електризації одне тіло втрачає певну частину електронів та
ЕЛЕКТРИЧНЕ ПОЛЕ заряджається позитивно, а друге тіло приєднує ці електрони
Електризація тіл. Електричні заряди. Закон збереження
електричного заряду.
Електростатика – це розділ фізики, в якому
вивчаються електрично заряджені тіла, що знаходяться в стані
спокою.
Про тіла, які після натирання притягують до себе інші
тіла, кажуть, що вони наелектризовані, або, що їм надано
електричний заряд. В електризації завжди беруть участь два
тіла і обоє електризуються.
Існують два види електричних зарядів. Заряди,
одержані на склі, потертому об шовк, умовно прийняли за
позитивні (додатні), а заряди, що виникають на бурштині,
ебоніті чи гумі, потертих об вовну, умовно прийняли за
негативні (від’ємні).
Тіла, заряджені однойменними зарядами, взаємно
відштовхуються, а заряджені зарядами протилежного знаку –
взаємно притягуються.
Частинка, що має мінімальний (елементарний) відомий
науці негативний заряд, – електрон. Заряд електрона за
модулем дорівнює заряду протона, але знак заряду протона +.
Заряд нейтрона дорівнює 0.
Заряд електрона (елементарний заряд) становить
qe  1, 6  1019 Кл
Маса електрона становить
me  9,1  1031 кг
У звичайних умовах число електронів у будь – якому
тілі дорівнює числу протонів в ньому. Тому тіло в цілому не
має електричного заряду, воно електрично нейтрально. При
1 2
та заряджається негативно.
Електризація тіла полягає у втраті чи приєднанні
тілом деякої кількості електронів.
Закон збереження електричного заряду: алгебраїчна
сума зарядів, які виникають внаслідок будь – якого
електричного процесу на всіх тілах, які беруть участь у
процесі, завжди дорівнює нулеві.
Запитання та завдання
1. Як визначити кількість електронів в електрично
нейтральному тілі, якщо відома кількість протонів в цьому
тілі?
2. При терті об вовну ебоніт заряджається негативно.
Як заряджається при цьому вовна?
3. Паличка (в процесі натирання тканиною) набула
негативного заряду  1, 6  нКл . Визначити заряд тканини.
Результат пояснити.
4. Два однакові тіла, які мали заряди  3q  та 7q ,
привели в зіткнення, а потім розвели. Визначити заряди тіл
після цього процесу.
Закон Кулона.
Один з основних законів електростатики - закон
Кулона (експериментально встановлений Ш. Кулоном в
1785 році).
Закон Кулона формулюється так:
“Два нерухомі точкові електричні заряди в певному
діелектричному середовищі (рідині або газі) взаємодіють із
силою, прямо пропорційною величинам цих зарядів і
обернено пропорційною квадрату відстані між ними”.
 Точкові заряди – це заряджені тіла, відстань між
якими значно більша, ніж їх розміри. Дано: q1 q2
Fk
Математично закон Кулона виражається формулою: q1  150нКл   R2
q q  150  109 Кл 150  109 80  109
F  k 1 22 , де F  9  10 9

R q2  80нКл  81   3  102 
2

 F   H – модуль сили взаємодії точкових зарядів q1  80  109 Кл

 81
9  109  150  109  80  109
та q2 (кулонівська сила, яка виникає внаслідок взаємодії  4

R  3 см  3  10 м
2 81  9  10
відповідних електричних полів);  1, 5  103  H 
 q1; q2   Кл – точкові заряди;
F ? Н  м 2  Кл  Кл
 R   м – відстань між точковими зарядами q1 та q2 ;  F  
Кл 2  м 2
1 H  м2 – коефіцієнт пропорційності;
k  9109 Н  Кл 2
4 0 Кл2  Н
Ф Кл 2
0  8,851012 - електрична стала.
м
 – відносна діелектрична проникність середовища
(рідини або газу), в якому взаємодіють заряди q1 та q2 . Запитання та завдання
Відносна діелектрична проникність середовища  1. На якій відстані один від одного треба розташувати
показує, у скільки разів сила взаємодії зарядів у вакуумі нерухомі точкові заряди 4, 2 нКл та  1 нКл , щоб в гасі вони
F
більша, ніж у цьому середовищі   вак (при незмінних q1 , притягувались із силою   103 Н ?
F Відносна діелектрична проникність гасу – 2,1.
q2 та R ). Відносна діелектрична проникність вакууму 2. Дві однакові металеві кульки зарядили так, що заряд
 вак  1 . Відносна діелектрична проникність будь – якого однієї з них у 5 разів більший, ніж заряд іншої. Кульки
іншого середовища завжди більша, ніж 1    1 . Добуток  0 доторкнули одну до одної і розсунули на ту ж саму відстань.
Як змінилася (за модулем) сила взаємодії, якщо кульки мали
в електротехніці називають абсолютною діелектричною
різнойменні заряди?
проникністю певного середовища.
3. Заряди 10 нКл та 16 нКл розташовані на відстані
Задача
З якою силою притягуються нерухомі точкові заряди 7 мм один від одного. Яка сила діятиме на заряд 2 нКл ,
150 нКл та  80  нКл (масами знехтувати), розташовані в розміщений у точці, що віддалена на 3 мм від меншого
воді на відстані 3 см один від одного? заряду і на 4 мм від більшого?  Відп. : 2 мН  .
Відносна діелектрична проникність води – 81.
3 4
 4. Нерухомі точкові заряди q1  90 нКл та q2  40 нКл  E 
Н

В
–напруженість електростатичного поля в даній
розміщені на відстані 17 см один від одного. На якій відстані Кл м
точці.
від q1 треба розташувати заряд q3 , щоб рівнодійна
кулонівських сил, які діють на нього, дорівнювала 0? Як
залежить ця відстань від величини q3 .  Відп. : 10, 2 см  .
5. Дві однакові кульки підвішені на двох однакових
шовкових нитках (довжиною l кожна) в одній точці. Якщо Напруженість електростатичного поля не залежить від

кульки одночасно зарядити однаковим зарядом q , то нитки величини пробного заряду q0 та сили F , а залежить тільки
розійдуться на кут  . Визначити масу m кожної кульки. від величини заряду q , який створює це поле, відстані від
Заряджені кульки вважати точковими зарядами. нього до досліджуваної точки поля та середовища.
Напруженість електростатичного поля точкового
Напруженість електричного поля. Однорідне та заряду можна визначити за формулою E  k q 2 , де  q   Кл –
R
неоднорідне електричне поле. Електричні диполі.
заряд, який створює електростатичне поле;
Навколо будь – якого електричного заряду існує
електричне поле, створене цим зарядом (згідно вчення  R   м – відстань від точкового заряду q , який створює
М. Фарадея). електростатичне поле, до досліджуваної точки.
Статичне електричне поле (електростатичне поле) – це Якщо поле в точці А створюється декількома

електричне поле нерухомих зарядів. Воно є потенціальним. зарядами, то напруженість E результуючого
Електричне поле – один із видів матерії. Основна електростатичного поля дорівнює геометричній (векторній)
властивість електричного поля – здатність діяти на електричні сумі напруженостей полів, створюваних кожним зарядом.
заряди з певною силою. Тобто на кожний з зарядів
безпосередньо діє не інший заряд, а електричне поле.
Електростатичне поле в певній точці характеризується

силовою характеристикою – напруженістю E та
енергетичною характеристикою – потенціалом.

 F
Напруженість визначається за формулою: E  , де Це і є принцип суперпозиції полів. Для будь – якої
q0 кількості зарядів напруженість результуючого
 F   H – сила, з якою електростатичне поле діє на пробний 
електростатичного поля E визначається за формулою:
заряд;    
 q0   Кл – точковий пробний заряд; E  E1  E2  ...  En

5 6
 
В загальному випадку для будь-якої замкненої В кожній точці електростатичного поля вектор E

поверхні площею S , напруженості E електричного поля та напрямлений по дотичній до силової лінії.
електричного заряду q всередині цієї поверхні можна Силові лінії електростатичного поля завжди не
застосувати теорему Гауса, одну з форм математичного замкнуті; починаються на позитивних зарядах, закінчуються
запису якої наведено нижче: на негативних зарядах; ніколи не перетинаються.
1 Електричний диполь – система двох однакових за
 EdS  0 q величиною ( q1  q2  q ) різнойменних точкових зарядів,
Якщо електричне поле створюється розподіленим відстань  між якими значно менша, ніж відстань до
зарядом, густина (лінійна (  ), поверхнева (  ) або об’ємна досліджуваної точки. Диполь характеризують електричним
(  )) якого відома, то за допомогою теореми Гауса можна моментом ( p  q ; цей вектор напрямлений від негативного
вивести залежність E від певної густини заряду та заряду до позитивного). Напруженість поля, створеного
координати досліджуваної точки. Деякі розрахункові електричним диполем, залежить від його електричного
формули наведено нижче. p
моменту: E  3 . Молекули діелектриків можна розглядати,
Заряджене тіло Формула напруженості Е R
нескінченна однорідно  як певні електричні диполі.
E
заряджена площина 2 0 Однорідне електростатичне поле – електростатичне
між двома різнойменно  поле, у всіх точках якого напрям та модуль вектора
E 
заряджені площини 0 напруженості E незмінні.
1  Однорідне електростатичне поле існує між двома
за зарядженою E  ; ( r  відстань від
циліндричною поверхнею 2 0 r нескінченно довгими пластинами, зарядженими
(всередині E  0 ) осі циліндра до різнойменними зарядами. У випадку пластин невеликої
досліджуваної точки) довжини поле можна вважати однорідним поблизу середини
1 q
E  ( r  відстань від їхньої довжини.
за зарядженою сферичною 4 0 r 2
поверхнею (всередині E  0 ) осі сфери до досліджуваної
точки)
Графічно електростатичне поле можна зобразити за
допомогою силових ліній (ліній напруженості).
Задача
В середовищі, відносна діелектрична проникність
якого дорівнює 2, 5 , знаходиться точковий заряд 10 нКл .
7 8
Визначити напруженість створюваного ним Визначити напруженість електростатичного поля в точці,
електростатичного поля на відстані 2 см від цього заряду. віддаленій від q1 на 3 см та від q2 на 4 см .
Дано:
Ek 2
q 10  109  Н 
q  10 нКл  R
E  9  10 9
  Відп. :9, 2  10 5 
2, 5   2  102 
2
 Кл 
 10  109 Кл
90 90
 = 2, 5  4
  Робота електростатичного поля під час
2, 5  4  10 103
переміщення заряду. Потенціал. Напруга.
   
R  2 см  2  102 м Н Н
 90000  9  10
4
Для переміщення електричного заряду q з точки 1 в
Е? Кл Кл
точку 2 в зовнішньому електростатичному полі напруженістю
Н  м2 Кл
Е 2
  Е треба здійснити роботу A .
Кл м2
Н  м 2  Кл Н
 
2
Кл  м 2
Кл
Запитання та завдання
1. Визначити величину прискорення, що надається
електрону зовнішнім електростатичним полем, напруженість
Н
якого 9100 .
Кл
2. Заряджена крапля, маса якої 48 мг , а заряд 8 нКл , Робота А по переміщенню електричного заряду q з
знаходиться в рівновазі в однорідному електростатичному точки 1 в точку 2, які знаходиться на відстані d (інше
полі (між різнойменно зарядженими горизонтально позначення  )вздовж силових ліній зовнішнього однорідного
розміщеними пластинами). Визначити напруженість цього 
електростатичного поля напруженістю E , визначається за
 Н  формулою:
поля.  Відп. :58800 
 Кл  A  qEd
3. Дуже маленьку заряджену кульку занурили в воду. Робота A  0 , коли виконує роботу електростатичне
На якій відстані від кульки напруженість електростатичного поле.
поля буде дорівнювати напруженості електростатичного поля Робота A  0 – виконується зовнішньою силою проти
до занурення на відстані 9 см від кульки? сил електростатичного поля.
Відносна діелектрична проникність води – 81. Робота сил електростатичного поля по переміщенню
4. Два заряди q1  2  108 Кл та q2  1, 6  107 Кл заряду не залежить від траєкторії. На замкненій траєкторії
знаходяться в вакуумі на відстані 5 см один від одного.
9 10
робота сил електростатичного поля по переміщенню заряду
дорівнює нулю.
Роботу сил електростатичного поля можна визначити,
враховуючи потенціальні енергії заряду, що переміщується з
точки 1 в точку 2, за формулою:
A  W p1  W p 2 , де
 Wp1 ;W p 2   Дж – потенціальні енергії заряду в точках 1 та
2 електростатичного поля.
Енергетична характеристика електростатичного поля –
потенціал  . Це скалярна величина, яка характеризує
«енергетичні можливості» певної точки поля. Для
однорідного електростатичного поля маємо залежність:
  E  , де
    В- різниця потенціалів електростатичного поля;
В     B – напруга (різниця потенціалів початкової та кінцевої
E    напруженість однорідного електростатичного поля;
м точок електростатичного поля). Напругу вимірюють
  м - відстань за силовою лінією між початковою та
 
кінцевою точками поля.
Для неоднорідного електростатичного поля (при зміні
вектора напруженості за величиною) використовують
1 1;2 2
залежність: 1;2   E d   E d .

