Експериментална вежба

„Струјно-напонска карактеристика диоде“

Теоријски увод

Полупроводници су хемијски елементи који имају особину да при одређеним условима проводе
или не проводе електричну струју. Најпознатији полупроводнички елементи су силицијум (Si) и
германијум (Ge). Они су елементи 14. групе периодног система.
Сопствена проводљивост (проводљивост чистих полупроводника) је мала, због чега им се додају
примесе и тако настају полупроводници П и Н типа.

Полупроводници Н типа настају када се чистом полупроводнику

додају петовалентне примесе (елементи 15. групе периодног
система, нпр. азот (N), фосфор (P), арсен (As) ). Додавањем
оваквих примеса повећавамо број електрона у полупроводнику,
који на тај начин постају главни носиоци струје, а такве примесе
називамо донорима (јер „донирају“, тј. дају електроне чистом
полупроводнику. У оваквим полупроводницима јони кристалне
решетке су позитивни.
Полупроводници П типа настају када се чистом полупроводнику
додају тровалентне примесе (елементи 13. групе периодног
ситема, нпр. бор (B), алуминијум (Al), галијум (Ga) ). Додавањем
оваквих примеса чистом полупроводник повећавамо број
шупљина (места која нису попуњена електронима), које на тај
начин постају главни носиоци струје. Овакве примесе називамо
акцепторима, јер „узимају“ електроне чистог полупроводника. У
оваквом полупроводнику јони кристалне решетке су негативни.
Примесна проводљивост П и Н типа полупроводника је знатно већа од сопствене проводљивости
чистог полупроводника.

П – Н спој настаје када се споје полупроводници П и Н типа. На споју ова два полупроводника,
услед велике разлике у концентрацијама
шупљина и електрона (у П типу слободних
електрона нема, а у Н типу нема шупљина)
долази до дифузије, при чему електрони
прелазе из Н у П тип полупроводника и при
томе се рекомбинују са шупљинама. Резултат
преласка електрона из Н типа у П тип
полупроводника и њихове рекомбинације са
шупљинама у П типу, је да близу контакта
полупроводника у Н типу остају позитивни
јони кристалне решетке, а у П типу остају
негативни јони кристалне решетке. Ово
условљава да се на контакту П и Н
полупроводника ствара електрично поље које
отежава прелазак електрона из Н типа у П тип
полупроводника. Како се дифузија електрона
одиграва, ово поље је све јаче и у једном
тренутку достигне кртичну јачину при којој
престаје процес дифузије.
Дебљина контактног слоја, а самим тим и контактни напон, може да се мења спољашњим
електричним пољем, нпр. ако „П-Н“ спој прикључимо на извор електричне струје.
Ако је „p“ тип спојен на позитиван пол извора, а „n“ тип на
негативан пол извора онда кажемо да је спој директно
поларисан и у том случају спољашње поље је супротног смера
од контактног, што доводи до смањења дебљине контактног
слоја (смањења контактног напона).

Ако је „П“ тип спојен на негативан

пол извора, а „Н“ тип на позитиван пол извора онда кажемо да је спој
инверзно поларисан и у том случају спољашње поље је истог смера као и
контактно, што доводи до повећања дебљине контактног слоја (повећања
контактног напона).

Диоде су полупроводнички елементи који се састоје од П-Н споја и електрода. Електрода на П

типу полупроводника се назива анода, а на Н типу катода. Данас се производе различити типови
диода (зенер, шотки, светлеће (ЛЕД) диоде…) и имају
разноврсну примену, али свака диода има своје особине које
сазнајемо снимајући њену струјно-напонску карактеристику. Из
струјно напонске карактеристике диоде може се одредити напон
провођења, статичка и динамичка отпорност, напон пробоја...

А К
К А
директно поларисана диода инверзно поларисана диода

Струјно напонска карактеристика диоде је приказана на слици.

