X-IŞINLARI KRİSTALOGRAFİSİ

CEMİL UYANIK

EDİRNE
2011
 TEŞEKKÜR

Bu çalışmanın tamamlanmasında, bilgi ve önerileri ile yön veren, tezdeki

problemlere her an çözüm üretebilen, tez dışı bilimsel faaliyetlerde maddi ve manevi
destek ile teşvik eden, çalışmaları hızlandırmada olumlu yaklaşımları ile çalışmalarını
ve bilgi birikimlerini esirgemeyen danışmanım Sayın Prof.Dr.Ş.Erol OKAN'a (Trakya
Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanı) tüm hoşgörü ve iyi niyeti için teşekkürü bir borç
bilirim.

Ayrıca bana her zaman destek olan ve daima yanımda bulunan aileme ve Bitirme
Çalışmam süresince, desteğini esirgemeyen arkadaşım Elif Cansu Bilgen'e gösterdiği
sabır için sonsuz teşekkürlerimi sunarım.

Cemil UYANIK
Edirne, Mayıs 2011

i
 ÖNSÖZ
1912 yılında Max von Laue x-ışınlarının kristallerden krınıma uğradığını
açıkladı.Bu açıklamadan kısa bir süre sonrada bu olay deneysel olarak ispatlandı. O
zamanlarda bu sonuçlardan neler çıkartılabileceği tam olarak kavranılamamıştı.
Günümüzde basit kristal yapıların çözümlenmesi yanında karmaşık biyolojik yapıların
çözümüne kadar x ışınları kullanılabilmektedir.

X-ışınları kristalografisi bazı zamanlarda bağımsız bir bilim dalı gibi olmuş,
birçok professional kristalograf zamanlarının çoğunu bu bilim dalının gelişmesine
adamışlardır.Bir çok bilim adamı için x-ışınları kristalografisi, matematik, fizik, kimya,
biyoloji, tıp, jeoloji, metaroloji, fiber teknoloji ve benzer birçok bilim dalının
(disiplinin) buluşma noktası olarak görülmüştür. Bir kristallograg için, bul dal bilimsel
niceliklerin birbirine bağlı olduğu bir nebula gibidir.

Bu bitirme ödevini yazmamdaki amaç x-ray kristalografisiyle küçük

moleküllerin x-ray ışını gönderilerek kristal yapısının nasıl görüntülendiğini anlamak
ve x-raykristalografisinin insanoğluna olan yararlarınn öğrenilmesidir.

ii
 ABSTRACT

X-ray crystallography is an extremely precise, but also difficult and expensive

means of imaging the exact structure of a given molecule or macromolecule in a crystal
lattice. Because a diverse set of materials produce crystals, including salts, metals,
minerals, semiconductors, and various inorganic, organic, and biological molecules, x-
ray crystallography is essential to many scientific fields. A crystal is any regularly
repeating arrangement of unit cells which range in size from less than 100 atoms —
small-molecule crystallography — to tens of thousands — macromolecular
crystallography).
X-ray crystallography is famous for being the tool first used to discover the
structure of DNA, but it was also used to determine the structure of diamond, table salt,
penicillin, numerous proteins, and entire viruses. In all, over 400,000 structures have
been described using x-ray crystallography. These can be found in the Cambridge
Structure Database.
To analyze a sample using x-ray crystallography, first one must obtain a high-
purity crystal of the material to be studied with a very regular structure. This is often the
hardest part as numerous crystals have nanometer-scale defects which make x-ray
crystallography difficult.
Next, the sample is subjected to an intense beam of x-rays of a uniform
wavelength. These x-rays produce a diffraction pattern as they reflect off the sample.
This diffraction pattern is somewhat similar to what is observed when multiple stones
are tossed into a pond – where the waves cross are peaks which make up the diffraction
pattern.
By slowly rotating the crystal, pounding it with x-rays, and meticulously
recording the diffraction patterns at each orientation, an electron density map may be
derived. This electron density map is then used to formulate a hypothesis about the
atomic structure it corresponds to. The diffraction patterns are then analyzed in light of
the hypothesized structure, and if it looks plausible that the given structure would
produce the observed diffraction pattern, a conclusion is drawn. The result is then
uploaded to central databases of the type mentioned earlier.

iii
 BAZI KISALTMALAR

XRD X-Işınları Difraksiyonu(Kırınımı)

NMR Nuclear magnetic resonance
XRF X-Işınları Flüoresans
NPL National Physical Laboratory
XAS X-Ray Absorption Spectroscopy (X-Işını Soğurma Spektroskopisi)
EXAFS Extended X-Ray Absorption Fine Structure (Genişletilmiş X-Işını
Soğurma İnce Yapı Spektroskopisi)
XANES X-Ray Absorption Near Edge Structure
NEXAFS Near Edge X-Ray Absorption Fine Structure (
AES Auger Electron Spectroscopy
AFM Atomic Force Microscopy
TEM Transmission Electron Microscopy
SEM Scanning Electron Microscopy
XPS X-ray Photoelelectron Spectroscopy
RHEED Reflection High Energy Electron Diffraction
PL Photoluminescence
DLE Deep Level Emission
NBE Near Band Edge
NIR Near Infrared Region
PVD Physical Vapor Deposition
CAD Cathodic Arc Deposition
FVAD Filtered Vacuum Arc Deposition
FCVA Filtered Cathodic Vacuum Arc
PFCVAD Pulsed Filtered Cathodic Vacuum Arc Deposition
MBE Molecular Beam Epitaxy
MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition
LED Light Emitting Diode
SAW Surface Acoustic Wave
FBAR Film Bulk Acoustic Wave Resonator
FWHM Full Width Half Maximum
RF Radio Frequency
DC Direct Current

iv
 İÇİNDEKİLER

1. BÖLÜM : X-IŞINLARI
1. Giriş
1.1. X-Işınlarının Bulunuşu ve Tarihçesi
1.2. X-Işınları ve Özellikleri
1.2.1. X-Işınlarının Optik Özellikleri
1.3. X-Işınlarının Oluşumu
1.3.1. Doğal X-Işınları
1.3.2. Yapay X-Işınları
1.4. X-Işınları Difraksiyonu(Kırınımı) (XRD)
1.5. X-Işınları Kırınımı İle Kristal Yapıların Tayini
1.6. X-Işınları Flüoresans (XRF)
1.7. X-Işınlarının Fizyolojik Etkisi

2. BÖLÜM : X-IŞINLARININ KULLANIM ALANLARI

2.1. X-Işınlarının Tıpta Kullanılması

2.1.1. Röntgen
2.1.2. Bilgisayarlı Tomografi
2.2. X-Ray Cihazları
2.3. X-Işınlarının Sanayide Kullanılması
2.4. Bilimsel Araştırmalarda X-Işınları
2.5. X-Işını Astronomisi

3. BÖLÜM : KRİSTALOGRAFİ
3.1. Kristalografi Nedir?

4. KRİSTALOGRAFİYE GENEL BAKIŞ

4.1. Metallerin Kristal Yapısı
4.2. Kristalografik Terimler ve Kavramlar
4.2.1. Kristal Sistemleri
4.2.2. Örgüler
4.2.3. Uzay Grup Gösterimi (Notasyonu)
4.2.4. Yapı Prototipi
4.2.5. Atomun Konumu
4.2.6. Eşdeğer Konumlar
4.2.7. Alaşım Kompozisyonunun Etkisi
4.2.8. Düzenli ve Düzensiz Süper Yapılar
4.2.9. Hücre Başına Düşen Atom Sayısı
4.2.10. Kristal

v
 4.2.11. Primitif ve Primitif Olmayan Hücreler
4.3. Kristallerde Simetri
4.4. Kristal Elemanları
4.5. Kristal Geometrisi
4.5.1. Dönme Ekseni (Simetri Ekseni)
4.5.2. Ayna Düzlemi (Simetri Düzlemi)
4.5.3. Simetri Merkezi
4.6. Doğada Rastlanan Kristaller
4.6.1. Kübik Sistem
4.6.2. Hekzagonal Sistem
4.6.3. Trigonal Sistem
4.6.4. Tetragonal Sistem
4.6.5. Ortorombik Sistem
4.6.6. Monoklinik Sistem

4.7. Parametre (Rasyonellik) Kanunu

4.8. Kristalografik Doğrultular ve Düzlemler
4.9. İdeal Olmayan Kristal Yapılar
4.10. Kristal Yapı
4.11. Tertip Numarası (Coordination Number)

5. BAZI ÖZEL KRİSTALLER VE KRİSTAL KURLARI

5.1. Atom Büyüklükleri ve Koordinasyon

5.2. Kristal Şekli
5.3. İkizleme Kristaller
5.3.1. Tavlama İkizlemeleri
5.3.2. Deformasyon İkizlemeleri
5.4. Kristal Kusurları
5.4.1. Sıfır Boyutlu Hatalar
5.4.2. Tek Boyutlu Kristal Hatalar (Çizgi Hataları :
Dislokasyonlar)
5.4.3. İki Boyutlu Hatalar
5.4.4. Üç Boyutlu Hatalar
5.5. Dislokasyonların Önemi

6. X Işınlarıyda Kristalografi
6.1. Bazı Tanımlar
6.1.1 Kristal ( tek-kristal, toz kristal, polikristal, kırınım ve yansıma)
6.1.2 Davranış (Habit)
6.1.3 Biçim (Form)
6.1.4 Simetri

vi
6.2. Deneysel Kırınım Metodları
6.2.1 Toz Kırınım Metodu
6.2.2 Laue Metodu
6.2.3 Döner Kristal Metodu
6.2.4 Bragg Kanunu
6.3 Ters Örgü
6.3.1 Ters Örgü de Bravais Örgü müdür?
6.3.2 Ters Örgüde Temel Öteleme (Örgü) Vektörleri
6.4 Şiddetler
6.4.1. Bir Atom Tarafından X-Işınlarının saçılması
6.4.2. Kristal Tarafından X-Işını Saçılması
6.4.3. X-Işınlarının Elektron Tarafından Saçılması
6.4.4 X-Işınlarının Birim Hücre Tarafından Saçılması

6..5 Optik Özellikler

6.5.1 Temel Soğurma
6.5.2 İzinli Doğrudan Geçişler
6.5.3 Yasaklı Doğrudan Geçişler
6.5.4 Dolaylı Bantlar Arasında Dolaylı Geçişler
6.5.5 Direk Bantlar Arasında Dolaylı Geçişler
6.5.6 Bant Kuyrukları Arasındaki Geçişler
6.6. İnce Film Depolama Yöntemleri
6.6.1 Fiziksel İşlemler
6.6.2 Kimyasal İşlemler
6.6.3 Fiziksel ve Kimyasal İşlemler

vii
 BÖLÜM 1

X-IŞINLARI

1
 BÖLÜM 1

1.GİRİŞ

Tabiattaki görülebilir ışık yada radyo dalgalarına benzeyen bir elektromanyetik

ışınım biçimidir. Öbür ışınım türleri gibi X ışınları da, boşlukta (vakumda) yol alabilen
ve ancak bazı maddelerin içinden geçebilen enerji dalgalarından oluşur. X ışınları gözle
görülemez ve elektromanyetik tayfın morötesi ışınları ile gama ışınları arasında kalan
kesiminde yer alırlar. X ışınlarını 1895'te, Alman bilim adamı Wilhelm Conrad Röntgen
keşfetti. Bu yüzden bu ışınlara Röntgen ışınları da denir. Röntgen, havasının çoğu
boşaltılmış bir vakum lambasının içinden geçirdiği elektrik akımıyla deney yaparken iki
olay gözlemledi. Bunlardan birincisi, katottan (eksi kutup) anota doğru, çok küçük
parçacıklardan oluştuğu düşünülen ışınların aktığı ve bu ışınların lambanın öbür ucuna
sıvanmış fosfor katmana çarptığında camda yeşil bir flüorışıma yarattığıydı. Aslında bu,
o dönemde bilinen bir olguydu.
Kendisine günümüzdeki ününü kazandıran öbür gözlemi ise Röntgen'in, akım
geçişi sırasında vakum lambasında garip bir ışınımın oluştuğunu bulmasıydı. Deneyi
yaptığı tezgâhın üzerinde, lambanın yakınlarında, baryum platin siyanür bileşiğiyle
kaplı bir ekran vardı; lamba siyah kâğıtla kaplı olduğunda bile bu ekranın üzerinde bir
flüorışıma oluşuyordu., Röntgen bu ışımaya, lamba üzerindeki yeşil flüorışıma
bölgesinden siyah kâğıdı geçip gelen ışınların yol açtığı sonucunu çıkardı. Ayrıca,
lamba ile ekran arasında yer alan cisimlerin gölgelerinin de ekranın üzerine düştüğünü
fark etti ve buradan da bu ışınların bazı maddelerden siyah kâğıttaki kadar kolay
geçmediği sonucuna ulaştı. Bu çalışmasıyla 1901'de ilk Nobel Fizik Ödülü'nü kazanan
Röntgen, bu yeni ve gizemli ışınlara X ışını adını verdi. Röntgen, katottan gelen
ışınların çarptığı herhangi bir katı cismin X ışınları saldığını da buldu. Katot ışınlarının,
elektron adı verilen çok küçük parçacıkların akışı olduğu daha sonra ortaya çıkarıldı.
Lambaya katot ışınlarının akış yolu üzerine metal bir hedef yerleştirildiğinde, hareket
halindeki elektronların aniden durdurulması sonucunda oluşan X ışınlarının miktarı, bu
elektronların yalnızca lambanın çeperlerine çarpmasıyla ortaya çıkan X ışınlarının
miktarından çok daha fazla olduğu da sonradan bulundu.

2
 X ışınlarının elektromanyetik enerji dalgaları olduğu ancak 1912'de kanıtlandı.
Işık ya da radyo dalgalarına benzemekle birlikte, X ışınlarının dalga boyu öbür elektro
manyetik ışınım biçimlerininkinden çok daha kısadır. X ışınlarının dalga boyu 1
nanometrenin onda biri ile 100 nanometre arasında değişir. (1 nanometre 1 metrenin
milyarda 1’idir.) X ışınları ayrıca çok yüksek enerjiye sahiptir. Bu ışınların maddenin
içine işleyebilmesi de bu özellikten kaynaklanır.

1.1 X-Işınlarının Bulunuşu ve Tarihçesi

Günümüz görüntüleme yöntemlerinin temelini oluşturan ve tıp biliminde yeni

bir çağ açan X-ışınları 1895 yılında Alman Fizik Profesörü Wilhelm Conrad Röntgen
tarafından keşfedilmiştir. W. C. Röntgen 1845 yılında Almanya'nın Köln şehri
yakınlarındaki Remscheid'te doğmuştur. Yirmi yaşında Zürih'teki Eldgenösische Teknik
Yüksek Okulu'na kabul edilmiş, burada termodinamiğin babası sayılan Clausius ve
Prof. Kundt'un fizik derslerine katılmıştır. 1868 yılında bu okuldan Makine
Mühendisliği diploması alan Röntgen, 1874'te Strasbourg Kalser Wllhelm
Üniversitesi'ne geçerek Doçent, 1879'da ise Glessen Hessian Üniversitesi'ne atanarak
Fizik Profesörü olmuştur. 1888 yılında Würzburg Üniversitesi'ne geçen Röntgen, X-
ışınlarını 8 Kasım 1895'te bu Üniversitede çalışırken bulmuştur. O tarihte Röntgen; bir
Crooks tüpünü indüksiyon bobinine bağlayarak, tüpten yüksek gerilimli elektrik akımı
geçirdiğinde, tüpten oldukça uzakta durmakta olan cam bir kavanoz içindeki baryumlu
platinsiyanür kristallerinde bir takım pırıltıların oluştuğunu gözlemiş; bu tür pırıltılara
neden olan ışınlara, o ana kadar bilinmemesinden dolayı "Xışınları" adını vermiştir.
Tüpten yüksek gerilimli akım geçirildiğinde karşısındaki ekranda parıldamalar oluşturan
ışınların değişik cisimleri, farklı derecelerde geçebildiği, kurşun plaklar tarafından ise
tutulduğunu gözleyen Röntgen, eliyle tuttuğu kurşun levhaların ekrandaki gölgesini
incelerken kendi parmak kemiklerinin gölgelerini de fark etti. Bu olay üzerine, içinde
fotoğraf plağı bulunan bir kasetin üzerine karısının elini yerleştirerek parmak
kemiklerinin ve yüzüğünün görüntüsünü elde etmiştir. Röntgen, tespitlerini ve bu
yöntemle elde ettiği görüntüleri ilk olarak 28 Aralık 1895'te Würtzburg Fiziksel Tıp

3
Demeği'nde sunmuş, bu buluşla birlikte aynı yıl içinde günümüzdekilerle
kıyaslanamayacak ölçüde basit ilk röntgen cihazları imal edilmeye başlanmıştır.

Hago ile Wind 1899’da bir X-ray demetini dar bir yarıktan geçirmişler, böylece
bir kırınım deseni elde etmeyi başarmışlardır fakat gözlenen desen oldukça küçük
olduğu için kabul görmemiştir. X-ışınlarının dalgalı yapıda oldukları 1912’de Laue’nin
kristallerdeki kırınım deneyleri ile ortaya konulmuştur. Barkla deneyi ile X ışınlarının
polarize edilebilmesi, bunların ışık ışınları gibi enine dalgalar olduğunu ortaya
koymuştur. Barkla yaptığı bu deneylerde, katı cisimlerden büyük açı altında saçılan X-
ışınlarının iki farklı dalga boyu taşıdığını gözlemlemiştir. Bu dalga boylarından ilki,
gelen elektromanyetik dalganın frekansı ile aynı diğeri farklıdır. Klasik elektromanyetik
dalgalar teorisi ile bu ilk dalga boyu açıklanabilmektedir: Gelen elektromanyetik
dalganın elektrik alanı, atomlara bağlı elektronları kendi frekansı ile sürer. Salınım
hareketi yapan bu elektronlar, her doğrultu boyunca aynı frekansta elektromanyetik
dalgalar yayımlarlar. Bu yayımlanan elektromanyetik dalgalar gelen elektromanyetik
dalgalar ile aynı frekanslıdır. Bu süreçte elektronlar atomlardan sökülmez, atomun
durumu geçici olarak bozulur. Böyle bir saçılmayı atomlara sıkıca bağlı elektronlar
gerçekleştirir. Barkla’nın deneyinde gözlenen diğer dalga boylu saçılan elektromanyetik
dalgalar ise ancak Compton’ un varsayımı ile açıklanabilmiştir.

1901 yılında ilk kez verilmeye başlanan Nobel Fizik Ödülüne de layık görülen
W. C. Röntgen 1923 yılında 78 yaşındayken ölmüştür. Röntgen'in X-ışınlarını keşfi,
bilim çevresinde çok büyük yankılar uyandırırken yeni gelişmelere de önderlik
etmiştir. Bu buluştan çok kısa bir zaman sonra H. Antonie Becquerel X-ışınları
üzerinde çalışırken uranyumun radyoaktifliğini; Curie’ler ise radyum elementini
keşfederek "Radyoloji" adında yeni bir bilimin doğuşunu gerçekleştirmişlerdir.

4
 Tarihsel Gelişim
• 1895 X-ışınlarının bulunuşu (Röntgen)
• 1920 EXAFS fenomeninin ortaya çıkışı
• 1970 Kaynak olarak sinkrotronların kullanılmaya başlanması
• 1971 Sayers, Stern, Lytle ile teorinin geliştirilmesi
• 80’ler Katalizlerdeki uygulamalar
• 90’lar Diğer tekniklerle kombine edilişi
• 2004 SLS’de EXAFS beamline ile ilk sert x-ışını demeti

1.2. X-Işınları ve Özellikleri

X-ışınları yüksek enerjili elektronların yavaşlatılması veya atomların iç

yörüngelerindeki elektron geçişleri ile meydana gelen dalga boyları 0.1-100 Å
arasında değişen elektromanyetik dalgalardır. Dalga boyları küçük, girginlik
dereceleri fazla olan X-ışınına “sert X-ışını”, dalga boyları büyük, girginlik dereceleri
az olan X-ışınına “yumuşak X-ışını” denir. Kristalografide 0.5-2.5 Å (yumuşak),
radyolojide 0.5-1 Å (sert) dalga boylarındaki X-ışınları kullanılır. X-ışınlarının frekansı

5
görünür ışığın frekansından ortalama 1000 defa daha büyüktür ve X-ışını fotonu
(parçacığı) görülen ışığın fotonundan daha yüksek enerjiye sahiptir. Şu halde bu
ışınları belirleyen iki özellik kısa dalga boyu ve yüksek enerjiye sahip olmalarıdır.
X-ışınları hem dalga hem tanecik özelliği gösterirler. Dolayısıyla çift
karakterlidirler. Fotoelektrik soğrulma, Compton saçılması (inkoherent saçılma), gaz
iyonizasyonu ve sintilasyon tanecik özellikleri; hız, polarizasyon ve Rayleigh
saçılması (koherent saçılma) dalga özellikleridir. Tanecik karakteri gösteren
elektromanyetik radyasyona foton denir.
Hedeften gelen ışınlar analiz edildiği zaman, ışınların farklı dalga
boylarında (sürekli spektrum) olduğu ve şiddetin dalga boyu ile değişiminin
tüp gerilimine bağlı olduğu görülür. Bir X-Işınları tüpünde gerilim hedef metal
için karakteristik olan belirli bir değerin üstüne yükseltilirse belirli bazı dalga
boylarında sürekli spektruma ilave olarak keskin şiddet maksimumları
görülür. Bunlar çok dar ve dalga boyları kullanılan hedef metalin karekteristiği
olduğundan bunlara karakteristik çizgiler denir.

Şekil 1.2. Karakteristik Çizgiler (Mo Kaynak)

Bu çizgiler K, L, M gibi artan dalga boyları sırasında muhtelif takımlara

ayrılırlar ve çizgilerin hepsi birden kullanılan hedef metalin karakteristik
spektrumunu oluşturur. Daha uzun dalga boylu çizgiler örnek tarafından
kolayca soğruldukları için, X-Işınlarının kırınım deneylerinde genelde hep K

6
çizgileri kullanılır. K takımında çeşitli çizgiler vardır. Fakat normal bir kırınım
çalışmasında yalnız en kuvvetli üç çizgi kullanılır. Bu çizgiler K1, K2, K1 dır
ve bir molibden kaynak için bunların dalga boyları;
K1: 0,70926 Å
K2: 0,71354 Å
K1: 0,63225 Å
olarak bilinir.
Çizelge: X-ışınlarının Genel Özellikleri ve Madde Etkileşmesi

Elektromanyetik spektrumda gama ışınları ile mor ötesi ışınlar arasında yer alırlar.

7
 1.2.1 X-Işınlarının Optik Özellikleri

X-ışınları için optik geometri oldukça basit bir durum gösterir, çünkü bu
ışınlar homojen veya homojen olmayan ortamlarda daima ışığın boşluktaki hızına çok
yakın bir hızla yayılırlar. Bu ışınların maruz kaldığı kırılma ihmal edilebilecek kadar
azdır. Bu durumda X-ışınlarını mercekler vasıtasıyla odaklaştırmanın imkânı yoktur.
Buna rağmen X-ışınlarını tam yansımaya uğratma imkânlarından yararlanılarak bir X
ışınları mikroskobu yapılabilmiştir. Ancak, bu cihazın kullanılışı oldukça zahmetlidir.
Tam yansıma, X-ışınlarının oldukça yatay bir açıyla parlak yüzeyler üzerine düşmesiyle
gerçekleşir. Bu amaçla kullanılan aynaların meridyen kesitleri elips seklindedir.
Normal ışınlar gibi X-ışınları da polarizasyona uğrarlar. Birbirine dik iki
polarizörden geçen bir X-ışını demeti tam olarak söndürülebilir. X-ışınlarının maddeyi
geçişi polarize ışığın titreşim düzlemi üzerine etki etmez.

1.3. X-Işınlarının Oluşumu

X-ışınları, doğal X-ışınları ve yapay X-ışınları olmak üzere iki şekilde
meydana gelir;
1.3.1. Doğal X-Işınları: Atom çekirdeği tarafından K enerji kabuğundan
elektron yakalanması, alfa bozunumu, iç dönüşüm ve beta bozunumu olaylarıyla
meydana gelir.
Bir atoma dışarıdan gelen veya gönderilen yüksek enerjili elektronlar o
atomun ilk halkalarından elektronlar koparırlar. Atomdan kopan bu elektronun yerine
daha yüksek seviyelerden (üst halkalardan) elektronlar atlayarak kopan elektronun
yerindeki boşluğu doldururlar. Bu sırada ortaya çıkan enerji fazlalığı X-ışını şeklinde
dışarı salınır. Çekirdek içerisinde bulunan protonlardan bir tanesi hareketi esnasında
atomun ilk halkalarındaki elektronu yakalar ve nötrleşir. Yakalanan bu elektronun
halkasındaki boşalan yere diğer bir halkadan bir elektron atlamasıyla X-ışını
meydana gelebilir.

8
1.3.2. Yapay X-Işınları: Maddenin; elektron, proton, parçacıkları veya
iyonlar gibi hızlandırılmış parçacıklarla etkileşmesinden ya da X-ışını tüpünden veya
başka bir uygun radyoaktif kaynağından çıkan fotonlarla etkileşmesinden meydana
gelir. Maddenin, fotonlarla etkileşmesinden karakteristik (çizgi) X-ışınları, yüklü
parçacıklarla etkileşmesinden hem karakteristik hem de sürekli X-ışınları elde edilir.

X-Işını Tüpü: X-ışını tüpü yüksek voltajlı bir katot ışını tüpüdür. Tüp yüksek
vakumda havası boşaltılmış cam bir kılıftan oluşmuştur. Bir ucunda anot (pozitif
elektrot), diğer ucunda katot (negatif elektrot) bulunur ve bunların her ikisi de lehimle
sıkıca mühürlenmiştir. Katot, ısıtıldığında elektron salan tungsten materyalinden
yapılmış bir flamandır. Anot, kalın bir çubuk ve bu çubuğun sonundaki metal hedeften
oluşur. Anot ve katot arasına yüksek voltaj uygulandığında katot flamanda elektron
yayınlanır. Bu elektronlar yüksek gerilim altında anoda doğru hızlandırılır ve hedefe
çarpmadan önce yüksek hızlara ulaşır. Yüksek hızlı elektronlar metal hedefe
çarptıklarında enerjilerini aktararak bir foton yayınlanır. Oluşan X-ışını demeti cam
zarfın içindeki ince cam pencereden geçer. Bazı tüplerde tek dalga boylu X-ışını elde
etmek için filtre kullanılır.

Hareketli bir elektronun kinetik enerjisi vardır. Yüksek hıza sahip bir elektron
tungstene çarpınca bir tungsten atomu ile çarpışır. Elektron durdurulana kadar birçok

9
atomla çarpışmak zorunda kalabilir. Elektronun durdurulması sırasında kaybedilen
kinetik enerjinin yüzde biri veya daha az kısmı X-ışını ışımasına, geri kalan kısmı ise
ısı enerjisine dönüşür.
Vakum lambasındaki (X-ışını tüpündeki) hedefin elektronlarla bombardıman
edilmesi sonucu elde edilen X-ışınlarının maddenin içine işleyebilme gücüne "sertlik"
denir. Bu ışınların sertliği başlıca iki şeye bağlıdır. Bunlardan birincisi, lambadaki
havanın ya da gazın ne derece boşaltılmış olduğudur. Lambada kalan gaz
moleküllerinin sayısı ne kadar azsa, bu moleküllerle çarpışarak hedeften sapan
elektronların sayısı da o kadar az olur. İkinci etken tüpe uygulanan gerilimin şiddeti,
yani elektrik basıncıdır. Gerilim ne kadar yüksekse, hedefe çarpan elektron akımının
darbe etkisi de o ölçüde büyük olur.
Bugün kullanılmakta olan X-ışını lambalarının çoğu Coolidge lambasıdır. Bu
lamba türünü ABD'li bilim adamı William David Coolidge (1873-1975) geliştirmiştir.
Son derece yüksek bir vakum düzeyine sahip olan bu lambalarda elektronlar, radyo
lambalarında olduğu gibi sıcak bir filamandan (ince bir telden) yayılır. Katottan çıkan
ve 1 milyon volta kadar ulaşabilen yüksek bir gerilimle hızlandırılan elektronlar
tungstenden yapılmış ağır bir çubuğa çarptırılır. Tungsten, elektron bombardımanının
neden olduğu yüksek sıcaklıklara erimeden dayanabilir. Tungsten çubuğun filamana
yakın olan ucu belirli bir eğimle kesilmiştir; bu uca hedef denir. Hedeften X ışınları
yayılır, ama lamba belirli bir açıklık dışında kalın bir kurşun katmanıyla sıvanmış
olduğundan X-ışınları yalnızca bu açıklıktan dışarı çıkar, bu yüzden de bir demet
halinde yol alır.