2 2
Потенціал певної точки електростатичного поля можна
W еквіпотенціальної поверхні робота силами електростатичного
визначити за формулою:   p , де
q поля не виконується  A  0  .
 W p   Дж – потенціальна енергія заряду q , що переміщується
в зовнішньому електростатичному полі;
 q   Кл – заряд, що переміщується в цьому полі;
11
Дж
   В – потенціал певної точки електростатичного
Кл
поля.
Потенціал певної точки електростатичного поля не
залежить від q , а залежить тільки від напруженості
електростатичного поля в цій точці.
Потенціал поля, створеного електричним диполем,
p
залежить від електричного моменту цього диполя:   2 .
R
Напруга  між точками 1 та 2 електростатичного
поля визначається за формулою:
  1  2 , де
 1   B – потенціал в початковій точці;
 2   B – потенціал в кінцевій точці;
вольтметрами.
Напруженість неоднорідного електричного поля в
даній точці визначається зміною потенціалу при певній (дуже
малій) зміні координат поблизу цієї точки (з урахуванням
похідної від потенціалу за довжиною силової лінії).
Еквіпотенціальна поверхня - поверхня, всі точки якої
мають однакове значення потенціалу.
При переміщенні пробного заряду між точками однієї
Задачі
1. В однорідному електричному полі, напруженість
кВ
якого 1 , переміщено на 2 см в напрямі силової лінії заряд
м
12
25 нКл . Визначити роботу поля та різницю потенціалів між R2
AF1F2  AFдії   FdR
R1
початковою та кінцевою точками переміщення.
 R2

+ E
В
  1000  0,02 м  AFдії  FdR
Дано: м Fдії   R1
+ -  20 В R2  R1 R2  R1
кВ В  -
Е  1  103 + F А  25  109 Кл  20 В  R2 R2 q1q2 qq R2 1 qq 1 R2
м м
d  2см  0, 02 м
+ +
-
 500  109 В  Кл 
 R1
FdR  
R1
k
R 2
dR  k 1 2
  R1 R 2
dR  k 1 2
 R

+ 1 2 - R1

q  25нКл  -  5  107 Дж q 1q2  1 1  kq q ( R  R1 )

R1
qq 1
- k 1 2 k     1 2 2
 25  109 Кл +  R R2
  R1 R2 
  R2 R1
 1 - 2   ? 1 - 2  U kq1q2  R2  R1  kq q
A? Fдії   1 2
U  R1 R2  R2  R1   R1 R2
E
d H  м 2  Кл Кл
U= Ed  Fдії   Н
Кл 2  м м
A  qU 9109 109 109
Fдії   1,8104  H 
2. В вакуумі на відстані 5 мм один від одного 15103 102
знаходяться два однакових позитивних точкових заряди Проаналізуємо результат.
 q1  q2  1 нКл  . Знайти значення незмінних сил, дія яких Отримане значення сили Fдії менше, ніж середнє
буде однаковою з дією сил електричної взаємодії зазначених арифметичне сил F1 та F2 . Роботі середньоарифметичної сили
зарядів при зміні відстані між зарядами (внаслідок цієї відповідає площа трапеції (на графіку F  R  ), а роботі сили
взаємодії) від 5 мм до 10 мм .
Fдії відповідає площа криволінійної трапеції. Ці площі (та
Дано: qq
F1  k 1 22 трапеції) співпадають при лінійній залежності сили від певної
 1  R1
відстані (наприклад, робота сили пружності при пружних
R1  5 мм  5103 м q1q2
F2  k деформаціях).
q1  q2  1 нКл  10 Кл
9  R22
R2  10 мм  102 м Задачі
F дії  ? 1. Точка А лежить
напруженості на лінії
В
однорідного поля, напруженість якого 600 . Визначити
м
різницю потенціалів між цією точкою та деякою точкою В ,
13 14
розміщеною на відстані 10 см від точки А в напряму силової кінцевого та початкового положення пробного заряду
лінії поля. відносно силових ліній поля?
2. Знайти напругу між точками А та В , якщо 7. Визначити роботу неоднорідного
АВ  4 см , кут нахилу АВ до силової лінії поля дорівнює 60 0  4  B 
електростатичного поля  E  2   по переміщенню

 d  м 
кВ
та напруженість поля 10 . пробного заряду 1 нКл з точки A d A  0,1 м  в точку B
м
3. Поміркуйте та визначте форму та розташування (вздовж силової лінії цього поля на відстань d AB  0,1 м ).
еквіпотенціальних поверхонь для поля: 8. Електрон, рухаючись під дією електричного
а) точкового електричного заряду, Мм Мм
б) зарядженого плоского конденсатора. поля, збільшив свою швидкість з 10 до 30 .
с с
4. Визначити напруженість E електростатичного Визначити різницю потенціалів між початковою та кінцевою
поля в точці A , якщо залежність напруги U між будь - якими точками переміщення.  Відп. :2275 В  .
двома точками цього поля від відстані d між ними (вздовж
9. Між двома пластинами, розташованими
силової лінії) має вигляд U  4d  B  . Відстань d між точкою
горизонтально в вакуумі на відстані 4,8 мм одна від одної,
A та точкою з 0  0 B дорівнює 1, 5 мм . перебуває в рівновазі негативно заряджена крапля масла, маса
5. Визначити напруженість однорідного якої 10 нг . Визначити заряд краплі, якщо на пластини подано
електростатичного поля, напруга між точками A та B якого напругу 1кВ .  Відп. : 4, 8  10 16 Кл  .
буде дорівнювати напрузі між цими ж точками при створенні
неоднорідного електростатичного поля, напруженість якого Діелектрики та провідники в електричному полі.
4 B Під впливом зовнішнього електричного поля
визначається за законом E  2   ; d A  0,1 м; d B  0, 2 м діелектрики поляризуються. При цьому зміщуються
d  м
електричні заряди (деформуються електронні оболонки
атомів, зміщуються іони відносно інших іонів) всередині
діелектрика, який стає системою диполів, орієнтованих в
зовнішньому електричному полі. Молекули – диполі в
діелектрику орієнтуються таким чином, щоб напрями їх
 
електричних моментів p співпали з напрямом вектора E
6. Графічно та аналітично визначити роботу
 зовнішнього поля. Певні діелектрики (сегнетоелектрики)
однорідного електростатичного поля, напруженість якого E , мають поляризацію і без зовнішнього електричного поля. Це
по переміщенню пробного заряду 1 нКл на відстань d . Як пов’язано з їх доменною структурою.
залежить значення цієї роботи від взаємного розташування
15 16
 В деяких твердих діелектриках (наприклад, Розглянемо провідники в зовнішньому
монокристалах п’єзокварцу) може відбуватися прямий та електростатичному полі. Під впливом цього зовнішнього поля
зворотний п’єзоефект. Він полягає в поляризації при певних відбувається перерозподіл носіїв заряду, що містяться в
деформаціях кристалу (суттєво залежить від напряму провіднику. На поверхні провідника виникають індуковані
деформуючої сили відносно напрямів кристалографічних осей заряди, електростатичне поле яких протидіє зовнішньому
монокристалу. Тобто спостерігається анізотропія полю.
монокристалів). Тому всередині провідника, розміщеного в
Якщо в такому кристалі створити електричне поле, то зовнішньому електростатичному полі, напруженість
у кристалі виникають пружні напруги та він деформується. електростатичного поля дорівнює 0 . На цьому ґрунтується
Тому такі п’єзоматеріали використовують в якості датчиків та електростатичний захист (оплетений центральний дріт в
джерел пружних хвиль. Розглянемо приклад такого антенному кабелі, захист металевими екранами певних блоків
використання. радіоапаратури, тощо).
П'єзокерамічні випромінювачі використовуються в
основному в лабораторних приладах, де необхідно Електроємність. Конденсатори та їх види.
збуджувати малопотужне поле в досліджуваному зразку. При Енергія та густина енергії електричного поля.
прикладанні електричної напруги до однієї пари граней Електроємність провідника – це величина, яка
п'езокристалу відбувається деформація перпендикулярних вимірюється відношенням заряду провідника q до його
граней цього кристалу. Після подання короткочасного
q Кл
імпульсу напруги починається генерування п'езокерамічним потенціалу  : С  , де  С    Ф – електроємність
 В
випромінювачем затухаючої акустичної хвилі.
провідника. Використовуються дольні одиниці
При використанні в якості п’єзодатчиків
електроємності, співвідношення між якими такі:
(вимірювальних перетворювачів, які перетворюють енергію
пружної хвилі в енергію поляризації) в ньому при деформації 1 мкФ  106 Ф ; 1 нФ  109 Ф ; 1 пФ  1012 Ф .
однієї пари граней кристала між перпендикулярними гранями Електроємність провідника не залежить від значення
виникає (індукується, наводиться) електрична напруга заряду та потенціалу, а визначається розмірами і формою
(внаслідок поляризації п’єзоматеріалу). П’єзодатчик – один з провідника та електричними властивостями навколишнього
генераторних датчиків. середовища (діелектричною проникністю  ).
Генераторні датчики – керовані вимірюваною Конденсатор – це пристрій, здатний накопичувати
величиною генератори електричної напруги (утворюють заряд. В найпростішому випадку конденсатор складається з
(генерують) електричну напругу (електрорушійну силу) під двох пластин з провідника (обкладок), розділених
впливом вимірюваної величини). діелектриком. У вузькому зазорі між обкладками утворюється
однорідне поле.
17 18
 Конденсатори поділяють за різними ознаками; деякі з
них наведено нижче.

Електроємність конденсатора визначають за

q q
формулою С   , де
1  2 
 q   Кл – заряд, накопичений в конденсаторі;
1  2  U   B – різниця потенціалів (напруга) між
обкладками конденсатора;
Конденсатори характеризують багатьма параметрами,
 C   Ф – електроємність конденсатора (не залежить від
серед яких:
накопиченого заряду та напруги, а лише чисельно дорівнює їх - електроємність;
відношенню). - максимальна робоча напруга;
Електроємність конденсатора не залежить від - тангенс кута втрат;
провідникового матеріалу обкладок та їх товщини. - температурний коефіцієнт ємності;
Електроємність конденсатора залежить від його - діапазон робочих частот.
геометричних розмірів та діелектричної проникності
матеріалу застосованого в ньому діелектрика. Деякі В залежності від потреб застосовують з’єднання
розрахункові формули наведено в таблиці. конденсаторів в батареї:
Вид конденсатора за Формула для розрахунку а) послідовне з’єднання
формою пластин ємності С  С2 1 1 1 1
C заг  1 ;    ...  ;
 S С1  С2 Cзаг С1 С2 Сn
плоский конденсатор С 0
d
  1  ...  n ; qзаг  q1  q2
2 0
C б) паралельне з’єднання
циліндричний конденсатор
n  RЗОВН R 
 + –
 ВНУТР 
Cзаг  С1  С2 ;
R R C1
сферичний конденсатор C  4 0 ВНУТР ЗОВН + – заг  1  2
 RЗОВН  RВНУТР 
C2 qзаг  q1  q2

