Kittel2 PDF

Charles Kittel:
UVOD U FIZIKU ČVRSTOG STANJA
19. januar 2015
1
Sadržaj
1 GLAVA 11: DIJAMAGNETIZAM I PARAMAGNETIZAM 9
1.1 Langevinova jednačina dijamagnetizma . . . . . . . . . . . . . 10
1.2 Kvantna teorija dijamagnetizma kod mononuklearnih sistema . 12
1.3 Paramagnetizam . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4 Kvantna teorija paramagnetizma . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1 Joni retkih zemalja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.4.2 Hundova pravila . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.3 Joni iz grupe gvožda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.4 Cepanje kristalnog polja . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.5 Suzbijanje orbitalnog momenta impulsa . . . . . . . . . 22
1.4.6 Spektroskopski faktor cepanja . . . . . . . . . . . . . . 25
1.4.7 Van Vleckov temperaturski nezavisan paramagnetizam 26
1.5 Hladenje izentropskom demagnetizacijom . . . . . . . . . . . . 28
1.5.1 Demagnetizacija jezgra . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.6 Paramagnetska susceptibilnost provodnih elektrona . . . . . . 30
1.7 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2 GLAVA 12: FEROMAGNETIZAM I ANTIFEROMAGNE-

TIZAM 35
2.1 Feromagnetsko uredenje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.1.1 Kirijeva tačka i izmenski integral . . . . . . . . . . . . 35
2.1.2 Temperaturska zavisnost magnetizacije zasićenja . . . . 38
2.1.3 Saturaciona magnetizacija na apsolutnoj nuli . . . . . . 41
2.2 Magnoni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.2.1 Termalna ekscitacija magnona . . . . . . . . . . . . . . 48
2.3 Neutronsko magnetsko rasejanje . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.4 Ferimagnetsko uredenje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.4.1 Kirijeva temperatura i susceptibilnost ferimagneta . . . 53
2.5 Antiferomagnetsko uredenje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.5.1 Susceptibilnost ispod Nilove temperature . . . . . . . . 58
2.5.2 Antiferomagnetski magnoni . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.6 Feromagnetski domeni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.6.1 Energija anizotropije . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.6.2 Prelazna oblast izmedu domena . . . . . . . . . . . . . 68
2.6.3 Poreklo domena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.6.4 Koercitivnost i histerezis . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2
2.7 Jednodomenske čestice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2.7.1 Geomagnetizam i biomagnetizam . . . . . . . . . . . . 75
2.7.2 Mikroskopija na bazi magnetnih sila . . . . . . . . . . 76
2.8 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3 GLAVA 13: MAGNETSKA REZONANCIJA 80

3.1 Nuklearna magnetska rezonanca . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.1.1 Jednačine kretanja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.2 Širina linija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.2.1 Sužavanje usled kretanja . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.3 Hiperfino cepanje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.3.1 Primeri: Paramagnetski tačkasti defekti . . . . . . . . 94
3.3.2 Najtov pomeraj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
3.4 Nuklearna kvadripolna rezonanca . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.5 Feromagnetska rezonanca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.5.1 Efekti oblika u FMR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.5.2 Rezonanca spinskih talasa . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.6 Antiferomagnetska rezonanca . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.7 Elektronska paramagnetska rezonanca . . . . . . . . . . . . . . 107
3.7.1 Izmensko suženje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.7.2 Cepanje pri nultom polju . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
3.8 Princip rada masera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
3.8.1 Tronivoski maser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.8.2 Laseri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.9 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4 GLAVA 14: PLAZMONI, POLARITONI I POLARONI 115

4.1 Dielektrična funkcija elektronskog gasa . . . . . . . . . . . . . 115
4.1.1 Plazma optika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.1.2 Disperziona relacija za elektromagnetske talase . . . . . 119
4.1.3 Transverzalni optički modovi u plazmi . . . . . . . . . 119
4.1.4 Longitudinalne plazma oscilacije . . . . . . . . . . . . . 121
4.2 Plazmoni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.3 Elektrostatički skrining (prigušenje) . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.3.1 Motov prelaz metal-izolator . . . . . . . . . . . . . . . 131
4.3.2 Prigušenje i fononi u metalima . . . . . . . . . . . . . . 133
4.4 Polaritoni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.4.1 LST relacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
3
4.5 Elektron-elektron interakcija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.5.1 Fermijeva tečnost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.6 Elektron-fonon interakcija: polaroni . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.7 Peierlsova nestabilnost linearnih metala . . . . . . . . . . . . . 150
4.8 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5 GLAVA 15: OPTIČKI PROCESI I EKSCITONI 154

5.1 Optička reflektansa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
5.1.1 Kramers-Kronigove relacije . . . . . . . . . . . . . . . . 156
5.1.2 Elektronski meduzonski prelazi . . . . . . . . . . . . . 160
5.2 Ekscitoni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.2.1 Frenkelovi ekscitoni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
5.2.2 Slabo vezani (Mot-Vanierovi) ekscitoni . . . . . . . . . 169
5.2.3 Kondenzacija ekscitona u kapi elektron-šupljina (EHD) 171
5.3 Ramanov efekat u kristalima . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.3.1 Elektronska spektroskopija x-zracima . . . . . . . . . . 175
5.4 Gubitak energije brzih čestica u čvrstom telu . . . . . . . . . . 177
5.5 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
6 GLAVA 16: DIELEKTRICI I FEROELEKTRICI 182

6.0.1 Maksvelove jednačine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
6.0.2 Polarizacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
6.1 Makroskopsko električno polje . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
6.1.1 Polje depolarizacije, E1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.2 Lokalno električno polje na atomu . . . . . . . . . . . . . . . . 188
6.2.1 Lorencovo polje, E2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
6.2.2 Polje dipola unutar kaveza, E3 . . . . . . . . . . . . . . 191
6.3 Dielektrična konstanta i polarizabilnost . . . . . . . . . . . . . 191
6.3.1 Elektronska polarizabilnost . . . . . . . . . . . . . . . . 193
6.4 Strukturni fazni prelazi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
6.5 Feroelektrični kristali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
6.5.1 Klasifikacija feroelektričnih kristala . . . . . . . . . . . 198
6.6 Prelazi koji uzrokuju pomeraje . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
6.6.1 Meki optički fononi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
6.6.2 Landauova teorija faznih prelaza . . . . . . . . . . . . 205
6.6.3 Prelaz drugog reda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
6.6.4 Prelaz prvog reda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
6.6.5 Antiferoelektricitet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
4
6.6.6 Feroelektrični domeni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
6.6.7 Piezoelektricitet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
6.7 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
7 GLAVA 17: FIZIKA POVRŠINSKIH I GRANIČNIH SLO-

JEVA 217
7.0.1 Rekonstrukcija i relaksacija . . . . . . . . . . . . . . . 217
7.1 Površinska kristalografija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
7.2 Površinska elektronska struktura . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
7.2.1 Radna funkcija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
7.2.2 Termijonska emisija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
7.2.3 Površinska stanja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
7.2.4 Tangencijalni površinski transport . . . . . . . . . . . . 227
7.3 Magnetootpornost u dvodimenzionalnom kanalu . . . . . . . . 228
7.3.1 Integralni kvantizovani Holov efekat (IQHE) . . . . . . 230
7.3.2 IQHE u realnim sistemima . . . . . . . . . . . . . . . . 231
7.4 p-n spojevi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
7.4.1 Rektifikacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
7.4.2 Solarne ćelije i fotonaponski detektori . . . . . . . . . . 238
7.4.3 Šotkijeva barijera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
7.5 Heterostrukture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
7.5.1 n − N heterospoj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
7.6 Poluprovodnički laseri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
7.7 Diode koje emituju svetlost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
8 GLAVA 18: NANOSTRUKTURE 248

8.1 Tehnike slikanja nanostruktura . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
8.1.1 Elektronska mikroskopija . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
8.1.2 Optička mikroskopija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 254
8.1.3 Skenirajuća tunelska mikroskopija . . . . . . . . . . . . 255
8.1.4 Mikroskopija na bazi atomskih sila . . . . . . . . . . . 257
8.2 Elektronska struktura 1D sistema . . . . . . . . . . . . . . . . 261
8.2.1 Jednodimenzionalne (1D) podzone . . . . . . . . . . . 262
8.2.2 Spektroskopija van Hoveovih singulariteta . . . . . . . 262
8.2.3 1D Metali - Kulonova interakcija i sprezanja rešetke . . 264
8.3 Električni transport u 1D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
8.3.1 Kvantizacija provodnosti i Landauerova formula . . . . 267
8.3.2 Dve redno vezane barijere - rezonantno tunelovanje . . 269
5
8.3.3 Nekoherentna adicija i Omov zakon . . . . . . . . . . . 273
8.3.4 Lokalizacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
8.3.5 Naponske sonde i Butiker-Landauerov formalizam . . . 277
8.4 Elektronska struktura 0D sistema . . . . . . . . . . . . . . . . 281
8.4.1 Kvantizovani energetski nivoi . . . . . . . . . . . . . . 281
8.4.2 Poluprovodnički nanokristali . . . . . . . . . . . . . . . 283
8.4.3 Metalne tačke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
8.4.4 Stanja diskretnih naelektrisanja . . . . . . . . . . . . . 288
8.5 Električni transport u 0D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290
8.5.1 Kulonove oscilacije . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290
8.5.2 Spin, Motovi izolatori i Kondo efekat . . . . . . . . . . 293
8.5.3 Kuperovo sparivanje u superprovodnim tačkama . . . . 295
8.6 Vibracione i termalne osobine . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
8.6.1 Kvantizovani vibracioni modovi . . . . . . . . . . . . . 297
8.6.2 Transverzalne vibracije . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
8.6.3 Toplotni kapacitet i termalni transport . . . . . . . . . 302
8.7 Kratak pregled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
9 GLAVA 19: NEKRISTALNA ČVRSTA TELA 305

9.1 Difrakciona slika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 305
9.1.1 Jednoatomski amorfni materijali . . . . . . . . . . . . . 306
9.1.2 Radijalna funkcija raspodele . . . . . . . . . . . . . . . 307
9.1.3 Struktura staklastog silikata, SiO2 . . . . . . . . . . . . 309
9.2 Stakla . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311
9.2.1 Viskoznost i učestalost preskakanja . . . . . . . . . . . 311
9.3 Amorfni feromagneti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314
9.4 Amorfni poluprovodnici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
9.5 Niskoenergetske ekscitacije u amorfnim čvrstim telima . . . . 317
9.5.1 Proračun toplotnog kapaciteta . . . . . . . . . . . . . . 317
9.5.2 Toplotna provodnost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 321
9.6 Fiber-optika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 322
9.6.1 Rejlijevo slabljenje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
10 GLAVA 20: TAČKASTI DEFEKTI 325

10.1 Vakancije rešetke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325
10.2 Difuzija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
10.2.1 Metali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332
10.3 Centri boja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333
6
10.3.1 F centri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334
10.3.2 Drugi centri u alkalnim halidima . . . . . . . . . . . . 336
11 GLAVA 21: DISLOKACIJE 339

11.1 Jačina smicanja monokristala . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
11.1.1 Klizanje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
11.2 Dislokacije . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
11.2.1 Burgersovi vektori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 344
11.2.2 Polja pritiska kod dislokacija . . . . . . . . . . . . . . . 346
11.2.3 Granice zrna sa malim uglom . . . . . . . . . . . . . . 348
11.2.4 Gustine dislokacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
11.2.5 Multiplikacija i klizanje dislokacija . . . . . . . . . . . 352
11.3 Jačina jedinjenja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
11.4 Dislokacije i rast kristala . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 359
11.4.1 Vlasi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361
11.5 Tvrdoća materijala . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 362
12 GLAVA 22: SMEŠE 364

12.1 Opšta razmatranja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 364
12.2 Supstitucionalni čvrsti rastvori - Hjum-Roterijeva pravila . . . 366
12.3 Prelaz uredenje - neuredenje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
12.3.1 Elemenarna teorija uredenja . . . . . . . . . . . . . . . 374
12.4 Fazni dijagrami . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
12.5 Smeše prelaznih metala . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379
12.6 Kondo efekat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
13 GLAVA 23: PRILOZI 388

13.1 Prilog A: Temperaturska zavisnost refleksionih linija . . . . . . 388
13.2 Prilog B: Evaldov proračun suma u rešetki . . . . . . . . . . . 391
13.2.1 Evald-Kornfeldov metod za sume rešetke kod dipolnih
nizova . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 395
13.3 Prilog C: Kvantizacija elastičnih talasa: fononi . . . . . . . . . 396
13.3.1 Fononske koordinate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
13.3.2 Operatori kreacije i anihilacije . . . . . . . . . . . . . . 399
13.4 Prilog D: Fermi-Dirakova funkcija raspodele . . . . . . . . . . 401
13.5 Prilog E: Izvodenje jednačine dk/dt . . . . . . . . . . . . . . . 404
13.6 Prilog F: Bolcmanova transportna jednačina . . . . . . . . . . 406
13.6.1 Difuzija čestice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 407
7
13.6.2 Klasična raspodela . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
13.6.3 Fermi-Dirakova raspodela . . . . . . . . . . . . . . . . 410
13.6.4 Električna provodnost . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
13.7 Prilog G: Vektor potencijal, impuls polja i gauge transformacije412
13.7.1 Lagranževe jednačine kretanja . . . . . . . . . . . . . . 413
13.7.2 Izvodenje Hamiltonijana . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
13.7.3 Impuls polja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
13.7.4 Gauge transformacija . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 415
13.7.5 Gauge u Londonovoj jednačini . . . . . . . . . . . . . . 416
13.8 Prilog H: Kuperovi parovi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417
13.9 Prilog I: Ginzburg-Landauova jednačina . . . . . . . . . . . . 419
13.10Prilog J: Elektron-fonon sudari . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
8
1 GLAVA 11: DIJAMAGNETIZAM I PARA-
MAGNETIZAM
Magnetizam je nerazdvojiv od kvantne mehanike, jer striktno klasičan
sistem u toplotnoj ravnoteži ne može da ispolji magnetski moment, čak i
u magnetskom polju. Magnetski moment slobodnog atoma ima tri glavna
izvora: spin koji poseduju elektroni; njihov orbitalni moment impulsa oko
jezgra; i promenu orbitalnog momenta indukovanu spoljašnjim magnetskim
poljem.
Prva dva efekta daju paramagnetske doprinose magnetizaciji, a treći daje
dijamagnetski doprinos. U osnovnom 1s stanju vodonikovog atoma orbitalni
moment je nula, a magnetski moment potiče od elektronskog spina i malog
indukovanog dijamagnetskog momenta. U 1s2 stanju helijuma spinski i or-
bitalni momenti jednaki su nuli, a postoji samo indukovani moment. Atomi
sa svim popunjenim elektronskim orbitalama imaju nulti spinski i nulti or-
bitalni moment; konačni momenti postoje samo ako orbitale nisu potpuno
popunjene.
Magnetizacija M definiše se kao magnetski moment po jedinici zapremine.
Magnetska susceptibilnost po jedinici zapremine definisana je kao
M µ0 M
(CGS) χ= ; (SI) χ = , (1)
B B
gde je B intenzitet makroskopskog magnetskog polja. U oba sistema jedinica
χ je bezdimenzionalna veličina. Nekada ćemo zbog pogodnosti odnos M/B
označavati kao susceptibilnost, bez specifikacije sistema jedinica.
Dosta često se susceptibilnost definiše u odnosu na jediničnu masu ili mol
supstancije. Molarna susceptibilnost označava se sa χM ; magnetski moment
po gramu ponekad se piše kao σ. Supstancije sa negativnom magnetskom
susceptibilnošću nazivaju se dijamagnetici. Supstancije sa pozitivnom sus-
ceptibilnošću su paramagnetici, kao na slici 1.
Uredeni nizovi magnetskih momenata razmatraju se u Glavi 12; nizovi
mogu biti feromagnetski, ferimagnetski, antiferomagnetski, helikalni ili neki
još kompleksniji. Nuklearni magnetski momenti dovode do nuklearnog
(jezgarnog) paramagnetizma. Magnetski momenti jezgra su reda 10−3
puta manji od magnetskog momenta elektrona.
9
Slika 1: Karakteristične magnetske susceptibilnosti dijamagnetskih i param-
agnetskih supstanci.
1.1 Langevinova jednačina dijamagnetizma

Dijamagnetizam je povezan sa tendencijom da naelektrisanja delimično
štite unutrašnjost tela od primenjenog magnetskog polja. U elektromagne-
tizmu je poznat Lencov zakon: kada se fluks kroz električno kolo menja, in-
dukovana (dijamagnetska) struja ima takav smer da teži da umanji promenu
fluksa.
U superprovodniku ili u elektronskoj orbiti unutar atoma, indukovana
struja postoji sve dok je prisutno polje. Magnetsko polje indukovane struje
je suprotnog smera od primenjenog polja, i magnetski moment pridružen
ovoj struji je dijamagnetski moment. Čak i kod normalnih metala postoji
dijamagnetski doprinos od provodnih elektrona, i ovaj dijamagnetizam nije
uništen sudarima elektrona.
Uobičajeni tretman dijamagnetizma atoma i jona koristi Larmorovu teo-
remu: U magnetskom polju kretanje elektrona oko centralnog jezgra je, u
aproksimaciji prvog reda po B, isto kao i moguće kretanje u odsustvu B,
10
osim što postoji superpozicija precesije elektrona sa ugaonom učestanošću
(CGS) ω = eB/2mc; (SI) ω = eB/2m. (2)

Ako se polje polako uvodi, kretanje u rotacionom referentnom sistemu biće
isto kao i originalno kretanje u statičkom sistemu pre primene polja.
Ako je srednja vrednost struje elektrona oko jezgra u početnom trenutku
nula, primena magnetskog polja će uzrokovati konačnu struju oko jezgra.
Ova struja je ekvivalentna magnetskom momentu suprotno usmerenom u
odnosu na primenjeno polje. Pretpostavlja se da je Larmorova učestanost
(2) mnogo manja od frekvencije originalnog kretanja u centralnom polju.
Ovaj uslov nije zadovoljen u slobodnoelektronskoj ciklotronskoj rezonanciji,
i ciklotronska učestanost nosilaca je dvostruko veća od frekvencije (2).
Larmorova precesija Z elektrona je ekvivalentna električnoj struji

1 eB
(SI) I = (charge)(revolutions per unit time) = (−Ze) · .
2π 2m
(3)
Magnetski moment µ strujne petlje dat je proizvodom (struja) × (površina
petlje). Površina petlje poluprečnika ρ je πρ2 . Imamo
Ze2 B 2 Ze2 B 2
(SI) µ=− hρ i, (CGS) µ=− hρ i. (4)
4m 4mc2
Ovde je hρ2 i = hx2 i + hy 2 i srednjekvadratna vrednost normalnog rastojanja
elektrona od ose polja kroz jezgro. Srednjekvadratno rastojanje elektrona od
jezgra je hr2 i = hx2 i + hy 2 i + hz 2 i. Za sfernosimetričnu raspodelu naelek-
trisanja imamo hx2 i = hy 2 i = hz 2 i, tako da je hr2 i = 23 hρ2 i.
Iz poslednje jednačine, dijamagnetska susceptibilnost po jedinici zaprem-
ine je, ako je N broj atoma po jedinici zapremine,
Nµ N Ze2 2
(CGS) χ= =− hr i; (5)
B 6mc2
µ0 N µ µ0 N Ze2 2
(SI) χ= =− hr i.
B 6m
Ovo je klasičan Langevinov rezultat.
11
Slika 2: Eksperimentalne vrednosti molarnih susceptibilnosti za inertne
gasove.
Problem proračuna dijamagnetske susceptibilnosti izolovanog atoma sve-

den je na proračun hr2 i za raspodelu elektrona u atomu. Raspodela se može
sračunati kvantnomehanički.
Eksperimentalne vrednosti za neutralne atome se najlakše dobijaju kod
inertnih gasova. Tipične eksperimentalne vrednosti molarnih susceptibilnosti
date su na slici 2.
U dielektričnim čvrstim telima dijamagnetski doprinos jonskim jezgrima
grubo je opisan Langevinovim rezultatom. Doprinos provodnih elektrona u
metalima je komplikovaniji, što je očigledno iz de Has-van Alfenovog efekta
razmatranog u Glavi 9.
1.2 Kvantna teorija dijamagnetizma kod mononuklearnih

sistema
Dajemo kvantni tretman klasičnog Langevinovog rezultata. Iz Priloga
(G.18) efekat magnetskog polja ogleda se u dodavanju na Hamiltonijan članova
ieh̄ e2
Ĥ = (∇ · A + A · ∇) + A2 ; (6)
2mc 2mc2
jer za atomski elektron ovi članovi obično mogu da se tretiraju kao mala
perturbacija. Ako je magnetsko polje uniformno, u smeru z-ose, možemo
pisati
1 1
Ax = − yB, Ay = xB, Az = 0, (7)
2 2
i jednačina (6) postaje
12
e2 B 2 2

ieh̄B ∂ ∂
Ĥ = x −y + 2
(x + y 2 ). (8)
2mc ∂y ∂x 8mc
Prvi član na desnoj strani je proporcionalan komponenti orbitalnog mo-
menta impulsa L2 ako se r meri od jezgra. U mononuklearnim sistemima ovaj
član daje doprinos samo paramagnetizmu. Drugi član za sfernosimetričan
sistem ima doprinos
e2 B 2 2
E0 = hr i, (9)
12mc2
na osnovu perturbacione teorije prvog reda. Pridruženi magnetski moment
je dijamagnetski:
∂E 0 e2 hr2 i
µ=− =− B, (10)
∂B 6mc2
što se slaže sa klasičnim rezultatom (5).
1.3 Paramagnetizam
Elektronski paramagnetizam (pozitivan doprinos χ) postoji u:
1. Atomima, molekulima i defektima rešetke koji poseduju neparan broj
elektrona, jer tada ukupan spin sistema ne može biti jednak nuli. Primeri:
slobodni atomi natrijuma; gasna faza azot-oksida (NO); organski slobodni
radikali kao što je trifenilmetil C(C6 H5 )3 ; F centri u alkalnim halidima.
2. Slobodnim atomima i jonima sa delimično popunjenom unutrašnjom
ljuskom: prelazni elementi; joni izoelektronski sa prelaznim elementima;
retke zemlje i aktinidi. Primeri: Mn2+ , Gd3+ , U4+ . Paramagnetizam se
ispoljava u mnogim od ovih jona čak i kada su sastavni delovi čvrstih tela,
ali ne nepromenljivo.
3. Nekoliko jedinjenja sa parnim brojem elektrona, uključujući molekul-
ski kiseonik i organske biradikale.
4. Metalima.
1.4 Kvantna teorija paramagnetizma

Magnetski moment atoma ili jona u slobodnom prostoru dat je sa
µ = γh̄J = −gµB J, (11)
13
Slika 3: Cepanje energetskih nivoa za jedan elektron u magnetskom polju B
koje je usmereno u pozitivnom smeru z ose. Za elektron je magnetski moment
suprotnog znaka od spina S, tako da je µ = −gµB S. U niskoenergetskom
stanju magnetski moment je paralelan magnetskom polju.
gde je ukupan moment impulsa h̄J zbir orbitalnog h̄L i spinskog h̄S momenta
impulsa.
Konstanta γ je odnos magnetskog momenta i momenta impulsa; γ se
naziva žiromagnetski odnos. Za elektronske sisteme veličina g naziva se g
faktor ili spektroskopski faktor cepanja i definisana je sa
gµB = −γh̄. (12)

Za elektronski spin g = 2.0023, i obično se uzima kao 2.00. Za slobodan atom
g faktor je dat Landeovom jednačinom
J(J + 1) + S(S + 1) − L(L + 1)

g =1+ . (13)
2J(J + 1)
Borov magneton µB definisan je kao eh̄/2mc u CGS i eh̄/2m u SI jedini-
cama. On je blizak spinskom magnetskom momentu slobodnog elektrona.
Energetski nivoi sistema u magnetskom polju su
U = −µ · B = mJ gµB B, (14)
gde je mJ azimutalni kvantni broj i ima vrednosti J, J − 1, ..., −J. Za jedan
spin bez orbitalnog momenta imamo mJ = ± 12 i g = 2, odakle je U = ±µB B.
Ovo cepanje prikazano je na slici 3.
Ako sistem ima samo dva nivoa, ravnotežne naseljenosti, uz oznaku τ =
kB T , su
14
Slika 4: Parcijalne naseljenosti dvonivoskog sistema u toplotnoj ravnoteži na
temperaturi T u magnetskom polju B. Magnetski moment je proporcionalan
razlici izmedu dve krive.
N1 eµB/τ
= µB/τ ; (15)
N e + e−µB/τ
N2 e−µB/τ
= µB/τ ; (16)
N e + e−µB/τ
gde su N1 , N2 naseljenosti nižeg i višeg nivoa, a N = N1 + N2 je ukupan broj
atoma. Parcijalne naseljenosti prikazane su na slici 4.
Projekcija magnetskog momenta višeg stanja u pravcu polja je −µ, a nižeg
stanja µ. Rezultantna magnetizacija za N atoma po jedinici zapremine je,
uz smenu x = µB/kB T ,
ex − e−x
M = (N1 − N2 )µ = N µ · = N µ tanh x. (17)
ex + e−x
Za x 1, tanh x ≈ x i imamo
M ≈ N µ(µB/kB T ). (18)
U magnetskom polju atom sa kvantnim brojem momenta impulsa J ima
2J + 1 podjednako udaljenih energetskih nivoa. Magnetizacija (slika 5) je
data sa
M = N gJµB BJ (x), (x = gJµB B/kB T ), (19)

gde je Briluenova funkcija BJ definisana sa
15

2J + 1 (2J + 1)x 1 x
BJ (x) = coth − coth . (20)
2J 2J 2J 2J
Jednačina (17) je specijalan slučaj jednačine (20) za J = 21 .
Za x = µB/kB T 1, imamo
1 x x3
coth x = + − + ..., (21)
x 3 45
i susceptibilnost je
M N J(J + 1)g 2 µ2B N p2 µ2B C

≈ = = . (22)
B 3kB T 3kB T T
Ovde je p efektivni broj Borovih magnetona, definisan sa
p = g[J(J + 1)]1/2 . (23)

Konstanta C poznata je kao Kirijeva konstanta. Oblik (19) poznat je kao
Kiri-Briluenov zakon, a (22) kao Kirijev zakon. Rezultati za paramagnetske
jone u soli gadolinijuma dati su na slici 6.
1.4.1 Joni retkih zemalja

Joni elemenata retkih zemalja (slika 7) imaju bliske hemijske osobine,
i njihovo hemijsko razdvajanje u prihvatljivo čistom obliku uradeno je tek
dugo vremena nakon njihovog otkrića. Njihove magnetske osobine su fasci-
nantne: Joni pokazuju sistematsku raznolikost i razumljivu kompleksnost.
Hemijske osobine trovalentnih jona su slične jer najdalje elektronske orbitale
imaju identičnu 5s2 5p6 konfiguraciju, kao neutralan ksenon. U lantanu, koji
neposredno prethodi grupi retkih zemalja, 4f ljuska je prazna; u cerijumu
postoji jedan 4f elektron, a broj 4f elektrona raste u grupi sve dok ne
dodemo do 4f 13 kod iterbijuma i popunjene orbitale od 4f 14 kod lutecijuma.
Poluprečnici trovalentnih jona smanjuju se skoro glatko kako se krećemo kroz
grupu, od 1.11 Å kod cerijuma do 0.94 Å kod iterbijuma. Ovo je poznato
kao ”kontrakcija lantanida”. Ono što razdvaja magnetske osobine jednog
jona od drugog jeste broj 4f elektrona spakovanih u unutrašnju ljusku sa
poluprečnikom oko 0.3 Å. Čak i kod metala 4f jezgro zadržava svoj integritet
i atomske osobine: nijedna druga grupa elemenata u periodnom sistemu nije
toliko zanimljiva.
16
Slika 5: Grafik magnetskog momenta u funkciji B/T za sferne
uzorke (I) kalijum-hrom-aluminata, (II) gvožde-amonijum-aluminata i
(III) gadolinijum-sulfat-oktahidrata. Preko 99.5% magnetskog zasićenja
postignuto je na 1.3 K i oko 50,000 gauss (5T).
17
Prethodna diskusija o paramagnetizmu primenjuje se na atome koji imaju
(2J +1)-tostruko degenerisano osnovno stanje, gde je degeneracija podignuta
magnetskim poljem. Uticaj svih viših energetskih stanja na sistem je zane-
marljiv. Ove pretpostavke izgledaju zadovoljene kod brojnih jona retkih ze-
malja. Proračunati magnetonski brojevi dobijeni su sa vrednostima g na
osnovu Landeovog rezultata (13) i asignacije nivoa osnovnog stanja koja
je izložena u nastavku, a bazira se na Hundovoj teoriji spektralnih fak-
tora. Neslaganje izmedu eksperimentalnih magnetonskih brojeva i vrednosti
sračunatih na osnovu ovih pretpostavki je značajno za jone Eu3+ i Sm3+ . Za
ove jone neophodno je posmatrati uticaj viših stanja L + S multipleta, jer in-
tervali izmedu sukcesivnih stanja multipleta nisu veliki u poredenju sa kB T
na sobnoj temperaturi. Multiplet je skup nivoa sa različitim vrednostima
J koje proizilaze iz datih L i S. Nivoi multipleta se cepaju spin-orbitnom
interakcijom.
1.4.2 Hundova pravila

Hundova pravila, primenjena na elektrone u datoj orbitali atoma, tvrde da
će elektroni zauzeti orbitale na takav način da je osnovno stanje karakterisano
sledećim:
1. Maksimalna vrednost ukupnog spina S dopuštena principom isklučenja;
2. Maksimalna vrednost orbitalnog momenta impulsa L konzistentna sa
vrednošću S;
3. Vrednost ukupnog momenta impulsa J jednaka je |L − S| kada je
orbitala više nego poluprazna, odnosno L + S kada je orbitala popunjena
više od polovine. Kada je orbitala samo do pola popunjena, primena prvog
pravila daje L = 0, tako da je J = S.
Prvo Hundovo pravilo ima poreklo u principu isključenja i kulonovom
odbijanju izmedu elektrona. Princip isključenja onemogućava da dva elek-
trona istog spina budu na istom mestu u isto vreme. Stoga se takvi elektroni
drže odvojeno, dalje nego elektroni suprotnog spina. Usled kulonove interak-
cije, energija elektrona istog spina je manja - srednja potencijalna energija je
manje pozitivna za paralelan nego za antiparalelan spin. Dobar primer je jon
Mn2+ . Ovaj jon ima pet elektrona u 3d ljusci, koja je stoga polupopunjena.
Spinovi mogu biti svi paralelni ako svaki elektron zauzima drugu orbitalu,
i postoji tačno pet različitih dostupnih orbitala, karakterisanih orbitalnim
kvantnim brojevima mL = 2, 1, 0, −1, −2. One će biti zauzete sa po jednim
18
Slika 6: Grafik 1/χ u funkciji T za so gadolinijuma Gd(C2 H3 SO4 )3 · 9H2 O.
Prava linija predstavlja Kirijev zakon.
19
elektronom. Očekujemo S = 52 , i zbog
P
mL = 0 jedina moguća vrednost L
je nula, što se i dešava.
Drugo Hundovo pravilo najbolje se objašnjava proračunom modela. Paul-
ing i Vilson, na primer, dali su proračun spektralnih članova koji potiču
iz konfiguracije p2 . Treće Hundovo pravilo je posledica znaka spin-orbitne
interakcije: Za jedan elektron energija je najmanja kada je spin antipar-
alelan orbitalnom momentu impulsa. Ali niskoenergetski parovi mL , mS se
koriste progresivno kako dodajemo elektrone u ljusku; na osnovu principa
isključenja, kada je više od polovine ljuske popunjeno, stanje najniže energije
uvek ima spin paralelan orbiti.
Posmatrajmo dva primera Hundovih pravila: Jon Ce3+ ima jedan f elek-
tron; taj f elektron ima l = 3 i s = 21 . Zbog činjenice da je f ljuska više nego
poluprazna, vrednost J na osnovu prethodnog pravila je |L−S| = L− 12 = 25 .
Jon Pr3+ ima dva f elektrona; jedno od pravila govori nam da se spinovi sabi-
raju, što daje S = 1. Oba f elektrona ne mogu imati mL = 3 bez narušenja
Paulijevog principa, tako da je maksimalno L koje zadovoljava Paulijev prin-
cip 5, umesto 6. Vrednost J je |L − S| = 5 − 1 = 4.
1.4.3 Joni iz grupe gvožda

Slika 8 pokazuje da eksperimentalni magnetonski brojevi za soli iz grupe
gvožda periodnog sistema nisu u saglasnosti sa (23). Vrednosti se često dosta
dobro slažu sa magnetonskim brojevima p = 2[S(S + 1)]1/2 , računatim kao
da nema orbitalnog momenta.
1.4.4 Cepanje kristalnog polja

Razlika u ponašanju retkih zemalja i soli iz grupe gvožda je u tome što 4f
ljuska, odgovorna za paramagnetizam kod jona retkih zemalja, leži duboko
unutar jona, iza 5s i 5p ljuski, dok je kod jona iz grupe gvožda 3d ljuska
odgovorna za paramagnetizam najdalja od jezgra. 3d ljuska izložena je in-
tenzivnom nehomogenom električnom polju koje potiče od susednih jona.
Ovo nehomogeno električno polje naziva se kristalno polje. Interakcija
paramagnetskih jona sa kristalnim poljem ima dva glavna efekta. Sprezanje
L i S vektora je u velikoj meri raskinuto, tako da stanja više nisu odredena
svojim vrednositma J; dalje, 2L + 1 podnivoa koji pripadaju datom L i koji
su degenerisani u slobodnom jonu mogu se sada cepati kristalnim poljem, kao
na slici 9. Ovo cepanje umanjuje doprinos orbitalnog kretanja magnetskom
20
Slika 7: Efektivni magnetonski brojevi p za grupu trovalentnih lantanida.
21
Slika 8: Efektivni magnetonski brojevi za jone iz grupe gvožda.
momentu.
1.4.5 Suzbijanje orbitalnog momenta impulsa

U električnom polju usmerenom duž fiksiranog jezgra, ravan klasične or-
bite je nepromenljiva u prostoru, tako da su sve komponente orbitalnog mo-
menta impulsa Lx , Ly , Lz konstantne. U kvantnoj teoriji jedna komponenta
momenta impulsa, obično uzeta kao Lz , i kvadrat ukupnog orbitalnog mo-
menta impulsa L2 su konstantni u centralnom polju. U necentralnom polju
ravan orbite će se pomerati; komponente momenta impulsa više nisu kon-
stantne i u srednjoj vrednosti mogu se anulirati. U kristalu Lz više neće biti
konstanta kretanja, iako u dobroj aproksimaciji L2 i dalje može da se smatra
nepromenljivim. Kada je srednja vrednost Lz nula, orbitalni moment impulsa
je suzbijen. Magnetski moment stanja dat je srednjom vrednošću operatora
magnetskog momenta µB (L + 2S). U magnetskom polju duž z ose orbitalni
doprinos magnetskom momentu proporcionalan je kvantnoj očekivanoj vred-
nosti Lz ; orbitalni magnetski moment se anulira ako je mehanički moment
Lz suzbijen.
Kao primer, posmatrajmo jedan elektron sa orbitalnim kvantnim brojem
L = 1 koji se kreće oko jezgra, a sve to se nalazi u nehomogenom kristalnom
električnom polju. Zanemarujemo spin elektrona.
U kristalu ortorombične simetrije, naelektrisanja susednih jona proizvešće
22
Slika 9: Posmatramo atom sa orbitalnim momentom impulsa L = 1 smešten
u uniaksijalnom električnom polju kristala koje potiče od dva pozitivna jona
duž z ose. U slobodnom atomu stanja mL = ±1, 0 imaju identične energije
- ona su degenerisana. U kristalu atom ima manju energiju kada je elek-
tronski oblak blizu pozitivnih jona kao na slici (a), nego kada je orijentisan
na sredini, kao na slikama (b) i (c). Talasne funkcije koje doprinose ovim
gustinama naelektrisanja su oblika zf (r), xf (r) i yf (r) i nazivaju se pz , px , py
orbitale, respektivno. U aksijalno simetričnom polju, kao što je prikazano,
px i py orbitale su degenerisane. Energetski nivoi koji se odnose na slobodan
atom (isprekidana linija) prikazani su na slici (d). Ako električno polje nema
aksijalnu simetriju, sva tri stanja imaće različite energije.
23
elektrostatički potencijal ϕ oko jezgra, oblika
eϕ = Ax2 + By 2 − (A + B)z 2 , (24)

gde su A i B konstante. Ovaj izraz je polinom najmanjeg reda po x, y, z
koji predstavlja rešenje Laplasove jednačine ∇2 ϕ = 0 i kompatibilan je sa
simetrijom kristala.
U slobodnom prostoru osnovno stanje je trostruko degenerisano, sa mag-
netskim kvantnim brojevima mL = 1, 0, −1. U magnetskom polju ovi nivoi su
razdvojeni energijama proporcionalnim jačini polja B, i to je polju-proporcionalno
cepanje koje je odgovorno za normalnu paramagnetsku susceptibilnost jona.
U kristalu ova slika može biti drugačija. Uzimamo kao tri talasne funkcije
pridružene neperturbovanom osnovnom stanju jona
Ux = xf (r); Uy = yf (r); Uz = zf (r). (25)

Ove talasne funkcije su ortogonalne, i pretpostavljamo da su normalizovane.
Za svaku od U -ova može se pokazati da ima osobinu
L̂2 Ui = L(L + 1)Ui = 2Ui , (26)

2
gde je L̂ operator kvadrata orbitalnog momenta impulsa, u jedinicama
h̄. Poslednji rezultat potvrduje da su odabrane talasne funkcije zapravo p
funkcije, sa L = 1.
Sada uočavamo da su U -ovi dijagonalni u odnosu na perturbaciju, i usled
simetrije nedijagonalni elementi jednaki su nuli:
hUx |eϕ|Uy i = hUx |eϕ|Uz i = hUy |eϕ|Uz i = 0. (27)

Uzmimo na primer
Z
hUx |eϕ|Uy i = xy|f (r)2 |(Ax2 + By 2 − (A + B)z 2 )dxdydz; (28)
Integrand je neparna funkcija od x (i od y takode) i stoga ovaj integral

mora biti jednak nuli. Energetski nivoi su tada dati dijagonalnim elementima
matrice:
Z
hUx |eϕ|Ux i = |f (r)|2 (Ax4 + By 2 x2 − (A + B)z 2 x2 )dxdydz
= A(I1 − I2 ), (29)
24
gde je
Z Z
2 4
I1 = |f (r)| x dxdydz; I2 = |f (r)|2 x2 y 2 dxdydz.
Pored toga,
hUy |eϕ|Uy i = B(I1 − I2 ); hUz |eϕ|Uz i = −(A + B)(I1 − I2 ).
Tri sopstvena stanja u kristalnom polju su p funkcije sa svojim ugaonim

stranama usmerenim duž svake od x, y, z osa, respektivno.
Orbitalni moment svakog od nivoa je nula, jer je
hUx |Lz |Ux i = hUy |Lz |Uy i = hUz |Lz |Uz i = 0.

Nivo i dalje ima konačan ukupan moment impulsa, jer je L̂2 dijagonalno
i daje L = 1, ali prostorne komponente momenta impulsa nisu konstante
kretanja i njihova srednja vrednost po vremenu je nula u prvoj aproksimaciji.
Stoga komponente orbitalnog magnetskog momenta takode se anuliraju u
istoj aproksimaciji. Uloga kristalnog polja u procesu suzbijanja je da pocepa
originalno degenerisane nivoe u nemagnetske nivoe razdvojene energijama
µH, tako da je magnetsko polje mala perturbacija u poredenju sa kristalnim
poljem.
Na sajtu rešetke kubične simetrije ne postoji član u potencijalu oblika
(24), tj. kvadratni po elektronskim koordinatama. Sada će osnovno stanje
jona sa jednim p elektronom (ili sa šupljinom u p ljusci) biti trostruko de-
generisano. Ipak, energija jona biće smanjena ako se jon pomera u odnosu na
okolinu, kreirajući tako nekubični potencijal kao što je onaj dat jednačinom
(24). Ovakav spontani pomeraj poznat je kao Jan-Telerov efekat i često je
veliki i važan, posebno kod Mn3+ i Cu2+ jona i šupljina u alkalnim i srebrnim
halidima.
1.4.6 Spektroskopski faktor cepanja

Radi jednostavnosti pretpostavljamo da su konstante kristalnog polja
A, B takve da je Ux = xf (r) orbitalna talasna funkcija osnovnog stanja
atoma u kristalu. Za spin S = 21 postoje dva moguća spinska stanja Sz = ± 21
predstavljena spinskim funkcijama α, β, koje su u odsustvu magnetskog polja
25
degenerisane u nultoj aproksimaciji. Problem je uzeti u obzir energiju spin-
orbitne interakcije λL · S.
Ako je funkcija osnovnog stanja ψ0 = Ux α = xf (r)α u nultoj aproksi-
maciji, tada u prvoj aproksimaciji, tretirajući λL · S interakciju standardnom
teorijom perturbacija, imamo
ψ = [Ux − i(λ/2∆1 )Uy ]α − i(λ/2∆2 )Uz β, (30)

gde je ∆1 energijska razlika izmedu stanja Ux i Uy , a ∆2 je energijska razlika
izmedu stanja Ux i Uz . Član po Uz β zapravo ima samo efekat drugog reda na
rezultat i može se odbaciti. Očekivana vrednost orbitalnog momenta impulsa
do prvog reda direktno je data sa
hψ|Lz |ψi = −λ/∆1 ,

a magnetski moment stanja merenog u smeru z ose je
µB hψ|Lz + 2Sz |ψi = [−(λ/∆1 ) + 1]µB .

Pošto je rastojanje izmedu nivoa Sz = ± 12 u polju H jednako
∆E ≈ gµB H = 2[1 − (λ/∆1 )]µB H,

vrednost g ili spektroskopskog faktora cepanja (12) u smeru z ose je
g = 2[1 − (λ/∆1 )]. (31)
1.4.7 Van Vleckov temperaturski nezavisan paramagnetizam

Posmatramo atomski ili molekulski sistem koji nema magnetski moment
u osnovnom stanju, pod čime podrazumevamo da je dijagonalni matrični
element operatora magnetskog momenta µz jednak nuli.
Pretpostavimo da postoji vandijagonalni matrični element hs|µz |0i oper-
atora magnetskog momenta, koji povezuje osnovno stanje 0 sa pobudenim
stanjem s, energije ∆ = Es −E0 iznad osnovnog stanja. Tada, na osnovu stan-
dardne perturbacione teorije, talasna funkcija osnovnog stanja pri slabom
polju (µ2 B ∆) postaje
ψ00 = ψ0 + (B/∆)hs|µz |0iψs (32)

a talasna funkcija pobudenog stanja postaje
26
ψs0 = ψs − (B/∆)h0|µz |siψ0 . (33)
Perturbovano osnovno stanje sada ima magnetski moment
h00 |µz |00 i ≈ 2B|hs|µz |0i|2 /∆, (34)

a više stanje ima moment
hs0 |µz |s0 i ≈ −2B|hs|µz |0i|2 /∆. (35)

Treba razmotriti dva interesantna slučaja:
Slučaj (a). ∆ kB T . Višak naseljenosti u osnovnom stanju u odnosu
na pobudeno stanje približno je jednak N ∆/2kB T , tako da je rezultantna
magnetizacija
2B|hs|µz |0i|2 N ∆
M= · , (36)
∆ 2kB T
što daje susceptibilnost
χ = N |hs|µz |0i|2 /kB T. (37)

Ovde je N broj molekula u jedinici zapremine. Ovaj doprinos je uobičajenog
Kirijevog oblika, iako je ovde mehanizam magnetizacije potekao od polar-
izacije stanja sistema, dok je za slobodne spinove mehanizam magnetizacije
preraspodela jona po spinskim stanjima. Uočavamo da se cepanje ∆ ne po-
javljuje u jednačini (37).
Slučaj (b). ∆ kB T . Ovde je skoro sva populacija u osnovnom stanju,
tako da je
2N B|hs|µz |0i|2
M= . (38)
∆
Susceptibilnost je
2N |hs|µz |0i|2
χ= , (39)
∆
nezavisno od temperature. Ovaj tip doprinosa poznat je kao Van Vleckov
paramagnetizam.
27
Slika 10: Tokom izentropske demagnetizacije ukupna entropija uzorka je kon-
stantna. Da bi došlo do hladenja, početna entropija rešetke mora biti mala
u poredenju sa entropijom spinskog sistema.
1.5 Hladenje izentropskom demagnetizacijom

Prvi metod za postizanje temperature daleko ispod 1 K bio je izentropska,
ili adijabatska, demagnetizacija paramagnetske soli. Njegovom primenom
dostižu se temperature ispod 10−3 K. Metod počiva na činjenici da se na
konstantnoj temperaturi entropija sistema magnetskih momenata smanjuje
primenom magnetskog polja.
Entropija je mera neuredenosti sistema: što je veća neuredenost, veća
je i entropija. U magnetskom polju momenti će biti delimično uredeni (na
liniji), tako da se entropija smanjuje sa poljem. Ona se takode smanjuje sa
opadanjem temperature, jer se sve više momenata ureduje.
Ako se magnetsko polje tada može ukinuti bez promene entropije spin-
skog sistema, uredenje spinskog sistema izgledaće na niskoj temperaturi kao i
u prisustvu polja. Kada se uzorak demagnetiše pri konstantnoj entropiji, ona
može teći u spinski sistem samo iz sistema vibracija rešetke, kao na slici 10.
Na temperaturama od interesa entropija vibracija rešetke je obično zane-
marljiva, pa će entropija spinskog sistema biti praktično konstantna tokom
izentropske demagnetizacije uzorka. Magnetsko hladenje je jednosmerna, a
28
ne ciklična operacija.
Prvo pronalazimo izraz za spinsku entropiju sistema od N jona, svaki sa
spinom S, na temperaturi dovoljno visokoj tako da je spinski sistem pot-
puno neureden. To znači, pretpostavljamo da je T mnogo veće od neke
temperature ∆ koja karakteriše energiju interakcija (Eint = kB ∆) koja teži
da orijentiše spinove na neki način. Neke od ovih interakcija razmatraju se u
Glavi 12. Definicija entropije σ sistema sa G mogućih stanja je σ = kB ln G.
Na temperaturi dovoljno visokoj tako da su svih 2S + 1 stanja svakog jona
skoro jednako naseljena, G je broj načina za uredenje N spinova u 2S + 1
stanja. Stoga je G = (2S + 1)N , odakle je spinska entropija σS data sa:
σS = kB ln (2S + 1)N = N kB ln (2S + 1). (40)

Spinska entropija se smanjuje magnetskim poljem ako niži nivoi imaju
porast populacije kada polje energetski razdvaja 2S + 1 stanja.
Koraci sprovedeni u procesu hladenja prikazani su na slici 11. Polje se pri-
menjuje na temperaturi T1 sa uzorkom koji je u dobrom termalnom kontaktu
sa okolinom, dajući izotermsku putanju ab. Uzorak se potod izoluje (δσ = 0)
i polje se uklanja, uzorak prati putanju konstantne entropije bc, završavajući
na temperaturi T2 . Termalni kontakt na T1 obezbeden je helijumskim gasom,
a raskida se uklanjanjem gasa pomoću pumpe.
Naseljenost magnetskog podnivoa je funkcija samo od µB/kB T , dakle od
B/T . Entropija spinskog sistema je funkcija samo raspodele naseljenosti;
dakle, spinska entropija je funkcija samo od B/T . Ako je B∆ efektivno polje
koje odgovara lokalnim interakcijama, finalna temperatura T2 dostignuta u
eksperimentu adijabatske demagnetizacije je
T2 = T1 (B∆ /B), (41)

gde je B početno polje, a T1 početna temperatura.
1.5.1 Demagnetizacija jezgra

Pošto su magnetski momenti jezgra mali, nuklearne magnetske inter-
akcije su mnogo slabije od sličnih elektronskih interakcija. Očekujemo da
dostignemo temperaturu 100 puta manju sa jezgarnim u odnosu na elektron-
ski paramagnet. Početna temperatura jezgra T1 u eksperimentu hladenja
jezgra mora biti manja od temperature u prethodnom eksperimentu. Ako
počnemo sa B = 50 kG i T1 = 0.01 K, tada je µB/kB T1 ≈ 0.5, i entropija
29
Slika 11: Entropija za spinski 21 sistem u funkciji temperature, pretpostavl-
jajući unutrašnje slučajno magnetsko polje B∆ od 100 gauss. Uzorak
je izotermski namagnetisan duž putanje ab, a potom toplotno izolovan.
Spoljašnje magnetsko polje je isključeno duž putanje bc. Da bi slika bila u
prihvatljivoj skali, početna temepratura T1 je manja od praktične, pa samim
tim i spoljašnje magnetsko polje.
opada sa magnetizacijom za više od 10 procenata od maksimalne spinske en-

tropije. Ovo je dovoljno da zanemarimo uticaj rešetke i iz (41) procenjujemo
krajnju temperaturu T2 ≈ 10−7 K. Prvi eksperiment hladenja jezgra sprove-
den je na jezgru Cu u metalu, počevši od 0.02 K, što je dobijeno elektronskim
hladenjem. Najniža ostvarena temperatura bila je 1.2 × 10−6 K.
Rezultati na slici 12 fituju liniju oblika (41): T2 = T1 (3.1/B) sa B u gauss-
ima, tako da je B∆ = 3.1 gauss. Ovo je efektivno polje interakcije magnetskih
momenata jezgra Cu. Motivacija za korišćenje jezgra u metalima je činjenica
da provodni elektroni pomažu ostvarivanje brzog termalnog kontakta rešetke
i jezgra na temperaturi u prvom koraku.
1.6 Paramagnetska susceptibilnost provodnih elektrona

Klasična teorija slobodnih elektrona daje nezadovoljavajuće objašnjenje
paramagnetske susceptibilnosti provodnih elektrona. Elektron ima pridružen
magnetski moment jednog Borovog magnetona, µB . Moglo bi se očekivati da
provodni elektroni daju paramagnetski doprinos Kirijevog tipa (22) magne-
30
Slika 12: Demagnetizacija jezgra bakra u metalu, počevši od 0.012 K i pri
različitim poljima.
tizaciji metala: M = N µ2B B/kB T . Umesto toga, primećeno je da je mag-

netizacija najvećeg broja normalnih neferomagnetskih metala nezavisna od
temperature.
Pauli je pokazao da bi primena Fermi-Dirakove raspodele (Glava 6) poprav-
ila teoriju na zadovoljavajući način. Najpre dajemo kvalitativno objašnjenje.
Rezultat (18) govori nam da verovatnoća da se atom postavi paralelno polju
B nadmašuje verovatnoću antiparalelne orijentacije za približno µB/kB T .
Za N atoma po jedinici zapremine, ovo daje ukupnu magnetizaciju od ≈
N µ2 B/kB T , što je standardan rezultat.
Najveći broj provodnih elektrona u metalu, ipak, nema mogućnost okre-
tanja kada se primeni polje, jer je najveći broj orbitala u Fermijevom moru
sa paralelnim spinom već zauzet. Samo elektroni u opsegu kB T na vrhu
Fermijeve raspodele imaju mogućnost da se okrenu u polju; stoga samo deo
T /TF od ukupnog broja elektrona doprinosi susceptibilnosti. Stoga je
31
N µ2 B T N µ2
M≈ · = B, (42)
kB T TF kB TF
što ne zavisi od temperature i po redu veličine odgovara izmerenim vrednos-
tima.
Sada odredujemo izraz za paramagnetsku susceptibilnost slobodnoelek-
tronskog gasa za T TF . Pratimo metod proračuna skiciran na slici 13.
Alternativno izvodenje je predmet Problema 5.
Koncentracija elektrona sa magnetskim momentima paralelnim magnet-
skom polju je
1 F 1 F
Z Z
1
N+ = D( + µB)d ≈ D()d + µBD(F ), (43)
2 −µB 2 0 2
pisano za apsolutnu nulu. Ovde je 21 D(+µB) gustina orbitala sa jednom ori-
jentacijom spina, sa mogućnošću pomeraja energije za −µB. Aproksimacija
važi za kB T F .
Koncentracija elektrona sa magnetskim momentom antiparalelnim mag-
netskom polju je
1 F 1 F
Z Z
1
N− = D( − µB)d ≈ D()d − µBD(F ). (44)
2 µB 2 0 2
Magnetizacija je data sa M = µ(N+ − N− ), tako da je
3N µ2
M = µ2 D(F )B = B, (45)
2kB TF
gde je D(F ) = 3N/2F = 3N/2kB TF na osnovu Glave 6. Rezultat (45) daje
Paulijevu spinsku magnetizaciju provodnih elektrona, za kB T F .
U izvodenju paramagnetske susceptibilnosti, pretpostavili smo da pros-
torno kretanje elektrona nije izmenjeno magnetskim poljem. Ali talasne
funkcije su modifikovane tim poljem; Landau je pokazao da za slobodne
elektrone ono uzrokuje dijamagnetski moment jednak − 13 paramagnetskog
momenta. Stoga je ukupna magnetizacija slobodnoelektronskog gasa data sa
N µ2B
M= B. (46)
kB TF
Pre poredenja jednačine (46) sa eksperimentom, moramo uzeti u obzir di-
jamagnetizam jonskih jezgara, zonske efekte i elektron-elektron interakciju.
32
Slika 13: Paulijev paramagnetizam na apsolutnoj nuli; orbitale u označenim
oblastima na slici (a) su zauzete. Broj elektrona u ”gornjoj” i ”donjoj” zoni
podesiće se tako da energije budu jednake na Fermijevom nivou. Hemijski
potencijal (Fermijev nivo) elektrona sa momentom nagore jednak je poten-
cijalu elektrona sa momentom nadole. Na slici (b) dat je višak elektrona sa
momentom nagore pri magnetskom polju.
33
U natrijumu efekti interakcije povećavaju spinsku susceptibilnost za oko 75
procenata.
Magnetska susceptibilnost je značajno veća kod najvećeg broja prelaznih
metala (sa nepopunjenim unutrašnjim nivoima) u odnosu na alkalne met-
ale. Velike vrednosti ukazuju da je gustina orbitala neuobičajeno velika za
prelazne metale, što je u saglasnosti sa merenjem elektronskog toplotnog
kapaciteta. Videli smo u Glavi 9 kako ovo sledi iz zonske teorije.
1.7 Kratak pregled

* Dijamagnetska susceptibilnost N atoma atomskog broja Z je χ =
−Ze2 N hr2 i/6mc2 , gde je hr2 i srednjekvadratna vrednost atomskog radijusa.
(Langevin)
* Atomi sa stalnim magnetskim momentom µ imaju paramagnetsku sus-
ceptibilnost χ = N µ2 /3kB T , za µB kB T . (Kiri-Langevin)
* Za sistem sa spinom S = 21 , egzaktna magnetizacija je M = N µ tanh(µB/kB T ),
gde je µ = 21 gµB . (Briluen)
* Osnovno stanje elektrona u istoj ljusci ima maksimalnu vrednost S
dopuštenu Paulijevim principom i maksimalno L konzistentno sa tim S.
Vrednost J je L+S ako je ljuska popunjena više od polovine, odnosno |L−S|
ako to nije slučaj.
* Proces hladenja zasniva se na demagnetizaciji paramagnetske soli pri
konstantnoj entropiji. Krajnja dostignuta temperatura je reda (B∆ /B)Tinitial ,
gde je B∆ efektivno lokalno polje a B je početno primenjeno magnetsko polje.
* Paramagnetska susceptibilnost Fermijevog gasa provodnih elektrona je
χ = 3N µ2 /2F , nezavisno od temperature za kB T F . (Pauli)
34
2 GLAVA 12: FEROMAGNETIZAM I AN-
TIFEROMAGNETIZAM
2.1 Feromagnetsko uredenje
Feromagnet ima spontani magnetski moment - on postoji i pri nultom
magnetskom polju. Postojanje spontanog momenta ukazuje da su elektron-
ski spinovi i magnetski momenti uredeni na regularan način. Uredenje ne
mora biti jednostavno: sva uredenja spina skicirana na slici 14 osim pros-
tog antiferomagnetskog imaju spontani magnetski moment, koji se naziva
moment zasićenja.
2.1.1 Kirijeva tačka i izmenski integral

Posmatrajmo paramagnet sa koncentracijom N jona spina S. Za datu
internu interakciju koja teži da poreda magnetske momente tako da budu
medusobno paralelni, imaćemo feromagnet. Postulirajmo takvu interak-
ciju i nazovimo je izmenskim poljem. Efekat orijentisanja izmenskog
polja suprotan je toplotnom neuredenju, i na povišenoj temperaturi spin-
sko uredenje se ukida.
Tretiramo izmensko polje kao ekvivalentno magnetskom polju BE . Am-
plituda izmenskog polja može ići i do 107 gauss (103 tesla). Pretpostavljamo
da je BE proporcionalno magnetizaciji M.
Magnetizacija je definisana kao magnetski moment po jedinici zapremine;
osim ako drugačije nije naznačeno, ona se tumači kao vrednost u toplotnoj
ravnoteži na temperaturi T . Ako su prisutni domeni (oblasti namagnetisane
u različitim pravcima), magnetizacija se odnosi na vrednost unutar domena.
U aproksimaciji srednjeg polja pretpostavljamo da svaki magnetski
atom trpi polje proporcionalno magnetizaciji:
BE = λM, (47)
gde je λ konstanta, nezavisna od temperature. U skladu sa jednačinom (47),
svaki spin vidi srednju magnetizaciju svih drugih spinova. Zapravo, on može
videti samo najbliže susede, ali naše uprošćenje je validno za prvi prilaz
problemu.
Kirijeva temperatura Tc je temperatura iznad koje spontana magne-
tizacija nestaje; ona razdvaja neuredenu paramagnetsku fazu za T > Tc od
35
Slika 14: Uredenja elektronskih spinova.
uredene feromagnetske faze za T < Tc . Možemo izraziti Tc preko konstante

λ koja figuriše u jednačini (47).
Razmotrimo paramagnetsku fazu: primenjeno polje Ba uzrokovaće konačnu
magnetizaciju koja će, sa svoje strane, dovesti do formiranja izmenskog polja
BE . Ako je χp paramagnetska susceptibilnost,
(CGS) M = χp (Ba + BE ); (SI) µ0 M = χp (Ba + BE ). (48)
Magnetizacija je jednaka konstantnoj susceptibilnosti pomnoženoj sa poljem

samo ako je relativno poravnanje na liniju malo: to je mesto gde dolazi do
izražaja pretpostavka da je uzorak u paramagnetskoj fazi.
Paramagnetska susceptibilnost (Glava 11) data je Kirijevim zakonom
χp = C/T , gde je C Kirijeva konstanta. Zamenom jednačine (47) u (48)
dobijamo M T = C(Ba + λM ) i
M C
(CGS) χ= = . (49)
Ba (T − Cλ)
Susceptibilnost (49) ima singularitet u T = Cλ. Na ovoj temperaturi
(i ispod nje) postoji spontana magnetizacija jer, ako je χ beskonačno veliko
možemo imati konačno M pri nultom Ba . Iz poslednje jednačine sledi Kiri-
Vajsov zakon
C
(CGS) χ= ; Tc = Cλ. (50)
T − Tc
36
Slika 15: Recipročna susceptibilnost nikla po gramu nikla u okolini Kirijeve
temperature (3580 C). Gustina je ρ. Isprekidana linija predstavlja linearnu
ekstrapolaciju zavisnosti sa visokih temperatura.
Ovaj izraz dosta dobro opisuje merenu promenu susceptibilnosti u paramag-

netskoj oblasti iznad Kirijeve tačke. Recipročna susceptibilnost nikla data je
na slici 15.
Iz (50) i definicije Kirijeve konstante C (Glava 11), možemo odrediti
vrednost srednje konstante polja λ, koja se pojavljuje u jednačini (47):
Tc 3kB Tc
(CGS) λ= = . (51)
C N g S(S + 1)µ2B
2
Za gvožde Tc ≈ 1000 K, g ≈ 2 i S ≈ 1; iz poslednje jednačine imamo

λ ≈ 5000. Sa Ms ≈ 1700 imamo BE ≈ λM ≈ (5000)(1700) ≈ 107 G = 103
T. Izmensko polje kod gvožda mnogo je jače od stvarnog magnetskog polja
usled prisustva drugih magnetskih jona u kristalu: magnetski jon proizvodi
polje ≈ µB /a3 ili oko 103 G = 0.1 T u susednoj tački rešetke.
Izmensko polje daje aproksimativnu predstavu kvantnomehaničke izmenske
interakcije. Pod nekim pretpostavkama pokazano je u radovima iz kvantne
teorije da energija interakcije atoma i, j koji nose elektronske spinove Si , Sj
sadrži član
37
U = −2JSi · Sj , (52)
gde je J izmenski integral i povezan je sa preklapanjem raspodela naelek-
trisanja atoma i, j. Jednačina (52) naziva se Hajzenbergov model.
Raspodela naelektrisanja sistema od dva spina zavisi od toga da li su
spinovi orijentisani paralelno ili antiparalelno, jer Paulijev princip isključuje
mogućnost da dva elektrona istog spina budu istovremeno na istom mestu.
On ne isključuje dva elektrona suprotnog spina. Stoga će elektrostatička
energija sistema zavisiti od relativne orijentacije spinova: razlika u energiji
definiše izmensku energiju.
Izmenska energija dva elektrona može se zapisati u obliku −2Js1 · s2 kao
u (52), kao kada bi postojalo direktno sprezanje izmedu pravaca dva spina.
Za mnoge primene u feromagnetizmu dobra je aproksimacija tretirati spinove
kao klasične vektore momenta impulsa.
Možemo uspostaviti približnu vezu izmedu izmenskog integrala J i Kiri-
jeve temperature Tc . Pretpostavmo da atom koji se razmatra ima z najbližih
suseda, svaki povezan sa centralnim atomom interakcijom J. Za udaljenije
susede uzimamo da je J = 0. Rezultat iz teorije srednjeg polja je
3kB Tc
J= . (53)
2zS(S + 1)
Bolja statistička aproksimacija daje nešto drugačije rezultate. Za sc, bcc
i fcc strukture sa S = 21 , Rašbruk i Vud dali su kB Tc /zJ = 0.28; 0.325 i
0.346, respektivno, u poredenju sa 0.500 iz jednačine (53) za sve tri strukture.
Ako se gvožde predstavi Hajzenbergovim modelom sa S = 1, tada izmerena
Kirijeva temperatura odgovara J = 11.9 meV.
2.1.2 Temperaturska zavisnost magnetizacije zasićenja

Možemo takode koristiti aproksimaciju srednjeg polja ispod Kirijeve tem-
perature za pronalaženje magnetizacije u funkciji temperature. Postupamo
kao i ranije, ali umesto Kirijevog koristimo potpun Briluenov izraz za mag-
netizaciju. Za spin 12 to znači M = N µ tanh(µB/kB T ).
Ako izostavimo primenjeno magnetsko polje i zamenimo B molekulskim
poljem BE = λM , tada je
M = N µ tanh(µλM/kB T ). (54)
38
Slika 16: Grafičko rešenje jednačine (55) za redukovanu magnetizaciju m
u funkciji temperature. Redukovana magnetizacija definisana je kao m =
M/N µ. Leva strana (55) nacrtana je kao prava linija m sa jediničnim nag-
ibom. Desna strana je tanh(m/t) i nacrtana je u funkciji m za tri različite
vrednosti redukovane temperature t = kB T /N µ2 λ = T /Tc . Tri krive odgo-
varaju temperaturama 2Tc , Tc i 0.5Tc . Kriva za t = 2 seče pravu liniju m
samo za m = 0, što odgovara paramagnetskoj oblasti (nema spoljašnjeg
magnetskog polja). Kriva za t = 1 (ili T = Tc ) je tangenta prave linije m u
koordinatnom početku; ova temperatura označava početak feromagnetizma.
Kriva za t = 0.5 je u feromagnetskoj oblasti i seče pravu liniju m na oko
m = 0.94N µ. Kada t → 0 presek se pomera prema m = 1, tako da su svi
magnetski momenti poredani na apsolutnoj nuli.
Videćemo da rešenja ove jednačine za nenulto M postoje u temperaturskom

opsegu izmedu 0 i Tc .
Da bismo rešili jednačinu (54), pišemo je preko redukovane magnetizacije
m = M/N µ i redukovane temperature t = kB T /N µ2 λ, odakle sledi
m = tanh(m/t). (55)
Potom crtamo grafik desne i leve strane ove jednačine, zasebno, u funkciji m,
što je dato na slici 16. Presek dve krive daje vrednost m na temperaturi od
interesa. Kritična temperatura je t = 1, odnosno Tc = N µ2 λ/kB .
Krive M u funkciji T dobijene na taj način grubo reprodukuju svojstva
39
Slika 17: Saturaciona magnetizacija nikla u funkciji temperature, zajedno sa
teorijskom krivom za S = 12 dobijenom iz teorije srednjeg polja.
eksperimentalnih rezultata, kao što je prikazano na slici 17 za nikl. Kako T

raste, magnetizacija glatko opada ka nuli u T = Tc . Ovo ponašanje klasifikuje
uobičajeni feromagnetsko-paramagnetski prelaz u prelaze drugog reda.
Teorija srednjeg polja ne daje dobar opis promene M na niskim tem-
peraturama. Za T Tc argument funkcije tanh u jednačini (55) je veliki,
i
tanh ξ ≈ 1 − 2e−2ξ ....

Do najnižeg reda, promena magnetizacije ∆M = M (0) − M (T ) je
2 /k
∆M ≈ 2N µe−2λN µ BT
. (56)
Argument eksponencijalne funkcije jednak je −2Tc /T . Za T = 0.1Tc imamo
∆M/N µ ≈ 4 × 10−9 .
Eksperimentalni rezultati pokazuju mnogo veću zavisnost ∆M od tem-
perature na niskim temperaturama. Za T = 0.1Tc imamo ∆M/M ≈ 2×10−3
na osnovu podataka sa slike 18. Eksperimentalno je ustanovljeno da vodeći
član u ∆M ima oblik
40
Slika 18: Opadanje magnetizacije nikla sa porastom temperature. Na grafiku
je ∆M = 0 na 4.2 K.
∆M/M (0) = AT 3/2 , (57)

gde konstanta A ima eksperimentalnu vrednost (7.5 ± 0.2) × 10−6 deg−3/2
za Ni i (3.4 ± 0.2)× 10−6 deg−3/2 za Fe. Rezultat (57) pronalazi prirodno
objašnjenje u teoriji spinskih talasa.
2.1.3 Saturaciona magnetizacija na apsolutnoj nuli

Slika 19 daje reprezentativne vrednosti saturacione magnetizacije Ms ,
feromagnetske Kirijeve temperature i efektivnog magnetonskog broja defin-
isanog sa Ms (0) = nB N µB , gde je N broj formulskih jedinki po jedinici za-
premine. Ne treba mešati nB sa paramagnetskim efektivnim magnetonskim
brojem p definisanim u Glavi 11.
Vrednosti nB često nisu celi brojevi. Postoji nekoliko mogućih razloga.
Jedan je spin-orbitna interakcija koja dodaje ili oduzima neki orbitalni mag-
netni moment. Drugi razlog u feromagnetskim metalima je magnetizacija
provodnih elektrona indukovana lokalno, oko paramagnetskog jonskog jez-
gra. Treći razlog naznačen je crtežom na slici 14 koji predstavlja uredenje
41
Slika 19: Feromagnetski kristali.
spina u ferimagnetu: ako postoji jedan atom sa projekcijom spina −S na

svaka dva atoma koji imaju +S, srednji spin je 13 S.
Da li stvarno postoje bilo kakvi prosti feromagnetski izolatori kod kojih
su svi jonski spinovi medusobno paralelni u osnovnom stanju? Nekoliko
jednostavnih, do sada poznatih feromagneta koji poseduju tu osobinu su
CrBr3 , EuO i EuS.
Zonski ili putujući elektronski model odnosi se na feromagnetizam u
prelaznim metalima Fe, Co, Ni. Pristup dat u ovom modelu skiciran je
na slikama 20 i 21. Veza 4s i 3d zona data je na slici 20 za bakar, koji
nije feromagnet. Ako bakru oduzmemo jedan elektron, dobijamo nikl koji
ima mogućnost postojanja šupljine u 3d zoni. U zonskoj strukturi nikla
prikazanoj na slici 21a za T > Tc uzeli smo 2 × 0.27 = 0.54 elektrona iz 3d
zone i 0.46 iz 4s zone, u poredenju sa bakrom.
Zonska struktura nikla na apsolutnoj nuli prikazana je na slici 21b. Nikl
je feromagnet, i na apsolutnoj nuli nB = 0.60 Borovih magnetona po atomu.
42
Slika 20: (a) Šematska veza 4s i 3d zona u metalnom bakru. 3d zona drži 10
elektrona po atomu i popunjena je. 4s zona može sadržati dva elektrona po
atomu; ona je na slici polupopunjena, jer bakar ima jedan valentni elektron
izvan popunjene 3d ljuske. (b) Popunjena 3d zona bakra prikazana u vidu
dve odvojene podzone sa elektronima suprotnog spina, gde svaka zona sadrži
pet elektrona. Sa obe podzone popunjene, ukupan spin (pa stoga i ukupna
magnetizacija) jednak je nuli.
Posle dopuštanja da postoji doprinos magnetskog momenta orbitalnom kre-

tanju elektrona, nikl ima višak od 0.54 elektrona po atomu koji imaju spin
orijentisan u jednom smeru. Izmensko povećanje susceptiiblnosti metala bio
je predmet Problema 11.6.
2.2 Magnoni
Magnon je kvantizovan spinski talas. Koristimo klasičan dokaz, kao što
smo činili za fonone, da bismo pronašli magnonsku disperzionu relaciju ω(k).
Potom kvantizujemo energiju magnona i tumačimo kvantizaciju preko obr-
tanja spinova.
Osnovno stanje jednostavnog feromagneta ima sve spinove paralelne, kao
na slici 22a. Posmatrajmo N spinova od kojih svaki ima amplitudu S na
liniji ili prstenu, i neka su sa najbližim susedima spregnuti Hajzenbergovom
interakcijom:
43
Slika 21: (a) Zonske relacije u niklu iznad Kirijeve temperature. Ukupan
magnetski moment je nula, jer postoji jednak broj šupljina u 3d ↑ i 3d ↓
zonama. (b) Šematska veza zona u niklu na apsolutnoj nuli. Energije 3d ↑ i
3d ↓ podzona razdvojene su izmenskom interakcijom. 3d ↑ zona je popunjena;
3d ↓ zona sadrži 4.46 elektrona i 0.54 šupljina. 4s zona je obično shvaćena kao
da sadrži približno jednak broj elektrona sa oba smera spina, i stoga nemamo
problem da je razdvojimo na podzone. Ukupan magnetski moment od 0.54
µB po atomu potiče od viška populacije 3d ↑ zone u odnosu na 3d ↓ zonu.
Često je pogodno govoriti o magnetizaciji kao da potiče od 0.54 šupljina u
3d ↓ zoni.
N
X
U = −2J Sp · Sp+1 . (58)
p=1
Ovde je J izmenski integral a h̄Sp je moment impulsa spina na sajtu p.

Ako tretiramo spinove Sp kao klasične vektore, tada je u osnovnom stanju
Sp · Sp+1 = S 2 i izmenska energija sistema je U0 = −2N JS 2 .
Kolika je energija prvog pobudenog stanja? Posmatrajmo pobudeno
stanje sa jednim obrnutim spinom, kao na slici 22b. Iz relacije (58) vidimo
da ovo povećava energiju za 8JS 2 , tako da je U1 = U0 + 8JS 2 . Ali možemo
formirati eksitaciju mnogo manje energije ako zarotiramo sve spinove, kao
na slici 22c. Elementarne eksitacije spinskog sistema imaju talasoliki ob-
lik i nazivaju se magnoni (slika 23). Oni su analogni vibracijama rešetke,
44
Slika 22: (a) Klasična slika osnovnog stanja jednostavnog feromagneta: svi
spinovi su paralelni. (b) Moguća eksitacija: jedan spin je obrnut. (c)
Niskoenergetske elementarne eksitacije su spinski talasi. Krajevi spinskih
vektora rotiraju (precesiraju) po površini konusa, sa sukcesivnim spinovima
koji su fazno pomereni za konstantan ugao.
tj. fononima. Spinski talasi su oscilacije u relativnim orijentacijama spina

u odnosu na rešetku; vibracije rešetke su oscilacije u relativnim pozicijama
atoma u rešetki.
Sada dajemo klasično izvodenje magnonske disperzione relacije. Članovi
u jednačini (58) koji uključuju p-ti spin su
−2JSp · (Sp−1 + Sp+1 ). (59)

Pišemo magnetski moment na sajtu p kao µp = −gµB Sp . Tada poslednja
jednačina postaje
−µp · [(−2J/gµB )(Sp−1 + Sp+1 )], (60)

što je oblika −µp · Bp , gde efektivno magnetsko ili izmensko polje koje deluje
na p-ti spin iznosi
Bp = (−2J/gµB )(Sp−1 + Sp+1 ). (61)

Iz mehanike je poznato da je učestalost promene momenta impulsa h̄Sp jed-
naka momentu µp · Bp koji deluje na spin: h̄dSp /dt = µp × Bp , ili
dSp /dt = (−gµB /h̄)Sp × Bp = (2J/h̄)(Sp × Sp−1 + Sp × Sp+1 ). (62)
U Dekartovim komponentama
y y
dSpx /dt = (2J/h̄)[Spy (Sp−1
z z
+ Sp+1 ) − Spz (Sp−1 + Sp+1 )], (63)
45
Slika 23: Spinski talas na liniji spinova. (a) Spinovi posmatrani iz perspek-
tive. (b) Spinovi posmatrani odozgo, pokazuju jednu talasnu dužinu. Talas
je nacrtan kroz krajeve spinskih vektora.
i slično za dSpy /dt i dSpz /dt. Ove jednačine uključuju proizvode spinskih
komponenata i nelinearne su.
Ako je amplituda ekscitacije mala (ako je Spx , Spy S), možemo do-
biti približan skup linearnih jednačina uzimanjem Spz = S i zanemarivanjem
članova koji sadrže proizvode S x i S y u jednačini za dS z /dt. Linearizovane
jednačine su
y y
dSpx /dt = (2JS/h̄)(2Spy − Sp−1 − Sp+1 ); (64)
dSpy /dt = −(2JS/h̄)(2Spx − x
Sp−1 − x
Sp+1 ); (65)
dSpz /dt = 0. (66)
Po analogiji sa fononskim problemima tražimo rešenja poslednjih jednačina

u formi progresivnog talasa:
Spx = uei(pka−ωt) ; Spy = vei(pka−ωt) , (67)

gde su u, v konstante, p je ceo broj a a je konstanta rešetke. Zamenom u
jednačine (64) i (65), dobijamo
−iωu = (2JS/h̄)(2 − e−ika − eika )v = (4JS/h̄)(1 − cos ka)v;

−iωv = −(2JS/h̄)(2 − e−ika − eika )u = −(4JS/h̄)(1 − cos ka)u.
Ove jednačine imaju rešenje po u i v ako je determinanta koeficijenata

jednaka nuli:
46

iω (4JS/h̄)(1 − cos ka)
= 0,
−(4JS/h̄)(1 − cos ka) iω
odakle sledi
h̄ω = 4JS(1 − cos ka). (68)

Ovaj rezultat prikazan je na slici 24. Sa ovim rešenjem dobijamo da je
v = −iu, što odgovara kružnoj precesiji svakog spina oko z ose. To se vidi
uzimanjem realnih delova jednačine (67), kada se stavi da je v = −iu. Tada
je
Spx = u cos(pka − ωt); Spy = u sin(pka − ωt).

Jednačina (68) je disperziona relacija za spinske talase u jednoj dimenziji
sa interakcijama samo sa najbližim susedima. Identičan rezultat dobija se
iz kvantnomehaničkog rešenja; vidi QTS, Glava 4. Za velike talasne dužine
ka 1, tako da je (1 − cos ka) ≈ 12 (ka)2 i
h̄ω ≈ (2jSa2 )k 2 . (69)

Frekvencija je proporcionalna sa k 2 ; u istom graničnom slučaju frekvencija
fonona je proporcionalna sa k.
Disperziona relacija za feromagnetsku kubičnu rešetku sa interakcijama
samo sa najbližim susedima je
X
h̄ω = 2JS[z − cos(k · δ)], (70)
δ
gde se sabiranje vrši po vektorima z označenim sa δ koji povezuju centralni

atom sa najbližim susedima. Za ka 1,
h̄ω = (2JSa2 )k 2 (71)

za sve tri kubične rešetke, gde je a konstanta rešetke.
Koeficijent uz k 2 često se može precizno odrediti neutronskim rasejanjem
ili rezonancijom spinskih talasa u tankim filmovima, Glava 13. Neutronskim
rasejanjem G. Širane i saradnici dobili su, u jednačini h̄ω = Dk 2 , vrednosti
2
281, 500 i 364 meV Å za D na 295 K u Fe, Co i Ni, respektivno.
47
Slika 24: Disperziona relacija za magnone u feromagnetu u jednoj dimenziji,
sa interakcijom samo sa najbližim susedima.
Kvantizacija spinskih talasa. Kvantizacija spinskih talasa sprovodi se na

isti način kao za fotone i fonone. Energija moda frekvencije ωk sa nk magnona
data je sa
1
k = (nk + )h̄ωk . (72)
2
Ekscitacija magnona odgovara obrtanju jednog spina 21 .
2.2.1 Termalna ekscitacija magnona

U toplotnoj ravnoteži srednja vrednost broja magnona pobudenih u modu
k data je Plankovom raspodelom
1
hnk i = . (73)
eh̄ωk /kB T
−1
Ukupan broj magnona pobudenih na temperaturi T je
48
X Z
nk = D(ω)hn(ω)idω, (74)
k
gde je D(ω) broj magnonskih modova na jediničnom opsegu frekvencije. In-

tegral se uzima po dopuštenom opsegu k, odnosno prvoj Briluenovoj zoni.
Na dovoljno niskim temperaturama možemo sračunati integral izmedu 0 i ∞
jer hn(ω)i → 0 eksponencijalno kada ω → ∞.
Magnoni imaju jednu polarizaciju za svaku vrednost k. U tri dimenzije
broj modova sa talasnim vektorom manjim od k je (1/2π)3 (4πk 3 /3) po je-
dinici zapremine, odakle broj magnona D(ω)dω sa frekvencijom u opsegu dω
oko ω iznosi (1/2π)3 (4πk 2 )(dk/dω)dω. U aproksimaciji (71),
1/2
4JSa2 k 2JSa2

dω
= =2 ω 1/2 .
dk h̄ h̄
Stoga je gustina modova za magnone
3/2
1 h̄
D(ω) = 2 ω 1/2 , (75)
4π 2JSa2
pa je ukupan broj magnona, na osnovu jednačine (74),
3/2 Z ∞ 3/2 Z ∞
ω 1/2 x1/2

X 1 h̄ 1 kB T
nk = 2 dω = 2 dx.
k
4π 2JSa2 0 eβh̄ω −1 4π 2JSa2 0 ex − 1
Ovaj integral se može pronaći u tablicama i ima vrednost (0.0587)(4π 2 ).

3
Broj N atoma po jedinici zapremine P je Q/a , gde je Q = 1, 2, 4 za sc,
bcc, fcc rešetke, respektivno. sada je ( nk )/N S jednako relativnoj promeni
magnetizacije ∆M/M (0), odakle sledi
3/2
∆M 0.0587 kB T
= · . (76)
M (0) SQ 2JS
Ovaj rezultat je Blohov T3/2 zakon i potvrden je eksperimentalno. U

eksperimentima neutronskog rasejanja spinski talasi su primećeni do tem-
perature bliske Kirijevoj, pa čak i iznad Kirijeve temperature.
49
Slika 25: Slika neutronske difrakcije za gvožde.
2.3 Neutronsko magnetsko rasejanje

Foton x-zraka vidi prostornu raspodelu elektronskog naelektrisanja, bez
obzira da li je gustina naelektrisanja namagnetisana ili nije. Neutron vidi
dva aspekta kristala: raspodelu jezgara i raspodelu magnetizacije elektrona.
Slika neutronske difrakcije za gvožde prikazana je na slici 25.
Magnetski moment neutrona interaguje sa magnetskim momentom elek-
trona. Poprečni presek za neutron-elektron interakciju je istog reda veličine
kao za neutron-jezgro interakciju. Difrakcija neutrona na magnetskom kristalu
omogućava odredivanje raspodele, pravca i uredenja magnetskih momenata.
Neutron se može neelastično rasejati na magnetskoj strukturi, sa kreiran-
jem ili anihilacijom magnona (slika 26); ovakvi dogadaji omogućavaju eksper-
imentalno odredivanje magnonskih spektara. Ako incidentni neutron ima ta-
lasni vektor kn a rasejani neutron k0n , uz kreiranje magnona talasnog vektora
k, tada na osnovu održanja kristalnog impulsa sledi kn = k0n + k + G, gde
je G vektor recipročne rešetke. Na osnovu održanja energije
h̄2 kn2 h̄2 kn‘2

= + h̄ωk , (77)
2Mn 2Mn
50
Slika 26: Rasejanje neutrona na uredenoj magnetskoj strukturi, uz kreiranje
magnona.
gde je h̄ωk energija magnona kreiranog u ovom procesu. Izmereni magnonski

spektar za MnPt3 prikazan je na slici 27.
2.4 Ferimagnetsko uredenje

Kod mnogih feromagnetskih kristala saturaciona magnetizacija na T = 0
K ne odgovara paralelnom uredenju magnetskih momenata konstituentnih
paramagnetskih jona, čak ni u kristalima za koje pojedinačni paramagnetski
joni imaju svoje normalne magnetske momente.
Najpoznatiji primer je magnetit, Fe3 O4 ili FeO·Fe2 O3 . Sa slike 8 vidimo
da feritni (Fe3+ ) joni se nalaze u stanju sa spinom S = 52 i nultim orbital-
nim momentom. Stoga svaki jon treba da doprinese sa 5µB saturacionom
momentu. Fe2+ joni imaju spin 2 i treba da doprinesu sa 4µB , pored bilo
kog dodatnog doprinosa orbitalnog momenta. Stoga efektivni broj Borovih
magnetona po formulskoj jedinki Fe3 O4 treba da bude 2 × 5 + 4 = 14, kada
bi svi spinovi bili paralelni.
Izmerena vrednost (slika 19) je 4.1. Odstupanje se pripisuje činjenici da su
momenti Fe3+ jona antiparalelni medusobno: tada izmereni moment potiče
samo od Fe2+ jona, kao na slici 28. Rezultati neutronske difrakcije slažu se
sa ovim modelom.
Sistematska diskusija o posledicama ovog tipa spinskog uredenja data je
u radovima Nila, sa posebnim osvrtom na važnu klasu magnetskih oksida
51
Slika 27: Energija magnona u funkciji kvadrata talasnog vektora, za fero-
magnet MnPt3 .
poznatih kao feriti. Uobičajena hemijska formula ferita je MO·Fe2 O3 , gde je

M dvovalentni katjon, obično Zn, Cd, Fe, Ni, Cu, Co ili Mg. Termin feri-
magnetski osmišljen je da bi opisao feromagnetsko spinsko uredenje feritnog
tipa, kao na slici 28, a proširenjem značenja on pokriva skoro svako jedin-
jenje u kome neki joni imaju moment antiparalelan drugim jonima. Mnogi
ferimagneti su slabi provodnici elektriciteta, što je iskorišéno u primenama,
npr. za rf transformatorska jezgra.
Kubični feriti imaju spinelsku kristalnu strukturu, prikazanu na slici 29.
Postoji osam zauzetih tetraedarskih (ili A) sajtova i 16 zauzetih oktaedarskih
(ili B) sajtova u jediničnoj kocki. Konstanta rešetke je oko 8 Å. Značajna
osobina spinela je da su svi izmenski integrali JAA , JAB i JBB negativni i
favorizuju antiparalelno uredenje spinova povezanih interakcijom. Ali AB
interakcija je najjača, tako da su spinovi A medusobno paralelni, kao i spinovi
B, a spinovi A i B su medusobno antiparalelni. Ako je J u U = −2JSi · Sj
pozitivno, kažemo da je izmenski integral feromagnetski; ako je J negativno,
izmenski integral je antiferomagnetski.
Sada dokazujemo da tri antiferomagnetske interakcije mogu rezultovati
ferimagnetizmom. Srednja izmenska polja koja deluju na A i B spinske
rešetke mogu se napisati kao
52
Slika 28: Spinsko uredenje u magnetitu, FeO·Fe2 O3 , pokazuje kako se mo-
menti Fe3+ jona poništavaju, ostavljajući samo momente Fe2+ jona.
BA = −λMA − µMB ; BB = −µMA − νMB ; (78)

uzimajući da su sve konstante polja λ, µ, ν pozitivne. Znak minus stoga
odgovara antiparalelnoj interakciji. Gustina energije interakcije je
1 1 1
U = − (BA · MA + BB · MB ) = λMA2 + µMA · MB + νMB2 ; (79)
2 2 2
što je manje kada je MA antiparalelno sa MB nego u paralelnom slučaju.
Energija pri antiparalelnom uredenju treba da se uporedi sa nulom, jer je
moguće rešenje MA = MB = 0. Stoga, kada je
1
µMA MB > (λMA2 + νMB2 ), (80)
2
osnovno stanje imaće MA suprotno usmereno u odnosu na MB . (Pod nekim
uslovima mogu postojati nekolinearni nizovi spinova sa još manjom energi-
jom.)
2.4.1 Kirijeva temperatura i susceptibilnost ferimagneta

Definišemo različite Kirijeve konstante CA i CB za jone na A i B saj-
tovima. Radi jednostavnosti, neka su sve interakcije jednake nuli, osim an-
tiparalelne interakcije izmedu A i B sajtova: BA = −µMB ; BB = −µMA ,
53
Slika 29: Kristalna struktura mineralnog spinela MgAl2 O4 ; Mg2+ joni za-
uzimaju tetraedarske sajtove, i svaki je okružen sa četiri jona kiseonika;
Al3+ joni zauzimaju oktaedarske sajtove, i svaki je okružen sa šest jona
kiseonika. Ovo je normalno uredenje spinela: joni dvovalentnog metala za-
uzimaju tetraedarske sajtove. U inverznom uredenju spinela tetraedarski
sajtovi su zauzeti jonima trovalentnog metala, dok su oktaedarski jednom
polovinom popunjeni dvovalentnim, a jednom polovinom trovalentnim met-
alnim jonima.
gde je µ pozitivno. Ista konstanta µ uključena je u oba izraza zbog oblika

jednačine (79).
U aproksimaciji srednjeg polja imamo
(CGS) MA T = CA (Ba − µMB ); MB T = CB (Ba − µMA ), (81)

gde je Ba primenjeno polje. Ove jednačine imaju nenulto rešenje po MA i
MB pri nultom primenjenom polju ako je

T µC A

µCB T = 0,

tako da je ferimagnetska Kirijeva temperatura data sa Tc = µ(CA CB )1/2 .