Etkileşme şekline göre 2 tür X-ışını elde edilir.

a) Sürekli (Frenleme) X-Işınları: Elektron demeti, hedef atomun
çekirdeğine yaklaştığında, çekirdeğin pozitif yükünden kaynaklanan elektrik alandan
etkilenir ve ivmeli hareket yapmaya zorlanarak dışarıya fotonlar yayar. Sürekli bir
enerji spektrumuna sahip bu fotonlara sürekli x-ışınları, bu olaya da bremsstrahlung
veya frenleme radyasyonu adı verilir.

10
 b) Karakteristik X-Işınları: Hedef atom üzerine gönderilen elektronların,
hedef atomun yörüngesindeki elektronlarla etkileşimi sonrasında, aldıkları enerjiyle
üst enerji seviyelerine çıkarlar. Kararsız durumdaki bu enerji seviyeleri geri
bozunduğunda dışarıya foton yayınlanır. Enerjileri, seviyeleri arasındaki farka eşit
olan bu fotonlara karakteristik x-ışınları adı verilir.

11
 1.4 X-Işınları Difraksiyonu(Kırınımı) (XRD)

Kristal yapı, üç boyutlu uzayda düzgün tekrarlanan bir deseni temel alan bir
atomik yapıya sahiptir. Bu nedenle, katıların kristal yapısı, yapıda bulunan atom
gruplarının ya da moleküllerin katıya özgü olacak şekilde geometrik düzende bir
araya gelmesi ile oluşur. İlk kez Max van Laue tarafından kristal yapı ve yapı
içerisindeki atomların dizilişleri X-ışını kırınım desenleri kullanılarak incelenmiştir.
Bir malzemenin atomik yapısını görüntülemek, yüksek çözünürlüğe sahip
çeşitli elektron mikroskopları kullanılarak mümkündür. Fakat bilinmeyen yapıları
belirtmek veya yapısal parametreleri tayin etmek için kırınım tekniklerini kullanmak
gerekir. Katıların kristal yapılarını incelemek için en çok kullanılan kırınım tekniği X
ışını kırınımıdır. Bu tekniğin ince film analizi için uygun olması, temelde iki nedenden
dolayıdır; 1. X-ışınlarının dalga boyları, yoğunlaştırılırmış maddedeki (condensed
matter) atomik mesafeler ölçüsündedir ve bu özellik, yapısal araştırmalarda
kullanılmalarını sağlar. 2. X-ışını saçılım teknikleri, yıkıcı değildir ve incelenen
numuneyi değiştirmez.

12
 Katı malzemelerin incelenmesinde kullanılan X-ışınlarının dalga boyları,
atomlar arası mesafelerle kıyaslanabilir büyüklükte olup yaklaşık olarak 0.5 Å ile 2.5
Å arasında değişir.
Kristal ve moleküllerdeki atomlar arası mesafeler 0.15-0.4 nm arasındadır.
Bu mesafe 3 keV ve 8 keV arasında foton enerjilerine sahip X-ışınlarının
elektromanyetik spektrum dalga boyuna karşılık gelir. Bundan dolayı, kristal ve
molekül yapıları X-ışınlarına maruz kaldığında, yapıcı ve yıkıcı girişim gibi olgular
gözlemlenebilmektedir.
İnce film fiziğinde elektron saçılması, X-ışını saçılmasından daha sık
kullanılır, fakat X-ışını saçılması kafes parametrelerinin kesin ölçümlerinin gerekli
olduğu yerlerde kullanılır. İki metot arasındaki farklardan birisi, X-ışının daha derin
nüfuz derinliğine sahip olması ve X-ışınlarının saçılma noktalarının elektronunkinden
103 kat daha zayıf olmasıdır. X-ışını saçılmasının daha kalın örnekler için uygun
olmasının nedeni, daha büyük nüfuz derinliğine sahip olmasıdır. Fakat çok ince
örnekler (5nm) için bile saçılma modelleri elde edilebilmektedir. Çok keskin odağa
sahip X-ışını tüpü kullanılarak, yoğunluk artırılabilir ve böylece maruz kalma suresi
dörtte bir oranında azaltılabilir. Diğer taraftan, saçılma açıları, X-ışınlarında daha
büyüktür ve bu kafes parametrelerinin elektronlara nazaran daha kesin olarak
belirlenmesini sağlar. Saçılma modelleri, filmin toplam kalınlığı veya belki de altlık
tarafından elde edilir, bazı durumlarda altlıkla elde edilmesi, kafes sabitlerinin
belirlenmesi için avantaj sağlar.
X-ışını saçılması, filmlerdeki mekanik stres incelemesi için de
kullanılabilmektedir. Saçılma çizgilerinin genişliğinden, çok kristalli (polikristal)
filmlerdeki kristallerin büyüklüğü a´yı çıkarmak şu ifadeye göre mümkündür:
a = / Dcos
Burada D, maksimum yoğunluğun yarısındaki saçılım çizgisinin acısal
genişliği, kullanılan ışığın dalga boyu,  ise Bragg açısıdır. Bu yolla, 5 ile 120 nm
arasındaki kristal boyutları belirlenebilmektedir. Benzer ölçümler, elektron
saçılmasında da gerçekleştirilmesine rağmen, bu metot sadece yaklaşık 10 nm´den
küçük kristallere uygulanabilir. Bunun nedeni de elektronların çok daha küçük dalga
boylarına sahip olmasıdır.

13
 X-ısınları kristal yapı üzerine düşürüldüğünde, ısınlar katı yüzeyinden küçük
geliş açılarıyla tam yansımaya uğrarlar ve ısınlar kristaldeki atomların paralel
düzlemleri tarafından saçılırlar. Kristal yapıdaki bu saçılımlar kırınım olarak
adlandırılır ve kırınım çok sayıda atomu içeren saçılmalardan meydana gelir. X
ışınlarının kristal yapıda kırınımı Bragg Kanunu ile açıklanır ve Bragg kanunun en
basit sekli aşağıdaki formül ile verilir.
nλ=2dSin

Şekil: Bir kristalde X-ısını kırınımı

Modern X-ışını cihazlarında, kırınıma uğrayan ısının kırınım açısını ve

şiddetini ölçecek ısınım sayıcılar bulunur. Böylece kırınım açısı (2q)’nın, kırınıma
uğrayan ısının şiddetine göre değişimini veren kırınım deseni elde edilir. Desen
üzerindeki pik genişliklerine ve zemin şiddetine bakılarak malzemenin kristalleşmesi
hakkında bilgi edinilebilir.

14
1.5 X-Işınları Kırınımı İle Kristal Yapıların Tayini

Kristallerde x-ışını kırınımı ve diğer kırınım (elektron ve nötron kırınımı)

teknikleri ile sağlanan bilgiler şunlardır:
• Kristalin yapısını belirleme
• Kristalin mükemmelliği veya fazın saflığını belirleme
• Kristalin doğrultularını belirleme
• Kristalin örgü sabitlerini belirleme

Günümüzde kristallerde kırınım, kristal yapıların hemen hemen hepsinin

yapısının biliniyor olması sebebiyle, kristalin mükemmelliği ve doğrultularının
belirlenmesinde kullanılmaktadır. Ayrıca, yeni modeller geliştirmeye yönelik
çalışmalarda veya endüstriyel değere sahip polimerler, biomoleküller, zeolitler gibi
yapıların ve örgü sabitlerinin belirlenmesi çalışmaları önemli bir yere sahiptir.
Kristal yapıların ortaya çıkarılması denince a,b,c ve alfa, beta, gama birim
hücre parametrelerini, birim hücrede kaç tane atom veya molekül olduğunun
çıkarılması anlaşılır. Bunların dışında atomların konumları bağ uzunlukları, kristal
yüzlerinin indislenmesi, kristalin mükemmelliği de tespit edilebilir. Kristal yapıyı tespit
ederken atomların veya moleküllerinin yerlerinin belirlenmesi spektroskopik
yöntemlerle gerçekleştirilir. Bu yöntemlerden ilki x-ışınlarıdır bunun dışında nötron
kırınımı ve elektron kırınımı da kullanılır.

15
 Kırınım = Girişim + Saçılma

Bir kırınım için saçan ve saçılan x-ışınlarının dalga boyları eşit ve sabit bir faz
farkına sahip olmalıdır. Saçılan bir x-ışını atomun elektron yoğunluğunun çok olduğu
kısmıyla etkileşir. Saçılan x-ışınının enerjisi 10-50 KeV’tur.

Nötron Kırınımı: Nötronların enerjisi yaklaşık olarak 0.08 eV’tur. Bir

nötronun kütlesi yaklaşık olarak elektronun kütlesinin 2000 katıdır. (mn=2000me)

Nötronlar kristal maddenin çekirdeği ile etkileşirler. Etkileşme esnek

etkileşmedir ve dipol momenti olan moleküllerle etkileşirler.
Elektron Kırınımı: Enerjileri yaklaşık olarak 100 eV’tur. Elektronlar katının
derinliklerine giremezler. Çünkü enerjileri düşüktür. Bu nedenle elektron kırınımıyla
sadece katılarda yüzey araştırması yapılır.

16
 X-Işınları ve Nötron Kırınımı Karşılaştırması
1.X-ışınları atom etrafındaki elektronlarla etkileşir. Elektronların sayısı azsa
x- ışınlarının etkileşimi zordur. Elektron sayısı az olan (atom numarası küçük)
elementlerin atomlarının yerlerinin bulunmasında nötronlar avantaja sahiptir. Çünkü
nötron hafif ya da çok sayıda olan elektronlarla aynı derecede etkileşir. X-ışınlarıyla
atomların yerlerinin belirlenmesi zordur
2.Buna karşılık nötron kaynağını yapmak oldukça pahalıdır.
1.6. X-Işınları Flüoresans (XRF)
X-ışınları flüoresans tekniği, genel olarak foton madde etkileşmesi sonucu
meydana gelen karakteristik X-ışınları ve saçılma fotonlarının nicel ve nitel
değerlendirilmesine bağlı olarak uygulanan bir tekniktir. Katı, sıvı, toz hatta gaz
durumlarında bile uygulanabilmektedir.
XRF tekniği ile hızlı, duyarlı ve güvenilir bir şekilde malzemeye zarar
vermeden düşük maliyetle kısa sürede ölçüm yapılmaktadır. Bu nedenle bilimsel ve
teknolojik araştırmalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

17
 XRF sistemleri ile farklı formlardaki numunelerde sodyum-uranyum
aralığındaki elementlerin analizleri numune matrisine bağlı olarak, ppm-%
konsantrasyon mertebesinde, tahribatsız, hızlı ve güvenilir bir şekilde yapılmaktadır.
Portatif μ-XRF cihazı ile 70 μm çaplı alanlarda tarama ve haritalandırma
yapılabilmekte, element analizleri herhangi bir numune hazırlama işlemi gerekmeden
gerçekleştirilebilmektedir. Cihazın taşınabilir olması, yerinde analizi de mümkün
kılmaktadır.

XRF tekniğinin uygulama alanları

• Temel fizik araştırmaları
• Metalürjide, alaşım analizleri
• Maden filizlerinin analizleri
• Radyoaktif cevher analizleri
• Endüstride, plastik, lastik, kağıt ve cam gibi maddelerde safsızlık analizleri
• Petrol ürünleri, boya ve ince film analizleri
• Kömürlerde kül, kükürt ve nem tayinleri
• Çeşitli bitki örneklerinin incelenmesi
• Çevre araştırmaları
• Arkeoloji araştırmaları
• İnce metal ve film kaplama kalınlıklarının tayinleri

18
 1.7. X-Işınlarının Fizyolojik Etkisi

Yüksek enerjili her ışın gibi X-ışınları da dokular için zararlıdır. Çok yüksek
frekansa sahip olan X-ışınları kimyasal bağları kırabilecek enerjiye sahiptir. Bu
bağların kırılması sonucu iyonlaşma oluşur. İyonlaşabilen elektromanyetik ışınımları,
hücrenin genetik materyali olan DNA'yı parçalayabilecek kadar enerji taşımaktadır.
DNA'nın zarar görmesi ise hücreleri öldürmektedir. Bunun sonucunda doku zarar
görür. DNA'da çok az bir zedelenme, kansere yol açabilecek kalıcı değişikliklere
sebep olabilir. Hücre için en zararlı ışınlar yumuşak X-ışınlardır, zira bu ışınlar hücre
tarafından soğrulur ve bu enerji kazancı hücre içinde yaralanmalara sebep olur.
Radyo kristalografide kullanılan ışınlar ve bu ışınların neden olduğu X-ışınları dokular
için çok zararlı olabilirler. Radyolojide kullanılan ışınlar, sertlikleri dolayısıyla çok daha
az soğrulurlar ve bu nedenle de çok daha az zararlıdırlar.
Eller ve vücudun diğer kısımları X-ışınlarına hedef olduğundaki tehlikeli
duruma yanık denir. Fakat bu güneş yanığından çok daha fazla zararlıdır. Yanıklara,
X-ışınlarından çıkan ısı neden olmayıp, ısının doğurduğu yanıklardan da farklıdırlar.
X-ışınlarına hedef olunduğunda ani bir acıma duygusu da duyulmaz. İyileşmesi diğer
yanıklardan çok daha yavaş olur. X-ışınları tüpünden doğrudan doğruya gelen
demetin yanı sıra, saçılmış, flüoresans, uyumlu ve uyumlu olmayan ışınımlar da
tehlikelidirler. Modern X-ışınları cihazı, bütün bu tehlikelere karşı korunmak üzere
dikkatlice tasarlanmış ve güvenlik düzenekleri ile donatılmıştır.

19
 BÖLÜM 2
X-IŞINLARININ KULLANIM
ALANLARI

20
 BÖLÜM 2

2.1. X-IŞINLARININ KULLANIM ALANLARI

X-ışınları Röntgen tarafından keşfedilmesinden bugüne, çok kısa dalga

boyları ve yüksek enerjileri ile günlük hayat içinde çok önemli ve yaygın kullanım
alanları bulmuştur. Bunlardan en önemli birkaçını şöyle sıralayabiliriz: (i) X-ışınları,
tıpta teşhis ve tedavi aracı olarak büyük öneme sahiptir. Radyoskopi ve radyografi
için genellikle 500 - 200 kV luk hızlandırıcı gerilimlerle çalışan X-ışınları tüpünden
elde edilen kısa dalga boylu sert ışınlardan yararlanılır. Günümüzde, çeşitli tanecik
hızlandırıcıları yardımı ile hızlandırılan çok yüksek enerjili elektronların frenlenmeleri
sonucu, giderek çok daha kısa dalga boylu (yüksek frekanslı), dolayısıyla sert X
ışınlarının elde edilmeleri mümkün olmakta ve bunlar kanser tedavisinde ve bazı
operasyonlarda kullanılmaktadır. (ii) X-ışınları; maddenin yapısı, örneğin kristal
düzeni, karmaşık organik maddelerin molekül yapılarının aydınlatılmasında,
günümüzde sık başvurulan bir araştırma aracıdır. (iii) Teknikte malzeme kontrolünde,
söz gelimi ele alınan bir örneğin içinde yabancı bir madde, hava boşluğu ya da bir
yapım hatası bulunup bulunmadığını anlamak için, X-ışınları radyografisinden
yararlanılır. (ıv i) Kimyada bir örnek içinde bulunan eser miktardaki yabancı maddenin
analizi, fizikte yeni elementlerin keşfedilmesi ve özelliklerinin incelenmesinde,
araştırma aracı olarak X-ışınlarının önemi büyüktür. Nadir toprak elementleri ve uran
ötesi elementlerin özellikleri bu yolla saptanabilmektedir.
Günümüzde nükleer görüntüleme tıpta ve endüstride çok geniş bir kullanım
alanına sahiptir. Endüstrideki kullanım alanları tıp alanındaki kadar geniş ve çeşitli
olmasa da özellikle reaktör çalışmalarında ve tahribatsız muayene olarak bilinen
cisimlerin içsel kesit görüntülerinin oluşturulmasında kullanılmaktadır.

21
 2.1. X-Işınlarının Tıpta Kullanılması

Tıp alanında 1895’te X-ışınlarının keşfi ile başlayan radyografi, gelişerek

günümüze kadar gelmiş ve değişik yöntemlerle temelde bilgisayarlı tomografi (CT)
adını almıştır. Klasik radyografide, X-ışınlarının değişik ortamlarda, farklı soğrulma
özelliğinden yararlanılır. X-ışını doku içinden geçerken ortamın fiziksel yoğunlukları,
atomik yapıları, X-ışını enerjisi ve kat ettiği yola bağlı olarak soğrulur ve saçılmaya
uğrar.

Vücudu geçen X-ışınları, X-ışınlarına duyarlı bir film üzerine düşürülmeleri

halinde bir görüntü oluştururlar. Film üzerine düşen şiddet değerleri, farklı soğurma
katsayısına sahip bölgelerden geçerek geldiği için değişik tonda görüntü oluştururlar.
Fakat klasik radyografinin en büyük dezavantajı, birbirlerine çok yakın kütle soğurma
katsayılarına sahip iki bölgenin hemen hemen aynı kontrastı vermesi veya birbirinden
çok farklı kütle soğurma katsayılarına sahip iki bölgeden büyük katsayıya sahip
olanın diğerini gölgelemesi sonucunda iki bölgenin birbirinden ayırt edilememesinin
söz konusu olmasıdır. Bu yüzden filme dayalı radyografinin sakıncalarını gidermek
amacıyla yapılan çalışmalar sonucunda 1970’li yıllarda bilgisayarlı radyografi
geliştirilmiştir. Daha sonraki yıllarda yapılan çalışmalar sonucunda transmisyon
22
radyografisinin günümüzde en yoğun kullanılan şekillerinden bir tanesi olan
fluoroskopi sistemleri ortaya çıkmıştır. Bu sistemlerde film yerine CsI tipi dedektörler
kullanılmaktadır. Bu dedektörler temelinde bir sintilasyon dedektörüdür. Dedektörde,
gelen radyasyonun şiddetiyle orantılı oluşan parıldama, bir kamera sistemiyle
dijitalize edilerek görüntü oluşturulmaktadır. Günümüzdeki çalışmalar ise bu tip
dedektörler yerine yarı iletken dedektörler kullanarak görüntü oluşturma amacı
taşımaktadır. Bu çalışma, fluoroskopide, CsI dedektörleri yerine CdTe yarıiletken
dedektörler kullanılması üzerinedir.
2.1.1. Röntgen
Röntgen, radyolojik tanı yöntemlerinin en eskisidir. X-ışınlarının diyagnostik
radyolojide kullanılmalarını sağlayan temel özellik, dokuyu geçebilme yetenekleridir.
Flouresans ve fotografik özellikleri ise görüntünün elde edilmesini sağlar. İnsan
vücudunun değişik atom ağırlığında ve değişik kalınlık ve yoğunlukta dokulardan
yapıldığından, x-ışınının absorbsiyonu da farklı olacaktır. Farklı absorbsiyon ve
girginlik sonucu, röntgen filmi (röntgenogram) üzerine değişik oranlarda düşen xışınları
geçtikleri vücut parçasının bir görüntüsünü oluştururlar. Bu görüntü, siyahtan
(film üzerine düşen ışın fazla) beyaza (film üzerine düşen ışın az) kadar değişen gri
tonlardan oluşur.

Röntgenogramlarda Görüntü Oluşumu: Vücudu geçen x-ışınları, üzerine gümüş

bromür (AgBr) emülsiyonu sürülmüş plastik bir yapraktan ibaret olan röntgen filmi
üzerine, ya doğrudan ya da Flouresans özellikteki bir levha aracığıyla, ultraviyole ışığı
şeklinde düşürülür. Görülebilir ışığın fotoğraf plağında yaptığı değişiklikten farksız olan
etki, x-ışını veya ultraviole ışığı alan AgBr moleküllerindeki bağların gevşemesidir.
Böyle bir film bazı kimyasal solüsyonlarla karşılaştırılırsa, etkilenen moleküllerdeki
gümüş ve brom birbirlerinden kolayca ayrılır. Tek kalan gümüş oksitlenerek
röntgenogramlar üzerindeki siyah kesimleri oluşturur. Işın düşmemiş bölgelerdeki
gümüş bromür molekülleri ise film üzerinden alınır ve beyaz olan plastik baz ortaya
çıkar. Bu işleme “film processing” (film banyosu) adı verilir. Yani kısaca
röntgenogramlardaki görüntü, okside olmuş gümüş tarafından oluşturulmaktadır.

23
 Gümüş bromür görüntülerinin elde edildiği bu
yönteme konvansiyonel röntgen, vücudu geçen x-ışınlarının
dedektörlerle ölçülerek görüntünün bilgisayar aracılığı ile
katot tüpünde oluşturulduğu yönteme ise dijital röntgen adı
verilir.

2.1.2. Bilgisayarlı Tomografi

Bu cihaz X-ışın cihazlarının en gelişmişidir. Bu

cihaz ile hekimler MR cihazında olduğu gibi vücudun belli
bir bölgesinin kesit görüntüsünü çıkarabilme yeteneğine
sahip olmuşlardır. Cihaz diğer röntgen cihazları gibi bir X-
ışını tüpüne sahiptir. Ancak bu cihazın sabit bir tüp yapısı yerine, hareketli bir
GANTRY üzerine monte edilmiş bir tüp yapısı vardır. Bu gantry sürekli ve belirli bir
hızda dönerek şüpheli vücut bölgesinin üzerini taramış olur. Bu tarama; X-ışını
dedektörüne gelen veriler doğrultusunda görüntü işleme bilgisayarlarıyla CT
görüntüleri oluşturur. Oluşturulan bu görüntü MR görüntülerine oldukça
benzemektedir.
CT cihazının etkili olduğu dokuları ve vücut bölgelerini incelediğimizde daha
çok yapısı ve çalışma prensibi itibariyle kemikli dokuların incelenmesinde, yumuşak
dokularınkine oranla daha başarılıdır.

2.2. X-Ray Cihazları

X-Ray cihazları, nesnelerin sabit bir X-ışını kaynağından geçirilerek içeriği

hakkında bilgi veren cihazlardır. X-Ray cihazlarında bir X-ışını kaynağı ve bu
kaynağın karşısında ışınları algılayan bir detektör grubu bulunmaktadır. Eşyalar bu
ışınların yolu üzerine konulmakta ve eşyalardan geçen ışınlar detektörler (foto
diyotlar) tarafından algılanmaktadır.

24
 Foto diyot çıkış sinyallerinin uygun yükseltme ve filtreleme işlemlerinden
sonra, sinyal işleme ve görüntü oluşturma teknikleri kullanılarak dilim görüntüler
oluşturulmakta, sonrasından bu dilimler birleştirilmekte, sonuç olarak oluşturulan
görüntü monitör bir siluet olarak yansıtılmaktadır. Aşağıda verilen resimde standart bir
X-Ray cihazının bagaj tarama süreci adım adım izlenmektedir.

Bagajlar X-Ray cihazının tünelinden geçerken maruz kaldıkları X-ışınları

bagajı bir uçtan öbür uca tarar. Taranan her kesit, içerdiği maddenin atom ağırlığıyla
ilgili olarak detektör grubunda bir sinyal oluşturur. Tarama sonunda bu sinyallerin
toplamı taranan maddenin içerdiği nesnelerin görüntüsüdür.
X-ışınlı çanta paket kontrol sistemleri ilk kullanılmaya başladığında siyah
beyaz görüntü verebilen basit cihazları ve buradan sadece malzemenin, çantanın
içindekilerin fiziksel şekli hakkında bilgi alınabilmekteydi. Daha sonra 90’lı yılların
başlarında sadece fiziksel şeklin ne olduğunun bilinmesi pek yeterli olmamaya
başladı. Üreticiler bir adım daha ileriye giderek çanta paket içerisindeki nesnelerin
kimyasal yapısı hakkında da bilgi verebilecek yani onların organik ya da inorganik
maddeler olup olmadıklarının belirlenebileceği teknikler üzerinde çalışıp kullanıcılara

25
bu bilgileri verebilecek multi enerjili sistemler geliştirdiler.
Bu sistem, oluşturulan görüntü üzerinde operatörlerin madde tanımlamasını
kolaylaştırıcı bazı uygulamaları içermektedir. Bu tanımlamada malzemelere renk
kodlaması uygulanmakta, örneğin titanyum, krom, demir, çelik, kalay, kurşun, bakır,
gümüş, altın gibi atom numarası 18’den büyük olan ağır elementler (inorganik
maddeler) mavi renklendirme ile alüminyum gibi atom numarası 10 ile 18 arasında olan
orta ağırlıktaki elementler (karışık grup) yeşil renklendirme ile, atom numaraları
10’un altında olan hidrojen, karbon, nitrojen, oksijen, nitrogliserin, akril, kağıt, tekstil
ürünleri, tahta ve su gibi organik maddeler turuncu ile görünmektedir.
90’lı yılların ikinci çeyreğinden sonra ise bu cihazlarda daha büyük gelişmeler
yaşanmaya başlandı ve 3. çeyrekte artık operatörlere çantaların şüpheli olup
olmadığı hakkında karar vermesinde yardımcı olmaya çalışan ve görüntüler üzerine
şüpheli olabilecek bölgelere işaretler atan sistemler geliştirilmeye başlandı.

2.3. X-Işınlarının Sanayide Kullanılması

Sanayide X-ışınları metal parçaların, özellikle de dökümlerin ve kaynaklanmış

parçaların sağlamlığının denetlenmesinde kullanılır. Çok sayıda parçadan oluşan
malzemelerin, örneğin elektrikli aletlerin montajının doğru yapılıp yapılmadığı da X
ışınlarıyla incelenebilir. Polis ve gümrük memurları yolcu valizlerinde yasa dışı bir
maddenin bulunup bulunmadığını anlamak için X-ışınlarından yararlanırlar. X ışınları
bugün kullanılmakta olan pigmentlere (renk verici maddelere), eski ressamların
kullanmış oldukları pigmentlere oranla daha kolay işler. X-ışınlarının bu özelliğinden
yararlanan sanat uzmanları, eski bir ressama ait olduğu iddia edilen bir yapıtın sahte
olup olmadığını, üzerinde herhangi bir değişikliğin yapılıp yapılmadığını saptayabilirler.
Tabloların alt katmanlarının X-ışınlarıyla incelenmesiyle, ünlü ressamların yapıtlarını
nasıl ortaya çıkardıklarına ilişkin pek çok şey öğrenilmiştir. X-ışınlarının farklı
maddelerde farklı renklerde flüorışıma oluşturma özelliğinden, gerçek değerli taşları
yapaylarından ayırt etmekte de yararlanılır.

26
 2.4. Bilimsel Araştırmalarda X-Işınları

X-ışınları canlı hücrelerdeki genetik maddelerin değişim hızını artırmak için

kullanılabilir. Böylece bilim adamları yeni canlı türleri yaratmak ve belirli genlerin
kalıtım modelini incelemek için X-ışınlarından yararlanabilirler. ABD'li genetikçi
Hermann Joseph Muller, X-ışınlarının değişim yaratıcı (mutajenik) özellikleri
üzerindeki çalışmalarıyla 1946 Nobel Tıp ya da Fizyoloji Ödülü'nü almıştır. X-ışını
kristalografisi, maddelerin kristal ve molekül yapısını incelemekte kullanılan bir 23
yöntemdir. Görünür ışıktan farklı olarak X-ışınları, içinden geçtikleri mercek, prizma ve
aynalarda önemli bir doğrultu değişikliğine uğramaz. Ama öte yandan kristallerdeki
atomlar düzenli bir yerleşim içindedir ve X-ışınlarını kırılmaya uğratacak kadar
birbirlerine yakındır, bu yüzden de belirli bir kırınım deseni oluşturur). Çözümlenecek
kristal örneğin üzerine X-ışını demeti düşürülür ve ortaya çıkan kırınım deseninin filmi
çekilir. Bu desendeki beneklerin konumları çözümlenerek kristalin atom yapısı
konusunda bilgi edinilir. X-ışını kırınımına dayalı inceleme yöntemleri, biyoloji
açısından önemli moleküllere ilişkin bilgilerimizin artmasında yaşamsal bir rol
oynamıştır. Örneğin, DNA olarak anılan deoksiribonükleik asidin X-ışını kırınımıyla
incelenmesi, DNA moleküllerinin ikili sarmal yapısının belirlenebilmesine yardımcı
olmuş ve böylece bilim adamları genetik şifreyi ve bunun kalıtım sürecindeki rolünü
öğrenebilmişlerdir. X-ışını kırınımı yöntemi metallerin, kay açların, minerallerin
incelenmesinde ve cevher çökellerinin yerlerinin saptanmasında da uygulanır.
X-ışınları tarayıcı elektron mikroskoplarında da kullanılır.

