Professional Documents
Culture Documents
• viši napon ~ 1 V
zabranjeno
• niži napon ~ 0 područje
N V
• negativna logika :
zabranjeno
područje
N V
• viši napon ~ 0 zabranjeno
područje
• niži napon ~ 1 N
• uz liniju signala oznaka
pozitivna negativna
Unapajanja logika logika
A A A
I f
f=AB f=A+B
B B B
pozitivna negativna
Unapajanja
logika logika
A A A
ILI f
B
f=A+B
B
f=AB
B
A f1 A f2 A f2
B B B
k k k
f1 = k × ( AB) f 2 = k + ( A + B)
k = 1 ® f1 = AB k = 0 ® f2 = A + B
k =1
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 7
Interpretacija logičkih vrijednosti
• logički sklopovi
~ elektroničke izvedbe logičkih funkcija:
elektronički elementi u režimu sklopke
• osnovna izvedba diodom
~ "diodni sklopovi" I i ILI
• izvedenice boljih električkih svojstava:
• (NPN) bipolarni tranzistor
• n-kanalni MOSFET
• p-kanalni MOSFET
ID
- + + -
UD ~ 0 V
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 11
Izvedbe logičkih sklopova I i ILI
A B f
0 0 0
A 0 1 0
f=A×B
B 1 0 0
1 1 1
A B f
0 0 0
0 1 1
A 1 0 1
f=A+B
B
1 1 1
RPU
A f A f
upravljanje
N V 0 1
ui
V N 1 0
A f A f RB f
A T
N V 0 1 ui
uu
V N 1 0
S
-
• PMOS (p-kanalni MOSFET) kao sklopka
~ komplementarna pobuda:
+
• zapiranje: S
USG = 0 V
A = 1 ~ V ~ USG = 0 V A=1
G
UDS > 0 V
(® UGD = UDD) D
-
• zasićenje: +
S
A = 0 ~ N ~ USG = UDD A=0
USG = UDD
IDS UDS ~ 0 V
G
(® UGD = 0 V) D
-
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 16
Izvedbe invertora
• izvedba invertora s MOSFET
~ tipično NMOS:
• funkcijski identično rješenju s bipolarnim tranzistorom
• naponska pobuda
~ troši manje snage J +UDD
RD
• RPU ~ T2 spojen kao dioda:
T2
RPU = Rekv = RD » 100 kW
• spori odziv N ® V (na izlazu)
• tr >> tf T1 ui
• izolirana upravljačka elektroda uu
~ statički elektricitet
može probiti izolaciju! L
A
f(A)
R R
+U f(A, B) +U f(A, B)
A
A B
B uizl uizl
~ uglavnom se izbjegava RB
• praktične izvedbe jedino u NMOS B
A B f A B f +UDD
N N V 0 0 1
N V V 0 1 1 T3
V N V 1 0 1 f
V V N 1 1 0 A T2
B T1
A B f A B f
N N V 0 0 1 +UDD
N V N 0 1 0
T3
V N N 1 0 0
V V N 1 1 0 f
T1 T2
A B
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 25
Direktno povezivanje izlaza
Z1 Z2 Z
• spojeni I (engl. wired AND): N N N
~ kombiniranje logičkih sklopova N V N
Z1 = A Z2 = B Z3 = C
Z = Z1 ×Z2 ×Z3 = A × B × C = A + B + C
~ izlazni stupanj: RC RC
• RCekv = RC/M T2 T2
z
M: broj izlaza vezanih u spojeni I
• najlošiji slučaj:
vodi samo jedan T od njih M
U CC - U CES
I CS =M× + N × I IL
RC
M N
• popularno rješenje
~ sklop s upravljanim izlazom: D
A
A A.B
sklop s (izlazom s) tri stanja B
D
A
Z1 Z2 Z
A Z1
N N N B
Z = Z1 ×Z 2
N V N
C = A + B ×C + D
V N N
D Z2 = A+ B +C + D
V V V
~ "otpornik" ostvaren
posebnim NMOS T1
PDN T2
A B
UDD
PUN
T3
f = A+ B
PUN
f(x1, ...xn)
T1 T2
PDN x1
PDN
xn
A B
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 32
Izvedbe u tehnologiji CMOS
• univerzalni CMOS sklopovi NILI i NI (pozitivna logika)
~ Tizlazni = NMOS; Topterećenje = PMOS
• sklop NILI:
PDN = paralelno spojeni NMOS
PUN = serijski spojeni PMOS
• sklop NI:
PDN = serijski spojeni NMOS
PUN = paralelno spojeni PMOS
• PUN: f = A × B = A + B xn
PDN
f = 1 Û ( A = 0) + ( B = 0)
® paralela PMOS ! +USS
• PDN: f = A × B T3 T4
f = A× B
f = 1 Û ( A = 1) × ( B = 1)
B T2
® serija NMOS !
A B T1 T2 T3 T4 f
A T1
N N NE NE DA DA V
N V NE DA DA NE V
V N DA NE NE DA V
V V DA DA NE NE N
• PUN: f = A + B = A× B
PDN
xn
f = 1 Û ( A = 0) × ( B = 0) +USS
® serija PMOS ! T4
• PDN: f = A+ B
B T3
f = 1 Û ( A = 1) + ( B = 1)
® paralela NMOS ! f = A+ B
A T1 T2
A B T1 T2 T3 T4 f
N N NE NE DA DA V
N V NE DA NE DA N
V N DA NE DA NE N
V V DA DA NE NE N
T3 T4 T6
f = AB
B T2 T5
A T1
T4
B T3 T6
f = A+B
A T1 T2 T5
Primjer : f = A + B × C
• sve su varijable komplementirane
~ direktno izvođenje PUN
• PUN: +USS
• serija PMOS za B i C
• paralela PMOS za A i j(B, C)
• PDN: f = A + B ×C f
= A × (B + C ) A
• paralela NMOS za B i C B
Primjer : f = A + B ×C = A + B ×C
• invertor za dobivanje A
• PUN:
• serija PMOS za B i C +USS
• paralela NMOS za B i C A
i
• primjerena pobuda u
l z
l
a funkcija
(područja za 0 i 1, granice smetnji) zi a
z
i
• odgovarajući režim rada
(napon napajanja, temperatura okoline,
opterećenje izlaza)
• apstrakcija funkcija (funkcijska apstrakcija)
~ ne zagleda se u unutrašnjost crne kutije
• električka svojstva:
• prijenosna karakteristika
• granica smetnji
• faktor grananja
• disipacija snage
• dinamička svojstva:
• vrijeme kašnjenja
• mjera dobrote integriranog sklopa
• vrijeme porasta i vrijeme pada signala na izlazu sklopa
• idealna karakteristika:
oštri prijelaz
~ nema zabranjenog područja!
uu
UT: napon praga,
realno: UT ~ ui = uu
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 47
Električka svojstva integriranih izvedbi
• smetnje (engl. noise)
~ superponirani napon na ulazu logičkog sklopa,
može dovesti do neželjene promjene stanja
na njegovu izlazu
• definira se posebno za V, a posebno za N
• vrste smetnji (po načinu generiranja):
• vanjske:
indukcija (iskrenja, munje?)
• unutarnje:
preslušavanje, refleksije,
parazitni induktivitet strujnih krugova signala,
strujni šiljci prebacivanja stanja izlaznog stupnja
U GS | AC > U GS |DC
uizl A × us
us
IC
UGS
Rizl
uul = us Rul CT uizl
uizl
A.u s
ts t
S Ii S Ii
V N
}
}
NR NR
Primjer : IOH
V
IIH
IOL [mA] IIL [µA] IOH [µA] IIH [µA]
}
74N 16 1600 400 40 NR
I OH = å I IH
74LS 8 400 400 20
N
74LS pobuđuje 74N: NR = ? IIL
}
NR
I OL = å I IL
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 54
Električka svojstva integriranih izvedbi
Cul
}
NR
1 2
7400 7400
10 10
7400 7438
1 2
N=10 N=5
Pst = U napajanja ×
2
• nabijanje CT ~ iC1: R2 CT
dW = i C1 ×U × dt ;W = ò dW = U ×Q = C T ×U 2
C ×U 2
W CT = T energija u C T
2
C T ×U 2
W R 1 =W CT = disipirana energija
2
• izbijanje CT ~ iC2:
C ×U 2
W R 2 =W CT = T
2
• ukupna disipirana snaga: f uklj./isklj. [sec-1]
Wdisipirano = WCT + WR2 = C × U 2 ; Pd = f × C × U 2
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 60
Električka svojstva integriranih izvedbi
Primjer :
Unap1 = 5 V; f1 = 100 MHz
Unap2 = 3,3 V; f2 = ? uz Pd = const.
Pd = f × C × U 2
f1 × C × U12 = f 2 × C × U 22
U12
f 2 = f1 × 2
U2
f 2 = 230 MHz
t
tPHL tPLH
+U
R2 CT
R 1' R1'~R2
• "aktivno" opterećenje: u
p
R1' ~ R2 ® tr ~ tf
r
a
v
~ brža izvedba! lj
a
n
j
e
R2 CT
RD
RC T2
C
CT
T T1 T
R1 = RC R1 = RD
FER-Zagreb, Digitalna logika 2019/20 68
Dinamička svojstva integriranih izvedbi
• izvedba izlaznog stupnja "aktivnim" opterećenjem:
R1' ~ R2 = RTzasićenje ® tr ~ tf
• pritezanje izlaza ka masi
~ "izlazni" tranzistor
• pritezanje izlaza ka napajanju
~ također tranzistor (RC za ograničavanje IAC)
+UCC
RC
R2
R1' ~ RC
T2
T3 D
T1
CT
R1
tehnološka funkcijska
niski stupanj integracije SSI < 100 < 10
srednji stupanj integracije MSI 100-1.000 10-100
visoki stupanj integracije LSI 1.000-10.000 100-1.000
vrlo visoki stupanj integracije VLSI > 10.000 > 1.000
sustav na waferu WSI