nincs kiült
állapotban, a két bemenet (gyakorlatilag) azonos potenciálon van.
Invertáló erősítő

A csomóponti törvény és az 1. szabály miatt

Ube / R1 = - Uki / R2 így Uki = - Ube * R2 / R1.
Megjegyzés: a pirossal jelölt direkt földelés helyett egy R 1 * R2 / [ R1 + R2 ] ellenálláson
keresztül földelünk.
Összegző invertáló

A csomóponti törvény és az 1. szabály miatt U 1 / R1 + U2 / R2 +...+ Un / Rn = -Uki / Rn

így Uki = - Ui * [ Rv / Ri ] .
Ha Rv = R1 = R2 = ... = Rn, akkor Uki = - Ui; egyébként Uki a bemenő feszültségek súlyozott
összege.
Nem invertáló erősítő

A csomóponti törvény miatt és az 1. szabály miatt (Uki - U-) / R2 = (U- - 0) / R2.

A 2. szabály miatt U- = U+, így
Uki = Ube * (R1 + R2) / R1.
A nem invertáló erősítő kimenő feszültsége tehát Uki = +k*Ube
Kivonó

A csomóponti törvény miatt és az 1. szabály miatt

(Uki - U-) / R2 = (U- - U2) / R1 és
(U1 - U+) / R3 = (U+ - 0) / R4.
A 2. szabály miatt U- = U+ ; a három egyenletből átrendezéssel azt kapjuk, hogy
Uki = +U1 * [ ( 1 + R2/R1) / ( 1 + R3/R4)] -
- U2 * [ R2/R1 ]
Speciális esetek:
 ha R1 = R2 és R3 = R4, akkor
Uki = +U1 - U2 (az áramkör egyszerű kivonó áramkör.)
 ha R1 = R3 = R4 = R, és R2 = R + 
és U1 = U2 (a bemeneteket összekapcsoljuk) akkor Uki = -2  U1 / R (hídkapcsolás).