27
 2.5. X-Işını Astronomisi

X-ışını astronomisi, dış uzaydaki X-ışını kaynaklarının incelenmesini konu alan

bir bilim dalıdır. X-ışınları Dünya atmosferinde soğurulduğundan yerdeki aletlerle
kolayca toplanıp gözlemlenemez. Bu nedenle X-ışını teleskopları ve algılayıcıları
roketlerle, balonlarla çok yükseklere çıkartılır yada bir uyduyla Dünya yörüngesine
oturtulur. X-ışını astronomisiyle, aralarında yıldızların, süpernova kalıntılarının ve
kuvazarların da bulunduğu binlerce X-ışını kaynağı ortaya çıkartılmıştır. Kuğu X-1 adı
verilen güçlü ve önemli bir X-ışını kaynağının, görünmeyen yoldaşıyla birlikte ortak bir
kütle çekimi merkezi çevresinde dolanan, görünür bir yıldız olduğu sanılmaktadır.
Yoldaşının görünür yıldızdan madde çeken bir kara delik olduğu ileri sürülmüştür. Bu
varsayıma göre, yıldızdan çekilen madde kara delikte yok oldukça, kara delik X ışınları
salmakta ve astronomlar da bu ışınları gözlemlemektedir.

28
 BÖLÜM 3
KRİSTALOGRAFİ

29
 BÖLÜM 3
KRİSTALOGRAFİ

3.1.KRİSTALOGRAFİ NEDİR?

Kristalografi, billurlaşmış maddenin dış biçimini ve kimyayla olan ilişkisini,

atomların ve moleküllerin uzamsal düzenlenişini inceleyen bilim dalıdır. Nicolaus
Steno'nun, değişik kuvars kristallerinin karşılıklı yüzeyleri arasındaki açının hep aynı
olduğunu göstermesi (1669), kristalografinin başlangıcı sayılır. 18. yüzyılda Abbé R. J.
Haüy, kristal yüzeylerini, kristal içinde seçilen üç eksene göre tanımlayarak
kristalografinin ikinci yasasını (aynı maddenin kristal yüzeyleri arasında belli bir basit
matematiksel ilişki vardır) ortaya koydu. J. F. C. Hessel, kristallerin noktasal, eksenel ve
düzlemsel simetrisinin 32 farklı grupta toplanabileceğini göstererek, kristallerin dış
biçimlerine bağlı olarak temel kristal sınıflarının oluşturulmasını sağladı. Kristal
yapısıyla kimyasal bileşimler ve fiziksel özellikler arasında yakın bir ilişki vardır. Optik
kristalografi ve x ışını kristalografisi, bu noktadan hareketle kristallerin biçiminin ve
yapısının belirlenip tanınmasında önemli başarılar elde etmiştir.
Ayrıca Kristalografi mineralojinin bir dalı olup, minerallerin şekillerini ve iç
yapılarını inceler. X ışınları ile yapılan yapi incelemelerinde, atom veya moleküllerin,
üç boyutlu olarak dizilimleri incelenir. Mineral kristallerinde fizikokimyasal olarak,
atom ve moleküller belirli bir düzen içinde bulunurlar.
Amorf katı atomların kararlı bir kristal yapıya sahip olmadığı katılar için
kullanılan terimdir. Cam gibi maddeler, polystyrene gibi polimerler, pamuk helva gibi
yiyecekler ve ruj gibi makyaj malzemeleri amorf katılara örnek gösterilebilir. Amorf
(şekilsiz) kristallerde veya minerallerde, atom veya moleküller gelişi güzel bir dizilme
gösterirler. Mineraller oluşum esnasında katılaşırken uygun şartlar altında düzenli ve
düzgün yüzeyleri olan geometrik şekiller gösterirler.
“Kristal” terimi ile düzgün dış yüzeylere sahip olsun veya olmasın düzenli iç
yapı gösteren katılar anlaşılmaktadır. Dış yüzeyler değişse bile iç yapı ve temel
özellikler değişmez ve özellikle fiziksel karakterler iç yapının fonksiyonu olarak dışa
30
yansır. Kristallografi fizik, kimya, metalurji ve seramik ile ilgili pek çok problemin
çözümünde önemli rol oynar.
Kristaller; Valans bağları, her atom için belli sayı ve açıda komşu atomları bir
araya getirdiğinden, moleküllerde bir yapı uygunluğu vardır. Böylece, bir lineer polimer
boyunca bir tekerrür görülebilir.
Mühendislik malzemelerinin çoğundaki atom diziminde üç boyutlu tekrarlanan
bir atom düzeni görülür. Böyle yapılara KRİSTAL denir.

Şekil 3.1. Kristal Yapısı.

Sofra tuzunun küp yüzeyleri. NaCl kristal yüzeyleridir. MgO yapısı da bunun
gibidir.
Kristallerdeki üç boyutlu kalıbın tekrarındaki sebep malzeme iç yapısındaki
atom koordinasyonudur. Buna ilaveten kalıp bazen kristalin dış şeklini de kontrol eder.
Kar kristalinin altı köşeli dış yapısı belki de buna en iyi örnektir. Kıymetli taşların,
kuvars (SiO2) kristallerinin ve bayağı safra tuzunun (NaCl) düz yüzeyleri iç kristal
düzenlerinin dışta görülen belirtileridir. Her birisinde dış yüzeyler değiştirilse bile iç
atom düzeni değişmez. Örneğin, kuvars kristali aşınıp kum haline geldiği zaman
kristalin iç yapısı değişmez. Aynı şekilde, kar kristallerinde olduğu gibi kırılmış buz
parçalarında da su moleküllerinin hekzagonal (altı köşeli) düzeni vardır.
Kristal yapısında, atom diziminin etkisini göstermek için sodyum klorürü alalım. Na+ ile
Cl- ‘ün iyon boyut oranı 0,98/1,91 veya 0,54 dür. Aşağıdaki tablodan görüyoruz ki bu
oran koordinasyon sayısı altı için uygundur.
31
 Tablo 1. Atom Koordinasyonu ve Atom Boyut Oranı
Koordinasyon Numarası Minimum Atom Yarıçap Oranı
3 fold 0,155
4 0,225
6 0,414
8 0,732
12 1,0

Şekil 1. 1’e bakarak aşağıdaki hususları belirtebiliriz:

• Na+ ve Cl- iyonlarından her birisinin altı komşusu vardır (Kalıp üç boyutlu
olarak tanımlanırsa).
• Na+ ve Cl- iyonları sayıları birbirine eşittir (Kalıp tamamlanırsa).
• Kenar boyları (2r + 2R) olan düzlem yüzeyli küçük bir küp meydana gelmiştir. r
ve R Na+ ile Cl- iyonlarının yarı çaplarıdır.
• “Birim Kafes” adını verdiğimiz bu küçük küpteki kalıp düzeni NaCl ‘ün diğer
bütün küpleri için aynıdır. Böylece tekrarlanan birim kafesinin yapı düzenini
bilirsek kristal kapı düzenini tarif edebiliriz.
• Na – Na ve Cl – Cl atomlar arası mesafe her ikisinde de Na-Cl arasındaki
mesafenin 2 çarpanı kadar büyüktür. Bu fark önemlidir. Ayrı atomlar arasındaki
Coulomb çekici kuvvetlerinin aynı cins atomlar arası Coulomb itici
kuvvetlerinden daha yüksek olduğunu gösterir.

Atomların dizimi yedi ana kalıptan birisi şeklinde olabilir. Bu kalıplar, atom
düzlemlerinin kesişmesiyle oluşan eşit uzay parçaları biçimleri ile sıkıca bağıntılıdır.
Bunların en basit ve düzenli olanı, birbirine dikey birbirinden eşit uzaklıkta üç paralel
düzlem sisteminin oluşturdukları küp serisidir. Uzayın bu şekilde bölünmesini
Şekil 1.2 ‘de görüldüğü gibi birbirinden eşit uzaklıkta dik açılı eksenlerin meydana
getirmesiyle de açıklanabilir.

32
 Şekil 3.2. Küp Kafesleri.
Uzay, Birbirinden eşit uzaklıkta üç takım paralel düzlemler tarafından
bölünmüştür. x, y, ve z eksenleri karşılıklı olarak birbirine dikeydirler. Her kesit
noktası diğerlerinin eşdeğerindedir.
Yedi ana kalıbı oluşturan uzay bölme metotları Tablo 1. ‘de gösterilmişti.
Düzlemlerin geometrik olarak uzayı bölümünün bütün çeşitleri bu yedi sistem içindedir.
Günlük metallerin çoğu (çinko ve magnezyum hekzagonal sistemdedir) ile MgO, TiC
ve Ba TiO3 gibi bazı seramik bileşikleri kübik yapıdadır.
Bu anlatılanların her birisi ayrıntılarıyla incelenecektir.

33
 BÖLÜM 4
KRİSTALOGRAFİYE
GENEL BAKIŞ

34
 BÖLÜM 4

4. KRİSTALOGRAFİYE GENEL BAKIŞ

Kristal, belirli bir yerleşim düzeni içerisinde bir araya gelen atomların, ortaya
koydukları yerleşim düzeninin üç boyutta tekrarı ile oluşur. 18.ci yüzyıldan itibaren
epeyce çalışmalar yapılmış olmakla beraber kristal yapının anlaşılabilmesi, ancak
1912’de Max von Laue’nin X-Işınlarının kristal tarafından kırınıma uğradığını
bulmasından sonra mümkün olmuştur. Daha sonra Sir Laurence Bragg ilk kez X
ışınlarından yaralanarak kaya tuzu kristalinin yapısını analiz etmiş ve kristalin
atomik yapısı ile ilgili önemli bir adım atmıştır. Böylece araştırmacılar kristali
oluşturan en küçük birim olan birim hücreyi ve bunun uzayda yayılarak ne şekilde
kristali oluşturduğunu anlamak imkanını bulmuşlardır. İlk başlarda X-Işınlar ile
başlatılan bu çalışmalar daha sonra nötron ve elektron kırılımı çalışmaları ile devam
ettirilmiş ve bu şekilde minerallerin, metallerin, besin maddelerinin, ilaçların, fiber
ve plastik türü maddelerin ve burada sayılmakla başa çıkamayacak kadar çok organik
ve inorganik materyalin atomatik yapısının ortaya çıkarılması sağlanmıştır.
Kristalografi, yani kristallerin yapısını çözme ve anlama bilim dalı bugünde
fizikte en çok üzerinde çalışılan konulardan bir tanesidir. Fizik yanında, kimyada,
minerolojide, metalürjide ve pek çok mühendislik dalında kristalografinin çok
önemli bir yeri vardır.
Kristallerin yapısını çözerken ve açıklarken özel bir dil kullanılır, böylece
hem işler kısalır hem de anlatımda kolaylık sağlanmış olur. İleride öğreneceğimiz bu
dili görmeden önce kristallerin genel özelliklerini ortaya koymak istiyoruz.

35
 4.1. Metallerin Kristal Yapısı

Katıhal fiziğinin başlıca ilgi alanı kristaller ve bu kristallerdeki elektronlardır.

Bir kristal kararlı bir ortamda büyümeye başladığında meydana gelen yapı, birbirine
özdeş yapı taşlarının art arda eklenmesiyle oluşur. Bu yapı taşları tek atomlar veya atom
grupları olabilir.
MİNERALLERİN KRİSTAL ŞEKİL 2.LERİ
MİNERALLER

Şekil 2.siz (Amorf) Gizli Kristalli Düzgün Şekil 2.li

(Kriptokristalin) Kristaller

Kristallerin her türlü özellikleri ile kristalografi bilimi uğraşır.

Kristaller yüz, kenar ve köşelerle çevrilidir. Bunlara “KRİSTAL UNSURLARI”
denir ve bunlar kristalin atomik iç yapıları ile ilgilidir.Bir sıvıda, bir eriyikte, bir
buharda bulunan bir maddeden bir mineral meydana gelirken, normal koşullar altında
billûrlar, karakteristik kristal şeklinde (belli yüz, kenar ve köşeleri olan yani kristal
unsurlarını taşıyan bir yapı şeklinde) kristallenmeye başlarlar.
Kristaller yüzlerle çevrilmiş ve bu suretle kenarlar, açılar, köşeler ve kristal şekilleri
meydana gelmiş olur.
Kristallerde yüzlerle kenarlar arasında matematik bağıntılar vardır. Bu
bağıntıları belirtmek için bir koordinat sistemi kabul edilmiştir. Bunun içinde
kristallerin ortasında koordinat eksenleri düşünülmüştür.
Kristallerde, aynı cins yüzlerin aralarında yaptıkları açılar değişmez.
Kristaller simetri elemanları (simetri düzlemi, simetri ekseni ve simetri merkezi)
nın adedine ve içlerinde bulunduğu düşünülen eksenlerin durumlarına göre 7 sistemde

36
toplanmıştır. Bunların isimleri ve özellikleri aşağıda kısaca açıklanmıştır. Daha sonraki
sayfalarda ayrıntılı şekilde incelenecektir.
Kimyada atom ağırlıkları bir element karakterize ettiği gibi, kristalografide de
“Parametre” denilen sayılar aynı işi görür. 7 kristal sisteminde eksenlerin üzerindeki
birimler değişiktir. Örneğin kübik sistemde bunlar birbirine eşit, triklinik sistemde
farklıdır.
4.2. Kristalografik Terimler ve Kavramlar
Burada açıklanacak terim ve kavramlar kristalografi bilimi ile uğraşanlar tarafından
kesinlikle bilinmesi gereken son derece lüzumlu bilgilerdir.

KRİSTAL YAPI :Kristal yapı, malzeme biliminde makroskopik olarak kristalli

minerallerin yüzeyleri arasında, mikroskobik olarak ise çoğu katının atomları arasında
görülen tekrarlı düzen. Mineraloji ve kristalografide kristaller, yüzey düzlemlerinin
birbirlerine göre yerleşimi esas alınarak sınıflandırılırlar. Benzer bir örüntü (İng.
pattern) kristal yapılı katıların atomları ya da iyonları arasında da görülmekte ve yoğun
madde fiziğinde yerleşik bir model olarak kullanılmaktadır.
Bir kristalin yüzey düzlem geometrisi kendi karakteristiğidir. Bu özelliğine göre
kristalografideki 32 farklı nokta grubundan (İng. point group) birine dahil olur. Nokta
grupları ise kristal sistemi adı verilen 7 başlık altında toplanır. Kristal sistemleri tekrarlı
en basit geometrisinin gösterdiği simetrikliğe göre birbirlerinden ayrılırlar. Eğer örüntü
kübik ise kenar uzunlukları ve birleşim açıları eşit olacağı için yapı tamamen
simetriktir. Bunun tam tersi durumda -hiçbir simetriye sahip değilse- kristal sistemi
triklinik olarak adlandırılır.
Katılardaki atom yerleşimi de genellikle (örneğin cam bu sınıflandırmanın
dışındadır) benzer bir örüntüyü içerir. Bu nedenle atomların dizilişleri bir kristal kafesi
(İng. space lattice) olarak modellenebilir. Auguste Bravais'in ortaya koyduğu bu
modelde atomlar merkezleri ile çakışan noktalar uzayında dizilidir.

37
 BİRİM HÜCRE : Üç boyutlu uzayda kenarları ile kristalin eksenlerini
oluşturan bir paralel kenardır. Birim hücre atom düzenleniminin açıklanmasına yarayan
bir birimdir. Kristaller, her biri büyüklükçe, şekilce ve yönelimce benzer olan birim
hücrelerden oluşur. Bir birim hücre için, örgü sınırlaması simetri düşüncesine ve
elverişliliğine bağlı olarak bir dereceye kadar keyfilik taşır.

4.2.1. Kristal Sistemleri

Kristaller simetrilerine göre sınıflandırılabilir. Simetri ile bir dönüşüm veya

işlem sonrasında nesnenin değişmemesi anlaşılır. Kristaller, sahip oldukları simetri
işlemlerine göre sınıflandırılır.
Kristallerde toplam 32 tane simetri sınıfı vardır. Kristallerde gözlenen ve
çoğu kez oldukça karmaşık bir durum ortaya çıkaran simetri sınıflarını kolayca
irdeleyebilmek için, simetriyi en basit elemanından işe başlayarak incelemeye
çalışacağız.
Simetri İşlemleri
Simetri elemanı: Bir nokta, bir doğru veya bir düzleme göre bir geometrik
yapıya simetri işlemi uygulanır Bir simetri elemanı, özdeş noktaları bir simetri
operasyonundan sonra aynı veya özdeş konuma getiren işlem olarak tanımlanabilir.
Örneğin, bir eksen etrafında gerçekleştirilen yarım turluk bir dönme hareketi ile
herhangi bir örgü ilk konumu ile ayırt edilemeyecek yeni bir konuma gelmiş ise,bu
eksen bir simetri eksenidir ve yarım turluk bir dönme ile simetrik bir konum ortaya
çıkarttığından ikili bir dönme eksenidir.Benzer şekilde 120° ’lik, yani üçte bir
dönmeye karşılık gelen bir eksen de üçlü bir dönme eksenidir. Kristallerdeki simetri
eksenlerinin sayısı sınırlıdır beşte tam bir dönme ile simetrik özellik gösterebilen
cisimler bulunabilir olmasına rağmen kristaller için beşli simetri ekseni yoktur.
Simetri Düzlemi (Plane of Symmetry): Aynı simetri eksenine benzer
şekilde, simetri düzlemi kendisi üzerinde oluşacak bir yansıma ile özdeş noktalar
ortaya çıkaran bir düzlem olarak tanımlanabilir. Bir görüntü düzlemi cismi ikiye
böler ve bir tarafın görüntüsü diğerin üzerine yansıtılır. Böyle birden fazla simetri

38
düzlemi vardır. Örneğin, bir küpte dokuz simetri düzlemi vardır.
Simetri Ekseni (Axis of symmetry): Seçilen bir eksene göre 2, 3, 4 veya 6
katlı dönme işlemi ile nesnenin orinal halini koruması sağlanabilir.
Simetri Merkezi (Centre of symmetry): Kristalin bir tarafındaki yüzeyi
karşısındaki benzer bir yüzey üzerine getirtilmesini sağlar.
Tersinme Simetrisi: Bir simetri işleminde her nokta işlem sonucunda
eşleniği olan başka noktalara karşılık geliyor ise bu şekilde bir tersleme ya da bir dönme
noktası ortaya çıkar. Bu nokta simetrik noktaları birleştiren çizginin orta
noktasıdır. Vektörel olarak durum açıklanacak olursa, r vektörü bir tersleme
operasyonu sonucunda –r vektörüne dönüşür.
Öteleme Simetrisi: Bir kristal, bir vektörün tamsayı katlarınca ötelenirse
değişmez kalabilir. Tanımı gereğince bütün kristaller ötelenme simetrisine sahiptir.
Vida Eksenleri (Screw axes): Sarmal simetrili bir yapı üretmek için öteleme
ve dönme işlemlerinin birlikte yer alması gerekir.
Dönme-Yansıma Ekseni: Bir simetri operasyonunda hem dönme hem de
yansıma aynı anda ard arda bulunabilir, böyle durumlarda bir dönme yansıma
ekseninden söz edilebilir. Bir kristal 360/n derece döndürüldüğünde değişmez kalırsa
n-katlı dönmeye sahip olduğu söylenir. Kristallerde dönme simetrileri; 1-katlı 360 °,
2- katlı 180 °, 3-katlı 120 °, 4- katlı 90 °, 6- katlı 60 ° ’ye sahiptir. Ortaya çıkan 32
simetri sınıfı için çeşitli gösterim şekilleri vardır ancak kristalografide genellikle
Hermann-Mauguin sistemi kullanılır. Çizelge 1.3’ de Hermann –Mauguin
gösteriminde simetri elemanının nasıl gösterildiği vermektedir;
Çizelge 4.3. Hermann-Mauguin gösterimi ile simetri elemanları

39
 32 simetri sınıfı daha önce gördüğümüz 7 kristal sistemine her sistemin sahip
olabileceği en basit simetri elemanları cinsinden bölünür ise, bu takdirde ortaya çıkan
durum Çizelge 3.4’de gösterildiği gibi olur;

Çizelge 4.4. Kristal sistemlerinde simetri elemanları

4.2.2. Örgüler
Bir örgü (uzay örgüsü) mükemmel bir kristalde düzenli periyodik noktaların bir
dizisidir. Uzayda bu noktalar (örgü noktaları), özdeş kompozisyonlu, özdeş yığılımlı ve
özdeş yönelimli atom veya atom gruplarından ibarettir.
Atomlar, taban merkezli yüzey merkezli veya cisim merkezli bir hücrenin her bir
köşesinde ve hücre yüzeylerinin öteki rastgele konumlarında veya hücre civarında
bulunabilir. Üç boyutta noktasal simetri grubu 14 farklı uzay örgüsünü öngörür. En
genel örgü türü triklinik olup 13 tane de özel örgü vardır. Bunların hepsi kenarların eşit
veya eşit olmayan uzunlukları ve eksenler arası açıların bileşimden türetilir

40
 .Şekil 4. 1. Bravais Örgüsü

4.2.3. Uzay Grup Gösterimi (Notasyonu)

Bir kristalin uzay örgüsü ve simetrisinin sembolik bir tanımlamasıdır. Bir uzay
grubu için bu gösterim, kristalin simetrisini tanımlayan harf ve sayılardan oluşmuş bir
uzay örgüsü sembollerini içerir. Bu simetri gösterimleri burada tartışılmamaktadır fakat
çeşitli kitaplarda tanımlanmış olduğunu ve x ışını kristalografisi ile ilgili tablolarda
bulunduğunu biliyoruz. Her bir kristal, muhtemel 230 uzay grubundan en az birine
aittir.

41
 4.2.4. Yapı Prototipi

Sınıflandırmaya ve kimliklendirmeye yardım için, her bir yapı tipi, o yapıya sahip
temsili bir maddenin (bir element veya fazın) adıyla verilmektedir.
Aynı yapı tipi olan birim hücreler, prototipe veya birbirine benzer boyutlara haiz
olmayabilir. Çünkü, aynı tipli atomik düzeni olan farklı malzemeler, büyüklükçe farklı
atomlara sahiptir. Bu da a, b ve c kenar uzunluklarının farklı olmasına sebep olurlar.
Aynı şekilde atomun x, y ve z pozisyon koordinatları farklı malzemeler için değişiktir.

4.2.5. Atomun Konumu

Bir birim hücredeki atom veya örgü noktasının konumu üç koordinatla ifade
edilir. Hücrenin bir köşesindeki orijinden atom sırasıyla a, b ve c eksenlerine paralel
olan üç uzaklık. Bu uzaklık A0 cinsinden değil de, sırasıyla a, b ve c kenar
uzunluklarının kesirleri olarak ifade edilir. böylece ½ , 0, 0, a kenarının ortasında,
½, ½, 0 C yüzünün ortası ve ½, ½, ½ birim hücre hacminin merkezidir. x, y ve z
harfleri uygun olmayan kesirlerin koordinatları veya element veya alaşım fazları
arasında değişen koordinatlar için kullanılır.
İlkel bir birim hücrenin yalnızca köşelerinde ÖRGÜ NOKTALARI vardır.
Cisim merkezli bir birim hücrenin köşelerinde (0,0,0 noktasında) ve cisim merkezinde
(1/2, ½, ½ noktasında) ÖRGÜ NOKTASI vardır.
Yüzey merkezli birim hücrenin köşelerinde ve bütün altı yüzün merkezlerinde
ÖRGÜ NOKTALARI vardır. Örgü noktaları: 0,0,0; 0, ½, ½, 0; ½, 0, ½ noktalarıdır.
Bir koordinat için negatif bir değer harfin üzerine bir çizgi konularak belirtilir.

4.2.6. Eşdeğer Konumlar

Her bir birim hücrede, kristal simetrisinden dolayı, eşdeğer olan konumlar
vardır. Bu koordinatların özel değerlere sahip olabildiği (1/2, 0, 0) ve ayrıca x, y ve z

42
deki atomlar için çoğunlukla doğrudur. Eşdeğer konumların bir dizisinin her bir
noktasında aynı tür atom bulunacaktır (Mükemmel bir kristalde).
Bir örnek olarak, arsenik için hekzagonal hücrelere dayalı hücrede eşdeğer noktalar (0,
0, 0; 1/3, 2/3, 2/3; 2/3, 1/3, 1/3) + 0, 0, z; + 0, 0, z ’dir.
Koordinatların eklenmesiyle elde edilen birim hücredeki altı atom için tam liste
0, 0, z; 1/3, 2/3, 2/3 + z; 0, 0, z; 1/3, 2/3, 2/3 – z; 2/3, 1/3, 1/3 – z ’dir.

4.2.7. Alaşım Kompozisyonunun Etkisi

Genelde bir bileşim örgü parametrelerinin değişmesini sağladığı halde

stokiyometrik değerini değiştirmeyebilir. 0, 1/2 , 1/4, 1/8 gibi atom koordinatları
genellikle değişmez, ancak x, y ve z değerleri bir faz diyagramının tek faz bölgesi
arasındaki bileşimlerle değişebilir.

4.2.8. Düzenli ve Düzensiz Süper Yapılar

Katılar, eşdeğer pozisyonlarda birden fazla atom bulundurabilir. A ve B atomlu

bir alaşımda verilen bir atomik pozisyonda bir A atomunun (veya bir B atomunun)
bulunma ihtimali alaşım kompozisyonunun bir fonksiyonudur. Basit alaşımlarda bu
ihtimal, A atomlarının (veya B atomlarının) alaşım içindeki yüzdesine eşittir.
Şayet A ve B atomlarınca bireysel sitelerin işgali rastgele ise veya yaklaşık öyleyse
bu tür katılar DÜZENSİZ dır denir. Bir katının düzensiz olma yatkınlığı yüksek
sıcaklıklarda en yüksektir.
Daha düşük sıcaklıklarda A atomlarının bazı konumlara yerleşmesi ve B
atomlarının diğer yerlere yerleşmesi yatkınlığı termal itekleme hareketinin rastgele
olmasını aşabilir ve kısmi yada tam düzen sağlayabilir. Bu olay meydana geldiğinde
birim hücre düzensiz haldekinden daha büyük olur (genellikle bir kenar, iki kenar veya
bütün üç kenar boyca ikiye katlanır); bir hücredeki atom sayısı orantılı olarak daha
fazlalaşır, kristal düzenli bir SÜPERYAPI veya SÜPER ÖRGÜ diye adlandırılır. Buna
bir örnek, β – Cu Zn beta pirinç alaşımı, yüksek sıcaklıklarda düzensiz bcc yapılı A2

43
tipi sergilerken daha düşük sıcaklıklarda β – Cu Zn olarak gösterilen düzenli bcc
yapılı B2 tipi sergiler.

4.2.9. Hücre Başına Düşen Atom Sayısı

Bir birim hücredeki atom sayılarının belirlenmesi için aşağıdaki durumların

incelenmesi gerekir:
a. Diğer birim hücreler ile paylaşılan atomlar.
b. Bu atomların her birini paylaşan birim hücre sayısı.
c. Tamamen hücre içinde kalan atomlar.
Hekzagonal kristallerden başka, bir birim hücrenin, her sekiz köşesindeki
atomlar, bu köşeyi paylaşan 8 hücre tarafından paylaşılır ve bu yüzden hücre başına bir
atom olarak sayılır.
(1/8 x 8 = 1).
Yüzey merkezli bir hücrede her altı yüzde bir atom vardır. Bu atomların her biri
iki hücre tarafından paylaşılır ve bundan dolayı bir yüzdeki bir atom hücre için yarı
atom olarak sayılır ve altı yüz için, her hücre başına üç atom demektir. Böylece bir
yüzey merkezli hücrenin toplam 4 atomu vardır. Cisim merkezli bir hücre içinse cisim
merkezinden bir ve köşelerinden bir olmak üzere toplam iki atom vardır.
Sıkı paket yapılı hekzagonal birim hücrenin her bir köşesindeki atom, temas
halindeki altı hücre tarafından paylaşılır. Sıkı paket yapılı birim hücrenin yüzey
merkezinde bir atom bulunur. Bundan başka, birim hücrenin her yüzü, hücrede üç atom
olacak şekilde konumlanan bir atomun bir parçasını içine alır. Böylece, sıkı paket yapılı
hekzagonal birim hücre altı atom ihtiva eder.
4.2.10. Kristal
Bir kristal üç boyutlu uzayda periyodik olarak tekrarlanan atomlardan meydana
gelmiş bir katı olarak tarif edilebilir. Böyle olunca kristaller gazlar ve sıvılardan esaslı
bir Şekil 2.de farklıdırlar. Çünkü gazlar ve sıvılardaki atomik düzenleme PERİYODİK
OLMA esas şartına sahip değildir. Mamafih bütün katılar kristal değildir. Cam gibi
bazıları amorftur ve atomların herhangi bir muntazam iç düzenlenmesi mevcut değildir.

