THEVENINOV TEOREM

Ovaj teorem omogućava da se odredi pad napona ili struja samo na nekom određenom mjestu
mreže. Teorem se provodi u sljedećim koracima:
− element na kojem proračunavamo napon i/ili struju odvojimo od mreže i na tom
mjestu se računa Theveninov napon (𝑈𝑇 ) i otpor (𝑅𝑇 )
− cijeli krug nadomjestimo izračunatim naponom 𝑈𝑇 i otporom 𝑅𝑇
− vratimo u krug odspojeni dio mreže i izračunamo napon i/ili struju
Zadatak: za krug na slici odrediti struju kroz otpornik 𝑅5 ?

Otpornik 𝑅5 odspojimo
iz kruga i računamo 𝑈𝑇 i
𝑅𝑇 , odnosno 𝑈𝑎𝑏 i 𝑅𝑎𝑏 :
𝑈𝑎𝑏 =?
𝑅𝑎𝑏 =?

Slika: Primjer zadatka Slika: Odspojimo granu za koju

tražimo struju i napon

Otpor 𝑅𝑇 ili 𝑅𝑎𝑏 se računa na način da sve naponske izvore u krugu kratko spojimo, a strujne
izvore odspojimo (otvoreni krug) i zatim je potrebno izračunati otpor između točki a i b:

𝑅𝑇 = 𝑅𝑎𝑏 = (𝑅1 ‖𝑅2 ) + (𝑅4 ‖𝑅3 )

Slika: Računanje Theveninovog otpora 𝑅𝑇

Napon 𝑈𝑇 ili 𝑈𝑎𝑏 se računa na način da u električni krug spojimo naponske izvore i promatramo
napon između točki a i b:

𝑅2
𝑈𝑎 = 𝑈
𝑅1 + 𝑅2
𝑅4
𝑈𝑏 = 𝑈
𝑅3 + 𝑅4
𝑅2 𝑅4
𝑈𝑎𝑏 = 𝑈𝑇 = 𝑈𝑎 − 𝑈𝑏 = 𝑈( − )
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4

Slika: Računanje Theveninovog napona 𝑈𝑇

Nadomjesni krug s ekvivalentnim Theveninovim otporom i naponom je prikazan na slici:

𝑈𝑇
𝐼5 =
𝑅𝑇 + 𝑅5
𝑈5 = 𝐼5 𝑅5

Slika: Ekvivalentni krug

Ukoliko zadatak nije drugačije formuliran, najčešće SRT tranzistora računamo počevši od struje
baze 𝐼𝐵 . Za razliku od Zadatka 34., ovdje imamo da je 𝐼𝐵 = 𝐼𝑅1 − 𝐼𝑅2 , ali se postavlja pitanje
kako izračunati struje 𝐼𝑅1 i 𝐼𝑅2 ? Jedan od načina za direktno računanje 𝐼𝐵 je Theveninov teorem.

Slika: Primjena Theveninovog teorema na Zadatak 35

 𝑅1 ∙ 𝑅2 560(𝑘Ω)2
𝑅𝑇 = 𝑅1 ‖𝑅2 = = = 8,48𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 66𝑘Ω
𝑅2 10𝑘Ω
𝑈𝑇 = 𝑈𝐶𝐶 = 20𝑉 ∙ = 3,03𝑉
𝑅1 + 𝑅2 66𝑘Ω

(1) 𝑈𝑇 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇 − 𝑈𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝑈𝑇 − 𝑈𝐵𝐸

𝐼𝐵 = = 𝟐𝟕, 𝟕𝟒µ𝑨
→ 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑢𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎 𝑅𝑇 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸
(2) 𝑈𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑈𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝟒, 𝟏𝟔𝒎𝑨
→ 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑖𝑧𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎
𝑈𝐶𝐸 = 𝑈𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 [𝛽𝑅𝐶 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸 ] = 𝟖, 𝟕𝟓𝑽
(3) 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝑄(8,75𝑉, 4,16𝑚𝐴, 27,74µ𝐴)
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

Napomena: za studente koji žele riješiti zadatak korak po korak, primijeniti nadomjesni model
tranzistora za rad u normalnom aktivnom području, pritom se dobiju identične jednadžbe.