Rešavamo jednačinu (81) po MA i MB u cilju dobijanja susceptibilnosti
za T > Tc :
54
MA + MB (CA + CB )T − 2µCA CB
(CGS) χ= = , (82)
Ba T 2 − Tc2
što je mnogo komplikovaniji rezultat od (4). Eksperimentalne vrednosti za
Fe3 O4 date su na slici 29. Zakrivljenost grafika 1/χ u funkciji T je karak-
teristično svojstvo ferimagneta. U nastavku razmatramo antiferomagnetski
granični slučaj CA = CB .
Graniti gvožda. Graniti gvožda su kubični ferimagnetski izolatori sa opštom
formulom M3 Fe5 O12 , gde je M jon trovalentnog metala a Fe je trovalentni jon
gvožda (S = 52 , L = 0). Primer je itrijumski granit gvožda Y3 Fe5 O12 , poznat
kao YIG. Ovde je Y3+ dijamagnetik.
Ukupna magnetizacija YIG potiče od rezultante dve suprotno namag-
netisane rešetke Fe3+ jona. Na apsolutnoj nuli svaki jon gvožda doprinosi sa
±5µB magnetizaciji, ali u svakoj formulskoj jedinki tri Fe3+ jona na sajtovima
označenim kao d sajtovi su namagnetisana na jedan, a druga dva Fe3+ jona
na a sajtovima su namagnetisana na suprotan način, što daje rezultat od 5µB
po formulskoj jedinki, koji se dobro slaže sa merenjima Gelera i saradnika.
Srednje polje na a sajtu usled jona na d sajtu je Ba = −(1.5 × 104 )Md .
Izmerena Kirijeva temperatura 559 K za YIG potiče od a − d interakcije.
Jedini magnetski joni u YIG su Fe3+ joni. Pošto se oni nalaze u L = 0 stanju
sa sfernom raspodelom naelektrisanja, njihova interakcija sa deformacijama
rešetke i fononima je slaba. Kao rezultat toga, YIG je karakterisan veoma
malim poluširinama u eksperimentima feromagnetske rezonancije.
2.5 Antiferomagnetsko uredenje

Klasičan primer odredivanja magnetske strukture neutronima prikazan
je na slici 31 za MnO, koji ima strukturu NaCl. Na 80 K postoje dodatne
neutronske refleksije koje nisu prisutne na 293 K. Refleksije na 80 K mogu
biti klasifikovane preko kubične jedinične ćelije sa konstantom rešetke 8.85
Å. Na 293 K refleksije odgovaraju fcc jediničnoj ćeliji sa konstantom rešetke
4.43 Å.
Medutim, konstante rešetke odredene na osnovu difrakcije x-zraka su 4.43
Å na obe temperature, 80 K i 293 K. Zaključujemo da hemijska jedinična
ćelija ima parametar rešetke 4.43 Å, ali da se na 80 K elektronski magnet-
ski momenti Mn2+ jona ureduju u neko neferomagnetsko uredenje. Kada
55
Slika 30: Recipročna susceptiiblnost magnetita, FeO·Fe2 O3 .
bi uredenje bilo feromagnetsko, hemijska i magnetska ćelija davali bi iste

refleksije.
Spinsko uredenje dato na slici 32 konzistentno je sa rezultatima neu-
tronske difrakcije i sa magnetskim merenjima. Spinovi u jednoj [111] ravni
su paralelni, ali spinovi u susednim [111] ravnima su antiparalelni. Stoga je
MnO antiferomagnet, kao na slici 33.
Kod antiferomagneta spinovi su uredeni u antiparalelan raspored, sa
nultim ukupnim momentom na temperaturama ispod temperature uredenja
ili Nilove temperature (slika 34). Susceptibilnost antiferomagneta nije
beskonačna za T = TN već ima mali vrh, kao na slici 35.
Antiferomagnet je specijalan slučaj ferimagneta za koji obe podrešetke A
i B imaju iste saturacione magnetizacije. Stoga je CA = CB u (82), i Nilova
temperatura u aproksimaciji srednjeg polja data je sa
TN = µC, (83)
gde se C odnosi na jednu podrešetku. Susceptibilnost u paramagnetskoj
oblasti dobija se iz (82):
2CT − 2µC 2 2C 2C
χ= = = . (84)
T 2 − (µC)2 T + µC T + TN
Eksperimentalni rezultati za T > TN su oblika
56
Slika 31: Šema neutronske difrakcije za MnO ispod i iznad temperature
uredenja spinova 120 K. Refleksioni indeksi zasnovani su na 8.85 Å ćeliji na
80 K i 4.43 Å ćeliji na 293 K. Na višim temperaturama Mn2+ joni i dalje su
magnetski, ali više nisu uredeni.
57
Slika 32: Ureden raspored spinova Mn2+ jona u oksidu mangana, MnO,
odreden neutronskom difrakcijom. O2− joni nisu prikazani.
2C
(CGS) χ= . (85)
T +θ
Eksperimentalne vrednosti θ/TN date na slici 34 često se značajno razlikuju
od jedinične vrednosti koja se očekuje na osnovu jednačine (84). Vrednosti
θ/TN izmerene amplitude mogu se dobiti kada se obezbedi postojanje inter-
akcije sa drugim najbližim susedima, i kada se uzmu u obzir moguća uredenja
podrešetki. Ako se konstanta srednjeg polja − uvede u cilju opisa interakcije
unutar podrešetke, tada je θ/TN = (µ + )/(µ − ).
2.5.1 Susceptibilnost ispod Nilove temperature

Postoje dve situacije: sa primenjenim magnetskim poljem normalno na
osu spinova; i sa poljem paralelnim osi spinova. Na i iznad Nilove tempera-
ture susceptibilnost je skoro nezavisna od smera polja u odnosu na osu spina.
Za Ba normalno na osu spinova možemo odrediti susceptibilnost elemen-
tarnom analizom. Gustina energije u prisustvu polja je, sa M = |MA | =
58
Slika 33: Uredenje spinova u feromagnetima (J > 0) i antiferomagnetima
(J < 0).
Slika 34: Antiferomagnetski kristali.
59
|MB |,
1
U = µMA · MB − Ba · (MA + MB ) ≈ −µM 2 [1 − (2φ)2 ] − 2Ba M ϕ, (86)
2
gde je 2ϕ ugao koji spinovi zaklapaju medusobno (slika 36a). Energija je
minimalna kada je
dU/dϕ = 0 = 4µM 2 ϕ − 2Ba M ; ϕ = Ba /2µM, (87)

tako da je
(CGS) χ⊥ = 2M ϕ/Ba = 1/µ. (88)

U paralelnoj orijentaciji (slika 36b) magnetska energija se ne menja ako
spinski sistemi A i B zaklapaju iste uglove sa poljem. Stoga je susceptibilnost
na T = 0 K jednaka nuli:
χk (0) = 0. (89)
Paralelna susceptibilnost glatko raste sa temperaturom sve do TN . Merenja
na MnF2 prikazana su na slici 37. Pri veoma jakim poljima spinski sistemi
diskontinualno će preći iz paralelne u normalnu orijentaciju, gde je energija
manja.
2.5.2 Antiferomagnetski magnoni

Dobijamo disperzionu relaciju magnona u jednodimenzionalnom antif-
eromagnetu pravljenjem odgovarajućih zamena u tretmanu feromagnetskog
niza. Neka spinovi sa parnih indeksima 2p sačinjavaju podrešetku A, recimo
sa spinom nagore (S z = S); neka spinovi sa neparnim indeksima 2p + 1 čine
podrešetku B, sa spinom nadole (S z = −S).
Razmatramo samo interakcije sa najbližim susedima, sa negativnim J.
Tada jednačine (64) i (65) pisane za A, sa pažljivim korišćenjem (63) postaju
x y y y
dS2p /dt = (2JS/h̄)(−2S2p − S2p−1 − S2p+1 ); (90)
y x x x
dS2p /dt = −(2JS/h̄)(−2S2p − S2p−1 − S2p+1 ). (91)
Odgovarajuće jednačine za spin u podrešetki B su
60
Slika 35: Temperaturska zavisnost magnetske susceptibilnosti kod paramag-
neta, feromagneta i antiferomagneta. Ispod Nilove temperature antiferomag-
neta spinovi imaju antiparalelnu orijentaciju; susceptibilnost dostiže maksi-
mum na TN , gde postoji dobro definisana izbočina na krivoj χ(T ). Prelaz
je takode označen pikovima u toplotnom kapacitetu i koeficijentu termalnog
širenja.
Slika 36: Proračun (a) normalne i (b) paralelne susceptibilnosti na 0 K, u

aproksimaciji srednjeg polja.
61
Slika 37: Magnetska susceptibilnost mangan fluorida, MnF2 , paralelna i nor-
malna na tetragonalnu osu.
x y y y
dS2p+1 /dt = (2JS/h̄)(2S2p+1 + S2p + S2p+2 ); (92)
y x x x
dS2p+1 /dt = −(2JS/h̄)(2S2p+1 + S2p + S2p+2 ). (93)
Formiramo S + = S x + iS y ; tada je
+ + + +
dS2p /dt = (2iJS/h̄)(2S2p + S2p−1 + S2p+1 ); (94)
+ + + +
dS2p+1 /dt = −(2iJS/h̄)(2S2p+1 + S2p + S2p+2 ). (95)
Tražimo rešenja oblika
+
S2p = uei2pka−iωt ; +
S2p+1 = vei(2p+1)ka−iωt , (96)
tako da jednačine (94) i (95) postaju, sa ωex = 4JS/h̄ = 4|J|S/h̄,
1
ωu = ωex (2u + ve−ika + veika ); (97)
2
1
−ωv = ωex (2v + ue−ika + ueika ). (98)
2
62
Slika 38: Magnonska disperziona relacija u prostom kubičnom antiferomag-
netu RbMnF3 , odredena na 4.2 K neelastičnim neutronskim rasejanjem.
Poslednje jednačine imaju rešenje ako je

ωex − ω ωex cos ka
= 0;
ωex cos ka ωex + ω
i stoga je
ω 2 = ωex (1 − cos2 ka); ω = ωex | sin ka|. (99)

Disperziona relacija za magnone u antiferomagnetu je različita od relacije
za magnone u feromagnetu. Za ka 1 vidimo da je poslednja jednačina
linearna po k : ω ≈ ωex |ka|. Magnonski spektar RbMnF3 prikazan je na
slici 38, odreden na osnovu eksperimenata neelastičnog neutronskog rase-
janja. Postoji velika oblast u kojoj je magnonska frekvencija linearna po
talasnom vektoru.
Jasno uočljivi magnoni primećeni su u MnF2 na temperaturama uzorka
sve do 93 procenta od Nilove temeprature. Stoga je magnonska aproksimacija
korisna i na visokim temperaturama.
63
2.6 Feromagnetski domeni
Na temperaturama dosta ispod Kirijeve tačke elektronski magnetski mo-
menti feromagneta su suštinski paralelni, posmatrano na mikroskopskoj skali.
Dalje, posmatranjem uzorka kao celine, magnetski moment može biti mnogo
manji od saturacionog momenta, i primena spoljašnjeg polja može biti potrebna
da bi uzorak ušao u saturaciju. Ponašanje primećeno u polikristalnim uzorcima
slično je onom u monokristalima.
Stvarni uzorci su sačinjeni od malih oblasti - domena, i u svakom domenu
je lokalna magnetizacija u zasićenju. Smerovi magnetizacije u različitim
domenima ne moraju biti paralelni. Uredenje domena sa približno nultim
rezultantnim magnetskim momentom prikazano je na slici 39. Domeni se
takode formiraju u antiferomagnetskim, feroelektričnim, antiferoelektričnim,
feroelastičnim, superprovodnim, a ponekad i u metalnim uzorcima pod uslovima
jakog de Has-van Alfenovog efekta. Porast ukupnog magnetskog momenta
feromagnetskog uzorka u primenjenom magnetskom polju postiže se pomoću
dva nezavisna procesa:
* U slabim primenjenim poljima zapremina domena (slika 40) sve više se
orijentiše u odnosu na porast polja, na račun drugačije orijentisanih domena;
* Pri jakim poljima magnetizacija domena rotira oko smera polja.
Tehničke veličine definisane histerezisnom petljom date su na slici 41.
Koercitivnost se obično definiše kao suprotno polje Hc koje smanjuje B na
nulu, počevši od zasićenja. Kod materijala velike koercitivnosti, koercitivnost
Hci se definiše kao suprotno polje koje svodi magnetizaciju M na nulu.
2.6.1 Energija anizotropije

Postoji energija u feromagnetskom kristalu koja usmerava magnetizaciju
duž nekih kristalografskih osa, koje se nazivaju pravci lake magnetizacije.
Ova energija naziva se magnetokristalna ili energija anizotropije. Ona
ne potiče od čiste izotropne izmenske interakcije koja je do sada razmatrana.
Kobalt je heksagonalni kristal. Heksagonalna osa je pravac lake magne-
tizacije na sobnoj temperaturi, što je prikazano na slici 42. Jedno poreklo
energije anizotropije ilustrovano je slikom 43. Magnetizacija kristala vidi
kristalnu rešetku kao orbitalno preklapanje elektrona: spin interaguje sa or-
bitalnim kretanjem u smislu spin-orbitnog sprezanja. U kobaltu je gustina
energije anizotropije data sa
64
Slika 39: Šema feromagnetskih domena na monokristalnoj pločici nikla.
Granice domena su postale vidljive korišćenjem Biterove tehnike magnet-
skog praha. Smer magnetizacije unutar domena odreden je merenjem rasta
ili kontrakcije domena u magnetskom polju.
65
Slika 40: Reprezentativna kriva magnetizacije, pokazuje dominantne procese
magnetizacije u različitim oblastima krive.
UK = K10 sin2 θ + K20 sin4 θ, (100)

gde je θ ugao koji magnetizacija zaklapa sa heksagonalnom osom. Na sobnoj
temperaturi K10 = 4.1 × 106 erg/cm3 ; K20 = 1.0 × 106 erg/cm3 .
Gvožde je kubični kristal, a ivice kocke su pravci lake magnetizacije. Da
bismo predstavili energiju anizotropije gvožda namagnetisanog u proizvoljnom
pravcu sa kosinusima pravaca α1 , α2 , α3 u odnosu na ivice kocke, vodimo se
kubičnom simetrijom. Izraz za energiju anizotropije mora biti paran stepen
svakog αi , mora obezbediti da su suprotni krajevi kristalnih osa magnetski
ekvivalentni, i mora biti invarijantan na medusobnu zamenu uglova αi . Kom-
binacija najnižeg reda koja zadovoljava ove uslove je α12 + α22 + α32 , ali ona je
identički jednaka jedan i ne opisuje efekte anizotropije. Sledeća kombinacija
je četvrtog reda: α12 α22 + α12 α32 + α32 α22 , a potom šestog reda: α12 α22 α32 . Stoga
je
UK = K1 (α12 α22 + α22 α32 + α32 α12 ) + K2 α12 α22 + α32 . (101)
Na sobnoj temperaturi u gvoždu K1 = 4.2 × 105 erg/cm3 i K2 = 1.5 × 105
erg/cm3 .
66
Slika 41: Tehnička kriva magnetizacije (ili histerezisna petlja). Koercitivnost
Hc je suprotno polje koje smanjuje B na nulu; pridružena koercitivnost Hci
svodi M ili B − H na nulu. Remanencija Br je vrednost B za H = 0.
Indukcija zasićenja Bs je granična vrednost od B − H za veliko H, a sat-
uraciona magnetizacija Ms = Bs /4π. U SI jedinicama vertikalna osa je
B = µ0 (H + M ).
67
Slika 42: Krive magnetizacije za monokristale gvožda, nikla i kobalta. Sa
krivih za gvožde vidimo da su [100] pravci lake magnetizacije a [111] pravci
teške magnetizacije. Primenjeno polje je Ba .
2.6.2 Prelazna oblast izmedu domena

Blohov zid u kristalu je prelazni sloj koji razdvaja susedne regione
(domene) namagnetisane u različitim pravcima. Ukupna promena pravca
spina izmedu domena ne nastaje u vidu jednog diskontinualnog skoka duž
jedne atomske ravni, već se formira postepeno, kroz mnoge atomske ravni
(slika 44. Izmenska energija je manja kada je promena raspodeljena po
više spinova. Ovakvo ponašanje može se shvatiti interpretacijom Hajzenber-
gove jednačine (52) na klasičan način. Zamenjujemo cos ϕ sa 1 − 12 ϕ2 ; tada
wex ≈ JS 2 ϕ2 predstavlja izmensku energiju izmedu dva spina koji medusobno
zaklapaju mali ugao ϕ. Ovde je J izmenski integral a S je spinski kvantni
broj; wex se odnosi na energiju za paralelne spinove.
Ako ukupna promena ugla za π nastaje u N jednakih koraka, ugao izmedu
susednih spinova je π/N , a izmenska energija po paru susednih atoma je
wex = JS 2 (π/N )2 , Ukupna izmenska energija linije od N + 1 atoma je
N wex = JS 2 π 2 /N. (102)

Zid bi se neograničeno povećavao kada ne bi bilo energije anizotropije, koja
deluje tako da smanji debljinu prelaznog sloja. Spinovi sadržani u zidu su
u velikoj meri usmereni daleko od osa lake magnetizacije, tako da postoji
energija anizotropije pridružena zidu, koja je, grubo govoreći, proporcionalna
debljini zida.
Posmatrajmo zid paralelan ivici kocke proste kubične rešetke i odvojene
68
Slika 43: Asimetrija preklapanja raspodela elektrona kod susednih jona
obezbeduje mehanizam magnetokristalne anizotropije. Usled spin-orbitne
interakcije raspodela naelektrisanja je sferoidna, a ne sferna. Asimetrija je
vezana za pravac spina, tako da rotacija pravaca spina u odnosu na kristalne
ose menja izmensku energiju, a takode i elektrostatičku energiju interakcije
raspodela naelektrisanja na paru atoma. Oba efekta doprinose energiji ani-
zotropije. Energija na slici (a) nije ista kao energija na slici (b).
domene namagnetisane u suprotnim smerovima. Želimo da odredimo broj N

atomskih ravni sadržanih u zidu. Energija po jedinici površine zida je zbir
doprinosa od izmenske i energije anizotropije: σw = σex + σanis .
Izmenska energija približno je data jednačinom (102) za svaku liniju
atoma normalnu na pravac zida. Postoji 1/a2 takvih linija po jedinici površine,
gde je a konstanta rešetke. Stoga je σex = π 2 JS 2 /N a2 po jedinici površine
zida.
Energija anizotropije je reda konstante anizotropije pomnožene debljinom
N a, ili σanis ≈ KN a; stoga je
σw ≈ (π 2 JS 2 /N a2 ) + KN a. (103)
Ovaj izraz je minimalan po N kada je zadovoljen uslov
∂σw /∂N = 0 = −(π 2 JS 2 /N 2 a2 ) + Ka; (104)

ili
N = (π 2 JS 2 /Ka3 )1/2 . (105)
69
Slika 44: Struktura Blohovog zida koji razdvaja domene. Kod gvožda de-
bljina prelazne oblasti je oko 300 konstanti rešetke.
Sa tačnošću do na red veličine, N ≈ 300 za gvožde.

Ukupna energija zida po jedinici površine u našem modelu je
σw = 2π(KJS 2 /a)1/2 ; (106)

kod gvožda σw ≈ 1 erg/cm2 . Tačan proračun za 1800 zid u (100) ravni daje
σw = 2(2K1 JS 2 /a)1/2 .
2.6.3 Poreklo domena

Landau i Lifšic pokazali su da je domenska struktura prirodna posled-
ica različitih raspodela energije - izmenske, anizotropne i magnetske - po
zapremini feromagneta.
Direktan dokaz domenske strukture dobijen je fotomikrografijom granica
domena, dobijenom pomoću tehnike magnetskog praha i optičkim proučavanjima
uz pomoć Faradejeve rotacije. Metod magnetnog praha, koji je razvio F. Bit-
70
ter, sastoji se od postavljanja kapi koloidnog rastvora fino izdeljenog feromag-
netskog materijala, kao što je magnetit, na površinu feromagnetskog kristala.
Koloidne čestice u rastvoru jako se koncentrišu oko granica izmedu domena
gde postoje jaka lokalna magnetska polja, koja privlače magnetske čestice.
Otkriće transparentnih feromagnetskih jedinjenja pospešilo je i korišćenje
optičke rotacije u svrhu proučavanja domena.
Poreklo domena možemo razumeti posmatranjem struktura prikazanih
na slici 45, od kojih svaka predstavlja poprečni presek kroz feromagnetski
monokristal. Na slici (a) imamo jedan domen; kao posledica magnetskih
”polova” formiranih na površinamaRkristala ova konfiguracija imaće veliku
vrednost magnetske energije (1/8π) B 2 dV . Gustina magnetske energije za
prikazanu konfiguraciju biće reda Ms2 ≈ 105 erg/cm3 ; ovde Ms označava
saturacionu magnetizaciju, a jedinice su CGS.
Na slici (b) magnetska energija je smanjena na otprilike jednu polovinu
deljenjem kristala na dva domena namagnetisana u suprotnim smerovima.
Na slici (c) sa N domena magnetska energija smanjena je na približno 1/N
od magnetske energije za slučaj (a), zbog smanjenog prostornog prostiranja
polja.
U uredenjima kao na slikama (d) i (e) magnetska energija je nula. Ovde
granice domena oblika trougaone prizme blizu ivica kristala grade jednake
uglove (450 ) sa magnetizacijom u pravougaonim domenima i sa magneti-
zacijom u zatvorenim domenima. Komponenta magnetizacije normalna na
granicu je kontinualna duž granice i ne postoji magnetsko polje pridruženo
magnetizaciji. Kolo fluksa je upotpunjeno unutar kristala - dajući tako do-
prinos članu zatvorenih domena za površinske domene koji kompletiraju
fluks, kao na slici 46.
Domenske strukture su često komplikovanije od ovih jednostavnih primera,
ali domenska struktura uvek ima poreklo u mogućnosti smanjivanja energije
sistema prelaskom iz zasićene konfiguracije sa velikom magnetskom energi-
jom u domensku konfiguraciju koja ima manju energiju.
2.6.4 Koercitivnost i histerezis

Koercitivnost je magnetsko polje Hc potrebno da smanji magnetizaciju
ili indukciju B na nulu (slika 41). Vrednost koercitivnosti kreće se u opsegu
sedam redova veličina; to je najosetljivija osobina feromagnetskih materi-
jala koja se može kontrolisati. Koercitivnost se može menjati od 600 G kod
nekih stalnih magneta (Alnico V) i 10,000 G kod specijalnog visokostabilnog
71
Slika 45: Poreklo domena.
magneta (SmCo5 ) do 0.5 G kod komercijalnog transformatora snage (Fe-Si

4 težinska procenta) i 0.002 G kod impulsnog transformatora (Supermalloy).
Mala koercitivnost je poželjna osobina transformatora, jer to znači male gu-
bitke usled histerezisa po jednom radnom ciklusu. Materijali sa malom ko-
ercitivnošću zovu se meki: oni sa velikom koercitivnošću su tvrdi, iako ne
postoji uvek 1:1 veza magnetske i mehaničke tvrdoće.
Koercitivnost opada sa porastom sadržaja nečistoća a takode sa ukidan-
jem unutrašnjih naprezanja putem postepenog hladenja. Amorfne feromag-
netske legure mogu imati malu koercitivnost, male histerezisne gubitke i ve-
liku permeabilnost. Legure koje sadrže precipitiranu fazu mogu imati veliku
koercitivnost, kao kod Alnico V (slika 47).
Meki magnetski materijali koriste se za koncentrisanje i oblikovanje mag-
netskog fluksa u motorima, generatorima, transformatorima i senzorima. Ko-
risni meki materijali uključuju električne čelike (obično legirane sa nekoliko
procenata silicijuma, da bi se povećala električna otpornost i smanjila ani-
zotropija); različite legure sačinjene od Fe-Co-Mn, počevši sa legurom sas-
tava Ni78 Fe22 , koja ima skoro nultu energiju anizotropije i magnetostrik-
ciju; NiZn i MnZn ferite; i metalna stakla proizvedena brzim očvršćavanjem.
Komercijalno metalno staklo (METGLASS 2605S-2) sastava Fe79 B13 Si9 ima
histerezisne gubitke po ciklusu mnogo manje od najboljeg čelika dopiranog
orijentisanim kristalitima silicijuma.
Velika koercitivnost materijala sačinjenih od vrlo malih zrna ili finog
72
Slika 46: Domen zatvaranja na kraju monokristalne niti gvožda. Strana je
(100) ravan; osa niti je [001].
praha je dobro proučena. Dovoljno mala čestica, sa prečnikom manjim

od 10−5 ili 10−6 cm, uvek je namagnetisana do zasićenja kao da ima jedan
domen, jer je formiranje konfiguracije sa zatvorenim fluksom energetski nepo-
voljno. U jednodomenskoj čestici nije moguće da obrnuta magnetizacija igra
ulogu u smislu procesa pomeranja granica, koji obično zahteva relativno slaba
polja. Umesto toga, magnetizacija čestice mora rotirati u celini, što je proces
koji može zahtevati jaka polja, zavisna od energije anizotropije materijala i
anziotropije oblika čestice.
Koercitivnost finih čestica gvožda po teoriji treba da bude oko 500 gauss,
na osnovu rotacije koja se suprotstavlja energiji anizotropije kristala, i ona
jeste reda veličine izmerene vrednosti. Veće koercitivnosti su uočene za
izdužene čestice gvožda, jer je rotacija ovde suprotstavljena anizotropiji ob-
lika demagnetizacione energije.
Metali retkih zemalja u legurama sa Mn, Fe, Co i Ni imaju veoma velike
kristalne anizotropije K i velike odgovarajuće koercitivnosti, reda 2K/M .
Ove legure su izuzetno dobri stalni magneti. Na primer, heksagonalno jed-
injenje SmCo5 ima energiju anizotropije od 1.1 × 108 erg cm−3 , ekvivalentnu
koercitivnost 2K/M u iznosu od 290 kG (29 T). Magneti Nd2 Fe14 B imaju
energijske proizvode i do 50 MGOe, što prevazilazi sve druge komercijalno
dostupne magnete.
73
Slika 47: Mikrostruktura Alnico V u optimalnom stanju permanentnog mag-
neta. Sastav Alnico V je, u težinskim procentima, 8 Al, 14 Ni, 24 Co, 3 Cu,
51 Fe. Kao stalni magnet on je dvofazni sistem, sa finim česticama jedne
faze umetnutim u drugu fazu. Precipitacija je sprovedena u magnetskom
polju, a čestice su orijentisane tako da im je duža osa paralelna pravcu polja.
Prikazana širina je 1.1 µm.
74
2.7 Jednodomenske čestice
Dominantne industrijske i komercijalne primene feromagnetizma su u
magnetnim rekorderima, gde je magnetni materijal u obliku jednodomenskih
čestica ili oblasti. Ukupna vrednost proizvodnje magnetskih uredaja za sni-
manje može se uporediti sa ukupnom vrednošću proizvodnje poluprovodničkih
uredaja i daleko premašuje vrednost proizvodnje superprovodnih uredaja, jer
je proizvodnja poslednjih mala usled male kritične temperature u poredenju
sa magnetskom Kirijevom temperaturom. Magnetni rekorderi ili memorije
su tipično u obliku hard diskova u računarima i traka u video i audio reko-
rderima.
Idealna jednodomenska čestica je fina čestica, obično izdužena, koja ima
magnetski moment usmeren prema jednom ili drugom kraju čestice. Alter-
nativne orijentacije mogu se označiti kao N ili S; + ili -; u digitalnim reko-
rderima, kao 0 ili 1. Da bi imala digitalne osobine, feromagnetska čestica
mora biti dovoljno fina, tipično 10-100 nm, tako da je samo jedan domen
unutar čestice. Ako je fina čestica izdužena (igličasta) ili ima simetriju uni-
aksijalnog kristala, samo dve vrednosti magnetskog momenta jednog domena
su dozvoljene, što upravo i želimo kod digitalnih uredaja. Prvi uspešan ma-
terijal za snimanje bio je igličast τ -Fe2 O3 sa odnosom dužine i širine oko
5:1, koercitivnošću oko 200 Oe i dužinom manjom od 1 µm; hrom-dioksid
CrO2 je osnova za bolji materijal, u obliku skoro savršeno igličastom (20:1)
sa koercitivnošću blizu 500 Oe.
Efektivna elongacija može se dobiti pomoću sfera tako da se postave u
lanac, kao niz perli. Za ansambl takvih lanaca ili izduženih jednodomenskih
čestica kaže se da ispoljava superparamagnetizam ako je magnetski mo-
ment jedinice konstantan. Ako je µ magnetski moment u magnetskom polju
B, tada će ukupna magnetizacija ansambla pratiti Kiri-Briluen-Langevinov
zakon iz Glave 11 ako su čestice uronjene u tečnost tako da svaka može
slobodno rotirati. Ako su čestice zamrznute u čvrstom telu, postojaće rema-
nentna magnetizacija (slika 41) posle ukidanja primenjenog polja.
2.7.1 Geomagnetizam i biomagnetizam

Jednodomenske feromagnetne osobine su od posebnog geološkog interesa
u sedimentnim stenama jer stene preko svoje remanentne magnetizacije mem-
orišu pravac Zemljinog magnetnog polja u vreme kada su formirane, i stoga
geografsku lokaciju stena u toj epohi. Magnetni zapis je verovatno najvažnija
75
osnova teorije pomeraja kontinenata. Svake godine, slojevi sedimenata de-
ponuju se u stream beds (potoke?), slojeve koji mogu sadržati neke magnetne
čestice u jednodomenskom obliku. Ovaj zapis opstaje najmanje 500 miliona
godina geološkog vremena i može nam reći gde je na površini zemlje ta stena
formirana u datom trenutku. Tokovi lave takode čuvaju pravce magnetnog
polja.
Promena magnetizacije od sloja do sloja daje izvanredan istorijski za-
pis o pomeraju kontinentalnih ploča po površini Zemlje. Paleomagnetni
zapis je jedna osnova grane geologije koja se naziva tektonika ploča. Origi-
nalno tumačenje zapisa bilo je mnogo teže, ili mnogo uzbudljivije, povezanim
otkrićem (Brunhes, 1906) da magnetsko polje Zemlje samo po sebi može is-
poljiti promenu pravca, efekat sadržan u standardnoj dinamo teoriji Zemljinog
magnetizma. Obrtanje se dešava jednom u 1 × 104 do 25 × 106 godina. Kada
dode vreme, obrtanje se obavi relativno naglo.
Fine jednodomenske čestice, obično magnetita Fe3 O4 , su od biološkog
značaja. Efekat traženja pravca poznat kao magnetotaxis često kontroliše,
moguće ponekad zajedno sa astronomskim sistemom vodenja, kretanje bak-
terija, migracije ptica, i pokrete golubova i pčela. Efekat potiče od interakcije
jednodomenske čestice (ili klastera takvih čestica, slika 48) u organizmu sa
spoljašnjim magnetnim poljem Zemlje.
2.7.2 Mikroskopija na bazi magnetnih sila

Uspeh skenirajuće tunelske mikroskopije (STM) stimulisao je razvoj povezanih
skenirajućih uredaja, od kojih je skenirajući mikroskop na bazi magnetskih
sila jedan od najefektnijih. Oštar vrh (tip) od magnetnog materijala, kao
što je nikl, montiran je na nosač (slika 49). Idealno, ali ne uvek, tip je
jednodomenska čestica. Sile od magnetnog uzorka deluju na tip i dovode do
promene, kao što je skretanje, u statusu nosača, i slika se formira skeniran-
jem uzorka u odnosu na tip. Mikroskopija na bazi magnetnih sila (MFM)
je jedina tehnika magnetnog slikanja koja može obezbediti visoku rezoluciju
(10-100 nm) sa malom pripremom površine. Može se, na primer, izmeriti i
slikati magnetski fluks koji izlazi sa površine na preseku Blohovog zida sa
površinom (slika 44). Važna primena je proučavanje medija za magnetni
zapis - slika 50 prikazuje magnetni signal od test šeme od 2 µm bita nam-
agnetisanih u ravni diska od Co-legure; paralelna komponenta polja uočena
senzornim tipom je ono što fotografija prikazuje.
76
Slika 48: Tanak deo ćelije magnetotaktične bakterije koji prikazuje lanac od
50 nm čestica Fe3 O4 .
Slika 49: Osnovni koncept mikroskopije na bazi magnetnih sila. Magnetni

tip montiran na fleksibilnom nosaču se koristi za detekciju magnetnog polja
proizvedenog od oblasti alternirajuće magnetizacije u ravni uzorka.
77
Slika 50: Test traka magnetizacije u ravni diska od Co-legure u 2µm bitovima,
detektovana MFM tehnikom neposredno iznad ravni diska.
2.8 Kratak pregled

* Susceptibilnost feromagneta iznad Kirijeve temperature ima oblik χ =
C/(T − Tc ) u aproksimaciji srednjeg polja.
* U aproksimaciji srednjeg polja efektivno magnetsko polje videno na
osnovu magnetnog momenta u feromagnetu je Ba + λM, kada je λ = Tc /C
a Ba je primenjeno magnetno polje.
* Elementarne ekscitacije u feromagnetu su magnoni. Njihova disperziona
relacija za ka 1 ima oblik h̄ω ≈ Jk 2 a2 pri nultom spoljašnjem magnet-
nom polju. Termalna ekscitacija magnona vodi na niskim temperaturama
ka promeni toplotnog kapaciteta i relativne magnetizacije, obe promene pro-
porcionalne sa T 3/2 .
* Kod antiferomagneta dve spinske rešetke su jednake, ali antiparalelne.
Kod ferimagneta dve rešetke su antiparalelne, ali magnetni moment jedne je
veći od magnetnog momenta druge.
* Kod antiferomagneta susceptibilnost iznad Nilove temperature ima ob-
lik χ = 2C/(T + θ).
* Magnonska disperziona relacija u antiferomagnetu ima oblik h̄ω ≈ Jka.
Termalna ekscitacija magnona na niskim temperaturama dovodi do člana
proporcionalnog sa T 3 u toplotnom kapacitetu, pored fononskog člana pro-
78
porcionalnog sa T 3 .
* Blohov zid razdvaja domene namagnetisane u različitim pravcima. De-
bljina zida je ≈ (J/Ka3 )1/2 konstanti rešetke, a energija po jedinici površine
je ≈ (KJ/a)1/2 , gde je K gustina energije anizotropije.
79
3 GLAVA 13: MAGNETSKA REZONAN-
CIJA
U ovoj glavi razmatramo dinamičke magnetske efekte povezane sa mo-
mentom impulsa spina jezgra i elektrona. Glavni fenomeni se u literaturi
često označavaju svojim početnim slovima, kao što su
NMR: nuklearna magnetska rezonanca
NQR: nuklearna kvadripolna rezonanca
EPR ili ESR: elektronska paramagnetska ili spinska rezonanca (slika 51)
FMR: feromagnetska rezonanca
SWR: rezonanca spinskih talasa (na feromagnetskim filmovima)
AFMR: antiferomagnetska rezonanca
CESR: spinska rezonanca provodnih elektrona
Informacija koja se može dobiti o čvrstim telima rezonantnim proučavanjima
može se kategorisati na sledeći način:
* Elektronska struktura jednostavnih defekata, otkrivena finom struk-
turom apsorpcije.
* Kretanje spina ili okoline, otkriveno promenama širine linija.
* Unutrašnja (sopstvena) magnetska polja, uzorkovana spinom, otkrivena
pozicijom rezonantnih linija (hemijski ili Najtov pomeraj).
* Kolektivne spinske ekscitacije.
Najbolje je razmatrati NMR kao osnovu za kratak pregled ostalih rezo-
nantnih eksperimenata. Veliki uticaj NMR desio se u organskoj hemiji i bio-
hemiji, gde NMR daje moćan alat za identifikaciju i strukturno odredivanje
kompleksnih molekula. Ovaj uspeh pripisuje se izuzetno velikoj rezoluciji
koja se može postići kod dijamagnetskih tečnosti. Glavna medicinska pri-
mena NMR je slikanje magnetskom rezonancom (MRI), koje omogućava re-
zoluciju u 3D ogromnih veličina, konfiguracija i reakcija u celom telu.
3.1 Nuklearna magnetska rezonanca

Posmatramo jezgro koje poseduje magnetski moment µ i moment impulsa
h̄I. Dve veličine su paralelne, i možemo pisati
µ = γh̄I; (107)
80
Slika 51: Rezonantna apsorpcija elektronskog spina u MnSO4 na 298 K i 2.75
GHz.
magnetožiroskopski odnos γ je konstantan. Po konvenciji I označava nuk-

learni (jezgarni) moment impulsa meren u jedinicama h̄.
Energija interakcije sa primenjenim magnetskim poljem je
U = −µ · Ba ; (108)
ako je Ba = B0 ẑ, tada je
U = −µz B0 = −γh̄B0 Iz . (109)

Dopuštene vrednosti Iz su mI = I, I − 1, ..., −I, a U = −mI γh̄B0 .
U magnetskom polju jezgro sa I = 12 ima dva energetska nivoa koja odgo-
varaju vrednostima mI = ± 21 , kao na slici 52. Ako h̄ω0 označava energijsku
razliku izmedu dva nivoa, tada je h̄ω0 = γh̄B0 ili
ω0 = γB0 . (110)
Ovo je fundamentalni uslov za magnetorezonantnu apsorpciju.
Za proton γ = 2.675 × 104 s−1 gauss−1 = 2.675×108 s−1 tesla−1 , tako da
je
81
1
Slika 52: Cepanje energetskih nivoa jezgra sa spinom I = 2
u statičkom
magnetskom polju B0 .
ν(MHz) = 4.258B0 (kilogauss) = 42.58B0 (tesla), (111)

gde je ν učestanost. Jedan tesla je tačno 104 gauss. Magnetski podaci za
odabrana jezgra dati su na slici 53. Za spin elektrona,
ν(GHz) = 2.80B0 (kilogauss) = 28.0B0 (tesla). (112)
3.1.1 Jednačine kretanja

Brzina promene momenta impulsa sistema jednaka je momentu koji deluje
na sistem. Mehanički moment koji deluje na magnetni moment µ u magnet-
nom polju B je µ × B, tako da imamo žiroskopsku jednačinu
h̄dI/dt = µ × Ba ; (113)
ili
dµ/dt = γµ × Ba . (114)
P
Magnetizacija jezgra M je suma µi po svim jezgrima u jedinici zapremine.
Ako je samo jedan izotop od interesa, posmatramo samo jednu vrednost γ,
tako da je
dM/dt = γM × Ba . (115)
82
Slika 53: Podaci vezani za nuklearnu magnetnu rezonancu.
83
Stavljamo jezgro u statičko polje Ba = B0 ẑ. U toplotnoj ravnoteži na
temperaturi T magnetizacija će biti usmerena duž ẑ:
Mx = 0; My = 0; Mz = M0 = χ0 B0 = CB0 /T, (116)

gde je susceptibilnost χ0 a Kirijeva konstanta C = N µ2 /3kB , kao u Glavi 11.
Magnetizacija sistema spinova sa I = 12 povezana je sa razlikom nasel-
jenosti N1 − N2 nižeg i višeg nivoa sa slike 52: Ms = (N1 − N2 )µ, gde
se N -ovi odnose na jediničnu zapreminu. Odnos naseljenosti u toplotnoj
ravnoteži odreden je Bolcmanovim faktorom za energijsku razliku 2µB0 :
(N2 /N1 )0 = e−2µB0 /kB T . (117)

Ravnotežna magnetizacija je M0 = N µ tanh(µB/kB T ).
Kada komponenta magnetizacije Mz nije u toplotnoj ravnoteži, pret-
postavljamo da ona dostiže ravnotežu brzinom proporcionalnom udaljavanju
od ravnotežne vrednosti M0 :
dMz M0 − Mz
= . (118)
dt T1
U standardnoj notaciji T1 se naziva longitudinalno vreme relaksacije ili
vreme relaksacije spin-rešetka.
Ako je u t = 0 nenamagnetisan uzorak smešten u magnetsko polje B0 ẑ,
magnetizacija će rasti od početne vrednosti Mz = 0 do konačne vrednosti
Mz = M0 . Pre i neposredno posle smeštanja uzorka u polje, naseljenost N1
biće jednaka naseljenosti N2 , što odgovara toplotnoj ravnoteži pri nultom
magnetskom polju. Integracijom jednačine (118) sledi:
Z Mz Z t
dMz 1
= dt, (119)
0 M0 − Mz T1 0
odnosno
M0 t
log = ; Mz (t) = M0 [1 − e−t/T1 ], (120)
M0 − Mz T1
kao na slici 54. Magnetska energija −M · Ba opada kako Mz dostiže svoju
novu ravnotežnu vrednost.
Tipični procesi pri kojima magnetizacija dostiže ravnotežno stanje označeni
su na slici 55. Dominantna interakcija spinova sa rešetkom paramagnetskih
jona u kristalima je putem fononske modulacije kristalnog električnog polja.
84
Slika 54: U trenutku t = 0 nenamagnetisan uzorak Mz (0) = 0 postavljen je u
statičko magnetsko polje Ba . Magnetizacija raste sa vremenom i dostiže novu
ravnotežnu vrednost M0 = χ0 B0 . Ovaj eksperiment definiše longitudinalno
vreme relaksacije T1 . Gustina magnetske energije −M · B opada kako se deo
spinske populacije pomera na niži nivo. Asimptotska vrednost u t T1 je
−M0 B0 . Energija teče iz spinskog sistema u sistem vibracija rešetke: stoga
se T1 naziva vreme relaksacije izmedu spinova i rešetke.
Relaksacija nastupa putem tri glavna procesa (slika 56): direktni (emisija
ili apsorpcija fonona); Ramanski (rasejanje fonona); i Orbahovi (intervencija
trećeg stanja).
Uzimajući u obzir jednačinu (118), z komponenta jednačine kretanja
(115) postaje
dMz M0 − Mz
= γ(M × Ba )z + , (121)
dt T1
gde je (M0 − Mz )/T1 dodatni član u jednačini kretanja, koji potiče od in-
terakcije spinova sa rešetkom koja nije bila uključena u jednačini (115). To
znači da će, pored precesije oko magnetskog polja, doći do relaksacije M na
ravnotežnu vrednost M0 .
Ako u statičkom polju B0 ẑ transverzalna komponenta magnetizacije Mx
nije nula, tada će Mx opadati ka nuli, i slično važi za My . Opadanje nastaje
usled činjenice da su u toplotnoj ravnoteži transverzalne komponente jednake
85
Slika 55: Neki važni procesi koji doprinose lokalnoj relaksaciji magnetizacije
u izolatoru i metalu. Za izolator vidimo neelastično rasejanje fonona na spin-
skom sistemu. Spinski sistem pomera se na niže energetsko stanje, a emito-
vani fonon ima energiju veću za h̄ω0 od apsorbovanog. Kod metala vidimo
sličan proces neelastičnog rasejanja u kome se rasejava provodni elektron.
nuli. Za transverzalnu relaksaciju možemo pisati:
dMx /dt = γ(M × Ba )x − Mx /T2 ; (122)

dMy /dt = γ(M × Ba )y − My /T2 , (123)
gde se T2 naziva transverzalno vreme relaksacije.

Magnetska energija −M × Ba ne menja se sa promenom Mx ili My , ako
se obezbedi da je Ba duž ẑ. Ne mora postojati tok energije iz spinskog
sistema tokom relaksacije Mx ili My , tako da uslovi koji odreduju T2 mogu
biti manje striktni nego za T1 . Ponekad su ova dva vremena bliska, a ponekad
je T1 T2 , zavisno od lokalnih uslova.
Vreme T2 je mera vremena tokom koga pojedinačni momenti koji dopri-
nose Mx , My ostaju medusobno u fazi. Različita lokalna magnetska polja
na različitim spinovima uzrokovaće da oni precesiraju na drugačijim frekven-
cijama. Ako su u početnom trenutku spinovi imali zajedničku fazu, faze će
postati slučajne tokom vremena i vrednosti Mx , My postaće nula. T2 možemo
tretirati kao vreme defazivanja.
Jednačine (121)-(123) nazivaju se Blohove jednačine. One nisu simetrične
po x, y, z jer smo pobudili sistem statičkim magnetskim poljem duž ẑ. U
eksperimentima se rf magnetsko polje obično primenjuje duž x̂ ili ŷ ose. Naš
glavni interes je ponašanje magnetizacije u kombinaciji rf i statičkog polja,
kao na slici 57. Blohove jednačine su prihvatljive, ali nisu tačne; one ne
opisuju sve spinske fenomene, posebno ne one u čvrstim telima.
86
Slika 56: Spinska relaksacija iz 2 → 1 emisijom, rasejanjem fonona i dvoste-
penim fononskim procesom. Temperaturska zavisnost longitudinalnog vre-
mena relaksacije T1 prikazana je za nekoliko procesa.
Odredujemo frekvenciju slobodne precesije spinskog sistema u statičkom

polju Ba = B0 ẑ i sa Mz = M0 . Blohove jednačine svode se na
dMx Mx dMy My dMz

= γB0 My − ; = −γB0 Mx − ; = 0. (124)
dt T2 dt T2 dt
Tražimo prigušena oscilatorna rešenja oblika
0 0
Mx = me−t/T cos ωt; My = −me−t/T sin ωt. (125)
Zamenom u jednačinu (124), za levu jednačinu imamo
1 1
−ω sin ωt − 0
cos ωt = −γB0 sin ωt − cos ωt, (126)
T T2
tako da je slobodna precesija karakterisana sa
ω0 = γB0 ; T 0 = T2 . (127)
Kretanje (125) slično je prigušenom harmonijskom oscilatoru u dve di-
menzije. Analogija ispravno ukazuje da će spinski sistem ispoljavati rezo-
nantnu apsorpciju energije od vodećeg polja blizu frekvencije ω0 = γB0 ,
a da će širina frekvencijskog opsega odziva sistema na pobudno polje biti
∆ω ≈ 1/T2 . Slika 58 pokazuje rezonanciju protona u vodi.
87
Slika 57: Šematski prikaz eksperimenta magnetske rezonance.
Blohove jednačine mogu se rešiti tako da se dobije snaga apsorpcije od

rotirajućeg magnetskog polja amplitude B1 :
Bx = B1 cos ωt; By = −B1 sin ωt. (128)

Posle rutinskog proračuna dobija se da je snaga apsoprcije
ωγM2 T2
(CGS) P (ω) = B2. (129)
1 + (ω0 − ω)2 T22 1
Poluširina rezonancije na polovini maksimuma snage je
(∆ω)1/2 = 1/T2 . (130)
3.2 Širina linija

Magnetska dipolna interakcija obično je najvažniji razlog širenja linije u
krutoj rešetki magnetskih dipola. Magnetno polje ∆B koje vidi magnetski
dipol µ1 , a potiče od magnetskog dipola µ2 , u tački r12 od prvog dipola je
2
3(µ2 · r12 )r12 − µ2 r12
(CGS) ∆B = 5
, (131)
r12
što je fundamentalan rezultat magnetostatike.
Red veličine interakcije je, sa Bi umesto ∆B,
(CGS) Bi ≈ µ/r3 . (132)
88
Slika 58: Rezonantna apsoprcija protona u vodi.
Jaka zavisnost od r sugeriše da će interakcije sa bliskim susedima biti domi-

nantne, tako da je
(CGS) Bi ≈ µ/a3 , (133)

gde je a rastojanje izmedu najbližih suseda. Ovaj rezultat daje nam meru
širine linije spinske rezonancije, pretpostavljajući slučajnu orijentaciju suseda.
Za protone na rastojanju 2Å,
1.4 × 10−23 G cm3

Bi ≈ ≈ 2 gauss = 2 × 10−4 tesla. (134)
8 × 10−24 cm3
Da bi se jednačine (131)-(133) izrazile u SI jedinicama, treba pomnožiti nji-
hove desne strane sa µ0 /4π.
3.2.1 Sužavanje usled kretanja

Širina linije opada za jezgra koja se brzo relativno kreću. Ovaj efekat
u čvrstim telima ilustrovan je slikom 59: difuzija liči na slučajan hod kako
atomi prelaze sa jednog sajta kristala na drugi. Atom ostaje na jednom sajtu
tokom srednjeg vremena τ koje značajno opada sa porastom temperature.
89
Slika 59: Efekat difuzije jezgara na Li7 NMR širinu linije u metalnom liti-
jumu. Na niskim temperaturama širina se slaže sa teorijskim vrednostima za
krutu rešetku. Kako temperatura raste, povećava se brzina difuzije i linija se
sužava. Nagli pad širine linije iznad T = 230 K nastaje kada vreme skakanja
τ postane kraće od 1/γBi . Stoga eksperiment daje direktnu meru vremena
skakanja za atom sa jednog na drugi sajt rešetke.
Efekti kretanja na širinu linije su još izraženiji u normalnim tečnostima,

jer su molekuli visoko pokretljivi. Širina rezonatne linije protona u vodi je
samo 10−5 od širine očekivane za molekule vode na zamrznutim pozicijama.
Uticaj kretanja jezgra na T2 i na širinu linije nije veliki, ali se može
razumeti elementarnim razmatranjem. Iz Blohovih jednačina vidimo da je
T2 mera vremena za koje pojedinačni spin postaje fazno pomeren za jedan
radijan usled lokalne perturbacije u intenzitetu magnetskog polja. Neka
(∆ω)0 ≈ γBi označava lokalnu frekvencijsku devijaciju usled perturbacije
Bi . Lokalno polje može biti uzrokovano dipolarnim interakcijama sa drugim
spinovima.
Ako se atomi brzo relativno kreću, lokalno polje Bi koje vidi dati spin
brzo će fluktuirati u vremenu. Pretpostavljamo da lokalno polje ima vrednost
+Bi tokom srednjeg vremena τ , a potom se menja na −Bi , kao na slici 60a.
Ovakva slučajna promena može nastati usled promene ugla izmedju µ i r u
jednačini (131). Tokom vremena τ spin će precesirati za dodatni fazni ugao
90
δϕ = ±γBi τ u odnosu na fazni ugao stacionarne precesije u primenjenom
polju B0 .
Efekat sužavanja linije usled kretanja potiče usled malog τ , tako da je
δϕ 1. Posle n intervala trajanja τ srednjekvadratni ugao faznog odstu-
panja u polju B0 biće
hϕ2 i = n(δϕ)2 = nγ 2 Bi2 τ 2 , (135)

po analogiji sa procesom slučajnog hoda: srednjekvadratni pomeraj sa početne
pozicije posle n koraka dužine l u slučajnim pravcima je hr2 i = nl2 .
Srednji broj koraka neophodnih da se promeni faza spina za jedan radijan
je n = 1/γ 2 Bi2 τ 2 . (Spinovi fazno pomereni za više od jednog radijana ne
doprinose apsorpcionom signalu.) Ovaj broj koraka dogada se za vreme od
T2 = nτ = 1/γ 2 Bi2 τ, (136)

što se značajno razlikuje od rezultata za krutu rešetku T2 ≈ 1/γBi . Iz (136)
dobijamo da je širina linije za brzo kretanje sa karakterističnim vremenom τ
data sa:
∆ω = 1/T2 = (γBi )2 τ, (137)

ili
∆ω = 1/T2 = (∆ω)20 τ, (138)

gde je (∆ω)0 širina linije u krutoj rešetki.
Dokaz pretpostavlja da je (∆ω)0 τ 1, jer inače δϕ ne bi bilo 1.
Stoga je ∆ω (∆ω)0 . Što je kraće vreme τ , uža je rezonantna linija!
Ovaj značajan efekat poznat je kao suženje usled kretanja. Rotaciono
vreme relaksacije molekula vode na sobnoj temperaturi na osnovu merenja
dielektrične konstante procenjeno je kao 10−10 s; ako je (∆ω)0 ≈ 105 s−1 ,
tada je (∆ω)0 τ ≈ 10−5 i ∆ω ≈ (∆ω)20 τ ≈ 1 s−1 . Stoga kretanje sužava
protonsku rezonantnu liniju na oko 10−5 od vrednosti u statičkom slučaju.
3.3 Hiperfino cepanje

Hiperfina interakcija je magnetna interakcija izmedu magnetnog momenta
jezgra i magnetnog momenta elektrona. Za posmatrača smeštenog na jezgru,
interakcija je uzrokovana magnetskim poljem koje stvara magnetni moment
91
Slika 60: Faza spina u konstantnom lokalnom polju, uporedena sa faznim
razilaženjem spina koji posle fiksnih vremenskih intervala τ skače izmedu
sajtova koji imaju lokalna polja ±1.
elektrona i kretanjem elektrona oko jezgra. Postoji struja elektrona oko jez-
gra ako se elektron nalazi u stanju sa orbitalnim momentom impulsa oko
jezgra. Ali čak iako je elektron u stanju nultog orbitalnog momenta impulsa,
postoji struja elektronskog spina oko jezgra, i ova struja daje doprinos kon-
taktnoj hiperfinoj interakciji, koja je od posebnog interesa u čvrstim te-
lima. Možemo razumeti poreklo kontaktne interakcije kvalitativnim fizičkim
razmatranjem, datim u CGS jedinicama.
Rezultati Dirakove elektronske teorije ukazuju da magnetski moment µB =
eh̄/2mc elektrona potiče od cirkulacije elektrona brzinom c u strujnoj petlji
poluprečnika približno jednakog Komptonovoj talasnoj dužini λc = h̄/mc ∼
10−11 cm. Električna struja pridružena cirkulaciji je
I ∼ e × (broj obrtaja u jedinici vremena) ∼ ec/λc , (139)
92
a magnetsko polje (slika 61) proizvedeno ovom strujom je
(CGS) B ∼ I/λc c ∼ e/λ2c . (140)

Posmatrač na jezgru ima verovatnoću
P ≈ |ψ(0)|2 λ3c (141)

da se nade unutar elektrona, tj. unutar sfere zapremine λ3c oko elektrona.
Ovde je ψ(0) vrednost elektronske talasne funkcije u jezgru. Stoga je srednja
vrednost magnetskog polja koju vidi jezgro
B̄ ≈ e|ψ(0)|2 λc ≈ µB |ψ(0)|2 , (142)

gde je µB = eh̄/2mc = 21 eλc Borov magneton.
Kontaktni deo energije hiperfine interakcije je
U = −µI · B̄ ≈ −µi · µB |ψ(0)|2 ≈ γh̄µB |ψ(0)|2 I · S, (143)

gde je I spin jezgra u jedinicama h̄. Kontaktna interakcija u atomu ima oblik
U = aI · S. (144)
Vrednosti hiperfine konstante a za osnovna stanja nekoliko slobodnih atoma
date su na slici 62.
U jakom magnetskom polju šema energetskih nivoa slobodnog atoma ili
jona dominantno je odredena Zemanovim energetskim cepanjem elektronskih
nivoa; hiperfina interakcija daje dodatno cepanje koje je pri jakim poljima
U 0 ≈ ams mi , gde su ms , mI magnetski kvantni brojevi.
Za dijagram energetskih nivoa prikazan na slici 63 dva elektronska prelaza
imaju selekciona pravila ∆mS = ±1, ∆mI = 0, frekvencije su ω = γH0 ±
a/2h̄. Nuklearni prelazi nisu označeni; oni imaju ∆mS = 0, tako da je
ωnuc = a/2h̄. Frekvencija nuklearnog prelaza 1 → 2 jednaka je onoj kod
prelaza 3 → 4.
Hiperfina interakcija u magnetskom atomu može razdvojiti osnovni en-
ergetski nivo. Cepanje u vodoniku je 1420 MHz; ovo je radio frekvencijska
linija meduzvezdanog atomskog vodonika.
93
Slika 61: Magnetsko polje B proizvedeno kretanjem naelektrisanja u kružnoj
petlji. Kontaktni deo hiperfine interakcije sa magnetnim momentom jezgra
potiče od oblasti unutar ili blizu strujne petlje. Polje usrednjeno po sfer-
noj ljusci koja obuhvata petlju je nula. Stoga za s elektron (L = 0) samo
kontaktni deo doprinosi interakciji.
3.3.1 Primeri: Paramagnetski tačkasti defekti

Hiperfino cepanje elektronske spinske rezonancije daje korisnu strukturnu
informaciju o paramagnetskim tačkastim defektima, kao što su F centri
u kristalima alkalnih halida i donorski atomi primesa u poluprovodničkim
kristalima.
F centri u alkalnim halidima. F centar je vakancija negativnog jona sa
jednim elektronom viška vezanim na vakantnom mestu (slika 64). Talasna
funkcija zarobljenog elektrona prvenstveno je raspodeljena izmedu šest alka-
lnih jona koji su susedi vakantnog sajta rešetke, sa manjim amplitudama na
94
Slika 62: Vrednosti hiperfine konstante a za neke slobodne atome.
12 halidnih jona koji formiraju ljusku drugih najbližih suseda. Brojanje se

primenjuje na kristale NaCl strukture. Ako je ϕ(r) talasna funkcija valentnog
elektrona na jednom alkalnom jonu, tada je u prvoj (ili LCAO) aproksimaciji
X
ϕ(r) = C ϕ(r − rp ), (145)
p
gde u NaCl strukturi šest vrednosti rp označavaju sajtove alkalnih jona koji
se nalaze oko vakancije.
Širina spinske rezonantne linije elektrona iz F centra odredena je pr-
venstveno hiperfinom interakcijom zarobljenog elektrona sa jezgarnim mag-
netnim momentima alkalnih jona koji su susedni vakantnom sajtu rešetke.
Izmerena širina linije je dokaz za jednostavnu sliku talasne funkcije elektrona.
Pod širinom linije podrazumevamo širinu anvelope mogućih komponenata
hiperfine strukture.
Kao primer, posmatrajmo F centar u KCl. Prirodni kalijum je sačinjen
od 93 procenta K39 sa nuklearnim spinom I = 23 . Ukupan spin šest jezgara
kalijuma u F centru je Imax = 6 × 32 = 9, tako da je broj hiperfinih kompo-
nenata 2Imax + 1 = 19; ovo je broj mogućih vrednosti kvantnog broja mI .
Postoji (2I + 1)6 = 46 = 4096 nezavisnih uredenja šest spinova raspodel-
jenih na 19 komponenata, kao na slici 65. Često registrujemo samo anvelopu
apsorpcione linije F centra.
Donorski atomi u silicijumu. Fosfor je donor kada se nalazi u silici-
jumu. Svaki donorski atom ima pet spoljašnjih elektrona, od kojih četiri
dijamagnetski ulaze u mrežu kovalentnih veza u kristalu, a peti deluje kao
paramagnetski centar sa spinom S = 12 . Eksperimentalno hiperfino cepanje
u aproksimaciji jakog polja prikazano je na slici 66.
Kada koncentracija prede oko 1 × 1018 donora po cm3 , linija cepanja se
zamenjuje jednom uskom linijom. Ovo je efekat sužavanja usled kretanja, jer
95
Slika 63: Energetski nivoi u magnetskom polju sistema sa S = 12 , I = 21 .
Dijagram je nacrtan za aproksimaciju jakog polja µB B a, gde je a
hiperfina konstanta sprezanja, uzeta kao pozitivna. Četiri nivoa označena
su magnetnim kvantnim brojevima mS , mI . Jaki elektronski prelazi imaju
∆mI = 0, ∆mS = ±1.
Slika 64: F centar je vakancija negativnog jona sa jednim elektronom viška na

vakantnom sajtu. Raspodela tog elektrona najviše se prostire na pozitivnim
jonima metala koji su najbliži susedi vakantnog sajta.
96
se donorski elektroni brzo premeštaju izmedu mnogo donorskih atoma. Brzo
premeštanje usrednjava hiperfino cepanje. Učestalost premeštanja raste na
većim koncentracijama, usled većeg preklapanja talasnih funkcija donorskih
elektrona, što je podržano merenjima provodnosti (Glava 14).
3.3.2 Najtov pomeraj

Na stalnoj frekvenciji rezonancija nuklearnog spina se primećuje pri blago
različitom magnetskom polju u metalima, u odnosu na dijamagnetska čvrsta
tela. Ovaj efekat je poznat kao Najtov pomeraj ili metalni pomeraj i
značajan je kao alat za proučavanje provodnih elektrona.
Energija interakcije jezgra sa spinom I i magnetožiroskopskim odnosom
γ1 je
U = (−γ1 h̄B0 + ahSz i)Iz , (146)

gde je prvi član interakcija sa primenjenim magnetskim poljem B0 a drugi
je usrednjena hiperfina interakcija jezgra sa provodnim elektronima. Srednji
spin provodnih elektrona hSz i povezan je sa Paulijevom spinskom suscepti-
bilnošću χs provodnih elektrona: Mz = gN µB hSz i = χs B0 , odakle sledi da
se interakcija može predstaviti u obliku

aχs ∆B
U = −γ1 h̄ + B0 Iz = −γ1 h̄B0 1 + Iz . (147)
gN µB B0
Najtov pomeraj definisan je sa
∆B aχs
K=− = (148)
B0 gN µB γ1 h̄
i simulira relativnu promenu magnetožiroskopskog odnosa. Po definiciji (144)
hiperfine kontaktne energije, Najtov pomeraj približno je dat sa K ≈ χs |ψ(0)|2 N ;
tj. dat je Paulijevom spinskom susceptibilnošću pomnoženom odnosom kon-
centracije provodnih elektrona u jezgru i srednje koncentracije provodnih
elektrona.
Eksperimentalne vrednosti date su na slici 67. Vrednost hiperfine kon-
stante sprezanja a je nešto drugačija u metalima nego u slobodnim atomima
jer su talasne funkcije u jezgru različite. Iz Najtovog pomeraja metalnog
Li dobija se da je vrednost |ψ(0)|2 u metalu 0.44 od vrednosti u slobodnom
atomu; računata vrednost odnosa pomoću teorijskih talasnih funkcija je 0.49.
97
Slika 65: 4096 rasporeda šest nuklearnih spinova K39 uredenih na 19
hiperfinih komponenata. Svaka komponenta biće dalje podeljena na veoma
veliki broj komponenata na osnovu rezidualne hiperfine interakcije sa 12
susednih jezgara Cl, koja mogu biti Cl35 (75 %) ili Cl37 (25 %). Anvelopa
ove šeme je približno gausijan.
Slika 66: Rezonantne linije elektronskog spina donorskih atoma P u sili-

cijumu. Pri višim koncentracijama donora blizu metal-izolator prelaza,
donorski elektron može skakati od sajta do sajta toliko brzo da se hiperfina
struktura narušava.
98
Slika 67: Najtov pomeraj u NMR kod metalnih elemenata na sobnoj tem-
peraturi.
3.4 Nuklearna kvadripolna rezonanca

Jezgra sa spinom I ≥ 1 imaju električni kvadripolni moment. Kvadripolni
moment Q je mera eliptičnosti raspodele naelektrisanja u jezgru. Veličina od
interesa definisana je klasično, relacijom
Z
1
eQ = (3z 2 − r2 )ρ(r)d3 x, (149)
2
gde je ρ(r) gustina naelektrisanja. Jajasto jezgro ima pozitivno Q; tanjirasto
jezgro ima negativno Q. Kada se jezgro smesti u kristal, ono će videti elek-
trostatičko polje okoline, kao na slici 68. Ako je simetrija ovog polja manja
od kubične, tada će nuklearni kvadripolni moment dovesti do skupa ener-
getskih nivoa razdvojenih interakcijom kvadripolnog momenta sa lokalnim
električnim poljem.
Stanja koja su pocepana su 2I + 1 stanja sa spinom I. Kvadripolna
cepanja često se direktno mogu uočiti, jer rf magnetno polje odgovarajuće
učestanosti može uzrokovati prelaze izmedu nivoa. Termin nuklearna kvadripolna
rezonanca odnosi se na uočavanje jezgarnih kvadripolnih cepanja u odsustvu
statičkog magnetskog polja. Kvadripolna cepanja posebno su velika u kova-
lentno vezanim molekulima, kao što su Cl2 , Br2 i I2 ; cepanja su reda 107 ili
108 Hz.
3.5 Feromagnetska rezonanca

Spinska rezonancija na mikrotalasnim frekvencijama u feromagnetima
slična je u principu sa nuklearnom spinskom rezonancom. Ukupan magnet-
99
Slika 68: (a) Orijentacija nuklearnog električnog kvadripolnog momenta (Q >
0) koja ima najnižu energiju u lokalnom električnom polju četiri prikazana
jona. Elektroni na samim jonima nisu prikazani. (b) Orijentacija koja ima
najvišu energiju. (c) Cepanje energetskih nivoa za I = 1.
ski moment elektrona u uzorku precesira oko pravca statičkog magnetskog

polja, i energija je jako apsorbovana od rf transverzalnog polja kada je njegova
frekvencija jednaka frekvenciji precesije. Možemo shvatiti da je makroskopski
vektor S koji predstavlja ukupan spin feromagneta kvantizovan u statičkom
magnetskom polju, sa energetskim nivoima razdvojenim uobičajenim Ze-
manovim frekvencijama; magnetsko selekciono pravilo ∆mS = ±1 omogućava
prelaze samo izmedu susednih nivoa.
Neuobičajene osobine feromagnetske rezonance uključuju:
* Transverzalne komponente susceptibilnosti χ0 i χ00 su veoma velike jer
je magnetizacija feromagneta u datom statičkom polju mnogo veća od mag-
netizacije elektronskih ili jezgarnih paramagneta u istom polju.
* Oblik uzorka igra važnu ulogu. Zbog velike magnetizacije, demagneti-
zaciono polje je jako.
* Jako izmensko sprezanje izmedu feromagnetskih elektrona teži da po-
tisne dipolarni doprinos širini linije, tako da feromagnetske rezonantne linije
mogu biti dosta oštre (< 1 G) pod povoljnim uslovima.
* Efekti saturacije nastaju na nivoima sa malom rf snagom. Nije moguće,
kao kod nuklearnih spinskih sistema, dovesti feromagnetski spinski sistem u
takvo stanje da se magnetizacija Mz svede na nulu ili obrne smer. Fero-
magnetska rezonantna ekscitacija prelazi u spinske talasne modove pre nego
što bi se vektor magnetizacije mogao primetno zarotirati od svog početnog
100
položaja.
3.5.1 Efekti oblika u FMR

Tretiramo efekte oblika uzorka na rezonantnu frekvenciju. Posmatrajmo
uzorak kubičnog feromagnetskog izolatora u obliku elipsoida, sa principalnim
osama paralelnim x, y, z osama Dekartovog koordinatnog sistema. Faktori
demagnetizacije Nx , Ny , Nz su identični sa faktorima depolarizacije, koji
će biti definisani u Glavi 16. Komponente unutrašnjeg magnetnog polja Bi
u elipsoidu povezani su sa primenjenim poljem preko relacija
Bxi = Bx0 − Nx Mx ; Byi = By0 − Ny My ; Bzi = Bz0 − Nz Mz .

Lorencovo polje (4π/3)M i izmensko polje λM ne doprinose momentu jer
njihov vektorski proizvod sa M postaje identički jednak nuli. U SI sistemu
zamenjujemo komponente M sa µ0 M, sa odgovarajućim redefinisanjem N -
ova.
Komponente spinske jednačine kretanja Ṁ = γ(M × Bi ) postaju, za
primenjeno statičko polje B0 ẑ,
dMx
= γ(My Bzi − Mz Byi ) = γ[B0 + (Ny − Nz )M ]My ; (150)
dt
dMy
= γ[M (−Nx Mx ) − Mx (B0 − Nz M )] = −γ[B0 + (Nx − Nz )M ]Mx .
dt
Do prvog reda možemo postaviti dMz /dt = 0 i Mz = M . Rešenja
jednačine (150) sa vremenskom zavisnošću e−iωt postoje ako važi

iω γ[B0 + (Ny − Nz )M ]
= 0,

−γ[B0 + (Nx − Nz )M ] iω
tako da je feromagnetska rezonantna učestanost pri primenjenom polju B0
(CGS) ω02 = γ 2 [B0 + (Ny − Nz )M ][B0 + (Nx − Nz )M ]; (151)

(SI) ω02 = γ 2 [B0 + (Ny − Nz )µ0 M ][B0 + (Nx − Nz )µ0 M ].
Učestanost ω0 naziva se učestanost uniformnog moda, za razliku od frekven-
cija magnona i drugih neuniformnih modova. Kod uniformnog moda svi
momenti precesiraju zajedno (sa istom fazom i amplitudom).
101
Slika 69: FMR u poliranoj sferi od feromagneta itrijum gvožde granita na
3.33 GHz i 300 K za B0 k[111]. Ukupna širina linije na polovini maksimuma
je samo 0.2 G.
Za sferu Nx = Ny = Nz , tako da je ω0 = γB0 . Veoma oštra rezonantna

linija u ovoj geometriji data je na slici 69. Za ravan sa B0 normalnim na
nju Nx = Ny = 0; Nz = 4π, odakle sledi da je feromagnetska rezonantna
učestanost
(CGS) ω0 = γ(B0 − 4πM ); (SI) ω0 = γ(B0 − µ0 M ). (152)
Ako je B0 paralelno datoj ravni, xz ravni, tada je Nx = Nz = 0; Ny = 4π, i
(CGS) ω0 = γ[B0 (B0 + 4πM )]1/2 ; (SI) ω0 = γ[B0 (B0 + µ0 M )]1/2 .

(153)
102
Eksperimenti odreduju γ, koje je povezano sa spektroskopskim faktorom
cepanja relacijom −γ = gµB /h̄. Vrednosti g za metalni Fe, Co, Ni na sobnoj
temperaturi su 2.10, 2.18 i 2.21, respektivno.
3.5.2 Rezonanca spinskih talasa

Uniformna rf magnetska polja mogu pobuditi dugodometne spinske ta-
lase u tankim feromagnetskim filmovima ako elektronski spinovi na površini
filma vide različita polja anizotropije u odnosu na spinove u unutrašnjosti.
Konkretno, površinski spinovi mogu biti orijentisani površinskim anizotrop-
nim interakcijama, kao na slici 70. Ako je rf polje uniformno, ono može
pobuditi talase sa neparnim brojem polovina talasnih dužina unutar debljine
filma. Talasi sa parnim brojem polovina talasnih dužina ne interaguju sa
poljem.
Uslov za rezonancu spinskih talasa (SWR) sa primenjenim magnet-
skim poljem normalno na film dobija se iz (152) dodavanjem desnoj strani
jednačine izmenski doprinos frekvenciji. Ovaj doprinos može se pisati u ob-
liku Dk 2 , gde je D izmenska konstanta spinskih talasa. Pretpostavka ka 1
validna je za SWR eksperimente. Stoga su u primenjenom polju B0 rezo-
nantne frekvencije spinskih talasa:
(CGS) ω0 = γ(B0 − 4πM ) + Dk 2 = γ(B0 − 4πM ) + D(nπ/L)2 , (154)
gde je talasni vektor za mod sa n polovina talasnih dužina u filmu debljine

L dat sa k = nπ/L. Eksperimentalan spektar prikazan je na slici 71.
3.6 Antiferomagnetska rezonanca

Razmatramo uniaksijalan antiferomagnet sa spinovima u dve podrešetke,
1 i 2. Pretpostavljamo da je magnetizacija M1 podrešetke 1 usmerena duž
±z ose usled polja anizotropije BA ẑ; polje anizotropije (Glava 12) rezultuje
iz gustine energije anizotropije UK (θ1 ) = K sin2 θ1 . Ovde je θ1 ugao izmedu
M1 i z ose, odakle je BA = 2K/M , sa M = |M1 | = |M2 |. Magnetizacija M2
usmerena je duž −z ose usled polja anizotropije −BA ẑ. Ako je +z pravac
lake magnetizacije, onda je to i −z. Ako je jedna podrešetka usmerena duž
+z, onda će druga biti usmerena duž −z.
Izmenska interakcija izmedu M1 i M2 tretira se u aproksimaciji srednjeg
polja. Izmenska polja su
103
Slika 70: Rezonanca spinskih talasa u tankom filmu. Ravan filma normalna
je na primenjeno magnetsko polje B0 . Poprečni presek filma dat je na slici.
Unutrašnje magnetsko polje je B0 = −4πM . Spinovi na površini filma su po
pretpostavci fiksnog pravca, na osnovu površinskih anizotropnih sila. Uni-
formno rf polje pobudiće spinske talasne modove sa neparnim brojem polov-
ina talasnih dužina. Prikazan je talas sa n = 3.
104
Slika 71: Spektar rezonance spinskih talasa u Permalloy (80Ni20Fe) filmu na
9 GHz. Red broja je broj polovina talasnih dužina sadržan u debljini filma.
B1 (ex) = −λM2 ; B2 (ex) = −λM1 , (155)

gde je λ pozitivno. Ovde je B1 polje koje deluje na spinove podrešetke 1,
a B2 deluje na podrešetku 2. U odsustvu spoljašnjeg magnetskog polja,
ukupno polje koje deluje na M1 je B1 = −λM2 + BA ẑ; ukupno polje na M2
je B2 = −λM1 − BA ẑ, kao na slici 72.
U onome što sledi postavljamo M1z = M ; M2z = −M . Linearizovane
jednačine kretanja su
105
Slika 72: Efektivna polja u antiferomagnetskoj rezonanci. Magnetizacija M1
podrešetke 1 vidi polje −λM2 + BA ẑ; magnetizacija M2 vidi polje −λM1 −
BA ẑ. Oba kraja kristalnih osa su ”lake ose” magnetizacije.
dM1x /dt = γ[M1y (λM + BA ) − M (−λM2y )];

dM1y /dt = γ[M (−λM2x ) − M1x (λM + BA )]; (156)
dM2x /dt = γ[M2y (−λM − BA ) − (−M )(−λM1y )];
dM2y /dt = γ[(−M )(−λM1x ) − M2x (−λM − BA )]. (157)
Definišemo M1+ = M1x + iM1y ; M2+ = M2x + iM2y . Tada poslednji set
jednačina postaje, za vremensku zavisnost e−iωt ,
−iωM1+ = −iγ[M1+ (BA + λM ) + M2+ (λM )];

−iωM2+ = iγ[M2+ (BA + λM ) + M1+ (λM )].
Ove jednačine imaju rešenje ako, uz izmensko polje BE = λM , važi

γ(BA + BE ) − ω γBE
= 0.
γBE γ(BA + BE ) + ω
106
Slika 73: Hemijska i magnetska struktura MnF2 . Strelice ukazuju na smer i
uredenje magnetskih momenata koji pripadaju jonima mangana.
Stoga je antiferomagnetska rezonantna učestanost data sa
ω02 = γ 2 BA (BA + 2BE ). (158)

MnF2 je široko proučavan antiferomagnet. Njegova struktura prikazana
je na slici 73. Izmerena promena ω0 sa temperaturom data je na slici 74.
Pažljive procene dao je Keffer za BA i BE za MnF2 . On je procenio BE = 540
kG i BA = 8.8 kG na 0K, odakle sledi (2BA BE )1/2 = 100 kG. Izmerena
vrednost je 93 kG.
Ričards je dao AFMR frekvencije ekstrapolirane do 0 K za neka jedinjenja,
što je prikazano na slici 75.
3.7 Elektronska paramagnetska rezonanca

3.7.1 Izmensko suženje
Posmatramo paramagnet sa izmenskom interakcijom J izmedu susednih
elektronskih spinova. Temperatura je po pretpostavci daleko iznad kritične
temperature uredenja spinova Tc . Pod ovim uslovima širina spinske rezo-
nantne linije obično je mnogo manja od očekivane za dipol-dipol interak-
ciju. Ovaj efekat naziva se izmensko suženje: postoji bliska analogija sa
107
Slika 74: Antiferomagnetska rezonantna učestanost za MnF2 u funkciji tem-
perature.
Slika 75: Antiferomagnetska rezonantna učestanost za neka jedinjenja na 0

K.
108
suženjem usled kretanja. Izmensku učestanost ωex ≈ J/h̄ tumačimo kao
frekvenciju skakanja 1/τ . Tada, generalizacijom rezultata za suženje usled
kretanja (138) imamo za širinu ovako sužene linije:
∆ω ≈ (∆ω)20 /ωex , (159)

gde je (∆ω)20 = γ 2 hBi2 i kvadrat statičke dipolarne širine u odsustvu izmenske
interakcije.
Koristan i upadljiv primer ovog efekta je paramagnetski organski kristal
poznat kao g marker ili DPPH, difenil-pikril-hidrazil, često korišćen za kali-
braciju magnetskog polja. Ovaj slobodni radikal ima 1.35 G široku rezo-
nantnu liniju na polovini maksimuma snage, što je samo nekoliko procenata
od širine linije koja potiče od čistog dipola.
3.7.2 Cepanje pri nultom polju

Brojni paramagnetski joni imaju cepanja svojih energetskih nivoa u mag-
netskom osnovnom stanju usled kristalnih polja u opsegu 1010 −1011 Hz, kon-
vencionalno dostižnih mikrotalasnim tehnikama. Mn2+ jon proučavan je u
mnogim kristalima kao aditivna primesa. Uočeno je cepanje osnovnog stanja
u opsegu 107 − 109 Hz, u skladu sa okruženjem.
3.8 Princip rada masera

Kristali se mogu koristiti kao pojačavači svetlosnih i mikrotalasa i kao
izvori koherentnog zračenja. Maser pojačava mikrotalase stimulisanom emisi-
jom zračenja; laser pojačava vidljivu svetlost po istom principu. Ovaj
metod, koji je ustanovio Townes, može se objasniti na osnovu dvonivoskog
magnetskog sistema sa slike 76 relevantnog za masere. Postoji nu atoma u
višem i nl atoma u nižem stanju. Uvodimo sistem u zračenje na frekvenciji
ω; amplituda magnetske komponente polja zračenja je Brf . Verovatnoća po
atomu u jedinici vremena da se dogodi prelaz izmedu višeg i nižeg stanja je
2
µBrf 1
P = ; (160)
h̄ ∆ω
ovde je µ magnetski moment, a ∆ω je kombinovana širina dva nivoa. Posled-
nja jednačina sledi iz standardnog rezultata kvantne mehanike, poznatog kao
Fermijevo zlatno pravilo.
109
Ukupna energija emitovana sa atoma u višem i nižem energetskom stanju
je
2
µBrf 1
P = · h̄ω · (nu − nl ), (161)
h̄ ∆ω
u jedinici vremena. Ovde P označava izlaznu snagu; h̄ω je energija po fotonu,
a nu − ni je višak atoma nu koji su u početnom trenutku mogli da emituju
foton u odnosu na broj atoma nl koji su mogli da ga apsorbuju.
U toplotnoj ravnoteži nu < nl , pa nema ukupne emisije zračenja, ali
u neravnotežnom stanju sa nu > nl postojaće emisija. Ako počnemo sa
nu > nl i reflektujemo emitovano zračenje nazad u sistem, povećaćemo Brf
i tako stimulisati veću učestalost emisije. Pojačana stimulacija nastavlja se
sve dok populacija u višem stanju ne opadne i izjednači se sa populacijom u
nižem stanju.
Možemo povećati intenzitet polja zračenja postavljanjem kristala u elek-
tromagnetni kavez. To stvara efekat višestruke refleksije od zidova kaveza.
Postojaće neki gubitak snage na zidovima: brzina gubitaka snage je
Brf V ω Brf ω
(CGS) PL = · ; (SI) PL = · , (162)
8π Q 2µ0 Q
gde je V zapremina a Q je Q-faktor kaveza. Brf tumačimo kao magnetno
polje usrednjeno po zapremini.
Uslov za rad masera je da emitovana snaga P bude veća od gubitaka
snage PL . Obe veličine uključuju Brf2 . Uslov za rad masera može se sada
izraziti preko viška naseljenosti u višem stanju:
V ∆B V ∆B
(CGS) nu − nl > , (SI) nu − nl > , (163)
8πµQ 2µ0 µQ
gde je µ magnetski moment. Širina linije ∆B definisana je preko kombinovane
širine linije ∆ω višeg i nižeg stanja kao µ∆B = h̄∆ω. Centralni problem
masera ili lasera je dobijanje odgovarajućeg viška naseljenosti u višem stanju.
Ovo se u raznim uredajima postiže na različite načine.
3.8.1 Tronivoski maser

Tronivoski maser sistem (slika 77) je pametno rešenje za problem nasel-
jenosti nivoa. Ovakav sistem energetske nivoe može formirati od magnetskih
110
Slika 76: Dvonivoski sistem, služi za objašnjenje rada masera. Naseljenosti
višeg i nižeg stanja su nu i nl , respektivno. Frekvencija emitovanog zračenja
je ω; kombinovana širina stanja je ∆ω = ∆ωu + ∆ωl .
jona u kristalu, kao što je Bloembergen pokazao. Rf snaga se primenjuje na

frekvenciji pumpanja h̄ωp = E3 − E1 i dovoljnog je intenziteta da drži nasel-
jenost nivoa 3 skoro jednaku naseljenosti nivoa 1. Ovo se naziva zasićenje
- vidi Problem 6. Posmatrajmo sada brzinu promene naseljenosti nivoa 2
n2 usled procesa termalne relaksacije. Preko naznačenih učestalosti prelaza
dobijamo,
dn2 /dt = −n2 P (211) − n2 P (213) + n3 P (312) + n1 P (112). (164)
U stacionarnom stanju dn2 /dt = 0, i na osnovu osobine zasićenja rf snage

imamo n3 = n1 , odakle sledi
n2 P (312) + P (112)
= . (165)
n1 P (211) + P (213)
Učestalosti prelaza uzrokovane su mnogim detaljima paramagnetskog jona
i njegovog okruženja, ali ovaj model vrlo solidno funkcioniše, jer ako je
n2 > n1 imamo rad masera izmedu nivoa 2 i 1, a ako je n2 < n1 = n3 ,
imamo rad masera izmedu nivoa 3 i 2. Energetski nivoi Er3+ jona koriste
se u komunikacionim pojačavačima na bazi optičkih vlakana. Jon se optički
pumpa sa nivoa 1 na nivo 3; postoji brz neradijativan raspad sa nivoa 3 na
nivo 2. Signal talasne dužine 1.55 µm se pojačava stimulisanom emisijom od
111
Slika 77: Tronivoski maser sistem. Prikazana su dva moguća načina rada,
počevši od rf zasićenja u stanjima 3 i 1 i dostizanja n3 = n1 .
nivoa 2 na nivo 1. Talasna dužina je povoljna za dugodometno prostiranje u

optičkom vlaknu. Propusni opseg je reda 4 × 1012 Hz.
3.8.2 Laseri
Isti kristal, rubin, korišćen u mikrotalasnim maserima, bio je takode prvi
kristal koji je ispoljio rad masera u vidljivom delu spektra, ali su u rad
uključeni drugačiji energetski nivoi Cr3+ (slika 78). Oko 15,000 cm−1 iznad
osnovnog stanja postoji par stanja, označenih sa 2 E, razdvojenih za 29 cm−1 .
Iznad 2 E leže dve široke zone stanja, označene sa 4 F1 i 4 F2 . Zbog širine ovih
zona one se efikasno mogu popuniti optičkom apsorpcijom iz širokopojasnih
svetlosnih izvora kao što su ksenonske blic lampe.
U radu rubinskog lasera obe široke 4 F zone su naseljene širokopojasnom
svetlošću. Atomi pobudeni na taj način opadaće za vreme od 10−7 sec neradi-
jativnim procesima, sa emisijom fonona, u stanja 2 E. Emisija fotona iz nižeg
od stanja 2 E u osnovno stanje dešava se sporo, za oko 5 × 10−3 sec, tako da
velika pobudena populacija može da se nagomila u 2 E. Za rad lasera ova
populacija mora premašiti naseljenost u osnovnom stanju.
Energija u rubinu je oko 108 erg cm−3 ako postoji 1020 Cr3+ jona po cm3 u
pobudenom stanju. Rubinski laser može emitovati svetlost vrlo velike snage
ako se sva ova energija izrači u kratkom izlivu. Ukupna efikasnost konverzije
rubinskog lasera od ulazne električne energije do izlazne laserske snage je oko
jednog procenta. Drugi popularan laser na bazi čvrstog stanja je laser od
112
Slika 78: Dijagram energetskih nivoa Cr3+ u rubinu, koji se koristi za rad
lasera. Početna ekscitacija vrši se prema širokim zonama; one se raspadaju
na medunivoe emsijom fonona, a medunivoi izračuju fotone putem prelaska
jona u osnovno stanje.
neodimijumskog stakla, načinjen od kalcijum-volfram stakla dopiranog Nd3+

jonima. On radi kao četvoronivoski sistem (slika 79). Ovde nije neophodno
isprazniti osnovno stanje pre nego što može početi dejstvo lasera.
3.9 Kratak pregled

* Rezonantna učestanost slobodnog spina je ω0 = γB0 , gde je γ = µ/h̄I
magnetožiroskopski odnos.
* Blohove jednačine su
dMx /dt = γ(M × B)x − Mx /T2 ;

dMy /dt = γ(M × B)y − My /T2 ;
dMz /dt = γ(M × B)z + (M0 − Mz )/T1 .
* Poluširina rezonance na polovini maksimalne snage je (∆ω)1/2 = 1/T2 .

