Додаток Д

НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

«КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ
імені ІГОРЯ СІКОРСЬКОГО»
Кафедра мікроелектроніки

Затверджено на засіданні
кафедри мікроелектроніки

протокол № 22
від “20” червня 2018р.

МЕТОДИЧНІ РЕКОМЕНДАЦІЇ СТУДЕНТАМ

ЩОДО ВИВЧЕННЯ КРЕДИТНОГО МОДУЛЯ

Твердотільна електроніка - 2
рівень вищої освіти перший

спеціальність 153 Мікро та наносистемна техніка

(шифр і назва)

освітня програма Мікро та наноелектроніка

(ОПП/ОНП, назва)

форма навчання денна

Склав доц. кафедри мікроелектроніки

О. В. Мачулянський.

……………………….

КИЇВ 2018
 1. Мета та завдання кредитного модуля
2.1. Метою кредитного модуля є формування у студентів здатностей:
 використовувати одержанні знання і уміння при вивченні наступних
дисциплін, при виконанні курсових та дипломної робі та у практичній діяльності
фахівця;
 робити розрахунки основних параметрів пасивних та активних
елементів інтегральних схем (резисторів, ємностей, транзисторів).

2.2. Основні завдання навчальної дисципліни.

Після засвоєння кредитного модуля згідно з вимогами програми навчальної
дисципліни студенти мають продемонструвати наступні результати навчання:
знання :
видів інтегральних мікросхем та методи ізоляції в інтегральних схемах;
принципів дії, будову та основні характеристики основних елементів
інтегральних схем (біполярних та польових транзисторів) та особливості їх
функціонування в інтегральних схемах; принципів проектування топології
основних елементів інтегральних схем.
уміння:
визначити шляхом вимірювання і розрахунку параметри пасивних та активних
елементів інтегральних схем, розробити топологічне креслення інтегральної
схеми за заданою електричною схемою.
досвід:
у виконанні розрахунків параметрів пасивних та активних елементів
інтегральних схем, практичного використання сучасних моделей електроніки та
засобів моделювання в професійній діяльності.

2. Структура кредитного модуля

Всього Розподіл навчального часу за видами занять*

лабораторні
практичні/ Семестровий
кредитів роботи/
годин лекції семінарські СРС контроль
ЄКТС комп’ютерні
заняття
практикуми
4.5 135 36 18 18 63 екзамен

3. Календарно-тематичний план
Рекомендований
Тиждень Зміст навчальної роботи
час СРС
Лекція 1 ВСТУП: Основні терміни і поняття
1 0,5
мікроелектроніки.. Практичне заняття: Вступне заняття.

*
Зайві колонки за видами занять вилучити.
 3

Рекомендований
Тиждень Зміст навчальної роботи
час СРС
Лекція 2 Класифiкація інтегральних мікросхем по
2 способам виконання та ступіням інтеграції.. 0,5
Лабораторне заняття : Вступне заняття
Лекція 3 Способи ізоляції елементів в інтегральних
схемах. Інтегральні біполярні транзистори з
3 ізоляцією p-n переходами. Практичне заняття: 1
Розрахунок пасивних елементів інтегральних схем:
дифузійні та плівкові резистори.
Лекція 4 Основні етапи технологічних операції
ізопланарної технології. Транзистор з комбінованою
4 1
ізоляцією. Лабораторне заняття :. Дослідження
характеристик дифузійних резисторів
Лекція 5 Особливості біполярного планарно-
епітаксійного транзистора з ізоляцією p-n переходами
5 Практичне заняття:. Розрахунок пасивних елементів 0,5
інтегральних схем: дифузійні, МДН та плівкові
конденсатори
Лекція 6 Різновиди біполярних n-p-n-
6 транзисторів. Лабораторне заняття : Дослідження 1
характеристик інтегральних МДН-транзисторів
Лекція 7 Модель інтегрального біполярного
транзистора. Паразитні зв’язки Практичне заняття:
7 Розрахунок активних елементів інтегральних схем: 0,5
електричні (питомий опір) та конструктивні параметри
(площа емітера) інтегрального біполярного транзистора
Лекція 8 Діодне включення біполярного транзистора.
Лабораторне заняття Дослідження поверхні
8 1
напівпровідника методом вольтфарадних
характеристик:
Лекція 9 Різновиди МДН-транзисторів. Комплементарні
структури. Структури «кремній на діелектрики».
Практичне заняття: Розрахунок активних елементів
9 інтегральних схем: електричні (крутизна, порогова 2
напруга) та конструктивні (ширина, довжина каналу
провідності) параметри інтегрального МДН-
транзистора.
Лекція 10 Основні параметри МДН-транзисторів.
10 Лабораторне заняття : Дослідження інтегральних 2
біполярних транзисторів
Лекція 11 Напівпровідникові резистори. Плівкові
11 резистори Практичне заняття: Розрахунок інвертора на 2
МДН-транзисторах (коефіцієнт підсилення, площа).
 4