- na osnovu dobivenih rezultata u Zadatku 35, kako možemo zaključiti u kojem se

području rada tranzistora nalazimo? Zasićenje, zapiranje, normalno aktivno područje?
- s obzirom da je 𝐼𝐵 ~µ𝐴, a 𝐼𝐶 ~𝑚𝐴, da li bi se rezultati značajno razlikovali da smo
uzeli pretpostavku 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 ? Pokušajte riješiti.
- koja je razlika između Zadatka 34 i 35? Što dobivamo/gubimo s otpornikom u krugu
emitera 𝑅𝐸 i otpornim djelilom 𝑅1 i 𝑅2 u krugu baze? Zašto kompliciramo?
 𝛥𝐼𝐶𝑄 1 𝛥𝑈𝐵𝐸 𝑅𝐵 𝑒 𝛼𝛥𝑇 − 1
=− + (1 + )𝐼𝐶𝐵0
𝛥𝑇 𝑅𝐸 𝛥𝑇 𝑅𝐸 𝛥𝑇
1
𝛥𝐼𝐶𝑄 1 𝑚𝑉 5𝑘Ω 𝑒 0,07°𝐶∙30°𝐶 − 1
=− ∙ (−2 ⁄°𝐶 ) + (1 + ) ∙ 0,1µ𝐴 ∙
𝛥𝑇 200Ω 200Ω 30°𝐶
= 0,01 𝑚𝐴 −3
⁄°𝐶 + 26 ∙ 0,1 ∙ 10 𝑚𝐴 ∙ 0,239 ⁄°𝐶 1
= 𝟏, 𝟎𝟔𝟐 ∙ 𝟏𝟎−𝟐 𝒎𝑨⁄°𝑪

𝛥𝐼𝐶𝑄
𝛥𝐼𝐶𝑄 = ∙ 𝛥𝑇 = 1,062 ∙ 10−2 𝑚𝐴⁄°𝐶 ∙ 30°𝐶 = 𝟎, 𝟑𝟏𝟗𝒎𝑨
𝛥𝑇
𝛥𝐼𝐶𝑄 0,319𝑚𝐴
= = 𝟔, 𝟑𝟖%
𝐼𝐶 5𝑚𝐴

STABILNOST SRT-a
Stabilnost sustava je mjera osjetljivosti mreže na promjene njenih parametara. Mreže koje su
stabilne i relativno neosjetljive na promjene temperature imaju nizak iznos faktora stabilnosti.
U svakom pojačalu koje sadrži bipolarne tranzistore, struja 𝐼𝐶 je „osjetljiva“ na faktore:
- 𝛽 (raste s porastom temperature tranzistora)
- 𝑈𝐵𝐸 (pada za 2,5mV za svaki °C porasta temperature)
- 𝐼𝐶𝐵0 (reverzna struja zasićenja, udvostručuje se za svakih 10°C porasta temperature)
Zbog toga definiramo stabilnost struje kolektora 𝐼𝐶 s obzirom na promjene 𝛽, 𝑈𝐵𝐸 i 𝐼𝐶𝐵0 .

𝑻(°𝑪) 𝑰𝑪𝟎 (𝒏𝑨) 𝜷 𝑼𝑩𝑬 (𝑽)

−3
−65 0,2 ∙ 10 20 0,85
25 0,1 50 0,65
100 20 80 0,48
175 3,3 ∙ 103 120 0,3
Tablica: Primjer promjene parametara silicijskog tranzistora s promjenom temperature

Slika: Pomak statičke radne točke uslijed promjene temperature

(25°C i 100°C)
Na slikama ispod se nalaze različiti primjeri pojačala sa raznim izvedbama stabilizacije SRT.

UCC = 12V
RB = 240kΩ 𝜷 𝑰𝑩 [µ𝑨] 𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 𝑼𝑪𝑬 [𝑽]
50 47,08 2,35 6,83
RC = 2,2kΩ
100 47,08 4,71 1,64
β = 50
Tablica: SRT za dva različita strujna
pojačanja 𝛽
Slika: Pojačalo u spoju ZE bez
emiterske degeneracije

UCC = 20V
𝜷 𝑰𝑩 [µ𝑨] 𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 𝑼𝑪𝑬 [𝑽]
RB = 430kΩ
50 40,1 2,01 13,97
RC = 2kΩ 100 36,3 3,63 9,11
RE = 1kΩ Tablica: SRT za dva različita strujna
β = 50 pojačanja 𝛽