19 20
 Енергія електричного поля зарядженого
конденсатора дорівнює роботі, яку треба виконати для його Використання конденсаторів в якості ємнісних датчиків.
зарядження:
1 C U2 q2 Датчик (вимірювальний перетворювач) перетворює
Wел  qU   , де
2 2 2C вимірювану величину в іншу величину, яка однозначно
 Wел   Дж – енергія електричного поля зарядженого залежить від вимірюваної величини. Датчики поділяють на
конденсатора. Для енергії електричного поля плоского генераторні та параметричні. Параметричні датчики
зарядженого конденсатора маємо: перетворюють вимірювану величину в один з електричних
 E 2 параметрів датчика. До параметричних датчиків належать
Wел  0 V   V , де (серед інших) ємнісні датчики. Принцип дії ємнісних
2
В вимірювальних датчиків полягає в зміні ємності конденсатора
E    напруженість електричного поля в зазорі; під впливом вхідної перетворюваної величини. На ємність
м
V   м3  об’єм між обкладками, в якому створено плоского конденсатора можна впливати зміною площі
електричне поле; перекриття пластин S, відстані між ними δ, діелектричної
Дж проникності ε речовини, яка знаходиться в зазорі між
   3  густина енергії електричного поля обкладками конденсатора. Вибір того чи іншого змінюваного
м
параметра залежить від характеру вимірюваної величини.
зарядженого конденсатора.
Ємнісні датчики використовують для вимірювання
Запитання та завдання
кутових та лінійних переміщень, лінійних розмірів, рівня,
1. Різниця потенціалів між пластинами плоского
зусиль, вологості, концентрації тощо.
повітряного конденсатора 100 В . Відстань між пластинами
1 мм , а заряд, накопичений в конденсаторі, дорівнює
4,7  109 Кл . Знайти робочу площу кожної обкладки
конденсатора та енергію електричного поля цього
конденсатора.
2. Різниця потенціалів між пластинами плоского
конденсатора 500 В . Відстань між пластинами 0, 5 мм , а
заряд, накопичений в конденсаторі, дорівнює    109 Кл . Схеми та характеристики ємнісних датчиків з різними
Робоча площа кожної обкладки конденсатора 1см 2 . Знайти змінюваними параметрами: а – площа перекриття пластин;
б – відстань між пластинами; в – діелектрична проникність
відносну діелектричну проникність  діелектрика цього
речовини в зазорі.
конденсатора.
21 22

Постійний електричний струм
Умови існування електричного струму.
Закон Ома для ділянки кола. Електричний опір.
Електричний струм – це впорядкований рух вільних
заряджених частинок. В металевих провідниках це вільні
електрони (електрони провідності); в електролітах – іони
(катіони та аніони), вивільнені в результаті дисоціації під
впливом розчинника; в газах – електрони та іони, вивільнені
при іонізації.
Умови існування електричного струму: наявність
вільних заряджених частинок та різниця потенціалів (напруга)
  0 , що постійно підтримується.
Електричному струму завжди притаманна магнітна дія,
тобто навколо будь – якого провідника, по якому протікає
електричний струм, виникає магнітне поле. Крім того,
електричний струм може мати теплову, механічну та хімічну
дії.
Сила струму чисельно дорівнює заряду, який
проходить через поперечний переріз будь – якого провідника
за 1 секунду.
Сила електричного струму I пов’язана з зарядом q ,
який проходить через поперечний переріз провідника за час
t , формулою:
q Кл
I  q t , де  I    А – сила струму.
t с А
За напрям електричного струму умовно прийнято
напрям руху позитивно заряджених частинок (від + до – для
зовнішньої ділянки). Якщо напрям струму в електричному
колі співпадає з прийнятим, то I  0 .
23
Силу струму вимірюють амперметрами, які вмикають
послідовно з досліджуваною ділянкою (в розрив
електричного кола). Опір амперметра повинен бути
якнайменшим. Для розширення меж вимірювання паралельно
амперметру вмикають шунт (резистор малого опору, через
який проходить струм I ш  I  I A ) .
Необхідною умовою протікання електричного струму
по провіднику є різниця потенціалів   0 , що постійно
підтримується (в провіднику завжди є вільні носії зарядів).
Якщо різниця потенціалів  не змінюється, то такий струм
називається постійним.
Електричне поле розповсюджується в вакуумі з
швидкістю світла в вакуумі   3  108 м  , а вільні електрони, які
 с 
створюють електричний струм в металах, рухаються з
швидкістю  0,1 мм (тому що відбувається велика кількість
с
зіткнень вільних електронів з іонами кристалічної решітки).
Сила струму I , опір ділянки кола R та напруга  на
цій ділянці пов’язані між собою (математичний запис цієї
залежності – закон Ома для ділянки електричного кола):
 , де
I
R
 R   Ом – електричний опір;
U  В  напруга (падіння напруги U  1  2 ).
I
R
V 1
I  ; I 
R
24
 Для вимірювання падіння напруги на ділянці кола Питома провідність  залежить від заряду,
паралельно до цієї ділянки вмикають вольтметр. Опір концентрації та рухливості вільних носіїв заряду в речовині. Її
вольтметра повинен бути якнайбільшим. Для розширення величину можна визначити за формулою:
меж вимірювання послідовно з вольтметром вмикають
додатковий опір (резистор великого опору, на якому падає
  qnu , де
частина напруги, підведеної до цієї ділянки кола: q   Кл – заряд вільного носія заряду;
UR дод  U  UV ). -
Електричний опір провідника не залежить від значень
 n  м 3 – концентрація вільних носіїв заряду;
 та I . Електричний опір провідника залежить від матеріалу м2
u    рухливість даного виду вільних носіїв заряду в
та геометричних розмірів провідника, а також від Вс
температури провідника. досліджуваній речовині.
Опір R провідника довжиною l та площею Якщо провідність спричинена декількома видами
поперечного перерізу S зв’язаний з питомим опором вільних носіїв, то їх «внески» додаються.
матеріалу провідника  співвідношенням: Сила струму, що протікає через певну точку
l провідника, залежить від властивостей матеріалу провідника
R , де та напруженості електричного поля Е поблизу цієї точки.
S
    Ом  м – питомий опір матеріалу провідника Математично це можна визначити законом Ома в
диференціальній формі:
Ом  мм 2
(позасистемна одиниця 1  106 Ом  м ). j  E
м , де
Значення  для різних матеріалів наведені в A I
 j  2
 густина струму; j  , де
довідникових таблицях. м S
В деяких випадках електричні властивості матеріалів  S   м 2 - площа поперечного перерізу провідника.
характеризують питомою електричною провідністю  (в
літературі цю величину позначають також літерою γ). Задачі
Величини  та питомий опір  – обернені величини, 1. Визначити напругу джерела електричної енергії,
1 до якого підключено манганіновий дріт довжиною 8 м та
пов'язані між собою формулою:  
 площею поперечного перерізу 0,8 мм 2 . Сила струму в колі
Основна одиниця вимірювання питомої провідності
Ом  мм 2
1 0, 3 А . Питомий опір манганіну 0, 43 .
См 1 м
    Ом
м Ом м м

25 26
 2. Визначити площу поперечного перерізу та електричне коло. Силу струму I в колі можна визначити за
довжину мідного дроту, якщо його опір 0, 2 Ом , а маса 0, 2 кг . законом Ома для повного кола:
кг
Густина міді 8900 ; питомий опір міді
м3
1, 7  108 Ом  м .  Відп. : 1, 38 мм 2 ;16, 2 м  .
3. Мідна та алюмінієва дротина мають однакові
маси та електричні опори. Яка дротина має більшу довжину
кг
та у скільки разів? Густина міді 8900 3 ; питомий опір міді
м
кг
1, 7  108 Ом  м . Густина алюмінію 2700 3 ; питомий опір
м
 l 
алюмінію 2,8  108 Ом  м .  Відп. : Al  2  .
 lCu 

Електрорушійна сила. Джерела напруги та

джерела струму. Кожне з джерел може перебувати в одному з трьох
Джерела електричної енергії — це прилади, в яких режимів:
енергія будь - якого виду (механічна, світлова, теплова, а) холостого ходу (джерело ЕРС: RH  ;U  ; I  0 );
хімічних реакцій тощо) перетворюється в електричну енергію. б) номінальному режимі (джерело напруги
Кожне з джерел електричної енергії характеризується ( RH  r;U  const ); джерело струму ( RH  r ; I  const ), але
багатьма параметрами, серед яких:
дуже малий ККД; узгоджений режим ( RH  r ; максимальна
а) електрорушійна сила (EPC,
потужність передається в навантаження));

 EСТОРОННІХ СИЛ d  ) — значення напруги на клемах  
в) короткого замикання  RH  0; U H  0; I   . Цей режим
джерела при розімкненому зовнішньому колі  r
 RH  ;U    ; найчастіше є аварійним.
б) внутрішній опір джерела r . В апаратурі для організації джерел напруги або струму
Джерело електричної енергії (внутрішня ділянка найчастіше використовують відповідні електронні
електричного кола) разом із зовнішньою ділянкою стабілізатори (напруги або струму). Їх суттєва перевага –
електричного кола (споживачами (інша назва - навантаження висока стабільність та високий ККД. Джерелами напруги,
RH ) та з'єднувальними провідниками) утворюють повне значення якої залежить від вимірюваної величини, є
генераторні датчики.
27 28
 Задача. ЕРС джерела електричної енергії 9В , З’єднання елементів електричних кіл. Закони
внутрішній опір 1Ом . При якому опорі зовнішньої ділянки Кірхгофа для розгалужених електричних кіл.
кола сила струму буде дорівнювати 1 А ? Електричне коло являє собою сукупність ділянок,
Дано: 9B серед яких можна виділити споживачі, що з'єднані
 R  1Ом 
  9B r 1A послідовно, а деякі – паралельно.
 
r  1Ом  9 Ом  1Ом  В певних випадках застосовують з'єднання джерел
I  1A  8 Ом живлення в батареї (послідовно та паралельно). При
R? R розрахунку таких електричних кіл слід враховувати і EPC , і
I внутрішній опір кожного з джерел. Наприклад, для наведеної
нижче схеми, маємо: n  4 - кількість послідовно з'єднаних
  
I ;Rr  ; R  r гальванічних елементів: m  2 - кількість паралельних гілок.
Rr I I
Задачі
1. ЕРС джерела електричної енергії 36 В . При
опорі зовнішньої ділянки 17 Ом сила струму в колі дорівнює
2 А. Визначити падіння напруги всередині джерела
електричної енергії та його внутрішній опір.
2. Коли до батареї гальванічних елементів Тоді закон Ома для повного кола буде мати вигляд:
приєднали опір 16 Ом , сила струму в колі становила 1 А , а n
I
nr
коли приєднали опір 8 Ом , сила струму стала 1, 8 А . R
Визначити ЕРС та внутрішній опір батареї. m
У випадку наявності певних нелінійних опорів ( R
3. «Розімкнений вимикач – індикаторна лампа
змінюється залежно від прикладеної напруги) одним із
світиться; замкнений вимикач – індикаторна лампа не
світиться.» Як таке може бути? Про які елементи схеми способів розрахунку I та U є графічний, при якому будують
йдеться? Проаналізуйте стан індикаторних ламп при різних вольт - амперну характеристику (залежність I  f  U  ) для
положеннях вимикачів. кожного з нелінійних опорів, а потім графічно (з урахуванням
законів послідовного та паралельного з'єднання) будують
результуючу вольт - амперну характеристику (ВАХ). За нею
визначають потрібні значення величин електричних
параметрів кіл з нелінійними елементами.

29 30
 відносять і потужність, що виділяється на внутрішньому
Для визначення струмів та напруг на елементах опорі джерела живлення.
електричних кіл застосовують закони Кірхгофа: Для випадків послідовного та паралельного (окремо)
1) Алгебраїчна сума струмів у будь-якому вузлі з’єднання споживачів можна сформулювати певні
електричного кола дорівнює 0 . Математично перший закон співвідношення електричних величин.
p 1. При послідовному з’єднанні провідників
Кірхгофа має вигляд: I
i 1
i 0 кінець першого провідника приєднується до початку другого.
2) Алгебраїчна сума EPC будь - якого замкнутого
I  I1  I 2  ...  I n  const
контуру дорівнює алгебраїчній сумі падінь напруг на
елементах цього контуру. Математично другий закон   1  2  ...  n
n m Rзаг  R1  R2  ...  Rn
Кірхгофа має вигляд:  k   I j R j 1 R
k 1 j 1  1
2 R2
Якщо напрямок струму, створюваного певною ЕРС, та
напрямок обходу контуру співпадають, то цю ЕРС беруть зі При послідовному з’єднанні провідників загальний
знаком +; якщо напрямок певного струму співпадає з опір RЗАГ більше найбільшого Rі ; на більшому опорі
напрямком обходу контуру, то цей струм і відповідний утворюється більше падіння напруги; на закоротці падіння
добуток беруть зі знаком +. напруги практично не утворюється  RЗАКОР  0  UЗАКОР  0  ; на
Для будь-якого повного електричного кола
ділянці, що містить обрив, падає практично вся підведена
виконується баланс потужностей: потужність усіх джерел
напруга  RОБРИВ    UОБРИВ    .
живлення повного електричного кола дорівнює сумі
потужностей усіх споживачів цього кола. У випадку 2. При паралельному з’єднанні провідників
перетворення електричної енергії тільки в теплову початки всіх провідників приєднуються до однієї точки, а
n m кінці всіх провідників – до іншої точки.
 I   I jR j
2
математично отримаємо: k k I  I1  I 2  ...  I n
k 1 j 1

