Họ tên SV: Mã số SV: Ca TT:

Bài 7: Mô phỏng với các góc công nghệ và mô phỏng Monte

Carlo
I. Mục đích:
- Mô phỏng ở các góc công nghệ và mô phỏng Monte Carlo.

II. Chuẩn bị:

Tham khảo mục 7.2 (Variability) tài liệu “CMOS VLSI Desing của Weste & Harris” để biết các
khái niệm về process variation.
- Các góc công nghệ TTTT, TTSS, SSSS, … là gì?

III. LAB
Mô phỏng ở các góc công nghệ khác nhau.
Các góc công nghệ của MOSFET có thể được hình dung như hình dưới, tuỳ theo sự biến
thiên trong quá trình chế tạo (thay đổi nồng độ pha tạp, độ dày lớp oxit….) mà transistor sẽ
nằm trong phạm vi giới hạn bởi các góc công nghệ. Các góc khác nhau sẽ có các tham số
khác nhau trong file mô hình linh kiện.

Các góc liên quan đến điện thế và nhiệt độ được liệt kê trong bảng dưới.

Hãy thực hiện mô phỏng mạch INV ở các góc điện thế và nhiệt độ khác nhau theo các
bước sau:
a. Vẽ mạch INV như bên dưới. Lưu ý là trong LTSPICE để thay đổi tham số cho linh kiện,
điện thế,…, người ta dùng ký hiệu { }.

1
Họ tên SV: Mã số SV: Ca TT:

b. Tạo file TT.lib có nội dung

**************** Enviromental and Process Parameters *********************

**** Nominal Voltage, Room Temperature, Typical Process

*.lib TT
.temp 70
.param Supply='Sup'
.include 'mosistsmc180.sp'  có thể thay bằng tsmc180.lib hoặc file .lib khác cho phù
hợp.
*.endl TT

Chạy mô phỏng với góc TT, quan sát dạng sóng Vout.
c. Tạo file FF.lib có nội dung:

**************** Enviromental and Process Parameters *********************

* FF Lo temp, hi supply voltage
*.lib FF
.temp 0
.param Supply='1.1 * Sup'
.include 'mosistsmc180.sp'
*.endl FF

Chạy mô phỏng với góc FF, quan sát dạng sóng Vout.

d. Tạo file SS.lib có nội dung:

**************** Enviromental and Process Parameters *********************
* SS Hi temp, lo supply voltage
*.lib SS
.temp 125
.param Supply='0.9 * Sup'
.include 'mosistsmc180.sp'
.*endl SS

Chạy mô phỏng với góc SS, quan sát dạng sóng Vout.
Có nhận xét gì về các kết quả trong b,c,d?

2
Họ tên SV: Mã số SV: Ca TT:
Các mô phỏng trên mới xét đến góc nhiệt độ và điện thế (gọi chung là góc liên quan đến môi
trường) chưa xét đến các góc liên quan đến transistor. Các góc liên quan đến transitor sẽ
phức tạp hơn một chút, Sinh viên tự tìm hiểu thêm.

4. Mô phỏng Monte Carlo

Để đáng giá ảnh hưởng của sự biến thiên do chế tạo ngoài mô phỏng ở các corner khác nhau
cần mô phỏng thêm Monte Carlo. Tham khảo thêm mục 7.2 (Variability) tài liệu “CMOS
VLSI Desing của Weste & Harris”.
a. Thực hiện mô phỏng cổng INV với tụ C2 thay đổi ngẫu nhiên 10% với số lần lặp lại 100
lần. Quan sát kết quả được xuất ra file .log.

b. Thực hiện mô phỏng với tụ C2 và W của NMOS thay đổi ngẫu nhiên. Trong trường hợp
này cố tình dùng hai hàm khác nhau mc( ) và gauss( ). Sinh viên tham khảo hai hàm này
trong phần help của LTSPICE.

Đo thời gian lên/xuống của Vout.