Slika: Pojačalo u spoju ZE sa

emiterskom degeneracijom

UCC = 22V
R1 = 39kΩ
𝜷 𝑰𝑩 [µ𝑨] 𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 𝑼𝑪𝑬 [𝑽]
R2 = 3,9kΩ 50 16,24 0,81 12,69
100 8,38 0,84 12,34
RC = 10kΩ
RE = 1,5kΩ Tablica: SRT za dva različita strujna
pojačanja 𝛽
β = 100

Slika: Pojačalo u spoju ZE sa emiterskom

degeneracijom i otpornim djelilom u krugu baze

Otpornik u emiteru 𝑅𝐸 služi kao negativna povratna veza (emiterska degeneracija) i to je jedan
od mehanizama stabilizacije statičke radne točke. Iz poviše navedenih slika i tablica vidljivo je
i da otporno djelilo u krugu baze (otpornici 𝑅1 i 𝑅2 ) služe za stabilizaciju SRT.
 Slika: Datasheet BJT-a (promjenjiva vrijednost faktora strujnog pojačanja)

U zadatcima se najčešće traži faktor stabilnosti struje 𝐼𝐶 s obzirom na promjenu struje 𝐼𝐶𝐵0 pa
ćemo iz tog razloga izvesti navedeni izraz:

Deriviramo izraz po struji 𝐼𝐶 :

Vrijedi isključivo za NAP: 𝜕𝐼𝐵 𝜕𝐼𝐶𝐵0
1=𝛽 + (1 + 𝛽)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸0 𝜕𝐼𝐶 𝜕𝐼𝐶
𝜕𝐼𝐵 1
𝐼𝐶𝐸0 = (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 1=𝛽 + (1 + 𝛽)
𝜕𝐼𝐶 𝑆𝐼
1+𝛽
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 𝑆𝐼 =
𝜕𝐼
1 − 𝛽( 𝐵 )
𝜕𝐼𝐶

Za izračunati navedeni faktor stabilnosti 𝑆𝐼 , potrebno je pronaći jednadžbu ovisnosti struje 𝐼𝐶 o

struji 𝐼𝐵 za konkretni zadatak.
 𝑅1 ∙ 𝑅2 45(𝑘Ω)2
𝑅𝑇 = 𝑅1 ‖𝑅2 = = = 2,5𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 18𝑘Ω
𝑅2 3𝑘Ω
𝑈𝑇 = 𝑈𝐶𝐶 = 15𝑉 ∙ = 2,5𝑉
𝑅1 + 𝑅2 18𝑘Ω

(1) 𝑈𝑇 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇 − 𝑈𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
→ 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑢𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎
(2) 𝑈𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑈𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
→ 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑖𝑧𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎
(3) 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

Iz jednadžbe ulaznog kruga možemo dobiti izraz 𝐼𝐵 = 𝑓(𝐼𝐶 ):

𝑈𝑇 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇 − 𝑈𝐵𝐸 − (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 )𝑅𝐸 = 0

𝑈𝑇 − 𝐼𝐵 (𝑅𝑇 + 𝑅𝐸 ) − 𝑈𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 0
𝑈𝑇 − 𝑈𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐸 𝑈𝑇 𝑈𝐵𝐸 𝑅𝐸
𝐼𝐵 = = − − 𝐼𝐶
𝑅𝑇 + 𝑅𝐸 𝑅𝑇 + 𝑅𝐸 𝑅𝑇 + 𝑅𝐸 𝑅𝑇 + 𝑅𝐸
𝜕𝐼𝐵 𝑅𝐸
=− = −0,285
𝜕𝐼𝐶 𝑅𝑇 + 𝑅𝐸
1+𝛽 1 + 50
𝑆𝐼 = = = 𝟑, 𝟑𝟒
𝜕𝐼
1 − 𝛽( 𝐵 ) 1 − 50 ∙ (−0,285)
𝜕𝐼𝐶

Zaključak:
- ako ne postoji veza između struje IB i IC (𝜕𝐼𝐵 /𝜕𝐼𝐶 = 0) u tom slučaju sklop nije termički
osiguran (ne postoji mehanizam povratne veze) i stabilnost sustava će biti minimalna
(faktor stabilnosti najveći)
- SI u emiterskoj degeneraciji teži 1 kako 𝑅𝐸 → ∞, SI teži iznosu 1 + 𝛽 kada 𝑅𝐸 → 0Ω
- 1 ≤ 𝑆𝐼 ≤ 1 + 𝛽
UNIPOLARNI TRANZISTOR

FET (Field Effect Transistor) BJT (Bipolar Junction Transistor)

✓ naponski upravljani aktivni element ✓ strujno upravljani aktivni element
𝐼𝐷 = 𝑓(𝑈𝐺𝑆 ) 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )
✓ unipolaran – u vođenju struje sudjeluju ili ✓ bipolaran – u vođenju struje sudjeluju
elektroni ili šupljine i elektroni i šupljine
✓ u DC uvjetima: ✓ u DC uvjetima:
𝑈𝐺𝑆 2 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 ; 𝑈𝐵𝐸 = 0,7𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ; 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ; 𝐼𝐺 ≈ 0𝐴
𝑈𝐺𝑆0
✓ u AC uvjetima definiramo strminu i izlazni ✓ u AC uvjetima definiramo faktor
otpor (nakon linearizacije tangentom): strujnog pojačanja (nakon linearizacije
∆𝐼𝐷 tangentom):
𝑔𝑚 = | 𝑈 = 𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐺𝑆 𝐷𝑆 ∆𝐼𝐶
ℎ𝑓𝑒 = | 𝑈 = 𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐷𝑆 ∆𝐼𝐵 𝐶𝐸
𝑟𝑑 = | 𝑈𝐺𝑆 = 𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼𝐷
✓ jednostavniji za proizvodnju ✓ raspolažu mnogo većim strujnim
✓ zauzimaju manju površinu (primjena u IC) pojačanjem od FET-ova
✓ temperaturno stabilniji od BJT-ova ✓ pružaju bolje performanse u pogledu
✓ karakterizira ih visoka ulazna impedancija gornje granične frekvencije
(> 1𝑀Ω; 𝐼𝐺 ≈ 0𝐴)...
✓ SRT 𝑄(𝑈𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 , 𝑈𝐷𝑆 ) ✓ SRT 𝑄(𝐼𝐶 , 𝐼𝐵 , 𝑈𝐶𝐸 )

Gdje je:
• G (Gate) – upravljačka elektroda
• D (Drain) – odvod
• S (Source) – uvod

Slika: n i p-kanalni JFET

U ovisnosti o tehnologiji izrade razlikujemo:

• JFET (Junction FET)
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
Napomena: da se radi o n-kanalnom JFET-u (spojnom unipolarnom tranzistoru s efektom polja
n-tipa u području osiromašenja) naznačeno je strelicom koja ulazi u upravljačku elektrodu
tranzistora. Ta strelica je nacrtana da pokazuje smjer kojim bi tekla struja kroz upravljačku
elektrodu prema uvodu u slučaju da barijera GS postane propusno polarizirana.
ISTOSMJERNI (DC) UVJETI

𝑈𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑈𝐺𝑆0

gdje je:
IDSS – struja zasićenja (max. struja u krugu), a nastaje za 𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉 i |𝑈𝐷𝑆 | > |𝑈𝐺𝑆0 | kod JFET-
ova (za n i p-kanalne JFET-ove)
UGS0 – napon pri kojem je 𝐼𝐷 = 0𝑚𝐴 (potpuno zatvoren kanal)

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 |𝑈𝐺𝑆 = 0𝑉
𝐼𝐷 = 0𝐴|𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝑃

Slika: Izlazne i prijenosne (ulazne) karakteristike za n-kanalni JFET

Za p-kanalni JFET napon UGS ide od 0V, +1V, +2V...

Slika: Podjela unipolarnih tranzistora

 𝐼𝐷
𝑈𝐺
𝑈𝑆

(1) 𝑈𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝑈𝐷𝑆 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = 0

𝑅2 → 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑖𝑧𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎
𝑈𝐺 = 𝑈𝐷𝐷 ∙ = 1𝑉
𝑅1 + 𝑅2 (2) 𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝐺 − 𝑈𝑆 = 1𝑉 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑈𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 → "𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑢𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎"
𝑈𝐺𝑆 2
(3) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑈𝐺𝑆0

𝑈𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑈𝐺𝑆0

𝑈𝐺𝑆 𝑈𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 2 + )
𝑈𝐺𝑆0 𝑈𝐺𝑆0 2

𝑈𝐺𝑆 𝑈𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 − 2𝐼𝐷𝑆𝑆 + 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑈𝐺𝑆0 𝑈𝐺𝑆0 2
−𝑈𝐺𝑆 + 1𝑉 𝑈𝐺𝑆 𝑈𝐺𝑆 2
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 − 2𝐼𝐷𝑆𝑆 + 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑅𝑆 𝑈𝐺𝑆0 𝑈𝐺𝑆0 2