44
Hakikatte bir amorf katı ile bir sıvı arasında esaslı fark yoktur. Ve amorf katıya,
kristalden farklı olarak “aşırı soğumuş sıvı” gözü ile bakılır.
4.2.11. Primitif ve Primitif Olmayan Hücreler
Herhangi bir nokta örgüde bir birim hücre sonsuz şekilde seçilebilir ve her birim
hücre bir yada daha fazla örgü noktası ihtiva edebilir. Şu nokta önemlidir ki bir örgüde
birim hücre diye bir şey “mevcut” değildir. Biz bunları hayalimizde tasarlıyoruz ve bu
sebeple bize nasıl uygun geliyorsa öyle seçebiliriz . (Şekil 2.1) de gösterilen itibari
hücreler sadece uygun oldukları ve örgünün simetri elemanlarına sahip oldukları için
seçilmiştir. On dört Bravais örgüsünden herhangi biri için primitif birim hücre
seçilebilir. Mesela (Şekil 2.1) de gösterilmiş olan yüz merkezli kübik örgü, kesik
çizgilerle gösterilmiş olan PRİMİTİF HÜCRE ile de temsil edilebilir.

Şekil 4. 2. Kübik Ve Rhombohedral Hücrelerde Gösterilmiş Olan, Yüz Merkezli Kübik Nokta Örgü.

Sonuncu hücre rombohedraldir, eksenleri arasındaki α açısı 600 dır ve

eksenlerinden biri kübik hücrenin eksen uzunluğunun 1/ √ 2 katıdır. Her kübik hücrenin
kendisine ait dört örgü noktaları vardır ve birinci hücrenin hacmi, ikincinin dört katıdır.
Bununla beraber genel olarak arombohedral hücreden ziyade kübik hücreyi kullanmak
daha uygun olur. Çünkü bu hücre örgünün sahip olduğu kübik simetriği derhal gösterir.
Eğer primitif olmayan örgü hücreleri kullanılırsa, orijinden örgü içinde herhangi bir
noktaya giden vektör bu takdirde birim hücre vektörlerinden tam olmayan katları kadar
bileşenlere sahip olur. Bir hücre içindeki herhangi bir örgü noktasının mevki bu
noktanın koordinatları vasıtasıyla verilebilir. Eğer birim hücrenin orijinden verilen

45
noktaya giden bileşenleri vektörün bileşenleri x, y ve z birden küçük kesirler olmak
üzere ise bu takdirde noktanın koordinatları x, y, z olur.
Buna göre Şekil 2. 2 deki A noktası orijini olarak alındığında koordinatları 0 0
0 dır. B, C ve D noktalarının kübik eksenlere göre koordinatları da sırasıyla 0, ½,
½; ½, 0, ½ ve ½, ½, 0 ‘dır. E noktasının koordinatı da ½, ½, 1 ‘dir ve D
noktasından vektörü kadar mesafede bulunduğu için D‘nin eşdeğeri olan bir noktadır.
Şu noktayı belirtelim ki mesela cisim merkezine ait bir noktanın koordinatı, birim hücre
ister kübik, ister tetragonal veya ortorumbik olsun ve büyüklüğü ne olursa olsun daima
½, ½, ½ ‘dir.

Bir noktanın mevki koordinatına, mesela ½, ½, ½ ye orijindeki bir noktaya

tatbik edilen bir OPERATÖR GÖZÜ ile de bakabiliriz. Öyle ki bu operatör “tatbik”
edilince orijindeki nokta ½, ½, ½ mevkisine hareket eder veya ötelenir, son mevki
kolayca ½, ½, ½ operatörü ile 0 0 0 mevki koordinatının toplanması ile bulunur.
Bu manada 0 0 0, ½ ½ ½ mevkilerine “cisim merkezi ötelemeleri” denir. Çünkü
bunlar orijindeki bir noktaya tatbik edildiği vakit cisim merkezli hücreye ait iki nokta
mevkisini hasıl ederler. Benzer şekilde yüz merkezli hücreye ait 0 0 0, 0 ½ ½ ,
½ 0 ½, ½ ½ 0‘dan ibaret dört nokta mevkisine YÜZ MERKEZLİ ÖTELEMELERİ
denir.
a1 , a 2 , a 3 vektörleriyle tanımlanan paralelkenar prizmanın İLKEL HÜCRE
(Primitif hücre) olarak tanımlanabilmesi için aşağıdaki şartların yerine getirilmiş olması
gerekir. Bu hücre;
• Tüm uzayı tam anlamıyla doldurabilmeli,
• Minimum hacimli hücre olmalı,
• Sadece bir örgü noktası içermelidir.
Bu şartları yerine getiren hücrenin vektörlerine de İLKEL ÖTELEME
VEKTÖRLERİ denir. Bir başka ilkel hücre seçimine daha sahibiz ki bu hücreye
Wigner – Seitz ilkel hücresi denir.

46
WIGNER–SEITZ İLKEL HÜCRESİ : Bir ilkel hücre şu yöntemle de seçilebilir:
1. Verilen bir örgü noktasının en yakın komşularıyla birleştiren tüm doğru
parçalarını çizin,
2. Bu doğruların orta dikmeleri olan doğruları (veya üç boyutta düzlemleri) çizin.
Böylece oluşan en küçük alanlı (hacimli) bölge Wigner-Seitz ilkel hücresi olur.

Şekil 4. 3. Wigner – Seitz İlkel Hücresi

Şekil 4. 4. İki Boyutta Bir Uzay Örgüsünün Örgü Noktaları.

Buradaki her 2 vektör çifti örgünün öteleme vektörü olabilirler.

ııı ııı
Ancak 1 ve 2 örgü öteleme vektörü olamazlar. Çünkü bu ikisinin tüm katlarını
toplayarak bir = öteleme vektörü oluşturamayız.

47
 Mevcut herhangi bir kristali tanımlamanın en önemli yolu, kendisini değişmez
(invariant) bırakan simetri işlemleridir. Bu simetri işlemlerine NOKTA SİMETRİ
İŞLEMLERİ denir. Kristal yapıları, bu nokta simetri işlemleriyle tanımlayabiliriz.
Kristali tanımlamada sadece ilkel hücre seçimi değil, ilkel olmayan bir birim hücre
seçimi de gerekli olur. Kristali tanımlayacak olan nokta simetri işleminin Bravais örgü
simetrisine uygun olması şarttır. Bir başka deyişle, bir Bravais örgüsüne her nokta
simetri işlemi uygulanamaz, sadece Bravais örgüsünün simetrisine uygun olan nokta
simetri işlemleri ile kristal tanımlıdır. Bu açıdan bakıldığında, iki ve üç boyutta uzay
örgüsü (Bravais örgüsü) ilkel hücre olmak zorunda olmayan çözüm verici birim
hücrelerle boşluksuz doldurulabilir. İki boyuttaki uzay örgüsü (Bravais örgüsü) kaç
türlü olabilir? İki boyutta toplam Bravais örgüsü beştir: Eğik, dikdörtgen, merkezli
dikdörtgen, kare ve hektagonal örgü.

4.3. Kristallerde Simetri

Kristallerde “Simetri Merkezi”, “Simetri Ekseni” ve “Simetri Düzlemi” vardır.

Bunlara “Simetri Elemanları” adı verilir. Simetri düzlemleri; bir kristali birbirinin aynı,
iki yarıma böler. Bunların her biri, bir cisimle bunun aynadaki görüntüsü gibidir. Bu
düzlemin iki yanında, eşit uzaklıkta, birbirine benzer nokta, kenar, yüzey ve köşelere
rastlanır. Bunlar aşağıdaki şekillerde görülmektedir.
Simetri eksenleri; kristalin içinden geçtiği düşünülen imgesel eksenlerdir. Bir
kristal bu eksenler etrafında 3600 çevrilince birbirine benzeyen yüz, kenar ve köşeler 2,
3, 4 veya 6 kez tekrarlanır. Bu tekrarlama ne kadar ise kristal o kadar “DÖNÜMLÜ”
(örneğin 4 dönümlü, 6 dönümlü) ismini alır. Kristalografide 5 dönümlü yoktur.
3600, dönüm (n) e bölünürse “Dönme açısı” (α) bulunur. α = 360 / n.
Örnek : Tetragonal şekilli zirkon (C) eksenin etrafında çevrilecek olursa birbirine
benzeyen yüzler 4 kez tekrarlanır. Yani n = 4 ‘tür.
Buna göre dönme açısı = 360 / n = 900 - α bulunur.

48
 Şekil 4. 5. Kristallerde Simetri Düzlemi (A), Simetri Ekseni (B) Ve Simetri Merkezi (D).

SİMETRİ MERKEZİ, paralel yüzlü kristallerin içinde bulunan bir noktadır.

Buradan iki tarafa, eşit olarak uzatılan doğruların her biri kristalin aynı değerli
kısımlarına rastlar (Şekil 2: 5 c)
Tam yüzeyli (Holoedri) kristallerin simetri elemanları (simetri düzlemi, simetri
ekseni ve simetri merkezi) aşağıdaki Tablo 3. ‘de gösterilmiştir.
Tablo 3. Tam Yüzeyli Kristal Sistemlerinde
Simetri Düzlemi, Simetri Ekseni ve Simetri Merkezi Sayıları
Sistem Simetri Düzlemi Simetri Ekseni Simetri
Merkezi
Kübik 9 13(3 + 4 +6 〇) 1
Hekzagonal 7 7(1◯, 6 〇) 1
Romboedrik 3 4 (1, 3 〇) 1
Tetragonal 5 5(1 , 4 〇) 1
Ortorombik 3 3(3 〇) 1
Monoklinik 1 1 (1 〇) 1
Triklinik O O 1

Meriyedri (noksan yüzeyli) kristallerde ise bu adetler 1/2 ~ 1/3 arasında azalır.

49
 1. ÖTELEME SİMETRİSİ : Bu simetri işlemi örgü öteleme vektörü ile yapılır.
2. YANSIMA SİMETRİSİ : Bir düzleme göre yapılan simetri işlemlerine
YANSIMA SİMETRİSİ denir.
Yansıma işlemi, bir cismin bir düz aynadaki görüntüsünün oluşmasına benzerdir.
m harfi ile gösterilir. Bir kübik yapı için mümkün ayna simetri işlemlerinden ikisini
Şekil 4. 6. da görmekteyiz.

Şekil 4. 6. Bir Kübik Yapı İçin Ayna Düzlemleri

(a) Kübün Yüzeylerine Paralel Ayna Düzlemi (b) Kübün Köşegen Ayna Simetri Düzlemi.
4.4. Kristal Elemanları
Kristal Şekillerinde bulunan yüzey, kenar ve köşelere kristal elemanları denir.
1. YÜZEYLER : Üçgen, dörtgen (kare, dikdörtgen), paralel eşkenar dörtgen,
deltoid, paralel kenar, trapez (yamuk), beşgen, altıgen ve diğer poligonlardır).
2. KENARLAR : İki yüzeyin kesişmesinden oluşan doğrulardır. Kristalin alt ve
üst uçlarında (kutuplarında), birleşen kenara kutup kenarı, diğerlerine ise yerine
göre orta veya yan kenarlar denir.
3. KÖŞELER : Üç veya daha fazla kenarların birleşmesinden meydana gelir. Alt
ve üst uçtaki köşelere KUTUP denir.
Kristallerin bütün yüzey, kenar, köşeleri arasında bir ilişki mevcuttur. Bunu ilk
olarak Eular (1758) ortaya atmıştır. Bu ilişki şöyledir:
Yüzeyler + Köşeler = 2 + Kenarlar

50
 4.5. Kristal Geometrisi
Kristaller yöne bağlı özelliklerine göre simetrik ve asimetriktirler. Kristallerdeki
başlıca simetri unsurları şunlardır:

4.5.1. Dönme Ekseni (Simetri Ekseni)

Makroskobik olarak tanınan kristal özellikleri ve simetri durumu uzay

şebekesindeki birim hücre içinde mevcuttur. Bunlar 2, 3, 4, 6 dönümlü simetri
şeklinde olup, 5, 7, 8 dönümlü simetri şeklinde olmaz.
Bir kristal 3600 döndürüldüğünde aynı kristal unsuru, 1800 döndürüldüğünde iki
dönümlü simetri ekseni, 1200 de üç dönümlü simetri ekseni, 900 tekrarlanırsa 4
dönümlü simetri ekseni, 600 de bir tekrarlanırsa 6 dönümlü simetri ekseni var denir.

→ İki dönümlü 1800 de bir gelir.

→ İki dönümlü 1200 de bir gelir.
→ İki dönümlü 900 de bir gelir.

→ İki dönümlü 600 de bir gelir.

4.5.2. Ayna Düzlemi (Simetri Düzlemi)

Ayna düzlemi, kristal içerisinde öyle bir düzlemdir ki kristali iki çeşit parçaya
böler. Bu iki parçadan biri diğerinin aynadaki görünüşü gibidir. “M” rumuzu ile
gösterilir (Mirror – ayna). Bu düzlemin her iki tarafında kristal unsurları ve açılar aynı
değerdedir. O halde bu düzlem aynı zamanda simetri düzlemidir.
Simetri ekseninde olduğu gibi ayna düzlemi de çeşitli değerlerde olabilir. Bir kristal
aralıksız 9 tane ayna düzlem ihtiva edebilir. Açılar, 900, 600, 450 ve 300 ‘dir.

51
 4.5.3 Simetri Merkezi

Kristal içerisinde alınan öyle bir noktadır ki, bu noktadan her iki tarafa uzatılan
doğruların, rastladığı unsurlar morfolojik ve fizyolojik olarak aynıdır. Aynı değerde
değillerse simetri merkezi değildir.[i] rumuzu ile gösterilir. (inversion → Ters dönme).

Şekil 4. 7. Kristallerde Görülen Değişik Sayılı Dönme Eksenleri

52
 4.6. Doğada Rastlanan Kristaller
• Kübik
• Hekzagonal
• Romboedrik
• Tetragonal
• Ortorombik
• Monoklinik
• Triklinik
Sistemlerinden birinde kristallenirler. Bazı bilginler romboedrik sistemi hekzagonal’ın
bir yarım şekli olarak düşünürler ve bir arada incelerler.

4.6.1. Kübik Sistem

Bu sistemin birbirine eşit üç kristal sistemi vardır. (a1 = a2 = a3) Eksenler

arasındaki açı 900 dır. Simetri düzlemi 9 tanedir.
Kristaller ya basit 6 yüzlü küp şeklinde (Kaya tuzu, Flarit, Galen gibi) yada 8, 12,
24, 48 yüzlü birleşik Şekillerde, küpten ayrı görünüştedirler ( Manyetit, Grena, Lösit,
Pirit). (Şekil 2. 1 ve Şekil 2. 2 ‘deki gibi)

Şekil 4. 8. Kübik Sistemin Karakteristik Bazı Şekilleri.

(a)Oktaedr, (b) Rombuslu Dodokaedr, (c) Deltoidikozi Tetraedr

53
 Şekil 2. 9. Piritin Doğada En Çok Rastlanan Kristal Şekilleri.

Yüzleri Çizikli Ve Birbirine Dik Olan Küp

(a), 12 Yüzlü Pentegon Piritoedr (b), Kübün Bileşik Şekilleri (c, dD, eE) Ve Girik İkizi.

Şekil 4. 10. Kübik Sistem. Kristal eksenleri (a), Simetrik Eksenler (b) ve (c)

54
 Şekil 4. 11. Kübik Sistemde Simetri Eksenleri
Aşağıdaki şekillerde 7 sistemin temel şekilleri görülmektedir. Eksenler bu
temel şekillerin içinde birleşirler ve bu temel şekillerden “Bileşik Şekillere” (Şekil 2. 5)
de görüldüğü gibi geçilir. Bu şekilde, bileşik şekil anlamı kolayca anlaşılır ve diğer
sistemlerdeki kristallerin bileşik şekillerinin oluş mekanizması çıkartılabilir.

Şekil 4. 12. Kübik Temel Şekilden Bileşik Şekillerin Meydana Gelişi. (a) Küp; (b)
Küp ve Oktaedr Yüzleri; (c) Oktaedr Yüzlerin Büyümesi ve Sonra Oktaedrin Oluşu
(Şekil 2. 1’e bak).

55
 ∝ = β = γ = 900
a = b = c
=γ
=α
=β

Şekil 2. 13. Kübik Sistem

4.6.2. Hekzagonal Sistem

a1 = a2 = a3 ≠ c
1. = β = 900
γ = 1200

Şekil 4. 14. Hekzagonal Sistem

4 kristal ekseni vardır. Üç tanesi birbirine eşit (a1, a2, a3) ve yatay aralarındaki
açı 600 dır. Dördüncü eksen diğerlerine dik ve farklı büyüklüktedir. 7 simetri düzlemi
vardır. Bu sistemdeki mineraller prizma veya piramit şeklinde olurlar. 3, 6, 12 yüzlü
veya bileşik şekiller halinde bulunurlar. Kuvars Turmalin, Apatit, Beril bu sistemde
kristallenir.

56
Şekil 4. 15. a) Hekzagonal Sistemde Kristal Eksenleri

Şekil 4. 16. b) Hekzagonal Sistemde Simetri Eksenleri

c) Hekzagonal Sist. Simetri Düzlemleri

Şekil 4. 17. Trigonal (Romboedrik) Sistem

57
 4.6.3. Trigonal Sistem

4 kristal ekseni vardır. Üçü birbirine eşit ve yatay (a1 = a2 = a3) dür; yatay
eksenlerin aralarındaki açılar 600 dır. 4. eksen diğerlerine dik ve farklıdır (c). Kristalde
6 tane eşkenar yüz vardır (Şekil 2.5). ve kristale (C) ekseni boyunca bastırılarak
oluşturulmuş bir küp gözüyle bakılabilir. Bu sisteme en tipik örnek kalsit kristalleridir.
Bu sistemin hekzagonalden farkı simetri elemanlarının ondan az oluşudur. Romboedrin
2 tane simetri düzlemi ve 4 tane simetri ekseni vardır.

Şekil 2. 18. Romboedrik Sistem. (a) Romboedrik Sistemin Kristal Eksenleri

(b) Simetri Eksenleri (c) Simetri Düzlemleri
4.6.4. Tetragonal Sistem

a = b ≠ c
∝ = β = γ = 900

Şekil 4. 19. Tetragonal Sistem

58
 İkisi eşit ve yatay, biri dik ve farklı 3 tane kristal ekseni vardır. (a1 = a2 ≠ c) dır.
Eksenler arasındaki açı 900 dır. Simetri düzlemi ve simetri ekseni 5 ‘er tanedir.
Kristalleri prizma, piramit veya bileşik Şekil 2. halinde bulunur. En güzel örnek: Zirkon,
idokros, kasıterittir).

Şekil 2. 20. Tetragonal Sistem.

(a) Tetragonal Sistemde Kristal Eksenleri (b) Simetri Eksenleri (c) Simetri Düzlemleri

4.6.5. Ortorombik Sistem

Birbirinden farklı büyüklükte üç kristal ekseni vardır . (a ≠ b ≠ c) üçü de

birbirine diktir. Simetri ekseni ve simetri düzlemi 3’er tanedir. Simetri elemanları
aşağıdaki şekilde gösterilmiştir. Prizma ve piramit şeklinde bulunur. Örnek: Olivin,
Baritin, Topuz.

Şekil 2. 21. Ortorombik Sistem.

(a) Ortorombik Sistemin Kristal Eksenleri (b) Simetri Eksenleri (c) Simetri Düzlemleri

59
 4.6.6. Monoklinik Sistem

Birbirinden farklı 3 kristal ekseni vardır (a ≠ b ≠ c). (b) ile (c) ve (a) ile (b)
arasındaki açı aynı α = λ = 900 dır. (a) ekseni ile (c) ekseni arasındaki (β) açısı 900
den farklıdır. (β ≠ 900 ); yani (a) ekseni eğiktir. Simetri ekseni ve düzlemleri birer
tanedir (mono: bir, klinas: eğik demektir).
Örnek : Ortokloz, Hornblend, Piroksen, Jips.

Şekil 2. 22. Monoklinik Sistem. (a) Monoklinik Sistemin Kristal Eksenleri (b)
Simetri Ekseni (c) Simetri Düzlemi

Şekil 4. 23. Monoklinal Sistem

4.7. Parametre (Rasyonellik) Kanunu

Yüzeyin uzay içerisindeki yeri, üç nokta yahut bir nokta bir doğru veya belirli
bir yüzeyle sabitleştirilmiştir. Bu matematik sabitleştirmenin bir koordinat sistemine
ihtiyacı vardır. Meselâ; α-kükürdü alalım. Kristal yüzeylerinin birbirleri ile

60
mukayesesini yapabilmek için kristal uygun bir biçimde yönlendirilir. Yani kristal
içerisine üç eksenli koordinat sistemini monte edebiliriz.
İlk olarak C. Samuel Weiss (1809) tarafından eksenlerin uzunluk ilişkileri
(a:b:c oranı) ve bu eksenlerin meydana getirdiği α,β,γ açıları için “KRİSTAL DEVİMİ”
ortaya konulmuştur.

Eksenlerin koordinat sisteminde yazımını aşağıdaki gibi gösterebiliriz.

a ............ ekseni öne doğru
b ............ ekseni sağa doğru
c ............. ekseni yukarı
dik gelecek bir biçimde koordinat sistemi meydana getirilir.

Şekil 4. 24. Bir Kristalde Görülen Eksen Açı İlişkileri

Bu eksen ilişkileri ile kristalin yüzeyleri arasındaki bağlantıyı açıklayabilmek

için, kristal eksenlerine monte edilir.

Kristal yüzeyleri, bu eksenleri doğrudan doğruya keser. Kesmez ise yüzeyler

ekseni kesinceye kadar uzatılır. Yani büyütülür. Böyle düşünülerek yapıldığında
eksenler orijin noktasından itibaren belirli uzaklıkta kesildiği görülür. İşte bu
uzunluklara PARAMETRE adı verilir.

61
 Kristalde bulunan bir yüzeyin, kristal eksenleri ile münasebetini bulmak için
parametrelerin MUTLAK değerlerinin bilinmesine lüzum yoktur. Önemli olan yüzeyin
yönü ve koordinat eksenindeki parametrelerin oranıdır. Buna PARAMETRE ORAN adı
verilir.

Şekil 2. 25. Koordinat Eksenleri Üzerinde Belirtilmiş Parametreler.

Burada a ekseni A, b ekseni B, c ekseni C’de keser.

OA = a
OB = b
OC = c parametresini verir.
Demek oluyor ki, ABC yüzeyi a : b : c parametrelerinin orantısı ile
belirlenir.
Bir yüzeyin parametreleri belli sayılarla çarpılıp veya bölünmesi ile değerlerinde
bir değişiklik olmayıp yüzeyin yeri paralel olarak değişir. Yani ya büyür yada küçülür.
ABC yüzeyinin parametre oranı a : b : c (m = 1) buna paralel olan A, B, C
yüzeyinin parametre oların ma : mb : c (m>1) dır. Yani A, B, C yüzeyi
büyümüştür. A2 B2 C2 yüzeyi (m<1) ABC yüzeyine göre daha küçülmüştür. ABC
yüzeyine paralel olmayan yüzeyin parametre oranı ma : nb : pc şeklindedir. Böylece
A2 B2 C2 yüzeyleri eksenleri farklı mesafelerde (H, K, L) kesmiştir. ABC yüzeyi
birim yüzeydir. Kristaldeki bütün yüzeylerin parametreleri kristaldeki birim yüzeye
bağlıdır ve rasyonel sayılarla gösterilir.

Farklı parametre oranları ile oluşan yüzeyler eksenleri farklı

mesafelerde keserler.

62
 Bir birim yüzeyin parametre oranı a : b : c şeklinde olursa, başka bir yüzeyin
parametre oranı ma : nb ; pc şeklinde olur. Burada n, n, p sayıları rasyonel
katsayılardır. Birim yüzeyin katsayılarının her biri bire eşittir. Başka yüzeylerin
katsayıları 1/2, 1/3, ¼ veya 2, 3, 4 ....... n gibi olurlar. Buna PAREMETRE
KANUNU denilir.
Yüzeyler Weiss’a ve Miller’e göre sembollenirler. Weiss’e göre, bir yüzeyin
sembolü, o yüzeyin parametrelerinin, birim yüzeyin parametrelerinin tam sayılı
herhangi bir katı olarak verilmesi ile elde edilmiş olur. Bu sembol genel olarak
ma : nb : pc ‘dir. M, n, p rumuzları mümkün olan bütün basit ve ∞ da dahi olmak
üzere tam sayılardır. Weiss’in rumuzu ile kristal yüzeyi en basit ve en kolay bir şekilde
anlaşılır.
Miller rumuzunda ise verilen yazma tarzı, hesaplamada kolaylığı sağlayan bir
tarz olması nedeniyle en çok kullanılır. MİLLER İNDİSİ Weiss sembolünün
katsayılarından, bunların ters değerlerini almak ve neticeyi tam sayılar yapmak suretiyle
elde edilir. bu işaretlemede a : b : c parametreleri yerine (hkl) yazılır. Burada
1 1 1
h= ,k= ,l=
m n p

semboldeki sıraya göre en küçük ortak katsayı olan n, n, p ile çarpılarak tam sayılar
yapılırsa, hkl karşılık olan np : mp : mn olarak elde edilir. Mesela; Weiss’e göre
2a : 3b : 4c sembolü, Miller’e çevirirsek katsayılar 1/2, 1/3, 1/4 olur. En küçük
ortak katsayı 12 olduğundan,
12 12 12
, =6,4,3 bulunur. (643) elde edilmiş olur.
2 3, 4

Bu sonucu Weiss’e çevirmek için ters işlem yapılır. (643) değerlerinin tersi alınır.

1 1 1
, , elde edilir. Tam sayılara çevrilirse 2, 3, 4 elde edilir.
6 4 3

Bu sayıları yerine koyarsak 2a : 3b : 4c elde edilir. burada her katsayıya ve

her indise doğrultu işareti verilmek suretiyle eksenler koordinatının muhtelif oktanlarda
yüzeylerin durumu ortaya çıkar.
Bu işaretler Miller’de rakamlar üzerine konulur. Artı işaretleri koymak
gerekmez. Weiss’te ise işaretler rakamların soluna konulur. Mesela; -2a: 3b : -4c gibi.
63
Miller indisi dünya kristalografik eserlerinde kullanılmakta olup, diğerleri terk
edilmiştir.

4.8. Kristalografik Doğrultular ve Düzlemler

Kristal bilgileriyle ilgili bilgilendirmelerde, atomların bazı özel kristalografik

düzlem ve doğrultularını kullanmayı tercih ederiz.
Bir örgü içindeki herhangi bir doğrunun doğrultusu önce orijinden verilen
doğruya bir paralel çizip ve sonra orijinden çizilen doğru üzerindeki herhangi bir
noktanın koordinatlarını vererek belirtilebilir. Doğru birim hücrenin orijininden ve
koordinatları uvw olan noktadan geçsin; u v w nin tam sayılar olması şart değildir
(Bu doğru 2u 2 v 2w, 3u 3v 3w vs. noktalarından geçecektir). Köşeli parantez
içinde yazılmıştır [u v w] doğrunun doğrultusunun indisleridir. Bunlar aynı zamanda bu
doğruya paralel herhangi bir doğrunun da indisleridir. Çünkü örgü sonsuzdur ve orijin
herhangi bir noktada alınabilir. u v w ‘nin değerleri ne olursa olsun hepsini birden
bölmek veya çarpmak suretiyle en küçük ve tam sayılara dönüştürülür: Bu sebeple

[ ][
1 1
2 2
1 , 112 ] ve [ 224 ] indislerinin hepsi aynı doğrultuyu temsil etmekle beraber [1 1 2)

tercih edilen şekildir. Negatif indisler sayının üstüne bir çizgi konularak yazılır. Mesela
[ŭ v w] gibi. Doğrultu indisleri Şekil 2. 26 ‘da gösterilmiştir.
Birbirini simetri ile bağlı doğrultulara bir formun doğrultuları denir ve bunların bir
takımı indislerden birini açılı parantez içine almak suretiyle gösterilir. Mesela [1 1
1], [1 ī 1] ve [ ī 1 1] den ibaret dört cisim köşegeninin hepsi <1 1 1> sembolü ile
gösterilir.

64
 Şekil 2. 26.. Doğrultu İndisleri
Parametre (rasyonellik) kanununda da anlatıldığı üzere, örgü içindeki durumlar
İngiliz kristalografi Miller tarafından kullanılmış olan sisteme göre sembolik olarak
gösterilebilir.
Bir örgü içindeki DÜZLEMİN yönlenmesinin tarifi için MİLLER indisleri
kullanılmaktadır. “Miller İndisleri, düzlemin eksenleri kestiği noktaların orijine olan
kesirsel mesafelerinin tersidir.”
Mesela; bir düzlemin Miller indisi (hkl) ise, ki daima parantez içinde yazılır, düzlem

1 1 1
eksenleri h , k , l kesirsel mesafelerde keser ve eksen uzunlukları a, b, c ise

a b c
düzlem eksenleri hakikatte Şekil 2. 27 ‘de görüldüğü gibi h , k , l mesafelerinde

keser. Herhangi bir örgü içindeki herhangi bir düzleme paralel ve eşit mesafeli bir
düzlemler takımı vardır ve bunlardan biri orijinden geçer. (hkl) Miller indisleri, takım
içinde orijine en yakın olanı belirtir, fakat takım içinde diğer bir düzlemi veya takımın
hepsini birden temsil ettiği de söylenebilir. Şekil 2. 27 (b) de gösterilmiş olan düzlemin
Miller indislerini aşağıdaki Şekil 2.de tayin edebiliriz.
Eksen uzunlukları ....................... 4A 8A 3A
Kesen uzunlukları ....................... 2A 6A 3A
1 3
Kesirsel kesen uzunlukları ............... 2 4 1

4
Miller İndisleri 2 3 1

65
 6 4 3

a b c

Şekil 4. 27. Miller İndisleriyle Düzlem Gösterilişi

Miller indisleri yukarıda görüldüğü gibi daima kesirden kurtarılır. Bir düzlem bir
eksene paralel ise bu eksen üzerindeki kesirsel kesen uzunluğu sonsuz ve mütekabil
Miller indisi de sıfır alınır. Eğer bir düzlem bir ekseni negatif tarafta keserse bu eksene
tekabül eden indis negatiftir ve indisin üzerine bir çizgi konularak yazılır. İndisleri biri
diğerinin negatifi olan düzlemler, mesela (2TO) ve (2TO) birbirine paraleldir ve
orijine nazaran zıt taraflarda bulunurlar (nh nk nl) düzlemleri (hkl) düzlemlerine
paraleldirler ve mesafeleri sonuncuların 1/n ‘dir.
Aynı düzlem iki farklı takıma ait olabilir ve birinin Miller indisleri öbürünün
katlarıdır; mesela aynı düzlem (210) takımına ve (420) takımına aittir ve hakikatte (210)
takımının düzlemleri (420) takımındaki düzlemlerin her iki tanesinden biridir.

66
 Şekil 4. 28. Örgü Düzlemlerinin Miller İndisleri

4.9. İdeal Olmayan Kristal Yapılar

Klasik kristalografinin ideal kristal tanımlaması, özdeş birimlerin uzayda düzgün

bir şekilde tekrarı olarak verilir. Ancak, sonlu sıcaklıklarda bu idealin tam anlamıyla
doğru olmadığı bir gerçektir. Bunun yanı sıra, mutlak sıfır sıcaklıkta özdeş atomların
minimum enerjili yerleşme durumlarında yapının bu ideal kristal yapıya sahip olması
gerektiği yönünde de elimizde bir delil yoktur. Acaba yapının denge konumuna
ulaşabilmesi için makul bir zaman mı vermek gerekir? Bu her zaman yeterli olmaz.
Netice olarak, doğada bulunan pek çok kristal yapının tam periyodik olmadığını
biliyoruz. fcc (ABCABCABC...) ve hcp (ABABAB......) yapıların paketlenmesinden
farklılaşmayla karşımıza iki boyutta halen kristal olarak görebileceğimiz, ancak üç
boyutta cam yapı olarak bakabileceğimiz rastgele sıralama yapısı ortaya çıkar.
Çok tipli yapı bu rastgele sıralamanın uzun seriler halinde tekrarlanması ile oluşur.
Çinko sülfit (ZnS) gibi bazı kristal yapıların 360 tabaka içerenlerine doğada rast
gelebiliriz. Silisyum karbür (SiC), 45 den fazla tabakanın yığılımıyla oluşur. Örneğin
393 R dıyla bilinen SiC için örgü sabitleri için deneysel ölçüm değerleri a = 3,079A0
ve c = 989,6A0 dır. SiC için gözlenmiş olan en büyük ilkel hücre 594 tabakanın
tekrarıyla oluşur. Buna benzer olarak, şekil hatırlama olayı sergileyen CuZnAl

67
alaşımlarda 9R veya 18R ile gösterilen mortensit yapıya ait hücre, sırasıyla, 9 ve 18
tabakanın yığılımıyla meydana gelir. Bu tür uzun erimli bir kristal düzenini sağlayan
mekanizma, örgü dislokasyonuyla açıklanmaktadır.

4.10. Kristal Yapı

Şimdiye kadar matematik (geometrik) kristalografik alanından konuları tetkik

ettik ve hakiki kristaller ve onları teşkil eden atomlara dair hemen hiçbir şey
söylemedik. Hakikatte, yukarıda söylenilenlerin hepsi X ışınlarının keşfinden çok
önce, yani kristaller içindeki atomların düzenlemesine ait açık herhangi bir bilgi
olmadan çok önce tamamen biliniyordu.
Bazı hakiki kristallerin hakiki strüktürünü tasvir etmek ve bu strüktür ile
yukarıda münakaşasını yaptığımız nokta örgüler, kristal sistemleri ve simetri elemanları
arasındaki bağıntıyı kurmanın şimdi zamanıdır.
Kristal Yapısının Esas Prensibi, bir kristalin atomlarının uzayda ya bir Bravais
örgüsünün noktalarında yada bu noktalara nazaran sabit mevkilerde yerleşmiş
bulunmasıdır (1).
(1) nolu açıklamadan bir kristalin atomlarının üç boyutlu uzayda periyodik olarak
düzenleneceği ve atomların bu düzenin Bravais örgüsünün pek çok özelliklerini,
bilhassa onun pek çok simetri özelliğini göstereceği neticesi çıkar.

Şekil 4. 29. Çok Rastlanan Bazı Metallerin Strüktürleri.

Cisim merkezli kübik : α – Fe, Cr, Mo, V vs.;Yüz merkezli kübik : γ – Fe, Cu – Pb, Ni vs.

68
 Tasarlanabilecek en basit kristaller bir Bravais örgüsünün noktaları üzerine aynı
cinsten atomları koyarak teşkil edilebilir. Bütün kristaller böyle değildir fakat
metalurjistleri sevindirecek bir husus pek çok metalin bu tarzda kristalleştiğidir ve Şekil
2. 29 biri cisim merkezli (BCC) ve diğeri yüz merkezli kübik (FCC) olmak üzere iki
maruf strüktürü gösteriyor. Birincinin birim hücresinde iki, sonuncunun birim
hücresinde dört atom vardır ve böyle olduğunun birim hücredeki örgü noktalarının
değil atomların sayısını almak suretiyle ve
Nf Nc
N = Ni + + bunu Şekil 2. 28 hücrelere tatbik ederek bulabiliriz.
2 8

N : Örgü noktası sayısı,

Ni : İçteki örgü noktası sayısı
Nf : Yüzeydeki örgü noktası sayısı
Nc : Yüzeydeki örgü noktası sayısı.
Daha kompleks bir durum ile her Bravais örgü noktasına, pek çok metalin yapısı
olan hekzagonal sıkı paket edilmiş (HCP) strüktürdeki gibi aynı cins bir veya daha fazla
atom “konulduğu” vakit karşılaşılır. Bu strüktür basit hekzagonaldir ve Şekil 2. 30 da

21 1
gösterilmiştir. Şekil 2. 30 (a) da gösterildiği gibi bir 000 da ve diğeri 3 3 2 de

121
(yahut 3 3 2 deki ekivalan bir mevkidir) olmak üzere birim hücrede iki atom vardır.

Şekil 4. 29 (b) de aynı strüktürü gösteriyor. Yalnız birim hücrenin orijini o şekilde

211
kaydırılmıştır ki yeni hücrede 100 noktası (a) daki 100 deki ve 3 3 2 deki atomların

ortasındadır. (a) daki dokuz atoma (b) de X ile işaretlenmiş dokuz atom tekabül
etmektedir. Şekil 2. 30 (c) HCP strüktür daha başka bir temsilini gösteriyor.
Hekzagonal prizmanın içindeki üç atom tabandaki üçgenlerin tam merkezlerinin
üzerindedir ve uzayda 2 vektörleri vasıtasıyla tekrarlanırsa altta ve üstteki atom
tabakaları gibi hekzagonal bir dizi meydana gelir.

69
 HCP strüktür denilmesinin sebebi şudur :
Küreleri uzayda mümkün olan en büyük yoğunlukla paket edip aynı zamanda
periyodik düzene sahip olmak için iki yol mevcuttur ve bu, bunlardan biridir. Birbirine
teğet olan kürelerin böyle bir düzenlemesi Şekil 2. 29 (d) de gösterilmiştir. Eğer bu
küreleri atomlar olarak düşünürsek bir HCP metalin bu tasviri Şekil 2. 30 (c) deki
çizimin ima ettiği kısmen açık strüktürden daha çok fiziksel hakikate yakındır ve bu
genel olarak bütün kristaller için doğrudur.
Teğet kürelerden meydana gelmiş HCP strüktürde C’nin a ’ya oranının 1,633
olduğu gösterilebilir. Halbuki bu strüktüre sahip metallerin c/a oranları takriben
1,58’den (Be), 1,89 ‘a kadar (Cd) değişir. Bu kristallerdeki atomların temasta
olmadıklarını kabul etmek için bir sebep mevcut olmadığına göre bu atomların küresel
olmaktan ziyade ELİPSOİDAL olmaları gerektiği neticesine varılır.

Şekil 2. 30. HCP yapı. Zn, Mg, Be, α – Ti, ... Hekzagonal Sıkı Paket Yapıya Sahiptir
FCC strüktürde aynı şekilde sıkı paket edilmiş bir düzenlenmedir. Bu strüktür
HCP strüktür ile olan bağıntısı ilk bakışta aşikar değildir. Fakat Şekil 2. 32 bir FCC
strüktürün (111) düzlemlerinin atomlarının tıpkı HCP strüktürün (0002) düzlemlerinin
atomları gibi hekzagonal bir örneğe göre düzenlenmiş olduğunu gösteriyor. Bu iki
strüktür arasındaki yegane fark atomlarının hekzagonal tabakalarda biri diğerinin
üzerinde olarak düzenlenmiş olmasıdır.

70
 Bir HCP metalde ikinci tabaka üzerindeki atomlar birinci tabakadaki boşlukların
üzerindedir ve üçüncü tabakadakiler birinci tabakadaki atomların üzerindedirler ve
tabakaların üst üste konması ABABAB şeklinde özetlenebilir.

Bir FCC metalde ilk iki tabaka aynı şekilde konmuştur, fakat üçüncü tabakanın
atomları ikinci tabakanın boşlukları üzerindedir ve dördüncü tabakaya gelmeden bir
mevkisi tekrarlanmaz.
FCC paket edilme ABCABC şeklinde sıraya göre olur. Bu paketleme şemaları
Şekil 4. 32 deki düzlem şekilde gösterilmiştir.

Şekil 4. 31. Hekzagonal Sıkı Paket Edilmiş Yapı (HCP)

71
 Şekil 4. 32. Yüz Merkezli Kübik

Bir Bravais örgüsünün noktalarından her birine birden fazla atom “konulmasının” diğer
bir misaline uranyumda rastlanır. Oda sıcaklığında kararlı olan α-uranyumunun
formunun strüktürü düzlem ve yükseklikli çizim vasıtasıyla Şekil 2. 33 de gösterilmiştir.

Şekil 4. 33. α – Uranyumunun Yapısı

Böyle çizimlerde bir atomun şekil düzlemine nazaran (ki bu düzlem birim hücrenin
orijinini ve iki hücre eksenini ihtiva eder) yüksekliği (eksen uzunluğunun kesri olarak
ihtiva edilmiş) her atom üzerine yazılmış sayılara verilir. Bravais örgüsü taban merkezli
ortorombiktir, yani C yüzünün merkezinde atom vardır ve Şekil 2.31 atomlarının
strüktür içinde nasıl çift olarak bulunduğunu gösteriyor ve her çift bir örgü noktasına

72
 1 3 1 1 1
yerleşmiştir. Birim hücrede, her biri O y 4 , Oỳ 4 , 2 ( 2 + y) 4 ve

1 1 3
( −y ) mevkilerinde bulunan dört atom vardır. Burada atomik koordinatlarda
2 2 4

değişken bir y parametresi ile karşılaşıyoruz. Kristaller ekseriye böyle değişken

parametre ihtiva ederler ve bu, strüktürün simetri elemanlarından hiçbirini bozmadan
herhangi bir kesirsel değere sahip olabilir. Tamamen farklı bir cisim, a, b, c v y
parametrelerinin değerlerindeki küçük farklar müstesna, uranyum ile aynı strüktüre
sahip olabilir.
Aynı cinsten olmayan bileşiklerin kristal strüktürüne geçelim. Strüktürün bir
Bravais örgüsü üzerine kurulduğunu fakat farklı atomların mevcut olması sebebiyle,
bazı başka kaidelerin gerçeklenmesi gerektiğini görüyoruz. Mesela Ax By gibi bir
kristal göz önüne alalım. Bu alelade bir kimyasal bileşik, yahut bir alaşım sisteminde
nispeten sabit terkipli bir ana faz, yada sıralanmış solid bir karışım olabilir.
O halde Ax By deki atomların düzenlenmesi aşağıdaki şartları gerçeklemelidir:
1. Eğer cisim, yüz, veya taban-merkez ötelemeleri mevcut ise, aynı cins atomlardan
başlamalı ve aynı cins atomlarda bitmelidir. Mesela strüktür cisim-merkezli bir
Bravais örgüsüne dayanıyorsa, bu takdirde mesela bir A atomundan bir diğer A

1 1 1
atomuna 2 2 2 ötelemesi ile gidilebilmelidir.

2. Kristal içindeki A atomları takımı ve B atomları takımı kristalin bütününe ait

simetriye ayrı ayrı sahip olmalıdırlar. Çünkü hakikatte kristali bunlar teşkil
etmektedirler. Özel olarak mevcut simetri elemanlarından biri verilen bir atomu,
mesela A ‘yı, aynı cinsten bir diğer atomla yani A ile çakıştırmalıdır.
(1) ve (2) ifadelerindeki gerekçelerin ışığı altında bazı çok rastlanan kristallerin
strüktürlerini göz önüne alalım. Şekil 2. 32 iki iyonik bileşiğin Cs Cl ve Na Cl birim
hücrelerini göstermektedir. Her ikisi de kübik olan bu strüktürlere diğer pek çok
kristallerde de rastlanır ve daima “Cs Cl strüktürü” ve “Na Cl strüktürü” denir.

73
 Bir kristal yapısını tetkik ederken en önemli iş onun Bravais örgüsünü tayin
etmektir. Çünkü bu, kristalin inşa edildiği çatıdır ve kristalin verdiği X ışını deseni
üzerinde esaslı bir tesiri vardır.
Öyleyse CsCl ‘in Bravais örgüsü nedir? Şekil 2. 32 (a) birim hücrenin iki atom,
hakikatle iyon ihtiva ettiğini gösteriyor. Çünkü bu bileşik katı halde bulunsa bile

1 1 1
tamamen iyonizedir. OOO da bir seziyum iyonu ve 2 2 2 de bir CL iyonu

vardır. Bravais örgüsü açıkça görüldüğü gibi yüz merkezli değildir. Fakat cisim merkezi

1 1 1
ötelemesi olan 2 2 2 nin iki atomu birbirine bağladığını görüyoruz. Fakat bunlar

AYNI CİNS ATOMLAR olmadığından örgü – cisim merkezli bir örgü değildir. Geriye

1 1
BASİT KÜBİK olmak kalır. Eğer istenirse OOO ‘daki seziyum iyonunun ve 2 2

1
2 deki klor iyonunun her ikisinin birden OOO daki örgü noktasına ait olduğu

düşünülebilir. Bunun için bir seziyum iyonunun özel bir Cl iyonuna ait olduğu
söylemeye imkan yoktur ve bir Cs Cl molekülünden bahsedilemez; böyle bir kristalde
“molekül” teriminin hakiki bir fiziki manası yoktur ve aynı şey inorganik bileşikler ve
alaşımların çoğu için doğrudur.

Şekil 4. 34. CsCl – NaCl Birim Hücreleri

(a) CsCl Strüktürü (CsBr, sıralanmış β pirinç, sıralanmış CuPd vs. de rastlanır).
(b) NaCl Strüktürü (KCl, CaSe, PbTe vs. de rastlanır).

74
Şekil 4. 34 yakından incelenirse NaCl on birim hücresinin aşağıdaki mevkilere
yerleşmiş 8 iyon ihtiva ettiği görülür:
1 1 1 1 1 1
4 Nu+ 000, 2 2 0, 2 0 2 ve 0 2 2 de

1 1 1 1 1 1
4 Cl- 2 2 2 , 0 0 2 , 0 2 0 ve 2 0 0 da açıkça görüldüğü gibi

1 1 1 1 1 1
sodyum iyonlar yüz merkezlidir ve (000, 2 2 0, 2 0 2 ve 0 2 2 ) yüz

1 1 1
merkez ötelemeleri 2 2 2 klor iyonuna tatbik edilince bütün klor iyon mevkileri

elde edilir. bu itibarla NaCl örgüsü YÜZ MERKEZLİ kübiktir. Şunu da söyleyelim ki
iyonların mevkileri kısaca
4 Na+ 000 + yüz merkezi ötelemeleri
1 1 1
4 Cl- 2 2 2 + yüz merkezi ötelemeleri şeklinde yazılabilir.

Burada şunu da belirtelim ki bütün diğer strüktürlerde olduğu gibi örgünün sahip olduğu
herhangi bir simetri elemanının tatbiki benzer atom yada iyonları birbirleriyle
çakıştırmalıdır. Mesela Şekil 2. 32 (b) de 4 – katlı [010] rotasyon ekseni etrafındaki

1 1
900 lik rotasyon 0 1 2 deki klor iyonunu 2 1 1 deki klor iyonu ile çakıştırır, 0 1 1

deki sodyum iyonunu 1 1 1 deki sodyum iyonu ile çakıştırır vs.

4.11. Tertip Numarası (Coordination Number)

Kristallerin çoğu, birçok atomların tertiplenmesiyle oluştuğundan, çok atomlu
grupları düşünmek lazımdır. Dolayısıyla kristal yapı içindeki atomların bağlarını
incelerken tertip numarasından bahsedilir. Tertip numarası, TN, bir atoma en yakın ve
aynı uzaklıkta olan atomların sayısıdır. Örneğin aşağıdaki şekilde karbonun tertip
numarası 4 tür. Buna karşılık hidrojenin yalnız bir yakın komşusu vardır ve tertip
numarası birdir.

75
 Şekil 4. 35. Metun (CH4) Modelleri
(A) İki Eksenli Gösterme (B) Üç Eksenli Sert Küre Modeli
Bir atomun tertip numarasını iki etken kontrol eder. Birincisi valanstır. Özellikle, bir
atomun çevresindeki valans bağları sayısı valans elektronlarına bağlıdır. Buna göre
periyodik tablonun VIIA grubundaki halojenler yalnız bir bağ yaparlar ve tertip
numaraları birdir. Grup VI daki oksijen ailesi bir molekülde iki bağla bağlıdırlar ve
normal olarak en yüksek tertip numaraları ikidir (Tabii olarak, oksijen çift bağı ile
yalnız bir tek atoma bağlanabilir). Azot elementlerinin maksimum tertip numaraları
üçtür, çünkü grup V ‘dedir. Nihayet IV. Gruptaki karbon ve silisyumun diğer atomlarla
dört bağı vardır ve maksimum tertip bağları dörttür.
Koordinasyon numarasını etkileyen ikinci faktör, atomların dizilmesidir. Atom
veya iyonlar birbirine yaklaştıkça (denge mesafesine gelinceye kadar) enerji
verdiklerinden, atomlar yakın olarak dizildikçe ve ortalama atomlar arası mesafe
azaldıkça, kristal daha kararlı olur. Yarı çapı 0,78 A0 olan magnezyum iyonunu alalım.
Mg11 her bir katyon çevresine (Şekil 1.2.a.) yarı çapı 1,32 A0 olan oksijen iyonlarından,
O2-, altı taneye kadar yerleştirmek kabil olurdu. Bu halde çap oranı 0,78 / 1,32 veya
0,59 ‘dur. Si++++ ve O2- için çap oranı daha küçüktür. 0,39/1,32 veya 0,3(Tablo : K).
Böylece siliste (SiO2) oksijen iyonları arasında silisyum iyonunun koordinasyon
numarası dörtten fazla olamaz. Olsa idi negatif oksijen iyonları birbirini iter ve silisyum
– oksijen mesafesi denge hali olan 1,71 A0 ‘dan fazla olurdu.

76
a b
Şekil 4. 36. Koordinasyon Numarası
(a) Her magnezyum iyonunu (Mg+2) en çok altı oksijen (O2-) iyonu sarabilir. Oksijen
iyonları (O2-) içinde Si4+ ‘un koordinasyon numarası yalnız dörttür. Çünkü iyon
boyutu oranı 0,414 den küçüktür (Tablo : K).
Atomların hepsi aynı boyda olan saf bir metalde koordinasyon numarası en çok
12 olabilir.

Tablo K. Bazı Atom ve İyon Yarıçapları

Metal Atomları İyonlar Valans Bağları
0
CN Yarıçap Valans CN Yarıçap A Bağ Mesafe/2A0
Element
A0
Karbon 4+ 6 0,25 1 0,77
2 0,66
3 0,65
-
Oksijen 2 6 1,32 2 0,65
Sodyum 8 1,857 1+ 6 0,98
Magnezyu 12 1,594 2+ 6 0,78
m
Silis 4+ 4 0,39 4 1,17
Klor 1- 6 1,81 1 0,09
Demir 8 1,241 2+ 6 0,83
1,27 3+ 6 0,67
+
Bakır 12 1,278 1 6 0,96
Koordinasyon Numarası 1 Yarıçap = 0,41 olduğu zaman CN = 6
Koordinasyon numarasını kontrol eden geometrik kurallar Tablo : L’de özetlenmiştir.
Küçük bir atomu gösterilenden fazla büyük atomlar çevrelerse, atomların Şekil 2.

77
değiştirmesi gerekeceğinden Tablo : L deki minimum oranlar oldukça kesindir. Genel
olarak eğer ondan sonra gelen koordinasyon numarası minimum oranı geçilmiş ise
koordinasyon numarası çoğalır. Böylece Mg2+ iyonunun O2- iyonları arasında CN
dört ile çok az görürüz. Çünkü boyut oranı 0,59 dur. Dört olan koordinasyon
numarasının eksilmesi dizme verimliliğini azaltır ve kristalin enerjisini çoğaltır.

Tablo L. Atom Koordinasyonu ve Atom Boyut Oranı

Koordinasyon Minimum Atom
Numarası Yarıçap Oranı
3 fold 0,155
4 0,225
6 0,414
8 0,732
12 1,0
Valans bağlarının bazı sonuçları olarak yukarıdaki kaidenin bazı istisnaları olur.
Örneğin elmasta (Şekil 4. 37) bütün atomlar aynı boyutta olduğu halde CH dörttür.
Tablo L koordinasyon numarasının 12 olabileceğini göstermesine rağmen, yalnız 4 çift
elektron paylaşılabilmesi bu sonucu vermektedir.

a b
Şekil 4. 37. Elmas Yapısı Elmasın Büyük Sertliğini Valans Bağlarının Kuvveti Yapar.
(a) İki Eksenli Gösteriş (b) Üç Eksenli Gösteriş.
Genel olarak metallerin ve iyonlu katıların koordinasyon numaraları dizilme verimliliği
ile ve valans katılarınki paylaşılan elektronlarıyla sınırlıdır.

78
KOORDİNASYON NUMARASI HESAPLANMASI
a b

Şekil 4. 38 Koordinasyon Hesaplanması

(a) Üç kat koordinasyon (b) Altı kat koordinasyon

79
 BÖLÜM 5
BAZI ÖZEL KRİSTALLER
VE
KRİSTAL KUSURLARI

80
 BÖLÜM 5

5. BAZI ÖZEL KRİSTALLER VE KRİSTAL KUSURLARI

5.1. Atom Büyüklükleri ve Koordinasyon

Birbirinin aynı olmayan iki veya daha fazla atom bir kimyasal bileşik, ara faz,
yada katı solüsyon teşkil etmek üzere birleşirse, teşekkür eden strüktürün cinsi kısmen
bu atomların nisbî büyüklüklerine bağlı olur. Fakat bu atomun büyüklüğü denilince ne
ifade edilmektedir? Bir atoma bir bilardo topu gibi kesin sınır yüzeylerine sahip varlık
gözü ile bakmak şüphesiz aşırı bir basitleştirme olur. Çünkü bir atomun “yüzeyinde”
elektron yoğunluğunun kademe kademe azaldığını ve bir elektronun çekirdekten çok
büyük mesafede küçük fakat sonlu bir ihtimalle bulunabileceğini biliyoruz. Ve yine
atomik büyüklüğü tarif etmek için sahip bulunduğumuz en pratik yol kristalin birbirine
teğet küreler topluluğundan meydana geldiğinde mevcuttur. Bu itibarla bir atomun
büyüklüğü elemanın kristalindeki en yakın atom merkezleri arasındaki mesafe ile
verilmiştir ve bu mesafe örgü parametrelerinden hareket ederek hesaplanabilir.
Mesela α – demirin örgü parametresi 2,87 A0 olur ve bir BCC örgüde atomlar yalnız
birim kübün cisim köşegenleri boyunca temastadırlar. O halde bir demir atomunun çapı
küp köşegen uzunluğunun yarısına eşittir. Yani ( √ 3 / 2) a = 2,48 A0 olur. Aşağıdaki
formüller en çok rastlanan üç metal strüktüründeki en yakın atomik mesafeleri verir.

BCC =
√3 a
2

FCC =
√2 a
2
HCP = a (Taban düzlemindeki atomlar arasında)

=
√ a2 c2
+
3 4
(Taban düzlemindeki atomla buna aşağı veya

yukarıdan komşu olanlar arası)

81
 Bir ilk takribiyetle bir atomun büyüklüğü bir sabittir. Başka şekilde söylersek bir
demir atomu, ister saf demir, ister ara faz, isterse katı karışım halinde bulunsun aynı
büyüklüğe sahiptir.
Yukarıda açıklanan durum, bilinmeyen kristal strüktürlerini tetkik ederken
hatırlanması gereken çok faydalı bir hakikattir. Çünkü teklif edilen bir strüktürde verilen
bir atomun yerleşebilmesi için kabaca ne kadarlık bir boşluğa ihtiyaç olduğunu tahmin
etmemizi sağlar. Daha doğru olarak söylemek gerekirse bir atomun büyüklüğünün biraz
bu atomun KOORDİNASYON SAYISINA tabi olduğu bilinmektedir.
KOORDİNASYON SAYISI : Verilen atomun en yakın komşularının sayısıdır ve
kristal strüktürüne (yapısına) bağlıdır.
Bir atomun koordinasyon sayısı FCC ve HCP strüktürlerinde 12, BCC de 8 ve
elmas kübikte 4 tür. Bir atomun koordinasyon sayısı ne kadar küçük ise bu atomun
işgal ettiği hacimde o kadar küçüktür ve koordinasyon sayısındaki azalmaya mukabil
ümit edilebilecek küçülmenin aşağıdaki gibi olduğu bulunmaktadır.
Koordinasyondaki Değişme Hacimdeki Küçülme, % Olarak
12 → 8 3
12 → 6 4
12 → 4 12

Bundan, mesela bir demir atomunun FCC bakıra karıştığı vakit, BCC kristal
olan α – demir halinde bulunduğu zamankinden daha büyük bir çapa sahip olduğu
neticesi çıkar.
Bir kristaldeki bir atomun büyüklüğü ayrıca bağlanmanın iyonik, kovalant,
metalik yahut van der Waals olmasına ve iyonizasyon durumuna tabidir. Bir nötral
atomdan ne kadar fazla elektron kopartılırsa atom o kadar küçülür. Bunu demirde bariz
alarak görüyoruz:
Fee, Fe++, Fe+++ atom ve iyonlarının çapları sırasıyla 2,48 A0, 1,66 A0 ve 1,34 A0 dur.

82
 5.2. Kristal Şekli

Bir kimse için kristallerin şekli belki de en karakteristik özelliğidir ve hemen

herkes tabii mineraller yahut aşırı doymuş tuz solüsyonlarından sun’î olarak büyütülmüş
kristallerin güzelce teşekkül etmiş düzlem yüzlerine aşinadır. Hakikatte, bu yüzler ve bu
yüzler arasındaki açıların tetkiki ile KRİSTALLOGRAFİ ilmi başlamıştır. Bununla
beraber kristallerin şekilleri hakikaten tali bir karakteristiktir. Çünkü kristalin şekli
atomların İÇ DÜZENLENMESİNE bağlıdır ve bu düzenlenmenin neticesidir.
Bazen bir kristalin DIŞ ŞEKLİ onun en küçük yapı taşı olan BİRİM HÜCRE ile
oldukça aşikar bir bağıntı gösterir; adi sofra tuzunun kübik şekildeki küçük taneleri
(NaCl ün örgüsü kübiktir) ve tabii kuvartz kristalinin (hekzagonal örgü) altı kenarlı
prizmalarında durum böyledir. Fakat diğer birçok hallerde kristal ve onun birim hücresi
tamamen farklı şekillere sahiptirler. Mesela altının (Au) örgüsü kübiktir. Tabii altın
kristallerinin şekli oktahedraldir yani 111 formunda sekiz düzlemle sınırlanmıştır.
Kristal yüzlerine ait mühim bir hakikat kristal içlerine ait herhangi bir bilgiye sahip
olmadan çok önceleri biliniyordu. Bu rasyonel indisler kanunu olarak ifade edilmişti.
Bu kanun tabii olarak teşekkül etmiş kristal yüzlerinin indislerinin daima küçük tam
sayılardan ibaret olduğunu ve nadiren 3 veya 4 ‘ü geçtiğini ifade eder. Buna göre 1 0
0. 1 1 1, ī10 0, 2 1 0 vs. formunda olan yüzler bulunabilir fakat  5 1 0, 7
1 9 gibi yüzler bulunamaz. Bugün biliyoruz ki küçük indisli yüzlerde örgü noktaları
yoğunluğu en büyüktür ve böyle düzlemlerin yüksek indisli ve az örgü noktası ihtiva
eden düzlemler zararına teşekkülü bir kristal büyüme kanunudur.
Bir metalurjist için iyi – teşekkül etmiş yüzler işitilen fakat nadiren görülen
türdendir. Bunlara zaman zaman dökümlerin serbest yüzleri üzerinde, bazı
elektrodepozitlerde, yahut dış zorlamaların mevcut olmadığı diğer şartlarda rastlanır.
Bir metalurjist için bir kristal ekseriya, bir mikroskop vasıtasıyla görülen “tane” dır.
Parlatılmış bir kesitte parlatılmış birçok tanelerle birlikte görülür. O ayrı bir
monosakkarite sahipse, bu kristal ya eriyikten suni olarak büyütülmüştür ve bu sebeple
katılaştığı kabın şeklini almıştır yada tekrar kristalleşme ile meydana gelmiştir ve

83
başlangıçtaki maddenin levha, çubuk yada tel olmasına göre bu şekillerden birini
almıştır.
Polikristal Metal kütlesi içindeki tanelerin şekilleri, muhtelif cins kuvvetlerin
neticesidir ve bu kuvvetlerin hepsi tanelerin her birinin iyi teşekkül etmiş düzlem
yüzlerle tabii olarak büyüme temayülüne mâni olacak kadar şiddetlidir. Neticede âşikâr
bir kristallik arz etmeyen kabaca poligon şeklinde bir tane meydana gelir. Bununla
beraber bu tane bir kristaldir ve mesela iyi teşekkül etmiş prizma şeklindeki tabii
kuvartz kadar “kristal”dir. Çünkü kristal olmanın esası iç atomik düzenlenmede bir
periyodisitedir ve dış yüzlerdeki herhangi bir düzgünlük değildir.

5.3. İkizleme Kristaller

Bazı kristallerin birinin diğeri ile simetrik bağıntısı olan iki kısım vardır. Bunlara
İKİZLEME KRİSTALLER denir ve hem minerallerde ve hem de metal ve alaşımlarda
bunlara rastlanmaktadır.
Bir ikizleme kristalin iki kısmı arasındaki bağıntı bir simetri operasyonu ile tarif
edilir ve bu operasyon kristalin bir kısmını diğeri ile yada diğer kısmın uzantısı ile
çalıştırır.
Simetri operasyonunun (a) ikizleme ekseni denilen bir eksen etrafında 1800
rotasyon yada (b) ikizleme düzlemi denilen bir düzlemde yansıma olmasına göre iki
mühim ikizleme vardır. Bir ikizleme kristalin iki kısmının birbiri ile birleştiği düzleme
KOMPOZİSYON DÜZLEMİ denir.
İkizlemenin yansıma ikizlemesi olması halinde kompozisyon düzlemi, ikizleme
düzlemi ile çakışabilir veya çakışmayabilir.Bilhassa FCC, BCC ve HCP strüktürlerle
meşgul olan metalurjist için aşağıdaki cins ikizlemeler ilgi çekicidir:
1. Tavlama İkizlemeleri, rekristalizasyon hasıl etmek için soğuk çalışılan ve
tavlanan FCC metal ve alaşımlarda (Cu, Ni, α –pirinç, Al vs.) olur.
2. Deformasyon ikizlemeleri, HCP metaller (Zn, Mg, Be vs.) ve BCC metaller (α
–Fe, w vs.) de olur.

84
 5.3.1. Tavlama İkizlemeleri

FCC metallerde rotasyon ikizlemeleridir yani iki kısım <111> şeklindeki bir
ikizleme ekseni etrafında 1800 lik bir rotasyonla birbirine bağlıdır.
Kübik örgünün yüksek bir simetriye sahip olması sebebiyle bu yön bağıntısı ikizleme
ekseni etrafındaki 600 lik bir rotasyonla veya ikizleme eksenine dik olan 1 1 1
düzlemindeki yansıma ile de verilmiştir. Başka şekilde söylersek FCC tavlama
ikizlemeleri yansıma ikizlemeleri olarak da tasnif edilebilir.
İkizleme düzlemi aynı zamanda bir kompozisyon düzlemidir.
Bazen tavlama ikizlemeleri mikroskop altında Şekil 5. 39 (a) daki gibi görünür.
Tanelerin bir kısmı (B), diğer kısmı A ‘ya ikizlenmiştir. İki kısım (111)
kompozisyon düzlemi ile temastadır ve parlatılmış düzlem üzerinde bir doğru çizgi iz
yapar. Fakat Şekil 5. 39 (b) deki hale daha çok rastlanır. Görülen tane üç kısımdan
ibarettir. İki kısım (A1 ve A2) aynı yönlüdür ve A1 ve A2 ‘ye nazaran ikizlenmiş olan
üçüncü kısım (B) ile ayrılmıştır. B ‘ye ikizleme bandı denir.

Şekil 5. 39. İkizlenmiş Taneler

(a). ve (b) FCC Tavlama İkizlemeleri; (c) HCP Deformasyon İkizlemesi.

Şekil 5. 40, bir FCC ikiz bandını gösteriyor. Şeklin çizildiği düzlem (1ī 0) dır ve
(1+11) ikizleme düzlemi bu düzleme diktir ve (111) ikizleme ekseni bu düzlem
içindedir.

85
 Şekil 5. 40. FCC Örgüde İkizleme Bandı.
Bir rotasyon ikizlemesinde bir kısım ile esas kristal arasında ikizleme eksenine
göre 1800 lik bir rotasyon bağıntısı bulunduğuna ait ifade bir ikizlemenin kristalin bir
kısmının diğer kısmına nazaran fiziksel olarak dönmek suretiyle meydana geldiğini
ifade etmez.
Hakikatte FCC tavlama ikizlemeleri, normal büyüme mekanizmasında hasıl
olan bir değişme ile olur.
Rekritalizasyonu takip eden normal tane büyümesi esnasında bir tane sınırının
(111) yüzüne kabaca paralel ve takriben bu sınıra dik yani [111] doğrultusunda

86
ilerlediğini farz edelim. Sınırın ilerlediğini söylemek atomların harcaman taneyi terk
ettiğini ve büyüyen taneye eklendiğini söylemektir.
Bu sebeple tane (111) e paralel atom tabakalarının ilavesiyle büyümektedir ve
daha önceden biliyoruz ki bir FCC kristalde bu tabakalar ABCABC..... dizisine göre
sıralanmaktadır. Fakat eğer bir yanlışlık olurda bu diziye göre sıralanma CBACBA.....
şeklinde değişirse bu şekilde meydana gelen kristal yine FCC fakat ilk kristalin
İKİZLENMESİ olur. Eğer daha sonra benzer bir yanlışlık olursa ilk kristalle aynı yönde
bir kristal büyümeye başlar ve bir ikizleme bandı teşekkül eder. Bu sembolizm ile bir
ikizleme bandını aşağıdaki şekilde ifade edebiliriz:
ABCABC BACBAC ABC ABC
Esas Kristal ikizleme Esas Kristal

Bandı

Burada şunu belirtelim ki, Şekil 5.34 de gösterilen ikizleme bandı, ışık
mikroskobu altında görülen ikizleme bandından binlerce defa daha incedir. Yani ışık
mikroskobundaki daha kalındır.

5.3.2. Deformasyon İkizlemeleri

Deformasyon ikizlemelerine hem BCC ve hem de HCP kristalde rastlanır ve

her iki halde de ikizlemenin sebebi deformasyon olduğundan isimler olayı ifade ederler.
Her bir halde esas kristal ile ikizlemesi arasındaki yön bağıntısı bir düzlemde
yansımadır.
BCC strüktürlerde (yapılarda) ikizleme düzlemi (112) dır ve ikizleme
doğrultusu [11ī] doğrultusundadır. Böyle ikizlemelere ait bilinen yegane misal, darbe
ile deforme edilmiş α – demir (ferrit) dır ve Neumann bandı denilen son derece dar bir
band halinde teşekkül eder. Şu husus belirtilmelidir ki kübik örgüler de (örgülerde) 1
1 2 ve 1 1 1 yansıma ikizlemeleri aynı yön bağıntısını hasıl eder. Fakat bunlarda
hasıl olan atomik mesafeler farklıdır ve bir FCC örgü 1 1 1 yansıması vasıtasıyla 1

87
1 2 deki yansımadakinden daha az bozularak ikizlenebilir. Halbuki BCC örgüler için
1 1 2 aynı sebeple tercih edilen düzlemdir.
Genel olarak ikizlemeler bir kristal içinde farklı düzlemlerde teşekkül edebilir.
Mesela bir FCC kristalde ikizlemenin meydana gelebileceği farklı yönlerde dört tane
1 1 1 düzlemi vardır.
Bir kristal keza birkaç defa ikizlenebilir ve birkaç yeni yön hasıl eder. Eğer A
kristali B ‘yi teşkil etmek için ikizlenirse ve B de C yi teşkil etmek üzere
ikizlenmişse, vs. bu takdirde B, C vs. ye A kristalinin birinci, ikinci vs.
mertebeden ikizlemesidir denir. Dikkat edelim ki bütün bu yönler yenidirler. Mesela
Şekil 2. 33 (b) de B ye A1 in birinci mertebeden ikizi ve A2 ye B nin birinci
mertebeden ikizi gözü ile bakılabilir.

5.4. Kristal Kusurları

Metaller katı durumda kristal yapıdadır. Maddeyi oluşturan atomlar üç boyutlu

bir düzen içerisinde bulunurlar. Kristal yapıya sahip olmayan katılara AMORF denir.
Amorf durumdaki atomlar veya moleküller tümü ile düzensizdir. Cam ve bazı plastikleri
amorflara örnek verebiliriz. Kristal ile amorf yapılar arasındaki fark, metal ve camin
kırılma yüzeylerinin birbiri ile karıştırılmasıyla açıkça görülebilir.
Kristal yapıda bulunan metallerin atomları, pozitif yüklü iyonları ile serbest
kalan valans elektronların meydana getirdiği elektron bulutu arasında oluşan
elektrostatik kuvvetler, metalik bağ oluşturur. Metal içerisindeki valans elektronları,
serbest olarak hareket edebilirler. Metallerin elektriksel ve ısı iletkenliklerinin iyi
olmasının ana nedeni budur. Metal iyonlarının yer değiştirmesi, bunlar ile elektron bulut
arasındaki elektrostatik kuvvetlerde önemli bir değişiklik oluşturmaz. Yani, metalik bağ
bozulmaksızın atomlar birbirine göre ötelenebilirler. Metallerin plastik şekil yer
değiştirme kabiliyetinin temelinde bu özellik yatar.
Atomlar arasındaki farklı etkileşim ile ortaya çıkan kristallerdeki bağ türleri,
iyonik bağ, kovalent bağ ve van der Waalls (veya moleküler) bağdır.

88
 METALİK BAĞ’a sahip kristal yapıda, pozitif iyonlar ile elektron bulutu
arasında, elektrostatik çekme kuvvetleri ile eş yüklü iyonlar arasındaki itme kuvvetleri
meydana gelir.
Artan atomlar arası uzaklık ile her iki etki de azalır ve belirli bir ao uzaklığında,
söylenen kuvvetler tam dengededir. a0 uzaklığı, dengedeki iki atom arasındaki mümkün
olabilecek EN KÜÇÜK UZAKLIK olup, her metal için karakteristik bir
büyüklüktür. Üç boyutlu bir düzene göre dizilen ve denge konumunda bulunan
atomların merkezlerinin birleştirilmesiyle ortaya çıkan görünüme KRİSTAL ÖRGÜ
dendiğini biliyoruz.
Sıkı Paket örgü sistemlerinde, örgünün bir düzlemi, atomca tam doludur ve
boşluksuz bir düzen söz konusudur. Metallerin şekillendirilmesinde kayma düzlemi
olarak da görev yapan bu düzlemler, birbirine paralel A, B ve C düzlemleri veya
tabakaları olarak ifade edilirler.
Metallerin ideal örgü yapısı hiçbir zaman tam olarak gerçekleştirilememektedir.
Özellikle metal fiziğinde yapısal, kimyasal ve elektriksel hata oluşumundaki görüntüler
birbirinden ayrılıklar gösterir. Isıl işlem açısından ele alındığında diğerlerine göre daha
önemli olan yapısal hatalar, dört grup olarak ifade edilebilir; Sıfır boyutlu hatalar, tek
boyutlu hatalar, iki boyutlu hatalar, üç boyutlu hatalar. Gerçek kristallerde tüm kristal
kusurları önemli bir yere sahiptir.
Kristallerin çoğunda KAFES HATALARI bulunur. Bazı hallerde atom boşluğu
atom yer değişmesi veya fazla atom durumu olur ki bunlara NOKTA HATALARI
denir. ÇİZGİ HATALARI fazla bir atom düzleminin kenarını gösterir. Son olarak
komşu kristaller arasında veya bir kristalin dış yüzeyinde HUDUT HATALARI
bulunur.
Böyle hatalar mekanik kuvvet, elektrik özellikleri ve kimyasal reaksiyon gibi
kristal yapının birçok özelliklerini etkiler.

89
 Şekil 5. 41. Nokta Hataları

(a). Boşluklar
(b). Çifte boşluklar (İki atom boşluğu)
(c). Schottky hatası (çift iyon boşluğu)
(d). Arayer atomu
(e). Frenkel hatası (iyon yer değiştirmesi)

5.4.1. Sıfır Boyutlu Hatalar

Noktasal hata olarak da ifade edebileceğimiz sıfır boyutlu hatalar atomik
seviyede kristal kusurları olup Şekil 5. 41‘de gösterilen 5 tipinden söz etmek yerinde
olur.
Boşluklar: En basit nokta hatası, bir metal yapısı içinde yerinde bulunmayan
(yeri boş olan) bir atomun hatasıdır. Şekil 5. 41 (a) böyle bir hata ilk kristalleşme
esnasında atomların hatalı olarak yığılması sonucu olabilir. Isıl enerji yükseldikçe tek
atomun düşük enerji seviyesindeki yerinden dışarıya fırlaması ihtimali artar. boşluklar
Şekil 5. 35 (a) da gösterildiği gibi tek veya iki ile daha fazlası bir arada toplanarak iki
boşluk veya üç boşluklu olabilirler (Şekil 5. 45 .b).

90
 Schottky Tipi Boşluklar (Schottky hatalar) : Eğer bir atom, örgüdeki
bulunduğu yeri terk ederse ve kristal yüzeyinden çıkarsa, boşluk oluşabilir. Bu tür örgü
boşluklarına Schottky tipi boşluklar denilmektedir. Schottky hataları “Boşluklara” çok
benzerler fakat elektrik yük dengesi nedeniyle birleşik olarak bulunurlar (Şekil 5. 41.c).
Ayrı işaretli iki iyon boşluğu şeklindedirler. Boşluklar ve Schottky hatalarının her ikisi
de atom yayınmasını kolaylaştırır.
Arayer Hataları : Özellikle atom yığın katsayısı düşük ise, fazla bir atom
kristal yapısındaki atomların arasına girebilir. Arayer atomu kristaldeki atomlardan çok
küçük değilse böyle bir hata kristali deforme eder (Şekil 5. 41.d).
Frenkel Tipi Boşluklar (Frenkel Hataları) : Atom örgüdeki yerini terk eder,
ancak kristal içindeki beklenilen örgü noktalarında değil de, örgünün ara bölgelerinde
bulunursa, buna Frenkel Tipi boşluklar denilmektedir. Frenkel hataları şöyle de ifade
edilmektedir: Kristal kafesindeki bir iyon yerinden çıkıp bir arayer atomu şekline
geçerse buna FRENKEL HATASI denir (Şekil 5. 41.e). Sıkı paketli yapılarda atomu
ara yere sıkıştırmak için daha çok enerji lazım geldiğinden, Schottky hatalarından daha
az Frenkel hataları ile arayer hataları bulunur.
Frenkel tipi boşluklarda, bir boşluk daima örgü ara atomu ile dengelenir.
Boşluklar, metal örgüsü içerisinde normal bir yapı olarak mutlaka mevcuttur ve bir
termodinamik denge halinde bulunurlar. Boşluk yoğunluğu sıcaklığa bağlıdır ve oda
sıcaklığında yaklaşık 10-12 dır yani 1 mm2 örgü düzleminde 1012 atoma karşılık,
yalnızca 1 tane boşluk vardır. Yükselen sıcaklıkla boşlukların sayısı üstel olarak artar
ve ergime sıcaklığına doğru 10-4 yoğunluğu ulaşılır. Bu temel esas, fiziksel olarak artan
sıcaklıkla atomun titreşim enerjisinin artacağı ve yer değiştirme imkanının artacağı için
kolayca açıklanabilir.
Isıl işlem için boşluk yoğunluğu, numune yüksek sıcaklıkta iken ani soğutma ile
termodinamik denge halinin üzerinde aşırı miktarda boşluk kalır. Metallerde talaşsız
şekillendirme de, boşluk oluşumuna yardımcı olmaktadır ve toparlanma tavlamasında,
eski özelliklerin yeniden kazandırılmasında boşluklar etken olmaktadır. Ayrıca
metallerin nötron veya elektronlarla ışınlanmasında boşluk yoğunluğunun artmasına
katkıda bulunur.

91
 5.4.2. Tek Boyutlu Kristal Hatalar (Çizgi Hataları : Dislokasyonlar)

Bir kristalin içinde en çok görülen hata dislokasyondur. Dislokasyonlar, tek

boyutlu hatalar olup bir kristalde açık veya kapalı hatlar olarak ve atomik mesafenin
büyüklüğüne bağlı quasi borulardır. Kenar ve vida dislokasyonlar olarak iki gruba
ayrılırlar. Özellikle kenar dislokasyonlar tek boyutlu hataların tanınmasında önemlidir.
Kenar dislokasyonu kristal yapısı içinde fazla bir atom düzleminin kenarı olarak
tanımlanabilir. Dislokasyon boyunca çekme ve itme alanları bulunduğundan kenar
dislokasyonu boyunca bir enerji çoğalması vardır. Dislokasyon çevresindeki yer
değiştirme mesafesine Burger Vektörü denir. Bu vektör kenar dislokasyonu çizgisine
dikey açıdadır. Şekil 5. 42 de kenar dislokasyonu görülmektedir.

Şekil 5. 42. Sayfa Düzlemine Dik T Harfi İle Gösterilen Kenar Dislokasyonuna Ait Kesitin Şematik Gösterimi

Vida dislokasyonu hareketi veya Burger Vektörü doğrusal hataya paraleldir

(Şekil 5. 44’e bak). Atomlar arasında kayma gerilimleri olduğu için kenar
dislokasyonunda olduğu gibi, burada da fazla enerji bölgesi bulunmaktadır.

92
Şekil 5. 43. Diskolasyon Enerjisi. Atomlar basınçta ve (koyu renk) ve çekmededirler
(açık renk). Yer değiştirme vektörü (Burger vektörü) dislokasyon çizgisine dikey
açıdadır.

Şekil 5. 44. Vida Dislokasyonu

Her iki çeşit dislokasyon kristalleşme ile yakından bağlantılıdır. Örneğin kristal
oluşmasında iki kısım arasında hafif bir uygunsuzluk sonucu fazla bir atom düzlemi
girerse kenar dislokasyonu olur. Şekil 5. 44 de görüldüğü gibi ilave atomlar ve birim
kafesleri vida basamaklarına ilave edilerek, vida dislokasyonu kolay bir kristal
oluşmasını sağlar.
Kristal büyürken basamak bir eksenin etrafında dolaştığı için vida dislokasyonu
deyimi çok uygundur.
Dislokasyonlar hem kristalleşme ve hem de şekil değiştirme (deformasyon) ile
bağlantılıdır. Şekil 5. 45 de kayma hareketinin bir kenar veya vida dislokasyonu

93
yaptığını görüyoruz. Her ikisi de aynı yer değişim sonucuna varır ve meydana
getirdikleri dislokasyon halkası ile bağıntılıdırlar.

Şekil 5. 45. Kayma Hareketiyle Dislokasyon Oluşumu

(a) Kenar Dislokasyonu
(b) Vida Dislokasyonu
(c) Kenar ve Vida Dislokasyon Parçalarıyla Dislokasyon halkası
Dislokasyonlar gelişmiş kristallerde genel olarak mevcuttur. Hatta, teorik olarak,
dislokasyon olmaksızın bir kristal gelişmesinin mümkün olmayacağı söylenebilir.
Normal olarak, bir kristalde dislokasyon yoğunluğu 107 ile 108 cm. dislokasyon boyu
94
cm3 olarak hesaplanabilir. Plastik deformasyon ile mevcut numunenin dislokasyon
yoğunluğu 1012 cm. dislokasyon boyu/cm3 değerine kadar yükselmesi mümkündür.
Dislokasyonlar termodinamik dengede bulunmazlar ve kristal gelişmelerindeki dengesiz
olaylarda meydana gelirler. Kristalde dislokasyonların artması, yalnızca gerilmelerin
etkisi ile olur. O halde doğrudan ısıl etkenlerle dislokasyon üretilmesi imkansızdır.buna
karşın dislokasyonlar ısıl işlem uygulamalarında çok büyük öneme sahiptir. Birçok ısıl
işlem olayında, dislokasyonların mevcudiyeti ve miktarı sonucu etkiler. Bundan dolayı,
ısıl işlemlerdeki birçok olayın derinliğine anlaşılabilmesi, dislokasyon teorilerinin çok
iyi bilinmesini gerektirir.
Kristal içinde kalan her bir yer bozukluğu yerel zorların kaynağıdır. Bu mikro
zorların özelliği Şekil 5. 40 daki oklarla belirtilir. Bu oklar, atomların tamamlanmamış
düzleminin en alt kenarındaki yer bozuklukları etrafında bulunan farklı pozisyonlarda
küçük hacimler üzerindeki zorları (nicel olarak) temsil eder. Genel olarak yabancı
atomlar Şekil 5. 46 ‘ın alt orta kısmındaki gibi, kendileri için daha çok oluşturan
gerilme zorunun olduğu bölgelerde saçaklanır.

Şekil 5.46. Dislokasyon Civarında Dört Pozisyonda Gösterilen Zorlar. (Okların

yönleriyle tanımlanmıştır)ve Kenar Dislokasyonunu İçeren Kristalin Şematik Gösterimi

95
 Farklı örgü konumlarına sahip, kristal tanelerini ayıran geniş açılı sınırlara
ilaveten, bireysel taneler konum olarak biraz farklı alt tanelere (alt sınırlara) küçük açı
sınırları ile ayrılırlar. Bu alt sınırlar yer bozuklukları dizileri olarak düşünülebilir. Yatık
sınırlar kenar yer bozuklukları, burgulu sınarlar ise yiv yer bozuklukları serisi ile
Şekil 5. 47 temsil edilmektedir. Geniş açılı sınırlara kıyasla, küçük açılı sınırlar daha az
ciddi bozukluklardır. Plastik akışı daha az engellerler, kimyasal çekim ve alaşım
muhteviyatlarının segregasyonu için daha az etkin bölgelerdir.

Şekil 5. 47. Kenar Dislokasyonlarının Düşey Dizisinden İbaret Olan Eğilmiş Küçük
Açı Sınırı

5.4.3. İki Boyutlu Hatalar

İki boyutlu hatalar, teorik olarak en basit şekilde fcc örgüde açıklamak
mümkündür. Bilindiği gibi, fcc örgü, sıkı paket düzeninde düzlemlere sahiptir. Bu
düzlemler, ABCABC.... yığılımlıdır. Bu yığılımda olabilecek sapmalara yığılım
hataları diyoruz. Yüzey merkezli kübik yapıdaki yığılım hataları, iki ana formda
oluşabilir. Bu iki ana form için bir yeni düzlemin ilave olması (ABCACABC...) örnek
olarak gösterilebilir. Bu şekilde oluşan yığılım hataları ile bir dislokasyon sınırı arasında
ilişki kurulabilir. Bir başka deyişle, yığılım hatası bir dislokasyon hattına bağlanabilir.
Örgü yığılım hataları, elektron mikroskobu yardımıyla görülebilmektedir.
Eğer fcc örgüye sahip kristalde ABCABCACBACBAC şeklinde yığılım hatası varsa
buna ikiz oluşumu denir (İkizleme kristalleri konusunda bunu derinlemesine
incelemiştik). Sembolik olarak gösterilen bu yığılımda altı çizili düzlem bir yansıma

96
düzlemidir. Bu düzlem ikiz sınırıdır. İkizler, mevcut yönelim farklılıkları veya ikiz sınırı
dağlaması ile gözlenebilmektedir.
En sık görülen ve en önemli iki boyutlu hatalar, TANE SINIRLARI ‘dır.
Metaller daima çok kristallidir ve bundan dolayı daima tane sınırları içerirler. Diğer
örgü hatalarına göre, en kolay belirgin hale getirilebilen hata, tane sınırları hatasıdır.
TANE SINIRLARI, birbirleriyle sınırlandırılmış örgü gruplarını, yani taneleri ayırır.
Tane sınırında bir kristalin diğerinden ayrılmasına, yada değişik yönelim, değişik
bileşim veya değişik örgü parametreleri etken olur. Bunlardan herhangi biri etken
olabileceği gibi iki veya üçü de etken olabilir.
Ergiyikten katılaşma veya rekristalizasyon sırasında genellikle çok sayıda kristal
tanesi aynı zamanda gelişir. Bunlardan komşu olanların örgü düzlemleri arasında
çoğunlukla büyük açılar ve süreksizlik görülür. Bu tür tane sınırlarına BÜYÜK AÇILI
TANE SINIRLARI denir. Bu sınırlarda atom çapının 2-3 katı büyüklüğünde amorf
bölgeler oluşabilir. Komşu kristallerin atom dizilme doğrultularının arasındaki açı, daha
çok ikiz sınırlarında görüldüğü gibi çok küçükse, bu tür tane sınırlarına KÜÇÜK AÇILI
TANE SINIRI adı verilir. Kristali alt tane veya sub tane (mozaik blokçuğu) adı verilen
bölümlere ayırdığı için küçük açılı tane sınırlarına ALT TANE SINIRI adı verilir.
Her taraftan serbest yüzeylerle çevrili ve tane sınırları bulunmayan kristal yapıya
TEK KRİSTAL veya MONOKRİSTAL denir. Böyle bir yapıda tane sınırlarının
olmamasına karşın, boşluklar, dislokasyonlar ve küçük açılı tane sınırları gibi, diğer tür
örgü hataları görülebilir. Ancak tek kristal nadiren rastlanılan bir durumdur. Teknik
uygulamalarda rastlanılan metallerin hemen hemen tümü, çok kristal ve monokristal
türündendir. Yani tek kristalin birleşmesiyle oluşurlar. Bu tür kristaller, serbest
büyümüş tek kristallerden farklı olarak, kristal tanesi veya yalnızca tane olarak
adlandırılırlar.
Tanelerin oluşturduğu topluluğu İÇ YAPI MİKRO YAPI veya yalnızca YAPI
adı verilir. Arı bir metalde iç yapıyı belirleyen iki kavram tane büyüklüğü ve tane
biçimidir.
Arı metallerin homojen iç yapısı vardır. Çünkü bütün taneler kristal yapıları,
atomların türü, varsa çözünmüş yabancı atomlar bakımından birbirleriyle tamamen

97
eşdeğer olup, yalnızca kristal örgülerdeki örgü düzlemlerinin doğrultuları açısından
farklılık gösterirler.
Malzemelerde çok sayıda tane bulunması ve bunların konumlarının istatistiksel
olması, diğer bir deyimle gelişigüzel dağılması sonucu, teker teker her bir tanenin
anizotrop olmasının bir etkisi görülmez. Malzeme her yönde aynı özelliklere sahip
olursa KÜTLESEL İZOTROP diye nitelenir. Bazı üretim yöntemlerinde, özellikle
mekanik Şekil 2. verme işlemlerinde doku (testür) oluşabilir yani taneler, doğrultuları
birbirlerine az veya çok paralel olacak şekilde yönlenirler. Böylece, ince taneli malzeme
dahi anizotrop olabilir. Uygulamada bu tür malzemeler çoğunlukla anizotropluktan
yararlanılacak şekilde kullanılırlar.
Tane büyüklüğü, düzlemsel bir kesitte tek bir tanenin ortalama çapı veya
ortalama alanı ile verilir. Ortalama tane çapı, birkaç m ile birkaç mm arasında
değişebilir. Tane büyüklüğünü katılaşma, şekil verme ve ısıl işlem şartları belirler.
Taneler, toplam yüzey enerjisini en aza indirmek için birleşerek büyüme
eğilimindedirler. İnce taneli malzemelerin özellikleri kaba taneli malzemelerin
özelliklerinden genellikle daha iyidir. İnce taneli yapıda birim kütle başına tane sınırı
alanının büyük olması, örneğin dayanım değerlerinin artması sonucunu doğurur. Şekil
değiştirme sırasında ince taneli malzemelerle daha temiz yüzey elde edilirken, kaba
taneli malzemelerle yüzey pürüzlenir ve matlaşır.
Kristal büyümesi sırasında anizotropi etkisiyle, büyüme hızı her yönde aynı
değildir. Dolayısıyla örneğin çam ağacı, iğne veya plaka biçiminde kristal taneleri
oluşabilir. İğne veya plakaların birbirini sıkça takip etmesi ile lamelli bir iç yapı
görülebilir. Çam ağacı görünümlü kristaller, dendrit olarak adlandırılırlar. Dendritler,
aralarında kalarak en son katılaşan ergiyiğin bileşiminin farklı olmasından dolayı,
özellikle alaşımların mikro yapılarında görülürler.
Kristallerin biçimi anizotropi yanında soğuma şartlarına da bağlıdır. Soğumanın belirli
yönde olması durumunda, paralel olarak büyüyen çubuk kristaller (kolonsal) oluşabilir.

