Diody pojemnościowe

Wojciech Kijaszek

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska,

ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław, Polska
 Podstawowe pojęcia dotyczące złącza p-n
A
A K A K p
n

n+

p n
K
polaryzacja w kierunku przewodzenia:
(+) (-)
𝑉𝐴 > 𝑉𝐾 p n
polaryzacja zaporowa:
(-) (+)
𝑉𝐾 > 𝑉𝐴
2
 Wpływ napięcia polaryzacji na pojemność złączową

Upol = 0 V
p n
- - - - + + + +
- - - - + + + +
- - - - + + + +
obszar zubożony

Upol < 0 V Szerokość obszaru zubożonego zwiększa się

(-) (+) wraz z wartością bezwzględną napięcia
p n polaryzacji w kierunku zaporowym.
Rozszerzanie się obszaru zubożonego powoduje
- - - - + + + + spadek wartości pojemności złączowej.
- - - - + + + +
- - - - + + + + Dynamika zmian szerokości obszaru zubożonego
wraz ze zmianą napięcia polaryzacji związana
obszar zubożony jest z konstrukcją diody półprzewodnikowej
(rozkładem koncentracji atomów domieszki).
3
 Złącze liniowe, skokowe i hiperskokowe

klasyczne złącza: diody pojemnościowe:

złącze liniowe złącze skokowe złącze hyper-abrupt
m = 1Τ3 m = 1Τ2 (hiperskokowe)
N [1/cm3] N [1/cm3] N [1/cm3] dla małych UR m ~ 1Τ2
NA dla większych UR m > 1Τ2
NA NA
ND ND ND

x [µm] x [µm] P+ N N- N+ x [µm]

P N P N

ND-NA ND-NA
[1/cm3] [1/cm3]

x [µm] x [µm]

4
 Diody pojemnościowe
Diody pojemnościowe to diody, których konstrukcja jest optymalizowana w celu uzyskania
określonej bądź jak największej zmiany pojemności złączowej wraz ze zmianą napięcia
polaryzacji.

Są to diody najczęściej ze złączami hiperskokowymi, tj. o specjalnych profilach rozkładu

domieszek w złączach typu n+-p-p--p+ lub p+-n-n--n+.
N [1/cm ]
3
NA
Istotną cechą tych złączy jest to, że koncentracja domieszki
zmniejsza się wraz z odległością od złącz, a tym samym przyrost ND
napięcia powoduje stosunkowo duże poszerzenie się obszaru
zubożonego.
P+ N N- N+ x [µm]

Im większy jest gradient koncentracji w złączu n-n- tym większy jest wykładnik potęgowy m
(w praktyce od 1 do 6).

Złącza hiperskokowe wytwarza się technikami:

- epitaksjalnymi,
- stopowo-dyfuzyjnymi,
5 - implantacji jonowej.
 Złącza hiperskokowe – profile rozkładu koncentracji domieszki

epitaksjalne stopowo-dyfuzyjne implantowane

6 [1] B. Wilamowski, Mikroelektronika. Specjalne przyrządy półprzewodnikowe, WKŁ, Warszawa, 1982.

 Złącza hiperskokowe – zależność Cj = f(U) N [1/cm3]
NA
103
ND

P+ N N- N+ x [µm]
Pojemność, C [pF]

m ~ 1Τ2 (jak w złączu skokowym)

obszar zubożony obejmuje tylko obszar N
102
Wartość m zwiększa się (m > 1Τ2),
ponieważ obszar zubożony zaczyna
obejmować także obszar N- (dynamika
zmian szerokości obszaru zubożonego wraz
z napięciem polaryzacji zwiększa się).
Wartość m zmniejsza się, ponieważ
101
obszar zubożony zaczyna obejmować
epitaksjalne obszar N+.
stopowo-dyfuzyjne
1 10
Napięcie wsteczne, UR [V] implantowane
7 [1] B. Wilamowski, Mikroelektronika. Specjalne przyrządy półprzewodnikowe, WKŁ, Warszawa, 1982.
 Diody pojemnościowe – warikapy i waraktory
Diody pojemnościowe są przeznaczone do zastosowań, w których wykorzystuje się zjawisko zmiany
pojemności złącza p-n pod wpływem zmian napięcia polaryzacji w kierunku zaporowym.

Ze względu na obszar zastosowań diody pojemnościowe dzieli się na:

- warikapy,
- waraktory.

Warikapy to diody pojemnościowe przeznaczone do zastosowań jako zmienne pojemności

(np. w układach przestrajania obwodów rezonansowych).

Waraktrory to diody pojemnościowe przeznaczone do zastosowań jako zmienne reaktancje

w układach parametrycznych (np. wzmacniacze parametryczne lub parametryczne powielacze
częstotliwości). Z tego względu czasami nazywane są diodami parametrycznymi.

Warikapy i waraktory rozróżnia się, ponieważ w wyżej wymienionych zastosowaniach istotne są

inne parametry techniczne, przyjmuje się inne elektryczne schematy zastępcze (modele
analityczne), a tym samym ich konstrukcja jest optymalizowana pod innym kątem.

8
 Obwód rezonansowy RLC

obwód szeregowy 1 obwód równoległy

𝑓𝑟 =
(rezonans napięć) 2𝜋 𝐿𝐶 (rezonans prądów)
1 1
𝑍𝐶 = −𝑗 𝑋𝐶 = 1
𝜔𝐶 𝜔𝐶 𝐵𝐶 = 𝜔𝐶 𝐵𝐿 =
Z – impedancja 𝜔𝐿
R – rezystancja
X – reaktancja
𝑍𝐿 = 𝑗𝜔𝐿 𝑋𝐿 = 𝜔𝐿
Y – admitancja
G – konduktancja
B – susceptancja
1 1 1
𝑌= 𝐺= 𝐵=
𝑍 𝑅 𝑋

𝑍 = 𝑅 + 𝑗𝑋 𝑋 = 𝑋𝐿 − 𝑋𝐶 𝑌 = 𝐺 + 𝑗𝐵 𝐵 = 𝐵𝐶 − 𝐵𝐿

𝑑𝑙𝑎 𝑓 = 𝑓𝑟 → 𝑋𝐿 = 𝑋𝐶 → 𝑋 = 0 → 𝑍 = 𝑅 𝑑𝑙𝑎 𝑓 = 𝑓𝑟 → 𝐵𝐿 = 𝐵𝐶 → 𝐵 = 0 → 𝑌 = 𝐺