𝑈𝐺𝑆 𝑈𝐺𝑆 2
−𝑈𝐺𝑆 + 1𝑉 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 − 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 + 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆
𝑈𝐺𝑆0 𝑈𝐺𝑆0 2
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆
𝑈𝐺𝑆 2 − ( − 1) 𝑈𝐺𝑆 + (𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 − 1𝑉) = 0
𝑈𝐺𝑆0 2 𝑈𝐺𝑆0

0,5𝑈𝐺𝑆 2 + 3𝑈𝐺𝑆 + 1 = 0
 Rješenja kvadratne jednadžbe:

−3 ± √9 − 2
𝑈𝐺𝑆1,2 = = −3 ± √7
1 Provjera da li se nalazimo u triodnom
području ili području zasićenja:
𝑈𝐺𝑆1 = −5,645𝑉 → 𝑜𝑑𝑏𝑎𝑐𝑢𝑗𝑒𝑚𝑜
𝑈𝐷𝑆𝑔 = 𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 = 1,65𝑉
𝑈𝐺𝑆2 = −𝟎, 𝟑𝟓𝑽 → 𝑡𝑜č𝑛𝑜 𝑟𝑗𝑒š𝑒𝑛𝑗𝑒
−𝑈𝐺𝑆 + 1𝑉 𝑈𝐷𝑆 > 𝑈𝐷𝑆𝑔
𝐼𝐷 = = 𝟐, 𝟕𝒎𝑨
𝑅𝑆 Nalazimo se u području zasićenja!
𝑈𝐷𝑆 = 𝑈𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) = 𝟏𝟑, 𝟐𝟓𝑽
𝑄(−0,35𝑉, 2,7𝑚𝐴, 13,25𝑉)

Pitanje: zašto u Zadatku 35 nismo mogli izračunati napon 𝑈𝐵 kao što smo izračunali u ovom
zadatku napon 𝑈𝐺 nego smo morali koristiti Theveninov teorem (kompliciraniji postupak)?
Napomena:
- jednadžbu za struju odvoda 𝐼𝐷 (3) možemo koristiti kod svih tipova osiromašenih unipolarnih
tranzistora. Za obogaćene tipove unipolarnih tranzistora ta jednadžba ne vrijedi.
- za određivanje granične krivulje između triodnog područja i zasićenja za p-kanalne FET-ove
koristimo apsolutni izraz |𝑈𝐷𝑆 | = |𝑈𝐺𝑆 − 𝑈𝐺𝑆0 |
 𝑈𝐺 = 𝐼𝐷 𝑅2
𝑈𝑆 = 𝐼𝐷 (𝑅1 + 𝑅2 )
(1) 𝑈𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝑈𝐷𝑆 − 𝐼𝐷 (𝑅1 + 𝑅2 ) = 0
→ 𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑖𝑧𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎
(2) 𝑈𝐺𝑆 = 𝑈𝐺 − 𝑈𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅1
→ "𝑗𝑒𝑑𝑛𝑎𝑑ž𝑏𝑎 𝑢𝑙𝑎𝑧𝑛𝑜𝑔 𝑘𝑟𝑢𝑔𝑎"
𝑈𝐺𝑆 2
(3) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑈𝐺𝑆0

𝑈𝐷𝐷 − 𝑈𝐷
𝐼𝐷 = = 1,27𝑚𝐴
𝑅𝐷
𝐼𝐷 𝑈𝐺𝑆 2
= (1 − ) 𝑈𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑈𝐺𝑆0 𝑅1 = − = 𝟔𝟑𝟎Ω
𝐼𝐷
𝐼𝐷 𝑈𝐺𝑆 𝑈𝑆 4𝑉
±√ = 1− 𝑅2 = − 𝑅1 = − 630Ω
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑈𝐺𝑆0 𝐼𝐷 1,27𝑚𝐴
= 𝟐, 𝟓𝟐𝒌Ω
𝑈𝐺𝑆
±0,635 = 1 −
𝑈𝐺𝑆0
𝑈𝐺𝑆 = −𝑈𝐺𝑆0 (−1 ± 0,8)
𝑈𝐺𝑆1 = −7,2𝑉 → 𝑜𝑑𝑏𝑎𝑐𝑢𝑗𝑒𝑚𝑜
𝑈𝐺𝑆2 = −𝟎, 𝟖𝑽 → 𝑡𝑜č𝑛𝑜 𝑟𝑗𝑒š𝑒𝑛𝑗𝑒