98
 5.4.4. Üç Boyutlu Hatalar
Üç boyutlu hata içeren bölgeler, hatalı yerlerin birikimi ile ortaya çıkar. Bu
hatalar, mikroskobik ve makroskobik olarak malzemedeki gözenekler mikro boşluklar
ve makro boşluklardır.
5.5. Dislokasyonların Önemi
Bazı seramik ve polimerlerde de kayma olabilmekle beraber, kayma işlemi
özellikle metallerin mekanik davranışlarının anlaşılmasına yardımcı olur. Kayma, ilk
olarak metallerin dayanımının metalik bağdan tahmin edilen değerden neden çok daha
az olduğunu açıklar. Şekil 5. 48 de de gösterildiği gibi bir demir çubuğun kesit alanı
boyunca metalik bağların hepsi kopartılarak kırılma gerçekleştirilseydi her cm2 için
milyonlarca kg’lık kuvvet sarfedilmek zorunda kalınırdı. Bunun yerine kayma olayının
herhangi bir anında sadece metalik bağların çok küçük bir kısmının kırılmasına gerek
duyulan kaymayı sağlamakla çubuğun şekli değiştirilebilir. Demir çubuğun kayma ile
şeklini değiştirmek için sadece 70 Mpa’lık bir kuvvet yeterli olabilir.
İkinci olarak kayma metallerde süneklik sağlar. Dislokasyonlar olmasaydı demir çubuk
gevrek olabilirdi; metaller kullanışlı şekillere, dövme gibi çeşitli metal-işleme
yöntemleriyle, şekillendirilemezdi.
Üçüncü olarak, dislokasyon hareketini etkilemekle metal veya alaşımların
mekanik özellikleri kontrol edilebilir. Kristal içinde oluşturulan bir engel, yüksek
kuvvet uygulanmadıkça dislokasyonun kaymasını engeller. Şekillendirme için yüksek
bir kuvvet uygulamak zorunlu ise böyle bir durumda metal dayanıklı olmak zorundadır.

Şekil 5. 48. Dislokasyonsuz Bir Malzeme (a) yüzey (a0) boyunca bağların hepsini
koparmakla kopabilirdi. Buna karşın bir dislokasyon kaydığında (b), bağlar sadece
dislokasyon çizgisi boyunca kırılır.

99
 BÖLÜM 6
X Işınlarıyda Kristalografi

100
 BÖLÜM 6

6.1. Bazı Tanımlar

6.1.1. Kristal ( tek-kristal, toz kristal, polikristal, kırınım ve yansıma)

İdeal olarak bir kristal, kendisini üç boyutta periyodik olarak tekrar eden
(yineleyen) atom veya atom gruplarının düzenlenişine denir. bu atom grubuna yapı
birimi yada baz denir. Yapı birimi gerçekte kendisini sonsuz kez yinelemez. Sınırlı
sayıdan sonra çeşitli fiziksel etkenlerden dolayı kristalin büyümesi (genişlemesi)
durur. Çok küçük (x-ışınları ile kırınımı aşırı etkilemeyecek kadar) deformasyonlar
göz önüne alınmazsa yukarıdaki ideal tanıma uyan sonlu büyüklükteki bir kristale
“tek-kristal” denir. Bütün bir tek-kristal içerisinde bazların diziliş düzeni (yani iç
simetri) bozulmadan devam eder. Elmas, yemek tuzu taneleri, kuvars, şeker
tanecikleri tek-kristale örneklerdir. Tek-kristallerin düzensiz yığılımı ile elde edilen
katı maddeye “polikristal” denir. Polikristalde birbirine gelişigüzel yapışmış bulunan
tek-kristallerin büyüklüğü optik mikroskopta görülemeyecek kadar küçük olabileceği
gibi büyüteçle hatta çıplak gözle de görülebilir. Kaya, taş, toprak, metal parçaları gibi
günlük yaşamımızda çok rastladığımız maddeler polikristaldir. Bir tek-kristali yada
polikristali öğüterek elde edilen kristale “toz-kristal” denir. Toz kristali meydana
getiren tek kristallerin ideal büyüklüğü 10-3 cm dır. Daha küçük kristallerde kırınım
çizgileri genişler, kristal daha büyük olunca da kırınım deseninde tek-kristaller
görülmeye başlar. Kırınım, ilerleyen bir dalganın yönünün veya doğrultusunun
değiştirilmesidir. Yansıma, gelen dalganın yansıma yaptığı düzlemin normali ile
yaptığı açının yansıyan dalga düzlemi arasındaki açıdır.

6.1.2. Davranış (Habit)

Bir tüp içerisine bir miktar susuz alkol koyarak derişik yemek tuzu çözeltisi
damlatılırsa tüpün dibinde düzgün geometrik şekilli tek kristallerin biriktiği görülür.
Az büyütmeli bir mikroskopla incelediğimizde bu kristallerin bazılarının küp,

101
bazılarının düzgün sekiz yüzlü, bazılarının köşeleri yada kenarları yontulmuş küp
bozması v.b. biçimli olduğunu görürsünüz. Bunların şekli ne olursa olsun hepsi de
küpün özelliklerini taşırlar. Bu tek kristallerin her birine kristalin bir davranışı denir
ve kristalin büyüklüğü davranışı değiştirmez. İrili ufaklı bütün küpler o kristalin küp
davranışıdır.

6.1.3. Biçim (Form)

Düzgün küp şeklinde oluşan kristalin altı yüzü de karedir. Düzgün sekiz
yüzlünün yüzleri birer üçgendir. Kare ve üçgen yüzler birbirine belli bir simetri ile
bağlıdır. Altı adet karenin tümüne birden kristalin bir biçimi denir, üçgenler de
başka bir biçimdir. Hem köşeleri yontularak beliren üçgenlerde hem de köşeleri
kesilmiş kareler bir arada varsa kristalin iki biçimi vardır. Bir yüz verildiği zaman
simetrinin zorunlu kıldığı bu yüzden türetilen yüzlerin topluluğuna biçim denir. O
halde davranış farklı biçimlerin göreli gelişmeleri sonunda ortaya çıkan genel
görünümüdür.

6.1.4. Simetri

İki şekil herhangi bir yolla birbiri üzerine çakışıyorsa bu şekillere simetriktir
denir. Bir şekle belirli bir noktadan baktığımızda, bu noktanın her iki tarafındaki
birimlerin, şekli 2 ye 3 e vs. ayırınca veya şekli bir düzlemle ayırınca ayrılan parçalar
arasında benzerlikler olması şekillerin birbiri ile çakışması durumunda bu parçalar
arasında simetrinin olduğu söylenir. Bir atom grubunu kendisi ile çakıştırmak için
farklı yollar vardır. Bunlar öteleme (translation), dönme (rotation), noktaya göre
simetri alma (inversion), yansıma (mirror), yansıma-öteleme/kayma (glide) ve dönme-
öteleme/vida (screw) simetri işlem(ci)leridir. Bu işlemlerle bir atom grubu
uzayda çok sayıda yinelenir ve böylece makroskopik kristal elde edilir.

102
 a) Öteleme: Bir Şeklin t1 vektörü kadar ötelenmesi işlemidir. Bir şekil
uzayda değişik doğrultulardaki t1 ,t2 ve t3 vektörleri ile tekrarlanarak uzayı doldurabilir.
Bu simetri işlemleri sonunda elde edilen makroskopik cisim bir tek kristaldir. Bir
öteleme işlemcisinin matris formunda herhangi bir a,b,c birim elemanına uygulanışı şu
şekilde gösterilebilir. (l,m,n pozitif ve negatif tam sayılardır.)

b) Dönme: Bir şeklin bir eksen etrafında bir α açısı kadar dönmesi ile o
şeklin simetrikleri elde edilir. Α açısı n her zaman bir tam sayı olmak üzere nα =
360o bağıntısına uymak zorundadır. Ancak bu koşulla aynı şekle α dönmesi n kere
uygulanınca o şekil ilk konuma gelir. Bir kristalde her biri sırasıyla 2π, 2π/2, 2π/3,
2π/4, 2π/6 radyanlık dönme işlemlerine karşılık gelen 1, 2, 3, 4 ve 6 kat simetriye
sahip dönme eksenleri bulunabilir. Dönme eksenleri 1, 2, 3, 4 ve 6 rakamları ile
simgelenir ve “1” li eksen, “2” li eksen … vb adları ile okunurlar. 4 lü eksen, bir
şekli 900 döndürerek ilk konumuna getirir. Diğerleri de benzer işlemleri yaparlar.
Dönme işlemcisinin (z-ekseni etrafındaki Rz dönme) matris formu:

103
şeklinde gösterilebilir. Matristeki α dönme açısını göstermektedir. Buradaki matriste
z-ekseni etrafındaki dönmeler için herhandi bir ⃗x , ⃗y , ⃗z , notaları ⃗ẋ , ⃗ẏ , ⃗ż ,
noktalarına taşınır.

d) Simetri merkezi: Bazlar (atom, atom grupları veya moleküller) birbirine

simetri merkezi ile bağlı iseler kusursuz olarak büyümüş bir makro kristalin yüzleri
de birbirine simetri merkezi ile bağlıdır. İnversiyon işlemcisi köşegen üzerindeki
elemanları -1 olan bir matristir:

şeklinde gösterilebilir. Matristeki köşegen üzerindeki -1 değerleri inversiyon

işlemcisini göstermektedir.

e) Vida (öteleme+dönme): Öteleme ve dönme işlemlerinin bileşimidir. Bu

işleme ekseni de denir. Döndürme ve öteleme işlemcisi (z-ekseni etrafında 180o
dönme ve sırası ile x, y ve z eksenleri boyunca t1, t2, t3 ötelemeleri) aşağıdaki gibi bir
matristir (Kabak, 2004):

104
 6.2 Deneysel Kırınım Metodları

Bragg kanununa göre, kırınımın olabilmesi için λ ve θ nın uyumlu olması

gerekir. Herhangi bir üç boyutlu bir kristale rasgele bir açıyla çarpan λ dalga boylu
tek renkli X-ışınları genellikle yansıtılamayacak ve bunun sonucunda bir kırınım
deseni oluşamayacaktır. Kırınımın oluşabilmesi için bir rastlantı gerekir ve bu
rastlantıyı sağlamak için de ya dalga boyu ya da açının taranması gerekmektedir. λ ve
θ nın değişme durumuna göre üç temel kırınım yöntemi vardır.
1. Laue Yöntemi λ değişken, θ sabit
2. Döner Kristal Yöntemi λ sabit, θ değişken
3. Toz Yöntemi λ sabit, θ değişken
Bu deneysel kırınım metodlarından bizim kullanacağımız yöntem döner
kristal yöntemidir.

6.2.1 Toz Kırınım Metodu

Maddeler temelde katilar, sivilar, gazlar olmak üzere üç gruba ayrilirlar. Kati
maddeler sinirlandirilirsa; kristal ve, kristal olmayan katilar (amorf) maddeler olmak
üzere ikigruba ayrilir. Kristal yapi kendi içinde dogal bir düzeni olan yapıdır. Disardan
bakilip çok düzensiz gibi görülen bir madde bile iç düzeni söz konusu olunca kristal
yapida olabilir. Ayni şekilde cam gibi pürüzsüz görülen bir maddede iç düzensizligi
yüzünden kristal degildir.
X-isini 0,02 Å ve 100Å arasındaki dalga boyuna sahip elektromanyetik dalgalar
oldugundan dolayi kristalleri olusturan bileşenleri tespit etmek için kullanilir. X- isini
toz kırınım metodu ile kristal yapisindaki bilesenler çok küçük hatalar ile bulunabilir.
Vücudun kendiliginden ürettigi ve ciddi rahatsizliklara sebebiyet veren böbrek, mesane,
safra gibi taslar da kristal yapiya sahiptir. X- isini toz kırınım metodu kullanilarak bu
gibi taslarin içerisindeki bilesenler tespit edilebilir. X isini toz kırınım metodu
kullanilarak, çok kisa sürede tasin içerisindeki bilesik formülü ile belirlenir. Tasin
105
içerisindeki bilesikleri bilmek demek, tasin olusmasinda etken bir faktör olan maddeleri
bilmek demektir. Eger bir seyin neden olustugu biliniyorsa çözümü bulunabilir ve
yeniden olusma durumundaki riskler azaltilabilir.
X-isini toz kırınım yöntemi ile bileşenlerin tespit edilmesinden baska kristal
yapiya sahip bir maddenin birim hücre yapisi ve birim hücre parametreleri yine tespit
edilir. kırınım deseninden düzlemler arasi d- mesafesi, 2? yansima açisi ve I şiddet
bilgileri bulunur. Bu bilgiler dogrultusunda TREOR90 ve DICVOL91 bilgisayar
programlari ile birim hücre parametreleri ve birim hücre yapilari çok kolay ve çabuk bir
şekilde hesaplanabilir.

6.2.2 LaueMetodu
X-ışınları ile kırınım olayında kullanılan en basit kırınım metodu Laue
metodudur. Burada, ince, silindirik bir kolimatörden geçirilecek; küçük bir çap ile
elde edilen X-ışını demeti, örnek kristal üzerine düşürülür. X-ışını demeti heterojen
olarak kullanılır yani beyaz ışınım söz konusudur. Laue metodu ile incelenen örnek
kristaller tek kristal özelliğine sahip olmalıdırlar. Aynı şekilde polikristal yapıya
sahip olan örnekler içerisinde eğer, gelen X-ışını demetinin çapından büyük kristal
tanecikleri varsa ışın bu tanecikler üzerine düşürülerek kırınım olayını
gerçekleştirmek mümkündür.

6.2.3 Döner Kristal Metodu

Herhangi bir özel yansımanın ayırt edilebilmesi ve şiddetinin ölçülmesi için

en kullanışlı teknik döner kristal yöntemidir. Bu yöntem kristal yapı analizlerinde
yaygın olarak kullanılır ve kullanım sistemi çok basittir. Dönen kristal yönteminde
monokromatik (tek dalga boylu) X-ışınları bir kolimatör yardımı ile inceltilerek,
döner bir eksen üzerine takılı olan örnek kristalin üzerine düşürülür ve kırınıma
uğrayarak kristalden çıkan demet Şekil 3.24’de görüldüğü gibi kristali çevreleyen bir
fotoğraf filmi üzerine kayıt edilir. Burada q, belirli bir düzlemden maksimum
yansıma elde edilinceye kadar değiştirilir. Maksimum yansımanın elde edildiği
noktada q açısı ve l dalga boyu bilindiğinden, Bragg yasası kullanılarak düzlemler
arasındaki d uzaklığı hesaplanabilir. Bu yöntemde dikkat edilmesi gereken kristalin
106
belirli düzlemlerinden birinin dönme eksenine paralel olarak yerleştirilmesidir. Bu
yöntemin sağladığı en büyük avantaj, ortaya çıkan yansımada kristalin ayrı düzlemler
takımına ait yansımaların birbirlerinden olaylıkla ayrılabilmesidir. Bu, toz
metodunda olduğu gibi bazı yansımaların üst üste binmesini önlemekle kalmaz,
oluşan noktaların kolayca indisleşmesine de imkan verir. Oluşan sıfır tabaka çizgisi,
dönme eksenine paralel olan tüm düzlemlere karşılık gelir. Kristaldeki a ekseni
dönme eksenine paralel ise, söz konusu çizgi (0kl) düzlemlerine karşılık gelecektir.
Benzer şekilde (1kl) düzlemlerini temsil eden çizgi, birinci çizgi olacak ve sıfır
çizgisinin üzerinde yer alacaktır (Şekil 3.25)

Şekil 6.24. Döner kristal yöntemi için deneysel düzenek (Dikici, 1993)

107
Şekil 6.25. Döner kristal metodunda film üzerinde çizgilerin oluşumu (Kabak, 2004)

Kristal, ekseni etrafında döndürüldükçe, değişik düzlemler Bragg yansıması

için uygun konumlara gelirler. Gelen demetteki ışınların dalga boyu sabit
olduğundan, ışının düştüğü paralel düzlem takımı için gelme açısı θ ve düzlemler
arası d uzaklığı Bragg yasasını sağladığı zaman kırınım meydana gelir. Düşey dönme
eksenine paralel bütün düzlemlerden yansıyan ışınlar yatay düzlem içinde meydana
gelen sıfır tabaka çizgisini oluşturacak şekilde yansıma verirler. Diğer tabakalar ise
yansıma verirler. Değişik kristal yönelimleri için, açılar ve şiddetler kırınım
deseninden çıkarılarak birim hücredeki atomların yerleri ile birim hücrenin şekli ve
büyüklüğü tayin edilir (Dikici, 1993).

108
 6.2.4. Bragg Kanunu

1913’de Bragg bir kristal tarafindan X- isininin kırınımini elde etmek için basit
bir açiklamagetirdi. Atomlar paralel düzlemlerinden bir yüzeye düsen X-isinini
yansittigi far z edilir.atomların her düzlemi yüzeye düsen radyasyonun küçük bir
frekansini yansitir. O zamanyan yana olan düzlemlerden isinlar toplandiginda sapan
isinlar gözlenir [26].
Bragg’in kırınım yaklasimi geri yansiyan aynalar gibi olan düzlem veya tabakalar
olarak
yapilan kristallerin gözlemidir. X- ışınlarının bazisi rasgele açilara esit yansima açisi ile
birdüzlemde yansir.
Bragg kanununun çikarilisi Sekil 6.7 da gösterilmistir.

Sekil 6.7. X- isini kırınımi Için Bragg Kanununun Çikarilmasi [27].

Iki X- isini isin demeti 1ve 2, kristalin içindeki A ve B komsu düzlemlerinden

yansitilir ve 1¢ ve 2¢ yansiyan isin demeti görülür. 2 2¢ isin demeti 11¢ isin demeti ile
kiyaslandiginda 22’ isin demeti xyz ekstra mesafesi boyunca yol alir. xyz mesafesi
dalga boyuna esit olmalidir. Komsu düzlemler arasi d mesafesi ve rasgele açilar veya
Bragg açisi ? arasında paralel düzlem mesafesi xy mesafesi ile iliskilidir.

xy= yz=dsinQ
böylece,

xyz = 2d sinQ
109
ama

xyz = nλ

bu sebeple;
2dsinQ = nλ

bu esitlige Bragg kanunu denir [28].

6.3. Ters örgü kavramı

Ters örgü kavramı periyodik yapıların analitik olarak incelenmesinde önemli bir rol
oynar. Ters örgü denilme nedeni bu örgüye ait temel örgü vektörlerinin biriminin gerçek
uzaydaki vektörlerin biriminin tersi olmasıdır (1/uzunluk). Genel olarak bir düzlem

dalga şeklinde açıklanır. Burada sabit sayı olup dalganın genliğini ifade

eder. ise dalga vektör ü , dalganın temsil ettiği yerin yer vektörüdür.
Gerçek uzayda bir bravais örgüsü düşünelim, bu örgü içine bir düzlem dalga yollanırsa

genel olarak düzlem dalganın periyodu ile örgünün periyodu aynı değildir. Özel
değerleri için dalganın periyodu ile örgünün periyodu aynı olur. İşte bravais örgüsünün
periyoduna uygun düzlem dalga oluşturanvektörlerinin oluşturduğu örgüye ters örgü
denir.

110
 6.3.1 Ters Örgü de Bravais Örgü müdür?

Bravais örgüsünde temel öteleme vektörleri şeklinde tarif ediliyordu ve

vektörü ile diğer örgü noktalarının yerleri tespit ediliyordu. Yani

ve nin tariflediği noktalar bravais örgüde ise doğal olarak + ’nin belirlediği
noktada bu örgü içinde yer alır. Bu özellik öteleme simetrisinden kaynaklanmalıdır.

Ters örgüde eğer bir noktayı de başka bir örgü noktasını belirliyorsa + de doğal

olarak başka bir örgü noktasını belirtir.vektörleri eğer ters örgüyü oluşturuyorsa

bağıntısını sağlıyorlardır. Eğer de bu örgüde bir noktayı belirliyorsa;

bu bağıntıyı sağladığına göre ters örgüde bir örgü noktasını belirler.

farkı da bir örgü noktasını temsil eder.
Kristal Yapı
1-Kristal örgü (uzunluk)
2-Ters örgü(1/uzunluk)
1-Kristal Örgü:Mikroskop altında bakıldığında gözüken örgüye denir(Gerçek uzayda).
2-Ters Örgü:uzayında (fourier uzayında) kırınım deseninden elde edilir.

111
 6.3.2 Ters Örgüde Temel Öteleme (Örgü) Vektörleri

Birim olarak bu vektör (1/uzunluk) mertebesinde olmalıdır. Gerçek uzayda

gibi temel örgü vektörlerimiz vardı. Bunlar aynı düzlemde bulunmayan

üç vektör idi. Bunlar yardımıyla yeni bir temel örgü vektörü sistemi tanımlıyoruz ve

1/uzunluk mertebesini tutturmak için gerçek örgünün hacmine bölüyoruz.

gerçek uzaydaki hacim ise,

olmalıdır.

’ler ters örgüde aynı düzlemde olmayan üç vektör ise;

biçiminde benzer olarak yazılabilir.

112
 6.5 ŞİDDETLER
6.5.1. Bir Atom Tarafından X-Işınlarının saçılması
Atomlar X- ışınlarını kırınıma uğratır veya saçar. Çünkü elektromanyetik dalga olarak
tanımlanan rastgele X- ışını isin demeti titreşim halindeki bir atomun her elektronunu
kırınıma uğratır. Titresen yük elektron gibi radyasyonu yayar. Bu radyasyon fazlıdır ve
X ışını ile tutulur. Bir atomun elektronları böyle X- ışınının ikincil nokta kaynağı gibi
davranır. Tutunma saçılımı dalga ve elektron arasında bir elastik çarpışmaya
benzeyebilir.
Dalga kaybolan enerji dışında elektron tarafından saptırılır ve böylece dalga boyu
değişimi dışarıda bırakılır. “Nokta kaynak “ elektron tarafından saptırılmış radyasyonun
şiddeti teorik olarak hareket eder ve Thomson eşitliği ile verilir:

Buradaki Ip birkaç nokta P de saptırılmış şiddettir. 2? rastgele isin doğrultuşu ve

kırınıma uğramış ışınlar arasındaki açıdır. Bu eşitlikten sapmış ışınlar, rastgele ışınlara
paralel veya antiparalel olması durumunda çok şiddetli ve rastgele ısınlarla 900 olması
durumunda çok zayıf olduğu görülebilir. Thomson eşitliği “polarizasyon faktörü” olarak
bilinir.
Compton saçılması elastik çarpışma gibidir çünkü çarpışmada enerjilerinin
bazısını X-ışınları kaybeder. Bu yüzden saçılmış X-ışınları, rasgele seçilmis X-
ışınlarından daha büyük dalga boyludur. Compton saçılması ile X- isini tüpünde beyaz
113
radyasyon üretimi arasında benzerlikler mevcuttur. İkisi de X-ışınlarının farkli
deneylerinde background
radyasyonunun kaynağı olan tutarsız saçılmanın örnekleridir pozisyonlarda meydana
gelen parçaciklar gibi değerlendirilebilir ve onların saçılmış dalgaları arasında meydana
gelir (Sekil 3.8). 1¢ ve 2¢ ışınları için bütün elektronla ayni fazda saçilir. Bir atomun
“saçılma faktörü” veya “form faktörü”, f, onun atom numarasi Z ile orantilidir.

Sekil 6.8. Bir Atomda Elektronlar Tarafından X-isininin Saçılması [29].

2q açisinda rasgele isinin dogrultusunda saçılma için xy mesafesi ile ilgili bir faz
farkı 1¢ ve 2¢ ışınları arasında da vardir. Genellikle bu faz farkı bir dalga boyundan
daha azdir. Çünkü bir atomun içinde elektronlar arasi mesafe daha kisadir. Bir sonuç
olarak 1¢ ve 2¢ arasında sadece yikici karisiklik meydana gelir. Atomda bütün
elektronlar tarafindan
saçilmis isinlar arasındaki karisikligin etkisi artan 2? açisi ile saçılma şiddetinde
kademeli
artisa sebep olur. Örnegin bakirin saçılma dozu 2?=00 de atom numarasi 29 ile, 900 de
14
ile, 1200 de 11,5 ile orantilidir. Bu Sekil 3.8 de görülebilir. Verilen 2? açisi için şiddet
artan
X-isini dalga boyu ile artar. Açi ve X-isininin dalga boyunun her ikisi de dahil edilerek
( sin Θ/ λ ) tekrar yazilir.

sin Θ/ λ Ve atom numarasında olusum faktörlerine bagli iki sonuç belirtilir.

Birincisi bir çok materyalin toz örnekleri yüksek açilarda sadece zayif çizgiler içerir.

114
Çesitli faktörlerin toz şiddetlerine katkida bulunmasina ragmen bu etki için ana sebep
atomların düsük açilarda sadece zayif saçmasidir. Ikincisi kullanilan X-ışınları ile kristal
yapi tespitinde bu atomların belli bir yere yerlestirilmesi çok zordur çünkü onlarin
kırınıma ugramis radyasyonlari çok zayiftir.

