Một transistor trên mạch như hình (2-8) có βf trong khoảng từ 8 đến 40, tải Rc=11Ω,

điện áp nguồn VCC=200V và điện áp mạch điều khiển V B=10V. Nếu VCE(sat)=1V và
VBE(sat)=1.5V.
a) Tính RB để BJT bão hòa với ODF=5; b) βforce; c) Công suất tổn hao PT của BJT.

Hình 2-8. BJT ghép E chung

Một MOSFET có thông số định mức 200V, 20A với đặc tuyến như hình (2-32),
làm chức năng đóng ngắt tải R=7,3Ω với nguồn 150Vdc. Hãy xác định:
a) RDS(ON), b) Giá trị VGS phù hợp để MOSFET hoạt động ở trạng thái ON, c) Tổn
hao ở trang thái ON.

Hình 2-32. Đặc tuyến ở trạng thái xác lập

a) Đặc tuyến truyền b) Đặc tuyến V-I vùng Ohmic
Chọn nào đúng:
Chọn hình với chiều điện áp điều khiển và dòng điện ngõ ra đúng:

Chọn hình với chiều dòng điện điều khiển IG và dòng ngõ ra IF đúng
Chọn hình có dòng IG phù hợp:

Chọn hình có dòng IG phù hợp:

Chọn hình có điện áp điều khiển và dòng ngõ ra IC đúng: