𝑁𝐴 ∙ 𝑁𝐷

𝑈𝐾 = 𝑈𝑇 ∙ ln ( ) = 0,714𝑉
𝑛𝑖2

širina potpuno otvorenog kanala

Vodljivost otvorenog kanala nastupa
𝑎2 ∙ 𝑞 ∙ 𝑁𝐷
za 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉 i 𝑈𝐷𝑆 = 0𝑉 i jednaka je: 𝑏) 𝑈𝐺𝑆0 = 𝑈𝐾 − = −6,245𝑉
2𝜀
𝑞 ∙ 𝜇𝑛 ∙ 𝑁𝐷 ∙ 2𝑎 ∙ 𝑤
𝑎) 𝐺0 =
𝐿 𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆
𝑏 = 𝑎 ∙ (1 − √ ) = 0,773µ𝑚
1350 𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0
𝜇𝑛 = 80 +
1015
1+( )0,72 𝑞 ∙ 𝜇𝑛 ∙ 𝑁𝐷 ∙ 2𝑏 ∙ 𝑤
1,12 ∙ 1017 𝐺= = 34,3µ𝑆
2 𝐿
= 1386 𝑐𝑚 ⁄𝑉𝑠

𝐺0 = 1,33 ∙ 10−4 𝑆 (𝑠𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠)

Napomena:
− kod unipolarnih tranzistora u vođenju struje sudjeluju samo većinski nosioci naboja. S
obzirom da kod njih struja teče kroz kanal, a u zadatku se radi o n-kanalnom JFET-u,
zbog toga za vodljivost kanala promatramo pokretljivost elektrona i uvrštavamo gustoću
primjesa 𝑁𝐷 (za p-kanalni JFET gledamo pokretljivost šupljina u kanalu 𝜇𝑝 ). Potpuno
 otvoreni kanal nastupa za 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉 i 𝑈𝐷𝑆 = 0𝑉 (napon 𝑈𝐷𝑆 također utječe na širinu
kanala, ali u daleko manjoj mjeri od napona 𝑈𝐺𝑆 ).
− u trenutku kada je 𝑈𝐺𝑆 ≠ 0𝑉 dolazi do formiranja barijera i kanala, pri čemu je 𝑈𝐺𝑆0
vrijednost napona 𝑈𝐺𝑆 pri kojem struja prestaje protjecat kroz FET (dolazi do zatvaranja
kanala). Zaključno za ovaj zadatak, kada je 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉 imamo potpuno otvoren kanal i
struja je maksimalnog iznosa, a za 𝑈𝐺𝑆 = −6,24𝑉 kanal je potpuno zatvoren (𝐼𝐷 = 0).
1
Dakle, za 𝑈𝐺𝑆 = 2 𝑈𝐺𝑆0 vodljivost kanala je manja, a otpor kanala je većeg iznosa.

Lijevo od krivulje na slici

je TRIODNO područje.
Desno od krivulje na slici
je područje ZASIĆENJA.

𝑁𝐴 ∙ 𝑁𝐷
𝑈𝐾 = 𝑈𝑇 ∙ ln ( ) = 0,737𝑉
𝑛𝑖2

𝑎2 ∙ 𝑞 ∙ 𝑁𝐷
𝑈𝐺𝑆0 = 𝑈𝐾 − = −5,45𝑉
2𝜀
1) TOČKA B: 𝑈𝐺𝑆 = −2𝑉; 𝐼𝐷 = 2𝑚𝐴
𝑈𝐷𝑆𝑔 = 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 = −2𝑉 − (−5,45𝑉) = 3,45𝑉

𝑈𝐷𝑆 > 5𝑉 > 𝑈𝐷𝑆𝑔 → 𝑧𝑎𝑠𝑖ć𝑒𝑛𝑗𝑒

3 3⁄
2 (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0 ) ⁄2 − (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆 ) 2
𝐼𝐷 (2𝑚𝐴) = 𝐺0 ∙ [𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 − ∙ ]
3 (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0 )2
vodljivost otvorenog kanala 𝐺0
𝐺0 = 𝟑, 𝟕𝟏 𝒎𝑨⁄𝑽
je konstantna veličina, 𝐺0 ≠ 𝐺
√𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝐺0 ∙ (1 − ) = 1,24 𝑚𝐴⁄𝑉
√𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0
𝑔𝑑 = 𝐼𝐷 ∙ 𝜆 = 0,02 𝑚𝐴⁄𝑉
vodljivost i otpor su
obrnuto proporcionalne 1
𝑟𝑑 = = 50𝑘Ω → 𝜇 = 𝑔𝑚 ∙ 𝑟𝑑 = 62,12
veličine 𝑔𝑑
 2) TOČKA A: 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝑈𝐷𝑆 = 5𝑉
𝑈𝐷𝑆𝑔 = 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 = 0𝑉 − (−5,45𝑉) = 5,45𝑉

𝑈𝐷𝑆 < 𝑈𝐷𝑆𝑔 → 𝑡𝑟𝑖𝑜𝑑𝑛𝑜 𝑝𝑜𝑑𝑟𝑢č𝑗𝑒

√𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆 + 𝑈𝐷𝑆 − √𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆

𝑔𝑚 = 𝐺0 ∙ = 2,29 𝑚𝐴⁄𝑉
√𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0

𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆 + 𝑈𝐷𝑆
𝑔𝑑 = 𝐺0 ∙ (1 − √ ) = 1,375 ∙ 10−4 𝐴⁄𝑉
𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0

1
𝑟𝑑 = = 7,27𝑘Ω → 𝜇 = 𝑔𝑚 ∙ 𝑟𝑑 = 16,7
𝑔𝑑
3 3⁄
2 (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆 + 𝑈𝐷𝑆 ) ⁄2 − (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆 ) 2
𝐼𝐷 = 𝐺0 ∙ [𝑈𝐷𝑆 − ∙ 1 ]
3 (𝑈𝐾 − 𝑈𝐺𝑆0 ) ⁄2

Napomena: s obzirom da JFET može raditi u triodnom ili u području zasićenja, prije računanja
dinamičkih parametara moramo prvo odrediti u kojem području radi tranzistor da bi znali koje
jednadžbe koristiti:
− JFET da bi radio kao pojačivački element mora raditi u području zasićenja, u triodnom
području predstavlja promjenjivi otpor.
− BJT da bi radio kao pojačivački element mora raditi u normalnom aktivnom području,
u području zasićenja radi kao zatvorena sklopka (otvorena sklopka u zapiranju).
λ – parameter koji može imati vrijednost između 0,1 − 0,001𝑉 −1
 𝑁𝐴 ∙ 𝑁𝐷
𝑈𝐾 = 𝑈𝑇 ∙ ln ( ) = 0,815𝑉
𝑛𝑖2

𝑎2 ∙ 𝑞 ∙ 𝑁𝐴
𝑈𝐺𝑆0 = − 𝑈𝐾 = 6,917𝑉
2𝜀
415
𝜇𝑝 = 45 +
1016
1+( )0,72
2,23 ∙ 1017
2
= 419,9 𝑐𝑚 ⁄𝑉𝑠
𝑞 ∙ 𝜇𝑝 ∙ 𝑁𝐴 ∙ 2𝑎 ∙ 𝑤
𝐺0 = = 1,345 𝑚𝐴⁄𝑉
𝐿
1) 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝑈𝐷𝑆 = −6𝑉

|𝑈𝐷𝑆𝑔 | = |𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 | = 6,917𝑉

|𝑈𝐷𝑆 | < |𝑈𝐷𝑆𝑔 | → 𝑡𝑟𝑖𝑜𝑑𝑛𝑜 𝑝𝑜𝑑𝑟𝑢č𝑗𝑒

3 3⁄
2 (𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐷𝑆 ) ⁄2 − (𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆 ) 2
−𝐼𝐷 = 𝐺0 ∙ [𝑈𝐷𝑆 − ∙ 1⁄ ] = 2,57𝑚𝐴
3 (𝑈 + 𝑈 2
𝐾 𝐺𝑆0)

√𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐷𝑆 − √𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆

𝑔𝑚 = 𝐺0 ∙ = 0,83 𝑚𝐴⁄𝑉
√𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆0
2) 𝑈𝐺𝑆 = 2𝑉; 𝑈𝐷𝑆 = −6𝑉

|𝑈𝐷𝑆𝑔 | = |𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 | = 4,917𝑉

|𝑈𝐷𝑆 | > |𝑈𝐷𝑆𝑔 | → 𝑧𝑎𝑠𝑖ć𝑒𝑛𝑗𝑒

3 3⁄
2 (𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆0 ) ⁄2 − (𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆 ) 2
−𝐼𝐷 = 𝐺0 ∙ [−𝑈𝐺𝑆 + 𝑈𝐺𝑆0 − ∙ 1 ] = 1,204𝑚𝐴
3 (𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆0 ) ⁄2

𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝐺0 ∙ (1 − √ ) = 0,534 𝑚𝐴⁄𝑉
𝑈𝐾 + 𝑈𝐺𝑆0

Napomena:
Kod JFET-a najčešće krećemo s računanjem vodljivosti potpuno otvorenog kanala 𝐺0 jer ona
veže većinu dinamičkih parametara. Ta vodljivost i napon dodira 𝑈𝐺𝑆0 su konstantne vrijednosti
za neki tranzistor i ne mijenjaju se tijekom zadatka.
Konkretno za 28. zadatak:
− kod p-kanalnog JFET-a, napon 𝑈𝐺𝑆 , 𝑈𝐷𝑆 i struja 𝐼𝐷 imaju suprotan predznak. Granični
uvjet između triodnog područja i zasićenja računamo u obliku apsolutnih vrijednosti.
− Za p-kanalni JFET napon 𝑈𝐺𝑆 ide od 0V, +1V, +2V... pa sve do 𝑈𝐺𝑆0
 415
𝜇𝑝𝑉𝑃 = 45 + = 451,7 𝑐𝑚2 ⁄𝑉𝑠
1015
1+( )0,72
2,23 ∙ 1017
1 2
konstanta MOSFET-a 𝜇𝑝𝐾 = 𝜇𝑝𝑉𝑃 = 225,9 𝑐𝑚 ⁄𝑉𝑠
2
𝜇𝑝𝐾 ∙ 𝜀0 ∙ 𝜀0𝑥 ∙ 𝑤
𝐾= = 76,4 ∙ 10−6 𝐴⁄𝑉 2
𝑡0𝑥 ∙ 𝐿

Napomena: u zadatku opet uvrštavamo 𝑁𝐷 jer računamo brzinu gibanja manjinskih nosioca na
n-strani (šupljina). U Zadatku 26 kod JFET-a smo računali brzinu gibanja većinskih nosioca i
zato smo uvrštavali 𝑁𝐷 .
uzimamo – predznak
Točka 1: 𝑈𝐺𝑆1 = −12𝑉; 𝐼𝐷1 = 4𝑚𝐴 Točka 2: 𝐼𝐷2 = 6𝑚𝐴 iz istog razloga

𝐾 𝐾
𝐼𝐷1 = ∙ (−𝑈𝐺𝑆1 + 𝑈𝐺𝑆0 )2 𝐼𝐷2 = (−𝑈𝐺𝑆2 + 𝑈𝐺𝑆0 )2
2 2
2 ∙ 𝐼𝐷1 2 ∙ 𝐼𝐷2
(−𝑈𝐺𝑆1 + 𝑈𝐺𝑆0 )2 = 𝑈𝐺𝑆2 = 𝑈𝐺𝑆0 ± √ = −1,77𝑉 ± 12,53𝑉
𝐾 𝐾
2 ∙ 𝐼𝐷1 𝑈𝐺𝑆2 = −14,3𝑉
𝑈𝐺𝑆0 = 𝑈𝐺𝑆1 ± √
𝐾
𝑔𝑚2 = 𝐾 ∙ (−𝑈𝐺𝑆2 + 𝑈𝐺𝑆0 ) = 0,957 𝑚𝐴⁄𝑉
𝑈𝐺𝑆0 = −12𝑉 ± 10,2𝑉 = −1,77𝑉 𝑔𝑑2 = 𝐼𝐷2 ∙ 𝜆 = 0,06 𝑚𝐴⁄𝑉
uzimamo + predznak zbog
𝑟𝑑2 = 16,7𝑘Ω
prijenosne karakteristike zadane u
zadatku, - nema smisla 𝜇2 = 𝑔𝑚2 ∙ 𝑟𝑑2 = 16
Napomena: Iz zadane prijenosne karakteristike možemo odrediti da li se radi o n ili p-kanalnom
MOSFET-u Ako struja raste smanjenjem napona 𝑼𝑮𝑺 (što je vidljivo iz karakteristike), jasno
je da će taj negativni napon na upravljačkoj elektrodi izvlačiti manjinske šupljine iz podloge i
formirati kanal između dva p-područja.
Zbog toga zaključujemo da se radi o p-kanalnom MOSFET-u na n-kanalnoj podlozi.

