1.

ЗОНСКА ТЕОРИЈА КРИСТАЛА

 За прелазак електрона из валентне у проводну зону метала потребна је  врло мала енергија - _

___________.
 Енергетски процеп
Код полупроводника између проводне и валентне зоне је реда величине _______.
 Полупроводници могу да обезбеде извесну проводљивост прелазом електрона из валентне зоне
у проводну ____________. На местима где су били електрони
у валентној зони остају непопуњена места, __ _______, па се ствара могућност и
за проводљивост  у _ ________.
 Изолатори (диелектрици) поседују широку забрањену зону реда величине _ _____, тако да ни
термалним побуђивањем електрони не могу да прескоче енергетски процес.

2. Модел Фермијевог гаса. Суперпроводност.
 Модел Фермијевог гаса: Према овом моделу слободни електрони у металу су у ______
____коју стварају позитивни јони својим привлачним дејством. 
 Модел Фермијевог гаса: Дубина потенцијалне јаме је приближно једнака _________________

 Модел Фермијевог гаса: Стање слободног електрона у потенцијалној јами кристалне

решетке метала, одређено је са само два квантна
броја: оним који одређује његову _________ и оним који одређује његов ________

 Модел Фермијевог гаса: Топлотно провођење метала: Кванти осцилација решетке назива
ју се ________ Ред величине једног кванта енергије осциловања – фонона је _____. 

 Модел Фермијевог гаса: Топлотно и електрично провођење метала: у топлотном

односно електричном   провођењу метала ____________, већ само
они чије су енергије близу  _____________

 Суперпроводност: Објашњење  суперпроводности: Суперпроводност настаје само када су н
осиоци електричне струје ________. Они у спољашњем електричном пољу пролазе кроз крист
алну решетку __________При ниским Т<Тc настаје привлачна интеракција јача од Кулоновск
ог одбијања па се електрони везују у ___________који је бозон.

3. ПОЛУПРОВОДНИЦИ
 Полупроводници су елементи _______ групе периодног система, то су _________ атоми.
У кристалној решетки су везани ____________ везом.

 На собној __________ један део електрона на
валентном нивоу има довољну енергију да савлада енергетски процеп ширине _________
 и пређе на проводни ниво. Када електрон напусти атом
на његовом месту остаје упражњено место __________.

 Електрони су ________наелетрисања, док су ________ позитивни носиоци наелектрисања. 

 Шупљине се налазе у  ________зони док су електрони у ________ зони.

 Електрична проводљивост чистих полупроводника назива се _____________________.

 Сопствена проводљивост полупроводника остварује се _________и _________.

 Чистим полупроводницима се додају ________како би повећала ___________.

 Процес у коме се чистом полупроводнику додају примесе назива се _________.

Полупроводници  p типа 

 примеса је _________ елемент, на пример ________ .

 број ________ је  већи у односу на број __________.
 Примесе, које уношењем у полупроводник повећавају број шупљина називају се ________.

Полупроводници  n типа

 Примеса  у кристалној решетки полупроводника је ____________, на пример: _____________.

 ___________ представљају главне носиоце електричне струје, а шупљине су  ______ носиоци
електричне струје.
 Примесе, које уношењем у полупроводник повећавају број слободних електрона називају
се ________.

Фотополупроводници
 Код фотополупроводника електрична проводљивост се __________ деловањем  ___________.
 Код фотополупроводника валентни електрони  апсорбују  __________  светлости и раскидају 
______________  везе.
 Код фотополупроводника деловањем светлости број електроне и шупљин се ___________,
односно повећава се сопствена   ____________.

4. ДИОДЕ И ТРАНЗИСТОРИ
 Спајањем полупроводника p и n типа добија се __________

 При спајању p и n типа полупроводника долази до __________ из p-

области електронима из __________

 У слоју око p-n  споја успоставља се  _____________ које је усмерено од _______делу

споја.

 Контактно електрично поље почиње да спречава даље кретање главних носилаца из једног

слоја у други формирњем __________________ 
  Дебљина прелазне области код p-n споја је _______.

 Контактна разлика потенцијала код p-n споја има вредност ______.

 Шематски приказ полупроводничке диоде:  

 Шематски приказ директно поларисане полупроводничке диоде:  

 Висина потенцијалне баријере код дирекно поларисаног p-n споја постаје: __________

 Шематски приказ инверзно поларисане полупроводничке диоде:  

 Ширина прелазне области код p-n споја инверзно поларисаног се: _____________

 Практична примена полупроводничке диоде_________________

 Транзистор је електронски уређај састављен од три полупроводничка елемента, спојених у 
поретку ________

 Транзистори се користе за ________________.

 Транзистор је полупроводничка триода, која се састоји од три плочице: ________________
_______________________.

5. ЛАСЕРИ
 Оновни квантна прелаза су: _____________, ___________ и ___________. 

 Ласер је извор светлосног зрачења који емитује ________ сноп фотона

 Ласерска светлост је __________, тј. само једне _________.

 Ласер је _________ светлосног зрачења помоћу ____________

 Делови  рубинског ласера:

o излазни ласерски сноп
o __________
o извор зрачења-активна средина (у овом случају рубин)
o _______________
 o пропусно огледало

 Високо рефлективно огледало има улогу да _______________________

 Процес преласка јона хрома (при довољној снази лампе) из основног стања у побуђено стање у

ласерској техници назива се _____________

 Време живота у побуђеном стању активне средине ласера

је _______ а средње време живота у метастабилном стању је ________.