* Širina dipolarne linije u krutoj rešetki je (∆B)0 ≈ µ/a3 .
113
Slika 79: Četvoronivoski laserski sistem, kao u laseru od neodimijumskog
stakla.
* Ako su magnetski momenti pokretni, sa karakterističnim vremenom

τ 1/(∆ω)0 , širina linije smanjena je za faktor (∆ω)0 τ . U ovom ograničenju
1/T1 ≈ 1/T2 ≈ (∆ω)20 τ . Sa izmenskim sprezanjem u paramagnetu širina
linije postaje ≈ (∆ω)20 ωex .
* Feromagnetska rezonantna učestanost u elipsoidu sa faktorima demag-
netizacije Nx , Ny , Nz je ω02 = γ 2 [B0 + (Ny − Nz )M ][B0 + (Nx − Nz )M ].
* Antiferomagnetska rezonantna učestanost je ω02 = γ 2 BA (Ba + 2BE ),
u sfernom uzorku pri nultom primenjenom polju. Ovde je BA polje ani-
zotropije, a BE je izmensko polje.
* Uslov za rad masera je nu − nl > V ∆B/8πµQ.
114
4 GLAVA 14: PLAZMONI, POLARITONI I
POLARONI
4.1 Dielektrična funkcija elektronskog gasa
Dielektrična funkcija (ω, K) elektronskog gasa, sa svojom jakom zav-
isnošću od frekvencije i talasnog vektora, ima značajne posledice na fizičke
osobine čvrstih tela. U jednom graničnom slučaju, (ω, 0) opisuje kolektivne
ekscitacije Fermijevog mora - zapreminske i površinske plazmone. U drugom
graničnom slučaju, (0, K) opisuje elektrostatički skrining (prigušenje) usled
elektron-elektron, elektron-fonon i elektron-primesnih interakcija u kristal-
ima.
Koristićemo takode dielektričnu funkciju jonskog kristala za izvodenje
spektra polaritona. Kasnije razmatramo osobine polarona. Ali najpre nas
interesuje elektronski gas u metalima.
Definicije dielektrične funkcije. Dielektrična konstanta iz elektrostatike
definisana je preko električnog polja E i polarizacije P, kao gustina dipolnog
momenta:
(CGS) D = E + 4πP = E; (SI) D = 0 E + P = 0 E. (166)

Ovako definisana, je poznata i kao relativna permitivnost.
Uvodenje vektora dielektričnog pomeraja D motivisano je korisnošću ovog
vektora povezanog sa spoljašnjom gustinom naelektrisanja ρext na isti način
kao što je E povezano sa ukupnom gustinom naelektrisanja ρ = ρext + ρind ,
gde je ρind gustina naelektrisanja indukovana u sistem preko ρext .
Stoga je relacija za divergenciju električnog polja:
(CGS) (SI)
div D = div E = 4πρext div D = div 0 E = ρext (167)
div E = 4πρ = 4π(ρext + ρind ) div E = ρ/0 = (ρext + ρind /0 . (168)
Delovi ove glave biće pisani u CGS jedinicama; da bi se dobili rezultati u
jedinicama SI sistema, treba pisati 1/0 umesto 4π.
Potrebne su nam relacije izmedu Furijeovih komponenata D, E, ρ i elek-
trostatičkog potencijala ϕ. Radi kratkoće zapisa ne ističemo zavisnost od
učestanosti. Definišemo (K) tako da je
115
D(K) = (K)E(K); (169)
tada jednačina (168) postaje
X X
div E = div E(K)eiK·r = 4π ρ(K)eiK·r , (170)
a iz (167) sledi
X X
div D = div (K)E(K)eiK·r = 4π ρext (K)eiK·r . (171)
Svaka od jednačina mora biti zadovoljena član po član; delimo ih medusobno,
čime dobijamo
ρext (K) ρind (K)

(K) = =1− . (172)
ρ(K) ρ(K)
Elektrostatički potencijal ϕext definisan sa −∇ϕext = D zadovoljava Poa-
sonovu jednačinu ∇2 ϕext = −4πρext ; elektrostatički potencijal ϕ definisan
sa −∇ϕ = E zadovoljava ∇2 ϕ = −4πρ. Furijeove komponente potencijala
stoga moraju ispunjavati uslov
ϕext (K) ρext (K)

= = (K), (173)
ϕ(K) ρ(K)
na osnovu jednačine (172). Ovu relaciju koristimo u tretmanu prigušenog
kulonovog potencijala.
4.1.1 Plazma optika

Dugotalasni dielektrični odziv (ω, 0) ili (ω) elektronskog gasa dobija se
iz jednačine kretanja slobodnih elektrona u električnom polju:
d2 x
m = −eE. (174)
dt2
Ako x i E imaju vremensku zavisnost e−iωt , tada je
−ω 2 mx = −eE; x = eE/mω 2 . (175)

Dipolni moment jednog elektrona je −ex = −e2 E/mω 2 , a polarizacija, defin-
isana kao dipolni moment po jedinici zapremine, je
116
ne2
P = −nex = − E, (176)
mω 2
gde je n koncentracija elektrona.
Dielektrična funkcija na frekvenciji ω data je sa
D(ω) P (ω)
(CGS) (ω) = = 1 + 4π ; (177)
E(ω) E(ω)
D(ω) P (ω)
(SI) (ω) = =1+ .
0 E(ω) 0 E(ω)
Dielektrična funkcija slobodnoelektronskog gasa na osnovu poslednje dve
jednačine je:
4πne2 ne2
(CGS) (ω) = 1 − ; (SI) (ω) = 1 − . (178)
mω 2 0 mω 2
Plazma učestanost ωp definisana je relacijom
(CGS) ωp2 = 4πne2 /m; (SI) ωp2 = ne2 /0 m. (179)

Plazma je sredina sa jednakom koncentracijom pozitivnih i negativnih naelek-
trisanja, od kojih je bar jedan tip pokretljiv. U čvrstom telu negativna
naelektrisanja provodnih elektrona uravnotežena su jednakom koncentracijom
pozitivnih naelektrisanja jonskih jezgara. Dielektričnu funkciju (178) pišemo
u obliku
ωp2
(ω) = 1 − 2 , (180)
ω
i ona je skicirana na slici 80.
Ako pozadina jonskog jezgra ima dielektričnu konstantu označenu sa
(∞) koja je suštinski konstantna sve do učestanosti daleko iznad ωp , tada
jednačina (178) postaje
(ω) = (∞) − 4πne2 /mω 2 = (∞)[1 − ω̄p2 /ω 2 ], (181)

gde je ω̄p definisano sa
ω̄p2 = 4πne2 /(∞)m. (182)

Primetimo da je = 0 za ω = ω̄p .
117
Slika 80: Dielektrična funkcija (ω) ili (ω, 0) slobodnoelektronskog gasa u
jedinicama plazma učestanosti ωp . Elektromagnetski talasi prostiru se bez
prigušenja samo kada je pozitivno i realno. Elektromagnetski talasi su
potpuno reflektovani od sredine kada je negativno.
118
4.1.2 Disperziona relacija za elektromagnetske talase
U nemagnetskoj izotropnoj sredini talasna jednačina elektromagnetskih
talasa je
(CGS) ∂ 2 D/∂t2 = c2 ∇2 E; (SI) µ0 ∂ 2 D/∂t2 = ∇2 E. (183)
Tražimo rešenje sa E ∝ e−iωt eiK·r i D = (ω, K)E; tada imamo disperzionu

relaciju za elektromagnetske talase:
(CGS) (ω, K)ω 2 = c2 K 2 ; (SI) (ω, K)0 µ0 ω 2 = K 2 . (184)
Ova jednačina nam je vrlo važna. Posmatrajmo sledeće slučajeve:

* realno i > 0. Za ω realno, K je realno i transverzalni elektromagnetski
talas prostire se sa faznom brzinom c/1/2 .
* realno i < 0. Za ω realno, K je imagnarno i talas je prigušen sa
karakterističnom dužinom 1/|K|.
* kompleksno. Za ω realno, K je kompleksno i talasi su prigušeni u
prostoru.
* = ∞. Ovo znači da sistem ima konačan odziv u odsustvu spoljašnje
sile; stoga polovi (ω, K) definišu frekvencije slobodnih oscilacija sredine.
* = 0. Videćemo da su longitudinalno polarizovani talasi mogući samo
u nulama .
4.1.3 Transverzalni optički modovi u plazmi

Disperziona relacija (184) postaje, sa (181) umesto (ω),
(CGS) (ω)ω 2 = (∞)(ω 2 − ω̄p2 ) = c2 K 2 . (185)

za ω < ω̄p , imamo K 2 < 0, tako da je K imaginarno. Rešenja talasne
jednačine su oblika e−|K|x u frekvencijskom opsegu 0 < ω ≤ ω̄p . Talasi
incidentni u sredinu u ovom opsegu se ne prostiru, već se totalno reflektuju.
Elektronski gas je transparentan kada je ω > ω̄p , jer je ovde dielektrična
funkcija pozitivna realna. Disperziona relacija u ovoj oblasti može se pisati
u obliku
(CGS) ω 2 = ω̄p2 + c2 K 2 /(∞); (186)
119
Slika 81: Disperziona relacija za transverzalne elektromagnetske talase u
plazmi. Grupna brzina ωg = dω/dK je nagib disperzione krive. Iako je
dielektrična funkcija izmedu nula i jedan, grupna brzina je manja od brzine
svetlosti u vakuumu.
ovo opisuje transverzalne elektromagnetske talase u plazmi (slika 81).

Vrednosti plazma učestanosti ωp i talasne dužine u slobodnom prostoru
λp = 2πc/ωp za koncentracije elektrona od interesa date su na slici 82. Talas
će se prostirati ako je njegova prostorna talasna dužina manja od λp , inače
će biti reflektovan.
Transparentnost metala u ultraljubičastoj oblasti. Iz prethodne diskusije
o dielektričnoj funkciji zaključujemo da prosti metali treba da reflektuju svet-
lost u vidljivoj oblasti, a da budu propustljivi na visokim učestanostima.
Poredenje računatih i izmerenih prekidnih talasnih dužina dato je na slici 82.
Refleksija svetlosti sa metala je vrlo slična refleksiji radio talasa sa jonosfere,
jer slobodni elektroni u jonosferi čine dielektričnu konstantu negativnom na
niskim frekvencijama. Eksperimentalni rezultati za InSb sa n = 4 × 1018
cm−3 prikazani su na slici 83, gde je plazma učestanost blizu 0.09 eV.
120
Slika 82: Ultraljubičasto ograničenje transmisije alkalnih metala, u Å.
4.1.4 Longitudinalne plazma oscilacije

Nule dielektrične funkcije odreduju frekvencije longitudinalnih modova
oscilacija. To znači, uslov
(ωL ) = 0 (187)
odreduje longitudinalnu frekvenciju ωL blizu K = 0.
Na osnovu geometrije longitudinalne polarizacije talasa postoji polje de-
polarizacije E = −4πP, koje se razmatra kasnije. Stoga D = E + 4πP = 0
za longitudinalan talas u plazmi, ili opštije u kristalu. U SI jedinicama,
D = 0 E + P = 0.
Za elektronski gas u nuli dielektrične funkcije (180) ima se
(ωL ) = 1 − ωp2 /ωL2 = 0, (188)

odakle sledi ωL = ωp . Stoga postoji slobodan longitudinalni mod oscilovanja
(slika 84) elektronskog gasa na plazma učestanosti opisanoj sa (185) kao
najniža (prekidna) frekvencija transverzalnih elektromagnetskih talasa.
Longitudinalne plazma oscilacije sa K = 0 prikazane su na slici 85 kao
uniformni pomeraj elektronskog gasa u tankoj metalnoj ploči. Elektronski
gas se pomera kao celina u odnosu na pozadinu sačinjenu od pozitivnih jona.
Pomeraj u elektronskog gasa kreira električno polje E = 4πneu koje deluje
na povratnu silu u gasu.
Jednačina kretanja u jediničnoj zapremini elektronskog gasa koncentracije
n je
d2 u
(CGS) nm 2
= −neE = −4πn2 e2 u, (189)
dt
ili
121
Slika 83: Reflektansa indijum antimonida sa n = 4 × 1018 cm−3 .
1/2
d2 u 4πne2

(CGS) + ωp2 u = 0; ωp = . (190)
dt2 m
Ovo je jednačina kretanja jednostavnog harmonijskog oscilatora frekvencije
ωp , tj. na plazma učestanosti. Izraz za ωp identičan je sa (179), koji je
nastao na različit način. U SI jedinicama, pomeraj u kreira električno polje
E = neu/0 , odakle sledi ωp = (ne2 /0 m)1/2 .
Plazma oscilacija sa malim talasnim vektorom ima približno učestanost
ωp . Zavisnost disperzione relacije od talasnog vektora za longitudinalne os-
cilacije u Fermijevom gasu data je sa
ω ≈ ωp (1 + 3k 2 vF2 /10ωp2 + ...), (191)

gde je vF brzina elektrona na Fermijevoj energiji.
4.2 Plazmoni
Plazma oscilacija u metalima je kolektivna longitudinalna ekscitacija gasa
provodnih elektrona. Plazmon je kvant plazma oscilacija; možemo pobu-
diti plazmon prolaskom elektrona kroz tanak metalni film (slike 86 i 87) ili
122
Slika 84: Plazma oscilacija. Strelice ukazuju na smer pomeraja elektrona.
reflektovanjem elektrona ili fotona od filma. Naelektrisanje elektrona spreže

se sa fluktuacijama elektrostatičkog polja u vidu plazma oscilacija. Reflekto-
vani ili transmitovani elektron ispoljiće gubitak energije jednak celobrojnom
umnošku energije plazmona.
Eksperimentalni ekscitacioni spektri za Al i Mg prikazani su na slici 88.
Poredenje izmerenih i računatih vrednosti energija plazmona dato je na
slici 89; dalji podaci mogu se naći u preglednim radovima Raethera i Danielsa.
Ponovimo da ω̄p , definisano relacijom (182) uključuje efekte jonskih jezgara,
korišćenjem (∞).
Jednako je moguće pobuditi kolektivne plazma oscilacije u dielektričnim
filmovima; uključeni su rezultati za nekoliko dielektrika. Računate plazma
energije za Si, Ge i InSb zasnovane su na četiri valentna elektrona po atomu.
U dielektriku plazma oscilacija je fizički ista kao u metalu; ceo gas valentnih
elektrona osciluje napred i nazad u odnosu na jonska jezgra.
4.3 Elektrostatički skrining (prigušenje)

Električno polje pozitivnog naelektrisanja koje se nalazi u elektronskom
gasu opada sa porastom r brže od 1/r, jer elektronski gas teži da okupi
oko sebe, pa samim tim i umanji, pozitivno naelektrisanje. Statički skrin-
ing može se opisati zavisnošću statičke dielektrične funkcije (0, K) od ta-
lasnog vektora. Razmatramo odziv elektrona na primenjeno spoljašnje elek-
trostatičko polje. Počinjemo sa uniformnim gasom elektrona, koncentracije
naelektrisanja −n0 e superponirane na pozadinu od pozitivnog naelektrisanja,
koncentracije n0 e. Neka je pozadina mehanički deformisana, tako da daje si-
nusoidalnu promenu gustine pozitivnog naelektrisanja u x pravcu:
123
Slika 85: Na slici (a) prikazana je tanka ploča ili film metala. Poprečni
presek dat je na slici (b), sa pozitivnim jonskim jezgrima označenim simbolom
+ i elektronskim morem označenim sivom pozadinom. Ploča je električno
neutralna. Na slici (c) negativno naelektrisanje pomereno je naviše uniformno
za malo rastojanje u, koje je uveličano na slici. Kao na slici (d), ovaj pomeraj
uspostavlja površinsku gustinu naelektrisanja −neu na gornjoj površini ploče
i +neu na donjoj površini, gde je n koncentracija elektrona. Električno polje
E = 4πneu proizvedeno je unutar ploče. Ovo polje teži da vrati elektronsko
more u njegovu ravnotežnu poziciju (b). U SI jedinicama, E = neu/0 .
124
Slika 86: Kreiranje plazmona u metalnom filmu neelastičnim rasejanjem elek-
trona. Upadni elektron tipično ima energiju 1 do 10 keV; energija plazmona
može biti reda 10 eV. Ovaj dogadaj prikazan je i u slučaju kada se kreiraju
dva plazmona.
ρ+ (x) = n0 e + ρext (K) sin Kx. (192)

Član ρext sin Kx daje doprinos elektrostatičkom polju koje mi zovemo spoljašnje
polje primenjeno na elektronski gas.
Elektrostatički potencijal ϕ raspodele naelektrisanja dobija se iz Poa-
sonove jednačine ∇2 ϕ = −4πρ, gde je E = −∇ϕ. Za pozitivno naelektrisanje
imamo
ϕ = ϕext (K) sin Kx; ρ = ρext (K) sin Kx. (193)

Poasonova jednačina daje relaciju
K 2 ϕext (K) = 4πρext (K). (194)

Elektronski gas biće deformisan kombinovanim uticajem elektrostatičkog
potencijala ϕext (K) pozitivne raspodele naelektrisanja i, do sada nepozna-
tim, indukovanim elektrostatičkim potencijalom ϕind (K) sin Kx koji potiče
od same deformacije elektronskog gasa. Elektronska gustina naelektrisanja
je
ρ− (x) = −n0 e + ρind (K) sin Kx, (195)
125
Slika 87: Spektrometar sa elektrostatičkim analizatorom za proučavanje eksc-
itacija plazmona elektronima.
gde je ρind (K) amplituda promene gustine naelektrisanja indukovane u elek-

tronskom gasu. Želimo da odredimo ρind (K) u funkciji ρext (K).
Amplituda ukupnog elektrostatičkog potencijala ϕ(K) = ϕext (K)+ϕind (K)
pozitivne i negativne raspodele naelektrisanja povezana je sa promenom
ukupne gustine naelektrisanja ρ(K) = ρext (K)+ρind (K) Poasonovom jednačinom.
Tada, kao u (194),
K 2 ϕ(K) = 4πρ(K). (196)

Da bismo nastavili sa izvodenjem potrebna nam je druga jednačina koja
povezuje koncentraciju elektrona sa elektrostatičkim potencijalom. Ovu vezu
razvijamo u onome što se zove Tomas-Fermijeva aproksimacija. Ona se sas-
toji u pretpostavci da se lokalni unutrašnji hemijski potencijal može definisati
kao funkcija koncentracije elektrona u datoj tački. Sada je ukupan hemijski
potencijal elektronskog gasa konstantan u ravnotežnom stanju, nezavisno od
126
Slika 88: Spektri gubitka energije reflektovane od filmova (a) aluminijuma
i (b) magnezijuma, za početne energije elektrona od 2020 eV. 12 pikova
primećenih kod Al načinjeni su od kombinacija 10.3 i 15.3 eV energetskih
gubitaka, gde 10.3 eV potiče od površinskih plazmona, a pik na 15.3 eV
vodi poreklo od zapreminskih plazmona. Deset pikova u Mg formirani su od
kombinacija 7.1 eV površinskih i 10.6 eV zapreminskih plazmona. Površinski
plazmoni su predmet Problema 1.
pozicije. U oblasti gde nema elektrostatičkog doprinosa hemijskom potenci-

jalu, imamo
h̄2
µ = 0F = (3π 2 n0 )2/3 (197)
2m
na apsolutnoj nuli, u skladu sa rezultatima iz Glave 6. U oblasti gde je
elektrostatički potencijal ϕ(x), ukupan hemijski potencijal (slika 90) je kon-
stantan i jednak
h̄2 h̄2
µ = F (x) − eϕ(x) ≈ [3π 2 n(x)]2/3 − eϕ(x) ≈ [3π 2 n0 ]2/3 , (198)
2m 2m
gde je F (x) lokalna vrednost Fermijeve energije.
Izraz (198) važi za statičke elektrostatičke potencijale koji se sporo men-
jaju u poredenju sa talasnom dužinom elektrona na Fermijevom nivou; konkretno,
aproksimacija je q kF . Na osnovu razvoja F u Tejlorov red, jednačina
(198) može se pisati u obliku
127
Slika 89: Energije zapreminskih plazmona, u eV.
dF
[n(x) − n0 ] ≈ eϕ(x). (199)
dn0
Na osnovu (197), imamo dF /dn0 = 2F /3n0 , odakle je
3 eϕ(x)
n(x) − n0 ≈ n0 . (200)
2 F
Leva strana je indukovani deo koncentracije elektrona; stoga su Furijeove
komponente ove jednačine
ρind (K) = −(3n0 e2 /2F )ϕ(K). (201)

Koristeći (196), ova jednačina postaje
ρind (K) = −(6πn0 e2 /F K 2 )ρ(K). (202)

Na osnovu jednačine (172), imamo
ρind (K)
(0, K) = 1 − = 1 + ks2 /K 2 ; (203)
ρ(K)
odakle, posle sredivanja, dobijamo
128
1/3
ks2 = 6πn0 e2 /F = 4(3/π)1/3 n0 /a0 = 4πe2 D(F ), (204)
gde je a0 Borov radijus a D(F ) je gustina stanja za slobodnoelektronski
gas. Aproksimacija (203) za (0, K) naziva se Tomas-Fermijeva dielektrična
funkcija, a 1/ks je Tomas-Fermijeva dužina skrininga, kao što će se videti
kasnije. Za bakar sa n0 = 8.5 × 1022 cm−3 , ova dužina je 0.55Å.
Izveli smo dva granična izraza za dielektričnu funkciju elektronskog gasa:
ks2 ωp2
(0, K) = 1 + 2 ; (ω, 0) = 1 − 2 . (205)
K ω
Uočavamo da (0, K) kada K → 0 ne teži istoj graničnoj vrednosti kao (ω, 0)
kada ω → 0. Ovo znači da se velika pažnja mora posvetiti dielektričnoj
funkciji blizu koordinatnog početka ω − K ravni. Potpunu teorija za opštu
funkciju (ω, K) dao je Lindhard.
Prigušeni kulonovski potencijal. Posmatramo tačkasto naelektrisanje q
smešteno u moru provodnih elektrona. Poasonova jednačina za neprigušeni
kulonovski potencijal je
∇2 ϕ0 = −4πqδ(r), (206)
i znamo da je ϕ0 = q/r. Napišimo
Z
−3
ϕ0 (r) = (2π) ϕ0 (K)eiK·r dK. (207)
U jednačini (206) zamenjujemo Furijeovu reprezentaciju delta-funkcije

Z
−3
δ(r) = (2π) eiK·r dK, (208)
odakle sledi K 2 ϕ0 (K) = 4πq.

Na osnovu (173),
ϕ0 (K)/ϕ(K) = (K), (209)

gde je ϕ(K) ukupan ili prigušen potencijal. Koristimo (K) u Tomas-Fermijevom
obliku (203), iz čega sledi
4πq
ϕ(K) = . (210)
K2 + ks2
129
Slika 90: U toplotnoj i difuzionoj ravnoteži hemijski potencijal je konstan-
tan; da bi on ostao stalan povećavamo koncentraciju elektrona u oblastima
prostora gde je potencijalna energija mala, i smanjujemo koncentraciju tamo
gde je potencijal veliki.
Prigušeni kulonovski potencijal je transformacija ϕ(K):
Z ∞ Z 1
4πq 2πK 2
ϕ(r) = dK eiKr cos θ d(cos θ)
(2π)3 0 K 2 + ks2 −1
2q ∞ K sin Kr
Z
q −ks r
= dK = e
πr 0 K 2 + ks2 r
kao na slici 91. Parametar prigušenja k definisan je relacijom (204). Ekspo-

nencijalni faktor smanjuje domet kulonovog potencijala. Čist potencijal q/r
dobija se postavljanjem koncentracije elektrona n0 → 0, jer tada ks → 0. U
vakuumskom ograničenju ϕ(K) = 4πq/K 2 .
Jedna primena prigušene interakcije je na otpornost nekih legura. Atomi
niza Cu, Zn, Ga, Ge, As imaju valence 1, 2, 3, 4, 5. Atom Zn, Ga, Ge
ili As koji se supstituciono dodaju metalnom Cu imaju višak naelektrisanja
od 1, 2, 3 ili 4 ako svi valentni elektroni naseljavaju provodnu zonu metala
domaćina. Strani atom rasejava provodne elektrone, sa interakcijom datom
preko prigušenog kulonovog potencijala. Ovo rasejanje doprinosi rezidualnoj
električnoj otpornosti, i Motovi proračuni, koji pokazuju porast otpornosti,
se dobro slažu sa eksperimentom.
Komponenta pseudopotencijala U(0). U legendi 22. slike iz Glave 9
dali smo rezultat koji je važan u teoriji pseudopotencijala: ”Za vrlo malo k
potencijal dostiže vrednost − 32 puta Fermijeva energija.” Ovaj rezultat, koji
130
je poznat i kao limit prigušenog jona za metale, može se izvesti iz jednačine
(210). Kada se prebaci u potencijalnu energiju elektrona sa naelektrisanjem e
u metalu valence z sa n0 jona u jedinici zapremine, komponenta potencijalne
energije u k = 0 postaje
U (0) = −ezn0 ϕ(0) = −4πzn0 e2 /ks2 . (211)

Rezultat (205) za ks2 u ovoj situaciji glasi
ks2 = 6πzn0 e2 /F , (212)

odakle sledi
2
U (0) = − F . (213)
3
4.3.1 Motov prelaz metal-izolator

Kristal sačinjen od jednog atoma vodonika po primitivnoj ćeliji uvek
treba da bude metal, u skladu sa modelom nezavisnog elektrona, jer će
uvek postojati polupopunjena energetska zona unutar koje postoji transport
naelektrisanja. Kristal sa jednim molekulom vodonika po primitivnoj ćeliji
je drugačiji, jer dva elektrona mogu popuniti zonu. Pod izuzetno velikim pri-
tiskom, kao na planeti Jupiteru, moguće je da se vodonik pojavi u metalnom
obliku.
Ali zamislimo rešetku vodonikovih atoma na apsolutnoj nuli: da li će
to biti metal ili izolator? Odgovor zavisi od konstante rešetke, sa malim
vrednostima a to je metal a velike vrednosti označavaju izolator. Mot je dao
prvu procenu kritične vrednosti ac konstante rešetke koja razdvaja metalno
od izolatorskog stanja: ac = 4.5a0 , gde je a0 = h̄2 /me2 radijus prve Borove
orbite vodonikovog atoma.
Po jednom pristupu problemu, počinjemo sa metalnim stanjem gde provodni
elektron vidi prigušenu kulonovu interakciju od svakog protona:
U (r) = −(e2 /r)e−ks r , (214)

1/3
gde je ks2 = 3.939n0 /a0 , kao u (204), gde je n0 koncentracija elektrona. Pri
visokim koncentracijama ks je veliki i potencijal nema vezano stanje, tako da
je u pitanju metal.
131
Slika 91: Poredenje prigušenog i neprigušenog kulonovog potencijala na
statičko jedinično pozitivno naelektrisanje. Dužina prigušenja 1/ks postavl-
jena je na jedinicu. Statička interakcija je uzeta u Tomas-Fermijevoj aproksi-
maciji, koja važi za male talasne vektore q kF . Potpuniji proračuni sa
svim talasnim vektorima ispoljavaju prostorne oscilacije, tzv. Fridelove os-
cilacije.
Poznato je da potencijal ima vezano stanje kada je ks manje od 1.19/a0 .

Sa vezanim stanjem elektroni mogu kondenzovati oko protona, tako da formi-
raju izolator. Nejednakost se može zapisati preko n0 kao
1/3
3.939n0 /a0 < 1.42/a20 . (215)
Sa n0 = 1/a3 za prostu kubičnu rešetku, možemo imati izolator kada je
ac > 2.78a0 , što nije daleko od Motovog rezultata 4.5a0 dobijenog na drugačiji
način.
Termin metal-izolator prelaz treba da označi situacije kada se električna
provodnost materijala menja od metalne do izolatorske, kao funkcija nekih
spoljašnjih parametara, koji mogu biti sastav, pritisak, naprezanje ili mag-
netsko polje. Metalna faza može se obično skicirati pomoću modela nezav-
isnog elektrona; izolatorska faza može ukazivati na važnost elektron-elektron
interakcija. Slučajno popunjeni sajtovi uvode nove i zanimljive aspekte u
problem, koji leže u teoriji perkolacija. Perkolacioni prelaz je izvan domašaja
ove knjige.
Kada se poluprovodnik dopira povećanom koncentracijom donorskih (ili
akceptorskih) atoma, nastaće prelaz u provodnu metalnu fazu. Eksperimen-
132
talni rezultati za atome P u silicijumu dati su na slici 92. Ovde metal-
izolator prelaz ima ulogu kada je koncentracija toliko velika da se talasne
funkcije elektrona sa susednih atoma primesa u osnovnom stanju u velikoj
meri preklapaju.
Izmerena vrednost kritične koncentracije u Si:P leguri je nc = 3.74 × 1018
cm−3 , kao na slici. Ako uzmemo 32 × 10−8 cm kao radijus osnovnog stanja
donora u Si, u sfernoj aproksimaciji, tada je na osnovu Motovog kriterijuma
ac = 1.44 × 10−6 cm. P atomi verovatno slučajno zauzimaju sajtove rešetke,
ali kada bi umesto toga njihova rešetka bila prosta kubična, kritična Motova
koncentracija bila bi
nc = 1/a3c = 0.33 × 1018 cm−3 , (216)

što je značajno manje od izmerene vrednosti. Uobičajeno je u poluprovodničkoj
literaturi da se jako dopiran poluprovodnik u metalnom opsegu označi kao
degenerisan poluprovodnik.
4.3.2 Prigušenje i fononi u metalima

Zanimljiva primena naša dva graniča oblika dielektrične funkcije je na lon-
gitudinalne akustičke modove u metalima. Za longitudinalne modove ukupna
dielektrična funkcija, jona i elektrona, mora biti nula. Ako se obezbedi da
je brzina zvuka manja od Fermijeve brzine elektrona, za elektrone možemo
koristiti Tomas-Fermijevu dielektričnu funkciju
el (ω, K) = 1 + ks2 /K 2 . (217)

Ako se takode zna da su joni razdvojeni i kreću se nezavisno, za njih možemo
koristiti plazmonsko ograničenje (ω, 0) sa približnom masom M .
Ukupna dielektrična funkcija, rešetka plus elektroni, ali bez elektronske
polarizabilnosti jonskih jezgara, je
4πne2 ks2
(ω, K) = 1 − + . (218)
M ω2 K2
Za malo K i ω možemo zanemariti član 1. U nuli (ω, K) imamo, uz F =
1
2
mvF2 ,
4πne2 2 4πne2 F m 2 2
ω2 K = · K 2
= v K , (219)
M ks2 M 6πne2 3M F
133
Slika 92: Šmilogov grafik izmerene ”nulto-temperaturske” provodnosti σ(0)
u funkciji koncentracije donora n za silicijum dopiran fosforom.
ili
ω = vK; v = (m/3M )1/2 vF . (220)

Ovo opisuje dugotalasne longitudinalne akustičke fonone.
Kod alkalnih metala rezultat se dobro slaže sa izmerenom brzinom lon-
gitudinalnih talasa. Za kalijum računamo v = 1.8 × 105 cm s−1 ; izmerena
longitudinalna brzina zvuka na 4 K u [100] pravcu je 2.2 × 105 cm s−1 .
Postoji još jedna nula (ω, K) za pozitivne jone koji se nalaze u elek-
tronskom moru. Na visokim učestanostima koristimo dielektrični doprinos
−ωp2 /ω 2 elektronskog gasa:
134
4πne2 4πne2
(ω, 0) = 1 − − , (221)
M ω2 mω 2
i ova funkcija ima nulu kada je
4πne2 1 1 1
ω2 = ; = + . (222)
mu µ M m
Ovo je elektronska plazma učestanost, ali sa korekcijom redukovane mase za
kretanje pozitivnih jona.
4.4 Polaritoni
Longitudinalni optički fononi i transverzalni optički fononi razmatrani
su u Glavi 4, ali smo odložili tretman interakcije transverzalnih optičkih
fonona sa transverzalnim elektromagnetskim talasima. Kada su dva talasa
u rezonanciji, fonon-foton interakcija potpuno menja karakter prostiranja, i
zabranjena zona se uspostavlja iz razloga što se ništa ne može promeniti u
periodičnosti rešetke(?).
Pod rezonancijom podrazumevamo uslov u kome su frekvencije i talasni
vektori oba talasa približno jednaki. Oblast preseka dve isprekidane krive
na slici 93 je oblast rezonancije; dve isprekidane krive su disperzione relacije
za fotone i transverzalne optičke fonone u odsustvu bilo kakvog njihovog
sprezanja. U stvarnosti, ipak, uvek postoji implicitno sprezanje u Maksvelovim
jednačinama, izraženo dielektričnom funkcijom. Kvant spregnutog fonon-
foton transverzalnog talasnog polja naziva se polariton.
U ovom odeljku videćemo kako je sprezanje odgovorno za disperzione
relacije prikazane kao pune linije na slici. Sve se dešava pri veoma malim
vrednostima talasnog vektora u poredenju sa granicom zone, jer je u tački
preseka ω(photon) = ck(photon) = ω(phonon) ≈ 1013 s−1 ; stoga je k ≈ 300
cm−1 .
Odmah upozorenje: iako će se u teoriji neizostavno pojaviti simbol ωL , ove
efekte ne treba mešati sa longitudinalnim optičkim fononima. Longitudinalni
fononi se ne sprežu sa transverzalnim fotonima u masivnim kristalima.
Sprezanje električnog polja fotona E sa dielektričnom polarizacijom P
TO fonona opisano je jednačinom elektromagnetskih talasa:
(CGS) c2 K 2 E = ω 2 (E + 4πP ). (223)
135
Slika 93: Grafik izmerenih energija i talasnih vektora polaritona i LO fonona
u GaP. Teorijske disperzione krive prikazane su punim linijama. Disperzione
krive za nespregnute fonone i fotone date su isprekidanim linijama.
Pri malim talasnim vektorima TO fonon frekvencije ωT je nezavisan od K.

Polarizacija je proporcionalna pomeraju pozitivnih jona u odnosu na nega-
tivne jone, tako da je jednačina kretanja polarizacije ista kao za oscilator i
može se pisati, uz oznaku P = N qu, kao
−ω 2 P + ωT2 P = (N q 2 /M )E, (224)

gde postoji N jonskih parova sa efektivnim naelektrisanjem q i redukovanom
masom M , po jedinici zapremine. Radi jednostavnosti zanemarujemo elek-
tronski doprinos polarizaciji.
Jednačine (223) i (224) imaju rešenje kada je
2
ω − c2 K 2 4πω 2

N q 2 /M = 0.
ω 2 − ωT2
Ovo daje disperzionu relaciju za polaritone, sličnu onima sa slika 93 i 94. Za
K = 0 postoje dva korena, ω = 0 za foton i
136
ω 2 = ωT2 + 4πN q 2 /M (225)
za polariton. Ovde je ωT učestanost TO fonona u odsustvu sprezanja sa
fotonima.
Dielektrična funkcija dobijena iz (224) je
4πN q 2 /M
(ω) = 1 + 4πP/E = 1 + . (226)
ωT2 − ω 2
Ako postoji optički elektronski doprinos polarizaciji od jonskih jezgara, on
treba da bude uključen. U frekvencijskom opsegu od nule do infracrvene
oblasti, pišemo
4πN q 2 /M
(ω) = (∞) + (227)
ωT2 − ω 2
što se slaže sa definicijom (∞) kao optičke dielektrične konstante, dobijene
kao kvadrat optičkog indeksa prelamanja.
Postavljamo ω = 0, čime dobijamo statičku dielektričnu funkciju:
(0) = (∞) + 4πN q 2 /M ωT2 , (228)

što kombinujemo sa (227) da bismo dobili (ω) izraženo preko dostupnih
parametara:
ωT2
(ω) = (∞) + [(0) − (∞)]
ωT2 − ω 2
ili
ω 2 (0) − ω 2 (∞) ωL2 − ω 2

(ω) = T = (∞) . (229)
ωT2 − ω 2 ωT2 − ω 2
Nula funkcije (ω) definiše učestanost longitudinalnih optičkih fonona ωL ,
kao što pol (ω) definiše ωT . Nula daje
(∞)ωL2 = (0)ωT2 . (230)

Talasi se ne prostiru u frekvencijskoj oblasti gde je (ω) negativno, izmedu
njenog pola u ω = ωT i nule u ω = ωL , kao na slici 95 i 96. Za negativno
, talasi se ne prostiru jer je tada K imaginarno za realno ω, i eiKx →
e−|K|x , što je prigušeno u prostoru. Nula funkcije (ω), po našem ranijem
137
Slika 94: Spregnuti modovi fotona i transverzalnih optičkih fonona u jon-
skom kristalu. Fina horizontalna linija predstavlja oscilatore sa frekvenci-
jom ωT u odsustvupsprezanja sa elektromagnetskim poljem, a fina linija sa
oznakom ω = ck/ (∞) odgovara elektromagnetskim talasima u kristalu,
ali nespregnutim sa oscilatorima rešetke ωT . Deblele linije su disperzione
relacije u prisustvu sprezanja izmedu oscilatora rešetke i elektromagnetnog
talasa. Jedan efekat sprezanja je kreiranje frekvencijskog procepa izmedu ωL
i ωT ; u ovom procepu talasni vektor je čisto imaginaran i amplitude date
isprekidanom linijom na slici. U procepu talas slabi kao e−|K|x , i sa grafika
vidimo da je ovo slabljenje mnogo jače blizu ωT nego u okolini ωL . Karakter
grana menja se sa K; postoji oblast mešanih elektro-mehaničkih aspekata
blizu nominalnog preseka. Zapazimo, konačno, da je intuitivno očigledno da
je grupna brzina svetlosti u sredini uvek < c, jer je nagib ∂ω/∂K za stvarne
disperzione relacije (debele linije) svuda manji od nagiba c za nespregnuti
foton u slobodnom prostoru.
138
Slika 95: Grafik (ω) iz relacije (229) za (∞) = 2 i (0) = 3. Dielektrična
konstanta je negativna izmedu ω = ωT i ωL = (3/2)1/2 ωT , tj. izmedu pola
funkcije (ω) i njene nule. Incidentni elektromagnetni talasi sa frekvencijama
u osenčenim oblastima ωT < ω < ωL neće se prostirati u sredini, već će se
reflektovati na granici.
dokazu, je LO frekvencija na niskom K, slika 97. Kao i sa plazma učestanošću

ωp , frekvencija ωL ima dva značenja, jedno kao LO učestanost na niskom
K i drugo kao gornja granična učestanost zabranjene zone za prostiranje
elektromagnetnog talasa. Vrednost ωL je identična za oba značenja.
4.4.1 LST relacija

Pišemo jednačinu (230) kao
139
Slika 96: Dielektrična funkcija (realni deo) SrF2 merena u širokom
frekvencijskom opsegu pokazuje opadanje jonske polarizabilnosti na visokim
učestanostima.
ωL2 (0)
2
= , (231)
ωT (∞)
gde je (0) statička dielektrična konstanta a (∞) je visokofrekvencijski limit
dielektrične funkcije, definisan tako da uključi doprinos od unutrašnjih elek-
trona. Ovaj rezultat je Lidejn-Sahs-Telerova relacija. Izvodenje pretpostavlja
kubični kristal sa dva atoma po primitivnoj ćeliji. Za meke modove sa ωT → 0
vidimo da je (0) → ∞, što je karakteristika feroelektrika.
Neprigušeni elektromagnetski talasi sa frekvencijama unutar procepa ne
mogu se prostirati u debelom kristalu. Refleksivnost kristalne površine treba
da bude velika u ovoj frekvencijskoj oblasti, kao na slici 98.
Za filmove debljine manje od talasne dužine situacija se menja. Pošto za
frekvencije u procepu talas slabi kao e−|K|x , moguće je da se zračenje trans-
mituje kroz film za male vrednosti |K| blizu ωL , ali za velike vrednosti |K|
blizu ωT talas će biti reflektovan. Refleksijom u nenormalnoj incidenciji može
da se meri frekvencija ωL longitudinalnih optičkih fonona, kao na slici 99.
Eksperimentalne vrednosti (0), (∞) i ωT date su na slici 100, sa vrednos-
140
Slika 97: Relativni pomeraji pozitivnih i negativnih jona u jednom trenutku
vremena za talas u optičkom modu koji putuje duž z ose. Ravni čvorova
(nulti pomeraj) su date na slici; za dugotalasne fonone nodalne ravni su
razdvojene mnogim ravnima atoma. U transverzalnom optičkom fononskom
modu pomeraj čestice je normalan na talasni vektor K; makroskopsko elek-
trično polje u beskonačnoj sredini ležaće samo u ±x pravcu za prikazan mod,
i na osnovu simetrije problema ∂Ex /∂x = 0. Sledi div E = 0 za TO fonon.
U longitudinalnom optičkom fononskom modu pomeraji čestice, pa samim
tim i polarizacija P, paralelni su talasnom vektoru. Makroskopsko električno
polje zadovoljava D = E + 4πP = 0 u CGS, ili 0 E + P = 0 u SI jedini-
cama; na osnovu simetrije E i P paralelni su z osi, i ∂Ez /∂z 6= 0. Stoga je
div E 6= 0 za LO fonon, a (ω)div E je nula samo ako je (ω) = 0.
tima ωL sračunatim na osnovu LST relacije. Poredimo vrednosti ωL /ωT do-

bijene na osnovu neelastičnog rasejanja neutrona sa eksperimentalnim vred-
nostima [((0)/(∞))]1/2 dobijenim dielektričnim merenjima (slika 101). Sla-
ganje sa LST relacijom je odlično.
4.5 Elektron-elektron interakcija

4.5.1 Fermijeva tečnost
Usled medusobne interakcije provodnih elektrona, kroz njihovu elektro-
statičku interakciju, elektroni doživljavaju sudare. Dalje, pokretni elektron
uzrokuje inercijalnu reakciju u okolnom elektronskom gasu, povećavajući
141
Slika 98: Reflektansa kristala NaCl na nekoliko temperatura u funkciji talasne
dužine. Nominalne vrednosti ωL i ωT na sobnoj temperaturi odgovaraju
talasnim dužinama 38 i 61 ×10−4 cm, respektivno.
tako efektivnu masu elektrona. Efekti elektron-elektron interakcija obično su

opisani u okviru Landauove teorije Fermijeve tečnosti. Predmet ove teorije
je da pruži jedinstven prikaz efekta ovih interakcija. Fermijev gas je sistem
neinteragujućih fermiona; isti sistem sa interakcijama je Fermijeva tečnost.
Landauova teorija daje dobro objašnjenje niskoenergetskih jednočestičnih
ekscitacija sistema interagujućih elektrona. Ove jednočestične ekscitacije
nazivaju se kvazičestice; one imaju jedan-na-jedan poklapanje sa jednočestičnim
ekscitacijama slobodnoelektronskog gasa. Kvazičestica može biti shvaćena
kao jedna čestica praćena iskrivljenim oblakom elektronskog gasa. Jedan
efekat kulonove interakcije izmedu elektrona je promena efektivne mase elek-
trona; kod alkalnih metala porast je otprilike reda 25 procenata.
Elektron-elektron sudari. Zadivljujuća osobina metala jeste da provodni
elektroni, iako sabijeni na rastojanje od samo 2Å, putuju na dugim ras-
tojanjima izmedu medusobnih sudara. Srednje dužine slobodnog puta za
142
Slika 99: Reflektansa u funkciji talasne dužine za LiF film zaštićen srebrom,
za incidentno zračenje blizu 300 . Longitudinalni optički fonon jako apsor-
buje zračenje polarizovano (p) u ravni normalnoj na film, ali slabo apsorbuje
zračenje polarizovano (s) paralelno filmu.
elektron-elektron sudare su veće od 104 Å na sobnoj temperaturi i veće od 10

cm na 1K.
Dva faktora su odgovorna za ove velike dužine srednjeg slobodnog puta,
bez kojih bi slobodnoelektronski model u metalima imao malu upotrebnu
vrednost. Najvažniji razlog je princip isključenja (slika 102), a drugi razlog
je skrining (prigušenje) kulonove interakcije izmedu dva elektrona.
Pokazujemo kako princip isključenja smanjuje frekvenciju sudara elek-
trona koji ima malu ekscitacionu energiju 1 izvan popunjene Fermijeve sfere
(slika 103). Procenjujemo efekat principa isključenja na sudare dva tela
1 + 2 → 3 + 4 izmedu elektrona u pobudenoj orbitali 1 i elektrona u pop-
unjenoj orbitali 2 u Fermijevom moru. Pogodno je sve ove energije tretirati
143
Slika 100: Parametri rešetke, uglavnom na 300 K.
Slika 101: Eksperimentalne vrednosti parametara dielektrične funkcije za

neka jedinjenja dobijene dielektričnim merenjima.
144
Slika 102: Sudar izmedu dva elektrona sa talasnim vektorima k1 i k2 . Posle
sudara čestice imaju talasne vektore k3 i k4 . Paulijev princip isključenja
dozvoljava sudare iz kojih rezultuju finalna stanja k3 , k4 koja su bila prazna
pre sudara.
u odnosu na Fermijev nivo µ, za koji smatramo da je nivo nulte energije;

stoga će 1 biti pozitivno, a 2 će biti negativno. Zbog principa isključenja
orbitale 3 i 4 elektrona posle sudara moraju ležati izvan Fermijeve sfere, jer
su sve orbitale unutar sfere već zauzete; stoga obe energije 3 , 4 moraju biti
pozitivne u odnosu na nulti nivo na Fermijevoj sferi.
Održanje energije zahteva da je |2 | < 1 , jer inače 3 + 4 = 1 + 2 ne
bi bilo pozitivno. Ovo znači da su sudari mogući samo ako orbitala 2 leži
unutar ljuske debljine 1 u Fermijevoj površini, kao na slici 103a. Stoga deo ≈
1 /F elektrona u popunjenim orbitalama obezbeduje odgovarajuću ”metu”
za elektron 2. Ali čak iako je elektron 2 u odgovarajućoj energetskoj ljusci,
samo mali deo finalnih orbitala kompatibilnih sa zahtevom održanja energije
i impulsa su dozvoljeni principom isključenja. Ovo daje drugo deljenje 1 /F .
Na slici 103c prikazana je mala sfera na kojoj svi parovi orbitala 3, 4
na suprotnim krajevima prečnika zadovoljavaju zakone održanja, ali sudari
mogu nastati samo ako obe orbitale 3, 4 leže izvan Fermijevog mora. Proizvod
dva deljenja je (1 /F )2 . Ako 1 odgovara 1 K, a F odgovara 5 × 104 K,
imamo (1 /F )2 ≈ 4 × 10−10 , što je faktor za koji princip isključenja sman-
juje učestalost sudara.
Dokaz se ne menja ako je termalna raspodela elektrona na niskoj temper-
aturi takva da je kB T F . Zamenjujemo 1 toplotnom energijom ≈ kB T , i
sada je učestalost sa kojom se dogadaju medusobni sudari elektrona smanjena
145
ispod klasične vrednosti za faktor (kB T /F )2 , tako da je efektivni poprečni
presek sudara σ dat sa
σ ≈ (kB T /F )2 σ0 , (232)

gde je σ0 poprečni presek za elektron-elektron interakciju.
Interakcija jednog elektrona sa drugim ima domet reda dužine prigušenja
1/ks , relacija (204). Numerički proračuni daju efektivni poprečni presek sa
2
prigušenjem za sudare izmedu elektrona, reda 10−15 cm2 ili 10Å u tipičnim
metalima. Efekat pozadine u vidu elektronskog gasa na ove sudare je sman-
jivanje σ0 ispod vrednosti očekivane na osnovu Raderfordove jednačine rase-
janja za neprigušeni kulonovski potencijal. Ipak, mnogo veće smanjenje
poprečnog preseka uzrokovano je Paulijevim faktorom (kB T /F )2 .
Na sobnoj temperaturi u tipičnom metalu kB T /F je ∼ 10−2 , tako da je
σ ∼ 10−4 σ0 ∼ 10−19 cm2 . Srednji slobodni put za elektron-elektron sudare
je l ≈ 1/nσ ∼ 10−4 cm na sobnoj temperaturi. Ovo je veće od srednjeg slo-
bodnog puta usled elektron-fonon sudara barem 10 puta, tako da su na sobnoj
temperaturi sudari sa fononima dominantni. Na temperaturama tečnog heli-
juma primećen je doprinos proporcionalan sa T 2 u otpornosti brojnih metala,
što je konzistentno sa oblikom poprečnog preseka elektron-elektron rasejanja
(232). Srednji slobodni put elektrona u indijumu na 2K je reda 30 cm, što
je očekivano na osnovu (232). Stoga Paulijev princip objašnjava jedno od
centralnih pitanja u teoriji metala: kako elektroni prelaze velika rastojanja
bez medusobnog sudaranja?
4.6 Elektron-fonon interakcija: polaroni

Najčešći efekat elektron-fonon interakcije uočava se u temperaturskoj za-
visnosti električnog otpora, koji je za čist bakar 1.55 µΩ-cm na 00 C i 2.28
µΩ-cm na 1000 C. Elektroni su rasejani na fononima, i što je viša temperatura,
ima više fonona i stoga je rasejanje jače. Iznad Debye-jeve temperature broj
termalnih fotona je otprilike proporcionalan apsolutnoj temperaturi, i vidimo
da otpornost raste približno kao i temperatura kod svakog relativno čistog
metala u ovoj temperaturskoj oblasti.
Suptilniji efekat elektron-fonon interakcije je očigledan porast mase elek-
trona koji nastaje jer elektron povlači teška jonska jezgra za sobom. U izo-
latoru kombinacija elektrona i njegovog polja naprezanja poznata je kao po-
laron, slika 104. Efekat je veliki u jonskim kristalima zbog jake kulonove
146
Slika 103: Na slici (a) elektroni u početnim orbitalama 1 i 2 se sudaraju.
Ako su orbitale 3 i 4 na početku prazne, elektroni 1 i 2 mogu zauzeti orbitale
3 i 4 nakon sudara. Važe zakoni održanja energije i impulsa. Na slici (b)
elektroni u početnim orbitalama 1 i 2 nemaju prazne finalne orbitale koje
omogućavaju održanje energije u procesu sudara. Orbitale kao što su 3 i 4
čuvale bi energiju i impuls, ali su već popunjene drugim elektronima. Na slici
(c) sa × smo označili talasni vektor centra mase 1 i 2. Svi parovi orbitala 3
i 4 čuvaju impuls i energiju ako leže na suprotnim krajevima prečnika male
sfere. Mala sfera nacrtana je iz centra mase tako da prolazi kroz 1 i 2. Ali nisu
svi parovi tačaka 3,4 dozvoljeni principom isključenja, jer obe tačke moraju
ležati izvan Fermijeve sfere; dozvoljeni deo je ≈ 1 /F .
147
interakcije izmedu jona i elektrona. U kovalentnim kristalima ovaj efekat je
slab, pošto neutralni atomi slabo interaguju sa elektronima.
Jačina elektron-rešetka interakcije meri se bezdimenzionalnom konstan-
tom sprezanja α, koja je data sa
1 energija deformacije
α= , (233)
2 h̄ωL
gde je ωL frekvencija longitudinalnih optičkih fonona blizu nultog talasnog
vektora. Vidimo 21 α kao ”broj fonona koji okružuju sporo pokretan elektron
u kristalu.”
Vrednosti α izvedene iz različitih eksperimenata i teorije date su na slici 105.
Vrednosti α su velike u jonskim kristalima a male u kovalentnim. Vrednosti
efektivne mase m∗pol polarona dobijene su eksperimentima ciklotronske rezo-
nance. Vrednosti date za zonsku efektivnu masu m∗ računate su na osnovu
m∗pol . Poslednji red u tabeli daje faktor m∗pol /m∗ za koji je povećana zonska
masa usled deformacije rešetke.
Teorija povezuje efektivnu masu polarona m∗pol sa efektivnom zonskom
masom m∗ elektrona u nedeformisanoj rešetki, sledećom relacijom
1 − 0.0008α2

∗ ∗
mpol ≈ m ; (234)
1 − 16 α + 0.0034α2
za α 1 ovo je približno m∗ (1 + 61 α). Pošto je konstanta sprezanja α uvek
pozitivna, masa polarona je veća od obične mase, kao što se i očekuje na
osnovu inercije jona.
Često se govori o velikim i malim polaronima. Elektron pridružen velikom
polaronu kreće se u zoni, ali mu je masa blago povećana; to su polaroni koje
smo u dosadašnjem tekstu razmatrali. Elektron pridružen malom polaronu
provodi najveći deo svog vremena zarobljen na jednom jonu. Na visokim
temperaturama elektron se kreće od sajta do sajta termalno aktiviranim
skakanjem; na niskim temperaturama elektron sporo tuneluje kroz kristal,
kao kada bi bio u zoni sa velikom efektivnom masom.
Šupljine ili elektroni mogu postati samozarobljeni uvodenjem asimetrične
lokalne deformacije u rešetku. Ovo je najverovatnije da se dogodi kada je
ivica zone degenerisana i kristal je polaran (kao u alkalnim ili srebrnim ha-
lidima), sa jakim sprezanjem čestice sa rešetkom. Ivica valentne zone je
mnogo češće degenerisana od ivice provodne zone, tako da je verovatnije da
dode do samozarobljavanja šupljina. Šupljine se samozarobljavaju u svim
alkalnim i srebro halidima.
148
Slika 104: Formiranje polarona. (a) Provodni elektron je prikazan u kru-
toj rešetki jonskog kristala KCl. Prikazane su sile na jone susedne elek-
tronu. (b) Elektron je prikazan u elastičnoj ili deformabilnoj rešetki. Elek-
tron plus pridruženo polje naprezanja naziva se polaron. Pomeraj jona
povećava efektivnu inerciju i stoga efektivnu masu elektrona; u KCl masa
je povećana za faktor 2.5 u odnosu na masu koja sledi iz zonske teorije za
krutu rešetku. U ekstremnim slučajevima, često sa šupljinama, čestica može
postati samozarobljena (lokalizovana) u rešetki. U kovalentnim kristalima
sile na atome od elektrona su slabije nego u jonskim kristalima, tako da su
polaronske deformacije kod takvih kristala male.
149
Slika 105: Konstante sprezanja polarona α, mase m∗pol i zonske mase m∗ za
elektrone u provodnoj zoni.
Jonska čvrsta tela na sobnoj temperaturi generalno imaju veoma male

provodnosti za kretanje jona kroz kristal, manje od 10−6 (Ω-cm)−1 , ali je
proučena familija jedinjenja sa provodnostima od 0.2 (Ω-cm)−1 na 200 C.
Ova jedinjenja imaju sastav MAg4 I5 , gde M označava K, Rb ili NH4 . Ag+
joni zauzimaju samo deo ekvivalentnih dostupnih sajtova rešetke, i jonska
provodnost postiže se skakanjem srebrnog jona sa jednog sajta na susedni
prazan sajt. Kristalne strukture takode imaju paralelne otvorene kanale.
4.7 Peierlsova nestabilnost linearnih metala

Posmatrajmo jednodimenzionalan metal sa elektronskim gasom koji pop-
unjava sve provodne orbitale do talasnog vektora kF , na apsolutnoj nuli.
Peierls je ukazao da je takav linearan metal nestabilan u odnosu na statičku
deformaciju rešetke talasnog vektora G = 2kF . Ovakva deformacija kreira
energetski procep na Fermijevoj površini, smanjujući tako energiju elektrona
ispod procepa, slika 106. Deformacija se dogada sve dok se ne ograniči
porastom elastične energije; ravnotežna deformacija odredena je korenima
jednačine
d
(Eelectronic + Eelastic ) = 0. (235)
d∆
Posmatrajmo elastično naprezanje ∆ cos 2kF x. Prostorno-usrednjena elastična
energija po jedinici dužine je Eelastic = 21 C∆2 (cos2 2kF x) = 41 C∆2 , gde je C
konstanta sile linearnog metala. Dalje računamo Eelectronic . Pretpostavimo
da je jonski doprinos potencijalu rešetke koji vidi provodni elektron propor-
cionalan deformaciji: U (x) = 2A∆ cos 2kF x. Iz Glave 7 imamo
150
K = (h̄2 /2m)(kF2 + K 2 ) ± [4(h̄2 kF2 /2m)(h̄2 K 2 /2m) + A2 ∆2 ]1/2 . (236)
Pogodno je definisati
xK = h̄2 K 2 /m; xF = h̄2 kF2 /m; x = h̄2 KkF /m. (237)

Zadržavamo znak - u (236) i formiramo
dK −A2 ∆
= ,
d∆ (xF xK + A2 ∆2 )1/2
odakle, uz dK/π kao broj orbitala po jedinici dužine, imamo
Z kF Z kF
dEelectronic 2 dK 2 dK
= dK = −(2A ∆/π)
d∆ π0 d∆ 0 (xF xK + A2 ∆2 )1/2
Z xF
dx
= −(2A2 ∆/π)(kF /xF ) 2 2 2 1/2
= −(2A2 ∆/π)(kF /xF ) sinh−1 (xF /A∆).
0 (x + A ∆ )
Uzimamo sve ovo zajedno. Ravnotežna deformacija je koren jednačine
1
C∆ − (2A2 m∆/πh̄2 kF ) sinh−1 (h̄2 kF2 /ma∆) = 0.
2
Koren ∆ koji odgovara minimumu energije dat je sa
h̄2 kF2 /mA∆ = sinh(−h̄2 kF πC/4mA2 ), (238)

pa je
2
kF πC/4mA2
|A|∆ ≈ (2h̄2 kF2 /m)e−h̄ , (239)
ako je argument sinh funkcije u (238) 1. Pretpostavljamo da je kF
1
k .
2 max
Rezultat je oblika jednačine za energetski procep u BCS teoriji super-
provodnosti, Glava 10. Deformacija ∆ je kolektivni efekat svih elektrona.
Ako postavimo W = h̄2 kF2 /2m = širina provodne zone; N (0) = 2m/πh̄2 kF =
gustina orbitala na Fermijevom nivou; V = 2A2 /C = efektivna energija elektron-
elektron interakcije, tada možemo pisati (239) kao
|A|∆ ≈ 4W e−1/N (0)V , (240)

što je analogno BCS jednačini energetskog procepa. Primer Peierlsovog izo-
latora je TaS3 .
151
Slika 106: Peierlsova nestabilnost. Elektroni sa talasnim vektorima blizu
Fermijeve površine imaju energiju umanjenu za deformaciju rešetke.
4.8 Kratak pregled

* Dielektrična funkcija može se definisati kao
ρext (ω, K)
(ω, K) = ,
ρext (ω, K) + ρind (ω, K)
preko komponenata primenjene i indukovane gustine naelektrisanja u ω, K.
* Plazma učestanost ω̄p = [4πne2 /(∞)m]1/2 je učestanost uniformne
kolektivne longitudinalne oscilacije elektronskog gasa u odnosu na pozadinu
fiksnih pozitivnih jona. To je takode niskofrekvencijska prekidna učestanost
za prostiranje transverzalnih elektromagnetnih talasa u plazmi.
* Polovi dielektrične funkcije definišu ωT a nule definišu ωL .
* U plazmi kulonova interakcija je prigušena; ona postaje (q/r)e−ks r , gde
je dužina prigušenja 1/ks = (F /6πn0 e2 )1/2 .
* Metal-izolator prelaz može nastati kada rastojanje izmedu najbližih
suseda a postane reda 4a0 , gde je a0 poluprečnik prve Borove orbite izolatora.
Metalna faza postoji pri manjim vrednostima a.
152
* Polariton je kvant spregnutog TO fonon-fotonskog polja. Sprezanje je
obezbedeno Maksvelovim jednačinama. Spektralna oblast ωT < ω < ωL je
zabranjena za prostiranje elektromagnetskih talasa.
* Lidejn-Sahs-Telerova relacija je ωL2 /ωT2 = (0)/(∞).
153
5 GLAVA 15: OPTIČKI PROCESI I EKSCI-
TONI
Dielektrična funkcija (ω, K) uvedena je u prethodnoj glavi u cilju opisa
odziva kristala na elektromagnetno polje (slika 107). Dielektrična funkcija
jako zavisi od elektronske zonske strukture kristala, i proučavanja dielektrične
funkcije optičkom spektroskopijom su vrlo korisna u odredivanju ukupne
zonske strukture kristala. Zaista, optička spektroskopija razvila se u na-
jvažniji eksperimentalni alat za odredivanje zonske strukture.
U infracrvenom, vidljivom i ultraljubičastom delu spektra, talasni vektor
zračenja je vrlo mali u poredenju sa najkraćim vektorom recipročne rešetke, i
stoga se često može aproksimirati kao da je jednak nuli. Tada smo suočeni sa
realnim 0 i imaginarnim delom dielektrične funkcije 00 pri nultom talasnom
vektoru; (ω) = 0 (ω) + i00 (ω), što se često piše kao 1 (ω) + i2 (ω).
Ipak, dielektrična funkcija nije direktno dostupna eksperimentalno, na
osnovu optičkih merenja: direktno dohvatljive funkcije su reflektansa R(ω),
indeks prelamanja n(ω), i koeficijent slabljenja K(ω). Naš prvi zadatak je da
povežemo eksperimentalno merljive veličine sa realnim i imaginarnim delom
dielektrične funkcije.
5.1 Optička reflektansa

Optička merenja koja daju najpotpunije informacije o elektronskom sis-
temu su merenja refleksivnosti svetlosti u normalnoj incidenciji na monokristale.
Koeficijent refleksivnosti r(ω) je kompleksna funkcija definisana na površini
kristala kao odnos reflektovanog električnog polja E(refl) i incidentnog elek-
tričnog polja E(inc):
E(refl)/E(inc) = r(ω) = ρ(ω)eiθ(ω) , (241)

gde smo odvojili amplitudnu ρ(ω) i faznu komponentu θ(ω) koeficijenta re-
fleksivnosti.
Indeks prelamanja n(ω) i koeficijent slabljenja K(ω) u kristalu
povezani su sa refleksivnošću pri normalnoj incidenciji na sledeći način:
n + iK − 1
r(ω) = , (242)
n + iK + 1
154
Slika 107: Postoji mnogo tipova eksperimenata u kojima svetlost interaguje
sa talasolikim ekscitacijama u kristalu. Ovde je ilustrovano nekoliko apsorp-
cionih procesa.
što je izvedeno u Problemu 3 elementarnim razmatranjem graničnih uslova

primenjenih na komponente E i B paralelne površini kristala. Po definiciji,
n(ω) i K(ω) povezani su sa dielektričnom funkcijom (ω) sa
p
(ω) = n(ω) + iK(ω) = N (ω), (243)
gde je N (ω) kompleksni indeks prelamanja. Ne treba mešati K(ω) koje se
ovde koristi sa simbolom za talasni vektor.
Ako incidentni progresivni talas ima talasni vektor k, tada je y kompo-
nenta talasa koji se prostire u x pravcu data sa
Ey (inc) = Ey0 ei(kx−ωt) . (244)

Transmitovani talas u sredini je oslabljen jer, zbog disperzione relacije za
155
elektromagnetske talase, talasni vektor u datoj sredini povezan je sa inci-
dentnim k u vakuumu sa (n + iK)k:
Ey (trans) ∝ e(i[(n+iK)kx−ωt]) = e−Kkx ei(nkx−ωt) . (245)

Jedna od veličina koja se meri eksperimentalno je reflektansa R, defin-
isana kao odnos reflektovanog i incidentnog intenziteta:
R = E ∗ (refl)E(refl)/E ∗ (inc)E(inc) = r ∗ r = ρ2 . (246)

Teško je meriti fazu θ(ω) reflektovanog talasa, ali u nastavku pokazujemo
da se na osnovu merene reflektanse R(ω) ona može sračunati, ako je R(ω)
poznato na svim učestanostima.
Kada jednom znamo R(ω) i θ(ω), možemo pomoću jednačine (242) dobiti
n(ω) i K(ω). Ove veličine koristimo u (243) za dobijanje (ω) = 0 (ω)+i00 (ω),
gde su 0 (ω) i 00 (ω) realni i imaginarni deo dielektrične funkcije. Inverzija
jednačine (243) daje
0 (ω) = n2 − K 2 ; 00 (ω) = 2nK. (247)

Sada pokazujemo kako se odreduje faza θ(ω) kao integral po reflektansi R(ω);
sličnim metodom povezujemo realni i imaginarni deo dielektrične funkcije.
Na taj način možemo dobiti sve parametre na osnovu merenja R(ω).
5.1.1 Kramers-Kronigove relacije

Kramers-Kronigove relacije omogućavaju nam da odredimo realni deo
odziva linearnog pasivnog sistema ako znamo imaginarni deo odziva na svim
učestanostima, i obrnuto. One zauzimaju centralno mesto u analizi optičkih
eksperimenata na čvrstim telima.
Odziv bilo kog linearnog pasivnog sistema može se predstaviti kao su-
perpozicija odziva skupa prigušenih harmonijskih oscilatora sa masama Mj .
Neka je funkcija odziva α(ω) = α0 (ω) + iα00 (ω) skupa oscilatora definisana sa
xω = α(ω)Fω , (248)
gde je polje primenjene sile realni deo od Fω e−iωt a ukupan pomeraj x =
−iωt
P
j xj je realni deo od xω e . Iz jednačine kretanja
Mj (d2 /dt2 + ρj d/dt + ωj2 )xj = F,
156
imamo kompleksnu funkciju odziva sistema oscilatora:
X fj X ωj2 − ω 2 + iωρj
α(ω) = = f j , (249)
j
ωj2 − ω 2 − iωρj (ωj2 − ω 2 )2 + ω 2 ρ2j
gde su konstante fj = 1/Mj a frekvencije relaksacije ρj su pozitivne za pasi-
van sistem.
Ako je α(ω) dielektrična polarizabilnost atoma sa koncentracijom n, tada
f ima oblik jačine oscilatora puta ne2 /m; kaže se da ovakva dielektrična
funkcija odziva ima Kramers-Hajzenbergov oblik. Relacije koje smo razvili
primenjuju se i na električnu provodnost σ(ω) u Omovom zakonu, jω =
σ(ω)Eω .
Ne moramo pretpostaviti specifičan oblik jednačine (249), ali koristimo tri
osobine funkcije odziva, posmatrane kao funkcije kompleksne promenljive ω.
Svaka funkcija sa sledećim osobina zadovoljavaće Kramers-Kronigove relacije:
(a) Polovi α(ω) leže ispod realne ose.
(b) Integral od α(ω)/ω anulira se kada se integracija sprovodi po beskonačnom
polukrugu u gornjoj polovini kompleksne ω-ravni. Dovoljno je da α → 0 uni-
formno kada |ω| → ∞.
(c) Funkcija α0 (ω) je parna, a α00 (ω) je neparna po realnom ω.
Posmatrajmo Košijev integral u obliku
Z ∞
1 α(s)
α(ω) = P ds, (250)
πi −∞ s − ω
gde P označava principalni deo integrala, kao što se razmatra u matematičkoj
primedbi koja sledi. Desna strana treba da se upotpuni integralom po
beskonačnom polukrugu u gornjoj poluravni, ali na osnovu osobine (b) ovaj
integral se anulira.
Izjednačavamo realne delove poslednje jednačine, čime se dobija
∞ ∞ 0
α00 (s) α00 (s) α00 (p)
Z Z Z
0 1 1
α (ω) = P ds = P ds + dp .
π −∞ s−ω π 0 s−ω −∞ p−ω
U poslednjem integralu zamenjujemo s sa −p i koristimo osobinu (c) da je
α00 (s) = −α00 (s); ovaj integral tada postaje
Z ∞ 00
α (s)
ds,
0 s+ω
157
i uz
1 1 2s
+ = 2 ,
s−ω s+ω s − ω2
dobijamo rezultat
∞
sα00 (s)
Z
0 2
α (ω) = P ds. (251)
π 0 s2 − ω 2
Ovo je jedna Kramers-Kronigova relacija. Druga relacija sledi izjednačavanjem
imaginarnih delova jednačine (250):
∞ ∞ ∞
α0 (s) α0 (s) α0 (s)
Z Z Z
00 1 1
α (ω) = − P ds = − P ds − ds ,
π −∞ s−ω π 0 s−ω 0 s+ω
odakle sledi
∞
α0 (s)
Z
00 2ω
α (ω) = − P ds. (252)
π 0 s2 − ω 2
Ove relacije primenjuju se u nastavku na analizu optičke reflektanse; to je
njihova najvažnija primena.
Primenimo Kramers-Kronigove relacije na r(ω) posmatranu kao funkcija
odziva izmedu incidentnih i reflektovanih talasa u (241) i (246). Primenju-
jemo (251) i (252) na
ln r(ω) = ln R1/2 (ω) + iθ(ω) (253)

da bismo dobili fazu u funkciji reflektanse:
Z ∞
ω ln R(s)
θ(ω) = − P ds. (254)
π 0 s2 − ω 2
Integral rešavamo parcijalnom integracijom, čime dobijamo oblik koji
nam omogućava uvid u doprinos faznom uglu:
Z ∞
1 s + ω d ln R(s)
θ(ω) = − ln
ds. (255)
2π 0 s − ω ds
Spektralne oblasti u kojima je reflektansa konstantna ne doprinose integralu;
spektralne oblasti s ω i s ω ne doprinose mnogo jer je funkcija ln |(s +
ω)/(s − ω)| mala u tim oblastima.
158
Slika 108: Kontura za Košijev principalni integral.
Matematička primedba. Da bismo dobili Košijev integral (250), uzimamo

integral α(s)(s−ω)−1 ds po konturi prikazanoj na slici 108. Funkcija α(s) je
R
analitička u gornjoj poluravni, tako da je vrednost integrala nula. Doprinos

segmenta (4) integralu anulira se ako integrand α(s)/s → 0 brže od |s|−1 kada
|s| → ∞. Za funkciju odziva (249) integrand → 0 kao |s|−3 ; i za provodnost
σ(s) integrand → 0 kao |s|−2 . Segment (2) doprinosi, u graničnom procesu
kada u → 0
Z 0
iueiθ dθ
Z
α(s)
ds → α(ω) i
= −πiα(ω)
s−ω −π ue θ
integralu, gde je s = ω + ueiθ . Segmenti (1) i (3) su po definiciji principalni

deo integrala izmedu −∞ i ∞. Pošto integral po (1) + (2) + (3) + (4) mora
biti jednak nuli,
Z Z Z ∞
α(s)
+ =P ds = πiα(ω), (256)
(1) (3) −∞ s − ω
kao u jednačini (250).