Якщо напрямки ЕРС та струму співпадають, то   1  2  ...  n

джерело віддає потужність в навантаження (при цьому 1 1 1 1
   ... 
відповідний добуток беруть зі знаком +); якщо напрямки Rзаг R1 R2 Rn
струму та ЕРС протилежні, то джерело є споживачем
I1 R2
(наприклад, заряджання акумулятора; при цьому відповідний 
I2 R1
добуток беруть зі знаком –). До потужності приймачів
31 32
Для двох паралельно для n однакових Розв’яжемо задачу методом контурних струмів. Для
з’єднаних провідників: паралельно з’єднаних цього визначимо контури та за другим законом Кірхгофа
R R R складемо рівняння для кожного з контурів.
R1,2  1 2 провідників: Rзаг 
R1  R2 n 
  R2  R6  R3  I I  R2 I II  R6 I III  1  11I I  2 I II  6 I III  36

 

При паралельному з’єднанні провідників загальний  R2 I I   R1  R4  R2  I II  R4 I III  0;  2 I I  7 I II  4 I III  0

 
 6 I  4 I  13I  0
опір RЗАГ менше найменшого Rі .  R6 I I  R4 I II   R4  R5  R6  I III  0 

  I II III

Побутові електроприлади, розраховані на   220B , Розв’яжемо систему, застосовуючи матриці:

вмикають в електричну мережу (220 В) паралельно. 11 2 6
Задачі D  2 7 4  117 13   2  4  6  
1. Визначити загальний опір ділянки АВ 6 4 13
електричного кола.   2   4  6    6  7 6    4  4 11 
R2   2  2 13  1001  48  48  252  176  52  425
R1 10Ом R4 36 2 6
А В
DI  0 7 4  36713   2  4 0 
4Ом R3 8Ом
0 4 13
15Ом 0 4  6   07 6    4  4 36 
R2  R3 10 Ом  Ом 150 Ом 2
0 2 13  3276  0  0  0  576  0 
R2;3     6 Ом
R2  R3 10 Ом  Ом 25 Ом  3276  576  2700
Rзаг  R1  R2;3  R4  4 Ом  6 Ом  8 Ом  18 Ом 11 36 6
2. Визначити величини сили струму через кожний з DII  2 0 4  11 013  36 4  6  
резисторів наведеної нижче схеми (застосувати закони 6 0 13
Кірхгофа). Перевірити виконання балансу потужностей.
  2  0 6    6 0 6   0 4 11 
 2 3613  0  864  0  0  0  936  1800
11 2 36
DIII  2 7 0  117 0   2  0 6  
6 4 0
  2  4 36   6 736   4 011 
 2  2 0  0  0  288  1512  0  0  1800
33 34
 Визначимо контурні струми: Задачі
D 2700 6 D 1800 4
II  I   6  мА  I III  III   4  мА 
D 425 17 D 425 17 1. На малюнку зображено схему ділянки АВ
D 1800 4 електричного кола. Визначити загальний опір ділянки АВ,
I II  II   4  мА 
D 425 17 падіння напруги на кожному резисторі та на ділянці АВ, силу
Визначимо струми через кожний з резисторів, знаючи струму через кожний резистор. Покази амперметра 1 А.
величини контурних струмів: R2
5 6
I1  I II  4 мА I 3  I I  6 мА
17 17
R1 20Ом R4
6 4 2 В
I2  II  III  6 4  2  мА
17 17 17
4 4 15Ом R3 30 Ом
I 4  I II  I III  4  4  0  струм через R4 не протікає
17 17 А
4 6 4 2 20Ом
І 5  І ІІІ  4 мА І 6  І І  І ІІІ  6  4  2 мА
17 17 17 17

2. На малюнку зображено схему ділянки АВ

Перевіримо виконання балансу потужностей:
електричного кола. Усі опори однакові й дорівнюють по 2 Ом.
I12 R1  I 22 R2  I 32 R3  I 42 R4  I 52 R5  I 62 R6  Визначити розподіл струмів та напруг.  AB  55 B .
 4  2  6  4
2 2 2 2

  4  1   2   2   6  3  0 2 4   4  3  R1 R4

 17   17   17   17  A
 2 2  4 2  2 2  6 2
  2  6   4  1  3    2   2  6    6  3 
 17   17   17   17  R3 R5
 72   36   108  20736  10368  34992
2 2 2

   4    8   
 3   R2 R6
 17   17   17  289 B
66096 3888
   мВт   1  2  20B 
289 17  
 Відп.: I 3  7,5 A .
 
6 3888  I  I  I  2,5 A
I 31  6 36   мВт   4 5 6 
17 17

35 36
 3. Визначити величини сили струму через кожний
з резисторів наведеної нижче схеми. Перевірити виконання Мости постійного струму.
балансу потужностей. Цим терміном позначають спеціальні схеми та
Дано: вимірювальні прилади, побудовані на основі цих схем.
R1  110 Ом Розглянемо мостові схеми, які широко використовують в
R2  160 Ом схемах автоматики (для вмикання певних параметричних
R3  200 Ом датчиків), схемотехніці та електрорадіовимірювальних
R4  80 Ом
приладах. Нижче наведено схему мосту постійного струму
(конкретно ця схема призначена для визначення активного
R5  140 Ом
опору резистора R).
R6  240 Ом
1  50 В
 5992 24111 11316 
2  22 В  Відп. : I   A; I   A; I   A
 138800 138800 138800 

4. Визначити величини сили струму через кожний з

резисторів наведеної нижче схеми. Перевірити виконання Ця схема містить в собі три постійних резистори R; R1;
балансу потужностей. R3 та резистор змінного опору R2, які є плечами мосту.
Дано: Джерело напруги U під’єднано до однієї діагоналі мосту, а
R1  7,5 Ом вихідну напругу мосту знімають з іншої його діагоналі (в
R2  15 Ом даному використанні в цю діагональ під’єднано
R3  18 Ом міліамперметр). Якщо опори плеч мосту підібрані таким
R4  10, 5 Ом
чином, що потенціали точок, до яких під’єднано
R5  12 Ом
міліамперметр, однакові (рівновага або баланс мостової
R6  22, 5 Ом
схеми), то струм I в колі цього міліамперметру не протікає.
1  15 В
2  37, 5 В
Умова рівноваги мосту, який працює на постійному
струмі, – рівні добутки активних опорів протилежних плеч.
 1593 1067 3120 
 Відп. : I   A; I   A; I   A В даній схемі шляхом зміни опору R2 досягають
 2561 2561 2561 
збалансованості мосту (рівність потенціалів в діагоналі, в яку
підключено міліамперметр). При цьому R1  R2  R R3 ; покази
вимірювального приладу (міліамперметру) дорівнюють 0.
37 38
Значення R опору досліджуваного резистора визначаємо за
формулою: R  R1  R2 .
R3
При використанні мостової схеми для вмикання
певних параметричних датчиків (наприклад, резисторів, опір
яких залежить від вимірюваної величини) міст врівноважують
при початковому значенні опору датчика. Тоді при зміні
вимірюваної величини (під впливом якої змінюється активний
опір параметричного датчика) рівновага порушується; на
вимірювальній діагоналі мосту виникає деяка різниця
потенціалів. Таким чином вдається отримати напругу,
величина якої залежить від вимірюваної величини.
Робота електричного струму. Закон
Джоуля – Ленца. Потужність електричного
струму.
В споживачах електрична енергія перетворюється в
різні інші види енергії (теплову, механічну, світлову, тощо).
Роботу А електричного струму на ділянці кола в
загальному випадку можна визначити
t2
формулою: A   IU dt . Для напруги та струму, що не залежать
t1
від часу, маємо: A  I  t , де  A   Дж – робота
електричного струму;  I   A – сила струму;     B –
падіння напруги на ділянці кола;  t   c – час проходження
струму. В загальному випадку виділену при протіканні
електричного струму кількість теплоти визначають за
t2
формулою: Q   I 2R dt . У випадку, якщо на ділянці кола не
t1
виконується механічна та будь – яка інша робота, вся робота
39
електричного струму йде на нагрівання провідника. В такому
випадку для напруги та струму, що не залежать від часу,
маємо:
A  Q  I 2 Rt , де
 R   Ом – активний (омічний) опір провідника.
Цей закон (закон Джоуля – Ленца) було встановлено
Д. Джоулем (1818–1889) та Е. Ленцем (1804–1865). Повне
теоретичне пояснення виділення теплоти при протіканні
струму базується на квантовій механіці та узгоджується з
експериментальними результатами.
Густину теплової потужності    Вт3 можна визначити
м
2
за формулою:    E (закон Джоуля – Ленца в
диференціальній формі).
Потужність P постійного електричного струму можна
визначити за формулою: P  A  I   I 2 R   , де
2
t R
Дж
 P   Вт – потужність постійного електричного струму.
с
за
Задачі
1. Електрична лампочка в ліхтарику працює при
напрузі 3, 6 В та має опір 12 Ом . Визначити потужність
лампочки.
2. За 10 хвилин в мідному дроті (площа поперечного
перерізу 1, 5 мм 2 ), по якому протікає до споживача струм
силою 5 А , виділяється 765 Дж теплоти. Визначити довжину
2
дроту. Питомий опір міді 0, 017 Ом  мм .
м
3. Скільки води, початкова температура якої 20О С ,
можна закип’ятити в електрочайнику за 15 хвилин.
Потужність електрочайника 800 Вт . Загальні втрати теплоти
40
складають 65% . Питома теплоємність води Запитання та завдання.
Дж 1. Чому при з'єднанні провідників має бути забезпечено
4200 .  Відп. : 0, 75 кг 
кг  К надійний електричний контакт?
4. Схема ділянки кола має наведений нижче вигляд: 2. Чому при погіршенні умов охолодження провідника
R2 максимально допустимий струм через нього
зменшується?
R1 2Ом R4 3. Чому для монтажу між рухомими частинами апаратури
А В майже не використовують одножильні провідники?
1,5Ом R3 3Ом
Резистори
6 Ом Резистори — це прилади, які характеризуються певним
Падіння напруги на ділянці АВ дорівнює 6 В . Визначити активним опором та призначені для зміни сили струму в колі
кількість теплоти, що виділиться на кожному резисторі за 10 або для ділення прикладеної напруги в потрібному
хвилин.  Відп. :900 Дж , 675 Дж , 225 Дж ,1800 Дж  співвідношенні. Резистори характеризуються багатьма
параметрами, серед яких:
З'єднувальні провідники. - активний опір;
Забезпечення виконання потрібних функцій певними - потужність;
приладами здійснюється за допомогою монтажу цих - максимальне значення напруги;
елементів в пристрої та засоби. При монтажі - температурний коефіцієнт опору;
використовуються з'єднувальні провідники. Провідники - діапазон робочих частот.
характеризуються багатьма параметрами, серед яких: Запитання та завдання
- максимальна густина струму (залежно від Поміркуйте, чому для кожного резистора обмежують
зовнішніх умов та умов охолодження, виду монтажу); потужність?
- максимальне значення напруги.
ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ У РІЗНИХ СЕРЕДОВИЩАХ
Обов'язковими параметрами для всіх
Існують дві необхідні та достатні умови для протікання
електрорадіоелементів, в тому числі й для провідників, є певні
електричного струму через певну ділянку електричного кола:
значення параметрів навколишнього середовища
наявність вільних носіїв заряду та певна різниця електричних
(температура, вологість, радіація тощо) та механічні
потенціалів.
навантаження. В якості з'єднувальних елементів
В даному розділі буде пояснено наявність вільних носіїв
використовують також роз'єми (з'єднувачі) різних типів, які
заряду в провідникових металах та електролітах; розглянуто
дозволяють більш оперативно проводити ремонт апаратури.
41 42
умови, необхідні для протікання струму в газах та вакуумі. На
якісному рівні ознайомимось з певними явищами при
протіканні струму в металах та напівпровідниках та з деякими
напівпровідниковими електрорадіоелементами.
Відносно протікання електричного струму виділимо
наступні середовиша:
1. Тверді:
а) провідникові метали;
б) напівпровідники;
в) діелектрики (в ідеалі струм провідності
відсутній; існує тільки струм поляризації).
2. Рідини та розплави (електроліти).
3. Гази.
4. Вакуум (електрони, вивільнені з металевої поверхні в
результаті емісії, потрапляють в технічний вакуум).
Електричний струм у металах
Особливістю провідникових металів є наявність
великої кількості (в 1 м3 приблизно 1028...1029 ) вільних
електронів (електронів провідності). За своїми
характеристиками вони дещо подібні до «електронного газу»
(якщо не враховувати особливостей вільних електронів, що
пояснюються квантовою механікою). Велика концентрація
вільних електронів спостерігається тому, що відсутня
заборонена зона (за рівнями енергії електронів) між зоною
енергії валентних електронів та зоною провідності.
При збільшенні температури питомий опір металевих
провідників збільшується (хаотичний рух електронів та
коливальний рух іонів збільшуються, що призводить до
збільшення протидії спрямованому руху електронів, тобто
43
струму). Кількісно цю зміну оцінюють температурним
коефіцієнтом питомого опору  . Для металів   0 .
Залежність питомого опору металу від температури
(при не дуже низьких температурах) відповідає схематичному
графіку:

T  f t 
0
t
Питомий опір металів t при не дуже низьких
температурах можна визначити за формулою:
t  t 0 1  t  , де
t - питомий опір металу при температурі t ;
 t 0 - питомий опір металу при початковій температурі t 0 ;
t - різниця температур: t  t  t0
    K 1  0C 1 - температурний коефіцієнт питомого
електричного опору металу.
При наближенні до 0 К опір деяких металевих
провідників дуже різко зменшується до 0 (електрони через
позитивні іони кристалічної гратки певним чином утворюють
пари). Це явище – надпровідність. Повне теоретичне
пояснення еілектропровідності (в тому числі надпровідності),
її залежності від температури та інших зовнішніх умов
(наприклад, залежність надпровідного стану від магнітної
індукції зовнішнього магнітного поля) базується на квантовій
механіці та узгоджується з експериментальними
результатами.
44
 Запитання та завдання
1. Які значення (аналізуючи наведений вище графік)
може приймати температурний коефіцієнт питомого
електричного опору металів?
2. Визначити приблизне значення зміни опору
вольфраму при його нагріванні на 1 К, якщо наявні лампа з
спіраллю розжарювання, параметри якої відомі, та
мультиметр. Прийняти, що температура спіралі в робочому
стані дорівнює 2600 К. Як залежить потужність лампи від
опору спіралі?
Види електронної емісії. Керування рухом
вивільнених електронів
Емісія електронів - процес виходу вільних електронів з
металевої поверхні (за умови набуття ними кінетичної енергії,
необхідної для виходу з цієї поверхні).
Для провідникових металів характерна велика
кількість вільних електронів (електронів провідності). Всі
вони хаотично рухаються з різними швидкостями. Якщо
додатково електрону додати певну (для даного металу)
енергію, то він зможе подолати притягання до іонів
кристалічної решітки та “вийде” з поверхні металу. Ця
додаткова енергія дорівнює роботі виходу електрона
(наводиться в таблицях; найчастіше вимірюють в еВ ;
1еВ  1, 61019 Дж ). Необхідну енергію електрони можуть
набувати внаслідок нагрівання поверхні (термоелектронна
емісія при температурі 10000 С ...1500 0 С ), опромінювання
(фотоелектронна емісія), бомбардування (вторинна емісія).
Змінювати траєкторію та швидкість руху електронів
можна за допомогою електричного та магнітного полів.
За допомогою електричного поля, в яке потрапляє
електрон, можна:
45
а) збільшувати швидкість руху електронів
(прискорююче поле, яке створюється при поданні
прискорюючої напруги);
б) зменшувати швидкість руху електронів
(гальмівне поле при поданні затримуючої напруги);
в) змінювати траєкторію руху електронів (при
створенні електричного поля, силові лінії якого непаралельні
вектору початкової швидкості електронів).
За допомогою магнітного поля, в яке потрапляє

електрон, можна змінити напрям вектора швидкості  його
руху (за рахунок дії сили Лоренца FЛ  q B sin  ).
Контактна різниця потенціалів. Термоелектричні
явища.
Контактна різниця потенціалів виникає в місці
з’єднання двох різних металів (або металу з напівпровідником
або двох різних напівпровідників). Вона обумовлена
переходом частини вільних носіїв заряду з одного матеріалу,
що контактує, в інший. Це відбувається через різну
концентрацію вільних носіїв в цих матеріалах (обумовлено,
наприклад, різними величинами роботи виходу контактуючих
металів). Зовнішня контактна різниця потенціалів має
величини від долей до декількох Вольт.
Між тепловими та електричними явищами в металах і
напівпровідниках існує взаємозв’язок, який призводить до
термоелектричних явищ. Серед них розглянемо:
а) явище Зеебека (використовується в термопарах);
б) явище Пельтьє (використовується в спеціальних
холодильниках);
в) явище Томсона.
Явище Зеебека використовується в генераторних
термоелектричних датчиках (термопарах). Принцип їх дії
полягає в індукуванні (наведенні, утворенні) в контурі
46
термоелектрорушійної сили (скорочено термо-ЕРС) через
наявність різниці температур місць з’єднання (спаїв) двох
різнорідних металів або напівпровідників. В певному
інтервалі температур можна вважати, що термо-ЕРС прямо
пропорційна різниці температур ∆Т = Т1 – Т2 між робочим
спаєм та кінцями термопари (опорним спаєм) для незмінної
пари металів або напівпровідників.
З’єднані між собою кінці термопари, що занурюють в
середовище, температуру якого вимірюють, називають
робочим кінцем термопари (гарячим спаєм). Кінці, що
знаходяться в навколишньому середовищі, і які зазвичай
під’єднують дротами до вимірювальної схеми, називають
вільними кінцями (холодним або опорним спаєм).
Температуру цих кінців необхідно підтримувати незмінною.
За такої умови термо-ЕРС (для певної термопари) буде
залежати тільки від температури Т1 гарячого спаю.
Забезпечити термостатування опорного (холодного) спаю
порівняно складно, тому найчастіше застосовують ланцюги
компенсації температури холодного спаю.
Термопари (найчастіше напівпровідникові)
використовують також в якості термогенераторів (для
прямого перетворення теплової енергії в електричну).
Явище Пельтьє: при протіканні струму в колі з двох
різних металів або напівпровідників в одному спаї
відбувається виділення теплоти, а в другому – поглинання
теплоти. Тобто явища Зеебека та Пельтьє є зворотними. Ця
кількість теплоти пропорційна заряду, який пройшов через
47
спай. При зміні напряму струму в електричному колі замість
виділення теплоти відбувається її поглинання та навпаки (у
кожному з спаїв відповідно). Це явище використовують в
спеціальних холодильниках на основі батарей, в яких з’єднані
певні пари напівпровідників. Спаї одного виду розташовують
в охолоджуваній ділянці, а інші виводять в зовнішній простір.
При певному напрямі струму відбувається охолодження
потрібної ділянки, інші спаї при цьому віддають тепло,
нагріваючи зовнішній простір.
Явище Томсона полягає в утворенні певної додаткової
кількості теплоти (крім теплоти, що виділяється на активному
опорі) або її поглинанні при протіканні струму однорідним
провідником за умови наявності в цьому провіднику різниці
температур. Ця додаткова кількість теплоти пропорційна
струму (заряду) та перепаду температур. Явище Томсона
аналогічно явищу Пельтьє, але спостерігається в колі з
однорідним провідником, а не з термопарою.
Електричний струм в електролітах.
Електроліти – це розчини солей, кислот чи лугів в воді.
В електролітах співіснують два процеси – дисоціація та
рекомбінація.
Електролітична дисоціація – це процес розпаду молекул
розчиненої речовини на іони під впливом розчинника.
Рекомбінація іонів – це возз’єднання різнойменно
заряджених іонів у нейтральні молекули.
Електричний струм в електролітах створюють
позитивні та негативні іони. Струм в електролітах
супроводжується електролізом – окисно - відновлювальними
реакціями з виділенням на електродах речовин. На аноді
(електроді, з’єднаному з “+” джерела енергії) виділяються
аніони (негативно заряджені іони). На катоді (електроді,
48
з’єднаному з “–” джерела енергії) виділяються катіони
(позитивно заряджені іони). Задача
Електроліз широко застосовується в промисловості: Визначити силу струму, який необхідно пропустити через
для отримання чистих металів, в електрометалургії розчин ZnCl2 на протязі 2 годин, щоб на катоді виділилось
(видобуток Al ), для одержання тонкого поверхневого 24, 48 г цинку. Електрохімічний еквівалент цинку
захисного або декоративного металевого шару (сріблення, кг
золотіння, нікелювання, хромування, тощо), у виробництві 3, 4  107 .
Кл
плат для монтажу радіотехнічних схем тощо.
Дано: m  kI t 24, 48 103
Явище електролізу досліджував М. Фарадей, який у I  10( A)
кг m 3, 4  107  7200
1833 році встановив закони електролізу. k  3, 4  107 I
Кл k t кг Кл А  с
1. Маса речовини, що виділилась під час електролізу,  I    А
t  2 години  кг с с
прямо пропорційна силі струму, що протікає через електроліт, с
та часу протікання цього струму: m  kI t , де  7200 с Кл