Рекомендований
Тиждень Зміст навчальної роботи
час СРС
Лекція 12 Дифузійні, МДН та плівкові конденсатори.. 2
Основні параметри та структури Лабораторне заняття
12
Інтегральні схеми статичної логіки на МДН-
транзисторах:
Лекція 13 Логічні ІМС на біполярних 2
транзисторах Практичне заняття: Побудова
13 топологічних креслень інтегральних схем на біполярних
транзисторах (основні правила та послідовність
виконання роботи)
Лекція 14 . Інтегральна інжекційна логіка. Лабораторне 2
14 заняття : Дослідження різних схем діодного
включення біполярних транзисторів
Лекція 15 Логічні елементи на МДН – транзисторах. 4
15 Практичне заняття: Побудова топологічних креслень
інтегральних схем на МДН-транзисторах (основні
правила та послідовність виконання роботи).
Лекція 16 Елементи пам’яті. Лабораторне заняття : 2
16
Проведення контрольної роботи
Лекція 17 Вплив радіації на напівпровідникові схеми.
ІМС в умовах радіації. Практичне заняття: Проведення
17 2
контрольної роботи .

Лекція 18 Обмеження та перспективи розвитку 5

елементів і приладів мікроелектроніки. Лабораторне заняття
18
: Проведення контрольної роботи

4. Рекомендації щодо виконання індивідуального семестрового завдання

З метою сприяння більш поглибленого вивчення студентом теоретичного

матеріалу, формування навичок використання набутих знань для розв’язку
практичних задач в процесі читання лекцій надаються рекомендації, поради
щодо організації самостійної ро'боти студентів над освоєнням курсу. Для
стимуляції самостійної роботи студентів, заохочення їх до самовдосконалення
передбачені індивідуальні завдання у вигляді домашньої контрольної роботи по
тематиці розділів курсу.

5. Самостійна робота1

З метою сприяння більш поглибленого вивчення студентом теоретичного

матеріалу, формування навиків використання набутих знань для розв’язку

1
За умови виділення певної частки навчального матеріалу на самостійне вивчення.
 5

практичних задач в процесі вивчення теоретичного матеріалу надаються

рекомендації, поради щодо організації самостійної роботи студентів над
освоєнням курсу "Технологічні основи електроніки"

Література Кількість
№ Назва теми, що виноситься на самостійне
годин
Тиждень опрацювання
СРС
1 Основні правила проектування БТ з [2,3,4]. 2
ізоляцією p-n переходами
Проектування транзисторів з діодом [2,3,4].
2 Шотткі.. 1
3 Біполярні та польові транзисторі на [2,6]. 2
одному кристаллі
4 Основні принципи будови МДН [1,2,4]. 1
мікросхем.
5 Технологічні процеси виробництва [4,6]. 2
МДН мікросхем
6 Конструкції польових транзисторів [2,4 1
7 Мікросмужкові лінії та елементи на [1,2, 4]. 2
їх основі
8 Основні параметри логічних [2,3,5]. 1
елементів
9 Схема кільцевого генератора для [2,3,5]. 1
вимірювання затримки ЛЕ
10 Порівняльний аналіз логічних [2,3,5]. 2
елементів на БТ
11 Аналітичні вирази для [1,2,5]. 1
передавальних характеристик
12 Динамічні логічні елементи [2,5]. 2
13 Загальні відомості і класифікація [2,5]. 1
елементів пам’яті
14 Елементи пам’яті, які програмують [2,5]. 1
15 Особливості ПЗЗ із заглибленим [2,4]. 1
каналом перенесення
16 Елементи біо- та хемо- електроніки [2]. 2
17-18 Мікролітографія та її обмеження [1,2,4,5]. 4

6. Контрольні роботи2
З метою контролю процесу засвоєння учбового матеріалу до курсу
передбачено модульно - контрольна робота, а також тематичні опитування під
час проведення лекцій та під час захисту лабораторних робіт.

2
За наявності
 6

7. Оцінювання результатів навчання

1. Семестрова атестація проводиться у вигляді екзамену. Для оцінювання

результатів навчання застосовується 100-бальна рейтингова система і
університетська шкала оцінювання.
Система рейтингових (вагових) балів

№ Заняття, що підлягають рейтинговій Загальна кількість Число балів на

п/п оцінці відмінно
1. Конспект лекції 18 18
2. Практичні заняття
18 28
3. Лабораторні роботи
Виконання, захист 6 24