6.5.2. Kristal Tarafından X-Işını Saçılması

Bir materyalde her atom X- ışınlarının ikincil nokta kaynagi gibi davranir. Eger
bir materyal non-kristal ise isik demeti bir yönde atomlar tarafindan saçilir ama kristal
bir materyal tarafindan saçılan isik demetinin bir çok yönlerde yikici etkileri vardir.
Diger yönlerde engelleme yapici veya kismen yikici olur. Engelleyicinin miktari ve her
atom tarafindan saçilmis isin demetinin relativite fazlari, saçılma şiddetine baglidir ve
bu sebeple kristal yapisinda yer alan atomların pozisyonlarina da bagli olur.
Kaya tuzu kübik yapıdır ve bu yansimalar ya tek tük yada bütün hallerde olan
hkl miller indisleri için gözlenir. Bu kuralla göre mesela (110) sistemi yoktur ama (111)
gözlenebilir.

Sekil 6.9. NaCl’de (111) ve (110) Düzlemleri.

Bu düzlemlerin her ikisi de Sekil 3.9 de gösterildi. şekilde (110) düzlemleri Na+ ve
düzlemlere uzanan Cl- iyonuna sahiptir ve düzlemler arasında benzer iyonların sayıları
esittir. (110) düzlemlerinin yansımayla ilişkisi bu şekilde meydana gelir. (111)
düzlemleri,
düzlemlerde Na+ iyon uzanımına ve düzlemler arasında ortada Cl- iyonlarına sahiptir.
Na+
115
ve Cl- iyonları bu düzlemlerde diğer düzlemlere göre tam olarak fazın 1800 dışında
saçilir ama sadece bir kısmında yıkıcı engelleme meydana gelir. Kaya tuzunun yapısına
sahip materyallerde (111) yansımasının şiddeti, anyon ve katyonun atom numaralarının
farkıyla ilişkilidir.

6.5.3. X-Işınlarının Elektron Tarafından Saçılması

X-ışınları elektromanyetik dalga olmaları nedeniyle, birbirine dik elektrik ve

manyetik alandan oluşurlar. Bu elektromanyetik alan nedeniyle bir elektronla etkilesen
X-ışınları elektronun titresim hareketi yapmasina neden olur. Titresen elektronlarin
ivmeli hareket yapmasi sonucunda gelen isinin dalga boyuna esit dalga boylu isinimlar
olusur. Bu
elektrondan saçılan ışınların şiddeti saçılma açışına bagli olarak;

seklinde yazılabilir. Burada;

I0= gelen dalganın şiddeti,
I= saçılan dalganın şiddeti,
e= elektronun yükü,
m= elektronun kütlesi,
c= ışık hızı,
r= saçılan isinin elektrona uzaklığı,
a= dalgaların saçılma doğrultuları ile elektronların ivmelenme doğrultuları arasındaki
açıdır.

Sekil 3.10’da O noktasında bulunan bir elektrona OX-doğrultuşunda çarpan X-

ışınlarının Saçılması görülmektedir. P noktasındaki açılma şiddetini bulmak istersek;
elektrik alan vektörü E’nin Ey ve Ez bileşenleri cinsinden
116
 E=Ey 2+Ez 2

Sekil 6.10. X- ışınlarının Bir Elektron Tarafından Saçılması.

1
E 2y =E 2z= E 2
2
bulunur. Burada E dalganın genliğidir. dalganın şiddeti de genliğin karesi ile orantılı
olduğundan

1
I 0y =I 0z= I 0
2
seklinde yazılır.

P’deki saçılma şiddetinin bileşenlerinin toplamı;

117
esitliklerinin toplamı

seklinde olur.
ifadesi elde edilir. Bu bağıntıdaki (1+ cos2 2q )/2 ifadesi polarizasyon çarpanı olarak
ifade edilir.

6.5.4 X-Işınlarının Birim Hücre Tarafından Saçılması

Bir kristalde her atom atomun saçılma gücü f’nin miktarı ile ilişkili olarak X-
ışınlarını saçar. kısacası her dalganın fazı ve genişliği önemlidir. Eğer yapının atomik
pozisyonunu biliyorsak, birim hücrede her atoma yoklasan faz genlik hesaplanabilir. Ve
çeşitli matematik metotları ile çözülür. Birim hücrede farklı atomların relative fazlarını
düşünelim.
Sekil 3.11a’da ortagonal birim hücreye sahip bir kristalin iki (100) düzlemi
çizildi. A, B, C, A¢ atomlari bir a ekseninde bulunur.

(100) yansıması için A ve A¢ fazlı seçilir. Çünkü onların faz farkı bir dalga boyu 2p
yari

118
çapındadır (Bragg kanunu). B atomu düzlemler arasında ortaya yerleştirilmiştir. 1/2x
koordinatına sahiptir. A ve B arasındaki faz farkı 1/2.2p = p dır. A ve B atomları tam
fazın dışındadır. C atomu fonksiyonel x koordinatına sahiptir. Bu yüzden 2px-A ile
ilişkili olur.

Sekil 6.11. (a) Ortagonal Birim Hücre Için (100) Düzlemleri

(b) (a)’daki gibi Benzer Birim Hücrenin (200) Düzlemi.

Simdi benzer birim hücre için 200 yansımasını düşünelim. Sekil 3.11b’de
gösterilmiştir. Ave B atomları 200 yansıması ve fazlı saçılması için 2p faz fark ina
sahiptir. Oysa faz farkı (100) düzlemi için p dır. (100) ve (200) düzlemleri için Bragg
kırınım durumları kıyaslanır.

119
Yarıya bölünen d’nin etkisi ile A ve B gibi atomların faz farkı çift olur. Bu sebeple
(200)yansıması için A ve C (2x.2p)’nin faz farkına sahiptir. h00 yansımasının genel
durumu ifadesi için komsu (h00) düzlemleri arasında d mesafesi (1/h)a dır (bir ortagonal
hücre için). A ve C arasındaki faz farkı d;

δ =2 Π hx

Atomlar arası faz farkı iki faktöre bağlıdır; belirtilen yansımanın Miller indisleri
ve birim hücrede atomların kesirli koordinatlarıdır. (hkl) indisleri ile kurulan
düzlemlerden yansıma için orijin ve (x,y,z) kesirli koordinatlı bir pozisyondaki atomlar
arasındaki faz farkı d;

δ =2 Π( hx+ky+lz)

ile verilir. Bu önemli bir formüldür ve bütün birim hücre Şekillerine

uygulanabilir.
Şiddetlere tesir eden ikinci büyük faktör, saçılma gücü f tarafından verilende olduğu
gibi
saçılmış tek dalgaların büyüklüsüdür. f atom numarası Z ile orantılıdır. Artan Bragg
açışı ?
ile artar.
j atomu için fj büyüklüsünün kırınım uğramış dalgası ve dj faiz formlanmış bir
sinüs dalgası tarafından hazırlanabilir;

F j= f j sin( wt−δ j)

Hücrede her atomdan kırınıma uğramış dalgalar benzer açsal frekans w ya

sahiptir. Ama f de ve d da farklı olabilir. açığa çıkan şiddet tek sinüs dalgasının
toplamandan elde edilir. Matematiksel olarak dalgaların toplama vektör toplama ve
kompleks sayılar dahil olmak üzere değişik yollardan çözülebilir. Kompleks dönülüm
yapılarak j dalgası;
F j= f j isin( wt−δ j)
120
veya
F j= f j e i δ j

gibi yazılabilir.
Bir dalganın şiddeti onun büyüklüğünün karesi ile orantılıdır.

2
Iα f j

ve kompleks konjigesi tarafından dalga için çarpılarak eşitlik elde edilir.

I α ( f ijδ )( f −ij δ )
j j

d yerine yazılırsa kırınıma uğramış dalga eşitliği,

olur.
Bu formüller yazıldığı zaman birim hücredeki j atomları hkl yansıması için Fhkl “yapı
büyüklüğü” veya “yapı faktörü” vermek için çözülebilir;

veya

121
Ihkl kırınıma uğramış isin demetinin şiddeti (Fhkl)2 ile orantılıdır ve

kristallografi de bu formül çok önemlidir.

6.5. Optik Özellikler

6.5.1. Temel Soğurma

Temel soğurma, değerlik bandından iletim bandına bir elektronun, banttan
banda veya eksiton geçişlerine karşılık gelir. Temel soğurma kendini soğurma
spektrumundaki hızlı artışla belli eder ve bir yarı iletkenin yasak enerji aralığını
belirlemede kullanılır. Bir fotonun momentumu h/λ (λ ışığın dalga boyu), kristalin
momentumu h/a ( a, örgü sabiti) ile kıyaslandığında çok küçük olduğundan foton
soğurma esnasında elektronun momentumu korunmalıdır. Verilen bir h ν foton enerjisi
için soğurma katsayısı a (hu) , elektronun ilk durumdan son duruma geçiş

olasılığı Pif, ilk durumdaki elektron yoğunluğu ni ve son durumdaki elektron

yoğunluğu nf ile orantılıdır.

122
 a (hu) = A￥Pif ni nf (6.19)

0 K’de katkısız yarı iletkenler için doğru olan bir durumda, kolaylık olması için tüm alt
durumların dolu ve tüm üst durumların boş olduğu kabul edilmiştir (Pankove, 1971).

6.5.2. İzinli Doğrudan Geçişler

İki doğrudan enerji çukuru arasında soğurma geçişleri düşünülürse Şekil 6.26, tüm

momentum korunumlu geçişler izinli olmalıdır. Ei deki her başlangıç durumu Ef deki
son durumla birleştirilir ve kısaca;

E f =hv−∣E i∣
şeklinde verilir.

Şekil 6.26. Parabolik bir bant yapısında doğrudan geçiş

123
Parabolik bir bantta;

dir. Böylece,

elde edilir. Birleştirilmiş durumların yoğunluğu;

ile verilir. Burada mr indirgenmiş kütle olup

yukarıdaki denklemde verilir. Soğurma katsayısı;

ile verilir.
124
 6.5.3. Yasaklı Doğrudan Geçişler

Bazı materyallerde kuantum seçim kuralları direk geçiş için k = 0 da izinsiz,

k≠ 0 da izinlidir. Geçiş olasılığı k2 ile artar. Şekil 6.27 için bunun anlamı geçiş
( hu - Eg ) olasılığının ile orantılı artmasıdır. Doğrudan geçişlerde durum yoğunluğu
( hu - E g )1/2 ile orantılı olduğundan soğurma katsayısı

ile verilir. Burada A ,

'

m(h)⋅m(e)
q2 ( 2 )
, 4 m(h)+m(e)
A= ( )
3 nch 2 m(h)m(e ) hv

şeklinde verilir.

6.5.4. Dolaylı Bantlar Arasında Dolaylı Geçişler

Bir geçiş hem enerji hem de momentumda bir değişme gerektirdiğinde bir
ikili ya da iki aşamalı işlem gerekir. Çünkü foton momentumunda bir değişme
sağlayamaz. Momentum Şekil 6.27’de görüldüğü gibi fonon etkileşmesi yoluyla
korunur. Fonon, örgü titreşiminin bir kuantumudur.

125
 Şekil 6.27. Dolaylı geçişler (Pankove, 1971)

Bu fononların her biri tipik bir Ep enerjisine sahiptir. Ef – Ei geçişini

sağlamak için bir fonon ya soğrulur yada yayınlanır. Bu iki işlem;

hνe =Ef-Ei+Ep (6.28)

hvα=Ef-Ei-Ep (6.29)

bağıntılar verilir.

Dolaylı geçişlerde değerlik bandının tüm doldurulmuş durumları iletim

bandının tüm durumları ile bağlı olabilir. Ei enerjili başlangıç durumlarının
yoğunluğu,

(6.30)

126
dır. Ef enerjili durum yoğunluğu ise,

(6.31)

dir. (6.28 ve 6.29) denklemlerini kullanarak;

(6.32)
şeklinde yazılabilir. Soğurma katsayısı (6.30) denklemiyle verilen ilk durumların ve
(6.31) denklemiyle verilen son durumların yoğunluklarının çarpımından elde edilir; α,
fononlarla etkileşme olasılığıyla orantılıdır. Fononların sayısı Bose-Einstein
istatistiği ile verilir.

(6.33)

Böylece soğurma katsayısı;

(6.34)

127
şeklinde yazılabilir. Gerekli matematiksel işlemlerden sonra fonon soğurmasıyla
geçiş için soğurma katsayısı hu> Eg - Ep olmak üzere;

(6.35)

bulunur. Fonon yayınım olasılığı 1 p N + ile orantılıdır. Fonon yayınımlı geçiş için
soğurma katsayısı hυ> Eg +Ep için;

(6.36)
Hem fonon yayınımı hem de fonon soğurulması, hυ> Eg +Ep durumunda
mümkün olduğundan soğurma katsayısı hυ> Eg +Ep için;

(6.37)

şeklinde gösterilir.

Düşük sıcaklıklarda fonon yoğunluğu çok küçük olacak bundan dolayı αa

küçük olacaktır. Şekil 6.28’ de α a ve α e nin sıcaklık bağımlılıkları gösterilmektedir.
128
Geçiş işlemine katılan birkaç değişik fonon tipleri ve bunların değişik olasılıkları
vardır.

Şekil 6.28. Soğurmanın sıcaklık bağımlılığı (Pankove, 1971)

Eğer yarıiletken fazla oranda katkılanmış ise bant içindeki Fermi seviyesi (n
tipi yarıiletkende) En dir. En enerjisinin altındaki durumlar dolu olduğundan Eg + En
altındaki durumlara olan temel geçişler yasaklıdır. Böylece soğurma kenarı En
kadarlık bir değerle daha yüksek enerjilere kayar (Şekil 6.29). Soğurma katsayısının
hesaplanması çok katkılanmış n tipi germanyum için yapılmış ve sonuçlar Şekil 6.30
da gösterilmiştir. 0 0K de sadece fonon yayınım işlemi mümkündür; √α e saf
germanyum için x ekseninde Eg +Ep de kesişir. Hesaplanan kesişimler En değeri
kadar kaymıştır. Verilen hυ> Eg +Ep+En değerinde soğurmada düşüş olmaktadır.
Bunun sebebi mümkün son durumların sayısının azalmasıdır.

129
 Şekil 6.29. İki fonon yardımlı geçişler

Şekil 6.30. Optik soğurmanın iletim bandı durumlarının doldurulmasıyla değişimi

Fazla katkılı dolaylı bant aralığına sahip yarı iletkenlerde momentumu elektron-elektron
saçılması gibi saçılma işlemleriyle korumak mümkündür. Bu durumlarda saçılma

130
olasılığı saçıcıların sayısı N, ile orantılıdır ve fonon yardımına ihtiyaç duyulmaz.
Böylece soğurma katsayısı;
(6.38)

şekline gelir. Şekil 6.31’ de As katkılı germanyum için veriler gösterilmektedir.

Şekil 6.31. Aşırı katkılamanın bant kenarına etkisi

Soğurma kenarı katkılama ile kaymaktadır. Gerçekte (6.38) denkleminin

d √α
fonksiyonel bağımlılığı nün N ile orantılı olması şeklindedir. Bu Şekil
½

d (hv)
6.32’ de gösterilmektedir.

131
 Şekil 6.32. Taşıyıcı yoğunluğunun soğurmaya etkisi

6.5.5 Direk Bantlar Arasında Dolaylı Geçişler

Direk bantlar arasındaki geçişler, dolaylı bantlar arasındaki geçişlere oldukça

benzerdir (Şekil 6.33). Momentum fonon yayınımı, soğurumu veya kusur ya da
taşıyıcı saçılmaları gibi ikincil işlemlerle korunur. Burada değerlik bandının herhangi
dolu ilk durumu iletim bandının boş durumuyla bağlanmıştır. Bu durumda soğurma
katsayısı 6.35’ den 6.37’ e kadar olan denklemlerle fonon içeriyorsa ve eğer fononlar
momentum korunumunda kullanılmıyorsa 6.38 denklemiyle hesaplanır. Bu tür
dolaylı geçişler iki adımlı işlemlerle olur ve bunların olasılığı direk geçişlerin
olasılığından azdır. Gerçek soğurma katsayısı her iki katkının toplamı olmalıdır

132
 Şekil 6.33. İletim bandına doğrudan geçişler

6.5.6 Bant Kuyrukları Arasındaki Geçişler

Parabolik bantlar arasında olan momentum korunumlu geçişler soğurma

kenarında oluşur. Soğurma kenarı yarı logaritmik olarak Şekil 6.34’ de çizilmiştir.
Direk geçişler için enerji aralığının altındaki değerler için soğurma olmadığı beklenir
ve bundan dolayı basamak şeklinde artan soğurma kenarı gösterilmektedir. Fakat
pratikte genellikle üstsel artan soğurma kenarı bulunmaktadır. Çoğu materyalde
Urbach kuyruğu olarak bilinir ve d(lna) / d(hn) = 1/ kT şeklinde gösterilir. GaAs’ in
katkılama ile kontrol edilen üstsel soğurma kenarının bant kuyruğu içeren geçişlerle
oldukça uyumlu sonuçlar verdiği bulunmuştur.

Şekil 6.34. GaAs' ın oda sıcaklığındaki soğurma kenarı

133
 Şekil 6.35. İletim bant kuyruğunun optik soğurma ile gözlenmesi

Durum yoğunluklarının soğurma katsayısını nasıl etkilediğini belirlemek için

p tipi dejenere örneği ele alalım. Fermi seviyesi değerlik bandının parabolik
kısmında yer alır böylece değerlik bandının bozulmuş kısmı Fermi seviyesinin
üstünde kalır. İlk durumların yoğunluğu N 1 ,∣E v∣2 ile orantılıdır. Şekil 6.35’ de p tipi
yarıiletkende durumların iletim bant kuyruklarının optik soğurma ile değişimi
görülmektedir. Son durumlar, iletim bandının içinde üssel kuyruk oluşturur ve
bunların herhangi bir E enerjisindeki yoğunlukları;
Nf =N0 eE / E0

şeklinde verilir. Momentum korunumu optik geçişlerde sorun çıkarmaz ve matris

elementi geçişler için sabittir yani foton enerjisinden bağımsızdır.
Soğurma katsayısı verilen hn değerleri için tüm mümkün geçişler üzerinden
integre edilen ilk ve son durum yoğunluklarının çarpımıyla orantılıdır;

134
(6.40)

E yerine E - hn koyup gerekli değişken değişimlerini kullanırsak;

(6.41)

6.40 denklemi;

(6.42)

şekline gelecektir. Alt

limit ∞’ a ayarlanmıştır, çünkü hn >> E dır. Bu integrali hn
0

den bağımsız yaparsak çözüm;

(6.43)

135
şekline gelir. Soğurma kenarının yarı logaritmik çizimdeki eğimi;

ile verilir.

6.6. İnce Film Depolama Yöntemleri

Gelişen teknoloji içinde katıhal aygıtlarına, mikroişlemcilere olan ihtiyacın

artması ve bunların en iyi şekilde üretimlerinin sağlanması gerektiğinden depolama
teknolojisinin neden bu kadar hızlı geliştiğini görebiliriz. Düzinelerce depolama
yöntemi vardır, nanometreden birkaç mikrometreye kadar değişen kalınlık
bölgesindeki katmanları oluşturmak için gerekli yöntemlere baktığımızda bunları
sınıflandırabiliriz. Temel olarak ince film depolama yöntemleri, buharlaştırma
metotları gibi sadece fiziksel veya gaz ve sıvı faz kimyasal işlemler gibi sadece
kimyasal olabilir. Birçok işlem ise elektriksel deşarj ve reaktif söktürme gibi fiziksel
ve kimyasal işlemler olarak adlandırılabilir. İnce film depolama sistemlerini,

1. Fiziksel işlemler
2. Kimyasal işlemler
3. Fiziksel ve kimyasal işlemler
olmak üzere üç başlık altında detaylı bir şekilde inceleyebiliriz.

136
6.6.1 Fiziksel İşlemler

¨ Vakum Buharlaştırma
¨ Klasik vakum buharlaştırma
¨ Elektron demetiyle buharlaştırma
¨ MBE (Moleculer Beam Epitaxy)

Bunlar ince film depolamada kullanılan en eski bilinen yöntemler olarak

bilinmektedir ve ince filmlerin vakumda alt tabaka yüzeyine kaplanması şu aşamaları
gerektirmektedir:

¨ Buhar, kaynak malzeme kaynatılarak veya süblimleşmeyle elde edilir.

¨ Buhar kaynaktan alt tabakaya taşınır.
¨ Taşınan malzeme alt tabaka üzerine çöker ve ince film tabakası oluşur.

Malzemelerin çokluğu değişik kaynak bileşenlerinin incelenmesine ve

varlığına olanak sağlar. Ana kavramlar ele alındığı zaman: Kapalı bir kaptaki gaz
basıncının normal atmosfer basıncından daha düşük olduğu durum vakum olarak
kabul edilir. Gaz molekülleri çarpışma halindedir. Bunların iki seri çarpışma
arasındaki ortalama gidişleri moleküllerin ortalama serbest yolu ( ) olarak
adlandırılır. ( ) yoğunluğa bağlıdır. Basınç (P) azaldıkça ( ) artar, çarpışma sayısı
ise azalır. Ortalama serbest yolun ( ) ve vakum fanusunun boyutlarına (d) bağlı
olarak fanus içerisinde düşük, orta ve yüksek vakum olabilir. Vakum ortamının
olumsuz yönlerini şöyle sıralayabiliriz.

¨ Vakumda hazırlanan filmlerin büyüme hızı vakum şartlarına bağlıdır.

¨ Orta, düşük vakumdan çıkan moleküller, ortamdaki moleküllerle çarpacaktır
ve alt tarafa gidemeyecektir.
¨ Fanus içinde kalan havayla elde edilen filmlerin elektriksel özellikleri
değişecektir.
¨ Kompozisyon (bütünlük) bozulabilir, oksitler, kirlilikler oluşabilir.

137
 6.6.2 Kimyasal işlemler

Kimyasal işlemler iki ana başlıkta kısaca inceleyecek olursak;

1. Sıvı-Faz kimyasal işlemler
2. Gaz-Faz kimyasal işlemler
Sıvı –Faz kimyasal işlemler üç farklı yolla elde edilir. Bunlar:
a) Elektrokimyasal işlemler
b) Kimyasal depolama
c) Mekaniksel yöntemler
Kimyasal depolama sistemi; Filmi oluşturacak iyonların kontrollü bir
şekilde ortama bırakılması ve iyonların reaksiyonunun yavaşlatılması esasına dayanır.
Sıvı –Faz kimyasal işlemlerin olumlu ve olumsuz tarafları vardır. Olumlu tarafı; bu
sistemlerin ucuz olması ve malzeme çeşitliliğinin bol olmasıdır. En önemli
parametreleri; sıcaklık, pH ve iyon konsantrasyonudur. Olumsuz tarafı ise bu
sistemlerde sıcaklık, pH, akım yoğunluğu çözelti bileşenleri çok önemli faktörlerdir,
fakat bu yöntemle üretilen filmler MBE’ye göre oldukça düşük bir yüzey
homojenliğine sahiptir.

6.6.2 Kimyasal İşlemler

Kimyasal buhar depolama(CVD); reaksiyona girecek elementlerin buhar

fazda katı film oluşturmak üzere etkileştiği, materyal üretim yöntemidir.
CVD’nin avantaj ve dezavantajları şöyledir:
1) Basit ve karmaşık yapıları düşük sıcaklıklarda elde edilebilir.
2) Hem bileşen hem de fiziksel özellikler kimyasal reaksiyonla ve depolama
koşullarıyla değiştirilerek kontrol edilebilir.
3) Metal organik metallere uygulanabilir.
4) Düşük sıcaklıklarda film amorftur yüksek sıcaklıklarda ise polikristal ve
daha yüksek sıcaklıklarda tekli kristal yapıdadır.

138
 6.6.3 Fiziksel ve Kimyasal İşlemler

Plazma yardımlı işlemlerden oluşan, hem fiziksel hem de kimyasal işlemleri içeren
yöntemleri şöyle sınıflandırırsak:
¨ Söktürme
¨ DC
¨ RF
¨ Magnetron
¨ Anodik ark depolama
¨ Reaktif söktürme
¨ İyon yayıcı söktürme
¨ Katodik ark depolama (CAD)
¨ Atmalı filtreli katodik vakum ark depolama (PFCVAD)
Yukarıdaki yöntemler içerisinde bizim kullandığımız yöntem Atmalı filtreli
katodik vakum ark depolama (PFCVAD) yöntemidir.

Plazma; Elektriksel olarak nötral olan ve rastgele doğrultularda birlikte

hareket eden hemen hemen eşit pozitif ve negatif yüklü parçacıklar topluluğudur.
İyonize gaz için kullanılan plazma kelimesi 1920’li yıllardan beri fizik literatüründe
yer almaya başlamıştır. Plazma içinde nötral atom ya da moleküllerin olması plazma
halini değiştirmez. Plazmanın birim hacmi içindeki negatif yüklenmiş parçacıkların
sayısı (elektronlar) pozitif yüklü parçacık sayısına (iyonlar) yaklaşık olarak eşit
olduğundan, plazma elektriksel olarak nötraldir. Maddenin dört haline baktığımız
zaman katı durumda atomlar belirli uzaklıklara sahiptir. Sıvı halde ise bu uzaklık
artar. Gaz halinde iken maddenin atomları arasındaki bağ uzunlukları daha da
artmaktadır. Plazma halinde atomlar iyonlaşırlar ve sürekli olarak birbirleriyle
çarpışırlar.

139
Plazmanın özelliklerine kısaca değinecek olursak;

1) Plazma dış ortama karşı elektriksel olarak nötrdür ve plazma içinde

pozitif(iyonlar)yüklerin sayısı, negatif (elektronların) yüklerin sayısına eşittir.
2) Plazma içindeki ayrışma, iyonizasyon ve bu tür olayların tersi olan yeniden
yapılanma olayları sürekli meydana gelir ve bu olaylar plazmada dinamik bir
denge içinde bulunurlar.
3) Plazma iyi bir elektrik ve ısı iletkeni olmakla birlikte plazma içindeki her bir
parçacık bir enerji taşıyıcısıdır. Örneğin bakırın ve gümüşün iletkenliğinden
102 kat daha fazla iletkendirler.
4) Plazma yüksek sıcaklık ve enerji yoğunluğuna sahiptir.
5) Plazma içindeki parçacığa Lorentz kuvveti etki (F=qE+qVB ) eder.

Plazma, büyüme ve depolanan film özellikleri, öteki yöntemlerdeki değişik

fiziksel ve kimyasal işlemlerle aktive edilen gaz ve enerjili iyonik parçacıklarla yer
değiştirir. Plazmayı kullanmaya iten sebeplerden biri birçok uygulamadaki düşük
sıcaklık gereksinimidir. Plazma yardımlı işlemler sayesinde oldukça düşük alt taban
sıcaklıkları sağlanmaktadır. Diğer birçok işlemde ise plazmanın rolü, reaksiyonların
aktivasyonunun arttırılmasıdır. Bu durum bileşik filmlerin depolanmasını, büyüme
kinetiklerinin değiştirilmesini sağlar ve böylece yapı ve morfoloji üzerinde de bir etki
sağlanmış olur.
Kaynakla alt tabaka arasında plazmanın bulunması, film depolanmasını üç
basamakta etkiler:

1) Parçacık üretimi
2) Kaynaktan alt tabakaya taşınım
3) Film üretimi

140
 KAYNAKLAR

• KABAK,MEHMET.(2004),“X-ışınları kristalografisi”. Bıçaklar Kitabevi,

Ankara , 975-8695-07-X
• AYGÜN, E. , ZENGİN, M. (1998). “Atom ve Molekül Fiziği”. Ankara
Üniversitesi, Ankara,978-975-5560-17-3
• CULLİTY B.D. (1996). “Elements of X-Ray Diffraction (X ışınlarının
Difraksiyonu)”, (Çev. A. Sümer), İstanbul,9780201610918
• GÜNDÜZ, EROL. (1989). “Modern Fiziğe Giriş”. Ege Üniversitesi Fen
Fakültesi, İzmir
• ÖZBEY, SALİHA. “X-IŞINLARI KRİSTALOGRAFİSİ” sunum notları
Hacettepe Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü

• GÜNEŞ, BİLAL., 2007, Kristalografi Ders Notları [online], Gazi Üniversitesi,

• http://w3.gazi.edu.tr/~bgunes/files/kristalografi/kristalografidersnotlari.html

• Dikici M., (1993), “Katıhal Fiziğine Giriş” Ondokuz Mayıs Üniv. Yayınları,
Yayın No:71 Samsun
• Durlu T. N., )1996), “Katıhal Fiziğine Giriş” Ankara üniversitesi yayınları
• Taner Zerrin,Emrah Bakan ve Metin Karabacak'ın UYGULAMALI
X-IŞINLARI sunum notları
• http://w3.gazi.edu.tr (Pr.Dr. Bilal Güneş Kristalografi Notları)
• http://tr.wikipedia.org
• http://www.fizik.us
• http://kutuphane.trakya.edu.tr/
• http://www.taek.gov.tr

141