 m  кг – маса виділеної речовини; m  24, 48 г 

кг  24, 48  103 кг
 k  – електрохімічний еквівалент виділеної
Кл I ?
речовини;
Задачі
 I  A – сила струму, що протікає через електроліт;
1. Визначити електрохімічний еквівалент срібла, якщо при
t  c – час протікання електричного струму; електролізі азотнокислого срібла за 1 хвилину виділилося
I t   Ac  Кл  заряд, що пройшов за весь час 0, 27 г срібла при силі струму 4 А .
електролізу. 2. При електролізі води протягом 10 хвилин протікав
2. Електрохімічні еквіваленти речовин прямо
струм 5 А . Визначити тиск кисню O2 , якщо він зайняв об’єм
пропорційні їх молекулярним масам і обернено пропорційні 0
0, 2 л при температурі 20 С. Електрохімічний еквівалент
1 M
їх валентностям: k   , де кг
e NA n оксигену 8, 29  108 . Молярна маса кисню O2
Кл
кг
 k  – електрохімічний еквівалент виділеної речовини; 32  103
кг
.  Відп. :9, 5  10 4 Па 
Кл моль
кг
 М  – молярна маса виділеної речовини; 3. Визначити силу струму, що протікав протягом 5
моль хвилин при електролізі води, якщо виділений при цьому
n – валентність виділеної речовини;
кисень O2 зайняв об’єм 0,1 л при температурі 200С та тиску
N A – число Авогадро ( N A  6, 02  1023 моль1 );
кг
e – заряд електрона  e  1, 6  1019 Кл  1 атм . Електрохімічний еквівалент оксигену 8, 29  108
Кл
49 50
 кг
Молярна маса кисню O2 32  103 .  Відп. :5, 3 А
моль
4. Визначити роботу електричного струму при
електролізі розчину ZnCl2 , якщо при падінні напруги 2 В
виділилось 34 г цинку. Електрохімічний еквівалент цинку
кг 
3, 4  107 .  Відп. :2  105 Дж 
Кл
5. Визначити падіння напруги під час електролізу
розчину CuSO4 , якщо для виділення 123 г міді витратили
0,3 кВт  год електроенергії. Електрохімічний еквівалент міді
кг
3, 3  107 .  Відп. : 2, 7 В 
Кл
Хімічні джерела електричної енергії
При зануренні пластин (електродів) в електроліт на
цих пластинах утворюється надлишок або нестача електронів,
тобто утворюється від’ємний або додатний потенціал
(залежно від виду матеріалу пластин та електроліту). Це
відбувається внаслідок окислювально - відновлювальних
реакцій між речовинами електродів та електроліту. Якщо в
електроліті конструктивно поєднати (на певній відстані) два
електроди (з різних матеріалів), на яких утворюються
потенціали різних знаків, то отримаємо хімічне джерело
електричної енергії.
Це джерело за рахунок сторонніх сил (енергії хімічних
реакцій) створює електричне поле, яке можна прикласти до
споживача електричної енергії. При цьому по споживачу (під
дією джерела) буде протікати електричний струм.
Хімічні джерела електричної енергії поділяють на:
а) гальванічні елементи;
б) акумулятори.
51
Для гальванічних елементів характерно однобічне
протікання окислювально - відновлюваних реакцій (при
розряді).
Для акумуляторів розрізняють два номінальних
режими:
а) розряду, коли акумулятор є джерелом
електричної енергії;
б) заряджання, коли акумулятор є споживачем
електричної енергії від зовнішнього джерела. При цьому
окислювально - відновлювані реакції проходять в зворотному
(порівняно з розрядом) напрямі, відновлюючи матеріали
електродів, що необхідно для повторного розряду
акумуляторів.
Параметри хімічних джерел електричної енергії:
а) ємність джерела - сумарний заряд, який може
«віддати» джерело при розряді (зазвичай вимірюють в
Агодинах : 1 А година  3600 Кл );
б) номінальна напруга (при номінальному струмі
розряду або при номінальному навантаженні);
в) внутрішній опір;
г) кількість циклів розряду - заряду (переважно
для акумуляторів);
д) величина саморозряду;
в) строк зберігання (переважно для гальванічних
елементів);
ж) кліматичні умови експлуатації.
В маркуванні батарей для геофізичної апаратури (ГР)
вказують кліматичні умови, в яких можна використовувати
певні батареї гальванічних елементів.
В сучасних хімічних джерелах енергії використовують
кислотні, лужні, гелеві, органічні електроліти, а в якості
електродів - нікель, кадмій, свинець, літій, диоксид марганцю,
графіт, оксид ртуті, оксид срібла. Існують акумулятори навіть
52
на 2, 8 В (літій - іонні). Деякі лужні гальванічні елементи
(алкалінові) можна декілька разів заряджати, що дозволяє в
результаті отримати приблизно подвійну ємність джерела.
Сучасні літій - іонні та літій - полімерні акумулятори не
потребують обслуговування. В хімічних джерелах енергії
можна зустріти навіть внутрішні елементи захисту від
перегріву, індикатори розряду. Тривають розробки нових
гальванічних елементів та акумуляторів, покращення їхніх
характеристик та зменшення енергії споживання мобільної
апаратури.
Запитання.
1. Чому не завжди достовірною є перевірка
гальванічних батарей при розімкненому колі?
2. Навіщо використовують з'єднання джерел
електричної енергії в батареї? Які практичні обмеження при
цьому треба враховувати?
Електричний струм у газах та його
використання.
За нормальних умов гази практично не містять вільних
заряджених частинок (електронів або іонів), що можуть
напрямлено рухатись (при наявності зовнішнього
електричного поля). Тому навіть за наявності електричного
поля через газ за нормальних умов не йтиме електричний
струм. За нормальних умов гази є ізоляторами.
Під дією деяких зовнішніх факторів (нагрівання,
опромінювання, тощо) частина нейтральних молекул може
стати іонами (втратити або набути електрон). Цей процес
називається іонізацією.
Наявність іонів – необхідна умова протікання
електричного струму в газі.
Газовий розряд – це протікання електричного струму
через газ.
53
Газові розряди бувають несамостійні (потребують
додаткових умов для іонізації: наприклад, опромінювання) та
самостійні (відбуваються під дією тільки прикладеного
електричного поля).
Залежно від стану газу (температури та тиску), від
різниці потенціалів зовнішнього електростатичного поля,
форми та розмірів електродів самостійні газові розряди
можуть відрізнятись один від одного за зовнішнім виглядом
та за характером фізичних процесів, які обумовлюють їх
виникнення та проходження.
Розрізняють тліючий, іскровий (наприклад, блискавка),
коронний та дуговий (застосовується для зварювання та в
потужних джерелах світла) розряди.
В газорозрядних приладах носіями електричного
заряду є електрони та іони. Простір між катодом та анодом в
цих приладах заповнений інертними газами (неоном,
криптоном, аргоном). За звичайних умов гази є ізоляторами,
але якщо нейтральним атомам газу надати певну додаткову
енергію, від них можна "відірвати" електрон. При цьому атом
перетворюється на іон. Цей процес називається іонізацією
газу. Внаслідок цього через газ протікає електричний струм
(йде електричний розряд). Тому газорозрядні прилади інакше
називають іонними (серед них газорозрядні неонові
індикатори, газорозрядні стабілітрони).
При використанні самостійного розряду катод
холодний. Використовується тліючий розряд, який виникає
при напрузі запалювання (U зап ). Для припинення розряду
треба знизити напругу до величини, нижчої U гас
( U гас  U зап ). Цього можна досягти одним з двох способів:
розірвати електричне коло або подати малу напругу (навіть
невелику напругу протилежної полярності). Для того, щоб
54
тліючий розряд не перейшов в дуговий, використовують
обмежуючі резистори.
Одне із сучасних застосувань розряду в газах –
люмінесцентні лампи (з холодним катодом). Їх
використовують, наприклад, для підсвічування в
рідиннокристалічних матрицевих індикаторах.
Випромінюване ними (при самостійному тліючому розряді)
світло проходить через матове розсіювальне скло та
рівномірно освітлює всю поверхню рідиннокристалічної
матриці.
Утворення світла відбувається при іонізації газу;
необхідною умовою її виникнення в лампі з холодним
катодом є висока напруга. Тому для запуску такої лампи
необхідно на декілька сотень мікросекунд подати на
електроди напругу, величина якої значно перевищує робочу.
Під дією прикладеної високої змінної напруги відбувається
іонізація газу та пробій зазору між електродами, виникає
розряд.
Пробій розрядного проміжку відбувається з наступних
причин. В звичайних умовах газ, яким наповнено колбу, є
діелектриком. При появі електричного поля невелика
кількість завжди наявних в об’ємі газу іонів і електронів
починають впорядкований прискорений рух. Якщо подати на
електроди достатньо високу напругу, електричне поле
сприятиме набуттю вільними зарядженими частинками
(іонами та електронами) такої високої швидкості, що при
зіткненні з нейтральними молекулами відбувається вибиття з
них електронів і утворення іонів. Вивільнені таким чином
електрони та іони, прискорено рухаючись під дією поля,
також вступають в процес іонізації. Внаслідок цього процес
приймає лавиноподібний характер. Після того, як іони
здобудуть достатню енергію, щоб вибивати електрони при
зіткненнях з катодом, виникає самостійний розряд
55
(проходження струму через газ; при цьому непотрібні інші
додаткові зовнішні фактори, крім прикладеної напруги).
Енергія електричного струму спричинює перехід ртуті
(міститься в лампі) з стану рідини в газоподібний стан.
Внаслідок зіткнення електронів з атомами ртуті відбувається
виділення енергії (при поверненні атомів з нестабільного
стану в стабільний). При цьому виникає інтенсивне
випромінювання в ультрафіолетовій ділянці спектру — доля
ультрафіолету сягає приблизно 60% загального
випромінювання.
Видиме світло утворюється за рахунок люмінофорного
покриття, нанесеного на внутрішню поверхню скла. Фотони
(ультрафіолетового випромінювання ртуті) збуджують атоми
люмінофорного покриття, збільшуючи рівень енергії
електронів. При поверненні енергії електронів до початкового
рівня атоми люмінофору випромінюють енергію у вигляді
фотонів видимого світла.
«Запалювання» ламп, а також їх живлення в робочому
режимі забезпечують інвертори, які в складі монітора
створюють умови для керованого тліючого розряду,
забезпечуючи стабільне світіння протягом тривалого часу та
ефективне керування яскравістю.
Плазма – це частково або повністю іонізований газ.
При високому ступені іонізації газ набуває нових
властивостей і фактично є особливим станом речовини,
відмінним від газоподібного, рідкого та твердого. Тому
плазма – четвертий стан речовини.
Плазма вцілому електрично нейтральна, оскільки в ній
однакові концентрації електронів та іонів. Плазма має дуже
велику електропровідність (за характером електропровідності
плазма наближається до металів).
Плазма сильно взаємодіє з зовнішніми електричними
та магнітними полями, які дуже впливають на її властивості.
56
Розрізняють низькотемпературну та високотемпературну
плазму. Переважна більшість речовини Всесвіту знаходиться
в стані плазми.
Низькотемпературну плазму використовують у
сучасних індикаторах – плазмових панелях.
Плазмова панель (PDP - Plasma Display Panel)
складається з масиву комірок, розміщених між двома
скляними пластинами (містять прозорі електроди, які
утворюють шини сканування, підсвічування та адресації).
Спільний простір всіх комірок заповнений газом (певна суміш
інертних газів).
При підведенні напруги до електродів комірки
відбувається іонізація газу. Внаслідок цього газ переходить у
агрегатний стан плазми. В плазмі відбувається розряд, при
якому виникає ультрафіолетове випромінювання. Отримане
світло проходить через прозору частину камери комірки,
вкриту люмінофором одного з основних кольорів (RGB -
червоний, зелений, синій) і відтворює світло потрібної
довжини хвилі (кольору), таким чином формуючи
зображення. Яскравість світіння змінюють шляхом зміни часу
світіння при кожному зверненні до відповідної комірки.
Запитання та завдання.
1. Поясніть виникнення струму в газорозрядних
приладах.
2. Поясніть відсутність термоелектронної емісії в
багатьох газорозрядних приладах.
Електричний струм у вакуумі та його
використання.
Вакуум – це середовище, в якому немає будь – яких
частинок, в тому числі вільних заряджених частинок. Отже
струм у вакуумі – це поширення заряджених частинок іншого
походження (наприклад, електронів, вирваних з металу), що
57
напрямлено рухаються під дією прикладеного електричного
поля.
В електронних лампах (електровакуумних діодах,
тріодах, тетродах, пентодах, і т. д.) джерелом електронів (при
термоелектронній емісії) є катоди прямого накалу (струм
накалу протікає безпосередньо по катоду) або підігрівні
катоди. Тому при їх використанні створюють додаткове коло
накалу. Найпростіша електронна лампа діод має два
електроди - катод та анод. Електрони, емітовані катодом,
прискорюються тільки при наявності прискорюючого
електричного поля на проміжку анод — катод, тобто при
U AK  0 . При зміні полярності напруги поле стає
гальмівним, більшість електронів не досягає аноду, тобто
струм в колі припиняється. Цим пояснюються вентильні
властивості діода - струм через нього проходить в одному
напрямі (аналогічно працюють ніпель в пневматичних
системах, зворотний клапан в гідравлічних). Це можна
підтвердити вольт — амперною характеристикою
(математично або графічно вираженою залежністю однієї
величини від іншої) діода. Вентильні властивості
(однонапрямлену провідність) використовують для побудови
випрямлячів (перетворювачів енергії змінного струму в
енергію однополярного струму). Найпростішу таку схему
наведено нижче.
58
 Стрілкою вказано технічний напрям струму (від 
до  ). При симетричній синусоїдальній напрузі U на RH
отримаємо однополярну напругу U RH
В тріоді (трьохелектродній лампі) введено сітку
(керуючий електрод). Змінюючи напругу UCK , можна в
широких межах змінювати величину анодного струму Іa .
Якщо в анодне коло ввімкнути навантаження (в даній
схемі резистор Ra ), то анодна напруга зменшиться на
величину падіння напруги на Ra . Тоді можна записати:
Ua  Ea  U R  Ea  Ia Ra
a
На графіках нижче наведено утворення анодного
струму під впливом керуючого вхідного сигналу.
59
В електронно - променевих приладах використовують
керований електричними та (в деяких випадках) магнітними
полями електронний промінь. До цих приладів належать
(серед інших) електронно - променеві трубки (ЕПТ) з
елекростатичним відхиленням та з електромагнітним
відхиленням (в цьому випадку відхиляючі котушки
закріплюють на горловину трубки зовні). Вони раніше дуже
широко використовувалися для створення зображень в
осцилографах і телевізорах (відповідно). Розглянемо
детальніше.
В найпростішому випадку електронна гармата
складається з катоду, керуючого електроду (з його допомогою
можна регулювати яскравість зображення) та двох анодів.
Завдання електронної гармати - сформувати вузький
електронний промінь, напрямлений вздовж вісі ЕПТ.
60
 В зображеній моделі трубки напругу горизонтальної
розгортки подають на горизонтально відхиляючі пластини Х,
чим забезпечується відхилення електронного променя за
горизонталлю; напругу вертикального відхилення
(найчастіше - досліджуваний сигнал) подають на вертикально
відхиляючі пластини У.
Серед сучасних екранів моніторів найширше
розповсюджені матрицеві. За видом матеріалу комірки
(піксела) виділяють рідиннокристалічні, світлодіодні та
плазмові панелі (і відповідні матричні екрани та монітори).
Фотоелектронні помножувачі
Фотоелектронні помножувачі (ФЕП) призначені для
перетворення енергії світлових спалахів в енергію
електричного струму. В цих приладах використано
фотоелектронну емісію (з поверхні катоду) та вторинну
електронну емісію (з поверхонь додаткових електродів –
дінодів). На діноди подають додатну (прискорюючу) напругу
(на кожний наступний дінод – більшу напругу, ніж на
попередній, але меншу, ніж на анод).
Спрощену схему вмикання ФЕП наведено нижче.
Запитання та завдання.
1. Що стане з електроном, який знаходиться в
металевій поверхні, при наданні йому енергії, величина якої
більша, ніж робота виходу для цього металу?
61
2. При яких процесах електрони в металах значно
збільшують свою енергію?
3. Що є джерелом вільних носіїв заряду в
електровакуумних приладах?
4. Як створюються прискорюючі поля в EПT
різних видів?
5. Як створюються горизонтально та вертикально
відхиляючі поля в ЕПТ різних видів?
6. Що спільного та що відрізняє ФЕП від інших
електровакуумних приладів?
Електричний струм у напівпровідниках.
Існує дуже багато різновидів (і за функціональним
призначенням, і за конструктивним оформленням, і за
технологією виготовлення, і за умовами використання)
напівпровідникових приладів. До них належать, наприклад,
діоди, транзистори, інтегральні мікросхеми, деякі види
датчиків, резисторів та конденсаторів. Спільним для всіх цих
приладів є використання напівпровідникових матеріалів.
Найбільш широко використовуються напівпровідники
кремній  Si  та германій Ge  , які належать до IV групи
таблиці Менделєєва, арсенід галію. Також до
напівпровідників відносяться, наприклад, бор, фосфор, сірка,
селен та деякі складні речовини.
За величиною питомого опору  напівпровідники
займають проміжне положення між провідниками та
діелектриками. Ширина забороненої зони (енергія, яку треба
надати для того, щоб електрон став вільним) для
напівпровідників складає  3eB .
Основна відмінність напівпровідників - сильна
залежність  від зовнішніх умов та від наявності домішок
(навіть 10 6% ). Підвищення температури або освітленості
62
призводить до різкого зменшення  . Якраз цієї енергії
виявляється достатньо для руйнування ковалентних зв'язків
між атомами в кристалічній структурі напівпровідників.
Навіть при 200C в чистому (без домішок) напівпровіднику
вже існують вільні електрони та на їх місцях - вільні
незаповнені ковалентні зв'язки (дірки).
Під дією зовнішнього електричного поля рух
електронів та дірок стає впорядкованим - через
напівпровідник протікає струм. Провідність, обумовлена
рухом електронів - електронна (або n  типу ); провідність,
обумовлена рухом дірок - діркова (або p  типу ).
Концентрації електронів та дірок в чистому напівпровіднику
рівні між собою.
Значно підвищити електропровідність чистого
напівпровідника (наприклад, кремнію) можна шляхом
введення певних домішок:
а) P (фосфор або інший елемент V групи таблиці
Менделєєва). Цей вид домішок - донорні. Їх введення
призводить до різкого збільшення електронної провідності.
Тому в такому випадку кремній з домішками фосфору буде
мати переважно провідність n  типу ;
б) В (бор або інший елемент III групи таблиці
Менделєєва). Цей вид домішок - акцепторні. Їх введення
призводить до різкого збільшення діркової провідності. Тому
в такому випадку кремній з домішками бору буде мати
переважно провідність p  типу .
При роботі більшості напівпровідникових приладів
(наприклад, діодів та транзисторів, мікросхем) намагаються
зменшити зміни провідності напівпровідників при зміні
температури (або обмежити допустиму робочу температуру).
Але в терморезисторах, фоторезисторах та варисторах
використовується залежність провідності напівпровідників
63
відповідно від температури, освітленості та прикладеної
напруги.
В напівпровідниках розрізняють дрейфовий (під дією
зовнішнього електричного поля) та дифузійний (рух носіїв
заряду з місця, де їхня концентрація більша, в ділянку, де ця
концентрація менша) струми.
Певні фізичні процеси при протіканні струму через
напівпровідниковий кристал дають можливість
використовувати напівпровідники в спеціальних потужних
високочастотних імпульсних генераторах та в датчиках.
Розглянемо детальніше.
Ефект Гана спостерігається в сильному електричному
полі та полягає в періодичному утворенні електричного
домена (дипольного шару) та його русі в напівпровіднику.
Ефект Хола (гальваномагнітний ефект) спостерігається
в сильному магнітному полі та полягає в утворенні різниці
потенціалів в напівпровіднику, в якому протікає струм, при
дії зовнішнього магнітного поля, вектор магнітної індукції
якого перпендикулярний до напряму струму.
Електронно - дірковий перехід - область на межі
поділу двох напівпровідників з різними типами провідності.
Електронно - діркові переходи ( p  n  переходи )
створюють не простим дотиком напівпровідників p  типу
та n  типу , а при вплавленні чи дифузії певних домішок в
чистий напівпровідник або при вирощуванні
p  n  переходу .
В напівпровіднику n  типу концентрація електронів
набагато більша (вони є основними носіями), ніж дірок. В
напівпровіднику p  типу концентрація дірок набагато
більша (вони є основними носіями), ніж електронів. Тому при
утворенні p  n  переходу внаслідок різних концентрацій
почнеться переміщення електронів з n  області , а дірок з
64
p  області (дифузійний струм). Таким чином примежова Тунельний ефект спостерігається в електронно –
ділянка n  області збіднюється на електрони (виникає дірковому переході при використанні великих концентрацій
нескомпенсований  ), а примежова ділянка p  області домішок. Це сильно леговані (інша назва – вироджені)
збіднюється на дірки (виникає нескомпенсований  ). Виникає напівпровідники; вони містять
потенціальний бар'єр U K , який перешкоджає руху основних ат . домішок
приблизно 1026 (порівняно з звичайною
носіїв. м3
При підключенні до p  n  переходу зовнішнього ат. домішок
концентрацією 1021 ). Ширина такого
м3
джерела плюсом до p  області , мінусом - до n  області