4. Модульні контрольні
роботи 1 30

Рейтинг за курс, R 100

2. Відвідування занять реєструє староста групи та викладач по відповідним

журналам. За кожну відсутність на заняттях з загальної кількості набраних за
семестр рейтингових балів студента знімається один рейтинговий бал.
3. Бали за конспектування лекцій нараховуються по кількості та якості
законспектованих лекцій
4. Виконання робіт комплексного практикуму полягає у тому, що студент
самостійно виконує всі пункти завдання, яке дає викладач, самостійно оформив
звіт про роботуі і самостійно зробив висновки. Обов’язковим є виконання всіх
лабораторних робіт.
5. Модульна контрольна робота - це письмова відповідь на певну кількість
теоретичних питань по тематиці відповідного змістовного модуля. . Кожне
питання має свій ваговий коефіциєнт складності. Модульна контрольна робота
проводиться протягом 2 академічних годин .
6. .Домашня контрольна робота виконується під час самостійної роботи.
Тематика завдань відповідає змістовним модулям..
7. .Рейтингова оцінка ефективності роботи студента протягом семестру
( R – максимальні рейт. бали, RD – реально отримані бали )
RD Оцінка ECTS Оцінка традиційна
0,95R – 1,0R A – відмінно відмінно
0,85R – 0,95R B – дуже добре
добре
0,75R – 0,85R C – добре
0,65 R – 0,75R D – задовільно
задовільно
0,6R – 0,65R E – достатньо
менше 0,6R FX – незадовільно незадовільно
не більше 0,4R F – не допущено не допущено
8. Студенти, які набрали протягом семестру необхідну для позитивної
оцінки (A, B, C, D, E )кількість балів (> 60% ) мають можливості:
 7

- не складати семестровий контроль, а отримати екзаменаційну оцінку

“автоматом” відповідно до набраного рейтингу з дисципліни;
- оцінка А (відмінно) за семестровим рейтингом визначається після
співбесіди з викладачем;
- складати семестровий контроль з метою підвищення оцінки при цьому у
разі отримання на іспиті оцінки меншої, ніж за рейтингом, за студентом
не зберігається оцінка, отримана за семестровим рейтингом;
- у разі складання семестрового контролю оцінка визначається без
урахування семестрових балів.
9. Студенти, семестровий рейтинг яких відповідає оцінці „ незадовільно ”
(FX), зобов’язані складати залік.
10. Студенти, які за семестровим рейтингом не допущені (F) до семестрового
контролю з цієї дисципліни, зобов’язані підвищити його до початку
екзаменаційної сесії до рівня не менше 60%. Залікова оцінка визначається за
сумою набраних на заліку рейтингових балів відповідно до системи розрахунку
шкали рейтингу.
11. Умови позитивної першої атестації: студент повинен набрати не менше
20% балів від максимального сумарного рейтингу протягом семестру при
успішному написанні першої контрольної роботи.
12. Умови позитивної другої атестації: студент повинен набрати не менше
40% балів від максимального сумарного рейтингу протягом семестру при
успішному написанні другої контрольної роботи.
13. Попередня рейтингова (семестрова) оцінка доводиться до студентів в день
семестрового контролю.
14. Якщо з об’єктивних обставин кількість занять змінюється, семестрові
бали, наведені у п.11, відповідним чином корегуються.
12. Рекомендована література
12.1. Базова
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Лаборатория базовых
знаний, 2004.- 488 с.
2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.:
Радио и связь, 1991.- 288 с.
3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника.- М.: Высшая
школа, 1987.- 416 с.
4. Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. Частина 1. Елементи
мікроелектроніки. – Київ: Вища школа, 2004. – 431с.
5. Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. Частина 2. Елементи
мікросхемо техніки. – Київ: Вища школа, 2004. – 502с.
6. Коледов Л.А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров
и микросборок.- М.: Радио и связь, 1989.- 421с.
7. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование:
учебное пособие для вузов / под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высшая школа,
1984. – 231 с.
 8

8. Свечников Г.С. Интегральная микроэлектроника. Ограничения и

перспективы. – Одесса: Астропринт, 2010. – 474с.

12.2. Допоміжна
1. Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы.- С-Пб.: Лань,
2001.- 480 с.
2. Гуртов. Твердотельная электроника.- Москва: Техносфера, 2005.- 408 с.
3. Маллер Р.Б., Кейманс Т. Элементы интегральных схем. Пер. с англ. – М.:
Мир, 1989.- 541 с.
4. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер. с англ. – М.:
Мир, 1991.- 561 с.
5. Березин, А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем / А.С.
Березин, О.Р. Мочалкина. – М. : Радио и связь, 1983. – 232 с.
6. Пономарев, М.Ф. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров:
учебное пособие для вузов/ М.Ф. Пономарев, Б.Г. Коноплев. – М.: Радио и
связь, 1986.
7. Ефимов, И.Е. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем,
функциональная микроэлектроника: учебное пособие для вузов / И.Е.
Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. – М. : Высшая школа, 1987. – 416 с.
8. Готра, З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник / З.Ю.
Готра. – М.: Радио и связь,1991. – 528 с.
9. Росадо Л. Физическая электроника и микроелектроника. – М.: Высшая
школа, 1991. – 352 с.
10. Гуртов В.А., Ивашенков О.Н. Сборник задач по микрооптоэлектронике/
Учебное пособие. – Петрозаводск: ПетрГУ, 1985. - 37 с.
11. Справочник по интегральным микросхемам / под ред. Б.В. Тарабрина. – М.:
Энергия, 1981. – 816 с.

13. Інформаційні ресурси

1. Сайт кафедри мікроелектроніки. Розділ електронна бібліотека:
http://me.kpi.ua/index.php?id=61