You are on page 1of 21

Chương 3.

Transistor lưỡng cực BJT


(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT

Hình 1

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 1


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Cấu tạo của BJT

Hình 2

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 2


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)

Hình 4

Hình 3

Chiều dòng điện Hình dạng khối


(Package)

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 3


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)

Các thông số của BJT

• β là hệ số khuếch đại của BJT

• ICmax là dòng Collector lớn nhất

• PCmax là công suất cực đại của BJT

• fT là tần số giới hạn trên của BJT

• Cb’c là tụ kí sinh giữa 2 cực B-C của BJT

• Cb’e là tụ kí sinh giữa 2 cực B-E của BJT


Các thông số này được cho bởi nhà sản xuất, có thể truy cập
trong các Datasheet trên mạng Internet (http://www.google.com.vn)
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 4
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Đặc tuyến Volt-ampe của BJT
iC

Hình 5

vCE

Saturation region Amplification region Breakdown region


VCEsat  0.2V iC  (   1)iB VCE  VCE _ Breakdown
VBEsat  0.8V VCEsat  0.2V
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 5
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Kiểm tra transistor BJT

Hình 6

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 6


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT 5.000V
Rc
5Vdc
R1
1k
1k 3.179V 0V
Mạch phân cực dạng Q1
0

cầu phân áp 2.494V


I

I
1.833V
Hình 7
R2
Re
Nếu mạch ở chế độ khuếch đại 1k
1k
0V
VBB  VBE 0

I CQ  và VCE  0.2V
Rb
 RE
 Rc
1k
0V
5Vdc

Rb
 Q1
0

500

Nếu mạch ở chế độ bão hoà VBB


Re
2.5V Hình 8
1k
VCC  VCEsat 0V
I CQ  và VBE  0.8V 0
RC  RE
Mạch tương đương thevenin
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 7
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Phân cực cho BJT

Nếu mạch ở chế độ khuếch đại


5.000V
Rc
5Vdc
Rb
1k VCC  VBE
150k 2.782V 0V
0 I CQ  và VCE  0.2V
Q1
Rb
2.899V
 RE
2.232V 
Re
Hình 9
1k Nếu mạch ở chế độ bão hoà
0

Mạch phân cực


VCC  VCEsat
I CQ  và VBE  0.8V
dạng trực tiếp RC  RE

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 8


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT
(Bipole transistor)
Bài tập: Tính toán phân cực cho các mạch điện sau đây

Rc Rc
5Vdc 5Vdc
Rb R1
1k 1k
10k 0 2k 0
Bài 1 Q1 Q1
Bài 3

R2
Re Re
3k
1k 1k
0

Rc
5Vdc
R1 Rc
5k 5Vdc
2k 0 Rb
Q1 1k
Bài 2 150k 0 Bài 4
Q1

R2
Re
3k
1k Hình 10 Re
1k
0 0

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 9


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Đáp án
5.000V 5.000V
Rc Rc
5Vdc 5Vdc
Rb R1
1k 1k
2.606V 0V 2k 2.700V 0V
10k 0 0
Bài 1 Q1 Q1
3.249V 2.983V
Bài 3
2.569V 2.315V
R2
Re Re
3k
1k 1k
0 0V
0

5.000V
Rc 5.000V
5Vdc
R1 Rc
5k 5Vdc
1.443V 0V Rb
2k
Bài 2 Q1
0 1k
0V
2.132V 150k
Q1
2.782V 0 Bài 4
2.899V
1.435V
R2
Re 2.232V
3k
Hình 11
1k Re

0V 1k
0 0
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 10
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

iC
Hình 12 RL

iB Rb
Q1 VCC

VBB
Re Ce 
iE

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 11


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

Phương trình đường tải DC

VCC  I CQ ( RL  RC )  VCEQ

 VCC  VCEQ  I CQ ( RL  RC )
VCEQVCC
 I CQ   (DC load line)
RL  RC RL  RC

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 12


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

Phương trình đường tải tổng


~
iC  I CQ  ic
VCC  iC RL  I CQ Re  vCE
 (VCC  I CQ Re )  vCE  iC RL
vCE VCC  I CQ Re (DC&AC load line)
 iC   
RL RL

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 13


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

Đồ thị đường tải


iC VCC  I C Re
iC max 
RL
VCC
I CQ max  AC&DC load line
RL  RC Q
I CQ
DC load line
Hình 13
VCEQ vCE
VCC  I CQ Re VCC
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 14
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC
~
iC ib (t)
iCmax
~
icmmax  min{ ICQ , iCmax  ICQ}
ICQmax
Hình 14 Q ~
ICQ ic (t)
VCEQ
VCC  ICQRe VCC vCE

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 15


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
Đáp ứng của tải AC

iC
iCmax
=> Tải ngõ ra biến dạng

ICQmax
Q ~
ic (t)
ICQ
VCEQ
VCC vCE
VCC  ICQRe
Hình 15

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 16


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC

Đáp ứng của tải AC ở trạng thái đối xứng cực đại
(Maximum symmetrical swing)
iC
iCmax
ICQmax
iCmax Q ~
ICQ  ic (t)
2

Hình 16

VCEQ VCC  ICQ Re VCC vCE

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 17


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính toán công suất trung bình (tham khảo hình 12)

Công suất của đoạn mạch AB

T
1
PAB   u AB (t ) i AB (t ) dt
T 0
Trong đó:
uAB(t) là điện áp tổng rơi trên đoạn mạch AB
iAB(t) là dòng điện trên đoạn mạch AB

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 18


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính toán công suất trung bình
Công suất của nguồn cung cấp
T
1
PCC   VCC iC (t ) dt
T 0
T
1 ~
  VCC ( I CQ  ic ) dt
T 0
T T
1 1 ~
  VCC I CQ d t   VCC i (t ) c d t
T 0 T 0
PCC  VCC I CQ

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 19


Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính toán công suất trung bình
Công suất trên tải
T
1
PL   u L (t ) iL (t ) dt
T 0
T
1 ~ ~
  [U L  u L (t )][ I L  iL (t )] dt
T 0
T T
1 1 ~ ~
  U L I L d t  u L (t ) iL (t ) dt
T 0 T0
2 1 2
PL  I LQ RL  iLm RL Hay PL  PL ( dc )  PL ( ac )
2
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 20
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Tính toán công suất trung bình

Định lý về bảo tồn công suất

PCC   PK
Trong đó

PCC là công suất của nguồn cung cấp

PK là công suất của các thành phần trong mạch

09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 21

You might also like