p  n  переходу дуже мала (до 10 нм порівняно зі
(пряме вмикання) зовнішнє поле Е напрямлене так, що воно звичайними сотнями нм); вентильні властивості відсутні.
частково компенсує потенціальний бар'єр U K . При цьому Тунельний ефект полягає в проходженні електронів з
ширина запірного шару зменшується. У колі проходить n  області через потенціальний бар’єр p  n  переходу в
струм, який називають прямим струмом I пр . p  область при певному діапазоні прикладеної прямої
При підключенні до p  n  переходу зовнішнього напруги (до UЗ). У верхній частині цього діапазону (від UП до
джерела мінусом до p  області ,  до n  області UЗ) при зростанні прямої напруги струм (пов’язаний з
 тунельними переходами електронів) зменшується. Цю
(зворотне вмикання) зовнішнє поле Е підсилює ділянку називають ділянкою «від’ємного опору» (її
потенціальний бар'єр. Внаслідок цього збільшується ширина використання дозволяє певною мірою компенсувати втрати
запірного шару. У колі проходитиме дуже малий струм потужності на активних опорах інших
(зворотний), викликаний рухом неосновних носіїв. електрорадіоелементів). При подальшому зростанні прямої
Електронно - дірковий перехід має вентильні напруги тунельний ефект відсутній, прямий струм
властивості (однонапрямлену провідність) - при прямому
вмиканні його опір дуже малий, а при зворотному - опір дуже
великий. Тобто I пр  I зв .
При високих температурах (для Si при t  125 0C )
напівпровідники стають провідниками, а при низьких
( t  60 0C ) в них майже відсутні вільні носії заряду. Тому
температуру навколишнього середовища при використанні (спричинений дифузією основних носіїв) зростає (як в
сучасних напівпровідникових приладів найчастіше звичайному електронно-дірковому переході).
обмежують цими значеннями. Гетероперехід – p – n- перехід, утворений двома
різними напівпровідниками (наприклад, германій-кремній).
65 66
Особливістю деяких видів таких переходів є відсутність Загальний схематичний вигляд вольт - амперної
участі у прямій провідності неосновних носіїв заряду. Тому характеристики цих приладів наведено нижче.
при закритті такого переходу (переході з прямого вмикання
на зворотне) не буде порівняно довгого розсмоктування
неосновних носіїв. Тому час закриття таких переходів значно
зменшується.
Перехід Шотткі на контакті металу та напівпровіднику
n – типу. Ці переходи працюють тільки на основних носіях.
Вони мають меншу власну ємність (дозволяють отримати
високу швидкодію) та значно менше пряме падіння напруги.
Запитання та завдання.
1. Співставте концентрації дірок та електронів в: Різні типи діодів дуже відрізняються й за
1) хімічно чистому напівпровіднику; 2) напівпровіднику використаною технологією (вплавлення, дифузія), і за
n  типу ; 3) напівпровіднику p  типу . конструкцією (точкові, площинні), і за призначенням
(випрямні, імпульсні, стабілітрони, варикапи, діоди для
2. До чого призводить введення:
роботи на надвисоких частотах, фотодіоди, світлодіоди).
а) донорної домішки в хімічно чистий напівпровідник?
Зрозуміло, що кожний з цих типів має свої особливості
б) акцепторної домішки в хімічно чистий
вольт - амперної характеристики, працює на певній її ділянці
напівпровідник?
та характеризується специфічними параметрами (наприклад,
3. В яких приладах використовують залежність
тунельні діоди мають ділянку «від’ємного опору» та не мають
провідності напівпровідників від зовнішніх факторів?
вентильних властивостей).
4. Що являє собою p  n  перехід ?
Всі напівпровідникові електрорадіоелементи на основі
5. Як змінюються потенціальний бар'єр, ширина
p  n  переходу (в тому числі діоди) мають такі параметри
запірного шару, опір p  n  переходу при прямому та
(крім зовнішніх умов експлуатації та зберігання):
зворотному вмиканні?
а) Pрозс.макс. - максимально допустима потужність
6. Порівняйте прямий та зворотний струми (при прямій
та зворотній напрузі) через p  n  перехід .Поясніть розсіювання (для забезпечення надійності при тривалій
вентильні властивості p  n  переходу . роботі);
б) fмакс. - максимальна частота (обумовлена наявністю
власної ємності p  n  переходу при зворотному вмиканні
Напівпровідникові діоди та транзистори.
Напівпровідникові діоди — це прилади, в яких (бар’єрної ємності). Тому час встановлення закритого стану
міститься один електронно — дірковий  p  n  — перехід. p  n  переходу зростає, вентильні властивості
погіршуються).
67 68
 Випрямні діоди працюють за рахунок вентильних зворотної напруги (напруги стабілізації U ст ) при зміні
властивостей p  n  переходу ; крім означених вище зворотного струму в певних межах (від мінімального
параметрів характеризуються: значення струму стабілізації I ст. мін. до максимального
а) I макс. - максимально допустимий випрямлений
значення струму стабілізації I ст.макс. ). Нижче наведені вольт-
струм;
б) U пр - пряма напруга (падіння напруги на діоді амперна характеристика стабілітрона та схема стабілізатора
напруги на кремнієвому стабілітроні.
при прямому вмиканні) при струмі I макс. ;
в) U зв.макс. - максимально допустима зворотна
напруга (напруга на діоді при зворотному вмиканні);
г) I зв. макс. - максимальний зворотний струм при
напрузі U зв.макс. .
В довідниках наводять значення параметрів при 200C .
Зі збільшенням температури характеристика стає більш
крутою. Нижче наведені характеристики певного точкового
діода, що дає можливість оцінити вплив температури. Для імпульсних та високочастотних діодів дуже
важливими параметрами є ємність діода (при певному
значенні напруги) та час відновлення зворотного опору діода.
Варикапи - напівпровідникові діоди, в яких
використовується залежність бар'єрної ємності
p  n  переходу (при зворотному вмиканні) від величини
прикладеної напруги U зв . Нижче наведені схема вмикання та
характеристика (схематична) варикапа.

Кремнієві стабілітрони працюють на ділянці

поновлюваного (тунельного або лавинного) пробою зворотної
гілки вольт-амперної характеристики (для звичайних діодів
цей режим роботи небезпечний і така ділянка відсутня).
Важливою рисою цієї ділянки вольт - амперної
характеристики стабілітрона є майже постійне значення

69 70
 Фотодіоди - напівпровідникові діоди, зворотний струм Біполярні транзистори
яких залежить від освітленості p  n  переходу . Збільшення Біполярний транзистор - напівпровідниковий прилад, в
освітленості призводить до збільшення зворотного струму якому за допомогою двох p  n  переходів створено три
через фотодіод. ділянки - емітер, база, колектор. Існують транзистори
Світлодіоди - напівпровідникові діоди, які p  n  p та n  p  n типів. Схематичне зображення
випромінюють електромагнітні хвилі (в певному частотному біполярних транзисторів наведено нижче.
спектрі) при проходженні прямого струму. Ці елементи
використовуються (в тому числі) для індикації.
В сучасних схемах автоматики широко застосовуються
елементи, в яких поєднано фотодіоди та світлодіоди. Ці
елементи (оптопари) дають можливість забезпечити
гальванічну розв'язку (розділення) кіл (світлодіода та
фотодіода) та керувати станом фоточутливого елемента
шляхом зміни струму через світлодіод оптопари. При
Для забезпечення проходження струму від емітера до
поєднанні з комутуючими елементами (реле) виникає
колектора треба створити умови для переміщення основних
можливість керування виконавчими елементами. Такі
носіїв емітера через базу в колектор (через емітерний та
інтегровані елементи - оптореле. Використання оптопар з
відкритим оптичним каналом дає можливість створювати колекторний p  n  переходи ).
певні датчики. Для цього емітерний перехід вмикають в прямому
Нижче наведено умовне позначення діодної оптопари напрямі (за допомогою джерела енергії E еб ), а колекторний
(поєднання світлодіода та фотодіода). перехід - в зворотному (за допомогою джерела енергії E кб ).

