Professional Documents
Culture Documents
Transistor Lư NG C C BJT (Bipole Transistor) - Bui Nhu Cao
Transistor Lư NG C C BJT (Bipole Transistor) - Bui Nhu Cao
Hình 1
Hình 2
Hình 4
Hình 3
Hình 5
vCE
Hình 6
I
1.833V
Hình 7
R2
Re
Nếu mạch ở chế độ khuếch đại 1k
1k
0V
VBB VBE 0
I CQ và VCE 0.2V
Rb
RE
Rc
1k
0V
5Vdc
Rb
Q1
0
500
Rc Rc
5Vdc 5Vdc
Rb R1
1k 1k
10k 0 2k 0
Bài 1 Q1 Q1
Bài 3
R2
Re Re
3k
1k 1k
0
Rc
5Vdc
R1 Rc
5k 5Vdc
2k 0 Rb
Q1 1k
Bài 2 150k 0 Bài 4
Q1
R2
Re
3k
1k Hình 10 Re
1k
0 0
5.000V
Rc 5.000V
5Vdc
R1 Rc
5k 5Vdc
1.443V 0V Rb
2k
Bài 2 Q1
0 1k
0V
2.132V 150k
Q1
2.782V 0 Bài 4
2.899V
1.435V
R2
Re 2.232V
3k
Hình 11
1k Re
0V 1k
0 0
09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao 10
Chương 3. Transistor lưỡng cực BJT (tt)
Phân tích mạch DC& AC
iC
Hình 12 RL
iB Rb
Q1 VCC
VBB
Re Ce
iE
VCC I CQ ( RL RC ) VCEQ
VCC VCEQ I CQ ( RL RC )
VCEQVCC
I CQ (DC load line)
RL RC RL RC
iC
iCmax
=> Tải ngõ ra biến dạng
ICQmax
Q ~
ic (t)
ICQ
VCEQ
VCC vCE
VCC ICQRe
Hình 15
Đáp ứng của tải AC ở trạng thái đối xứng cực đại
(Maximum symmetrical swing)
iC
iCmax
ICQmax
iCmax Q ~
ICQ ic (t)
2
Hình 16
T
1
PAB u AB (t ) i AB (t ) dt
T 0
Trong đó:
uAB(t) là điện áp tổng rơi trên đoạn mạch AB
iAB(t) là dòng điện trên đoạn mạch AB
PCC PK
Trong đó