Када је диода директно поларисана (позитивне вредности напона
на слици) она неће проводити струју при било којем напону.
Повећавањем напона на њој она почиње са провођењем струје,
али су то струје малих јачина. Такође, повећавањем напона
долази се до једне вредности напона када диода почиње веома
ефикасно проводити струју. Тај напон називамо праг провођења.
Даљим повећавањем напона на диоди видимо да мале промене
напона доводе до великих промена јачине струје.
Када је диода инверзно поларисана (негативне вредности напона Струјно-напонска
на слици) видимо да она не проводи струју, тачније речено карактеристика диоде
проводи струју, али веома мале вредности (реда величине µm).
Повећавањем напона долази се до вредности напона при којем диода почне да ефикасно проводи
струју (напон пробоја Up) и када је инверзно поларисана. Она је тада практично изгубила своје
особине полупроводника и кажемо да је „пробила“. Наравно, на тај начин, диода је уништена за
практичну употребу.
За силицијумску диоду са којом се ради на вежби праг провођења је око 0,6V, а напон пробоја око
75V.
Праг проводности и инверзна струја засићености (струја максималне јачине коју проводи у
инверзној поларизацији, а да не дође до неповратног оштећења саме диоде) зависе од температуре,
зато је важна карактеристика сваке диоде и максимална температура П-Н споја при којој неће дићи
до термичког пробоја диоде.

За извођење вежбе ученик мора бити припремљен, у супротном неће моћи да ради вежбу, што
ће бити оцењено оценом недовољан (1).

Припрема подразумева следеће:

 у вежбанци исписан теоријски део и поступак рада
 познавање теорије у вези са вежбом и начина извођења вежбе (ово ће бити проверено пре
извођења вежбе)

Циљ вежбе

1. снимити струјно – напонску карактеристику силицијумске диоде и одредити праг

проводности
2. показати да при инверзној поларизацији диода веома слабо проводи електричну струју

Прибор за рад

1. макета
2. извор једносмерног напона
3. диода (силицијумска)
4. промењиви отпорник (до 1000 Ω)
5. амперметар
6. волтметар

Поступак

1. на макети спојити електрично коло по шеми датој на слици (диода је директно поларисана)

Директно поларисана диода у Инверзно поларисана диода у

струјном колу струјном колу
2. поставити опсег амперметра на 20 mA, а волтметра на 2000 mV
3. укључити извор струје и подесити напон на 2 V
4. мењањем отпора R регулисати напон на диоди од 0 V до 500 mV (у корацима од 100 mV) и
од 500 mV до 750 mV (у корацима од 50 mV)
5.
а) записивати измерене вредности напона и јачине струје
X
б) израчунати одговарајуће грешке (за јачину струје и напон) по формули ΔX =k X ⋅ max и
100
заокруглити их. (У формули за грешку X је мерена величина, ΔX њена апсолутна
грешка, k X класа инструмента која у нашем случају и за волтметар и за амперметар
износи 2, а X max изабрани опсег мерења.
в) измерене вредности јачине струје и напона унети у табелу
I [mA]
ΔI [mA]
U [mV]
ΔU [mV]
P [W]
ΔP [W]

6. искључити извор струје и диоду инверзно поларисати

7. амперметар пребацити на опсег µА
8. укључити извор струје на 5V
9. мењањем отпора R регулисати напон на диоди, подесити напон на диоди на 1V, 2V и 3V и
очитати одговарајуће јачине струје
10. записати измерене (очитане) вредности у табелу

I [µA]
U [mV]

Део вежбе који радите ван школе (извештај)

11. израчунати снагу диоде за сваки пар измерених вредности јачине струје и напона и
одговарајуће грешке

ΔP=P ⋅ ( ΔII + ΔUU )

12. Заокругљене вредности апсолутне грешке снаге ΔP и снаге P записати у одговарајућу табелу
13. нацртати график I(U) (струјно-напонску карактеристику диоде и то само део када је диода
директно поларисана)
14. очитати са графика праг проводности диоде Ud и записати га
15. Записати најмање три примера за примену диода