Запитання та завдання
1. Які види напівпровідникових
призначенням) ви знаєте?
2. Якими параметрами характеризуються:
1) всі напівпровідникові діоди;
2) окремі види діодів?
3. Як залежать характеристики діодів від температури?
71
діодів (за Через рекомбінацію в базі завжди існує струм бази I б .
Тобто I е  I к  I б . Змінюючи режим емітерного переходу,
можна керувати струмом колектора I к . На цьому засновано
застосування біполярних транзисторів. Розрізняють
перемикальний (інша назва – ключовий) та підсилювальний
режими роботи транзисторів.
72
 Запитання та завдання. називають МДН - або MOH- транзисторами (метал -
1. Наведіть схемне позначення транзистора діелектрик - напівпровідник). Нижче наведено структуру
n  p  n типу. Вкажіть полярність при під’єднанні джерел одного з різновидів транзисторів цього типу.
до емітерного та колекторного переходів для забезпечення
протікання струму через вказаний транзистор.
2. Виконайте попереднє завдання для транзистора
p  n  p типу.

Польові транзистори
Польові транзистори - трьохелектродні
напівпровідникові прилади, в яких керування струмом Особливість цих приладів - керування струмом
здійснюється за допомогою електричного поля. шляхом зміни кількості носіїв заряду. Якщо на затвор
Польовий транзистор має три електроди: витік (в), стік відносно витоку подати мінус, то кількість дірок в p  каналі
(с), затвор (з). Розрізняють два основних типи польових збільшиться (режим збагачення) та струм збільшиться. Якщо
транзисторів: на затвор відносно витоку подати  , то кількість дірок в
а) з керуючим p  n  переходом ; p  каналі зменшиться (режим збіднювання) та струм
б) з ізольованим затвором. зменшиться.
Нижче наведено схематичне позначення та структуру
польового транзистора з керуючим p  n  переходом та Основні переваги польових транзисторів:
p  каналом . а) значно вищий (ніж у біполярних транзисторів)
вхідний опір (до 1015 Ом );
б) коефіцієнт підсилення до тисяч одиниць;
в) гранична частота до декількох сотень МГц;
Основні недоліки польових транзисторів:
а) необхідність додаткового захисту (при
проведенні монтажу) від дії електростатичного поля;
б) необхідність захисту (схемотехнічними
Перехід затвор - витік вмикають в зворотному напрямі. засобами) від миттєвих перевантажень та самозбудження.
При збільшенні величини U зв ширина каналу зменшується та Запитання та завдання.
струм через нього зменшується. 1. Яким чином працюють польові транзистори з керуючим
Польові транзистори з ізольованим затвором мають в p  n  переходом ?
своєму складі діелектрик (оксид SiO2 ). Tому їx інакше 2. В чому особливість МОН - транзисторів?
73 74
Використання напівпровідникових діодів і Для зменшення впливу дестабілізуючих факторів на
біполярних транзисторів у випрямлячах і значення U H та I H використовують певні стабілізатори
стабілізаторах (напруги або струму).
Випрямлячі розрізняють за багатьма ознаками. Деякі з Розрізняють параметричні, лінійні (компенсаційні) та
них такі: імпульсні стабілізатори. Дія параметричного стабілізатора
Випрямлячі напруги на стабілітроні заснована на майже постійному
значенні зворотної напруги при зміні струму через
стабілітрон в певних межах (від I ст. min до I ст.max ).
керовані трифазні однопівперіодні
Нижче наведено схему такого стабілізатора та
некеровані однофазні двопівперіодні скорочений алгоритм роботи.
Функціональне призначення будь - якого випрямляча -
перетворити електроенергію змінного струму в U вих  U вх  U Ro
електроенергію пульсуючого струму (однієї полярності).
U вих  U вх   IV  I H  R 0
Розрізняють багато різновидів випрямлячів. Нижче
наведено однопівперіодну (а), двопівперіодну з середньою
точкою (б), мостову (в) схеми випрямлячів.
1) U вх  ; IV ; I ;U R0 ;U вих  const
2) U вх ; IV ; I ;U R0 ;U вих  const
За рахунок зміни падіння напруги на стабілізуючому
елементі ( CE ) працюють лінійні (компенсаційні)
стабілізатори напруги (а) та струму (б), функціональні схеми
яких наведено нижче.

При виборі схеми випрямляча враховують характер

навантаження (активний, ємнісний, індуктивний), керуються
значеннями постійної складової випрямленої напруги (U 0 ),
постійного струму ( I 0 ) через навантаження, коефіцієнту
пульсацій та коефіцієнту корисної дії.
75 76
 Опір стабілізуючого елемента автоматично змінюється
(під впливом відповідного сигналу помилки, виробленого Запитання та завдання.
керуючим елементом шляхом порівняння підтримуваної 1. Згадавши вентильні властивості
величини напруги з опорною напругою). Завдяки цьому напівпровідникового діода та проаналізувавши наведені
підтримувана величина напруги завжди перебуває в заданих графіки, намалюйте схематичні графіки вхідної та вихідної
межах. напруг для схем б), в). Які з діодів працюють в один та другий
В найпростішому випадку опорну напругу утворюють півперіоди?
за допомогою параметричного стабілізатора напруги на 2. Поміркуйте, які переваги та недоліки різних схем
напівпровідниковому стабілітроні. випрямлячів?
Нижче наведено схему компенсаційного стабілізатора 3. Яке призначення стабілізаторів будь-якого виду? В
напруги та скорочений алгоритм роботи. чому їx відмінності?
4. Проаналізуйте роботу стабілізаторів:
1) параметричного стабілізатора напруги на стабілітроні;
2) компенсаційних стабілізаторів напруги та струму.
Намалюйте та проаналізуйте ці ж схеми для іншої полярності
напруги.
ЛІТЕРАТУРА
1) U  ;U  ;U V  const; U  ;U V  ;U  const 1. Бугаєнко А. В. та інші. Радіоелектронні засоби та їх елементи
вх вих 1 Бе 2 вих
не дуже складно (початкові відомості). X: Вид. гр.
2 )U вх  ;U вих  ;U V 1  co n st; U Бе  ;U V 2  ;U вих  co n st “Основа“,“Фізика в школах України” № 9 (109), №11-12 ( 111-
Широко застосовують для живлення в 112 ), №13-14 ( 113-114 ), №17 ( 117 ) 2008
радіоелектронній апаратурі стабілізатори напруги в 2. Бушок Г. Ф. Левандовський В. В., Півень Г. Ф. Курс фізики: Навч.
Посібник: Кн.1. Фізичні основи механіки. Електрика і магнетизм.-
інтегральному виконанні. Нижче наведено схему
2-ге вид.-К.:Либідь, 2001.
стабілізатора на мікросхемі К142ЕН5А . Ця мікросхема має 3. Гандзій Р. Я. Конспекти з фізики. Тернопіль: Астон, 2001
вбудований захист від перевантаження за струмом та 4. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники -
тепловий захист (за максимально допустимою температурою К.:Вища школ, 1987
кристалу).
77 78
5. Гонтарев Ю.Ф., Мальований С.І.,Познанський Ф.С.
Електрорадіовимірювання (початкові відомості). Матеріал для
проведення практики з радіомонтажу та електрорадіовимірювань.
X: Вид. гр. “Основа“,“Фізика в школах України” № 9 (157), №10
( 158 ), 2010.
6. Гонтарєв Ю.Ф., Познанський Ф. С. Формування технічного
світогляду. — Х.: Вид. група «Основа», «Фізика в школах
України», №10 (230), 2013
7. Гончаренко С. У. Фізика. Проб. підручник для 10 кл. К. Освіта,
1994
8. Дмитрієва В. Ф. Фізика. Київ.: Техніка, 2008
9. Дубас З. В. Узагальнюючі таблиці з фізики 9—11 класи.
Тернопіль, Астон, 2002
10. Елементарний підручник фізики (за заг. ред. акад.
Г. С. Ландсберга). Київ, 1975, т. т. І-ІІІ.
11. Кабановський О. В., Познанський Ф. С. Фізика. Астрономія.
Початкові відомості. Частина 1, частина 2. X: Вид. гр. “Основа“
(Б-ка журн. “Фізика в школах України” Вип. 11 (95), 12(96)), 2011.
12. Кабановський О. В., Познанський Ф. С. Фізика – база для здобуття
загальнотехнічних знань (початкові відомості для аудиторних
занять та самоосвіти).-К., 2012 (електронний носій)
13. Кіпніс А.Ю., Кабановський О.В., Домашенко С. М.,
Познанський Ф. С. Електротехніка та електрорадіоелементи
(початкові відомості). Київ, 2009.
14. Куліш В.В., Соловйов А.М., КузнєцоваО.Я., Кулішенко В.М.
Фізика для інженерних спеціальностей: Навч. посібник.: у 4 ч.- К.:
НАУ, 2010.
15. Мясников С. П., Осанова Т. Н. Пособие по физике. М. Высшая
школа, 1981
16. Орир Дж Физика, тт 1, 2. М.: Мир, 1981
17. Познанська Н. Ф. Взаємозв'язки змін параметрів фізичних полів та
можливість їх застосування в екології. Х.: Вид. гр. «Основа»
(«Фізика в школах України», №13-14 (65-66)), 2006
18. Познанська Н. Ф., Познанський Ф. С. Підготовка учнів до
здобуття професійних знань та вмінь. X: Вид. гр.
“Основа“,“Фізика в школах України” № 18(214), 2012.
19. Ребрик Р. М., Сутулін М. Г. Фізика. Астрономія. К. «Інтас», 2006
20. Савельев И. В. Курс общей физики тт. 1-3. М.: Наука.
79
Зміст
ЕЛЕКТРИЧНЕ ПОЛЕ...................................................................... 1
Електризація тіл. Електричні заряди. Закон збереження
електричного заряду. ............................................................... 1
Закон Кулона............................................................................. 2
Напруженість електричного поля. Однорідне та
неоднорідне електричне поле. Електричні диполі. .............. 5
Робота електростатичного поля під час переміщення
заряду. Потенціал. Напруга................................................... 10
Діелектрики та провідники в електричному полі. ............ 16
Електроємність. Конденсатори та їх види. Енергія та
густина енергії електричного поля. ..................................... 18
ПОСТІЙНИЙ ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ .................................... 23
Умови існування електричного струму. ............................. 23
Закон Ома для ділянки кола. Електричний опір. .............. 23
Електрорушійна сила. Джерела напруги та джерела
струму. ..................................................................................... 27
З’єднання елементів електричних кіл. Закони Кірхгофа
для розгалужених електричних кіл. ..................................... 30
Мости постійного струму....................................................... 38
Робота електричного струму. Закон Джоуля – Ленца.
Потужність електричного струму. ....................................... 39
З'єднувальні провідники. ...................................................... 41
Резистори ................................................................................. 42
ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ У РІЗНИХ СЕРЕДОВИЩАХ .......... 42
Електричний струм у металах .............................................. 43
Види електронної емісії. Керування рухом вивільнених
електронів................................................................................ 45
Контактна різниця потенціалів.Термоелектричні явища 46
Електричний струм в електролітах. .................................... 48
Хімічні джерела електричної енергії .................................... 51
Електричний струм у газах та його використання. ........... 53
Електричний струм у вакуумі та його використання. ...... 57
Фотоелектронні помножувачі ............................................... 61
Електричний струм у напівпровідниках. ............................ 62
Напівпровідникові діоди та транзистори. ........................... 67
Біполярні транзистори ........................................................... 72
Польові транзистори .............................................................. 73
Використання напівпровідникових діодів і біполярних
транзисторів у випрямлячах і стабілізаторах ..................... 75
ЛІТЕРАТУРА .................................................................................. 78
80