PRIMER: Provodnost bezsudarnog elektronskog gasa. Posmatrajmo
gas slobodnih elektrona u graničnom slučaju kada frekvencija sudara teži nuli.
Iz (249) funkcija odziva je, sa f = 1/m,

1 1 1 1
α(ω) = − lim =− − iπδ(ω) , (257)
mω ρ→0 ω + iρ mω ω
na osnovu Dirakovog identiteta. Potvrdujemo da delta funkcija u (257) zado-
voljava Kramers-Kronigovu relaciju (251), na osnovu čega je
159
Z ∞
0 2 δ(s) 1
α (ω) = ds = − , (258)
m 0 s2 − ω 2 mω 2
što se slaže sa (257).
Dobijamo električnu provodnost σ(ω) iz dielektrične funkcije
(ω) − 1 = 4πPω /Eω = −4πnexω /Eω = 4πne2 α(ω), (259)

gde je α(ω) = xω /(−e)Eω funkcija odziva. Koristimo ekvivalenciju
(CGS) σ(ω) = (−iω/4π)[(ω) − 1], (260)

jer se Maksvelova jednačina može zapisati ili kao c rot H = 4πσ(ω)E − iωE
ili kao c rot H = −iω(ω)E. Kombinujemo (257), (259) i (260) da dobijemo
provodnost bezsudarnog elektronskog gasa:
ne2

0 00 i
σ (ω) + iσ (ω) = πδ(ω) + . (261)
m ω
Za bezsudarne elektrone realni deo provodnosti ima delta funkciju u ω = 0.
5.1.2 Elektronski meduzonski prelazi

Deluje iznenadujuće da je optička spektroskopija postala važan eksperi-
mentalan alat za odredivanje zonske strukture. Prvo, apsorpcione i reflek-
sione zone kristala su široke i uočljivo bezoblične funkcije energije fotona kada
je ona veća od zonskog procepa. Drugo, direktna meduzonska apsoprcija
fotona h̄ω nastaće u svim tačkama Briluenove zone za koje važi održanje
energije:
h̄ω = c (k) − v (k), (262)

gde je c prazna, a v popunjena zona. Ukupna apsorpcija za dato ω je integral
po svim prelazima u zoni koji zadovoljavaju jednačinu (262).
Tri faktora otkrivaju spektre:
* Široke zone i netipična spektralna linija, značajno proširena prigušenjem,
ali zone su suštinski mnogo kompleksnije, što se otkriva kada se uzmu izvodi
reflektanse (slika 109); izvodi u odnosu na talasnu dužinu, električno polje,
temperaturu, pritisak, ili uniaksijalno naprezanje, na primer. Spektroskopija
izvoda naziva se modulaciona spektroskopija.
160
* Relacija (262) ne isključuje spektralnu strukturu u kristalu, jer se prelazi
akumuliraju na frekvencijama za koje su zone c, v paralelne - tj. na frekven-
cijama za koje važi
∇k [c (k) − v (k)] = 0. (263)

U ovim kritičnim tačkama u k prostoru združena gustina stanja Dc (v +
h̄ω)Dv (v ) je singularna, u skladu sa istim dokazom koji smo koristili u Glavi
5 da bismo dokazali da je gustina fononskih modova D(ω) singularna kada
je ∇k = 0.
* Metod pseudopotencijala za proračun energetskih zona pomaže iden-
tifikaciju pozicija u Briluenovoj zoni na kojima se nalaze kritične tačke u
modulacionim spektrima. Energetske razlike izmedu zona mogu se sračunati
sa tačnošću do 0.1 eV. Eksperimentalni rezultati tada se mogu iskoristiti za
popravku samih proračuna.
5.2 Ekscitoni
Reflektansa i apsorpcioni spektri često pokazuju strukturu za energije
fotona neposredno ispod energetskog procepa, gde možemo očekivati da je
kristal transparentan. Ova struktura uzrokovana je apsorpcijom fotona uz
kreiranje vezanog para elektron-šupljina. Elektron i šupljina mogu biti vezani
privlačnom kulonovom interakcijom, kao što se elektron vezuje za proton pri
formiranju neutralnog atoma vodonika.
Vezani par elektron-šupljina naziva se eksciton, slika 110 i 111. Eksciton
se može kretati kroz kristal i prenositi energiju; on ne prenosi naelektrisanje
jer je električno neutralan. On je sličan pozitronijumu, koji se formira od
elektrona i pozitrona.
Ekscitoni se mogu formirati u svakom izolatorskom kristalu. Kada je zon-
ski procep indirektan, ekscitoni blizu direktnog procepa mogu biti nestabilni
u odnosu na raspad na slobodan elektron i slobodnu šupljinu. Svi ekscitoni su
nestabilni u odnosu na krajnji proces rekombinacije u kome elektron pada na
šupljinu. Ekscitoni takode mogu formirati komplekse, kao što je bieksciton,
sačinjen od dva ekscitona.
Videli smo da su slobodan elektron i slobodna šupljina formirani kada
god se foton energije veće od energetskog procepa apsorbuje u kristalu. Prag
za ovaj proces je h̄ω > Eg u direktnom procesu. U indirektnom, fononski
asistiranom procesu iz Glave 8, prag je niži za fononsku energiju h̄Ω. Ali u
161
Slika 109: Poredenje (a) reflektanse, (b) izvoda reflektanse po talasnoj dužini
(prvi izvod) i (c) elektroreflektanse (treći izvod) u spektralnoj oblasti ger-
manijuma izmedu 3.0 i 3.6 eV.
162
Slika 110: Eksciton je vezani par elektron-šupljina i obično se slobodno kreće
kroz kristal. U nekom smislu sličan je atomu pozitronijuma, formiranog od
pozitrona i elektrona. Eksciton prikazan na slici je Mot-Vanierov eskciton:
on je slabo vezan, sa velikim srednjim rastojanjem izmedu elektrona i šupljine
u poredenju sa konstantom rešetke.
formiranju ekscitona energija je smanjena u odnosu na ove pragove za iznos

energije veze ekscitona, koja može biti u opsegu 1 meV do 1 eV, kao na
slici 112.
Ekscitoni se mogu formirati apsorpcijom fotona u bilo kojoj kritičnoj
tački, jer ako je ∇k v = ∇k C , grupne brzine elektrona i šupljine su jednake
i čestice se mogu vezati kulonovim privlačenjem. Prelazi koji dovode do
formiranja ekscitona ispod energetskog procepa skicirani su na slikama 113
i 114.
Energija veze ekscitona može se meriti na tri načina:
* U optičkim prelazima iz valentne zone, pomoću razlike izmedu energije
potrebne da se kreira eksciton i energije za kreiranje slobodnog elektrona i
slobodne šupljine, slika 115.
* U rekombinacionoj luminiscenciji, poredenjem energije rekombinacione
linije elektron-šupljina sa energijom ekscitonske rekombinacione linije.
* Fotojonizacijom ekscitona, gde dolazi do formiranja slobodnih nosilaca.
Ovaj eksperiment zahteva visoku koncentraciju ekscitona.
Razmatramo ekscitone u dve različite granične aproksimacije, jednu Frenkelovu,
u kojoj je eksciton mali i jako vezan, i drugu Mot-Vanierovu, u kojoj je
eksciton slabo vezan, sa velikim rastojanjem elektron-šupljina u poredenju
sa konstantom rešetke. Poznati su i primeri meduslučajeva.
163
Slika 111: Jako vezan Frenkelov eksciton prikazan kao lokalizovan na jednom
atomu u kristalu alkalnog halida. Idealan Frenkelov eksciton putovaće kao
talas kroz kristal, ali elektron je uvek blizu šupljine.
5.2.1 Frenkelovi ekscitoni

Kod jako vezanih ekscitona (slika 111), ekscitacija je lokalizovana na, ili u
blizini, jednom atomu; šupljina je obično na istom atomu kao i elektron, iako
par može biti bilo gde u kristalu. Frenkelov eksciton je suštinski ekscitovano
stanje jednog atoma, ali ekscitacija može skočiti sa jednog atoma na drugi,
na osnovu osobine sprezanja izmedu suseda. Ekscitacioni talas putuje kroz
kristal kao što i obrnuti spin magnona putuje kroz kristal.
Kristali inertnih gasova imaju ekscitone koji u osnovnom stanju liče na
Frenkelov model. Atomski kripton ima najniži jak atomski prelaz na 9.99 eV.
Odgovarajući prelaz u kristalu je skoro jednak i iznosi 10.17 eV, slika 116.
Energetski procep u kristalu je 11.7 eV, tako da je energija osnovnog stanja
ekscitona 11.7 - 10.17 = 1.5 eV, što se odnosi na razdvojene slobodan elektron
i slobodnu šupljinu, koji miruju u kristalu.
Translaciona stanja Frenkelovih ekscitona imaju oblik progresivnih talasa,
kao i sve druge ekscitacije u periodičnoj strukturi. Posmatrajmo kristal sa
N atoma na liniji ili prstenu. Ako je uj osnovno stanje atoma j, osnovno
stanje kristala je
ψg = u1 u2 · · · uN −1 uN , (264)
ako su interakcije izmedu atoma zanemarene. Ako je jedan atom j u pobudenom
stanju vj , sistem je opisan sa
164
Slika 112: Energija veze ekscitona, u meV.
Slika 113: Ekscitonski nivoi u vezi sa ivicom provodne zone, za jednostavnu

zonsku strukturu kod koje su ivice provodne i valentne zone u k = 0. Eksciton
može imati translacionu kinetičku energiju. Ekscitoni su nestabilni u odnosu
na radijativnu rekombinaciju u kojoj elektron pada na šupljinu u valentnoj
zoni, što je praćeno emisijom fotona ili fonona.
165
Slika 114: Energetski nivoi ekscitona kreiranog u direktnom procesu. Optički
prelazi sa vrha valentne zone prikazani su strelicama; najduža strelica odgo-
vara energetskom procepu. Energija veze ekscitona je Eex , u odnosu na
slobodan elektron i slobodnu šupljinu. Najniža (po frekvenciji) apsorpciona
linija kristala na apsolutnoj nuli nije Eex , nego Eg − Eex .
ϕj = u1 u2 · · · uj−1 vj uj+1 · · · uN . (265)

Ova funkcija ima istu energiju kao i funkcija ϕl sa bilo kojim drugim pobudenim
atomom l. Ipak, funkcije ϕ koje opisuju jedan ekscitovan atom i N −1 atoma
u svom osnovnom stanju nisu stacionarna kvantna stanja problema. Ako pos-
toji bilo kakva interakcija izmedu ekscitovanog i njemu susednog atoma, koji
se nalazi u osnovnom sanju, ekscitaciona energija će prelaziti sa atoma na
atom. Sopstvena stanja imaće talasoliki oblik, kao što sada pokazujemo.
Kada Hamiltonijan sistema deluje na funkciju ϕj sa pobudenim j-tim
atomom, dobijamo
Ĥϕj = ϕj + T (ϕj−1 + ϕj+1 ), (266)

gde je ekscitaciona energija slobodnog atoma; interakcija T meri učestalost
prenosa ekscitacije sa atoma j na njegove najbliže susede, j − 1 i j + 1.
Rešenja poslednje jednačine su talasi Blohovog oblika:
X
ψk = eijka ϕj . (267)
j
Da bismo to videli, neka Ĥ deluje na ψk :
166
X X
Ĥψk = eijka Ĥψj = eijka [ϕj + T (ϕj−1 + ϕj+1 )], (268)
j j
na osnovu jednačine (266). Preuredujemo desnu stranu poslednje jednačine,

čime dobijamo
X
Ĥψk = eijka [ + T (eika + e−ika )]ϕj = ( + 2T cos ka)ψk , (269)
j
tako da su sopstvene vrednosti problema
Ek = + 2T cos ka, (270)

kao na slici 117. Primena periodičnih graničnih uslova odreduje dozvoljene
vrednosti talasnog vektora k:
1 1 1
k = 2πs/N a; s = − N, − N + 1, ..., N − 1. (271)
2 2 2
Alkalni halidi. Kod kristala alkalnih halida ekscitoni najniže energije lokali-
zovani su na negativnim halogenim jonima, kao na slici 111. Negativni joni
imaju niže elektronske ekscitacione nivoe od pozitivnih. Čisti kristali od al-
kalnih halida su transparentni u vidljivom delu spektra, što znači da energije
ekscitona ne leže u vidljivoj oblasti, već kristal pokazuje značajnu ekscitonsku
apsorpcionu strukturu u ultraljubičastoj oblasti u vakuumu.
Dubletna struktura je posebno očigledna u natrijum bromidu, i slična je
onoj koja odgovara najnižem pobudenom stanju atoma kriptona - koji je
izoelektronski sa Br− jonom u KBr. Cepanje je uzrokovano spin-orbitnom
interakcijom. Ovi ekscitoni su Frenkelovog tipa.
Molekulski kristali. Kod molekulskih kristala kovalentna veza u molekulu
je jaka u poredenju sa van der Valsovim vezama izmedu molekula, tako da
su ekscitoni Frenkelovog tipa. Elektronske ekscitacione linije pojedinačnih
molekula pojavljuju se u kristalnom čvrstom telu kao eksciton, često sa malim
frekvencijskim pomerajem. Na niskim temperaturama linije u čvrstom telu
su dosta oštre, iako može biti više struktura uz linije u čvrstom telu nego u
molekulu usled Davidovljevog cepanja, koje se razmatra u Problemu 7.
167
Slika 115: Efekat ekscitonskog nivoa na optičku apsorpciju poluprovodnika
za fotone sa energijom blizu zonskog procepa Eg u galijum arsenidu na 21
K. Vertikalna skala je koeficijent intenziteta apsorpcije α, iz I(x) = I0 e−αx .
Energetski procep i energija veze ekscitona izvedeni su iz oblika apsorpcione
krive: procep Eg je 1.521 eV a energija veze ekscitona je 0.0034 eV.
168
Slika 116: Apsorpcioni spektar čvrstog kriptona na 20 K.
5.2.2 Slabo vezani (Mot-Vanierovi) ekscitoni

Posmatrajmo elektron u provodnoj zoni i šupljinu u valentnoj zoni. Elek-
tron i šupljina se medusobno privlače kulonovim potencijalom
(CGS) U (r) = −e2 /r, (272)

gde je r rastojanje izmedu čestica a je odgovarajuća dielektrična kon-
stanta. (Doprinos dielektričnoj konstanti od polarizacije rešetke ne treba
biti uključen ako je frekvencija kretanja ekscitona veća od optičkih fonon-
skih učestanosti.) Postojaće vezana stanja ekscitonskog sistema koja imaju
ukupnu energiju manju od dna provodne zone.
Problem je ekvivalentan problemu atoma vodonika ako su energetske
površine elektrona i šupljine sferne i nedegenerisane. Energetski nivoi koji se
odnose na vrh valentne zone dati su modifikovanom Ridbergovom jednačinom
µe4
(CGS) En = Eg − . (273)
2h̄2 3 n2
Ovde je n glavni kvantni broj, a µ je redukovana masa:
169
Slika 117: Zavisnost energije od talasnog vektora za Frenkelov eksciton,
računata sa pozitivnom transfer-interakcijom T izmedu najbližih suseda.
1 1 1
= + , (274)
µ me mh
formirana od efektivnih masa me , mh elektrona i šupljine.
Energija osnovnog stanja ekscitona dobija se postavljanjem n = 1 u
jednačini (273); ovo je jonizaciona energija ekscitona. Proučavanja optičkih
apsorpcionih linija u bakar oksidu, Cu2 O, na niskim temperaturama daju
rezultate za razmak ekscitonskih nivoa koji se slažu sa Ridbergovom jednačinom
(273), osim za prelaze u stanje n = 1. Empirijski fit linija na slici 118 dobi-
jen je relacijom ν(cm−1 ) = 17, 508 − (800/n2 ). Uzimajući = 10, dobijamo
µ = 0.7m iz koeficijenta 1/n2 . Konstantni član 17, 508 cm−1 odgovara ener-
getskom procepu Eg = 2.17 eV.
170
Slika 118: Logaritam optičke transmisije u funkciji energije fotona u bakar ok-
sidu na 77 K, pokazuje niz ekscitonskih linija. Primetimo da je na vertikalnoj
osi logaritamska skala koja opada naviše; stoga pik odgovara apsorpciji. Zon-
ski procep Eg je 2.17 eV.
5.2.3 Kondenzacija ekscitona u kapi elektron-šupljina (EHD)

Kondenzovana faza elektron-šupljina plazme formira se u Ge i Si kada
se drži na niskoj temperaturi i ozrači svetlošću. Sledeći niz dogadaja se
dešava kada se kap elektron-šupljina (EHD) formira u Ge: Apsorpcija fotona
energije h̄ω > Eg proizvodi slobodan elektron i slobodnu šupljinu, sa velikom
efikasnošću. Oni se brzo rekombinuju, možda za 1 ns, i formiraju eksciton.
Eksciton se može raspasti sa anihilacijom c-h para za vreme od 8 µs.
Ako je koncentracija ekscitona dovoljno velika - preko 1013 cm−3 na 2 K -
najveći deo ekscitona kondenzovaće se u kapi. Vreme života kapi je 40 µs, ali
u napregnutom Ge može biti i do 600 µs. Unutar kapi ekscitoni se rastvaraju
u degenerisan Fermijev gas elektrona i šupljina, sa metalnim osobinama: ovo
stanje predvideo je L. V. Keldiš.
171
Slika 119 prikazuje rekombinaciono zračenje u Ge sa slobodnih ekscitona
(714 meV) i sa EHD faze (709 meV). Širina 714 meV linije pripisana je
Doplerovom širenju, a širina 709 meV linije kompatibilna je sa raspodelom
kinetičke energije elektrona i šupljina u Fermijevom gasu koncentracije 2 ×
1017 cm−3 . Slika 120 je fotografija velike EHD.
Ekscitonski fazni dijagram za silicijum nacrtan je na u ravni temperatura-
koncentracija na slici 121. Ekscitonski gas je izolator na niskim pritiscima.
Pri visokim pritiscima (u desnom delu dijagrama) ekscitonski gas pretvara
se u provodnu plazmu nesparenih elektrona i šupljina. Prelaz iz ekscitona u
plazmu je primer Motovog prelaza, Glava 14. Dalji podaci dati su na slici 122.
5.3 Ramanov efekat u kristalima

Ramanovo rasejanje uključuje dva fotona - jedan ulazi, drugi izlazi - i za
jedan stepen je kompleksnije od jednofotonskih procesa koji su tretirani ranije
u ovoj glavi. Kod Ramanovog efekta foton se neelastično rasejava na kristalu,
uz kreaciju ili anihilaciju fonona ili magnona (slika 123). Proces je identičan
neelastičnom rasejanju x-zraka i sličan je neelastičnom neutronskom rasejanju
na kristalu.
Selekciona pravila za Ramanov efekat prvog reda su
ω = ω 0 ± Ω; k = k0 ± K, (275)
gde se ω, k odnose na incidentni foton; ω 0 , k0 odnose se na rasejani foton; a
Ω, K označavaju fonon kreiran ili uništen u procesu rasejanja. U Ramanovom
efektu drugog reda u proces neelastičnog rasejanja fotona uključena su dva
fonona.
Ramanov efekat je moguć usled zavisnosti naprezanja od elektronske po-
larizabilnosti. Da bismo to pokazali, pretpostavljamo da se polarizabilnost
α povezana sa fononskim modom može zapisati kao stepeni red fononske
amplitude u:
α = α0 + α1 u + α2 u2 + .... (276)
Ako je u(t) = u0 cos Ωt a incidentno električno polje je E(t) = E0 cos ωt, tada
indukovani električni dipolni momenat ima komponentu
1
α1 E0 u0 cos ωt cos Ωt = α1 E0 u0 [cos(ω + Ω)t + cos(ω − Ω)t]. (277)
2
172
Slika 119: Rekombinaciona radijacija sa slobodnih elektrona i šupljina i
elektron-šupljina kapi u Ge na 3.04 K. Fermijeva energija u kapi je F a
kohezivna energija kapi u odnosu na slobodan eksciton je φs .
Stoga se foton na frekvencijama ω + Ω i ω − Ω može emitovati, što je praćeno

apsorpcijom ili emisijom fonona frekvencije Ω.
Foton na frekvenciji ω −Ω naziva se Stoksova linija, a na frekvenciji ω +Ω
je anti-Stoksova linija. Intenzitet Stoksove linije uključuje matrični element
za kreiranje fonona, koji odgovara matričnom elementu za harmonijski os-
cilator, datom u Prilogu C:
I(ω − Ω) ∝ |hnK + 1|u|nK i|2 ∝ nK + 1, (278)

gde je nK početna naseljenost fononskog moda K.
Anti-Stoksova linija uključuje anihilaciju fonona, sa fotonskim intenzite-
tom proporcionalnim sa
I(ω + Ω) ∝ |hnK − 1|u|nK i|2 ∝ nK . (279)

Ako je fononska populacija početno u toplotnoj ravnoteži na temperaturi
T , odnos intenziteta dve linije je
I(ω + Ω) hnK i
= = e−h̄Ω/kB T , (280)
I(ω − Ω) hnK i + 1
gde je hnK i dato Plankovom funkcijom raspodele 1/[eh̄Ω/kB T − 1]. Vidimo da
relativni intenzitet anti-Stoksove linije iščezava kada T → 0, jer na niskim
173
Slika 120: Fotografija elektron-šupljina kapi na 4 mm disku od čistog ger-
manijuma. Kap je intenzivni spot u blizini krivine na levoj strani diska. Fo-
tografija je slika kapi dobijena fokusiranjem njene rekombinacione elektron-
šupljina luminiscencije na površinu infracrveno-osetljive kamere.
temperaturama nema termalnih fonona koji bi bili anihilirani.

Registrovanja K = 0 optičkog fonona u silicijumu prikazana su na slici 124
i 125. Silicijum ima dva identična atoma u primitivnoj ćeliji, i nema elek-
tričnog dipolnog momenta u primitivnoj ćeliji u odsustvu deformacije fonon-
ima. Ali α1 u se ne anulira za silicijum u K = 0, tako da možemo uočiti mod
koji potiče od Ramanovog rasejanja svetlosti prvog reda.
Ramanov efekat drugog reda potiče od člana α2 u2 u razvoju polarizabil-
nosti. Neelastično rasejanje svetlosti u ovom redu praćeno je kreiranjem dva
fonona, ili apsorpcijom dva fonona, ili kreiranjem jednog i apsorpcijom dru-
gog fonona. Fononi mogu imati različite učestanosti. Raspodela intenziteta
u spektru rasejanih fotona može biti prilično komplikovana ako postoji neko-
174
Slika 121: Fazni dijagram fotoekscitovanih elektrona i šupljina u nenapreg-
nutom silicijumu. Dijagram prikazuje, na primer, da sa srednjom koncen-
tracijom blizu 1017 cm−3 na 15 K, slobodnoekscitonski gas sa koncentracijom
zasićenog gasa od 1016 cm−3 koegzistira sa kapima promenljive zapremine,
svaka gustine 3 × 1018 cm−3 . Kritična temperatura ove tečnosti je oko 23 K.
Teorijske i eksperimentalne vrednosti za metal-izolator prelaz za ekscitone
takode su prikazane.
liko atoma u primitivnoj ćeliji zbog odgovarajućeg broja optičkih fononskih

modova. Ramanovi spektri drugog reda izmereni su i analizirani kod brojnih
kristala. Merenja na galijum fosfidu (GaP) data su na slici 126.
5.3.1 Elektronska spektroskopija x-zracima

Sledeći stepen kompleksnosti u optičkim procesima uključuje foton i elek-
tron izvan čvrstog tela, kao na slici na početku ove glave. Dve važne tehnike
su fotoemisija x-zraka sa čvrstih tela (XPS) i ultraljubičasta fotoemisija
(UPS). U fizici čvrstog stanja one se koriste u proučavanjima zonske strukture
i površine materijala, uključujući katalizu i adsorpciju.
XPS i UPS spektri mogu se direktno porediti sa gustinama stanja va-
175
Slika 122: Parametri elektron-šupljina tečnosti.
Slika 123: Ramanovo rasejanje fotona uz emisiju ili apsorpciju fonona. Slični
procesi dešavaju se sa magnonima (spinskim talasima).
lentne zone D(). Uzorak se ozrači jako monohromatskim x-zracima ili ul-
traljubičastim fotonima. Foton se apsorbuje, uz emisiju fotoelektrona čija
kinetička energija je jednaka energiji upadnog fotona umanjenoj za energiju
veze elektrona u čvrstom telu. Elektroni potiču iz tankog sloja blizu površine,
tipično do dubine 50 Å. Rezolucija najboljih XPS spektrometarskih sistema
je manja od 10 meV, što omogućava precizna proučavanja zonske strukture.
Struktura valentne zone srebra prikazana je na slici 127, sa nultim energet-
skim nivoom na Fermijevom nivou. Elektroni u prva 3 eV ispod Fermijevog
nivoa potiču od 5s provodne zone. Jak pik sa strukturom ispod 3 eV potiče
od 4d valentnih elektrona.
Ekscitacije su takode uočene i sa dubljih nivoa, često praćene ekscitacijom
plazmona. Na primer, u silicijumu 2p elektron sa energijom veze blizu 99.2
eV primećen je u replici na 117 eV sa ekscitacijom jednog plazmona i na
134.7 eV sa ekscitacijom dva plazmona. Energija plazmona je 18 eV.
176
Slika 124: Ramanovi spektri prvog reda K ≈ 0 optičkog moda kristala silici-
juma mereni na tri temperature. Upadni foton ima talasnu dužinu 5145 Å.
Frekvencija optičkih fonona jednaka je frekvencijskom pomeraju; ona blago
zavisi od temperature.
5.4 Gubitak energije brzih čestica u čvrstom telu

Do sada smo koristili fotone za ispitivanje elektronske strukture čvrstih
tela. Za istu svrhu možemo koristiti i elektronske snopove. Rezultati takode
uključuju dielektričnu funkciju, sada kroz imaginarni deo od 1/(ω). Dielek-
trična funkcija ulazi kao Im[(ω)] u energetski gubitak elektromagnetnih ta-
lasa u čvrstom telu, ali kao -Im[1/(ω)] u energetski gubitak naelektrisane
čestice koja prodire u čvrsto telo.
Posmatrajmo razliku. Opšti rezultat iz teorije elektromagnetnih talasa
za gustinu snage dielektričnih gubitaka je
1
(CGS) P = E · (∂D/∂t), (281)
4π
u jedinici zapremine. Sa transverzalnim elektromagnetnim talasom Ee−iωt u
kristalu, imamo dD/dt = −iω(ω)Ee−iωt , odakle sledi da je srednja snaga
gubitaka
177
Slika 125: Odnos intenziteta anti-Stoksove i Stoksove linije u funkciji tem-
perature, na osnovu razmatranja sa slike 124 o optičkom modu silicijuma.
Uočena temperaturska zavisnost dobro se slaže sa predvidanjem jednačine
(280); puna linija je grafik funkcije e−h̄Ω/kB T .
1
P = hRe{Ee−iωt }Re{−iω(ω)Ee−iωt }i
4π
1 1 00
= ωE 2 h(00 cos ωt − 0 sin ωt) cos ωti = ω (ω)E 2 , (282)
4π 8π
proporcionalna sa 00 (ω). Tangencijalna komponenta E je kontinualna duž
granice čvrstog tela.
Ako je čestica u kristalu sa naelektrisanjem e i brzinom v, dielektrični
pomeraj je, na osnovu standardne teorije,
e
(CGS) D(r, t) = −grad , (283)
|r − vt|
jer je u Poasonovoj jednačini D, a ne E, povezano sa slobodnim naelek-
trisanjem. U izotropnoj sredini Furijeova komponenta E(ω, k) povezana je sa
Furijeovom komponentom D(ω, k) od D(r, t) sa E(ω, k) = D(ω, k)/(ω, k).
178
Slika 126: Raman spektar GaP na 20 K. Dva najviša pika su Ramanove linije
prvog reda, pridružene ekscitaciji LO fonona na 404 cm−1 i TO fonona na
366 cm−1 . Svi drugi pikovi uključuju dva fonona.
Snaga gubitaka usrednjena po vremenu pridružena ovoj Furijeovoj kom-

ponenti je
1
P (ω, k) = hRe{−1 (ω, k)D(ω, k)e−iωt }Re{−iωD(ω, k)e−iωt }i
4π 0 00
1 2 1 1
= ωD (ω, k)h cos ωt + sin ωt [− sin ωt]i, (284)
4π
odakle sledi
00
1 1 1 00 (ω, k) 2
P (ω, k) = − ω D2 (ω, k) = ω D (ω, k). (285)
8π 8π ||2
Rezultat je motivacija za uvodenje funkcije energetskih gubitaka −Im[1/(ω, k)]
i za eksperimente vezane za proučavanje gubitaka pomoću brzih elektrona u
tankim filmovima.
179
Slika 127: Emisija elektrona iz valentne zone srebra.
Ako je dielektrična funkcija nezavisna od k, snaga gubitaka je
2 e2
P (ω) = − Im[1/(ω)] ln(k0 v/ω), (286)
π h̄v
gde je h̄k0 maksimalni mogući transfer impulsa sa primarne čestice na elek-
tron u kristalu. Slika 128 prikazuje odlično eksperimentalno slaganje izmedu
vrednosti 00 (ω) dobijene na osnovu merenja optičke refleksivnosti sa vred-
nostima izvedenim iz merenja gubitaka elektronske energije.
5.5 Kratak pregled

* Kramers-Kronigove relacije povezuju realni i imaginarni deo funkcije
odziva:
∞ ∞
sα00 (s) α0 (s)
Z Z
0 2 00 2ω
α (ω) = P ds; α (ω) = − P ds.
π 0 s2 − ω 2 π 0 s2 − ω 2
* Kompleksni indeks prelamanja N (ω) = n(ω) + iK(ω), gde je n indeks

prelamanja a K je koeficijent slabljenja; dalje, (ω) = N 2 (ω), odakle je
0 (ω) = n2 − K 2 i 00 (ω) = 2nK.
* Reflektansa pri normalnoj incidenciji je
180
Slika 128: 00 (ω) za Cu i Au; podebljane linije slede iz merenja energetskih
gubitaka, a ostale linije računate su na osnovu optičkih merenja.
(n − 1)2 + K 2
R= .
(n + 1)2 + K 2
* Funkcija gubitka energije -Im[1/(ω)] daje gubitak energije usled kre-
tanja naelektrisane čestice u čvrstom telu.
181
6 GLAVA 16: DIELEKTRICI I FEROELEK-
TRICI
Najpre povezujemo primenjeno električno polje sa unutrašnjim električnim
poljem u dielektričnom kristalu. Proučavanje električnog polja u dielek-
tričnoj materiji nastaje kada se zapitamo:
* Kakva je veza u materijalu izmedu dielektrične polarizacije P i makroskop-
skog električnog polja E u Maksvelovim jednačinama?
* Kakva je veza izmedu dielektrične polarizacije i lokalnog električnog
polja koje deluje na sajt atoma u rešetki? Lokalno polje odreduje dipolni
momenat atoma.
6.0.1 Maksvelove jednačine
(CGS) (SI)
4π 1∂ ∂
rot H = j+ (E + 4πP); rot H = j + (0 E + P);
c c ∂t ∂t
1 ∂B ∂B
rot E = − ; rot E = − ;
c ∂t ∂t
div E = 4πρ; div 0 E = ρ;
div B = 0; div B = 0.
6.0.2 Polarizacija
Polarizacija P definisana je kao dipolni momenat po jedinici za-
premine, usrednjen po zapremini ćelije. Ukupan dipolni momenat definisan
je sa
X
p= qn rn , (287)
gde je rn vektor pozicije naelektrisanja qn . Vrednost sume biće nezavisna od
odabranog koordinatnog početka za vektore pozicije, ako P se obezbedi Pda je
0 0
sistem
P neutralan.
P Neka je rn = rn + R; tada je p = qn rn = R qn +
qn rn = qn rn . Dipolni momenat molekula vode prikazan je na slici 129.
Električno polje u tački r koje potiče od dipolnog momenta p dato je
standardnim rezultatom iz elementarne elektrostatike:
182
Slika 129: Stalni dipolni momenat molekula vode ima amplitudu od 1.9 ×
10−18 esu-cm i usmeren je od jona O2− prema središtu linije koja povezuje
dva H+ jona. (Za prevodenje u SI jedinice, treba pomnožiti p sa 13 × 1011 ).
3(p · r)r − r2 p 3(p · r)r − r2 p

(CGS) E(r) = ; (SI) E(r) = .
r5 4π0 r5
(288)
Linije sile dipola usmerenog duž z ose prikazane su na slici 130.
6.1 Makroskopsko električno polje

Jedan doprinos električnom polju unutar tela je od primenjenog elek-
tričnog polja, definisanog sa
E0 = polje proizvedeno fiksnim naelektrisanjima izvan tela. (289)
Drugi doprinos električnom polju je zbir polja od svih naelektrisanja koja

grade telo. Ako je telo neutralno, doprinos srednjem polju može se izraziti
preko sume polja atomskih dipola.
Definišemo srednje električno polje E(r0 ) kao srednje polje po zaprem-
ini kristalne ćelije koja sadrži tačku rešetke r0 :
Z
1
E(r0 ) = e(r)dV, (290)
Vc
gde je e(r) mikroskopsko električno polje u tački r. Polje E je mnogo ”glatk-
ije” nego mikroskopsko polje e. Mogli bismo napisati dipolno polje (288) kao
e(r) jer to jeste mikroskopsko polje.
Zovemo E makroskopskim električnim poljem. Ono je adekvatno za
sve probleme elektrodinamike kristala ako znamo vezu izmedu E, polarizacije
183
Slika 130: Elektrostatički potencijal i komponente polja u CGS sistemu na
poziciji r, θ za dipol p usmeren duž z ose. Za θ = 0, imamo Ex = Ey = 0 i
Ez = 2p/r3 ; za θ = π/2 imamo Ex = Ey = 0 i Ez = −p/r3 . Za prelazak na
SI jedinice, treba zameniti p sa p/4π0 .
P i gustine struje j, i ako su talasne dužine od interesa velike u poredenju sa

parametrima rešetke.
Da bismo pronašli doprinos polarizacije makroskopskom polju, možemo
uprostiti sumu po svim dipolima u uzorku. Na osnovu čuvene teoreme elek-
trostatike, makroskopsko električno polje uzrokovano uniformnom polarizaci-
jom jednako je električnom polju u vakuumu koje bi poticalo od zamišljene
površinske gustine naelektrisanja σ = n̂ · P na površini tela. Ovde je n̂
jedinična normala na površinu, usmerena ka spoljašnjosti polarisanog tela.
Primenjujemo ovaj rezultat na tanku dielektričnu ploču (slika 131a) sa
uniformnom zapreminskom polarizacijom P. Električno polje E1 (r) proizve-
deno polarizacijom jednako je polju od zamišljene površinske gustine naelek-
trisanja σ = n̂ · P na površini ploče. Na gornjoj površini jedinični vektor n̂
usmeren je nagore a na donjoj površini nadole. Gornja granica sadrži fiktivno
naelektrisanje gustine σ = n̂ · P = P po jedinici površine, a donja granica
sadrži −P po jedinici površine.
Električno polje E1 usled ovih naelektrisanja ima jednostavan oblik u
svakoj tački izmedu ravni, ali koje su dovoljno daleko od ivica. Na osnovu
184
Slika 131: (a) Uniformno polarizovana dielektrična ploča, sa vektorom polar-
izacije P usmerenim normalno na ravan ploče. (b) Par ravnomerno naelek-
trisanih paralelnih ploča koje doprinose identičnom električnom polju E1 kao
u slučaju (a). Gornja ravan ima površinsku gustinu naelektrisanja σ = +P ,
a donja ravan ima σ = −P .
Gausovog zakona
|σ| P
(CGS) E1 = −4π|σ| = −4πP ; (SI) E1 = − = . (291)
0 0
Dodajemo E1 na primenjeno polje E0 čime dobijamo ukupno makroskop-
sko polje unutar ploče, gde je ẑ jedinični vektor normale na ravan ploče:
(CGS) E = E0 + E1 = E0 − 4πP ẑ; (292)

P
(SI) E = E0 + E1 = E0 − ẑ.
0
Definišemo
E1 = polje površinske gustine naelektrisanja n̂ · P na granici. (293)
Ovo polje se glatko menja u prostoru unutar i izvan tela i zadovoljava Maksvelove
jednačine pisane za makroskopsko polje E. Razlog zašto je E1 glatka funkcija
posmatrano na atomskoj skali je činjenica da smo zamenili diskretnu rešetku
dipola pj glatkom polarizacijom P.
185
Slika 132: Polje depolarizacije E suprotno je vektoru P. Zamišljena
površinska naelektrisanja su naznačena: polje ovih naelektrisanja je E1 un-
utar elipsoida.
6.1.1 Polje depolarizacije, E1

Ako je polarizacija ravnomerna unutar tela, jedini doprinosi makroskop-
skom polju su od E0 i E1 :
E = E0 + E1 . (294)
Ovde je E0 primenjeno polje a E1 je polje usled uniformne polarizacije.
Polje E1 naziva se polje depolarizacije, jer unutar tela teži da se suprot-
stavi primenjenom polju, kao na slici 132. Uzorci u obliku elipsoida, klasa
koja uključuje sfere, cilindre i diskove kao granične slučajeve, imaju vrlo
korisnu osobinu: ravnomerna polarizacija produkuje ravnomerno polje depo-
larizacije unutar tela. Ovo je čuveni matematički rezultat demonstriran u
klasičnim knjigama o elektricitetu i magnetizmu.
Ako su Px , Py , Pz komponente polarizacije P koje se odnose na principalne
ose elipsoida, tada se komponente polja depolarizacije mogu izraziti kao
(CGS) E1x = −Nx Px ; E1y = −Ny Py ; E1z = −Nz Pz ; (295)

Nx Px Ny Py Nz Pz
(SI) E1x = − ; E1y = − ; E1z = − .
0 0 0
ovde su Nx , Ny , Nz faktori depolarizacije; njihove vrednosti zavise od
odnosa principalnih osa elipsoida. N -ovi su pozitivni i zadovoljavaju pravilo
sumiranja Nx + Ny + Nz = 4π u CGS, odnosno Nx + Ny + Nz = 1 u SI
jedinicama.
186
Slika 133: Faktor depolarizacije N paralelan glavnoj osi elipsoida u okretanju,
u funkciji odnosa osa c/a.
Vrednosti N paralelnih glavnim osama elipsoida u okretanju, nacrtane su

na slici 133. Dodatne slučajeve sračunali su Osborn i Stoner. U graničnim
slučajevima N ima vrednosti prikazane na slici 134.
Možemo svesti na nulu polje depolarizacije na dva načina, ili radom paralel-
nim osi dugog finog uzorka ili pravljenjem električne veze izmedu elektroda
ugradenih sa suprotnih strana tanke ploče.
Uniformno primenjeno polje E0 indukovaće ravnomernu polarizaciju u
elipsoidu. Uvodimo dielektričnu susceptibilnost χ tako da relacije
(CGS) P = χE; (SI) P = 0 χE, (296)

povezuju makroskopsko polje E unutar elipsoida sa polarizacijom P. Ovde
je χSI = 4πχCGS .
Ako je E0 uniformno i paralelno principalnoj osi elipsoida, tada je
NP
(CGS) E = E0 + E1 = E0 − N P ; (SI) E = E0 − , (297)
0
na osnovu (295), odakle sledi
187
Slika 134: Vrednosti faktora depolarizacije za neke geometrije.
χ
(CGS) P = χ(E0 − N P ); P = E0 ; (298)
1 + Nχ
χ0
(SI) P = χ(0 E0 − N P ); P = E0 .
1 + Nχ
Vrednost polarizacije zavisi od faktora depolarizacije N .
6.2 Lokalno električno polje na atomu

Vrednost lokalnog električnog polja koje deluje na sajt atoma je značajno
različita od vrednosti makroskopskog električnog polja. Možemo se ubediti
u ovo razmatranjem lokalnog polja na sajtu sa kubičnim uredenjem suseda
u kristalu sfernog oblika. Makroskopsko električno polje u sferi je
4π
(CGS) E = E0 + E1 = E0 − P; (299)
3
1
(SI) E = E0 + E1 = E0 − P.
30
na osnovu (297).
Ali posmatrajmo polje koje deluje na atom u centru sfere (ovaj atom nije
nereprezentativan). Ako su svi dipoli paralelni z osi i imaju amplitudu p, z
komponenta polja u centru usled svih drugih dipola je, iz jednačine (289),
X 3z 2 − r2 X 2z 2 − x2 − y 2
i i i i i
(CGS) Edipole = p =p . (300)
i
ri5 i
ri5
188
u SI jedinicama zamenjujemo p sa p/4π0 . x, y, z pravci su ekvivalentni usled
simetrije rešetke i sfere; stoga je
X z2 X x2 X y2
i i i
= = ,
i
ri5 i
ri5 i
ri5
što znači da je Edipole = 0.
Korektno lokalno polje je upravo jednako primenjenom polju, Elocal = E0
za atomski sajt u kubičnom okruženju i u sfernom uzorku. Stoga lokalno
polje nije isto kao makroskopsko srednje polje E.
Sada izvodimo izraz za lokalno polje na opštem sajtu rešetke, koja ne
mora imati kubičnu simetriju. Lokalno polje na atomu je zbir električnog
polja E0 od spoljašnjih izvora i od polja dipola unutar uzorka. Pogodno je
dekomponovati polje dipola tako da se deo sumacije koji se odnosi na dipole
može zameniti integralom.
Pišemo
Elocal = E0 + E1 + E2 + E3 . (301)
Oznake su sledeće:
E0 = polje proizvedeno fiksnim naelektrisanjima izvan tela;
E1 = polje depolarizacije, od površinske gustine naelektrisanja n̂ · P na
spoljašnjoj strani uzorka;
E2 = Lorencovo polje kaveza; polje od polarizacionih naelektrisanja un-
utar sfernog kaveza (koji je matematička fikcija), koji se nalazi izvan uzorka
sa referentnim atomom kao centrom, kao na slici 135; E1 + E2 je polje usled
ravnomerne polarizacije tela u kome je formirana šupljina;
E3 = polje atoma unutar kaveza.
Doprinos E1 + E2 + E3 lokalnom polju je ukupno polje na jednom atomu
uzrokovano dipolnim momentima svih drugih atoma u uzorku:
X 3(pi · ri )ri − r2 pi
i
(CGS) E1 + E2 + E3 = , (302)
i
ri5
a u SI sistemu zamenjujemo pi sa pi /4π0 .

Dipoli na rastojanjima većim od desetak konstanti rešetke u odnosu na
referentni sajt daju mali doprinos ovoj sumi, koji se može zameniti sa dva
površinska integrala. Jedan površinski integral se uzima po spoljašnjoj površini
189
Slika 135: Unutrašnje električno polje na atomu u kristalu je zbir spoljašnjeg
primenjenog polja E0 i polja usled drugih atoma u kristalu. Standardan
metod sumiranja polja dipola drugih atoma je da se najpre sumira pojed-
inačno po nekom ograničenom broju susednih atoma unutar zamišljene sfere
koncentrične sa referentnim atomom: ovo definiše polje E3 , koje se anulira
na referentnom sajtu kubične simetrije. Atomi izvan sfere mogu se tretirati
kao ravnomerno polarizovan dielektrik. Njihov doprinos polju u referentnoj
tački je E1 + E2 , gde je E1 polje depolarizacije pridruženo spoljašnjoj granici
a E2 je polje povezano sa površinom sfernog kaveza.
elipsoidnog uzorka i definiše E1 , kao u jednačini (293). Drugi površinski in-

tegral definiše E2 i može se uzeti po bilo kojoj unutrašnjoj površini koja
je na odgovarajućem rastojanju (recimo 50 AA) od referentnog sajta. U
E3 uračunavamo sve dipole koji nisu uključeni u zapreminu ograničenu un-
utrašnjim i spoljašnjim površinama. Pogodno je da se uzme da je unutrašnja
površina sferna.
6.2.1 Lorencovo polje, E2

Polje E2 usled polarizacije naelektrisanja na zamišljenom kavezu sračunao
je Lorenc. Ako je θ polarni ugao (slika 136) koji se odnosi na pravac po-
larizacije, površinska gustina naelektrisanja na površini kaveza je −P cos θ.
Električno polje u centru sfernog kaveza poluprečnika a je
190
Z π
4π
(CGS) E2 = (a−2 )(2πa sin θ)(adθ)(P cos θ)(cos θ) = P; (303)
0 3
1
(SI) E2 = P.
30
Ovo je negativno polje depolarizacije E1 u polarizovanoj sferi, tako da je
E1 + E2 = 0 za sferu.
6.2.2 Polje dipola unutar kaveza, E3

Polje E3 koje potiče od dipola unutar sfernog kaveza je jedini član koji
zavisi od kristalne strukture. Pokazali smo za referentni sajt u kubičnom
okruženju u sferi da je E3 = 0 ako se svi atomi mogu zameniti tačkastim
dipolima koji su medusobno paralelni. Ukupno lokalno polje na kubičnom
sajtu je, iz (301) i (303),
4π 4π
(CGS) Elocal = E0 + E1 + P=E+ P; (304)
3 3
1
(SI) Elocal =E+ P.
30
Ovo je Lorencova relacija: polje koje deluje na atom na kubičnom sajtu je
makroskopsko polje - jednačina (294) - plus 4πP/3 ili P/30 od polarizacije
drugih atoma u uzorku. Eksperimentalni podaci za kubične jonske kristale
podržavaju Lorencovu relaciju.
6.3 Dielektrična konstanta i polarizabilnost

Dielektrična konstanta izotropne ili kubične sredine u odnosu na
vakuum definiše se preko makroskopskog polja E:
E + 4πP
(CGS) = = 1 + 4πχ; (305)
E
0 E + P
(SI) = = 1 + χ.
0 E
Podsetimo se da je χSI = 4πχCGS , po definiciji, ali je SI = CGS .
191
Slika 136: Proračun polja u sfernom kavezu u ravnomerno polarizovanoj
sredini.
Susceptibilnost (296) je povezana sa dielektričnom konstantom preko
P −1 P
(CGS) χ= = (SI) χ= = − 1. (306)
E 4π 0 E
U nekubičnom kristalu dielektrični odziv opisan je komponentama tenzora
susceptibilnosti ili tenzora dielektrične konstante:
(CGS) Pµ = χµν Eν ; µν = δµν + 4πχµν . (307)

(SI) Pµ = χµν 0 Eν ; µν = δµν + χµν .
Polarizabilnost α atoma definisana je preko lokalnog električnog polja

atoma:
p = αElocal , (308)
gde je p dipolni momenat. Definicija se primenjuje u CGS i SI sistemu,
ali je αSI = 4π0 αCGS . Polarizabilnost je atomska osobina, ali dielektrična
konstanta zavisiće od načina na koji su atomi rasporedeni u kristalu. Za
nesferni atom α će biti tenzor.
192
Polarizacija kristala može se približno izraziti kao proizvod polarizabil-
nosti atoma i lokalnog električnog polja:
X X
P = Nj pj = Nj α1 Elocal (j), (309)
j j
gde je Nj koncentracija, αj polarizabilnost atoma j, a Elocal (j) je lokalno

polje na atomskim sajtovima j.
Želimo da povežemo dielektričnu konstantu sa polarizabilnostima; rezul-
tat će zavisiti od relacije koja važi izmedu makroskopskog i lokalnog elek-
tričnog polja. Dajemo izvodenje u CGS jedinicama i rezultat koji važi u oba
sistema jedinica.
Ako je lokalno polje dato Lorencovom relacijom (304), tada je

X 4π
(CGS) P =( Nj αj ) E + P ;
3
što rešavamo po P da bismo odredili susceptibilnost
P
P Nj αj
(CGS) χ= = 4π
P . (310)
E 1− 3 Nj αj
Po definiciji je = 1 + 4πχ u CGS; preuredenjem poslednje jednačine dobi-
jamo
−1 4π X −1 1 X
(CGS) = Nj αj ; (SI) = Nj αj ,
+2 3 +2 30
(311)
što je Klauzijus-Mosotijeva relacija. Ona povezuje dielektričnu kon-
stantu sa elektronskom polarizabilnošću, ali samo za kristalne strukture za
koje postoji Lorencovo polje (304).
6.3.1 Elektronska polarizabilnost

Ukupna polarizabilnost obično se može razdvojiti na tri dela: elektronsku,
jonsku i dipolnu, kao na slici 137. Elektronski doprinos potiče od pomeraja
elektronske ljuske u odnosu na jezgro. Jonski doprinos potiče od pomeraja
naelektrisanog jona u odnosu na druge jone. Dipolna polarizabilnost uzroko-
vana je molekulima sa stalnim električnim momentom dipola koji može men-
jati orijentaciju u primenjenom električnom polju.
193
Slika 137: Frekvencijska zavisnost nekoliko doprinosa polarizabilnosti.
U heterogenim materijalima obično postoji i interfacijalna polarizacija,

koja potiče od nagomilavanja naelektrisanja na graničnim površinama struk-
tura. Ona je od malog suštinskog značaja, ali može biti od praktičnog interesa
jer su komercijalni izolatorski materijali obično heterogeni.
Dielektrična konstanta na optičkim frekvencijama potiče skoro u pot-
punosti od elektronske polarizabilnosti. Dipolni i jonski doprinosi su mali
na visokim učestanostima usled inercije molekula i jona. U vidljivom delu
spektra jednačina (311) svodi se na
n2 − 1 4π X
(CGS) = Nj αj (electronic); (312)
n2 + 2 3
ovde smo primenili relaciju n2 = , gde je n indeks prelamanja.
Primenom poslednje jednačine na veliki broj kristala odredene su i date na
slici 138 empirijske vrednosti elektronskih polarizabilnosti koje su približno
konzistentne sa izmerenim vrednostima indeksa prelamanja. Šema nije pot-
puno samosaglasna, jer elektronska polarizabilnost jona unekoliko zavisi od
okruženja u kome se jon nalazi. Negativni joni su slabo polarizabilni usled
svoje veličine.
194
Slika 138: Elektronske polarizabilnosti atoma i jona, u jedinicama 10−24 cm3 .
Klasična teorija elektronske polarizabilnosti. Elektron koji je vezan

za atom na harmonijski način ispoljavaće rezonantnu apsorpciju na frekven-
ciji ω0 = (β/m)1/2 , gde je β konstanta sile. Pomeraj x elektrona uzrokovan
primenom polja Elocal dat je sa
−eElocal = βx = mω02 x, (313)

tako da je statička elektronska polarizabilnost
α(electronic) = p/Elocal = −ex/Elocal = e2 /mω02 . (314)

Elektronska polarizabilnost zavisiće od frekvencije, i u narednom primeru
pokazano je da je za učestanost ω
e2 /m
(CGS) α(electronic) = ; (315)
ω02 − ω 2
ali u vidljivom delu spektra frekvencijska zavisnost (disperzija) obično nije
toliko važna u najvećem broju transparentnih materijala.
195
PRIMER: Frekvencijska zavisnost. Treba pronaći frekvencijsku zav-
isnost elektronske polarizabilnosti elektrona koji ima rezonantnu učestanost
ω0 , tretirajući sistem kao jednostavan harmonijski oscilator.
Jednačina kretanja u prisustvu lokalnog električnog polja Elocal sin ωt je
d2 x
m + mω0 x2 = −eElocal sin ωt,
dt2
tako da je, za x = x0 sin ωt,
m(−ω 2 + ω02 )x0 = −eElocal .

Dipolni momenat ima amplitudu
e2 Elocal
p = −ex0 = ,
m(ω02 − ω 2 )
odakle sledi jednačina (315).
U kvantnoj teoriji izraz koji odgovara jednačini (315) glasi
e2 X fij
α(electronic) = , (316)
m j ωij2 − ω 2
gde se fij naziva jačina oscilatora dipolnog prelaza izmedu atomskih stanja
i i j. Blizu prelaza polarizabilnost menja znak (slika 136).
6.4 Strukturni fazni prelazi

Nije neuobičajeno za kristale da se jedna kristalna struktura transformiše
u drugu sa promenom temperature ili pritiska. Stabilna struktura A na ap-
solutnoj nuli generalno ima najmanju unutrašnju energiju od svih mogućih
struktura. Čak i ovakav izbor strukture A može se menjati primenom pri-
tiska, jer će mala atomska zapremina favorizovati najgušće pakovane ili čak
metalne strukture. Vodonik i ksenon, na primer, postaju metalni pri visokim
pritiscima.
Neka druga struktura B može imati mekši, tj. niži frekvencijski fonon-
ski spektar od A. Kako temperatura raste, fononi u strukturi B biće jače
pobudeni (veće srednje termalne naseljenosti) od fonona u A. Pošto en-
tropija raste sa naseljenošću, entropija u B postaće veća od entropije u A sa
porastom temperature.
196
Stoga je moguće da se stabilna struktura transformiše iz A u B sa poras-
tom temperature. Stabilna struktura na temperaturi T odredena je minimu-
mom slobodne energije F = U − T S. Postojaće prelaz iz A u B ako postoji
temperatura Tc (ispod tačke topljenja) takva da je FA (Tc ) = FB (Tc ).
Često nekoliko struktura imaju skoro istu unutrašnju energiju na apso-
lutnoj nuli. Fononske disperzione relacije za takve strukture, ipak, mogu biti
vrlo različite. Energije fonona osetljive su na broj i uredenje susednih atoma;
to su veličine koje se menjaju sa promenom strukture.
Neki strukturni fazni prelazi imaju male efekte na makroskopske fizičke
osobine materijala. Ipak, ako je prelaz uzrokovan primenjenim naprezanjem,
kristal može mehanički doći vrlo blizu temperature prelaza, jer će se relativne
proporcije u dve faze promeniti usled naprezanja. Neki drugi strukturni fazni
prelazi mogu imati značajan uticaj na makroskopske električne osobine.
Feroelektrični prelazi su podgrupa strukturnih faznih prelaza, karakter-
isana prisustvom spontane dielektrične polarizacije u kristalu. Feroelektrici
su od teorijskog i tehničkog značaja jer često imaju neuobičajeno visoke i
temperaturski zavisne vrednosti dielektrične konstante, poseduju piezoelek-
trični, piroelektrični i elektrooptičke efekte, uključujući dupliranje optičke
frekvencije.
6.5 Feroelektrični kristali

Feroelektrični kristal ispoljava električni momenat dipola čak i u odsustvu
spoljašnjeg polja. U feroelektričnom stanju centar pozitivnog naelektrisanja
kristala ne poklapa se sa centrom negativnog naelektrisanja.
Grafik polarizacije u funkciji električnog polja za feroelektrično stanje is-
poljava histerezisnu petlju. Kristal u normalnom dielektričnom stanju obično
ne pokazuje značajan histerezis kada se električno polje povećava, a potom
menja smer, ukoliko se to sprovodi polako.
Feroelektricitet obično iščezava iznad neke temperature, tzv. temperature
prelaza. Iznad te temperature za kristal se kaže da se nalazi u paraelek-
tričnom stanju. Izraz paraelektrično ukazuje na analogiju sa paramagne-
tizmom: obično postoji brzo opadanje dielektrične konstante sa porastom
temperature.
Kod nekih kristala feroelektrični moment dipola se ne menja primenom
električnog polja maksimalnog intenziteta kada ga je moguće primeniti pre
uspostavljanja električnog proboja. U ovim kristalima često se može primetiti
promena spontanog momenta kada se temperatura ne menja (slika 139).
197
Ovakvi kristali nazivaju se piroelektrični. Litijum niobat LiNbO3 , je piroelek-
trik na sobnoj temperaturi. On ima visoku temperaturu prelaza (Tc = 1480
K) i visoku saturacionu polarizaciju (50 µC/cm2 ). On se može ”polarisati”, u
smislu remanentne polarizacije, električnim poljem primenjenim iznad 1400
K.
6.5.1 Klasifikacija feroelektričnih kristala

Na slici 140 izlistani su neki često korišćeni feroelektrični kristali, zajedno
sa temperaturom prelaza ili Kirijevom tačkom Tc na kojoj kristal prelazi iz
niskotemperaturskog polarisanog u visokotemperatursko nepolarisano stanje.
Toplotno kretanje teži da uništi feroelektrično uredenje. Neki feroelektrični
kristali nemaju Kirijevu tačku, jer se tope pre napuštanja feroelektrične faze.
Slika takode sadrži vrednosti spontane polarizacije Ps . Feroelektrični kristali
mogu se klasifikovati u dve glavne grupe, uredena-neuredena ili ona koja
uzrokuje pomeraj (?).
Možemo definisati karakter prelaza preko dinamike najnižih (”mekih”)
optičkih fononskih modova. Ako se meki mod može prostirati u kristalu na
temperaturi prelaza, tada je prelaz drugog tipa (uzrokuje pomeraj). Ako
je meki mod samo difuzivan (nepropagirajući) nije u pitanju fonon, već
imamo samo kretanje velike amplitude izmedu ”bunara” sistema koji prelazi
iz uredenog u neuredeno stanje. Mnogi feroelektrici imaju meke modove koji
se nalaze izmedu ova dva ekstrema.
Klasa uredeni/neuredeni sistemi feroelektrika uključuje kristale sa vodoničnim
vezama u kojima je kretanje protona povezano sa feroelektričnim osobinama,
kao u kalijum dihidrogen fosfatu (KH2 PO4 ) i izomorfnim solima. Zamena
deuterijuma protonima skoro udvostručuje Tc , iako je relativna promena
molekulske težine jedinjenja manja od 2 procenta:
KH2 PO4 KD2 PO4 KH2 AsO4 KD2 AsO4

Kirijeva temperatura 123K 213K 97K 162K
Ovaj izuzetno veliki izotopni pomeraj pripisan je kvantnom efektu koji uključuje
maseno zavisnu de Broljevu talasnu dužinu. Podaci vezani za neutronsku
difrakciju pokazuju da je iznad Kirijeve temperature raspodela protona duž
vodonične veze simetrično izdužena. Ispod Kirijeve temeprature raspodela je
koncentrisanija i asimetrična u odnosu na susedne jone, tako da je verovat-
198
Slika 139: Temperaturska promena (a) dielektrične konstante , (b) piroelek-
tričnog koeficijenta dP/dT , i (c) specifične toplote cp za PbTiO3 .
199
Slika 140: Pregled nekih feroelektričnih kristala.
nije da jedan kraj vodonične veze sadrži proton, u odnosu na susedni kraj,
što daje polarizaciju.
Druga klasa feroelektrika uključuje jonske kristalne strukture blisko povezane
sa strukturama perovskita i ilmenita. Najprostiji feroelektrični kristal je
GeTe sa strukturom natrijum hlorida. Usmerićemo našu pažnju prvenstveno
na kristale perovskitne strukture, slika 141.
Posmatrajmo red veličine feroelektričnih efekata u barijum titanatu: izmer-
ena saturaciona polarizacija na sobnoj temperaturi (slika 142) je 8 × 104 esu
cm−2 . Zapremina ćelije je (4 × 10−8 )3 = 64 × 10−24 cm3 , tako da je dipolni
momenat ćelije
(CGS) p ≈ (8 × 104 esu cm−2 )(64 × 10−24 cm3 ) ≈ 5 × 10−18 esu cm;
(SI) p ≈ (3 × 10−1 C m−2 )(64 × 10−30 m3 ) ≈ 2 × 10−29 C m.
Kada bi pozitivni joni Ba2+ i Ti4+ bili pomereni za δ = 0.1Å u odnosu
na negativne O2− jone, dipolni momenat ćelije bio bi 6eδ ≈ 3 × 10−18 esu
cm. U LiNbO3 pomeraji su značajno veći, tj. 0.9 Å i 0.5 Å za litijumove i
niobijumske jone, respektivno, dajući veće Ps .
200
Slika 141: (a) Kristalna struktura barijum titanata. Prototip kristala je kalci-
jum titanat (perovskit). Struktura je kubična, sa Ba2+ jonima u uglovima
kocke, O2− jonima u centrima bočnih strana i Ti4+ jonima u centru kocke.
(b) Ispod Kirijeve temperature struktura je blago deformisana, sa Ba2+ i Ti4+
jonima relativno pomerenim u odnosu na O2− jone, stvarajući na taj način
dipolni momenat. Gornji i donji kiseonikovi joni mogu se blago pomeriti
naniže.
6.6 Prelazi koji uzrokuju pomeraje

Dve tačke gledišta doprinose razumevanju feroelektričnog prelaza drugog
tipa i proširenju na generalne prelaze koji uzrokuju pomeraje. Možemo gov-
oriti o polarizacionoj katastrofi u kojoj za neki kritičan uslov polarizacija ili
neka njena Furijeova komponenta postaje veoma velika. Takode, možemo
govoriti o kondenzaciji transverzalnih optičkih fonona. Ovde se reč kon-
denzacija shvata u Boze-Ajnštajnovom smislu, tj. kao vremenski nezavisan
pomeraj konačne amplitude. Ovo može nastati kada se odgovarajuća frekven-
cija TO fonona anulira u nekoj tački u Briluenovoj zoni. LO fononi uvek
imaju više učestanosti od TO fonona za isti talasni vektor, tako da ne govo-
rimo o kondenzaciji LO fonona.
U polarizacionoj katastrofi, lokalno električno polje uzrokovano jonskim
pomerajem je veće od elastične sile, dajući tako asimetričan pomeraj pozicija
jona. Elastične sile višeg reda ograničiće pomeraj na konačnu vrednost.
201
Pojava feroelektriciteta (i antiferoelektriciteta) u mnogim kristalima per-
ovskitne strukture ukazuje da je ova struktura vrlo sklona ovom tipu prelaza.
Proračuni lokalnog polja razjašnjavaju razlog za favorizovanu poziciju ove
strukture: O2− joni nemaju kubično okruženje, i faktori lokalnog polja su
neobično veliki.
Dajemo najpre jednostavan oblik teorije katastrofe, pretpostavljajući da
je lokalno polje na svim atomima jednako E + 4πP/3 u CGS odnosno E +
P/30 u SI jedinicama. Teorija koja se sada izlaže dovodi do prelaza drugog
reda; fizičke ideje se mogu pripisati prelazu prvog reda. Kod prelaza drugog
reda nema latentne toplote; parametar reda (u ovom slučaju, polarizacija)
nema diskontinuitet na temperaturi prelaza. Kod prelaza prvog reda postoji
latentna toplota; parametar reda diskontinualno se menja na temperaturi
prelaza.
Pišemo jednačinu (311) za dielektričnu konstantu u obliku
1 + 8π
P
3
Ni αi
(CGS) = 4π
P , (317)
1− 3 Ni αi
gde je αi elektronska plus jonska polarizabilnost jona tipa i a Ni je broj
jona i po jedinici zapremine. Dielektrična konstanta postaje beskonačna i
omogućava konačnu polarizaciju pri nultom polju kada je
X
(CGS) Ni αi = 3/4π. (318)
Ovo je uslov za polarizacionu katastrofu. P
Vrednost u (317) je osetljiva na mala odstupanja Ni αi od kritične
vrednosti 3/4π. Ako napišemo
X
(CGS) (4π/3) Ni αi = 1 − 3s, (319)
gde je s 1, dielektrična konstanta (317) postaje
≈ 1/s. (320)
Pretpostavimo da se blizu kritične temperature s menja linearno sa tem-
peraturom:
s ≈ (T − Tc )/ξ, (321)
P
gde je ξ konstanta. Ovakva promena s ili Ni αi može poticati od normalnog
toplotnog širenja rešetke. Dielektrična konstanta ima oblik
202
Slika 142: Spontana polarizacija projektovana na ivicu kocke barijum ti-
tanata, u funkciji temperature.
ξ
≈ , (322)
T − Tc
što je blisko izmerenoj temperaturskoj promeni paraelektričnog stanja, slika 143.
6.6.1 Meki optički fononi

Lidejn-Sahs-Telerova relacija (Glava 14) glasi
ωT2 /ωL2 = (∞)/(0). (323)

Statička dielektrična konstanta raste kada frekvencija transverzalnih optičkih
fonona opada. Kada statička dielektrična konstanta (0) ima veliku vrednost,
kao npr. 100 do 10,000, vidimo da ωT ima malu vrednost.
Kada je ωT = 0 kristal je nestabilan i (0) je beskonačno, jer ne postoji
efektivna povratna elastična sila. Feroelektrik BaTiO3 na 240 C ima TO mod
203
Slika 143: Dielektrična konstanta u funkciji 1/(T − Tc ) u paraelektričnom
stanju (T > Tc ) perovskita.
na 12 cm−1 , što je vrlo mala učestanost za optički mod.

Ako je prelaz u feroelektrično stanje prvog reda, ne možemo naći ωT = 0
ili (0) = ∞ na temperaturi prelaza. LST relacija ukazuje samo da se (0)
ekstrapolira na singularitet na temperaturi T0 ispod Tc .
Pridruživanje velike statičke dielektrične konstante niskofrekvencijskom
optičkom modu podržano je eksperimentima na stroncijum titanatu, SrTiO3 .
U skladu sa LST relacijom, ako recipročna vrednost statičke dielektrične
konstante ima temperatursku zavisnost 1/(0) ∝ (T − T0 ), tada će kvadrat
učestanosti optičkog moda imati sličnu temperatursku zavisnost: ωT2 ∝ (T −
T0 ), ako je ωL nezavisno od temperature. Rezultat za ωT2 vrlo dobro je
potvrden slikom 144. Merenja ωT u funkciji T za drugi feroelektrični kristal,
SbSI, prikazana su na slici 145.
204
Slika 144: Grafik kvadrata frekvencije pri nultom talasnom vektoru
transverzalnog optičkog moda u funkciji temperature, za SrTiO3 , dobijen
eksperimentima neutronske difrakcije. Isprekidana linija je recipročna vred-
nost dielektrične konstante.
6.6.2 Landauova teorija faznih prelaza

Feroelektrik sa faznim prelazom prvog reda izmedu feroelektričnog i paraelek-
tričnog stanja prepoznaje se po diskontinualnoj promeni saturacione polar-
izacije na temperaturi prelaza. Prelaz izmedu normalnog i superprovodnog
stanja je prelaz drugog reda, kao i prelaz izmedu feromagnetskog i param-
agnetskog stanja. U ovim prelazima stepen uredenosti pada na nulu bez
diskontinualne promene sa porastom temperature.
Možemo dobiti konzistentnu formalnu termodinamičku teoriju ponašanja
feroelektričnog kristala razmatranjem oblika razvoja energije u funkciji po-
larizacije P . Pretpostavljamo da se Landauova gustina slobodne energije F̂
u jednoj dimenziji može formalno razviti na sledeći način:
1 1 1
F̂ (P ; T, E) = −EP + g0 + g2 P 2 + g4 P 4 + g6 P 6 + ..., (324)
2 4 6
205
Slika 145: Opadanje frekvencije transverzalnih optičkih fonona sa pri-
bližavanjem Kirijevoj temperaturi odozdo, u feroelektričnom kristalu anti-
mon sulfojodidu, SbSI.
gde koeficijenti gn zavise od temperature.

Razvoj ne sadrži članove sa neparnim stepenima P ako nepolarizovani
kristal ima centar inverzije, ali postoje kristali kod kojih su ti članovi važni.
Razvoj slobodne energije u red ne postoji uvek, jer je poznato da postoje i
neanalitički članovi, posebno vrlo blizu prelaza. Na primer, razvoj u KH2 PO4
verovatno ima logaritamski singularitet u toplotnom kapacitetu na tempera-
turi prelaza, što se ne može smatrati prelazom ni prvog ni drugog reda.
Vrednost P u toplotnoj ravnoteži data je minimumom funkcije P̂ (P );
vrednost F̂ u minimumu definiše Helmholcovu slobodnu energiju F (T ; E).
Ravnotežna polarizacija u primenjenom električnom polju E zadovoljava
uslov ekstremuma
∂ F̂
= 0 = −E + g2 P + g4 P 3 + g6 P 5 + .... (325)
∂P
U ovom odeljku pretpostavljamo da je uzorak u obliku duge cevi sa spoljašnjim
poljem E paralelnim dugačkoj osi.
Da bismo dobili feroelektrično stanje moramo pretpostaviti da koeficijent
uz P 2 u (324) prolazi kroz nulu na nekoj temperaturi T0 :
206
g2 = γ(T − T0 ), (326)
gde se γ uzima kao pozitivna konstanta a T0 može biti jednako ili manje od
temperature prelaza. Mala pozitivna vrednost g2 znači da je rešetka ”meka” i
bliska nestabilnosti. Negativna vrednost g2 znači da je nepolarizovana rešetka
nestabilna. Varijacija g2 sa temperaturom pripisana je toplotnom širenju i
drugim efektima anharmonijskih interakcija rešetke.
6.6.3 Prelaz drugog reda

Ako je g4 u (324) pozitivno, ništa novo se ne dobija članom sa g6 i on se
može zanemariti. Polarizacija za nulto primenjeno polje dobija se iz jednačine
(325):
γ(T − T0 )Ps + g4 Ps3 = 0, (327)

tako da je ili Ps = 0 ili Ps2 = (γ/g4 )(T0 − T ). Za T ≥ T0 jedini realan koren
jednačine (326) je Ps = 0, pošto su γ i g4 pozitivni. Stoga je T0 Kirijeva
temperatura. Za T < T0 minimum Landauove slobodne energije pri nultom
polju je za
|Ps | = (γ/g4 )1/2 (T0 − T )1/2 , (328)

što je prikazano na slici 146. Fazni prelaz je drugog reda jer polarizacija
kontinualno pada ka nuli, koju dostiže na temperaturi prelaza. Prelaz u
LiTaO3 je primer (slika 147) prelaza drugog reda.
6.6.4 Prelaz prvog reda

Prelaz je prvog reda ako je g4 iz jednačine (324) negativno. Sada moramo
zadržati član g6 i smatrati ga pozitivnim, da bi se sprečilo da F̂ ode ka minus
beskonačnosti (slika 148). Uslov ravnoteže za E = 0 dat je relacijom (325):
γ(T − T0 )Ps − |g4 |Ps3 + g6 Ps5 = 0, (329)

pa je ili Ps = 0 ili
γ(T − T0 ) − |g4 |Ps2 + g6 Ps4 = 0. (330)
207
Slika 146: Spontana polarizacija u funkciji temperature, za fazni prelaz dru-
gog reda.
Na temperaturi prelaza Tc slobodne energije paraelektrične i feroelek-

trične faze biće jednake. To znači, vrednost F̂ za Ps = 0 biće jednaka vred-
nosti F̂ u minimumu datom jednačinom (330). Na slici 149 vidimo karakter-
ističnu temperatursku promenu Ps za fazni prelaz prvog reda; uporedimo ovo
sa promenom prikazanom na slici 146 za fazni prelaz drugog reda. Prelaz u
BaTiO3 je prvog reda.
Dielektrična konstanta se računa iz ravnotežne polarizacije u primen-
jenom električnom polju E i dobija se iz jednačine (325). U ravnoteži na
temperaturama iznad kritične, članovi po P 4 i P 6 mogu da se zanemare;
stoga je E = γ(T − T0 )P , ili
(CGS) (T > Tc ) = 1 + 4πP/E = 1 + 4π/γ(T − T0 ), (331)

što je oblika (323). Rezultat važi bez obzira da li je prelaz prvog ili drugog
reda, ali ako je drugog reda imamo T0 = Tc ; ako je prvog reda, tada je
T0 < Tc . Jednačina (326) definiše T0 , ali Tc je kritična temperatura.
6.6.5 Antiferoelektricitet
Feroelektrični pomeraj nije jedini tip nestabilnosti koji može postojati
u dielektričnim kristalima. Nastaju i druge deformacije, kao na slici 150.
208
Slika 147: Temperaturska promena statičke dielektrične konstante LiTaO3
na polarnoj osi.
Ove deformacije, čak iako ne daju spontanu polarizaciju, mogu biti praćene
promenama dielektrične konstante. Jedan tip deformacije naziva se antif-
eroelektricitet i ima susedne linije jona pomerene na suprotan način. Per-
ovskitna struktura je osetljva na mnoge tipove deformacija, često sa malom
energetskom razlikom izmedu njih. Fazni dijagrami mešovitih perovskitnih
sistema, kao što je PbZrO3 -PbTiO3 sistem, pokazuju prelaze izmedu para-
, fero- i antiferoelektričnih stanja (slika 151). Nekoliko kristala za koje se
pretpostavlja da imaju uredeno nepolarno stanje navedeno je na slici 152.
6.6.6 Feroelektrični domeni

Posmatrajmo feroelektrični kristal (kao što je barijum titanat u tetrag-
onalnoj fazi, u kome spontana polarizacija može biti u pozitivnom ili neg-
ativnom smeru c ose kristala. Feroelektrični kristal generalno se sastoji od
oblasti koje zovemo domeni, gde je unutar svakog domena polarizacija u is-
tom smeru, ali u susednih domenima se pravac i smer polarizacije razlikuju.
Na slici 153 polarizacija je u suprotnim smerovima. Ukupna polarizacija
209
Slika 148: Landauova funkcija slobodne energije od kvadrata polarizacije
kod prelaza prvog reda, na reprezentativnim temperaturama. Na Tc Lan-
dauova funkcija ima jednake minimume za P = 0 i za konačno P , kao što
je prikazano. Za T < Tc apsolutni minimum je na većoj vrednosti P ; kada
T prolazi kroz Tc postoji diskontinualna promena u poziciji apsolutnog min-
imuma. Strelice označavaju minimume.
zavisi od razlike zapremina domena sa različito usmerenim polarizacijama.

Kristal u celini izgledaće nepolarizovan, mereći naelektrisanje na elektrodama
prikačenim za krajeve kristala, kada su zapremine domena sa suprotno us-
merenim polarizacijama jednake. Ukupan dipolni momenat kristala može se
promeniti pomeranjem zidova izmedu domena ili nukleacijom novih domena.
Slika 154 predstavlja seriju fotomikrografa monokristala barijum titanata
u električnom polju normalnom na ravan fotografa i paralelnom u odnosu
na tetragonalnu osu. Zatvorene krive su granice izmedu domena polarizo-
vanih ka i izvan ravni fotografa. Granice domena menjaju veličinu i oblik sa
promenom intenziteta električnog polja.
6.6.7 Piezoelektricitet
Svi kristali u feroelektričnom stanju takode su i piezoelektrični: naprezanje
Z primenjeno na kristal promeniće električnu polarizaciju (slika 155). Slično,
210
Slika 149: Računate vrednosti spontane polarizacije u funkciji temperature,
sa parametrima kao za barijum titanat.
električno polje E primenjeno na kristal uzrokovaće naprezanje. U šematskoj

jednodimenzionalnoj notaciji, piezoelektrične jednačine glase
P = Zd + Eχ; e = Zs + Ed, (332)

gde je P polarizacija, Z je naprezanje, d je piezoelektrična konstanta
naprezanja, E električno polje, χ dielektrična susceptibilnost, e je elastično
naprezanje i s elastična konstanta savijanja. Da bismo dobili poslednju
jednačinu u SI jedinicama, treba zameniti χ sa 0 χ. Ove relacije pokazuju
nastajanje polarizacije usled naprezanja i nastajanje elastičnog naprezanja
kao posledica primenjenog električnog polja.
Kristal može biti piezoelektričan bez feroelektričnih osobina: šematski
primer takve strukture dat je na slici 156. Kvarc je piezoelektričan, ali nije
feroelektrik; barijum titanat poseduje oba svojstva. Sa tačnošću do na red
veličine, kod kvarca d ≈ 10−7 cm/statvolt a kod barijum titanata d ≈ 10−5
cm/statvolt. Opšta definicija piezoelektričnih konstanti naprezanja je
dik = (∂ek /∂Ei )Z , (333)

gde je i = x, y, z a k = xx, yy, zz, yz, zx, xy. Za konverziju u cm/stat-V iz
vrednosti dik datih u m/V, treba pomnožiti sa 3 × 104 .
Olovo cirkonat - olovo titanat sistem (takozvani PZT sistem), slika 151, je
široko korišćen u polikristalnom (keramičkom) obliku sa vrlo jakim piezoelek-
tričnim sprezanjem. Sintetički polimer polivinilidenfluorid (PVF2 ) ima pet
puta jači piezoelektrični efekat od kristalnog kvarca. Tanki filmovi PVF2 su
211
Slika 150: Šematski prikaz fundamentalnih tipova strukturnih faznih prelaza
iz centrosimetričnog prototipa.
212
Slika 151: Feroelektrična F , antiferoelektrična A i paraelektrična P , faza
olovo cirkonat - olovo titanat čvrstog rastvora. Subskript T označava tetrag-
onalnu fazu, C je oznaka za kubičnu fazu, R za romboedarsku, od kojih
postoje visokotemperaturski (HT) i niskotemperaturski (LT) oblici. Blizu
romboedarsko-tetragonalnog prelaza postoje veoma visoke piezoelektrične
konstante sprezanja.
fleksibilni i kao ultrasonični pretvarači primenjeni u medicini, za merenje i

kontrolu krvnog pritiska i disanja.
6.7 Kratak pregled

* Električno polje usrednjeno po zapremini uzorka definiše makroskopsko
električno polje E iz Maksvelovih jednačina.
* Električno polje koje deluje na sajt rj atoma j je lokalno električno
polje, Elocal . To je suma po svim naelektrisanjima, grupisana u članove kao
Elocal (rj ) = E0 + E1 + E2 + E3 (rj ), gde se samo E3 menja brzo unutar ćelije.
213
Slika 152: Antiferomagnetski kristali.
Slika 153: (a) Šematski prikaz atomskih pomeraja sa svake strane granice
izmedu domena polarizovanih u suprotnim smerovima u feroelektričnom
kristalu; (b) izgled domenske strukture, gde se vide 1800 granice izmedu
domena polarizovanih u suprotnim smerovima.
214
Slika 154: Feroelektrični domeni na površini monokristala barijum titanata.
Strana je normalna na tetragonalnu ili c osu. Ukupna polarizacija kristala
procenjena na osnovu zapremina domena značajno se povećala kada je in-
tenzitet električnog polja paralelnog ovoj osi povećan sa 550 volts/cm na
980 V/cm. Granice domena su vidljive usled nagrizanja kristala u slabom
rastvoru kiseline.
Ovde su:
E0 = spoljašnje električno polje;
E1 = polje depolarizacije pridruženo granici uzorka;
E2 = polje od polarizacije izvan sfere centrirane oko rj ;
E3 (rj ) = polje u rj usled svih atoma unutar sfere.
* Makroskopsko polje E iz Maksvelovih jednačina jednako je E0 + E1 ,
što u opštem slučaju nije jednako Elocal (rj ).
* Polje depolarizacije u elipsoidu je E1µ = −Nµν Pν , gde je Nµν tenzor
depolarizacije; polarizacija P je dipolni momenat po jedinici zapremine. U
sferi N = 4π/3.
* Lorencovo polje je E2 = 4πP/3.
* Polarizabilnost α atoma definisana je preko lokalnog električnog polja,
relacijom p = αElocal .
* Dielektrična susceptibilnost χ i dielektrična konstanta definisani su
preko makroskopskog električnog polja E kao D = E + 4πP = E = (1 +
215
Slika 155: (a) Nenapregnuti feroelektrični kristal i (b) napregnuti feroelek-
trični kristal. Naprezanje menja polarizaciju za ∆P, tj. za iznos indukovane
piezoelektrične polarizacije.
4πχ)E, ili χ = P/E. U SI sistemu, imamo χ = P/0 E.

* Atom na sajtu kubične simetrije ima Elocal = E + (4π/3)P i zadovoljava
Klauzijus-Mosotijevu jednačinu.
216
Slika 156: (a) Nenapregnuti kristal ima trostruku osu simetrije. Strelice
označavaju dipolne momente: svaki skup od tri strelice predstavlja planarnu
grupu jona označenih sa A3+ B3− , sa B3− jonima na svakom vrhu. Zbir tri
dipolna momenta na svakom vrhu je nula. (b) Napregnut kristal ispoljava
polarizaciju u naznačenom smeru. Zbir dipolnih momenata oko svakog vrha
više nije nula.
7 GLAVA 17: FIZIKA POVRŠINSKIH I GRANIČNIH

SLOJEVA
7.0.1 Rekonstrukcija i relaksacija
Površina kristalnog čvrstog tela u vakuumu generalno je definisana kao
nekoliko, otprilike tri, najudaljenija atomska sloja čvrstog tela koja se značajno
razlikuju od unutrašnjeg dela. Površina može biti potpuno čista ili može imati
strane atome na sebi ili u sebi. Masivni deo kristala naziva se supstrat.
Ako je površina čista, najviši sloj može biti rekonstruisan ili, ponekad,
nerekonstruisan. Kod nerekonstruisanih površina atomsko uredenje je slično
kao u unutrašnjem delu, osim što postoji promena u meduslojnom rastojanju
(tzv. višeslojna relaksacija) na gornjoj površini.
Smanjivanje meduslojnog rastojanja izmedu prvog i drugog atomskog
sloja u odnosu na naredne slojeve u masivnom materijalu je dominantan
fenomen. Površina može biti shvaćena kao prelaz izmedu dvoatomnog molekula
i masivne strukture. Pošto su meduatomska rastojanja u dvoatomnim molekulima
mnogo manja od rastojanja u masivnoj strukturi, postoji opravdanje za
217
površinsku relaksaciju. Ovo se može suprotstaviti rekonstrukciji, gde relak-
sacija atoma daje nove površinske primitivne ćelije. Kod relaksacije atomi
zadržavaju strukturu u površinskoj ravni kakva je bila (u skladu sa projek-
cijom masivne ćelije na površinu); samo se njihova medusobna rastojanja
menjaju.
Ponekad u metalima, ali najčešće u nemetalima, atomi u površinskom
sloju formiraju superstrukture u kojima atomi u sloju nisu u skladu sa atom-
ima u odgovarajućim slojevima supstrata. To je površinska rekonstrukcija;
ona može biti posledica preuredenja prekinutih kovalentnih ili jonskih veza
na površini. Pod takvim uslovima atomi na površini ureduju se u redove sa
alternativno većim i manjim rastojanjima u odnosu na masivnu strukturu.
To znači, za neke kristale koji se drže zajedno valentnim vezama, formiranje
površine ostavilo bi nezasićene veze da vise u prostoru (slika 157). Energija
se tada može smanjiti ako se susedni atomi približe i formiraju veze sa inače
neiskorišćenim valentnim elektronima. Atomska rastojanja mogu ići i do 0.5
Å.
Rekonstrukcija ne zahteva formiranje superstrukture. Na primer, na
GaAs (110) površinama rotacija Ga-As veze ostavlja tačkastu grupu ne-
taknutu. Vodeća sila je transfer elektrona sa Ga na As, koji popunjavaju
nezasićene veze na As i ostavlja ih na Ga.
Površine na ravnima nominalno velikih indeksa mogu biti izradene od
ravni malih indeksa razdvojenih za jedan (ili dva) atoma po visini. Ovakvo
terasasto uredenje je važno kod isparavanja i desorpcije jer je pridružena en-
ergija atoma često mala u koracima i u nagibima koraka. Hemijska aktivnost
ovakvih sajtova može biti velika. Prisustvo periodičnih nizova koraka može se
ustanoviti dvostrukim ili trostrukim difrakcionim snopovima u LEED (vidi
dole) eksperimentima.
7.1 Površinska kristalografija

Površinska struktura je, generalno, periodični niz samo u dve dimenzije.
Površinska struktura može biti struktura stranog materijala postavljenog na
supstrat ili okrajak čistog supstrata. U Glavi 1 koristili smo izraz Braveova
rešetka za niz ekvivalentnih tačaka u dve ili tri dimenzije, tj. za diperiodične
ili triperiodične strukture. U fizici površina često govorimo o dvodimenzion-
alnoj rešetki. Dalje, jedinica površine može se nazvati polje mreže.
Na slici ?? pokazali smo četiri od pet mogućih mreža za dvodimenzion-
alnu strukturu; peta mreža je opšta kosa mreža, bez specijalnih simetri-
218
Slika 157: Viseće veze sa (111) površine kovalentno vezane dijamantske
kubične strukture.
jskih relacija izmedu baznih vektora mreže a1 , a2 . Stoga imamo sledećih pet
mreža: kosa, kvadratna, heksagonalna, pravougaona i centrirana pravougaona.
Supstratna mreža paralelna površini koristi se kao referentna mreža za
opis površine. Na primer, ako je površina kubičnog supstratnog kristala
(111) površina, supstratna mreža je heksagonalna (slika ??b), a površinska
mreža odnosi se na ove ose.
Vektori c1 , c2 koji definišu polja mreže površinske strukture mogu se
izraziti preko referentne mreže a1 , a2 matričnom operacijom P:

c1 a1 P11 P12 a1
=P = .
c2 a2 P21 P22 a2
Ako se obezbedi da su uglovi u dva polja mreže jednaki, može se koristiti
Woodova skraćena notacija. U ovoj notaciji, koja se široko koristi, relacija
219
polja mreže c1 , c2 sa referentnim poljem mreže a1 , a2 izražava se kao

c1 c2
× Rα, (334)
a1 a2
preko dužine baznih vektora polja mreže i ugla α relativne rotacije R dva
polja mreže. Ako je α = 0, ugao se izostavlja. Primeri Woodove notacije
dati su na slici 158.
Recipročni vektori mreže na površini mogu se pisati kao c∗1 , c∗2 i definisani
su sa
c1 · c∗2 = c2 · c∗1 = 0; c1 · c∗1 = c2 · c∗2 = 2π (ili 1). (335)

Ovde 2π (ili 1) ukazuje na korišćenje dve konvencije. Definicije (335) korišćene
na slici 159 mogu se uporediti sa definicijama iz Glave 2 u vezi recipročnih
vektora rešetke za triperiodičnu rešetku.
Tačke mreže recipročne rešetke u dvoperiodičnoj mreži mogu se shvatiti
- kada smo u tri dimenzije - kao cevi. Cevi su beskonačne dužine i normalne
na ravan površine, gde prolaze kroz tačke recipročne mreže. Može biti ko-
risno da se cevi shvate kao da su generisane iz troperiodične rešetke koja
je neograničeno raširena duž jedne od svojih osa. Tada su tačke recipročne
rešetke duž ove ose pomerene tako da su bliže i u graničnom slučaju formiraju
cev.
Korisnost koncepta cevi potiče od konstrukcije Evaldove sfere, objašnjene
u Glavi 2. Difrakcija nastaje svuda gde Evaldova sfera seče cev recipročne
mreže. Svaki difraktovan snop označen je indeksima hk vektora recipročne
mreže
g = hc∗1 + kc∗2 (336)

koji formiraju snop.
Niskoenergetska elektronska difrakcija (LEED) ilustrovana je na slici 160.
Energija elektrona tipično je u opsegu 10-1000 eV. Sa ovakvom postavkom
Dejvison i Germer 1927. godine otkrili su talasnu prirodu elektrona. Eksper-
imentalan trag dat je na slici 161.
Refleksiona difrakcija visokoenergetskih elektrona. U RHEED metodi
snop elektrona visoke energije usmerava se na kristalnu površinu sa proizvoljnom
incidencijom. Podešavanjem ugla incidencije možemo postići da normalna
komponenta upadnog talasnog vektora bude vrlo mala, što će minimizirati
prodiranje elektronskog snopa i povećati ulogu kristalne površine.
220
Slika 158: Površinske mreže adsorbovanih atoma. Krugovi predstavljaju
atome u gornjem sloju supstrata. Na slici (a) oznaka fcc (111) znači (111)
strana fcc strukture. Ova strana odreduje referentnu mrežu. Linije predstavl-
jaju uredene nadslojeve, sa dodatnim atomima na presecima dve linije. Tačke
preseka predstavljaju diperiodične mreže (rešetke u dve dimenzije). Oznaka
p(1 × 1) na slici (a) je primitivna jedinica mreže koja ima identičnu bazu kao
baza referentne mreže. Na slici (b) oznaka v(2 × 2) jedinice mreže je centri-
rano polje mreže sa baznim vektorima koji su dvostruko veći od baznih vek-
tora referentne mreže. Atomska adsorpcija na metalima najčešće se dešava
na onim površinskim sajtovima (šupljim sajtovima) koji maksimiziraju broj
najbližih suseda na supstratu.
221
Slika 159: (3 × 1) površinska struktura, (a) dijagram u realnom i (b) u
recipročnom prostoru.
−1
Poluprečnik k Evaldove sfere za 100 keV elektrone biće ≈ 103 Å , što
−1
je mnogo više od najkraćeg vektora recipročne rešetke 2π/a ≈ 1Å . Sledi
da će Evaldova sfera biti skoro ravna površina u centralnoj oblasti rasejanja.
Presek cevi recipročne mreže sa ovom gotovo ravnom sferom biće skoro linija
kada je snop usmeren u takvoj incidenciji. Eksperimentalna postavka data
je na slici 162.
7.2 Površinska elektronska struktura

7.2.1 Radna funkcija
Radna funkcija W uniformne površine metala definisana je kao razlika
potencijalne energije elektrona izmedu vakuumskog nivoa i Fermijevog nivoa.
Vakuumski nivo je energija elektrona u mirovanju u tački prostora dovoljno
daleko od površine, tako da je elektrostatička sila na elektron zanemarljivo
mala - recimo, na rastojanju većem od 100Å od površine. Fermijev nivo je
elektrohemijski potencijal elektrona u metalu.
Tipične vrednosti radnih funkcija elektrona date su na slici 163. Ori-
jentacija izložene površine kristala utiče na vrednost radne funkcije pošto
jačina električnog dvosloja na površini zavisi od koncentracije površinskih
jonskih jezgara. Dvostruki sloj postoji jer su površinski joni u asimetričnom
okruženju, sa vakuumom (ili slojem od apsorbovanih stranih atoma) na jed-
222
Slika 160: Konstrukcija Evaldove sfere za difrakciju incidentnog talasa k
na kvadratnoj mreži, kada je k paralelno jednoj osi polja mreže. Rasejani
snopovi u ravni papira su k04 , k05 , k06 , k07 . Difraktovani snopovi izvan ravni
papira će se takode pojaviti. Vertikalne linije su cevi recipročne mreže.
noj strani i supstratom na drugoj.