1 1350
𝜇𝑛𝐾 = (80 + 0,72 ) = 650 𝑐𝑚2 ⁄𝑉𝑠
2 5∙ 1015
1+( ) 𝜇𝑛𝑉𝑃
1,12 ∙ 1017
𝜇𝑛𝐾 ∙ 𝜀0 ∙ 𝜀0𝑥 ∙ 𝑤
𝐾= = 1,1 ∙ 10−4 𝐴⁄𝑉 2
𝑡0𝑥 ∙ 𝐿

Točka 1: 𝑈𝐺𝑆1 = 6𝑉; 𝑈𝐷𝑆1 = 1,8𝑉 Točka 2: 𝑈𝐺𝑆2 = 6𝑉; 𝑈𝐷𝑆2 = 8𝑉

𝑈𝐷𝑆𝑔 = 𝑈𝐺𝑆1 − 𝑈𝐺𝑆0 = 6𝑉 − 4𝑉 = 2𝑉 𝑈𝐷𝑆2 > 𝑈𝐷𝑆𝑔 → 𝑧𝑎𝑠𝑖ć𝑒𝑛𝑗𝑒

𝑈𝐷𝑆1 < 𝑈𝐷𝑆𝑔 → 𝑡𝑟𝑖𝑜𝑑𝑛𝑜 𝑝𝑜𝑑𝑟𝑢č𝑗𝑒 𝐾

𝐼𝐷2 = (𝑈 − 𝑈𝐺𝑆0 )2 = 0,22𝑚𝐴
2 𝐺𝑆2
𝑔𝑚1 = 𝐾 ∙ 𝑈𝐷𝑆1 = 1,98 ∙ 10−4 𝐴⁄𝑉
𝑔𝑚2 = 𝐾(𝑈𝐺𝑆2 − 𝑈𝐺𝑆0 ) = 2,2 ∙ 10−4 𝐴⁄𝑉
𝑔𝑑1 = 𝐾 ∙ (𝑈𝐺𝑆1 − 𝑈𝐺𝑆0 − 𝑈𝐷𝑆1 )
𝑔𝑑2 = 𝐼𝐷2 ∙ 𝜆 = 2,2 ∙ 10−6 𝐴⁄𝑉
= 2,2 ∙ 10−5 𝐴⁄𝑉
𝑟𝑑2 = 454,5𝑘Ω
1
𝑟𝑑1 = = 45,5𝑘Ω
𝑔𝑑1 𝜇2 = 𝑔𝑚 ∙ 𝑟𝑑2 = 100
𝜇1 = 𝑔𝑚1 ∙ 𝑟𝑑1 = 9
Napomena:

− u ovom zadatku se radi o n-kanalnom MOSFET-u na podlozi p-tipa. Zašto? Povećanjem

napona 𝑈𝐺𝑆 izvlačimo manjinske nosioce iz podloge (a s pozitivnim naponom možemo
izvući elektrone), dakle formirat će se kanal n-tipa, a podloga će biti p-tipa.
− ako nije naglašeno da li se radi o zasićenju ili triodnom području treba izračunati napon
granične krivulje 𝑈𝐷𝑆𝑔 = 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 . Odnosno ako se radi o p-kanalnom MOSFET-u,
koriste se apsolutni iznosi napona.

U zadatku poviše:

𝑡0𝑥 – debljina izolacijskog sloja

𝜀0𝑥 – dielektrična konstanta izolacijskog sloja