Radna funkcija jednaka je energiji praga za fotoelektričnu emisiju na ap-
solutnoj nuli. Ako je h̄ω energija incidentnog fotona, tada je Ajnštajnova
jednačina h̄ω = W + T , gde je T kinetička energija emitovanog elektrona a
W je radna funkcija.
7.2.2 Termijonska emisija

Učestalost emisije termiijonskih elektrona zavisi eksponencijalno od radne
funkcije. Sledi izvodenje.
Najpre odredujemo koncentraciju elektrona u vakuumu u ravnotežnom
stanju sa elektronima u metalu na temperaturi τ (= kB T ) i hemijskim poten-
cijalom µ. Tretiramo elektrone u vakuumu kao idealan gas, tako da je njihov
223
Slika 161: LEED tragovi sa Pt(111) kristalne površine za energije upadnih
elektrona od 51 i 63.5 eV. Difrakcioni ugao je veći na manjoj energiji.
hemijski potencijal
µ = µext + τ log(n/nQ ), (337)

na osnovu date literature. Ovde je
nQ = 2(mτ /2πh̄2 )3/2 , (338)

za čestice spina 1/2.
Sada je µext − µ = W , po definiciji radne funkcije W . Stoga, na osnovu
(337), imamo
n = nQ e−W/τ . (339)
Fluks elektrona koji napuštaju površinu metala kada su svi elektroni
izvučeni jednak je fluksu incidentnom na površinu sa spoljne strane:
1
Jn = nc̄ = n(τ /2πm)1/2 (340)
4
iz navedene literature. Ovde je c̄ srednja brzina elektrona u vakuumu. Fluks
naelektrisanja je eJn ili
224
Slika 162: RHEED metod. Na slici (a) visokoenergetski snop incidentnih
elektrona pri upadnom uglu na površinu kristala pridružen je Evaldovoj sferi
velikog poluprečnika, tako velikog da je površina skoro ravna u odnosu na
rastojanje izmedu susednih cevi recipročne mreže. Formiranje difrakcionih
linija na ravnom ekranu prikazano je na slici (b).
Je = (τ 2 me/2π 2 h̄3 )e−W/τ . (341)

Ovo se naziva Ričardson-Dušmanova jednačina za termijonsku emisiju.
7.2.3 Površinska stanja

Na slobodnoj površini poluprovodnika često postoje površinska vezana
elektronska stanja sa energijama u zabranjenom procepu izmedu valentne
i provodne zone masivnog poluprovodnika. Možemo dobiti dobar utisak o
prirodi površinskih stanja razmatranjem talasnih funkcija u aproksimaciji
slabe veze (Glava 7), u jednoj dimenziji. (Talasne funkcije u tri dimenzije
imaće dodatne faktore ei(ky y+kz z) , u y, z ravni površine.)
Ako vakuum leži u oblasti x > 0, potencijalna energija elektrona u ovoj
oblasti može se podesiti na nulu:
225
Slika 163: Elektronske radne funkcije
U (x) = 0, x > 0. (342)

U kristalu potencijalna energija ima uobičajen periodičan oblik:
X
U (x) = UG eiGx , x < 0. (343)
G
U jednoj dimenziji G = nπ/a, gde je n bilo koji ceo broj, uključujući nulu.
U vakuumu talasna funkcija vezanog površinskog stanja mora eksponen-
cijalno opadati:
ψout = e−sx , x > 0. (344)

Na osnovu talasne jednačine energija stanja u odnosu na vakuumski nivo je
= −h̄2 s2 /2m. (345)

Unutar kristala dvokomponentna talasna funkcija vezanog površinskog
stanja imaće oblik, za x < 0,
ψin = eqx+ikx [C(k) + C(k − G)e−iGx ], (346)
226
po analogiji sa jednačinom 49 iz Glave 7, ali sa dodatkom faktora eqx koji
služi da veže elektron za površinu.
Sada dolazimo do važnog razmatranja koje ograničava dozvoljene vred-
nosti talasnog vektora k. Ako je stanje vezano, ne može postojati tok struje
u x pravcu, normalno na površinu. Ovaj uslov je obezbeden u kvantnoj
mehanici ako se talasna funkcija može napisati kao realna funkcija x, što je
već zadovoljeno spoljašnjom talasnom funkcijom (344). Ali (346) može biti
realna funkcija samo ako je k = 12 G, tako da je
1 1
ψin = eqx [C( G)eiGx/2 + C(− G)e−iGx/2 ]. (347)
2 2
Ova funkcija je realna ako važi C ∗ ( 12 G) = C(− 21 G). Stoga kx za površinsko
stanje ne sadrži kontinuum vrednosti, nego je ograničeno na diskretna stanja
povezana sa granicama Briluenove zone.
Stanje (347) je eksponencijalno prigušeno u kristalu. Konstante s, q su
povezane uslovom da su ψ i dψ/dx kontinualni u x = 0. Energija veze
odredena je rešavanjem dvokomponentne sekularne jednačine analogne sa
jednačinom 46 iz Glave 7. Grafik 12 iz Glave 7 je koristan u ovoj vezi.
7.2.4 Tangencijalni površinski transport

Videli smo da mogu postojati površinski vezana elektronska stanja sa
energijama u zabranjenom procepu izmedu valentne i provodne zone sup-
stratnog kristala. Ova stanja mogu biti zauzeta ili vakantna; njihovo pos-
tojanje mora uticati na statističku mehaniku problema. To znači da stanja
modifikuju lokalnu ravnotežnu koncentraciju elektrona i šupljina, izraženu
kao pomeraj hemijskog potencijala u odnosu na ivice zona. Pošto je hemi-
jski potencijal nezavisan od pozicije u ravnotežnom sistemu, energetske zone
moraju biti pomerene ili iskrivljene, kao na slici 164.
Debljina i koncentracija nosilaca u površinskom sloju mogu se izmeniti
primenom električnog polja normalno na površinu. Efekat spoljašnjeg polja
koristi se kod tranzistora sa efektom polja načinjenih od metal-oksid-poluprovodnika
(MOSFET). Oni imaju metalnu elektrodu sa spoljašnje strane površine poluprovod-
nika i izolovanu od nje slojem oksida. Napon, tzv. napon gejta Vg , primenjuje
se izmedu metala i poluprovodnika tako da moduliše ns , površinsku gustinu
naelektrisanja po jedinici površine:
∆ns = Cg ∆Vg ,
227
Slika 164: Savijanje zona blizu površine poluprovodnika koje može proizvesti
visokoprovodnu površinsku oblast. (a) Inverzioni sloj poluprovodnika n-tipa.
Za prikazano savijanje, koncentracija šupljina na površini mnogo je veća od
koncentracije elektrona u unutrašnjosti. (b) Akumulacioni sloj poluprovod-
nika n-tipa, sa koncentracijom elektrona na površini koja je mnogo veća nego
u unutrašnjosti.
gde je Cg kapacitivnost po jedinici površine izmedu metalnog gejta i poluprovod-

nika. Ovaj sloj površinskog naelektrisanja formira provodni put MOSFET-a.
Provodnost površinskog sloja dužine L i širine W izmedu dva električna kon-
takta je
G = (W/L)ns eµ,
gde je µ pokretljivost nosilaca. Gustina nosilaca ns , pa stoga i provod-
nost, kontrolisani su naponom gejta. Ovaj troterminalni elektronski ventil je
glavna komponenta mikroelektronskih sistema. Elektronska stanja zauzeta
nosiocima na površini su kvantizovana duž pravca normalnog na razdvojnu
površinu, što je tretirano u Problemu 2.
7.3 Magnetootpornost u dvodimenzionalnom kanalu

Tenzor statičke magnetoprovodnosti u 3D odreden je u Problemu 6.9.
Ovde, prevodimo ovaj rezultat na 2D površinski provodni kanal u xy ravni,
228
sa statičkim magnetskim poljem u smeru z ose, normalno na MOS sloj.
Pretpostavljamo da je površinska gustina elektrona ns = N/L2 . Površinska
provodnost definisana je kao zapreminska provodnost pomnožena debljinom
sloja. Površinska gustina struje definisana je kao struja koja preseca liniju
jedinične dužine na površini.
Stoga, koristeći jednačine 43 i 65 iz Glave 6 komponente tenzora površinske
provodnosti postaju
σ0 σ0 ωc τ
σxx = ; σxy = , (348)
1 + (ωc τ )2 1 + (ωc τ )2
gde je σ0 = ns e2 τ /m i ωc = eB/mc u CGS i eB/m u SI jedinicama. Sledeća
diskusija pisana je samo u CGS sistemu, osim kada se koriste omi.
Ovi rezultati specifično se primenjuju u aproksimaciji vremena relaksacije
korišćenoj u Glavi 6. Kada je ωc τ 1, kao pri jakim magnetskim poljima i
malim temperaturama, komponente površinske provodnosti imaju granične
vrednosti
σxx = 0; σxy = ns ec/B. (349)

Granična vrednost za σxy je opšta osobina slobodnih elektrona u normal-
nom električnom Ey i magnetskom polju Bz . Tvrdimo da takvi elektroni
driftuju u x pravcu brzinom vD = eEy /Bz . Posmatrajmo elektrone iz Loren-
covog okvira koji se pomeraju u x pravcu ovom brzinom. Na osnovu elektro-
magnetske teorije, u takvom okviru postoji električno polje Ey0 = −vD Bz /c
koje će poništiti primenjeno polje Ey za gornji izbor vD . Posmatrano iz labo-
ratorijskog sistema, svi elektroni driftuju u x pravcu brzinom vD , pored bilo
kakvih komponenti brzine koje su imale pre primene polja Ey .
Stoga je jx = σxy Ey = nx evD = (ns ec/B)Ey , pa imamo
σxy = nx ec/B (350)

kao u (349). Eksperimenti mere napon V u y pravcu i struju I u x pravcu
(slika 165). Ovde je Ix = jx Ly = (nx ec/B)(Ey Ly ) = (nx ec/B)Vy . Holov
otpor je
ρH = Vy /Ix = B/nx ec. (351)

Vidimo da jx može postojati i pri nultom Ex , tako da efektivna provod-
nost jx /Ex može biti beskonačna. Paradoksalno, ovaj granični slučaj nastaje
samo kada su σxx i σyy jednaki nuli. Posmatrajmo tenzorske relacije
229
Slika 165: Primenjeno polje Ey i struja Ix u kvantnom Holovom eksperimentu
(IQHE).
jx = σxx Ex + σxy Ey ; jy = σyx Ex + σyy Ey . (352)

U geometriji Holovog efekta jy = 0, tako da je Ey = (σxy /σyy )Ex , sa σxy =
−σyx . Stoga je
2
jx = (σxx + σxy /σyy )Ex = σ(eff)Ex , (353)
i u graničnom slučaju σxx = σyy = 0 efektivna provodnost je beskonačna.
7.3.1 Integralni kvantizovani Holov efekat (IQHE)

Rezultati originalnih merenja pod kvantnim uslovima temperature i mag-
netskog polja prikazani su na slici 166. Rezultati su upečatljivi: na nekim
vrednostima napona gejta napon pada u smeru koji daje nulti tok struje, kao
kada bi efektivna provodnost bila beskonačna. Dalje, postoje platoi Holovog
napona blizu tih istih vrednosti napona gejta, i vrednosti Holovog otpora
VH /Ix na tim platoima su tačno jednake (25,813/integer) oma, gde je 25,813
vrednost h̄/e2 izražena u omima.
Minimumi IQHE napona Vpp mogu se objasniti modelom koji je, ipak,
uprošćen. Kasnije ćemo dati opštu teoriju. Primenimo jako magnetno polje
tako da je rastojanje h̄ωc kB T . Korisno je pomenuti Landauove nivoe
koji su potpuno puni ili potpuno prazni. Neka je površinska koncentracija
elektrona (proporcionalna naponu gejta) podešena na bilo koju iz skupa vred-
nosti koje uzrokuju da Fermijev nivo padne na Landauov nivo: iz jednačina
33 i 34 (Glava 9),
seBs /hc = ns , (354)
230
gde je s bilo koji ceo broj, a ns je površinska koncentracija elektrona.
Kada su gornji uslovi zadovoljeni, vreme izmedu sudara elektrona je
značajno povećano. Nisu mogući elastični sudari iz jednog u drugo stanje na
istom Landauovom nivou pošto su sva moguća finalna stanja jednake energije
zauzeta. Paulijev princip zabranjuje elastičan sudar. Neelastični sudari ka
praznom Landauovom nivou su mogući sa apsorpcijom neophodne energije
za fonon, ali postoji veoma malo termalnih fonona sa energijom većom od
medunivoskog rastojanja, usled pretpostavke h̄ωc kB T .
Kvantizacija Holovog otpora sledi kombinujući jednačine (351) i (354):
ρH = h̄/se2 = 2π/scα, (355)

gde je α konstanta fine strukture e2 /h̄c ≈ 1/137, a s je ceo broj.
7.3.2 IQHE u realnim sistemima

Merenja (slika 166) ukazuju da je gornja teorija IQHE suviše dobra.
Holova otpornost je tačno kvantizovana na 25,813/s oma, bez obzira da li
je poluprovodnik veoma visoke čistoće i savršenosti. Oštri Landauovi nivoi
(slika 167a) su prošireni u realnom kristalu (slika 167b), ali to ne utiče na
Holov otpor. Pojava platoa u Holovom otporu, očgledna na UH krivoj sa
slike 166, ne očekuje se u idealnim sistemima pošto će delimično popunjeni
Landauovi nivou postojati za sve napone gejta osim za one pri kojima se
Fermijev nivo egzaktno poklapa sa Landauovim nivoom. Dosadašnji eksper-
imenti pokazuju da opseg vrednosti Vg daje tačan Holov otpor.
Laflin je tumačio rezultate za realne sisteme kao izraz opšteg principa
invarijantnosti referentnog sistema. Dokaz je suptilan i donekle podseća na
kvantizaciju fluksa u superprovodniku, iz Glave 10.
U Laflinovom zamišljenom eksperimentu 2D elektronski sistem savija se
u oblik cilindra (slika 168) čija površina je svuda izbušena jakim magnetskim
poljem B normalnim na tu površinu. Struja I (ranije Ix ) teče kroz petlju.
Magnetsko polje B deluje na nosioce naelektrisanja, čime se proizvodi Holov
napon VH (ranije Vy ) normalan na tok struje i na B; tj. VH se uspostavlja
izmedu jednog i drugog kraja cilindra.
Struja I praćena je malim magnetskim fluksom ϕ koji prolazi kroz strujnu
petlju. Cilj ovog misaonog eksperimenta je da pronade vezu izmedu I i
VH . Počinjemo sa elektromagnetskom relacijom koja povezuje I sa ukupnom
energijom U bezotpornog sistema:
231
Slika 166: U originalnim IQHE merenjima magnetno polje 180 kG (18 T)
usmereno je u papir. Temperatura je 1.5 K. Konstantna struja 1 µA teče
izmedu sorsa i drejna. Naponi VF F i Vf f nacrtani su u funkciji napona gejta
Vg , koji je proporcionalan Fermijevom nivou.
232
Slika 167: Gustina stanja 2D elektronskog gasa u jakom magnetnom polju.
(a) Idealan 2D kristal. (b) Realan 2D kristal, sa primesama i drugim ne-
savršenostima.
∂U I ∂ϕ δU
= −Vx Ix = ; I=c . (356)
∂t c ∂t δϕ
Vrednost I sada se može naći iz promene δU energije elektrona koja prati
malu promenu fluksa δϕ.
Stanja nosilaca dele se u dve grupe:
* Lokalizovana stanja, koja nisu kontinualna oko strujne petlje.
* Raširena stanja, kontinualna oko strujne petlje.
Lokalizovana i raširenja stanja ne mogu koegzistirati na istoj energiji, u
skladu sa našim sadašnjim shvatanjem lokalizacije.
Dve klase stanja različito reaguju na primenu fluksa ϕ. Lokalizovana
stanja nisu izmenjena u prvoj aproksimaciji, jer ne obuhvataju nikakav značajan
deo ϕ. Za lokalizovano stanje promena ϕ deluje kao transformacija koordi-
natnog sistema, koja ne menja energiju stanja.
Raširena stanja obuhvataju ϕ, i njihova energija može se menjati. Ipak,
ako se magnetski fluks menja za kvant fluksa, δϕ = h̄c/e, sve raširene orbite
su identične onima pre dodavanja kvanta fluksa. Ovaj dokaz je identičan
onome za kvantizaciju fluksa u superprovodnom prstenu tretiranu u Glavi
10, ali gde je 2e Kuperovog para zamenjeno sa e.
Ako Fermijev nivo pada unutar lokalizovanih stanja sa slike 167b, sva
raširena stanja (Landauovi nivoi) ispod Fermijevog nivoa biće popunjena
233
Slika 168: Geometrija Laflinovog zamišljenog eksperimenta. 2D elektronski
sistem je postavljen tako da formira cilindar. Jako magnetsko polje B prodire
u cilindar svuda normalno na njegovu površinu. Struja I teče kroz petlju,
dajući Holov napon VH i mali magnetski fluks ϕ kroz petlju.
elektronima i pre i posle promene fluksa δϕ. Ipak, tokom promene ceo broj
stanja, generalno jedno po Landauovom nivou, ulazi u cilindar na jednoj
strani i napušta ga na drugoj.
Ovaj broj stanja mora biti ceo jer je sistem fizički identičan pre i posle
promene fluksa. Ako je premešteno stanje premeštano dok je bilo zauzeto
jednim elektronom, ono doprinosi promeni energije eVH ; ako je premešteno
N takvih stanja, promena energije je N eVH .
Ovaj transfer elektrona je jedini način da degenerisani 2D elektronski
sistem izmeni svoju energiju. Možemo razumeti ovaj efekat posmatranjem
modela sistema bez neuredenja u Landauovom sistemu za vektor potencijal:
A = −Byx̂. (357)
Porast δA koji odgovara porastu fluksa δϕ ekvivalentan je pomeraju raširenog
stanja za δA/B u y pravcu. Po Stoksovoj teoremi i definiciji vektor potenci-
jala imamo δϕ = Lx δA. Stoga δϕ uzrokuje kretanje celokupnog elektronskog
gasa u y pravcu.
Pošto je δU = N eVH i δϕ = h̄c/e, imamo
I = c(∆U/∆ϕ) = cN e2 VH /h̄c = (N e2 /h̄)VH , (358)

tako da je Holov otpor
234
ρH = VH /I = h̄/N e2 , (359)
kao u (355).
Necelobrojni kvantizovani Holov efekat (FQHE). Kvantizovani Holov
efekat uočen je za neke sisteme na necelobrojnim vrednostima indeksa s,
radeći na nižim temperaturama i višim magnetskim poljima. U ekstremnom
kvantnom ograničenju najniži Landauov nivo je samo delimično popunjen, pa
celobrojni QHE tretiran u gornjem tekstu ne treba da se javi. Primećeno je,
ipak, da je Holov otpor ρH kvantizovan u jedinicama 3h̄/e2 kada je zauzetost
najnižeg Landauovog nivoa 1/3 i 2/3, a ρxx se anulira za ove naseljenosti.
Slično se dešava za naseljenosti od 2/5, 3/5, 4/5 i 2/7.
7.4 p-n spojevi

p − n spoj načinjen je od monokristala modifikovanog u dve odvojene
oblasti. Atomi akceptorskih primesa smešteni su u jedan deo da bi proizveli
p oblast u kojoj su glavni nosioci šupljine. Atomi donorskih primesa u dru-
gom delu formiraju n oblast u kojoj su glavni nosioci elektroni. Granična
oblast može biti tanja od 10−4 cm. Dalje od oblasti spoja na p strani postoje
(-) jonizovani atomi akceptorskih primesa i jednaka koncentracija slobodnih
šupljina. Sa n strane postoje (+) jonizovani donorski atomi i jednaka kon-
centracija slobodnih elektrona. Stoga su glavni nosioci šupljine na p strani i
elektroni na n strani, slika 169.
Šupljine koncentrisane na p strani težile bi da difunduju, da bi tako
ravnomerno popunile kristal. Elektroni bi takode difundovali sa n strane.
Ali difuzija bi narušila lokalno električnu neutralnost sistema.
Mali transfer naelektrisanja difuzijom na p strani ostavlja višak (-) jonizo-
vanih akceptora a na n strani višak (+) jonizovanih donora. Ovaj dvostruki
sloj kreira električno polje usmereno od n ka p koje inhibira difuzju i stoga
zadržava razdvojenost dva tipa nosilaca. Usled ovog dvostrukog sloja elek-
trostatički potencijal u kristalu doživljava skok prolaskom kroz oblast spoja.
U toplotnoj ravnoteži hemijski potencijal svakog tipa nosilaca svuda u
kristalu je konstantan, čak i duž spoja. Za šupljine
kB T ln p(r) + eϕ(r) = constant (360)

duž kristala, gde je p koncentracija šupljina a ϕ elektrostatički potencijal.
Stoga je p malo kada je ϕ veliko. Za elektrone
235
kB T ln n(r) − eϕ(r) = constant , (361)
i n će biti malo kada je ϕ malo.
Ukupan hemijski potencijal duž kristala je konstantan. Efekat gradijenta
koncentracije tačno poništava elektrostatički potencijal, i neto protok čestica
svakog tipa nosilaca je nula. Ipak, čak i u toplotnoj ravnoteži postoji mali tok
elektrona sa n na p stranu, gde elektroni završavaju svoje postojanje rekom-
binovanjem sa šupljinama. Struja rekombinacije Jnr uravnotežena je strujom
Jng elektrona koji su termalno generisani u p oblasti i novoformiranim (gradi-
vnim) poljem gurnuti ka n oblasti. Stoga pri nultom spoljašnjem električnom
polju važi
Jnr (0) + Jng (0) = 0, (362)

jer bi se inače elektroni beskonačno nagomilavali na jednoj strani barijere.
7.4.1 Rektifikacija
p − n spoj može delovati kao ispravljač. Velika struja će teći ako pri-
menimo napon duž spoja u jednom smeru, ali ako obrnemo smer napona
postojaće samo mala struja. Ako se na spoju primeni napon koji periodično
menja smer, struja će prvenstveno teći u jednom smeru - spoj ispravlja struju
(slika 170).
Za naponski pomeraj unazad negativan napon se primenjuje u p oblasti
a pozitivan u n oblasti, povećavajući tako potencijalnu razliku izmedu ova
dva regiona. Sada praktično nema elektrona koji bi mogli da se popnu na
potencijalnu barijeru sa niže strane. Struja rekombinacije umanjena je za
Bolcmanov faktor:
Jnr (V back) = Jnr (0)e−e|V |/kB T . (363)

Bolcmanov faktor kontroliše broj elektrona koji imaju dovoljnu energiju da
preskoče barijeru.
Termalno generisana struja elektrona nije mnogo izmenjena ovim napon-
skim pomerajem jer struja ovakvih elektrona teče ”nizbrdo” (od p ka n) u
svakom slučaju:
Jng (V back) = Jng (0). (364)
236
Slika 169: (a) Promena koncentracije šupljina i elektrona duž spoja u
odsustvu primenjenog napona. Nosioci su u toplotnoj ravnoteži sa akcep-
torskim i donorskim primesama, tako da je proizvod pn koncentracije elek-
trona i šupljina konstantan kroz kristal, što je u saglasnosti sa zakonom o
dejstvu masa. (b) Elektrostatički potencijal od akceptorskih (-) i donorskih
(+) jona blizu spoja. Gradijent potencijala sprečava difuziju šupljina sa p
na n stranu, i difuziju elektrona sa n na p stranu. Električno polje u oblasti
spoja naziva se gradivno električno polje.
237
U jednačini (362) videli smo da je Jnr (0) = −Jng (0); stoga struja generisanih
elektrona dominira nad rekombinacionom strujom za naponski pomeraj un-
azad.
Kada se napon pomeri unapred, rekombinaciona struja raste jer je en-
ergija potencijalne barijere smanjena, omogućavajući tako da više elektrona
prede sa n na p stranu:
Jnr (V forward) = Jnr (0)ee|V |/kB T . (365)

Ponovo je termalno generisana struja ista:
Jng (V forward) = Jng (0). (366)

Struja šupljina koja teče kroz spoj ponaša se slično struji elektrona. Pri-
menjeni napon koji smanjuje visinu barijere za elektrone, smanjuje je i za
šupljine, tako da veliki broj elektrona teče iz n oblasti pod istim naponskim
uslovima koji proizvode veliku struju šupljina u suprotnom smeru.
Električne struje šupljina i elektrona su aditivne, tako da je ukupna elek-
trična struja u ovom slučaju
I = Is [eeV /kB T − 1], (367)

gde je Is zbir dve struje generisanja. Ova jednačina je dobro zadovoljena
za p − n spojeve u germanijumu (slika 170), ali ne tako dobro u drugim
poluprovodnicima.
7.4.2 Solarne ćelije i fotonaponski detektori

Osvetlimo p − n spoj, za početak bez spoljašnjeg napona praga (pomer-
aja). Svaki apsorbovani foton kreira elektron i šupljinu. Kada ovi nosioci
difunduju kroz spoj, gradivno električno polje na spoju razdvaja ih energet-
skom barijerom. Rastojanje nosilaca proizvodi napon unapred duž barijere,
jer je električno polje fotoekscitovanih nosilaca suprotno od gradivnog polja
na spoju.
Pojava napona unapred duž osvetljenog spoja naziva se fotonaponski
efekat. Osvetljen spoj može svoju snagu davati spoljašnjem kolu. p − n spo-
jevi od silicijuma velike površine koriste se kao solarni paneli, za konverziju
solarnih fotona u električnu energiju.
238
Slika 170: Ispravljačka (rektifikaciona) karakteristika p − n spoja germani-
juma.
7.4.3 Šotkijeva barijera

Kada je poluprovodnik doveden u kontakt sa metalom, u poluprovodniku
se formira sloj barijere, u kome su nosioci naelektrisanja prisutni u vrlo maloj
koncentraciji. Ovaj sloj barijere naziva se i osiromašeni ili iscrpljeni sloj.
Na slici 171 poluprovodnik n-tipa doveden je u kontakt sa metalom. Fer-
mijevi nivoi poklapaju se posle transfera elektrona u provodnu zonu metala.
Pozitivno naelektrisani joni donora ostaju izvan ove oblasti koja je praktično
jonizovana elektronima. Ovde je Poasonova jednačina
(CGS) div D = 4πne (SI) div D = ne/0 , (368)
gde je n koncentracija donora. Elektrostatički potencijal odreden je sa
239
Slika 171: Ispravljačka barijera izmedu metala i poluprovodnika n-tipa. Fer-
mijev nivo prikazan je isprekidanom linijom.
(CGS) d2 ϕ/dx2 = −4πne/ (SI) d2 ϕ/dx2 = ne/0 , (369)
što ima rešenje oblika
(CGS) ϕ = −(2πne/)x2 (SI) ϕ = −(ne/20 )x2 . (370)
Koordinatni početak za x osu uzet je, radi jednostavnosti, na desnoj ivici

barijere. Kontakt je u −xb , i ovde je potencijalna energija u odnosu na desnu
stranu −eϕ0 , odakle sledi da je debljina barijere
(CGS) xb = (|ϕ0 |/2πne)1/2 (SI)xb = (20 |ϕ0 |/ne)1/2 .

(371)
Sa = 16; eϕ0 = 0.5eV ; n = 1016 cm−3 , dobijamo xb = 0.3µm. Ovo je nešto
uprošćen prikaz kontakta metal-poluprovodnik.
7.5 Heterostrukture
Poluprovodničke heterostrukture su slojevi dva ili više različitih poluprovod-
nika koji su koherentno ugradeni u jednu zajedničku kristalnu strukturu.
240
Heterostrukture nude dodatne stepene slobode u dizajnu poluprovodničkih
uredaja, jer i dopiranje primesama i ofseti provodne i valentne zone na
spoju mogu biti kontrolsiani. Usled ove slobode mnogi uredaji koji ko-
riste jedinjenja poluprovodnika u sebi uključuju heterostrukture. Primeri
su poluprovodnički laseri u CD plejerima i veoma brzi uredaji za cell-phone
sisteme.
Heterostruktura se može posmatrati kao monokristal u kome se zauzetost
atomskih sajtova menja na graničnoj površini. Kao primer, jedna strana
razdvojne površine može biti od Ge, a druga od GaAs: obe konstante rešetke
su 5.65Å. Jedna strana ima strukturu dijamanta, a druga kubičnu strukturu
cink sulfida. Obe strukture izgradene su od tetraedarskih kovalentnih veza
i fituju se koherentno, kao kada bi sačinjavale monokristal. Postoji nekoliko
dislokacija ivica (Glava 21) da bi se oslobodila energija naprezanja blizu
granične površine.
Zonski procepi su, ipak, različiti, i ova razlika je izvor stvarnog zanimanja
za heterostrukture, pored tehničke virtuoznosti u njihovom formiranju. Zon-
ski procepi su 0.67 eV za Ge i 1.43 eV za GaAs, na 300 K. Relativno uredenje
ivica provodne i valentne zone nudi nekoliko mogućnosti, što je prikazano na
slici 172. Proračuni ukazuju da vrh valentne zone Ev u Ge treba da leži oko
0.42 eV iznad vrha u GaAs. Dno provodne zone Ec u Ge treba da leži oko
0.35 eV ispod dna u GaAs, tako da su ofseti klasifikovani kao normalni na
šemi sa slike 172.
Ofseti ivica zona deluju kao potencijalne barijere, u suprotnom smislu za
elektrone i šupljine. Ponovimo da elektroni smanjuju svoju energiju ”uta-
panjem” u energetski zonski dijagram, dok šupljine smanjuju svoju energiju
”plivanjem” po istom dijagramu. Za normalno uredenje i elektroni i šupljine
gurnuti su barijerom sa strane širokog na stranu uskog procepa heterostruk-
ture.
Drugi važni parovi poluprovodnika korišćeni u heterostrukturama su AlAs/GaAs,
InAs/GaSb, GaP/Si i ZnSe/GaAs. Dobro poklapanje rešetki u opsegu 0.1-
1.0 procenata često se ostvaruje korišćenjem legura različitih elemenata, koje
takode mogu podesiti energetske procepe tako da ispune konkretne zahteve
uredaja.
7.5.1 n − N heterospoj
Kao praktičan primer, posmatrajmo dva poluprovodnika n-tipa sa velikim
ofsetom dve provodne zone, kao što je skicirano na slici 173a za poluprovodnički
241
Slika 172: Tri tipa ofseta ivice zona na razdvojnim površima heterostrukture.
Zabranjeni procepi su osenčeni. Tzv. normalni ofseti nastaju, na primer,
u GaAs/(Al,Ga)As. Ofset ”narušenog procepa” nastaje u GaSb/InAs het-
erospoju.
par sa normalnim rasporedom zona. Materijal n-tipa sa višom ivicom provodne

zone označen je velikim slovom kao N -tip, a prikazani spoj naziva se n − N
spoj. Transportne osobine duž spoja slične su kao duž Šotkijeve barijere.
Daleko od razdvojne površine dva poluprovodnika moraju biti električno
neutralna. Ipak, dva Fermijeva nivoa, svaki odreden dopiranjem, moraju
se poklapati ako želimo da ukupan transport elektrona bude nula u odsustvu
spoljašnjeg napona pomeraja.
Ova dva razmatranja fiksiraju ”far-off” energije ivica provodne zone u
odnosu na Fermijev nivo, kao na slici 173b. Kombinacija odredenog of-
seta zone (odredenog na osnovu sastava materijala domaćina) na razdvo-
jnoj površini i udaljenih zonskih energija (odredenih Fermijevim nivoom)
može se ”pomiriti” samo ako se zone savijaju blizu granice, kao na slici.
Neophodno savijanje zona kreirano je rasporedom naelektrisanja, koje sledi
iz transfera elektrona sa N -strane ka nižoj n-strani. Ovaj transfer ostavlja
na N -strani sloj pozitivnih donora, koji preko Poasonove jednačine elektro-
statike predstavlja izvor pozitivnog drugog izvoda (krivina nagore) u energiji
ivice provodne zone na toj strani.
Na n-strani sada postoji negativno naelektrisanje zbog viška elektrona.
Sloj negativnog prostornog naelektrisanja daje negativan drugi izvod (krivina
242
Slika 173: (a) Dva poluprovodnika koji nisu u kontaktu; apsolutne energije
ivica zona označene su sa Ec za provodnu i Ev za valentnu zonu. ”Apso-
lutna energija” znači da se odnosi na beskonačno rastojanje. Fermijevi nivoi
u dva materijala odredeni su koncentracijom donora, kao i zonskom struk-
turom. (b) Isti poluprovodnici kao heterospoj, tako da su dva dela u difuznoj
ravnoteži. Ovo zahteva da Fermijev nivo (F.L) bude nezavisan od pozi-
cije, što se ostvaruje transferom elektrona sa N -strane na n-stranu granične
površine. Iscrpljeni sloj pozitivno jonizovanih donora ostaje na N -strani.
nadole) u energiji ivice provodne zone. Na n-strani zona u celini krivi se

nadole sa približavanjem spoju. Ovo se razlikuje od uobičajenog p − n spoja.
Ovo krivljenje nadole i potencijalni korak formiraju potencijalnu jamu za
elektrone. Jama je osnova za novi fizički fenomen, karakterističan u fizici
heterostruktura.
Ako je dopiranje na n-strani (malo Ec ) smanjeno na zanemarljivu vred-
nost, biće vrlo malo jonizovanih donora na toj strani u sloju bogatom elek-
tronima. Pokretljivost ovih elektrona je u velikoj meri ograničena samo
rasejanjem na rešetki, koje se naglo smanjuje sa smanjenjem temperature.
Niskotemperaturske pokretljivosti reda 107 cm2 V−1 s−1 uočene su kod GaAs/(Al,
Ga)As.
Ako se sada debljina N -strane poluprovodnika smanji toliko da postane
manja od debljine osiromašenog sloja na toj strani, N materijal će biti ceo
iscrpljen svojim slabo pokretljivim elektronima. Cela električna provodnost
paralelna razdvojnoj površini biće sačinjena od visokopokretljivih elektrona
sa n-strane, čiji je broj jednak broju jonizovanih donora sa N -strane, ali
243
oni su prostorno razdvojeni korakom potencijala. Ovakve visoko pokretljive
strukture igraju značajnu ulogu u fizici čvrstog stanja, naročito u proučavanju
2D elektronskog gasa i u novim klasama veoma brzih tranzistora sa efektom
polja za primene u računarima na niskim temperaturama.
7.6 Poluprovodnički laseri

Stimulisana emisija zračenja može nastati u poluprovodnicima sa direkt-
nim procepom, na osnovu zračenja emitovanog prilikom rekombinacije elek-
trona sa šupljinama. Koncentracije elektrona i šupljina formirane osvetl-
javanjem su veće od ravnotežnih koncentracija. Vremena rekombinacije za
višak nosilaca mnogo su veća od vremena potrebnog da provodni elektroni
postignu toplotnu ravnotežu sa ostalima u provodnoj zoni, i od vremena
potrebnog da šupljine postignu termalnu ravnotežu sa ostalima u valent-
noj zoni. Ovaj uslov stacionarnog stanja za naseljenost elektrona i šupljina
opisan je razdvojenim Fermijevim nivoima µc i µv za dve zone, koji se nazi-
vaju kvazi-Fermijevi nivoi.
Sa µc i µv računatim u odnosu na ivicu odgovarajuće zone, uslov za
inverziju populacije glasi
µc > µv + g . (372)
Da bi laser radio, kvazi-Fermijevi nivoi moraju biti razdvojeni po energiji za
iznos veći od energije procepa.
Inverzna naseljenost i rad lasera mogu se postići spoljašnjim naponskim
pomerajem unapred običnog GaAs ili InP spoja, ali skoro svi praktični laseri
sa ubrizgavanjem koriste dvostruku heterostrukturu koju je predložio H.
Kroemer (slika 174). Ovde je poluprovodnik koji emituje ugraden izmedu
dve oblasti od poluprovodnika sa širim procepom koji su suprotno dopirani,
čime se kreira kvantna jama koja ograničava i elektrone i šupljine. Primer
je GaAs ugraden u (Al, Ga)As. U takvoj strukturi postoji potencijalna bar-
ijera koja sprečava tok elektrona napolje u p-oblast, i suprotna potencijalna
barijera koja onemogućava tok šupljina u n-oblast.
Vrednost µc u optički aktivnom sloju slaže se sa µn u n-kontaktu; slično,
µv se slaže sa µp u p-kontaktu. Inverzija se može postići ako primenimo
spoljašnji napon veći od napona koji odgovara energetskom procepu aktivnog
sloja. Diodna ”oblanda” obezbeduje sama sebi elektromagnetni kavez, jer je
refleksivnost razdvojne površine kristal-vazduh velika. Kristali su obično
244
Slika 174: Laser sa dvostrukom heterostrukturom. Elektroni teku sa desne
strane u optički aktivan sloj, gde formiraju degenerisan elektronski gas. Po-
tencijalna barijera, obezbedena širokim energetskim procepom na p-strani
sprečava elektrone da predu na levu stranu. Šupljine teku sa leve strane u
aktivan sloj, ali ne mogu preći na desnu stranu.
polirani tako da obezbede dve ravne paralelne površine; zračenje se emituje

u ravni heterospojeva.
Kristali sa direktnim procepima su neophodni za lasere sa spojevima.
Indirektni procepi uključuju fonone kao i fotone; nosioci se rekombinuju sa
manjom efikasnošću zbog konkurentnih procesa, i nije dobijen rad lasera u
ovakvim poluprovodnicima.
Galijum arsenid je široko proučavan kao optički aktivan sloj. On emituje
svetlost u bliskom infracrvenom području na 8383 Å ili 1.48 eV; tačna talasna
dužina zavisi od temperature. Procep je direktan (Glava 8). U heterospoju
sistem je vrlo efikasan: odnos izašle svetlosne energije i dc električne energije
koja ulazi u sistem je skoro 50 procenata, a diferencijalna efikasnost za male
promene ide i do 90 procenata.
Talasna dužina može se podešavati u širokom opsegu u sistemu Gax In1−x Py As1−y ,
tako da možemo poklapati talasnu dužinu lasera sa apsorpcionim minimu-
245
mom optičkih vlakana koja se koriste kao transmisiona sredina. Kombinacija
lasera sa dvostrukom heterostrukturom sa staklenim vlaknima formira os-
novu nove optičke komunikacione tehnologije koja ubrzano zamenjuje prenos
signala bakarnim kablovima.
7.7 Diode koje emituju svetlost

Efikasnost dioda koje emituju svetlost je sada na nivou većem od usijanih
lampi. Posmatrajmo p − n spoj sa izvorom napona V koji razdvaja dva
hemijska potencijala µn i µp za eV, kao na slici 175. Elektroni sa n-strane
se ubacuju na p-stranu, a šupljine sa p-strane na n-stranu. Ovi injekto-
vani nosioci poništavaju se duž spoja, generišući tako fotone ako je kvantna
efikasnost jedinična.
Generisanje procesa rekombinacije biće mnogo jače u poluprovodniku sa
direktnim procepom nego u poluprovodniku sa indirektnim procepom (Glava
8). Kod prvog tipa poluprovodnika, kao što je GaAs, fotoni se apsorbuju
na rastojanju ≈ 1µm, što je jaka apsorpcija. Ternarni poluprovodnik sa
direktnim procepom GaAs1−x Px daje svetlost podešenu na manje talasne
dužine kako promenljiva x raste. Ovaj sastav napravio je Holonjak i to
je jedan od prvih p − n diodnih lasera i jedan od prvih LED u vidljivom
spektru (crvena boja). Do sada su načinjene heterostrukture koje emituju
plavu svetlost, kao što je Inx Ga1−x N - Aly Ga1−y N.
Performanse LED-ova značajno su poboljšane poslednjih godina, od otpri-
like 0.1 lumens/watt 1962. do oko 40 lumens/watt 2004. godine, u poredenju
sa 15 lumens/watt za standardnu belu nefiltriranu usijanu lampu. Da citi-
ramo Kraforda i Holonjaka, ”Ulazimo u potpuno novu eru osvetljavanja, sa
krajnjim oblikom lampe - p − n III-V heterostrukturom sa direktnim proce-
pom.”
246
Slika 175: Elektron-šupljina rekombinacija u foton duž p − n spoja.
247
8 GLAVA 18: NANOSTRUKTURE
Prethodna glava odnosi se na čvrsta tela sa prostornim ograničenjem na
nanometarskoj skali u jednom pravcu: površine, razdvojne površine i kvantne
jame. Ovi sistemi su efektivno dvodimenzionalni, što znači rašireni u dve
dimenzije, ali na nanometarskoj skali u trećoj. Samo mali broj kvantizo-
vanih stanja - često samo jedno - su zauzeta u ograničenom pravcu. U ovoj
glavi razmatramo čvrsta tela ograničena u dva ili tri ortogonalna pravca,
koji efektivno kreiraju jednodimenzionalne (1D) ili nuladimenzionalne (0D)
nanostrukture. Važni primeri u 1D su ugljenične nanotube, kvantne žice i
provodni polimeri. Primeri 0D sistema uključuju poluprovodničke nanokristale,
metalne nanočestice i litografski nanete kvantne tačke. Neki primeri prikazani
su na slikama 176-178. Skoro u potpunosti ćemo se posvetiti nanostruktu-
rama koje su kreirane od ograničenih periodičnih čvrstih tela. Neperiodične
nanostrukture su od velikog interesa u drugim poljima, kao što su skupovi
molekula u hemiji i organski makromolekuli u biologiji.
Tehnike za kreiranje nanonstruktura mogu se podeliti u dve široke kat-
egorije. Pristup odozgo nadole koristi litografsko nanošenje na strukturu
makroskopskih materijala na nanoskali, kao što su metalne elektrode na
vrhu poluprovodničke heterostrukture prikazane na slici 176. Pristupi odozdo
nagore koriste rast i samouredenje za gradenje nanostruktura od atomskih
ili molekulskih prekursora. CdSe nanokristal formiran u rastvoru prikazan
je na slici 177. U principu je teško kreirati strukture manje od 50 nm
tehnikama odozgo nadole, dok je često teško formirati strukture veće od
50 nm tehnikama odozdo nagore. Glavna šansa nanonauke i tehnologije je
kombinovanje ovih pristupa i razvoj strategija za pouzdano formiranje kom-
pleksnih sistema na svim skalama dužine, od molekulske do makroskopske.
Slika 178 prikazuje jedan primer, gde 100 nm široke litografske elektrode
čine kontakt sa 2 nm širokim ugljeničnim nanotubama nastalim hemijskom
depozicijom pare.
Kada je veličina čvrstog tela redukovana po jednoj ili više dimenzija,
fizičke, magnetne, električne i optičke osobine mogu se dramatično promeniti.
Ovo čini nanostrukture predmetom i fundamentalnog i praktičnog zanimanja;
njihove osobine mogu se menjati kontrolom njihove veličine i oblika na nanometarskoj
skali. Jedna klasa efekata povezana je sa velikim odnosom broja površinskih
i unutrašnjih atoma u nanostrukturi. Za sfernu nanočesticu poluprečnika R
sastavljenu od atoma na srednjem rastojanju a, odnos je dat sa
248
Slika 176: Šematska i slika dobijena skenirajućim elektronskim mikroskopom
(SEM) izgleda gejt elektrode na GaAs/AlGaAs heterostrukturi korišćenoj za
formiranje kvantne tačke kompleksnog oblika na dvodimenzionalnom (2D)
elektronskom gasu.
Nsurf /N ≈ 3a/R. (373)

Za R = 6a ≈ 1 nm, polovina atoma nalazi se na površini. Velika oblast
površine nanočestica je povoljna za primene u skladištenju gasova, gde su
molekuli adsorbovani na površini, ili u katalizi, gde nastaju reakcije na površini
katalizatora. Takode mogu postojati dramatični efekti na stabilnost nanočestice.
Kohezivna energija je značajno smanjena pošto atomi na površini nisu pot-
puno vezani. Nanočestice se stoga tope na temperaturama daleko ispod
temperature topljenja odgovarajućeg masivnog čvrstog tela.
8.1 Tehnike slikanja nanostruktura

Razvoj novih tehnika slikanja i ispitivanja nanostruktura je suštinski za
evoluciju ovog polja nauke. Za periodične 3D strukture, difrakcija elektrona
na X-zracima može se koristiti za odredivanje strukture u recipročnom pros-
249
Slika 177: Model i slika transmisionim elektronskim mikroskopom (TEM)
CdSe nanokristala. Pojedinačni redovi atoma se jasno vide na TEM slici.
toru, koji se tada može invertovati za pronalaženje atomskog uredenja u re-

alnom prostoru, kao što je razmatrano u Glavi 2. Za pojedinačna čvrsta tela
na nanoskali, difrakcija je samo od ograničenog značaja iz fundamentalnih i
praktičnih razloga. Mala veličina ispitivanih materijala prekida periodičnost
rešetke, zamagljuje difrakcione pikove i proizvodi vrlo slab signal rasejanja.
Ispitivanja u realnom prostoru mogu direktno odrediti osobine nanostruk-
tura i stoga su vrlo korisne. Ove tehnike koriste interakciju čestice, tipično
elektrona ili fotona, sa objektom koji se razmatra, za kreiranje slike. Tehnike
se dele u dve velike grupe, koje ćemo označiti kao fokalnu i skenirajuću.
Kod fokalne mikroskopije, probna čestica se fokusira nizom sočiva na
uzorak. Slika 179 prikazuje šemu. Krajnja rezolucija sistema ograničena je
talasnom prirodom čestice, preko Hajzenbergovog principa neodredenosti ili,
ekvivalentno, difrakcijom. Može da se pokaže da je najmanje karakteristično
rastojanje d dato sa
d ≈ λ/2β, (374)
gde je λ talasna dužina čestice, a β = sin θ numerička apertura definisana
na slici 179. Dostizanje nanometarske rezolucije zahteva korišćenje čestica sa
250
malim talasnim dužinama i maksimizaciju numeričke aperture.
Kod skenirajuće mikroskopije, za razliku od toga, mala sonda dovodi
se blizu uzorka, koji se potom skenira po površini. Rezolucija mikroskopa
odredena je efektivnim opsegom interakcije izmedu sonde i strukture koja se
razmatra, umesto talasnom dužinom čestice pomoću koje se vrši ispitivanje.
Pored slikanja, skenirajuća i fokalna merenja daju informaciju o elek-
tričnim, vibracionim, optičkim i magnetnim osobinama pojedinačnih nanos-
truktura. Od posebne važnosti je elektronska struktura, izražena preko gus-
tine stanja. Za sistem konačne veličine, gustina stanja je niz delta funkcija
X
D() = δ( − j ), (375)
j
gde se suma uzima po svim sopstvenim stanjima energije sistema. Za proširena

čvrsta tela, gustina stanja može se predstaviti kontinualnom funkcijom, ali
za nanostrukturu oblik diskretne sume je neophodan duž ograničenog pravca
prostiranja. Ova kvantizovana gustina stanja odreduje mnoge važne osobine
nanostruktura, i može se direktno meriti tehnikama opisanim u daljem tek-
stu.
8.1.1 Elektronska mikroskopija

Vrlo moćan lokalni alat je elektronski mikroskop. Kolimisan snop elek-
trona ubrzan je visokim naponom i fokusiran kroz niz elektrostatičkih ili
magnetnih sočiva na uzorak koji se proučava.
Kod transmisione elektronske mikroskopije, ili TEM, elektronski
snop putuje kroz uzorak i fokusira se na ravan detektora na skoro isti način
kao kada se slika fokusira na okular optičkog mikroskopa. Krajnja snaga d
podešava se talasnom dužinom ubrzanih elektrona
√
d = λ/2β ≈ 0.6 nm/(β V ), (376)
gde je V ubrzavajući napon (meren u voltima). Za tipične napone koji daju
ubrzanje (100 kV), teorijska snaga koja se dobija je stoga subatomska. Drugi
efekti, kao što su nesavršenosti sočiva, drže TEM rezoluciju daleko iznad
ovog limita, ali je postignuto d ∼ 0.1 nm. Slika 177 prikazuje TEM sliku
poluprovodničkog nanokristala, gde se jasno vide redovi atoma.
Glavno ograničenje TEM je da elektronski snop mora prodreti u uzo-
rak, čineći tako nemogućim proučavanje struktura na čvrstim supstratima.
251
Slika 178: Slika dobijena mikroskopom na bazi atomskih sila (AFM) para
poprečnih ugljeničnih nanotuba, povezanih Au elektrodama i uzorkovanih
litografijom elektronskim snopom. Takode je prikazan model za presečnu
oblast nanotuba, koji pokazuje rešetku grafenskih slojeva oblika pčelinjeg
saća, koja formira zidove nanotuba.
252
Slika 179: Šematski prikaz fokalne mikroskopije. Snop emitovan od izvora
fokusira se na uzorak nizom sočiva. Ekvivalentan fokalni sistem može se
koristiti za fokusiranje čestica/talasa emitovanih sa uzorka na detektor.
Ovaj problem je prevaziden u skenirajućoj elektronskoj mikroskopiji

(SEM). U SEM, visokoenergijski (100 V do 100 kV), jako fokusiran snop
elektrona skenira uzorak. Broj rasejanih i/ili sekundarnih elektrona gener-
isanih ovim snopom koji se odvajaju od uzorka, zavisi od lokalnog sastava i
topografije uzorka. Ovi elektroni sakupljaju se elektronskim detektorom, a
slika se formira crtanjem ovog detektorskog signala u funkciji pozicije snopa.
Ova moćna tehnika može se koristiti kod najvećeg broja tipova uzoraka, ali
tipično ima manju rezoluciju od TEM. Slika 176 je SEM slika metalnih elek-
troda na GaAs/AlGaAs supstratu.
Pored slikanja, SEM snop se može koristiti za izlaganje elektronski os-
etljivog materijala i crtanje malih osobina u tehnici poznatoj kao litografija
elektronskim snopom. Krajnja rezolucija (<10 nm) je vrlo velika, ali to je
spor proces jer se šeme crtaju piksel po piksel. Stoga se prvenstveno koristi
u istraživanju, prototipovima i proizvodnji optičkih maski.
253
8.1.2 Optička mikroskopija
Optički mikroskop je prototipski fokalni instrument. Koristeći vidljivu
svetlost i veliku numeričku aperturu (β ≈ 1) najveća dostupna rezolucija je
200-400 nm. Za direktno slikanje, optička mikroskopija stoga samo dostiže
ivicu nanooblasti. Ipak, mnoge od optičkih spektroskopija razmatranih u
Glavi 15 uspešno su prilagodene za proučavanje pojedinačnih nanostruktura.
To uključuje elastično rasejanje svetlosti, apsorpciju, luminescenciju i Ra-
manovo rasejanje. Merenja jedne nanostrukture, ili čak jednog molekula,
moguća su ako je samo jedan u vidnom polju mikroskopa.
Ovde dajemo kratak pregled emisije i apsorpcije elektromagnetnog zračenja
materije na način pogodan za primene u nanostrukturama. U aproksimaciji
električnog dipola, Fermijevo zlatno pravilo daje učestalost prelaza izmedu
početnog stanja i i stanja više energije j usled apsorpcije:
wi→j = (2π/h̄) |hj |eE · r| ii|2 δ(j − i − h̄ω). (377)

Prelazi stoga nastaju izmedu stanja koja imaju nenulti dipolni matrični ele-
ment i čije se energije razlikuju za energiju apsorbovanog fotona h̄ω. Slično,
učestalost emisije sa stanja j na stanje i data je sa
wj→i = (2π/h̄) |hj |eE · r| ii|2 δ(i − j + h̄ω) + (4αωji

3
/c2 ) |hj |r| ii|2 , (378)
gde je ωji = (j − i )/h̄ a α je konstanta fine strukture. Prvi i drugi član
predstavljaju stimulisanu i spontanu emisiju, respektivno.
Sumirajući po svim mogućim stanjima, ove relacije mogu se koristiti da se
izračuna ukupna snaga σ 0 E 2 apsorbovana od elektromagnetnog polja i stoga
realni deo provodnosti:
X
σ 0 (ω) = (πe2 ω/V ) |hj |n̂ · r| ii|2 [f (i ) − f (j )]δ(j − i − h̄ω), (379)
i,j
gde je n̂ jedinični vektor u smeru električnog polja. Apsorpcija je propor-

cionalna zajedničkoj gustini svih početnih i krajnjih stanja razdvojenih za
energiju h̄ω, sa težinskim faktorom u vidu dipolnog matričnog elementa i
okupacionih faktora stanja. Fermijeve funkcije ukazuju da apsorpcija nas-
taje samo kada je početno stanje i popunjeno a finalno stanje j prazno.
254
Gornje relacije pokazuju da se apsorpcija i emisija mogu koristiti za ispi-
tivanje spektara energetskih nivoa elektrona u nanostrukturama. Merenja
se mogu odmah sprovesti na makroskopskom skupu nominalno identičnih
nanostruktura, ali efekti nehomogenog širenja usled promene osobina poje-
dinačnih nanostruktura imaju značaj. Štaviše, ponekad je samo nekoliko, ili
čak samo jedna nanostruktura dostupna za merenje. Optička merenja koja
ispituju pojedinačne nanostrukture stoga su posebno vredna.
Slika 180 daje primer spontane emisije, ili fluorescencije, sa pojedinačnih
optički pobudenih poluprovodničkih kvantnih tačaka. Emisija nastaje sa
najnižeg energetskog stanja provodne zone ka najvišem energetskom stanju
valentne zone. Širine emisionih linija sa pojedinačnih nanokristala veoma su
uske, ali su raspodeljene po opsegu energija usled varijacija veličine, oblika i
lokalnog okruženja nanokristala. Merenja na ansamblu stoga pokazuju široki
pik koji ne reflektuje precizno osobine jednog nanokristala.
Pored njihove primene u ispitivanju nanostruktura, optički fokalni sistemi
takode se široko koriste za mikrofabrikaciju. U projekcionoj fotolitografiji,
šema na maski projektuje se na fotoosetljiv otpornik, koristeći optičke el-
emente. Prateći izloženost i rast otpornika, šema se prenosi na materijal
od interesa nagrizanjem ili depozicijom kroz matricu otpornika. Optička
litografija je osnova za fabrikaciju mikroelektronskih i mikromehaničkih sis-
tema. Koristeći talasne dužine u dalekoj UV oblasti, uredaji sa svojstvima od
100 nm se komercijalno proizvode. Dalja poboljšanja koristeći ekstremnu UV
svetlost ili čak X-zrake takode su moguća, ali maske i fokusirajući elementi
postaju sve teži za proizvodnju i upravljanje.
8.1.3 Skenirajuća tunelska mikroskopija

Najpoznatiji instrument za ispitivanje skenirajućom mikroskopijom je
skenirajući tunelski mikroskop (STM), šematski prikazan na slici 181.
Njegov pronalazak bio je veliki iskorak na polju nanonauke. Kod STM, oštar
metalni vrh (tip), po mogućstvu onaj sa jednim atomom na kraju, dovodi se
na rastojanje reda nanometra od provodnog uzorka koji se proučava. Pozi-
cija tipa kontrolisana je sa pikometarskom preciznošću uz pomoć piezoelek-
tričnih materijala koji se šire i skupljaju, kao odgovor na električne signale
iz sistema upravljanja. Spoljašnji napon V primeni se na uzorak, i meri
se tunelujuća struja I koja teče izmedu tipa i uzorka. Struja je propor-
ˆ verovatnoćom tunelovanja kroz procep izmedu tipa i uzorka.
cionalna sa I,
Ova verovatnoća je eksponencijalno osetljiva na rastojanje. U WKB aproksi-
255
Slika 180: Levo: slika fluorescencije sa pojedinačnih CdSe nanokristala
slučajno rasporedenih na površini na T = 10 K. Desno: spektri fluorescencije
sa više različitih pojedinačnih nanokristala. U svakom spektru, pik visoke
energije je primarni prelaz izmedu najnižeg elektronskog stanja u provodnoj
i najvišeg energetskog stanja u valentnoj zoni. Pikovi sa manjom energi-
jom pridruženi su prelazima koji uključuju emisiju LO fonona. Varijacije
u veličini nanokristala i lokalnom elektronskom okruženju pomeraju pozi-
cije pikova. Široki pik je spektar dobijen sa ansambla nominalno identičnih
nanokristala.
256
maciji,
√ 2
Iˆ ∝ e−2 2mφ/h̄ z , (380)
gde je z rastojanje izmedu tipa i uzorka a φ je efektivna visina barijere. Za
tipične parametre, 0.1-nm promena u poziciji tipa daje promenu Iˆ od jednog
reda veličine.
Kada STM radi u modu sa povratnom spregom, I se drži na konstantnoj
vrednosti menjanjem rastojanja z. STM stoga prati topografiju površine,
i veoma male promene visine površine mogu se detektovati (<1 pm). Ovo
je ilustrovano na slici 181, gde je prikazana STM slika ugljenične nanotube.
STM se takode može koristiti za manipulisanje pojedinačnim atomima na
površini. Primer je dat na slici 182, gde je STM tip korišćen za konstruisanje
”kvantnog korala” guranjem Fe atoma na Cu (111) površinu tako da grade
prsten.
STM tunelujuća struja I u funkciji napona V može dati prostornu i spek-
troskopsku informaciju o kvantnim stanjima nanostrukture. Na nultoj tem-
peraturi, izvod struje u odnosu na napon je
X
dI/dV ∝ Iˆ |ψj (rt )|2 δ(F + eV − j ). (381)
j
Izvod je proporcionalan gustini stanja na energiji tunelujućeg elektrona F +

eV , otežanoj za gustinu verovatnoće elektrona u stanjima na poziciji STM
tipa rt .
Za kvantni koral, elektroni u 2D površinskom stanju Cu reflektovani su
Fe atomima, kreirajući diskretni skup stanja u unutrašnjosti korala. Uočeni
skokovi na slici 183 postoje usled modulacija gustine verovatnoće |ψj (rt )|2
ovih lokalizovanih stanja blizu energije tunelujućeg elektrona. Slike na ra-
zličitim primenjenim naponima daju prostornu strukturu kvantizovanih stanja
na različitim energijama.
8.1.4 Mikroskopija na bazi atomskih sila

Mikroskopija na bazi atomskih sila (AFM) razvijena je ubrzo posle
STM. Ona je fleksibilnija tehnika od STM i može se koristiti i na provodnim
i na izolatorskim uzorcima. Ipak, ona u principu ima lošiju rezoluciju. AFM
meri silu izmedu tipa i uzorka, umesto struje tunelovanja. Oštar tip je mon-
tiran na kraju milimetarske opruge, kao što je prikazano na slici 183. Sila F
koja deluje na tip sa uzorka savija oprugu za ∆z:
257
Slika 181: Šematski prikaz skenirajućeg tunelskog mikroskopa (STM). Kada
radi u modu sa povratnom spregom, piezoelementi skeniraju tip duž uzorka
i zadržavaju konstantnu struju tunelovanja izmedu tipa i uzorka.
258
Slika 182: ”Kvantni koral” srednjeg poluprečnika 7.1 nm formiran je pomer-
anjem 48 Fe atoma na Cu (111) površini. Fe atomi rasejavaju elektrone
sa površinskih stanja, zarobljavajući ih na unutrašnjost korala. Prstenovi u
koralu su raspodela gustine elektrona u tri kvantna stanja korala koja leže
blizu Fermijeve energije. Atomi su slikani i pomereni na odgovarajuće pozi-
cije niskotemperaturskim skenirajućim tunelskim mikroskopom u ultrajakom
vakuumu.
F = C∆z, (382)
gde je C konstanta elastične sile opruge. Pomeraj opruge meri se kao funkcija
pozicije tipa, često korišćenjem opruge kao reflektora za laserski snop, slika 183.
Kretanje reflektora menja putanju laserskog snopa, koji se detektuje korišćenjem
niza fotodioda; na ovaj način lako se mogu meriti pomeraji reda pikometra.
Pošto je tipična vrednost konstante sile C=1N/m, pN-skala sila treba da se
prevede. Sile daleko ispod 1 fN mere se pod posebnim uslovima.
Najjednostavniji mod rada je kontaktni, gde se tip prevlači po površini
u kontaktu sa podlogom i meri se sabijanje opruge. Ovo daje meru topografije
uzorka, ali može uništiti sam uzorak. Bezkontaktni ili intermitentno-kontaktni
modovi su manje invazivni i takode mogu dati informaciju o dugodometnim
259
silama izmedu uzorka i tipa. U ovim tehnikama, opruga osciluje neposredno
iznad uzorka usled primenjene vodeće sile amplitude Fω blizu rezonantne
frekvencije opruge ω0 . Modelujući oprugu kao jednostavan harmonijski os-
cilator, amplituda odziva opruge na frekvenciji ω data je sa
Fω ω02
|zω | = , (383)
C [(ω 2 − ω02 )2 + (ωω0 /Q)2 ]1/2
gde je Q faktor dobrote oscilatora, koji predstavlja odnos energije sačuvane u
opruzi i disipirane energije po jednom ciklusu. Primetimo da je u rezonanciji
ω = ω0 , odziv Q puta veći nego na niskim učestanostima, što čini mogućom
detekciju malih sila.
Parametri koji karakterišu oscilujuću oprugu osetljivi su na bilo koje sile
koje nastaju izmedu tipa i uzorka. Ove sile mogu biti van der Valsove, elektro-
statičke, magnetne ili neke druge. Interakcija pomera rezonantnu učestanost
ω0 i/ili modifikuje Q. Ova promena je snimljena i koristi se za konstrukciju
slike. Na primer, u dodirujućem modu slikanja, uzorak ”dodiruje” površinu
tokom najbližeg mesta oscilovanja, uzrokujući frekvencijski pomeraj i do-
datnu disipaciju. Uredaj od nanotube prikazan na slici 178 je slikan u ovom
modu.
Još jedna važna tehnika je mikroskopija na bazi magnetnih sila
(MFM), koja je ukratko opisana u Glavi 12. Tip je obložen magnetnim
materijalom, tako da ima magnetni moment µ normalan na površinu uzorka.
On tada oseća silu usled varijacija lokalnog magnetnog polja proizvedenog
od uzorka

F (z0 +∆z) = F (z0 )+∂F/∂z z=z0 ∆z = µ(∂B/∂z)z=z0 +µ(∂ 2 B/∂z 2 )z=z0 ∆z,
(384)
gde je z0 ravnotežna pozicija vrha a ∆z je pomeraj tokom oscilovanja. Član
µ(∂B/∂z) daje statičko savijanje opruge, ali ne menja frekvenciju oscilo-
vanja i ne dovodi do prigušenja. Član µ(∂ 2 B/∂z 2 )∆z, sa druge strane, ima
oblik promene konstante sile δC, pošto je linearan po pomeraju opruge ∆z.
On stoga pomera rezonantnu učestanost opruge. Praćenjem frekvencijskog
pomeraja dobijamo sliku. Gradijenti drugih lokalnih polja sila mogu se meriti
na sličan način.
Postoje mnoge druge tehnike skeniranja. Skenirajuća optička mikroskopija
bliskog polja (NSOM) kreira optičke slike sa rezolucijom ispod difrakcionog
ograničenja, koristeći skeniranu aperturu, veličine manje od talasne dužine,
260
Slika 183: (a) Šematski prikaz mikroskopa na bazi atomskih sila (AFM). Sav-
ijanje opruge meri se fotodetektorom koji registruje poziciju laserskog snopa
reflektovanog od vrha opruge. Umetak: SEM slika AFM tipa. Efektivni
poluprečnik krivine tipa može biti manji od 10 nm.
kroz koju foton ”tuneluje”. Skenirajuća kapacitivna mikroskopija (SCM)

meri promene kapacitivnosti izmedu tipa i uzorka u funkciji pozicije. Ova
sve veća familija tehnika se sve više koristi za karakterizaciju objekata koji
se kreću od pojedinačnih molekula do Si tranzistora u integrisanim kolima.
8.2 Elektronska struktura 1D sistema

Kvantizovana elektronska stanja nanostruktura odreduju njihove elek-
trične i optičke osobine, i utiču na fizičke i hemijske osobine. Da bismo
opisali ova stanja, kao početnu tačku uzimamo zonsku strukturu masivnog
materijala. Za elektronsku disperziju date zone koristi se aproksimacija efek-
tivne mase, a pridružene talasne funkcije tretiraju se kao ravni talasi. To su
uprošćenja; zone nisu uvek parabolične, i stvarna sopstvena stanja su Blo-
hova stanja, a ne ravni talasi. Ipak, ove pretpostavke značajno uprošćavaju
matematiku i kvalitativno (a često i kvantitativno) su korektna. Takode,
često ćemo zanemariti kulonovu interakciju izmedu elektrona. Ipak, postoje
mnogi slučajevi u fizici nanostruktura gde se elektron-elektron interakcija ne
može zanemariti, kao što će se kasnije videti.
261
8.2.1 Jednodimenzionalne (1D) podzone
Posmatrajmo čvrsto telo nanometarskih dimenzija u geometriji žice. Nje-
gove dimenzije duž x i y osa su reda nm, ali je kontinualno u pravcu z ose.
Energije i sopstvena stanja takve žice dati su sa
= i,j + h̄2 k 2 /2m; ψ(x, y, z) = ψi,j (x, y)eikz , (385)

gde su i, j kvantni brojevi koji označavaju sopstvena stanja u x, y ravni a k je
talasni vektor u smeru z ose. Za pravougaonu žicu sa slike 184, ij i ψi,j (x, y)
su zapravo energije i sopstvena stanja čestice ”u kutiji”, razmatrane u Glavi
6.
Disperziona relacija sastoji se od niza 1D podzona, od kojih svaka odgo-
vara različitom transverzalnom energetskom stanju i,j . Ukupna gustina elek-
tronskih stanja D() je zbir gustina stanja pojedinačnih podzona:
X
D() = Di,j (), (386)
i,j
gde je Di,j () dato sa
 h i1/2
dNi,j dk L m 4L
= = (2)(2) 2π = za > i,j

Di,j () dk d 2h̄2 (−i,j ) hνi,j
= 0 za < i,j .
Prvi faktor dva u srednjem izrazu potiče od spinske degeneracije, a drugi

od uključivanja pozitivnih i negativnih vrednosti k. U desnom izrazu, νi,j
je brzina elektrona u podzoni i, j sa kinetičkom energijom − i,j . Prime-
timo da gustina stanja divergira kao ( − i,j )−1/2 na svakoj granici podzone.
To su van Hoveovi singulariteti. Ovo ponašanje se razlikuje od trodi-
menzionalnog slučaja, gde D() teži nuli na malim energijama (Glava 6), i
dvodimenzionalnog slučaja, gde D() ima konstantnu vrednost na dnu svake
2D podzone (Problem 17.3).
8.2.2 Spektroskopija van Hoveovih singulariteta

Van Hoveovi singulariteti, opisani poslednjom jednačinom, utiču na elek-
trične i optičke osobine 1D sistema. Ovde razmatramo slučaj poluprovodničke
ugljenične nanotube, čija zonska struktura je sračunata u Problemu 1 i
262
Slika 184: Šematski prikaz pravougaone kvazi-jednodimenzionalne žice, za-
jedno sa disperzionim relacijama i gustinom stanja 1D podzone. Pikovi u
gustini stanja na granicama podzona nazivaju se van Hoveovi singulariteti.
Gustina verovatnoće za stanje i = 2, j = 1 prikazana je na sivoj skali na
poprečnom preseku žice.
prikazana na slici 185a. Pikovi u diferencijalnoj provodnosti, koji su pro-

porcionalni gustini stanja, na osnovu (381), izmereni su na naponima koji
odgovaraju energijama ovih singulariteta.
Optička apsorpcija i emisija poluprovodničkih nanotuba takode je domi-
nantno odredena ovim singularitetima, pošto one zavise od početne i krajnje
gustine stanja, na osnovu jednačina (377)-(379). Slika 185b prikazuje inten-
zitet fotoluminescencije skupa ugljeničnih nanotuba u funkciji talasne dužine
pobudne i emitovane svetlosti. Apsorpcija incidentne svetlosti je pojačana
kada se energija poklopi sa c2 − v2 , energijskom razlikom izmedu drugih
van Hoveovih singulariteta u provodnoj i valentnoj zoni. Elektroni i šupljine
263
brzo se relaksiraju na dno prve podzone, gde se rekombinuju, dajući lumi-
nescenciju sa energijom c1 − v1 . Pikovi se stoga uočavaju kada emitovana
i apsorbovana svetlost istovremeno odgovaraju energijama izmedu prvih i
drugih van Hoveovih singulariteta, respektivno. Različiti pikovi u intenzitetu
emisije na grafiku odgovaraju nanotubama različitih prečnika i hiralnosti.
8.2.3 1D Metali - Kulonova interakcija i sprezanja rešetke

U kvazi-jednodimenzionalnom metalu elektroni popunjavaju pojedinačne
1D podzone, sa Fermijevom energijom i ukupnim brojem podzona koji su
odredeni gustinom elektrona. Za striktno 1D metal, postoji samo jedna
(spinski degenerisana) zauzeta podzona. U ovom slučaju, ako imamo n1D
nosilaca po jedinici dužine:
n1D = 2kF /π. (387)

Fermijeva površina 1D metala sastoji se od samo dve tačke, u +kF i −kF ,
kao na slici 186. Ovo se dosta razlikuje od Fermijevih površina u 3D i 2D
slobodnoelektronskim metalima, koji se sastoje od sfere i kruga, respektivno.
Dve posledice ove neuobičajene Fermijeve površine razmatraju se u nastavku.
Kulonova interakcija uzrokuje rasejanje medu elektronima blizu Fermijeve
energije. Za 3D metale, rasejanje je jako umanjeno blizu F zbog ograničenja
koja nameću zakoni održanja energije/impulsa kombinovani sa Paulijevim
principom isključenja. Na energiji merenoj u odnosu na F , 1/τee ≈ (1/τ0 )(/F )2 ,
gde je 1/τ0 klasična učestalost rasejanja. Na osnovu principa neodredenosti,
ovo daje neodredenost energije elektrona:
δ(3D) ≈ h̄/τee ∼ (h̄/τ0 )(/F )2 . (388)

Kako energija postaje mala (merena u odnosu na F ), neodredenost energije
teži nuli sa drugim stepenom . Neodredenost δ je stoga sigurno mala u
poredenju sa koje je dovoljno blizu F . Ovo obezbeduje da su kvazičestice
blizu Fermijeve površine dobro definisane.
Slučaj jedne dimenzije prikazan je na slici 186. Zakoni održanja energije
i impulsa su ekvivalentni u ovom slučaju jer je za malo energija lokalno
linearna pri promeni impulsa ∆k = k − kF :
≈ (h̄2 kF /m)∆k. (389)
264
Slika 185: (a) Gustina stanja za poluprovodničku ugljeničnu nanotubu u
funkciji energije. Van Hoveovi singulariteti se vide u STM spektrima nan-
otube prikazanim na slici (b). Na slici (c) nacrtan je intenzitet emisije u
funkciji talasne dužine emisije i ekscitacije. Pikovi u intenzitetu uočavaju
se kada energije apsorpcije i emisije odgovaraju onima sa dijagrama (a).
Različiti pikovi odgovaraju nanotubama sa različitim poluprečnicima i hi-
ralnošću.
265
U odnosu na sliku 186, očuvanje energije zahteva da za rasejanje elektrona iz
stanja 1 na energiji u stanje 3, mora nastati istovremeno rasejanje elektrona
iz stanja 2 u stanje 4. Jedino ograničenje je da finalno stanje 3 ima pozitivnu
energiju, manju od . Ovo daje faktor redukcije 1/τee ∼ (1/τ0 )(/F ) i iz
principa neodredenosti sledi
δ(1D) ≈ h̄/τee ∼ (h̄/τ0 )(/F ). (390)

Pošto je neodredenost linearna po , nema garancije da će δ biti manje od
kada → 0. Fundamentalna pretpostavka koja leži u osnovi teorije Fer-
mijeve tečnosti, da slabo interagujuće čestice postoje kada → 0, stoga nije
garantovana u 1D. Zapravo, pretpostavlja se da osnovno stanje interagujućeg
1D elektronskog gasa nije Fermijeva tečnost, već Lutingerova tečnost, čije
su niskoenergijske ekscitacije po prirodi kolektivne. Ekscitacije više liče na
fonone ili plazmone - kolektivno kretanje mnogo objekata - nego na izolovane
elektrone koji se kreću nezavisno od svojih suseda. Ova kolektivna priroda
ima brojne efekte. Na primer, tunelovanje u 1D metalu je potisnuto na
niskim energijama jer tunelujući elektron mora da pobudi kolektivne mod-
ove. Uprkos ovome, slika nezavisnog elektrona ostaje korisna aproksimacija
za 1D elektronski gas. Ona je uspešna u opisivanju mnogih, ali ne svih,
eksperimenata na realnim 1D sistemima, i biće usvojena u nastavku.
Druga neobična osobina 1D metala je da su oni nestabilni na perturbacije
na talasnom vektoru 2kF . Na primer, distorzija rešetke na ovom talasnom
vektoru otvoriće procep u elektronskom spektru, prevodeći metal u izolator.
To je Peierlsova nestabilnost, koja je detaljno tretirana u Glavi 14. Ovaj
efekat posebno je važan kod 1D provodnih polimera kao što je poliacetilen
(slika 187). On ima jedan provodan elektron po atomu ugljenika, koji se
nalaze na medusobnom rastojanju a, i stoga je, na osnovu (387), kF = π/2a.
Bez bilo kakvih distorzija, poliacetilen bi imao polupopunjenu zonu i bio
bi metal. Ipak, distorzija rešetke na 2kF = π/a, koja odgovara talasnom
vektoru 2a, otvara procep na Fermijevoj energiji. To odgovara dimerizaciji
rešetke. Ova dimerizacija daje alternirajuće jednostruke i dvostruke veze duž
lanca i prevodi poliacetilen u poluprovodnik sa procepom od 1.5 eV.
Poliacetilen i sa njim povezani poluprovodni polimeri mogu se koristiti
za izradu tranzistora sa efektom polja, dioda koje emituju svetlost i drugih
poluprovodnih uredaja. Oni se takode mogu hemijski dopirati, pokazujući
metalno ponašanje sa provodnostima uporedivim sa tradicionalnim metal-
ima. Ipak, oni zadržavaju mehaničku fleksibilnost i lakoću obrade karakteris-
266
Slika 186: Elektronska struktura 1D metala blizu Fermijeve energije. Fermi-
jeva površina sastoji se od dve tačke u ±kF . Rasejanje elektrona od pop-
unjenih stanja 1 i 2 ka praznim stanjima 3 i 4 očuvava energiju sve dok je
energijska razlika izmedu 1 i 3 ista kao izmedu 3 i 4. Impuls se istovremeno
održava jer je energija lokalno linearna po k.
tika polimera. Njihovo otkriće dovelo je do revolucije u elektronici fleksibilnih

plastika.
Peierlsova distorzija je velika kod polimera jer se njihova kičma sastoji od
jednog atomskog lanca koji se lako može iskriviti. Drugi 1D sistemi, kao što
su nanotube i nanožice, mnogo su oštriji, i Peierlsov prelaz nije primećen na
eksperimentalno relevantnim temperaturama.
8.3 Električni transport u 1D

8.3.1 Kvantizacija provodnosti i Landauerova formula
1D kanal ima konačni strujni kapacitet kontakta za dati napon na nje-
govim krajevima. On stoga ima konačnu provodnost čak iako u žici nema
rasejanja. Posmatrajmo žicu sa jednom zauzetom podzonom koja povezuje
dva velika rezervoara sa potencijalnom razlikom V , kao na slici 188. Desna
stanja biće zauzeta sve do elektrohemijskog potencijala µ1 a leva do hemi-
267
jskog potencijala µ2 , gde je µ1 − µ2 = qV i q = −e za elektrone i +e za
šupljine. Neto struja koja teče kroz kanal usled viška gustine nosilaca koji se
kreću nadesno ∆n je tada
DR ()qV 2 2 2e2
I = ∆nqv = qv = vq V = V, (391)
L hv h
gde je DR (), gustina stanja nosilaca koji se kreću nadesno, jednaka 1/2 od
ukupne gustine stanja date u (387).
Značajno, u 1D brzina se tačno poništava sa gustinom stanja, tako da se
kreira struja koja zavisi samo od napona i fundamentalnih konstanti. Dvoi-
zlazna provodnost I/V i otpornost V /I su tada
GQ = 2e2 /h; RQ = h/2e2 = 12.906kΩ. (392)

Idealno transmitujući jednodimenzionalni kanal ima konačnu provodnost čija
je vrednost jednaka odnosu fundamentalnih konstanti. Ovo se naziva kvant
provodnosti GQ ; njegova inverzija je kvant otpornosti RQ . Dok je ovde
izvodenje dato u aproksimaciji efektivne mase, ono važi za 1D zonu sa proizvoljnom
disperzijom.
Kvantizacija provodnosti je dramatično ilustrovana u podacima sa slike 189.
Kratak kvazi-1D kanal je formiran izmedu dve oblasti 2D elektronskog gasa u
GaAs/AlGaAs heterostrukturi. Kako gustina nosilaca u kanalu raste, raste i
provodnost u diskretnim koracima visine 2e2 /h. Svaki korak odgovara zauze-
tosti dodatne 1D podzone u žici. Kvantizacija proovdnosti takode se uočava
na mostovima (na atomskoj skali) izmedu makroskopskih metala.
Ako kanal nije savršeno provodan, ukupna provodnost jednaka je proizvodu
kvanta provodnosti i verovatnoće T̂ (F ) za transmisiju elektrona kroz kanal
(slika 188):
G(F ) = (2e2 /h)T̂ (F ). (393)

Ova jednačina često se naziva Landauerova formula. Za kvazi-1D sistem
sa višestrukim kanalima, sumiramo po doprinosima svakog kanala, pošto se
paralelno vezane provodnosti sabiraju:
X
T̂ (F ) = T̂i,j (F ), (394)
i,j
gde i, j označavaju transverzalna sopstvena stanja. Na primer, za N idealno

transmitujućih kanala u paraleli, P = N , kao za podatke sa slike 189.
268
Slika 187: Struktura poliacetilena. Usled Peierlsove distorzije, rešetka je
dimerizovana, sa atomima ugljenika spojenim dvostrukim vezama koji su
medusobno bliži neko oni spojeni jednostrukim vezama. Peierlsova distorzija
otvara poluprovodni procep od približno 1.5 eV.
Na konačnim temperaturama ili naponima, Fermi-Dirakove raspodele en-

ergije elektrona f na levoj i desnoj strani moraju se uzeti u obzir:
Z ∞
I(F , V, T ) = (2e/h) [fL ( − eV ) − fR ()]T̂ ()d. (395)
−∞
Ukupna struja je prosto razlika izmedu struja usmerenih nalevo i nadesno,

integraljena po svim energijama.
Landauerova formula (393) direktno povezuje otpornost sistema sa trans-
misionim osobinama kanala. Prepišimo otpornost za jednokanalni slučaj na
sledeći način:
h 1 h T̂ + (1 − T̂ ) h h R̂
R= 2
= 2 = 2+ 2 , (396)
2e T̂ 2e T̂ 2e 2e T̂
gde je R̂ = 1 − T̂ koeficijent refleksije. Otpornost uredaja je zbir prvog
člana, kvantizovane kontaktne otpornosti, i drugog člana, otpornosti usled
rasejanja od barijera u kanalu. Poslednji član je nula za savršen provodnik.
U nastavku razmatramo primenu Landauerove formule na problem dve redno
vezane barijere. Tretiramo ga u koherentnom i nekoherentnom graničnom
slučaju prostiranja elektrona izmedu barijera.
8.3.2 Dve redno vezane barijere - rezonantno tunelovanje

Posmatrajmo dve redno vezane barijere na rastojanju L, sa amplitudama
transmisije/refleksije t1 , r1 i t2 , r2 , kao na slici 190. Ove amplitude su kom-
pleksne:
269
Slika 188: Ukupna struja koja prolazi izmedu dva rezervoara za primenjenu
razliku potencijala V1 − V2 . (b) Šematski prikaz verovatnoće transmisije T̂ i
verovatnoće refleksije R̂ od barijere u kanalu, gde je T̂ + R̂ = 1.
270
tj = |tj |eiϕtj ; rj = |rj |eiϕrj . (397)
Da bismo sračunali verovatnoću transmisije T̂ kroz celu strukturu od dve
barijere, potrebna nam je odgovarajuća amplituda transmisije. Za incidentni
talas sleva čija ja amplituda 1, amplitude definisane na slici 190 su date sa
a = t1 + r1 b; b = ar2 eiϕ ; c = at2 eiϕ/2 , (398)

2 2
gde je ϕ = 2kL faza koju elektron sa kinetičkom energijom h̄ k /2m stekne
prostirući se na rastojanje 2L izmedu barijera. Kombinujući ove jednačine i
rešavajući po transmitovanoj amplitudi, sledi
t1 t2 eiϕ/2
c= . (399)
1 − r1 r2 eiϕ
Verovatnoća transmisije kroz dvostruku barijeru je tada
|t1 |2 |t2 |2
T̂ = |c|2 = (400)
1 + |r1 |2 |r2 |2 − 2|r1 ||r2 | cos(ϕ∗ )
gde je ϕ∗ = 2KL + ϕr1 + ϕr2 .
Ovo je skicirano na slici 190. Primetimo da akumulacija faze ϕ∗ uključuje
fazne pomeraje vezane za refleksiju od barijera.
Verovatnoća transmisije (400) značajno je povećana kada je cos(ϕ∗ ) blizu
jedinice, jer tada imenilac postaje mali. Ovo nastaje pri rezonantnom uslovu
ϕ∗ = 2KL + ϕr1 + ϕr2 = 2πn, (401)

gde je n ceo broj. Ovo je opšta osobina talasa, i sledi iz konstruktivne
interferencije mnogih putanja kroz uzorak. To se lako može P∞ videti ako se
m
jednačina (399) zapiše koristeći razvoj u red 1/(1 − x) = m=0 x :
c = t1 t2 eiϕ/2 /(1 − r1 r2 eiϕ ) = t1 t2 eiϕ/2 [1 + r1 r2 eiϕ + (r1 r2 eiϕ )2 + ....]. (402)
m-ti red razvoja odgovara putanji sa m punih ciklusa izmedu barijera. U re-
zonanciji, ove putanje se fazno sabiraju, čime se dobija jako pojačana trans-
misija.
Posmatrajmo specijalni slučaj kada su barijere jednake t1 = t2 . Tada
imamo
271
Slika 189: Kvantizacija provodnosti u kratkom kanalu elektrostatički defin-
isanom kao GaAs/AlGaAs heterostruktura na različitim temperaturama.
Negativan napon gejta Vg primenjen na metalne gejtove na površini uzorka
iscrpljuje nosioce u dvodimenzionalnom elektronskom gasu, kreirajući uski
kanal. Kanal je potpuno bez nosilaca na Vg = −2.1 eV. Pojedinačne 1D
podzone postaju zauzete sa porastom Vg , gde se za svaku novu podzonu
dodaje provodnost od 2e2 /h.
272
T̂ (ϕ∗ = 2πn) = |t1 |4 (1 − |r1 |2 )−2 = 1. (403)
Transmisija pri rezonanciji kroz strukturu sa simetričnom dvostrukom bar-
ijerom je 1, čak iako je transmisija kroz pojedinačne barijere mala. Ovo se
naziva rezonantno tunelovanje. Izvan rezonancije, imenilac u jednačini
(400) je reda jedan za neprovidne barijere, i transmisija je približno jednaka
proizvodu koeficijenata transmisije svake od barijera: T̂ ∼ |t1 |2 |t2 |2 .
Rezonantni uslov ϕ∗ = 2πn odgovara energijama kvazivezanih elektron-
skih stanja zarobljenih izmedu dve barijere. Za veoma neprovidne zidove, ovo
je jednako uslovu kvantizacije čestice ”u kutiji”: kL = πn. Izveli smo uslov
za rezonantno tunelovanje za jednodimenzionalan slučaj, ali to je opšti rezul-
tat. Transmisija kroz ograničeni elektronski sistem značajno je pojačana na
energijama koje odgovaraju energetskim nivoima vezanih stanja za zarobljene
elektrone. To je takode očigledno iz izraza za STM tunelovanje; kvazivezana
stanja daju pikove u diferencijalnoj provodnosti.
Za slučaj neprozirnih barijera, |t1 |2 , |t2 |2 1, kosinusni član u imeniocu
(400) se može razviti u red, kao što je pokazano u Problemu 3, što daje
jednostavan Brajt-Vignerov oblik za rezonanciju:
4Γ1 Γ2 ∆ 2
T̂ () = gde je Γj = |tj | . (404)
(Γ1 + Γ2 )2 + 4( − n )2 2π
Rezonancije su stoga Lorencovi pikovi sa širinom po energiji Γ = Γ1 + Γ2

odredenom rastojanjem energetskih nivoa ∆ i verovatnoćama transmisije
kroz dve barijere. Ovo odgovara principu neodredenosti, koji predvida širenje
nivoa usled konačnog vremena trajanja vezanog stanja dvostruke barijere.
8.3.3 Nekoherentna adicija i Omov zakon

Ako umesto toga tretiramo elektron klasično, sabiramo verovatnoće umesto
amplituda. Ovo je validno ako elektron efektivno gubi deo svoje faze izmedu
barijera usled, na primer, neelastičnog rasejanja sa fonona. Ovo odgovara
zameni jednačine (398) sa
|a|2 = |t1 |2 + |r1 |2 |b|2 ; |b|2 = |a|2 |r2 |2 ; |c|2 = |a|2 |t2 |2 . (405)
Ovo daje
273
Slika 190: Struja rezonantnog tunelovanja kroz dve identične redno vezane
barijere na rastojanju L. Gornji dijagram prikazuje amplitude transmisije
izmedu i sa spoljnih strana barijere za jediničnu amplitudu upadnog talasa.
Prikazane su transmisione rezonancije na energijama kvazivezanih stanja
izmedu barijera.
274
|t1 |2 |t2 |2
T̂ = . (406)
1 − |r1 |2 |r2 |2
Elementarnim manipulacijama (Problem 4) dobija se
R = (h/2e2 )(1 + |r1 |2 /|t1 |2 + |r2 |2 /|t2 |2 ). (407)

Otpornost je zbir kvantizovane kontaktne otpornosti i sopstvenih ot-
pornosti pojedinačnih barijera (vidi jednačinu (396)). Ovo je Omov zakon -
otpor redno vezanih otpornika se sabira. On je validan ako se mogu zane-
mariti efekti interferencije.
Poslednja jednačina omogućava nam da se povežemo sa Drudeovom for-
mulom. Posmatrajmo proces koji daje učestalost rasejanja unazad 1/τb . Ovo
rasejanje unazad može rezultovati ili iz procesa elastičnog rasejanja, kao što
je rasejanje sa primesa, ili iz procesa neelastičnog rasejanja, kao što je fonon-
sko rasejanje. Za prostiranje na malom rastojanju dL, verovatnoća refleksije
dR̂( 1) je
1 dL dL
dR̂ = = . (408)
τb νF lb
Ovo daje doprinos otpornosti, čime za otpor dobijamo
ρ1D = dR/dL = (h/2e2 )/lb . (409)

−1
Ovo je jednako 1D Drudeovom otporu σ1D = (n1D e2 τ /m)−1 , kao što je
pokazano u Problemu 4. Zanemarujući efekte inteferencije, otpornosti po-
jedinačnih segmenata omski se sabiraju, što daje
R = RQ + (h/2e2 )(L/lb ). (410)
8.3.4 Lokalizacija
Posmatrajmo sada slučaj dve redno vezane barijere, ali kada se koheren-
cija ne zanemaruje. Ipak, usrednjavamo po svim mogućim fazama, što odgo-
vara usrednjavanju po različitim energijama. Iz jednačine (400), srednji otpor
je
h 1 + |r1 |2 |r2 |2 − 2|r1 ||r2 |hcos ϕ∗ i h 1 + |r1 |2 |r2 |2

hRi = = . (411)
2e2 |t1 |2 |t2 |2 2e2 |t1 |2 |t2 |2
275
Značajno, fazno usrednjeni otpor (411) veći je od otpora u nekoherentnom
slučaju (407).
Da bismo razumeli skaliranje sa dužinom pridruženom jednačini (411),
posmatrajmo dugačak provodnik dužine L koji se sastoji od niza samo elastičnih
(čuvaju fazu) rasejavača karakterisanih elastičnom dužinom rasejanja unazad
le .Pretpostavimo da provodnik ima veliki otpor hRi, tako da je R̂ ≈ 1 i
T̂ 1. Za malu dodatnu dužinu dL, postojaće mala refleksija i transmisija
dR̂ = dL/le , kao u (408), i dT̂ = 1 − dR̂. Kombinujući ove jednačine u skladu
sa pretpostavkom (411), i uzimajući da je dR̂ 1, dobija se

h 1 + R̂dR̂ 2dL
hR + dRi = 2 ≈ hRi 1 + , (412)
2e T̂ (1 − dR̂) le
ili ekvivalentno,
hdRi = hRi(2dL/le ). (413)

Razdvajanjem promenljivih i integracijom obe strane ove jednačine ima
se
hRi = (h/2e2 )e2L/le . (414)

Ono što je važno, otpornost eksponencijalno raste sa porastom dužine uzorka,
umesto linearno kao kod omskog provodnika. Ovo ponašanje je rezultat
lokalizacije. Usled kvantne interferencije izmedu stanja rasejanih neuredenjem,
stanja postaju lokalizovana na skali ξ ∼ le , gde se ξ naziva dužina lokalizacije.
Nema raširenih stanja koja pokrivaju celu dužinu provodnika, tako da je ot-
pornost eksponencijalno velika. Sličan rezultat važi za kvazi-1D sisteme, ali
sa dužinom lokalizacije ξ ∼ N lv , gde je N broj zauzetih 1D podzona.
Na vrlo niskim temperaturama, postoje samo koherentni procesi rasejanja
i otpornost je eksponencijalno velika (414). Na konačnim temperaturama,
elektroni zadržavaju svoju faznu memoriju samo na dužini fazne koherencije
lϕ usled interakcije sa drugim stepenima slobode, kao što su fononi ili elek-
troni. Ova dužina tipično je stepena funkcija temperature, lϕ = AT −α , pošto
je broj prisutnih elektronskih i vibracionih eksitacija zavistan od temperature
kao stepena funkcija. Otpornost svakog fazno koherentnog segmenta može
se aproksimirati jednačinom (414) gde lϕ zamenjuje L. Otpornost svakog
takvog segmenta brzo opada sa porastom temperature (kao eksponencijalna
funkcija stepenog zakona po T ). Ovo dramatično smanjuje ukupan otpor,
276
koji predstavlja (nekoherentnu) rednu kombinaciju L/lϕ ovakvih fazno ko-
herentnih delova. Na dovoljno visokim temperaturama, gde je lϕ ≤ le , sva
fazna koherencija izmedu dva rasejanja se gubi i primenjuje se omski izraz
(407).
S tim u vezi je priroda elektronskih stanja u 2D i 3D sistemima u prisustvu
neuredenja. U 2D, veruje se da, za neinteragujuće elektrone, sva stanja su
takode lokalizovana neuredenjem. U 3D, sa druge strane, potreban je kritičan
stepen neuredenja za lokalizaciju stanja. Predmet lokalizacije i dalje je od
velikog fundamentalnog značaja i nastavlja da budi kontroverze, posebno
kada su uključeni efekti kulonove interakcije izmedu elektrona.
8.3.5 Naponske sonde i Butiker-Landauerov formalizam

U mnogim merenjima, više od dve sonde su povezane na provodnik. Neke
se koriste kao naponske sonde (koje ne odvode nikakvu struju sa uzorka) a
druge kao strujne sonde, što je prikazano na slici 191. Butiker je proširio Lan-
dauerov formalizam na ovaj slučaj. Definišimo T̂ (n,m) kao ukupnu verovatnoću
transmisije, tj. da elektron koji je napustio kontakt m dode na kontakt
n, uključujući doprinose sa svih 1D kanala. Za strujnu sondu n sa Nn
kanala, elektrohemijski potencijal kontakta je fiksiran primenjenim naponom,
i ukupna struja koja teče kroz kontakt je
X
In = (2e2 /h)(Nn Vn − T̂ (n,m) Vm ). (415)
m
Ovo je jednako struji koja ističe kroz kontakt umanjenoj za struju

P koja ulazi
(n,m)
u njega a potiče od svih drugih kontakata. Uočimo da je Nn = m T̂ , što
se lako može dobiti iz poslednje jednačine razmatranjem ravnotežnog slučaja
kada su svi naponi jednaki a sve struje jednake nuli.
Za naponsku sondu, potencijal Vn se podešava tako da nema ukupnog
toka struje (In = 0):
(n,m)
P
m6=n T̂ Vm
Vn = P . (416)
T̂ (n,m)
m6=n
Elektrohemijski potencijal meren sondom je težinska srednja vrednost elek-

trohemijskih potencijala različitih kontakata, gde su težinski koeficijenti za-
pravo verovatnoće transmisije.
277
Slika 191: Šematska predstava multiterminalnog provodnika. Kontakti 1 i
2 su strujne sonde; kontakt 3 je naponska sonda. Verovatnoća transmisije
izmedu kontakata 1 i 2, odnosno 1 i 3 je šematski označena.
Jednačine (415)-(416) imaju brojne iznenadujuće posledice. Pošto merene

struje i naponi zavise od T̂ (n,m) , detalji putanje elektrona prilikom prolaska
kroz uzorak utiču na otpor. Naponska sonda može poremetiti ove putanje,
i mereni napon može biti izmenjen transmisijom kroz sve delove uzorka. U
nastavku dajemo tri primera koji ilustruju ove osobine.
Posmatrajmo naponsku sondu povezanu za centar inače balističkog 1D
provodnika, kao na slici 191. Pretpostavimo da elektroni koji napuštaju
sondu 1 dolaze ili na sondu 2 ili na sondu 3, ali se ni sa jedne ne rasejavaju
direktno unazad. Napon koji očitava sonda 3 je tada
T̂ (3,1) V V
V3 = = , (417)
T̂ (3,1) + T̂ (3,2)2
gde smo u poslednjem koraku pretpostavili da se naponske sonde sprežu
simetrično na levi i desni kanal, T̂ (3,1) = T̂ (3,2) . Napon meren u kanalu je
srednja vrednost napona dva kontakta.
Struja koja ističe iz kontakta 1 data je sa
1
I = (2e2 /h)(V − T̂ (1,3) V3 ) = (2e2 /h)V (1 − T̂ (1,3) ), (418)
2
gde je u drugom koraku korišćena jednačina (417). Primetimo da prisustvo
naponske sonde smanjuje transmisiju ispod jedinične vrednosti savršenog
kanala. Neki od elektrona rasejavaju se u sondi i reemituju, a potom vraćaju
u kontakt 1. Ovo pokazuje da su naponske sonde generalno invazivne; one
utiču na ono što mere osim ako se samo slabo sprežu sa sistemom.
278
Slika 192 prikazuje merenje Holovog otpora dva krsta nanometarskih di-
menzija unetih u visoko pokretan 2D elektronski gas, što znači da nema
rasejanja sa neuredenja, već samo sa zidova uzorka. Mereni Holov otpor nije
oblika B/ns e, gde je ns koncentracija nosilaca u jednom listu, kao što bi se
očekivalo za makroskopski 2D elektronski gas, već ima brojne značajne os-
obine. Kao najveće iznenadenje, Holov napon je suprotnog znaka pri malom
B u odnosu na veliko B za uzorak u gornjem levom delu. Ovo se lako može sh-
vatiti iz oblika klasičnih elektronskih putanja skiciranih na slici. Pri velikom
B, Lorencova sila prevashodno savija elektron u gornju elektrodu, dajući
očekivani znak Holovog napona. Pri malom B, ipak, elektron odskače od
granice provodnika i dolazi na nižu elektrodu, obrćući znak merenog Holovog
napona. Za mali provodnik sa više sondi, otpor je mera trajektorija elektrona
kroz uzorak a nije samo povezan sa unutrašnjim osobinama materijala kao
što je gustina elektrona.
Jednačine (415)-(416) mogu se koristiti za tretiranje proizvoljno kom-
pleksnih mikroskopskih (ili čak makroskopskih) provodnika. One su široko
korišćene za opis merenja na malim uzorcima neuredenog metala na niskim
temperaturama u funkciji magnetnog polja B. Ovi uzorci imaju mnoge
transverzalne kanale i sadrže primese. Dužina elastičnog rasejanja le manja
je od dimenzija uzorka, ali je dužina fazne koherencije lϕ veća. Elektroni
se stoga kroz uzorak prostiru difuzno, ali fazno koherentno. Ovo se naziva
mezoskopski režim. U semiklasičnoj predstavi, amplituda transmisije izmedu
dve sonde n i m odgovara sumi mnogo različitih klasičnih putanja kroz uzo-
rak:
X Rm
(CGS) t(m,n) ∝ aj e(i/h̄) l (p−eA/c)·dl
;
j
X Rm
(m,n)
(SI) t ∝ aj e(i/h̄) l (p−eA)·dl
. (419)
j
Primetimo da faza pridružena svakoj amplitudi putanje aj sadrži doprinos

od magnetskog vektor potencijala A, kao što je opisano u Prilogu G. Pošto
je T̂ (n,m) = |t(n,m) |2 , kvantna interferencija izmedu različitih putanja kroz
uzorak moduliše transmisiju.
Zanimljiv primer dat je na slici 193. Na levoj strani prikazan je četvoroterminalni
otpor nanometarske metalne žice. Aperiodične fluktuacije se vide na grafiku
zavisnosti provodnosti u funkciji magnetnog polja B. Ove fluktuacije potiču
279
Slika 192: Četvoroterminalna merenja Holovog otpora submikronskih spo-
jeva različitog oblika. U spoju koji je šematski prikazan u gornjem levom
delu slike, Holov otpor je negativan pri malom B a pozitivan pri velikom B.
Razlog je naznačen na dijagramu; pri malom B elektroni odskaču od zida u
”pogrešnu” sondu.
280
od modulacija interferencije izmedu mnogih difuzivnih putanja koje povezuju
kontakte. Pošto ima mnogo putanja, rezultat je suštinski slučajna promena.
Ove modulacije označavaju se kao fluktuacije provodnosti.
Kada se ubaci dodatna petlja koja leži izvan oblasti izmedu kontakata,
kao što je prikazano na desnoj strani slike 193, provodnost G kvalitativno se
menja. Uočava se periodična modulacija sa magnetskim poljem. To potiče
od Aharonov-Bom efekta. Vektor potencijal moduliše kvantnu interfer-
enciju izmedu onih elektronskih putanja koje okružuju prsten i onih koje
ne okružuju. Radi jednostavnosti, posmatrajmo interferenciju izmedu samo
dve takve staze sa amplitudama transmisije a1 i a2 (slika 193) u odsustvu
magnetnog polja. Pri konačnom B,
H
(CGS) |a1 + a2 e[(ie/h̄c) loop A·dl] 2
| = |a1 |2 + |a2 |2 + 2|a1 ||a2 | cos[2πΦ/(hc/e)];
H
(SI) |a1 + a2 e[(ie/h̄) loop A·dl] 2
| = |a1 |2 + |a2 |2 + 2|a1 ||a2 | cos[2πΦ/(h/e)].
(420)
U poslednjem koraku koristili smo Stoksovu teoremu, gde je Φ magnetni
fluks kroz petlju a hc/e je kvant magnetskog fluksa (h/e u SI jedinicama).
Sa porastom fluksa, transmisija kroz žicu osciluje sa periodom jednog kvanta
fluksa. Ovaj efekat je blisko povezan sa superprovodnom kvantizacijom fluksa
razmatranom u Glavi 10, osim što je naelektrisanje koje se ovde pojavljuje
u kvantu fluksa e umesto 2e, jer su nosioci elektroni, a ne Kuperovi parovi.
Značajno je da dodavanje petlje izvan oblasti izmedu naponskih kontakata
menja merene osobine. Otpornosti u mezoskopskom režimu nisu lokalne.
Elektroni koherentno difunduju kroz ceo uzorak putujući izmedu kontakata,
i njihova faza pamti put.
8.4 Elektronska struktura 0D sistema

8.4.1 Kvantizovani energetski nivoi
Sistem elektrona koji je potpuno ograničen u sve tri dimenzije imaće
diskretna naelektrisanja i energetska stanja, kao atomi i molekuli. Oni se
često zovu veštački atomi ili kvantne tačke, da bi se naglasila važnost
fenomena kvantizacije na njihove osobine.
Kao jednostavan primer, posmatrajmo elektron u sfernoj potencijalnoj
jami. Zbog sferne simetrije, Hamiltonijan se deli na ugaoni i radijalni deo,
dajući sopstvena stanja i sopstvene energije:
281
Slika 193: Gornja slika: SEM mikrografi dve vertikalne Au žice sa prikačenim
strujnim i naponskim sondama. U uredaju na desnoj strani dodata je petlja
izvan oblasti izmedu sondi. Desni dijagram prikazuje dve putanje, jednu
koja obuhvata prsten i jednu koja ne obuhvata. Dole levo: Provodnost u
funkciji magnetnog polja za levi uzorak. Aperiodične fluktuacije provodnosti
se vide kao posledica kvantne interferencije izmedu provodnih putanja kroz
uzorak. Dole desno: Periodične oscilacije, pridružene Aharonov-Bom efektu,
se vide za putanje koje okružuju petlju nominalno izvan oblasti izmedu kon-
takata, pokazujući nelokalnu prirodu difuzivnog koherentnog transporta u
mezoskopskim sistemima.
282
n,l,m = n,l ; ψ(r, θ, φ) = Yl,m (θ, φ)Rn,l (r), (421)
gde su Yl,m (θ, φ) sferni harmonici a Rn,l (r) su radijalne talasne funkcije.
Energetski nivoi i radijalne talasne funkcije zavise od detalja konkretnog
ograničavajućeg potencijala. Za beskonačno duboku sfernu jamu, gde je
V = 0 za r < R a beskonačno inače,
n,l = h̄2 βn,l

2
/(2m∗ R2 ),
Rn,l (r) = jl (βn,l r/R), r < R. (422)
Funkcija jl (x) je l-ta sferna Beselova funkcija a koeficijent βn,l je n-ta nula
funkcije jl (x). Na primer, β0,0 = π (1S), β0,1 = 4.5 (1P), β0,2 = 5.8 (1D),
β1,0 = 2π (2S) i β1,1 = 7.7 (2P). Oznake u zagradama su atomske notacije
za stanja, koja imaju uobičajene degeneracije povezane sa orijentacijama
spinskog i ugaonog momenta impulsa.
8.4.2 Poluprovodnički nanokristali

Poluprovodnički nanokristal kao onaj sa slike 177 može se, u dobroj
aproksimaciji, opisati gore datim sfernim modelom. I elektronska stanja u
provodnoj zoni i šupljinska stanja u valentnoj zoni su kvantizovana. Za CdSe
nanočesticu, efektivna masa elektrona u provodnoj zoni m∗e = 0.13m a ener-
getski nivoi elektrona su n,i = (2.9 eV/R2 )(βn,l /β0,0 )2 , gde je R poluprečnik
nanočestice, izražen u nanometrima. Za R = 2 nm, rastojanje izmedu na-
jniža dva energetska nivoa je 0,1 − 0,0 = 0.76 eV.
1S elektronsko stanje povećava energiju sa opadanjem R, dok 1S šupljinsko
stanje smanjuje energiju. Zonski procep stoga raste i može se podesiti u
širokom opsegu menjanjem R. Ovo je prikazano na slici 194, gde su dati ap-
sorpcioni spektri CdSe nanokristala različitih veličina. Za najmanje poluprečnike,
prag apsorpcije pomera se za skoro 1 eV od svoje vrednosti za masivni uzorak.
Sličan pomeraj vidi se u emisionom spektru. Optički spektri nanokristala
mogu se kontinualno podešavati u vidljivom delu, čineći ih korisnim za primene
od fluorescentnog označavanja do dioda koje emituju svetlost.
Intenzitet apsoprcije u nanokristalima postaje koncentrisan na specifičnim
učestanostima koje odgovaraju prelazima izmedu diskretnih stanja, opisano
sedmom jednačinom iz ove glave. Važan rezultat za integralnu apsorpciju
283
Slika 194: Optički apsorpcioni spektri za seriju uzoraka CdSe nanokristala
različitog srednjeg poluprečnika. Najniža energija prelaza u najmanjem
nanokristalnom uzorku pomerena je za skoro 1 eV od vrednosti procepa u
masivnom uzorku. Dva dominantna prelaza su označena.
može se dobiti iz Kramers-Kronigovih relacija, razmatranih u Glavi 15. Iz

jednačine 11 (Glava 15), imamo
Z ∞ 0
00 2ω σ (s)
σ (ω) = − P ds. (423)
π 0 s − ω2
2
Na veoma visokim učestanostima, ω → ∞, elektronski odziv je identičan

onom za slobodan elektron. Na osnovu jednačine 20 iz Glave 15,
σ 00 (ω) = ne2 /mω. (424)

Pored toga, kada ω → ∞, frekvencija s u imeniocu (423) može da se zane-
mari. Kombinujući (423) i (424) tada se dobija
284
Z ∞
σ 0 (s)ds = πne2 /2m. (425)
0
Masivan poluprovodnik i nanokristal stoga imaju istu ukupnu apsorpciju po
jediničnoj zapremini, kada se integrali po svim frekvencijama. Ona je, ipak,
raspodeljena vrlo različito. Apsorpcioni spektar makroskopskog poluprovod-
nika je kontinualan, ali u nanokristalu on se sastoji od niza diskretnih prelaza
sa veoma velikim intenzitetom apsorpcije na učestanostima prelaza. Ovi jaki
prelazi na pojedinim frekvencijama motivisali su istraživače da naprave lasere
koji rade na principu kvantizovanih elektronskih prelaza kvantnih tačaka.
8.4.3 Metalne tačke

Za male sferne metalne tačke, kao što su klasteri alkalnih metala kreirani
u atomskom snopu, elektroni u provodnoj zoni popunjavaju kvantizovane
energetske nivoe opisane jednačinom (421), kao što je prikazano na slici 195a.
Ovi kvantizovani nivoi utiču na električne i optičke osobine, pa čak mogu
uticati i na stabilnost tačke. Mali klasteri mogu se analizirati masenom
spektroskopijom, da bi se odredio broj atoma u klasteru (slika 195b). Pošto
postoji samo jedan elektron po atomu kod alkalnog metala, to je takode i
broj elektrona u provodnoj zoni. Na nekim ”magičnim brojevima” vidi se
obilje atoma u klasteru. Ovo rezultuje iz povećane stabilnosti klastera sa
popunjenim elektronskim ljuskama. Na primer, klasterski pik od 8 atoma
odgovara popunjavanju 1S (n = 1, l = 0) i 1P (n = 1, l = 1) ljuski. Ovi
klasteri sa popunjenim ljuskama analogni su hemijski stabilnim atomima sa
popunjenim orbitalama (plemeniti gasovi).
Za veće ili neregularno oblikovane metalne tačke, orbitalna struktura je
uništena. Rastojanje izmedu nivoa postaje malo u poredenju sa pomerajima
nivoa usled nesavršenosti oblika ili neuredenja. Dok su detalji spektra nivoa
teški za predvidanje, srednje nivosko rastojanje na Fermijevoj energiji može
se proceniti pomoću jednačine 21 iz Glave 6:
∆ = 1/D(F ) = 2F /3N. (426)

Za sfernu Au nanočesticu sa R = 2 nm, srednje medunivosko rastojanje
je ∆ ∼ 2 meV. To je mnogo manje od rastojanja izmedu najnižih stanja
u provodnoj zoni CdSe nanokristala (0.76 eV), koje je ranije sračunato.
Kvantizacioni efekti energetskih nivoa mnogo su važniji u poluprovodničkim
285
tačkama nego u metalnim. Ovo važi stoga što je rastojanje izmedu energet-
skih nivoa veće za niža stanja u 3D potencijalnoj jami i zato što je efektivna
masa elektrona kod poluprovodnika tipično manja nego kod metala.
Optičke osobine male metalne tačke obično su dominantno odredene nji-
hovom površinskom plazmonskom rezonancijom. Polarizabilnost sfere
je, iz jednačine 11, Glava 16:
χE0 χ0 E0
(CGS) P = ; (SI) P = , (427)
1 + 4πχ/3 1 + χ/3
gde je E0 spoljašnje električno polje a χ je elektronska susceptibilnost. Ova
relacija data je u Glavi 16 za statički slučaj, ali se na visokim frekvenci-
jama može primeniti, sve dok je tačka dovoljno mala da bi efekti retardacije
bili značajni. Modelujući nosioce u tački kao slobodnoelektronski gas bez
gubitaka, susceptibilnost je (Glava 14, jednačina 6):
(CGS) χ(ω) = −ne2 /mω 2 ; (SI) χ(ω) = −ne2 /m0 ω 2 . (428)
Kombinujući (427) i (428) dobijamo
E0 E0
(CGS) P (ω) = 2 2
= ;
1 − 4πne /3mω 1 − ωp2 /3ω 2
0 E0 0 E0
(SI) P (ω) = 2 2
= , (429)
1 − ne /3m0 ω 1 − ωp2 /3ω 2
gde je ωp plazma učestanost balk metala. Polarizacija divergira na frekvenciji

√
ωsp = ωp / 3. (430)
Ovo je rezonantna učestanost površinskih plazmona u sferi. Ona pomera
balk plazma rezonanciju za metale kao što su Au i Ag iz UV u vidljivi deo
spektra. Rezultat (430) je nezavisan od veličine čestica. U stvarnosti, ipak,
optičke osobine donekle zavise od veličine usled efekata retardacije na većim
poluprečnicima i gubitaka i unutarzonskih prelaza na manjim poluprečnicima.
Tečnosti ili stakla koji sadrže metalne nanočestice često su sjajno obojene
usled apsorpcije od rezonancije površinskih plazmona. One se stotinama god-
ina koriste u obojenim staklima. Druge optičke primene metalnih nanočestica
podrazumevaju korišćenje jakog električnog polja odmah izvan nanočestice
286
Slika 195: (a) Dijagram energetskih nivoa za stanja u malom sfernom klasteru
alkalnih metala. Brojevi sa desne strane dijagrama prikazuju broj elek-
trona potrebnih za popunjavanje sukcesivnih elektronskih ljuski. (b) Spektar
mnoštva Na klastera, gde se vide visoki intenziteti za klastere sa potpuno
popunjenim elektronskim ljuskama.
287
blizu rezonancije. U tehnikama kao što je površinski pojačano Ramanovo
rasejanje (SERS) ili generisanje drugog harmonika (SHG), slabi optički pro-
cesi u nanostrukturama blizu površine nanočestice postaju merljivi usled
lokalno jakih električnih polja.
8.4.4 Stanja diskretnih naelektrisanja

Ako je kvantna tačka relativno električno izolovana od okoline, ona ima
skup dobro definisanih stanja naelektrisanja, kao atom ili molekul. Svako
sukcesivno stanje naelektrisanja odgovara dodavanju još jednog elektrona
na tačku. Usled kulonovskog odbijanja izmedu elektrona, energijska raz-
lika izmedu susednih stanja naelektrisanja može biti vrlo velika. U Tomas-
Fermijevoj aproksimaciji, elektrohemijski potencijal za dodavanje (N + 1)-og
elektrona tački koja sadrži N elektrona dat je sa
µN +1 = N +1 − eϕ = N +1 + N U − αeVg , (431)
gde je U energija kulonove interakcije izmedu bilo koja dva elektrona na tački,
koja se često naziva energija naelektrisavanja. Bezdimenzioni broj α je
učestalost sa kojom napon Vg primenjen na obližnji metal, tipično označen
kao gejt (vidi sliku 196), pomera elektrostatički potencijal tačke ϕ.
Generalno, U će se menjati za različita elektronska stanja u tački, ali ovde
pretpostavljamo da je konstantno, kao u klasičnom metalu. U tom slučaju,
možemo opisati elektrostatiku i interakcije preko kapacitivnosti
U = e2 /C i α = Cg /C, (432)
gde je C ukupna elektrostatička kapacitivnost tačke a Cg je kapacitivnost
izmedu tačke i gejta. Veličina e/C je pomeraj elektrostatičkog potencijala
tačke kada se doda jedan elektron.
Ako je tačka u slabom električnom kontaktu sa metalnim rezervoarom,
elektroni će tunelovati na tačku sve dok elektrohemijski potencijal za doda-
vanje drugog elektrona ne prevazide elektrohemijski potencijal µ rezervoara
(slika 196). Ovo podešava ravnotežnu naseljenost tačke N . Stanje naelek-
trisanja može se menjati koristeći napon gejta Vg . Dodatni napon gejta ∆Vg
potreban za dodavanje još jednog elektrona iz rezervoara sa fiksnim µ je, iz
(431),
∆Vg = (1/αe)(N +1 − N + e2 /C). (433)
288
Dodavanje još jednog elektrona tački zahteva energiju dovoljnu da se popuni
sledeće jednočestično stanje i takode dovoljnu da se nadjača energija naelek-
trisavanja.
Energija naelektrisavanja U zavisi od veličine tačke i lokalnog elektro-
statičkog okruženja. Okolni metali ili dielektrici prigušiće kulonovu interak-
ciju i smanjiti energiju naelektrisavanja. Generalno, U se mora sračunati za
specifičnu geometriju. Kao jednostavan model, posmatrajmo sfernu tačku
radijusa R okruženu sfernom metalnom ljuskom radijusa R + d. Ova ljuska
umanjuje kulonovu interakciju izmedu elektrona na tački. Elementarna pri-
mena Gausovog zakona (Problem 5) daje kapacitivnost i stoga energiju naelek-
trisavanja:
e2 d e2 d
(CGS) U= ; (SI) U= . (434)
R R + d 4π0 R R + d
Za R = 2 nm, d = 1 nm i = 1, energija naelektrisavanja je e2 /C = 0.24 eV.

Ovo daleko premašuje kB T ≈ 0.026 eV na sobnoj temperaturi, ukazujući da
će termalne fluktuacije naelektrisanja tačke biti jako potisnute. Ovo je upore-
divo sa rastojanjem energetskih nivoa (0.76 eV) izmedu dva najniža stanja u
2-nm CdSe tački. Za razliku od toga, ova vrednost mnogo je veća od rasto-
janja izmedu nivoa (2 meV) za 2-nm metalnu tačku. Dodatna energija met-
alne tačke stoga je dominantno sačinjena od energije naelektrisavanja, dok su
u poluprovodničkoj tački energija naelektrisavanja i medunivosko rastojanje
od uporedivog značaja.
Efekti naelektrisavanja uništeni su ako je učestalost tunelovanja izmedu
tačke i elektroda suviše velika. Naelektrisanje ostaje na tački za vreme reda
δt = RC, gde je R otpornost za tunelovanje ka elektrodama. Na osnovu
principa neodredenosti, energetski nivo biće raširen za
δ ≈ h/δt = h/RC = (e2 /C)(h/e2 )/R. (435)

Neodredenost energije elektrona postaje uporediva sa energijom naelektrisa-
vanja kada je R ∼ h/e2 . Za otpornosti koje su manje od ovoga, kvantne fluk-
tuacije usled principa neodredenosti nadjačavaju efekte kulonovskog naelek-
trisavanja. Uslovi za dobro definisana stanja naelektrisanja kvantne tačke
tada su
R h/e2 i e2 /C kB T. (436)
289
Slika 196: (a) Šematski prikaz kvantne tačke u tunelskom kontaktu sa dva
metalna rezervoara i kapacitivnoj sprezi sa gejtom. Glavna slika: Dijagrami
energetskih nivoa ilustruju kulonovu blokadu. Na slici (b) napon gejta je
takav da je tačka stabilna sa N elektrona, tako da struja ne teče. Na slici (c)
blokada je podignuta kada se elektrohemijski potencijal umanjio unutar pro-
zora izmedu potencijala, omogućavajući sukcesivno naelektrisavanje i razelek-
trisavanje tačke i tok struje.
8.5 Električni transport u 0D

8.5.1 Kulonove oscilacije
Na temperaturama T < (U + ∆)/kB , energija naelektrisavanja U i ras-
tojanje izmedu nivoa ∆ kontrolišu tok elektrona kroz kvantnu tačku, kao
što je prikazano na slici 196. Transport kroz tačku se ukida kada Fermijevi
nivoi provodnika leže izmedu elektrohemijskog potencijala za N -to i N +1-vo
stanje naelektrisanja (slika 196b). Ovo se naziva Kulonova blokada. Struja
može teći samo kada je µe (N + 1) smanjeno tako da leži izmedu Fermijevih
nivoa sa leve i desne strane (provodnika). Tada elektron može skočiti na
290
kvantnu tačku sa leve elektrode i sa kvantne tačke na desnu elektrodu, što
rezultuje tokom struje (slika 196c). Ovaj proces se ponavlja sa povećavanjem
Vg za svako novo stanje naelektrisanja. Ovo vodi takozvanim Kulonovim os-
cilacijama u provodnosti (u funkciji Vg ), prikazanim na slici 197. Ako je
U kB T , ovi pikovi mogu biti vrlo oštri. Rastojanje izmedu Kulonovih
pikova odredeno je jednačinom (433).
Kulonove oscilacije su prevashodno rezultat kvantizacije naelektrisanja.
One će nastati ako je U kB T čak iako je medunivosko rastojanje jedne
čestice vrlo malo, ∆ kB T . Ovo je čest slučaj u metalnim kvantnim
tačkama. Uredaj koji ispoljava Kulonove oscilacije naziva se jednoelek-
tronski tranzistor (SET), pošto se periodično uključuje i isključuje kada
se naseljenost tačke promeni za e. Ovaj efekat je prilično upadljiv i može se
koristiti kao ultraosetljiv elektrometar. On detektuje električna polja kao što
SQUID (Glava 10) detektuje magnetna polja. Jedan je zasnovan na kvanti-
zaciji naelektrisanja, a drugi na kvantizaciji fluksa.
SET-ovi se takode mogu koristiti za pravljenje jednoelektronskih obr-
tomera i pumpi. Oscilujući napon na frekvenciji f primenjen na gejtove
odgovarajuće dizajniranog sistema sa kvantnom tačkom može pomerati jedan
elektron napred-nazad kroz tačku tokom jednog ciklusa oscilacija. Ovo rezul-
tuje kvantizovanom strujom koja teče kroz tačku:
I = ef. (437)
Ovakvi uredaji se razmatraju kao standardi za merenje struje u metrologiji.
Za kvantnu tačku sa slike 198, medunivosko rastojanje ∆ kB T . N -
ta Kulonova oscilacija tada odgovara rezonantnom tunelovanju kroz jedan
kvantizovani energetski nivo N . Kulonove oscilacije u ovom slučaju analogne
su teorijskim rezonantnim tunelujućim pikovima opisanim jednačinom 29 u
ovoj glavi i prikazanim na slici 190. Ključna razlika u odnosu na jednačinu
29 je u tome što su pozicije kulonovskih pikova odredene i medunivoskim
rastojanjem i kulonovskom energijom naelektrisavanja (433). Donji desni deo
slike 197 prikazuje fit jednog kulonovskog pika Brajt-Vignerovim oblikom za
rezonantno tunelovanje.
I − V karakteristike kvantne tačke su generalno kompleksne, reflektujući
uzajamno dejstvo energije naelektrisavanja, medunivoskog rastojanja pobudenog
stanja i napona izmedu sorsa i drejna. Na slici 198 prikazana su merenja prvih
nekoliko elektrona dodatih na malu, 2D kružnu tačku. Diferencijalna provod-
nost dI/dV predstavljena je koristeći skalu sive boje kada se menjaju i napon
291
Slika 197: Oscilacije provodnosti u funkciji napona gejta merene u kvantnoj
tački formiranoj na GaAs/AlGaAs heterostrukturi naT = 0.1 K. Podaci su
nacrtani na logaritamskoj skali. Kako napon gejta raste, barijera postaje
providnija i pikovi se šire. Oblik pika na slici (b) odreden je samo termalnim
širenjem, dok onaj na slici (c) reflektuje i sopstveni Brajt-Vignerov oblik.
292
gejta i napon izmedu sorsa i drejna. Svaka od linija odgovara tunelovanju
kroz pojedinačno kvantno stanje u tački. Beli dijamanti duž Vg ose, koja
ukazuje na dI/dV = 0, odgovaraju Kulonovoj blokadi. Svaki sukcesivni di-
jamant odgovara drugom elektronu na kvantnoj tački. Mesto gde se različiti
dijamanti sretnu duž Vg ose predstavlja Kulonove oscilacije gde se menja
stanje naelektrisanja tačke. Visina dijamanta odgovara eVmax = e2 /C + ∆,
maksimalan napon koji može da se primeni a da struja ne teče u datom
stanju naelektrisanja. Dijamanti koji odgovaraju N = 2 i N = 6 su mnogo
veći od susednih, što ukazuje na veću dodatnu energiju za dodavanje trećeg
i sedmog elektrona na kvantnu tačku.
Ova tačka može se efektivno modelovati zarobljavajućim potencijalom 2D
harmonijskog oscilatora U (x, y) = 12 mω 2 (x2 + y 2 ), sa energetskim nivoima
ij = (i + j + 1)h̄ω, (438)

gde su i i j nenegativni celi brojevi. Ovaj spektar nivoa može se koristiti
zajedno sa (433) da bi se pronašle dodatne energije koje odreduju veličine
dijamanata na slici. Prvi elektron popunjava spinski-degenerisano osnovno
stanje energetskog nivoa 00 . Drugi elektron popunjava isto kvantno stanje,
ali suprotnog spina, na naponu gejta ∆Vg2 = U/αe posle dodavanja prvog
elektrona. Treći elektron popunjava jedno od degenerisanih stanja 01 ili 10
posle ∆Vg3 = (U + h̄ω)/αe. Sledeća tri elektrona popunjavaju ostatak ovih
stanja, svaki razdvojen naponom gejta od U/αe. Sedmi elektron popun-
java jedno od degenerisanih stanja 11 , 20 ili 02 , pri dodatom naponu gejta
∆Vg7 = (U + h̄ω)/αe. Ovaj jednostavan model ispravno predvida veće do-
date energije za treći i sedmi elektron, što se vidi u eksperimentu. Dodatna
energija je veća za medunivosko rastojanje kada se još jedan elektron doda
u novi energetski nivo iznad popunjene elektronske ljuske (N = 2 i N = 6).
8.5.2 Spin, Motovi izolatori i Kondo efekat

Posmatrajmo kvantnu tačku koja je zauzeta neparnim brojem elektrona
u blokiranoj oblasti, kao što je prikazano na slici 199. Najviši energetski
nivo za jednu česticu u kvantnoj tački je dvostruko degenerisan i elektron
može da bude u stanju ili sa spinom nagore ili sa spinom nadole. Doda-
vanje drugog elektrona suprotnog spina dopušteno je Paulijevim principom
isključenja, ali je energetski zabranjeno, usled kulonovske interakcije izmedu
elektrona. Ovo je analogno Motovom izolatoru, gde je polupopunjena zona
293
Slika 198: (a) Šematski prikaz 2D kružne kvantne tačke formirane u
GaAs/AlGaAs heterostrukturi. (b) Diferencijalna provodnost dI/dV u
funkciji napona gejta i potencijalne razlike izmedu sorsa i drejna, nacr-
tana kao siva skala. Beli dijamantski regioni odgovaraju različitim stanjima
naelektrisanja tačke. Veća energija naelektrisavanja uočena je za N = 2 i
6 elektrona na tački, što odgovara popunjenim elektronskim ljuskama. Do-
datne linije na dijagramu odnose se na pobudene nivoe energije u tački.
294
izolatorska jer kulonova interakcija zabranjuje dvostruku zauzetost sajtova
rešetke elektronima.
Tačka stoga ima spin-1/2 magnetski moment sa dve degenerisane konfig-
uracije, spin nagore i spin nadole, u odsustvu sprezanja sa provodnikom. Ako
je ovo sprezanje uključeno, ipak, degeneracija se podiže na nižim temperat-
urama. Osnovno stanje je kvantna superpozicija dve konfiguracije spinova,
sa prelazima izmedu njih koji se ostvaruju preko virtuelnog medustanja koje
uključuje izmenu elektrona sa provodnikom, kao što je ilustrovano na slici 200.
Ovo je poznato kao Kondo efekat. Lokalni moment sparuje se sa elektron-
ima u metalnim elektrodama i kreira spinski singlet. Ovo nastaje ispod
temperature poznate kao Kondo temperatura TK :
1
TK = (ΓU )1/2 eπ0 (0 +U )/(ΓU ) (439)
2
gde je Γ širina nivoa definisana jednačinom (404) a 0 je naznačeno na slici 199
(0 < 0). Pik u gustini stanja kvantne tačke, širine kB TK , pojavljuje se
na Fermijevoj energiji usled mešavine stanja u elektrodama na energiji F .
Kondo temperatura je veoma mala, osim ako sprezanje sa provodnikom Γ
nije veliko, pošto proces uključuje virtuelno medustanje.
Pošto Kondo efekat uključuje izmenu elektrona sa provodnikom, on uzrokuje
transmisiju kroz tačku čak i u oblasti blokade, što je ilustrovano na slikama 199a-
c. Za simetrične barijere na T TK , koeficijent transmisije kroz Kondovu re-
zonanciju može biti jedan, kao za rezonantno tunelovanje. Ovaj efekat uočen
je u transportu kroz kvantne tačke i STM merenjima magnetskih primesa na
metalnim površinama. Kondov efekat prvi put je primećen u metalima koji
sadrže magnetske primese. Formiranje spinskog singleta izmedu magnetskih
nečistoća i provodnih elektrona pojačava rasejanje elektrona. Ovo će dalje
biti razmatrano u Glavi 22.
8.5.3 Kuperovo sparivanje u superprovodnim tačkama

U malim metalnim kvantnim tačkama načinjenim od superprovodnika,
postoji interesantno nadmetanje izmedu jednoelektronskog naelektrisanja i
Kuperovog sparivanja elektrona. Sa neparnim brojem elektrona koji ostaju
na tački, uvek postoji nesparen elektron. Ako je vezivna energija Kuper-
ovog para 2∆ veća od energije naelektrisavanja U , energetski je povoljnije
da se doda elektron na kvantnu tačku, po cenu energije U da bi se dobila
energija sparivanja 2∆. Stanja sa neparnim brojem naelektrisanja stoga su
295
Slika 199: Kondo efekat u kvantnoj tački. Za nespareni spin na tački,
može nastati virtuelni proces (b) koji prevodi stanje sa spinom nagore (a) u
stanje sa spinom nadole (c) i prenosi elektrone sa jedne strane kvantne tačke
na drugu. Osnovno stanje sistema je koherentna superpozicija prikazanog
početnog i krajnjeg stanja, kreirajući spinski singlet izmedu spina na tački
i spinova u provodniku. Ovo se naziva Kondo efekat, i proizvodi uzak pik
širine ∼ kB TK u gustini stanja na F , pored originalno proširenog nivoa širine
Γ, kao što je prikazano na slici (d).
296
energetski nepovoljna. Elektroni će se dodavati na kvantnu tačku u Kuper-
ovim parovima, i Kulonove oscilacije biće 2e-periodične. Ovo je prikazano
na slici 200. Ovo je značajna manifestacija Kuperovog sparivanja.
8.6 Vibracione i termalne osobine

Da bismo tretirali vibracione osobine nanostruktura, počećemo od opisa
kontinuuma elastičnih osobina. Ovo je analogno uzimanju zonske struk-
ture za početnu tačku prilikom opisivanja elektronskih osobina. To je dobra
aproksimacija za sve male nanostrukture.
Generalno, komponente pritiska i naprezanja u čvrstom telu povezane su
matricom. Pritisak duž jedne ose daće naprezanje duž te ose, ali će takode
proizvesti naprezanja duž drugih osa. Na primer, kocka rastegnuta duž jedne
ose tipično će se unekoliko sabiti duž ortogonalne ose. Da bismo uprostili
dalju diskusiju, zanemarićemo vandijagonalne elemente i tretirati matricu
pritiska i naprezanja kao dijagonalnu i izotropnu. Drugim rečima, naprezanja
će postojati samo duž pravaca pritiska i njihova amplituda biće nezavisna od
usmerenja ose. Za kompletniji tretman upućujemo čitaoca na naprednije
tekstove iz mehanike.
8.6.1 Kvantizovani vibracioni modovi

Kao što su elektronski stepeni slobode kvantizovani, vibracione frekven-
cije postaju diskretne u 1D ili 0D čvrstom telu. Kontinualni niskofrekvenci-
jski modovi pridruženi akustičkim modovima, ω = vg K, postaju umesto toga
niz diskretnih frekvencija ωj . Tačne učestanosti i talasni vektori detaljno za-
vise od oblika i graničnih uslova čvrstog tela.
Ilustrativan primer su vibracije po obimu tankog cilindra radijusa R i
debljine h R, prikazane na slici 201. Na slici 201a, šematski je ilustrovan
kvantizovani longitudinalni akustički mod. Dozvoljene učestanosti mogu se
dobiti primenom periodičnih graničnih uslova na obim cilindra:
Kj = j/R; ωLj = (vL /R)j; j = 1, 2, .... (440)

Drugi mod, takozvani radijalni dišući mod (RBM), prikazan je na
slici 201b. Poluprečnik cilindra uniformno se povećava i smanjuje, dajući
tenziju i kompresiju po obimu. Iz teorije elastičnosti, elastična energija
pridružena naprezanju e za izotropnu sredinu data je sa
297
Z
1
Utot = Y e2 dV, (441)
2 V
gde je Y elastični (Jangov) moduo. Naprezanje u cilindru za promenu

poluprečnika dr je e = dr/R, dajući
YV
Utot = 2
(dr)2 , (442)
2R
gde je V zapremina cilindra. Jednačina (442) ima oblik Hukovog zakona
za energiju opruge, gde je konstanta opruge data sa Y V /R2 . Vibraciona
učestanost je tada
ωRBM = (Y V /M R2 )1/2 = (Y /ρ)1/2 /R = vL /R, (443)

gde
p smo u poslednjem koraku definisali longitudinalnu brzinu zvuka vL =
Y /ρ.
Finalna klasa kvantizovanih modova po obimu cilindra, koja odgovara
transverzalnim akustičkim modovima, data je na slici 201c. Njihovi talasni
vektori i frekvencije dati su sa
vL hj 2
Kj = j/R; ωT j ≈ √ ; j = 1, 2, .... (444)
12R2
Uočimo da se frekvencije skaliraju kao Kj2 . Poreklo ovakvog ponašanja biće
diskutovano u nastavku.
Kvantizovani vibracioni modovi mogu se meriti na razne načine. Jedna
široko korišćena tehnika za ispitivanje vibracione strukture pojedinačnih ob-
jekata na nanoskali je Raman spektroskopija (vidi Glavu 15). Raman spek-
troskopija pojedinačnih nanotuba prikazana je na slici 202. Za nanotubu,
vL = 21 km/s i energija radijalnog dišućeg moda je, na osnovu (443), data
sa
h̄ωRBM = 14 meV/R[nm].
Merene vrednosti dobro se slažu sa ovim izrazom. Kao rezultat, merenja
RBM mogu se koristiti za zaključak o radijusu nanotube.
298
Slika 200: Merenje kulonovih oscilacija u superprovodnoj metalnoj kvantnoj
tački sa opadanjem temperature. Prelaz sa e-periodičnih na 2e-periodične
oscilacije vidi se kada se temperatura smanjuje usled Kuperovog sparivanja
elektrona na tački.
299
Slika 201: Fundamentalni vibracioni modovi cilindra sa tankim zidom. Slika
(a) je longitudinalni kompresioni mod, (b) je radijalni dišući mod (RBM), a
(c) je transverzalni mod.
8.6.2 Transverzalne vibracije

Sada govorimo o fononima koji se prostiru u smeru ose dugačkog, tankog
objekta, kao što je cilindar razmatran u prethodnom odeljku ili tanka, čvrsta
greda (slika 203). Longitudinalni fononi slični su 3D slučaju, sa disperzijom
ω = vL K, gde je K kontinualan talasni vektor. Ipak, postoji fundamen-
talna modifikacija transverzalnih fonona na talasnim vektorima dužim od de-
bljine grede h. Umesto smicanja, kao kod balk transverzalnih fonona, čvrsto
telo se krivi, kao na slici 203a. Ovo je klasičan problem transvezalnih savi-
jajućih modova u gredi. Energija krivljenja potiče od longitudinalne kompre-
sije/smicanja čvrstog tela duž unutrašnjeg/spoljašnjeg luka krive. Linearna
zavisnost talasnog vektora ωT = vT K karakteristična za masivno čvrsto telo
menja se u kvadratnu disperziju po K, kao što ćemo pokazati.
Posmatrajmo transverzalni stojeći talas na čvrstoj pravougaonoj gredi
debljine h, širine w i dužine L čiji pomeraj je dat sa y(z, t) = y0 cos(Kz −ωt).
Naprezanje u datoj tački unutar grede dato je lokalnim drugim izvodom i
rastojanjem t od centralne linije grede (slika 203a):
e = −(∂ 2 y/∂z 2 )t = K 2 yt. (445)

Ukupna energija pridružena ovom naprezanju ponovo je data jednačinom
(441):
Z Lz Z h/2
Utot = (wY /2) (K 2 yt)2 dtdz = Y V K 4 h2 hy 2 i/24, (446)
0 −h/2
300
Slika 202: Raman spektri pojedinačnih ugljeničnih nanotuba. Frekvencije
radijalnog dišućeg moda označene su na glavnoj slici, zajedno sa strukturnim
oznakama (n, m). Uočimo: 160 cm−1 ≈ 20 meV.
gde je hy 2 i usrednjeno na periodu oscilacija. Ovo ponovo daje efektivnu

konstantu opruge i, iz koraka analognim jednačinama (441)-(443), frekvenciju
oscilovanja:
√
ωT = vL h̄K 2 / 12. (447)
Primetimo da frekvencija zavisi od longitudinalne, a ne od transverzalne
brzine zvuka, pošto je mod sada po prirodi suštinski kompresioni. Nije više
linearno zavisna od K, pošto efektivna povratna sila raste brže sa porastom
drugog izvoda, tj. porastom K. Za razliku od toga, torzioni mod, koji
odgovara uvijanju grede oko svoje duže ose, zadržava svoj smičući karakter i
ωtwist ∝ K.
Transverzalni vibracioni modovi opisani jednačinom (447) često se uočavaju
na mikro- i nanogredama. Skup nanogreda konstruisanih od SI, koristeći
litografiju elektronskog snopa i nagrizanje, prikazan je na slici 203b. Frekven-
cije pridružene sa fundamentalnom rezonancijom K1 = 2π/L ovih greda
skaliraju se kao 1/L2 (slika 203c), što se i očekuje na osnovu (447).
Primetimo da modifikacija disperzione relacije (447) za dugotalasne transverzalne
modove nije ograničena samo na nanosisteme. Jedini zahtev je da sistem
301
bude geometrijskog oblika tanke grede ili ploče sa transverzalnom dimenz-
ijom h manjom od talasne dužine, tj. Kh 1. Na primer, AFM opruge
koje rade u bezkontaktnom modu, kao što je ranije razmatrano, dobro su
opisane ovom jednačinom. Disperziona relacija (447) takode je povezana sa
zavisnošću ω ∼ K 2 (444) za klasu modova prikazanih na slici 201c. Obe
opisuju transverzalne savijajuće vibracije, jedna za gredu a druga za tanku
ljusku.
Revolucija je u toku u proizvodnji malih, kompleksnih mehaničkih struk-
tura koje koriste tehnike adaptirane iz mikroelektronske obrade. Grede
prikazane na slici 203b su jednostavan primer. Ove strukture mogu se inte-
grisati sa elektronskim uredajima, kreirajući mikroelektromehaničke sisteme
(MEMS) i nanoelektromehaničke sisteme (NEMS). Oni se istražuju za razne
primene, uključujući očitavanje, skladištenje podataka i obradu signala.
8.6.3 Toplotni kapacitet i termalni transport

Gornje relacije ukazuju da su energije kvantizovanih vibracionih modova
tipično manje od kB T na sobnoj temperaturi, osim kod vrlo malih struktura.
Modovi duž ograničenih pravaca stoga će biti termalno pobudeni na sobnoj
temperaturi. Kao rezultat, termalne osobine rešetke u nanostrukturama biće
slične kao kod njihovih masivnih parova (u 3D). Posebno, toplotni kapacitet
i termalna provodnost rešetke biće proporcionalni sa T 3 , kao kod 3D čvrstih
tela (Glava 5).
Na niskim temperaturama, ipak, vibracione ekscitacije frekvencije ω u
ograničenim pravcima zamrznuće se kada je T < h̄ω/kB . U slučaju dugačke,
tanke strukture, sistem će se ponašati kao 1D termalni sistem na dovoljno
niskim temepraturama, sa skupom 1D fononskih podzona analognim 1D elek-
tronskim podzonama prikazanim na devetoj slici ove Glave. Proračun analo-
gan onom iz Glave 5 za 3D čvrsto telo daje toplotni kapacitet po 1D podzoni
akustičkih fonona sa disperzijom ω = vk (Problem 6):
[1D]
CV = 2π 2 LkB
2
T /3hv. (448)
Toplotna provodnost Gth žice definisana je kao odnos ukupnog toka energije
kroz žicu i temperaturne razlike ∆T izmedu njenih krajeva. Toplotna provod-
[3D]
nost po 1D fononskoj podzoni Gth je
[1D]
Gth = (π 2 kB
2
T /3h)T̂ . (449)
302
Slika 203: (a) Pritisci u savijenoj gredi, prikazujući unutrašnji deo pod
pritiskom dok je spoljašnji deo pod istezanjem. (b) SEM mikrograf serije
naslaganih Si greda promenljive dužine L i merene rezonantne učestanosti u
funkciji L. Linija je fit funkcionalnog oblika f = B/L2 , gde je B konstanta.
Ovaj rezultat izveden je u Problemu 6 koristeći pristup analogan onom pri-

likom izvodenja Landauerove formule za provodnost 1D kanala. Prime-
timo da je T̂ sada verovatnoća transmisije za fonone kroz strukturu. Za
transverzalni savijajući mod, gde je ω ∝ K 2 , rezultat (448) je modifikovan,
ali (449) je isti.
I jednačina (448) i (449) su linearne po temperaturi, za razliku od zavis-
nosti T 3 za 3D. Razlika reflektuje broj modova sa energijama h̄ω < kB T , ili
ekvivalentno, sa talasnim vektorima K < kB T /h̄v. Broj modova se skalira
kao K D , gde je D dimenzionalnost, dajući T 3 u 3D i T u 1D.
Primetimo da je u slučaju savršeno transmitovanih fonona kroz kanal,
toplotna provodnost (449) odredena samo fundamentalnim konstantama i
303
apsolutnom temperaturom. Ovaj rezultat je analogan kvantizovanoj elek-
tričnoj provodnosti (jednačina 21 iz ove glave) 1D kanala, koja je nezavisna
od brzine elektrona u kanalu. I balistička toplotna provodnost (449) i 1D
oblik toplotnog kapaciteta (448) primećeni su u eksperimentima na tankim
žicama pri veoma niskim temperaturama.
8.7 Kratak pregled

* Ispitivanja u realnom prostoru mogu dati slike nanostruktura na atom-
skoj skali.
* Gustina stanja 1D podzone, D(E) = 4L/hv, divergira na pragovima
podzona. To se zovu van Hoveovi singulariteti.
* Električna provodnost 1D sistema data je Landauerovom formulom,
G = (2e2 /h)T̂ , gde je T̂ koeficijent transmisije kroz uzorak.
* Provodnost kvazi-1D sistema može biti značajno izmenjena kvantnom
interferencijom izmedu elektronskih putanja kroz uzorak, što vodi rezonant-
nom tunelovanju, lokalizaciji i Aharonov-Bom efektu.
* Optičke osobine kvantne tačke mogu se podešavati menjajući njihovu
veličinu, pa samim tim i njihove kvantizovane energetske nivoe.
* Dodavanje naelektrisanja e na kvantnu tačku zahteva dodatni elektro-
hemijski potencijal dat sa U + ∆, gde je U energija naelektrisavanja a ∆
je rastojanje izmedu nivoa.
* Vibracioni modovi objekta nanometarskih dimenzija su kvantizovani.
304
9 GLAVA 19: NEKRISTALNA ČVRSTA TELA
Termini amorfna čvrsta tela, nekristalna čvrsta tela, neuredena čvrsta
tela, staklo ili tečnost nemaju precizno strukturno značenje, osim toga da
struktura ”nije kristalna na bilo kakvoj značajnoj skali.” Glavno strukturno
uredenje uvedeno je približno konstantnim rastojanjem susednih atoma ili
molekula. Iz ove diskusije isključujemo neuredene kristalične smeše (Glava
22), gde različiti atomi slučajno zauzimaju sajtove regularne kristalne rešetke.
9.1 Difrakciona slika

Difrakciona slika X-zraka ili neutrona na amorfnom materijalu kao što je
tečnost sastoji se od jednog ili više širokih difuznih prstenova, kada se gleda
na ravni normalnoj na snop upadnih X-zraka. Slika je različita od one za
praškasti kristalni materijal, koji ima veliki broj jako oštrih prstenova, što
je prikazano u Glavi 2. Ovo nam govori da tečnost nema jedinicu strukture
koja se identično ponavlja u periodičnim intervalima u tri dimenzije.
U jednostavnoj monoatomskoj tečnosti pozicije atoma pokazuju samo
kratkodometnu strukturu u odnosu na koordinatni početak na bilo kom
atomu. Nikad ne pronalazimo centar drugog atoma bliže od rastojanja jed-
nakog atomskom prečniku, ali otprilike ovo rastojanje očekujemo da važi i za
brojne susedne atome koje pronalazimo u kristalnoj formi materijala.
Iako je difrakciona slika X-zraka tipičnog amorfnog materijala prilično
različita od one za tipičan kristalni materijal, nema oštre granice izmedu njih.
Za uzorke kristalnog praha sa sve manjom veličinom čestica, difrakcione linije
se kontinualno šire, i za dovoljno male čestice difrakciona slika postaje slična
amorfnoj slici tečnosti ili stakla.
Iz tipične difrakcione slike tečnosti ili stakla, koja sadrži tri ili četiri di-
fuzna prstena, jedina veličina koja se može direktno odrediti je radijalna
funkcija raspodele. Ona se dobija iz Furijeove analize eksperimentalne krive
rasejanja X-zraka, i direktno daje srednji broj atoma koji se mogu naći na
bilo kom rastojanju od datog atoma. Metod Furijeove analize je podjednako
primenljiv na tečnost, staklo ili praškast kristalni materijal.
Pogodno je započeti analizu difrakcione slike jednačinom 43 iz Glave 2.
Umesto pisanja za faktor strukture baze, pišemo sumu za sve atome u uzorku.
Dalje, umesto specijalizacije rasejanja na vektore recipročne rešetke G karak-
teristične za kristal, razmatramo proizvoljne vektore rasejanja ∆k = k0 − k,
kao na slici 6 iz Glave 2. Ovo činimo jer rasejanje sa amorfnih materijala
305
nije ograničeno na vektore recipročne rešetke, koji se u svakom slučaju ovde
ne mogu definisati.
Stoga je amplituda rasejanja sa amorfnog materijala opisana sa
X
S(∆k) = fm e−i∆k·rm , (450)
m
gde je fm atomski faktor oblika atoma, kao u jednačini 50 iz Glave 2. Suma

se proteže po svim atomima u uzorku.
Intenzitet rasejanja na vektoru rasejanja ∆k dat je sa
XX
I(∆k) = S ∗ S = fm fn ei∆k·(rm −rn ) , (451)
m n
u jedinicama koje se odnose na rasejanje sa jednog elektrona. Ako α označava

ugao izmedu ∆k i rm − rn , tada je
XX
I(K, α) = fm fn eiKrmn cos α , (452)
m n
gde je K amplituda ∆k a rmn je amplituda rm − rn .

U amorfnom uzorku vektor rm − rn može uzeti bilo koju orijentaciju, tako
da usrednjavamo fazni faktor po sferi:
Z 1
iKr cos α 1 sin Krmn
he i= 2π d(cos α)eiKrmn cos α = . (453)
4π −1 Krmn
Stoga imamo Debye-jev rezultat za intenzitet rasejanja na ∆k:
XX
I(K) = (fm fn sin Krmn )Krmn . (454)
m n
9.1.1 Jednoatomski amorfni materijali

Za atome samo jednog tipa, neka je fm = fn = f i izdvojmo iz poslednje
sume članove sa n = m. Za uzorak sa N atoma biće
" 0
#
X
I(K) = N f 2 1 + (sin Krmn )/Krmn . (455)
m
Suma ide po svim atomima m osim početnog atoma m = n.
306
Ako je ρ(r) koncentracija atoma na rastojanju r od referentnog atoma,
poslednju jednačinu možemo pisati u obliku
Z R
2 2
I(K) = N f 1 + 4πr ρ(r)(sin Kr)/Kr , (456)
0
gde je R (veoma veliki) poluprečnik uzorka. Neka ρ0 označava srednju kon-

centraciju; tada se (456) može pisati u obliku
Z R Z R
2 2
I(K) = N f 1 + 4πr [ρ(r) − ρ0 ](sin Kr)/Kr + (ρ0 /K) 4πr sin Kr .
0 0
(457)
Drugi integral u poslednjoj jednačini daje rasejanje sa ravnomerne koncen-
tracije i može se zanemariti, osim u prednjoj oblasti vrlo malih uglova; on se
svodi na delta funkciju u K = 0 kada R → ∞.
9.1.2 Radijalna funkcija raspodele

Pogodno je uvesti faktor tečne strukture, definisan sa
S(K) = I/N f 2 . (458)

Primetimo da to nije potpuno isto kao S(∆k). Iz jednačine (457) imamo,
posle odbacivanja člana sa delta funkcijom,
Z ∞
S(K) = 1 + 4πr2 [ρ(r) − ρ0 ](sin Kr)/Krdr. (459)
0
Definišemo radijalnu funkciju raspodele g(r) takvu da je
ρ(r) = g(r)ρ0 . (460)

Tada jednačina (459) postaje
Z ∞
S(K) = 1 + 4πρ0 [g(r) − 1]r2 (sin Kr)/Krdr
0Z
= 1 + ρ0 [g(r) − 1]eiK·r dr, (461)
jer je (sin Kr)/Kr sfernosimetričan ili s član u razvoju eiK·r .
307
Slika 204: (a) Radijalna kriva raspodele 4πr2 ρ(r) za tečni natrijum. (b)
Kriva srednje gustine 4πr2 ρ0 . (c) Raspodela suseda u kristalnom natrijumu.
Na osnovu Furijeove integralne teoreme u tri dimenzije,
Z
1
g(r) − 1 = 3 [S(K) − 1]e−iK·r dK
8π ρ0
Z
1
= 2 [S(K) − 1]K sin KrdK. (462)
2π ρ0 r
Ovaj rezultat nam omogućava da sračunamo radijalnu funkciju raspodele g(r)

(takode poznatu i kao dvoatomska korelaciona funkcija) na osnovu merenog
faktora strukture S(K).
Jedna od najprostijih tečnosti, vrlo pogodnih za proučavanje difrakcije
X-zraka, je tečni natrijum. Grafik radijalne funkcije raspodele 4πr2 ρ(r) u
funkciji r dat je na slici 204, zajedno sa raspodelom suseda u kristalnom
natrijumu.
308
9.1.3 Struktura staklastog silikata, SiO2
Staklast silicijum (spajajući kvarc) je jednostavno staklo. Kriva rasejanja
X-zraka data je na slici 205. Kriva radijalne raspodele 4πr2 ρ(r) u funkciji
r prikazana je na slici 206. Pošto postoje dva tipa atoma, ρ(r) je zapravo
superpozicija dve krive elektronske koncentracije, jedne oko atoma silicijuma
kao koordinatnog početka, a druke oko kiseonikovog atoma.
Prvi pik je na 1.62Å, blizu srednjem Si-O rastojanju kod kristalnih si-
likata. Proučavaoci difrakcije X-zraka na osnovu intenziteta prvog pika za-
ključuju da je svaki atom silicijuma tetraedarski okružen sa četiri atoma
kiseonika. Relativni odnosi Si i O govore nam da je svaki atom O vezan sa
dva atoma Si. Iz geometrije tetraedra, O-O rastojanje treba da bude 2.65
AA, kompatibilno sa rastojanjem koje sledi sa slike 205.
Rezultati rasejanja X-zraka konzistentni su sa standardnim modelom ok-
sidnog stakla, koji je razvio Zaharijasen. Slika 206 ilustruje u dve dimenz-
ije neregularnu strukturu stakla i regularnu ponavljajuću strukturu kristala
identičnog hemijskog sastava. Rezultati X-zraka su potpuno objašnjeni pred-
stavljanjem staklastog silikata kao slučajne mreže u kojoj je svaki slicijumov
atom tetraedarski okružen sa četiri kiseonikova, svaki kiseonik vezan za dva
silicijuma, a dve veze kiseonika su približno dijametralno suprotne. Ori-
jentacija jedne tetraedarske grupe u odnosu na susednu grupu oko zajedničke
Si-O-Si veze može biti praktično slučajna. Postoji konačna strukturna šema:
svaki atom ima konačan broj najbližih suseda na konačnom rastojanju, ali se
nijedna strukturna jedinica ne ponavlja identično u regularnim intervalima
u tri dimenzije, pa stoga materijal nije kristalan.
Nije moguće objasniti rezultate difrakcije X-zraka pretpostavljajući da
se staklasti silikati sastoje od veoma malih kristala nekog kristalnog oblika
kvarca, kao što je kristobalit. Mali uglovi rasejanja X-zraka nisu uočeni, ali
bi bili očekivani sa diskretnih čestica sa prekidima i prazninama izmedu njih.
Šema vezivanja u staklu mora biti suštinski kontinualna, barem za glavni
deo materijala, iako je šema koordinacije oko svakog atoma ista u staklastim
silikatima i kristalnom kristobalitu. Mala termalna provodnost stakala na
sobnoj temperaturi, kao što se razmatra u nastavku, takode je konzistentna
sa modelom kontinualne slučajne mreže.
Poredenje eksperimentalnih i računatih rezultata za intenzitet X-zraka
za amorfni germanijum dato je na slici 207. Proračuni su radeni za model
slučajne mreže i mikrokristalitni model. Poslednji model daje vrlo loše sla-
ganje. Model slučajne mreže podržan je za amorfni silicijum proučavanjima
309
Slika 205: Intenzitet rasejanih X-zraka u funkciji ugla rasejanja θ za staklasti
SiO2 .
310
zonskog procepa i spektroskopskim radom na 2p ljusci.
9.2 Stakla
Staklo ima slučajnu strukturu tečnosti, iz koje je dobijeno hladenjem is-
pod tačke mržnjenja, bez kristalizacije. Takode, staklo ima elastične osobine
izotropnog čvrstog tela.
Po opštem dogovoru, kažemo da tečnost hladenjem postaje staklo kada
je viskoznost jednaka 1013 poise, gde je poise CGS jedinica za viskoznost.
Ovo definiše temperaturu prelaza stakla Tg . Na temperaturama iznad
Tg imamo tečnost; ispod Tg imamo staklo. Prelaz nije termodinamički fazni
prelaz, već jedino prelaz za ”praktične svrhe.” Vrednost 1013 poise korišćena
za definisanje Tg je proizvoljna, ali nije nerezonska. Ako vežemo ploču stakla
debljine 1 cm za dve paralelne vertikalne površine, staklo će očigledno teći
tokom jedne godine pod svojom sopstvenom težinom kada viskoznost padne
ispod 1013 poise. (Radi poredenja, viskoznost zemljinog omotača je reda 1022
poise.)
Relativno malo tečnosti može se hladiti dovoljno sporo u balk obliku
tako da se formira staklo pre nego što dode do kristalizacije. Molekuli na-
jvećeg broja supstanci imaju dovoljno veliku pokretljivost u tečnosti tako
da hladenjem prelaz iz čvrstog u tečno stanje nastaje mnogo pre nego što
viskoznost poraste na 1013 poise ili 1015 cp. Tečna voda ima viskoznost 1.8
cp na tački mržnjenja; viskoznost jako raste sa zamrzavanjem.
Često možemo napraviti staklo stavljanjem niza atoma na supstrat ohladen
do dovoljno niske temperature, što je proces koji će nekad dati amorfni sloj
sa staklastim osobinama. Amorfne trake od nekih metalnih legura mogu se
dobiti na taj način u industrijskim količinama.
9.2.1 Viskoznost i učestalost preskakanja

Viskoznost tečnosti povezana je sa učestalošću sa kojom molekuli po-
dležu termalnom preuredenju na lokalnom nivou, preskakanjem na vakantne
susedne sajtove ili medusobnom zamenom mesta dva susedna molekula. Fizika
transportnog procesa je nešto drugačija od viskoznosti u gasnoj fazi, ali rezul-
tat za gasnu fazu daje kvalitativno nižu graničnu vrednost viskoznosti od
tečne faze, graničnu vrednost koja se primenjuje za preskakanje najbližih
susednih atoma.
Gasni rezultat (literatura) je
311
Slika 206: Kriva radijalne raspodele za staklasti SiO2 , kao Furijeova trans-
formacija slike 205. Pozicije pikova daju rastojanja atoma od silicijuma
ili kiseonika. Iz površina ispod pikova moguće je sračunati broj suseda
na tom rastojanju. Vertikalne linije ukazuju na prvih nekoliko srednjih
meduatomskih rastojanja; visine linija proporcionalne su površinama ispod
odgovarajućeg pika.
312
1
η = ρc̄l, (463)
3
gde je η viskoznost, ρ je gustina, c̄ je srednja termalna brzina, a l je sred-
nja dužina slobodnog puta. U tečnosti l je reda veličine medumolekulskog
rastojanja a. Sa ”tipičnim” vrednostima ρ ≈ 2 g cm−3 ; c̄ ≈ 105 cm s−1 ;
a ≈ 5 × 10−8 cm, imamo
η(min) ≈ 0.3 × 10−2 poise = 0.3 cp (464)

kao procenu donje granice viskoznosti tečnosti. (Tabele u hemijskim priručnicima
vrlo retko daju vrednosti ispod ove.)
Sada dajemo vrlo jednostavan model viskoznosti tečnosti. Da bi uspešno
”skočio”, molekul mora savladati potencijalnu barijeru predstavljenu svojim
susedima u tečnosti. Prethodna procena minimalne viskoznosti primenjuje
se kada se barijera može zanemariti. Ako je barijera visine E, molekul će
imati dovoljno termalne energije da prode preko barijere samo za deo
f ≈ e−E/kB T (465)
vremena. Ovde je E odgovarajuća slobodna energija i zove se energija akti-
vacije za proces koji odreduje učestalost preskakanja. Povezana je sa aktiva-
cionom energijom za samodifuziju.
Viskoznost će se povećavati kako verovatnoća uspešnog preskakanja opada.
Stoga je
η ≈ η(min)/f ≈ η(min)eE/kB T . (466)

Ako je η = 1013 poise na prelazu u staklo, red veličine f mora biti
f ≈ 0.3 × 10−15 (467)

na prelazu, koristeći (464). Odgovarajuća aktivaciona energija je
E/kB Tg = − ln f = ln(3 × 1015 ) = 35.6. (468)

Ako je Tg ≈ 2000 K, tada je kB Tg = 2.7 × 10−13 erg i E = 9.6 × 10−12 erg
≈ 6 eV. Ovo je energetska barijera sa velikim potencijalom.
Stakla sa manjim vrednostima Tg imaće odgovarajuće manje vrednosti E.
(Aktivacione energije dobijene na taj način često su označene sa Evisc .) Ma-
terijali koji formiraju stakla karakterisani su aktivacionim energijama reda 1
313
Slika 207: Šematske dvodimenzionalne analogije koje ilustruju razlike izmedu
(a) regularno ponavljajuće strukture kristala i (b) kontinualne slučajne mreže
stakla.
eV ili više; materijali koji ne formiraju stakla mogu imati aktivacione energije
reda 0.01 eV.
Kada se postave u kalupe ili uvode u tube pod pritiskom, stakla se koriste
u opsegu temperatura na kojima je viskoznost 103 do 106 poises. Radni
opseg za staklaste silikate počinje iznad 2000 0 C, što je preveliko za praktičnu
primenu ovih materijala. Kod čestog stakla, oko 25 procenata Na2 O se dodaje
kao modifikator SiO2 da bi se smanjila ispod 10000 C temperatura potrebna
da staklo postane dovoljno fluidno za operacije formiranja, neophodne za
pravljenje električnih sijalica, prozorskih stakala i flaša.
9.3 Amorfni feromagneti

Amorfna metalna jedinjenja formiraju se vrlo brzim gašenjem (hladenjem)
tečne legure, često usmeravanjem rastopljene smeše na površinu brzo roti-
rajućeg rezervoara. Ovaj proces daje kontinualnu ”topljeno-spinsku” traku
amorfne legure u industrijskim količinama.
Feromagnetska amorfna jedinjenja razvijena su pošto amorfni materijali
imaju skoro izotropne osobine, a izotropni materijali treba da imaju skoro
nultu magnetokristalnu energiju anizotropije. Odsustvo pravaca lake i teške
magnetizacije trebalo bi da rezultuje u male koercitivnosti, male gubitke
314
Slika 208: Poredenje eksperimentalne (isprekidana kriva) i računate (puna
kriva) funkcije redukovanog intenziteta za amorfni germanijum. (a) Amorfni
germanijum poreden sa mikrokristalitnim modelom. (b) Amorfni germani-
jum poreden sa modelom slučajne mreže.
usled histerezisa i velike permeabilnosti. Pošto su amorfne legure takode

slučajne legure, njihov električni otpor je veliki. Sve ove osobine imaju
tehnološki značaj u primeni, kao meki magnetski materijali. Neki od njih
imaju trgovinsko ime Metglas.
Prelazna metal-metaloidna (TM-M) jedinjenja su važna klasa magnet-
skih amorfnih legura. Komponenta od prelaznog metala obično je oko 80
procenata Fe, Co ili Ni, sa metaloidnom komponentom B, C, Si, P ili Al.
Prisustvo metaloida obara tačku topljenja, čineći mogućim proces hladenja
legure preko temperature prelaza stakla dovoljno brzo da bi se stabilizovala
amorfna faza. Na primer, sastav Fe80 B20 (poznat kao Metglas 2605) ima
Tg = 4410 C, u poredenju sa temperaturom topljenja 15380 C čistog gvožda.
315
Kirijeva temperatura ovog sastava u amorfnoj fazi je 647 K, a vrednost
magnetizacije Ms na 300 K je 1257, u poredenju sa Tc = 1043 K i Ms = 1707
za čisto gvožde. Koercitivnost je 0.04 G, a maksimalna vrednost perme-
abilnosti je 3 × 105 . Koercitivnosti ispod 0.006 G primećene su za drugačiji
sastav.
Materijali velike koercitivnosti mogu se dobiti istim procesom ”topljenja
spina” ako se učestalost gašenja (hladenja) ili učestalost spina smanji tako
da se dobije kristalna faza sa finim zrnima, koja može biti metastabilnog
sastava. Ako je veličina zrna podešena tako da odgovara optimalnoj veličini
za pojedinačne domene, koercitivnost može biti dosta velika (slika 209). J.
L. Croat je izmerio Hci = 7.5 kG za metastabilno jedinjenje Nd0.4 Fe0.6 na
optimalnoj brzini topljenja spina 5 m s−1 .
9.4 Amorfni poluprovodnici

Amorfni poluprovodnici mogu se pripremiti kao tanki filmovi isparavan-
jem ili raspršivanjem, ili kod nekih materijala kao što su balk stakla, superhladenjem
rastopa.
Šta se dogada sa energetskim zonskim modelom u čvrstom telu bez reg-
ularnog kristalnog uredenja? Blohova teorema nije primenljiva kada struk-
tura nije periodična, tako da se elektronska stanja ne mogu opisati dobro
definisanim vrednostima k. Stoga, selekciono pravilo kristalnog impulsa za
optičke prelaze je relaksirano; odatle sledi da svi infracrveno i ramanski ak-
tivni modovi doprinose apsorpcionom spektru. Ivica optičke apsorpcije je
prilično neodredena. Dozvoljene zone i energetski procepi i dalje postoje
pošto je oblik gustine stanja u funkciji energije najviše odreden lokalnom
konfiguracijom elektronskih veza.
I elektroni i šupljine mogu činiti struju u amorfnom poluprovodniku. No-
sioci mogu biti jako rasejani na neodredenoj strukturi, tako da srednji slo-
bodni put ponekad može biti reda veličine skale neuredenja. Anderson je
predložio da stanja blizu ivica zona mogu biti lokalizovana i da se ne šire
kroz čvrsto telo (slika 210). Provodenje u ovim stanjima može da se ostvari
termalno-asistiranim procesom preskakanja, za koji je Holov efekat anomalan
i ne može se koristiti za odredivanje koncentracije nosilaca.
Dve različite klase amorfnih poluprovodnika su temeljno proučavane: tetraedarski
vezana amorfna čvrsta tela kao što su silicijum i germanijum, i halkogenidna
stakla. Poslednja su multikomponentna čvrsta tela gde je glavni konstituent
halkogeni element - sumpor, selen ili telur.
316
Tetraedarski vezani materijali imaju osobine slične onima iz njihovih
kristalnih oblika, ako su defekti usled lebdećih (visećih) veza kompenzo-
vani vodonikovim vezama. Oni se mogu dopirati malim iznosima hemijskih
primesa, i njihova provodnost može se značajno modifikovati dodavanjem
slobodnih nosilaca sa metalnog kontakta. Za razliku od njih, halkogenidna
stakla su veoma neosetljiva na hemijske primese i dodavanje slobodnih nosi-
laca.
Amorfni hidrogenizovani silicijum je materijal kandidat za solarne ćelije.
Amorfni silicijum je mnogo jeftiniji materijal od monokristalnog silicijuma.
Pokušaji da se koristi čist amorfni silicijum, ipak, propali su zbog struk-
turnih defekata (visećih veza) koje je bilo nemoguće eliminisati. Uvodenje
vodonika u amorfni silicijum verovatno uklanja neželjene strukturne defekte.
Inkorporirane su relativno velike proporcije vodonika, reda 10 procenata ili
više.
9.5 Niskoenergetske ekscitacije u amorfnim čvrstim te-

lima
Poznato je da niskotemperaturski toplotni kapacitet čisto dielektričnih
kristalnih čvrstih tela sledi Debye-jev T 3 zakon (Glava 5), baš kao što se
očekuje na osnovu ekscitacije dugotalasnih fonona. Isto ponašanje očekivalo
bi se i za stakla i druga amorfna čvrsta tela. Ipak, mnoga izolatorska stakla
pokazuju neočekivan linearan član u toplotnom kapacitetu ispod 1 K. Zaista,
na 25 mK izmeren toplotni kapacitet staklastih silikata premašuje Debye-
jev fononski doprinos za faktor 1000. Neočekivani linearni članovi uporedive
amplitude uočeni su u svim, ili skoro svim, amorfnim čvrstim telima. Veruje
se da je njihovo prisustvo prirodna posledica amorfnog stanja materije, ali
detalji objašnjenja ostaju mutni. Postoje jaki dokazi da ove anomalne osobine
potiču od dvonivoskih sistema, a ne od višenivoskih oscilatornih sistema;
ukratko, dokaz je činjenica da se sistemi mogu zasititi intenzivnim fononskim
poljima, kao što se dvonivoski spinski sistem može uvesti u zasićenje jakim
rf magnetskim poljem.
9.5.1 Proračun toplotnog kapaciteta

Posmatrajmo amorfno čvrsto telo sa koncentracijom N dvonivoskih sis-
tema na malim energijama, tj. sa rastojanjem izmedu nivoa ∆ koje je mnogo
317
Slika 209: Koercitivnost na sobnoj temperaturi u funkciji brzine topljenja
spina vs za Sm0.4 Fe0.6 . Maksimalna koercitivnost je 24 kG i nastaje na 1.65
m s−1 , za šta se pretpostavlja da odgovara jednodomenskom ponašanju u
svakom kristalitu. Pri većim učestalostima spina koercitivnost opada jer
naneseni materijal postaje amorfan (izotropniji). Pri manjim učestalostima
spina kristaliti se zagrevanjem dovode do veličine približne jednodomenskom
režimu; granice domena daju manju koercitivnost.
318
manje od fononske Debye-jeve granice kB θ. Particiona funkcija jednog sis-
tema je, sa τ = kB T ,
Z = e∆/2τ + e−∆/2τ = 2 cosh(∆/2τ ). (469)

Srednja toplotna energija je
1
U = − ∆ tanh(∆/2τ ), (470)
2
a toplotni kapacitet jednog sistema je
CV = kB (∂U/∂τ ) = kB (∆/2τ )2 sech2 (∆/2τ ). (471)

Ovi rezultati detaljno su dati u navedenoj literaturi.
Pretpostavimo sada da je ∆ raspodeljeno sa jednakom verovatnoćom u
opsegu ∆ = 0 do ∆ = ∆0 . Srednja vrednost CV je
Z ∆0
CV = (kB /4τ ) 2
d∆(∆2 /∆0 ) sech2 (∆/2τ )
0
Z ∆0 /2τ
2kB τ
= x2 sech2 xdx. (472)
∆0 0
Ovaj integral se ne može odrediti u zatvorenom obliku.

Od posebnog interesa su dva granična slučaja. Za τ ∆0 , član sech2 x
je oko 1 od x = 0 do x = 1, i blizu nule za x > 1. Vrednost integrala je
približno 1/3, odakle je
2
CV ≈ 2kB T /3∆0 , (473)
za T < ∆0 /kB .
Za τ ∆0 , vrednost integrala je približno 31 (∆0 /2kB T )3 , tako da je u
ovom slučaju
CV ≈ ∆20 /12kB T 2 , (474)

što teži nuli kada T raste.
Stoga je zanimljiva oblast na niskim temperaturama, jer ovde, na os-
novu (473), dvonivoski sistem doprinosi toplotnom kapacitetu linearnom
319
Slika 210: Gustina elektronskih stanja za koju se veruje da postoji u
amorfnim čvrstim telima, kada stanja nisu lokalizovana u centru zone. Lokali-
zovana stanja su osenčena. Ivice zona pokretljivosti Ec , Ec0 razdvajaju opsege
energije gde su stanja lokalizovana, odnosno nelokalizovana.
funkcijom temperature. Ovaj član, originalno uveden za razvodnjene mag-

netske primese u metalima, nema veze sa uobičajenim toplotnim kapacitetom
provodnih elektrona, koji je takode proporcionalan sa T .
Empirijski rezultat glasi da sva neuredena čvrsta tela imaju N ∼ 1017
−3
cm niskoenergetskih ekscitacija ”novog tipa”, ravnomerno raspodeljenih u
intervalu energija od 0 do 1 K. Anomalna specifična toplota može se sada
dobiti iz (473). Za T = 0.1 K i ∆0 /kB = 1 K,
2
CV ≈ N kB (0.1) ≈ 1 erg cm−3 K−1 . (475)
3
Radi poredenja, fononski doprinos na 0.1 K je (Glava 5),
CV ≈ 234N kB (T /θ)3 ≈ (234)(2.3 × 1022 )(1.38 × 10−16 )(0.1/300)3

≈ 2.8 × 10−2 erg cm−3 K−1 , (476)
što je mnogo manje od (475).

Eksperimentalni rezultati (slika 211) za staklasti SiO2 predstavljeni su sa
C V = c1 T + c3 T 3 , (477)
gde je c1 = 12 erg g−1 K−2 i c3 = 18 erg g−1 K−4 .
320
Slika 211: Toplotni kapacitet staklastog silikata i soda silikatnog stakla u
funkciji temperature. Toplotni kapacitet je približno linearan po T ispod 1 K.
Isprekidana linija predstavlja računat Debye-jev toplotni kapacitet staklastog
silikata.
9.5.2 Toplotna provodnost

Toplotna provodnost stakla vrlo je niska. Ona je ograničena na sobnoj
i višim temperaturama skalom neuredenja strukture, jer ova skala odreduje
srednji slobodni put dominantnih termalnih fonona. Na niskim temperatu-
rama, ispod 1 K, provodnost počiva na dugotalasnim fononima i ograničena
je fononskim rasejanjem sa misterioznih dvonivoskih sistema ili tunelujućih
stanja koja su ranije razmatrana u vezi sa njihovim doprinosom toplotnom
kapacitetu amorfnih čvrstih tela.
Kao u Glavi 5, izraz za toplotnu provodnost K ima oblik
1
K = cvl, (478)
3
321
Slika 212: Kratak srednji slobodni put fonona u neuredenoj strukturi.
Kratkotalasni fonon koji pomera atom L, kao što je prikazano, pomeriće
atom R za mnogo manje rastojanje, zbog faznog poništavanja gornje i donje
putanje od L do R. Pomeraj R je ↑ + ↓∼ 0, tako da talas koji dolazi od L
biva reflektovan u R.
gde je c toplotni kapacitet po jedinici zapremine, v je srednja brzina fonona

a l je srednji slobodni put fonona. Za staklasti silikat na sobnoj temperaturi,
K ≈ 1.4 × 10−2 J cm−1 s−1 K−1 , c ≈ 1.6 J cm−3 K−1 , hvi ≈ 4.2 × 105 cm
s−1 . Stoga je srednji slobodni put l ≈ 6 × 10−8 cm; referišući se na sliku 206
vidimo da je ovo reda veličine neuredenja strukture.
Ova vrednost fononskog srednjeg slobodnog puta vrlo je mala. Na sobnoj
temperaturi i iznad nje (tj. iznad Debye-jeve temperature), najveći broj
fonona ima polovine talasnih dužina reda meduatomskih rastojanja. Preko
procesa faznog poništavanja, kao na slici 212, sledi da je srednji slobodni put
ograničen na nekoliko meduatomskih rastojanja. Nijedna druga struktura za
topljeni kvarc neće dati 6 Å srednji slobodni put. Normalni modovi vibracija
staklaste strukture su potpuno različiti od ravnih talasa. Ali modovi, onoliko
izvijeni koliko jesu, i dalje imaju kvantizovane amplitude i stoga se mogu
nazivati fononima.
9.6 Fiber-optika
Vlakna sa silicijumskim talasovodima imaju veliki udeo u prenosu po-
dataka i informacija na površini Zemlje i ispod mora. Optička vlakna sastoje
se od tankog jezgra (≈ 10 µm) od stakla sa velikim indeksom prelamanja,
okruženog oblogom. Digitalni podaci sadržani su u svetlosti, sa minimalnim
slabljenjem blizu 0.20 db km−1 na talasnim dužinama oko 1.55 µm, što je u
infracrvenoj oblasti (slika 213). Opseg od 100 km odgovara gubitku od 20
db, što je snaga koja se dobija Eu3+ laserskim pojačavačem.
Optički prozor od vrlo čistih stakala blizu ove talasne dužine ograničen je
322
Slika 213: Transmisiona karakteristika optičkih vlakana komunkacionog
kvaliteta, gde se vidi slabljenje u jedinicama decibela po km u funkciji ta-
lasne dužine svetlosti, u µm. Režim Rejlijevog rasejanja je dominantan na
levoj strani krive, osim za jaku apsorpcionu liniju od primesa, pridruženu
OH− jonima koji prate SiO2 ; linija je drugi harmonik linije na 2.7 µm
poznate kao ”linija vode”. Talasna dužina označena na 1.31 µm koristi
se u 1994 transmisionih linija; ona je zamenjena talasnom dužinom 1.55
µm dostupnom od Eu3+ jonskih pojačavača, koji se koriste na svakih 100
km u tipičnim dugodometnim primenama. Snaga neophodna za pumpanje
pojačavača obezbeduje se bakarnim žicama.
na niskofrekvencijskom delu zonama fononske apsorpcije, a na visokofrekven-

cijskom delu Reljijevim rasejanjem i, na kraju, elektronskom apsorpcijom.
U optičkom prozoru gubici su odredeni Rejlijevim rasejanjem, koje potiče
od statičkih fluktuacija lokalne dielektrične konstante nehomogene sredine, i
slabljenje se menja kao četvrti stepen učestanosti.
Srećna okolnost je da postoji odličan izvor svetlosti koji zrači na 1.55 µm.
Kao što je prikazano u Glavi 13, ekscitovani (pumpani) erbijumski Er3+ joni
mogu pojačati u erbijumski dopiranom delu vlakna.
323
9.6.1 Rejlijevo slabljenje
Slabljenje svetlosnih talasa u staklu dominantno je odredeno na talasnim
dužinama u infracrvenoj oblasti istim procesom, tzv. Rejlijevim rasejanjem,
koji je odgovoran za plavu svetlost na nebu. Koeficijent gašenja, ili koeficijent
slabljenja h, ima dimenziju recipročne dužine i za svetlost rasejanu u gasu
dat je, na osnovu Rejlijevog rada, sa
h = (2ω 4 /3πc4 N )h(n − 1)2 i, (479)

gde je n lokalni indeks prelamanja a N je broj centara rasejanja po jedinici
zapremine. Fluks energije u funkciji rastojanja ima oblik e−hx .
Izvodenja poslednje jednačine mogu se naći u dobrim knjigama iz elek-
trodinamike; struktura rezultata može se shvatiti opštim dokazom: Izračena
energija rasejana sa elementa dipola p proporcionalna je sa (dp2 /dt2 )2 , i ovo
je odgovorno za faktor ω 4 . Lokalna polarizabilnost α ulazi kao α2 ; ako postoji
N slučajnih centara rasejanja po jedinici zapremine, rasejana energija usred-
njena po ovim slučajnim izvorima ponašaće se kao N h(∆α)2 i, ili h(∆n)2 i/N .
Stoga imamo suštinske faktore koji se pojavljuju u (479). Primenjeno na
staklo, ∆n treba da se odnosi na varijacije polarizacije oko svake grupe Si-O
veza, i zadovoljavajuće numeričke procene slabljenja mogu se načiniti na taj
način.
324
10 GLAVA 20: TAČKASTI DEFEKTI
Česte nesavršenosti u kristalima obuhvataju hemijske primese, vakantne
sajtove rešetke i dodatne atome koji nisu na regularnim pozicijama u rešetki.
Linearne nesavršenosti tretirane su pod dislokacijama, Glava 21. Kristalna
površina je ravna nesavršenost, sa elektronskim, fononskim i magnonskim
površinskim stanjima.
Neke važne osobine kristala kontrolisane su nesavršenostima barem u onoj
meri kao i sastavom regularnog kristala, koji može delovati samo kao rast-
varač ili matriks ili nosilac nesavršenosti. Provodnost nekih poluprovodnika
skoro potpuno je odredena tragovima hemijskih primesa. Boja i lumines-
cencija mnogih kristala potiču od primesa ili nesavršenosti. Atomska difuz-
ija može se značajno ubrzati primesama ili nesavršenostima. Mehaničke i
plastične osobine obično su kontrolisane nesavršenostima.
10.1 Vakancije rešetke

Najprostija nesavršenost je vakancija rešetke, što predstavlja izostavl-
jeni atom ili jon, poznat i kao Šotkijev defekt. (slika 214). Kreiramo
Šotkijev defekt u savršenom kristalu premeštanjem atoma sa sajta rešetke
iz unutrašnjosti na sajt rešetke na površini kristala. U termalnoj ravnoteži
neki broj vakancija rešetke uvek je prisutan u inače savršenom kristalu, jer
se entropija povećava prisustvom neuredenja u strukturi.
U metalima sa gusto pakovanim strukturama udeo vakantnih sajtova na
temperaturama neposredno ispod tačke topljenja je reda 10−3 do 10−4 . Ali u
nekim jedinjenjima, posebno kod karbida vrlo teških metala kao što je TiC,
udeo vakantnih sajtova jedne komponente može ići i do 50 procenata.
Verovatnoća da je dati sajt prazan proporcionalna je Bolcmanovom fak-
toru za termičku ravnotežu: P = e−EV /kB T , gde je EV energija potrebna za
uzimanje atoma sa sajta rešetke unutar kristala na sajt rešetke na površini.
Ako postoji N atoma, ravnotežni broj n vakancija dat je Bolcmanovim fak-
torom
n
= e−EV /kB T . (480)
N −n
Ako je n N , tada je
n/N ≈ e−EV /kB T . (481)
325
Slika 214: Ravan čistog kristala alkalnog halida, gde se vide dva vakantna
sajta pozitivnog jona i spregnut par vakantnih sajtova suprotnog znaka.
Ako je EV ≈ 1 eV i T ≈ 1000 K, tada je n/N ≈ e−12 ≈ 10−5 .

Ravnotežna koncentracija vakancija opada sa opadanjem temperature.
Stvarna koncentracija vakancija biće veća od ravnotežne vrednosti ako je
kristal formiran na podignutoj temperaturi a potom naglo ohladen, zam-
rzavajući tako i vakancije (vidi dole diskusiju o difuziji).
U jonskim kristalima obično je energetski povoljno da se formira skoro jed-
nak broj vakancija pozitivnih i negativnih jona. Formiranje parova vakancija
zadržava kristal lokalno elektrostatički neutralnim. Na osnovu statističkog
proračuna dobijamo
n ≈ N e−Ep /2kB T (482)

za broj parova, gde je Ep energija formiranja para.
Drugi vakantni defekt je Frenkelov defekt (slika 215) u kome je atom
premešten sa sajta rešetke na intersticijalnu poziciju, onu koja nije nor-
malno zauzeta atomima. U čistim alkalnim halidima najčešće vakancije su
Šotkijevi defekti; u čistim srebro halidima najčešće vakancije su Frenkelovi
defekti. Proračun ravnotežnog broja Frenkelovih defekata prati smernice
naznačene u Problemu 1. Ako je broj Frenkelovih defekata n mnogo manji
od broja sajtova rešetke N i broja intersticijalnih sajtova N 0 , rezultat je
326
Slika 215: Šotkijevi i Frenkelovi defekti u jonskom kristalu. Strelice
označavaju pomeraj jona. Kod Šotkijevog defekta jon odlazi na površinu
kristala; kod Frenkelovog defekta jon se pomera na intersticijalnu poziciju.
n ≈ (N N 0 )1/2 e−El /2kB T , (483)

gde je El energija potrebna za premeštanje atoma sa sajta rešetke na inter-
sticijalnu poziciju.
Vakancije rešetke su prisutne u alkalnim halidima kada oni sadrže dodatak
dvovalentnih elemenata. Ako kristal KCl raste sa kontrolisanim iznosima
CaCl2 , gustina se menja kao kada bi K+ vakancija bila formirana za svaki
Ca2+ jon u kristalu. Ca2+ ulazi u rešetku na normalnom K+ sajtu i dva Cl−
jona unose dva Cl− sajta u kristal KCl (slika 216). Zahtev za električnom
neutralnošću rezultuje vakantnim sajtom metalnog jona. Eksperimentalni
rezultati pokazuju da dodatak CaCl2 kristalu KCl smanjuje gustinu kristala.
Gustina bi rasla kada ne bi bilo vakancija, jer je Ca2+ teži i manji jon od K+ .
Mehanizam električne provodnosti u kristalima alkalnih i srebro halida
obično je odreden kretanjem jona a ne kretanjem elektrona. Ovo je potvrdeno
poredenjem transporta naelektrisanja sa transportom mase, merenim tako
što se materijal postavi na ploču sa elektrodama, u kontaktu sa kristalom.
Proučavanje jonske provodnosti je važan alat u izučavanju defekata rešetke.
Rad na alkalnim i srebro halidima koji sadrže poznate dodatke dvovalentnih
metalnih jona pokazuje da je na ne suviše visokim temperaturama jonska
provodnost direktno srazmerna iznosu dvovalentnog dodatka. Ovo nije zato
što su dvovalentni joni sami po sebi vrlo pokretni, jer je jednovalentni metalni
327
Slika 216: Formiranje vakancije rešetke rastvorom CaCl2 u KCl: da bi
se obezbedila električna neutralnost, vakancija pozitivnog jona uvodi se u
rešetku sa svakim dvovalentnim katjonom Ca++ . Dva Cl− jona od CaCl2
ulaze na normalne negativne jonske sajtove.
jon dominantno nanet na katodu. Vakancije rešetke uvedene sa dvovalentnim

jonima su odgovorne za povećanu difuziju (slika 217c). Difuzija vakancije u
jednom smeru ekvivalentna je difuziji atoma u suprotnom smeru. Kada su
defekti rešetke termalno generisani, energija njihovog formiranja daje dodatni
doprinos toplotnom kapacitetu kristala, kao što je prikazano na slici 218.
Pridružen par vakancija suprotnog znaka ispoljava električni dipolni mo-
menat, sa doprinosima dielektričnoj konstanti i dielektričnim gubicima usled
kretanja parova vakancija. Dielektrično vreme relaksacije je mera vremena
potrebnog da jedan od vakantnih sajtova skoči za jednu atomsku poziciju u
odnosu na drugi. Dipolni momenat može se menjati na niskim učestanostima,
ali ne na visokim. U natrijum hloridu relaksaciona učestanost je 1000 s−1 na
850 C.
10.2 Difuzija
Kada postoji gradijent koncentracije atoma primesa ili vakancija u čvrstom
telu, postojaće njihov fluks kroz telo. U ravnotežnoj poziciji primese ili
vakancije biće ravnomerno raspodeljene. Ukupan fluks JN atoma jedne vrste
u čvrstom telu povezan je sa gradijentom koncentracije N ove vrste fenomenološkom
relacijom poznatom kao Fikov zakon:
JN = −D grad N. (484)
328
Slika 217: Tri osnovna mehanizma difuzije: (a) Izmena rotacijom oko
središnje tačke. Više od dva atoma rotiraju zajedno. (b) Migracija kroz
intersticijalne sajtove. (c) Atomi izmenjuju pozicije sa vakantnim sajtovima
rešetke.
Ovde je JN broj atoma koji prolaze kroz jediničnu površinu u jedinici vre-
mena; konstanta D je konstanta difuzije ili difuzivnost i ima jedinice
cm2 /s ili m2 /s. Znak minus znači da difuzija nastaje od oblasti visoke kon-
centracije. Oblik (484) zakona difuzije je često adekvatan, ali rigorozno,
gradijent hemijskog potencijala je vodeća sila za difuziju a ne sam gradijent
koncentracije.
Konstanta difuzije obično varira sa temperaturom po zakonu
D = D0 e−E/kB T ; (485)
ovde je E aktivaciona energija za proces. Eksperimentalni rezultati na
difuziji ugljenika u alfa gvoždu dati su na slici 219. Podaci su predstavljeni
sa E = 0.87 eV, D0 = 0.020 cm2 /s. Reprezentativne vrednosti za D0 i E
date su na slici 220.
Da bi došlo do difuzije, atom mora prevazići energiju potencijalne barijere
formirane od njegovih najbližih suseda. Tretiramo difuziju atoma primesa
izmedu intersticijalnih sajtova. Isti dokaz primeniće se na difuziju vakantnih
sajtova rešetke. Ako je barijera visine E, atom će imati dovoljnu toplotnu
energiju da preskoči barijeru tokom dela vremena e−E/kB T . Kvantno tunelo-
vanje kroz barijeru je drugi mogući proces, ali je obično važan samo za na-
jlakša jezgra, posebno vodonik.
Ako je ν karakteristična frekvencija atomskih vibracija, tada je verovatnoća
329
Slika 218: Toplotni kapacitet srebro bromida koji pokazuje višak toplotnog
kapaciteta, koji potiče od formiranja defekata rešetke.
Slika 219: Koeficijent difuzije ugljenika u gvoždu. Logaritam D je direktno

srazmeran sa 1/T .
330
p da u jedinici vremena atom ima dovoljno toplotne energije da prode iznad
barijere
p ≈ νe−E/kB T . (486)
U jedinici vremena atom napravi ν prolazaka iznad barijere sa verovatnoćom
e−E/kB T da savlada barijeru u svakom pokušaju. Veličina p naziva se frekven-
cija skoka.
Posmatramo dve paralelne ravni atoma primesa na intersticijalnim saj-
tovima. Ravni su razdvojene za konstantu rešetke a. Postoji S atoma
primesa na jednoj ravni i (S + adS/dx) na drugoj. Ukupan broj atoma
koji prelaze izmedu ravni u jedinici vremena je ≈ −padS/dx. Ako je N
ukupna koncentracija atoma primesa, tada je S = aN po jediničnoj površini
ravni.
Fluks difuzije sada se može napisati kao
JN ≈ −pa2 (dN/dx). (487)

Poredenjem sa jednačinom (484) imamo rezultat
D = νa2 e−E/kB T . (488)

oblika (485) sa D0 = νa2 .
Ako su primese naelektrisane, možemo naći jonsku provodnost µ̄ i provod-
nost σ na osnovu difuzivnosti, koristeći Ajnštajnovu relaciju kB T µ̄ = qD iz
navedene literature:
µ̄ = (qνa2 /kB T )e−E/kB T ; (489)

2 2 −E/kB T
σ = N q µ̄ = (N q νa /kB T )e , (490)
gde je N koncentracija primesnih jona sa naelektrisanjem q.

Udeo vakancija je nezavisan od temperature u opsegu u kome je broj
vakancija odreden brojem jona dvovalentnog metala. Tada nagib grafika
ln σ u funkciji 1/T daje E, aktivacionu energiju barijere za skok pozitivnih
vakantnih jona (slika 220). Difuzija je vrlo spora na niskim temperaturama.
Na sobnoj temperaturi frekvencija skoka je reda 1s−1 , a na 100 K je reda
10−23 s−1 .
Udeo vakancija u temperaturskom opsegu u kome je koncentracija de-
fekata odredena termalnom generacijom dat je sa
331
Slika 220: Konstante difuzije i aktivacione energije.
f ≈ e−Ef /2kB T , (491)

gde je Ef energija formiranja para vakancija, u skladu sa teorijom Šotkijevih
ili Frenkelovih defekata. Ovde je nagib krive ln σ u zavisnosti od 1/T E+ +
1
E , u skladu sa (489) i (491). Iz merenja u različitim temperaturskim
2 f
opsezima odredujemo energiju formiranja vakantnog para Ef i aktivacionu
energiju skoka E+ .
Konstanta difuzije može se meriti tehnikama radioaktivnog crtanja. Di-
fuzija poznate početne raspodele radioaktivnih jona prati se u funkciji vre-
mena ili rastojanja. Vrednosti konstante difuzije odredene na taj način mogu
se porediti sa vrednostima dobijenim iz jonskih provodnosti. Dva skupa
vrednosti obično se ne slažu u okviru eksperimentalne greške, ukazujući na
prisustvo mehanizma difuzije koji ne uključuje transport naelektrisanja. Na
primer, difuzija para pozitivnih i negativih vakantnih jona ne uključuje trans-
port naelektrisanja.
10.2.1 Metali
Samodifuzija u monoatomskim metalima najčešće se vrši preko vakancija
rešetke. Samodifuzija označava difuziju atoma samog metala, a ne primesa.
Aktivaciona energija za samodifuziju u bakru očekuje se da bude u opsegu
2.4 do 2.7 eV za difuziju preko vakancija i 5.1 do 6.4 eV za difuziju preko
332
Slika 221: Aktivaciona energija E+ za kretanje pozitivnih vakantnih jona.
Vrednosti energije formiranja vakantnog para, Ef , takode su date. Brojevi u
zagradama za srebrne soli odnose se na intersticijalne jone srebra.
intersticijalnih sajtova. Izmerene vrednosti aktivacione energije su 1.7 do 2.1

eV.
Aktivacione energije za difuziju u Li i Na mogu se odrediti iz merenja
temperaturske zavisnosti širine nuklearne rezonantne linije. Kao što je raz-
matrano kod magnetske rezonancije, širina rezonantne linije se smanjuje
kada frekvencija skoka atoma izmedu sajtova postane velika u poredenju
sa frekvencijom koja odgovara širini statičke linije. Vrednosti 0.57 eV i 0.45
eV odredene su u NMR eksperimentu za Li i Na. Samodifuziona merenja za
natrijum takode daju 0.4 eV.
10.3 Centri boja

Čisti kristali alkalnih halida su transparentni u vidljivom delu spektra.
Centar boje je defekt rešetke koji apsorbuje vidljivu svetlost. Obična
vakancija rešetke ne boji kristale alkalnih halida, iako utiče na apsorpciju
u ultraljubičastoj oblasti. Kristali mogu biti obojeni na razne načine:
* uvodenjem hemijskih primesa;
* uvodenjem viška metalnog jona (možemo zagrejati kristal u paru al-
kalnog metala i potom ga naglo ohladiti - kristal NaCl zagrejan u prisustvu
natrijumove pare postaje žut; kristal KCl zagrejan u kalijumovoj pari postaje
plav);
333
Slika 222: F zone za nekoliko alkalnih halida: optička apsorpcija u funkciji
talasne dužine za kristale koji sadrže F centre.
* bombardovanjem X-zracima, γ-zracima, neutronima i elektronima; i

* elektrolizom.
10.3.1 F centri
Ime F centri potiče od nemačke reči za boju, Farbe. Obično dobijamo F
centre zagrevanjem kristala u višku pare alkalnih metala ili X-izračivanjem.
Centralna apsorpciona zona (F zona) pridružena F centrima u nekoliko al-
kalnih halida prikazana je na slici 222, a kvanti energije navedeni su na
slici 223. Eksperimentalne osobine F centara detaljno su ispitane, originalno
u radovima Pola.
F centar je identifikovan elektronskom spinskom rezonancijom kao elek-
tronska veza na negativnoj vakanciji jona (slika 224), što se slaže sa de
Burovim modelom. Kada se višak alkalnih atoma doda u kristal alkalnog
halida, kreira se odgovarajući broj negativnih vakantnih jona. Valentni elek-
tron alkalnog atoma nije vezan za atom; elektron se kreće kroz kristal i
postaje vezan za vakantni negativni jonski sajt. Vakancija negativnog jona u
savršenoj periodičnoj rešetki ima efekat izolovanog pozitivnog naelektrisanja:
ona privlači i vezuje elektron. Možemo simulirati elektrostatički efekat vakan-
cije negativnog jona dodavanjem pozitivnog naelektrisanja q na normalno
naelektrisanje −q zauzetog sajta negativnog jona.
F centar je najprostiji centar zarobljenog elektrona u kristalima alkalnih
halida. Optička apsorpcija na F centru potiče od električnog dipolnog prelaza
u vezano pobudeno stanje centra.
334
Slika 223: Eksperimentalne apsorpcione energije F centara, u eV.
Slika 224: F centar je vakancija negativnog jona sa jednim elektronom viška

vezanim na vakantnom sajtu. Raspodela viška elektrona uglavnom je raširena
na pozitivnim metalnim jonima susednim ovom sajtu.
335
Slika 225: FA centar u KCl; jedan od šest K+ jona koji vezuju F centar
zamenjen je drugim alkalnim jonom, ovde Na+ .
10.3.2 Drugi centri u alkalnim halidima

U FA centru jedan od šest najbližih suseda F centra zamenjen je drugačijim
alkalnim jonom, slika 225. Kompleksniji centri sa zarobljenim elektronom
formirani su grupisanjem F centara, slike 226 i 227. Dakle, dva susedna F
centra formiraju M centar. Tri susedna F centra daju R centar. Različiti
centri razlikuju se po svojim frekvencijama optičke apsorpcije.
Šupljine mogu biti zarobljene tako da formiraju centre boja, ali cen-
tri šupljina obično nisu tako jednostavni kao centri elektrona. Na primer,
šupljina u popunjenoj p6 ljusci halogenog jona ostavlja jon u p5 konfiguraciji,
dok elektron dodat popunjenoj p5 ljusci alkalnog jona ostavlja jon u p6 s kon-
figuraciji.
Hemija dva centra je različita: p6 s deluje kao sfernosimetričan jon, ali p5
deluje kao asimetričan jon i, na osnovu Jan-Telerovog efekta, izmeniće svoju
neposrednu okolinu u kristalu.
Antimorf F centru je šupljina zarobljena u vakanciji pozitivnog jona, ali
takav centar nije eksperimentalno verifikovan u alkalnim halidima; u izo-
latorskim oksidima poznat je O− (ili V− ) defekt. Najpoznatiji centar sa
zarobljenom šupljinom je VK centar, slika 228. VK centar se formira kada je
šupljina zarobljena halogenim jonom u kristalu alkalnog halida. Elektronska
spinska rezonancija pokazuje da je ovaj centar nalik negativnom halogenom
molekulskom jonu, kao što je Cl− 2 u KCL. Jan-Telerova zamka za slobodne
šupljine je najefektniji oblik samozarobljavanja nosilaca naelektrisanja u ide-
alnim kristalima.
336
Slika 226: M centar sastoji se od dva susedna F centra.
Slika 227: R centar sastoji se od tri susedna F centra; tj. grupe tri vakancije
negativnog jona u [111] ravni NaCl strukture, sa tri pridružena elektrona.
337
Slika 228: VK centar se formira kada je šupljina zarobljena parom negativnih
jona, i liči na negativan halogeni molekulski jon, tj. Cl−
2 u KCl. Vakancije
rešetke ili dodatni atomi nisu uključeni u VK centar. Centar na levoj strani
slike verovatno nije stabilan: šestougaonik predstavlja šupljinu zarobljenu
blizu vakancije pozitivnog jona; ovakav centar bio bi antimorf F centru.
Šupljine imaju manju zarobljenu energiju u VK centru nego u anti-F cen-
tru.
338
11 GLAVA 21: DISLOKACIJE
Ova glava bavi se interpretacijom plastičnih mehaničkih osobina kristal-
nih čvrsti tela u smislu teorije dislokacija. Plastične osobine su ireverzi-
bilne deformacije; elastične osobine su reverzibilne. Lakoća sa kojom se
obični monokristali plastično deformišu je začudujuća. Ova sopstvena sla-
bost kristala ispoljava se na razne načine. Čist srebro hlorid topi se na 4550 C,
iako već na sobnoj temperaturi ima ”sirastu” strukturu i može se valjati u
listove. Čisti aluminijumski kristali su elastični (podležu Hukovom zakonu)
samo do naprezanja od oko 10−5 , posle čega se plastično deformišu.
Teorijske procene naprezanja na elastičnoj granici idealnih kristala mogu
dati vrednosti 103 ili 104 veće od najmanjih izmerenih vrednosti, iako je češći
faktor 102 . Postoji nekoliko izuzetaka od pravila da su čisti kristali plastični
i da nisu jaki: kristali germanijuma i silicijuma nisu plastični na sobnoj
temperaturi i mogu se samo polomiti. Staklo na sobnoj temperaturi se može
narušiti samo lomljenjem, ali nije kristal. Lomljenje stakla uzrokovano je
koncentracijom pritiska u malim pukotinama.
11.1 Jačina smicanja monokristala

Frenkel je dao jednostavan metod procene teorijske jačine smicanja savršenog
kristala. Na slici 229 posmatramo silu potrebnu da načini smičući pomeraj
dve ravni atoma koje se mimoilaze. Za mala elastična naprezanja, pritisak σ
povezan je sa pomerajem x relacijom
σ = Gx/d. (492)
Ovde je d meduravansko rastojanje, a G označava odgovarajući moduo
smicanja. Kada je pomeraj veliki i prostire se do tačke gde je atom A di-
rektno iznad atoma B na slici, dve ravni atoma su u konfiguraciji nestabilne
ravnoteže i pritisak je nula. U prvoj aproksimaciji vezu pritisak-naprezanje
prikazujemo na sledeći način:
σ = (Ga/2πd) sin(2πx/a), (493)

gde je a meduravansko rastojanje u pravcu smicanja. Ova relacija konstru-
isana je tako da se svede na (492) za male vrednosti x/a. Kritičan priti-
sak smicanja σc pri kome rešetka postaje nestabilna dat je maksimalnom
vrednošću σ, tj.
339
Slika 229: (a) Relativno smicanje dve ravni atoma (prikazano delimično) u
ravnomerno napregnutom kristalu; (b) pritisak smicanja u funkciji relativnog
pomeraja ravni iz ravnotežne pozicije. Puna isprekidana linija nacrtana sa
početnim nagibom definiše moduo smicanja G.
σc = Ga/2πd. (494)
Ako je a ≈ d, tada je σc ≈ G/2π; idealan kritičan pritisak smicanja je reda
1
6
od modula smicanja.
Podaci sa slike 230, koji pokazuju eksperimentalne vrednosti elastične
granice, mnogo su manji nego što bi poslednja jednačina ukazivala. Teorijska
procena može se popraviti razmatranjem stvarnog oblika medumolekulskih
sila i razmatranjem drugih konfiguracija mehaničke stabilnosti dostupnih
rešetki kada se razvlači. Makenzi je pokazao da ova dva efekta mogu smanjiti
teorijski idealnu jačinu smicanja za oko G/30, što odgovara kritičnom uglu
naprezanja prilikom smicanja od oko 2 stepena. Izmerene male vrednosti
jačine smicanja mogu se objasniti samo prisustvom nesavršenosti koje mogu
delovati kao izvori mehaničke slabosti u realnom kristalu. Pomeranje kristal-
nih nesavršenosti, koje se naziva dislokacija, odgovorno je za klizanje pri vrlo
malim primenjenim pritiscima.
340
Slika 230: Poredenje modula smicanja G i izmerene elastične granice σc∗ .
11.1.1 Klizanje
Plastična deformacija u kristalima nastaje klizanjem, a primer je dat
na slici 231. Jedan deo kristala kliza kao jedinica preko susednog dela.
Površina na kojoj se klizanje dogada poznata je kao ravan klizanja. Smer
kretanja naziva se smer klizanja. Velika važnost osobina rešetke za plastično
naprezanje vidi se na osnovu visoko anizotropne prirode klizanja. Pomeraji
se dešavaju duž kristalografskih ravni sa skupom malih Milerovih indeksa,
kao što su [111] ravni u fcc metalima i 110, 112 i 123 ravni u bcc metalima.
Smer klizanja je na liniji najbližeg pakovanja atoma, h110i u fcc metalima
i h111i u bcc metalima (Problem 1). Da bi se zadržala kristalna struktura
nakon klizanja, vektor klizanja (tj. vektor pomeraja) mora biti jednak vek-
toru translacije rešetke. Najkraći vektor translacije rešetke izražen preko
konstante rešetke a u fcc strukturi je oblika (a/2)(x̂ + ŷ); u bcc strukturi
on glasi (a/2)(x̂ + ŷ + ẑ). Ali u fcc kristalima takode se uočavaju parcijalni
pomeraji koji izvrću regularnu sekvencu ABCABC... gusto pakovanih ravni
u tzv. grešku slaganja, kao što je ABCABABC... . Rezultat je tada
mešavina fcc i hcp slaganja.
Deformacija klizanjem je nehomogena: veliki pomeraji usled smicanja
nastaju na nekoliko široko razdvojenih ravni klizanja, dok delovi kristala
341
Slika 231: Translaciono klizanje u monokristalima cinka.
koji leže izmedu tih ravni ostaju suštinski nedeformisani. Osobina klizanja
je Šmidov zakon kritičnog pritiska smicanja: klizanje se dešava duž date
ravni klizanja i datog smera kada odgovarajuća komponenta pritiska smicanja
dostigne kritičnu vrednost.
Klizanje je jedan mod plastične deformacije. Drugi mod, tvining, primećuje
se posebno u hcp i bcc strukturama. Tokom klizanja nastaje značajan
pomeraj na nekoliko udaljenih ravni klizanja. Tokom tvininga, delimični
pomeraj sukcesivno nastaje na svakoj od mnogo susednih kristalografskih
ravni. Posle tvininga, deformisani deo kristala je slika u ogledalu nede-
formisanog dela. Iako su i klizanje i tvining uzrokovani kretanjem dislokacija,
prvenstveno nas zanima klizanje.
11.2 Dislokacije
Male izmerene vrednosti kritičnog pritiska smicanja objašnjavaju se preko
kretanja kroz rešetku linijske nesavršenosti, tj. dislokacije. Ideja da klizanje
propagira kretanjem dislokacija objavljena je 1934. nezavisno od strane
Tejlora, Orovana i Polanjija; koncept dislokacija nešto ranije uveli su Prandtl
i Delinger. Postoji nekoliko osnovnih tipova dislokacija. Prvo opisujemo
ivičnu dislokaciju. Slika 232 prikazuje prost kubični kristal u kome kl-
342
Slika 232: Dislokacija ivice EF u kliznoj ravni ABCD. Slika prikazuje otkl-
izanu oblast ABEF u kojoj su atomi pomereni za više od polovine konstante
rešetke i neotklizanu oblast F ECD sa pomerajem manjim od polovine kon-
stante rešetke.
izanje jednog atoma nastaje u levoj polovini ravni klizanja, ali ne i po desnoj
polovini. Granica izmedu oblasti gde ima i gde nema klizanja naziva se dis-
lokacija. Njena pozicija označena je završetkom dodatne vertikalne poluravni
atoma smeštene u gornjoj polovini kristala, kao što se vidi na slici 233. Blizu
dislokacije kristal je jako napregnut. Prosta ivična dislokacija širi se nedefin-
isano u ravni klizanja u pravcu normalnom na pravac klizanja. Na slici 234
vidimo fotografiju dislokacije u dvodimenzionalnim mehurićima sapuna do-
bijenu metodom Braga i Nye-ja.
Mehanizam odgovoran za pokretljivost dislokacije prikazan je na slici 235.
Kretanje ivice dislokacije kroz kristal analogno je prolasku nabora kroz krpu;
nabor se kreće lakše nego cela krpa. Ako se atomi na jednoj strani ravni
klizanja kreću u odnosu na one sa druge strane, atomi na ravni klizanja trpeće
odbojne sile od nekih suseda, a privlačne sile od drugih duž ravni klizanja.
Ove sile se u prvoj aproksimaciji poništavaju. Spoljašnji pritisak potreban da
pomeri dislokaciju je sračunat i vrlo je mali, ispod 105 dyn/cm2 kada vezivne
sile u kristalu nisu jako usmerene. Stoga dislokacija može učiniti kristal
vrlo plastičnim. Prolazak dislokacije kroz kristal ekvivalentan je klizajućem
343
Slika 233: Struktura ivične dislokacije. Deformacija se može shvatiti kao da
je uzrokovana ubacivanjem dodatne ravni atoma u gornjoj polovini y ose.
Atomi u gornjoj polovini kristala komprimovani su ovim ubacivanjem; oni u
donjoj polovini su rašireni.
pomeraju jednog dela kristala.

Drugi jednostavan tip dislokacije je zavojna dislokacija, skicirana na
slikama 236 i 237. Zavojna dislokacija označava granicu izmedu klizanih i
neklizanih dela kristala. Granica je paralelna pravcu klizanja, a ne normalna
na njega kao kod ivične dislokacije. Zavojna dislokacija može se shvatiti kao
da je dobijena sečenjem kristala nožem i smicanjem paralelno ivici sečenja,
za jedno atomsko rastojanje. Zavojna dislokacija transformiše sukcesivne
atomske ravni u površinu spirale; odavde potiče ime dislokacije.
11.2.1 Burgersovi vektori

Drugi oblici dislokacija mogu se konstruisati iz segmenata ivičnih i zavo-
jnih dislokacija. Burgers je pokazao da se najopštiji oblik linearne dislokacije
u kristalu može opisati kao na slici 238. Posmatramo bilo koju zatvorenu
krivu unutar kristala, ili otvorenu krivu koja se završava na površini sa oba
kraja: (a) Presečemo duž bilo koje proste površine ograničene linijom. (b)
344
Slika 234: Dislokacija u dvodimenzionalnoj sapunskoj ploči. Dislokacija se
najlakše uočava okretanjem strane za 300 u ravni papira i gledanjem pod
malim uglom.
Pomerimo materijal sa jedne strane ovakve površine za vektor b u odnosu

na drugu stranu; ovde se b naziva Burgersov vektor. (c) U oblastima
gde b nije paralelno presečenoj površini, ovaj relativni pomeraj proizvešće
ili procep, ili će uzrokovati da se dve strane preklope. U ovim slučajevima
zamišljamo da smo ili dodali materijal da bi popunili prazninu, ili ga oduzeli
da bi spečili preklapanje. (d) Pridružujemo materijal sa obe strane. Os-
tavljamo pomeraj naprezanja netaknutim tokom ovog ponovnog spajanja,
ali posle toga dozvoljavamo sredini da dode u unutrašnju ravnotežu. Rezul-
tujuće naprezanje potiče od dislokacije, karakterisane graničnom krivom i
Burgersovim vektorima. Ovi vektori moraju biti jednaki vektoru rešetke, da
bi proces ponovnog spajanja zadržao kristaličnost materijala. Burgersov vek-
tor zavojne dislokacije (slike 236 i 237) paralelan je liniji dislokacije; vektor
ivične dislokacije (slike 232 i 233) normalan je na dislokacionu liniju i leži u
ravni klizanja.
345
Slika 235: Kretanje dislokacije pod smicanjem koje teži da pomeri gornju
površinu uzorka nadesno.
11.2.2 Polja pritiska kod dislokacija

Polje pritiska zavojne dislokacije posebno je jednostavno. Slika 239 pokazuje
ljusku materijala koji okružuje aksijalnu zavojnu dislokaciju. Ljuska obima
2πr smaknuta je za iznos b tako da daje naprezanje usled smicanja e = b/2πr.
Odgovarajući pritisak smicanja u elastičnom kontinuumu je
σ = Ge = Gb/2πr. (495)
Ovaj izraz ne važi u neposrednoj blizini dislokacione linije, jer su ovde naprezanja
prevelika da bi se mogla primeniti teorija kontinuuma ili linearne elastičnosti.
Elastična energija ljuske je dEs = 12 Ge2 dV = (Gb2 /4π)dr/r po jedinici
dužine. Ukupna elastična energija po jedinici dužine kod zavojne dislokacije
dobija se nakon integracije prethodnog izraza:
Gb2 R
ES = ln , (496)
4π r0
gde su R i r0 odgovarajuća gornja i donja granica promenljive r. Razumna
vrednost r0 uporediva je sa amplitudom b Burgersovog vektora ili sa konstan-
tom rešetke; vrednost R ne može biti veća od dimenzija kristala. Vrednost
odnosa R/r0 nije previše važna jer u jednačinu ulazi pod znakom logaritma.
Sada pokazujemo oblik energije ivične dislokacije. Neka σrr i σθθ označavaju
pritiske zatezanja u radijalnom i cirkularnom pravcu, i neka σrθ označava pri-
tisak smicanja. U izotropnoj elastičnoj sredini, σrr i σθθ proporcionalni su sa
(sin θ)/r: potrebna nam je funkcija koja opada kao 1/r i menja znak kada se
y zameni sa −y. Pritisak smicanja σrθ proporcionalan je sa (cos θ)/r; pos-
346
Slika 236: Zavojna dislokacija. Deo ABEF klizne ravni otklizan je u pravcu
paralelnom dislokacionoj liniji EF . Zavojna dislokacija može se vizuelizovati
kao spiralno uredenje ravni rešetke, tako da menjamo ravni krećući se oko
dislokacione linije.
matrajući ravan y = 0, vidimo sa slike 232 da je pritisak smicanja neparna

funkcija x. Konstante proporcionalnosti u pritisku proporcionalne su modulu
smicanja G i Burgersovim vektorima b pomeraja. Finalni rezultat je
Gb sin θ Gb cos θ
σrr = σθθ = − , σrθ = , (497)
2π(1 − ν) r 2π(1 − ν) r
gde je Poasonov odnos ν ≈ 0.3 za najveći broj kristala. Energija naprezanja

po jedinici dužine ivične dislokacije je
Gb2 R
Ee = ln . (498)
4π(1 − ν) r0
Želimo da dobijemo izraz za komponentu pritiska smicanja σxy na ravnima
paralelnim ravni klizanja sa slike 232. Iz komponenata pritiska σrr , σθθ i σrθ
sračunatih na ravni koja je na rastojanju y iznad ravni klizanja, dobijamo
Gb x(x2 − y 2 )
σxy = · 2 . (499)
2π(1 − ν) (x + y 2 )2
347
Slika 237: Drugi pogled na zavojnu dislokaciju. Isprekidana vertikalna linija
koja označava dislokaciju okružena je napregnutim materijalom.
U Problemu 3 je pokazano da je sila uzrokovana uniformnim pritiskom smi-

canja σ jednaka F = bσ po jedinici dužine dislokacije. Sila koja dislocira
ivicu u koordinatnom početku na sličnu ivicu na lokaciji (y, θ) je
Gb2 sin 4θ
F = bσxy = (500)
2π(1 − ν) 4y
po jedinici dužine. Ovde je F komponenta sile u pravcu klizanja.
11.2.3 Granice zrna sa malim uglom

Burgers je ukazao da se granice zrna sa malim uglom izmedu susednih
kristalita ili kristala sastoje od niza dislokacija. Jednostavan primer Burg-
ersovog modela granice zrna prikazan je na slici 240. Granica zauzima (010)
ravan u prostoj kubičnoj rešetki i razdvaja dva dela kristala koji imaju za-
jedničku [001] osu. Ovakva granica naziva se granica naginjanja: odstupanje
od očekivane orijentacije može se opisati malom rotacijom θ oko zajedničke
[001] ose jednog dela kristala u odnosu na drugi. Granica naginjanja pred-
stavljena je kao niz ivičnih dislokacija na rastojanju D = b/θ, gde je b Burg-
ersov vektor dislokacija. Eksperimenti su potkrepili ovaj model. Slika 241
pokazuje raspodelu dislokacija duž granica zrna sa malim uglom, dobijenu
pomoću elektronskog mikroskopa. Dalje, Rid i Šokli su izveli teoriju inter-
facijalne energije kao funkcije ugla naginjanja, čiji se rezultati odlično slažu
sa merenjima.
348
Slika 238: Opšti metod formiranja dislokacionog prstena u sredini. Sredina je
predstavljena pravougaonim blokom. Prsten je prikazan zatvorenom krivom
u unutrašnjosti bloka. Presek je načinjen duž površine ograničene krivom i
naznačen konturnom površinom. Materijal sa jedne strane preseka pomeren
je u odnosu na onaj sa druge strane za vektor rastojanja b, koji može biti
orijentisan proizvoljno u odnosu na površinu. Biće potrebne sile koje dovode
do pomeraja. Sredina je popunjena ili prazna tako da bude kontinualna
nakon pomeraja. Tada je spojena u pomerenom stanju i primenjene sile su
ukinute. Ovde je b Burgersov vektor dislokacije.
Direktna potvrda Burgersovog modela obezbedena je kvantitativnim optičkim

i tehnikama analize putem X-zraka granica pod malim uglom u kristalima
germanijuma, koje su sproveli Fogel i saradnici. Brojanjem nagriženih jama
duž preseka granice zrna sa nagriženom površinom germanijuma (slika 242),
odredili su rastojanje dislokacije D. Pretpostavili su da svaka jama označava
kraj dislokacije. Ugao naginjanja računat na osnovu relacije θ = b/D dobro
se slaže sa uglom direktno merenim pomoću X-zraka.
Tumačenje granica sa malim uglovima kao nizova dislokacija dalje je
podržano činjenicom da se nagnute granice pomeraju normalno same sebi
primenom odgovarajućeg pritiska. Kretanje je demonstrirano u prelepom
eksperimentu, slika 243. Uzorak je bikristal cinka koji sadrži granicu nag-
nutu pod uglom od 20 sa dislokacijama oko 30 atomskih ravni odatle. Jedna
strana kristala bila je pričvršćena, a sila je primenjena u tački sa suprotne
strane granice. Kretanje granice dogada se udruženim kretanjem dislokacija
349
Slika 239: Ljuska elastično iskrivljenog kristala koja okružuje zavojnu dis-
lokaciju sa Burgersovim vektorom b; vidi i sliku 245.
u nizu, gde svaka dislokacija prelazi isto rastojanje u svojoj ravni klizanja.
Kretanje je uzrokovano pritiscima reda veličine gradivnog pritiska za kristale
cinka, što je jak dokaz da obična deformacija rezultuje iz kretanja dislokacija.
Granice zrna i dislokacije daju relativno slab otpor difuziji atoma u poredenju
sa difuzijom u idealnim kristalima. Dislokacija je otvoren prolaz za difuz-
iju. Difuzija je veća u plastično deformisanom materijalu nego u žarenom
kristalu. Difuzija duž granice zrna upravlja brzinom nekih reakcija precip-
itacije u čvrstim telima: precipitacija kalaja iz rastvora olovo-kalaj na sobnoj
temperaturi teče 108 puta brže od očekivanja na osnovu difuzije u idealnoj
rešetki.
11.2.4 Gustine dislokacija

Gustina dislokacija je broj dislokacionih linija koje seku jediničnu površinu
u kristalu. Gustina se kreće od daleko ispod 102 dislokacija/cm2 u na-
jboljim kristalima germanijuma i silicijuma do 1011 ili 1012 dislokacija/cm2 u
jako deformisanim kristalima metala. Metode za procenu gustine dislokacija
350
Slika 240: (a) Granica zrna sa malim uglom. (b) Elektronski mikrograf
granice zrna sa malim uglom u molibdenu. Tri dislokacije na slici imaju isti
Burgersov vektor kao na slici (a). Beli krugovi označavaju pozicije atomskih
kolona normalnih na ravan papira. Svaki niz krugova definiše poziciju dis-
lokacije, sa četiri kruga na vrhu svakog niza i tri kruga ispod. Neuspešno
zatvaranje naznačeno je strelicama koje definišu Burgerove vektore.
351
Slika 241: Elektronski mikrograf dislokacionih struktura u granicama zrna
sa malim uglom u Al-7 procenata Mg čvrstom rastvoru. Uočimo linije malih
tačaka na desnoj strani. Uvećanje 17 000 puta.
uporedene su na slici 244. Stvarne dislokacione konfiguracije u izlivenim ili

sporo hladenim kristalima odgovaraju ili grupi granica zrna sa malim uglom
ili trodimenzionalnoj mreži dislokacija uredenoj u ćelije, kao na slici 245.
Vakancije rešetke koja precipitira duž postojeće ivice dislokacije ”poješće”
deo dodatne poluravni atoma i uzrokovati da se dislokacija popne, što znači
da se pomeri udesno u odnosu na pravac klizanja. Ako nema prisustva dis-
lokacija, kristal će postati superzasićen sa vakancijama rešetke; njihova pre-
cipitacija u cilindričnim vakantnim pločama može biti praćena kolapsom ovih
ravni i formiranjem dislokacionih prstenova koji rastu sa daljom precipitaci-
jom vakancija, kao na slici 246.
11.2.5 Multiplikacija i klizanje dislokacija

Plastična deformacija uzrokuje vrlo veliki porast gustine dislokacije, tipično
od 108 do 1011 dislokacija/cm2 tokom deformacije. Ako se dislokacija pot-
puno pomeri duž svoje ravni klizanja, produkuje se ofset od jednog atomskog
352
Slika 242: Nagrižene jame dislokacija u granici sa malim uglom na (100)
površini germanijuma; ugao granice je 27.5”. Granica leži u (011) ravni;
linija dislokacija
√ je [100]. Burgersov vektor je najkraći vektor translacije, ili
|b| = a/ 2 = 4.0Å.
rastojanja, ali se mere ofseti do 100 i 1000 atomskih rastojanja. Ovo znači
da se dislokacija množi tokom deformacije.
Posmatrajmo zatvorenu kružnu dislokacionu petlju poluprečnika r koja
okružuje klizajuću površinu sa poluprečnikom jednakim poluprečniku petlje.
Ovakva petlja biće delimično ivična, delimično zavojna, a najviše nekog sred-
njeg karaktera. Energija naprezanja petlje raste sa obimom, tako da će petlja
težiti da smanjuje veličinu. Ipak, petlja će težiti da se raširi ako deluje smičući
pritisak koji favorizuje klizanje.
Česta osobina svih izvora dislokacije je uvijanje dislokacija. Segment
dislokacije ”uboden” na svakom kraju naziva se Frank-Ridov izvor, i on
može dovesti (slika 247) do generisanja velikog broja koncentričnih dislokacija
na jednoj ravni klizanja (slika 248). Drugi tipovi multiplikacionih meha-
nizama dislokacija odnose se na klizanje i povećanu gustinu dislokacija tokom
plastične deformacije. Dvostruko unakrsno klizanje je najčešći izvor.
353
Slika 243: Kretanje granice zrna sa malim uglom pod pritiskom. Granica je
prava vertikalna linija i fotografisana je pod vertikalnim osvetljenjem, čineći
tako očiglednom promenu ugla od 20 u čišćenju površine kristala cinka na
granici. Neregularna horizontalna linija je mali korak u čišćenju površine
koji služi kao referenca. Kristal je pričvršén na levoj strani, a na desnoj je
podvrgnut sili normalnoj na ravan stranice. Gore, originalna pozicija granice,
dole pomerena unazad za 0.4 mm.
354
Slika 244: Metode za procenu gustina dislokacija.
11.3 Jačina jedinjenja

Čisti kristali su vrlo plastični i deformišu se pri vrlo malim pritiscima. Is-
postavlja se da postoje četiri važna načina za povećanje jačine jedinjenja tako
da može da istrpi pritiske smicanja i do 10−2 G. To su mehaničko blokiranje
kretanja dislokacija, pining (”ubadanje”) dislokacija rastvorljivim atomima,
sprečavanje kretanja dislokacija kratkodometnim uredenjem i povećanje gus-
tine dislokacija čime se dobija njihovo mešanje (uplitanje). Uspeh sva četiri
mehanizma zavisi od sprečavanja kretanja dislokacija. Peti mehanizam, koji
se sastoji iz uklanjanja svih dislokacija iz kristala, može se sprovesti u nekim
finim vlaknastim kristalima (oblika dlake) koji se razmatraju u odeljku vezanom
za rast kristala.
Mehaničko blokiranje kretanja dislokacija može se najdirektnije stvoriti
uvodenjem sićušnih čestica druge faze u kristalnu rešetku. Ovaj proces
sprovodi se kod otvrdnjavanja čelika, gde se čestice gvožde-karbida precipiti-
raju u gvoždu, i kod otvrdnjavanja aluminijuma, gde se precipitiraju čestice
Al2 Cu. Pining dislokacije česticama prikazan je na slici 249.
U ojačavanju dodavanjem malih čestica postoje dva slučaja koja treba
razmatrati: ili se čestica može deformisati u matriksu, što zahteva da se
čestica može bočno pomeriti dislokacijom, ili se čestica ne može bočno pomer-
iti dislokacijom. Ako se ne može preseći, pritisak neophodan da pomeri dis-
lokaciju izmedu čestica koje su na rastojanju L izvan ravni klizanja treba da
bude približno
σ/G = b/L. (501)

Što je manje rastojanje L, veći je pritisak σ. Pre nego što dode do precip-
itacije, L je veliko i jačina je mala. Odmah posle završetka precipitacije i
355
Slika 245: Ćelijska struktura trodimenzionalnih spletova dislokacija u de-
formisanom aluminijumu.
prisustva mnogo malih čestica, L je minimalno i jačina je maksimalna. Ako

se jedinjenje tada drži na visokoj temperaturi, neke čestice rastu na račun
drugih, tako da L raste i jačina opada. Teške medumetalne faze, kao što su
nezapaljivi oksidi, ne mogu se preseći dislokacijama.
Veruje se da jačina razredenih čvrstih rastvora rezultuje iz pininga dis-
lokacija rastvarajućim atomima. Rastvorljivost stranog atoma biće veća u
okolini dislokacije nego na drugom mestu u kristalu. Atom koji teži da raširi
kristal rastvoriće se prvenstveno u raširenoj oblasti blizu ivične dislokacije.
Mali atom težiće da se rastvori najpre u kontrahovanoj oblasti blizu dis-
lokacije - dislokacija stvara i raširene i skupljene (kontrahovane) regione.
Kao rezultat afiniteta rastvorenih atoma ka dislokaciji, svaka dislokacija
sakupiće oblak pridruženih rastvorenih atoma tokom hladenja, za vreme dok
je pokretljivost rastvorenih atoma velika. Na još nižim temperaturama, difuz-
ija rastvorenih atoma efektivno prestaje, i oblak rastvorenih atoma postaje
fiksiran u kristalu. Kada se dislokacija pomeri, ostavljajući svoj rastvoreni
oblak iza, energija kristala mora da raste. Porast energije može se obezbediti
samo povećanim pritiskom koji deluje na dislokaciju tako što je odvlači od
oblaka rastvorenih atoma, te tako prisustvo oblaka ojačava kristal.
Prolazak dislokacije kroz ravan klizanja u čistim kristalima ne menja en-
356
Slika 246: Elektronski mikrograf dislokacionih petlji formiranih gomilan-
jem i kolapsom vakancija u Al-5 procenata Mg žarenog sa 5500 C. Spiralne
dislokacije formirane su kondenzacijom vakancija na zavojnoj dislokaciji.
Uvećanje je 43 000 puta.
ergiju veze kroz ovu ravan posle odlaska dislokacije. Unutrašnja energija
kristala ostaje neizmenjena. Isto važi za slučajne čvrste rastvore, pošto je
rastvor jednako slučajan kroz ravan klizanja nakon klizanja. Najveći broj
čvrstih rastvora, ipak, ima kratkodometno uredenje. Atomi različitih eleme-
nata nisu uredeni na slučajan način po sajtovima rešetke, već teže da stvore
višak ili manjak parova različitih atoma. Stoga u uredenim jedinjenjima dis-
lokacija teži da se pomera u parovima: druga dislokacija ponovo ureduje
lokalno neuredenje ostalo posle prve dislokacije.
Jačina kristalnog materijala raste sa plastičnom deformacijom. Ovaj
fenomen naziva se radno otvrdnjavanje ili otvrdnjavanje usled naprezanja.
357
Slika 247: Frank-Ridov mehanizam za množenje dislokacija, gde se vide
sukcesivni koraci u generisanju dislokacione petlje pomoću segmenta BC dis-
lokacione linije. Ovaj proces može se beskonačno ponavljati.
Veruje se da jačina raste zbog povećane gustine dislokacija i veće teškoće

pomeranja date dislokacije kroz ravan klizanja koja je popunjena mnogim
dislokacijama. Ovo otvrdnjavanje je često korišćeno u ojačavanju materijala,
ali je njegova upotrebljivost ograničena na dovoljno niske temperature tako
da ne može doći do zagrevanja.
Važan faktor u ovom procesu je ukupna gustina dislokacija. Kod najvećeg
broja metala dislokacije teže da formiraju ćelije (slika 245) sa površinama
bez dislokacija, dimenzija reda 1 µm. Ali iako možemo dobiti uniformnu
veliku gustinu dislokacija, ne možemo naprezanjem otvrdnuti metal do nje-
gove teorijske jačine, zbog klizanja u ovim površinama bez dislokacija. Ve-
lika ukupna gustina izvedena je eksplozivnom deformacijom ili specijalnim
termalno-mehaničkim tretmanima, kao kod martenzita u čeliku.
Svaki od mehanizama ojačavanja kristala može povećati jačinu do opsega
10 -10−2 G. Svi mehanizmi prestaju da deluju na temperaturama gde pos-
−3
toji difuzija u značajnoj meri. Kada je difuzija brza, precipitirane čestice

se rastvaraju; oblaci rastvora driftuju zajedno sa dislokacijama koje se kl-
358
Slika 248: Frank-Ridov izvor dislokacije u silicijumu, dekorisan precipitaci-
jama bakra i posmatran sa infracrvenim osvetljenjem. Dve potpune disloka-
cione petlje su vidljive, a treća, najdublje u unutrašnjosti, je skoro potpuna.
izaju; kratkodometno uredenje se obnavlja iza sporo pokretnih dislokacija

i uspon dislokacija i zagrevanje teže da smanje gustinu dislokacija. Rezul-
tujuća vremenski zavisna deformacija naziva se ”creep”. Ovo nepovratno
kretanje prethodi dostizanju elastične granice. Traženje jedinjenja za pri-
menu na veoma visokim temperaturama je traženje smanjenih učestalosti
rasejanja, tako da četiri mehanizma ojačavanja mogu da prežive na visokim
temperaturama. Ali centralni problem tvrdih (jakih) jedinjenja nije jačina,
već plastičnost, jer je česta greška lomljenja.
11.4 Dislokacije i rast kristala

U nekim slučajevima prisustvo dislokacija može biti kontrolišući faktor
pri rastu kristala. Kada kristal raste pod uslovima male supersaturacije,
reda 1 procenta, primećeno je da je brzina rasta mnogo veća od vrednosti
sračunate za idealan kristal. Stvarna brzina rasta objašnjava se preko uticaja
359
Slika 249: Dislokacije ubodene česticama u magnezijum oksidu.
dislokacija na rast.
Teorija rasta idealnih kristala predvida da je u rastu kristala iz pare
neophodna supersaturacija (pritisak/ravnotežni pritisak pare) reda 10 za
nukleaciju novih kristala, reda 5 za formiranje tečnih kapi i oko 1.5 za formi-
ranje dvodimenzionalnog monosloja molekula na strani idealnog kristala.
Volmer i Šulce merili su rast kristala joda pri supersaturacijama pare do
ispod 1 procenta, kada brzina rasta treba da bude ispod e−3000 puta manja
od brzine definisane kao minimalna merljiva brzina.
Veliko neslaganje izražava teškoću nukleacije novog monosloja u komple-
tiranu površinu idealnog kristala. Ali ako je prisutna zavojna dislokacija
(slika 250), nije neophodno da dode do nukleacije novog sloja: kristal će
rasti na spiralan način na ivici prikazanog diskontinuiteta. Atom se može
vezati za ove ”merdevine” jače nego za ravan. Računate brzine rasta za ovaj
mehanizam dobro se slažu sa merenjima. Očekujemo da skoro svi kristali
360
Slika 250: Nastanak spiralnog koraka prozivedenog presekom zavojne dis-
lokacije sa površinom kristala kao na slici 238.
u prirodi nastali pri maloj supersaturaciji sadrže dislokacije, jer inače ne bi

rasli. Spiralne putanje rasta uočene su kod velikog broja kristala. Izvanredan
primer šeme rasta na osnovu jedne zavojne dislokacije dat je na slici 251.
Ako je brzina rasta nezavisna od pravca ivice u ravni površine, šema
rasta je Arhimedova spirala, r = aθ, gde je a konstanta. Ograničavajući
minimalni poluprečnik krive blizu dislokacije odreden je supersaturacijom.
Ako je radijus krivine suviše mali, atomi na zakrivljenoj ivici ispare dok se
ne dostigne ravnotežna zakrivljenost. Daleko od koordinatnog početka svaki
deo koraka (merdevina) zahteva nove atome sa konstantnom učestanošću,
tako da je dr/dt = const.
11.4.1 Vlasi
Uočeno je da fini vlaknasti kristali, ili vlasi, rastu pod uslovima jake su-
persaturacije bez neophodnosti za više od možda jedne dislokacije. Može biti
da ovi kristali sadrže jednu aksijalnu zavojnu dislokaciju koja pomaže njihov
suštinski jednodimenzionalan rast. Iz odsustva dislokacija očekivali bismo da
ovakvi kristali imaju velike jačine (tvrdoće), reda računate vrednosti G/30
koja je razmatrana ranije u ovoj glavi. Jedna aksijalna zavojna dislokacija,
ako postoji, ne bi ovo mogla uzrokovati, jer u savijanju kristala dislokacija
nije podvrgnuta smičućem pritisku paralelnom njenom Burgersovom vektoru.
To znači da pritisak nije u pravcu koji može uzrokovati klizanje. Hering i
Galt izmerili su vlasi kalaja poluprečnika ∼ 10−4 cm sa elastičnim osobinama
bliskim očekivanju za teorijski savršene kristale. Izmerili su naprezanja reda
10−2 , što odgovara smičućim pritiscima reda 10−2 G, oko 1000 puta više od
masivnog kalaja, potvrdujući ranije procene jačine idealnih kristala. Teori-
361
Slika 251: Mikrograf sa faznim kontrastom šeme rasta heksagonalne spirale
kristala SiC. Visina koraka je 165 Å.
jske ili idealne elastične osobine primećene su kod brojnih materijala, kao
npr. kod ugljeničnih nanotuba. Jednodomenska vlas nikla prikazana je na
slici 252.
11.5 Tvrdoća materijala

Tvrdoća materijala merena je na nekoliko načina, najjednostavniji test
za nemetale je test grebanjem. Supstanca A je tvrda od supstance B ako će
A ogrebati B ali B neće ogrebati A. Za reprezentativne minerale koristi se
standardna skala sa dijamantom, kao najtvrdim, kome se pripisuje vrednost
10, i talkom, kao najmekšim, koji ima vrednost 1.
Postoji veliki interes u razvoju materijala velike tvrdoće, na primer kao
filmova za primenu u slojevima otpornim na grebanje kod sočiva. Veruje
se da je skala izmedu dijamanta i korunda netačna, jer je dijamant mnogo,
mnogo tvrdi od korunda. Ukazano je da možemo označiti tvrdoću dijamanta
362
Slika 252: Vlas nikla dijametra 1000 Å savijena u petlju.
Slika 253: Standardna skala tvrdoće.
sa 15, sa procepom izmedu 9 i 15 koji se eventualno može popuniti sintetičkim

materijalima, kao što su jedinjenja C i B.
Moderne skale tvrdoće, kao što je VHN skala, zasnovane su na inden-
ter testovima u kojima je indenter utisnut na površinu materijala i meri se
veličina otiska. Vikersovi brojevi tvrdoće odabranih materijala dati su na
slici 254, posle Veberove konverzije u jedinice GPa [GN/m2 ].
363
Slika 254: VHN odabranih materijala.
12 GLAVA 22: SMEŠE

12.1 Opšta razmatranja
Teorija zonske strukture čvrstih tela pretpostavlja da kristal ima transla-
cionu invarijantnost. Ali pretpostavimo da je kristal sastavljen od dva ele-
menta A i B koji zauzimaju na slučajan način regularne sajtove rešetke u
strukturi, u odnosu x i 1 − x za sastav Ax B1−x . Translaciona simetrija više
nije idealna. Da li ćemo tada izgubiti rezultate zonske teorije, kao što su pos-
tojanje Fermijevih površina i energetskih procepa? Da li će izolatori postati
provodnici pošto više nema procepa? Dotakli smo se ovih pitanja u diskusiji
o amorfnim poluprovodnicima u Glavi 19.
Eksperiment i teorija se slažu da su posledice destrukcije idealne transla-
cione simetrije mnogo manje ozbiljne (skoro uvek) od našeg prvog očekivanja.
Tačka gledišta efektivnog prigušenog potencijala iz Glave 9 je korisna u ove
svrhe, najpre zato što su efektivni potencijali relativno slabi u poredenju sa
potencijalom slobodnog jona i, drugo i najvažnije, razlike izmedu efektivnih
potencijala domaćina i dodatnih atoma mogu biti vrlo slabe u poredenju sa
bilo kojim od njih pojedinačno. Smeše Si i Ge ili Cu i Ag su klasični primeri
onoga što možemo zvati relativna neefikasnost smeša.
U svakom slučaju, mala koncentracija atoma primesa ne može imati
značajnog efekta na Furijeove komponente UG efektivnog potencijala U (r)
koji je odgovoran za zonske procepe i za oblik Fermijeve površine. (Ovo
tvrdenje povlači da G-ovi postoje, što implicira da postoji regularna rešetka.
To nije toliko važna pretpostavka jer znamo da termalni fononi nemaju
drastične efekte na zonsku strukturu, tako da distorzije rešetke opisane kao
zamrznuti fononi ne bi trebalo da imaju značajne efekte. Ako su distorz-
ije ozbiljnije, kao kod amorfnih čvrstih tela, elektronske promene mogu biti
364
Slika 255: Ureden (a) i neureden (b) raspored AB jona u smeši AB.
značajne.)
Istina je da će atom primese uvesti Furijeove komponente U (r) na ta-
lasnim vektorima koji nisu vektori recipročne rešetke, ali pri maloj koncen-
traciji primesa ovakve komponente nikada nisu velike u poredenju sa UG , što
sledi iz statistike slučajnih potencijala. Furijeove komponente na vektorima
recipročne rešetke G i dalje će biti velike i imaće zonske procepe, Fermi-
jeve površine i oštre difrakcione linije X-zraka karakteristične za regularnu
rešetku.
Posledice mešanja biće posebno male kada element primese pripada istoj
grupi Periodnog sistema kao i element domaćin koga on zamenjuje, jer će
atomska jezgra imati mali doprinos efektivnim potencijalima.
Jedna mera efekta mešanja je rezidualni električni otpor, definisan kao
niskotemperaturski limit otpornosti. Ovde moramo napraviti razliku izmedu
neuredenih i uredenih smeša. Smeša je neuredena ako su atomi A i B
rasporedeni na slučajan način, što nastaje za opštu vrednost x u sastavu
Ax B1−x . Za specijalne vrednosti x, kao što su 1/4, 1/2 i 3/4 za kubičnu
strukturu, moguće je formiranje uredenih faza, u kojima su A i B atomi
rasporedeni u pravilnom nizu. Razlika izmedu uredenja i neuredenja prikazana
je na slici 255. Efekat uredenja na električnu otpornost dat je na slikama 256
i 257. Rezidualna otpornost raste sa neuredenjem, kao što je razmatrano
za amorfne materijale u Glavi 19. Efekat je prikazan na slici 256 za sistem
Cu-Au smeše. Kada je uzorak sporo hladen sa visoke temperature, formirane
su uredene strukture Cu3 Au i CuAu; ove strukture imaju manju rezidualnu
365
otpornost usled uredenja, kao na slici 257.
Stoga možemo koristiti rezidualnu električnu otpornost kao meru efekta
mešanja u neuredenoj strukturi. Jedan atomski procenat bakra rastvoren u
srebru (koje se nalazi u istoj grupi Periodnog sistema) povećava rezidualni
otpor za 0.077 µΩ-cm. Ovo odgovara geometrijskom poprečnom preseku
rasejanja od samo 3 procenta naivno ”projektovane površine” atoma primese,
tako da je efekat rasejanja vrlo mali.
U izolatorima nema eksperimentalne potvrde značajnog smanjenja zon-
skog procepa uzrokovanog komponentama slučajnog potencijala. Na primer,
silicijum i germanijum formiraju homogene čvrste rastvore, poznate kao sup-
stitucione smeše, na celom opsegu sastava, ali energije na ivicama zona kon-
tinualno se menjaju sa promenom sastava od čistog Si-procepa do čistog
Ge-procepa.
Veruje se, ipak, da je gustina stanja blizu ivica zone u amorfnim ma-
terijalima izmenjena celokupnim odsustvom translacione simetrije. Neka od
novih stanja formirana na taj način unutar procepa ne moraju biti stanja
koja provode struju jer mogu da se ne prostiru kroz ceo kristal.
12.2 Supstitucionalni čvrsti rastvori - Hjum-Roterijeva

pravila
Sada razmatramo supstitucionalne čvrste rastvore jednog metala A u dru-
gom metalu B različite valence, gde A i B zauzimaju, na slučajan način,
ekvivalentne sajtove u strukturi. Hjum-Roteri je tretirao empirijske zahteve
za stabilnošću čvrstih rastvora A i B kao monofaznog sistema.
Jedan zahtev je da atomski prečnici budu kompatibilni, što znači da se
ne razlikuju za više od 15 procenata. Na primer, prečnici su u povoljnom
odnosu u Cu (2.55Å) - Zn (2.65Å) smeši: cink se rastvara u bakru kao fcc
čvrsti rastvor do 38 atomskih procenata cinka. Prečnici su manje pogodni
u Cu (2.55Å) - Cd (2.97Å) sistemu, gde se samo 1.7 atomskih procenata
kadmijuma može rastvoriti u bakru. Atomski dijametri u odnosu na bakar
su 1.04 za cink i 1.165 za kadmijum.
Iako atomski prečnici mogu biti pogodni, čvrsti rastvori neće se formi-
rati ako postoji jaka hemijska tendencija da A i B formiraju ”intermetalna
jedinjenja”, tj. jedinjenja odredenih hemijskih proporcija. Ako je A jako
elektronegativno, a B jako elektropozitivno, jedinjenja kao što su AB i A2 B
mogu precipitirati iz čvrstog rastvora. (Ovo je različito od formiranja uredene
366
Slika 256: Otpornost neuredene binarne smeše bakra i zlata. Varijacija rezid-
ualne otpornosti zavisi od sastava Cux Au1−x kao x(1 − x), što je poznato kao
Nordhajmovo pravilo za neuredenu smešu. Ovde je x(1 − x) mera stepena
maksimalnog mogućeg neuredenja za datu vrednost x.
367
smeše samo većom jačinom hemijske veze medumetalnih jedinjenja.) Iako je
odnos atomskih prečnika povoljan za As u Cu (1.02) samo 6 procenata As se
rastvara. Odnos prečnika pogodan je i za Sb u Mg (1.06), iako je rastvorljivost
Sb u Mg vrlo mala.
Elektronska struktura smeša može se često opisati srednjim brojem provod-
nih elektrona (ili valentnih elektrona) po atomu, označenim sa n. U smeši
CuZn vrednost n je 1.50; u CuAl, n = 2.00. Promene elektronske koncen-
tracije odreduju strukturne promene u mnogim ovakvim sistemima.
Fazni dijagram sistema bakar-cink prikazan je na slici 258. Fcc struk-
tura čistog bakra (n = 1) održava se dodavanjem cinka (n = 2) sve dok
elektronska koncentracija ne dostigne 1.38. Bcc struktura nastaje pri mini-
malnoj koncentraciji elektrona od oko 1.48. γ faza nastaje za približan opseg
n izmedu 1.58 i 1.66, a hcp faza nastaje blizu 1.75.
Termin elektronsko jedinjenje označava medufazu (kao što je β faza
CuZn) čija je kristalna struktura odredena dobro definisanim odnosom elek-
trona i atoma. Za mnoge smeše ovaj odnos blizak je Hjum-Roterijevim
pravilima: 1.50 za β fazu, 1.62 za γ fazu i 1.75 za fazu. Reprezenta-
tivne eksperimentalne vrednosti date su na slici 259, na osnovu uobičajene
hemijske valence 1 za Cu i Ag; 2 za Zn i Cd; 3 za Al i Ga; 4 za Si, Ge i Sn.
Hjum-Roterijeva pravila imaju jednostavan izraz u smislu zonske teorije
skoro slobodnih elektrona. Izmerena granica fcc faze nastaje blizu elektronske
koncentracije od 1.36 na kojoj upisana Fermijeva sfera dolazi u kontakt sa
granicom Briluenove zone za fcc rešetku. Izmerena koncentracija elektrona
bcc faze bliska je koncentraciji 1.48 na kojoj upisana Fermijeva sfera stupa
u kontakt sa granicom zone za bcc rešetku. Kontakt Fermijeve sfere sa
granicom zone za γ fazu je na koncentraciji 1.54. Kontakt za hcp fazu je na
koncentraciji 1.69 za idealan odnos c/a.
Zašto postoji veza izmedu koncentracija elektrona na kojima se pojavljuje
nova faza i na kojima Fermijeva površina dolazi u kontakt sa granicom
Briluenove zone? Podsetimo se da se energetske zone cepaju na dva dela u
oblasti kontakta na granici zone (Glava 9). Ako dodamo više elektrona smeši
na ovom koraku, oni će morati da se smeste u višu zonu ili u stanja veće en-
ergije blizu uglova zone u nižoj zoni. Obe opcije su moguće, i obe uključuju
porast energije. Takode može biti energetski povoljno da se kristalna struk-
tura menja u onu koja može sadržati Fermijevu površinu veće zapremine (više
elektrona) pre nego što dode do kontakta sa granicom zone. Na taj način
H. Džons učinio je prihvatljivim niz struktura fcc, bcc, γ, hcp sa porastom
koncentracije elektrona.
368
Slika 257: Efekat uredenih faza na otpornost binarne smeše Cux Au1−x . Smeše
su ovde žarene, dok su one na prethodnoj slici brzo hladene. Sastavi niske
rezidualne otpornosti odgovaraju uredenim kompozicijama Cu3 Au i CuAu.
369
Slika 258: Ravnotežni dijagram faza sistema bakar-cink. α faza je fcc; β
i β 0 su bcc; γ je kompleksna struktura; i η su hcp, ali ima odnos c/a
blizu 1.56 a η (za čist Zn) ima c/a = 1.86. β 0 faza je uredena bcc, pod
čime podrazumevamo da najveći broj Cu atoma zauzima sajtove jedne sc
podrešetke, a najveći broj Zn atoma zauzima sajtove druge sc podrešetke
koja prodire u prvu. β faza je neuredena bcc: podjednaka je verovatnoća za
svaki sajt da bude popunjen Cu ili Zn atomom, skoro nezavisno od toga koji
su atomi na susednim sajtovima.
370
Slika 259: Odnos elektron/atom u elektronskim jedinjenjima.
Merenja parametra rešetke Li-Mg smeša prikazana su na slici 260. U

prikazanom opsegu struktura je bcc. Rešetka se sabija tokom početnih ko-
raka dodavanja Mg na Li. Kada sadržaj litijuma padne ispod 50 atomskih
procenata, što odgovara srednjoj elektronskoj koncentraciji većoj od 1.5 po
atomu, rešetka počinje da se širi. Videli smo da za sfernu Fermijevu površinu,
kontakt sa granicom zone se uspostavlja na n ≈ 1.48 elektrona po atomu u
bcc rešetki. Ispostavlja se da širenje rešetke potiče od početka preklapanja
po granicama zone.
Transformacija iz fcc u bcc ilustrovana je slikom 261; ovo pokazuje broj
orbitala po jediničnom opsegu energija u funkciji energije, za fcc i bcc struk-
ture. Kako broj elektrona raste, dostiže se tačka gde je lakše smestiti do-
datne elektrone u Briluenovu zonu bcc rešetke, umesto u Briluenovu zonu
fcc rešetke. Slika predstavlja podatke za bakar.
12.3 Prelaz uredenje - neuredenje

Isprekidana horizontalna linija u oblasti beta-faze (bcc) faznog dijagrama
(slika 258) Cu-Zn sistema predstavlja temperaturu prelaza izmedu uredenih
(niska temperatura) i neuredenih (visoka temperatura) stanja smeše. U
čestom uredenom rasporedu AB smeše sa bcc strukturom, svi atomi na-
jbližih suseda atomu B su atomi A, i obrnuto. Ovo uredenje rezultuje kada
je dominantna interakcija izmedu atoma privlačna izmedu A i B atoma. (Ako
je AB interakcija slabo privlačna ili odbojna, formira se dvofazni sistem u
371
Slika 260: Parametar rešetke zapreminski centrirane kubične magnezijum-
litijum smeše.
kome su neki kristaliti pretežno A, a drugi pretežno B.)

Smeša je u potpunosti uredena u ravnotežnom stanju na apsolutnoj nuli.
Ona postaje manje uredena kada temperatura raste, sve dok se ne dostigne
temperatura prelaza iznad koje je struktura neuredena. Temperatura prelaza
označava nestajanje dugodometnog uredenja, što predstavlja uredenje na
više meduatomskih rastojanja, ali neko kratkodometno uredenje ili ko-
relacija izmedu bliskih suseda može postojati i iznad prelaza. Dugodometno
uredenje u AB smeši prikazano je na slici 262a. Dugo- i kratkodometno
uredenje za smešu sastava AB3 dato je na slici 262b. Stepen uredenja defin-
isan je u nastavku.
Ako je smeša brzo ohladena sa visokih temperatura na temperature is-
pod prelaza, može se proizvesti metastabilni uslov u kome je neravnotežno
neuredenje zamrznuto u strukturi. Obrnuti efekat nastaje kada je uredeni
uzorak neureden na konstantnoj temperaturi jakim izračivanjem sa nuk-
learnim česticama. Stepen uredenja može biti proučavan eksperimentalno,
difrakcijom X-zraka. Neuredena struktura na slici 263 ima difrakcione linije
na istim pozicijama kao kada bi sve tačke rešetke bile zauzete samo jednom
372
Slika 261: Broj orbitala po jediničnom opsegu energije za prvu Briluenovu
zonu fcc i bcc rešetke, u funkciji energije.
vrstom atoma, jer je efektivna snaga rasejanja svake ravni jednaka srednjoj
snazi rasejanja od A i B. Uredena struktura ima dodatne difrakcione linije
koje ne postoje u neuredenoj strukturi. Dodatne linije nazivaju se super-
strukturne linije.
Korišćenje termina uredenje i neuredenje u ovoj glavi uvek se odnosi na
regularne sajtove rešetke; to je zauzetost koja slučajno potiče od atoma A ili
B. Ne treba mešati ovu upotrebu sa onom iz Glave 19 za nekristalna čvrsta
tela gde nema regularnih sajtova rešetke i sama struktura je slučajna. Obe
mogućnosti postoje u prirodi.
Struktura uredene smeše CuZn je struktura cezijum hlorida iz Glave 1.
Prostorna rešetka je prosta kubična, i baza ima jedan Cu atom u 000 i jedan
Zn atom u 12 12 12 . Difrakcioni faktor strukture
S(hkl) = fCu + fZn e−iπ(h+k+l) . (502)

Ovo se ne može anulirati jer je fCu 6= fZn ; stoga će nastati sve refleksije proste
kubične prostorne rešetke. U neuredenoj strukturi situacija je drugačja: pod-
jednako je veroavtno da se u bazi nalazi Zn ili Cu na poziciji 000, kao i na
poziciji 12 12 12 .Tada je srednji faktor strukture
hS(hkl)i = hf i + hf ie−iπ(h+k+l) , (503)
373
Slika 262: (a) Dugodometno uredenje u funkciji temperature za smešu AB.
Transformacija je drugog reda. (b) Dugodometno i kratkodometno uredenje
za smešu AB3 . Transformacija za ovaj sastav je prvog reda.
gde je hf i = 12 (fCu + fZn ). Jednačina (503) odgovara obliku rezultata za bcc

rešetku; refleksije nestaju kada je h + k + l neparno. Vidimo da uredena
rešetka ima refleksije (superstrukturne linije) koje ne postoje u neuredenoj
rešetki (slika 263).
12.3.1 Elemenarna teorija uredenja

Dajemo jednostavan statistički tretman zavisnost uredenja od temper-
ature za smešu AB sa bcc strukturom. Slučaj A3 B razlikuje se od AB,
jer prvi ima prelaz prvog reda karakterisan latentnom toplotom a drugi
374
ima prelaz drugog reda, označen diskontinuitetom u toplotnom kapacitetu
(slika 264). Uvodimo meru dugodometnog uredenja. Jednu prostu kubičnu
rešetku označićemo sa a, a drugu sa b: bcc struktura sačinjena je od dve
medusobno prodiruće sc rešetke, a najbliži susedi atoma u jednoj rešetki leže
u drugoj rešetki. Ako postoji N atoma A i N atoma B u smeši, param-
etar dugodometnog uredenja P definisan je tako da je broj A-ova u
rešetki a jednak 21 (1 + P )N . Broj A-ova u rešetki b jednak je 21 (1 − P )N .
Kada je P = ±1, uredenje je savršeno i svaka rešetka sadrži samo jedan tip
atoma. Kada je P = 0, svaka rešetka sadrži jednak broj A i B atoma i nema
dugodometnog uredenja.
Razmatramo onaj deo unutrašnje energije pridružene zonskim energijama
AA, AB i BB najbližih parova. Ukupna zonska energija je
E = NAA UAA + NBB UBB + NAB UAB , (504)

gde je Nij broj veza izmedu najbližih suseda ij a Uij je energija veze ij.
Verovatnoća da atom A u rešetki a ima AA vezu jednaka je verovatnoći da
A zauzme konkretan najbliži sajt u rešetki b, puta broj najbližih suseda, što
je 8 za bcc strukturu. Pretpostavljamo da su verovatnoće nezavisne. Stoga,
na osnovu prethodnih izraza za broj A-ova u rešetki a i b,
1 1
NAA = 8[ (1 + P )N ][ (1 − P )] = 2(1 − P 2 )N ;
2 2
1 1
NBB = 8[ (1 + P )N ][ (1 − P )] = 2(1 − P 2 )N ; (505)
2 2
1 1
NAB = 8N [ (1 + P )]2 + 8N [ (1 − P )]2 = 4(1 + P 2 )N.
2 2
Energija (504) postaje
E = E0 + 2N P 2 U, (506)
gde je
E0 = 2N (UAA + UBB + 2UAB ); U = 2UAB − UAA − UBB . (507)
Sada računamo entropiju ove raspodele atoma. Postoji 21 (1 + P )N atoma

A i 12 (1 − P )N atoma B na rešetki a; postoji 21 (1 − P )N atoma A i 12 (1 + P )N
atoma B na rešetki b. Broj mogućih uredenja G ovih atoma je
375
Slika 263: Fotografije difrakcije X-zraka na prahu AuCu3 smeše. (a)
Neuredenje naglim hladenjem sa T > Tc ; (b) uredenje žarenjem na T < Tc .
2
N!
G= 1 . (508)
[ 2 (1 + P )N ]![ 21 (1 − P )N ]!
Iz definicije entropije kao S = kB ln G, imamo, koristeći Stirlingovu aproksi-
maciju,
S = 2N kB ln 2 − N kB [(1 + P ) ln(1 + P ) + (1 − P ) ln(1 − P )]. (509)

Ovo definiše entropiju mešanja. Za P = ±1, S = 0; za P = 0, S =
2N kB ln 2.
Ravnotežno uredenje odredeno je zahtevom da slobodna energija F =
E − T S bude minimalna u funkciji parametra uredenja P . Diferenciranjem
F po P dobija se uslov minimuma:
1+P
4N P U + nkB T ln = 0. (510)
1−P
Transcendentna jednačina po P može se rešiti grafički; vidimo glatko opadajuću
krivu na slici 262a. Blizu prelaza možemo razviti poslednju jednačinu, čime
se dobija 4N P U + 2N kB T P = 0. Na temperaturi prelaza P = 0 tako da je
376
Tc = −2U/kB . (511)
Da bi nastao prelaz, efektivna interakcija U mora biti negativna.
Parametar kratkodometnog uredenja r je mera dela srednjeg broja
q veza izmedu najbližih suseda koje su AB veze. Kada je potpuno neuredena,
AB smeša ima usrednjeno četiri AB veze oko svakog atoma A. Ukupno je
moguće osam. Možemo definisati
1
r = (q − 4), (512)
4
tako da je r = 1 u potpunom uredenju i r = 0 u potpunom neuredenju.
Uočimo da je r mera samo lokalnog uredenja oko atoma, dok se parametar
dugodometnog uredenja P odnosu na čistoću cele populacije na datoj po-
drešetki. Iznad temperature prelaza Tc dugodometno uredenje je striktno
jednako nuli, ali kratkodometno nije.
12.4 Fazni dijagrami

Postoji veliki broj informacija na faznom dijagramu čak i za binarni sis-
tem, kao na slici 258. Oblasti okružene krivama označavaju ravnotežno stanje
u toj oblasti sastava i temperature. Krive označavaju pravac faznih prelaza,
kao što je nacrtano u T − x ravni, gde je x parametar sastava.
Ravnotežno stanje je stanje minimalne slobodne energije binarnog sistema
za dato T, x. Stoga je analiza faznog dijagrama predmet termodinamike.
Nekoliko izuzetnih rezultata potiču iz ove analize, posebno postojanje eu-
tektičkih sastava sa niskim tačkama topljenja. Pošto je analiza tretirana u
navedenoj literaturi, ovde navodimo samo glavne rezultate.
Dve supstance će se rastvoriti jedna u drugoj i formirati homogenu smešu
ako je to konfiguracija sa najmanjom slobodnom energijom dostupnom kom-
ponentama. Supstance će formirati heterogenu smešu ako je kombinovana
slobodna energija dve odvojene faze manja od slobodne energije homogene
smeše. Sada kažemo da smeša doživljava procep rastvorljivosti. Na
slici 258 vidimo da su sastavi blizu Cu0.60 Zn0.40 u procepu rastvorljivosti
i da su smeše fcc i bcc faza različitih struktura i sastava. Fazni dijagram
predstavlja temperaturnu zavisnost procepa rastvorljivosti.
Kada se mali deo homogene tečnosti zamrzne, sastav čvrstog tela koji se
formira skoro uvek je različit od onog za tečnost. Posmatrajmo horizontalni
377
Slika 264: Toplotni kapacitet u funkciji temperature smeše CuZn (β-mesing).
odeljak približnog sastava Cu0.80 Zn0.20 sa slike 258. Neka x označava težinski
procenat cinka. Na datoj temperaturi, postoje tri oblasti:
x > xL , ravnotežni sistem je homogena tečnost.

xs < x < xL , postoji čvrsta faza sastava xS i tečna faza sastava xL .
x < xs , ravnotežni sistem je homogeno čvrsto telo.
Tačka xL obeležava tzv. liquidus krivu, a tačka xs tzv. solidus krivu.
Eutektici. Mešavine dve tečne grane na faznom dijagramu nazivaju se eu-
tektici, kao na slici 265 za Au-Si sistem. Minimalna temperatura očvršćavanja
naziva se eutektička temperatura; ovde je sastav eutektički sastav. Čvrsto
telo pri ovom sastavu sastoji se od dve različite faze, kao na fotomikrografu
sa slike 266.
Postoje mnogi binarni sistemi u kojima tečna faza opstaje do temper-
atura ispod najniže temperature topljenja konstituenata. Stoga Au0.69 Si0.31
378
Slika 265: Eutektički fazni dijagram smeše zlato-silicijum. Eutektik se sastoji
od dve grane koje se spajaju na Tc = 3700 C i xg = 0.31 atomskih procenata
Si.
očvršćava na 3700 C kao dvofazna heterogena smeša, iako Au i Si očvršćavaju

na 10630 C i 14040 C, respektivno. Jedna faza eutektika je skoro čisto zlato;
druga je skoro čist silicijum.
Au-Si eutektik je važan u poluprovodničkoj tehnologiji jer eutektik omogućava
niskotemperatursko spajanje zlatnih kontaktnih žica na silicijumske uredaje.
Smeše olovo-kalaj imaju sličan eutektik Pb0.26 Sn0.74 na 1830 C. Ovakav ili
sličan sastav koristi se u lemljenju: skoro da se opseg temperatura topljenja
poklapa sa onim koji je pogodan za rukovanje.
12.5 Smeše prelaznih metala

Kada niklu dodamo bakar, efektivni magnetonski broj po atomu opada
linearno i teži nuli blizu Cu0.60 Ni0.40 , kao što je prikazano na slici 267. Pri
ovom sastavu dodatni elektron iz bakra popunio je 3d zonu, ili 3d podzone
sa spinom nagore i spinom nadole koje su prikazane na slici 7 iz Glave 12.
Situacija je šematski data na slici 268.
379
Slika 266: Mikrofotografija Pb-Sn eutektika.
Radi jednostavnosti, blok šema predstavlja gustinu stanja kao ravnomernu

po energiji. Poznato je da je stvarna gustina daleko od uniformne; rezultat
modernog proračuna dat je na slici 269 za nikl. Širina 3d zone je oko 5 eV.
Na vrhu, gde su magnetski efekti odredeni, gustina stanja je posebno velika.
Srednja gustina stanja je za red veličine veća u 3d zoni nego u 4s zoni. Ovako
veliki odnos gustina stanja može ukazati na očekivano povećanje elektronskog
toplotnog kapaciteta i paramagnetske susceptibilnosti u neferomagnetskim
prelaznim metalima u poredenju sa prostim monovalentnim metalima.
Slika 270 pokazuje efekat dodavanja malih iznosa drugih elemenata niklu.
U zonskom modelu očekuje se da dodati metal sa z valentnih elektrona iz-
van popunjene d ljuske umanjuje magnetizaciju nikla za otprilike z Borovih
magnetona po rastvorenom atomu. Ova prosta relacija zadovoljavajuće je
ispunjena za Sn, Al, Zn i Cu, sa z = 4, 3, 2 i 1, respektivno. Za Co, Fe i Mn
Fridelov model lokalizovanog momenta obračunava efektivne vrednosti z kao
-1, -2 i -3, respektivno.
380
Slika 267: Borovi magnetonski brojevi smeše nikl-bakar.
Srednji atomski magnetski momenti binarnih smeša elemenata u grupi

gvožda skicirani su na slici 271 u funkciji koncentracije elektrona izvan 3d
ljuske. Ovo se naziva Slater-Paulingov grafik. Glavni niz smeša u desnoj
grani prati pravila razmatrana u vezi slike 270. Kada koncentracija elek-
trona opada, dostiže se tačka u kojoj nijedna od 3d podzona nije potpuno
popunjena, i magnetski moment tada pada prema levoj strani grafika.
Električna provodnost. Može se shvatiti da bi kod prelaznih metala dos-
tupnost 3d zone kao kanala provodnosti u paraleli sa 4s zonom povećala
provodnost, ali to nije način na koji se stvari odvijaju. Otpornost s kanala
povećana je sudarima sa d elektronima; ovo je moćan dodatni mehanizam
rasejanja koji nije dostupan kada je d zona popunjena.
Poredimo vrednosti električnih otpornosti Ni, Pd i Pt u µΩ-cm na 180 C
sa onim za plemenite metale Cu, Ag i Au koji im neposredno slede u period-
nom sistemu (slika 272). Otpornosti plemenitih metala su manje od onih za
prelazne metale za faktor reda 5. Ovo pokazuje efikasnost s − d mehanizma
rasejanja.
381
Slika 268: Raspodela elektrona u smeši 60Cu40Ni. Dodatnih 0.6 elektrona
koji potiču od bakra popunili su potpuno d zonu i blago povećali broj elek-
trona u s zoni u odnosu na odgovarajuću sliku 7 iz Glave 12.
12.6 Kondo efekat

U razredenim čvrstim rastvorima magnetskog jona u nemagnetskim met-
alnim kristalima (kao što je Mn u Cu) izmensko sprezanje izmedu jona i
provodnih elektrona ima važne posledice. Gas provodnih elektrona je na-
magnetisan u blizini magnetnog jona, sa prostornom raspodelom datom na
slici 273. Ova magnetizacija uzrokuje indirektnu izmensku interakciju izmedu
dva magnetska jona, pošto drugi jon doživljava magnetizaciju indukovanu
prvim jonom. Ova interakcija, poznata kao Fridelova ili RKKY interakcija,
takode igra ulogu u magnetskom spinskom uredenju metala retkih zemalja,
gde su spinovi 4f jonskih jezgara spregnuti magnetizacijom indukovanom u
gasu provodnih elektrona.
Posledica interakcije magnetskog jona i provodnog elektrona je Kondo
efekat, razmatran u drugačijem kontekstu u Glavi 18. Minimum funkcije
zavisnosti električne otpornosti od temperature razredenih magnetnih smeša
na niskim temperaturama uočen je u smešama Cu, Ag, Au, Mg, Zn sa Cr,
Mn i Fe kao primesama, medu raznim drugim.
Pojava minimuma otpornosti povezana je sa postojanjem lokalizovanih
382
Slika 269: Gustina stanja u niklu.
magnetnih momenata atoma primesa. Kada se pronade minimum otpornosti,

tu je neminovno lokalni moment. Kondo je pokazao da je neočekivano ve-
lika verovatnoća rasejanja magnetnih jona na niskim temperaturama posled-
ica dinamičke prirode rasejanja izmenskim sprezanjem i oštrine Fermijeve
površine na niskim temperaturama. Temperaturna oblast u kojoj je Kondo
efekat važan data je na slici 274.
Centralni rezultat je da je spinski zavistan doprinos otpornosti dat sa

3zJ
ρspin = cρM 1 + ln T ≈ cρ0 − cρ1 ln T, (513)
F
gde je J izmenska energija; z je broj najbližih suseda; c je koncentracija, a
383
Slika 270: Saturaciona magnetizacija smeša nikla u Borovim magnetonima
po atomu u funkciji atomskog procenta rastvorljivog elementa.
384
Slika 271: Srednji atomski momenti binarnih smeša elemenata iz grupe
gvožda.
ρM je mera jačine izmenskog rasejanja. Vidimo da spinska otpornost raste

prema niskim temperaturama ako je J negativno. Ako se fononski doprinos
električnoj otpornosti ponaša kao T 5 u opsegu od interesa i ako su otpornosti
aditivne, tada ukupna otpornost ima oblik
ρ = αT 5 + cρ0 − cρ1 ln T, (514)

sa minimumom u
dρ/dT = 5aT 4 − cρ1 /T = 0, (515)

odakle sledi
Tmin = (cρ1 /5a)1/5 . (516)

Temperatura na kojoj je otpornost minimalna varira kao koncentracija mag-
netskih nečistoća stepenovana jednom petinom, što se slaže sa eksperimen-
tom, barem za Fe u Cu.
385
Slika 272: Vrednosti električnih otpornosti nekih metala.
Slika 273: Magnetizacija slobodnoelektronskog Fermijevog gasa na T = 0 u

okolini tačke magnetskog momenta u koordinatnom početku r = 0, u skladu
sa RKKY teorijom. Horizontalna osa je 2kF r, gde je kF talasni vektor na
Fermijevoj površini.
386
Slika 274: Poredenje eksperimentalnih i teorijskih rezultata za porast elek-
trične otpornosti na niskim temperaturama u razredenim smešama gvožda
u zlatu. Minimum otpornosti leži na desnoj strani slike, jer otpornost raste
na visokim temperaturama zbog rasejanja elektrona na termalnim fononima.
Eksperimente su sproveli MekDonald, Pirson i Templton; teoriju je razvio
Kondo.
387
13 GLAVA 23: PRILOZI
13.1 Prilog A: Temperaturska zavisnost refleksionih
linija
Kako temperatura kristala raste, intenzitet Brag-reflektovanih snopova
opada, ali ugaona širina reflektovane linije se ne menja. Eksperimentalni in-
tenziteti za aluminijum prikazani su na slici 275. Iznenadujuće je da možemo
dobiti oštru refleksiju X-zraka sa atoma koji podležu slučajnom termalnom
kretanju velike amplitude, sa trenutnim rastojanjima izmedu najbližih suseda
koja se razlikuju za 10 procenata na sobnoj temperaturi. Pre nego što je
Laueov eksperiment načinjen, ali nakon što je njegov predlog iznet u min-
henskoj kafeteriji, formiran je predlog da su trenutne pozicije atoma u kristalu
na sobnoj temperaturi daleko od regularnog periodičnog niza, zbog velikih
termalnih fluktuacija. Stoga bi se moglo zaklučiti da ne bi trebalo da se
dobije dobro definisan difraktovan snop.
Ali ovakav snop postoji. Razlog za ovo dao je Debye. Posmatrajmo am-
plitudu zračenja rasejanog sa kristala: neka pozicija atoma koji je nominalno
na mestu rj sadrži član u(t) koji se menja u vremenu: r(t) = rj + u(t).
Pretpostavljamo da svaki atom nezavisno fluktuira oko svog ravnotežnog
položaja. Tada termalna srednja vrednost faktora strukture (Glava 2) sadrži
članove
fj e−iG×rj he−iG·u i, (517)

gde h...i označava termalnu srednju vrednost. Razvoj u red eksponencijalne
funkcije je
1
he−iG·u i = 1 − ihG · ui − h(G · u)2 i + .... (518)
2
Ali hG · ui = 0, pošto je u slučajan termalni pomeraj nekorelisan sa pravcem
G. Dalje,
1
h(G · u)2 i = G2 hu2 ihcos2 θi = hu2 iG2 .
3
1
Faktor 3 potiče od geometrijskog usrednjavanja cos2 θ po sferi.
Funkcija
1 2 iG2 1
e− 6 hu = 1 − hu2 iG2 + ... (519)
6
388
Slika 275: Zavisnost intenziteta od temperature za (h00) refleksije X-zraka od
aluminijuma. Refleksije (h00) sa neparnim h su zabranjene za fcc strukturu.
ima isti razvoj u red kao i (518) za prva dva člana koja su prikazana. Za har-
mojski oscilator može se pokazati da su svi članovi u razvojima (518) i (519)
identični. Tada je intenzitet rasejanja, što predstavlja kvadrat amplitude,
dat sa
1 2 iG2
I = I0 e− 3 hu , (520)
gde je I0 rasejani intenzitet sa čvrste rešetke. Eksponencijalni faktor je
Debye-Waller-ov faktor.
Ovde je hu2 i srednjekvadratni pomeraj atoma. Termalno usrednjena po-
tencijalna energija hU i klasičnog harmonijskog oscilatora u tri dimenzije je
3
k T , odakle je
2 B
389
1 1 3
hU i = Chu2 i = M ω 2 hu2 i = kB T, (521)
2 2 2
gde je C konstanta sile, M je masa atoma, a ω je frekvencija oscilatora.
Koristili smo rezultat ω 2 = C/M . Stoga je intenzitet rasejane svetlosti
2 /M ω 2
I(hkl) = I0 e−kB T G , (522)
gde su hkl indeksi vektora recipročne rešetke G. Ovaj klasičan rezultat je
dobra aproksimacija na visokim temperaturama.
Za kvantne oscilatore hu2 i se ne anulira ni na T = 0; postoji kretanje
i pri ovoj temperaturi. U modelu nezavisnog harmonijskog oscilatora nulta
energija je 32 h̄ω; ovo je energija trodimenzionalnog kvantnog harmonijskog
oscilatora u osnovnom stanju koja se odnosi na klasičnu energiju istog oscila-
tora u mirovanju. Polovina energije oscilatora je potencijalna energija, tako
da je u osnovnom stanju
1 3
hU i = M ω 2 hu2 i = h̄ω; hu2 i = 3h̄/2M ω, (523)
2 4
odakle je, na osnovu (520),
2 /2M ω
I(hkl) = I0 e−h̄G (524)
na apsolutnoj nuli. Ako je G = 109 cm−1 , ω = 1014 s−1 , i M = 10−22 g,
argument eksponencijalne funkcije je oko 0.1, tako da je I/I0 ≈ 0.9. Na
apsolutnoj nuli, 90 procenata snopa je elastično rasejano a 10 procenata
neelastično.
Iz jednačine (522) i sa slike 275 vidimo da intenzitet difraktovane linije
opada, ali ne katastrofalno, sa porastom temperature. Refleksije malog G
su više izložene uticaju temperature od refleksije velikog G. Intenzitet koji
smo sračunali je onaj od koherentne difrakcije (ili elastičnog rasejanja) u do-
bro definisanim Bragovim pravcima. Gubitak intenziteta od ovih pravaca je
neelastično rasejanje i pojavljuje se kao difuzna pozadina. Kod neelastičnog
rasejanja foton X-zraka uzrokuje ekscitaciju ili deekscitaciju vibracija rešetke,
i foton menja pravac i energiju.
Na datoj temperaturi Debye-Wallerov faktor difrakcione linije opada sa
porastom amplitude vektora recipročne rešetke G povezane sa refleksijom.
Što je veće |G|, slabija je refleksija na visokim temperaturama. Teorija koju
smo ovde izneli za refleksiju X-zraka podjednako dobro se primenjuje i za
390
neutronsku difrakciju i za Mosbauerov efekat, bestrzajnu emisiju gama
zraka vezivanjem jezgara u kristalima.
X-zraci se mogu apsorbovati u kristalu i neelastičnim procesima foto-
jonizacije elektrona i Komptonovim rasejanjem. U fotoefektu foton X-zraka
je apsorbovan a elektron izbačen sa atoma. U Komptonovom efektu foton je
neelastično rasejan na elektronu: foton gubi energiju i elektron se izbacuje
sa atoma. Dubina prodiranja snopa X-zraka zavisi od čvrstog tela i en-
ergije fotona, ali tipično iznosi 1 cm. Difraktovan snop u Bragovoj refleksiji
može preneti energiju na mnogo kraće rastojanje, možda 10−3 cm u idealnom
kristalu.
13.2 Prilog B: Evaldov proračun suma u rešetki

Problem je da se odredi elektrostatički potencijal kome je izložen jedan
jon u prisustvu svih drugih jona u kristalu. Posmatramo rešetku sačinjenu
od jona sa poiztivnim i negativnim naelektrisanjima i pretpostavićemo da su
joni sfernog oblika.
Računamo ukupan potencijal ϕ = ϕ1 +ϕ2 na jonu kao sumu dva različita,
ali povezana potencijala. Potencijal ϕ1 potiče od strukture sa Gausovom
raspodelom naelektrisanja smeštene na svakom jonskom sajtu, sa znacima
istim kao na realnim jonima. U skladu sa definicijom Madelungove konstante,
raspodela naelektrisanja u referentnoj tački ne doprinosi potencijalima ϕ1 ili
ϕ2 (slika 276a). Stoga odredujemo potencijal ϕ1 kao razliku
ϕ1 = ϕa − ϕj , (525)
dva potencijala, gde je ϕa potencijal kontinualnog niza Gausovih raspodela
a ϕj je potencijal jedne Gausove raspodele u referentnoj tački.
Potencijal ϕ2 potiče od tačkastih naelektrisanja sa dodatnom Gausovom
raspodelom suprotnog znaka superponiranom na tačkasta naelektrisanja (slika 276b).
Razlog razdvajanja problema na dva dela ϕ1 i ϕ2 je taj što se pogodnim
izborom parametra koji odreduje širinu svakog Gausovog pika može dobiti
vrlo dobra konvergencija oba dela istovremeno. Gausovske raspodele pot-
puno se napuštaju uzimanjem sume odvojenih raspodela naelektrisanja koje
daju doprinos ϕ1 i ϕ2 , tako da je vrednost ukupnog potencijala ϕ nezav-
isna od parametra širine, ali brzina konvergencije zavisi od vrednosti ovog
parametra.
391
Slika 276: (a) Raspodela naelektrisanja korišćena za proračun potencijala ϕ1 ;
potencijal ϕa je računat (on uključuje isprekidanu liniju u referentnoj tački),
dok je ϕb potencijal samo isprekidane krive. (b) Raspodela naelektrisanja za
potencijal ϕ2 . Referentna tačka označena je sa X.
Najpre računamo potencijal ϕa kontinualne Gausove raspodele. Razvi-

jamo ϕa i gustinu naelektrisanja ρ u Furijeov red:
X
ϕa = cG eiG·r ; (526)
G
X
ρ= eiG·r , (527)
G
gde je G 2π puta vektor u recipročnom prostoru. Poasonova jednačina je
∇2 ϕa = −4πρ,
ili
392
X X
G2 cG eiG·r = 4π ρG eiG·r ,
tako da je
cG = 4πρG /G2 . (528)

Pri pronalaženju ρG pretpostavljamo da je svakoj tački Braveove rešetke
pridružena baza koja sadrži jone naelektrisanja qt na pozicijama rt u odnosu
na tačku rešetke. Svaka tačka jona je stoga centar Gausove raspodele naelek-
trisanja, gustine
2
ρ(r) = qt (η/π)3/2 e−ηr ,
gde faktor ispred eksponencijalne funkcije obezbeduje da je ukupno naelek-
trisanje ovog jona qt ; parametar reda η treba da bude odabran pametno, tako
da se obezbedi brza konvergencija finalnog rezultata, koji ne zavisi od η.
Normalno bismo računali ρG množeći obe strane (527) sa e−iG·r i inte-
graleći po zapremini jedne ćelije ∆, tako da razmatrana raspodela naelek-
trisanja potiče od jonskih tačaka unutar ćelije i od repova raspodela koje
potiču od svih drugih ćelija. Lako je videti, ipak, da je integral ukupne gus-
tine naelektrisanja pomnožene sa e−(iG·r) po jednoj ćeliji jednak integralu
gustine naelektrisanja koje potiče od jedne ćelije puta e−(iG·r) po celom pros-
toru.
Stoga imamo
Z
ρG eiG·r e−iG·r dr = ρG ∆
Z one cell
2
X
= qt (η/π)3/2 e−η(r−rt ) e−iG·r dr.
all space t
Ovaj izraz se može jednostavno sračunati:
Z
2
X
−iG·rt
ρG ∆ = qt e (η/π) 3/2
e−(iG·ξ+ηξ ) dξ
t all space
!
2 /4η 2 /4η
X
= qt e−iG·rt e−G = S(G)e−G ,
t
393
gde je S(G) = t qt e−iG·rt faktor strukture (Glava 2) u odgovarajućim je-
P
dinicama. Koristeći (526) i (528),
4π X 2
ϕa = S(G)G−2 eiG·r−G /4η . (529)
∆ G
U koordinatnom početku r = 0 imamo
4π X 2
ϕa = S(G)G−2 e−G /4η .
∆ G
Potencijal ϕj na mestu referentnog jona j usled centralne Gausove raspodele
je
Z ∞
ϕb = (4πr2 dr)(ρ/r) = 2qi (η/π)1/2 ,
0
pa je
4π X 2
ϕ1 (i) = S(G)G−2 e−G /4η − 2qi (η/π)1/2 .
∆ G
Potencijal ϕ2 treba da se odredi u referentnoj tački, i razlikuje se od
nule pošto drugi joni imaju doprinose od svojih Gausovih raspodela koje se
prostiru do referentne tačke. Potencijal ptiče od tri doprinosa sa svake jonske
tačke:
Z ∞
1 rl
Z
1 ρ(r)
ql − ρ(r)dr − dr ,
rl rl 0 rl r
gde članovi potiču od tačkastog naelektrisanja, od dela Gausove raspodele
koja leži unutar sfere poluprečnika rl oko l-tog jona, i od dela koji leži izvan
sfere, respektivno. Zamenom izraza za ρ(r) i sprovodenjem elementarnih
matematičkih manipulacija, dobija se
X ql
ϕ2 = F (η 1/2 rl ), (530)
l
rl
gde je
Z ∞
2
F (x) = (2/π 1/2
) e−s ds.
x
Konačno,
394
4π X 2
X ql
ϕ(i) = S(G)G−2 e−G /4η − 2ql (η/π)1/2 + F (η 1/2 rl ) (531)
∆ G l
r l
je željeni ukupan potencijal referentnog jona i u polju svih drugih jona u

kristalu. U primeni Evaldovog metoda trik je odabrati η tako da obe sume
u poslednjem izrazu brzo konvergiraju.
13.2.1 Evald-Kornfeldov metod za sume rešetke kod dipolnih ni-

zova
Kornfeld je proširio Evaldov metod na dipolarne i kvadripolarne nizove.
Ovde razmatramo polje dipolnog niza u tački koja nije tačka rešetke. U
skladu sa (529) i (530) potencijal u tački r u rešetki pozitivnih jediničnih
tačkastih naelektrisanja je
X 2
X √
ϕ = (4π/∆) S(G)G−2 eiG·r−G /4η + F ( ηrl )/rl , (532)
G l
gde je rl rastojanje od r do tačke rešetke l.

Prvi član sa desne strane daje potencijal raspodele naelektrisanja ρ =
2
(η/π)3/2 e−ηr oko svake tačke rešetke. Pomoću dobro poznate relacije iz
elektrostatike dobijamo potencijal niza jediničnih dipola usmerenih u pozi-
tivnom smeru z ose uzimanjem −d/dz od gornjeg potencijala. Član koji se
razmatra doprinosi
2
X
(−4πi/∆) S(G)(Gz /G2 )eiG·r−G /4η ,
G
a z komponenta električnog polja iz ovoga je Ez = ∂ 2 ϕ/∂z 2 , ili

2
X
(−4π/∆) S(G)(G2z /G2 )eiG·r−G /4η . (533)
G
Drugi član na desnoj strani jednačine (532) posle jednog diferenciranja

daje
X √ 2
− zl [(F ( ηrl )/rl3 ) + (2/rl3 )(η/π)1/2 e−ηrl ],
l
a z komponenta ovog dela polja je
395
Xn √ 2
zl2 [(3F ( ηrl )/rl5 ) + (6/rl4 )(η/π)1/2 e−ηrl
l
2 √ (534)
+(4/rl2 )(η 3 /π)1/2 e−ηrl ] − [(F ( ηrl )/rl3 )
o
2 1/2 −ηrl2
+(2/rl )(η/π) e ] .
Ukupno Ez dato je kao zbir (533) i (534). Efekti bilo kog broja rešetki mogu
se sumirati.
13.3 Prilog C: Kvantizacija elastičnih talasa: fononi

Fononi su uvedeni u Glavi 4 kao kvantizovani elastični talasi. Kako da
kvantizujemo elastični talas? Kao jednostavan model fonona u kristalu, pos-
matrajmo vibracije linearne rešetke čestica povezanih oprugama. Možemo
kvantizovati kretanje čestica kao u slučaju harmonijskog oscilatora ili skupa
spregnutih harmonijskih oscilatora. Da bismo to učinili, prelazimo sa čestičnih
na fononske koordinate, poznate i kao talasne koordinate jer predstavljaju
progresivni talas.
Neka je N čestica mase M povezano oprugama konstante sile C i dužine
a. Da bismo fiksirali granične uslove, neka čestice formiraju kružni prsten.
Posmatramo transverzalne pomeraje čestica izvan ravni prstena. Pomeraj
čestice s je q, a njen impuls je ps . Hamiltonijan sistema je
n
X 1 2 1 2
H= p + C(qs+1 − qs ) . (535)
s=1
2M s 2
Hamiltonijan harmonijskog oscilatora je
1 2 1 2
H= p + Cx , (536)
2M 2
a sopstvene vrednosti energije su, sa n = 0, 1, 2, 3, ...,

1
n = n + h̄ω. (537)
2
Sopstveni problem je takode egzaktno rešiv za lanac sa drugačijim Hamil-
tonijanom (535).
Da bismo rešili (535), sprovodimo Furijeovu transformaciju sa koordinata
ps , qs na koordinate Pk , Qk , koje su poznate kao fononske koordinate.
396
13.3.1 Fononske koordinate
Transformacija iz čestičnih koordinata qs u fononske koordinate Qk koristi
se kod svih problema periodične rešetke. Uzimamo
X
qs = N −1/2 Qk eiksa , (538)
k
zajedno sa obrnutom transformacijom

X
Qk = N −1/2 qs e−iksa . (539)
s
Ovde je N vrednosti talasnog vektora k dozvoljenih periodičnim graničnim

uslovom qs = qs+N dato sa

1 1
k = 2πn/N a; n = 0, ±1, ±2, ..., ± N − 1 , N. (540)
2 2
Potrebna nam je transformacija sa impulsa čestice ps na impuls Pk koji
je kanonički konjugovan koordinati Qk . Transformacija je
X X
ps = N −1/2 Pk e−iksa ; PK = N −1/2 ps eiksa . (541)
k s
Ovo nije baš ono što bismo dobili prostom zamenom p za q i P za Q u (538)
i (539), jer se k zamenilo sa −k, poredeći jednačine (538) i (541).
Proveravamo da naš izbor Pk i Qk zadovoljava kvantnu komutacionu
relaciju za kanoničke promenljive. Formiramo komutator
" #
X X
[Qk , Pk0 ] = N −1 qr e−ikra , ps eik 0 sa
r s
−i(kr−k0 s)a
XX
−1
=N [qr , ps ]e . (542)
r s
Pošto su operatori q, p konjugovani, oni zadovoljavaju komutacionu relaciju
[qr , ps ] = ih̄δ(r, s), (543)

gde je δ(r, s) Kronekerov delta simbol.
Stoga (542) postaje
397
0
X
[Qk , Pk0 ] = N −1 ih̄ e−i(k−k )ra = ih̄δ(k, k 0 ), (544)
r
tako da su Qk , Pk takode konjugovane promenljive. Ovde smo sumu sračunali

na sledeći način:
0 0
X X
e−i(k−k )ra = e−i2π(n−n )r/N
r r
= N δ(n, n ) = N δ(k, k 0 ),
0
(545)
gde smo koristili jednačinu (540) i standardan rezultat za konačne redove.

Sprovodimo transformacije (541) i (538) na Hamiltonijanu (535), i koris-
timo sumu (545):
0
X XXX
p2s = N −1 Pk Pk0 e−i(k+k )sa
s s k k0
XX X
= Pk Pk0 δ(−k, k 0 ) = Pk P−k ; (546)
k k0 k
X XXX
(qs+1 − qs )2 = N −1 Qk Qk0 eiksa [eika − 1]
s s k k0
0 0
X
×eik sa [eik a − 1] = 2 Qk Q−k (1 − cos ka). (547)
k
Stoga Hamiltonijan (535) postaje, u fononskim koordinatama,

X 1
H= Pk P−k + CQk Q−k (1 − cos ka) . (548)
k
2M
Ako uvedemo simbol ωk definisan sa
ωk = (2C/M )1/2 (1 − cos ka)1/2 , (549)

imamo fononski Hamiltonijan u obliku
X 1 1

2
H= Pk P−k + M ωk Qk Q−k . (550)
k
2M 2
398
Jednačina kretanja fononskog operatora koordinate Qk dobija se stan-
dardnim receptom kvantne mehanike:
ih̄Q̇k = [Qk , H] = ih̄P−k /M, (551)

gde je H dato jednačinom (548). Dalje, koristeći komutator (551),
ih̄Q̈k = [Q̇k , H] = M −1 [P−k , H] = ih̄ωk2 Qk , (552)

tako da je
Q̈k + ωk2 Qk = 0. (553)

Ovo je jednačina kretanja harmonijskog oscilatora sa frekvencijom ωk .
Sopstvene vrednosti energije kvantnog harmonijskog oscilatora su

1
k = nk + h̄ωk , (554)
2
gde je kvantni broj nk = 0, 1, 2, .... Energija celog sistema svih fonona je
X 1

U= nk + h̄ωk . (555)
k
2
Ovaj rezultat pokazuje kvantizaciju energije elastičnih talasa na liniji.
13.3.2 Operatori kreacije i anihilacije

Korisno je u naprednijem radu transformisati fononski Hamiltonijan (550)
u oblik skupa harmonijskih oscilatora:

X † 1
H= h̄ωk ak ak + . (556)
k
2
Ovde su a†k , ak operatori harmonijskog oscilatora, poznati i kao operatori

kreacije i destrukcije ili bozonski operatori. Transformacija se izvodi u nas-
tavku.
Bozonski operator kreacije a† koji ”kreira fonon” definisan je osobinom
a† |ni = (n + 1)1/2 |n + 1i, (557)
399
kada deluje na stanje harmonijskog oscilatora opisano kvantnim brojem n, a
bozonski operator anihilacije a koji ”uništava fonon” definisan je osobinom
a|ni = n1/2 |n − 1i. (558)

Sledi da je
a† a|ni = a† n1/2 |n − 1i = n|ni, (559)

tako da je |ni sopstveno stanje operatora a† a sa celobrojnom sopstvenom
vrednošću n, poznatom kao kvantni broj ili naseljenost oscilatora. Kada je
fononski mod k u sopstvenom stanju označenom sa nk , možemo P reći1 da u
tom modu ima nk fonona. Sopstvene vrednosti (556) su U = (nk + 2 )h̄ωk ,
što se slaže sa (555).
Pošto je
aa† |ni = a(n + 1)1/2 |n + 1i = (n + 1)|ni, (560)

komutator bozonskih talasnih operatora a†k i ak zadovoljava relaciju
[a, a† ] = aa† − a† a = 1. (561)

I dalje treba da dokažemo da se Hamiltonijani (550) mogu izraziti kao
(553) preko fononskih operatora a†k , ak . Ovo se može učiniti transformacijom
a†k = (2h̄)−1/2 [(M ωk )1/2 Q−k − i(M ωk )−1/2 Pk ]; (562)

−1/2 1/2 −1/2
ak = (2h̄) [(M ωk ) Qk + i(M ωk ) P−k ]. (563)
Inverzne relacije su
Qk = (h̄/2M ωk )1/2 (ak + a†−k ); (564)

Pk = i(h̄M ωk /2)1/2 (a†k − a−k ). (565)
Na osnovu (538), (539) i (563) operator pozicije čestice postaje

X
qs = (h̄/2N M ωk )1/2 [ak eiks + a†k e−iks ]. (566)
k
Ova jednačina povezuje operator pomeraja čestice sa operatorima kreacije i

anihilacije fonona.
400
Da bismo dobili (563) iz (562), koristimo osobine
Q†−k = Qk ; Pk† = P−k (567)

koje slede iz (539) i (541) korišćenjem kvantnomehaničkog zahteva da qs i ps
budu hermitski operatori:
qs = qs† ; ps = p†s . (568)

Tada (562) sledi iz transformacija (538), (539) i (541). Proveravamo da je
komutaciona relacija (567) zadovoljena operatorima definisanim sa (562) i
(563):
[ak , a†k ] = (2h̄)−1 (M ωk [Qk , Q−k ] − i[Qk , Pk ] + i[P−k , Q−k ]

(569)
+[P−k , Pk ]/M ωk ) .
Korišćenjem [Qk , Pk0 ] = ih̄δ(k, k 0 ) iz (544) imamo
[ak , a†k0 ] = δ(k, k 0 ). (570)

Preostaje da se pokaže da su verzije fononskog Hamiltonijana (550) i (556)
identične. Primetimo da je ωk = ω−k iz (549), i formirajmo
1 1
h̄ωk (a†k ak + a†−k a−k ) = (Pk P−k + P−k Pk ) + M ωk2 (Qk Q−k + Q−k Qk ).
2M 2
Ovo pokazuje ekvivalenciju dva izraza (548) i (556) za H. Identifikujemo
ωk = (2C/M )1/2 (1 − cos ka)1/2 u (549) sa klasičnom frekvencijom moda os-
cilatora talasnog vektora k.
13.4 Prilog D: Fermi-Dirakova funkcija raspodele

Fermi-Dirakova funkcija raspodele može se izvesti u nekoliko koraka korišćenjem
modernog prilaza statističkoj mehanici. Ovde dajemo osnovne crte dokaza.
Notacija je takva da je konvencionalna entropija S povezana sa fundamen-
talnom entropijom σ preko S = kB σ, a Kelvinova temperatura T povezana
je sa fundamentalnom temperaturom τ sa τ = kB T , gde je kB Bolcmanova
konstanta koja ima vrednost 1.38066 ×10−23 J K.
401
Vodeće veličine su entropija, temperatura, Bolcmanov faktor, hemijski
potencijal, Gibsov faktor i funkcije raspodele. Entropija meri broj kvantnih
stanja dostupnih sistemu. Zatvoren sistem može biti u bilo kom od ovih
kvantnih stanja i (po pretpostavci) sa jednakom verovatnoćom. Fundamen-
talna pretpostavka je da su kvantna stanja ili dostupna ili nedostupna sis-
temu, i sistem će sa podjednakom verovatnoćom biti u bilo kom dostupnom
stanju kao i u nekom drugom dozvoljenom. Ako imamo g dozvoljenih stanja,
entropija je definisana sa σ = log g. Entropija definisana na ovaj način biće
funkcija energije U , broja čestica N i zapremine sistema V .
Kada se dva sistema, svaki sa odredenom energijom, dovedu u termalni
kontakt, oni mogu razmenjivati energiju; ukupna energija ostaje konstantna,
ali ograničenja na pojedinačne energije se uklanjaju. Prenos energije u jed-
nom smeru, ili možda u drugom, može povećati proizvod g1 g2 koji meri broj
dostupnih stanja kombinovanih sistema. Ono što zovemo fundamentalnom
pretpostavkom usmerava ishod prema takvoj alokaciji ukupne energije koja
maksimizira broj dostupnih stanja: više je bolje i verovatnije. Ovo tvrdenje
je jezgro zakona porasta entropije, koji predstavlja generalno tvrdenje drugog
zakona termodinamike.
Doveli smo dva sistema u termalni kontakt tako da mogu razmenjivati
energiju. Koji je najverovatniji ishod? Jedan sistem će dobiti energiju na
račun drugog, i na taj način će ukupna entropija dva sistema da se poveća.
Eventualno će entropija dostići maksimum za datu ukupnu energiju. Nije
teško pokazati da je maksimum dostignut kada je vrednost (∂σ/∂U )N,V za
jedan sistem jednaka vrednosti iste veličine za drugi sistem. Ova osobina
jednakosti za dva sistema u termalnom kontaktu je osobina koju očekujemo
od temperature. U skladu sa time, fundamentalna temperatura τ definisana
je relacijom

1 ∂σ
= . (571)
τ ∂U N,V
Korišćenje 1/τ obezbeduje da energija teče od velikog ka malom τ ; nije
potrebna komplikovanija relacija.
Posmatrajmo sada veoma jednostavan primer Bolcmanovog faktora. Neka
je mali sistem sa samo dva stanja, jednog na energiji 0 i drugog na energiji ,
doveden u termalni kontakt sa velikim sistemom koji ćemo zvati rezervoar.
Ukupna energija kombinovanog sistema je U0 ; kada je mali sistem u stanju sa
energijom 0, rezervoar ima energiju U0 i imaće g(U0 ) dostupnih stanja. Kada
402
je mali sistem u stanju sa energijom , rezervoar će imati energiju U0 − i
imaće g(U0 − ) dostupnih stanja. Zbog fundamentalne pretpostavke, odnos
verovatnoće nalaženja malog sistema sa energijom i verovatnoće njegovog
nalaženja sa energijom 0 je
P () g(U0 − ) eσ(U0 −)

= = σ(U0 ) . (572)
P (0) g(U0 ) e
Entropija rezervoara σ može se razviti u Tejlorov red:
σ(U0 − ) ≈ σ(U0 ) − (∂σ/∂U0 ) = σ(U0 ) − /τ, (573)

po definiciji temperature (571). Članovi višeg reda u razvoju mogu se izostaviti.
Poništavanje člana eσ(U0 ) , koje nastaje u brojiocu i imeniocu izraza (572)
posle zamene (573) ostavlja
P ()/P (0) = e−/τ . (574)

Ovo je Bolcmanov rezultat. Da bismo pokazali njegovu primenu, računamo
srednju termalnu energiju hi sistema od dva stanja u termalnom kontaktu
sa rezervoarom na temperaturi τ :
X e−/τ
hi = i P (i ) = 0 · P (0) + P () = , (575)
i
1 + e−/τ
gde smo uveli uslov normalizacije na zbir verovatnoća:
P (0) + P () = 1. (576)

Dokaz se odmah može generalizovati pronalaženjem srednje energije harmoni-
jskog oscilatora na temperaturi τ , kao u Plankovom zakonu.
Najvažnije proširenje teorije je na sisteme koji mogu razmenjivati čestice
kao i energiju sa rezervoarom. Za dva sistema u difuzivnom i termalnom
kontaktu, entropija će biti maksimum u odnosu na transfer čestica kao i
u odnosu na transfer energije. Ne mora samo (∂σ/∂U )N,V biti jednako za
dva sistema, već i (∂σ/∂N )U,V mora takode biti jednako, gde se N odnosi na
broj čestica datog tipa. Nov uslov jednakosti je prilika za uvodenje hemijskog
potencijala µ:

µ ∂σ
− = . (577)
τ ∂N U,V
403
Za dva sistema u termalnom i difuzivnom kontaktu, τ1 = τ2 i µ1 = µ2 . Znak
u jednačini (577) odabran je tako da obezbedi tok čestica sa višeg ka nižem
hemijskom potencijalu prilikom približavanja ravnoteži.
Gibsov faktor je proširenje Bolcmanovog faktora (574) i omogućava nam
da tretiramo sisteme koji mogu razmenjivati čestice. Najprostiji primer je
sistem sa dva stanja, jedno sa 0 čestica i nultom energijom, i drugo sa jednom
česticom i energijom . Sistem je u kontaktu sa rezervoarom na temperaturi
τ i hemijskom potencijalu µ. Proširujemo (573) jer je entropija rezervoara:
σ(U0 − ; N0 − 1) = σ(U0 ; N0 ) − (∂σ/∂U0 ) − 1 · (∂σ/∂N0 )

= σ(U0 ; N0 ) − /τ + µ/τ. (578)
Po analogiji sa (574), imamo Gibsov faktor
P (1, )/P (0, 0) = e(µ−)/τ , (579)

za odnos verovatnoće da je sistem zauzet jednom česticom sa energijom
i verovatnoće da je sistem nezauzet, sa energijom 0. Rezultat (579), posle
normalizacije se odmah može napisati kao
1
P (1, ) = . (580)
e(−µ)/τ +1
Ovo je Fermi-Dirakova funkcija raspodele.
13.5 Prilog E: Izvodenje jednačine dk/dt

Jednostavno i rigorozno izvodenje koje sledi dao je Kremer. U kvantnoj
mehanici, za bilo koji operator A važi
dhAi/dt = (i/h̄)h[H, A]i, (581)

gde je H Hamiltonijan.
Uzećemo da je A operator translacije rešetke T definisan sa
T f (x) = f (x + a), (582)

gde je a bazni vektor, ovde jednodimenzionalan. Za Blohovu funkciju važi
T ψk (x) = eika ψk (x). (583)
404
Ovaj rezultat se uobičajeno piše za jednu zonu, ali važi čak iako je ψk linearna
kombinacija Blohovih stanja iz bilo kog broja zona, ali koja imaju identičan
talasni vektor k u šemi redukovane zone.
Hamiltonijan kristala H0 komutuje sa operatorom translacije rešetke T ,
tako da je [H0 , T ] = 0. Ako dodamo stalnu spoljašnju silu F , tada je
H = H0 − F x, (584)
i
[H, T ] = F aT. (585)

Iz (581) i (585),
dhT i/dt = (i/h̄)(F a)hT i. (586)

Iz (586) formiramo
hT i∗ dhT i/dt = (iF a/h̄)|hT i|2 ;

hT idhT ∗ i/dt = −(iF a/h̄)|hT i|2 .
Sabiranjem dobijamo
d|hT i|2 /dt = 0. (587)

Ovo je jednačina kruga u kompleksnoj ravni. Koordinatne ose u ravni su
realni i imaginarni delovi sopstvene vrednosti eika . Ako se hT i u početnom
trenutku nalazi na jediničnom krugu, ono će tu i ostati.
Za ψ koje zadovoljavaju periodične granične uslove, hT i može ležati na
jediničnom krugu samo ako je ψk jedna Blohova funkcija ili superpozicija
Blohovih funkcija iz različitih zona, ali sa istim redukovanim k.
Kako se hT i pomera oko jediničnog kruga, talasni vektor k menja se tačno
istom brzinom kao i komponente ψk u svim zonama. Sa hT i = eika , iz (586)
imamo da je
iadk/dt = iF a/h̄, (588)

ili
dk/dt = F/h̄, (589)
405
kao egzaktan rezultat.
Ovo ne znači da meduzonsko mešanje (kao što je Zenerovo tunelovanje)
ne nastaje pod uticajem primenjenih električnih polja. To samo znači da k
evoluira sa konstantnom učestanošću za svaku komponentu talasnog paketa.
Rezultat se lako proširuje na tri dimenzije.
13.6 Prilog F: Bolcmanova transportna jednačina

Klasična teorija transportnih procesa zasnovana je na Bolcmanovoj trans-
portnoj jednačini. Radimo u šestodimenzionalnom prostoru Dekartovih koor-
dinata r i brzine v. Klasična funkcija raspodele f (r, v) definisana je relacijom
f (r, v)drdv = broj čestica u drdv. (590)

Bolcmanova jednačina izvedena je na sledeći način. Posmatramo efekat
vremenskog pomeraja dt na funkciju raspodele. Liuvilova teorema klasične
mehanike govori nam da, ako pratimo element zapremine duž strujnice,
raspodela se održava:
f (t + dt, r + dr, v + dv) = f (t, r, v), (591)

u odsustvu sudara. Sa sudarima,
f (t + dt, r + dr, v + dv) − f (t, r, v) = dt(∂f /∂t)coll . (592)

Stoga je
dt(∂f /∂t) + dr · gradr f + dv · gradv f = dt(∂f /∂t)coll . (593)

Neka α označava ubrzanje dv/dt; tada je
∂f /∂t + v · gradr f + α · gradv f = (∂f /∂t)coll (594)

Ovo je Bolcmanova transportna jednačina.
U mnogim problemima član vezan za sudare (∂f /∂t)coll može se tretirati
uvodenjem vremena relaksacije τc (r, v), definisanog jednačinom
(∂f /∂t)coll = −(f − f0 )/τ0 . (595)

Ovde je f0 funkcija raspodele u toplotnoj ravnoteži. Ne treba mešati τc ,
koje predstavlja vreme smirenja, sa temperaturom τ . Pretpostavimo da je
406
neravnotežna raspodela brzina uspostavljena spoljašnjim silama koje se na-
glo uklone. Opadanje raspodele ka ravnotežnoj tada se dobija iz poslednje
jednačine kao
∂(f − f0 ) f − f0
=− , (596)
∂t τc
ako uočimo da je ∂f0 /∂t = 0 po definiciji ravnomerne raspodele. Ova
jednačina ima rešenje
(f − f0 )t = (f − f0 )t=0 e−t/τc . (597)

Nije isključeno da τc bude funkcija od r i v.
Kombinujemo (590), (594) i (596) da dobijemo Bolcmanovu transportnu
jednačinu u aproksimaciji vremena relaksacije:
∂f f − f0
+ α · gradv f + v · gradr f = − . (598)
∂t τc
U stacionarnom stanju ∂f /∂t = 0 po definiciji.
13.6.1 Difuzija čestice

Posmatrajmo izotermalni sistem sa gradijentom koncentracije čestica.
Stacionarna Bolcmanova transportna jednačina u aproksimaciji vremena re-
laksacije postaje
vx df /dt = −(f − f0 )/τc , (599)

gde se neravnotežna funkcija raspodele f menja duž x pravca. Možemo pisati
jednačinu (599) do prvog reda kao
f1 = f0 − vx τc df0 /dx, (600)

gde smo zamenili ∂f /∂x sa df0 /dx. Možemo sprovesti iterativni postupak da
bismo dobili željena rešenja višeg reda. Rešenje drugog reda je
f2 = f0 − vx τc df1 /dx = f0 − vx τc df0 /dx + vx2 τc2 d2 f0 /dx2 . (601)
Iteracija se može koristiti u tretmanu nelinearnih efekata.
407
13.6.2 Klasična raspodela
Neka je f0 funkcija raspodele u klasičnom ograničenju:
f0 = e(µ−)/τ . (602)
Imamo slobodu da usvojimo bilo koju normalizaciju na funkciju raspodele,
jer je transportna jednačina linearna po f i f0 . Možemo uzeti normalizaciju
kao u (602) umesto kao u (590). Tada je
df0 /dx = (df0 /dµ)(dµ/dx) = (f0 /τ )(dµ/dx), (603)

i rešenje prvog reda (600) za neravnotežnu raspodelu postaje
f = f0 − (vx τc f0 /τ )(dµ/dx). (604)

Gustina fluksa čestice u x pravcu je
Z
x
Jn = vx f D()d, (605)
gde je D() gustina elektronskih stanja u jedinici zapremine i po jediničnom

opsegu energije:
3/2
1 2M
D() = 2 1/2 . (606)
2π h̄2
Stoga je
Z Z
Jnx = vx f0 D()d − (dµ/dx) (vx2 τc f0 /τ )D()d. (607)
Prvi integral se anulira jer je vx neparna funkcija a f0 je parna funkcija od vx .

Ovo potvrduje da je ukupan fluks čestica jednak nuli za ravnotežnu raspodelu
f0 . Drugi integral biće različit od nule.
Pre njegovog odredivanja, imamo priliku da iskoristimo ono što možemo
znati o zavisnosti brzine od vremena relaksacije τc . Samo radi primera pret-
postavljamo da je τc konstantno, nezavisno od brzine; τc može tada da se
izvuče ispred integrala:
Z
Jn = −(dµ/dx)(τc /τ ) vx2 f0 D()d.
x
(608)
Integral se može pisati kao
408
Z Z
1 2 2 1
v f0 D()d = ( M v 2 )f0 D()d = nτ /M, (609)
3 3M 2
jer je ovaj integral gustina kinetičke energije čestica 32 nτ . Ovde je f0 D()d =
R
n koncentracija. Gustina fluksa čestica je
Jnx = −(nτc /M )(dµ/dx) = −(τc τ /M )(dn/dx), (610)

jer je
µ = τ log n + constant. (611)

Rezultat (610) je oblika difuzione jednačine sa difuzivnošću
1
Dn = τc τ /M = hv 2 iτc . (612)
3
Druga moguća pretpostavka o vremenu smirenja je da je ono obrnuto pro-
porcionalno brzini, kao u τc = l/v, gde je srednji slobodni put l konstantan.
Umesto (608) imamo
Z
Jn = −(dµ/dx)(l/τ ) (vx2 /v)f0 D()d,
x
(613)
i sada se integral može pisati u obliku

Z
1 1
vf0 D()d = nc̄, (614)
3 3
gde je c̄ srednja brzina. Stoga je
1 1
Jnx = − (lc̄n/τ )(dµ/dx) = − lc̄(dn/dx), (615)
3 3
i difuzivnost je
1
Dn = lc̄. (616)
3
409
13.6.3 Fermi-Dirakova raspodela
Funkcija raspodele je
1
f0 = . (617)
+1 e(−µ)/τ
Da bismo formirali df0 /dx kao u (603) potreban nam je izvod df0 /dµ. Dalje
dokazujemo da je
df0 /dµ = δ( − µ), (618)

na niskim temperaturama τ δ. Ovde je δ Dirakova delta funkcija, koja
ima osobinu da za opštu funkciju F () važi
Z ∞
F ()δ( − µ)d = F (µ). (619)
−∞
R∞
Posmatrajmo sada integral 0 F ()(df0 /dµ)d. Na niskim temperaturama
df0 /dµ je vrlo veliko za ≈ µ a malo inače. Osim ako se funkcija F () ne
menja veoma brzo blizu µ, možemo izvući F () ispred integrala, sa vrednošću
F (µ):
Z ∞ Z ∞ Z ∞
F ()(df0 /dµ)d ≈ F (µ) (df0 /dµ)d = −F (µ) (df0 /d)d
0 0 0
= −F (µ)[f0 ()]∞
0 = F (µ)f0 (0), (620)
gde smo koristili df0 /dµ = −df0 /d. Takode smo koristili f0 = 0 za = ∞.
Na niskim temperaturama f0 ≈ 1; stoga je desna strana (620) samo F (µ),
što je u skladu sa aproksimacijom delta funkcije. Stoga je
df0 /dx = δ( − µ)dµ/dx. (621)

Gustina fluksa čestica je, iz (605),
Z
Jn = −(dµ/dx)τc vx2 δ( − µ)D()d,
x
(622)
gde je τc vreme relaksacije na površini = µ Fermijeve sfere. Integral ima

vrednost
1 2
v (3n/2F ) = n/m, (623)
3 F
410
koristeći D(µ) = 3n/2F na apsolutnoj nuli, gde F = 21 mvF2 definiše brzinu
vF na Fermijevoj površini. Stoga je
Jnx = −(nτc /m)dµ/dx. (624)

Na apsolutnoj nuli µ(0) = (h̄2 /2m)(3π 2 n)2/3 , odakle sledi
2 2
dµ/dx = [ (h̄2 /2m)(3π 2 )2/3 /n1/3 ]dn/dx = (F /n)dn/dx, (625)
3 3
tako da (622) postaje
1
Jnx = −(2τc /3m)F dn/dx = − vF2 τc dn/dx. (626)
3
Difuzivnost je koeficijent uz dn/dx:
1
Dn = vF2 τc , (627)
3
što je po formi slično rezultatu (612) za klasičnu raspodelu brzina. U posled-
njoj jednačini vreme smirenja treba uzeti na Fermijevoj energiji.
Vidimo da možemo rešavati transportne probleme kod kojih se primenjuje
Fermi-Dirakova raspodela, kao kod metala, podjednako jednostavno kao i
kada se primenjuje klasična aproksimacija.
13.6.4 Električna provodnost

Izotermalna električna provodnost σ sledi iz rezultata za difuzivnost čestica
kada pomnožimo gustinu fluksa čestica sa naelektrisanjem čestica q i za-
menimo gradijent dµ/dx hemijskog potencijala gradijentom qdϕ/dx = −qEx
spoljašnjeg potencijala, gde je Ex x kompoenta intenziteta električnog polja.
Gustina električne struje sledi iz (610):
Jg = (nq 2 τc /m)E; σ = nq 2 τc /m, (628)

za klasičan gas sa vremenom smirenja τc . Za Fermi-Dirakovu raspodelu, iz
(624),
Jq = (nq 2 τc /m)E; σ = nq 2 τc /m. (629)
411
13.7 Prilog G: Vektor potencijal, impuls polja i gauge
transformacije
Ovaj odeljak je uključen jer je teško odrediti magnetski vektor potencijal
A, koji je temeljno razmatran u knjizi, i potreban nam je kod superprovod-
nosti. Može izgledati tajanstveno da Hamiltonijan čestice u magnetskom
polju ima oblik koji se izvodi u nastavku:
2
1 Q
H= p − A + Qϕ, (630)
2M c
gde je Q naelektrisanje, M masa, A vektor potencijal a ϕ elektrostatički
potencijal. Ovaj izraz je validan u klasičnoj i u kvantnoj mehanici. Pošto
kinetička energija čestice nije izmenjena statičkim magnetskim poljem, možda
je neočekivano da vektor potencijal magnetskog polja ulazi u Hamiltoni-
jan. Kao što ćemo videti, ključ je zapažanje da je impuls p zbir dva dela,
kinetičkog impulsa
pkin = M v (631)
sa kojim smo familijarni, i potencijalnog ili impulsa polja
Q
pfield = A. (632)
c
Ukupan impuls je
Q
p = pkin + pfield = M v + A, (633)
c
a kinetička energija je
2
1 1 1 Q
M v2 = (M v)2 = p− A . (634)
2 2M 2M c
Vektor potencijal povezan je sa magnetskim poljem na sledeći način:
B = rot A. (635)
Pretpostavljamo da radimo sa nemagnetskim materijalima, tako da se smatra
da su H i B identični.
412
13.7.1 Lagranževe jednačine kretanja
Da bismo odredili Hamiltonijan, recept iz klasične mehanike je jasan: prvo
moramo naći Lagranžijan. Lagranžijan u generalizovanim koordinatama je
1 Q
L = M q̇ 2 − Qϕ(q) + q̄ · A(q̄). (636)
2 c
Ovo je tačno jer vodi ka tačnoj jednačini kretanja naelektrisanja u kombino-
vanom električnom i magnetnom polju, kao što ćemo sada pokazati.
U Dekartovim koordinatama Lagranževa jednačina kretanja je
d ∂L ∂L
− = 0, (637)
dt ∂ ẋ ∂x
i slično za y i z. Iz (636) formiramo

∂L ∂ϕ Q ∂Ax ∂Ay ∂Az
= −Q + ẋ + ẏ + ż ; (638)
∂x ∂x c ∂x ∂x ∂x
∂L Q
= M ẋ + Ax ; (639)
∂ ẋ c
d ∂L Q dAx Q ∂Ax ∂Ax ∂Ax ∂Ax
= M ẍ + = M ẍ + + ẋ + ẏ + ż .
dt ∂ ẋ c dt c ∂t ∂x ∂y ∂z
(640)
Stoga (637) postaje

∂ϕ Q ∂Ax ∂Ax ∂Ay ∂Ax ∂Az
M ẍ + Q + + ẏ − + ż − = 0, (641)
∂x c ∂t ∂y ∂x ∂z ∂x
ili
d2 x Q
M 2
= QEx + [v × B]x , (642)
dt c
sa
∂ϕ 1 ∂Ax
Ex = − − ; (643)
∂x c ∂t
B = rot A. (644)
413
Jednačina (642) je Lorencova jednačina za silu. Ovo potvrduje da je jednačina
(636) ispravna. U (643) primećujemo da E ima jedan doprinos od elektro-
statičkog potencijala ϕ i drugi od vremenskog izvoda magnetskog vektor
potencijala A.
13.7.2 Izvodenje Hamiltonijana

Impuls p definisan je preko Lagranžijana kao
∂L Q
p= = M q̇ + A, (645)
∂ q̇ c
u saglasnosti sa (633). Hamiltonijan H(p, q) definisan je sa
H(p, q) = p · q̇ − L, (646)
ili
2
Q 1 Q 1 Q
2
H = M q̇ + q̇ · A− M q̇ 2 +Qϕ− q̇ · A = p − A +Qϕ, (647)
c 2 c 2M c
kao u (630).
13.7.3 Impuls polja

Impuls u elektromagnetskom polju koji prati kretanje čestice u magnet-
nom polju dat je zapreminskim integralom Pointingovog vektora, tako da
je
Z
1
pfield = E × BdV. (648)
4πc
Radimo u nerelativističkoj aproksimaciji sa v c, gde je v brzina čestice.
Na malim vrednostima v/c posmatramo B kao da potiče samo od spoljašnjeg
izvora, dok E potiče od naelektrisanja čestice. Za naelektrisanje Q u r0 ,
E = −∇ϕ; ∇2 ϕ = −4πQδ(r − r0 ). (649)

Stoga je
Z
1
pf = − ∇ϕ × rot A. (650)
4πc
414
Važi sledeća vektorska relacija:
Z Z
∇ϕ×rot AdV = − [A×rot (∇ϕ)−A×div ∇ϕ−(∇ϕ)div A]dV. (651)
Ali rot (∇ϕ) = 0 i uvek možemo odabrati gauge tako da je div A = 0. Ovo
je transverzalni gauge.
Stoga, imamo
Z Z
1 1 Q
pf = − 2
A∇ ϕdV = AQδ(r − r0 )dV = A. (652)
4πc c c
Ovo je tumačenje doprinosa polja ukupnom impulsu p = M v + QA/c.
13.7.4 Gauge transformacija

Pretpostavimo da je Hψ = ψ, gde je
2
1 Q
H= p− A . (653)
2M c
Načinimo gauge transformaciju na A0 , gde je
A0 = A + ∇χ, (654)
gde je χ skalar. Sada je B = rot A − rot A0 , jer je (∇χ) = 0. Šredingerova
jednačina postaje
2
1 Q 0 Q
p − A + ∇χ ψ = ψ. (655)
2M c c
Koje ψ 0 zadovoljava
2
1 Q 0
p− A ψ 0 = ψ 0 , (656)
2M c
sa istim kao za ψ? Poslednja jednačina ekvivalentna je sa
2
1 Q Q
p − A − ∇χ ψ 0 = ψ 0 . (657)
2M c c
Pokušavamo sa
415
ψ 0 = eiQχ/h̄c ψ. (658)
Sada je
Q
pψ 0 = eiQχ/h̄c pψ + (∇χ)eiQχ/h̄c ψ,
c
tako da je

Q
p − ∇χ ψ 0 = eiQχ/h̄c pψ
c
i
2 2
1 Q Q 0 iQχ/h̄c Q 1
p − A − ∇χ ψ =e p − A ψ = eiQχ/h̄c ψ.
2M c c c2M
(659)
0 iQχ/h̄c
Stoga ψ = e ψ zadovoljava Šredingerovu jednačinu posle gauge
transformacije (654). Energija je invarijantna na transformaciju.
Gauge transformacija na A jedino menja lokalnu fazu talasne funkcije.
Vidimo da je
ψ 0∗ ψ 0 = ψ ∗ ψ, (660)
tako da je gustina naelektrisanja invarijantna na gauge transformaciju.
13.7.5 Gauge u Londonovoj jednačini

Zbog jednačine kontinuiteta toka električnog naelektrisanja zahtevamo da
u superprovodniku važi
div j = 0,
tako da vektor potencijal u Londonovoj jednačini j = −cA/4πλ2L mora da
zadovolji
div A = 0. (661)
Dalje, nema toka sturje kroz graničnu površ vakuum/superprovodnik. Nor-
malna komponenta struje kroz tu graničnu površ mora se anulirati: Jn = 0,
tako da vektor potencijal u Londonovoj jednačini mora da ispuni
416
An = 0. (662)
Gauge vektor potencijala u Londonovoj jednačini superprovodnosti treba
odabrati tako da jednačine (661) i (662) budu zadovoljene.
13.8 Prilog H: Kuperovi parovi

Za potpun skup stanja dvoelektronskog sistema koja zadovoljavaju peri-
odične granične uslove u kocki jedinične zapremine, uzimamo funkcije u vidu
proizvoda ravnih talasa
ϕ(k1 , k2 , r1 , r2 ) = ei(k1 ·r1 +k2 ·r2 ) . (663)

Pretpostavljamo da elektroni imaju suprotan spin.
Uvodimo centar mase i relativne koordinate:
1
R = (r1 + r2 ); r = r1 − r2 ; (664)
2
1
K = k1 + k2 ; k = (k1 − k2 ), (665)
2
tako da je
k1 · r1 + k2 · r2 = K · R + k · r. (666)
Stoga (663) postaje
ϕ(K, k; R, r) = ei(K·R) ei(k·r) , (667)

a kinetička energija dvoelektronskog sistema je
1
K + EK = (h̄2 /m)( K 2 + k 2 ). (668)
4
Posebnu pažnju poklanjamo proizvodu funkcija za koji je talasni vektor
centra mase K = 0, tako da je k1 = −k2 . Sa interakcijom H1 izmedu dva
elektrona, postavljamo sopstveni problem preko razvoja
X
χ(r) = gk eik·r . (669)
Šredingerova jednačina je
417
0
X
(H0 + H1 − )χ(r) = 0 = [(Ek0 − )gk0 + H1 gk0 ]eik ·r , (670)
k0
gde je H1 energija interakcije dva elektrona, a je sopstvena vrednost.

Uzimamo skalarni proizvod sa eik·r , čime dobijamo
X
(Ek − )gk + gk0 hk|H1 |k0 i = 0, (671)
k
sekularnu jednačinu problema.

Sada transformišemo sumu u integral
Z
(E − )g(E) + g(E 0 )H1 (E, E 0 )N (E 0 )dE 0 = 0, (672)
gde je N (E 0 ) broj dvoelektronskih stanja sa ukupnim impulsom K = 0 i

kinetičkom energijom u opsegu dE 0 oko E 0 .
Posmatrajmo sada matrične elemente H1 (E, E 0 ) = hk|H1 |k0 i. Barden-
ova proučavanja ukazuju da su oni važni kada su dva elektrona zarobljena
u tankoj energetskoj ljusci blizu Fermijeve površine - unutar ljuske debljine
h̄ωD iznad EF , gde je ωD Debye-jeva fononska granična učestanost. Pret-
postavljamo da je
H1 (E, E 0 ) = −V (673)
za E, E 0 unutar ljuske i nula inače. Ovde je pretpostavljeno da je V pozitivno.
Stoga (672) postaje
Z 2m
(E − )g(E) = V g(E 0 )N (E 0 )dE 0 = C, (674)
2F
gde je m = F + h̄ωD . C je konstanta, nezavisna od E.

Iz poslednje jednačine imamo
C
g(E) = (675)
E−
i
2m
N (E 0 ) 0
Z
1=V dE . (676)
2F E0 −
418
Sa N (E 0 ) približno konstantnim i jednakim NF na malom energetskom opsegu
izmedu 2m i 2F , taj član izvlačimo ispred integrala, čime se dobija
Z 2m
1 2m −
1 = NF V 0
dE 0 = NF V log . (677)
2F E − 2F −
Neka je sopstvena vrednost jednačine (677) zapisana u obliku
= 2F − ∆, (678)
što definiše energiju veze ∆ elektronskog para, u odnosu na dva slobodna
elektrona na Fermijevoj površini. Tada (677) postaje
2m − 2F + ∆ 2h̄ωD + ∆
1 = NF V log = NF V log , (679)
∆ ∆
ili
1/NF V = log(1 + 2h̄ωD /∆). (680)

Ovaj rezultat za energiju veze Kuperovog para može se zapisati kao
2h̄ωD
∆= . (681)
e1/NF V−1
Za pozitivno V (privlačna interakcija) energija sistema umanjena je za eksc-
itaciju para elektrona iznad Fermijevog nivoa. Stoga je Fermijev gas nestabi-
lan na važan način. Energija veze (681) blisko je povezana sa superprovodnim
procepom Eg . BCS proračuni pokazuju da u metalima može da se formira
velika gustina Kuperovih parova.
13.9 Prilog I: Ginzburg-Landauova jednačina

Ginzburgu i Landauu dugujemo elegantnu teoriju fenomenologije super-
provodnog stanja i prostorne promene parametra reda u tom stanju. Proširenje
teorije koje je dao Abrikosov opisuje strukturu vorteksnog stanja koje je
tehnološki iskorišćeno kod superprovodnih magneta. Prednosti GL teorije
su prirodno uvodenje dužine koherencije i talasne funkcije korišćene u teoriji
Džozefsonovih efekata u Glavi 12.
Uvodimo parametar reda ψ(r) sa osobinom da je
ψ ∗ (r)ψ(r) = nS (r), (682)
419
lokalna koncentracija superprovodnih elektrona. Matematička formulacija
definicije funkcije ψ(r) proizilazi iz BCS teorije. Najpre podešavamo oblik
gustine slobodne energije FS (r) u superprovodniku kao funkcije parametra
reda. Pretpostavljamo da u je opštoj blizini temperature prelaza
Z Ba
1
FS (r) = FN − α|ψ| + β|ψ|4 + (1/2m)|(−ih̄∇ − qA/c)ψ|2 −
2
M · dBa ,
2 0
(683)
sa fenomenološkim pozitivnim konstantama α, β i m, o kojima će biti više
reči. Ovde:
1. FN je gustina slobodne energije u normalnom stanju.
2. −α|ψ|2 + 12 β|ψ|4 je tipičan Landauov oblik za razvoj slobodne energije
preko parametra reda koji se anulira na faznom prelazu drugog reda. Ovaj
izraz može se posmatrati kao −αnS + 12 βn2S i sam po sebi je minimalan po
nS za nS (T ) = α/β.
3. Član u |grad ψ|2 predstavlja porast energije uzrokovan prostornom
promenom parametra reda. On ima oblik kinetičke energije u kvantnoj
mehanici. Kinetički impuls −ih̄∆ praćen je impulsom polja −qA/c da bi
se obezbedila gauge invarijantnost slobodne energije, kao u Prilogu G. Ovde
je q = −2e za Rpar elektrona.
4. Član − M · dBa sa zamišljenom magnetizacijom M = (B − Ba )/4π,
predstavlja porast superprovodne slobodne energije uzrokovan izbacivanjem
magnetskog fluksa iz superprovodnika.
Odvojeni članovi u (683) biće ilustrovani primerima u daljem tekstu.
R
Izvedimo prvo GL jednačinu. Minimiziramo ukupnu slobodnu energiju FS (r)dV
u odnosu na promene funkcije ψ(r). Imamo
δFS (r) = [−αψ + β|ψ|2 ψ + (1/2m)(−i/h̄∇ − qA/c)ψ · (ih̄∇ − qA/c)δψ ∗ + c.c.]

(684)
Parcijalnom integracijom dobijamo
Z Z
(∇ψ)(∇δψ )dV = − (∇2 ψ)δψ ∗ ,
∗
(685)
ako je δψ ∗ na granicama jednako nuli. Sledi da je
Z Z
δ FS dV = δψ ∗ [−αψ+β|ψ|2 ψ+(1/2m)(−ih̄∇−qA/c)2 ψ]dV +c.c. (686)
420
Ovaj integral je nula ako je izraz u zagradi jednak nuli:
[(1/2m)(−ih̄∇ − qA/c)2 − α + β|ψ|2 ]ψ = 0. (687)
Ovo je Ginzburg-Landauova jednačina; ona liči na Šredingerovu jednačinu

za ψ.
Minimizacijom (683) po δA dobijamo gauge-invarijantan izraz za fluks
superstruje:
jS (r) = −(iqh̄/2m)(ψ ∗ ∇ψ − ψ∇ψ ∗ ) − (q 2 /mc)ψ ∗ ψA. (688)

Na slobodnoj površini uzorka moramo odabrati gauge tako da zadovolji
granični uslov da struja ne ističe iz superprovodnika u vakuum: n̂ · jS = 0,
gde je n̂ normala na površinu.
Dužina koherencije. Sopstvena dužina koherencije ξ može se definisati na
osnovu (687). Neka je A = 0 i pretpostavimo da se β|ψ|2 može zanemariti u
poredenju sa α. U jednoj dimenziji GL jednačina (687) svodi se na
h̄2 d2 ψ
− = αψ. (689)
2m dx2
Ova jednačina ima talasno rešenje oblika eix/ξ , gde je ξ definisano sa
ξ = (h̄2 /2mα)1/2 . (690)

Zanimljivije specijalno rešenje dobija se ako zadržimo nelinearan član
β|ψ|2 u (687). Potražimo rešenje sa ψ = 0 u x = 0 i sa ψ → ψ0 kada x → ∞.
Ova situacija predstavlja granicu izmedu normalnog i superprovodnog stanja.
Ovakva stanja mogu koegzistirati ako postoji magnetsko polje Hc u nor-
malnoj oblasti. Za trenutak zanemarimo prodiranje polja u superprovodnu
oblast: uzimamo da je dubina prodiranja polja λ ξ, što definiše ekstreman
superprovodnik tipa I.
Rešenje jednačine
h̄2 d2 ψ
− − αψ + β|ψ|2 ψ = 0, (691)
2m dx2
podvrgnuto našim graničnim uslovima, je
√
ψ(x) = (α/β)1/2 tanh(x/ 2ξ). (692)
421
Ovo se može proveriti direktnom zamenom. Duboko unutar superprovodnika
imamo ψ0 = (α/β)1/2 , što sledi iz minimizacije člana −α|ψ|2 + 21 β|ψ|4 u
slobodnoj energiji. Iz poslednje jednačine vidimo da ξ označava proširenje
koherencije superprovodne talasne funkcije u normalnu oblast.
Videli smo da je duboko unutar superprovodnika slobodna energija min-
imalna kada je |ψ0 |2 = α/β, tako da je
FS = FN − α2 /2β = FN − Hc2 /8π, (693)

po definiciji termodinamičkog kritičnog polja Hc kao gustine stabilizacione
slobodne energije u superprovodnom stanju. Sledi da je kritično polje povezano
sa α i β jednačinom
Hc = (4πα2 /β)1/2 . (694)

Posmatrajmo dubinu prodiranja slabog magnetskog polja (B Hc ) u
superprovodnik. Pretpostavljamo da je |ψ|2 u superprovodniku jednako |ψ0 |2 ,
vrednosti u odsustvu polja Tada se jednačina za fluks superstruje svodi na
jS (r) = −(q 2 /mc)|ψ0 |2 A, (695)

što predstavlja Londonovu jednačinu jS (r) = −(c/4πλ2 )A, sa dubinom prodi-
ranja
2 1/2
mc2 mc2 β

λ= = . (696)
4πq 2 |ψ0 |2 4πq 2 α
Bezdimenzionalan odnos κ = λ/ξ dve karakteristične dužine je važan param-
etar u teoriji superprovodnosti. Iz (690) i (696) dobijamo
1/2
mc β
κ= . (697)
qh̄2π
√
Sada
√ pokazujemo da vrednost κ = 1/ √ 2 deli superprovodnike tipa I (κ <
1/ 2) i superprovodnike tipa II (κ > 1/ 2).
Proračun gornjeg kritičnog polja. Superprovodne oblasti spontano nuk-
leiraju u normalnom provodniku kada se magnetsko polje spusti ispod vred-
nosti označene sa Hc2 . Na početku superprovodnosti kψ| je malo i linearizu-
jemo GL jednačinu, čime dobijamo
422
1
(−ih̄∇ − qA/c)2 ψ = α. (698)
2m
Magnetsko polje u superprovodnoj oblasti pri nastanku superprovodnosti
jednako je primenjenom polju, tako da je A = B(0, x, 0) i poslednja jednačina
postaje
2
h̄2
2
∂2

∂ 1 ∂ qB
− + ψ+ ih̄ + x ψ = αψ. (699)
2m ∂x2 ∂z 2 2m ∂y c
Ovo je istog oblika kao Šredingerova jednačina za slobodnu česticu u mag-
netskom polju.
Tražimo rešenje u obliku ei(ky y+kz z) ϕ(x) i dobijamo
(1/2m)[−h̄2 d2 /dx2 + h̄2 kz2 + (h̄ky − qBx/c)2 ]ϕ = αϕ, (700)

ovo je jednačina za harmonijski oscilator, ako postavimo E = α−(h̄2 /2m)(ky2 +
kz2 ) kao sopstvenu vrednost od
(1/2m)[−h̄2 d2 /dx2 + (q 2 B 2 /c2 )x2 − (2h̄ky qB/c)x]ϕ = Eϕ. (701)
Član linearan po x može se transformisati pomeranjem koordinatnog

početka iz 0 u x0 = h̄ky qB/2mc, tako da poslednja jednačina postaje, sa
X = x − x0 ,
2 2
h̄ d 1
− + m(qB/mc) X ϕ = (E + h̄2 ky2 /2m)ϕ.
2 2
(702)
2m dX 2 2
Najveća vrednost magnetskog polja za koju rešenje jednačine (702) pos-
toji dato je najmanjom sopstvenom vrednošću, koja iznosi
1
h̄ω = h̄qBmax /2mc = α − h̄2 kz2 /2m, (703)
2
gde je ω frekvencija oscilatora qB/mc. Sa kz postavljenim na nulu,
Bmax = Hc2 = 2αmc/qh̄. (704)

Ovaj rezultat može se izraziti preko (694) i (697) preko termodinamičkog
kritičnog polja Hc i GL parametra κ = λ/ξ:
423
r
2αmc Hc √ mc β √
Hc2 = · 2 1/2
= 2 Hc = 2κHc . (705)
qh̄ (4πα /β) h̄q 2π
√
kada je λ/ξ > 1/ 2 superprovodnik ima Hc2 > Hc i kaže se da pripada tipu
II.
Korisno je napisati Hc2 preko kvanta fluksa Φ0 = 2πh̄c/q i ξ 2 = h̄2 /2mα:
2mcα qΦ0 h̄2 Φ0

Hc2 = · · 2
= . (706)
qh̄ 2πh̄c 2mαξ 2πξ 2
Ovo nam govori da pri gornjem kritičnom polju gustina fluksa Hc2 u mater-
ijalu je jednaka jednom kvantu fluksa po površini 2πξ 2 , što je u skladu sa
rastojanjem u fluksoidnoj rešetki, reda ξ.
13.10 Prilog J: Elektron-fonon sudari

Fononi utiču na lokalnu kristalnu strukturu, pa samim tim izvijaju i
lokalnu zonsku strukturu. Ova distorzija oseća se preko provodnih elektrona.
Važni efekti sprezanja elektrona sa fononima su
* Elektroni su rasejani sa jednog stanja k na drugo stanje k0 , što dovodi
do električnog otpora.
* Fononi mogu biti apsorbovani u procesu rasejanja, što dovodi do slabljenja
ultrazvučnih talasa.
* Elektron će nositi sa sobom izvijanje kristala, i efektivna masa elektrona
stoga je povećana.
* Kristalno izvijanje pridruženo jednom elektronu može osetiti drugi elek-
tron, uzrokujući tako elektron-elektron interakciju koja ulazi u teoriju super-
provodnosti.
Aproksimacija deformacionog potencijala sastoji se u pretpostavci da je
energija elektrona (k) povezana sa dilatacijom kristala ∆(r) ili relativnom
promenom zapremine preko
(k, r) = 0 (k) + C∆(r), (707)

gde je C konstanta. Aproksimacija je korisna za sferne ivice zona 0 (k) pri
velikim fononskim talasnim dužinama i niskim koncentracijama elektrona.
Dilatacija se može izraziti preko fononskih operatora aq , a†q iz Priloga C kao
424
X
∆(r) = i (h̄/2M ωq1/2 |q|[aq eiq·r − a†q e−iq·r ], (708)
q
kao u navedenoj literaturi. Ovde je M masa kristala. Ovaj rezultat sledi iz

jednačine 32 u Prilogu C formirajući qs − qs−1 u limitu k 1.
U Bornovoj aproksimaciji za rasejanje zanimaju nas matrični elementi
od C∆(r) izmedu jednoelektronskih Blohovih stanja |ki i |k0 i, sa |ki =
eik·r uk (r). U reprezentaciji polja talasa matrični element je
Z X
0
H = ψ † (r)C∆(r)ψ(r) = c†k0 ck hk0 |C∆|ki
k0 k
Z
0
X †
X
= iC ck ck (h̄/2M ωq ) |q| aq u∗k0 uk ei(k−k +q)·r d3 x
1/2
k0 k q
0

−a†q u∗k uk ei(k−k −q)·r ,
gde je
X X
ψ(r) = ck ϕk (r) = ck eik·r uk (r), (709)
k k
a c†k , ck
su operatori kreacije i anihilacije fermiona. Proizvod u∗k0 (r)uk (r)
uključuje periodične delove Blohovih funkcija i sam je periodičan u rešetki;
stoga integral u gornjoj jednačini iščezava, osim ako je
(
0
k − k0 ± q =
vektor u recipročnoj rešetki.
U poluprovodnicima na niskim temperaturama energetski je dozvoljena jedino
mogućnost nula (N procesi). R
Ograničimo se na N procese, i radi jednostavnosti aproksimirajmo uk0 uk d3 x
jedinicom. Tada je perturbacija deformacionog potencijala
X
H 0 = iC (h̄/2M ωq )1/2 |q|(aq c†k+q ck − a†q c†k−q ck ). (710)
kq
Vreme relaksacije. U prisustvu elektron-fonon interakcije talasni vek-

tor k nije konstantan za kretanje samog elektrona, ali zbir talasnog vektora
425
elektrona i virtuelnog fonona se održava. Pretpostavimo da je elektron u
početnom trenutku |ki; koliko će dugo ostati u tom stanju?
Najpre računamo verovatnoću ω po jedinici vremena da će elektron u k
emitovati fonon q. Ako je nq početna naseljenost fononskog stanja,
ω(k − q; nq + 1|k; nq ) = (2π/h̄)|hk − q; nq + 1|H 0 |k; nq i|2 δ(k − h̄ωq − k−q )

(711)
po vremenski zavisnoj perturbacionoj teoriji. Ovde je
|hk − q; nq + 1|H 0 |k; nq i|2 = [C 2 h̄q/2M cS (nq + 1)]. (712)

Ukupna učestalost sudara W elektrona u stanju |ki sa fononskim siste-
mom na apsolutnoj nuli je, sa nq = 0,
Z 1 Z qm
C2
W = d(cos θq ) q 3 δ(k − k−q − h̄ωq dq, (713)
4πρcs −1 0
gde je ρ gustina mase.

Argument delta funkcije je
h̄2 2 h̄2
(2k · q − q ) − h̄cs q = (2k · q − q 2 − qqc ), (714)
2m∗ 2m∗
gde je qc = 2h̄m∗ cs , a cs je brzina zvuka. Minimalna vrednost k za koju
argument može biti jednak nuli je kmin = 12 (q + qc ), što se za q = 0 svodi
na kmin = 12 qc = m∗ cs /h̄. Za ovu vrednost k grupna brzina elektrona vg =
kmin /m∗ jednaka je brzini zvuka. Stoga je prag za emisiju fonona elektronima
u kristalu odreden uslovom da elektronska grupna brzina premaši akustičku
brzinu. Ovaj zahtev liči na Čerenkovljev prag za emisiju fotona u kristalima
brzim elektronma. Elektronska energija na pragu je 12 m∗ c2s ∼ 10−27 · 1011 ∼
10−16 erg ∼ 1 K. Elektron sa energijom ispod praga neće biti usporen u
idealnom kristalu na apsolutnoj nuli, čak ni elektron-fonon interakcijama
višeg reda, barem u harmonijskoj aproksimaciji za fonone.
Za k qc možemo zanemariti član qqc u (714). Integrali u (713) postaju
Z 1 Z Z 1
∗ ∗ ∗
dµ 3 2 2
q (2m /h̄ q)δ(2kµ−q)−(8m /h̄ )dq = (8m /h̄ ) 2
k 2 µ2 dµ = 8m∗ k 2 /3h̄2 ,
−1 0
(715)
a učestalost fononske emisije je
426
2C 2 m∗ k 2
W (emission) = , (716)
3πρcs h̄2
što je direktno srazmerno energiji elektrona k . Gubitak komponente talasnog
vektora paralelne originalnom pravcu elektrona kada se emituje fonon pod
uglom θ u odnosu na k dat je sa q cos θ. Relativna učestalost gubitka kz
data je integralom učestalosti prelaza sa dodatnim faktorom (q/k) cos θ u
podintegralnoj funkciji. Umesto (715) imamo
Z 1
∗ 2
(2m /h̄ k) 8k 3 µ4 dµ = 16m∗ k 2 /5h̄2 , (717)
0
tako da je relativna učestalost opadanja kz
W (kz ) = 4C 2 m∗ k 2 /5πρcs h̄2 . (718)

Ova veličina ulazi u električnu otpornost.
Gornji rezultati važe na apsolutnoj nuli. Na temperaturi kB T h̄cs k
integralna učestalost fononske emisije je
C 2 m∗ kkB T
W (emission) = . (719)
πc2s ρh̄3
Za elektrone u termalnoj ravnoteži na ne suviše niskim temperaturama za-
htevana nejednakost lako je zadovoljena za rms vrednost k. Ako uzmemo
C = 10−12 erg; m∗ = 10−27 g, k = 107 cm−1 , cs = 3 × 105 cm s−1 ; ρ = 5 g
cm−3 ; tada je W ≈ 1012 s−1 . Na apsolutnoj nuli (718) daje W ≈ 5 × 1010
s−1 sa istim ovim parametrima.
427

Kittel2 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Kittel2 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Charles Kittel:

UVOD U FIZIKU ČVRSTOG STANJA

19. januar 2015

2 GLAVA 12: FEROMAGNETIZAM I ANTIFEROMAGNE-

3 GLAVA 13: MAGNETSKA REZONANCIJA 80

4 GLAVA 14: PLAZMONI, POLARITONI I POLARONI 115

5 GLAVA 15: OPTIČKI PROCESI I EKSCITONI 154

6 GLAVA 16: DIELEKTRICI I FEROELEKTRICI 182

7 GLAVA 17: FIZIKA POVRŠINSKIH I GRANIČNIH SLO-

8 GLAVA 18: NANOSTRUKTURE 248

9 GLAVA 19: NEKRISTALNA ČVRSTA TELA 305

10 GLAVA 20: TAČKASTI DEFEKTI 325

11 GLAVA 21: DISLOKACIJE 339

12 GLAVA 22: SMEŠE 364

13 GLAVA 23: PRILOZI 388

1.1 Langevinova jednačina dijamagnetizma

(CGS) ω = eB/2mc; (SI) ω = eB/2m. (2)

Problem proračuna dijamagnetske susceptibilnosti izolovanog atoma sve-

1.2 Kvantna teorija dijamagnetizma kod mononuklearnih

1.4 Kvantna teorija paramagnetizma

µ = γh̄J = −gµB J, (11)

gµB = −γh̄. (12)

J(J + 1) + S(S + 1) − L(L + 1)

M = N gJµB BJ (x), (x = gJµB B/kB T ), (19)

M N J(J + 1)g 2 µ2B N p2 µ2B C

p = g[J(J + 1)]1/2 . (23)

1.4.1 Joni retkih zemalja

1.4.2 Hundova pravila

1.4.3 Joni iz grupe gvožda

1.4.4 Cepanje kristalnog polja

1.4.5 Suzbijanje orbitalnog momenta impulsa

eϕ = Ax2 + By 2 − (A + B)z 2 , (24)

Ux = xf (r); Uy = yf (r); Uz = zf (r). (25)

L̂2 Ui = L(L + 1)Ui = 2Ui , (26)

hUx |eϕ|Uy i = hUx |eϕ|Uz i = hUy |eϕ|Uz i = 0. (27)

Integrand je neparna funkcija od x (i od y takode) i stoga ovaj integral

hUy |eϕ|Uy i = B(I1 − I2 ); hUz |eϕ|Uz i = −(A + B)(I1 − I2 ).

Tri sopstvena stanja u kristalnom polju su p funkcije sa svojim ugaonim

hUx |Lz |Ux i = hUy |Lz |Uy i = hUz |Lz |Uz i = 0.

1.4.6 Spektroskopski faktor cepanja

ψ = [Ux − i(λ/2∆1 )Uy ]α − i(λ/2∆2 )Uz β, (30)

hψ|Lz |ψi = −λ/∆1 ,

µB hψ|Lz + 2Sz |ψi = [−(λ/∆1 ) + 1]µB .

∆E ≈ gµB H = 2[1 − (λ/∆1 )]µB H,

g = 2[1 − (λ/∆1 )]. (31)

1.4.7 Van Vleckov temperaturski nezavisan paramagnetizam

ψ00 = ψ0 + (B/∆)hs|µz |0iψs (32)

h00 |µz |00 i ≈ 2B|hs|µz |0i|2 /∆, (34)

hs0 |µz |s0 i ≈ −2B|hs|µz |0i|2 /∆. (35)

χ = N |hs|µz |0i|2 /kB T. (37)

1.5 Hladenje izentropskom demagnetizacijom

σS = kB ln (2S + 1)N = N kB ln (2S + 1). (40)

T2 = T1 (B∆ /B), (41)

1.5.1 Demagnetizacija jezgra

opada sa magnetizacijom za više od 10 procenata od maksimalne spinske en-

1.6 Paramagnetska susceptibilnost provodnih elektrona

tizaciji metala: M = N µ2B B/kB T . Umesto toga, primećeno je da je mag-

1.7 Kratak pregled

2.1.1 Kirijeva tačka i izmenski integral

uredene feromagnetske faze za T < Tc . Možemo izraziti Tc preko konstante

(CGS) M = χp (Ba + BE ); (SI) µ0 M = χp (Ba + BE ). (48)

Magnetizacija je jednaka konstantnoj susceptibilnosti pomnoženoj sa poljem

Ovaj izraz dosta dobro opisuje merenu promenu susceptibilnosti u paramag-